特表 2024-501244 導波路構造及び製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-01-11

(54)【発明の名称】導波路構造及び製造方法

(51)【国際特許分類】

   G02B 6/122 20060101AFI20231228BHJP

   G02B 6/132 20060101ALI20231228BHJP

【ＦＩ】

G02B6/122

G02B6/132

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023537931

(86)(22)【出願日】2021-12-20

(85)【翻訳文提出日】2023-08-03

(86)【国際出願番号】 EP2021086854

(87)【国際公開番号】W WO2022144215

(87)【国際公開日】2022-07-07

(31)【優先権主張番号】2020848.4

(32)【優先日】2020-12-31

(33)【優先権主張国・地域又は機関】GB

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】522074936

【氏名又は名称】スマート フォトニクス ホールディングス ビー．ブイ．

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100109346

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 敏史

(74)【代理人】

【識別番号】100117189

【弁理士】

【氏名又は名称】江口 昭彦

(74)【代理人】

【識別番号】100134120

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 和彦

(72)【発明者】

【氏名】ミラン メヒア，アロンソ ジーザス

【テーマコード（参考）】

2H147

【Ｆターム（参考）】

2H147BA01

2H147BA06

2H147BA15

2H147EA12A

2H147EA12B

2H147EA12C

2H147EA12D

2H147FA04

2H147FA07

2H147FC02

2H147FC03

(57)【要約】

基板（１０２）と、基板（１０２）上の導波路層（１０４）と、導波路層（１０４）の第１の側面と接触するクラッド層（１０６）と、を含む導波路構造（１００）であって、導波路層（１０４）は、クラッド層（１０６）と基板（１０２）との間にあり、第１の導波路修正層（１１０）は、導波路層（１０４）の導波路機能を修正するための第１の材料を含み、第１の導波路修正層（１１０）は、クラッド層（１０６）と接触し、かつクラッド層（１０６）の第１の軸（１１４）に平行な幅（Ｗ２）よりも小さい第１の軸に沿った幅（Ｗ１）を有し、第１の軸は、導波路層（１０４）内の光伝播方向に対応する第２の軸（２０２）に垂直な、導波路構造（１００）。導波路構造（１００）を製造する方法がある。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上の導波路層と、
前記導波路層の第１の側面に接触するクラッド層であって、前記導波路層は、前記クラッド層と前記基板との間にある、前記クラッド層と、
前記導波路層の導波路機能を修正するための第１の材料を含む第１の導波路修正層であって、前記第１の導波路修正層は、前記クラッド層と接触し、かつ前記クラッド層の第１の軸に平行な幅よりも小さい前記第１の軸に沿った幅を有し、前記第１の軸は、前記導波路層内の光伝播方向に対応する第２の軸に垂直である、前記第１の導波路修正層と、を含む導波路構造。

【請求項2】

前記導波路層の前記導波路機能を修正するための前記第１の材料を含む前記第１の軸上の第２の導波路修正層であって、前記第１の軸上の前記第１及び第２の導波路修正層は、前記クラッド層と接触し、かつ互いに離隔している、前記第２の導波路修正層を含む、請求項１に記載の導波路構造。

【請求項3】

前記第１の導波路修正層は第３の軸に沿った幅を有し、前記第３の軸に沿った前記幅は前記第１の軸に沿った前記第１の導波路修正層の前記幅とは異なり、前記第３の軸は前記第２の軸に垂直で、かつ前記第１の軸から離隔している、請求項１または請求項２に記載の導波路構造。

【請求項4】

前記導波路層の前記導波路機能を修正するための前記第１の材料を含み、かつ前記クラッド層と接触する前記第１の材料を含む第３の導波路修正層であって、前記第３の導波路修正層は、前記第２の軸に垂直で、かつ前記第１の軸から離隔した第３の軸上に位置する、前記第３の導波路修正層を含む、請求項１または請求項２に記載の導波路構造。

【請求項5】

前記第１の導波路修正層の幅は、前記第３の導波路修正層の幅と実質的に同じである、請求項４に記載の導波路構造。

【請求項6】

前記第１の導波路修正層の前記幅は、前記第３の導波路修正層の前記幅とは異なる、請求項４に記載の導波路構造。

【請求項7】

前記導波路層の前記導波路機能を修正するための前記第１の材料を含む前記第３の軸上の第４の導波路修正層であって、前記第３及び第４の導波路修正層は、前記クラッド層と接触し、かつ互いに離隔している、前記第４の導波路修正層を含む、請求項４～６のいずれか１項に記載の導波路構造。

【請求項8】

前記導波路層の前記第１の側面と重なる前記クラッド層の側面の１つ以上の部分と接触する第２の材料であって、前記１つ以上の部分は前記第１の材料と接触しない、前記第２の材料を含む、請求項１から７のいずれか１項に記載の導波路構造。

【請求項9】

前記クラッド層は前記第２の材料を含む、請求項８に記載の導波路構造。

【請求項10】

前記第２の材料は、前記導波路層の前記第１の側面と重なる前記第１の導波路修正層の側面と接触している、請求項８または９に記載の導波路構造。

【請求項11】

前記導波路構造は、深い導波路構造である、請求項１～１０のいずれか１項に記載の導波路構造。

【請求項12】

前記導波路構造は、浅い導波路構造である、請求項１～１０のいずれか１項に記載の導波路構造。

【請求項13】

前記第１の材料は、前記導波路層の実効屈折率を修正する、請求項１～１２のいずれか１項に記載の導波路構造。

【請求項14】

前記導波路層と前記第１の導波路修正層との間の距離は、前記導波路層の前記導波路機能が修正される所望する大きさに従って選択される、請求項１～１３のいずれか１項に記載の導波路構造。

【請求項15】

導波路構造を製造する方法であって、
基板上に導波路層を少なくとも部分的に形成するために、前記基板上に第１の層を堆積することと、
前記導波路層と接触するクラッド層を少なくとも部分的に形成するために、前記第１の層と接触する第２の層の第２の層材料を堆積することであって、前記導波路層は、前記クラッド層と前記基板との間にある、前記第２の層材料を堆積することと、
前記クラッド層と接触する第１の導波路修正層を少なくとも部分的に形成するために、前記第２の層と接触する導波路修正層材料を堆積することであって、前記第１の導波路修正層の前記導波路修正層材料は、前記導波路層の導波路機能を修正するためのものであり、前記第１の導波路修正層は前記クラッド層の第１の軸に平行な幅よりも小さい前記第１の軸に沿った幅を有し、前記第１の軸は、前記導波路層内の光伝播方向に対応する第２の軸に垂直である、前記導波路修正層材料を堆積することと、を含む、前記導波路構造を製造する方法。

【請求項16】

前記導波路修正層材料を堆積する前に、前記第２の層材料から１つ以上の部分を除去することであって、前記１つ以上の部分の厚さは、前記第１の層を露出しないように前記第１の層と接触して堆積された前記第２の層材料の厚さよりも小さい、前記１つ以上の部分を除去することと、
前記１つ以上の部分を除去することで生じた１つ以上の空間に前記導波路修正層材料を堆積することと、を含む、請求項１５に記載の方法。

【請求項17】

前記第２の層材料の１つ以上の露出部分をそれぞれ作成するために、前記導波路修正層材料の１つ以上の部分を除去することと、
前記第２の層材料の前記１つ以上の露出部分上に前記第２の層材料を堆積することと、を含む、請求項１５に記載の方法。

【請求項18】

前記第２の層材料を含む前記導波路構造の上部セクションを少なくとも部分的に形成するために、前記導波路修正層材料上に前記第２の層材料を堆積することを含む、請求項１６または１７に記載の方法。

【請求項19】

前記上部セクションから開始し、前記基板の上面を超える、前記第２の軸に平行な前記導波路構造の側面を形成するために、材料を除去することを含む、請求項１８に記載の方法。

【請求項20】

前記上部セクションから開始し、前記導波路層の底面までその全てを除去することなく前記導波路層の少なくとも上面まで前記第２の軸に平行な、前記導波路構造の側面を形成するために、材料を除去することを含む、請求項１８に記載の方法。

【請求項21】

請求項１～１４のいずれか１項に記載の前記導波路構造を含む、光集積回路。

【発明の詳細な説明】

【背景技術】

【0001】

半導体導波路構造は既知である。導波路構造の特性は、使用目的に応じて様々に選択することができる。例えば導波路構造は、所望する光路長に応じた光伝播方向に沿った長さを有し得る。

【図面の簡単な説明】

【0002】

【図1】実施例に従い、第１の導波路構造の側断面を概略的に示す。

【図2】第１の実施例に従い、第１の導波路構造の平面断面を概略的に示す。

【図3】第２の実施例に従い、第１の導波路構造の平面断面を概略的に示す。

【図4】実施例に従い、第２の導波路構造の側断面を概略的に示す。

【図5】実施例に従い、導波路構造の製造方法を示すフロー図である。

【図6】実施例に従い、導波路構造の製造方法の一部として第１組のステップを示すフロー図である。

【図7】実施例に従い、導波路構造の製造方法の一部として第２組のステップを示すフロー図である。

【図8】実施例に従い、第３の導波路構造の側断面を概略的に示す。

【図9】第３の実施例に従い、第１の導波路構造の平面断面を概略的に示す。

【図10】第４の実施例に従い、第１の導波路構造の平面断面を概略的に示す。

【図11】実施例に従い、第３の導波路構造の側断面を概略的に示す。

【発明を実施するための形態】

【0003】

本明細書に記載される実施例は、導波路構造及び導波路構造の製造方法に関する。

【0004】

用途に応じて、導波路構造は、使用される光の波長に対して特定の光路長を提供する必要がある場合がある。光路長は、光がたどる経路の幾何学的な長さと、その経路をたどる際に光が受ける屈折率との積である。光路長は、例えば、導波路構造の長さ（光伝播方向）または幅を変えることで変更され得る。ただし、導波路構造の物理的寸法を変更するには、光集積回路（ＰＩＣ）の様々なコンポーネントの位置配置を慎重に考慮する必要があり、これによりＰＩＣ設計の柔軟性が低下する場合がある。

【0005】

本明細書に記載される実施例は、例えば導波路層内（層内で光が閉じ込められて伝播する）の特定の光モードに対する実効屈折率を修正する１つ以上の導波路修正層を含む。これは、導波路構造の物理的寸法を変更することなく、これらのモードの光路長を調整可能であることを意味する。これにより、光路長を調整するために導波路構造の物理的寸法を変更する場合と比較して、ＰＩＣ設計の柔軟性が高まる。また、１つ以上の導波路修正層は、所望により、導波路層内の光の特定のモードに影響を与え、他のモードには実質的に同様の影響を及ぼさないように配置することができる。これにより、導波路構造の用途の柔軟性を高めることができる。

【0006】

図１は、実施例に従い、導波路構造１００の側断面を概略的に示す。導波路構造１００は、基板１０２と、基板１０２上の導波路層１０４とを備える。いくつかの実施例において、基板１０２は、リン化インジウム（ＩｎＰ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、またはアンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）などのいわゆるＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物を含む。その他の実施例において、基板は窒化物系材料またはシリコン系材料を含む。以下の実施例は、ＩｎＰを含む基板に関するものである。

【0007】

本明細書に記載される実施例において、基板１０２は主にＩｎＰを含む。いくつかの実施例において、基板１０２は純粋なＩｎＰである（許容される純度許容範囲内）。その他の実施例において、基板１０２はドーパントまたは不純物などのその他の材料を含み、その材料は少なくとも９９％のＩｎＰを含む。例えば、基板１０２は、基板がｎ型ドープされたとみなされるようにドーパント材料でドープされるか、または基板１０２は、基板１０２がｐ型ドープされたとみなされるようにドーパント材料でドープされるか、または基板１０２は、基板１０２が半絶縁性であるとみなされるようにドーパント材料でドープされる。

【0008】

導波路層１０４は、基板１０２の材料よりも高い屈折率を有する材料を含む。例えば、導波路層１０４は、インジウムガリウムヒ素リン化物（ＩｎＧａＡｓＰ）を含む。より一般的には、いくつかの実施形態において、導波路層１０４は（Ａｌ）ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）を含む。括弧内に示された要素は交換可能であり、異なる要素の組成は、所望する機能に応じて選択される。例えば、ＩｎＧａＡｓにおけるＧａ及びＡｓの組成は、所望するバンドギャップに従って選択することができる。いくつかの実施例において、導波路層１０４は（Ａｌ）ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）の層である。その他の実施例において、導波路層１０４は複数の副層を含む。いくつかのかかる実施例において、導波路層１０４は、基板１０２と接触する（Ａｌ）ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／（Ａｌ）ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）多重量子井戸構造を含む。いくつかの実施例において、副層の厚さは５～２０ナノメートルである。導波路層１０４の副層スタックは、導波路構造１００の所望する用途に従って選択されるバンドギャップを有する。実施例において、導波路層１０４は、５００ナノメートルの厚さ（図１に対して垂直方向）を有する（ただし、導波路層１０４の厚さ及び組成は、所望する用途に依存することが理解されよう）。

【0009】

したがって、当業者であれば理解可能なように、例えばＩｎＧａＡｓＰのバンドギャップ及び屈折率は、調整可能である。いくつかの実施例において、導波路層１０４のＩｎＧａＡｓＰのバンドギャップは、１２５０ナノメートルの波長に調整される。その他の実施例において、バンドギャップが調整される波長は異なる。

【0010】

導波路層１０４は光を導くためのものである。使用中、光は導波路層１０４内を伝播し、導波路層１０４の境界での反射により、例えば図１に示すように、垂直方向及び水平方向に導波路層１０４内に閉じ込められる。導波路層１０４は、光の閉じ込めを所望する境界で導波路層１０４と接触する材料の屈折率よりも高い屈折率を有する。例えば、光の閉じ込めを所望する境界での本屈折率差により、導波路層１０４のこれらの境界での入射角が臨界角よりも大きい場合、内部全反射が起こる。このようにして、導波路層１０４は光の伝播を導く。当業者であれば理解可能なように、特定の光学モードが導波路層１０４内を伝播するためには、導波路層１０４の境界で反射された光が、建設的干渉の条件を満たすことが所望される。

【0011】

例えば、導波路構造１００の所望する用途に応じて、特定の光学モードの光が導波路層１０４を通って伝播することが所望される。光学モードが導波路層１０４内を伝播する方向を、本明細書では光伝播方向と呼ぶ。光伝播方向は、光学モードのエネルギーが導波路層１０４を通って伝わる一般的な方向であり、必ずしも、例えば、導波路層１０４の境界での入射角によって規定される方向ではない。

【0012】

導波路構造１００は、導波路層１０４の第１の側面１０８に接触するクラッド層１０６を含み、導波路層１０４は、クラッド層１０６と基板１０２との間にある。導波路層１０４の第１の側面１０８は、基板１０２と接触する導波路層１０４の側面の反対側の側面である。図１に示される配向を参照して、導波路層１０４の第１の側面１０８を、以下、導波路層１０４の上側１０８と呼ぶ。

【0013】

例えばクラッド層１０６は、使用される基板に応じて、リン化インジウム（ＩｎＰ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、またはアンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）などのＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物を含む。これらの実施形態において、クラッド層１０６は主にＩｎＰを含む。これは、基板１０２に関しては、クラッド層１０６の材料が主にＩｎＰを含むことを意味する。基板１０２の場合と同様に、クラッド層１０６の材料は少なくとも９９％のＩｎＰを含み、例えば、真性（ドープされていない）、ｎ型ドープ、ｐ型ドープ、または半絶縁であるとみなされる。いくつかの実施例において、所望する用途がアクティブなＰＩＣの部品を使用する場合、クラッド層は、例えば電力の伝送を可能にするためにドープ（例えば、ｐ型ドープ）される。本明細書に記載される実施例において、クラッド層１０６は真性ＩｎＰを含む。

【0014】

導波路構造１００は、導波路層１０４の導波路機能を修正するための第１の材料を含む第１の導波路修正層１１０を含む。導波路修正層１１０の存在は、導波路修正層１０４が存在しない場合と比較して、導波路層１０４内で光が伝播する方法を修正する。以下の実施例では、第１の導波路修正層（第１の材料を含む）の存在により、導波路層１０４の実効屈折率が修正される。本明細書で使用されるとおり、実効屈折率は、導波路層１０４内を伝播する光が受ける屈折率である。実効屈折率は、例えば、導波路層単独の屈折率（例えば、導波路層１０４に含まれる材料の屈折率）である必要はない。導波路層１０４の近傍の他の材料も、光学モードの一部がこの材料と重なるため、導波路層１０４内を伝播する光が受ける屈折率に影響を与える場合がある。導波路層１０４の近傍にどのような材料があるかに応じて、導波路層１０４内の光の実効屈折率は異なる場合がある。例えば、実効屈折率は、導波路構造１００全体に依存する。実効屈折率が光の波長を含むパラメータに依存し、対象となる特定の光学モードにも依存することは、当業者に理解されよう。

【0015】

第１の材料を含む層（例えば、第１の導波路修正層１１０）を導波路層１０４の近くに導入することによって、導波路層１０４内を伝播する光の実効屈折率を修正することができる。本明細書で使用されるとおり、修正された実効屈折率は、第１の導波路修正層１１０などの導波路修正層の存在により修正された実効屈折率である。

【0016】

例えば、第１の導波路修正層１１０が存在する場合、光は、まるで影響を受ける屈折率が修正実効屈折率であるかのように、（図１に示す配向に対して）第１の導波路修正層１１０の下にある導波路層１０４の部分内を伝播する。例えば、第１の導波路修正層１１０の下にある導波路層１０４の部分で建設的干渉が生じる導波路層１０４を通って伝播する光学モードは、まるで影響を受ける屈折率が修正された実効屈折率であるかのように伝播する。実効屈折率を修正することは、何らかの方法で導波路層１０４を物理的に修正することを意味するものではない。代わりに、実効屈折率は、導波路層１０４に近い第１の導波路修正層１１０の存在により、第１の導波路修正層１１０の下にある導波路層１０４の部分を光が伝播する際の屈折率である。

【0017】

第１の材料は、クラッド層１０６の材料とは異なる屈折率を有する。本明細書に記載される実施例において、導波路修正層１１０は、導波路層１０４と同じ材料（第１の材料）を含む。他の実施例において、第１の材料は、導波路層１０４の材料とは異なる材料である。いくつかの実施例において、第１の材料は導波路層１０４の材料とは異なり、導波路層１０４の材料と実質的に（許容誤差内で）同じ屈折率を有する。いくつかの実施例において、第１の材料は、導波路層１０４の材料の屈折率よりも高い屈折率を有する。その他の実施例において、第１の材料は、導波路層１０４の材料の屈折率よりも低い屈折率を有する。

【0018】

第１の導波路修正層１１０は、クラッド層１０６と接触している。第１の導波路修正層１１０は、クラッド層１０６の第１の軸１１４に平行な幅（Ｗ２）より小さい、第１の軸１１４に沿った幅（Ｗ１）を有する。第１の軸１１４は、導波路層１０４内の光伝播方向に対応する第２の軸（図２及び図３にて参照番号２０２で示す）に対して垂直である。図１の実施例において、記号１１２で示すように、光の伝播方向がページ内に向かうような側断面図が示されている。

【0019】

第１の軸１１４に沿った導波路修正層１１０の幅が、第１の軸１１４に平行なクラッド層１０６の幅より小さいため、導波路修正層１０４がその上に（図１に示す配向で）第１の材料を有する導波路修正層１０４の領域と、導波路修正層１０４がその上に第１の材料を有さない導波路修正層１０４の領域とが存在する。したがって、導波路修正層１０４がその上に第１の材料を有する領域内で建設的干渉が生じる光学モードの実効屈折率は、導波路修正層１０４がその上に第１の材料を有さない領域内で建設的干渉が生じる光学モードの実効屈折率とは実質的に（許容誤差内で）異なる。

【0020】

光の異なるモードが、第１の軸１１４に平行な方向に沿った導波路層１０４の異なる位置に建設的干渉ピークを有することは、当業者に理解されよう。第１の導波路修正層１１０は、実効屈折率が修正される特定の光モードに従って、第１の軸１１４に沿った幅に関して位置及び寸法が決定され得る。

【0021】

図１の実施例において、第１の導波路修正層１１０は、（図１に示される配向に対して）導波路層１０４の左側部分の上に配置される。したがって、導波路層１０４の左側部分で建設的干渉が生じる光のモードの実効屈折率は、これらの実施例では修正される。第１の軸１１４に沿った第１の導波路修正層１１０の位置は、これらの実施例に限定されるものではないことに留意されたい。導波路修正層の数、位置、大きさまたは形状は、図１に示される実施例に限定されるものではない。多くの実施例のうちの１つとして、第１の導波路修正層１１０は、導波路修正層１０４の（第１の軸１１４に平行な方向に対して）中心の上に位置する。

【0022】

図１の実施例において、導波路構造１００は、第１の材料を含む第１の軸１１４上に複数の導波路修正層を含む。第１の軸１１４上の複数の導波路修正層は、第１の導波路修正層１１０を含む。第１の軸１１４上の複数の導波路修正層はクラッド層１０６と接触しており、互いに離隔している。より具体的には、図１の実施例において、第１の軸１１４上に、第１の導波路修正層１１０を含む２つの導波路修正層が存在する。その他の実施例において、第１の軸上の導波路修正層は、導波路構造１００の用途に応じて、図１の実施例とは異なり、第１の軸１１４に沿った幅に関して位置及び寸法が決定される。いくつかの実施例において、第１の軸１１４上に、クラッド層１０６と接触し、かつ互いに離隔した３つ以上の導波路修正層が存在する。

【0023】

図１の特定の実施例において、導波路構造１００は、導波路層の導波路機能を修正するための第１の材料を含む第１の軸１１４上に第１の導波路修正層１１０と第２の導波路修正層１１６とを含み、第１の軸１１４上の第１及び第２の導波路修正層は、クラッド層１０６と接触し、かつ互いに離隔している。第２の導波路修正層１１６は、（図１に示される配向に対して）導波路層１０４の右側部分の上に位置する。したがって、左側部分及び右側部分の導波路層１０４内で建設的干渉が生じる光のモードは、修正された実効屈折率を受けることになる。

【0024】

その他の実施例において、導波路修正層は１つだけである。例えば図８は、実施例に従い、導波路構造８００の側断面を概略的に示す。図８において、図１に示す特徴に対応する特徴には、末尾に追加の数字「－８」を付けた同様の参照番号が付けられている。導波路構造８００は、第１の軸１１４－８上に第１の導波路修正層１１０－８のみを含み、第１の軸１１４－８上に他の導波路修正層を含まない。これらの実施例において、第１の導波路修正層１１０－８は、第１の軸１１４－８の方向で、導波路層１０４－８に対して中央に位置する。第１の導波路修正層１１０－８の位置及び幅は、導波路構造８００の特定の用途に基づいて選択される。

【0025】

本明細書に記載される実施例において、導波路構造１００は、導波路層１０４の上面１０８と重なるクラッド層１０６の側面の１つ以上の部分１１８と接触する第２の材料を含み、１つ以上の部分１１８は第１の材料と接触しない。導波路層１０４の上面１０８と重なるクラッド層１０６の側面は、図１に示すように、クラッド層１０６の上面である。換言すると、１つ以上の部分１１８は、図１に示すように、それらの上に第１の材料を有さないクラッド層１０６の部分である。したがって第２の材料は、第１の導波路修正層１１０と接触する第１の軸１１４上に位置する。第１の軸１１４上に複数の導波路修正層を有する実施例において、第２の材料は、第１の軸１１４上の複数の導波路修正層の間の空間を満たす。

【0026】

本明細書に記載される実施例において、クラッド層は第２の材料を含む。その他の実施例において、第２の材料は、クラッド層１０６の材料とは異なる材料である。第２の材料は、第１の導波路修正層１１０の上面と同じ高さまで延在する。その他の実施例において、第２の材料は省略される。例えば、第１の導波路修正層１１０は、第１の軸１１４に沿った位置に沿って空気またはその他の材料との境界を形成する。

【0027】

更に、本明細書に記載される実施例において、第２の材料は、導波路層１０４の上面１０８と重なる第１の導波路修正層１１０の側面１２０と接触している。側面１２０は、第１の導波路修正層１１０の上面１２０である。第１の軸１１４上に複数の導波路修正層を含む実施例において、第２の材料は、第１の軸１１４上の複数の導波路修正層の導波路修正層のそれぞれの上側と接触している。いくつかの実施例において、第１の導波路修正層１１０の上面１２０と接触する第２の材料以外の材料が存在する。いくつかの実施例において、異なる濃度のドーパントを有する材料は、第１の導波路修正層１１０の上面１２０と接触する。いくつかの実施例において、実質的に（許容誤差内で）均一なドーパント濃度の、第１の導波路修正層１１０の上面１２０に接触する材料が存在する。その他の実施例において、第１の導波路修正層１１０の上面１２０と接触する上部セクションは、ドーパントの濃度勾配を有する。例えば、上部セクションのドーパント濃度は、導波路層１０４からの距離とともに増加する。

【0028】

いくつかの特定の実施例において、上部セクションは、第１の導波路修正層１１０の上面１２０に接触する真性半導体層（例えば、厚さ１７０ナノメートルのＩｎＰ）（図示せず）と、真性半導体層の上面に接触する第１のｐ型ドープされた上部セクション層（例えば、厚さ１７０ナノメートルのｐ型ドープされたＩｎＰ）と、第１のｐ型ドープされたセクション層の上面と接触する第２のｐ型ドープされた上部セクション層（例えば、第１のｐ型ドープされた上部セクション層よりも高いドーパント濃度を有する厚さ１０００ナノメートルのｐ型ドープされたＩｎＰ）とを含む。いくつかのかかる実施例において、上部セクションは、第２のｐ型ドープされた上部セクション層の上面と接触する接触層を含む。接触層は、半導体構造に電荷キャリアを注入するためのものである。

【0029】

その他の実施例において、第１の導波路修正層１１０の上面１２０と接触する半導体材料はない。例えば、第１の導波路修正層１１０の上面１２０は、空気、誘電材料、金属または磁性材料との境界を形成する。

【0030】

図２は、実施例に従い、導波路構造１００Ａの平面断面を概略的に示す。導波路構造１００Ａは、図１に示す導波路構造１００の具体的な実施例を示す。図２の断面図は、第１の導波路修正層１１０の上面１２０での、図１に示す線Ａ－Ａに沿ったものである。図２において、図１に示す特徴の具体的な実施例には、末尾に「ａ」の文字を追加した同様の参照番号が付けられている。

【0031】

導波路層１０４内の光伝播方向に対応する第２の軸が図２に示されており、参照番号２０２が付けられている。図２の実施例において、第１の導波路修正層１１０ａは、第１の軸１１４ａに沿った第１の導波路修正層１１０ａの幅（Ｗ１ａ）とは異なる、第３の軸２０４に沿った幅（Ｗ３）を有する。第３の軸２０４は、第２の軸２０２に対して垂直であり、第１の軸１１４ａから離隔している。換言すると、第３の軸２０４は、第２の軸２０２に対して第１の軸１１４ａとは異なる位置にある。このようにして、第１の導波路修正層１１０ａの幅は、第２の軸２０２に沿った位置に対してテーパする。

【0032】

図２の実施例において、第１の軸１１４ａ上の第２の導波路修正層１１６ａの幅も、第２の軸２０２に沿った位置に対してテーパする。これらの実施例において、第１の導波路修正層１１０ａの幅のテーパ量は、第２の導波路修正層１１６ａの幅のテーパ量と実質的に（許容誤差内で）同じである。その他の実施例において、第１の導波路修正層１１０ａと第２の導波路修正層１１６ａの幅は異なってテーパする（または、例えば一方の幅はテーパし、他方の幅はテーパしない）。第１の導波路修正層１１０ａの幅がテーパするいくつかの実施例において、更なる導波路修正層はない。

【0033】

例えば上述したテーパは、導波路層１０４ａ内を伝播する光の実効屈折率の、所望する特定の修正に従って選択される。図２の実施例において、修正層の１つの幅から別の幅への線形遷移があるという点で、テーパは線形であるとみなしてもよい。しかし他の実施例において、第１の導波路修正層１１０ａの幅の変化は、所望する用途に応じて非線形、例えば階段状であってもよい。

【0034】

図３は、実施例に従い、導波路構造１００Ｂの平面断面を概略的に示す。導波路構造１００Ｂは、図１に示す導波路構造１００の具体的な実施例を示す。図３の断面図は、第１の導波路修正層１１０の上面１２０での、図１に示す線Ａ－Ａに沿ったものである。図３では、上記の特徴に対応する特徴には、末尾に「ｂ」の文字が付いた同様の参照番号が付けられている。

【0035】

導波路構造１００Ｂは、第１の材料を含む第３の導波路修正層３０２を含む。第３の導波路修正層３０２は、クラッド層１０６ｂと接触している。第３の導波路修正層３０２は、第３の軸２０４ｂ上に位置する。これらの実施例において、第３の軸２０４ｂに沿った第３の導波路修正層３０２の幅（Ｗ４）は、クラッド層１０６ｂの第３の軸２０４ｂに平行な幅よりも小さい。図３の実施例において、第１の導波路修正層１１０ｂの幅（Ｗ１ｂ）は、（許容誤差内で）第３の導波路修正層３０２の幅（Ｗ４）と実質的に同じである（幅は、第１の導波路修正層１１０ｂの場合は第１の軸１１４ｂに沿って測定され、第３の導波路修正層３０２の場合は第１の軸１１４ｂに対して平行な第３の軸２０４ｂに沿って測定される）。図３の実施例は、特定の光学モードのフィルタリングを所望する場合に使用してもよい。

【0036】

図９は、導波路構造１００Ｃの側断面を概略的に示す。図９において、上記の特徴に対応する特徴には、末尾に「ｃ」の文字が付いた同様の参照番号が付けられている。これらの実施例において、第１の導波路修正層１１０ｃの幅（Ｗ１ｃ）は、第３の導波路修正層３０２ｃの幅（Ｗ４ｃ）とは異なる。実施例において、第３の導波路修正層３０２ｃは、対象となる導波路構造の意図する用途に応じて任意の幅を有する。図３の実施例において、第１の導波路修正層１１０ｂの位置は、第１の軸１１４ｂに平行な方向に対して、第３の導波路修正層３０２の位置と位置合わせされている。その他の実施例において、第１の導波路修正層１１０ｂと第３の導波路修正層３０２はさほど位置合わせされていない。

【0037】

再び図３を参照すると、これらの実施例において、導波路構造１００Ｂは、第１の材料を含む第３の軸２０４ｂ上に、クラッド層１０６ｂと接触し、互いに離隔した複数の導波路修正層を含む。第３の軸２０４ｂ上の複数の導波路修正層は、第３の導波路修正層３０２を含む。より具体的には、図３の実施例において、導波路構造１００Ｂは、導波路層の導波路機能を修正するための第１の材料を含む第３の軸２０４ｂ上に第４の導波路修正層３０４を含み、第３及び第４の導波路修正層はクラッド層と接触し、かつ互いに離隔している。その他の実施例において、導波路構造１００Ｂは、第３の軸２０４ｂ上に第３の導波路修正層３０２のみを含む（他の導波路修正層は含まない）。いくつかの実施例において、導波路構造１００Ｂは、第３の軸２０４ｂ上に互いに離隔した３つ以上の導波路修正層を含む。

【0038】

図１０は、実施例に従う、導波路構造１００Ｄの側断面を概略的に示す。図１０において、上記の特徴に対応する特徴には、末尾に「ｄ」の文字が付いた同様の参照番号が付けられている。これらの実施例において、導波路構造１００Ｄは、第１の導波路修正層１１０ｄ及び第２の導波路修正層１１６ｄのみを含む。これらの実施例において、第１の導波路修正層１１０ｄ及び第２の導波路修正層１１６ｄは、導波路構造１００Ｄの全長に沿って延在する。これらの実施例において、第１の軸１１４ｄに平行な方向における第１の導波路修正層１１０ｄの幅と、第１の軸１１４ｄに平行な方向における第２の導波路修正層１１６ｄの幅は、第２の軸２０２ｄに沿った位置に対して変化しない。

【0039】

１つ以上の導波路修正層の様々な実施例を記載してきた。記載された実施例において、第１の材料で被覆されていないクラッド層１０６上の空間は、第２の軸に平行な導波路構造の全長に沿って第２の材料で充填される。例えば、導波路構造１００Ａの場合、第１の軸１１４上の第１の導波路修正層１１０と第２の導波路修正層１１６との間の空間は、第２の材料を含む。例えば、導波路構造１００Ｂの場合、第１の導波路修正層１１０ｂと、第１の軸１１４ｂ上の第２の導波路修正層１１６ｂと、第３の軸２０４ｂ上の第３の導波路修正層３０２と第４の導波路修正層３０４との間の空間は、第２の材料で充填されている。第１の材料を含まない導波路修正層と同じ平面内の空間には、第２の材料が含まれる。

【0040】

再び図１を参照すると、導波路構造１００は、深い導波路構造と呼ばれ得るものの実施例を表す。例えば、導波路構造１００などの深い導波路構造を製造するために、材料を除去して、上部セクションから開始し、基板１０２の上面を超える、第２の軸２０２に平行な導波路構造の側面を形成する。

【0041】

図４は、実施例に従う、導波路構造４００の側断面を概略的に示す。図４において、図１に示す特徴に対応する特徴には、末尾に追加の数字「－４」を付けた同様の参照番号が付けられている。導波路構造４００は、導波路構造４００が浅い導波路構造と呼ばれ得るものである場合を除いて、導波路構造１００に関して上述した特徴の任意の組み合わせを備えてもよい。例えば、導波路構造４００などの浅い導波路構造を製造するために、材料を除去して、上部セクションから開始し、導波路層１０４－４の底面までその全てを除去することなく導波路層１０４－４の少なくとも上面まで第２の軸２０２に平行な、導波路構造の側面を形成する（例えば材料は、導波路層１０４－４の上面のわずかに下まで除去される）。

【0042】

導波路構造４００において、導波路層１０４－４の上面１０８－４の一部はクラッド層１０６－４で被覆されておらず、導波路層１０４－４は深い導波路構造１００と比較して幅が広い。導波路層１０４－４内で所望する光閉じ込め及び／または導波路層１０４－４内を伝播する所望する光のモードに応じて、深い導波路構造１００または浅い導波路構造４００が使用され得ることは、当業者に理解されよう。深い導波路構造がエッチング法を用いて製造され得ることも、当業者には理解されよう。より低い電子と正孔の非発光再結合を所望する場合は、浅い導波路構造が所望される場合がある。これは、導波路層のエッチング除去が少なくなると、導波路層の表面に生じる損傷が少なくなり、損傷した材料の欠陥による非発光再結合が減少し得るからである。これは、増幅器や検出器などの用途に対して所望される場合がる。浅い導波路構造では、エッチングされる導波路層の表面も少なくなる。これは、浅い導波路構造における光損失がより低いことを意味し、用途によっては、これを考慮して浅い導波路構造が所望される場合がある。

【0043】

一方、深い導波路構造は、より大きな横方向の閉じ込め（第１の軸１１４－８に平行な方向）を提供することができ、用途によっては、この特性を考慮して使用され得る。例えば横方向の閉じ込めが大きくなると、光学モードの調整特性が異なる場合がある。いくつかの実施例において、深い導波路構造は、導波路層の幅が狭く、光の伝播方向を変えるための曲げ半径が小さいため、ＰＩＣ設計に柔軟性を与え得る。

【0044】

上述したように導波路修正層を用いて実効屈折率を修正すると、導波路構造の物理的寸法（例えば光伝播方向の長さ）を変更することなく、導波路構造の光路長を調整することが容易になる。これにより、例えば所望する光路長に従って導波路構造の長さを変える場合と比較して、ＰＩＣの設計の柔軟性を高めることができる。

【0045】

更に実効屈折率は、導波路層１０４内の第１の軸１１４に平行な方向に沿った異なる位置に位置する特定の光のモードに合わせて調整することができる。したがって、記載された実施例によって解明される原理は、導波路層１０４内で第１の軸１１４に平行な方向において異なる位置にある光のモードに対して実効屈折率を変化させることを容易にする。

【0046】

導波路構造の様々な実施例を上述した。しかし、導波路修正層の数、大きさ（複数可）、形状（複数可）及び配置は、記載された実施例に限定されるものではない。導波路構造は、第２の軸２０２に平行な方向における少なくとも１つの位置において、導波路修正層が、クラッド層１０６の第１の軸１１４に平行な幅よりも小さい、第１の軸１１４に対して平行な幅を有するように、任意の数、形状及び配置の導波路修正層を含んでもよい。このようにして、実効屈折率は、第１の材料の下にある第１の軸１１４に平行な方向に沿って導波路層１０４内に位置するモードに対して変更することができる。したがって、導波路構造の特定の用途に応じて、多数の異なるパターンの導波路修正層を提供することができる。

【0047】

導波路層１０４と第１の導波路修正層１１０との間の距離は、導波路層１０４の導波路機能が修正される所望する大きさに従って選択される。この距離は第１の軸１１４に対して垂直で、かつ第２の軸２０２に対して垂直な方向に沿っている。換言すると、この距離は、第１の導波路修正層１１０と導波路層１０４との間のクラッド層１０６の厚さによって定義される。導波路修正層が導波路層１０４に近づくほど、導波路層１０４の実効屈折率の修正は大きくなる。実効屈折率を最大限修正するために、導波路修正層は、製造公差が許す限り導波路層１０４の近くに配置される。例えば、第１の導波路修正層１１０と導波路層１０４との間の距離は約３０ナノメートルである。例えば、導波路修正層１１０がドライエッチング技術を使用して画定される場合、導波路層１０４がエッチングの影響を受けないように、クラッド層１０６がエッチング速度の変動を補正するのに十分な厚さであることが所望される。

【0048】

いくつかの実施例において、導波路修正層の厚さは、対象となる導波路修正層が上に存在する導波路層１０４内の第１の軸１１４に平行な位置での実効屈折率の修正の大きさに影響を与える。したがって、いくつかの実施例において、１つ以上の導波路修正層の厚さは、実効屈折率の所望する修正の大きさに従って選択される。いくつかの実施例において、導波路層の厚さは３０ナノメートルである。

【0049】

いくつかの実施例において、更なる導波路修正層が、第１の軸１１４に垂直な方向及び第２の軸２０２に垂直な方向に、導波路層１０４から異なる距離で設けられる。更なる導波路修正層は、所望する光のモードの実効屈折率を修正するように配置され得る。上に記載したとおり、導波路層１０４からの導波路修正層の距離は、実効屈折率が修正される大きさに影響を与える。したがって、光の異なるモードに対する実効屈折率は、様々な程度に変更することができる。

【0050】

いくつかの実施例において、導波路層１０４から特定の距離にある導波路修正層は、導波路層１０４からその特定の距離とは異なる距離にある導波路修正層に近接または接触している。その他の実施例において、導波路層１０４から特定の距離にある導波路修正層は、第１の軸１１４に垂直な方向及び第２の軸２０２に垂直な方向に、他の導波路修正層から離隔される。

【0051】

図１１は、実施例に従い、導波路構造１１００の側断面を概略的に示す。図１１において、図１に示す特徴に対応する特徴には、末尾に追加の数字「－１１」を付けた同様の参照番号が付けられている。導波路構造１１００は、上述した導波路構造１００の実施例の特徴の任意の組み合わせを含む。いくつかの実施例において、導波路構造１１００は、上述した導波路構造４００の実施例の特徴の任意の組み合わせを含む。更にこれらの実施例において、導波路構造１１００は、第１の導波路修正層１１０－１１とは異なる導波路層１０４－１１からの距離（第１の軸１１４－１１に垂直であり、かつ光伝播の（１１２－１１で示す）方向に対応する第２の軸に垂直）で導波路修正層を含む。これらの実施例において、導波路構造１１００は、第１の導波路修正層１１０－１１及び第２の導波路修正層１１６－１１より更に離れた導波路層１０４－１１からの距離に、第５の導波路修正層１１０２及び第６の導波路修正層１１０４を含む。その他の実施例において、意図した用途に応じて、導波路層１０４－１１から任意の数の距離に１つ以上の導波路修正層があってもよい。

【0052】

図１１の実施例において、導波路層１０４－１１から異なる距離にある導波路修正層間の空間は、第２の材料を含む。いくつかの実施例において、導波路層１０４－１１から第１の距離にある導波路修正層は、導波路層１０４－１１から第２の距離にある導波路修正層とは異なる材料を含む。様々な導波路修正層の数、大きさ（複数可）、形状（複数可）、配置及び材料（複数可）は、導波路構造１１００の用途に従って選択される。

【0053】

導波路修正層の配置の様々な実施例を上述した。更に、特許請求の範囲によるいくつかの実施例において、導波路修正層は、用途に応じて選択された周期性で（第１の軸及び／または第２の軸に平行な方向に沿って）周期的に繰り返すように配置されてもよい。例えば周期性は、特定の構造（例えば、フォトニック結晶）に対応するように選択される。周期性は、実効屈折率の修正に加えて、フィルター、反射板などを提供するといった用途に含めてもよい。

【0054】

導波路構造の記載された実施例の境界は、空気、誘電体材料、金属または磁性体と接触してもよい。いくつかの実施例において、導波路構造は、上述されていない層を備える。

【0055】

図５は、上述した実施例のいずれかによる導波路構造など、導波路構造を製造する方法５００を示すフロー図である。方法５００は、導波路構造の上述した実施例を参照して記載される。基板は、例えば基板１０２である。ブロック５０２では、基板１０２上に導波路層１０４を少なくとも部分的に形成するために、第１の層が基板上に堆積される。例えば第１の層は、導波路層１０４を少なくとも部分的に形成するために基板１０２上に堆積される導波路層１０４の材料を含む。導波路層１０４が２つ以上の材料を含む実施例において（例えば、導波路層１０４が（Ａｌ）ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／（Ａｌ）ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）多重量子井戸構造などの複数の副層を含む場合）、関連する材料は、例えば、導波路層１０４を少なくとも部分的に形成するために適切な順序で堆積される。

【0056】

方法５００のブロック５０４では、導波路層１０４と接触してクラッド層１０６を少なくとも部分的に形成するために、第２の層材料が第１の層と接触して堆積される。第２の層材料は、例えば、上述したクラッド層１０６に含まれる材料である。例えば第２の層材料は、導波路構造１００及び４００に関連して上述した第２の材料である。以下、第２の層材料を第２の材料と呼ぶ。第２の材料は、導波路層１０４が形成されると、導波路層１０４がクラッド層１０６と基板１０２との間に位置するように堆積される。

【0057】

ブロック５０６では、導波路修正層材料が第２の層と接触して堆積される。導波路修正層材料は、例えば、上述した第１の材料である。以下、導波路修正層材料を第１の材料と呼ぶ。第１の材料は、第１の導波路修正層１１０が、クラッド層１０６の第１の軸１１４に平行な幅よりも小さい第１の軸１１４（上述したとおり、導波路層１０４内の光伝播方向に対応する第２の軸２０２に垂直）に沿った幅を有するように、クラッド層１０６と接触する第１の導波路修正層１１０を少なくとも部分的に形成するために堆積される。

【0058】

図６は、方法５００の更なる具体的な実施例６００を示すフロー図である。方法６００は、第１の導波路修正層１１０を少なくとも部分的に形成する具体的な実施例を示す。これらの実施例において、第２の材料の高さが、クラッド層１０６の高さに第１の導波路修正層１１０の高さを加えたものに実質的に（許容誤差内で）等しくなるような量の第２の材料が第１の層上に堆積される（図１参照）。ブロック６０２では、第１の導波路修正層１１０用の第１の材料を堆積する前に（ブロック５０４と５０６との間）、第２の材料から１つ以上の部分が除去される。本明細書で使用されるとおり、層の厚さは、第１の軸１１４に垂直な方向及び第２の軸２０２に垂直な方向の寸法である。除去される１つ以上の部分は、第１の層と接触して堆積される第２の材料の厚さよりも薄い厚さを有する。したがって、除去される１つ以上の部分の厚さは、１つ以上の部分の除去の結果として第１の層が露出しないような厚さである。

【0059】

１つ以上の除去された部分の厚さは、第１の導波路修正層１１０の所望する厚さに応じて選択される。方法６００のブロック６０４では、第２の材料の１つ以上の部分を除去することによって生じた１つ以上の空間に第１の材料が堆積される。例えば第１の材料は、第１の材料の厚さが、ブロック６０２で第２の材料が除去されない位置での第２の材料の厚さと実質的に（許容誤差内で）同じになるように堆積される。

【0060】

除去される第２の材料の部分の数は、所望する導波路修正層の数に依存する。除去される第２の材料の部分の大きさ（複数可）、形状（複数可）及び配置は、導波路修正層の所望する大きさ（複数可）、形状（複数可）及び配置に依存する。導波路構造が第１の導波路修正層１１０のみを含む実施例において、第２の材料の一部が除去され、対応する空間が第１の材料で充填される。

【0061】

図７は、方法５００のより具体的な実施例７００を示すフロー図である。方法７００による実施例は、図６を参照して記載した方法６００による実施例の代替である。方法７００は、第１の導波路修正層１１０を少なくとも部分的に形成する具体的な実施例を示す。これらの実施例において、第１の材料は、第１の層と接触して堆積された第２の材料の上面全体の上に堆積される。方法７００のブロック７０２では、第２の材料（第２の層材料）の１つ以上の露出部分をそれぞれ作成するために、第１の材料（導波路修正層材料）の１つ以上の部分が除去される。方法７００のブロック７０４では、第２の材料が、第２の層材料の１つ以上の露出部分の上に堆積される。

【0062】

図６の方法６００及び図７の方法７００のいずれかが、間に第２の材料を有する導波路修正層を含む導波路構造の部分を少なくとも部分的に形成するために使用される。方法６００と同様に、方法７００でも、除去される導波路層材料（第１の材料）の１つ以上の部分の数、大きさ、形状及び配置は、導波路構造の用途に応じて、導波路修正層の所望する数、大きさ、形状及び配置に依存する。

【0063】

導波路修正層の上面が材料で被覆されるいくつかの実施例において、第２の層材料は、第２の材料を含む導波路構造の上部セクションを少なくとも部分的に形成するために、第１の材料の上に堆積される。

【0064】

図６及び図７を参照した上記の説明では、少なくとも部分的に層を形成することに言及している。いくつかの実施例において、このように言及される層は、単に関連する材料を堆積することで形成される。例えばクラッド層１０６は、更なるステップを必要とせずに、単に第２の材料を堆積することで形成される。その他の実施例において、層の形成を完了するために更なるステップが実行される（例えば、硬化ステップなど）。いくつかの実施例において、層の形成を完了するための更なるステップは、対象となる層の上に更に材料が堆積される前に実行される。その他の実施例において、層の形成を完了するための更なるステップは、対象となる層の上に更に材料が堆積された後に実行される。

【0065】

導波路構造１００などの深い導波路構造を製造するために、材料を除去して、上部セクションから開始し、基板１０２の上面を超える、第２の軸２０２に平行な導波路構造の側面を形成する。導波路構造４００などの浅い導波路構造を製造するために、材料を除去して、上部セクションから開始し、導波路層１０４－４の底面までその全てを除去することなく導波路層１０４－４の少なくとも上面まで第２の軸２０２に平行な、導波路構造の側面を形成する（例えば材料は、導波路層１０４－４の上面のわずかに下まで除去される）。

【0066】

記載された実施例に従って、材料を堆積するために様々な技術が使用され得ることは、当業者に理解されよう。このような技術には、例えば、有機金属化学気相エピタキシー法（ＭＯＶＰＥ）または分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）などの化学蒸着技術が含まれる。記載された実施例に従って、材料を除去するためにエッチング技術が使用されることは、当業者に理解されよう。例えば、ドライエッチング技術またはウェットエッチング技術が用いられる。例えば、パターン化されたマスクが使用される。

【0067】

いくつかの実施例において、記載された実施例のいずれかによる導波路構造を備えるＰＩＣが提供される。

【0068】

上記の実施例は、発明の説明目的の実施例として理解されるべきである。任意の１つの実施例に関連して記載される任意の特徴は、単独で、または記載した他の特徴と組み合わせて使用されてよく、また、他の任意の実施例の１つまたは複数の特徴、または他の任意の実施例の任意の組み合わせと組み合わせて使用されてもよいことは理解されたい。更に、添付の特許請求の範囲の範囲から逸脱することなく、上述されていない同等物及び修正が採用されてもよい。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【国際調査報告】