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特表2024-501945マイクロＬＥＤ構造体及びそれを含むマイクロＬＥＤチップ
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-01-17
(54)【発明の名称】マイクロＬＥＤ構造体及びそれを含むマイクロＬＥＤチップ
(51)【国際特許分類】
H01L 33/20 20100101AFI20240110BHJP
H01L 33/06 20100101ALI20240110BHJP
H01L 33/10 20100101ALI20240110BHJP
【ＦＩ】
H01L33/20
H01L33/06
H01L33/10
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023538870
(86)(22)【出願日】2021-12-27
(85)【翻訳文提出日】2023-08-18
(86)【国際出願番号】 IB2021062348
(87)【国際公開番号】W WO2022144752
(87)【国際公開日】2022-07-07
(31)【優先権主張番号】63/131,128
(32)【優先日】2020-12-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】520510771
【氏名又は名称】ジェイド バード ディスプレイ（シャンハイ） リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】リ， チーミン
(72)【発明者】
【氏名】リウ， ドーショアイ
(72)【発明者】
【氏名】チュー， ユアンクン
(72)【発明者】
【氏名】ファン， アンロー
(72)【発明者】
【氏名】クオ， チエン
【テーマコード（参考）】
5F241
【Ｆターム（参考）】
5F241AA03
5F241CA04
5F241CA05
5F241CA12
5F241CA36
5F241CA38
5F241CA39
5F241CB11
5F241CB14
5F241CB15
5F241CB16
(57)【要約】
マイクロＬＥＤ構造体は、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、発光層の縁部が第１の種類の導電層の上縁部にも第２の種類の導電層の底縁部にも接触しないように、第１の種類の導電層の上縁部及び第２の種類の導電層の底縁部から離れるように水平レベルに沿って延在している。第２の種類の導電層の底縁部は、第１の種類の導電層の上縁部と位置合わせされている。
【選択図】図１Ａ
【選択図】図１Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の種類の導電層と、前記第１の種類の導電層の上に積層された第２の種類の導電層と、
前記第１の種類の導電層と前記第２の種類の導電層との間に形成された発光層と
を備え、前記発光層は、前記発光層の縁部が前記第１の種類の導電層の上縁部にも前記第２の種類の導電層の底縁部にも接触しないように、前記第１の種類の導電層の前記上縁部及び前記第２の種類の導電層の前記底縁部か－ら離れるように水平レベルに沿って延在し、
前記第２の種類の導電層の前記底縁部は、前記第１の種類の導電層の前記上縁部と位置合わせされている、マイクロＬＥＤ構造体。
【請求項2】
前記発光層の上面に形成された上部スペーサと、前記発光層の底面に形成された底部スペーサと
をさらに備え、前記上部スペーサの縁部は、前記発光層の前記縁部と位置合わせされ、かつ
前記底部スペーサの縁部は、前記発光層の前記縁部と位置合わせされている、
請求項１に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【請求項3】
前記第２の種類の導電層及び前記上部スペーサの上面の上に形成されたマイクロレンズをさらに備える、請求項２に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【請求項4】
前記上部スペーサの厚さが前記発光層の厚さよりも大きく、かつ前記底部スペーサの厚さが前記発光層の前記厚さよりも大きい、請求項２に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【請求項5】
前記第１の種類の導電層の上部面積が前記第１の種類の導電層の底部面積よりも大きく、かつ前記第２の種類の導電層の上部面積が前記第２の種類の導電層の底部面積よりも小さい、請求項１に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【請求項6】
前記発光層は、１対の量子井戸層のみ、又は複数対の量子井戸層を含む、請求項１に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【請求項7】
前記第１の種類の導電層を取り囲む反射構造体をさらに備える、請求項１に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【請求項8】
前記反射構造体は、前記第１の種類の導電層の側壁面に取り付けられ、かつ前記マイクロＬＥＤ構造体は、前記第１の種類の導電層の下に形成され、前記第１の種類の導電層と電気的に接続された底部接続構造体をさらに備える、請求項６に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【請求項9】
前記第１の種類の導電層の下にある基板であって、前記基板内の接続パッドによって前記底部接続構造体と電気的に接続されている、基板をさらに備える、請求項８に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【請求項10】
前記基板はＩＣ回路を含む、請求項９に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【請求項11】
前記第１の種類の導電層の前記側壁上の前記反射構造体は、前記基板の表面に対して傾斜しており、前記反射構造体の傾斜角は、前記基板の前記表面に対して約３０°～約７５°である、請求項９に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【請求項12】
前記底部接続構造体は、反射性かつ導電性の材料で作製されている、請求項８に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【請求項13】
前記第１の種類の導電層の前記側壁上の前記反射構造体は曲面を有する、請求項８に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【請求項14】
前記第１の種類の導電層の前記側壁における前記反射構造体は、ＯＤＲ（全方向反射器）構造体又はＤＢＲ（分布ブラッグ反射）構造体で作製されている、請求項８に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【請求項15】
前記反射構造体は、前記第１の種類の導電層の側壁面及び底面の両方に取り付けられている、請求項７に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【請求項16】
前記第１の種類の導電層の前記底面上の前記反射構造体は導電性であり、かつ前記マイクロＬＥＤ構造体は、前記反射構造体の前記底部に形成され、前記反射構造体と電気的に接続された底部接続構造体をさらに備える、請求項１５に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【請求項17】
前記反射構造体は、前記第２の種類の導電層に光を集光させるように構成される、請求項７に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【請求項18】
前記第１の種類の導電層の底面に取り付けられた反射構造体をさらに備える、請求項１に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【請求項19】
前記反射構造体は導電性であり、かつ前記マイクロＬＥＤ構造体は、前記反射構造体の底部に形成され、前記反射構造体と電気的に接続された底部接続構造体をさらに備える、
請求項１８に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【請求項20】
前記第１の種類の導電層を取り囲み、前記発光層の下にある分離層をさらに備え、前記分離層は光吸収材料で作製されている、請求項１に記載のマイクロＬＥＤ構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
本出願は、２０２０年１２月２８日に出願された米国仮出願第６３／１３１，１２８号の優先権の利益を主張し、その全内容は参照により本明細書に組み込まれる。
本出願は、２０２０年１２月２８日に出願された米国仮出願第６３／１３１，１２８号の優先権の利益を主張し、その全内容は参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
本開示は、マイクロＬＥＤ構造体及びマイクロＬＥＤ構造体を含むマイクロＬＥＤチップに関する。
【背景技術】
【0003】
マイクロ発光ダイオード（マイクロＬＥＤ）は、電気信号を使用して光を放射するデバイスであり、マイクロメートル又はそれより小さなオーダーのサイズを有する。マイクロＬＥＤは、小型の光学素子に広く実装されるように、低電圧で駆動することができる。近年、マイクロＬＥＤは、高効率化により照明光源として開発されている。
【発明の概要】
【0004】
本開示の実施形態の一態様によれば、マイクロＬＥＤ構造体は、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層の上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、発光層の縁部が第１の種類の導電層の上縁部にも第２の種類の導電層の底縁部にも接触しないように、第１の種類の導電層の上縁部及び第２の種類の導電層の底縁部から離れるように水平レベルに沿って延在している。第２の種類の導電層の底縁部は、第１の種類の導電層の上縁部と位置合わせされている。
【0005】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤ構造体は、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層の上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、発光層の縁部が第１の種類の導電層の上縁部にも第２の種類の導電層の底縁部にも接触しないように、第１の種類の導電層の上縁部及び第２の種類の導電層の底縁部から離れるように水平レベルに沿って突出している。第１の種類の導電層の上面に垂直に投影された第２の種類の導電層の輪郭は、第１の種類の導電層の上縁部によって取り囲まれている。
【0006】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤ構造体は、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層の上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、発光層の縁部が第１の種類の導電層の上縁部にも第２の種類の導電層の底縁部にも接触しないように、第１の種類の導電層の上縁部及び第２の種類の導電層の底縁部から離れるように水平レベルに沿って延在している。第２の種類の導電層の底面に垂直に投影された第１の種類の導電層の輪郭は、第２の種類の導電層の底縁部によって取り囲まれている。
【0007】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤ構造体は、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層の上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、第１の種類の導電層の縁部から水平レベルに沿って延在している。発光層の縁部は、第２の種類の導電層の縁部と位置合わせされている。第２の種類の導電層の縁部は、第１の種類の導電層の縁部から離れるように水平レベルに沿って延在している。
【0008】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤ構造体は、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層の上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、第２の種類の導電層の縁部から水平レベルに沿って延在している。発光層の縁部は、第１の種類の導電層の縁部と位置合わせされている。第１の種類の導電層の縁部は、第２の種類の導電層の縁部から離れるように水平レベルに沿って延在している。
【0009】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。
【0010】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。隣接するマイクロＬＥＤの間には分離構造体が形成され、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成される。
【0011】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、チップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。隣接するマイクロＬＥＤの間には分離構造体が形成され、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成される。分離構造体の上面は発光層の上部と位置合わせされ、分離構造体の底面は発光層の下にある。
【0012】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。マイクロＬＥＤチップは、発光層の上面に形成された上部スペーサと、発光層の底面に形成された底部スペーサであって、上部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされ、底部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされている、底部スペーサと、隣接するマイクロＬＥＤの間に形成された分離構造体であって、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成され、分離構造体の上面は発光層の上部と位置合わせされ、分離構造体の底面は底部スペーサの底面の上、かつ発光層の下にある、分離構造体とをさらに含む。
【0013】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層の上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、チップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。マイクロＬＥＤチップは、発光層の上面に形成された上部スペーサと、発光層の底面に形成された底部スペーサであって、上部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされ、底部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされている、底部スペーサと、隣接するマイクロＬＥＤの間に形成された分離構造体であって、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成され、分離構造体の上面は発光層の上部と位置合わせされ、底面は底部スペーサの下にある、分離構造体とをさらに含む。
【0014】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。マイクロＬＥＤチップは、発光層の上面に形成された上部スペーサと、発光層の底面に形成された底部スペーサであって、上部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされ、底部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされている、底部スペーサと、隣接するマイクロＬＥＤの間に形成された分離構造体であって、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成され、分離構造体の上面は発光層の上部と位置合わせされ、分離構造体の底面は底部スペーサの底面と位置合わせされている、分離構造体とをさらに備える。
【0015】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。マイクロＬＥＤは、隣接するマイクロＬＥＤの間に形成された分離構造体をさらに含み、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成される。分離構造体の上面は発光層の上にある。分離構造体の底面は発光層の底部と位置合わせされている。
【0016】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。マイクロＬＥＤチップは、発光層の上面に形成された上部スペーサと、発光層の底面に形成された底部スペーサであって、上部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされ、底部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされている、底部スペーサと、隣接するマイクロＬＥＤの間に形成された分離構造体であって、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成され、分離構造体の底面は発光層の底面と位置合わせされ、分離構造体の上面は発光層の上、かつ上部スペーサの上面の下にある、分離構造体とをさらに含む。
【0017】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。マイクロＬＥＤチップは、発光層の上面に形成された上部スペーサと、発光層の底面に形成された底部スペーサであって、上部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされ、底部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされている、底部スペーサと、隣接するマイクロＬＥＤの間に形成された分離構造体であって、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成され、分離構造体の底面は発光層の底面と位置合わせされ、分離構造体の上面は上部スペーサの上面と位置合わせされている、分離構造体とをさらに含む。
【0018】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。マイクロＬＥＤチップは、発光層の上面に形成された上部スペーサと、発光層の底面に形成された底部スペーサであって、上部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされ、底部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされている、底部スペーサと、隣接するマイクロＬＥＤの間に形成された分離構造体であって、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成され、分離構造体の底面は発光層の底面と位置合わせされ、分離構造体の上面は上部スペーサの上にある、分離構造体とをさらに含む。
【0019】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。隣接するマイクロＬＥＤの間には分離構造体が形成され、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成される。分離構造体の上面は発光層の上にあり、分離構造体の底面は発光層の下にある。
【0020】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。マイクロＬＥＤチップは、発光層の上面に形成された上部スペーサと、発光層の底面に形成された底部スペーサであって、上部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされ、底部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされている、底部スペーサと、隣接するマイクロＬＥＤの間に形成された分離構造体であって、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成され、分離構造体の上面は発光層の上、かつ上部スペーサの上面の下にあり、分離構造体の底面は発光層の底部の下にある、分離構造体とをさらに含む。
【0021】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。マイクロＬＥＤチップは、発光層の上面に形成された上部スペーサと、発光層の底面に形成された底部スペーサであって、上部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされ、底部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされている、底部スペーサと、隣接するマイクロＬＥＤの間に形成された分離構造体であって、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成され、分離構造体の上面は発光層の上、かつ上部スペーサの上面の下にあり、分離構造体の底面は発光層の底部の下、かつ底部スペーサの底面の上にある、分離構造体とをさらに含む。
【0022】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。マイクロＬＥＤチップは、発光層の上面に形成された上部スペーサと、発光層の底面に形成された底部スペーサであって、上部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされ、底部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされている、底部スペーサと、隣接するマイクロＬＥＤの間に形成された分離構造体であって、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成され、分離構造体の上面は発光層の上、かつ上部スペーサの上面の下にあり、分離構造体の底面は底部スペーサの底面と位置合わせされている、分離構造体とをさらに含む。
【0023】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。マイクロＬＥＤチップは、発光層の上面に形成された上部スペーサと、発光層の底面に形成された底部スペーサであって、上部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされ、底部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされている、底部スペーサと、隣接するマイクロＬＥＤの間に形成された分離構造体であって、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成され、分離構造体の上面は発光層の上、かつ上部スペーサの上面の下にあり、分離構造体の底面は底部スペーサの下にある、分離構造体とをさらに含む。
【0024】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。マイクロＬＥＤチップは、発光層の上面に形成された上部スペーサと、発光層の底面に形成された底部スペーサであって、上部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされ、底部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされている、底部スペーサと、隣接するマイクロＬＥＤの間に形成された分離構造体であって、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成され、分離構造体の底面は発光層の下、かつ底部スペーサの底面の上にあり、分離構造体の上面は上部スペーサの上面と位置合わせされている、分離構造体とをさらに含む。
【0025】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、かつ複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。マイクロＬＥＤチップは、発光層の上面に形成された上部スペーサと、発光層の底面に形成された底部スペーサであって、上部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされ、底部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされている、底部スペーサと、隣接するマイクロＬＥＤの間に形成された分離構造体であって、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成され、分離構造体の底面は発光層の下、かつ底部スペーサの底面の上にあり、分離構造体の上面は上部スペーサの上にある、分離構造体とをさらに含む。
【0026】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、かつ複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。隣接するマイクロＬＥＤの間には分離構造体が形成され、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成される。分離構造体の底面は発光層の底部と位置合わせされ、分離構造体の上面は発光層の上面と位置合わせされている。
【0027】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、かつ複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。マイクロＬＥＤチップは、発光層の上面に形成された上部スペーサと、発光層の底面に形成された底部スペーサであって、上部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされ、底部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされている、底部スペーサと、隣接するマイクロＬＥＤの間に形成された分離構造体であって、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成され、分離構造体の底面は底部スペーサの底面と位置合わせされ、分離構造体の上面は上部スペーサの上面と位置合わせされている、分離構造体とをさらに含む。
【0028】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。マイクロＬＥＤチップは、発光層の上面に形成された上部スペーサと、発光層の底面に形成された底部スペーサであって、上部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされ、底部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされている、底部スペーサと、隣接するマイクロＬＥＤの間に形成された分離構造体であって、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成され、分離構造体の上面は上部スペーサの上面と位置合わせされ、分離構造体の底面は底部スペーサの下にある、分離構造体とをさらに含む。
【0029】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。マイクロＬＥＤチップは、発光層の上面に形成された上部スペーサと、発光層の底面に形成された底部スペーサであって、上部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされ、底部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされている、底部スペーサと、隣接するマイクロＬＥＤの間に形成された分離構造体であって、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成され、分離構造体の底面は底部スペーサの底面と位置合わせされ、分離構造体の上面は上部スペーサの上にある、分離構造体とをさらに含む。
【0030】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。マイクロＬＥＤチップは、発光層の上面に形成された上部スペーサと、発光層の底面に形成された底部スペーサであって、上部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされ、底部スペーサの縁部は発光層の縁部と位置合わせされている、底部スペーサと、隣接するマイクロＬＥＤの間に形成された分離構造体であって、分離構造体の少なくとも一部は発光層内に形成され、分離構造体の底面は底部スペーサの下にあり、分離構造体の上面は上部スペーサの上にある、分離構造体とをさらに含む。
【0031】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。第２の種類の導電層の底縁部は、第１の種類の導電層の上縁部と位置合わせされている。
【0032】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。第１の種類の導電層の上面に垂直に投影された第２の種類の導電層の輪郭は、第１の種類の導電層の縁部によって取り囲まれている。
【0033】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、マイクロＬＥＤチップ全体に連続的に形成され、複数のマイクロＬＥＤは発光層を共有する。第２の種類の導電層の底面に垂直に投影された第１の種類の導電層の輪郭は、第２の種類の導電層の縁部によって取り囲まれている。
【0034】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層の上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含み、発光層の少なくとも一部は、隣接するマイクロＬＥＤの間に形成されている。マイクロＬＥＤチップは、隣接するマイクロＬＥＤの間の発光層上に形成された金属層をさらに備える。
【0035】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。少なくとも１つのマイクロＬＥＤ構造体は、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、発光層の縁部が第１の種類の導電層の上縁部にも第２の種類の導電層の底縁部にも接触せず、第２の種類の導電層の底縁部が第１の種類の導電層の上縁部と位置合わせされているように、第１の種類の導電層の上縁部及び第２の種類の導電層の底縁部から水平レベルに沿って延在している。マイクロＬＥＤチップは、隣接するマイクロＬＥＤの間の発光層上に形成された金属層をさらに含む。
【0036】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、発光層の縁部が第１の種類の導電層の上縁部にも第２の種類の導電層の底縁部にも接触せず、第１の種類の導電層の上面に垂直に投影された第２の種類の導電層の輪郭が第１の種類の導電層の縁部によって取り囲まれるように、第１の種類の導電層の上縁部及び第２の種類の導電層の底縁部から水平レベルに沿って延在している。マイクロＬＥＤチップは、第１の種類の導電層の上縁部から延在する発光層の一部に形成された金属層をさらに含む。
【0037】
本開示の実施形態の別の態様によれば、マイクロＬＥＤチップは、複数のマイクロＬＥＤを含む。複数のマイクロＬＥＤのうちの少なくとも１つのマイクロＬＥＤは、第１の種類の導電層と、第１の種類の導電層上に積層された第２の種類の導電層と、第１の種類の導電層と第２の種類の導電層との間に形成された発光層とを含む。発光層は、発光層の縁部が第１の種類の導電層の上縁部にも第２の種類の導電層の底縁部にも接触しないように、第１の種類の導電層の上縁部及び第２の種類の導電層の底縁部から水平レベルに沿って延在している。第２の種類の導電層の底面に垂直に投影された第１の種類の導電層の輪郭は、第２の種類の導電層の底縁部によって取り囲まれている。マイクロＬＥＤチップは、第２の種類の導電層から延在する発光層の一部に形成された金属層をさらに含む。
【図面の簡単な説明】
【0038】
【図1A】本開示の第１の実施形態による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図1B】本開示の第１の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図1C】本開示の第１の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図1D】本開示の第１の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図2A】本開示の第２の実施形態による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図2B】本開示の第２の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図2C】本開示の第２の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図2D】本開示の第２の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図3A】本開示の第３の実施形態による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図3B】本開示の第３の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図3C】本開示の第３の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図3D】本開示の第３の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図4A】本開示の第４の実施形態による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図4B】本開示の第４の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図4C】本開示の第４の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図4D】本開示の第４の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図5A】本開示の第５の実施形態による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図5B】本開示の第５の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図5C】本開示の第５の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図5D】本開示の第５の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【図6A】本開示の第６の実施形態による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図6B】本開示の第６の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図6C】本開示の第６の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図6D】本開示の第６の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図6E】本開示の第６の実施形態の第４の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図6F】本開示の第６の実施形態の第５の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図7】本開示の第７の実施形態による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図8A】本開示の第８の実施形態による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図8B】本開示の第８の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図8C】本開示の第８の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図9A】本開示の第９の実施形態による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図9B】本開示の第９の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図9C】本開示の第７の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図10A】本開示の第１０の実施形態による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図10B】本開示の第１０の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図10C】本開示の第１０の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図11A】本開示の第１１の実施形態による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図11B】本開示の第１１の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図11C】本開示の第１１の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図11D】本開示の第１１の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図12A】本開示の第１２の実施形態による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図12B】本開示の第１２の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図12C】本開示の第１２の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図12D】本開示の第１２の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図13A】本開示の第１３の実施形態による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図13B】本開示の第１３の実施形態の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図14A】本開示の第１４の実施形態による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図14B】本開示の第１４の実施形態の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図15A】本開示の第１５の実施形態による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図15B】本開示の第１５の実施形態の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図16A】本開示の第１６の実施形態による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図16B】本開示の第１６の実施形態の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図17A】本開示の第１７の実施形態による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図17B】本開示の第１７の実施形態の変形例による、マイクロＬＥＤチップの断面図である。
【図18】比較例によるマイクロＬＥＤ構造体の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0039】
以下の本文は、添付の図面に示される特定の実施形態と併せて、本開示の詳細な説明を提供する。しかしながら、これらの実施形態は本開示を限定するものではない。本開示に対する保護の範囲は、これらの実施形態に基づいて当業者によって構造、方法、又は機能に対して行われる変更を包含する。
【0040】
本開示における図面の提示を容易にするために、特定の構造体又は部分のサイズは、他の構造又は部分に対して拡大されている場合がある。したがって、本出願における図面は、本出願の主題の基本構造体を示すことのみを目的としている。異なる図面における同じ番号は、特に示されない限り、同じ又は類似の要素を表す。
【0041】
さらに、「前（ｆｒｏｎｔ）」、「後（ｂａｃｋ）」、「上（ｕｐｐｅｒ）」、「下（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「下（ｂｅｌｏｗ）」などの相対的な空間位置を示す文書内の用語は、図面に描かれたユニット又は特徴と図面の別のユニット又は特徴との間の関係を説明する際の説明目的のために使用される。相対的な空間的位置を示す用語は、デバイスが使用又は操作されているときの図面に描かれた位置以外の位置を指すことができる。例えば、図面に示されているデバイスが裏返された場合、別のユニット又は特徴の「下（ｂｅｌｏｗ）」又は「下（ａｂｏｖｅ）」に位置決めされていると説明されているユニットは、その別のユニット又は特徴の「上」に位置することになる。したがって、例示的な用語「下方（ｂｅｌｏｗ）」は、上方及び下方の両方の位置を含むことができる。デバイスは、他の方法（９０度回転されるか、又は別の方向を向ける）で方向付けられてもよく、文書に現れる空間に関連する記述用語は、それに応じて解釈されるべきである。構成要素若しくは層が別の部材若しくは層の「上に」ある、又は別の部材若しくは層に「接続されている」と言われる場合、それはその別の部材若しくは層の真上にある、又はその別の部材若しくは層に直接接続されてもよく、又は中間の構成要素若しくは層が存在してもよい。
【0042】
第１の実施形態
図１Ａは、本開示の第１の実施形態による、マイクロ発光ダイオード（マイクロＬＥＤ）構造体１０００の断面図である。図１Ａに示すように、マイクロＬＥＤ構造体１０００は、第１の種類の導電層１０１と、第１の種類の導電層１０１上に積層された第２の種類の導電層１０２と、第１の種類の導電層１０１と第２の種類の導電層１０２との間に形成された発光層１０３とを含む。発光層１０３は、発光層１０３の縁部１０３ａが第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａにも第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａにも接触しないように、第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａ及び第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａから離れるように水平レベルに沿って延在している。第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａは、第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａと位置合わせされている。
図１Ａは、本開示の第１の実施形態による、マイクロ発光ダイオード（マイクロＬＥＤ）構造体１０００の断面図である。図１Ａに示すように、マイクロＬＥＤ構造体１０００は、第１の種類の導電層１０１と、第１の種類の導電層１０１上に積層された第２の種類の導電層１０２と、第１の種類の導電層１０１と第２の種類の導電層１０２との間に形成された発光層１０３とを含む。発光層１０３は、発光層１０３の縁部１０３ａが第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａにも第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａにも接触しないように、第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａ及び第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａから離れるように水平レベルに沿って延在している。第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａは、第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａと位置合わせされている。
【0043】
第１の種類の導電層１０１及び第２の種類の導電層１０２は、任意の種類の導電層であってもよい。一実施形態では、第１の種類の導電層１０１は、１種以上のｎ型ドーパントを含有するｎ型導電性半導体であってもよく、第２の種類の導電層１０２は、１種以上のｐ型ドーパントを含有するｐ型導電性半導体層であってもよい。別の実施形態では、第１の種類の導電層１０１はｐ型導電性半導体であってもよく、第２の種類の導電層１０２はｎ型導電性半導体層であってもよい。図１Ａに示すように、第１の種類の導電層１０１の上部面積は、第１の種類の導電層１０１の底部面積よりも大きい。第２の種類の導電層１０２の上部の面積は、第２の種類の導電層１０２の底部面積よりも小さい。
【0044】
発光層１０３は、量子井戸層と障壁層とが交互に積層された量子井戸構造を有することができる。一実施形態では、発光層１０３は、１対の量子井戸層と、量子井戸層の間に介在する障壁層とを含んでもよい。別の実施形態では、発光層１０３は、複数対の量子井戸層と、隣接する量子井戸層の間に介在する障壁層とを含んでもよい。量子井戸層は、例えばＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＰなどで作製される。障壁層は、例えばＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＰなどで形成される。
【0045】
図１Ａに示すように、マイクロＬＥＤ構造体１０００はまた、発光層１０３の上面１０３ｂに形成された上部スペーサ１０７と、発光層１０３の底面１０３ｃに形成された底部スペーサ１０８とを含む。上部スペーサ１０７及び底部スペーサ１０８は、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＰなどで作製することができる。上部スペーサ１０７及び底部スペーサ１０８は、マイクロＬＥＤの性能及び信頼性を改善するためにキャリア注入効率を制御するように構成される。上部スペーサ１０７の縁部１０７ａ及び底部スペーサ１０８の縁部１０８ａは、発光層１０３の縁部１０３ａと位置合わせされている。上部スペーサ１０７の厚さは、発光層１０３の厚さよりも大きい。底部スペーサ１０８の厚さは、発光層１０３の厚さよりも大きい。
【0046】
図１Ａに示す実施形態では、マイクロＬＥＤ構造体１０００は、第１の種類の導電層１０１を取り囲む反射構造体１０４をさらに含む。反射構造体１０４は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂに取り付けられている。第１の種類の導電層１０１の側壁上の反射構造体１０４は、基板１１０の表面１１０ａに対して傾斜している。反射構造体１０４の傾斜角は、基板１１０の表面１１０ａに対して約３０°～約７５°である。第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂの反射構造体１０４は、ＯＤＲ（全方向反射器）構造体又はＤＢＲ（分布ブラッグ反射）構造体で作製されている。反射構造体１０４は、第２の種類の導電層１０２に光を集光するように構成されている。
【0047】
図１Ａに示す実施形態では、マイクロＬＥＤ構造体１０００は、第１の種類の導電層１０１の下に形成され、第１の種類の導電層１０１と電気的に接続された底部接続構造体１０５をさらに含む。底部接続構造体１０５は、例えば金属などの導電性材料で形成されてもよい。底部接続構造体１０５は、反射性であってもよい。
【0048】
図１Ａに示すように、マイクロＬＥＤ構造体１０００は、第１の種類の導電層１０１の下に基板１１０をさらに含み、基板１１０内の接続パッド１０６によって底部接続構造体１０５と電気的に接続される。いくつかの実施形態では、基板１１０は、例えばＧａＮなどのＩＩＩ－Ｖ族からの材料のうちの複数のうちの１つで作製されてもよい。いくつかの他の実施形態では、基板１１０はＩＣ回路を含むことができる。接続パッド１０６は、例えばＣｕなどの導電性材料で作製されてもよい。
【0049】
図１Ａに示すように、マイクロＬＥＤ構造体１０００は、第１の種類の導電層１０１を取り囲み、発光層１０３の下にある分離層１０９をさらに含む。分離層１０９は、例えば不純物がドープされたＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４を含む光吸収材料で作製されてもよい。
【0050】
図１Ａに示すように、マイクロＬＥＤ構造体１０００は、第２の種類の導電層１０２及び上部スペーサ１０７の上面１０７ｂの上に形成されたマイクロレンズ１１１をさらに含む。マイクロレンズ１１１は、発光層１０３が放射した光を集束させるように構成されている。
【0051】
第１の実施形態の第１の変形例
図１Ｂは、本開示の第１の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体１００１の断面図である。図１Ｂに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂが湾曲しており、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂに反射構造体１０４１が形成され、湾曲面１０４ａを有するという点で、図１Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４１を除いて、図１Ｂに示すマイクロＬＥＤ構造体１００１の構成要素は、図１Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体１０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１Ｂは、本開示の第１の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体１００１の断面図である。図１Ｂに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂが湾曲しており、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂに反射構造体１０４１が形成され、湾曲面１０４ａを有するという点で、図１Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４１を除いて、図１Ｂに示すマイクロＬＥＤ構造体１００１の構成要素は、図１Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体１０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0052】
第１の実施形態の第２の変形例
図１Ｃは、本開示の第１の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体１００２の断面図である。図１Ｃに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃに反射構造体１０４２が取り付けられているという点で、図１Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４２は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４２の底部に形成され、反射構造体１０４２と電気的に接続されている。第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃ上の反射構造体１０４２は、金属製であってもよい。反射構造体１０４２を除いて、図１Ｃに示すマイクロＬＥＤ構造体１００２の構成要素は、図１Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体１０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１Ｃは、本開示の第１の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体１００２の断面図である。図１Ｃに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃに反射構造体１０４２が取り付けられているという点で、図１Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４２は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４２の底部に形成され、反射構造体１０４２と電気的に接続されている。第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃ上の反射構造体１０４２は、金属製であってもよい。反射構造体１０４２を除いて、図１Ｃに示すマイクロＬＥＤ構造体１００２の構成要素は、図１Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体１０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0053】
第１の実施形態の第３の変形例
図１Ｄは、本開示の第１の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体１００３の断面図である。図１Ｄに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂ及び底面１０１ｃの両方に反射構造体１０４３が取り付けられているという点で、図１Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４３は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４３の底部に形成され、反射構造体１０４３と電気的に接続されている。反射構造体１０４３を除いて、図１Ｄに示すマイクロＬＥＤ構造体１００３の構成要素は、図１Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体１０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１Ｄは、本開示の第１の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体１００３の断面図である。図１Ｄに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂ及び底面１０１ｃの両方に反射構造体１０４３が取り付けられているという点で、図１Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４３は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４３の底部に形成され、反射構造体１０４３と電気的に接続されている。反射構造体１０４３を除いて、図１Ｄに示すマイクロＬＥＤ構造体１００３の構成要素は、図１Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体１０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0054】
第２の実施形態
図２Ａは、本開示の第２の実施形態による、マイクロＬＥＤ構造体２０００の断面図である。図２Ａに示す第２の実施形態は、第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａが第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａと位置合わせされていないという点で、図１Ａに示す第１の実施形態とは異なる。代わりに、第１の種類の導電層１０１の上面１０１ｄに垂直に投影された第２の種類の導電層１０２の輪郭は、第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａによって取り囲まれている。図２Ａに示す第２の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体２０００の構成要素は、図１Ａに示す第１の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体１０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図２Ａは、本開示の第２の実施形態による、マイクロＬＥＤ構造体２０００の断面図である。図２Ａに示す第２の実施形態は、第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａが第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａと位置合わせされていないという点で、図１Ａに示す第１の実施形態とは異なる。代わりに、第１の種類の導電層１０１の上面１０１ｄに垂直に投影された第２の種類の導電層１０２の輪郭は、第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａによって取り囲まれている。図２Ａに示す第２の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体２０００の構成要素は、図１Ａに示す第１の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体１０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0055】
第２の実施形態の第１の変形例
図２Ｂは、本開示の第２の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体２００１の断面図である。図２Ｂに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂが湾曲しており、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂに反射構造体１０４１が形成され、湾曲面１０４ａを有するという点で、図２Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４１を除いて、図２Ｂに示すマイクロＬＥＤ構造体２００１の構成要素は、図２Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体２０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図２Ｂは、本開示の第２の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体２００１の断面図である。図２Ｂに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂが湾曲しており、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂに反射構造体１０４１が形成され、湾曲面１０４ａを有するという点で、図２Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４１を除いて、図２Ｂに示すマイクロＬＥＤ構造体２００１の構成要素は、図２Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体２０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0056】
第２の実施形態の第２の変形例
図２Ｃは、本開示の第２の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体２００２の断面図である。図２Ｃに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃに反射構造体１０４２が取り付けられているという点で、図２Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４２は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４２の底部に形成され、反射構造体１０４２の底部と電気的に接続されている。第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃ上の反射構造体１０４２は、金属製であってもよい。反射構造体１０４２を除いて、図２Ｃに示すマイクロＬＥＤ構造体２００２の構成要素は、図２Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体２０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図２Ｃは、本開示の第２の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体２００２の断面図である。図２Ｃに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃに反射構造体１０４２が取り付けられているという点で、図２Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４２は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４２の底部に形成され、反射構造体１０４２の底部と電気的に接続されている。第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃ上の反射構造体１０４２は、金属製であってもよい。反射構造体１０４２を除いて、図２Ｃに示すマイクロＬＥＤ構造体２００２の構成要素は、図２Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体２０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0057】
第２の実施形態の第３の変形例
図２Ｄは、本開示の第２の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体２００３の断面図である。図２Ｄに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂ及び底面１０１ｃの両方に反射構造体１０４３が取り付けられているという点で、図２Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４３は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４３の底部に形成され、反射構造体１０４３と電気的に接続されている。反射構造体１０４３を除いて、図２Ｄに示すマイクロＬＥＤ構造体２００３の構成要素は、図２Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体２０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図２Ｄは、本開示の第２の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体２００３の断面図である。図２Ｄに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂ及び底面１０１ｃの両方に反射構造体１０４３が取り付けられているという点で、図２Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４３は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４３の底部に形成され、反射構造体１０４３と電気的に接続されている。反射構造体１０４３を除いて、図２Ｄに示すマイクロＬＥＤ構造体２００３の構成要素は、図２Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体２０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0058】
第３の実施形態
図３Ａは、本開示の第３の実施形態による、マイクロＬＥＤ構造体３０００の断面図である。図３Ａに示す第３の実施形態は、第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａが第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａと位置合わせされていないという点で、図１Ａに示す第１の実施形態とは異なる。代わりに、第２の種類の導電層１０２の底面１０２ｂに垂直に投影された第１の種類の導電層１０１の輪郭は、第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａによって取り囲まれている。図３Ａに示す第３の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体３０００の構成要素は、図１Ａに示す第１の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体１０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図３Ａは、本開示の第３の実施形態による、マイクロＬＥＤ構造体３０００の断面図である。図３Ａに示す第３の実施形態は、第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａが第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａと位置合わせされていないという点で、図１Ａに示す第１の実施形態とは異なる。代わりに、第２の種類の導電層１０２の底面１０２ｂに垂直に投影された第１の種類の導電層１０１の輪郭は、第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａによって取り囲まれている。図３Ａに示す第３の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体３０００の構成要素は、図１Ａに示す第１の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体１０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0059】
第３の実施形態の第１の変形例
図３Ｂは、本開示の第３の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体３００１の断面図である。図３Ｂに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂが湾曲しており、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂに反射構造体１０４１が形成され、湾曲面１０４ａを有するという点で、図３Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４を除いて、図３Ｂに示すマイクロＬＥＤ構造体３００１の構成要素は、図３Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体３０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図３Ｂは、本開示の第３の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体３００１の断面図である。図３Ｂに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂが湾曲しており、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂに反射構造体１０４１が形成され、湾曲面１０４ａを有するという点で、図３Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４を除いて、図３Ｂに示すマイクロＬＥＤ構造体３００１の構成要素は、図３Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体３０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0060】
第３の実施形態の第２の変形例
図３Ｃは、本開示の第３の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体３００２の断面図である。図３Ｃに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃに反射構造体１０４２が取り付けられているという点で、図３Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４２は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４２の底部に形成され、反射構造体１０４２の底部と電気的に接続されている。第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃ上の反射構造体１０４２は、金属製であってもよい。反射構造体１０４２を除いて、図３Ｃに示すマイクロＬＥＤ構造体３００２の構成要素は、図３Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体３０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図３Ｃは、本開示の第３の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体３００２の断面図である。図３Ｃに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃに反射構造体１０４２が取り付けられているという点で、図３Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４２は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４２の底部に形成され、反射構造体１０４２の底部と電気的に接続されている。第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃ上の反射構造体１０４２は、金属製であってもよい。反射構造体１０４２を除いて、図３Ｃに示すマイクロＬＥＤ構造体３００２の構成要素は、図３Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体３０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0061】
第３の実施形態の第３の変形例
図３Ｄは、本開示の第３の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体３００３の断面図である。図３Ｄに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂ及び底面１０１ｃの両方に反射構造体１０４３が取り付けられているという点で、図３Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４３は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４３の底部に形成され、反射構造体１０４３と電気的に接続されている。反射構造体１０４２を除いて、図３Ｄに示すマイクロＬＥＤ構造体３００３の構成要素は、図３Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体３０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図３Ｄは、本開示の第３の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体３００３の断面図である。図３Ｄに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂ及び底面１０１ｃの両方に反射構造体１０４３が取り付けられているという点で、図３Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４３は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４３の底部に形成され、反射構造体１０４３と電気的に接続されている。反射構造体１０４２を除いて、図３Ｄに示すマイクロＬＥＤ構造体３００３の構成要素は、図３Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体３０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0062】
第４の実施形態
図４Ａは、本開示の第４の実施形態による、マイクロＬＥＤ構造体４０００の断面図である。図４Ａに示す第４の実施形態は、発光層１０３が第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａから離れるように水平方向に延在し、発光層１０３の縁部１０３ａが第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａと位置合わせされているという点で、図３Ａに示す第３の実施形態とは異なる。さらに、マイクロＬＥＤ構造体４０００は、発光層１０３を取り囲む上部分離層１１４をさらに含む。上部分離層１１４は、例えば、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＡｌＮなどのような、１種又は複数の電気絶縁誘電体材料で作製することができる。上部分離層１１４は、マイクロＬＥＤ構造体４０００を隣接するマイクロＬＥＤ構造体（図示せず）から分離するように構成される。マイクロレンズ１１１は、第２の種類の導電層１０２及び分離層１１４の上面１１４ａ上に形成される。図４Ａに示す第４の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体４０００の構成要素は、図３Ａに示す第１の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体３０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図４Ａは、本開示の第４の実施形態による、マイクロＬＥＤ構造体４０００の断面図である。図４Ａに示す第４の実施形態は、発光層１０３が第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａから離れるように水平方向に延在し、発光層１０３の縁部１０３ａが第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａと位置合わせされているという点で、図３Ａに示す第３の実施形態とは異なる。さらに、マイクロＬＥＤ構造体４０００は、発光層１０３を取り囲む上部分離層１１４をさらに含む。上部分離層１１４は、例えば、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＡｌＮなどのような、１種又は複数の電気絶縁誘電体材料で作製することができる。上部分離層１１４は、マイクロＬＥＤ構造体４０００を隣接するマイクロＬＥＤ構造体（図示せず）から分離するように構成される。マイクロレンズ１１１は、第２の種類の導電層１０２及び分離層１１４の上面１１４ａ上に形成される。図４Ａに示す第４の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体４０００の構成要素は、図３Ａに示す第１の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体３０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0063】
第４の実施形態の第１の変形例
図４Ｂは、本開示の第４の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体４００１の断面図である。図４Ｂに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂが湾曲しており、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂに反射構造体１０４１が形成され、湾曲面１０４ａを有するという点で、図４Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４１を除いて、図４Ｂに示すマイクロＬＥＤ構造体４００１の構成要素は、図４Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体４０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図４Ｂは、本開示の第４の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体４００１の断面図である。図４Ｂに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂが湾曲しており、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂに反射構造体１０４１が形成され、湾曲面１０４ａを有するという点で、図４Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４１を除いて、図４Ｂに示すマイクロＬＥＤ構造体４００１の構成要素は、図４Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体４０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0064】
第４の実施形態の第２の変形例
図４Ｃは、本開示の第４の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体４００２の断面図である。図４Ｃに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃに反射構造体１０４２が取り付けられているという点で、図４Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４２は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４２の底部に形成され、反射構造体１０４２の底部と電気的に接続されている。第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃ上の反射構造体１０４２は、金属製であってもよい。反射構造体１０４２を除いて、図４Ｃに示すマイクロＬＥＤ構造体４００２の構成要素は、図４Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体４０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図４Ｃは、本開示の第４の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体４００２の断面図である。図４Ｃに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃに反射構造体１０４２が取り付けられているという点で、図４Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４２は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４２の底部に形成され、反射構造体１０４２の底部と電気的に接続されている。第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃ上の反射構造体１０４２は、金属製であってもよい。反射構造体１０４２を除いて、図４Ｃに示すマイクロＬＥＤ構造体４００２の構成要素は、図４Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体４０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0065】
第４の実施形態の第３の変形例
図４Ｄは、本開示の第４の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体４００３の断面図である。図４Ｄに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂ及び底面１０１ｃの両方に反射構造体１０４３が取り付けられているという点で、図４Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４３は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４３の底部に形成され、反射構造体１０４３と電気的に接続されている。反射構造体１０４２を除いて、図４Ｄに示すマイクロＬＥＤ構造体４００３の構成要素は、図４Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体４０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図４Ｄは、本開示の第４の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体４００３の断面図である。図４Ｄに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂ及び底面１０１ｃの両方に反射構造体１０４３が取り付けられているという点で、図４Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４３は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４３の底部に形成され、反射構造体１０４３と電気的に接続されている。反射構造体１０４２を除いて、図４Ｄに示すマイクロＬＥＤ構造体４００３の構成要素は、図４Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体４０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0066】
第５の実施形態
図５Ａは、本開示の第５の実施形態による、マイクロＬＥＤ構造体５０００の断面図である。図５Ａに示す第５の実施形態は、発光層１０３が第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａから水平方向に沿って延在し、発光層１０３の縁部１０３ａが第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａと位置合わせされているという点で、図２Ａに示す第２の実施形態とは異なる。さらに、マイクロＬＥＤ構造体４０００は、発光層１０３を取り囲む上部分離層１１４をさらに含む。マイクロレンズ１１１は、第２の種類の導電層１０２及び分離層１１４の上面１１４ａ上に形成される。図５Ａに示す第４の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体５０００の構成要素は、図２Ａに示す第２の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体２０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図５Ａは、本開示の第５の実施形態による、マイクロＬＥＤ構造体５０００の断面図である。図５Ａに示す第５の実施形態は、発光層１０３が第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａから水平方向に沿って延在し、発光層１０３の縁部１０３ａが第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａと位置合わせされているという点で、図２Ａに示す第２の実施形態とは異なる。さらに、マイクロＬＥＤ構造体４０００は、発光層１０３を取り囲む上部分離層１１４をさらに含む。マイクロレンズ１１１は、第２の種類の導電層１０２及び分離層１１４の上面１１４ａ上に形成される。図５Ａに示す第４の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体５０００の構成要素は、図２Ａに示す第２の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体２０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0067】
第５の実施形態の第１の変形例
図５Ｂは、本開示の第５の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体５００１の断面図である。図５Ｂに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂが湾曲しており、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂに反射構造体１０４１が形成され、湾曲面１０４ａを有するという点で、図５Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４１を除いて、図５Ｂに示すマイクロＬＥＤ構造体５００１の構成要素は、図５Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体５０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図５Ｂは、本開示の第５の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体５００１の断面図である。図５Ｂに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂが湾曲しており、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂに反射構造体１０４１が形成され、湾曲面１０４ａを有するという点で、図５Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４１を除いて、図５Ｂに示すマイクロＬＥＤ構造体５００１の構成要素は、図５Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体５０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0068】
第５の実施形態の第２の変形例
図５Ｃは、本開示の第５の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体５００２の断面図である。図５Ｃに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃに反射構造体１０４２が取り付けられているという点で、図５Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４２は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４２の底部に形成され、反射構造体１０４２の底部と電気的に接続されている。第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃ上の反射構造体１０４２は、金属製である。反射構造体１０４２を除いて、図５Ｃに示すマイクロＬＥＤ構造体５００２の構成要素は、図５Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体５０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図５Ｃは、本開示の第５の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体５００２の断面図である。図５Ｃに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃに反射構造体１０４２が取り付けられているという点で、図５Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４２は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４２の底部に形成され、反射構造体１０４２の底部と電気的に接続されている。第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃ上の反射構造体１０４２は、金属製である。反射構造体１０４２を除いて、図５Ｃに示すマイクロＬＥＤ構造体５００２の構成要素は、図５Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体５０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0069】
第５の実施形態の第３の変形例
図５Ｄは、本開示の第５の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体５００３の断面図である。図５Ｄに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂ及び底面１０１ｃの両方に反射構造体１０４３が取り付けられているという点で、図５Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４３は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４３の底部に形成され、反射構造体１０４３と電気的に接続されている。反射構造体１０４２を除いて、図５Ｄに示すマイクロＬＥＤ構造体５００３の構成要素は、図５Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体５０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図５Ｄは、本開示の第５の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤ構造体５００３の断面図である。図５Ｄに示す実施形態は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂ及び底面１０１ｃの両方に反射構造体１０４３が取り付けられているという点で、図５Ａに示す実施形態とは異なる。反射構造体１０４３は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４３の底部に形成され、反射構造体１０４３と電気的に接続されている。反射構造体１０４２を除いて、図５Ｄに示すマイクロＬＥＤ構造体５００３の構成要素は、図５Ａに示すマイクロＬＥＤ構造体５０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0070】
第６の実施形態
図６Ａは、本開示の第６の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ６０００の断面図である。マイクロＬＥＤチップ６０００は、複数のマイクロＬＥＤを含むことができる。マイクロＬＥＤチップ６０００に含まれるマイクロＬＥＤの少なくとも１つは、上述のマイクロＬＥＤ構造体１０００、１００１、…、３００３のいずれか１つを有することができる。
図６Ａは、本開示の第６の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ６０００の断面図である。マイクロＬＥＤチップ６０００は、複数のマイクロＬＥＤを含むことができる。マイクロＬＥＤチップ６０００に含まれるマイクロＬＥＤの少なくとも１つは、上述のマイクロＬＥＤ構造体１０００、１００１、…、３００３のいずれか１つを有することができる。
【0071】
図６Ａに示す実施形態では、マイクロＬＥＤチップ６０００は、２つのマイクロＬＥＤ６１０及び６２０を含む。マイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々は、図１Ａに示す第１の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体１０００を含む。以下の説明及び図６Ａにおいて、図６ＡのマイクロＬＥＤ６１０及び６２０は、マイクロＬＥＤ６１０（１０００）及び６２０（１０００）とも呼ばれる。
【0072】
図６Ａに示すように、マイクロＬＥＤ６１０（１０００）及び６２０（１０００）の各々は、第１の種類の導電層１０１と、第１の種類の導電層１０１上に積層された第２の種類の導電層１０２と、第１の種類の導電層１０１と第２の種類の導電層１０２との間に形成された発光層１０３とを含む。発光層１０３は、マイクロＬＥＤチップ６０００全体に連続的に形成されている。第１及び第２のマイクロＬＥＤ６１０（１０００）及び６２０（１０００）は、発光層１０３を共有している。発光層１０３は、発光層１０３の縁部１０３ａが第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａにも第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａにも接触しないように、第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａ及び第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａから離れるように水平レベルに沿って延在している。第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａは、第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａと位置合わせされている。
【0073】
図６Ａに示すように、マイクロＬＥＤ６１０（１０００）及び６２０（１０００）の各々はまた、発光層１０３の上面１０３ｂに形成された上部スペーサ１０７と、発光層１０３の底面１０３ｃに形成された底部スペーサ１０８とを含む。上部スペーサ１０７及び底部スペーサ１０８はいずれも、マイクロＬＥＤチップ６０００全体に連続的に形成され、第１及び第２のマイクロＬＥＤ６１０（１０００）及び６２０（１０００）で共用されている。上部スペーサ１０７の縁部１０７ａは、発光層１０３の縁部１０３ａと位置合わせされている。底部スペーサ１０８の縁部１０８ａは、発光層１０３の縁部１０３ａと位置合わせされている。
【0074】
図６Ａに示すように、マイクロＬＥＤ６１０（１０００）及び６２０（１０００）の各々はまた、第１の種類の導電層１０１を取り囲む反射構造体１０４と、第１の種類の導電層１０１の下に形成された底部接続構造体１０５と、基板１１０内に形成された接続パッド１０６と、第１の種類の導電層１０１を取り囲み、発光層１０３の下にある分離層１０９と、第１の種類の導電層１０１の下にあり、接続パッド１０６によって底部接続構造体１０５と電気的に接続されている基板１１０と、第２の種類の導電層１０２及び上部スペーサ１０７の上面１０７ｂの上に形成されたマイクロレンズ１１１とを含む。
【0075】
図６Ａに示す第６の実施形態の第１及び第２のマイクロＬＥＤ６１０（１０００）及び６２０（１０００）の構成要素は、マイクロＬＥＤチップ６０００全体に連続的に形成され、第１及び第２のマイクロＬＥＤ６１０（１０００）及び６２０（１０００）によって共有される発光層１０３、上部スペーサ１０７、及び底部スペーサ１０８を除いて、図１Ａに示す第１の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体１０００の構成要素と同じである。したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0076】
第６の実施形態の第１の変形例
図６Ｂは、本開示の第６の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤチップ６００１の断面図である。図６Ｂに示す第６の実施形態の第１の変形例は、マイクロＬＥＤチップ６００１内のマイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々が、図１Ｂに示す第１の実施形態の第１の変形例で説明したマイクロＬＥＤ構造体１００１を含むという点で、図６Ａに示す第６の実施形態とは異なる。したがって、図６ＢのマイクロＬＥＤ６１０及び６２０は、マイクロＬＥＤ６１０（１００１）及び６２０（１００１）とも呼ばれる。
図６Ｂは、本開示の第６の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤチップ６００１の断面図である。図６Ｂに示す第６の実施形態の第１の変形例は、マイクロＬＥＤチップ６００１内のマイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々が、図１Ｂに示す第１の実施形態の第１の変形例で説明したマイクロＬＥＤ構造体１００１を含むという点で、図６Ａに示す第６の実施形態とは異なる。したがって、図６ＢのマイクロＬＥＤ６１０及び６２０は、マイクロＬＥＤ６１０（１００１）及び６２０（１００１）とも呼ばれる。
【0077】
より具体的には、図６Ｂに示すように、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂは湾曲しており、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂに形成された反射構造体１０４１は湾曲面１０４ａを有している。反射構造体１０４１を除いて、図６Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ６００１の構成要素は、図６Ａに示すマイクロＬＥＤチップ６０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0078】
第６の実施形態の第２の変形例
図６Ｃは、本開示の第６の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤチップ６００２の断面図である。図６Ｃに示す第６の実施形態の第２の変形例は、マイクロＬＥＤチップ６００２内のマイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々が、図１Ｃに示す第１の実施形態の第２の変形例で説明したマイクロＬＥＤ構造体１００２を含むという点で、図６Ａに示す第６の実施形態とは異なる。したがって、図６ＣのマイクロＬＥＤ６１０及び６２０は、マイクロＬＥＤ６１０（１００２）及び６２０（１００２）と呼ばれる。
図６Ｃは、本開示の第６の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤチップ６００２の断面図である。図６Ｃに示す第６の実施形態の第２の変形例は、マイクロＬＥＤチップ６００２内のマイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々が、図１Ｃに示す第１の実施形態の第２の変形例で説明したマイクロＬＥＤ構造体１００２を含むという点で、図６Ａに示す第６の実施形態とは異なる。したがって、図６ＣのマイクロＬＥＤ６１０及び６２０は、マイクロＬＥＤ６１０（１００２）及び６２０（１００２）と呼ばれる。
【0079】
より具体的には、図６Ｃに示すように、反射構造体１０４２は、第１の種類の導電層１０１の底面１０１ｃに取り付けられている。反射構造体１０４２は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４２の底部に形成され、反射構造体１０４２の底部と電気的に接続されている。第１の種類の導電層０１の底面１０１ｃ上の反射構造体１０４２は、金属製であってもよい。反射構造体１０４２を除いて、図６Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ６００２の構成要素は、図６Ａに示すマイクロＬＥＤチップ６０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0080】
第６の実施形態の第３の変形例
図６Ｄは、本開示の第６の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤチップ６００３の断面図である。図６Ｄに示す実施形態は、マイクロＬＥＤチップ６００３内のマイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々が、図１Ｄに示す第１の実施形態の第３の変形例で説明したマイクロＬＥＤ構造体１００３を含むという点で、図６Ａに示す実施形態とは異なる。したがって、図６ＣのマイクロＬＥＤ６１０及び６２０は、マイクロＬＥＤ６１０（１００３）及び６２０（１００３）と呼ばれる。
図６Ｄは、本開示の第６の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤチップ６００３の断面図である。図６Ｄに示す実施形態は、マイクロＬＥＤチップ６００３内のマイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々が、図１Ｄに示す第１の実施形態の第３の変形例で説明したマイクロＬＥＤ構造体１００３を含むという点で、図６Ａに示す実施形態とは異なる。したがって、図６ＣのマイクロＬＥＤ６１０及び６２０は、マイクロＬＥＤ６１０（１００３）及び６２０（１００３）と呼ばれる。
【0081】
より具体的には、図６Ｄに示すように、反射構造体１０４３は、第１の種類の導電層１０１の側壁面１０１ｂ及び底面１０１ｃの両方に取り付けられている。反射構造体１０４３は、導電性である。底部接続構造体１０５は、反射構造体１０４３の底部に形成され、反射構造体１０４３と電気的に接続されている。反射構造体１０４３を除いて、図６Ｄに示すマイクロＬＥＤチップ６００３の構成要素は、図６Ａに示すマイクロＬＥＤチップ６０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0082】
第６の実施形態の第４の変形例
図６Ｅは、本開示の第６の実施形態の第４の変形例による、マイクロＬＥＤチップ６００４の断面図である。図６Ｅに示す実施形態は、マイクロＬＥＤチップ６００４内のマイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々が、図２Ａに示す第２の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体２０００を含むという点で、図６Ａに示す実施形態とは異なる。したがって、図６ＥのマイクロＬＥＤ６１０及び６２０は、マイクロＬＥＤ６１０（２０００）及び６２０（２０００）と呼ばれる。
図６Ｅは、本開示の第６の実施形態の第４の変形例による、マイクロＬＥＤチップ６００４の断面図である。図６Ｅに示す実施形態は、マイクロＬＥＤチップ６００４内のマイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々が、図２Ａに示す第２の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体２０００を含むという点で、図６Ａに示す実施形態とは異なる。したがって、図６ＥのマイクロＬＥＤ６１０及び６２０は、マイクロＬＥＤ６１０（２０００）及び６２０（２０００）と呼ばれる。
【0083】
より具体的には、図６Ｅに示すように、第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａは、第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａと位置合わせされていない。代わりに、第１の種類の導電層１０１の上面１０１ｄに垂直に投影された第２の種類の導電層１０２の輪郭は、第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａによって取り囲まれている。図６Ｅに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ６００４の構成要素は、図６Ａに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ６０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0084】
図６Ｅに示す実施形態では、マイクロＬＥＤチップ６００４内のマイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々は、図２Ａに示す第２の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体２０００を含む。代替的に、他の実施形態では、マイクロＬＥＤチップ６００４内のマイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々は、それぞれ図２Ｂ、図２Ｃ、又は図２Ｄに示す第２の実施形態の第１、第２、又は第３の変形例で説明したマイクロＬＥＤ構造体２００１、２００２、又は２００３を含んでもよい。
【0085】
第６の実施形態の第５の変形例
図６Ｆは、本開示の第６の実施形態の第５の変形例による、マイクロＬＥＤチップ６００５の断面図である。図６Ｆに示す実施形態は、マイクロＬＥＤチップ６００５内のマイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々が、図３Ａに示す第２の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体３０００を含むという点で、図６Ａに示す実施形態とは異なる。したがって、図６ＦのマイクロＬＥＤ６１０及び６２０は、マイクロＬＥＤ６１０（３０００）及び６２０（３０００）と呼ばれる。
図６Ｆは、本開示の第６の実施形態の第５の変形例による、マイクロＬＥＤチップ６００５の断面図である。図６Ｆに示す実施形態は、マイクロＬＥＤチップ６００５内のマイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々が、図３Ａに示す第２の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体３０００を含むという点で、図６Ａに示す実施形態とは異なる。したがって、図６ＦのマイクロＬＥＤ６１０及び６２０は、マイクロＬＥＤ６１０（３０００）及び６２０（３０００）と呼ばれる。
【0086】
より具体的には、図６Ｆに示すように、第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａは、第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａと位置合わせされていない。代わりに、第２の種類の導電層１０２の底面１０２ｂに垂直に投影された第１の種類の導電層１０１の輪郭は、第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａによって取り囲まれている。図６Ｆに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ６００５の構成要素は、図６Ａに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ６０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0087】
図６Ｆに示す実施形態では、マイクロＬＥＤチップ６００５内のマイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々は、図３Ａに示す第３の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体３０００を含む。代替的に、他の実施形態では、マイクロＬＥＤチップ６００５内のマイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々は、それぞれ図３Ｂ、図３Ｃ、又は図３Ｄに示す第３の実施形態の第１、第２、又は第３の変形例で説明したマイクロＬＥＤ構造体３００１、３００２、又は３００３を含んでもよい。
【0088】
第７の実施形態
図７は、本開示の第７の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ７０００の断面図である。マイクロＬＥＤチップ７０００は、複数のマイクロＬＥＤを含むことができる。マイクロＬＥＤチップ７０００に含まれるマイクロＬＥＤの少なくとも１つは、上述のマイクロＬＥＤ構造体１０００、１００１、…、３００３のいずれか１つを有することができる。
図７は、本開示の第７の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ７０００の断面図である。マイクロＬＥＤチップ７０００は、複数のマイクロＬＥＤを含むことができる。マイクロＬＥＤチップ７０００に含まれるマイクロＬＥＤの少なくとも１つは、上述のマイクロＬＥＤ構造体１０００、１００１、…、３００３のいずれか１つを有することができる。
【0089】
図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００は、マイクロＬＥＤチップ７０００が隣接するマイクロＬＥＤ６１０（１０００）と６２０（１０００）との間に形成された分離構造体１１２をさらに含むという点で、図６Ａに示すマイクロＬＥＤチップ６０００とは異なる。分離構造体１１２は、例えば不純物がドープされたＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４を含む誘電体材料であり得る光吸収材料から作製されてもよい。他の実施形態では、分離構造体１１２は、例えば金属などの反射材料で作製されてもよい。分離構造体１１２は、隣接するマイクロＬＥＤ６１０（１０００）及び６２０（１０００）を互いに電気的に分離するように構成される。
【0090】
分離構造体１１２のうちの少なくとも一部は、発光層１０３内に形成される。図７に示す実施形態では、分離構造体１１２の上面１１２ａは発光層１０３の上面１０３ｂと位置合わせされ、分離構造体１１２の底面１１２ｂは発光層１０３の底面１０３ｃと位置合わせされている。分離構造体１１２は、マイクロＬＥＤ６１０（１０００）及び６２０（１０００）のうちの少なくとも１つを取り囲むように形成されてもよい。追加的又は代替的に、分離構造体１１２のうちの少なくとも一部は、上部スペーサ１０７又は底部スペーサ１０８内に形成されてもよい。
【0091】
分離構造体を除いて、図７に示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ７０００の構成要素は、図６Ａに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ６０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0092】
第８の実施形態
図８Ａは、本開示の第８の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ８０００の断面図である。図８Ａに示すマイクロＬＥＤチップ８０００は、分離構造体１１２の底面１１２ｂが発光層１０３の下にあるという点で、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００とは異なる。より具体的には、図８Ａに示すように、分離構造体１１２の底面１１２ｂは、発光層１０３の底面１０３ｃの下、かつ底部スペーサ１０８の底面１０８ｂの上にある。分離構造体１１２を除いて、図８Ａに示すマイクロＬＥＤチップ８０００の構成要素は、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図８Ａは、本開示の第８の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ８０００の断面図である。図８Ａに示すマイクロＬＥＤチップ８０００は、分離構造体１１２の底面１１２ｂが発光層１０３の下にあるという点で、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００とは異なる。より具体的には、図８Ａに示すように、分離構造体１１２の底面１１２ｂは、発光層１０３の底面１０３ｃの下、かつ底部スペーサ１０８の底面１０８ｂの上にある。分離構造体１１２を除いて、図８Ａに示すマイクロＬＥＤチップ８０００の構成要素は、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0093】
第８の実施形態の第１の変形例
図８Ｂは、本開示の第８の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤチップ８００１の断面図である。図８Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ８００１は、分離構造体１１２の底面１１２ｂが底部スペーサ１０８の底面１０８ｂと位置合わせされているという点で、図８Ａに示すマイクロＬＥＤチップ８０００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図８Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ８００１の構成要素は、図８Ａに示すマイクロＬＥＤチップ８０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図８Ｂは、本開示の第８の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤチップ８００１の断面図である。図８Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ８００１は、分離構造体１１２の底面１１２ｂが底部スペーサ１０８の底面１０８ｂと位置合わせされているという点で、図８Ａに示すマイクロＬＥＤチップ８０００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図８Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ８００１の構成要素は、図８Ａに示すマイクロＬＥＤチップ８０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0094】
第８の実施形態の第２の変形例
図８Ｃは、本開示の第８の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤチップ８００２の断面図である。図８Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ８００２は、分離構造体１１２の底面１１２ｂが底部スペーサ１０８の底面１０８ｂの下にあり、分離層１０９に配置されているという点で、図８Ａに示すマイクロＬＥＤチップ８０００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図８Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ８００２の構成要素は、図８Ａに示すマイクロＬＥＤチップ８０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図８Ｃは、本開示の第８の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤチップ８００２の断面図である。図８Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ８００２は、分離構造体１１２の底面１１２ｂが底部スペーサ１０８の底面１０８ｂの下にあり、分離層１０９に配置されているという点で、図８Ａに示すマイクロＬＥＤチップ８０００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図８Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ８００２の構成要素は、図８Ａに示すマイクロＬＥＤチップ８０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0095】
図８Ａ～図８Ｃに示す実施形態では、分離構造体１１２の上面１１２ａの面積は、分離構造体１１２の底面１１２ｂの面積に等しい。代替的に、他の実施形態では、分離構造体１１２の上面１１２ａの面積は、分離構造体１１２の底面１１２ｂの面積よりも大きくても小さくてもよい。さらに代替的に、いくつかの実施形態では、発光層１０３と底部スペーサ１０８との間の接触面における、又は底部スペーサ１０８の底面１０８ｂにおける分離構造体１１２の断面積は、分離構造体１１２の底面１１２ｂの面積よりも大きくてもよい。
【0096】
第９の実施形態
図９Ａは、本開示の第９の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ９０００の断面図である。図９Ａに示すマイクロＬＥＤチップ９０００は、分離構造体１１２の上面１１２ａが発光層１０３の上にあるという点で、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００とは異なる。より具体的には、図９Ａに示すように、分離構造体１１２の上面１１２ａは、発光層１０３の上面１０３ｂの上、かつ上部スペーサ１０７の上面１０７ｂの下にある。分離構造体１１２を除いて、図９Ａに示すマイクロＬＥＤチップ９０００の構成要素は、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図９Ａは、本開示の第９の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ９０００の断面図である。図９Ａに示すマイクロＬＥＤチップ９０００は、分離構造体１１２の上面１１２ａが発光層１０３の上にあるという点で、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００とは異なる。より具体的には、図９Ａに示すように、分離構造体１１２の上面１１２ａは、発光層１０３の上面１０３ｂの上、かつ上部スペーサ１０７の上面１０７ｂの下にある。分離構造体１１２を除いて、図９Ａに示すマイクロＬＥＤチップ９０００の構成要素は、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0097】
第９の実施形態の第１の変形例
図９Ｂは、本開示の第９の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤチップ９００１の断面図である。図９Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ９００１は、分離構造体１１２の上面１１２ａが上部スペーサ１０７の上面１０７ｂと位置合わせされているという点で、図９Ａに示すマイクロＬＥＤチップ９０００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図９Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ９００１の構成要素は、図９Ａに示すマイクロＬＥＤチップ９０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図９Ｂは、本開示の第９の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤチップ９００１の断面図である。図９Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ９００１は、分離構造体１１２の上面１１２ａが上部スペーサ１０７の上面１０７ｂと位置合わせされているという点で、図９Ａに示すマイクロＬＥＤチップ９０００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図９Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ９００１の構成要素は、図９Ａに示すマイクロＬＥＤチップ９０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0098】
第９の実施形態の第２の変形例
図９Ｃは、本開示の第９の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤチップ９００２の断面図である。図９Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ９００２は、分離構造体１１２の上面１１２ａが上部スペーサ１０７の上面１０７ｂの上、かつ隣接する第２の種類の導電層１０２の間にあるという点で、図９Ａに示すマイクロＬＥＤチップ９０００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図９Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ９００２の構成要素は、図９Ａに示すマイクロＬＥＤチップ９０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図９Ｃは、本開示の第９の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤチップ９００２の断面図である。図９Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ９００２は、分離構造体１１２の上面１１２ａが上部スペーサ１０７の上面１０７ｂの上、かつ隣接する第２の種類の導電層１０２の間にあるという点で、図９Ａに示すマイクロＬＥＤチップ９０００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図９Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ９００２の構成要素は、図９Ａに示すマイクロＬＥＤチップ９０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0099】
図９Ａ～図９Ｃに示す実施形態では、分離構造体１１２の上面１１２ａの面積は、分離構造体１１２の底面１１２ｂの面積に等しい。代替的に、他の実施形態では、分離構造体１１２の上面１１２ａの面積は、分離構造体１１２の底面１１２ｂの面積よりも大きくても小さくてもよい。さらに代替的に、いくつかの実施形態では、発光層１０３の上面１０３ｂにおける、又は上部スペーサ１０７の上面１０７ｂにおける分離構造体１１２の断面積は、分離構造体１１２の底面１１２ｂの面積よりも大きくてもよい。
【0100】
第１０の実施形態
図１０Ａは、本開示の第１０の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ１００００の断面図である。図１０Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１００００は、分離構造体１１２の上面１１２ａが発光層１０３の上にあり、分離構造体１１２の底面１１２ｂが発光層１０３の下にあるという点で、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００とは異なる。より具体的には、図１０Ａに示すように、分離構造体１１２の上面１１２ａは発光層１０３の上面１０３ｂの上、かつ上部スペーサ１０７の上面１０７ｂの下にあり、分離構造体１１２の底面１１２ｂは発光層１０３の底面１０３ｃの下、かつ底部スペーサ１０８の底面１０８ｂの上にある。分離構造体１１２を除いて、図１０Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１００００の構成要素は、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１０Ａは、本開示の第１０の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ１００００の断面図である。図１０Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１００００は、分離構造体１１２の上面１１２ａが発光層１０３の上にあり、分離構造体１１２の底面１１２ｂが発光層１０３の下にあるという点で、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００とは異なる。より具体的には、図１０Ａに示すように、分離構造体１１２の上面１１２ａは発光層１０３の上面１０３ｂの上、かつ上部スペーサ１０７の上面１０７ｂの下にあり、分離構造体１１２の底面１１２ｂは発光層１０３の底面１０３ｃの下、かつ底部スペーサ１０８の底面１０８ｂの上にある。分離構造体１１２を除いて、図１０Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１００００の構成要素は、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0101】
第１０の実施形態の第１の変形例
図１０Ｂは、本開示の第１０の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１０００１の断面図である。図１０Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１０００１は、分離構造体１１２の底面１１２ｂが底部スペーサ１０８の底面１０８ｂと位置合わせされているという点で、図１０Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１００００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図１０Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１０００１の構成要素は、図１０Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１００００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１０Ｂは、本開示の第１０の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１０００１の断面図である。図１０Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１０００１は、分離構造体１１２の底面１１２ｂが底部スペーサ１０８の底面１０８ｂと位置合わせされているという点で、図１０Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１００００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図１０Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１０００１の構成要素は、図１０Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１００００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0102】
第１０の実施形態の第２の変形例
図１０Ｃは、本開示の第１０の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１０００２の断面図である。図１０Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ１０００２は、分離構造体１１２の底面１１２ｂが底部スペーサ１０８の底面１０８ｂの下にあり、分離層１０９に配置されているという点で、図１０Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１００００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図１０Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ１０００２の構成要素は、図１０Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１００００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１０Ｃは、本開示の第１０の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１０００２の断面図である。図１０Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ１０００２は、分離構造体１１２の底面１１２ｂが底部スペーサ１０８の底面１０８ｂの下にあり、分離層１０９に配置されているという点で、図１０Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１００００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図１０Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ１０００２の構成要素は、図１０Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１００００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0103】
図１０Ａ～図１０Ｃに示す実施形態では、分離構造体１１２の上面１１２ａの面積は、分離構造体１１２の底面１１２ｂの面積に等しい。代替的に、他の実施形態では、分離構造体１１２の上面１１２ａの面積は、分離構造体１１２の底面１１２ｂの面積よりも大きくても小さくてもよい。さらに代替的に、いくつかの実施形態では、発光層１０３の底面１０３ｃにおける、又は底部スペーサ１０８の底面１０８ｂにおける分離構造体１１２の断面積は、分離構造体１１２の底面１１２ｂの面積よりも大きくてもよい。
【0104】
第１１の実施形態
図１１Ａは、本開示の第１１の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ１１０００の断面図である。図１１Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１１０００は、分離構造体１１２の上面１１２ａが上部スペーサ１０７の上面１０７ｂと位置合わせされ、分離構造体１１２の底面１１２ｂが発光層１０３の下にあるという点で、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００とは異なる。より具体的には、図１１Ａに示す実施形態では、分離構造体１１２の底面１１２ｂは、発光層１０３の底面１０３ｃの下、かつ底部スペーサ１０８の底面１０８ｂの上にある。分離構造体１１２を除いて、図１１Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１１０００の構成要素は、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１１Ａは、本開示の第１１の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ１１０００の断面図である。図１１Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１１０００は、分離構造体１１２の上面１１２ａが上部スペーサ１０７の上面１０７ｂと位置合わせされ、分離構造体１１２の底面１１２ｂが発光層１０３の下にあるという点で、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００とは異なる。より具体的には、図１１Ａに示す実施形態では、分離構造体１１２の底面１１２ｂは、発光層１０３の底面１０３ｃの下、かつ底部スペーサ１０８の底面１０８ｂの上にある。分離構造体１１２を除いて、図１１Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１１０００の構成要素は、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0105】
第１１の実施形態の第１の変形例
図１１Ｂは、本開示の第１１の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１１００１の断面図である。図１１Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１１００１は、分離構造体１１２の底面１１２ｂが底部スペーサ１０８の底面１０８ｂと位置合わせされているという点で、図１１Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１１０００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図１１Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１１００１の構成要素は、図１１Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１１０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１１Ｂは、本開示の第１１の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１１００１の断面図である。図１１Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１１００１は、分離構造体１１２の底面１１２ｂが底部スペーサ１０８の底面１０８ｂと位置合わせされているという点で、図１１Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１１０００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図１１Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１１００１の構成要素は、図１１Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１１０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0106】
第１１の実施形態の第２の変形例
図１１Ｃは、本開示の第１１の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１１００２の断面図である。図１１Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ１１００２は、分離構造体１１２の底面１１２ｂが底部スペーサ１０８の底面１０８ｂの下にあり、分離層１０９に配置されているという点で、図１１Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１１０００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図１１Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ１１００２の構成要素は、図１１Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１１０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１１Ｃは、本開示の第１１の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１１００２の断面図である。図１１Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ１１００２は、分離構造体１１２の底面１１２ｂが底部スペーサ１０８の底面１０８ｂの下にあり、分離層１０９に配置されているという点で、図１１Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１１０００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図１１Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ１１００２の構成要素は、図１１Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１１０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0107】
図１１Ａ～図１１Ｃに示す実施形態では、分離構造体１１２の上面１１２ａの面積は、分離構造体１１２の底面１１２ｂの面積に等しい。代替的に、他の実施形態では、分離構造体１１２の上面１１２ａの面積は、分離構造体１１２の底面１１２ｂの面積よりも大きくても小さくてもよい。さらに代替的に、いくつかの実施形態では、発光層１０３の底面１０３ｃにおける、又は底部スペーサ１０８の底面１０８ｂにおける分離構造体１１２の断面積は、分離構造体１１２の底面１１２ｂの面積よりも大きくてもよい。
【0108】
第１１の実施形態の第３の変形例
図１１Ｄは、本開示の第１１の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１１００３の断面図である。図１１Ｄに示すマイクロＬＥＤチップ１１００３は、分離構造体１１２の上面１１２ａの面積が分離構造体１１２の底面１１２ｂの面積よりも大きいという点で、図１１Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１１００１とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図１１Ｄに示すマイクロＬＥＤチップ１１００３の構成要素は、図１１Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１１００１の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１１Ｄは、本開示の第１１の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１１００３の断面図である。図１１Ｄに示すマイクロＬＥＤチップ１１００３は、分離構造体１１２の上面１１２ａの面積が分離構造体１１２の底面１１２ｂの面積よりも大きいという点で、図１１Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１１００１とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図１１Ｄに示すマイクロＬＥＤチップ１１００３の構成要素は、図１１Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１１００１の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0109】
第１２の実施形態
図１２Ａは、本開示の第１２の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ１２０００の断面図である。図１２Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１２０００は、分離構造体１１２の上面１１２ａが上部スペーサ１０７の上面１０７ｂの上、かつ隣接する第２の種類の導電層１０２の間にあり、分離構造体１１２の底面１１２ｂが発光層１０３の下にあるという点で、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００とは異なる。より具体的には、図１２Ａに示す実施形態では、分離構造体１１２の底面１１２ｂは、発光層１０３の底面１０３ｃの下、かつ底部スペーサ１０８の底面１０８ｂの上にある。分離構造体１１２を除いて、図１２Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１２０００の構成要素は、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１２Ａは、本開示の第１２の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ１２０００の断面図である。図１２Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１２０００は、分離構造体１１２の上面１１２ａが上部スペーサ１０７の上面１０７ｂの上、かつ隣接する第２の種類の導電層１０２の間にあり、分離構造体１１２の底面１１２ｂが発光層１０３の下にあるという点で、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００とは異なる。より具体的には、図１２Ａに示す実施形態では、分離構造体１１２の底面１１２ｂは、発光層１０３の底面１０３ｃの下、かつ底部スペーサ１０８の底面１０８ｂの上にある。分離構造体１１２を除いて、図１２Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１２０００の構成要素は、図７に示すマイクロＬＥＤチップ７０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0110】
第１２の実施形態の第１の変形例
図１２Ｂは、本開示の第１２の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１２００１の断面図である。図１２Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１２００１は、分離構造体１１２の底面１１２ｂが底部スペーサ１０８の底面１０８ｂと位置合わせされているという点で、図１２Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１２０００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図１２Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１２００１の構成要素は、図１２Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１２０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１２Ｂは、本開示の第１２の実施形態の第１の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１２００１の断面図である。図１２Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１２００１は、分離構造体１１２の底面１１２ｂが底部スペーサ１０８の底面１０８ｂと位置合わせされているという点で、図１２Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１２０００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図１２Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１２００１の構成要素は、図１２Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１２０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0111】
第１２の実施形態の第２の変形例
図１２Ｃは、本開示の第１２の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１２００２の断面図である。図１２Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ１２００２は、分離構造体１１２の底面１１２ｂが底部スペーサ１０８の底面１０８ｂの下にあり、分離層１０９に配置されているという点で、図１２Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１２０００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図１２Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ１２００２の構成要素は、図１２Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１２０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１２Ｃは、本開示の第１２の実施形態の第２の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１２００２の断面図である。図１２Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ１２００２は、分離構造体１１２の底面１１２ｂが底部スペーサ１０８の底面１０８ｂの下にあり、分離層１０９に配置されているという点で、図１２Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１２０００とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図１２Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ１２００２の構成要素は、図１２Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１２０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0112】
第１２の実施形態の第３の変形例
図１２Ｄは、本開示の第１２の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１２００３の断面図である。図１２Ｄに示すマイクロＬＥＤチップ１２００３は、分離構造体１１２の上面１１２ａの面積が分離構造体１１２の底面１１２ｂの面積よりも小さく、発光層１０３の底面１０３ｃにおける分離構造体１１２の断面積１１２ｃが分離構造体１１２の底面１１２ｂの面積よりも大きいという点で、図１２Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ１２００２とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図１２Ｄに示すマイクロＬＥＤチップ１２００３の構成要素は、図１２Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ１２００２の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１２Ｄは、本開示の第１２の実施形態の第３の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１２００３の断面図である。図１２Ｄに示すマイクロＬＥＤチップ１２００３は、分離構造体１１２の上面１１２ａの面積が分離構造体１１２の底面１１２ｂの面積よりも小さく、発光層１０３の底面１０３ｃにおける分離構造体１１２の断面積１１２ｃが分離構造体１１２の底面１１２ｂの面積よりも大きいという点で、図１２Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ１２００２とは異なる。分離構造体１１２を除いて、図１２Ｄに示すマイクロＬＥＤチップ１２００３の構成要素は、図１２Ｃに示すマイクロＬＥＤチップ１２００２の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0113】
第１３の実施形態
図１３Ａは、本開示の第１３の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ１３０００の断面図である。マイクロＬＥＤチップ１３０００は、複数のマイクロＬＥＤを含むことができる。マイクロＬＥＤチップ１３０００に含まれるマイクロＬＥＤの少なくとも１つは、上述のマイクロＬＥＤ構造体１０００、１００１、…、３００３のいずれか１つを有することができる。
図１３Ａは、本開示の第１３の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ１３０００の断面図である。マイクロＬＥＤチップ１３０００は、複数のマイクロＬＥＤを含むことができる。マイクロＬＥＤチップ１３０００に含まれるマイクロＬＥＤの少なくとも１つは、上述のマイクロＬＥＤ構造体１０００、１００１、…、３００３のいずれか１つを有することができる。
【0114】
図１３Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１３０００は、隣接するマイクロＬＥＤ６１０（１０００）と６２０（１０００）との間において、マイクロＬＥＤチップ１３０００が発光層１０３の上に形成された金属層１１３をさらに含むという点で、図６Ａに示すマイクロＬＥＤチップ６０００とは異なる。金属層１１３は、発光層１０３の上面１０３ｂの上に形成され、第１の種類の導電層１０１にも第２の種類の導電層１０２にも接触しない。より具体的には、図１３Ａに示す実施形態では、発光層１０３の上部に上部スペーサ１０７が形成され、上部スペーサ１０７の上面１０７ｂの上に金属層１１３が形成されている。
【0115】
金属層１１３の横方向の寸法値ｄ１は、発光層１０３の縁部１０３ａと第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａとの間の距離ｄ２以下であるか、又は金属層１１３の横方向の寸法値ｄ１は、発光層１０３の縁部１０３ａと第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａとの間の距離ｄ３以下である。金属層１１３の横寸法値ｄ１は、約２ｎｍ～約１０μｍであってもよい。
【0116】
いくつかの実施形態では、金属層１１３の中心点は、隣接するマイクロＬＥＤ６１０（１０００）と６２０（１０００）との間の中心点と位置合わせされてもよい。代替的に、いくつかの実施形態では、金属層１１３の中心点は、隣接するマイクロＬＥＤ６１０（１０００）及び６２０（１０００）の一方に、マイクロＬＥＤ６１０（１０００）及び６２０（１０００）の他方よりも接近している。
【0117】
金属層１１３は、発光層１０３の材料の仕事関数と一致する仕事関数を有する高仕事関数金属材料を含んでもよい。高仕事関数金属材料は、金、白金、パラジウム、ベリリウム、コバルト、ニッケル、又はタングステンのうちの少なくとも１種を含むことができる。
【0118】
第１３の実施形態の変形例
図１３Ｂは、本開示の第１３の実施形態の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１３００１の断面図である。図１３Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１３００１は、マイクロＬＥＤチップ１３００１が上部スペーサ１０７の上面１０７ｂの上、かつ隣接するマイクロＬＥＤ６１０（１０００）と６２０（１０００）との間に形成された複数の金属層１１３を含むという点で、図１３Ａに示すマイクロチップ１３０００とは異なる。金属層１１３は、発光層１０３の上面１０３ｂに沿って平行に配列されている。
図１３Ｂは、本開示の第１３の実施形態の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１３００１の断面図である。図１３Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１３００１は、マイクロＬＥＤチップ１３００１が上部スペーサ１０７の上面１０７ｂの上、かつ隣接するマイクロＬＥＤ６１０（１０００）と６２０（１０００）との間に形成された複数の金属層１１３を含むという点で、図１３Ａに示すマイクロチップ１３０００とは異なる。金属層１１３は、発光層１０３の上面１０３ｂに沿って平行に配列されている。
【0119】
図１３Ｂに示す実施形態では、３つの金属層１１３が存在する。他の実施形態では、金属層１１３の数は、３つより多くてもよい。
【0120】
図１３Ａ及び図１３Ｂに示す実施形態では、マイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々は、図１Ａに示す第１の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体１０００を含む。代替的に、他の実施形態では、マイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々は、それぞれ図１Ｂ、図１Ｃ、及び図１Ｄに示す第１の実施形態の第１、第２、及び第３の変形例で説明したマイクロＬＥＤ構造体１００１、１００２、及び１００３のいずれか１つを含んでもよい。
【0121】
第１４の実施形態
図１４Ａは、本開示の第１４の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ１４０００の断面図である。図１４Ａに示す実施形態は、マイクロＬＥＤチップ１４０００が２つのマイクロＬＥＤ６１０（２０００）及び６２０（２０００）を含み、マイクロＬＥＤ６１０（２０００）及び６２０（２０００）の各々が、図２Ａに示す第２の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体２０００を含むという点で、図１３Ａに示す実施形態とは異なる。図１４Ａに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ１４０００の他の構成要素は、図１３Ａに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ１３０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１４Ａは、本開示の第１４の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ１４０００の断面図である。図１４Ａに示す実施形態は、マイクロＬＥＤチップ１４０００が２つのマイクロＬＥＤ６１０（２０００）及び６２０（２０００）を含み、マイクロＬＥＤ６１０（２０００）及び６２０（２０００）の各々が、図２Ａに示す第２の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体２０００を含むという点で、図１３Ａに示す実施形態とは異なる。図１４Ａに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ１４０００の他の構成要素は、図１３Ａに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ１３０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0122】
第１４実施形態の変形例
図１４Ｂは、本開示の第１４の実施形態の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１４００１の断面図である。図１４Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１４００１は、マイクロＬＥＤチップ１４００１が上部スペーサ１０７の上面１０７ｂの上、かつ隣接するマイクロＬＥＤ６１０（２０００）と６２０（２０００）との間に形成された複数の金属層１１３を含むという点で、図１４Ａに示すマイクロチップ１４０００とは異なる。図１４Ｂに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ１４００１の他の構成要素は、図１３Ａに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ１３０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１４Ｂは、本開示の第１４の実施形態の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１４００１の断面図である。図１４Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１４００１は、マイクロＬＥＤチップ１４００１が上部スペーサ１０７の上面１０７ｂの上、かつ隣接するマイクロＬＥＤ６１０（２０００）と６２０（２０００）との間に形成された複数の金属層１１３を含むという点で、図１４Ａに示すマイクロチップ１４０００とは異なる。図１４Ｂに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ１４００１の他の構成要素は、図１３Ａに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ１３０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0123】
図１４Ａ及び図１４Ｂに示す実施形態では、マイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々は、図２Ａに示す第２の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体２０００を含む。代替的に、他の実施形態では、マイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々は、それぞれ図２Ｂ、図２Ｃ、及び図２Ｄに示す第２の実施形態の第１、第２、及び第３の変形例で説明したマイクロＬＥＤ構造体２００１、２００２、及び２００３のいずれか１つを含んでもよい。
【0124】
第１５の実施形態
図１５Ａは、本開示の第１５の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ１５０００の断面図である。図１５Ａに示す実施形態は、マイクロＬＥＤチップ１５０００が２つのマイクロＬＥＤ６１０（３０００）及び６２０（３０００）を含み、マイクロＬＥＤ６１０（３０００）及び６２０（３０００）の各々が、図３Ａに示す第２の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体３０００を含むという点で、図１３Ａに示す実施形態とは異なる。図１５Ａに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ１５０００の他の構成要素は、図１３Ａに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ１３０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１５Ａは、本開示の第１５の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ１５０００の断面図である。図１５Ａに示す実施形態は、マイクロＬＥＤチップ１５０００が２つのマイクロＬＥＤ６１０（３０００）及び６２０（３０００）を含み、マイクロＬＥＤ６１０（３０００）及び６２０（３０００）の各々が、図３Ａに示す第２の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体３０００を含むという点で、図１３Ａに示す実施形態とは異なる。図１５Ａに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ１５０００の他の構成要素は、図１３Ａに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ１３０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0125】
第１５の実施形態の変形例
図１５Ｂは、本開示の第１５の実施形態の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１５００１の断面図である。図１５Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１５００１は、マイクロＬＥＤチップ１５００１が上部スペーサ１０７の上面１０７ｂの上、かつ隣接するマイクロＬＥＤ６１０（３０００）と６２０（３０００）との間に形成された複数の金属層１１３を含むという点で、図１５Ａに示すマイクロチップ１５０００とは異なる。図１５Ｂに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ１５００１の構成要素は、図１３Ａに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ１３０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１５Ｂは、本開示の第１５の実施形態の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１５００１の断面図である。図１５Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１５００１は、マイクロＬＥＤチップ１５００１が上部スペーサ１０７の上面１０７ｂの上、かつ隣接するマイクロＬＥＤ６１０（３０００）と６２０（３０００）との間に形成された複数の金属層１１３を含むという点で、図１５Ａに示すマイクロチップ１５０００とは異なる。図１５Ｂに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ１５００１の構成要素は、図１３Ａに示す実施形態のマイクロＬＥＤチップ１３０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0126】
図１５Ａ及び図１５Ｂに示す実施形態では、マイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々は、図３Ａに示す第３の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体３０００を含む。代替的に、他の実施形態では、マイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々は、それぞれ図３Ｂ、図３Ｃ、及び図３Ｄに示す第３の実施形態の第１、第２、及び第３の変形例で説明したマイクロＬＥＤ構造体３００１、３００２、及び３００３のいずれか１つを含んでもよい。
【0127】
第１６の実施形態
図１６Ａは、本開示の第１６の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ１６０００の断面図である。マイクロＬＥＤチップ１６０００は、複数のマイクロＬＥＤを含むことができる。マイクロＬＥＤチップ１６０００に含まれるマイクロＬＥＤの少なくとも１つは、上述のマイクロＬＥＤ構造体４０００、４００１、…、５００３のいずれか１つを有することができる。
図１６Ａは、本開示の第１６の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ１６０００の断面図である。マイクロＬＥＤチップ１６０００は、複数のマイクロＬＥＤを含むことができる。マイクロＬＥＤチップ１６０００に含まれるマイクロＬＥＤの少なくとも１つは、上述のマイクロＬＥＤ構造体４０００、４００１、…、５００３のいずれか１つを有することができる。
【0128】
図１６Ａに示す実施形態では、マイクロＬＥＤチップ１６０００は、２つのマイクロＬＥＤ６１０（４０００）及び６２０（４０００）を含む。マイクロＬＥＤ６１０（４０００）及び６２０（４０００）の各々は、図４Ａに示す第４の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体４０００を含む。
【0129】
図１６Ａに示すように、マイクロＬＥＤ６１０（４０００）及び６２０（４０００）の各々は、第１の種類の導電層１０１と、第１の種類の導電層１０１上に積層された第２の種類の導電層１０２と、第１の種類の導電層１０１と第２の種類の導電層１０２との間に形成された発光層１０３とを含む。第２の種類の導電層１０２の底面１０２ｂに垂直に投影された第１の種類の導電層１０１の輪郭は、第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａによって取り囲まれている。発光層１０３は、第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａから離れるように水平レベルに沿って延在し、発光層１０３の縁部１０３ａは、第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａと位置合わせされている。
【0130】
マイクロＬＥＤ６１０（４０００）及び６２０（４０００）の各々は、発光層１０３の上に形成された上部スペーサ１０７と、発光層１０３の下に形成された底部スペーサとをさらに含む。上部スペーサ１０７の縁部１０７ａ及び底部スペーサ１０８の縁部１０８ａはいずれも、発光層１０３の縁部１０３ａと位置合わせされ、縁部１０３ａは第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａと位置合わせされている。
【0131】
マイクロＬＥＤチップ１６０００は、発光層１０３を取り囲む上部分離層１１４と、第２の種類の導電層１０２及び分離層１１４の上面１１４ａの上に形成されたマイクロレンズ１１１とをさらに含む。
【0132】
発光層１０３の縁部１０３ａ、上部スペーサ１０７の縁部１０７ａ、及び底部スペーサ１０８の縁部１０８ａが、第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａと位置合わせされていることを除いて、図１６Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１６０００の構成要素は、図６Ｆに示すマイクロＬＥＤチップ６００５の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0133】
第１６の実施形態の変形例
図１６Ｂは、本開示の第１６の実施形態の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１６００１の断面図である。図１６Ｂに示す実施形態は、マイクロＬＥＤチップ１６００１が、分離層１１４の上面１１４ａの上、かつ隣接するマイクロＬＥＤ６１０（４０００）と６２０（４０００）との間に形成された金属層１１３をさらに含むという点で、図１６Ａに示す実施形態とは異なる。図１６Ｂに示す実施形態では、マイクロＬＥＤ６１０（４０００）と６２０（４０００）との間に金属層１１３は１つしかない。代替的に、他の実施形態では、マイクロＬＥＤ６１０（４０００）と６２０（４０００）との間に複数の金属層１１３があり、マイクロＬＥＤ６１０（４０００）と６２０（４０００）との間の複数の金属層１１３の数は、３つ以上であってもよい。金属層１１３を除いて、図１６Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１６００１の構成要素は、図１６Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１６０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１６Ｂは、本開示の第１６の実施形態の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１６００１の断面図である。図１６Ｂに示す実施形態は、マイクロＬＥＤチップ１６００１が、分離層１１４の上面１１４ａの上、かつ隣接するマイクロＬＥＤ６１０（４０００）と６２０（４０００）との間に形成された金属層１１３をさらに含むという点で、図１６Ａに示す実施形態とは異なる。図１６Ｂに示す実施形態では、マイクロＬＥＤ６１０（４０００）と６２０（４０００）との間に金属層１１３は１つしかない。代替的に、他の実施形態では、マイクロＬＥＤ６１０（４０００）と６２０（４０００）との間に複数の金属層１１３があり、マイクロＬＥＤ６１０（４０００）と６２０（４０００）との間の複数の金属層１１３の数は、３つ以上であってもよい。金属層１１３を除いて、図１６Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１６００１の構成要素は、図１６Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１６０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0134】
図１６Ａ及び図１６Ｂに示す実施形態では、マイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々は、図４Ａに示す第４の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体４０００を含む。代替的に、他の実施形態では、マイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々は、それぞれ図４Ｂ、図４Ｃ、及び図４Ｄに示す第４の実施形態の第１、第２、及び第３の変形例で説明したマイクロＬＥＤ構造体４００１、４００２、及び４００３のいずれか１つを含んでもよい。
【0135】
第１７の実施形態
図１７Ａは、本開示の第１７の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ１７０００の断面図である。マイクロＬＥＤチップ１７０００は、２つのマイクロＬＥＤ６１０（５０００）及び６２０（５０００）を含む。マイクロＬＥＤ６１０（５０００）及び６２０（５０００）の各々は、図５Ａに示す第５の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体５０００を含む。
図１７Ａは、本開示の第１７の実施形態による、マイクロＬＥＤチップ１７０００の断面図である。マイクロＬＥＤチップ１７０００は、２つのマイクロＬＥＤ６１０（５０００）及び６２０（５０００）を含む。マイクロＬＥＤ６１０（５０００）及び６２０（５０００）の各々は、図５Ａに示す第５の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体５０００を含む。
【0136】
マイクロＬＥＤチップ１７０００は、第１の種類の導電層１０１の上面１０１ｄに垂直に投影された第２の種類の導電層１０２の輪郭が、第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａによって取り囲まれているという点で、マイクロＬＥＤチップ１６０００とは異なる。さらに、発光層１０３の縁部１０３ａ、上部スペーサ１０７の縁部１０７ａ、及び底部スペーサ１０８の縁部１０８ａは、第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａと位置合わせされている。
【0137】
さらに、マイクロＬＥＤチップ１７０００は、発光層１０３を取り囲む上部分離層１１４をさらに含む。マイクロレンズ１１１は、第２の種類の導電層１０２及び分離層１１４の上面１１４ａ上に形成される。図１７Ａに示す第４の実施形態のマイクロＬＥＤチップ１７０００の他の構成要素は、図１６Ａに示す第２の実施形態のマイクロＬＥＤチップ１６０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0138】
第１７の実施形態の変形例
図１７Ｂは、本開示の第１７の実施形態の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１７００１の断面図である。図１７Ｂに示す実施形態は、マイクロＬＥＤチップ１７００１が、分離層１１４の上面１１４ａの上、かつ隣接するマイクロＬＥＤ６１０（５０００）と６２０（５０００）との間に形成された金属層１１３をさらに含むという点で、図１７Ａに示す実施形態とは異なる。図１７Ｂに示す実施形態では、マイクロＬＥＤ６１０（５０００）と６２０（５０００）との間に金属層１１３は１つしかない。代替的に、他の実施形態では、マイクロＬＥＤ６１０（５０００）と６２０（５０００）との間に複数の金属層１１３があり、マイクロＬＥＤ６１０（４０００）と６２０（４０００）との間の複数の金属層１１３の数は、３つ以上であってもよい。金属層１１３を除いて、図１７Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１７００１の構成要素は、図１７Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１７０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
図１７Ｂは、本開示の第１７の実施形態の変形例による、マイクロＬＥＤチップ１７００１の断面図である。図１７Ｂに示す実施形態は、マイクロＬＥＤチップ１７００１が、分離層１１４の上面１１４ａの上、かつ隣接するマイクロＬＥＤ６１０（５０００）と６２０（５０００）との間に形成された金属層１１３をさらに含むという点で、図１７Ａに示す実施形態とは異なる。図１７Ｂに示す実施形態では、マイクロＬＥＤ６１０（５０００）と６２０（５０００）との間に金属層１１３は１つしかない。代替的に、他の実施形態では、マイクロＬＥＤ６１０（５０００）と６２０（５０００）との間に複数の金属層１１３があり、マイクロＬＥＤ６１０（４０００）と６２０（４０００）との間の複数の金属層１１３の数は、３つ以上であってもよい。金属層１１３を除いて、図１７Ｂに示すマイクロＬＥＤチップ１７００１の構成要素は、図１７Ａに示すマイクロＬＥＤチップ１７０００の構成要素と同じであり、したがって、これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
【0139】
図１７Ａ及び図１７Ｂに示す実施形態では、マイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々は、図５Ａに示す第５の実施形態で説明したマイクロＬＥＤ構造体５０００を含む。代替的に、他の実施形態では、マイクロＬＥＤ６１０及び６２０の各々は、それぞれ図５Ｂ、図５Ｃ、及び図５Ｄに示す第５の実施形態の第１、第２、及び第３の変形例で説明したマイクロＬＥＤ構造体５００１、５００２、及び５００３のいずれか１つを含んでもよい。
【0140】
比較例
図１８は、比較例によるマイクロＬＥＤ構造体１の断面図である。図１８に示す比較例のマイクロＬＥＤ構造体１は、発光層１０３が第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａ及び第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａから離れるように水平レベルに沿って延在していないという点で、図１Ａに示す第１の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体１０００とは異なる。代わりに、比較例では、発光層１０３の縁部１０３ａは、第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａ及び第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａの両方と位置合わせされている。
図１８は、比較例によるマイクロＬＥＤ構造体１の断面図である。図１８に示す比較例のマイクロＬＥＤ構造体１は、発光層１０３が第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａ及び第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａから離れるように水平レベルに沿って延在していないという点で、図１Ａに示す第１の実施形態のマイクロＬＥＤ構造体１０００とは異なる。代わりに、比較例では、発光層１０３の縁部１０３ａは、第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａ及び第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａの両方と位置合わせされている。
【0141】
前述のように、発光層１０３は、複数対の量子井戸層を含むことができる。発光層１０３内の多重量子井戸（ＭＱＷ）対の数は、例えば、誘導結合プラズマエッチングによって生成される発光層１０３の露出した側壁面積に関連する。露出した側壁面積が大きいほど、ＭＱＷ対が多くなり、表面再結合のキャリア損失が大きくなる。
【0142】
比較例では、発光層１０３の側壁は、第１の種類の導電層１０１及び第２の種類の導電層１０２の縁部１０１ａ及び１０２ａと位置合わせされている。その結果、第１の種類の導電層１０１と第２の種類の導電層１０２との間のマイクロＬＥＤにおいて大きな表面再結合のキャリア損失が発生し、マイクロＬＥＤの発光効率に悪影響を及ぼす可能性がある。
【0143】
対照的に、本開示の第１の実施形態及び他の実施形態では、発光層１０３は、発光層１０３の縁部１０３ａが第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａにも第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａにも接触しないように、第１の種類の導電層１０１の上縁部１０１ａ及び第２の種類の導電層１０２の底縁部１０２ａから離れるように延在している。その結果、第１の種類の導電層１０１と第２の種類の導電層１０２との間のマイクロＬＥＤにおいて、表面再結合のキャリア損失を発生させないことができる。これにより、マイクロＬＥＤの発光効率が向上する。
【0144】
例示的な実施形態を本明細書で説明したが、本開示の範囲は、本開示に基づいて当業者によって理解されるように、同等の要素、修正、省略、組み合わせ（例えば、様々な実施形態にわたる態様の）、適合及び／又は変更を有するありとあらゆる実施形態を包含する。例えば、異なる図に示される異なる実施形態に含まれる特徴を組み合わせることができる。特許請求の範囲における限定は、特許請求の範囲で使用される言語に基づいて広く解釈されるべきであり、本明細書又は出願の審査中に記載された例に限定されない。実施例は非排他的であると解釈されるべきである。したがって、本明細書及び実施例は、例示としてのみ考慮され、真の範囲及び趣旨は、添付の特許請求の範囲及びそれらの均等物の全範囲によって示されることが意図される。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図6E】
【図6F】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【図10A】
【図10B】
【図10C】
【図11A】
【図11B】
【図11C】
【図11D】
【図12A】
【図12B】
【図12C】
【図12D】
【図13A】
【図13B】
【図14A】
【図14B】
【図15A】
【図15B】
【図16A】
【図16B】
【図17A】
【図17B】
【図18】
【国際調査報告】