特表 2024-502355 対角ルーティング用に構成された基板および相互接続デバイスを備えるパッケージ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-01-18

(54)【発明の名称】対角ルーティング用に構成された基板および相互接続デバイスを備えるパッケージ

(51)【国際特許分類】

   H01L 25/04 20230101AFI20240111BHJP

【ＦＩ】

H01L25/04 Z

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023541318

(86)(22)【出願日】2021-12-07

(85)【翻訳文提出日】2023-07-06

(86)【国際出願番号】 US2021062237

(87)【国際公開番号】W WO2022154905

(87)【国際公開日】2022-07-21

(31)【優先権主張番号】17/148,367

(32)【優先日】2021-01-13

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】595020643

【氏名又は名称】クゥアルコム・インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＱＵＡＬＣＯＭＭ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】110003708

【氏名又は名称】弁理士法人鈴榮特許綜合事務所

(72)【発明者】

【氏名】ブオト、ジョアン・レイ・ビラーバ

(72)【発明者】

【氏名】パティル、アニケット

(72)【発明者】

【氏名】ワン、ジージエ

(72)【発明者】

【氏名】ウィ、ホン・ボク

(57)【要約】

複数の相互接続部を備える基板と、基板に結合された第１の集積デバイスと、基板に結合された第２の集積デバイスと、基板に結合された相互接続デバイスとを備えるパッケージ。第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、相互接続デバイスおよび基板は、第１の集積デバイスと第２の集積デバイスの間に、少なくとも基板を通り、相互接続デバイスを通り、再び基板を通って延びる、電気信号の電気経路を提供するように構成される。電気経路は、対角に延びる少なくとも１つの相互接続部を含む。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の相互接続部を備える基板と、
前記基板に結合された第１の集積デバイスと、
前記基板に結合された第２の集積デバイスと、
前記基板に結合された相互接続デバイスと
を備えるパッケージであって、前記第１の集積デバイス、前記第２の集積デバイス、前記相互接続デバイスおよび前記基板が、前記第１の集積デバイスと前記第２の集積デバイスの間に、少なくとも前記基板を通り、前記相互接続デバイスを通り、再び前記基板を通って延びる、電気信号の電気経路を提供するように構成され、
前記電気経路が、対角に延びる少なくとも１つの相互接続部を含む、パッケージ。

【請求項2】

前記第２の集積デバイスが、前記第１の集積デバイスの対角に置かれている、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項3】

前記第２の集積デバイスが、前記基板の相互接続部に対して対角にある少なくとも１つの相互接続部を介して前記第１の集積デバイスに電気的に結合されるように構成される、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項4】

前記相互接続デバイスが、前記第１の集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスに対して回転された配置で前記基板に結合される、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項5】

前記相互接続デバイスが、
第１の方向に配置された第１の複数の相互接続部を備え、ここにおいて、前記第１の複数の相互接続部が第１の対の集積デバイスの間に少なくとも１つの電気経路を提供するように構成され、前記相互接続デバイスがさらに、
第２の方向に配置された第２の複数の相互接続部を備え、
前記第２の方向が前記第１の方向と直交しており、
前記第２の複数の相互接続部が、第２の対の集積デバイスの間に少なくとも１つの電気経路を提供するように構成される、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項6】

前記相互接続デバイスが、前記第１の集積デバイスと前記第２の集積デバイスの間に対角相互接続部を提供するように構成されている、マンハッタン構成で配置された第１の複数の相互接続部を備える、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項7】

前記基板に結合された第３の集積デバイスをさらに備え、
前記第３の集積デバイスが、前記基板を介して前記第１の集積デバイスに電気的に結合されるように構成され、
前記第３の集積デバイスが、前記基板を介して前記第２の集積デバイスに電気的に結合されるように構成され、さらに
前記基板に結合された第４の集積デバイスを備え、
前記第４の集積デバイスが、前記基板を介して前記第１の集積デバイスに電気的に結合されるように構成され、
前記第４の集積デバイスが、前記基板を介して前記第２の集積デバイスに電気的に結合されるように構成され、
前記第２の集積デバイスが、前記基板の第１象限に結合され、
前記第３の集積デバイスが、前記基板の第２象限に結合され、
前記第１の集積デバイスが、前記基板の第３象限に結合され、
前記第４の集積デバイスが、前記基板の第４象限に結合されている、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項8】

前記相互接続デバイスが、ダイ基板と、少なくとも１つの誘電体層と、複数の相互接続部とを備える、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項9】

前記相互接続デバイスが、トランジスタがないダイを含む、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項10】

前記相互接続デバイスが、少なくとも１つの誘電体層と、第２の複数の相互接続部とを備えるブリッジ基板を含む、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項11】

前記相互接続デバイスが、前記第１の集積デバイスと前記第２の集積デバイスの間のブリッジとして構成される、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項12】

前記パッケージが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、および自動車内のデバイスからなる群から選択されたデバイスに組み込まれる、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項13】

複数の相互接続部を備える基板と、
前記基板に結合された第１の集積デバイスと、
前記基板に結合された第２の集積デバイスと、
前記基板に結合されたデバイス相互接続のための手段と
を備える装置であって、
前記第１の集積デバイス、前記第２の集積デバイス、デバイス相互接続のための手段および前記基板が、前記第１の集積デバイスと前記第２の集積デバイスの間に、少なくとも前記基板を通り、デバイス相互接続のための前記手段を通り、再び前記基板を通って延びる、電気信号の電気経路を提供するように構成され、
前記電気経路が、対角に延びる少なくとも１つの相互接続部を含む、装置。

【請求項14】

前記第２の集積デバイスが、前記基板の相互接続部に対して対角にある少なくとも１つの相互接続部を介して前記第１の集積デバイスに電気的に結合されるように構成される、請求項１３に記載の装置。

【請求項15】

デバイス相互接続のための前記手段が、前記第１の集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスに対して回転された配置で前記基板に結合される、請求項１３に記載の装置。

【請求項16】

デバイス相互接続のための前記手段が、マンハッタン構成で配置されている第１の複数の相互接続部を含む、請求項１３に記載の装置。

【請求項17】

前記マンハッタン構成で配置された前記第１の複数の相互接続部が、前記第１の集積デバイスと前記第２の集積デバイスの間に対角相互接続部を提供するように構成される、請求項１６に記載の装置。

【請求項18】

前記基板に結合された第３の集積デバイスをさらに備え、
前記第３の集積デバイスが、前記基板を介して前記第１の集積デバイスに電気的に結合されるように構成され、
前記第３の集積デバイスが、前記基板を介して前記第２の集積デバイスに電気的に結合されるように構成される、請求項１３に記載の装置。

【請求項19】

デバイス相互接続のための前記手段が、ダイ基板と、少なくとも１つの誘電体層と、第２の複数の相互接続部とを備える、請求項１３に記載の装置。

【請求項20】

デバイス相互接続のための前記手段が、前記第１の集積デバイスと前記第２の集積デバイスの間のブリッジ基板として構成される、請求項１３に記載の装置。

【請求項21】

パッケージを製作する方法であって、
複数の相互接続部を備える基板を提供することと、
前記基板に第１の集積デバイスを結合することと、
前記基板に第２の集積デバイスを結合することと、
前記基板に相互接続デバイスを結合することと
を備え、
前記第１の集積デバイス、前記第２の集積デバイス、前記相互接続デバイスおよび前記基板が、前記第１の集積デバイスと前記第２の集積デバイスの間に、少なくとも前記基板を通り、前記相互接続デバイスを通り、再び前記基板を通って延びる、電気信号の電気経路を提供するように構成され、
前記電気経路が、対角に延びる少なくとも１つの相互接続部を含む、方法。

【請求項22】

前記第２の集積デバイスが、対角状の少なくとも１つの相互接続部を介して前記第１の集積デバイスに電気的に結合されるように構成される、請求項２１に記載の方法。

【請求項23】

前記相互接続デバイスが、前記第１の集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスに対して回転された配置で前記基板に結合される、請求項２１に記載の方法。

【請求項24】

前記相互接続デバイスが、マンハッタン構成で配置されている第１の複数の相互接続部を含む、請求項２１に記載の方法。

【請求項25】

前記マンハッタン構成で配置された前記第１の複数の相互接続部が、前記第１の集積デバイスと前記第２の集積デバイスの間に対角相互接続部を提供するように構成される、請求項２４に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照／優先権の主張
[0001] 本特許出願は、２０２１年１月１３日に米国特許商標庁に出願された係属中の非仮出願第１７／１４８，３６７号の優先権およびその利益を主張する。

【0002】

[0002] 様々な特徴は、集積デバイス（integrated device）を含むパッケージ（package）に関し、より詳細には、集積デバイスおよび基板（substrate）を含むパッケージに関する。

【背景技術】

【0003】

[0003] 図１は、基板１０２、集積デバイス１０４、および集積デバイス１０６を含むパッケージ１００を示す。基板１０２は、少なくとも１つの誘電体層（dielectric layer）１２０と、複数の相互接続部（interconnect）１２２と、複数のはんだ相互接続部１２４とを含む。複数のはんだ相互接続部１４４は、基板１０２および集積デバイス１０４に結合されている。複数のはんだ相互接続部１６４は、基板１０２および集積デバイス１０６に結合されている。集積デバイス１０４と集積デバイス１０６を電気的に結合することにより、集積デバイス１０４と１０６の間の相互接続部が非常に長くなる可能性があり、そのためパッケージ性能が低下し得る。よりコンパクトなパッケージと、より良く機能するパッケージとを提供する必要性が継続的にある。

【発明の概要】

【0004】

[0004] 様々な特徴は、集積デバイスを含むパッケージに関し、より詳細には、集積デバイスおよび基板を含むパッケージに関する。

【0005】

[0005] １つの例では、複数の相互接続部を備える基板と、基板に結合された第１の集積デバイス（first integrated device）と、基板に結合された第２の集積デバイス（second integrated device）と、基板に結合された相互接続デバイス（interconnect device）とを備えるパッケージを提示する。第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、相互接続デバイスおよび基板は、第１の集積デバイスと第２の集積デバイスの間に、少なくとも基板を通り、相互接続デバイスを通り、再び基板を通って延びる、電気信号（electrical signal）の電気経路（electrical path）を提供するように構成される。電気経路は、対角に（diagonally）延びる少なくとも１つの相互接続部を含む。

【0006】

[0006] 別の例では、複数の相互接続部を備える基板と、基板に結合された第１の集積デバイスと、基板に結合された第２の集積デバイスと、基板に結合されたデバイス相互接続（device interconnection）のための手段とを備える装置を提示する。第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、デバイス相互接続のための手段および基板は、第１の集積デバイスと第２の集積デバイスの間に、少なくとも基板を通り、デバイス相互接続のための手段を通り、再び基板を通って延びる、電気信号の電気経路を提供するように構成される。電気経路は、対角に延びる少なくとも１つの相互接続部を含む。

【0007】

[0007] 別の例では、パッケージを製作する方法を提示する。この方法では、複数の相互接続部を備える基板を提供する。この方法では、第１の集積デバイスを基板に結合する。この方法では、第２の集積デバイスを基板に結合する。この方法では、相互接続デバイスを基板に結合する。第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、相互接続デバイスおよび基板は、第１の集積デバイスと第２の集積デバイスの間に、少なくとも基板を通り、相互接続デバイスを通り、再び基板を通って延びる、電気信号の電気経路を提供するように構成される。電気経路は、対角に延びる少なくとも１つの相互接続部を含む。

【0008】

[0008] 様々な特徴、性質および利点は、同様の参照文字が全体にわたって対応するように特定する図面と併せて参照すれば、以下に記載される詳細な説明から明らかになろう。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】[0009] 集積デバイスおよび基板を含むパッケージの断面図。

【図2】[0010] 基板に結合された相互接続デバイスを含むパッケージの平面図。

【図3】[0011] 基板に結合された相互接続デバイスを含むパッケージの断面図。

【図4】[0012] 基板に結合された相互接続デバイスを含むパッケージ内の可能な電気経路を示す図。

【図5】[0013] 基板に結合された相互接続デバイスを含むパッケージ内の可能な電気経路を示す図。

【図6】[0014] 基板に結合された相互接続デバイスを含むパッケージ内の可能な電気経路を示す図。

【図7】[0015] 基板に結合された相互接続デバイスを含むパッケージ内の可能な電気経路を示す図。

【図8A】[0016] 相互接続デバイスを製作するための例示的な順序を示す図。

【図8B】相互接続デバイスを製作するための例示的な順序を示す図。

【図8C】相互接続デバイスを製作するための例示的な順序を示す図。

【図8D】相互接続デバイスを製作するための例示的な順序を示す図。

【図9】[0017] 相互接続デバイスを製作する方法の例示的な流れ図。

【図10A】[0018] 基板を製作するための例示的な順序を示す図。

【図10B】基板を製作するための例示的な順序を示す図。

【図10C】基板を製作するための例示的な順序を示す図。

【図11】[0019] 基板を製作する方法の例示的な流れ図。

【図12A】[0020] 基板に結合された相互接続デバイスを含むパッケージを製作するための例示的な順序を示す図。

【図12B】基板に結合された相互接続デバイスを含むパッケージを製作するための例示的な順序を示す図。

【図13】[0021] 基板に結合された相互接続デバイスを含むパッケージを製作する方法の例示的な流れ図。

【図14】[0022] 本明細書に記載のダイ（die）、電子回路、集積デバイス、集積受動デバイス（ＩＰＤ：integrated passive device）、受動構成要素（passive component）、パッケージ、および／またはデバイスパッケージを組み込み得る様々な電子デバイスを示す図。

【発明を実施するための形態】

【0010】

[0023] 以下の説明では、本開示の様々な態様についての完全な理解が得られるように、特定の詳細が示される。しかし、当業者には、その態様がこれらの特定の詳細がなくても実践され得ることが理解されよう。たとえば、その態様を不要な詳細で不明瞭にすることを避けるために、回路がブロック図で示されることがある。他の場合では、よく知られている回路、構造および技法は、本開示の態様を不明瞭にしないようにするために、詳細に示されないことがある。

【0011】

[0024] 本開示では、複数の相互接続部を備える基板と、基板に結合された第１の集積デバイスと、基板に結合された第２の集積デバイスと、基板に結合された相互接続デバイスとを備えるパッケージについて説明する。第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、相互接続デバイスおよび基板は、第１の集積デバイスと第２の集積デバイスの間に、少なくとも基板を通り、次いで相互接続デバイスを通り、再び基板を通って延びる、電気信号の電気経路を提供するように構成される。電気経路は、対角に延びる少なくとも１つの相互接続部を含む。

【0012】

[0025] 基板は、ボードに電気経路を提供するための複数の相互接続部をさらに含む。集積デバイスは、基板の第１の面（または第２の面）に結合される。相互接続デバイスは、基板の第１の面（または第２の面）に結合される。第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、相互接続デバイスおよび基板は、第１の集積デバイスと第２の集積デバイスの間に、少なくとも基板を通り、次いで相互接続デバイスを通り、再び基板を通って延びる、電気信号の電気経路を提供するように構成される。相互接続デバイスは、基板に結合された２つの集積デバイス間に少なくとも１つの電気経路（たとえば、電気接続部）を提供することができる。相互接続デバイスは、基板（たとえば、シリコン）と、複数の相互接続部と、少なくとも１つの誘電体層とを含む相互接続集積デバイスであってもよい。相互接続デバイスは、少なくとも１つの誘電体層と複数の相互接続部とを含む基板であってもよい。相互接続デバイスの複数の相互接続部は、マンハッタン構成（Manhattan configuration）で配置され得る。マンハッタン構成で配置された複数の相互接続部は、第１の集積デバイスと第２の集積デバイスの間に対角相互接続部（diagonal interconnect）を提供するように構成され得る。対角相互接続は、集積デバイス間に短い経路を提供するのに役立ち、この短い経路は各集積デバイスの性能を改善することができる。

【0013】

対角ルーティング（Diagonal Routing）のために構成された相互接続デバイスを備える例示的なパッケージ
[0026] 図２は、相互接続デバイスを含むパッケージ２００の平面図を示す。パッケージ２００は、基板２０２と、相互接続デバイス２０１と、集積デバイス２０３と、集積デバイス２０５と、集積デバイス２０７と、集積デバイス２０９とを含む。相互接続デバイス２０１と、集積デバイス２０３と、集積デバイス２０５と、集積デバイス２０７と、集積デバイス２０９とは、基板２０２に結合されている。以下でさらに説明されるように、相互接続デバイス２０１は、パッケージ２００に対角ルーティングを提供するように構成されているインターポーザ（interposer）、基板および／またはダイを含み得る。相互接続デバイス２０１は、デバイス相互接続のための手段であり得る。相互接続デバイス２０１は、２つ以上の集積デバイス間のブリッジ（bridge）として構成され得る。

【0014】

[0027] 図２は、異なる集積デバイス間の電気信号用の様々な相互接続部および電気経路を示す。たとえば、図２は、（ｉ）集積デバイス２０３と集積デバイス２０７の間の複数の相互接続部２３７、（ｉｉ）集積デバイス２０３と集積デバイス２０９の間の複数の相互接続部２３９、（ｉｉｉ）集積デバイス２０５と集積デバイス２０７の間の複数の相互接続部２５７、（ｉｖ）集積デバイス２０５と集積デバイス２０９の間の複数の相互接続部２５９、（ｖ）相互接続デバイス２０１と集積デバイス２０３の間の複数の相互接続部２３１、（ｖｉ）相互接続デバイス２０１と集積デバイス２０５の間の複数の相互接続部２５１、（ｖｉｉ）相互接続デバイス２０１と集積デバイス２０７の間の複数の相互接続部２７１、（ｖｉｉｉ）相互接続デバイス２０１と集積デバイス２０９の間の複数の相互接続部２９１、（ｉｘ）相互接続デバイス２０１内の複数の相互接続部２３５、および（ｘ）相互接続デバイス２０１内の複数の相互接続部２７９を示す。

【0015】

[0028] 集積デバイス２０３と集積デバイス２０７の間の複数の相互接続部２３７は、基板２０２内の相互接続部を含み得る。集積デバイス２０３と集積デバイス２０９の間の複数の相互接続部２３９は、基板２０２内の相互接続部を含み得る。集積デバイス２０５と集積デバイス２０７の間の複数の相互接続部２５７は、基板２０２内の相互接続部を含み得る。集積デバイス２０５と集積デバイス２０９の間の複数の相互接続部２５９は、基板２０２内の相互接続部を含み得る。相互接続デバイス２０１と集積デバイス２０３の間の複数の相互接続部２３１は、基板２０２内の相互接続部を含み得る。相互接続デバイス２０１と集積デバイス２０５の間の複数の相互接続部２５１は、基板２０２内の相互接続部を含み得る。相互接続デバイス２０１と集積デバイス２０７の間の複数の相互接続部２７１は、基板２０２内の相互接続部を含み得る。相互接続デバイス２０１と集積デバイス２０９の間の複数の相互接続部２９１は、基板２０２内の相互接続部を含み得る。複数の相互接続部２３５は、相互接続デバイス２０１内の相互接続部（たとえば、第１の金属層内の相互接続部）を含み得る。複数の相互接続部２７９は、相互接続デバイス２０１内の相互接続部（たとえば、第２の金属層内の相互接続部）を含み得る。様々な電気経路を画定する相互接続部は、マンハッタン相互接続部（たとえば、Ｘ－Ｙ平面内で垂直および／または水平に延びる相互接続部）および／または（Ｘ－Ｙ平面）内の対角相互接続部を含み得る。相互接続デバイス２０１のマンハッタン相互接続部は、相互接続デバイス２０１の側壁と同じ方向に沿って延びる相互接続部であってもよい。相互接続デバイス２０１のマンハッタン相互接続部は、相互接続デバイス２０１の側壁に平行および／または垂直である相互接続部であってもよい。複数の相互接続部２３５および／または複数の相互接続部２７９は、相互接続デバイス２０１のマンハッタン相互接続部の例であり得る。

【0016】

[0029] 集積デバイス２０３は、相互接続デバイス２０１を介して集積デバイス２０５に電気的に結合されるように構成され得る。たとえば、集積デバイス２０３は、複数の相互接続部２３１、複数の相互接続部２３５および複数の相互接続部２５１を介して集積デバイス２０５に電気的に結合されるように構成され得る。このような例では、集積デバイス２０３と集積デバイス２０５の間の少なくとも１つの電気信号は、基板２０２内の相互接続部を通り、相互接続デバイス２０１内の相互接続部を通り、再び基板２０２内の相互接続部を通って伝わることができる。

【0017】

[0030] 集積デバイス２０７は、相互接続デバイス２０１を介して集積デバイス２０９に電気的に結合されるように構成され得る。たとえば、集積デバイス２０７は、複数の相互接続部２７１、複数の相互接続部２７９および複数の相互接続部２９１を介して集積デバイス２０９に電気的に結合されるように構成され得る。このような例では、集積デバイス２０７と集積デバイス２０５の間の少なくとも１つの電気信号は、基板２０２内の相互接続部を通り、相互接続デバイス２０１内の相互接続部を通り、再び基板２０２内の相互接続部を通って伝わることができる。

【0018】

[0031] 相互接続デバイス２０１を使用すると、互いに対角に配置された集積デバイス（たとえば、第１象限（first quadrant）２１１と第３象限（third quadrant）２１３にある各集積デバイス）間の相互接続距離を短縮するのに役立つ対角相互接続部が得られる。この対角相互接続部は、集積デバイスの性能を改善するのに役立つ。相互接続デバイス２０１が、マンハッタン構成で配置される相互接続部を含んでおり、相互接続デバイス２０１内の相互接続部が互いに直交している、および／または平行であることに留意されたい。相互接続デバイス２０１内の相互接続部は、相互接続デバイス２０１の側面（side surface）に対して直交（orthogonal）および／または平行（parallel）であり得る。たとえば、第１の方向（first direction）の相互接続部は、相互接続デバイス２０１の第１の金属層上に置かれてよく、第２の方向（second direction）の相互接続部は、相互接続デバイス２０１の第２の金属層内に置かれてよい。第２の方向は、第１の方向と直交していてもよく、逆も同様である。第１の方向は、第１の対角方向を含むことができ、第２の方向は、第１の対角方向に直交する（たとえば、垂直の）第２の対角方向を含み得る。対角方向は、基板２０２内の方向に対してであってよい。したがって、相互接続デバイス２０１の相互接続部は、相互接続デバイス２０１内で垂直および水平であってもよいが（Ｘ－Ｙ平面内で）、相互接続デバイス２０１が基板２０２に回転された配置（rotated configuration）で結合される場合には、これらの相互接続部（たとえば２３５、２７９）は、基板２０２に対する（たとえば、基板２０２の側面に対する）対角相互接続部、および基板２０２の相互接続部として構成される。相互接続デバイス２０１の相互接続部は、（ｉ）第１の方向に配置された第１の複数の相互接続部（a first plurality of interconnects）２３５を含むことができ、この第１の複数の相互接続部２３５は、第１の対の集積デバイス（a first pair of integrated devices）（たとえば、集積デバイス２０３と２０５）の間に少なくとも１つの電気経路を提供するように構成され、相互接続デバイス２０１の相互接続部はさらに、（ｉｉ）第２の方向に配置された第２の複数の相互接続部（a second plurality of interconnects）２７９を含むことができ、この第２の方向は第１の方向と直交しており、第２の複数の相互接続部２７９は、第２の対の集積デバイス（たとえば、集積デバイス２０７と２０９）の間に少なくとも１つの電気経路を提供するように構成される。

【0019】

[0032] 図２は、集積デバイス２０３、集積デバイス２０５、集積デバイス２０７および集積デバイス２０９が四半分構成で配置されていることを示す。集積デバイス２０５は、基板２０２の第１象限２１１に結合され、集積デバイス２０７は、基板２０２の第２象限（second quadrant）２１２に結合され、集積デバイス２０３は、基板２０２の第３象限２１３に結合され、集積デバイス２０９は、基板２０２の第４象限（fourth quadrant）２１４に結合され得る。第１象限２１１は、第３象限２１３の対角に置かれてよい。第２象限２１２は、第４象限２１４の対角に置かれてよい。相互接続デバイス２０１は、（ｉ）第１象限２１１および第３象限２１３内の集積デバイス間の対角相互接続、および（ｉｉ）第２象限２１２および第４象限２１４内の集積デバイス間の対角相互接続を可能にする。相互接続デバイス２０１は、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに対して回転された配置で基板２０２に結合される。相互接続デバイス２０１の回転が、集積デバイス間の対角相互接続を可能にする（相互接続デバイス２０１内の相互接続部の大部分が、相互接続デバイス２０１内では対角にないとしても）。相互接続デバイス２０１は、少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０３、２０５、２０７、２０９）に対して４５度だけ回転され得る。相互接続デバイス２０１は、他の集積デバイスに対して他の度数（たとえば、１度～８９度）だけ回転されてもよいことに留意されたい。さらに、相互接続デバイス２０１は、基板２０２の相互接続部よりも微細な（たとえば、より小さい）相互接続の間隔および幅を有する相互接続部を含み得る。相互接続デバイス２０１は、相互接続デバイス２０１の少なくとも１つの側壁が、基板２０２の側壁および／または少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０３、２０５、２０７、２０９）の側壁に対して斜めになっている場合に、少なくとも１つの集積デバイスに対して回転されていると見なされ得る。相互接続デバイス２０１は、相互接続デバイス２０１の少なくとも１つの側壁が、基板２０２の側壁および／または少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０３、２０５、２０７、２０９）の側壁に対して平行でも垂直でもない場合に、少なくとも１つの集積デバイスに対して回転されていると見なされ得る。パッケージ２００および／または基板２０２の平面図は、パッケージ２００および／または基板２０２の一部を表している場合があり、必ずしもパッケージ２００および／または基板２０２の平面図全体を表していない場合があることに留意されたい。さらに、図２に示されている四半分は、パッケージ２００の一部分および／または基板２０２の一部分を表している場合がある。

【0020】

[0033] 図３は、相互接続デバイスを含むパッケージ２００の断面図を示す。パッケージ２００は、複数のはんだ相互接続部３８０を介してボード３９０（たとえば、プリント回路ボード（ＰＣＢ））に結合されている。パッケージ２００は、大きい入出力ピン数を有しながらも、コンパクトで小さいファクタを有するパッケージを提供する。パッケージ２００は、静電容量密度（capacitance density）の改善、集積デバイス間の短い経路（path）、低いインダクタンス（inductance）、および／または少ないルーティング制約（routing constraint）を実現することができる。

【0021】

[0034] パッケージ２００は、基板２０２と、相互接続デバイス２０１と、集積デバイス２０３と、集積デバイス２０５と、集積デバイス２０７（図示せず）と、集積デバイス２０９（図示せず）と、ヒートスプレッダ（heat spreader）３０８とを含む。相互接続デバイス２０１は、２つ以上の集積デバイス間のブリッジとして構成され得る。相互接続デバイス２０１は、高密度相互接続デバイスであり得る。ヒートスプレッダ３０８は、熱界面材料（ＴＩＭ：thermal interface material）３８２を介して基板２０２に結合される。ヒートスプレッダ３０８は、熱界面材料（ＴＩＭ）３８３を介して集積デバイス２０３に結合される。ヒートスプレッダ３０８は、熱界面材料（ＴＩＭ）３８５を介して集積デバイス２０５に結合される。

【0022】

[0035] 以下でさらに説明されるように、集積デバイス（たとえば、２０３、２０５、２０７、２０９）と、相互接続デバイス（たとえば、２０１）と、基板２０２とは、電気信号（たとえば、第１の電気信号、第２の電気信号）が２つの集積デバイス（たとえば、２０３、２０５）間を伝わるとき、その電気信号が少なくとも基板２０２を通り、次に相互接続デバイス（たとえば、２０１）を通り、再び基板２０２を通って伝わるように一緒に結合される。この結合は、基板２０２によって提供される第１の電気接点と、基板２０２によって提供される第２の電気接点との間に少なくとも１つの電気経路を提供する相互接続デバイス（たとえば、２０１）によって達成され得、第１の接点は集積デバイス（たとえば、２０３、２０５）に電気的に接続され、第２の接点は相互接続部のうちの１つまたは複数に電気的に接続されている。上記の例では、相互接続デバイス２０１は、少なくとも１つの電気信号が２つの集積デバイス（たとえば、２０３、２０５）間を伝わるとき、少なくとも１つの電気信号が相互接続デバイス２０１を通って伝わるように、ブリッジとして構成され得る。少なくとも１つの電気信号は、パッケージ、集積デバイス、基板および／または相互接続デバイスの相互接続部（たとえば、トレース、ビア、パッド、はんだ相互接続部、ピラー相互接続部）によって画定される少なくとも１つの電気経路を通って伝わることができる。

【0023】

[0036] 基板２０２は、第１の面（たとえば、上面）および第２の面（たとえば、下面）を含む。基板２０２は、少なくとも１つの誘電体層３２０と、複数の相互接続部３２２と、第１のはんだレジスト層３２４と、第２のはんだレジスト層３２６とを含む。複数の相互接続部３２２は、ボード（たとえば、３９０）への、および／またはボードからの少なくとも１つの電気経路を提供するように構成され得る。複数の相互接続部３２２は、少なくとも１つの電気経路を少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０３、２０５、２０７、２０９）に提供することができる。複数の相互接続部３２２は、２つ以上の集積デバイス（たとえば、２０３、２０５、２０７、２０９）間に少なくとも１つの電気経路（たとえば、電気接続部）を提供することができる。複数の相互接続部３２２は、第１の最小ピッチと、第１の最小線および間隔（Ｌ／Ｓ）とを有することができる。いくつかの実施形態において、複数の相互接続部３２２の第１の最小ピッチは、約１００～２００マイクロメートル（μｍ）の範囲にある。いくつかの実施形態において、複数の相互接続部３２２の第１の最小線および間隔（Ｌ／Ｓ）は、約９／９～１２／１２マイクロメートル（μｍ）（たとえば、約９～１２マイクロメートル（μｍ）の最小線幅、約９～１２マイクロメートル（μｍ）の最小間隔）の範囲にある。異なる実施形態では、異なる基板を使用してもよい。基板２０２は、ラミネート基板、コアレス基板、有機基板、コア層を含む基板（たとえば、コア基板）であってもよい。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの誘電体層３２０は、コア層および／またはプリプレグ層を含み得る。少なくとも１つの誘電体層３２０は、約３．５～３．７の範囲の誘電率を有することができる。少なくとも１つの誘電体層３２０は、基板２０２を強化するためのガラス布を含み得る。基板を製作する一例が、以下で図１０Ａ～１０Ｃについてさらに説明される。以下でさらに説明されるように、いくつかの実施形態において、基板２０２は、修正セミアディティブ法（ｍＳＡＰ）またはセミアディティブ法（ＳＡＰ）を使用して製作され得る。

【0024】

[0037] 第１の集積デバイス２０３は、基板２０２の第１の面（たとえば、上面）に結合される。集積デバイス２０３は、複数のはんだ相互接続部３３０を介して基板に結合される。複数のはんだ相互接続部３３０は、ピラー相互接続部（たとえば、銅ピラー）および／またははんだ相互接続部を含み得る。アンダーフィル３３３は、基板２０２と集積デバイス２０３（たとえば、第１の集積デバイス）の間に置かれる。アンダーフィル３３３は、複数のはんだ相互接続部３３０を取り囲むことができる。集積デバイス２０５は、基板２０２の第１の面（たとえば、上面）に結合される。集積デバイス２０５（たとえば、第２の集積デバイス）は、複数のはんだ相互接続部３５０を介して基板に結合される。複数のはんだ相互接続部３５０は、ピラー相互接続部（たとえば、銅ピラー）および／またははんだ相互接続部を含み得る。アンダーフィル３５３は、基板２０２と集積デバイス２０５の間に置かれる。アンダーフィル３５３は、複数のはんだ相互接続部３５０を取り囲むことができる。

【0025】

[0038] 相互接続デバイス２０１は、基板２０２の第１の面に結合される。以下でさらに説明されるように、相互接続デバイス２０１は高密度相互接続デバイスであってもよい。相互接続デバイス２０１は、複数のはんだ相互接続部３１０および／またはピラー相互接続部（たとえば、銅ピラー相互接続部）を介して基板２０２に結合され得る。相互接続デバイス２０１は、第１の集積デバイス２０３と第２の集積デバイス２０５の間に横方向に置かれる。この構成は、基板２０２におけるルーティングの混雑を低減することによって、および／または集積デバイス間の電流（たとえば、信号）の経路を低減することによって、パッケージの機能を改善するのに役立つ。最終結果として、よりコンパクトなフォームファクタを有するパッケージになる。さらに、相互接続デバイス２０１は、基板２０２のコストを下げるのに役立ち得る。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの相互接続デバイスは、基板２０２の別の面の上に置かれてもよい。いくつかの実施形態において、相互接続デバイスは、基板２０２の内部に組み込まれか埋め込まれてもよい。相互接続デバイスは、少なくとも１つの電気信号に少なくとも１つの電気経路を提供するように構成され得る。以下でさらに説明されるように、相互接続デバイス（たとえば、２０１）がブリッジとして構成され得る。相互接続デバイス（たとえば、２０１）は、ダイ（たとえば、受動デバイスダイ）を含み得る。ブリッジおよび／または受動デバイスダイとして構成される相互接続デバイスには、トランジスタ（transistor）などの能動デバイスがないことがある。したがって、ブリッジおよび／または受動デバイスダイとして構成される相互接続デバイスには、トランジスタがないことがある。しかし、ブリッジおよび／または受動デバイスダイとして構成される相互接続デバイスは、他の集積デバイスを電気的に結合する回路の一部ではないトランジスタを含むことはあり得る。

【0026】

[0039] 集積デバイス（たとえば、２０３、２０５、２０７、２０９）は、ダイ（たとえば、半導体ベアダイ）を含み得る。集積デバイスは、無線周波数（ＲＦ）デバイス、受動デバイス、フィルタ、キャパシタ、インダクタ、アンテナ、送信機、受信機、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ベースの集積デバイス、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ、バルク弾性波（ＢＡＷ）フィルタ、発光ダイオード（ＬＥＤ）集積デバイス、シリコン（Ｓｉ）ベースの集積デバイス、炭化ケイ素（ＳｉＣ）ベースの集積デバイス、メモリ、電力管理プロセッサ、および／またはこれらの組合せを含み得る。集積デバイス（たとえば、２０３、２０５、２０７、２０９）は、少なくとも１つの電子回路（たとえば、第１の電子回路、第２の電子回路など）を含み得る。

【0027】

[0040] 様々な構成要素は、様々な寸法と、構成要素間の様々な間隔とを有し得る。たとえば、相互接続デバイス２０１は、約８×８ミリメートルの寸法を有することがあり、１つまたは複数の集積デバイス（たとえば、２０３、２０５、２０７、２０９）は、約１５×１０ミリメートルの寸法を有することがある。相互接続デバイス２０１と集積デバイス（たとえば、２０３、２０５、２０７、２０９）との間の間隔は、約３００マイクロメートルであってもよい。２つの隣り合う集積デバイス（たとえば、２０３と２０９、２０３と２０７）の間の間隔は、約５００マイクロメートルであってもよい。これらの寸法は例示的なものであることに留意されたい。いくつかの実施形態において、これらの寸法および／または間隔は、もっと大きい、またはもっと小さいことがある。異なる実施形態では、異なる構成要素を基板２０２に結合することができる。基板２０２に結合され得る他の構成要素（たとえば、表面実装構成要素）は、受動デバイス（たとえば、コンデンサ）を含む。

【0028】

[0041] 異なる実施形態では、異なる相互接続デバイス２０１を使用することができる。相互接続デバイス２０１は、相互接続部を有する基板（たとえば、相互接続部を有するインターポーザ）として実装され得る。相互接続デバイス２０１は、ダイ（たとえば、シリコンダイ）として実装され得る。相互接続デバイス２０１は、第２の最小ピッチと第２の最小線および間隔（Ｌ／Ｓ）とを有する高密度相互接続デバイスであってもよい。いくつかの実施形態において、相互接続デバイス（たとえば、２０１）の相互接続部の第２の最小ピッチは、約１００～２００マイクロメートル（μｍ）の範囲にある。いくつかの実施形態において、相互接続デバイス（たとえば、２０１）の相互接続部の第２の最小線および間隔（Ｌ／Ｓ）は、約３／２～５／５マイクロメートル（μｍ）の範囲にある（たとえば、約３～５マイクロメートル（μｍ）の最小線幅、約３～５マイクロメートル（μｍ）の最小間隔）。相互接続デバイス２０１は、基板２０２の第１の最小ピッチよりもそれぞれの第２の最小ピッチが小さい相互接続部を有し得る。同様に、相互接続デバイス２０１は、基板２０２の第１の最小線および間隔（Ｌ／Ｓ）よりもそれぞれの最小ピッチが小さい相互接続部を有し得る。ピッチは、２つの隣り合う相互接続部の間の中心間距離として定義され得る。相互接続デバイス（たとえば、２０１）は、集積デバイスの近くの領域および／または集積デバイス間に配置されるように構成された局所集積デバイスである。相互接続デバイスのサイズは、異なる実施形態に対して異なり得る。しかし、相互接続デバイスのフットプリントは、基板２０２のフットプリントよりも小さくなり得る。

【0029】

[0042] 以下でさらに説明されるように、集積デバイス（たとえば、２０３、２０５）との間を行き来するいくつかの電気信号（たとえば、第１の電気信号、第２の電気信号）は、相互接続デバイス２０１を通って伝わるように構成され得る。より高密度の相互接続部を有する相互接続デバイスは、パッケージ２００のサイズを増大させる必要なしにパッケージ２００が、より大きいＩ／Ｏピン数を実現できるようにする。たとえば、相互接続デバイス２０１を使用すると、基板２０２は金属層の数を少なくすることができ、これがパッケージ２００の全高を低減するのに役立ち得る。１つまたは複数の相互接続デバイス２０１は、ピン数および／またはネットリストの増加に起因する基板２０２の特定の領域（たとえば、集積デバイスに近い領域）の混雑および／または混乱を低減するのに役立ち得る。相互接続デバイス２０１は、第１の集積デバイス２０３および／または第２の集積デバイス２０５よりも高さを低くすることができる。

【0030】

[0043] 上述のように、相互接続デバイス２０１は、パッケージ２００に対角ルーティングを提供するように構成されているインターポーザ、基板および／またはダイを含み得る。図３は、相互接続デバイス２０１が、少なくとも１つの誘電体層３１１と、複数の相互接続部３１２と、パッシベーション層３１４と、基板３１６とを含むことを示す。基板３１６は、シリコン（Ｓｉ）、ガラス、または石英を含み得る。基板３１６は、ダイ基板（die substrate）であってもよい。相互接続デバイス２０１は、前面および裏面を含み得る。相互接続デバイス２０１の裏面は、基板３１６を含む面であってよい。相互接続デバイス２０１の前面は、パッシベーション層３１４を含む面、および／または、はんだ相互接続部が相互接続デバイス２０１に結合される面であってよい。相互接続デバイスの前面は、相互接続デバイスの裏面の反対側であってよい。以下でさらに説明されるように、相互接続デバイス２０１（および／または本開示に記載の相互接続デバイスのいずれか）は、ブリッジとして構成され得る。複数の相互接続部３１２は、複数の相互接続部２３５および／または複数の相互接続部２７９を含み得る。

【0031】

[0044] 相互接続デバイス２０１は、ダイ（たとえば、受動デバイスダイ）を含み得る。ブリッジおよび／または受動デバイスダイとして構成される相互接続デバイスには、トランジスタなどの能動デバイスがないことがある。したがって、ブリッジおよび／または受動デバイスダイとして構成される相互接続デバイスには、トランジスタがないことがある。しかし、ブリッジおよび／または受動デバイスダイとして構成される相互接続デバイスは、集積デバイス間の回路の一部ではないトランジスタを含むことはあり得る。したがって、相互接続デバイスはトランジスタを含み得るが、そのようなトランジスタは集積デバイス間の電気経路には含まれない。上述のように、相互接続デバイスの相互接続部は、基板２０２の相互接続部よりも高い密度（たとえば、小さい最小ピッチおよび／または小さい最小Ｌ／Ｓ）を有し得る。パッシベーション層３１４は、相互接続デバイス２０１の第１の面の上に置かれる。複数のはんだ相互接続部３１０は、相互接続デバイス２０１の第１の面に結合される。

【0032】

[0045] 上述のように、相互接続デバイスは、パッケージ２００がパッケージ２００の全体サイズを増大させる必要なしに大きいＩ／Ｏピン数を実現できるように、および／または集積デバイス間のより短い経路を実現できるように、基板２０２に結合される構成要素であり得る。いくつかの実施形態において、１つまたは複数の集積デバイスとの間を行き来する１つまたは複数の電気信号は、１つまたは複数の相互接続デバイスを通って伝わることができる。１つまたは複数の相互接続デバイス（たとえば、２０１）は、ピン数および／またはネットリストの増加に起因する、基板の特定の領域における混雑および／または混乱を低減するのに役立ち得る。ネットリストは、回路の構成要素の配置であるとともに構成要素同士の電気的な結合のされ方である。１つまたは複数の相互接続デバイス２０１は、静電容量密度（capacitance density）が改善されており、集積デバイス間のより短い経路を実現し、インダクタンスを下げるのに役立ち、および／またはルーティング制約を低減させる。

【0033】

[0046] いくつかの実施形態において、少なくとも１つの誘電体層３１１は、プリプレグ層および／またはフォトイメージャブル誘電体層を含み得る。少なくとも１つの誘電体層３１１は、約３．３～４．０の範囲の誘電率を有し得る。いくつかの実施形態において、相互接続デバイスの少なくとも１つの誘電体層３１１は、ガラス布を含み得る。しかし、このガラス布は、基板２０２の少なくとも１つの誘電体層３２０のガラス布よりもきめが細かい。

【0034】

[0047] いくつかの実施形態において、相互接続デバイス２０１は、基板２０２と同様のインターポーザおよび／または基板を含み得る。相互接続デバイス２０１は、コアレス基板、またはコア基板を含み得る。相互接続デバイス２０１は、図３で説明されたように、複数の相互接続部および少なくとも１つの誘電体層を有し得る。しかし、相互接続デバイス２０１が基板および／またはインターポーザとして実装される場合、誘電体層および／または複数の相互接続部は、図３で説明されたものと異なってもよい。相互接続デバイス２０１は、基板２０２を製作するために使用されるプロセスと同様のプロセスを使用して製作されてもよい。いくつかの実施形態において、相互接続デバイス２０１は、以下の図１０Ａ～１０Ｃで説明されるプロセスを使用して製作されてもよい。図１０Ａ～１０Ｃに記載のプロセスが相互接続デバイス２０１を製作するために使用される場合、相互接続デバイス２０１は、幅および／または間隔が基板２０２の相互接続部と同様の相互接続部を有し得る。

【0035】

[0048] 図４は、電気信号がパッケージの中を概念的にどのようにして伝わることができるかを示す図である。図４は、電気経路４１３、電気経路４１１および電気経路４１５を介して集積デバイス２０５に電気的に結合されるように構成されている集積デバイス２０３を示す。電気経路４１１、４１３および４１５は、集積デバイス２０３と集積デバイス２０５の間の電流の例示的な経路を概念的に表したものであり得る。電気経路は、相互接続部、ピラー相互接続部、および／またははんだ相互接続部を含み得る。電気経路４１１は、電気経路４１３および４１５に電気的に結合されるように構成される。電気経路４１１、４１３、および／または４１５は、少なくとも１つの電気信号が相互接続デバイス２０１の前面から出入りできる経路を概念的に示し得る。

【0036】

[0049] 電気経路４１１、４１３および４１５は、電流（たとえば、信号）が相互接続デバイス２０１を通って伝わる電気経路である。電気経路４１１、４１３および４１５は、基板４０２内の相互接続部、相互接続デバイス２０１内の相互接続部、および／またははんだ相互接続部（たとえば、３３０、３１０、３５０）を含み得る。電気経路４１３、４１１および／または４１５は、図２の複数の相互接続部２３１、２３５および２５１を含み得る。各電気経路（たとえば、４１３、４１５）は、基板２０２の複数の相互接続部３２２からの、それ自体のそれぞれの相互接続部を含み得る。

【0037】

[0050] １つの例では、集積デバイス２０３と集積デバイス２０５は、集積デバイス２０３と集積デバイス２０５の間で少なくとも１つの電流（たとえば、電気信号）が、（ｉ）複数のはんだ相互接続部３３０から第１のはんだ相互接続部と、（ｉｉ）基板２０２の複数の相互接続部３２２から第１の相互接続部と、（ｉｉｉ）複数のはんだ相互接続部３１０から第１のはんだ相互接続部と、（ｉｖ）相互接続デバイス２０１から第１の相互接続部（たとえば、３１２）と、（ｖ）複数のはんだ相互接続部３１０から第２のはんだ相互接続部と、（ｖｉ）基板２０２の複数の相互接続部３２２から第２の相互接続部と、（ｖｉｉ）複数のはんだ相互接続部３５０から第１のはんだ相互接続部とを通って伝わるように、電気的に結合されるように構成される。

【0038】

[0051] 電気経路４１１は、（ｉ）複数のはんだ相互接続部３１０からの第１のはんだ相互接続部、（ｉｉ）相互接続デバイス２０１からの第１および／または第２の相互接続部（たとえば、３１２）、および／または（ｉｉｉ）複数のはんだ相互接続部３１０からの第２のはんだ相互接続部を含み得る。

【0039】

[0052] 電気経路４１３は、（ｉ）複数のはんだ相互接続部３３０からの第１のはんだ相互接続部、（ｉｉ）基板２０２の複数の相互接続部３２２からの第１の相互接続部、（ｉｉｉ）複数のはんだ相互接続部３１０からの第１のはんだ相互接続部、および／または（ｉｖ）相互接続デバイス２０１からの第１の相互接続部（たとえば３１２）を含み得る。

【0040】

[0053] 電気経路４１５は、（ｉ）複数のはんだ相互接続部３５０からの第１のはんだ相互接続部、（ｉｉ）基板２０２の複数の相互接続部３２２からの第２の相互接続、（ｉｉｉ）複数のはんだ相互接続部３１０からの第２のはんだ相互接続部、および／または（ｉｖ）相互接続デバイス２０１からの第２の相互接続（たとえば３１２）を含み得る。

【0041】

[0054] 本開示に記載の様々な電気経路のうちの２つ以上が、互いに電気的に結合されるように構成され得ることに留意されたい。たとえば、電気経路４１１は、電気経路４１３および電気経路４１５に電気的に結合されるように構成され得る。１つまたは複数の信号の電気経路は、相互接続デバイス（たとえば、２０１）の前面から出入りできることに留意されたい。つまり、相互接続デバイスを通って伝わる少なくとも１つの電気信号は、（ｉ）相互接続デバイスの前面から入り、（ｉｉ）相互接続デバイス内の相互接続部を通って伝わり、（ｉｉｉ）相互接続デバイスの前面から出ることができる。

【0042】

[0055] 図５は、電気信号がパッケージの中を概念的にどのようにして伝わることができるかを示す図である。図５は、電気経路５１７、電気経路５１１および電気経路５１９を介して集積デバイス２０９に電気的に結合されるように構成されている集積デバイス２０７を示す。電気経路５１１、５１７および５１９は、集積デバイス２０７と集積デバイス２０９の間の電流の例示的な経路を概念的に表したものであり得る。電気経路は、相互接続部、ピラー相互接続部、および／またははんだ相互接続部を含み得る。電気経路５１１は、電気経路５１７および５１９に電気的に結合されるように構成される。電気経路５１１、５１７、および／または５１９は、少なくとも１つの電気信号が相互接続デバイス２０１の前面から出入りできる経路を示し得る。

【0043】

[0056] 電気経路５１１、５１７および５１９は、電流（たとえば、信号）が相互接続デバイス２０１を通って伝わる電気経路である。電気経路５１１、５１７および５１９は、基板４０２内の相互接続部、相互接続デバイス２０１内の相互接続部、および／またははんだ相互接続部（たとえば、５７０、３１０、５９０）を含み得る。電気経路５１７、５１１および／または５１９は、図２の複数の相互接続部２７１、２７９および２９１を含み得る。各電気経路（たとえば、５１７、５１９）は、基板２０２の複数の相互接続部３２２からの、それ自体のそれぞれの相互接続部を含み得る。

【0044】

[0057] １つの例では、集積デバイス２０７と集積デバイス２０９は、集積デバイス２０７と集積デバイス２０９の間で少なくとも１つの電流（たとえば、電気信号）が、（ｉ）複数のはんだ相互接続部５７０から第１のはんだ相互接続部と、（ｉｉ）基板２０２の複数の相互接続部３２２から第３の相互接続部と、（ｉｉｉ）複数のはんだ相互接続部３１０から第３のはんだ相互接続部と、（ｉｖ）相互接続デバイス２０１から第３の相互接続部（たとえば、３１２）と、（ｖ）複数のはんだ相互接続部３１０から第４のはんだ相互接続部と、（ｖｉ）基板２０２の複数の相互接続部３２２から第４の相互接続部と、（ｖｉｉ）複数のはんだ相互接続部５９０から第１のはんだ相互接続部とを通って伝わるように、電気的に結合されるように構成される。

【0045】

[0058] 電気経路５１１は、（ｉ）複数のはんだ相互接続部３１０からの第３のはんだ相互接続部、（ｉｉ）相互接続デバイス２０１からの第３および／または第４の相互接続部（たとえば、３１２）、および／または（ｉｉｉ）複数のはんだ相互接続部３１０からの第４のはんだ相互接続部を含み得る。電気経路５１１は、電気経路４１１からの相互接続部とは異なる金属層上に置かれた相互接続部を含み得る。

【0046】

[0059] 電気経路５１７は、（ｉ）複数のはんだ相互接続部５７０からの第１のはんだ相互接続部、（ｉｉ）基板２０２の複数の相互接続部３２２からの第３の相互接続部、（ｉｉｉ）複数のはんだ相互接続部３１０からの第３のはんだ相互接続部、および／または（ｉｖ）相互接続デバイス２０１からの第３の相互接続部（たとえば３１２）を含み得る。

【0047】

[0060] 電気経路５１９は、（ｉ）複数のはんだ相互接続部５９０からの第１のはんだ相互接続部、（ｉｉ）基板２０２の複数の相互接続部３２２からの第４の相互接続、（ｉｉｉ）複数のはんだ相互接続部３１０からの第４のはんだ相互接続部、および／または（ｉｖ）相互接続デバイス２０１からの第４の相互接続（たとえば３１２）を含み得る。

【0048】

[0061] 図６は、電気信号が概念的にパッケージの中をどのようにして伝わることができるかを示す図である。図６は、電気経路６３７を介して集積デバイス２０７に電気的に結合されるように構成されている集積デバイス２０３を示す。電気経路６３７は、基板４０２内の相互接続部（たとえば、３２２）および／またははんだ相互接続部（たとえば、３３０、５７０）を含み得る。電気経路６３７は、図２の複数の相互接続部２３７を含み得る。

【0049】

[0062] 図７は、電気信号がパッケージの中を概念的にどのようにして伝わることができるかを示す図である。図７は、電気経路７３９を介して集積デバイス２０９に電気的に結合されるように構成されている集積デバイス２０３を示す。電気経路７３９は、基板４０２内の相互接続部（たとえば、３２２）および／またははんだ相互接続部（たとえば、３３０、５９０）を含み得る。電気経路７３９は、図２の複数の相互接続部２３９を含み得る。

【0050】

[0063] 異なる実施形態では、異なる数の電気経路、および／または異なるルーティングをとる電気経路を有し得る。

【0051】

[0064] 電気経路は、少なくとも１つの電気信号が相互接続デバイス（たとえば、２０１）の前面から出入りできる経路を示すことができる。つまり、相互接続デバイスを通って伝わる電気信号は、（ｉ）相互接続デバイスの前面から入り、（ｉｉ）相互接続デバイス内の相互接続部を通って伝わり、（ｉｉｉ）相互接続デバイスの前面から出ることができる。しかし、本開示に示された電気信号の経路は、例示的および／または概念的なものであることに留意されたい。異なる実施形態では、電気信号に異なる経路を使用することができる。さらに、電気信号および／または電気経路は、異なるタイプの相互接続部（たとえば、ビア、トレース、パッド、ピラー）、はんだ相互接続部および／または構成要素（たとえば、受動デバイス）を通って進むことができる。したがって、たとえば、いくつかの実施形態において、集積デバイスと相互接続デバイスの間を伝わる電気信号は、集積デバイスと相互接続デバイスの間の少なくとも１つの介在構成要素（たとえば、受動デバイス、コンデンサ）を通って伝わることができる。異なる実施形態では、異なる集積デバイスとの間で伝わる電気信号の数が異なり得る。これらの電気信号の経路は変化し得る。電気信号は、Ｉ／Ｏ信号を含み得る。Ｉ／Ｏ信号の代わりに、本開示に示された例示的な経路は、電源および／または接地にも適用可能であり得る。

【0052】

[0065] 上述のように、相互接続デバイス２０１は、ダイ（たとえば、ブリッジダイ）として、または基板（たとえば、ブリッジ基板（bridge substrate）、インターポーザ）として実装され得る。相互接続デバイス２０１が基板（たとえば、ブリッジ基板）として実装される場合、基板はコア基板またはコアレス基板であってもよい。相互接続デバイス２０１は、様々なサイズおよび形状を有し得る。たとえば、いくつかの実施形態において、相互接続デバイス２０１は、矩形の形状（たとえば、正方形の形状）を有することができ、８ｍｍ×８ｍｍ以下の横方向のサイズを有することができる。集積デバイス（たとえば、２０３、２０５、２０７、２０９）は、長方形の形状（たとえば、正方形の形状）を有し得る。いくつかの実施形態において、相互接続デバイス２０１は、集積デバイスから約３００マイクロメートルだけ間隔をあけて配置され得る。本開示に記載のパッケージのいずれもが、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）の一部であってもよいことに留意されたい。さらに、本開示に記載のパッケージ（たとえば、２００、７００）は、インターポーザに結合されてもよい。

【0053】

相互接続デバイスを製作するための例示的な順序
[0066] 図８Ａ～８Ｄは、相互接続デバイスを提供または製作するための例示的な順序を示す。いくつかの実施形態において、図８Ａ～８Ｄの順序は、図３の相互接続デバイス２０１、または本開示に記載の相互接続デバイスのいずれかを提供または製作するために使用され得る。図８Ａ～８Ｄの順序は、相互接続ダイ（たとえば、相互接続集積デバイス）を含む相互接続デバイスを製作するために使用され得る。

【0054】

[0067] 図８Ａ～８Ｄの順序では、相互接続デバイスを提供または製作するための順序を単純化または明確化するために、１つまたは複数の段階を組み合わせてもよいことに留意されたい。いくつかの実施形態において、プロセスの順序が変更または修正され得る。いくつかの実施形態において、プロセスのうちの１つまたは複数が、本開示の範囲から逸脱することなく置換または代用され得る。異なる実施形態では、相互接続デバイスを異なるように製作することができる。

【0055】

[0068] 段階１は、図８Ａに示されるように、基板３１６が提供された後の状態を示す。基板３１６は、ガラスおよび／またはシリコンを含み得る。

【0056】

[0069] 段階２は、複数の相互接続部８２２が基板３１６の上に形成された後の状態を示す。複数の相互接続部８２２は、トレースおよび／またはパッドを含み得る。複数の相互接続部８２２を形成することは、シード層を形成することと、リソグラフィプロセス、めっきプロセス、剥離プロセスおよび／またはエッチングプロセスを実施することとを含み得る。複数の相互接続部８２２は、複数の相互接続部３１２の一部であってもよい。

【0057】

[0070] 段階３は、誘電体層８３０が複数の相互接続部８２２および基板３１６の上に形成された後の状態を示す。誘電体層８３０は、複数の相互接続部８２２および誘電体層８２０の上に堆積および／またはコーティングされ得る。誘電体層８３０は、ポリマーを含み得る。誘電体層８３０は、誘電体層３１１と同様であり得る。

【0058】

[0071] 段階４は、誘電体層８３０にキャビティ８３１が形成された後の状態を示す。エッチングプロセスが、キャビティ８３１を形成するために使用され得る。

【0059】

[0072] 段階５は、図８Ｂに示されるように、複数の相互接続部８３２が誘電体層８３０の上に形成された後の状態を示す。複数の相互接続部８３２は、ビア、トレースおよび／またはパッドを含み得る。複数の相互接続部８３２を形成することは、リソグラフィプロセス、メッキプロセス、剥離プロセス、および／またはエッチングプロセスを実施することを含み得る。複数の相互接続部８３２は、複数の相互接続部３１２の一部であってもよい。

【0060】

[0073] 段階６は、誘電体層８４０が複数の相互接続部８３２および誘電体層８３０の上に形成された後の状態を示す。誘電体層８４０は、複数の相互接続部８３２および誘電体層８３０の上に堆積および／またはコーティングされ得る。誘電体層８４０は、ポリマーを含み得る。誘電体層８４０は、誘電体層８３０と同様であり得る。

【0061】

[0074] 段階７は、誘電体層８４０にキャビティ８４１が形成された後の状態を示す。エッチングプロセスが、キャビティ８４１を形成するために使用され得る。

【0062】

[0075] 段階８は、複数の相互接続部８４２が誘電体層８４０の上に形成された後の状態を示す。複数の相互接続部８４２は、ビア、トレースおよび／またはパッドを含み得る。複数の相互接続部８４２を形成することは、リソグラフィプロセス、メッキプロセス、剥離プロセス、および／またはエッチングプロセスを実施することを含み得る。複数の相互接続部８４２は、複数の相互接続部３１２の一部であってもよい。

【0063】

[0076] 段階９は、図８Ｃに示されるように、誘電体層８５０が複数の相互接続部８４２および誘電体層８４０の上に形成された後の状態を示す。誘電体層８５０は、複数の相互接続部８４２および誘電体層８４０の上に堆積および／またはコーティングされ得る。誘電体層８５０は、ポリマーを含み得る。誘電体層８５０は、誘電体層８４０と同様であり得る。

【0064】

[0077] 段階１０は、誘電体層８５０にキャビティ８５１が形成された後の状態を示す。エッチングプロセスが、キャビティ８５１を形成するために使用され得る。

【0065】

[0078] 段階１１は、複数の相互接続部８５２が誘電体層８５０の上に形成された後の状態を示す。複数の相互接続部８５２は、ビア、トレースおよび／またはパッドを含み得る。複数の相互接続部８５２を形成することは、リソグラフィプロセス、メッキプロセス、剥離プロセス、および／またはエッチングプロセスを実施することを含み得る。複数の相互接続部８５２は、複数の相互接続部３１２の一部であってもよい。

【0066】

[0079] 段階１２は、図８Ｄに示されるように、パッシベーション層３１４が少なくとも１つの誘電体層３１１の上に形成された後の状態を示す。少なくとも１つの誘電体層３１１は、誘電体層８３０、８４０および８５０を表し得る。段階１２は、複数の相互接続部８３２、８４２および／または８５２を含み得る複数の相互接続部３１２を示し得る。段階１２は、相互接続デバイス２０１を示し得る。

【0067】

[0080] 段階１３は、複数のはんだ相互接続部３１０が相互接続デバイス２０１に結合された後の状態を示す。段階１３は、図３で説明された相互接続デバイス２０１の一例を示し得る。いくつかの実施形態において、相互接続デバイス２０１はウェハの一部であり、シンギュレーションが、ウェハを個々の相互接続デバイスに切断するために実施され得る。

【0068】

相互接続デバイスを製作する方法の例示的な流れ図
[0081] いくつかの実施形態において、相互接続デバイスを含むパッケージを製作することは、いくつかのプロセスを含む。図９は、高密度相互接続デバイスを提供または製作する方法９００の例示的な流れ図を示す。いくつかの実施形態において、図９の方法９００は、本開示に記載の図３の高密度相互接続デバイス（たとえば、２０１）を提供または製作するために使用され得る。しかし、方法９００は、本開示に記載の相互接続デバイスのいずれかを提供または製作するために使用されてもよい。

【0069】

[0082] 図９の方法では、相互接続デバイスを提供または製作する方法を単純化および／または明確化するために、１つまたは複数のプロセスを組み合わせてもよいことに留意されたい。いくつかの実施形態において、プロセスの順序は変更または修正され得る。図９は、再分配相互接続部を製作することに関して説明される。しかし、図９の方法は、任意のタイプの相互接続部を製作するために使用され得る。

【0070】

[0083] この方法では、基板（たとえば、３１６）を提供する（９０５で）。基板３１６は、ガラス、石英および／またはシリコンを含み得る。図８Ａの段階１は、基板の一例を図示し説明している。

【0071】

[0084] この方法では、基板（たとえば、３１６）の上に複数の相互接続部８２２を形成することによって第１の金属層を形成する（９１０で）。複数の相互接続部を形成することは、リソグラフィプロセスを実施すること、めっきプロセスを実施すること、剥離プロセスを実施すること、および／または、エッチングプロセスを実施することを含み得る。図８Ａの段階２は、相互接続デバイスの第１の金属層を形成する一例を図示し説明している。

【0072】

[0085] この方法では、第１の金属層の上に誘電体層（たとえば、８３０）と複数の相互接続部８３２とを形成することによって第２の金属層を形成する（９１５で）。誘電体層は、ポリマーを含み得る。誘電体層および複数の相互接続部を形成することは、誘電体層８３０を誘電体層８２０および相互接続部８２２の上に配置すること、リソグラフィプロセスを実施すること、めっきプロセスを実施すること、剥離プロセスを実施すること、および／またはエッチングプロセスを実施することを含み得る。図８Ａ～８Ｂの段階３～５は、相互接続デバイスの第２の金属層（たとえば、再分配層、再分配金属層）を形成する一例を図示し説明している。再分配層（ＲＤＬ）は、金属化層の一形態であり得る。ＲＤＬは、Ｕ字形またはＶ字形を含む相互接続部を含み得る。「Ｕ字形」という用語と「Ｖ字形」という用語とは、互換性があるものとする。「Ｕ字形」および「Ｖ字形」という用語は、相互接続部および／または再分配相互接続部の側面断面形状を指すことがある。Ｕ字形相互接続部およびＶ字形相互接続部は、上部および下部を有し得る。Ｕ字形相互接続部（またはＶ字形相互接続部）の下部は、別のＵ字形相互接続部（またはＶ字形相互接続部）の上部と結合され得る。金属層および誘電体層を形成することは、バックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）プロセスを使用することを含み得る。

【0073】

[0086] この方法では、第２の金属層の上に１つまたは複数の誘電体層（たとえば、８４０、８５０）および複数の相互接続部（たとえば、８４２、８５２）を形成することによって追加の金属層を形成する（９２０で）。誘電体層は、ポリマーを含み得る。誘電体層および複数の相互接続部を形成することは、誘電体層８３０および相互接続部８３２の上に１つまたは複数の誘電体層（たとえば、８４０、８５０）を配置すること、リソグラフィプロセスを実施すること、めっきプロセスを実施すること、剥離プロセスを実施すること、および／またはエッチングプロセスを実施することを含み得る。図８Ｂ～８Ｃの段階７～１１は、相互接続デバイスのための追加の金属層を形成する一例を図示し説明している。追加の金属層および追加の誘電体層を形成することは、バックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）プロセスを使用することを含み得る。

【0074】

[0087] この方法では、相互接続デバイス（たとえば、２０１）の誘電体層の上にパッシベーション層（たとえば、３１４）を形成する（９２５で）。パッシベーション層（たとえば、３１４）は、誘電体層３１１の上に配置され得る。図８Ｄの段階１２は、相互接続デバイスの誘電体層の上に形成されたパッシベーション層の一例を図示し説明している。

【0075】

[0088] この方法では、複数のはんだ相互接続部（たとえば、３１０）を相互接続デバイス（たとえば、２０１）に結合する（９３０で）。図８Ｄの段階１３は、相互接続デバイスに結合されたはんだ相互接続部の一例を図示し説明することができる。

【0076】

[0089] いくつかの実施形態において、相互接続デバイス２０１はウェハの一部であり、ウェハを個々の相互接続デバイスに切断するためにシングレーションが実施され得る。方法９００は、複数の相互接続部３１２を含む相互接続デバイス２０１を製作するために使用され得る。

【0077】

基板を製作するための例示的な順序
[0090] いくつかの実施形態において、基板を製作することは、いくつかのプロセスを含む。図１０Ａ～１０Ｃは、基板を提供または製作するための例示的な順序を示す。いくつかの実施形態において、図１０Ａ～１０Ｃの順序は、図３の基板２０２を提供または製作するために使用され得る。しかし、図１０Ａ～１０Ｃのプロセスは、本開示に記載の基板のいずれかを製作するために使用されてもよい。たとえば、相互接続デバイス２０１が基板および／またはインターポーザとして実装される場合に、図１０Ａ～１０Ｃのプロセスは、相互接続デバイス２０１を製作するために使用されてもよい。

【0078】

[0091] 図１０Ａ～１０Ｃの順序では、基板を提供または製作するための順序を単純化および／または明確化するために、１つまたは複数の段階を組み合わせてもよいことに留意されたい。いくつかの実施形態において、プロセスの順序は変更または修正されてもよい。いくつかの実施形態において、プロセスのうちの１つまたは複数が、本開示の範囲から逸脱することなく置換または代用され得る。

【0079】

[0092] 段階１は、図１０Ａに示されるように、キャリア１０００が提供され、キャリア１０００の上に金属層が形成された後の状態を示す。金属層は、相互接続部１００２を形成するようにパターン化され得る。めっきプロセスおよびエッチングプロセスが、金属層および相互接続部を形成するために使用され得る。

【0080】

[0093] 段階２は、誘電体層１０２０がキャリア１０００および相互接続部１００２の上に形成された後の状態を示す。誘電体層１０２０は、ポリイミドを含み得る。しかし、異なる実施形態では、様々な材料を誘電体層に使用することができる。

【0081】

[0094] 段階３は、複数のキャビティ１０１０が誘電体層１０２０に形成された後の状態を示す。複数のキャビティ１０１０は、エッチングプロセス（たとえば、フォトエッチングプロセス）またはレーザプロセスを使用して形成され得る。

【0082】

[0095] 段階４は、誘電体層１０２０内および上に相互接続部１０１２が形成された後の状態を示す。たとえば、ビア、パッドおよび／またはトレースが形成され得る。めっきプロセスが、相互接続部を形成するために使用され得る。

【0083】

[0096] 段階５は、別の誘電体層１０２２が誘電体層１０２０の上に形成された後の状態を示す。誘電体層１０２２は、誘電体層１０２０と同じ材料であってもよい。しかし、異なる実施形態では、様々な材料を誘電体層に使用することができる。

【0084】

[0097] 段階６は、図１０Ｂに示されるように、複数のキャビティ１０３０が誘電体層１０２２に形成された後の状態を示す。エッチングプロセスまたはレーザプロセスが、キャビティ１０３０を形成するために使用され得る。

【0085】

[0098] 段階７は、相互接続部１０１４が誘電体層１０２２内および上に形成された後の状態を示す。たとえば、ビア、パッドおよび／またはトレースが形成され得る。めっきプロセスが、相互接続を形成するために使用され得る。

【0086】

[0099] 段階８は、別の誘電体層１０２４が誘電体層１０２２の上に形成された後の状態を示す。誘電体層１０２４は、誘電体層１０２０と同じ材料であってもよい。しかし、異なる実施形態では、様々な材料を誘電体層に使用することができる。

【0087】

[00100] 段階９は、複数のキャビティ１０４０が誘電体層１０２４に形成された後の状態を示す。エッチングプロセスまたはレーザプロセスが、キャビティ１０４０を形成するために使用され得る。

【0088】

[00101] 段階１０は、図１０Ｃに示されるように、相互接続部１０１６が誘電体層１０２４内および上に形成された後の状態を示す。たとえば、ビア、パッドおよび／またはトレースが形成され得る。めっきプロセスが、相互接続を形成するために使用され得る。

【0089】

[00102] 相互接続部１００２、１０１２、１０１４および／または１０１６の一部または全部が、基板２０２の複数の相互接続部３２２を画定し得る。誘電体層１０２０、１０２２、１０２４は、少なくとも１つの誘電体層３２０によって表され得る。

【0090】

[00103] 段階１１は、キャリア１０００が誘電体層３２０から分離されて（たとえば、除去、研削されて）、基板２０２を離れた後の状態を示す。

【0091】

[00104] 段階１２は、第１のはんだレジスト層３２４および第２のはんだレジスト層３２６が基板２０２の上に形成された後の状態を示す。

【0092】

[00105] 異なる実施形態では、金属層を形成するために異なるプロセスを使用することができる。いくつかの実施形態において、金属層を形成するための化学気相成長（ＣＶＤ）プロセスおよび／または物理気相成長（ＰＶＤ）プロセス。たとえば、スパッタリングプロセス、スプレーコーティングプロセス、および／またはめっきプロセスが、金属層を形成するために使用され得る。

【0093】

基板を製作する方法の例示的な流れ図
[00106] いくつかの実施形態において、基板を製作することは、いくつかのプロセスを含む。図１１は、基板を提供または製作する方法１１００の例示的な流れ図を示す。いくつかの実施形態において、図１１の方法１１００は、図３の基板を提供または製作するために使用され得る。たとえば、図１１の方法は、基板２０２を製作するために使用され得る。図１１の方法は、相互接続デバイスが基板および／またはインターポーザとして実施される場合に、相互接続デバイスを製作するために使用され得る。

【0094】

[00107] 図１１の方法では、基板を提供または製作する方法を単純化および／または明確化するために、１つまたは複数のプロセスを組み合わせてもよいことに留意されたい。いくつかの実施形態において、プロセスの順序は変更または修正されてもよい。

【0095】

[00108] この方法では、キャリア１０００を提供する（１１０５で）。異なる実施形態では、様々な材料をキャリアに使用することができる。キャリアは、基板、ガラス、石英および／またはキャリアテープを含み得る。図１０Ａの段階１は、キャリアが提供された後の状態の一例を図示し説明している。

【0096】

[00109] この方法では、キャリア１０００の上に金属層を形成する（１１１０で）。金属層は、相互接続を形成するためにパターン化され得る。めっきプロセスが、金属層および相互接続を形成するために使用され得る。図１０Ａの段階１は、金属層および相互接続部１００２が形成された後の状態の一例を図示し説明している。

【0097】

[00110] この方法では、キャリア１０００および相互接続部１００２の上に誘電体層１０２０を形成する（１１１５で）。誘電体層１０２０は、ポリイミドを含み得る。誘電体層を形成することはまた、誘電体層１０２０に複数のキャビティ（たとえば、１０１０）を形成することも含み得る。複数のキャビティは、エッチングプロセス（たとえば、フォトエッチング）またはレーザプロセスを使用して形成され得る。図１０Ａの段階２～３は、誘電体層と、その誘電体層内のキャビティとを形成する一例を図示し説明している。

【0098】

[00111] この方法では、誘電体層内および上に相互接続部を形成する（１１２０で）。たとえば、相互接続部１０１２は、誘電体層１０２０内および上に形成され得る。めっきプロセスが、相互接続部を形成するために使用され得る。相互接続を形成することは、パターン化された金属層を誘電体層の上および／またはその中に設けることを含み得る。図１０Ａの段階４は、誘電体層内および上に相互接続部を形成する一例を図示し説明している。

【0099】

[00112] この方法では、誘電体層１０２０および相互接続部の上に誘電体層１０２２を形成する（１１２５で）。誘電体層１０２２はポリイミドを含み得る。誘電体層を形成することはまた、誘電体層１０２２に複数のキャビティ（たとえば、１０３０）を形成することも含み得る。複数のキャビティは、エッチングプロセスまたはレーザプロセスを使用して形成され得る。図１０Ａ～１０Ｂの段階５～６は、誘電体層と、その誘電体層内のキャビティとを形成することを示す。

【0100】

[00113] この方法では、誘電体層内および／またはその上に相互接続部を形成する（１１３０で）。たとえば、相互接続部１０１４が形成され得る。めっきプロセスが、相互接続部を形成するために使用され得る。相互接続部を形成することはまた、パターン化された金属層を誘電体層の上およびその中に設けることを含み得る。図１０Ｂの段階７は、誘電体層内および上に相互接続部を形成する一例を図示し説明している。

【0101】

[00114] この方法では、１１２５および１１３０で説明されたように、追加の誘電体層および追加の相互接続部を形成することができる。図１０Ｂ～１０Ｃの段階８～１０は、誘電体層内および上に追加の相互接続部を形成する一例を図示し説明している。

【0102】

[00115] すべての誘電体層および追加の相互接続部が形成されると、この方法では、キャリア（たとえば、１０００）を誘電体層１０２０から分離して（たとえば、除去、研磨して）、基板を残すことができる。いくつかの実施形態において、この方法では、はんだレジスト層（たとえば、３２４、３２６）を基板の上に形成することができる。

【0103】

[00116] 異なる実施形態では、金属層を形成するために異なるプロセスを使用することができる。いくつかの実施形態において、金属層を形成するための化学気相成長（ＣＶＤ）プロセスおよび／または物理気相成長（ＰＶＤ）プロセス。たとえば、スパッタリングプロセス、スプレーコーティングプロセス、および／またはめっきプロセスが、金属層を形成するために使用され得る。

【0104】

基板に結合された相互接続デバイスを含むパッケージを製作するための例示的な順序
[00117] 図１２Ａ～１２Ｂは、基板に結合された相互接続デバイスを含むパッケージを提供または製作するための例示的な順序を示す。いくつかの実施形態において、図１２Ａ～１２Ｂの順序は、図３の基板２０２および相互接続デバイス２０１を含むパッケージ２００、または本開示に記載のパッケージのいずれかを提供または製作するために使用され得る。

【0105】

[00118] 図１２Ａ～１２Ｂの順序では、パッケージを提供または製作するための順序を単純化および／または明確化するために、１つまたは複数の段階を組み合わせてもよいことに留意されたい。いくつかの実施形態において、プロセスの順序は変更または修正されてもよい。いくつかの実施形態において、プロセスのうちの１つまたは複数が、本開示の範囲から逸脱することなく置換または代用され得る。図１２Ａ～１２Ｂの順序は、（ウェハの一部として）一度に１つのパッケージまたはいくつかのパッケージを製作するために使用され得る。

【0106】

[00119] 段階１は、図１２Ａに示されるように、基板２０２が提供された後の状態を示す。基板２０２は、サプライヤから提供されても、製作されてもよい。図１０Ａ～１０Ｃに示されるプロセスと同様のプロセスが、基板２０２を製作するために使用され得る。しかし、異なる実施形態では、基板２０２を製作するために異なるプロセスを使用することができる。基板２０２を製作するために使用され得るプロセスの例は、セミアディティブプロセス（ＳＡＰ）および修正セミアディティブプロセス（ｍＳＡＰ）を含む。基板２０２は、少なくとも１つの誘電体層３２０と、複数の相互接続部３２２とを含む。基板２０２は、ラミネート基板、コアレス基板、有機基板、コア層を含む基板（たとえば、コア基板）であってもよい。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの誘電体層３２０は、コア層および／またはプリプレグ層を含み得る。

【0107】

[00120] 段階２は、集積デバイス２０３、集積デバイス２０５および相互接続デバイス２０１が基板２０２の第１の面（たとえば、上面）に結合された後の状態を示す。集積デバイス２０３は、複数のはんだ相互接続部３３０を介して基板２０２に結合され得る。集積デバイス２０５は、複数のはんだ相互接続部３５０を介して基板２０２に結合され得る。相互接続デバイス２０１は、複数のはんだ相互接続部３１０を介して基板２０２に結合され得る。他の集積デバイス（たとえば、２０７、２０９）は、基板２０２に結合され得る。集積デバイスは、図２で説明されたように、集積デバイス２０７が基板２０２の第２象限２１２に置かれ、集積デバイス２０５が基板２０２の第１象限２１１に置かれ、集積デバイス２０３が基板２０２の第３象限２１３に置かれ、集積デバイス２０９が基板２０２の第４象限２１４に置かれるように、基板２０２に結合され得る。

【0108】

[00121] 段階３は、熱界面材料（ＴＩＭ）が基板２０２および集積デバイスの上に提供された後の状態を示す。たとえば、ＴＩＭ３８２が基板２０２の上に堆積され得、ＴＩＭ３８３が集積デバイス２０３の裏面を覆って堆積され得、ＴＩＭ３８５が集積デバイス２０５の裏面を覆って堆積され得る。他のＴＩＭは、基板２０２に結合された他の集積デバイスの上に堆積され得る。

【0109】

[00122] 段階４は、図１２Ｂに示されるように、ヒートスプレッダ３０８が、様々なＴＩＭを介して基板２０２および集積デバイスに結合された後の状態を示す。ピックアンドプレイスプロセスが、ＴＩＭ３８２、３８３および３８５を介してヒートスプレッダ３０８を基板２０２および集積デバイスに結合するために使用され得る。いくつかの実施形態において、ＴＩＭ３８２、３８３および３８５は、同一のＴＩＭの一部であり得る。

【0110】

[00123] 段階５は、複数のはんだ相互接続部３８０が基板２０２の第２の面（たとえば、底面）に結合された後の状態を示す。複数のはんだ相互接続部３８０は、基板２０２の複数の相互接続部３２２からの相互接続部に結合され得る。はんだリフロープロセスが、複数のはんだ相互接続部３８０を基板２０２に結合するために使用され得る。段階５は、図２～７で説明されたパッケージ２００を示し得る。本開示に記載のパッケージ（たとえば、２００）は、一度に１つずつ製作されてよく、または１つまたは複数のウェハの一部として一緒に製作されてから個々のパッケージに単一化されてもよい。

【0111】

基板に結合された相互接続デバイスを含むパッケージを製作する方法の例示的な流れ図
[00124] いくつかの実施形態において、基板に結合された高密度相互接続デバイスを含むパッケージを製作することは、いくつかのプロセスを含む。図１３は、基板に結合された高密度相互接続デバイスを含むパッケージを提供または製作する方法１３００の例示的な流れ図を示す。いくつかの実施形態において、図１３の方法１３００は、本開示に記載の図３のパッケージ２００を提供または製作するために使用され得る。しかし、方法１３００は、本開示に記載のパッケージのいずれかを提供または製作するために使用されてもよい。

【0112】

[00125] 図１３の方法では、基板に結合された高密度相互接続デバイスを含むパッケージを提供または製作する方法を簡略化および／または明確化するために、１つまたは複数のプロセスを組み合わせてもよいことに留意されたい。いくつかの実施形態において、プロセスの順序は変更または修正されてもよい。

【0113】

[00126] この方法では、基板（たとえば、２０２）を提供する（１３０５で）。基板２０２は、サプライヤから提供されても、製作されてもよい。基板２０２は、第１の面および第２の面を含む。基板２０２は、少なくとも１つの誘電体層３２０と複数の相互接続部３２２とを含む。異なる実施形態では、様々な基板を提供することができる。図１０Ａ～１０Ｃに示されるプロセスと同様のプロセスが、基板２０２を製作するために使用され得る。しかし、異なる実施形態では、基板２０２を製作するために異なるプロセスを使用することができる。図１２Ａの段階１は、基板を提供する一例を図示し、説明している。

【0114】

[00127] この方法では、少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０３、２０５）と相互接続デバイス（たとえば、２０１）とを基板（たとえば、２０２）の第１の面に結合する（１３１０で）。集積デバイス２０３は、複数のはんだ相互接続部３３０を介して基板２０２に結合され得る。複数のはんだ相互接続部３３０は、基板２０２の複数の相互接続部３２２からの相互接続部に結合され得る。集積デバイス２０３は、第１の集積デバイス２０３の前面（たとえば、能動面）が基板２０２に面しているように基板２０２に結合され得る。一例として、集積デバイス２０３および相互接続デバイス２０１は、第１の電気信号が集積デバイスとボード（たとえば３９０）の間を伝わるときに、第１の電気信号が基板２０２を通り、次いで相互接続デバイス２０１を通り、再び基板２０２を通って伝わるようにして集積デバイスと相互接続デバイスと基板とが一緒に結合されるように、基板２０２に結合され得る。第１の電気信号の電気経路は、対角に延びる少なくとも１つの相互接続部を含み得る。基板２０２は、集積デバイスが基板２０２に結合される前に反転され得る。

【0115】

[00128] 集積デバイス２０５は、複数のはんだ相互接続部３５０を介して基板２０２に結合され得る。複数のはんだ相互接続部３５０は、基板２０２の複数の相互接続部３２２からの相互接続部に結合され得る。集積デバイス２０５は、集積デバイス２０５の前面（たとえば、能動面）が基板２０２に面しているように、基板２０２に結合され得る。

【0116】

[00129] 一例として、第１の集積デバイス２０３、第２の集積デバイス２０５、および相互接続デバイス２０１は、第１の電気信号が第１の集積デバイス２０３と第２の集積デバイス２０５の間を伝わるときに、第１の電気信号が相互接続デバイス２０１を通って伝わるようにして集積デバイスと相互接続デバイスと基板とが一緒に結合されるように、基板２０２に結合され得る。たとえば、第１の集積デバイス２０３と第２の集積デバイス２０５の間の第１の電気信号は、基板２０２を通り、次いで相互接続デバイス２０１を通り、再び基板２０２を通って伝わることができる。第１の電気信号の電気経路は、対角に延びる少なくとも１つの相互接続部を含み得る。図１２Ａの段階２は、基板に結合された集積デバイスおよび相互接続デバイスの一例を図示し説明している。集積デバイスを基板に結合することはまた、それぞれの集積デバイス（たとえば、２０３、２０５）と基板２０２の間にアンダーフィル（たとえば、３１３、３３３、３５３）を設けることも含み得る。図１２Ａの段階２は、設けられているアンダーフィルの一例を図示し説明している。

【0117】

[00130] この方法では、基板および／または集積デバイスの上に少なくとも１つの熱界面材料（ＴＩＭ）を提供する（１３１５で）。たとえば、ＴＩＭ３８２が基板２０２の上に堆積され得、ＴＩＭ３８３が集積デバイス２０３の裏面を覆って堆積され得、ＴＩＭ３８５が集積デバイス２０５の裏面を覆って堆積され得る。図１２Ａの段階３は、ＴＩＭを提供する一例を図示し説明している。

【0118】

[00131] この方法では、基板および集積デバイスにヒートスプレッダを結合する（１３２０で）。たとえば、ピックアンドプレイスプロセスが、ＴＩＭ３８２、３８３および３８５を介して基板２０２および集積デバイスにヒートスプレッダ３０８を結合するために使用され得る。図１２Ｂの段階４は、ヒートスプレッダを基板および集積デバイスに結合する一例を図示し説明している。

【0119】

[00132] この方法では、複数のはんだ相互接続部（たとえば、３８０）を基板（たとえば、２０２）の第２の面に結合する（１３２０で）。図１２Ｂの段階５は、はんだ相互接続部を基板に結合する一例を図示し説明している。

【0120】

例示的な電子デバイス
[00133] 図１４は、前述のデバイス、集積デバイス、集積回路（ＩＣ）パッケージ、集積回路（ＩＣ）デバイス、半導体デバイス、集積回路、ダイ、インターポーザ、パッケージ、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）、システムインパッケージ（ＳｉＰ）、またはシステムオンチップ（ＳｏＣ）のいずれかと一体化され得る、様々な電子デバイスを示す。たとえば、携帯電話デバイス１４０２、ラップトップコンピュータデバイス１４０４、固定位置端末デバイス１４０６、ウェアラブルデバイス１４０８、または自動車１４１０は、本明細書に記載のデバイス１４００を含み得る。デバイス１４００は、たとえば、本明細書に記載のデバイスおよび／または集積回路（ＩＣ）パッケージのいずれかであり得る。図１４に示されたデバイス１４０２、１４０４、１４０６および１４０８、ならびに自動車１４１０は、例示的なものにすぎない。他の電子デバイスもまた、一群のデバイス（たとえば電子デバイス）をそれだけには限らないが含むデバイス１４００を特徴とすることができ、この一群のデバイスは、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、パーソナルデジタルアシスタントなどの携帯型データユニット、全地球測位システム（ＧＰＳ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、メーター読み取り機器などの固定位置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス（たとえば、時計、眼鏡）、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、サーバ、ルータ、自動車（たとえば、自律走行車）に実装される電子デバイス、またはデータもしくはコンピュータ命令を記憶もしくは取り出す他の任意のデバイス、またはこれらの任意の組合せを含む。

【0121】

[00134] 図２～７、図８Ａ～８Ｄ、図９、図１０Ａ～１０Ｃ、図１１、図１２Ａ～１２Ｂ、および／もしくは図１３～１４に示される構成要素、プロセス、特徴、および／もしくは機能のうちの１つまたは複数が、単一の構成要素、プロセス、特徴もしくは機能に再構成および／もしくは組み合わされ得、またはいくつかの構成要素、プロセス、もしくは機能として具現化され得る。追加の要素、構成要素、プロセス、および／または機能もまた、本開示から逸脱することなく追加され得る。図２～７、図８Ａ～８Ｄ、図９、図１０Ａ～１０Ｃ、図１１、図１２Ａ～１２Ｂ、および／または図１３～１４と、本開示におけるその対応する記述とは、ダイおよび／またはＩＣに限定されないことにもまた留意されたい。いくつかの実施形態において、図２～７、図８Ａ～８Ｄ、図９、図１０Ａ～１０Ｃ、図１１、図１２Ａ～１２Ｂ、および／または図１３～１４と、その対応する記述とは、デバイスおよび／または集積デバイスを製造、生成、提供、および／または生産するのに使用され得る。いくつかの実施形態において、デバイスは、ダイ、集積デバイス、集積受動デバイス（ＩＰＤ）、ダイパッケージ、集積回路（ＩＣ）デバイス、デバイスパッケージ、集積回路（ＩＣ）パッケージ、ウェハ、半導体デバイス、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）デバイス、放熱デバイス、および／またはインターポーザを含み得る。

【0122】

[00135] 本開示の図は、様々な部品、構成要素、物体、デバイス、パッケージ、集積デバイス、集積回路、および／またはトランジスタを実際に表現したものおよび／または概念的に表現したものを表し得ることに留意されたい。場合によっては、図は原寸に比例していないことがある。場合によっては、明確にするために、すべての構成要素および／または部品が示されるとは限らないことがある。場合によっては、図中の様々な部品および／または構成要素の位置、場所、サイズ、および／または形状は、例示的なものであり得る。いくつかの実施形態において、図中の様々な構成要素および／または部品は、任意選択であり得る。

【0123】

[00136] 本明細書では、「例示的」という語は、「例、事例、または実例としての機能を果たすこと」を意味するものとして使用される。本明細書において「例示的」として説明される任意の実施形態または態様は、本開示の他の態様よりも好ましい、または有利であると必ずしも解釈されるものではない。同様に、「態様」という用語は、本開示のすべての態様が、論じられた特徴、利点または動作モードを含むことを要求するものではない。本明細書では、「結合された」という用語は、２つの物体間の直接または間接的な結合（たとえば、機械的結合）を指すために使用される。たとえば、物体Ａが物体Ｂに物理的に接触し、物体Ｂが物体Ｃに接触している場合、物体ＡとＣは、互いに物理的に直接接触していないとしても、やはり互いに結合していると考えられ得る。「電気的に結合された」という用語は、電流（たとえば、信号、電力、接地）が２つの物体間を伝わり得るように、２つの物体が直接または間接的に結合されることを意味し得る。電気的に結合される２つの物体は、２つの物体間を伝わる電流を有していることもいないこともある。「第１の」、「第２の」、「第３の」および「第４の」という用語（および／または第４を超えるどんなもものでも）の使用は、恣意的なものである。記載の構成要素のいずれかが、第１の構成要素、第２の構成要素、第３の構成要素、または第４の構成要素であり得る。たとえば、第２の構成要素と呼ばれる構成要素が、第１の構成要素、第２の構成要素、第３の構成要素、または第４の構成要素であり得る。「カプセル化する」という用語は、物体が他の物体を部分的にカプセル化し得る、または完全にカプセル化し得ることを意味する。「上」および「下」という用語は恣意的なものである。上部に置かれた構成要素が、下部に置かれている構成要素の上に位置することがある。上部の構成要素が下部の構成要素と考えられてもよく、逆も同様である。本開示に記載されているように、第２の構成要素の「上に」置かれた第１の構成要素は、下部または上部がどのように恣意的に定義されるかによって、第１の構成要素が第２の構成要素の上または下に位置することを意味し得る。別の例では、第１の構成要素は、第２の構成要素の第１の面の上に（たとえば、上方に）置かれ、第３の構成要素は、第２の構成要素の第２の面の上に（たとえば、下方に）置かれ、この第２の面は第１の面の反対側にある。本出願において、別の構成要素の上に置かれた１つの構成要素に関して使用される「上に」という用語は、別の構成要素上および／または別の構成要素内にある（たとえば、構成要素の表面にある、または構成要素内に埋め込まれている）構成要素を意味するために使用され得ることにさらに留意されたい。したがって、たとえば、第２の構成要素の上にある第１の構成要素は、（１）第１の構成要素が第２の構成要素の上にあるが、第２の構成要素と直接には接触していない、（２）第１の構成要素が第２の構成要素の上にある（たとえば、その表面にある）、および／または（３）第１の構成要素が第２の構成要素内にある（たとえば、埋め込まれている）ことを意味し得る。第２の構成要素の「中に」置かれている第１の構成要素は、第２の構成要素の中に部分的に置かれていること、または第２の構成要素の中に完全に置かれていることがあり得る。本開示で使用される『約「値Ｘ」』、または「およそ値Ｘ」という用語は、「値Ｘ」の１０％以内を意味する。たとえば、約１またはおよそ１という値は、０．９～１．１の範囲の値を意味する。

【0124】

[00137] いくつかの実施形態において、相互接続部とは、２つの点、要素および／または構成要素の間の電気的接続を可能または容易にする、デバイスまたはパッケージの要素または構成要素である。いくつかの実施形態において、相互接続部は、トレース、ビア、パッド、ピラー、メタライゼーション層、再分配層、および／またはアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層／相互接続部を含み得る。いくつかの実施形態において、相互接続部は、信号（たとえば、データ信号）、接地および／または電力の電気経路を提供するように構成され得る導電性材料を含み得る。相互接続部は、１つより多い要素または構成要素を含み得る。相互接続部は、１つまたは複数の相互接続部によって画定され得る。相互接続部は、１つまたは複数の金属層を含み得る。相互接続部は、回路の一部であり得る。異なる実施形態では、相互接続部を形成するための異なるプロセスおよび／または順序を使用することができる。いくつかの実施形態において、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス、物理蒸着（ＰＶＤ）プロセス、スパッタリングプロセス、スプレーコーティング、および／またはめっきプロセスが、相互接続部を形成するために使用され得る。

【0125】

[00138] また、本明細書に含まれる様々な開示は、フローチャート、流れ図、構造図、またはブロック図として描かれるプロセスとして説明される場合があることにも留意されたい。フローチャートは、動作を順次的なプロセスとして記述し得るが、動作の多くは並行して、または同時に実施されることが可能である。加えて、動作の順序は再構成され得る。プロセスは、その動作が完了したときに終了される。

【0126】

[00139] 以下では、本発明を理解しやすくするために、さらなる例が説明される。

【0127】

[00140] 態様１：複数の相互接続部を備える基板と、基板に結合された第１の集積デバイスと、基板に結合された第２の集積デバイスと、基板に結合された相互接続デバイスとを備えるパッケージであって、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、相互接続デバイスおよび基板が、第１の集積デバイスと第２の集積デバイスの間に、少なくとも基板を通り、相互接続デバイスを通り、再び基板を通って延びる、電気信号の電気経路を提供するように構成され、この電気経路が、対角に延びる少なくとも１つの相互接続部を含む、パッケージ。

【0128】

[00141] 態様２：第２の集積デバイスが、第１の集積デバイスの対角に置かれている、態様１に記載のパッケージ。

【0129】

[00142] 態様３：第２の集積デバイスが、基板の相互接続部に対して対角にある少なくとも１つの相互接続部を介して第１の集積デバイスに電気的に結合されるように構成される、態様１～２に記載のパッケージ。

【0130】

[00143] 態様４：相互接続デバイスが、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに対して回転された配置で基板に結合される、態様１～３に記載のパッケージ。

【0131】

[00144] 態様５：相互接続デバイスが、第１の方向に配置された第１の複数の相互接続部を備え、ここにおいて、第１の複数の相互接続部が第１の対の集積デバイスの間に少なくとも１つの電気経路を提供するように構成され、相互接続デバイスがさらに、第２の方向に配置された第２の複数の相互接続部を備え、第２の方向が第１の方向と直交しており、第２の複数の相互接続部が、第２の対の集積デバイス（a second pair of integrated devices）の間に少なくとも１つの電気経路を提供するように構成される、態様１～４に記載のパッケージ。

【0132】

[00145] 態様６：相互接続デバイスが、第１の集積デバイスと第２の集積デバイスの間に対角相互接続部を提供するように構成されている、マンハッタン構成で配置された第１の複数の相互接続部を備える、態様１～４に記載のパッケージ。

【0133】

[00146] 態様７：基板に結合された第３の集積デバイス（third integrated device）をさらに備え、第３の集積デバイスが、基板を介して第１の集積デバイスに電気的に結合されるように構成され、第３の集積デバイスが、基板を介して第２の集積デバイスに電気的に結合されるように構成され、さらに、基板に結合された第４の集積デバイス（fourth integrated device）を備え、第４の集積デバイスが、基板を介して第１の集積デバイスに電気的に結合されるように構成され、第４の集積デバイスが、基板を介して第２の集積デバイスに電気的に結合されるように構成され、第２の集積デバイスが、基板の第１象限に結合され、第３の集積デバイスが、基板の第２象限に結合され、第１の集積デバイスが、基板の第３象限に結合され、第４の集積デバイスが、基板の第４象限に結合されている、態様１～６に記載のパッケージ。

【0134】

[00147] 態様８：相互接続デバイスが、ダイ基板と、少なくとも１つの誘電体層と、複数の相互接続部とを備える、態様１～７に記載のパッケージ。

【0135】

[00148] 態様９：相互接続デバイスが、トランジスタがないダイを含む、態様１～８に記載のパッケージ。

【0136】

[00149] 態様１０：相互接続デバイスが、少なくとも１つの誘電体層と、第２の複数の相互接続部とを備えるブリッジ基板を含む、態様１～７に記載のパッケージ。

【0137】

[00150] 態様１１：相互接続デバイスが、第１の集積デバイスと第２の集積デバイスの間のブリッジとして構成される、態様１～１０に記載のパッケージ。

【0138】

[00151] 態様１２：パッケージが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、および自動車内のデバイスからなる群から選択されたデバイスに組み込まれる、態様１～１１に記載のパッケージ。

【0139】

[00152] 態様１３：複数の相互接続部を備える基板と、基板に結合された第１の集積デバイスと、基板に結合された第２の集積デバイスと、基板に結合されたデバイス相互接続のための手段とを備える装置であって、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、デバイス相互接続のための手段および基板が、第１の集積デバイスと第２の集積デバイスの間に、少なくとも基板を通り、デバイス相互接続のための手段を通り、再び基板を通って延びる、電気信号の電気経路を提供するように構成され、電気経路が、対角に延びる少なくとも１つの相互接続部を含む、装置。

【0140】

[00153] 態様１４：第２の集積デバイスが、基板の相互接続部に対して対角にある少なくとも１つの相互接続部を介して第１の集積デバイスに電気的に結合されるように構成される、態様１３に記載の装置。

【0141】

[00154] 態様１５：デバイス相互接続のための手段が、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに対して回転された配置で基板に結合される、態様１３～１４に記載の装置。

【0142】

[00155] 態様１６：デバイス相互接続のための手段が、マンハッタン構成で配置されている第１の複数の相互接続部を含む、態様１３～１５に記載の装置。

【0143】

[00156] 態様１７：マンハッタン構成で配置された第１の複数の相互接続部が、第１の集積デバイスと第２の集積デバイスの間に対角相互接続部を提供するように構成される、態様１３～１６に記載の装置。

【0144】

[00157] 態様１８：基板に結合された第３の集積デバイスをさらに備え、第３の集積デバイスが、基板を介して第１の集積デバイスに電気的に結合されるように構成され、第３の集積デバイスが、基板を介して第２の集積デバイスに電気的に結合されるように構成される、態様１３～１７に記載の装置。

【0145】

[00158] 態様１９：デバイス相互接続のための手段が、ダイ基板と、少なくとも１つの誘電体層と、第２の複数の相互接続部とを備える、態様１３～１８に記載の装置。

【0146】

[00159] 態様２０：デバイス相互接続のための手段が、第１の集積デバイスと第２の集積デバイスの間のブリッジ基板として構成される、態様１３～１８に記載の装置。

【0147】

[00160] 態様２１：パッケージを製作する方法であって、複数の相互接続部を備える基板を提供することと、基板に結合された第１の集積デバイスを提供することと、基板に結合された第２の集積デバイスを提供することと、相互接続デバイスを基板に結合することとを備え、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、相互接続デバイスおよび基板が、第１の集積デバイスと第２の集積デバイスの間に、少なくとも基板を通り、相互接続デバイスを通り、再び基板を通って延びる、電気信号の電気経路を提供するように構成され、この電気経路が、対角に延びる少なくとも１つの相互接続部を含む、方法。

【0148】

[00161] 態様２２：第２の集積デバイスが、対角状の少なくとも１つの相互接続部を介して第１の集積デバイスに電気的に結合されるように構成される、態様２１に記載の方法。

【0149】

[00162] 態様２３：相互接続デバイスが、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに対して回転された配置で基板に結合される、態様２１～２２に記載の方法。

【0150】

[00163] 態様２４：相互接続デバイスが、マンハッタン構成で配置されている第１の複数の相互接続部を含む、態様２１～２３に記載の方法。

【0151】

[00164] 態様２５：マンハッタン構成で配置された第１の複数の相互接続部が、第１の集積デバイスと第２の集積デバイスの間に対角相互接続部を提供するように構成される、態様２１～２４に記載の方法。

【0152】

[00165] 本明細書に記載された本開示の様々な特徴は、本開示から逸脱することなく、異なるシステムに実装されることが可能である。本開示の前述の態様は例示的なものにすぎず、本開示を限定すると解釈されるものではないことに留意されたい。本開示の態様についての説明は例示的なものであり、特許請求の範囲を限定するものではない。そのため、本教示は、他のタイプの装置に容易に適用されることが可能であり、多くの代替形態、修正形態および変形形態が当業者には明らかであろう。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8A】

【図8B】

【図8C】

【図8D】

【図9】

【図10A】

【図10B】

【図10C】

【図11】

【図12A】

【図12B】

【図13】

【図14】

【国際調査報告】