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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-01-25
(54)【発明の名称】アレイ基板及び表示パネル
(51)【国際特許分類】
   G02F 1/1368 20060101AFI20240118BHJP
   G02F 1/1343 20060101ALI20240118BHJP
   G02F 1/1345 20060101ALI20240118BHJP
【FI】
G02F1/1368
G02F1/1343
G02F1/1345
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2021562387
(86)(22)【出願日】2021-10-12
(85)【翻訳文提出日】2021-11-22
(86)【国際出願番号】 CN2021123267
(87)【国際公開番号】W WO2023050471
(87)【国際公開日】2023-04-06
(31)【優先権主張番号】202111152323.9
(32)【優先日】2021-09-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】515203228
【氏名又は名称】ティーシーエル チャイナスター オプトエレクトロニクス テクノロジー カンパニー リミテッド
【氏名又は名称原語表記】TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd.
【住所又は居所原語表記】No.9-2,Tangming Rd,Guangming New District,Shenzhen,Guangdong,China 518132
(74)【代理人】
【識別番号】100204386
【弁理士】
【氏名又は名称】松村 啓
(72)【発明者】
【氏名】林 幼煌
(72)【発明者】
【氏名】湛 志明
【テーマコード(参考)】
2H092
2H192
【Fターム(参考)】
2H092GA14
2H092GA17
2H092GA34
2H092JA24
2H092JB42
2H092JB46
2H092JB69
2H092NA01
2H092NA07
2H192AA24
2H192BA25
2H192BC24
2H192BC26
2H192CB22
2H192CC22
2H192DA12
2H192EA43
(57)【要約】
本願はアレイ基板及び表示パネルを開示する。アレイ基板は複数の画素と、複数本のデータ線と、複数本のゲート線と、複数本の共有電極線と、複数本の共通電極線と、共有電極バスとを含む。各々の画素は第1サブ画素及び第2サブ画素を含む。各々の画素行中では、隣接する第1サブ画素行と第2サブ画素行との間に第1間隔を有する。各々のゲート線は対応する第1間隔中に設置される。各々の共有電極線は対応する第1間隔中に設置され、且つ対応するゲート線に隣接する。各々の共通電極線は隣接する2つの第1間隔の間に設置される。共有電極バスは複数本の共有電極線と接続される。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
アレイ基板であって、表示領域及び前記表示領域を取り囲む非表示領域と、複数の画素と、複数本のデータ線と、複数本のゲート線と、複数本の共有電極線と、複数本の共通電極線と、共有電極バスと、共通電極バスと、を含み、
前記複数の画素は、前記表示領域に設置され、各々の前記画素は列方向に沿って配列される第1サブ画素と第2サブ画素とを含み、前記複数の画素は複数の画素行と複数の画素列とを含み、且つ各々の前記画素行中では、隣接する第1サブ画素行と第2サブ画素行との間に第1間隔を有し、隣接する2つの前記画素行の間に第2間隔を有し、
前記複数本のデータ線は、前記列方向に沿って延伸し、且つ前記複数の画素列と接続され、
前記複数本のゲート線は、行方向に沿って延伸し、且つ前記複数の画素行と接続され、各々の前記ゲート線は対応する前記第1間隔中に設置され、
前記複数本の共有電極線は、前記行方向に沿って延伸し、且つ各々の前記共有電極線は対応する前記第1間隔中に設置され、且つ対応する前記ゲート線に隣接し、
前記複数本の共通電極線は、各々の前記共通電極線が隣接する2つの前記第1間隔の間に設置され、各々の前記共通電極線は主電極と複数の櫛形電極とを含み、前記主電極は前記行方向に沿って延伸し且つ対応する前記第2間隔の間に設置され、前記複数の櫛形電極は前記列方向に沿って延伸し、且つ少なくとも1つの隣接する前記第1間隔に向かって延伸し、
前記共有電極バスは、前記列方向に沿って延伸し、前記非表示領域に設置され、且つ前記複数本の共有電極線と接続され、
前記共通電極バスは、前記列方向に沿って延伸し、前記非表示領域に設置され、且つ各々の前記主電極と接続される、アレイ基板。
【請求項2】
前記複数本のゲート線、前記複数本の共有電極線、及び前記複数本の共通電極線は第1金属層に設置され、
前記共有電極バスは前記第1金属層に設置され、又は前記共有電極バス及び前記複数本のデータ線は第2金属層に設置される、請求項1に記載のアレイ基板。
【請求項3】
アレイ基板であって、表示領域及び前記表示領域を取り囲む非表示領域と、複数の画素と、複数本のデータ線と、複数本のゲート線と、複数本の共有電極線と、複数本の共通電極線と、共有電極バスと、を含み、
前記複数の画素は、前記表示領域に設置され、各々の前記画素は列方向に沿って配列される第1サブ画素と第2サブ画素とを含み、前記複数の画素は複数の画素行と複数の画素列とを含み、且つ各々の前記画素行中では、隣接する第1サブ画素行と第2サブ画素行との間に第1間隔を有し、
前記複数本のデータ線は、前記列方向に沿って延伸し、且つ前記複数の画素列と接続され、
前記複数本のゲート線は、行方向に沿って延伸し、且つ前記複数の画素行と接続され、各々の前記ゲート線は対応する前記第1間隔中に設置され、
前記複数本の共有電極線は、前記行方向に沿って延伸し、且つ各々の前記共有電極線は対応する前記第1間隔中に設置され、且つ対応する前記ゲート線に隣接し、
前記複数本の共通電極線は、各々の前記共通電極線が隣接する2つの前記第1間隔の間に設置され、
前記共有電極バスは、前記列方向に沿って延伸し、前記非表示領域に設置され、且つ前記複数本の共有電極線と接続される、アレイ基板。
【請求項4】
前記複数本のゲート線、前記複数本の共有電極線、及び前記複数本の共通電極線は第1金属層に設置される、請求項3に記載のアレイ基板。
【請求項5】
前記共有電極バスは前記第1金属層に設置される、請求項4に記載のアレイ基板。
【請求項6】
前記複数本の共有電極線及び前記共有電極バスは異なる層に設置され、且つ前記共有電極バス及び前記複数本のデータ線は第2金属層に設置される、請求項4に記載のアレイ基板。
【請求項7】
前記アレイ基板は更に複数の修復電極を含み、前記複数の修復電極は前記複数本の共通電極線と接続される、請求項3に記載のアレイ基板。
【請求項8】
前記アレイ基板は更にベース板を含み、複数の画素のうちの1つの前記画素中では、前記第1サブ画素は第1画素電極を含み、前記第2サブ画素は第2画素電極を含み、
前記第1画素電極及び前記第2画素電極の前記ベース板上での正投影はそれぞれ少なくとも1つの前記修復電極の正投影と重なる、請求項7に記載のアレイ基板。
【請求項9】
前記アレイ基板は更にベース板を含み、前記複数本の共有電極線の前記ベース板上での正投影と前記複数本の共通電極線の前記ベース板上での正投影とは互いに重ならない、請求項3に記載のアレイ基板。
【請求項10】
複数の画素のうちの1つの前記画素中では、前記画素は共有薄膜トランジスタを含み、前記第1サブ画素は第1薄膜トランジスタと第1画素電極とを含み、前記第2サブ画素は第2薄膜トランジスタと第2画素電極とを含み、
前記共有薄膜トランジスタ、前記第1薄膜トランジスタ、及び前記第2薄膜トランジスタのゲートは同一の前記ゲート線と接続され、
前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタのソースは同一の前記データ線と接続され、
前記第1薄膜トランジスタのドレインは前記第1画素電極に接続され、前記第2薄膜トランジスタのドレインは前記第2画素電極に接続され、
前記共有薄膜トランジスタのドレインは前記第2薄膜トランジスタの前記ドレインに接続され、前記共有薄膜トランジスタのソースは複数本の共有電極線のうちの1つの前記共有電極線に接続され、前記共有薄膜トランジスタの前記ゲート及び前記ソースにそれぞれ接続される前記ゲート線及び前記共有電極線は同一の前記第1間隔中に設置される、請求項3に記載のアレイ基板。
【請求項11】
隣接する2つの前記画素行の間に第2間隔を有し、
各々の前記共通電極線は主電極と複数の櫛形電極とを含み、
前記主電極は前記行方向に沿って延伸し、且つ対応する前記第2間隔の間に設置され、
前記複数の櫛形電極は前記列方向に沿って延伸し、且つ少なくとも1つの隣接する前記第1間隔に向かって延伸し、
前記アレイ基板は更に、前記列方向に沿って延伸し、前記非表示領域に設置され、且つ各々の前記主電極と接続される共通電極バスを含む、請求項3に記載のアレイ基板。
【請求項12】
表示パネルであって、アレイ基板と、カラーフィルム基板と、液晶層と、を含み、
前記カラーフィルム基板は、前記アレイ基板と対向して設置され、
前記液晶層は、前記アレイ基板と前記カラーフィルム基板との間に設置され、前記アレイ基板は、
表示領域及び前記表示領域を取り囲む非表示領域と、複数の画素と、複数本のデータ線と、複数本のゲート線と、複数本の共有電極線と、複数本の共通電極線と、共有電極バスと、を含み、
前記複数の画素は、前記表示領域に設置され、各々の前記画素は列方向に沿って配列される第1サブ画素と第2サブ画素とを含み、前記複数の画素は複数の画素行と複数の画素列とを含み、且つ各々の前記画素行中では、隣接する第1サブ画素行と第2サブ画素行との間に第1間隔を有し、
前記複数本のデータ線は、前記列方向に沿って延伸し、且つ前記複数の画素列と接続され、
前記複数本のゲート線は、行方向に沿って延伸し、且つ前記複数の画素行と接続され、各々の前記ゲート線は対応する前記第1間隔中に設置され、
前記複数本の共有電極線は、前記行方向に沿って延伸し、且つ各々の前記共有電極線は対応する前記第1間隔中に設置され、且つ対応する前記ゲート線に隣接し、
前記複数本の共通電極線は、各々の前記共通電極線が隣接する2つの前記第1間隔の間に設置され、
前記共有電極バスは、前記列方向に沿って延伸し、前記非表示領域に設置され、且つ前記複数本の共有電極線と接続される、表示パネル。
【請求項13】
前記複数本のゲート線、前記複数本の共有電極線、及び前記複数本の共通電極線は第1金属層に設置される、請求項12に記載の表示パネル。
【請求項14】
前記共有電極バスは前記第1金属層に設置される、請求項13に記載の表示パネル。
【請求項15】
前記複数本の共有電極線及び前記共有電極バスは異なる層に設置され、且つ前記共有電極バス及び前記複数本のデータ線は第2金属層に設置される、請求項13に記載の表示パネル。
【請求項16】
前記アレイ基板は更に複数の修復電極を含み、前記複数の修復電極は前記複数本の共通電極線と接続される、請求項12に記載の表示パネル。
【請求項17】
前記アレイ基板は更にベース板を含み、複数の画素のうちの1つの前記画素中では、前記第1サブ画素は第1画素電極を含み、前記第2サブ画素は第2画素電極を含み、
前記第1画素電極及び前記第2画素電極の前記ベース板上での正投影はそれぞれ少なくとも1つの前記修復電極の正投影と重なる、請求項16に記載の表示パネル。
【請求項18】
前記アレイ基板は更にベース板を含み、前記複数本の共有電極線の前記ベース板上での正投影と前記複数本の共通電極線の前記ベース板上での正投影とは互いに重ならない、請求項12に記載の表示パネル。
【請求項19】
複数の画素のうちの1つの前記画素中では、前記画素は共有薄膜トランジスタを含み、前記第1サブ画素は第1薄膜トランジスタと第1画素電極とを含み、前記第2サブ画素は第2薄膜トランジスタと第2画素電極とを含み、
前記共有薄膜トランジスタ、前記第1薄膜トランジスタ、及び前記第2薄膜トランジスタのゲートは同一の前記ゲート線と接続され、
前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタのソースは同一の前記データ線と接続され、
前記第1薄膜トランジスタのドレインは前記第1画素電極に接続され、前記第2薄膜トランジスタのドレインは前記第2画素電極に接続され、
前記共有薄膜トランジスタのドレインは前記第2薄膜トランジスタの前記ドレインに接続され、前記共有薄膜トランジスタのソースは複数本の共有電極線のうちの1つの前記共有電極線に接続され、前記共有薄膜トランジスタの前記ゲート及び前記ソースにそれぞれ接続される前記ゲート線及び前記共有電極線は同一の前記第1間隔中に設置される、請求項12に記載の表示パネル。
【請求項20】
隣接する2つの前記画素行の間に第2間隔を有し、
各々の前記共通電極線は主電極と複数の櫛形電極とを含み、
前記主電極は前記行方向に沿って延伸し、且つ対応する前記第2間隔の間に設置され、
前記複数の櫛形電極は前記列方向に沿って延伸し、且つ少なくとも1つの隣接する前記第1間隔に向かって延伸し、
前記アレイ基板は更に、前記列方向に沿って延伸し、前記非表示領域に設置され、且つ各々の前記主電極と接続される共通電極バスを含む、請求項12に記載の表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は表示技術分野に関し、特にアレイ基板及び表示パネルに関する。
【背景技術】
【0002】
図1に参照されるように、それは従来技術のアレイ基板10の模式図を表示する。アレイ基板10はデータ線11と、ゲート線12と、共通電極13と、共有電極14と、第1トランジスタ15と、第2トランジスタ16と、第3トランジスタ17と、を含む。図1はアレイ基板10中の1つの画素ユニットを表示し、それは第1サブ画素18と、第2サブ画素19と、を含む。
【0003】
図1に示すように、共有電極14は第1サブ画素18から第2サブ画素19まで延伸し、且つ共有電極14の一部は画素ユニットの開口領域まで設置される。光漏れを回避するために、共有電極14の下方に、共有電極14よりもわずかに広い金属層、すなわち画素ユニットの開口領域(表示領域)まで延伸する共通電極13の部分を設置する必要がある。しかし、上記比較的広い共通電極13の設計の採用は開口率の低減を引き起こすようになる。次に、画素ユニットの開口領域内に設置される共通電極13は反射率の増加を引き起こすようになる。また、縦方向に延伸して複数の画素ユニットを通過する共有電極14にはジャンパー線が断線して短絡を引き起こすというリスクが存在する。
【0004】
一方、伝統的なアレイ基板10の製造方法では、4つの光マスクプロセスは幅広く採用されている。すなわち、ゲート線12及び共通電極13は第1金属層に形成され、及び、データ線11、共有電極14、及びトランジスタ15、16、17のソース/ドレインは第2金属層に形成される。従って、製造プロセスの制限を受けて、共有電極14は同じ層に設置される他の素子の配線設計を制限するようになる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上記従来技術の問題を解決するために、本願は、アレイ基板及び表示パネルを提供することを目的とし、それは大視野角下で表示パネルに色かぶりが出現することを回避でき、且つさらに表示パネルの開口率を向上させ、製造プロセスの歩留まりを向上させ、及び反射率を低減させることができる。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記目的を達成するために、本願はアレイ基板を提供し、表示領域及び前記表示領域を取り囲む非表示領域と、複数の画素と、複数本のデータ線と、複数本のゲート線と、複数本の共有電極線と、複数本の共通電極線と、共有電極バスと、共通電極バスと、を含み、前記複数の画素は、前記表示領域に設置され、各々の前記画素は列方向に沿って配列される第1サブ画素と第2サブ画素とを含み、前記複数の画素は複数の画素行と複数の画素列とを含み、且つ各々の前記画素行中では、隣接する第1サブ画素行と第2サブ画素行との間に第1間隔を有し、隣接する2つの前記画素行の間に第2間隔を有し、前記複数本のデータ線は、前記列方向に沿って延伸し、且つ前記複数の画素列と接続され、前記複数本のゲート線は、行方向に沿って延伸し、且つ前記複数の画素行と接続され、各々の前記ゲート線は対応する前記第1間隔中に設置され、前記複数本の共有電極線は、前記行方向に沿って延伸し、且つ各々の前記共有電極線は対応する前記第1間隔中に設置され、且つ対応する前記ゲート線に隣接し、前記複数本の共通電極線は、各々の前記共通電極線が隣接する2つの前記第1間隔の間に設置され、各々の前記共通電極線は主電極と複数の櫛形電極とを含み、前記主電極は前記行方向に沿って延伸し且つ対応する前記第2間隔の間に設置され、前記複数の櫛形電極は前記列方向に沿って延伸し、且つ少なくとも1つの隣接する前記第1間隔に向かって延伸し、前記共有電極バスは、前記列方向に沿って延伸し、前記非表示領域に設置され、且つ前記複数本の共有電極線と接続され、前記共通電極バスは、前記列方向に沿って延伸し、前記非表示領域に設置され、且つ各々の前記主電極と接続される。
【0007】
いくつかの実施例では、前記複数本のゲート線、前記複数本の共有電極線、及び前記複数本の共通電極線は第1金属層に設置され、前記共有電極バスは前記第1金属層に設置され、又は前記共有電極バス及び前記複数本のデータ線は第2金属層に設置される。本願は更にアレイ基板を提供し、表示領域及び前記表示領域を取り囲む非表示領域と、複数の画素と、複数本のデータ線と、複数本のゲート線と、複数本の共有電極線と、複数本の共通電極線と、共有電極バスと、を含み、前記複数の画素は、前記表示領域に設置され、各々の前記画素は列方向に沿って配列される第1サブ画素と第2サブ画素とを含み、前記複数の画素は複数の画素行と複数の画素列とを含み、且つ各々の前記画素行中では、隣接する第1サブ画素行と第2サブ画素行との間に第1間隔を有し、前記複数本のデータ線は、前記列方向に沿って延伸し、且つ前記複数の画素列と接続され、前記複数本のゲート線は、行方向に沿って延伸し、且つ前記複数の画素行と接続され、各々の前記ゲート線は対応する前記第1間隔中に設置され、前記複数本の共有電極線は、前記行方向に沿って延伸し、且つ各々の前記共有電極線は対応する前記第1間隔中に設置され、且つ対応する前記ゲート線に隣接し、前記複数本の共通電極線は、各々の前記共通電極線が隣接する2つの前記第1間隔の間に設置され、前記共有電極バスは、前記列方向に沿って延伸し、前記非表示領域に設置され、且つ前記複数本の共有電極線と接続される。
【0008】
いくつかの実施例では、前記複数本のゲート線、前記複数本の共有電極線、及び前記複数本の共通電極線は第1金属層に設置される。
【0009】
いくつかの実施例では、前記共有電極バスは前記第1金属層に設置される。
【0010】
いくつかの実施例では、前記複数本の共有電極線及び前記共有電極バスは異なる層に設置され、且つ前記共有電極バス及び前記複数本のデータ線は第2金属層に設置される。
【0011】
いくつかの実施例では、前記アレイ基板は更に複数の修復電極を含み、前記複数の修復電極は前記複数本の共通電極線と接続される。
【0012】
いくつかの実施例では、前記アレイ基板は更にベース板を含み、そのうちの1つの前記画素中では、前記第1サブ画素は第1画素電極を含み、前記第2サブ画素は第2画素電極を含み、前記第1画素電極及び前記第2画素電極の前記ベース板上での正投影はそれぞれ少なくとも1つの前記修復電極の正投影と重なる。
【0013】
いくつかの実施例では、前記アレイ基板は更にベース板を含み、前記複数本の共有電極線の前記ベース板上での正投影と前記複数本の共通電極線の前記ベース板上での正投影とは互いに重ならない。
【0014】
いくつかの実施例では、そのうちの1つの前記画素中では、前記画素は共有薄膜トランジスタを含み、前記第1サブ画素は第1薄膜トランジスタと第1画素電極とを含み、前記第2サブ画素は第2薄膜トランジスタと第2画素電極とを含み、前記共有薄膜トランジスタ、前記第1薄膜トランジスタ、及び前記第2薄膜トランジスタのゲートは同一の前記ゲート線と接続され、前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタのソースは同一の前記データ線と接続され、前記第1薄膜トランジスタのドレインは前記第1画素電極に接続され、前記第2薄膜トランジスタのドレインは前記第2画素電極に接続され、前記共有薄膜トランジスタのドレインは前記第2薄膜トランジスタの前記ドレインに接続され、前記共有薄膜トランジスタのソースはそのうちの1つの前記共有電極線に接続され、前記共有薄膜トランジスタの前記ゲート及び前記ソースにそれぞれ接続される前記ゲート線及び前記共有電極線は同一の前記第1間隔中に設置される。
【0015】
いくつかの実施例では、隣接する2つの前記画素行の間に第2間隔を有し、各々の前記共通電極線は主電極と複数の櫛形電極とを含み、前記主電極は前記行方向に沿って延伸し、且つ対応する前記第2間隔の間に設置され、前記複数の櫛形電極は前記列方向に沿って延伸し、且つ少なくとも1つの隣接する前記第1間隔に向かって延伸し、前記アレイ基板は更に、前記列方向に沿って延伸し、前記非表示領域に設置され、且つ各々の前記主電極と接続される共通電極バスを含む。
【0016】
本願は更に表示パネルを提供し、アレイ基板と、カラーフィルム基板と、液晶層と、を含み、前記カラーフィルム基板は、前記アレイ基板と対向して設置され、前記液晶層は、前記アレイ基板と前記カラーフィルム基板との間に設置され、前記アレイ基板は、表示領域及び前記表示領域を取り囲む非表示領域と、複数の画素と、複数本のデータ線と、複数本のゲート線と、複数本の共有電極線と、複数本の共通電極線と、共有電極バスと、を含み、前記複数の画素は、前記表示領域に設置され、各々の前記画素は列方向に沿って配列される第1サブ画素と第2サブ画素とを含み、前記複数の画素は複数の画素行と複数の画素列とを含み、且つ各々の前記画素行中では、隣接する第1サブ画素行と第2サブ画素行との間に第1間隔を有し、前記複数本のデータ線は、前記列方向に沿って延伸し、且つ前記複数の画素列と接続され、前記複数本のゲート線は、行方向に沿って延伸し、且つ前記複数の画素行と接続され、各々の前記ゲート線は対応する前記第1間隔中に設置され、前記複数本の共有電極線は、前記行方向に沿って延伸し、且つ各々の前記共有電極線は対応する前記第1間隔中に設置され、且つ対応する前記ゲート線に隣接し、前記複数本の共通電極線は、各々の前記共通電極線が隣接する2つの前記第1間隔の間に設置され、前記共有電極バスは、前記列方向に沿って延伸し、前記非表示領域に設置され、且つ前記複数本の共有電極線と接続される。
【0017】
いくつかの実施例では、前記複数本のゲート線、前記複数本の共有電極線、及び前記複数本の共通電極線は第1金属層に設置される。
【0018】
いくつかの実施例では、前記共有電極バスは前記第1金属層に設置される。
【0019】
いくつかの実施例では、前記複数本の共有電極線及び前記共有電極バスは異なる層に設置され、且つ前記共有電極バス及び前記複数本のデータ線は第2金属層に設置される。
【0020】
いくつかの実施例では、前記アレイ基板は更に複数の修復電極を含み、前記複数の修復電極は前記複数本の共通電極線と接続される。
【0021】
いくつかの実施例では、前記アレイ基板は更にベース板を含み、そのうちの1つの前記画素中では、前記第1サブ画素は第1画素電極を含み、前記第2サブ画素は第2画素電極を含み、前記第1画素電極及び前記第2画素電極の前記ベース板上での正投影はそれぞれ少なくとも1つの前記修復電極の正投影と重なる。
【0022】
いくつかの実施例では、前記アレイ基板は更にベース板を含み、前記複数本の共有電極線の前記ベース板上での正投影と前記複数本の共通電極線の前記ベース板上での正投影とは互いに重ならない。
【0023】
いくつかの実施例では、そのうちの1つの前記画素中では、前記画素は共有薄膜トランジスタを含み、前記第1サブ画素は第1薄膜トランジスタと第1画素電極とを含み、前記第2サブ画素は第2薄膜トランジスタと第2画素電極とを含み、前記共有薄膜トランジスタ、前記第1薄膜トランジスタ、及び前記第2薄膜トランジスタのゲートは同一の前記ゲート線と接続され、前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタのソースは同一の前記データ線と接続され、前記第1薄膜トランジスタのドレインは前記第1画素電極に接続され、前記第2薄膜トランジスタのドレインは前記第2画素電極に接続され、前記共有薄膜トランジスタのドレインは前記第2薄膜トランジスタの前記ドレインに接続され、前記共有薄膜トランジスタのソースはそのうちの1つの前記共有電極線に接続され、前記共有薄膜トランジスタの前記ゲート及び前記ソースにそれぞれ接続される前記ゲート線及び前記共有電極線は同一の前記第1間隔中に設置される。
【0024】
いくつかの実施例では、隣接する2つの前記画素行の間に第2間隔を有し、各々の前記共通電極線は主電極と複数の櫛形電極とを含み、前記主電極は前記行方向に沿って延伸し、且つ対応する前記第2間隔の間に設置され、前記複数の櫛形電極は前記列方向に沿って延伸し、且つ少なくとも1つの隣接する前記第1間隔に向かって延伸し、前記アレイ基板は更に、前記列方向に沿って延伸し、前記非表示領域に設置され、且つ各々の前記主電極と接続される共通電極バスを含む。
【発明の効果】
【0025】
[有益な効果]
以前の技術に比べて、本願の共有電極線と共通電極線とは別々に設置され、且つ共有電極線は画素の開口領域まで延伸することがなく、そのため、開口率を効果的に向上させることができる。
【0026】
以下、図面と併せて、本願の具体的な実施形態を詳細に記述することによって、本願の技術的手段及び他の有益な効果を明らかにする。
【図面の簡単な説明】
【0027】
図1】従来技術のアレイ基板の模式図を表示する。
図2】本願の第1実施例によるアレイ基板の第1金属層の模式図を表示する。
図3図2のA部分の画素の構造模式図を表示する。
図4図3のB-B切断線に沿う断面図を表示する。
図5図3のアレイ基板の第1金属層及び第2金属層の模式図を表示する。
図6】本願の第2実施例によるアレイ基板の模式図を表示する。
図7】本願の第3実施例によるアレイ基板の模式図を表示する。
図8】本願の実施例による表示パネルを表示する。
【発明を実施するための形態】
【0028】
以下、本願の実施例中の図面と併せて、本願の実施例中の技術的手段に対して明確で、完全な記述を行う。明らかに、記述される実施例は単に本願の一部の実施例であり、全部の実施例ではない。本願の実施例に基づき、当業者が創造的な労働をしない前提下で取得するすべての他の実施例は、いずれも本願の保護範囲に属する。
【0029】
図2及び図3に参照されるように、図2は本願の第1実施例によるアレイ基板の第1金属層の模式図を表示し、図3図2のA部分の画素の構造模式図を表示する。アレイ基板100は表示領域101と、非表示領域102と、複数の画素110と、複数本のゲート線120と、複数本のデータ線130と、複数本の共有電極線140と、複数本の共通電極線150と、共有電極バス141と、ゲートドライバ121と、を含む。図2に示される画素領域103は1つの画素110がカバーする領域に対応する。データ線130及び共有電極バス141は列方向に沿って延伸し、ゲート線120及び共有電極線140は行方向に沿って延伸する。
【0030】
図2に示すように、非表示領域102は表示領域101を取り囲む。複数の画素110は表示領域101に設置される。共有電極バス141及びゲートドライバ121は非表示領域102に設置される。すべてのゲート線120は表示領域101から非表示領域102まで延伸し、且つゲートドライバ121と接続される。すべての共有電極線140は表示領域101から非表示領域102まで延伸し、且つ共有電極バス141と接続される。
【0031】
図3に示すように、各々の画素110は列方向に沿って配列される第1サブ画素111と、第2サブ画素112と、を含む。なお、図2に示すように、複数の画素110は複数の画素行104と、複数の画素列と、を含む。各々のデータ線130はそのうちの1つの画素列と接続され、各々のゲート線120はそのうちの1つの画素行104と接続される。各々の画素行104中では、隣接する第1サブ画素行105と第2サブ画素行106との間に第1間隔107を有する。各々のゲート線120は対応する第1間隔107中に設置され、各々の共有電極線140も対応する第1間隔107中に設置され且つ対応するゲート線120に隣接する。つまり、対応する第1間隔107中に、隣接するゲート線120及び共有電極線140が設置されている。各々の共通電極線150は隣接する2つの第1間隔107の間に設置される。この他、隣接する2つの画素行104の間に第2間隔108を有する。
【0032】
図3に示すように、各々の画素110は共有薄膜トランジスタ117を含む。且つ、1つの画素110中では、第1サブ画素111は第1薄膜トランジスタ113と、第1画素電極115と、を含み、第2サブ画素112は第2薄膜トランジスタ114と、第2画素電極116と、を含む。
【0033】
図2に示すように、各々の共通電極線150は主電極151と、複数の櫛形電極152と、を含む。主電極151は行方向に沿って延伸し、且つ対応する第2間隔108の間に設置される。櫛形電極152は列方向に沿って延伸し、且つ少なくとも1つの隣接する第1間隔107に向かって延伸する。図3に示すように、共通電極線150と画素電極115、116とは部分的に重なって記憶コンデンサを形成する。注意すべき点として、本実施例では、アレイ基板100の第1間隔107内に共通電極線150がない。従って、第1画素電極115の共有電極線140に近接する側辺を除き、共通電極線150は第1画素電極115の残りの側辺と重なる。且つ、第2画素電極116のゲート線120に近接する側辺を除き、共通電極線150は第2画素電極116の残りの側辺と重なる。
【0034】
図3及び図4に参照されるように、ここで図4図3のB-B切断線に沿う断面図を表示する。アレイ基板100は更にベース板401と、第1絶縁層402と、活性層403と、第2絶縁層404と、第1接続電極118と、を含む。ゲート線120及び共有電極線140はベース板401上に設置される。第1絶縁層402はベース板401、ゲート線120及び共有電極線140上に設置される。活性層403は第1絶縁層402上に設置される。第1薄膜トランジスタ113、第2薄膜トランジスタ114及び共有薄膜トランジスタ117のソース/ドレインは活性層403上に設置される。第2絶縁層404は第1薄膜トランジスタ113、第2薄膜トランジスタ114及び共有薄膜トランジスタ117のソース/ドレイン上に設置される。且つ、第2絶縁層404は第1ビアホールH1と、第2ビアホールH2と、第3ビアホールH3と、を含んでいる。第1ビアホールH1は第1薄膜トランジスタ113のドレインを露出させることに用いられる。第2ビアホールH2は第2薄膜トランジスタ114のドレインを露出させることに用いられる。第3ビアホールH3は共有薄膜トランジスタ117のドレイン及び共有電極線140を露出させることに用いられる。
【0035】
図3及び図4に示すように、1つの画素110中では、共有薄膜トランジスタ117、第1薄膜トランジスタ113及び第2薄膜トランジスタ114のゲートは同一本のゲート線120と接続される。なお、第1薄膜トランジスタ113及び第2薄膜トランジスタ114のソースは同一本のデータ線130と接続される。第1画素電極115は第2絶縁層404上に設置され、且つ第1ビアホールH1によって第1薄膜トランジスタ113のドレインと接続される。第2画素電極116は第2絶縁層404上に設置され、且つ第2ビアホールH2によって第2薄膜トランジスタ114のドレインと接続される。第1接続電極118は第2絶縁層404上に設置され且つ第3ビアホールH3のホール壁を被覆する。第1接続電極118は共有薄膜トランジスタ117のソースと共有電極線140とを接続することに用いられる。共有薄膜トランジスタ117のドレインは第1薄膜トランジスタ113のドレインと接続される。1つの画素110中では、共有薄膜トランジスタ117のゲート及びソースにそれぞれ接続されるゲート線120及び共有電極線140は互いに隣接して同一の第1間隔107中に設置される。
【0036】
図3及び図4に示すように、1つの画素110中では、共有薄膜トランジスタ117、第1薄膜トランジスタ113及び第2薄膜トランジスタ114は同一本のゲート線120を経由して制御される。ゲートが開かれるとき、第1薄膜トランジスタ113及び第2薄膜トランジスタ114はそれぞれ第1画素電極115及び第2画素電極116を充電する。同時に、共有薄膜トランジスタ117は既に第1画素電極115に充電された電荷の一部を共有電極線140に漏らすことによって、第1サブ画素111の電位を引き下げることになる。したがって、第1サブ画素111と第2サブ画素112との電位差値を確保し、さらに広い視野角下での表示パネルの視覚色かぶりの現象を改善する。
【0037】
図1及び図5に参照されるように、図5図3のアレイ基板の第1金属層及び第2金属層の模式図を表示する。複数本のゲート線120、複数本の共有電極線140及び複数本の共通電極線150は第1金属層に設置される。複数本のデータ線130と第1薄膜トランジスタ113、第2薄膜トランジスタ114及び共有薄膜トランジスタ117のソース/ドレインとは第2金属層に設置される。電極線140及びゲート線120は同じ層に設置されるものであるため、共有電極線140のベース板401上での正投影と共通電極線150のベース板401上での正投影とは互いに重ならない。従来技術に比べて、本願の共有電極線140と共通電極線150とは別々に設置され、且つ共有電極線140は画素110の開口領域(表示領域)まで延伸することがなく、そのため、開口率を効果的に向上させることができる。次に、画素110の開口領域に光漏れを回避する金属層を設置する必要もなく、そのため、反射率を低減させることができる。また、共有電極線140はアレイ基板の最下層の第1金属層に形成されるため、共有電極線140はジャンパー線を採用する設計を使用する必要がなく、さらにジャンパー線が断線するため引き起こす短絡の問題を回避できる。一方、共有電極線140がゲート線120及び共通電極線150と同じ層に設置されるため、さらなる金属層を増加する必要がなく、薄膜トランジスタのソース/ドレイン及びデータ線の配線設計を制限することもない。
【0038】
図3及び図5に示すように、アレイ基板100は更に複数の修復電極160を含む。修復電極160は共通電極線150と接続される。具体的に言えば、修復電極160は共通電極線150の各々のサブ画素中まで延伸する少なくとも1つの櫛形電極152と接続される。好ましくは、共通電極線150は櫛形電極152の末端に接続される。いくつかの実施例では、修復電極160と共通電極線150とは同一層に形成され、すなわち両者は一体に成形される。例を挙げると、修復電極160は共通電極線150の末端に形成される。各々の画素110中では、第1画素電極115及び第2画素電極116のベース板上での正投影はそれぞれ少なくとも1つの修復電極160の正投影と重なる。
【0039】
理解されるべきであるように、修復電極160は画素の滅点化修復をすることに用いられる。具体的に言えば、点灯テストのとき、短絡に起因する輝点を有すると検出したとする。この欠陥に対して、修復電極160によって該輝点を無くすことができる。例を挙げると、レーザを使用して修復電極160を照射することで共通電極線150と対応する画素電極とを接続する。このとき、修復後の画素中では、アレイ基板100と対向設置されるカラーフィルム基板との共通電圧の電圧差が同様であり、従って該画素は発光することがなく、さらに滅点化修復を完了する。
【0040】
図2に示すように、本実施例では、共有電極バス141は第1金属層に設置される。且つ、共有電極バス141及びゲートドライバ121はそれぞれアレイ基板100の対向する両側に設置される。
【0041】
図6に参照されるように、それは本願の第2実施例によるアレイ基板の模式図を表示する。第2実施例では、ゲート線220、共有電極線240及び共通電極線250は第1金属層に設置され、データ線230は第2金属層に設置される。第2実施例のアレイ基板200と第1実施例のアレイ基板100とは略同じであり、両者の相違点は、第2実施例のアレイ基板200の共有電極バス241が第2金属層に設置され、ゲートドライバ221及び共有電極バス241がアレイ基板200の同一側に設置されることである。共有電極バス241は第2接続電極271によって共有電極線240と接続される。一方、アレイ基板200の表示領域中の各素子の設計は第1実施例と同じであり、ここでは繰り返さない。
【0042】
図7に参照されるように、それは本願の第3実施例によるアレイ基板の模式図を表示する。第3実施例では、アレイ基板300は更に共通電極バス353を含み、それはすべての共通電極線350の主電極と接続される。共通電極バス353は列方向に沿って延伸し、且つ非表示領域に設置される。ゲート線320、共有電極線340、共有電極バス341、共通電極線350及び共通電極バス353は第1金属層に設置される。データ線330は第2金属層に設置される。ゲートドライバ321、共有電極バス341及び共通電極バス353はアレイ基板300の同一側に設置される。共有電極バス341は第2接続電極371によって共有電極線340と接続される。共通電極バス353は第3接続電極372によって共通電極線350と接続される。一方、アレイ基板300の表示領域中の各素子の設計は第1実施例と同じであり、ここでは繰り返さない。
【0043】
図8に参照されるように、それは本願の実施例による表示パネルを表示する。表示パネル800はアレイ基板810と、カラーフィルム基板820と、液晶層830と、を含む。アレイ基板810は上記のいずれか1種のアレイ基板であってもよい。カラーフィルム基板820はアレイ基板810と対向して設置される。液晶層830はカラーフィルム基板820とアレイ基板810との間に設置される。
【0044】
上記のように、本願では、共有電極線を設置することによって隣接する2つのサブ画素の電位差値を確保でき、さらに広い視野角下での表示パネルの視覚色かぶりの現象を改善する。一方、従来技術に比べて、本願の共有電極線と共通電極線とは別々に設置され、且つ共有電極線は画素の開口領域まで延伸することがなく、そのため、開口率を効果的に向上させることができる。次に、画素の開口領域に光漏れを回避する金属層を設置する必要もなく、そのため、反射率を低減させることができる。また、共有電極線はアレイ基板の最下層の第1金属層に形成されるため、共有電極線はジャンパー線を採用する設計を使用する必要がなく、さらにジャンパー線が断線するため引き起こす短絡の問題を回避できる。一方、共有電極線がゲート線及び共通電極線と同じ層に設置されるため、さらなる金属層を増加する必要がなく、薄膜トランジスタのソース/ドレイン及びデータ線の配線設計を制限することもない。
【0045】
以上、本願の実施例が提供するアレイ基板及び表示パネルに対して詳細な紹介を行っており、本明細書中では具体的な実施例を応用して本願の原理及び実施形態を述べており、以上の実施例の説明は本願の技術的手段及びその中心思想の理解を助けることに用いられるものに過ぎない。当業者は理解すべきであるように、前述の各実施例に記載の技術的手段に対して修正を行い、又はそのうちの一部の技術的特徴に対して均等物への置換を依然として行うことができる。これらの修正又は置換は、相応な技術的手段の本質を本願の各実施例の技術的手段の範囲から逸脱させない。
【符号の説明】
【0046】
10 アレイ基板
11 データ線
12 ゲート線
13 共通電極
14 共有電極
15 第1トランジスタ
16 第2トランジスタ
17 第3トランジスタ
18 第1サブ画素
19 第2サブ画素
100 アレイ基板
101 表示領域
102 非表示領域
103 画素領域
104 画素行
105 第1サブ画素行
106 第2サブ画素行
107 第1間隔
108 第2間隔
110 画素
111 第1サブ画素
112 第2サブ画素
113 第1薄膜トランジスタ
114 第2薄膜トランジスタ
115 第1画素電極
116 第2画素電極
117 共有薄膜トランジスタ
118 第1接続電極
120 ゲート線
121 ゲートドライバ
130 データ線
140 共有電極線
141 共有電極バス
150 共通電極線
151 主電極
152 櫛形電極
160 修復電極
200 アレイ基板
220 ゲート線
221 ゲートドライバ
230 データ線
240 共有電極線
241 共有電極バス
250 共通電極線
271 第2接続電極
300 アレイ基板
320 ゲート線
321 ゲートドライバ
330 データ線
340 共有電極線
341 共有電極バス
350 共通電極線
353 共通電極バス
371 第2接続電極
372 第3接続電極
401 ベース板
402 第1絶縁層
403 活性層
404 第2絶縁層
800 表示パネル
810 アレイ基板
820 カラーフィルム基板
830 液晶層
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
【国際調査報告】