特表 2024-503147 表示パネルの画素ユニット、表示パネルの下部基板、及び表示パネル

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-01-25

(54)【発明の名称】表示パネルの画素ユニット、表示パネルの下部基板、及び表示パネル

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1343 20060101AFI20240118BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240118BHJP

   G09F 9/35 20060101ALI20240118BHJP

   G02F 1/136 20060101ALN20240118BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1343

G09F9/30 349Z

G09F9/35

G09F9/30 330

G02F1/136

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2021567877

(86)(22)【出願日】2021-11-04

(85)【翻訳文提出日】2021-12-20

(86)【国際出願番号】 CN2021128601

(87)【国際公開番号】W WO2023050528

(87)【国際公開日】2023-04-06

(31)【優先権主張番号】202111165120.3

(32)【優先日】2021-09-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】515203228

【氏名又は名称】ティーシーエル チャイナスター オプトエレクトロニクス テクノロジー カンパニー リミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＴＣＬ Ｃｈｉｎａ Ｓｔａｒ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．９－２，Ｔａｎｇｍｉｎｇ Ｒｄ，Ｇｕａｎｇｍｉｎｇ Ｎｅｗ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｓｈｅｎｚｈｅｎ，Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ，Ｃｈｉｎａ ５１８１３２

(74)【代理人】

【識別番号】100204386

【弁理士】

【氏名又は名称】松村 啓

(72)【発明者】

【氏名】▲楊▼ 柳

(72)【発明者】

【氏名】▲劉▼ 毅

(72)【発明者】

【氏名】董 成▲才▼

【テーマコード（参考）】

2H092

2H192

5C094

【Ｆターム（参考）】

2H092GA14

2H092GA64

2H092HA04

2H092NA23

2H092PA08

2H092PA09

2H192BA25

2H192DA74

2H192EA22

2H192EA42

2H192GA03

5C094AA09

5C094AA21

5C094BA43

5C094CA19

5C094DA13

5C094DB01

5C094EA04

5C094EA05

5C094EA07

5C094FA01

5C094FA02

5C094FB02

5C094FB12

(57)【要約】

本願は表示パネルの画素ユニット、表示パネルの下部基板、及び表示パネルを開示している。本願は共通信号線と接続されかつ前記開口領域内に延伸する透明遮蔽電極素子を設置し、かつ前記透明遮蔽電極素子の前記共通信号線の位置する平面における直交投影が前記共通信号線と少なくとも部分的に重なっていることで、共通信号線により提供された遮蔽効果を延伸させ、それにより画素電極とデータ線との間の寄生容量を低減させる。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示パネルの画素ユニットであって、
走査信号線と、
前記走査信号線と垂直に交差しているデータ信号線であって、前記走査信号線と前記データ信号線との交点箇所に１つの開口領域が形成される、データ信号線と、
前記走査信号線に平行に設置される共通信号線であって、前記共通信号線に共通電極が形成される、共通信号線と、
前記開口領域内に設置される画素電極と、
前記共通信号線と接続され、前記共通信号線の箇所から前記開口領域内に延伸する透明遮蔽電極素子であって、前記透明遮蔽電極素子の前記共通信号線の位置する平面における直交投影が前記共通信号線と少なくとも部分的に重なっている、透明遮蔽電極素子と、を含む表示パネルの画素ユニット。

【請求項2】

前記透明遮蔽電極素子はＵ字形であり、第１遮蔽セクションと、２つの第２遮蔽セクションとを含み、前記２つの第２遮蔽セクションは前記共通信号線の箇所から前記開口領域内に延伸し、各前記第２遮蔽セクションの一端は前記共通信号線と接続され、且つ各前記第２遮蔽セクションの他端は前記第１遮蔽セクションの一端と接続され、且つ各前記第２遮蔽セクションの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と少なくとも部分的に重なっている、請求項１に記載の表示パネルの画素ユニット。

【請求項3】

前記透明遮蔽電極素子は２つの遮蔽ストリップを含み、前記２つの遮蔽ストリップは、相互に間隔を空けて分離され、且つ前記共通信号線の箇所から前記開口領域内に延伸し、且つ各前記遮蔽ストリップの一端は前記共通信号線と接続され、且つ各前記遮蔽ストリップの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と少なくとも部分的に重なっている、請求項１に記載の表示パネルの画素ユニット。

【請求項4】

前記透明遮蔽電極素子と前記共通信号線とは、互いに相互に独立した素子であり、且つ互いに接触して相互に接続される、請求項１に記載の表示パネルの画素ユニット。

【請求項5】

前記透明遮蔽電極素子の材料は酸化インジウムスズである、請求項１に記載の表示パネルの画素ユニット。

【請求項6】

表示パネルの下部基板であって、ガラス基板と、前記ガラス基板上に順に間接的又は直接的に積層して設置される第１金属層、第２金属層、及び第１透明導電層とを含み、前記下部基板はさらに、
前記第１金属層によりパターン化されてなる走査信号線と、
前記第２金属層によりパターン化されてなり、前記走査信号線と垂直に交差しているデータ信号線であって、前記走査信号線と前記データ信号線との交点箇所に１つの開口領域が形成される、データ信号線と、
前記走査信号線と同じ層に平行に設置される共通信号線であって、前記共通信号線に共通電極が形成される、共通信号線と、
前記第１透明導電層によりパターン化されてなり、且つ前記開口領域内に設置される画素電極と、
前記共通信号線と接続され、前記共通信号線から前記開口領域内に延伸する透明遮蔽電極素子であって、前記透明遮蔽電極素子の前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と少なくとも部分的に重なることにより遮蔽効果を提供し、かつ前記画素電極と前記データ信号線との間の寄生容量を低減させることに用いられる、透明遮蔽電極素子と、を含む表示パネルの下部基板。

【請求項7】

前記透明遮蔽電極素子は第１遮蔽セクションと、前記第１遮蔽セクションから延伸し、且つ間隔をおいて配置された２つの第２遮蔽セクションとを含み、各前記第２遮蔽セクションは接触方式、又は一体成形方式で前記共通信号線と接続され、且つ各前記第２遮蔽セクションの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と重なっている、請求項６に記載の表示パネルの下部基板。

【請求項8】

前記透明遮蔽電極素子は相互に間隔を空けて分離される２つの遮蔽ストリップを含み、且つ各前記遮蔽ストリップは接触方式、又は一体成形方式で前記共通信号線と接続され、且つ各前記遮蔽ストリップの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と重なっている、請求項６に記載の表示パネルの下部基板。

【請求項9】

さらに第２透明導電層を含み、前記第２透明導電層は前記ガラス基板と前記第１金属層との間に設置され、前記透明遮蔽電極素子は前記第２透明導電層によりパターン化されてなる、請求項６に記載の表示パネルの下部基板。

【請求項10】

前記透明遮蔽電極素子と前記共通信号線とは、互いに相互に独立した素子であり、且つ互いに接触して相互に接続され、
前記透明遮蔽電極素子の材料は酸化インジウムスズである、請求項６に記載の表示パネルの下部基板。

【請求項11】

前記透明遮蔽電極素子は第１遮蔽セクションと、前記第１遮蔽セクションから延伸し、且つ間隔をおいて配置された２つの第２遮蔽セクションとを含み、各前記第２遮蔽セクションは接触方式、又は一体成形方式で前記共通信号線と接続され、且つ各前記第２遮蔽セクションの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と重なっている、請求項１０に記載の表示パネルの下部基板。

【請求項12】

前記透明遮蔽電極素子は相互に間隔を空けて分離される２つの遮蔽ストリップを含み、且つ各前記遮蔽ストリップは接触方式、又は一体成形方式で前記共通信号線と接続され、且つ各前記遮蔽ストリップの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と重なっている、請求項１０に記載の表示パネルの下部基板。

【請求項13】

さらに第２透明導電層を含み、前記第２透明導電層は前記ガラス基板と前記第１金属層との間に設置され、前記透明遮蔽電極素子は前記第２透明導電層によりパターン化されてなる、請求項１０に記載の表示パネルの下部基板。

【請求項14】

表示パネルであって、下部基板と、前記下部基板と対向して設置される上部基板と、前記上部基板と前記下部基板との間に設置される液晶層とを含み、
前記下部基板は、
ガラス基板と、前記ガラス基板上に順に間接的又は直接的に積層して設置される第１金属層、第２金属層、及び第１透明導電層と、
前記第１金属層によりパターン化されてなる走査信号線と、
前記第２金属層によりパターン化されてなり、前記走査信号線と垂直に交差しているデータ信号線であって、前記走査信号線と前記データ信号線との交点箇所に１つの開口領域が形成される、データ信号線と、
前記走査信号線と同じ層に平行に設置される共通信号線であって、前記共通信号線に共通電極が形成される、共通信号線と、
前記第１透明導電層によりパターン化されてなり、且つ前記開口領域内に設置される画素電極と、
前記共通信号線と接続され、前記共通信号線から前記開口領域内に延伸する透明遮蔽電極素子であって、前記透明遮蔽電極素子の前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と少なくとも部分的に重なることにより遮蔽効果を提供し、かつ前記画素電極と前記データ信号線との間の寄生容量を低減させることに用いられる、透明遮蔽電極素子と、を含む表示パネル。

【請求項15】

前記透明遮蔽電極素子は第１遮蔽セクションと、前記第１遮蔽セクションから延伸し、且つ間隔をおいて配置された２つの第２遮蔽セクションとを含み、各前記第２遮蔽セクションは接触方式、又は一体成形方式で前記共通信号線と接続され、且つ各前記第２遮蔽セクションの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と重なっている、請求項１４に記載の表示パネル。

【請求項16】

前記透明遮蔽電極素子は相互に間隔を空けて分離される２つの遮蔽ストリップを含み、且つ各前記遮蔽ストリップは接触方式、又は一体成形方式で前記共通信号線と接続され、且つ各前記遮蔽ストリップの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と重なっている、請求項１４に記載の表示パネル。

【請求項17】

さらに第２透明導電層を含み、前記第２透明導電層は前記ガラス基板と前記第１金属層との間に設置され、前記透明遮蔽電極素子は前記第２透明導電層によりパターン化されてなる、請求項１４に記載の表示パネル。

【請求項18】

前記透明遮蔽電極素子は第１遮蔽セクションと、前記第１遮蔽セクションから延伸し、且つ間隔をおいて配置された２つの第２遮蔽セクションとを含み、各前記第２遮蔽セクションは接触方式、又は一体成形方式で前記共通信号線と接続され、且つ各前記第２遮蔽セクションの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と重なっており、
前記透明遮蔽電極素子は相互に間隔を空けて分離される２つの遮蔽ストリップを含み、且つ各前記遮蔽ストリップは接触方式、又は一体成形方式で前記共通信号線と接続され、且つ各前記遮蔽ストリップの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と重なっており、
前記表示パネルはさらに第２透明導電層を含み、前記第２透明導電層は前記ガラス基板と前記第１金属層との間に設置され、前記透明遮蔽電極素子は前記第２透明導電層によりパターン化されてなる、請求項１４に記載の表示パネル。

【請求項19】

前記透明遮蔽電極素子と前記共通信号線とは、互いに相互に独立した素子であり、且つ互いに接触して相互に接続される、請求項１４に記載の表示パネル。

【請求項20】

前記透明遮蔽電極素子の材料は酸化インジウムスズである、請求項１４に記載の表示パネル。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は表示技術分野に関し、具体的に表示パネルの画素ユニット、表示パネルの下部基板、及び表示パネルに関する。

【背景技術】

【0002】

液晶表示パネル技術の発展に伴って、表示パネル上の画素の透過率はますます限界に近づいている。従来の表示パネルの多くの画素設計はいずれも配線簡略化を目標とし、開口領域の面積を増大させ、さらに開口率を増大させかつ透過率を向上させる。

【0003】

例として図１に参照されるように、図１は従来の液晶表示パネルの画素ユニットの部分平面図である。前記画素ユニットは垂直に交わるデータ線ＤＬ´及び走査線ＳＬ´と、前記データ線ＤＬ´と走査線ＳＬ´との交わる箇所に位置する画素電極素子Ｐ´とを含む。前記画素電極素子Ｐ´はメイン画素電極（Ｍａｉｎ Ｐｉｘｅｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）Ｍ´と、サブ画素電極（Ｓｕｂ－Ｐｉｘｅｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）Ｓ´とを含む。表示パネルの開口率を増加するために、前記画素ユニットはデータ線ＤＬ´上のブラックマトリクス （Ｄａｔａ Ｂｌａｃｋ Ｍａｔｒｉｘ Ｌｅｓｓ、 ＤＢＬ）を省略し、共通電極Ｃ´を遮蔽金属とする設計を省略するが、サブ画素電極Ｓ´の配線を遮蔽にするように変更することにより、メイン画素電極Ｍ´とデータ線ＤＬ´との間の寄生容量を低減させる。しかし、このような画素ユニット設計の課題はサブ画素電極Ｓ´が大部分の時間においてフローティング状態であり電位制御がなく、それが果たす遮蔽作用は非常に制限されており、メイン画素電極Ｍ´とデータ線ＤＬ´との間の寄生容量が大きすぎることを引き起こし、さらに深刻な色クロストーク（Ｃｏｌｏｒ Ｃｒｏｓｓ Ｔａｌｋ）及び垂直クロストーク（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃｒｏｓｓ Ｔａｌｋ）問題をもたらすことである。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本願の実施例は表示パネルの画素ユニット、表示パネルの下部基板、及び表示パネルを提供し、従来技術における表示パネル中の画素ユニット中のメイン画素電極とデータ線との間の寄生容量が大きすぎ、さらに深刻な色クロストーク（Ｃｏｌｏｒ Ｃｒｏｓｓ Ｔａｌｋ）及び垂直クロストーク（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃｒｏｓｓ Ｔａｌｋ）をもたらすという技術的課題を解決する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

一態様では、本願の実施例は前記表示パネルの画素ユニットを提供し、
走査信号線と、
前記走査信号線と垂直に交差しているデータ信号線であって、前記走査信号線と前記データ信号線との交点箇所に１つの開口領域が形成される、データ信号線と、
前記走査信号線に平行に設置される共通信号線であって、前記共通信号線に共通電極が形成される、共通信号線と、
前記開口領域内に設置される画素電極と、
前記共通信号線と接続され、前記共通信号線から前記開口領域内に延伸する透明遮蔽電極素子であって、前記透明遮蔽電極素子の前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と少なくとも部分的に重なっている、透明遮蔽電極素子と、を含む。

【0006】

本願のいくつかの実施例では、前記透明遮蔽電極素子はＵ字形であり、第１遮蔽セクションと、２つの第２遮蔽セクションとを含み、前記２つの第２遮蔽セクションは前記共通信号線の箇所から前記開口領域内に延伸し、各前記第２遮蔽セクションの一端は前記共通信号線と接続され、且つ各前記第２遮蔽セクションの他端は前記第１遮蔽セクションの一端と接続され、且つ各前記第２遮蔽セクションの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線極と少なくとも部分的に重なっている。

【0007】

本願のいくつかの実施例では、前記透明遮蔽電極素子は２つの遮蔽ストリップを含み、前記２つの遮蔽ストリップは、相互に間隔を空けて分離され、且つ前記共通信号線の箇所から前記開口領域内に延伸し、且つ各前記遮蔽ストリップの一端は前記共通信号線と接続され、且つ各前記遮蔽ストリップの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と少なくとも部分的に重なっている。また、前記２つの遮蔽ストリップは相互に平行であってもよい。

【0008】

本願のいくつかの実施例では、前記透明遮蔽電極素子と前記共通信号線とは、互いに相互に独立して分離した素子であり、且つ互いに接触して相互に接続される。

【0009】

本願のいくつかの実施例では、前記透明遮蔽電極素子の材料は酸化インジウムスズである。

【0010】

他の態様では、本願の実施例は前記表示パネルの下部基板を提供し、ガラス基板と、前記ガラス基板上に順に間接的又は直接的に積層して設置される第１金属層、第２金属層、及び第１透明導電層とを含み、前記下部基板はさらに、
前記第１金属層によりパターン化されてなる走査信号線と、
前記第２金属層によりパターン化されてなり、前記走査信号線と垂直に交差しているデータ信号線であって、前記走査信号線と前記データ信号線との交点箇所に１つの開口領域が形成される、データ信号線と、
前記走査信号線と同じ層に平行に設置される共通信号線であって、前記共通信号線に共通電極が形成される、共通信号線と、
前記第１透明導電層によりパターン化されてなり、且つ前記開口領域内に設置される画素電極と、
前記共通信号線と接続され、前記共通信号線から前記開口領域内に延伸する透明遮蔽電極素子であって、前記透明遮蔽電極素子の前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と少なくとも部分的に重なっている、透明遮蔽電極素子と、を含む。

【0011】

本願のいくつかの実施例では、前記透明遮蔽電極素子は第１遮蔽セクションと、前記第１遮蔽セクションから延伸し、且つ間隔をおいて配置された２つの第２遮蔽セクションとを含み、各前記第２遮蔽セクションは接触方式、又は一体成形方式で前記共通信号線と接続され、且つ各前記第２遮蔽セクションの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と重なることにより遮蔽効果を提供し、かつ前記画素電極と前記データ信号線との間の寄生容量を低減させることに用いられる。

【0012】

本願のいくつかの実施例では、前記透明遮蔽電極素子は相互に間隔を空けて分離される２つの遮蔽ストリップを含み、且つ各前記遮蔽ストリップは接触方式、又は一体成形方式で前記共通信号線と接続され、且つ各前記遮蔽ストリップの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と重なっている。また、前記２つの遮蔽ストリップは相互に平行であってもよい。

【0013】

本願のいくつかの実施例では、前記下部基板はさらに第２透明導電層を含み、前記第２透明導電層は前記ガラス基板と前記第１金属層との間に設置され、前記透明遮蔽電極素子は形成される前記第２透明導電層によりパターン化されてなる。

【0014】

本願のいくつかの実施例では、前記透明遮蔽電極素子と前記共通信号線とは、互いに相互に独立した素子であり、且つ互いに接触して相互に接続され、
及び前記透明遮蔽電極素子の材料は酸化インジウムスズである。

【0015】

本願のいくつかの実施例では、前記透明遮蔽電極素子は第１遮蔽セクションと、前記第１遮蔽セクションから延伸し、且つ間隔をおいて配置された２つの第２遮蔽セクションとを含み、各前記第２遮蔽セクションは接触方式、又は一体成形方式で前記共通信号線と接続され、且つ各前記第２遮蔽セクションの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と重なっている。

【0016】

本願のいくつかの実施例では、前記透明遮蔽電極素子は相互に間隔を空けて分離される２つの遮蔽ストリップを含み、且つ各前記遮蔽ストリップは接触方式、又は一体成形方式で前記共通信号線と接続され、且つ各前記遮蔽ストリップの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と重なっている。

【0017】

本願のいくつかの実施例では、前記下部基板は、さらに第２透明導電層を含み、前記第２透明導電層は前記ガラス基板と前記第１金属層との間に設置され、前記透明遮蔽電極素子は前記第２透明導電層によりパターン化されてなる。

【0018】

さらに他の態様では、本願の実施例は前記表示パネルを提供し、下部基板と、前記下部基板と対向して設置される上部基板と、前記上部基板と前記下部基板との間に設置される液晶層とを含み、前記下部基板は、
ガラス基板と、前記ガラス基板上に順に間接的又は直接的に積層して設置される第１金属層、第２金属層、及び第１透明導電層と、
前記第１金属層によりパターン化されてなる走査信号線と、
前記第２金属層によりパターン化されてなり、前記走査信号線と垂直に交差しているデータ信号線であって、前記走査信号線と前記データ信号線との交点箇所に１つの開口領域が形成される、データ信号線と、
前記走査信号線と同じ層に平行に設置される共通信号線であって、前記共通信号線に共通電極が形成される、共通信号線と、
前記第１透明導電層によりパターン化されてなり、且つ前記開口領域内に設置される画素電極と、
前記共通信号線と接続され、前記共通信号線から前記開口領域内に延伸する透明遮蔽電極素子であって、前記透明遮蔽電極素子の前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と少なくとも部分的に重なることにより遮蔽効果を提供し、かつ前記画素電極と前記データ信号線との間の寄生容量を低減させることに用いられる、透明遮蔽電極素子と、を含む。

【0019】

本願のいくつかの実施例では、前記透明遮蔽電極素子は第１遮蔽セクションと、前記第１遮蔽セクションから延伸し、且つ間隔をおいて配置された２つの第２遮蔽セクションとを含み、各前記第２遮蔽セクションは接触方式、又は一体成形方式で前記共通信号線と接続され、且つ各前記第２遮蔽セクションの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と重なっている。

【0020】

本願のいくつかの実施例では、前記透明遮蔽電極素子は相互に間隔を空けて分離される２つの遮蔽ストリップを含み、且つ各前記遮蔽ストリップは接触方式、又は一体成形方式で前記共通信号線と接続され、且つ各前記遮蔽ストリップの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と重なっている。

【0021】

本願のいくつかの実施例では、前記表示パネルは、さらに第２透明導電層を含み、前記第２透明導電層は前記ガラス基板と前記第１金属層との間に設置され、前記透明遮蔽電極素子は前記第２透明導電層によりパターン化されてなる。本願のいくつかの実施例では、前記透明遮蔽電極素子は第１遮蔽セクションと、前記第１遮蔽セクションから延伸し、且つ間隔をおいて配置された２つの第２遮蔽セクションとを含み、各前記第２遮蔽セクションは接触方式、又は一体成形方式で前記共通信号線と接続され、且つ各前記第２遮蔽セクションの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と重なっており、前記透明遮蔽電極素子は相互に間隔を空けて分離される２つの遮蔽ストリップを含み、且つ各前記遮蔽ストリップは接触方式、又は一体成形方式で前記共通信号線と接続され、且つ各前記遮蔽ストリップの前記共通信号線の位置する平面における直交投影は前記共通信号線と重なっており、及び前記的表示パネルはさらに第２透明導電層を含み、前記第２透明導電層は前記ガラス基板と前記第１金属層との間に設置され、前記透明遮蔽電極素子は前記第２透明導電層によりパターン化されてなる。

【0022】

本願のいくつかの実施例では、前記透明遮蔽電極素子と前記共通信号線とは、互いに相互に独立した素子であり、且つ互いに接触して相互に接続される。

【0023】

本願のいくつかの実施例では、前記透明遮蔽電極素子の材料は酸化インジウムスズである。

【発明の効果】

【0024】

本願は少なくとも以下の利点を有する。

【0025】

本願により提供された表示パネルの画素ユニット、表示パネルの下部基板、及び表示パネルは、共通信号線と接続されかつ前記開口領域内に延伸する透明遮蔽電極素子を設置し、かつ前記透明遮蔽電極素子の前記共通信号線の位置する平面における直交投影が前記共通信号線と少なくとも部分的に重なっていることで、共通信号線を延伸させて遮蔽効果を提供し、それにより画素電極とデータ線との間の寄生容量を低減させ、従来技術における表示パネル中の画素ユニット中のメイン画素電極とデータ線との間の寄生容量が大きすぎ、さらに深刻な色クロストーク（Ｃｏｌｏｒ Ｃｒｏｓｓ Ｔａｌｋ）及び垂直クロストーク（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃｒｏｓｓ Ｔａｌｋ）をもたらすという技術的課題を解決する。また、本願の前記透明遮蔽電極素子及び前記画素電極はいずれも透明導電電極であるため、開口領域内に延伸する前記透明遮蔽電極素子は画素ユニットの開口率及び透過率を減少させることがなく、それにより従来技術の画素ユニットの開口領域内に位置する遮蔽金属により開口率及び透過率が減少されるという技術的課題が回避される。

【0026】

本願の実施例の技術的手段をより明確に説明するために、以下、実施例の記述に使用される必要がある図面を簡単に紹介し、明らかなように、以下の記述における図面は単に本願のいくつかの実施例に過ぎず、当業者にとって、進歩性のある労働を必要とせずに、さらにこれらの図面に基づきその他の図面を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】従来技術の表示パネルの画素ユニットの平面模式図である。

【図2】本願の実施例により提供された表示パネルの斜視分解模式図である。

【図3a】本願の実施例により提供された表示パネルの画素ユニットの平面模式図である。

【図3b】本願の実施例により提供された表示パネルの画素ユニットの平面模式図であり、ここで画素電極が省略され且つ開口領域が示される。

【図4】本願の実施例により提供された表示パネルの画素ユニット中の第１金属層中の共通信号線が透明遮蔽電極素子と部分的に重なっている平面模式図である。

【図5】本願の別の実施例により提供された表示パネルの画素ユニットの平面模式図である。

【図6】本願の別の実施例により提供された表示パネルの画素ユニット中の第１金属層中の共通信号線が透明遮蔽電極素子と部分的に重なっている平面模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

以下、本願の実施例の図面と併せて本願の実施例の技術的手段を明確で完全に記述する。明らかなように、記述された実施例は単に本願の一部の実施例にすぎず、すべての実施例ではない。本願中の実施例に基づき、当業者が進歩性のある労働を必要としない前提下で得るすべてのその他の実施例は、いずれも本願の保護範囲に属する。

【0029】

また、理解されるべき点は、ここで記述された具体的な実施形態は本願を説明及び解釈することに用いられるのみであり、本願を制限することに用いられるものではない。本願では、逆の意味との説明がない場合に、使用される方位詞、たとえば「上」及び「下」は、通常、装置の実際の使用又は動作状態下での上及び下を指し、具体的には図面中の紙面方向であり、「内」及び「外」は装置の輪郭に対しての言及である。

【0030】

本願の実施例は表示パネルの画素ユニット、表示パネルの下部基板、及び表示パネルを提供し、従来技術における表示パネル中の画素ユニット中のメイン画素電極とデータ信号線との間の寄生容量が大きすぎ、さらに深刻な色クロストーク（Ｃｏｌｏｒ Ｃｒｏｓｓ Ｔａｌｋ）及び垂直クロストーク（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃｒｏｓｓ Ｔａｌｋ）をもたらすという技術的課題を解決する。

【0031】

図２、３ａ、及び３ｂに参照されるように、本願の実施例により提供された上記表示パネルの画素ユニット３は、走査信号線ＳＬと、データ信号線ＤＬと、共通信号線ＣＬと、画素電極Ｐと、透明遮蔽電極素子２０とを含む。

【0032】

上記走査信号線ＳＬ上にゲートＧが形成される。

【0033】

上記データ信号線ＤＬは上記走査信号線ＳＬと垂直に交差しており、ここで上記走査信号線ＳＬと上記データ信号線ＤＬとの交点箇所に１つの開口領域ＯＡが形成され、図３ｂに示すとおりである。

【0034】

上記共通信号線ＣＬは上記走査信号線ＳＬに平行に設置され、上記共通信号線ＣＬ上に共通電極Ｃが形成される。

【0035】

上記画素電極Ｐは上記開口領域ＯＡ内に設置され、且つメイン画素電極部Ｍ及びサブ画素電極部Ｓを含んでもよい。

【0036】

上記透明遮蔽電極素子２０は上記共通信号線ＣＬと接続され、上記共通信号線ＣＬから上記開口領域ＯＡ内に延伸し、且つ上記透明遮蔽電極素子２０の上記共通信号線ＣＬの位置する平面における直交投影は上記共通信号線ＣＬと少なくとも部分的に重なっている。具体的には、一部の上記共通信号線ＣＬは一部の上記透明遮蔽電極素子２０上に被覆され、又は一部の上記透明遮蔽電極素子２０は一部の上記共通信号線ＣＬ上に被覆される。

【0037】

詳細に言えば、上記透明遮蔽電極素子２０は、遮蔽電極として上記共通信号線ＣＬの遮蔽効果を延伸させることに用いられ、さらにメイン画素電極部Ｍとデータ信号線ＤＬとの間の寄生容量を低減させ、かつさらに色クロストーク（Ｃｏｌｏｒ Ｃｒｏｓｓ Ｔａｌｋ）及び垂直クロストーク（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃｒｏｓｓ Ｔａｌｋ）の問題を回避する。本願の好ましい実施例では、上記透明遮蔽電極素子２０の材料は酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、 ＩＴＯ）であってもよい。

【0038】

図３ａ、図３ｂ及び図４に参照されるように、本願の一実施例では、上記透明遮蔽電極素子２０はＵ字形であり、第１遮蔽セクション２１と、２つの第２遮蔽セクション２２とを含み、上記２つの第２遮蔽セクション２２は上記共通電極Ｃの箇所から上記開口領域ＯＡ内に延伸し、各上記第２遮蔽セクション２２の一端は上記共通信号線ＣＬと接続され、且つ各上記第２遮蔽セクション２２の他端は上記第１遮蔽セクション２１の一端と接続され、且つ各上記第２遮蔽セクション２２の上記共通信号線ＣＬの位置する平面における直交投影は上記共通信号線ＣＬと少なくとも部分的に重なっている。また、上記２つの第２遮蔽セクション２２はそれぞれ上記画素ユニットの上記データ信号線ＤＬ及び上記表示パネルにさらに含まれる隣接画素ユニットのデータ信号線ＤＬに近接し、且つ上記２つの第２遮蔽セクション２２はそれぞれ上記画素電極Ｐのメイン画素電極部Ｍの両側に位置してもよく、それによりさらにメイン画素電極部Ｍとデータ信号線ＤＬとの間の寄生容量を低減させる。

【0039】

図５及び図６に参照されるように、本願の別の実施例では、上記透明遮蔽電極素子２０ａは２つの遮蔽ストリップ２３を含み、上記２つの遮蔽ストリップ２３は相互に間隔を空けて分離され、且つ上記共通信号線ＣＬの箇所から上記開口領域ＯＡ内に延伸し、且つ各上記遮蔽ストリップ２３の一端は上記共通信号線ＣＬと接続され、且つ各上記遮蔽ストリップ２３の上記共通信号線ＣＬの位置する平面における直交投影は上記共通信号線ＣＬと少なくとも部分的に重なっている。また、上記２つの遮蔽ストリップ２３はそれぞれ上記画素ユニットの上記データ信号線ＤＬ及び上記表示パネルにさらに含まれる隣接画素ユニットのデータ信号線ＤＬに近接し、且つ上記２つの遮蔽ストリップ２３はそれぞれ上記画素電極Ｐのメイン画素電極部Ｍの両側に位置してもよく、それによりさらにメイン画素電極部Ｍとデータ信号線ＤＬとの間の寄生容量を低減させる。

【0040】

本願のいくつかの実施例では、上記透明遮蔽電極素子２０と上記共通信号線ＣＬとは異なる材料層に位置し、互いに相互に独立して分離した素子であり、且つ互いに接触して相互に接続される。又は、本願のいくつかの実施例では、上記透明遮蔽電極素子２０及び上記共通信号線ＣＬはいずれもガラス基板１０の表面に設置され、且つ一部の上記共通電極Ｃは一部の上記透明遮蔽電極素子２０に被覆され又は一部の上記透明遮蔽電極素子２０は一部の上記共通電極Ｃに被覆される。

【0041】

図２、図３ａ、及び図３ｂに参照されるように、本願の実施例は上記表示パネルの下部基板１を提供し、ガラス基板１０と、ガラス基板１０上に順に間接的又は直接的に積層して設置される第１金属層Ｍ１、第２金属層Ｍ２、及び第１透明導電層３０とを含み、ここで上記下部基板１はさらに、走査信号線ＳＬと、データ信号線ＤＬと、共通信号線ＣＬと、画素電極Ｐと、透明遮蔽電極素子２０とを含む。

【0042】

上記走査信号線ＳＬは上記第１金属層Ｍ１によりパターン化されてなり、上記走査信号線ＳＬ上にゲートＧが形成される。

【0043】

上記データ信号線ＤＬは上記第２金属層Ｍ２によりパターン化されてなり、上記走査信号線ＳＬと垂直に交差しており、ここで上記走査信号線ＳＬと上記データ信号線ＤＬとの交点箇所に１つの開口領域ＯＡが形成される。

【0044】

上記共通信号線ＣＬは上記走査信号線ＳＬと同じ層に平行に設置され、上記共通信号線ＣＬ上に共通電極Ｃが形成される。

【0045】

上記画素電極Ｐは上記第１透明導電層３０によりパターン化されてなり、上記開口領域内に設置され、且つメイン画素電極部Ｍ及びサブ画素電極部Ｓを含んでもよい。

【0046】

上記透明遮蔽電極素子２０は上記共通信号線ＣＬと接続され、上記共通信号線ＣＬから上記開口領域内に延伸し、且つ上記透明遮蔽電極素子２０の上記共通信号線ＣＬの位置する平面における直交投影は上記共通信号線ＣＬと少なくとも部分的に重なっている。

【0047】

詳細に言えば、上記透明遮蔽電極素子２０は遮蔽電極として上記共通信号線ＣＬを遮蔽することに用いられ、さらにメイン画素電極部Ｍとデータ信号線ＤＬとの間の寄生容量を低減させ、かつさらに色クロストーク（Ｃｏｌｏｒ Ｃｒｏｓｓ Ｔａｌｋ）及び垂直クロストーク（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃｒｏｓｓ Ｔａｌｋ）の問題を回避する。本願の好ましい実施例では、上記透明遮蔽電極素子２０の材料は酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、 ＩＴＯ）であってもよい。

【0048】

図３ａ、図３ｂ及び図４に参照されるように、本願の一実施例では、上記透明遮蔽電極素子２０はＵ字形であり、第１遮蔽セクション２１と、２つの第２遮蔽セクション２２とを含み、上記２つの第２遮蔽セクション２２は上記共通信号線ＣＬの箇所から上記開口領域内に延伸し、各上記第２遮蔽セクション２２の一端は上記共通信号線ＣＬと接続され、且つ各上記第２遮蔽セクション２２の他端は上記第１遮蔽セクション２１の一端と接続され、且つ各上記第２遮蔽セクション２２の上記共通信号線ＣＬの位置する平面における直交投影は上記共通信号線ＣＬと少なくとも部分的に重なっている。また、上記２つの第２遮蔽セクション２２はそれぞれ上記画素ユニットの上記データ信号線ＤＬ及び上記表示パネルにさらに含まれる隣接画素ユニットのデータ信号線ＤＬに近接し、且つ上記２つの第２遮蔽セクション２２はそれぞれ上記画素電極Ｐのメイン画素電極部Ｍの両側に位置してもよく、それによりさらにメイン画素電極部Ｍとデータ信号線ＤＬとの間の寄生容量を低減させる。

【0049】

詳細に言えば、本願の実施例により提供された上記表示パネルの下部基板１はさらに、絶縁層ＧＩと、半導体層（図示せず）と、第１不動態化層ＰＶ１と、カラーフォトレジスト層ＣＦと、第２不動態化層ＰＶ２とを含む。上記ガラス基板１０、上記第１金属層Ｍ１、上記絶縁層ＧＩ、上記半導体層、上記第２金属層Ｍ２、上記第１不動態化層ＰＶ１、上記カラーフォトレジスト層ＣＦ、上記第２不動態化層ＰＶ２、及び上記第１透明導電層３０は順次積層して設けられて上記下部基板１を構成する。

【0050】

図５及び図６に参照されるように、本願の別の実施例では、上記透明遮蔽電極素子２０は２つの遮蔽ストリップ２３を含み、上記２つの遮蔽ストリップ２３は相互に間隔を空けて分離され、且つ上記共通信号線ＣＬの箇所から上記開口領域内に延伸し、且つ各上記遮蔽ストリップ２３の一端は上記共通信号線ＣＬと接続され、且つ各上記遮蔽ストリップ２３の上記共通信号線ＣＬの位置する平面における直交投影は上記共通信号線ＣＬと少なくとも部分的に重なっている。また、上記２つの遮蔽ストリップ２３はそれぞれ上記画素ユニットの上記データ信号線ＤＬ及び上記表示パネルにさらに含まれる隣接画素ユニットのデータ信号線ＤＬに近接し、且つ上記２つの遮蔽ストリップ２３はそれぞれ上記画素電極Ｐのメイン画素電極部Ｍの両側に位置してもよく、それによりさらにメイン画素電極部Ｍとデータ信号線ＤＬとの間の寄生容量を低減させる。

【0051】

本願のいくつかの実施例では、上記透明遮蔽電極素子２０は第２透明導電層によりパターン化されてなる。具体的には、上記第２透明導電層は上記ガラス基板１０と上記第１金属層Ｍ１との間に設置される。上記透明遮蔽電極素子２０は第２透明導電層によりフォトリソグラフィー法でパターン化されてなる。

【0052】

さらに他の態様では、本願の実施例は上記表示パネルを提供し、上記実施例における下部基板１と、上記下部基板１と対向して設置される上部基板２と、上記上部基板２と上記下部基板１との間に設置される液晶層ＬＣと、を含む。具体的には、上部基板２はさらにブラックマトリックス（Ｂｌａｃｋ Ｍａｔｒｉｘ）ＢＭを含み、上記開口領域ＯＡを定義するために用いられる。また、上部基板２はさらに上部基板共通電極ＣＣ及び上カバーＣＧを含み、図２に示すとおりである。

【0053】

次の比較表（表１）は、上記画素ユニットにおける透明遮蔽電極素子２０の増加前と透明遮蔽電極素子２０の増加後の寄生容量の比較である。上記比較表から分かるように、Ｕ字型透明電極を増加させた後、メイン画素電極部Ｍの寄生容量は元の１２％に減少し、寄生容量／総容量が１．２４％から０．１５％に減少し、透明遮蔽電極素子２０によって寄生容量を減少させる効果を有することが示される。透明遮蔽電極素子２０の面積を十分に増加させれば、寄生容量／総容量は小さくなる。

【0054】

【表1】

【0055】

本願は少なくとも以下の利点を有する。

【0056】

本願により提供された表示パネルの画素ユニット、表示パネルの下部基板１、及び表示パネルは、共通電極Ｃと接続されかつ上記開口領域内に延伸する透明遮蔽電極素子２０を設置し、かつ上記透明遮蔽電極素子２０の上記共通信号線ＣＬの位置する平面における直交投影が上記共通電極Ｃと少なくとも部分的に重なっていることで、共通信号線ＣＬにより提供された遮蔽効果を延伸させ、それにより画素電極Ｐとデータ信号線ＤＬとの間の寄生容量を低減させ、従来技術における表示パネル中の画素ユニット中のメイン画素電極Ｐとデータ信号線ＤＬとの間の寄生容量が大きすぎ、さらに深刻な色クロストーク及び垂直クロストークをもたらすという技術的課題を解決する。また、本願の上記透明遮蔽電極素子２０及び上記画素電極Ｐはいずれも透明導電電極であるため、開口領域内に延伸する上記透明遮蔽電極素子２０により画素ユニットの開口率及び透過率を減少させることがなく、それにより従来技術の画素ユニットの開口領域内に位置する遮蔽金属により開口率及び透過率を減少させるという技術的課題が回避される。

【0057】

本文では具体的な例を応用して本願の原理及び実施形態を論述し、以上の実施例についての説明は本願の方法及びそのコア思想への理解を助けるためのものにすぎず、同時に、当業者にとっては、本願の思想に従って、具体的な実施形態及び応用範囲にいずれも変更を行うことができ、以上のように、本明細書の内容は本願に対する制限ではないと理解すべきである。

【符号の説明】

【0058】

１ 下部基板
２ 上部基板
３ 画素ユニット
１０ ガラス基板
２０ Ｕ字形透明遮蔽電極素子
２０ 透明遮蔽電極素子
２０ａ 透明遮蔽電極素子
２１ 第１遮蔽セクション
２２ 第２遮蔽セクション
２３ 遮蔽ストリップ
３０ 第１透明導電層

【図1】

【図2】

【図3a】

【図3b】

【図4】

【図5】

【図6】

【国際調査報告】