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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-01-31
(54)【発明の名称】結晶化ガラス素材及びその製造方法と使用
(51)【国際特許分類】
C03C 10/12 20060101AFI20240124BHJP
C03C 10/02 20060101ALI20240124BHJP
C03C 10/04 20060101ALI20240124BHJP
C03C 10/08 20060101ALI20240124BHJP
C03C 10/10 20060101ALI20240124BHJP
C03C 10/14 20060101ALI20240124BHJP
C03B 32/02 20060101ALI20240124BHJP
C03B 23/03 20060101ALI20240124BHJP
【ＦＩ】
C03C10/12
C03C10/02
C03C10/04
C03C10/08
C03C10/10
C03C10/14
C03B32/02
C03B23/03
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023544499
(86)(22)【出願日】2022-01-21
(85)【翻訳文提出日】2023-09-21
(86)【国際出願番号】 CN2022073214
(87)【国際公開番号】W WO2022156772
(87)【国際公開日】2022-07-28
(31)【優先権主張番号】202110099301.4
(32)【優先日】2021-01-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(31)【優先権主張番号】202110099277.4
(32)【優先日】2021-01-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】521475495
【氏名又は名称】重慶▲シン▼景特種玻璃有限公司
(74)【代理人】
【識別番号】100095407
【弁理士】
【氏名又は名称】木村 満
(74)【代理人】
【識別番号】100132883
【弁理士】
【氏名又は名称】森川 泰司
(74)【代理人】
【識別番号】100148633
【弁理士】
【氏名又は名称】桜田 圭
(74)【代理人】
【識別番号】100147924
【弁理士】
【氏名又は名称】美恵 英樹
(72)【発明者】
【氏名】程 ▲チェン▼
【テーマコード（参考）】
4G015
4G062
【Ｆターム（参考）】
4G015AA09
4G015AB10
4G015EA02
4G062AA11
4G062BB01
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4G062QQ20
(57)【要約】
本発明は結晶化ガラス素材を提供し、その特徴は、前記結晶化ガラス素材の厚さが０．０２～５ｍｍであり、前記結晶化ガラス素材の結晶化度が５～９０ｗｔ％であることにある。本発明の結晶化ガラス素材の製造方法は加工の難易度が低く、加工コストが安く、時間が節約されるとともに、熱処理ではエネルギーが節約される。
【選択図】図２
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
厚さは０．０２～５ｍｍであり、結晶化度は５～９０ｗｔ％であることを特徴とする、結晶化ガラス素材。
【請求項2】
前記厚さは０．３５～１．２ｍｍであり、前記結晶化ガラス素材の結晶化度は３０～７５ｗｔ％又は７５～９０ｗｔ％である、請求項１に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項3】
前記結晶化ガラス素材への波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８３～９３％であり、好ましくは８５～９２％であり、又は、前記結晶化ガラス素材への波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８０～９１％であり、好ましくは８３～９０％である、請求項１又は２に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項4】
前記結晶化ガラス素材の厚さが０．７ｍｍである時のｂ値（黄青値）の絶対値は０．２～３であり、好ましくは０．６～２であり、前記結晶化ガラス素材のヘイズは０．０５～１．０％であり、好ましくは０．２～０．８％である、請求項１～３のいずれか１項に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項5】
前記結晶化ガラス素材は、ｍｏｌ％で計算すると、次の比率の酸化物を含有し、組成 ｍｏｌ％：
ＳｉＯ２ ５５～７４％、
Ａｌ２Ｏ３ ３～１９％、
Ｂ２Ｏ３ ０～４％、
ＭｇＯ ０～６％、
Ｎａ２Ｏ ０～３％、
Ｌｉ２Ｏ ６～２５％、
Ｋ２Ｏ ０～１％、
ＣａＯ ０～２％、
ＺｎＯ ０～５％、
希土類酸化物 ０～３％
ここで、前記希土類酸化物は、Ｌａ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｎｄ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３及びＤｙ２Ｏ３から１種又は２種以上選ばれる、
請求項１～４のいずれか１項に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項6】
前記結晶化ガラス素材では、ｍｏｌ％で計算すると、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３の総含有量は６０％より大きく、好ましくは６８～８０％であり、又は、Ｎａ２Ｏ＋Ｌｉ２Ｏの含有量は、ｍｏｌ％で計算すると、７～３０％であり、好ましくは１０～２６％である、請求項５に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項7】
前記結晶化ガラス素材は核生成剤を含み、酸化物、フッ化物又は単体で計算すると、前記核生成剤はＰ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＣａＦ２、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、Ｙ２Ｏ３、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕのうちの１種又は２種以上を含み、好ましくはＰ２Ｏ５、ＴｉＯ２及びＺｒＯ２のうちの１種又は２種以上である、請求項１～６のいずれか１項に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項8】
前記結晶化ガラス素材は清澄剤を含み、前記清澄剤はＮａＣｌ、Ｎａ２ＳＯ４、ＳｎＯ２、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＮａＮＯ３、ＫＮＯ３、ＣｅＯ２及び（ＮＨ４）２ＳＯ４のうちの１種又は２種以上を含み、好ましくはＮａＣｌ、ＳｎＯ２、ＮａＮＯ３及びＣｅＯ２のうちの１種又は２種以上である、請求項１～７のいずれか１項に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項9】
前記結晶化ガラス素材は、核生成及び結晶化処理を経て平均粒径５～５０ｎｍの結晶を有する、請求項１～８のいずれか１項に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項10】
前記結晶化ガラス素材の３００Ｎの力の１０秒間負荷でのビッカース硬度は５００より大きく、好ましくは、ビッカース硬度は５６０より大きい、請求項１～９のいずれか１項に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項11】
３Ｄ結晶化ガラスの製造原料を混合し、溶融した後、冷却し、アニーリング処理を行ってガラス基材を得るステップ１と、ステップ１で得たガラス基材に対して核生成処理を行い、核生成処理前とその後に、必要に応じて切断を行ってもよいステップ２と、
前記ステップ２の核生成後のガラス基材に対して結晶化処理を行うステップ３と、
結晶化処理後のガラス基材に対して、必要に応じて切断を行って結晶化ガラス素材を得るステップ４と、を含む、
請求項１～１０のいずれか１項に記載の結晶化ガラス素材の製造方法。
【請求項12】
前記ステップ１で、溶融温度は１３５０～１７００℃であり、好ましくは、溶融温度は１４００～１６５０℃であり、より好ましくは、溶融後に５００～１０００℃に冷却する、請求項１１に記載の方法。
【請求項13】
前記ステップ１で、核生成剤を加える量は核生成剤と結晶化ガラス素材酸化物の総量の１～９ｍｏｌ％であり、好ましくは２～５ｍｏｌ％である、請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項14】
前記ステップ１で、清澄剤を加える量は核生成剤と結晶化ガラス素材酸化物の総質量の０～４ｗｔ％であり、好ましくは０．１～２ｗｔ％である、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項15】
前記ステップ２で、核生成処理の温度は４５０～８００℃であり、好ましくは、核生成処理の時間は３０～３６０分であり、より好ましくは、核生成処理の温度は５２０～５７０℃であり、好ましくは、核生成処理の時間は１２０～３００分である、
請求項１１～１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項16】
前記ステップ３で、結晶化処理の温度は５５０～９００℃であり、結晶化処理の時間は５～３００分であり、好ましくは、結晶化処理の温度は６００～８５０℃であり、結晶化処理の時間は１０～２４０分であり、
より好ましくは、前記結晶化処理の温度は６００～７５０℃であり、結晶化処理の時間は１０～１５０分である、
請求項１１～１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項17】
請求項１１～１６のいずれか１項に記載の製造方法で製造される結晶化ガラス素材。
【請求項18】
前記結晶化ガラス素材は透明又は不透明であり、好ましくは、前記結晶化ガラス素材は曲面又は平面であることを特徴とする請求項１７に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項19】
３Ｄ熱間曲げを行って３Ｄ結晶化ガラスを製造するための、請求項１７又は１８に記載の結晶化ガラス素材の使用。
【請求項20】
携帯電話のディスプレイ、タブレットコンピュータのディスプレイ、携帯型ゲーム機、電子端末、携帯型デジタル装置、センターコンソールのディスプレイ、電子ホワイトボードガラス、スマートホームのタッチスクリーン、車両のフロントガラス、飛行装置のフロントガラス又は航空機のフロントガラスにおける、請求項１９に記載の結晶化ガラス素材から製造される３Ｄ結晶化ガラスの使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ガラス製造の技術分野に関し、詳しくは、結晶化ガラス素材及びその製造方法と使用に関する。
【背景技術】
【0002】
新世代の高強度ガラスである結晶化ガラスは、従来のリチウムアルミノケイ酸塩ガラスよりも高い性能を有する。結晶化ガラスの内部にはナノスケールの結晶が大量に存在するため、より安定的な構造を有し、化学強化を経て強度のより高いカバープレート製品を得ることができる。
【0003】
携帯電話のカバープレートのメーカーは、ガラス原料から、通常の方法で、例えば、最初に、フロート法、カレンダー加工、オーバーフローなどの方法によりガラス板として成形させ、さらに切断、薄化のステップを行い、その後、ＣＮＣ処理、研削、３Ｄ熱間曲げ、３Ｄ研削、化学強化などの処理を行ってそれを得ることができる。又は一部のメーカーは、結晶化ガラス素材をそのまま購入した後、３Ｄ熱間曲げ、３Ｄ研削、化学強化などの処理を行って要件に適合する３Ｄ結晶化ガラスを得る。
【0004】
結晶化ガラス素材の３Ｄ熱間曲げ加工プロセスは、一般に次のステップによって行われる。３Ｄ熱間曲げは熱間曲げ機で行い、熱間曲げ機は予熱ステーション、成形ステーション及び冷却ステーションを含み、予熱ステーションは予熱金型及びガラスシートを含み、その役割はガラス内外の温度の均一化を促進することであり、冷却ステーションは冷却水で金型を急速に降温させることによって、ガラスの温度を成形温度から徐々に離型温度に下げる。３Ｄ熱間曲げ金型は黒鉛金型であり、上部と下部に分かれ、ガラスシートを金型に入れた後、予熱ステーション、成形ステーション及び冷却ステーションにおいて３Ｄ熱間曲げプロセスフローの全体を行う。３Ｄ熱間曲げプロセスの生産効率を確保するために、各ステーションでの時間の長さには要件がある。実際に作業する時には、加工及び洗浄した後のガラスシートを３Ｄ金型に入れ、金型を３Ｄ熱間曲げ機に入れて、予め設定されたプロセスに従って３Ｄ熱間曲げを行う。
【0005】
３Ｄ熱間曲げプロセスで利用する原理は次のとおり：ガラス又はガラスセラミックを軟化点温度の近くに加熱した後、外力の作用で形状を変えることができ、形状を変えた後に急速な降温冷却により、ホットプレスして得られた形状が保たれる。３Ｄ熱間曲げプロセスフローの予熱ステップはガラスが成形時の高温で熱せられてされて破裂することを避けることができ、成形温度が軟化点を上回っているため、ガラスは急速に軟化し、同時に金型の上面及び下面に対して押圧ロッドで加圧することによってガラス板を湾曲成形させ、冷却前に圧力を保ってガラス板の形状を維持し、次に金型を冷却水で急速に降温させる。また、３Ｄ熱間曲げプロセスは、金型の酸化を避けるために、その全体は窒素で保護する。
【0006】
ガラス板を成形、切断及び薄化した後、ＣＮＣによってエッジのクラックなどの欠陥を減らし、研削によってガラス板の上面及び下面が研削された効果を得る。ＣＮＣ及び研削後のガラス板に対して３Ｄ熱間曲げを行うのは、熱間曲げプロセスにおけるガラス板の破砕率を低減させることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
従来の結晶化ガラス素材は、一般に完全に結晶化した状態であり、完全に結晶化した結晶化ガラス素材を用いて熱間曲げ成形で結晶化ガラスを得る場合、その加工プロセスフローでは完全に結晶化した後の結晶化ガラス素材を用いて３Ｄ熱間曲げ、３Ｄ研削、化学強化などの作業を行う。従来の完全に結晶化した結晶化ガラス素材は、その機械的強度及び硬度がより高いため、従来の完全に結晶化した結晶化ガラス素材の熱間曲げ前の機械加工の歩留まりは低く、製造コストは高い。
【0008】
従来の完全に結晶化した結晶化ガラス素材の軟化成形温度は一般に７００℃以上であるため、３Ｄ熱間曲げの成形温度は７００℃を上回らなければならない。熱間曲げプロセスでは、完全に結晶化した結晶化ガラス素材は、熱せられるとその本来の結晶相の種類、結晶サイズ、屈折率、Ｌａｂ（色度）値、ヘイズ、透過率などが大きく変わる。表示分野で使用する場合、結晶化ガラス素材を加工して得た結晶化ガラスの色度、透過率はディスプレイの解像度、色域、彩度などの表示効果に直接影響を与え、カメラレンズ又は保護ガラスに用いると、結晶化ガラス素材を加工して得た結晶化ガラスの屈折率、ヘイズ、透過率、特に紫外、近紫外における透過率は写真及び撮影の光学系に大きな影響を与え、なお、紫外、近紫外における透過率が低い時には、画像形成の品質に直接的な影響を与える。
【0009】
また、従来の完全に結晶化した結晶化ガラス素材の３Ｄ熱間曲げは、熱間曲げ成形だけがその目的であるため、繰り返し結晶化して、エネルギーと時間の無駄になることがある。そのため、従来の完全に結晶化した結晶化ガラス素材の３Ｄ熱間曲げは技術的には非常に難しく、３Ｄ熱間曲げを利用して３Ｄの形態として加工するのは工業的製造に求める歩留まりを実現しにくい。
【0010】
しかしながら、完全に結晶化した結晶化ガラス素材に対して３Ｄ熱間曲げ成形を行うのではなく、核生成ガラス素材に対して３Ｄ熱間曲げ成形を行う場合、核生成ガラス素材は熱間曲げ結晶化の初期に、結晶核とガラスの界面で成長する結晶がもたらす体積の収縮が非常に明らかなものであり、成長する結晶の比率が高いほど、製品の体積の変化が大きく、サイズを制御するのは非常に難しいため、核生成ガラス素材は熱間曲げ結晶化の過程で体積が大きく変わり、成形後の３Ｄ熱間曲げ結晶化ガラスのサイズの精度に影響を与える。
【0011】
これを受けて、本発明は、部分的に結晶化した結晶化ガラス素材に対して３Ｄ熱間曲げを行う場合、ガラスが熱間曲げで変形すると同時にガラスは熱せられて引き続き結晶化して目的結晶化度に到達し、これによって３Ｄ熱間曲げ時の結晶化の過程が減り、熱間曲げ後の３Ｄ結晶化ガラスのサイズの精度はより高いということを見出した。
【0012】
また、従来技術では熱間曲げの時にホットプレスの時間が短いように制御し、これはホットプレスの時間が長くなると結晶化ガラス製品の表面に金型の痕跡が現れ、表面の品質が低下し、良品率に影響を与えるためである。本発明の方法は部分的に結晶化したガラス素材を用いて３Ｄ熱間曲げ処理を行い、部分的に結晶化したガラス素材は初期の結晶化度が比較的高く、金型の痕跡が生じにくい。また、部分的に結晶化したガラス素材の初期の結晶化度が比較的高いため、ホットプレスプロセスで単位時間あたりのサイズの変形量が小さく、より長いホットプレス時間に適応でき、３Ｄ後の変形量をより正確に制御することができ、輪郭度の公差の変動は小さく、サイズはより安定している。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明は、前記技術的課題を解決するために、結晶化ガラス素材を提供することを目的とし、その特徴は、前記結晶化ガラス素材の厚さが０．０２～５ｍｍであり、前記結晶化ガラス素材の結晶化度が５～９０ｗｔ％であることにある。
【0014】
好ましくは、前記厚さは０．３５～１．２ｍｍであり、前記結晶化ガラス素材の結晶化度は３０～７５ｗｔ％又は７５～９０ｗｔ％である。
【0015】
好ましくは、前記結晶化ガラス素材への波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８３～９３％であり、好ましくは８５～９２％であり、又は、前記結晶化ガラス素材への波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８０～９１％であり、好ましくは８３～９０％である。
【0016】
好ましくは、前記結晶化ガラス素材の厚さが０．７ｍｍである時のｂ値（黄青値）の絶対値は０．２～３であり、好ましくは０．６～２であり、前記結晶化ガラス素材のヘイズは０．０５～１．０％であり、好ましくは０．２～０．８％である。
【0017】
好ましくは、前記結晶化ガラス素材は、ｍｏｌ％で計算すると、次の比率の酸化物を含有し、
組成 ｍｏｌ％：
ＳｉＯ２ ５５～７４％、
Ａｌ２Ｏ３ ３～１９％、
Ｂ２Ｏ３ ０～４％、
ＭｇＯ ０～６％、
Ｎａ２Ｏ ０～３％、
Ｌｉ２Ｏ ６～２５％、
Ｋ２Ｏ ０～１％、
ＣａＯ ０～２％、
ＺｎＯ ０～５％、
希土類酸化物 ０～３％
ここで、前記希土類酸化物は、Ｌａ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｎｄ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３及びＤｙ２Ｏ３から１種又は２種以上選ばれる。
組成 ｍｏｌ％：
ＳｉＯ２ ５５～７４％、
Ａｌ２Ｏ３ ３～１９％、
Ｂ２Ｏ３ ０～４％、
ＭｇＯ ０～６％、
Ｎａ２Ｏ ０～３％、
Ｌｉ２Ｏ ６～２５％、
Ｋ２Ｏ ０～１％、
ＣａＯ ０～２％、
ＺｎＯ ０～５％、
希土類酸化物 ０～３％
ここで、前記希土類酸化物は、Ｌａ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｎｄ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３及びＤｙ２Ｏ３から１種又は２種以上選ばれる。
【0018】
好ましくは、前記結晶化ガラス素材では、ｍｏｌ％で計算すると、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３の総含有量は６０％より大きく、好ましくは６８～８０％であり、又は、Ｎａ２Ｏ＋Ｌｉ２Ｏの含有量は、ｍｏｌ％で計算すると、７～３０％であり、好ましくは１０～２６％である。
【0019】
好ましくは、前記結晶化ガラス素材は核生成剤を含み、酸化物、フッ化物又は単体で計算すると、前記核生成剤はＰ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＣａＦ２、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、Ｙ２Ｏ３、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕのうちの１種又は２種以上を含み、好ましくはＰ２Ｏ５、ＴｉＯ２及びＺｒＯ２のうちの１種又は２種以上である。
【0020】
好ましくは、前記結晶化ガラス素材は清澄剤を含み、前記清澄剤はＮａＣｌ、Ｎａ２ＳＯ４、ＳｎＯ２、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＮａＮＯ３、ＫＮＯ３、ＣｅＯ２及び（ＮＨ４）２ＳＯ４のうちの１種又は２種以上を含み、好ましくはＮａＣｌ、ＳｎＯ２、ＮａＮＯ３及びＣｅＯ２のうちの１種又は２種以上である。
【0021】
好ましくは、前記結晶化ガラス素材は、核生成及び結晶化処理を経て平均粒径５～５０ｎｍの結晶を有する。
【0022】
好ましくは、前記結晶化ガラス素材の３００Ｎの力の１０秒間負荷でのビッカース硬度は５００より大きく、好ましくは、ビッカース硬度は５６０より大きい。
【0023】
本発明は、また、前記の結晶化ガラス素材の製造方法を提供し、前記製造方法は以下のステップを含む。
ステップ１：３Ｄ結晶化ガラスの製造原料を混合し、溶融した後、冷却し、アニーリング処理を行ってガラス基材を得る。
ステップ２：ステップ１で得たガラス基材に対して核生成処理を行い、核生成処理前とその後に、必要に応じて切断を行ってもよい。
ステップ３：前記ステップ２の核生成後のガラス基材に対して結晶化処理を行う。
ステップ４：結晶化処理後のガラス基材に対して、必要に応じて切断を行って結晶化ガラス素材を得る。
ステップ１：３Ｄ結晶化ガラスの製造原料を混合し、溶融した後、冷却し、アニーリング処理を行ってガラス基材を得る。
ステップ２：ステップ１で得たガラス基材に対して核生成処理を行い、核生成処理前とその後に、必要に応じて切断を行ってもよい。
ステップ３：前記ステップ２の核生成後のガラス基材に対して結晶化処理を行う。
ステップ４：結晶化処理後のガラス基材に対して、必要に応じて切断を行って結晶化ガラス素材を得る。
【0024】
好ましくは、前記ステップ１で、溶融温度は１３５０～１７００℃であり、好ましくは、溶融温度は１４００～１６５０℃であり、より好ましくは、溶融後に５００～１０００℃に冷却する。
【0025】
好ましくは、前記ステップ１で、核生成剤を加える量は核生成剤と結晶化ガラス素材酸化物の総量の１～９ｍｏｌ％であり、好ましくは２～５ｍｏｌ％である。
【0026】
好ましくは、前記ステップ１で、清澄剤を加える量は核生成剤と結晶化ガラス素材酸化物の総質量の０～４ｗｔ％であり、好ましくは０．１～２ｗｔ％である。
【0027】
好ましくは、前記ステップ２で、核生成処理の温度は４５０～８００℃であり、好ましくは、核生成処理の時間は３０～３６０分であり、
より好ましくは、核生成処理の温度は５２０～５７０℃であり、好ましくは、核生成処理の時間は１２０～３００分である。
より好ましくは、核生成処理の温度は５２０～５７０℃であり、好ましくは、核生成処理の時間は１２０～３００分である。
【0028】
好ましくは、前記ステップ３で、結晶化処理の温度は５５０～９００℃であり、結晶化処理の時間は５～３００分であり、
好ましくは、結晶化処理の温度は６００～８５０℃であり、結晶化処理の時間は１０～２４０分であり、
より好ましくは、前記結晶化処理の温度は６００～７５０℃であり、結晶化処理の時間は１０～１５０分である。
好ましくは、結晶化処理の温度は６００～８５０℃であり、結晶化処理の時間は１０～２４０分であり、
より好ましくは、前記結晶化処理の温度は６００～７５０℃であり、結晶化処理の時間は１０～１５０分である。
【0029】
本発明は、また、前記製造方法で製造される結晶化ガラス素材を提供する。
【0030】
好ましくは、前記の結晶化ガラス素材の特徴は、前記結晶化ガラス素材が透明又は不透明であり、好ましくは、前記結晶化ガラス素材が曲面又は平面であることにある。
【0031】
本発明は、また、３Ｄ熱間曲げを行って３Ｄ結晶化ガラスを製造するための前記結晶化ガラス素材の使用を提供する。
【0032】
本発明は、また、携帯電話のディスプレイ、タブレットコンピュータのディスプレイ、携帯型ゲーム機、電子端末、携帯型デジタル装置、センターコンソールのディスプレイ、電子ホワイトボードガラス、スマートホームのタッチスクリーン、車両のフロントガラス、飛行装置のフロントガラス又は航空機のフロントガラスにおける、結晶化ガラス素材から製造される３Ｄ結晶化ガラスの使用を提供する。
【発明の効果】
【0033】
本発明の有益な効果は次のとおりである。
１．本発明は、部分的に結晶化したガラス素材に対して３Ｄ熱間曲げを行い、ガラス素材が熱間曲げで変形すると同時にガラス素材は熱せられて引き続き結晶化して目的結晶化度に到達し、これによって３Ｄ熱間曲げ時の結晶化の過程が減り、結晶化ガラス素材の熱間曲げ後に得た３Ｄ結晶化ガラスのサイズの精度はより高い。本発明の結晶化ガラス素材の製造方法は加工の難易度が低く、加工コストが安く、時間が節約されるとともに、熱処理ではエネルギーが節約される。部分的に結晶化したガラス素材に対して３Ｄ熱間曲げを行うのは、従来の高結晶化度又は完全に結晶化した結晶化ガラス素材の３Ｄ熱間曲げの時の繰り返し結晶化の問題を避けている。
１．本発明は、部分的に結晶化したガラス素材に対して３Ｄ熱間曲げを行い、ガラス素材が熱間曲げで変形すると同時にガラス素材は熱せられて引き続き結晶化して目的結晶化度に到達し、これによって３Ｄ熱間曲げ時の結晶化の過程が減り、結晶化ガラス素材の熱間曲げ後に得た３Ｄ結晶化ガラスのサイズの精度はより高い。本発明の結晶化ガラス素材の製造方法は加工の難易度が低く、加工コストが安く、時間が節約されるとともに、熱処理ではエネルギーが節約される。部分的に結晶化したガラス素材に対して３Ｄ熱間曲げを行うのは、従来の高結晶化度又は完全に結晶化した結晶化ガラス素材の３Ｄ熱間曲げの時の繰り返し結晶化の問題を避けている。
【0034】
２．３Ｄ結晶化ガラスの製造プロセスで平面研磨及び研削は必要に応じて３Ｄ熱間曲げの前に行う。３Ｄ結晶化ガラスの平面研磨及び研削の速度は硬度に関係しており、硬度が高いほど、平面研磨及び研削の難易度は高く、またより長い時間を要する。本発明は、部分的に結晶化したガラス素材に対して平面研磨及び研削を行い、完全に結晶化した結晶化ガラス素材より硬度が低いため、ガラスシートの平面研磨及び研削加工の難易度は低下し、所要時間が減少される。
【0035】
３．本発明の結晶化ガラス素材は光学性能が向上しており、従来の完全に結晶化した結晶化ガラス素材は軟化成形温度が一般に７００℃以上であるため、７００℃より高い熱間曲げプロセスでは結晶化ガラス素材の中の結晶が引き続き成長し、残ったガラス塊から再び晶析するため、晶析し過ぎる問題があり、熱間曲げ後の結晶化ガラス素材の光学性能を大幅に低下させてしまう。本発明に記載の結晶化ガラス素材の光学性能としては波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率が８３～９３％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率が８０～９１％であり、前記３Ｄ結晶化ガラスの厚さが０．７ｍｍである時のｂ値（黄青値）の絶対値は０．２～３．０である。
【0036】
４．本発明の結晶化ガラス素材のサイズの精度の制御率は向上している。部分的に結晶化したガラス素材に対して３Ｄ熱間曲げを行い、ガラスは熱せられて引き続き結晶化して目的結晶化度に到達し、この過程ではガラスが熱間曲げで結晶化すると同時に変形するが、当該変形は３Ｄ熱間曲げの時の結晶化の過程を減らすために小さくなり、これは熱間曲げ後の結晶化ガラス素材のサイズの精度の制御に役立つ。
【0037】
５．本発明の結晶化ガラス素材の良品率は向上している。核生成ガラス又は初期の結晶化度が低いガラスを３Ｄ熱間曲げ成形の素材とする場合、当該素材は熱間曲げ成形の短い時間のうちに大量に晶析する必要があるが、異なるバッチの素材では３Ｄ熱間曲げプロセスで非常に多くの変化する要因の影響を受け、異なるバッチでは結晶のサイズ、結晶の種類、結晶率の安定性が悪くなる。部分的に結晶化したガラス素材に対して３Ｄ熱間曲げを行うと、その結晶化度は比較的高く、熱間曲げプロセスでは結晶の成長量が少なく、変化する要因の影響が低減されるため、異なるバッチの結晶化ガラス素材から製造される３Ｄ結晶化ガラスの安定性をより制御しやすく、良品率を向上させやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【0038】
【発明を実施するための形態】
【0039】
本発明は、結晶化ガラス素材を提供することを目的とし、その特徴は、前記結晶化ガラス素材の厚さが０．０２～５ｍｍであり、前記結晶化ガラス素材の結晶化度が５～９０ｗｔ％であることにある。
【0040】
好ましくは、前記厚さは０．３５～１．２ｍｍであり、前記結晶化ガラス素材の結晶化度は３０～７５ｗｔ％、７５～９０ｗｔ％、６～１０ｗｔ％、１１～１５ｗｔ％、１６～２０ｗｔ％、２１～２５ｗｔ％、２６～３０ｗｔ％、３１～３５ｗｔ％、３６～４０ｗｔ％、４１～４５ｗｔ％、４６～５０ｗｔ％、５１～５５ｗｔ％、５６～６０ｗｔ％、６１～６５ｗｔ％、６６～７０ｗｔ％、７１～７５ｗｔ％、７６～８０ｗｔ％、８１～８５ｗｔ％、８６～９０ｗｔ％、あるいは１０～２０ｗｔ％、２１～３０ｗｔ％、３１～４０ｗｔ％、４１～５０ｗｔ％、５１～６０ｗｔ％、６１～７０ｗｔ％、７１～８０ｗｔ％、又は８１～９０ｗｔ％である。
【0041】
好ましくは、前記結晶化ガラス素材への波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８３～９３％であり、好ましくは８５～９２％であり、又は、前記結晶化ガラス素材への波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８０～９１％であり、好ましくは８３～９０％である。
【0042】
好ましくは、前記結晶化ガラス素材の厚さが０．７ｍｍである時のｂ値（黄青値）の絶対値は０．２～３であり、好ましくは０．６～２であり、前記結晶化ガラス素材のヘイズは０．０５～１．０％であり、好ましくは０．２～０．８％である。
【0043】
好ましくは、前記結晶化ガラス素材は、ｍｏｌ％で計算すると、次の比率の酸化物を含有し、
組成 ｍｏｌ％：
ＳｉＯ２ ５５～７４％、
Ａｌ２Ｏ３ ３～１９％、
Ｂ２Ｏ３ ０～４％、
ＭｇＯ ０～６％、
Ｎａ２Ｏ ０～３％、
Ｌｉ２Ｏ ６～２５％、
Ｋ２Ｏ ０～１％、
ＣａＯ ０～２％、
ＺｎＯ ０～５％、
希土類酸化物 ０～３％
ここで、前記希土類酸化物は、Ｌａ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｎｄ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３及びＤｙ２Ｏ３から１種又は２種以上選ばれる。
組成 ｍｏｌ％：
ＳｉＯ２ ５５～７４％、
Ａｌ２Ｏ３ ３～１９％、
Ｂ２Ｏ３ ０～４％、
ＭｇＯ ０～６％、
Ｎａ２Ｏ ０～３％、
Ｌｉ２Ｏ ６～２５％、
Ｋ２Ｏ ０～１％、
ＣａＯ ０～２％、
ＺｎＯ ０～５％、
希土類酸化物 ０～３％
ここで、前記希土類酸化物は、Ｌａ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｎｄ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３及びＤｙ２Ｏ３から１種又は２種以上選ばれる。
【0044】
好ましくは、前記結晶化ガラス素材では、ｍｏｌ％で計算すると、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３の総含有量は６０％より大きく、好ましくは６８～８０％であり、又は、Ｎａ２Ｏ＋Ｌｉ２Ｏの含有量は、ｍｏｌ％で計算すると、７～３０％であり、好ましくは１０～２６％である。
【0045】
好ましくは、前記結晶化ガラス素材は核生成剤を含み、酸化物、フッ化物又は単体で計算すると、前記核生成剤はＰ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＣａＦ２、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、Ｙ２Ｏ３、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕのうちの１種又は２種以上を含み、好ましくはＰ２Ｏ５、ＴｉＯ２及びＺｒＯ２のうちの１種又は２種以上である。
【0046】
好ましくは、前記結晶化ガラス素材は清澄剤を含み、前記清澄剤はＮａＣｌ、Ｎａ２ＳＯ４、ＳｎＯ２、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＮａＮＯ３、ＫＮＯ３、ＣｅＯ２及び（ＮＨ４）２ＳＯ４のうちの１種又は２種以上を含み、好ましくはＮａＣｌ、ＳｎＯ２、ＮａＮＯ３及びＣｅＯ２のうちの１種又は２種以上である。
【0047】
好ましくは、前記結晶化ガラス素材は、核生成及び結晶化処理を経て平均粒径５～５０ｎｍの結晶を有する。
【0048】
好ましくは、前記結晶化ガラス素材の３００Ｎの力の１０秒間負荷でのビッカース硬度は５００より大きく、好ましくは、ビッカース硬度は５６０より大きい。
【0049】
本発明は、また、前記の結晶化ガラス素材の製造方法を提供し、前記製造方法は以下のステップを含む。
ステップ１：３Ｄ結晶化ガラスの製造原料を混合し、溶融した後、冷却し、アニーリング処理を行ってガラス基材を得る。
ステップ２：ステップ１で得たガラス基材に対して核生成処理を行い、核生成処理前とその後に、必要に応じて切断を行ってもよい。
ステップ３：前記ステップ２の核生成後のガラス基材に対して結晶化処理を行う。
ステップ４：結晶化処理後のガラス基材に対して、必要に応じて切断を行って結晶化ガラス素材を得る。
ステップ１：３Ｄ結晶化ガラスの製造原料を混合し、溶融した後、冷却し、アニーリング処理を行ってガラス基材を得る。
ステップ２：ステップ１で得たガラス基材に対して核生成処理を行い、核生成処理前とその後に、必要に応じて切断を行ってもよい。
ステップ３：前記ステップ２の核生成後のガラス基材に対して結晶化処理を行う。
ステップ４：結晶化処理後のガラス基材に対して、必要に応じて切断を行って結晶化ガラス素材を得る。
【0050】
好ましくは、前記ステップ１で、溶融温度は１３５０～１７００℃であり、好ましくは、溶融温度は１４００～１６５０℃であり、より好ましくは、溶融後に５００～１０００℃に冷却する。
【0051】
好ましくは、前記ステップ１で、核生成剤を加える量は核生成剤と結晶化ガラス素材酸化物の総量の１～９ｍｏｌ％であり、好ましくは２～５ｍｏｌ％である。
【0052】
好ましくは、前記ステップ１で、清澄剤を加える量は核生成剤と結晶化ガラス素材酸化物の総質量の０～４ｗｔ％であり、好ましくは０．１～２ｗｔ％である。
【0053】
好ましくは、前記ステップ２で、核生成処理の温度は４５０～８００℃であり、好ましくは、核生成処理の時間は３０～３６０分であり、
より好ましくは、核生成処理の温度は５２０～５７０℃であり、好ましくは、核生成処理の時間は１２０～３００分である。
より好ましくは、核生成処理の温度は５２０～５７０℃であり、好ましくは、核生成処理の時間は１２０～３００分である。
【0054】
好ましくは、前記ステップ３で、結晶化処理の温度は５５０～９００℃であり、結晶化処理の時間は５～３００分であり、
好ましくは、結晶化処理の温度は６００～８５０℃であり、結晶化処理の時間は１０～２４０分であり、
より好ましくは、前記結晶化処理の温度は６００～７５０℃であり、結晶化処理の時間は１０～１５０分である。
好ましくは、結晶化処理の温度は６００～８５０℃であり、結晶化処理の時間は１０～２４０分であり、
より好ましくは、前記結晶化処理の温度は６００～７５０℃であり、結晶化処理の時間は１０～１５０分である。
【0055】
本発明は、また、前記製造方法で製造される結晶化ガラス素材を提供する。
【0056】
好ましくは、前記の結晶化ガラス素材の特徴は、前記結晶化ガラス素材が透明又は不透明であり、好ましくは、前記結晶化ガラス素材が曲面又は平面であることにある。
【0057】
本発明は、また、３Ｄ熱間曲げを行って３Ｄ結晶化ガラスを製造するための前記結晶化ガラス素材の使用を提供する。
【0058】
本発明は、また、携帯電話のディスプレイ、タブレットコンピュータのディスプレイ、携帯型ゲーム機、電子端末、携帯型デジタル装置、センターコンソールのディスプレイ、電子ホワイトボードガラス、スマートホームのタッチスクリーン、車両のフロントガラス、飛行装置のフロントガラス又は航空機のフロントガラスにおける、結晶化ガラス素材から製造される３Ｄ結晶化ガラスの使用を提供する。
【0059】
用語の説明：
３Ｄ結晶化ガラス：上面と下面はいずれも非平面の結晶化ガラスである。
２Ｄ結晶化ガラス：上面と下面はいずれも平面の結晶化ガラスである。
２．５Ｄ結晶化ガラス：一方の面は平面で、他方の面は非平面の結晶化ガラスである。
結晶化度：結晶化ガラスは結晶相及びガラス相を含有し、結晶相の質量の結晶化ガラスの総質量に占めるパーセントは結晶化度である。
透過率：入射光束が被照射面又は媒質の入射面から別の面に行って離れるという過程で、物体に投射されて透過する照射エネルギーと物体に投射される総照射エネルギーの比である。
平均透過率：所定の波長範囲において、１０ｎｍの波長の間隔で各波長での透過率を測定し、このように測定した各波長での透過率の和を測定した各波長での透過率の数で割った値である。例えば、波長３６０～４００ｎｍの平均透過率の計算方法は次のとおりである。波長３６０ｎｍ、３７０ｎｍ、３８０ｎｍ、３９０ｎｍ、４００ｎｍでの透過率をそれぞれ測定し、測定した３６０～４００ｎｍでの透過率の数は５であり、前記透過率の和を５で割って波長３６０～４００ｎｍでの平均透過率を得る。
核生成：熱処理によってガラス中の核生成物質に約５ｎｍの結晶核を成長させることである。
結晶化：ガラスに対する熱処理で結晶核の上に特定の結晶を成長させることである。
結晶の平均粒径：１０万～１００万倍の拡大倍率で観察された前記結晶化ガラス素材又は３Ｄ結晶化ガラスの中の結晶粒長の平均値である。透過型電子顕微鏡（型番：ＴｈｅｒｍｏＦｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ（旧ＦＥＩ）Ｔａｌｏｓ Ｆ２００Ｓ）で観察して測定される。測定時には特定の部位の結晶粒に対して拡大写真を撮り、当該拡大写真領域内には限られた結晶粒があり、縮尺に基づいて限られた結晶粒のサイズを記して、平均を求める。本発明の実施例では、測定時の拡大倍率が５０万倍である。
３Ｄ結晶化ガラス：上面と下面はいずれも非平面の結晶化ガラスである。
２Ｄ結晶化ガラス：上面と下面はいずれも平面の結晶化ガラスである。
２．５Ｄ結晶化ガラス：一方の面は平面で、他方の面は非平面の結晶化ガラスである。
結晶化度：結晶化ガラスは結晶相及びガラス相を含有し、結晶相の質量の結晶化ガラスの総質量に占めるパーセントは結晶化度である。
透過率：入射光束が被照射面又は媒質の入射面から別の面に行って離れるという過程で、物体に投射されて透過する照射エネルギーと物体に投射される総照射エネルギーの比である。
平均透過率：所定の波長範囲において、１０ｎｍの波長の間隔で各波長での透過率を測定し、このように測定した各波長での透過率の和を測定した各波長での透過率の数で割った値である。例えば、波長３６０～４００ｎｍの平均透過率の計算方法は次のとおりである。波長３６０ｎｍ、３７０ｎｍ、３８０ｎｍ、３９０ｎｍ、４００ｎｍでの透過率をそれぞれ測定し、測定した３６０～４００ｎｍでの透過率の数は５であり、前記透過率の和を５で割って波長３６０～４００ｎｍでの平均透過率を得る。
核生成：熱処理によってガラス中の核生成物質に約５ｎｍの結晶核を成長させることである。
結晶化：ガラスに対する熱処理で結晶核の上に特定の結晶を成長させることである。
結晶の平均粒径：１０万～１００万倍の拡大倍率で観察された前記結晶化ガラス素材又は３Ｄ結晶化ガラスの中の結晶粒長の平均値である。透過型電子顕微鏡（型番：ＴｈｅｒｍｏＦｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ（旧ＦＥＩ）Ｔａｌｏｓ Ｆ２００Ｓ）で観察して測定される。測定時には特定の部位の結晶粒に対して拡大写真を撮り、当該拡大写真領域内には限られた結晶粒があり、縮尺に基づいて限られた結晶粒のサイズを記して、平均を求める。本発明の実施例では、測定時の拡大倍率が５０万倍である。
【0060】
ｂ値：材料の黄青値を表し、本発明でｂ値は透過光のｂ値であり、ｂ値が正である場合は材料が青色の方に近いことを表し、クロマトグラフ（型番ＣＭ－３６００Ａ）で測定される。
【0061】
ヘイズ：入射光から２．５°以上外れた透過光の強度の、透過光の総強度に占めるパーセントである。クロマトグラフ（型番ＣＭ－３６００Ａ）で測定される。
【0062】
前記結晶化ガラス素材の厚さが０．６５ｍｍである時の光学性能はＤ６５光源でのｂ値の絶対値であって０．２～３．０であり、好ましくはＤ６５光源でのｂ値の絶対値は０．６～２．０であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は７０％より大きく又は等しく、好ましくは波長３６０ｎｍの透過率は８０％より大きく又は等しい。
【0063】
核生成剤はＰ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＣａＦ２、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、Ｙ２Ｏ３、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどを含み、ただしそれらに限定されない。
【0064】
部分的に結晶化したガラス素材に対して熱間曲げで結晶化させる時に、結晶化の速度は制御可能であり、これは粒径１００ｎｍ以下の結晶を成長させるために役立ち、プロセスに対する制御で、析出した結晶の平均粒径は１０～１００ｎｍであることを確保でき、これによって３Ｄ結晶化ガラスの光学性能を向上させる。
【0065】
別の一部の特定の実施形態では、部分的に結晶化したガラス素材の３Ｄ熱間曲げプロセスで、結晶化と３Ｄ熱間曲げ成形が同時に行われ、熱間曲げの時間は一般に在３０分以内であり、一部の実施例は、部分的に結晶化したガラス素材が、適切なプロセスで、１０～２０分の３Ｄ熱間曲げを経て結晶化度は８０ｗｔ％以上に達し、且つ光学性能は要件を満たすことを示す。
【0066】
前記結晶化ガラス素材から製造された最終的な３Ｄ結晶化ガラスの結晶相には、ケイ酸リチウム、二ケイ酸リチウム、β－石英、β－石英固溶体、葉長石、β－リシア輝石、β－リシア輝石固溶体、霞石、菫青石、ムライト、燐灰石、ジルコニア、亜鉛スピネル、マグネシア・アルミナ・スピネル、金紅石などが含まれる。
【0067】
以下、本発明を一層理解するために、実施例を用いて本発明の内容を一層説明する。
【0068】
以下、本実施例で使用する原料と装置のメーカー、及び製品分析で使用する装置と分析方法を説明し、前記化学物質は説明がなければ、いずれも化学的に純粋な通常の試薬である。
【0069】
なお、実施例及び比較例で使用する原料の情報は次の表１に示すとおりである。
【表1】
【0070】
（実施例）
実施例の熱間曲げプロセスは表２を参照し、例えば、プロセス番号が１である時に、熱間曲げ処理は、４つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４３０℃であり、第２予熱ステーションの温度は５００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６００℃であり、第４予熱ステーションの温度は６８０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は８００℃であり、上部圧力は０．４ＭＰａであり、下部圧力は０．４ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は８１０℃であり、上部圧力は０．４ＭＰａであり、下部圧力は０．４ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０．４ＭＰａであり、下部圧力は０．４ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、２０秒であった。
実施例の熱間曲げプロセスは表２を参照し、例えば、プロセス番号が１である時に、熱間曲げ処理は、４つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４３０℃であり、第２予熱ステーションの温度は５００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６００℃であり、第４予熱ステーションの温度は６８０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は８００℃であり、上部圧力は０．４ＭＰａであり、下部圧力は０．４ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は８１０℃であり、上部圧力は０．４ＭＰａであり、下部圧力は０．４ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０．４ＭＰａであり、下部圧力は０．４ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、２０秒であった。
【0071】
例えば、番号が１２である熱間曲げプロセスは次のとおりであった。熱間曲げ処理は、４つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４３０℃であり、第２予熱ステーションの温度は５００℃であり、第３予熱ステーションの温度は７００℃であり、第４予熱ステーションの温度は８５０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は７８０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は７６０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、９０秒であった。これを例とする。
【表2】
【0072】
実施例及び比較例はいずれも結晶化ガラス素材の製造方法及び引き続き当該結晶化ガラス素材を使用して３Ｄ結晶化ガラスを製造する製造方法であった。
【0073】
（実施例１）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６２．００％、Ａｌ２Ｏ３ １７．００％、ＭｇＯ ２．５０％、Ｎａ２Ｏ ２．５０％、Ｌｉ２Ｏ １０．００％、Ｂ２Ｏ３ ２．００％、希土類酸化物Ｌａ２Ｏ３ ０．８％、核生成剤（２．００％のＰ２Ｏ５、１．２０％のＺｒＯ２を含有する）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１３．６ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６５０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３／ＴＰ３１０Ｓオーステナイト系クロム・ニッケルステンレス鋼材質の金型（次の実施例及び比較例ではいずれも実施例１と同じ金型を使用する）に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、６２０℃で５時間保温した後、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は７６０℃であり、核生成処理の時間は１２０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は７９０℃であり、結晶化処理の時間は１０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：部分結晶化後のガラスブロックに対して研磨研削機でエッジトリミングした後、マルチワイヤー切断機で切断してシート状にし、ＣＮＣ工作機械で加工して長さと幅と厚さが１５８×７５×０．６５ｍｍであるガラスシートとし、続いて、平面研磨機、研削機を用いて、それぞれ、粗研磨及び研削処理を行って、部分的に結晶化したガラス素板（即ち、結晶化ガラス素材）を得て、測定したところ、その結晶化度は１０ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１２ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．６１であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８０．１４％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８８．９０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８１．７４％であり、ヘイズは０．２５％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６２．００％、Ａｌ２Ｏ３ １７．００％、ＭｇＯ ２．５０％、Ｎａ２Ｏ ２．５０％、Ｌｉ２Ｏ １０．００％、Ｂ２Ｏ３ ２．００％、希土類酸化物Ｌａ２Ｏ３ ０．８％、核生成剤（２．００％のＰ２Ｏ５、１．２０％のＺｒＯ２を含有する）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１３．６ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６５０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３／ＴＰ３１０Ｓオーステナイト系クロム・ニッケルステンレス鋼材質の金型（次の実施例及び比較例ではいずれも実施例１と同じ金型を使用する）に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、６２０℃で５時間保温した後、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は７６０℃であり、核生成処理の時間は１２０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は７９０℃であり、結晶化処理の時間は１０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：部分結晶化後のガラスブロックに対して研磨研削機でエッジトリミングした後、マルチワイヤー切断機で切断してシート状にし、ＣＮＣ工作機械で加工して長さと幅と厚さが１５８×７５×０．６５ｍｍであるガラスシートとし、続いて、平面研磨機、研削機を用いて、それぞれ、粗研磨及び研削処理を行って、部分的に結晶化したガラス素板（即ち、結晶化ガラス素材）を得て、測定したところ、その結晶化度は１０ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１２ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．６１であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８０．１４％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８８．９０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８１．７４％であり、ヘイズは０．２５％であった。
【0074】
ステップ５：（引き続き結晶化ガラス素材から３Ｄ結晶化ガラスを製造する）部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げ処理は、４つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４３０℃であり、第２予熱ステーションの温度は５００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６００℃であり、第４予熱ステーションの温度は６８０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は８００℃であり、上部圧力は０．４ＭＰａであり、下部圧力は０．４ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は８１０℃であり、上部圧力は０．４ＭＰａであり、下部圧力は０．４ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０．４ＭＰａであり、下部圧力は０．４ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、２０秒であった。即ち、表２の番号１の熱間曲げプロセスを利用し、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１を得た。
【0075】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル１に対して検出し、線回折装置を使用し、装置において電圧４０ｍＶ、電流３０ｍＡ、試験範囲１０～５０°、走査速度１°／分と設定し、ステップ幅を０．０２°／ステップと設定し、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１の結晶化度は１５ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－リシア輝石であり、結晶の平均粒径は３７ｎｍであった。光源をＤ６５に限定する時に、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１のｂ値の絶対値は２．３０であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は７６．３０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８８．２０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８０．１０％であり、ヘイズは０．４０％であった。
【0076】
ステップ６：ステップ５で得た熱間曲げ後の３Ｄ結晶化ガラスに対して化学強化処理を行い、４３０℃の温度で、融解した１００ｗｔ％ＮａＮＯ３溶液にガラスを８時間浸漬して、最終的に３Ｄ結晶化ガラス完成品１を得た。
【0077】
（実施例２）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６４．００％、Ａｌ２Ｏ３ １７．００％、Ｎａ２Ｏ ２．５０％、Ｌｉ２Ｏ １２．５％、Ｂ２Ｏ３ ２．００％、核生成剤（０．８０％のＰ２Ｏ５、１．２０％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１３．６ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６５０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２及びステップ３は実施例１と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は１３ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１１ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．５２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８１．２４％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．２０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８３．５２％であり、ヘイズは０．１９％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６４．００％、Ａｌ２Ｏ３ １７．００％、Ｎａ２Ｏ ２．５０％、Ｌｉ２Ｏ １２．５％、Ｂ２Ｏ３ ２．００％、核生成剤（０．８０％のＰ２Ｏ５、１．２０％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１３．６ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６５０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２及びステップ３は実施例１と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は１３ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１１ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．５２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８１．２４％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．２０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８３．５２％であり、ヘイズは０．１９％であった。
【0078】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号１の熱間曲げプロセスを利用して（実施例１を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２を得た。
【0079】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル２に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２の熱間曲げ後の結晶化度は２４ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－リシア輝石であり、結晶の平均粒径は２７ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２のｂ値の絶対値は３．１０であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は７６．００％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８８．００％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は７８．００％であり、ヘイズは０．４３％であった。
【0080】
ステップ６：ステップ５で得た熱間曲げ後の３Ｄ結晶化ガラスに対して化学強化処理を行い、処理条件は実施例１と同じであり、最終的に３Ｄ結晶化ガラス完成品２を得た。
【0081】
（実施例３）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６３．６４％、Ａｌ２Ｏ３ １６．０３％、Ｌｉ２Ｏ １６．０３％、Ｂ２Ｏ３ ２．００％、核生成剤（０．８０％のＰ２Ｏ５、１．５０％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１３．６ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、６１０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は７０５℃であり、核生成処理の時間は１２０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は７７５℃であり、結晶化処理の時間は１０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は９ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１６ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．３であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．３６％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．３０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．４４％であり、ヘイズは０．１３％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６３．６４％、Ａｌ２Ｏ３ １６．０３％、Ｌｉ２Ｏ １６．０３％、Ｂ２Ｏ３ ２．００％、核生成剤（０．８０％のＰ２Ｏ５、１．５０％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１３．６ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、６１０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は７０５℃であり、核生成処理の時間は１２０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は７７５℃であり、結晶化処理の時間は１０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は９ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１６ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．３であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．３６％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．３０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．４４％であり、ヘイズは０．１３％であった。
【0082】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号１の熱間曲げプロセスを利用して（実施例１を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３を得た。
【0083】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル３に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３の熱間曲げ後の結晶化度は１８ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－石英固溶体であり、結晶の平均粒径は２４ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３のｂ値の絶対値は１．２１であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．７１％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９０．２２％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８４．５６％であり、ヘイズは０．１６％であった。
【0084】
（実施例４）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６６．６３％、Ａｌ２Ｏ３ １５．１３％、ＭｇＯ ４．７６％、Ｎａ２Ｏ １．５５％、Ｌｉ２Ｏ ８．６５％、希土類酸化物Ｌａ２Ｏ３ ０．８１％、核生成剤（０．６７％のＰ２Ｏ５、１．３０％のＺｒＯ２、０．５０％のＹ２Ｏ３）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占めるＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１３．６ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、６１０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は７２０℃であり、核生成処理の時間は１２０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は７８０℃であり、結晶化処理の時間は１０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は１１ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１６ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．３３であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８２．６５％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９０．６０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８４．７３％であり、ヘイズは０．２４％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６６．６３％、Ａｌ２Ｏ３ １５．１３％、ＭｇＯ ４．７６％、Ｎａ２Ｏ １．５５％、Ｌｉ２Ｏ ８．６５％、希土類酸化物Ｌａ２Ｏ３ ０．８１％、核生成剤（０．６７％のＰ２Ｏ５、１．３０％のＺｒＯ２、０．５０％のＹ２Ｏ３）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占めるＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１３．６ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、６１０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は７２０℃であり、核生成処理の時間は１２０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は７８０℃であり、結晶化処理の時間は１０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は１１ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１６ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．３３であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８２．６５％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９０．６０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８４．７３％であり、ヘイズは０．２４％であった。
【0085】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号１の熱間曲げプロセスを利用して（実施例１を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル４を得た。
【0086】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル４に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル４の熱間曲げ後の結晶化度は２３ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－石英固溶体であり、結晶の平均粒径は２７ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、３Ｄ結晶化ガラスサンプル４のｂ値の絶対値は１．４８であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８０．０６％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８９．５％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８３．５０％であり、ヘイズは０．２５％であった。
【0087】
ステップ６：ステップ５で得た熱間曲げ後の３Ｄ結晶化ガラスに対して化学強化処理を行い、４５０℃の温度で、融解した１００ｗｔ％ＮａＮＯ３溶液にガラスを７時間浸漬して、最終的に３Ｄ結晶化ガラス完成品４を得た。
【0088】
（実施例５）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６６．９６％、Ａｌ２Ｏ３ １４．２０％、ＭｇＯ ４．７９％、Ｎａ２Ｏ ０．５６％、Ｌｉ２Ｏ ９．７０％、希土類酸化物Ｅｒ２Ｏ３ ０．８１％、核生成剤（１．６８％のＰ２Ｏ５、１．３０％のＺｒＯ２）、及び、清澄剤として核生成剤と製造原料の総質量の０．４ｗｔ％を占めるＮａＣｌ及び０．４ｗｔ％のＳｎＯ２を含み、前記原料の総重量は１７１３．６ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２及びステップ３は実施例４と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は１６ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１８ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．４２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８１．３５％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．１２％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８４．０４％であり、ヘイズは０．２６％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６６．９６％、Ａｌ２Ｏ３ １４．２０％、ＭｇＯ ４．７９％、Ｎａ２Ｏ ０．５６％、Ｌｉ２Ｏ ９．７０％、希土類酸化物Ｅｒ２Ｏ３ ０．８１％、核生成剤（１．６８％のＰ２Ｏ５、１．３０％のＺｒＯ２）、及び、清澄剤として核生成剤と製造原料の総質量の０．４ｗｔ％を占めるＮａＣｌ及び０．４ｗｔ％のＳｎＯ２を含み、前記原料の総重量は１７１３．６ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２及びステップ３は実施例４と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は１６ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１８ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．４２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８１．３５％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．１２％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８４．０４％であり、ヘイズは０．２６％であった。
【0089】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号１の熱間曲げプロセスを利用して（実施例１を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル５を得た。
【0090】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル５に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル５の熱間曲げ後の結晶化度は３３ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－石英固溶体及びβ－リシア輝石であり、結晶の平均粒径は２２ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、３Ｄ結晶化ガラスサンプル５のｂ値の絶対値は３．２４であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は７２．００％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８８．９０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は７８．６０％であり、ヘイズは０．５４％であった。
【0091】
（実施例６）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６６．９５％、Ａｌ２Ｏ３ １４．２０％、ＭｇＯ ２．２９％、Ｎａ２Ｏ １．５６％、ＺｎＯ １．００％、Ｌｉ２Ｏ ９．７０％、希土類酸化物Ｌａ２Ｏ３ ０．８１％、核生成剤（１．６８％のＰ２Ｏ５、１．３１％のＺｒＯ２、０．５％のＹ２Ｏ３）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１３．６ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２は実施例４と同じであった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は７６５℃であり、結晶化処理の時間は２０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は１２ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は２３ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．７３であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は７８．０２％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８８．３０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８０．１２％であり、ヘイズは０．３８％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６６．９５％、Ａｌ２Ｏ３ １４．２０％、ＭｇＯ ２．２９％、Ｎａ２Ｏ １．５６％、ＺｎＯ １．００％、Ｌｉ２Ｏ ９．７０％、希土類酸化物Ｌａ２Ｏ３ ０．８１％、核生成剤（１．６８％のＰ２Ｏ５、１．３１％のＺｒＯ２、０．５％のＹ２Ｏ３）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１３．６ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２は実施例４と同じであった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は７６５℃であり、結晶化処理の時間は２０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は１２ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は２３ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．７３であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は７８．０２％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８８．３０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８０．１２％であり、ヘイズは０．３８％であった。
【0092】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号１の熱間曲げプロセスを利用して（実施例１を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル６を得た。
【0093】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル６に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル６の熱間曲げ後の結晶化度は２３ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－石英固溶体及びβ－リシア輝石であり、結晶の平均粒径は３０ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は３．４であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は６６．３０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８８．３０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は７６．２０％であり、ヘイズは０．９６％であった。
【0094】
（実施例７）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６６．４２％、Ａｌ２Ｏ３ １４．０９％、ＭｇＯ ４．７５％、Ｎａ２Ｏ １．５５％、Ｌｉ２Ｏ ９．６２％、核生成剤（０．６７％のＰ２Ｏ５、１．３％のＺｒＯ２、１．６％のＴｉＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占めるＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１３．６ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２は実施例４と同じであった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は７５０℃であり、結晶化処理の時間は２０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は１７ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１２ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．２２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．０５％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．７０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．７２％であり、ヘイズは０．２１％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６６．４２％、Ａｌ２Ｏ３ １４．０９％、ＭｇＯ ４．７５％、Ｎａ２Ｏ １．５５％、Ｌｉ２Ｏ ９．６２％、核生成剤（０．６７％のＰ２Ｏ５、１．３％のＺｒＯ２、１．６％のＴｉＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占めるＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１３．６ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２は実施例４と同じであった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は７５０℃であり、結晶化処理の時間は２０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は１７ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１２ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．２２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．０５％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．７０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．７２％であり、ヘイズは０．２１％であった。
【0095】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号１の熱間曲げプロセスを利用して（実施例１を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル７を得た。
【0096】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル７に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル７の熱間曲げ後の結晶化度は３４ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－石英固溶体であり、結晶の平均粒径は２４ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、３Ｄ結晶化ガラスサンプル７のｂ値の絶対値は１．２０であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．１０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９０．２８％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８４．６２％であり、ヘイズは０．１５％であった。
【0097】
ステップ６：ステップ５で得た熱間曲げ後の３Ｄ結晶化ガラスに対して化学強化処理を行い、４３０℃の温度で、融解した１００ｗｔ％ＮａＮＯ３溶液にガラスを９時間浸漬して、最終的に３Ｄ結晶化ガラス完成品７を得た。
【0098】
（実施例８）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６６．９５％、Ａｌ２Ｏ３ １３．２０％、ＣａＯ １．０％、ＭｇＯ ３．７９％、Ｎａ２Ｏ １．５６％、Ｌｉ２Ｏ ９．７０％、核生成剤（１．６８％のＰ２Ｏ５、１．５１％のＺｒＯ２、０．６１％のＴｉ２Ｏ）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．７ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５７０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は７１５℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は８２０℃であり、結晶化処理の時間は１０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は２８ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は２３ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．１８であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８５．１１％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．９０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８８．０１％であり、ヘイズは０．１２％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６６．９５％、Ａｌ２Ｏ３ １３．２０％、ＣａＯ １．０％、ＭｇＯ ３．７９％、Ｎａ２Ｏ １．５６％、Ｌｉ２Ｏ ９．７０％、核生成剤（１．６８％のＰ２Ｏ５、１．５１％のＺｒＯ２、０．６１％のＴｉ２Ｏ）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．７ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５７０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は７１５℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は８２０℃であり、結晶化処理の時間は１０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は２８ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は２３ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．１８であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８５．１１％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．９０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８８．０１％であり、ヘイズは０．１２％であった。
【0099】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げ処理は、４つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４８０℃であり、第２予熱ステーションの温度は６３５℃であり、第３予熱ステーションの温度は６８５℃であり、第４予熱ステーションの温度は７１５℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は７４５℃であり、上部圧力は０．３ＭＰａであり、下部圧力は０．６ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は７６０℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０．ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、８０秒であった。即ち、表２の番号８の熱間曲げプロセスを利用し、３Ｄ結晶化ガラスサンプル８を得た。
【0100】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル８に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル８の熱間曲げ後の結晶化度は４５ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－石英固溶体及びβ－リシア輝石であり、結晶の平均粒径は３７ｎｍであった。光源をＤ６５に限定する時に、３Ｄ結晶化ガラスサンプル８のｂ値の絶対値は２．９０であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は７６．１１％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８８．１０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は７８．８０％であり、ヘイズは０．６３％であった。
【0101】
（実施例９）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６６．９６％、Ａｌ２Ｏ３ １３．２０％、ＭｇＯ ５．７９％、Ｎａ２Ｏ １．２６％、Ｌｉ２Ｏ ８．００％、Ｂ２Ｏ３ １．００％、希土類酸化物Ｅｒ２Ｏ３ ０．９％、核生成剤（１．６８％のＰ２Ｏ５、１．２１％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．７ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２及びステップ３は実施例８と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は１９ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１４ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．２３であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．２１％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．４０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．８３％であり、ヘイズは０．１６％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６６．９６％、Ａｌ２Ｏ３ １３．２０％、ＭｇＯ ５．７９％、Ｎａ２Ｏ １．２６％、Ｌｉ２Ｏ ８．００％、Ｂ２Ｏ３ １．００％、希土類酸化物Ｅｒ２Ｏ３ ０．９％、核生成剤（１．６８％のＰ２Ｏ５、１．２１％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．７ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２及びステップ３は実施例８と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は１９ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１４ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．２３であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．２１％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．４０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．８３％であり、ヘイズは０．１６％であった。
【0102】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号８の熱間曲げプロセスを利用して（実施例８を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル９を得た。
【0103】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル９に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル９の熱間曲げ後の結晶化度は３２ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－石英固溶体であり、結晶の平均粒径は２４ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、３Ｄ結晶化ガラスサンプル９のｂ値の絶対値は１．３０であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８２．１０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８９．４０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．２０％であり、ヘイズは０．２１％であった。
【0104】
（実施例１０）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ７１．６５％、Ａｌ２Ｏ３ １３．２０％、ＭｇＯ ２．７９％、Ｎａ２Ｏ ０．５６％、Ｌｉ２Ｏ ８．００％、希土類酸化物Ｅｒ２Ｏ３ ０．６１％、核生成剤（１．６８％のＰ２Ｏ５、１．５１％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．７ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２は実施例８と同じであった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は８００℃であり、結晶化処理の時間は１０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は２０ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１６ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．３３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．６０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．６０％であり、ヘイズは０．２２％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ７１．６５％、Ａｌ２Ｏ３ １３．２０％、ＭｇＯ ２．７９％、Ｎａ２Ｏ ０．５６％、Ｌｉ２Ｏ ８．００％、希土類酸化物Ｅｒ２Ｏ３ ０．６１％、核生成剤（１．６８％のＰ２Ｏ５、１．５１％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．７ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２は実施例８と同じであった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は８００℃であり、結晶化処理の時間は１０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は２０ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１６ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．３３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．６０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．６０％であり、ヘイズは０．２２％であった。
【0105】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号８の熱間曲げプロセスを利用して（実施例８を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１０を得た。
【0106】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル１０に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１０の熱間曲げ後の結晶化度は３７ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－石英固溶体であり、結晶の平均粒径は２７ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は１．６０であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８１．１３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８９．６０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８２．８０％であり、ヘイズは０．１９％であった。
【0107】
（実施例１１）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ７０．６５％、Ａｌ２Ｏ３ １３．２０％、ＭｇＯ ２．７９％、Ｎａ２Ｏ １．５６％、Ｌｉ２Ｏ ８．００％、希土類酸化物Ｌａ２Ｏ３ ０．６１％、核生成剤（１．６８％のＰ２Ｏ５、１．５１％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．７ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２及びステップ３は実施例１０と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は２１ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１０ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．１６であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８５．３３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．５０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８８．４６％であり、ヘイズは０．１０％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ７０．６５％、Ａｌ２Ｏ３ １３．２０％、ＭｇＯ ２．７９％、Ｎａ２Ｏ １．５６％、Ｌｉ２Ｏ ８．００％、希土類酸化物Ｌａ２Ｏ３ ０．６１％、核生成剤（１．６８％のＰ２Ｏ５、１．５１％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．７ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２及びステップ３は実施例１０と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は２１ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１０ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．１６であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８５．３３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．５０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８８．４６％であり、ヘイズは０．１０％であった。
【0108】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号８の熱間曲げプロセスを利用して（実施例８を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１１を得た。
【0109】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル１１に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１１の熱間曲げ後の結晶化度は４１ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－石英固溶体であり、結晶の平均粒径は２２ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は１．１０であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８２．４０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９０．６０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．３０％であり、ヘイズは０．１３％であった。
【0110】
（実施例１２）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ７０．６５％、Ａｌ２Ｏ３ １２．９２％、ＭｇＯ ２．４２％、ＺｎＯ ０．８０％、Ｎａ２Ｏ １．０５％、Ｌｉ２Ｏ ８．２５％、希土類酸化物Ｌａ２Ｏ３ １．２２％、核生成剤（１．３７％のＰ２Ｏ５、１．３２％のＹ２Ｏ３）、及び、清澄剤として核生成剤と製造原料の総質量の０．３ｗｔ％を占めるＮａＮＯ３及び０．４ｗｔ％のＡｓ２Ｏ３を含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５７０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は７００℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３は実施例５と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は２５ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１６ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は０．９２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８６．０３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８８．２２％であり、ヘイズは０．１３％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ７０．６５％、Ａｌ２Ｏ３ １２．９２％、ＭｇＯ ２．４２％、ＺｎＯ ０．８０％、Ｎａ２Ｏ １．０５％、Ｌｉ２Ｏ ８．２５％、希土類酸化物Ｌａ２Ｏ３ １．２２％、核生成剤（１．３７％のＰ２Ｏ５、１．３２％のＹ２Ｏ３）、及び、清澄剤として核生成剤と製造原料の総質量の０．３ｗｔ％を占めるＮａＮＯ３及び０．４ｗｔ％のＡｓ２Ｏ３を含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５７０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は７００℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３は実施例５と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は２５ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１６ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は０．９２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８６．０３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８８．２２％であり、ヘイズは０．１３％であった。
【0111】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号８の熱間曲げプロセスを利用して（実施例８を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１２を得た。
【0112】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル１２に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１２の熱間曲げ後の結晶化度は４３ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－石英固溶体であり、結晶の平均粒径は２４ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は１．１５であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．６８％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９０．５６％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８６．３０％であり、ヘイズは０．１７％であった。
【0113】
ステップ６：ステップ５で得た熱間曲げ後の３Ｄ結晶化ガラスに対して化学強化処理を行い、化学強化の条件は実施例７と同じであり、最終的に３Ｄ結晶化ガラス完成品１２を得た。
【0114】
（実施例１３）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ７１．１５％、Ａｌ２Ｏ３ １２．７０％、ＭｇＯ ２．７９％、Ｎａ２Ｏ ０．５６％、Ｌｉ２Ｏ ８．００％、Ｂ２Ｏ３ １．００％、希土類酸化物Ｎｄ２Ｏ３ ０．６１％、核生成剤（１．６８％のＰ２Ｏ５、１．５１％のＣａＦ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．７ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５７０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は７１０℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３は実施例１０と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は１８ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は２５ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．０２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８５．５３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．６０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８７．１３％であり、ヘイズは０．１８％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ７１．１５％、Ａｌ２Ｏ３ １２．７０％、ＭｇＯ ２．７９％、Ｎａ２Ｏ ０．５６％、Ｌｉ２Ｏ ８．００％、Ｂ２Ｏ３ １．００％、希土類酸化物Ｎｄ２Ｏ３ ０．６１％、核生成剤（１．６８％のＰ２Ｏ５、１．５１％のＣａＦ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．７ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５７０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は７１０℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３は実施例１０と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は１８ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は２５ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．０２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８５．５３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．６０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８７．１３％であり、ヘイズは０．１８％であった。
【0115】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号８の熱間曲げプロセスを利用して（実施例８を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１３を得た。
【0116】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル１３に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１３の熱間曲げ後の結晶化度は３４ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－石英固溶体であり、結晶の平均粒径は３５ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は１．７５であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８１．０３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８９．００％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８２．３０％であり、ヘイズは０．２３％であった。
【0117】
（実施例１４）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６８．００％、Ａｌ２Ｏ３ １２．００％、ＭｇＯ ３．５％、Ｎａ２Ｏ ０．５０％、Ｌｉ２Ｏ １０．００％、Ｂ２Ｏ３ ３．００％、核生成剤（２．００％のＰ２Ｏ５、１．００％のＹ２Ｏ３）、及び、清澄剤として核生成剤と製造原料の総質量の０．２ｗｔ％を占めるＮａＣｌ、０．２ｗｔ％のＳｎＯ２及び０．２ｗｔ％のＣｅＯ２を含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２は実施例１３と同じであった。
ステップ３は実施例１と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は３５ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１４ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．５２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８１．５３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．６０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８４．４９％であり、ヘイズは０．２５％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６８．００％、Ａｌ２Ｏ３ １２．００％、ＭｇＯ ３．５％、Ｎａ２Ｏ ０．５０％、Ｌｉ２Ｏ １０．００％、Ｂ２Ｏ３ ３．００％、核生成剤（２．００％のＰ２Ｏ５、１．００％のＹ２Ｏ３）、及び、清澄剤として核生成剤と製造原料の総質量の０．２ｗｔ％を占めるＮａＣｌ、０．２ｗｔ％のＳｎＯ２及び０．２ｗｔ％のＣｅＯ２を含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２は実施例１３と同じであった。
ステップ３は実施例１と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は３５ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１４ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．５２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８１．５３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．６０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８４．４９％であり、ヘイズは０．２５％であった。
【0118】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号８の熱間曲げプロセスを利用して（実施例８を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１４を得た。
【0119】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル１４に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１４の熱間曲げ後の結晶化度は６２ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－石英固溶体＋葉長石であり、結晶の平均粒径は２７ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は１．１１であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．２０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９０．９０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．８０％であり、ヘイズは０．２２％であった。
【0120】
（実施例１５）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６６．９５％、Ａｌ２Ｏ３ １１．２０％、ＣａＯ １．２０％、ＭｇＯ ４．５９％、Ｎａ２Ｏ １．２６％、Ｌｉ２Ｏ ９．００％、Ｂ２Ｏ３ ２．００％、希土類酸化物Ｎｄ２Ｏ３ ０．６１％、核生成剤（１．６８％のＰ２Ｏ５、１．５１％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．６ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１０．２ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５５０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は６９０℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は７５０℃であり、結晶化処理の時間は３０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は３２ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１８ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．５４であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８１．１３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．２０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８３．４３％であり、ヘイズは０．２７％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６６．９５％、Ａｌ２Ｏ３ １１．２０％、ＣａＯ １．２０％、ＭｇＯ ４．５９％、Ｎａ２Ｏ １．２６％、Ｌｉ２Ｏ ９．００％、Ｂ２Ｏ３ ２．００％、希土類酸化物Ｎｄ２Ｏ３ ０．６１％、核生成剤（１．６８％のＰ２Ｏ５、１．５１％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．６ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１０．２ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５５０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は６９０℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は７５０℃であり、結晶化処理の時間は３０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は３２ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１８ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．５４であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８１．１３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．２０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８３．４３％であり、ヘイズは０．２７％であった。
【0121】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号８の熱間曲げプロセスを利用して（実施例８を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１５を得た。
【0122】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル１５に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１５の熱間曲げ後の結晶化度は５３ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－石英固溶体＋葉長石であり、結晶の平均粒径は２４ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．７０であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８５．２２％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．２０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８７．５０％であり、ヘイズは０．１６％であった。
【0123】
（実施例１６）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６５．１０％、Ａｌ２Ｏ３ ８．５１％、Ｎａ２Ｏ １．００％、Ｌｉ２Ｏ ２０．８３％、Ｂ２Ｏ３ １．５２％、核生成剤（０．８２％のＰ２Ｏ５、１．７２％のＺｒＯ２、０．５％のＮａＦ）、及び、清澄剤として核生成剤と製造原料の総質量の０．３ｗｔ％を占めるＮａＮＯ３及び０．３ｗｔ％のＡｓ２Ｏ３を含み、前記原料の総重量は１７１０．２ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６２０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５５０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は６７０℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は７１０℃であり、結晶化処理の時間は１００分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は４０ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１１ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．２４であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．１３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８６．４１％であり、ヘイズは０．２１％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６５．１０％、Ａｌ２Ｏ３ ８．５１％、Ｎａ２Ｏ １．００％、Ｌｉ２Ｏ ２０．８３％、Ｂ２Ｏ３ １．５２％、核生成剤（０．８２％のＰ２Ｏ５、１．７２％のＺｒＯ２、０．５％のＮａＦ）、及び、清澄剤として核生成剤と製造原料の総質量の０．３ｗｔ％を占めるＮａＮＯ３及び０．３ｗｔ％のＡｓ２Ｏ３を含み、前記原料の総重量は１７１０．２ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６２０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５５０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は６７０℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は７１０℃であり、結晶化処理の時間は１００分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は４０ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１１ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．２４であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．１３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８６．４１％であり、ヘイズは０．２１％であった。
【0124】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げプロセスは表２の番号６の熱間曲げプロセスを利用し、熱間曲げ処理は、４つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４５０℃であり、第２予熱ステーションの温度は６００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６５０℃であり、第４予熱ステーションの温度は７１０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は７３０℃であり、上部圧力は０．３ＭＰａであり、下部圧力は０．３ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は７４０℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、６０秒であった。３Ｄ結晶化ガラスサンプル１６を得た。
【0125】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル１６に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１６の熱間曲げ後の結晶化度は６０ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－石英固溶体＋葉長石であり、結晶の平均粒径は２１ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．６２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８６．０２％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．１０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８８．１０％であり、ヘイズは０．１７％であった。
【0126】
ステップ６：ステップ５で得た熱間曲げ後の３Ｄ結晶化ガラスに対して化学強化処理を行い、４３０℃の温度で、融解した１００ｗｔ％ＮａＮＯ３溶液にガラスを１１時間浸漬して、最終的に３Ｄ結晶化ガラス完成品１６を得た。
【0127】
（実施例１７）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６８．００％、Ａｌ２Ｏ３ ５．５０％、ＣａＯ ０．５０％、Ｎａ２Ｏ １．００％、Ｌｉ２Ｏ ２１．００％、Ｂ２Ｏ３ １．５０％、核生成剤（０．８０％のＰ２Ｏ５、１．７０％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．５ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７０８．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５００℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は５７０℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６４０℃であり、結晶化処理の時間は１００分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は７８ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は２５ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．１６であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．１６％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．３０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．９４％であり、ヘイズは０．１９％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６８．００％、Ａｌ２Ｏ３ ５．５０％、ＣａＯ ０．５０％、Ｎａ２Ｏ １．００％、Ｌｉ２Ｏ ２１．００％、Ｂ２Ｏ３ １．５０％、核生成剤（０．８０％のＰ２Ｏ５、１．７０％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．５ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７０８．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５００℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は５７０℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６４０℃であり、結晶化処理の時間は１００分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は７８ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は２５ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．１６であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．１６％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．３０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．９４％であり、ヘイズは０．１９％であった。
【0128】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号６の熱間曲げプロセスを利用して（実施例１６を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１７を得た。
【0129】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル１７に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１７の熱間曲げ後の結晶化度は９１ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－石英固溶体＋葉長石であり、結晶の平均粒径は２１ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は１．０であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．３２％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９０．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８６．４０％であり、ヘイズは０．１６％であった。
【0130】
（実施例１８）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６９．１４％、Ａｌ２Ｏ３ ５．２１％、Ｎａ２Ｏ ０．４６％、Ｌｉ２Ｏ ２１．１３％、Ｂ２Ｏ３ １．５２％、核生成剤（０．８２％のＰ２Ｏ５、１．７２％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．５ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７０８．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１５５０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、４９０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は５３０℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６４０℃であり、結晶化処理の時間は１２０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は７２ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１９ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．４４であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８２．３１％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．００％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８４．９１％であり、ヘイズは０．２４％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６９．１４％、Ａｌ２Ｏ３ ５．２１％、Ｎａ２Ｏ ０．４６％、Ｌｉ２Ｏ ２１．１３％、Ｂ２Ｏ３ １．５２％、核生成剤（０．８２％のＰ２Ｏ５、１．７２％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．５ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７０８．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１５５０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、４９０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は５３０℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６４０℃であり、結晶化処理の時間は１２０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は７２ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１９ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．４４であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８２．３１％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．００％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８４．９１％であり、ヘイズは０．２４％であった。
【0131】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げプロセスは表２の番号１３の熱間曲げプロセスを利用し、熱間曲げ処理は、４つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４５０℃であり、第２予熱ステーションの温度は６００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６５０℃であり、第４予熱ステーションの温度は７１０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は７２０℃であり、上部圧力は０．３ＭＰａであり、下部圧力は０．３ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は７２０℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、９０秒であった。３Ｄ結晶化ガラスサンプル１８を得た。
【0132】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル１８に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１８の熱間曲げ後の結晶化度は９２ｗｔ％であり、析出した結晶相は二ケイ酸リチウム＋葉長石であり、結晶の平均粒径は１８ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．４３であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８７．１７％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．１０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は９０．３０％であり、ヘイズは０．１１％であった。
【0133】
（実施例１９）
ステップ１、２は実施例１８と完全に同じであった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６３０℃であり、結晶化処理の時間は１２０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は６０ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は６ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．３２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．００％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．４０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．７０％であり、ヘイズは０．３６％であった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号１３の熱間曲げプロセスを利用して（実施例１８を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１９を得た。
ステップ１、２は実施例１８と完全に同じであった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６３０℃であり、結晶化処理の時間は１２０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は６０ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は６ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．３２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．００％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．４０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．７０％であり、ヘイズは０．３６％であった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号１３の熱間曲げプロセスを利用して（実施例１８を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１９を得た。
【0134】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル１９に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル１９の熱間曲げ後の結晶化度は８６ｗｔ％であり、析出した結晶相は二ケイ酸リチウム＋葉長石であり、結晶の平均粒径は１９ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．４４であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８７．３１％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．３０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８９．５０％であり、ヘイズは０．１１％であった。
【0135】
（実施例２０）
ステップ１、２は実施例１８と完全に同じであった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６２５℃であり、結晶化処理の時間は１２０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は５１ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１３ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．２９であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．１５％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９０．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８４．１５％であり、ヘイズは０．２１％であった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号１３の熱間曲げプロセスを利用して（実施例１８を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２０を得た。
ステップ１、２は実施例１８と完全に同じであった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６２５℃であり、結晶化処理の時間は１２０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は５１ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１３ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．２９であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．１５％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９０．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８４．１５％であり、ヘイズは０．２１％であった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号１３の熱間曲げプロセスを利用して（実施例１８を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２０を得た。
【0136】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル２０に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２０の熱間曲げ後の結晶化度は７３ｗｔ％であり、析出した結晶相は二ケイ酸リチウム＋葉長石であり、結晶の平均粒径は２３ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．５８であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８６．２０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．１０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８７．８０％であり、ヘイズは０．１０％であった。
【0137】
（実施例２１）
結晶化ガラス素材の製造方法及び引き続き当該結晶化ガラス素材を使用して３Ｄ結晶化ガラスを製造する製造方法であった。
ステップ１、２は実施例１８と完全に同じであった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６２０℃であり、結晶化処理の時間は１２０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は３０ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１５ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．２４であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．０２％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８４．８２％であり、ヘイズは０．３３％であった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号１３の熱間曲げプロセスを利用して（実施例１８を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２１を得た。
結晶化ガラス素材の製造方法及び引き続き当該結晶化ガラス素材を使用して３Ｄ結晶化ガラスを製造する製造方法であった。
ステップ１、２は実施例１８と完全に同じであった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６２０℃であり、結晶化処理の時間は１２０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は３０ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１５ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．２４であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．０２％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８４．８２％であり、ヘイズは０．３３％であった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号１３の熱間曲げプロセスを利用して（実施例１８を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２１を得た。
【0138】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル２１に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２１の熱間曲げ後の結晶化度は６５ｗｔ％であり、析出した結晶相は二ケイ酸リチウム＋葉長石であり、結晶の平均粒径は２５ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．６２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８５．１４％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．６０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８８．１０％であり、ヘイズは０．１５％であった。
【0139】
（実施例２２）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６９．５％、Ａｌ２Ｏ３ ５．３％、Ｎａ２Ｏ １．６０％、Ｌｉ２Ｏ ２０．５％、Ｂ２Ｏ３ ０．５５％、核生成剤（０．８％のＰ２Ｏ５、１．７５％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．５ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７０８．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１５５０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、４８０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は５６０℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６３０℃であり、結晶化処理の時間は１００分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は３９ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１４ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．１９であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．９２％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８８．３２％であり、ヘイズは０．２１％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６９．５％、Ａｌ２Ｏ３ ５．３％、Ｎａ２Ｏ １．６０％、Ｌｉ２Ｏ ２０．５％、Ｂ２Ｏ３ ０．５５％、核生成剤（０．８％のＰ２Ｏ５、１．７５％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．５ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７０８．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１５５０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、４８０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は５６０℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６３０℃であり、結晶化処理の時間は１００分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は３９ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１４ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．１９であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．９２％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８８．３２％であり、ヘイズは０．２１％であった。
【0140】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げプロセスは表２の番号１５の熱間曲げプロセスを利用し、熱間曲げ処理は、４つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４５０℃であり、第２予熱ステーションの温度は６００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６５０℃であり、第４予熱ステーションの温度は７４０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は７７０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は７６０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、９０秒であった。３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２を得た。
【0141】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２の熱間曲げ後の結晶化度は８５ｗｔ％であり、析出した結晶相は葉長石＋二ケイ酸リチウムであり、結晶の平均粒径は１９ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．４２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８８．２３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．１０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８９．３０％であり、ヘイズは０．１５％であった。
【0142】
ステップ６：ステップ５で得た熱間曲げ後の３Ｄ結晶化ガラスに対して化学強化処理を行い、４５０℃の温度で、融解した１００ｗｔ％ＮａＮＯ３溶液にガラスを９時間浸漬して、最終的に３Ｄ結晶化ガラス完成品２２を得た。
【0143】
（実施例２３）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ７１．８０％、Ａｌ２Ｏ３ ４．８０％、ＭｇＯ １．４０％、Ｎａ２Ｏ １．００％、Ｌｉ２Ｏ １８．８０％、ＺｎＯ ０．３％、核生成剤（０．８％のＰ２Ｏ５、１．１％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．５ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７０８．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１５５０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、４８０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は５４５℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６１０℃であり、結晶化処理の時間は２００分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は４５ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１９ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．２５であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．３６％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．５０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８７．１６％であり、ヘイズは０．１５％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ７１．８０％、Ａｌ２Ｏ３ ４．８０％、ＭｇＯ １．４０％、Ｎａ２Ｏ １．００％、Ｌｉ２Ｏ １８．８０％、ＺｎＯ ０．３％、核生成剤（０．８％のＰ２Ｏ５、１．１％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．５ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７０８．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１５５０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、４８０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は５４５℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６１０℃であり、結晶化処理の時間は２００分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は４５ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１９ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．２５であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．３６％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．５０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８７．１６％であり、ヘイズは０．１５％であった。
【0144】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号１５の熱間曲げプロセスを利用して（実施例２２を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２３を得た。
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル２３に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２３の熱間曲げ後の結晶化度は９２ｗｔ％であり、析出した結晶相は葉長石＋二ケイ酸リチウムであり、結晶の平均粒径は２０ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．６１であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８５．８２％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．５０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８８．００％であり、ヘイズは０．１５％であった。
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル２３に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２３の熱間曲げ後の結晶化度は９２ｗｔ％であり、析出した結晶相は葉長石＋二ケイ酸リチウムであり、結晶の平均粒径は２０ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．６１であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８５．８２％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．５０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８８．００％であり、ヘイズは０．１５％であった。
【0145】
ステップ６：ステップ５で得た熱間曲げ後の３Ｄ結晶化ガラスに対して化学強化処理を行い、処理条件は実施例２２と同じであり、最終的に３Ｄ結晶化ガラス完成品２３を得た。
【0146】
（実施例２４）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６９．５０％、Ａｌ２Ｏ３ ４．２５％、Ｎａ２Ｏ １．６０％、Ｌｉ２Ｏ ２０．５％、Ｂ２Ｏ３ １．６０％、核生成剤（０．８％のＰ２Ｏ５、１．７５％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．５ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７０８．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１５５０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、４８０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は５３８℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６２０℃であり、結晶化処理の時間は１００分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は４３ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１７ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．１７であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．２１％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．２０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．９８％であり、ヘイズは０．１９％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６９．５０％、Ａｌ２Ｏ３ ４．２５％、Ｎａ２Ｏ １．６０％、Ｌｉ２Ｏ ２０．５％、Ｂ２Ｏ３ １．６０％、核生成剤（０．８％のＰ２Ｏ５、１．７５％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．５ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７０８．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１５５０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、４８０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は５３８℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６２０℃であり、結晶化処理の時間は１００分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は４３ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１７ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．１７であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．２１％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．２０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．９８％であり、ヘイズは０．１９％であった。
【0147】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げプロセスは表２の番号１４の熱間曲げプロセスを利用し、熱間曲げ処理は、４つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４５０℃であり、第２予熱ステーションの温度は６００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６５０℃であり、第４予熱ステーションの温度は７２０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は７５０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は７６０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、９０秒であった。３Ｄ結晶化ガラスサンプル２４を得た。
【0148】
ｂ値の絶対値が波長３６０ｎｍである光で前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル２４に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２４の熱間曲げ後の結晶化度は８２ｗｔ％であり、析出した結晶相は葉長石＋二ケイ酸リチウムであり、結晶の平均粒径は２２ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．４３であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８８．１７％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．６０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８９．６０％であり、ヘイズは０．１１％であった。
【0149】
ステップ６：ステップ５で得た熱間曲げ後の３Ｄ結晶化ガラスに対して化学強化処理を行い、処理条件は実施例２２と同じであり、最終的に３Ｄ結晶化ガラス完成品２４を得た。
【0150】
（実施例２５）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６８．７６％、Ａｌ２Ｏ３ ４．１３％、ＭｇＯ ０．９８％、ＺｎＯ ０．９８％、Ｎａ２Ｏ ０．４５％、Ｌｉ２Ｏ ２０．７１％、Ｂ２Ｏ３ １．４９％、核生成剤（０．８１％のＰ２Ｏ５、１．６９％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．５ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７０８．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１５５０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、４８０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、得られたアニーリング後のガラスブロックに対してＸＲＤ試験を行い、図１を得て、それがガラス状態であることが分かり、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は５４０℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３は実施例２４と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は４７ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１５ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．０９であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８５．０１％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．４０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．８１％であり、ヘイズは０．２４％であった。得られた部分的に結晶化したガラス素板に対してＸＲＤ試験を行い、図２を得て、それが部分的に結晶化した状態であることが示された。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６８．７６％、Ａｌ２Ｏ３ ４．１３％、ＭｇＯ ０．９８％、ＺｎＯ ０．９８％、Ｎａ２Ｏ ０．４５％、Ｌｉ２Ｏ ２０．７１％、Ｂ２Ｏ３ １．４９％、核生成剤（０．８１％のＰ２Ｏ５、１．６９％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．５ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７０８．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１５５０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、４８０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、得られたアニーリング後のガラスブロックに対してＸＲＤ試験を行い、図１を得て、それがガラス状態であることが分かり、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は５４０℃であり、核生成処理の時間は２００分であった。
ステップ３は実施例２４と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は４７ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１５ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．０９であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８５．０１％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．４０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．８１％であり、ヘイズは０．２４％であった。得られた部分的に結晶化したガラス素板に対してＸＲＤ試験を行い、図２を得て、それが部分的に結晶化した状態であることが示された。
【0151】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号１４の熱間曲げプロセスを利用して（実施例２４を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２５を得た。
【0152】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル２５に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２５の熱間曲げ後の結晶化度は８７ｗｔ％であり、析出した結晶相は二ケイ酸リチウム＋葉長石＋β－石英固溶体であり、結晶の平均粒径は１８ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．３９であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８８．８０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．７０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８９．８０％であり、ヘイズは０．０９％であった。
【0153】
ステップ５：ステップ４で得た熱間曲げ後の３Ｄ結晶化ガラスに対して化学強化処理を行い、４５０℃の温度で、融解した１００ｗｔ％ＮａＮＯ３溶液にガラスを１０時間浸漬して、最終的に３Ｄ結晶化ガラス完成品２５を得た。
【0154】
（実施例２６）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６８．７３％、Ａｌ２Ｏ３ ４．１３％、ＭｇＯ ０．９８％、ＺｎＯ １．６８％、Ｎａ２Ｏ ０．４５％、Ｌｉ２Ｏ ２０．０１％、Ｂ２Ｏ３ １．４９％、核生成剤（０．８１％のＰ２Ｏ５、１．７２％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．５ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７０８．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１５５０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２は実施例２５と同じであった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６１５℃であり、結晶化処理の時間は１２０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は５５ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１６ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．３４であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．１６％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．００％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８４．２６％であり、ヘイズは０．２９％であった。得られた部分的に結晶化したガラス素板に対してＸＲＤ試験を行い、図３を得て、それが部分的に結晶化した状態であることが示された。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６８．７３％、Ａｌ２Ｏ３ ４．１３％、ＭｇＯ ０．９８％、ＺｎＯ １．６８％、Ｎａ２Ｏ ０．４５％、Ｌｉ２Ｏ ２０．０１％、Ｂ２Ｏ３ １．４９％、核生成剤（０．８１％のＰ２Ｏ５、１．７２％のＺｒＯ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．５ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７０８．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１５５０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２は実施例２５と同じであった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６１５℃であり、結晶化処理の時間は１２０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は５５ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１６ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．３４であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．１６％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．００％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８４．２６％であり、ヘイズは０．２９％であった。得られた部分的に結晶化したガラス素板に対してＸＲＤ試験を行い、図３を得て、それが部分的に結晶化した状態であることが示された。
【0155】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号１５の熱間曲げプロセスを利用して（実施例２２を参照してもよい）、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２６を得た。
【0156】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル２６に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３０の熱間曲げ後の結晶化度は９１ｗｔ％であり、析出した結晶相は葉長石であり、結晶の平均粒径は２３ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．４２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８８．１３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８９．９０％であり、ヘイズは０．１１％であった。
【0157】
（実施例２７）
ステップ１：実施例１８と同じであり、ただし、溶融成形処理の温度が相違し、本実施例の溶融成形処理の温度は１６１０℃であった。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、４６０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は４８０℃であり、核生成処理の時間は３６０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は５５０℃であり、結晶化処理の時間は３００分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は６ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は５ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は０．２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は９０．８０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９３．００％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は９１％であり、ヘイズは０．０５％であった。
ステップ１：実施例１８と同じであり、ただし、溶融成形処理の温度が相違し、本実施例の溶融成形処理の温度は１６１０℃であった。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、４６０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は４８０℃であり、核生成処理の時間は３６０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は５５０℃であり、結晶化処理の時間は３００分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は６ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は５ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は０．２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は９０．８０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９３．００％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は９１％であり、ヘイズは０．０５％であった。
【0158】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号１の（実施例１と同じ）熱間曲げプロセスを利用して、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２７を得た。
【0159】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル２７に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２７の結晶化度は１４ｗｔ％であり、析出した結晶相はケイ酸リチウムであり、結晶の平均粒径は１０ｎｍであった。光源をＤ６５に限定する時に、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２７のｂ値の絶対値は０．１５であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は９０．６０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９３．００％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は９１．４０％であり、ヘイズは０．０７％であった。
【0160】
（実施例２８）
ステップ１は実施例２７と同じであった。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、４６０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は５００℃であり、核生成処理の時間は３００分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は５７０℃であり、結晶化処理の時間は２８０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は８ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は７ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は０．２３であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は９０．５０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は９０．８０％であり、ヘイズは０．０６％であった。
ステップ１は実施例２７と同じであった。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、４６０℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は５００℃であり、核生成処理の時間は３００分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は５７０℃であり、結晶化処理の時間は２８０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は８ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は７ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は０．２３であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は９０．５０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は９０．８０％であり、ヘイズは０．０６％であった。
【0161】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号１の熱間曲げプロセスを利用して、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２８を得た。
【0162】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル２８に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２８の結晶化度は１６ｗｔ％であり、析出した結晶相はケイ酸リチウムであり、結晶の平均粒径は１５ｎｍであった。光源をＤ６５に限定する時に、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２８のｂ値の絶対値は０．２５であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は９０．１０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は９１．２０％であり、ヘイズは０．０９％であった。
【0163】
（実施例２９）
ステップ１は実施例２７と同じであった。
ステップ２は実施例２８と同じであった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は５６０℃であり、結晶化処理の時間は２４０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は９ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は９ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は０．２１であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は９１％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．９０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は９０．６０％であり、ヘイズは０．０８％であった。
ステップ１は実施例２７と同じであった。
ステップ２は実施例２８と同じであった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は５６０℃であり、結晶化処理の時間は２４０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は９ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は９ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は０．２１であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は９１％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．９０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は９０．６０％であり、ヘイズは０．０８％であった。
【0164】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号１の熱間曲げプロセスを利用して、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２８を得た。
【0165】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル２９に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２９の結晶化度は１７ｗｔ％であり、析出した結晶相はケイ酸リチウムであり、結晶の平均粒径は１３ｎｍであった。光源をＤ６５に限定する時に、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２９のｂ値の絶対値は０．２３であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は９０．５０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．７０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は９１．５０％であり、ヘイズは０．０８％であった。
【0166】
（実施例３０）
ステップ１は実施例１７と同じであった。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５００℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は６００℃であり、核生成処理の時間は８０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６１０℃であり、結晶化処理の時間は１８０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は３７ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１５ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は０．２６であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は９０．２０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９３．００％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は９０．３０％であり、ヘイズは０．０９％であった。
ステップ１は実施例１７と同じであった。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５００℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は６００℃であり、核生成処理の時間は８０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６１０℃であり、結晶化処理の時間は１８０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は３７ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は１５ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は０．２６であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は９０．２０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９３．００％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は９０．３０％であり、ヘイズは０．０９％であった。
【0167】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号３の熱間曲げプロセスを利用して、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３０を得た。得られた部分的に結晶化したガラス素板に対してＸＲＤ試験を行い、図４を得て、それが部分的に結晶化した状態であることが示された。
【0168】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル３０に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３０の熱間曲げ後の結晶化度は７５ｗｔ％であり、析出した結晶相は葉長石＋β－石英固溶体であり、結晶の平均粒径は１８ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．３５であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８８．２０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．６０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は９０．００％であり、ヘイズは０．１１％であった。
【0169】
（実施例３１）
ステップ１は実施例２と同じであった。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、６００℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は８００℃であり、核生成処理の時間は３０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は８７０℃であり、結晶化処理の時間は１５分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は８８ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は２６ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は２．４であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は７４．５０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８８．１０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８０．５０％であり、ヘイズは０．８４％であった。
ステップ１は実施例２と同じであった。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、６００℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は８００℃であり、核生成処理の時間は３０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は８７０℃であり、結晶化処理の時間は１５分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は８８ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は２６ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は２．４であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は７４．５０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８８．１０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８０．５０％であり、ヘイズは０．８４％であった。
【0170】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号４の熱間曲げプロセスを利用して、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３１を得た。
【0171】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル３１に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３１の熱間曲げ後の結晶化度は９９ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－リシア輝石であり、結晶の平均粒径は４８ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は２．６０であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は７４．１０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８９．３０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８０．５０％であり、ヘイズは０．７８％であった。
【0172】
（実施例３２）
ステップ１は実施例２と同じであった。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、６００℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は７８０℃であり、核生成処理の時間は６０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は９００℃であり、結晶化処理の時間は５分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は５８ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は５０ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は２．５であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は７３．６０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８８．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８０．１０％であり、ヘイズは０．７９％であった。
ステップ１は実施例２と同じであった。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、６００℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は７８０℃であり、核生成処理の時間は６０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は９００℃であり、結晶化処理の時間は５分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は５８ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は５０ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は２．５であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は７３．６０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８８．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８０．１０％であり、ヘイズは０．７９％であった。
【0173】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号７の熱間曲げプロセスを利用して、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３２を得た。
【0174】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル３２に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３２の熱間曲げ後の結晶化度は９８ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－リシア輝石であり、結晶の平均粒径は８１ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は２．８０であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は６２．００％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８８．６０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は６５．８０％であり、ヘイズは０．７２％であった。
【0175】
（実施例３３）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６７．４５％、Ａｌ２Ｏ３ １４．２０％、ＣａＯ ０．５０％、ＭｇＯ １．７９％、Ｎａ２Ｏ １．５６％、Ｌｉ２Ｏ ９．７０％、核生成剤（２．１８％のＰ２Ｏ５、０．８１％のＴｉＯ２、１．３１％のＺｒＯ２、０．５％のＹ２Ｏ３）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１３．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６５０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５００℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は６５０℃であり、核生成処理の時間は１６０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は８２０℃であり、結晶化処理の時間は３０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は９０ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は４７ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は２．８であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は７２．８０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８８．４０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８０．１０％であり、ヘイズは０．９７％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６７．４５％、Ａｌ２Ｏ３ １４．２０％、ＣａＯ ０．５０％、ＭｇＯ １．７９％、Ｎａ２Ｏ １．５６％、Ｌｉ２Ｏ ９．７０％、核生成剤（２．１８％のＰ２Ｏ５、０．８１％のＴｉＯ２、１．３１％のＺｒＯ２、０．５％のＹ２Ｏ３）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１３．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６５０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５００℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は６５０℃であり、核生成処理の時間は１６０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は８２０℃であり、結晶化処理の時間は３０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は９０ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は４７ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は２．８であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は７２．８０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８８．４０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８０．１０％であり、ヘイズは０．９７％であった。
【0176】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号６の熱間曲げプロセスを利用して、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３３を得た。
【0177】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル３３に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３３の熱間曲げ後の結晶化度は１００ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－リシア輝石であり、結晶の平均粒径は９８ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は３．８であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は６３．１０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８８．２０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は６５．４０％であり、ヘイズは０．９８％であった。
【0178】
（実施例３４）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６６．６５％、Ａｌ２Ｏ３ １０．８７％、ＭｇＯ ２．４４％、ＺｎＯ ２．８２％、Ｎａ２Ｏ ０．２１％、Ｋ２Ｏ ０．２１％、Ｌｉ２Ｏ ９．８８％、Ｂ２Ｏ３ ０．９４％、核生成剤（１．８５％のＰ２Ｏ５、２．００％のＺｒＯ２、２．１３％のＣａＦ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．７ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６４０℃であり、溶融時間は４時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５００℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は６２０℃であり、核生成処理の時間は２４０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６５０℃であり、結晶化処理の時間は４０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は６８ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は４２ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．４５であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８２．９０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．７０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．６０％であり、ヘイズは０．３８％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６６．６５％、Ａｌ２Ｏ３ １０．８７％、ＭｇＯ ２．４４％、ＺｎＯ ２．８２％、Ｎａ２Ｏ ０．２１％、Ｋ２Ｏ ０．２１％、Ｌｉ２Ｏ ９．８８％、Ｂ２Ｏ３ ０．９４％、核生成剤（１．８５％のＰ２Ｏ５、２．００％のＺｒＯ２、２．１３％のＣａＦ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．７ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６４０℃であり、溶融時間は４時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５００℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は６２０℃であり、核生成処理の時間は２４０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６５０℃であり、結晶化処理の時間は４０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は６８ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は４２ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．４５であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８２．９０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．７０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．６０％であり、ヘイズは０．３８％であった。
【0179】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号７の熱間曲げプロセスを利用して、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３４を得た。
【0180】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル３４に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３４の熱間曲げ後の結晶化度は７９ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－石英固溶体であり、結晶の平均粒径は６５ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．７６であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．２２％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．００％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８７．５０％であり、ヘイズは０．１６％であった。
【0181】
（実施例３５）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６４．５５％、Ａｌ２Ｏ３ １０．４５％、ＭｇＯ ２．３７％、ＺｎＯ ２．７３％、Ｎａ２Ｏ ０．２１％、Ｋ２Ｏ ０．２０％、Ｌｉ２Ｏ ９．５８％、Ｂ２Ｏ３ ０．９１％、核生成剤（１．９４％のＰ２Ｏ５、２．９１％のＴｉＯ２、２．０２％のＺｒＯ２、２．１３％のＣａＦ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．７ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６４０℃であり、溶融時間は４時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２及びステップ３は実施例３５と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は８２ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は３５ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．３２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．４０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．４０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８６．３０％であり、ヘイズは０．３１％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６４．５５％、Ａｌ２Ｏ３ １０．４５％、ＭｇＯ ２．３７％、ＺｎＯ ２．７３％、Ｎａ２Ｏ ０．２１％、Ｋ２Ｏ ０．２０％、Ｌｉ２Ｏ ９．５８％、Ｂ２Ｏ３ ０．９１％、核生成剤（１．９４％のＰ２Ｏ５、２．９１％のＴｉＯ２、２．０２％のＺｒＯ２、２．１３％のＣａＦ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．７ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６４０℃であり、溶融時間は４時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２及びステップ３は実施例３５と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は８２ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は３５ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．３２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．４０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．４０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８６．３０％であり、ヘイズは０．３１％であった。
【0182】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号６の熱間曲げプロセスを利用して、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３５を得た。
【0183】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル３５に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３５の熱間曲げ後の結晶化度は８６ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－石英固溶体であり、結晶の平均粒径は４２ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．６８であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８５．４２％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．１０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８７．２０％であり、ヘイズは０．１９％であった。
【0184】
（実施例３６）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ７０．１３％、Ａｌ２Ｏ３ １１．５０％、ＭｇＯ ２．５７％、ＺｎＯ ２．９７％、Ｎａ２Ｏ ０．２２％、Ｋ２Ｏ ０．２２％、Ｌｉ２Ｏ １０．４０％、Ｂ２Ｏ３ ０．９９％、核生成剤（０．８４％のＰ２Ｏ５、０．１６％のＣａＦ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．７ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６４０℃であり、溶融時間は３時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２及びステップ３は実施例３４と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は６３ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は２４ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．３２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．１０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．６０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８７．１０％であり、ヘイズは０．３３％であった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ７０．１３％、Ａｌ２Ｏ３ １１．５０％、ＭｇＯ ２．５７％、ＺｎＯ ２．９７％、Ｎａ２Ｏ ０．２２％、Ｋ２Ｏ ０．２２％、Ｌｉ２Ｏ １０．４０％、Ｂ２Ｏ３ ０．９９％、核生成剤（０．８４％のＰ２Ｏ５、０．１６％のＣａＦ２）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．７ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６４０℃であり、溶融時間は３時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２及びステップ３は実施例３４と同じであった。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は６３ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は２４ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．３２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８４．１０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．６０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８７．１０％であり、ヘイズは０．３３％であった。
【0185】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号５の熱間曲げプロセスを利用して、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３６を得た。
【0186】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル３６に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３６の熱間曲げ後の結晶化度は７０ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－石英固溶体であり、結晶の平均粒径は３７ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．５３であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８６．００％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．２０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８８．６０％であり、ヘイズは０．１０％であった。
【0187】
（実施例３７）
結晶化ガラス素材の製造方法及び引き続き当該結晶化ガラス素材を使用して３Ｄ結晶化ガラスを製造する製造方法であった。
ステップ１：実施例１７と同じであり、相違したのは溶融成形処理の温度及び溶融時間だけであった。本実施例の溶融成形処理の温度は１６５０℃であり、溶融時間は２時間であった。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５００℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は６００℃であり、核生成処理の時間は８０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６００℃であり、結晶化処理の時間は２４０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は７５ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は２９ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．５であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．５０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．２０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．８０％であり、ヘイズは０．３９％であった。
結晶化ガラス素材の製造方法及び引き続き当該結晶化ガラス素材を使用して３Ｄ結晶化ガラスを製造する製造方法であった。
ステップ１：実施例１７と同じであり、相違したのは溶融成形処理の温度及び溶融時間だけであった。本実施例の溶融成形処理の温度は１６５０℃であり、溶融時間は２時間であった。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却した後、アニール炉に移してアニーリングし（アニーリングプロセスは、５００℃で５時間保温して、１℃／分で３０℃に下げることである）、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は６００℃であり、核生成処理の時間は８０分であった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は６００℃であり、結晶化処理の時間は２４０分であり、部分結晶化処理後のガラスブロックを得た。
ステップ４：エッジトリミング、シート状への切断、粗研磨及び研削処理の過程は実施例１と同じであり、後に測定したところ、その結晶化度は７５ｗｔ％であり、結晶の平均粒径は２９ｎｍであり、光源をＤ６５に限定する時に、部分的に結晶化したガラス素板のｂ値の絶対値は１．５であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８３．５０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９１．２０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８５．８０％であり、ヘイズは０．３９％であった。
【0188】
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、表２の番号６の熱間曲げプロセスを利用して、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３７を得た。
【0189】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル３７に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル３７の熱間曲げ後の結晶化度は８８ｗｔ％であり、析出した結晶相は葉長石＋β－石英固溶体であり、結晶の平均粒径は５７ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．３８であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８８．４０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は９０．１０％であり、ヘイズは０．１２％であった。
【0190】
（実施例３８）
ステップ１、ステップ２、ステップ３及びステップ４は実施例２２と同じであった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げプロセスは表２の番号２０の熱間曲げプロセスを利用し、熱間曲げ処理は、３つの予熱ステーションと、４つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４５０℃であり、第２予熱ステーションの温度は６００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６５０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は７６０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は７５０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は７２０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第４ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、１４０秒であり、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｆを得た。
ステップ１、ステップ２、ステップ３及びステップ４は実施例２２と同じであった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げプロセスは表２の番号２０の熱間曲げプロセスを利用し、熱間曲げ処理は、３つの予熱ステーションと、４つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４５０℃であり、第２予熱ステーションの温度は６００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６５０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は７６０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は７５０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は７２０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第４ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、１４０秒であり、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｆを得た。
【0191】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｆに対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｆの熱間曲げ後の結晶化度は８４ｗｔ％であり、析出した結晶相は葉長石＋二ケイ酸リチウムであり、結晶の平均粒径は１８ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．４３であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８８．１５％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．７７％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８９．４５％であり、ヘイズは０．１１％であった。
【0192】
（実施例３９）
ステップ１、ステップ２、ステップ３及びステップ４は実施例２２と同じであった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げプロセスは表３の番号２１の熱間曲げプロセスを利用し、熱間曲げ処理は、５つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４３０℃であり、第２予熱ステーションの温度は５００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６００℃であり、第４予熱ステーションの温度は６８０℃であり、第５予熱ステーションの温度は７２０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は７４５℃であり、上部圧力は０．５ＭＰａであり、下部圧力は０．５ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は７６０℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、１４０秒であり、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｇを得た。
ステップ１、ステップ２、ステップ３及びステップ４は実施例２２と同じであった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げプロセスは表３の番号２１の熱間曲げプロセスを利用し、熱間曲げ処理は、５つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４３０℃であり、第２予熱ステーションの温度は５００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６００℃であり、第４予熱ステーションの温度は６８０℃であり、第５予熱ステーションの温度は７２０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は７４５℃であり、上部圧力は０．５ＭＰａであり、下部圧力は０．５ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は７６０℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、１４０秒であり、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｇを得た。
【0193】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｇに対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｇの熱間曲げ後の結晶化度は９０ｗｔ％であり、析出した結晶相は葉長石＋二ケイ酸リチウムであり、結晶の平均粒径は２２ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．５５であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８６．１２％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．４０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８８．４０％であり、ヘイズは０．１０％であった。
【0194】
（比較例）
（比較例１）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６２．４０％、Ａｌ２Ｏ３ １３．２４％、ＭｇＯ ４．４６％、Ｎａ２Ｏ １．４６％、Ｌｉ２Ｏ ９．０４％、核生成剤（０．９４％のＰ２Ｏ５と６．５８％のＺｒＯ２と１．８８％のＴｉＯ２の合計９．４０％の核生成剤）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占めるＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１３．６ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２は実施例４と同じであり、当該核生成ガラス素板からすでに結晶が析出しており、セラミック化した状態を現し、後に熱間曲げプロセスを行うための条件に適合しないことが分かった。
（比較例１）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６２．４０％、Ａｌ２Ｏ３ １３．２４％、ＭｇＯ ４．４６％、Ｎａ２Ｏ １．４６％、Ｌｉ２Ｏ ９．０４％、核生成剤（０．９４％のＰ２Ｏ５と６．５８％のＺｒＯ２と１．８８％のＴｉＯ２の合計９．４０％の核生成剤）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占めるＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１３．６ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２は実施例４と同じであり、当該核生成ガラス素板からすでに結晶が析出しており、セラミック化した状態を現し、後に熱間曲げプロセスを行うための条件に適合しないことが分かった。
【0195】
（比較例２）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６０．７０％、Ａｌ２Ｏ３ １２．８７％、ＭｇＯ ４．３４％、Ｎａ２Ｏ １．４２％、Ｌｉ２Ｏ ８．７９％、核生成剤（０．９１％のＰ２Ｏ５と９．１４％のＺｒＯ２と１．８３％のＴｉＯ２の合計１１．８８％の核生成剤）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占めるＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１３．６ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却する過程では中心部から結晶が析出し、ガラスブロックの内部に応力差が出現するため、ガラスブロックが破裂し、機械加工を行うことはできない。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６０．７０％、Ａｌ２Ｏ３ １２．８７％、ＭｇＯ ４．３４％、Ｎａ２Ｏ １．４２％、Ｌｉ２Ｏ ８．７９％、核生成剤（０．９１％のＰ２Ｏ５と９．１４％のＺｒＯ２と１．８３％のＴｉＯ２の合計１１．８８％の核生成剤）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占めるＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７１３．６ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを８００℃に冷却する過程では中心部から結晶が析出し、ガラスブロックの内部に応力差が出現するため、ガラスブロックが破裂し、機械加工を行うことはできない。
【0196】
（比較例３）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６７．４５％、Ａｌ２Ｏ３ １４．２０％、ＣａＯ ０．５０％、ＭｇＯ １．７９％、Ｎａ２Ｏ １．５６％、Ｌｉ２Ｏ ９．７０％、核生成剤（２．１８％のＰ２Ｏ５、１．３１％のＺｒＯ２、０．８１％のＴｉＯ２、０．５％のＹ２Ｏ３）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７０８．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２は実施例４と同じであった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は９３０℃であり、結晶化処理の時間は３０分であり、結晶化処理後のガラスブロックは結晶化温度が高すぎるため制御不能な晶析が起こり、ガラスブロックの内部に応力差が出現するため、ガラスブロックが破裂し、機械加工を行うことはできない。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ６７．４５％、Ａｌ２Ｏ３ １４．２０％、ＣａＯ ０．５０％、ＭｇＯ １．７９％、Ｎａ２Ｏ １．５６％、Ｌｉ２Ｏ ９．７０％、核生成剤（２．１８％のＰ２Ｏ５、１．３１％のＺｒＯ２、０．８１％のＴｉＯ２、０．５％のＹ２Ｏ３）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．８ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌを含み、前記原料の総重量は１７０８．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２は実施例４と同じであった。
ステップ３：核生成後にガラスブロックは精密アニール炉において引き続き結晶化処理を行い、結晶化処理の温度は９３０℃であり、結晶化処理の時間は３０分であり、結晶化処理後のガラスブロックは結晶化温度が高すぎるため制御不能な晶析が起こり、ガラスブロックの内部に応力差が出現するため、ガラスブロックが破裂し、機械加工を行うことはできない。
【0197】
（比較例４）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ７０．３３％、Ａｌ２Ｏ３ １４．８２％、Ｎａ２Ｏ １．６３％、Ｌｉ２Ｏ １０．１１％、ＭｇＯ １．３４％、ＺｎＯ １．０４％、核生成剤（０．５２％のＰ２Ｏ５、０．２１％のＺｒＯ２）、及び、それぞれ核生成剤と製造原料の総質量の０．４ｗｔ％、０．４ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌ及びＳｎＯ２を含み、前記原料の総重量は１７０８．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２及びステップ３は実施例３３の条件と同じであり、核生成処理後のガラスブロックに対してＸＲＤ試験を行ったところ、核生成剤が少なすぎるため結晶核は出現せず、結晶化処理の時に制御不能な晶析が起こって、ガラスの内部に応力差が出現するため、熱間曲げガラスが破砕したことが分かった。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ７０．３３％、Ａｌ２Ｏ３ １４．８２％、Ｎａ２Ｏ １．６３％、Ｌｉ２Ｏ １０．１１％、ＭｇＯ １．３４％、ＺｎＯ １．０４％、核生成剤（０．５２％のＰ２Ｏ５、０．２１％のＺｒＯ２）、及び、それぞれ核生成剤と製造原料の総質量の０．４ｗｔ％、０．４ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌ及びＳｎＯ２を含み、前記原料の総重量は１７０８．５ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２及びステップ３は実施例３３の条件と同じであり、核生成処理後のガラスブロックに対してＸＲＤ試験を行ったところ、核生成剤が少なすぎるため結晶核は出現せず、結晶化処理の時に制御不能な晶析が起こって、ガラスの内部に応力差が出現するため、熱間曲げガラスが破砕したことが分かった。
【0198】
（比較例５）
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ７０．４５％、Ａｌ２Ｏ３ １３．１６％、ＭｇＯ ２．７８％、Ｎａ２Ｏ ０．５６％、Ｌｉ２Ｏ ７．９８％、Ｂ２Ｏ３ １．００％、核生成剤（１．６７％のＰ２Ｏ５、１．３０％のＺｒＯ２、０．６０％のＴｉＯ２、０．５％のＹ２Ｏ３）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．４ｗｔ％、０．３ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌ及びＣｅＯ２を含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを９００℃に冷却した後、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は８５０℃であり、核生成処理の時間は１２０分であった。核生成処理後のガラスブロックは核生成温度が高すぎるため制御不能な晶析が起こって、ガラスブロックの内部に応力差が出現するため、ガラスブロックが破裂し、後の処理と加工を行うことはできない。
ステップ１：ガラスの製造原料を用意して秤量し（モル百分率で計算すると、成分として、ＳｉＯ２ ７０．４５％、Ａｌ２Ｏ３ １３．１６％、ＭｇＯ ２．７８％、Ｎａ２Ｏ ０．５６％、Ｌｉ２Ｏ ７．９８％、Ｂ２Ｏ３ １．００％、核生成剤（１．６７％のＰ２Ｏ５、１．３０％のＺｒＯ２、０．６０％のＴｉＯ２、０．５％のＹ２Ｏ３）、及び、核生成剤と製造原料の総質量の０．４ｗｔ％、０．３ｗｔ％を占める清澄剤ＮａＣｌ及びＣｅＯ２を含み、前記原料の総重量は１７１１．９ｇであった）、充分に混合した後、昇降式高温炉において溶融成形し、溶融成形処理の温度は１６３０℃であり、溶融時間は５時間であり、ＡＳＴＭ ＳＡ２１３材質の金型に注入してガラスブロックを得た。
ステップ２：ステップ１で得たガラスブロックを９００℃に冷却した後、精密アニール炉に移して核生成処理を行い、核生成処理の温度は８５０℃であり、核生成処理の時間は１２０分であった。核生成処理後のガラスブロックは核生成温度が高すぎるため制御不能な晶析が起こって、ガラスブロックの内部に応力差が出現するため、ガラスブロックが破裂し、後の処理と加工を行うことはできない。
【0199】
（比較例６）
ステップ１、ステップ２、ステップ３及びステップ４は実施例２２と同じであった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げプロセスは表２の番号１６の熱間曲げプロセスを利用し、熱間曲げ処理は、４つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４８０℃であり、第２予熱ステーションの温度は６００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６５０℃であり、第４予熱ステーションの温度は７２０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は９４０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は９２０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、９０秒であった。３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｂを得た。
ステップ１、ステップ２、ステップ３及びステップ４は実施例２２と同じであった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げプロセスは表２の番号１６の熱間曲げプロセスを利用し、熱間曲げ処理は、４つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４８０℃であり、第２予熱ステーションの温度は６００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６５０℃であり、第４予熱ステーションの温度は７２０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は９４０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は９２０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、９０秒であった。３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｂを得た。
【0200】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｂに対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｂの熱間曲げ後の結晶化度は１００ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－リシア輝石＋二ケイ酸リチウムであり、結晶の平均粒径は１１１ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は７．４５であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は６４．１０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８６．５０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は６９．２０％であり、ヘイズは０．９９％であった。ホットプレスの温度が高すぎるため、最終的に得た結晶化ガラスは、結晶の平均粒径が非常に大きくなって、ｂ値が上昇し、光透過率が低下し、ｂ値が高すぎると、結晶化ガラスは青色の方に近く、画像の形成に影響を与える。
【0201】
（比較例７）
ステップ１、ステップ２、ステップ３及びステップ４は実施例２２と同じであった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げプロセスは表２の番号１７の熱間曲げプロセスを利用し、熱間曲げ処理は、４つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４５０℃であり、第２予熱ステーションの温度は６００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６５０℃であり、第４予熱ステーションの温度は７２０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は９３０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は９２０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、９０秒であった。３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｃを得た。
ステップ１、ステップ２、ステップ３及びステップ４は実施例２２と同じであった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げプロセスは表２の番号１７の熱間曲げプロセスを利用し、熱間曲げ処理は、４つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４５０℃であり、第２予熱ステーションの温度は６００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６５０℃であり、第４予熱ステーションの温度は７２０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は９３０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は９２０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、９０秒であった。３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｃを得た。
【0202】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｃに対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｃの熱間曲げ後の結晶化度は１００ｗｔ％であり、析出した結晶相はβ－リシア輝石＋二ケイ酸リチウムであり、結晶の平均粒径は１２４ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は７．８６であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は６２．４０％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８７．３０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は６８．２０％であり、ヘイズは１．１０％であった。ホットプレスの温度が高すぎるため、最終的に得た結晶化ガラスは、結晶の平均粒径が非常に大きくなって、ｂ値が上昇し、光透過率が低下し、ｂ値が高すぎると、結晶化ガラスは青色の方に近く、画像の形成に影響を与える。
【0203】
（比較例８）
ステップ１、ステップ２、ステップ３及びステップ４は実施例２２と同じであった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げプロセスは表２の番号１８の熱間曲げプロセスを利用し、熱間曲げ処理は、４つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４５０℃であり、第２予熱ステーションの温度は５００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６５０℃であり、第４予熱ステーションの温度は６５０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は５８０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、９０秒であった。３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｄを得た。ホットプレス温度が低すぎるため、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｄは熱間曲げで目的形状とすることができない。
ステップ１、ステップ２、ステップ３及びステップ４は実施例２２と同じであった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げプロセスは表２の番号１８の熱間曲げプロセスを利用し、熱間曲げ処理は、４つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４５０℃であり、第２予熱ステーションの温度は５００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６５０℃であり、第４予熱ステーションの温度は６５０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は５８０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、９０秒であった。３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｄを得た。ホットプレス温度が低すぎるため、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｄは熱間曲げで目的形状とすることができない。
【0204】
（比較例９）
ステップ１、ステップ２、ステップ３及びステップ４は実施例２２と同じであった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げプロセスは表２の番号１９の熱間曲げプロセスを利用し、熱間曲げ処理は、３つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は５００℃であり、第２予熱ステーションの温度は５５０℃であり、第３予熱ステーションの温度は６００℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は５８０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は５５０℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、９０秒であり、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｅを得た。ホットプレス温度が低すぎるため、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｅは熱間曲げで目的形状とすることはできない。
ステップ１、ステップ２、ステップ３及びステップ４は実施例２２と同じであった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げプロセスは表２の番号１９の熱間曲げプロセスを利用し、熱間曲げ処理は、３つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は５００℃であり、第２予熱ステーションの温度は５５０℃であり、第３予熱ステーションの温度は６００℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は５８０℃であり、上部圧力は０．１ＭＰａであり、下部圧力は０．１ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は５５０℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、９０秒であり、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｅを得た。ホットプレス温度が低すぎるため、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｅは熱間曲げで目的形状とすることはできない。
【0205】
（使用例）
前記実施例１、実施例２、実施例４、実施例７、実施例１２、実施例１６、実施例２２、実施例２３、実施例２４及び実施例２５で化学強化後に得た３Ｄ結晶化ガラスに対して機械的パラメータを測定し、試験ガラスの厚さは０．６５であり、試験の結果を表３に示す。
前記実施例１、実施例２、実施例４、実施例７、実施例１２、実施例１６、実施例２２、実施例２３、実施例２４及び実施例２５で化学強化後に得た３Ｄ結晶化ガラスに対して機械的パラメータを測定し、試験ガラスの厚さは０．６５であり、試験の結果を表３に示す。
【0206】
ＳＬＰ－２０００応力計を使用して試験し、光弾性係数を２５．５と、屈折率を１．５４と設定し、通常の試験であり、試験結果は表面圧縮応力、圧縮応力の深さ及び平均引張応力を含み、引張応力の線密度は計算値であり、ＳＬＰ－２０００応力計で測定した引張応力の和をガラスの厚さで割るものであった。
【0207】
表面圧縮応力（ＭＰａ）：ガラスの化学強化後、表面の半径が小さいアルカリ金属イオンは半径が大きいアルカリ金属イオンに置き換えられ、半径が大きいアルカリ金属イオンの密集効果により、ガラスの表面に圧縮応力が生じ、これを表面圧縮応力という。
圧縮応力の深さ（μｍ）：化学強化ガラスの表面から圧縮応力がゼロである位置までの距離である。
平均引張応力ＣＴ－ＡＶ（ＭＰａ）：ＳＬＰ－２０００応力計で測定した引張応力の和と引張応力領域の厚さの比である。
引張応力の線密度ＣＴ－ＬＤ：ＳＬＰ－２０００応力計で試験して得られ、化学強化ガラスの厚さ断面におけるその引張応力の積分とガラスの厚さの比である。
全体落下試験：強化ガラスの強度試験方法であって、強化ガラスシートを携帯電話などの電子装置サンプルに貼り付けて、高いところから自由落下させ、ガラスが破砕した高さを記録し、この高さはガラスの強度を反映でき、この試験方法を全体落下試験という。本発明の試験方法は強化ガラスシートに１８０ｇの携帯電話を載せて１２０メッシュのサンドペーパーに自由落下させることであり、サンドペーパーは大理石底板に密着されている。
ビッカース硬度（Ｈｖ）（３００Ｎの圧力で１０秒保持）：対面角１３６°のダイヤモンド正角錐圧子を用いて、３００Ｎの荷重で試験サンプルの表面に押し込み、１０秒保持した後に荷重を取り除き、圧痕対角線の長さｄを測定して、圧痕の表面積を算出し、最後に圧痕の表面積における平均圧力を求め、これが即ちガラスのビッカース硬度値であり、符号ＨＶで示す。
圧縮応力の深さ（μｍ）：化学強化ガラスの表面から圧縮応力がゼロである位置までの距離である。
平均引張応力ＣＴ－ＡＶ（ＭＰａ）：ＳＬＰ－２０００応力計で測定した引張応力の和と引張応力領域の厚さの比である。
引張応力の線密度ＣＴ－ＬＤ：ＳＬＰ－２０００応力計で試験して得られ、化学強化ガラスの厚さ断面におけるその引張応力の積分とガラスの厚さの比である。
全体落下試験：強化ガラスの強度試験方法であって、強化ガラスシートを携帯電話などの電子装置サンプルに貼り付けて、高いところから自由落下させ、ガラスが破砕した高さを記録し、この高さはガラスの強度を反映でき、この試験方法を全体落下試験という。本発明の試験方法は強化ガラスシートに１８０ｇの携帯電話を載せて１２０メッシュのサンドペーパーに自由落下させることであり、サンドペーパーは大理石底板に密着されている。
ビッカース硬度（Ｈｖ）（３００Ｎの圧力で１０秒保持）：対面角１３６°のダイヤモンド正角錐圧子を用いて、３００Ｎの荷重で試験サンプルの表面に押し込み、１０秒保持した後に荷重を取り除き、圧痕対角線の長さｄを測定して、圧痕の表面積を算出し、最後に圧痕の表面積における平均圧力を求め、これが即ちガラスのビッカース硬度値であり、符号ＨＶで示す。
【表3】
【0208】
上表から分かるように、実施例で化学強化を経た３Ｄ結晶化ガラス完成品の表面圧縮応力は１０８～５１４ＭＰａであり、圧縮応力の深さは１０９～１２１μｍであり、平均引張応力ＣＴ－ＡＶは４２～９３ＭＰａであり、引張応力の線密度ＣＴ－ＬＤは３０１４５～４３１５７であり、全体落下試験の高さは１．５１～１．８２ｍであり、化学強化後の３Ｄ結晶化ガラス完成品のビッカース硬度（３００Ｎの圧力で１０秒保持）は７１２～７４１Ｈｖであった。
【0209】
上述したのは、本発明の実施の好ましい実施例に過ぎず、本発明に対する何らかの形式上の限定ではなく、本発明の趣旨と範囲において補正、同等な置換、改良などを行った場合、そのいずれも本発明の請求範囲に含まれるものとする。
【0210】
（付記）
（付記１）
厚さは０．０２～５ｍｍであり、結晶化度は５～９０ｗｔ％であることを特徴とする、
結晶化ガラス素材。
（付記１）
厚さは０．０２～５ｍｍであり、結晶化度は５～９０ｗｔ％であることを特徴とする、
結晶化ガラス素材。
【0211】
（付記２）
前記厚さは０．３５～１．２ｍｍであり、前記結晶化ガラス素材の結晶化度は３０～７５ｗｔ％又は７５～９０ｗｔ％である、
付記１に記載の結晶化ガラス素材。
前記厚さは０．３５～１．２ｍｍであり、前記結晶化ガラス素材の結晶化度は３０～７５ｗｔ％又は７５～９０ｗｔ％である、
付記１に記載の結晶化ガラス素材。
【0212】
（付記３）
前記結晶化ガラス素材への波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８３～９３％であり、好ましくは８５～９２％であり、又は、前記結晶化ガラス素材への波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８０～９１％であり、好ましくは８３～９０％である、
付記１又は２に記載の結晶化ガラス素材。
前記結晶化ガラス素材への波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８３～９３％であり、好ましくは８５～９２％であり、又は、前記結晶化ガラス素材への波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８０～９１％であり、好ましくは８３～９０％である、
付記１又は２に記載の結晶化ガラス素材。
【0213】
（付記４）
前記結晶化ガラス素材の厚さが０．７ｍｍである時のｂ値（黄青値）の絶対値は０．２～３であり、好ましくは０．６～２であり、前記結晶化ガラス素材のヘイズは０．０５～１．０％であり、好ましくは０．２～０．８％である、
付記１～３のいずれか１つに記載の結晶化ガラス素材。
前記結晶化ガラス素材の厚さが０．７ｍｍである時のｂ値（黄青値）の絶対値は０．２～３であり、好ましくは０．６～２であり、前記結晶化ガラス素材のヘイズは０．０５～１．０％であり、好ましくは０．２～０．８％である、
付記１～３のいずれか１つに記載の結晶化ガラス素材。
【0214】
（付記５）
前記結晶化ガラス素材は、ｍｏｌ％で計算すると、次の比率の酸化物を含有し、
組成 ｍｏｌ％：
ＳｉＯ２ ５５～７４％、
Ａｌ２Ｏ３ ３～１９％、
Ｂ２Ｏ３ ０～４％、
ＭｇＯ ０～６％、
Ｎａ２Ｏ ０～３％、
Ｌｉ２Ｏ ６～２５％、
Ｋ２Ｏ ０～１％、
ＣａＯ ０～２％、
ＺｎＯ ０～５％、
希土類酸化物 ０～３％
ここで、前記希土類酸化物は、Ｌａ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｎｄ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３及びＤｙ２Ｏ３から１種又は２種以上選ばれる、
付記１～４のいずれか１つに記載の結晶化ガラス素材。
前記結晶化ガラス素材は、ｍｏｌ％で計算すると、次の比率の酸化物を含有し、
組成 ｍｏｌ％：
ＳｉＯ２ ５５～７４％、
Ａｌ２Ｏ３ ３～１９％、
Ｂ２Ｏ３ ０～４％、
ＭｇＯ ０～６％、
Ｎａ２Ｏ ０～３％、
Ｌｉ２Ｏ ６～２５％、
Ｋ２Ｏ ０～１％、
ＣａＯ ０～２％、
ＺｎＯ ０～５％、
希土類酸化物 ０～３％
ここで、前記希土類酸化物は、Ｌａ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｎｄ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３及びＤｙ２Ｏ３から１種又は２種以上選ばれる、
付記１～４のいずれか１つに記載の結晶化ガラス素材。
【0215】
（付記６）
前記結晶化ガラス素材では、ｍｏｌ％で計算すると、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３の総含有量は６０％より大きく、好ましくは６８～８０％であり、又は、Ｎａ２Ｏ＋Ｌｉ２Ｏの含有量は、ｍｏｌ％で計算すると、７～３０％であり、好ましくは１０～２６％である、
付記５に記載の結晶化ガラス素材。
前記結晶化ガラス素材では、ｍｏｌ％で計算すると、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３の総含有量は６０％より大きく、好ましくは６８～８０％であり、又は、Ｎａ２Ｏ＋Ｌｉ２Ｏの含有量は、ｍｏｌ％で計算すると、７～３０％であり、好ましくは１０～２６％である、
付記５に記載の結晶化ガラス素材。
【0216】
（付記７）
前記結晶化ガラス素材は核生成剤を含み、酸化物、フッ化物又は単体で計算すると、前記核生成剤はＰ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＣａＦ２、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、Ｙ２Ｏ３、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕのうちの１種又は２種以上を含み、好ましくはＰ２Ｏ５、ＴｉＯ２及びＺｒＯ２のうちの１種又は２種以上である、
付記１～６のいずれか１つに記載の結晶化ガラス素材。
前記結晶化ガラス素材は核生成剤を含み、酸化物、フッ化物又は単体で計算すると、前記核生成剤はＰ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＣａＦ２、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、Ｙ２Ｏ３、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕのうちの１種又は２種以上を含み、好ましくはＰ２Ｏ５、ＴｉＯ２及びＺｒＯ２のうちの１種又は２種以上である、
付記１～６のいずれか１つに記載の結晶化ガラス素材。
【0217】
（付記８）
前記結晶化ガラス素材は清澄剤を含み、前記清澄剤はＮａＣｌ、Ｎａ２ＳＯ４、ＳｎＯ２、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＮａＮＯ３、ＫＮＯ３、ＣｅＯ２及び（ＮＨ４）２ＳＯ４のうちの１種又は２種以上を含み、好ましくはＮａＣｌ、ＳｎＯ２、ＮａＮＯ３及びＣｅＯ２のうちの１種又は２種以上である、
付記１～７のいずれか１つに記載の結晶化ガラス素材。
前記結晶化ガラス素材は清澄剤を含み、前記清澄剤はＮａＣｌ、Ｎａ２ＳＯ４、ＳｎＯ２、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＮａＮＯ３、ＫＮＯ３、ＣｅＯ２及び（ＮＨ４）２ＳＯ４のうちの１種又は２種以上を含み、好ましくはＮａＣｌ、ＳｎＯ２、ＮａＮＯ３及びＣｅＯ２のうちの１種又は２種以上である、
付記１～７のいずれか１つに記載の結晶化ガラス素材。
【0218】
（付記９）
前記結晶化ガラス素材は、核生成及び結晶化処理を経て平均粒径５～５０ｎｍの結晶を有する、
付記１～８のいずれか１つに記載の結晶化ガラス素材。
前記結晶化ガラス素材は、核生成及び結晶化処理を経て平均粒径５～５０ｎｍの結晶を有する、
付記１～８のいずれか１つに記載の結晶化ガラス素材。
【0219】
（付記１０）
前記結晶化ガラス素材の３００Ｎの力の１０秒間負荷でのビッカース硬度は５００より大きく、好ましくは、ビッカース硬度は５６０より大きい、
付記１～９のいずれか１つに記載の結晶化ガラス素材。
前記結晶化ガラス素材の３００Ｎの力の１０秒間負荷でのビッカース硬度は５００より大きく、好ましくは、ビッカース硬度は５６０より大きい、
付記１～９のいずれか１つに記載の結晶化ガラス素材。
【0220】
（付記１１）
３Ｄ結晶化ガラスの製造原料を混合し、溶融した後、冷却し、アニーリング処理を行ってガラス基材を得るステップ１と、
ステップ１で得たガラス基材に対して核生成処理を行い、核生成処理前とその後に、必要に応じて切断を行ってもよいステップ２と、
前記ステップ２の核生成後のガラス基材に対して結晶化処理を行うステップ３と、
結晶化処理後のガラス基材に対して、必要に応じて切断を行って結晶化ガラス素材を得るステップ４と、を含む、
付記１～１０のいずれか１つに記載の結晶化ガラス素材の製造方法。
３Ｄ結晶化ガラスの製造原料を混合し、溶融した後、冷却し、アニーリング処理を行ってガラス基材を得るステップ１と、
ステップ１で得たガラス基材に対して核生成処理を行い、核生成処理前とその後に、必要に応じて切断を行ってもよいステップ２と、
前記ステップ２の核生成後のガラス基材に対して結晶化処理を行うステップ３と、
結晶化処理後のガラス基材に対して、必要に応じて切断を行って結晶化ガラス素材を得るステップ４と、を含む、
付記１～１０のいずれか１つに記載の結晶化ガラス素材の製造方法。
【0221】
（付記１２）
前記ステップ１で、溶融温度は１３５０～１７００℃であり、好ましくは、溶融温度は１４００～１６５０℃であり、より好ましくは、溶融後に５００～１０００℃に冷却する、
付記１１に記載の方法。
前記ステップ１で、溶融温度は１３５０～１７００℃であり、好ましくは、溶融温度は１４００～１６５０℃であり、より好ましくは、溶融後に５００～１０００℃に冷却する、
付記１１に記載の方法。
【0222】
（付記１３）
前記ステップ１で、核生成剤を加える量は核生成剤と結晶化ガラス素材酸化物の総量の１～９ｍｏｌ％であり、好ましくは２～５ｍｏｌ％である、
付記１１又は１２に記載の方法。
前記ステップ１で、核生成剤を加える量は核生成剤と結晶化ガラス素材酸化物の総量の１～９ｍｏｌ％であり、好ましくは２～５ｍｏｌ％である、
付記１１又は１２に記載の方法。
【0223】
（付記１４）
前記ステップ１で、清澄剤を加える量は核生成剤と結晶化ガラス素材酸化物の総質量の０～４ｗｔ％であり、好ましくは０．１～２ｗｔ％である、
付記１１～１３のいずれか１つに記載の方法。
前記ステップ１で、清澄剤を加える量は核生成剤と結晶化ガラス素材酸化物の総質量の０～４ｗｔ％であり、好ましくは０．１～２ｗｔ％である、
付記１１～１３のいずれか１つに記載の方法。
【0224】
（付記１５）
前記ステップ２で、
核生成処理の温度は４５０～８００℃であり、好ましくは、核生成処理の時間は３０～３６０分であり、より好ましくは、核生成処理の温度は５２０～５７０℃であり、好ましくは、核生成処理の時間は１２０～３００分である、
付記１１～１４のいずれか１つに記載の方法。
前記ステップ２で、
核生成処理の温度は４５０～８００℃であり、好ましくは、核生成処理の時間は３０～３６０分であり、より好ましくは、核生成処理の温度は５２０～５７０℃であり、好ましくは、核生成処理の時間は１２０～３００分である、
付記１１～１４のいずれか１つに記載の方法。
【0225】
（付記１６）
前記ステップ３で、結晶化処理の温度は５５０～９００℃であり、結晶化処理の時間は５～３００分であり、
好ましくは、結晶化処理の温度は６００～８５０℃であり、結晶化処理の時間は１０～２４０分であり、
より好ましくは、前記結晶化処理の温度は６００～７５０℃であり、結晶化処理の時間は１０～１５０分である、
付記１１～１５のいずれか１つに記載の方法。
前記ステップ３で、結晶化処理の温度は５５０～９００℃であり、結晶化処理の時間は５～３００分であり、
好ましくは、結晶化処理の温度は６００～８５０℃であり、結晶化処理の時間は１０～２４０分であり、
より好ましくは、前記結晶化処理の温度は６００～７５０℃であり、結晶化処理の時間は１０～１５０分である、
付記１１～１５のいずれか１つに記載の方法。
【0226】
（付記１７）
付記１１～１６のいずれか１つに記載の製造方法で製造される結晶化ガラス素材。
付記１１～１６のいずれか１つに記載の製造方法で製造される結晶化ガラス素材。
【0227】
（付記１８）
前記結晶化ガラス素材は透明又は不透明であり、好ましくは、前記結晶化ガラス素材は曲面又は平面であることを特徴とする付記１７に記載の結晶化ガラス素材。
前記結晶化ガラス素材は透明又は不透明であり、好ましくは、前記結晶化ガラス素材は曲面又は平面であることを特徴とする付記１７に記載の結晶化ガラス素材。
【0228】
（付記１９）
３Ｄ熱間曲げを行って３Ｄ結晶化ガラスを製造するための、
付記１７又は１８に記載の結晶化ガラス素材の使用。
３Ｄ熱間曲げを行って３Ｄ結晶化ガラスを製造するための、
付記１７又は１８に記載の結晶化ガラス素材の使用。
【0229】
（付記２０）
携帯電話のディスプレイ、タブレットコンピュータのディスプレイ、携帯型ゲーム機、電子端末、携帯型デジタル装置、センターコンソールのディスプレイ、電子ホワイトボードガラス、スマートホームのタッチスクリーン、車両のフロントガラス、飛行装置のフロントガラス又は航空機のフロントガラスにおける、
付記１９に記載の結晶化ガラス素材から製造される３Ｄ結晶化ガラスの使用。
携帯電話のディスプレイ、タブレットコンピュータのディスプレイ、携帯型ゲーム機、電子端末、携帯型デジタル装置、センターコンソールのディスプレイ、電子ホワイトボードガラス、スマートホームのタッチスクリーン、車両のフロントガラス、飛行装置のフロントガラス又は航空機のフロントガラスにおける、
付記１９に記載の結晶化ガラス素材から製造される３Ｄ結晶化ガラスの使用。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【手続補正書】
【提出日】2024-01-18
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0003】
携帯電話のカバープレートは、ガラス原料から、通常の方法で、例えば、最初に、フロート法、カレンダー加工、オーバーフローなどの方法によりガラス板として成形させ、さらに切断、薄化のステップを行い、その後、ＣＮＣ処理、研削、３Ｄ熱間曲げ、３Ｄ研削、化学強化などの処理を行ってそれを得ることができる。又は一部のメーカーは、結晶化ガラス素材をそのまま購入した後、３Ｄ熱間曲げ、３Ｄ研削、化学強化などの処理を行って要件に適合する３Ｄ結晶化ガラスを得る。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0022】
好ましくは、前記結晶化ガラス素材の３００Ｎの力の１０秒間負荷でのビッカース硬度は５００ｋｇｆ／ｍｍ
２
より大きく、好ましくは、ビッカース硬度は５６０ｋｇｆ／ｍｍ
２
より大きい。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0048】
好ましくは、前記結晶化ガラス素材の３００Ｎの力の１０秒間負荷でのビッカース硬度は５００ｋｇｆ／ｍｍ
２
より大きく、好ましくは、ビッカース硬度は５６０ｋｇｆ／ｍｍ
２
より大きい。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0148】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル２４に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２４の熱間曲げ後の結晶化度は８２ｗｔ％であり、析出した結晶相は葉長石＋二ケイ酸リチウムであり、結晶の平均粒径は２２ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．４３であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８８．１７％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．６０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８９．６０％であり、ヘイズは０．１１％であった。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0153】
ステップ６：ステップ５で得た熱間曲げ後の３Ｄ結晶化ガラスに対して化学強化処理を行い、４５０℃の温度で、融解した１００ｗｔ％ＮａＮＯ３溶液にガラスを１０時間浸漬して、最終的に３Ｄ結晶化ガラス完成品２５を得た。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0156】
前記３Ｄ結晶化ガラスサンプル２６に対して検出し、線回折装置を使用し、装置の条件設定は実施例１と同じであり、検出後にＸ線回折データを分析したところ、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２６の熱間曲げ後の結晶化度は９１ｗｔ％であり、析出した結晶相は葉長石であり、結晶の平均粒径は２３ｎｍであった。測定したところ、光源をＤ６５に限定する時に、ｂ値の絶対値は０．４２であり、波長３６０ｎｍの光の透過率は８８．１３％であり、波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は９２．８０％であり、波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８９．９０％であり、ヘイズは０．１１％であった。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0192】
（実施例３９）
ステップ１、ステップ２、ステップ３及びステップ４は実施例２２と同じであった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げプロセスは表２の番号２１の熱間曲げプロセスを利用し、熱間曲げ処理は、５つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４３０℃であり、第２予熱ステーションの温度は５００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６００℃であり、第４予熱ステーションの温度は６８０℃であり、第５予熱ステーションの温度は７２０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は７４５℃であり、上部圧力は０．５ＭＰａであり、下部圧力は０．５ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は７６０℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、１４０秒であり、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｇを得た。
ステップ１、ステップ２、ステップ３及びステップ４は実施例２２と同じであった。
ステップ５：部分的に結晶化したガラス素板に対して３Ｄ熱間曲げ処理を行い、熱間曲げプロセスは表２の番号２１の熱間曲げプロセスを利用し、熱間曲げ処理は、５つの予熱ステーションと、３つのホットプレスステーションと、２つの冷却ステーションとを含む。第１予熱ステーションの温度は４３０℃であり、第２予熱ステーションの温度は５００℃であり、第３予熱ステーションの温度は６００℃であり、第４予熱ステーションの温度は６８０℃であり、第５予熱ステーションの温度は７２０℃であった。第１ホットプレスステーションの温度は７４５℃であり、上部圧力は０．５ＭＰａであり、下部圧力は０．５ＭＰａであり、第２ホットプレスステーションの温度は７６０℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであり、第３ホットプレスステーションの温度は６００℃であり、上部圧力は０ＭＰａであり、下部圧力は０ＭＰａであった。第１冷却ステーションの温度は４５０℃であり、第２冷却ステーションの温度は３００℃であった。予熱ステーション、ホットプレスステーション及び冷却ステーションの各ステーションの作動時間は同じであり、１４０秒であり、３Ｄ結晶化ガラスサンプル２２Ｇを得た。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0205】
（使用例）
前記実施例１、実施例２、実施例４、実施例７、実施例１２、実施例１６、実施例２２、実施例２３、実施例２４及び実施例２５で化学強化後に得た３Ｄ結晶化ガラスに対して機械的パラメータを測定し、試験ガラスの厚さは０．６５ｍｍであり、試験の結果を表３に示す。
前記実施例１、実施例２、実施例４、実施例７、実施例１２、実施例１６、実施例２２、実施例２３、実施例２４及び実施例２５で化学強化後に得た３Ｄ結晶化ガラスに対して機械的パラメータを測定し、試験ガラスの厚さは０．６５ｍｍであり、試験の結果を表３に示す。
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0207】
表面圧縮応力（ＭＰａ）：ガラスの化学強化後、表面の半径が小さいアルカリ金属イオンは半径が大きいアルカリ金属イオンに置き換えられ、半径が大きいアルカリ金属イオンの密集効果により、ガラスの表面に圧縮応力が生じ、これを表面圧縮応力という。
圧縮応力の深さ（μｍ）：化学強化ガラスの表面から圧縮応力がゼロである位置までの距離である。
平均引張応力ＣＴ－ＡＶ（ＭＰａ）：ＳＬＰ－２０００応力計で測定した引張応力の和と引張応力領域の厚さの比である。
引張応力の線密度ＣＴ－ＬＤ：ＳＬＰ－２０００応力計で試験して得られ、化学強化ガラスの厚さ断面におけるその引張応力の積分とガラスの厚さの比である。
全体落下試験：強化ガラスの強度試験方法であって、強化ガラスシートを携帯電話などの電子装置サンプルに貼り付けて、高いところから自由落下させ、ガラスが破砕した高さを記録し、この高さはガラスの強度を反映でき、この試験方法を全体落下試験という。本発明の試験方法は強化ガラスシートに１８０ｇの携帯電話を載せて１２０メッシュのサンドペーパーに自由落下させることであり、サンドペーパーは大理石底板に密着されている。
ビッカース硬度（ＨＶ）（３００Ｎの圧力で１０秒保持）：対面角１３６°のダイヤモンド正角錐圧子を用いて、３００Ｎの荷重で試験サンプルの表面に押し込み、１０秒保持した後に荷重を取り除き、圧痕対角線の長さｄを測定して、圧痕の表面積を算出し、最後に圧痕の表面積における平均圧力を求め、これが即ちガラスのビッカース硬度値であり、符号ＨＶで示す。
圧縮応力の深さ（μｍ）：化学強化ガラスの表面から圧縮応力がゼロである位置までの距離である。
平均引張応力ＣＴ－ＡＶ（ＭＰａ）：ＳＬＰ－２０００応力計で測定した引張応力の和と引張応力領域の厚さの比である。
引張応力の線密度ＣＴ－ＬＤ：ＳＬＰ－２０００応力計で試験して得られ、化学強化ガラスの厚さ断面におけるその引張応力の積分とガラスの厚さの比である。
全体落下試験：強化ガラスの強度試験方法であって、強化ガラスシートを携帯電話などの電子装置サンプルに貼り付けて、高いところから自由落下させ、ガラスが破砕した高さを記録し、この高さはガラスの強度を反映でき、この試験方法を全体落下試験という。本発明の試験方法は強化ガラスシートに１８０ｇの携帯電話を載せて１２０メッシュのサンドペーパーに自由落下させることであり、サンドペーパーは大理石底板に密着されている。
ビッカース硬度（ＨＶ）（３００Ｎの圧力で１０秒保持）：対面角１３６°のダイヤモンド正角錐圧子を用いて、３００Ｎの荷重で試験サンプルの表面に押し込み、１０秒保持した後に荷重を取り除き、圧痕対角線の長さｄを測定して、圧痕の表面積を算出し、最後に圧痕の表面積における平均圧力を求め、これが即ちガラスのビッカース硬度値であり、符号ＨＶで示す。
【表3】
【手続補正10】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0208】
上表から分かるように、実施例で化学強化を経た３Ｄ結晶化ガラス完成品の表面圧縮応力は１０８～５１４ＭＰａであり、圧縮応力の深さは１０９～１２１μｍであり、平均引張応力ＣＴ－ＡＶは４２～９３ＭＰａであり、引張応力の線密度ＣＴ－ＬＤは３０１４５～４３１５７であり、全体落下試験の高さは１．５１～１．８２ｍであり、化学強化後の３Ｄ結晶化ガラス完成品のビッカース硬度（３００Ｎの圧力で１０秒保持）は７１２～７４１ｋｇｆ／ｍｍ
２
であった。
【手続補正11】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
厚さは０．０２～５ｍｍであり、結晶化度は５～９０ｗｔ％である、ことを特徴とする結晶化ガラス素材。
【請求項2】
前記厚さは０．３５～１．２ｍｍであり、前記結晶化ガラス素材の結晶化度は３０～７５ｗｔ％又は７５～９０ｗｔ％である、請求項１に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項3】
前記結晶化ガラス素材への波長３８０～７８０ｎｍの光の平均透過率は８３～９３％であり、好ましくは８５～９２％であり、又は、前記結晶化ガラス素材への波長３６０～４００ｎｍの光の平均透過率は８０～９１％であり、好ましくは８３～９０％である、請求項１又は２に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項4】
前記結晶化ガラス素材の厚さが０．７ｍｍである時のｂ値（黄青値）の絶対値は０．２～３であり、好ましくは０．６～２であり、前記結晶化ガラス素材のヘイズは０．０５～１．０％であり、好ましくは０．２～０．８％である、請求項１～３のいずれか１項に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項5】
前記結晶化ガラス素材は、ｍｏｌ％で計算すると、次の比率の酸化物を含有し、組成 ｍｏｌ％：
ＳｉＯ２ ５５～７４％、
Ａｌ２Ｏ３ ３～１９％、
Ｂ２Ｏ３ ０～４％、
ＭｇＯ ０～６％、
Ｎａ２Ｏ ０～３％、
Ｌｉ２Ｏ ６～２５％、
Ｋ２Ｏ ０～１％、
ＣａＯ ０～２％、
ＺｎＯ ０～５％、
希土類酸化物 ０～３％
ここで、前記希土類酸化物は、Ｌａ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｎｄ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３及びＤｙ２Ｏ３から１種又は２種以上選ばれる、
請求項１～４のいずれか１項に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項6】
前記結晶化ガラス素材では、ｍｏｌ％で計算すると、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３の総含有量は６０％より大きく、好ましくは６８～８０％であり、又は、Ｎａ２Ｏ＋Ｌｉ２Ｏの含有量は、ｍｏｌ％で計算すると、７～３０％であり、好ましくは１０～２６％である、請求項５に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項7】
前記結晶化ガラス素材は核生成剤を含み、酸化物、フッ化物又は単体で計算すると、前記核生成剤はＰ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＣａＦ２、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、Ｙ２Ｏ３、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕのうちの１種又は２種以上を含み、好ましくはＰ２Ｏ５、ＴｉＯ２及びＺｒＯ２のうちの１種又は２種以上である、請求項１～６のいずれか１項に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項8】
前記結晶化ガラス素材は清澄剤を含み、前記清澄剤はＮａＣｌ、Ｎａ２ＳＯ４、ＳｎＯ２、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＮａＮＯ３、ＫＮＯ３、ＣｅＯ２及び（ＮＨ４）２ＳＯ４のうちの１種又は２種以上を含み、好ましくはＮａＣｌ、ＳｎＯ２、ＮａＮＯ３及びＣｅＯ２のうちの１種又は２種以上である、請求項１～７のいずれか１項に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項9】
前記結晶化ガラス素材は、核生成及び結晶化処理を経て平均粒径５～５０ｎｍの結晶を有する、請求項１～８のいずれか１項に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項10】
前記結晶化ガラス素材の３００Ｎの力の１０秒間負荷でのビッカース硬度は５００ｋｇｆ／ｍｍ
２
より大きく、好ましくは、ビッカース硬度は５６０ｋｇｆ／ｍｍ
２
より大きい、請求項１～９のいずれか１項に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項11】
３Ｄ結晶化ガラスの製造原料を混合し、溶融した後、冷却し、アニーリング処理を行ってガラス基材を得るステップ１と、ステップ１で得たガラス基材に対して核生成処理を行い、核生成処理前とその後に、必要に応じて切断を行ってもよいステップ２と、
前記ステップ２の核生成後のガラス基材に対して結晶化処理を行うステップ３と、
結晶化処理後のガラス基材に対して、必要に応じて切断を行って結晶化ガラス素材を得るステップ４と、を含む
請求項１～１０のいずれか１項に記載の結晶化ガラス素材の製造方法。
【請求項12】
前記ステップ１で、溶融温度は１３５０～１７００℃であり、好ましくは、溶融温度は１４００～１６５０℃であり、より好ましくは、溶融後に５００～１０００℃に冷却する、請求項１１に記載の方法。
【請求項13】
前記ステップ１で、核生成剤を加える量は核生成剤と結晶化ガラス素材酸化物の総量の１～９ｍｏｌ％であり、好ましくは２～５ｍｏｌ％である、請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項14】
前記ステップ１で、清澄剤を加える量は核生成剤と結晶化ガラス素材酸化物の総質量の０～４ｗｔ％であり、好ましくは０．１～２ｗｔ％である、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項15】
前記ステップ２で、核生成処理の温度は４５０～８００℃であり、好ましくは、核生成処理の時間は３０～３６０分であり、より好ましくは、核生成処理の温度は５２０～５７０℃であり、好ましくは、核生成処理の時間は１２０～３００分である、
請求項１１～１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項16】
前記ステップ３で、結晶化処理の温度は５５０～９００℃であり、結晶化処理の時間は５～３００分であり、好ましくは、結晶化処理の温度は６００～８５０℃であり、結晶化処理の時間は１０～２４０分であり、
より好ましくは、前記結晶化処理の温度は６００～７５０℃であり、結晶化処理の時間は１０～１５０分である、
請求項１１～１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項17】
前記結晶化ガラス素材は透明又は不透明であり、好ましくは、前記結晶化ガラス素材は曲面又は平面であることを特徴とする、請求項１～１０のいずれか１項に記載の結晶化ガラス素材。
【請求項18】
３Ｄ熱間曲げを行って３Ｄ結晶化ガラスを製造するための、請求項１７に記載の結晶化ガラス素材の使用。
【請求項19】
携帯電話のディスプレイ、タブレットコンピュータのディスプレイ、携帯型ゲーム機、電子端末、携帯型デジタル装置、センターコンソールのディスプレイ、電子ホワイトボードガラス、スマートホームのタッチスクリーン、車両のフロントガラス、飛行装置のフロントガラス又は航空機のフロントガラスにおける、請求項１７に記載の結晶化ガラス素材から製造される３Ｄ結晶化ガラスの使用。
【国際調査報告】