特表 2024-504626 アンテナ支援ＲｅＲＡＭの形成

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-02-01

(54)【発明の名称】アンテナ支援ＲｅＲＡＭの形成

(51)【国際特許分類】

   H10B 63/00 20230101AFI20240125BHJP

   H10N 70/20 20230101ALI20240125BHJP

【ＦＩ】

H10B63/00

H10N70/20

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023542730

(86)(22)【出願日】2022-01-19

(85)【翻訳文提出日】2023-07-13

(86)【国際出願番号】 EP2022051150

(87)【国際公開番号】W WO2022161832

(87)【国際公開日】2022-08-04

(31)【優先権主張番号】17/159,739

(32)【優先日】2021-01-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390009531

【氏名又は名称】インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

【氏名又は名称原語表記】ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ ＢＵＳＩＮＥＳＳ ＭＡＣＨＩＮＥＳ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ

【住所又は居所原語表記】Ｎｅｗ Ｏｒｃｈａｒｄ Ｒｏａｄ， Ａｒｍｏｎｋ， Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ １０５０４， Ｕｎｉｔｅｄ Ｓｔａｔｅｓ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ

(74)【代理人】

【識別番号】100112690

【弁理士】

【氏名又は名称】太佐 種一

(74)【代理人】

【識別番号】100120710

【弁理士】

【氏名又は名称】片岡 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】キム、ユンソク

(72)【発明者】

【氏名】セオ、スン－チェオン

(72)【発明者】

【氏名】オク、インジョ

(72)【発明者】

【氏名】レズニチェク、アレクサンダー

【テーマコード（参考）】

5F083

【Ｆターム（参考）】

5F083FZ10

5F083GA27

5F083JA56

5F083JA58

5F083MA06

5F083MA15

5F083PR00

(57)【要約】

メモリ構造体は、基板に埋め込まれたＲｅＲＡＭモジュールを備える。絶縁層が基板上に形成される。第１の電極は、絶縁層上に配置される。第１の電極は、ＲｅＲＡＭモジュールの第１の端部に近接して接続され、第１の表面積を備える。第２の電極は、絶縁層上に配置される。第２の電極は、ＲｅＲＡＭモジュールの第２の端部に近接して接続される。第２の電極は、第２の表面積と、プラズマ相互作用構成要素と、抵抗性構成要素とを備える。抵抗性構成要素は、プラズマ相互作用構成要素とＲｅＲＡＭモジュールとの間に配置される。第１の表面積と第２の表面積との比は、第１の表面積および第２の表面積がプラズマの印加に曝されると、第１の電極と第２の電極との間に電圧を生成する。電圧は、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成する。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成する方法であって、
第１の電極および第２の電極をプラズマの印加に曝すことであり、前記第１の電極がＲｅＲＡＭモジュールの第１の端部に近接して接続され、前記第２の電極が前記ＲｅＲＡＭモジュールの第２の端部に近接して接続されている、前記曝すこと、
を含み、前記第２の電極が、
プラズマ相互作用構成要素と、
前記プラズマ相互作用構成要素と前記ＲｅＲＡＭモジュールとの間に配置された抵抗性構成要素と、を備え、
前記第１および第２の電極を前記プラズマの印加に曝すことにより、前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧が生成され、前記電圧により前記ＲｅＲＡＭモジュール内に前記導電性フィラメントが生成される、
方法。

【請求項2】

前記プラズマの印加後に、前記第１および第２の電極をエッチング除去することをさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記プラズマの印加後に、前記第１の電極をエッチング除去することをさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項4】

前記プラズマの印加後に、前記第２の電極をエッチング除去することをさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項5】

前記抵抗性構成要素および前記プラズマ相互作用構成要素が同じ材料で構成され、前記抵抗性構成要素の抵抗が主に前記抵抗性構成要素の長さ、幅、および高さに起因して生じる、請求項１に記載の方法。

【請求項6】

前記抵抗性構成要素の前記抵抗が前記導電性フィラメントの目標抵抗値以下である、請求項５に記載の方法。

【請求項7】

前記ＲｅＲＡＭモジュールの前記第１の端部および前記第２の端部のうちの少なくとも１つを、メモリ構造体内のメモリ・セル・トランジスタに接続することをさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項8】

前記ＲｅＲＡＭモジュールの前記抵抗が目標抵抗値に達したと判定することと、
前記判定することに応答して、前記プラズマの印加に前記曝すことを終了することと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項9】

前記ＲｅＲＡＭモジュールを基板に統合することと、
前記ＲｅＲＡＭモジュールの前記第１の端部と第１のコンタクトとの間の電気的接続を形成することであって、前記第１のコンタクトが絶縁層内に埋め込まれている、前記形成することと、
前記ＲｅＲＡＭモジュールの前記第２の端部と第２のコンタクトとの間の電気的接続を形成することであって、前記第２のコンタクトが前記絶縁層内に埋め込まれている、前記形成することと、
前記絶縁層上に金属の層を堆積させることと、
前記金属の層にパターンをエッチングして、前記第１のコンタクトに取り付けられた前記第１の電極および前記第２のコンタクトに取り付けられた前記第２の電極を得ることと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項10】

基板に埋め込まれたＲｅＲＡＭモジュールと、
前記基板の表面上の絶縁層と、
前記絶縁層の表面上の第１の電極であり、前記ＲｅＲＡＭモジュールの第１の端部に近接して接続され、第１の表面積を備える、前記第１の電極と、
前記絶縁層の前記表面上の第２の電極であり、前記ＲｅＲＡＭモジュールの第２の端部に近接して接続され、
第２の表面積と、
前記絶縁層の表面上のプラズマ相互作用構成要素と、
前記プラズマ相互作用構成要素と前記ＲｅＲＡＭモジュールとの間の前記絶縁層の前記表面上に配置された抵抗性構成要素と、
を備える、前記第２の電極と、
を備え、
前記第２の表面積に対する前記第１の表面積の比が、導電性フィラメントの形成中に前記第１の表面積および第２の表面積がプラズマの印加に曝されると、前記第１の電極と前記第２の電極との間に形成電圧を生成する、
メモリ構造体。

【請求項11】

前記第１の電極および第２の電極が、前記絶縁層から化学的にエッチング除去され得る材料で構成されている、請求項１０に記載のメモリ構造体。

【請求項12】

前記第１の電極が、前記絶縁層から化学的にエッチング除去され得る材料で構成されている、請求項１０に記載のメモリ構造体。

【請求項13】

前記第２の電極が、前記絶縁層から化学的にエッチング除去され得る材料で構成されている、請求項１０に記載のメモリ構造体。

【請求項14】

前記導電性フィラメントが目標抵抗値を有する、請求項１０に記載のメモリ構造体。

【請求項15】

前記抵抗性構成要素が前記第１の電極と前記第２の電極との間の第１の抵抗を提供し、前記第１の抵抗が前記目標抵抗値以下である、請求項１４に記載のメモリ構造体。

【請求項16】

前記ＲｅＲＡＭモジュールの前記第１の端部および前記第２の端部のうちの少なくとも１つが前記メモリ構造体内のメモリ・セル・トランジスタに接続されている、請求項１０に記載のメモリ構造体。

【請求項17】

第１の端部および第２の端部を備えるＲｅＲＡＭモジュールと、
基板と、
前記基板の表面上の絶縁層と、
前記絶縁層内の凹部であり、前記凹部が第１のアンテナ電極の形状の輪郭と、第２のアンテナ電極の形状の輪郭とを呈する、前記凹部と、
を備える、メモリ構造体。

【請求項18】

前記基板の前記表面上の第１のコンタクトおよび第２のコンタクトであって、前記第１のコンタクトが前記第２の端部に対して前記第１の端部に近接して接続され、前記第２のコンタクトが前記第１の端部に対して前記第２の端部に近接して接続されている、前記第１のコンタクトおよび前記第２のコンタクト、
をさらに備える、請求項１７に記載のメモリ構造体。

【請求項19】

前記第２のアンテナ電極の前記形状の前記輪郭が抵抗性構成要素の形状の輪郭を含む、請求項１７に記載のメモリ構造体。

【請求項20】

前記抵抗性構成要素の前記形状の前記輪郭が迂回線路の輪郭の形態をとる、請求項１９に記載のメモリ構造体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、メモリ・モジュールに関し、より詳細には、ＲｅＲＡＭモジュールを形成することに関する。

【背景技術】

【0002】

ランダム・アクセス・メモリ（本明細書では「ＲＡＭ」と呼ばれる）は、コンピュータ記憶システムで使用される記憶クラスである。ＲＡＭにはいくつかの形態があり、その多くはプロセッサ・キャッシュの内外の情報に高速にアクセスするのに有用である。したがって、ＲＡＭのタイプによっては、マザーボードなどのシステム・ボード上に設置されるものもある。これらのタイプのＲＡＭは、ＲＡＭのフォーマットに応じて、異なるやり方で情報を記憶することができる。タイプによっては、例えば、ＲＡＭセル内のトランジスタ－キャパシタ対の状態を変化させることによって、１ビットの情報（例えば、「１」または「０」）を記憶するものもある。タイプによっては、ＲＡＭセル両端間の電気抵抗の状態を変化させることによって、１ビットの情報を記憶するものもある。

【発明の概要】

【0003】

本開示の一部の実施形態は、ＲｅＲＡＭ導電性フィラメントを形成する方法として例示することができる。本方法は、第１の電極をプラズマの印加に曝すことを含む。第１の電極は、ＲｅＲＡＭモジュールの第１の端部に近接して接続される。本方法は、第２の電極をプラズマの印加に曝すことをさらに含む。第２の電極は、ＲｅＲＡＭモジュールの第２の端部に近接して接続される。第２の電極は、プラズマ相互作用構成要素（ｐｌａｓｍａ－ｉｎｔｅｒａｃｔｉｎｇ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）と、プラズマ相互作用構成要素とＲｅＲＡＭモジュールとの間に配置された抵抗性構成要素（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）とを備える。第１および第２の電極をプラズマの印加に曝すことにより、第１の電極と第２の電極との間に電圧が生成され、この電圧により、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントが生成される。

【0004】

本開示の一部の実施形態は、メモリ構造体として例示することができる。メモリ構造体は、基板に埋め込まれたＲｅＲＡＭモジュールを備える。メモリ構造体は、基板の表面に絶縁層も備える。メモリ構造体は、絶縁層の表面に第１の電極も備える。第１の電極は、ＲｅＲＡＭモジュールの第１の端部に近接して接続され、第１の表面積を含む。メモリ構造体は、絶縁層の表面に第２の電極も備える。第２の電極は、ＲｅＲＡＭモジュールの第２の端部に近接して接続される。第２の電極は、第２の表面積と、プラズマ相互作用構成要素と、プラズマ相互作用構成要素とＲｅＲＡＭモジュールとの間に配置された抵抗性構成要素とを含む。第１の表面積と第２の表面積との比は、第１の表面積および第２の表面積がプラズマの印加に曝されると、第１の電極と第２の電極との間に電圧を生成する。電圧は、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成する。

【0005】

本開示の一部の実施形態は、第１および第２の端部を有するＲｅＲＡＭモジュールを備えるメモリ構造体として例示することもできる。メモリ構造体は、基板も含む。メモリ構造体は、絶縁層に凹部も含む。凹部は、第１のアンテナ電極の形状の輪郭と、第２のアンテナ電極の形状の輪郭とを呈する。

【0006】

上記の概要は、本開示の各例示された実施形態またはすべての実施態様を説明することは意図されていない。

【0007】

本出願に含まれる図面は、本明細書に組み込まれ、その一部を形成する。これらの図面は、本開示の実施形態を例示し、説明とともに、本開示の原理を説明するのに役立つ。図面は、特定の実施形態の例示に過ぎず、本開示を限定するものではない。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1A】本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成するために使用することができるアンテナ構造の第１の側面図である。

【図1B】本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成するために使用することができるアンテナ構造の上面図である。

【図1C】本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成中のアンテナ構造の第２の側面図である。

【図1D】本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成し、アンテナ電極を除去した後のアンテナ構造の第３の側面図である。

【図1E】本開示の実施形態による、アンテナ電極を除去した後のメモリ構造体の上面図である。

【図2】本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成するためにアンテナ構造を使用する方法である。

【図3】本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成するために使用することができるアンテナ構造を形成する方法である。

【図4A】本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成するために使用することができるアンテナ構造を形成する第１段階の側面図である。

【図4B】本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成するために使用することができるアンテナ構造を形成する第２の段階の側面図である。

【図4C】本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成するために使用することができるアンテナ構造を形成する第３段階の側面図である。

【図4D】本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成するために使用することができるアンテナ構造を形成する第４段階の側面図である。

【図4E】本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成するために使用することができるアンテナ構造を形成する第５段階の側面図である。

【図5】本開示の実施形態による、抵抗性構成要素のギザギザ形状（ｊａｇｇｅｄ ｓｈａｐｅ）の輪郭を表示する凹部が上にある絶縁層の上面図である。

【図6】本開示の実施形態による、抵抗性構成要素の螺旋形状の輪郭を表示する凹部が上にある絶縁層の上面図である。

【図7】実施形態に従って使用することができるコンピュータ・システムの代表的な主要構成要素である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本発明は、様々な修正形態および代替形態を受け入れることができるが、その詳細は、図面において例として示され、詳細に説明される。しかしながら、本発明を記載された特定の実施形態に限定する意図はないことを理解されたい。それどころか、本発明の思想および範囲内に入るすべての修正形態、均等物、および代替形態を包含することを意図している。

【0010】

本開示の態様は、メモリ・モジュールに関し、より詳細には、ＲｅＲＡＭモジュールを形成することに関する。本開示は、必ずしもこのような用途に限定されないが、本開示の様々な態様は、本文脈を使用する様々な実施例の議論を通じて理解され得る。

【0011】

ランダム・アクセス・メモリ（本明細書では「ＲＡＭ」と呼ばれる）は、プロセッサなどの別のコンピュータ構成要素による高速検索のために情報を記憶することができるコンピュータ記憶の一形態である。例えば、ＲＡＭは、多くのプロセッサのキャッシュ・メモリに見出され、多くのコンピュータ・システムでメイン・メモリとして使用される。ＲＡＭの構造およびＲＡＭが情報を記憶するプロセスは、使用されるＲＡＭの形態に基づいて異なる。例えば、プロセッサ・キャッシュに使用されるＲＡＭは、６トランジスタ・メモリ・セルの形態をとることがあるが、システム・メモリに使用されるＲＡＭは、トランジスタ－キャパシタ・セルの形態をとることがある。典型的なＲＡＭフォーマットでは、セルは、１ビットの情報を記憶することができ、セルの状態（例えば、充電されている、または充電されていない）を使用して、ビットをオンまたはオフに設定することができる（ビットを「真」または「偽」、「１」または「０」などに設定するとも呼ばれる）。

【0012】

例えば、抵抗変化型ＲＡＭ（本明細書では「ＲｅＲＡＭ」と呼ばれる）では、メモリ・セルは、誘電体固体材料の形態をとり、「メムリスタ（ｍｅｍｒｉｓｔｅｒ）」と呼ばれることもある。例えば、ＲｅＲＡＭモジュールは、メモリ・スタックの２つの電極間に配置された酸化物層の形態をとることがある。典型的には非導電性であるが、この酸化物層に酸化物欠陥を形成させることにより、材料の抵抗を変化させ、導電性にすることができる。これらの酸化物欠陥は、「酸素空孔（ｏｘｙｇｅｎ ｖａｃａｎｃｙ）」と呼ばれることがあり、酸素が除去された（典型的には酸化物層の他の部分に移動した）酸化物結合の位置を表す。これらの欠陥がメムリスタの２つの端部間に連続した経路（「フィラメント」と呼ばれることもある）で形成されると、これらの２つの端部間の電気抵抗が著しく低下する可能性がある。さらに、その後に、特定の電圧の電界がメムリスタに印加されると、以前に酸化物結合位置（すなわち、酸素空孔位置）から除去された酸素が酸化物結合位置に移動して戻ることができる。これが起こると、「フィラメント」が変形し、メムリスタの両端間の電気抵抗が再び著しく増加する。このプロセスは可逆的である。したがって、特定の電圧の電界をメムリスタに印加することによって、メムリスタを高抵抗の状態と低抵抗の状態との間で切り替えることができる。

【0013】

したがって、ＲｅＲＡＭでは、メモリ・モジュールに電荷を印加して、モジュールの電気抵抗を第１の抵抗値（「高抵抗」と呼ばれることもある）と第２の抵抗値（「低抵抗」と呼ばれることもある）との間で切り替えることができる。モジュールの状態を利用して、情報を記憶することができる。例えば、各状態を１または０のいずれかに設定する（例えば、高抵抗状態を「１」に設定し、低抵抗状態を「０」に設定する）ことによって、そのメムリスタの状態を使用して１ビットの情報を記憶することができる。

【0014】

一部の他のタイプのＲＡＭとは異なり、ＲｅＲＡＭは、不揮発性であると考えられ、これは、電源が入っていなくてもその記憶された情報が失われないことを意味する。換言すれば、ＲｅＲＡＭの状態（高抵抗または低抵抗）は、コンピュータ・システムから電力が遮断されたときに安定している。このため、ＲｅＲＡＭは、ハード・ディスク・ドライブおよびソリッド・ステート・ドライブの代替（または補完）など、より長期記憶において潜在的な利点を有する。長期記憶にうまく適用されれば、ＲｅＲＡＭは、他の長期記憶ソリューションと比較して、ＲｅＲＡＭの読み取りレイテンシが低く、書き込み速度が高いため、コンピュータ・システムのストレージを大幅に向上させることができるであろう。

【0015】

しかしながら、ＲｅＲＡＭを形成する際の難しさにより、ストレージ・システムにおけるＲｅＲＡＭの利用が、完全に実現不可能ではないにしても、困難になる可能性がある。例えば、説明したように、ＲｅＲＡＭが形成されるためには、酸化物欠陥の連続した経路（すなわち、導電性フィラメント）を形成するのに十分な電圧がＲｅＲＡＭモジュール両端間に印加されなければならない。この「十分な電圧」は、形成電圧と呼ばれることもある。

【0016】

残念ながら、典型的なＲｅＲＡＭモジュールの形成電圧は、多くの場合、導電性フィラメントが形成された後にＲｅＲＡＭを抵抗状態間で切り替えるのに必要な電圧よりも著しく高い。例えば、典型的なＲｅＲＡＭモジュールは、他のメモリ・システムと同様の電圧（例えば、１．２ボルト）で動作するように設計されていることがある。しかしながら、このようなＲｅＲＡＭモジュールに導電性フィラメントを形成するには、４ボルトを超える電圧（すなわち、形成電圧）をＲｅＲＡＭモジュールに印加する必要がある場合がある。さらに、この形成電圧を印加するには、典型的には、システムで使用する際にＲｅＲＡＭが状態間で切り替えられる電圧と同じ経路を通して（例えば、ビット線およびワード線を通して）電圧を印加する必要がある。換言すると、形成電圧は、一部の用途では、ＲｅＲＡＭモジュールの最終回路設計およびシステムへの関連付けられた接続を通して印加されなければならない。

【0017】

残念ながら、メモリのスイッチング電圧（例えば、１．２Ｖ）を処理するためだけに設計された回路を通して形成電圧（例えば、４Ｖ）を印加すると、回路に損傷を引き起こす可能性がある。例えば、典型的な相補型金属酸化膜半導体（「ＣＭＯＳ」と呼ばれることもある）システムでは、回路が設計されている電圧よりも著しく高い電圧を印加すると、ゲートと導電チャネルとの間、またはソースとドレインとの間の導電チャネルにわたって短絡が形成される可能性がある。構成要素が非常に小さい最先端のシステムでは、高電圧によりコンタクトおよびワイヤが損傷する可能性もある。したがって、ＲｅＲＡＭモジュールをメモリ回路に組み込むには、これらの悪影響を軽減するための努力が必要となることが多い。

【0018】

例えば、高電圧によって引き起こされる潜在的な損傷を軽減する１つの方法としては、メモリ回路をよりロバストに設計することが挙げられる。これには、典型的には、例えば、より厚いワイヤ、より厚い絶縁層、およびより広いゲート・ピッチを含むことが含まれる。換言すれば、記憶回路の構成要素を大きくすることであってもよい。残念ながら、ほとんどの現代のシステムは、小型で狭ゲート回路がもたらす性能上の利点および構成要素密度の向上のために、小型で狭ゲート回路を利用しようと試みている。このため、高性能デバイスにおいてより大きな回路を使用することは、あまり望ましくないことが多く、ＲｅＲＡＭの形成電圧に耐えるのに十分大きく、ロバストな回路を設計することの弊害によって、ＲｅＲＡＭの利点が相殺される可能性がある。

【0019】

形成電圧による潜在的な損傷を軽減する別の方法としては、意図された導電性フィラメントの近くのＲｅＲＡＭモジュール内に「酸素空孔」リザーバを含めることが挙げられる。このようなリザーバは、強い拡散力を生成することができ、形成電圧が印加されると酸素空孔を導電性フィラメントの位置に迅速に流入させる。換言すれば、酸素空孔（すなわち、酸素が除去された酸化物結合の位置）のリザーバは、電圧が印加されると、導電性フィラメントの意図された位置の酸素をリザーバに迅速に拡散させることができる。残念ながら、本方法では、フィラメントの形成を制御することが難しく、いくつかの欠点が生じる可能性がある。

【0020】

まず、リザーバによってチャネルが急速に形成される可能性があるため、導電性フィラメントの抵抗が極端に低くなり、ＲｅＲＡＭを使用する際にフィラメントを「閉じる」のに必要な電圧が増加する可能性がある。換言すれば、導電性フィラメントは、通常動作においてＲｅＲＡＭの状態を切り替えるのに非常に高い電圧が必要とされ得るほどに十分に迅速かつ十分に広く形成される可能性がある。一部の例では、導電性フィラメントは、スイッチング電圧がシステムの他の構成要素を損傷するのに十分に高くなるほどに十分に広く形成される可能性がある。これは、ＲｅＲＡＭを通常のシステムで使用できなくするだけでなく、酸素空孔リザーバの目的を無効にする可能性がある。

【0021】

さらに、フィラメントが正しく形成されたとしても、酸素空孔リザーバは、典型的には、形成後に所定の位置に残る。したがって、導電性フィラメントを形成するのに必要な労力を減少させる拡散力が、ＲｅＲＡＭモジュールの通常動作中に依然として存在することが多い。その結果、ＲｅＲＡＭにスイッチング電圧を印加してメモリの状態を変化させると、導電性フィラメントが最初に形成されたときよりも多くの酸素が酸素空孔リザーバに拡散するため、導電性フィラメント内に新たな欠陥が形成される可能性がある。換言すれば、酸素空孔リザーバの存在により、メモリの動作中にＲｅＲＡＭの導電性フィラメントが広がる可能性がある。これは、ＲｅＲＡＭの通常動作によって引き起こされる可能性があるが、ＲｅＲＡＭのスイッチング電圧よりもわずかに大きい電圧が誤って印加された場合、著しく悪化する可能性がある。例えば、ＲｅＲＡＭのスイッチング電圧が１．２Ｖの場合、１．２００Ｖの電圧を印加すると、導電性フィラメントがわずかに広がることがある。しかしながら、（例えば、電源変動に起因して）誤って１．２１Ｖを印加すると、導電性フィラメントがより大きく広がることがある。したがって、酸素空孔の存在は、繰り返し使用した後にＲｅＲＡＭモジュールを故障させる原因となる可能性があるだけでなく、ＲｅＲＡＭモジュールを高電圧に対して影響を受けやすくもする。

【0022】

残念ながら、導電性フィラメントが広がるにつれて、フィラメントは、スイッチング電圧を運ぶ電流に対しても影響をより受けやすくなる。その結果、導電性フィラメントが広がるにつれて、フィラメントは、スイッチング電圧が再び印加されたときに再び広がる可能性が高くなる。その結果、ＲｅＲＡＭを使用するにつれてフィラメントがますます速い速度で広がり、最終的には、ＲｅＲＡＭを切り替えることが回路を損傷するのに十分高い電圧を必要とするほどに広がってしまうという、帰還ループをもたらす可能性がある。

【0023】

これらの理由から、回路の動作にとって必要以上にロバストな（すなわち、より大きな）回路構成要素に頼ることなく、かつスイッチング電圧を低下させるために酸素空孔リザーバに頼ることなく、ＲｅＲＡＭモジュールに形成電圧を印加することができるメカニズムが望まれている。

【0024】

上記の問題に対処するために、本開示の一部の実施形態は、アンテナ・システムを利用して、形成後ではなくＲＡＭスタックの形成中にＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成する。一部の実施形態では、アンテナを通して印加される電圧は、回路の残りの部分が耐えられるように設計されている電圧よりも高くすることができ、回路の残りの部分に損傷を与えるリスクを冒すことなく、高い形成電圧をＲｅＲＡＭモジュールに印加することができる。一部の実施形態では、アンテナ・システムは、導電性フィラメントの形成後に除去され、アンテナの持続的な効果が通常動作中にＲｅＲＡＭモジュールに影響を及ぼすことを防止することができる。

【0025】

一部の実施形態では、例えば、２つの電極が、ＲｅＲＡＭモジュールが中に（または下に）埋め込まれた基板上の絶縁層上に形成される。各電極は、ＲｅＲＡＭモジュールの反対側の端部に電気的に接続されてもよい。２つの電極は、絶縁層の表面上でサイズが異なってもよく、構造体を上から見たときに露出する電極の表面積を不揃いにする。一部の実施形態では、これらの電極は、上方からのプラズマの印加に曝されてもよい。その結果、一方の電極が他方の電極よりも多くそのプラズマに曝されてもよく、２つの電極間に電圧が形成される。各電極は、ＲｅＲＡＭモジュールの反対側の端部に接続されているため、この電圧により、その電圧で２つの端部間でＲｅＲＡＭモジュールに電流を流すことができ、その結果、酸化物結合中の酸素をその電圧の経路から離れるように移動させることができる。換言すれば、ＲｅＲＡＭモジュール全体にわたって酸素空孔欠陥が形成され、導電性フィラメントが生じる可能性がある。

【0026】

残念ながら、プラズマの印加に起因して生成される電流は、制御するのが難しい場合がある。電子的に生成される電流とは異なり、プラズマが２つの電極に衝突することよって生成される電流は、当然ながら制限されない。プロセスの開始時は、ＲｅＲＡＭモジュールの抵抗が高いため、非常に小さな電流が電極間に流れる場合がある。しかしながら、欠陥がＲｅＲＡＭモジュール内に蓄積するにつれて、抵抗が減少し、その生成された電圧でより高い電流が流れるようになる。このより高い電流により、酸素空孔欠陥がより速く生成され、ＲｅＲＡＭモジュールの抵抗もより高速で増加する。したがって、プラズマの印加によって生成される制御されない電流は、正帰還ループをもたらす可能性があり、これにより、ＲｅＲＡＭモジュール内の電流が急速に高くなり、導電性フィラメントが望ましくないほど大きくなる可能性がある。

【0027】

このため、本開示の一部の実施形態は、プラズマ印加と相互作用する電極の設計に抵抗性構成要素を含む。例えば、本開示の一部の実施形態では、第１の電極は、第２の電極よりも大きい表面積で設計され、これにより、第１の電極から第２の電極に電流が流れるようにすることができる。一部の実施形態では、第２の電極は、プラズマ相互作用構成要素および抵抗性構成要素を含む。これらの実施形態では、抵抗性構成要素は、プラズマ相互作用構成要素へのプラズマの印加によって生成される電流が抵抗性構成要素を通過するように、ＲｅＲＡＭモジュールとプラズマ相互作用構成要素との間に配置されてもよい。さらに、第１の電極の表面積と第２の電極の表面積との比をプラズマ印加中に一定に保つことができるため、プラズマの印加強度が一定に保たれる場合は、印加中に生成される電圧を一定に保つことができる。こうして、電流の電圧および抵抗性構成要素の抵抗を一定に保つことができ、したがって、ＲｅＲＡＭモジュールに流れる電流を最大値に制限することができる。この最大値が十分に低い場合、導電性フィラメントの形成中の正帰還ループを防止することができる。

【0028】

一部の実施形態では、抵抗性構成要素は、電極の薄い巻線部分の形態をとってもよい。例えば、抵抗性構成要素は、電極のプラズマ相互作用構成要素と、電極を基板の内部に接続するコンタクトとの間の絶縁層の表面上の迂回経路を辿る金属ワイヤ（例えば、ストリップ・ライン・ワイヤ）に類似していてもよい。一部の実施形態では、このコンタクトは、基板の表面に形成されてもよく、電極の一部と見なされてもよく、他の実施形態では、コンタクトは、電極の前に形成されてもよい。例えば、コンタクトは、上に電極が形成された酸化物層に埋め込まれていてもよく、または電極を基板の内部に接続する導電性ビア・プラグの形態をとってもよい。

【0029】

一部の実施形態では、抵抗性構成要素の寸法は、所望の抵抗値が得られるように操作されてもよい。例えば、抵抗性構成要素の長さを増加させて、構成要素の抵抗を増加させることができる。換言すれば、電流が流れる必要がある抵抗性構成要素の量を増加させることによって、抵抗性構成要素の抵抗を増加させることができる。これは、ワイヤをより長くすることに例えることができる。同様に、抵抗性構成要素の平均（または最小）幅をその長さ全体にわたって減少させることによって、抵抗性構成要素の抵抗を増加させることもできる。これは、ワイヤをより細くすることに例えることができる。最後に、抵抗性構成要素の高さ（すなわち、絶縁層と抵抗性構成要素の頂部との間の距離）を減少させることによって、抵抗性構成要素の抵抗を増加させることもできる。これも、ワイヤをより細くすることに例えることができる。抵抗性構成要素の抵抗を調整するために、これらの３つの寸法を変更することができ、一方で、抵抗性構成要素に必要な絶縁層の表面積が、第１および第２の電極にとって利用可能な表面積をネガティブに制限することも防止しようとする。

【0030】

一部の実施形態では、説明したように抵抗性構成要素の寸法を操作することにより、プラズマ相互作用構成要素と、電極を基板の内部に接続するコンタクトとの間の迂回線路の形態をとる抵抗性構成要素を得ることができる。例えば、抵抗性構成要素は、基板の表面上を前後に進む蛇行形状、ガタガタした（ｊａｚｚｅｄ）「ジグザグ」形状、螺旋形状、曲線などの形状をとることができる。ほとんどの実施形態では、抵抗性構成要素の寸法が所望の抵抗値をもたらす場合は、抵抗性構成要素の正確な形状は重要でなくてもよい。

【0031】

一部の実施形態では、導電性フィラメントが形成されると、アンテナの２つの電極は、絶縁層から除去されてもよい。例えば、化学エッチング・プロセスを使用して、絶縁層の表面を除去することなく、２つの電極の金属を除去することができる。これらの電極が除去されると、ＲＡＭ構造の残りの部分を構築すること（例えば、基板層を追加することやＲｅＲＡＭモジュールとビット線およびワード線との間の電気的接続を追加することを含む）ができる。ＲＡＭ構造を完成させる前にアンテナを除去することによって、アンテナ構造が、完成した構造に及ぼすことがあるいかなる悪影響（例えば、容量効果）を回避することができる。このため、本開示の実施形態は、アンテナ構造が、形成後のメモリ・モジュールに悪影響を及ぼす可能性があることを懸念することなく、導電性フィラメントを生成するのに必要なだけ大きく複雑なアンテナ構造を組み込むことを含むことができる。

【0032】

図１Ａは、本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成するために使用することができるアンテナ構造の第１の側面図を示す。図１Ａは、構造体を構築中のメモリ構造体１００（例えば、ＲＡＭスタック）の図を示し、構造体のすべての層が追加される前であってもよい。

【0033】

メモリ構造体１００は、２つの基板層、層１０２および１０４を含む。基板層１０２および１０４は、例えば、ガラス繊維－樹脂混合物などの絶縁材料で構成されてもよい。基板層１０２は、基板層１０４から絶縁層１０６で分離されており、この絶縁層に２つの層間の電気コンタクトが埋め込まれていてもよい。基板１０４は、基板１０４の上に形成された絶縁層１０８を含む。絶縁層１０６と同様に、絶縁層１０８は、その中に埋め込まれた電気コンタクトを含むことができる。絶縁層１０６および１０８は、例えば、二酸化シリコン層の形態をとることができる。

【0034】

メモリ構造体１００は、ＲｅＲＡＭモジュール１１０も含む。ＲｅＲＡＭモジュール１１０は、例えば、基板１０４に埋め込まれた酸化物層などのメムリスタの形態をとることができる。したがって、ＲｅＲＡＭモジュール１１０に酸化物空孔欠陥が形成される前は、ＲｅＲＡＭモジュール１１０は、電流に対して高い抵抗性がある場合がある。

【0035】

メモリ構造体は、ＲｅＲＡＭモジュール１１０に電気的に接続された電極１１２および１１４も含む。電極１１２は、単一の構成要素を含む。一方、電極１１４は、図示されるように、３つの構成要素、すなわち、プラズマ相互作用構成要素１１６と、抵抗性構成要素１１８と、コンタクト構成要素１２０とを含む。一部の実施形態では、電極１１２および電極１１４のすべての構成要素は、同じ金属材料で構成されてもよく、その金属材料の単一シートからパターンをエッチング除去することによって形成されていてもよい。さらに、プラズマ相互作用構成要素１１６は、図１Ａでは２つの部分を含むものとして図示されているが、これらは実際には、図１Ａの断面の性質のために、図１Ａでは分離して見える同じ構成要素の２つの領域である。これは、図１Ｂにより明確に提示されている。

【0036】

電極１１２は、図示されるように、ＲｅＲＡＭモジュール１１０の上端部に近接して接続されている。本明細書で使用されるように、「近接して接続された」という用語は、２つの構成要素間の接続を、それらの構成要素の一方の残りの部分との関係で説明する。例えば、電極１１２は、下端部よりもＲｅＲＡＭモジュール１１０の上端部により直接的に接続されているため、電極１１２は、ＲｅＲＡＭモジュール１１０の下端部と比較して、ＲｅＲＡＭモジュール１１０の上端部に近接して接続されていると説明することができる。したがって、（特に導電性フィラメントの形成後に）電極１１２がＲｅＲＡＭモジュール１１０の上端部および下端部の両方に電気的接続を有することがあるとしても、電極１１２は、下端部よりも直接的に上端部に電気的に接続されている。したがって、この理由により、電極１１４は、図示されるように、ＲｅＲＡＭモジュール１１０の下端部に近接して接続されている。

【0037】

電極１１２とＲｅＲＡＭモジュール１１０との間の接続は、コンタクト・パッド１２２および導電性プラグ１２４を介する。電極１１４とＲｅＲＡＭモジュール１１０との間の接続は、コンタクト構成要素１２０、コンタクト・パッド１２６、導電性プラグ１２８、コンタクト・パッド１３０、ワイヤ１３２、およびコンタクト・パッド１３４を介する。これらの接続の詳細は、限定するものとして解釈されることは意図されていないことに留意されたい。むしろ、様々な実施形態および様々な実施態様では、これらの接続経路は、実施状況に応じて、より少ない構成要素またはより多くの構成要素を含むことができる。例えば、コンタクト・パッド１３０がメモリ構造体１００に図示されているが、一部の実施形態では、コンタクト・パッド１３０を省略することができ、導電性プラグ１２８が、コンタクト・パッド１２６とワイヤ１３２との間の距離全体に及ぶことができる。

【0038】

図１Ｂは、本開示の実施形態による、メモリ構造体１００の上面図を示し、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成するために使用することができるアンテナ構造を示す。図１Ｂに示されるように、電極１１２は、電極１１４が含む表面積よりも著しく小さい表面積を含む。さらに、電極１１２と電極１１４とは、絶縁層１０８上で接触していないため、電極１１２と１１４との間の電気的接続は、絶縁層１０８内およびその下に埋め込まれた接続構成要素（ＲｅＲＡＭ１１０を含む）を介する。これらの理由から、電極１１２および電極１１４の両方が、「上方」からのプラズマの印加に曝されると、電流が、それらの接続構成要素を通って、電極１１４から電極１１２に流れることができる。この電流の電圧は、そのプラズマの印加に曝される電極１１２と１１４の表面積の比によって主に決定される場合がある。

【0039】

そのため、電極１１２および１１４は、異なる表面積を有するように設計される。具体的には、電極１１４は、電極１１２の表面積よりも著しく大きい表面積を含む。さらに、抵抗性構成要素１１８およびコンタクト構成要素１２０は、電極１１４の表面積に寄与するが、電極１１４が含む表面積の大部分は、プラズマ相互作用構成要素１１６に見出される。そのため、電極１１２の表面積と電極１１４の表面積の比は、電極１１２とプラズマ相互作用構成要素１１６の相対的なサイズによって大きく影響される。したがって、プラズマ相互作用構成要素１１６へのプラズマ印加の効果は、抵抗性構成要素１１８およびコンタクト構成要素１２０へのプラズマ印加の効果よりも、電極１１２と１１４との間の電圧の生成に著しく寄与する。このため、プラズマ相互作用構成要素１１６は、抵抗性構成要素１１８およびコンタクト構成要素１２０もプラズマの印加と相互作用するにもかかわらず、特に「プラズマ相互作用」と呼ばれる。

【0040】

前述したように、電極１１２と１１４との間を流れる電流は、電源から生じる電流とは異なり、制御することが困難である場合がある。このため、抵抗性構成要素１１８がプラズマ相互作用構成要素１１６とＲｅＲＡＭモジュール１１０との間に配置されている。抵抗性構成要素１１８は、プラズマ相互作用構成要素１１６とコンタクト構成要素１２０との間の（蛇行ワイヤに類似した）迂回線路の形態をとることができる。その結果、プラズマ相互作用構成要素１１６からＲｅＲＡＭモジュール１１０に流れる電流は、抵抗性構成要素１１８の抵抗によって制限されることになる。したがって、ＲｅＲＡＭモジュール１１０を通って流れる電流の大部分がプラズマ相互作用構成要素１１６に由来する実施形態（すなわち、プラズマ相互作用構成要素１１６が抵抗性構成要素１１８、コンタクト構成要素１２０、および電極１１２よりも著しく大きい実施形態）では、抵抗性構成要素１１８を使用して、ＲｅＲＡＭモジュール１１０に達する電流の最大値を設定することができる。このため、本開示の一部の実施形態は、プラズマ相互作用構成要素１１６と比較して、抵抗性構成要素１１８およびコンタクト構成要素１２０の表面積を最小限に抑えることを試みることができる。これにより、ＲｅＲＡＭモジュール１１０内の導電性フィラメントの形成中に正帰還ループが生じるのを防止することができる。

【0041】

図１Ｃは、本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール１１０に導電性フィラメントを形成中のメモリ構造体１００の第２の側面図を示す。図１Ｃにおいて、メモリ構造体１００の頂面は、プラズマ１３６の印加に曝されている。プラズマ１３６は、電極１１２および１１４に衝突し、特定の電圧で２つの電極間に電流を流す。この電流は、プラズマ相互作用構成要素１１６から電極１１２に及ぶ流線１３８によって図示されている。この電流の電圧は、プラズマ１３６の強度と、プラズマに曝される電極１１４の表面積とプラズマに曝される電極１１２の表面積の比とによって決定されることがある。具体的には、プラズマの強度が増加するにつれて、電圧は増加する傾向がある。同様に、電極１１４の表面積と電極１１２の表面積の比が増加するにつれて、電圧は増加する。しかしながら、プラズマ１３６への曝露によって生成される電流は、抵抗性構成要素１１８によって制限され得る。具体的には、電流は、ほぼ、電流の電圧を抵抗性構成要素１１８の抵抗で割ったものであってもよい。

【0042】

一部の例では、導電性フィラメントが形成されたときのＲｅＲＡＭモジュール１１０の所望の抵抗値（すなわち、低抵抗状態）をフィラメント形成の前に知ることができる。例えば、実験的な試験によると、特定の抵抗のＲｅＲＡＭモジュールは、電界を印加することによって容易に切り替えることができるが、特定の抵抗よりも低い抵抗を有するＲｅＲＡＭモジュールは、切り替えることが困難または不可能である場合があることが示唆されることがある。これらの例では、この所望の抵抗値（「目標抵抗値」と呼ばれることがある）は、抵抗性構成要素１１８の抵抗を設定するための基準として使用されてもよい。換言すれば、抵抗性構成要素１１８は、少なくともその目標抵抗値の抵抗を含むように設計され得る。抵抗性構成要素１１８の抵抗値がその目標抵抗値を上回る場合、ＲｅＲＡＭモジュール１１０を通って流れる電流は、ＲｅＲＡＭモジュール１１０の抵抗が目標抵抗値以上となるほどに十分に小さいはずである。このため、一部の実施形態は、プラズマ１３６の印加によって生成される電圧において、抵抗性構成要素１１８が目標抵抗値と少なくとも同程度の大きさの抵抗を含むような寸法で抵抗性構成要素を設計することを含むことがある。

【0043】

図１Ｃは、酸素空孔欠陥１４０によりＲｅＲＡＭモジュール１１０に導電性フィラメントが部分的に形成されることも開示する。図示されるように、酸素空孔欠陥１４０は、まだＲｅＲＡＭモジュール１１０の上端部とＲｅＲＡＭモジュール１１０の下端部との間の距離全体に及んでいない。しかしながら、プラズマ１３６の印加が継続される場合は、酸素空孔欠陥１４０は、導電性フィラメントを通るＲｅＲＡＭモジュール１１０の抵抗が抵抗性構成要素１１８の抵抗とほぼ等しくなるまで、流線１３８の経路でＲｅＲＡＭモジュール１１０内に広がり続けるはずである。

【0044】

図１Ｄは、本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール１１０に導電性フィラメントを形成し、アンテナ電極１１２および１１４を除去した後のメモリ構造体１００の第３の側面図を示す。図示されるように、酸素空孔欠陥１４０は、ここでは、ＲｅＲＡＭモジュール１１０の上端部と下端部との間の距離全体に及んでいる。さらに、酸素空孔欠陥１４０によって覆われた領域の幅およびその領域内の欠陥の濃度は、ＲｅＲＡＭモジュール１１０のその現在の状態における抵抗が目標抵抗値（すなわち、高抵抗状態と低抵抗状態との間でＲｅＲＡＭモジュール１１０を切り替えることが実現可能な値）に達しているほどに十分に高い。

【0045】

ＲｅＲＡＭモジュール１１０の抵抗がこの状態に達すると、ＲｅＲＡＭモジュール１１０の抵抗と抵抗性構成要素１１８の抵抗とがほぼ等しくなり、導電性フィラメントのさらなる成長が制限される（すなわち、新たな酸素空孔欠陥が制限される）。したがって、プラズマの印加は、その時点で終了していてもよい。

【0046】

図１Ｄでは、電極１１２および１１４は除去されているが、コンタクト・パッド１２２および１２６は、絶縁層１０８内に依然として埋め込まれているように図示されている。コンタクト・パッド１２２および１２６は、ＲｅＲＡＭモジュール１１０内の導電性フィラメントの形成後のメモリ構造体１００の形成または動作には不要である場合がある。しかしながら、メモリ構造体１００内にコンタクト・パッド１２２および１２６を保持することは、メモリ構造体１００が完全に形成された後のメモリ構造体１００の動作に著しい影響を及ぼす可能性が低いため、一部の実施形態では、コンタクト・パッド１２２および１２６は保持されることがある。さらに、コンタクト１２２が下端部に対してＲｅＲＡＭモジュール１１０の上端部に近接して接続されているため、コンタクト１２６が上端部に対してＲｅＲＡＭモジュール１１０の下端部に近接して接続されているため、およびコンタクト１２２およびコンタクト１２６の両方が同じ絶縁層１０８内に埋め込まれているため、コンタクト１２２と、導電性プラグ１２４と、ＲｅＲＡＭモジュール１１０と、コンタクト・パッド１３４と、ワイヤ１３２と、コンタクト・パッド１３０と、導電性プラグ１２８と、コンタクト１２６との間の独特の「Ｕ」字形設計も、メモリ構造体１００の最終形成において保持されることがある。

【0047】

さらに、絶縁層１０８の一部の領域は、プラズマ１３６の印加および電極１１２および１１４のエッチングの間、電極１１２および１１４によって覆われていなかったため、絶縁層１０８のこれらの領域は、同様にプラズマ１３６およびエッチングに曝された。これらの曝露の一方または両方は、絶縁層１０８の損傷または腐食の原因となる可能性がある。その結果、絶縁層１０８は、これらの領域に凹部を含む。図１Ｄでは、これは、凹部位置１４２によって図示されている。これらは、複数の凹部であるように見えるが、図１Ｅに図示されるように、実際にはすべて同じ凹部上の位置である。この凹部は、電極１１２および電極１１４によって覆われていない絶縁層１０８の部分から生じるため、凹部１４２は、第１の電極の形状の輪郭および第２の電極の形状の輪郭を呈する。実際に、図１Ｄと図１Ｃを比較することによって、凹部１４２が、電極１１２と電極１１４との間のギャップ、および抵抗性構成要素１１８の位置に（図示されるように）生じていることが明確になる。

【0048】

図１Ｅは、アンテナ電極を除去した後のメモリ構造体１００の上面図を示す。したがって、図１Ｅは、図１Ｃのプラズマ１３６の印加への曝露、および図１Ｃと図１Ｄとの間のエッチング・プロセスへの曝露のうちの１つまたは複数から生じ得る、絶縁層１０８の凹部１４２全体を図示する。図１Ｅと図１Ｂを比較することによって分かるように、電極１１２および電極１１４によって覆われていた絶縁層１０８の部分は、露出しておらず、凹んでいない。しかしながら、図１Ａ～図１Ｃで見ることができた絶縁層１０８の露出した部分は、図１Ｅでは凹部１４２として図示されている。そのため、凹部１４２は、電極１１２および電極１１４の形状の輪郭を呈する。注目すべきことに、電極１１４の形状の輪郭は、ここでは輪郭１４４として図示されている抵抗性構成要素１１８の形状の輪郭を含む。輪郭１４４は、エッチングされる前の抵抗性構成要素１１８の形状を示す。輪郭１４４は、絶縁層１０８の非凹部の大部分とコンタクト１２６との間の迂回線路の輪郭の形態をとる。図示されるように、この迂回線路は、凹部を横切って前後に移動するが、他のパターンの迂回線路が可能であり、本開示の実施形態と適合する。

【0049】

図１Ｅはまた、電極１１２および１１４によって覆われていた絶縁層１０８の部分内に埋め込まれたコンタクト１２２および１２６の上面図を示す。コンタクト１２２および１２６と同様に、凹部１４２は、完全に形成された後のメモリ構造体１００の動作に大きく影響を及ぼす可能性が低いことに留意されたい。そのため、凹部１４２は、メモリ構造体１００の最終形態において絶縁層１０８内に保持されることがある。

【0050】

ＲｅＲＡＭモジュールの抵抗が目標抵抗値に達すると、ＲｅＲＡＭモジュールは、機能するメモリ構造体に実装されてもよい。これは、例えば、ＲｅＲＡＭモジュールの第１の端部をメモリ・セル・トランジスタに接続することを含むことができる。

【0051】

図１Ｄに図示されるように、電極１１２および１１４は、酸化物層１０８からエッチング除去されている。これは、化学エッチング・プロセスによって行われてもよい。その結果、電極１１２および１１４がメモリ構造体１００内で容量問題を引き起こす可能性を懸念することなく、メモリ構造体１００をより大きなメモリ構造体に組み込むことができる。これは、電極の容量に起因する信号劣化およびオーバーシュートを回避するのに有益である場合がある。したがって、電極１１２および１１４を除去することは、時間および費用を必要とし、潜在的なエラーをもたらす可能性がある余分なプロセスである場合があるが、電極を除去することは、全体的に有益である場合がある。

【0052】

図２は、本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成するためにアンテナ構造を使用する方法２００を示す。方法２００を理解することは、図１Ａ～図１Ｄに関して開示された実施形態を理解する際に有用である場合がある。

【0053】

方法２００は、電極アンテナが形成されるブロック２０２で始まる。一部の実施形態では、例えば、これは、金属箔を基板（もしくは基板のスタック）またはその上に配置された絶縁層の表面に貼り付けることと、保護層によって覆われていない金属をエッチング除去することとを含むことができる。エッチング後の残留する金属の層は、ＲｅＲＡＭモジュールの第１の端部に近接して接続する第１の電極を含むことができ、ＲｅＲＡＭモジュールの第２の端部に近接して接続する第２の電極を有していた。電極の一方は、電極の大部分とＲｅＲＡＭモジュールとの間で巻線金属ワイヤの形態をとることができる抵抗性構成要素を含むこともできる。この抵抗性構成要素は、エッチング・プロセス中に形成することもできる。

【0054】

ブロック２０４において、電極は、プラズマの印加に曝される。一部の実施形態では、プラズマの印加により、２つの電極間および内部ＲｅＲＡＭモジュールを通って流れる電流が生成され得る。電流の電圧は、プラズマ印加の強度と、２つの電極の相対的な表面積とに依存してもよい。電流自体は、導電性フィラメントが形成されている間、正帰還ループを防止する、一方の電極の抵抗性構成要素によって制限されることができる。

【0055】

ブロック２０６において、方法２００を監視するシステムは、ＲｅＲＡＭモジュールに対する目標抵抗に達したかどうかを判定する。これは、いくつかのやり方で行うことができるが、ＲｅＲＡＭモジュールを通って流れる電流を試験することを含んでもよい。ＲｅＲＡＭモジュールの抵抗が低すぎるとシステムが判定した場合、システムは、ブロック２０４に戻ることができる。しかしながら、ＲｅＲＡＭモジュールが目標抵抗に達したとシステムが判定した場合、システムは、ブロック２０８においてプラズマ印加を停止することができる。この時点で、ＲｅＲＡＭモジュールの第１の端部と第２の端部との間に、ＲｅＲＡＭモジュールの状態を切り替える（すなわち、高抵抗から低抵抗に切り替える）導電性の抵抗で導電性フィラメントが形成されるはずである。

【0056】

ブロック２０８においてプラズマ印加が停止されると、ブロック２１０において電極アンテナが除去される。一部の例では、電極アンテナを除去することにより、メモリ構造体が完成した後のメモリ構造体における望ましくない容量効果が防止される。しかしながら、ブロック２１０は、すべての例において必要または有益であるとは限らない付加的なプロセスを表し、したがって、方法２００の一部の実施態様では、ブロック２１０は省略されてもよい。

【0057】

この時点で、ＲｅＲＡＭモジュールは、低抵抗状態において、低抵抗と高抵抗との間を容易に切り替わるのに十分に高い抵抗を依然として呈する導電性フィラメントを備えることができる。したがって、ＲｅＲＡＭモジュールは、機能するメモリ構造体に組み込まれる準備ができていてもよい。これには、例えば、第１の電極に接触したＲｅＲＡＭモジュールの端部をメモリ構造体内のメモリ・セル・トランジスタに接続することが含まれてもよい。

【0058】

図３は、本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成するために使用することができるアンテナ構造を形成する方法３００を示す。方法３００は、ＲｅＲＡＭモジュールがメモリ構造体に（例えば、メモリ構造体の基板に）統合されるブロック３０２で開始する。方法３００は、ブロック３０４において、ＲｅＲＡＭモジュールと第１のコンタクトとの間の接続を形成することも含む。一部の実施形態では、この第１のコンタクトは、ＲｅＲＡＭモジュールが統合される基板の上に形成された絶縁層（例えば、酸化物層）内に埋め込まれていてもよい。一部の実施形態では、ビア・プラグが、第１のコンタクトとＲｅＲＡＭモジュールとの間の基板内の距離に及んでもよい。一部の実施形態では、第１のコンタクトは、ＲｅＲＡＭモジュールの第１の端部と近接して接続してもよい。

【0059】

方法３００は、ブロック３０６において、ＲｅＲＡＭモジュールと第２のコンタクトとの間の電気的接続を形成することも含む。第１のコンタクトと同様に、第２のコンタクトは、基板の上に形成された絶縁層内に埋め込まれていてもよい。一部の実施形態では、ＲｅＲＡＭと第２のコンタクトとの間の電気的接続を形成するために、一組のコンタクト、ワイヤ、およびビア・プラグが使用されてもよい。一部の実施形態では、第２のコンタクトは、ＲｅＲＡＭモジュールの第２の端部と近接して接続してもよい。

【0060】

ＲｅＲＡＭモジュールと第１および第２のコンタクトとの間の接続が形成されると、ブロック３０８において、第１および第２のコンタクトが埋め込まれた絶縁層上に金属層を堆積させることができる。したがって、金属層は、第１および第２のコンタクトの両方と電気的に接続することができる。この時点で、ブロック３１０において金属層を選択的にエッチングして、図１Ａ～図１Ｄに図示されるアンテナ構造などのアンテナ構造をもたらす電極パターンを形成することができる。換言すれば、金属層からパターンをエッチングして、第１のコンタクトと電気的に接続する第１の電極と、第２のコンタクトと電気的に接続する第２の電極とを得ることができる。一部の実施形態では、一方の電極は、他方の電極よりも著しく大きく、より大きな表面積を生成することができる。したがって、２つの電極がプラズマの印加に曝されると、特定の電圧の電流が生成され得る。

【0061】

一部の実施形態では、電極の一方は、抵抗性構成要素を含むこともできる。抵抗性構成要素は、電極の大部分をそれぞれのコンタクトに迂回して接続するワイヤに類似していることがある。これらの実施形態では、抵抗性構成要素の抵抗は、電極間を流れることができる電流を制限することができ、これにより、ＲｅＲＡＭモジュールの一方の端部から他方の端部に流れることができる電流を制限することもできる。一部の実施形態では、抵抗性構成要素の寸法は、抵抗性構成要素の抵抗がＲｅＲＡＭモジュールの目標抵抗以上となるように設計することができる。

【0062】

理解を助けるために、図４Ａ～図４Ｅは、メモリ構造体４００におけるアンテナ構造の形成を開示する。図４Ａは、例えば、本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成するために使用することができるアンテナ構造を形成する第１段階の側面図を示す。この段階で、メモリ構造体１００は、ワイヤ４０４が埋め込まれた第１の基板層４０２を備える。絶縁層４０６が基板層４０２の上に形成されており、コンタクト４０８がワイヤ４０４と電気的に接続するように、コンタクト４０８がその絶縁層内に埋め込まれている。

【0063】

図４Ｂは、本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成するために使用することができるアンテナ構造を形成する第２の段階の側面図を示す。図４Ｂでは、第２の基板層４１０が絶縁層４０６の上に形成されている。基板層４１０内には、メムリスタ４１２がコンタクト４０８との電気的接続を形成するように、メムリスタ４１２が埋め込まれている。メムリスタ４１２は、酸化物層などの通常は絶縁性の構成要素の形態をとることができる。

【0064】

図４Ｃは、本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成するために使用することができるアンテナ構造を形成する第３段階の側面図を示す。図４Ｃでは、２つのビアが基板層４１０に穿孔され、導電性プラグ４１４および４１６で充填されている。導電性プラグ４１４は、図示されるように、基板層４１０の頂部から、絶縁層４０６を貫いて、ワイヤ４０４まで延在する。そのため、導電性プラグ４１４は、ワイヤ４０４と電気的に接続する。一方、導電性プラグ４１６は、基板層４１０の頂部からメムリスタ４１２の上端部まで延在する。そのため、導電性プラグ４１６は、メムリスタ４１２と電気的に接続する。

【0065】

図４Ｃは、基板層４１０の上に形成された第２の絶縁層４１８も示す。絶縁層は、例えば、薄い酸化物層の形態をとることができる。コンタクト４２０および４２２は、絶縁層４１８内に埋め込まれている。コンタクト４２０は、例えば、導電性プラグ４１４との電気的接続を形成し、コンタクト４２２は、導電性プラグ４１６との電気的接続を形成する。

【0066】

図４Ｄは、本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成するために使用することができるアンテナ構造を形成する第４段階の側面図を示す。図４Ｄでは、金属層４２４を絶縁層４１８の上に堆積させている。例えば、金属層４２４は、樹脂の薄層で絶縁層４１８に接着された金属箔の形態をとることができる。金属層４２４はエッチングされていないため、コンタクト４２０およびコンタクト４２２の両方と電気的接続を形成する。

【0067】

図４Ｅは、本開示の実施形態による、ＲｅＲＡＭモジュール内に導電性フィラメントを形成するために使用することができるアンテナ構造を形成する第５段階の側面図を示す。図４Ｅでは、金属層４２４が選択的にエッチングされて、一対の電極４２６および４２８が生成されている。電極４２６は、コンタクト４２２と電気的に接続する。一方、電極４２８は、プラズマ相互作用構成要素４３０と、抵抗性構成要素４３２と、コンタクト構成要素４３４とを含む。コンタクト構成要素４３４は、コンタクト４２０との接続を形成する。抵抗性構成要素４３２は、プラズマ相互作用構成要素４３０をコンタクト構成要素４３４に接続する。抵抗性構成要素４３２の寸法は、抵抗性構成要素がメムリスタ４１２の目標抵抗以上の抵抗を有するようにすることができる。

【0068】

図４Ｅに図示されるように、電極４２６および４２８をプラズマの印加に曝すことにより、電極４２６と４２８との間に電圧を生成することができる。電極４２６は、第１の表面積を備えるようにエッチングされ、電極４２８は、第２の表面積を備えるようにエッチングされる。電極４２６および４２８は、第１の表面積に対する第２の表面積の比により、特定の強度でプラズマに曝すことによって生成される電圧が、メムリスタ４１２内に酸素空孔欠陥をもたらすのに十分に高くなるように設計することができる。

【0069】

図１Ｄおよび図１Ｅに関連して説明したように、絶縁層上のアンテナ電極の形状は、アンテナ電極の除去中に絶縁層の表面の一部をプラズマの印加またはエッチング・プロセスに曝すことができる。これにより、絶縁層は、電極の形状の輪郭を呈する凹部を有することができる。一部の実施形態では、アンテナ電極の一方の形状の輪郭は、アンテナ電極の抵抗性構成要素の形状の輪郭を含むことができる。この輪郭は、図１Ｅに図示されるように、迂回線路の形態をとることができる。この迂回線路の正確な形態は、本開示の実施形態の効果に強い影響を及ぼさない場合があるが、この迂回線路をもたらす抵抗性構成要素の寸法は、目標抵抗値を生成するように操作されることがある。

【0070】

図５は、本開示の実施形態による、抵抗性構成要素のギザギザ形状の輪郭を表示する凹部５０２が上にある絶縁層５００の上面図を示す。凹部５０２は、第１のアンテナ電極の形状５０４の輪郭と、第２のアンテナ電極の形状５０６の輪郭とを呈する。注目すべきことに、絶縁層５００は、実際のアンテナ電極を含むものとして図示されていないが、エッチング・プロセスによるアンテナ電極を除去した後に残るアンテナ電極の非凹状形状を含むものとして図示されている。

【0071】

第２のアンテナ電極の形状５０６の輪郭は、第２のアンテナ電極の抵抗性構成要素の形状５０８の輪郭を含む。図示されるように、抵抗性構成要素の形状５０８の輪郭は、明確なパターンを持たないギザギザの迂回線路の形態をとる。しかしながら、曲線または図１Ｅに図示される往復線路などの、他の形状の迂回線路が可能であってもよい。

【0072】

図６は、本開示の実施形態による、抵抗性構成要素の直線の螺旋形状の輪郭を表示する凹部６０２が上にある絶縁層６００の上面図を示す。凹部６０２は、第１のアンテナ電極の輪郭形状６０４と、第２のアンテナ電極の輪郭形状６０６とを呈する。第２のアンテナ電極の形状６０６の輪郭は、第２のアンテナ電極の抵抗性構成要素の形状６０８の輪郭を含む。図６には、コンタクト６１０および６１２も示されている。

【0073】

図示されるように、抵抗性構成要素の形状６０８の輪郭は、螺旋状の迂回線路の形態をとる。螺旋状の迂回線路は、コンタクト６１０および６１２の両方の周りを螺旋状に囲み、再びコンタクト６１２の周りを螺旋状に囲む。このため、凹部６０２の全表面積は、図５の凹部５０２または図１Ｅの凹部１４２と比較して著しく減少する。これは、導電性フィラメントの形成中のプラズマの印加による、またはアンテナ電極の除去中のエッチングによる、絶縁層６００への過剰な損傷を有利に回避することができる。

【0074】

図７は、本開示の実施形態に従って使用することができる例示的なコンピュータ・システム７０１の代表的な主要構成要素を示す。図示された特定の構成要素は、例示のみを目的として提示されており、必ずしもそのような変形形態のみではない。コンピュータ・システム７０１は、プロセッサ７１０、メモリ７２０、入力／出力インターフェース（本明細書では、Ｉ／ＯまたはＩ／Ｏインターフェースとも呼ばれる）７３０、およびメイン・バス７４０を含むことができる。メイン・バス７４０は、コンピュータ・システム７０１の他の構成要素に通信経路を提供することができる。一部の実施形態では、メイン・バス７４０は、専用デジタル信号プロセッサ（図示せず）などの他の構成要素に接続することができる。

【0075】

コンピュータ・システム７０１のプロセッサ７１０は、１つまたは複数のＣＰＵ７１２を含むことができる。プロセッサ７１０は、ＣＰＵ７１２のための命令およびデータの一時記憶を提供する、１つまたは複数のメモリ・バッファまたはキャッシュ（図示せず）をさらに含むことができる。ＣＰＵ７１２は、キャッシュまたはメモリ７２０から提供される入力に対して命令を実行し、その結果をキャッシュまたはメモリ７２０に出力することができる。ＣＰＵ７１２は、本開示の実施形態と適合する１つまたは複数の方法を実行するように構成された１つまたは複数の回路を含むことができる。一部の実施形態では、コンピュータ・システム７０１は、比較的大きなシステムに典型的な複数のプロセッサ７１０を含むことができる。しかしながら、他の実施形態では、コンピュータ・システム７０１は、単一のＣＰＵ７１２を有する単一のプロセッサであってもよい。

【0076】

コンピュータ・システム７０１のメモリ７２０は、メモリ・コントローラ７２２と、データを一時的または永続的に記憶するための１つまたは複数のメモリ・モジュール（図示せず）とを含むことができる。一部の実施形態では、メモリ７２０は、データおよびプログラムを記憶するためのランダム・アクセス半導体メモリ、記憶デバイス、または記憶媒体（揮発性または不揮発性のいずれか）を含むことができる。メモリ・コントローラ７２２は、プロセッサ７１０と通信して、メモリ・モジュールにおける情報の記憶および検索を容易にすることができる。メモリ・コントローラ７２２は、Ｉ／Ｏインターフェース７３０と通信することができ、メモリ・モジュールにおける入力または出力の記憶および検索を容易にする。一部の実施形態では、メモリ・モジュールは、デュアル・イン・ライン・メモリ・モジュールであってもよい。

【0077】

Ｉ／Ｏインターフェース７３０は、Ｉ／Ｏバス７５０、端末インターフェース７５２、ストレージ・インターフェース７５４、Ｉ／Ｏデバイス・インターフェース７５６、およびネットワーク・インターフェース７５８を含むことができる。Ｉ／Ｏインターフェース７３０は、メイン・バス７４０をＩ／Ｏバス７５０に接続することができる。Ｉ／Ｏインターフェース７３０は、プロセッサ７１０およびメモリ７２０からの命令およびデータを、Ｉ／Ｏバス７５０の様々なインターフェースに向けることができる。Ｉ／Ｏインターフェース７３０は、Ｉ／Ｏバス７５０の様々なインターフェースからの命令およびデータを、プロセッサ７１０およびメモリ７２０に向けることもできる。様々なインターフェースは、端末インターフェース７５２、ストレージ・インターフェース７５４、Ｉ／Ｏデバイス・インターフェース７５６、およびネットワーク・インターフェース７５８を含むことができる。一部の実施形態では、様々なインターフェースは、前述のインターフェースのサブセットを含んでもよい（例えば、産業用途の埋め込みコンピュータ・システムは、端末インターフェース７５２およびストレージ・インターフェース７５４を含まなくてもよい）。

【0078】

メモリ７２０、プロセッサ７１０、およびＩ／Ｏインターフェース７３０を含むがこれらに限定されない、コンピュータ・システム７０１全体にわたる論理モジュールは、１つまたは複数の構成要素に対する障害および変更をハイパーバイザまたはオペレーティング・システム（図示せず）に通信することができる。ハイパーバイザまたはオペレーティング・システムは、コンピュータ・システム７０１で利用可能な様々なリソースを割り当て、メモリ７２０内のデータの位置および様々なＣＰＵ７１２に割り当てられたプロセスの位置を追跡することができる。要素を組み合わせるかまたは再配置する実施形態では、論理モジュールの能力の態様を組み合わせるかまたは再配分することができる。これらの変形形態は、当業者には明らかであろう。

【0079】

本発明は、任意の可能な技術的な詳細レベルの統合において、システム、方法、またはコンピュータ・プログラム製品、あるいはその組合せであってもよい。コンピュータ・プログラム製品は、プロセッサに本発明の態様を実行させるためのコンピュータ可読プログラム命令を有するコンピュータ可読記憶媒体を含むことができる。

【0080】

コンピュータ可読記憶媒体は、命令実行デバイスが使用するための命令を保持および記憶することができる有形のデバイスとすることができる。コンピュータ可読記憶媒体は、例えば、電子記憶デバイス、磁気記憶デバイス、光記憶デバイス、電磁記憶デバイス、半導体記憶デバイス、または前述の任意の適切な組合せであってもよいが、これらに限定されない。コンピュータ可読記憶媒体のより具体的な例の非網羅的なリストには、ポータブル・コンピュータ・ディスケット、ハード・ディスク、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、消去可能プログラム可能読み取り専用メモリ（ＥＰＲＯＭまたはフラッシュ・メモリ）、スタティック・ランダム・アクセス・メモリ（ＳＲＡＭ）、ポータブル・コンパクト・ディスク読み取り専用メモリ（ＣＤ－ＲＯＭ）、デジタル・バーサタイル・ディスク（ＤＶＤ）、メモリ・スティック、フロッピー・ディスク、パンチ・カードまたは命令が記録された溝内の隆起構造などの機械的に符号化されたデバイス、および前述の任意の適切な組合せが含まれる。コンピュータ可読記憶媒体は、本明細書で使用されるように、電波もしくは他の自由に伝播する電磁波、導波路もしくは他の伝送媒体を通して伝播する電磁波（例えば、光ファイバ・ケーブルを通過する光パルス）、またはワイヤを通して伝送される電気信号などの、それ自体一過性の信号であると解釈されるべきではない。

【0081】

本明細書に記載されたコンピュータ可読プログラム命令は、コンピュータ可読記憶媒体からそれぞれのコンピューティング／処理デバイスに、あるいはネットワーク、例えばインターネット、ローカル・エリア・ネットワーク、ワイド・エリア・ネットワークまたはワイヤレス・ネットワークあるいはその組合せを介して外部コンピュータもしくは外部記憶デバイスにダウンロードすることができる。ネットワークは、銅線伝送ケーブル、光伝送ファイバ、無線伝送、ルータ、ファイアウォール、スイッチ、ゲートウェイ・コンピュータまたはエッジ・サーバあるいはその組合せを備えることができる。各コンピューティング／処理デバイスのネットワーク・アダプタ・カードまたはネットワーク・インターフェースは、ネットワークからコンピュータ可読プログラム命令を受信し、コンピュータ可読プログラム命令をそれぞれのコンピューティング／処理デバイス内のコンピュータ可読記憶媒体に記憶するために転送する。

【0082】

本発明の動作を実行するためのコンピュータ可読プログラム命令は、アセンブラ命令、命令セット・アーキテクチャ（ＩＳＡ）命令、機械命令、機械依存命令、マイクロコード、ファームウェア命令、状態設定データ、集積回路の構成データ、あるいは、Ｓｍａｌｌｔａｌｋ（Ｒ）、Ｃ＋＋などのオブジェクト指向プログラミング言語、および「Ｃ」プログラミング言語または同様のプログラミング言語などの手続き型プログラミング言語を含む、１つまたは複数のプログラミング言語の任意の組合せで記述されたソース・コードあるいはオブジェクト・コードのいずれかであってもよい。コンピュータ可読プログラム命令は、完全にユーザのコンピュータ上で、一部はユーザのコンピュータ上でスタンドアロン・ソフトウェア・パッケージとして、一部はユーザのコンピュータ上で、一部はリモート・コンピュータ上で、または完全にリモート・コンピュータまたはサーバ上で実行されてもよい。後者のシナリオでは、リモート・コンピュータは、ローカル・エリア・ネットワーク（ＬＡＮ）もしくはワイド・エリア・ネットワーク（ＷＡＮ）を含む任意のタイプのネットワークを介してユーザのコンピュータに接続されてもよく、または接続は、（例えば、インターネット・サービス・プロバイダを使用してインターネットを介して）外部コンピュータに対して行われてもよい。一部の実施形態では、例えば、プログラマブル・ロジック回路、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ）、またはプログラマブル・ロジック・アレイ（ＰＬＡ）を含む電子回路は、本発明の態様を実行するために、コンピュータ可読プログラム命令の状態情報を利用して電子回路をパーソナライズすることによって、コンピュータ可読プログラム命令を実行することができる。

【0083】

本発明の態様は、本発明の実施形態による方法、装置（システム）、およびコンピュータ・プログラム製品の流れ図またはブロック図あるいはその両方を参照して本明細書に記載されている。流れ図またはブロック図あるいはその両方の各ブロック、ならびに流れ図またはブロック図あるいはその両方のブロックの組合せは、コンピュータ可読プログラム命令によって実施することができることを理解されよう。

【0084】

これらのコンピュータ可読プログラム命令は、コンピュータまたは他のプログラム可能なデータ処理装置のプロセッサに提供されて、コンピュータまたは他のプログラム可能なデータ処理装置のプロセッサを介して実行される命令が、流れ図またはブロック図あるいはその両方のブロックで指定された機能／行為を実施するための手段を生成するように、機械を製造することができる。これらのコンピュータ可読プログラム命令は、内部に命令が記憶されたコンピュータ可読記憶媒体が流れ図またはブロック図あるいはその両方のブロックで指定された機能／行為の態様を実施する命令を含む製造物品を備えるように、コンピュータ、プログラム可能なデータ処理装置、または他のデバイスあるいはその組合せが特定のやり方で機能するように指図することができるコンピュータ可読記憶媒体に記憶されてもよい。

【0085】

コンピュータ可読プログラム命令はまた、コンピュータ、他のプログラム可能なデータ処理装置、または他のデバイスにロードされ、コンピュータ、他のプログラム可能な装置、または他のデバイス上で実行される命令が、流れ図またはブロック図あるいはその両方のブロックで指定された機能／行為を実施するように、一連の動作ステップをコンピュータ、他のプログラム可能な装置、または他のデバイス上で実行させて、コンピュータ実施プロセスを生成することができる。

【0086】

図中の流れ図およびブロック図は、本発明の様々な実施形態によるシステム、方法、およびコンピュータ・プログラム製品の可能な実施態様のアーキテクチャ、機能、および動作を示す。これに関して、流れ図またはブロック図の各ブロックは、指定された論理機能を実施するための１つまたは複数の実行可能命令を備える、モジュール、セグメント、または命令の一部を表すことができる。一部の代替の実施態様では、ブロックに示されている機能は、図に示されている順序とは異なる順序で行われてもよい。例えば、連続して示される２つのブロックは、実際には、１つのステップとして遂行されてもよく、同時に、実質的に同時に、部分的または全体的に時間的に重複したやり方で実行されてもよく、あるいはブロックは、含まれる機能に応じて逆の順序で実行されることがあってもよい。ブロック図または流れ図あるいはその両方の各ブロック、およびブロック図または流れ図あるいはその両方のブロックの組合せは、指定された機能もしくは行為を実行する、または専用のハードウェアおよびコンピュータ命令の組合せを実行する専用のハードウェア・ベースのシステムによって実施することができることにも留意されたい。

【0087】

本開示の様々な実施形態の説明は、例示の目的で提示されたが、網羅的であること、または開示された実施形態に限定されることは意図されていない。記載された実施形態の範囲および思想から逸脱することなく、多くの修正形態および変形形態が当業者には明らかであろう。本明細書で使用される専門用語は、実施形態の原理、市場で見出される技術に対する実際の用途または技術的改善を説明するために、または当業者が本明細書に開示された実施形態を理解することができるようにするために選択された。

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図1D】

【図1E】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図5】

【図6】

【図7】

【国際調査報告】