特表 2024-506005 ウエハー再配線デュアル検証構造、製造方法および検証方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-02-08

(54)【発明の名称】ウエハー再配線デュアル検証構造、製造方法および検証方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20240201BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 501P

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023547315

(86)(22)【出願日】2021-11-23

(85)【翻訳文提出日】2023-08-03

(86)【国際出願番号】 CN2021132278

(87)【国際公開番号】W WO2022213613

(87)【国際公開日】2022-10-13

(31)【優先権主張番号】202110381030.1

(32)【優先日】2021-04-09

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】521536442

【氏名又は名称】チップモア テクノロジー コーポレーション リミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＣＨＩＰＭＯＲＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ ＬＩＭＩＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ． １６６ ＦｅｎｇＬｉ Ｓｔ， Ｓｕｚｈｏｕ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｐａｒｋ Ｓｕｚｈｏｕ， Ｊｉａｎｇｓｕ ２１５０２４， Ｃｈｉｎａ

(71)【出願人】

【識別番号】523243719

【氏名又は名称】ホーフェイ チップモア テクノロジー カンパニー リミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＨＥＦＥＩ ＣＨＩＰＭＯＲＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．， ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｆｒｅｅ Ｔｒａｄｅ Ｚｏｎｅ， Ｈｅｆｅｉ Ｎｅｗ ＆ Ｈｉ ｔｅｃｈ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ Ｈｅｉｆｅｉ， Ａｎｈｕｉ ２３００００ Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】110001841

【氏名又は名称】弁理士法人ＡＴＥＮ

(72)【発明者】

【氏名】ホァン ウェンジエ

(57)【要約】

本発明は、ウエハー再配線デュアル検証構造、製造方法および検証方法を開示し、ウエハー再配線デュアル検証構造は、基板、複数のボンディングパッドおよびパッシベーション層を有するベアチップと、複数の再配線モジュールとを備え、隣接する２つの再配線モジュール間にギャップ部が形成される。誘電体モジュールが再配線モジュール上に配置され、誘電体モジュールに傾斜面が設けられ、電気メッキ層は傾斜面上に配置される。本発明は、同一ウエハーと１セットの製造工程で異なる再配線モジュールに対して機能検証を行うことができる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板、前記基板上に設けられた複数のボンディングパッドおよびパッシベーション層を有し、パッシベーション層には、ボンディングパッドに対向して配置されて対応の前記ボンディングパッドを外部に露出させる複数のパッシベーション層開口が設けられたベアチップと、
前記パッシベーション層の上に配置されて対応のボンディングパッドに接続され、隣接する２つの再配線モジュール間にギャップ部が形成される複数の再配線モジュールと、
前記再配線モジュールの上に配置され、前記ギャップ部の方向に傾斜した傾斜面を有する誘電体モジュールと、
前記誘電体モジュールの傾斜面上に設けられた電気メッキ層と、を備える、ことを特徴とするウエハー再配線デュアル検証構造。

【請求項2】

前記誘電体モジュールは、前記ギャップ部に近い側の前記再配線モジュールの上面に設けられ、前記傾斜面の一端が前記ギャップ部まで延伸する、ことを特徴とする請求項１に記載のウエハー再配線デュアル検証構造。

【請求項3】

前記誘電体モジュール上の傾斜面と水平面間の角度が４５°以上である、ことを特徴とする請求項２に記載のウエハー再配線デュアル検証構造。

【請求項4】

前記誘電体モジュールは、再配線モジュールの上に設けられた感光性高分子有機材料からなり、具体的には、ポリベンゾオキサゾール、ポリイミド、ポリベンゾシクロブテンを含むが、これらに限定されない、ことを特徴とする請求項１に記載のウエハー再配線デュアル検証構造。

【請求項5】

前記誘電体モジュールは、感光性高分子有機材料の加熱・硬化・収縮により形成される、ことを特徴とする請求項４に記載のウエハー再配線デュアル検証構造。

【請求項6】

請求項１に記載のウエハー再配線デュアル検証構造の製造方法であって、
ベアチップを用意するステップと、
前記ベアチップを再配線した後、前記ベアチップの上に複数の再配線モジュールを形成し、各再配線モジュールはいずれも対応のボンディングパッドに接続され、隣接する２つの再配線モジュール間にギャップ部が形成されるステップと、
前記再配線モジュールと前記ギャップ部を誘電体層で覆い、予設位置以外の誘電体層の一部を除去し、予設位置に残った誘電体層を前記再配線モジュールの上に位置する誘電体モジュールを形成するステップと、
誘電体モジュール上にギャップ部に向かって傾斜した傾斜面を形成するステップと、
傾斜面上に電気メッキ層を形成するステップと、を含む、ことを特徴とするウエハー再配線デュアル検証構造の製造方法。

【請求項7】

「傾斜面上に電気メッキ層を形成するステップ」は具体的に、
誘電体モジュールの上面、一部の再配線モジュールの上面およびギャップ部の上面を上部金属層で覆うこと、
上部金属層の上を上部フォトレジスト層で覆うこと、
一部の上部フォトレジスト層を除去して上部ペインを形成し、一部の傾斜面が前記上部ペインから外部に露出すること、
前記上部ペイン内に電気メッキ層を形成すること、および、
残りの上部フォトレジスト層および電気メッキ層の被覆範囲以外の上部金属層を除去すること、を含む、ことを特徴とする請求項６に記載のウエハー再配線デュアル検証構造の製造方法。

【請求項8】

「前記ベアチップを再配線した後、前記ベアチップの上に複数の再配線モジュールを形成するステップ」は、
前記ベアチップの上に下部金属層を形成し、下部金属層の上に下部フォトレジスト層を形成すること、
一部の下部フォトレジスト層を除去して複数の下部ペインを形成し、各下部ペイン内に、対応のボンディングパッドが該下部ペインから外部に露出すること、
前記下部ペイン内に金属層を電気メッキして再配線モジュールを形成すること、および、
残りの下部フォトレジスト層および再配線モジュール被覆領域以外の下部金属層を除去すること、を含む、ことを特徴とする請求項６に記載のウエハー再配線デュアル検証構造の製造方法。

【請求項9】

「前記再配線モジュールおよび前記ギャップ部上を誘電体層で覆い、予設位置以外の誘電体層の一部を除去し、予設位置に残った誘電体層を前記再配線モジュールの上に位置する誘電体モジュールに形成するステップ」は、
塗布によって前記再配線モジュールおよび前記ギャップ部の上に誘電体層を形成すること、
露光現像により予設位置以外の誘電体層を除去すること、および、
高温硬化により予設位置の誘電体層を硬化・収縮させて誘電体モジュールを形成し、硬化収縮過程で前記傾斜面を形成すること、を含む、ことを特徴とする請求項６に記載のウエハー再配線デュアル検証構造の製造方法。

【請求項10】

請求項１に記載のウエハー再配線デュアル検証構造の検証方法であって、
各再配線モジュールを個別に機能検証を実行するステップと、
電気メッキ層を溶融し、溶融した電気メッキ層を傾斜面に沿ってギャップ部に流入させ、隣接する２つの再配線モジュールを接続して新しい配線構造を形成するステップと、
一体的に接続された再配線モジュール上の新しい配線構造に対して機能検証を実行するステップと、を含む、ウエハー再配線デュアル検証構造の検証方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、チップパッケージングの技術分野に関し、特に、ウエハー再配線デュアル検証構造、製造方法および検証方法に関する。

【背景技術】

【0002】

現代電子製品の核心部品であるチップの設計・生産過程は非常に複雑であるだけでなく、周期が長くコストがかかるため、ＩＣ設計では、しばしば同一チップ上に異なる機能モジュールを計画し、再配線によって表面配線またはパッケージング方法を変更して、製品の多様な応用を実現し、コストを最小化して利益を獲得する。

【0003】

通常、プロジェクトのエンジニアリング段階において、多様な応用はチップの様々な再配線を必要とするため、チップをデュアル検証する必要もある。先行技術では、上記チップのデュアル検証方法は、一般的に異なるフレーム、異なるデバイスで行われ、同時に複数のソリューションは複数のウエハー、複数のプロセス、複数の導通、および複数のカスタマイズを意味し、人力、資源および設計コストの無駄が増加するだけでなく、検証データの対照にも影響を及ぼす。

【発明の概要】

【0004】

本発明の目的は、先行技術の欠点を解決するために、同一ウエハー上で、１セットの製造工程で異なる形態の再配線モジュールに対して機能検証を実行することができるウエハー再配線デュアル検証構造を提供することである。

【0005】

本発明の実施例で開示するウエハー再配線デュアル検証構造は、基板、前記基板上に配置された複数のボンディングパッドおよびパッシベーション層を有し、パッシベーション層上にボンディングパッドに対向して配置されて対応の前記ボンディングパッドを外部に露出させる複数のパッシベーション層開口が設けられるベアチップと、
前記パッシベーション層の上に設けられて対応のボンディングパッドに接続され、隣接する２つの再配線モジュール間にギャップ部が形成された複数の再配線モジュールと、
前記再配線モジュールの上に設けられ、前記ギャップ部の方向に向かって傾斜した傾斜面を有する誘電体モジュールと、
誘電体モジュールの傾斜面上に設けられた電気メッキ層と、を備える。

【0006】

さらに、前記誘電体モジュールは、前記再配線モジュールの上面の前記ギャップ部に近い側に設けられ、前記傾斜面の一端が前記ギャップ部まで延伸する。

【0007】

さらに、前記誘電体モジュール上の傾斜面と水平面間の角度が４５°以上である。

【0008】

さらに、前記誘電体モジュールは、再配線モジュールの上に設けられた感光性高分子有機材料からなり、具体的には、ポリベンゾオキサゾール、ポリイミド、ポリベンゾシクロブテンを含むが、これらに限定されない。

【0009】

さらに、前記誘電体モジュールは、感光性高分子有機材料の加熱・硬化・収縮により形成される。

【0010】

前記ウエハー再配線デュアル検証構造の製造方法は、
ベアチップを用意するステップと、
前記ベアチップを再配線した後、前記ベアチップの上に複数の再配線モジュールを形成し、各再配線モジュールはいずれも対応のボンディングパッドに接続され、隣接する２つの再配線モジュール間にギャップ部が形成されるステップと、
前記再配線モジュールと前記ギャップ部を誘電体層で覆い、予設位置以外の誘電体層の一部を除去し、予設位置に残った誘電体層を前記再配線モジュールの上に位置する誘電体モジュールに形成するステップと、
誘電体モジュール上にギャップ部に向かって傾斜した傾斜面を形成するステップと、
傾斜面上に電気メッキ層を形成するステップと、を含む。

【0011】

さらに、「傾斜面上に電気メッキ層を形成するステップ」は具体的に、
誘電体モジュールの上面、一部の再配線モジュールの上面およびギャップ部の上面を上部金属層で覆うこと、
上部金属層の上を上部フォトレジスト層で覆うこと、
一部の上部フォトレジスト層を除去して上部ペインを形成し、一部の傾斜面を前記上部ペインから外部に露出させること、
前記上部ペイン内に電気メッキ層を形成すること、および、
残りの上部フォトレジスト層および電気メッキ層の被覆範囲以外の上部金属層を除去すること、を含む。

【0012】

さらに、「前記ベアチップを再配線した後、前記ベアチップの上に複数の再配線モジュールを形成するステップ」は、
前記ベアチップの上に下部金属層を形成し、下部金属層の上に下部フォトレジスト層を形成すること、
一部の下部フォトレジスト層を除去して複数の下部ペインを形成し、各下部ペイン内に、対応のボンディングパッドを該下部ペインから外部に露出させること、
前記下部ペイン内に金属層を電気メッキして再配線モジュールを形成すること、および、
残りの下部フォトレジスト層および再配線モジュール被覆領域以外の下部金属層を除去すること、を含む。

【0013】

さらに、「前記再配線モジュールおよび前記ギャップ部上を誘電体層で覆い、予設位置以外の誘電体層の一部を除去し、予設位置に残った誘電体層を前記再配線モジュールの上に位置する誘電体モジュールに形成するステップ」は、
塗布によって前記再配線モジュールおよび前記ギャップ部の上に誘電体層を形成すること、
露光現像により予設位置以外の誘電体層を除去すること、および、
高温硬化により予設位置の誘電体層を硬化・収縮させて誘電体モジュールを形成し、硬化収縮過程で前記傾斜面を形成すること、を含む。

【0014】

前記ウエハー再配線デュアル検証構造の検証方法は、
各再配線モジュールを個別に機能検証を実行するステップと、
電気メッキ層を溶融させ、溶融した電気メッキ層を傾斜面に沿ってギャップ部に流入させ、隣接する２つの再配線モジュールを接続して新しい配線構造を形成するステップと、
一体的に接続された再配線モジュール上の新しい配線構造に対して機能検証を実行するステップと、を含む。

【発明の効果】

【0015】

先行技術と比較すると、本発明の実施例で開示するウエハー再配線デュアル検証構造は、再配線モジュールの上に誘電体層を形成し、誘電体層上に隣接する２つの再配線モジュール間のギャップ部に向かって傾斜した傾斜面を設け、傾斜面上に電気メッキ層を設け、電気メッキ層を溶融させ、溶融した電気メッキ層を傾斜面に沿ってギャップ部に流入させて最終的に冷却して隣接する２つの再配線モジュールを接続する導通層を形成することにより、同一ウエハーで、１セットの製造工程で異なる形態の再配線モジュールに対して機能検証を実行することができる。異なるフレーム、異なるデバイスで検証する必要のある先行技術のデュアル検証法と比較すると、人力、資源および設計コストを削減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】本発明の実施例で開示するウエハー再配線デュアル検証構造の模式図である。

【図2】本発明の実施例で開示するウエハー再配線デュアル検証構造の成形方法を順に示すフローチャートである。

【図3】本発明の実施例で開示するウエハー再配線デュアル検証構造の成形方法を順に示すフローチャートである。

【図4】本発明の実施例で開示するウエハー再配線デュアル検証構造の成形方法を順に示すフローチャートである。

【図5】本発明の実施例で開示するウエハー再配線デュアル検証構造の成形方法を順に示すフローチャートである。

【図6】本発明の実施例で開示するウエハー再配線デュアル検証構造の成形方法を順に示すフローチャートである。

【図7】本発明の実施例で開示するウエハー再配線デュアル検証構造の成形方法を順に示すフローチャートである。

【図8】本発明の実施例で開示するウエハー再配線デュアル検証構造の成形方法を順に示すフローチャートである。

【図9】本発明の実施例で開示するウエハー再配線デュアル検証構造の成形方法を順に示すフローチャートである。

【図10】本発明の実施例で開示するウエハー再配線デュアル検証構造の成形方法を順に示すフローチャートである。

【図11】本発明の実施例で開示するウエハー再配線デュアル検証構造の成形方法を順に示すフローチャートである。

【図12】本発明の実施例で開示するウエハー再配線デュアル検証構造の成形方法を順に示すフローチャートである。

【図13】本発明の実施例で開示するウエハー再配線デュアル検証構造の成形方法を順に示すフローチャートである。

【図14】本発明の実施例で開示するウエハー再配線デュアル検証構造の成形方法を順に示すフローチャートである。

【図15】本発明の実施例で開示するウエハー再配線デュアル検証構造の成形方法を順に示すフローチャートである。

【図16】本発明の実施例で開示するウエハー再配線デュアル検証構造の電気メッキ層５０が溶融した後の構造を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、添付図面を参照して説明される実施例は例示的なものであり、本発明を解釈する目的でのみ使用され、本発明の限定として理解されない。

【0018】

本発明の実施例は、図１に示すように、ウエハー再配線デュアル検証構造を開示し、ベアチップ１０と、ベアチップ１０の上に設けられた複数の再配線モジュール２０と、再配線モジュール２０の上に設けられた誘電体モジュール４０と電気メッキ層５０とを備える。隣接する２つの再配線モジュール２０間にギャップ部２００が形成され、誘電体モジュール４０にギャップ部２００の方向に向かって傾斜した傾斜面４０１が設けられ、電気メッキ層５０は傾斜面４０１上に設けられる。

【0019】

初期状態下で、電気メッキ層５０は傾斜面４０１上に固着した状態であり、このとき、隣接する２つの再配線モジュール２０はギャップ部２００によって分離され、各再配線モジュール２０を個別に機能検証する。個々の再配線モジュール２０の機能検証が終了した後、電気メッキ層５０を溶融させ、溶融後の電気メッキ層５０を傾斜面４０１に沿ってギャップ部２００に移動させて最終的に冷却してギャップ部２００内で凝固し、隣接する２つの再配線モジュール２０を連通する金属導通層５００を形成し、金属導通層５００は隣接する２つの再配線モジュール２０を接続して新しい回路構造を形成することにより、同一フレームおよびデバイスで異なる回路構造設計のチップを機能検証することができる。

【0020】

具体的に、ベアチップ１０は、基板１０１、基板１０１上に設けられた複数のボンディングパッド１０２、およびパッシベーション層１０３を有し、パッシベーション層１０３上に、ボンディングパッド１０２に対向して配置されて対応のボンディングパッド１０２を外部に露出させる複数のパッシベーション層開口１０４が設けられる。基板１０１はウエハー本体であり、ボンディングパッド１０２はウエハー本体の上に設けられた金属層であり、該金属層の材料はアルミニウム、銅などの金属および合金を含むが、これらに限定されない。

【0021】

パッシベーション層１０３はベアチップ１０の表面の保護層として使用され、その材料は窒化ケイ素、酸化ケイ素などの無機薄膜材料、またはポリイミドなどの誘電特性の良好な感光性有機高分子材料を含むが、これらに限定されない。パッシベーション層１０３は基板１０１を覆い、パッシベーション層開口１０４はボンディングパッド１０２を外部に露出させる開口として機能し、一部のパッシベーション層１０３がボンディングパッド１０２を覆うように、パッシベーション層開口１０４の寸法は一般にボンディングパッド１０２の寸法以下であり、パッシベーション層１０３はボンディングパッド１０２のエッジ位置を覆う。

【0022】

複数の再配線モジュール２０はパッシベーション層１０３の上に設けられて対応のボンディングパッド１０２に接続され、再配線モジュール２０は、ボンディングパッド１０２に接続されて固定された金属配線であり、ボンディングパッド１０２を拡張してボンディングパッド１０２の接続点を最適化する作用を果たす。隣接する２つの再配線モジュール２０間にギャップ部２００が形成される。再配線モジュール２０は、電気メッキプロセスによってパッシベーション層１０３の上に形成された金属配線であり、再配線モジュール２０の材料は、銅、ニッケル、スズ、銀、金、アルミニウムなどの金属またはそれらを順に積層してなる組み合わせ層、例えば銅－ニッケル‐金などを含むが、これらに限定されない。

【0023】

なお、再配線モジュール２０を形成するために、再配線モジュール２０を形成する前に、まずパッシベーション層１０３の上に下部金属層３０を敷設し、下部金属層３０を再配線モジュール２０の形成のためのベースとし、一部の下部金属層３０はボンディングパッド１０２を覆う。本実施例では、下部金属層３０は接着層／バリア層＋シード層を順に積層してなる組み合わせ層であり、接着層／バリア層の材料はチタン、チタン‐タングステンなどの他のチタンの金属合金または化合物を含むが、これらに限定されなく、シード層の材料は銅、金などの金属を含むが、これらに限定されない。再配線モジュール２０は、電気メッキプロセスによって下部金属層３０の上に成形される。

【0024】

各再配線モジュール２０はそれぞれ独立した経路を形成し、各再配線モジュール２０を個別に機能検証する必要がある。同時に、隣接する２つの再配線モジュール２０を導通させて一体の再配線モジュールを形成し、全体の再配線モジュールによって新しい経路を形成するので、隣接する２つの再配線モジュール２０を接続した後の一体の再配線モジュールを機能検証する必要もある。なお、ここでのデュアル検証構造は主に隣接する２つの再配線モジュール２０を簡単に接続して新しい経路を形成可能な再配線モジュールに適用可能である。先行技術では、このような再配線モジュールを機能検証するとき、個別の２つのウエハー上にそれぞれ２セットの再配線モジュールを準備し、２つの再配線モジュールを個別に機能検証した後、新しいウエハー上で２セットの再配線モジュールを合成して新しい一体の再配線モジュールを形成し、その後機能検証する必要がある。このようなデュアル検証法は、一般に異なるフレーム、異なるデバイスで行われ、同時に複数のソリューションは複数のウエハー、複数のプロセス、複数の導通、および複数のカスタマイズを意味し、人力、資源および設計コストの無駄が増加するだけでなく、検証データの対照にも影響を及ぼす。

【0025】

本発明の実施例では、再配線モジュール２０上に誘電体モジュール４０を形成し、誘電体モジュール４０上にギャップ部２００の方向に向かって傾斜した傾斜面４０１を形成する。誘電体モジュール４０は再配線モジュール２０の上面のギャップ部２００に近い側に形成され、傾斜面４０１の一端がギャップ部２００まで延伸する。傾斜面４０１上に電気メッキ層５０が形成される。電気メッキ層５０の材料はスズ成分などの低融点金属である。電気メッキ層５０は高温で溶融した後傾斜面４０１に沿ってギャップ部２００の方向に流れ、最終的に冷却してギャップ部２００内で凝固し、隣接する２つの再配線モジュール２０を接続する金属導通層５００を形成する。ギャップ部２００に電気メッキ層５０を形成する前に、各再配線モジュール２０は独立したユニットであり、独立した機能を有し、ギャップ部２００に電気メッキ層５０を形成した後、２つの再配線モジュール２０は１つのユニットとして形成し、独立した機能を有する。

【0026】

本実施例では、誘電体モジュール４０に電気メッキ層５０を容易に形成するために、電気メッキ層５０と誘電体モジュール４０間に上部金属層６０がさらに設けられ、上部金属層６０は電気メッキ層５０の形成のためのベースとして使用され、上部金属層６０は接着層／バリア層＋シード層を順に積層してなる組み合わせ層であり、接着層／バリア層材料はチタン、チタンタングステンなどの他のチタンの金属合金または化合物を含むが、これらに限定されなく、シード層の材料は銅、金などの金属を含むが、これらに限定されない。電気メッキ層５０の厚さは一般に３～３０μｍであり、電気メッキ層５０の体積は、溶融後のスズ成分がギャップ部２００内に充填されて両側の再配線モジュール２０を接続して導通を形成できるように設定される。

【0027】

誘電体モジュール４０は、再配線モジュール２０の上に設けられた誘電体層４００を高温で硬化・収縮させて形成され、傾斜面４０１は、誘電体層４００が高温硬化過程で自動的に収縮して形成される。誘電体層４００の材料は感光性高分子有機材料であり、具体的に、その材料は、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ポリイミド、ポリベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を含むが、これらに限定されない。誘電体モジュール４０上の電気メッキ層５０のギャップ部２００の方向へのより良好な流動を実現するために、誘電体モジュール４０上の傾斜面４０１と水平面間がなす角度は４５°以上である。誘電体モジュール４０に形成された傾斜面４０１の傾斜角度は４５°以上である。高温硬化収縮前の誘電体層４００の厚さは１０～４０μｍである。上記の厚さの誘電体層４００は高温硬化収縮した後形成された誘電体モジュール４０の傾斜面４０１の一端がギャップ部２００まで延伸することができ、同時に形成された傾斜面４０１の傾斜角度は４５°以上であり、誘電体モジュール４０が成形された後の厚さ範囲は５～２０μｍである。

【0028】

初期状態下で、電気メッキ層５０は傾斜面４０１に固着した状態であり、各再配線モジュール２０を個別に機能検証し、各個別の再配線モジュール２０を個別に検証した後、電気メッキ層５０を溶融させ、溶融後の電気メッキ層５０が傾斜面４０１に沿ってギャップ部２００の方向に向かって流動し、電気メッキ層５０はギャップ部２００内で凝固した後隣接する２つの再配線モジュール２０を接続する導通部品を形成し、２つの独立した再配線モジュール２０を積層して全体の再配線モジュールを形成し、該全体の再配線モジュールは元のデバイス上で新しい機能検証を実行することができるため、先行技術の検証方法と比較すると、人力、資源および設計コストを削減することができる。

【0029】

本発明の別の実施例は、上記のウエハー再配線デュアル検証構造の製造方法をさらに開示し、この方法は、以下のステップを含む。

【0030】

Ｓ１００：図２に示すように、ベアチップ１０を用意し、ベアチップ１０は、基板１０１と、基板１０１の上面に形成されたボンディングパッド１０２およびパッシベーション層１０３を有し、ボンディングパッド１０２をパッシベーション層１０３上のパッシベーション層開口１０４から外部に露出させる。
Ｓ２００：図６および図７に示すように、ベアチップ１０を再配線した後、ベアチップ１０の上に複数の再配線モジュール２０を形成し、各再配線モジュール２０はいずれも対応のボンディングパッド１０２に接続され、隣接する２つの再配線モジュール２０間にギャップ部２００が形成される。
Ｓ３００：図８～図１０に示すように、再配線モジュール２０とギャップ部２００の上を誘電体層４００で覆い、予設位置以外の誘電体層の一部を除去し、予設位置に残った誘電体層を再配線モジュールの上に位置する誘電体モジュール４０に形成する。
Ｓ４００：誘電体モジュール４０上にギャップ部２００に向かって傾斜した傾斜面４０１を形成する。
Ｓ５００：図１１～図１５に示すように、傾斜面４０１上に電気メッキ層５０を形成する。

【0031】

ここで、「Ｓ２００：ベアチップ１０を再配線した後、ベアチップ１０の上に複数の再配線モジュール２０を形成し、各再配線モジュール２０はいずれも対応のボンディングパッド１０２に接続され、隣接する２つの再配線モジュール２０間にギャップ部２００が形成されるステップ」は具体的に、
Ｓ２０１：図３に示すように、ベアチップ１０の上に下部金属層３０を形成し、下部金属層３０の上に下部フォトレジスト層７０を形成すること（図４に示す）、
Ｓ２０２：図５に示すように、一部の下部フォトレジスト層７０を除去して複数の下部ペイン７００を形成し、各下部ペイン７００内で対応のボンディングパッド１０２が該下部ペインから外部に露出すること、
Ｓ２０３：図６に示すように、下部ペイン７００内で金属層を電気メッキして再配線モジュール２０を形成すること、および、
Ｓ２０４：図７に示すように、残りの下部フォトレジスト層７０および再配線モジュールの被覆領域以外の下部金属層３０を除去することを含む。

【0032】

Ｓ３００：「再配線模２０とギャップ部２００の上を誘電体層４００で覆い、予設位置以外の誘電体層の一部を除去し、予設位置に残った誘電体層を再配線モジュールの上に位置する誘電体モジュール４０に形成するステップ」は具体的に、
Ｓ３０１：図８に示すように、塗布によって再配線モジュール２０とギャップ部２００の上に誘電体層４００を形成し、誘電体層４００の厚さ範囲は１０～４０μｍであること、
Ｓ３０２：図９に示すように、露光現像によって予設位置以外の誘電体層を除去すること、および、
Ｓ３０３：図１０に示すように、高温硬化によって予設位置の誘電体層を硬化および収縮させて誘電体モジュールを形成し、傾斜面４０１は硬化収縮過程で形成されることを含む。もちろん、別の実施例では、誘電体モジュールに傾斜面４０１を設けてもよい。

【0033】

Ｓ５００：「傾斜面４０１に電気メッキ層５０を設けるステップ」は具体的に、
Ｓ５０１：図１１に示すように、誘電体モジュール４０の上および一部の誘電体モジュール４０の上に上部金属層６０を形成し、上部金属層６０の上に上部フォトレジスト層８０を形成すること（図１２に示す）、
Ｓ５０２：図１３に示すように、一部の上部フォトレジスト層８０を除去して複数の上部ペイン８００を形成し、各誘電体モジュール４０の上にいずれも一部の上部フォトレジスト層８０が除去されて上部ペイン８００を形成し、上部ペイン８００は、誘電体モジュール４０を外部に露出させるために使用されること、
Ｓ５０３：図１４に示すように、上部ペイン８００内で金属層を電気メッキして電気メッキ層５０を形成すること、および、
Ｓ５０４：図１５に示すように、残りの上部フォトレジスト層８０および電気メッキ層５０の被覆領域以外の上部金属層８０を除去することを含む。

【0034】

本発明のもう１つの実施例では、上記のウエハー再配線デュアル検証構造の検証方法をさらに開示し、この方法は、
図１５に示すように、各再配線モジュール２０を個別に機能検証するステップと、
電気メッキ層５０を溶融させ、溶融後の電気メッキ層５０を傾斜面に沿ってギャップ部２００に流入させ、隣接する２つの再配線モジュール２０を接続して新しい配線構造を形成するステップと（図１６に示す）、
一体的に接続された再配線モジュール２０上の新しい配線構造に対して機能検証を実行するステップと、を含む。

【0035】

以上、添付図面に示される実施例を参照して本発明の構造、特徴および作用効果を詳細に説明したが、上記は本発明の好ましい実施例に過ぎず、本発明の実施範囲は添付図面によって限定されるものではなく、明細書および添付図面の精神から逸脱することなく、本発明の概念に基づいてなされた変更や修正などの等価の実施例は、すべて本発明の保護範囲内に含まれるものとする。

【符号の説明】

【0036】

１０ ベアチップ
１０１ 基板
１０２ ボンディングパッド
１０３ パッシベーション層
１０４ パッシベーション層開口
２０ 再配線モジュール
２００ ギャップ部
３０ 下部金属層
４０ 誘電体モジュール
４００ 誘電体層
４０１ 傾斜面
５０ 電気メッキ層
５００ 金属導通層
６０ 上部金属層
７０ 下部フォトレジスト層
７００ 下部ペイン
８０ 上部フォトレジスト層
８００ 上部ペイン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【国際調査報告】