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特表2024-506369非侵襲的癌治療

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-02-13

(54)【発明の名称】非侵襲的癌治療

(51)【国際特許分類】

A61N 1/40 20060101AFI20240205BHJP

A61F 7/00 20060101ALI20240205BHJP

A61N 7/02 20060101ALI20240205BHJP

【ＦＩ】

A61N1/40

A61F7/00 322

A61N7/02

A61F7/00 320Z

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023548838

(86)(22)【出願日】2022-02-11

(85)【翻訳文提出日】2023-10-10

(86)【国際出願番号】 EP2022053424

(87)【国際公開番号】W WO2022171826

(87)【国際公開日】2022-08-18

(31)【優先権主張番号】21382115.0

(32)【優先日】2021-02-12

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】523306058

【氏名又は名称】スキエンティアバイオテックエセ．エレ

(71)【出願人】

【識別番号】519098394

【氏名又は名称】ウニベルシタデバレンシア

(74)【代理人】

【識別番号】110000796

【氏名又は名称】弁理士法人三枝国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】エストレラアリギュエルホセマリア

(72)【発明者】

【氏名】エレーラガスパルホセフアン

(72)【発明者】

【氏名】シブリアンオルティスデアンダロサマリア

(72)【発明者】

【氏名】ナバーロカンバエンリケ

(72)【発明者】

【氏名】オブラドールプラマリアエレナ

【テーマコード（参考）】

4C053

4C099

4C160

【Ｆターム（参考）】

4C053LL20

4C099AA01

4C099EA05

4C099JA01

4C099JA13

4C099TA01

4C160JJ33

(57)【要約】

癌性標的部位を治療するための装置１を提供する。装置は、電極と標的部位との間の電気的接触を防ぐ電気絶縁コーティングを有する１つ以上の電極を含む電磁エミッター１０を備える。電磁エミッター１０は、１つ以上の電極を介して標的部位３０に腫瘍治療領域をもたらすように構成され、腫瘍治療領域は、１０ｋＨｚ～３００ｋＨｚの周波数を有し、０．１ｐＴ～１ｍＴの磁束密度を更に有する非電離交流電磁場である。装置は、標的部位に加熱をもたらし、標的部位にハイパーサーミアを引き起こすように構成された熱源２０を更に備える。装置は、非電離交流電磁場及び加熱を独立して適用するように構成される。装置は、電磁エミッター及び熱源を電子的に制御するための電子制御装置を備える。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

癌性標的部位治療用装置であって、
電極と前記標的部位との間の電気的接触を防ぐ電気絶縁コーティングを有する１つ以上の電極を含む電磁エミッターであって、該電磁エミッターは、前記１つ以上の電極を介して標的部位に腫瘍治療領域をもたらすように構成され、該腫瘍治療領域は、１０ｋＨｚ～３００ｋＨｚの周波数を有し、０．１ｐＴ～１ｍＴの磁束密度を更に有する非電離交流電磁場である、電磁エミッターと、
前記標的部位に加熱をもたらし、該標的部位にハイパーサーミアを引き起こすように構成された熱源と、
前記電磁エミッター及び前記熱源を電子的に制御するための電子制御装置と、
を備え、前記非電離交流電磁場及び前記加熱を独立して適用するように構成される、装置。

【請求項2】

第１の時間にわたって前記標的に前記非電離交流電磁場をもたらし、第２の時間にわたって前記標的部位に直接加熱をもたらすように構成される、請求項１に記載の装置。

【請求項3】

１分間～２４時間の第１の時間にわたって前記標的部位に前記非電離交流電磁場をもたらすように構成される、請求項１又は２に記載の装置。

【請求項4】

前記装置が１分間～３６０分間の第２の時間にわたって前記標的部位に加熱をもたらすように更に構成され、任意に該加熱が第３の時間にわたって前記非電離交流電磁場に同時に適用される、請求項１～３のいずれか一項に記載の装置。

【請求項5】

前記電磁エミッターが、０．１ｐＴ～１００μＴの磁束密度を有する交流電磁場を前記標的部位にもたらすように構成される、請求項１～４のいずれか一項に記載の装置。

【請求項6】

前記電磁エミッターが、０．５μＴ～１ｍＴの磁束密度を有する交流電磁場を前記標的部位にもたらすように構成される、請求項１～４のいずれか一項に記載の装置。

【請求項7】

前記電磁エミッターが、８μＴ～１ｍＴの磁束密度を有する交流電磁場を前記標的部位にもたらすように構成される、請求項１～４のいずれか一項に記載の装置。

【請求項8】

前記電磁エミッターが、１００ｋＨｚ～３００ｋＨｚの周波数を有する交流電磁場をもたらすように構成される、請求項１～７のいずれか一項に記載の装置。

【請求項9】

前記熱源が前記標的部位を４２℃超、好ましくは４２℃～５７℃の温度に加熱するように構成される、請求項１～８のいずれか一項に記載の装置。

【請求項10】

前記熱源が、前記標的部位に超音波放射をもたらすように構成された超音波エミッターを備え、任意に該超音波放射が該標的部位に１つ以上の焦点領域を有する、請求項１～９のいずれか一項に記載の装置。

【請求項11】

前記熱源が、前記標的部位に電磁放射をもたらすように構成された電磁エミッターを備える、請求項１～１０のいずれか一項に記載の装置。

【請求項12】

前記熱源が、前記標的部位に流体を圧送するように構成された流体ポンプと、該標的部位に到達する前に該流体を加熱するヒーターとを備える、請求項１～１１のいずれか一項に記載の装置。

【請求項13】

前記熱源が、熱伝導によって前記標的部位に熱を供給するように構成された伝導熱エミッターを備える、請求項１～１２のいずれか一項に記載の装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、癌性標的部位を治療するための装置に関する。より具体的には、本開示は、標的部位に非電離交流電磁場及び局部加熱をもたらすように構成された装置に関する。本開示はまた、癌性部位を治療する関連の方法及び癌性標的部位の治療に使用される組成物に関する。

【背景技術】

【0002】

癌を治療する非侵襲的方法は、特に外科手術によって除去することが困難な膠芽腫等の癌にとって重要な方法である。体内の標的部位から癌性細胞を効果的に低減又は排除する、癌を治療する新たな非侵襲的方法が望まれている。

【0003】

放射線療法は、電離放射線を用いて標的部位で悪性細胞を死滅させる癌療法の一種である。電離放射線は、標的部位に供給され、ＤＮＡ及び他の細胞分子に対する放射線の直接又は間接的な作用によって損傷を引き起こす。直接作用では、放射線は、例えばＤＮＡ分子に直接当たり、その分子構造を破壊する。かかる構造変化は、細胞損傷又は更には細胞死を引き起こし、それにより悪性細胞を治療する機構が提供される。

【0004】

交流電場療法又は腫瘍治療領域（ＴＴ領域）として知られる別の形態の治療では、非電離電場が標的部位に適用される。ＴＴ領域を癌治療に有用なものとする機構は、放射線療法の機構とは異なる。特に、有糸分裂紡錘体の形成時に微小管集合体が変形する。腫瘍細胞の有糸分裂は、長時間にわたって分裂間期に留まる。有糸分裂中期ないし後期に分裂溝が形成されると、細胞内の全ての極性分子及び双極子がＴＴ領域の作用下で誘電泳動を受け、分裂溝内に蓄積し、最終的に細胞膜を破裂させる。ＴＴ領域の適用によって誘発される有糸分裂の結果には、染色体分離の異常が含まれ、これが様々な形態の細胞死を引き起こす。

【0005】

ハイパーサーミアは、癌性部位を治療する既知の方法である。しかしながら、癌性部位を効果的に標的とすることは困難であり得る。一方では、治療を受ける領域の周辺の組織も、特に癌性部位が高温に加熱される場合にハイパーサーミアの影響を受ける可能性がある。他方では、癌性部位は、部位が十分に高い温度に加熱されない場合に効果的に破壊されない可能性がある。さらに、熱を癌性部位に適用すると癌性部位で細胞損傷、更には細胞死が引き起こされ得るが、熱が癌性部位に適切な量で適切かつ正確に適用されない場合に、癌性部位がかかる加熱に抵抗性を示す可能性がある。例えば、ハイパーサーミアにより癌性増殖に加えて健常な周辺組織が加熱される場合、血流が増強し、癌性増殖への栄養供給が高くなる可能性がある。このため、状況によっては、加熱の結果として血流が多くなると、栄養素の分散が助長され、栄養素が癌性部位に到達することで、意図したものとは逆の効果があるか、又は少なくとも効果のない治療がもたらされる可能性がある。さらに、癌性細胞の細胞周期における異なる段階は、加熱に対する抵抗性が異なることが観察されている。またさらに、細胞における温度上昇は、熱ショックタンパク質（ＨＳＰ）群をコードする熱ショック遺伝子を一時的に上方調節する。熱ショック応答に関与する機構は、自己調節ループである。ＨＳＰは通常、関与する転写因子（ＨＳＦ－１）を不活性な状態に維持するが、加熱するとＨＳＰがアンフォールドタンパク質とより高い親和性で結合し、ＨＳＰからのＨＳＦ－１の放出が誘発され、ＨＳＰ遺伝子転写が開始する。ＨＳＰによる熱ショック後にタンパク質の損傷／凝集が回復すると、無基質のＨＳＰ自体がＨＳＦ－１との再結合により応答の軽減に関与する可能性がある。結果として、ＨＳＰレベルは加熱後に一時的に上昇するが、ストレスのない期間が長期にわたると再び徐々に低下する。ＨＳＰの上方調節は、その後の２回目の熱ショックに対する細胞の一時的な抵抗性状態と密接に関連している。ＨＳＰレベルの上昇は、そのシャペロン活性により、更なる加熱によって誘導されるタンパク質損傷から細胞を保護すると考えられる。したがって、必要とされる適用熱量から逸脱した結果としての癌性細胞の加熱に対する抵抗性を回避するために、必要とされる加熱を癌性部位により正確かつ確実にもたらすハイパーサーミアを提供する必要がある。

【0006】

ハイパーサーミアの多くの方法では、メディエーター（ナノ粒子流体等）を部位に投与する必要がある。次いで、例えば電場によってメディエーターを加熱し、それにより標的部位を間接的に加熱する。メディエーターは、ＴＴ領域と同じか又は同様の周波数範囲を有する電場を用いて加熱することができる。これは、癌性部位がハイパーサーミア及びＴＴ領域機構の両方によって攻撃されることから有利であるとみなされ得る。しかしながら、メディエーターは患者の身体に注入される流体であるため、電磁放射を施す際の加熱の位置を制御することは困難である。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

上記の治療方法に対してより効果的な癌治療方法を見出すことが所望されている。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明は、癌性標的部位を治療するための装置であって、
標的部位に非電離交流電磁場をもたらすように構成された電磁エミッターと、
標的部位に加熱をもたらし、標的部位にハイパーサーミアを引き起こすように構成された熱源と、
を備え、非電離交流電磁場及び加熱を独立して適用するように構成される、装置を提供することによって、より効果的な癌治療方法を提供するという課題に取り組むものである。特に、熱源は標的部位に直接加熱をもたらすように構成される。

【0009】

本明細書において、熱源がメディエーターを使用せずに（例えば、メディエーターを介して間接的にではなく、直接的に）特定の標的部位を加熱する任意の熱源であり得ることに留意されたい。

【0010】

好ましい実施の形態において、装置は、第１の時間にわたって標的に非電離交流電磁場をもたらし、第２の時間にわたって標的部位に直接加熱をもたらすように構成される。第２の時間は、第１の時間と部分的又は完全に重なっていてもよい。例えば、第１の時間は、第２の時間と同時に開始してもよく、又は第１の時間が開始してから所定の時間後に開始してもよく、又は第１の時間が終了した際に開始してもよい。第１の時間と第２の時間とが完全に重なり、ＴＴ領域及び加熱が部位に同時に適用され、以下で更に詳細に論考されるように標的部位内の細胞に対する相乗効果がもたらされることが好ましい。

【0011】

第１の時間及び第２の時間のシーケンスを２回以上繰り返してもよいことに留意されたい。例えば、装置は、第１の時間にわたって非電離交流電磁場を適用し、第１の時間が開始してから所定の時間後に第２の時間にわたって加熱を適用するように構成されてもよい。続いて、装置は再び、第１の時間にわたって非電離交流電磁場を適用し、第１の時間が開始してから所定の時間後に第２の時間にわたって加熱を適用するように構成され得る。第１の時間及び第２の時間の長さ、並びに互いに対する開始時間は、ユーザーにより又は装置のメモリに保存された１つ以上のスケジュールに従って構成可能であり得る。

【0012】

装置は、１分間～２４時間の第１の時間にわたって標的部位に非電離交流電磁場をもたらすように構成されるのが好ましい。

【0013】

別の好ましい実施の形態において、装置は、１分間～３６０分間の第２の時間にわたって標的部位に加熱をもたらすように更に構成される。第３の時間にわたって非電離交流電磁場に同時に加熱を適用することができる。第３の時間は、第２の時間の全部であっても又は一部であってもよい。

【0014】

別の好ましい実施の形態において、電磁エミッターは、１０ｋＨｚ～５００ｋＨｚ、より好ましくは１０ｋＨｚ～３００ｋＨｚ、更に好ましくは１００ｋＨｚ～３００ｋＨｚの周波数を有する交流電磁場をもたらすように構成される。周波数が３００ｋＨｚ未満である場合に腫瘍治療領域の治療効果が顕著に増大することが観察される。

【0015】

別の好ましい実施の形態において、電磁エミッターは、０．１ｐＴ～１ｍＴ若しくは０．１ｐＴ～１００μＴ若しくは１００μＴ～１ｍＴの磁束密度及び／又は１Ｖ／ｃｍ～３Ｖ／ｃｍの電場強度を有する交流電磁場を標的部位にもたらすように構成される。

【0016】

別の好ましい実施の形態において、電磁エミッターは、０．５μＴ～１ｍＴ、より好ましくは８μＴ～１ｍＴの磁束密度を有する交流電磁場を標的部位にもたらすように構成される。

【0017】

別の好ましい実施の形態において、熱源は、標的部位を少なくとも４２℃、好ましくは４２℃～５７℃の温度に加熱するように構成される。標的部位を少なくとも４２℃の温度に加熱することで、極端な超高熱（hyperpyrexia）に相当する加熱効果を標的部位に誘導する。

【0018】

別の好ましい実施の形態において、熱源は、標的部位に超音波放射をもたらすように構成された超音波エミッターを備え、任意に超音波放射が標的部位に１つ以上の焦点領域を有する。１つ以上の焦点領域は、単一のトランスデューサー又は複数のトランスデューサーによってもたらされ得る。

【0019】

更なる好ましい実施の形態において、熱源は、
標的部位に電磁放射をもたらすように構成された電磁エミッター、
標的部位に流体を圧送するように構成された流体ポンプ及び標的部位に到達する前に流体を加熱するヒーター、及び／又は、
熱伝導によって標的部位に熱を供給するように構成された伝導熱エミッター、
の１つ以上を備える。

【0020】

更に好ましい実施の形態において、装置は、電磁エミッター及び熱源を電子的に制御するための電子制御装置を付加的に備える。

【0021】

本発明の更なる態様は、上述の実施の形態による装置を用いて癌性標的部位を治療する方法に関し、ここで、装置は、本明細書に開示される任意の構成をとることができ、方法は、好ましくは、エミッター１０及び熱源２０を患者上に適切に位置付けることによって実施される。例えば、電磁エミッター１０のアプリケーターを患者の身体の所定の箇所に配置することができ、熱源２０（例えば、図２に関連して説明するトランスデューサー２０４）も適切に位置付けることができる。ここで、方法は以下を含む。

【0022】

工程Ｓ１において、電磁エミッター１０を用いて非電離交流電磁場をもたらし、標的部位に磁束密度を生じさせる。

【0023】

工程Ｓ２において、熱源２０を用いて標的部位に熱（より詳細には直接熱）を供給する。これは標的部位３０に電磁場をもたらすのと同時に、又は電磁場をもたらす前若しくは後の所定の時間内に供給することができる。幾つかの実施の形態において、第１の時間にわたって加熱を行うことなく、交流電磁場のみをもたらして標的部位に磁束密度を生じさせた後、両方を同時に標的部位にもたらしてもよい。

【0024】

任意に、工程Ｓ３において、抗腫瘍形成組成物を標的部位に供給する。抗腫瘍形成組成物は、経口又は静脈内等の任意の好適な手段によって投与することができる。抗腫瘍形成組成物が工程Ｓ１、工程Ｓ２及び工程Ｓ４の前若しくはそれと同時に、又は工程Ｓ１、工程Ｓ２若しくは工程Ｓ４の所定の時間後に供給され得ることに留意されたい。

【0025】

本発明を実施するために使用され得る抗腫瘍形成組成物の例を、本発明全体を通して詳細に説明する。

【0026】

また任意に、工程Ｓ４において、抗腫瘍形成化合物に加えてグルタチオン（ＧＳＨ）枯渇組成物を標的部位に供給する。ＧＳＨ枯渇組成物は、経口又は静脈内等の任意の好適な手段によって投与することができる。ＧＳＨ枯渇組成物が工程Ｓ１、工程Ｓ２及び工程Ｓ３の前若しくはそれと同時に、又は工程Ｓ１、工程Ｓ２若しくは工程Ｓ３の所定の時間後、好ましくは工程Ｓ３の所定の時間後に供給され得ることに留意されたい。本発明を実施するために使用され得るＧＳＨ枯渇組成物の例を、本発明全体を通して詳細に説明する。

【0027】

工程Ｓ５において直接加熱を停止し、工程Ｓ６において非電離交流電場を停止する。工程Ｓ５及び工程Ｓ６を同時に行ってもよく、又は直接加熱を停止した後に所定の時間にわたって非電離交流電磁場のみが適用されるように、直接加熱を停止した後に非電離交流電磁場を停止してもよいことに留意されたい。

【0028】

本発明の更なる態様は、上述の実施の形態による装置を用いて癌性標的部位を治療する方法に使用される抗腫瘍形成組成物に関し、ここで、装置は、本明細書に開示される任意の構成をとることができ、方法は、好ましくは、エミッター１０及び熱源２０を患者上に適切に位置付けることによって実施される。例えば、電磁エミッター１０のアプリケーターを患者の身体の所定の箇所に配置することができ、熱源２０（例えばトランスデューサー２０４）も適切に位置付けることができる。ここで、方法は以下を含む。

【0029】

工程Ｓ１において、電磁エミッター１０を用いて非電離交流電磁場をもたらし、標的部位に磁束密度を生じさせる。

【0030】

【0031】

工程Ｓ３において、抗腫瘍形成組成物を標的部位に供給する。抗腫瘍形成組成物は、経口又は静脈内等の任意の好適な手段によって投与することができる。抗腫瘍形成組成物が工程Ｓ１、工程Ｓ２及び工程Ｓ４の前若しくはそれと同時に、又は工程Ｓ１、工程Ｓ２若しくは工程Ｓ４の所定の時間後に供給され得ることに留意されたい。本発明を実施するために使用され得る抗腫瘍形成組成物の例を、本発明全体を通して詳細に説明する。

【0032】

任意に、工程Ｓ４において、抗腫瘍形成化合物に加えてグルタチオン（ＧＳＨ）枯渇組成物を標的部位に供給する。ＧＳＨ枯渇組成物は、経口又は静脈内等の任意の好適な手段によって投与することができる。ＧＳＨ枯渇組成物が工程Ｓ１、工程Ｓ２及び工程Ｓ３の前若しくはそれと同時に、又は工程Ｓ１、工程Ｓ２若しくは工程Ｓ３の所定の時間後、好ましくは工程Ｓ３の所定の時間後に供給され得ることに留意されたい。本発明を実施するために使用され得るＧＳＨ枯渇組成物の例を、本発明全体を通して詳細に説明する。

【0033】

【0034】

ここで、以下に説明する添付の図面を参照して、実施形態を非限定的な例としてのみ詳細に説明する。

【図面の簡単な説明】

【0035】

【図1】１つ以上の実施形態による癌性標的部位を治療するための装置の概要図である。

【図2】１つ以上の更なる実施形態による癌性標的部位を治療するための装置の概要図である。

【図3】１つ以上の更なる実施形態による癌性標的部位を治療するための装置の概要図である。

【図4】１つ以上の更なる実施形態による癌性標的部位を治療するための装置の概要図である。

【図5】１つ以上の更なる実施形態による癌性標的部位を治療するための装置の概要図である。

【図6】１つ以上の更なる実施形態による癌性標的部位を治療するための装置の概要図である。

【図7】１つ以上の更なる実施形態による癌性標的部位を治療するための装置の概要図である。

【図8】１つ以上の更なる実施形態による癌性標的部位を治療するための装置の概要図である。

【図9】１つ以上の更なる実施形態による癌性標的部位を治療するための装置の概要図である。

【図10】１つ以上の実施形態による癌性標的部位を治療するための装置の概要を示す図である。

【図11】本開示による装置を用いて癌性標的部位を治療する方法の概要を示す図である。

【図12】Ｕ８７ＭＧ細胞に対するＴＴ領域（「ＴＴＦ」）、ハイパーサーミア（「ＨＴ」）、プテロスチルベン（「ＰＴ」）及びそれらの組合せのｉｎｖｉｔｒｏ影響を示す実験データを示す図である。適用したＴＴ領域は、８μＴの平均磁束密度にて３００ｋＨｚで２４０分間（０分から２４０分まで）であった。適用したハイパーサーミアは、４２℃で１０分間（１２０分から１３０分まで）であった。２０μＭのプテロスチルベンを１２０分間（１２０分から２４０分まで）適用した。データは、５回の実験についての生存細胞の平均数を示し、＊と表示したものは対照に対し、＋と表示したものはＴＴＦに対し、＃と表示したものはＴＴＦ＋ＨＴに対してスチューデントｔ検定を用いてＰ＜０．０１である。

【図13】振動磁場に曝露した際のＵ８７ＭＧ（ＡＴＣＣ）細胞の細胞生存性に対する影響についてのｉｎｖｉｔｒｏ実験データを示す図である。

【図14】熱に曝露した際のＵ８７ＭＧ細胞の細胞生存性に対する影響についてのｉｎｖｉｔｒｏ実験データを示す図である。

【図15A-15F】異なる外的処理に曝露した後のｉｎｖｉｔｒｏＵ８７ＭＧ細胞培養物の顕微鏡画像及び対照画像を示す図である。

【図16】電磁場、熱及びテモゾロミド（ＴＭＺ）に曝露した際のＵ８７ＭＧ細胞の細胞生存性に対する影響についてのｉｎｖｉｔｒｏ実験データを示す図である。

【図17】電磁場、熱及びレスベラトロール又はその誘導体に曝露した際のＵ８７ＭＧ細胞の細胞生存性に対する影響についてのｉｎｖｉｔｒｏ実験データを示す図である。

【図18】振動磁場に曝露した際のＡｓＰＣ１（膵臓腺癌、ＡＴＣＣ）細胞の細胞生存性に対する影響についてのｉｎｖｉｔｒｏ実験データを示す図である。

【図19】熱に曝露した際のＡｓＰＣ１細胞の細胞生存性に対する影響についてのｉｎｖｉｔｒｏ実験データを示す図である。

【図20】ＡｓＰＣ１細胞に対するＴＴ領域（「ＴＴＦ」）、ハイパーサーミア（「ＨＴ」）、プテロスチルベン（「ＰＴ」）及びそれらの組合せのｉｎｖｉｔｒｏ影響を示す実験データを示す図である。

【図21A-21H】異なる外的処理に曝露した後のｉｎｖｉｔｒｏＡｓＰＣ１細胞培養物の顕微鏡画像及び対照画像を示す図である。

【図22】ＡｓＰＣ１細胞に対するＴＴ領域（「ＴＴＦ」）、ハイパーサーミア（「ＨＴ」）、ゲムシタビン（「ＧＥＭ」）、プテロスチルベン（「ＰＴ」）及びそれらの組合せのｉｎｖｉｔｒｏ影響を示す実験データを示す図である。

【図23】振動磁場に曝露した際のＡ２０５８（黒色腫、ＡＴＣＣ）細胞の細胞生存性に対する影響についてのｉｎｖｉｔｒｏ実験データを示す図である。

【図24】熱に曝露した際のＡ２０５８細胞の細胞生存性に対する影響についてのｉｎｖｉｔｒｏ実験データを示す図である。

【図25】Ａ２０５８細胞に対するＴＴ領域（「ＴＴＦ」）、ハイパーサーミア（「ＨＴ」）、プテロスチルベン（「ＰＴ」）及びそれらの組合せのｉｎｖｉｔｒｏ影響を示す実験データを示す図である。

【図26A-26H】異なる外的処理に曝露した後のｉｎｖｉｔｒｏＡ２０５８細胞培養物の顕微鏡画像及び対照画像を示す図である。

【図27】Ａ２０５８細胞に対するＴＴ領域（「ＴＴＦ」及び「ＴＴＦ」は区別なく使用される）、ハイパーサーミア（「ＨＴ」）、パクリタキセル（「ＰＡＣ」）及びそれらの組合せのｉｎｖｉｔｒｏ影響を示す実験データを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0036】

本発明は、非電離交流電磁場及びハイパーサーミアの両方を標的部位にもたらすように構成された装置に関し、電磁場及びハイパーサーミアを独立してもたらすことができる。電磁場は例えば、標的部位に磁束密度をもたらす磁気アプリケーターによって適用することができる。メディエーターを用いるハイパーサーミア治療においては、メディエーターによって吸収されることもある交流電磁場がもたらされる。しかしながら、メディエーターが電磁エネルギーを吸収するため、電磁場の腫瘍治療効果が低下する可能性がある。本発明は、ハイパーサーミアを独立してもたらすことにより、この問題を克服し、他方の有効性を低下させることなく、両方の治療を癌性部位にもたらすことができる。本発明において、腫瘍治療効果は、電磁場と直接ハイパーサーミアとの併用によるものである。電磁場は、磁場アプリケーターを用いて導入することができる。本開示の幾つかの更なる例において、治療は抗癌組成物の投与を更に含み得る。

【0037】

本明細書において使用される場合、「腫瘍治療領域」、「ＴＴ領域」又は「ＴＴＦ」という用語は、標的部位に適用される振動電磁場を意味すると理解され得る。特に、電磁場は、標的部位とアプリケーターとの間に電流が流れないように、標的部位から電気的に絶縁されたアプリケーターによって生成する。

【0038】

図１は、癌性標的部位３０を治療するための装置１の概要図を示す。装置は、電磁エミッター１０及び熱源２０を備える。電磁エミッター１０は、標的部位３０に非電離交流電磁場１５をもたらすように構成される。熱源２０は、標的部位３０に直接加熱２５をもたらし、標的部位３０にハイパーサーミアを引き起こすように構成される。一構成において、装置１は、所定の時間内に標的部位３０に非電離交流電磁場及び直接加熱をもたらすように構成される。標的部位３０は、少なくとも癌性増殖を含んでいてもよく、癌性増殖の周辺の組織の一部を更に含んでいてもよい。幾つかの実施形態において、装置１は、非電離交流磁場１５をもたらすように構成され得る。

【0039】

本明細書に開示されるように、ハイパーサーミアは、３７．５℃を超える温度への上昇として定義され得る。したがって、本明細書に開示される装置は、３７．５℃を超える温度まで標的部位を加熱するように構成することができる。ハイパーサーミアが、体温設定点の変化なしに生じる、３７．５℃～３８．３℃（使用する基準に応じる）を上回る温度として定義されることに留意されたい。対照的に、超高熱は、体温の極端な上昇であり、その由来に応じて、４０．０℃又は４１．０℃以上の中核体温と分類される。超高熱の範囲には、重篤（４０℃以上）及び極度（４２℃以上）と考えられる症例が含まれる。超高熱は、個体の温度調節系の体温設定点が通常より上に設定され、それを達成するために身体により熱が発生する点でハイパーサーミアとは異なる。対照的に、ハイパーサーミアは、外的要因により体温が設定点を超えて上昇することを伴う。

【0040】

さらに、熱焼灼が熱、低温、マイクロ波及び電流を用いて、癌細胞及び腫瘍を５０℃超に加熱することにより蒸発させる（切除する）処置の一種であることに留意されたい。

【0041】

好ましい実施形態において、装置は、標的部位を３９℃～５２℃（３９℃超に加熱することでＴＴ領域、化学療法及び放射線療法等の他の療法に対する癌性増殖の感受性を高めることができる）、好ましくは少なくとも４１．１℃（これを超えると、有利には、細胞に対する不可逆的な損傷が引き起こされる）の温度に加熱するように構成される。熱源は、標的部位を少なくとも４２℃、好ましくは４２℃～５７℃の温度に加熱するように構成されることが好ましい。標的部位を少なくとも４２℃の温度に加熱することで、極端な超高熱に相当する加熱効果を標的部位に誘導する。

【0042】

熱源３０は、標的部位３０に直接加熱をもたらす任意の好適な熱源とすることができ、電磁加熱、例えば容量性高周波加熱、放射性高周波加熱、マイクロ波加熱、赤外線加熱及びレーザー加熱、超音波による加熱、加熱流体を介した加熱、伝導熱エミッターによる加熱、又は非電離交流電磁場１５とは独立して標的部位３０を加熱する任意の他の好適な方法を含み得る。熱源３０は、メディエーターを使用せずに（例えば、メディエーターを介して間接的にではなく、直接的に）標的部位を加熱する任意の熱源とすることができる。

【0043】

本明細書に開示される実施形態のいずれにおいても、電磁エミッター１０は、１０ｋＨｚ～５００ｋＨｚ、より好ましくは１０ｋＨｚ～３００ｋＨｚの周波数を有する電磁場１５をもたらすように構成され得る。電磁場は、０．１ｐＴ～１ｍＴ又は０．１ｐＴ～１００μＴ又は１００μＴ～１ｍＴの磁束密度、及び／又は組織インピーダンスに応じて１Ｖ／ｃｍ～３Ｖ／ｃｍの対応する電場を有し得る（すなわち、電磁エミッター１０から標的部位３０に移動する際に起こり得る電場の減衰を考慮し、これは、電磁エミッター１０と標的部位３０との間に存在する異なるタイプの組織によって生じるインピーダンスから決定することができる）。上述のように、電磁場１５は非電離であり、癌性部位に対するその機構は、本開示の背景技術の項において論考したように、電離放射線とは異なる。さらに、電磁場１５自体は、振動場の強度が比較的低いことから標的部位３０に直接加熱をもたらさない。

【0044】

本明細書に開示される実施形態のいずれにおいても、電磁エミッター１０及び熱源を任意の電源によって駆動することができ、同じ又は異なる電源によって駆動し得ることが理解されよう。同様に、電磁エミッター１０及び熱源２０の各々が、各エミッターの作動パラメーター（周波数、電界強度、振幅等）を選択するためのユーザーインターフェースを備えていてもよく、又はエミッター１０及び熱源２０は、ユーザーが選択可能な所定のプログラムに従って電磁放射及び熱を放出するための予めプログラムされたシーケンスを含んでいてもよい。

【0045】

本明細書に開示される実施形態のいずれにおいても、装置は、標的部位３０の温度を測定するための温度測定素子を更に備えていてもよい。例えば、装置は、標的部位３０の温度を指す温度を測定するために標的部位３０の近位に埋め込まれるように構成された埋込み型温度測定プローブを備えていてもよい。プローブは、例えば熱電対、サーミスタ及び／又は光ファイバーセンサーを含み得る。他の実施形態において、赤外線センシング、ＣＴ温度測定又は磁気共鳴温度測定等の非侵襲的温度測定を用いることができる。

【0046】

図２は、１つ以上の実施形態による電磁エミッター１０及び熱源２００の概要図を示す。

【0047】

電磁エミッター１０は、１つ以上のアプリケーター１４に電気的に接続された１つ以上のソース１２（１つ以上の電流源又は電圧源等）を備え得る。アプリケーター１４は、患者の身体３５の表面上又はその近位に配置されるように構成することができ、患者の身体から電気的に絶縁される（すなわち、ソース１２と患者の身体との間に閉じた電気回路を形成しない）。幾つかの実施形態において、アプリケーター１４は、電極と患者の表面、ひいては標的部位との間の電気的接触を防ぐ電気絶縁コーティングを有する１つ以上の電極を備えることができる。アプリケーターを患者の身体３５の患者の表面上に配置する場合であっても、例えば電気絶縁コーティングの存在によって、アプリケーターが身体から電気的に絶縁されたままであることに留意されたい。ソース１２は、アプリケーター１４に交流電磁場をもたらすように構成することができ、交流電磁場が標的部位３０に向かって磁束密度を生成し、標的部位３０に非電離交流電磁場１５をもたらす。標的部位のタイプに応じて任意の数のアプリケーター１４を使用することができ、標的部位３０に生じる磁束密度の強度を、各アプリケーター１４によって放出される電磁場の重合せによる設定から容易に算出し得ることが理解されよう。幾つかの実施形態において、アプリケーター１４は、正及び負の端子を有するコイルを備え得る。１つ以上のソースは、コイルを通して交流電流を供給し、コイルから磁場を発生させるように構成されてもよい。コイルは、例えば１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１５、２０、２５、５０又は１００、５００以上の任意の数のターンを含み得る。

【0048】

図２に示す熱源２００は、超音波エミッターであってもよく、１つ以上のトランスデューサー２０４に超音波信号を発する超音波源２０２を備えていてもよい。トランスデューサー２０４は、集束超音波放射２０５を標的部位３０に伝送するように構成される。１つ以上のトランスデューサー２０４は、例えば１つ以上の圧電トランスデューサーを含み得る。１つ以上のトランスデューサー２０４は、１つ以上のプラスチック及び／又はセラミックトランスデューサーを含み得る。トランスデューサー２０４から患者の身体３０の内部への超音波の伝搬を改善する（すなわち、超音波の反射を低減する）ために、接触媒質（図示せず）をトランスデューサー２０４と患者の身体３０との間の患者の身体３５の上に施してもよい。接触媒質は、本明細書において、トランスデューサー２０４から患者の身体３０の内部への超音波の伝搬を改善するための任意の好適な固体又は液体（又はそれらの組合せ）として定義される。トランスデューサー２０４の形状は、超音波の集束量を選択するために選択することができ、標的部位３０内の１つ以上の焦点領域に超音波放射２０５を集束させるように選択することができる。例えば、１つ以上のトランスデューサー２０４は、標的部位３０内の１つ以上の焦点領域に集束超音波放射を伝搬するように構成されたカスタム形状に３Ｄ印刷するか、又は別の方法で製造することができる。

【0049】

超音波エミッター２００は、０．５ＭＨｚ～１０ＭＨｚの周波数で音響エネルギーを供給し、標的部位３０に加熱をもたらすように構成され得る。

【0050】

幾つかの実施形態において、超音波エミッター２００は、１つ以上のマルチトランスデューサーアレイ又はフェーズドアレイ、平面デバイス又はボウル型ソースを備えていてもよい。さらに、超音波エミッター２００は、超音波放射を間欠的に（interstitially）放出するように構成されてもよい。すなわち、超音波エミッター２００は、標的部位３０の１つ以上の箇所に向かって超音波放射を放出し、必要とされる加熱をもたらすために、標的部位３０又はその近くで身体３５に挿入されるように構成された１つ以上のカテーテル装着型トランスデューサー又は他の放出部材を備えていてもよい。

【0051】

図２は超音波エミッターの特定の構成を示すが、任意の好適な超音波エミッターが使用され得ることに留意されたい。例えば、ＭＲＩガイド下集束超音波等の任意の高密度焦点式超音波（ＨＩＦＵ）装置を使用することができる。

【0052】

超音波エミッター２００は、標的部位３０に超音波放射２０５を放出し、標的部位に加熱を引き起こすように構成される。特に、超音波エミッター２００は、標的部位を所定の温度、好ましくは４２℃以下の温度に加熱し、電磁場が適用される間に温度を所定の温度に維持するように構成される。超音波エミッター２００が、標的部位３０に必要とされる加熱を引き起こす所定の周波数及び振幅を有する超音波放射をもたらすことにより、標的部位３０を加熱するように構成され得ることが理解されよう。超音波放射は、連続波又はパルス波であり得る。所与の周波数、振幅及びタイプの超音波放射について、標的部位での加熱量は、日常実験によって決定することができる。

【0053】

図２の実施形態について、超音波源２０２の出力及び超音波放射の適用時間が、標的部位３０で所定の加熱量に達するように選択され得ることが理解されよう。これは事前の経験的測定によって決定してもよく、又は装置が標的部位３０の温度を測定するための温度計部材を付加的に備えていてもよく、標的部位３０で標的温度を達成し、維持するために熱が装置によって適用される。

【0054】

図３は、１つ以上の実施形態による電磁エミッター１０及び熱源３００の概要図を示す。図２の場合と同様、電磁エミッター１０は、１つ以上のアプリケーター１４に電気的に接続された１つ以上の電磁波源１２（１つ以上の電流源又は電圧源等）を備え得る。アプリケーター１４は、患者の身体３５の表面上に配置されるように構成することができる。電磁波源１２は、アプリケーター１４に交流電磁場をもたらすように構成することができ、交流電磁場が標的部位３０に向かって磁束密度を生成し、標的部位３０に非電離交流電磁場１５をもたらす。標的部位のタイプに応じて任意の数のアプリケーター１４を使用することができ、標的部位３０に生じる磁束密度の強度を、各アプリケーター１４によって放出される電磁場の重合せによる設定から容易に算出し得ることが理解されよう。

【0055】

熱源３００は、標的部位３０に直接加熱をもたらすために電磁場３０５をもたらすように構成された１つ以上のアンテナ又はアプリケーター３０４を備える。熱源３００は、１つ以上のアンテナ又はアプリケーター３０４を駆動し、加熱電磁場３０５をもたらすための１つ以上の電磁波源３０２を備える。電磁場３０５は、標的部位の加熱を引き起こす電界強度及び周波数を有する。電磁場３０５の周波数は、電磁場３０５及び電磁場１５が標的部位３０と独立して相互作用するように（すなわち、場間の電磁干渉を無視し得るように）十分に異なる（例えば、少なくとも１桁の差）。電磁場３０５の周波数は例えば、分子双極子回転、分極及び／又は振動、又はオームの法則による標的部位３０の誘電加熱を引き起こすためには、１ＭＨｚ超であり得る。アンテナ又はアプリケーター３０４の数及び構成は、それらの位置、相対振幅及び位相を含めて、建設的及び／又は相殺的干渉を生じ、標的部位３０を含む特定の体積にわたってのみ加熱を引き起こすように選択することができる。例えば、アンテナ又はアプリケーター３０４は、単一のアンテナ、一対のアンテナ、及びアンテナの２Ｄ若しくは３Ｄアレイ又はフェーズドアレイを含み得る。

【0056】

幾つかの実施形態において、電磁波源３０２は、８ＭＨｚ～３０ＭＨｚ（例えば８ＭＨｚ、１３．５６ＭＨｚ又は２７．１２ＭＨｚ）の周波数で作動し、容量性加熱を引き起こすように構成された高周波（ＲＦ）源である。１つ以上のアンテナ又はアプリケーター３０４は、一対の金属アプリケーターを含み、標的部位３０がアプリケーター間に配置される。任意に、アプリケーターは、場を身体３５に伝達するための水ボーラスバッグ又は他の媒体と接続される。ＲＦ場がアプリケーターに適用される場合、電力が標的部位３０に伝達され、加熱が引き起こされる。この技法は、生じる電場を標的部位３０に集中させるために異なる構成のアプリケーターを選択することによって、表在性腫瘍及び深部腫瘍の両方に用いることができる。代替的には、アプリケーターは、同一平面上にあるように設けてもよく、又は１つ以上のアプリケーターが、絶縁カテーテル内で身体３５内に配置されるように構成されてもよい。外部接地面と接続される単一のアプリケーターを代わりに使用してもよい。これらの構成の全てにおいて、標的部位で生成するＲＦ場は、直接加熱を引き起こす。

【0057】

幾つかの実施形態において、電磁波源３０２は、６０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの周波数で作動するように構成されたＲＦ源である。１つ以上のアンテナ又はアプリケーター３０４は、身体の外部に配置される１つ以上のアンテナを含む。この周波数範囲で生成する電磁場は、身体の深部に浸透するため、深部標的部位３０の加熱に適している。この場合も、１つ以上のアンテナは、標的部位３０が間に配置される一対のアンテナを含み得る。アンテナは、電磁場を身体３５に伝達するための水ボーラスバッグ又は他の媒体と接続されていてもよい。

【0058】

幾つかの実施形態において、電磁波源３０２は、４００ＭＨｚ～２．５ＧＨｚ（例えば４３３ＭＨｚ、９１５ＭＨｚ又は２．４５ＧＨｚ）の周波数で作動するように構成されたマイクロ波（ＭＷ）源である。１つ以上のアンテナは、標的部位３０が間に配置される一対のアンテナ又は１つ以上のアンテナアレイを含み得る。アンテナは、この場合も、電磁場を身体３５に伝達するための水ボーラスバッグ又は他の媒体と接続されていてもよい。

【0059】

図３の実施形態について、電磁波源３０２の出力及び適用時間が、標的部位３０で所定の加熱量に達するように選択され得ることが理解されよう。これは事前の経験的測定によって決定してもよく、又は装置が標的部位３０の温度を測定するための温度計部材を付加的に備えていてもよく、標的部位３０で標的温度を達成し、維持するために熱が適用される。

【0060】

図４は、１つ以上の実施形態による電磁エミッター１０及び熱源４００の概要図を示す。図２及び図３の場合と同様、電磁エミッター１０は、１つ以上のアプリケーター１４に電気的に接続された１つ以上の電磁波源１２（１つ以上の電流源又は電圧源等）を備え得る。アプリケーター１４は、患者の身体３５の表面上に配置されるように構成することができる。電磁波源１２は、アプリケーター１４に交流電磁場をもたらすように構成することができ、交流電磁場が標的部位３０に向かって磁束密度を生成し、標的部位３０に非電離交流電磁場１５をもたらす。標的部位のタイプに応じて任意の数のアプリケーター１４を使用することができ、標的部位３０に生じる磁束密度の強度を、各アプリケーター１４によって放出される電磁場の重合せによる設定から容易に算出し得ることが理解されよう。

【0061】

熱源４００は、電磁波源４０２と、身体３５に貫入し、エミッターの遠位部を標的部位３０内に位置付けることができるように構成された１つ以上の電磁エミッター４０４とを備える。１つ以上のエミッター４０４は、電流が１つ以上のエミッター４０４に適用されるように電磁波源４０２に電気的に接続される。１つ以上のエミッター４０４は、１つ以上の単極子、双極子、スロット又はヘリカルコイルマイクロ波アンテナ、抵抗結合高周波、局所電流場電極又は容量結合型高周波カテーテルベースの電極を備えていてもよい。容量結合型電極は、ナイロン又はテフロン（登録商標）カテーテル等の低損失カテーテルに収容されるように構成され得る。

【0062】

幾つかの実施形態において、電磁波源４０２は、１つ以上のエミッター４０４に３５０ｋＨｚ～３０ＭＨｚの周波数範囲の交流電流を供給するように構成され、これにより針（複数の場合もある）の近くの組織の領域に電流が誘導され、結果として組織が加熱される。他の実施形態において、電磁波源４０２は、１つ以上のエミッター４０４に９００ＭＨｚ～２．５ＧＨｚ（例えば９１５ＭＨｚ又は２．４５ＧＨｚ）の周波数範囲の交流電流を供給するように構成され、これにより針（複数の場合もある）の周辺の組織の誘電加熱が引き起こされる。

【0063】

他の実施形態において、エミッター４０４は、標的部位３０の周囲に埋め込まれるように構成された複数の電極を備え、電磁波源４０２は、一連の非常に短い（例えば約１００μｓの）直流電気パルスを電極間に供給するように構成される。パルスの電圧及び電極の配置は、高い電界強度（例えば約１００Ｖ／ｃｍ～３０００Ｖ／ｃｍ）をもたらすように構成される。かかるパルスが標的部位３０に加熱をもたらすことが観察された。

【0064】

図４の実施形態について、電磁波源４０２の出力及び適用時間が、標的部位３０で所定の加熱量に達するように選択され得ることがさらに理解されよう。これは事前の経験的測定によって決定してもよく、又は装置が標的部位３０の温度を測定するための温度計部材を付加的に備えていてもよく、標的部位３０で標的温度を達成し、維持するために熱が適用される。

【0065】

図５は、１つ以上の実施形態による電磁エミッター１０及び熱源５００の概要図を示す。図２～図４の場合と同様、電磁エミッター１０は、１つ以上のアプリケーター１４に電気的に接続された１つ以上の電磁波源１２（１つ以上の電流源又は電圧源等）を備え得る。アプリケーター１４は、患者の身体３５の表面上に配置されるように構成することができる。電磁波源１２は、アプリケーター１４に交流電磁場をもたらすように構成することができ、交流電磁場が標的部位３０に向かって磁束密度を生成し、標的部位３０に非電離交流電磁場１５をもたらす。標的部位のタイプに応じて任意の数のアプリケーター１４を使用することができ、標的部位３０に生じる磁束密度の強度を、各アプリケーター１４によって放出される電磁場の重合せによる設定から容易に算出し得ることが理解されよう。

【0066】

熱源５００は、赤外線放射５０５を標的部位３０にもたらすように構成された１つ以上の赤外光源５０４と、１つ以上の赤外線ランプを駆動するための電源５０２とを備える。赤外光源５０４は、任意の周波数、特に３００ＧＨｚを超える周波数の赤外光を放出し得る。赤外線放射の侵入深さは通例、１ｃｍ以下であるため、この装置は、身体３５の表面上に位置する標的部位３０に適している可能性がある。

【0067】

さらに、電源５０２の出力及び放射の適用時間は、標的部位３０で所定の加熱量に達するように選択することができる。これは事前の経験的測定によって決定してもよく、又は装置が標的部位３０の温度を測定するための温度計部材を付加的に備えていてもよく、標的部位３０で標的温度を達成し、維持するために熱が適用される。

【0068】

図６は、１つ以上の実施形態による電磁エミッター１０及び熱源６００の概要図を示す。図２～図５の場合と同様、電磁エミッター１０は、１つ以上のアプリケーター１４に電気的に接続された１つ以上の電磁波源１２（１つ以上の電流源又は電圧源等）を備え得る。アプリケーター１４は、患者の身体３５の表面上に配置されるように構成することができる。電磁波源１２は、アプリケーター１４に交流電磁場をもたらすように構成することができ、交流電磁場が標的部位３０に向かって磁束密度を生成し、標的部位３０に非電離交流電磁場１５をもたらす。標的部位のタイプに応じて任意の数のアプリケーター１４を使用することができ、標的部位３０に生じる磁束密度の強度を、各アプリケーター１４によって放出される電磁場の重合せによる設定から容易に算出し得ることが理解されよう。

【0069】

熱源は、レーザー光源６０４と、レーザー光源を駆動するように構成された電源６０２とを備える。レーザー光源６０４は、レーザー放射を標的部位３０に放出し、標的部位に加熱を引き起こすように構成されてもよい。レーザー放射は、光ファイバーによって標的部位に直接、光学的に誘導され、標的部位３０の局所切除を引き起こすことができる。レーザー光源６０４は、標的部位３０に必要とされる加熱を引き起こすのに適した任意の強度で９００ｎｍ～１１００ｎｍの波長を有するレーザー放射を放出するように構成されてもよい。レーザー光源６０４は、０．５Ｗ～１５Ｗの電力（例えば１５Ｗで９８０ｎｍ又は１２Ｗで１０６４ｎｍ）で作動するように構成され得る。レーザー光源６０４は、１つ以上の標的部位３０の複数の領域を標的とするために回転的及び直線的に移動させることができる。

【0070】

さらに、電源６０２の出力及びレーザー放射の適用時間は、標的部位３０で所定の加熱量に達するように選択することができる。これは事前の経験的測定によって決定してもよく、又は装置が標的部位３０の温度を測定するための温度計部材を付加的に備えていてもよく、標的部位３０で標的温度を達成し、維持するために熱が適用される。例えば、装置は、磁気共鳴温度測定を行い、加熱プロセス中の標的部位３０の温度をモニタリングするためのＭＲＩ装置を含み得る。

【0071】

図７は、１つ以上の実施形態による電磁エミッター１０及び標的部位３０を加熱する熱源７００の概要図を示す。図２～図６の場合と同様、電磁エミッター１０は、１つ以上のアプリケーター１４に電気的に接続された１つ以上の電磁波源１２（１つ以上の電流源又は電圧源等）を備え得る。アプリケーター１４は、患者の身体３５の表面上に配置されるように構成することができる。電磁波源１２は、アプリケーター１４に交流電磁場をもたらすように構成することができ、交流電磁場が標的部位３０に向かって磁束密度を生成し、標的部位３０に非電離交流電磁場１５を形成する。標的部位のタイプに応じて任意の数のアプリケーター１４を使用することができ、標的部位３０に生じる磁束密度の強度を、各アプリケーター１４によって放出される電磁場の重合せによる設定から容易に算出し得ることが理解されよう。

【0072】

熱源７００はヒーター７０２と、ポンプ７０４と、流体出口７０６と、流体入口７０８とを備える。流体出口７０６は、標的部位３０の上流の身体３５の一部に流体的に接続するように構成され、流体入口７０８は、標的部位３０の下流の身体３５の一部に流体的に接続するように構成される。接続することで、標的部位３０からポンプ７０４に向かい、再び標的部位３０に戻る流体ループが形成される。流体ループは、身体３５の任意の流体系（例えば血管、腎臓等）に形成されるように構成されてもよい。ヒーター７０２は、流体が熱源７００を通過する際に流体を所望の温度に加熱するように構成され、流体は続いて流体出口７０６を介して標的部位３０に送達される。したがって、流体ループは、標的部位３０への加熱流体の連続源をもたらす。流体が患者の血液であってもよく、又は付加的に、熱源７００が、加熱され、流体ループに添加されるように構成された流体のリザーバ（図示せず）を備えていてもよいことに留意されたい。例えば、流体は化学療法組成物、抗癌薬等を含んでいてもよく、又は生理食塩水等の生体適合性溶液を含んでいてもよい。

【0073】

ヒーター７０２は、例えばマイクロ波放射の放出によって流体を加熱するように構成される抵抗ヒーター又は電磁ヒーター等の任意の好適なヒーターであり得る。ヒーター７０２は、身体３５の外部に位置していても、又は身体３５に埋め込まれるように構成されてもよい。

【0074】

熱源７００によって供給される熱の量及び熱源７００の適用時間は、標的部位３０で所定の加熱量に達するように選択することができる。これは事前の経験的測定によって決定してもよく、又は装置が標的部位３０の温度を測定するための温度計部材を付加的に備えていてもよく、標的部位３０で標的温度を達成し、維持するために熱が適用される。

【0075】

図８は、１つ以上の実施形態による電磁エミッター１０及び標的部位３０を加熱する熱源８００の概要図を示す。図２～図７の場合と同様、電磁エミッター１０は、１つ以上のアプリケーター１４に電気的に接続された１つ以上の電磁波源１２（１つ以上の電流源又は電圧源等）を備え得る。アプリケーター１４は、患者の身体３５の表面上に配置されるように構成することができる。電磁波源１２は、アプリケーター１４に交流電磁場をもたらすように構成することができ、交流電磁場が標的部位３０に向かって磁束密度を生成し、標的部位３０に非電離交流電磁場１５をもたらす。標的部位のタイプに応じて任意の数のアプリケーター１４を使用することができ、標的部位３０に生じる磁束密度の強度を、各アプリケーター１４によって放出される電磁場の重合せによる設定から容易に算出し得ることが理解されよう。

【0076】

熱源８００はヒーター８０２と、リザーバ８０５と、ポンプ８０４と、流体出口８０６とを備える。流体出口８０６は、標的部位３０に流体的に接続するように構成される。使用時に、ポンプ８０４は、流体出口８０６を介してリザーバ８０５内の流体を標的部位３０に圧送するように構成される。ヒーター８０２は、リザーバ８０５内の流体を、流体が標的部位３０に圧送される前に所望の温度に加熱するように構成される。流体は化学療法組成物、抗癌薬等を含んでいてもよく、又は生理食塩水等の生体適合性溶液を含んでいてもよい。

【0077】

熱源８００によって供給される熱の量、リザーバ８０５から供給される流体の量及び熱源８００の適用時間は、標的部位３０で所定の加熱量に達するように選択することができる。これは事前の経験的測定によって決定してもよく、又は装置が標的部位３０の温度を測定するための温度計部材を付加的に備えていてもよく、標的部位３０で標的温度を達成し、維持するために熱が適用される。

【0078】

図９は、１つ以上の実施形態による電磁エミッター１０及び標的部位３０を加熱する熱源９００の概要図を示す。図２～図８の場合と同様、電磁エミッター１０は、１つ以上のアプリケーター１４に電気的に接続された１つ以上の電磁波源１２（１つ以上の電流源又は電圧源等）を備え得る。アプリケーター１４は、患者の身体３５の表面上に配置されるように構成することができる。電磁波源１２は、アプリケーター１４に交流電磁場をもたらすように構成することができ、交流電磁場が標的部位３０に向かって磁束密度を生成し、標的部位３０に非電離交流電磁場１５をもたらす。標的部位のタイプに応じて任意の数のアプリケーター１４を使用することができ、標的部位３０に生じる磁束密度の強度を、各アプリケーター１４によって放出される電磁場の重合せによる設定から容易に算出し得ることが理解されよう。

【0079】

熱源９００は、標的部位３０に伝導加熱をもたらすように構成された熱エミッター９０４を備える。熱源が熱エミッター９０４を駆動するための電源９０２（電力源等）を備えていてもよく、又は熱エミッター９０４を予熱若しくは化学的に自己加熱（例えば発熱化学反応による）してもよい。熱エミッター９０４は、身体３５の表面上に設けても、又は体内に埋め込まれ、標的部位の近位の位置で標的部位３０に熱を供給するように構成されてもよい。例えば、熱エミッター９０４は、電力源９０２によって駆動されるように構成された埋込み型抵抗ヒーターであり得る。熱エミッター９０４は、身体３５の局所領域を加熱するように構成されてもよく、又は身体３５全体を加熱するように構成されてもよい。

【0080】

熱源９００によって供給される熱の量及び熱源９００の適用時間は、標的部位３０で所定の加熱量に達するように選択することができる。これは事前の経験的測定によって決定してもよく、又は装置が標的部位３０の温度を測定するための温度計部材を付加的に備えていてもよく、標的部位３０で標的温度を達成し、維持するために熱が適用される。

【0081】

図１０は、１つ以上の実施形態による癌性標的部位を治療するための装置１の概要を示す。図１の場合と同様、装置は、電磁エミッター１０及び熱源２０を備える。電磁エミッター１０は、標的部位に磁束密度をもたらすように構成される。熱源２０は、本明細書に開示される上記の機構のいずれかによって、標的部位に直接加熱をもたらし、標的部位にハイパーサーミアを引き起こすように構成される。一構成において、装置１は、標的部位に非電離交流電磁場及び直接加熱を同時にもたらすように構成される。電磁エミッター１０及び熱源２０は、任意の好適な構成をとることができ、図２～図９に示す構成をとることができる。

【0082】

図１０に示す装置１は、エミッター１０及び熱源２０を制御するための制御器４０を更に備える。制御器は、電磁エミッター１０の動作を制御するための第１の制御インターフェース４１と、熱源２０の動作を制御するための第２の制御インターフェース４２とを備える。制御器４０は、制御インターフェース４１を介してエミッター１０に、また制御インターフェース４２を介して熱源２０に制御信号を供給するように構成される。エミッター１０及び熱源２０は、光、光ファイバー、イーサネット等の有線若しくは無線のいずれかの任意の好適な通信形態、又は任意の好適な無線通信によって制御信号を受信することができる。さらに、制御器４０は、エミッター１０及び熱源２０の１つ以上を駆動するように構成されていてもよく、又はエミッター１０及び熱源２０の１つ以上が制御器４０とは独立して駆動されてもよい。

【0083】

制御器４０は、ユーザーインターフェース４３、メモリ４４及びプロセッサ４５の１つ以上を更に備える。ユーザーインターフェース４３は、例えばエミッター１０及び熱源２０の作動パラメーターを制御し、それらの動作のオン又はオフを切り替えることによって、ユーザーがエミッター１０及び熱源２０の動作を手動で制御することを可能にする。ユーザーインターフェース４３は、一定期間にわたってユーザーがエミッター１０及び熱源２０の動作のシーケンスを選択することを可能にし得る。メモリ４４は、プロセッサ４５を用いて実行されることで、本明細書に開示される動作のシーケンスを含む任意の好適なシーケンスに従ってエミッター１０及び熱源２０を動作させる命令を含み得る。

【0084】

メモリ４４は、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、リードオンリーメモリ、強誘電ＲＡＭ、ハードディスクドライブ、フロッピーディスク、磁気テープ、光ディスク等の１つ以上の揮発性又は不揮発性メモリデバイスを含み得る。同様に、プロセッサ４５は、マイクロプロセッサ、ＧＰＵ、ＣＰＵ、マルチコアプロセッサ等の１つ以上の処理装置を含み得る。さらに、制御器４０は、本明細書に開示される動作のシーケンスを実行するために、ソフトウェア、ハードウェア又は任意の組合せで実装され得る。

【0085】

図１１は、本開示による装置を用いて癌性標的部位を治療する方法の概要を示す。装置は、本明細書に開示される任意の構成をとることができる。図１１の方法を実施する前に、エミッター１０及び熱源２０を患者上に適切に位置付けることができる。例えば、電磁エミッター１０のアプリケーターを患者の身体の所定の箇所に配置することができ、熱源２０（例えばトランスデューサー２４）も適切に位置付けることができる。

【0086】

工程Ｓ１において、電磁エミッター１０を用いて非電離交流電磁場をもたらし、標的部位に磁束密度を生じさせる。

【0087】

工程Ｓ２において、熱源２０を用いて標的部位に熱（より詳細には直接熱）を供給する。これは標的部位３０に電磁場をもたらすのと同時に、又は電磁場をもたらす前若しくは後の所定の時間内に供給することができる。幾つかの実施形態において、第１の時間にわたって加熱を行うことなく、交流電磁場のみをもたらして標的部位に磁束密度を生じさせた後、両方を同時に標的部位にもたらしてもよい。

【0088】

【0089】

「抗腫瘍形成組成物」という用語は、本明細書において使用される場合、癌に関連する症状の全部又は一部を阻害することを含め、癌の発生又は進行を少なくとも部分的に阻害する作用物質を含む組成物を指す。「癌」という用語は、本明細書において使用される場合、無制御の細胞分裂（又は生存若しくはアポトーシス抵抗性の増大）及び上記細胞が他の隣接組織に侵入し（浸潤）、リンパ管及び血管を通って細胞が通常見られない身体の他の領域に広がり（転移）、血流中を循環した後、身体の他の部分の正常組織に侵入する能力によって特徴付けられる疾患を指す。腫瘍は、浸潤及び転移によって広がることができるか否かに応じて、良性又は悪性のいずれかに分類される。良性腫瘍は、浸潤又は転移によって広がることができない腫瘍であり、すなわち、局所的にのみ増殖し、悪性腫瘍は、浸潤及び転移によって広がることが可能な腫瘍である。抗腫瘍形成組成物は、図１２～図２７に関して開示されたものの１つ以上を含む、１つ以上の抗腫瘍形成組成物を含み得る。

【0090】

本明細書において使用される場合、癌という用語は、好ましくは固形腫瘍及び／又は浸潤性腫瘍を指す。

【0091】

本明細書において使用される場合、「固形腫瘍」は、通常は嚢胞又は液体領域を含まない異常な組織塊と理解される。様々なタイプの固形腫瘍が、それらを形成する細胞のタイプから命名される。固形腫瘍の例は肉腫、癌腫及びリンパ腫である。白血病（血液の癌）は、一般に固形腫瘍を形成しない。

【0092】

本明細書において使用される場合、「浸潤性腫瘍」は、明らかな成長結節及び浸潤性増殖を同時に示す異常な腫瘍構造を有する腫瘍と理解される。

【0093】

好ましくは、本発明は、以下のタイプを含むが、これらに限定されない癌を対象とする：乳癌；胆道癌；膀胱癌；膠芽腫、特に多形性膠芽腫及び髄芽腫を含む脳癌；子宮頸癌；頭頸部癌；絨毛癌；結腸癌、大腸癌；子宮内膜癌；食道癌；胃癌；ボーエン病及びパジェット病を含む上皮内新生物；肝癌、肝細胞癌；肺癌、胸膜中皮腫；扁平上皮癌を含む口腔癌；耳下腺癌；上皮細胞、間質細胞、胚細胞及び間葉細胞から生じるものを含む卵巣癌；膵癌；前立腺癌；腎臓癌（kidney cancer）、副腎癌；直腸癌；平滑筋肉腫、横紋筋肉腫、脂肪肉腫、線維肉腫及び骨肉腫を含む肉腫；黒色腫、メルケル細胞癌、カポジ肉腫、基底細胞癌及び扁平上皮癌を含む皮膚癌；頸癌、子宮内膜癌；セミノーマ、非セミノーマ（奇形腫、絨毛癌）、間質腫瘍及び胚細胞腫瘍等の生殖細胞腫瘍を含む精巣癌；甲状腺腺癌及び髄様癌を含む甲状腺癌；並びに腺癌及びウィルムス腫瘍を含む腎癌（renal cancer）。

【0094】

特定の実施形態において、癌は黒色腫である。「黒色腫」という用語は、本明細書において使用される場合、メラノサイトの悪性皮膚腫瘍を指し、黒色腫、転移性黒色腫、メラノサイト又はメラノサイト関連母斑細胞のいずれかに由来する黒色腫、悪性黒色腫、黒色上皮腫、黒色肉腫、上皮内黒色腫、表在拡大型黒色腫、結節型黒色腫、悪性黒子黒色腫、末端性黒子性黒色腫、浸潤性黒色腫及び家族性異型母斑黒色腫（ＦＡＭ－Ｍ）症候群を含むが、これらに限定されない。さらに、「黒色腫」という用語は、原発性黒色腫だけでなく、「黒色腫転移」も指し、これは本明細書において使用される場合、所属リンパ節及び／又は遠隔臓器への黒色腫細胞の広がりを指す。黒色腫が多様な増殖速度、核型、細胞表面特性、抗原性、免疫原性、浸潤、転移、及び細胞毒性薬又は生物学的薬剤に対する感受性を特徴とする複数の細胞集団を含むことを考えると、この事象は頻繁に起こる。黒色腫は脳、肺、リンパ節及び皮膚への頻繁な転移を示す。他の癌も当業者に既知であろう。

【0095】

図１２は、Ｕ８７ＭＧ細胞に対するＴＴ領域（「ＴＴＦ」）、ハイパーサーミア（「ＨＴ」）、プテロスチルベン（「ＰＴ」）及びそれらの組合せのｉｎｖｉｔｒｏ影響を示す実験データを示す。適用したＴＴ領域は、８μＴの平均磁束密度にて３００ｋＨｚで２４０分間（０分から２４０分まで）であった。適用したハイパーサーミアは、４２℃で１０分間（１２０分から１３０分まで）であった。２０μＭのプテロスチルベンを１２０分間（１２０分から２４０分まで）適用した。データは、５回の実験についての生存細胞の平均数を示し、＊と表示したものは対照に対し、＋と表示したものはＴＴＦに対し、＃と表示したものはＴＴＦ＋ＨＴに対してスチューデントｔ検定を用いてＰ＜０．０１である。磁場は、ソレノイドの中心軸でおよそ１００μＴの磁束密度を有するソレノイドを用いて適用した。ソレノイドは、細胞が付着した培養フラスコの表面上の平均電界強度が８μＴとなるように、細胞培養物から少し離して配置した。

【0096】

先に既に示したように、また図１２に見ることができるように、ハイパーサーミアが非電離交流電磁場（ＴＴ領域）の抗癌効果を増強することが見出されたことに留意されたい。特に、この組合せは、細胞生存性を低下させた上で、ハイパーサーミアのはるかに低い温度（４２℃以下）を可能にする。これはまた、より大きな体積の組織をハイパーサーミアによって加熱し、標的とし得ることを意味する。したがって、本明細書に開示される装置は、癌性部位のＴＴ領域及び直接加熱（すなわちメディエーターを介しない）を適用することによって癌性部位を治療する効果的な方法を提供する。さらに、図１２に示されるように、ＴＴ領域、ハイパーサーミア及びプテロスチルベンの組合せは、ｉｎｖｉｔｒｏで全ての細胞を効果的に排除する。この併用療法は、プテロスチルベンの使用量がｉｎｖｉｖｏで忍容性良好であることから、ｉｎｖｉｖｏでいかなる実質的な副作用も有しないことが予想される。

【0097】

図１３は、様々な振動磁場に曝露した際のＵ８７ＭＧ（ＡＴＣＣ）細胞の細胞生存性に対する影響についてのｉｎｖｉｔｒｏ実験データを示す。種々の細胞培養物を以下の磁場の１つに曝露した：１００ｋＨｚの周波数で２４μＴ、２００ｋＨｚの周波数で１２μＴ、３００ｋＨｚの周波数で８μＴ又は４００ｋＨｚの周波数で６μＴ。各周波数についての細胞生存性を１時間、２時間、３時間、４時間及び５時間後に測定した。５回の独立した実験を各周波数及び時点について行った。各周波数のデータは、５回の対応する実験について経時的（左から右へ１時間～５時間）に平均細胞生存性及び標準偏差を示す。２元配置分散分析（ＡＮＯＶＡ）を用いて異なる群間の比較を行った。全ての周波数で細胞生存性が低下し、その影響が３００ｋＨｚ以下の周波数で更に増大することが分かる。「ａ」～「ｆ」の文字は、データに適用された統計的検定に基づいてデータに割り当てたものである。同じ文字が付されたデータは、統計的に類似しているとみなされ、異なる文字を割り当てたデータは、０．０１未満のＰで有意に異なるとみなされる。

【0098】

図１４は、熱に曝露した際のＵ８７ＭＧ細胞の細胞生存性に対する影響についてのｉｎｖｉｔｒｏ実験データを示す。種々の細胞培養物を３７℃、３８℃、３９℃、４０℃、４１℃又は４２℃の温度に加熱した。５回の独立した実験を各温度及び時点について行った。各温度のデータは、その温度への５分間及び１０分間の曝露後の５回の対応する実験の平均細胞生存性及び標準偏差を示す。非常に高い熱（４１℃以上）に相当するハイパーサーミアは、Ｕ８７ＭＧ細胞の生存性を有意に低下させた。＊と表示したデータは、対応する時間での３７℃のデータと比較して０．０１未満のＰ値（スチューデントｔ検定）を示し、＋と表示したデータは、同じ温度で５分間のデータと比較して１０分間のデータで０．０１未満のＰ値を示す。

【0099】

図１５Ｂ～図１５Ｆは、異なる外的処理に曝露した後のｉｎｖｉｔｒｏＵ８７ＭＧ細胞培養物の顕微鏡画像を示す。図１５Ａは、いかなる外的処理にも曝露せず、３７℃の生理的内部温度に維持した対照ｖｉｔｒｏＵ８７ＭＧ細胞培養物の顕微鏡画像を示す。図１５Ｂは、０分から２４０分まで３００ｋＨｚで約８μＴの磁束密度を有する電磁場に曝露した後の細胞培養物を示す。図１５Ｃは、１２０分から１３０分までの１０分間にわたって４２℃への加熱に曝露した後の細胞培養物を示す。図１５Ｄは、１２０分から２４０分まで２０μＭプテロスチルベンに曝露した後の細胞培養物を示す。図１５Ｅは、０分から２４０分まで３００ｋＨｚで約８μＴの磁束密度を有する電磁場に曝露し、１２０分から２４０分まで２０μＭプテロスチルベンに曝露した後の細胞培養物を示す。図１５Ｆは、０分から２４０分まで３００ｋＨｚで約８μＴの磁束密度を有する電磁場に曝露し、１２０分から１３０分までの１０分間にわたって４２℃への加熱に曝露し、１２０分から２４０分まで２０μＭプテロスチルベン（ＰＴ）に曝露した後の細胞培養物を示す。ＴＴＦ＋ＨＴ＋ＰＴの組合せが全てのＵ８７ＭＧ増殖細胞を完全に排除することに留意されたい。この療法は、Ｃ６及びＧＬ２６１等の他の膠芽腫株で同じ有効性を示す。

【0100】

図１６は、約２４０分間にわたって３００ｋＨｚで約８μＴの磁束密度を有する電磁場（「ＴＴＦ」と表示したデータ）、約１０分間にわたって４２℃の温度（ＨＴと表示したデータ）、５０μＭテモゾロミド（「ＴＭＺ」と表示したデータ）及びそれらの組合せに曝露した際のＵ８７ＭＧ細胞の細胞生存性に対する影響についてのｉｎｖｉｔｒｏ実験データを示す。データは、５回の独立した実験の平均値を示す。＊と表示したデータは、対照と比較して０．０１未満のＰ値（スチューデントｔ検定）を示す。＋と表示したデータは、ＴＴＦのみのデータと比較して０．０１未満のＰ値（スチューデントｔ検定）を示す。＃と表示したデータは、ＴＴＦ＋ＨＴデータと比較して０．０１未満のＰ値（スチューデントｔ検定）を示す。

【0101】

図１７は、約２４０分間にわたって３００ｋＨｚで約８μＴの磁束密度を有する電磁場（「ＴＴＦ」と表示したデータ）、１２０分から１３０分の約１０分間にわたって４２℃の温度（ＨＴと表示したデータ）、２１０分から２４０分に２０μＭレスベラトロール（「Ｒ」と表示したデータ）、２１０分から２４０分に２０μＭレスベラトロール三リン酸（「Ｒ－ｔｒｉＰ」と表示したデータ）、２１０分から２４０分に２０μＭ４’－ブチレート－３，５－ジヒドロキシスチルベン（「Ｂ－ｄｉＯＨ－ｓ」と表示したデータ）、２１０分から２４０分に２０μＭ３－グルコシド－５，４’－ジヒドロキシスチルベン（「Ｇ－ｄｉＯＨ－ｓ」と表示したデータ）、２１０分から２４０分に２０μＭ３－アミド－５，４’－ジヒドロキシスチルベン（「Ａ－ｄｉＯＨ－ｓ」と表示したデータ）及びそれらの組合せに曝露した際のＵ８７ＭＧ細胞の細胞生存性に対する影響についてのｉｎｖｉｔｒｏ実験データを示す。データは、４回の独立した実験についての平均＋標準偏差である。＊と表示したデータは、対照と比較して０．０１未満のＰ値（スチューデントｔ検定）を示す。＋と表示したデータは、ＴＴＦのみのデータと比較して０．０１未満のＰ値（スチューデントｔ検定）を示す。＃と表示したデータは、ＴＴＦ＋ＨＴデータと比較して０．０１未満のＰ値（スチューデントｔ検定）を示す。ＴＴＦ＋ＨＴ＋Ｇ－ｄｉＯＨ－ｓについて細胞生存性の有意な低下が起こることが観察されるが、レスベラトロール及びその誘導体がｉｎｖｉｔｒｏで増殖している全てのＵ８７ＭＧ細胞を排除するわけではないことが観察される。

【0102】

腫瘍治療領域及びＰＴへの曝露と組み合わせた加熱による療法の有効性は、Ａ２０５８（黒色腫）、ＡｓＰＣ－１（膵癌）、Ａ５４９（肺癌）、ＭＣＦ－７（乳腺癌）、ＨＴ－２９（大腸癌）、ＰＣ－３（前立腺癌）、ＳＫ－ＯＶ－３（卵巣癌）及びＨｅｐＧ２（肝細胞癌）等の他の細胞株においてもｉｎｖｉｔｒｏで観察される。

【0103】

図１８は、様々な振動磁場に曝露した際のＡｓＰＣ１（膵臓腺癌、ＡＴＣＣ）細胞の細胞生存性に対する影響についてのｉｎｖｉｔｒｏ実験データを示す。種々の細胞培養物を以下の磁場の１つに曝露した：１００ｋＨｚで２μＴ、２００ｋＨｚで１．５μＴ、３００ｋＨｚで０．７μＴ又は４００ｋＨｚで０．５μＴ。各周波数についての細胞生存性を１時間、２時間、３時間、４時間及び５時間後に各細胞培養物について測定した。５回の独立した実験を各周波数及び時点について行った。各周波数についてのデータは、５回の対応する実験について経時的（左から右へ１時間～５時間）に平均細胞生存性及び標準偏差を示す。２元配置分散分析（ＡＮＯＶＡ）を用いて異なる群間の比較を行った。２００ｋＨｚ以下の周波数で細胞生存性が低下することが分かる。「ａ」及び「ｂ」の文字は、データに適用された統計的検定に基づいてデータに割り当てたものである。同じ文字が付されたデータは、統計的に類似しているとみなされ、異なる文字を割り当てたデータは、０．０１未満のＰで有意に異なるとみなされる。

【0104】

図１９は、熱に曝露した際のＡｓＰＣ１細胞の細胞生存性に対する影響についてのｉｎｖｉｔｒｏ実験データを示す。種々の細胞培養物を３７℃、４２℃、４７℃又は５２℃の温度に加熱した。５回の独立した実験を各温度及び時点について行った。各温度のデータは、その温度への５分間、１０分間及び２０分間の曝露後の５回の対応する実験の平均細胞生存性及び標準偏差を示す。４７℃以上に加熱すると、ＡｓＰＣ１細胞の生存性が有意に低下した。＊と表示したデータは、対応する時間での３７℃のデータと比較して０．０１未満のＰ値（スチューデントｔ検定）を示し、＋と表示したデータは、同じ温度で５分間のデータと比較して１０分間及び２０分間のデータで０．０１未満のＰ値を示す。

【0105】

図２０は、ＡｓＰＣ１細胞に対するＴＴ領域（「ＴＴＦ」）、ハイパーサーミア（「ＨＴ」）、プテロスチルベン（「ＰＴ」）及びそれらの組合せのｉｎｖｉｔｒｏ影響を示す実験データを示す。ＴＴＦデータについては、適用したＴＴ領域は、１．５μＴの電界強度にて２００ｋＨｚで２４０分間（０分から２４０分まで）であった。ＨＴデータについては、適用したハイパーサーミアは、５２℃で２０分間（１２０分から１４０分まで）であった。ＰＴデータについては、２０μＭのプテロスチルベンを０分から２４０分まで適用した。データは、５回の実験についての生存細胞の平均数を示し、＊と表示したものは対照に対し、＋と表示したものはＴＴＦに対し、＃と表示したものはＴＴＦ＋ＨＴに対してスチューデントｔ検定を用いてＰ＜０．０１である。

【0106】

図２１Ｂ～図２１Ｈは、異なる外的処理に曝露した後のｉｎｖｉｔｒｏＡｓＰＣ１細胞培養物の顕微鏡画像を示す。図２１Ａは、いかなる外的処理にも曝露せず、ＡｓＰＣ１に最適な温度に維持した対照ｖｉｔｒｏＡｓＰＣ１細胞培養物の顕微鏡画像を示す。図２１Ｂは、０分から２４０分まで２００ｋＨｚで約１．５μＴの磁束密度を有する電磁場に曝露した後の細胞培養物を示す。図２１Ｃは、１２０分から１４０分までの２０分間にわたって５２℃への加熱に曝露した後の細胞培養物を示す。図２１Ｄは、０分から２４０分まで２０μＭプテロスチルベンに曝露した後の細胞培養物を示す。図２１Ｅは、０分から２４０分まで２００ｋＨｚで約１．５μＴの磁束密度を有する電磁場に曝露し、１２０分から１４０分までの２０分間にわたって５２℃への加熱に曝露した後の細胞培養物を示す。図２１Ｆは、０分から２４０分まで２００ｋＨｚで約１．５μＴの磁束密度を有する電磁場に曝露し、０分から２４０分まで２０μＭプテロスチルベン（ＰＴ）に曝露した後の細胞培養物を示す。図２１Ｇは、０分から２４０分まで２００ｋＨｚで約１．５μＴの磁束密度を有する電磁場に曝露し、１２０分から１４０分までの２０分間にわたって５２℃への加熱に曝露し、０分から２４０分まで２０μＭプテロスチルベン（ＰＴ）に曝露した後の細胞培養物を示す。図２１Ｈは、２４時間（その間は培養細胞をいかなる処理もなしに３７℃に維持した）後の図２１Ｇの細胞培養物を示す。増殖細胞は、図２１Ｇの併用処理の２４時間後に回復していないようである。

【0107】

図２２は、ＡｓＰＣ１細胞に対するＴＴ領域（「ＴＴＦ」）、ハイパーサーミア（「ＨＴ」）、ゲムシタビン（「ＧＥＭ」）、プテロスチルベン（「ＰＴ」）及びそれらの組合せのｉｎｖｉｔｒｏ影響を示す実験データを示す。ＴＴＦデータについては、適用したＴＴ領域は、１．５μＴの電界強度にて２００ｋＨｚで２４０分間（０分から２４０分まで）であった。ＨＴデータについては、適用したハイパーサーミアは、５２℃で２０分間（１２０分から１４０分まで）であった。ＧＥＭデータについては、２５μＭのゲムシタビンを０分から２４０分まで適用した。ＰＴデータについては、２０μＭのプテロスチルベンを０分から２４０分まで適用した。データは、１実験条件当たり５回の実験についての生存細胞の平均数を示し、＊と表示したものは対照に対し、＋と表示したものはＴＴＦに対し、＃と表示したものはＴＴＦ＋ＨＴに対してスチューデントｔ検定を用いてＰ＜０．０１である。４つ全ての処理を組み合わせて適用すると、ＡｓＰＣ１細胞が排除された。

【0108】

図２３は、異なる振動磁場に曝露した際のＡ２０５８（黒色腫、ＡＴＣＣ）細胞の細胞生存性に対する影響についてのｉｎｖｉｔｒｏ実験データを示す。種々の細胞培養物を以下の磁場の１つに曝露した：１００ｋＨｚの周波数で２μＴ、２００ｋＨｚの周波数で１．５μＴ、３００ｋＨｚの周波数で０．７μＴ又は４００ｋＨｚの周波数で０．５μＴ。各周波数についての細胞生存性を１時間、２時間、３時間、４時間及び５時間後に各細胞培養物について測定した。５回の独立した実験を各周波数及び時点について行った。各周波数についてのデータは、５回の対応する実験について経時的（左から右へ１時間～５時間）に平均細胞生存性及び標準偏差を示す。２元配置分散分析（ＡＮＯＶＡ）を用いて異なる群間の比較を行った。３００ｋＨｚ未満の全ての周波数で細胞生存性が低下することが分かる。「ａ」及び「ｂ」の文字は、データに適用された統計的検定に基づいてデータに割り当てたものである。同じ文字が付されたデータは、統計的に類似しているとみなされ、異なる文字を割り当てたデータは、０．０１未満のＰで有意に異なるとみなされる。

【0109】

図２４は、熱に曝露した際のＡ２０５８細胞の細胞生存性に対する影響についてのｉｎｖｉｔｒｏ実験データを示す。種々の細胞培養物を３７℃、４２℃、４７℃又は５２℃の温度に加熱した。５回の独立した実験を各温度及び時点について行った。各温度のデータは、その温度への５分間、１０分間及び２０分間の曝露後の５回の対応する実験の平均細胞生存性及び標準偏差を示す。５２℃に加熱すると、Ａ２０５８細胞の生存性が有意に低下した。＊と表示したデータは、対応する時間での３７℃のデータと比較して０．０１未満のＰ値（スチューデントｔ検定）を示し、＋と表示したデータは、同じ温度で５分間のデータと比較して１０分間及び２０分間のデータで０．０１未満のＰ値を示す。

【0110】

図２５は、Ａ２０５８細胞に対するＴＴ領域（「ＴＴＦ」）、ハイパーサーミア（「ＨＴ」）、プテロスチルベン（「ＰＴ」）及びそれらの組合せのｉｎｖｉｔｒｏ影響を示す実験データを示す。ＴＴＦデータについては、適用したＴＴ領域は、１．５μＴの電界強度にて２００ｋＨｚで２４０分間（０分から２４０分まで）であった。ＨＴデータについては、適用したハイパーサーミアは、５２℃で２０分間（１２０分から１４０分まで）であった。ＰＴデータについては、２０μＭのプテロスチルベンを０分から２４０分まで適用した。データは、１実験条件当たり５回の実験についての生存細胞の平均数を示し、＊と表示したものは対照に対し、＋と表示したものはＴＴＦに対し、＃と表示したものはＴＴＦ＋ＨＴに対してスチューデントｔ検定を用いてＰ＜０．０１である。４つ全ての処理の適用が、細胞の生存性をＴＴＦ＋ＨＴと比較して有意に低下させた。

【0111】

図１２、図２０及び図２５のデータを比較すると、より高い磁束密度（約８μＴ以上）を用いることで、処理の有効性を維持しながら又は更には改善した上で、より低い温度に組織を加熱することが可能となることがデータから示される。４２℃超の温度への加熱及びプテロスチルベンの投与と組み合わせた、このようなより高い磁束密度の組合せは、腫瘍を排除するのに十分であり得る。このことは、限られた加熱しか適用することができない身体の領域（例えば脳）にとって特に重要である。例えば図２２のデータから、より低い磁場を用いる場合であっても、腫瘍治療領域及び加熱をプテロスチルベン及び別の抗癌薬の１つ以上と組み合わせて用いれば、癌細胞を低減するか又は更には排除し得ることが示される。

【0112】

図２６Ｂ～図２６Ｈは、異なる外的処理に曝露した後のｉｎｖｉｔｒｏＡ２０５８細胞培養物の顕微鏡画像を示す。図２６Ａは、いかなる外的処理にも曝露せず、３７℃の生理的内部温度に維持した対照ｉｎｖｉｔｒｏＡｓＰＣ１細胞培養物の顕微鏡画像を示す。図２６Ｂは、０分から２４０分まで２００ｋＨｚで約１．５μＴの磁束密度を有する電磁場に曝露した後の細胞培養物を示す。図２６Ｃは、１２０分から１４０分までの２０分間にわたって５２℃への加熱に曝露した後の細胞培養物を示す。図２６Ｄは、０分から２４０分まで２０μＭプテロスチルベンに曝露した後の細胞培養物を示す。図２６Ｅは、０分から２４０分まで２００ｋＨｚで約１．５μＴの磁束密度を有する電磁場に曝露し、０分から２４０分まで２０μＭプテロスチルベンに曝露した後の細胞培養物を示す。図２６Ｆは、０分から２４０分まで２００ｋＨｚで約１．５μＴの磁束密度を有する電磁場に曝露し、１２０分から１４０分までの２０分間にわたって５２℃への加熱に曝露した後の細胞培養物を示す。図２６Ｇは、０分から２４０分まで２００ｋＨｚで約１．５μＴの磁束密度を有する電磁場に曝露し、１２０分から１４０分までの２０分間にわたって５２℃への加熱に曝露し、０分から２４０分まで２０μＭプテロスチルベン（ＰＴ）に曝露した後の細胞培養物を示す。図２６Ｈは、２４時間（その間は培養細胞をいかなる処理もなしに３７℃に維持した）後の図２６Ｇの細胞培養物を示す。増殖細胞は、図２６Ｇの併用処理の２４時間後に回復していないようである。

【0113】

図２７は、Ａ２０５８細胞に対するＴＴ領域（「ＴＴＦ」）、ハイパーサーミア（「ＨＴ」）、パクリタキセル（「ＰＡＣ」）及びそれらの組合せのｉｎｖｉｔｒｏ影響を示す実験データを示す。ＴＴＦデータについては、適用したＴＴ領域は、１．５μＴの電界強度にて２００ｋＨｚで２４０分間（０分から２４０分まで）であった。ＨＴデータについては、適用したハイパーサーミアは、５２℃で２０分間（１２０分から１４０分まで）であった。ＰＡＣデータについては、１０μＭのパクリタキセルを０分から２４０分まで適用した。データは、１実験条件当たり５回の実験についての生存細胞の平均数を示し、＊と表示したものは対照に対し、＋と表示したものはＴＴＦに対し、＃と表示したものはＴＴＦ＋ＨＴに対してスチューデントｔ検定を用いてＰ＜０．０１である。３つ全ての処理の適用により細胞が排除された。

【0114】

表１は、ｉｎｖｉｔｒｏでのＵ８７ＭＧ、ＡｓＰＣ１及びＡ２０５８細胞の細胞生存性に対するＧＳＨ枯渇の影響を試験したデータを示す。「ＴＴＦ」を含む行については、ＴＴ領域を１．５μＴの電界強度にて２００ｋＨｚで２４０分間（０分から２４０分まで）適用した。「ＨＴ」を含む行については、適用したハイパーサーミアは、Ｕ８７ＭＧでは４２℃、ＡｓＰＣ１及びＡ２０５８では５２℃で２０分間（１２０分から１４０分まで）であった。「ＢＳＯ」を含む行については、ＧＳＨ合成の特異的阻害剤である１ｍＭのブチオニンスルホキシミンを、培養物の細胞を播種した時点で細胞培養培地に添加した。ＨＴ及びＴＴＦをＢＳＯと組み合わせて適用する場合、ＨＴ及びＴＴＦは、播種の２４時間後に適用した。データは、５回の独立した実験についての平均及び標準偏差を示す。＊と表示したデータは、対照データと比較して０．０１未満のＰ値（スチューデントｔ検定）を有する。＋と表示したデータは、ＴＴＦ＋ＨＴデータと比較して０．０１未満のＰ値（スチューデントｔ検定）を有する。そのデータは、ＧＳＨ枯渇が電磁放射及び熱の抗癌効果を増強することを示す。

【0115】

【表1】

【0116】

したがって、プテロスチルベンの適用と組み合わせた本明細書に開示される装置の使用は、癌性部位を治療する非常に効果的な方法を提供し、癌性細胞全体を完全に排除することさえできる。したがって、一態様において、上記抗腫瘍形成組成物は、（ｉ）プテロスチルベン、プテロスチルベンホスフェート又はその薬学的に許容可能な塩を含む。代替的には、抗癌組成物は共結晶、水溶性プロドラッグ、ナノ粒子、ナノドット、ナノロブ（nanorob）、ナノスパイク、ナノロッド、ナノクラスター、ナノセラミック、リポソーム若しくはエキソソーム配合物で提供されてもよく、又は身体に埋め込まれた場合に抗癌組成物を放出するように構成された埋込み型デバイスで提供されてもよい。上記抗腫瘍形成組成物が任意の抗酸化組成物を含み得ることに留意されたい。この意味で、抗腫瘍形成組成物は、プテロスチルベンとは別に、抗腫瘍形成剤として適した任意のスチルベノイド、例えばレスベラトロールを含み得る。

【0117】

（ｉ）プテロスチルベン及びプテロスチルベンホスフェート
「プテロスチルベン」又は「Ｐｔｅｒ」又は「ｔｒａｎｓ－３，５－ジメトキシ－４’－ヒドロキシスチルベン」という用語は、本明細書において使用される場合、式：

【化1】

の化合物を指す。

【0118】

「プテロスチルベンホスフェート」という用語は、式：

【化2】

の化合物を指す。

【0119】

「薬学的に許容可能な塩」という用語は、レシピエントへの投与後に本明細書に記載される化合物を（直接又は間接的に）提供することが可能なプテロスチルベン又はプテロスチルベンホスフェートの任意の塩を指す。好ましくは、本明細書において使用される場合、「薬学的に許容可能な塩」という用語は、連邦政府若しくは州政府の規制機関によって承認されるか、又は動物、より詳細にはヒトへの使用について米国薬局方若しくは他の一般に認められる薬局方に掲載されていることを意味する。塩の調製は、当該技術分野で既知の方法によって行うことができる。薬学的に許容可能な塩の例示的な非限定的な例としては、硫酸塩、クエン酸塩、酢酸塩、シュウ酸塩、塩化物、臭化物、ヨウ化物、硝酸塩、硫酸水素塩、リン酸塩、過リン酸塩、イソニコチン酸塩、乳酸塩、サリチル酸塩、過クエン酸塩（acid citrate）、酒石酸塩、オレイン酸塩、タンニン酸塩、パントテン酸塩、酒石酸水素塩、アスコルビン酸塩、コハク酸塩、マレイン酸塩、ゲンチジン酸塩（gentisinate）、フマル酸塩、グルコン酸塩、グロクロン酸塩、サッカリン酸塩、ギ酸塩、安息香酸塩、グルタミン酸塩、メタンスルホン酸塩、エタンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、ｐ－トルエンスルホン酸塩及びパモ酸塩が挙げられるが、これらに限定されない。プテロスチルベン又はプテロスチルベンホスフェートの薬学的に許容可能な塩は、酸性官能基を有するポリフェノール化合物及び許容可能な無機又は有機塩基から調製するのが好ましい。好適な塩基としては、ナトリウム、カリウム及びリチウム等のアルカリ金属の水酸化物；カルシウム及びマグネシウム等のアルカリ土類金属の水酸化物；アルミニウム及び亜鉛等の他の金属の水酸化物；アンモニア及び有機アミン、例えば非置換又はヒドロキシ置換モノ－、ジ－又はトリ－アルキルアミン、ジシクロヘキシルアミン；トリブチルアミン；ピリジン；Ｎ－メチルアミン、Ｎ－エチルアミン；ジエチルアミン；トリエチルアミン；モノ－、ビス－又はトリス－（２－ヒドロキシ置換低級アルキルアミン）、例えばモノ－、ビス－又はトリス－（２－ヒドロキシエチル）アミン、２－ヒドロキシ－ｔｅｒｔ－ブチルアミン又はトリス－（ヒドロキシメチル）メチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジ－低級アルキル－Ｎ－（ヒドロキシ低級アルキル）－アミン、例えばＮ，Ｎ－ジメチル－Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）アミン又はトリ－（２－ヒドロキシエチル）アミン；Ｎ－メチル－０－グルカミン；並びにアルギニン、リジン等のアミノ酸等が挙げられるが、これらに限定されない。「薬学的に許容可能な塩」という用語は、ポリフェノール化合物の水和物も含む。特定の実施形態において、薬学的に許容可能な塩は二ナトリウム塩である。

【0120】

本発明に従うことができる癌化学療法剤の更なる例示的な非限定的な例としては、アルキル化剤、例えばナイトロジェンマスタード／オキサザホスホリン（例えばシクロフォスファミド、イホスファミド）、ニトロソウレア（例えばカルムスチン）、トリアゼン（例えばテモゾラミド（temozolamide））及びスルホン酸アルキル（例えばブスルファン）；代謝拮抗薬（例えば５－フルオロウラシル、カペシタビン、６－メルカプトプリン、メトトレキサート、ゲムシタビン、シタラビン、フルダラビン又はペメトレキセド）；ドキソルビシン及びダウノルビシン等のアントラサイクリン抗生物質、Ｔａｘｏｌ（商標）及びドセタキセル等のタキサン、ビンクリスチン及びビンブラスチン等のビンカアルカロイド、５－フルオロウラシル（５－ＦＵ）、ロイコボリン、イリノテカン、イダルビシン、マイトマイシンＣ、オキサリプラチン、ラルチトレキセド、ペメトレキセド、タモキシフェン、シスプラチン、カルボプラチン、メトトレキサート、アクチノマイシンＤ、ミトキサントロン、ｂｌｅｎｏｘａｎｅ、ミトラマイシン、パクリタキセル、２－メトキシエストラジオール、プリノマスタット、バチマスタット、ＢＡＹ１２－９５６６、カルボキシアミドトリアゾール、ＣＣ－１０８８、デキストロメトルファン酢酸、ジメチルキサンテノン酢酸、エンドスタチン、ＩＭ－８６２、マリマスタット、ペニシラミン、ＰＴＫ７８７／ＺＫ２２２５８４、ＲＰＩ．４６１０、乳酸スクアラミン、ＳＵ５４１６、サリドマイド、コンブレタスタチン、ＣＯＬ－３、ｎｅｏｖａｓｔａｔ、ＢＭＳ－２７５２９１、ＳＵ６６６８、抗ＶＥＧＦ抗体、Ｍｅｄｉ－５２２（ＶｉｔａｘｉｎＩＩ）、ＣＡＩ、インターロイキン１２、ＩＭ８６２、アミロライド、アンギオスタチン、アンギオスタチンＫ１－３、アンギオスタチンＫ１－５、カプトプリル、ＤＬ－α－ジフルオロメチルオルニチン、ＤＬ－α－ジフルオロメチルオルニチンＨＣｌ、エンドスタチン、フマギリン、ハービマイシンＡ、４－ヒドロキシフェニルレチナミド、ジュグロン、ラミニン、ラミニンヘキサペプチド、ラミニンペンタペプチド、ラベンダスチンＡ、メドロキシプロゲステロン、ミノサイクリン、胎盤リボヌクレアーゼ阻害剤、スラミン、トロンボスポンジン、血管新生促進因子を標的とした抗体（例えばベバシズマブ、セツキシマブ、パニツムマブ、トラスツズマブ）；トポイソメラーゼ阻害剤；微小管阻害薬；血管新生促進成長因子の低分子量チロシンキナーゼ阻害剤（例えばエルロチニブ、ソラフェニブ、スニチニブ、ゲフィチニブ）；ＧＴＰアーゼ阻害剤；ヒストン脱アセチル化酵素阻害剤；ＡＫＴキナーゼ又はＡＴＰアーゼ阻害剤；Ｗｎｔシグナル伝達阻害剤；Ｅ２Ｆ転写因子の阻害剤；ｍＴＯＲ阻害剤（例えばテムシロリムス）；α、β及びγインターフェロン、ＩＬ－１２、マトリックスメタロプロテイナーゼ阻害剤（例えばＣＯＬ３、マリマスタット、バチマスタット）；ＺＤ６４７４、ＳＵ１１２４８、ｖｉｔａｘｉｎ；ＰＤＧＦＲ阻害剤（例えばイマチニブ）；ＮＭ３及び２－ＭＥ２；シレンギチド等の環状ペプチドが挙げられる。好適な他の化学療法剤は、The Merck Index in CD-ROM, 13rd Editionに詳細に記載されている。本発明の好ましい実施形態において、化学療法剤はドセタキセル（Ｔａｘｏｔｅｒｅ（商標））、シスプラチン、ペメトレキセド、ゲムシタビン及びイリノテカンからなる群から選択される。

【0121】

特定の実施形態において、癌化学療法剤は、好ましくはパクリタキセルを含むか又はそれからなるタキサンである。「パクリタキセル」という用語は、本明細書において使用される場合、化学名（２α，４α，５β，７β，１０β，１３α）－４，１０－ビス（アセチルオキシ）－１３－｛［（２Ｒ，３Ｓ）－３（ベンゾイルアミノ）－２－ヒドロキシ－３－フェニルプロパノイル］オキシ｝－１，７－ジヒドロキシ－９－オキソ－５，２０－エポキシタキサ－１１－エン－２－イルベンゾエートを有し、化学式：

【化3】

を有する化合物を指す。

【0122】

より特定の実施形態において、パクリタキセルは、タンパク質結合パクリタキセルである。「タンパク質結合パクリタキセル」又は「ｎａｂ－パクリタキセル」又は「ナノ粒子アルブミン結合パクリタキセル」という用語は、本明細書において使用される場合、パクリタキセルが送達ビヒクルとしてのアルブミンに結合した配合物を指す。

【0123】

癌化学療法剤は、本発明の組合せによって治療される癌のタイプに応じて異なる。当業者は、どの癌化学療法剤が特定のタイプの癌の治療により好適であるかを容易に決定することができる。

【0124】

また任意に、工程Ｓ４において、抗腫瘍形成化合物に加えてグルタチオン（ＧＳＨ）枯渇剤を標的部位に供給する。ＧＳＨ枯渇剤は、経口又は静脈内等の任意の好適な手段によって投与することができる。ＧＳＨ枯渇剤が工程Ｓ１、工程Ｓ２及び工程Ｓ３の前若しくはそれと同時に、又は工程Ｓ１、工程Ｓ２若しくは工程Ｓ３の所定の時間後、好ましくは工程Ｓ３の所定の時間後に供給され得ることに留意されたい。供給されるＧＳＨ枯渇剤は、図１２～図２７又は表１との関連を含めて本明細書に開示される任意のＧＳＨ枯渇剤であり得る。

【0125】

「グルタチオン枯渇剤」という用語は、本明細書において使用される場合、物質と接触した細胞からグルタチオンを低減又は排除する物質を指す。当業者は、特定の分子がグルタチオン枯渇剤であるかを、例えば特定の分子の効果をγ－グルタミル－システイニルリガーゼの特異的阻害剤であるブチオニンスルホキシミン（ＢＳＯ）の効果と比較することによって、Terradez P et al, Biochem J 1993, 292 (Pt 2): 477-83によりｉｎｖｉｔｒｏ及びｉｎｖｉｖｏ条件について記載された方法を用いて決定することが可能である。特定の実施形態において、特定の分子は、該分子がブチオニンスルホキシミンのグルタチオン枯渇効果の少なくとも１０％、少なくとも２０％、少なくとも３０％、少なくとも４０％、少なくとも５０％、少なくとも６０％、少なくとも７０％、少なくとも８０％、少なくとも９０％、１００％又はそれ以上を有する場合、グルタチオン枯渇剤である。グルタチオン枯渇剤の例示的な非限定的な例は以下の通りである。

【0126】

ａ）Ortega, et al., Cancers (Basel) 2011, 3, 1285-1310に記載されているようなＢｃｌ－２アンチセンスオリゴデオキシヌクレオチド、すなわち、Ｂｃｌ－２遺伝子のＲＮＡ配列に相補的なオリゴデオキシヌクレオチド。Ｂｃｌ－２アンチセンスオリゴデオキシヌクレオチドの非限定的な例は、米国特許第５７３４０３３号、国際公開第２００３０４０１８２号、米国特許第５８３１０６６号に記載されている。特定の化合物がＢｃｌ－２アンチセンスオリゴデオキシヌクレオチドであるかを決定するアッセイは、例えばMena et al., Clinical Cancer Research 2007, 13 (9): 2658-66に記載されているようにＢｃｌ－２のｍＲＮＡレベル又はＢｃｌ－２タンパク質レベルに対する化合物の効果に基づくものである。

【0127】

ｂ）Ortega, et al.（上掲）に記載されているような多剤耐性タンパク質１（ＭＲＰ１）の阻害剤。「ＭＲＰ１阻害剤」という用語は、本明細書において使用される場合、ＭＲＰ１の活性を阻害する化合物を指す。阻害剤という用語には、限定されるものではないが、ＭＲＰ１のアンタゴニスト、ＭＲＰ１に対する抗体、ＭＲＰ１の発現を妨げる化合物、及びＭＲＰ１のｍＲＮＡ又はタンパク質レベルの低下をもたらす化合物が含まれる。ＭＲＰ１の阻害剤の非限定的な例は、ベラパミル及びＭＫ－５７１である。特定の化合物がＭＲＰ１阻害剤であるかを決定するアッセイは、例えばOlson D.P. et al., Cytometry 2001, 46 (2): 105-13に記載されている方法である。

【0128】

ｃ）Silber et al., Anal Biochem 1986, 158 (1): 68-71に記載されているようなγ－グルタミントランスペプチターゼ又はγ－グルタミルトランスフェラーゼ（ＧＧＴＰ又はＧＧＴ）の阻害剤。「ＧＧＴＰ阻害剤」という用語は、本明細書において使用される場合、グルタチオンのγ－グルタミル部分のアクセプターへの転移を触媒する酵素であるＧＧＴＰの活性を阻害する化合物を指す。阻害剤という用語には、限定されるものではないが、ＧＧＴＰのアンタゴニスト、ＧＧＴＰに対する抗体、ＧＧＴＰの発現を妨げる化合物、及びＧＧＴＰのｍＲＮＡ又はタンパク質レベルの低下をもたらす化合物が含まれる。ＧＧＴＰ阻害剤には、選択的阻害剤及び非選択的阻害剤（アスパラギン合成酵素にも影響を及ぼす）の両方が含まれる。ＧＧＴＰの阻害剤の非限定的な例は、アシビシン及び２－アミノ－４－｛［３－（カルボキシメチル）フェニル］（メチル）ホスホノ｝酪酸（ＧＧｓＴｏｐ（商標））である。特定の化合物がＧＧＴＰ阻害剤であるかを決定するアッセイは、例えばSilver et al., Anal Biochem 1986, 158 (1): 68-71に記載されているものである。

【0129】

ｄ）Obrador, et al., Hepatology 2002, 35, 74-81に記載されているようなシスチン取込みの阻害剤。「シスチン取込みの阻害剤」という用語は、ナトリウム非依存性Ｘ_ｃ系及びナトリウム依存性ＸＡＧ系を含む、細胞外シスチンを細胞内に輸送する系のいずれかを阻害する化合物を指す（McBean G.J. and Flynn J., Biochem Soc Trans. 2001, 29 (Pt6): 712-22）。阻害剤という用語には、競合的阻害剤及び非競合的阻害剤の両方が含まれる。シスチン取込みの阻害剤の非限定的な例は、アシビシン、Ｌ－グルタメート、Ｌ－セリン－ｏ－スルフェート、Ｌ－システインスルフィネート、Ｌ－システイン、Ｌ－ｔｒａｎｓ－ピロリジン－２，４－ジカルボキシレート及びカイナイトである。特定の化合物がシステイン取込みの阻害剤であるかを決定するアッセイは、例えば^３５Ｓ標識システインの取込みの決定に基づくアッセイである。

【0130】

ｅ）Gumireddy et al., J Carcinog Mutagen 2013 (2013)に記載されているような式：

【化4】

を有する化合物であるグルタチオンジスルフィド（ＮＯＶ－００２）又はその二ナトリウム塩であるグルタチオンジスルフィド二ナトリウム。

【0131】

ｆ）Trachootham, et al., Cancer Cell 2006, 10: 241-252に記載されているような式：

【化5】

を有する化合物であるフェネチルイソチオシアネート。

【0132】

ｇ）Min, et al., J Mol Med (Berl) 2012, 90: 309-319に記載されているようなグルココルチコイド受容体アンタゴニスト。「グルココルチコイド受容体アンタゴニスト」という用語は、グルココルチコイド受容体に結合し、受容体自体を活性化する実質的な能力を欠く化合物を指す。「グルココルチコイド受容体アンタゴニスト」という用語には、ニュートラルアンタゴニスト及びインバースアンタゴニストの両方が含まれる。「ニュートラルアンタゴニスト」は、アゴニストの作用を阻害するが、内因性又は自発性の受容体活性には影響を及ぼさない化合物である。「インバースアンタゴニスト」は、受容体でのアゴニストの作用を阻害するとともに、受容体の構成的活性を弱めることが可能である。「アンタゴニスト」という用語には、天然リガンドと同じ部位に結合する薬物である競合的アンタゴニスト、天然リガンドとは異なる受容体上の部位に結合する非競合的アンタゴニスト、受容体－リガンド動態によって決まる速度で受容体に結合し、結合を解除する可逆的アンタゴニスト、及び活性部位との共有結合を形成するか、又は単に解離速度が実質上ゼロになるように強固に結合することによって受容体に永続的に結合する不可逆的アンタゴニストも含まれる。グルココルチコイド受容体アンタゴニストの非限定的な例は、ＲＵ－４８６（ミフェプリストン）、ＲＵ－４３０４４、オクタヒドロフェナントレン、スピロ環ジヒドロピリジン、トリフェニルメタン及びジアリールエーテル、クロメン、ジベンジルアニリン、ジヒドロイソキノリン、ピリミジンジオン、アザデカリン、アリールピラゾロアザデカリン、１１－モノアリールステロイド、フェナントレン、ジベンゾール［２．２．２］シクロオクタン及び誘導体、ジベンゾシクロヘプタン及びそれらの誘導体、ジベンジルアニリンスルホンアミド及びそれらの誘導体、ジヘテロ（アリール）ペンタノール、クロメン誘導体、アザデカリン、アリールキノロン、１１，２１－ビスアリールステロイド及び１１－アリールステロイド及び１６－ヒドロキシステロイド、並びに二重アンタゴニスト－アゴニストであるベクロメタゾン、ベタメタゾン、ブデソニド、シクレソニド、フルニソリド、フルチカゾン、モメタゾン及びトリアムシノロンである。特定の化合物がグルココルチコイド受容体アンタゴニストであるかは、例えばグルココルチコイド受容体経路レポーターキット（BPS BIOSCIENCE，SAN DIEGO，CA，USA）のような市販のキットによって決定することができる。

【0133】

ｈ）Obrador et al. J Biol Chem 2011, 286: 15716-15727に記載されているような抗ＩＬ－６剤。「抗ＩＬ－６剤」という用語は、ＩＬ－６のレベルを低下させるか、その受容体への結合を完全若しくは部分的に遮断するか、又はその受容体活性を完全若しくは部分的に阻害することによってＩＬ－６の活性を低下させることが可能な化合物を指す。「抗ＩＬ－６剤」という用語には、ＩＬ－６に対する阻害抗体、すなわちＩＬ－６がその受容体に結合するのを妨げる、ＩＬ－６に結合する抗体、例えばエルシリモマブ及びシルツキシマブ、並びにトシリズマブのようなＩＬ－６受容体の阻害剤が含まれる。特定の化合物が抗ＩＬ６剤であるかを決定するアッセイは、例えばLife Technologies（Carlsbad，CA，USA）のキットのようなＩＬ６レベルを決定するためのＥＬＩＳＡ、又はQuiagen（Valencia，CA，USA）のＩＬ６／ＳＴＡＴ３ＳｉｇｎａｌｉｎｇＰａｔｈｗａｙＰｌｕｓＰＣＲＡｒｒａｙのようなＩＬ６のその受容体への結合に由来する細胞内シグナル伝達を決定するためのアッセイである。

【0134】

ｉ）式：

【化6】

を有する化合物であるブチオニンスルホキシミン（ＢＳＯ）。ＢＳＯのグルタチオン枯渇効果は、Terradez P. et al., Biochem J. 1993, 292: 477-483に記載されている。

【0135】

ｊ）式：

【化7】

を有する化合物であるマレイン酸ジエチル又はＤＥＭ。ＤＥＭのグルタチオン枯渇効果は、Estrela J. M. et al., Nat Med 1995, 1(1): 84-88に記載されている。

【0136】

ｋ）式：

【化8】

を有する化合物であるＮＰＤ９２６。ＮＰＤ９２６のグルタチオン枯渇効果は、Kawamura T et al., Biochem J 2014, 463: 53-63に記載されている。

【0137】

ｌ）式：

【化9】

を有する化合物であるパルテノリド。パルテノリドのグルタチオン枯渇効果は、Pei S. et al., J Biol Chem 2013, 288 (47): 33542-58に記載されている。

【0138】

ｍ）式：

【化10】

（式中、ＡはＣ（Ｏ）又はＳ（Ｏ）_２であり、ｎ＝０、１、２又は３であり、フェニル環のオルト炭素は非置換であるか、又はハロゲンで置換され、Ｒ_１は水素、ハロゲン、Ｃ≡Ｃ－アルキル、Ｃ≡Ｃ－シクロアルキル、Ｃ≡Ｃ－シクロアルキルハロゲン化物、Ｃ≡Ｃ－アリール、Ｃ≡Ｃ－アリールハロゲン化物及びアリール基からなる群から選択され、Ｒ_２は水素、アルキル、アルケニル及びアリール基からなる群から選択され、Ｒ_３は水素、アルキル、アルケニル及びアリール基からなる群から選択され、Ｒ_４、Ｒ_５及びＲ_６は各々独立して水素、臭素、塩素、フッ素、ケト、ヒドロキシル、アルキル、アルケニル、アルコキシ、メトキシ、アミノアルキル、アミノアルケニル及びアミノアルコキシ基からなる群から選択される）を有する化合物。特に、式：

【化11】

を有する化合物であるピペルロングミン。ピペルロングミンのグルタチオン枯渇効果は、Pei S. et al.（上掲）に記載されている。

【0139】

ｎ）Shao Q. et al., Cancer Research 2014, 74 (23):7090-102に記載されているようなブロモドメイン及び外部末端ドメインファミリーのタンパク質の阻害剤。「ブロモドメイン及び外部末端（ＢＥＴ）ドメインファミリーのタンパク質の阻害剤」又は「ＢＥＴ阻害剤」という用語は、ブロモドメイン及び外部末端（ＢＥＴ）タンパク質ＢＲＤ２、ＢＲＤ３、ＢＲＤ４及びＢＲＤＴのブロモドメインに結合し、ＢＥＴタンパク質とアセチル化ヒストン及び転写因子との間のタンパク質間相互作用を妨げる化合物を指す。「ＢＥＴ阻害剤」という用語には、ＢＲＤ２、ＢＲＤ３、ＢＲＤ４及びＢＲＤＴのいずれかを標的とする阻害剤が含まれる。ＢＥＴ阻害剤の非限定的な例はＪＱ１、ＧＳＫ５２５７６２Ａ及びＯＴＸ－０１５である。特定の化合物がＢＥＴ阻害剤であるかを決定するアッセイは、例えばＢＲＤ４の阻害剤をスクリーニングするためのBioTek（Winooski，VT，USA）のＨｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓＰｒｏｘｉｍｉｔｙＡｓｓａｙである。

【0140】

特定の実施形態において、本発明の組合せのグルタチオン枯渇剤は、ａ）Ｂｃｌ－２アンチセンスオリゴデオキシヌクレオチド、ｂ）多剤耐性タンパク質１の阻害剤、ｃ）γ－グルタミントランスペプチターゼの阻害剤、ｄ）シスチン取込みの阻害剤、ｅ）グルタチオンジスルフィド二ナトリウム、ｆ）フェネチルイソチオシアネート、ｇ）グルココルチコイド受容体アンタゴニスト、ｈ）抗ＩＬ－６剤、ｉ）ブチオニンスルホキシミン、ｊ）マレイン酸ジエチル、ｋ）ＮＰＤ９２６、ｌ）パルテノリド、ｍ）ピペルロングミン及びｎ）ブロモドメイン及び外部末端ドメインファミリーのタンパク質の阻害剤、特にＧＳＫ５２５７６２Ａ又はＩ－ＢＥＴ７６２からなる群から選択される。

【0141】

より特定の実施形態において、多剤耐性タンパク質１の阻害剤は、式：

【化12】

を有する化合物であるベラパミルである。

【0142】

より特定の実施形態において、γ－グルタミントランスペプチターゼの阻害剤は、式：

【化13】

を有する化合物であるアシビシンである。

【0143】

より特定の実施形態において、シスチン取込みの阻害剤は、式：

【化14】

を有する化合物であるスルファサラジンである。

【0144】

より特定の実施形態において、グルココルチコイド受容体アンタゴニストは、式：

【化15】

を有する化合物であるＲＵ－４８６又はミフェプリストンである。

【0145】

より特定の実施形態において、抗ＩＬ－６剤は、ＩＬ－６に対する阻害抗体又はＩＬ－６受容体の阻害剤である。更に特定の実施形態において、抗ＩＬ－６剤は、トシリズマブ、エルシリモマブ及びシルツキシマブからなる群から選択される。「トシリズマブ」という用語は、ＩＬ－６受容体に対するヒト化モノクローナル抗体を指す。「エルシリモマブ」という用語は、ＩＬ－６に対するマウスモノクローナル抗体を指す。「シルツキシマブ」又は「ＣＮＴＯ３２８」という用語は、ＩＬ－６に対するキメラモノクローナル抗体を指す。

【0146】

より特定の実施形態において、ブロモドメイン及び外部末端ドメインファミリーのタンパク質の阻害剤は、ＪＱ１、ＧＳＫ５２５７６２Ａ及びＯＴＸ－０１５からなる群から選択される。「ＪＱ１」という用語は、式：

【化16】

の化合物を指す。

【0147】

「ＧＳＫ５２５７６２Ａ」という用語は、式：

【化17】

の化合物を指す。

【0148】

「ＯＴＸ－０１５」という用語は、式：

【化18】

の化合物を指す。

【0149】

「ＣＰＩ－０６１０」という用語は、MedKoo Biosciencies Incによって販売される参照カタログ番号：２０６１１７の化合物を指す。

【0150】

特定の実施形態において、グルタチオン枯渇剤は、マレイン酸ジエチル、ＧＳＫ５２５７６２Ａ（Ｉ－ＢＥＴ７６２）又はピペルロングミンである。

【0151】

【0152】

工程が図１１に示される順序が工程Ｓ１～工程Ｓ５に関していかなる時系列も必要としないことに留意されたい。例えば、工程Ｓ３及び／又は工程Ｓ４（方法において一方又は両方が実施されるかによって異なる）は、工程Ｓ１の開始と同時に、若しくは工程Ｓ１の開始後であるが、工程Ｓ２の開始前の所定の時点で実施してもよく、又は工程Ｓ２の開始と同時に、若しくは工程Ｓ２の開始から所定の時間後に実施してもよい。さらに、Ｓ３及びＳ４の両方を実施する例においては、それらを同じ時点又は異なる時点で実施することができる。例えば、工程Ｓ４がいつ実施されるか（又は実施されるか）とは無関係に、工程Ｓ３を工程Ｓ１の開始と同時に、若しくは工程Ｓ１の開始後であるが、工程Ｓ２の開始前の所定の時間に実施してもよく、又は工程Ｓ２の開始と同時に、若しくは工程Ｓ２の開始後の所定の時点で実施してもよい。一方、工程Ｓ３がいつ実施されるか（又は実施されるか）とは無関係に、工程Ｓ４を工程Ｓ１の開始と同時に、若しくは工程Ｓ１の開始後であるが、工程Ｓ２の開始前の所定の時点で実施してもよく、又は工程Ｓ２の開始と同時に、若しくは工程Ｓ２の開始後の所定の時点で実施してもよい。さらに、工程Ｓ１を第１の時間にわたって適用することができ、工程Ｓ２を第２の時間にわたって適用することができ、第２の時間が第１の時間と部分的若しくは完全に重なっていてもよく、又は第２の時間は、第１の時間が終了した際に開始してもよい。

【0153】

例えば、非電離交流電磁場（例えば３００ｋＨｚ）は、抗癌組成物及びＧＳＨ枯渇剤（例えばプテロスチルベン及びゲムシタビン）と同時にもたらすことができる。交流電磁場を２時間にわたって適用し、この２時間の間に加熱を適用する（例えば、標的部位を５２℃の温度に１０分間加熱する）。別の例では、非電離交流電磁場を最初に（例えば３００ｋＨｚで）第１の時間（例えば２時間）にわたってもたらし、第１の時間が終了してから抗癌組成物及び／又はＧＳＨ枯渇剤と組み合わせて加熱を適用する（例えばプテロスチルベンと４７℃への２時間の加熱）。

【0154】

上記方法において、非電離交流電磁場は、１０ｋＨｚ～５００ｋＨｚの周波数を有することができ、０．１ｐＴ～１ｍＴ若しくは０．１ｐＴ～１００μＴ若しくは１００μＴ～１ｍＴの磁束密度、及び／又は組織インピーダンスに応じて１Ｖ／ｃｍ～３Ｖ／ｃｍの対応する電場強度振幅をもたらし、１分間～２４時間の時間にわたって適用され得る。

【0155】

直接加熱では、標的部位を少なくとも４２℃、好ましくは４２℃～５７℃の温度に加熱するのが好ましい。

【0156】

腫瘍治療領域による標的部位の加熱
腫瘍治療領域の振動磁場が組織の加熱を引き起こし得る機構は、組織内にフーコー電流（又は「渦電流」）を誘導することによるものである。これらの電流は、組織内の磁力線を中心に回転し、ジュール効果によって腫瘍細胞を加熱し得る。これは生組織の伝導率σによるものである。腫瘍組織の伝導率は、振動磁場の周波数の増加とともに増大し、３００ｋＨｚでおよそ０．１５シーメンス／メートルである。この伝導率は、円形路で流れる微視的渦電流の経路をもたらす。これらの細胞を加熱する単位質量当たりの電力Ｐは、以下の式によって与えられる：
Ｐ＝π^２Ｂ^２ｄ^２ｆ^２／（６・ρ・Ｄ）

【0157】

ここで、Ｂは磁束密度であり、ｄは磁場がもたらされる組織の深さであり、ｆはフィールド周波数であり、ρは組織の抵抗率（電気伝導率の逆数）であり、Ｄは組織の質量密度である。

【0158】

腫瘍組織の伝導率は、健常組織の伝導率の５倍まで高くなることがあり、１００ｋＨｚ～３００ｋＨｚで０．１５シーメンス／メートルの近似値を有する。生体組織のＤは可変であるが（９００ｋｇ／ｍ^３～１０５０ｋｇ／ｍ^３）、水のＤである１０００ｋｇ／ｍ^３に近似することができる。腫瘍治療領域の最高磁束密度は１ｍＴである。最高周波数は３００ｋＨｚである。ｉｎｖｉｔｒｏ実験においては、培養フラスコの厚さは、およそ１ｍｍであり、これがｄの値である。これにより２０ｐＷ／ｋｇのＰの値が得られる。これは極めて低い値である。したがって、ＴＴ領域の機構は、加熱によるものではない。細胞死は、ミトコンドリアにおける電荷破壊の結果である可能性がある。この効果は、腫瘍組織では伝導率がより高いためにより強く、健常細胞の伝導率よりもおよそ５倍高い。ハイパーサーミアとの相乗効果は、荷電分子の移動度の増加に伴う伝導率の増大に起因し得る。

【0159】

上記の全ては、本開示の範囲に完全に含まれ、上記に開示された特定の組合せに限定されることなく、上記の特徴の１つ以上の組合せが適用される代替的な実施形態の基礎をなすと考えられる。

【0160】

この点を踏まえると、本開示の教示を実施する多くの代替形態が存在するであろう。当業者であれば、当該技術分野における共通一般知識に照らして、開示された又は上記から導き出せる本開示の一部又は全ての技術的効果を保持した上で、上記の開示を修正及び適合させ、本開示の範囲内で自身の状況及び要件に合わせることができることが期待される。かかる均等物、修正又は適合は全て、本開示の範囲に含まれる。

【図1】