特表 2024-507685 基板処理装置用ガス供給装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-02-21

(54)【発明の名称】基板処理装置用ガス供給装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20240214BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20240214BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 101G

H01L21/31 B

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023545308

(86)(22)【出願日】2022-01-12

(85)【翻訳文提出日】2023-07-26

(86)【国際出願番号】 KR2022000513

(87)【国際公開番号】W WO2022164082

(87)【国際公開日】2022-08-04

(31)【優先権主張番号】10-2021-0011316

(32)【優先日】2021-01-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】504210651

【氏名又は名称】ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】ジン セ ファン

(72)【発明者】

【氏名】ロゥ ジャエ サン

(72)【発明者】

【氏名】ユン ホン ミン

(72)【発明者】

【氏名】ユン ホン ス

(72)【発明者】

【氏名】ジャン ヤン ジュ

(72)【発明者】

【氏名】チョ ビャン ハ

(72)【発明者】

【氏名】チョ ジ ヒュン

【テーマコード（参考）】

5F004

5F045

【Ｆターム（参考）】

5F004AA16

5F004BB28

5F004CA01

5F004CA02

5F045AA18

5F045BB08

5F045BB20

5F045DP03

5F045DP11

5F045DQ10

5F045EE11

5F045EM10

5F045GB06

(57)【要約】

本発明は、第１ガス噴射部に連結した第１供給ライン、前記第１供給ラインに連結した複数の第１ガス供給機構、前記第１供給ラインの第１圧力を測定する第１測定機構、第２ガス噴射部に連結した第２供給ライン、前記第２供給ラインに連結した複数の第２ガス供給機構、および前記第２供給ラインの第２圧力を測定する第２測定機構を含み、前記第１測定機構が前記第１圧力が第１基準値から外れているか否かを確認し、前記第２測定機構が前記第２圧力が第２基準値から外れているか否かを確認する基板処理装置用ガス供給装置に関するものである。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１ガス噴射部にガスを供給するための第１ガス供給部、および
第２ガス噴射部にガスを供給するための第２ガス供給部を含み、
前記第１ガス供給部が、前記第１ガス噴射部に連結した第１供給ライン、前記第１供給ラインに連結した複数の第１ガス供給機構、及び前記第１供給ラインの第１圧力を測定する第１測定機構を含み、
前記第２ガス供給部は、前記第２ガス噴射部に連結した第２供給ライン、前記第２供給ラインに連結した複数の第２ガス供給機構、及び前記第２供給ラインの第２圧力を測定する第２測定機構を含み、
前記第１測定機構は、前記第１圧力が第１基準値から外れているか否かを確認し、
前記第２測定機構は、前記第２圧力が第２基準値から外れているか否かを確認することを特徴とする、基板処理装置用ガス供給装置。

【請求項2】

前記第１ガス供給部が、前記第１供給ラインにパージガスを供給する第１パージ機構を含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置用ガス供給装置。

【請求項3】

前記第１パージ機構が、前記第１供給ラインに連続的にパージガスを供給することを特徴とする、請求項２に記載の基板処理装置用ガス供給装置。

【請求項4】

前記第１測定機構が、前記第１パージ機構と前記第１ガス供給機構の間で前記第１供給ラインに連結したことを特徴とする、請求項２に記載の基板処理装置用ガス供給装置。

【請求項5】

前記第１測定機構が、前記第１供給ラインにプロセスガスが供給される場合に、前記第１圧力が前記第１基準値から外れているか否かを確認することを特徴とする、請求項２に記載の基板処理装置用ガス供給装置。

【請求項6】

前記第１基準値と前記第２基準値を設定する制御部、および前記第１測定機構と前記第２測定機構それぞれが測定した圧力データを蓄積する貯蔵部を含み、
前記制御部が、前記貯蔵部に蓄積された圧力データを用いて前記第１基準値と前記第２基準値を変更することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置用ガス供給装置。

【請求項7】

前記第１測定機構が、前記第１圧力のうち、第１ガス圧力が前記第１基準値から外れているか否かを確認することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置用ガス供給装置。

【請求項8】

前記第１測定機構が、前記第１ガス供給機構ごとに異なる前記第１基準値と前記第１圧力を比較することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置用ガス供給装置。

【請求項9】

前記第１測定機構が、前記第１圧力が前記第１基準値から外れたことを確認すると、前記第１ガス供給機構は、ガスの供給を中断することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置用ガス供給装置。

【請求項10】

前記第１ガス供給部が、前記第１ガス供給機構のうち、前記第１圧力が前記第１基準値から外れたガスを噴射した前記第１ガス供給機構を検出する第１検出機構を含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置用ガス供給装置。

【請求項11】

前記第１ガス供給機構のうちのいずれか１つの第１ガス供給機構と前記第２ガス供給機構のうちのいずれか１つの第２ガス供給機構が、第１連結機構を介して互いに連結していて、
前記第１測定機構が、前記第１連結機構に連結した前記第１ガス供給機構が噴射したガスによって前記第１圧力が前記第１基準値から外れたことを確認すると、前記第１連結機構は、ガスの供給量を調整することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置用ガス供給装置。

【請求項12】

前記第１ガス供給部と前記第２ガス供給部が、基板処理装置が有する第１工程チャンバに設置された前記第１ガス噴射部と前記第２ガス噴射部にガスを供給することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置用ガス供給装置。

【請求項13】

前記第１ガス供給部が、基板処理装置が有する第１工程チャンバに設置された前記第１ガス噴射部にガスを供給し、
前記第２ガス供給部は、基板処理装置が有する第２工程チャンバに設置された前記第２ガス噴射部にガスを供給することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置用ガス供給装置。

【請求項14】

複数のガス噴射部の各々に個別に連結した複数の供給ライン、
前記供給ラインの各々に連結した複数のガス供給機構、および
前記供給ラインの各々の圧力を測定する複数の測定機構を含み、
前記測定機構が、各々、前記圧力が基準値から外れているか否かを確認することを特徴とする、基板処理装置用ガス供給装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板に対する蒸着工程、エッチング工程などの処理工程を行う基板処理装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

一般に、太陽電池（Solar Cell）、半導体素子、フラットパネルディスプレイなどを製造するためには、基板上に所定の薄膜層、薄膜回路パターン、または光学パターンを形成しなければならない。このため、基板に特定物質の薄膜を蒸着する蒸着工程、感光性物質を用いて薄膜を選択的に露出させるフォト工程、選択的に露出した部分の薄膜を除去してパターンを形成するエッチング工程などの基板に対する処理工程が行われる。

【0003】

このような基板に対する処理工程は、基板処理装置により行われる。前記基板処理装置は、ガス供給装置から供給されたガスを用いて前記基板に対する処理工程を行う。

【0004】

図１は、従来技術によるガス供給装置の概略構成図である。

【0005】

図１を参照すると、従来技術によるガス供給装置１００は、基板処理装置２００に連結した第１供給ライン１１０、前記第１供給ライン１１０に連結した第１ガス供給機構１２０、前記基板処理装置２００に連結した第２供給ライン１３０、および前記第２供給ライン１３０に連結した第２ガス供給機構１４０を含む。

【0006】

前記第２ガス供給機構１４０と前記第１ガス供給機構１２０は、互いに連結している。これにより、前記第２ガス供給機構１４０と前記第１ガス供給機構１２０は、前記基板処理装置２００に対して並列構造で連結する。

【0007】

この場合、前記第２ガス供給機構１４０と前記第１ガス供給機構１２０のいずれか１つに故障が発生したり異常動作が発生しても、前記第２ガス供給機構１４０と前記第１ガス供給機構１２０のうち、正常に動作する残りの１つを介して前記基板処理装置２００へのガスの供給が継続して行われる。

【0008】

したがって、従来技術に係るガス供給装置１００は、前記第２ガス供給機構１４０と前記第１ガス供給機構１２０の中のいずれか１つで故障が発生したか異常動作が発生したことを前記処理工程を行う途中では確認することが難しく、前記処理工程が完了した後に基板の品質検査を通じて確認することになるため、被害損失が増加するという問題がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

本発明は、上述したような問題点を解決するために案出されたものであり、ガス供給機構に故障が発生したり異常動作が発生したりすることを確認できる基板処理装置用ガス供給装置を提供するためのものである。

【課題を解決するための手段】

【0010】

上述したような課題を解決するために、本発明は以下のような構成を含むことができる。

【0011】

本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置は、第１ガス噴射部にガスを供給するための第１ガス供給部と、第２ガス噴射部にガスを供給するための第２ガス供給部を含むことができる。前記第１ガス供給部は、前記第１ガス噴射部に連結した第１供給ライン、前記第１供給ラインに連結した複数の第１ガス供給機構、及び前記第１供給ラインの第１圧力を測定する第１測定機構を含むことができる。前記第２ガス供給部は、前記第２ガス噴射部に連結した第２供給ライン、前記第２供給ラインに連結した複数の第２ガス供給機構、及び前記第２供給ラインの第２圧力を測定する第２測定機構を含むことができる。前記第１測定機構は、前記第１圧力が第１基準値から外れているか否かを確認することができる。前記第２測定機構は、前記第２圧力が第２基準値から外れているか否かを確認することができる。

【0012】

本発明による基板処理装置用ガス供給装置は、複数のガス噴射部のそれぞれに個別に連結した複数の供給ライン、前記供給ラインのそれぞれに連結した複数のガス供給機構、および前記供給ラインのそれぞれの圧力を測定する複数の測定機構を含むことができる、前記測定機構はそれぞれ、前記圧力が基準値から外れているか否かを確認することができる。

【発明の効果】

【0013】

本発明によれば、次のような効果を得ることができる。

【0014】

本発明は、基板に対する処理工程が行われる途中でもガス供給機構に故障が発生したり、異常動作が発生したことを確認できるように具現することができる。これにより、本発明は、ガス供給機構に対する故障や異常動作が発生した状態で基板に対する処理工程が継続的に行われることを防止することにより、被害損失を低減することができる。

【0015】

本発明は、ガス供給機構に故障や異常動作が発生した時点から修理などの後続処理が行われるまでに要する時間を短縮することができるので、基板処理装置に対する稼働率増大を通じて生産性を向上させることに寄与することができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】従来技術によるガス供給装置の概略構成図である。

【図2】本発明による基板処理装置用ガス供給装置と基板処理装置の概略構成図である。

【図3】本発明による基板処理装置用ガス供給装置が適用される基板処理装置の実施例の概略側面断面図である。

【図4】本発明による基板処理装置用ガス供給装置が適用される基板処理装置の実施例の概略側面断面図である。

【図5】本発明による基板処理装置用ガス供給装置において第１測定機構が測定した第１圧力と第２測定機構が測定した第２圧力とを経時的に示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下では、本発明による基板処理装置用ガス供給装置の実施例を添付の図を参照して詳細に説明する。

【0018】

図２を参照すると、本発明による基板処理装置用ガス供給装置１は、基板処理装置２００にガスを供給するものである。前記基板処理装置２００は、基板３００に対して処理工程を行うものである。前記基板３００は、シリコン基板、ガラス基板、メタル基板などであり得る。前記基板処理装置２００は、前記基板３００に薄膜を蒸着する蒸着工程、前記基板３００に蒸着した薄膜の一部を除去するエッチング工程などを行うことができる。

【0019】

本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１を説明する前に、前記基板処理装置２００について具体的に見てみると、次の通りである。

【0020】

図３及び図４を参照すると、前記基板処理装置２００は、第１ガス噴射部２１０及び第２ガス噴射部２２０を含むことができる。前記第１ガス噴射部２１０と前記第２ガス噴射部２２０は、前記基板３００に対する処理工程が行われる処理空間にガスを噴射するものである。本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第１ガス噴射部２１０及び前記第２ガス噴射部２２０にガスを供給することができる。前記第１ガス噴射部２１０と前記第２ガス噴射部２２０は、互いに異なる基板３００に向かってガスを噴射することができる。

【0021】

前記第１ガス噴射部２１０と前記第２ガス噴射部２２０は、前記基板処理装置２００が有する第１工程チャンバ２３０に設置することができる。この場合、図３に示すように、前記第１ガス噴射部２１０と前記第２ガス噴射部２２０は、前記第１工程チャンバ２３０の内部で互いに異なる処理領域にガスを噴射するように具現することができる。前記第１ガス噴射部２１０と前記第２ガス噴射部２２０は、前記第１工程チャンバ２３０の上部に位置する第１リッド（蓋）２３０ａに設置することができる。前記第１工程チャンバ２３０には、前記基板３００を支持する第１基板支持部２３１を設置することができる。前記第１ガス噴射部２１０と前記第２ガス噴射部２２０は、前記第１基板支持部２３１の上側に位置し、前記第１基板支持部２３１に向かってガスを噴射することができる。この場合、前記第１基板支持部２３１は、第１回転機構２３２によって間欠的または連続的に回転することができる。図に示していないが、前記第１工程チャンバ２３０には、３つ以上のガス噴射部を設置することもできる。この場合、本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１は、前記ガス噴射部のそれぞれにガスを供給するように具現することができる。

【0022】

前記第１ガス噴射部２１０は、前記基板処理装置２００が有する第１工程チャンバ２３０に設置し、前記第２ガス噴射部２２０は、前記基板処理装置２００が有する第２工程チャンバ２４０に設置することもできる。この場合、図４に示すように、前記第１ガス噴射部２１０は、前記第１工程チャンバ２３０の内部にガスを噴射するように具現することができる。前記第１ガス噴射部２１０は、前記第１リッド２３０ａに設置することができる。前記第１工程チャンバ２３０には、前記第１基板支持部２３１を設置することができる。前記第１ガス噴射部２１０は、前記第１基板支持部２３１の上側に位置し、前記第１基板支持部２３１に向かってガスを噴射することができる。この場合、前記第１基板支持部２３１は、前記第１回転機構２３２によって間欠的にまたは連続的に回転することができる。前記第２ガス噴射部２２０は、前記第２工程チャンバ２４０の内部にガスを噴射するように具現することができる。前記第２ガス噴射部２２０は、前記第２工程チャンバ２４０の上部に位置する第２リッド２４０ａに設置することができる。前記第２工程チャンバ２４０には、前記基板３００を支持する第２基板支持部２４１を設置することができる。前記第２ガス噴射部２２０は、前記第２基板支持部２４１の上側に位置し、前記第２基板支持部２４１に向かってガスを噴射することができる。この場合、前記第２基板支持部２４１は、第２回転機構２４２によって間欠的または連続的に回転することができる。このように、前記基板処理装置２００は、互いに独立した処理空間を有する前記第１工程チャンバ２３０と前記第２工程チャンバ２４０を含むクラスタータイプ（Cluster Type）で具現することができる。図に示していないが、前記基板処理装置２００は、３つ以上の工程チャンバを含むこともできる。この場合、本発明による基板処理装置用ガス供給装置１は、前記工程チャンバ各々が有するガス噴射部にガスを供給するように具現することができる。

【0023】

このような基板処理装置２００が前記基板３００に対して処理工程を行う際に、本発明による基板処理装置用ガス供給装置１は、前記基板処理装置２００にガスを供給する機能を担当することができる。

【0024】

このために、本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第１ガス噴射部２１０にガスを供給するための第１ガス供給部２、及び前記第２ガス噴射部２２０にガスを供給するための第２ガス供給部３を含むことができる。前記第１ガス供給部２は、前記第１ガス噴射部２１０に連結した第１供給ライン２１、前記第１供給ライン２１に連結した複数の第１ガス供給機構２２、および前記第１供給ライン２１の第１圧力を測定する第１測定機構２３を含むことができる。前記第２ガス供給部３は、前記第２ガス噴射部２２０に連結した第２供給ライン３１、前記第２供給ライン３１に連結した複数の第２ガス供給機構３２、および前記第２供給ライン３１の第２圧力を測定する第２測定機構３３を含むことができる。

【0025】

ここで、前記第１測定機構２３は、前記第１圧力が第１基準値から外れているか否かを確認することができる。前記第２測定機構３３は、前記第２圧力が第２基準値から外れているか否かを確認することができる。

【0026】

これによって、本発明による基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第１ガス供給機構２２と前記第２ガス供給機構３２のうち、前記基板処理装置２００に対して並列構造で連結したものがある場合、前記第１測定機構２３と前記第２測定機構３３を用いて前記基板処理装置２００に対して並列構造で連結した第１ガス供給機構２２と第２ガス供給機構３２のうち、いずれか一つに故障が発生したり、異常動作が発生したことを確認できるように具現される。例えば、前記基板処理装置２００に対して並列構造で連結した第１ガス供給機構２２と第２ガス供給機構３２のうち、前記第１ガス供給機構２２に故障が発生したり異常動作が発生した場合、前記第１測定機構２３は、前記第１圧力が第１基準値から外れたことから、前記第１ガス供給機構２２に故障が発生したり、異常動作が発生したことを確認することができる。

【0027】

したがって、本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１は、前記基板３００に対する処理工程が行われる途中でも、前記ガス供給機構２２、３２に故障が発生したり、異常動作が発生したことをリアルタイムで確認できるように具現することができる。したがって、本発明による基板処理装置用ガス供給装置１は、前記ガス供給機構２２、３２に対する故障や異常動作が発生した状態で、前記基板３００に対する処理工程が継続的に行われることを防止することにより、被害損失を低減することができる。また、本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１は、ガス供給機構２２、３２に故障や異常動作が発生した時点から修理等の後続処理が行われるまでに要する時間を短縮することができるので、前記基板処理装置２００に対する稼働率の向上を通じて生産性の向上に寄与することができる。

【0028】

以下では、前記第１ガス供給部２および前記第２ガス供給部３について、添付の図を参照して具体的に説明する。

【0029】

図２～図５を参照すると、前記第１ガス供給部２は、前記第１ガス噴射部２１０にガスを供給するものである。前記第１ガス供給部２は、前記基板３００に対する処理工程に用いられるプロセスガス、パージのためのパージガス等を前記第１ガス噴射部２１０に供給することができる。前記第１ガス供給部２は、工程順に応じて２種類以上のプロセスガスを順次に前記第１ガス噴射部２１０に供給することもできる。例えば、前記基板処理装置２００が蒸着工程を行う場合、前記第１ガス供給部２は、ソースガス（Source Gas）と反応ガス（Reatant Gas）を前記第１ガス噴射部２１０に供給することができる。例えば、前記基板処理装置２００がエッチング工程を行う場合、前記第１ガス供給部２は、エッチングガスを前記第１ガス噴射部２１０に供給することができる。

【0030】

前記第１ガス供給部２は、前記第１供給ライン２１、前記第１ガス供給機構２２、及び前記第１測定機構２３を含むことができる。

【0031】

前記第１供給ライン２１は、前記第１ガス噴射部２１０に連結したものである。前記第１ガス供給機構２２が供給するガスは、前記第１供給ライン２１を介して前記第１ガス噴射部２１０に供給され得る。前記第１供給ライン２１は、ホース、配管などで具現することができる。前記第１供給ライン２１は、所定の構造物で形成されたホール（Hole）で具現することもできる。

【0032】

前記第１ガス供給機構２２は、前記第１供給ライン２１に連結したものである。前記第１ガス供給機構２２は、前記第１供給ライン２１にガスを供給することができる。前記第１ガス供給機構２２は、それぞれガス貯蔵機構（不図示）に連結することができる。前記第１ガス供給機構２２は、前記ガス貯蔵機構から提供されたガスを前記第１供給ライン２１に供給することにより、前記第１供給ライン２１を介して前記第１ガス噴射部２１０にガスを供給することができる。前記第１ガス供給機構２２は、それぞれガスを選択的に通過させるバルブ（Valve）、質量流量制御器（ＭＦＣ：Mass Flow Controller（マスフローコントローラ））などを含むことができる。前記第１ガス供給機構２２は、それぞれガスの供給圧力を高めるためのバッファタンク（Buffer Tank）をさらに含むこともできる。前記第１ガス供給機構２２は、前記第１供給ライン２１が配置された方向に沿って前記第１供給ライン２１の互いに異なる部分に連結することができる。前記第１ガス供給機構２２は、互いに異なるガスを供給することができる。前記第１ガス供給機構２２のうち、一部は互いに同一のガスを供給し、他の一部は互いに異なるガスを供給することもできる。前記第１ガス噴射部２１０に工程順に定められたガスが所定の流量範囲で供給されるように、前記第１ガス供給機構２２は、制御モジュール（不図示）の制御によって動作することができる。一方、前記第１ガス噴射部２１０が、複合膜形成のために複数の互いに異なるソースガスを噴射する場合、前記第１ガス供給機構２２のうち、複数の前記第１ガス供給機構２２は、それぞれ互いに異なるソースガスを前記第１供給ライン２１に供給することができる。この場合、該当する第１ガス供給機構２２は、互いに異なるソースガスを同時に前記第１供給ライン２１に供給することもできる。このように、複数の第１ガス供給機構２２のそれぞれを介して互いに異なるソースガスを前記第１供給ライン２１に供給するように具現することにより、本発明による基板処理装置用ガス供給装置１は、ソースガスそれぞれの流量を正確に制御することができるので、前記基板処理装置２００が目標とする組成比を有する複合膜の形成に寄与することができる。

【0033】

図２では、前記第１ガス供給部２が３つの第１ガス供給機構２２ａ、２２ｂ、２２ｃを含むように示しているが、これに限定されず、前記第１ガス供給部２は、２つあるいは４つ以上の第１ガス供給機構２２を含むこともできる。

【0034】

前記第１測定機構２３は、前記第１圧力を測定するものである。前記第１圧力は、前記第１供給ライン２１内部の圧力であり、前記第１供給ライン２１に沿って流動するガスの種類、ガスの流量などによって変わり得る。前記第１測定機構２３は、前記第１圧力が第１基準値から外れているか否かを確認することができる。前記第１基準値は、前記第１ガス噴射部２１０に供給しなければならないガスの種類、ガスの流量などによって定めることができる。前記第１基準値は、事前テスト等を介して導出された圧力値であり、前記第１測定機構２３に予め貯蔵することができる。前記第１基準値は、単一値であり得る。前記第１基準値は、上限値と下限値を有する範囲値であってもよい。この場合、前記第１測定機構２３は、前記第１圧力が前記第１基準値の下限値未満である場合と前記第１圧力が前記第１基準値の上限値を超過した場合に、前記第１圧力が前記第１基準値から外れたと判断することができる。前記第１測定機構２３は、前記第１圧力が前記第１基準値の下限値以上であり、前記第１基準値の上限値以下である場合に、前記第１圧力が前記第１基準値から外れることなく前記第１基準値に属すると判断することができる。前記第１測定機構２３は、圧力計を含むことができる。

【0035】

前記第１測定機構２３が前記第１圧力が前記第１基準値から外れたことを確認すると、前記第１ガス供給機構２２は、ガスの供給を中断することができる。これにより、本発明による基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第１ガス供給機構２２に発生した故障や異常動作による被害損失をさらに低減することができる。この場合、前記第１測定機構２３は、前記第１圧力が前記第１基準値から外れたことを確認すると、第１エラー信号を生成した後に前記第１エラー信号を前記第１ガス供給機構２２に提供することができる。前記第１ガス供給機構２２は、前記第１エラー信号を受信するとガスの供給を中断することができる。前記第１測定機構２３は、前記第１エラー信号を前記制御モジュールに提供することもできる。この場合、前記第１ガス供給機構２２は、前記制御モジュールの制御によってガスの供給を中断することができる。前記第１測定機構２３は、前記第１エラー信号を前記基板処理装置２００に提供することもできる。前記基板処理装置２００は、前記第１エラー信号を受信すると、前記第１ガス噴射部２１０と前記第１ガス噴射部２１０に関連する部品の作動を中断することができる。前記基板処理装置２００は、前記第１エラー信号を受信すると全体の作動を中断することもできる。

【0036】

前記第１測定機構２３は、前記第１圧力のうち、第１ガス圧力が前記第１基準値から外れているか否かを確認することもできる。この場合、前記第１ガス供給機構２２は、図５に示すように、初期に最大圧力でガスを供給した後、徐々に圧力を下げる方式でガスを供給することができる。図５において、縦軸はガスの圧力に関するものであり、縦は時間に関するものであり得る。前記第１ガス圧力は、最大圧力に該当し得る。前記第１測定機構２３は、前記第１ガス圧力の大きさが前記第１基準値から外れているか否かを確認することができる。前記第１測定機構２３は、前記第１ガス圧力の大きさだけでなく、前記第１ガス圧力が現れるタイミングも併せて考慮して前記第１基準値から外れているか否かを確認することができる。

【0037】

前記第１測定機構２３は、前記第１ガス供給機構２２ごとに異なる前記第１基準値と前記第１圧力を比較することができる。この場合、前記第１ガス供給機構２２ごとに前記第１基準値を互いに異なるように設定することができる。したがって、本発明による基板処理装置用ガス供給装置１は、様々な種類のガス、様々な流量のガスを用いて前記基板３００に対して処理工程を行う前記基板処理装置２００に適用することができ、汎用性を向上させることができる。

【0038】

前記第１測定機構２３は、前記基板３００に対して処理工程が行なわれている間に、前記第１圧力が前記第１基準値から外れているか否かを継続的に確認することができる。前記第１測定機構２３は、前記第１供給ライン２１に前記プロセスガスが供給される場合に、前記第１圧力が前記第１基準値から外れているか否かを確認することもできる。前記第１測定機構２３は、工程順にしたがって測定対象となるガスが前記第１供給ライン２１を介して供給される場合にのみ、前記第１圧力が前記第１基準値から外れているか否かを確認することもできる。例えば、前記第１ガス供給部２がソースガス、パージガス、反応ガス、及びパージガスの順に前記第１ガス噴射部２１０にガスを供給する場合、前記第１測定機構２３は、ソースガスと反応ガスが供給される場合にのみ、前記第１圧力が前記第１基準値から外れているか否かを確認することができる。この場合、前記第１測定機構２３は、前記パージガスが供給される場合には、前記第１圧力が前記第１基準値から外れているか否かを確認しなことがあり得る。したがって、本発明による基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第１圧力が前記第１基準値から外れているか否かを確認する作業を行うことにより、前記第１測定機構２３にかかる負荷を減らすことができるので、前記第１測定機構２３の使用寿命を延ばすことができる。工程順と測定対象となるガスは、前記第１測定機構２３に予め貯蔵することができる。

【0039】

図２～図５を参照すると、前記第１ガス供給部２は、第１パージ機構２４を含むことができる。

【0040】

前記第１パージ機構２４は、前記第１供給ライン２１にパージガスを供給するものである。前記第１パージ機構２４が前記第１供給ライン２１に供給したパージガスは、前記第１供給ライン２１に残存するガスをパージするパージ機能を担うことができる。これにより、本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第１供給ライン２１に残存するガスによって前記第１供給ライン２１が汚染されることを防止することができる。前記第１パージ機構２４は、前記第１供給ライン２１に連続的にパージガスを供給することができる。これにより、前記第１パージ機構２４は、常時パージ機能を備えることができる。前記第１パージ機構２４が前記第１供給ライン２１に連続的にパージガスを供給する場合、前記第１ガス供給機構２２が前記第１供給ライン２１に供給したガスは、パージガスと共に前記第１ガス噴射部２１０に供給することができる。この場合、前記第１パージ機構２４によって供給されたパージガスは、前記第１ガス供給機構２２によって供給されたガスの流動を助けるキャリアガスとして機能することもできる。

【0041】

前記第１パージ機構２４は、前記第１供給ライン２１の一端に連結することができる。この場合、前記第１供給ライン２１の他端は、前記第１ガス噴射部２１０に連結することができる。前記第１ガス供給機構２２は、前記第１供給ライン２１の一端と前記第１供給ライン２１の他端との間で、前記第１供給ライン２１に連結することができる。これによって、前記第１パージ機構２４は、前記第１ガス供給機構２２が前記第１供給ライン２１に供給する全てのガスをパージすることができる位置に配置することができる。前記第１測定機構２３は、前記第１パージ機構２４と前記第１ガス供給機構２２の間で、前記第１供給ライン２１に連結することができる。この場合、前記第１測定機構２３は、前記第１供給ライン２１が配置された方向に沿って、前記第１パージ機構２４と前記第１パージ機構２４に最も近くに配置された第１ガス供給機構２２との間で、前記第１供給ライン２１に連結することができる。例えば、図２を参照すると、前記第１測定機構２３は、前記第１パージ機構２４と前記第１ガス供給機構２２ｃの間で、前記第１供給ライン２１に連結することができる。これにより、前記第１パージ機構２４は、パージガスの供給を通じて、前記第１ガス供給機構２２が前記第１供給ライン２１に供給したガスが逆流して前記第１測定機構２３の方に流動するのを防ぐことができる。したがって、前記第１パージ機構２４は、前記第１測定機構２３の汚染を防止することができるので、前記第１測定機構２３の使用寿命を延ばすことに寄与することができる。また、前記第１パージ機構２４は、前記第１測定機構２３の汚染を防止することにより、前記第１圧力の測定値に対する精度を向上させるのに寄与することができる。

【0042】

前記第１パージ機構２４を具備する場合、前記第１測定機構２３は、前記第１供給ライン２１に前記第１パージ機構２４が供給したパージガスのみが流動する場合を除く残りの場合に、前記第１圧力が前記第１基準値から外れているか否かを確認することができる。すなわち、前記第１測定機構２３は、前記第１供給ライン２１に前記第１パージ機構２４が供給したパージガスのみが流動する場合には、前記第１圧力が前記第１基準値から外れているか否かを確認しない。したがって、本発明による基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第１測定機構２３にかかる負荷を軽減することができるので、前記第１測定機構２３の使用寿命を延ばすことができる。

【0043】

図２～図５を参照すると、前記第１ガス供給部２は、第１検出機構２５を含むことができる。

【0044】

前記第１検出機構２５は、前記第１ガス供給機構２２のうち、前記第１圧力が前記第１基準値から外れたガスを噴射した前記第１ガス供給機構２２を検出するものである。前記第１測定機構２３が前記第１圧力が前記第１基準値から外れたことを確認すると、前記第１測定機構２３は、前記第１エラー信号を前記第１検出機構２５に提供することができる。前記第１検出機構２５は、前記第１エラー信号を受信すると、前記第１ガス供給機構２２のうち、前記第１測定機構２３が前記第１エラー信号を生成したときにガスを供給したことを検出することができる。この場合、前記第１ガス供給機構２２は、ガスを供給した時点とガスの供給を中断した時点に関する第１作動情報を前記第１検出機構２５に提供することができる。前記第１検出機構２５は、前記第１エラー信号と第１作動情報に基づいて、前記第１圧力が前記第１基準値から外れたガスを噴射した前記第１ガス供給機構２２を検出することができる。前記第１検出機構２５は、検出された前記第１ガス供給機構２２を表示装置（不図示）を介して表示することができる。前記第１検出機構２５は、前記第１圧力が前記第１基準値から外れたガスを噴射した前記第１ガス供給機構２２が検出されると、アラーム装置（不図示）を介してアラームを出力することもできる。これによって、本発明による基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第１検出機構２５を用いて修理等の後続処理が必要な前記第１ガス供給機構２２の情報を作業者に知らせることができるので、後続処理にかかる時間をさらに短縮することに寄与することができる。

【0045】

図２～図５を参照すると、前記第２ガス供給部３は、前記第２ガス噴射部２２０にガスを供給するものである。前記第２ガス供給部３は、前記基板３００に対する処理工程に用いられるプロセスガス、パージのためのパージガス等を前記第２ガス噴射部２２０に供給することができる。前記第２ガス供給部３は、２種類以上のプロセスガスを工程順にしたがって順次に前記第２ガス噴射部２２０に供給することもできる。例えば、前記基板処理装置２００が蒸着工程を行う場合、前記第２ガス供給部３は、ソースガスと反応ガスを前記第２ガス噴射部２２０に供給することができる。例えば、前記基板処理装置２００がエッチング工程を行う場合、前記第２ガス供給部３は、エッチングガスを前記第２ガス噴射部２２０に供給することができる。

【0046】

前記第２ガス供給部３は、前記第２供給ライン３１、前記第２ガス供給機構３２、及び前記第２測定機構３３を含むことができる。

【0047】

前記第２供給ライン３１は、前記第２ガス噴射部２２０に連結したものである。前記第２ガス供給機構３２が供給するガスは、前記第２供給ライン３１を介して前記第２ガス噴射部２２０に供給され得る。前記第２供給ライン３１は、ホース、配管などで具現することができる。前記第２供給ライン３１は、所定の構造に形成されたホール（Hole）で具現することもできる。

【0048】

前記第２ガス供給機構３２は、前記第２供給ライン３１に連結したものである。前記第２ガス供給機構３２は、前記第２供給ライン３１にガスを供給することができる。前記第２ガス供給機構３２は、それぞれガス貯蔵機構（不図示）に連結することができる。前記第２ガス供給機構３２は、ガス貯蔵機構から提供されたガスを前記第２供給ライン３１に供給することにより、前記第２供給ライン３１を介して前記第２ガス噴射部２２０にガスを供給することができる。前記第２ガス供給機構３２は、それぞれ、ガスを選択的に通過させるバルブ、質量流量制御器（ＭＦＣ）などを含むことができる。前記第２ガス供給機構３２は、それぞれ、ガスの供給圧力を高めるためのバッファタンクをさらに含むこともできる。前記第２ガス供給機構３２は、前記第２供給ライン３１が配置された方向に沿って前記第２供給ライン３１の互いに異なる部分に連結することができる。前記第２ガス供給機構３２は、互いに異なるガスを供給することができる。前記第２ガス供給機構３２のうち、一部は互いに同じガスを供給し、残りの一部は互いに異なるガスを供給することもできる。前記第２ガス噴射部２２０に工程順に定められたガスが所定の流量範囲で供給されるように、前記第２ガス供給機構３２は、前記制御モジュールの制御にしたがって作動することができる。一方、前記第２ガス噴射部２２０が複合膜形成のために複数の異なるソースガスを噴射する場合、前記第２ガス供給機構３２のうち、複数の前記第２ガス供給機構３２は、それぞれ互いに異なるソースガスを前記第２供給ライン３１に供給することができる。この場合、該当する第２ガス供給機構３２は、互いに異なるソースガスを同時に前記第２供給ライン３１に供給することもできる。このように、複数の前記第２ガス供給機構３２のそれぞれを介して互いに異なるソースガスを前記第２供給ライン３１に供給するように具現することにより、本発明による基板処理装置用ガス供給装置１は、ソースガスそれぞれの流量を正確に制御することができるので、前記基板処理装置２００が目標とする組成比を有する複合膜の形成に寄与することができる。

【0049】

図２には、前記第２ガス供給部３が３つの第２ガス供給機構３２ａ、３２ｂ、３２ｃを含むように示されているが、これに限定されず、前記第２ガス供給部３は、２つまたは４つ以上の前記第２ガス供給機構３２を含むこともできる。

【0050】

前記第２測定機構３３は、前記第２圧力を測定するものである。前記第２測定機構３３は、圧力計を含むことができる。前記第２圧力は、前記第２供給ライン３１内部の圧力であり、前記第２供給ライン３１に沿って流動するガスの種類、ガスの流量などによって変わり得る。前記第２測定機構３３は、前記第２圧力が前記第２基準値から外れているか否かを確認することができる。前記第２基準値は、前記第２ガス噴射部２２０に供給しなければならないガスの種類、ガスの流量などに応じて定めることができる。前記第２基準値は、事前テストなどを介して導出された圧力値であり、前記第２測定機構３３に予め貯蔵することができる。前記第２基準値は、単一値であり得る。前記第２基準値は、上限値と下限値を有する範囲値でもあり得る。この場合、前記第２測定機構３３は、前記第２圧力が前記第２基準値の下限値未満である場合と前記第２圧力が前記第２基準値の上限値を超えた場合に、前記第２圧力が前記第２基準値から外れたと判断することができる。前記第２測定機構３３は、前記第２圧力が前記第２基準値の下限値以上であり、前記第２基準値の上限値以下である場合に、前記第２圧力が前記第２基準値から外れることなく前記第２基準値に属するものであると判断することができる。

【0051】

例えば、互いに並列構造で連結した前記第１ガス供給機構２２と前記第２ガス供給機構３２を具備した場合、前記第１ガス供給機構２２と前記第２ガス供給機構３２が、ともに正常に作動する区間（ＮＳ、図５に示す）では、前記第１圧力が前記第１基準値に属するとともに、前記第２圧力が前記第２基準圧力に属することができる。この場合、前記第１測定機構２３は、前記第１圧力が前記第１基準値に属することを確認するとともに、前記第２測定機構３３が、前記第２圧力が前記第２基準値に属することを確認することができる。しかし、前記第２ガス供給機構３２に故障や異常作動が発生してガスを供給できなくなると、前記第２ガス供給機構３２が供給するガスを前記第１ガス供給機構２２を介して、前記第１供給ライン２１に供給することができる。このように互いに並列構造で連結した前記第１ガス供給機構２２と前記第２ガス供給機構３２のうちのいずれか１つに故障や異常作動が発生した区間（ＦＳ、図５に示す）では、前記第１圧力が前記第１基準値の上限値を超えるとともに、前記第２圧力が前記第２基準値の下限値未満となる。この場合、前記第１測定機構２３が前記第１圧力が前記第１基準値から外れたことを確認するとともに、前記第２測定機構３３が前記第２圧力が前記第２基準値から外れたことを確認することができる。

【0052】

前記第２測定機構３３が前記第２圧力が前記第２基準値から外れたことを確認すると、前記第２ガス供給機構３２は、ガスの供給を中断することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第２ガス供給機構３２に発生した故障や異常作動による被害損失をさらに低減することができる。この場合、前記第２測定機構３３は、前記第２圧力が前記第２基準値から外れたことを確認すると、第２エラー信号を生成した後、前記第２エラー信号を前記第２ガス供給機構３２に提供することができる。前記第２ガス供給機構３２は、前記第２エラー信号を受信するとガスの供給を中断することができる。前記第２測定機構３３は、前記第２エラー信号を前記制御モジュールに提供することもできる。この場合、前記第２ガス供給機構３２は、前記制御モジュールの制御によってガスの供給を中断することができる。前記第２測定機構３３は、前記第２エラー信号を前記基板処理装置２００に提供することもできる。前記基板処理装置２００は、前記第２エラー信号を受信すると、前記第２ガス噴射部２２０と前記第２ガス噴射部２２０に関連する部品の作動を中断することができる。前記基板処理装置２００は、前記第２エラー信号を受信すると全体の作動を中断することもできる。

【0053】

前記第２測定機構３３は、前記第２圧力のうち、第２ガス圧力が前記第２基準値から外れているか否かを確認することもできる。この場合、前記第２ガス供給機構３２は、図５に示すように、初期に最大圧力でガスを供給した後、徐々に圧力を下げる方式でガスを供給することができる。前記第２ガス圧力は、最大圧力に該当することができる。前記第２測定機構３３は、前記第２ガス圧力の大きさが前記第２基準値から外れているか否かを確認することができる。前記第２測定機構３３は、前記第２ガス圧力の大きさだけでなく、前記第２ガス圧力が現れるタイミングも併せて考慮して、前記第２基準値から外れているか否かを確認することができる。

【0054】

前記第２測定機構３３は、前記第２ガス供給機構３２毎に異なる前記第２基準値と前記第２圧力を比較することができる。この場合、前記第１ガス供給機構２２毎に前記第２基準値を互いに異なるように設定することができる。したがって、本発明による基板処理装置用ガス供給装置１は、様々な種類のガス、様々な流量のガスを用いて前記基板３００に対して処理工程を行う前記基板処理装置２００に適用することができる汎用性を向上させることができる。

【0055】

前記第２測定機構３３は、前記基板３００に対して処理工程が行なわれている間に、前記第２圧力が前記第２基準値から外れているか否かを継続的に確認することができる。前記第２測定機構３３は、前記第２供給ライン３１に前記プロセスガスが供給される場合に、前記第２圧力が前記第２基準値から外れているか否かを確認することもできる。前記第２測定機構３３は、工程順にしたがって測定対象となるガスが前記第２供給ライン３１を介して供給される場合にのみ、前記第２圧力が前記第２基準値から外れているか否かを確認することもできる。例えば、前記第２ガス供給部３が、ソースガス、パージガス、反応ガス、及びパージガスの順に前記第２ガス噴射部２２０にガスを供給する場合、前記第２測定機構３３は、ソースガスと反応ガスが供給される場合にのみ、前記第２圧力が前記第２基準値から外れているか否かを確認することができる。この場合、前記第２測定機構３３は、前記パージガスが供給される場合には、前記第２圧力が前記第２基準値から外れているか否かを確認しないことがあり得る。したがって、本発明による基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第２圧力が前記第２基準値から外れているか否かを確認する作業を行うことにより、前記第２測定機構３３にかかる負荷を減らすことができるので、前記第２測定機構３３の使用寿命を延ばすことができる。工程順と測定対象となるガスは、前記第２測定機構３３に予め貯蔵することができる。

【0056】

図２～図５を参照すると、前記第２ガス供給部３は、第２パージ機構３４を含むことができる。

【0057】

前記第２パージ機構３４は、前記第２供給ライン３１にパージガスを供給するものである。前記第２パージ機構３４が前記第２供給ライン３１に供給したパージガスは、前記第２供給ライン３１に残存するガスをパージするパージ機能を担うことができる。これにより、本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第２供給ライン３１に残存するガスによって前記第２供給ライン３１が汚染されることを防止することができる。前記第２パージ機構３４は、前記第２供給ライン３１に連続的にパージガスを供給することができる。これにより、前記第２パージ機構３４は、常時パージ機能を備えることができる。前記第２パージ機構３４が前記第２供給ライン３１に連続的にパージガスを供給する場合、前記第２ガス供給機構３２が前記第２供給ライン３１に供給したガスは、パージガスと共に前記第２ガス噴射部２２０に供給することができる。この場合、前記第２パージ機構３４によって供給されたパージガスは、前記第２ガス供給機構３２によって供給されたガスの流動を助けるキャリアガスとして機能することもできる。

【0058】

前記第２パージ機構３４は、前記第２供給ライン３１の一端に連結することができる。この場合、前記第２供給ライン３１の他端は、前記第２ガス噴射部２２０に連結することができる。前記第２ガス供給機構３２は、前記第２供給ライン３１の一端と前記第２供給ライン３１の他端との間で、前記第２供給ライン３１に連結することができる。これによって、前記第２パージ機構３４は、前記第２ガス供給機構３２が前記第２供給ライン３１に供給する全てのガスをパージできる位置に配置することができる。前記第２測定機構３３は、前記第２パージ機構３４と前記第２ガス供給機構３２の間で、前記第２供給ライン３１に連結することができる。この場合、前記第２測定機構３３は、前記第２供給ライン３１が配置された方向に沿って前記第２パージ機構３４と前記第２パージ機構３４に最も近接して配置された第２ガス供給機構３２の間で、前記第２供給ライン３１に連結することができる。例えば、図２を基準にすると、前記第２測定機構３３は、前記第２パージ機構３４と前記第２ガス供給機構３２ｃとの間で、前記第２供給ライン３１に連結することができる。これにより、前記第２パージ機構３４は、パージガスの供給を通じて前記第２ガス供給機構３２が前記第２供給ライン３１に供給したガスが逆流して前記第２測定機構３３の方に流動するのを防ぐことができる。したがって、前記第２パージ機構３４は、前記第２測定機構３３の汚染を防止することができるので、前記第２測定機構３３の使用寿命を延ばすことに寄与することができる。また、前記第２パージ機構３４は、前記第２測定機構３３の汚染を防止することにより、前記第２圧力の測定値に対する精度を向上させるのに寄与することができる。

【0059】

前記第２パージ機構３４を具備する場合、前記第２測定機構３３は、前記第２供給ライン３１に前記第２パージ機構３４が供給したパージガスのみが流動する場合を除く残りの場合に、前記第２圧力が前記第２基準値から外れているか否かを確認することができる。すなわち、前記第２測定機構３３は、前記第２供給ライン３１に前記第２パージ機構３４が供給したパージガスのみ流動する場合には、前記第２圧力が前記第２基準値から外れているか否かを確認しない。したがって、本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第２測定機構３３にかかる負荷を低減することができるので、前記第２測定機構３３の使用寿命を延ばすことができる。

【0060】

図２～図５を参照すると、前記第２ガス供給部３は、第２検出機構３５を含むことができる。

【0061】

前記第２検出機構３５は、前記第２ガス供給機構３２のうち、前記第２圧力が前記第２基準値から外れたガスを噴射した前記第２ガス供給機構３２を検出するものである。前記第２測定機構３３が前記第２圧力が前記第２基準値から外れたことを確認すると、前記第２測定機構３３は、前記第２エラー信号を前記第２検出機構３５に提供することができる。前記第２検出機構３５は、前記第２エラー信号を受信すると、前記第２ガス供給機構３２のうち、前記第２測定機構３３が前記第２エラー信号を生成したときにガスを供給したことを検出することができる。この場合、前記第２ガス供給機構３２は、ガスを供給した時点とガスの供給を中断した時点に関する第２作動情報を前記第２検出機構３５に提供することができる。前記第２検出機構３５は、前記第２エラー信号と前記第２作動情報に基づいて、前記第２圧力が前記第２基準値から外れたガスを噴射した前記第２ガス供給機構３２を検出することができる。前記第２検出機構３５は、検出された前記第２ガス供給機構３２を表示装置を介して表示することができる。前記第２検出機構３５は、前記第２圧力が前記第２基準値から外れたガスを噴射した前記第２ガス供給機構３２が検出されると、前記アラーム装置を介してアラームを出力することもできる。これによって、本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第２検出機構３５を用いて修理等の後続処理が必要な第２ガス供給機構３２の情報を作業者に知らせることができるので、後続処理にかかる時間をさらに短縮するのに寄与することができる。

【0062】

図２～図５を参照すると、前記第２ガス供給機構３２のうちのいずれか１つの前記第２ガス供給機構３２と前記第１ガス供給機構２２のうちのいずれか１つの第１ガス供給機構２２は、第１連結機構１１を介して互いに連結することができる。例えば、前記第１連結機構１１は、前記第２ガス供給機構３２ｂと前記第１ガス供給機構２２ｂを連結することができる。この場合、前記第２ガス供給機構３２ｂと前記第１ガス供給機構２２ｂは、同じガスを供給するものであり、例えば、パイルアップ（Pile-up）ガスを供給することができものであり得る。前記第１連結機構１１は、一側がガス貯蔵機構（不図示）に連結し、他側が前記第２ガス供給機構３２ｂと前記第１ガス供給機構２２ｂの両方に連結することができる。これにより、前記第１連結機構１１は、前記ガス貯蔵機構から供給されるガスを前記第２ガス供給機構３２ｂと前記第１ガス供給機構２２ｂの両方に伝達することができる。

【0063】

この場合、前記第１測定機構２３が前記第１ガス供給機構２２ｂが噴射したガスによって、前記第１圧力が前記第１基準値から外れたことを確認すると、前記第１連結機構１１は、ガスの供給量を調整することができる。例えば、前記第１ガス供給機構２２ｂと前記第２ガス供給機構３２ｂの両方が正常に作動する場合に、前記第１連結機構１１が供給するガスの供給量を１と定義するとき、前記第１連結機構１１は、ガスの供給量を０．５に調整することができる。これによって、本発明による基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第１ガス供給機構２２ｂに故障や異常作動が発生した場合、前記第１連結機構１１を用いて前記第２ガス供給機構３２ｂが過剰な流量のガスを供給することを防止することができる。この場合、前記第１連結機構１１によるガスの供給量調整により、前記第２ガス供給機構３２ｂが供給したガスによる前記第２圧力は、前記第２基準値に属することができる。したがって、本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第１ガス供給機構２２ｂに発生した故障や異常作動により、前記第１ガス噴射部２１０に対するガスの供給を中断しても、前記第２ガス噴射部２２０に対するガスの供給を継続して行うことができる。これにより、本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第２ガス噴射部２２０を用いた処理工程を中断することなく行うことができるので、前記第１ガス供給機構２２ｂに発生した故障や異常作動による被害損失をさらに減らすことができる。

【0064】

この場合、前記第２測定機構３３が前記第２ガス供給機構３２ｂが噴射したガスにより前記第２圧力が前記第２基準値から外れたことを確認すると、前記第１連結機構１１は、ガスの供給量を調整することができる。例えば、前記第１ガス供給機構２２ｂと前記第２ガス供給機構３２ｂの両方が正常に作動する場合に、前記第１連結機構１１が供給するガスの供給量を１と定義するとき、前記第１連結機構１１は、ガスの供給量を０．５に調整することができる。これによって、本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第２ガス供給機構３２ｂに故障や異常作動が発生した場合、前記第１連結機構１１を用いて前記第１ガス供給機構２２ｂが過剰な流量のガスを供給することを防止することができる。この場合、前記第１連結機構１１によるガスの供給量調整により、前記第１ガス供給機構２２ｂが供給したガスによる前記第１圧力は、前記第１基準値に属することができる。したがって、本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第２ガス供給機構３２ｂに発生した故障や異常作動により、前記第２ガス噴射部２２０に対するガスの供給を中断しても、前記第１ガス噴射部２１０に対するガスの供給を継続して行うことができる。これにより、本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１は、前記第１ガス噴射部２１０を用いた処理工程を中断することなく行うことができるので、前記第２ガス供給機構３２ｂに発生した故障や異常作動による被害損失をさらに減らすことができる。

【0065】

図２には、前記第１ガス供給機構２２ｂと前記第２ガス供給機構３２ｂのみが第１連結機構１１によって互い連結したことが示されているが、これに限定されず、連結機構（不図示）によって互いに並列構造で連結した前記第１ガス供給機構２２と前記第２ガス供給機構３２を２つ以上具備することもできる。この場合、本発明による基板処理装置用ガス供給装置１は、前記連結機構を複数個含むことができる。

【0066】

図２～図５を参照すると、本発明による基板処理装置用ガス供給装置１は、貯蔵部４および制御部５を含むことができる。

【0067】

前記貯蔵部４は、前記第１測定機構２３と前記第２測定機構３３のそれぞれが測定した圧力データを蓄積するものである。前記第１測定機構２３は、前記第１圧力を測定した後、前記第１圧力を前記貯蔵部４に提供することができる。前記第２測定機構３３は、前記第２圧力を測定した後、前記第２圧力を前記貯蔵部４に提供することができる。前記貯蔵部４は、前記第１測定機構２３から提供された前記第１圧力と前記第２測定機構３３から提供された前記第２圧力とを貯蔵することにより、圧力データを蓄積することができる。

【0068】

前記制御部５は、前記第１基準値と前記第２基準値とを設定するものである。前記制御部５は、前記貯蔵部４に蓄積された圧力データを用いて前記第１基準値と前記第２基準値を変更することができる。例えば、作業者の入力によって設定された前記第１基準値と前記第２基準値とに基づいてガスを供給して前記基板３００に対する処理工程を行った後に、処理工程が完了した前記基板３００の品質に対する評価データが生成されると、前記制御部５は、前記評価データと前記圧力データに基づいて、前記第１基準値と前記第２基準値のそれぞれの適切性を評価して前記第１基準値および前記第２基準値を変更することができる。したがって、本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１は、ガスの供給を通じて前記基板３００に対する処理工程を繰り返し行うことにより、累積される評価データと圧力データに基づいて該当処理工程に最も適合な前記第１基準値と前記第２基準値に変更することによって、前記処理工程が完了した前記基板３００の品質をさらに向上させることに寄与することができる。前記制御部５は、前記第１基準値と前記第２基準値を変更すると、変更した前記第１基準値と前記第２基準値を前記第１測定機構２３と前記第２測定機構３３に提供することができる。

【0069】

一方、前記では、本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１が、前記第１ガス供給部２と前記第２ガス供給部３を含む実施例で説明したが、これに限定されず、本発明に係る基板処理装置用ガス供給装置１は、３個以上のガス供給部を含むこともできる。この場合、前記基板処理装置２００は、３つ以上のガス噴射部を含むことができる。これによって、本発明による基板処理装置用ガス供給装置１は、複数のガス噴射部のそれぞれに個別に連結した複数の供給ライン、前記供給ラインのそれぞれに連結した複数のガス供給機構、および前記供給ラインそれぞれの圧力を測定する複数の測定機構を含むように具現することができる。前記測定機構は、それぞれ、前記圧力が基準値を外れているか否かを確認することができる。

【0070】

以上、説明した本発明は、上述した実施例及び添付の図に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で種々の置換、変形及び変更が可能であることが、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者にとって明らかであろう。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【国際調査報告】