特表 2024-507697 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-02-21

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   C23C 16/455 20060101AFI20240214BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20240214BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240214BHJP

【ＦＩ】

C23C16/455

H01L21/31 C

H01L21/302 101G

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023546082

(86)(22)【出願日】2022-01-10

(85)【翻訳文提出日】2023-07-28

(86)【国際出願番号】 KR2022000367

(87)【国際公開番号】W WO2022164076

(87)【国際公開日】2022-08-04

(31)【優先権主張番号】10-2021-0012764

(32)【優先日】2021-01-29

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】504210651

【氏名又は名称】ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】リ ジ フン

(72)【発明者】

【氏名】リ ジ ウォン

【テーマコード（参考）】

4K030

5F004

5F045

【Ｆターム（参考）】

4K030EA04

4K030EA05

4K030EA06

4K030KA17

5F004BB13

5F004BB28

5F045AA08

5F045EF05

5F045EH05

(57)【要約】

本発明は、チャンバ、前記チャンバの内部で少なくとも１つの基板を支持する基板支持部、前記基板支持部の上側から前記基板支持部に向かって第１ガスを噴射する第１噴射部、前記第１噴射部の上側から前記基板支持部に向かって第２ガスを噴射する第２噴射部、および前記第１噴射部と前記第２噴射部の間に形成されたバッファ部を含み、前記第１噴射部は複数の第１噴射孔を含み、前記第２噴射部は前記バッファ部に前記第１ガスを供給する第１供給孔および前記バッファ部を貫通して形成された第２噴射孔を含み、前記第１供給孔の注入口と排出口の中心は、垂直方向を基準に互いに離隔して位置し、前記排出口は前記第１噴射孔の間のスペースに向くように形成された基板処理装置に関するものである。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

チャンバ、
前記チャンバの内部で少なくとも１つの基板を支持する基板支持部、
前記基板支持部の上側から前記基板支持部に向かって第１ガスを噴射する第１噴射部、
前記第１噴射部の上側から前記基板支持部に向かって第２ガスを噴射する第２噴射部、および
前記第１噴射部と前記第２噴射部の間に形成されたバッファ部を含み、
前記第１噴射部が、複数の第１噴射孔を含み、
前記第２噴射部は、前記バッファ部に前記第１ガスを供給する第１供給孔、および前記バッファ部を貫通して形成された第２噴射孔を含み、
前記第１供給孔の注入口と排出口の中心は、垂直方向を基準にして互いに離隔して位置し、
前記排出口は、前記第１噴射孔の間のスペースを向くように形成されたことを特徴とする基板処理装置。

【請求項2】

前記第１供給孔が、前記注入口と前記排出口の間に位置する傾斜路を含み、
前記傾斜路は、前記注入口と前記排出口の間に斜めに形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記第１供給孔が、前記垂直方向に、前記注入口から垂直的に延びる垂直路をさらに含むことを特徴とする、請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記第１供給孔の傾斜路が、複数個で形成され、
前記傾斜路は、互いに異なる方向に延びるよう形成されたことを特徴とする、請求項２または３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記第１供給孔の傾斜路が、互いに反対方向に延びるよう形成されたことを特徴とする、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記第１供給孔の傾斜路が、互いに直角方向に延びるよう形成されたことを特徴とする、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記第１供給孔が複数個で形成され、
前記第１供給孔の傾斜路は、隣接した第１供給孔の傾斜路の中の少なくとも１つとは異なる方向に延びるよう形成されたことを特徴とする、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記第１供給孔が、複数個で形成され、
前記第１供給孔の傾斜路と隣接した第１供給孔の傾斜路は、互いに異なる方向に延びるよう形成されたことを特徴とする、請求項２または３に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記第１噴射部または前記第２噴射部が、ＲＦ電源に連結したことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板に対する蒸着工程、エッチング工程などの処理工程を行う基板処理装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

一般に、太陽電池（Solar Cell）、半導体素子、フラットパネルディスプレイなどを製造するためには、基板上に所定の薄膜層、薄膜回路パターン、または光学パターンを形成しなければならない。このため、基板に特定物質の薄膜を蒸着する蒸着工程、感光性物質を用いて薄膜を選択的に露出させるフォト工程、選択的に露出した部分の薄膜を除去してパターンを形成するエッチング工程などの基板に対する処理工程が行われる。

【0003】

従来技術による基板処理装置は、基板を支持する基板支持部、および前記基板支持部に向かってガスを噴射するガス噴射部を含む。従来技術による基板処理装置は、互いに異なる第１ガスと第２ガスを用いて基板に対して処理工程を行った。前記第１ガスと前記第２ガスは、前記ガス噴射部の内部に供給され、前記ガス噴射部の内部に形成された個別のガス流路に沿って流動後に前記ガス噴射部から噴射される。

【0004】

前記ガス噴射部は、基板支持部に向かってガスを噴射する第１噴射部、および第１噴射部の上側に位置する第２噴射部とを含む。前記第１噴射部は、複数の第１供給孔と複数の第２供給孔を含む。前記第２噴射部は、複数の第１噴射孔と複数の第２噴射孔を含む。前記第１供給孔と前記第１噴射孔は、前記第１ガス流路に該当する。前記第２供給孔と前記第２噴射孔は、前記第２ガス流路に該当する。

【0005】

ここで、前記第１噴射孔のうち、前記第１供給孔の垂直下方に位置する第１噴射孔には、他の第１噴射孔に比べて前記第１ガスがより多くの流量で供給され、前記第１ガスがより強い圧力で供給される。これにより、従来技術による基板処理装置は、前記第１噴射孔間に前記第１ガスの噴射流量と噴射圧力等に偏差が発生することによって、基板に対する処理工程の均一性が低くなるという問題がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明は、上述したような問題点を解決するために案出されたものであり、ガスの流量と噴射圧力などに発生する偏差を低減することができる基板処理装置を提供するためのものである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上述したような課題を解決するために、本発明は以下のような構成を含むことができる。

【0008】

本発明による基板処理装置は、チャンバ、前記チャンバの内部で少なくとも１つの基板を支持する基板支持部、前記基板支持部の上側から前記基板支持部に向かって第１ガスを噴射する第１噴射部、前記第１噴射部の上側から前記基板支持部に向かって第２ガスを噴射する第２噴射部、および、前記第１噴射部と前記第２噴射部の間に形成されたバッファ部を含むことができる。前記第１噴射部は、複数の第１噴射孔を含むことができる。前記第２噴射部は、前記バッファ部に前記第１ガスを供給する第１供給孔、および前記バッファ部を貫通して形成された第２噴射孔を含むことができる。前記第１供給孔の注入口と排出口の中心は、垂直方向を基準にして互いに離隔して位置し、前記排出口は前記第１噴射孔の間の空間に面するように形成することができる。

【発明の効果】

【0009】

本発明によれば、次のような効果を得ることができる。

【0010】

本発明は、第１ガスがバッファ部を流動して拡散するように誘導することができるので、第１ガスが第１噴射孔に供給される流量と圧力の均一性を向上させることができる。したがって、本発明は、第１噴射孔を介して噴射される第１ガスの噴射流量と噴射圧力等に発生する偏差を低減することができるので、基板に対する処理工程の均一性を向上させることに寄与することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明による基板処理装置の概略構成図である。

【図2】本発明による基板処理装置におけるガス噴射部の概略側面断面図である。

【図3】本発明による基板処理装置におけるガス噴射部の概略側面断面図である。

【図4】本発明による基板処理装置におけるガス噴射部の概略側面断面図である。

【図5】本発明による基板処理装置における第２噴射部の概略平面図である。

【図6】図５のＡ部分の概略拡大図である。

【図7】図５のＡ部分の概略拡大図である。

【図8】図５のＡ部分の概略拡大図である。

【図9】図５のＡ部分の概略拡大図である。

【図10】本発明による基板処理装置が電極部を含む実施例に係る概略側面断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下では、本発明による基板処理装置の実施例を添付の図を参照して詳細に説明する。 図４では、第２噴射部に形成された第１供給孔と第２噴射孔が省略されている。

【0013】

図１を参照すると、本発明による基板処理装置１は、基板（Ｓ）に対する処理工程を行うものである。前記基板（Ｓ）は、シリコン基板、ガラス基板、メタル基板などであり得る。本発明に係る基板処理装置１は、前記基板（Ｓ）に薄膜を蒸着する蒸着工程、前記基板（Ｓ）に蒸着した薄膜の一部を除去するエッチング工程等を行うことができる。以下では、本発明に係る基板処理装置１が、前記蒸着工程を行う実施例に基づいて説明するが、これから本発明に係る基板処理装置１が、前記エッチング工程等と同様に異なる処理工程を行う実施例を導出することは、本発明が属する技術分野に属する当業者には自明であろう。

【0014】

本発明に係る基板処理装置１は、チャンバ２、基板支持部３、及びガス噴射部４を含むことができる。

【0015】

<チャンバ>
図１を参照すると、前記チャンバ２は、処理空間１００を提供するものである。前記処理空間１００では、前記基板（Ｓ）に対する蒸着工程、エッチング工程などの処理工程を行うことができる。前記処理空間１００は、前記チャンバ２の内部に配置することができる。前記チャンバ２には、前記処理空間１００からガスを排気する排気口（不図示）を結合することができる。前記チャンバ２の内部には、前記基板支持部３と前記ガス噴射部４を配置することができる。

【0016】

＜基板支持部＞
図１を参照すると、前記基板支持部３は、前記基板（Ｓ）を支持するものである。前記基板支持部３は、１つの前記基板（Ｓ）を支持することもでき、複数の基板（Ｓ）を支持することもできる。前記基板支持部３に複数の基板（Ｓ）が支持された場合、一度に複数の基板（Ｓ）に対する処理工程を行うことができる。前記基板支持部３は、前記チャンバ２に結合することができる。前記基板支持部３は、前記チャンバ２の内部に配置することができる。

【0017】

＜ガス噴射部＞
図１を参照すると、前記ガス噴射部４は、前記基板支持部３に向かってガスを噴射するものである。前記ガス噴射部４は、ガス貯蔵部４０に連結することができる。この場合、前記ガス噴射部４は、前記ガス貯蔵部４０から供給されたガスを前記基板支持部３に向かって噴射することができる。前記ガス噴射部４は、前記チャンバ２の内部に配置することができる。前記ガス噴射部４は、前記基板支持部３と対向して配置することができる。前記ガス噴射部４は、垂直方向（Ｚ軸方向）を基準として前記基板支持部３の上側に配置することができる。前記垂直方向（Ｚ軸方向）は、前記ガス噴射部４と前記基板支持部３が互いに離隔した方向に対して平行な軸方向である。前記ガス噴射部４と前記基板支持部３の間には、前記処理空間１００を配置することができる。前記ガス噴射部４は、リッド（蓋）（不図示）に結合することができる。前記リッドは、前記チャンバ２の上部を覆うように前記チャンバ２に結合することができる。

【0018】

前記ガス噴射部４は、第１ガス流路４ａと第２ガス流路４ｂを含むことができる。

【0019】

前記第１ガス流路４ａは、第１ガスを噴射するためのものである。前記第１ガス流路４ａは、一方側が配管、ホースなどを介して前記ガス貯蔵部４０に連結することができる。前記第１ガス流路４ａは、他方側が前記処理空間１００に連通することができる。これにより、前記ガス貯蔵部４０から供給された前記第１ガスは、前記第１ガス流路４ａに沿って流動した後に前記第１ガス流路４ａを介して前記処理空間１００に噴射することができる。前記第１ガス流路４ａは、前記第１ガスが流動するための流路として機能するとともに、前記処理空間１００に前記第１ガスを噴射するための噴射口として機能することができる。

【0020】

前記第２ガス流路４ｂは、第２ガスを噴射するためのものである。前記第２ガスと前記第１ガスは互いに異なるガスであり得る。例えば、前記第１ガスが反応ガス（Reactant Gas）である場合、前記第２ガスはソースガス（Source Gas）であり得る。前記第２ガス流路４ｂは、一方側が配管、ホースなどを介して前記ガス貯蔵部４０に連結することができる。前記第２ガス流路４ｂは、他方側が前記処理空間１００に連通することができる。これにより、前記ガス貯蔵部４０から供給された前記第２ガスは、前記第２ガス流路４ｂに沿って流動した後に前記第２ガス流路４ｂを介して前記処理空間１００に噴射することができる。前記第２ガス流路４ｂは、前記第２ガスが流動するための流路として機能するとともに、前記処理空間１００に前記第２ガスを噴射するための噴射口として機能することができる。

【0021】

前記第２ガス流路４ｂと前記第１ガス流路４ａは、空間的に分離するように配置することができる。これにより、前記ガス貯蔵部４０から前記第２ガス流路４ｂに供給された前記第２ガスは、前記第１ガス流路４ａを経ずに前記処理空間１００に噴射することができる。前記ガス貯蔵部４０から前記第１ガス流路４ａに供給された前記第１ガスは、前記第２ガス流路４ｂを経ずに前記処理空間１００に噴射することができる。前記第２ガス流路４ｂと前記第１ガス流路４ａは、前記処理空間１００において互いに異なる部分に向かってガスを噴射することができる。

【0022】

図１及び図２を参照すると、前記ガス噴射部４は、第１噴射部４１及び第２噴射部４２を含むことができる。

【0023】

前記第１噴射部４１は、前記基板支持部３の上側から前記基板支持部３に向かって前記第１ガスを噴射するものである。前記第１噴射部４１は、前記第２噴射部４２の下側に配置することができる。前記第１噴射部４１は、複数の第１噴射孔４１１を含むことができる。

【0024】

前記第１噴射孔４１１は、前記第１噴射部４１を貫通して形成することができる。前記第１噴射孔４１１は、前記第１ガスが流動するための流路として機能するとともに、前記第１ガスを噴射するための噴射口として機能することができる。この場合、前記第１噴射孔４１１は、前記第１ガス流路４ａに属することができる。前記第１ガスは、前記第１噴射孔４１１を介して流動して前記基板（Ｓ）に向かって噴射することができる。前記第１噴射孔４１１は、互いに離隔した位置で前記第１噴射部４１を貫通して形成することができる。

【0025】

前記第２噴射部４２は、前記第１噴射部４１の上側から前記基板支持部３に向かって前記第２ガスを噴射するものである。前記第２噴射部４２は、前記第１噴射部４１の上側に配置することができる。前記第２噴射部４２は、前記バッファ部４３に前記第１ガスを供給することもできる。前記バッファ部４３は、前記第１噴射部４１と前記第２噴射部４２の間に形成されたものである。前記第２噴射部４２から前記バッファ部４３に供給された前記第１ガスは、前記第１噴射孔４１１を介して前記基板支持部３に向かって噴射することができる。

【0026】

前記第２噴射部４２は、第１供給孔４２１および第２噴射孔４２２を含むことができる。

【0027】

前記第１供給孔４２１は、前記バッファ部４３に前記第１ガスを供給するものである。前記第１供給孔４２１は、前記第２噴射部４２を貫通して形成することができる。前記第１供給孔４２１は、前記第１ガスが流動するための流路として機能することができる。この場合、前記第１供給孔４２１は、前記第１ガス流路４ａに属することができる。前記第１供給孔４２１、前記バッファ部４３、及び前記第１噴射孔４１１は、前記第１ガス流路４ａに属することができる。前記第２噴射部４２は、前記第１供給孔４２１を複数含むこともできる。前記第１供給孔４２１は、互いに離隔した位置で前記第２噴射部４２を貫通して形成することができる。前記第１供給孔４２１は、前記ガス貯蔵部４０に連結することができる。前記第２噴射部４２は、前記第１供給孔４２１を複数含むこともできる。前記第１供給孔４２１は、互いに離隔した位置で前記第２噴射部４２を貫通して形成することもできる。

【0028】

前記第２噴射孔４２２は、前記第２ガスを噴射するものである。前記第２噴射孔４２２は、前記バッファ部４３を貫通して形成することができる。前記第２噴射孔４２２は、前記第２ガスが流動するための流路として機能するとともに、前記第２ガスを噴射するための噴射口として機能することができる。この場合、前記第２噴射孔４２２は、前記第２ガス流路４ｂに属することができる。

【0029】

前記第２噴射孔４２２は、前記第２噴射部４２が有する噴射本体４２３と連結部４２４の両方を貫通して形成することができる。前記噴射本体４２３は、前記第１噴射部４１から上側に離隔して配置されたものである。前記噴射本体４２３には、前記第１供給孔４２１を形成することができる。前記連結部４２４は、前記噴射本体４２３から突出したものである。前記連結部４２４は、一方側が前記噴射本体４２３の下面から突出し、他方側を前記第１噴射部４１に挿入することができる。前記連結部４２４の他方側と前記第１噴射部４１の間は、密閉することができる。前記連結部４２４の一方側は、前記バッファ部４３に配置することができる。これにより、前記バッファ部４３は、前記連結部４２４の内部空間と前記連結部４２４の外部空間を空間的に分離することができる。したがって、前記第２噴射部４２は、前記連結部４２４を用いて前記第１ガス流路４ａと前記第２ガス流路４ｂが、空間的に分離されるように前記バッファ部４３を区画することができる。

【0030】

前記第１ガス流路４ａは、前記バッファ部４３において前記連結部４２４の外部空間を用いて具現することができる。この場合、前記第１ガス流路４ａに属する前記バッファ部４３は、前記第１ガスを拡散させるためのバッファ機能を備えることができる。前記第１ガスは、前記第１供給孔４２１、前記バッファ部４３、及び前記第１噴射孔４１１を順次通過することにより、前記基板支持部３に向かって噴射することができる。

【0031】

前記第２ガス流路４ｂは、前記バッファ部４３において前記連結部４２４の内部空間を用いて具現することができる。この場合、前記連結部４２４の内部空間は、前記第２噴射孔４２２の一部に該当することができる。前記第２ガスは、前記第２噴射孔４２２を通過することによって前記基板支持部３に向かって噴射することができる。

【0032】

前記第２噴射部４２は、複数の前記第２噴射孔４２２を含むことができる。前記第２噴射孔４２２は、互いに離隔した位置で前記第２噴射部４２を貫通して形成することができる。この場合、前記第２噴射部４２は、前記連結部４２４を複数含むことができる。前記第２噴射孔４２２は、前記連結部４２４のそれぞれを貫通して形成することができる。

【0033】

ここで、前記第１供給孔４２１と前記第１噴射孔４１１を、前記垂直方向（Ｚ軸方向）に対して平行に延びるよう形成した場合、前記第１供給孔４２１と対向して配置された第１噴射孔４１１を介して、他の第１噴射孔４１１と比較して前記第１ガスをより多くの流量で供給し、前記第１ガスをより強い圧力で供給することができる。前記第１供給孔４２１から供給された前記第１ガスが、前記第１供給孔４２１と対向して配置された第１噴射孔４１１に向かって噴射されるためである。これにより、前記第１噴射孔４１１間に前記第１ガスの噴射流量と噴射圧力等に偏差が発生することにより、前記基板（Ｓ）に対する処理工程の均一性が低下し得る。これを防止するために、本発明に係る基板処理装置１において、前記ガス噴射部４は、次のように具現することができる。

【0034】

図２に示すように、前記第１供給孔４２１は、注入口４２１ａと排出口４２１ｂを含むことができる。前記注入口４２１ａは、前記第２噴射部４２の上面を貫通することができる。前記排出口４２１ｂは、前記第２噴射部４２の下面を貫通することができる。前記注入口４２１ａの中心と前記排出口４２１ｂの中心とは、前記垂直方向（Ｚ軸方向）を基準にして互いに離隔して位置することができる。すなわち、前記注入口４２１ａの中心と前記排出口４２１ｂの中心とは、互いにずれて配置することができる。これにより、前記排出口４２１ｂから噴射された前記第１ガスを前記第１噴射孔４１１間のスペースに噴射することができる。この場合、前記第１供給孔４２１は、前記第１噴射孔４１１の間に位置する前記第１噴射部４１の上面に向かって前記第１ガスを噴射することができる。

【0035】

したがって、本発明による基板処理装置１は、前記第１供給孔４２１が噴射した前記第１ガスが前記第１噴射部４１の上面に沿って流動し、前記バッファ部４３で拡散するように誘導することにより、前記第１ガスが前記第１噴射孔４１１に供給される流量と圧力の均一性を向上させることができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１噴射孔４１１を介して噴射される前記第１ガスの噴射流量と噴射圧力等に発生する偏差を減らすことができるので、前記基板（Ｓ）に対する処理工程の均一性を向上させるのに寄与することができる。

【0036】

前記注入口４２１ａの中心と前記排出口４２１ｂの中心を互いにずれて配置した場合、前記連結部４２４は、前記第１供給孔４２１から噴射された前記第１ガスの流路（図２に破線の矢印で示す）から離隔した位置に配置することができる。これにより、前記第１供給孔４２１から噴射された前記第１ガスが前記連結部４２４に当たり、渦などが発生することによって滞留することを防止することができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記第１供給孔４２１から噴射された前記第１ガスの拡散性をさらに向上させることができる。

【0037】

前記第１供給孔４２１は、傾斜路４２１１を含むことができる。

【0038】

前記傾斜路４２１１は、前記注入口４２１ａと前記排出口４２１ｂの間に位置するものである。前記傾斜路４２１１は、前記注入口４２１ａと前記排出口４２１ｂの間に斜めに形成することができる。この場合、前記傾斜路４２１１は、下側に延びるほど前記注入口４２１ａから離れる方向に傾斜して形成することができる。前記傾斜路４２１１によって、前記第１供給孔４２１が有する前記注入口４２１ａの中心と前記排出口４２１ｂの中心を互いにずらして配置することができる。前記傾斜路４２１１は、前記垂直方向（Ｚ軸方向）に対して所定の角度で傾斜した形態で形成することができる。前記傾斜路４２１１は、前記排出口４２１ｂに連結することができる。前記傾斜路４２１１によって前記排出口４２１ｂから噴射された前記第１ガスは、前記第１噴射部４１の上面がなす平面に対して傾斜した角度で前記第１噴射部４１の上面に接することができる。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、前記第１ガスが前記バッファ部４３で円滑に拡散するように誘導することができるので、前記第１ガスの拡散性をさらに向上させることができる。前記傾斜路４２１１は、前記排出口４２１ｂと前記注入口４２１ａのそれぞれに連結することができる。

【0039】

図３に示すように、前記第１供給孔４２１の傾斜路４２１１は、複数個で形成することもできる。前記傾斜路４２１１は、互いに異なる方向に延びるよう形成することができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記傾斜路４２１１を用いて前記第１ガスを互いに異なる方向に噴射することにより、前記第１ガスをさらに拡散させることができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記第１ガスの拡散性をさらに向上させることにより、前記第１ガスを用いた処理工程の均一性をさらに向上させることができる。例えば、前記第１供給孔４２１は、第１前記傾斜路４２１１ａと第２前記傾斜路４２１１ｂを含むことができる。前記第１傾斜路４２１１ａと前記第２傾斜路４２１１ｂは、互いに異なる方向に傾斜して形成することができる。図３では、前記第１供給孔４２１が２つの傾斜路４２１１を含むように示しているが、これに限定されず、前記第１供給孔４２１は、３つ以上の傾斜路４２１１を含むこともできる。

【0040】

図４に示すように、前記第１供給孔４２１は、垂直路４２１２を含むことができる。

【0041】

前記垂直路４２１２は、前記注入口４２１ａ（図２に示す）から前記垂直方向（Ｚ軸方向）に垂直に延びたものである。前記垂直路４２１２は、前記注入口４２１ａ（図２に示す）に連結することができる。この場合、前記傾斜路４２１１は、前記垂直路４２１２と前記排出口４２１ｂ（図２に示す）のそれぞれに連結することができる。前記垂直路４２１２は、前記注入口４２１ａ（図２に示す）の中心を基準にして下方に直線状に延びるよう形成することができる。すなわち、前記垂直路４２１２は、それぞれ前記垂直方向（Ｚ軸方向）に対して平行に形成することができる。この場合、前記傾斜路４２１１は、前記垂直路４２１２から下方に延びるにつれて、前記垂直路４２１２から離れる方向に傾斜して形成することができる。

【0042】

図１～図５を参照すると、本発明による基板処理装置１において、前記第１供給孔４２１は、中央領域（ＣＡ、図５に示す）に配置することができる。前記中央領域（ＣＡ）は、前記第２噴射部４２の中心から第１軸方向（Ｘ軸方向）と第２軸方向（Ｙ軸方向）に所定の面積を有する領域である。前記第１軸方向（Ｘ軸方向）と前記第２軸方向（Ｙ軸方向）は、前記垂直方向（Ｚ軸方向）に対して垂直で互いに直交する軸方向である。前記中央領域（ＣＡ）は、外側領域（ＯＡ、図５に示す）の内側に配置することができる。前記外側領域（ＯＡ）は、前記中央領域（ＣＡ）の外側で前記中央領域（ＣＡ）を囲むように配置することができる。この場合、前記第２噴射孔４２２は、前記中央領域（ＣＡ）と前記外側領域（ＯＡ）の両方に配置することができる。図に示していないが、前記第１供給孔４２１は、前記外側領域（ＯＡ）に配置することができる。

【0043】

ここで、前記第１供給孔４２１が前記第２噴射部４２のどの部分に位置するかによって、前記傾斜路４２１１が形成されて延びる方向を決定することができる。この場合、前記傾斜路４２１１は、前記第１供給孔４２１を介して噴射された前記第１ガスが、前記バッファ部４３（図２に示す）で均一に拡散し得る方向に延びるよう形成することができる。

【0044】

例えば、図６に示すように、前記第１供給孔４２１のそれぞれが有する前記傾斜路４２１１ａ、４２１１ｂは、互いに反対方向に延びるよう形成することができる。これにより、前記第１供給孔４２１は、前記傾斜路４２１１ａ、４２１１ｂを用いて互いに反対方向に噴射される第１ガスの流量と圧力に対する均一性を向上させることができる。

【0045】

例えば、図７に示すように、前記第１供給孔４２１のそれぞれが有する傾斜路４２１１ａ、４２１１ｂ、４２１１ｃは、互いに等しい角度の挟角（Included Angle）（ＩＡ）をなす方向に延びるよう形成することができる。例えば、前記傾斜路４２１１ａ、４２１１ｂ、４２１１ｃは、１２０度の挟角（ＩＡ）をなす方向に延びるよう形成することができる。これにより、前記第１供給孔４２１の各々は、互いに異なる方向に噴射される前記第１ガスの流量と圧力に対する均一性を向上させることができる。図７には、３つの前記傾斜路４２１１ａ、４２１１ｂ、４２１１ｃが、互いに等しい角度をなす挟角（ＩＡ）をなす方向に延びるよう実施例を示しているが、これに限定されず、２つまたは４つ以上の傾斜路４２１１（図４に示す）が、互いに等しい角度の挟角（ＩＡ）をなす方向に延びる実施例で具現することができる。図８に示すように、前記傾斜路４２１１ａ、４２１１ｂは、９０度の挟角（ＩＡ）をなす方向に延びるよう形成することもできる。この場合、前記第１供給孔４２１の傾斜路４２１１ａ、４２１１ｂは、互いに直角方向に延びるよう形成することができる。

【0046】

例えば、図８に示すように、前記第１供給孔４２１のそれぞれが有する前記傾斜路４２１１ａ、４２１１ｂは、隣接する第１供給孔４２１に向かう方向を除く異なる方向に延びるよう形成することができる。この場合、前記第１供給孔４２１の傾斜路４２１１（図４に示す）及び隣接した第１供給孔４２１の傾斜路４２１１（図４に示す）は、互いに異なる方向に延びるよう形成することができる。これによって、前記第１供給孔４２１は、前記傾斜路４２１１ａ、４２１１ｂを用いて互いに異なる方向に前記第１ガスを噴射することができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記第１供給孔４２１が位置する領域の外側に前記第１ガスをさらに拡散させることができるので、前記第１ガスの流量と圧力に対する均一性をさらに向上させることができる。

【0047】

例えば、図９に示すように、前記第１供給孔４２１のそれぞれが有する前記傾斜路４２１１のうち、前記第１傾斜路４２１１ａは、隣接した第１供給孔４２１に向かう方向に延びるよう形成し、前記第２前記傾斜路４２１１ｂが隣接した第１供給孔４２１に向かう方向を除く他の方向に延びるよう形成することができる。これによって、本発明による基板処理装置１は、前記第１供給孔４２１が位置した領域の外側に前記第１ガスをさらに拡散させることができるだけでなく、前記第１供給孔４２１が位置した領域においても、前記第１ガスをさらに拡散させることができるように具現することができる。この場合、前記第１供給孔４２１の傾斜路４２１１（図４に示す）は、隣接した第１供給孔４２１の傾斜路４２１１（図４に示す）のうち、少なくとも１つの異なる方向に延びるよう形成することができる。

【0048】

図１０を参照すると、本発明に係る基板処理装置１において、前記第１噴射部４１又は前記第２噴射部４２は、ＲＦ（Radio Frequency）電源（不図示）に連結するように具現することができる。この場合、前記第１噴射部４１を接地（Ground）するとともに、前記第２噴射部４２にＲＦ電力を印加すると、プラズマを発生することができる。これにより、前記ガス噴射部４は、プラズマを用いて前記第１ガスと前記第２ガスの中の少なくとも一方を活性化させて前記処理空間１００に噴射することができる。前記第２噴射部４２を接地するとともに、前記第１噴射部４１にＲＦ電力を印加することもできる。

【0049】

前記第１噴射部４１は、複数の開口４１２を含むことができる。前記開口４１２は、互いに異なる位置で前記第１噴射部４１を貫通して形成することができる。この場合、前記第１噴射部４１の一部は、前記開口４１２のそれぞれに挿入することができる。前記第１噴射部４１が有する連結部４２４を前記開口４１２のそれぞれに挿入することができる。図１０には、前記連結部４２４の下面が前記第１噴射部４１の下面よりも高く位置するように示しているが、これに限定されず、前記連結部４２４の下面と前記第１噴射部４１の下面は、同一高さで具現することもできる。前記連結部４２４の下面は、前記第１噴射部４１の下面よりも低く位置することもできる。この場合、前記連結部４２４は、前記第１噴射部４１の下側に突出することができる。

【0050】

前記開口４１２を具備する場合、前記第１ガスは、前記第１供給孔４２１を介して前記バッファ部４３に供給された後、前記バッファ部４３から拡散して前記第１噴射孔４１１と前記開口４１２のそれぞれを介して前記基板支持部３に向かって噴射することができる。

【0051】

以上、説明した本発明は、上述した実施例及び添付の図に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で種々の置換、変形及び変更が可能であることが、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者にとって明らかであろう。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【国際調査報告】