特表 2024-507957 サーキットボード及び／又は基板製造からのエッチング廃棄溶媒を処理する方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-02-21

(54)【発明の名称】サーキットボード及び／又は基板製造からのエッチング廃棄溶媒を処理する方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/308 20060101AFI20240214BHJP

   C23F 1/46 20060101ALI20240214BHJP

   C02F 1/44 20230101ALI20240214BHJP

   C02F 1/42 20230101ALN20240214BHJP

【ＦＩ】

H01L21/308 F

C23F1/46

C02F1/44 E

C02F1/42 G

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023552070

(86)(22)【出願日】2022-03-01

(85)【翻訳文提出日】2023-10-06

(86)【国際出願番号】 EP2022055095

(87)【国際公開番号】W WO2022184688

(87)【国際公開日】2022-09-09

(31)【優先権主張番号】21160272.7

(32)【優先日】2021-03-02

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】519063934

【氏名又は名称】エーティーアンドエス オーストリア テクノロジー アンド システムテクニック アクツィエンゲゼルシャフト

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】カーン、コンスタンティン

(72)【発明者】

【氏名】ザンカー、アンドレアス

(72)【発明者】

【氏名】モイツィ、ハインツ

(72)【発明者】

【氏名】レドル、アロイス

(72)【発明者】

【氏名】グロス、フリードリッヒ

(72)【発明者】

【氏名】クロチェク、ジョランタ

(72)【発明者】

【氏名】シュライ、マーティン

(72)【発明者】

【氏名】エビンガー、クリストフ

【テーマコード（参考）】

4D006

4D025

4K057

5F043

【Ｆターム（参考）】

4D006GA02

4D006KA01

4D006KB01

4D006KB11

4D006PA01

4D006PB08

4D006PC01

4D025AA09

4D025AB07

4D025AB11

4D025AB12

4D025AB15

4D025AB18

4D025AB19

4D025AB22

4D025AB23

4D025AB25

4D025AB26

4D025AB29

4D025BA07

4D025DA05

4D025DA06

4K057WB04

4K057WH07

4K057WH10

4K057WN01

5F043AA25

5F043AA26

5F043BB17

5F043BB18

5F043EE33

(57)【要約】

サーキットボード及び／又は基板製造からのエッチング廃棄溶媒を処理する方法が説明され、前記方法は：ｉ）前記エッチング廃棄溶媒である、特にエッチングプロセス（１５０）からの、処理対象溶媒（１１）を提供する段階、ここで、前記処理対象溶媒（１１）は、処理対象金属塩及び酸（１５）を有する；ｉｉ）前記処理対象溶媒（１１）を、イオン交換プロセス（１４５）内で処理し、その結果、前記処理対象金属塩は、金属塩と交換され、金属塩含有溶媒（１０）は、前記処理対象溶媒（１１）から取得される段階；これによりａ）第１プロセスサイクル（１７０）を、前記イオン交換プロセス（１４５）を通って流す段階、ここで、前記第１プロセスサイクル（１７０）は、実質的に金属元素（５０）のみを産出する第１閉ループである；及びｂ）第２プロセスサイクル（１８０）を、前記イオン交換プロセス（１４５）を通って流す段階、ここで、前記第２プロセスサイクル（１８０）は、実質的に精製水（１８８）及び／又は金属欠乏塩濃縮物（１８６ｂ）のみを産出する第２閉ループである、を含む。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

サーキットボード及び／又は基板製造からのエッチング廃棄溶媒を処理する方法であって、前記方法は：
前記エッチング廃棄溶媒を、処理対象溶媒として、特にエッチングプロセスから、提供する段階、ここで、前記処理対象溶媒は、処理対象金属塩及び酸を有する；
イオン交換プロセス内で前記処理対象溶媒を処理する結果、前記処理対象金属塩は金属塩と交換され、金属塩含有溶媒は前記処理対象溶媒から取得される段階；これにより
第１プロセスサイクルを、前記イオン交換プロセスを通って流す段階、ここで、前記第１プロセスサイクルは、実質的に金属元素のみを産出する第１閉ループである；及び
第２プロセスサイクルを、前記イオン交換プロセスを通って流す段階、ここで、前記第２プロセスサイクルは、実質的に精製水及び／又は金属欠乏塩濃縮物のみを産出する第２閉ループである、
を備える、方法。

【請求項2】

前記金属塩中の金属及び前記処理対象金属塩中の金属は同じ金属であり、且つ
前記金属は、銅、ニッケル、コバルト、スズ、カドミウム、マグネシウム、ナトリウム、銀、金からなる群のうちの少なくとも１つである；及び／又は
前記金属塩中の塩及び前記処理対象金属塩中の塩は、異なる塩であり、且つ
前記塩は、塩化物、硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩からなる群のうちの少なくとも２つを有する、
請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記第１プロセスサイクルは更に：
前記酸とは異なる、更なる酸を、前記イオン交換プロセスを通って、特に再生溶媒として、流す結果、前記更なる酸は、前記金属塩含有溶媒を提供するために、前記イオン交換プロセスからの金属を取り除く段階；
前記金属塩含有溶媒を、金属元素回収プロセスへ輸送し、前記金属塩含有溶媒から、前記金属元素及び前記更なる酸を取得する段階；及び
前記更なる酸を、前記イオン交換プロセスへフィードバックする段階
を有する、請求項１又は２に記載の方法。

【請求項4】

前記金属元素回収プロセスは、電解プロセスを備え、
前記金属塩含有溶媒は、前記電解プロセスに入る金属濃縮電解質に似ており、且つ
前記更なる酸は、前記電解プロセスを出る金属欠乏電解質に似る、
請求項３に記載の方法。

【請求項5】

前記第２プロセスサイクルは更に：
前記処理対象溶媒を、前記イオン交換プロセスを通って流す段階、ここで、前記処理対象溶媒は、分離後に前記イオン交換プロセス内に残留する金属、及び金属欠乏酸性溶媒へと分離される；
前記金属欠乏酸性溶媒を、水処理プロセス内において処理する結果、前記精製水が取得される段階；及び
前記精製水を、前記イオン交換プロセスへフィードバックする段階、及び／又は
前記精製水を、更なるサーキットボード及び／又は基板製造プロセスへフィードバックする段階、及び／又は、
前記精製水を、排水水質を満たす水として排水する段階
を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。

【請求項6】

前記水処理プロセスは、膜ろ過プロセスを含み、
透過液は、前記精製水を含み、且つ
濃縮物は、塩濃縮物を含む、
請求項５に記載の方法。

【請求項7】

前記第２プロセスサイクルは更に：
前記塩濃縮物を、前記イオン交換プロセスへフィードバックする結果、前記塩濃縮物の金属は、前記イオン交換プロセス内に残留する段階；及びそれにより
前記金属欠乏塩濃縮物を提供する段階
を有する、請求項６に記載の方法。

【請求項8】

前記金属欠乏塩濃縮物は、重金属を実質的に含まない、
請求項７に記載の方法。

【請求項9】

前記方法は更に：
塩基を、前記金属欠乏酸性溶媒へ追加する段階、
ここで、前記塩基及び前記金属欠乏酸性溶媒の前記酸は、塩濃縮物の塩を形成する、
を備える、請求項５～８のいずれか１項に記載の方法。

【請求項10】

前記イオン交換プロセスは：
イオン交換樹脂を有するイオン交換体を適用する段階；及び／又は
炭化水素系イオン交換溶媒を使用して、液／液抽出を適用する段階
を有する、請求項１～９のいずれか１項に記載の方法。

【請求項11】

前記処理対象溶媒を提供する段階は、第３閉ループであり実質的に廃棄物を産出しない第３プロセスサイクル内に統合されている、
請求項１～１０のいずれか１項に記載の方法。

【請求項12】

前記第３プロセスサイクルは：
前記処理対象溶媒からの前記酸を、膜透析によって取り除き、無酸処理対象溶媒及び酸性拡散物を提供する段階、
特に、前記酸性拡散物を、酸濃縮プロセス内で更に酸濃縮し、酸濃縮拡散物を取得する段階；及び
前記酸性拡散物及び／又は前記酸濃縮拡散物を、前記エッチングプロセスへ、前記処理対象溶媒を生成するために、フィードバックする段階
を有する、請求項１１に記載の方法。

【請求項13】

前記処理対象溶媒を提供する段階が：
過酸化水素、Ｈ_２Ｏ_２、除去プロセスを遂行する段階
を有する、請求項１～１２のいずれか１項に記載の方法。

【請求項14】

エッチング廃棄溶媒を、処理対象溶媒として生成するエッチングプロセスモジュール、ここで、前記処理対象溶媒は、処理対象金属塩及び酸を有する；
前記処理対象溶媒を処理する結果、前記処理対象金属塩は金属塩と交換され、金属塩含有溶媒は前記処理対象溶媒から取得されるように構成されているイオン交換プロセスモジュール；
前記イオン交換プロセスモジュールを通って流れる第１プロセスサイクル、ここで、前記第１プロセスサイクルは、実質的に金属元素のみを産出する第１閉ループである；及び
前記イオン交換プロセスモジュールを通って流れる第２プロセスサイクル、ここで、前記第２プロセスサイクルは、実質的に精製水及び／又は金属欠乏塩濃縮物のみを産出する第２閉ループである、
を備える、サーキットボード及び／又は基板製造産業プラント。

【請求項15】

イオン交換プロセスの使用であって、
第１閉ループプロセスサイクル内の電解プロセス及び第２閉ループプロセスサイクル内の膜ろ過に結合されたイオン交換プロセスを使用して、実質的に銅元素、精製水、及び重金属欠乏塩濃縮物のみが産出されるように、サーキットボード及び／又は基板製造エッチング廃水を処理する、
イオン交換プロセスの使用。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、サーキットボード及び／又は基板製造からのエッチング廃棄溶媒を処理する方法に関する。更に、本発明は、方法を遂行するように構成された、サーキットボード及び／又は基板製造産業プラントに関する。更に、本発明は、イオン交換プロセスの特定の使用に関する。

【0002】

したがって、本発明は、サーキットボード及び／又は基板製造の技術分野に関し得る。特に、本発明は、サーキットボード及び／又は基板製造からの金属塩含有溶媒の処理（特に金属の回収）の技術分野に関し得る。更に、本発明は、サーキットボード及び／又は基板製造におけるリサイクル（特に排水水質を満たす廃水の提供）の技術分野に関し得る。

【背景技術】

【0003】

サーキットボード及び／又は基板の生産のために、原理的に、大量の金属、特に重金属（例えば、銅、ニッケル、金、銀、パラジウム、スズ、鉄）が要求される。したがって、製造プロセスにおいて、金属含有残留物及び金属含有溶媒（特に溶液）は、それぞれ、様々なプロセスにおいて生じる。

【0004】

金属（塩）含有溶媒（及びそれぞれ、処理対象廃棄物及び残留物濃縮物）は、実質的に、サーキットボード及び／又は基板製造における２つの異なる処理プロセスから生じる：ｉ）エッチングプロセス（例えば、銅箔のエッチング）及びｉｉ）めっきプロセス（例えば、銅層を用いためっき処理）。加えて、金属（塩）含有処理対象溶媒は、エッチングプロセス及びめっきプロセスからの洗浄プロセス中に生じる。これらの洗浄水は低濃度の金属、特に銅のみを含有する。対照的に、エッチングプロセス及びめっきプロセスからの金属（塩）含有処理対象溶媒は、比較的高濃度の金属を含む。

【0005】

エッチングプロセスからの金属（塩）含有処理対象溶媒は通常、金属が（エッチングプロセスからの）酸の塩に化学的に結合されている金属塩（例えば塩化銅、当該塩化物は塩酸から生じる）を含有する。また、めっきプロセスからの金属（塩）含有処理対象溶媒は通常、金属が電解の酸の塩に化学的に結合される金属塩（例えば硫酸銅、当該硫酸塩は硫酸から生じる）を含有する。加えて、めっきプロセスからの調製対象の金属（塩）含有溶媒は一般に、高濃度の異金属、例えば鉄を含有する。

【0006】

説明された金属（塩）含有溶媒から金属を回収する方法は原理的に公知である。しかしながら、非常に純粋な形態（例えば９９％から最大９９．９９％、特に、約９９．９％純度）の回収された金属のみが、サーキットボード及び／又は基板製造の対象となる。そのような回収は、例えば電解によって遂行され得る。しかしながら、上記で説明された金属（塩）含有溶媒は、この目的のためには非常に不適である。なぜなら、純粋な金属（例えば銅）の析出が阻害される、又は複雑化するからである。高濃度の酸、過酸化水素（及び異金属）は、高品質な電解を無効化する。

【0007】

この理由から、サーキットボード及び／又は基板製造からの廃棄濃縮物は従来、コスト集約的で環境に優しくない、及び、耐久性が高くない方式で、それぞれ処分されてきた。

【発明の概要】

【0008】

サーキットボード及び／又は基板製造からの（特にエッチングプロセスからの）廃棄溶媒の、コスト効率が高く、環境に優しく、かつ耐久性が高い処理を可能にすることが、本発明の目的である。

【0009】

この目的は、独立特許請求項に係る主題によって解決される。好ましい実施形態は、従属特許請求項からもたらされる。

【0010】

本発明の１つの態様によれば、サーキットボード及び／又は基板製造からのエッチング（プロセス）廃棄溶媒の処理の方法が説明される。前記方法は：
ｉ）前記エッチング廃棄溶媒を、処理対象溶媒として（特にエッチングプロセスから）提供する段階、ここで、前記処理対象溶媒は、処理対象金属塩及び酸を有する、
ｉｉ）イオン交換プロセス内で前記処理対象溶媒を処理し、その結果、前記処理対象金属塩は金属塩と交換され、金属塩含有溶媒は前記処理対象溶媒から取得される段階、これにより
第１プロセスサイクルを、前記イオン交換プロセスを通って流す段階、ここで、前記第１プロセスサイクルは、（実質的に）金属元素のみを（例えば電解プロセスを使用して）産出する第１（閉）ループである、
を含む。

【0011】

特に、前記方法は更に、
第２プロセスサイクルを、前記イオン交換プロセスを通って流す段階、ここで、前記第２プロセスサイクルは、（実質的に）精製水及び／又は金属欠乏塩濃縮物のみを（例えば逆浸透プロセスを使用して）産出する第２（閉）ループである、
を備え得る。

【0012】

本発明の更なる態様によれば、
ｉ）エッチング廃棄溶媒を、処理対象溶媒として生成するエッチングプロセスモジュール、ここで、前記処理対象溶媒は、処理対象金属塩及び酸を有する、
ｉｉ）前記処理対象溶媒を処理し、その結果、前記処理対象金属塩は金属塩と交換され、金属塩含有溶媒は前記処理対象溶媒から取得されるように構成されているイオン交換プロセスモジュール、
ｉｉｉ）前記イオン交換プロセスモジュールを通って流れる（例えば電解モジュールを介する流体輸送システムとして実装されている）第１プロセスサイクル、ここで、前記第１プロセスサイクルは、実質的に前記金属元素のみを産出する第１閉ループである、及び
ｉｖ）前記イオン交換プロセスを通って流れる（例えば逆浸透モジュールを介する流体輸送システムとして実装されている）第２プロセスサイクル、ここで、前記第２プロセスサイクルは、実質的に精製水及び／又は金属欠乏塩濃縮物のみを産出する第２閉ループである
を備えるサーキットボード及び／又は基板製造産業プラントが説明される。

【0013】

本発明の更なる態様によれば、第１閉ループプロセスサイクル内の電解プロセスへ、及び第２閉ループプロセスサイクル内の膜ろ過プロセスへ結合されたイオン交換プロセスを使用し、（実質的に）銅元素、精製水、及び／又は重金属欠乏塩濃縮物のみが産出されるように、サーキットボード及び／又は基板製造エッチング廃水を処理することが説明される。

【0014】

本発明の更なる態様によれば、上記で説明された方法及び／又は上記で説明された装置を調整するためのプロセス制御装置が議論される。プロセス制御装置は：
ｉ）実行中のプロセスからの少なくとも１つのプロセスパラメータ（及びそれぞれ実際の値）、特に複数のプロセスパラメータを捕捉するためのデータベース、
ｉｉ）少なくとも１つの予め定められたプロセスパラメータ（及び目標値のそれぞれ）、特に複数の予め定められたプロセスパラメータを格納するように適合されたデータモデルユニット、及びｉｉｉ）
ａ）捕捉されたプロセスパラメータを予め定められたプロセスパラメータと（及びそれぞれ複数のパラメータを互いと）比較する、
ｂ）比較の結果に基づく制御動作を決定する（例えば、実際の値及び目標値の間の差を能動的に補償する）、及び、ｃ）予め定められた制御動作を遂行する（例えば、流速等を適合させる）
ように適合された演算装置
を備える。

【0015】

本発明の更なる態様によれば、サーキットボード及び／又は基板製造からのエッチング廃棄溶媒を処理するための方法を制御するためのコンピュータプログラム製品が説明され、このコンピュータプログラム製品は、１つ又は複数のプロセッサ（及びそれぞれ１つ又は複数のコンピュータ）によって実行されるとき、（上記で説明されたような）当該方法及び／又は（上記で説明されたような）当該装置及び／又は（上記で説明されたような）プロセス制御装置を制御する。

【0016】

本明細書の文脈において、「金属塩含有溶媒」という用語は、特に、金属塩を含む任意の（液体）溶媒を示し得る。金属塩は、金属及び酸の間の化学的化合物である。そのような金属の例は：銅、ニッケル、金、銀、コバルト、カドミウム、マグネシウム、ナトリウム、パラジウム、スズを包含し得る。酸の例は：硫酸、塩酸、亜硝酸、リン酸を包含し得；一方で金属塩はそれに対応して、例えば、硫酸塩、塩化物、硝酸塩又はリン酸塩として存在する。対応して、金属塩は例えば、硫酸銅又は塩化銅であり得る。これは、金属イオン及び塩イオンとして金属塩含有溶媒内に存在し得る。金属塩含有溶媒は、金属塩の他に、例えば金属塩が溶解される、水性又は酸性であり得る溶液を含み得る。例えば、溶媒は水の他にもまた、塩酸及び／又は硫酸も含み得る。１つの例において、金属塩含有溶媒は、サーキットボード及び／又は基板の製造から生じ、対応する残留物を含み得る。更に、金属塩含有溶媒は、実質的に金属塩のみが存在するように処理され得る。１つの例において、金属塩含有溶媒は、（望ましくない）異金属（鉄等）を（実質的に）含まない。更なる例において、金属塩含有溶媒は、異金属（の残留物）を含む。「処理対象溶媒」という用語は、後続の処理段階において更に処理されることになる溶媒を示し得る。これにより、処理対象溶媒は、処理対象の（例えば塩が別の塩と交換される）金属塩を含み得、処理対象金属塩が金属塩と交換されるとき、溶媒は処理対象溶媒から取得される。例示的な実施形態において、処理対象金属塩は塩化銅を含み、金属塩は硫酸銅を含む。

【0017】

本明細書の文脈において、「プロセスサイクル」という用語は、特に、サイクル状の方式で接続されている、ある量のプロセス段階（及び／又はプロセスモジュール）を示し得る。特に、プロセスサイクルは、１つの第１段階の生成物が、第１段階に対して上流にあるプロセスである第２段階へフィードバックされるように、配置され得る。より更には特に、最終段階の生成物は、第１段階のインプットとしてフィードバックされる。そのような実施形態は、閉ループプロセスサイクルという用語で呼ばれ得る。好ましくは、閉ループプロセスサイクルは、廃棄物を生成しないように、遂行される。これは、例えば、第３プロセスサイクルを使用して実現され得、ここで、エッチングプロセスからの強酸は、膜透析内で分離され、次に、濃縮段階を介して、エッチングプロセスへフィードバックされる。別の実施形態において、第１プロセスサイクルは、廃棄物として、金属元素のみを、（例えば、酸性溶媒をイオン交換プロセスを通って流し、固定化金属イオンを金属元素を生成する電解プロセスへ輸送し、金属欠乏酸性溶媒をフィードバックすることによって、）産出し得、ここで金属元素は、しかしながら、別の製造プロセスへフィードバックされることができる望ましい生成物である。別の実施形態において、第２プロセスサイクルは、廃棄物として、精製水及び金属が欠乏した（及びそのため排水しやすい）塩濃縮物のみを、（例えば、更なる酸性溶媒を、イオン交換プロセスを通って、逆浸透プロセスを通って、及びイオン交換プロセスへ戻るように流すことによって）産出し得る。

【0018】

本明細書の文脈において、「異金属」という用語は、特に、金属塩含有溶媒内に（溶解の方式で）、存在するが、そこでは（特定の用途にとって）望ましくない金属を示し得る。用途の場合に応じて、そのような異金属（及びそれぞれそれらのイオン）の例は：鉄（Ｆｅ^３＋、Ｆｅ^２＋）、鉛（Ｐｂ^２＋）、スズ（Ｓｎ^２＋）、モリブデン（Ｍｏ^３＋）、ニッケル（Ｎｉ^２＋）、コバルト（Ｃｏ^２＋）、インジウム（Ｉｎ^３＋）、カドミウム（Ｃｄ^２＋）、亜鉛（Ｚｎ^２＋）、クロム（Ｃｒ^３＋）、ナトリウム（Ｎａ^＋）、パラジウム（Ｐｄ^２＋）を包含し得る。１つの実施形態において、金属塩含有溶媒は、金属塩の金属が元素形態で存在し、リサイクルできるように処理されるべきである。異金属は、（例えば電解によって）処理の妨害又は失敗を引き起こし得、それにより、異金属を予め取り除くことが推奨され得る。例示的な実施形態において、金属塩含有溶媒は、めっきプロセスから生じ、銅元素は、金属塩硫酸銅から取得されるべきである。めっきプロセスに起因して、金属塩含有溶媒は、異金属、特に鉄を含み得る。異金属は異金属塩（例えば硫酸鉄）として存在し得る。これにより、硫酸銅の電解が大きく妨害され得る（カソードにおける銅析出を抑制する）。より低い（残留物）濃度において、異金属は、回収中に酸化され得、一方で、金属は還元（及びそれぞれ析出）される。

【0019】

本明細書の文脈において、「異金属及び金属塩含有溶媒」という用語は、特に、（上記で説明されたような）金属塩含有溶媒及び（上記で説明されたような）異金属を含む溶媒を示し得る。１つの実施形態において、異金属及び金属塩含有溶媒は、めっき処理から生じる。特に、異金属及び金属塩含有溶媒は、強酸性溶媒である（例えばｐＨ値＜１を有する）。これは、異金属及び金属塩含有溶媒が高濃度（例えば、１００～２００ｇ／Ｌの範囲）の硫酸等の強酸を含むという事実から生じ得る。

【0020】

本明細書の文脈において、「処理」という用語は、特に、処理対象溶媒（特に、少なくとも１つの望ましくない特性を有する溶媒）が１つ又は複数のプロセス段階中に処理され、その結果、処理済み溶媒（特に、望ましくない特性をもはや含まない溶媒）が存在することを示し得る。例えば、処理対象溶媒は、少なくとも１つの金属塩が望ましくない金属塩含有溶媒であり得る。対応して、望ましくない金属塩をもはや（実質的に）含まない処理済み溶媒としての金属塩含有溶媒が存在するように処理対象溶媒が（例えば膜透析及び化学反応の遂行によって）処理され得る。

【0021】

本明細書の文脈において、「部分ストリーム」という用語は、特に、（製造）プロセス中に溶媒（特に液体溶媒）が特定の（望ましい）プロセス方向に流されることを示し得る。換言すれば、（製造）プロセス中の溶媒の流れは、望ましい方式で制御され得る。「部分ストリーム」という用語は特に、対応する（製造）プロセスが少なくとも２つのそのような（異なるプロセス段階からの）ストリームを含むという事実に関し得る。同じ（製造）プロセス及びそれぞれ同じ産業プラントの中の（好ましい液体溶媒の）各単一ストリームは、部分ストリームとして示され得る。部分ストリームは（具体的に）生産の廃棄溶媒の制御された流れであり得る。少なくとも部分ストリームのうちの少なくとも２つ（特に３つ以上）が全ストリームへ組み合わされ得る。１つの実施形態において、第１部分ストリームは、サーキットボード及び／又は基板製造のエッチングプロセスからの処理済み金属塩含有溶媒（例えば硫酸銅及び塩酸を含む）及びそれぞれ廃棄物ストリームを含み、一方で第２部分ストリームは、サーキットボード及び／又は基板製造のめっきプロセスからの処理済み金属塩含有溶媒（例えば硫酸銅、硫酸鉄及び硫酸を含む）及びそれぞれ廃棄物ストリームを含む。１つの例において、これらは、全ストリームと合流され得、全ストリームは次に、例えば金属塩の金属を元素形態で回収するために処理される。

【0022】

本明細書の文脈において、「サーキットボード及び／又は基板製造」という用語は、特に、産業プラント、例えばサーキットボード工場において遂行される、サーキットボード及び／又は基板を製造するためのプロセスを示し得る。「サーキットボード」という用語は特に、プリントサーキットボード（ＰＣＢ）に関し得、一方で「基板」という用語は例えば、集積回路又は有機インターポーザ等の半導体チップの基板に関し得る。サーキットボード及び／又は基板製造は通常、望ましい金属構造が取得されるようにエッチングによって金属が取り除かれるエッチングプロセス、及び、金属がめっき処理によって配設されるめっきプロセスを包含する。サーキットボード及び／又は基板製造の出発材料は、実質的に、金属、及び、樹脂等の有機材料であることが多い、電気絶縁材料を包含する。プロセスの生成物は、完成したサーキットボード及びそれぞれ基板であり得る、又は、中間生成物でもあり得る。

【0023】

本明細書において、「エッチングプロセス」という用語は特に、金属、特に銅をエッチングして、それにより、望ましい金属（導電）構造を提供することを含む、サーキットボード及び／又は基板製造のプロセスを示し得る。例示的な実施形態によれば、このプロセスは、下記のように遂行され得る：フォトレジストが、エッチングで除去されるべきでない銅の経路を保護し、一方でエッチングで除去されるべき銅領域はフォトレジストでカバーされない。最初に、この目的のために、銅層の全体がフォトレジストで被覆される。次に、マスクを通じて、フォトレジストが紫外線によって現像される。マスクは、フォトレジストが残留するべき位置（すなわち、望ましい導体トレースが提供されるべき位置）においてのみ、紫外線を通過させる。現像中、レジスト（及びそれぞれポリマー）は、紫外線に曝露された位置で架橋結合する。現像後、曝露されなかった（及びそれぞれ現像されなかった）フォトレジストは、容易に洗い流されることができる。その後、パネル（及びそれぞれコンポーネントキャリアのプリフォーム）がエッチングされる。フォトレジストは導体トレースを保護し、一方でフォトレジストでカバーされなかった銅はエッチングされる／取り除かれる。エッチングプロセスが完了したとき、フォトレジストが取り除かれ、及びそれぞれ剥がされ（レジストは架橋結合されており、固体である）、導体トレースが残留する。ストリップされたフォトレジストは、後に塩化鉄によって沈殿されることができる。

【0024】

本明細書の文脈において、「めっきプロセス」という用語は特に、めっき処理が遂行される、サーキットボード及び／又は基板製造中のプロセスを示し得る。めっき処理は、装置上での金属沈殿物の電気化学的析出を示し得る。装置は、金属沈殿物（例えば銅）が例えば、導電層構造及びそれぞれ導体トレースとして機能し得るサーキットボード及び／又は基板として機能する。更に、例えば、横方向にめっきすることにより、又は、めっきによって完全に充填することにより、穴（ビア）を導電性にすることができる。１つの例において、電流が電解槽に加えられる。正極（アノード）には、配設されるべき金属（例えば、銅又はニッケル）が配置され、負極（カソード）には、被覆対象物（例えばサーキットボード）が配置される。電流によって、金属イオンは、還元によって対象物上に析出する。１つの例において、本プロセスは、一連の電解槽によって実現され得る。めっきプロセスは、連続的に、又は不連続的に（バッチ式の方式で）遂行され得る。通常、ある量の金属塩含有溶媒が廃棄濃縮物（「ブリード」）として本プロセスにおいて取得される。プロセスに起因して、これは一般に、異金属及び強酸の内容物を含有し、その結果、従来は金属（金属塩）のリサイクルを経済的な方式で行うことが可能でない。

【0025】

本明細書の文脈において、「反応セル」という用語は特に、金属塩含有溶媒から元素の形態で及び非常に純粋な形態で金属塩の金属を回収することを可能にする任意の反応器を示し得る。「回収」という用語は特に、金属塩含有溶媒からの金属元素が（再利用の目的で）分離及びそれぞれ単離されることを示し得る。反応セルの例は電解セルであり得る。「電解」という用語は特に、化学的酸化還元反応を可能にするために電流が利用されることを意味し得る。したがって、電解セルは、カソード（負極）及びアノード（正極）と結合された、電流を提供するための直流電圧源を含み得る。電圧源は、アノードにおいて電子の欠乏を、カソードにおいて電子の過剰を引き起こし得る。１つの実施形態において、金属塩含有溶媒が電解セルに追加され、それは金属としての銅、及び異金属としての鉄を含む。銅は、より高い酸化還元電位を有し（より不活性であり）、したがって、カソードにおいて還元及びそれぞれ析出される。対照的に、鉄はアノードにおいて酸化される。例示的な実施形態において、反応セルは好ましくは、複数の（例えば２０の）電解モジュールを含み、当該電解モジュールの中で、金属元素（例えば銅）がカソードで析出される。この反応において、析出される金属より化学的に不活性でない（電解質の）異金属の酸化が生じる。１つの例において、回収は一連の電解槽として実現され得る。回収は連続的又は不連続的に（バッチ式に）遂行され得る。

【0026】

本明細書の文脈において、「イオン交換プロセス」という用語は、特に、液体溶媒のイオンの交換のために好適な任意のプロセスを示し得る。「イオン交換体」という用語は、その材料によって、溶解したイオンが同じ電荷（正又は負）の他のイオンによって置換されることができる材料（及びそれぞれ装置）を包含し得る（更に下記の詳細な説明を参照）。

【0027】

本明細書の文脈において、「透析」という用語は、特に、濃度駆動膜プロセスを使用して分子（特にイオン）を溶液から取り除くことを示し得る。１つの実施形態において、金属塩含有溶媒が、膜の第１の側における第１フィード（透析液フィード）を介して提供され、第２フィード（拡散物フィード）を介して、更なる溶媒（例えば水）が膜の第２の側（第１の反対側）において提供される。膜は半透性であり得、アニオン（例えば塩化物）が通過することを可能にするが（アニオン膜）、一方でカチオン（例えばＣｕ^２＋）が通過することを可能にしない。したがって、透析液として金属塩含有溶媒においてカチオンが濃縮され、一方で拡散物として更なる溶媒においてアニオンが濃縮される。塩化物アニオンの例において、拡散物は強酸性になり、その結果、「酸透析」という用語も使用され得る。

【0028】

下記で説明される膜透析については、それぞれ、同じ膜が利用され得る、又は、（好ましくは）異なる膜が使用される。アニオン膜は、例えば臭素（Ｂｒ^－）で官能化され得、ここでキャリア材料は例えばＰＥＴ又はＰＶＣであり得る。特定の場合において、金属塩含有溶液は過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）を含み得る。この場合、好ましくは、例えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）に基づく耐酸化性膜が使用され得る。

【0029】

本明細書の文脈において、「再生」という用語は特に、（選択的）イオン交換体が第１動作状態から第２動作状態に移されることを示し得る。特に、第１動作状態において、金属（特にカチオン）がイオン交換体（及びそれぞれイオン交換樹脂）で吸着される。更に、特に第２動作状態において、金属は実質的に脱離される。したがって、第２動作状態において、イオン交換体は、再度ロードされるように操作可能であり得、対応して、再度第１動作状態になり得る。有利に、再生は複数回にわたり繰り返され得る。１つの例において、再生は再生溶媒、特に、硫酸及び／又は塩酸等の再生酸によって遂行される。再生において、再生溶媒は吸着された金属を脱離し得る。浄化後、再生溶媒は再度使用され得る。更なる例において、再生溶媒を浄化する必要はなく、その結果、イオン交換体を通る各（再生）サイクルごとに再生溶媒における金属濃度が増加する。このように、本明細書において、「再生」はまた、回収される金属を濃縮することであり得る。

【0030】

換言すれば、１つの実施形態によれば、金属濃度が増加し、一方で酸濃度が減少する。脱離された金属イオンを既に含有する再生酸は、取得された酸濃度が低すぎて金属イオンを樹脂から解放できなくなるまで再利用される。次に、酸のプロトン（Ｈ^＋）が連続的に樹脂に残留するので、酸濃度は減少する。

【0031】

本明細書の文脈において、「有用材料サイクル」という用語は、特に、複数の有用材料（製造方法のために要求される物質、例えば、主成分及び／又は出発材料／原材料）が製造プロセス（及びそれぞれ産業プラント）内に常に（及び、それぞれ、連続的に）リサイクルされることを示し得る。特に、単一プロセス段階からの複数の有用材料が処理及び／又は回収され、単一プロセス段階に再度供給される。有用材料は、廃棄溶媒の構成物、及び、それぞれ発生残留物としてプロセス段階を出るが、プロセス中のプロセス内プロセスの後にフィードバックされ得る。有用材料は、例えば、銅、ニッケル、金等の重金属等を包含し得る。これらは、様々なプロセス段階において、金属塩含有溶媒内に生じ得る。発生残留物は、部分ストリームにおいて流され得（溶媒の流れが具体的に制御され得る）、有用材料が回収され得るように、少なくとも部分的に共通に処理され得る。最後に（特に全ストリームの処理を介して）単一プロセス段階にフィードバックされる部分ストリームから、分離ストリームが分離され得、これは更に、単一プロセス段階にフィードバックされ得る、及び／又は、濃縮（及びそれぞれ濃度の調節）等のプロセスを介して再度部分ストリームへ供給され得る。

【0032】

本明細書の文脈において、「排水水質を満たす溶媒」という用語は、特に、法定基準及び境界値を遵守して、廃水処理プラント及び／又は水域環境へと流されることが許容される（液体）溶媒を示し得る。１つの例において、給水水質を満たす溶媒は、サーキットボード／基板製造の主成分を（実質的に）含まず、単に水、（非重金属）塩、及び（場合によっては）有機材料からなる。好ましい実施形態において、給水水質を満たす溶媒は、重金属をもはや（実質的に）含まない。給水水質を満たす溶媒は、廃水処理プラントにおいて、又は、例えば活性炭フィルタによって取り除かれ得る有機残留物を含み得る。

【0033】

例示的な例において、排水水質を満たす溶媒は、廃水処理プラント内の排水水質を含む。重金属の濃度は１５ｍｇ／Ｌ以下であり得、特に、銅の濃度は０．５ｍｇ／Ｌ以下（したがって、例えば、オーストリア共和国の法定境界値内）であり得、溶媒が水域環境に供給され得るように、排水水質を満たす溶媒が（例えば、プロセス内廃水処理プラントにおいて）浄化され得る。この浄化は重金属に関連せずに、有機物質残留物に関連するという可能性がある。これらは、例えば活性炭フィルタによって単純に取り除かれ得る。例えば、浄化後、排水水質を満たす溶媒における、有機化合物の濃度の指標であるＣＳＢ（化学的酸素要求量）は、３００ｍｇ／Ｌ未満，特に、７５ｍｇ／Ｌ未満（更には、特に６５ｍｇ／Ｌ未満）であり得る。ＣＳＢ値は、酸素が酸化剤である場合に、被酸化性物質の酸化に要求される酸素の量を（ｍｇ／Ｌで）指定し得る。例えば、この境界値は、オーストリアでは法律で７５ｍｇ／Ｌである。廃水処理プラントのＣＳＢ境界値は、大きく変動し得、１つの例において、３００ｍｇ／Ｌである。

【0034】

本明細書の文脈において、「プロセス制御装置」という用語は特に、プロセス制御の遂行に好適な各装置（又は複数の装置）を示し得、ここで、プロセスは（少なくとも部分的に）サーキットボード及び／又は基板製造に関する。特に、プロセス制御装置は、（少なくとも部分的に）有用材料サイクルを制御及びそれぞれ調整するよう適合され、ここで、生産の残留物は、（重金属及び／又は酸）廃棄物が実質的に生じないようにフィードバックされる。この目的のため、プロセス制御装置は特に、データベース（ユニット）及びデータモデルユニットを含み得、ここで、前者は、捕捉された処理済みデータを格納し、一方で後者は、意図される望ましいプロセスデータを格納する。プロセス制御装置は、この方式で、異なるプロセスステーションにおける実際のパラメータを決定するために、複数のセンサ及び測定装置に結合され得る。更に、プロセス制御装置は、捕捉されたパラメータを望ましいパラメータと比較し、それに基づき、制御動作を決定及び遂行する演算装置を含み得る。好ましい実施形態において、プロセス制御装置は、プロセスの制御及びそれぞれ調整を連続的に改善できる自己学習アルゴリズム（ＡＩ）を含む。

【0035】

本明細書の文脈において、「実質的に」という用語は、許容可能な労力でそれ以上取り除くことができない、無視できる残留物及び／又は汚染が包含され得るように解釈され得る。これらの無視できる残留物及びそれぞれ汚染は、１つの実施形態において（意図的に）望ましくないが、合理的な労力でそれ以上取り除かれることができない。例えば、排水水質を有する溶媒は、重金属を実質的に含まないことがあり、このことは、無視できる残留物及びそれぞれ汚染が（例えば、より低いパーセント、パーミル、又は更にはｐｐｍの範囲において）存在し得ることを示し得る。これらの残留物及び／又は汚染は望ましくないが、それにもかかわらず、許容可能な技術的労力を伴う方式で分離できないことを当業者であれば理解する。特に、「排水水質」という用語は、重金属濃縮が、残留物／汚染のみからなり、とても低いので水性環境内での排水が可能であるために、「実質的に」重金属が存在しないということを示し得る。

【0036】

本明細書の文脈において、「（プリント）サーキットボード」（ＰＣＢ）という用語は特に、実質的にプレート形状のコンポーネントキャリア（柔軟、剛体、又は半柔軟であり得る）を示し得、これは、例えば、圧力を加えることによって、及び／又は、熱エネルギーを供給することによって、複数の導電層構造を複数の電気絶縁層構造と積層することによって形成される。ＰＣＢ技術に好ましい材料として、導電層構造は、銅からできており、一方で電気絶縁層構造は、樹脂及び／又はガラスファイバ、いわゆるプリプレグ又はＦＲ４材料を含み得る。異なる導電層構造は、例えば、レーザ穿孔又は機械的穿孔によって積層を通る貫通開口部を形成することによって、及び、それらを導電材料（特に銅）で充填することによって、望ましい方式で互いへ接続され得、それにより、貫通開口部接続としてのビアがそこに形成される。プリントサーキットボード内に埋め込まれ得る１つ又は複数のコンポーネントの他に、プリントサーキットボードは典型的には、プレート形状のプリントサーキットボードの互いに反対側の表面の一方又は両方に１つ又は複数のコンポーネントを受けるよう構成される。それらは、はんだ付けによって、対応する主要な表面に接続され得る。これらのコンポーネントも埋め込まれ得る。ＰＣＢの誘電体部は、補強構造（例えばガラスファイバ又はガラス球）を有する樹脂を包含し得る。

【0037】

本明細書の文脈において、「基板」という用語は特に、（チップスケールパッケージ（ＣＳＰ）と同様に）その上に搭載されるコンポーネント（特に電子コンポーネント）と実質的に同じサイズを有する小さいコンポーネントキャリアを示し得る。特に、基板は、電気接続又は電気ネットワークのためのキャリアを、又は、プリントサーキットボード（ＰＣＢ）と同等であるが、しかしながら、明確により高い密度の横方向及び／又は鉛直方向に配置される接続を有するコンポーネントキャリアも示し得る。例えば、横方向の接続は導電経路であり、一方で鉛直方向の接続は例えばボアホールであり得る。これら横方向及び／又は鉛直方向の接続は、基板において配置され、プリントサーキットボード又は中間プリントサーキットボードとの、特にＩＣチップの、収容されているコンポーネント又は収容されていないコンポーネント（例えばダイ）の電気的及び／又は機械的接続を提供するために使用され得る。したがって、「基板」という用語には「ＩＣ基板」も含まれる。基板の誘電体部は、補強粒子（例えば補強球、特にガラス球）を有する樹脂を包含し得る。

【0038】

基板又はインターポーザは、少なくとも１つのガラス層（ケイ素（Ｓｉ））又は光構造化可能又はドライエッチング可能有機層からなり得る。有機材料／有機層として、エポキシ系ビルドアップ材料（例えばエポキシ系ビルドアップフィルム）、又は、例えば、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、又はベンゾシクロブテン官能化ポリマー等のポリマー化合物が使用され得る。

【0039】

１つの実施形態において、コンポーネントキャリアは積層型コンポーネントキャリアである。そのような実施形態において、コンポーネントキャリアは、圧力及び／又は熱を加えることにより、スタックされて互いに接続される複数の層構造から構成される複合体である。

【0040】

１つの実施形態において、導電層構造のうちの少なくとも１つは、銅、アルミニウム、ニッケル、銀、金、パラジウム、マグネシウム及びタングステンからなる群のうちの少なくとも１つを含む。典型的には銅が好ましいが、他の材料及びその被覆バージョン、特にグラフェン等の超伝導材料での被覆も可能である。

【0041】

本明細書において、「重金属」という用語は特に、５．０ｇ／ｃｍ^３より大きい（代替的に４．５ｇ／ｃｍ^３より大きい）密度を有する金属を示し得る。これは、例えば、銅、ニッケル、コバルト、金、銀、パラジウム、タングステン、スズ、亜鉛、鉄、鉛、クロム、ロジウム、カドミウム等を含む。この定義によれば、アルミニウム、ケイ素、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム等は、例えば重金属として示されない。

【0042】

例示的な実施形態によれば、本発明は、サーキットボード及び／又は基板製造の金属塩含有エッチング廃棄溶媒の、コスト効率が高く、環境にやさしく、かつ耐久性が高い処理は、イオン交換プロセスが２つの閉ループプロセスサイクルの間で統合されている場合に、（有用材料サイクル内で）効率的かつロバストな方式で可能となり、ここで、第１プロセスサイクルは、金属元素のみを産出し、第２プロセスサイクルは、精製水及び／又は金属欠乏塩濃縮物のみを産出する、という着想に基づき得る。

【0043】

従来、サーキットボード及び／又は基板製造からの廃棄物及び（金属塩及び酸が豊富な）廃棄濃縮物は、コスト集約的で環境に優しくなく、耐久性が高くない方式で処分されていた。更に、これらのエッチングプロセスからの廃棄物は通常、強酸性であり、そのため、特別な廃棄物として、入念に処分されることが予め定められる。そのため、量的に多い方式の回収（リサイクルに必須である）は、コスト効率が高い方式では可能でないと考えられる。

【0044】

ここで驚くべきことに、金属塩含有廃棄溶媒から経済的に（特に金属元素を）回収することが可能であるということが発見された。コスト及び労力を節約できる処理の後に、回収された材料を異なるプロセス段階へフィードバックすることが可能である。例えば、銅元素は、めっきプロセスへ直接的にフィードバックされ得、一方で分離された酸はエッチングプロセスへフィードされ得る。好ましい実施形態において、回収が連続的に遂行され得、その結果、異なるプロセス段階からの発生廃棄物を永続的に処理でき、リサイクルしたものが単一プロセス段階へ直接提供され得る。

【0045】

有利には、ストリームを流し処理することは、高い酸濃度が、有用材料サイクル内の処理プロセスを妨害せず、その一部として酸自体が維持されてフィードバックされるように、遂行される。これらの処理は、水集約的であり得るので、精製水は、有利には、異なるプロセスへとフィードバックされ得る。

【0046】

サーキットボード及び／又は基板製造からの金属塩含有溶媒は従来（とりわけ、高濃度の異金属及び酸に起因して）、入念に処分されるべき廃棄物とみなされてきたが、ここで、完全に対照的に、１つの同じ生産プロセス内で金属及び酸を経済的に、効率的にフィードバックすることが可能であると説明されている。
［例示的な実施形態］
例示的な実施形態によれば、前記金属塩中の前記金属及び前記処理対象金属塩中の前記金属は同じ金属である。前記金属は、特に、銅、ニッケル、コバルト、スズ、カドミウム、マグネシウム、ナトリウム、銀、金からなる群のうちの少なくとも１つである。それにより産業的に関連する金属は、コスト集約的に排水される代わりに、効率的に回収される。

【0047】

更なる例示的な実施形態によれば、前記金属塩（例えば硫酸銅）中の前記塩及び前記処理対象金属塩（例えば塩化銅）中の前記塩は、異なる塩である。前記塩は、塩化物、硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩からなる群のうちの少なくとも２つを有する。これは、複数の処理対象金属塩が、柔軟な方式で、プロセス内で望ましい金属塩に変換され得るという利点を有し得る。

【0048】

例示的な例によれば、（処理対象金属塩としての）塩化銅の形態の銅及び酸としての塩酸が、処理対象溶媒としてエッチングプロセスから生じる。高含量の塩化物イオンは、回収、例えば電解中に、塩素ガスの制御不能な形成を促す。加えて、塩化物イオンは、電解電極で共析出し得、これにより、析出した銅の純度は負の影響を受ける。

【0049】

更なる例示的な実施形態によれば、前記第１プロセスサイクルは更に：
ｉ）前記酸とは異なる、更なる酸（特に、更なる酸は：硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）、塩酸（ＨＣｌ）、亜硝酸（ＨＮＯ_３）、リン酸（Ｈ_３ＰＯ_４）からなる群のうちの少なくとも１つを含む）を、前記イオン交換プロセスを通って流し、その結果、前記更なる酸は、前記金属塩含有溶媒（例えば硫酸銅濃縮溶媒）を提供するために、（例えばイオン交換樹脂からの金属イオンを脱離する）前記イオン交換プロセスからの前記金属を取り除く段階（前記更なる酸は、（前記更なる酸を含む／それからなる）再生溶媒という用語でも呼ばれ得る）、
ｉｉ）前記金属塩含有溶媒を、金属元素回収プロセスへ輸送し、前記金属塩含有溶媒から、前記金属元素及び前記更なる酸を（例えば電解によって）取得する段階、及び
ｉｉｉ）前記（金属が欠乏した）更なる酸（前記金属は、金属元素として取り除かれている）を、（再生溶媒として）前記イオン交換プロセスへフィードバックする段階
を有する。

【0050】

このようにして、酸性溶媒（更なる酸）は、第１プロセスサイクルの閉ループ内で流される。酸性溶媒の酸は、コスト集約的な方式で排水される必要はなく、有用材料サイクル内に保たれる。そうして、第１プロセスサイクルの廃棄物は（実質的に）、実際に有用リサイクル材料である金属元素のみである。

【0051】

また、更なる酸／酸性溶媒は、イオン交換プロセスの「再生溶媒」という用語で呼ばれ得る。そのような再生溶媒は、（例えば硫酸の）高い酸濃度、特に≧１００ｇ／Ｌ、更には特に≧２００ｇ／Ｌ、更には特に≧２５０ｇ／Ｌを有し得る。

【0052】

金属が銅である１つの例において、処理対象溶媒は、塩化銅を含み、更なる酸は硫酸を含み、下記の反応が起こり得る：

【0053】

ＣｕＣｌ_２（処理対象溶媒内）→２Ｃｌ^－（金属欠乏酸性溶媒内）＋Ｃｕ^２＋（固定化された）、及び次に、
Ｃｕ^２＋（固定化された）＋Ｈ_２ＳＯ_４（更なる酸内）→ＣｕＳＯ_４（金属塩含有溶媒内）＋２Ｈ^＋（固定化された）。

【0054】

再生中、Ｃｕ^２＋イオンはそのため、２つのＨ^＋イオンによって交換され、Ｈ_２ＳＯ_４及びＣｕＳＯ_４の濃縮された電解質が取得され、これは電解において直接使用されることができる（金属濃縮電解質）。

【0055】

塩化銅を硫酸銅に交換する説明された例の他にもまた、（それぞれ、対応する酸との）例えば、下記の塩交換反応は起こり得る（抽出物に応じて、両方の方向に実現可能であり得る）：

【0056】

ＮｉＣｌ_２＋Ｈ_２ＳＯ_４←→ＮｉＳＯ_４＋２ＨＣｌ
ＮｉＣｌ_２＋２ＨＮＯ_３←→Ｎｉ（ＮＯ_３）_２＋２ＨＣｌ
ＣｏＣｌ_２＋Ｈ_２ＳＯ_４←→ＣｏＳＯ_４＋２ＨＣｌ
ＣｏＣｌ_２＋２ＨＮＯ_３←→Ｃｏ（ＮＯ_３）_２＋２ＨＣｌ
３ＣｏＣｌ_２＋２Ｈ_３ＰＯ_４←→Ｃｏ_３（ＰＯ_４）_２＋６ＨＣｌ
ＳｎＣｌ_２＋Ｈ_２ＳＯ_４←→ＳｎＳＯ_４＋２ＨＣｌ
ＳｎＣｌ_２＋２ＨＮＯ_３←→Ｓｎ（ＮＯ_３）_２＋２ＨＣｌ
ＣｄＣｌ_２＋Ｈ_２ＳＯ_４←→ＣｄＳＯ_４＋２ＨＣｌ
ＣｄＣｌ_２＋２ＨＮＯ_３←→Ｃｄ（ＮＯ_３）_２＋２ＨＣｌ
３ＣｄＣｌ_２＋２Ｈ_３ＰＯ_４←→Ｃｄ_３（ＰＯ_４）_２＋６ＨＣｌ
ＭｇＣｌ_２＋Ｈ_２ＳＯ_４←→ＭｇＳＯ_４＋２ＨＣｌ
ＭｇＣｌ_２＋２ＨＮＯ_３←→Ｍｇ（ＮＯ_３）_２＋２ＨＣｌ
３ＭｇＣｌ_２＋２Ｈ_３ＰＯ_４←→Ｍｇ_３（ＰＯ_４）_２＋６ＨＣｌ
２ＮａＣｌ＋Ｈ_２ＳＯ_４←→Ｎａ_２ＳＯ_４＋２ＨＣｌ
ＮａＣｌ＋ＨＮＯ_３←→ＮａＮＯ_３＋ＨＣｌ
３ＮａＣｌ＋Ｈ_３ＰＯ_４←→Ｎａ_３ＰＯ_４＋３ＨＣｌ
更なる実施形態によれば、前記金属元素回収プロセスは電解プロセスを備え、前記金属塩含有溶媒は前記電解プロセスに入る金属濃縮電解質に似ており、前記更なる酸は前記電解プロセスを出る金属欠乏電解質に似る。これは、電解に好適な溶媒が追加の労力なしに提供される、という利点を提供し得る。金属元素は、電解によって、約９９．９９９％の純度まで回収され得、これは製造プロセスへフィードバックするために必要であり得る。

【0057】

更なる実施形態によれば、金属塩含有溶媒は、単独で、又はサーキットボード及び／又は基板製造からの他の金属塩含有溶媒と組み合わせて、金属濃縮電解質として、適用される。そのようなストリーム（又は全ストリーム）の処理（及びそれぞれ組成の調節）は、下記の特徴のうちの少なくとも１つを備え得る：
ｉ）有機物構成物を、フィルタ、好ましくは活性炭フィルタによって、金属塩含有溶媒（電解質）からフィルタすること。
ｉｉ）（酸化）異金属（特に鉄）を、更なるイオン交換体によって、金属塩含有溶媒（電解質）から分離すること。これは、金属塩含有溶媒が電解質として浄化され、一方で異金属は他のプロセス段階のための原材料として取得されるという利点を有し得る。
ｉｉｉ）酸（特に硫酸）を、金属塩含有溶媒（電解質）から分離すること。これは、選択的に調節（再調節）することを可能にし、分離された物質は、少なくとも部分的に方法内で再利用される。

【0058】

更なる実施形態によれば、金属元素は、反応セル内で（特に電解によって）金属塩含有溶媒から回収される。金属塩含有溶媒の金属元素（例えば銅）は、サーキットボード及び／又は基板を製造するための、ある／当該プロセスに再供給されるために、（非常に）純粋な形態で反応セルにおいて回収されるべきである。特に、取得された金属元素は、めっきプロセスにフィードバックされる。

【0059】

更なる実施形態によれば、前記第２プロセスサイクルは更に：
ｉ）前記処理対象溶媒を、前記イオン交換プロセスを通って流す段階、ここで、前記処理対象溶媒は、分離後に前記イオン交換プロセス内に残留する（例えばイオン交換樹脂によって吸着される）前記金属、及び金属が欠乏した（塩酸）酸性溶媒へと分離される、
ｉｉ）前記金属欠乏酸性溶媒を、水処理プロセス内において処理し、その結果、前記精製水が取得される段階、及び前記精製水を
ａ）前記精製水を、前記イオン交換プロセスへフィードバックする段階、
ｂ）前記精製水を、更なるサーキットボード及び／又は基板製造プロセス（例えば膜透析、希釈プロセス、洗浄水処理プロセス等）へフィードバックする段階、
ｃ）前記精製水を、排水水質を満たす水として排水する段階
からなる群のうちの少なくとも１つに従って使用する段階
を有する。

【0060】

これは、（従来はコスト集約的で環境に優しくない方式で排水される）強酸性溶媒が効率的に精製水へと処理される、という利点を提供し得る。説明されたプロセスは、非常に水集約的であり得るので、処理水を連続的にリサイクルすることが非常に望ましい可能性がある。

【0061】

排水水質を満たす溶媒（水）は、サーキットボード／基板製造の主成分（特に重金属）をもはや（実質的に）含まず、単に水、塩、及び有機材料からなる。

【0062】

更なる実施形態によれば、前記水処理プロセスは、膜ろ過プロセス、特に逆浸透プロセスを含み、前記透過液は、前記精製水を含み、前記濃縮物は、塩濃縮物を含む。これは、確立された産業プロセスは、プロセス内でリサイクルされることが可能である精製水を産出するように、直接実装されることが可能であるという利点を提供し得る。

【0063】

「膜ろ過」という用語は、本明細書の文脈では、部分的に浸透可能な膜を使用してイオン、望ましくない分子、及びより大きな粒子を水から分離する、確立された浄水プロセスを指し得る。膜ろ過の例は、精密ろ過、ナノろ過、及び逆浸透を含み得る。逆浸透において、加えられる圧力は、浸透圧に打ち勝つために使用され得る。それにより逆浸透は、多種の溶解した及び懸濁された化学種及び生物学的なもの（主にバクテリア）を、水から取り除き得る。逆浸透プロセスは、２つの生成物：透過液（精製水）及び濃縮物（塩濃縮物、特に金属塩）を産出し得る。

【0064】

更なる実施形態によれば、前記第２プロセスサイクルは更に：前記塩濃縮物を、前記イオン交換プロセスへフィードバックし、その結果、前記塩濃縮物の金属は、前記イオン交換プロセス内に残留する段階；及びそれにより前記金属欠乏塩濃縮物を提供する段階を有する。

【0065】

塩濃縮物は、特に、依然としてエッチングプロセスからの（重）金属を含有する金属塩濃縮物である。したがって、金属塩濃縮物は、排水されるのに好適ではないことがある。結果的に、及び金属元素の産出を更に増加させるために、塩濃縮物は、イオン交換プロセスへ戻るように、輸送される（優先的に希釈される、特に精製水及び／又は洗浄水を用いて希釈される）。ここで、金属は、希釈済み金属塩濃縮物から、（例えばイオン交換樹脂によって吸着されて）再度取り除かれ得、特に第２プロセスサイクル内での複数（例えば３、７等）サイクル後に、金属塩濃縮物は金属欠乏塩濃縮物になる。

【0066】

更なる実施形態によれば、前記金属欠乏塩濃縮物は、重金属を（実質的に）含まず（特に、塩及び任意選択的に水／有機物のみを含有する）、低コストかつ環境に優しい方式で排水され得る。

【0067】

更なる実施形態によれば、前記方法は更に、塩基（例えば水酸化ナトリウム）を、前記金属欠乏酸性溶媒へ追加する段階、ここで、前記塩基及び前記金属欠乏酸性溶媒の前記酸は、前記塩濃縮物（例えば塩化ナトリウム）の前記塩を形成する、を備える。これは強酸がコスト効率が良い方式で中和されるという利点を提供し得る。

【0068】

更なる実施形態によれば、前記イオン交換プロセスは、イオン交換体を適用する段階、特にここで前記イオン交換体はイオン交換樹脂を有する、を有する。イオン交換体は、例えば、イオン交換材料が充填されたカラムとして、又は、溶液が流れる膜として実現され得る。交換対象のイオンは、イオン交換材料において結合及びそれぞれ吸着される。１つの例において、イオン交換体は選択的イオン交換樹脂を含み、更に、特に二重官能化イオン交換樹脂を含む。

【0069】

１つの実施形態において、イオン交換体のイオン交換樹脂のキャリア材料はポリスチレンを含む。特に、それは、２つの官能基（二重官能基イオン交換樹脂）、例えば、ｉ）ホスホン酸残基及びｉｉ）スルホン酸残基を含む。第１の酸の群は、第２の酸の群より高いｐＫ値を有する。より高いｐＫ値の酸は、より低いｐＫ値の酸（強酸）より弱い酸であり、熱分解がより生じにくい。それにより、再生中、異金属は、樹脂によってより容易に脱離され得る。

【0070】

１つの実施形態によれば、驚くべきことに、厳密に２つの官能基を有する特別なイオン交換樹脂の使用により、金属（特に鉄）の（効率的）脱離が可能になることが分かった。

【0071】

例示的な例において、イオン交換体は２つの段階で構築される。第１イオン交換体（上流）は、金属の大部分を吸着するための強酸性イオン交換樹脂を備え得る。第２イオン交換体（下流）は、残留する金属を（特に金属欠乏酸性溶媒が（重金属含量の観点から）排水水質を満たすような程度まで）吸着する弱酸性イオン交換樹脂を備え得る。

【0072】

例示的な例において、強酸性イオン交換樹脂は、樹脂に適用された、ある（任意の）カチオンを吸着し得る。したがって、初期イオン交換樹脂は、選択的イオン交換樹脂でなくともよい。しかしながら、強酸性イオン交換樹脂は、著しく増加した吸収容量を有し得、これは有利であるとみなされ得る。（異なる）カチオンの量が著しくない場合において、そのような選択性の欠如は良く機能し得る。弱酸性イオン交換樹脂は、残留する量の銅を選択的に吸着し得る。後続のプロセス段階では、ｐＨ値は増加され得る。そうでなければ、ナトリウムイオンがプロセスに導入され得、それが電解質を更に汚染する（また、初期イオン交換樹脂の容量は、ナトリウムが樹脂上へ吸着するにつれて、減少する）。

【0073】

更なる実施形態によれば、イオン交換プロセスは、液／液抽出を適用する段階を有する。好ましい実施形態において、液／液抽出は、抽出溶媒（炭化水素系イオン交換溶媒）として、高い引火点を有する炭化水素系希釈剤を使用して遂行され得る。そのような炭化水素希釈剤は、様々な金属カチオン、例えば銅を用いて水不溶性錯体を形成し得る。イオン交換プロセス中に、下記の反応が起こり得る：２ＲＨ_{（ｏｒｇ）}＋Ｃｕ^２＋ _（ａｑ）→Ｒ_２Ｃｕ_{（ｏｒｇ）}＋２Ｈ^＋ _（ａｑ）。

【0074】

これにより、炭化水素希釈剤は、それがイオン交換反応によってカチオン（特に銅）を可逆的に吸収するので、イオン交換樹脂と同様に作用し得る。更に、カチオンはその後２つのＨ^＋イオンによって交換されもする。

【0075】

１つの例において、濃縮され脱酸された処理対象溶媒（例えば塩化銅を含有する）ストリームは、高引火点炭化水素希釈剤を用いて（イオン）抽出されることになる。両方の液体は、互いと混和できないが、イオン抽出／交換プロセス中に、これらの２つの液体は、例えば（イオン交換プロセス／システム内で）混合することによって、互いに密着させられる。混合することによって、２つの混和できない液体は、液／液界面においてイオン交換（移動）が生じるような方式で、互いに密着させられる。結果的に、カチオン（銅）はその後、高引火点炭化水素希釈剤溶媒内に存在することになり、一方でアニオン（例えば塩化物イオン）は新しく取得された金属欠乏酸性溶媒内に残留することになる。これらの２つの溶媒は互いに混和できないので、それらは、いくらか時間が経った後も分離していることになる。これは、例えば（イオン交換プロセスの一部であり得る）沈殿槽を使用して、なされ得る。（カチオン濃縮された）高引火点炭化水素希釈剤は、次に、更なる酸（特に硫酸）を用いて更に再生（「ストリップ」）され得、それにより金属塩含有溶媒（例えば硫酸銅を有する電解質）の生産を可能にする。金属塩含有溶媒及び（カチオンが欠乏した）高引火点炭化水素希釈剤も互いに混和できないので、金属塩（硫酸銅）は、容易に分離され得、高引火点炭化水素希釈剤（炭化水素抽出溶媒）は、イオン交換樹脂と同様の方式で再利用され得る。高引火点炭化水素希釈剤（炭化水素抽出溶媒）の例示的な例は、１：１比における５－ノニルサリチルアルドキシムと２－ヒドロキシ－５－ノニルアセトフェノンオキシムの混合物であり得る。

【0076】

更なる実施形態によれば、前記処理対象溶媒を提供する段階は、第３（閉）ループであり（実質的に）廃棄物を産出しない第３プロセスサイクル内に統合されている。このようにして、エッチングプロセスからの酸性廃棄物は、１つの同じサーキットボード／基板製造内で効率的にリサイクルされることが可能である。

【0077】

更なる実施形態によれば、前記第３プロセスサイクルは更に：
ｉ）前記処理対象溶媒からの前記酸を、膜透析によって取り除き、酸が欠乏した（酸性が弱まった）処理対象溶媒及び酸性拡散物を提供する段階（特に、前記酸性拡散物を、酸濃縮プロセス内で更に酸濃縮し、酸濃縮拡散物を取得する段階）、及び
ｉｉ）前記酸性拡散物及び／又は前記酸濃縮拡散物を、前記エッチングプロセスへ、前記処理対象溶媒を（再度）生成するために、フィードバックする段階
を有する。

【0078】

それにより、（排水が難しくコスト集約的である）酸性廃棄物は生成されない。むしろ、エッチングプロセスからの酸は処理対象溶媒から分離され、エッチングプロセスへフィードバックされることが可能である。

【0079】

非常に低い濃度の金属塩のみを含む（処理のための膜透析段階の後の）酸性拡散物は、エッチングプロセスへ再度輸送される前に、（例えばガス吸着を使用して）酸を（他のプロセスの更なる分離ストリームと共に）濃縮され得る。代替的に、酸性拡散物は、中央処理へ供給され得る（例えば洗浄水）。酸はサーキットボード及び／又は基板製造プロセスにおいて再利用され得る一方で、金属塩は（例えば、洗浄水処理を介して）濃縮され、再度回収され得る。別の実施形態において、酸は、塩化鉄、ＦｅＣｌ_３の生産のための再生酸として使用される。

【0080】

更なる実施形態によれば、前記処理対象溶媒を提供する段階は：過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）除去プロセスを遂行する段階を有する。処理対象溶媒は、エッチングプロセスからの過酸化水素等の酸化剤を含有し得る。これらの酸化剤は、膜透析の膜及び／又はイオン交換樹脂を攻撃し得る。酸化剤の還元及び／又は除去は、化学的に、熱的に、電気的に、又は触媒を用いてなされ得る。過酸化水素除去は、下記の化学反応を含み得る：２Ｈ_２Ｏ_２→２Ｈ_２Ｏ＋Ｏ_２。例えば、熱分解は、約５０～６０℃で生じる。触媒反応は、例えば塩化鉄（ＦｅＣｌ_３）を触媒として用いて、活性炭フィルタを使用して、遂行することが可能であり、又はカタラーゼと呼ばれる酵素は、除去反応を誘導するために使用され得る。電気分解は、電位（電圧）が加えられるとすぐに、生じ得る。更に、過酸化水素は、亜硫酸水素ナトリウム等の任意の還元剤を使用して化学的に除去され得る。

【0081】

更なる実施形態によれば、処理は連続的に遂行される。これは、それぞれ、処理対象溶媒の連続的な濃縮が起こり、イオン交換体が特に効率的に再生され得るという利点を有し得る。

【0082】

更なる実施形態によれば、方法は更に、イオン交換プロセスの前に、（特に混合反応器内で）処理対象溶媒を希釈する段階を備える。酸欠乏処理対象溶媒は、依然として比較的高い酸濃度を有し得る。そうして、更なる希釈段階は、有利／必要であり得る。希釈する段階は更に、サーキットボード及び／又は基板製造からの（処理済み）洗浄水及び／又は精製水を使用して希釈する段階を有し得る。酸欠乏溶媒を希釈することによって、ｐＨ値は増加し得、それはイオン交換プロセスの保持容量を更に増加させる。そうして、より多くの銅イオンは、イオン交換プロセスによって抽出／吸着されることが可能である。

【0083】

更なる実施形態によれば、約４０％のＨＣｌは、説明されたプロセス中で節約され得る。

【0084】

更なる実施形態によれば、（産出された生成物、廃棄物である）アウトプットストリームは、塩酸（約１０％）、排水水質を満たす水、逆浸透の濃縮物（特に金属欠乏塩）、及び９９．９９９％の純粋な銅であり得る。

【0085】

上記で定義された態様、及び本発明の更なる態様は、以降で説明される実施形態の例から明らかであり、実施形態のこれらの例を参照して説明される。

【図面の簡単な説明】

【0086】

【図1】本発明の１つの実施形態に係る、サーキットボード及び／又は基板の製造における、部分ストリームの概要を示す図である。

【0087】

【図2】本発明の実施形態に係る、サーキットボード及び／又は基板製造からのエッチングプロセスからのエッチング廃棄溶媒を処理する方法を示す図である。

【図3】本発明の実施形態に係る、サーキットボード及び／又は基板製造からのエッチングプロセスからのエッチング廃棄溶媒を処理する方法を示す図である。

【図4】本発明の実施形態に係る、サーキットボード及び／又は基板製造からのエッチングプロセスからのエッチング廃棄溶媒を処理する方法を示す図である。

【0088】

【図5】本発明の１つの実施形態に係る、上記で説明された方法（及び産業プラントのそれぞれ）の少なくとも一部を調整するためのプロセス制御装置を示す図である。

【0089】

図中の例示は概略的なものである。異なる図中において、同様の又は同一の要素は、同じ参照符号を提供される。

【発明を実施するための形態】

【0090】

図１は、本発明の１つの実施形態に係る、サーキットボード及び／又は基板の製造における、例えば産業プラント６０における、ストリーム１～７の概要を示す。サーキットボード及び／又は基板を製造するための方法は、発生する処理残留物１１、２１、３１が、３つの主要な部分ストリーム１、２、３（及び、特に、少なくとも部分的に全ストリーム４として）及び（特に酸残留物を含む）３つの主要な分離ストリーム５、６、７における有用材料サイクルにおいて流され、フィードバック（及び、それぞれ、リサイクル）がなされるように行われ、その結果、製造方法の（示される）動作状態において、（実質的に）排水（給水）水質を満たす溶媒３５０（及び／又は金属欠乏塩濃縮物１８６ｂ）のみが廃棄物（換言すれば：製造プロセスを出る、実質的に唯一の廃棄物）として生じる。換言すれば、排水水質を満たす溶媒３５０及び／又は金属欠乏塩濃縮物１８６ｂは、サーキットボード／基板製造の主成分をもはや（実質的に）含まず（特に重金属を含まず）、単に（多くとも）水、塩、及び有機材料からなる。（示される）動作状態において、（実質的に）水３５２及びエネルギーのみが、製造方法に供給される必要がある（発生する酸残留物も（実質的に）有用材料サイクルにフィードバックされる）。したがって、実質的にそのような主成分（特に、銅等の重金属）のみが製造方法に供給され、完成したプリントサーキットボード及び／又は基板の構成物として製造方法を出る。原理的には、説明される有用材料サイクルにおいて、重金属残留物（例えば銅残留物）の９５％以上、特に９８％以上がフィードバックされ得る。有用材料サイクルの例示的な実施形態において、分離された塩酸の少なくとも８０％（特に、少なくとも８５％、更には特に、少なくとも９０％）がフィードバックされ、要求される硫酸の少なくとも７０％（特に少なくとも７５％、更には特に、少なくとも８０％、より更には特に少なくとも９０％、更には特に、少なくとも９５％）が方法内で生成される。したがって、廃棄物として製造方法を出た主成分は、製造プロセスに（実質的に）追加されることはない。実際、原理的に、そのような廃棄物は（実質的に）生じない。

【0091】

発生する処理残留物１１、２１、３１、及び、それぞれ廃棄濃縮物は、金属塩含有処理対象溶媒として示され、例示的な実施形態において、とりわけ：銅、硫酸銅、塩化銅、鉄、ニッケル、金、塩酸、硫酸を含み得る。金属塩含有処理対象溶媒１１、２１及び３１はそれぞれ、対応する処理プロセス１００、２００、３００において処理され、次に、処理済み金属塩含有溶媒１０、２０、３０をそれぞれ含む部分ストリーム１、２、３として、回収プロセス４００へ供給される。処理後、回収された金属元素５０は最後に、製造プロセスへ再度供給される（矢印５２及び５４）。下記において、有用材料サイクルにおける部分ストリーム１～７の原理的概要が与えられる。更に下記で、本明細書の中心的な態様を形成するプロセスの詳細な説明が提供される。

【0092】

第１部分ストリーム１は、第１処理プロセス１００において処理される、サーキットボード及び／又は基板製造のエッチングプロセス１５０からの第１処理済み金属塩含有溶媒１０を含む。当該第１プロセス１００は、本明細書の主要な態様としてみなされ得る。（処理対象金属塩を実質的に含まない）第１処理済み金属塩含有溶媒１０が、エッチングプロセス１５０からの処理対象溶媒１１から、エッチング廃棄溶媒として、取得される。処理対象溶媒１１は、処理対象金属塩（例えば、塩化銅）及び酸（例えば、塩酸）を含む。処理１００は、（優先的に多段階の）膜透析１１０、１２０によって酸１５を取り除くこと、及びイオン交換プロセス１４５（特に多段階イオン交換プロセス）を遂行することを包含する。多段階膜透析１１０、１２０において、第１酸含有拡散物１１６が生じる。第２酸性拡散物１２６は、エッチングプロセス１５０へ、（優先的に濃縮されて）戻るように直接提供され得る。

【0093】

イオン交換プロセス１４５において、処理対象金属塩（例えば塩化銅）は、金属塩（例えば硫酸銅）によって交換され、金属塩含有溶媒１０（例えば硫酸銅）はそれにより、処理対象溶媒１１（例えば塩化銅）から取得される。金属塩含有溶媒１０は、第１部分ストリーム１として、金属元素回収プロセス４００（下記の説明を参照）へ供給される。更に、金属欠乏酸性溶媒１３６（例えば塩酸）は、イオン交換プロセス１４５中に生成される。当該金属欠乏酸性溶媒１３６は、第１分離ストリーム５として、洗浄水処理プロセス３００（下記の説明を参照）へ、（少なくとも部分的に）流され得る。金属欠乏酸性溶媒１３６の更なる部分は（特に塩基（例えば塩化ナトリウム）１８７によって供給された後に）逆浸透プロセス１８５として実装される膜ろ過プロセスを通して流される。逆浸透プロセス１８５は、ｉ）（混合反応器１４０を介して）イオン交換プロセス１４５、又は製造プラント６０のサーキットボード製造プロセスのうちの別の１つへ、戻るように流される透過液（例えば精製水１８８）を産出する。更に、精製水１８８は、排水水質を満たす（すなわち、水及び少量の塩及び有機物のみを含む）水３５０として排水され得る。逆浸透プロセス１８５は更に、ｉｉ）塩及び金属残留物の塩濃縮物１８６ａを産出する。当該塩濃縮物１８６ａは、希釈され（１８９）、イオン交換プロセス１４５を通って再度流され得る。それにより、希釈された塩濃縮物１８６ａは、金属（特に重金属）が欠乏した（すなわち塩及び少量の有機物のみを含む）塩濃縮物１８６ｂになり、当該塩濃縮物１８６ｂは、濃縮物として、又は希釈された形態のいずれかで、排水されることができる。そうして、エッチングプロセス１５０からの廃棄溶媒１１を処理することは、精製水１８８（排水水質を満たす水３５０）及び／又は金属欠乏塩濃縮物１８６ｂのみを産出する。全ての他の生成される生成物は、サーキットボード及び／又は基板製造プロセスの中でリサイクルされ得る。

【0094】

第２部分ストリーム２は、サーキットボード及び／又は基板製造のめっきプロセス２５０からの第２処理済み金属塩含有溶媒２０を含む。（鉄を実質的に含まない）第２処理済み金属塩含有溶媒２０は、めっきプロセス２５０からの鉄及び金属塩含有溶媒２１から取得される。処理２００は、イオン交換体によって鉄及び金属塩含有溶媒２１から鉄を分離することを包含する。イオン交換体を再生する際に、第２酸含有拡散物が生じ、第２分離ストリーム６として洗浄水処理プロセス３００へ供給されることができる。

【0095】

第３部分ストリーム３は、サーキットボード及び／又は基板製造の洗浄水及びそれぞれ洗浄水混合物３１からの第３処理済み金属塩含有溶媒３０を含む。第３処理済み金属塩含有溶媒３０は、イオン交換体を使用して第３処理プロセス３００において取得され、処理済み金属塩含有溶媒３０における金属塩は、洗浄水混合物３１と比較して濃縮される。また、説明された洗浄水処理プロセス３００は、イオン交換プロセス１４５内に実装されている、又はイオン交換プロセス１４５と結合されていることが可能であるということがここで加えられるべきである。この場合、洗浄水（の混合物）３１は、処理対象溶媒１２と、混合反応器１４０内で混合されており、両方は、イオン交換プロセス１４５及びそれぞれ第１プロセスサイクル１７０（及び任意選択的に第２プロセスサイクル１８０も）の対象とされる。

【0096】

部分ストリーム１、２、３は、全ストリーム４に（少なくとも部分的に）合流され得る（段階４０５を参照）、又は、個別にも処理され得る。処理４００は、（電解）反応セルにおける金属塩含有溶媒４０から金属元素５０（例えば銅元素）を回収すること４００を包含する。金属塩含有溶媒４０の組成を電解質として（連続的に）調節することは、膜透析によって酸を分離することを包含し、ここで、第３酸含有拡散物４４６が生じる。代替的に、拡散物４４６は、洗浄水を処理するためのイオン交換体の再生のために使用され得る（第３分離ストリーム７を参照）。

【0097】

更なる可能性は、電解質１０から全く酸が取り除かれないことである。代わりに、使用された電解質１７５が再生剤として使用され得る。

【0098】

電解４００中の酸濃度が増加し一方で銅イオン濃度が減少するにつれて、使用された電解質１７５は、強酸性になり、イオン交換プロセス１４５からの銅イオンのより良い脱離を可能にする。加えて、まだ析出済みでない銅は、プロセスサイクル内に保たれる。そうして、電解質１０中の酸濃度は増加され、再生剤としてそれを更に使用することが可能である。加えて、更なる膜透析を使用しないことによって、水及びエネルギーは、節約されることが可能である。

【0099】

また、金属（特に銅）は有用材料サイクルに残留し、したがって、ほぼ完全に金属塩含有溶媒から取り除かれ得る。これは、膜透析による更なる処理段階が省略され得るという利点を有する。取得された非常に純粋な金属５０は、更に、エッチングプロセスへ再度フィードバックされる（矢印５２を参照）、及び／又は、めっきプロセス２５０へフィードバックされる（矢印５４を参照）ために好適である。

【0100】

第１分離ストリーム５は、第１処理プロセス１００から生じ、酸性拡散物１３６を含む。第２分離ストリーム６は、第２処理プロセス２００から生じ、第２酸含有拡散物２３６を含む。第３分離ストリーム７は、全ストリーム４の処理プロセスから生じ、第３酸含有拡散物４４６を含む。分離ストリーム５、６、７はそれぞれ、低濃度の金属塩（例えば硫酸銅）を含み、それぞれ、第３部分ストリーム３における金属塩の濃度より低い濃度である。分離ストリーム５、６、７は、処理対象溶媒３１、また洗浄水の混合物（全分離ストリーム）にそれぞれ（少なくとも部分的に）組み合わされる。また、製造方法の更なる洗浄水がここで注入され得る。処理対象溶媒３１は、第３処理プロセス３００によって上記で説明されたように処理され、回収４００のために濃度を明確に増加させる。

【0101】

また、説明された洗浄水処理プロセス３００は、イオン交換プロセス１４５内に実装されている、又はイオン交換プロセス１４５と結合されている（上記を参照）ことが可能である、ということがここで加えられるべきである。

【0102】

図２は、サーキットボード及び／又は基板製造からのエッチング廃棄溶媒を処理する方法の例示的な実施形態を詳細に示す。エッチング廃棄溶媒は、エッチングプロセス１５０から処理対象溶媒１１として提供され、処理対象金属塩（例えば塩化銅）及び酸１５（例えば塩酸）を含む。処理対象溶媒１１は、エッチング溶液からの高濃度の過酸化水素を含み得、そのことが下記の処理を妨害し、膜透析１１０、１２０の膜を傷つけ得る。そのため、過酸化水素除去プロセス１６０、例えば、触媒分解、熱分解、化学分解、又は電気分解内で、過酸化水素濃度は下げられる、又は過酸化水素は取り除かれる。過酸化水素除去１６０の後で、処理対象溶媒１１は、２段階の膜透析１１０、１２０（詳細な説明については図３及び図４を参照）を通って流される。

【0103】

膜透析１１０、１２０は、（外部から）プロセスへと注入され得る、及び／又はプロセス内で後で生成されフィードバックされ得る精製水１８８を含み得る脱塩水３５２によって供給される。酸性が弱まった処理対象溶媒１２を取得するために、膜透析１１０、１２０中に、酸１５は、処理対象溶媒１１から実質的に取り除かれる。ここで、酸１５は、酸性拡散物１２６（酸濃度約１０％）の一部であり、当該酸性拡散物１２６はエッチングプロセス１５０にフィードバックされ得る。エッチングプロセス１５０は、約３０％の酸濃度を有するエッチング溶媒を適用し得るので、酸性拡散物１２６は、酸濃縮プロセス１２８において任意選択的に濃縮される。次に、濃縮酸性溶媒１２９は、エッチングプロセス１５０へフィードバックされ得る。これにより、エッチングプロセス１５０、過酸化水素除去１６０、及び膜透析１１０、１２０（任意選択的にまた酸濃縮プロセス１２８）は、（酸１５は閉ループサイクル内で輸送されるので）廃棄物を（実質的に）産出しない第３閉ループとして構成される第３プロセスサイクル１９０を形成し得る。

【0104】

酸性が弱まった処理対象溶媒１２は、混合反応器１４０へと注入され、ここで当該酸性が弱まった処理対象溶媒１２は他の金属塩溶媒と混合され得る。例えば、洗浄水３１は、酸性が弱まった処理対象溶媒１２と混合され得、ここで洗浄水３１は、サーキットボード製造プロセスの様々なプロセスからの少量の金属塩（例えば硫酸銅）を含み得る。更に、混合反応器１４０は、酸性が弱まった処理対象溶媒１２を、（特に、それが依然として顕著な酸濃度を含有する場合に）希釈するために適用される。希釈は、例えば、洗浄水３１、外部水３５２、又はフィードバック精製水１８８を使用して行われ得る。混合反応器１４０から、（混合）処理対象溶媒１２は、イオン交換プロセス１４５へと提供される。

【0105】

イオン交換プロセス１４５は、イオン交換体（例えばイオン交換樹脂を有するイオン交換体）又は液－液イオン交換プロセスを備え得る。希釈済み処理対象溶媒１２がイオン交換プロセス１４５を通って流されるとき、金属イオン（例えば銅イオン）は、（少なくとも部分的に）イオン交換プロセス１４５内に残留し、例えば、銅イオンは、イオン交換樹脂によって吸着される。（金属が残留した）イオン交換プロセス１４５を通って流れた後で、金属欠乏酸性溶媒１３６が取得される。この溶媒１３６は金属が著しく欠乏しているが、それは依然として重金属を（銅も）含有し得る。そこで、金属欠乏酸性溶媒１３６は、排水水質を有さず、更に浄水プロセス１８５へ流される。

【0106】

イオン交換プロセス１４５は、第１閉ループとして構成される第１プロセスサイクル１７０内に統合される。これにより、酸１５とは異なる、更なる酸（例えば硫酸）１７５は、イオン交換プロセス１４５を通って流され、その結果、更なる酸１７５は、金属塩含有溶媒１０を提供するために、（例えば、イオン交換樹脂から銅イオンを、これらをＨ^＋イオンと交換することによって、脱離する）イオン交換プロセス１４５からの金属を取り除く。また、更なる酸１７５は、更なる酸１７５を含む／それからなる再生溶媒とみなされ得る。説明された例示的な例において、イオン交換プロセス１４５からの金属（銅）及び更なる酸からの塩（硫酸塩）は、金属塩（硫酸銅）含有溶媒１０をもたらす。金属塩含有溶媒１０は、金属元素回収プロセス４００（上記の説明を参照）へ輸送され、金属塩含有溶媒１０から、金属元素５０（例えば電解後の銅元素）及び再度更なる酸１７５（再生溶媒）を取得する。次に、ループを閉じるために、更なる酸１７５は、再度（固定化）金属を取り除くために、イオン交換プロセス１４５へフィードバックされる。

【0107】

１つの例において、更なる酸１７５は、銅を硫酸銅として依然として含有し得る。ゆえに、この更なる酸１７５は、電解質を含み、ここで銅濃度は望ましい銅析出速度を達成するためには低すぎる。加えて、酸濃度は、電解４００中に連続的に増加する。そうして、更なる酸１７５は低いｐＨ値を有し、イオン交換プロセス１４５上に吸着された銅を回収するのに、完全に好適である。

【0108】

上記で説明されたように、金属元素回収プロセス４００は、電解プロセスを優先的に備え、ここで、金属塩含有溶媒１０は、電解プロセスに入る金属濃縮電解質に似る。金属元素５０が取得された後で、金属欠乏電解質は電解プロセスを出、当該金属欠乏電解質は、更なる酸１７５を実質的に含む。

【0109】

イオン交換プロセス１４５は、第２閉ループとして構成される第２プロセスサイクル１８０内に更に統合される。第２プロセスサイクル１８０は、金属欠乏酸性溶媒１３６が流される際に通る浄水プロセス１８５を備える。このプロセスから、第２プロセスサイクル１８０内のイオン交換プロセス１４５へ（混合反応器１４０を介して）フィードバックされ得る精製水１８８が取得される。加えて、又は代替的に、精製水１８８は更なるサーキットボード及び／又は基板製造プロセス（例えば膜透析１１０、１２０、洗浄水処理プロセス３００）へフィードバックされる、又は排水水質を満たす水３５０として排水される。１つの実施形態において、強塩基１８７（例えば水酸化ナトリウム）は、金属欠乏酸性溶媒１３６に加えられる。次に、塩基１８７、及び金属欠乏酸性溶媒１３６の酸（塩酸）は塩（例えば塩化ナトリウム）を形成する。

【0110】

優先的に、水処理プロセス１８５は、逆浸透プロセスを備え、当該逆浸透プロセスにおいて、透過液１８５ａは、精製水１８８を含み、濃縮物１８５ｂは塩濃縮物１８６ａを含む。上記で述べられる通り、塩濃縮物１８６ａは酸１５からの高塩濃度（例えば塩化ナトリウム）及び（依然としてエッチングプロセス１５０からの）重金属も有する。当該塩濃縮物１８６ａは、第２プロセスサイクル１８０内のイオン交換プロセス１４５へフィードバックされ、その結果、塩濃縮物１８６ａからの（重）金属は、処理対象溶媒１２からの金属と同じ方式で（例えばイオン交換樹脂によって吸着されて）イオン交換プロセス１４５内に残留する。この状況が、金属欠乏塩濃縮物１８６ｂを提供し、それは、濃縮物として、又は希釈された形態でのいずれかで、破棄され得る。金属欠乏塩濃縮物１８６ｂは、実質的に重金属を含まない（且つ塩及び任意選択的に水及び有機物のみを含有する）。塩濃縮物１８６ａは、希釈プロセス１８９で希釈され、別個のストリームとしてイオン交換プロセス１４５へフィードバックされ得る。塩濃縮物１８６ａは、混合反応器１４０において（例えば洗浄水３１、外部水３５２、精製水１８８を用いて）希釈され、及び／又は処理対象溶媒１２と混合され得る。加えて、又は代替的に、塩濃縮物１８６ａは、精製水１８８を用いて少なくとも部分的に希釈され、統一ストリームとしてイオン交換プロセス１４５へと戻るように流され得る。説明されたプロセスは、連続的に、又はバッチ式に行われ得る。

【0111】

図３は、本発明の例示的な実施形態に係る、膜透析１１０、１２０を使用して、酸性が弱まった処理対象溶媒１２を提供する１つの例を示す。下記の実施形態において、主に、銅が例示的な例として使用される。しかしながらまた、ニッケル、コバルト、ロジウム、スズ、カドミウム、マグネシウム、ナトリウム、銀、金等、更なる金属にも同じことが当てはまる。これらは、酸（例えば、塩酸、硫酸、亜硝酸、リン酸）と共に金属塩を形成し得る。例示的な実施形態によれば、エッチングプロセス１５０から、処理対象溶媒１１内の銅が、塩化銅の形態で（処理対象金属塩として）生じ、塩酸が酸１５として生じる。高含量の塩化物イオンは、回収、例えば電解中の塩素ガスの制御不能な形成を促進する。加えて、塩化物イオンが電極で共析出し得、析出した銅の純度に負の影響を与える。したがって、第１処理プロセス１００において、塩化銅は硫酸銅へと変換され、一方で遊離酸１５が分離される。金属塩含有処理対象溶媒１１は、エッチングプロセス１５０のオーバーフロー槽に収集され、透析液１１として第１膜透析１１０に供給される。更に、脱塩水は、第１拡散物フィード１１３を介して膜透析１１０に供給される。膜１１２は例えば、巻き膜、又は、プレート状の膜を含み得る。膜１１２は半透性であり、アニオン（例えば塩化物）は通過可能であるが（アニオン膜）、一方でカチオン（例えばＣｕ^２＋）は通過できない。膜透析１１０は、０．５～５Ｌ／ｈｍ^２（特に、１～２Ｌ／ｈｍ^２）の範囲のスループットを備える。下記で説明される膜透析については、それぞれ同じ膜が利用され得る、又は、（好ましくは）（例えば、それぞれの金属塩含有溶液が、どの（エッチング）プロセスから生じるかに従って）異なる膜が使用される。アニオン膜は、例えば臭素（Ｂｒ^－）で官能化され得、ここでキャリア材料は例えばＰＥＴ又はＰＶＣであり得る。特定の場合において、金属塩含有溶液は過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）を含み得る。この場合、好ましくは、例えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）に基づく耐酸化性膜が使用され得る。

【0112】

第１膜透析１１０によって、処理対象溶媒１１から酸１５ａの第１部分は取り除かれ、それにより、第１濃度の処理対象金属塩を有する第１透析液１１５、及び、酸１５ａの第１部分を含む第１拡散物１１６を取得する。第１拡散物１１６は更に、（第１濃度より低い）第２濃度の処理対象金属塩を含む。これは、特に、カチオンが錯体及びそれぞれ凝集体（例えば、銅－塩素の錯体）を形成するとき、カチオンの一部は、依然として膜１１２を通過するという事実に起因する。任意の特定の理論に拘束されることを望むものではないが、そのような凝集体の形成は、溶液におけるカチオンの濃度が増加するときに起こり得ると、現在は考えられている。

【0113】

その後、第１拡散物１１６が第２膜透析１２０を受ける。第１拡散物１１６は、透析液フィードとして第２膜透析１２０へ供給される。第２拡散物フィード１２３として、脱塩水が使用される。酸１５ｂの第２部分は、第１拡散物１１６から取り除かれ、（第２濃度より低い）第３濃度の処理対象金属塩を有する第２透析液１２５、及び、酸１５ｂの第２部分を含む第２（酸性）拡散物１２６を取得する。第１拡散物１１６は更に、第２濃度の処理対象金属塩を含む。第２拡散物１２６は、第３濃度より低い第４濃度の処理対象金属塩を含む。第１拡散物１１６において処理対象金属塩のカチオンの濃度は、透析液フィード１１におけるカチオン濃度より明確に低い。したがって、凝集体はもはや実質的に形成されず、無視できる量のカチオンのみが膜１１２、１２２を通って拡散すると考えられる。この理由から、好ましくは、厳密に２つの膜透析段階１１０、１２０が遂行される。それにより、有利な方式において、高濃度の金属塩が達成され得、一方で同時に、利用される液体の量は過大にならない。

【0114】

処理対象金属塩を無視できる量だけ含むが高い酸濃度を有する第２拡散物１２６は、エッチングプロセス収集樋に収集され、次に、サーキットボード及び／又は基板製造のエッチングプロセス１５０に再度提供される。特に、第２拡散物１２６が最初に処理される。第１透析液１１５及び第２透析液１２５は組み合わされて、濃縮され酸性が弱まった（又は実質的に無酸の）金属塩含有処理対象溶媒１２を提供する。

【0115】

図４は、本発明の例示的な実施形態に係る、膜透析１１０、１２０を使用して、酸性が弱まった処理対象溶媒１２を提供する１つの例を改めて示し、図２中に詳細に説明されたイオン交換プロセス１４５を更に説明する。更に、第１プロセスサイクル１７０、第２プロセスサイクル１８０、及び第３プロセスサイクル１９０が示される（詳細については図２の説明を参照）。

【0116】

図５は、本発明の１つの実施形態に係る、上記で説明された方法（及び産業プラント６０のそれぞれ）の少なくとも一部を調整（及び制御のそれぞれを）するためのプロセス制御装置６００を示す。示された例において、サーキットボード及び／又は基板製造からのエッチングプロセス１５０からの第１金属塩含有溶媒１０を提供するために、プロセス制御装置６００は第１処理プロセス１００において実装される。このようにして、プロセス制御装置６００はまた、更なる（上記で説明された）プロセス（及び方法のそれぞれ）において実装され得る。

【0117】

プロセス制御装置６００は、ｉ）実行中（動作状態の）プロセス（示された例では第１処理プロセス１００）から少なくとも１つのプロセスパラメータ６１１を捕捉するためのデータベース６１０を含む。例示的な実施形態において、プロセスパラメータ（値及び／又は範囲）６１１が全ての処理段階で（例えばセンサによって）捕捉され、データベース６１０に供給されることが示される。したがって、プロセスパラメータは、「実際」の値（例えば、ＨＣｌ濃度、銅濃度、圧力差等）を構成する。プロセス制御装置６００は更に：ｉｉ）少なくとも１つの予め定められたプロセスパラメータ６２１（値及び／又は範囲）を格納するよう適合されたデータモデルユニット６２０を含む。示された例において、１つ又は複数のデータモデルによる複数のプロセスパラメータが、異なるプロセス段階について、データモデルユニット６２０において提供される。したがって、これらの予め定められたプロセスパラメータ６２１は「目標」値を構成する。プロセス制御装置６００は更に：ｉｉｉ）ａ）捕捉されたプロセスパラメータ６１１（またそれぞれ複数のこれらのパラメータ）を予め定められたプロセスパラメータ６２１（またそれぞれ複数のこれらのパラメータ）と比較する（例えば、「実際」の値を「目標」値と比較する）ように、ｂ）比較の結果に基づく制御動作６３１を決定する（例えば、「実際」の値及び「目標」値の間の差のバランスを能動的にとる）ように、及び、ｃ）決定された制御動作６３１を遂行する（例えば流速を適合する）ように適合された演算装置６３０（例えば、単一（別個の）ユニット又は複数のユニット）を含む。

【0118】

（ソフトウェアベースの）プロセス制御装置６００の例示的な実施形態によれば、データベース６１０は、実行中のプロセスからのデータ（プロセスパラメータ６１１）を収集し、それぞれ、前のプロセス段階からの値（プロセスパラメータ６１１）にアクセスし、したがって、（全ての）「実際」の値を保存する。（例えばデータベースの形態でもデータモデルユニット６２０に格納される）互いに依存するデータモデル及び複数のデータモデルのそれぞれは、とりわけ、「目標」値（及び「目標」範囲）を含み、任意選択的に、関係及び変数（例えば、「実際」の値６１１の検証のために使用される参照値／参照モデルとしてのデータモデル６２１）も含む。演算装置６３０は、「実際」の値を「目標」値と比較し（それぞれ、「実際」の値６１１と組み合わせたデータモデル６２１に基づいて演算段階を遂行する）、その後、比較結果（例えば、「実際」の値は「目標」値に対応する、「実際」の値は「目標」値から逸脱する、「実際」の値は特定の基準を満たす、等）に対応する動作（制御動作６３１）を設定する。決定された制御動作６３１は、上記で説明されたような方法の段階（の少なくとも一部）を含み得る。

【0119】

例示的な実施形態によれば、演算装置６３０は、比較及び／又は決定のための自己学習アルゴリズム（ＡＩ）６２５（例えば、ニューラルネットワークによって実現される）を含む。自己学習アルゴリズム６２５は、決定された制御動作６３１を自動的に遂行する、及び／又は、それを検証のためにユーザに提供するよう適合される。更に、自己学習アルゴリズム６２５は、比較に基づいて、新しい予め定められたプロセスパラメータ６２２を決定し、それをデータモデルユニット６２０に自動的に供給する、及び／又は、それを検証のためにユーザに提供するよう適合される。好ましくは、自己学習アルゴリズム６２５は、ユーザによる検証結果を学習の基礎として使用するよう適合される。例示的な実施形態によれば、演算ユニット６３０は、動作（制御動作６３１）を設定する自己学習アルゴリズム６２５を含み、当該動作は、システムにおいて直接実装されるか、又は、検証のためにオペレータに提供されるかのいずれかである。加えて、検証におけるオペレータの決定は、更に、ＡＩ機能のための学習の基礎を形成し得る。更に、捕捉された「実際」の値６１１に基づいて、ＡＩは、自動又はオペレータ制御方式のいずれかでデータモデルに取得される新しい「目標」値／範囲６２１をそれぞれ作成及び提示し得る。

【0120】

具体的な実施形態において、下記のプロセスパラメータ６１１がそれぞれ監視及び測定され（下記では、それぞれ、例示的な測定方法が指定される）、データベース６１０において捕捉される。
ｉ）充填レベル；超音波測定、
ｉｉ）流量；流量計、
ｉｉｉ）Ｈ_２Ｏ_２濃度；酸化還元電位を介する、
ｉｖ）酸濃度；ｐＨ値（インライン）又は滴定（ドローサンプル）、
ｖ）有機物濃度；測光（インライン）又はサイクリックボルタンメトリー（ドローサンプル）、
ｖｉ）塩化物濃度；滴定（ドローサンプル）、
ｖｉｉ）鉄／銅濃度；測光又は密度測定（インライン）又は滴定（ドローサンプル）、
ｖｉｉｉ）温度；温度センサ（インライン）、
ｉｘ）拡散物及び透析液の間の膜透析における圧力差；圧力センサ（インライン）。

【0121】

この具体的な実施形態において、演算装置６３０によって、決定された（測定された）プロセスパラメータ６１１及び予め定められたプロセスパラメータ６２１を比較（及び、評価、データ分析）した後に、例えば、下記の制御動作６３１（及びそれぞれ動作）が演算装置６３０によって決定及び遂行（及びそれぞれトリガ）される。
ｉ）塩素ガス形成（例えば、気体センサを介する）；制御動作：電解オフ、
ｉｉ）過大な過酸化物ロード；制御動作：洗浄水を処理するためのイオン交換体のロードなし、
ｉｉｉ）低すぎる充填レベル；制御動作：ポンプオフ、
ｉｖ）電解質における高すぎる鉄濃度；制御動作：イオン交換樹脂のスイッチオン、
ｖ）電解質における高すぎる酸濃度；制御動作：膜透析のスイッチオン、又は、電解セルの排出、
ｖｉ）電解質における低い銅濃度；制御動作：電解セルの排出、及び、洗浄水の前処理槽への電解質の供給、
ｖｉｉ）膜透析における高すぎる圧力差；制御動作：流量（流速）の適合、
ｖｉｉｉ）洗浄水を処理するためのイオン交換体の透過液における銅濃縮；制御動作：再生、
ｉｘ）めっき廃水から鉄を除去するためのイオン交換体の透過液における鉄濃縮；制御動作：再生、
ｘ）透析液における高すぎる塩化物濃度；制御動作：流量（流速）の適合。

【符号の説明】

【0122】

１ 第１部分ストリーム
２ 第２部分ストリーム
３ 第３部分ストリーム
４ 全ストリーム
５ 第１分離ストリーム
６ 第２分離ストリーム
７ 第３分離ストリーム
４０ 金属塩含有溶媒、電解質
５０ 金属元素（銅）
５２ エッチングプロセスへの金属のフィードバック
５４ めっきプロセスへの金属のフィードバック
６０ プリントサーキットボードを製造するための産業プラント
１００ プリントサーキットボードの製造からのエッチングプロセスからの金属塩含有（廃棄）溶媒の処理
１０ 金属塩含有溶媒、金属濃縮電解質
１１ 処理対象溶媒
１２ 無酸処理対象溶媒
１５ 酸
１５ａ 第１部分の酸
１５ｂ 第２部分の酸
１１０ 第１膜透析
１１２ 第１膜
１１３ 第１フィード
１１５ 第１透析液
１１６ 第１拡散物
１２０ 第２膜透析
１２２ 第２膜
１２３ 第２フィード
１２５ 第２透析液
１２６ 第２拡散物、酸性拡散物
１２８ 酸濃縮プロセス
１２９ 濃縮酸、酸濃縮拡散物
１３６ 金属欠乏酸性溶媒（第１分離ストリーム）
１４０ 混合／希釈反応器
１４５ イオン交換プロセス
１５０ エッチングプロセス
１６０ 過酸化水素除去プロセス
１７０ 第１プロセスサイクル
１７５ 更なる酸、再生溶媒、金属欠乏電解質
１８０ 第２プロセスサイクル
１８５ 膜ろ過プロセス、逆浸透プロセス
１８５ａ 透過液
１８５ｂ 濃縮物
１８６ａ 塩濃縮物
１８６ｂ 金属欠乏塩濃縮物
１８７ 塩基、水酸化ナトリウム
１８８ 精製水
１８９ 追加希釈プロセス
１９０ 第３プロセスサイクル
２００ プリントサーキットボードの製造からのめっきプロセスからの金属塩及び異金属含有溶媒の処理
２０ 金属塩含有溶媒
２１ 鉄及び金属塩含有溶媒
２３１ サーキットボードプロセスへ（鉄濃縮酸）の提供
２３６ 酸含有拡散物、第２分離ストリーム
２５０ めっきプロセス
３００ プリントサーキットボードの製造からの洗浄水からの金属塩含有溶媒の処理
３０ 金属塩含有洗浄水溶媒
３１ 処理対象溶媒、全分離ストリーム
３２ 更なる洗浄水
３５０ 廃棄溶媒、排水水質を有する水
３５２ 供給水
４００ プリントサーキットボードの製造からの金属塩含有溶媒からの金属元素の回収
４０５ 提供、組み合わせ、濃縮
４３１ 更なるサーキットボードプロセスへ（鉄濃縮酸）の提供
４４６ 酸を有する拡散物（第３分離ストリーム）
５００ 更なるサーキットボードプロセス、フォトレジスト（塩化鉄）プロセス
６００ プロセス制御装置
６１０ データベース
６１１ プロセスパラメータ、実際の値
６２０ データモデルユニット
６２１ 予め定められたプロセスパラメータ、目標値
６２２ 新しい予め定められたプロセスパラメータ
６２５ 自己学習アルゴリズム
６３０ 演算装置
６３１ 決定された制御動作

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【国際調査報告】