特表 2024-508408 電磁干渉シールドおよび放熱のために構成された金属層を含むパッケージ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-02-27

(54)【発明の名称】電磁干渉シールドおよび放熱のために構成された金属層を含むパッケージ

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/28 20060101AFI20240219BHJP

   H01L 23/00 20060101ALI20240219BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20240219BHJP

【ＦＩ】

H01L23/28 F

H01L23/00 C

H01L23/12 E

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023548785

(86)(22)【出願日】2022-02-07

(85)【翻訳文提出日】2023-08-09

(86)【国際出願番号】 US2022015521

(87)【国際公開番号】W WO2022186953

(87)【国際公開日】2022-09-09

(31)【優先権主張番号】17/191,550

(32)【優先日】2021-03-03

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】515207444

【氏名又は名称】クアルコム テクノロジーズ インコーポレイテッド

(71)【出願人】

【識別番号】523304434

【氏名又は名称】アールエフ３６０・オイローパ・ゲーエムベーハー

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100163522

【弁理士】

【氏名又は名称】黒田 晋平

(72)【発明者】

【氏名】マルク・ヒュースゲン

(72)【発明者】

【氏名】フィリップ・ミヒャエル・イェーガー

【テーマコード（参考）】

4M109

【Ｆターム（参考）】

4M109AA01

4M109CA21

4M109CA22

4M109EA02

4M109EE07

4M109GA05

(57)【要約】

基板と、基板に結合された集積デバイスと、基板の上に設置されたカプセル化層と、カプセル化層内に設置された少なくとも１つのカプセル化層相互接続部と、カプセル化層の上に設置された金属層とを含む、パッケージ。基板は、少なくとも１つの誘電体層と複数の相互接続部とを含む。カプセル化層相互接続部は、基板に結合される。金属層は、パッケージのための電磁干渉（ＥＭＩ）シールドとして構成される。金属層は、集積デバイスの裏面の上に設置される。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板であって、
少なくとも１つの誘電体層、および
複数の相互接続部を含む、基板と、
前記基板に結合された集積デバイスと、
前記基板の上に設置されたカプセル化層と、
前記カプセル化層内に設置された少なくとも１つのカプセル化層相互接続部であって、前記基板に結合された、少なくとも１つのカプセル化層相互接続部と、
前記カプセル化層の上に設置された少なくとも１つの金属層とを含み、
前記少なくとも１つの金属層は、パッケージのための電磁干渉（ＥＭＩ）シールドとして構成され、
前記少なくとも１つの金属層は、前記集積デバイスの裏面の上に設置される、パッケージ。

【請求項2】

前記少なくとも１つの金属層は、前記パッケージのためのコンフォーマルＥＭＩシールドとして構成され、
前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、前記パッケージのための区画化ＥＭＩシールドとして構成される、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項3】

前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、少なくとも１つのスルーモールドビア（ＴＭＶ）および／または少なくとも１つのワイヤボンドを含む、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項4】

前記少なくとも１つのスルーモールドビア（ＴＭＶ）および／または前記少なくとも１つのワイヤボンドは、前記基板の前記複数の相互接続部に結合される、請求項３に記載のパッケージ。

【請求項5】

前記パッケージは、前記基板に結合された複数の集積デバイスを含む、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項6】

前記少なくとも１つの金属層および前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、接地に結合されるように構成される、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項7】

前記少なくとも１つの金属層および前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、熱を、（ｉ）前記集積デバイスの前記裏面、（ｉｉ）前記少なくとも１つの金属層、（ｉｉｉ）前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）前記基板の前記複数の相互接続部、を通して前記集積デバイスから放散するように構成される、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項8】

前記集積デバイスによって生成された前記熱の大部分は、（ｉ）前記集積デバイスの前記裏面、（ｉｉ）前記少なくとも１つの金属層、（ｉｉｉ）前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）前記基板の前記複数の相互接続部、を通して熱伝導によって放散される、請求項７に記載のパッケージ。

【請求項9】

前記集積デバイスによって生成された前記熱の少なくとも２０パーセント（２０％）は、（ｉ）前記集積デバイスの前記裏面、（ｉｉ）前記少なくとも１つの金属層、（ｉｉｉ）前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）前記基板の前記複数の相互接続部、を通して熱伝導によって放散される、請求項７に記載のパッケージ。

【請求項10】

前記基板に結合された第２の集積デバイスをさらに含み、
前記少なくとも１つの金属層は、前記第２の集積デバイスの裏面の上に設置され、
前記少なくとも１つの金属層は、前記集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスのためのＥＭＩシールドとして構成され、
前記少なくとも１つの金属層は、接地に結合されるように構成され、
前記少なくとも１つの金属層は、熱を、前記集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスから離れて放散するようにさらに構成される、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項11】

前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、
前記集積デバイスを少なくとも部分的に取り囲む複数のスルーモールドビア（ＴＭＶ）と、
前記第２の集積デバイスを少なくとも部分的に取り囲む複数のワイヤボンドとを含む、請求項１０に記載のパッケージ。

【請求項12】

前記少なくとも１つの金属層および前記複数のＴＭＶは、熱を、（ｉ）前記集積デバイスの前記裏面、（ｉｉ）前記金属層、（ｉｉｉ）前記複数のＴＭＶ、および（ｉｖ）前記基板の第１の複数の相互接続部、を通して前記集積デバイスから放散するように構成され、
前記少なくとも１つの金属層および前記複数のワイヤボンドは、熱を、（ｉ）前記集積デバイスの前記裏面、（ｉｉ）前記少なくとも１つの金属層、（ｉｉｉ）前記複数のワイヤボンド、および（ｉｖ）前記基板の第２の複数の相互接続部、を通して前記集積デバイスから放散するように構成される、請求項１１に記載のパッケージ。

【請求項13】

前記集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスによって生成された前記熱の少なくとも２０パーセント（２０％）は、（ｉ）前記少なくとも１つの金属層、（ｉｉ）前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｉｉ）前記基板の前記複数の相互接続部、を通して熱伝導によって放散される、請求項１０に記載のパッケージ。

【請求項14】

前記集積デバイスは、ダイ、無線周波数（ＲＦ）デバイス、受動デバイス、フィルタ、キャパシタ、インダクタ、抵抗器、表面音響波（ＳＡＷ）フィルタ、バルク音響波（ＢＡＷ）フィルタ、プロセッサ、メモリ、電力増幅器、スイッチ、システムオンチップ、集積回路デバイス、ＭＥＭＳデバイス、ＮＥＭＳデバイス、および／またはそれらの組合せを含む、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項15】

前記少なくとも１つの金属層と前記集積デバイスの前記裏面との間に設置された少なくとも１つの熱誘電体層をさらに含む、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項16】

前記少なくとも１つの熱誘電体層および前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、熱を、（ｉ）前記集積デバイスの前記裏面、（ｉｉ）前記少なくとも１つの熱誘電体層、（ｉｉｉ）前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）前記基板の前記複数の相互接続部、を通して前記集積デバイスから放散するように構成される、請求項１５に記載のパッケージ。

【請求項17】

前記少なくとも１つの金属層、前記少なくとも１つの熱誘電体層、および前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、熱を、（ｉ）前記集積デバイスの前記裏面、（ｉｉ）前記少なくとも１つの熱誘電体層、（ｉｉｉ）前記少なくとも１つの金属層、（ｉｖ）前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｖ）前記基板の前記複数の相互接続部、を通して前記集積デバイスから放散するように構成され、
前記集積デバイスによって生成された前記熱の大部分は、（ｉ）前記集積デバイスの前記裏面、（ｉｉ）前記少なくとも１つの熱誘電体層、（ｉｉｉ）前記少なくとも１つの金属層、（ｉｖ）前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｖ）前記基板の前記複数の相互接続部、を通して熱伝導によって放散される、請求項１５に記載のパッケージ。

【請求項18】

前記少なくとも１つの熱誘電体層が、前記カプセル化層の上に設置され、
前記少なくとも１つの熱誘電体層が、前記集積デバイスの前記裏面および前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部に結合される、請求項１５に記載のパッケージ。

【請求項19】

前記少なくとも１つの金属層が、前記カプセル化層の側面および前記基板の側面の上に設置される、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項20】

前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、前記集積デバイスを側面に沿って取り囲む複数のカプセル化層相互接続部を含む、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項21】

基板であって、
少なくとも１つの誘電体層、および
複数の相互接続部を含む、基板と、
前記基板に結合された集積デバイスと、
前記基板の上に設置されたカプセル化のための手段と、
前記カプセル化のための手段内に設置されたカプセル化層相互接続のための手段であって、前記基板に結合された、カプセル化層相互接続のための手段と、
前記カプセル化のための手段の上に設置された電磁干渉（ＥＭＩ）シールドのための手段とを含み、前記ＥＭＩシールドのための手段は前記集積デバイスの裏面の上に設置される、装置。

【請求項22】

前記カプセル化層相互接続のための手段は、少なくとも１つのスルーモールドビア（ＴＭＶ）および／または少なくとも１つのワイヤボンドを含む、請求項２１に記載の装置。

【請求項23】

前記電磁干渉（ＥＭＩ）シールドのための手段は、少なくとも１つの金属層を含み、
前記カプセル化層相互接続のための手段は、少なくとも１つのカプセル化層相互接続部を含む、請求項２１に記載の装置。

【請求項24】

前記少なくとも１つの金属層および前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部が、接地に結合されるように構成される、請求項２３に記載の装置。

【請求項25】

前記少なくとも１つの金属層および前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、熱を、（ｉ）前記集積デバイスの前記裏面、（ｉｉ）前記少なくとも１つの金属層、（ｉｉｉ）前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）前記基板の前記複数の相互接続部、を通して前記集積デバイスから放散するように構成される、請求項２３に記載の装置。

【請求項26】

前記集積デバイスによって生成された前記熱の大部分は、（ｉ）前記集積デバイスの前記裏面、（ｉｉ）前記少なくとも１つの金属層、（ｉｉｉ）前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）前記基板の前記複数の相互接続部、を通して熱伝導によって放散される、請求項２５に記載の装置。

【請求項27】

前記少なくとも１つの金属層と前記集積デバイスの前記裏面との間に設置された少なくとも１つの熱誘電体層をさらに含む、請求項２３に記載の装置。

【請求項28】

前記少なくとも１つの熱誘電体層および前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、熱を、（ｉ）前記集積デバイスの前記裏面、（ｉｉ）前記少なくとも１つの熱誘電体層、（ｉｉｉ）前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）前記基板の前記複数の相互接続部、を通して前記集積デバイスから放散するように構成される、請求項２７に記載の装置。

【請求項29】

前記少なくとも１つの金属層、前記少なくとも１つの熱誘電体層、および前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、熱を、（ｉ）前記集積デバイスの前記裏面、（ｉｉ）前記少なくとも１つの熱誘電体層、（ｉｉｉ）前記少なくとも１つの金属層、（ｉｖ）前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｖ）前記基板の前記複数の相互接続部、を通して前記集積デバイスから放散するように構成される、請求項２７に記載の装置。

【請求項30】

前記集積デバイスによって生成された前記熱の少なくとも２０パーセント（２０％）は、（ｉ）前記集積デバイスの前記裏面、（ｉｉ）前記少なくとも１つの熱誘電体層、（ｉｉｉ）前記少なくとも１つの金属層、（ｉｖ）前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｖ）前記基板の前記複数の相互接続部、を通して熱伝導によって放散される、請求項２９に記載の装置。

【請求項31】

前記装置は、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、および自動車両内のデバイスからなるグループから選択されたデバイスを含む、請求項２３に記載の装置。

【請求項32】

基板であって、
少なくとも１つの誘電体層、および
複数の相互接続部を含む、基板と、
前記基板に結合された集積デバイスと、
前記基板の上に設置されたカプセル化層と、
前記カプセル化層内に設置された少なくとも１つのカプセル化層相互接続部であって、前記基板に結合された、少なくとも１つのカプセル化層相互接続部と、
前記カプセル化層の上に設置された少なくとも１つの熱誘電体層とを含み、前記少なくとも１つの熱誘電体層は、前記集積デバイスの裏面の上に設置される、パッケージ。

【請求項33】

前記少なくとも１つの熱誘電体層および前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、熱を、（ｉ）前記集積デバイスの前記裏面、（ｉｉ）前記少なくとも１つの熱誘電体層、（ｉｉｉ）前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）前記基板の前記複数の相互接続部、を通して前記集積デバイスから放散するように構成される、請求項３２に記載のパッケージ。

【請求項34】

前記少なくとも１つの熱誘電体層は、少なくとも１つのカプセル化層相互接続部の上に設置された溝を含む、請求項３２に記載のパッケージ。

【請求項35】

前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、スルーモールドビア（ＴＭＶ）、ワイヤボンド、金属化フレーム、および／または表面実装デバイス（ＳＭＤ）を含む、請求項３２に記載のパッケージ。

【請求項36】

パッケージを製造するための方法であって、
基板を提供するステップであって、前記基板が、
少なくとも１つの誘電体層、および
複数の相互接続部を含む、ステップと、
集積デバイスを前記基板に結合するステップと、
前記基板の上に設置されたカプセル化層を形成するステップと、
前記カプセル化層内に設置された少なくとも１つのカプセル化層相互接続部を形成するステップであって、前記カプセル化層相互接続部は前記基板に結合される、ステップと、
前記カプセル化層の上に少なくとも１つの金属層を形成するステップとを含み、
前記少なくとも１つの金属層は、前記パッケージのための電磁干渉（ＥＭＩ）シールドとして構成され、
前記少なくとも１つの金属層は、前記集積デバイスの裏面の上に設置される、方法。

【請求項37】

前記少なくとも１つの金属層は、前記パッケージのためのコンフォーマルＥＭＩシールドとして構成され、
前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、前記パッケージのための区画化ＥＭＩシールドとして構成される、請求項３６に記載の方法。

【請求項38】

前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部を形成するステップは、前記カプセル化層内にスルーモールドビア（ＴＭＶ）を形成するステップ、および／または少なくとも１つのワイヤボンドを形成するステップを含む、請求項３６に記載の方法。

【請求項39】

前記集積デバイスの前記裏面の上に少なくとも１つの熱誘電体層を形成するステップをさらに含み、前記少なくとも１つの金属層を形成するステップは、前記少なくとも１つの熱誘電体層の上に前記少なくとも１つの金属層を形成するステップを含む、請求項３６に記載の方法。

【請求項40】

前記カプセル化層の上に少なくとも１つの熱誘電体層を形成するステップをさらに含み、前記少なくとも１つの熱誘電体層は前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部に結合される、請求項３９に記載の方法。

【請求項41】

基板であって、
少なくとも１つの誘電体層、および
複数の相互接続部を含む、基板と、
前記基板に結合された集積デバイスと、
前記基板の上に設置されたカプセル化層と、
前記カプセル化層内に設置された少なくとも１つのカプセル化層相互接続部であって、前記基板に結合される、少なくとも１つのカプセル化層相互接続部と、
前記カプセル化層の上に設置された少なくとも１つの誘電体層とを含み、前記少なくとも１つの誘電体層は、前記集積デバイスの裏面の上に設置される、パッケージ。

【請求項42】

前記少なくとも１つの誘電体層は、前記パッケージのための熱管理層として構成され、
前記カプセル化層相互接続部は、前記パッケージのための区画化ＥＭＩシールドとして構成される、請求項４１に記載のパッケージ。

【請求項43】

前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、少なくとも１つのスルーモールドビア（ＴＭＶ）および／または少なくとも１つのワイヤボンドを含む、請求項４１に記載のパッケージ。

【請求項44】

前記少なくとも１つの誘電体層および前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部が、接地に結合されるように構成される、請求項４１に記載のパッケージ。

【請求項45】

前記少なくとも１つの誘電体層および前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、熱を、（ｉ）前記集積デバイスの前記裏面、（ｉｉ）前記少なくとも１つの誘電体層、（ｉｉｉ）前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）前記基板の前記複数の相互接続部、を通して前記集積デバイスから放散するように構成され、
前記集積デバイスによって生成された前記熱の大部分は、（ｉ）前記集積デバイスの前記裏面、（ｉｉ）前記少なくとも１つの誘電体層、（ｉｉｉ）前記少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）前記基板の前記複数の相互接続部、を通して熱伝導によって放散される、請求項４１に記載のパッケージ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
本出願は、２０２１年３月３日に米国特許商標庁に出願された非仮出願第１７／１９１，５５０号の優先権および利益を主張し、その内容全体が、以下に全文が完全に記載されるかのように、すべての適用可能な目的のために参照により本明細書に組み込まれている。

【0002】

様々な特徴は、集積デバイスおよび基板を含むパッケージに関する。

【背景技術】

【0003】

図１は、基板１０２と、集積デバイス１０４と、集積デバイス１０６とを含むパッケージ１００を示す。基板１０２は、少なくとも１つの誘電体層１２０と、複数の相互接続部１２２と、複数のはんだ相互接続部１２４とを含む。複数のはんだ相互接続部１４４は、基板１０２と集積デバイス１０４とに結合される。複数のはんだ相互接続部１６４は、基板１０２と集積デバイス１０６とに結合される。集積デバイス１０４および１０６が動作しているとき、集積デバイス１０４および１０６は、熱を生成する。熱の蓄積は、集積デバイス１０４および１０６の性能に影響を及ぼすことがある。そのため、熱を集積デバイスから適切かつ十分に放散することができるパッケージを提供することが、現在必要とされている。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0004】

様々な特徴は、集積デバイスおよび基板を含むパッケージに関する。

【0005】

一例は、基板と、基板に結合された集積デバイスと、基板の上に設置されたカプセル化層と、カプセル化層内に設置された少なくとも１つのカプセル化層相互接続部と、カプセル化層の上に設置された少なくとも１つの金属層とを含むパッケージを提供する。基板は、少なくとも１つの誘電体層と複数の相互接続部とを含む。カプセル化層相互接続部は、基板に結合される。少なくとも１つの金属層は、パッケージのための電磁干渉（ＥＭＩ）シールドとして構成される。少なくとも１つの金属層は、集積デバイスの裏面の上に設置される。

【0006】

別の例は、基板と、基板に結合された集積デバイスと、基板の上に設置されたカプセル化のための手段と、カプセル化のための手段内に設置されたカプセル化層相互接続のための手段と、カプセル化層の上に設置された電磁干渉（ＥＭＩ）シールドのための手段とを含む装置を提供する。基板は、少なくとも１つの誘電体層と複数の相互接続部とを含む。カプセル化層相互接続のための手段は、基板に結合される。ＥＭＩシールドのための手段は、集積デバイスの裏面の上に設置される。

【0007】

別の例は、基板と、基板に結合された集積デバイスと、基板の上に設置されたカプセル化層と、カプセル化層内に設置された少なくとも１つのカプセル化層相互接続部であって、基板に結合された、カプセル化層相互接続部と、カプセル化層の上に設置された少なくとも１つの熱誘電体層とを含むパッケージを提供し、少なくとも１つの熱誘電体層は、集積デバイスの裏面の上に設置される。基板は、少なくとも１つの誘電体層と複数の相互接続部とを含む。

【0008】

別の例は、パッケージを製造するための方法を提供する。方法は、少なくとも１つの誘電体層と複数の相互接続部とを含む基板を提供する。方法は、集積デバイスを基板に結合する。方法は、基板の上に設置されたカプセル化層を形成する。方法は、カプセル化層内に設置された少なくとも１つのカプセル化層相互接続部を形成し、少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、基板に結合される。方法は、カプセル化層の上に少なくとも１つの金属層を形成する。少なくとも１つの金属層は、パッケージのための電磁干渉（ＥＭＩ）シールドとして構成される。少なくとも１つの金属層は、集積デバイスの裏面の上に設置される。

【0009】

別の例は、基板と、基板に結合された集積デバイスと、基板の上に設置されたカプセル化層と、カプセル化層内に設置された少なくとも１つのカプセル化層相互接続部と、カプセル化層の上に設置された少なくとも１つの誘電体層とを含むパッケージを提供する。基板は、少なくとも１つの誘電体層と複数の相互接続部とを含む。カプセル化層相互接続部は、基板に結合される。少なくとも１つの誘電体層は、パッケージのための熱管理層として構成される。少なくとも１つの誘電体層は、集積デバイスの裏面の上に設置される。

【0010】

様々な特徴、性質、および利点は、同様の参照符号が全体にわたって対応して識別する図面と併せて読まれると、以下に記載する詳細な説明から明らかになり得る。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】基板と集積デバイスとを含むパッケージの側面図である。

【図2】基板と、集積デバイスと、カプセル化層と、電磁干渉（ＥＭＩ）シールドとして構成された金属層とを含むパッケージの側面図である。

【図3】基板と、集積デバイスと、カプセル化層と、熱誘電体層と、ＥＭＩシールドとして構成された金属層とを含む別のパッケージの側面図である。

【図4】基板と、集積デバイスと、カプセル化層と、熱誘電体層と、ＥＭＩシールドとして構成された金属層とを含む別のパッケージの側面図である。

【図5】基板と、集積デバイスと、カプセル化層と、ＥＭＩシールドとして構成された金属層とを含む別のパッケージの側面図である。

【図6】基板と、集積デバイスと、カプセル化層と、熱誘電体層とを含む別のパッケージの側面図である。

【図7】基板と、集積デバイスと、カプセル化層と、熱誘電体層とを含む別のパッケージの側面図である。

【図8】基板と、集積デバイスと、カプセル化層と、金属化フレームとを含む別のパッケージの側面図である。

【図9】基板と、集積デバイスと、カプセル化層と、ＥＭＩシールドとして構成された金属層とを含むパッケージの例示的な熱フローを示す図である。

【図10】基板と、集積デバイスと、カプセル化層と、熱誘電体層と、ＥＭＩシールドとして構成された金属層とを含むパッケージの例示的な熱フローを示す図である。

【図11】基板と、集積デバイスと、カプセル化層と、ＥＭＩシールドとして構成された金属層とを含むパッケージの平面図である。

【図12A】基板と、集積デバイスと、カプセル化層と、熱誘電体層と、ＥＭＩシールドとして構成された金属層とを含むパッケージを製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図12B】基板と、集積デバイスと、カプセル化層と、熱誘電体層と、ＥＭＩシールドとして構成された金属層とを含むパッケージを製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図12C】基板と、集積デバイスと、カプセル化層と、熱誘電体層と、ＥＭＩシールドとして構成された金属層とを含むパッケージを製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図12D】基板と、集積デバイスと、カプセル化層と、熱誘電体層と、ＥＭＩシールドとして構成された金属層とを含むパッケージを製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図13】基板と、集積デバイスと、制御されたアンダーカットを有するカプセル化層とを含むパッケージを製造するための方法の例示的な流れ図である。

【図14A】基板を製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図14B】基板を製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図14C】基板を製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図15】ダイ、集積デバイス、集積受動デバイス（ＩＰＤ）、受動構成要素、パッケージ、および／または本明細書で説明するデバイスパッケージを集積化し得る様々な電子デバイスを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下の説明では、本開示の様々な態様を完全に理解することが可能なように具体的な詳細を示す。しかしながら、態様がこれらの具体的な詳細なしに実践される場合があることが、当業者によって理解されよう。たとえば、回路は、不必要な詳細で態様を曖昧にすることを避けるために、ブロック図で示されることがある。他の事例では、よく知られている回路、構造、および技法は、本開示の態様を曖昧にしないために、詳細に示されないことがある。

【0013】

本開示は、基板と、基板に結合された集積デバイスと、基板の上に設置されたカプセル化層と、カプセル化層内に設置された少なくとも１つのカプセル化層相互接続部と、カプセル化層の上に設置された少なくとも１つの金属層とを含むパッケージを説明する。基板は、少なくとも１つの誘電体層と複数の相互接続部とを含む。カプセル化層相互接続部は、基板に結合される。パッケージは、少なくとも１つの金属層と集積デバイスとの間に設置された少なくとも１つの熱誘電体層も含み得る。少なくとも１つの金属層は、パッケージのための電磁干渉（ＥＭＩ）シールドとして構成される。少なくとも１つの金属層は、集積デバイスの裏面の上に設置される。少なくとも１つの金属層は、接地に結合される。集積デバイスは、正常動作のもとでの望ましくない副産物として熱を生成する。いくつかの実装形態では、集積デバイスによって生成された熱の大部分は、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）少なくとも１つの金属層、（ｉｉｉ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）基板の複数の相互接続部、を通して熱伝導によって放散される。したがって、本開示で説明するパッケージは、パッケージをＥＭＩから保護することを助け、かつ集積デバイスによって生成され得る熱を低減して放散することを助け、それが、集積デバイスおよびパッケージが最適に動作し続けることを助ける構成を説明する。

【0014】

基板と、集積デバイスと、電磁干渉（ＥＭＩ）シールドおよび放熱のために構成された金属層とを含む例示的なパッケージ
図２は、基板２０２と、集積デバイス２０４と、集積デバイス２０６と、集積デバイス２０８と、受動構成要素２０７と、カプセル化層２０９と、金属層２１０とを含むパッケージ２００の側面図を示す。いくつかの実装形態では、パッケージ２００は、システムインパッケージ（ＳｉＰ）またはチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）などの集積回路（ＩＣ）パッケージであり得る。いくつかの実装形態では、パッケージ２００は、無線周波数（ＲＦ）フィルタを含む無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）パッケージとして構成され得る。

【0015】

基板２０２は、少なくとも１つの誘電体層２２０と複数の相互接続部２２１（たとえば、基板相互接続）とを含む。基板２０２は、基板２０２の底部の上に設置されたはんだレジスト層２２６も含み得る。複数のはんだ相互接続部２３０は、基板２０２の底部に結合される。複数のはんだ相互接続部２３０は、複数の相互接続部２２１に結合され得る。様々な実装形態が、様々なタイプの基板を含み得る。基板２０２は、コア付き基板、コアレス基板、セラミック基板、および／または積層基板を含み得る。

【0016】

集積デバイス２０４、集積デバイス２０６、集積デバイス２０８、および受動構成要素２０７（たとえば、個別のキャパシタ）は、基板２０２の第１の面（たとえば、上面）に結合される。集積デバイス２０４は、複数のはんだ相互接続部２４０を通して基板２０２の複数の相互接続部２２１に結合される。集積デバイス２０６は、複数のはんだ相互接続部２６０を通して基板２０２の複数の相互接続部２２１に結合される。集積デバイス２０８は、複数のはんだ相互接続部２８０を通して基板２０２の複数の相互接続部２２１に結合される。受動構成要素２０７は、基板２０２の複数の相互接続部２２１に結合される。いくつかの実装形態では、複数のピラー相互接続部およびはんだ相互接続部は、集積デバイス（たとえば、２０４、２０６、２０８）を複数の相互接続部２２１に結合するために使用され得る。

【0017】

パッケージ２００はまた、複数のスルーモールドビア（ＴＭＶ）２１１と複数のワイヤボンド２１２とを含む。複数のＴＭＶ２１１および／または複数のワイヤボンド２１２は、複数のカプセル化層相互接続部（たとえば、カプセル化層相互接続のための手段）の例である。複数のＴＭＶ２１１は、基板２０２に結合される。特に、複数のＴＭＶ２１１は、複数の相互接続部２２１に結合される。同様に、複数のワイヤボンド２１２は、基板２０２に結合される。特に、複数のワイヤボンド２１２は、複数の相互接続部２２１に結合される。複数のスルーモールドビア２１１（ＴＭＶ）および複数のワイヤボンド２１２は、カプセル化層２０９内に設置される（たとえば、埋め込まれる）。複数のスルーモールドビア２１１（ＴＭＶ）および複数のワイヤボンド２１２は、カプセル化層２０９によって少なくとも部分的にカプセル化され得る。複数のスルーモールドビア２１１（ＴＭＶ）および／または複数のワイヤボンド２１２は、集積デバイス（たとえば、２０４、２０６、２０８）および受動構成要素２０７の側面に沿って設置される。

【0018】

以下でさらに説明するように、複数のスルーモールドビア２１１（ＴＭＶ）および／または複数のワイヤボンド２１２は、たとえば１つまたは複数の集積デバイスの周りにフェンスまたは境界を形成するために、１つまたは複数の集積デバイスの周りで側面に沿って設置され得る。少なくとも１つのカプセル化層相互接続部（たとえば、ＴＭＶ２１１、ワイヤボンド２１２）が、パッケージ２００のための少なくとも１つの区画化ＥＭＩシールドとして構成される。複数のスルーモールドビア２１１（ＴＭＶ）および／または複数のワイヤボンド２１２は、接地に結合されるように構成される。複数のスルーモールドビア２１１（ＴＭＶ）および／または複数のワイヤボンド２１２は、パッケージ２００のためのコンフォーマルＥＭＩシールドとして動作するように構成される。その上、以下でさらに説明するように、複数のスルーモールドビア２１１（ＴＭＶ）および／または複数のワイヤボンド２１２は、熱を放散することを助ける（たとえば、１つまたは複数の集積デバイスから離れて熱を放散することを助ける）ように構成される。

【0019】

カプセル化層２０９は、基板２０２の第１の表面の上に設置される。カプセル化層２０９は、集積デバイス（たとえば、２０４、２０６、２０８）、受動構成要素２０７、複数のスルーモールドビア２１１（ＴＭＶ）、および／または複数のワイヤボンド２１２を、少なくとも部分的にカプセル化し得る。カプセル化層２０９は、少なくとも１つのカプセル化層相互接続部（たとえば、ＴＭＶ２１１、ワイヤボンド２１２）をカプセル化し得る。カプセル化層２０９は、モールド、レジン、および／またはエポキシを含み得る。圧縮成形プロセス、トランスファー成形プロセス、または液体成形プロセスが、カプセル化層２０９を形成するために使用され得る。カプセル化層２０９は、フォトエッチング可能であり得る。カプセル化層２０９は、カプセル化のための手段であり得る。

【0020】

金属層２１０は、カプセル化層２０９の上面および／または集積デバイス２０４および２０６の裏面の上に設置される。金属層２１０は、カプセル化層２０９および集積デバイス２０４および２０６の裏面に結合される。その上、金属層２１０は、複数のＴＭＶ２１１および複数のワイヤボンド２１２に結合される。したがって、金属層２１０は、少なくとも１つのカプセル化層相互接続部に結合される。金属層２１０は、パッケージ２００の側面の上に設置される。たとえば、金属層２１０は、カプセル化層２０９の側面および／または基板２０２の側面に設置および／または結合される。金属層２１０は、１つまたは複数の金属層を含み得る。

【0021】

金属層２１０は、パッケージ２００のための電磁干渉（ＥＭＩ）シールド（たとえば、ＥＭＩシールドのための手段、コンフォーマルＥＭＩシールド、コンフォーマルＥＭＩシールドのための手段）として動作するように構成される。金属層２１０は、接地に結合されるように構成される。金属層２１０は、同じく、１つまたは複数の集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）からの伝導によって熱を放散するように構成される。

【0022】

様々な実装形態は、金属層２１０に対して様々な材料を使用してもよい。たとえば、金属層２１０は、銅を含んでもよい。いくつかの実装形態では、金属層２１０は、少なくとも１つの誘電体層（たとえば、１つまたは複数の誘電体層）と置き換えられてもよい。誘電体層は、本開示で説明する他の金属層（たとえば、４１０）のうちのいずれかを置き換えてもよい。少なくとも１つの誘電体層は、金属層（たとえば、２１０、４１０）に対して説明したものと同じ機能を実行し得る。少なくとも１つの誘電体層は、パッケージのための熱管理層として構成され得る。電磁干渉（ＥＭＩ）シールドのための手段は、少なくとも１つの誘電体層を含み得る。

【0023】

集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）は、熱を生成するように構成される。集積デバイス内の熱の蓄積は、準最適の集積デバイス性能および／または集積デバイス故障につながることがある。したがって、集積デバイスからの熱を低減し、放散することができることが重要である。パッケージ２００の設計および構成は、熱が集積デバイスから効率的かつ効果的に放散する熱経路を金属層２１０、複数のＴＭＶ２１１、複数のワイヤボンド２１２、および／または複数の相互接続部２２１が提供し得るようなものである。いくつかの実装形態では、集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）によって（たとえば、個別におよび／または集合的に）生成された熱の大部分は、（ｉ）集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の裏面、（ｉｉ）金属層２１０、（ｉｉｉ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部（たとえば、ＴＭＶ２１１、ワイヤボンド２１２）、および／または（ｉｖ）基板２０２の複数の相互接続部２２１、を通して熱伝導によって放散される。いくつかの実装形態では、集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）によって（たとえば、個別におよび／または集合的に）生成された熱の少なくとも２０パーセント（２０％）は、（ｉ）集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の裏面、（ｉｉ）金属層２１０、（ｉｉｉ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部（たとえば、ＴＭＶ２１１、ワイヤボンド２１２）、および／または（ｉｖ）基板２０２の複数の相互接続部２２１、を通して熱伝導によって放散される。パッケージ内の例示的な熱経路および／または熱流束が、少なくとも以下の図９および図１０において以下にさらに示され、説明される。

【0024】

集積デバイス（たとえば、２０４、２０６、２０８）は、ダイ（たとえば、半導体ベアダイ）を含み得る。集積デバイスは、無線周波数（ＲＦ）デバイス、受動デバイス、フィルタ、キャパシタ、インダクタ、抵抗器、アンテナ、送信機、受信機、表面音響波（ＳＡＷ）フィルタ、バルク音響波（ＢＡＷ）フィルタ、発光ダイオード（ＬＥＤ）集積デバイス、炭化ケイ素（ＳｉＣ）ベース集積デバイス、ＧａＡｓベース集積デバイス、ＧａＮベース集積デバイス、プロセッサ、メモリ、電力増幅器、スイッチ、システムオンチップ、集積回路デバイス、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス、ナノ電気機械システム（ＮＥＭＳ）デバイス、および／またはそれらの組合せを含み得る。集積デバイス（たとえば、２０４、２０６、２０８）は、少なくとも１つの電子回路（たとえば、第１の電子回路、第２の電子回路など）を含み得る。

【0025】

たとえば、集積デバイス（たとえば、２０４、２０６、２０８）が、半導体集積回路ダイとして構成されるとき、集積デバイスは、基板と、動作（たとえば、論理動作）を実行するように構成されたトランジスタを含むデバイス層とを含み得る。別の例では、集積デバイス（たとえば、２０４、２０６、２０８）が、ベアダイフィルタ（たとえば、ＳＡＷフィルタ、ＢＡＷフィルタ）として構成されるとき、集積デバイスは、圧電基板と、少なくとも１つのトランスデューサ（たとえば、インターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ））として構成された圧電基板の上に形成され設置された少なくとも１つの金属層とを含み得る。

【0026】

図３は、ＥＭＩシールドおよび放熱のために構成された金属層を含むパッケージ３００を示す。パッケージ３００は、パッケージ２００と同様であり、図２のパッケージ２００と同じかまたは同様の構成要素を含む。パッケージ３００は、パッケージ２００に対して説明したものと同様に構成される。パッケージ３００は、熱誘電体層３１０も含む。熱誘電体層３１０は、カプセル化層２０９と集積デバイス２０４および２０６との上に設置される。熱誘電体層３１０は、カプセル化層２０９と金属層２１０との間に設置される。熱誘電体層３１０は、同じく、集積デバイス２０４および２０６と金属層２１０との間に設置される。熱誘電体層３１０は、カプセル化層２０９、集積デバイス２０４（たとえば、第１の集積デバイス）の裏面、集積デバイス２０６（たとえば、第２の集積デバイス）の裏面、複数のＴＭＶ２１１、および複数のワイヤボンド２１２の上面に結合される。

【0027】

熱誘電体層３１０は、電流を電気的に伝導しないように構成されるが、熱エネルギーを効率的に伝導するように構成された誘電体層である。熱誘電体層３１０は、不十分な電気の導体であるが、良好なまたは平均以上の熱の導体である。熱誘電体層３１０は、接地に向かう電磁結合を低減することによってパッケージの性能を改善することを助ける。いくつかの実装形態では、熱誘電体層３１０は、４０未満の誘電率（ｋ）を有する。いくつかの実装形態では、熱誘電体層３１０は、１５未満の誘電率（ｋ）を有する。いくつかの実装形態では、熱誘電体層３１０は、１０未満の誘電率（ｋ）を有する。熱誘電体層３１０は、カプセル化層２０９の熱伝導率より高い熱伝導率を有し得る。熱誘電体層３１０は、集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の基板の熱伝導率より高い熱伝導率を有し得る。集積デバイス用の基板の例は、ＬｉＴａＯ_３（それは、約６．６９Ｗ／（ｍ・ｋ）の熱伝導率を有する）、ＬｉＮｂＯ_３（それは、約４．１９Ｗ／（ｍ・ｋ）の熱伝導率を有する）、およびシリコン（Ｓｉ）（それは、約１５０Ｗ／（ｍ・ｋ）の熱伝導率を有する）を含む。熱誘電体層３１０は、４Ｗ／（ｍ・ｋ）より大きい熱伝導率を有し得る。熱誘電体層３１０は、難溶性の炭化物、窒化物、およびホウ化物、および／またはそれらの組合せ（たとえば、炭窒化物）を含み得る。熱誘電体層３１０は、Ａｌ_２Ｏ_３（それは、およそ３０Ｗ／（ｍ・ｋ）の熱伝導率を有する）などの酸化物を含み得る。熱誘電体層３１０は、およそ２００Ｗ／（ｍ・ｋ）の熱伝導率を有するＡｌＮを含み得る。熱誘電体層３１０は、１つまたは複数の熱誘電体層を含み得ることに留意されたい。誘電体層は、熱誘電体層３１０と同様の特性を有し得る。

【0028】

パッケージ３００の設計および構成は、熱が集積デバイスから効率的かつ効果的に放散する熱経路を金属層２１０、熱誘電体層３１０、複数のＴＭＶ２１１、複数のワイヤボンド２１２、および／または複数の相互接続部２２１が提供し得るようなものである。いくつかの実装形態では、集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）によって（たとえば、個別におよび／または集合的に）生成された熱の大部分は、（ｉ）集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の裏面、（ｉｉ）熱誘電体層３１０、（ｉｉｉ）金属層２１０、（ｉｖ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部（たとえば、ＴＭＶ２１１、ワイヤボンド２１２）、および／または（ｖ）基板２０２の複数の相互接続部２２１、を通して熱伝導によって放散される。いくつかの実装形態では、集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）によって（たとえば、個別におよび／または集合的に）生成された熱の少なくとも２０パーセント（２０％）は、（ｉ）集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の裏面、（ｉｉ）熱誘電体層３１０、（ｉｉｉ）金属層２１０、（ｉｖ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部（たとえば、ＴＭＶ２１１、ワイヤボンド２１２）、および／または（ｖ）基板２０２の複数の相互接続部２２１、を通して熱伝導によって放散される。パッケージ内の例示的な熱経路および／または熱流束が、少なくとも以下の図９および図１０において以下にさらに示され、説明される。

【0029】

図４は、ＥＭＩシールドおよび放熱のために構成された金属層を含むパッケージ４００を示す。パッケージ４００は、パッケージ３００と同様であり、図３のパッケージ３００と同じかまたは同様の構成要素を含む。パッケージ４００は、パッケージ３００に対して説明したものと同様に構成される。図４では、パッケージ４００は、カプセル化層２０９の側面および基板２０２の側面の上に設置されない金属層４１０を含む。図４に示すように、金属層４１０は、カプセル化層２０９および熱誘電体層３１０の上面の上に設置される。金属層４１０は、図２および図３で説明した金属層２１０と同様である。

【0030】

図５は、ＥＭＩシールドおよび放熱のために構成された金属層を含むパッケージ５００を示す。パッケージ５００は、パッケージ２００と同様であり、図２のパッケージ２００と同じかまたは同様の構成要素を含む。パッケージ５００は、パッケージ２００に対して説明したものと同様に構成される。図５では、パッケージ５００は、カプセル化層２０９の側面および基板２０２の側面の上に設置されない金属層４１０を含む。図５に示すように、金属層４１０は、カプセル化層２０９の上面の上に設置される。金属層４１０は、図２で説明した金属層２１０と同様である。

【0031】

図６は、熱誘電体層を含むパッケージ６００を示す。パッケージ６００は、パッケージ３００と同様であり、図３のパッケージ３００と同じかまたは同様の構成要素を含む。パッケージ６００は、パッケージ３００に対して説明したものと同様に構成される。図６では、パッケージ６００は、熱誘電体層３１０を含む。しかしながら、熱誘電体層３１０の上部に金属層はない。この構成は、接地の影響を制限することを助け、それは、パッケージ６００の性能を改善することを助ける。

【0032】

図７は、熱誘電体層を含むパッケージ７００を示す。パッケージ７００は、パッケージ６００と同様であり、図６のパッケージ６００と同じかまたは同様の構成要素を含む。パッケージ７００は、パッケージ３００および６００に対して説明したものと同様に構成される。図７では、ＴＭＶ２１１および／またはワイヤボンド２１２の上に設置された熱誘電体層３１０の部分が除去され、熱誘電体層３１０内に少なくとも１つの溝７１１が作られている。レーザプロセス（たとえば、レーザ切断）が、熱誘電体層３１０の部分を除去するために使用され得る。熱誘電体層３１０の部分の除去は、パッケージ７００に限定されるものではない。熱誘電体層３１０内の溝７１１は、熱誘電体層３１０を含む、本開示で説明するパッケージのいずれかにおいて実施され得る。

【0033】

本開示は、ＥＭＩシールドのために構成されたカプセル化層内に設置されたＴＭＶおよび／またはワイヤボンドについて説明する。しかしながら、いくつかの実装形態では、他のタイプの材料および／または構造が、ＥＭＩシールドのために使用される場合がある。たとえば、ＴＭＶおよび／またはワイヤボンドは、事前に構築された金属化フレーム、事前に構築された金属化壁、金属缶、および／または表面実装デバイス（ＳＭＤ）と置き換えられてもよく、および／またはそれらと併せて使用されてもよい。

【0034】

図８は、ＥＭＩシールドのために構成された様々な材料および／または構造を含むパッケージ８００を示す。パッケージ８００は、パッケージ３００と同様であり、図３のパッケージ３００と同じかまたは同様の構成要素を含む。しかしながら、パッケージ８００は、ＥＭＩシールドのために構成された金属化フレーム８１１を含む。したがって、金属化フレーム８１１は、ＴＭＶ２１１および／またはワイヤボンド２１２の機能を置き換えている。金属化フレーム８１１の一部または全部は、接地に結合されるように構成され得る。金属化フレーム８１１は、１つの構成要素またはいくつかの構成要素であり得る。金属化フレーム８１１は、１つまたは複数の材料を含み得る。金属化フレーム８１１は、１つまたは複数のカプセル化層相互接続部（たとえば、カプセル化層相互接続のための手段）の一例である。金属化フレーム８１１は、リードフレームまたはその一部を含み得る。

【0035】

図９および図１０は、熱および／または熱流束のための経路の例を示す。熱経路および／または熱流束は、すべての可能な熱経路および／または熱流束を示すことを意味するものではないことに留意されたい。そうではなく、図９および図１０は、単に、パッケージのための１つまたは多くの可能な熱経路および／または熱流束を示すことを意図している。したがって、熱経路および／または熱流束は、図９および図１０に示すものに限定されない。

【0036】

図９は、パッケージ２００の集積デバイス２０４からの熱が、集積デバイス２０４の裏面を通り、金属層２１０を通り、少なくとも１つのＴＭＶ２１１を通り、基板２０２の複数の相互接続部２２１を通って、（たとえば、伝導によって）どのように放散されるかの一例を示す。いくつかの実装形態では、熱の少なくとも一部は、少なくとも１つのはんだ相互接続部２３０を通って放散し得る。

【0037】

図９は、同じく、パッケージ２００の集積デバイス２０６からの熱が、集積デバイス２０６の裏面を通り、金属層２１０を通り、少なくとも１つのワイヤボンド２１２を通り、基板２０２の複数の相互接続部２２１を通って、（たとえば、伝導によって）どのように放散されるかの一例を示す。いくつかの実装形態では、熱の少なくとも一部は、少なくとも１つのはんだ相互接続部２３０を通って放散し得る。

【0038】

図１０は、パッケージ３００の集積デバイス２０４からの熱が、集積デバイス２０４の裏面を通り、熱誘電体層３１０を通り、金属層２１０を通り、少なくとも１つのＴＭＶ２１１を通り、基板２０２の複数の相互接続部２２１を通って、（たとえば、伝導によって）どのように放散されるかの一例を示す。いくつかの実装形態では、熱の少なくとも一部は、少なくとも１つのはんだ相互接続部２３０を通って放散し得る。

【0039】

図１０は、同じく、パッケージ３００の集積デバイス２０６からの熱が、集積デバイス２０６の裏面を通り、熱誘電体層３１０を通り、金属層２１０を通り、少なくとも１つのワイヤボンド２１２を通り、基板２０２の複数の相互接続部２２１を通って、（たとえば、伝導によって）どのように放散されるかの一例を示す。いくつかの実装形態では、熱の少なくとも一部は、少なくとも１つのはんだ相互接続部２３０を通って放散し得る。本開示で説明する他のパッケージは、同様に熱を放散し得る。したがって、他のパッケージは、図９および図１０に示すものと同様に進む熱流束を有し得る。

【0040】

本開示で説明するパッケージの構成および設計を使用することで、集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の接合部温度を１００ケルビン（Ｋ）程度低減させ得る。したがって、たとえば、裏面が金属層または熱誘電体層に結合されない集積デバイスは、本開示で説明する、裏面が金属層および／または熱誘電体層に結合された同じ集積デバイスより１００Ｋ高い接合部温度（たとえば、集積デバイスの表面温度）に達する場合がある。たとえば、裏面が金属層または熱誘電体層に結合されない集積デバイスは、約３００ケルビンの接合部温度（たとえば、集積デバイスの表面温度）に達する場合があるが、本開示で説明する、裏面が金属層および／または熱誘電体層に結合された同じ集積デバイスは、１９０ケルビンの接合部温度にしか到達しない（１００ケルビン以上の差がある）。より低い集積デバイスの温度は、集積デバイスおよびパッケージがより長い時間期間の間、最適に実行することを助け、より信頼できる集積デバイスおよび／またはパッケージを提供することを助ける。

【0041】

ＴＭＶ２１１、ワイヤボンド２１２、および／または金属化フレーム８１１（それらは、カプセル化層相互接続部の例である）の別の便益は、ＴＭＶ２１１、ワイヤボンド２１２、および／または金属化フレーム８１１が、ＥＭＩシールド（たとえば、区画化ＥＭＩシールド、区画化ＥＭＩシールドのための手段）として構成され得ることである。

【0042】

図１１は、ＴＭＶ２１１および／またはワイヤボンド２１２が、カプセル化層２０９内にどのように配置され得るかを示す、パッケージ２００の平面図を示す。図８に示すように、複数のＴＭＶ２１１は、複数のＴＭＶ２１１が集積デバイス２０４を側面に沿って取り囲むように、基板２０２に結合される。複数のＴＭＶ２１１は、集積デバイス２０４の周りにフェンス、境界、および／またはケージを形成する。複数のＴＭＶ２１１は、接地に結合されるように構成される。集積デバイス２０４の周りのＴＭＶ２１１のサイズ、形状、間隔、および／または数は、様々な実装形態によって変動し得る。ＴＭＶ２１１間にすき間が存在するが、複数のＴＭＶ２１１は、依然として効果的なＥＭＩシールドを提供し得、複数のＴＭＶ２１１は、依然として集積デバイス２０４を側面に沿って取り巻くと見なされ得る。

【0043】

図１１に示すように、複数のワイヤボンド２１２は、複数のワイヤボンド２１２が集積デバイス２０６を側面に沿って取り囲むように、基板２０２に結合される。複数のワイヤボンド２１２は、集積デバイス２０６の周りにフェンス、境界、および／またはケージを形成する。複数のワイヤボンド２１２は、接地に結合されるように構成される。集積デバイス２０６の周りのワイヤボンド２１２のサイズ、形状、間隔、および／または数は、様々な実装形態によって変動し得る。ワイヤボンド２１２間にすき間が存在するが、複数のワイヤボンド２１２は、依然として効果的なＥＭＩシールドを提供し得、複数のワイヤボンド２１２は、依然として集積デバイス２０６を側面に沿って取り巻くと見なされ得る。いくつかの実装形態では、金属化フレーム８１１は、同様に集積デバイスを側面に沿って取り囲み得る。したがって、複数のＴＭＶ２１１および／または複数のワイヤボンド２１２は、１つまたは複数の金属化フレーム８１１と置き換えられ得る。

【0044】

様々なパッケージは、様々な数の集積デバイスおよび構成要素を有し得ることに留意されたい。したがって、パッケージは、集積デバイスの数によって限定されない。パッケージは、３つ以上の集積デバイスを含み得る。その上、パッケージは、ＥＭＩシールドおよび放熱のために、ＴＭＶ、ワイヤボンド、金属化フレーム、および／またはＳＭＤの様々な組合せを混合して調和させ得る。いくつかの実装形態では、ＴＭＶだけが、ＥＭＩシールドおよび放熱のために使用され得る。いくつかの実装形態では、ワイヤボンドだけが、ＥＭＩシールドおよび放熱のために使用され得る。いくつかの実装形態では、金属化フレームだけが、ＥＭＩシールドおよび放熱のために使用され得る。

【0045】

様々なパッケージについて説明したが、次に、パッケージを製造するためのシーケンスについて、以下で説明する。

【0046】

基板と、集積デバイスと、ＥＭＩシールドおよび放熱のために構成された金属層とを含むパッケージを製造するための例示的なシーケンス
図１２Ａ～図１２Ｄは、ＥＭＩシールドおよび放熱のために構成された金属層を含むパッケージを提供または製造するための例示的なシーケンスを示す。いくつかの実装形態では、図１２Ａ～図１２Ｄのシーケンスは、図３のパッケージ３００、または本開示で説明するパッケージ（たとえば、２００、４００、５００、６００、７００、８００）のいずれかを提供または製造するために使用され得る。

【0047】

パッケージを提供または製造するためのシーケンスを簡略化および／または明確化するために、図１２Ａ～図１２Ｄのシーケンスが１つまたは複数のステージを組み合わせてもよいことに留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順序は変更または修正されてもよい。いくつかの実装形態では、プロセスのうちの１つまたは複数は、本開示の主旨を逸脱することなく交換または置換されてもよい。

【0048】

ステージ１は、図１２Ａに示すように、基板２０２が提供または製造された後の状態を示す。基板２０２は、少なくとも１つの誘電体層２２０と、複数の相互接続部２２１（たとえば、トレース、パッド、ビア）と、はんだレジスト層２２６とを含む。基板を製造することの一例について、図１４Ａ～図１４Ｃにおいて示し、説明する。基板の製造は、積層プロセスおよびめっきプロセスを含み得る。基板を製造するためのプロセスの例は、セミアディティブプロセス（ＳＡＰ）および修正セミアディティブプロセス（ｍＳＡＰ）を含む。しかしながら、様々な実装形態が、基板を様々に製造してもよい。様々な実装形態が、様々なタイプの基板（たとえば、コアレス基板、コア付き基板、埋め込みトレース基板（ＥＴＳ）、積層基板、セラミック基板）を提供し得る。

【0049】

ステージ２は、デバイスおよび／または構成要素が基板２０２に結合された後の状態を示す。たとえば、集積デバイス２０４は、複数のはんだ相互接続部２４０を通して基板２０２に結合される。集積デバイス２０６は、複数のはんだ相互接続部２６０を通して基板２０２に結合される。集積デバイス２０８は、複数のはんだ相互接続部２８０を通して基板２０２に結合される。受動構成要素２０７（たとえば、キャパシタ）は、基板２０２に結合され得る。ピックアンドプレースプロセスは、デバイスおよび／または構成要素を結合するために使用され得る。リフローはんだプロセスは、集積デバイスおよび／または構成要素を結合するために使用され得る。

【0050】

ステージ３は、ワイヤボンディングの後の状態を示す。ワイヤボンディングの間に、複数のワイヤボンド２１２が、基板２０２に結合され得る。複数のワイヤボンド２１２は、複数の相互接続部２２１に結合され得る。複数のワイヤボンド２１２は、少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０６）を側面に沿って取り囲み得る。金属化フレーム（たとえば、８１１）が使用されるとき、金属化フレームは、基板２０２に結合され得る。

【0051】

ステージ４は、図１２Ｂに示すように、基板２０２、集積デバイス２０４、および集積デバイス２０６の上に形成されたカプセル化層２０９を示す。カプセル化層２０９は、カプセル化のための手段であり得る。圧縮成形プロセス、トランスファー成形プロセス、または液体成形プロセスが、カプセル化層２０９を形成するために使用され得る。カプセル化層２０９は、集積デバイス２０４、集積デバイス２０６、およびワイヤボンド２１２を少なくとも部分的にカプセル化し得る。

【0052】

ステージ５は、カプセル化層２０９の部分が、除去された後の状態を示す。カプセル化層２０９は、研削プロセスを介して除去され得る。いくつかの実装形態では、カプセル化層２０９の一部は、カプセル化層２０９が１つまたは複数の集積デバイスの裏面と平面を成すように研削され得る。カプセル化層２０９は、集積デバイス２０４、集積デバイス２０６、およびワイヤボンド２１２を少なくとも部分的にカプセル化し得る。

【0053】

ステージ６は、複数の空洞９１１がカプセル化層２０９内に形成された後の状態を示す。レーザプロセスおよび／またはエッチングプロセスが、複数の空洞を形成するために使用され得る。空洞９１１は、カプセル化層２０９を通して延び、基板２０２の一部を露出させ得る。

【0054】

ステージ７は、図１２Ｃに示すように、複数のＴＭＶ２１１がカプセル化層２０９の複数の空洞９１１内に形成された後の状態を示す。めっきプロセスが、複数のＴＭＶ２１１を形成するために使用され得る。複数のＴＭＶ２１１は、少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０４）を側面に沿って取り囲み得る。いくつかの実装形態では、研削プロセスは、カプセル化層２０９、複数のＴＭＶ２１１、および複数のワイヤボンド２１２が、少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の裏面と平面を成すように、カプセル化層２０９の一部、複数のワイヤボンド２１２の一部、および／またはＴＭＶ２１１の一部を除去するために使用され得る。

【0055】

ステージ８は、熱誘電体層３１０が、随意に、カプセル化層２０９、少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の裏面、複数のＴＭＶ２１１、および複数のワイヤボンド２１２の上に形成された後の状態を示す。堆積プロセスが、熱誘電体層３１０を形成してカプセル化層２０９、少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の裏面、複数のＴＭＶ２１１、および複数のワイヤボンド２１２に結合するために使用され得る。いくつかの実装形態では、熱誘電体層３１０は、いくつかの誘電体層を含み得る。ステージ８は、図６で説明したパッケージ６００を示し得る。いくつかの実装形態では、レーザプロセスは、図７に示すように、パッケージ７００を製造するために熱誘電体層３１０の一部を除去するために使用され得る。

【0056】

ステージ９は、図１２Ｄに示すように、金属層２１０が、熱誘電体層３１０、カプセル化層２０９、少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の裏面、複数のＴＭＶ２１１、および複数のワイヤボンド２１２の上に形成された後の状態を示す。めっきプロセスおよび／またはスパッタリングプロセスは、金属層２１０を形成して熱誘電体層３１０に結合するために使用され得る。熱誘電体層３１０がないとき、金属層２１０が形成され、カプセル化層２０９、少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の裏面、複数のＴＭＶ２１１、および複数のワイヤボンド２１２に結合され得る。図１２Ｄのステージ９の例では、金属層２１０が、同じく随意に、カプセル化層２０９の側面および基板２０２の側面の上に形成される。しかしながら、金属層２１０は、様々な実装形態によってパッケージの上に様々に形成されてもよい。上述のように、金属層２１０は、ＥＭＩシールドおよび放熱のために構成され得る。ステージ９は、図３で説明したパッケージ３００を示し得る。

【0057】

ステージ１０は、複数のはんだ相互接続部２３０が基板２０２に結合された後の状態を示す。複数のはんだ相互接続部２３０は、リフローはんだプロセスを通して複数の相互接続部２２１に結合され得る。ステージ１０は、図３で説明したパッケージ３００を示し得る。

【0058】

基板、集積デバイス、ならびにＥＭＩシールドおよび放熱のために構成された金属層を含むパッケージを製造するための方法の例示的な流れ図
いくつかの実装形態では、ＥＭＩシールドおよび放熱のために構成された金属層を含むパッケージを製造することは、いくつかのプロセスを含む。図１３は、ＥＭＩシールドおよび放熱のために構成された金属層を含むパッケージを提供または製造するための方法１３００の例示的な流れ図を示す。いくつかの実装形態では、図１３の方法１３００が、本開示で説明した図３のパッケージ３００を提供または製造するために使用され得る。しかしながら、方法１３００は、本開示において説明するパッケージ（たとえば、２００、４００、５００、６００、７００、８００）のいずれかを提供または製造するために使用され得る。

【0059】

図１３のシーケンスは、パッケージを提供または製造するための方法を簡略化および／または明確化するために、１つまたは複数のプロセスを組み合わせ得ることに留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順序は変更または修正されてもよい。

【0060】

方法は、（１３０５において）基板（たとえば、２０２）を提供する。基板は、提供されてもよく、または製造されてもよい。基板は、少なくとも１つの誘電体層２２０と、複数の相互接続部２２１（たとえば、トレース、パッド、ビア）と、はんだレジスト層２２６とを含み得る。基板を製造することの一例について、図１４Ａ～図１４Ｃにおいて示し、説明する。基板の製造は、積層プロセスおよびめっきプロセスを含み得る。基板を製造するためのプロセスの例は、セミアディティブプロセス（ＳＡＰ）および修正セミアディティブプロセス（ｍＳＡＰ）を含む。しかしながら、様々な実装形態が、基板を様々に製造してもよい。様々な実装形態が、様々なタイプの基板（たとえば、コアレス基板、コア付き基板、埋め込みトレース基板（ＥＴＳ）、積層基板、セラミック基板）を提供し得る。図１２Ａのステージ１は、基板の一例を示して説明する。

【0061】

方法は、（１３１０において）少なくとも１つのデバイス（たとえば、２０４、２０６、２０８）を基板（たとえば、２０２）に結合する。受動構成要素（たとえば、２０７）も、基板２０２に結合され得る。ピックおよびプレースプロセスは、少なくとも１つの集積デバイスおよび少なくとも１つの構成要素を基板に結合するために使用され得る。図１２Ａのステージ２は、集積デバイスおよび構成要素を基板に結合することの一例を示して説明する。

【0062】

方法は、（１３１５において）随意に、ワイヤボンド（たとえば、２１２）を提供する。ワイヤボンドを提供することは、複数のワイヤボンド２１２を基板２０２に結合することを含む。複数のワイヤボンド２１２は、複数の相互接続部２２１に結合され得る。複数のワイヤボンド２１２は、少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０６）を側面に沿って取り囲み得る。図１２Ａのステージ３は、ワイヤボンドを提供することの一例を示して説明する。いくつかの実装形態では、方法は、（１３１５において）金属化フレーム（たとえば、８１１）および／またはＳＭＤを基板２０２に結合し得る。

【0063】

方法は、（１３２０において）基板の上にカプセル化層（たとえば、２０９）を形成する。カプセル化層２０９は、基板２０２、集積デバイス２０４、および集積デバイス２０６の上に形成され得る。圧縮成形プロセス、トランスファー成形プロセス、または液体成形プロセスが、カプセル化層２０９を形成するために使用され得る。いくつかの実装形態では、カプセル化層２０９の一部は、カプセル化層２０９が１つまたは複数の集積デバイスの裏面と平面を成すように研削され得る。カプセル化層２０９は、集積デバイス２０４、集積デバイス２０６、およびワイヤボンド２１２を少なくとも部分的にカプセル化し得る。図１２Ｂのステージ４および５は、カプセル化層を形成して研削することの一例を示して説明する。

【0064】

方法は、（１３２５において）カプセル化層（たとえば、２０９）内に空洞（たとえば、９１１）を形成する。レーザプロセスおよび／またはエッチングプロセスが、複数の空洞９１１を形成するために使用され得る。複数の空洞９１１は、カプセル化層２０９を通して延び、基板２０２の一部を露出させ得る。図１２Ｂのステージ６は、カプセル化層内に空洞を形成することの一例を示して説明する。

【0065】

方法は、（１３３０において）カプセル化層の空洞内に少なくとも１つのカプセル化層相互接続部を形成する。カプセル化層相互接続部を形成することは、カプセル化層２０９の複数の空洞９１１内に複数のＴＭＶ２１１を形成することを含み得る。めっきプロセスが、複数のＴＭＶ２１１を形成するために使用され得る。複数のＴＭＶ２１１は、少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０４）を側面に沿って取り囲み得る。いくつかの実装形態では、研削プロセスは、カプセル化層２０９、複数のＴＭＶ２１１、および複数のワイヤボンド２１２が、少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の裏面と平面を成すように、カプセル化層２０９の一部、複数のワイヤボンド２１２の一部、および／またはＴＭＶ２１１の一部を除去するために使用され得る。図１２Ｃのステージ７は、カプセル化層相互接続部を形成することの一例を示して説明する。

【0066】

方法は、（１３３５において）随意に、熱誘電体層３１０を、カプセル化層２０９、少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の裏面、複数のＴＭＶ２１１、および複数のワイヤボンド２１２の上に形成する。堆積プロセスが、熱誘電体層３１０を形成してカプセル化層２０９、少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の裏面、複数のＴＭＶ２１１、および複数のワイヤボンド２１２に結合するために使用され得る。いくつかの実装形態では、いくつかの熱誘電体層が形成され得る。図１２Ｃのステージ８は、熱誘電体層を形成することの一例を示して説明する。

【0067】

方法は、（１３３５において）随意に、金属層２１０を、熱誘電体層３１０、カプセル化層２０９、少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の裏面、複数のＴＭＶ２１１、および複数のワイヤボンド２１２の上に形成する。めっきプロセスおよび／またはスパッタリングプロセスは、金属層２１０を形成して熱誘電体層３１０に結合するために使用され得る。熱誘電体層３１０がないとき、金属層２１０が形成され、カプセル化層２０９、少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の裏面、複数のＴＭＶ２１１、および複数のワイヤボンド２１２に結合され得る。図１２Ｄのステージ９の例では、金属層２１０が、同じく随意に、カプセル化層２０９の側面および基板２０２の側面の上に形成される。方法は、いくつかの金属層を形成し得る。しかしながら、金属層２１０は、様々な実装形態によってパッケージの上に様々に形成されてもよい。上述のように、金属層２１０は、ＥＭＩシールドおよび放熱のために構成され得る。いくつかの実装形態では、方法は、（１３３５において）少なくとも１つの誘電体層を、カプセル化層２０９、少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の裏面、複数のＴＭＶ２１１、および複数のワイヤボンド２１２の上に形成し得る。図１２Ｃのステージ９は、ＥＭＩシールドおよび放熱のために構成された金属層を形成することの一例を示して説明する。

【0068】

方法１３００はまた、複数のはんだ相互接続部２３０を基板２０２に結合し得る。複数のはんだ相互接続部２３０は、リフローはんだプロセスを通して複数の相互接続部２２１に結合され得る。図１２Ｃのステージ１０は、基板に結合されたはんだ相互接続部の一例を示して説明する。

【0069】

基板を製造するための例示的なシーケンス
図１４Ａ～図１４Ｃは、基板を提供または製造するための例示的なシーケンスを示す。いくつかの実装形態では、図１４Ａ～図１４Ｃのシーケンスは、図３の基板２０２、または本開示で説明する基板のいずれかを提供または製造するために使用され得る。上述のように、様々な実装形態が、積層基板およびコアレス基板（たとえば、埋め込みトレース基板）を含む様々な基板を使用し得る。図１４Ａ～図１４Ｃに示す基板は、使用され得る可能な基板の一例である。

【0070】

基板を提供または製造するためのシーケンスを簡略化および／または明確化するために、図１４Ａ～図１４Ｃのシーケンスが１つまたは複数のステージを組み合わせてもよいことに留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順序は変更または修正されてもよい。いくつかの実装形態では、プロセスのうちの１つまたは複数は、本開示の主旨を逸脱することなく交換または置換されてもよい。

【0071】

ステージ１は、図１４Ａに示すように、キャリア１４００が提供された後の状態を示す。キャリア１４００は、基板であり得る。

【0072】

ステージ２は、相互接続部１４０２がキャリア１４００の上に形成された後の状態を示す。相互接続部１４０２は、複数の相互接続部２２１からの相互接続部であり得る。めっきプロセスが、相互接続部１４０２を形成するために使用されてもよい。

【0073】

ステージ３は、誘電体層１４２０が、相互接続部１４０２およびキャリア１４００の上に形成された後の状態を示す。堆積および／または積層のプロセスが、誘電体層１４２０を形成するために使用され得る。

【0074】

ステージ４は、１つまたは複数の空洞１４２１が誘電体層１４２０内に形成された後の状態を示す。レーザプロセス（たとえば、レーザ切断）またはフォトエッチングプロセス（たとえば、フォトリソグラフィプロセス）が、１つまたは複数の空洞１４２１を形成するために使用され得る。

【0075】

ステージ５は、相互接続部１４２２が誘電体層１４２０の上に形成された後の状態を示す。相互接続部１４２２は、複数の相互接続部２２１からの相互接続部であり得る。めっきプロセスが、相互接続部１４２２を形成するために使用されてもよい。

【0076】

ステージ６は、図１４Ｂに示すように、誘電体層１４３０が誘電体層１４２０の上に形成された後の状態を示す。誘電体層１４３０は、誘電体層１４２０と同じ材料で作られ得る。堆積および／または積層のプロセスが、誘電体層１４３０を形成するために使用され得る。

【0077】

ステージ７は、１つまたは複数の空洞１４３１が誘電体層１４３０内に形成された後の状態を示す。レーザプロセス（たとえば、レーザ切断）またはフォトエッチングプロセス（たとえば、フォトリソグラフィプロセス）が、１つまたは複数の空洞１４３１を形成するために使用され得る。

【0078】

ステージ８は、相互接続部１４３２が誘電体層１４３０の上に形成された後の状態を示す。相互接続部１４３２は、複数の相互接続部２２１からの相互接続部であり得る。めっきプロセスが、相互接続部１４３２を形成するために使用されてもよい。

【0079】

ステージ９は、図１４Ｃに示すように、誘電体層１４４０が誘電体層１４３０の上に形成された後の状態を示す。誘電体層１４４０は、誘電体層１４３０と同じ材料で作られ得る。堆積および／または積層のプロセスが、誘電体層１４４０を形成するために使用され得る。

【0080】

ステージ１０は、１つまたは複数の空洞１４４１が誘電体層１４４０内に形成された後の状態を示す。レーザプロセス（たとえば、レーザ切断）またはフォトエッチングプロセス（たとえば、フォトリソグラフィプロセス）が、１つまたは複数の空洞１４４１を形成するために使用され得る。

【0081】

ステージ１１は、相互接続部１４４２が誘電体層１４４０の上に形成された後の状態を示す。相互接続部１４４２は、複数の相互接続部２２１からの相互接続部であり得る。めっきプロセスが、相互接続部１４４２を形成するために使用されてもよい。

【0082】

ステージ１２は、キャリア１４００が取り除かれた後の状態を示す。ステージ１２は、基板２０２の一部を示し得る。誘電体層２２０は、誘電体層１４２０、１４３０および１４４０を表し得る。相互接続部２２１は、相互接続部１４０２、１４２２、１４３２および１４４２を表し得る。

【0083】

ステージのうちのいくつかは、追加の誘電体層および／または金属層を（たとえば、相互接続部に対して）形成するために繰り返され得ることに留意されたい。

【0084】

例示的な電子デバイス
図１５は、前述のデバイス、集積デバイス、集積回路（ＩＣ）パッケージ、集積回路（ＩＣ）デバイス、半導体デバイス、集積回路、ダイ、インターポーザ、パッケージ、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）、システムインパッケージ（ＳｉＰ）、またはシステムオンチップ（ＳｏＣ）のいずれかと一体化されてもよい様々な電子デバイスを示す。たとえば、モバイルフォンデバイス１５０２、ラップトップコンピュータデバイス１５０４、固定位置端末デバイス１５０６、ウェアラブルデバイス１５０８、または自動車１５１０が、本明細書で説明するようなデバイス１５００を含んでよい。デバイス１５００は、たとえば、本明細書で説明するデバイスおよび／または集積回路（ＩＣ）パッケージのいずれかであってよい。図１５に示すデバイス１５０２、１５０４、１５０６および１５０８ならびに車両１５１０は、例にすぎない。他の電子デバイスもデバイス１５００を特徴としてもよく、デバイス１５００は、限定はしないが、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、全地球測位システム（ＧＰＳ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、メーター読取り機器などの固定位置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス（たとえば、時計、眼鏡）、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、サーバ、ルータ、自動車車両（たとえば、自律車両）に実装された電子デバイス、またはデータもしくはコンピュータ命令を記憶しもしくは取り出す任意の他のデバイス、あるいはそれらの任意の組合せを含むデバイス（たとえば、電子デバイス）のグループを含む。

【0085】

図２～図１１、図１２Ａ～図１２Ｄ、図１３、図１４Ａ～図１４Ｃおよび／または図１５に示す構成要素、プロセス、特徴、および／または機能のうちの１つまたは複数は、単一の構成要素、プロセス、特徴、もしくは機能に再構成および／または結合されてもよく、あるいはいくつかの構成要素、プロセス、または機能に組み込まれてもよい。本開示から逸脱することなく、追加の要素、構成要素、プロセス、および／または機能がさらに追加されてもよい。図２～図１１、図１２Ａ～図１２Ｄ、図１３、図１４Ａ～図１４Ｃおよび／または図１５ならびに本開示におけるその対応する説明が、ダイおよび／またはＩＣに限定されないことにも留意されたい。いくつかの実装形態では、図２～図１１、図１２Ａ～図１２Ｄ、図１３、図１４Ａ～図１４Ｃおよび／または図１５ならびにその対応する説明が、デバイスおよび／または集積デバイスを製造し、作製し、提供し、および／または生産するために使用されてもよい。いくつかの実装形態では、デバイスは、ダイ、集積デバイス、集積受動デバイス（ＩＰＤ）、ダイパッケージ、集積回路（ＩＣ）デバイス、デバイスパッケージ、集積回路（ＩＣ）パッケージ、ウェハ、半導体デバイス、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）デバイス、放熱デバイス、および／またはインターポーザを含んでもよい。

【0086】

本開示における図は、様々な部品、構成要素、物体、デバイス、パッケージ、集積デバイス、集積回路、および／またはトランジスタの実際の表現および／または概念的表現を表し得ることに留意されたい。いくつかの例では、図は、縮尺通りではない場合がある。いくつかの例では、簡明にするために、すべての構成要素および／または部品が示されているとは限らない。いくつかの例では、図中の様々な部品および／または構成要素の位置、ロケーション、サイズおよび／または形状は、例示的なものであり得る。いくつかの実装形態では、図中の様々な構成要素および／または部品は、随意であり得る。

【0087】

「例示的」という語は、「例、事例、または例示として働くこと」を意味するために本明細書で使用される。本明細書で「例示的」として説明する任意の実装形態または態様は、必ずしも本開示の他の態様よりも好ましいまたは有利であると解釈されるべきではない。同様に、「態様」という用語は、本開示のすべての態様が、説明した特徴、利点、または動作モードを含むことを必要としない。「結合される」という用語は、２つの物体間の直接的または間接的な結合（たとえば、機械的結合）を指すために本明細書で使用される。たとえば、物体Ａが物体Ｂに物理的に接触し、物体Ｂが物体Ｃに接触する場合、物体Ａおよび物体Ｃは、直接物理的に互いに接触しない場合であっても、やはり互いに結合されると見なされてもよい。「電気的に結合される」という用語は、２つの物体が、電流（たとえば、信号、電力、接地）が２つの物体の間を進み得るように、一緒に直接的または間接的に結合されることを意味し得る。電気的に結合された２つの物体は、２つの物体の間を進む電流を有しても有しなくてもよい。「第１の」、「第２の」、「第３の」および「第４の」（および／または第４を超えるもの）の用語の使用は恣意的である。説明した構成要素のいずれかが、第１の構成要素、第２の構成要素、第３の構成要素、または第４の構成要素であり得る。たとえば、第２の構成要素と呼ばれる構成要素が、第１の構成要素、第２の構成要素、第３の構成要素、または第４の構成要素であり得る。「取り囲まれる」という用語は、物体が、別の物体を部分的に取り囲んでもよく、または完全に取り囲んでもよいことを意味する。「カプセル化する」という用語は、物体が、別の物体を部分的にカプセル化してもよく、または完全にカプセル化してもよいことを意味する。「上部」および「底部」という用語は任意である。上部に設置される構成要素は、底部の上に設置される構成要素の上に設置され得る。上部の構成要素が底部の構成要素と見なされてもよく、その逆もあり得る。本開示で説明するように、第２の構成要素の「上」に設置される第１の構成要素は、底部または上部が恣意的にどのように定義されるかに応じて、第１の構成要素が、第２の構成要素の上または下に設置されることを意味し得る。別の例では、第１の構成要素は、第２の構成要素の第１の面の上に（たとえば、上方に）設置され得、第３の構成要素は、第２の構成要素の第２の面の上に（たとえば、下方に）設置され得、第２の面は、第１の面に対向している。ある構成要素が別の構成要素の上に位置する文脈において本出願で使用される「～の上に（ｏｖｅｒ）」という用語は、別の構成要素上ならびに／あるいは別の構成要素内に位置する（たとえば、構成要素の表面上に位置するかあるいは構成要素に埋め込まれた）構成要素を意味するために使用される場合があることにさらに留意されたい。したがって、たとえば、第２の構成要素の上に位置する第１の構成要素は、（１）第１の構成要素が第２の構成要素の上に位置するが、第２の構成要素に直接接触してはおらず、（２）第１の構成要素が第２の構成要素上（たとえば、第２の構成要素の表面上）に位置し、ならびに／あるいは（３）第１の構成要素が第２の構成要素内に位置する（たとえば、第２の構成要素に埋め込まれている）ことを意味する場合がある。第２の構成要素の「中に（ｉｎ）」設置される第１の構成要素は、部分的に第２の構成要素の中に設置され得るか、または完全に第２の構成要素の中に設置され得る。本開示で使用される「約（ａｂｏｕｔ）“Ｘの値”」または「およそ（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）Ｘの値」という用語は、“Ｘの値”の１０パーセント以内を意味する。たとえば、約１またはおよそ１の値は、０．９～１．１の範囲内の値を意味する。

【0088】

いくつかの実装形態では、相互接続部とは、２つの点、要素、および／または構成要素の間の電気接続を可能または容易にする、デバイスまたはパッケージの要素または構成要素である。いくつかの実装形態では、相互接続部は、トレース、ビア、パッド、ピラー、再分配金属層、および／またはアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層を含んでよい。いくつかの実装形態では、相互接続部は、信号（たとえば、データ信号）、接地および／または電力のための電気経路を提供するように構成されてもよい導電性の材料である。相互接続部は、２つ以上の要素または構成要素を含んでよい。相互接続部は、１つまたは複数の相互接続部によって画定されてもよい。相互接続部は、回路の一部であってよい。様々な実装形態は、相互接続部を形成するためにそれぞれに異なるプロセスおよび／またはシーケンスを使用してもよい。いくつかの実装形態では、化学気相成長（ＣＶＤ）プロセス、物理気相成長（ＰＶＤ）プロセス、スパッタリングプロセス、吹付塗装プロセス、および／またはめっきプロセスが、相互接続部を形成するために使用されてもよい。

【0089】

また、本明細書に含まれる様々な開示が、フローチャート、流れ図、構造図、またはブロック図として示されるプロセスとして説明される場合があることに留意されたい。フローチャートは動作を逐次プロセスとして説明することがあるが、動作の多くは並行してまたは同時に実施することができる。加えて、動作の順序は並べ替えられてよい。プロセスは、その動作が完了したとき、終了する。

【0090】

以下では、さらなる例が、本発明の理解を容易にするために説明される。

【0091】

態様１：基板と、基板に結合された集積デバイスと、基板の上に設置されたカプセル化層と、カプセル化層内に設置された少なくとも１つのカプセル化層相互接続部と、カプセル化層の上に設置された少なくとも１つの金属層とを含む、パッケージ。基板は、少なくとも１つの誘電体層と複数の相互接続部とを含む。少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、基板に結合される。少なくとも１つの金属層は、パッケージのための電磁干渉（ＥＭＩ）シールドとして構成される。少なくとも１つの金属層は、集積デバイスの裏面の上に設置される。

【0092】

態様２：少なくとも１つの金属層は、パッケージのためのコンフォーマルＥＭＩシールドとして構成され、少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、パッケージのための区画化ＥＭＩシールドとして構成される、態様１のパッケージ。

【0093】

態様３：少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、少なくとも１つのスルーモールドビア（ＴＭＶ）および／または少なくとも１つのワイヤボンドを含む、態様１から２のパッケージ。

【0094】

態様４：少なくとも１つのスルーモールドビア（ＴＭＶ）および／または少なくとも１つのワイヤボンドは、基板の複数の相互接続部に結合される、態様３のパッケージ。

【0095】

態様５：パッケージは、基板に結合された複数の集積デバイスを含む、態様１から４のパッケージ。

【0096】

態様６：少なくとも１つの金属層および少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、接地に結合されるように構成される、態様１から５のパッケージ。

【0097】

態様７：少なくとも１つの金属層および少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、熱を、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）少なくとも１つの金属層、（ｉｉｉ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）基板の複数の相互接続部、を通して集積デバイスから放散するように構成される、態様１から６のパッケージ。

【0098】

態様８：集積デバイスによって生成された熱の大部分は、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）少なくとも１つの金属層、（ｉｉｉ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）基板の複数の相互接続部、を通して熱伝導によって放散される、態様７のパッケージ。

【0099】

態様９：集積デバイスによって生成された熱の少なくとも２０パーセント（２０％）は、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）少なくとも１つの金属層、（ｉｉｉ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）基板の複数の相互接続部、を通して熱伝導によって放散される、態様７のパッケージ。

【0100】

態様１０：基板に結合された第２の集積デバイスをさらに含み、少なくとも１つの金属層が第２の集積デバイスの裏面の上に設置され、少なくとも１つの金属層が集積デバイスおよび第２の集積デバイスのためのＥＭＩシールドとして構成され、少なくとも１つの金属層が接地に結合されるように構成され、少なくとも１つの金属層が集積デバイスおよび第２の集積デバイスから離れて熱を放散するようにさらに構成される、態様１から９のパッケージ。

【0101】

態様１１：少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、集積デバイスを少なくとも部分的に取り囲む複数のスルーモールドビア（ＴＭＶ）と、第２の集積デバイスを少なくとも部分的に取り囲む複数のワイヤボンドとを含む、態様１０のパッケージ。

【0102】

態様１２：少なくとも１つの金属層および複数のＴＭＶが、熱を、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）金属層、（ｉｉｉ）複数のＴＭＶ、および（ｉｖ）基板の第１の複数の相互接続部、を通して集積デバイスから放散するように構成され、少なくとも１つの金属層および複数のワイヤボンドが、熱を、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）少なくとも１つの金属層、（ｉｉｉ）複数のワイヤボンド、および（ｉｖ）基板の第２の複数の相互接続部、を通して集積デバイスから放散するように構成される、態様１１のパッケージ。

【0103】

態様１３：集積デバイスおよび第２の集積デバイスによって生成された熱の大部分は、（ｉ）少なくとも１つの金属層、（ｉｉ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｉｉ）基板の複数の相互接続部、を通して熱伝導によって放散される、態様１０のパッケージ。

【0104】

態様１４：集積デバイスは、ダイ、無線周波数（ＲＦ）デバイス、受動デバイス、フィルタ、キャパシタ、インダクタ、抵抗器、表面音響波（ＳＡＷ）フィルタ、バルク音響波（ＢＡＷ）フィルタ、プロセッサ、メモリ、電力増幅器、スイッチ、システムオンチップ、集積回路デバイス、ＭＥＭＳデバイス、ＮＥＭＳデバイス、および／またはそれらの組合せを含む、態様１から１３のパッケージ。

【0105】

態様１５：少なくとも１つの金属層と集積デバイスの裏面との間に設置された少なくとも１つの熱誘電体層をさらに含む、態様１から１４のパッケージ。

【0106】

態様１６：少なくとも１つの熱誘電体層および少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、熱を、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）少なくとも１つの熱誘電体層、（ｉｉｉ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）基板の複数の相互接続部、を通して集積デバイスから放散するように構成される、態様１５のパッケージ。

【0107】

態様１７：少なくとも１つの金属層、少なくとも１つの熱誘電体層、および少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、熱を、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）少なくとも１つの熱誘電体層、（ｉｉｉ）少なくとも１つの金属層、（ｉｖ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｖ）基板の複数の相互接続部、を通して集積デバイスから放散するように構成される、態様１５から１６のパッケージ。

【0108】

態様１８：集積デバイスによって生成された熱の大部分は、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）少なくとも１つの熱誘電体層、（ｉｉｉ）少なくとも１つの金属層、（ｉｖ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｖ）基板の複数の相互接続部、を通して熱伝導によって放散される、態様１７のパッケージ。

【0109】

態様１９：少なくとも１つの熱誘電体層が、カプセル化層の上に設置される、態様１５から１８のパッケージ。

【0110】

態様２０：少なくとも１つの熱誘電体層が、集積デバイスの裏面および少なくとも１つのカプセル化層相互接続部に結合される、態様１５から１９のパッケージ。

【0111】

態様２１：少なくとも１つの金属層が、カプセル化層の側面および基板の側面の上に設置される、態様１から２０のパッケージ。

【0112】

態様２２： 少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、集積デバイスを側面に沿って取り囲む複数のカプセル化層相互接続部を含む、態様１から２１のパッケージ。

【0113】

態様２３：基板と、基板に結合された集積デバイスと、基板の上に設置されたカプセル化のための手段と、カプセル化のための手段内に設置されたカプセル化層相互接続のための手段と、カプセル化のための手段の上に設置された電磁干渉（ＥＭＩ）シールドのための手段とを含む、装置。基板は、少なくとも１つの誘電体層と複数の相互接続部とを含む。カプセル化層相互接続のための手段は、基板に結合される。ＥＭＩシールドのための手段は、集積デバイスの裏面の上に設置される。

【0114】

態様２４：カプセル化層相互接続のための手段は、少なくとも１つのスルーモールドビア（ＴＭＶ）および／または少なくとも１つのワイヤボンドを含む、態様２３の装置。

【0115】

態様２５：電磁干渉（ＥＭＩ）シールドのための手段は少なくとも１つの金属層を含み、カプセル化層相互接続のための手段は少なくとも１つのカプセル化層相互接続部を含む、態様２３から２４の装置。

【0116】

態様２６：少なくとも１つの金属層および少なくとも１つのカプセル化層相互接続部が、接地に結合されるように構成される、態様２５の装置。

【0117】

態様２７：少なくとも１つの金属層および少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、熱を、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）少なくとも１つの金属層、（ｉｉｉ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）基板の複数の相互接続部、を通して集積デバイスから放散するように構成される、態様２５の装置。

【0118】

態様２８：集積デバイスによって生成された熱の大部分は、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）少なくとも１つの金属層、（ｉｉｉ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）基板の複数の相互接続部、を通して熱伝導によって放散される、態様２７の装置。

【0119】

態様２９：基板に結合された第２の集積デバイスをさらに含み、少なくとも１つの金属層が第２の集積デバイスの裏面の上に設置され、少なくとも１つの金属層が集積デバイスおよび第２の集積デバイスのためのＥＭＩシールドとして構成され、少なくとも１つの金属層が接地に結合されるように構成され、少なくとも１つの金属層が集積デバイスおよび第２の集積デバイスから離れて熱を放散するようにさらに構成される、態様２５の装置。

【0120】

態様３０：少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、集積デバイスを少なくとも部分的に取り囲む複数のスルーモールドビア（ＴＭＶ）と、第２の集積デバイスを少なくとも部分的に取り囲む複数のワイヤボンドとを含む、態様２９の装置。

【0121】

態様３１：金属層および複数のＴＭＶが、熱を、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）少なくとも１つの金属層、（ｉｉｉ）複数のＴＭＶ、および（ｉｖ）基板の第１の複数の相互接続部、を通して集積デバイスから放散するように構成され、少なくとも１つの金属層および複数のワイヤボンドが、熱を、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）少なくとも１つの金属層、（ｉｉｉ）複数のワイヤボンド、および（ｉｖ）基板の第２の複数の相互接続部、を通して集積デバイスから放散するように構成される、態様３０の装置。

【0122】

態様３２：集積デバイスおよび第２の集積デバイスによって生成された熱の大部分は、（ｉ）少なくとも１つの金属層、（ｉｉ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｉｉ）基板の複数の相互接続部、を通して熱伝導によって放散される、態様２９の装置。

【0123】

態様３３：集積デバイスは、ダイ、無線周波数（ＲＦ）デバイス、受動デバイス、フィルタ、キャパシタ、インダクタ、抵抗器、表面音響波（ＳＡＷ）フィルタ、バルク音響波（ＢＡＷ）フィルタ、プロセッサ、メモリ、電力増幅器、スイッチ、システムオンチップ、集積回路デバイス、ＭＥＭＳデバイス、ＮＥＭＳデバイス、および／またはそれらの組合せを含む、態様２３から３２の装置。

【0124】

態様３４：少なくとも１つの金属層と集積デバイスの裏面との間に設置された少なくとも１つの熱誘電体層をさらに含む、態様２３から３３の装置。

【0125】

態様３５：少なくとも１つの熱誘電体層および少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、熱を、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）少なくとも１つの熱誘電体層、（ｉｉｉ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）基板の複数の相互接続部、を通して集積デバイスから放散するように構成される、態様３４の装置。

【0126】

態様３６：少なくとも１つの金属層、少なくとも１つの熱誘電体層、および少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、熱を、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）少なくとも１つの熱誘電体層、（ｉｉｉ）少なくとも１つの金属層、（ｉｖ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｖ）基板の複数の相互接続部、を通して集積デバイスから放散するように構成される、態様３４の装置。

【0127】

態様３７：集積デバイスによって生成された熱の大部分は、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）少なくとも１つの熱誘電体層、（ｉｉｉ）少なくとも１つの金属層、（ｉｖ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｖ）基板の複数の相互接続部、を通して熱伝導によって放散される、態様３６の装置。

【0128】

態様３８：少なくとも１つの熱誘電体層が、カプセル化のための手段の上に設置される、態様３４の装置。

【0129】

態様３９：少なくとも１つの熱誘電体層が、集積デバイスの裏面および少なくとも１つのカプセル化層相互接続部に結合される、態様３４の装置。

【0130】

態様４０：装置は、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、および自動車両内のデバイスからなるグループから選択されたデバイスを含む、態様２３から３９の装置。

【0131】

態様４１：基板と、基板に結合された集積デバイスと、基板の上に設置されたカプセル化層と、カプセル化層内に設置された少なくとも１つのカプセル化層相互接続部であって、基板に結合された、少なくとも１つのカプセル化層相互接続部と、カプセル化層の上に設置された少なくとも１つの熱誘電体層とを含み、少なくとも１つの熱誘電体層は集積デバイスの裏面の上に設置される、パッケージ。基板は、少なくとも１つの誘電体層と複数の相互接続部とを含む。

【0132】

態様４２：少なくとも１つの熱誘電体層および少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、熱を、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）少なくとも１つの熱誘電体層、（ｉｉｉ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）基板の複数の相互接続部、を通して集積デバイスから放散するように構成される、態様４１のパッケージ。

【0133】

態様４３：少なくとも１つの熱誘電体層は、少なくとも１つのカプセル化層相互接続部の上に設置された溝を含む、態様４１から４２のパッケージ。

【0134】

態様４４：少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、スルーモールドビア（ＴＭＶ）、ワイヤボンド、金属化フレーム、および／または表面実装デバイス（ＳＭＤ）を含む、態様４１から４３のパッケージ。

【0135】

態様４５：パッケージは、基板に結合された複数の集積デバイスを含む、態様４１から４４のパッケージ。

【0136】

態様４６：パッケージを製造するための方法。方法は、少なくとも１つの誘電体層と複数の相互接続部とを含む基板を提供する。方法は、集積デバイスを基板に結合する。方法は、基板の上に設置されたカプセル化層を形成する。方法は、カプセル化層内に設置された少なくとも１つのカプセル化層相互接続部を形成し、カプセル化層相互接続部は基板に結合される。方法は、カプセル化層の上に少なくとも１つの金属層を形成する。少なくとも１つの金属層は、パッケージのための電磁干渉（ＥＭＩ）シールドとして構成される。少なくとも１つの金属層は、集積デバイスの裏面の上に設置される。

【0137】

態様４７：少なくとも１つの金属層は、パッケージのためのコンフォーマルＥＭＩシールドとして構成され、少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、パッケージのための区画化ＥＭＩシールドとして構成される、態様４６の方法。

【0138】

態様４８：少なくとも１つのカプセル化層相互接続部を形成するステップは、カプセル化層内にスルーモールドビア（ＴＭＶ）を形成するステップ、および／または少なくとも１つのワイヤボンドを形成するステップを含む、態様４６から４７の方法。

【0139】

態様４９：集積デバイスの裏面の上に少なくとも１つの熱誘電体層を形成するステップをさらに含み、少なくとも１つの金属層を形成するステップは、少なくとも１つの熱誘電体層の上に少なくとも１つの金属層を形成するステップを含む、態様４６から４８の方法。

【0140】

態様５０：カプセル化層の上に少なくとも１つの熱誘電体層を形成するステップをさらに含み、少なくとも１つの熱誘電体層は少なくとも１つのカプセル化層相互接続部に結合される、態様４９の方法。

【0141】

態様５１：基板と、基板に結合された集積デバイスと、基板の上に設置されたカプセル化層と、カプセル化層内に設置された少なくとも１つのカプセル化層相互接続部であって、基板に結合された、少なくとも１つのカプセル化層相互接続部と、カプセル化層の上に設置された少なくとも１つの誘電体層とを含み、少なくとも１つの誘電体層は集積デバイスの裏面の上に設置される、パッケージ。基板は、少なくとも１つの誘電体層と複数の相互接続部とを含む。

【0142】

態様５２：少なくとも１つの誘電体層は、パッケージのための熱管理層として構成され、カプセル化層相互接続部は、パッケージのための区画化ＥＭＩシールドとして構成される、態様５１のパッケージ。

【0143】

態様５３：少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、少なくとも１つのスルーモールドビア（ＴＭＶ）および／または少なくとも１つのワイヤボンドを含む、態様５１から５２のパッケージ。

【0144】

態様５４：少なくとも１つの誘電体層および少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、接地に結合されるように構成される、態様５１から５３のパッケージ。

【0145】

態様５５：少なくとも１つの誘電体層および少なくとも１つのカプセル化層相互接続部は、熱を、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）少なくとも１つの誘電体層、（ｉｉｉ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）基板の複数の相互接続部、を通して集積デバイスから放散するように構成される、態様５１から５４のパッケージ。

【0146】

態様５６：集積デバイスによって生成された熱の大部分は、（ｉ）集積デバイスの裏面、（ｉｉ）少なくとも１つの誘電体層、（ｉｉｉ）少なくとも１つのカプセル化層相互接続部、および（ｉｖ）基板の複数の相互接続部、を通して熱伝導によって放散される、態様５５のパッケージ。

【0147】

態様５７：パッケージは、基板に結合された複数の集積デバイスを含む、態様５１から５６のパッケージ。

【0148】

態様５８：パッケージを製造するための方法。方法は、少なくとも１つの誘電体層と複数の相互接続部とを含む基板を提供する。方法は、集積デバイスを基板に結合する。方法は、基板の上に設置されたカプセル化層を形成する。方法は、カプセル化層内に設置された少なくとも１つのカプセル化層相互接続部を形成し、カプセル化層相互接続部は基板に結合される。方法は、カプセル化層の上に少なくとも１つの誘電体層を形成する。少なくとも１つの誘電体層は、集積デバイスの裏面の上に設置される。

【0149】

態様５９：少なくとも１つのカプセル化層相互接続部を形成するステップは、カプセル化層内にスルーモールドビア（ＴＭＶ）を形成するステップ、および／または少なくとも１つのワイヤボンドを形成するステップを含む、態様５８の方法。

【0150】

態様６０：パッケージを製造するための方法。方法は、少なくとも１つの誘電体層と複数の相互接続部とを含む基板を提供する。方法は、集積デバイスを基板に結合する。方法は、基板の上に設置されたカプセル化層を形成する。方法は、カプセル化層内に設置された少なくとも１つのカプセル化層相互接続部を形成し、カプセル化層相互接続部は基板に結合される。方法は、カプセル化層の上に少なくとも１つの熱誘電体層を形成する。少なくとも１つの熱誘電体層は、集積デバイスの裏面の上に設置される。

【0151】

態様６１：少なくとも１つのカプセル化層相互接続部を形成するステップは、カプセル化層内にスルーモールドビア（ＴＭＶ）を形成するステップ、および／または少なくとも１つのワイヤボンドを形成するステップを含む、態様６０の方法。

【0152】

本明細書で説明する本開示の様々な特徴は、本開示から逸脱することなく異なるシステムにおいて実装され得る。本開示の上記の態様は例にすぎず、本開示を限定するものとして解釈されるべきではないことに留意されたい。本開示の態様の説明は、例示的であることが意図されており、特許請求の範囲を限定することは意図されていない。したがって、本教示は、他のタイプの装置に容易に適用することができ、多くの代替、修正、および変形が当業者には明らかであろう。

【符号の説明】

【0153】

１００ パッケージ
１０２ 基板
１０４ 集積デバイス
１０６ 集積デバイス
１２０ 誘電体層
１２２ 相互接続部
１２４ はんだ相互接続部
１４４ はんだ相互接続部
１６４ はんだ相互接続部
２００ パッケージ
２０２ 基板
２０４ 集積デバイス
２０６ 集積デバイス
２０７ 受動構成要素
２０８ 集積デバイス
２０９ カプセル化層
２１０ 金属層
２１１ スルーモールドビア（ＴＭＶ）
２１２ ワイヤボンド
２２０ 誘電体層
２２１ 相互接続部
２２６ はんだレジスト層
２３０ はんだ相互接続部
２４０ はんだ相互接続部
２６０ はんだ相互接続部
２８０ はんだ相互接続部
３００ パッケージ
３１０ 熱誘電体層
４００ パッケージ
４１０ 金属層
５００ パッケージ
６００ パッケージ
７００ パッケージ
７１１ 溝
８００ パッケージ
８１１ 金属化フレーム
９１１ 空洞
１４００ キャリア
１４０２ 相互接続部
１４２０ 誘電体層
１４２１ 空洞
１４２２ 相互接続部
１４３０ 誘電体層
１４３１ 空洞
１４３２ 相互接続部
１４４０ 誘電体層
１４４１ 空洞
１４４２ 相互接続部
１５００ デバイス
１５０２ モバイルフォンデバイス
１５０４ ラップトップコンピュータデバイス
１５０６ 固定位置端末デバイス
１５０８ ウェアラブルデバイス
１５１０ 自動車

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12A】

【図12B】

【図12C】

【図12D】

【図13】

【図14A】

【図14B】

【図14C】

【図15】

【国際調査報告】