特表 2024-508914 磁気抵抗デバイスをプログラミングするためのレーザ書き込み装置および方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-02-28

(54)【発明の名称】磁気抵抗デバイスをプログラミングするためのレーザ書き込み装置および方法

(51)【国際特許分類】

   H10N 50/10 20230101AFI20240220BHJP

   G01R 33/09 20060101ALI20240220BHJP

   H01L 29/82 20060101ALI20240220BHJP

【ＦＩ】

H10N50/10 Z

G01R33/09

H01L29/82 Z

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023553601

(86)(22)【出願日】2022-03-02

(85)【翻訳文提出日】2023-11-01

(86)【国際出願番号】 CN2022078776

(87)【国際公開番号】W WO2022184090

(87)【国際公開日】2022-09-09

(31)【優先権主張番号】202110247124.X

(32)【優先日】2021-03-05

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】514116947

【氏名又は名称】江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＭＵＬＴＩＤＩＭＥＮＳＩＯＮ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．， ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｂｕｉｌｄｉｎｇ Ｄ ＆ Ｅ， Ｎｏ．２ Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ Ｒｏａｄ，Ｚｈａｎｇｊｉａｇａｎｇ Ｆｒｅｅ Ｔｒａｄｅ Ｚｏｎｅ，Ｚｈａｎｇｊｉａｇａｎｇ，Ｊｉａｎｇｓｕ，２１５６３４ Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】110000729

【氏名又は名称】弁理士法人ユニアス国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】ディーク、ジェイムズ ゲーザ

(72)【発明者】

【氏名】チョウ、チーミン

【テーマコード（参考）】

2G017

5F092

【Ｆターム（参考）】

2G017AA02

2G017AA10

2G017AD55

2G017AD65

5F092AB01

5F092AB10

5F092AC08

5F092AC12

5F092AD03

5F092BB08

5F092BB16

5F092BB31

5F092BB35

5F092BB36

5F092BB53

5F092BB90

5F092BC04

5F092BC07

(57)【要約】

【課題】
【解決手段】本発明の実施形態において、磁気抵抗デバイスをプログラミングするためのレーザ書き込み装置および方法が開示される。装置は、スタック状に順次配置された、基板と、磁気抵抗センサと、熱制御層とを備える。電気的隔絶のための非磁性絶縁層は、磁気抵抗センサと熱制御層との間に設けられる。磁気抵抗センサは、反強磁性層を含む多層薄膜スタック構造である磁気抵抗感知ユニットで構成される。レーザ書き込みプログラミング装置は、レーザ・ライタ・プログラミング段階中に、熱制御層および／または磁気抵抗センサの変えられたパラメータとともに使用されて、磁気抵抗センサに対してレーザによってもたらされる熱勾配を変化させ、それによって同じレーザ出力で磁気抵抗センサの温度変化を増加または減少させ、これをするために使用される膜パラメータは、材料組成、および膜厚を含む。本発明の実施形態を通じて、改善された磁気抵抗センサ製造性、改善された磁気抵抗センサ・ノイズ性能、および改善された磁気抵抗センサ検出能を有する磁気抵抗センサの高精度レーザ・プログラミングが得られる。
【選択図】図７Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

磁気抵抗デバイスをプログラミングするためのレーザ書き込み装置であって、スタック状に順次配置された、基板と、磁気抵抗センサと、熱制御層とを備え、電気的隔絶のための非磁性絶縁層が、前記磁気抵抗センサと前記熱制御層との間に設けられ、前記磁気抵抗センサは、反強磁性層を有する多層薄膜スタック構造である磁気抵抗感知ユニットで構成され、
プログラミングするための前記レーザ書き込み装置は、プログラミングするためのレーザ書き込みの段階において、前記熱制御層および／または前記磁気抵抗センサの膜層パラメータを変化させて、レーザ出力とともに前記磁気抵抗センサの温度の変化率を調整するとともに、同じレーザ出力で前記磁気抵抗センサに書き込む温度を上昇または低下させるように構成され、前記膜層パラメータは、膜層材料および膜層厚さのうちの少なくとも１つを含む、プログラミングするためのレーザ書き込み装置。

【請求項2】

前記磁気抵抗センサは、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）センサ、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）センサ、または異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）センサである、請求項１に記載のプログラミングするためのレーザ書き込み装置。

【請求項3】

前記基板から前記熱制御層への方向に、前記多層薄膜スタック構造は、スタック状に順次配置された、シード層と、前記反強磁性層と、自由層と、上部電極層と、キャップ層とを備え、第１の絶縁層が、前記基板と前記シード層との間に設けられ、
前記プログラミングするためのレーザ書き込み装置は、前記熱制御層、前記第１の絶縁層、前記シード層、前記上部電極層、および前記キャップ層のうちの少なくとも１つの膜層の材料を変化させて、同じレーザ出力で前記磁気抵抗センサに書き込む前記温度を上昇または低下させるように構成され、ならびに／または
前記プログラミングするためのレーザ書き込み装置は、前記熱制御層、前記第１の絶縁層、前記シード層、前記上部電極層、および前記キャップ層のうちの少なくとも１つの膜層の厚さを変化させて、同じレーザ出力で前記磁気抵抗センサに書き込む前記温度を上昇または低下させるように構成される、請求項１に記載のプログラミングするためのレーザ書き込み装置。

【請求項4】

前記磁気抵抗センサは、プッシュ・プル磁気抵抗センサであり、前記プッシュ・プル磁気抵抗センサは、プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイおよびプル磁気抵抗感知ユニット・アレイで構成され、前記プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイと前記プル磁気抵抗感知ユニット・アレイとの両方は、磁気抵抗感知ユニットで構成される、請求項１に記載のプログラミングするためのレーザ書き込み装置。

【請求項5】

前記プッシュ・プル磁気抵抗センサは、フル・ブリッジ構造、半ブリッジ構造、または準ブリッジ構造である、請求項４に記載のプログラミングするためのレーザ書き込み装置。

【請求項6】

前記プッシュ・プル磁気抵抗センサは、単軸プッシュ・プル磁気抵抗センサ、二軸プッシュ・プル磁気抵抗センサ、または三軸プッシュ・プル磁気抵抗センサである、請求項４に記載のプログラミングするためのレーザ書き込み装置。

【請求項7】

前記熱制御層の構成材料は、非磁性レーザ低吸収係数材料またはレーザ高吸収係数材料を含み、前記レーザ低吸収係数材料は、タンタル、チタン、銅、モリブデン、金、銀、アルミニウム、白金、およびスズのうちの少なくとも１つを含み、前記レーザ高吸収係数材料は、酸化ジルコニウム、酸化チタン、炭素膜、リン酸塩、および窒化アルミニウム・チタンのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載のプログラミングするためのレーザ書き込み装置。

【請求項8】

前記熱制御層の構成材料は、カーボン・ブラック、非磁性レーザ吸収樹脂、または非磁性レーザ吸収コーティングを含む、請求項１に記載のプログラミングするためのレーザ書き込み装置。

【請求項9】

レーザは、１００ｎｍから３０００ｎｍの範囲内の波長を有する、請求項１に記載のプログラミングするためのレーザ書き込み装置。

【請求項10】

プログラミングするためのレーザ書き込みシステムによって実施される磁気抵抗デバイスをプログラミングするためのレーザ書き込み方法であって、前記プログラミングするためのレーザ書き込みシステムは、磁場発生装置と、請求項１から９のいずれかに記載のプログラミングするためのレーザ書き込み装置とを備え、
前記プログラミングするためのレーザ書き込みシステムの前記プログラミングするためのレーザ書き込み方法は、
プログラミングするためのレーザ書き込みの段階において、膜層材料および膜層厚さのうちの少なくとも１つを含む、前記熱制御層および／または前記磁気抵抗センサの膜層パラメータを変化させることと、
レーザ出力とともに前記磁気抵抗センサの温度の変化率を調整し、同じレーザ出力で前記磁気抵抗センサに書き込む温度を上昇または低下させることと、を含むプログラミングするためのレーザ書き込み方法。

【請求項11】

前記磁気抵抗センサは、プッシュ・プル磁気抵抗センサであり、前記プッシュ・プル磁気抵抗センサは、プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイと、プル磁気抵抗感知ユニット・アレイとを備え、前記プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイの反強磁性層は、磁気モーメント方向＋ｄｉを有し、前記プル磁気抵抗感知ユニット・アレイの反強磁性層は、磁気モーメント方向－ｄｉを有し、ｉは正の整数であり、１≦ｉ≦３であり、
前記プログラミングするためのレーザ書き込み方法は、反強磁性層の前記磁気モーメント方向＋ｄｉを前記プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことと、前記反強磁性層の前記磁気モーメント方向－ｄｉを前記プル磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことと、を含む磁気モーメントを前記プッシュ・プル磁気抵抗センサの前記反強磁性層に書き込むことをさらに含む、請求項１０に記載のプログラミングするためのレーザ書き込み方法。

【請求項12】

前記反強磁性層の前記磁気モーメント方向＋ｄｉを前記プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことは、
各前記磁気抵抗感知ユニット・アレイの前記反強磁性層が前記磁気モーメント方向＋ｄｉを有するように、磁場アニーリング出力をＰｏｖｅｎにおよび温度をＴｗに設定し、ウェハに対して方向＋ｄｉ磁場熱アニーリングを実行すること、または
前記レーザ出力をＰ（＋ｄｉ）におよび前記温度をＴｄｉに設定し、前記方向＋ｄｉ磁気モーメントを前記プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイの前記反強磁性層に書き込むように方向＋ｄｉ磁場を発生させること、を含む、請求項１１に記載のプログラミングするためのレーザ書き込み方法。

【請求項13】

前記反強磁性層の前記磁気モーメント方向－ｄｉを前記プル磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことは、
各前記磁気抵抗感知ユニット・アレイの前記反強磁性層が前記磁気モーメント方向－ｄｉを有するように、前記磁場アニーリング出力をＰｏｖｅｎにおよび前記温度をＴｗに設定し、前記ウェハに対して方向－ｄｉ磁場熱アニーリングを実行すること、または
前記レーザ出力をＰ（－ｄｉ）におよび前記温度をＴｄｉに設定し、前記方向－ｄｉ磁気モーメントを前記プル磁気抵抗感知ユニット・アレイの前記反強磁性層に書き込むように方向－ｄｉ磁場を発生させること、を含む、請求項１２に記載のプログラミングするためのレーザ書き込み方法。

【請求項14】

Ｔｄ１＜Ｔｄ２＜Ｔｄ３である、請求項１３に記載のプログラミングするためのレーザ書き込み方法。

【請求項15】

Ｔｂ＜Ｔｄ１＜Ｔｄ２＜Ｔｄ３＜Ｔｄであり、前記Ｔｂは、前記磁気抵抗感知ユニット・アレイの書き込み温度であり、前記Ｔｄは、前記磁気抵抗感知ユニット・アレイの損傷温度である、請求項１４に記載のプログラミングするためのレーザ書き込み方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、磁気センサの技術分野に関し、詳細には、磁気抵抗デバイスをプログラミングするためのレーザ書き込み装置および方法に関する。

【背景技術】

【0002】

磁気抵抗デバイスは、リニア・センサ、角度センサ、スイッチング・センサ、勾配センサ、および様々な下流磁気抵抗デバイス、例えば、電流センサ、ファイナンシャル磁気ヘッド、イメージ・センサ、電磁エンコーダ、および磁電アイソレータを含む。磁気抵抗センサは、磁気抵抗デバイス内に統合され、磁気抵抗センサのタイプは、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）センサ、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）センサ、および異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）センサを含む。

【0003】

現在、磁気抵抗センサは、まず、ウェハ全体に対して磁場アニーリングを実行し、次いで、フリップ・ダイ・パッケージングによってそれをパッケージングすることにより、製造される。具体的には、２つの同一のダイがパッケージング中に選択され、ダイのうちの１つは他のダイに対して１８０°回転させられ、次いで、ワイヤ・ボンディングが磁気抵抗センサを得るために実行される。

【0004】

しかしながら、この製造方法は、２つのウェハの相対位相が続く動作を必要とするという欠点を有し、このことは、精度を保証するのを困難にさせ、磁気抵抗センサの性能に影響を及ぼし、磁気抵抗センサの検出精度をさらに低下させ、磁気抵抗センサのプロセスの複雑さを増加させる。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の実施形態は、高精度磁気抵抗センサを製造するための磁気抵抗デバイスをプログラミングするためのレーザ書き込み装置および方法を提供する。

【0006】

本発明の実施形態は、磁気抵抗デバイスをプログラミングするためのレーザ書き込み装置を提供する。装置は、スタック状に順次配置された、基板と、磁気抵抗センサと、熱制御層とを備える。電気的隔絶のための非磁性絶縁層は、磁気抵抗センサと熱制御層との間に設けられる。磁気抵抗センサは、反強磁性層を有する多層薄膜スタック構造である磁気抵抗感知ユニットで構成される。

【0007】

プログラミングするためのレーザ書き込み装置は、プログラミングするためのレーザ書き込みの段階において、熱制御層および／または磁気抵抗センサの膜層パラメータを変化させて、レーザ出力とともに磁気抵抗センサの温度の変化率を調整するとともに、同じレーザ出力で磁気抵抗センサに書き込む温度を上昇または低下させるように構成され、膜層パラメータは、膜層材料および膜層厚さのうちの少なくとも１つを含む。

【0008】

同じ発明概念に基づいて、本発明の実施形態は、プログラミングするためのレーザ書き込みシステムによって実施される磁気抵抗デバイスをプログラミングするためのレーザ書き込み方法も提供し、プログラミングするためのレーザ書き込みシステムは、上述したように、磁場発生装置と、プログラミングするためのレーザ書き込み装置とを備え、プログラミングするためのレーザ書き込みシステムのプログラミングするためのレーザ書き込み方法は、
プログラミングするためのレーザ書き込みの段階において、膜層材料および膜層厚さのうちの少なくとも１つを含む、熱制御層および／または磁気抵抗センサの膜層パラメータを変化させることと、
レーザ出力とともに磁気抵抗センサの温度の変化率を調整し、同じレーザ出力で磁気抵抗センサに書き込む温度を上昇または低下させることと、を含む。

【0009】

本発明の実施形態では、プログラミングするためのレーザ書き込み装置は、基板と、基板上に位置する磁気抵抗センサと、磁気抵抗センサ上に位置する熱制御層とを備え、非磁性電気絶縁層は、熱制御層と磁気抵抗センサとの間に設けられ、磁気抵抗センサは、磁気抵抗感知ユニットを備え、磁気抵抗感知ユニットは、反強磁性層を備える多層薄膜スタック構造であり、熱制御層のパラメータが変化し、これにより書き込みが実行されるレーザ出力とともに対応する磁気抵抗感知ユニット・アレイの温度の変化率を増加または減少させ、同じレーザ出力でプログラミングするためのレーザ書き込みが実行されるときの磁気抵抗感知ユニット・アレイの温度を上昇または低下させ、それによって磁気抵抗センサをプログラミングするための高精度のレーザ書き込みを達成し、磁気抵抗センサの製造欠陥を改善し、磁気抵抗センサの性能を改善し、さらに磁気抵抗センサの検出精度を改善することができる。

【0010】

本発明の実施形態に係るまたは先行技術における技術的解決策をより明確に示すために、実施形態または先行技術の説明に必要とされる添付図面が、以下に簡単に紹介される。明らかに、以下の説明における添付図面は、本発明のいくつかの特定の実施形態であるが、様々な本発明の実施形態によって開示および示唆されるデバイス構造、駆動方法、および製造方法の基本的概念に従って当業者のために他の構造および図面に拡大および拡張され得る。間違いなく、これらは、本発明の請求項の範囲内にあるべきである。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の一実施形態による磁気抵抗デバイスをプログラミングするためのレーザ書き込み装置の概略図である。

【図2】本発明の一実施形態によるプログラミングするためのレーザ書き込み装置の多層薄膜スタックの概略図である。

【図3】別の多層薄膜スタック構造の概略図である。

【図4】さらに別の多層薄膜スタック構造の概略図である。

【図5】本発明の一実施形態による磁気抵抗センサの概略図である。

【図6】本発明の一実施形態による単軸プッシュ・プル磁気抵抗センサの概略図である。

【図7A】プッシュ・プル磁気抵抗センサをプログラミングするためのレーザ書き込みの概略図である。

【図7B】図７Ａの温度プロファイルである。

【図8A】熱アニーリング中に書き込まれる単軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける＋ｄ磁気モーメントの概略図である。

【図8B】図８Ａの温度プロファイルである。

【図9A】グローバル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる単軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける＋ｄ磁気モーメントの概略図である。

【図9B】図９Ａの温度プロファイルである。

【図10A】ローカル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる単軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける＋ｄ磁気モーメントの概略図である。

【図10B】図１０Ａの温度プロファイルである。

【図11A】グローバル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる単軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける－ｄ磁気モーメントの概略図である。

【図11B】図１１Ａの温度プロファイルである。

【図12A】ローカル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる単軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける－ｄ磁気モーメントの概略図である。

【図12B】図１２Ａの温度プロファイルである。

【図13A】熱アニーリング中に書き込まれる二軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける＋ｄ１磁気モーメントの概略図である。

【図13B】図１３Ａの温度プロファイルである。

【図14A】グローバル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる二軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける＋ｄ１磁気モーメントの概略図である。

【図14B】図１４Ａの温度プロファイルである。

【図15A】ローカル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる二軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける＋ｄ１磁気モーメントの概略図である。

【図15B】図１５Ａの温度プロファイルである。

【図16A】グローバル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる二軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける－ｄ１磁気モーメントの概略図である。

【図16B】図１６Ａの温度プロファイルである。

【図17A】ローカル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる二軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける－ｄ１磁気モーメントの概略図である。

【図17B】図１７Ａの温度プロファイルである。

【図18A】グローバル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる二軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける＋ｄ２磁気モーメントの概略図である。

【図18B】図１８Ａの温度プロファイルである。

【図19A】ローカル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる二軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける＋ｄ２磁気モーメントの概略図である。

【図19B】図１９Ａの温度プロファイルである。

【図20A】グローバル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる二軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける－ｄ２磁気モーメントの概略図である。

【図20B】図２０Ａの温度プロファイルである。

【図21A】ローカル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる二軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける－ｄ２磁気モーメントの概略図である。

【図21B】図２１Ａの温度プロファイルである。

【図22A】熱アニーリング中に書き込まれる三軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける＋ｄ１磁気モーメントの概略図である。

【図22B】図２２Ａの温度プロファイルである。

【図23A】グローバル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる三軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける＋ｄ１磁気モーメントの概略図である。

【図23B】図２３Ａの温度プロファイルである。

【図24A】ローカル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる三軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける＋ｄ１磁気モーメントの概略図である。

【図24B】図２４Ａの温度プロファイルである。

【図25A】グローバル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる三軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける－ｄ１磁気モーメントの概略図である。

【図25B】図２５Ａの温度プロファイルである。

【図26A】ローカル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる三軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける－ｄ１磁気モーメントの概略図である。

【図26B】図２６Ａの温度プロファイルである。

【図27A】グローバル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる三軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける＋ｄ２磁気モーメントの概略図である。

【図27B】図２７Ａの温度プロファイルである。

【図28A】ローカル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる三軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける＋ｄ２磁気モーメントの概略図である。

【図28B】図２８Ａの温度プロファイルである。

【図29A】グローバル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる三軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける－ｄ２磁気モーメントの概略図である。

【図29B】図２９Ａの温度プロファイルである。

【図30A】ローカル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる三軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける－ｄ２磁気モーメントの概略図である。

【図30B】図３０Ａの温度プロファイルである。

【図31A】グローバル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる三軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける＋ｄ３磁気モーメントの概略図である。

【図31B】図３１Ａの温度プロファイルである。

【図32A】ローカル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる三軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける＋ｄ３磁気モーメントの概略図である。

【図32B】図３２Ａの温度プロファイルである。

【図33A】グローバル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる三軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける－ｄ３磁気モーメントの概略図である。

【図33B】図３３Ａの温度プロファイルである。

【図34A】ローカル・レーザ・プログラミング中に書き込まれる三軸プッシュ・プル磁気抵抗センサにおける－ｄ３磁気モーメントの概略図である。

【図34B】図３４Ａの温度プロファイルである。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本発明の目的、技術的解決策、および利点をより明確にするために、本発明の技術的解決策は、本発明の実施形態における添付図面を参照して実施形態によって以下に明確におよび完全に説明され、この説明される実施形態は、本発明の実施形態の全部ではなく、本発明の実施形態のごく一部であることは明らかである。本発明の実施形態によって開示および示唆される基本的概念に基づいて当業者によって得られる全ての他の実施形態は、本発明の範囲内にある。

【0013】

図１を参照すると、本発明の一実施形態による磁気抵抗デバイスをプログラミングするためのレーザ書き込み装置の概略図が示されている。図１に示されるように、プログラミングするためのレーザ書き込み装置は、スタック状に順次配置された、基板１００と、磁気抵抗センサ２００と、熱制御層３００とを備え、電気的隔絶のための非磁性絶縁層４００は、磁気抵抗センサ２００と熱制御層３００との間に設けられ、磁気抵抗センサ２００は、反強磁性層を有する多層薄膜スタック構造である磁気抵抗感知ユニットで構成され、プログラミングするためのレーザ書き込み装置は、プログラミングするためのレーザ書き込みの段階において、熱制御層３００および／または磁気抵抗センサ２００の膜層パラメータを変化させて、レーザ出力とともに磁気抵抗センサ２００の温度の変化率を調整するとともに、同じ出力で磁気抵抗センサ２００に書き込む温度を上昇または低下させるように構成され、膜層パラメータは、膜層材料および膜層厚さのうちの少なくとも１つを含む。

【0014】

本実施形態では、任意選択で、基板１００はウェハであり、磁気抵抗センサ２００は、反強磁性層を有する多層薄膜スタック構造である磁気抵抗感知ユニットで構成され、非磁性絶縁層４００は、磁気抵抗センサ２００と熱制御層３００との間に配置され、非磁性絶縁層４００は、磁気抵抗センサ２００を熱制御層３００から電気的に絶縁するように働く。

【0015】

プログラミングするためのレーザ書き込みのプロセスは、磁気抵抗センサ２００にレーザを書き込むプロセスであり、これにより磁気抵抗センサ２００における反強磁性層の磁気モーメントのプログラミングを実現し、このプロセスは、プログラミングするためのレーザ書き込みの段階とも定義される。プログラミングするためのレーザ書き込みの段階では、熱伝達プロセス中の磁気抵抗センサ２００の温度Ｔの変化率は、磁気抵抗センサ２００に書き込むレーザ出力Ｐの大きさとともに変わり、したがって、磁気抵抗センサ２００に書き込むレーザ出力の大きさを調整することは、レーザ出力とともに磁気抵抗センサ２００の温度の変化率を増加または減少させることができ、温度の変化率は、ｄＴ／ｄＰであり、それによって同じレーザ出力で磁気抵抗センサ２００に書き込む温度を制御する。

【0016】

レーザが磁気抵抗センサ２００に書き込まれるとき、レーザは、熱制御層３００を通過する必要がある。熱制御層３００が材料または厚さの点で変化する場合、レーザは、同じレーザ出力で異なる膜パラメータを有する熱制御層３００を通過し、磁気抵抗センサ２００に実際に書き込むレーザ出力は、それに応じてやはり変化する。これに基づいて、熱制御層３００の材料または厚さを増加または減少させることにより、磁気抵抗センサ２００に実際に書き込む同じレーザ出力の大きさを調整し、それによって、レーザの作用によって磁気抵抗センサ２００の熱伝達を制御することができ、その結果、磁気抵抗センサ２００の熱伝達は、レーザ出力の変化に応答して変化し、それによってレーザ出力とともに磁気抵抗センサ２００の温度の変化率を調整し、それによって同じレーザ出力で磁気抵抗センサ２００に書き込む温度を制御し、またはその逆も同様である。

【0017】

磁気抵抗センサ２００に要求される温度および／または変化率と、熱制御層３００の一定の膜パラメータとに従って、要求されるレーザ出力が逆に導出され、プログラミングのためのレーザ書き込み装置が、計算されたレーザ出力に従ってレーザを放出するように駆動され、レーザが熱制御層３００を通して磁気抵抗センサ２００に書き込まれるとき、磁気抵抗センサ２００に実際に書き込まれるレーザ出力は、磁気抵抗センサ２００を要求される温度の変化率および要求される温度に調整することができる。

【0018】

要するに、同じレーザの作用によって、熱制御層３００の材料または厚さを増加または減少させることで、レーザ出力の大きさの変化とともに磁気抵抗センサ２００の温度の変化率を増加または減少させることができ、それによって同じレーザ出力で、磁気抵抗センサ２００の温度を上昇または低下させるなど、磁気抵抗センサ２００の温度を調整し、それによって磁気抵抗センサ２００における反強磁性層の磁気モーメントをプログラミングする。

【0019】

同様に、磁気抵抗感知ユニットは反強磁性層を有する多層薄膜スタック構造であることが分かり得る。レーザが磁気抵抗センサ２００に書き込まれるとき、レーザ伝搬経路上で、レーザは、磁気抵抗センサ２００における反強磁性層上に位置する各膜層を連続的に通過し、次いで反強磁性層に入る。次いで、磁気抵抗センサ２００における反強磁性層上に位置し、レーザが通過する少なくとも１つの膜層の材料または厚さが、増加または減少するなど、変化する場合、磁気抵抗センサ２００に実際に書き込むレーザ出力も、それに応じて変化し、その結果、磁気抵抗センサ２００の熱伝達は、レーザ出力の変化に応答して変化し、それによってレーザ出力とともに磁気抵抗センサ２００の温度の変化率を調整し、同じレーザ出力で磁気抵抗センサ２００に書き込む温度をさらに制御し、磁気抵抗センサ２００における反強磁性層の磁気モーメントをプログラミングする。

【0020】

任意選択で、レーザの波長範囲は、１００ｎｍと３０００ｎｍとの間である。レーザ出力は、磁気抵抗センサの温度を制御するためにこの範囲内で調整される。他の実施形態では、さらなる任意選択で、熱制御層は、多層薄膜スタック構造内に位置する。

【0021】

本発明の実施形態では、プログラミングするためのレーザ書き込み装置は、基板と、この基板上に位置する磁気抵抗センサと、この磁気抵抗センサ上に位置する熱制御層とを備え、非磁性電気絶縁層は、熱制御層と磁気抵抗センサとの間に設けられ、磁気抵抗センサは、磁気抵抗感知ユニットを備え、磁気抵抗感知ユニットは、反強磁性層を備える多層薄膜スタック構造であり、熱制御層のパラメータが変化し、これにより書き込みが実行されるレーザ出力とともに対応する磁気抵抗感知ユニット・アレイの温度の変化率を増加または減少させ、プログラミングするためのレーザ書き込みが同じレーザ出力で実行されるときに磁気抵抗感知ユニット・アレイの温度を上昇または低下させることができ、それによって磁気抵抗センサをプログラミングするための高精度のレーザ書き込みを達成し、磁気抵抗センサの製造欠陥を改善し、磁気抵抗センサの性能を改善し、さらに磁気抵抗センサの検出精度を改善する。

【0022】

例示として、上述した基本的解決策に基づいて、任意選択で、磁気抵抗センサは、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）センサ、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）センサ、または異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）センサである。任意選択で、基板から熱制御層への方向に、多層薄膜スタック構造は、スタック状に順次配置された、シード層と、反強磁性層と、自由層と、上部電極層と、キャップ層とを備え、第１の絶縁層は、基板とシード層との間に設けられ、プログラミングするためのレーザ書き込み装置は、熱制御層、第１の絶縁層、シード層、上部電極層、およびキャップ層のうちの少なくとも１つの膜層の材料を変化させて、同じレーザ出力で磁気抵抗センサに書き込む温度を上昇または低下させるように構成され、および／またはプログラミングするためのレーザ書き込み装置は、熱制御層、第１の絶縁層、シード層、上部電極層、およびキャップ層のうちの少なくとも１つの膜層の厚さを変化させて、同じレーザ出力で磁気抵抗センサに書き込む温度を上昇または低下させるように構成される。

【0023】

図２を参照すると、本発明の一実施形態によるプログラミングするためのレーザ書き込み装置の多層薄膜スタックの概略図が示されている。図２に示されるように、任意選択で、磁気抵抗センサ２００は、ＧＭＲまたはＴＭＲセンサであり、磁気抵抗センサ２００は、ＳＡＦ参照層２０４を備える。本実施形態では、プログラミングするためのレーザ書き込み装置は、基板１００と、この基板１００上に位置する磁気抵抗センサ２００と、この磁気抵抗センサ２００上に位置する熱制御層（ヒート制御）３００とを備える。非磁性絶縁層（図示せず）が、磁気抵抗センサ２００と熱制御層３００との間にさらに設けられることを理解されたい。任意選択で、基板１００は、ウェハであるが、それらに限定されない。

【0024】

磁気抵抗センサ２００は、１つまたは複数の磁気抵抗感知ユニットで構成され、磁気抵抗感知ユニットは、多層薄膜スタック構造である。基板１００から熱制御層３００への方向に、多層薄膜スタック構造は、第１の絶縁層２０１、シード層（Ｓｅｅｄ）２０２、反強磁性層（ＡＦＬ）２０３、ＳＡＦ参照層２０４、バリア層（ＢＬ）２０５、自由層（ＦＬ）２０６、上部電極層（ＴＥ）２０７、およびキャップ層（ＣＡＰ）２０８を順次備える。それらの中で、ＳＡＦ参照層２０４は、ピン止め層（ＰＬ）２０４ａ、金属層（ＭＬ）２０４ｂ、および参照層（ＲＬ）２０４ｃを備える。

【0025】

図３を参照すると、本発明の一実施形態によるプログラミングするための別のレーザ書き込み装置の多層薄膜スタックの概略図が示されている。図３に示されるように、任意選択で、磁気抵抗センサ２００は、ＧＭＲまたはＴＭＲセンサである。図２との違いは、図３において、磁気抵抗センサ２００のＳＡＦ参照層が参照層（ＲＬ）２０４を備えることである。

【0026】

図２および図３に示された磁気抵抗センサ２００に関して、バリア層（ＢＬ）２０５が金属材料で作製された膜層であり、任意選択で、金属材料がＴａ、Ｒｕ、およびＣｕのいずれか１つまたは合金を含む場合、磁気抵抗感知ユニットは、ＧＭＲ感知ユニットであり、バリア層（ＢＬ）２０５が非金属材料で作製された膜層であり、任意選択で、非金属材料がＡｌ_２Ｏ_３およびＭｇＯのうちの少なくとも１つを備える場合、磁気抵抗感知ユニットは、ＴＭＲ感知ユニットである。

【0027】

図４を参照すると、本発明の一実施形態によるプログラミングするためのさらに別のレーザ書き込み装置の多層薄膜スタックの概略図が示されている。図４に示されるように、任意選択で、磁気抵抗センサ２００は、ＡＭＲセンサである。図２との違いは、図４において、磁気抵抗センサ２００は、ＳＡＦ参照層とバリア層（ＢＬ）とを備えないことである。

【0028】

例示として、上述した基本的解決策に基づいて、任意選択で、磁気抵抗センサは、プッシュ・プル磁気抵抗センサであり、プッシュ・プル磁気抵抗センサは、プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイおよびプル磁気抵抗感知ユニット・アレイで構成され、プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイとプル磁気抵抗感知ユニット・アレイとの両方は、磁気抵抗感知ユニットで構成される。プッシュ・プル磁気抵抗センサは、フル・ブリッジ構造、半ブリッジ構造、または準ブリッジ構造である。

【0029】

図５を参照すると、本発明の一実施形態による磁気抵抗センサの概略図が示されている。図５に示されるように、磁気抵抗センサは、基板１００と熱制御層との間に位置する。任意選択で、磁気抵抗センサは、プッシュ・プル磁気抵抗センサ２００である。本実施形態では、プッシュ・プル磁気抵抗センサ２００は、プッシュ磁気抵抗ユニット・アレイと、プル磁気抵抗ユニット・アレイとを備え、プッシュ磁気抵抗ユニット・アレイは、プッシュ磁気抵抗感知ユニット２００ａで構成され、プル磁気抵抗ユニット・アレイは、プル磁気抵抗感知ユニット２００ｂで構成される。この図５に示された磁気抵抗センサは、図２に示されるようにＳＡＦ参照層を有するＧＭＲ／ＴＭＲセンサで示されるが、解析プロセスおよびその結果は、異なるＳＡＦ参照層を有するまたはＳＡＦ参照層を有さない他の磁気抵抗センサに等しくに当てはまる。

【0030】

プッシュ磁気抵抗感知ユニット２００ａおよびプル磁気抵抗感知ユニット２００ｂは、同じ基板１００上に位置し、プッシュ磁気抵抗感知ユニット２００ａ上に位置する熱制御層は、プッシュ熱制御層３００ａであり、プル磁気抵抗感知ユニット２００ｂ上に位置する熱制御層は、プル熱制御層３００ｂである。プッシュ磁気抵抗感知ユニット２００ａの多層薄膜スタック構造における反強磁性層２０３ａと、プル磁気抵抗感知ユニット２００ｂの多層薄膜スタック構造における反強磁性層２０３ｂとは、反対の磁気モーメント方向を有し、プッシュ磁気抵抗感知ユニット２００ａにおける反強磁性層２０３ａは磁気モーメント方向＋ｄを有し、プル磁気抵抗感知ユニット２００ｂにおける反強磁性層２０３ｂは、磁気モーメント方向－ｄを有し、ｄは、Ｘ方向、Ｙ方向、またはＺ方向であり得る。

【0031】

プッシュ磁気抵抗感知ユニット２００ａおよびプル磁気抵抗感知ユニット２００ｂにおける以下の同じ名称の膜層は、同じ材料および特性を有する。具体的には、プッシュ磁気抵抗感知ユニット２００ａおよびプル磁気抵抗感知ユニット２００ｂにおけるそれぞれのピン止め層（ＰＬ）２０４ａは、同じ材料および同じ特性を有し、その中のそれぞれの金属層（ＭＬ）２０４ｂは、同じ材料および同じ特性を有し、その中のそれぞれの参照層（ＲＬ）２０４ｃは、同じ材料および同じ特性を有し、その中のそれぞれのバリア層（ＢＬ）２０５は、同じ材料および同じ特性を有し、それぞれの自由層（ＦＬ）２０６は、同じ材料および同じ特性を有する。

【0032】

同じレーザ出力で磁気抵抗センサにおけるプッシュ磁気抵抗感知ユニット２００ａとプル磁気抵抗感知ユニット２００ｂとの間の熱伝達の差を形成するために、以下の膜層設計方式の少なくとも１つが、実装され得る。
１）プッシュ磁気抵抗感知ユニット２００ａのキャップ層（ＣＡＰ）、およびプル磁気抵抗感知ユニット２００ｂのキャップ層２０８は、異なる材料および／または厚さを使用する。
２）プッシュ磁気抵抗感知ユニット２００ａの上部電極層（ＴＥ）、およびプル磁気抵抗感知ユニット２００ｂの上部電極層２０７は、異なる材料および／または厚さを使用する。
３）プッシュ磁気抵抗感知ユニット２００ａのシード層（Ｓｅｅｄ）、およびプル磁気抵抗感知ユニット２００ｂのシード層２０２は、異なる材料および／または厚さを使用する。
４）プッシュ磁気抵抗感知ユニット２００ａの第１の絶縁層、およびプル磁気抵抗感知ユニット２００ｂの第１の絶縁層２０１は、異なる材料および／または厚さを使用する。
５）プッシュ磁気抵抗感知ユニット２００ａのプッシュ熱制御層３００ａ、およびプル磁気抵抗感知ユニット２００ｂのプル熱制御層３００ｂは、異なる材料および／または厚さを使用する。

【0033】

上記の膜設計方式１）から５）のいずれか１つまたは複数の組合せを、プログラミングするためのレーザ書き込みのプロセスにおいて使用して、同じレーザ出力で書き込むときに、プッシュ磁気抵抗感知ユニット２００ａとプル磁気抵抗感知ユニット２００ｂとの間の熱伝達の差を実現し、プッシュ磁気抵抗感知ユニット２００ａの反強磁性層（ＡＦＬ）とプル磁気抵抗感知ユニット２００ｂの反強磁性層（ＡＦＬ）との間の温度の差を最終的に実現することができ、それによってプログラミングするためのレーザ書き込みのプロセスおよびパラメータを変化させ、反強磁性層の磁気モーメントの別個の書き込みを実現する。

【0034】

例示として、任意選択で、熱制御層の構成材料は、非磁性レーザ低吸収係数材料またはレーザ高吸収係数材料を含み、レーザ低吸収係数材料は、タンタル、チタン、銅、モリブデン、金、銀、アルミニウム、白金、およびスズのうちの少なくとも１つを含み、レーザ高吸収係数材料は、酸化ジルコニウム、酸化チタン、炭素膜、リン酸塩、および窒化アルミニウム・チタンのうちの少なくとも１つを含む。任意選択で、熱制御層の構成材料は、カーボン・ブラック、非磁性レーザ吸収樹脂、または非磁性レーザ吸収コーティングを含む。

【0035】

熱制御層は、空気層であり得る。代替として、熱制御層は、非磁性材料である。熱制御層を構成する非磁性材料は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｐｔ、およびＳｎのうちの少なくとも１つなどのレーザ低吸収係数材料を含む。代替として、熱制御層を構成する非磁性材料は、ＺｒＯ、ＴｉＯ、炭素膜、リン酸塩、およびＴｉＡｌＮのうちの少なくとも１つなどのレーザ高吸収係数材料を含む。熱制御層が非磁性材料で作製される場合、電気的隔絶は、電気絶縁材料を使用して熱制御層と磁気抵抗センサとの間で達成され得、すなわち、非磁性絶縁層は、それらの間に配置される。さらなる任意選択で、熱制御層の構成材料は、カーボン・ブラック、レーザ吸収樹脂、またはレーザ吸収コーティングを含み、レーザ吸収樹脂およびレーザ吸収コーティングは、ポリマー、カーボン・ブラック、および酸化物粒子の混合物を含む。

【0036】

任意選択で、プッシュ・プル磁気抵抗センサは、単軸プッシュ・プル磁気抵抗センサ、二軸プッシュ・プル磁気抵抗センサ、または三軸プッシュ・プル磁気抵抗センサである。

【0037】

任意選択で、プッシュ・プル磁気抵抗センサは、単軸プッシュ・プル磁気抵抗センサである。例えば、磁気抵抗センサは、＋Ｘ磁気抵抗感知ユニット・アレイと－Ｘ磁気抵抗感知ユニット・アレイとを備えるＸ軸プッシュ・プル磁気抵抗センサである。代替として、＋Ｘ磁気抵抗感知ユニット・アレイおよび－Ｘ磁気抵抗感知ユニット・アレイ、ならびに磁束コンセントレータは、Ｙ軸プッシュ・プル磁気抵抗センサを形成する。代替として、＋Ｘ磁気抵抗感知ユニット・アレイおよび－Ｘ磁気抵抗感知ユニット・アレイ、ならびに磁束コンセントレータは、Ｚ軸プッシュ・プル磁気抵抗センサを形成する。代替として、＋Ｙおよび－Ｙ磁気抵抗感知ユニット・アレイならびに磁束コンセントレータは、Ｚ軸プッシュ・プル磁気抵抗センサを形成する。

【0038】

任意選択で、プッシュ・プル磁気抵抗センサは、二軸プッシュ・プル磁気抵抗センサである。例えば、磁気抵抗センサは、＋Ｘ、－Ｘ、＋Ｙ、および－Ｙ磁気抵抗感知ユニット・アレイを備えるＸ－Ｙ二軸プッシュ・プル磁気抵抗センサである。代替として、＋Ｘ、－Ｘ、＋Ｚ、および－Ｚ磁気抵抗感知ユニット・アレイは、Ｘ－Ｚ二軸プッシュ・プル磁気抵抗センサを形成する。代替として、＋Ｙ、－Ｙ、＋Ｚ、および－Ｚ磁気抵抗感知ユニット・アレイは、Ｙ－Ｚ二軸プッシュ・プル磁気抵抗センサを形成する。代替として、＋Ｘ、－Ｘ、＋Ｙ、および－Ｙ磁気抵抗感知ユニット・アレイ、ならびに磁束コンセントレータは、Ｚ軸コンパウンド・プッシュ・プル磁気抵抗センサを形成する。

【0039】

任意選択で、プッシュ・プル磁気抵抗センサは、三軸プッシュ・プル磁気抵抗センサである。例えば、磁気抵抗センサは、＋Ｘ、－Ｘ、＋Ｙ、－Ｙ、＋Ｚ、および－Ｚ磁気抵抗感知ユニット・アレイを備えるＸ－Ｙ－Ｚ三軸プッシュ・プル磁気抵抗センサである。

【0040】

他の実施形態では、さらなる任意選択で、＋Ｚおよび－Ｚ磁気抵抗感知ユニット・アレイは、Ｚ軸プッシュ・プル磁気抵抗センサを形成し、＋Ｚ磁気抵抗感知ユニット・アレイの磁気抵抗感知ユニットにおける反強磁性層は、磁化方向＋Ｚを有し、－Ｚ磁気抵抗感知ユニット・アレイの磁気抵抗感知ユニットにおける反強磁性層は、磁化方向－Ｚを有する。

【0041】

図６を参照すると、本発明の一実施形態による単軸プッシュ・プル磁気抵抗センサの概略図が示されている。本実施形態では、単軸磁気抵抗センサは、４つの電極、すなわち、Ｖｃｃ、ＧＮＤ、Ｖ＋、およびＶ－電極を備え、２＊２アレイで配置された４つの磁気抵抗感知ユニット・アレイ２００ａから２００ｄをさらに備え、４つの磁気抵抗感知ユニット・アレイ２００ａから２００ｄの反強磁性層は、２つの反対の磁気モーメント方向ｄ１およびｄ２を有する。それらの中で、アレイ状に斜めに配置された２つの磁気抵抗感知ユニット・アレイ２００ａおよび２００ｄは、プル磁気抵抗感知ユニット・アレイとして働き、２つのアレイの反強磁性層は、同じ磁気モーメント方向ｄ２を有し、アレイ状に斜めに配置された２つの磁気抵抗感知ユニット・アレイ２００ｂおよび２００ｃは、プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイとして働き、２つのアレイの反強磁性層は、同じ磁気モーメント方向ｄ１を有する。単軸磁気抵抗センサは、２つのプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ２００ｂおよび２００ｃをそれぞれ覆うプッシュ熱制御層３０２および３０３と、２つのプル磁気抵抗感知ユニット・アレイ２００ａおよび２００ｄをそれぞれ覆うプル熱制御層３０１および３０４とをさらに備え、プッシュ熱制御層３０２および３０３、ならびにプル熱制御層３０１および３０４は、全て空気層である。

【0042】

他の実施形態では、さらに任意選択で、プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイは、同じ行にまたは同じ列に配置されてもよく、それに応じて、プル磁気抵抗感知ユニット・アレイは、同じ行にまたは同じ列に配置されてもよい。代替として、さらに任意選択で、プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイおよびプル磁気抵抗感知ユニット・アレイは、１＊４アレイまたは４＊１アレイを形成してもよく、２つのプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイは、隣接してまたは交差して配置されてもよい。

【0043】

図６は、単軸磁気抵抗センサのダイ図を示す。他の実施形態では、さらなる任意選択で、磁気抵抗センサは、二軸磁気抵抗センサであり、二軸磁気抵抗センサは、磁気モーメント方向ｄ１を有する反強磁性層を備えたプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイと、磁気モーメント方向－ｄ１を有する反強磁性層を備えたプル磁気抵抗感知ユニット・アレイと、磁気モーメント方向ｄ２を有する反強磁性層を備えたプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイと、磁気モーメント方向－ｄ２を有する反強磁性層を備えたプル磁気抵抗感知ユニット・アレイとを備える。

【0044】

他の実施形態では、さらなる任意選択で、磁気抵抗センサは、三軸磁気抵抗センサであり、三軸磁気抵抗センサは、磁気モーメント方向ｄ１を有する反強磁性層を備えたプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイと、磁気モーメント方向－ｄ１を有する反強磁性層を備えたプル磁気抵抗感知ユニット・アレイと、磁気モーメント方向ｄ２を有する反強磁性層を備えたプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイと、磁気モーメント方向－ｄ２を有する反強磁性層を備えたプル磁気抵抗感知ユニット・アレイと、磁気モーメント方向ｄ３を有する反強磁性層を備えたプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイと、磁気モーメント方向－ｄ３を有する反強磁性層を備えたプル磁気抵抗感知ユニット・アレイとを備える。

【0045】

それらの中で、磁気抵抗センサは、各次元においてフル・ブリッジ構造を有し、それに対応して、２つのプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイと、２つのプル磁気抵抗感知ユニット・アレイとを備える。代替として、磁気抵抗センサは、各次元において半ブリッジ構造を有し、それに対応して、１つのプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイと、１つのプル磁気抵抗感知ユニット・アレイとを備える。代替として、磁気抵抗センサは、各次元において準ブリッジ構造を有し、それに対応して、１つのプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイと、１つのプル磁気抵抗感知ユニット・アレイとを備える。実際には、磁気抵抗センサの組み合わされた配置にかかわらず、磁気モーメントは、同じ方式のプログラミングするためのレーザ書き込みによって反強磁性層に書き込まれ得る。

【0046】

同じ発明概念に基づいて、本発明の実施形態は、プログラミングするためのレーザ書き込みシステムに基づいて実施される磁気抵抗デバイスをプログラミングするためのレーザ書き込み方法を提供し、プログラミングするためのレーザ書き込みシステムは、磁場発生装置と、上記実施形態のいずれか１つに記載のプログラミングするためのレーザ書き込み装置とを備え、プログラミングするためのレーザ書き込みシステムのプログラミングするためのレーザ書き込み方法は、
プログラミングするためのレーザ書き込みの段階において、膜層材料および膜層厚さのうちの少なくとも１つを含む、熱制御層および／または磁気抵抗センサの膜層パラメータを変化させることと、
レーザ出力とともに磁気抵抗センサの温度の変化率を調整し、同じレーザ出力で磁気抵抗センサに書き込む温度を上昇または低下させることと、を含む。

【0047】

任意選択で、磁気抵抗センサは、プッシュ・プル磁気抵抗センサであり、プッシュ・プル磁気抵抗センサは、プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイおよびプル磁気抵抗感知ユニット・アレイのグループを備え、プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイの反強磁性層は、磁気モーメント方向＋ｄｉを有し、プル磁気抵抗感知ユニット・アレイの反強磁性層は、磁気モーメント方向－ｄｉを有し、ｉは正の整数であり、１≦ｉ≦３である。

【0048】

プログラミングするためのレーザ書き込み方法は、磁気モーメントをプッシュ・プル磁気抵抗センサの反強磁性層に書き込むことをさらに含み、これは、反強磁性層の磁気モーメント方向＋ｄｉをプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むこと、および反強磁性層の磁気モーメント方向－ｄｉをプル磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことを含む。

【0049】

任意選択で、反強磁性層の磁気モーメント方向＋ｄｉをプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことは、
各磁気抵抗感知ユニット・アレイの反強磁性層が磁気モーメント方向＋ｄｉを有するように、磁場アニーリング出力をＰｏｖｅｎにおよび温度をＴｗに設定し、ウェハに対して方向＋ｄｉ磁場熱アニーリングを実行すること、または、レーザ出力をＰ（＋ｄｉ）におよび温度をＴｄｉに設定し、方向＋ｄｉ磁気モーメントをプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイの反強磁性層に書き込むように方向＋ｄｉ磁場を発生させること、を含む。

【0050】

任意選択で、反強磁性層の磁気モーメント方向－ｄｉをプル磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことは、
各磁気抵抗感知ユニット・アレイの反強磁性層が磁気モーメント方向－ｄｉを有するように、磁場アニーリング出力をＰｏｖｅｎにおよび温度をＴｗに設定し、ウェハに対して方向－ｄｉ磁場熱アニーリングを実行すること、または、レーザ出力をＰ（－ｄｉ）におよび温度をＴｄｉに設定し、方向－ｄｉ磁気モーメントをプル磁気抵抗感知ユニット・アレイの反強磁性層に書き込むように方向－ｄｉ磁場を発生させること、を含む。

【0051】

任意選択で、Ｔｄ１＜Ｔｄ２＜Ｔｄ３である。

【0052】

任意選択で、Ｔｂ＜Ｔｄ１＜Ｔｄ２＜Ｔｄ３＜Ｔｄであり、Ｔｂは、磁気抵抗感知ユニット・アレイの書き込み温度であり、Ｔｄは、磁気抵抗感知ユニット・アレイの損傷温度である。ｄ１、ｄ２、およびｄ３は、ｘ軸、ｙ軸、およびｚ軸のいずれか１つを表し、互いに正および負である軸方向を含むことを理解されたい。

【0053】

三軸磁場書き込みシステム、すなわち、プログラミングするためのレーザ書き込みシステムは、図７Ａに示されるようなものである。このシステムは、Ｘ磁場６および－Ｘ磁場６（１）を発生させるためのＸ軸コイル５（１）と、Ｚ磁場６（４）および－Ｚ磁場６（５）を発生させるためのＺ軸コイル５（５）と、Ｙ磁場６（２）および－Ｙ磁場６（３）を発生させるためのＹ軸コイルと、磁気モーメント方向ｄ１を有するｄ１プッシュ／プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１と、磁気モーメント方向ｄ２を有する隣接したｄ２プッシュ／プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２とを備え、対応する４１および４２は、それぞれ、ｄ１プッシュ／プル熱制御層およびｄ２プッシュ／プル熱制御層である。

【0054】

プログラミングするためのレーザ書き込み中、レーザ・スポット８は、方向９に沿って熱制御層４１および４２の表面上に書き込まれ、その結果、ｄ１プッシュ／プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１は、磁界１３（０）に書き込まれ、書き込みプロセスの温度は、図７Ｂに示されるようなものである。レーザ出力Ｐ（＋ｄ１）でｄ１プッシュ／プル磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むとき、その磁気抵抗感知ユニットは、温度Ｔｗ（ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ１）を有し、ただし、Ｔｗは、反強磁性（ＡＦ）層のブロッキング温度Ｔｂと磁気抵抗感知ユニットの損傷温度Ｔｄとの間である。方向ｄ１磁場を発生させるために磁場発生装置がスイッチ・オンされ、その結果、磁気モーメントが冷却中に反強磁性層に書き込まれ得る。

【0055】

さらに、隣接したｄ２磁気抵抗感知ユニットとｄ１磁気抵抗感知ユニット・アレイとの間に大きな間隔の熱的隔絶（＞５０ｕｍ）を使用する必要がないので、隣接したｄ２磁気抵抗感知ユニットは、温度Ｔｗ（ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ１）で加熱される機会を有する。温度は、ｄ２磁気抵抗感知ユニットおよびｄ１磁気抵抗感知ユニットの熱伝達に依存し、任意選択でＴｂより低く、実際にはＴｂとＴｄとの間であり得る。これに基づいて、任意選択で、レーザは、１００ｎｍから３０００ｎｍの範囲内の波長を有し、これは、プログラミングするためのレーザ書き込みの走査シーケンス、および磁気抵抗検知ユニット・アレイ間の熱伝達の設計を満たすことができる。

【0056】

例示として、単軸プッシュ・プル磁気抵抗センサの反強磁性層の磁気モーメント方向＋ｄおよび－ｄを書き込むことは、２つのステップ、すなわち、１）反強磁性層の磁気モーメント方向＋ｄを＋ｄプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことと、２）反強磁性層の磁気モーメント方向－ｄを－ｄプル磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むこととを含み得る。

【0057】

任意選択で、１）反強磁性層の磁気モーメント方向＋ｄを＋ｄプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことは、以下の３つの方法を含む。

【0058】

方法Ｉ：図８Ａに示されるように、単軸プッシュ・プル磁気抵抗センサが、磁場アニール炉７に設置され、磁場アニール炉７の熱出力はＰｏｖｅｎに設定され、温度はＴｗに設定され、磁場発生装置５（１）が方向＋ｄ磁場６を発生させるために使用され、ウェハが方向＋ｄ磁気熱アニーリングを受け、その結果、基板３上に位置する＋ｄプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１および－ｄプル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２は、方向＋ｄ磁気モーメント１３（０）を得、プッシュ熱制御層４１およびプル熱制御層４２は機能せず、この時点で、単軸プッシュ・プル磁気抵抗センサの温度プロファイルは、図８Ｂに示されるようなものであり、Ｔｗ（＋ｄ）｜Ｐ（ｏｖｅｎ）＝Ｔｗ（－ｄ）｜Ｐ（ｏｖｅｎ）、すなわち、＋ｄプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１の温度上昇Ｔｗ（＋ｄ）｜Ｐ（ｏｖｅｎ）は、－ｄプル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２の温度上昇Ｔｗ（－ｄ）｜Ｐ（ｏｖｅｎ）に等しく、磁気抵抗感知ユニット・アレイの温度は、ＴｂとＴｄとの間である。

【0059】

方法ＩＩ：図９Ａに示されるように、単軸プッシュ・プル磁気抵抗センサが、磁場発生装置５（１）に設置され、磁場発生装置５（１）は、方向＋ｄ磁場６を発生させ、磁場発生装置５（１）のレーザ出力はＰ（＋ｄ）に設定され、温度はＴｗに設定され、次いで、磁場発生装置５（１）によって発生させられたレーザ・スポット８が、方向９に沿って＋ｄプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１および－ｄプル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２を走査し、その結果、基板３上に位置する各磁気抵抗感知ユニット・アレイは、方向＋ｄ磁場１３（０）に書き込まれ、プッシュ熱制御層４１およびプル熱制御層４２は機能せず、この時点で、単軸プッシュ・プル磁気抵抗センサの温度プロファイルは、図９Ｂに示されるようなものであり、Ｔｂ＜Ｔｗ（＋ｄ）｜Ｐ（＋ｄ）＜Ｔｗ（－ｄ）｜Ｐ（＋ｄ）＜Ｔｄであり、すなわち、同じレーザ出力Ｐ（＋ｄ）の作用によって、＋ｄプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１の温度上昇Ｔｗ（＋ｄ）｜Ｐ（＋ｄ）は、－ｄプル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２の温度上昇Ｔｗ（－ｄ）｜Ｐ（＋ｄ）よりも遅く、磁気抵抗感知ユニット・アレイの温度は、ＴｂとＴｄとの間である。

【0060】

方法ＩＩＩ：図１０Ａに示されるように、単軸プッシュ・プル磁気抵抗センサが、磁場発生装置５（１）に設置され、磁場発生装置５（１）は、方向＋ｄ磁場６を発生させ、磁場発生装置５（１）のレーザ出力はＰ（＋ｄ）に設定され、温度はＴｗに設定され、次いで、磁場発生装置５（１）によって発生させられるレーザ・スポット８が、方向９に沿って＋ｄプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１を走査し、その結果、基板３上に位置する＋ｄプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１は、方向＋ｄ磁場１３（０）に書き込まれ、プッシュ熱制御層４１およびプル熱制御層４２は、機能せず、この時点で、単軸プッシュ・プル磁気抵抗センサの温度プロファイルは、図１２に示されるようなものであり、＋ｄプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１は、温度上昇Ｔｗ（＋ｄ）｜Ｐ（＋ｄ）を有し、－ｄプル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２は、室温Ｔｒである温度上昇Ｔｗ（－ｄ）｜Ｐ（＋ｄ）を有する。

【0061】

任意選択で、２）反強磁性層の磁気モーメント方向－ｄを－ｄプル磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことは、以下の３つの方法を含む。

【0062】

方法Ｉ：図１１Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、方向９に沿って＋ｄプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１および－ｄプル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２を走査し、磁場発生装置５（１）のレーザ出力がＰ（－ｄ）に設定され、温度がＴｗに設定される場合、次いで、磁場発生装置５（１）は、方向－ｄ磁場６（０）を発生させ、－ｄプル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２は、方向－ｄ磁場１３（１）に書き込まれ、この時点で、図１１Ｂに示されるように、単軸プッシュ・プル磁気抵抗センサの温度プロファイルにおいて、Ｔｒ＜Ｔｗ（＋ｄ）｜Ｐ（－ｄ）＜Ｔｂ＜Ｔｗ（－ｄ）｜Ｐ（－ｄ）＜Ｔｄであり、ただし、Ｔｒは室温であり、＋ｄプル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１は、温度上昇Ｔｗ（＋ｄ）｜Ｐ（－ｄ）を有し、－ｄプル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２は、温度上昇Ｔｗ（－ｄ）｜Ｐ（－ｄ）を有する。

【0063】

方法ＩＩ：図１２Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、方向９に沿って－ｄプル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２を走査し、磁場発生装置５（１）のレーザ出力がＰ（－ｄ）に設定され、温度がＴｗに設定される場合、次いで、磁場発生装置５（１）は、方向－ｄ磁場６（０）を発生させ、－ｄプル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２は、方向－ｄ磁場１３（１）に書き込まれ、隣接した＋ｄプッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１の磁気モーメントは影響を受けず、その温度プロファイルは、図１２Ｂに示されるようなものであり、Ｔｒ＜Ｔｗ（＋ｄ）｜Ｐ（－ｄ）＜Ｔｂ＜Ｔｗ（－ｄ）｜Ｐ（－ｄ）＜Ｔｄであり、その温度は、Ｔｗ（＋ｄ）｜Ｐ（－ｄ）で維持され、－ｄプル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２は、温度上昇Ｔｗ（－ｄ）｜Ｐ（－ｄ）を有し、ただし、Ｔｒは室温である。

【0064】

例示として、二軸プッシュ・プル磁気抵抗センサの反強磁性層の磁気モーメント方向＋ｄおよび－ｄを書き込むことは、４つのステップ、すなわち、１）反強磁性層の磁気モーメント方向＋ｄ１を＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むこと、２）反強磁性層の磁気モーメント方向－ｄ１を－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むこと、３）反強磁性層の磁気モーメント方向＋ｄ２を＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むこと、および４）反強磁性層の磁気モーメント方向－ｄ２を－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことを含み得る。

【0065】

任意選択で、１）反強磁性層の磁気モーメント方向＋ｄ１を＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことは、以下の３つの方法を含む。

【0066】

方法Ｉ：図１３Ａに示されるように、磁場アニール炉７が使用され、磁場アニール炉７の熱出力はＰｏｖｅｎに設定され、温度はＴｗに設定され、その磁場発生装置５（１）は、方向＋ｄ１磁場６を発生させるために使用され、その結果、基板３上に位置する＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１および－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２、ならびに＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３および－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４は、方向＋ｄ１磁気モーメント１３（０）を得、＋ｄ１プッシュ熱制御層４１、－ｄ１プル熱制御層４２、＋ｄ２プッシュ熱制御層４３、および－ｄ２熱制御層４４は、機能せず、その温度プロファイルは、図１３Ｂに示されるようなものであり、＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１は、温度上昇Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（ｏｖｅｎ）を有し、－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２は、温度上昇Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（ｏｖｅｎ）を有し、＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３は、温度上昇Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（ｏｖｅｎ）を有し、－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４は、温度上昇Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（ｏｖｅｎ）を有し、これらは、Ｔｂ＜Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（ｏｖｅｎ）＝Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（ｏｖｅｎ）＝Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（ｏｖｅｎ）＝Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（ｏｖｅｎ）＜Ｔｄという関係を満足し、磁気抵抗感知ユニット・アレイの温度は、ＴｂとＴｄとの間である。

【0067】

方法ＩＩ：図１４Ａに示されるように、磁場発生装置５（１）が、方向＋ｄ１磁場６を発生させ、磁場発生装置５（１）のレーザ出力がＰ（＋ｄ１）に設定され、温度がＴｗに設定される場合、磁場発生装置５（１）によって発生させられるレーザ・スポット８は、方向９に沿って＋ｄ１および＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１および１３と、－ｄ１および－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２および１４とを走査し、磁場発生装置５（１）が、方向＋ｄ１磁場６を発生させる場合、全ての磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１から１４は、方向＋ｄ１磁場１３（０）に書き込まれ、その温度プロファイルは、図１４Ｂに示されるようなものであり、Ｔｂ＜Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ１）＜Ｔ（－ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ１）＜Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ１）＜Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ１）＜Ｔｄであり、すなわち、同じレーザ出力Ｐ（＋ｄ１）の作用によって、＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１の温度上昇Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ１）、－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２の温度上昇Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ１）、＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット１３の温度上昇Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ１）、および－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット１４の温度上昇Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ１）は、遅いものから速いものへの順に配置される。

【0068】

方法ＩＩＩ：図１５Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、方向９に沿って＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１を走査する場合、磁場発生装置５（１）は、方向＋ｄ１磁場６を発生させ、＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１は、方向＋ｄ１磁場１３（０）に書き込まれ、その温度プロファイルは、図１５Ｂに示されるようなものであり、＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１は、温度Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ１）を有し、隣接した－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２は、温度Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ１）を有し、Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ１）は、Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ１）よりも遅く、これにより、磁気モーメントを磁気抵抗感知ユニットに書き込む結果となり得る。

【0069】

任意選択で、２）反強磁性層の磁気モーメント方向－ｄ１を－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことは、次の２つの方法を含む。

【0070】

方法Ｉ：図１６Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、方向９に沿って＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１および－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２、ならびに＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３および－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４を走査し、磁場発生装置５（１）は、方向－ｄ１磁場６（０）を発生させ、－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２、＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３、および－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４は、方向－ｄ１磁場１３（１）に全て書き込まれ、磁気抵抗センサの温度プロファイルは、図１６Ｂに示されるようなものであり、Ｔｒ＜Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（－ｄ１）＜Ｔｂ＜Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（－ｄ１）＜Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（－ｄ１）＜Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（－ｄ１）＜Ｔｄである。

【0071】

方法ＩＩ：図１７Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、方向９に沿って－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２を走査し、磁場発生装置５（１）が方向－ｄ１磁場６（０）を発生させる場合、－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２のみが、方向－ｄ１磁場１３（１）に書き込まれ、隣接した＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１の磁気モーメントは影響を受けず、隣接した＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３の磁気モーメントは影響を受ける可能性があり、その温度プロファイルは、図１７Ｂに示されるようなものであり、Ｔｒ＜Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（－ｄ１）＜Ｔｂ＜Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（－ｄ１）＜Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（－ｄ１）＜Ｔｄである。

【0072】

任意選択で、３）反強磁性層の磁気モーメント方向＋ｄ２を＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことは、次の２つの方法を含む。

【0073】

方法Ｉ：図１８Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、方向９に沿って＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１および－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２、ならびに＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３および－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４を走査し、磁場発生装置（ここではマークされず）は、方向＋ｄ２磁場６（２）を発生させ、＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３および－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４のみが、方向＋ｄ２磁場１３（２）に書き込まれ、磁気抵抗センサの温度プロファイルは、図１８Ｂに示されるようなものであり、Ｔｒ＜Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ２）＜Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ２）＜Ｔｂ＜Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ２）＜Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ２）＜Ｔｄである。

【0074】

方法ＩＩ：図１９Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、方向９に沿って＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３を走査し、磁場発生装置は、方向＋ｄ２磁場６（２）を発生させ、＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３のみが、方向＋ｄ２磁場１３（２）に書き込まれ、隣接した－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２の磁気モーメントは影響を受けず、隣接した－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４の磁気モーメントは影響を受け、その温度プロファイルは、図１９Ｂに示されるようなものであり、Ｔｒ＜Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ２）＜Ｔｂ＜Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ２）＜Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ２）＜Ｔｄである。

【0075】

任意選択で、４）反強磁性層の磁気モーメント方向－ｄ２を－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことは、次の２つの方法を含む。

【0076】

方法Ｉ：図２０Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、方向９に沿って＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１および－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２、ならびに＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３および－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４を走査し、磁場発生装置（ここではマークされず）は、方向－ｄ２磁場６（３）を発生させ、－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４のみが、方向－ｄ２磁場１３（３）に書き込まれ、その温度プロファイルは、図２０Ｂに示されるようなものであり、Ｔｒ＜Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（－ｄ２）＜Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（－ｄ２）＜Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（－ｄ２）＜Ｔｂ＜Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（－ｄ２）＜Ｔｄである。

【0077】

方法ＩＩ：図２１Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、方向９に沿って－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４に沿って走査し、２つの磁場発生装置が、方向－ｄ２磁場６（３）を発生させ、方向－ｄ２磁気モーメント１３（３）は、－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４のみに書き込まれ、隣接した＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３の磁気モーメントは影響を受け、その温度プロファイルは、図２１Ｂに示されるようなものであり、Ｔｒ＜Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（－ｄ２）＜Ｔｂ＜Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（－ｄ２）＜Ｔｄである。

【0078】

例示として、三軸プッシュ・プル磁気抵抗センサの反強磁性層の磁気モーメント方向＋ｄおよび－ｄを書き込むことは、６つのステップ、すなわち、１）反強磁性層の磁気モーメント方向＋ｄ１を＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むこと、２）反強磁性層の磁気モーメント方向－ｄ１を－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むこと、３）反強磁性層の磁気モーメント方向＋ｄ２を＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むこと、４）反強磁性層の磁気モーメント方向－ｄ２を－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むこと、５）反強磁性層の磁気モーメント方向＋ｄ３を＋ｄ３プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むこと、および６）反強磁性層の磁気モーメント方向－ｄ３を－ｄ３プル磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことを含み得る。

【0079】

任意選択で、１）反強磁性層の磁気モーメント方向＋ｄ１を＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことは、以下の３つの方法を含む。

【0080】

方法Ｉ：図２２Ａに示されるように、磁場アニール炉７が使用され、その磁場発生装置５（１）は、方向＋ｄ１磁場６を発生させるために使用され、基板３上に位置する＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１および－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２、＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３および－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４、ならびに＋ｄ３プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１５および－ｄ３プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１６は全て、方向＋ｄ１磁気モーメント１３（０）を得、＋ｄ１プッシュ熱制御層４１および－ｄ１プル熱制御層４２、＋ｄ２プッシュ熱制御層４３および－ｄ２熱制御層４４、ならびに＋ｄ３プッシュ熱制御層４５および－ｄ３熱制御層４６は、機能せず、その温度プロファイルは、図２２Ｂに示されるようなものであり、Ｔｂ＜Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（ｏｖｅｎ）＝Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（ｏｖｅｎ）＝Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（ｏｖｅｎ）＝Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（ｏｖｅｎ）＝Ｔｗ（＋ｄ３）｜Ｐ（ｏｖｅｎ）＝Ｔｗ（－ｄ３）｜Ｐ（ｏｖｅｎ）＜Ｔｄである。

【0081】

方法ＩＩ：図２３Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１および－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２、＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３および－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４、ならびに＋ｄ３プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１５および－ｄ３プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１６を方向９に沿って走査し、磁場発生装置５（１）は、方向＋ｄ１磁場６を発生させ、方向＋ｄ１磁気モーメント１３（０）は、全ての磁気抵抗感知ユニットに書き込まれ、その温度プロファイルは、図２３Ｂに示されるようなものであり、Ｔｂ＜Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ１）＜Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ１）＜Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ１）＜Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ１）＜Ｔｗ（＋ｄ３）｜Ｐ（＋ｄ１）＜Ｔｗ（－ｄ３）｜Ｐ（＋ｄ１）＜Ｔｄであり、すなわち、同じレーザ出力Ｐ（＋ｄ１）の作用によって、＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニットの温度上昇Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ１）、－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニットの温度上昇Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ１）、＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニットの温度上昇Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ１）、－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニットの温度上昇Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ１）、＋ｄ３プッシュ磁気抵抗感知ユニットの温度上昇Ｔｗ（＋ｄ３）｜Ｐ（＋ｄ１）、および－ｄ３プル磁気抵抗感知ユニットの温度上昇Ｔｗ（－ｄ３）｜Ｐ（＋ｄ１）は、遅いものから速いものへの順に配置される。

【0082】

方法ＩＩＩ：図２４Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、方向９に沿って＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１を走査し、磁場発生装置５（１）は、方向＋ｄ１磁場６を発生させ、＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１は、方向＋ｄ１磁場１３（０）に書き込まれ、図２４Ｂに示されるように、＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１は、温度Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ１）を有し、隣接した－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２は、温度Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ１）を有し、これにより、磁気モーメントを他の磁気抵抗感知ユニットに書き込むという結果になり得る。

【0083】

任意選択で、２）反強磁性層の磁気モーメント方向－ｄ１を－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことは、次の２つの方法を含む。

【0084】

方法Ｉ：図２５Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１および－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２、＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３および－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４、ならびに＋ｄ３プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１５および－ｄ３プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１６を方向９に沿って走査し、磁場発生装置５（１）は、方向－ｄ１磁場６（１）を発生させ、－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２、＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３、－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４、＋ｄ３プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１５、および－ｄ３プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１６のみが、方向－ｄ１磁場１３（１）に全て書き込まれ、その温度プロファイルは、図２５Ｂに示されるようなものであり、Ｔｒ＜Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（－ｄ１）＜Ｔｂ＜Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（－ｄ１）＜Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（－ｄ１）＜Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（－ｄ１）＜Ｔｗ（＋ｄ３）｜Ｐ（－ｄ１）＜Ｔｗ（－ｄ３）｜Ｐ（－ｄ１）＜Ｔｄである。

【0085】

方法ＩＩ：図２６Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、方向９に沿って－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２を走査し、磁場発生装置５（１）は、方向－ｄ１磁場６（１）を発生させ、－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２のみが、方向－ｄ１磁場１３（１）に書き込まれ、隣接した＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１の磁気モーメントは影響を受けず、隣接した＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３の磁気モーメントは影響を受け、その温度プロファイルは、図２６Ｂに示されるようなものであり、Ｔｒ＜Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（－ｄ１）＜Ｔｂ＜Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（－ｄ１）＜Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（－ｄ１）＜Ｔｄである。

【0086】

任意選択で、３）反強磁性層の磁気モーメント方向＋ｄ２を＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことは、次の２つの方法を含む。

【0087】

方法Ｉ：図２７Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１および－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２、＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３および－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４、ならびに＋ｄ３プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１５および－ｄ３プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１６を方向９に沿って走査し、磁場発生装置（ここではマークされず）は、方向＋ｄ２磁場６（２）を発生させ、＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３、－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４、＋ｄ３プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１５、および－ｄ３プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１６のみが、方向＋ｄ２磁場１３（２）に書き込まれ、その温度プロファイルは、図２７Ｂに示されるようなものであり、Ｔｒ＜Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ２）＜Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ２）＜Ｔｂ＜Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ２）＜Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ２）＜Ｔｗ（＋ｄ３）｜Ｐ（＋ｄ２）＜Ｔｗ（－ｄ３）｜Ｐ（＋ｄ２）＜Ｔｄである。

【0088】

方法ＩＩ：図２８Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、方向９に沿って＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３を走査し、磁場発生装置は、方向＋ｄ２磁場６（２）を発生させ、方向＋ｄ２磁場１３（２）は、＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３のみに書き込まれ、隣接した－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２の磁気モーメントは影響を受けず、隣接した－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４の磁気モーメントは影響を受け、その温度プロファイルは、図２８Ｂに示されるようなものであり、Ｔｒ＜Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ２）＜Ｔｂ＜Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ２）＜Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ２）＜Ｔｄである。

【0089】

任意選択で、４）反強磁性層の磁気モーメント方向－ｄ２を－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことは、次の２つの方法を含む。

【0090】

方法Ｉ：図２９Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１および－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２、＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３および－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４、ならびに＋ｄ３プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１５および－ｄ３プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１６を方向９に沿って走査し、磁場発生装置（ここではマークされず）が、方向－ｄ２磁場６（３）を発生させ、－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４、＋ｄ３プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１５、および－ｄ３プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１６のみが、方向－ｄ２磁場１３（３）に書き込まれ、その温度プロファイルは、図２９Ｂに示されるようなものであり、Ｔｒ＜Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（－ｄ２）＜Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（－ｄ２）＜Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（－ｄ２）＜Ｔｂ＜Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（－ｄ２）＜Ｔｗ（＋ｄ３）｜Ｐ（－ｄ２）＜Ｔｗ（－ｄ３）｜Ｐ（－ｄ２）＜Ｔｄである。

【0091】

方法ＩＩ：図３０Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４を方向９に沿って走査し、磁場発生装置は方向－ｄ２磁場６（３）を発生させ、方向－ｄ２磁気モーメント１３（３）は、－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４のみに書き込まれ、隣接した＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３の磁気モーメントは影響を受けず、隣接した＋ｄ３プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１５の磁気モーメントは影響を受け、その温度プロファイルは、図３０Ｂに示されるようなものであり、Ｔｒ＜Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（－ｄ２）＜Ｔｂ＜Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（－ｄ２）＜Ｔｄ＜Ｔｗ（＋ｄ３）｜Ｐ（－ｄ２）＜Ｔｄである。

【0092】

任意選択で、５）＋ｄ３プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイに反強磁性層の磁気モーメント方向＋ｄ３を書き込むことは、次の２つの方法を含む。
方法Ｉ：図３１Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１および－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２、＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３および－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４、ならびに＋ｄ３プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１５および－ｄ３プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１６を方向９に沿って走査し、磁場発生装置５（５）は方向＋ｄ３磁場６（４）を発生させ、方向＋ｄ３磁気モーメント１３（４）は＋ｄ３プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１５および－ｄ３プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１６のみに書き込まれ、その温度プロファイルは、図３１Ｂに示されるようなものであり、Ｔｒ＜Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ３）＜Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（＋ｄ３）＜Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ３）＜Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ３）＜Ｔｂ＜Ｔｗ（＋ｄ３）｜Ｐ（＋ｄ３）＜Ｔｗ（－ｄ３）｜Ｐ（＋ｄ３）＜Ｔｄである。

【0093】

方法ＩＩ：図３２Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、方向９に沿って＋ｄ３プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１５を走査し、磁場発生装置５（５）は、方向＋ｄ３磁場６（４）を発生させ、方向＋ｄ３磁場１３（４）は、＋ｄ３プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１５のみに書き込まれ、隣接した－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４の磁気モーメントは影響を受けず、隣接した－ｄ３プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１６の磁気モーメントは影響を受け、その温度プロファイルは、図３２Ｂに示されるようなものであり、Ｔｒ＜Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（＋ｄ３）＜Ｔｄ＜Ｔｗ（＋ｄ３）｜Ｐ（＋ｄ３）＜Ｔｗ（－ｄ３）｜Ｐ（＋ｄ３）＜Ｔｄである。

【0094】

任意選択で、６）反強磁性層の磁気モーメント方向－ｄ３を－ｄ３プル磁気抵抗感知ユニット・アレイに書き込むことは、次の２つの方法を含む。

【0095】

方法Ｉ：図３３Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、＋ｄ１プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１１および－ｄ１プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１２、＋ｄ２プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１３および－ｄ２プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１４、ならびに＋ｄ３プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１５および－ｄ３プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１６を方向９に沿って走査し、磁場発生装置５（５）は、方向－ｄ３磁場６（５）を発生させ、方向－ｄ３磁気モーメント１３（５）は、－ｄ３プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１６のみに書き込まれ、その温度プロファイルは、図３３Ｂに示されるようなものであり、Ｔｒ＜Ｔｗ（＋ｄ１）｜Ｐ（－ｄ３）＜Ｔｗ（－ｄ１）｜Ｐ（－ｄ３）＜Ｔｗ（＋ｄ２）｜Ｐ（－ｄ３）＜Ｔｗ（－ｄ２）｜Ｐ（－ｄ３）＜Ｔｗ（＋ｄ３）｜Ｐ（－ｄ３）＜Ｔｂ＜Ｔｗ（－ｄ３）｜Ｐ（－ｄ３）＜Ｔｄである。

【0096】

方法ＩＩ：図３４Ａに示されるように、レーザ・スポット８は、方向９に沿って－ｄ３プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１６を走査し、磁場発生装置５（５）は、方向－ｄ３磁場６（５）を発生させ、方向－ｄ３磁気モーメント１３（５）は、－ｄ３プル磁気抵抗感知ユニット・アレイ１６のみに書き込まれ、隣接した＋ｄ３プッシュ磁気抵抗感知ユニット・アレイ１５の磁気モーメントは影響を受けず、その温度プロファイルは、図３４Ｂに示されるようなものであり、Ｔｒ＜Ｔｗ（＋ｄ３）｜Ｐ（－ｄ３）＜Ｔｄ＜Ｔｗ（－ｄ３）｜Ｐ（－ｄ３）＜Ｔｄである。

【0097】

上記は、本発明の好ましい実施形態および適用される技術原理に過ぎないことに留意されたい。当業者は、本発明は本明細書中の特定の実施形態に限定されないことを理解し、また当業者は、本発明の範囲から逸脱することなく、様々な明らかな変更、再調整、組合せ、および置換を行うことができる。したがって、本発明は、上記の実施形態によってより詳細に説明されてきたが、本発明は、それに限定されず、本発明の概念から逸脱することなく、より多くの他の均等な実施形態を含み得、本発明の範囲は、添付の請求項の範囲によって決定される。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図8A】

【図8B】

【図9A】

【図9B】

【図10A】

【図10B】

【図11A】

【図11B】

【図12A】

【図12B】

【図13A】

【図13B】

【図14A】

【図14B】

【図15A】

【図15B】

【図16A】

【図16B】

【図17A】

【図17B】

【図18A】

【図18B】

【図19A】

【図19B】

【図20A】

【図20B】

【図21A】

【図21B】

【図22A】

【図22B】

【図23A】

【図23B】

【図24A】

【図24B】

【図25A】

【図25B】

【図26A】

【図26B】

【図27A】

【図27B】

【図28A】

【図28B】

【図29A】

【図29B】

【図30A】

【図30B】

【図31A】

【図31B】

【図32A】

【図32B】

【図33A】

【図33B】

【図34A】

【図34B】

【国際調査報告】