特表 2024-509393 積層体及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-03-01

(54)【発明の名称】積層体及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   B32B 9/00 20060101AFI20240222BHJP

   B32B 15/04 20060101ALI20240222BHJP

   C23C 14/08 20060101ALI20240222BHJP

   H05K 3/28 20060101ALI20240222BHJP

【ＦＩ】

B32B9/00 A

B32B15/04 A

C23C14/08 E

C23C14/08 J

C23C14/08 A

H05K3/28 Z

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023550568

(86)(22)【出願日】2022-02-09

(85)【翻訳文提出日】2023-10-23

(86)【国際出願番号】 US2022015734

(87)【国際公開番号】W WO2022177782

(87)【国際公開日】2022-08-25

(31)【優先権主張番号】10-2021-0023399

(32)【優先日】2021-02-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】397068274

【氏名又は名称】コーニング インコーポレイテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100094569

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 伸一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100103610

【弁理士】

【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦

(74)【代理人】

【識別番号】100109070

【弁理士】

【氏名又は名称】須田 洋之

(74)【代理人】

【識別番号】100098475

【弁理士】

【氏名又は名称】倉澤 伊知郎

(74)【代理人】

【識別番号】100130937

【弁理士】

【氏名又は名称】山本 泰史

(74)【代理人】

【識別番号】100144451

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 博子

(74)【代理人】

【識別番号】100170634

【弁理士】

【氏名又は名称】山本 航介

(72)【発明者】

【氏名】リ ヨン スク

(72)【発明者】

【氏名】ムン ヒョン ス

(72)【発明者】

【氏名】ソク ソンホ

【テーマコード（参考）】

4F100

4K029

5E314

【Ｆターム（参考）】

4F100AA19B

4F100AA20B

4F100AA21B

4F100AB01C

4F100AB17C

4F100AD00A

4F100AG00A

4F100BA03

4F100EH662

4F100EH66B

4F100EH66C

4F100EH71C

4F100JK06

4F100YY00

4K029CA06

4K029DC03

4K029DC05

4K029DC16

4K029DC34

4K029DC35

4K029DC39

5E314AA02

5E314BB02

5E314CC11

5E314EE04

5E314FF02

5E314FF03

5E314FF17

5E314GG12

(57)【要約】

積層体は、基板の第１主面上に配置された酸化物を備えることができる。酸化物層は、約４０ナノメートル以下の厚さを含むことができる。酸化物層は、酸素と第１元素とを含むことができる。第１元素は、チタン、タンタル、シリコン、又はアルミニウムの内の少なくとも１つを含むことができる。酸化物層は更に、約１．５以下の酸素と第１元素との原子数比を含むことができる。積層体は、約１．３ニュートン／センチメートル以上の、基板と酸化物層との剥離強度を含むことができる。積層体の製造方法は、第１主面を含む基板を準備するステップと、酸素環境中で別の元素を含む元素ターゲットからスパッタリングすることによって基板の第１主面上に酸化物層を堆積するステップとを含むことができる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

積層体であって、
第１主面を含む基板と、
前記基板の前記第１主面上に配置された酸化物層であって、約４０ナノメートル以下の厚さを含み、酸素と第１元素とを含み、前記第１元素が、チタン、タンタル、シリコン、又はアルミニウムの内の少なくとも１つを含み、前記酸化物層は更に、約１．５以下の酸素と前記第１元素との原子数比を含む、酸化物層と、
を備え、
前記積層体に関する前記基板と前記酸化物層との剥離強度は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０．２．４．８ 条件Ａに準拠して２０℃で測定した場合に、約１．３ニュートン／センチメートル以上である、積層体。

【請求項2】

前記酸化物の上に配置された金属層を更に備える、請求項１に記載の積層体。

【請求項3】

前記金属層は銅を含む、請求項２に記載の積層体。

【請求項4】

前記金属層は、約１００ナノメートル～約２０マイクロメートルの範囲にある厚さを含む、請求項２又は３に記載の積層体。

【請求項5】

前記金属層の前記厚さは、約２マイクロメートル～約１５マイクロメートルの範囲にある、請求項４に記載の積層体。

【請求項6】

前記金属層は、前記酸化物層に直接接触する、請求項２～５の何れか１項に記載の積層体。

【請求項7】

前記金属層は、前記基板の前記第１主面上で不連続である、請求項２～６の何れか１項に記載の積層体。

【請求項8】

前記酸化物層は、前記基板の前記第１主表面上で実質的に連続である、請求項７に記載の積層体。

【請求項9】

前記第１元素に対する酸素の前記原子数比は、約０．８以下である、請求項１～８の何れか１項に記載の積層体。

【請求項10】

前記酸化物層は酸化チタンを含み、前記第１元素はチタンを含み、チタンに対する酸素の原子数比は約１．５以下である、請求項１～８の何れか１項に記載の積層体。

【請求項11】

酸化チタンに関する酸素とチタンとの前記原子数比は、約０．８以下である、請求項１０に記載の積層体。

【請求項12】

前記酸化物層は、本質的に酸化チタンから成る、請求項１～１１の何れか１項に記載の積層体。

【請求項13】

前記酸化物層は非導電性である、請求項１～１２の何れか１項に記載の積層体。

【請求項14】

前記酸化物層の厚さは、約１０ナノメートル～約３０ナノメートルの範囲にある、請求項１～１３の何れか１項に記載の積層体。

【請求項15】

前記金属層は、前記基板の前記第１主面に直接接触する、請求項１～１４の何れか１項に記載の積層体。

【請求項16】

前記積層体に関する前記基板と前記酸化物層との前記剥離強度は、約２．５ニュートン／センチメートル～約７ニュートン／センチメートルの範囲にある、請求項１～１５の何れか１項に記載の積層体。

【請求項17】

前記積層体に関する前記基板と前記酸化物層との前記剥離強度は、約４ニュートン／センチメートル以上である、請求項１～１５の何れか１項に記載の積層体。

【請求項18】

前記基板はガラス材料を含む、請求項１～１７の何れか１項に記載の積層体。

【請求項19】

前記基板はセラミック材料を含む、請求項１～１７の何れか１項に記載の積層体。

【請求項20】

前記基板は、約２５マイクロメートル～約２ミリメートルの範囲にある厚さを含む、請求項１～１９の何れか１項に記載の積層体。

【請求項21】

前記第１主面の粗さ（Ｒａ）は、約５ｎｍ以下である、請求項１～２０の何れか１項に記載の積層体。

【請求項22】

積層体を製造する方法であって、
酸素含有環境内で第１元素を含む元素ターゲットからスパッタリングすることによって、基板の第１主面上に酸化物層を堆積するステップを含み、
前記酸化物層は、約４０ナノメートル以下の厚さを含み、前記酸化物層は酸素と前記第１元素とを含み、前記第１元素が、チタン、タンタル、シリコン、又はアルミニウムの内の少なくとも１つを含み、前記酸化物層が更に、約１．５以下である酸素と前記第１元素との原子数比を含み、
前記積層体に関する前記基板と前記酸化物層との剥離強度は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０．２．４．８ 条件Ａに準拠して２０℃で測定した場合に、約１．３ニュートン／センチメートル以上である、方法。

【請求項23】

前記酸化物の上に金属層を堆積するステップを更に含む、請求項２２に記載の方法。

【請求項24】

前記金属層の上に所定のパターンでマスク層を堆積するステップと、
前記マスク層を堆積した後、前記金属層の少なくとも一部をエッチングするステップと、
前記エッチング後に前記マスク層を除去するステップと、
を更に含む、請求項２３に記載の方法。

【請求項25】

前記金属層は、前記基板の前記第１主面のフットプリント上で不連続であり、前記酸化物層は、前記基板の前記第１主面のフットプリント上で実質的に連続である、請求項２３又は２４に記載の方法。

【請求項26】

前記金属層は銅を含む、請求項２３～２５の何れか１項に記載の方法。

【請求項27】

前記金属層の前記厚さは、約２マイクロメートル～約１５マイクロメートルの範囲にある、請求項２２～２６の何れか１項に記載の方法。

【請求項28】

前記金属層は、前記酸化物層に直接接触する、請求項２２～２７の何れか１項に記載の方法。

【請求項29】

約２５０℃～約４００℃の範囲の温度で、約１５分～約６時間の範囲にある時間の間、前記積層体を加熱するステップを更に含む、請求項２２～２８の何れか１項に記載の方法。

【請求項30】

前記第１元素に対する酸素の前記原子数比は、約０．８以下である、請求項２２～２９の何れか１項に記載の方法。

【請求項31】

前記酸化物層は酸化チタンを含み、前記第１元素はチタンを含み、チタンに対する酸素の原子数比は約１．５以下である、請求項２２～２９の何れか１項に記載の方法。

【請求項32】

酸化チタンに関する酸素とチタンとの前記原子数比は、約０．８以下である、請求項３１に記載の方法。

【請求項33】

前記酸化物層は、本質的に酸化チタンから成る、請求項２２～３２の何れか１項に記載の方法。

【請求項34】

前記酸化物層は非導電性である、請求項２２～３３の何れか１項に記載の方法。

【請求項35】

前記酸化物層の前記厚さは、約１０ナノメートル～約３０ナノメートルの範囲にある、請求項２２～３４の何れか１項に記載の方法。

【請求項36】

前記金属層は、前記基板の前記第１主面に直接接触する、請求項２２～３５の何れか１項に記載の方法。

【請求項37】

前記積層体に関する前記基板と前記酸化物層との前記剥離強度は、約２．５ニュートン／センチメートル～約７ニュートン／センチメートルの範囲にある、請求項２２～３６の何れか１項に記載の方法。

【請求項38】

前記積層体に関する前記基板と前記酸化物層との前記剥離強度は、約４ニュートン／センチメートル以上である、請求項２２～３６の何れか１項に記載の方法。

【請求項39】

前記基板はガラス材料を含む、請求項２２～３８の何れか１項に記載の方法。

【請求項40】

前記基板はセラミック材料を含む、請求項２２～３８の何れか１項に記載の方法。

【請求項41】

前記基板は、約２５マイクロメートル～約２ミリメートルの範囲にある厚さを含む、請求項２２～４０の何れか１項に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

（関連出願の相互参照）
本出願は、米国特許法第１１９条に基づき、２０２１年２月２２日出願の韓国特許出願第１０－２０２１－００２３３９９号の優先権の利益を主張するものであり、当該韓国特許出願の内容に依拠し、引用により全体が本明細書に組み込まれる。

【0002】

（技術分野）
本開示は、一般に積層体及びその製造方法に関し、より詳細には、酸化物層を含む積層体とその積層体をスパッタリングで製造する方法とに関する。

【背景技術】

【0003】

ガラス材料及び／又はセラミック材料を含む積層体は、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ）、有機発光ダイオードディスプレイ（ＯＬＥＤ）、及びプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）など、光発電用途又はディスプレイ用途で使用することができる。ガラスシートは通常、ガラス成形材料を成形デバイスに流すことで製造されるが、成形デバイスにより、例えばスロットドロー法、フロート法、ダウンドロー法、フュージョンダウンドロー法、ローリング法、チューブドロー法、又はアップドロー法など、様々なウェブ成形プロセスでガラスウェブを成形することができる。ガラスウェブは、周期的に切り離して個別的なガラスシートにすることができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】韓国特許出願第１０－２０２１－００２３３９９号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

シリコンウェハとその上に堆積させた導電層とを用いて積層体を形成することが知られている。このような積層体は、電子デバイスのプリント回路として使用することができる。しかしながら、ガラス材料及び／又はセラミック材料を含む基板を用いてこのような積層体を形成すると、特に基板が平滑である（例えば、表面粗さ（Ｒａ）が約３ナノメートル（ｎｍ）以下である）場合に、積層体の層間密着力が不十分になる可能性がある。従って、基板がガラス材料及び／又はセラミック材料を含む場合、その層間に良好な密着力を有する積層体を提供する必要がある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

以下では、本開示の簡易要約を提示して、詳細な説明に記載する一部の実施形態に関する基本的な理解を提供する

【0007】

本開示の実施形態は、基板と酸化物層との間に良好な密着力を有する積層体を提供することができる 酸素と第１の元素とを含み、第１元素に対する酸素の原子数比が限定されている（例えば、約１．５以下、約１以下、約０．８以下）酸化物層を設けることで、良好な密着力が可能となる。一部の実施形態では、酸素と第１元素との非化学量論比を与えることにより、密着力を更に促進することができる。例えば酸化物層の酸素含有量を制限することによって、酸化物層の厚さを制限することで（例えば、約４０ｎｍ以下、約３０ｎｍ以下）、良好な密着力が可能となる。一部の実施形態では、ガラス及び／又はセラミックを含む基板は、例えば共有結合又は極性相互作用により、酸化物層と良好な密着性を有することができる。 更なる実施形態では、酸化物層の第１元素は、チタン、タンタル、シリコン、又はアルミニウムの内の少なくとも１つを含むことができ、これらは、ガラス及び／又はセラミックを含む基板との密着性を促進することができる。

【0008】

一部の実施形態では、積層体は、酸化物層の上に配置された金属層を含むことができる。金属層を設けることにより、金属層と酸化物層との良好な密着が可能になる。別の実施形態では、金属層と酸化物層との密着力は、酸化物層と基板との密着力よりも大きくなる可能性がある。例えば、金属属は銅を含むことができ、この銅は、酸化チタンを含む酸化物層中のチタンと負の混合エンタルピを有し、金属層と酸化物層との間に強力な密着力を提供する。別の実施形態では、金属層は導電性であり、基板の第１主面上に不連続層を形成するようにパターニングすることができ、例えば回路基板の一部として、配線接続部として機能することができる。更に別の実施形態では、酸化物層は非導電性とすることができ、これにより金属層の不連続部分を互いに電気的に絶縁することができる。

【0009】

本開示の実施形態は、酸素含有環境において元素ターゲットからの反応性スパッタリングを用いて基板上に酸化物層を堆積するステップを含む、積層体の製造方法を提供することができ、これにより、得られる酸化物層の酸素含有量の制御が可能になり、基板と酸化物層との密着性を促進することができる。一部の実施形態では、金属層（例えば、導電性）を酸化物層（例えば、非導電性）の上に配置して、対応する不連続な金属層の部分を除去することなく、第１主面上で不連続となるようにパターニングすることができ、これにより、例えば、積層体を製造するための処理時間及び全体コストを削減することで、積層体の処理を簡略化することができる。

【0010】

一部の実施形態では、積層体は、第１主面を含む基板を備えることができる。積層体は、基板の第１主面上に配置することができる酸化物層を備えることができる。酸化物層は、約４０ナノメートル（ｎｍ）以下の厚さを含むことができる。酸化物層は、酸素と第１の元素とを含むことができる。第１元素は、チタン、タンタル、シリコン、又はアルミニウムの内の少なくとも１つを含むことができる。酸化物層は更に、約１．５以下とすることができる、第１元素に対する酸素の原子数比を含むことができる。積層体に関する基板と酸化物層との剥離強度は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０．２．４．８ 条件Ａに準拠して２０℃で測定した場合に、約１．３ニュートン／センチメートル（Ｎ／ｃｍ）以上とすることができる。

【0011】

一部の実施形態では、積層体は、酸化物層の上に配置された金属層を更に備えることができる。

【0012】

更に別の実施形態では、金属層は銅を含むことができる。

【0013】

更に別の実施形態では、金属層は、約１００ナノメートル～約２０マイクロメートル（μｍ）の範囲にあるとすることができる厚さを含む。

【0014】

更に別の実施形態では、金属層の厚さは、約２マイクロメートル～約１５マイクロメートルの範囲にあるとすることができる。

【0015】

更に別の実施形態では、金属層は酸化物層に直接接触することができる。

【0016】

更に別の実施形態では、金属層は、基板の第１主面上で不連続とすることができる。

【0017】

更に別の実施形態では、酸化物層は、基板の第１主面上で実質的に連続とすることができる。

【0018】

別の実施形態では、第１元素に対する酸素の原子数比は、約０．８以下とすることができる。

【0019】

別の実施形態では、酸化物層は酸化チタンを含むことができる。第１元素はチタンを含むことができる。チタンに対する酸素の原子数比は、約１．５以下とすることができる。

【0020】

更に別の実施形態では、酸化チタンに関する酸素とチタンとの原子数比は、約０．８以下とすることができる。

【0021】

別の実施形態では、酸化物層は、本質的に酸化チタンから成るとすることができる。

【0022】

別の実施形態では、酸化物層は非導電性とすることができる。

【0023】

別の実施形態では、酸化物層の厚さは、約１０ナノメートル～約３０ナノメートルの範囲にあるとすることができる。

【0024】

別の実施形態では、酸化物層は、基板の第１主面に直接接触することができる。

【0025】

別の実施形態では、積層体に関する基板と酸化物層との剥離強度は、約２．５ニュートン／センチメートル～約７ニュートン／センチメートルの範囲にあるとすることができる。

【0026】

別の実施形態では、積層体に関する基板と酸化物層との剥離強度は、約４ニュートン／センチメートル以上とすることができる。

【0027】

別の実施形態では、基板はガラス材料を含むことができる。

【0028】

別の実施形態では、基板はセラミック材料を含むことができる。

【0029】

別の実施形態では、基板は、約２５マイクロメートル～約２ミリメートルの範囲にあるとすることができる厚さを含む。

【0030】

一部の実施形態では、積層体の製造方法は、酸素含有要素内で第１元素を含む元素ターゲットからスパッタリングすることによって、基板の第１主面上に酸化物層を堆積するステップを含むことができる。酸化物層は、約４０ナノメートル（ｎｍ）以下とすることができる厚さを含む。酸化物層は、酸素と第１元素とを含むことができる。第１元素は、チタン、タンタル、シリコン、又はアルミニウムの内の少なくとも１つを含むことができる。酸化物層は更に、約１．５以下とすることができる、第１元素に対する酸素の原子数比を含むことができる。積層体に関する基板と酸化物層との剥離強度は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０．２．４．８ 条件Ａに準拠して２０℃で測定した場合に、約１．３ニュートン／センチメートル（Ｎ／ｃｍ）以上とすることができる。

【0031】

別の実施形態では、本方法は、酸化物層の上に金属層を堆積するステップを更に含むことができる。

【0032】

更に別の実施形態では、本方法は、金属層の上に所定のパターンでマスク層を堆積するステップを更に含むことができる。本方法は、マスク層を堆積した後、金属層の少なくとも一部をエッチングするステップを更に含むことができる。本方法は、エッチング後にマスク層を除去するステップを更に含むことができる。

【0033】

更に別の実施形態では、金属層は、基板の第１主面上で不連続とすることができる。酸化物層は、基板の第１主表面上で実質的に連続とすることができる。

【0034】

更に別の実施形態では、金属層は銅を含むことができる。

【0035】

更に別の実施形態では、金属層の厚さは、約２マイクロメートル（μｍ）～約１５マイクロメートルの範囲にあるとすることができる。

【0036】

更に別の実施形態では、金属層は酸化物層に直接接触することができる。

【0037】

別の実施形態では、本方法は、約２５０℃～約４００℃の範囲の温度で、約１５分～約６時間の範囲にある時間の間、積層体を加熱するステップを更に含むことができる。

【0038】

別の実施形態では、第１元素に対する酸素の原子数比は、約０．８以下とすることができる。

【0039】

別の実施形態では、酸化物層は酸化チタンを含むことができる。 第１元素はチタンを含むことができる。チタンに対する酸素の原子数比は、約１．５以下とすることができる。

【0040】

更に別の実施形態では、酸化チタンに関する酸素とチタンとの原子数比は、約０．８以下とすることができる。

【0041】

別の実施形態では、酸化物層は、本質的に酸化チタンから成るとすることができる。

【0042】

別の実施形態では、酸化物層は非導電性とすることができる。

【0043】

別の実施形態では、酸化物層の厚さは、約１０ナノメートル～約３０ナノメートルの範囲にあるとすることができる。

【0044】

別の実施形態では、金属層は、基板の第１主面に直接接触することができる。

【0045】

別の実施形態では、積層体に関する基板と酸化物層との剥離強度は、約２．５ニュートン／センチメートル～約７ニュートン／センチメートルの範囲にあるとすることができる。

【0046】

別の実施形態では、積層体に関する基板と酸化物層との剥離強度は、約４ニュートン／センチメートル以上とすることができる。

【0047】

別の実施形態では、基板はガラス材料を含むことができる。

【0048】

別の実施形態では、基板はセラミック材料を含むことができる。

【0049】

別の実施形態では、基板は、約２５マイクロメートル～約２ミリメートルの範囲にあるとすることができる厚さを含む。

【0050】

本明細書に開示する実施形態の付加的な特徴及び利点を以下の詳細な説明に記載するが、一部はその説明から当業者には明らかとなり、或いは、以下の詳細な説明、特許請求の範囲、並びに添付図面を含めて、本明細書に記載する実施形態を実践することによって認識されよう。前述の概要も以下の詳細な説明も、本明細書に開示する実施形態の性質及び特徴を理解するための概観又は枠組みを与えることを意図した実施形態を提示するものであると理解されたい。添付図面は、更なる理解を提供するために含まれており、本明細書に組み込まれてその一部を構成する。これらの図面は、本開示の様々な実施形態を示し、その記述と併せて本開示の原理及び働きを説明するものである。
これら及び他の特徴、態様、及び利点は、添付図面を参照しながら以下の詳細な説明を読めば、より良く理解される。

【図面の簡単な説明】

【0051】

【図1】本開示の一部の実施形態に従って、積層体の例示的な実施形態を模式的に示す図である。

【図2】本開示の一部の実施形態による図１の線２－２に沿う積層体の平面図である。

【図3】本開示の実施形態に従って、積層体の製造方法例を示すフローチャートである。

【図4】本開示の実施形態に従って、積層体の製造方法におけるステップを模式的に示す図である。

【図5】本開示の実施形態に従って、積層体の製造方法における積層体及びステップを模式的に示す図である。

【図6】本開示の実施形態に従って、積層体の製造方法における積層体及びステップを模式的に示す図である。

【図7】本開示の実施形態に従って、積層体の製造方法におけるステップを模式的に示す図である。

【図8】本開示の実施形態に従って、積層体の製造方法におけるステップを模式的に示す図である。

【図9】本開示の実施形態に従って、積層体の製造方法におけるステップを模式的に示す図である。

【図10】本開示の実施形態に従って、積層体の製造方法におけるステップを模式的に示す図である。

【図11】一部の実施形態による例示的な電子デバイスの概略平面図である。

【図12】図１１の例示的な電子デバイスの概略斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0052】

ここで、例示的な実施形態を示す添付図面を参照しながら、以下で実施形態を完全に説明する。可能な限り、同じ又は同様の部品に言及するために、同じ参照数字を図面全体に亘って使用する。しかしながら、本開示は、多くの異なる形態で具体化することができ、本明細書に記載する実施形態に限定されると解釈すべきではない。

【0053】

図１～２及び５～６は、本開示の実施形態による、基板１０３と酸化物層１１３とを備える積層体１０１、５０１、及び６０１の図を示す。一部の実施形態では、図１～２及び６に示すように、積層体１０１及び６０１は、金属層１２３を更に備えることができる。特に断りのない限り、一積層体の実施形態の特徴に関する議論は、本開示に関するあらゆる実施形態の対応する特徴にも等しく適用することができる。例えば、本開示全体を通して同一である部品番号は、一部の実施形態では特定された特徴が互いに同一であること、並びに、一実施形態の特定された特徴に関する議論が、特に断りのない限り、本開示のあらゆる他の実施形態の特定された特徴にも等しく適用できることを表す場合がある。

【0054】

図２を参照すると、本開示の全体を通して、積層体１０１、５０１、及び／又は６０１の幅２０３は、方向２０４（例えば、幅２０３の方向２０４）において積層体の対向する端部間で取得される、積層体１０１、５０１、及び／又は６０１の寸法であると見なされる。更に、本開示の全体を通して、積層体１０１、５０１、及び／又は６０１の長さ２０３は、積層体１０１、５０１、及び／又は６０１の幅２０３と垂直な方向２０２（例えば、長さ２０１の方向２０２）において積層体の対向する端部間で取得される、積層体１０１、５０１、及び／又は６０１の寸法であると見なされる。一部の実施形態では、積層体１０１、５０１、６０１、及び／又は基板１０３の幅２０３及び／又は長さ２０１は、約２０ミリメートル（ｍｍ）以上、約５０ｍｍ以上、約１００ｍｍ以上、約５００ｍｍ以上、約１，０００ｍｍ以上、約２，０００ｍｍ以上、約３，０００ｍｍ以上、又は約４，０００ｍｍ以上とすることができるが、別の実施形態では他の幅を設ける場合もある。一部の実施形態では、基板１０３の幅２０３及び／又は長さ２０１は、約２０ｍｍ～約４０００ｍｍ、約５０ｍｍ～約４０００ｍｍ、約１００ｍｍ～約４０００ｍｍ、約５００ｍｍ～約４，０００ｍｍ、約１，０００ｍｍ～約４，０００ｍｍ、約２，０００ｍｍ～約４，０００ｍｍ、約３，０００ｍｍ～約４，０００ｍｍ、約２０ｍｍ～約３，０００ｍｍ、約５０ｍｍ～約３，０００ｍｍ、約１００ｍｍ～約３，０００ｍｍ、約５００ｍｍ～約３，０００ｍｍ、約１，０００ｍｍ～約３，０００ｍｍ、約２，０００ｍｍ～約３，０００ｍｍ、約２，０００ｍｍ～約２，５００ｍｍの範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にあるとすることができる。

【0055】

本開示の積層体１０１、５０１、及び６０１は、基板１０３を備える。一部の実施形態では、基板１０３は、ガラス材料及び／又はセラミック材料を含む基板を含むことができる。別の実施形態では、この基板は、８Ｈ以上、例えば９Ｈ以上の鉛筆硬度を含むことができる。本明細書で使用する場合、鉛筆硬度は、標準芯等級の鉛筆を用いてＡＳＴＭ Ｄ ３３６３－２０を用いて測定される。別の実施形態では、基板１０３は、本質的にガラス材料から成るか、又は完全にガラス材料から成るとすることができる。別の実施形態では、基板１０３は、本質的にセラミック材料から成るか、又は完全にセラミック材料から成るとすることができる。一部の実施形態では、基板１０３は、酸化物含有材料及び／又はシリコン含有材料を含むことができる。

【0056】

一部の実施形態では、基板１０３はガラス材料を含むことができる。本明細書で使用する場合、「ガラス」とは、シリカ（ＳｉＯ₂）を少なくとも３０モルパーセント（ｍｏｌ％）含む非晶質材料を指す。ガラス（例えば、ガラス材料）を含む基板は、ガラスとガラスセラミックの両方を含み、ガラスセラミックは、１又は２以上の結晶相と非晶質の残留ガラス相とを有する。ガラスを含む基板は、非晶質材料（例えば、ガラス）と必要に応じて１又は２以上の結晶性材料（例えば、セラミック）とを含む。非晶質材料及びガラスは、強化することができる。本明細書で使用する場合、用語「強化された」は、例えば、基板の表面でより大きなイオンをより小さなイオンとイオン交換することによって、化学的に強化された材料を指すとすることができる。しかしながら、例えば、熱的焼戻し、又は基板の部分間における熱膨張係数の不整合を利用して圧縮応力領域及び中心張力領域を作り出すことなど、他の強化方法を利用して、強化基板を形成することができる。例示的なガラス材料は、リチアの有無を問わず、ソーダ石灰ガラス、アルカリアルミノ珪酸ガラス、アルカリ含有ホウ珪酸ガラス、アルカリ含有アルミノホウ珪酸ガラス、アルカリ含有リン珪酸ガラス、及びアルカリ含有アルミノリン珪酸ガラスを含むことができる。ガラス材料は、アルカリ含有ガラス又は無アルカリガラスを含むことができ、そのどちらもリチウムの有無は問わない。１又は２以上の実施形態では、ガラス材料は、モルパーセント（ｍｏｌ％）で、約４０ｍｏｌ％～約８０ｍｏｌ％の範囲にあるＳｉＯ₂、約５ｍｏｌ％～約３０ｍｏｌ％の範囲にあるＡｌ₂Ｏ₃、約０ｍｏｌ％～約１０ｍｏｌ％の範囲にあるＢ₂Ｏ₃、０ｍｏｌ％～約５ｍｏｌ％の範囲にあるＺｒＯ₂、０ｍｏｌ％～約１５ｍｏｌ％の範囲にあるＰ₂Ｏ₅、０ｍｏｌ％～約２ｍｏｌ％の範囲にあるＴｉＯ₂、０ｍｏｌ％～約２０ｍｏｌ％の範囲にあるＲ₂Ｏ、０ｍｏｌ％～約１５ｍｏｌ％の範囲にあるＲＯを含むことができる。本明細書で使用する場合、Ｒ₂Ｏは、例えば、Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、Ｒｂ₂Ｏ、Ｃｓ₂Ｏなどのアルカリ金属酸化物、又はそれらの組み合わせを指すことができる。本明細書で使用する場合、ＲＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、又はそれらの組み合わせを指すことができる。一部の実施形態では、ガラス材料は、必要に応じて更に、０ｍｏｌ％～約２ｍｏｌ％の範囲で、Ｎａ₂ＳＯ₄、ＮａＣｌ、ＮａＦ、ＮａＢｒ、Ｋ₂ＳＯ₄、ＫＣ１、ＫＦ、ＫＢｒ、Ａｓ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、Ｆｅ₂Ｏ₃、ＭｎＯ、ＭｎＯ₂、ＭｎＯ₃、Ｍｎ₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄、及び／又はＭｎ₂Ｏ₇をそれぞれ含むことができる。「ガラスセラミック」は、ガラスの結晶化を制御して製造された材料を含む。一部の実施形態では、ガラスセラミックは、約１％～約９９％の結晶化度を含むことができる。適切なガラスセラミックの例として、Ｌｉ₂０－Ａｌ₂Ｏ₃－ＳｉＯ₂系（すなわち、ＬＡＳ系）ガラスセラミック、Ｍｇ０－Ａｌ₂Ｏ₃－ＳｉＯ₂系（すなわち、ＭＡＳ系）ガラスセラミック、ＺｎＯ×Ａ１₂Ｏ₃×ｎＳｉＯ₂（すなわち、ＺＡＳ系）、及び／又は、β－石英固溶体、β－スポジュメン、コージェライト、ペタライト、及び／又は二珪酸リチウムを含む主結晶相を含んだガラスセラミックを挙げることができる。ガラスセラミック基板は、化学強化プロセスを用いて強化することができる。１又は２以上の実施形態では、ＭＡＳ系のガラスセラミック基板をＬｉ₂ＳＯ₄溶融塩中で強化することができ、それによって２Ｌｉ⁺からＭｇ²⁺への交換が生じる可能性がある。

【0057】

一部の実施形態では、基板１０３はセラミック材料を含むことができる。本明細書で使用する場合、「セラミック」とは結晶相を指す。セラミック（例えば、セラミック材料）を含む基板は、セラミックとガラスセラミックの両方を含み、ガラスセラミックは、１又は２以上の結晶相と非晶質の残留ガラス相とを有する。セラミック材料は強化（例えば、化学強化）することができる。一部の実施形態では、セラミック材料は、ガラス材料を含む基板を加熱してセラミック（例えば、結晶）部分を形成することで形成することができる。別の実施形態では、セラミック材料は、結晶相（複数可）の形成を促進することができる１又は２以上の核生成剤を含むことができる。一部の実施形態では、セラミック材料は、１又は２以上の酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物、ホウ化物、及び／又は珪化物を含むことができる。セラミック酸化物の例示的な実施形態には、ジルコニア（ＺｒＯ₂）、ジルコン（ＺｒＳｉＯ₄）、アルカリ金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム（Ｎａ₂Ｏ））、アルカリ土類金属酸化物（例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ））、チタニア（ＴｉＯ₂）、酸化ハフニウム（Ｈｆ₂０）、酸化イットリウム（Ｙ₂Ｏ₃）、酸化鉄、酸化ベリリウム、酸化バナジウム（ＶＯ₂）、溶融石英、ムライト（酸化アルミニウムと二酸化珪素の化合物を含む鉱物）、スピネル（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）が含まれる。窒化セラミックの例示的な実施形態には、窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化ベリリウム（Ｂｅ₃Ｎ₂）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化バナジウム、アルカリ土類金属窒化物（例えば、窒化マグネシウム（Ｍｇ₃Ｎ₂））、窒化ニッケル、及び窒化タンタルが含まれる。酸窒化物セラミックの例示的な実施形態には、酸窒化珪素、酸窒化アルミニウム、及びサイアロン（アルミナと窒化珪素の化合物であり、例えば、Ｓｉ_12-m-nＡｌ_m+nＯ_nＮ_16-n、Ｓｉ_6-nＡｌ_nＯ_nＮ_8-n、又はＳｉ_2-nＡｌ_nＯ_1+nＮ_2-nなどの化学式を有することができ、ここで、ｍ、ｎ、及び結果として生じる添字は全て非負の整数である）が含まれる。 炭化物お及び炭素含有セラミックの例示的な実施形態には、炭化珪素（ＳｉＣ）、炭化タングステン（ＷＣ）、炭化鉄、炭化ホウ素（Ｂ₄Ｃ）、アルカリ金属炭化物（例えば、炭化リチウム（Ｌｉ₄Ｃ₃））、アルカリ土類金属炭化物（例えば、炭化マグネシウム（Ｍｇ₂Ｃ₃））、及びグラファイトが含まれる。ホウ化物の例示的な実施形態には、ホウ化クロム（ＣｒＢ₂）、ホウ化モリブデン（Ｍ０₂Ｂ₅）、ホウ化タングステン（Ｗ₂Ｂ₅）、ホウ化鉄、ホウ化チタン、ホウ化ジルコニウム（ＺｒＢ₂）、ホウ化ハフニウム（ＨｆＢ₂）、ホウ化バナジウム（ＶＢ₂）、ホウ化ニオブ（ＮｂＢ₂）、及びホウ化ランタン（ＬａＢ₆）が含まれる。珪化物の例示的な実施形態には、二珪化モリブデン（ＭｏＳｉ₂）、二珪化タングステン（ＷＳｉ₂）、二珪化チタン（ＴｉＳｉ₂）、ニッケル珪化物（ＮｉＳｉ）、アルカリ土類珪化物（例えば、ナトリウム珪化物（ＮａＳｉ））、アルカリ金属珪化物（例えば、マグネシウム珪化物（Ｍｇ₂Ｓｉ））、二珪化ハフニウム（ＨｆＳｉ₂）、及び珪化プラチナ（ＰｔＳｉ）が含まれる。

【0058】

本明細書で使用する場合、シリコン含有材料とは、少なくとも３０モルパーセント（ｍｏｌ％）のシリコン（Ｓｉ）を含む材料を意味する。上述したように、シリコンは、酸素、窒素、炭素、アルミニウム、ハフニウム、マグネシウム、モリブデン、ニッケル、白金、ナトリウム、チタン、タングステン、及び／又はジルコニウムなどの他の元素と合わせてガラス材料にもセラミック材料にも見出すことができる。本明細書で使用する場合、酸素含有材料は、酸素（Ｏ）を少なくとも１５モルパーセント（ｍｏｌ％）含む材料を意味する。 上述のように、酸素は、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、アルミニウム、ビスマス、炭素、ガリウム、鉛、窒素、リン、シリコン、硫黄、セレン、及び／又はスズなど、他の元素と合わせて、ガラス材料にもセラミック材料にも見出すことができる。

【0059】

本開示全体を通して、基板１０３（例えば、ガラス材料、セラミック材料、シリコン含有材料、酸素含有材料）及び／又は酸化物層１１３の弾性率（例えば、ヤング率）は、ＡＳＴＭ Ｅ２５４６－１５に準拠した押込み法を用いて測定される。一部の実施形態では、基板１０３は、約１０ギガパスカル（ＧＰａ）以上、約５０ＧＰａ以上、約６０ＧＰａ以上、約７０ＧＰａ以上、約１００ＧＰａ以下、又は約８０ＧＰａ以下の弾性率を含むことができる。一部の実施形態では、基板１０３は、約１０ＧＰａ～約１００ＧＰａ、約５０ＧＰａ～約１００ＧＰａ、約５０ＧＰａ～約８０ＧＰａ、約６０ＧＰａ～約８０ＧＰａ、約７０ＧＰａ～約８０ＧＰａの範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にある弾性率を含むことができる。

【0060】

一部の実施形態では、基板１０３は光学的に透明とすることができる。本明細書で使用する場合、「光透過性」又は「光学的に透明」とは、厚さ１．０ｍｍの材料片を通過した時に、４００ｎｍ～７００ｎｍの波長範囲で７０％以上の平均透過率を意味する。一部の実施形態では、「光透過性材料」又は「光学的に透明な材料」は、厚さ１．０ｍｍの材料片を通過した時に、４００ｎｍ～７００ｎｍの波長範囲で７５％以上、８０％以上、８５％以上、又は９０％以上、９２％以上、９４％以上、９６％以上の平均透過率を有することができる。４００ｎｍ～７００ｎｍの波長範囲での平均透過率は、約４００ｎｍから約７００ｎｍまでの整数波長の透過率測定値を平均することによって算出される。

【0061】

図１及び５～６に示すように、基板１０３は、第１主面１０５と、第１主面１０５に対向する第２主面１０７とを含むことができる。図１に示すように、第１主面１０５は、第１平面１０４に沿って延びることができる。第２主面１０７は、第２平面１０６に沿って延びることができる。一部の実施形態では、図示するように、第２平面１０６は第１平面１０４と平行とすることができる。本明細書で使用する場合、基板の厚さは、第１主面１０５と第２主面１０７との間に、第１平面１０４と第２平面１０６との距離として規定することができる。一部の実施形態では、図１に示すように、基板厚さ１０９は、長さ２０１の方向２０２及び幅２０３の方向２０４に対して垂直な方向１１０に測定することができる。一部の実施形態では、基板厚さ１０９は、約１０マイクロメートル（μｍ）以上、約２５μｍ以上、約４０μｍ以上、約６０μｍ以上、約８０μｍ以上、約１００μｍ以上、１２５μｍ以上、約１５０μｍ以上、約３ミリメートル（ｍｍ）以下、約２ｍｍ以下、約１ｍｍ以下、約８００μｍ以下、約５００μｍ以下、約３００μｍ以下、約２００μｍ以下、約１８０μｍ以下、又は約１６０μｍ以下とすることができる。一部の実施形態では、基板厚さ１０９は、約１０μｍ～約３ｍｍ、約１０μｍ～約２ｍｍ、約２５μｍ～約２ｍｍ、約４０μｍ～約２ｍｍ、約６０μｍ～約２ｍｍ、約８０μｍ～約２ｍｍ、約１００μｍ～約２ｍｍ、約１００μｍ～約１ｍｍ、約１００μｍ～約８００μｍ、約１００μｍ～約５００μｍ、約１２５μｍ～約５００μｍ、約１２５μｍ～約３００μｍ、約１２５μｍ～約２００μｍ、約１５０μｍ～約２００μｍ、約１５０μｍ～約１６０μｍの範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にあるとすることができる。一部の実施形態では、基板厚さ１０９は、約８０μｍ～約２ｍｍ、約８０μｍ～約１ｍｍ、約８０μｍ～約５００μｍ、約８０μｍ～約３００μｍ、約２００μｍ～約２ｍｍ、約２００μｍ～約１ｍｍ、約２００μｍ～約５００μｍ、約５００μｍ～約２ｍｍ、約５００μｍ～約１ｍｍの範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にあるとすることができる。

【0062】

基板１０３の第１主面１０５は、表面粗さ（Ｒａ）を含むことができる。本開示全体を通して、本開示に記載する全ての表面粗さ値は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて測定した場合に、１０μｍ×１０μｍの検査領域の表面に垂直な方向における平均位置からの表面プロファイルの絶対偏差に関する算術平均を用いて計算された表面粗さ（Ｒａ）である。一部の実施形態では、基板１０３の第１主面１０５及び／又は第２主面１０７の表面粗さ（Ｒａ）は、約５ｎｍ以下、約３ｎｍ以下、約２ｎｍ以下、約１ｎｍ以下、約０．９ｎｍ以下、約０．５ｎｍ以下、又は約０．３ｎｍ以下とすることができる。一部の実施形態では、基板１０３の第１主面１０５及び／又は第２主面１０７の表面粗さ（Ｒａ）は、約０．１ｎｍ～約５ｎｍ、約０．１ｎｍ～約３ｎｍ、約０．１ｎｍ～約２ｎｍ、約０．１ｎｍ～約１ｎｍ、約０．１ｎｍ～約０．９ｎｍ、約０．１ｎｍ～約０．５ｎｍ、約０．１ｎｍ～約０．３ｎｍ、約０．１５ｎｍ～約５ｎｍ、約０．１５ｎｍ～約３ｎｍ、約０．１５ｎｍ～約２ｎｍ、約０．１５ｎｍ～約１ｎｍ、約０．１５ｎｍ～約０．９ｎｍ、約０．１５ｎｍ～約０．５ｎｍ、約０．１５ｎｍ～約０．３ｎｍ、約０．２ｎｍ～約５ｎｍ、約０．２ｎｍ～約３ｎｍ、約０．２ｎｍ～約２ｎｍ、約０．２ｎｍ～約１ｎｍ、約０．２ｎｍ～約０．９ｎｍ、約０．２ｎｍ～約０．５ｎｍ、約０．２ｎｍ～約０．３ｎｍの範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にあるとすることができる。

【0063】

図１～２及び５～６に示すように、積層体１０１、５０１、及び６０１は、第３主面１１５と、第３主面１１５に対向する第４主面１１７とを含むことのできる酸化物層１１３を含む。一部の実施形態では、第３主面１１５は、第３平面に沿って延びることができる。一部の実施形態では、第４主面１１７は、第４平面に沿って延びることができる。一部の実施形態では、図１及び５～６に示すように、第３主面１１５は、第４主面１１７と平行とすることができる。本明細書で使用する場合、酸化物層１１３の厚さ１１９は、第３主面１１５と第４主面１１７との間に、基板１０３の第１主面１０５に亘って平均化された第３平面と第４平面との距離として規定することができる。一部の実施形態では、図１に示すように、酸化物層１１３の厚さ１１９は、方向１１０（例えば、長さ２０１の方向２０２及び幅２０３の方向２０４に対して垂直な、基板厚さ１０９と同じ方向）に測定することができる。本明細書で使用する場合、酸化物層１１３の厚さ１１９は、図１に示すものと同様な断面について走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて測定される。一部の実施形態では、酸化物層１１３の厚さ１１９は、約１ナノメートル（ｎｍ）以上、約５ｎｍ以上、約１０ｎｍ以上、約１５ｎｍ以上、約２０ｎｍ以上、約２５ｎｍ以上、約４０ｎｍ以下、約３５ｎｍ以下、又は約３０ｎｍ以下とすることができる。一部の実施形態では、酸化物層１１３の厚さ１１９は、約１ｎｍ～約４０ｎｍ、約５ｎｍ～約４０ｎｍ、約５ｎｍ～約３５ｎｍ、約１０ｎｍ～約３５ｎｍ、約１０ｎｍ～約３０ｎｍ、約１５ｎｍ～約３０ｎｍ、約２０ｎｍ～約３０ｎｍ、約２５ｎｍ～約３０ｎｍの範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にあるとすることができる。

【0064】

図１及び５～６に示すように、酸化物層１１３は、基板１０３の第１主面１０５の上に配置することができる。一部の実施形態では、図示するように、酸化物層１１３の第４主面１１７は、基板１０３の第１主面１０５に面することができる。別の実施形態では、図示するように、酸化物層１１３は、例えば、酸化物層１１３の第４主面１１７が基板１０３の第１主面１０５に直接接触することにより、基板１０３に直接接触することができる。一部の実施形態では、図１及び５～６に示すように、酸化物層１１３は、実質的に連続している、及び／又は基板１０３の第１主面１０５の上で連続しているとすることができる。本明細書で使用する場合、「連続している」とは、層材料を含む層の表面上にある各点対が、完全に層材料を通り抜ける経路で連結されることを意味する。例えば、図１～２に示すように、酸化物層１１３の第３主面１１５上にある第１の点１１６ａと第２の点１１６ｂは、酸化物層１１３の材料を完全に通り抜ける経路（例えば、第１の点１１６ａから第２の点１１６ｂまで方向２０２に延びる）で連結されており、酸化物層１１３の第３主面１１５上にあるこのような点対は全て、酸化物層１１３の材料を完全に通り抜ける経路で連結される。本明細書で使用する場合、「実質的に連続している」とは、１対の点を連結する経路を妨げて層材料を完全に通り抜けさせない、層の部分間の分離が約１０ナノメートル以下であることを別にすれば、材料が連続していることを意味する。一部の実施形態では、実質的に連続した酸化物層１１３における約１０ナノメートル以下の分離は、例えば、スパッタリングされた酸化物層のばらつき、及び／又はエッチングステップ（例えば、酸化物層上に堆積された金属層をエッチングする）中に除去される材料の量のばらつきなどの、製造欠陥である可能性がある。一部の実施形態は、図１に示すように、酸化物層１１３は、基板１０３の第１主面１０５全体に亘って継ぎ目なく延びるモノリシック層及び／又は実質的にモノリシックな層とすることができる。本明細書で使用する場合、酸化物層１１３の材料が基板１０３の第１主表面１０５の領域と同一の広がりを有し、酸化物層１１３内に隙間がないならば、酸化物層１１３はモノリシックである。本明細書で使用する場合、酸化物層１１３で被覆されない第１主面１０５の周囲境界、及び／又は、酸化物層１１３の材料内の製造欠陥であって、その各々が、基板１０３の第１主面１０５を覆う、約１０，０００平方ナノメートル（ｎｍ²）以下の面積を含む製造欠陥を別にして、酸化物層が基板１０３の第１主面１０５を覆ってモノリシックであるならば、酸化物層１１３は実質的にモノリシックである。

【0065】

酸化物層１１３は、酸素と第１元素とを含む酸化物を含む。一部の実施形態では、第１元素は、チタン、タンタル、シリコン、又はアルミニウムの内の少なくとも１つを含む。例えば、酸化物層１１３は、酸化チタン、酸化タンタル、酸化シリコン、及び／又は酸化アルミニウムを含むことができる。別の実施形態では、酸化物層１１３は、本質的に１又は２以上の酸化物から成る。別の実施形態では、酸化物層１１３は、本質的に酸化チタンから成るとすることができる。別の実施形態では、酸化物層１１３は、本質的に酸化タンタルから成るとすることができる。別の実施形態では、酸化物層１１３は、本質的に酸化シリコンから成るとすることができる。別の実施形態では、酸化物層１１３は、本質的に酸化アルミニウムから成るとすることができる。

【0066】

酸化物層１１３は、第１元素に対する酸素の原子数比を含むことができる。本明細書で使用する場合、酸化物層の原子数比とは、原子百分率（ａｔ％）単位での酸化物層中の酸素量を、ａｔ％単位での酸化物層中の第１元素量で割ったものを指す。同様に、酸素と第１元素とを含む特定酸化物の原子数比とは、原子百分率（ａｔ％）単位での特定酸化物中の酸素量を、ａｔ％単位での特定酸化物中の第１元素量で割ったものを指す。理論に縛られることを望まなければ、酸化物層は、第１元素に対する酸素の非化学量論比を含むことのできる酸化物を含むことができる。本明細書で使用する場合、非化学量論比を備えた酸化物とは、酸素と第１元素との比率を１と５の間の整数を用いて表現できない酸化物を指す。理論に縛られることを望まなければ、酸化物層は、例えば、第１元素と酸素の部分的な（不完全な）反応を通じて、自然に生じる酸化物（例えば、チタニア、アルミナ、シリカ）に対応しない酸化物（例えば、第１元素に対する酸素の非化学量論比を含む）を含むことができる。理論に縛られることを望まなければ、第１元素に対する酸素の原子数比を制限することで、酸化物と基板の結合、及び／又は酸化物と基板の分子間相互作用を促進することにより、ガラス材料、セラミック材料、酸素含有材料、及び／又はシリコン含有材料を含む基板との密着力を高めることができる。例えば、第１元素に対する酸素の原子数比が制限された酸化物は、エネルギ的に不安定又は準安定な構成（例えば、配位数）を含むことができるので、基板の第１主面での材料との相互作用が促進される可能性がある。

【0067】

一部の実施形態では、酸化物層１１３の原子数比は、約１．５以下、約１．３以下、約１．１以下、約１．０以下、約１．０以下、約０．９以下、約０．８以下、約０．６以下、約０．５以下、又は約０．４以下、約０．１以上、約０．２５以上、約０．３５以上、約０．５以上、約０．７以上、約１．０以上、又は約１．１以上とすることができる。一部の実施形態では、酸化物層１１３の原子数比は、約０．１～約１．５、約０．２５～約１．５、約０．３５～約１．５、約０．５～約１．５、約０．７～約１．５、約１．０～約１．５、約１．１～約１．５、約１．１～約１．３の範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にあるとすることができる。一部の実施形態では、酸化物層１１３の原子数比は、約０．１～約１．３、約０．２５～約１．３、約０．３５～約１．３、約０．５～約１．３、約０．５～約１．０、約０．５～約０．９、約０．７～約０．９、約０．７～約０．８の範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にあるとすることができる。一部の実施形態では、酸化物層１１３の原子数比は、約０．１～約１．１、約０．１～約１．０、約０．１～約０．９、約０．１～約０．８、約０．２５～約０．８、約０．２５～約０．６、約０．３５～約０．６、約０．３５～約０．５、約０．３５～約０．４の範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にあるとすることができる。

【0068】

一部の実施形態では、酸化物層１１３は、本質的に酸化チタンから成るとすることができる。別の実施形態では、酸化チタンの原子数比は約１．５以下とすることができる。例えば、酸化チタンは、酸化チタン（ＩＩ）（ＴｉＯ）、酸化チタン（ＩＩＩ）（Ｔｉ₂Ｏ₃）、酸化二チタン（Ｔｉ₂Ｏ）、酸化三チタン（Ｔｉ₃Ｏ）、及び／又は、チタニア（ＴｉＯ₂）の代わりに酸化チタンの非化学量論的形態を含むことができる。更に別の実施形態では、酸化チタンの原子数比は約０．８以下である（例えば、Ｔｉ₂Ｏ、Ｔｉ₃Ｏ）、又は酸化チタンの非化学量論的形態とすることができる。

【0069】

一部の実施形態では、酸化物層１１３は非導電性とすることができる。本明細書で使用する場合、「非導電性」とは、約１００ジーメンス／メートル（Ｓ／ｍ）以下の電気伝導率（すなわち、約０．０１オームメートル（Ω・ｍ）以上の電気抵抗率）を備えた材料を指す。特に指定のない限り、電気伝導率はＡＳＴＭ １００４－１７に準拠して２０℃で測定される。

【0070】

別の実施形態では、酸化物層は、約１０Ｓ／ｍ以下、約１Ｓ／ｍ以下、約０．１Ｓ／ｍ以下、約１０^-3Ｓ／ｍ以下、約１０^-20Ｓ／ｍ以上、約１０^-18Ｓ／ｍ以上、約１０^-12Ｓ／ｍ以上、又は約１０^-6Ｓ／ｍ以上の電気伝導率を含むことができる。別の実施形態では、酸化物層は、約１０^-20Ｓ／ｍ～約１００Ｓ／ｍ、約１０^-18Ｓ／ｍ～約１０Ｓ／ｍ、約１０^-18Ｓ／ｍ～約１Ｓ／ｍ、約１０^-12Ｓ／ｍ～約１Ｓ／ｍ、約１０^-12Ｓ／ｍ～約０．１Ｓ／ｍ、約１０^-6Ｓ／ｍ～約０．１Ｓ／ｍ、約１０^-6Ｓ／ｍ～約１０^-3Ｓ／ｍの範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にあるとすることができる。

【0071】

一部の実施形態では、図１～２及び６に示すように、積層体１０１及び６０１は、酸化物層の上に配置された金属層１２３を備えることができる。別の実施形態では、図１及び６に示すように、金属層１２３は、第５表面領域１２５と、第５表面領域１２５に対向する第６表面領域１２７とを含むことができる。更に別の実施形態では、金属層１２３は、第５表面領域１２５と第６表面領域１２７との平均距離として、第５表面領域１２５と第６表面領域１２７との間に規定された厚さ１２９を含むことができる。更に別の実施形態では、図１に示すように、金属層１２３の厚さ１２９は、方向１１０（例えば、長さ２０１の方向２０２及び幅２０３の方向２０４に対して垂直な、基板厚さ１０９及び／又は酸化物層１１３の厚さ１１９と同じ方向）に測定することができる。更に別の実施形態では、厚さ１２９は、約１００ｎｍ以上、約５００ｎｍ以上、約１μｍ以上、約２μｍ以上、約５μｍ以上、約２０μｍ以下、約１８μｍ以下、約１５μｍ以下、約１２μｍ以下、約１０μｍ以下とすることができる。更に別の実施形態では、厚さ１２９は、約１００ｎｍ～約２０μｍ、約５００ｎｍ～約２０μｍ、約５００ｎｍ～約１８μｍ、約１μｍ～約１８μｍ、約１μｍ～約１５μｍ、約２μｍ～約１５μｍ、約２μｍ～約１２μｍ、約５μｍ～約１２μｍ、約５μｍ～約１０μｍの範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にあるとすることができる。

【0072】

一部の実施形態では、図１及び６に示すように、金属層１２３の第６表面領域１２７は、酸化物層１１３の第３主表面１１５に面することができる。別の実施形態では、図示するように、金属槽１２３は、例えば、金属層１２３の第６表面領域１２７が酸化物層１１３の第３主面１１５に直接接触することにより、酸化物層１１３に直接接触することができる。一部の実施形態では、図１～２に示すように、金属層１２３は、基板１０３の第１主面１０５の上方で不連続とすることができる。本明細書で使用する場合、層の第１部分が、層材料を通り抜ける経路で層の第２部分に連結されず、基板の第１主面に亘って測定された部分間の最小距離が約２０ナノメートル以上である時に、層は不連続である。例えば、図１及び２に示すように、金属層１２３は基板１０３の第１主面の上方で不連続であるが、これは、金属層１２３の第１部分１２３ａが、金属層１２３の材料を通り抜ける経路で金属層１２３の第２部分１２３ｂに連結されず、１対の点１２４ａ及び１２４ｂの間で測定された第１部分１２３ａと第２部分１２３ｂとの最小距離１２６が、約２０ナノメートル以上であるからである。同様に、図示するように、対応する最小距離が約２０ナノメートル以上であれば、金属層の第１部分１２３ａは第３部分１２３ｃに連結されず、第２部分１２３ｂは第３部分１２３ｃに連結されない。一部の実施形態では、金属層１２３の不連続部分（例えば、部分１２３ａ、１２３ｂ）間の最小距離１２６は、約５０ナノメートル以上、約１００ナノメートル以上、約５００ナノメートル以上、約１μｍ以上、又は１０μｍ以上とすることができる。一部の実施形態では、図２に示すように、金属層１２３は、金属層１２３の材料を通り抜ける経路で互いに連結されない複数の部分１２３ａ～ｆを含むことができる。

【0073】

一部の実施形態では、金属層１２３は遷移金属を含むことができる。別の実施形態では、金属層１２３は、銅、コバルト、カドミウム、クロム、金、イリジウム、鉄、鉛、モリブデン、ニッケル、白金、パラジウム、ロジウム、銀、及び／又は亜鉛を含むことができる。更に別の実施形態では、金属層１２３は銅を含むことができる。更に別の実施形態では、金属層１２３は本質的に銅から成るとすることができる。一部の実施形態では、金属層１２３は、アルミニウム、ベリリウム、マグネシウム、及び／又は銅を含むことができる。一部の実施形態では、金属層１２３と酸化物層１１３の第１元素との混在（例えば、酸化物層の第１元素としてのチタンと、銅及び金属層との混在）は、エンタルピ的に有利となる可能性がある。

【0074】

金属層１２３は、約１０³ジーメンス／メートル（Ｓ／ｍ）以上の電気伝導率（すなわち、約１０^-3オームメートル（Ω・ｍ）以下の電気抵抗率）を有することができる。別の実施形態では、金属層は、約１０⁵Ｓ／ｍ以上、約１０⁶Ｓ／ｍ以上、約１０⁷Ｓ／ｍ以上、約１０²⁰Ｓ／ｍ以下、約１０¹⁵Ｓ／ｍ以下、約１０¹²Ｓ／ｍ以下、約１０⁹Ｓ／ｍ以下、又は約１０⁷Ｓ／ｍ以下の電気伝導率を含むことができる。別の実施形態では、金属層１２３は、約１０³Ｓ／ｍ～約１０²⁰Ｓ／ｍ、約１０³Ｓ／ｍ～約１０¹⁵Ｓ／ｍ、約１０⁵Ｓ／ｍ～約１０¹⁵Ｓ／ｍ、約１０⁶Ｓ／ｍ～約１０¹²Ｓ／ｍ、約１０⁷Ｓ／ｍ～約１０¹²Ｓ／ｍ、約１０⁷Ｓ／ｍ～約１０⁹Ｓ／ｍの範囲、或いはこれらの間にある範囲又は部分範囲にある電気伝導率を含むことができる。

【0075】

積層体１０１、５０１、及び／又は６０１は、剥離強度を含むことができる。本開示の全体を通して、剥離強度は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０．２．４．８「金属クラッド積層板の剥離強度」条件Ａに準拠して２０℃で測定される。本明細書で使用する場合、積層体の剥離強度とは、基板（例えば、第１主面）と酸化物層（例えば、第４主面）との間の剥離強度を指す。理論に縛られることを望まなければ、基板と酸化物層との間の密着力（例えば、剥離強度として測定される）は、積層体の他層間（例えば、酸化物層と金属層との間）の密着力よりも、設けられている場合に、弱い可能性がある。一部の実施形態では、剥離強度は、約１．３ニュートン／センチメートル（Ｎ／ｃｍ）以上、約２．５Ｎ／ｃｍ以上、約４Ｎ／ｃｍ以上、約５Ｎ／ｃｍ以上、約１２Ｎ／ｃｍ以下、約９Ｎ／ｃｍ以下、約７Ｎ／ｃｍ以下、又は約６Ｎ／ｃｍ以下とすることができる。一部の実施形態では、剥離強度は、約１．３Ｎ／ｃｍ～約１２Ｎ／ｃｍ、約１．３Ｎ／ｃｍ～約９Ｎ／ｃｍ、約２．５Ｎ／ｃｍ～約９Ｎ／ｃｍ、約２．５Ｎ／ｃｍ～約７Ｎ／ｃｍ、約４Ｎ／ｃｍ～約７Ｎ／ｃｍ、約４Ｎ／ｃｍ～約６Ｎ／ｃｍ、約５Ｎ／ｃｍ～約６Ｎ／ｃｍの範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にあるとすることができる。

【0076】

一部の実施形態では、本開示の実施形態の積層体１０１、５０１、及び／又は６０１は、アプリケーション（例えば、ディスプレイ用途、電子デバイス）に組み込むことができる。例えば、本積層体は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ）、有機発光ダイオードディスプレイ（ＯＬＥＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、タッチセンサ、光発電、家電製品などを含む、幅広い用途で使用することができる。このようなディスプレイは、例えば、携帯電話、タブレット、ラップトップ、時計、ウェアラブル機器、及び／又はタッチ対応モニタ又はディスプレイに組み込むことができる。例えば、本積層体は、例えば、回路基板、プロセッサ（例えば、アプリケーションプロセッサ、マイクロプロセッサ）、及び／又はアンテナ（例えば、ミリ波）など、ディスプレイ、無線通信、及び／又はコンピュータ操作を含む幅広い用途での回路基板として使用することができる。

【0077】

電子製品、例えば民生用電子製品は、前面、背面、及び側面を備えたハウジングと、少なくとも部分的にハウジング内にある電気部品であって、コントローラ、メモリ、及びディスプレイを備える電気部品と、ハウジングの前面にある又はそれに隣接するディスプレイと、を含むことができ、その場合、ハウジングの一部又はカバー基板の少なくとも一方は、本明細書に記載する積層体を備える。

【0078】

本明細書に開示する積層体は、例えば、ディスプレイを備えた物品（又はディスプレイ用品）（例えば、携帯電話、タブレット、コンピュータ、ナビゲーションシステム、ウェアラブルデバイス（例えば、時計）などを含む、民生用電子機器）、建築物品、輸送物品（例えば、自動車、電車、航空機、船舶など）、又は家電製品など、別の物品に組み込むことができる。本明細書に開示する積層体の何れかを組み込んだ例示的な物品が、図１１及び１２に示してある。具体的には、図１１及び１２は、前面１００４、背面１００６、及び側面１００８を備えたハウジング１００２と、少なくとも部分的にハウジングの内側に又は完全にハウジングの内部にある電気部品（図示せず）であって、少なくともコントローラ、メモリ、及びハウジングの前面に又はそれに隣接するディスプレイ１０１０を含む電気部品と、ハウジングの前面に又はその上方にあってディスプレイを覆うようになっているカバー基板１０１２と、を含む電子デバイス１０００を示す。一部の実施形態では、電気部品又はハウジング１００２は、本明細書に開示する積層体の何れかを含むことができる。

【0079】

一部の実施形態では、電子製品を製造する方法は、少なくとも部分的にハウジング内に電気部品を配置するステップを含むことができ、ハウジングは前面、背面、及び側面を含み、電気部品はコントローラ、メモリ、及びコントローラを備え、ディスプレイは、ハウジングの前面に又はそれに隣接して配置される。この方法は更に、ディスプレイの上方にカバー基板を置くステップを含むことができる。電気部品の一部又はハウジングの内の少なくとも一方は、本開示の方法の何れかによって製造された積層体を備える。

【0080】

本開示の実施形態による積層体の製造方法の実施形態について、図３のフローチャート、並びに図４～１０に示す例示的な方法ステップを参照しながら説明する。

【0081】

本開示の方法の第１ステップ３０１では、方法は、基板１０３を準備することから開始することができる。一部の実施形態では、基板を購入するか又は別の方法で入手することにより、或いは基板を形成することによって、基板１０３を準備することができる。一部の実施形態では、基板１０３は、ガラス材料及び／又はセラミック基板を含むことができる。別の実施形態では、ガラス基板及び／又はセラミック基板は、様々なリボン形成プロセス、例えば、スロットドロー法、ダウンドロー法、フュージョンダウンドロー法、アップドロー法、プレスロール法、リドロー法又はフロート法を用いて形成することによって準備することができる。別の実施形態では、ガラス基板を加熱して１又は２以上のセラミック結晶を結晶化させることによって、セラミック基板を準備することができる。別の実施形態では、基板１０３は、酸素含有材料及び／又はシリコン含有材料を含むことができる。基板１０３は、平面に沿って延びることのできる第２主面１０７（図１及び５～６を参照）を含むことができる。第２主面１０７は、第１主面１０５に対向することができる。

【0082】

ステップ３０１の後、図４に示すように、方法は、酸素含有環境において第１元素を含む元素ターゲット４０７ａ、４０７ｂからのスパッタリングを含むステップ３０３に進むことができる。理論に縛られることを望まなければ、スパッタリングは、基板上に堆積される材料をターゲットから放出するステップを含む。一部の実施形態では、図５に示すように、スパッタリングにより、基板１０３の第１主面１０５を覆って酸化物層１１３を堆積することができる。一部の実施形態では、図４に示すように、スパッタリングは、例えば、基板１０３に対向して位置決めされた元素ターゲット４０７ａ、４０７ｂを含むスパッタリングチャンバ４０３内で、スパッタリング装置４０１を用いて行うことができる。別の実施形態では、元素ターゲット４０７ａ、４０７ｂは、１又は２以上の元素ターゲット、例えば、図示の２つの元素ターゲットを含むことができる。別の実施形態では、図示するように、元素ターゲット４０７ａ、４０７ｂのスパッタリング表面４０９ａ、４０９ｂは、基板１０３の第１主面１０５の方を向くことができる。別の実施形態では、元素ターゲット４０７ａ、４０７ｂは、基板１０３の第１主面１０５の上に堆積される酸化物層の第１元素に対応する第１元素を含むことができる。例えば、元素ターゲット４０７ａ、４０７ｂは、チタン、タンタル、シリコン、又はアルミニウムから成ることができる。 図４に示すように、元素ターゲット４０７ａ、４０７ｂからスパッタリングされた材料は、基板１０３の第１主面１０５の上に酸化物層１１３として堆積される前に、雲形４１１として模式的に示すように、酸素含有環境内で酸素と反応することができる。

【0083】

更に実施形態では、図示のように、スパッタリングチャンバ４０３は、チャンバ内の環境を制御するために使用できる開口部４０５ａ、４０５ｂを含むことができる。更に別の実施形態では、開口部４０５ａ、４０５ｂを用いて、スパッタリングチャンバ内に減圧（例えば、大気圧未満、部分真空）を提供することができる。更に別の実施形態では、開口部４０５ａ、４０５ｂを用いて、スパッタリングチャンバ４０３を通る連続的なガス流を供給し、例えば、スパッタリングチャンバ４０３内で酸素の所定分圧を維持することができる。更に別の実施形態では、スパッタリングチャンバ内の環境は酸素を含むことができる。更に別の実施形態では、スパッタリングチャンバ内の環境における酸素の分圧は、約１００パスカル（Ｐａ）以上、約２００Ｐａ以上、約５００Ｐａ以上、約１５，０００Ｐａ以下、約１０，０００Ｐａ以下、約５，０００Ｐａ以下、又は約２，０００Ｐａ以下とすることができる。更に別の実施形態では、スパッタリングチャンバ内の環境における酸素の分圧は、約１００Ｐａ～約１５，０００Ｐａ、約１００Ｐａ～約１０，０００Ｐａ、約２００Ｐａ～約１０，０００Ｐａ、約２００Ｐａ～約５，０００Ｐａ、約５００Ｐａ～約５，０００Ｐａ、約５００Ｐａ～約２，０００Ｐａの範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にあるとすることができる。更に別の実施形態では、スパッタリングチャンバ内の環境における酸素の分圧は、約０．００１Ｐａ以上、約０．０１Ｐａ以上、約０．０５Ｐａ以上、約１００Ｐａ以下、約１０Ｐａ以下、約１Ｐａ以下、又は約０．１Ｐａ以下とすることができる。更に別の実施形態では、スパッタリングチャンバ内の環境における酸素の分圧は、約０．００１Ｐａ～約１００Ｐａ、約０．００１Ｐａ～約１０Ｐａ、約０．０１Ｐａ～約１０Ｐａ、約０．０１Ｐａ～約１０Ｐａ、約０．０１Ｐａ～約１Ｐａ、約０．０５Ｐａ～約１Ｐａ、約０．０５Ｐａ～約０．１Ｐａの範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にあるとすることができる。更に別の実施形態では、この環境（例えば、酸素含有環境）は、１又は２以上の不活性ガス（例えば、アルゴン、キセノン、クリプトン）を含むことができる。更に別の実施形態では、この環境は、本質的に酸素と、アルゴン、キセノン、又はクリプトンの内の１又は２以上とから成るとすることができる。

【0084】

一部の実施形態では、スパッタリングは、基板１０３及び／又はスパッタリングチャンバ４０３を約２０℃以上、約３０℃以上、約８０℃以上、約４００℃以下、約３００℃以下、約２００℃以下、又は約１００℃という温度にして行うことができる。一部の実施形態では、スパッタリングは、基板１０３及び／又はスパッタリングチャンバ４０３を、約２０℃～約４００℃、約３０℃～約４００℃、約３０℃～約３００℃、約８０℃～約３００℃、約８０℃～約２００℃、約８０℃～約１００℃の範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲の温度にして行うことができる。

【0085】

一部の実施形態では、スパッタリングは、強い電磁場を用いて荷電粒子（例えば、環境（例えば、アルゴン、クリプトン、キセノン、酸素）を構成する物質のプラズマ、イオン）をスパッタリング表面４０９ａ、４０９ｂに向ける、マグネトロンを含むことができる。別の実施形態では、マグネトロンは直流（ＤＣ）電源を備えることができる。更に別の実施形態では、ＤＣマグネトロンスパッタリングをパルス化することができる（例えば、パルス反応性スパッタリング）。更に別の実施形態では、マグネトロン（例えば、１又は２以上のマグネトロン）への電力をパルス化する場合、元素ターゲット４０７ａ及び４０７ｂからの材料放出を、元素ターゲット４０７ａと４０７ｂとの間で交互に行うことができる。別の実施形態では、マグネトロンの動作は、約１３．５６メガヘルツ（ＭＨｚ）の周波数（例えば、無線周波数（ＲＦ））を含むことのできる交流（ＡＣ）をアノードとカソードの間に含むことができるが、他の周波数も可能である。一部の実施形態では、元素ターゲット４０７ａ、４０７ｂを基板１０３に対して回転させることができる。エネルギ、荷電粒子の流れ、及び／又は酸素分圧などのパラメータは、例えば、スパッタリングチャンバ４０３の容積、スパッタリングチャンバ４０３の圧力、元素ターゲット４０７ａ、４０７ｂのサイズ、元素ターゲット４０７ａ、４０７ｂの向き、及び／又は元素ターゲット４０７ａ、４０７ｂから基板までの距離に基づくことができることを理解されたい。上記の考慮事項に加えて、堆積された酸化物層の厚さは、元素ターゲット４０７ａ、４０７ｂから放出される材料の割合とスパッタリングプロセスの持続時間とによって制御できることを理解されたい。

【0086】

前述のように、第１主面上に堆積された酸化物層１１３は、酸化物層１１３の厚さ１１９と、酸素と第１元素との原子数比とを含むことができる。一部の実施形態では、酸化物層１１３の厚さ１１９は、酸化物層１１３の厚さ１１９について前述した範囲の内の１又は２以上に入るとすることができる。一部の実施形態では、酸化物層１１３の第１元素に対する酸素の原子数比は、酸化物層１１３について前述した範囲の内の１又は２以上に入るとすることができる。理論に縛られることを望まなければ、酸化物層の厚さが増加するにつれて、原子数比は増加する可能性がある。従って、一部の実施形態では、酸化物層の厚さを制限する（例えば、約４０μｍ以下、約３０μｍ以下）ことで、酸化物の原子数比を制限することができ、これにより、基板１０３と酸化物層１１３の密着を促進することができる。一部の実施形態では、別の方法（例えば、化学気相成長法（ＣＶＤ）（例えば、低圧ＣＶＤ、プラズマ強化ＣＶＤ）、物理気相成長法（ＰＶＤ）（例えば、蒸着、スパッタリング、分子線エピタキシ、イオンプレーティング）、原子層堆積法（ＡＬＤ）、噴霧熱分解法、化学浴析出法、ゾルゲル堆積法）を用いて酸化物層１１３を形成することができる。

【0087】

ステップ３０３の後、方法は、酸化物層１１３の上に金属層１２３を堆積させて、図６に示す積層体６０１を製造するステップを含むステップ３０５に進むことができる。一部の実施形態では、金属層１２３は、単一ステップを用いて、例えばスパッタリングを用いて堆積することができる。一部の実施形態では、金属層１２３は、単一ステップを用いて、例えばスパッタリングを用いて堆積することができる。別の実施形態では、金属層１２３の最初の部分を、第１の方法を用いて初期厚さで堆積した後、第２の方法を用いて金属層の残りを堆積することができる。更に別の実施形態では、初期厚さは、約１０ｎｍ以上、約５０ｎｍ以上、約１００ｎｍ以上、約３００ｎｍ以上、約２μｍ以下、約１μｍ以下、又は約７００ｎｍ以下とすることができる。更に別の実施形態では、初期厚さは、約１０ｎｍ～約２μｍ、約５０ｎｍ～約２μｍ、約５０ｎｍ～約１μｍ、約１００ｎｍ～約１μｍ、約１００ｎｍ～約７００ｎｍ、約３００ｎｍ～約７００ｎｍの範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にあるとすることができる。更に別の実施形態では、初期厚さは、スパッタリング（例えば、不活性環境で）を用いて堆積することができるが、別の方法（例えば、化学気相成長法（ＣＶＤ）（例えば、低圧ＣＶＤ、プラズマ強化ＣＶＤ）、物理気相成長法（ＰＶＤ）（例えば、蒸着、分子線エピタキシ、イオンプレーティング）、原子層堆積法（ＡＬＤ）、噴霧熱分解法、化学浴析出法、ゾルゲル堆積法）を用いることもできる。更に別の実施形態では、第２の方法は、電気めっき及び／又は無電解めっき（例えば、浸漬塗布）を含むことができる。一部の実施形態では、金属層１２３の金属厚さ１２９は、金属厚さ１２９について前述した範囲の内の１又は２以上に入る厚さを含むことができる。別の実施形態では、金属層１２３は、金属層１２３について前述した材料（例えば、銅）の内の１又は２以上を含むことができる。

【0088】

ステップ３０５の後、本方法は、金属層１２３の１又は２以上の部分の上にマスク層を堆積するステップを含むステップ３０７に進むことができる。一部の実施形態では、このマスクは、フォトリソグラフィを用いて形成されたフォトレジストを含むことができる。一部の実施形態では、図７に示すように、ステップ３０７は、金属層１２３の１又は２以上の部分の上に第１の液体７０１を堆積するステップを含むことができる。別の実施形態では、図示しないが、容器（例えば、導管、可撓性チューブ、マイクロピペット、又はシリンジ）を使用して、金属層１２３の１又は２以上の部分の上に第１液体７０１を堆積することができる。別の実施形態では、図示するように、金属層１２３の第５表面領域１２５の上に、第１液体７０１を配置することができる。別の実施形態では、図７に示すように、放射光７０５（例えば、紫外（ＵＶ）光、可視光）を用いて、第１液体７０１の一部を硬化させ、マスクを形成することができる。更に別の実施形態では、図示のように、第１液体７０１の硬化させない部分は、パターン付き放射光遮断材料７０３ａ、７０３ｂを用いて放射線から遮蔽することができる。図７～８に示されるように、放射光に曝された第１液体７０１の部分は、マスク層８０１のマスク部分８０７ａ、８０７ｂ、又は８０７ｃを形成することができる。一部の実施形態では、別の方法（例えば、化学気相成長法（ＣＶＤ）（例えば、低圧ＣＶＤ、プラズマ強化ＣＶＤ）、物理気相成長法（ＰＶＤ）（例えば、蒸着、分子線エピタキシ、イオンプレーティング）、原子層堆積法（ＡＬＤ）、スパッタリング、噴霧熱分解法、化学浴析出法、ゾルゲル堆積法）を用いてマスク（例えば、マスク部分８０７ａ、８０７ｂ、８０７ｃを含むマスク層８０１）を形成することができる。図８に示すように、ステップ３０７の結果は、金属層１２３の第５表面領域１２５の上に配置されたマスク部分８０７ａ、８０７ｂ、８０７ｃを含むマスク層８０１を含むことができる。別の実施形態では、図８に示すように、マスク部分８０７ａ、８０７ｂ、８０７ｃを含むマスク層８０１は、金属層１２３の第５の表面領域１２５の一部と接触することができる。一部の実施形態では、マスクの材料は光硬化性樹脂（例えば、高分子材料）を含むことができる。一部の実施形態では、マスク層８０１を形成するステップは、ステップ３０７中に第１液体７０１及び／又はマスク層８０１を加熱するステップを含むことができる。

【0089】

ステップ３０７の後、図８に示すように、方法は、マスク層８０１を堆積した後に金属層１２３の少なくとも一部をエッチングするステップを含むステップ３０９に進むことができる。一部の実施形態では、図示するように、金属層１２３の第５表面領域１２５の部分１２５ａ、１２５ｂは、マスク層８０１に覆われない（例えば、接触している）第５表面領域１２５の部分に対応することができる。一部の実施形態では、図示するように、エッチングは、金属層１２３の第５表面領域１２５の少なくとも一部１２５ａ、１２５ｂをエッチャント８０５に曝すステップを含むことができる。別の実施形態では、図示するように、エッチャント８０５は、マスク層８０１の部分８０７ａ、８０７ｂ、８０７ｃで画定されるエッチャント浴に含まれる液体エッチャントとすることができる。エッチャント浴は、部分８０７ａ、８０７ｂ、８０７ｃの間の領域を容器８０３（例えば、導管、可撓性チューブ、マイクロピペット、又はシリンジ）からのエッチャントで満たすことによって準備することができる。更に別の実施形態では、エッチング溶液は、１又は２以上の鉱酸（例えば、ＨＣｌ、ＨＦ、Ｈ₂ＳＯ₄、ＨＮＯ₃）及び／又は別の材料（例えば、塩化鉄）を含むことができる。一部の実施形態では、エッチャント８０５は、約２０℃以上、約５０℃以上、約１００℃以下、約８０℃以下、又は約３０℃以下の温度を含むことができる。一部の実施形態では、エッチャント８０５は、約２０℃～約１００℃、約５０℃～約１００℃、約５０℃～約８０℃、又は約２０℃～約３０℃の範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にある温度を含むことができる。一部の実施形態では、エッチャント８０５は、約１秒以上、約１０秒以上、約３０秒以上、約１分以上、約３分以上、約３０分以下、約１５分、約１０分以下、又は約５分以下の間、積層体と接触することができる。一部の実施形態では、エッチング液８０５は、約１秒～約１５分、約１０秒～約１５分、約１０秒～約１０分、約３０秒～約１０分、約３０秒～約５分、約１分～約５分、約３分～約５分の範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にある時間の間、積層体と接触することができる。一部の実施形態では、エッチャントは、金属層のエッチング速度と酸化物層のエッチング速度との選択性に基づいて選択することができる。

【0090】

ステップ３０９の後、図９に示すように、方法は、ステップ３０９でのエッチング後にマスク層８０１を除去するステップを含むステップ３１１に進むことができる。一部の実施形態では、図９に示すように、マスク層８０１（例えば、マスク部分８０７ａ、８０７ｂ、８０７ｃ）を除去するステップは、金属層１２３の表面（例えば、第５表面領域１２５）に亘って方向９０２にツール９０１を動かすステップを含むことができる。更に別の実施形態では、ツールの使用は、掃く、擦る、研削する、押すなどのステップを含むことができる。別の実施形態では、マスク層８０１（例えば、マスク部分８０７ａ、８０７ｂ、８０７ｃ）は、金属層１２３の表面（例えば、第５表面領域１２５）を溶剤で洗浄することによって除去することができる。

【0091】

ステップ３０３、３０５、又は３１１の後、図１０に示すように、本開示の方法は、積層体１０１を第１の温度で第１の時間の間、加熱するステップを含むステップ３１３に進むことができる。一部の実施形態では、図示するように、積層体１０１は、第１の温度に維持されたオーブン１００１内に配置することができる。別の実施形態では、第１の温度は、約２５０℃以上、約２７５℃以上、約３００℃以上、約３２５℃以下、約４００℃以下、又は約３７５℃以下、又は約３５０℃以下とすることができる。一部の実施形態では、第１の温度は、約２５０℃～約４００℃、約２７５℃～約４００℃、約２７５℃～約３７５℃、約３００℃～約３７５℃、約３２５℃～約３７５℃、約３２５℃～約３５０℃の範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にあるとすることができる。一部の実施形態では、第１の時間は、約１５分以上、約３０分以上、約４５分以上、約１時間以上、約６時間以下、約４時間以下、又は約３時間以下、又は約１．５時間以下とすることができる。一部の実施形態では、第１の温度は、約１５分～約６時間、約３０分～約６時間、約３０分～約４時間、約４５分～約４時間、約４５分～約４時間、４５分～約３時間、約１時間～約３時間、約１時間～約１．５時間の範囲、或いはこれらの間にある何れかの範囲又は部分範囲にあるとすることができる。約２５０℃以上の第１の温度で積層体を加熱することで、酸素含有量の減少（例えば、第１元素に対する酸素の原子数比の減少）が促進され、これにより、酸化物層と基板との密着力（例えば、剥離強度）を増加させることができる。約４００℃以下の第１の温度で積層体を加熱することで、積層体の特性に有害な可能性のある、積層体内での顕著な結晶化又は他の変化を伴うことなく、酸素含有量の減少（例えば、第１元素に対する酸素の原子数比の減少）が促進される。

【0092】

ステップ３０１、３１１、又は３１３の後、本開示の方法は、ステップ３１５に進むことができる。一部の実施形態では、ステップ３１５は、後続プロセスの開始を含むことができる。別の実施形態では、ステップ３１５は、アプリケーションにおける将来の組立及び／又は更なる処理のために積層体を保管するステップを含むことができる。 一部の実施形態では、ステップ３１５は、前述のように、アプリケーション（例えば、ディスプレイ用途、電子デバイス）に積層体を組み立てるステップを含むことができる。一部の実施形態では、本開示の方法は、ステップ３１５に到達した時点で完了とすることができる。一部の実施形態では、折畳み式装置の製造に関する図３のフローチャートに従った本開示の方法は、ステップ３１５で完了とすることができる。

【0093】

一部の実施形態では、本開示の実施形態による折畳み式装置の製造方法は、前述のように、図３のフローチャートのステップ３０１、３０３、３０５、３０７、３０９、３１１、３１３、及び３１５に沿って、順次進行することができる。一部の実施形態では、例えば積層体が金属層を備えない場合、又は積層体の更なる処理で金属層を堆積することになっている場合には、図３に示すように、ステップ３０３から、酸化物皮膜を備えた積層体を加熱するステップを含むステップ３１３へ矢印３０４を辿ることができる。一部の実施形態では、例えば、積層体が連続した金属層を含む場合、又は積層体の更なる処理で金属層をパターニングする（例えば、エッチングする）ことになっている場合には、ステップ３０５から、酸化物皮膜を備えた積層体を加熱するステップを含むステップ３１３へ矢印３１０を辿ることができる。一部の実施形態では、例えば、ステップ３０３又はステップ３１５の終わりに積層体が完全に組み立てられる場合、方法は、ステップ３０３からステップ３１５へ矢印３０２を辿ることができる。一部の実施形態では、例えば、ステップ３０５又はステップ３１５の終わりに積層体が完全に組み立てられる場合、方法は、ステップ３０５からステップ３１５へ矢印３０８を辿ることができる。一部の実施形態では、例えば、ステップ３１１又はステップ３１５の終わりに積層体が完全に組み立てられる場合、方法は、ステップ３１１からステップ３１５へ矢印３０６を辿ることができる。上記選択肢の何れかを組み合わせて、本開示の実施形態による折畳み式装置を製造することができる。

【実施例】

【0094】

様々な実施形態は、以下の実施例によって更に明らかとなろう。 酸化物層の特性、並びに実施例Ａ～Ｈの積層体の結果として得られる剥離強度を表１～２に示す。実施例Ａ～Ｈは、ガラス材料（ｍｏｌ％単位で６３．６のＳｉＯ₂；１５．７のＡｌ₂Ｏ₃；１０．８のＮａ₂Ｏ；６．２のＬｉ₂Ｏ；１．１６のＺｎＯ；０．０４のＳｎＯ₂；及び２．５のＰ₂Ｏ₅という公称組成を有する組成物１）、基板厚さ１５０μｍ、並びに表面粗さ（Ｒａ）０．３ｎｍを含む基板を含む。各実施例について、３５個の試料を調製して測定し、報告する剥離強度及び／又は原子数比を決定した。 実施例Ａ～Ｈでは、表１～２に提示する厚さの酸化物層を備えた酸化チタンから成る酸化物層を、基板の第１主表面上に堆積した。実施例Ａ～Ｈでは、５００ｎｍの銅層をスパッタリングした後に電気めっきすることによって、金属厚１２μｍを備えた銅から成る金属層を酸化物層上に堆積した。実施例Ａ～Ｇは熱処理を備えなかった。実施例Ａ～Ｇでは、１００℃で酸素分圧を５００Ｐａに維持した状態で、直径１００ミリメートル（ｍｍ）を備えた元素ターゲットからチタンをスパッタリングするために、５０％のデューティサイクルで１０ｋＨｚにパルス化されたマグネトロンによるパルスＤＣ反応性スパッタリングを用いて、酸化物層を堆積した。実施例Ｈでは、アルゴンを含む不活性環境において１００℃で直径１００ｍｍを備えたＴｉＯ₂から成るターゲットから二酸化チタン（ＴｉＯ₂）をスパッタリングするために、５０％のデューティサイクルで１０ｋＨｚにパルス化されたマグネトロンによるＤＣ反応性スパッタリングを用いて、酸化物層を堆積した。

【0095】

実施例Ａ～Ｅの剥離強度を表１に示す。実施例Ａ～Ｃでは、酸化物層の厚さが１０ｎｍから３０ｎｍへ向かうにつれて剥離強度は増大し、対応して２．８２Ｎ／ｃｍから５．６８Ｎ／ｃｍまでの剥離強度となる。３０ｎｍを超える、酸化物層厚さの更なる増加（実施例Ｄ～Ｅ）は、剥離強度における、３０ｎｍで５．６８Ｎ／ｃｍから、４０ｎｍで１．６８Ｎ／ｃｍ、１．３６Ｎ／ｃｍで１．６２Ｎ／ｃｍまでの低下と関係する。 酸化物層の厚さを１００ｎｍに増加させると、剥離強度の大きな変動をもたらす。
表１：実施例Ａ～Ｅの特性

表２：実施例Ｃ，Ｅ，及びＧ～Ｈに対する原子数比

【0096】

実施例Ｃ及びＥ～Ｈの原子数比、並びに剥離強度を表２に示す。酸化物層のチタンに対する酸素の原子数比は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）エネルギ分散型Ｘ線分光法（ＥＤＳ）を用いて測定した。実施例Ｈは、２．００の原子数比（元素チタンのターゲットではなくＴｉＯ₂ターゲットからのスパッタリングで形成された）と、０．２０Ｎ／ｃｍの剥離強度とを備えていた。原子数比の１．３８への減少（実施例Ｅ）は、剥離強度の１．３６Ｎ／ｃｍへの増加と関係する。原子数比の０．７４への更なる減少（実施例Ｃ）は、剥離強度の５．６８Ｎ／ｃｍへの更なる増加と関係する。 従って、チタンに対する酸素の原子数比の減少により、特に約１．５０未満で、剥離強度が増加する。更に、酸素含有環境における元素チタンのターゲットからの反応性スパッタリングは、ＴｉＯ₂ターゲットからのスパッタリングよりも、低い原子数比とより大きな密着力とを生み出すことができる。

【0097】

実施例Ａ～Ｆの内、厚さ３０ｎｍの酸化物層を備える実施例Ｃが、最大の剥離強度（５．６８Ｎ／ｃｍ）を有する。実施例Ｈは、オーブン内で３５０℃、１時間、更に熱処理した実施例Ｃの積層体を含む。 熱処理により、原子数比が０．７４（実施例Ｃ）から０．３７（実施例Ｇ）に減少し、一方、剥離強度は５．６８Ｎ／ｃｍ（実施例Ｃ）から６．８０Ｎ／ｃｍ（実施例Ｇ）に増加した。結果として、積層体を加熱することで、酸化物層の原子数比が更に減少し、積層体の剥離強度が増加する可能性がある。

【0098】

本開示の実施形態は、基板と酸化物層との間に良好な密着力を備えた積層体を提供することができる。酸素と第１元素とを、第１元素に対する酸素の限定された原子数比（例えば、約１．５以下、約１以下、約０．８以下）で含む酸化物層を設けることで、良好な密着性を可能にすることができる。一部の実施形態では、第１元素に対する酸素の非化学量論比を設けることにより、密着性を更に促進することができる。酸化物層の厚さを制限すること（例えば、約４０ｎｍ以下、約３０ｎｍ以下）により、例えば酸化物層の酸素含有量を制限することによって、良好な密着性を可能にすることができる。一部の実施形態では、ガラス及び／又はセラミックを含む基板は、例えば共有結合又は極性相互作用により、酸化物層との良好な密着性を有することができる。更なる実施形態では、酸化物層の第１元素は、チタン、タンタル、シリコン、又はアルミニウムの内の少なくとも１つを含むことができ、これらは、ガラス及び／又はセラミックを含む基板との密着性を促進することができる。

【0099】

一部の実施形態では、積層体は、酸化物層の上に配置された金属層を備えることができる。金属層を設けることにより、金属層と酸化物層と良好な密着性を可能にすることができる。別の実施形態では、金属層と酸化物層との密着力は、酸化物層と基板との密着力よりも大きくなる可能性がある。例えば、金属層は銅を含むことができ、この銅は、酸化チタンを含む酸化物層中のチタンと負の混合エンタルピを有し、金属層と酸化物層との間に強力な密着力を提供する。別の実施形態では、金属層は導電性であり、基板の第１主面上に不連続層を形成するようにパターニングすることができ、例えば回路基板の一部として、配線接続部として機能することができる。更に別の実施形態では、酸化物層は非導電性とすることができ、これにより金属層の不連続部分を互いに電気的に絶縁することができる。

【0100】

本開示の実施形態は、酸素含有環境において元素ターゲットからの反応性スパッタリングを用いて基板上に酸化物層を堆積するステップを含む、積層体の製造方法を提供することができ、これにより、得られる酸化物層の酸素含有量の制御が可能になり、基板と酸化物層との密着性を促進することができる。一部の実施形態では、金属層（例えば、導電性）を酸化物層（例えば、非導電性）の上に配置して、対応する不連続な金属層の部分を除去することなく、第１主面上で不連続となるようにパターニングすることができ、これにより、例えば、積層体を製造するための処理時間及び全体コストを削減することで、積層体の処理を簡略化することができる。

【0101】

本明細書で使用する場合、「その（Ｔｈｅ）」、「１つの（ａ）」、又は「１つの（ａｎ）」という用語は、「少なくとも１つ」を意味し、そうでないと明示的に示されない限り、「ただ１つ」に限定すべきではない。従って、例えば、「１つの構成要素」への言及は、文脈上明らかに他に指示しない限り、２又は３以上のそのような構成要素を有する実施形態を含む。

【0102】

本明細書で使用する場合、用語「約」は、量、サイズ、配合、パラメータ、並びに他の量及び特性が正確でなく、正確である必要もないが、公差、換算係数、四捨五入、測定誤差など、並びに当業者に知られている他の要因を反映して、必要に応じて、近似的である及び／又はより大きい又はより小さい可能性があることを意味する。範囲の値又は終点を記述する際に用語「約」が使用される場合、本開示は、言及する特定の値又は終点を含むと理解すべきである。本明細書における数値又は範囲の終点が「約」と記載されている場合、その数値又は範囲の終点は、２つの実施形態を含むように意図される：「約」によって修飾されるもの、並びに「約」によって修飾されないもの。更に、各範囲の端点は、他方の端点と関係して、並びに他方の端点と無関係に、重要であることが理解されよう。

【0103】

本明細書で使用する用語「実質的な」、「実質的に」、及びその変形は、記述された特徴が値又は記述と等しい或いはほぼ等しいことに言及するように意図される。例えば、「実質的に平面状の」表面は、平面状である又はほぼ平面状である表面を表すように意図される。更に、「実質的に類似した」とは、２つの値が等しい又はほぼ等しいことを表すように意図される。一部の実施形態では、「実質的に類似した」とは、互いの約１０％以内、例えば互いの約５％以内、又は互いの約２％以内の値を表すとすることができる。

【0104】

本明細書で使用する場合、用語「備える」及び「含む」、並びにそれらの変形は、特に指示のない限り、同義であり非限定であると解釈するものとする。移行句「備える」又は「含む」に続く要素のリストは、非排除的なリストであるため、このリスト内に具体的に列挙されたものの他にも要素が存在する可能性がある。

【0105】

様々な実施形態をその特定の例示的で且つ具体的な実施形態に関して詳細に説明してきたが、特許請求の範囲から逸脱することなく、開示した特徴に関する数多くの修正及び組み合わせが可能であるため、本開示は、それらに限定されるものと見なすべきではない。

【符号の説明】

【0106】

１０１ 積層体
１０３ 基板
１０４ 第１平面
１０５ 第１主面
１０６ 第２平面
１０７ 第２主面
１０９ 基板厚さ
１１０ 長さ方向及び幅方向に対して垂直な方向
１１３ 酸化物層
１１５ 第３主面
１１６ａ，ｂ 第３主面上にある第１の点、第２の点
１１７ 第４主面
１１９ 酸化物層の厚さ
１２３ 金属層
１２３ａ～ｃ 金属層の第１～３部分
１２５ 第５表面領域
１２７ 第６表面領域
１２９ 金属層の厚さ
２０１ 積層体の長さ
２０２ 長さ方向

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【手続補正書】

【提出日】2023-10-23

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

積層体であって、
第１主面を含む基板と、
前記基板の前記第１主面上に配置された酸化物層であって、４０ナノメートル以下の厚さを含み、酸素と第１元素とを含み、前記第１元素が、チタン、タンタル、シリコン、又はアルミニウムの内の少なくとも１つを含み、前記酸化物層は更に、１．５以下の酸素と前記第１元素との原子数比を含む、酸化物層と、
を備え、
ＩＰＣ－ＴＭ－６５０．２．４．８ 条件Ａに準拠して２０℃で測定した前記積層体に関する前記基板と前記酸化物層との剥離強度はに、１．３ニュートン／センチメートル以上である、積層体。

【請求項2】

前記酸化物の上に配置された金属層を更に備える、請求項１に記載の積層体。

【請求項3】

前記金属層は銅を含む、請求項２に記載の積層体。

【請求項4】

前記金属層は、１００ナノメートル～２０マイクロメートルの範囲にある厚さを含む、請求項２又は３に記載の積層体。

【請求項5】

前記金属層は、前記基板の前記第１主面上で不連続である、請求項２～４の何れか１項に記載の積層体。

【請求項6】

前記酸化物層は、前記基板の前記第１主表面上で連続である、請求項５に記載の積層体。

【請求項7】

前記第１元素に対する酸素の前記原子数比は、０．８以下である、請求項１～６の何れか１項に記載の積層体。

【請求項8】

前記酸化物層は酸化チタンを含み、前記第１元素はチタンを含み、チタンに対する酸素の原子数比は１．５以下である、請求項１～７の何れか１項に記載の積層体。

【請求項9】

積層体を製造する方法であって、
酸素含有環境内で第１元素を含む元素ターゲットからスパッタリングすることによって、基板の第１主面上に酸化物層を堆積するステップを含み、
前記酸化物層は、約４０ナノメートル以下の厚さを含み、前記酸化物層は酸素と前記第１元素とを含み、前記第１元素が、チタン、タンタル、シリコン、又はアルミニウムの内の少なくとも１つを含み、前記酸化物層は、酸素と前記第１元素との原子数比が約１．５以下であり、
ＩＰＣ－ＴＭ－６５０．２．４．８ 条件Ａに準拠して２０℃で測定した前記積層体に関する前記基板と前記酸化物層との剥離強度は、１．３ニュートン／センチメートル以上である、方法。

【請求項10】

前記酸化物の上に金属層を堆積するステップを更に含む、請求項９に記載の方法。

【請求項11】

前記金属層の上に所定のパターンでマスク層を堆積するステップと、
前記マスク層を堆積した後、前記金属層の少なくとも一部をエッチングするステップと、
前記エッチング後に前記マスク層を除去するステップと、
を更に含む、請求項１０に記載の方法。

【請求項12】

前記金属層は、前記基板の前記第１主面のフットプリント上で不連続であり、前記酸化物層は、前記基板の前記第１主面のフットプリント上で連続である、請求項１０又は１１に記載の方法。

【請求項13】

前記金属層の前記厚さは、２マイクロメートル～１５マイクロメートルの範囲にある、請求項９～１２の何れか１項に記載の方法。

【請求項14】

２５０℃～４００℃の範囲の温度で、１５分～６時間の範囲にある時間の間、前記積層体を加熱するステップを更に含む、請求項９～１３の何れか１項に記載の方法。

【国際調査報告】