特表 2024-510402 集積デバイスに結合されたワイヤボンドを含むパッケージ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-03-07

(54)【発明の名称】集積デバイスに結合されたワイヤボンドを含むパッケージ

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20240229BHJP

   H01L 25/04 20230101ALI20240229BHJP

   H01L 21/60 20060101ALI20240229BHJP

   H01L 23/28 20060101ALI20240229BHJP

   H01L 23/29 20060101ALI20240229BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 501B

H01L25/04 Z

H01L21/60 301A

H01L21/60 311S

H01L23/28 E

H01L23/30 B

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023552554

(86)(22)【出願日】2022-02-25

(85)【翻訳文提出日】2023-08-30

(86)【国際出願番号】 US2022017904

(87)【国際公開番号】W WO2022203810

(87)【国際公開日】2022-09-29

(31)【優先権主張番号】17/213,875

(32)【優先日】2021-03-26

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】507364838

【氏名又は名称】クアルコム，インコーポレイテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100163522

【弁理士】

【氏名又は名称】黒田 晋平

(72)【発明者】

【氏名】ヤンヤン・スン

(72)【発明者】

【氏名】ロン・ジョウ

(72)【発明者】

【氏名】リ－シェン・ウェン

(72)【発明者】

【氏名】リリー・ジャオ

【テーマコード（参考）】

4M109

5F044

【Ｆターム（参考）】

4M109AA01

4M109AA02

4M109BA04

4M109CA05

4M109CA21

4M109DB16

4M109GA02

5F044AA12

5F044AA20

5F044EE03

5F044RR17

5F044RR18

(57)【要約】

空洞を含む基板と、第１の複数のピラー相互接続部および第１の複数のはんだ相互接続部を通って基板に結合された第１の集積デバイスと、第２の複数のピラー相互接続部および第２の複数のはんだ相互接続部を通って基板に結合された第２の集積デバイスと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合された複数のワイヤボンドとを含み、複数のワイヤボンドは基板の空洞の上に位置する、パッケージ。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

空洞を含む基板と、
第１の複数のピラー相互接続部および第１の複数のはんだ相互接続部を通して前記基板に結合された第１の集積デバイスと、
第２の複数のピラー相互接続部および第２の複数のはんだ相互接続部を通して前記基板に結合された第２の集積デバイスと、
前記第１の集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスに結合された複数のワイヤボンドとを含み、前記複数のワイヤボンドは、前記基板の前記空洞の上に位置する、パッケージ。

【請求項2】

前記複数のワイヤボンドは、
前記第１の集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスに結合された第１の複数のワイヤボンドと、
前記第１の集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスに結合された第２の複数のワイヤボンドとを含み、前記第２の複数のワイヤボンドと前記第１の集積デバイスとの間の第２の垂直距離は、前記第１の複数のワイヤボンドと前記第１の集積デバイスとの間の第１の垂直距離と異なる、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項3】

前記第１の集積デバイスは、パッドの第１の列とパッドの第２の列とを含み、
前記第２の集積デバイスは、パッドの第１の列とパッドの第２の列とを含み、
前記複数のワイヤボンドは、
（ｉ）前記第１の集積デバイスのパッドの前記第１の列、および（ｉｉ）前記第２の集積デバイスのパッドの前記第１の列に結合された第１の複数のワイヤボンドと、
（ｉ）前記第１の集積デバイスのパッドの前記第２の列、および（ｉｉ）前記第２の集積デバイスのパッドの前記第２の列に結合された第２の複数のワイヤボンドとを含む、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項4】

前記第１の集積デバイスからのパッドの前記第１の列が、前記第１の集積デバイスからのパッドの前記第２の列に対してずらして配置される、請求項３に記載のパッケージ。

【請求項5】

前記第１の集積デバイスと前記第２の集積デバイスとの間の前記複数のワイヤボンドが、１ミリメートル当たり少なくとも４０本のワイヤボンドの密度を有する、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項6】

前記複数のワイヤボンドからの各ワイヤボンドが、１５マイクロメートルの最小径を有する、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項7】

（ｉ）前記第１の集積デバイスと前記基板との間、および（ｉｉ）前記第２の集積デバイスと前記基板との間に設置されたアンダーフィルをさらに含む、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項8】

前記アンダーフィルは、約１０～３０パスカル秒（Ｐａ・ｓ）の粘度を含む、請求項７に記載のパッケージ。

【請求項9】

前記アンダーフィルは、毛管アンダーフィルおよび／またはモールドアンダーフィルを含む、請求項７に記載のパッケージ。

【請求項10】

前記基板と、前記第１の集積デバイスと、前記第２の集積デバイスとの上に設置されたカプセル化層をさらに含む、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項11】

前記基板の前記空洞が、前記カプセル化層で少なくとも部分的に充填される、請求項１０に記載のパッケージ。

【請求項12】

空洞を含む基板と、
第１の複数のピラー相互接続部および第１の複数のはんだ相互接続部を通して前記基板に結合された第１の集積デバイスと、
第２の複数のピラー相互接続部および第２の複数のはんだ相互接続部を通して前記基板に結合された第２の集積デバイスと、
前記第１の集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスに結合されたワイヤ相互接続のための手段とを含み、前記ワイヤ相互接続のための手段は、前記基板の前記空洞の上に位置する、装置。

【請求項13】

前記ワイヤ相互接続のための手段は、
前記第１の集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスに結合された第１の複数のワイヤボンドと、
前記第１の集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスに結合された第２の複数のワイヤボンドとを含み、前記第２の複数のワイヤボンドと前記第１の集積デバイスとの間の第２の垂直距離は、前記第１の複数のワイヤボンドと前記第１の集積デバイスとの間の第１の垂直距離と異なる、請求項１２に記載の装置。

【請求項14】

前記第１の集積デバイスは、パッドの第１の列とパッドの第２の列とを含み、
前記第２の集積デバイスは、パッドの第１の列とパッドの第２の列とを含み、
前記ワイヤ相互接続のための手段は、
（ｉ）前記第１の集積デバイスのパッドの前記第１の列、および（ｉｉ）前記第２の集積デバイスのパッドの前記第１の列に結合された第１の複数のワイヤボンドと、
（ｉ）前記第１の集積デバイスのパッドの前記第２の列、および（ｉｉ）前記第２の集積デバイスのパッドの前記第２の列に結合された第２の複数のワイヤボンドとを含む、請求項１２に記載の装置。

【請求項15】

前記第１の集積デバイスからのパッドの前記第１の列が、前記第１の集積デバイスからのパッドの前記第２の列に対してずらして配置される、請求項１４に記載の装置。

【請求項16】

前記第１の集積デバイスと前記第２の集積デバイスとの間の前記ワイヤ相互接続のための手段が、１ミリメートル当たり少なくとも４０本のワイヤボンドの密度を有する、請求項１２に記載の装置。

【請求項17】

前記ワイヤ相互接続のための手段からの各ワイヤボンドが、１５マイクロメートルの最小径を有する、請求項１２に記載の装置。

【請求項18】

（ｉ）前記第１の集積デバイスと前記基板との間、および（ｉｉ）前記第２の集積デバイスと前記基板との間に設置されたアンダーフィルをさらに含む、請求項１２に記載の装置。

【請求項19】

前記基板と、前記第１の集積デバイスと、前記第２の集積デバイスとの上に設置されたカプセル化のための手段をさらに含む、請求項１２に記載の装置。

【請求項20】

前記カプセル化のための手段は、前記基板の前記空洞の中にさらに設置される、請求項１９に記載の装置。

【請求項21】

前記装置は、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、および自動車両内のデバイスからなるグループから選択されたデバイスを含む、請求項１２に記載の装置。

【請求項22】

パッケージを製造するための方法であって、
空洞を含む基板を設けるステップと、
第１の複数のピラー相互接続部および第１の複数のはんだ相互接続部を通して第１の集積デバイスを前記基板に結合するステップと、
第２の複数のピラー相互接続部および第２の複数のはんだ相互接続部を通して第２の集積デバイスを前記基板に結合するステップと、
前記第１の集積デバイスと前記第２の集積デバイスとの間に複数のワイヤボンドを形成するステップとを含み、前記複数のワイヤボンドは、前記基板の前記空洞の上に位置する、方法。

【請求項23】

前記複数のワイヤボンドを形成するステップは、
前記第１の集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスに第１の複数のワイヤボンドを結合するステップと、
前記第１の集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスに第２の複数のワイヤボンドを結合するステップとを含み、前記第２の複数のワイヤボンドと前記第１の集積デバイスとの間の第２の垂直距離は、前記第１の複数のワイヤボンドと前記第１の集積デバイスとの間の第１の垂直距離と異なる、請求項２２に記載の方法。

【請求項24】

前記第１の集積デバイスは、パッドの第１の列とパッドの第２の列とを含み、
前記第２の集積デバイスは、パッドの第１の列とパッドの第２の列とを含み、
前記複数のワイヤボンドを形成するステップは、
（ｉ）前記第１の集積デバイスのパッドの前記第１の列、および（ｉｉ）前記第２の集積デバイスのパッドの前記第１の列に第１の複数のワイヤボンドを結合するステップと、
（ｉ）前記第１の集積デバイスのパッドの前記第２の列、および（ｉｉ）前記第２の集積デバイスのパッドの前記第２の列に第２の複数のワイヤボンドを結合するステップと含む、請求項２２に記載の方法。

【請求項25】

前記第１の集積デバイスからのパッドの前記第１の列が、前記第１の集積デバイスからのパッドの前記第２の列に対してずらして配置される、請求項２４に記載の方法。

【請求項26】

前記第１の集積デバイスと前記第２の集積デバイスとの間の前記複数のワイヤボンドが、１ミリメートル当たり少なくとも４０本のワイヤボンドの密度を有して形成される、請求項２２に記載の方法。

【請求項27】

（ｉ）前記第１の集積デバイスと前記基板との間、および（ｉｉ）前記第２の集積デバイスと前記基板との間に設置されたアンダーフィルを形成するステップをさらに含む、請求項２２に記載の方法。

【請求項28】

前記基板と、前記第１の集積デバイスと、前記第２の集積デバイスとの上に設置されたカプセル化層を形成するステップをさらに含む、請求項２２に記載の方法。

【請求項29】

前記カプセル化層が、少なくとも部分的に前記基板の前記空洞の中にさらに形成される、請求項２８に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
本出願は、２０２１年３月２６日に米国特許庁に出願された非仮出願第１７／２１３，８７５号の優先権および利益を主張し、その内容全体が、以下に全文が完全に記載されるかのように、すべての適用可能な目的のために参照により本明細書に組み込まれている。

【0002】

様々な特徴は、集積デバイスを含むパッケージに関し、より詳細には、集積デバイスおよび基板を含むパッケージに関する。

【背景技術】

【0003】

図１は、基板１０２と、集積デバイス１０４と、集積デバイス１０６とを含むパッケージ１００を示す。基板１０２は、少なくとも１つの誘電体層１２０と、複数の相互接続部１２２と、複数のはんだ相互接続部１２４とを含む。複数のはんだ相互接続部１４４は、基板１０２と集積デバイス１０４とに結合される。複数のはんだ相互接続部１６４は、基板１０２と集積デバイス１０６とに結合される。より良好な性能を有するパッケージを提供することが、現在必要とされている。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0004】

様々な特徴は、集積デバイスを含むパッケージに関し、より詳細には、集積デバイスおよび基板を含むパッケージに関する。

【0005】

一例は、空洞を含む基板と、第１の複数のピラー相互接続部および第１の複数のはんだ相互接続部を通って基板に結合された第１の集積デバイスと、第２の複数のピラー相互接続部および第２の複数のはんだ相互接続部を通って基板に結合された第２の集積デバイスと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合された複数のワイヤボンドとを含むパッケージを提供し、複数のワイヤボンドは、基板の空洞の上に位置する。

【0006】

別の例は、空洞を含む基板と、第１の複数のピラー相互接続部および第１の複数のはんだ相互接続部を通って基板に結合された第１の集積デバイスと、第２の複数のピラー相互接続部および第２の複数のはんだ相互接続部を通って基板に結合された第２の集積デバイスと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合されたワイヤ相互接続のための手段とを含む装置を提供し、ワイヤ相互接続のための手段は、基板の空洞の上に位置する。

【0007】

別の例では、パッケージを製造するための方法を提供する。方法は、空洞を含む基板を提供する。方法は、第１の集積デバイスを、第１の複数のピラー相互接続部および第１の複数のはんだ相互接続部を通して基板に結合する。方法は、第２の集積デバイスを、第２の複数のピラー相互接続部および第２の複数のはんだ相互接続部を通して基板に結合する。方法は、第１の集積デバイスと第２の集積デバイスとの間に複数のワイヤボンドを形成し、複数のワイヤボンドは、基板の空洞の上に位置する。

【0008】

様々な特徴、性質、および利点は、同様の参照符号が全体にわたって対応して識別する図面と併せて読まれると、以下に記載する詳細な説明から明らかになり得る。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】集積デバイスおよび基板を含むパッケージの側面図である。

【図2】集積デバイスに結合されたワイヤボンドを含むパッケージの側面図である。

【図3】集積デバイスに結合されたワイヤボンドを含むパッケージの平面図である。

【図4】集積デバイスに結合されたワイヤボンドの平面図である。

【図5】集積デバイスに結合されたワイヤボンドの拡大平面図である。

【図6】集積デバイスに結合されたワイヤボンドの側面図である。

【図7】集積デバイスに結合されたワイヤボンドを含むパッケージの側面図である。

【図8A】ピラー相互接続部を有する集積デバイスを製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図8B】ピラー相互接続部を有する集積デバイスを製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図9】ピラー相互接続部を有する集積デバイスを製造するための方法の例示的な流れ図である。

【図10A】基板を製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図10B】基板を製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図10C】基板を製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図11】基板を製造するための方法の例示的な流れ図である。

【図12A】集積デバイスに結合されたワイヤボンドを含むパッケージを製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図12B】集積デバイスに結合されたワイヤボンドを含むパッケージを製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図13】集積デバイスに結合されたワイヤボンドを含むパッケージを製造するための方法の例示的な流れ図である。

【図14】ダイ、電子回路、集積デバイス、集積受動デバイス（ＰＩＤ）、受動部品、パッケージ、および／または本明細書で説明するデバイスパッケージを集積化し得る様々な電子デバイスを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下の説明では、本開示の様々な態様を完全に理解することが可能なように具体的な詳細を示す。しかしながら、態様がこれらの具体的な詳細なしに実践される場合があることが、当業者によって理解されよう。たとえば、回路は、不必要な詳細で態様を曖昧にすることを避けるために、ブロック図で示されることがある。他の事例では、よく知られている回路、構造、および技法は、本開示の態様を曖昧にしないために、詳細に示されないことがある。

【0011】

本開示は、空洞を含む基板と、第１の複数のピラー相互接続部および第１の複数のはんだ相互接続部を通って基板に結合された第１の集積デバイスと、第２の複数のピラー相互接続部および第２の複数のはんだ相互接続部を通って基板に結合された第２の集積デバイスと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合された複数のワイヤボンドとを含むパッケージを説明し、複数のワイヤボンドは、基板の空洞の上に位置する。第１の集積デバイスは、複数のパッドの第１の列と複数のパッドの第２の列とを含む。第２の集積デバイスは、複数のパッドの第１の列と複数のパッドの第２の列とを含む。複数のワイヤボンドは、（ｉ）第１の集積デバイスの複数のパッドの第１の列、および（ｉｉ）第２の集積デバイスの複数のパッドの第１の列に結合された第１の複数のワイヤボンドを含む。複数のワイヤボンドは、（ｉ）第１の集積デバイスの複数のパッドの第２の列、および（ｉｉ）第２の集積デバイスの複数のパッドの第２の列に結合された第２の複数のワイヤボンドを含む。複数のワイヤボンドの使用は、集積デバイス間のより高密度の相互接続部を提供することを助ける。複数のワイヤボンドは、集積デバイス間のより短くてより直接的な電気経路を提供することを助け得る。パッケージは、アンダーフィルおよび／またはカプセル化層を含み得る。アンダーフィルおよび／またはカプセル化層は、集積デバイスおよび基板に対する強力な構造的完全性を与えることを助け得、それは次に、２つ以上の集積デバイスの間に信頼できる相互接続部を含むパッケージを提供することを助ける。

【0012】

集積デバイス間にワイヤボンドを含む例示的なパッケージ
図２は、集積デバイス間に複数のワイヤボンドを含むパッケージ２００の側面図を示す。パッケージ２００は、複数のはんだ相互接続部２８０を通してボード（たとえば、プリント基板（ＰＣＢ））に結合され得る。パッケージ２００は、集積デバイス間に高密度相互接続部を有するパッケージを提供する。

【0013】

図２に示すように、パッケージ２００は、基板２０２と、第１の集積デバイス２０４と、第２の集積デバイス２０６と、複数のワイヤボンド２１０と、アンダーフィル２４４と、アンダーフィル２６４と、カプセル化層２０８とを含む。

【0014】

以下でさらに説明するように、複数のワイヤボンド２１０は、少なくとも１つの電気信号（たとえば、第１の電気信号、第２の電気信号）が少なくとも２つの集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の間を進むとき、電気信号が基板２０２を迂回するように、集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）に結合され得る。しかしながら、少なくとも１つの電気信号は、パッケージの相互接続部、集積デバイス、および／または基板によって画定される少なくとも１つの電気経路を通って進み得る。

【0015】

基板２０２は、第１の面（たとえば、上面）と第２の面（たとえば、底面）とを含む。基板２０２は、少なくとも１つの誘電体層２２０と、複数の相互接続部２２２と、第１のはんだレジスト層２２４と、第２のはんだレジスト層２２６とを含む。基板２０２は、基板２０２を通って延びる空洞２０９も含む。空洞２０９は、少なくとも１つの誘電体層２２０と、第１のはんだレジスト層２２４と、第２のはんだレジスト層とを通って延び得る。空洞２０９は、任意の形状（たとえば、長方形、正方形）を有し得る。基板２０２は、２つ以上の空洞２０９を含み得る。以下でさらに説明するように、空洞２０９は、カプセル化層２０８および／または他の材料で少なくとも部分的に充填され得る（たとえば、完全に充填され得る）。いくつかの実装形態では、基板２０２の空洞２０９は、誘電体層２２０および／または基板２０２の複数の相互接続部２２２がない領域または空所であり得る。基板２０２は、空洞２０９が後で１つまたは複数の材料で充填されるとしても、空洞２０９を有すると見なされてもよい。以下でさらに説明するように、基板２０２内の空洞２０９は、複数のワイヤボンド２１０が、集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）間で形成されることを可能にし得る。複数のワイヤボンド２１０は、空洞２０９の上に（たとえば、上方または下方が恣意的にどのように定義されるかに応じて、空洞２０９の上方にまたは下方に）設置され得る。いくつかの実装形態では、複数のワイヤボンド２１０は、基板２０２の空洞２０９の中に少なくとも部分的に設置され得る。

【0016】

複数の相互接続部２２２は、ボードへのおよび／またはからの少なくとも１つの電気経路を設けるように構成され得る。複数の相互接続部２２２は、少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）への少なくとも１つの電気経路を設けるように構成され得る。複数の相互接続部２２２は、２つ以上の集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の間に少なくとも１つの電気経路（たとえば、電気接続）を設けるように構成され得る。複数の相互接続部２２２は、第１の最小ピッチと第１の最小の線幅および間隔（ｌｉｎｅ ａｎｄ ｓｐａｃｉｎｇ）（Ｌ／Ｓ）とを有し得る。いくつかの実装形態では、複数の相互接続部２２２に対する第１の最小の線幅および間隔（Ｌ／Ｓ）は、およそ９／９～１２／１２マイクロメートル（μｍ）（たとえば、およそ９～１２マイクロメートル（μｍ）の最小線幅、およそ９～１２マイクロメートル（μｍ）の最小間隔）の範囲内にある。様々な実装形態が、それぞれに異なる基板を使用し得る。基板２０２は、ラミネート基板、コアレス基板、有機基板、および／または（たとえば、コア層を含む）コア基板であり得る。いくつかの実装形態では、少なくとも１つの誘電体層２２０は、コア層および／またはプリプレグ層を含み得る。少なくとも１つの誘電体層２２０は、およそ３．５～３．７の範囲内の誘電率を有し得る。基板を製造することの一例について、図１０Ａ～図１０Ｃにおいて以下でさらに説明する。以下でさらに説明するように、いくつかの実装形態では、基板２０２は、修正セミアディティブプロセス（ｍＳＡＰ）またはセミアディティブプロセス（ＳＡＰ）を使用して製造され得る。

【0017】

第１の集積デバイス２０４は、基板２０２の第１の面（たとえば、上面）に結合される。いくつかの実装形態では、第１の集積デバイス２０４は、複数のピラー相互接続部２４０および／または複数のはんだ相互接続部２４２を通って基板２０２に結合される。複数のピラー相互接続部２４０および／または複数のはんだ相互接続部２４２は、基板２０２の複数の相互接続部２２２に結合され得る。複数のピラー相互接続部２４０は、第１の集積デバイス２０４と基板２０２との間により高密度の相互接続部を提供することを助け得る。複数のピラー相互接続部２４０は、随意であり得る。したがって、第１の集積デバイス２０４は、複数のはんだ相互接続部２４２を通して基板２０２に結合され得る。第１の集積デバイス２０４の一部は、空洞２０９の上に位置し得る。第１の集積デバイス２０４の前面は、基板２０２に面し得る。第１の集積デバイス２０４は、複数のパッド２４１を含む。以下でさらに説明するように、複数のパッド２４１は、パッドの第１の列とパッドの第２の列とを含むパッドの列に配置され得る。パッドの第１の列は、パッドの第２の列に対してずらして配置され得、その逆もあり得る。複数のパッド２４１は、パッドの３つ以上の列を含み得ることに留意されたい。

【0018】

第２の集積デバイス２０６は、基板２０２の第１の面に結合される。いくつかの実装形態では、第２の集積デバイス２０６は、複数のピラー相互接続部２６０および／または複数のはんだ相互接続部２６２を通って基板２０２に結合される。複数のピラー相互接続部２６０および／または複数のはんだ相互接続部２６２は、複数の相互接続部２２２に結合され得る。複数のピラー相互接続部２６０は、第２の集積デバイス２０６と基板２０２との間により高密度の相互接続部を提供することを助け得る。複数のピラー相互接続部２６０は、随意であり得る。したがって、第２の集積デバイス２０６は、複数のはんだ相互接続部２６２を通して基板２０２に結合され得る。第２の集積デバイス２０６の一部は、空洞２０９の上に位置し得る。第２の集積デバイス２０６の前面は、基板２０２に面し得る。第２の集積デバイス２０６は、複数のパッド２６１を含む。以下でさらに説明するように、複数のパッド２６１は、パッドの第１の行とパッドの第２の行とを含むパッドの行に配置され得る。パッドの第１の列は、パッドの第２の列に対してずらして配置され得、その逆もあり得る。複数のパッド２６１は、３つ以上のパッドの列を含み得ることに留意されたい。

【0019】

複数のワイヤボンド２１０は、第１の集積デバイス２０４および第２の集積デバイス２０６に結合される。たとえば、複数のワイヤボンド２１０は、（ｉ）第１の集積デバイス２０４の複数のパッド２４１、および（ｉｉ）第２の集積デバイス２０６の複数のパッド２６１に結合される。いくつかの実装形態では、複数のワイヤボンド２１０の各々は、少なくとも１５マイクロメートルの直径を有し得る。複数のワイヤボンド２１０は、集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の表面、複数のパッド２４１、および／または複数のパッド２６１から異なる高さおよび／または垂直オフセット（たとえば、異なる最大高さおよび／または最大垂直オフセット）を有し得る。異なる高さおよび／または垂直オフセットを有する複数のワイヤボンド２１０の使用は、第１の集積デバイス２０４と第２の集積デバイス２０６との間の高密度相互接続を可能にする。いくつかの実装形態では、複数のワイヤボンド２１０は、第１の集積デバイス２０４と第２の集積デバイス２０６との間に、１ミリメートル当たり少なくとも４０本のワイヤボンド（たとえば、１ミリメートル当たり４０の相互接続）の密度を有し得る。複数のワイヤボンド２１０によって設けられる１ミリメートル当たりの相互接続の数は、基板２０２内に設けられる１ミリメートル当たりの相互接続の数よりより良好であり得る。これは、複数のワイヤボンド２１０からの１つまたは複数のワイヤボンドが１５マイクロメートルの最小径を有する一方で、基板２０２内の相互接続部がほぼ９／９～１２／１２マイクロメートル（μｍ）の範囲内の第１の最小線幅および間隔（Ｌ／Ｓ）（たとえば、ほぼ９～１２マイクロメートル（μｍ）の最小線幅、ほぼ９～１２マイクロメートル（μｍ）の最小間隔）を有し得るという事実にもかかわらず、起こり得る。したがって、ワイヤボンド２１０がより厚い寸法を有するにもかかわらず、異なる高さおよび／またはオフセットを有するワイヤボンドの使用は、基板２０２内の相互接続部より多くの１ミリメートル当たり相互接続部が設けられることを可能にする。その上、複数のワイヤボンド２１０は、第１の集積デバイス２０４と第２の集積デバイス２０６との間に、より短くより直接的な電気経路を提供する。集積デバイス間のより短くより直接的な電気経路は、より良好な集積デバイスおよび／またはパッケージの性能をもたらし得る。ワイヤボンド２１０の構成および配置の例は、少なくとも図４～図６において以下でさらに説明される。

【0020】

図２に示すように、アンダーフィル２４４は、第１の集積デバイス２０４と基板２０２との間に設置される。同様に、アンダーフィル２６４は、第２の集積デバイス２０６と基板２０２との間に設置される。アンダーフィル２４４は、複数のピラー相互接続部（たとえば、２４０）および／または複数のはんだ相互接続部（たとえば、２４２）を取り囲み得る。アンダーフィル２６４は、複数のピラー相互接続部（たとえば、２６０）および／または複数のはんだ相互接続部（たとえば、２６２）を取り囲み得る。アンダーフィル２４４および／または２６４は、空洞２０９の中および／または第１の集積デバイス２０４および第２の集積デバイス２０６の上など、他の場所に設置されてもよい。アンダーフィル２４４および／または２６４は、同じアンダーフィルまたは別々のアンダーフィルの一部であり得る。

【0021】

アンダーフィル２４４および／または２６４は、構造的安定性をパッケージ２００に与えることを助ける。特に、アンダーフィル２４４および／または２６４は第１の集積デバイス２０４、第２の集積デバイス２０６、および基板２０２の間に強力で信頼できる機械的結合を設けることを助ける。第１の集積デバイス２０４および第２の集積デバイス２０６を基板２０２と構造的に一緒に保持することを助けることによって、アンダーフィル２４４および／または２６４は、強力で信頼できる電気接続（たとえば、電気経路）が、第１の集積デバイス２０４と第２の集積デバイス２０６との間に存在することを確実にすることを助ける。

【0022】

様々な実装形態は、それぞれに異なる材料および／または特性を有するアンダーフィル２４４および／または２６４を提供し得る。アンダーフィル２４４および／または２６４は、１つまたは複数のアンダーフィル（たとえば、アンダーフィル層）を含み得る。たとえば、アンダーフィル２４４および／または２６４は、アンダーフィルの単一の構成から形成され得る。いくつかの実装形態では、アンダーフィル２４４および／または２６４は、別々に形成されて硬化されたアンダーフィルのいくつかの部分および／または層に相当し得る。いくつかの実装形態では、アンダーフィル２４４および／または２６４は、約１０～３０パスカル秒（Ｐａ・ｓ）の粘度を含み得る。これらの粘度値は、摂氏約８０度の温度に対するものであり得る。いくつかの実装形態では、アンダーフィル２４４および／または２６４は、約１０～１５パートパーミリオン（ｐｐｍ）の熱膨張率（ＣＴＥ）を含み得る。いくつかの実装形態では、アンダーフィル２４４および／または２６４は、アンダーフィル２４４および／または２６４の重量の約５０～９０パーセントに相当する充填剤を含み得る。以下でさらに説明するように、アンダーフィル２４４および／または２６４は、アンダーフィル２４４および／または２６４が、集積デバイス間、および／または集積デバイスと基板との間の小さい空間を充填することを可能にする毛細管特性を有し得る。たとえば、アンダーフィル２４４および／またはアンダーフィル２６４に対して上記で説明した粘度値は、アンダーフィル２４４および／またはアンダーフィル２６４が、集積デバイス間、および／または集積デバイスと基板との間の小さい空間の間を進んで充填することを可能にする。ピラーの周り、および集積デバイスと基板との間に設置され得るアンダーフィル２４４および／もしくはアンダーフィル２６４ならびに／または他の材料が、以下でさらに説明される。

【0023】

カプセル化層２０８は、基板２０２の上に設置されて形成される。カプセル化層２０８は、モールド、レジン、エポキシおよび／またはポリマーを含み得る。カプセル化層２０８は、カプセル化ための手段であり得る。カプセル化層２０８は、第１の集積デバイス２０４および／または第２の集積デバイス２０６を少なくとも部分的にカプセル化し得る。カプセル化層２０８は、基板２０２の空洞２０９の中に設置され得る。カプセル化層２０８は、基板２０２の空洞２０９を少なくとも部分的に充填し得る。空洞２０９のすべてがカプセル化層２０８および／または他の材料で充填される場合であっても、基板２０２は、やはり空洞２０９を有すると見なされ得ることに留意されたい。カプセル化層２０８は、構造的安定性をパッケージ２００に与えることを助け得る。

【0024】

集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）は、ダイ（たとえば、半導体ベアダイ）を含み得る。集積デバイスは、論理ダイ、無線周波数（ＲＦ）デバイス、受動デバイス、フィルタ、キャパシタ、インダクタ、アンテナ、送信機、受信機、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ベース集積デバイス、表面音響波（ＳＡＷ）フィルタ、バルク音響波（ＢＡＷ）フィルタ、発行ダイオード（ＬＥＤ）集積デバイス、シリコン（Ｓｉ）ベース集積デバイス、炭化ケイ素（ＳｉＣ）ベース集積デバイス、メモリ、電力管理プロセッサ（たとえば、電力管理集積回路（ＰＭＩＣ））、および／またはそれらの組合せを含み得る。集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）は、少なくとも１つの電子回路（たとえば、第１の電子回路、第２の電子回路など）を含み得る。

【0025】

図３は、集積デバイス間に複数のワイヤボンドを含むパッケージ２００の平面図を示す。パッケージ２００は、基板２０２と、空洞２０９と、第１の集積デバイス２０４と、第２の集積デバイス２０６と、複数のワイヤボンド２１０とを含む。第１の集積デバイス２０４および第２の集積デバイス２０６は、基板２０２に結合される。複数のワイヤボンド２１０は、第１の集積デバイス２０４および第２の集積デバイス２０６に結合される。複数のワイヤボンド２１０は、基板２０２の空洞２０９の上に位置する。第１の集積デバイス２０４の部分および／または第２の集積デバイス２０６の部分は、基板２０２の空洞２０９の上に位置し得る。上述のように、空洞２０９は、カプセル化層および／または他の材料で少なくとも部分的に充填され得る。

【0026】

図４は、集積デバイスのパッドに結合された複数のワイヤボンドの拡大平面図を示す。図４に示すように、複数のワイヤボンド２１０は、第１の集積デバイス２０４および第２の集積デバイス２０６に結合される。複数のワイヤボンド２１０は、ワイヤボンド２１０ａと、ワイヤボンド２１０ｂと、ワイヤボンド２１０ｃと、ワイヤボンド２１０ｄと、ワイヤボンド２１０ｅと、ワイヤボンド２１０ｆとを含む。ワイヤボンド２１０ａ、ワイヤボンド２１０ｂ、およびワイヤボンド２１０ｃは、第１の複数のワイヤボンドの一部であり得る。ワイヤボンド２１０ｄ、ワイヤボンド２１０ｅ、およびワイヤボンド２１０ｆは、第２の複数のワイヤボンドの一部であり得る。

【0027】

第１の集積デバイス２０４は、パッドの列に配置された複数のパッド２４１を含む。複数のパッド２４１は、パッド２４１ａと、パッド２４１ｂと、パッド２４１ｃと、パッド２４１ｄと、パッド２４１ｅと、パッド２４１ｆとを含む。パッド２４１ａ、パッド２４１ｂ、およびパッド２４１ｃは、第１の集積デバイス２０４に対する複数のパッドの第１の列の一部であり得る。パッド２４１ｄ、パッド２４１ｅ、およびパッド２４１ｆは、第１の集積デバイス２０４に対する複数のパッドの第２の列の一部であり得る。複数のパッドの第２の列は、第１の集積デバイス２０４の複数のパッドの第１の列に対してずらして配置され得、その逆もあり得る。複数のパッドの第１の列は、パッドの内部列であり得る。複数のパッドの第２の列は、パッドの外部列であり得る。

【0028】

第２の集積デバイス２０６は、パッドの列に配置された複数のパッド２６１を含む。複数のパッド２６１は、パッド２６１ａと、パッド２６１ｂと、パッド２６１ｃと、パッド２６１ｄと、パッド２６１ｅと、パッド２６１ｆとを含む。パッド２６１ａ、パッド２６１ｂ、およびパッド２６１ｃは、第２の集積デバイス２０６に対する複数のパッドの第１の列の一部であり得る。パッド２６１ｄ、パッド２６１ｅ、およびパッド２６１ｆは、第２の集積デバイス２０６に対する複数のパッドの第２の列の一部であり得る。複数のパッドの第２の列は、第２の集積デバイス２０６の複数のパッドの第１の列に対してずらして配置され得、その逆もあり得る。複数のパッドの第１の列は、パッドの内部列であり得る。複数のパッドの第２の列は、パッドの外部列であり得る。パッドの内部列およびパッドの外部列は、任意に定義されてもよい。たとえば、パッドの外部列は、パッドの内部列よりも集積デバイスのエッジ（たとえば、別の集積デバイスに面する集積デバイスのエッジ）により近いパッドの列であり得る。パッドの内部列は、パッドの外部列よりも集積デバイスの中心により近いパッドの列であり得る。いくつかの実装形態では、集積デバイスは、パッドのいくつかの内部列を含み得る。

【0029】

第１の複数のワイヤボンド（それは、ワイヤボンド２１０ａ、ワイヤボンド２１０ｂ、およびワイヤボンド２１０ｃを含む）は、（ｉ）第１の集積デバイス２０４の（パッド２４１ａ、パッド２４１ｂ、およびパッド２４１ｃを含む）複数のパッドの第１の列、および（ｉｉ）第２の集積デバイス２０６の（パッド２６１ａ、パッド２６１ｂ、およびパッド２６１ｃを含む）複数のパッドの第１の列に結合される。

【0030】

第２の複数のワイヤボンド（それは、ワイヤボンド２１０ｄ、ワイヤボンド２１０ｅ、およびワイヤボンド２１０ｆを含む）は、（ｉ）第１の集積デバイス２０４の（パッド２４１ｄ、パッド２４１ｅ、およびパッド２４１ｆを含む）複数のパッドの第２の列、および（ｉｉ）第２の集積デバイス２０６の（パッド２６１ｄ、パッド２６１ｅ、およびパッド２６１ｆを含む）複数のパッドの第２の列に結合される。

【0031】

図４は、集積デバイスの各々に対するパッドの２つの列を示す。しかしながら、様々な実装形態は、複数のワイヤボンドに結合されたそれぞれに異なる数のパッドの列を有し得る。たとえば、第１の集積デバイス２０４は、複数のパッドの第１の列からずらして配置された複数のパッドの第３の列を含み得、第２の集積デバイス２０６は、複数のパッドの第１の列からずらして配置された複数のパッドの第３の列を含み得る。第１の集積デバイス２０４の複数のパッドの第３の列および第２の集積デバイス２０６の複数のパッドの第３の列は、第３の複数のワイヤボンドに結合され得る。第３の複数のワイヤボンドは、第１の複数のワイヤボンドおよび第２の複数のワイヤボンドと異なる垂直オフセットを有し得る。

【0032】

少なくとも図６において以下でさらに示して説明するように、第１の複数のワイヤボンドは、第２の複数のワイヤボンドの集積デバイスの表面からの垂直オフセット（たとえば、最大垂直オフセット）と異なって、集積デバイスの表面から垂直にオフセットされ得る（たとえば、最大垂直オフセットであり得る）。

【0033】

ずらして配置された列におけるパッドの構成および異なる垂直オフセットを有するワイヤボンドの使用は、集積デバイス間の高密度電気接続を設けることを助ける。たとえば、図４に示す構成は、１ミリメートル当たり少なくとも４０本のワイヤボンドを収容することができる構成を示す。複数のワイヤボンド２１０は、１５マイクロメートルの最小径を有するワイヤボンドを有し得る。いくつかの実装形態では、図示の構成は、１ミリメートル当たり少なくとも５０本のワイヤボンドを収容し得る。いくつかの実装形態では、図示の構成は、１ミリメートル当たり４０～６０本の間のワイヤボンド（たとえば、１ミリメートル当たり４０、４１、．．．５９、６０本のワイヤボンド）を収容し得る。複数のワイヤボンド２１０によって設けられる高密度電気接続は、各々が約４ミリメートルの最小長さおよび／または最小幅を有する２つの集積デバイス間の信号、電力および接地のために、２００を超えるチャネル（たとえば、電気接続）を設けることを助け得る。

【0034】

図５は、ワイヤボンドが集積デバイスのパッドにどのように結合されるかの平面図を示す。図５は、図４に示すワイヤボンド接続の拡大図であり得る。ワイヤボンド２１０ａは、パッド２４１ａおよびパッド２６１ａに結合される。ワイヤボンド２１０ｂは、パッド２４１ｂおよびパッド２６１ｂに結合される。ワイヤボンド２１０ｄは、パッド２４１ｄおよびパッド２６１ｄに結合される。ワイヤボンド２１０ａは、パッド２４１ｄおよびパッド２６１ｄの上に部分的に位置し得る。たとえば、ワイヤボンド２１０ａは、パッド２４１ｄおよびパッド２６１ｄと少なくとも部分的に垂直方向に重複し得る。ワイヤボンド２１０ｂは、パッド２４１ｄおよびパッド２６１ｄの上に部分的に位置し得る。たとえば、ワイヤボンド２１０ｂは、パッド２４１ｄおよびパッド２６１ｄと少なくとも部分的に垂直方向に重複し得る。

【0035】

いくつかの実装形態では、パッドの第１の列およびパッドの第２の列は、約６１マイクロメートルの中心間ピッチ（たとえば、列間ピッチ（Ａ））を有し得る。いくつかの実装形態では、パッドの第１の列は、約４０．５マイクロメートルのパッド間（たとえば、パッド２４１ａとパッド２４１ｂとの間）の中心間ピッチ（Ｂ）を有し得る。いくつかの実装形態では、パッドの第２の列は、約４０．５マイクロメートルのパッド間（たとえば、パッド２４１ｄとパッド２４１ｆとの間）の中心間ピッチ（Ｂ）を有し得る。いくつかの実装形態では、ずらして配置されたピッチ（Ｃ）（たとえば、パッド２４１ａとパッド２４１ｄとの間の中心間ピッチ）は、約２０．２５マイクロメートルである。しかしながら、様々な実装形態は、様々なピッチに対してそれぞれに異なる寸法を使用してもよい。

【0036】

図６は、ワイヤボンドが集積デバイスのパッドにどのように結合されるかの側面図を示す。図６は、異なるワイヤボンドが、集積デバイスの表面から別々に垂直方向にオフセット（たとえば、最大垂直オフセット）され得ることを示す。たとえば、ワイヤボンド２１０ａは、集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の表面から約５５マイクロメートルだけ垂直方向に（たとえば、垂直距離、最大垂直距離）オフセット（Ｅ）され得る。ワイヤボンド２１０ｂおよび／またはワイヤボンド２１０ｃなど、複数のワイヤボンド２１０からの他のワイヤボンドは、同様の高さだけ垂直方向にオフセットされ得る。別の例では、ワイヤボンド２１０ｄは、集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）の表面から約３５マイクロメートルだけ垂直方向に（たとえば、垂直距離、最大垂直距離）オフセット（Ｄ）され得る。ワイヤボンド２１０ｅおよび／またはワイヤボンド２１０ｆなど、複数のワイヤボンド２１０からの他のワイヤボンドは、同様の高さだけ垂直方向にオフセットされ得る。ワイヤボンド２１０ａは、ワイヤボンド２１０ｄの上に少なくとも部分的に位置し得る。ワイヤボンドの異なるセットに対する異なる垂直オフセットの使用は、集積デバイス間に１ミリメートル当たりより多くの相互接続部を適合させることによって、集積デバイス間に高密度相互接続部を設けることを助ける。

【0037】

図７は、集積デバイス間に複数のワイヤボンドを含むパッケージ７００を示す。パッケージ７００は、図２のパッケージ２００と同様であり、したがって、パッケージ２００と同じかまたは同様の構成要素を含む。図７に示すように、パッケージ７００は、基板２０２と、第１の集積デバイス２０４と、第２の集積デバイス２０６と、複数のワイヤボンド２１０と、カプセル化層７０８とを含む。カプセル化層７０８は、カプセル化層２０８と同じであっても、同様であっても、または異なってもよい。カプセル化層７０８は、モールドアンダーフィル（ＭＵＦ）を含み得る。カプセル化層７０８は、基板２０２の上および基板２０２の空洞２０９の中に設置され得る。カプセル化層７０８は、第１の集積デバイス２０４および／または第２の集積デバイス２０６をカプセル化し得る。カプセル化層７０８は、複数のピラー相互接続部２４０、複数のはんだ相互接続部２４２、複数のピラー相互接続部２６０、複数のはんだ相互接続部２６２、および／または複数のワイヤボンド２１０をカプセル化し得る。

【0038】

図２～図７に示すワイヤボンドの数は例であることに留意されたい。様々な実装形態は、集積デバイスに結合されたそれぞれに異なる数のワイヤボンドを有し得る。

【0039】

上述のように、アンダーフィル２４４、アンダーフィル２６４、カプセル化層２０８、および／またはカプセル化層７０８は、ピラー相互接続部の周りの空間および集積デバイスと基板との間の空間が、集積デバイスと基板との間の強力でセキュアな接合を確実にするために適切に充填されることを確実にするために特定の特性を有し得る。

【0040】

たとえば、アンダーフィル（たとえば、２４４、２６４）は、良好な流動性を有する毛管アンダーフィルを含み得る。毛管アンダーフィル（ＣＵＦ）は、シリカ粒子およびエポキシ液のポリマー複合材料を含み得る。毛管アンダーフィルの１つの特性は、加熱時の良好な流動性であり、それゆえ、毛管アンダーフィルは、集積デバイスと基板との間の狭い空間に流入することができ、それは、毛管力によって駆動される。毛管アンダーフィルは、低いＣＴＥを有する最終的な硬化材料を得るために、十分なシリカ充填剤を有し得る。毛管アンダーフィルは、通常、摂氏－４０度以下で凍結する液体タイプであり、適用の前に解凍されて加熱され得る。

【0041】

カプセル化層２０８は、毛管アンダーフィル適用の後にパッケージ全体をカバーするために使用されるカプセル化材料および／またはエポキシモールド化合物（ＥＭＣ）を含み得、それゆえ、カプセル化層はパッケージ全体を保護することができる。カプセル化層２０８は、室温において保管され得る固体ペレットを含み得る。カプセル化層２０８は、加熱されて液体になり、集積デバイスをカバーするためにトランスファー成形流れ（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｍｏｌｄｉｎｇ ｆｌｏｗ）のもとで処理され得る。

【0042】

いくつかの実装形態では、モールドアンダーフィル（ＭＵＦ）は、アンダーフィル（たとえば、２４４、２６４）および／またはカプセル化層２０８の代わりに、またはそれと併せて使用され得る。モールドアンダーフィルは、毛管アンダーフィル（たとえば、アンダーフィル２４４）とＥＭＣ（たとえば、カプセル化層２０８）との組合せであり得る。モールドアンダーフィルの材料特性およびアプリケーションフォーマットは、通常のＥＭＣと同じかまたは同様であるが、非常に微細な充填剤サイズを有し、それゆえ、モールドアンダーフィルは、トランスファー成形プロセスの間に集積デバイスの中に基板の隙間まで押し付けられ得る。この方法で、モールドアンダーフィルは毛管アンダーフィルを置換し、プロセスステップを低減することができる。

【0043】

ＥＭＣおよびＭＵＦは、９０重量（ｗｔ）％までの非常に高い充填剤の充填量を有することができ、それゆえ、硬化材料特性は、より低いＣＴＥおよび高弾性を有する毛管アンダーフィルより良好である。いくつかの実装形態では、パッケージがカプセル化層を必要とする場合、ＭＵＦが、ＣＵＦを置換するために使用され得る。カプセル化層を有しないパッケージに対して、ＣＵＦのみが使用され得る。以下のＴａｂｌｅ １（表１）は、様々な材料、アンダーフィル、およびカプセル化層の例示的な特性を示す。材料に対する値は例であることに留意されたい。異なる材料は、異なる特性を有し得る。その上、Ｔａｂｌｅ １（表１）に示される値は、限定するものではない。

【0044】

【表1】

【0045】

カプセル化層７０８は、図２のパッケージ２００、または本開示で説明する任意のパッケージに適用可能であり得ることに留意されたい。同様に、カプセル化層２０８は、図７のパッケージ７００、または本開示で説明する任意のパッケージに適用可能であり得ることに留意されたい。カプセル化層（たとえば、２０８、７０８）は、１つまたは複数のカプセル化層によって形成され得ることに留意されたい。集積デバイスの各々は、互いの間、および／または各々と基板２０２との間に追加の電気経路を含み得ることに留意されたい。本開示で示し得るかつ／または説明し得る電気信号の経路は、例示的および／または概念的であることに留意されたい。様々な実装形態は、電気信号のためのそれぞれに異なる経路を使用し得る。その上、電気信号および／または電気経路は、様々なタイプの相互接続部（たとえば、ビア、トレース、パッド、ピラー）、はんだ相互接続部、および／または構成要素（たとえば、受動デバイス）を通って進み得る。したがって、たとえば、いくつかの実装形態では、集積デバイスと別の集積デバイスとの間を進む電気信号は、集積デバイス間の少なくとも１つの介在構成要素（たとえば、受動デバイス、キャパシタ）を通って進み得る。電気信号に対して示されるおよび／または説明される経路は、電力および／または接地にも適用され得る。２つ以上の複数のワイヤボンドが、基板の迂回を容易にするために使用され得ることにも留意されたい。複数のワイヤボンドは、３つ以上の集積デバイスの間の電気結合を容易にするために使用され得る。たとえば、第１の集積デバイスは、第１の複数のワイヤボンドを通して第２の集積デバイスに電気的に結合されるように構成され得る。第１の集積デバイスは、第２の複数のワイヤボンドを通して第３の集積デバイスに電気的に結合されるように構成され得る。基板の「第１の面」および「第２の面」という用語は任意であり、基板のいずれかの表面を意味し得る。たとえば、基板の第１の面は基板の底面であり得、基板の第２の面は基板の上面であり得る。別の例では、基板の第１の面は基板の上面であり得、基板の第２の面は基板の底面であり得る。

【0046】

ピラー相互接続部を有する集積デバイスを製造するための例示的なシーケンス
図８Ａ～図８Ｂは、ピラー相互接続部を有する集積デバイスを提供または製造するための例示的なシーケンスを示す。いくつかの実装形態では、図８Ａ～図８Ｂのシーケンスは、図２の集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）、または本開示で説明する集積デバイスのいずれかを提供または製造するために使用され得る。

【0047】

集積デバイスを提供または製造するためのシーケンスを簡略化および／または明確化するために、図８Ａ～図８Ｂのシーケンスが１つまたは複数のステージを組み合わせてもよいことに留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順序は変更または修正されてもよい。いくつかの実装形態では、プロセスのうちの１つまたは複数は、本開示の範囲を逸脱することなく交換または置換されてもよい。様々な実装形態は、集積デバイスをそれぞれに異なって製造してもよい。

【0048】

図８Ａに示すように、ステージ１は、集積デバイス２０４が用意された後の状態を示す。集積デバイス２０４は、ダイ（たとえば、ベア半導体ダイ）を含み得る。集積デバイス２０４は、基板（たとえば、シリコン基板）と複数のトランジスタ（たとえば、能動デバイス）とを含み得る。集積デバイス２０４は、複数のパッド２４１を含み得る。

【0049】

ステージ２は、シード層８１１が、集積デバイス２０４の前面の上に形成された後の状態を示す。シード層８１１は、金属層を含み得る。シード層８１１は、集積デバイス２０４の上に堆積され得る。めっきプロセスは、シード層８１１を形成するために使用され得る。

【0050】

ステージ３は、フォトレジスト層８００がシード層８１１の上に形成された後の状態を示す。フォトレジスト層８００は、シード層８１１の上に堆積され得る。

【0051】

ステージ４は、フォトレジスト層８００がパターニングされ、シード層８１１の一部を露出する少なくとも１つの開口８０１を、フォトレジスト層８００の中に生成した後の状態を示す。

【0052】

図８Ｂに示すように、ステージ５は、複数のピラー相互接続部８３０および複数のはんだ相互接続部８３２が、フォトレジスト層８００の中の開口８０１を通してシード層８１１の上に形成された後の状態を示す。複数のピラー相互接続部８３０は、めっきプロセスを通してシード層８１１の上に形成され得る。複数のはんだ相互接続部８３２は、堆積プロセスを通して複数のピラー相互接続部８３０の上に形成され得る。

【0053】

ステージ６は、フォトレジスト層８００が取り除かれ、シード層８１１の一部が取り除かれた（たとえば、エッチングされた）後の状態を示す。フォトレジスト層８００を取り除くことは、フォトレジスト層８００を除去することを含み得る。

【0054】

ステージ７は、複数のはんだ相互接続部８３２を複数のピラー相互接続部８３０に結合（たとえば、接合）するリフローはんだプロセスの後の状態を示す。ステージ７は、基板に結合され得るピラー相互接続部を有する集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）を示し得る。複数のピラー相互接続部８３０は、複数のピラー相互接続部２４０を表し得る。複数のはんだ相互接続部８３２は、複数のはんだ相互接続部２４２を表し得る。シード層８１１は、ピラー相互接続部８３０の一部と見なされ得る。

【0055】

ピラー相互接続部を含む集積デバイスを製造するための方法の例示的な流れ図
いくつかの実装形態では、ピラー相互接続部を有する集積デバイスを製造することは、いくつかのプロセスを含む。図９は、ピラー相互接続部を有する集積デバイスを提供または製造するための方法９００の例示的な流れ図を示す。いくつかの実装形態では、図９の方法９００は、本開示において説明する図２の集積デバイス（たとえば、２０４、２０６）を提供または製造するために使用され得る。しかしながら、方法９００は、本開示で説明する複数の集積デバイスのいずれかおよび／または１つの集積デバイスを提供または製造するために使用され得る。

【0056】

図９の方法は、ピラー相互接続部を有する集積デバイスを提供または製造するための方法を簡略化および／または明確化するために、１つまたは複数のプロセスを組み合わせ得ることに留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順序は変更または修正されてもよい。

【0057】

方法は、（９０５において）集積デバイス（たとえば２０４、２０６）を設ける。図８Ａのステージ１は、設けられる第１の集積デバイス２０４を示し説明する。第１の集積デバイス２０４は、トランジスタなどの能動デバイスを有するダイを含み得る。集積デバイスは、複数のパッドを含んでもよい。

【0058】

方法は、（９１０において）集積デバイスの前面の上にシード層（たとえば、８１１）を形成する。シード層８１１は、金属層を含み得る。シード層８１１は、集積デバイス２０４の上に堆積され得る。めっきプロセスは、シード層８１１を形成するために使用され得る。図８Ａのステージ２は、シード層を形成する一例を示して説明する。

【0059】

方法は、（９１５において）シード層（たとえば、８１１）の上にフォトレジスト層（たとえば、８００）を形成する。フォトレジスト層８００は、シード層８１１の上に形成されてパターニングされ得る。フォトレジスト層８００は、シード層８１１の上に堆積されてパターニングされ、シード層８１１の一部を露出する少なくとも１つの開口８０１を、フォトレジスト層８００の中に生成し得る。図８Ａのステージ３～４は、シード層の上にフォトレジスト層を形成してパターニングする一例を示して説明する。

【0060】

方法は、（９２０において）フォトレジスト層（たとえば、８００）の中の開口８０１を通してシード層（たとえば、８１１）の上に複数のピラー相互接続部（たとえば、８３０）および／またははんだ相互接続部（たとえば、８３２）を形成する。複数のはんだ相互接続部は、堆積プロセスを通してシード層の上に形成され得る。複数のピラー相互接続部は、めっきプロセスを通してシード層の上に形成され得る。複数のはんだ相互接続部は、堆積プロセスを通して複数のピラー相互接続部の上に形成され得る。図８Ｂのステージ５は、複数のピラー相互接続部および／または複数のはんだ相互接続部を形成する一例を示して説明する。

【0061】

方法は、（９２５において）フォトレジスト層（たとえば、８００）を取り除く。フォトレジスト層を取り除くことは、フォトレジスト層を除去することを含み得る。図８Ｂのステージ６は、フォトレジスト層を取り除く例を示す。いくつかの実装形態では、（９２５において）シード層８１１の一部も取り除かれ得る。エッチングプロセスが、シード層の一部を取り除くために使用され得る。図８Ｂのステージ６は、取り除かれるシード層の一部の例を示す、および／または説明する。９１５、９２０および９２５で説明するように、フォトレジスト層、ピラー相互接続部および／またははんだ相互接続部を形成すること、およびフォトレジスト層を取り除くことは、繰り返され得ることに留意されたい。

【0062】

方法は、（９３０において）複数のはんだ相互接続部（たとえば、８３２）を複数のピラー相互接続部（たとえば、８３０）に結合（たとえば、接合）するリフローはんだプロセスを実行する。図８Ｂのステージ７は、リフローはんだプロセスの一例を示して説明する。

【0063】

いくつかの実装形態では、集積デバイスはウェハの一部であり、単一化が、ウェハを個別の集積デバイスに切断するために実行され得る。方法９００は、本開示で説明する任意の集積デバイスを製造するために使用され得る。

【0064】

基板を製造するための例示的なシーケンス
いくつかの実装形態では、基板を製造することは、いくつかのプロセスを含む。図１０Ａ～図１０Ｃは、基板を提供または製造するための例示的なシーケンスを示す。いくつかの実装形態では、図１０Ａ～図１０Ｃのシーケンスが、図２の基板２０２を提供または製造するために使用され得る。しかしながら、図１０Ａ～図１０Ｃのプロセスは、本開示において説明する基板のいずれかを製造するために使用されてもよい。

【0065】

基板を提供または製造するためのシーケンスを簡略化および／または明確化するために、図１０Ａ～図１０Ｃのシーケンスが１つまたは複数のステージを組み合わせてもよいことに留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順序は変更または修正されてもよい。いくつかの実装形態では、プロセスのうちの１つまたは複数は、本開示の範囲を逸脱することなく交換または置換されてもよい。

【0066】

図１０Ａに示すように、ステージ１は、キャリア１０００が用意され、金属層がキャリア１０００の上に形成された後の状態を示す。金属層は、相互接続部１００２を形成するようにパターニングされ得る。めっきプロセスおよびエッチングプロセスが、金属層および相互接続部を形成するために使用され得る。

【0067】

ステージ２は、誘電体層１０２０がキャリア１０００および相互接続部１００２の上に形成された後の状態を示す。誘電体層１０２０は、ポリイミドを含み得る。しかしながら、様々な実装形態は、誘電体層に対してそれぞれに異なる材料を使用してもよい。

【0068】

ステージ３は、複数の空洞１０１０が誘電体層１０２０内に形成された後の状態を示す。複数の空洞１０１０は、エッチングプロセス（たとえば、フォトエッチングプロセス）またはレーザプロセスを使用して形成され得る。

【0069】

ステージ４は、相互接続部１０１２が、複数の空洞１０１０の中および上を含めて、誘電体層１０２０の中および上に形成された後の状態を示す。たとえば、ビア、パッドおよび／またはトレースが形成され得る。めっきプロセスが、相互接続部を形成するために使用されてもよい。

【0070】

ステージ５は、別の誘電体層１０２２が誘電体層１０２０の上に形成された後の状態を示す。誘電体層１０２２は、誘電体層１０２０と同じ材料であり得る。しかしながら、様々な実装形態は、誘電体層に対してそれぞれに異なる材料を使用してもよい。

【0071】

ステージ６は、図１０Ｂに示すように、複数の空洞１０３０が誘電体層１０２２の中に形成された後の状態を示す。エッチングプロセスまたはレーザプロセスが、空洞１０３０を形成するために使用されてもよい。

【0072】

ステージ７は、相互接続部１０１４が、複数の空洞１０３０の中および上を含めて、誘電体層１０２２の中および上に形成された後の状態を示す。たとえば、ビア、パッドおよび／またはトレースが形成され得る。めっきプロセスが、相互接続部を形成するために使用されてもよい。

【0073】

ステージ８は、別の誘電体層１０２４が誘電体層１０２２の上に形成された後の状態を示す。誘電体層１０２４は、誘電体層１０２０と同じ材料であり得る。しかしながら、様々な実装形態は、誘電体層に対してそれぞれに異なる材料を使用してもよい。

【0074】

ステージ９は、複数の空洞１０４０が誘電体層１０２４内に形成された後の状態を示す。エッチングプロセスまたはレーザプロセスが、空洞１０４０を形成するために使用されてもよい。

【0075】

図１０Ｃに示すように、ステージ１０は、相互接続部１０１６が、複数の空洞１０４０の中および上を含めて、誘電体層１０２４の中および上に形成された後の状態を示す。たとえば、ビア、パッドおよび／またはトレースが形成され得る。めっきプロセスが、相互接続部を形成するために使用されてもよい。

【0076】

相互接続部１００２、１０１２、１０１４および／または１０１６の一部または全部が、基板２０２の複数の相互接続部２２２を画定し得る。誘電体層１０２０、１０２２、１０２４は、少なくとも１つの誘電体層２２０によって表され得る。

【0077】

ステージ１１は、キャリア１０００が、誘電体層２２０からデカップリングされ（たとえば、取り除かれ、研磨で取り除かれ）、少なくとも１つの誘電体層２２０および複数の相互接続部２２２を含む基板２０２から離れた後の状態を示す。

【0078】

ステージ１２は、第１のはんだレジスト層２２４および第２のはんだレジスト層２２６が基板２０２の上に形成された後の状態を示す。堆積プロセスが、第１のはんだレジスト層２２４と第２のはんだレジスト層２２６とを形成するために使用され得る。

【0079】

様々な実装形態は、金属層を形成するためにそれぞれに異なるプロセスを使用してもよい。いくつかの実装形態では、化学気相成長（ＣＶＤ）プロセスおよび／または物理気相成長（ＰＶＤ）プロセスが、金属層を形成するために使用されてもよい。たとえば、スパッタリングプロセス、吹付塗装プロセスおよび／またはめっきプロセスが、金属層を形成するために使用されてもよい。

【0080】

基板を製造するための方法の例示的な流れ図
いくつかの実装形態では、基板を製造することは、いくつかのプロセスを含む。図１１は、基板を提供または製造するための方法１１００の例示的な流れ図を示す。いくつかの実装形態では、図１１の方法１１００が、図２の基板を提供または製造するために使用され得る。たとえば、図１１の方法は、基板２０２を製造するために使用され得る。

【0081】

図１１の方法は、基板を提供または製造するための方法を簡略化および／または明確化するために１つまたは複数のプロセスを組み合わせ得ることに留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順序は変更または修正されてもよい。

【0082】

方法は、（１１０５において）キャリア１０００を用意する。様々な実装形態は、キャリアに対してそれぞれに異なる材料を使用し得る。キャリアは、基板、ガラス、クオーツおよび／またはキャリアテープを含み得る。図１０Ａのステージ１は、用意されるキャリアの一例を示して説明する。

【0083】

方法は、（１１１０において）キャリア１０００の上に金属層を形成する。金属層は、相互接続部を形成するようにパターニングされ得る。めっきプロセスが、金属層および相互接続部を形成するために使用され得る。いくつかの実装形態では、キャリアは、金属層を含み得る。キャリアの上の金属層は、相互接続部（たとえば、１００２）を形成するようにパターニングされ得る。図１０Ａのステージ１は、キャリアの上に形成される金属層および相互接続部の一例を示して説明する。

【0084】

方法は、（１１１５において）キャリア１０００および相互接続部１００２の上に誘電体層１０２０を形成する。誘電体層１０２０は、ポリイミドを含み得る。誘電体層を形成することはまた、誘電体層１０２０内に複数の空洞（たとえば、１０１０）を形成することを含み得る。複数の空洞は、エッチングプロセス（たとえば、フォトエッチング）またはレーザプロセスを使用して形成され得る。図１０Ａのステージ２～３は、誘電体層と誘電体層内の空洞とを形成する一例を示して説明する。

【0085】

方法は、（１１２０において）誘電体層の中および上に相互接続部を形成する。たとえば、相互接続部１０１２が、誘電体層１０２０の中および上に形成され得る。めっきプロセスが、相互接続部を形成するために使用されてもよい。相互接続部を形成することは、誘電体層の上および／または中にパターニングされた金属層を設けることを含み得る。相互接続部を形成することはまた、誘電体層の空洞の中に相互接続部を形成することを含み得る。図１０Ａのステージ４は、誘電体層の中および上に相互接続部を形成することの一例を示して説明する。

【0086】

方法は、（１１２５において）誘電体層１０２０および相互接続部の上に誘電体層１０２２を形成する。誘電体層１０２２は、ポリイミドを含み得る。誘電体層を形成することはまた、誘電体層１０２２内に複数の空洞（たとえば、１０３０）を形成することを含み得る。複数の空洞は、エッチングプロセスまたはレーザプロセスを使用して形成され得る。図１０Ａ～図１０Ｂのステージ５～６は、誘電体層と誘電体層内の空洞とを形成することの一例を示す、および／または説明する。

【0087】

方法は、（１１３０において）誘電体層の中および／または上に相互接続部を形成する。たとえば、相互接続部１０１４が形成され得る。めっきプロセスが、相互接続部を形成するために使用されてもよい。相互接続部を形成することは、誘電体層の上および中にパターニングされた金属層を設けることを含み得る。相互接続部を形成することはまた、誘電体層の空洞内に相互接続部を形成することを含み得る。図１０Ｂのステージ７は、誘電体層の中および上に相互接続部を形成することの一例を示して説明する。

【0088】

方法は、１１２５および１１３０において説明したように、追加の誘電体層と追加の相互接続部とを形成し得る。図１０Ｂ～図１０Ｃのステージ８～１０は、誘電体層の中および上に相互接続部を形成することの一例を示す。

【0089】

すべての誘電体層および追加の相互接続部が形成されると、方法は、基板を残して、キャリア（たとえば、１０００）を誘電体層１０２０からデカップリングしてもよい（たとえば、取り除いても、研磨で除去してもよい）。いくつかの実装形態では、方法は、基板の上にはんだレジスト層（たとえば、２２４、２２６）を形成し得る。

【0090】

様々な実装形態は、金属層を形成するためにそれぞれに異なるプロセスを使用してもよい。いくつかの実装形態では、化学気相成長（ＣＶＤ）プロセスおよび／または物理気相成長（ＰＶＤ）プロセスが、金属層を形成するために使用されてもよい。たとえば、スパッタリングプロセス、吹付塗装プロセス、および／またはめっきプロセスが、金属層を形成するために使用されてもよい。

【0091】

集積デバイスに結合されたワイヤボンドを含むパッケージを製造するための例示的なシーケンス
図１２Ａ～図１２Ｂは、集積デバイスに結合されたワイヤボンドを含むパッケージを提供または製造するための例示的なシーケンスを示す。いくつかの実装形態では、図１２Ａ～図１２Ｂのシーケンスは、基板２０２および図２の集積デバイスに結合されたワイヤボンドを含むパッケージ２００、または本開示で説明するパッケージのいずれかを提供または製造するために使用され得る。

【0092】

パッケージを提供または製造するためのシーケンスを簡略化および／または明確化するために、図１２Ａ～図１２Ｂのシーケンスが１つまたは複数のステージを組み合わせてもよいことに留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順序は変更または修正されてもよい。いくつかの実装形態では、プロセスのうちの１つまたは複数は、本開示の範囲を逸脱することなく交換または置換されてもよい。図１２Ａ～図１２Ｂのシーケンスは、１つのパッケージを、または（ウェハの一部として）同時にいくつかのパッケージを製造するために使用され得る。

【0093】

図１２Ａに示すように、ステージ１は、基板２０２が用意された後の状態を示す。基板２０２は、供給元によって提供されてもよく、または製造されてもよい。図１０Ａ～図１０Ｃに示すプロセスと同様のプロセスが、基板２０２を製造するために使用され得る。しかしながら、様々な実装形態は、基板２０２を製造するためにそれぞれに異なるプロセスを使用してもよい。基板２０２を製造するために使用され得るプロセスの例は、セミアディティブプロセス（ＳＡＰ）および修正セミアディティブプロセス（ｍＳＡＰ）を含む。基板２０２は、少なくとも１つの誘電体層２２０と、複数の相互接続部２２２とを含む。基板２０２は、ラミネート基板、コアレス基板、有機基板、コア層を含む基板であり得る。いくつかの実装形態では、少なくとも１つの誘電体層２２０は、コア層および／またはプリプレグ層を含み得る。基板２０２は、空洞２０９を含む。空洞２０９は、レーザプロセス（たとえば、レーザ切断）を使用して製造され得る。空洞２０９は、基板２０２が製造および／または提供された後に形成され得る。いくつかの実装形態では、基板２０２は、空洞２０９を設けられる。

【0094】

ステージ２は、集積デバイス２０４および集積デバイス２０６が基板２０２の第１の面（たとえば、上面）に結合された後の状態を示す。集積デバイス２０４は、複数のピラー相互接続部２４０および／または複数のはんだ相互接続部２４２を通して基板２０２に結合される。集積デバイス２０６は、複数のピラー相互接続部２６０および／または複数のはんだ相互接続部２６２を通って基板２０２に結合される。集積デバイス２０４の部分および集積デバイス２０６の部分は、空洞２０９の上に位置し得る。集積デバイス２０４の前面（たとえば、能動面）が基板２０２に面しているように、集積デバイス２０４が、基板２０２に結合され得る。同様に、集積デバイス２０６は、集積デバイス２０６の前面が基板２０２に面しているように、基板２０２に結合され得る。

【0095】

ステージ３は、アンダーフィル２４４が基板２０２と集積デバイス２０４との間に設けられ（たとえば、形成され）、アンダーフィル２６４が基板２０２と集積デバイス２０６との間に設けられ（たとえば、形成され）た後の状態を示す。アンダーフィル（たとえば、２４４、２６４）が、毛管作用および／または毛管力を介してピラー相互接続部（たとえば、２４０、２６０）および／またははんだ相互接続部（たとえば、２４２、２６２）の周りに設けられ得る。アンダーフィルの毛管特性は、アンダーフィルが、集積デバイスと基板との間の小さい空間および／または小さい隙間を充填することを可能にする。

【0096】

図１２Ｂに示すように、ステージ４は、複数のワイヤボンド２１０が、第１の集積デバイス２０４および第２の集積デバイス２０６に結合された後の状態を示す。たとえば、複数のワイヤボンド２１０は、第１の集積デバイス２０４と第２の集積デバイス２０６との間に形成され得る。複数のワイヤボンド２１０は、（第１の集積デバイス２０４の）複数のパッド２４１および（第２の集積デバイス２０６の）複数のパッド２６１に結合され得る。複数のワイヤボンド２１０は、基板２０２の空洞２０９を通して形成され得る。集積デバイスが基板に結合された後に複数のワイヤボンド２１０を形成することの１つの利点は、集積デバイスが基板に結合した後に互いに対して相対的に固定されるので、複数のワイヤボンド２１０は、集積デバイス間の移動に起因して破損および／または故障する可能性がほとんどないことである。複数のワイヤボンド２１０が集積デバイスにどのように結合されるかの例が、少なくとも図４～図６において示され説明される。

【0097】

ステージ５は、カプセル化層２０８が、第１の集積デバイス２０４と第２の集積デバイス２０６とをカプセル化するように、カプセル化層２０８が基板２０２の第１の面の上に形成された後の状態を示す。カプセル化層２０８は、複数のワイヤボンド２１０をカプセル化し得る。カプセル化層２０８は、基板２０２の空洞２０９を少なくとも部分的に充填し得る。カプセル化層２０８を形成および／または堆積するプロセスは、圧縮およびトランスファー成形プロセス、シート成形プロセス、または液体成形プロセスを使用することを含み得る。いくつかの実装形態では、カプセル化層２０８は、図７に示すように、アンダーフィル（たとえば、２４４、２６４）を置換し得ることに留意されたい。したがって、いくつかの実装形態では、カプセル化層２０８は、アンダーフィル２４４および／または２６４によって占有される領域の中に形成されて設置され得る。

【0098】

ステージ６は、複数のはんだ相互接続部２８０が基板２０２に結合された後の状態を示す。リフローはんだプロセスが、複数のはんだ相互接続部を結合するために使用され得る。ステージ８は、少なくとも図２で説明したように、基板２０２と、第１の集積デバイス２０４と、第２の集積デバイス２０６と、アンダーフィル２４４と、アンダーフィル２６４と、カプセル化層２０８とを含むパッケージ２００を示し得る。

【0099】

本開示で説明するパッケージ（たとえば、２００、７００）は、一度に１つ製造されてもよく、または１つまたは複数のウェハの一部として一緒に製造され、次いで個別のパッケージに単一化されてもよい。

【0100】

ワイヤボンドで結合された集積デバイスを含むパッケージを製造するための方法の例示的な流れ図
いくつかの実装形態では、集積デバイス間を結合するワイヤボンドを含むパッケージを製造することは、いくつかのプロセスを含む。図１３は、集積デバイスに結合されたワイヤボンドを含むパッケージを提供または製造するための方法１３００の例示的な流れ図を示す。いくつかの実装形態では、図１３の方法１３００が、本開示で説明した図２のパッケージ２００を提供または製造するために使用され得る。しかしながら、方法１３００は、本開示において説明するパッケージのいずれかを提供または製造するために使用され得る。

【0101】

図１３の方法は、集積デバイスに結合されたワイヤボンドを含むパッケージを提供または製造するための方法を簡略化および／または明確化するために１つまたは複数のプロセスを組み合わせてもよいことに留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順序は変更または修正されてもよい。

【0102】

方法は、（１３０５において）基板（たとえば、２０２）を用意する。基板２０２は、供給元によって提供されてもよく、または製造されてもよい。基板２０２は、第１の面と第２の面とを含む。基板２０２は、少なくとも１つの誘電体層２２０と複数の相互接続部２２２とを含む。基板２０２は、少なくとも１つの空洞２０９を含み得る。様々な実装形態は、それぞれに異なる基板を設けてもよい。図１０Ａ～図１０Ｃに示すプロセスと同様のプロセスが、基板２０２を製造するために使用され得る。しかしながら、様々な実装形態は、基板２０２を製造するためにそれぞれに異なるプロセスを使用し得る。図１２Ａのステージ１は、基板を用意する一例を示して説明する。

【0103】

方法は、（１３１０において）集積デバイスを基板に結合する。たとえば、方法は、集積デバイス２０４および集積デバイス２０６を基板２０２の第１の面（たとえば、上面）に結合し得る。集積デバイス２０４は、複数のピラー相互接続部２４０および／または複数のはんだ相互接続部２４２を通って基板２０２に結合される。集積デバイス２０６は、複数のピラー相互接続部２６０および／または複数のはんだ相互接続部２６２を通って基板２０２に結合される。集積デバイス２０４の部分および集積デバイス２０６の部分は、空洞２０９の上に位置し得る。集積デバイス２０４の前面（たとえば、能動面）が基板２０２に面しているように、集積デバイス２０４が、基板２０２に結合され得る。同様に、集積デバイス２０６の前面が基板２０２に面しているように、集積デバイス２０６が、基板２０２に結合され得る。図１２Ａのステージ２は、集積デバイスを基板に結合する一例を示して説明する。

【0104】

方法は、（１３１５において）集積デバイスと基板との間に少なくとも１つのアンダーフィルを形成する。たとえば、方法は、基板２０２と集積デバイス２０４との間にアンダーフィル２４４を設けてもよく、基板２０２と集積デバイス２０６との間にアンダーフィル２６４を設けてもよい。アンダーフィル（たとえば、２４４、２６４）が、毛管作用および／または毛管力を介してピラー相互接続部（たとえば、２４０、２６０）および／またははんだ相互接続部（たとえば、２４２、２６２）の周りに設けられ得る。アンダーフィルの毛管特性は、アンダーフィルが、集積デバイスと基板との間の小さい空間および／または小さい隙間を充填することを可能にする。図１２Ａのステージ３は、アンダーフィルを用意する一例を示して説明する。

【0105】

方法は、（１３２０において）複数のワイヤボンド２１０を、第１の集積デバイス２０４および第２の集積デバイス２０６に結合する。複数のワイヤボンド２１０は、第１の集積デバイス２０４と第２の集積デバイス２０６との間に形成され得る。複数のワイヤボンド２１０は、（第１の集積デバイス２０４の）複数のパッド２４１および（第２の集積デバイス２０６の）複数のパッド２６１に結合される。複数のワイヤボンド２１０が集積デバイスにどのように結合されるかの例が、少なくとも図４～図６において示され説明される。図１２Ｂのステージ４は、ワイヤボンドを集積デバイスに結合する一例を示して説明する。

【0106】

方法は、（１３２５において）基板の上にカプセル化層を形成し得る。たとえば、方法は、カプセル化層２０８が第１の集積デバイス２０４と第２の集積デバイス２０６とをカプセル化するように、カプセル化層２０８を基板２０２の第１の面の上に形成し得る。カプセル化層２０８は、複数のワイヤボンド２１０をカプセル化し得る。カプセル化層２０８は、基板２０２の空洞２０９を少なくとも部分的に充填し得る。カプセル化層２０８を形成および／または堆積するプロセスは、圧縮およびトランスファー成形プロセス、シート成形プロセス、または液体成形プロセスを使用することを含み得る。いくつかの実装形態では、カプセル化層２０８は、図２に示すように、アンダーフィル（たとえば、２４４、２６４）を置換し得ることに留意されたい。したがって、いくつかの実装形態では、カプセル化層２０８は、アンダーフィルによって占有される領域の中に形成されて設置され得る。図１２Ｂのステージ５は、カプセル化層を形成する一例を示して説明する。

【0107】

方法は、（１３３０において）複数のはんだ相互接続部（たとえば、２８０）を基板（たとえば、２０２）の第２の面に結合する。リフローはんだプロセスが、複数のはんだ相互接続部を結合するために使用され得る。図１２Ｂのステージ６は、はんだ相互接続部を基板に結合する一例を示して説明する。

【0108】

例示的な電子デバイス
図１４は、前述のデバイス、集積デバイス、集積回路（ＩＣ）パッケージ、集積回路（ＩＣ）デバイス、半導体デバイス、集積回路、ダイ、インターポーザ、パッケージ、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）、システムインパッケージ（ＳｉＰ）、またはシステムオンチップ（ＳｏＣ）のいずれかと一体化されてもよい様々な電子デバイスを示す。たとえば、モバイルフォンデバイス１４０２、ラップトップコンピュータデバイス１４０４、固定位置端末デバイス１４０６、ウェアラブルデバイス１４０８、または自動車１４１０が、本明細書で説明するようなデバイス１４００を含んでよい。デバイス１４００は、たとえば、本明細書で説明するデバイスおよび／または集積回路（ＩＣ）パッケージのいずれかであってよい。図１４に示すデバイス１４０２、１４０４、１４０６および１４０８ならびに車両１４１０は、例にすぎない。他の電子デバイスもデバイス１４００を特徴としてもよく、デバイス１４００は、限定はしないが、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、全地球測位システム（ＧＰＳ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、メーター読取り機器などの固定位置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス（たとえば、時計、眼鏡）、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、サーバ、ルータ、自動車車両（たとえば、自律車両）に実装された電子デバイス、またはデータもしくはコンピュータ命令を記憶しもしくは取り出す任意の他のデバイス、あるいはそれらの任意の組合せを含むデバイス（たとえば、電子デバイス）のグループを含む。

【0109】

図２～図７、図８Ａ～図８Ｂ、図９、図１０Ａ～図１０Ｃ、図１１、図１２Ａ～図１２Ｂ、および／または図１３～図１４に示す構成要素、プロセス、特徴、および／または機能のうちの１つまたは複数は、単一の構成要素、プロセス、特徴、もしくは機能に再構成および／または組み合わされてもよく、あるいはいくつかの構成要素、プロセス、または機能に組み込まれてもよい。本開示から逸脱することなく、追加の要素、構成要素、プロセス、および／または機能がさらに追加されてもよい。図２～図７、図８Ａ～図８Ｂ、図９、図１０Ａ～図１０Ｃ、図１１、図１２Ａ～図１２Ｂ、および／または図１３～図１４ならびに本開示におけるその対応する説明が、ダイおよび／またはＩＣに限定されないことにも留意されたい。いくつかの実装形態では、図２～図７、図８Ａ～図８Ｂ、図９、図１０Ａ～図１０Ｃ、図１１、図１２Ａ～図１２Ｂ、および／または図１３～図１４ならびにその対応する説明が、デバイスおよび／または集積デバイスを製造し、作製し、提供し、および／または生産するために使用されてもよい。いくつかの実装形態では、デバイスは、ダイ、集積デバイス、集積受動デバイス（ＩＰＤ）、ダイパッケージ、集積回路（ＩＣ）デバイス、デバイスパッケージ、集積回路（ＩＣ）パッケージ、ウェハ、半導体デバイス、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）デバイス、放熱デバイス、および／またはインターポーザを含んでもよい。

【0110】

本開示における図は、様々な部品、構成要素、物体、デバイス、パッケージ、集積デバイス、集積回路、および／またはトランジスタの実際の表現および／または概念的表現を表し得ることに留意されたい。いくつかの例では、図は、縮尺通りではない場合がある。いくつかの例では、簡明にするために、すべての構成要素および／または部品が示されているとは限らない。いくつかの例では、図中の様々な部品および／または構成要素の位置、ロケーション、サイズおよび／または形状は、例示的なものであり得る。いくつかの実装形態では、図中の様々な構成要素および／または部品は、随意であり得る。

【0111】

「例示的」という語は、「例、事例、または例示の働きをすること」を意味するために本明細書で使用される。本明細書で「例示的」として説明する任意の実装形態または態様は、必ずしも本開示の他の態様よりも好ましいまたは有利であると解釈されるべきではない。同様に、「態様」という用語は、本開示のすべての態様が、説明した特徴、利点、または動作モードを含むことを必要としない。「結合される」という用語は、２つの物体間の直接的または間接的な結合（たとえば、機械的結合）を指すために本明細書で使用される。たとえば、物体Ａが物体Ｂに物理的に接触し、物体Ｂが物体Ｃに接触する場合、物体Ａおよび物体Ｃは、物理的に互いに直接接触しない場合であっても、やはり互いに結合されると見なされることがある。「電気的に結合される」という用語は、２つの物体が、電流（たとえば、信号、電力、接地）が２つの物体の間を進み得るように、一緒に直接的または間接的結合されることを意味し得る。電気的に結合された２つの物体は、２つの物体の間を進む電流を有しても有しなくてもよい。「第１の」、「第２の」、「第３の」および「第４の」（および／または第４を超えるもの）の用語の使用は恣意的である。説明した構成要素のいずれかが、第１の構成要素、第２の構成要素、第３の構成要素、または第４の構成要素であり得る。たとえば、第２の構成要素と呼ばれる構成要素が、第１の構成要素、第２の構成要素、第３の構成要素、または第４の構成要素であり得る。「カプセル化する」という用語は、物体が、別の物体を部分的にカプセル化してもよく、または完全にカプセル化してもよいことを意味する。「上部」および「底部」という用語は任意である。上部に設置される構成要素は、底部の上に設置される構成要素の上に設置され得る。上部の構成要素が底部の構成要素と見なされてもよく、その逆もあり得る。本開示で説明するように、第２の構成要素の「上」に設置される第１の構成要素は、底部または上部が恣意的にどのように定義されるかに応じて、第１の構成要素が、第２の構成要素の上または下に設置されることを意味し得る。別の例では、第１の構成要素は、第２の構成要素の第１の面の上に（ｏｖｅｒ）（たとえば、上方に（ａｂｏｖｅ））設置され得、第３の構成要素は、第２の構成要素の第２の面の上に（ｏｖｅｒ）（たとえば、下方に（ｂｅｌｏｗ））に設置され得、第２の面は、第１の面に対向している。ある構成要素が別の構成要素の上に位置する文脈において本出願で使用される「～の上に（ｏｖｅｒ）」という用語は、別の構成要素上ならびに／あるいは別の構成要素内に位置する（たとえば、構成要素の表面上に位置するかあるいは構成要素に埋め込まれた）構成要素を意味するために使用される場合があることにさらに留意されたい。したがって、たとえば、第２の構成要素の上に位置する第１の構成要素は、（１）第１の構成要素が第２の構成要素の上に位置するが、第２の構成要素に直接接触してはおらず、（２）第１の構成要素が第２の構成要素上（たとえば、第２の構成要素の表面上）に位置し、ならびに／あるいは（３）第１の構成要素が第２の構成要素内に位置する（たとえば、第２の構成要素に埋め込まれている）ことを意味する場合がある。第２の構成要素の「中に（ｉｎ）」設置される第１の構成要素は、部分的に第２の構成要素の中に設置され得るか、または完全に第２の構成要素の中に設置され得る。本開示で使用される「約（ａｂｏｕｔ）“Ｘの値”」または「およそ（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）Ｘの値」という用語は、“Ｘの値”の１０パーセント以内を意味する。たとえば、約１またはおよそ１の値は、０．９～１．１の範囲内の値を意味する。

【0112】

いくつかの実装形態では、相互接続部とは、２つの点、要素、および／または構成要素の間の電気接続を可能または容易にする、デバイスまたはパッケージの要素または構成要素である。いくつかの実装形態では、相互接続部は、トレース、ビア、パッド、ピラー、メタライゼーション層、再分配層、および／またはアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ：ｕｎｄｅｒ ｂｕｍｐ ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）層／相互接続部を含んでよい。いくつかの実装形態では、相互接続部は、信号（たとえば、データ信号）、接地および／または電力のための電気経路を設けるように構成されてもよい導電性の材料を含み得る。相互接続部は、２つ以上の要素または構成要素を含んでよい。相互接続部は、１つまたは複数の相互接続部によって画定されてもよい。相互接続部は、１つまたは複数の金属層を含んでもよい。相互接続部は、回路の一部であってよい。様々な実装形態は、相互接続部を形成するためにそれぞれに異なるプロセスおよび／またはシーケンスを使用してもよい。いくつかの実装形態では、化学気相成長（ＣＶＤ）プロセス、物理気相成長（ＰＶＤ）プロセス、スパッタリングプロセス、吹付塗装プロセス、および／またはめっきプロセスが、相互接続部を形成するために使用されてもよい。

【0113】

また、本明細書に含まれる様々な開示が、フローチャート、流れ図、構造図、またはブロック図として示されるプロセスとして説明される場合があることに留意されたい。フローチャートは動作を逐次プロセスとして説明することがあるが、動作の多くは並行してまたは同時に実施することができる。加えて、動作の順序は並べ替えられてよい。プロセスは、その動作が完了したとき、終了する。

【0114】

以下は、本開示の態様の概要を提供する。

【0115】

態様１： 空洞を含む基板と、第１の複数のピラー相互接続部および第１の複数のはんだ相互接続部を通って基板に結合された第１の集積デバイスと、第２の複数のピラー相互接続部および第２の複数のはんだ相互接続部を通って基板に結合された第２の集積デバイスと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合された複数のワイヤボンドとを含み、複数のワイヤボンドは、基板の空洞の上（たとえば、上方、下方）に位置する、パッケージ。

【0116】

態様２： 複数のワイヤボンドは、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合された第１の複数のワイヤボンドと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合された第２の複数のワイヤボンドとを含む、態様１のパッケージ。第２の複数のワイヤボンドと第１の集積デバイスとの間の第２の垂直距離は、第１の複数のワイヤボンドと第１の集積デバイスとの間の第１の垂直距離と異なる。第２の複数のワイヤボンドは、第１の複数のワイヤボンドの上に部分的に位置し得る。ワイヤボンドと集積デバイスの表面および／または集積デバイスのパッドとの間の垂直距離（ｖｅｒｔｉｃａｌ ｄｉｓｔａｎｃｅ）は、集積デバイスの表面および／または集積デバイスのパッドに対する垂直距離（ｖｅｒｔｉｃａｌ ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｄｉｓｔａｎｃｅ）であり得る。第１の垂直距離は、第１の最大垂直距離であり得る。第２の垂直距離は、第２の最大垂直距離であり得る。

【0117】

態様３： 第１の集積デバイスは複数のパッドの第１の列と複数のパッドの第２の列とを含み、第２の集積デバイスは複数のパッドの第１の列と複数のパッドの第２の列とを含み、複数のワイヤボンドは、（ｉ）第１の集積デバイスの複数のパッドの第１の列、および（ｉｉ）第２の集積デバイスの複数のパッドの第１の列に結合された第１の複数のワイヤボンドと、（ｉ）第１の集積デバイスの複数のパッドの第２の列、および（ｉｉ）第２の集積デバイスの複数のパッドの第２の列に結合された第２の複数のワイヤボンドとを含む、態様１から２のパッケージ。

【0118】

態様４： 第１の集積デバイスからの複数のパッドの第１の列が、第１の集積デバイスからの複数のパッドの第２の列に対してずらして配置される、態様３のパッケージ。

【0119】

態様５： 第１の集積デバイスと第２の集積デバイスとの間の複数のワイヤボンドが、１ミリメートル当たり少なくとも４０本のワイヤボンドの密度を有する、態様１から４のパッケージ。

【0120】

態様６： 複数のワイヤボンドからの各ワイヤボンドが、１５マイクロメートルの最小径を有する、態様１から５のパッケージ。

【0121】

態様７： （ｉ）第１の集積デバイスと基板との間、および（ｉｉ）第２の集積デバイスと基板との間に設置されたアンダーフィルをさらに含む、態様１から６のパッケージ。いくつかの実装形態では、アンダーフィルは、カプセル化層を含む。

【0122】

態様８： アンダーフィルは、約１０～３０パスカル秒（Ｐａ・ｓ）の粘度を含む、態様７のパッケージ。

【0123】

態様９： アンダーフィルは、毛管アンダーフィルおよび／またはモールドアンダーフィルを含む、態様７から８のパッケージ。

【0124】

態様１０： 基板と、第１の集積デバイスと、第２の集積デバイスとの上に設置されるカプセル化層をさらに含む、態様１から９のパッケージ。

【0125】

態様１１： 基板の空洞が、カプセル化層で少なくとも部分的に充填される、態様１０のパッケージ。いくつかの実装形態では、基板の空洞は、カプセル化層で完全に充填される。

【0126】

いくつかの実装形態では、態様１は、空洞を含む基板と、第１の複数の相互接続部を通って基板に結合された第１の集積デバイスと、第２の複数の相互接続部を通って基板に結合された第２の集積デバイスと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合された複数のワイヤボンドとを含むパッケージであり得、複数のワイヤボンドは、基板の空洞の上（たとえば、上方、下方）に位置する。第１の複数の相互接続部は、第１の複数のはんだ相互接続部を含み得る。第２の複数の相互接続部は、第２の複数のはんだ相互接続部を含み得る。

【0127】

いくつかの実装形態では、態様１は、基板と、第１の複数のピラー相互接続部および第１の複数のはんだ相互接続部を通って基板に結合された第１の集積デバイスと、第２の複数のピラー相互接続部および第２の複数のはんだ相互接続部を通って基板に結合された第２の集積デバイスと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合された複数のワイヤボンドとを含むパッケージであり得る。

【0128】

態様１２： 空洞を含む基板と、第１の複数のピラー相互接続部および第１の複数のはんだ相互接続部を通って基板に結合された第１の集積デバイスと、第２の複数のピラー相互接続部および第２の複数のはんだ相互接続部を通って基板に結合された第２の集積デバイスと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合されたワイヤ相互接続のための手段とを含み、ワイヤ相互接続のための手段は、基板の空洞の上（たとえば、上方、下方）に位置する、装置。

【0129】

態様１３： ワイヤ相互接続のための手段は、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合された第１の複数ワイヤボンドと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合された第２の複数ワイヤボンドとを含み、第２の複数のワイヤボンドと第１の集積デバイスとの間の第２の垂直距離は、第１の複数のワイヤボンドと第１の集積デバイスとの間の第１の垂直距離と異なる、態様１２の装置。第２の複数のワイヤボンドは、第１の複数のワイヤボンドの上に部分的に位置し得る。ワイヤボンドと集積デバイスの表面および／または集積デバイスのパッドとの間の垂直距離は、集積デバイスの表面および／または集積デバイスのパッドに対する垂直距離であり得る。第１の垂直距離は、第１の最大垂直距離であり得る。第２の垂直距離は、第２の最大垂直距離であり得る。

【0130】

態様１４： 第１の集積デバイスは複数のパッドの第１の列と複数のパッドの第２の列とを含み、第２の集積デバイスは複数のパッドの第１の列と複数のパッドの第２の列とを含み、ワイヤ相互接続のための手段は、（ｉ）第１の集積デバイスの複数のパッドの第１の列、および（ｉｉ）第２の集積デバイスの複数のパッドの第１の列に結合された第１の複数のワイヤボンドと、（ｉ）第１の集積デバイスの複数のパッドの第２の列、および（ｉｉ）第２の集積デバイスの複数のパッドの第２の列に結合された第２の複数のワイヤボンドとを含む、態様１２から１３の装置。

【0131】

態様１５： 第１の集積デバイスからの複数のパッドの第１の列が、第１の集積デバイスからの複数のパッドの第２の列に対してずらして配置される、態様１４の装置。

【0132】

態様１６： 第１の集積デバイスと第２の集積デバイスとの間のワイヤ相互接続のための手段が、１ミリメートル当たり少なくとも４０本のワイヤボンドの密度を有する、態様１２から１５の装置。

【0133】

態様１７： ワイヤ相互接続のための手段からの各ワイヤボンドが、１５マイクロメートルの最小径を有する、態様１２から１６の装置。

【0134】

態様１８： （ｉ）第１の集積デバイスと基板との間、および（ｉｉ）第２の集積デバイスと基板との間に設置されたアンダーフィルをさらに含む、態様１２から１７の装置。いくつかの実装形態では、アンダーフィルは、カプセル化層を含む。

【0135】

態様１９： 基板と、第１の集積デバイスと、第２の集積デバイスとの上に設置されたカプセル化のための手段をさらに含む、態様１２から１８の装置。

【0136】

態様２０： カプセル化のための手段は、基板の空洞の中にさらに設置される、態様１９の装置。基板の空洞は、カプセル化のための手段で少なくとも部分的に充填され得る。基板の空洞は、カプセル化のための手段で完全に充填され得る。

【0137】

態様２１： 装置は、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、および自動車両内のデバイスからなるグループから選択されたデバイスを含む、態様１２から２０の装置。

【0138】

いくつかの実装形態では、態様１２は、空洞を含む基板と、第１の複数の相互接続部を通って基板に結合された第１の集積デバイスと、第２の複数の相互接続部を通って基板に結合された第２の集積デバイスと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合されたワイヤ相互接続のための手段とを含む装置であり得、ワイヤ相互接続のための手段は、基板の空洞の上（たとえば、上方、下方）に位置する。第１の複数の相互接続部は、第１の複数のはんだ相互接続部を含み得る。第２の複数の相互接続部は、第２の複数のはんだ相互接続部を含み得る。

【0139】

いくつかの実装形態では、態様１２は、基板と、第１の複数のピラー相互接続部および第１の複数のはんだ相互接続部を通って基板に結合された第１の集積デバイスと、第２の複数のピラー相互接続部および第２の複数のはんだ相互接続部を通って基板に結合された第２の集積デバイスと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合されたワイヤ相互接続のための手段とを含む装置であり得る。

【0140】

態様２２： パッケージを製造するための方法であって、空洞を含む基板を設けるステップと、第１の複数のピラー相互接続部および第１の複数のはんだ相互接続部を通って第１の集積デバイスを基板に結合するステップと、第２の複数のピラー相互接続部および第２の複数のはんだ相互接続部を通って第２の集積デバイスを基板に結合するステップと、第１の集積デバイスと第２の集積デバイスとの間に複数のワイヤボンドを形成するステップとを含み、複数のワイヤボンドは、基板の空洞の上（たとえば、上方、下方）に位置する、方法。

【0141】

態様２３： 複数のワイヤボンドを形成するステップは、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに第１の複数ワイヤボンドを結合するステップと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに第２の複数ワイヤボンドを結合するステップとを含み、第２の複数のワイヤボンドと第１の集積デバイスとの間の第２の垂直距離は、第１の複数のワイヤボンドと第１の集積デバイスとの間の第１の垂直距離と異なる、態様２２の方法。第２の複数のワイヤボンドは、第１の複数のワイヤボンドの上に部分的に位置し得る。ワイヤボンドと集積デバイスの表面および／または集積デバイスのパッドとの間の垂直距離は、集積デバイスの表面および／または集積デバイスのパッドに対する垂直距離であり得る。第１の垂直距離は、第１の最大垂直距離であり得る。第２の垂直距離は、第２の最大垂直距離であり得る。

【0142】

態様２４： 第１の集積デバイスは複数のパッドの第１の列と複数のパッドの第２の列とを含み、第２の集積デバイスは複数のパッドの第１の列と複数のパッドの第２の列とを含み、複数のワイヤボンドを形成するステップは、（ｉ）第１の集積デバイスの複数のパッドの第１の列、および（ｉｉ）第２の集積デバイスの複数のパッドの第１の列に第１の複数のワイヤボンドを結合するステップと、（ｉ）第１の集積デバイスの複数のパッドの第２の列、および（ｉｉ）第２の集積デバイスの複数のパッドの第２の列に第２の複数のワイヤボンドを結合するステップとを含む、態様２２から２３の方法。

【0143】

態様２５： 第１の集積デバイスからの複数のパッドの第１の列が、第１の集積デバイスからの複数のパッドの第２の列に対してずらして配置される、態様２４の方法。

【0144】

態様２６： 第１の集積デバイスと第２の集積デバイスとの間の複数のワイヤボンドが、１ミリメートル当たり少なくとも４０本のワイヤボンドの密度を有して形成される、態様２２から２５の方法。

【0145】

態様２７： （ｉ）第１の集積デバイスと基板との間、および（ｉｉ）第２の集積デバイスと基板との間に設置されたアンダーフィルを形成するステップをさらに含む、態様２２から２６の方法。

【0146】

態様２８： 基板と、第１の集積デバイスと、第２の集積デバイスとの上に設置されるカプセル化層を形成するステップをさらに含む、態様２２から２７の方法。

【0147】

態様２９： カプセル化層が、少なくとも部分的に基板の空洞の中にさらに形成される、態様２８の方法。

【0148】

いくつかの実装形態では、態様２２は、空洞を含む基板を設けるステップと、第１の集積デバイスを第１の複数の相互接続部を通って基板に結合するステップと、第２の集積デバイスを第２の複数の相互接続部を通って基板に結合するステップと、第１の集積デバイスと第２の集積デバイスとの間に複数のワイヤボンドを形成するステップとを含むパッケージを製造するための方法であり得、複数のワイヤボンドは、基板の空洞の上（たとえば、上方、下方）に位置する。第１の複数の相互接続部は、第１の複数のはんだ相互接続部を含み得る。第２の複数の相互接続部は、第２の複数のはんだ相互接続部を含み得る。

【0149】

本明細書で説明する本開示の様々な特徴は、本開示から逸脱することなく異なるシステムにおいて実装され得る。本開示の上記の態様は例にすぎず、本開示を限定するものとして解釈されるべきではないことに留意されたい。本開示の態様の説明は、例示的であることが意図されており、特許請求の範囲を限定することは意図されていない。したがって、本教示は、他のタイプの装置に容易に適用することができ、多くの代替、修正、および変形が当業者には明らかであろう。

【符号の説明】

【0150】

１００ パッケージ
１０２ 基板
１０４ 集積デバイス
１０６ 集積デバイス
１２０ 誘電体層
１２２ 相互接続部
１２４ はんだ相互接続部
１４４ はんだ相互接続部
１６４ はんだ相互接続部
２００ パッケージ
２０２ 基板
２０４ 第１の集積デバイス
２０６ 第２の集積デバイス
２０８ カプセル化層
２０９ 空洞
２１０ ワイヤボンド
２１０ａ ワイヤボンド
２１０ｂ ワイヤボンド
２１０ｃ ワイヤボンド
２１０ｄ ワイヤボンド
２１０ｅ ワイヤボンド
２１０ｆ ワイヤボンド
２２０ 誘電体層
２２２ 相互接続部
２２４ 第１のはんだレジスト層
２２６ 第２のはんだレジスト層
２４０ ピラー相互接続部
２４１ パッド
２４１ａ パッド
２４１ｂ パッド
２４１ｃ パッド
２４１ｄ パッド
２４１ｅ パッド
２４１ｆ パッド
２４２ 複数のはんだ相互接続部
２４４ アンダーフィル
２６０ ピラー相互接続部
２６１ パッド
２６１ａ パッド
２６１ｂ パッド
２６１ｃ パッド
２６１ｄ パッド
２６１ｅ パッド
２６１ｆ パッド
２６２ 複数のはんだ相互接続部
２６４ アンダーフィル
２８０ 複数のはんだ相互接続部
７００ パッケージ
７０８ カプセル化層
８００ フォトレジスト層
８０１ 開口
８１１ シード層
８３０ 複数のピラー相互接続部
８３２ 複数のはんだ相互接続部
９００ 方法
１０００ キャリア
１００２ 相互接続部
１０１０ 空洞
１０１２ 相互接続部
１０１４ 相互接続部
１０１６ 相互接続部
１０２０ 誘電体層
１０２２ 誘電体層
１０２４ 誘電体層
１０３０ 空洞
１０４０ 空洞
１１００ 方法
１４００ デバイス
１４０２ 携帯電話デバイス
１４０４ ラップトップコンピュータデバイス
１４０６ 固定位置端末デバイス
１４０８ ウェアラブルデバイス
１４１０ 自動車両

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8A】

【図8B】

【図9】

【図10A】

【図10B】

【図10C】

【図11】

【図12A】

【図12B】

【図13】

【図14】

【国際調査報告】