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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-03-07
(54)【発明の名称】導電層相互接続部を備えた光起電デバイス
(51)【国際特許分類】
H01L 31/0463 20140101AFI20240229BHJP
【ＦＩ】
H01L31/04 532A
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023557381
(86)(22)【出願日】2022-03-17
(85)【翻訳文提出日】2023-11-15
(86)【国際出願番号】 US2022020720
(87)【国際公開番号】W WO2022197905
(87)【国際公開日】2022-09-22
(31)【優先権主張番号】63/163,670
(32)【優先日】2021-03-19
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】63/278,371
(32)【優先日】2021-11-11
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】510328032
【氏名又は名称】ファースト・ソーラー・インコーポレーテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100118902
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 修
(74)【代理人】
【識別番号】100106208
【弁理士】
【氏名又は名称】宮前 徹
(74)【代理人】
【識別番号】100196508
【弁理士】
【氏名又は名称】松尾 淳一
(74)【代理人】
【識別番号】100104374
【弁理士】
【氏名又は名称】野矢 宏彰
(74)【代理人】
【識別番号】100112634
【弁理士】
【氏名又は名称】松山 美奈子
(72)【発明者】
【氏名】バンダリ，ニヒル
(72)【発明者】
【氏名】デービス，マシュー
(72)【発明者】
【氏名】ミラー，レット
(72)【発明者】
【氏名】ウィッカーシャム，チャールズ
【テーマコード（参考）】
5F251
【Ｆターム（参考）】
5F251EA09
5F251EA10
5F251EA11
5F251EA19
(57)【要約】
本明細書に示す実施形態によると、第１の導電層において正則閉形状のアイランドがアブレーションされる。アイランドを位置合わせ基準として使用してアイランドを貫通して相互接続部が形成される。アイランドと相互接続部とが第１の導電層の残存部分から分離される。
【選択図】図２
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１のコンタクトの上の半導体スタックと、前記半導体スタックの上の第１の導電層に形成された導電アイランドと、
前記導電アイランドを貫通して形成された相互接続部とを含む光起電デバイスであって、
前記導電アイランドと前記相互接続部とが前記導電アイランドにおいて前記第１の導電層から分離され、そして
前記相互接続部が前記第１のコンタクトとの電気接続部を形成する、光起電デバイス。
【請求項2】
前記第１の導電層の成形領域が、前記導電アイランドが前記成形領域によって境界が定められるように、前記導電アイランドを形成するためにアブレーションされている、請求項１に記載の光起電デバイス。
【請求項3】
前記成形領域が環状スクライブリングを含む、請求項２に記載の光起電デバイス。
【請求項4】
前記第１の導電層の上に形成された誘電体層をさらに含む、請求項１に記載の光起電デバイス。
【請求項5】
前記誘電体層が前記成形領域を少なくとも部分的に充填している、請求項４に記載の光起電デバイス。
【請求項6】
前記誘電体層の上に形成された第２の導電層をさらに含む、請求項４に記載の光起電デバイス。
【請求項7】
前記第２の導電層が前記相互接続部を少なくとも部分的に形成している、請求項６に記載の光起電デバイス。
【請求項8】
導電相互接続部を形成する方法であって、第１のコンタクトの上に半導体スタックを形成すること、
前記半導体スタックの上に第１の導電層を形成すること、
前記半導体スタックから前記第１の導電層の成形領域をアブレーションすること、ここで導電アイランドが前記第１の導電層から形成され、前記成形領域によって境界が定められる、、
前記第１の導電層の上に誘電体層を形成すること、
前記第１の導電層の前記アイランドを通る通路を形成すること、ここで前記通路が前記誘電体層と前記第１の導電層の前記導電アイランドと前記半導体スタックとを貫通して延びる、ならびに
前記通路を、前記第１のコンタクトとの電気接続部を形成する相互接続部で少なくとも部分的に充填すること
を含む、方法。
【請求項9】
前記アブレーションを環状スクライブリングの形状に行い、それによって前記導電アイランドを前記第１の導電層から離隔し、電気的に分離することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項10】
前記環状スクライブリングが、焦点レンズと回折アキシコンとを使用して生成される、請求項９に記載の方法。
【請求項11】
前記通路形成ステップの後で前記導電アイランドの一部が残るように前記通路を形成することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項12】
前記導電アイランド全体が前記通路形成ステップによって除去されるように前記通路を形成することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項13】
前記成形領域を部分的に充填するように前記誘電体層を形成することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項14】
前記誘電体層に隣接する第２の導電層を形成することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項15】
前記第２の導電層が前記相互接続部の少なくとも一部を形成する、請求項１４に記載の方法。
【請求項16】
光起電デバイスを形成する方法であって、透明層と、透明導電酸化物層と、半導体スタックと、第１の導電層とを含む積層デバイスを設けること、
前記半導体スタックまで下方に前記第１の導電層のＰ２．０レーザーアブレーションを行い、環状スクライブリングを使用してＰ２．０スクライブを生成して、前記第１の導電層において導電アイランドを画定すること、
前記Ｐ２．０スクライブに誘電材料を少なくとも部分的に充填することによって、前記積層デバイスに誘電体層を付加すること、ならびに
前記誘電体層と前記アイランドと前記半導体スタックとのＰ２．１レーザーアブレーションを行い、前記Ｐ２．０スクライブ内にＰ２．１スクライブを生成すること
を含む、方法。
【請求項17】
前記Ｐ２．１スクライブを生成するための位置合わせ基準として前記Ｐ２．０スクライブの前記リング形状を使用することをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項18】
前記環状スクライブリングが焦点レンズと回折アキシコンとを使用して生成される、請求項１６に記載の方法。
【請求項19】
前記Ｐ２．１レーザーアブレーションの後に前記積層デバイスに第２の導電層を付加するステップをさらに含み、前記第２の導電層が、透明導電酸化物層への電気接続部を形成する相互接続材料で前記Ｐ２．１スクライブを少なくとも部分的に充填する、請求項１６に記載の方法。
【請求項20】
導電相互接続部を形成する方法であって、第１のコンタクトの上に半導体スタックを形成すること、
前記半導体スタックの上に第１の導電層を形成すること、
前記半導体スタックから前記第１の導電層の成形領域を除去すること、ここで導電アイランドが前記第１の導電層から形成され、かつ前記成形領域によって境界が定められる、
前記第１の導電層の前記アイランドを通る通路を形成すること、前記通路が前記第１の導電層の前記導電アイランドと前記半導体スタックとを貫通して延びる、ならびに
前記通路を、前記第１のコンタクトとの電気接続部を形成する相互接続部で少なくとも部分的に充填すること
を含む、方法。
【請求項21】
前記成形領域が環状スクライブリングを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項22】
前記除去する工程の後で、前記第１の導電層の上に誘電体層を形成することをさらに含む、請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項23】
前記誘電体層が、前記成形領域を少なくとも部分的に充填するように形成される、請求項２２に記載の方法。
【請求項24】
前記誘電体層の上に第２の導電層を形成することをさらに含む、請求項２２または２３に記載の光起電デバイス。
【請求項25】
環状スクライブリングの形状の前記成形領域を除去し、それによって前記第１の導電層から前記導電アイランドを離隔し、かつ電気的に分離することをさらに含む、請求項２０および２２から２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項26】
前記環状スクライブリングが焦点レンズと回折アキシコンとを使用して生成される、請求項２５に記載の方法。
【請求項27】
前記導電アイランドの一部が前記通路を形成した後に残るように前記通路を形成することをさらに含む、請求項２０から２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項28】
前記通路を形成することにより前記導電アイランド全体が除去されるように、前記通路を形成することをさらに含む、請求項２０から２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項29】
前記成形領域を部分的に充填するように前記誘電体層を形成することをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項30】
前記誘電体層に隣接する第２の導電層を形成することをさらに含む、請求項２２または２９に記載の方法。
【請求項31】
前記第２の導電層が前記相互接続部の少なくとも一部を形成する、請求項３０に記載の方法。
【請求項32】
請求項２０から３１で定義されている方法のうちのいずれか１つの方法により形成された光起電デバイス。
【請求項33】
基板上の、少なくとも１つの導電層と前記導電層上の少なくとも１つの誘電体層とを含む複数の層、前記誘電体層上の正則閉形状アイランド、ならびに
横方向に実質的に前記アイランド内に配置され、前記アイランドと前記誘電体層とを実質的に垂直方向に通って前記導電層まで配置された円柱状相互接続部とを含む、デバイス。
【請求項34】
前記アイランドが円柱状であり、前記円柱状アイランドの垂直方向の長さが前記円柱状相互接続部の垂直方向の長さより短い、請求項３３に記載のデバイス。
【請求項35】
前記アイランドが前記通路を形成する工程のための位置合わせ基準として使用される、請求項９または２１に記載の方法。
【請求項36】
前記アイランドが環状リングの形状である、請求項３５に記載の方法。
【請求項37】
前記位置合わせ基準が２．４ｍ２の面積にわたって±２０μｍの位置合わせ精度を生じさせる、請求項１７または３５に記載の方法。
【請求項38】
前記焦点レンズと前記回折アキシコンとの間の距離が約１ｍｍ～２００ｍｍである、請求項１０、１８または２６に記載の方法。
【請求項39】
前記焦点レンズと前記回折アキシコンとが５ｍｍ～１００ｍｍの範囲の被写界深度を生じさせる、請求項３８に記載の方法。
【請求項40】
前記焦点レンズと前記回折アキシコンとがプラスマイナス９００μｍの範囲の被写界深度を生じさせる、請求項３９に記載の方法。
【請求項41】
上に配置された少なくとも１つの導電層と少なくとも１つの誘電体層とを有する基板、ここで前記導電層と前記誘電体層のうちの一方が中間層を形成するように前記基板の上にあり、前記導電層と前記誘電体層のうちの他方が上部層を形成するように前記中間層の上にある、ならびに前記上部層上の位置決め基準アイランド、ここで前記アイランドは正則閉形状を有する
を含む、デバイス。
【請求項42】
前記アイランドが、円と楕円と矩形と正方形と多角形とからなる群から選択される形状を有する、請求項３、９、１６または２１に記載の方法。
【請求項43】
前記アイランドが、円と楕円と矩形と正方形と多角形とからなる群から選択される形状を有する、請求項１、３３または４１に記載のデバイス。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
[0001]本明細書は、一般には、導電層相互接続部を備えた光起電デバイスに関し、より具体的には、光起電デバイスの隣接セル間に電気接続部を形成するための導電層相互接続部を有する光起電セルに関する。
【背景技術】
【0002】
[0002]光起電デバイスは、光起電効果を示す半導体材料を使用して光を電気に変換することによって電力を発生する。光起電デバイスは、層の特定の領域の選択的除去によって複数の光起電セルに分割された、いくつかの層を含む。各光起電セルは、太陽光を電力に変換し、１つまたは複数の隣接セルに電気的に接続可能である。このような電気接続部は、除去された領域に導電材料を充填することによって形成することができる。除去された領域と導電材料との寸法は、光起電デバイスの性能と製造容易性とに影響を与え得る。
【0003】
[0003]層の特定の領域の選択的除去は、レーザースクライビングと呼ばれる場合があるレーザーアブレーションプロセスを使用して行うことができる。光起電デバイス基板の上に配置されるスクライブの精度と再現性を向上させる必要がある。
【発明の概要】
【0004】
[0004]一部の実施形態によると、第１のコンタクトの上の半導体スタックと、半導体スタックの上の第１の導電層に形成された導電アイランドと、導電アイランドを貫通して形成された相互接続部とを有する光起電デバイスであって、導電アイランドと相互接続部とが導電アイランドにおいて第１の導電層から分離され、相互接続部が第１のコンタクトとの電気接続部を形成する、光起電デバイスが提供される。
【0005】
[0005]一部の実施形態によると、少なくとも１つの導電層とその導電層上の少なくとも１つの誘電体層とを含む基板上の複数の層と、誘電体層上の正則閉形状のアイランドと、横方向に実質的にアイランド内に配置され、アイランドと誘電体層とを通って導電層まで実質的に垂直に配置された円柱形状の相互接続部とを有する導電デバイスが提供される。一部の実施形態によると、円形導電アイランドが円柱状であり、円柱状導電アイランドの垂直方向の長さが円柱状相互接続部の垂直方向の長さよりも短い。
【0006】
[0006]一部の実施形態によると、導電相互接続部を形成する方法が提供される。方法は、第１のコンタクトの上に半導体スタック１７６（図２および図５）を形成することを含む。半導体スタック１７６の上に第１の導電層１８０（Ｍ１）が形成される。第１の導電層１８０（Ｍ１）の成形領域が半導体スタック１７６からアブレーションされ、導電アイランド２４０（図６）が第１の導電層１８０（Ｍ１）から形成され、成形領域（たとえば、それぞれ図１０および図１１の環状スクライブリング８００、９００によって作られる形状）によって境界が定められる。第１の導電層１８０（Ｍ１）の上に誘電体層２１０（図７）が形成され、誘電体層は成形領域を少なくとも部分的に充填する。第１の導電層１８０（Ｍ１）の環状導電アイランド２４０を貫通して通路（Ｐ２．１スクライブ２３４、図８）が形成され、導電アイランドの残存部分２４２を残す（図８）。通路は、誘電体層２１０と、導電アイランドの残存部分２４２と、半導体スタック１７６とを貫通して延びる。通路は、第１のコンタクト（ＴＣＯ層１４０）との電気接続部を形成する相互接続部で少なくとも部分的に充填される。
【0007】
[0007]本明細書で示される実施形態によると、光起電デバイスが、第１の電気コンタクトの上に形成された半導体スタックを含む。半導体スタックの上に第１の導電層が形成される。半導体スタックの上の第１の導電層に導電アイランドが形成される。導電アイランドを貫通して相互接続部が形成され、導電アイランドと相互接続部とが導電アイランドにおいて第１の導電層から分離される。相互接続部は第１のコンタクトとの電気接続部を形成する。一部の実施形態によると、導電アイランドは環状スクライブを使用して生成される。
【0008】
[0008]さらなる１組の実施形態によると、導電アイランドの一部がアブレーションされ、アイランドの残存部分が残される。アイランドの残存部分を貫通して相互接続部が形成され、アイランドの残存部分と相互接続部とがアイランドの残存部分において第１の導電層から分離される。相互接続部は、第１のコンタクトとの電気接続部を形成する。
【0009】
[0009]一部の実施形態によると、光起電デバイスを形成する方法が提供される。透明層と、透明導電酸化物層と、半導体スタックと、第１の導電層とを含む積層デバイスが提供される。第１の導電層において導電アイランドを画定するために環状スクライブリングを使用してＰ２．０スクライブを生成するように、第１の導電層上で半導体スタックまで下方にＰ２．０レーザーアブレーションが行われる。Ｐ２．０スクライブに誘電材料を少なくとも部分的に充填することによって、積層デバイスに誘電体層が付加される。Ｐ２．０スクライブ内にＰ２．１スクライブを生成するために、誘電体層とアイランドと半導体スタックの上でＰ２．１レーザーアブレーションが行われる。一部の実施形態によると、上に配置された少なくとも１つの導電層と少なくとも１つの誘電体層とを有する基板を有し、導電層と誘電体層とのうちの一方が中間層を形成するように基板の上にあり、導電層と誘電体層のうちの他方が上部層を形成するように中間層の上にあり、上部層上に位置合わせ基準アイランドがあり、位置合わせ基準が正則閉形状を有する、デバイスが提供される。一部の実施形態では、アイランドは、円形、楕円形、矩形、正方形および多角形からなる群から選択される形状を有する。
【0010】
[0010]本明細書に示す実施形態は、導電層相互接続部を備えた光起電デバイスに関する。本明細書に記載の実施形態によって提供される上記および追加の特徴は、以下の詳細な説明を図面と併せて検討すればより完全にわかるであろう。
【0011】
[0011]図面に記載されている実施形態は、説明的で例示的な性質のものであり、特許請求の範囲によって定義されている主題を限定することは意図されていない。例示の実施形態の以下の詳細な説明は、以下の図面と併せて読めば理解することができ、図面中では同様の構造体は同様の参照番号で示されている。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】[0012]本明細書で示され、説明されている１つまたは複数の実施形態による光起電デバイスを概略的に示す図である。
【図3】[0014]本明細書で示され、説明されている１つまたは複数の実施形態による基板を概略的に示す図である。
【図4】[0015]本明細書で示され、説明されている１つまたは複数の実施形態による、位置合わせ方法を使用して光起電デバイスに導電層相互接続部を作製するプロセスを示すフローチャートである。
【図5】[0016]本明細書で示され、説明されている１つまたは複数の実施形態による、第１の導電層と複数のＰ１スクライブとを有する積層デバイスの断面図を概略的に示す図である。
【図6】[0017]本明細書で示され、説明されている１つまたは複数の実施形態による、環状スクライブリングを使用してＰ２．０スクライブを生成するためにＰ２．０レーザーアブレーションプロセスが行われた後の、図５の積層デバイスを概略的に示す図である。
【図7】[0018]本明細書で示され、説明されている１つまたは複数の実施形態による、Ｐ１スクライブとＰ２．０スクライブとを充填するために誘電体層が付加された後の、図６の積層デバイスを概略的に示す図である。
【図8】[0019]本明細書で示され、説明されている１つまたは複数の実施形態による、Ｐ２．１スクライブを生成するためにＰ２．１レーザーアブレーションプロセスが行われた後の、図７の積層デバイスを概略的に示す図である。
【図10】[0021]焦点レンズと回折アキシコンとの間の第１の距離を使用してＰ２．０レーザーアブレーションスクライブを生成するための環状スクライブリングの一実施形態を示す図である。
【図11】[0022]第１の距離より長い焦点レンズと回折アキシコンとの間の第２の距離を使用してＰ２．０レーザーアブレーションスクライブを生成するための環状スクライブリングの別の実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
[0027]本特許ファイルまたは出願ファイルは、カラーで作成された少なくとも１つの図面および／または１つまたは複数の写真を含む。カラー図面付きの本特許公開または特許出願公開のコピーは、要求および必要料金の支払いに応じて米国特許商標庁により提供される。
【0014】
[0028]本明細書では、位置合わせプロセスを使用して光起電デバイスの導電層相互接続部を作製するための実施形態が提示される。光起電デバイスは、層の特定の領域の選択的除去によって複数の光起電セルに分割された、いくつかの層を含む。各光起電セルは、太陽光を電力に変換し、１つまたは複数の隣接セルに電気的に接続可能である。このような電気接続部は、除去された領域に導電材料を充填することによって形成することができる。除去された領域の寸法は、導電材料の寸法を直接制御する。したがって、除去された領域の寸法は、光起電デバイスの性能と製造容易性とに影響を与え得る。層の特定の領域の選択的除去は、レーザースクライビングと呼ばれる場合があるレーザーアブレーションプロセスを使用して行うことができる。
【0015】
[0029]次に図１を参照すると、光起電デバイス１００の一実施形態が概略的に図示されている。光起電デバイス１００は、光を受光し、光を電気信号に変換するように構成可能であり、たとえば、光から光子が吸収され、光起電効果によって電気信号に変換可能である。したがって、光起電デバイス１００は、たとえば太陽などの光源にさらされるように構成された第１の面１０２を画定することができる。光起電デバイス１００は、たとえば複数の金属層によってなど、第１の側１０２から隔てられた反対側１０４も画定する。「光」という用語は、電磁スペクトルの紫外線（ＵＶ）、赤外線（ＩＲ）、および可視部分における波長などであるがこれらには限定されない、電磁スペクトルの様々な波長を指し得ることに留意されたい。本明細書で使用されている「太陽光」とは、太陽によって放出される光を指す。
【0016】
[0030]光起電デバイス１００は、第１の側１０２と反対側１０４との間に配置された複数の層を含むことができる。本明細書で使用される「層」という用語は、表面上に設けられた材料の厚みを指す。各層は、表面の全部またはいずれかの部分を覆うことができる。実施形態によっては、光起電デバイス１００の層は光起電セル２００の配列に分割可能である。たとえば、光起電デバイス１００は、複数の直列スクライブ２０２と複数の並列スクライブ２０４とに従ってスクライブすることができる。直列スクライブ２０２は、光起電デバイス１００の長さＹに沿って延び、光起電デバイス１００の長さＹに沿って光起電セル２００の境界を定めることができる。
【0017】
[0031]直列スクライブ２０２は、光起電セル２００の隣接セルを光起電デバイス１００の幅Ｘに沿って直列に接続するように構成可能である。直列スクライブ２０２は隣接セル、すなわち直列スクライブ２０２の両側のセルのモノリシック相互接続部を形成することができる。動作時、直列スクライブ２０２によって直列に接続された光起電セル２００を主として幅Ｘに沿って電流２０５が流れることができる。動作時、並列スクライブ２０４が光起電デバイス１００の長さＹに沿って電流２０５が流れる能力を制限することができる。並列スクライブ２０４は任意であり、直列に接続された光起電セル２００を長さＹに沿って配置されたグループ２０６に分割するように構成可能である。したがって、直列スクライブ２０２と並列スクライブ２０４は、光起電セル２００の配列の境界を定めることができる。
【0018】
[0032]図１をさらに参照すると、並列スクライブ２０４は、直列に接続されている光起電セル２００のグループ２０６を電気的に分離することができる。実施形態によっては、光起電セル２００の直列接続されたグループ２０６を、たとえば電気バス配線を介してなど、互いに並列に接続することができる。任意に、並列スクライブ２０４の数は、光起電セル２００の各グループ２０６によって発生される最大電流を制限するように構成可能である。実施形態によっては、各グループ２０６によって発生される最大電流は、約２００ミリアンペア（ｍＡ）以下であってもよい。
【0019】
[0033]図２を参照すると、光起電デバイス１００の層は、光起電デバイス１００中への光の透過を容易にするように構成された基板１１０を含むことができる。基板１１０は、光起電デバイス１００の第１の側１０２に配置可能である。基板１１０は、光起電デバイス１００の第１の側１０２に実質的に対向する第１の面１１２と、光起電デバイス１００の反対側１０４に実質的に対向する第２の面１１４とを有することができる。基板１１０の第１の面１１２と第２の面１１４との間に材料の１つまたは複数の層を配置することができる。
【0020】
[0034]図３を参照すると、基板１１０は、光起電デバイス１００の第１の側１０２に実質的に対向する第１の面１２２と、光起電デバイス１００の反対側１０４に実質的に対向する第２の面１２４とを含む透明層１２０を含むことができる。実施形態によっては、透明層１２０の第２の面１２４は、基板１１０の第２の面１１４を形成することができる。透明層１２０は、たとえばガラスなどの実質的に透明な材料からなってもよい。適切なガラスは、ソーダ石灰ガラス、または鉄含量が低減したいずれかのガラスを含み得る。透明層１２０は、ある実施形態で約２５０ｎｍ～約１，３００ｎｍ、または他の実施形態で約２５０ｎｍ～約９５０ｎｍを含む、いずれの適切な透過率でも有することができる。透明層１２０は、たとえば約５０％～９０％の間の透過率またはそれ以上の透過率を含む、いずれかの適切な透過百分率を有することができる。任意に、基板１１０は、透明層１２０の第１の面１２２に塗布されたコーティング１２６を含むことができる。コーティング１２６は、反射防止コーティング、汚れ防止コーティングまたはこれらの組合せなどであるがこれらには限定されない、光と相互作用するかまたは基板１１０の耐久性を向上させるように構成可能である。
【0021】
[0035]図２を再び参照すると、光起電デバイス１００は、劣化または層間剥離を生じさせる可能性がある、基板１１０からの汚染物質（たとえばナトリウム）の拡散を軽減するように構成されたバリア層１３０を含むことができる。バリア層１３０は、光起電デバイス１００の第１の側１０２に実質的に対向する第１の面１３２と、光起電デバイス１００の反対側１０４に実質的に対向する第２の面１３４とを有することができる。実施形態によっては、バリア層１３０は基板１１０に隣接して設けることができる。たとえば、バリア層１３０の第１の面１３２は基板１００の第２の面１１４上に設けることができる。本明細書で使用されている「～に隣接して」という語句は、２つの層が連続して、層の少なくとも一部の間にいかなる介在材料もなく配置されていることを意味し、「～の上に」は、隣接するかまたは何らかの介在層を有することを含み得る、２つの層が互いに固定した関係を有することを意味する。
【0022】
[0036]一般に、バリア層１３０は実質的に透明であり、熱的に安定であり、ピンホール数が少なく、ナトリウムブロッキング能力が高く、および／または優れた接着特性を有することができる。これに代えて、またはこれに加えて、バリア層１３０は、光に色抑制を加えるように構成可能である。バリア層１３０は、酸化スズ、二酸化シリコン、アルミニウムドープ酸化シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸化アルミニウムを含むがこれらには限定されない適切な材料の１つまたは複数の層を含むことができる。バリア層１３０は、たとえば一実施形態では約１００Å超、別の実施形態では約１５０Å超、またはさらなる実施形態では約２００Å未満の、第１の面１３２と第２の面１３４とによって境界されたいずれの適切な厚さでも有することができる。
【0023】
[0037]図２をさらに参照すると、光起電デバイス１００は、光起電デバイス１００の吸収層によって発生された電荷キャリアを移送するための電気コンタクトを提供するように構成された透明導電酸化物（ＴＣＯ）層１４０を含むことができる。ＴＣＯ層１４０は、光起電デバイス１００の第１の側１０２に実質的に対向する第１の面１４２と、光起電デバイス１００の反対側１０４に実質的に対向する第２の面１４４とを有することができる。実施形態によっては、ＴＣＯ層１４０は、バリア層１３０に隣接して設けることができる。たとえば、ＴＣＯ層１４０の第１の面１４２はバリア層１３０の第２の面１３４上に設けることができる。一般に、ＴＣＯ層１４０は、実質的に透明で、広いバンドギャップを有するｎ型半導体材料の１つまたは複数の層から形成可能である。具体的には、広いバンドギャップは、光の光子のエネルギーよりも大きいエネルギー値を有することができ、これは光の望ましくない吸収を軽減することができる。ＴＣＯ層１４０は、二酸化スズ、ドープ二酸化スズ（たとえばＦ－ＳｎＯ２）、インジウムスズ酸化物、ドープまたは非ドープ酸化亜鉛、またはスズ酸カドミウムを含むがこれらには限定されない適切な材料の１つまたは複数の層を含むことができる。
【0024】
[0038]光起電デバイス１００は、ＴＣＯ層１４０といずれの隣接半導体層との間に絶縁層を設けるように構成された緩衝層１５０を含むことができる。緩衝層１５０は、光起電デバイス１００の第１の側１０２に実質的に対向する第１の面１５２と、光起電デバイス１００の反対側１０４に実質的に対向する第２の面１５４とを有することができる。実施形態によっては、緩衝層１５０はＴＣＯ層１４０に隣接して設けることができる。たとえば、緩衝層１５０の第１の面１５２は、ＴＣＯ層１４０の第２の面１４４上に設けることができる。緩衝層１４０は、真性酸化スズ、亜鉛マグネシウム酸化物（たとえばＺｎ１－ｘＭｇｘＯ）、二酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、亜鉛スズ酸化物、酸化亜鉛、スズシリコン酸化物、またはこれらのいずれかの組合せを含むがこれらには限定されない、ＴＣＯ層１４０よりも高い抵抗を有する材料を含んでもよい。実施形態によっては、緩衝層１４０の材料は、隣接半導体層（たとえば吸収層）のバンドギャップと実質的に合致するように構成可能である。緩衝層１５０は、たとえば一実施形態では約１００Å超、別の実施形態では約１００Åと約８００Åの間、またはさらなる実施形態では約１５０Åと約６００Åの間を含む、第１の面１５２と第２の面１５４との間のいずれかの適切な厚さを有し得る。
【0025】
[0039]図２をさらに参照すると、光起電デバイス１００は、別の層と協働し、光起電デバイス１００内でｐ－ｎ接合を形成するように構成された吸収層１６０を含むことができる。したがって、光の吸収された光子が、吸収層１６０において電子正孔対を解放することができ、電力を発生させることができるキャリアフローを生じさせることができる。吸収層１６０は、光起電デバイス１００の第１の側１０２に実質的に対向する第１の面１６２と、光起電デバイス１００の反対側１０４に実質的に対向する第２の面１６４とを有することができる。第１の面１６２と第２の面１６４との間に吸収層の厚さを画定することができる。吸収層１６０の厚さは、約０．５μｍから約１０μｍの間、たとえば一実施形態では約１μｍから約７μｍの間、または別の実施形態では約１．５μｍから約４μｍの間であってもよい。
【0026】
[0040]本明細書に記載の実施形態によると、吸収層１６０は、過剰正電荷キャリアすなわち空孔またはアクセプタを有するｐ型半導体材料からなってもよい。吸収層１６０は、ＩＩ－ＶＩ族半導体などのいずれかの適切なｐ型半導体材料の１つまたは複数の層を含むことができる。具体的な例には、カドミウム、テルル、セレン、またはこれらのいずれかの組合せを含む半導体材料が含まれるが、これらには限定されない。適切な例には、カドミウムとテルルの二元化合物、カドミウムとセレンとテルルの三元化合物（たとえばＣｄＳｅｘＴｅ１－ｘ）、カドミウムと亜鉛とテルルの三元化合物（たとえばＣｄＺｎｘＴｅ１－ｘ）、カドミウムとセレンとテルルと１つまたは複数の追加の元素とを含む化合物、またはカドミウムと亜鉛とテルルと１つまたは複数の追加の元素とを含む化合物が含まれるが、これらには限定されない。あるいは、吸収層１６０は、ハロゲン化鉛およびその他のハロゲン化金属ペロブスカイト化合物ＡＢＸ３を含んでもよく、ここでＡとＢはカチオンであり、Ｘはハロゲンアニオンである。実施例では、Ａサイトは１つまたは複数の有機カチオンまたは無機カチオンによって占められ、Ｂサイトは鉛（Ｐｂ）またはスズ（Ｓｂ）などの１つまたは複数の金属によって占められてもよい。
【0027】
[0041]吸収層１６０がテルルとカドミウムとを含む実施例では、テルルの原子百分率は、約２５原子パーセント以上、約５０原子パーセント以下であってもよい。吸収層１６０がセレンとテルルとを含む実施形態では、吸収層１６０中のセレンの原子百分率は約０原子パーセント超、約２５原子パーセント以下であってもよい。上記の実施例では、テルルとカドミウムとセレンのそれぞれの濃度は、吸収層１６０の厚さを通して異なり得る。たとえば、吸収層１６０が、モル分率ｘのセレンとモル分率１－ｘのテルルを含む化合物（ＳｅｘＴｅ１－ｘ）を含む場合、ｘは吸収層１６０中で吸収層１６０の第１の面１６２からの距離とともに変化し得る。
【0028】
[0042]図２を参照すると、吸収層１６０は、電荷キャリア濃度を操作するように構成されたドーパントでドープすることができる。実施形態によっては、吸収層１６０は、たとえば銅、ヒ素、リン、アンチモンまたはこれらの組合せなど、Ｉ族またはＶ族ドーパントでドープすることができる。吸収層１６０内のドーパントの総密度は制御可能である。これに代えて、またはこれに加えて、ドーパントの量は吸収層１６０の第１の面１６２からの距離とともに変化し得る。
【0029】
[0043]本明細書で示されている実施形態によると、過剰負電荷キャリア、すなわち電子またはドナーを有する光起電デバイス１００の部分に十分に近接して吸収層１６０を設けることによって、ｐ－ｎ接合を形成することができる。実施形態によっては、吸収層１６０はｎ型半導体材料に隣接して設けることができる。あるいは、吸収層１６０とｎ型半導体材料との間に１つまたは複数の介在層を設けることができる。実施形態によっては、吸収層１６０は緩衝層１５０に隣接して設けることができる。たとえば、吸収層１６０の第１の面１６２を緩衝層１５０の第２の面１５４上に設けることができる。
【0030】
[0044]光起電デバイス１００は、ドーパントの望ましくない変化を軽減するためと、吸収層１６０から生じた電荷キャリアを移送するように吸収層１６０への電気接点を設けるために構成されたバックコンタクト層１７０を含むことができる。バックコンタクト層１７０は、光起電デバイス１００の第１の側１０２に実質的に対向する第１の面１７２と、光起電デバイス１００の反対側１０４に実質的に対向する第２の面１７４とを有することができる。第１の面１７２と第２の面１７４との間にバックコンタクト層１７０の厚さを画定することができる。バックコンタクト層１７０の厚さは、たとえば一実施形態における約１０ｎｍ～約５０ｎｍなど、約５ｎｍ～約２００ｎｍの間であってもよい。
【0031】
[0045]実施形態によっては、バックコンタクト層１７０は、吸収層１６０に隣接して設けることができる。たとえば、バックコンタクト層１７０の第１の面１７２を吸収層１６０の第２の面１６４上に設けることができる。実施形態によっては、バックコンタクト層１７０は、たとえば様々な組成で亜鉛、銅、カドミウムおよびテルルを含む１つまたは複数の層など、Ｉ族、ＩＩ族、ＶＩ族の材料の二元または三元化合物を含むことができる。他の材料の例には、テルル化銅がドープされたテルル化亜鉛、またはテルル化銅と合金されたテルル化亜鉛が含まれるが、これらには限定されない。説明を簡単にするために、緩衝層１５０、吸収層１６０、バックコンタクト層１７０またはこれらの組合せを含む層のスタックを本明細書では半導体スタック１７６と呼ぶ場合がある。
【0032】
[0046]光起電デバイス１００は、吸収層１６０および／またはバックコンタクト層１７０との電気接触を与えるように構成された第１の導電層１８０を含むことができる。第１の導電層１８０は、光起電デバイス１００の第１の側１０２に実質的に対向する第１の面１８２と、光起電デバイス１００の反対側１０４に実質的に対向する第２の面１８４とを有することができる。実施形態によっては、第１の導電層１８０は、バックコンタクト層１７０に隣接して設けることができる。たとえば、第１の導電層１８０の第１の面１８２をバックコンタクト層１７０の第２の面１７４上に設けることができる。第１の導電層１８０の厚さを第１の面１８２と第２の面１８４との間に画定することができる。第１の導電層１８０の厚さは、たとえば一実施形態では約５０ｎｍ～約２．５μｍまでの間、または別の実施形態では約１００ｎｍ～約２μｍまでの間など、約３μｍ未満であってもよい。
【0033】
[0047]第１の導電層１８０は、０．５Ω／ｓｑと１０Ω／ｓｑの間のシート抵抗を有する任意の適切な導電材料を含むことができる。適切な例には、金属の１つまたは複数の層、窒素含有金属の１つまたは複数の層、１つまたは複数の導電性酸化物、またはこれらのいずれかの組合せが含まれる。これに代えて、またはこれに加えて、第１の導電層１８０は、透明であるかまたは特定の波長の光を透過させることができる。実施形態によっては、第１の導電層１８０は、導電材料の層の組合せを含むことができる。各層は、導電材料の層のスタックが所望の性能特性を有するように構造特性または電気特性に寄与することができる。適切な材料には、銀、ニッケル、銅、アルミニウム、チタン、パラジウム、クロム、モリブデン、金またはこれらの組合せが含まれるが、これらには限定されない。窒素含有金属の適切な例には、窒化アルミニウム、窒化ニッケル、窒化チタン、窒化タングステン、窒化セレン、窒化タンタル、または窒化バナジウムが含まれるが、これらには限定されない。
【0034】
[0048]光起電デバイス１００は、光起電デバイス１００の１つまたは複数の層を電気的に分離するように構成された誘電体層１９０を含むことができる。たとえば、セル２００内で、誘電体層１９０は、第１の導電層１８０を第２の導電層２１０から電気的に分離することができる。誘電体層１９０は、光起電デバイス１００の第１の側１０２に実質的に対向する第１の面１９２と、光起電デバイス１００の反対側１０４に実質的に対向する第２の面１９４とを有することができる。実施形態によっては、誘電体層１９０は、第１の導電層１８０に隣接して設けることができる。たとえば、誘電体層１９０の第１の面１９２を第１の導電層１８０の第２の面１８４上に設けることができる。誘電体層１９０の厚さを第１の面１９２と第２の面１９４との間に画定することができる。誘電体層１９０の厚さは、たとえば一実施形態では約２０μｍ未満など、約３０μｍ未満であってもよい。一般に、誘電体層１９０の厚さは、たとえば一実施形態では第１の導電層１８０の厚さの約２５倍など、第１の導電層１８０の厚さより少なくとも１桁大きい。
【0035】
[0049]誘電体層１９０は、たとえばフォトレジスト材料または非導電性ポリマーなどの誘電材料を含むことができる。適切な誘電材料の例には、さらに、エポキシ、アクリル、フェノール類、ポリイミドなどが含まれ得る。実施形態によっては、誘電材料は、レーザーアブレーションのための使用に適する光の波長に対する約１０％超の透過率を有することができ、すなわち波長範囲は固体レーザー波長に関連付けられ得る。たとえば、波長範囲は約３００ｎｍと約１，１００ｎｍの間であってもよい。
【0036】
[0050]図２をさらに参照すると、光起電デバイス１００は、ＴＣＯ層１４０または隣接セル２００の第１の導電層１８０あるいはその両方との電気接触を設けるように構成された第２の導電層２１０を含むことができる。第２の導電層２１０は、光起電デバイス１００の第１の側１０２に実質的に対向する第１の面２１２と、光起電デバイス１００の反対側１０４に実質的に対向する第２の面２１４とを有することができる。実施形態によっては、第２の導電層２１０は、誘電体層１９０に隣接して設けることができる。たとえば、第２の導電層２１０の第１の面２１２を誘電体層１９０の第２の面１９４上に設けることができる。第２の導電層２１０の厚さを第１の面２１２と第２の面２１４との間に画定することができる。第２の導電層２１０の厚さは、約３μｍ未満、たとえば一実施形態では約５０ｎｍ～約２．５μｍの間、または別の実施形態では約１００ｎｍ～約２μｍの間であってもよい。第２の導電層２１０は、０．５Ω／ｓｑと１０Ω／ｓｑの間のシート抵抗を有するいずれかの適切な導電材料を含むことができる。適切な例には、第１の導電層１８０に関して上述したような金属の１つまたは複数の層または窒素含有金属の１つまたは複数の層、あるいはその両方が含まれる。これに代えて、またはこれに加えて、第２の導電層１９０は、透明であるかまたは光の特定の波長を透過させることができる。実施形態によっては、第２の導電層２１０は、第１の導電層１８０とは異なる材料組成を有することができる。これに代えて、またはこれに加えて、第１の導電層１８０または第２の導電層１９０あるいはその両方が、たとえば酸化物などの非金属材料を含むことができる。
【0037】
[0051]光起電デバイス１００は、光起電デバイス１００のハウジングを形成するために基板１１０と協働するように構成されたバックサポート２１６を含むことができる。バックサポート２１６は、光起電デバイス１００の反対側１０４に配置することができる。たとえば、バックサポート２１６は、第２の導電層２１０の上に形成することができる。バックサポート２１６は、たとえばガラス（たとえばソーダ石灰ガラス）を含む、いずれかの適切な材料を含むことができる。
【0038】
[0052]図２を参照すると、光起電デバイス１００の製造は、一般に、スパッタリング、スプレー、蒸着、分子ビーム堆積、熱分解、閉空間昇華（ＣＳＳ）、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、電気化学堆積（ＥＣＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、または蒸気輸送堆積（ＶＴＤ）を含むがこれらには限定されない、１つまたは複数の薄膜堆積プロセスによって層の「スタック」の状態で機能層または層前駆体を順次配置することを含む。実施形態によっては、スループット品質がより高い点で、ＶＴＤが好ましい場合がある。
【0039】
[0053]光起電デバイス１００の製造は、光起電デバイス１００を複数の光起電セル２００に分割するために、層のスタックの特定の領域の選択的除去、すなわちスクライビングまたはアブレーションをさらに含むことができる。たとえば、直列スクライブ２０２は、Ｐ１スクライブ２２２と呼ばれる第１の分離スクライブと、Ｐ３スクライブ２２４と呼ばれる第２の分離スクライブとを含むことができる。Ｐ１スクライブ２２２は、ＴＣＯ層１４０が隣接セル２００間で電気的に確実に分離されるように形成することができる。具体的には、Ｐ１スクライブ２２２は、光起電デバイス１００のＴＣＯ層１４０と緩衝層１５０と吸収層１６０とを貫通して形成することができる。Ｐ３スクライブ２２４は、導電層１８０を個別セル２００に分離するように形成可能である。Ｐ３スクライブ２２４は、第２の導電層２１０を貫通して形成可能である。Ｐ１スクライブ２２２またはＰ３スクライブ２２４あるいはその両方に誘電材料を充填することができる。誘電材料は、誘電体層１９０の材料などであるがこれには限定されない、非導電性材料で形成可能である。
【0040】
[0054]図１と図２を併せて参照すると、光起電セル２００の層を電気的に接続するために第１の導電層相互接続部２２６を形成することができる。導電層相互接続部２２６は、ＴＣＯ層１４０を第２の導電層２１０に電気的に接続するように構成可能である。本明細書に記載のように、実施形態によっては、導電層相互接続部２２６は、相互接続部２２６を第１の導電層１８０から、導電層のこれらのそれぞれの部分間に形成された間隙によって分離するように、後述する位置合わせプロセスを使用して形成することができる。実施形態によっては、相互接続部２２６は、半導体スタック１７６の一部または全部を貫通し、半導体スタック１７６の一部または全部から電気的に分離されるように形成可能である。相互接続部２２６は、第２の導電層２１０の材料などであるがこれには限定されない導電材料で形成可能である。
【0041】
[0055]実施形態によっては、光起電セル２００は、それぞれが第２の導電層２１０とＴＣＯ層１４０との間に所望の量の電流が流れることを可能にするように構成された複数の導電層相互接続部２２６（その一部が図１に概略的に示されている）を含むことができる。たとえば、各セル２００内の導電層相互接続部２２６の数と、導電層接続部２２６のそれぞれを流れる電流の所望の量とは、直列に接続された光起電セル２００のグループ２０６によって発生される電流２０５に対応し得る。したがって、導電層相互接続部２２６の数は、光起電セル２００のグループ２０６によって発生される電流２０５に応じて増減させることができる。
【0042】
[0056]図１と図２を併せて参照すると、光起電セル２００の層を電気的に接続するために第２の導電層相互接続部２３０を形成することができる。導電層接続部２３０は、第１の導電層１８０を第２の導電層２１０に電気的に接続するように構成可能である。具体的には、導電層相互接続部２３０は、第１の導電層１８０と第２の導電層２１０の大部分が誘電体層１９０によって電気的に分離された状態で、第１の導電層１８０と第２の導電層２１０との間に電気接続の選択的な点を形成するように構成可能である。導電層相互接続部２３０は、０．５Ω／ｓｑと１０Ω／ｓｑの間のシート抵抗を有する導電材料で形成可能である。適切な導電材料については第１の導電層１８０に関連して上述している。実施形態によっては、導電層相互接続部２３０は、第１の導電層１８０とは異種の１つまたは複数の材料を含むことができる。たとえば、導電層相互接続部２３０は、第１の導電層１８０には存在しない導電材料を含むことができる。
【0043】
[0057]実施形態によっては、光起電セル２００は、それぞれが第１の導電層１８０と第２の導電層２１０との間に所望の量の電流が流れることを可能にするように構成された、複数の導電層相互接続部２３０（図１にその一部が概略的に示されている）を含むことができる。たとえば、導電層相互接続部２２６について上述したように、各セル２００内の導電層相互接続部２３０の数と、導電層相互接続部２３０のそれぞれを流れる所望電流量とは、直列に接続された光起電セル２００のグループ２０６によって発生される電流２０５に対応し得る。
【0044】
[0058]図２を参照すると、誘電体層１９０は第１の導電層１８０よりも有意に厚くすることができる。誘電体層１９０と第１の導電層１８０の平均厚さはセル２００レベルで決定可能である。
【0045】
[0059]図４は、本明細書に記載の１つまたは複数の実施形態による、位置合わせプロセスを使用した導電層相互接続部２２６を作製するプロセスを示すフローチャートである。図４について、図５～図９とともに説明する。図５は、第１の導電層と複数のＰ１スクライブ２２２とを有する積層デバイスの断面図を概略的に示す。図４のプロセスは、積層デバイス３１０（図５）が用意されるブロック９０１から始まる。積層デバイス３１０は、透明層１２０と、透明導電酸化物（ＴＣＯ）層１４０と、半導体スタック１７６と、一部の図面ではＭ１としても示されている第１の導電層１８０とを含むことができる。第１の導電層１８０と吸収層１６０とＴＣＯ層１４０とを貫通して１つまたは複数のＰ１スクライブ２２２を形成することができる。
【0046】
[0060]次に、図４のブロック９０３で、第１の導電層１８０（Ｍ１）を貫通するＰ２．０スクライブ２３２を生成するために積層デバイス３１０（図５）に対してＰ２．０レーザーアブレーションプロセスが行われる。一般に、Ｐ２．０スクライブ２３２は実質的に管状とみなすことができ、すなわち、第１の導電層１８０から管状の部分を除去することができる。たとえば、後述するように、環状リング形状を有するＰ２．０スクライブ２３２を形成するために、上面から見て環状のスクライブリング８００（図１０）または９００（図１１）が使用されてもよい。Ｐ２．０スクライブ２３２の一部の実施形態は本明細書では環状のスクライブリングによって形成されるが、他の形状も企図される。たとえば、Ｐ２．０スクライブ２３２はいずれかの正則閉形状または反復可能形状であってもよく、その一例が図１３に正方形スクライブ２３２ａとして示されている。また、Ｐ２．０スクライブ２３２の一部の実施形態は所与の間隙幅Ｇ（図６）で形成されるが、（以下で詳述するように）有効なスクライブを生じさせるいずれかの間隙幅が企図される。たとえば、図１４のＰ２．０スクライブ２３２ａを参照されたい。図６に、ブロック９０３（図４）のＰ２．０レーザーアブレーションプロセス後の図５の積層デバイス３１０に相当する積層デバイス３２０を概略的に図示する。Ｐ２．０スクライブ２３２を生成するために、半導体スタック１７６まで下方に第１の導電層１８０（図６）のレーザーアブレーションが行われる。
【0047】
[0061]Ｐ２．０スクライブ２３２は、第１の導電層１８０（Ｍ１）に残る導電アイランド２４０（図６）を画定するために環状スクライブリング８００または９００（それぞれ図１０または図１１）を使用して生成することができる。したがって、導電アイランド２４０は、第１の導電層１８０（Ｍ１）と同じ材料から形成される。第１の導電層１８０（Ｍ１）の導電アイランド２４０は、半導体スタック１７６から離れる方向に突出するいずれかの正則形状または幾何学的形状に形成された突起であってもよい。導電アイランド２４０は、第１の導電層１８０（Ｍ１）の選択的除去によって形成可能である。一般に、（図６および図１２の間隙Ｇによって画定される）除去される材料の量は、導電アイランド２４０と第１の導電層１８０（Ｍ１）の残存部分との間に十分な電気的分離を生じさせるような量である。たとえば、間隙Ｇは、１０マイクロメートルから５０マイクロメートルの範囲、好ましくは１５マイクロメートルから２５マイクロメートルであってもよい。
【0048】
[0062]導電アイランド２４０は、このスクライビング操作後に残り、第１の導電層１８０（Ｍ１）からアブレーションされる材料の量は、Ｐ２．０スクライブの外壁２３３内の第１の導電層１８０（Ｍ１）の全部を完全に除去するのに必要になる量よりも少ないことに留意されたい。言い換えると、ある直径の環状スクライブリング内のアブレーションされる材料の量は、その環状スクライブリングと同じ全径を有する円内からアブレーションされる必要があることになる材料の量よりもはるかに少ない。アブレーションされる材料のこのより少ない量は、アブレーションプロセスに要するレーザーのパルスエネルギーを低減するのに役立つ。たとえば、レーザーの１秒当たりの所要ジュールを軽減することができ、実施形態によっては５０％超削減される。ある実施形態によると、所要Ｊ／秒は２０Ｊ／秒から２００Ｊ／秒の範囲である。他の実施形態によると、所要Ｊ／秒は、３０Ｊ／秒から１３０Ｊ／秒の範囲である。この要素は、レーザーシステムの選択可能な選択肢を増やし、全体的なスループットも向上させる。
【0049】
[0063]図４のプロセスはブロック９０５に進み、図７に示すような積層デバイス３３０を作製するために、図６の積層デバイス３２０に誘電体層が付加される。積層デバイス３３０（図７）は、Ｐ１スクライブ２２２とＰ２．０スクライブ２３２とを充填するために付加された誘電体層２１０を含む。
【0050】
[0064]次に、ブロック９０７で、図４のプロセスは、Ｐ２．０スクライブのリンク形状をＰ２．１アブレーションのための位置合わせ基準として使用して、Ｐ２．１スクライブを生成するようにＰ２．１レーザーアブレーションを行う。したがって、以下でさらに詳述するように、位置合わせ基準を必要とするアブレーションシステムのために、Ｐ２．０スクライブ２３２は、アブレーションツール位置合わせシステムが検出し、位置合わせ基準として使用するのに十分な大きさであってもよい。
【0051】
[0065]図１２～図１４に、スクライブ２３２と、導電アイランド２４０と、スクライブＰ２．１の対象領域との幾何形状の３つの異なる実施形態を示す。図はすべて、図６の表面部分１２－１２から切り取られた第１の導電層１８０の面１８４の平面図である。
【0052】
[0066]図１２では、スクライブＰ２．０の結果として、対応する同心の円形導電アイランド２４０を画定する幅（または間隙）Ｇを有する環状スクライブ２３２ができる。導電アイランド２４０を「円形」と呼んでいるが、実施形態によっては、第１の導電層１８０と同じ厚さを有するため、円柱状であってもよい。後続のスクライブＰ２．１の対象となる領域が、円形導電アイランド２４０より小さい（同心の）網掛け円形領域として示されている。間隙Ｇは、以下で詳述するように、スクライブ操作のパラメータに応じて調整可能であることを理解されたい。また、スクライブＰ２．１の対象領域の直径が、円形導電アイランド２４０の直径の約３分の１であるように示されているが、実際には、Ｐ２．１スクライブの直径がＰ２．０スクライブの直径より小さく、それによって完全に円形導電アイランド２４０内にある開口が生じる限り、直径の差はどのような差異であってもよい。言い換えると、図１２に示すような実施形態では、円形導電アイランド２３２の外側部分がスクライブＰ２．１後に残る。これを、図８に導電アイランド２４０の残存部分２４２として示す。
【0053】
[0067]図１３では、スクライブＰ２．０の結果、対応する同心の正方形導電アイランド２４０ａを画定する幅（または間隙）Ｇを有する正方形スクライブ２３２ａができる。後続のスクライブＰ２．１の対象となる領域が、正方形の導電アイランド２４０より小さい（同心の）網掛け円形領域として示されている。この場合も、スクライブＰ２．１の対象領域の幅が正方形導電アイランド２４０の幅の約３分の１であるように示されているが、実際には、Ｐ２．１スクライブの幅がＰ２．０スクライブの幅よりも狭く、その結果として完全に正方形導電アイランド２４０内にある開口が生じる限り、この差異は異なっていてもよい。図１２に示す実施形態と同様に、図１３に示すような実施形態では、スクライブＰ２．１を行った後に正方形導電アイランド２３２ａの外側部分が残る。
【0054】
[0068]図１４は、スクライブＰ２．０の結果、対応する同心の円形導電アイランド２４０ｂを画定する環状スクライブ２３２ｂができる点が図１２と類似している。しかし、図１２および図１３に示す実施形態とは異なり、この実施形態では、後続のスクライブＰ２．１の対象となる領域が、円形導電アイランド２４０より大きい（同心の）網掛けされた円形領域として示されている。スクライブＰ２．１の対象領域の直径は円形導電アイランド２４０ｂの直径よりわずかに大きいものとして示されているが、実際には、Ｐ２．１スクライブの結果として完全に円形導電アイランド２４０ｂの外部にある開口ができる限り、直径の差はどのような差異であってもよい。言い換えると、図１４に示すような実施形態では、円形導電アイランド２３２は、スクライブＰ２．１後に導電アイランド２４０の（図８に示すものと他の点では同じ断面において）残存部分がないように、スクライブＰ２．１時に実質的にアブレーションされる。
【0055】
[0069]図８に、図１２および図１３に示すものなどの実施形態による、Ｐ２．１レーザーアブレーションプロセスステップ９０７（図４）が行われた後の図７の積層デバイス３３０に相当する積層デバイス３４０を概略的に示す。図８を参照すると、Ｐ２．１レーザーアブレーションは、ガラス１２０とＴＣＯ層１４０にレーザーを通し（これらの層のアブレーションを生じさせないレーザー周波数で）、次に半導体スタック１７６と第１の導電層１８０（Ｍ１）と誘電体２１０内にレーザーを通すことによってガラス側からアブレーションされ、それによってこれらの層をアブレーションし、Ｐ２．１スクライブ２３４を生成する。あるいは、Ｐ２．１アブレーションは誘電体側から行われてもよい。
【0056】
[0070]上述のレーザースクライビング操作は、（基本的に、スキャンされる被加工物表面に沿って基準が配置されることになる場所を予測または「推定」する予測ソフトウェアを実行することにより）推定マーカを使用することによって位置合わせ基準の位置を見つける。Ｐ２．０スクライブ２３２のための推定マーカは、推定円Ｃ１として示されている。推定円Ｃ１が、検出されたスクライブ２３２と相関づけられると、次に位置合わせシステムは、単一の線ｄ１によって表された１つまたは複数の寸法長さによって推定円Ｃ１を参照マークＲと相関させることによって、スクライブ２３４の位置を判定する。次に、参照マークＲおよび同様の寸法長さｄ１を使用してＰ２．１スクライブの推定円Ｃ２を判定することができる。したがって、Ｐ２．０スクライブ２３２のリング形状をアブレーションＰ２．１のための位置合わせ基準として使用してＰ２．１スクライブ２３４が生成される。
【0057】
[0071]図１５は、図１２に類似しており、Ｐ２．０スクライブ内のＰ２．１アブレーションを示す図である。図１５に示すように、スクライブＰ２．０と内側の導電アイランドとの間にコントラストがあるため、Ｐ２．０スクライブのリングまたは閉じた面がＰ２．１アブレーション後のドーナッツ状リングの容易な検出を可能にする。それに対して、内側導電アイランドがない完全なアブレーションされた円だけがあったとすれば、コントラストは存在しないことになる。
【0058】
[0072]さらに、ある実施形態では、Ｐ２．２スクライブ２３６を生成するために、スクライブが第１の導電層１８０まで下方に行われる（図８）。図８を参照しながら上述したようにＰ２．１スクライブがＰ２．０スクライブを基準にしたのと同様にして、このＰ２．２スクライブも参照マークＲとｄ１とは異なる寸法長さとを用いてＰ２．０スクライブを基準にしてもよい。
【0059】
[0073]図４を参照すると、ブロック９１１で、導電層相互接続部２２６を形成するように図９に示すような積層デバイス３５０を作製するために、図８の積層デバイス３４０に第２の導電層２２０（Ｍ２）が付加される。積層デバイス３５０（図１０）は、Ｐ２．０スクライブ２３２とＰ２．１スクライブ２３４と新たなＰ３スクライブ２２４（これは、図８を参照しながら上述したようにＰ２．１スクライブがＰ２．０スクライブを基準にした方式と同様の方式で、参照マークＲと、ｄ１とは異なる寸法長さとを用いて位置づけ可能である）とを含む。図９に示すように、Ｐ２．１スクライブ２３４内に配置された第２の導電層２２０の一部が、層１４０までの円柱形状の相互接続部を形成する。第２の導電層２２０のこの部分は、実質的に円形導電アイランド２４０（図９では円形導電アイランド２４０の残存部分２４２として図示されている）内に配置され、それを通って延び、誘電体層２１０と半導体スタック１７６の両方を通ってＴＣＯ１４０まで延びる。したがって、この円柱形状の相互接続部は、横方向に実質的に導電アイランド内に配置され、実質的に垂直方向に導電アイランドと誘電体層２２０とを通ってＴＣＯ１４０まで配置され、円形導電アイランド２４０の直径より小さい直径を有する。前述のように、円形導電アイランド２４０は、導電アイランド２４０がそこから形成された第１の導電層１８０の厚さに起因して形状が円柱状となり得る。このような実施形態では、円柱状導電アイランド２４０の長さは円柱状相互接続部の長さより短い。
【0060】
[0074]一部の実施形態によると、Ｐ２．０アブレーションの形状は、環状（リング状）ビームである。ビームの断面は、第１の同心円リングと第２の同心円リングとの間の領域として画定され、第１の同心円リングは第２の同心円リングより大きい直径を有し、第１の同心円リングと第２の同心円リングはそれぞれ実質的に円形の形状である。図１０は、焦点レンズと回折アキシコン（ＤＡ）との間の第１の距離を使用して生成された環状スクライブリング８００の図である。同様に、図１１は、焦点レンズとＤＡとの間の第２の距離を使用して生成された環状スクライブリング９００の図であり、第２の距離は第１の距離よりも長い。
【0061】
[0075]回折アキシコンは、尖った先端を有する第１のアキシコンレンズと、尖った先端を有する第２のアキシコンレンズと、入射ビームを焦点面で集束させる集束レンズとを含む。「尖った先端」とは、丸みのあるレンズ中央とは異なり、レンズの中央において鋭角を形成する放射レンズ面を指す。放射レンズ面の固有角度は（たとえば、レンズサイズ、組成、放射面の数、および研磨に応じて）異なり、本明細書に記載の結像が生成されるいずれかの角度であってもよい。別の実施形態では、２枚のアキシコンレンズの代わりに、単一のバイナリ回折アキシコンレンズが使用されてもよい。さらに別の実施形態では、単一のアキシコンレンズが使用されてもよい。ＤＡは、ベッセルプロファイルを生成するために使用され、ベッセルプロファイルは焦点面においてリングとなる。一般に、ＤＡは鏡筒内に収まり、保持リングを用いて自動位置合わせが容易である。代替実施形態では、ＤＡ位置合わせは保持リングの使用を必要としない。ビームはリングに集束し、すなわち、ビームが環状プロファイルを有する場合に最高フルエンスが生じる。
【0062】
[0076]焦点において環状（リング状）ビームプロファイルを形成するレーザー光学部品の使用により、ガウスレーザービームをデフォーカスしようと試みるときに生じる問題の多くを克服または回避することができる。それぞれ図１０および図１１の環状スクライブリング８００、９００は、通常の平凸焦点レンズとともに回折型の適切なアキシコン（軸対称円錐形）光学部品を使用して生成されてもよい。
【0063】
[0077]環状スクライブリング８００（図１０）は、外径８０２と内径８０４を有する。同様に、環状スクライブリング９００（図１１）は、外径９０２と内径９０４を有する。環状スクライブリング８００、９００のそれぞれ内径および外径８０４、９０４および８０２、９０２は、焦点レンズの後にＤＡを配置し、次に焦点レンズからのＤＡの距離Ｌを変化させることによって調整可能である。内径および外径８０４、９０４および８０２、９０２は、ＤＡと焦点レンズとの間の距離が大きくなるにつれて実質的に直線的に小さくなる。環状スクライブリング８００、９００の厚さは、外径（８０２または９０２）の２分の１と内径（８０４または９０４）の２分の１との差と定義することができ、外径の２分の１は外半径を含み、内径の２分の１は内半径を含む。各スクライブの厚さは、入射ビーム径を変化させることによって調整可能である。入射ビームが大きいほど薄いリングが生じ、その逆も同様である。実施形態によっては、外径８０２、９０２は１１０μｍ以上である。他の実施形態では、外径８０２、９０２は１００μｍから２５０μｍの間である。
【0064】
[0078]予想外なことに、本発明人らは環状スクライブリング８００、９００の厚さは、焦点レンズからのＤＡの距離Ｌの関数として変化することも発見した。Ｌが増大するにつれて、リング全径が小さくなるが、リング厚さは増大する。１組の実施例によると、Ｌが８ｍｍの場合、リング厚さは約１７ｍｍである。この環状リングを図１５に示す。Ｌが３５ｍｍに増大すると、リング厚さは約２０ｍｍになる。図１１に示すように、Ｌを６２ｍｍに設定すると、リング厚さ（９０２～９０４間）は約２６ｍｍであり、４０μＪのパルスエネルギーで２８ｎｓの期間だけアブレーションする場合、リング径は約１５０ｕｍである。次に、図１０に示すように、Ｌを８６ｍｍに増大させると、リング厚さ（８０２－８０４間）は３５ｍｍに増大し、４５μＪのパルスエネルギーで２８ｎｓの期間だけアブレーションした場合、リング径は約１００ｕｍである。リング厚さとＬとの関係は、コリメーションおよび／または位置合わせによっても影響され得る。また、ビームは、ガウスの外縁がより多くのフルエンスを有するように、より小さい面積に集束させることができる。
【0065】
[0079]環状スクライブリング８００、９００（図１０および図１１）を画定する２つの同心リングのそれぞれは、実質的に環状の形状とされ、それによって環状のビームプロファイルを生じさせる。実施形態によっては、環状ビームプロファイルは、完全または完全に近い円であってもよい。他の実施形態では、環状ビームプロファイルは、同心楕円、同心矩形、同心正方形、または同心多角形の形状であってもよい。実施形態によっては、環状ビームプロファイルの周縁厚さは、積層デバイスの表面との交差点において、１０μｍから５０μｍの間である。実施形態によっては、周縁厚さは、積層デバイス３５０（図９）との交差点において、環状ビームプロファイルの外径または外側最大幅の１０％～３０％である。
【0066】
[0080]それぞれ図１０および図１１の環状スクライブリング８００、９００を生成するために使用されるパルスエネルギーは、総アブレーション面積が円形領域の全径のアブレーションに対して相対的により小さい（この応用例では、環状形状に起因して＞５０％減少）ため、「全円」のアブレーション（すなわち、導電アイランドがない）から有意に低下させられる。一実施例によると、デフォーカスガウスビームを使用して約１５０μｍのＰ２．０円形アブレーションを形成するために、約１５０μＪのパルスエネルギーが使用される。他の実施例では、同じレーザーを使用するが、円の代わりに環状リングを形成するために回折アキシコン（ＤＡ）を組み込んで、約３０μＪから４０μＪ、または最大約５０μＪが使用される。他の実施例によると、５００Ｈｚから３０００Ｈｚのパルス繰り返し数で、５ｍｍから１０ｍｍの焦点レンズからのＤＡの距離Ｌで、約８０μＪから１３０μＪが使用される。
【0067】
[0081]（図１０および図１１に示すものを含む）他の実施例によると、焦点レンズからのＤＡの距離Ｌは、１ｍｍから２０ｍｍの範囲、または５ｍｍから１００ｍｍの範囲、または８ｍｍから５０ｍｍの範囲の値に設定することができる。実施形態によっては、被写界深度（ＤｏＦ）はプラスマイナス９００μｍの範囲である。他の実施形態では、ＤｏＦはプラスマイナス６００μｍの範囲である。さらに他の実施形態では、ＤｏＦはプラスマイナス４００μｍの範囲である。
【0068】
[0082]生成されたレーザービームが環状スクライブリング８００、９００（それぞれ図１０および図１１）の形状のアブレーションを生じさせるか、または正則（すなわち完全または完全に近い）閉形状（円など）のＰ２．０アブレーションを生じさせる実施形態では、この機構は、環状スクライブリングの中心を見つけるコンピュータパターン認識ソフトウェアの能力を大幅に向上させる。同様の手法を、楕円、矩形、正方形または多角形など他の正則閉形状アブレーションの形状のビームにも採用することができる。パターン認識ソフトウェアを使用することができることは、参照される形状が実質的に厳密で容易に画定される中心を有するため、Ｐ２．１アブレーションの配置の±２０ｕｍの精度要件を満たすのを容易で信頼性のあるものにすることができる。しかし、他の実施形態では、環状ビームパターンは、Ｐ２．１アブレーションを行うことに加えてまたはその代わりとして、いずれかの他の機構の位置合わせのための基準として使用することができる。
【0069】
[0083]図１０および図１１にそれぞれ示すような環状スクライブリング８００、９００の使用により、デバイス基板の上に配置されるスクライブの精度と再現性が向上する。より具体的には、完全な（または完全に近い）円形Ｐ２．０アブレーションを生成する能力は、ビームが厳密な中心を備えた形状を有するため、２．４ｍ２の面積にわたって±２０μｍの精度内でレーザービームを基板上の同じ領域に２回照射するのを容易にする。別の実施形態によると、精度は２．４ｍ２の面積にわたって±５０μｍの範囲内である。さらに別の実施形態によると、精度は１．０ｍ２の面積にわたって±２０μｍの範囲内である。さらに別の実施形態によると、精度は５．０ｍ２の面積にわたって±２０μｍの範囲内である。実施形態によっては、このプロセスはＰ２．０アブレーションを行うことから開始する。図８を参照しながら前述したように、Ｐ２．１アブレーションが行われる前に、たとえばパターン認識を使用して、Ｐ２．０アブレーションの中心の位置が参照される。この位置情報は、Ｐ２．１アブレーションを完全にＰ２．０アブレーションの境界内に正確に配置するために使用される。また、所要パルスエネルギーの大幅な減少は、より高いレーザー繰り返し数の使用を可能にすることによって、Ｐ２．０アブレーションに要する処理時間を向上させることができる。たとえば、所要パルスエネルギーは５０％以上減少し得る。
【0070】
[0084]実施形態によっては、光起電モジュールのより広い面積にわたってＰ２．０－Ｐ２．１間位置合わせをよりよく最適化する環状スクライブリング８００、９００（図１０および図１１）の使用により、相互接続部電流収集効率が向上し、その結果としてモジュールワット数がより高くなる。この手法は、さらに、通常であればスケールアップのために必要なスクライブ位置合わせ許容差に起因して制限されることになる光起電セルの製造技術および精密工学技術の実現への道を開く。実施形態によっては、環状スクライブリングを使用する手法は、いずれかの薄膜デバイスまたはプリント回路板（ＰＣＢ）製造プロセスに適用可能である。
【0071】
[0085]実施形態によっては、積層デバイス３５０は光起電デバイスを提供するために使用される。積層デバイス３５０は、半導体スタック１７６を含む。半導体スタック１７６は、ＴＣＯ層１４０などの第１の電気コンタクトの上に形成される。半導体スタック１７６の上に第１の導電層１８０（Ｍ１）が形成される。半導体スタック１７６の上の第１の導電層１８０（Ｍ１）に導電アイランド２４０が形成される。導電アイランド２４０を貫通して相互接続部２２６が形成され、導電アイランド２４０と相互接続部とは導電アイランド２４０において第１の導電層１８０（Ｍ１）から分離される。相互接続部は第１のコンタクト（ＴＣＯ層１４０など）との電気接続部を形成する。
【0072】
[0086]さらなる１組の実施形態によると、導電アイランド２４０の一部がアブレーションされ、導電アイランドの残存部分２４２を残す。導電アイランドの残存部分２４２を貫通して相互接続部が形成され、導電アイランドの残存部分２４２と相互接続部は導電アイランドの残存部分２４２において第１の導電層１８０（Ｍ１）から分離される。相互接続部は第１のコンタクト（ＴＣＯ層１４０など）との電気接続部を形成する。
【0073】
[0087]実施形態によっては、第１のコンタクトの上の半導体スタックと、半導体スタックの上の第１の導電層内に形成された導電アイランドと、導電アイランドを貫通して形成された相互接続部とを有し、導電アイランドと相互接続部とが導電アイランドにおいて第１の導電層から分離され、相互接続部が第１のコンタクトとの電気接続部を形成する、光起電デバイスが提供される。
【0074】
[0088]実施形態によっては、少なくとも１つの導電層と、導電層上の少なくとも１つの誘電体層と、誘電体層上の正則閉形状のアイランドと、横方向に実質的にアイランド内に配置され、アイランドと誘電体層とを実質的に垂直方向に導電層まで貫通して配置された円柱状の相互接続部とを含む、基板上の複数の層を有する導電デバイスが提供される。一部の実施形態によると、正則アイランドは円柱状であり、円柱状導電アイランドの垂直方向の長さは円柱状相互接続部の垂直方向の長さより短い。
【0075】
[0089]一部の実施形態によると、導電相互接続部を形成する方法が提供される。方法は、第１のコンタクトの上に半導体スタック１７６（図２および図５）を形成することを含む。半導体スタック１７６の上に第１の導電層１８０（Ｍ１）が形成される。第１の導電層１８０（Ｍ１）の成形領域が半導体スタック１７６からアブレーションされ、導電アイランド２４０（図６）が第１の導電層１８０（Ｍ１）から形成され、成形領域（たとえば、それぞれ図１０および図１１の環状スクライブリング８００、９００によって作られる形状）によって境界が定められる。第１の導電層１８０（Ｍ１）の上に誘電体層２１０（図７）が形成され、誘電体層は成形領域を少なくとも部分的に充填する。第１の導電層１８０（Ｍ１）の環状導電アイランド２４０を貫通して通路（Ｐ２．１スクライブ２３４、図８）が形成され、導電アイランドの残存部分２４２を残す（図８）。通路は、誘電体層２１０と、導電アイランドの残存部分２４２と、半導体スタック１７６とを貫通して延びる。通路は、第１のコンタクト（ＴＣＯ層１４０）との電気接続部を形成する相互接続部で少なくとも部分的に充填される。
【0076】
[0090]本明細書で示される実施形態によると、光起電デバイスが、第１の電気コンタクトの上に形成された半導体スタックを含む。半導体スタックの上に第１の導電層が形成される。半導体スタックの上の第１の導電層に導電アイランドが形成される。導電アイランドを貫通して相互接続部が形成され、導電アイランドと相互接続部とが導電アイランドにおいて第１の導電層から分離される。相互接続部は第１のコンタクトとの電気接続部を形成する。一部の実施形態によると、導電アイランドは環状スクライブを使用して生成される。
【0077】
[0091]さらなる１組の実施形態によると、導電アイランドの一部がアブレーションされ、アイランドの残存部分が残される。アイランドの残存部分を貫通して相互接続部が形成され、アイランドの残存部分と相互接続部とがアイランドの残存部分において第１の導電層から分離される。相互接続部は、第１のコンタクトとの電気接続部を形成する。
【0078】
[0092]一部の実施形態によると、導電相互接続部を形成する方法が提供される。方法は、第１のコンタクトの上に半導体スタック１７６を形成することを含む。半導体スタックの上に第１の導電層が形成される。半導体スタックから第１の導電層の成形領域がアブレーションされ、導電アイランドが第１の導電層から形成され、成形領域によって境界が定められる（たとえば、成形領域は環状スクライブリングによって生成されてもよい）。第１の導電層の上に誘電体層２１０が形成され、誘電体層は成形領域を少なくとも部分的に充填する。第１の導電層の導電アイランドを貫通して通路が形成され、アイランドの残存部分を残す。通路は、誘電体層と、導電アイランドの残存部分２４２と、半導体スタックとを通って延びる。通路は、第１のコンタクトとの電気接続部を形成する相互接続部で少なくとも部分的に充填される。
【0079】
[0093]一部の実施形態によると、光起電デバイスを形成する方法が提供される。透明層と、透明導電酸化物層と、半導体スタックと、第１の導電層とを含む積層デバイスが用意される。第１の導電層において導電アイランドを画定するために環状スクライブリングを使用してＰ２．０スクライブを生成するように第１の導電層上で半導体スタックまで下方にＰ２．０レーザーアブレーションが行われる。Ｐ２．０スクライブに誘電材料を少なくとも部分的に充填することによって、積層デバイスに誘電体層が付加される。Ｐ２．０スクライブ内にＰ２．１スクライブを生成するために、誘電体層とアイランドと半導体スタックの上でＰ２．１レーザーアブレーションが行われる。
【0080】
[0094]一部の実施形態によると、その上に配置された少なくとも１つの導電層と少なくとも１つの誘電体層とを有する基板を有し、導電層と誘電体層とのうちの一方が中間層を形成するように基板の上にあり、導電層と誘電体層のうちの他方が上部層を形成するように中間層の上にあり、上部層上に位置合わせ基準アイランドがあり、位置合わせ基準が正則閉形状を有する、デバイスが提供される。一部の実施形態では、アイランドは、円形、楕円形、矩形、正方形および多角形からなる群から選択される形状を有する。
【0081】
[0095]「実質的に」および「約」という用語は、本明細書ではいずれかの定量的比較、値、測定またはその他の表現によって生じ得る固有の不確実性の度合いを表すために使用されている場合があることに留意されたい。これらの用語は、本明細書では、定量的表現が、扱われている主題の基本機能に変化を生じさせずに、記載されている基準から変動し得る度合いを表すためにも使用されている。
【0082】
[0096]本明細書では特定の実施形態について図示し、説明したが、特許請求される主題の思想および範囲から逸脱することなく様々な他の変更および修正が加えられてもよいことを理解されたい。また、本明細書では、特許請求されている主題の様々な態様について説明したが、このような態様は組合せて使用される必要はない。したがって、添付の特許請求の範囲は、特許請求されている主題の範囲内のすべてのそのような変更および修正を対象として含むことが意図されている。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【国際調査報告】