特表 2024-511711 ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-03-15

(54)【発明の名称】ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタ

(51)【国際特許分類】

   H01F 19/04 20060101AFI20240308BHJP

   H03H 7/01 20060101ALI20240308BHJP

【ＦＩ】

H01F19/04

H03H7/01 A

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023552504

(86)(22)【出願日】2022-01-13

(85)【翻訳文提出日】2023-08-30

(86)【国際出願番号】 US2022012346

(87)【国際公開番号】W WO2022191919

(87)【国際公開日】2022-09-15

(31)【優先権主張番号】17/195,220

(32)【優先日】2021-03-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】595020643

【氏名又は名称】クゥアルコム・インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＱＵＡＬＣＯＭＭ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】110003708

【氏名又は名称】弁理士法人鈴榮特許綜合事務所

(72)【発明者】

【氏名】キム、ジョンヘ

(72)【発明者】

【氏名】ユン、チャンハン・ホビー

(72)【発明者】

【氏名】ラン、ジェ－ション

(72)【発明者】

【氏名】ドゥッタ、ラナディープ

【テーマコード（参考）】

5E070

5J024

【Ｆターム（参考）】

5E070CB12

5J024AA01

5J024DA01

5J024DA25

(57)【要約】

インダクタは、第１の金属化層マルチターントレースを含む。インダクタは、少なくとも１つの第１のビアを通じて、第１の金属化層マルチターントレースに結合された第２の金属化層マルチターントレースも含む。インダクタは、複数の第２のビアを通じて、第２の金属化層マルチターントレースに結合された複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントをさらに含む。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の金属化層マルチターントレースと、
少なくとも１つの第１のビアを通じて、前記第１の金属化層マルチターントレースに結合された第２の金属化層マルチターントレースと、
複数の第２のビアを通じて、前記第２の金属化層マルチターントレースに結合された複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントと、
を備える、インダクタ。

【請求項2】

前記複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントは、所定のパターンに従った前記第２の金属化層マルチターントレースの形状に従う、請求項１のインダクタ。

【請求項3】

前記第１の金属化層マルチターントレースは、角度付きのジョイントトレースセグメントおよび／または角度付きのトレースセグメントに結合されたライントレースセグメントを備える、請求項１のインダクタ。

【請求項4】

前記複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントのうちの第１の１つの厚さは、前記複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントのうちの第２の１つの厚さと異なる、請求項１のインダクタ。

【請求項5】

前記複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントは、ライントレースセグメント、角度付きのジョイントトレースセグメント、または角度付きのトレースセグメントを備える、請求項１のインダクタ。

【請求項6】

前記インダクタは、集積受動デバイス（ＩＰＤ）へ一体化されている、請求項１のインダクタ。

【請求項7】

前記ＩＰＤは、無線周波数（ＲＦ）フィルタに一体化されている、請求項６のインダクタ。

【請求項8】

前記ＩＰＤは、無線周波数（ＲＦ）モジュールに一体化されている、請求項６のインダクタ。

【請求項9】

ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタを作製するための方法であって、
第１の金属化層マルチターントレースを形成することと、
少なくとも１つの第１のビアを通じて、前記第１の金属化層マルチターントレースに結合された第２の金属化層マルチターントレースを形成することと、
複数の第２のビアを通じて、前記第２の金属化層マルチターントレースに結合された複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントを形成することと、
を備える、方法。

【請求項10】

前記複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントを形成することは、所定のパターンに従った前記第２の金属化層マルチターントレースの形状に従う、前記複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントを堆積させることを備える、請求項９の方法。

【請求項11】

前記第１の金属化層マルチターントレースを形成することは、角度付きのジョイントトレースセグメントおよび／または角度付きのトレースセグメントに結合されたライントレースセグメントを形成することを備える、請求項９の方法。

【請求項12】

前記複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントを形成することは、ライントレースセグメント、角度付きのトレースセグメント、または角度付きのジョイントトレースセグメントを形成することを備える、請求項９の方法。

【請求項13】

前記積層インダクタを集積受動デバイス（ＩＰＤ）へ一体化することをさらに備える、請求項９の方法。

【請求項14】

前記ＩＰＤを無線周波数（ＲＦ）フィルタに一体化することをさらに備える、請求項１３の方法。

【請求項15】

前記ＩＰＤを無線周波数（ＲＦ）モジュールに一体化することをさらに備える、請求項１３の方法。

【請求項16】

無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュールであって、
半導体ダイと、
前記半導体ダイに結合され、インダクタを備える集積受動デバイス（ＩＰＤ）ダイと、
を備え、前記インダクタは、
第１の金属化層マルチターントレース、
少なくとも１つの第１のビアを通じて、前記第１の金属化層マルチターントレースに結合された第２の金属化層マルチターントレース、および
複数の第２のビアを通じて、前記第２の金属化層マルチターントレースに結合された複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントを備える、ＲＦＦＥモジュール。

【請求項17】

前記複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントは、所定のパターンに従った前記第２の金属化層マルチターントレースの形状に従う、請求項１６のＲＦＦＥモジュール。

【請求項18】

前記第１の金属化層マルチターントレースは、角度付きのジョイントトレースセグメントおよび／または角度付きのトレースセグメントに結合されたライントレースセグメントを備える、請求項１６のＲＦＦＥモジュール。

【請求項19】

前記複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントのうちの第１の１つの厚さは、前記複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントのうちの第２の１つの厚さと異なる、請求項１６のＲＦＦＥモジュール。

【請求項20】

前記複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントは、ライントレースセグメント、角度付きのジョイントトレースセグメント、または角度付きのトレースセグメントを備える、請求項１６のＲＦＦＥモジュール。

【発明の詳細な説明】

【優先権の主張】

【0001】

関連出願の相互参照
[0001]本出願は、２０２１年３月８日に出願され、「ＳＴＡＣＫＥＤ ＩＮＤＵＣＴＯＲ ＨＡＶＩＮＧ ＤＩＳＣＲＥＴＥ ＭＥＴＡＬ－ＳＴＡＣＫ ＰＡＴＴＥＲＮ」と題された米国特許出願第１７／１９５，２２０号の優先権を主張し、この米国特許出願の開示内容は、その全体が参照によって明示的に組み込まれている。

【技術分野】

【0002】

[0002]本開示の態様は、半導体デバイスに関し、より詳細には、ディスクリート金属積層パターン（discrete metal-stack pattern）を有する積層インダクタ（stacked inductor）に関する。

【背景技術】

【0003】

[0003]ワイヤレス通信デバイスは、ユーザが期待する通信および特徴を促進する無線周波数（ＲＦ）モジュールを組み込んでいる。ワイヤレスシステムが益々普及するようになり、より多くの能力を含むにつれて、チップは生産することがより複雑になってきた。第５世代（５Ｇ）新無線（ＮＲ）ワイヤレス通信デバイスは、より小さく、ますます小さい相互接続を有するモジュールに、多くの特徴およびデバイスを詰め込んだ、最新世代の電子ダイ（electric dies）を組み込んでいる。これらのモジュールの密度が増加するにつれて、インダクタは、性能にとって重要であり、ダイ上の著しい面積を占有することがある。

【0004】

[0004]モバイル無線周波数（ＲＦ）チップ、たとえばモバイルＲＦ送受信機などのための設計課題は、不整合、ノイズおよび他の性能検討事項を含む、アナログ／ＲＦ性能検討事項を含む。これらのモバイルＲＦ送受信機の設計は、たとえば、共振を抑制するために、ならびに／またはフィルタリング、バイパス、およびカップリングを行うために、インダクタなどの受動デバイスの使用を含む。これらのインダクタは、高出力のシステムオンチップデバイス、たとえば、アプリケーションプロセッサおよびグラフィックスプロセッサなどへ一体化される。

【0005】

[0005]この例において、モバイルＲＦ送受信機の受動デバイスは、高性能インダクタ構成要素を含み得る。たとえば、アナログ集積回路は、集積インダクタなどの様々なタイプの受動デバイスを使用する。集積インダクタの使用は、ラミネート基板またはパッケージ基板上の著しい面積を消費することがあり、より高い挿入損失、および、より低い品質（Ｑ）ファクタにもつながり得る。改善された熱放散を提供しながら、より高いＱファクタを提供するために、集積インダクタのキーパフォーマンスインジケータ（ＫＰＩ）を改善することが望ましい。集積インダクタは、５Ｇ ＮＲ ＲＦモジュール内のミリメートル波（ｍｍＷ）フィルタのために使用され得る。

【発明の概要】

【0006】

[0006]インダクタは、第１の金属化層（metallization layer）マルチターントレース（ｍｕｌｔｉ－ｔｕｒｎ ｔｒａｃｅ）を含む。インダクタは、少なくとも１つの第１のビア（via）を通じて第１の金属化層マルチターントレースに結合された第２の金属化層マルチターントレースも含む。インダクタは、複数の第２のビアを通じて第２の金属化層マルチターントレースに結合された複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントをさらに含む。

【0007】

[0007]ディスクリート金属積層パターン（discrete metal-stack pattern）を有する積層（stacked）インダクタを作製するための方法が説明される。本方法は、第１の金属化層マルチターントレースを形成することを含む。本方法は、少なくとも１つの第１のビアを通じて第１の金属化層マルチターントレースに結合された第２の金属化層マルチターントレースを形成することも含む。本方法は、複数の第２のビアを通じて第２の金属化層マルチターントレースに結合された複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントを形成することをさらに含む。

【0008】

[0008]無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュールが説明される。ＲＦＦＥモジュールは、半導体ダイと、半導体ダイに結合された集積受動デバイス（ＩＰＤ：integrated passive device）フィルタダイとを含む。ＩＰＤダイは、インダクタで構成される。インダクタは、第１の金属化層マルチターントレースを含む。インダクタは、少なくとも１つの第１のビアを通じて第１の金属化層マルチターントレースに結合された第２の金属化層マルチターントレースも含む。インダクタは、複数の第２のビアを通じて第２の金属化層マルチターントレースに結合された複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントをさらに含む。

【0009】

[0009]本章は、以下に続く詳細な説明がより良く理解されるように、本開示の特徴および技術的な利点をかなり大まかに概説するものである。本開示のさらなる特徴および利点は、下記に説明されることになる。この本開示は、本開示の同じ目的を実行するために他の構造を修正または設計するための基礎として容易に利用され得ることが、当業者によって認識されるべきである。そのような均等な構造は、添付の特許請求の範囲において述べられるような本開示の教示から逸脱しないことも、当業者によって把握されるべきである。本開示の特徴であると信じられる新規な特徴は、その機構と動作の方法の両方に関して、さらなる目的および利点と共に、添付の図に関連して考慮された場合に、以下の説明からより良く理解されることになる。ただし、図の各々は、例示および説明の目的のためだけに提供されており、本開示の限界の定義としては意図されていないことが、明示的に理解されるべきである。

【0010】

[0010]本開示のより完全な理解のために、添付の図面と共に、以下の説明への参照がここで行われる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】[0011]受動デバイスを採用する無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュールの概略図。

【図2】[0012]チップセットのための受動デバイスを採用する無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュールの概略図。

【図3】[0013]本開示の態様による、半導体ダイと集積受動デバイス（ＩＰＤ）フィルタダイとを含む無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュールの断面図を例示するブロック図。

【図4A】[0014]本開示の態様による、ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタの上面図を例示するブロック図。

【図4B】本開示の態様による、ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタの斜視図を例示するブロック図。

【図5】[0015]本開示の態様による、ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタの俯瞰図を例示する図。

【図6A】[0016]本開示の態様による、ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタを例示する斜視図。

【図6B】本開示の態様による、ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタを例示する断面図。

【図7A】[0017]本開示の態様による、図６Ａのディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタの、インダクタンス対周波数グラフ。

【図7B】本開示の態様による、図６Ａのディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタの、品質ファクタ対周波数グラフ。

【図8】[0018]本開示の態様による、ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタを作製するための方法を例示するプロセスフロー図。

【図9】[0019]本開示の構成が有利に採用され得る例示的なワイヤレス通信システムを示すブロック図。

【図10】[0020]１つの構成による半導体構成要素の回路、レイアウト、および論理設計のために使用される設計ワークステーションを例示するブロック図。

【発明を実施するための形態】

【0012】

[0021]添付の図面に関連して下記に述べられる詳細な説明は、様々な構成の説明として意図されており、本明細書において説明される概念が実施され得る唯一の構成を表すことを意図されていない。詳細な説明は、様々な概念の完全な理解を提供する目的のために、具体的な詳細を含む。しかしながら、これらの概念が、これらの具体的な詳細なしに実施され得ることは、当業者には明らかであろう。いくつかの実例において、そのような概念を曖昧にすることを回避するために、周知の構造および構成要素はブロック図の形式で示される。

【0013】

[0022]本明細書において説明されるように、「および／または」という用語の使用は、「包含的論理和」を表すことを意図されており、「または」という用語の使用は、「排他的論理和」を表すことを意図されている。本明細書において説明されるように、本説明全体にわたって使用される「例示的な」という用語は、「例、実例、または例示としての役割を果たす」ことを意味し、必ずしも他の例示的な構成よりも好適または有利なものとして解釈されるべきではない。本明細書において説明されるように、本説明全体にわたって使用される「結合される」という用語は、「直接的であれ、または介在する接続部（たとえば、スイッチ）を通じて間接的であれ、電気的に、機械的に、またはそれ以外の方法で、接続される」ことを意味し、必ずしも物理的な接続に限定されるとは限らない。また、接続は、オブジェクト同士が恒久的に接続される、または取り外し可能に接続されるようなものとすることができる。接続は、スイッチを通じたものとすることができる。本明細書において説明されるように、本説明全体にわたって使用される「近接した」という用語は、「隣接した、非常に近い、隣りの、または接近した」を意味する。本明細書において説明されるように、本説明全体にわたって使用される「上の」という用語は、いくつかの構成においては「直接的に上に」を意味し、他の構成においては「間接的に上に」を意味する。

【0014】

[0023]モバイル無線周波数（ＲＦ）チップ（たとえば、モバイルＲＦ送受信機）は、コストおよび電力消費の検討事項に起因して、ディープサブミクロン処理ノードへ移行した。モバイルＲＦ送受信機を設計することは、第５世代（５Ｇ）新無線（ＮＲ）通信システムなどの、通信向上をサポートするための回路機能が付加されることによって複雑になる。モバイルＲＦ送受信機のためのさらなる設計課題は、受動デバイスを使用することを含み、これは、不整合、ノイズ、および他の性能検討事項を含む、アナログＲＦ性能検討事項に直接影響を与える。

【0015】

[0024]モバイル無線周波数（ＲＦ）送受信機における受動デバイスは、高性能インダクタ構成要素を含み得る。たとえば、アナログ集積回路は、集積インダクタなどの、様々なタイプの受動デバイスを使用する。インダクタは、インダクタンス値に従ってワイヤコイル内の磁界にエネルギーを一時的に貯蔵するために使用される電気デバイスの一例である。このインダクタンス値は、インダクタを通過する電流の変化率に対する電圧の比の基準を提供する。インダクタを通って流れる電流が変化する場合、エネルギーは、コイルにおける磁界に一時的に貯蔵される。それらの磁界貯蔵能力に加えて、インダクタは、無線機器などの交流（ＡＣ）電子機器において使用されることが多い。たとえば、モバイルＲＦ送受信機の設計は、ミリメートル波（ｍｍＷ）周波数（たとえば、周波数範囲２（ＦＲ２））における磁気損失を低減しながら、改善されたインダクタンス密度を有するインダクタの使用を含む。

【0016】

[0025]無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュールは、コンデンサとインダクタとを含む５ＧブロードバンドＦＲ２フィルタを含み得る。残念ながら、５ＧブロードバンドＦＲ２フィルタ内の集積インダクタは、劣化した品質（Ｑ）ファクタに悩まされることがある。また、集積インダクタは、５ＧブロードバンドＦＲ２フィルタ内の熱放散問題を引き起こすことがある。５Ｇ ＮＲブロードバンドＦＲ２フィルタの動作期間中に、電力放散は、インダクタのＱファクタに関連する。また、熱放散は、インダクタのＱファクタとインダクタのエレクトロマイグレーション（ＥＭ）の両方に関連する。インダクタは、バックエンドオブライン（ＢＥＯＬ：back-end-of-line）金属化層の積層と共に形成され得るが、インダクタンス値は、積層が増加するにつれて低減される。

【0017】

[0026]本開示の様々な態様は、ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタを提供する。ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタの製作のためのプロセスフローは、フロントエンドオブライン（ＦＥＯＬ：front-end-of-line）処理、ミドルオブライン（ＭＯＬ：middle-of-line）処理、およびバックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）処理を含み得る。「層」という用語は、フィルムを含み、特に明記しない限り、垂直な厚さまたは水平な厚さを示すものとして解釈されないことが、理解されるであろう。説明されるように、「基板」という用語は、ダイシングされたウェーハの基板を指すことがあり、またはダイシングされていないウェーハの基板を指すことがある。同様に、「チップ」および「ダイ」という用語は、互換的に使用され得る。

【0018】

[0027]説明されるように、バックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）相互接続層は、集積回路のフロントエンドオブライン（ＦＥＯＬ）能動デバイスに電気的に結合するための導電性相互接続層（たとえば、第１の相互接続層（Ｍ１）、または金属１ Ｍ１、金属２（Ｍ２）、金属３（Ｍ３）、金属４（Ｍ４）等）を指し得る。様々なＢＥＯＬ相互接続層は、対応するＢＥＯＬ相互接続層において形成され、その中で、より下位のＢＥＯＬ相互接続層は、より上位のＢＥＯＬ相互接続レベルに対して、より薄い金属層を使用する。ＢＥＯＬ相互接続層は、たとえば、Ｍ１を集積回路の酸化物拡散（ＯＤ）層に接続するために、ミドルオブライン（ＭＯＬ）相互接続層に電気的に結合し得る。ＭＯＬ相互接続層は、Ｍ１を集積回路の能動デバイス層に接続するためのゼロ相互接続層（Ｍ０）を含み得る。ＢＥＯＬの第１のビア（Ｖ２）は、Ｍ２をＭ３またはＢＥＯＬ相互接続層の他の層に接続し得る。

【0019】

[0028]本開示の態様によれば、無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュールは、ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタと共に構成されたフィルタを含む。本開示の態様は、５Ｇ ＮＲブロードバンドＦＲ２フィルタのための特別な設計を提供するために、改善された金属積層パターンを実装することによって、ブロードバンドフィルタ内のインダクタのキーパフォーマンスインジケータ（ＫＰＩ）を改善する。特別な設計は、新規なインダクタ金属積層パターンを提供することによって、インダクタ金属層を改善する。この特別な設計は、ブロードバンドフィルタの電流密集エリアにおける金属厚さを再構成し得る。本開示のいくつかの態様において、この特別な設計は、ブロードバンドフィルタの熱ホットスポットに、より多くの金属層を追加し得る。本開示のいくつかの態様は、インダクタの所望のオンインダクタンスを提供するために、カスタマイズされた金属積層パターンを提供する。これらのカスタマイズされた金属積層パターンは、熱緩和を改善しながら、ブロードバンドフィルタの電気性能を有益に改善する。

【0020】

[0029]図１は、インダクタ１１８（たとえば、ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタ）を含む受動デバイスを採用する、無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュール１００の概略図である。ＲＦＦＥモジュール１００は、電力増幅器１０２と、ディプレクサ／フィルタ１０４と、無線周波数（ＲＦ）スイッチモジュール１０６とを含む。電力増幅器１０２は、信号を送信のために一定の電力レベルへ増幅する。ディプレクサ／フィルタ１０４は、周波数、挿入損失、除去、または他の同様のパラメータを含む、多様な異なるパラメータに従って、入力／出力信号をフィルタリングする。また、ＲＦスイッチモジュール１０６は、ＲＦＦＥモジュール１００の残りの部分へ渡すために、入力信号の一定の部分を選択し得る。

【0021】

[0030]無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュール１００はまた、チューナ回路構成１１２（たとえば、第１のチューナ回路構成１１２Ａおよび第２のチューナ回路構成１１２Ｂ）と、ダイプレクサ１９０と、コンデンサ１１６と、インダクタ１１８と、接地端子１１５と、アンテナ１１４とを含む。チューナ回路構成１１２（たとえば、第１のチューナ回路構成１１２Ａおよび第２のチューナ回路構成１１２Ｂ）は、チューナ、ポータブルデータエントリー端末（ＰＤＥＴ：portable data entry terminal）、およびハウスキーピングアナログデジタル変換器（ＨＫＡＤＣ：housekeeping analog to digital converter）などの構成要素を含む。チューナ回路構成１１２は、アンテナ１１４のためのインピーダンスチューニング（たとえば、電圧定在波比（ＶＳＷＲ）最適化）を行い得る。ＲＦＦＥモジュール１００は、ワイヤレス送受信機（ＷＴＲ）１２０に結合された受動コンバイナ１０８も含む。受動コンバイナ１０８は、第１のチューナ回路構成１１２Ａおよび第２のチューナ回路構成１１２Ｂからの検出された電力を組み合わせる。ワイヤレス送受信機１２０は、受動コンバイナ１０８からの情報を処理し、この情報をモデム１３０（たとえば、移動局モデム（ＭＳＭ））へ提供する。モデム１３０は、アプリケーションプロセッサ（ＡＰ）１４０にデジタル信号を提供する。

【0022】

[0031]図１に示されるように、ダイプレクサ１９０は、チューナ回路構成１１２のチューナ構成要素と、コンデンサ１１６、インダクタ１１８（たとえば、ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタ）、およびアンテナ１１４との間にある。ダイプレクサ１９０は、無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュール１００から、ワイヤレス送受信機１２０と、モデム１３０と、アプリケーションプロセッサ１４０とを含むチップセットへ、高いシステム性能を提供するために、アンテナ１１４とチューナ回路構成１１２との間に配置され得る。ダイプレクサ１９０は、高帯域周波数と低帯域周波数の両方に対して周波数ドメイン多重化を行う。ダイプレクサ１９０が、その周波数多重化機能を入力信号に対して行った後に、ダイプレクサ１９０の出力は、コンデンサ１１６とインダクタ１１８とを含む任意選択のインダクタ／コンデンサ（ＬＣ）ネットワークへ供給される。ＬＣネットワークは、望まれる場合には、アンテナ１１４のための追加のインピーダンス整合構成要素を提供してもよい。次いで、特定の周波数を有する信号が、アンテナ１１４によって送信または受信される。単一のコンデンサおよびインダクタが示されているが、複数の構成要素も想定される。

【0023】

[0032]図２は、第１のダイプレクサ１９０－１を含むワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）（たとえばＷｉ－Ｆｉ（登録商標））モジュール１７０と、ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタを含む、チップセット１６０のための第２のダイプレクサ１９０－２を含む無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュール１５０とを有する、無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップ２００の概略図である。Ｗｉ－Ｆｉモジュール１７０は、アンテナ１９２をワイヤレスローカルエリアネットワークモジュール（たとえば、ＷＬＡＮモジュール１７２）へ通信可能に結合する第１のダイプレクサ１９０－１を含む。ＲＦＦＥモジュール１５０は、アンテナ１９４をデュプレクサ１８０を通じてワイヤレス送受信機（ＷＴＲ）１２０へ通信可能に結合する第２のダイプレクサ１９０－２を含む。ワイヤレス送受信機１２０とＷｉ－Ｆｉモジュール１７０のＷＬＡＮモジュール１７２とは、電力管理集積回路（ＰＭＩＣ）１５６を通じて電源１５２によって電力供給されるモデム（移動局モデム（ＭＳＭ）、たとえば、ベースバンドモデム）１３０に結合される。チップセット１６０は、コンデンサ１６２および１６４、ならびに信号完全性を提供するためのインダクタ１６６も含む。

【0024】

[0033]電力管理集積回路（ＰＭＩＣ）１５６、モデム１３０、ワイヤレス送受信機１２０、およびワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）モジュール１７２は各々、コンデンサ（たとえば、１５８、１３２、１２２、および１７４）を含み、クロック１５４に従って動作する。また、インダクタ１６６は、モデム１３０をＰＭＩＣ１５６に結合する。無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）チップ２００の設計は、本開示の態様によれば、ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタを含む。

【0025】

[0034]図３は、本開示の態様による、半導体ダイと、集積受動デバイス（ＩＰＤ）フィルタダイとを含む無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュール３００の断面図を例示するブロック図である。この例において、ＲＦＦＥモジュール３００は、基板３１０によってサポートされる半導体ダイ３５０と集積受動デバイス（ＩＰＤ）フィルタダイ３２０とを含む。半導体ダイ３５０は、バックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）層３７０を通じてパッケージボール３０２に結合された半導体基板３６０（たとえば、アクティブシリコン基板）を有するアクティブダイであり得る。ＢＥＯＬ層３７０は、半導体基板３６０（たとえば、ダイシングされたシリコンウェーハ）上に複数のＢＥＯＬ金属化層（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、．．．、Ｍｎ）を含む。再分配層３１２は、パッケージボール３０２に結合される。

【0026】

[0035]ＩＰＤフィルタダイ３２０は、バックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）層３４０を通じてパッケージボール３０２に結合された基板３３０（たとえば、受動基板）を含む。再分配層３１２は、パッケージボール３０２を通じてＩＰＤフィルタダイ３２０に結合される。いくつかの態様において、基板３３０は、ガラスで構成され、ＩＰＤフィルタダイ３２０は、ガラス基板集積受動デバイス（ＧＩＰＤ）フィルタダイである。ＩＰＤフィルタダイ３２０は、５Ｇ ＮＲブロードバンドのＦＲ２フィルタを実装し得る。本開示の態様によれば、ＩＰＤフィルタダイ３２０は、図４Ａおよび図４Ｂに示されるように、ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタを含む。

【0027】

[0036]図４Ａおよび図４Ｂは、本開示の態様による、ブロードバンドフィルタ内にディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタの上面図および斜視図を例示するブロック図である。図４Ａに示されるように、ブロードバンドフィルタ４１０は、図３のＩＰＤフィルタダイ３２０、たとえば、無線周波数（ＲＦ）フィルタおよび／または無線周波数（ＲＦ）モジュールなどであり得る。図４Ｂは、本開示の態様による、変化するディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタ４２０の斜視図を例示する。たとえば、積層インダクタ４２０は、多層インダクタの第１のディスクリート金属積層パターン４３０と、第２のディスクリート金属積層パターン４４０と、第３のディスクリート金属積層パターン４５０とを含む。

【0028】

[0037]この例において、第１のディスクリート金属積層パターン４３０および第３のディスクリート金属積層パターン４５０は、Ｍ１金属化層およびＭ２金属化層で構成されている。また、第２のディスクリート金属積層パターン４４０は、Ｍ１金属化層、Ｍ２金属化層、およびＭ３金属化層で構成されている。第２のディスクリート金属積層パターン４４０の増加された厚さは、積層インダクタ４２０の品質（Ｑ）ファクタを増加させながら、インダクタンスを低減させ得る。第２のディスクリート金属積層パターン４４０によって提供される、改善されたＱファクタは、第２のディスクリート金属積層パターン４４０の抵抗を低減させながら、熱放散ハンドリング能力も改善する。対照的に、第１のディスクリート金属積層パターン４３０および第３のディスクリート金属積層パターン４５０は、第２のディスクリート金属積層パターン４４０に対して、増加されたインダクタンスを有する。第１のディスクリート金属積層パターン４３０のインダクタンスは、第１のディスクリート金属積層パターン４３０のより小さい面積に起因して、第３のディスクリート金属積層パターン４５０のインダクタンスよりも小さい。

【0029】

[0038]本開示の態様において、積層インダクタ４２０は、積層インダクタ４２０の所望の特徴に応じて、図４Ｂのディスクリート金属積層パターンのうちの１つまたは複数を用いて構成される。たとえば、付加的なディスクリート金属積層層が、第２のディスクリート金属積層パターン４４０を使用して、ブロードバンドフィルタ４１０の熱ホットスポットに提供されてもよい。また、積層インダクタ４２０の金属厚さは、第３のディスクリート金属積層パターン４５０を使用して、ブロードバンドフィルタ４１０の密集エリアにおいて調整され得る。同様に、積層インダクタ４２０の層は、第１のディスクリート金属積層パターン４３０を使用して、層の面積を低減するなど、調整されてもよい。図４Ｂのディスクリート金属積層パターンは、図４Ａのブロードバンドフィルタ４１０の電気性能の改良および熱緩和を可能にする。

【0030】

[0039]図５は、本開示の態様による、ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタの俯瞰図を例示する図である。図５に示される積層インダクタ５００は、図４Ａおよび図４Ｂに示される積層インダクタ４２０と同様である。この例において、積層インダクタ５００は、ライントレースセグメントと角度付きのジョイントトレースセグメントとを含むマルチターントレースで構成されている。角度付きのジョイントトレースセグメントは、４５度（４５°）の角度で示されている。積層インダクタ５００のマルチターントレースは、Ｍ１金属化層で構成されているが、積層インダクタ５００のマルチターントレースは、図４Ｂに示されるように、Ｍ１金属化層上に積層されたＭ２金属化層で構成されてもよい。

【0031】

[0040]本開示のこの態様において、積層インダクタ５００の角部５０２は、ディスクリート金属積層パターンの形成のために選択される。この例において、積層インダクタ５００の角部５０２は、積層インダクタ５００の角度付きのジョイントトレースセグメントとライントレースセグメントとを含む。角部５０２は、積層インダクタ５００の第１のライントレースセグメント５１０と第３のライントレースセグメント５３０との間の第１の角度付きのジョイントトレースセグメント５２０で構成される。この例において、第１の角度付きのジョイントトレースセグメント５２０も、４５度のジョイントで示され、Ｍ１金属化層で構成されている。本開示のこの態様において、第２の角度付きのジョイントトレースセグメント５４０は、Ｍ２金属化層から形成され、ディスクリート金属積層パターン５５０を形成するために、第１の角度付きのジョイントトレースセグメント５２０上に積層される。

【0032】

[0041]図６Ａおよび図６Ｂは、本開示の態様による、ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタ６００を例示する斜視図および断面図である。図６Ａに示される積層インダクタ６００は、ディスクリート金属積層パターンを含めて、図５に示される積層インダクタ５００と同様である。本開示のこの態様において、積層インダクタ６００は、所定の部分に形成されたディスクリート金属積層パターンを含むＭ１金属化層上に積層されたＭ２金属化層で構成される、積層されたマルチターントレース６１０を含む。Ｍ１金属化層上に積層されたＭ２金属化層を含むものとして示されているが、積層されたマルチターントレース６１０は、図４Ｂに示されるように、単一の金属化層で構成されてもよい。

【0033】

[0042]この例において、Ｍ３金属化層の第１の角度付きのトレースセグメント６３０は、第１のポート６０２に近接した、積層されたマルチターントレース６１０上に形成される。同様に、Ｍ３金属化層の第２の角度付きのジョイントトレースセグメント６７０は、積層インダクタ６００の第２のポート６０４に近接した、積層されたマルチターントレース６１０上に形成される。積層インダクタ６００はまた、積層されたマルチターントレース６１０上に形成されたＭ３金属化層の第１の角度付きのトレースセグメント６３０と、第２の角度付きのトレースセグメント６４０と、第３の角度付きのトレースセグメント６６０とを含む。積層インダクタ６００は、積層されたマルチターントレース６１０上に形成されたＭ３金属化層のライントレースセグメント６５０をさらに含む。切断線６０６および６０８に沿った断面図が、図６Ｂに示される。

【0034】

[0043]図６Ｂは、本開示の態様による、ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタ６００を例示する断面図である。この例において、積層インダクタ６００の断面図６８０は、図６Ａの切断線６０６および６０８に沿った、第１の角度付きのトレースセグメント６３０および第２の角度付きのトレースセグメント６４０の部分を例示する。この構成において、第１の角度付きのトレースセグメント６３０および第２の角度付きのトレースセグメント６４０は、ビアＶ２を通じて、積層されたマルチターントレース６１０に結合される。また、積層されたマルチターントレース６１０は、Ｍ１金属化層上に積層され、ビアＶ１を通じて結合されるＭ２金属化層で構成される。

【0035】

[0044]図７Ａおよび図７Ｂは、本開示の態様による、図６Ａのディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタの、インダクタンス対周波数グラフ、および品質ファクタ対周波数グラフを例示する。図７Ａは、インダクタンス対周波数グラフ７００を例示しており、これは、ターゲットインダクタンス１．４１ナノ・ヘンリー（ｎＨ）を示す。図７Ｂは、品質（Ｑ）ファクタ対周波数グラフ７５０を例示しており、これは、ターゲットＱファクタ７２を示す。ターゲットインダクタンスおよびターゲットＱファクタは、本開示の態様による、図６Ａのディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタ６００についての強調されたエリア７１０内に示されている。

【0036】

[0045]図８は、本開示の一態様による、ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタを作製するための方法を例示するプロセスフロー図である。方法８００は、ブロック８０２において始まり、ブロック８０２において、第１の金属化層マルチターントレースが形成される。たとえば、図６Ａに示されるように、積層インダクタ６００は、所定の部分に形成されたディスクリート金属積層パターンを含むＭ１金属化層上に積層されたＭ２金属化層で構成された、積層されたマルチターントレース６１０を含む。ブロック８０４において、第２の金属化層マルチターントレースが、第１のビアを通じて第１の金属化層マルチターントレースに結合するように形成される。たとえば、図６Ｂに示されるように、積層されたマルチターントレース６１０は、Ｍ１金属化層上に積層され、ビアＶ１を介して結合されるＭ２金属化層で構成される。

【0037】

[0046]ブロック８０６において、（複数の）ディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントは、第２のビアを通じて、第２の金属化層マルチターントレースに結合されるように形成される。たとえば、図６Ｂに示されるように、Ｍ３金属化層の角度付きのジョイントトレースセグメント６２０は、第１のポート６０２に近接した、積層されたマルチターントレース６１０上に形成される。同様に、Ｍ３金属化層の第２の角度付きのジョイントトレースセグメント６７０は、積層インダクタ６００の第２のポート６０４に近接した、積層されたマルチターントレース６１０上に形成される。積層インダクタ６００はまた、積層されたマルチターントレース６１０上に形成されたＭ３金属化層の第１の角度付きのトレースセグメント６３０と、第２の角度付きのトレースセグメント６４０と、第３の角度付きのトレースセグメント６６０とを含む。積層インダクタ６００は、積層されたマルチターントレース６１０上に形成されたＭ３金属化層のライントレースセグメント６５０をさらに含む。（複数の）ディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントは、所定のパターンに従った第２の金属化層マルチターントレースの形状に従う。

【0038】

[0047]本開示の態様は、５Ｇ ＮＲブロードバンドＦＲ２フィルタのための特別な設計を提供するために、改善された金属積層パターンを実装することによって、ブロードバンドフィルタ内のインダクタのキーパフォーマンスインジケータ（ＫＰＩ）を改善する。特別な設計は、新規なインダクタ金属積層パターンを提供することによって、インダクタ金属層を改善する。この特別な設計は、ブロードバンドフィルタの電流密集エリアにおける金属厚さを再構成し得る。いくつかの態様において、この特別な設計は、ブロードバンドフィルタの熱ホットスポット（たとえば、最大で１００℃まで）に、より多くの金属層を追加し得る。本開示のいくつかの態様は、インダクタの所望のオンインダクタンスを提供するために、カスタマイズされた金属積層パターンを提供する。これらのカスタマイズされた金属積層パターンは、熱緩和を改善しながら、ブロードバンドフィルタの電気性能（たとえば、挿入損失および除去）を有益に改善する。カスタマイズされた金属積層パターンは、厚い銅（Ｃｕ）層処理についての化学機械研磨（ＣＭＰ）比も改善する。

【0039】

[0048]図９は、本開示の態様が有利に採用され得る、例示的なワイヤレス通信システム９００を示すブロック図である。例示の目的のために、図９は、３つの遠隔ユニット９２０、９３０、および９５０と、２つの基地局９４０とを示す。ワイヤレス通信システムは、さらに多くの遠隔ユニットおよび基地局を有してもよいことが認識されるであろう。遠隔ユニット９２０、９３０、および９５０は、ディスクリート金属積層パターンを有する、開示された積層インダクタを含む集積回路（ＩＣ）デバイス９２５Ａ、９２５Ｃ、および９２５Ｂを含む。他のデバイス、たとえば、基地局、スイッチングデバイス、およびネットワーク機器なども、開示された積層インダクタを含んでよいことが認識されるであろう。図９は、基地局９４０から遠隔ユニット９２０、９３０、および９５０へのフォワードリンク信号９８０と、遠隔ユニット９２０、９３０および９５０から基地局９４０へのリバースリンク信号９９０とを示す。

【0040】

[0049]図９において、遠隔ユニット９２０は携帯電話として示され、遠隔ユニット９３０はポータブルコンピュータとして示され、遠隔ユニット９５０は、ワイヤレスローカルループシステムにおける固定ロケーション遠隔ユニットとして示されている。たとえば、遠隔ユニットは、携帯電話、携帯型パーソナル通信システム（ＰＣＳ：personal communication system）ユニット、パーソナルデータアシスタントなどのポータブルデータユニット、ＧＰＳ対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、検針機器などの固定ロケーションデータユニット、または、データもしくはコンピュータ命令を記憶もしくは取得する他のデバイス、または、これらの組み合わせであってもよい。図９は、本開示の態様による遠隔ユニットを例示しているが、本開示は、これらの例示的な例示されているユニットに限定されない。本開示の態様は、開示された積層インダクタを含む、多くのデバイスにおいて適切に採用され得る。

【0041】

[0050]図１０は、上記に開示された積層インダクタなどの、半導体構成要素の回路、レイアウト、および論理設計のために使用される設計ワークステーションを例示するブロック図である。設計ワークステーション１０００は、オペレーティングシステムソフトウェア、サポートファイル、および、ＣａｄｅｎｃｅまたはＯｒＣＡＤなどの設計ソフトウェアを格納するハードディスク１００１を含む。設計ワークステーション１０００は、回路１０１０、または、積層インダクタなどの無線周波数（ＲＦ）構成要素１０１２の設計を容易にするためのディスプレイ１００２も含む。記憶媒体１００４は、回路１０１０またはＲＦ構成要素１０１２（たとえば、ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタ）の設計を有形に記憶するために提供される。回路１０１０またはＲＦ構成要素１０１２の設計は、ＧＤＳＩＩまたはＧＥＲＢＥＲなどのファイルフォーマットで、記憶媒体１００４上に記憶され得る。記憶媒体１００４は、コンパクトディスク読み出し専用メモリ（ＣＤ－ＲＯＭ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、ハードディスク、フラッシュメモリ、または他の適当なデバイスであってよい。さらに、設計ワークステーション１０００は、記憶媒体１００４から入力を受け取るための、および記憶媒体１００４に出力を書き込むためのドライブ装置１００３を含む。

【0042】

[0051]実装例は、以下の番号が付けられた条項において説明される。

【0043】

１．第１の金属化層マルチターントレースと、
少なくとも１つの第１のビアを通じて、第１の金属化層マルチターントレースに結合された第２の金属化層マルチターントレースと、
複数の第２のビアを通じて、第２の金属化層マルチターントレースに結合された複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントと
を備える、インダクタ。

【0044】

２．複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントが、所定のパターンに従った第２の金属化層マルチターントレースの形状に従う、条項１のインダクタ。

【0045】

３．第１の金属化層マルチターントレースが、角度付きのジョイントトレースセグメントおよび／または角度付きのトレースセグメントに結合されたライントレースセグメントを備える、条項１または２のインダクタ。

【0046】

４．複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントのうちの第１の１つ（第３の金属化層トレースセグメント）の厚さが、複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントのうちの第２の１つ（第３の金属化層トレースセグメント）の厚さと異なる、条項１～３のいずれかのインダクタ。

【0047】

５．複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントが、ライントレースセグメント、角度付きのジョイントトレースセグメント、または角度付きのトレースセグメントを備える、条項１～４のいずれかのインダクタ。

【0048】

６．インダクタが、集積受動デバイス（ＩＰＤ）へ一体化されている、条項１～５のいずれかのインダクタ。

【0049】

７．ＩＰＤが、無線周波数（ＲＦ）フィルタに一体化されている、条項６のインダクタ。

【0050】

８．ＩＰＤが、無線周波数（ＲＦ）モジュールに一体化されている、条項６のインダクタ。

【0051】

９．ディスクリート金属積層パターンを有する積層インダクタを作製するための方法であって、
第１の金属化層マルチターントレースを形成することと、
少なくとも１つの第１のビアを通じて、第１の金属化層マルチターントレースに結合された第２の金属化層マルチターントレースを形成することと、
複数の第２のビアを通じて、第２の金属化層マルチターントレースに結合された複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントを形成することと
を備える、方法。

【0052】

１０．複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントを形成することが、所定のパターンに従った第２の金属化層マルチターントレースの形状に従う、複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントを堆積させることを備える、条項９の方法。

【0053】

１１．第１の金属化層マルチターントレースを形成することが、角度付きのジョイントトレースセグメントおよび／または角度付きのトレースセグメントに結合されたライントレースセグメントを形成することを備える、条項９または１０の方法。

【0054】

１２．複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントを形成することが、ライントレースセグメント、角度付きのトレースセグメント、または角度付きのジョイントトレースセグメントを形成することを備える、条項９～１１のいずれかの方法。

【0055】

１３．積層インダクタを集積受動デバイス（ＩＰＤ）へ一体化することをさらに備える、条項９～１２のいずれかの方法。

【0056】

１４．ＩＰＤを無線周波数（ＲＦ）フィルタに一体化することをさらに備える、条項１３のいずれかの方法。

【0057】

１５．ＩＰＤを無線周波数（ＲＦ）モジュールに一体化することをさらに備える、条項１３のいずれかの方法。

【0058】

１６．無線周波数フロントエンド（ＲＦＦＥ）モジュールであって、
半導体ダイと、
半導体ダイに結合され、インダクタを備える集積受動デバイス（ＩＰＤ）ダイとを備え、インダクタが、
第１の金属化層マルチターントレース、
少なくとも１つの第１のビアを通じて、第１の金属化層マルチターントレースに結合された第２の金属化層マルチターントレース、および
複数の第２のビアを通じて、第２の金属化層マルチターントレースに結合された複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントを備える、ＲＦＦＥモジュール。

【0059】

１７．複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントが、所定のパターンに従った第２の金属化層マルチターントレースの形状に従う、条項１６のＲＦＦＥモジュール。

【0060】

１８．第１の金属化層マルチターントレースが、角度付きのジョイントトレースセグメントおよび／または角度付きのトレースセグメントに結合されたライントレースセグメントを備える、条項１６または１７のＲＦＦＥモジュール。

【0061】

１９．複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントのうちの第１の１つ（第３の金属化層トレースセグメント）の厚さが、複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントのうちの第２の１つ（第３の金属化層トレースセグメント）の厚さと異なる、条項１６～１８のいずれかのＲＦＦＥモジュール。

【0062】

２０．複数のディスクリートな第３の金属化層トレースセグメントが、ライントレースセグメント、角度付きのジョイントトレースセグメント、または角度付きのトレースセグメントを備える、条項１６～１９のいずれかのＲＦＦＥモジュール。

【0063】

[0052]記憶媒体１００４上に記録されたデータは、論理回路構成、フォトリソグラフィマスクのためのパターンデータ、または電子線リソグラフィなどの連続書き込みツールのためのマスクパタンデータを特定し得る。データは、論理検証データ、たとえば、論理シミュレーションに関連付けられたタイミング図またはネット回路などをさらに含んでもよい。記憶媒体１００４上にデータを提供することは、半導体ウェーハを設計するための処理の数を減少させることによって、回路１０１０または無線周波数（ＲＦ）構成要素１０１２の設計を容易にする。

【0064】

[0053]ファームウェア実装および／またはソフトウェア実装の場合、方法論は、本明細書において説明された機能を行うモジュール（たとえば、プロシージャ、関数など）により実装され得る。命令を有形に具現化した機械可読媒体は、本明細書において説明された方法論を実装する際に使用され得る。たとえば、ソフトウェアコードが、メモリ内に記憶され、プロセッサユニットによって実行されてもよい。メモリは、プロセッサユニット内に実装されても、またはプロセッサユニットの外部に実装されてもよい。本明細書において使用される場合、「メモリ」という用語は、長期間、短期間、揮発性、不揮発性、または他のメモリのタイプを指し、特定のタイプのメモリもしくは特定の数のメモリ、またはメモリが記憶された媒体のタイプに限定されない。

【0065】

[0054]ファームウェアおよび／またはソフトウェアにおいて実装される場合、機能は、コンピュータ可読媒体上の１つまたは複数の命令またはコードとして記憶され得る。例は、データ構造が符号化されたコンピュータ可読媒体と、コンピュータプログラムが符号化されたコンピュータ可読媒体とを含む。コンピュータ可読媒体は、物理的なコンピュータ記憶媒体を含む。記憶媒体は、コンピュータによってアクセスされ得る、利用可能な媒体であってよい。限定ではなく、例として、そのようなコンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、電気的消去可能プログラム可能読み出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ（登録商標））、コンパクトディスク読み出し専用メモリ（ＣＤ－ＲＯＭ）もしくは他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージもしくは他の磁気記憶デバイス、または、命令もしくはデータ構造の形式で所望のプログラムコードを記憶するために使用され得、コンピュータによってアクセスされ得る他の媒体を含むことができる。ディスク（ｄｉｓｋ）およびディスク（ｄｉｓｃ）は、本明細書において使用される場合、コンパクトディスク（ＣＤ）、レーザディスク（登録商標）、光ディスク、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、フロッピー（登録商標）ディスクおよびブルーレイ（登録商標）ディスクを含み、ただし、ディスク（ｄｉｓｋｓ）は通常、データを磁気的に再生するのに対して、ディスク（ｄｉｓｃｓ）は、レーザによりデータを光学的に再生する。上記の組合せも、コンピュータ可読媒体の範囲内に含まれるべきものである。

【0066】

[0055]コンピュータ可読媒体上の記憶に加えて、命令および／またはデータは、通信装置に含まれる送信媒体上の信号として提供され得る。たとえば、通信装置は、命令およびデータを示す信号を有する送受信機を含んでもよい。命令およびデータは、１つまたは複数のプロセッサに、特許請求の範囲において概説される機能を実装させるように構成される。

【0067】

[0056]本開示およびその利点が詳細に説明されてきたが、様々な変更、置換、および修正が、添付の特許請求の範囲によって定義されるような本開示の技術から逸脱せずに、本明細書において行われ得ることが理解されるべきである。たとえば、「上方」および「下方」などの関係用語が、基板または電子デバイスに関して使用される。当然ながら、基板または電子デバイスが反転された場合、上方は下方になり、その逆もまた同様である。また、横に向けられた場合、上方および下方は、基板または電子デバイスの両側を指し得る。さらに、本出願の範囲は、本明細書において説明された処理、機械、製造、組成物、手段、方法、およびステップの特定の構成に限定されることを意図されていない。当業者が本開示から容易に認識するであろうように、本明細書において説明された対応する構成と実質的に同じ機能を行い、または実質的に同じ結果を達成する、現存するまたは将来開発されることになる処理、機械、製造、組成物、手段、方法、またはステップは、本開示に従って利用され得る。したがって、添付の特許請求の範囲は、それらの範囲内に、そのような処理、機械、製品、組成物、手段、方法、またはステップを含むように意図されている。

【0068】

[0057]当業者は、本明細書における開示に関連して説明された様々な例示的な論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップが、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、または両方の組み合わせとして実装され得ることをさらに認識するであろう。ハードウェアとソフトウェアとのこの互換性を明確に例示するために、様々な例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路、およびステップは、概してそれらの機能性の観点から、上記に説明されてきた。そのような機能性がハードウェアとして実装されるか、またはソフトウェアとして実装されるかは、特定の用途およびシステム全体に課される設計制約条件に依存する。熟練した職人は、説明された機能性を特定の用途ごとに様々な手法で実装し得るが、そのような実装決定は、本開示の範囲からの逸脱を引き起こすものとして解釈されるべきでない。

【0069】

[0058]本明細書における開示に関連して説明された、様々な例示的な論理ブロック、モジュール、および回路は、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）もしくは他のプログラマブルロジックデバイス、ディスクリートなゲートもしくはトランジスタロジック、ディスクリートなハードウェア構成要素、または、本明細書において説明された機能を行うように設計された、これらの任意の組み合わせにより、実装され、または行われ得る。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサであり得るが、代替例において、プロセッサは、任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、または状態機械であってもよい。プロセッサも、コンピューティングデバイスの組み合わせ、たとえば、ＤＳＰとマイクロプロセッサとの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連動する１つもしくは複数のマイクロプロセッサ、または任意の他のそのような構成として実装され得る。

【0070】

[0059]本開示に関連して説明された方法またはアルゴリズムのステップは、直接ハードウェアにおいて、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールにおいて、または、この２つの組み合わせにおいて、具現化され得る。ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、フラッシュメモリ、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、消去可能プログラム可能読み出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラム可能読み出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、コンパクトディスク読み出し専用メモリ（ＣＤ－ＲＯＭ）、または本技術分野において知られている任意の他の形式の記憶媒体において存在し得る。例示的な記憶媒体は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み出し、記憶媒体に情報を書き込むことができるように、プロセッサに結合される。代替例において、記憶媒体は、プロセッサと一体であってもよい。プロセッサおよび記憶媒体は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）内に存在してもよい。ＡＳＩＣは、ユーザ端末内に存在し得る。代替例において、プロセッサおよび記憶媒体は、ユーザ端末においてディスクリート構成要素として存在してもよい。

【0071】

[0060]１つまたは複数の例示的な設計において、説明された機能は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、または、これらの任意の組み合わせにおいて実装され得る。ソフトウェアにおいて実装される場合、機能は、コンピュータ可読媒体上の１つまたは複数の命令またはコードとして記憶されても、または送信されてもよい。コンピュータ可読媒体は、コンピュータ記憶媒体と、ある場所から別の場所へのコンピュータプログラムの転送を容易にする任意の媒体を含む通信媒体の両方を含む。記憶媒体は、汎用コンピュータまたは専用コンピュータによってアクセスされ得る、任意の利用可能な媒体であってよい。限定ではなく、例として、そのようなコンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、電気的消去可能プログラム可能読み出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、コンパクトディスク読み出し専用メモリ（ＣＤ－ＲＯＭ）もしくは他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージもしくは他の磁気記憶デバイス、または、特定されたプログラムコード手段を命令もしくはデータ構造の形式で搬送もしくは記憶するために使用され得、汎用コンピュータもしくは専用コンピュータ、もしくは汎用プロセッサもしくは専用プロセッサによってアクセスされ得る任意の他の媒体を含むことができる。また、任意の接続は、コンピュータ可読媒体と適当に名付けられる。たとえば、ソフトウェアが、同軸ケーブル、光ファイバーケーブル、撚線対、デジタル加入者線（ＤＳＬ）、またはワイヤレス技術、たとえば、赤外線、無線、およびマイクロ波などを使用して、ウェブサイト、サーバ、または他の遠隔源から送信される場合、同軸ケーブル、光ファイバーケーブル、撚線対、ＤＳＬ、またはワイヤレス技術、たとえば、赤外線、無線、およびマイクロ波は、媒体の定義に含まれる。ディスク（ｄｉｓｋ）およびディスク（ｄｉｓｃ）は、本明細書において使用される場合、コンパクトディスク（ＣＤ）、レーザディスク、光ディスク、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、フロッピーディスク、およびブルーレイディスクを含み、ただし、ディスク（ｄｉｓｋｓ）は通常、データを磁気的に再生するのに対して、ディスク（ｄｉｓｃｓ）は、レーザによりデータを光学的に再生する。上記の組合せも、コンピュータ可読媒体の範囲内に含まれるべきものである。

【0072】

[0061]本開示の先行する説明は、いかなる当業者も本開示を行うことまたは使用することを可能にするために提供されている。本開示に対する様々な変形は、当業者にとって容易に明らかになり、本明細書において定義されている一般的な原理は、本開示の趣旨または範囲から逸脱せずに、他のバリエーションに対して適用され得る。したがって、本開示は、本明細書において説明された例および設計に限定されることを意図されていないが、本明細書において開示された原理および新規な特徴に一致する最も広い範囲に合致するべきものである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図7A】

【図7B】

【図8】

【図9】

【図10】

【国際調査報告】