特表 2024-512410 癌処置治療術と併用して腫瘍治療電場を印加するための方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-03-19

(54)【発明の名称】癌処置治療術と併用して腫瘍治療電場を印加するための方法

(51)【国際特許分類】

   A61N 1/40 20060101AFI20240312BHJP

   A61N 1/32 20060101ALI20240312BHJP

   A61K 45/00 20060101ALI20240312BHJP

   A61K 45/06 20060101ALI20240312BHJP

   A61K 51/00 20060101ALI20240312BHJP

   A61K 31/502 20060101ALI20240312BHJP

   A61K 31/5377 20060101ALI20240312BHJP

   A61K 33/243 20190101ALI20240312BHJP

   A61K 31/7048 20060101ALI20240312BHJP

   A61K 31/4745 20060101ALI20240312BHJP

   A61K 31/505 20060101ALI20240312BHJP

   A61P 35/00 20060101ALI20240312BHJP

   A61P 43/00 20060101ALI20240312BHJP

   A61P 11/00 20060101ALI20240312BHJP

   A61P 15/00 20060101ALI20240312BHJP

   A61P 1/18 20060101ALI20240312BHJP

   A61P 25/00 20060101ALI20240312BHJP

   A61P 13/08 20060101ALI20240312BHJP

   A61P 1/16 20060101ALI20240312BHJP

   A61P 17/00 20060101ALI20240312BHJP

【ＦＩ】

A61N1/40

A61N1/32

A61K45/00

A61K45/06

A61K51/00 100

A61K31/502

A61K31/5377

A61K33/243

A61K31/7048

A61K31/4745

A61K31/505

A61P35/00

A61P43/00 125

A61P43/00 121

A61P43/00 111

A61P11/00

A61P15/00

A61P1/18

A61P25/00

A61P43/00 105

A61P13/08

A61P1/16

A61P17/00

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023555509

(86)(22)【出願日】2022-03-11

(85)【翻訳文提出日】2023-11-10

(86)【国際出願番号】 US2022020024

(87)【国際公開番号】W WO2022192719

(87)【国際公開日】2022-09-15

(31)【優先権主張番号】63/160,692

(32)【優先日】2021-03-12

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】508152917

【氏名又は名称】ザ ボード オブ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティー オブ テキサス システム

【氏名又は名称原語表記】ＴＨＥ ＢＯＡＲＤ ＯＦ ＲＥＧＥＮＴＳ ＯＦ ＴＨＥ ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ ＯＦ ＴＥＸＡＳ ＳＹＳＴＥＭ

(74)【代理人】

【識別番号】230104019

【弁護士】

【氏名又は名称】大野 聖二

(74)【代理人】

【識別番号】100149076

【弁理士】

【氏名又は名称】梅田 慎介

(74)【代理人】

【識別番号】100173185

【弁理士】

【氏名又は名称】森田 裕

(74)【代理人】

【識別番号】100162503

【弁理士】

【氏名又は名称】今野 智介

(74)【代理人】

【識別番号】100144794

【弁理士】

【氏名又は名称】大木 信人

(74)【代理人】

【識別番号】100204582

【弁理士】

【氏名又は名称】大栗 由美

(72)【発明者】

【氏名】ストーリー，マイケル，ディー．

(72)【発明者】

【氏名】カラナム，ナラシムハ，クマール

【テーマコード（参考）】

4C053

4C084

4C086

【Ｆターム（参考）】

4C053JJ02

4C053JJ04

4C053JJ21

4C053LL00

4C084AA11

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4C086ZB21

4C086ZB26

4C086ZC20

4C086ZC41

4C086ZC71

4C086ZC75

(57)【要約】

ＡＴＲ阻害剤を腫瘍へ送達するステップ；および腫瘍治療電場をおよそ５０ｋＨｚからおよそ１，０００ｋＨｚの間の周波数で腫瘍に印加するステップを含む、対象において腫瘍を処置する方法。
【選択図】 図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＡＴＲ阻害剤を腫瘍へ送達するステップ；および
腫瘍治療電場をおよそ５０ｋＨｚからおよそ１，０００ｋＨｚの間の周波数で腫瘍に印加するステップ
を含む、対象において腫瘍を処置する方法。

【請求項2】

ＡＴＲ阻害剤が、シサンドリンＢ、Ｎｕ６０２７、ダクトリシブ、ＥＰＴ－４６４６４、ＶＥ－８２１、ＡＺ２０、ベルゾセルチブ、トリン－２、セララセルチブ（ＡＺＤ６７３８）、テトラヒドロピラゾロ［１，５－ａ］ピラジン、アザベンゾイミダゾール、ガルチセルチブ（Ｍ４３４４またはＶＸ－８０３）、Ｂａｙ１８９５３４４（エリムセレチブ）、ＣＧＫ ７３３、ＲＰ－３５００、ＡＴＲ－ＩＮ－４、ＶＥ－８２１、ＡＺ２０、ＥＴＰ－４６４６４、またはＡＴＲ阻害剤１のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

腫瘍が、肺癌細胞、乳癌細胞、膵臓癌細胞、神経膠芽腫細胞、前立腺癌細胞、肝臓癌細胞、卵管癌細胞、腹膜癌細胞、皮膚癌細胞、子宮頚癌細胞、または卵巣癌細胞のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項4】

腫瘍治療電場の強度がおよそ１Ｖ／ｃｍからおよそ４Ｖ／ｃｍの間である、請求項１に記載の方法。

【請求項5】

腫瘍治療電場の周波数がおよそ１００ｋＨＺからおよそ５００ｋＨＺの間である、請求項１に記載の方法。

【請求項6】

腫瘍治療電場の周波数がおよそ１００ｋＨＺ、およそ１５０ｋＨＺ、およそ２００ｋＨＺ、またはおよそ２５０ｋＨＺである、請求項１に記載の方法。

【請求項7】

前記印加するステップの少なくとも一部分が、前記送達するステップの少なくとも一部分と同時に実施される、請求項１に記載の方法。

【請求項8】

ＤＮＡ複製ストレス誘導剤を腫瘍へ送達するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項9】

ＤＮＡ複製ストレス誘導剤が、白金化合物、アルキル化剤、ｗｅｅ１阻害剤、Ｃｈｋ１阻害剤、チミジル酸シンターゼ阻害剤、リボヌクレオチドレダクターゼ阻害剤、トポイソメラーゼＩ阻害剤、トポイソメラーゼＩＩ阻害剤、母性胚性ロイシンジッパーキナーゼ（ＭＥＬＫ）阻害剤、またはＮＥＤＤ８活性化酵素（ＮＡＥ）阻害剤のうちの少なくとも１つを含む、請求項８に記載の方法。

【請求項10】

腫瘍へ送達されるＤＮＡ複製ストレス誘導剤が白金化合物である場合には、前記白金化合物がシスプラチン、カルボプラチン、オキサリプラチン、ジシコプラチン、またはリポプラチンのうちの少なくとも１つを含み、
腫瘍へ送達されるＤＮＡ複製ストレス誘導剤がアルキル化剤である場合には、前記アルキル化剤がシクロホスファミドまたはテモゾロミドのうちの少なくとも１つを含み、
腫瘍へ送達されるＤＮＡ複製ストレス誘導剤がｗｅｅ１阻害剤である場合には、前記ｗｅｅ１阻害剤がアダボセルチブ－ＭＫ１７７５またはＰＤ０１６６２８５のうちの少なくとも１つを含み、
腫瘍へ送達されるＤＮＡ複製ストレス誘導剤がＣｈｋ１阻害剤である場合には、前記Ｃｈｋ１阻害剤がＵＣＮ－０１、ＬＹ２６０６３６８、ＳＡＲ－０２０１０６、ＡＺＤ７７６２、またはＰＤ０１６６２８５のうちの少なくとも１つを含み、
腫瘍へ送達されるＤＮＡ複製ストレス誘導剤がチミジル酸シンターゼ阻害剤である場合には、前記チミジル酸シンターゼ阻害剤が５－ＦＵまたはペメトレキセドのうちの少なくとも１つを含み、
腫瘍へ送達されるＤＮＡ複製ストレス誘導剤がリボヌクレオチドリダクターゼ阻害剤である場合には、前記リボヌクレオチドリダクターゼ阻害剤がゲムシタビンを含み、
腫瘍へ送達されるＤＮＡ複製ストレス誘導剤がトポイソメラーゼＩ阻害剤である場合には、前記トポイソメラーゼＩ阻害剤がイリノテカンまたはトポテカンのうちの少なくとも１つを含み、
腫瘍へ送達されるＤＮＡ複製ストレス誘導剤がトポイソメラーゼＩＩ阻害剤である場合には、前記トポイソメラーゼＩＩ阻害剤がエトポシドまたはドキソルビシンの少なくとも１つを含み、
腫瘍へ送達されるＤＮＡ複製ストレス誘導剤がＭＥＬＫ阻害剤である場合には、前記ＭＥＬＫ阻害剤がＯＴＳ１６７を含み、および
腫瘍へ送達されるＤＮＡ複製ストレス誘導剤がＮＡＥ阻害剤である場合には、前記ＮＡＥ阻害剤がＭＬＮ４９２４を含む、
請求項９に記載の方法。

【請求項11】

追加のＤＮＡ複製ストレス誘導剤を腫瘍へ送達するステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。

【請求項12】

Ｅ２Ｆ阻害剤、ＣＤＫ４／６阻害剤、またはＰＡＲＰ阻害剤のうちの少なくとも１つを送達するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項13】

Ｅ２Ｆ阻害剤が腫瘍へ送達され、前記Ｅ２Ｆ阻害剤がＨＬＭ００６４７４である、請求項１２に記載の方法。

【請求項14】

ＣＤＫ４／６阻害剤が腫瘍へ送達され、前記ＣＤＫ４／６阻害剤がアベマシクリブ、パルボシクリブ、リボシクリブ、またはトリラシクリブである、請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

ＰＡＲＰ阻害剤が腫瘍へ送達され、前記ＰＡＲＰ阻害剤がオラパリブ、タラゾパリブ、ベリパリブ、ルカパリブ、ＢＹＫ２０４１６５、ニラパリブ（ＭＫ－４８２７）、ニラパリブ（ＭＫ－４８２７）、トシレート、またはイニパリブである、請求項１２に記載の方法。

【請求項16】

放射線治療を腫瘍へ送達するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。

【請求項17】

放射線治療が、腫瘍治療電場が印加される前または後に、送達される、請求項１６に記載の方法。

【請求項18】

少なくとも１つのＤＮＡ複製ストレス誘導剤を細胞へ送達するステップであって、前記ＤＮＡ複製ストレス誘導剤がＡＴＲ阻害剤を含む、ステップ；および
腫瘍治療電場をおよそ５０ｋＨｚからおよそ１，０００ｋＨｚの間の周波数で細胞に印加するステップ
を含む、細胞の増殖を防止し／低下させる方法。

【請求項19】

少なくとも２つのＤＮＡ複製ストレス誘導剤を腫瘍へ送達するステップであって、前記ＤＮＡ複製ストレス誘導剤の少なくとも１つがＡＴＲ阻害剤を含む、ステップ；
放射線治療を腫瘍へ送達するステップ；および
腫瘍治療電場をおよそ５０ｋＨｚからおよそ１，０００ｋＨｚの間の周波数で腫瘍に印加するステップ
を含む、対象において腫瘍を処置する方法。

【請求項20】

Ｅ２Ｆ阻害剤、ＣＤＫ４／６阻害剤、ＰＡＲＰ阻害剤、または白金化合物のうちの少なくとも１つを腫瘍へ送達するステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
この出願は、参照により本明細書に組み入れられている、２０２１年３月１２日に出願された米国仮出願第６３／１６０，６９２号の優先権を主張する。

【背景技術】

【0002】

腫瘍治療電場（ＴＴフィールド）は、米国特許第７，５６５，２０５号に記載されているように、腫瘍を処置するために用いられ得る、中間周波数範囲内の低強度交流電場である。ＴＴフィールドは、トランスデューサーを患者の身体上に直接置き、そしてトランスデューサー間にＡＣ電圧を印加することにより、目的の領域へ非侵襲的に誘導される。ＡＣ電圧は、力線が全般的に前後方向に走る電場を発生するように、第１の時間間隔の間、トランスデューサーの第１のペア間に印加される。その後、ＡＣ電圧は、力線が全般的に左右方向に走る電場を発生するように、第２の時間間隔の間、トランスデューサーの第２のペア間に同じ周波数で印加される。その後、そのシステムは、処置の間中、この２段階順序を繰り返す。

【0003】

外科的切除術、化学療法、放射線治療、および免疫療法などの、癌処置に利用可能なある程度の選択肢がある。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0004】

本発明の一態様は、ＡＴＲ阻害剤を腫瘍へ送達するステップ；および腫瘍治療電場をおよそ５０ｋＨｚからおよそ１，０００ｋＨｚの間の周波数で腫瘍に印加するステップを含む、対象において腫瘍を処置する方法に関する。

【0005】

本発明の一態様は、少なくとも１つのＤＮＡ複製ストレス誘導剤を細胞へ送達するステップであって、ＤＮＡ複製ストレス誘導剤がＡＴＲ阻害剤を含む、ステップ；および腫瘍治療電場をおよそ５０ｋＨｚからおよそ１，０００ｋＨｚの間の周波数で細胞に印加するステップを含む、細胞の増殖を防止し／低下させる方法に関する。

【0006】

本発明の一態様は、少なくとも２つのＤＮＡ複製ストレス誘導剤を腫瘍へ送達するステップであって、ＤＮＡ複製ストレス誘導剤の少なくとも１つがＡＴＲ阻害剤を含む、ステップ；放射線治療を腫瘍へ送達するステップ；および腫瘍治療電場をおよそ５０ｋＨｚからおよそ１，０００ｋＨｚの間の周波数で腫瘍に印加するステップを含む、対象において腫瘍を処置する方法に関する。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本開示の例示的な実施形態により、対象において腫瘍を処置するためのアプローチ例を示す図である。

【図2】対象において腫瘍を処置する方法の例を示す図である。

【図3】ＴＴフィールド、オラパリブ、放射線、およびそれらの組合せの膵臓癌細胞への効果の例を示す図である。

【図4】ＴＴフィールド、ＡＺＤ６７３８、放射線、およびそれらの組合せの非小細胞性肺癌細胞（ＮＳＣＬＣ）への効果の例を示す図である。

【図5】ＴＴフィールド、ＡＺＤ６７３８、放射線、およびそれらの組合せの膵臓癌細胞への効果の例を示す図である。

【図6】ＴＴフィールド、シスプラチン、エトポシド、およびそれらの組合せのＮＳＣＬＣへの効果の例を示す図である。

【図7】ＴＴフィールド、イリノテカン、放射線、およびそれらの組合せＮＳＣＬＣへの効果の例を示す図である。

【図8】ＴＴフィールド、イリノテカン、放射線、およびそれらの組合せの膵臓癌細胞への効果の例を示す図である。

【図9】ＴＴフィールド、５－ＦＵ、放射線、およびそれらの組合せＮＳＣＬＣへの効果の例を示す図である。

【図10】ＴＴフィールド、５－ＦＵ、放射線、およびそれらの組合せの膵臓癌細胞への効果の例を示す図である。

【図11】変調させた電場を有するＴＴフィールドを対象の身体に印加するための装置の一例を示す図である。

【図12】コンピュータ装置の例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

対象において腫瘍を処置するための技術が開示される。本開示は、ＤＮＡ損傷応答の破壊、ＤＮＡ複製ストレスの増強、およびＤＮＡ複製フォーク崩壊を介して、相乗的細胞殺害を誘導し得る腫瘍治療電場（ＴＴフィールド）に関する。

【0009】

本開示ＴＴフィールドは、いくつかある癌の中で特に、単剤療法としての再発性神経膠芽腫（ＧＢＭ）の処置、テモゾロミドと併用しての診断済みＧＢＭの処置、ならびにペメトレキセドおよび白金に基づいた化学療法と併用しての切除不能な局所的に進行したまたは転移性悪性胸膜中皮腫（ＭＰＭ）の処置に用いることができる、理学療法である。本開示ＴＴフィールドは、低強度、中間周波数、交流電場であり得、非侵襲的アレイを用いて腫瘍部位に局所領域的に印加することができる。

【0010】

本開示ＴＴフィールドは、有糸分裂の破壊を通して、腫瘍細胞を低減することができる。さらに、本開示ＴＴフィールドは、腫瘍細胞のＤＮＡ損傷修復および複製ストレス経路に影響を及ぼすことができる。例えば、本開示ＴＴフィールド処置は、照射（ＩＲ）誘導性ＤＮＡ損傷修復過程を障害することにより、ファンコニー貧血（ＦＡ）経路シグナル伝達タンパク質を減少させることができる。新しく複製されるＤＮＡの長さは、ＴＴフィールド曝露時間の関数として遅くすることができ、ＴＴフィールドは、ＴＴフィールドが複製ストレスを誘導したことを示す、Ｒループ形成を増加させることができる。本開示ＴＴフィールドは、新規な併用療法選択肢において複製ストレスをターゲットして増加させる化学療法剤に対する感受性を増加させることができる。

【0011】

本発明者らによって認識されているように、癌疾患の予後不良および好ましくない治療指数の二重の不安により、患者における全生存率を向上させるための新規な治療介入および併用療法様式の選択肢が希求されている。

【0012】

図１は、本開示の例示的な実施形態による、対象において腫瘍を処置するための発明的アプローチ例を示す。これらの阻害剤のそれぞれは、複製ストレスを増加させるために、例えば、ＤＮＡ修復、ＤＮＡ複製、ＤＮＡ架橋、ＤＮＡ複合体、または細胞周期制御をターゲットし得る。例えば、ＡＴＲ阻害剤は、ＤＮＡ損傷時の細胞周期チェックポイントを阻害するために腫瘍細胞または組織へ導入され得る。電離放射線（ＩＲ）は、ＤＮＡ鎖を切断するために腫瘍細胞または組織に適用することができる。白金剤は、ＤＮＡ複製を阻害することができる鎖内架橋を誘導するために、腫瘍細胞または組織へ送達することができる。架橋の修復は、ＴＴフィールドによって下方制御することができる。ＰＡＲＰ阻害剤は、複製フォーク維持の阻害のために腫瘍細胞または組織へ適用することができる。トポイソメラーゼ阻害剤は、ＤＮＡ複製および染色体凝縮の阻害のために腫瘍細胞または組織へ送達することができる。

【0013】

開示された、化学療法剤を用いる併用療法選択肢は、ＴＴフィールドと併用して、複製ストレスを相乗的に増加させることができる。本開示化学療法剤は、ゲノム不安定性の主因であり得る、複製ストレスをターゲットすることができる。癌細胞は、欠陥のあるＤＮＡ損傷応答（ＤＤＲ）および細胞周期チェックポイントの喪失と共に、低レベル～軽レベルの複製ストレスを保つことにより、無制限の増殖を維持することができる。正常細胞は、ＤＤＲおよび細胞周期チェックポイントの協調作用を通してゲノム安定性を維持することができる。ＤＤＲの欠陥および軽レベル～低レベルの複製ストレスは、癌細胞に独特であり、したがって、治療的に利用することができる。複製ストレスを利用するために、本開示ＴＴフィールドは、同様にいくつかの重要な段階において複製ストレスを引き起こし得る本開示化学療法剤と併用することができる。

【0014】

図２は、対象において腫瘍を処置する方法の例１００を示す。ステップ２０２において、ＤＮＡ複製ストレス誘導剤を腫瘍細胞または組織へ送達することができる。ＤＮＡ複製ストレス誘導剤は、少なくとも１つのＤＮＡ誤取り込み／修飾化学療法剤を含むことができる。例として、ＤＮＡ誤取り込み／修飾化学療法剤は、白金化合物、アルキル化剤、ｗｅｅ１阻害剤、Ｃｈｋ１阻害剤、チミジル酸シンターゼ阻害剤、リボヌクレオチドレダクターゼ阻害剤、トポイソメラーゼＩ阻害剤、トポイソメラーゼＩＩ阻害剤、母性胚性ロイシンジッパーキナーゼ（ＭＥＬＫ）阻害剤、ＮＥＤＤ８活性化酵素（ＮＡＥ）阻害剤、毛細血管拡張性運動失調症Ｒａｄ３関連タンパク質（ＡＴＲ）阻害剤、またはそれらの組合せであり得る。

【0015】

一例において、ＤＮＡ複製ストレス誘導剤は、ＡＴＲ阻害剤であり得る。ＡＴＲ阻害剤は、シサンドリンＢ、Ｎｕ６０２７、ダクトリシブ、ＥＰＴ－４６４６４、ＶＥ－８２１、ＡＺ２０、ベルゾセルチブ、トリン－２（Ｔｏｒｉｎ－２）、セララセルチブ（ＡＺＤ６７３８）、テトラヒドロピラゾロ［１，５－ａ］ピラジン、アザベンゾイミダゾール、ガルチセルチブ（Ｇａｒｔｉｓｅｒｔｉｂ）（Ｍ４３４４またはＶＸ－８０３）、Ｂａｙ１８９５３４４（エリムセレチブ）、ＣＧＫ ７３３、ＲＰ－３５００、ＡＴＲ－ＩＮ－４、ＶＥ－８２１、ＡＺ２０、ＥＴＰ－４６４６４、またはＡＴＲ阻害剤１のうちの少なくとも１つを含み得る。

【0016】

非限定的実施形態において、ＡＴＲ阻害剤は、ＡＺＤ６７３８を含み得る。ＡＺＤ６７３８は、複製チェックポイントについての必須キナーゼであり得るＡＴＲの阻害剤であり、複製ストレスからゲノム完全性を保護することにおいて重要な役割を果たす。一例において、およそ１μＭからおよそ５０μＭの間の量でのセララセルチブ（ＡＺＤ６７３８）が、腫瘍細胞、組織、または対象に送達することができる。非限定的実施形態において、およそ４０ｍｇからおよそ２４０ｍｇの間の量でのセララセルチブ（ＡＺＤ６７３８）を、およそ１日間～およそ２１日間、１日１回、対象に送達することができる。

【0017】

一例において、ＤＮＡ複製ストレス誘導剤は、ＴＴフィールド有りまたは無しで、ＤＮＡ鎖切断を引き起こして、複製ストレスを増加させることができる、トポイソメラーゼ阻害剤であり得る。トポイソメラーゼ阻害剤は、トポイソメラーゼＩ阻害剤、トポイソメラーゼＩＩ阻害剤、またはそれらの組合せのうちの少なくとも１つを含み得る。トポイソメラーゼＩ阻害剤は、カンプトテシン誘導体（トポテカン、イリノテカン、ベロテカン、ギマテカン、シラテカン）、インデノイソキノリン（ＮＳＣ３１４６２２、インドテカン、インジミテカン）、フェナントリジン（トポバール（ｔｏｐｏｖａｌｅ））、およびインドロカルバゾール（ＢＥ－１３７９３Ｃ）、ＳＮ－３８、カンプトテシン、エキサテカンメシル酸塩、トポテカン塩酸塩、Ｄｘｄ、ベツリン酸、β－ラパコン、ＰＮＵ－１５９６８２、Ｇｅｎｚ－６４４２８２、ＬＭＰ７４４塩酸塩、塩化コラリン、９－アミノ－ＣＰＴ、ナミテカン、カレニテシン、ＣＨ－０７９３０７６、エドテカリン、ＳＷ０４４２４８、エキサテカン、ダトポタマブ デルクステカン、Ｔ－２５１３、ポドカルプスフラボンＡ、（±）－エボジアミン、ＴＰ３０１１、ヒカントン、ベロテカン塩酸塩、プロスシラリジンＡ、ＴＡＳ－１０３二塩酸塩、ザボフロキサシン、イントプリシン、ヒュアンロングマイシンＮ（Ｈｕａｎｇｌｏｎｇｍｙｃｉｎ Ｎ）、Ｄｘｄ－ｄ５、グロエンランジシン、レベッカマイシン、イントプリシン二メシル酸塩、またはそれらの組合せを含み得る。非限定的実施形態において、トポイソメラーゼＩＩ阻害剤は、アントラサイクリン（ドキソルビシン、ダウノルビシン、エピルビシン、イダルビシン）、エトポシド、テニポシド、デクスラゾキサン、ノボビオシン、メルバロン、アントラサイクリン アクラルビシン、ミトキサントロン、ピラルビシン、テニポシド、ビサントレン、アムサクリン、ピラルビシン塩酸塩、ピキサントロン二マレイン酸塩、エリプチシン塩酸塩、アムサクリン塩酸塩、ボレロキシン塩酸塩、アモナフィデ（Ａｍｏｎａｆｉｄｅ）、ＰｌｕｒｉＳＩｎ ＃２、ガチフロキサシン、フルメキン、ＭＣ－ＤＯＸＨＺＮ塩酸塩、アムルビシン、ＡＲＮ－２１９３４、エリプチシン、ピキサントロン、ＭＣ－ＤＯＸＨＺＮ、ＣＰ－６７８０４、ＣＰ－６７０１５、ボレロキシン、エロモテカン塩酸塩、ガチフロキサシンメシル酸塩、９－ヒドロキシエリプチシン塩酸塩、アルドキソルビシン、ヒカントン、クロロキノキサリンスルホンアミド、プロスシラリジンＡ、アウリントリカルボン酸、またはそれらの組合せを含み得る。

【0018】

一例において、トポイソメラーゼ阻害剤は、トポイソメラーゼＩＩとの三元複合体を形成し、ＤＮＡ鎖の再ライゲーションを阻止して、ＤＮＡ鎖切断を引き起こし、複製ストレスを増加させ得る、エトポシドであり得る。ＤＮＡのスーパーコイリングは、複製および転写部位の前の鎖分離中に起こり得、トポイソメラーゼにより解放される。スーパーコイルおよびもつれに対処することができないことは、複製フォーク停止および崩壊を生じ得る。非限定的実施形態において、他の作用物質と併用して、エトポシドが、３～４週間ごとに、およそ３５ｍｇ／ｍ^２静脈内（ＩＶ）、３０～６０分間にわたって、１日１回、４日間から、およそ５０ｍｇ／ｍ^２ ＩＶ、３０～６０分間にわたって、１日１回、５日間の間での量で投与され得る。非限定的実施形態において、成人患者におけるエトポシドの用量は、他の阻害剤／作用物質の有り／無しで、３～４週間ごとに、１日目～５日目におよそ５０ｍｇ／ｍ^２／日～およそ１００ｍｇ／ｍ^２／日、または１日目、３日目、および５日目に１００～１２０ｍｇ／ｍ^２であり得る。

【0019】

一例において、トポイソメラーゼ阻害剤は、カンプトテシンの半合成類似体でありかつトポイソメラーゼＩ阻害剤であるイリノテカンであり得る。イリノテカンは、三元切断複合体におけるトポイソメラーゼＩ－ＤＮＡを捕捉し、最初の切断反応ステップと再ライゲーションステップの両方を阻害し得る。この複合体での複製フォークの崩壊は、不可逆的な複製フォーク停止を引き起こし得、複製ストレスを増加させ得る。非限定的実施形態において、用量あたりおよそ１．５ｍｇ／ｋｇまでの量でのイリノテカンが、対象に、２週間の間、週あたりおよそ５日間、毎日、送達され（すなわち、治療の１サイクル）、２１日間ごとに繰り返される。３サイクルについての用量は、用量あたりおよそ１０ｍｇ／ｋｇであり得る。

【0020】

一例において、ＤＮＡ複製ストレス誘導剤は、チミジル酸シンターゼ阻害剤を含み得る。非限定的実施形態において、チミジル酸シンターゼ阻害剤は、５－ＦＵまたはペメトレキセドのうちの少なくとも１つを含み得る。例えば、５－ＦＵは、チミジル酸シンターゼの阻害を通して複製ストレスを誘導し得るピリミジン類似体である。５－ＦＵは、ＦＵＬＦＵＲＩＮＯＸのような第一選択の化学療法および併用療法レジメンのベースライン成分であり得る。非限定的実施形態において、５－ＦＵの用量は、１日あたりおよそ２００ｍｇ／ｍ^２体表面積であり得る。５－ＦＵは、およそ３週間、持続静脈内注入により対象へ送達され得る。

【0021】

一例において、ＤＮＡ複製ストレス誘導剤は、リボヌクレオチドリダクターゼ阻害剤を含み得る。非限定的実施形態において、リボヌクレオチドリダクターゼ阻害剤は、ゲムシタビンを含み得る。ゲムシタビンの用量は、静脈内に３０分間にわたるおよそ１２５０ｍｇ／ｍ^２であり得る。非限定的実施形態において、ゲムシタビンの用量は、他の作用物質／阻害剤と併用して対象に送達され得る。例えば、およそ１２５０ｍｇ／ｍ^２が、他の作用物質／阻害剤（例えば、パクリタキセル）を含む各２１日間サイクルの１日目および８日目に、静脈内に３０分間にわたって、対象に送達され得る。

【0022】

一例において、ＤＮＡ複製ストレス誘導剤は、白金化合物を含み得る。非限定的実施形態において、白金化合物は、シスプラチン、カルボプラチン、オキサリプラチン、ジシコプラチン（ｄｉｃｙｃｏｐｌａｔｉｎ）、リポプラチンのうちの少なくとも１つを含み得る。例えば、およそ２０ｍｇ／ｍ^２からおよそ１２０ｍｇ／ｍ^２の間の量でのシスプラチンが対象に送達され得る。

【0023】

一例において、ＤＮＡ複製ストレス誘導剤は、アルキル化剤を含み得る。非限定的実施形態において、アルキル化剤は、シクロホスファミドまたはテモゾロミドのうちの少なくとも１つを含み得る。

【0024】

例えば、およそ４０ｍｇ／ｋｇからおよそ５０ｍｇ／ｋｇの間（すなわち、４００～１８００ｍｇ／ｍ^２）の量でのシクロホスファミドが対象に送達され得る。シクロホスファミドの本開示用量は、２～５日間にわたって分割され得る。

【0025】

一例において、ＤＮＡ複製ストレス誘導剤は、ｗｅｅ１阻害剤を含み得る。非限定的実施形態において、ｗｅｅ１阻害剤は、アダボセルチブ－ＭＫ１７７５、ＡＺＤ１７７５、またはＰＤ０１６６２８５のうちの少なくとも１つを含み得る。例えば、他の阻害剤／作用物質（例えば、ゲムシタビン）または放射線処置と併用してのＡＺＤ１７７５は、およそ１００ｍｇからおよそ１７５ｍｇの間の量で対象に送達され得る。ＡＺＤ１７７５は、他の阻害剤／作用物質（例えば、ゲムシタビン）または放射線処置の有り／無しで、１日１回、対象に送達され得る。

【0026】

一例において、ＤＮＡ複製ストレス誘導剤は、Ｃｈｋ１阻害剤を含み得る。非限定的実施形態において、Ｃｈｋ１阻害剤は、ＵＣＮ－０１、ＬＹ２６０６３６８、ＳＡＲ－０２０１０６、ＡＺＤ７７６２、またはＰＤ０１６６２８５のうちの少なくとも１つを含み得る。例えば、他の作用物質／処置（例えば、ゲムシタビン）と併用して、およそ３０ｍｇまでの量でのＡＺＤ７７６２が対象に送達され得る。

【0027】

一例において、ＤＮＡ複製ストレス誘導剤は、母性胚性ロイシンジッパーキナーゼ（ＭＥＬＫ）阻害剤（例えば、ＯＴＳ１６７）またはＮＥＤＤ８活性化酵素（ＮＡＥ）阻害剤（例えば、ＭＬＮ４９２４）のうちの少なくとも１つを含み得る。例えば、およそ０．５ｍｇからおよそ２．０ｍｇの間の量でのＯＳＴ－１６７が対象に送達され得る。

【0028】

ある特定の実施形態において、本開示阻害剤は、様々な技術を通して腫瘍細胞または組織へ送達することができる。一例において、本開示阻害剤は、カクテルの形で腫瘍へ送達され得る。１つより多い阻害剤が、カクテルの形に組み合わされて、腫瘍細胞または組織へ送達され得る。非限定的実施形態において、本開示阻害剤は、注入を通して送達され得る。

【0029】

ある特定の実施形態において、追加のＤＮＡ複製ストレス誘導剤が送達され得る。一例において、ＤＮＡ複製ストレス誘導剤および追加のＤＮＡ複製ストレス誘導剤は、同じ作用物質または阻害剤を含み得る。一例において、ＤＮＡ複製ストレス誘導剤および追加のＤＮＡ複製ストレス誘導剤は、異なる作用物質または阻害剤を含み得る。

【0030】

ステップ２０４において、Ｅ２Ｆ阻害剤、ＣＤＫ４／６阻害剤、ＰＡＲＰ阻害剤、または追加のＤＮＡ複製ストレス誘導剤のうちの少なくとも１つが、腫瘍細胞または組織へ送達され得る。

【0031】

一例において、Ｅ２Ｆ阻害剤が、腫瘍へ送達されて、転写因子のＥ２Ｆファミリーを調節不全にし、ＤＮＡ損傷を引き起こしまたはＤＮＡ損傷修復を阻害する作用物質に対する細胞脆弱性を増加させることができる。非限定的実施形態において、Ｅ２Ｆ阻害剤はＨＬＭ００６４７４であり得る。転写因子のＥ２Ｆファミリーは、ＤＮＡ損傷剤および複製ストレスに対して細胞を感受性にするこれらの特定の経路の下方制御を駆動させることができる。本開示阻害剤を通しての転写因子のＥ２Ｆファミリーの調節不全は、ＤＮＡ損傷を引き起こしまたはＤＮＡ損傷修復を阻害する作用物質に対する細胞脆弱性をもたらすことができる。Ｅ２Ｆ阻害剤の適用は、転写アクチベーターであるＥ２Ｆファミリーメンバーの下方制御を含み得、一方、リプレッサーである特定のＥ２Ｆファミリーメンバーが活性化される。転写リプレッサーである、このリプレッサーＥ２Ｆ６は、上方制御される。Ｅ２Ｆ６は、通常、ＢＲＣＡ１の発現を可能にする。しかしながら、転写のリプレッサーの活性化として、ＢＲＣＡ１は下方制御され得る。

【0032】

一例において、ＣＤＫ４／６阻害剤は、腫瘍へ送達され得る。一例において、ＣＤＫ４／６阻害剤は、アベマシクリブ、パルボシクリブ、リボシクリブ、またはトリラシクリブのうちの少なくとも１つを含み得る。

【0033】

一例において、ＰＡＲＰ阻害剤は、ＴＴフィールド有りまたは無しで、腫瘍へ送達され、腫瘍細胞のＤＮＡ修復を減少させて、細胞死をもたらすことができる。ＰＡＲＰ１は、ＤＮＡ修復およびチェックポイントタンパク質を損傷の部位へリクルートし、ＤＮＡ末端プロセシング（複製再出発およびＣｈｋ１活性化の増強に必要とされる）のためにＭＲＥ１１をリクルートすることにより、ＤＮＡ切断を保護する。ＰＡＲＰ阻害剤を導入することにより、標的腫瘍のＤＮＡ切断が増強され得る。ＰＡＲＰ阻害剤は、オラパリブ、タラゾパリブ、ベリパリブ、ルカパリブ、ＢＹＫ２０４１６５、ニラパリブ（ＭＫ－４８２７）、ニラパリブ（ＭＫ－４８２７）、トシレート、またはイニパリブを含み得る。

【0034】

ある特定の実施形態において、腫瘍は、非小細胞性肺癌（ＮＳＣＬＣ）、膵臓癌、ＧＢＭ、中皮腫、膵臓癌、肺癌、卵巣癌、および子宮頚癌のうちの少なくとも１つを含み得る。頭部、胸部、または腹部のいずれの癌も、本開示により影響され得る状態の一つである。一例において、腫瘍は、肺癌細胞、乳癌細胞、膵臓癌細胞、神経膠芽腫細胞、前立腺癌細胞、肝臓癌細胞、卵管癌細胞、腹膜癌細胞、子宮頚癌細胞、皮膚癌細胞、または卵巣癌細胞のうちの少なくとも１つを含み得る。

【0035】

ステップ２０６において、腫瘍治療電場（ＴＴフィールド）が腫瘍に印加され得る。非限定的実施形態において、ＴＴフィールドは、所定のパラメーターを用いて、印加され得る。例として、ＴＴフィールドは、約５０ｋＨｚから約１０００ｋＨｚまでの周波数範囲内の周波数を含み得る。例として、腫瘍治療電場の周波数は、およそ１００ｋＨＺからおよそ５００ｋＨＺの間であり得る。例として、腫瘍治療電場の周波数は、およそ１００ｋＨＺ、およそ１５０ｋＨＺ、およそ２００ｋＨＺ、またはおよそ２５０ｋＨＺであり得る。例として、ＴＴフィールドは、約１Ｖ／ｃｍから約２０Ｖ／ｃｍまでの強度範囲内の強度を含み得る。例として、ＴＴフィールドは、約１Ｖ／ｃｍから約１０Ｖ／ｃｍまでの強度範囲内の強度を含み得る。例として、腫瘍治療電場の強度は、およそ１Ｖ／ｃｍからおよそ４Ｖ／ｃｍの間であり得る。ＴＴフィールドについての他の可能な例示的パラメーターは、いくつかあるパラメーターの中で特に、活性時間、調光時間、およびデューティサイクル（それらの全ては、例えば、ｍｓ単位で測定され得る）を含み得る。パラメーターは、腫瘍のサイズ、腫瘍の型、対象、または処置の目的に基づいて改変され得る。一例において、腫瘍治療電場の強度は、およそ１Ｖ／ｃｍからおよそ４Ｖ／ｃｍの間であり、腫瘍治療電場の周波数は、神経膠芽腫癌細胞を処置するために、およそ１５０ｋＨＺからおよそ２５０ｋＨＺの間である。

【0036】

本開示ＴＴフィールド処置は、ＤＮＡ損傷を誘導し、かつＤＮＡ損傷応答を障害することができる。本開示ＴＴフィールドの印加は、（例えば、放射線照射されなかったが、ＴＴフィールドに曝露された）細胞において時間と共にγ－Ｈ２ＡＸ巣を増加させることができる。γ－Ｈ２ＡＸはまた、複製ストレス中の停止した複製フォークの初期センサーでもあるため、ＢＲＣＡ１およびファンコニー貧血経路の他のメンバーの発現の低下が、崩壊または停止した複製フォークの修復に負の影響を及ぼすように、ＴＴフィールド曝露は複製ストレスを誘導することができる。さらに、ＤＮＡ複製複合体の不可欠なメンバーである、ＭＣＭ６およびＭＣＭ１０遺伝子もまた、ＴＴフィールドの印加により下方制御され得る。

【0037】

ある特定の実施形態において、ＴＴフィールドは、本開示阻害剤および／または放射線治療が適用される前または後に、腫瘍に印加することができる。ある特定の実施形態において、ＴＴフィールドは、本開示阻害剤および／または放射線治療と同時に、標的組織に印加することができる。例として、印加するステップ２０６の少なくとも一部分は、送達するステップ２０２の少なくとも一部分および／または送達するステップ２０４の少なくとも一部分と同時に（ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓｌｙ）／同時に（ｃｏｎｃｏｍｉｔａｎｔｌｙ）、実施され得る。非限定的実施形態において、本開示作用物質／阻害剤は、ＴＴフィールドおよび／または放射線治療と同時に送達され得る。例として、印加するステップ２０６の少なくとも一部分は、送達するステップ２０２の少なくとも一部分ならびに送達するステップ２０４および／または送達するステップ２０８の少なくとも一部分と同時に、実施され得る。

【0038】

ステップ２０８において、放射線治療が、腫瘍へ送達され得る。一例において、放射線治療は、電離放射線（ＩＲ）処置であり得る。放射線治療の線量は、１回あたりおよそ１Ｇｙからおよそ１８Ｇｙの間であり得る。一例において、放射線治療の線量は、１回あたりおよそ１．８Ｇｙからおよそ１８Ｇｙの間であり得る。放射線治療の線量は、標的腫瘍の型、腫瘍サイズ、対象、または放射線治療の型に基づいて異なり得る。例えば、標準放射線療法は、２Ｇｙ／回であり、４～７週間、続き得る。定位放射線療法（ＳＡｂＲ）は、５回より多い回数で、１回あたり一般的な１０Ｇｙから高くは１８Ｇｙである。５日間、毎日、分割線量が送達され、または単一の分割線量が１２より高い場合には、正常組織回復のために休息日が設けられる場合がある。ある特定の実施形態において、このＳＡｂＲストラテジーは、ＴＴフィールドと共に用いられ得る。本開示阻害剤を腫瘍へ送達する前または後に、放射線治療が腫瘍へ適用され得る。非限定的実施形態において、放射線治療は、本開示阻害剤および／またはＴＴフィールドと同時に、腫瘍へ適用され得る。

【0039】

本開示ＴＴフィールドは、ＤＮＡ損傷を誘導し、かつＩＲ誘導性ＤＮＡ二本鎖切断（ＤＳＢ）の修復を遅くすることができる。ＴＴフィールド曝露は、ＴＴフィールドへの曝露時間と共に複製フォーク速度の減少およびＲループ形成の出現の増加により複製ストレスを誘導することができる。複製フォーク維持に関連したある特定の遺伝子はまた、異なるＤＮＡ修復経路に関与しているため、ＴＴフィールド処置は、結果として、ＤＮＡ修復能力の低下のために、複製ストレスの増加とＤＮＡ損傷の増加の両方を生じることができる。本開示ＴＴフィールドは、癌細胞において条件脆弱性の発生を引き起こし、ＤＮＡ損傷剤ならびに複製フォーク維持および安定性に関連した重要な酵素を特異的にターゲットする作用物質に対するその癌細胞の感受性をより高くすることができる。

【0040】

本開示技術は、癌細胞において複製ストレスを増加させることにより条件脆弱性環境を誘導することができる。本開示阻害剤（例えば、シスプラチン、ペメトレキセド、ゲムシタビン、および５－ＦＵ）は、複製ストレス経路を直接的または間接的にターゲットする。したがって、そのような阻害剤と併用してＴＴフィールドを用いることは、それらがどちらも類似した機構で作用できるため、これらの化学療法剤の効力を増強することができる。例えば、ＴＴフィールドは、転写因子のＥ２Ｆファミリーの調節不全を通して、複製ストレス経路に影響することができる。Ｅ２Ｆファミリーメンバーの役割を決定することにより、本開示技術は、ＴＴフィールドおよび放射線、Ｅ２Ｆシグナル伝達により通常、調節されるタンパク質に方向付けられた化学療法剤または生物学的薬剤の特定の組合せのターゲティングを可能にする。Ｅ２Ｆファミリー調節不全化細胞は、ＤＮＡ修復および／または複製ストレスに対してターゲットされる作用物質の使用に対して脆弱になり得る。この場合、治療の成功は、本開示ＴＴフィールド技術が本開示阻害剤／作用物質と併用された時に見られる相乗的細胞殺害によって増強することができる。

【実施例】

【0041】

実験結果
本明細書に開示されたある特定の実施形態を用いて、様々な阻害剤および／または放射線処置（ＩＲ）と併用したＴＴフィールドを、ＮＳＣＬＣ細胞または膵臓癌細胞に適用した。例えば、所定の濃度における所定の阻害剤を、ＮＳＣＬＣ細胞または膵臓癌細胞に送達し、その細胞をすぐに、ＴＴフィールド（例えば、１００～２５０ｋＨｚおよび１～２０Ｖ／ｃｍ）に約２４時間、２８時間、または７２時間、曝露した。所定の濃度は、最適な標的細胞殺害のために細胞株特異的濃度であった。その後、細胞に（２Ｇｙの線量で）１分未満（例えば、３．２５Ｇｙ／分）、放射線を照射し、すぐに、生存のためにプレーティングした。

【0042】

膵臓癌細胞生存へのＰＡＲＰ阻害剤および／またはＩＲと併用したＴＴフィールドの組合せ効果および相乗効果を、細胞死／生存分析アッセイ（すなわち、クローン原性細胞生存アッセイ）によって評価した。

【0043】

図３は、ＴＴフィールド、オラパリブ、放射線、およびそれらの組合せの膵臓癌細胞への効果の例を示す。特に、図３は、ＰＡＲＰ阻害剤および／またはＩＲと併用したＴＴフィールドのＰａｎｃ－１および０４．０３細胞生存（すなわち、生存率）への効果を示す。図３に示されているように、ＴＴフィールド、オラパリブ（すなわち、ＰＡＲＰ阻害剤）、およびＩＲは、Ｐａｎｃ－１および０４．０３細胞の生存率を有意に低下させた。さらに、ＴＴフィールド、オラパリブ（すなわち、ＰＡＲＰ阻害剤）、および／またはＩＲの組合せは、Ｐａｎｃ－１および０４．０３細胞生存への相乗効果を示した。オラパリブを、ＴＴフィールドと同時に与えた。ＴＴフィールドおよび特定の作用物質の開始から２４時間後、４８時間後、または７２時間後に、放射線を与えた。表１および２は、Ｐａｎｃ－１（表Ｉ）および０４．０３細胞生存（表ＩＩ）への相乗効果の定量化を提供する。相乗効果は、示された時点および示された細胞株について、併用指数（ＣＩ）が＞１であり、かつＰ値が＜０．０５である場合に観察された。１．０より大きい、すなわち、個々の応答の和より大きい値は、相乗的とみなされる。以下の式がＣＩを計算するために用いられた：ＳＦ＝生存率；ＣＩ（ＴＴフィールド）＋（２Ｇｙ）＝（ＳＦ_２Ｇｙ×ＳＦ_{ＴＴフィールド}）／ＳＦ_{２Ｇｙ＋ＴＴフィールド}；ＣＩ（ＴＴフィールド）＋（Ｏｌａｐ）＝（ＳＦ_Ｏｌａｐ×ＳＦ_{ＴＴフィールド}）／ＳＦ_{Ｏｌａｐ＋ＴＴフィールド}；ＣＩ（２Ｇｙ）＋（Ｏｌａｐ）＝（ＳＦ_２Ｇｙ×ＳＦ_Ｏｌａｐ）／ＳＦ_{２Ｇｙ＋Ｏｌａｐ}；およびＣＩ（ＴＴフィールド）＋（２Ｇｙ）＋（Ｏｌａｐ）＝（ＳＦ_２Ｇｙ×ＳＦ_Ｏｌａｐ×ＳＦ_{ＴＴフィールド}）／ＳＦ_{ＴＴフィールド＋２Ｇｙ＋Ｏｌａｐ}。これらの判定基準ならびに表ＩおよびＩＩに要約された結果に基づいて、ＴＴフィールド、ＩＲ、およびオラパリブの膵臓癌細胞生存／死への併用効果は、相乗的であることが見出された。最高単剤（ＨＡＳ）アプローチに基づいている。併用指数についての計算は、下記に見出すことができる。

【0044】

【表1】

【0045】

【表2】

【0046】

図４および５は、ＴＴフィールド、ＡＺＤ６７３８、放射線、およびそれらの組合せの非小細胞性肺癌細胞（ＮＳＣＬＣ）および膵臓癌細胞、それぞれへの効果の例を示す。特に、図４および５は、ＴＴフィールド曝露が、ＡＴＲ阻害剤ＡＺＤ６７３８のＮＳＬＣＬ細胞（図４）生存および膵臓癌細胞（図５）生存への効果を相乗的に増加させることを示している。ＴＴフィールドを、ＡＴＲ阻害剤ＡＺＤ６７３８および放射線（ＩＲ）と一緒に用いた。最高単剤（ＨＳＡ）アプローチを用いて、ＡＺＤ６７３８およびＩＲがＴＴフィールドと併用された場合、相乗効果が観察された。以下の式が、ＣＩを計算するために用いられた：ＳＦ＝生存率；ＣＩ（ＴＴフィールド）＋（２Ｇｙ）＝（ＳＦ_２Ｇｙ×ＳＦ_{ＴＴフィールド}）／ＳＦ_{２Ｇｙ＋ＴＴフィールド}；ＣＩ（ＴＴフィールド）＋（ＡＺＤ）＝（ＳＦ_ＡＺＤ×ＳＦ_{ＴＴフィールド}）／ＳＦ_{ＡＺＤ＋ＴＴフィールド}；ＣＩ（２Ｇｙ）＋（ＡＺＤ）＝（ＳＦ_２Ｇｙ×ＳＦ_ＡＺＤ）／ＳＦ_{２Ｇｙ＋ＡＺＤ}；およびＣＩ（ＴＴフィールド）＋（２Ｇｙ）＋（ＡＺＤ）＝（ＳＦ_２Ｇｙ×ＳＦ_ＡＺＤ×ＳＦ_{ＴＴフィールド}）／ＳＦ_{ＴＴフィールド＋２Ｇｙ＋ＡＺＤ}。

【0047】

図４に示されているように、ＴＴフィールド、ＡＺＤ６７３８（すなわち、ＡＴＲ阻害剤）、およびＩＲは、Ｈ１２９９およびＨ１５７細胞の生存率を有意に低下させた。さらに、ＴＴフィールド、ＡＺＤ６７３８（すなわち、ＡＴＲ阻害剤）、および／またはＩＲの組合せは、Ｈ１２９９およびＨ１５７細胞生存への相乗効果を示した。

【0048】

図５に示されているように、ＴＴフィールド、ＡＺＤ６７３８（すなわち、ＡＴＲ阻害剤）、およびＩＲは、Ｐａｎｃ－１および０４．０３細胞の生存率を有意に低下させた。さらに、ＴＴフィールド、ＡＺＤ６７３８（すなわち、ＡＴＲ阻害剤）、および／またはＩＲの組合せは、Ｐａｎｃ－１および０４．０３細胞生存への相乗効果を示した。

【0049】

表３および４は、Ｈ１２９９細胞（表３）およびＨ１５７（表４）への相乗効果の定量化を提供する。相乗効果は、示された時点および示された細胞株について、併用指数（ＣＩ）が＞１であり、かつＰ値が＜０．０５である場合に観察された。これらの判定基準ならびに表３および４に要約された結果に基づいて、ＴＴフィールド、ＩＲ、およびＡＺＤ６７３８のＮＳＬＣＬ細胞生存／死への併用効果は、相乗的であることが見出された。ＣＩ値は、ＴＴフィールドおよび作用物質の曝露の時間、ならびに放射線有りまたは無しに基づいている。Ｐ値は、統計的有意性について両側性スチューデントＴ検定を表す。

【0050】

【表3】

【0051】

【表4】

【0052】

表５および６は、Ｐａｎｃ－１細胞（表５）および０４．０３細胞（表６）への相乗効果の定量化を提供する。相乗効果は、示された時点および示された細胞株について、併用指数（ＣＩ）が＞１であり、かつＰ値が＜０．０５である場合に観察された。これらの判定基準ならびに表５および６に要約された結果に基づいて、ＴＴフィールド、ＩＲ、およびＡＺＤ６７３８の膵臓癌細胞生存／死への併用効果は、相乗的であることが見出された。

【0053】

【表5】

【0054】

【表6】

【0055】

図６は、ＴＴフィールド、シスプラチン、エトポシド、およびそれらの組合せのＮＳＣＬＣへの効果の例を示す。特に、図６は、ＴＴフィールド曝露が、トポイソメラーゼＩＩ阻害剤、エトポシドの効力を相乗的に増加させることを示す。最高単剤（ＨＳＡ）アプローチを用いることにより、相乗効果は、エトポシド（ＥＴＰ）がＴＴフィールドと併用された時に観察することができる。ＣＰおよびＥＴＰは、単独でまたは併用して、およびＴＴフィールド有り／無しで、試験された。図６に示されているように、ＣＰまたはＥＴＰが用いられるのが単独か一緒かのいずれの場合でも、ＴＴフィールドの併用が、ＮＳＣＬＳ細胞殺害能力を相乗的に増強させた。

【0056】

表７および８は、シスプラチンおよび／またはエトポシドと併用したＴＴフィールドのＨ１２９９（表７）およびＨ１５７細胞（表８）への相乗効果の定量化を提供する。相乗効果は、示された時点および示された細胞株について、併用指数（ＣＩ）が＞１であり、かつＰ値が＜０．０５である場合に観察された。以下の式が、併用指数を計算するために用いられる：ＳＦ＝生存率；ＣＩ（ＴＴフィールド）＋（ＣＰ）＝（ＳＦ_ＣＰ×ＳＦ_{ＴＴフィールド}）／ＳＦ_{ＣＰ＋ＴＴフィールド}；ＣＩ（ＴＴフィールド）＋（ＥＴＯＰ）＝（ＳＦ_ＥＴＯＰ×ＳＦ_{ＴＴフィールド}）／ＳＦ_{ＥＴＯＰ＋ＴＴフィールド}；ＣＩ（ＣＰ）＋（ＥＴＯＰ）＝（ＳＦ_ＣＰ×ＳＦ_ＥＴＯＰ）／ＳＦ_{ＣＰ＋ＥＴＯＰ}；およびＣＩ（ＴＴフィールド）＋（ＣＰ）＋（ＥＴＯＰ）＝（ＳＦ_ＣＰ×ＳＦ_ＥＴＯＰ×ＳＦ_{ＴＴフィールド}）／ＳＦ_{ＴＴフィールド＋ＣＰ＋ＥＴＯＰ＋ＴＴフィールド}。

【0057】

【表7】

【0058】

【表8】

【0059】

これらの判定基準ならびに表７および８に要約された結果に基づいて、ＴＴフィールド、ＣＰ、およびＥＴＯＰのＮＳＣＬＣ細胞生存／死への併用効果が、相乗的であることが見出された。

【0060】

図７は、ＴＴフィールド、イリノテカン、放射線、およびそれらの組合せのＮＳＣＬＣへの効果の例を示す。特に、図７は、イリノテカンおよび／またはＩＲと併用したＴＴフィールドのＨ１２９９およびＨ１５７細胞生存（すなわち、生存率）への組合せ効果および相乗効果の効果を示す。図７に示されているように、ＴＴフィールド、イリノテカン、およびＩＲは、Ｈ１２９９およびＨ１５７細胞の生存率を有意に低下させた。さらに、ＴＴフィールド、イリノテカン、および／またはＩＲの組合せは、Ｈ１２９９およびＨ１５７細胞生存への相乗効果を示した。

【0061】

表９および１０は、イリノテカンおよび／またはＩＲと併用したＴＴフィールドのＨ１２９９生存（表９）およびＨ１５７細胞生存（表１０）への相乗効果の定量化を提供する。相乗効果は、示された時点および示された細胞株について、併用指数（ＣＩ）が＞１であり、かつＰ値が＜０．０５である場合に観察された。以下の式が、併用指数を計算するために用いられる：ＳＦ＝生存率；ＣＩ（ＴＴフィールド）＋（２Ｇｙ）＝（ＳＦ_２Ｇｙ×ＳＦ_{ＴＴフィールド}）／ＳＦ_{２Ｇｙ＋ＴＴフィールド}；ＣＩ（ＴＴフィールド）＋（Ｉｒｉｎｏ）＝（ＳＦ_{Ｉｒｉｎｏ}×ＳＦ_{ＴＴフィールド}）／ＳＦ_{Ｉｒｉｎｏ＋ＴＴフィールド}；ＣＩ（２Ｇｙ）＋（Ｉｒｉｎｏ）＝（ＳＦ_２Ｇｙ×ＳＦ_{Ｉｒｉｎｏ}）／ＳＦ_{２Ｇｙ＋Ｉｒｉｎｏ}；およびＣＩ（ＴＴフィールド）＋（２Ｇｙ）＋（Ｉｒｉｎｏ）＝（ＳＦ_２Ｇｙ×ＳＦ_{Ｉｒｉｎｏ}×ＳＦ_{ＴＴフィールド}）／ＳＦ_{ＴＴフィールド＋２Ｇｙ＋Ｉｒｉｎｏ}。

【0062】

【表9】

【0063】

【表10】

【0064】

これらの判定基準ならびに表９および１０に要約された結果に基づいて、ＴＴフィールド、イリノテカン、および／またはＩＲのＮＳＣＬＣ細胞生存／死への併用効果が、相乗的であることが見出された。

【0065】

図８は、ＴＴフィールド、イリノテカン、放射線、およびそれらの組合せの膵臓癌細胞への効果の例を示す。特に、図８は、イリノテカンおよび／またはＩＲと併用したＴＴフィールドのＰａｎｃ－１細胞生存（すなわち、生存率）への組合せ効果および相乗効果の効果を示す。図８に示されているように、ＴＴフィールド、イリノテカン、およびＩＲは、Ｐａｎｃ－１細胞生存の生存率を有意に低下させた。さらに、ＴＴフィールド、イリノテカン、および／またはＩＲの組合せは、Ｐａｎｃ－１細胞生存への相乗効果を示した。

【0066】

表１１は、イリノテカンおよび／またはＩＲと併用したＴＴフィールドのＰａｎｃ－１細胞生存への相乗効果の定量化を提供する。相乗効果は、示された時点および示された細胞株について、併用指数（ＣＩ）が＞１であり、かつＰ値が＜０．０５である場合に観察された。以下の式が、併用指数を計算するために用いられる。

【0067】

【表11】

【0068】

これらの判定基準ならびに表１１に要約された結果に基づいて、イリノテカン（三元切断複合体におけるトポイソメラーゼＩ－ＤＮＡを捕捉する）と共のＴＴフィールドの組合せのＮＳＣＬＣ細胞生存／死への併用効果が、相乗的であることが見出された。

【0069】

感受性化および相乗作用の程度は細胞株にわたって異なり得るが、ＴＴフィールドは、エトポシド（トポイソメラーゼＩＩと三元複合体を形成し、ＤＮＡ鎖の再ライゲーションを阻止して、ＤＮＡ鎖切断を誘発しかつ複製ストレスを誘導する）の細胞殺害効力を相乗的に増加させた。

【0070】

図９および１０は、ＴＴフィールド、５－ＦＵ、放射線、およびそれらの組合せのＮＳＣＬＣおよび膵臓癌細胞、それぞれへの効果の例を示す。特に、図９および１０は、ＴＴフィールド曝露が、５－フルオロウラシル（ＦＵ）および／またはＩＲとの組合せのＮＳＣＬＣ細胞生存（図９）および膵臓癌細胞（図１０）への効果を相乗的に増加させることを示す。図９に示されているように、ＴＴフィールド、５－ＦＵ、およびＩＲは、Ｈ１２９９およびＨ１５７細胞生存の生存率を有意に低下させた。さらに、ＴＴフィールド、５－ＦＵ、および／またはＩＲの組合せは、Ｈ１２９９およびＨ１５７細胞生存への相乗効果を示した。図１０は、ＴＴフィールド、５－ＦＵ、およびＩＲがＰａｎｃ－１および０４．０３細胞生存の生存率を有意に低下させたことを示す。さらに、ＴＴフィールド、５－ＦＵ、および／またはＩＲの組合せは、Ｐａｎｃ－１および０４．０３細胞生存への相乗効果を示した。

【0071】

表１２および１３は、５－フルオロウラシル（ＦＵ）および／またはＩＲと併用したＴＴフィールドのＨ１２９９生存（表１２）およびＨ１５７細胞生存（表１３）への相乗効果の定量化を提供する。相乗効果は、示された時点および示された細胞株について、併用指数（ＣＩ）が＞１であり、かつＰ値が＜０．００５である場合に観察された。以下の式が、併用指数を計算するために用いられる：ＳＦ＝生存率；ＣＩ（ＴＴフィールド）＋（２Ｇｙ）＝（ＳＦ_２Ｇｙ×ＳＦ_{ＴＴフィールド}）／ＳＦ_{２Ｇｙ＋ＴＴフィールド}；ＣＩ（ＴＴフィールド）＋（５ＦＵ）＝（ＳＦ_５ＦＵ×ＳＦ_{ＴＴフィールド}）／ＳＦ_{５ＦＵ＋ＴＴフィールド}；ＣＩ（２Ｇｙ）＋（５ＦＵ）＝（ＳＦ_２Ｇｙ×ＳＦ_５ＦＵ）／ＳＦ_{２Ｇｙ＋５ＦＵ}；およびＣＩ（ＴＴフィールド）＋（２Ｇｙ）＋（５ＦＵ）＝（ＳＦ_２Ｇｙ×ＳＦ_５ＦＵ×ＳＦ_{ＴＴフィールド}）／ＳＦ_{ＴＴフィールド＋２Ｇｙ＋５ＦＵ}。

【0072】

【表12】

【0073】

【表13】

【0074】

これらの判定基準ならびに表１２および１３に要約された結果に基づいて、ＴＴフィールド、５－フルオロウラシル（ＦＵ）、および／またはＩＲのＮＳＣＬＣ細胞生存／死への併用効果は、相乗的であることが見出された。

【0075】

表１４および１５は、５－フルオロウラシル（ＦＵ）および／またはＩＲと併用したＴＴフィールドのＰａｎｃ－１生存（表１４）および０４．０３細胞生存（表１５）への相乗効果の定量化を提供する。相乗効果は、示された時点および示された細胞株について、併用指数（ＣＩ）が＞１であり、かつＰ値が＜０．０５である場合に観察された。

【0076】

【表14】

【0077】

【表15】

【0078】

これらの判定基準ならびに表１３および１４に要約された結果に基づいて、ＴＴフィールド、５－フルオロウラシル（ＦＵ）、および／またはＩＲの膵臓癌細胞生存／死への併用効果は、相乗的であることが見出された。

【0079】

例示的な装置
図１１は、電場の変調を有するＴＴフィールドを対象の身体に印加するための装置の一例を示す。第１のトランスデューサー１１０１は、基板１１０４上に位置する１３個の電極素子１１０３を含み、電極素子１１０３は、導線１１０９を通して互いに電気的かつ機械的に接続されている。第２のトランスデューサー１１０２は、基板１１０６上に位置する２０個の電極素子１１０５を含み、電極素子１１０５は、導線１１１０を通して互いに電気的かつ機械的に接続されている。第１のトランスデューサー１１０１および第２のトランスデューサー１１０２は、ＡＣ電圧源１１０７およびコントローラ１１０８と接続されている。コントローラ１１０８は、１つまたは複数のプロセッサおよびその１つまたは複数のプロセッサによりアクセス可能なメモリを含み得る。メモリは、１つまたは複数のプロセッサにより実行された時、本発明の１つまたは複数の実施形態を履行するようにＡＣ電圧源１１０７を制御する命令を記憶し得る。いくつかの実施形態において、ＡＣ電圧源１１０７およびコントローラ１１０８は、第１のトランスデューサー１１０１および第２のトランスデューサー１１０２において統合され、第１の電場発生器および第２の電場発生器を形成し得る。

【0080】

図１２は、本明細書における実施形態と共に使用するためのコンピュータ装置の例を示す。例として、装置１２００は、本明細書に開示されたある特定の発明的技術を履行するためのコンピュータであり得る。例として、装置１２００は、本明細書における実施形態についての、電場の変調を有するＴＴフィールドを印加するためのコントローラ装置であり得る。コントローラ装置１２００は、図１１のコントローラ１１０８として使用され得る。装置１２００は、１つまたは複数のプロセッサ１２０２、１つまたは複数の出力デバイス１２０５、およびメモリ１２０３を含み得る。

【0081】

一例において、入力１２０１に基づいて、１つまたは複数のプロセッサは、本発明の実施形態を履行するように電圧源を制御するための制御シグナルを発生させる。一例において、入力１２０１はユーザー入力である。別の例において、入力１２０１は、コントローラ装置１２００と通信する別のコンピュータからであり得る。出力デバイス１２０５は、トランスデューサー選択、発生している電圧、および他の運用情報などの本発明の運用の状態を提供し得る。出力デバイス１２０５は、本発明のある特定の実施形態により、可視化データを提供し得る。

【0082】

メモリ１２０３は、１つまたは複数のプロセッサ１２０２がメモリ１２０３から情報を読みかつそれへ情報を書き出すことができるように、１つまたは複数のプロセッサ１２０２によりリンク１１０４を介してアクセス可能である。メモリ１２０３は、１つまたは複数のプロセッサ１２０２により実行された時、本発明の１つまたは複数の実施形態を履行する命令を記憶し得る。

【0083】

例証実施形態
本発明は、以下などの他の例証実施形態を含む。

【0084】

例証実施形態１。ＡＴＲ阻害剤を腫瘍へ送達するステップ、および腫瘍治療電場をおよそ５０ｋＨｚからおよそ１，０００ｋＨｚの間の周波数で腫瘍に印加するステップを含む、対象において腫瘍を処置する方法。

【0085】

例証実施形態２。腫瘍治療電場の強度がおよそ１Ｖ／ｃｍからおよそ４Ｖ／ｃｍの間であり、腫瘍治療電場の周波数がおよそ１５０ｋＨＺからおよそ２５０ｋＨＺの間であり、腫瘍が神経膠芽腫癌細胞を含む、例証実施形態１に記載の方法。

【0086】

例証実施形態３。ＡＴＲ阻害剤がセララセルチブ（ＡＺＤ６７３８）をおよそ１μＭからおよそ５０μＭの間の量で含む、例証実施形態１に記載の方法。

【0087】

例証実施形態４。ＡＴＲ阻害剤が注入を通して送達される、例証実施形態１に記載の方法。

【0088】

例証実施形態５。ＡＴＲ阻害剤がカクテルの形で送達される、例証実施形態１に記載の方法。

【0089】

例証実施形態６。放射線治療を腫瘍へ送達するステップを含む、例証実施形態１に記載の方法。

【0090】

例証実施形態７。放射線治療の線量が、およそ１Ｇｙからおよそ１８Ｇｙの間である、例証実施形態６に記載の方法。

【0091】

例証実施形態８。ＡＴＲ阻害剤または１つもしくは複数のＤＮＡ複製ストレス誘導剤を送達するステップ；Ｅ２Ｆ阻害剤、ＣＤＫ４／６阻害剤、ＰＡＲＰ阻害剤、または白金化合物のうちの少なくとも１つを腫瘍へ送達するステップ；放射線治療を腫瘍へ送達するステップ；腫瘍治療電場をおよそ５０ｋＨｚからおよそ１，０００ｋＨｚの間の周波数で腫瘍に印加するステップを含む、対象において腫瘍を処置する方法。

【0092】

例証実施形態９。ＡＴＲ阻害剤および１つまたは複数のＤＮＡ複製ストレス誘導剤を腫瘍へ送達するステップ；放射線治療を腫瘍へ送達するステップ；腫瘍治療電場をおよそ５０ｋＨｚからおよそ１，０００ｋＨｚの間の周波数で腫瘍に印加するステップを含む、対象において腫瘍を処置する方法。

【0093】

本開示の任意の見出しの下または任意の部分において例証された実施形態は、本明細書で他に指示がない限り、または別様に、文脈が明らかに矛盾することがない限り、本開示の同じまたは任意の他の見出しまたは部分の下で例証された実施形態と組み合わせられ得る。

【0094】

記載された実施形態の多数の改変、変更、および変化は、特許請求の範囲に定義された本発明の範囲から逸脱することなく、可能である。本発明は、記載された実施形態に限定されず、本発明が、以下の特許請求の範囲およびその等価物の言語によって定義される全範囲を有することが意図される。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【国際調査報告】