特表 2024-512522 オプトエレクトロニクスデバイスのための光透過性多層構造

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-03-19

(54)【発明の名称】オプトエレクトロニクスデバイスのための光透過性多層構造

(51)【国際特許分類】

   H10K 30/50 20230101AFI20240312BHJP

   H10K 50/816 20230101ALI20240312BHJP

   H10K 77/10 20230101ALI20240312BHJP

   H10K 30/82 20230101ALN20240312BHJP

【ＦＩ】

H10K30/50

H10K50/816

H10K77/10

H10K30/82

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023557764

(86)(22)【出願日】2022-03-22

(85)【翻訳文提出日】2023-11-09

(86)【国際出願番号】 EP2022057505

(87)【国際公開番号】W WO2022200357

(87)【国際公開日】2022-09-29

(31)【優先権主張番号】21461526.2

(32)【優先日】2021-03-23

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】519262973

【氏名又は名称】サウル エス．エー．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】スピネッリ、ピエルパオロ

(72)【発明者】

【氏名】スチガ、マテウス

(72)【発明者】

【氏名】ウォシチョフスキー、コンラッド

(72)【発明者】

【氏名】イヴァノフスカ、ターニャ

【テーマコード（参考）】

3K107

5F251

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC41

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5F251FA17

5F251GA05

5F251XA01

5F251XA56

(57)【要約】

基板（１１）；電極構造（１３）；及び、前記基板（１１）及び前記電極構造（１３）の間に配置されたバリア構造（１２）を備えるオプトエレクトロニクス（ＯＰ）デバイスのための光透過性多層構造。多層構造は、変形可能な、例えば可撓性の、箔として作成されることができ、それは、ペロブスカイト又は有機ＰＶデバイス、又はＯＬＥＤ等の様々なＯＰデバイス内で実装され得る。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

光透過性多層構造であって、
基板；
電極構造；及び
前記基板及び前記電極構造の間に配置されたバリア構造、前記バリア構造はバリアスタック内に配置されたバリア層を有し、前記バリアスタックは、前記基板に隣接するバッキング層、前記電極構造に隣接するバッファ層、及び前記バッキング層及び前記バッファ層の間に配置されたブロック層を含み；
前記電極構造は、電極スタック内に配置された電極層を有し、前記電極スタックは誘電体層、及び前記バリア構造の前記バッファ層及び前記誘電体層の間に配置された金属層を含む
を備え；
前記バッファ層は、ＴｉＯ_ｘ、ＺｒＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＴｅＯ_２及びＺｎＳからなる群から選択された少なくとも１つの材料を含み、ここで、前記バッファ層の全ての材料は、２．２～２．６の範囲内の屈折率値を有し、及びここで、前記バッファ層の総厚さは１０～６０ｎｍである；及び
ここで、前記金属層は、銀（Ａｇ）及び、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｎ、及びＣｒからなる群から選択された少なくとも１つの金属を含む、オプトエレクトロニクス（ＯＰ）デバイスのための多層構造。

【請求項2】

前記金属層は、４～１３ｎｍの総厚さを有する、請求項１に記載の多層構造。

【請求項3】

前記誘電体層は、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）、酸化タングステン（ＷＯ_３）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、及び酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）からなる群から選択された少なくとも１つの透明導電酸化物（ＴＣＯ）を含む、請求項１又は２に記載の多層構造。

【請求項4】

前記誘電体層は、２０～８０ｎｍの総厚さを有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の多層構造。

【請求項5】

前記ブロック層は、ＡｌＯ_ｘ、ＳｎＯ_ｘ、ＺｎＯ_ｘ、ＨｆＯ_ｘ、Ａｌ_ｙＴｉ_ｚＯ、Ａｌ_ｙＺｒ_ｚＯ、及びＡｌ_ｙＺｎ_ｚＯからなる群から選択された少なくとも１つの金属酸化物を含み、ここで前記ブロック層の全ての材料は、１．５～２．１の範囲内の屈折率値を有する、請求項１から４のいずれか１項に記載の多層構造。

【請求項6】

前記ブロック層は、１０～１００ｎｍの総厚さを有する、請求項１から５のいずれか１項に記載の多層構造。

【請求項7】

前記バッキング層は、ＴｉＯ_ｘ、ＳｎＯ_ｘ、ＺｒＯ_ｘ、ＨｆＯ_ｘ、Ａｌ_ｙＴｉ_ｚＯ及びＡｌ_ｙＺｒ_ｚＯからなる群から選択された少なくとも１つの金属酸化物を含む、請求項１から６のいずれか１項に記載の多層構造。

【請求項8】

前記バッキング層は、２～２０ｎｍの総厚さを有する、請求項１から７のいずれか１項に記載の多層構造。

【請求項9】

前記バッキング層の全ての前記材料は、１．６～２．６の範囲内の屈折率値（ｎ）を有する、請求項１から８のいずれか１項に記載の多層構造。

【請求項10】

前記バッファ層は、主にＴｉＯ_ｘを含み、ここで前記バッファ層の全ての材料は、２．４～２．５の範囲内の屈折率値を有する、請求項１から９のいずれか１項に記載の多層構造。

【請求項11】

前記バッファ層は、２０～５０ｎｍの総厚さを有する、請求項１から１０のいずれか１項に記載の多層構造。

【請求項12】

前記ブロック層は主にＡｌＯ_ｘを含み、ここで前記ブロック層の全ての材料は、１．６～２．０の範囲内の屈折率値を有する、請求項１から１１のいずれか１項に記載の多層構造。

【請求項13】

前記金属層は、Ａｇ及びＣｕを、９０ａｔ％のＡｇ及び１０ａｔ％のＣｕの量において含む、請求項１から１２のいずれか１項に記載の多層構造。

【請求項14】

前記バッキング層、前記ブロック層、前記バッファ層、前記金属層及び前記誘電体層は、互いに独立に単層構造又は多層構造から選択され、前記多層構造は２つ又は２つよりも多いサブ層を含む、請求項１から１３のいずれか１項に記載の多層構造。

【請求項15】

前記基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレン（ＰＥＮ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリスチレン（ＰＳ）、エチレン／テトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）及びパリレンからなる群から選択された少なくとも１つの材料を含む変形可能箔で構成される、請求項１から１４のいずれか１項に記載の多層構造。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、オプトエレクトロニクス（ＯＰ）デバイスのための光透過性電極多層構造に関する。多層構造は、変形可能な、例えば可撓性の、箔として作成されることができ、それは、ペロブスカイト又は有機ＰＶデバイス、又はＯＬＥＤ等の様々なＯＰデバイス内で実装され、電極のうちの１つ、好ましくはＯＰデバイスの感光材料の隣の前面電極として機能することができる。

【背景技術】

【0002】

特許文献から、様々なＯＰデバイスのための、公知の薄い、箔様の、多層構造が存在する。

【0003】

国際特許出願ＷＯ２０１８１３９９４５は、プラスチック箔基板、導電層、及び、導電層及びプラスチック基板の間に配置されたバリア層からなる透光性オプトエレクトロニクス箔を説明している。バリアは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、有機ケイ素化合物、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化クロム及びパリレンから選択された材料で構成され、ここで、バリア層は単層又は多層構造であり得る。導電層は、少なくとも２つのサブ層：酸化物層（ＡＺＯ、ＩＺＯ、ＦＴＯ、ＺＴＯ、ＩＴＯ、ＧＺＯ、ＧＩＯ、ＩＯ：Ｈ、ＣｄＯ、又はＴｉＯｘ等）、及び、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｐｔ及びＷから選択された少なくとも１つの金属からなる金属層を備える。プラスチック箔基板及び導電層の間に配置されたバリア層の存在に起因して、箔は、１日当たり１０^－３及び１０^－６ｇ／ｍ^２の間の範囲の水蒸気透過率（ＷＶＴＲ）、並びに、高疎水性及びＵＶ放射線抵抗性を含む、安定したバリア特性を示す。箔の導電層は、単一の、より厚い導電ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）の代替である。

【0004】

更に、米国特許出願ＵＳ２０１４００５４５７８は、主に有機ポリマー層及びポリマー層に対して位置決めされた電極からなる多層電子デバイスを説明している。電極は、薄い金属層、第１バリアスタックと呼ばれる水分及びガスに対するバリア、反射防止コーティング、及び酸化又は未酸化のいずれかである金属で構成されるオーバーブロッカー層によって構成されている。このオーバーブロッカー層は、酸化又は窒化雰囲気下で後続の層を堆積する最中に薄い金属層を保護することを意図されている。電子デバイスの多層構造は、例えば、ＺｎＯ／Ａｇ／Ｔｉ／ＴｉＯ_ｘ等のアーキテクチャを含み得、したがってある金属層（Ａｇ）が別の金属層（Ｔｉ）に隣接する結果となる。デバイスアーキテクチャ内で、電極層の構成要素であるバリアスタックは、交互により低い屈折率及びより高い屈折率のものであり、このようにして電極構造内の干渉フィルタを提供している。したがって、バリアスタックは、電極の薄い金属層の反射防止効果に関与する。

【0005】

特許出願ＥＰ２８７１６８１は、キャリア基板及び電極コーティングを有する光起電性セルのためのバックコンタクト基板を説明している。基板の電極層は、厚さ８０～３００ｎｍのＡｌベースの金属薄膜、例えばＭｏ又はＷベースの、硫化又はセレン化の際に接点を形成することが可能なオーミック接触膜、及び、金属層及びオーミック接触膜の間の、２０～５０ｎｍの厚さのセレン化に対するバリアからなる。しかしながら、この設計は、それぞれの層の配置の別の可能性を示していない。更に、当該バリア層は、ナトリウム移動のみを効果的に制御できる。

【0006】

更に、特許出願ＥＰ２７２０２７６は、金属拡散から保護する多層金属拡散バリアを備える太陽電池基板を説明している。金属拡散バリアは、下記の材料から構成される：Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、及び金属酸化物。使用される材料のそのような選択は、層が不純物：Ｎａ及びＦｅの拡散を抑制することを可能にする。この拡散バリア層は、太陽電池基板内で、下部基板及び下部電極の間に、配置されている。そのようなアーキテクチャは、基板の拡散防止効果をもたらす；段落００４３「（...）多層拡散バリア層が、異なるタイプの材料間で形成される界面において、Ｎａ及びＦｅ等の不純物の拡散を防ぐためのバリアとして機能するように、酸化物層と共に金属層を形成することによる界面に起因して（...）」。この解決方法において、金属層は基板へ直接的に適用され、酸化金属層は（多層拡散バリア層内の）２つの金属の間にのみ配設され、Ｎａ及びＦｅの浸透を効果的に抑制する。

【0007】

光透過率は、多層オプトエレクトロニクス（ＯＰ）デバイスの機能の重要な要因を構成する。そうして、非常に透明な反射防止コーティングは、通常ＯＰデバイス多層構造内に含まれ、フレネル反射損失を低減し、それによりＯＰデバイスの層構造を通過できる光の量を増加させることを狙っている。これは、デバイスの効率を向上させる。反射防止コーティングは、デバイスの外側に外部コーティングが堆積された透明基板に、通常適用される。反射防止コーティングは、例えばガラス又はプラスチックから作成され得る。そうして、反射防止コーティングは、広範囲の光波長及び入射角にわたる表面反射損失を効果的に低減できる。通常、反射防止コーティングは、高屈折率及び低屈折率の交互の材料層のスタック構造を含む多層設計のものである。更に、反射損失の低減は、ＯＰデバイスアーキテクチャ内の材料及びそれらの厚さの適切な配置によっても獲得され得る。

【0008】

実質的に、屈折率（ｎ）は、光が材料を通ってどれだけ速く移動するかということを説明する無次元数として定義される。それは、ｎ＝ｃ／ｖとして定義され、ここでｃは真空中での光の速度であり、ｖは所与の（考慮される）媒体（材料）中での光の位相速度である。例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）は、その低い屈折率、優れた耐久性及び耐環境性に起因して、反射防止コーティングの生産のために使用されることが公知である。

【0009】

更に、科学出版物「Ｈｉｇｈ Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ Ｉｎｄｅｘ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｏａｔｉｎｇｓ ｆｏｒ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」Ｔ．Ｆｌａｉｍ， ｅｔ ａｌｌ， Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ － Ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ， Ｆｅｂｒｕａｒｙ ２００４ ＤＯＩ： １０．１１１７／１２．５１３３６３は、フラットパネルディスプレイ、撮像センサ、光回路、及び発光ダイオード等のＯＰ応用のための高屈折率ポリマーコーティングを説明している。ポリマーコーティング材料は、１．６～１．９の範囲値内の屈折率を有し、それはデバイスの発光又は光感知部分に適用される。これは、ＯＰデバイスの内側の、アクティブ回路の高い屈折率から、空気の低い率への段階的な遷移を可能にし、それにより光がより効果的にデバイスに取り入れられる又はそれから出ていくことを可能にし、デバイスの効率及び／又は画質を向上させる。コーティングは、二酸化チタンポリマー前駆体及び適合有機ポリマーから作成される、有機－無機ハイブリッドである材料で構成されている。

【0010】

更に、国際特許出願ＷＯ２０１５／１４００９０Ａ１は、電極を備える透明基板の形態の層化光デバイスを説明している。デバイスは、スタック内に配置された層、支持材、バリア層、散乱層、平滑層、バリアサブ層、結晶化サブ層、金属導電層、及びバッファ層からなる。ＷＯ２０１５／１４００９０Ａ１によれば、バリアサブ層は、化学物質に対して、及び特にガラスで構成される支持材から来るアルカリ性物質の移動による汚染に対して、電極層を保護する。しかしながら、この文書は、バリアサブ層の屈折率値については言及せず、この文書は更に、その問題についてはバリアサブ層の材料の選択に関していかなる制約も課さない。逆に、ＷＯ２０１５／１４００９０Ａ１は、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、亜鉛－スズ混合酸化物、亜鉛アルミニウム、亜鉛－チタン、亜鉛－インジウム、スズ－インジウム、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸炭化ケイ素、酸炭窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、アルミニウム－ケイ素混合窒化物、及び、アルミニウム－ケイ素混合酸窒化物を含む、広範囲のバリアサブ層のための材料を提示している。バッファサブ層の厚さは、２０～２００ｎｍで変動し得る。上記のパラメータは、非常に広範囲の屈折率値を予期できるのみであるが、しかしながらそのことはＷＯ２０１５／１４００９０Ａ１内で言及されていない。

【0011】

上記で引用された出版物からわかるように、ＯＰデバイスのための多層構造のアーキテクチャは、それらの効率を高め、様々なＯＰデバイスのライフスパンを延長するために、ＯＰデバイスの光透過率及びバリア特性の両方の改善を狙う継続的な発展を経験している。

【0012】

したがって、ＯＰデバイス専用の、電極機能の光透過性多層構造を更に発展させ、改善された光透過率、ＯＰデバイス内部の酸素及び水分の浸透の制限、及びそれらのＯＰセル設計の中で、当該多層構造を利用しているＯＰデバイスの強化された化学的安定性を含む、それらのバリア特性を更に改善することが望ましい。特に、それらの応用の範囲を広げるために、改善された変形可能性、特に可撓性を示す多層構造を発展させることが更に望ましい。

【発明の概要】

【0013】

基板１１；電極構造１３；及び前記基板１１及び前記電極構造１３の間に配置されたバリア構造１２、前記バリア構造１２はバリアスタック内に配置されたバリア層を有し、前記バリアスタックは、前記基板１１に隣接するバッキング層Ａ、前記電極構造１３に隣接するバッファ層Ｃ、及び前記バッキング層Ａ及び前記バッファ層Ｃの間に配置されたブロック層Ｂを含み；前記電極構造１３は、電極スタック内に配置された電極層を有し、前記電極スタックは誘電体層Ｅ及び前記バリア構造１２の前記バッファ層Ｃ及び前記誘電体層Ｅの間に配置された金属層Ｄを含む、を備え；前記バッファ層Ｃは、ＴｉＯ_ｘ、ＺｒＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＴｅＯ_２及びＺｎＳからなる群から選択された少なくとも１つの材料を含み、ここで、前記バッファ層Ｃの全ての材料は、２．２～２．６の範囲内の屈折率値を有し、及びここで、前記バッファ層Ｃの総厚さは１０～６０ｎｍである；及びここで、前記金属層Ｄは、銀（Ａｇ）及び、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｎ、及びＣｒからなる群から選択された少なくとも１つの金属を含む、オプトエレクトロニクス（ＯＰ）デバイスのための光透過性多層構造が開示される。

【0014】

好ましくは、前記金属層Ｄは、４～１３ｎｍの総厚さを有する。

【0015】

好ましくは、前記誘電体層Ｅは、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）、酸化タングステン（ＷＯ_３）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）、及び酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）からなる群から選択された少なくとも１つの透明導電酸化物（ＴＣＯ）を含む。

【0016】

好ましくは、前記誘電体層Ｅは、２０～８０ｎｍの総厚さを有する。

【0017】

好ましくは、前記ブロック層Ｂは、ＡｌＯ_ｘ、ＳｎＯ_ｘ、ＺｎＯ_ｘ、ＨｆＯ_ｘ、Ａｌ_ｙＴｉ_ｚＯ、Ａｌ_ｙＺｒ_ｚＯ、及びＡｌ_ｙＺｎ_ｚＯからなる群から選択された少なくとも１つの金属酸化物を含み、ここで前記ブロック層Ｂの全ての材料は、１．５～２．１の範囲内の屈折率値を有する。

【0018】

好ましくは、前記ブロック層Ｂは、１０～１００ｎｍの総厚さを有する。

【0019】

好ましくは、前記バッキング層Ａは、ＴｉＯ_ｘ、ＳｎＯ_ｘ、ＺｒＯ_ｘ、ＨｆＯ_ｘ、Ａｌ_ｙＴｉ_ｚＯ及びＡｌ_ｙＺｒ_ｚＯからなる群から選択された少なくとも１つの金属酸化物を含む。

【0020】

好ましくは、前記バッキング層Ａは、２～２０ｎｍの総厚さを有する。

【0021】

好ましくは、前記バッキング層Ａの全ての前記材料は、１．６～２．６の範囲内の屈折率値（ｎ）を有する。

【0022】

好ましくは、前記バッファ層Ｃは、主にＴｉＯ_ｘを含み、ここで前記バッファ層Ｃの全ての材料は、２．４～２．５の範囲内の屈折率値（ｎ）を有する。

【0023】

好ましくは、前記バッファ層Ｃは、２０～５０ｎｍの総厚さを有する。

【0024】

好ましくは、前記ブロック層Ｂは主にＡｌＯ_ｘを含み、ここで前記ブロック層Ｂの全ての材料は、１．６～２．０の範囲内の屈折率値を有する。

【0025】

好ましくは、前記金属層Ｄは、Ａｇ及びＣｕを、９０ａｔ％のＡｇ及び１０ａｔ％のＣｕの量において含む。

【0026】

好ましくは、前記層Ａ～Ｅは、互いに独立に単層構造又は多層構造から選択され、前記多層構造は２つ又は２つよりも多いサブ層を含む。

【0027】

好ましくは、前記基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレン（ＰＥＮ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリスチレン（ＰＳ）、エチレン／テトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）及びパリレンからなる群から選択された少なくとも１つの材料を含む変形可能箔で構成される。

【図面の簡単な説明】

【0028】

本開示の目的は、図面中の例示的な実施形態によって示される：

【0029】

【図1】本開示に係る、オプトエレクトロニクスデバイスのための多層構造を概略的に示す図である。

【図2】本開示の実施例１に係る、多層構造の光透過率の実験データを示す図である。

【図3】本開示の実施例２に係る、多層構造の光透過率のシミュレーションを示す図である。

【図4】本開示の実施例３に係る、多層構造の光透過率のシミュレーションを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0030】

本開示に係る多層構造は、電極構造を備える、変形可能な、例えば可撓性の、光透過性（透明、又は透光性の）箔として提供され得、当該箔は、好ましくはカソード又はアノードのいずれかとして、前面電極として、特別な必要に応じて、例えばペロブスカイト又は有機感光領域を用いるＯＰデバイス（例えばＯＬＥＤ）の様々な設計において、配置され得る。

【0031】

多層構造は、基板、電極構造、及び、基板及び電極構造の間に配置されたバリア構造を備える。この設計、及び更に当該２つの構造（電極及びバリア）の発展アーキテクチャ、並びにこれらの構造内で使用される材料の選択された特性は共に、超高バリア特性、強化された化学的及び熱的安定性、高可撓性、スタック全体のより高い光透過率、及び電極の低シート抵抗性を含む、多層構造の改善された特性をもたらす。とりわけ、多層構造は、改善されたバリア特性、３８℃／９０％ＲＨ（相対湿度）において１日当たり１×１０^－６～１×１０^－３ｇ／ｍ^２の水蒸気透過率（ＷＶＴＲ）、より高い可撓性を示し、わずか０．５ｃｍの半径を有していても、その曲げの際に多層構造のバリア特性において、変化は観察されなかった（ここで、曲げ半径がより大きいほど、曲率がより低くなる）。更に、発展多層構造は、電極構造に加えてバリア構造の８０％超のＡＶＴ（平均可視光線透過率）へ改善された光透過率、及び２０Ｏｈｍｓ／ｓｑ未満の低シート抵抗性を特徴とする。

【0032】

上記の利点は、多層構造の層のための発展した決まった順序及び選択された材料、並びに特定の層の厚さ、及び、それにより、層の材料の選択された屈折率値（ｎ）の効果であり、それらは共に、少なくとも２つの、及びより好ましくは２つ、３つ、又は全ての、多層構造内に配置された層のための、ある決まったサブレンジの識別としてみなされ得る。本開示によれば、スタック内の材料選択及び層配置のこの特別な組み合わせは、新しくかつ優越した機能をもたらし、それにより多層構造の全体の特性における改善をもたらす。

【0033】

したがって、本開示の１つの態様は、使用される材料の様々な特性を考慮したＯＰデバイスのための多層構造のための材料の特別な選択である。

【0034】

本開示によれば、図１中に概略的に示されるように、オプトエレクトロニクスデバイスのための多層構造は、基板１１、好ましくは変形可能な、例えば可撓性の、基板１１を備える。基板は、様々な透明又は透光性材料、及び好ましくは基板１１へ変形可能性をもたらす材料で作成され得る。例えば、基板は、箔を備え得るか、又は実質的に完全に箔で構成され得、任意選択的に箔表面上にプライマーコーティングが設けられる。基板１１のために使用されるのに好適なプラスチック材料の、好ましい非限定的な例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレン（ＰＥＮ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリスチレン（ＰＳ）、エチレン／テトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）、及びパリレン、又はこれらの混合物である。基板１１の厚さは、必要に応じる。例えば、基板は２５～３００ミクロン（マイクロメートル）の厚さであり得る。

【0035】

更に、多層構造は、一方がもう一方の上部に配置された、電極層：Ｄ、Ｅのスタックを備える電極構造１３、及び一方がもう一方の上部に配置された、バリア層Ａ、Ｂ、Ｃのスタックを備えるバリア構造１２を備える。バリア構造１２は、基板１１及び電極構造１３の間に配置される。電極構造１３の各層（Ｄ、Ｅ）及びバリア構造１２の各層（Ａ、Ｂ、Ｃ）は、単層又は多層構造のものであり得る。そうして、多層構造の層は、一方がもう一方の上部にある、少なくとも２つのサブ層を備え得る。本開示によれば、多層構造の層Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅのいずれもが、当該サブ層を備え得る。

【0036】

多層構造を作成するために、それぞれの構造１２、１３のバリア層Ａ、Ｂ、Ｃ及び電極層Ｄ、Ｅは、一方がもう一方の上部に、様々な堆積技法を使用して、基板１１の上に、順次に堆積され得る。例えば、層：Ａ、Ｂ、Ｃの各層は、ＡＬＤ（原子層堆積）又はＭＬＤ（分子層堆積）技法を使用して堆積され得、その一方でＤ及びＥ層の各々は、マグネトロンスパッタリング、熱蒸着、化学気相成長、又はパルスレーザ堆積法又は同様の技法を使用して堆積され得る。サブ層が層Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅのいずれかの中に存在する場合、同じことがそれらにも当てはまる。

【0037】

バリア構造１２は、金属酸化物（又は層Ｃ内のＺｎＳ等の硫化物）で実質的に構成される層を備え、バリア構造１２は、残りの層Ｂ～Ｅを基板から分離するための、基板１１に隣接するバッキング層Ａを備える。バッキング層Ａは、好ましくはＴｉＯ_ｘ、ＳｎＯ_ｘ、ＺｒＯ_ｘ、ＨｆＯ_ｘ、又は、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｚｒ、及びＨｆからなる群から選択された金属原子のうちの少なくとも１つ及び例えばＡｌ又はＺｎ等の別の金属原子の組み合わせを含む複合金属酸化物からなる群から選択された少なくとも１つの金属酸化物で構成されており、複合金属酸化物の非限定的な例は、Ａｌ_ｙＴｉ_ｚＯ及びＡｌ_ｙＺｒ_ｚＯであり、ここで、ｙは０．２５～１（０．２５≦ｙ≦１）であり得、ｚは０．０１～０．９（０．０１≦ｚ≦０．９）であり得、ここで、バッキング層Ａの好ましい材料は、その優れた耐久性及び耐環境性に起因して、ＴｉＯ_ｘである。好ましくは、バッキング層Ａは２～２０ｎｍの厚さのものである。好ましくは、バッキング層Ａは、１．６～２．６の屈折率（ｎ）（１．６≦ｎ≦２．６）を有し、より好ましくは、層Ａのサブ層の各々は、存在する場合は、当該範囲の屈折率値を有する。しかしながら、バッキング層Ａの屈折率値は、多層構造の光学的透過率にとって決定的重要性はより低い。

【0038】

バッキング層Ａの厚さ及び選択された材料は、湿った空気からの多層構造の低減された加水分解を含む、多層構造の望ましい化学的安定性をもたらす。それにより、多層構造の発展アーキテクチャにおいて、バッキング層Ａは、次の層：Ｂにとっての底部バッファの層として機能する。バッキング層Ａは、少なくとも１つの酸化物、又は１つよりも多い金属酸化物、例えばＴｉＯ_ｘ、及び／又はＳｎＯ_ｘ、のいずれかによって構成されている単層構造であり得、又はバッキング層Ａは、各々が１つの金属酸化物又は１つよりも多い金属酸化物から作成される少なくとも２つのサブ層を備え得、ここで、好ましくは、バッキング層Ａの中で、サブ層のうちの１つはＴｉＯ_ｘで構成され、もう一方のサブ層はＳｎＯ_ｘで構成され得る。バッキング層Ａは、基板１１の上に直接的に堆積されてもよく、又はそれは基板１１のプライマーコーティングの上に堆積されてもよい。

【0039】

更に、バリア構造は、バッファ層Ｃ及びブロック層Ｂを備え、ブロック層Ｂはバッファ層Ｃ及びバッキング層Ａの間に配置されている。

【0040】

ブロック層Ｂは、単層又は多層構造のいずれかのものであり得る。単層構造の１つの実施形態において、ブロック層Ｂは、任意選択的にアルコンを添加した、ＳｎＯ_ｘ、ＡｌＯ_ｘ、ＺｎＯ_ｘ、及びＨｆＯ_ｘ、又はＳｎ、Ａｌ、Ｚｎ、及びＨｆからなる群から選択された金属原子のうちの少なくとも１つ及びＴｉ、Ｚｒ等の別の金属原子を金属酸化物構造の中に含む複合金属酸化物からなる群から選択された、少なくとも１つの、及びより好ましくは２つの金属酸化物で構成され得、複合酸化物の非限定的な例は、Ａｌ_ｙＴｉ_ｚＯ、Ａｌ_ｙＺｒ_ｚＯ、及びＡｌ_ｙＺｎ_ｚＯであり、ここでｙは０．２５～１（０．２５≦ｙ≦１）であり得、ｚは０．０１～０．９（０．０１≦ｚ≦０．９）であり得る。最も好ましくは、ブロック層Ｂは、一方の金属酸化物としてＡｌＯ_ｘを、もう一方の金属酸化物としてＳｎＯ_ｘ又はＺｎＯ_ｘ又はＨｆＯ_ｘを含む。多層構造の１つの実施形態において、ブロック層Ｂは、２つ又は２つよりも多いサブ層を備え得、ここで各サブ層は、少なくとも１つの金属酸化物を含み得る。例えば、ブロック層Ｂは、２つのサブ層を備え得、一方はＡｌＯｘで構成され、もう一方はＳｎＯｘ又はＺｎＯｘ又はＨｆＯｘで構成される。別の実施形態では、ブロック層Ｂは、各々異なる金属酸化物で構成された複数のサブ層を備え得、例えば１つのブロック層Ｂの中のサブ層は、層Ａ及びＣの間に、下記のパターンで配置され得る：Ａ／ＡｌＯｘ／ＳｎＯｘ／ＺｎＯｘ／ＨｆＯｘ／アルコン／Ｃ。好ましくは、ブロック層Ｂは総厚さ１０～１００ｎｍのものである。好ましくは、ブロック層Ｂは、１．５及び２．１の間の屈折率（ｎ）（１．５≦ｎ≦２．１）を有し、最も好ましくは、ブロック層Ｂは、ＡｌＯ_ｘの屈折率に近い１．６≦ｎ≦１．８、より好ましくはｎ＝１．７の屈折率値を有する。ブロック層ＢがＡｌＯ_ｘから作成される例において、この層の屈折率はｎ＝１．７であり得る。

【0041】

ブロック層Ｂのために選択された材料及びその厚さは共に、層Ｂの効果的なバリア機能をもたらす。ブロック層Ｂの存在及びその多層構造の中の配置に起因して、当該多層構造は、３８℃／９０％ＲＨにおいて１日当たり１×１０^－６～１×１０^－３ｇ／ｍ^２の水蒸気透過率（ＷＶＴＲ）という低水蒸気透過性、及び１日当たり１ｘ１０^－２ｃｍ^３／ｍ^２未満の酸素透過率（ＯＴＲ）を含む、改善されたバリア特性を示す。更に、ブロック層Ｂの選択された材料は、適切な１．５及び２．１の間の屈折率値（ｎ）、好ましくはｎ＝１．７を与え、これは多層構造を通る改善された光透過率に寄与する。

【0042】

バッファ層Ｃは、単層又は多層構造のいずれかのものであり得る。単層構造の１つの実施形態において、バッファ層Ｃは、ＴｉＯｘ、ＺｒＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＴｅＯ_２、及びＺｎＳからなる群から選択された１つの（酸化又は硫化）化合物、又は、１つよりも多くの化合物で構成され得る。最も好ましくは、単層構造のバッファ層Ｃは、ＴｉＯ_ｘを含み、又はそれは完全にＴｉＯ_ｘで構成され得、なぜならば、バッファ層Ｃ内に存在するＴｉＯ_ｘは、多層構造の改善された化学物質抵抗性、及びひいては当該多層構造に含まれる電極構造１３のための保護をもたらし、同時に、バッファ層Ｃの望ましい厚さにおける、本開示によって要求される（下記で説明されるような）高屈折率値に寄与するためである。

【0043】

好ましくは、バッファ層Ｃは、少なくとも総厚さ１０ｎｍのものであり、より好ましくは、バッファ層Ｃは、総厚さ１０～６０のもの、更により好ましくは２０～５０ｎｍのものである。バッファ層Ｃは、２．２～２．６の範囲内の屈折率（ｎ）を有し、より好ましくは、バッファ層Ｃは屈折率ｎ＝２．４５を有する。電極構造１３及びブロック層Ｂの間に配置されるバッファ層Ｃのそのような高屈折率値は、電極構造（Ｄ、Ｅ）の界面においての反射損失の最小化をもたらす。上記で言及された特徴は、電極構造（金属－誘電体）の選択された設計と共に、それぞれ層Ｄ及びＥを備える電極構造１３の改善された安定性及び性能をもたらす。

【0044】

バリア構造１２の発展バリアスタックは、層Ａ、Ｂ及びＣを備え、その各層は少なくとも１つの金属酸化物（又は硫化物）で構成されている。更に、バッファ層Ｃは、電極構造１３に近接して隣に配置され、２．２≦ｎ≦２．６の、好ましくはｎ＝２．４５の高い屈折率を有するように選択される。これらが共に、多層構造を通る改善された光遷移をもたらし、ここで、層Ｃ（金属酸化物及び／又は金属硫化物層）は、金属層：Ｄと接触している。

【0045】

また、上記のアーキテクチャに起因して、実現された優れた化学的安定性は、電極構造１３の層Ｄ及びＥにおいて、多層構造がレーザエッチングされることを可能にする。そうして、多層構造は、多層構造がＯＰデバイスにおいて利用されるとき、デザイナーセルアーキテクチャを獲得するために、レーザパターニングされ得る。そうして、多層構造の発展アーキテクチャは、下方の材料、すなわち層Ｃ、Ｂ及びＡを傷めることなく、自体の改善されたパターニング挙動を提供する。そうして、実施されるパターニングは、バリア構造１２のバリア特性を損なうことがない。

【0046】

好ましくは、層Ｂは更に、１．５≦ｎ≦２．１、より好ましくはｎ＝１．７の高い屈折率を有するように選択される。このことが、層Ｂの最大１００ｎｍという実質的に小さい厚さにおいて、優れたバリア特性を保証しつつ、層Ｃの屈折率値と組み合わせられて、多層構造の光遷移を更に改善する。

【0047】

電極構造１３は、電極層（Ｅ、Ｄ）、誘電体層Ｅ、及び、誘電体層Ｅ及び高い屈折率のバッファ層Ｃの間の金属層Ｄを備える。金属層Ｄは、２つ又は２つよりも多い金属を含む。金属層Ｄは、好ましくは、例えばバイメタル合金といった金属合金の形態の、単層構造のものであり得、又は金属層Ｄは、２つのサブ層又は２つよりも多いサブ層を備え、好ましくは各サブ層が１つの金属タイプ又は金属合金で構成されている、多層構造のものであり得る。

【0048】

電極構造１３の金属層Ｄは、好ましくは銀（Ａｇ）及び、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｎ、及びＣｒからなる群から選択された１つ又は１つよりも多い金属を含む。好ましくは、金属層Ｄはバイメタルである。金属層Ｄの総厚さは、４～１３ｎｍである。例えば、層Ｄは、Ｃｕ＝１０ａｔ％及びＡｇ＝９０ａｔ％のＣｕ／Ａｇ合金からなり得る。この層：Ｄは、スパッタリングによって、より好ましくは２つの別個の金属、Ａｇ及びＣｕが使用される同時スパッタリングによって、層Ｃ上に直接的に実施され得る。同時スパッタリングによって、わずか４ｎｍの厚さを有する金属層を作成することが可能であり、このことは、Ｒｓｈ≦２０Ω／ｓｑという非常に優れた導電性をもたらす。任意選択的に、単一のＡｇ／Ｃｕ合金ターゲットの同時スパッタリングも使用され得る。

【0049】

好ましくは、電極構造の誘電体層Ｅは、単層構造のものである。誘電体層Ｅは、好ましくは酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）、酸化タングステン（ＷＯ_３）、又は、複合酸化物構造の中に、上記で言及されたＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｖ、Ｍｏ、及びＷからなる群から選択された金属原子のうちの少なくとも１つ及び別のドーパント金属を含む、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）及び酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）又は同様の複合金属酸化物等の複合金属酸化物からなる群から選択される、１つ又は１つよりも多いＴＣＯ（透明導電酸化物）で構成される。誘電体層Ｅの厚さは、２０～８０ｎｍである。好ましくは、誘電体層Ｅは１．８及び２．２の間の高屈折率値（１．８≦ｎ≦２．２）を有する。上記の範囲内に該当する誘電体層Ｅの厚さは、多層構造のそれぞれの用途に応じて、ＶＩＳ又はＮＩＲ領域において、多層構造の望ましい、好ましくは最大の光透過率を最適化するように選択され得る。そうして、層ＴＣＯ（Ｅ）は、下方のバリア構造１２と組み合わせられて、誘電体層Ｅの反射防止コーティング効果をもたらす。更に、層Ｅは、金属層Ｄの酸化に対して保護する。また、層Ｅは、そこから接点を形成し、多層構造を例えば感光材料と、次に別の電極と組み合わせ、例えばペロブスカイト又は有機等の太陽電池又はＯＬＥＤ等のＯＰデバイスを形成するのに好適である。

【0050】

多層構造の中の層の発展スタックは、層：Ｃ及び好ましくはＢも；及びＥを関与させ、電極構造の薄い金属層Ｄに反射防止効果をもたらす。より詳細に、発展多層構造において、層Ｅは、電極構造の一部、及び多層構造の片側からの層Ｄの反射防止コーティングの両方として機能し、その一方で、層Ｃは、好ましくは層Ｂと共に、もう一方の側からの層Ｄのための反射防止コーティングとして機能する。同時に、層Ｂ及びＣは、上記で言及されたように、バリア特性をもたらす。それにより、多層構造内に実装された層の選択的な組み合わせは、反射損失における低減をもたらし、したがってそれは一体的に反射防止システムとして機能する。

【0051】

本明細書で言及された、ＳｎＯ_ｘ、ＴｉＯ_ｘ、ＺｎＯ_ｘ、ＨｆＯ_ｘ等の一般式の金属酸化物ＭｅＯ_ｘは、多層構造の層又はそれぞれのサブ層のいずれにおいても、本開示によれば、化学量論的及び／又は非化学量論的構造のものであり得、ｘは１～２（１≦ｘ≦２）であり得る。これは、材料の望ましい層の作成において獲得され得る、それぞれの金属酸化物内の金属の様々な酸化状態に起因する。例えば、ＳｎＯ_ｘに関して、材料はＳｎＯ_２を含むが、しかしながら、実際には通常はスズはＳｎ（ＩＶ）へ完全に酸化されているわけではなく、したがって材料ＳｎＯ_ｘは、ＳｎＯ_２及びＳｎＯを含み、ＳｎＯ_２相及びＳｎＯ相の正確な量がどれほどかは、正確な堆積状況に依存する。同じことは、本明細書においてＭｅＯ_ｘとして表現される他の金属酸化物に当てはまる。例えば、ＳｎＯ_ｘ材料の正確な式はＳｎＯ_１．８であり得る。本明細書においてＭｅＯ_ｘとして表現される材料の非限定的な例は、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２、ＳｎＯ_１．８、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、ＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３である。

【0052】

更に、金属層Ｄ及びＴＣＯ層Ｅを備える電極構造の配置は、本発明に係る多層構造内の金属－誘電体電極アーキテクチャをもたらす。これは、公知の誘電体－金属－誘電体構造と比べて優越した可撓性をもたらし、その一方で誘電体材料で構成された層Ｅは、金属層Ｄに反射防止効果をもたらす。

【0053】

それぞれの層Ｂ、Ｃ、及びＥのための材料は、それらの屈折率値に起因して選択され、例えば、ＡｌＯ_ｘはｎ＝１．７を有し、ＳｎＯ_ｘはｎ＝１．９を有し、ＺｎＯ_ｘはｎ＝２．０を有し、ＴｉＯ_ｘはｎ＝２．４５を有し、ＩＴＯはｎ＝２．０を有し、ＺｒＯ_２はｎ＝２．２を有し、これらは本開示の下記実施形態において使用される材料の典型的なｎ値である。

【0054】

本開示の好ましい実施形態において、多層構造は、プラスチック基板及び層の下記スタックを備え得る：
・層Ａは、ＴｉＯ_ｘを含み、より好ましくはＴｉＯ_ｘで構成され、層Ａの総厚さは、２～２０ｎｍであり、２．４５の屈折率値である；
・層Ｂは、ＡｌＯ_ｘ、及び、ＡｌＯ_ｘの屈折率値、すなわちｎ＝１．７に近いそれを有する別の金属酸化物を含み；層Ｂの総厚さは１０～１００ｎｍであり；層Ｂは単層又は多層構造のものであり得る；
・層Ｃは、ＴｉＯ_ｘを含み、２．４５の屈折率を有し、又は層Ｃは２．２～２．６の屈折率値をもたらす別の金属酸化物を含み得；層Ｃの総厚さは２０～５０ｎｍである、
・層Ｄ及びＥは共に、金属－誘電体（Ｍ誘電体）電極構造をもたらし、ここで層Ｄは２つの金属で構成され、そのうちの１つはＡｇであり、層Ｄの総厚さは４～１３ｎｍであり；誘電体層ＥはＴＣＯから作成され；その結果、層Ｄ及びＥを含む電極構造は、パターニング、好ましくはレーザパターニング又は化学的にパターニングされ得る。

【0055】

既に言及されたように、Ｍ－誘電体電極構造の実装と共に、選択された使用材料、厚さ及び、それぞれの層、すなわち少なくとも層Ｃ、及び更に好ましくは層Ｂ及び／又は層Ｅの反射率値、を含む決まったパラメータの特別に選択されたサブ範囲に起因して、発展多層構造は、改善された化学的安定性、スタック内の層（Ａ～Ｄ）のより良い接着、及び基板へのＡ～Ｅ層の接着を示す。更に、多層構造は、実質的により薄い構造として実施され得、Ａ～Ｄ層のスタック全体は、２５０ｎｍ未満の厚さであり得、Ａ～Ｃ層のスタックは、１００ｎｍ未満の厚さ、より好ましくは、６０ｎｍ未満の厚さであり得る。これは更に、多層構造のより高い可撓性をもたらし、少なくとも１０００サイクル及び０．５ｃｍまでの曲げ半径を有する曲げテストの際に、機能損失がないという結果になる。更に、層Ｃのために及び好ましくは層Ｂ及び層Ｅのためにも選択された材料は、各々が相対的に高い屈折率値を有し、バリア（Ａ～Ｃ）及び電極（Ｄ～Ｅ）構造の界面における反射損失を十分に最小化し、このことは本開示によってもたらされる別の技術的効果を構成する。これは、透明／透光性基板によって、又はＯＰデバイスの電極領域を通って入る、又は出される入射光に有利に影響する。そうして、上に実装された多層構造を有するＯＰデバイスは、向上した効率を示し得る。

【0056】

更に、本開示によれば、好ましくはＡｌＯ_ｘで構成されたブロック層Ｂは、他の金属酸化物（又は硫化物）層（例えば、層ＣにＺｎＳ）を用いて効果的に挟まれ、及びそれにより封止され、したがって、他の層Ａ、Ｃ及びＥは、上記で言及されたように、更に追加の機能を有する。このことは、本開示に係る多層構造を利用するＯＰデバイスに、延長されたライフスパンをもたらす。

【0057】

上記で言及された効果は、多層構造内に、いかなる有機添加物も用いずにもたらされるということが更に留意されるべきである。そうして、本開示によれば、層（Ａ～Ｅ）の間、及び／又はそれらの中に、有機層及び／又は添加物は要求されず、多層構造内で唯一の有機材料は、ポリマー基板１１であり得る。そうして、発展多層アーキテクチャは、実質的に簡単にかつコスト効率が高く作成されることができる。

【実施例1】

【0058】

ＰＥＴ箔である基板を、ＩＰＡ（７０％イソプロピルアルコール）内で超音波処理によって洗浄し、次に窒素ガンによって乾燥した。次に、層：Ａ、Ｂ、Ｃを、１００℃でＡＬＤ技法によって、各層堆積の間の真空を破壊せずに連続して堆積させた。全ての層は、優れた浸透バリア特性、化学的安定性を更に強化するために、できるだけ緻密であるように最適化した。層は、基板上のスタックの形態で形成した。各層の詳細な組成は、以下の通りである：
・バリア構造：層Ａ：ＴｉＯ_ｘ（５ｎｍ厚）；層Ｂ：サブ層ＡｌＯ_ｘ（２０ｎｍ厚）／サブ層ＺｎＯ_ｘ（１０ｎｍ厚）、サブ層ＡｌＯ_ｘ（２０ｎｍ厚）；層Ｃ：ＴｉＯ_ｘ（３２ｎｍ厚）。

【0059】

次に、電極領域：層：Ｄ＋Ｅを堆積させ、各層はマグネトロンスパッタリングによって堆積させた。各層の詳細な組成は以下の通りである：
・電極構造：層Ｄ：Ｃｕ／Ａｇ（Ｃｕ：１０ａｔ％；Ａｇ：９０ａｔ％）同時スパッタリングされた層（７ｎｍ厚）。同時スパッタリングは、２つの別個の金属ターゲット（Ａｇ及びＣｕ）を用いて、異なるパワーを用いて実施した；層Ｅ：ＩＴＯターゲットからのＩＴＯ層（４０ｎｍ厚）。

【0060】

獲得された多層構造は、下記の層の配置の可撓性透明箔の形態であった：ＰＥＴ／ＴｉＯ_ｘ（５ｎｍ）／ＡｌＯ_ｘ（２０ｎｍ）／ＺｎＯ_ｘ（１０ｎｍ）／ＡｌＯ_ｘ（２０ｎｍ）／ＴｉＯ_ｘ（３２ｎｍ）／ＣｕＡｇ（７ｎｍ）／ＩＴＯ（４０ｎｍ）。

【0061】

次に、獲得された多層構造を、テストし、可視光線（ＶＩＳ）において及び赤外線（ＩＲ）のスペクトル域においての両方で、その透過率特性を評価した。獲得された結果は、図２中のダイアグラム中にセットされ、それは、（中心部において及び角部において）１０×１０ｃｍ^２のサンプル上で測定された、自体の完全な構造を有する箔（多層構造）の透過率を示す。図２のダイアグラムからわかるように、中心部における平均可視光線透過率は８２％、角部では８０．４～８１．６％である。したがって、８０％を超える非常に優れた透過率は、広範囲にわたって実現され得る。

【0062】

獲得された箔の他のパラメータは、以下の通りである：シート抵抗性：１３．５Ｏｈｍ／ｓｑ（同様の透過率を有する典型的なＩＴＯは、２０Ｏｈｍ／ｓｑを超えるＲｓｈを有する）；バリアスタックのＷＶＴＲ：約１０^－６ｇ／ｍ^２／日；バリアスタックのＯＴＲ：≦５＊１０^－４ｃｃ／ｍ^２／日（ＯＴＲは検出限界未満であった）。

【実施例2】

【0063】

透明可撓性箔の形態の多層構造は、実施例１と同じ条件で作成した。獲得された箔は、下記のアーキテクチャのものであった。

【0064】

基板：ＰＥＴ
層Ａ：ＳｎＯ_ｘ、５ｎｍ厚、ＡＬＤによって作成
層Ｂ：ＡｌＯ_ｘ、５０ｎｍ厚、ＡＬＤによって作成
層Ｃ：ＴｉＯ_ｘ、３２ｎｍ厚、ＡＬＤによって作成
領域Ｄ：Ｃｕ／Ａｇ（１０／９０アトミック％）、７ｎｍ厚、スパッタリングによって作成
領域Ｅ：ＩＴＯ、４０ｎｍ厚、スパッタリングによって作成
上記のアーキテクチャに関して、コンピュータシミュレーションが行われ、その光学的透過率を評価した。獲得されたデータは、図３中のダイアグラム中にセットされている。見られるように、獲得された箔の光学的透過率は、可視光線４００～８００ｎｍスペクトル域において８０％を優に超えている。

【実施例3】

【0065】

透明可撓性箔の形態の多層構造は、実施例１と同じ条件で作成した。獲得された箔は、下記のアーキテクチャのものであった。

【0066】

基板：ＰＥＴ
層Ａ：ＴｉＯ_ｘ、５ｎｍ厚、ＡＬＤによって作成
層Ｂ：サブ層ＡｌＯ_ｘ（１０ｎｍ厚）／サブ層ＺｎＯ_ｘ（１０ｎｍ厚）／サブ層ＡｌＯ_ｘ（１０ｎｍ厚）／サブ層ＺｎＯ_ｘ（１０ｎｍ厚）／サブ層ＡｌＯ_ｘ（１０ｎｍ厚）、全てＡＬＤによって作成
層Ｃ：ＺｒＯ_ｘ、３５ｎｍ厚、ＡＬＤによって作成
層Ｄ：Ｃｕ／Ａｇ（１０／９０アトミック％）、７ｎｍ厚、スパッタリングによって作成
層Ｅ：ＩＴＯ、４０ｎｍ厚、スパッタリングによって作成。

【0067】

獲得された層スタックは、図４中でシミュレーションによって示されるように、可視光線４００～８００ｎｍスペクトル域において＞８０％を優に超える光学的透過率をもたらした可撓性透明箔の形態を有する。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【国際調査報告】