特表 2024-513592 パワーモジュール用基板、パワーモジュール、およびパワーモジュールの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-03-26

(54)【発明の名称】パワーモジュール用基板、パワーモジュール、およびパワーモジュールの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/13 20060101AFI20240318BHJP

   H01L 23/14 20060101ALI20240318BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20240318BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 C

H01L23/14 R

H05K1/02 J

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023563020

(86)(22)【出願日】2022-03-11

(85)【翻訳文提出日】2023-12-04

(86)【国際出願番号】 EP2022056363

(87)【国際公開番号】W WO2022218624

(87)【国際公開日】2022-10-20

(31)【優先権主張番号】21168339.6

(32)【優先日】2021-04-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】523380173

【氏名又は名称】ヒタチ・エナジー・リミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＨＩＴＡＣＨＩ ＥＮＥＲＧＹ ＬＴＤ

(74)【代理人】

【識別番号】110001195

【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】マレキ，ミラド

(72)【発明者】

【氏名】バイヤー，ハラルト

(72)【発明者】

【氏名】フィッシャー，ファビアン

(72)【発明者】

【氏名】ルートビヒ，マキシム

(72)【発明者】

【氏名】ギヨン，ダビド

【テーマコード（参考）】

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E338AA02

5E338AA18

5E338BB19

5E338BB25

5E338EE26

5E338EE32

(57)【要約】

本開示は、絶縁層を有するキャリアシート（２０１）を含むパワーモジュール（２１０）用基板（２００）に関する。基板（２００）はさらに、キャリアシート（２０１）の第１の表面上に形成された第１のメタライゼーション層（２０２）を含み、第１のメタライゼーション層（２０２）は、パワーモジュール（２１０）の少なくとも１つの半導体ダイ（２０４）を実装するための実装領域（２０７）を含み、基板（２００）はさらに、キャリアシート（２０１）の第２の表面上に形成され、基板（２００）を平坦面に取付けるための取付領域（２０６）を含む第２のメタライゼーション層（２０５）を含む。第１のメタライゼーション層（２０２）の実装領域の少なくとも一部は複数の第１の溝（２０３）を用いて構造化され、第１の溝（２０３）は、第１のメタライゼーション層（２０２）の外面から絶縁層まで延びて、第１のメタライゼーション層（２０２）を個々の部分（２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃ）に電気的に分割する。第２のメタライゼーション層（２０５）の取付領域の少なくとも一部は少なくとも１つの第２の溝（２１１）を用いて構造化され、第２の溝（２１１）は、第２のメタライゼーション層（２０５）の外面から少なくとも部分的に少なくとも１つの絶縁層まで延びている。本開示はさらに、そのような基板（２００）を含むパワーモジュール（２１０）と、対応するパワーモジュール（２１０）の製造方法とに関する。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

パワーモジュール（２１０）用基板（２００）であって、
－ 平面に延在し、少なくとも１つの絶縁層を含むキャリアシート（２０１）と、
－ 前記キャリアシート（２０１）の第１の表面上に直接形成された第１のメタライゼーション層（２０２）とを備え、前記第１のメタライゼーション層（２０２）は、パワーモジュール（２１０）の少なくとも１つの半導体ダイ（２０４）を実装するための実装領域（２０７）を含み、前記基板（２００）はさらに、
－ 前記キャリアシート（２０１）の第２の表面上に直接形成された第２のメタライゼーション層（２０５）を備え、前記第２の表面は前記第１の表面と反対側にあり、前記第２のメタライゼーション層（２０５）は、前記基板（２００）を平坦面に取付けるための取付領域（２０６）を含み、
－ 前記キャリアシート（２０１）の前記平面への前記実装領域（２０７）および前記取付領域（２０６）の投影は、少なくとも部分的に重なり合い、
－ 前記実装領域（２０７）は少なくとも１つの第１の溝（２０３）を用いて構造化され、前記第１の溝（２０３）は、前記第１のメタライゼーション層（２０２）の外面から前記少なくとも１つの絶縁層まで延びて、前記第１のメタライゼーション層（２０２）を個々の部分（２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃ）に電気的に分割し、
－ 前記取付領域（２０６）は少なくとも１つの第２の溝（２１１）を用いて構造化され、前記第２の溝（２１１）は、前記第２のメタライゼーション層（２０５）の外面から少なくとも部分的に前記少なくとも１つの絶縁層まで延びており、
－ 前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）の底部に配置された導電材料（２２９）が、前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）に隣接する前記第２のメタライゼーション層（２０５）のそれぞれの部分の端部を相互接続する、基板（２００）。

【請求項2】

－ 前記キャリアシート（２０１）は、前記少なくとも１つの絶縁層と前記第２のメタライゼーション層（２０５）との間に配置された少なくとも１つの第１の導電層をさらに含み、
－ 前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）は、前記第２のメタライゼーション層（２０５）の前記外面から前記少なくとも１つの第１の導電層の表面まで延びており、
－ 前記少なくとも１つの第１の導電層は、前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）に隣接する前記第２のメタライゼーション層（２０５）の前記それぞれの部分の前記端部を相互接続する、請求項１に記載の基板（２００）。

【請求項3】

前記基板（２００）は活性金属ろう付け基板（２１４）であり、前記少なくとも１つの導電層は、前記少なくとも１つの絶縁層の表面上に形成されたろう付け層（２１７）である、請求項２に記載の基板（２００）。

【請求項4】

－ 前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）は、前記第２のメタライゼーション層（２０５）の前記外面から前記少なくとも１つの絶縁層まで延びるトレンチ（２２４）を含み、
－ 導電層（２２５）および弾性導電材料（２２９）のうちの少なくとも一方が前記トレンチ（２２４）の少なくとも底部に配置され、これにより、前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）に隣接する前記第２のメタライゼーション層（２０５）の前記それぞれの部分の前記端部が相互接続される、請求項１に記載の基板（２００）。

【請求項5】

－ 前記基板（２００）は、直接接合銅基板（２２６）または直接接合アルミニウム基板（２２０）のうちの一方である、および
－ 前記第２のメタライゼーション層（２０５）は、前記キャリアシート（２０１）の前記少なくとも１つの絶縁層の表面に直接接合される、
のうちの少なくとも一方である、請求項４に記載の基板（２００）。

【請求項6】

前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）は、前記第２のメタライゼーション層（２０５）の前記外面から前記絶縁層に向かって部分的にのみ延びるトレンチ（２２４）を含み、これにより、前記トレンチ（２２４）の下の前記第２のメタライゼーション層（２０５）の残りの材料は、前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）に隣接する前記第２のメタライゼーション層（２０５）の前記それぞれの部分の前記端部を相互接続する、請求項１に記載の基板（２００）。

【請求項7】

前記第１のメタライゼーション層（２０２）は上部銅層（２１８）を含み、前記第２のメタライゼーション層（２０５）は下部銅層（２１９）を含む、請求項１に記載の基板（２００）。

【請求項8】

パワーモジュール（２１０）であって、
－ 請求項１～７のいずれか１項に記載の基板（２００）と、
－ 前記第１のメタライゼーション層（２０２）の前記実装領域（２０７）に実装された少なくとも１つの半導体ダイ（２０４）とを備える、パワーモジュール（２１０）。

【請求項9】

キャリア構造をさらに備え、前記取付領域（２０６）は前記キャリア構造の平坦面に取付けられ、前記キャリア構造は、
－ 前記第２のメタライゼーション層（２１０）と電気的および／もしくは熱的に接触している導電性キャリアプレート、
－ 前記第２のメタライゼーション層（２１０）と熱的に接触しているベースプレート（２０８）、または
－ 前記第２のメタライゼーション層（２１０）と熱的に接触している冷却器、
のうちの少なくとも１つを含む、請求項８に記載のパワーモジュール（２１０）。

【請求項10】

－ 前記少なくとも１つの半導体ダイ（２０４）が搭載された前記基板（２００）の前記第２のメタライゼーション層（２０５）の前記取付領域（２０６）が前記基板（２００）の熱処理中に本質的に平坦なままであるように、前記少なくとも１つの第１の溝（２０３）および前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）のパターンはバランスする、
－ 前記第１のメタライゼーション層（２０２）の材料の量は、前記第２のメタライゼーション層（２０５）の材料の量に対応する、
－ 前記少なくとも１つの第１の溝（２０３）および前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）は、前記キャリアシート（２０１）の対応する表面領域を覆う、
－ 前記少なくとも１つの第１の溝（２０３）および前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）は、対応する体積を有する、
－ 前記第１のメタライゼーション層（２０２）の厚さは前記第２のメタライゼーション層（２０５）の厚さに対応し、前記少なくとも１つの第１の溝（２０３）および前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）は合同である、または
－ 前記第１のメタライゼーション層（２０２）の厚さは前記第２のメタライゼーション層（２０５）の厚さとは異なり、前記少なくとも１つの第１の溝（２０３）および前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）の少なくとも一部は合同でない、
のうちの少なくとも１つである、請求項８または９に記載のパワーモジュール（２１０）。

【請求項11】

パワーモジュール（２１０）を製造する方法であって、
－ 少なくとも１つの絶縁層と、第１のメタライゼーション層（２０２）と、第２のメタライゼーション層（２０５）とを含む基板（２００）を提供するステップを備え、前記第１および第２のメタライゼーション層（２０２，２０５）は前記絶縁層の両側に直接配置されており、前記方法はさらに、
－ 少なくとも１つの第１の溝（２０３）を形成するように前記第１のメタライゼーション層（２０２）を構造化するステップを備え、前記第１の溝（２０３）は、前記第１のメタライゼーション層（２０２）を複数の個々の部分（２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃ）に電気的に分割し、前記方法はさらに、
－ 前記第２のメタライゼーション層（２０５）の取付領域（２０６）に少なくとも１つの第２の溝（２１１）を形成するように前記第２のメタライゼーション層（２０５）を構造化するステップを備え、前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）は、前記第２のメタライゼーション層（２０５）の外面から前記絶縁層に向かって少なくとも部分的に延びており、前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）の底部に配置された導電材料（２２９）が、前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）に隣接する前記第２のメタライゼーション層（２０５）のそれぞれの部分の端部を相互接続し、前記方法はさらに、
－ 少なくとも１つの半導体ダイ（２０４）を前記第１のメタライゼーション層（２０２）の実装領域（２０７）に実装するステップと、
－ 前記第２のメタライゼーション層（２０５）の少なくとも前記取付領域（２０６）を平坦面に取付けるステップとを備える、方法。

【請求項12】

－ 前記基板（２００）を提供するステップにおいて、前記絶縁層と前記第２のメタライゼーション層（２０５）との間に配置された少なくとも１つのさらなる金属層を含む多層基板（２００）が提供され、
－ 前記第２のメタライゼーション層（２０５）を構造化するステップにおいて、前記少なくとも１つのさらなる金属層は、エッチングプロセスにおけるエッチストップまたは構造化プロセスにおける加工ストップのうちの少なくとも一方として機能する、請求項１１に記載の方法。

【請求項13】

－ 前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）の少なくとも底部を導電材料（２２５）でコーティングまたは充填して、前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）に隣接する前記第２のメタライゼーション層（２０５）のそれぞれの部分の間に電気的相互接続を形成するステップをさらに備える、請求項１１に記載の方法。

【請求項14】

－ 前記第２のメタライゼーション層（２０５）を構造化するステップにおいて、前記第２のメタライゼーション層（２０５）はエッチングされ、
－ エッチング方法、エッチング時間、エッチング剤、および／またはエッチング液濃度は、前記少なくとも１つの第２の溝（２１１）が前記絶縁層まで完全には延びないように選択される、請求項１１に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、キャリアシートと、第１のメタライゼーション層と、第２のメタライゼーション層とを含むパワーモジュール用基板に関する。本開示はさらに、そのような基板を含むパワーモジュールと、そのようなパワーモジュールを製造する製造方法とに関する。

【背景技術】

【0002】

特開２００２－３４４０９４号公報は、パワーモジュール用回路基板に関し、より具体的には、たとえば自動車用インバータ装置のための、メタライゼーションパターンの端部に隣接して溝を形成することにより熱サイクル挙動が改善されたパワーモジュール用回路基板に関する。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本開示の目的は、製造が比較的容易であり、製造中および動作中の熱応力および／または機械的応力に耐えることができ、高電流および／または高電圧の存在下でも確実に動作する、パワーエレクトロニクスの実現に適した基板およびモジュールと、対応する製造方法とを提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0004】

本開示の一局面によれば、パワーモジュール用基板が提供される。この基板は、平面に延在し、少なくとも１つの絶縁層を含むキャリアシートと、キャリアシートの第１の表面上に形成された第１のメタライゼーション層とを含み、第１のメタライゼーション層は、パワーモジュールの少なくとも１つの半導体ダイを実装するための実装領域を含み、基板はさらに、キャリアシートの第２の表面上に形成された第２のメタライゼーション層を含み、第２の表面は第１の表面と反対側にあり、第２のメタライゼーション層は、基板を平坦面に取付けるための取付領域を含む。キャリアシートの平面への実装領域および取付領域の投影は、少なくとも部分的に重なり合う。実装領域は少なくとも１つの第１の溝を用いて構造化され、第１の溝は、第１のメタライゼーション層の外面から少なくとも１つの絶縁層まで延びて、第１のメタライゼーション層を個々の部分に電気的に分割する。取付領域は少なくとも１つの第２の溝を用いて構造化され、第２の溝は、第２のメタライゼーション層の外面から少なくとも部分的に少なくとも１つの絶縁層まで延びている。

【0005】

両側の実装領域および取付領域の少なくとも一部を構造化することにより、熱応力または機械的応力サイクル中の、たとえば製造中の、キャリアシートの曲げまたは反りを低減することができるので、完成した基板の湾曲が低減される。そして、基板の湾曲が低減されると、基板といずれかのキャリア構造との間の機械的接続における応力が低減されるので、パワーモジュールなどのアセンブリの信頼性が高まる。

【0006】

さらなる実施形態によれば、たとえば、トレンチの底部に導電層を配置することにより、またはトレンチの少なくとも底部を弾性導電材料で充填することにより、少なくとも１つの第２の溝の底部に導電材料が配置され、導電材料は、少なくとも１つの第２の溝に隣接する第２のメタライゼーション層のそれぞれの部分の端部を相互接続する。

【0007】

第２の溝の側面同士の間に電気的接続を形成することにより、主にメタライゼーション層の端部および角部に発生する、キャリアシートおよび第２の溝における局所的な高電界を回避することができるので、電気的応力が低減され、動作中の部分放電および絶縁破壊が回避される。

【0008】

さらなる実施形態によれば、キャリアシートは、少なくとも１つの絶縁層と第２のメタライゼーション層との間に配置された少なくとも１つの第１の導電層をさらに含む。少なくとも１つの第２の溝は、第２のメタライゼーション層の外面から少なくとも１つの第１の導電層の表面まで延びている。少なくとも１つの第１の導電層は、少なくとも１つの第２の溝に隣接する第２のメタライゼーション層のそれぞれの部分の端部を相互接続する。第１の導電層を元の状態のまま維持することにより、電気的相互接続を確立することができ、これにより第２の溝に関連する電気的悪影響が緩和される。

【0009】

たとえば、基板は活性金属ろう付け（ＡＭＢ）基板であってもよく、少なくとも１つの導電層は、少なくとも１つの絶縁層の表面上に形成されたろう付け層であってもよい。このような構造は製造が容易である。第２の溝によって第２のメタライゼーション層を分割すると、第１のメタライゼーション層の構造化とのバランスが取れる。同時に、ろう付け層のような追加の導電層が、加工ストップとして、たとえばエッチング中のエッチストップとして使用されてもよく、また、第２のメタライゼーション層のそれぞれの部分の隣接端部を電気的に接続するために使用されてもよい。

【0010】

さらなる実施形態によれば、少なくとも１つの第２の溝は、第２のメタライゼーション層の外面から少なくとも１つの絶縁層まで延びるトレンチとして形成される。トレンチの底部に導電層が配置され、これにより、少なくとも１つの第２の溝に隣接する第２のメタライゼーション層のそれぞれの部分の端部が相互接続される。少なくとも絶縁層の露出部分をたとえば薄い導電層で覆うことにより、または、少なくとも１つのトレンチの少なくとも底部をたとえば弾性導電材料で充填することにより、電気的相互接続を確立することができ、これにより第２の溝に関連する電気的悪影響が緩和される。

【0011】

たとえば、基板は、直接接合銅（ＤＢＣ）基板または直接接合アルミニウム（ＤＢＡ）基板のうちの一方であってもよい。これに代えてまたはこれに加えて、第２のメタライゼーション層は、キャリアシートの少なくとも１つの絶縁層の表面に直接接合されてもよい。このような基板は広く入手可能であり、パワーエレクトロニクスに有利な熱特性を含むさまざまな有利な効果を有する。

【0012】

さらなる局面によれば、実施形態のうちの１つに係る基板と、第１のメタライゼーション層の実装領域に実装された少なくとも１つの半導体ダイとを含むパワーモジュールが提供される。

【0013】

たとえばはんだ付け、焼結または同様の加工ステップによって少なくとも１つの半導体ダイを基板の実装領域に取付けるには、この基板または少なくとも１つの半導体ダイの熱処理が必要であることが多い。第２のメタライゼーション層に少なくとも１つの第２の溝が存在することにより、基板の湾曲が回避または少なくとも緩和されるので、基板に熱が加えられる可能性がある、基板上に少なくとも１つの半導体ダイを実装する際に、および／または、ベースプレート、冷却器などの下層キャリア構造に基板を実装する際に、パワーモジュールの不適切な接合接続が回避または緩和される。

【0014】

さらなる実施形態によれば、パワーモジュールはキャリア構造をさらに含み、取付領域はキャリア構造の平坦面に取付けられる。キャリア構造は、第２のメタライゼーション層と電気的および／もしくは熱的に接触している導電性キャリアプレート、第２のメタライゼーション層と熱的に接触しているベースプレート、または第２のメタライゼーション層と熱的に接触している冷却器、のうちの少なくとも１つを含む。パワーモジュールの基板の湾曲を低減することにより、ベースプレート、電気キャリアプレート、および冷却器のうちの１つ以上を含むキャリア構造のより大きな平坦面領域に基板を取付けることができる。

【0015】

さらなる局面によれば、パワーモジュールの製造方法が提供される。この方法は、少なくとも絶縁層と、第１のメタライゼーション層と、第２のメタライゼーション層とを含む基板を提供するステップを含み、第１および第２のメタライゼーション層は絶縁層の両側に配置されており、方法はさらに、少なくとも１つの第１の溝を形成するように第１のメタライゼーション層を構造化するステップを含み、第１の溝は、第１のメタライゼーション層を複数の個々の部分に電気的に分割し、方法はさらに、第２のメタライゼーション層の取付領域に少なくとも１つの第２の溝を形成するように第２のメタライゼーション層を構造化するステップを含み、少なくとも１つの第２の溝は、第２のメタライゼーション層の外面から絶縁層に向かって少なくとも部分的に延びており、方法はさらに、少なくとも１つの半導体ダイを第１のメタライゼーション層の実装領域に実装するステップと、第２のメタライゼーション層の少なくとも取付領域を平坦面に取付けるステップとを含む。

【0016】

上記のステップによって、本開示の他の局面に関して上記に詳述したように、湾曲が低減されたパワーモジュールが製造される。

【0017】

さらなる実施形態によれば、第２のメタライゼーション層を構造化するステップにおいて、第２のメタライゼーション層はエッチングされ、エッチング方法、エッチング時間、エッチング剤、および／またはエッチング液濃度は、少なくとも１つの第２の溝が絶縁層まで完全には延びないように選択される。適切なエッチングパラメータを使用することにより、第２のメタライゼーション層の部分エッチングを達成することができ、これは、パワーモジュールの動作中に好ましくない電気的影響を緩和するのに役立つ。

【0018】

上記の製造方法は、たとえば、上記のパワーモジュールの基板および対応するパワーモジュールの製造に適している。したがって、基板およびパワーモジュールに関連して記載される特徴および利点は、製造方法に使用することができ、その逆も同様である。

【0019】

本開示は、発明のいくつかの局面を含む。それぞれの特徴が特定の局面の文脈の中で明確に言及されていなくても、１つの局面に関して記載されるすべての特徴は他の局面に関しても本明細書に開示されている。

【0020】

添付の図面は、さらなる理解を提供するために含まれている。図中、同じ構造および／または機能の要素は、同じ参照符号によって参照される場合がある。図に示される実施形態は説明のための表現であり、必ずしも正確な縮尺ではないことが理解されねばならない。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】半導体ダイが搭載された従来の基板の表面メタライゼーション層を概略的に示す図である。

【図2】図１の基板の裏面メタライゼーション層を概略的に示す図である。

【図3】図１および図２の基板の断面を概略的に示す図である。

【図4】図１～図３の基板と平坦面との間の接触領域を概略的に示す図である。

【図5】本開示の実施形態に係る表面メタライゼーション層を概略的に示す図である。

【図6】図５の基板の裏面メタライゼーション層を概略的に示す図である。

【図7】図５および図６の基板の断面を概略的に示す図である。

【図8】図５～図７の基板と平坦面との間の接触領域を概略的に示す図である。

【図9】途切れのない第１のメタライゼーション層の下の第２のメタライゼーション層の溝の領域における電界強度のシミュレーションを示す図である。

【図10】途切れのある第１のメタライゼーション層の下の第２のメタライゼーション層の溝の領域における電界強度のシミュレーションを示す図である。

【図11】別の実施形態に係る基板の断面を概略的に示す図である。

【図12】別の実施形態に係る基板の断面を示す図である。

【図13】途切れのない第１のメタライゼーション層の下の第２のメタライゼーション層の溝の領域における電界強度のシミュレーションを示す図である。

【図14】途切れのある第１のメタライゼーション層の下の第２のメタライゼーション層の溝の領域における電界強度のシミュレーションを示す図である。

【図15】別の実施形態に係る基板の断面を概略的に示す図である。

【図16】別の実施形態に係る基板の断面を概略的に示す図である。

【図17】パワーモジュールの製造方法を概略的に示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

本発明はさまざまな変形例および代替的な形態に適用可能であるが、その詳細が、一例として図面に示されており、詳細に記載される。しかしながら、本発明を記載されている特定の実施形態に限定することを意図したものではないことが理解されるべきである。それどころか、添付の請求項によって定義される本発明の範囲内にあるすべての変形例、等価物、および代替例をすべてカバーすることを意図している。

【0023】

本開示のさまざまな実施形態をより詳細に記載する前に、まず、従来技術を用いてパワーモジュールを製造する際に起こり得る問題を、図１～図４を用いて説明する。

【0024】

図１は、その第１の面または表面に第１のメタライゼーション層１０２が形成されている、基板１００の従来の絶縁キャリアシート１０１を示す。図示される例では、第１のメタライゼーション層１０２の材料は、２つの溝１０３ａおよび１０３ｂによって３つの個々の部分１０２ａ，１０２ｂおよび１０２ｃに分割されている。溝１０３ａおよび１０３ｂは、第１のメタライゼーション層１０２の外面から第１のメタライゼーション層１０２の厚さ全体を貫通してキャリアシート１０１まで延びている。図３に示す例では、溝１０３ｂは、個々の部分１０２ａおよび１０２ｂの上面から、第１のメタライゼーション層１０２の個々の部分１０２ａ，１０２ｂおよび１０２ｃとその下の絶縁キャリアシート１０１との間の接触界面まで完全に延びている。この上面および接触界面は、第１のメタライゼーション層１０２の両方の主面に位置している。

【0025】

部分１０２ａ～１０２ｃの上に、合計４個の半導体ダイ１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃおよび１０４ｄが実装されている。図１に示す実施形態では、半導体ダイ１０４ａ～１０４ｄの各々は、第１のメタライゼーション層１０２の部分１０２ａ～１０２ｃのうちの１つに実装されている。さらなるコンタクトが半導体ダイ１０４ａ～１０４ｄの上面から設けられてもよい。不図示の代替的な実施形態では、半導体ダイ１０４ａ～１０４ｄのうちの１つ以上、または２つ以上の端子を有するＮＴＣ抵抗器などの他の個別素子が、第１のメタライゼーション層１０２の部分のうちのいくつかにまたがっていてもよい。当然のことながら、第１のメタライゼーション層１０２の部分の数、それらの間の絶縁溝１０３の数、およびそれらに取付けられる部品の数は、いかなる形でも限定されず、意図されたモジュールの設計および目的によって異なる。

【0026】

図２は、図１の基板１００のキャリアシート１０１の反対側の第２の面または裏面を示す。図に見られるように、裏面の大部分は１つの均一な第２のメタライゼーション層１０５で覆われている。第２のメタライゼーション層１０５は、本質的に、ＡｌＳｉＣまたはＭｇＳｉＣ等の金属材料または複合材料のような導電材料で作られたキャリアプレートのような平坦面にキャリア基板１００を実装するために典型的に使用される取付領域１０６を形成し、共通の電位、典型的には電気接地、またはヒートシンクとして機能するベースプレートもしくは冷却器の接触領域を提供する。

【0027】

製造中、図１および図２に示すような基板１００はさまざまな加工ステップを経る。これらの加工ステップのうちのいくつかは、高温でおよび／または機械的な力で実行される。たとえば、半導体ダイ１０４ａ～１０４ｄは、熱処理を用いて第１のメタライゼーション層１０２にはんだ付けまたは焼結され得る。焼結の場合、さらに圧力が基板１００に加えられる。第１のメタライゼーション層１０２と第２のメタライゼーション層１０５との間の物理的アンバランスのために、キャリアシート１０１と、第１のメタライゼーション層１０２と、第２のメタライゼーション層１０５とを含む基板１００が熱応力および／または機械的応力に反応して曲がり、図３に示すような湾曲が生じることがある。この影響は、たとえば、それぞれの電流要件、熱的要件および信頼性要件に対処するために比較的大きなメタライゼーション特徴を有する比較的大きな基板を使用するパワーエレクトロニクスモジュールの設計に関連する。例示的な実施形態では、基板１００の中央部１０７が上向きに、すなわち下層ベースプレート１０８の平坦面から離れるように曲がり、この平坦面との間に隙間１１１を形成する。これはいくつかの理由で望ましくない。

【0028】

たとえば、図４に示すように、第２のメタライゼーション層１０５がはんだ付けによって下層ベースプレート１０８に取付けられる場合、はんだ１０９は、第２のメタライゼーション層１０５とベースプレート８とを、取付領域１０６の周辺部１１０においてのみ接続する。これに対して、取付領域１０６の中央部１０７に形成された隙間１１１は、ベースプレート１０８と基板１００との間の熱的、機械的および／または電気的接続を弱める結果となる。隙間１１１が形成されなくても、得られるはんだ層は不均一な厚さを有することになり、この結果、熱機械応力に関する信頼性が低下し得る。したがって、このような湾曲は、基板１００を下層ベースプレート１０８に適切かつ均一に接合する上で問題となる。湾曲は、熱抵抗の増加によって熱的問題を引き起こす可能性もある。さらに、基板１００が曲がると、その後の加工ステップにおける基板１００の取り扱いおよび加工が一般により困難になる。その後、基板１００のこのような湾曲によって生じる応力により、熱サイクルに関して、パワーモジュールなどの完成した装置の寿命が短くなる可能性もある。

【0029】

とりわけ、本発明者らは、第２のメタライゼーション層１０５の取付領域１０６に少なくとも１つの溝を設けることにより上記の悪影響を緩和できることを見出した。そうすることにより、第１および第２のメタライゼーション層１０２および１０５のこの構造化を少なくとも部分的にバランスさせて応力を補償することができるので、基板１００の湾曲が低減される。

【0030】

基板２００の改善された実施形態を、図５～図８に関して説明する。図５に示す表面メタライゼーション層２０２および半導体ダイ２０４ａ～２０４ｄの配置は、図１に示す基板１００の表面に対応する。簡潔にするために、上記の対応部分を参照する。しかしながら、第１のメタライゼーション層２０２に設けられた２つの溝２０３ａおよび２０３ｂを少なくとも部分的にバランスさせるために、図６に示す第２のメタライゼーション層２０５もいくつかの第２の溝を含み、この溝は機械的応力を低減するのに役立ち、したがって基板２００の湾曲が低減される。

【0031】

第１の溝１０３に関して上記に詳述したように、第２の溝は、第２のメタライゼーション層２０５の外面から内向きに、すなわちキャリアシート２０１に向かって延びている。「外面」という用語は、第２のメタライゼーション層２０５とキャリアシート２０１との間の界面と反対側の第２のメタライゼーション層２０５の表面、すなわち、基板２００を実装するための平坦面を向く表面を指す。記載される例では、第２のメタライゼーション層２０５の外面は、ベースプレート２０８の平坦面に取付けられている。

【0032】

図示される例では、２つの水平溝２１１ａおよび２１１ｂと垂直溝２１１ｃとが設けられている。メタライゼーション層２０２および２０５の厚さは０．１～５ｍｍであってもよく、たとえば０．１～３ｍｍまたは０．１～１ｍｍであってもよい。記載される例では、第１のメタライゼーション層２０２の厚さは０．５ｍｍであり、第２のメタライゼーション層２０５の厚さはそれよりも少し小さい０．４ｍｍである。これに代えて、２つのメタライゼーション層２０２および２０５の厚さは同じであってもよい。一般に、応力補償のためには、上側の溝の位置とメタライゼーション層の厚さ比とを考慮すべきである。

【0033】

第１の近似では、第２のメタライゼーション層２０５によって設けられる裏面メタライゼーションの第２の溝２１１は、第１のメタライゼーション層２０２によって設けられる上部メタライゼーションの対応する第１の溝２０３の下に準備される。それにもかかわらず、図５および図６に示すように、これは、たとえば異なるメタライゼーション厚さおよび／または実装された半導体ダイ２０４によって引き起こされる個々の応力状況が原因で、逸脱する場合がある。

【0034】

第２の溝２１１ａ～２１１ｃが存在しているにもかかわらず、第２のメタライゼーション層２０５のすべての部分が同じ電位のままであること、たとえば電気的に接続されることに留意すべきである。図６に示す実施形態では、これは、すべての溝２１１ａ～２１１ｃが第２のメタライゼーション層２０５の材料で囲まれていることで達成される。これはまた、第２のメタライゼーション層２０５のすべての部分を共通の導電性キャリアプレートに取付けることにより、または後で詳述するように溝２１１ａ～２１１ｃの底部に導電材料を維持もしくは提供することにより、達成することができる。これに対して、第１のメタライゼーション層２０２のさまざまな部分２０２ａ～２０２ｃは、高出力ＦＥＴ、ダイオードまたはＩＧＢＴ構造のような半導体ダイ２０４ａ～２０４ｄの所望の動作および制御を可能にするために、互いに電気的に絶縁されている。

【0035】

第２の溝２１１ａ～２１１ｃの存在は、第１のメタライゼーション層２０２の第１の溝２０３ａおよび２０３ｂの存在とほぼバランスする。さらに、メタライゼーション層２０２および２０５の厚さが異なる場合、第２の溝２１１ａ～２１１ｃは、このアンバランスに起因する影響もバランスさせることができる。その結果、熱処理を行い、半導体ダイ２０４ａ～２０４ｄを第１のメタライゼーション層２０２に取付けた後でも、図７に示すように基板２００は本質的に平坦なままである。

【0036】

その結果、取付領域２０６を形成する第２のメタライゼーション層２０５の本質的にすべての部分が、下層平坦面と直接接触する。たとえば、基板２００は、ベースプレート２０８および／または半導体ダイ２０４ａ～２０４ｄを冷却するために使用される冷却器（図示せず）の平坦な金属表面領域に焼結またははんだ付けされ得る。この結果、基板２００、その表面に配置された半導体ダイ２０４ａ～２０４ｄと、その下のいずれかのキャリア構造との間に、機械的により安定した接続がもたらされる。さらに、能動半導体部品と取付けられたいずれかの冷却アセンブリとの間の熱抵抗値Ｒが低くなる。

【0037】

この状況は、図８に示す途切れのないはんだ２０９に示されている。その結果、本質的に平坦な基板２００と、基板２００の片側の実装領域２０７に配置された１つまたは複数の半導体ダイ２０４と、任意に、基板２００の反対側の取付領域２０６に配置されたベースプレート２０８、導電性キャリアプレートおよび／または冷却器とを含むパワーモジュール２１０を形成することができる。基板の取付領域２０６および実装領域２０７は、基板２００の中心平面に投影されると、少なくとも部分的に重なり合う。

【0038】

第１および第２のメタライゼーション層２０２および２０５は、同じサイズであってもよいが、図７に示すように絶対サイズが異なっていてもよい。一般に、溝２０３ａおよび２０３ｂは金属パターンを分割しており、このパターンの上に、第１のメタライゼーション層２０２の個々の部分２０２ａ～２０２ｃに対応する半導体ダイ２０４ａ～２０４ｄが実装される。したがって、溝は典型的に基板２００の中心部に見られ、基板２００の端部にのみ見られるわけではない。これは、第２のメタライゼーション層２０５の第２の溝２１１ａ～２１１ｃについても同様である。したがって、取付領域２０６および実装領域２０７という用語は、キャリアシート２０１の端部に近い外側の周辺領域ではなく、それぞれのメタライゼーション層２０２および２０５の内側の中心部をそれぞれ指す。たとえば、これらは、キャリアシート２０１の各側の内表面領域の９５，９０または８０パーセントを覆うと定義されてもよく、逆に、周辺領域と呼ばれ得るキャリアシート２０１の端部に最も近い外側の５，１０または２０パーセントをそれぞれ除外すると定義されてもよい。一例では、外側の周辺領域は、基板２００の端部から測定して、５ｍｍ未満、たとえば２ｍｍの幅を有する境界領域を覆ってもよい。

【0039】

図７に示すように、第２の溝２１１ａ～２１１ｃは、取付領域２０６を形成する第２のメタライゼーション層２０５の下部の外面からキャリアシート２０１まで完全に延びている。記載される例では、キャリアシート２０１は全体が絶縁材料で、たとえば高電圧用途向けのセラミックシートまたは他の用途向けの樹脂シートで作られている。上述のように、第２の溝２１１ａ～２１１ｃの領域における第２のメタライゼーション層２０５の金属材料のこのような完全な除去は、基板２００の湾曲を緩和するために使用することができる。

【0040】

しかしながら、図９および図１０に関して次に述べるように、本発明者らはまた、キャリアシート２０１の絶縁材料と下層キャリア構造との間の第２の溝の領域における第２のメタライゼーション層２０５の導電材料の完全な除去は、そのような基板２００を利用するパワーモジュールの動作中に悪影響も及ぼし得ることを発見した。特に、絶縁キャリアシート２０１の表面が開いていると、第２のメタライゼーション層２０５の残りの部分の端部に高電界および部分放電が生じることがある。

【0041】

図９は、このような構成における電界強度のシミュレーションを示す。簡単にするために、第２のメタライゼーション層２０５の単一の溝２１１のみが示されている。絶縁キャリアシート２０１の上には、途切れのない第１のメタライゼーション層２０２が示されている。シミュレーション用に、はんだ２０９、その下のいずれかのキャリア構造（図９には図示せず）、および下部の第２のメタライゼーション層２０５の隣接部分は、低電位、たとえば電気接地に接続されている。上部の第１のメタライゼーション層２０２は、高電位、たとえば正電圧に接続されている。図９の左右の側では、すなわち第２の溝２１１から離れたところでは、電界は絶縁キャリアシート２０１の内部でほぼ均一であり、電位が一定の勾配を有している。しかしながら、溝２１１に近づくにつれて、特に、溝２１１が絶縁キャリアシート２０１に接する角部２１２ａおよび２１２ｂでは、電界の比較的大きな変化を認めることができ、これによって端部の隣および溝２１１の内部に部分放電が生じる可能性がある。このような部分放電は、得られたパワーモジュールを高電圧および／または高周波数で動作させる際に問題となる可能性があり、その結果、モジュールの寿命が短くなったり、製造時の歩留まりが低下したりする。

【0042】

図１０は、図９に関して上述したのと同様の第２のシミュレーションを示す。図９の状況とは対照的に、図１０に示す状況では、第１のメタライゼーション層２０２も、水平方向において第２の溝２１１と同一場所に配置される第１の溝２０３によって分割されている。さらに、第１のメタライゼーション層２０２の左側部分２０２ａはこの場合も高電位に接続されているが、第１のメタライゼーション層２０２の右側部分２０２ｂは、第２のメタライゼーション層２０５、はんだ２０９、およびその下のいずれかのキャリア構造（図１０には図示せず）の電位に対応する低電位、たとえば電気接地に接続されている。したがって、図１０の右側部分には、２つのメタライゼーション層２０２と２０５との間に電界が実質的に存在しない。図１０の一番左側の部分には、均一な電界強度が観察され得、これは図９の対応部分に示される電界強度に対応する。この例では、高い電界強度が第２の溝２１１の左角部２１２ａに観察され得るが、第２の溝１１の右角部２１２ｂには観察されない。これに対応して、第１の溝２０３の対応する角部２１３ａを囲む領域は、局所的に非常に高い電界強度を示す。第１の溝２０３のこれらの領域における電界強度は、重要な位置をポリイミド層でコーティングすることにより、および／またはモジュール内部を誘電体ゲルに埋め込むことにより、低減され得る。さらに、ゲルおよび／またはポリイミドは、構成の絶縁破壊強度を向上させ得る。しかしながら、このアプローチは、実装領域２０７をベースプレート２０８または他のキャリア構造にはんだ付けするためのはんだ付けプロセスに干渉することがあるため、第２のメタライゼーション層２０５の第２の溝２１１には容易に適用できない。

【0043】

図１１は、本開示の実施形態に係る基板のさらなる実施形態を示す。図１１に示す実施形態では、いわゆる活性金属ろう付け（ＡＭＢ）基板２１４が提供される。ＡＭＢ基板１４は、上側および下側がろう付け層２１６および２１７でそれぞれコーティングされた、基板２１４の絶縁層として機能する中間セラミック層２１５を含む。ろう付け層２１６および２１７の外面には、上部の第１のメタライゼーション層２０２および下部の第２のメタライゼーション層２０５がそれぞれ提供される。記載される実施形態では、第１のメタライゼーション層２０２は上部銅層２１８によって提供され、下部の第２のメタライゼーション層２０５は下部銅層２１９によって提供される。これに代えて、アルミニウムを使用してメタライゼーション層２０２および／または２０５を提供してもよい。電気絶縁セラミック層２１５と、導電性の上部および下部ろう付け層２１６および２１７とは、合わせて、図７に関して上記に詳述したような基板２００のキャリアシート２０１に対応する。

【0044】

図１１に見られるように、上部銅層２１８および下部銅層２１９の双方は、たとえば銅層２１８および２１９を選択的にエッチングすることにより、それぞれ溝２０３および２１１を使用して構造化される。幅Ｃ１を有する上部銅層２１８の上面に設けられた実装領域は、各々が幅Ａを有する２つの部分２０２ａおよび２０２ｂに分割されている。これら２つの部分２０２ａおよび２０２ｂは、幅Ｂを有する第１の溝２０３の形態の分離トレンチによって分割されている。下層のろう付け層２１６は第１の溝２０３の領域にも存在しておらず、たとえばエッチング除去されていることに留意すべきである。上部銅層２１８のそれぞれの部分２０２ａおよび２０２ｂの上面と、下層のセラミック層２１５との間に、幅Ｄを有する移行ゾーンが設けられており、このゾーンでは、上部銅層２１８は一部のみ欠けており、上部ろう付け層２１６は元の状態のままである。エッチングの代わりに、他の構造化方法も可能であり、当該方法は、キャリアシート２０１上に金属片を積層して基板２００を形成すること、または、たとえば金属材料を用いた選択的コーティングなどの積層造形法によって基板２００を製造することを含む。

【0045】

これに対応して、ＡＭＢ基板２１４の下部の第２のメタライゼーション層２０５も、たとえばエッチングによって、第１のメタライゼーション層２０２の構造化の存在とバランスするように構造化される。しかしながら、ＡＭＢ基板２１４の上面の構造化とは異なり、ＡＭＢ基板２０１４の下部銅層２１９のトレンチは、下部ろう付け層２１７を貫通していない。代わりに、幅Ｃ２の取付領域２０６の第２の溝２１１が、たとえばエッチングによって形成される場合、窒化チタン（ＴｉＮ）、銀（Ａｇ）および／または銀／銅合金（Ａｇ／Ｃｕ）などの、第２のメタライゼーション層２０５以外の材料を典型的に含む下部ろう付け層２１７は、加工ストップとして、たとえばエッチングプロセスにおけるエッチストップとして使用され、図１１に示すように本質的に元の状態のままである。その結果、第２のメタライゼーション層２０５の左右の隣接部分２０５ａおよび２０５ｂは、下部ろう付け層２１７によって電気的に接続され続ける。これは、製造時の歩留まりを高め、プロセス安定性を向上させ、従来の半導体処理装置で比較的容易に実現することができる。電気的接続を維持することで、第２の溝２１１における高い電界強度および部分放電が防止される。

【0046】

図１１に示す単一の溝２１１は、個々の溝２１１の形成を説明するための例として使用されているに過ぎないことに留意すべきである。実際には、所定のパワーモジュールに使用される基板２００の第２のメタライゼーション層２０５には、より複雑な溝構造が設けられ得る。たとえば、さまざまな厚さおよび長さの１つまたは複数の閉じたおよび／または交差する第２の溝２１１が設けられてもよい。第２のメタライゼーション層に設けられる第２の溝２１１の正確な数、向き、接続および幅は、一般に、第１のメタライゼーション層２０２の構造化に依存し、任意に、この構造化と半導体ダイ２０４およびその他の部品（図示せず）との占有率、ならびに第１および第２のメタライゼーション層２０２および２０５の相対的厚さに依存する。第２のメタライゼーション層２０５の溝２１１に適した構造は、実験またはシミュレーションによって得ることができる。

【0047】

基本原則として、キャリアシート２０１の上に残っている材料の量は、キャリアシートの下に残っている材料の量に対応すべきである。近似として、第１のメタライゼーション層２０２の材料の量は、第２のメタライゼーション層の材料の量に対応すべきである。逆に、第１および第２のメタライゼーション層が同様のサイズである場合、構造化中に第２のメタライゼーション層２０５から除去または省略される金属の体積は、第１のメタライゼーション層２０２から除去される金属の量にほぼ等しいべきである。したがって、メタライゼーション層２０２および２０５の厚さが等しい場合、第１の溝２０３および第２の溝２１１の表面積は同程度であるべきである。第１のメタライゼーション層２０２の方が厚い場合、第２のメタライゼーション層２０５からより多くの材料を除去もしくは省略する必要があり、または、第２のメタライゼーション層２０５により多くの第２の溝２１１を組み込む必要がある。これに加えて、第１のメタライゼーション層２０２上に実装される半導体ダイ２０４または他の部品も影響を及ぼす可能性があり、１つまたは複数の第２の溝２１１のサイズおよび位置を決定するために考慮され得る。さらに、基板２００の平面に投影すると、第２のメタライゼーション層２０５の溝構造が第１のメタライゼーション層２０２の溝構造に少なくとも部分的に重なることが有益であり得る。たとえば、第１のメタライゼーション層２０２の厚さが第２のメタライゼーション層の厚さに対応する場合、少なくとも１つの第１の溝２０３および少なくとも１つの第２の溝は合同であってもよい。これに代えて、第１のメタライゼーション層２０２の厚さが第２のメタライゼーション層２０５の厚さとは異なる場合、および／または半導体ダイが第１のメタライゼーション層２０２に接合される場合、少なくとも１つの第１の溝２０３および少なくとも１つの第２の溝２１１の少なくとも一部は合同でない。たとえば、少なくとも１つの第１の溝２０３および少なくとも１つの第２の溝２１１の位置は同一場所に配置され得るが、少なくとも１つの第１の溝２０３は少なくとも１つの第２の溝２１１よりも大きいまたは小さい幅を有し得る。

【0048】

図１２は、本開示に係るさらなる実施形態を示す。図１１とは対照的に、図１５に示す実施形態は直接接合アルミニウム（ＤＢＡ）基板２２０を示している。同様に、直接接合銅（ＤＢＣ）が使用されてもよい。記載される実施形態では、上部アルミニウム層２２１が、絶縁層として機能するセラミック基板２２２に直接接合されている。同様に、下部アルミニウム層２２３が、セラミック基板２２２の下面に直接接合されている。

【0049】

金属材料と、ろう付け層２１６および２１７がないこととを除いて、ＤＢＡ基板２２０の全体的な構造は、図１１のＡＭＢ基板２１４のそれに対応する。しかしながら、下部ろう付け層２１７がないため、追加の金属層によって停止されるエッチングまたは他の除去プロセスによって下部アルミニウム２２３を構造化すると、製造中に下部アルミニウム層２２３が隣接部分２０５ａと２０５ｂとに完全に分割される。上記に詳述したような電界強度の好ましくないスパイクを回避するために、第２の溝２１１を形成するトレンチ２２４の底部におけるセラミック基板２２２の下面の露出部分は、薄い導電層２２５でコーティングされる。たとえば、トレンチ２２４を形成した後、この領域に薄い銅、銀または他の金属膜を塗布することができる。これは、たとえば化学蒸着（ＣＶＤ）またはスパッタリングによる厚膜または薄膜コーティングなど、さまざまな技術を用いて達成することができる。このようにして、第２のメタライゼーション層２０５の隣接部分２０５ａと２０５ｂとの間の直接の電気的接続が再確立されるので、図１３および図１４に関して以下に詳述するように電界分布が改善される。

【0050】

図１３および図１４は、図１２に関して上記で説明したような、第２のメタライゼーション層２０５に溝２１１を有する基板２００における電界強度の電気シミュレーションを示す。図９および図１０に示す状況とは異なり、第２のメタライゼーション層２０５の溝２１１の底部の露出領域は、第２の溝２１１における高い電界強度および部分放電を回避するために薄い導電層２２５でコーティングした。図９および図１０と同様に、図１３では、上部メタライゼーション層２０２は途切れておらず高電位に接続されており、図１４では、第１の溝２０３によって第２の溝２１１の領域で途切れており高電位（左）および低電位（右）にそれぞれ接続されている。

【0051】

図１３および図１４に見られるように、第２の溝２１１の領域において導電層２２５を介した電気的接続があるため、角部２１２ａおよび２１２ｂの近傍では局所的に大きく増大した電界は発生しない。代わりに、絶縁キャリアシート２０１の内部に均一な電界のみが存在する。したがって、角部２１２ａおよび２１２ｂは高い電圧降下を受けない。実際、図１３では、第２の溝２１１における電界強度は比較的低く一定であるため、製造された基板２００およびそれを包含するパワーモジュールの寿命が改善される。図１４に関しては、局所的に大きく増大した電界強度は、電位の異なる金属パターン間の電気的絶縁に必要な第１のメタライゼーション層２０２の溝の端部２１３ａにのみ生じる。

【0052】

図１５は、本開示に係るさらなる実施形態を示す。図１２とは対照的に、図１５に示す実施形態は、基板２００として機能する樹脂シート２２８を示している。記載される実施形態では、第１のメタライゼーション層２０２の異なる部分２０２ａおよび２０２ｂが、たとえば任意の適切な積層造形法によって、基板２００の上面に直接堆積される。同様に、第２のメタライゼーション層２０２の異なる部分２０５ａおよび２０５ｂが、基板２００の下面に直接堆積される。

【0053】

基板２００の全体的な構造は、図１２に示したものに対応する。しかしながら、樹脂シート２２８の下面の露出部分をコーティングする代わりに、第２の溝２１１を形成するトレンチ２２４の底部を導電材料２２９で充填する。たとえば、トレンチ２２４を導電性接着剤または他の導電弾性材料で部分的にまたは完全に充填することができる。このようにして、第２のメタライゼーション層２０５の隣接部分２０５ａと２０５ｂとの間の直接の電気的接続が再確立されるので、図１３および図１４に示したのと同じ電界分布が得られる。

【0054】

図１６は、本開示に係るさらなる実施形態を示す。これは、上部銅層２１８および下部銅層２１９がセラミック基板２２２に直接接合される直接接合銅（ＤＢＣ）基板２２６を示している。

【0055】

図１１、図１２および図１５に示す実施形態と同様に、下部メタライゼーション層２０５に設けられた第２の溝２１１はセラミック基板２２２まで完全には延びていない。記載される例では、下部銅層２１９の第２の溝２１１はエッチングによって形成し、エッチング方法、エッチング時間、エッチング剤、および／またはエッチング液濃度は、得られる溝２２４がセラミック基板２２２まで完全には延びないように選択した。これは、たとえば、異なるプロセスまたはエッチマスクを用いてトレンチ２２４およびＤＢＣ基板２２６のそれぞれの周辺領域２２７をエッチングすることにより達成することができる。これに代えて、選択的レーザ切断などの他の構造化方法を用いて、第２のメタライゼーション層２０５の金属材料を一部のみ除去してもよい。上記のように、得られる構造では、図１３および図１４にそれぞれ示すように電界分布が改善される。

【0056】

上記の例では、薄い導電層２２５を用いたＤＢＡ基板２２０のトレンチ２２４のコーティング、および基板２００のトレンチ２２４の充填、およびＤＢＣ基板の部分エッチングをそれぞれ説明しているが、これは限定することを意図したものではない。特に、図１５に示す基板２００のトレンチ２２４の底部に薄い導電層を提供すること、ＤＢＡ基板２２０またはＤＢＣ基板２２６のトレンチ２２４を部分的にまたは完全に充填することなども可能である。

【0057】

図１７は、ステップＳ１～Ｓ５を用いたパワーモジュール２１０の製造方法を概略的に示す。ステップＳ１～Ｓ５は異なる順序でおよび／または並行して実行されてもよいことに留意すべきである。たとえば、基板２００の裏面が構造化された後に表面が構造化されてもよい。これに代えて、表面および裏面の構造化は並行して、たとえば単一のエッチングステップで実行されてもよい。

【0058】

ステップＳ１において、少なくとも１つの絶縁層と、第１のメタライゼーション層２０２と、第２のメタライゼーション２０５層とを含む基板２００が提供される。第１および第２のメタライゼーション層２０２および２０５は、絶縁層の両側に配置されている。たとえば、上述したように、ＤＢＣ基板２２６、ＤＢＡ基板２２０またはＡＭＢ基板２１４が提供されてもよい。

【0059】

ステップＳ２において、第１のメタライゼーション層２０２は、第１のメタライゼーション層２０２を複数の個々の部分に電気的に分割する複数の第１の溝２０３を形成するように構造化される。たとえば、ＤＢＣ基板２２６またはＤＢＡ基板２２０の場合は、たとえばエッチングによって第１のメタライゼーション層２０３を分割するだけで十分である。ＡＭＢ基板２１４の場合は、たとえば、長いエッチング時間もしくはエッチング液濃度を用いたエッチングにより、または化学的にエッチングしにくいろう付け層２１６を除去するのに適したエッチング剤を用いる別のエッチングステップを実行することにより、上部ろう付け層２１６も分割する必要がある。

【0060】

ステップＳ３において、第２のメタライゼーション層２０５は、第２のメタライゼーション層２０５の取付領域２０６に少なくとも１つの第２の溝２１１を形成するように構造化され、第２の溝２１１は少なくとも部分的に第２のメタライゼーション層２０５の外面から絶縁層に向かって延びる。たとえば、上記に説明したように、トレンチ２２４を、たとえば下部ろう付け層２１７などのエッチストップまでしか延びないように、またはセラミック基板２２２などの絶縁層まで完全に延びるように、エッチングしてもよい。最初の構造化ステップが第２のメタライゼーション層２０５を完全に分割する場合は、少なくともいくつかの実施形態では、トレンチ２２４を導電材料２２５で部分的に充填して、トレンチ２２４の対応する端部間の電気的接続を再確立してもよい。

【0061】

ステップＳ４において、少なくとも１つの半導体ダイ２０４が第１のメタライゼーション層２０２の実装領域に実装される。これは、たとえば、１つまたは複数の半導体ダイ２０４の金属接触領域を第１のメタライゼーション層２０２の対応部分にはんだ付け、焼結、拡散はんだ付け、または接着することにより達成され得る。はんだ付けまたは焼結により、基板２００に加熱負荷および／または機械的負荷がかかる。

【0062】

ステップＳ５において、第２のメタライゼーション層２０５の少なくとも取付領域２０６が、適切なキャリア構造の平坦面に取付けられる。この場合も、これは、はんだ付け、焼結、または導電性接着剤による接合などのその他の適切な方法によって行われてもよい。たとえば、ベースプレート２０８、導電性キャリアプレートおよび／または冷却器の平坦面が、パワーモジュール２１０のキャリア構造として使用されてもよい。この場合も、はんだ付けまたは焼結により、基板２００に加熱負荷および／または機械的負荷がかかる。

【0063】

上記の図１～図１７に示す実施形態は、改善された基板およびパワーモジュールならびにそれらの製造方法の例示的な実施形態を表す。したがって、これらは、改善された装置および方法に係るすべての実施形態の完全なリストを構成するものではない。実際の装置および方法は、たとえば、配置、装置、方法ステップおよび材料の点で、示された実施形態とは異なる場合がある。

【符号の説明】

【0064】

参照符号
１００ 基板
１０１ キャリアシート
１０２ 第１のメタライゼーション層
１０２ａ～ｃ （第１のメタライゼーション層の）部分
１０３，１０３ａ～ｂ （第１の）溝
１０４ａ～ｄ 半導体ダイ
１０５ 第２のメタライゼーション層
１０６ 取付領域
１０７ （取付領域の）中央部
１０８ ベースプレート
１０９ はんだ
１１０ （取付領域の）周辺部
１１１ 隙間
２００ 基板
２０１ キャリアシート
２０２ 第１のメタライゼーション層
２０２ａ～ｃ （第１のメタライゼーション層の）部分
２０３，２０３ａ～ｂ （第１の）溝
２０４，２０４ａ～ｄ 半導体ダイ
２０５ 第２のメタライゼーション層
２０５ａ，２０５ｂ （第２のメタライゼーション層の）部分
２０６ 取付領域
２０７ 実装領域
２０８ ベースプレート
２０９ はんだ
２１０ パワーモジュール
２１１，２１１ａ～ｃ （第２の）溝
２１２ａ，２１２ｂ （第２の溝の）角部
２１３ａ，２１３ｂ （第１の溝の）角部
２１４ ＡＭＢ基板
２１５ （中間）セラミック層
２１６ （上部）ろう付け層
２１７ （下部）ろう付け層
２１８ （上部）銅層
２１９ （下部）銅層
２２０ ＤＢＡ基板
２２１ （上部）アルミニウム層
２２２ セラミック基板
２２３ （下部）アルミニウム層
２２４ トレンチ
２２５ 導電層
２２６ ＤＢＣ基板
２２７ 周辺領域
２２８ 樹脂シート
２２９ 導電材料
Ｓ１～Ｓ５ 方法ステップ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【国際調査報告】