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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-04-10
(54)【発明の名称】自己整合ゲートコンタクトを備えるトランジスタセル
(51)【国際特許分類】
H01L 21/336 20060101AFI20240403BHJP
【ＦＩ】
H01L29/78 301Y
H01L29/78 301G
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023563247
(86)(22)【出願日】2022-03-24
(85)【翻訳文提出日】2023-10-16
(86)【国際出願番号】 US2022071316
(87)【国際公開番号】W WO2022226457
(87)【国際公開日】2022-10-27
(31)【優先権主張番号】17/235,491
(32)【優先日】2021-04-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＷＣＤＭＡ
２．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ
３．ＺＩＧＢＥＥ
(71)【出願人】
【識別番号】507364838
【氏名又は名称】クアルコム，インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100163522
【弁理士】
【氏名又は名称】黒田 晋平
(72)【発明者】
【氏名】ジュンジン・バオ
(72)【発明者】
【氏名】ジョン・ジエンホン・ズ
(72)【発明者】
【氏名】ギリダール・ナラパティ
【テーマコード（参考）】
5F140
【Ｆターム（参考）】
5F140AA00
5F140AA26
5F140BA01
5F140BF04
5F140BF11
5F140BF17
5F140BF58
5F140BF60
5F140BG08
5F140BG11
5F140BH06
5F140BJ07
5F140BJ27
5F140BK17
5F140CC03
5F140CE07
(57)【要約】
トランジスタセルを含む装置、およびトランジスタセルを製作する方法が開示されている。トランジスタセルは、基板と、活性領域と、活性領域内にゲートコンタクトを有するゲートとを含み得る。トランジスタセルは、第１の材料から形成されたゲートコンタクトのスペーサの第１の部分と、第２の材料から形成されたゲートコンタクトのスペーサの第２の部分とをさらに含み得る。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
トランジスタセルを備える装置であって、前記トランジスタセルが、基板と、
活性領域と、
前記活性領域内にゲートコンタクトを有するゲートと、
第１の材料から形成された前記ゲートコンタクトのスペーサの第１の部分と、
第２の材料から形成された前記ゲートコンタクトの前記スペーサの第２の部分と
を備える、装置。
【請求項2】
前記第１の材料が、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、または炭化ケイ素（ＳｉＣ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項3】
前記第２の材料が、シリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）またはシリコンホウ素炭化窒化物（ＳｉＢＣＮ）を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項4】
前記第１の材料の厚さが、前記第２の材料の厚さと実質的に等しい、請求項１に記載の装置。
【請求項5】
前記第１の材料の前記厚さが、５ナノメートル（ｎｍ）から１５ｎｍの範囲である、請求項４に記載の装置。
【請求項6】
前記ゲートコンタクトの前記スペーサの前記第１の部分の高さが、前記ゲートコンタクトの前記スペーサの前記第２の部分の高さよりも低い、請求項１に記載の装置。
【請求項7】
前記ゲートコンタクトの前記スペーサの前記第１の部分の前記高さが、１０ｎｍから２０ｎｍの範囲である、請求項６に記載の装置。
【請求項8】
前記トランジスタセルが、ソースコンタクトを有するソース領域と、
ドレインコンタクトを有するドレイン領域であり、前記ソースコンタクトおよび前記ドレインコンタクトが、前記ゲートコンタクトに隣接し、前記ゲートコンタクトの両側にある、ドレイン領域と、
前記基板上、前記ゲートコンタクトの前記スペーサと前記ソースコンタクトとの間、および前記ゲートコンタクトの前記スペーサと前記ドレインコンタクトとの間に配置された絶縁層と
をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項9】
前記絶縁層が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含み、前記ゲートコンタクト、前記ソースコンタクト、および前記ドレインコンタクトが、コバルト（Ｃｏ）またはタングステン（Ｗ）の少なくとも一方を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項10】
前記ゲートコンタクトの前記スペーサが、前記ゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備え、各側壁が、前記第１の材料から形成された第１の部分と、前記第２の材料から形成された第２の部分とを有する、請求項１に記載の装置。
【請求項11】
前記トランジスタセルが、第２のゲートコンタクトを有する第２のゲートと、
前記第２のゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備える前記第２のゲートコンタクトの第２のスペーサであり、前記第２のスペーサの各側壁が、前記第１の材料から形成された第１の部分と、前記第２の材料から形成された第２の部分とを有する、第２のスペーサと、
第３のゲートコンタクトを有する第３のゲートであり、前記第２のゲートおよび前記第３のゲートが、前記ゲートの両側にある、第３のゲートと、
前記第３のゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備える前記第３のゲートコンタクトの第３のスペーサであり、前記第３のスペーサの各側壁が、前記第１の材料から形成された第１の部分と、前記第２の材料から形成された第２の部分とを有する、第３のスペーサと
をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項12】
前記トランジスタセルが、第２のゲートコンタクトを有する第２のゲートと、
前記第２のゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備える前記第２のゲートコンタクトの第２のスペーサであり、前記第１の側壁が、前記ゲートに面し、前記第１の材料から形成された第１の部分と、前記第２の材料から形成された第２の部分とを有し、前記第２の側壁が、前記第２の材料から形成される、第２のスペーサと、
第３のゲートコンタクトを有する第３のゲートであり、前記第２のゲートおよび前記第３のゲートが、前記ゲートの両側にある、第３のゲートと、
前記第３のゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備える前記第３のゲートコンタクトの第３のスペーサであり、前記第１の側壁が、前記ゲートに面し、前記第１の材料から形成された第１の部分と、前記第２の材料から形成された第２の部分とを有し、前記第２の側壁が、前記第２の材料から形成される、第３のスペーサと
をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項13】
前記装置が、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、および自動車車両の中のデバイスからなるグループの中から選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項14】
トランジスタセルを製造するための方法であって、基板上にゲートを形成するステップと、
前記トランジスタセルの活性領域にゲートコンタクトを形成するステップと、
第１の材料から前記ゲートコンタクトのスペーサの第１の部分を形成するステップと、
第２の材料から前記ゲートコンタクトの前記スペーサの第２の部分を形成するステップと
を含む、方法。
【請求項15】
前記第１の材料が、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、または炭化ケイ素（ＳｉＣ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項16】
前記第２の材料が、シリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）またはシリコンホウ素炭化窒化物（ＳｉＢＣＮ）を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項17】
前記第１の材料の厚さが、前記第２の材料の厚さと実質的に等しい、請求項１４に記載の方法。
【請求項18】
前記第１の材料の前記厚さが、５ナノメートル（ｎｍ）から１５ｎｍの範囲である、請求項１７に記載の方法。
【請求項19】
前記ゲートコンタクトの前記スペーサの前記第１の部分の高さが、前記ゲートコンタクトの前記スペーサの前記第２の部分の高さよりも低い、請求項１４に記載の方法。
【請求項20】
前記ゲートコンタクトの前記スペーサの前記第１の部分の前記高さが、１０ｎｍから２０ｎｍの範囲である、請求項１９に記載の方法。
【請求項21】
ソースコンタクトを有するソース領域を形成するステップと、ドレインコンタクトを有するドレイン領域を形成するステップであり、前記ソースコンタクトおよび前記ドレインコンタクトが、前記ゲートコンタクトに隣接し、前記ゲートコンタクトの両側にある、形成するステップと、
絶縁層を、前記基板上、前記ゲートコンタクトの前記スペーサと前記ソースコンタクトとの間、および前記ゲートコンタクトの前記スペーサと前記ドレインコンタクトとの間に堆積するステップと
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項22】
前記絶縁層が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含み、前記ゲートコンタクト、前記ソースコンタクト、および前記ドレインコンタクトが、コバルト（Ｃｏ）またはタングステン（Ｗ）の少なくとも一方を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項23】
前記ゲートコンタクトの前記スペーサが、前記ゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備え、各側壁が、前記第１の材料から形成された第１の部分と、前記第２の材料から形成された第２の部分とを有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項24】
第２のゲートコンタクトを有する第２のゲートを形成するステップと、前記第２のゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備える前記第２のゲートコンタクトの第２のスペーサを形成するステップであり、前記第２のスペーサの各側壁が、前記第１の材料から形成された第１の部分と、前記第２の材料から形成された第２の部分とを有する、形成するステップと、
第３のゲートコンタクトを有する第３のゲートを形成するステップであり、前記第２のゲートおよび前記第３のゲートが、前記ゲートの両側にある、形成するステップと、
前記第３のゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備える前記第３のゲートコンタクトの第３のスペーサを形成するステップであり、前記第３のスペーサの各側壁が、前記第１の材料から形成された第１の部分と、前記第２の材料から形成された第２の部分とを有する、形成するステップと
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項25】
第２のゲートコンタクトを有する第２のゲートを形成するステップと、前記第２のゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備える前記第２のゲートコンタクトの第２のスペーサを形成するステップであり、前記第１の側壁が、前記ゲートに面し、前記第１の材料から形成された第１の部分と、前記第２の材料から形成された第２の部分とを有し、前記第２の側壁が、前記第２の材料から形成される、形成するステップと、
第３のゲートコンタクトを有する第３のゲートを形成するステップであり、前記第２のゲートおよび前記第３のゲートが、前記ゲートの両側にある、形成するステップと、
前記第３のゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備える前記第３のゲートコンタクトの第３のスペーサを形成するステップであり、前記第１の側壁が、前記ゲートに面し、前記第１の材料から形成された第１の部分と、前記第２の材料から形成された第２の部分とを有し、前記第２の側壁が、前記第２の材料から形成される、形成するステップと
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項26】
前記トランジスタセルが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、および自動車車両の中のデバイスからなるグループの中から選択される装置に含まれる、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の態様は、一般に、集積回路（ＩＣ）パッケージに関し、より詳細には、限定はしないが、自己整合ゲートコンタクト（ＳＡＧＣ）を備えるトランジスタセルを含む、デバイスコンタクトの改善された製造に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体またはシリコン基板上のデバイス（たとえば、トランジスタ、コンデンサ、抵抗器など）の動作は、これらのデバイスおよびその動作領域または活性領域との電気接点および経路によって支えられている。金属酸化膜半導体（ＭＯＳ）トランジスタデバイスは、集積回路の製造に広く使用されている。ＭＯＳトランジスタは、ソースおよびドレイン領域、拡散領域、ゲート電極、ゲート誘電体層などの様々な構成要素を備える。
【0003】
集積回路技術が縮小するにつれて、これらのデバイスの製作中に起こり得る問題は、たとえば、コンタクトからゲートへの短絡など、様々な短絡経路の意図しない形成である（短絡され得る寸法公差がより小さく、より厳しくなるため）。これらの問題に対処するために使用されるいくつかの典型的な解決策は、低減された登録パラメータを選択的に選択すること、またはデバイスの寸法および形状を変更してこれらの短絡経路を緩和することである。ピッチ寸法およびサイズが小さくなるにつれて、これらの寸法をさらに離すように調整する（それによって、縮小された寸法にわたって短絡しにくくなる）ことは、これらの問題を軽減または排除するための設計技法としてますます非実用的になる。
【0004】
具体例として、金属酸化膜半導体（ＭＯＳ）トランジスタデバイスを製造するとき、ゲートコンタクトがソース／ドレイン領域などのエリア内の他の活性領域と電気的に短絡（ショート）しないことを確実にすることが重要な設計目標である。これにより、電気的な誤動作、性能の低下／異常、デバイスの永続的な物理的損傷が発生する可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
したがって、本明細書で提供されるデバイスおよび方法を含む、従来の手法の欠陥および欠点を克服するデバイスおよび方法が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【0006】
以下は、本明細書で開示される装置および方法に関連する１つまたは複数の態様および／または例に関する簡略化された概要を提示する。したがって、以下の概要は、すべての企図される態様および／または例に関する広範な概説と見なされるべきではなく、また、以下の概要は、すべての企図される態様および／もしくは例に関する主要もしくは重要な要素を特定するか、または任意の特定の態様および／もしくは例に関連する範囲を定めると見なされるべきでもない。したがって、以下の概要は、以下に提示される発明を実施するための形態に先立って、本明細書で開示される装置および方法に関する１つもしくは複数の態様および／または例に関する特定の概念を簡略化された形で提示することが唯一の目的である。
【0007】
本明細書で開示される様々な態様によれば、少なくとも１つの態様は、トランジスタセルを含む装置を含む。トランジスタセルは、基板と、活性領域と、活性領域内にゲートコンタクトを有するゲートと、第１の材料から形成されたゲートコンタクトのスペーサの第１の部分と、第２の材料から形成されたゲートコンタクトのスペーサの第２の部分とを含み得る。
【0008】
本明細書で開示される様々な態様によれば、少なくとも１つの態様は、トランジスタセルを製作するための方法を含み、方法は、基板上にゲートを形成するステップと、トランジスタセルの活性領域にゲートコンタクトを形成するステップと、第１の材料からゲートコンタクトのスペーサの第１の部分を形成するステップと、第２の材料からゲートコンタクトのスペーサの第２の部分を形成するステップとを含み得る。
【0009】
本明細書で開示される装置および方法に関連する他の特徴および利点は、添付の図面および発明を実施するための形態に基づいて、当業者に明らかになるであろう。
【0010】
以下の発明を実施するための形態を参照しながら、本開示を限定するためではなく単に例示するために提示される添付の図面とともに検討すれば、本開示の態様およびその付随する利点の多くがよりよく理解されるようになるので、それらに関するより完全な諒解が容易に得られるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本開示の少なくとも１つの態様によるトランジスタセルを示す図である。
【図2】本開示の少なくとも１つの態様によるトランジスタセルを示す部分断面図である。
【図3】本開示の少なくとも１つの態様によるトランジスタセルを示す部分断面図である。
【図6】本開示の少なくとも１つの態様によるトランジスタセルのための方法を示すフローチャートである。
【図7】本開示のいくつかの例によるモバイルデバイスを示す図である。
【図8】前述の態様による、トランジスタセルを含む様々な電子デバイスの図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
慣例に従って、図面に示される特徴は、一定の縮尺で描かれていないことがある。したがって、図示された特徴の寸法は、明快にするために、任意に拡大または縮小されていることがある。慣例に従って、図面のうちのいくつかは、明快にするために簡略化されている。したがって、図面は、特定の装置または方法のすべての構成要素を示すとは限らない。さらに、同様の参照番号は、本明細書および図を通して同様の特徴を示す。
【0013】
特定の態様を対象とする以下の説明および関係する図面において、本開示の態様を例示する。本開示における教示の範囲を逸脱することなく、代替の態様が考案され得る。加えて、本開示の例示的な態様のよく知られている要素は、本開示における教示の関連する詳細を不明瞭にしないように、詳細には説明されないことがあり、または省略されることがある。
【0014】
いくつかの説明する例示的な実装形態において、様々な構成要素構造および動作の一部が、知られている従来の技法から得られ、１つまたは複数の例示的な態様に従って構成される例が識別される。そのような例では、知られている従来の構成要素構造および／または動作の一部の内的詳細を省略して、本明細書で開示する例示的な態様に例示する概念の潜在的な曖昧さを避けるのを助けることがある。
【0015】
本明細書で使用する用語は、特定の態様について説明するためのものにすぎず、限定を意図するものではない。本明細書で使用する単数形「ａ」、「ａｎ」および「ｔｈｅ」は、文脈が別段に明確に示さない限り、複数形も含むものとする。「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」および／または「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という用語は、本明細書で使用されるとき、述べられた特徴、整数、ステップ、動作、要素、および／または構成要素の存在を明示するが、１つまたは複数の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、構成要素、および／またはそれらのグループの存在または追加を排除しないことをさらに理解されたい。
【0016】
図１は、本開示の少なくとも１つの態様によるトランジスタセル１００の部分上面図である。一般に、トランジスタセルは、基板と、活性領域と、活性領域内にコンタクトを有するゲートとを含む。加えて、ゲートコンタクトのスペーサの第１の部分は、第１の材料から形成され、ゲートコンタクトのスペーサの第２の部分は、第２の材料から形成される。これについては、以下でより詳細に説明する。当業者であれば、多くの異なる材料および材料の組合せが実施され得ることを諒解されよう。一態様では、高選択性材料および低誘電率特性を有する材料が使用され得る。加えて、当業者であれば、使用されるスペーサの数もまた、最終的な用途および求められる設計目標に応じて、数が異なり得ることを諒解されよう。
【0017】
図１に示されるように、トランジスタセルの拡散領域１０２は、ポリシリコンまたは他の適切な材料で形成され得るゲート１０４を含む。ゲートは、拡散領域１０２内にゲートコンタクト１０７を含む。ゲート１０４およびゲートコンタクト１０７に隣接して、ソース／ドレインコンタクト１０５および１０６がある。ソースまたはドレインの１０５または１０６の構成は、材料の特定の設計およびドーピングに基づくことが諒解されよう。ソース／ドレインコンタクト１０５を結合するために、接続点１０３が提供され得る。
【0018】
図２は、本開示の少なくとも１つの態様によるトランジスタセル２００の部分断面図である。断面図は、図１に示されるような、Ｘ－Ｘにおける部分についてのものである。トランジスタセル２００は、シリコン（Ｓｉ）、ホウ素もしくはリンでドープされたシリコン、または任意の他の適切な材料から形成され得る基板２０１を含む。ゲート２１０は、この図には特に示されていないトランジスタセル２００の活性領域（たとえば、図１のＸ－Ｘにおける拡散領域１０２）に形成されるゲートコンタクト２１２を含む。ゲートコンタクト２１２のスペーサ２２０の第１の部分２２１は、高選択性材料（ＨＳＭ）から形成することができる。一態様では、ＨＳＭは、たとえば窒化ケイ素（ＳｉＮ）などの材料に対して高選択性である。
【0019】
いくつかの態様では、ＨＳＭは、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、（窒化チタン）ＴｉＮ、および炭化ケイ素（ＳｉＣ）、またはこれらの材料の任意の組合せもしくは混合物であり得る。開示される様々な態様は、これらの材料に限定されず、他の高選択性材料も使用され得ることが諒解されよう。本明細書で使用するとき、材料は、ベースコンタクト（ＣＢ）エッチングに抵抗し、境界ガイドを形成するという点で高選択性である。ベースコンタクトエッチングのこの制約は、高選択性材料によって形成されるチャネルによってアライメントが提供されるので、自己整合ゲートコンタクトも可能にすることが諒解されよう。開示される様々な態様はまた、絶縁障壁を提供し、ベースコンタクトエッチングプロセスおよびベースコンタクト内の金属の堆積を制約することによって、ゲートコンタクトからソース／ベースコンタクトへの短絡の発生、またはゲートコンタクトへの他の短絡経路の危険性を大幅に低減する。
【0020】
ゲート２１０およびゲートコンタクト２１２のスペーサ２２０の第２の部分２２２は、低誘電率材料から形成することができる。いくつかの態様では、低誘電率材料は、化学気相成長法（ＣＶＤ）または原子層堆積法（ＡＬＤ）によって堆積されたシリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）またはシリコンホウ素炭化窒化物（ＳｉＢＣＮ）であり得る。トランジスタセル２００はまた、ソースコンタクト２１６を有するソース領域２０６と、ドレインコンタクト２１８を有するドレイン領域２０８とを含む。ソースコンタクト２１６およびドレインコンタクト２１８は、ゲートコンタクト２１２に隣接し、ゲートコンタクトの両側にある。上記のように、ソースまたはドレインの構成は、材料の特定の設計およびドーピングに基づくことが諒解されよう。したがって、ソース領域２０６およびドレイン領域２０８の参照は、説明の便宜のために提供されるにすぎず、ソースおよびドレイン領域は、エピタキシャル成長プロセス（ｅｐｉ）によって形成され得、様々な設計構成に基づいて、ソースまたはドレインのいずれかとして構成され得ることが諒解されよう。したがって、開示する様々な態様は、提供する具体的な図に限定されない。絶縁層２０２は、スペーサ２２０とソースコンタクト２１６との間、およびスペーサ２２０とドレインコンタクト２１８との間を含む基板２０１上に配置される。いくつかの態様では、絶縁層は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）であってもよい。いくつかの態様では、ゲートコンタクト、ソースコンタクト、およびドレインコンタクトは、コバルト（Ｃｏ）またはタングステン（Ｗ）であり得る。追加のゲート２３０およびゲート２４０は、ゲート２１０の両側にある。ゲートの構造は類似しているが、ゲート２３０および２４０は、この断面部分にゲートコンタクトを有していない。代わりに、ゲート２３０は、ゲート２３０の上に配置されたキャップ２３２を有する。同様に、ゲート２４０は、ゲート２４０の上に配置されたキャップ２４２を有する。いくつかの態様では、ゲートキャップ２３２および２４２はＳｉＮであり得る。さらに、各ゲートのスペーサは、第１の部分ＨＳＭと、低誘電率材料から形成される第２の部分とを有する同様の構造を有することが諒解されよう。代替の構成は以下で説明される。
【0021】
図３は、本開示の少なくとも１つの態様によるトランジスタセル３００の部分断面図である。断面図は、図１に示されるような、Ｘ－Ｘにおける部分についてのものである。トランジスタセル３００は、スペーサ３３５および３４５が、ゲートコンタクト３１２に面するスペーサ３３５および３４５の側壁のそれぞれの部分にのみ適用される高選択性材料（ＨＳＭ）を含むことを除いて、前述の態様と同様である。トランジスタセル３００は、シリコン（Ｓｉ）、ホウ素もしくはリンでドープされたシリコン、または任意の他の適切な材料から形成され得る基板３０１を含む。ゲート３１０は、この図には特に示されていないトランジスタセル３００の活性領域（たとえば、図１のＸ－Ｘにおける拡散領域１０２）に形成されるゲートコンタクト３１２を含む。ゲートコンタクト３１２のスペーサ３２０の第１の部分３２１は、高選択性材料（ＨＳＭ）から形成することができる。いくつかの態様では、ＨＳＭは、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、（窒化チタン）ＴｉＮ、および炭化ケイ素（ＳｉＣ）、またはこれらの材料の任意の組合せもしくは混合物であり得る。開示される様々な態様は、これらの材料に限定されず、他の高選択性材料も使用され得ることが諒解されよう。本明細書で使用するとき、材料は、ベースコンタクト（ＣＢ）エッチングに抵抗し、境界ガイドを形成するという点で高選択性である。ベースコンタクトエッチングのこの制約は、自己整合ゲートコンタクトも可能にすることが諒解されよう。開示される様々な態様は、本明細書で論じられるように、ゲートコンタクトからソース／ベースコンタクトへの短絡の発生、またはゲートコンタクトへの他の短絡経路の危険性を大幅に低減する。
【0022】
ゲート３１０およびゲートコンタクト３１２のスペーサ３２０の第２の部分３２２は、低誘電率材料から形成することができる。いくつかの態様では、低誘電率材料は、シリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）であり得る。トランジスタセル３００はまた、ソースコンタクト３１６を有するソース領域３０６と、ドレインコンタクト３１８を有するドレイン領域３０８とを含む。ソースコンタクト３１６およびドレインコンタクト３１８は、ゲートコンタクト３１２に隣接し、ゲートコンタクトの両側にある。上記のように、ソースまたはドレインの構成は、材料の特定の設計およびドーピングに基づくことが諒解されよう。したがって、ソース領域３０６およびドレイン領域３０８の参照は、単に説明の便宜上のものであることが諒解されよう。ソースおよびドレイン領域は、エピタキシャル成長プロセス（ｅｐｉ）によって形成され得、様々な設計構成に基づいて、ソースまたはドレインのいずれかとして構成され得る。したがって、開示する様々な態様は、提供する具体的な図に限定されない。絶縁層３０２は、スペーサ３２０とソースコンタクト３１６との間、およびスペーサ３２０とドレインコンタクト３１８との間を含む基板３０１上に配置される。いくつかの態様では、絶縁層は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）であってもよい。いくつかの態様では、ゲートコンタクト、ソースコンタクト、およびドレインコンタクトは、コバルト（Ｃｏ）またはタングステン（Ｗ）であり得る。追加のゲート３３０およびゲート３４０は、ゲート３１０の両側にある。ゲートの構造は類似しているが、ゲート３３０および３４０は、この断面部分にゲートコンタクトを有していない。代わりに、ゲート３３０は、ゲート３３０の上に配置されたキャップ３３２を有する。同様に、ゲート３４０は、ゲート３４０の上に配置されたキャップ３４２を有する。いくつかの態様では、ゲートキャップ３３２および３４２はＳｉＮであり得る。
【0023】
図４Ａ～図４Ｈは、本開示の少なくとも１つの態様による、トランジスタセルを製造するためのプロセスの様々な部分を示す。以下のプロセスは、図２のものと同様のトランジスタセル４００を生成することが諒解されよう。既知の様々な従来の処理および各処理段階の詳細は、簡潔さのために、および本明細書に開示される様々な態様に焦点を当てるために提供されない。
【0024】
図４Ａは、リプレースメントメタルゲート（ＲＭＧ）プロセスを含むトランジスタセル４００の形成を示す。プロセス図は、絶縁層４０２（たとえば、ＳｉＯ２）、基板４０１、ならびにエピタキシャル成長プロセスによって形成され得るソース／ドレイン領域４０６、およびエピタキシャル成長プロセスによって形成され得るソース／ドレイン領域４０８を有するトランジスタセル４００から始まる。上述のように、ソース／ドレイン領域４０６または４０８がソースまたはドレインとして構成されるかどうかは、設計上の考慮事項によって決定される。したがって、以下の説明では、「ソース／ドレイン」という用語は、いずれかが形成され得ることを示すために使用される。ゲート４１０は、スペーサ４２０の間に配置されたゲートポリ４１１を含み、この段階では、単に低誘電率材料である。ゲート４１０は、高誘電率材料（たとえば、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）および金属（たとえば、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｗ））の連続堆積によって形成される。
【0025】
残りの図４Ｂ～４Ｈでは、簡潔にするために、およびプロセスのその部分に関して言及される新しい態様に焦点を当てるために、すべての要素にラベルまたはアドレスが付されるとは限らない場合がある。
【0026】
図４Ｂでは、トランジスタセル４００を製作するためのプロセスは、ゲートリセス４１３を形成するゲートリセスプロセスに続く。いくつかの態様では、エッチングプロセスを使用して、上部のゲートポリ４１１（および隣接するゲートポリ）を約１０ｎｍ～２０ｎｍの深さまで部分的に除去することができる。
【0027】
図４Ｃでは、トランジスタセル４００を製作するためのプロセスは、スペーサ４２０の一部分を除去するために、具体的にはスペーサ４２０の低誘電率材料の一部分をエッチング除去するために使用される等方性エッチングプロセスに続く。図示されるように、エッチングにより、スペーサ４２０の低誘電率材料を、ゲートポリ４１１とほぼ同じレベルまで凹ませ、いくつかの態様では、約１０ｎｍ～２０ｎｍの深さまで凹ませる。
【0028】
図４Ｄでは、トランジスタセル４００を製作するためのプロセスは、高選択性材料４１４の堆積に続く。上記のように、いくつかの態様では、高選択性材料４１４は、ＡｌＯｘ、ＡｌＮ、ＴｉＯｘ、ＴｉＮ、ＳｉＣ、またはこれらの材料の組合せであり得る。高選択性材料４１４は、低誘電率スペーサ材料にほぼ等しい厚さ（たとえば、５ｎｍ～１５ｎｍ）と、ゲートキャップ高さの約半分の高さ（たとえば、１０ｎｍ～２０ｎｍ）とを有する。ゲートキャップは、この処理の段階では図示されていない。いくつかの態様では、高選択性材料４１４を堆積するために、コンフォーマル原子層堆積法（ＡＬＤ）が使用され得る。しかしながら、他の堆積技法が使用されてもよく、開示される様々な態様は特定の堆積プロセスに限定されないことが諒解されよう。
【0029】
図４Ｅでは、トランジスタセル４００を製作するためのプロセスは、水平面４２８上の高選択性材料を除去するためのエッチングプロセスに続く。エッチングプロセスは、高選択性材料で形成された第１の部分４２１と、低誘電率材料で形成された第２の部分４２２とを有するスペーサ４２０を残すことが諒解されよう。エッチングは、異方性エッチングとして行うことができる。しかしながら、任意の適切なエッチング技法が使用され得ることが諒解されよう。
【0030】
図４Ｆでは、トランジスタセル４００を製作するためのプロセスは、さらなるゲートリセスプロセスに続く。ゲートは、スペーサ４２０の第１の部分４２１の下に凹んでおり、凹部は、スペーサ４２０の第２の部分４２２内に延びる。いくつかの態様では、この追加の凹部は、キャップ高さの約半分の高さ（たとえば、１０ｎｍ～２０ｎｍ）であり得る。次いで、凹部は、ＳｉＮなどのキャップ材料で充填され、ゲート４１０のためのキャップ４２９、ゲート４３０のためのキャップ４３２、およびゲート４４０のためのキャップ４４２を形成する。ゲートキャップＳｉＮは、化学気相成長法または原子層堆積法と、それに続く化学機械研磨（ＣＭＰ）によって形成される。
【0031】
図４Ｇでは、トランジスタセル４００を製作するためのプロセスは、ソース／ドレインコンタクト４１６およびソース／ドレインコンタクト４１８の形成に続く。絶縁層４０２は、ソース／ドレインコンタクト４１６およびソース／ドレインコンタクト４１８のための開口部を形成するようにパターニングされ、エッチングされる。開口部は、金属（たとえば、Ｃｏ、Ｗなど）などの導電性材料で充填され、その後、ＣＭＰが行われ、次いで、凹部を形成し、凹部を絶縁材料（たとえば、ＳｉＯ２）で充填して、いくつかのエリアにソース／ドレインコンタクト４１６およびソース／ドレインコンタクト４１８が形成され得る。
【0032】
図４Ｈでは、トランジスタセル４００を製作するためのプロセスは、ゲートコンタクト４１２の形成に続く。ゲート４１０内のゲートキャップは、ゲートコンタクト４１２のための凹部を提供するためにエッチングされる。凹部は、金属（たとえば、Ｃｏ、Ｗなど）などの導電性材料で充填され、次いで、ゲートコンタクト４１２およびトランジスタセル４００の上面を平坦化するために、ＣＭＰが実行される。このプロセスの後、トランジスタセル４００は、トランジスタセル２００と実質的に同様であることが諒解されよう。したがって、冗長性を回避するために、前述において以前に導入された様々な同様の要素の再ラベル付けおよび詳細化は提供されない。
【0033】
図５Ａ～図５Ｈは、本開示の少なくとも１つの態様による、トランジスタセルを製造するためのプロセスの様々な部分を示す。以下のプロセスは、図３のものと同様のトランジスタセル５００を生成することが諒解されよう。既知の様々な従来の処理および各処理段階の詳細は、簡潔さのために、および本明細書に開示される様々な態様に焦点を当てるために提供されない。
【0034】
図５Ａは、リプレースメントメタルゲート（ＲＭＧ）プロセスを含むトランジスタセル５００の形成を示す。プロセス図は、絶縁層５０２（たとえば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２））、基板５０１、ならびにエピタキシャル成長プロセスによって形成され得るソース／ドレイン領域５０６、およびエピタキシャル成長プロセスによって形成され得るソース／ドレイン領域５０８から始まる。ソース／ドレインコンタクト５１６（ＣＡ）およびソース／ドレインコンタクト５１８（ＣＡ）は、パターニングされ、金属（たとえば、Ｃｏ、Ｗなど）などの導電性材料で充填され、ＣＭＰプロセスが実行された。ゲート５１０は、スペーサ５２０の間に配置されたゲートポリ５１１を含み、この段階では、単に低誘電率材料である。ゲートキャップ５２９（たとえば、ＳｉＮ）は、ゲートポリ５１１上に配置される。ゲート５３０およびゲート５４０は、ゲート５１０と同様に構成されている。
【0035】
残りの図５Ｂ～５Ｈでは、簡潔にするために、およびプロセスのその部分に関して言及される新しい態様に焦点を当てるために、すべての要素にラベルまたはアドレスが付されるとは限らない場合があることを諒解されよう。
【0036】
図５Ｂでは、トランジスタセル５００を製作するためのプロセスは、ソース／ドレインコンタクト５１６およびソース／ドレインコンタクト５１８の部分的凹部に続く。部分的凹部は、エッチングされる材料に応じて、ドライプラズマエッチングプロセスまたは他の適切なプロセスによって実行することができる。いくつかの態様では、部分的凹部は、１０ｎｍ～２０ｎｍの深さを有してもよい。
【0037】
図５Ｃでは、トランジスタセル５００を製作するためのプロセスは、スペーサ５２０の一部分、ゲート５１０、５３０および５４０の間の絶縁層５０２の一部分、ならびにゲート５３０のスペーサ５３５のゲート５１０に面する隣接する部分およびゲート５４０のスペーサ５４５のゲート５１０に面する隣接する部分を除去するために使用されるエッチングプロセスに続く。エッチングは、等方性プラズマエッチングプロセスによって実行されてもよい。図示されるように、エッチングにより、スペーサ５２０、スペーサ５３５、およびスペーサ５４５の低誘電率材料を凹ませて、ゲートキャップ５２９、５３２、および５４２の部分を露出させる。エッチングにより、エッチング部分を約１０ｎｍ～２０ｎｍの深さに凹ませることができる。
【0038】
図５Ｄでは、トランジスタセル５００を製作するためのプロセスは、高選択性材料５１４の堆積に続く。上記のように、いくつかの態様では、高選択性材料５１４は、ＡｌＯｘ、ＡｌＮ、ＴｉＯｘ、ＴｉＮ、ＳｉＣ、またはこれらの材料の組合せであり得る。高選択性材料５１４は、低誘電率スペーサ材料にほぼ等しい厚さ（たとえば、５ｎｍ～１５ｎｍ）と、ゲートキャップ５２９高さの約半分の高さ（たとえば、１０ｎｍ～２０ｎｍ）とを有する。いくつかの態様では、高選択性材料５１４を堆積するために、コンフォーマル原子層堆積法（ＡＬＤ）が使用され得る。しかしながら、他の堆積技法が使用され得ることが諒解されよう。
【0039】
図５Ｅでは、トランジスタセル５００を製作するためのプロセスは、水平面５２８上の高選択性材料を除去するためのエッチングプロセスに続く。エッチングプロセスは、高選択性材料で形成された第１の部分５２１と、低誘電率材料で形成された第２の部分５２２とを有するスペーサ５２０を残すことが諒解されよう。エッチングは、異方性エッチングとして行うことができる。しかしながら、任意の適切なエッチング技法が使用され得ることが諒解されよう。加えて、スペーサ５３５は、スペーサ５２０に面する側壁に、高選択性材料で形成された第１の部分５３１と、低誘電率材料で形成された第２の部分５３６とを有し、スペーサ５２０の反対側の側壁５３７は高選択性材料で形成された部分を有さないことを諒解されよう。同様に、スペーサ５４５は、スペーサ５２０に面する側壁に、高選択性材料で形成された第１の部分５４１と、低誘電率材料で形成された第２の部分５４６とを有し、スペーサ５２０の反対側の側壁５４７は高選択性材料で形成された部分を有さない。
【0040】
図５Ｆでは、トランジスタセル５００を製作するためのプロセスは、さらなるソース／ドレインコンタクト５１６およびソース／ドレインコンタクト５１８のリセスプロセスに続く。ソース／ドレインコンタクト５１６およびソース／ドレインコンタクト５１８は、目標レベル（たとえば、ゲートキャップの下）まで凹んでいる。一例では、この凹部の深さは、１０～２０ｎｍの範囲とすることができる。ソース／ドレインコンタクト５１６およびソース／ドレインコンタクト５１８のさらなるリセスは、ドライプラズマエッチングプロセスまたは任意の他の適切なプロセスによって実行することができる。さらに、最終的な目標レベルは、異なる設計に対して異なるように決定されてもよく、本明細書に開示される様々な態様は、添付の図面に提供される図示の例に限定されない。
【0041】
図５Ｇでは、トランジスタセル５００を製作するためのプロセスは、ソース／ドレインコンタクト５１６およびソース／ドレインコンタクト５１８が絶縁層５０２の一部を形成する絶縁材料（たとえば、ＳｉＯ２）によって覆われることに続く。絶縁層５０２は、ＳｉＯ２または他の同様の絶縁体／誘電体材料であってもよい。
【0042】
図５Ｈでは、トランジスタセル５００を製作するためのプロセスは、ゲートコンタクト５１２の形成に続く。コンタクト領域内のゲート５１０のゲートキャップは、ゲートコンタクト５１２のための凹部を提供するためにエッチングされる。凹部は、金属（たとえば、Ｃｏ、Ｗなど）などの導電性材料で充填され、次いで、ゲートコンタクト５１２およびトランジスタセル５００の上面を平坦化するために、ＣＭＰが実行される。このプロセスの後、トランジスタセル５００は、トランジスタセル３００と実質的に同様であることが諒解されよう。したがって、冗長性を回避するために、前述において以前に導入された様々な同様の要素の再ラベル付けおよび詳細化は提供されない。
【0043】
上記のことから、本明細書で開示するトランジスタセルを含むデバイスを製作するための様々な方法があることを諒解されよう。様々なプロセスブロックは、全体的な機能として提供され、所与の製作プロセスにおいて使用され得る任意の特定の処理順序に必ずしも提供または限定されない。
【0044】
図６は、本開示の少なくとも１つの態様による、例示的なトランジスタセルを製造または製作するための方法６００を示す。方法は、ブロック６０２で、基板上にゲートを形成するステップを含む。方法は、ブロック６０４で、トランジスタセルの活性領域にゲートコンタクトを形成するステップを含む。方法は、ブロック６０６で、第１の材料からゲートコンタクトのスペーサの第１の部分を形成するステップを含む。方法は、ブロック６０８で、第２の材料からゲートコンタクトのスペーサの第２の部分を形成するステップを含む。
【0045】
上記の開示から、当業者には、本明細書で開示する様々な態様を製作するための追加的なプロセスが明らかになり、上述のプロセスの文字通りの表現は添付の図面に提示されておらずまた図示されていないことが諒解されよう。
【0046】
図７は、本明細書で開示されるようなトランジスタセルを１つまたは複数の構成要素に含み得る、本開示のいくつかの例による例示的なモバイルデバイスを示す。次に図７を参照すると、例示的な態様に従って構成されたモバイルデバイスのブロック図が描かれており、全体がモバイルデバイス７００として示されている。いくつかの態様では、モバイルデバイス７００は、ワイヤレス通信デバイスとして構成されてもよい。図示のように、モバイルデバイス７００は、様々な態様で本明細書で説明する方法を実施するように構成され得るプロセッサ７０１を含む。プロセッサ７０１は、当技術分野でよく知られているように、命令パイプライン７１２と、バッファ処理ユニット（ＢＰＵ）７０８、分岐命令キュー（ＢＩＱ）７１１と、スロットラ７１０とを備えるように示されている。これらのブロックの他のよく知られている詳細（たとえば、カウンタ、エントリ、信頼度フィールド、加重和、比較器など）は、図を明確にするためにプロセッサ７０１のこの図から省略されている。
【0047】
プロセッサ７０１は、リンクを介してメモリ７３２に通信可能に結合されてよく、このリンクは、ダイ間リンクまたはチップ間リンクであってもよい。モバイルデバイス７００はまた、ディスプレイ７２８およびディスプレイコントローラ７２６を含み、ディスプレイコントローラ７２６はプロセッサ７０１およびディスプレイ７２８に結合されている。
【0048】
いくつかの態様では、図７は、プロセッサ７０１に結合されたコーダ／デコーダ（コーデック）７３４（たとえば、オーディオおよび／またはボイスコーデック）、コーデック７３４に結合されたスピーカー７３６およびマイクロフォン７３８、ならびにワイヤレスアンテナ７４２およびプロセッサ７０１に結合された（モデムを含んでよい）ワイヤレスコントローラ７４０を含んでよい。
【0049】
上述のブロックのうちの１つまたは複数が存在する特定の態様では、プロセッサ７０１、ディスプレイコントローラ７２６、メモリ７３２、コーデック７３４、およびワイヤレスコントローラ７４０は、システムインパッケージデバイスまたはシステムオンチップデバイス７２２の中に含まれることが可能である。入力デバイス７３０（たとえば、物理または仮想キーボード）、電源７４４（たとえば、電池）、ディスプレイ７２８、スピーカー７３６、マイクロフォン７３８、およびワイヤレスアンテナ７４２は、システムオンチップデバイス７２２の外部にあってもよく、システムオンチップデバイスの構成要素に結合されてもよい。
【0050】
図７は、モバイルデバイスを示すが、プロセッサ７０１およびメモリ７３２がまた、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、定置データユニット、コンピュータ、ラップトップ、タブレット、通信デバイス、携帯電話、サーバ、アクセスポイント、基地局、または他の類似のデバイスに統合されてもよいことに留意されたい。
【0051】
図８は、本開示のいくつかの例による、上記のトランジスタセルのいずれかと一体化され得る様々な電子デバイスを示す。たとえば、携帯電話デバイス８０２、ラップトップコンピュータデバイス８０４、および定置端末デバイス８０６が、本明細書で説明されるような様々なトランジスタセル（たとえば、１００、２００、３００、および４００）を含む半導体デバイス８００を含み得る。半導体デバイス８００は、たとえば、本明細書で説明される集積回路、ダイ、集積デバイス、集積デバイスパッケージ、集積回路デバイス、パッケージ、集積回路パッケージ、またはパッケージオンパッケージデバイスであり得る。図８に示されるデバイス８０２、８０４、および８０６は例示的なものにすぎない。他の電子デバイスもまた、限定はしないが、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、全地球測位システム（ＧＰＳ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、メータ読取り機器などの定置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、サーバ、ルータ、自動車車両（たとえば、自律走行車両）内に実装された電子デバイス、またはデータもしくはコンピュータ命令を記憶し、もしくは取り出す任意の他のデバイス、あるいはそれらの任意の組合せを含むデバイス（たとえば、電子デバイス）のグループを含む半導体デバイス８００を特徴とする場合がある。
【0052】
上記で開示したデバイスおよび機能は、コンピュータ可読記憶媒体上に記憶されたコンピュータファイル（たとえば、レジスタ転送レベル（ＲＴＬ）、ジオメトリックデータストリーム（ＧＤＳ）ガーバなど）に設計および構成されてもよい。そのようなファイルの一部またはすべてが、そのようなファイルに基づいてデバイスを製作する製作業者に提供されてもよい。結果として得られる製品は、半導体ウエハを含み得、半導体ウエハは、次いで、半導体ダイに切断され、半導体パッケージ、集積デバイス、システムオンチップデバイスなどにパッケージングされ、次いで、本明細書で説明する様々なデバイスにおいて使用され得る。
【0053】
本明細書で開示する様々な態様は、当業者によって説明されおよび／または認識される構造、材料、および／またはデバイスの機能的均等物として説明できることが諒解されよう。たとえば、一態様では、装置は、上記で説明した様々な機能を実行するための手段を備えてもよい。前述の態様が例として提供されるにすぎず、請求される様々な態様が、例として引用される特定の参照および／または図に限定されないことが諒解されよう。
【0054】
図１～図８に示される構成要素、プロセス、特徴、および／または機能のうちの１つもしくは複数は、単一の構成要素、プロセス、特徴、または機能として再配置され、かつ／または組み合わされてもよく、あるいはいくつかの構成要素、プロセス、または機能として組み込まれてもよい。本開示から逸脱することなく、追加の要素、構成要素、プロセス、および／または機能がさらに追加されてもよい。本開示内の図１～図８およびそれに対応する説明は、ダイおよび／またはＩＣに限定されないことにも留意されたい。いくつかの実装形態では、図１～図８および対応する説明は、集積デバイスを製造、作製、提供、および／または生産するために使用されてもよい。いくつかの実装形態では、デバイスは、ダイ、集積デバイス、ダイパッケージ、集積回路（ＩＣ）、デバイスパッケージ、集積回路（ＩＣ）パッケージ、ウエハ、半導体デバイス、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）デバイスなどを含み得る。
【0055】
上記の発明を実施するための形態では、例において様々な特徴が一緒にグループ化されることがわかる。開示のこの方式は、例示的な条項が、各条項の中で明示的に述べられるよりも多くの特徴を有するという意図として、理解されるべきでない。むしろ、本開示の様々な態様は、開示される個々の例示的な条項のすべての特徴よりも少数の特徴を含むことがある。したがって、以下の条項は、説明に組み込まれるものと見なされるべきであり、各条項は、別個の例として単独で有効であり得る。各従属条項は、その条項の中で、他の条項のうちの１つとの特定の組合せに言及し得るが、その従属条項の態様は、その特定の組合せに限定されない。他の例示的な条項も、任意の他の従属条項もしくは独立条項の主題との従属条項の態様の組合せ、または他の従属条項および独立条項との任意の特徴の組合せを含み得ることが理解されるだろう。特定の組合せが意図されないこと（たとえば、絶縁体と導体の両方として要素を規定することなどの、矛盾する態様）が明示的に表現されないかまたは容易に推測され得ない限り、本明細書で開示される様々な態様は、これらの組合せを明確に含む。さらに、条項が独立条項に直接従属しない場合でも、条項の態様が任意の他の独立条項に含まれ得ることも意図される。
【0056】
以下の番号付きの条項において、実装形態の例が説明される。
【0057】
条項１。トランジスタセルを備える装置であって、トランジスタセルが、基板と、活性領域と、活性領域内にゲートコンタクトを有するゲートと、第１の材料から形成されたゲートコンタクトのスペーサの第１の部分と、第２の材料から形成されたゲートコンタクトのスペーサの第２の部分とを備える、装置。
【0058】
条項２。第１の材料が、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、または炭化ケイ素（ＳｉＣ）のうちの少なくとも１つを含む、条項１に記載の装置。
【0059】
条項３。第２の材料が、シリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）またはシリコンホウ素炭化窒化物（ＳｉＢＣＮ）を含む、条項１から２のいずれかに記載の装置。
【0060】
条項４。第１の材料の厚さが、第２の材料の厚さと実質的に等しい、条項１から３のいずれかに記載の装置。
【0061】
条項５。第１の材料の厚さが、５ナノメートル（ｎｍ）から１５ｎｍの範囲である、条項４に記載の装置。
【0062】
条項６。ゲートコンタクトのスペーサの第１の部分の高さが、ゲートコンタクトのスペーサの第２の部分の高さよりも低い、条項１から５のいずれかに記載の装置。
【0063】
条項７。ゲートコンタクトのスペーサの第１の部分の高さが、１０ｎｍから２０ｎｍの範囲である、条項６に記載の装置。
【0064】
条項８。トランジスタセルが、ソースコンタクトを有するソース領域と、ドレインコンタクトを有するドレイン領域であり、ソースコンタクトおよびドレインコンタクトが、ゲートコンタクトに隣接し、ゲートコンタクトの両側にある、ドレイン領域と、基板上、ゲートコンタクトのスペーサとソースコンタクトとの間、およびゲートコンタクトのスペーサとドレインコンタクトとの間に配置された絶縁層とをさらに備える、条項１から７のいずれかに記載の装置。
【0065】
条項９。絶縁層が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含み、ゲートコンタクト、ソースコンタクト、およびドレインコンタクトが、コバルト（Ｃｏ）またはタングステン（Ｗ）の少なくとも一方を含む、条項８に記載の装置。
【0066】
条項１０。ゲートコンタクトのスペーサが、ゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備え、各側壁が、第１の材料から形成された第１の部分と、第２の材料から形成された第２の部分とを有する、条項１から９のいずれかに記載の装置。
【0067】
条項１１。トランジスタセルが、第２のゲートコンタクトを有する第２のゲートと、第２のゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備える第２のゲートコンタクトの第２のスペーサであり、第２のスペーサの各側壁が、第１の材料から形成された第１の部分と、第２の材料から形成された第２の部分とを有する、第２のスペーサと、第３のゲートコンタクトを有する第３のゲートであり、第２のゲートおよび第３のゲートが、ゲートの両側にある、第３のゲートと、第３のゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備える第３のゲートコンタクトの第３のスペーサであり、第３のスペーサの各側壁が、第１の材料から形成された第１の部分と、第２の材料から形成された第２の部分とを有する、第３のスペーサとをさらに備える、条項１から１０のいずれかに記載の装置。
【0068】
条項１２。トランジスタセルが、第２のゲートコンタクトを有する第２のゲートと、第２のゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備える第２のゲートコンタクトの第２のスペーサであり、第１の側壁が、ゲートに面し、第１の材料から形成された第１の部分と、第２の材料から形成された第２の部分とを有し、第２の側壁が、第２の材料から形成される、第２のスペーサと、第３のゲートコンタクトを有する第３のゲートであり、第２のゲートおよび第３のゲートが、ゲートの両側にある、第３のゲートと、第３のゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備える第３のゲートコンタクトの第３のスペーサであり、第１の側壁が、ゲートに面し、第１の材料から形成された第１の部分と、第２の材料から形成された第２の部分とを有し、第２の側壁が、第２の材料から形成される、第３のスペーサとをさらに備える、条項１から１０のいずれかに記載の装置。
【0069】
条項１３。装置が、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、および自動車車両の中のデバイスからなるグループの中から選択される、条項１から１２のいずれかに記載の装置。
【0070】
条項１４。トランジスタセルを製造するための方法であって、基板上にゲートコンタクトを形成するステップと、トランジスタセルの活性領域にゲートコンタクトを形成するステップと、第１の材料からゲートコンタクトのスペーサの第１の部分を形成するステップと、第２の材料からゲートコンタクトのスペーサの第２の部分を形成するステップとを含む方法。
【0071】
条項１５。第１の材料が、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、または炭化ケイ素（ＳｉＣ）のうちの少なくとも１つを含む、条項１４に記載の方法。
【0072】
条項１６。第２の材料が、シリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）またはシリコンホウ素炭化窒化物（ＳｉＢＣＮ）を含む、条項１４から１５のいずれかに記載の方法。
【0073】
条項１７。第１の材料の厚さが、第２の材料の厚さと実質的に等しい、条項１４から１６のいずれかに記載の方法。
【0074】
条項１８。第１の材料の厚さが、５ナノメートル（ｎｍ）から１５ｎｍの範囲である、条項１７に記載の方法。
【0075】
条項１９。ゲートコンタクトのスペーサの第１の部分の高さが、ゲートコンタクトのスペーサの第２の部分の高さよりも低い、条項１４から１８のいずれかに記載の方法。
【0076】
条項２０。ゲートコンタクトのスペーサの第１の部分の高さが、１０ｎｍから２０ｎｍの範囲である、条項１９に記載の方法。
【0077】
条項２１。ソースコンタクトを有するソース領域を形成するステップと、ドレインコンタクトを有するドレイン領域を形成するステップであり、ソースコンタクトおよびドレインコンタクトが、ゲートコンタクトに隣接し、ゲートコンタクトの両側にある、形成するステップと、絶縁層を、基板上、ゲートコンタクトのスペーサとソースコンタクトとの間、およびゲートコンタクトのスペーサとドレインコンタクトとの間に堆積するステップとをさらに含む、条項１４から２０のいずれかに記載の方法。
【0078】
条項２２。絶縁層が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含み、ゲートコンタクト、ソースコンタクト、およびドレインコンタクトが、コバルト（Ｃｏ）またはタングステン（Ｗ）の少なくとも一方を含む、条項２１に記載の方法。
【0079】
条項２３。ゲートコンタクトのスペーサが、ゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備え、各側壁が、第１の材料から形成された第１の部分と、第２の材料から形成された第２の部分とを有する、条項１４から２２のいずれかに記載の方法。
【0080】
条項２４。第２のゲートコンタクトを有する第２のゲートを形成するステップと、第２のゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備える第２のゲートコンタクトの第２のスペーサを形成するステップであり、第２のスペーサの各側壁が、第１の材料から形成された第１の部分と、第２の材料から形成された第２の部分とを有する、形成するステップと、第３のゲートコンタクトを有する第３のゲートを形成するステップであり、第２のゲートおよび第３のゲートが、ゲートの両側にある、形成するステップと、第３のゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備える第３のゲートコンタクトの第３のスペーサを形成するステップであり、第３のスペーサの各側壁が、第１の材料から形成された第１の部分と、第２の材料から形成された第２の部分とを有する、形成するステップとをさらに含む、条項１４から２３のいずれかに記載の方法。
【0081】
条項２５。第２のゲートコンタクトを有する第２のゲートを形成するステップと、第２のゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備える第２のゲートコンタクトの第２のスペーサを形成するステップであり、第１の側壁が、ゲートに面し、第１の材料から形成された第１の部分と、第２の材料から形成された第２の部分とを有し、第２の側壁が、第２の材料から形成される、形成するステップと、第３のゲートコンタクトを有する第３のゲートを形成するステップであり、第２のゲートおよび第３のゲートが、ゲートの両側にある、形成するステップと、第３のゲートの両側に配置された第１の側壁と第２の側壁とを備える第３のゲートコンタクトの第３のスペーサを形成するステップであり、第１の側壁が、ゲートに面し、第１の材料から形成された第１の部分と、第２の材料から形成された第２の部分とを有し、第２の側壁が、第２の材料から形成される、形成するステップとをさらに含む、条項１４から２３のいずれかに記載の方法。
【0082】
条項２６。トランジスタセルが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、および自動車車両の中のデバイスからなるグループの中から選択される装置に含まれる、条項１４から２５のいずれかに記載の方法。
【0083】
上記の発明を実施するための形態では、例において様々な特徴が一緒にグループ化されることがわかる。開示のこの方式は、例示的な条項が、各条項の中で明示的に述べられるよりも多くの特徴を有するという意図として、理解されるべきでない。むしろ、本開示の様々な態様は、開示される個々の例示的な条項のすべての特徴よりも少数の特徴を含むことがある。したがって、以下の条項は、説明に組み込まれるものと見なされるべきであり、各条項は、別個の例として単独で有効であり得る。各従属条項は、その条項の中で、他の条項のうちの１つとの特定の組合せに言及し得るが、その従属条項の態様は、その特定の組合せに限定されない。他の例示的な条項も、任意の他の従属条項もしくは独立条項の主題との従属条項の態様の組合せ、または他の従属条項および独立条項との任意の特徴の組合せを含み得ることが理解されるだろう。特定の組合せが意図されないこと（たとえば、絶縁体と導体の両方として要素を規定することなどの、矛盾する態様）が明示的に表現されないかまたは容易に推測され得ない限り、本明細書で開示される様々な態様は、これらの組合せを明確に含む。さらに、条項が独立条項に直接従属しない場合でも、条項の態様が任意の他の独立条項に含まれ得ることも意図される。
【0084】
本明細書で開示する様々な態様は、当業者によって説明されおよび／または認識される構造、材料、および／またはデバイスの機能的均等物として説明できることが諒解されよう。本説明または特許請求の範囲で開示する方法、システムおよび装置は、この方法のそれぞれのアクションを実行するための手段を含むデバイスによって実行することが可能であることにさらに留意されたい。上述の態様が例として提供されるにすぎず、請求される様々な態様が、例として引用される特定の参照および／または図に限定されないことが諒解されよう。
【0085】
本明細書では、「ユーザ機器」（または「ＵＥ」）、「ユーザデバイス」、「ユーザ端末」、「クライアントデバイス」、「通信デバイス」、「ワイヤレスデバイス」、「ワイヤレス通信デバイス」、「ハンドヘルドデバイス」、「モバイルデバイス」、「モバイル端末」、「移動局」、「ハンドセット」、「アクセス端末」、「加入者デバイス」、「加入者端末」、「加入者局」、「端末」、およびそれらの変形形態の用語は、ワイヤレス通信および／またはナビゲーション信号を受信することができる任意の適切なモバイルデバイスまたは固定デバイスを互換的に指すことがある。これらの用語は、限定はされないが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、自動車車両内の自動車デバイス、および／または通常、人によって携帯され、かつ／もしくは通信機能を有する（たとえば、ワイヤレス、セルラー、赤外線、短距離無線など）他のタイプのポータブル電子デバイスを含む。これらの用語はまた、衛星信号受信、支援データ受信、および／または位置関連処理がそのデバイスにおいて行われるか、または他のデバイスにおいて行われるかにかかわらず、短距離ワイヤレス接続、赤外線接続、有線接続、または他の接続などによってワイヤレス通信および／またはナビゲーション信号を受信することができる別のデバイスと通信するデバイスを含むものとする。さらに、これらの用語は、無線アクセスネットワーク（ＲＡＮ）を介してコアネットワークと通信することができる、ワイヤレスおよび有線通信デバイスを含むすべてのデバイスを含むものとし、コアネットワークを通じて、ＵＥは、インターネットなどの外部ネットワークおよび他のＵＥに接続することができる。当然、有線アクセスネットワーク、ワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）（たとえば、ＩＥＥＥ ８０２．１１などに基づく）などを介した、コアネットワークおよび／またはインターネットに接続する他の機構もＵＥにとって可能である。ＵＥは、限定はされないが、プリント回路（ＰＣ）カード、コンパクトフラッシュ（登録商標）デバイス、外部または内部モデム、ワイヤレスまたは有線電話、スマートフォン、タブレット、追跡デバイス、アセットタグなどを含む、いくつかのタイプのデバイスのいずれかによって具現化され得る。ＵＥが信号をＲＡＮに送信することができる通信リンクは、アップリンクチャネル（たとえば、逆方向トラフィックチャネル、逆方向制御チャネル、アクセスチャネルなど）と呼ばれる。ＲＡＮが信号をＵＥに送信することができる通信リンクは、ダウンリンクチャネルまたは順方向リンクチャネル（たとえば、ページングチャネル、制御チャネル、ブロードキャストチャネル、順方向トラフィックチャネルなど）と呼ばれる。本明細書で使用するトラフィックチャネル（ＴＣＨ）という用語は、アップリンク／逆方向トラフィックチャネルまたはダウンリンク／順方向トラフィックチャネルを指すことができる。
【0086】
電子デバイス間のワイヤレス通信は、符号分割多元接続（ＣＤＭＡ）、Ｗ－ＣＤＭＡ、時分割多元接続（ＴＤＭＡ）、周波数分割多元接続（ＦＤＭＡ）、直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）、Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ （ＧＳＭ）、３ＧＰＰ（登録商標） Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ （ＬＴＥ）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（ＢＴ）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ （ＢＬＥ）、ＩＥＥＥ ８０２．１１（ＷｉＦｉ）、およびＩＥＥＥ ８０２．１５．４ （Ｚｉｇｂｅｅ／Ｔｈｒｅａｄ）または、ワイヤレス通信ネットワークもしくはデータ通信ネットワーク内で使用され得る他のプロトコルなどの、様々な技術に基づき得る。Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ （Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ ＬＥ、ＢＬＥおよびＢｌｕｅｔｏｏｔｈ Ｓｍａｒｔとしても知られる）は、同様の通信距離を維持しながら電力消費量およびコストをかなり低減することを目的とした、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ Ｓｐｅｃｉａｌ Ｉｎｔｅｒｅｓｔ Ｇｒｏｕｐによって設計され販売されているワイヤレスパーソナルエリアネットワーク技術である。ＢＬＥは、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ Ｃｏｒｅ Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｖｅｒｓｉｏｎ ４．０を採用することによって、２０１０年に主なＢｌｕｅｔｏｏｔｈ規格に統合され、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ ５において更新された（いずれもその全体が明示的に本明細書に組み込まれている）。
【0087】
「例示的」という語は、「例、事例、または例示として機能すること」を意味するように本明細書で使用される。「例示的」として本明細書で説明されるいずれの詳細も、他の例よりも有利であると解釈されるべきでない。同様に、「例」という用語は、すべての例が説明される特徴、利点または動作モードを含むことを意味しない。さらに、特定の特徴および／または構造は、１つまたは複数の他の特徴および／または構造と組み合わせられ得る。その上、本明細書において説明される装置の少なくとも一部分は、本明細書において説明される方法の少なくとも一部分を実行するように構成され得る。
【0088】
「接続される」、「結合される」という用語、またはそれらのいかなる変形形態も、要素間の直接的または間接的な任意の接続または結合を意味し、仲介要素を介して互いに「接続」または「結合」される２つの要素間の仲介要素の存在を含むことができることに留意されたい。
【0089】
本明細書における「第１の」、「第２の」などの呼称を使用する要素へのあらゆる言及は、これらの要素の数量および／または順序を限定するものではない。むしろ、これらの呼称は、２つ以上の要素、および／または要素の実例を区別する都合のよい方法として使用されている。また、別段に記載されていない限り、要素のセットは、１つまたは複数の要素を備えることができる。
【0090】
本出願において述べられ、または図示され、または示されるもののいずれも、構成要素、行為、特徴、利益、利点、または均等物が特許請求の範囲に記載されているかどうかにかかわらず、それらの構成要素、行為、特徴、利益、利点、または均等物を公に供することを意図していない。
【0091】
さらに、いくつかの例では、個々のアクションは、複数のサブアクションに再分割されるか、または複数のサブアクションを含むことができる。そのようなサブアクションは、個々のアクションの開示に含まれ、個々のアクションの開示の一部分となることが可能である。
【0092】
上記の開示は本開示の例を示すが、添付の特許請求の範囲によって定義される本開示の範囲から逸脱することなく、本明細書で様々な変形および変更を行うことができることに留意されたい。本明細書において説明される本開示の例による方法クレームの機能および／または行為は、どのような特定の順序で実行される必要もない。加えて、本明細書で開示された態様および例の関連する詳細を不明瞭にしないように、よく知られている要素は詳細には説明されず、または省略されることがある。さらに、本開示の要素は、単数形で説明または特許請求されることがあるが、単数形に限定することが明示的に述べられていない限り、複数形が企図される。
【符号の説明】
【0093】
１００ トランジスタセル
１０２ 拡散領域
１０３ 接続点
１０４ ゲート
１０５ ソースコンタクト
１０６ ドレインコンタクト
１０７ ゲートコンタクト
２００ トランジスタセル
２０１ 基板
２０２ 絶縁層
２０６ ソース領域
２０８ ドレイン領域
２１０ ゲート
２１２ ゲートコンタクト
２１６ ソースコンタクト
２１８ ドレインコンタクト
２２０ スペーサ
２２１ 第１の部分
２２２ 第２の部分
２３０ ゲート
２３２ キャップ
２４０ ゲート
２４２ キャップ
３００ トランジスタセル
３０１ 基板
３０２ 絶縁層
３０６ ソース領域
３０８ ドレイン領域
３１０ ゲート
３１２ ゲートコンタクト
３１６ ソースコンタクト
３１８ ドレインコンタクト
３２０ スペーサ
３２１ 第１の部分
３２２ 第２の部分
３３０ ゲート
３３２ キャップ
３３５ スペーサ
３４０ ゲート
３４２ キャップ
３４５ スペーサ
４００ トランジスタセル
４０１ 基板
４０２ 絶縁層
４０６ ソース／ドレイン領域
４０８ ソース／ドレイン領域
４１０ ゲート
４１１ ゲートポリ
４１２ ゲートコンタクト
４１３ ゲートリセス
４１４ 高選択性材料
４１６ ソース／ドレインコンタクト
４１８ ソース／ドレインコンタクト
４２０ スペーサ
４２１ 第１の部分
４２２ 第２の部分
４２８ 水平面
４２９ キャップ
４３０ ゲート
４３２ キャップ
４４０ ゲート
４４２ キャップ
５００ トランジスタセル
５０１ 基板
５０２ 絶縁層
５０６ ソース／ドレイン領域
５０８ ソース／ドレイン領域
５１０ ゲート
５１１ ゲートポリ
５１２ ゲートコンタクト
５１４ 高選択性材料
５１６ ソース／ドレインコンタクト
５１８ ソース／ドレインコンタクト
５２０ スペーサ
５２１ 第１の部分
５２２ 第２の部分
５２８ 水平面
５２９ ゲートキャップ
５３０ ゲート
５３１ 第１の部分
５３２ ゲートキャップ
５３５ スペーサ
５３６ 第２の部分
５３７ 側壁
５３５ スペーサ
５４０ ゲート
５４１ 第１の部分
５４２ ゲートキャップ
５４５ スペーサ
５４６ 第２の部分
５４７ 側壁
６００ 方法
７００ モバイルデバイス
７０１ プロセッサ
７０８ バッファ処理ユニット（ＢＰＵ）
７１０ スロットラ
７１１ 分岐命令キュー（ＢＩＱ）
７１２ 命令パイプライン
７２２ システムオンチップデバイス
７２６ ディスプレイコントローラ
７２８ ディスプレイ
７３０ 入力デバイス
７３２ メモリ
７３４ コーダ／デコーダ（コーデック）
７３６ スピーカー
７３８ マイクロフォン
７４０ ワイヤレスコントローラ
７４２ ワイヤレスアンテナ
７４４ 電源
８００ 半導体デバイス
８０２ 携帯電話デバイス
８０４ ラップトップコンピュータデバイス
８０６ 定置端末デバイス
１０２ 拡散領域
１０３ 接続点
１０４ ゲート
１０５ ソースコンタクト
１０６ ドレインコンタクト
１０７ ゲートコンタクト
２００ トランジスタセル
２０１ 基板
２０２ 絶縁層
２０６ ソース領域
２０８ ドレイン領域
２１０ ゲート
２１２ ゲートコンタクト
２１６ ソースコンタクト
２１８ ドレインコンタクト
２２０ スペーサ
２２１ 第１の部分
２２２ 第２の部分
２３０ ゲート
２３２ キャップ
２４０ ゲート
２４２ キャップ
３００ トランジスタセル
３０１ 基板
３０２ 絶縁層
３０６ ソース領域
３０８ ドレイン領域
３１０ ゲート
３１２ ゲートコンタクト
３１６ ソースコンタクト
３１８ ドレインコンタクト
３２０ スペーサ
３２１ 第１の部分
３２２ 第２の部分
３３０ ゲート
３３２ キャップ
３３５ スペーサ
３４０ ゲート
３４２ キャップ
３４５ スペーサ
４００ トランジスタセル
４０１ 基板
４０２ 絶縁層
４０６ ソース／ドレイン領域
４０８ ソース／ドレイン領域
４１０ ゲート
４１１ ゲートポリ
４１２ ゲートコンタクト
４１３ ゲートリセス
４１４ 高選択性材料
４１６ ソース／ドレインコンタクト
４１８ ソース／ドレインコンタクト
４２０ スペーサ
４２１ 第１の部分
４２２ 第２の部分
４２８ 水平面
４２９ キャップ
４３０ ゲート
４３２ キャップ
４４０ ゲート
４４２ キャップ
５００ トランジスタセル
５０１ 基板
５０２ 絶縁層
５０６ ソース／ドレイン領域
５０８ ソース／ドレイン領域
５１０ ゲート
５１１ ゲートポリ
５１２ ゲートコンタクト
５１４ 高選択性材料
５１６ ソース／ドレインコンタクト
５１８ ソース／ドレインコンタクト
５２０ スペーサ
５２１ 第１の部分
５２２ 第２の部分
５２８ 水平面
５２９ ゲートキャップ
５３０ ゲート
５３１ 第１の部分
５３２ ゲートキャップ
５３５ スペーサ
５３６ 第２の部分
５３７ 側壁
５３５ スペーサ
５４０ ゲート
５４１ 第１の部分
５４２ ゲートキャップ
５４５ スペーサ
５４６ 第２の部分
５４７ 側壁
６００ 方法
７００ モバイルデバイス
７０１ プロセッサ
７０８ バッファ処理ユニット（ＢＰＵ）
７１０ スロットラ
７１１ 分岐命令キュー（ＢＩＱ）
７１２ 命令パイプライン
７２２ システムオンチップデバイス
７２６ ディスプレイコントローラ
７２８ ディスプレイ
７３０ 入力デバイス
７３２ メモリ
７３４ コーダ／デコーダ（コーデック）
７３６ スピーカー
７３８ マイクロフォン
７４０ ワイヤレスコントローラ
７４２ ワイヤレスアンテナ
７４４ 電源
８００ 半導体デバイス
８０２ 携帯電話デバイス
８０４ ラップトップコンピュータデバイス
８０６ 定置端末デバイス
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】
【図4G】
【図4H】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図5E】
【図5F】
【図5G】
【図5H】
【図6】
【図7】
【図8】
【国際調査報告】