特表 2024-515681 ＳｉＰモジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-04-10

(54)【発明の名称】ＳｉＰモジュール

(51)【国際特許分類】

   H01L 27/146 20060101AFI20240403BHJP

   H04N 23/50 20230101ALI20240403BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20240403BHJP

【ＦＩ】

H01L27/146 D

H04N23/50

H05K3/46 Q

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023564142

(86)(22)【出願日】2022-04-19

(85)【翻訳文提出日】2023-10-19

(86)【国際出願番号】 KR2022005628

(87)【国際公開番号】W WO2022225314

(87)【国際公開日】2022-10-27

(31)【優先権主張番号】10-2021-0051972

(32)【優先日】2021-04-21

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】517099982

【氏名又は名称】エルジー イノテック カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100099759

【弁理士】

【氏名又は名称】青木 篤

(74)【代理人】

【識別番号】100123582

【弁理士】

【氏名又は名称】三橋 真二

(74)【代理人】

【識別番号】100165191

【弁理士】

【氏名又は名称】河合 章

(74)【代理人】

【識別番号】100114018

【弁理士】

【氏名又は名称】南山 知広

(74)【代理人】

【識別番号】100159259

【弁理士】

【氏名又は名称】竹本 実

(72)【発明者】

【氏名】チェ ピョン ヒョン

【テーマコード（参考）】

4M118

5C122

5E316

【Ｆターム（参考）】

4M118AA10

4M118AB01

4M118BA10

4M118BA14

4M118BA15

4M118CA01

4M118HA25

4M118HA30

4M118HA31

4M118HA36

5C122DA14

5C122EA54

5C122FC01

5C122FC02

5C122GE18

5E316AA43

5E316HH40

5E316JJ02

5E316JJ12

5E316JJ13

(57)【要約】

本実施例に係るＳｉＰモジュールは、基板と、前記基板の一面に配置されるイメージセンサーと、前記基板の内部にエンベデッドされるシリアライザを含み、前記基板は、前記イメージセンサーと前記シリアライザを電気的に連結するために前記基板を貫通するビアホールを含む。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板の一面に配置されるイメージセンサーと、
前記基板の内部にエンベデッドされるシリアライザと、を含み、
前記基板は、前記イメージセンサーと前記シリアライザを電気的に連結するために前記基板を貫通するビアホールを含む、ことを特徴とするＳｉＰモジュール。

【請求項2】

前記基板の内部にエンベデッドされる抵抗を含むことを特徴とする、請求項１に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項3】

前記基板の他面に配置される放熱パッドを含み、
前記シリアライザは、前記放熱パッドと光軸方向にオーバーラップされるように配置されることを特徴とする、請求項１に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項4】

前記基板は、前記イメージセンサーが配置される第１層、前記シリアライザがエンベデッドされる第２層、および前記放熱パッドが配置される第３層を含み、
前記第２層は、前記第１層と前記第３層との間に配置されることを特徴とする、請求項３に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項5】

前記第２層の一面および他面に接着部材が塗布されることを特徴とする、請求項４に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項6】

前記シリアライザは、ＬＶＤＳ（Ｌｏｗ ｖｏｌｔａｇｅ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌｓｉｇｎａｌｉｎｇ）、Ｖ Ｂｙ Ｏｎｅ ＨＳ、ＨＤ Ｂａｓｅ Ｔ、ＭＩＰＩ Ａ－ＰＨＹチップセットのうちいずれか一つであることを特徴とする、請求項１～５のいずれか１項に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項7】

前記イメージセンサーは、
複数の種類のイメージセンサーのうち一つのイメージセンサーであり、前記基板の一面に一つのピンマップで構成される連結端子に対応する位置にピンが形成されることを特徴とする、請求項１～５のいずれか１項に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項8】

第１基板と、
前記第１基板の一面に配置されるイメージセンサーと、
前記第１基板の内部にエンベデッドされるシリアライザと、
前記第１基板が一面に配置される第２基板と、を含み、
前記第１基板は、前記イメージセンサーと前記シリアライザを電気的に連結するために前記第１基板を貫通するビアホールを含む、ことを特徴とするカメラモジュール。

【請求項9】

前記第２基板の他面には、電源ブロックおよびコネクターが配置されることを特徴とする、請求項８に記載のカメラモジュール。

【請求項10】

前記イメージセンサーは、
複数の種類のイメージセンサーのうち一つのイメージセンサーであり、前記基板の一面に一つのピンマップで構成される連結端子に対応する位置にピンが形成されることを特徴とする、請求項８または９に記載のカメラモジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ＳｉＰモジュールに関し、より具体的にはＳｉＰモジュール基板にシリアライザがエンベデッドされる技術に関する。

【背景技術】

【0002】

ＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｄｒｉｖｅｒ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ Ｓｙｓｔｅｍ、先端運転者支援システム）は、車両向けアプリケーション中、最も急成長を遂げている分野の一つである。様々な機能により、運転者への警告、車両外部に対するより良好な視認性の確保以外に、駐車支援や適応型クルーズ制御なども支援している。これらの機能は、レーダー、カメラ、光による距離測定および超音波などを基盤にした様々な計測システムによって実現されている。

【0003】

カメラを利用したＡＤＡＳ機能の実現は、カメラから取得した映像を処理することで実現できる。これに伴って、カメラモジュールの小型化が要求されている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明が解決しようとする技術的課題は、従来分離されていたイメージセンサーとシリアライザ（Ｓｅｒｉａｌｉｚｅｒ）をモジュール化して、インタフェースを簡素化できるＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ Ｐａｃkａｇｅ）モジュールを提供することである。

【0005】

本発明の課題は、以上で言及した課題に制限されず、言及されなかったさらに別の課題は、以下の記載から当業者に明確に理解されるであろう。

【課題を解決するための手段】

【0006】

前記技術的課題を解決するために、本実施例に係るＳｉＰモジュールは、基板と、前記基板の一面に配置されるイメージセンサーと、前記基板の内部にエンベデッドされるシリアライザを含み、前記基板は、前記イメージセンサーと前記シリアライザを電気的に連結するために前記基板を貫通するビアホールを含むことができる。

【0007】

前記基板の内部にエンベデッドされる抵抗を含むことができる。

【0008】

前記基板の他面に配置される放熱パッドを含み、前記シリアライザは、前記放熱パッドと光軸方向にオーバーラップされるように配置されてもよい。

【0009】

前記基板は、前記イメージセンサーが配置される第１層、前記シリアライザがエンベデッドされる第２層、および前記放熱パッドが配置される第３層を含み、前記第２層は、前記第１層と前記第３層との間に配置されてもよい。

【0010】

前記第２層の一面および他面に接着部材が塗布されてもよい。

【0011】

前記シリアライザは、ＬＶＤＳ（Ｌｏｗ ｖｏｌｔａｇｅ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌｓｉｇｎａｌｉｎｇ）、Ｖ Ｂｙ Ｏｎｅ ＨＳ、ＨＤ Ｂａｓｅ Ｔ、ＭＩＰＩ Ａ－ＰＨＹチップセットのうちいずれか一つであってもよい。

【0012】

前記イメージセンサーは、複数の種類のイメージセンサー中一つのイメージセンサーであり、前記基板の一面に一つのピンマップで構成される連結端子に対応する位置にピンが形成されてもよい。

【0013】

本実施例に係るカメラモジュールは、第１基板と、前記第１基板の一面に配置されるイメージセンサーと、前記第１基板の内部にエンベデッドされるシリアライザと、前記第１基板が一面に配置される第２基板を含み、前記第１基板は、前記イメージセンサーと前記シリアライザを電気的に連結するために前記第１基板を貫通するビアホールを含むことができる。

【0014】

前記第２基板の他面には、電源ブロックおよびコネクターが配置されてもよい。

【発明の効果】

【0015】

本実施例によれば、シリアライザを基板にエンベデッドして、カメラ内部構造を従来に比べて小型化設計することができ、基板仕様の緩和およびフレキシブル基板の除去を通じて、価格競争力を確保することができる。

【0016】

また、イメージセンサーとシリアライザをＳｉＰモジュール化することで、最終カメラ組み立て工程で別途のイメージセンサー補強工程が必要ないため、全体的な組み立て工程を簡素化することができる。

【0017】

また、イメージセンサーの種類が異なっても、同じピンマップで構成されたＳｉＰモジュール基板に連結することができ、ＳｉＰモジュールをプラットフォーム化することができる。

【0018】

本発明による効果は、以上で例示した内容によって制限されるものではなく、より多様な効果が本明細書内に含まれている。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】従来の車両用カメラの内部基板を図示したものである。

【図2】本実施例に係るカメラ内部インタフェースのブロック図である。

【図3】本実施例に係るＳｉＰモジュールを図示したものである。

【図4】本実施例に係るＳｉＰモジュールを図示したものである。

【図5】本実施例に係るＳｉＰモジュールを図示したものである。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下、添付された図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。

【0021】

但し、本発明の技術思想は、説明される一部の実施例に限定されるものではなく、互いに異なる様々な形態で実施することができ、本発明の技術思想の範囲内であれば、実施例間でその構成要素のうち一つ以上を選択的に結合または置換して使用ことができる。

【0022】

また、本実施例で使用される用語（技術および科学的用語を含む）は、明らかに特別に定義されて記述されない限り、本実施例が属する技術分野において通常の知識を有する者に一般的に理解できる意味と解釈することができ、予め定義された用語のように一般的に使用される用語は、関連技術の文脈上の意味を考慮して、その意味を解釈することができるだろう。

【0023】

また、本実施例で使用される用語は、実施例を説明するためのものであり、本発明を限定しようとするものではない。

【0024】

本明細書において、単数形は文言で特に言及しない限り複数形も含むことができ、「Ａおよび（と） Ｂ、Ｃのうち少なくとも一つ（または一個以上）」と記載される場合、Ａ、Ｂ、Ｃで組み合わせられるすべての組み合わせのうち一つ以上を含むことができる。

【0025】

また、本実施例の構成要素を説明するにあたり、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）等の用語を用いることができる。これらの用語は、その構成要素を別の構成要素と区別するためのものであって、その用語によって該当構成要素の本質や順番または順序などに限定されない。

【0026】

尚、ある構成要素が別の構成要素に「連結」、「結合」、または「接続」されると記載された場合、その構成要素はその別構成要素に直接的に「連結」、「結合」、または「接続」される場合だけでなく、その構成要素とその別の構成要素との間にあるさらに別の構成要素によって「連結」、「結合」、または「接続」される場合も含むことができる。

【0027】

また、各構成要素の「上（の上）」または「下（の下）」に形成または配置されるものと記載される場合、「上（の上）」または「下（の下）」は、二つの構成要素が互いに直接接触する場合だけでなく、一つ以上のさらに別の構成要素が二つの構成要素の間に形成または配置される場合も含む。また、「上（の上）」または「下（の下）」で表現される場合、一つの構成要素を基準に上側方向だけでなく下側方向の意味も含むことができる。

【0028】

一般的に車両用カメラ構造では、カメラが取り付けられる位置とホストとの間の物理的距離が大きいため、映像信号高速伝送のためのシリアライザを含む。以下では、図１を参照して、従来のカメラモジュールの内部基板構造を説明する。

【0029】

上部基板１の上面にはイメージセンサー４が配置され、下面には電源ブロック５が配置され、下部基板２の上面にはシリアライザ６が配置され、下面にはコネクター７が連結されてもよい。それ例外に、上部基板１と下部基板２には、前記部品以外に追加的な電子部品が配置されてもよい。これは例示的なものであり、特にこれに限定されない。

【0030】

上部基板１と下部基板２は、フレキシブル（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板３に連結されてもよい。イメージセンサー４とシリアライザ６は、信号連結が多く、イメージセンサー４で受信した映像信号をシリアライザ６に高速伝送をしなければならないため、異なる基板に配置されたイメージセンサー４とシリアライザ６は、フレキシブル基板３を介して電気的に連結される。

【0031】

このようなカメラモジュールの内部構造では、イメージセンサーの高画素化に伴い、連結パッド数増加および高仕様ＰＣＢが要求され、カメラの小型化による信頼性補強のために追加接着などの工程が増加する問題がある。

【0032】

以下では、図２～図５を参照して、本実施例に係るＳｉＰモジュールについて説明する。図２は、本実施例に係るカメラ内部インタフェースのブロック図を示す図である。図３～図５は、本実施例に係るＳｉＰモジュールを示す図である。

【0033】

本実施例に係るＳｉＰモジュール基板は、基板１２０およびシリアライザ１３０を含むことができ、本実施例に係るＳｉＰモジュールは、イメージセンサー１１０、基板１２０、およびシリアライザ１３０を含むことができる。

【0034】

基板１２０は、プリント回路基板（ＰＣＢ，Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）であってもよい。基板１２０は、単一の層で形成されてもよい。基板１２０は、複数の層で形成されてもよい。

【0035】

基板１２０の内部には、エンベデッド（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ）されるシリアライザ１３０を含むことができる。従来は、表面実装技術（ＳＭＴ，Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）によって基板表面の上に電子部品を接合させたのとは異なり、本発明で用いられる「エンベデッド（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ）技術」は、基板の内部に電子部品を挿入させる技術を意味する。

【0036】

シリアライザ１３０が基板１２０の内部にエンベデッドされる場合、基板１２０の大きさを縮小することができ、基板１２０の内部に実装される他の能動素子、受動素子間の接続の長さが短くなり、インダタタンス成分の減少による電気的性能を向上させることができ、実装のためのはんだ付け数の減少による基板の実装信頼性を向上させることができる。

【0037】

具体的に、シリアライザ１３０は、基板１２０の内部にエンベデッドされてイメージセンサー１１０と電気的に連結されてもよい。イメージセンサー１１０とシリアライザ１３０を電気的に連結するために、図示していないが、基板１２０にはビアホールを（図示せず）が形成されてもよい。図３を参照すると、シリアライザ１３０は、単一の層で形成された基板１２０の内部にエンベデッドされるように配置されてもよい。

【0038】

図４を参照すると、基板１２０が複数の層で形成される場合、シリアライザ１３０は、複数の層の間に配置されてもよい。基板１２０は、第１～第３層１２１、１２２、１２３を含むことができ、層の数は、実装される部品の数などによって増減されることは当然であり、特にこれに限定されない。基板１２０のトップ（ＴＯＰ）層である第１層１２１の上面にはイメージセンサー１１０が配置されてもよい。基板１２０のボトム（ＢＯＴ）層である第３層１２２の下面には放熱パッド１５０が配置されてもよい。シリアライザ１３０は、第１層１２１と第３層１２２との間に位置した第２層１２３に配置されてもよい。第１層１２１の上面または第３層１２２の下面には、図示していないが、複数の電子素子が配置されてもよい。

【0039】

基板１２０の複数の層のうち、シリアライザ１３０が配置される層は、一面に接着部材が塗布されてもよい。接着部材は、エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）であってもよい。これは、シリアライザ１３０がエンベデッドされる基板１２０の層に空気をゼロ化して、熱膨張が発生しないようにするためである。基板１２０の複数の層のうち、シリアライザ１３０が配置される層は、モールディング化してシリアライザ１３０がエンベデッドされてもよい。

【0040】

シリアライザ（Ｓｅｒｉａｌｉｚｅｒ）は、直列転換器とも言い、多様な並列信号を直列信号に変換する構成である。具体的に、シリアライザは、多数のピンから並列データの入力を受けて直列データに変換して、少ない数のピンを通じて出力することで、一つのピンが複数の役割をするようにして、全体的なピンの数を減少させることができる。

【0041】

シリアライザ１３０は、ＬＶＤＳ（Ｌｏｗ ｖｏｌｔａｇｅ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｓｉｇｎａｌｉｎｇ）、Ｖ Ｂｙ Ｏｎｅ ＨＳ、ＨＤ Ｂａｓｅ Ｔ、ＭＩＰＩ Ａ－ＰＨＹチップセットのうちいずれか一つであってもよい。シリアライザ１３０は、多様な通信インタフェースのうちいずれかであってもよい。シリアライザ１３０は、チップ形態であってもよい。シリアライザ１３０は素子形態であってもよい。シリアライザ１３０は、電子部品形態であってもよい。

【0042】

ＭＩＰＩ（Ｍｏｂｉｌｅ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）は、モバイルおよび物のインターネツト機器で再使用および互換性を強化するために、インテル、ＡＲＭ、ノキア、サムスン、ＳＴ、ＴＩなどが集まって設立したＭＩＰＩ ＡｌｌｉａｎｃｅでＡＰ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）をはじめとするプロセッサと周辺機器に対するインタフェース仕様を定めたものである。ＭＩＰＩで定めた規格は、ＭＩＰＩ Ｄ－ＰＨＹ、ＭＩＰＩ Ｍ－ＰＨＹ、ＭＩＰＩ Ｃ－ＰＨＹなどがある。特に、ＭＩＰＩ Ａ－ＰＨＹは、カメラとディスプレイ、関連ドメインＥＣＵ（電子制御装置）間でデータを高速で伝送する場合利用されることができる。ＭＩＰＩ Ａ－ＰＨＹは、エラー率が少なく高い安定性を有し、自動車環境でも超高度レベルの耐性を有し、高い回復力を有し、長距離通信範囲で利用することができ、データ速度を向上させることができる。

【0043】

図２を参照すると、イメージセンサー１１０であるＲＧＢ－ＩＲ Ｓｅｎｓｏｒとシリアライザ１３０の一種であるＭＩＰＩ Ａ－ＰＨＹは、多数のピンを介して通信する。従来は、イメージセンサーとシリアライザが別の基板に配置されており、それぞれの基板を連結するプルレシブル基板を要したが、本実施例に係るＳｉＰモジュールは、基板の上面にイメージセンサーを配置し、基板の内部にシリアライザをエンベデッドし、イメージセンサーとシリアライザを電気的に連結してモジュール化した。

【0044】

基板１２０の内部には、エンベデッドされる抵抗１４０を含むことができる。

【0045】

具体的に、抵抗１４０は、基板１２０の内部に配置される電子部品と連結されてもよい。基板１２０の内部または表面に実装される電子部品は、基板１２０の内部にエンベデッドされる抵抗１４０と連結され、基板１２０の内部でターミネーション（Ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ）することができる。これにより、電子部品を外部にワイヤー連結する必要なく、基板１２０の内部を簡素化することができる。

【0046】

抵抗１４０は、基板１２０の内部にエンベデッドされるシリアライザ１３０と隣接する位置に配置されてもよい。抵抗１４０は複数の抵抗を含むことができる。基板１２０が複数の層で形成される場合、抵抗１４０は、シリアライザ１３０がエンベデッドされる層にエンベデッドされてもよい。または、抵抗１４０は、シリアライザ１３０がエンベデッドされない層にエンベデッドされてもよい。

【0047】

基板１２０の上面にはイメージセンサー１１０が配置されてもよい。

【0048】

具体的に、イメージセンサー１１０は、基板１２０に電気的に連結されてもよい。イメージセンサー１１０は、基板１２０にエンベデッドされたシリアライザ１３０と電気的に連結されてもよい。イメージセンサーは基板１２０に表面実装技術によって結合することができる。イメージセンサーは、基板１２０にフリップチップ（ｆｌｉｐ ｃｈｉｐ）技術によって結合することができる。

【0049】

イメージセンサー１１０は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ、電子結合素子）、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、相補型金属酸化物半導体）、ＣＰＤおよびＣＩＤのうちいずれかであってもよい。イメージセンサー１１０の単位ピクセルの横および／または縦の長さは、２ｕｍ（マイクロメートル）以下であってもよい。特にこれに限定されず、画素数が高くなるにつれ、イメージセンサー１１０の全体の大きさは増加することができる。これにより、画素および／または画素数が高いカメラモジュールに適用することができる。

【0050】

図３を参照すると、イメージセンサー１１０は、基板１２０にフリップチップ技術によって結合することができる。フリップチップ技術は、素子実装技術の一つであるワイヤレスボンディングの一方式で、チップを基板に取り付ける際、金属リード（ワイヤー）のような追加の連結構造やボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）のような中間媒体を使用せず、チップの下面の電極となる鉛バンプ（ｂｕｍｐ）を利用してそのまま融着させる技術である。この技術は、パッケージがチップの大きさと同じで、小型、軽量化に有利であり、烈的安定性に優れ、電流印加か率が高く、反応速度も高くすることができ、電極間の距離をはるかに細かくすることができる効果がある。

【0051】

イメージセンサー１１０の下面にバンプ１６０が形成され、これを融着させて基板１２０に結合させることができる。バンプ１６０は、基板１２０に圧着ボンディングまたは熱圧着ボンディングすることができる。イメージセンサー１１０のバンプ１６０を基板１２０の上面に融着させて結合させた後、さらにイメージセンサー１１０と基板１２０の上面との間に接着部材１７０を塗布してもよい。イメージセンサー１１０と基板１２０の上面との間にアンダーフィル（Ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ）を塗布することができる。イメージセンサー１１０のバンプ１６０によってイメージセンサー１１０と基板１２０との間に形成された一定の空間を埋めることができ、イメージセンサー１１０の実装信頼性強化することができる。

【0052】

基板１２０は、基板１２０を貫通する少なくとも一つのビアホールを含むことができる。シリアライザ１３０は、ビアホールを介して基板１２０に配置されるイメージセンサー１１０と電気的に連結されてもよい。抵抗１４０および電子部品は、ビアホールを介して電気的に連結されてもよい。

【0053】

イメージセンサー１１０は、複数の種類のイメージセンサーのうち一つのイメージセンサーであり得る。例えば、イメージセンサー１１０は、画素数などによって種類およびサイズが異なることがある。一般的に、イメージセンサーの面積が大きいほど、より鮮明な解像度のイメージを得ることができる。

【0054】

基板１２０の一面に一つのピンマップで構成される連結端子に対応する位置にピンが形成されてもよい。一つのピンマップで構成される連結端子に互いに異なるイメージセンサーを入れ替えて結合することができて、イメージセンサーの種類ごとにＳｉＰモジュール基板を別途製作する必要がない。イメージセンサーの画素別ＳｉＰモジュールは同一サイズ、同一ピンマップで構成して、カメラモジュールの基板をプラットフォーム化することができる。

【0055】

基板１２０の他面には放熱パッド１５０が配置されてもよい。

【0056】

具体的に、放熱パッド１５０は、熱伝導テープ（Ｔｈｅｒｍａｌ ｐａｄ）であってもよい。放熱パッド１５０は、熱伝導率が高く、カメラ内部で発生する熱を低下させることができる。放熱パッド１５０は、テープ形態であってもよい。放熱パッド１５０は、両面テープ形態であってもよい。

【0057】

シリアライザ１３０は、放熱パッド１５０と光軸方向にオーバーラップされるように配置されてもよい。シリアライザ１３０は、放熱パッド１５０と光軸に垂直な方向にオーバーラップされるように配置されてもよい。これにより、シリアライザ１３０から放出される熱をより効果的に排出させることができる。

【0058】

次に、図５を参照して、本実施例に係るＳｉＰモジュールが含まれたカメラモジュールについて説明する。本実施例に係るＳｉＰモジュールは、イメージセンサー１１０、第１基板１２０、シリアライザ１３０を含み、本実施例に係るカメラモジュールは、イメージセンサー１１０、第１基板１２０、シリアライザ１３０、第２基板２１０を含むことができる。本発明のカメラモジュールに対する詳細な説明は、図２～図３を参照した各構成の詳細な説明に対応するため、重複する説明は省略する。

【0059】

第２基板２１０の一面は、ＳｉＰモジュールの第１基板１２０に配置することができ、第２基板２１０の他面には、電源ブロック２３０およびコネクター２２０が配置されてもよい。第１基板１２０の下面に配置される放熱パッド１５０によって、第１基板１２０は第２基板２１０の上面に結合することができる。これは例示的なものであり、特にこれに限定されない。

【0060】

電源ブロック２３０は、第２基板２１０に結合することができる。電源ブロック２３０は、コンバータであってもよい。電源ブロック２３０は、外部デバイス（図示せず）から受けた電源のレベルを基板で必要な電源のレベルに変換させ、変換されたレベルを有する電源を各電子部品に出力することができる。例えば、電源ブロック２３０は、直流－直流変換器（図示せず）または低電圧ドロップアウト（ＬＤＯ：Ｌｏｗ ｖｏｌｔａｇｅ Ｄｒｏｐ Ｏｕｔ）レギュレータ（図示せず）のうち少なくとも一つを含むことができる。

【0061】

コネクター２２０は、第２基板２１０に結合することができる。コネクター２２０は、第２基板２１０と電気的に連結されてもよい。コネクター２２０は、外部電源をカメラ装置内に供給することができる。コネクター２２０は、外部装置と電気的に連結されるためのポート（ｐｏｒｔ）を含むことができる。コネクター２２０の断面は、円形状で形成されてもよい。これとは異なり、コネクター２２０の断面は、楕円または四角形状などに多様に変更することができる。

【0062】

本実施例によると、シリアライザを基板にエンベデッドして、カメラの内部構造を従来対比小型化設計することができ、基板仕様の緩和およびフレキシブル基板除去によって、価格競争力を確保することができる。また、イメージセンサーとシリアライザをＳｉＰモジュール化することによって、最終カメラ組み立て工程で別途のイメージセンサー補強工程が必要ないため、全体的な組み立て工程を簡素化することができる。また、イメージセンサーの種類が変わっても同じピンマップで構成されたＳｉＰモジュール基板に連結することできて、ＳｉＰモジュールをプラットフォーム化することができる。

【0063】

以上、添付された図面を参照して本発明の実施例を説明したが、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須的な特徴を変更することなく、他の具体的な形態で実施できることが理解できるであろう。したがって、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり、限定的ではないものと理解されるべきである。

【符号の説明】

【0064】

１１０：イメージセンサー
１２０：基板
１３０：シリアライザ
１４０：抵抗
１５０：放熱パッド
１６０：はんだボル
１７０：接着部材
２１０：カメラモジュール基板
２２０：コネクター
２３０：電源ブロック

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【手続補正書】

【提出日】2023-10-24

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板の一面に配置されるイメージセンサーと、
前記基板の内部にエンベデッドされるシリアライザと、を含み、
前記基板は、前記イメージセンサーと前記シリアライザを電気的に連結するために前記基板を貫通するビアホールを含み、
前記シリアライザは、前記イメージセンサーと光軸方向にオーバーラップされるように配置される、ことを特徴とするＳｉＰモジュール。

【請求項2】

前記基板の内部にエンベデッドされる抵抗を含むことを特徴とする、請求項１に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項3】

前記基板の他面に配置される放熱パッドを含み、
前記シリアライザは、前記放熱パッドと前記光軸方向にオーバーラップされるように配置されることを特徴とする、請求項１に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項4】

前記基板は、前記イメージセンサーが配置される第１層、前記シリアライザがエンベデッドされる第２層、および前記放熱パッドが配置される第３層を含み、
前記第２層は、前記第１層と前記第３層との間に配置されることを特徴とする、請求項３に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項5】

前記第２層の一面および他面に接着部材が塗布されることを特徴とする、請求項４に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項6】

前記シリアライザは、ＬＶＤＳ（Ｌｏｗ ｖｏｌｔａｇｅ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌｓｉｇｎａｌｉｎｇ）、Ｖ Ｂｙ Ｏｎｅ ＨＳ、ＨＤ Ｂａｓｅ Ｔ、ＭＩＰＩ Ａ－ＰＨＹチップセットのうちいずれか一つであることを特徴とする、請求項１～５のいずれか１項に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項7】

前記イメージセンサーは、
複数の種類のイメージセンサーのうち一つのイメージセンサーであり、前記基板の一面に一つのピンマップで構成される連結端子に対応する位置にピンが形成されることを特徴とする、請求項１～５のいずれか１項に記載のＳｉＰモジュール。

【請求項8】

第１基板と、
前記第１基板の一面に配置されるイメージセンサーと、
前記第１基板の内部にエンベデッドされるシリアライザと、
前記第１基板が一面に配置される第２基板と、を含み、
前記第１基板は、前記イメージセンサーと前記シリアライザを電気的に連結するために前記第１基板を貫通するビアホールを含み、
前記シリアライザは、前記イメージセンサーと光軸方向にオーバーラップされるように配置される、ことを特徴とするカメラモジュール。

【請求項9】

前記第２基板の他面には、電源ブロックおよびコネクターが配置されることを特徴とする、請求項８に記載のカメラモジュール。

【請求項10】

前記イメージセンサーは、
複数の種類のイメージセンサーのうち一つのイメージセンサーであり、前記第１基板の一面に一つのピンマップで構成される連結端子に対応する位置にピンが形成されることを特徴とする、請求項８または９に記載のカメラモジュール。

【国際調査報告】