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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-04-12
(54)【発明の名称】システムオンチップ（ＳＯＣ）上の複数の機能ブロック
(51)【国際特許分類】
H01L 21/82 20060101AFI20240405BHJP
H01L 21/768 20060101ALI20240405BHJP
【ＦＩ】
H01L21/82 L
H01L21/90 A
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023562285
(86)(22)【出願日】2022-03-24
(85)【翻訳文提出日】2023-10-10
(86)【国際出願番号】 US2022071320
(87)【国際公開番号】W WO2022226458
(87)【国際公開日】2022-10-27
(31)【優先権主張番号】17/234,377
(32)【優先日】2021-04-19
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】507364838
【氏名又は名称】クアルコム，インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100163522
【弁理士】
【氏名又は名称】黒田 晋平
(72)【発明者】
【氏名】ジョン・ジエンホン・ズ
(72)【発明者】
【氏名】ジュンジン・バオ
(72)【発明者】
【氏名】ギリダール・ナラパティ
【テーマコード（参考）】
5F033
5F064
【Ｆターム（参考）】
5F033HH07
5F033HH08
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5F033RR04
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5F064EE42
5F064EE43
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5F064GG10
(57)【要約】
一態様では、システムオンチップ（ＳＯＣ）は、ＳＯＣ上に共設された第１の機能ブロックと第２の機能ブロックとを含む複数の機能ブロックを含む。ＳＯＣは、第１の金属層と、第１の金属層の上面上に設置された第１の誘電体層と、第１の誘電体層内に設置され、第１の機能ブロック内で使用される第１のビアとを含む。ＳＯＣは、第１の誘電体層内に設置され、第２の機能ブロック内で使用される第２のビアと、第１の誘電体層上に設置された第２の金属層とを含む。第２の金属層は、第１の機能ブロック内で使用される接続部の第１のセットと第２の機能ブロック内で使用される接続部の第２のセットとを含む。接続部の第１のセットは、接続部の第２のセットと異なる。ＳＯＣは、第１の誘電体層上に設置された第２の誘電体層を含む。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
システムオンチップ（ＳＯＣ）を含む装置であって、前記ＳＯＣは、第１の金属層と、
前記第１の金属層の上面上に設置された第１の誘電体層と、
複数の機能ブロックのうちの第１の機能ブロック内で使用される前記第１の誘電体層内に設置された第１のビアであって、前記複数の機能ブロックが前記ＳＯＣ上に共設される、第１のビアと、
前記複数の機能ブロックのうちの第２の機能ブロック内で使用される前記第１の誘電体層内に設置された第２のビアと、
前記第１の誘電体層上に設置された第２の金属層であって、前記第２の金属層は、
前記第１の機能ブロック内で使用される接続部の第１のセット、および
前記第２の機能ブロック内で使用される接続部の第２のセットを含み、前記接続部の第１のセットは前記接続部の第２のセットと異なる、第２の金属層と、
前記第１の誘電体層上に設置された第２の誘電体層とを含む、装置。
【請求項2】
前記接続部の第１のセットの第１の深さが、前記接続部の第２のセットの第２の深さと異なる、請求項１に記載の装置。
【請求項3】
前記接続部の第１のセットに隣接する前記第１の誘電体層の第１の厚さが、前記接続部の第２のセットに隣接する前記第１の誘電体層の第２の厚さと異なる、請求項２に記載の装置。
【請求項4】
前記第１の厚さが前記第２の厚さより大きく、前記第１の深さが前記第２の深さより小さい、請求項３に記載の装置。
【請求項5】
前記接続部の第１のセットが、前記第２の誘電体層の上面の下にくぼまされ、前記接続部の第２のセットが、前記第２の誘電体層の前記上面と同一平面上にある、請求項１に記載の装置。
【請求項6】
前記第１のビアが第１の幅を有し、前記第２のビアが、前記第１の幅と異なる第２の幅を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項7】
前記接続部の第１のセットがそれぞれ、第１の幅を有し、前記接続部の第２のセットがそれぞれ、前記第１の幅を有する、請求項４に記載の装置。
【請求項8】
前記接続部の第１のセットがそれぞれ、第１の幅を有し、前記接続部の第２のセットがそれぞれ、第２の幅を有し、前記第１の幅が前記第２の幅と異なる、請求項１に記載の装置。
【請求項9】
前記第２の金属層が、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン／ウォルフラム（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項10】
前記第１の金属層が、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン／ウォルフラム（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項11】
前記第１のビアおよび前記接続部の第１のセット、ならびに前記第２のビアおよび前記接続部の第２のセットが、同じ材料から形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項12】
前記第１のビアおよび前記接続部の第１のセットが第１の材料から形成され、前記第２のビアおよび前記接続部の第２のセットが、前記第１の材料と異なる第２の材料から形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項13】
前記接続部の第１のセットの第１のピッチが、前記接続部の第２のセットの第２のピッチと異なる、請求項１に記載の装置。
【請求項14】
前記接続部の第１のセットの第１の抵抗が、前記接続部の第２のセットの第２の抵抗と異なる、請求項１に記載の装置。
【請求項15】
前記接続部の第１のセットの第１のキャパシタンスが、前記接続部の第２のセットの第２のキャパシタンスと異なる、請求項１に記載の装置。
【請求項16】
前記複数の機能ブロックが、マイクロプロセッサと、
画像処理装置（ＧＰＵ）と、
通信インターフェースと、
入力／出力（Ｉ／Ｏ）インターフェースと、
共有メモリと、
デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）とのうちの少なくとも２つを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項17】
前記第１の誘電体層および前記第２の誘電体層がそれぞれ、ナノ多孔性シリカ、水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、酸フッ化ケイ素（ＦＳＧ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、または二酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項18】
前記装置が、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、装着型デバイス、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、基地局、ラップトップコンピュータ、サーバ、および自動車車両の中のデバイスからなる群から選択されたデバイスの中に組み込まれる、請求項１に記載の装置。
【請求項19】
システムオンチップ（ＳＯＣ）を製作する方法であって、前記ＳＯＣは、基板上に第１の金属層を堆積するステップと、
前記第１の金属層上に第１の誘電体層を堆積するステップと、
前記第１の誘電体層内に第１のビアをエッチングするステップであって、前記第１のビアは複数の機能ブロックのうちの第１の機能ブロック内で使用され、前記複数の機能ブロックが前記ＳＯＣ上に共設される、ステップと、
前記複数の機能ブロックのうちの第２の機能ブロック内で使用される前記第１の誘電体層内に設置される第２のビアをエッチングするステップと、
前記第１の誘電体層の上面上に第２の金属層を堆積するステップであって、前記第２の金属層は、
前記第１の機能ブロック内で使用される接続部の第１のセット、および
前記第２の機能ブロック内で使用される接続部の第２のセットを含み、前記接続部の第１のセットは前記接続部の第２のセットと異なる、ステップと、
前記第２の金属層の一部を除去するステップと、
前記第１の誘電体層上に第２の誘電体層を堆積するステップとを含む、方法。
【請求項20】
前記第２の誘電体層の化学機械研磨（ＣＭＰ）を実行するステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項21】
前記接続部の第１のセットの第１の深さが、前記接続部の第２のセットの第２の深さと異なる、請求項１９に記載の方法。
【請求項22】
前記接続部の第１のセットに隣接する前記第１の誘電体層の第１の厚さが、前記接続部の第２のセットに隣接する前記第１の誘電体層の第２の厚さと異なる、請求項２１に記載の方法。
【請求項23】
前記第１の厚さが前記第２の厚さより大きく、前記第１の深さが前記第２の深さより小さい、請求項２２に記載の方法。
【請求項24】
前記接続部の第１のセットが、前記第２の誘電体層の上面の下にくぼまされ、前記接続部の第２のセットが、前記第２の誘電体層の前記上面と同一平面上にある、請求項１９に記載の方法。
【請求項25】
前記第１のビアが第１の幅を有し、前記第２のビアが、前記第１の幅と異なる第２の幅を有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項26】
前記第２の金属層が、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン／ウォルフラム（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項27】
前記第１の金属層が、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン／ウォルフラム（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項28】
前記第１のビアおよび前記接続部の第１のセット、ならびに前記第２のビアおよび前記接続部の第２のセットが、同じ材料から形成される、請求項１９に記載の方法。
【請求項29】
前記第１のビアおよび前記接続部の第１のセットが第１の材料から形成され、前記第２のビアおよび前記接続部の第２のセットが、前記第１の材料と異なる第２の材料から形成される、請求項１９に記載の方法。
【請求項30】
前記接続部の第１のセットの第１のピッチが、前記接続部の第２のセットの第２のピッチと異なる、請求項１９に記載の方法。
【請求項31】
前記接続部の第１のセットの第１の抵抗が、前記接続部の第２のセットの第２の抵抗と異なる、請求項１９に記載の方法。
【請求項32】
前記接続部の第１のセットの第１のキャパシタンスが、前記接続部の第２のセットの第２のキャパシタンスと異なる、請求項１９に記載の方法。
【請求項33】
前記複数の機能ブロックが、マイクロプロセッサと、
グラフィックス処理ユニット（ＧＰＵ）と、
通信インターフェースと、
入力／出力（Ｉ／Ｏ）インターフェースと、
共有メモリと、
デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）とのうちの少なくとも２つを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項34】
前記第１の誘電体層および前記第２の誘電体層がそれぞれ、ナノ多孔性シリカ、水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、酸フッ化ケイ素（ＦＳＧ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、または二酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）のうちの少なくとも１つを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項35】
前記ＳＯＣが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、装着型デバイス、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、基地局、ラップトップコンピュータ、サーバ、および自動車車両の中のデバイスからなる群から選択された装置の中に組み込まれる、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の態様は、一般に、集積回路（ＩＣ）製作に関し、詳細には、同じシステムオンチップ（ＳＯＣ）上に存在する個別の機能ブロックに対して、抵抗（Ｒ）、キャパシタンス（Ｃ）などの基準をカスタマイズすることに関する。
【背景技術】
【0002】
ＳＯＣは、複数の機能ブロックを含み得、各機能ブロックは、たとえば、マイクロプロセッサ機能、画像処理装置（ＧＰＵ）機能、通信機能（たとえば、Ｗｉ－Ｆｉ、ブルートゥース（登録商標）、および他の通信）などの特定の機能を実行するように設計される。ＳＯＣ上の個別の機能ブロックおよび特定のタイプの経路は、抵抗（Ｒ）、キャパシタンス（Ｃ）などに対して特定の基準を有し得る。たとえば、ウェイクアップ機能として使用される機能ブロックは、まれに使用され得、比較的高抵抗接続で機能することが可能であり得る。対照的に、多数の動作を頻繁に実行する、ＧＰＵなどの機能ブロックは、熱蓄積およびオーバーヒートの可能性を低減する低抵抗接続でより速く実行し得る。しかしながら、現在の集積回路（ＩＣ）製造技法は、機能ブロックに対して異なる基準（たとえば、Ｒ、Ｃなど）に対応するための柔軟性を提供しない。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0003】
以下は、本明細書で開示される１つまたは複数の態様に関する簡略化された概要を提示する。したがって、以下の概要は、すべての企図される態様に関する広範な概観と見なされるべきではなく、また、以下の概要は、すべての企図される態様に関する主要もしくは重要な要素を特定するか、または任意の特定の態様に関連する範囲を定めるものと見なされるべきでもない。したがって、以下の概要は、以下で提示される詳細な説明に先立って、本明細書で開示される機構に関する１つまたは複数の態様に関するいくつかの概念を、簡略化された形態で提示することを唯一の目的とする。
【0004】
第１の態様では、装置は、システムオンチップ（ＳＯＣ）上で共設される複数の機能ブロックを含むＳＯＣを含む。ＳＯＣは、第１の金属層と、第１の金属層の上面上に設置された第１の誘電体層と、複数の機能ブロックのうちの第１の機能ブロック内で使用される第１の誘電体層内に設置された第１のビアと、複数の機能ブロックのうちの第２の機能ブロック内で使用される第１の誘電体層内に設置された第２のビアと、第１の誘電体層上に設置された第２の金属層とを含む。第２の金属層は、第１の機能ブロック内で使用される接続部の第１のセットと第２の機能ブロック内で使用される接続部の第２のセットとを含む。接続部の第１のセットは、接続部の第２のセットと異なってもよい。ＳＯＣは、第１の誘電体層上に設置された第２の誘電体層を含む。
【0005】
第２の態様では、システムオンチップ（ＳＯＣ）を製作する方法は、基板上に第１の金属層を堆積するステップと、第１の金属層上に第１の誘電体層を堆積するステップと、第１の誘電体層内に第１のビアをエッチングするステップとを含む。第１のビアは、複数の機能ブロックのうちの第１の機能ブロック内で使用される。複数の機能ブロックが、ＳＯＣ上に共設される。方法は、複数の機能ブロックのうちの第２の機能ブロック内で使用される第１の誘電体層内に設置される第２のビアをエッチングするステップと、第１の誘電体層の上面上に第２の金属層を堆積するステップとを含む。第２の金属層は、第１の機能ブロック内で使用される接続部の第１のセットと第２の機能ブロック内で使用される接続部の第２のセットとを含む。接続部の第１のセットは、接続部の第２のセットと異なる。方法は、第２の金属層の一部を除去するステップと、第１の誘電体層上に第２の誘電体層を堆積するステップとを含む。
【0006】
本明細書で開示される態様に関連する他の目的および利点は、添付の図面および詳細な説明に基づいて、当業者に明らかとなろう。
【0007】
添付図面は、本開示の様々な態様の説明の助けとなるように提示され、態様の限定ではなく、態様の例示のためにのみ提供される。本開示のより完全な理解が、添付の図面と併せて以下の発明を実施するための形態を参照することによって取得され得る。図では、参照番号の（１つまたは複数の）最も左の桁は、その参照番号が最初に表示された図を識別する。異なる図面における同じ参照番号は、同様のまたは同一の品目を示す。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】本開示の様々な態様による、例示的なシステムオンチップ（ＳＯＣ）を示す図である。
【図2A】本開示の態様による、異なる幅を有するビアを作成することを含む第１の配線工程（ＢＥＯＬ）プロセスを示す図である。
【図2B】本開示の態様による、異なる幅を有するビアを作成することを含む第１の配線工程（ＢＥＯＬ）プロセスを示す図である。
【図2C】本開示の態様による、異なる幅を有するビアを作成することを含む第１の配線工程（ＢＥＯＬ）プロセスを示す図である。
【図2D】本開示の態様による、異なる幅を有するビアを作成することを含む第１の配線工程（ＢＥＯＬ）プロセスを示す図である。
【図2E】本開示の態様による、異なる幅を有するビアを作成することを含む第１の配線工程（ＢＥＯＬ）プロセスを示す図である。
【図2F】本開示の態様による、異なる幅を有するビアを作成することを含む第１の配線工程（ＢＥＯＬ）プロセスを示す図である。
【図3A】本開示の態様による、異なる深さを有するビアを作成することを含む第２のＢＥＯＬプロセスを示す図である。
【図3B】本開示の態様による、異なる深さを有するビアを作成することを含む第２のＢＥＯＬプロセスを示す図である。
【図3C】本開示の態様による、異なる深さを有するビアを作成することを含む第２のＢＥＯＬプロセスを示す図である。
【図3D】本開示の態様による、異なる深さを有するビアを作成することを含む第２のＢＥＯＬプロセスを示す図である。
【図3E】本開示の態様による、異なる深さを有するビアを作成することを含む第２のＢＥＯＬプロセスを示す図である。
【図3F】本開示の態様による、異なる深さを有するビアを作成することを含む第２のＢＥＯＬプロセスを示す図である。
【図3G】本開示の態様による、異なる深さを有するビアを作成することを含む第２のＢＥＯＬプロセスを示す図である。
【図4A】本開示の態様による、リセスビアを作成することを含む第３のＢＥＯＬプロセスを示す図である。
【図4B】本開示の態様による、リセスビアを作成することを含む第３のＢＥＯＬプロセスを示す図である。
【図4C】本開示の態様による、リセスビアを作成することを含む第３のＢＥＯＬプロセスを示す図である。
【図4D】本開示の態様による、リセスビアを作成することを含む第３のＢＥＯＬプロセスを示す図である。
【図4E】本開示の態様による、リセスビアを作成することを含む第３のＢＥＯＬプロセスを示す図である。
【図4F】本開示の態様による、リセスビアを作成することを含む第３のＢＥＯＬプロセスを示す図である。
【図4G】本開示の態様による、リセスビアを作成することを含む第３のＢＥＯＬプロセスを示す図である。
【図5】本開示の態様による、第１の誘電体層上に第２の金属層を堆積することを含む例示的なプロセスを示す図である。
【図6】本開示の態様による、１つまたは複数のリセスエッチを作成することを含む例示的なプロセスを示す図である。
【図7】本開示の１つまたは複数の態様による、集積デバイスの構成要素を示す図である。
【図8】本開示の１つまたは複数の態様による、例示的なモバイルデバイスを示す図である。
【図9】本開示の１つまたは複数の態様による、集積デバイスまたは半導体デバイスと一体化され得る様々な電子デバイスを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
単一のシステムオンチップ（ＳＯＣ）上に設置された個別の機能ブロックに対する、抵抗（Ｒ）およびキャパシタンス（Ｃ）などの基準をカスタマイズするためのシステムおよび技法が開示される。集積回路（ＩＣ）製作は、（１）基板工程（ＦＥＯＬ）および（２）配線工程（ＢＥＯＬ）の２つの主なステップを有する。ＢＥＯＬの間、個別のデバイス（トランジスタ、キャパシタ、抵抗器など）が、メタライゼーション層を使用してウェハ上に配線で相互接続される。ＢＥＯＬは、金属の第１の層がウェハ上に堆積されるときに開始する。ＢＥＯＬは、チップとパッケージの接続のために、接点、絶縁層（誘電体）、金属レベル、およびボンディングサイトを含む。相互接続の特性は、幅、厚さ、間隔（同じレベル上の第１の相互接続と第２の相互接続との間の距離）、ピッチ（幅と間隔との合計）、およびアスペクト比（ＡＲ＝幅で除された厚さ）を含み得る。幅、間隔、ＡＲ、およびピッチは、相互接続（およびそれゆえ、ＩＣ）が妥当な生産量（ｙｉｅｌｄ）を有する特定の技術を使用して製作されることを可能にする設計ルールのため、最小値および最大値に制約され得る。たとえば、現在の最小ＢＥＯＬピッチは２８ナノメートル（ｎｍ）である。
【0010】
相互接続のために銅（Ｃｕ）などの単一の金属を使用することは、機能ブロックの様々な選好に対応することを可能にしない場合がある。ＢＥＯＬの間に複数の金属を使用することによって、様々なタイプの機能ブロックが、相互接続のために様々な金属を使用することができる。たとえば、実行される機能に応じて、いくつかの機能ブロックは、低Ｒ、低Ｃなどを有する金属を使用することから恩恵を受ける場合がある。本明細書で説明するシステムおよび技法は、相互接続のために複数の金属を使用することを可能にする。たとえば、複数の金属には、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン／ウォルフラム（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）などが含まれ得る。
【0011】
本明細書で説明するシステムおよび技法は、ＳＯＣを作成するために使用され得る。たとえば、ＳＯＣを作成するためのＢＥＯＬの間、第１の金属層上に第１の誘電体層を堆積した後、第１の金属層は、１つまたは複数のビアを作成するためにエッチングされ得る。ビアは、異なる層の間の導電性接続を可能にするための、絶縁酸化物層内の開口である。各機能ブロックに対して、第２の金属層が、第１の誘電体層の上面上に堆積され、次いでエッチングされ得る。たとえば、第２の金属層は、第１の金属層（たとえば、Ｃｕ）と異なる金属（たとえば、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｏなど）を使用し得、機能ブロックに特定のものであり得る。第２の金属層がエッチングされた後、第２の誘電体層が堆積され得、化学機械研磨（ＣＭＰ）が、ＢＥＯＬを完了するために実行され得る。様々な機能ブロックに対応するために、第２の金属層に使用される金属は、特定の機能ブロックに特定のものであり得る。たとえば、第２の金属層が、第１の機能ブロックに対して第２の金属を使用し得、第２の機能ブロックに対して第３の金属を使用し得る。この例では、３つの金属層、たとえば、第１の金属層に対する第１の金属、第１の機能ブロックの第２の金属層に対する第２の金属、および第２の機能ブロックの第２の金属層に対する第３の金属が使用される。当然ながら、異なる金属が、追加の機能ブロックに対する第２の金属層に使用されてもよく、結果として、４つ以上の金属が使用される。
【0012】
本開示の態様は、例示を目的に提供される様々な例を対象とする以下の説明および関連する図面において提供される。本開示の範囲を逸脱することなく、代替の態様が考案され得る。加えて、本開示のよく知られている要素は、本開示の関連する詳細を不明瞭にしないように、詳細には説明されないかまたは省略される。
【0013】
「例示的」および／または「例」という語は、本明細書では、「例、事例、または例示として機能すること」を意味するために使用される。本明細書で「例示的」および／または「例」として説明されるいかなる態様も、必ずしも他の態様よりも好ましいかまたは有利であると解釈されるべきではない。同様に、「本開示の態様」という用語は、本開示のすべての態様が、論じられる特徴、利点、または動作モードを含むことを必要とするとは限らない。
【0014】
以下で説明される情報および信号は、様々な異なる技術および技法のいずれかを使用して表され得ることを当業者は理解するだろう。たとえば、以下の説明全体にわたって言及され得るデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、具体的な用途、所望の設計、対応する技術などに一部応じて、電圧、電流、電磁波、磁場もしくは磁性粒子、光場もしくは光学粒子、またはそれらの任意の組合せによって表され得る。
【0015】
さらに、たとえば、コンピューティングデバイスの要素によって実行されるべき一連の行動に関して、多くの態様が説明される。本明細書で説明される様々な行動は、特定の回路（たとえば、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ））によって、１つもしくは複数のプロセッサによって実行されるプログラム命令によって、またはその両方の組合せによって実行され得ることが認識されるだろう。加えて、本明細書で説明される一連の行動は、実行されると、デバイスの関連するプロセッサに本明細書で説明される機能を実行させるかまたは実行するように命令する、コンピュータ命令の対応するセットを記憶した、任意の形態の非一時的コンピュータ可読記憶媒体内で完全に具現化されると見なされ得る。したがって、本開示の様々な態様は、請求される主題の範囲内にそのすべてが入ることが企図されている、いくつかの異なる形態で具現化され得る。加えて、本明細書で説明される態様の各々に対して、任意のそのような態様の対応する形態は、たとえば、説明される行動を実行する「ように構成された論理」として本明細書で説明されることがある。
【0016】
本明細書において使用される「ユーザ機器」（ＵＥ）および「基地局」という用語は、別段に記載されていない限り、任意の特定の無線アクセス技術（ＲＡＴ）に固有であること、または別様にそれに限定されることは、意図されない。一般に、ＵＥは、ワイヤレス通信ネットワークを介して通信するためにユーザによって使用される、任意のワイヤレス通信デバイス（たとえば、携帯電話、ルータ、タブレットコンピュータ、ラップトップコンピュータ、追跡デバイス、ウェアラブルデバイス（たとえば、スマートウォッチ、眼鏡、拡張現実（ＡＲ）／仮想現実（ＶＲ）ヘッドセットなど）、車両（たとえば、自動車、オートバイ、自転車など）、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイスなど）であってもよい。ＵＥは移動式であってもよく、または（たとえば、ある時間において）静止していてもよく、無線アクセスネットワーク（ＲＡＮ）と通信してもよい。本明細書で使用される「ＵＥ」という用語は、「アクセス端末」もしくは「ＡＴ」、「クライアントデバイス」、「ワイヤレスデバイス」、「加入者デバイス」、「加入者端末」、「加入者局」、「ユーザ端末」もしくはＵＴ、「モバイルデバイス」、「モバイル端末」、「移動局」、またはそれらの変形として互換的に呼ばれることがある。一般に、ＵＥは、ＲＡＮを介してコアネットワークと通信することができ、コアネットワークを通じて、ＵＥは、インターネットなどの外部のネットワークと、かつ他のＵＥと接続され得る。当然、ワイヤードアクセスネットワーク、ワイヤレスローカルエリアネットワーク（ｗｉｒｅｌｅｓｓ ｌｏｃａｌ ａｒｅａ ｎｅｔｗｏｒｋ： ＷＬＡＮ）ネットワーク（たとえば、米国電気電子技術者協会（Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ： ＩＥＥＥ）８０２．１１などに基づく）などを介した、コアネットワークおよび／またはインターネットに接続する他の機構もＵＥにとって可能である。
【0017】
基地局は、基地局が展開されているネットワークに応じてＵＥと通信しているいくつかのＲＡＴのうちの１つに従って動作してもよく、代替として、アクセスポイント（ＡＰ）、ネットワークノード、ノードＢ、発展型ＮｏｄｅＢ（ｅＮＢ）、次世代ｅＮＢ（ｎｇ－ｅＮＢ）、Ｎｅｗ Ｒａｄｉｏ （ＮＲ） ＮｏｄｅＢ（ｇＮＢまたはｇＮｏｄｅＢとも呼ばれる）などと呼ばれることがある。基地局は、サポートされるＵＥのためのデータ、音声、および／またはシグナリング接続をサポートすることを含めて、ＵＥによるワイヤレスアクセスをサポートするために主に使用され得る。いくつかのシステムでは、基地局は純粋にエッジノードシグナリング機能を提供し得るが、他のシステムでは、基地局は追加の制御および／またはネットワーク管理機能を提供し得る。ＵＥがそれを通じてＲＦ信号を基地局に送信することができる通信リンクは、アップリンク（ＵＬ）チャネル（たとえば、逆方向トラフィックチャネル、逆方向制御チャネル、アクセスチャネルなど）と呼ばれる。基地局がそれを通じてＲＦ信号をＵＥに送信することができる通信リンクは、ダウンリンク（ＤＬ）または順方向リンクチャネル（たとえば、ページングチャネル、制御チャネル、ブロードキャストチャネル、順方向トラフィックチャネルなど）と呼ばれる。本明細書で使用されるトラフィックチャネル（ＴＣＨ）という用語は、アップリンク／逆方向トラフィックチャネルまたはダウンリンク／順方向トラフィックチャネルのいずれかを指すことができる。
【0018】
「基地局」という用語は、単一の物理送受信ポイント（ＴＲＰ）、または、共設されてもよいし共設されなくてもよい複数の物理ＴＲＰを指すことがある。たとえば、「基地局」という用語が単一の物理的なＴＲＰを指す場合、その物理的なＴＲＰは、基地局のセル（または、いくつかのセルセクタ）に対応する、基地局のアンテナであってよい。「基地局」という用語が、共設されている複数の物理的なＴＲＰを指す場合、それらの物理的なＴＲＰは、基地局の（たとえば、多入力多出力（ＭＩＭＯ）システムにおけるような、または基地局がビームフォーミングを採用する場合の）アンテナのアレイであってよい。「基地局」という用語が、共設されていない複数の物理的なＴＲＰを指す場合、それらの物理的なＴＲＰは、分散アンテナシステム（ＤＡＳ：ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ａｎｔｅｎｎａ ｓｙｓｔｅｍ）（移送媒体を介して共通のソースに接続された、空間的に分離されたアンテナのネットワーク）、またはリモートラジオヘッド（ＲＲＨ：ｒｅｍｏｔｅ ｒａｄｉｏ ｈｅａｄ）（サービング基地局に接続された遠隔の基地局）であってよい。代替として、共設されていない物理的なＴＲＰは、ＵＥ、およびＵＥがその参照ＲＦ信号（または、単に「参照信号」）を測定している隣接する基地局から、測定報告を受信するサービング基地局であってよい。ＴＲＰは基地局がそこからワイヤレス信号を送信および受信するポイントであるので、本明細書で使用するとき、基地局からの送信または基地局における受信への言及は、基地局の特定のＴＲＰに言及するものとして理解されるべきである。
【0019】
ＵＥの測位をサポートするいくつかの実装形態において、基地局は、ＵＥによるワイヤレスアクセスをサポートしないことがあるが（たとえば、ＵＥのためのデータ接続、音声接続、および／またはシグナリング接続をサポートしないことがあるが）、代わりにＵＥによって測定されるように参照信号をＵＥへ送信してよく、かつ／またはＵＥによって送信された信号を受信および測定してよい。そのような基地局は、測位ビーコン（たとえば、信号をＵＥへ送信するとき）、および／またはロケーション測定ユニット（たとえば、ＵＥからの信号を受信および測定するとき）と呼ばれることがある。
【0020】
「ＲＦ信号」は、送信機と受信機との間の空間を通じて情報をトランスポートする所与の周波数の電磁波を含む。本明細書で使用される場合、送信機は、単一の「ＲＦ信号」または複数の「ＲＦ信号」を受信機に送信し得る。しかしながら、受信機は、マルチパスチャネルを通じたＲＦ信号の伝搬特性に起因して、送信された各ＲＦ信号に対応する複数の「ＲＦ信号」を受信し得る。送信機と受信機との間の異なる経路上で送信された同じＲＦ信号は、「マルチパス」ＲＦ信号と呼ばれることがある。本明細書で使用される場合、ＲＦ信号は、「ワイヤレス信号」、「レーダー信号」、「電波」、「波形」など、あるいは「信号」という用語がワイヤレス信号またはＲＦ信号を指すことが文脈から明確である場合は単に「信号」と呼ばれることもある。
【0021】
図１は、本開示の様々な態様による、例示的なシステムオンチップ（ＳＯＣ）１００を示す。ＳＯＣ１００は、機能ブロック１０２（Ａ）、機能ブロック１０２（Ｂ）から機能ブロック１０２（Ｎ）までなど、複数（たとえば、Ｎ個、Ｎ＞０）の機能ブロックを含み得る。機能ブロック１０２の各々は、特定の機能を実行し得る。たとえば、機能ブロック１０２は、マイクロプロセッサ（たとえば、複数のコアを有する）機能、画像処理装置（ＧＰＵ）機能、通信インターフェース機能（たとえば、Ｗｉ－Ｆｉ、ブルートゥース（登録商標）および他の通信）、入力／出力（Ｉ／Ｏ）機能、共有メモリ機能（たとえば、ＳＯＣ上の機能ブロック間で共有される）、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）機能、別のタイプの機能、または任意のそれらの組合せを含み得る。
【0022】
機能ブロック１０２の各々は、ビア、特定の経路（たとえば、クリティカルパス）、およびＳＯＣ１００上の他の接続などの個別の接続に対して、抵抗、キャパシタンス、幅、深さなどを識別する関連基準を有し得る。クリティカルパスは、回路経路に沿った信号における遅延が、機能ブロック全体の周波数を決定し得る（たとえば、ゲートで制御し得る）ような回路経路である。クリティカルパスのＲＣ遅延を低減することで、機能ブロックが動作することができる周波数が増加する。機能ブロック１０２（Ａ）は関連基準１０４（Ａ）を有し得、機能ブロック１０２（Ｂ）は関連基準１０４（Ｂ）を有し得、機能ブロック１０２（Ｎ）は関連基準１０４（Ｃ）を有し得る。１つまたは複数の金属が、対応する機能ブロック１０２の各々に関連する基準１０４に基づいて、ＳＯＣ１００の第２の金属層のために選択され得る。たとえば、第１の金属が、基準１０４（Ａ）に基づいて機能ブロック１０２（Ａ）の第２の金属層内で使用され得、第２の金属が、基準１０４（Ｂ）に基づいて機能ブロック１０２（Ｂ）に対する第２の金属層内で使用され得、第３の金属が、基準１０４（Ｎ）に基づいて機能ブロック１０２（Ｎ）に対する第２の金属層内で使用され得る。いくつかの場合、第１の金属、第２の金属、および第３の金属は、同じ金属であり得る。他の場合、金属のうちの２つは同じであり得るが、金属のうちの１つは異なる場合がある。さらに他の場合、３つの金属のすべてが、互いに異なる場合がある。
【0023】
したがって、特定の機能ブロックの第２の金属層に対して特定の金属を使用する利点は、特定の機能ブロックに関連する基準が満足され得ることである。たとえば、ウェイクアップ機能ブロックなど、まれに使用される機能ブロックは、比較的高い抵抗を有する金属を使用し得る。なぜならば、速度、熱の蓄積などは、まれにしか遭遇しないからである。別の例として、ＧＰＵなど、頻繁に使用されるかまたは多数の動作を実行する機能ブロックは、熱の蓄積などを低減するために、高性能のために高速データ交換を可能にするために、比較的低い抵抗を有する金属を使用し得る。
【0024】
図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、図２Ｄ、図２Ｅおよび図２Ｆは、本開示の態様による、異なる幅を有するビアを作成することを含む第１の配線工程（ＢＥＯＬ）プロセスのステージを示す。図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、図２Ｄ、図２Ｅおよび図２Ｆは、ＳＯＣ上に２つの機能ブロック１０２（Ａ）および１０２（Ｂ）を作成することを示す。２つの機能ブロック１０２（Ａ）、１０２（Ｂ）は、例示のために示されており、本明細書で説明するシステムおよび技法は、ＳＯＣ上に３つ以上の機能ブロックを作成するために使用され得ることを理解されたい。
【0025】
図２Ａでは、第１の金属層（ＭＬ）２０２が堆積され得る。たとえば、第１の金属層２０２は、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、別のタイプの金属、または任意のそれらの組合せを含み得る。いくつかの場合、第１の層は、ＷまたはＣｏの中間線（ＭＯＬ：ｍｉｄｄｌｅ－ｏｆ－ｔｈｅ－ｌｉｎｅ）導体層であり得る。ＭＯＬは、一連の接触構造を使用して別々のトランジスタと相互接続部品（ｐｉｅｃｅ）とを接続する。そのような場合には、第２の層は、ＢＥＯＬの第１の金属層２０２である。第１の金属層２０２はまた、たとえばＣｕまたはＣｏなどの金属を使用する第１のＢＥＯＬ層であり得る（およびしたがって、第２の層は第２のＢＥＯＬ層である）。今後のノード（たとえば、２２ｎｍ未満の第１のＢＥＯＬ金属層ピッチを使用する）に対して、ＢＥＯＬの第１の金属層２０２の導体材料は、たとえばＲｕ、Ｃｏ、Ｗ、またはＭｏを含み得る。
【0026】
図２Ｂでは、第１の誘電体層（ＤＬ）２０４が、たとえば、第１の金属層２０２の上面上に堆積され得る。第１の誘電体層２０４は、たとえば、ＳｉＣＯＨまたはＳｉＯ２など、低ｋ誘電体であり得る。図２Ｃでは、第１の誘電体層２０４が、機能ブロック１０２（Ａ）において少なくとも１つのビア、たとえばビア２０６（Ａ）と、機能ブロック１０２（Ｂ）において少なくとも１つのビア、たとえばビア２０６（Ｂ）とを作成するためにエッチングされ得る。ビア２０６（Ａ）は、ビア２０６（Ｂ）の幅２０８（Ｂ）と異なる幅２０８（Ａ）を有し得る。たとえば、図２Ｃに示すように、幅２０８（Ｂ）は、幅２０８（Ａ）より大きい場合がある。機能ブロック１０２（Ｂ）は、大量のデータを転送し得るかまたは多数のトランザクションを実行し得、データ転送速度を高めるため、熱の蓄積を低減するため、またはその両方のために、ビア２０６（Ｂ）の幅２０８（Ｂ）を使用し得る。
【0027】
図２Ｄでは、第２の金属層２１０（Ａ）が、ビア２０６（Ａ）を充填することを含めて、機能ブロック１０２（Ａ）のエッチングされた第１の誘電体層２０４の上に堆積され得る。第２の金属層２１０（Ｂ）が、ビア２０６（Ｂ）を充填することを含めて、機能ブロック１０２（Ｂ）のエッチングされた第１の誘電体層２０４の上に堆積され得る。開示する様々な態様では、金属層２１０（Ａ）は、金属層２１０（Ｂ）と同じ材料を使用する。金属層２１０（Ａ）、２１０（Ｂ）の各々は、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、別のタイプの金属、または任意のそれらの組合せ、および望ましくはＲｕまたはＣｏを含み得る。たとえば、第１の金属層２０２はＣｕを含み得、第２の金属層２１０（Ａ）はＣｏ（またはＷ）を含み得、第２の金属層２１０（Ｂ）はＣｏ（またはＷ）を含み得る。しかしながら、様々な態様は、この構成および他のケースに限定されず、金属層２１０（Ａ）は、たとえば、機能ブロック１０２（Ａ）に関連する基準１０４（Ａ）および機能ブロック１０２（Ｂ）に関連する基準１０４（Ｂ）に応じて、金属層２１０（Ｂ）と異なる場合があることが諒解されよう。
【0028】
図２Ｅは、第２の金属層２１０（Ａ）、２１０（Ｂ）に対して金属エッチ２１２を実行した結果を示す。金属エッチ２１２は、プラズマエッチを使用して実行され得る。たとえば、ＣＦ４／Ｏ２プラズマが、Ｒｕエッチに使用され得る。当然ながら、金属エッチ２１２を実行するために選択される化学物質は、エッチングされている金属に依存する。通常、異なる金属は異なる化学物質を必要とする。図２Ｆは、エッチングされた第２の金属層２１０（Ａ）、２１０（Ｂ）の上面上に第２の誘電体層２１６を追加するために誘電体充填２１４を実行し、第２の誘電体層２１６の上面２２０に化学機械研磨（ＣＭＰ）２１８を実行した結果を示す。図２Ｆに見られるように、第２の金属層２１０（Ｂ）を用いるビア２０６（Ｂ）の充填は、第２の金属層２１０（Ａ）を用いるビア２０６（Ａ）の充填の幅２０８（Ａ）より大きい幅２０８（Ｂ）を有する。このようにして、より広いクリティカルパス、より低い抵抗接続（たとえば、ビア）など、特定の機能ブロックに関連する基準が、ＳＯＣの製作のＢＥＯＬ部の間に達成され得る。
【0029】
第１の誘電体層２０４および第２の誘電体層２１６は、（ａ）たとえばナノ多孔性シリカ、水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、および酸フッ化ケイ素（ＦＳＧ）など、低Ｋ誘電体材料（ここで、Ｋは材料の誘電率）のうちの１つまたは複数、または（ｂ）たとえばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、および二酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）など、高Ｋ誘電体材料（たとえば、１０＜Ｋ＜１００）のうちの１つまたは複数を含み得る。
【0030】
図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆおよび図３Ｇは、本開示の態様による、異なる深さを有するビアを作成することを含む第２のＢＥＯＬプロセスのステージを示す。図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆおよび図３Ｇは、ＳＯＣ上に２つの機能ブロック１０２（Ａ）および１０２（Ｂ）を作成することを示す。２つの機能ブロック１０２（Ａ）、１０２（Ｂ）は、例示のために示されており、本明細書で説明するシステムおよび技法は、ＳＯＣ上に３つ以上の機能ブロックを作成するために使用され得ることを理解されたい。
【0031】
図３Ａでは、第１の金属層（ＭＬ）２０２が堆積され得る。たとえば、第１の金属層２０２は、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、別のタイプの金属、または任意のそれらの組合せを含み得る。
【0032】
図３Ｂでは、第１の誘電体層（ＤＬ）２０４が、たとえば、第１の金属層２０２の上面上に堆積され得る。図３Ｃでは、第１の誘電体層２０４の層エッチ３０２が、第１の誘電体層２０４の一部を除去するために実行され得る。図３Ｃに示すように、層エッチ３０２は、特定の機能ブロック、たとえば機能ブロック１０２（Ｂ）に対して実行される。図３Ｄでは、層エッチ３０２を実行して、機能ブロック１０２（Ａ）において少なくとも１つのビア、たとえばビア２０６（Ａ）と、機能ブロック１０２（Ｂ）において少なくとも１つのビア、たとえばビア２０６（Ｂ）とを作成した結果を示す。ビア２０６（Ａ）は、ビア２０６（Ｂ）と同じ幅である幅３０４を有し得る。ビア２０６（Ａ）の深さは、層エッチ３０２により、ビア２０６（Ｂ）の深さと異なることに留意されたい。
【0033】
図３Ｅでは、第２の金属層２１０（Ａ）が、ビア２０６（Ａ）を充填することを含めて、機能ブロック１０２（Ａ）のエッチングされた第１の誘電体層２０４の上に堆積され得る。第２の金属層２１０（Ｂ）が、ビア２０６（Ｂ）を充填することを含めて、機能ブロック１０２（Ｂ）のエッチングされた第１の誘電体層２０４の上に堆積され得る。いくつかの場合、金属層２１０（Ａ）は、金属層２１０（Ｂ）と同じであり得るが、他の場合には、金属層２１０（Ａ）は、たとえば、機能ブロック１０２（Ａ）に関連する基準１０４（Ａ）および機能ブロック１０２（Ｂ）に関連する基準１０４（Ｂ）に応じて、金属層２１０（Ｂ）と異なる場合がある。金属層２１０（Ａ）、２１０（Ｂ）の各々は、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、別のタイプの金属、または任意のそれらの組合せを含み得る。たとえば、第１の金属層２０２はＣｕを含み得、第２の金属層２１０（Ａ）はＣｏ（またはＷ）を含み得、第２の金属層２１０（Ｂ）はＷ（またはＣｏ）を含み得る。
【0034】
図３Ｆは、第２の金属層２１０（Ａ）、２１０（Ｂ）に対して金属エッチ２１２を実行した結果を示す。図３Ｇは、エッチングされた第２の金属層２１０（Ａ）、２１０（Ｂ）の上面上に誘電体層２１６を追加するために誘電体充填２１４を実行し、第２の誘電体層２１６の上面２２０に対してＣＭＰ２１８を実行した結果を示す。図３Ｇに見られるように、機能ブロック１０２（Ａ）の接続部３０８（Ａ）は、機能ブロック１０２（Ｂ）の接続部３０８（Ｂ）の深さ３０６（Ｂ）より小さい深さ３０６（Ａ）を有する。より深い深さ３０６（Ｂ）は、３０８（Ｂ）に対してより低い抵抗（およびより高いキャパシタンス）をもたらす。このより低い抵抗は、より低いＲを好む（およびより高いキャパシタンスを許容することができる）回路または機能ブロックに対して提供される。
【0035】
図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、図４Ｄ、図４Ｅ、図４Ｆおよび図４Ｇは、本開示の態様による、リセスビアを作成することを含む第３のＢＥＯＬプロセスのステージを示す。図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、図４Ｄ、図４Ｅ、図４Ｆおよび図４Ｇは、ＳＯＣ上に２つの機能ブロック１０２（Ａ）および１０２（Ｂ）を作成することを示す。２つの機能ブロック１０２（Ａ）、１０２（Ｂ）は、例示のために示されており、本明細書で説明するシステムおよび技法は、ＳＯＣ上に３つ以上の機能ブロックを作成するために使用され得ることを理解されたい。
【0036】
図４Ａでは、第１の金属層（ＭＬ）２０２が堆積され得る。たとえば、第１の金属層２０２は、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、別のタイプの金属、または任意のそれらの組合せを含み得る。
【0037】
図４Ｂでは、第１の誘電体層（ＤＬ）２０４が、たとえば、第１の金属層２０２の上面上に堆積され得る。図４Ｃでは、第１の誘電体層２０４が、機能ブロック１０２（Ａ）において少なくとも１つのビア、たとえばビア２０６（Ａ）と、機能ブロック１０２（Ｂ）において少なくとも１つのビア、たとえばビア２０６（Ｂ）とを作成するためにエッチングされ得る。ビア２０６（Ａ）は、ビア２０６（Ｂ）と同じ幅である幅４０２を有し得る。
【0038】
図４Ｄでは、第２の金属層２１０（Ａ）が、ビア２０６（Ａ）を充填することを含めて、機能ブロック１０２（Ａ）のエッチングされた第１の誘電体層２０４の上に堆積され得る。第２の金属層２１０（Ｂ）が、ビア２０６（Ｂ）を充填することを含めて、機能ブロック１０２（Ｂ）のエッチングされた第１の誘電体層２０４の上に堆積され得る。いくつかの場合、金属層２１０（Ａ）は、金属層２１０（Ｂ）と同じであり得るが、他の場合には、金属層２１０（Ａ）は、たとえば、機能ブロック１０２（Ａ）に関連する基準１０４（Ａ）および機能ブロック１０２（Ｂ）に関連する基準１０４（Ｂ）に応じて、金属層２１０（Ｂ）と異なる場合がある。金属層２１０（Ａ）、２１０（Ｂ）の各々は、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、別のタイプの金属、または任意のそれらの組合せを含み得る。たとえば、第１の金属層２０２はＣｕを含み得、第２の金属層２１０（Ａ）はＣｏ（またはＷ）を含み得、第２の金属層２１０（Ｂ）はＷ（またはＣｏ）を含み得る。
【0039】
図４Ｅは、図４Ｄの第２の金属層２１０（Ａ）、２１０（Ｂ）に対して金属エッチ２１２を実行した結果を示す。図４Ｆは、エッチングされた第２の金属層２１０（Ａ）、２１０（Ｂ）の上面上に第２の誘電体層２１６を追加するために誘電体充填２１４を実行し、第２の誘電体層２１６の上面２２０に対してＣＭＰ２１８を実行した結果を示す。
【0040】
図４Ｇは、第２の誘電体層２１６の上面２２０の下に特定の機能ブロックの接続部３０８（Ａ）をくぼませるために、特定の機能ブロック、たとえば機能ブロック１０２（Ａ）上に金属リセスエッチを実行した結果を示す。他の機能ブロック、たとえば機能ブロック１０２（Ｂ）の接続部３０８（Ｂ）は、上面２２０と同じレベルのままである。金属リセスエッチ４０４を使用して金属線をくぼませることで、機能ブロック１０２（Ａ）においてより低い金属キャパシタンス（およびより高い金属Ｒ）がもたらされる。金属リセスエッチ４０４は、機能ブロックが、より低い金属キャパシタンスを好む（およびより高い金属Ｒを許容することができる）ときに、機能ブロック１０２（Ａ）に利益をもたらす。
【0041】
上述のＢＥＯＬプロセスは、相互排他的であることを意図するのではなく、同じＳＯＣ上に少なくとも２つの異なる機能ブロックを設けるために、システムおよび技法がどのように使用され得るかを示すことを意図している。ＳＯＣ上の各機能ブロックをカスタマイズするために、以下の流れ図に示すように、異なる図が、異なる方法で組み合わされてもよい。
【0042】
図５および図６の流れ図では、各ブロックは、ハードウェア、ソフトウェア、またはそれらの組合せで実装され得る１つまたは複数の動作を表す。ソフトウェアの文脈では、ブロックは、１つまたは複数のプロセッサによって実行されたとき、記載された動作をプロセッサに実行させるコンピュータ実行可能命令を表す。一般に、コンピュータ実行可能命令は、特定の機能を実行するかまたは特定の抽象データタイプを実装する、ルーチン、プログラム、オブジェクト、モジュール、構成要素、データ構造などを含む。ブロックが説明される順序は、限定として解釈されることが意図されておらず、説明される任意の数の動作は、プロセスを実装するために任意の順序でかつ／または並列に組み合わされてもよい。説明を目的として、プロセス５００および６００は、上記で説明したように、図１、図２Ａ～図２Ｆ、図３Ａ～図３Ｇ、および図４Ａ～図４Ｇを参照して説明されるが、他のモデル、フレームワーク、システム、および環境が、これらのプロセスを実装するために使用されてもよい。
【0043】
図５は、本開示の態様による、第１の誘電体層上に第２の金属層を堆積することを含む例示的なプロセス５００を示す。プロセス５００は、ＢＥＯＬの間など、ＳＯＣの製造の間に実行され得る。
【0044】
【0045】
【0046】
５０６において、プロセスは、第１の誘電体層内に１つまたは複数のビアをエッチングし得る。たとえば、図２Ｃ、図３Ｄおよび図４Ｃでは、プロセスは、機能ブロック１０２（Ａ）において少なくとも１つのビア２０６（Ａ）をエッチングし得、機能ブロック１０２（Ｂ）において少なくとも１つのビア２０６（Ｂ）をエッチングし得る。
【0047】
５０８において、プロセスは、個別の機能ブロックに対して、第１の誘電体層の上面上に第２の金属層を堆積し得る。たとえば、図２Ｄ、図３Ｅおよび図４Ｄでは、プロセスは、機能ブロック１０２（Ａ）に対する第２の金属層２１０（Ａ）と、機能ブロック１０２（Ｂ）に対する第２の金属層２１０（Ｂ）とを堆積し得る。
【0048】
５１０において、プロセスは、個別の機能ブロックに対して、第２の金属層の一部を除去するためにエッチングし得る。たとえば、図２Ｅ、図３Ｆおよび図４Ｅでは、プロセスは、第２の金属層２１０（Ａ）、２１０（Ｂ）の一部を除去するために金属エッチ２１２を実行し得る。
【0049】
【0050】
５１４において、プロセスは、第２の誘電体層に対して化学機械研磨（ＣＭＰ）を実行し得る。たとえば、図２Ｆ、図３Ｇおよび図４Ｆでは、プロセスは、第２の誘電体層２１６の上面２２０に対してＣＭＰ２１８を実行し得る。
【0051】
したがって、異なる金属が、特定の機能ブロックに関連する特定の基準に基づいて、ＢＥＯＬの間に第２の金属層内で使用され得る。たとえば、比較的低い抵抗を有する金属は、大量のデータを送信する機能ブロック、または内部接続内にあまりに大きい抵抗が存在する場合にオーバーヒートすることがある機能ブロックに対して、第２の金属層として使用され得る。比較的高い抵抗を有する金属は、ウェイクアップ機能など、まれに使用される機能ブロックに対して第２の金属層として使用され得る。
【0052】
図６は、本開示の態様による、１つまたは複数のリセスエッチを作成することを含む例示的なプロセス６００を示す。プロセス６００は、ＢＥＯＬの間など、ＳＯＣの製造の間に実行され得る。
【0053】
【0054】
【0055】
６０６において、いくつかの場合、プロセスは、個別の機能ブロックに対して、第１の誘電体層の一部をエッチングを介して除去し得る。たとえば、図３Ｃでは、プロセスは、機能ブロック１０２（Ｂ）の第１の誘電体層２０４の一部を（たとえば、機能ブロック１０２（Ａ）の第１の誘電体層２０４に影響を及ぼすことなく）除去するために、層エッチ３０２を実行し得る。
【0056】
６０８において、プロセスは、個別の機能ブロックに対して、第１の誘電体層内に１つまたは複数のビアをエッチングし得る。たとえば、図２Ｃ、図３Ｄおよび図４Ｃでは、プロセスは、機能ブロック１０２（Ａ）において少なくとも１つのビア２０６（Ａ）をエッチングし得、機能ブロック１０２（Ｂ）において少なくとも１つのビア２０６（Ｂ）をエッチングし得る。
【0057】
６１０において、プロセスは、個別の機能ブロックに対して、第１の誘電体層の上面上に第２の金属層を堆積し得る。たとえば、図２Ｄ、図３Ｅおよび図４Ｄでは、プロセスは、機能ブロック１０２（Ａ）に対する第２の金属層２１０（Ａ）と、機能ブロック１０２（Ｂ）に対する第２の金属層２１０（Ｂ）とを堆積し得る。
【0058】
６１２において、プロセスは、個別の機能ブロックに対して、第２の金属層の一部を除去するためにエッチングし得る。たとえば、図２Ｅ、図３Ｆおよび図４Ｅでは、プロセスは、第２の金属層２１０（Ａ）、２１０（Ｂ）の一部を除去するために金属エッチ２１２を実行し得る。
【0059】
【0060】
６１６において、プロセスは、第２の誘電体層に対して化学機械研磨（ＣＭＰ）を実行し得る。たとえば、図２Ｆ、図３Ｇおよび図４Ｆでは、プロセスは、第２の誘電体層２１６の上面２２０に対してＣＭＰ２１８を実行し得る。
【0061】
６１８において、いくつかの場合、プロセスは、個別の機能ブロックに対して、１つまたは複数のリセス接続部を作成するために、ビアのうちの１つまたは複数の一部をエッチングを介して除去し得る。たとえば、図４Ｇでは、金属リセスエッチ４０４が、上面２２０の下にコネクタをくぼませるために使用され得る。
【0062】
したがって、本明細書で説明するＢＥＯＬプロセスによってもたらされる利点は、機能ブロックが、各機能ブロックに関連する異なる基準を満足するためにカスタマイズされ得ることである。たとえば、特定の機能ブロックは第２の金属層に対して別の機能ブロックと異なる金属を使用し得、特定の機能ブロックは別の機能ブロックより広いビアを有し得、特定の機能ブロックは別の機能ブロックより大きい深さを有するコネクタを有し得、特定の機能ブロックは別の機能ブロックと比較してくぼまされたコネクタ、ビア、または両方を有し得、またはそれらが任意に組み合わされ得る。このようにして、各機能ブロックに関連して異なる抵抗およびキャパシタンスの基準が満足され得、より速いスループット（たとえば、より低い抵抗による）、より少ない熱の蓄積などが可能になる。
【0063】
図７は、本開示の１つまたは複数の態様による集積デバイス７００の構成要素を示す。上述の様々なＢＥＯＬ技法にもかかわらず、ＳＯＣ１００がＰＣＢ７９０に結合するように構成され得ることが諒解されよう。ＰＣＢ７９０はまた、電源７８０（たとえば、電力管理集積回路（ＰＭＩＣ））に結合され、これは、パッケージ７２０およびＳＯＣ１００をＰＭＩＣ７８０に電気的に結合するのを可能にする。具体的には、１本または複数の電源（ＶＤＤ）線７９１および１本または複数の接地（ＧＮＤ）線７９２がＰＭＩＣ７８０に結合され、電力をＰＣＢ７９０に分配し、ＶＤＤ ＢＧＡピン７２５およびＧＮＤ ＢＧＡピン７２７を介してパッケージ７２０に分配し、ダイバンプ７１２を介してダイ７１０に分配してもよい（ダイバンプ７１２は、上記で説明したように、パッケージ７２０の上部金属層／Ｍ１層７２６に結合された、様々なサイズおよびピッチのＵＢＭをめっきされ得る）。ＶＤＤ線７９１およびＧＮＤ線７９２の各々は、ＰＣＢ７９０内の金属層１～６を分離する絶縁層を貫通する１つまたは複数のビアによって結合されたＰＣＢ７９０の１つまたは複数の金属層（たとえば、層１～６）におけるトレース、形状、またはパターンから形成されてもよい。ＰＣＢ７９０は、１つまたは複数のＰＣＢキャパシタ（ＰＣＢ ｃａｐ）７９５を有してもよく、当業者に知られているように、ＰＣＢキャパシタ７９５を使用して電源信号を調節することができる。パッケージ７２０上の１つまたは複数の追加のＢＧＡピン（図示せず）を介して、追加の接続部およびデバイスが、パッケージ７２０に結合されてもよく、および／またはＰＣＢ７９０を貫通してパッケージ７２０に到達してもよい。図示の構成および説明が本明細書で開示する様々な態様の説明を助けるために提供されているにすぎないことが諒解されよう。たとえば、ＰＣＢ７９０は、より多いかまたはより少ない数の金属および絶縁層を有してもよいこと、様々な構成要素に電力を供給する複数の線があってもよいことなどが挙げられる。したがって、上記の例示的な例および関連する図は、本明細書で開示する様々な態様および特許請求の範囲に限定されるものと解釈すべきではない。
【0064】
本明細書で開示する様々な態様によれば、少なくとも１つの態様は、複数の機能ブロックを有するＳＯＣを含む。ＳＯＣの個別の機能ブロックは、特定のＲ特性、特定のＣ特性、または両方を有する接続部を含み得る。様々な技術的利点の中でも、開示する様々な態様は、少なくともいくつかの態様の中で、同じＳＯＣ上に設置された個別の機能ブロックの異なる接続部（ビアを含む）の抵抗（Ｒ）、キャパシタンス（Ｃ）、または両方をカスタマイズすることを提供する。このようにして、多数の動作を実行すること、大量のデータを転送することなどを行う機能ブロックは、スループットを増加すること、熱の蓄積を低減することなどのために、第２の金属層内の金属使用、接続部の幅、接続部の深さなどに部分的に基づいてより低い抵抗を提供する経路から恩恵を受ける。他の技術的利点は、本明細書で開示する様々な態様から認識され、これらの技術的利点は、例として提供するにすぎず、本明細書で開示する様々な態様のいずれかを制限するものと解釈されるべきではない。
【0065】
図８は、本開示のいくつかの例による例示的なモバイルデバイスを示す。次に図８を参照すると、例示的な態様に従って構成されたモバイルデバイスのブロック図が描かれており、全体がモバイルデバイス８００として指定されている。いくつかの態様では、モバイルデバイス８００は、ワイヤレス通信デバイスとして構成されてもよい。図示のように、モバイルデバイス８００は、プロセッサ８０１を含む。プロセッサ８０１は、リンクを介してメモリ８３２に通信可能に結合されてもよく、このリンクは、ダイ間リンクまたはチップ間リンクであってもよい。モバイルデバイス８００はまた、ディスプレイ８２８およびディスプレイコントローラ８２６を含み、ディスプレイコントローラ８２６はプロセッサ８０１およびディスプレイ８２８に結合されている。
【0066】
いくつかの態様では、図８は、プロセッサ８０１に結合されたコーダ／デコーダ（コーデック）８３４（たとえば、オーディオおよび／またはボイスコーデック）と、コーデック８３４に結合されたスピーカー８３６およびマイクロフォン８３８と、ワイヤレスアンテナ８４２およびプロセッサ８０１に結合されたワイヤレス回路８４０とを含んでもよい（ワイヤレス回路８４０は、モデム、ＲＦ回路、フィルタなどを含んでもよく、本明細書で開示するように１つまたは複数のフリップチップデバイスを使用して実装されてもよい）。
【0067】
上述のブロックのうちの１つまたは複数が存在する特定の態様では、プロセッサ８０１、ディスプレイコントローラ８２６、メモリ８３２、コーデック８３４、およびワイヤレス回路８４０は、本明細書で開示するＢＥＯＬ技法を使用して全体的または部分的実装され得るシステムオンチップ（ＳＯＣ）１００内に含まれ得る。入力デバイス８３０（たとえば、物理または仮想キーボード）、電源８４４（たとえば、電池）、ディスプレイ８２８、入力デバイス８３０、スピーカー８３６、マイクロフォン８３８、ワイヤレスアンテナ８４２、および電源８４４は、ＳＯＣ１００の外部にあってもよく、インターフェースまたはコントローラなど、ＳＯＣ１００の構成要素に結合されてもよい。
【0068】
図８は、モバイルデバイス８００を示しているが、プロセッサ８０１およびメモリ８３２はまた、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、定置データユニット、コンピュータ、ラップトップ、タブレット、通信デバイス、携帯電話、または他の同様のデバイスに組み込まれてもよいことに留意されたい。
【0069】
図９は、本開示の様々な例による、上記の集積デバイスまたは半導体デバイスのいずれかと一体化され得る様々な電子デバイスを示す。たとえば、携帯電話デバイス９０２、ラップトップコンピュータデバイス９０４、および定置端末デバイス９０６の各々は、一般にユーザ機器（ＵＥ）と見なされてもよく、本明細書で説明するようなフリップチップデバイス９００を含み得る。フリップチップデバイス９００は、たとえば、本明細書で説明する集積回路、ダイ、集積デバイス、集積デバイスパッケージ、集積回路デバイス、デバイスパッケージ、集積回路（ＩＣ）パッケージ、パッケージオンパッケージデバイスのいずれかであってよい。図９に示されるデバイス９０２、９０４、９０６は例にすぎない。また、他の電子デバイスは、限定はしないが、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、全地球測位システム（ＧＰＳ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、メータ読取り機器などの定置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、サーバ、ルータ、自動車車両（たとえば、自律走行車両）内に実装された電子デバイス、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、またはデータもしくはコンピュータ命令を記憶し、もしくは取り出す任意の他のデバイス、あるいはそれらの任意の組合せを含むデバイス（たとえば、電子デバイス）のグループを含むフリップチップデバイス９００を特徴とする場合がある。
【0070】
特定の周波数、集積回路（ＩＣ）、ハードウェア、および他の特徴が、本明細書の態様において説明されるが、代替の態様が変化してもよいことが留意され得る。すなわち、代替の態様は、追加または代替の周波数（たとえば、他の６０ＧＨｚおよび／または２８ＧＨｚ周波数帯域）、アンテナ素子（たとえば、アンテナ素子アレイの異なるサイズ／形状を有する）、スキャニング周期（静的と動的の両方のスキャニング周期を含む）、電子デバイス（たとえば、ＷＬＡＮ ＡＰ、セルラー基地局、スマートスピーカー、ＩｏＴデバイス、携帯電話、タブレット、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）など）、および／または他の特徴を使用し得る。当業者であれば、そのような変形形態を諒解されよう。
【0071】
「第１の」、「第２の」などの呼称を使用する本明細書の要素へのいかなる言及も、一般に、それらの要素の数量または順序を限定するものではないことを理解されたい。むしろ、これらの呼称は、本明細書では、２つ以上の要素または要素のインスタンスを区別する好都合な方法として使用され得る。したがって、第１の要素および第２の要素への言及は、そこで２つの要素のみが採用され得ること、または何らかの形で第１の要素が第２の要素に先行しなければならないことを意味しない。また、別段に記載されていない限り、要素のセットは１つまたは複数の要素を備えてよい。加えて、本説明または特許請求の範囲で使用する「Ａ、Ｂ、またはＣのうちの少なくとも１つ」または「Ａ、Ｂ、またはＣのうちの１つまたは複数」または「Ａ、Ｂ、およびＣからなる群のうちの少なくとも１つ」という形の用語は、「ＡまたはＢまたはＣまたはこれらの要素の任意の組合せ」を意味する。たとえば、この用語は、Ａ、またはＢ、またはＣ、またはＡおよびＢ、またはＡおよびＣ、またはＡおよびＢおよびＣ、または２Ａ、または２Ｂ、または２Ｃなどを含んでよい。
【0072】
上記の発明を実施するための形態では、例において様々な特徴が一緒にグループ化されることがわかる。開示のこの方式は、例示的な条項が、各条項の中で明示的に述べられるよりも多くの特徴を有するという意図として、理解されるべきでない。むしろ、本開示の様々な態様は、開示される個々の例示的な条項のすべての特徴よりも少数の特徴を含むことがある。したがって、以下の条項は、説明に組み込まれるものと見なされるべきであり、各条項は、別個の例として単独で有効であり得る。各従属条項は、その条項の中で、他の条項のうちの１つとの特定の組合せに言及し得るが、その従属条項の態様は、その特定の組合せに限定されない。他の例示的な条項も、任意の他の従属条項もしくは独立条項の主題との従属条項の態様の組合せ、または他の従属条項および独立条項との任意の特徴の組合せを含み得ることが理解されるだろう。特定の組合せが意図されないこと（たとえば、絶縁体と導体の両方として要素を規定することなどの、矛盾する態様）が明示的に表現されないかまたは容易に推測され得ない限り、本明細書で開示される様々な態様は、これらの組合せを明確に含む。さらに、条項が独立条項に直接従属しない場合でも、条項の態様が任意の他の独立条項に含まれ得ることも意図される。以下の番号付きの条項において、実装形態の例が説明される。
【0073】
条項１。システムオンチップ（ＳＯＣ）を含む装置であって、ＳＯＣは、第１の金属層と、第１の金属層の上面上に設置された第１の誘電体層と、複数の機能ブロックのうちの第１の機能ブロック内で使用される第１の誘電体層内に設置された第１のビアであって、複数の機能ブロックがＳＯＣ上に共設される、第１のビアと、複数の機能ブロックのうちの第２の機能ブロック内で使用される第１の誘電体層内に設置された第２のビアと、第１の誘電体層上に設置された第２の金属層であって、第２の金属層は、第１の機能ブロック内で使用される接続部の第１のセットおよび第２の機能ブロック内で使用される接続部の第２のセットを含み、接続部の第１のセットは接続部の第２のセットと異なる、第２の金属層と、第１の誘電体層上に設置された第２の誘電体層とを含む、装置。
【0074】
条項２。接続部の第１のセットの第１の深さが、接続部の第２のセットの第２の深さと異なる、条項１に記載の装置。
【0075】
条項３。接続部の第１のセットに隣接する第１の誘電体層の第１の厚さが、接続部の第２のセットに隣接する第１の誘電体層の第２の厚さと異なる、条項２に記載の装置。
【0076】
条項４。第１の厚さが第２の厚さより大きく、第１の深さが第２の深さより小さい、条項３に記載の装置。
【0077】
条項５。接続部の第１のセットが、第２の誘電体層の上面の下にくぼまされ、接続部の第２のセットが、第２の誘電体層の上面と同一平面上にある、条項１に記載の装置。
【0078】
条項６。第１のビアが第１の幅を有し、第２のビアが、第１の幅と異なる第２の幅を有する、条項１に記載の装置。
【0079】
条項７。接続部の第１のセットがそれぞれ、第１の幅を有し、接続部の第２のセットがそれぞれ、第１の幅を有する、条項４から６のいずれか一項に記載の装置。
【0080】
条項８。接続部の第１のセットがそれぞれ、第１の幅を有し、接続部の第２のセットがそれぞれ、第２の幅を有し、第１の幅が第２の幅と異なる、条項１から６のいずれか一項に記載の装置。
【0081】
条項９。第２の金属層が、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン／ウォルフラム（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも１つを含む、条項１から８のいずれか一項に記載の装置。
【0082】
条項１０。第１の金属層が、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン／ウォルフラム（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも１つを含む、条項１から９のいずれか一項に記載の装置。
【0083】
条項１１。第１のビアおよび接続部の第１のセット、ならびに第２のビアおよび接続部の第２のセットが、同じ材料から形成される、条項１から１０のいずれか一項に記載の装置。
【0084】
条項１２。第１のビアおよび接続部の第１のセットが第１の材料から形成され、第２のビアおよび接続部の第２のセットが、第１の材料と異なる第２の材料から形成される、条項１から１０のいずれか一項に記載の装置。
【0085】
条項１３。接続部の第１のセットの第１のピッチが、接続部の第２のセットの第２のピッチと異なる、条項１から１２のいずれか一項に記載の装置。
【0086】
条項１４。接続部の第１のセットの第１の抵抗が、接続部の第２のセットの第２の抵抗と異なる、条項１から１３のいずれか一項に記載の装置。
【0087】
条項１５。接続部の第１のセットの第１のキャパシタンスが、接続部の第２のセットの第２のキャパシタンスと異なる、条項１から１４のいずれか一項に記載の装置。
【0088】
条項１６。複数の機能ブロックが、マイクロプロセッサと、画像処理装置（ＧＰＵ）と、通信インターフェースと、入力／出力（Ｉ／Ｏ）インターフェースと、共有メモリと、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）とのうちの少なくとも２つを含む、条項１から１５のいずれか一項に記載の装置。
【0089】
条項１７。第１の誘電体層および第２の誘電体層がそれぞれ、ナノ多孔性シリカ、水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、酸フッ化ケイ素（ＦＳＧ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、または二酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）のうちの少なくとも１つを含む、条項１から１６のいずれか一項に記載の装置。
【0090】
条項１８。装置が、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、装着型デバイス、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、基地局、ラップトップコンピュータ、サーバ、および自動車車両の中のデバイスからなる群から選択されたデバイスの中に組み込まれる、条項１から１７のいずれか一項に記載の装置。
【0091】
条項１９。システムオンチップ（ＳＯＣ）を製作する方法であって、ＳＯＣは、基板上に第１の金属層を堆積するステップと、第１の金属層上に第１の誘電体層を堆積するステップと、第１の誘電体層内に第１のビアをエッチングするステップであって、第１のビアは複数の機能ブロックのうちの第１の機能ブロック内で使用され、複数の機能ブロックがＳＯＣ上に共設される、ステップと、複数の機能ブロックのうちの第２の機能ブロック内で使用される第１の誘電体層内に設置される第２のビアをエッチングするステップと、第１の誘電体層の上面上に第２の金属層を堆積するステップであって、第２の金属層は、第１の機能ブロック内で使用される接続部の第１のセット、および第２の機能ブロック内で使用される接続部の第２のセットを含み、接続部の第１のセットは接続部の第２のセットと異なる、ステップと、第２の金属層の一部を除去するステップと、第１の誘電体層上に第２の誘電体層を堆積するステップとを含む、方法。
【0092】
条項２０。第２の誘電体層の化学機械研磨（ＣＭＰ）を実行するステップをさらに含む、条項１９に記載の方法。
【0093】
条項２１。接続部の第１のセットの第１の深さが、接続部の第２のセットの第２の深さと異なる、条項１９から２０のいずれか一項に記載の方法。
【0094】
条項２２。接続部の第１のセットに隣接する第１の誘電体層の第１の厚さが、接続部の第２のセットに隣接する第１の誘電体層の第２の厚さと異なる、条項２１に記載の方法。
【0095】
条項２３。第１の厚さが第２の厚さより大きく、第１の深さが第２の深さより小さい、条項２２に記載の方法。
【0096】
条項２４。接続部の第１のセットが、第２の誘電体層の上面の下にくぼまされ、接続部の第２のセットが、第２の誘電体層の上面と同一平面上にある、条項１９から２０のいずれか一項に記載の方法。
【0097】
条項２５。第１のビアが第１の幅を有し、第２のビアが、第１の幅と異なる第２の幅を有する、条項１９から２０のいずれか一項に記載の方法。
【0098】
条項２６。第２の金属層が、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン／ウォルフラム（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも１つを含む、条項１９から２５のいずれか一項に記載の方法。
【0099】
条項２７。第１の金属層が、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン／ウォルフラム（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも１つを含む、条項１９から２６のいずれか一項に記載の方法。
【0100】
条項２８。第１のビアおよび接続部の第１のセット、ならびに第２のビアおよび接続部の第２のセットが、同じ材料から形成される、条項１９から２７のいずれか一項に記載の方法。
【0101】
条項２９。第１のビアおよび接続部の第１のセットが第１の材料から形成され、第２のビアおよび接続部の第２のセットが、第１の材料と異なる第２の材料から形成される、条項１９から２７のいずれか一項に記載の方法。
【0102】
条項３０。接続部の第１のセットの第１のピッチが、接続部の第２のセットの第２のピッチと異なる、条項１９から２９のいずれか一項に記載の方法。
【0103】
条項３１。接続部の第１のセットの第１の抵抗が、接続部の第２のセットの第２の抵抗と異なる、条項１９から３０のいずれか一項に記載の方法。
【0104】
条項３２。接続部の第１のセットの第１のキャパシタンスが、接続部の第２のセットの第２のキャパシタンスと異なる、条項１９から３１のいずれか一項に記載の方法。
【0105】
条項３３。複数の機能ブロックが、マイクロプロセッサと、画像処理装置（ＧＰＵ）と、通信インターフェースと、入力／出力（Ｉ／Ｏ）インターフェースと、共有メモリと、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）とのうちの少なくとも２つを含む、条項１９から３２のいずれか一項に記載の方法。
【0106】
条項３４。第１の誘電体層および第２の誘電体層がそれぞれ、ナノ多孔性シリカ、水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、酸フッ化ケイ素（ＦＳＧ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、または二酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）のうちの少なくとも１つを含む、条項１９から３３のいずれか一項に記載の方法。
【0107】
条項３５。ＳＯＣが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、基地局、ラップトップコンピュータ、サーバ、および自動車車両の中のデバイスからなる群から選択された装置の中に組み込まれる、条項１９から３４のいずれか一項に記載の方法。
【0108】
上記の記述および説明に鑑みて、本明細書で開示する態様に関して説明した様々な例示的な論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップは、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、またはその両方の組合せとして実装され得ることを当業者は諒解されよう。ハードウェアとソフトウェアとのこの互換性を明確に例示するために、様々な例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路、およびステップが、概してそれらの機能性に関して上記で説明されている。そのような機能性が、ハードウェアとして実装されるのか、それともソフトウェアとして実装されるのかは、特定の適用例および全体的なシステムに課される設計制約によって決まる。当業者は、説明した機能性を特定の適用例ごとに様々な方法で実施し得るが、そのような実装決定は、本開示の範囲からの逸脱を引き起こすものと解釈されるべきではない。
【0109】
したがって、たとえば、装置または装置の任意の構成要素が、本明細書で教示するような機能性を提供するように構成される（または動作可能にされるかもしくは適合される）場合があることを諒解されよう。このことは、たとえば、機能性を提供するように装置もしくは構成要素を製造（たとえば、製作）することによって、機能性を提供するように装置もしくは構成要素をプログラミングすることによって、または何らかの他の好適な実装技法の使用を通じて、達成され得る。一例として、集積回路は、必須の機能性を提供するように製作され得る。別の例として、集積回路は、必須の機能性をサポートするように製作されてよく、次いで、必須の機能性を提供するように（たとえば、プログラミングを介して）構成されてよい。また別の例として、プロセッサ回路は、必須の機能性を提供するためのコードを実行し得る。
【0110】
その上、本明細書で開示する態様に関して説明した方法、シーケンス、および／またはアルゴリズムは、直接ハードウェアで、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールで、またはこの２つの組合せで具現され得る。ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、フラッシュメモリ、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、消去可能プログラマブルＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブルＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、または当技術分野で知られている任意の他の形態の記憶媒体の中に常駐し得る。例示的な記憶媒体は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み取ることおよび記憶媒体に情報を書き込むことができるように、プロセッサに結合される。代替として、記憶媒体は、プロセッサと一体であってよい（たとえば、キャッシュメモリ）。
【0111】
上記の開示は様々な例示的な態様を示すが、添付の特許請求の範囲によって定義される範囲から逸脱することなく、図示の例に様々な変更および修正が加えられてよいことに留意されたい。本開示は、具体的に図示した例のみに限定されるものではない。たとえば、別段に記載されていない限り、本明細書で説明した本開示の態様による方法クレームの機能、ステップ、および／またはアクションは、特定の順序で実行される必要はない。さらに、いくつかの態様は、単数形で説明または特許請求される場合があるが、単数形への限定が明示的に述べられていない限り、複数形が企図される。
【符号の説明】
【0112】
１００ システムオンチップ（ＳＯＣ）
１０２ 機能ブロック
１０２（Ａ） 機能ブロック
１０２（Ｂ） 機能ブロック
１０２（Ｎ） 機能ブロック
１０４（Ａ） 基準
１０４（Ｂ） 基準
１０４（Ｎ） 基準
２０２ 第１の金属層
２０４ 第１の誘電体層
２０６（Ａ） ビア
２０６（Ｂ） ビア
２０８（Ａ） 幅
２０８（Ｂ） 幅
２１０（Ａ） 第２の金属層
２１０（Ｂ） 第２の金属層
２１２ 金属エッチ
２１４ 誘電体充填
２１６ 第２の誘電体層
２１８ 化学機械研磨（ＣＭＰ）
２２０ 上面
３０２ 層エッチ
３０４ 幅
３０６（Ａ） 深さ
３０６（Ｂ） 深さ
３０８（Ａ） 接続部
３０８（Ｂ） 接続部
４０２ 幅
４０４ 金属リセスエッチ
７００ 集積デバイス
７１０ ダイ
７１２ ダイバンプ
７２０ パッケージ
７２５ ＶＤＤ ＢＧＡピン
７２６ 上部金属層／Ｍ１層
７２７ ＧＮＤ ＢＧＡピン
７９５ ＰＣＢキャパシタ
７８０ 電源、電力管理集積回路（ＰＭＩＣ）
７９０ ＰＣＢ
７９１ 電源（ＶＤＤ）線
７９２ 接地（ＧＮＤ）線
７９５ ＰＣＢキャパシタ（ＰＣＢ ｃａｐ）
８００ モバイルデバイス
８０１ プロセッサ
８２６ ディスプレイコントローラ
８２８ ディスプレイ
８３０ 入力デバイス
８３２ メモリ
８３４ コーダ／デコーダ（コーデック）
８３６ スピーカー
８３８ マイクロフォン
８４０ ワイヤレス回路
８４２ ワイヤレスアンテナ
８４４ 電源
９００ フリップチップデバイス
９０２ 携帯電話デバイス
９０４ ラップトップコンピュータデバイス
９０６ 定置端末デバイス
１０２ 機能ブロック
１０２（Ａ） 機能ブロック
１０２（Ｂ） 機能ブロック
１０２（Ｎ） 機能ブロック
１０４（Ａ） 基準
１０４（Ｂ） 基準
１０４（Ｎ） 基準
２０２ 第１の金属層
２０４ 第１の誘電体層
２０６（Ａ） ビア
２０６（Ｂ） ビア
２０８（Ａ） 幅
２０８（Ｂ） 幅
２１０（Ａ） 第２の金属層
２１０（Ｂ） 第２の金属層
２１２ 金属エッチ
２１４ 誘電体充填
２１６ 第２の誘電体層
２１８ 化学機械研磨（ＣＭＰ）
２２０ 上面
３０２ 層エッチ
３０４ 幅
３０６（Ａ） 深さ
３０６（Ｂ） 深さ
３０８（Ａ） 接続部
３０８（Ｂ） 接続部
４０２ 幅
４０４ 金属リセスエッチ
７００ 集積デバイス
７１０ ダイ
７１２ ダイバンプ
７２０ パッケージ
７２５ ＶＤＤ ＢＧＡピン
７２６ 上部金属層／Ｍ１層
７２７ ＧＮＤ ＢＧＡピン
７９５ ＰＣＢキャパシタ
７８０ 電源、電力管理集積回路（ＰＭＩＣ）
７９０ ＰＣＢ
７９１ 電源（ＶＤＤ）線
７９２ 接地（ＧＮＤ）線
７９５ ＰＣＢキャパシタ（ＰＣＢ ｃａｐ）
８００ モバイルデバイス
８０１ プロセッサ
８２６ ディスプレイコントローラ
８２８ ディスプレイ
８３０ 入力デバイス
８３２ メモリ
８３４ コーダ／デコーダ（コーデック）
８３６ スピーカー
８３８ マイクロフォン
８４０ ワイヤレス回路
８４２ ワイヤレスアンテナ
８４４ 電源
９００ フリップチップデバイス
９０２ 携帯電話デバイス
９０４ ラップトップコンピュータデバイス
９０６ 定置端末デバイス
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図2E】
【図2F】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
【図3F】
【図3G】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】
【図4G】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【国際調査報告】