(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-04-12
(54)【発明の名称】電源
(51)【国際特許分類】
H02H 9/04 20060101AFI20240405BHJP
H01J 49/02 20060101ALI20240405BHJP
H01C 7/108 20060101ALN20240405BHJP
【FI】
H02H9/04 A
H01J49/02 200
H01C7/108
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023565908
(86)(22)【出願日】2022-04-29
(85)【翻訳文提出日】2023-12-05
(86)【国際出願番号】 IB2022054010
(87)【国際公開番号】W WO2022229930
(87)【国際公開日】2022-11-03
(32)【優先日】2021-04-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】510075457
【氏名又は名称】ディーエイチ テクノロジーズ デベロップメント プライベート リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100078282
【氏名又は名称】山本 秀策
(74)【代理人】
【識別番号】100113413
【氏名又は名称】森下 夏樹
(74)【代理人】
【識別番号】100181674
【氏名又は名称】飯田 貴敏
(74)【代理人】
【識別番号】100181641
【氏名又は名称】石川 大輔
(74)【代理人】
【識別番号】230113332
【氏名又は名称】山本 健策
(72)【発明者】
【氏名】ディマ, マーシャン ディー.
(72)【発明者】
【氏名】リース, グラハム アーサー
【テーマコード(参考)】
5E034
5G013
【Fターム(参考)】
5E034CC01
5G013AA02
5G013BA02
5G013CA06
5G013DA12
(57)【要約】
いくつかの開示された例示的な実施形態では、質量分析計のイオン検出器またはイオン光学系などの装置は、2つの端子を有し、かつ2つの端子の間に第1の値の電圧を提供するように構成される、電源と、電源の2つの端子の間に接続された電圧レギュレータとを含む。電圧レギュレータは、金属酸化物バリスタ(MOV)などのバリスタと、バリスタと直列に接続される、抵抗デバイスなどの電流制限回路とを含む。電流制限回路は、降伏モードで連続的に動作するようにバリスタをバイアスするように構成される。装置は、荷電粒子の飛行に影響を及ぼすように構成される電極などの電極をさらに含むことができ、電極の少なくとも1つは、バリスタの一端に接続され、電極の少なくとも他の1つは、バリスタの他端に接続される。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
装置であって、
2つの端子を有し、かつ前記2つの端子の間に第1の値の電圧を提供するように構成される、電源と、
前記電源の前記2つの端子の間に接続された電圧レギュレータと
を備え、
前記電圧レギュレータは、
第1および第2の端子を有する第1のバリスタと、
前記バリスタと直列に接続された電流制限回路と
を備え、
前記電流制限回路は、降伏モードで連続的に動作するように前記バリスタをバイアスするように構成される、装置。
【請求項2】
前記第1のバリスタおよび前記電流制限回路と直列結合部を形成する1つ以上の第2のバリスタをさらに備え、前記電流制限回路は、降伏モードで連続的に動作するように、前記第1のバリスタおよび前記1つ以上の第2のバリスタの両方をバイアスするように構成される、請求項1に記載の装置。
【請求項3】
前記電流制限回路は、抵抗デバイスを備える、請求項1または2に記載の装置。
【請求項4】
前記第1のバリスタは、公称バリスタ電圧を有し、および前記バリスタが前記公称バリスタ電圧でバイアスされると、指定されたDC試験電流レベルで動作するように構成され、前記電流制限回路は、前記指定されたDC試験電流レベル以下の電流レベルで動作するように前記バリスタをバイアスするように構成される、請求項1~3のいずれかに記載の装置。
【請求項5】
前記電流制限回路は、前記指定されたDC試験電流レベルの約50%以下の電流レベルで動作するように前記バリスタをバイアスするように構成される、請求項4に記載の装置。
【請求項6】
前記電流制限回路は、前記指定されたDC試験電流レベルの約10%以下の電流レベルで動作するように前記バリスタをバイアスするように構成される、請求項5に記載の装置。
【請求項7】
前記バリスタは、金属酸化物バリスタ(MOV)を含む、請求項1~6のいずれかに記載の装置。
【請求項8】
前記電圧レギュレータは、平面半導体デバイスを含まない、請求項1~7のいずれかに記載の装置。
【請求項9】
前記第1のバリスタは、所定の条件の組の下で定格電力散逸を有し、前記電圧レギュレータは、前記所定の条件の組の下で動作するとき、定格エネルギー散逸の約10%以下の前記第1のバリスタによるエネルギー散逸で動作するように構成される、請求項1~8のいずれかに記載の装置。
【請求項10】
前記第1のバリスタは、1.5×10
-2Pa以下の空気圧で動作するとき、前記定格エネルギー散逸の約10%以下の前記第1のバリスタによる電力散逸で動作するように構成される、請求項9に記載の装置。
【請求項11】
複数の電極を有し、かつ前記電極で受け取られた電力によって通電されるように構成される、電気デバイスをさらに備え、前記複数の電極の第1の電極は、前記第1のバリスタの前記第1の端子に接続され、前記複数の電極の第2の電極は、前記第1のバリスタの前記第2の端子に接続される、請求項1~10のいずれかに記載の装置。
【請求項12】
複数の電極を有し、かつ前記電極で受け取られた電力によって通電されるように構成される、電気デバイスをさらに備え、
前記第1のバリスタおよび前記1つ以上の第2のバリスタは、第1の端部および第2の端部を有する直列結合部で互いに接続され、
前記電気デバイスの前記複数の電極の第1の電極は、前記第1のバリスタと前記1つ以上の第2のバリスタとの直列結合部の前記第1の端部に接続され、
前記複数の電極の第2の電極は、前記第1のバリスタと前記1つ以上の第2のバリスタとの直列結合部の前記第2の端部に接続される、請求項2に記載の装置。
【請求項13】
質量分析計用のデバイスであって、前記デバイスは、
複数の電極であって、前記複数の電極の各々は、通電されたときに荷電粒子の飛行に影響を及ぼすように構成される、複数の電極と、
前記複数の電極に通電するように構成された電力源と
を備え、
前記電力源は、
2つの端子を有し、かつ前記2つの端子の間に第1の値の電圧を提供するように構成される、電源と、
前記電源の前記2つの端子の間に接続された電圧レギュレータと
を備え、
前記電圧レギュレータは、
第1および第2の端子を有する第1のMOVデバイスと、
前記バリスタデバイスと直列に接続された電流制限回路と
を備え、
前記電流制限回路は、降伏モードで連続的に動作するように前記MOVデバイスをバイアスするように構成され、
前記複数の電極の1つは、前記第1のMOVデバイスの前記第1の端子に接続され、前記複数の電極の他の1つは、前記第1のMOVデバイスの前記第2の端子に接続される、デバイス。
【請求項14】
前記電流制限回路は、抵抗デバイスを備える、請求項13に記載のデバイス。
【請求項15】
前記電流制限回路は、1つ以上のマイクロチャネルプレートを備える、請求項13または14に記載のデバイス。
【請求項16】
前記電流制限回路は、1つ以上のマイクロチャネルプレートと、1つ以上の抵抗デバイスとを備え、前記1つ以上の抵抗デバイスの各々は、前記1つ以上のマイクロチャネルプレートのそれぞれの1つに並列に接続される、請求項13~15のいずれかに記載のデバイス。
【請求項17】
前記電流制限回路は、1つ以上のマイクロチャネルプレートと、1つ以上のコンデンサとを備え、前記1つ以上のコンデンサの各々は、前記1つ以上のマイクロチャネルプレートのそれぞれの1つに並列に接続される、請求項13~16のいずれかに記載のデバイス。
【請求項18】
前記第1のMOVデバイスは、1つ以上のMOVを備え、前記1つ以上のMOVの各々は、公称バリスタ電圧を有し、かつ前記MOVが前記公称バリスタ電圧でバイアスされたときに指定されたDC試験電流レベルで動作するように構成され、前記電流制限回路は、前記1つ以上のMOVの各々について前記指定されたDC試験電流レベル以下の電流レベルで動作するように前記1つ以上のMOVをバイアスするように構成される、請求項13~17のいずれかに記載のデバイス。
【請求項19】
前記第1のMOVデバイスは、前記第1の端子と前記第2の端子との間に接続された直列結合部で接続された2つ以上のMOVを備える、請求項13~18のいずれかに記載のデバイス。
【請求項20】
前記複数の電極の少なくともサブセットは、約1Pa以下の圧力の環境で動作するように構成される、請求項13~19のいずれかに記載のデバイス。
【請求項21】
前記第1のMOVは、約1Pa以下の圧力の環境で動作するように構成される、請求項20に記載のデバイス。
【請求項22】
前記電圧レギュレータは、平面半導体デバイスを含まない、請求項13~21のいずれかに記載のデバイス。
【請求項23】
電気デバイスに電力を供給する方法であって、前記方法は、
2つの端子の間に第1の電圧を供給することと、
直列結合部を形成するために、接合部において抵抗デバイスとMOVデバイスとを接続することと、
前記2つの端子の間に前記直列結合部を接続することと、
前記電気デバイスの電極を前記接合部に接続することと、
前記MOVデバイスを連続降伏モードで動作させることと
を含む、方法。
【請求項24】
前記第1のMOVデバイスは、1つ以上のMOVを備え、前記1つ以上のMOVの各々は、公称バリスタ電圧を有し、かつ前記MOVが前記公称バリスタ電圧でバイアスされたときに指定されたDC試験電流レベルで動作するように構成され、前記MOVデバイスを連続降伏モードで動作させることは、
前記1つ以上のMOVを前記抵抗デバイスと直列に接続することと、
前記1つ以上のMOVの各々について前記指定されたDC試験電流レベル以下の電流レベルで動作するように前記1つ以上のMOVをバイアスすることと
を含む、請求項23に記載の方法。
【請求項25】
前記MOVを動作させることは、前記MOVデバイスを1kPa以下の圧力の環境において連続降伏モードで動作させることを含む、請求項22または23に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【0001】
関連出願の相互参照
本出願は、PCT国際特許出願として2022年4月29日に出願されており、2021年4月30日に出願された米国仮出願第63/182,552号の利益および優先権を主張し、この出願は、参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
背景
ロバストな調整電源は、多くの用途において重要である。例えば、質量分析計の特定の種類のイオン検出器またはイオン光学系などの特定の機器では、電極などの様々な構成要素で高電圧放電が発生し、荷電粒子の飛行に影響を及ぼす。このような放電は、電源に電流または電圧サージの形でかなりのストレスを与える。電源構成要素は、このようなストレスに耐えることができる必要がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0003】
概要
いくつかの実施形態では、電源は、2つの端子を有し、かつ2つの端子の間に第1の値の電圧を提供するように構成される、電源部と、電源の2つの端子の間に接続された電圧レギュレータとを含む。電圧レギュレータは、金属酸化物バリスタ(MOV)などのバリスタと、バリスタと直列に接続される、抵抗デバイスなどの電流制限回路とを含む。電流制限回路は、降伏モードで連続的に動作するようにバリスタをバイアスするように構成される。
【0004】
いくつかの実施形態では、装置は、電源および負荷を含む。電源は、上述した電源を含む。負荷は、荷電粒子の飛行に影響を及ぼすように構成される電極などの電極を含む。電極の少なくとも1つが、バリスタの一端に接続され、電極の少なくとも他の1つが、バリスタの他端に接続される。
【0005】
いくつかの実施形態では、質量分析計用のイオン検出器またはイオン光学系は、電源と、荷電粒子の飛行に影響を及ぼすように構成された電極とを含む。電源は、上述した電源を含む。電極の少なくとも1つが、バリスタの一端に接続され、電極の少なくとも他の1つが、バリスタの他端に接続される。
【0006】
いくつかの実施形態では、電気デバイスに電力を供給するための方法であって、方法は、2つの端子の間にDC電圧などの第1の電圧を供給することと、直列結合部を形成するために、抵抗デバイスなどの電流制限回路とMOVデバイスとを接合部で接続することと、2つの端子の間に直列結合部を接続することと、電気デバイスの電極を接合部に接続することと、MOVデバイスを連続降伏モードで動作させることとを含む。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【
図1】
図1は、いくつかの実施形態による電気デバイスの概略回路図を示す。
【0008】
【
図2A】
図2Aは、いくつかの実施形態による、負荷線と動作点の表示とを伴う、金属酸化物バリスタ(MOV)の電流-電圧曲線を示す。
【0009】
【
図2B】
図2Bは、いくつかの実施形態による、本開示で使用される特定の用語のラベルを有する、
図2Aの「2B」とラベル付けされた部分を拡大して示す。
【0010】
【
図3】
図3は、いくつかの実施形態による電気デバイスの概略回路図を示す。
【0011】
【
図4】
図4は、いくつかの実施形態による、電気デバイスに電力を供給する方法を概説する。
【発明を実施するための形態】
【0012】
詳細な説明
本開示は、電源およびそのような電源を含む電気デバイスに関する。ロバストな調整電源は、多くの用途において重要である。例えば、質量分析計の特定の種類のイオン検出器および/またはイオン光学系などの特定の機器では、高い差動電圧(例えば、100~200ボルト)が様々な電極に印加され、真空条件(例えば、10-8~1kPa、場合によってはそれより低い空気圧)で荷電粒子(例えば、電子およびイオン)の飛行(例えば、速度および/または方向)に影響を及ぼす。そのようなシステムでは、検出器の電極などの様々な構成要素で高電圧放電が発生する可能性がある。このような放電は、電源に電流または電圧サージの形でかなりのストレスを与える。そのようなイオン検出器のためのいくつかの従来の電源では、単一P-N接合デバイス(例えば、ツェナーダイオード)、集積回路、およびトランジスタなどの半導体デバイスを含むフローティングシャントレギュレータによって電圧調整が提供される。放電によって引き起こされる過電圧および/または過電流状態は、そのような半導体デバイスを容易に損傷させ、調整機能に故障を起こす可能性がある。場合によっては、調整された電圧は、この故障によってゼロに低下するか、不正確になるか、またはノイズが多くなる。これは、イオンの軌道に影響を及ぼし、性能の損失(例えば、感度、解像度)またはスペクトルピークアーチファクトの出現をもたらす。本開示に開示される特定の実施形態は、そのようなストレスに耐えることができる電源および構成要素を提供する。
【0013】
いくつかの実施形態では、バリスタは、その特定の例として金属酸化物バリスタ(MOV)が挙げられるが、従来の平面または単結晶半導体電圧レギュレータの代わりに電圧レギュレータとして使用される。MOVは、通常、回路保護デバイスとしてのみ使用され、電圧調整要素としては使用されない。しかしながら、特定の用途では、MOVが適切な電圧レギュレータであることが発見されている。例えば、特定の低電流(<<1mA)用途では、MOVは、少なくとも許容レベルの性能(例えば、精度)および平面半導体レギュレータと比較して向上したロバスト性で、長期劣化なしに使用することができる。
【0014】
例示的な実施形態では、
図1の回路図に示すように、イオン検出器またはイオン光学系(例えば、集束レンズアセンブリ)などの電気デバイス100は、電源部110および負荷モジュール160を含む。電源110は、いくつかの実施形態では高電圧端子114と低電圧端子116との間にDC電圧を出力する電源112を含み、低電圧端子116はこの例では接地されているが、別の固定電位またはフローティングにすることができる。DC電圧は、電源112が設計される特定の用途に適した任意の電圧とすることができる。例えば、特定のイオン検出器では、電源112の出力電圧V1は名目上2000~4000ボルトであり得る。いくつかの実施形態では、電源112は、単一出力高電圧DC-DCコンバータなどの調整電源、または非調整電源である。
【0015】
この例における電源モジュール110は、レギュレータとしての1つ以上(この場合、3つ)のMOV122、124、126と、電流制限回路としての抵抗器142とをさらに含む。第1、第2、および第3のMOV RV1 122、RV2 124、RV3126および抵抗器R1 142は、電源112の第1の端子114と第2の端子116との間に直列に接続され、4つの出力、すなわち、第1の端子114における第1の出力132、MOV122、124間の接合部における第2の出力134、MOV124、126間の接合部における第3の出力136、およびMOV126と抵抗器142との間の第4の出力138を提供する。
【0016】
図1に示す例の負荷モジュール160は、各々が電源モジュール110のそれぞれの出力に接続された4つの電極、すなわち、第1の出力132に接続された第1の電極162と、第2の出力134に接続された第2の電極164と、第3の出力136に接続された第3の電極166と、第4の出力138に接続された第4の電極168とを含む。したがって、第1の電極162と第2の電極164との間の差動電圧(電位差)ΔV
1は、第1のMOV122の両端間電圧であり、第2の電極164と第3の電極166との間の差動電圧ΔV
2は、第2のMOV124の両端間電圧であり、そして、第3の電極166と第4の電極168との間の差動電圧ΔV
3は、第3のMOV126の両端間電圧である。
【0017】
この例では、この例における差動電圧ΔV1、ΔV2、およびΔV3は、任意のツェナーダイオードなどの任意の単一P-N接合デバイスを含む平面半導体デバイスなしで調整されることに留意されたい。
【0018】
電流制限回路、この場合は抵抗器R1 142は、以下でより詳細に説明するように、MOV122、124、126を通る電流を、MOV122、124、126の劣化を防止するレベルに設定するように選択することができる抵抗値を有する。
【0019】
MOV122、124、126の動作条件は、いくつかの実施形態では、
図2Aおよび
図2Bに関連して以下で説明するように設定され、
図2Bは、
図2Aの一部(「2B」とラベル付けされた部分)をより詳細に示す。
図2Aは、MOVの典型的な電流-電圧(I-V)曲線200(すなわち、電流I
X対電圧V
Xのプロット)を示し、電圧は、MOVの両端間においてMOVを通る電流で測定される。曲線200は、原点、すなわち電圧および電流の両方がゼロである点に関して実質的に対称である。曲線200の正電圧の半分を参照すると、電圧がゼロから増加するにつれて、電流は、I-V曲線200の「リーク領域」と呼ばれることもある第1の部分202においてゆっくりと増加する。したがって、リーク領域におけるMOVの抵抗は非常に高い。電圧が急激な遷移を超えてさらに増加すると、電流は、I-V曲線200の「降伏領域」と呼ばれることもある第2の部分204の狭い電圧範囲内で急速に増加する。したがって、MOVを降伏領域内に駆動することによって電圧調整を達成することができる。例えば、
図2Aのグラフにおいて、電圧方向の大きなマス目(major division)がそれぞれ50Vである場合、降伏領域204の電圧は約200Vであり、MOVを使用して約200Vの差動電圧を調整することができる。
図2Aに示すように、MOVのI-V曲線200およびMOVが接続されている回路の負荷線210は、MOVの動作点220で交差する。
【0020】
図2Bに示すように、MOVのI-V曲線200は、ある特定の電流-電圧対によって特徴付けることができる。例えば、リーク領域202において、MOVに印加され得る最大連続DC電圧である「定格DC電圧V
M(DC)は、MOVの製造業者によって指定することができ、そして、定格DC電圧で測定されたバリスタ電流である、対応する「DC待機電流」I
Dを指定することができる。指定されたデューティサイクルおよび波形に印加され得る最大反復ピーク電圧である「定格反復ピーク電圧」を指定することができ、そして、対応する電流I
PMを指定することができる。特定の持続時間の指定されたパルスDC電流I
N(DC)で測定されたバリスタの両端間電圧である「公称バリスタ電圧」V
N(DC)を指定することができ、そして、I
N(DC)を指定することができる。指定されたピークV
Cパルス電流I
Pおよび指定された波形の条件下で測定されたバリスタの両端間のピーク電圧である「クランプ電圧」V
C、ならびにI
Pを指定することができる。
【0021】
いくつかの実施形態では、電流制限回路142は、各MOV122、124、126の動作点220が降伏領域204内にあり、電圧が特定の用途に許容可能なレベルで、かつMOV122、124、126の著しい劣化を引き起こさないような十分に低い電流であるように調整されるように、負荷線210を設定するように選択することができる。いくつかの実施形態では、例えば、抵抗器142の抵抗値は、バリスタ122、124、126を通る電流が公称バリスタ電圧VN(DC)に対応するIN(DC)程度であるように設定するように選択される。他の実施形態では、電流は、IN(DC)よりも低く、例えばIN(DC)の50%、25%、10%以下に設定することができる。例えば、IN(DC)が1.0mAであるいくつかの実施形態では、バリスタは、60~100μAの電流で動作するように設定することができる。動作電流が低いほど、MOVによる電力散逸が低くなる。MOVを低電流レベル(例えば、IN(DC)の10%)で動作させることは、MOVが許容するように設計されたレベルを超えるレベルでは電極放電によって引き起こされる電流サージが電力散逸をもたらす可能性が低いため、真空中で電極に高電圧を印加するような特定の用途において有利である。いくつかの実施形態では、MOVは、定格連続電力散逸レベル、例えばIN(DC)とVN(DC)との積を有することができる。例えば、IN(DC)の10%でMOVを動作させると、定格電力散逸レベルの10%で電力散逸が生じる。
【0022】
電源112がDC電源である
図1の例などのいくつかの実施形態では、MOV122、124、126は、DCモード、または降伏領域204で連続的に動作するようにバイアスされる。いくつかの実施形態では、
図1のMOV122、124、126などのMOVは、真空中、例えば1Pa以下、または10
-7~10
-3Pa以下などの1kPa以下の空気圧を有する環境に配置される。いくつかの実施形態では、MOVは、同じ真空チャンバ(または別の種類の制御された雰囲気の空間)内に配置される。上述した低い動作電流は、MOV内で散逸されるエネルギー(すなわち、熱)が、MOVに損傷を引き起こす程度まで蓄積しないことを確実にするのに役立つ。
【0023】
別の実施形態では、
図3の回路図に示すように、イオン検出器300は、電源部310と、電源モジュール310によって電力供給され、検出機能を実行する検出器モジュール360とを含む。電源モジュール310は、正端子314と、この例ではフローティングである負端子316との間に高DC電圧を出力する電源112を含む。DC電圧は、電源312が設計される特定の用途に適した任意の電圧とすることができる。例えば、特定のイオン検出器では、電源312の出力電圧V1は名目上2500ボルトであり得る。電源312は、いくつかの実施形態では、フローティング高電圧DC-DCコンバータなどの調整電源である。
【0024】
この例の電源部310は、レギュレータとしてのMOV322-1、322-2、324、326と、電流制限回路としての抵抗器342、344とをさらに含む。第1および第2のMOV RV1 322-1、RV2 322-2、抵抗器R1 342、および第3のMOV RV3は、電源312の第1の端子314と第2の端子316との間に直列に接続される。第4のMOV RV4 326および第2の抵抗器R2 344は、第1の抵抗器R1 342の両端間で直列に接続される。この例における電源モジュール310は、6つの出力、すなわち、第1の端子314における第1の出力332、第4のMOV326と第2の抵抗器344との間の接合部における第2の出力334、第2のMOV322-2と第1の抵抗器342との間の接合部における第3の出力352、第1の抵抗器342と第3のMOV324との間の第4の出力354、第2の端子316における第5の出力336、および第4の出力354に接続された第6の出力338を提供する。電源モジュール310は、第6の出力338と、この例では接地している第3の端子318との間に電圧V2を出力する第2の電源346をさらに含む。この例における第2の電源346は、高電圧DC-DCコンバータであるが、必要な電圧を提供することができる任意のデバイスとすることができる。いくつかの実施形態では、V2は接地に対して正であり、他の実施形態では、V2は接地に対して負である。
【0025】
図3に示す例の検出器モジュール360は、各々が電源モジュール310のそれぞれの出力に接続された6つの電極、すなわち、第1の出力332に接続された1つ以上のアノード電極362、第2の出力334に接続された第1の電極364、第5の出力336に接続された第2の電極366、第6の出力338に接続された第3の電極368、第3の出力352に接続された第4の電極372、および第4の出力354に接続された第5の電極374を含む。この例の検出器モジュール360は、第4の電極372と第5の電極374との間に接続された一組の1つ以上のマイクロチャネルプレート370をさらに含む。したがって、1つ以上のアノード電極は、第1の端子314の電位において、または接地より上のV1+V2-ΔV
3においてバイアスされ、第4の電極372は、第1の端子314の電位よりも低い、公称バリスタ電圧(ΔV
1)の2倍程度の電位にバイアスされ、第1の電極364は、第4の電極372の下の公称バリスタ電圧(ΔV
2)程度でバイアスされ、第5の電極374および第3の電極368は、接地よりも上のV2にバイアスされ、そして、第2の電極366および第2の端子316は、V2より低い公称バリスタ電圧(ΔV
3)程度でバイアスされる。
【0026】
この例では、
図1に示す例と同様に、この例における差動電圧ΔV
1、ΔV
2、およびΔV
3は、任意のツェナーダイオードなどの任意の単一P-N接合デバイスを含む平面半導体デバイスなしで調整されることに留意されたい。
【0027】
図4に概説されるように、いくつかの実施形態では、電気デバイスに電力を供給する方法400は、2つの端子の間に第1の電圧を供給すること410と、直列結合部を形成するために、接合部において抵抗デバイスとMOVデバイスとを接続すること420と、2つの端子の間の直列結合部を接続すること430と、電気デバイスの電極を接合部に接続すること440と、MOVデバイスを連続降伏モードで動作させること450とを含む。
【0028】
上記で開示された例のように、シャントレギュレータネットワーク内の調整要素としてMOVを使用することにより、そのような電源を含む電源および機器は、高電圧放電に対してはるかにロバストになる。MOVは、回路保護デバイスとして設計され、ツェナーダイオード、集積回路、およびトランジスタなどの半導体ベースのデバイスよりも損傷することなく、はるかに大きい過ストレスエネルギーを吸収する。本発明者らは、電源モジュールにMOVベースのレギュレータを使用する飛行時間型(TOF)質量分析計などの特定の研究機器では、ツェナーダイオードおよび/またはトランジスタレギュレータを使用する機器と比較して、レギュレータ回路の故障の大幅な低減が達成されたことを見出した。加えて、MOVレギュレータ回路は、ツェナーダイオード、トランジスタ、または集積回路に基づくレギュレータよりもコンパクトである。例えば、MOVベースのレギュレータ回路は、ツェナーレギュレータネットワークにおける直列抵抗器および並列キャパシタの必要性を排除する。従来のレギュレータ回路をMOVレギュレータ回路と同程度にロバストにしようとすると、さらに大きな構成要素および追加の保護構成要素が必要になる。一例では、MOVレギュレータ回路のコンパクトさにより、2つの回路基板を単一の回路基板に統合することが可能になり、大幅なコスト削減がもたらされた。
【0029】
本開示は、添付の図面を参照して本技術のいくつかの例を説明したが、可能な例のいくつかのみが示された。しかしながら、他の態様は、多くの異なる形態で具現化されることができ、本明細書に記載の例に限定されると解釈されるべきではない。むしろ、これらの例は、本開示が徹底的かつ完全であり、可能な例の範囲を当業者に完全に伝えるように提供された。
【0030】
本明細書では具体例が記載されたが、本技術の範囲は、これらの具体例に限定されない。当業者は、本技術の範囲内にある他の例または改良を認識するであろう。したがって、特定の構造、動作、または媒体は、例示的な例としてのみ開示されている。本技術による例はまた、本明細書で特に明記しない限り、一般的に開示されているが組み合わせて明示的に例示されていない要素または構成要素を組み合わせてもよい。本技術の範囲は、以下の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される。
【0031】
以下が特許請求される。
【国際調査報告】