特表 2024-516374 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-04-15

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20240408BHJP

   G09F 9/33 20060101ALI20240408BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240408BHJP

   H01L 33/00 20100101ALI20240408BHJP

   H01L 33/48 20100101ALI20240408BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 338

G09F9/33

G09F9/00 338

H01L33/00 L

H01L33/48

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023563044

(86)(22)【出願日】2022-01-20

(85)【翻訳文提出日】2023-10-13

(86)【国際出願番号】 KR2022001067

(87)【国際公開番号】W WO2022231095

(87)【国際公開日】2022-11-03

(31)【優先権主張番号】10-2021-0056924

(32)【優先日】2021-04-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】512187343

【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社

【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】100121382

【弁理士】

【氏名又は名称】山下 託嗣

(72)【発明者】

【氏名】チェ，ジン ウ

(72)【発明者】

【氏名】ヤン，ビョン チュン

(72)【発明者】

【氏名】キム，ミン ウ

(72)【発明者】

【氏名】パク，ソン クック

(72)【発明者】

【氏名】ジョン，ヒョン イル

【テーマコード（参考）】

5C094

5F142

5G435

【Ｆターム（参考）】

5C094AA42

5C094BA03

5C094BA23

5C094CA20

5C094HA05

5C094HA08

5C094JA08

5C094JA09

5F142BA32

5F142CB23

5F142CD02

5F142CD44

5F142DA13

5F142DA64

5F142DB17

5F142DB20

5F142DB24

5F142GA01

5G435AA17

5G435BB04

5G435CC09

5G435KK05

5G435LL04

5G435LL08

5G435LL17

(57)【要約】

表示装置は、基板上に第１配列方向及び前記第１配列方向と交差する第２配列方向の複数の発光素子と、それぞれ前記複数の発光素子の少なくとも一部と重畳し、第１方向に沿って互いに離隔され、前記第１方向と交差する第２方向に延びる第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域と、を含む。前記第２方向前記第１配列方向は互いに非平行であることができる。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上に配置され、第１配列方向及び前記第１配列方向と交差する第２配列方向によって定義される行列形態に配列される、複数の発光素子と、
前記複数の発光素子の少なくとも一部とそれぞれ重畳し、第１方向に沿って互いに離隔され、前記第１方向と交差する第２方向にそれぞれ延びる第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域と、を含み、
前記第２方向と前記第１配列方向は、互いに非平行であることを特徴とする表示装置。

【請求項2】

前記基板上に配置され、前記第１サブ画素領域及び前記第２サブ画素領域を定義する遮光層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第１サブ画素領域からは、第１色の光が発散され、
前記第２サブ画素領域からは、第２色の光が発散されることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記第２方向と前記第１配列方向は、鋭角を有する夾角を形成することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

前記夾角は、５度～４０度であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。

【請求項6】

前記第１サブ画素領域は、前記第１方向と平行であり、第１長さを有する一辺を含み、
前記複数の発光素子は、第１発光素子及び第２発光素子を含み、前記第１発光素子と前記第２発光素子は、前記第１配列方向に互いに隣接し、第１配列距離だけ離隔され、
前記第１長さと前記第１配列距離は、下記式を満たすことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

（ここで、ｘ_１は前記第１長さであり、ｙは前記第１配列距離である）

【請求項7】

前記第１配列距離は、前記第１発光素子と前記第２発光素子との間の最短距離であることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。

【請求項8】

前記第１サブ画素領域及び前記第２サブ画素領域と前記第１方向に沿って離隔される第３サブ画素領域をさらに含み、
前記第１サブ画素領域は、前記第２サブ画素領域の一側に配置され、前記第３サブ画素領域は、前記第２サブ画素領域の他側に配置され、
前記第１サブ画素領域の一端部と前記第３サブ画素領域の他端部は、第２長さだけ離隔され、
前記複数の発光素子は、第１配列方向に互いに隣接し、第１配列距離だけ離隔される、第１発光素子及び第２発光素子を含み、前記第１発光素子と前記第２発光素子は、前記第１配列方向に互いに隣接し、第１配列距離だけ離隔される、
前記第２長さと前記第１配列距離は下記式を満たすことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

（ここで、ｘ_２は前記第２長さであり、ｙは前記第１配列距離である）

【請求項9】

前記第１サブ画素領域と前記第２サブ画素領域は、離隔距離で離隔され、
前記複数の発光素子のそれぞれは、底面長さを有し、
前記離隔距離と前記底面長さは、下記式を満たすことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

（ここで、ｚは前記離隔距離であり、ｗは前記底面距離である）

【請求項10】

前記複数の発光素子の底面は、円形状を有し、
前記底面長さは、円の径であることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。

【請求項11】

前記複数の発光素子の底面は、長方形状を有し、
前記底面長さは、長方形の対角線の長さであることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。

【請求項12】

前記複数の発光素子上に配置され、前記発光素子から発散された光の波長を変更させるように構成される光制御部と、
前記第１サブ画素領域及び前記第２サブ画素領域と前記第１方向に沿って互いに離隔され、前記第２方向に延びる第３サブ画素領域と、をさらに含み、
前記光制御部は、前記第１サブ画素領域と重畳する第１波長変換パターンと、前記第２サブ画素領域と重畳する第２波長変換パターンと、前記第３サブ画素領域と重畳する光透過パターンと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

【請求項13】

前記複数の発光素子の少なくとも一部は、前記第１サブ画素領域と重畳し、前記複数の発光素子のさらに他の一部は、前記第２サブ画素領域と重畳し、前記複数の発光素子のさらに他の一部は、前記第３サブ画素領域と重畳し、
前記複数の発光素子は、互いに同じ色の光を発散することを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。

【請求項14】

前記基板上で前記複数の発光素子の単位面積当たりの個数は均一であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

【請求項15】

積層基板を提供するステップと、
前記積層基板上に第１半導体層、活性層、及び第２半導体層を形成するステップと、
前記第１半導体層、前記活性層、及び前記第２半導体層をエッチングして複数の発光素子を提供するステップと、
前記積層基板を前記複数の発光素子から分離し、前記複数の発光素子をドナーフィルム上に結合するステップと、
前記ドナーフィルム上に配置された前記複数の発光素子を基板上に配置するステップと、
前記複数の発光素子上に第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域を定義する遮光層を配置するステップと、を含み、
前記複数の発光素子を提供するステップは、前記複数の発光素子が第１配列方向及び前記第１配列方向と交差する第２配列方向によって定義される行列形態にパターニングされるステップを含み、
前記遮光層を配置するステップは、前記第１サブ画素領域及び前記第２サブ画素領域が第１方向に沿って互いに離隔され、前記第１方向と交差する第２方向にそれぞれ延びるように前記遮光層を形成するステップを含み、
前記第２方向と前記第１配列方向は、互いに非平行であることを特徴とする表示装置の製造方法。

【請求項16】

前記複数の発光素子間の離隔距離が増加されるように前記ドナーフィルムを変形するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の表示装置の製造方法。

【請求項17】

前記ドナーフィルムを変形するステップが行われる前に、前記複数の発光素子は互いに未変形間隔に離隔され、
前記ドナーフィルムを変形するステップにおいて、前記複数の発光素子間の離隔距離が増加して、前記第１配列方向に隣接する前記複数の発光素子は、第１配列距離だけ離隔され、前記第２配列方向に隣接する前記複数の発光素子は、第２配列距離だけ離隔されることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置の製造方法。

【請求項18】

拡張可能範囲は、前記ドナーフィルムが一方向に拡張されるときに非破壊される限度内の長さの倍数であり、
前記ドナーフィルムの前記拡張可能範囲は下記式を満たすことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置の製造方法。

（ここで、Ａは前記ドナーフィルムの前記拡張可能範囲であり、ｙは前記第１配列距離であり、ｖは前記未変形間隔である）

【請求項19】

前記第２方向と前記第１配列方向は、鋭角を有する夾角を形成することを特徴とする請求項１５に記載の表示装置の製造方法。

【請求項20】

前記遮光層と同じ層に配置される第１波長変換パターン、第２波長変換パターン、及び光透過パターンを形成するステップをさらに含み、
前記遮光層を配置するステップは、前記第１サブ画素領域及び前記第２サブ画素領域と前記第１方向に沿って離隔され、前記第２方向に延びる第３サブ画素領域が定義されるように前記遮光層を形成するステップを含み、
前記複数の発光素子は、第３色の光を発散し、
前記第１波長変換パターンは、前記第３色の光を第１色の光に変更させ、前記第２波長変換パターンは、前記第３色の光を前記第２色の光に変更させ、前記光透過パターンは、前記第３色の光を透過させ、
前記複数の発光素子は、前記第１サブ画素領域及び前記第１波長変換パターンと重畳する第１発光素子、前記第２サブ画素領域及び前記第２波長変換パターンと重畳する第２発光素子、及び前記第３サブ画素領域及び前記光透過パターンと重畳する第３発光素子を含むことを特徴とする請求項１５に記載の表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、全体として表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

最近、情報ディスプレイに対する関心が高まっているため、表示装置に関する研究開発が継続的に行われている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本開示の１つ以上の態様は、正常に動作可能な発光素子の割合が増加して、発光素子の配置効率が向上した表示装置及びその製造方法に関する。

【0004】

本開示の１つ以上の態様は、工程の予測可能性が向上した表示装置及びその製造方法に関する。

【0005】

本開示の１つ以上の態様は、上記の態様に限定されず、記載されていないさらに他の技術の態様は、以下の説明から通常の技術者に明確に理解されるはずである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の１つ以上の実施例によれば、基板上に配置され、第１配列方向及び前記第１配列方向と交差する第２配列方向に沿う行列形態に配列される、複数の発光素子と、前記複数の発光素子の少なくとも一部とそれぞれ重畳し、第１方向に沿って互いに離隔され、前記第１方向と交差する第２方向にそれぞれ延びる第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域と、を含み、前記第２方向と前記第２配列方向は互いに非平行であってもよい。

【0007】

１つ以上の実施例によれば、前記基板上に配置され、前記第１サブ画素領域及び前記第２サブ画素領域を定義する遮光層をさらに含んでもよい。

【0008】

１つ以上の実施例によれば、前記第１サブ画素領域からは、第１色の光が発散され、前記第２サブ画素領域からは、第２色の光が発散されることができる。

【0009】

１つ以上の実施例によれば、前記第２方向と前記第２配列方向は、鋭角を有する夾角を形成することができる。

【0010】

１つ以上の実施例によれば、前記夾角は、５度～４０度であることができる。

【0011】

１つ以上の実施例によれば、前記第１サブ画素領域は、前記第１方向と平行であり、第１長さを有する一辺を含み、前記複数の発光素子は、前記第２配列方向に互いに隣接し、第１配列距離だけ離隔される、第１発光素子及び第２発光素子を含み、前記第１長さと前記第１配列距離は、下記式を満たすことができる。

【0012】

【0013】

（ｘ_１は前記第１長さであり、ｙは前記第１配列距離である）

【0014】

１つ以上の実施例によれば、前記第１配列距離は、前記第１発光素子と前記第２発光素子との間の最短距離であることができる。

【0015】

１つ以上の実施例によれば、前記第１サブ画素領域及び前記第２サブ画素領域と前記第１方向に沿って離隔される第３サブ画素領域をさらに含み、前記第１サブ画素領域は、前記第２サブ画素領域の一側に配置され、前記第３サブ画素領域は、前記第２サブ画素領域の他側に配置され、前記第１サブ画素領域の一端部と前記第３サブ画素領域の他端部は、互いに第２長さだけ離隔され、前記複数の発光素子は、前記第２配列方向に互いに隣接し、互いに第１配列距離だけ離隔される、第１発光素子及び第２発光素子を含み、前記第２長さと前記第１配列距離は、下記式を満たすことができる。

【0016】

【0017】

（ｘ_２は前記第２長さであり、ｙは前記第１配列距離である）

【0018】

１つ以上の実施例によれば、前記第１サブ画素領域と前記第２サブ画素領域は、互いに一離隔距離（例えば、所定の離隔距離）で離隔され、前記複数の発光素子のそれぞれは、一底面長さ（例えば、所定の底面距離）を有し、１つ以上の前記離隔距離と前記底面長さは、下記式を満たすことができる。

【0019】

【0020】

(ｚは前記離隔距離であり、ｗは前記底面距離である)

【0021】

１つ以上の実施例によれば、前記複数の発光素子の底面は、円形状を有し、前記底面長さは、円の径であり得る。

【0022】

１つ以上の実施例によれば、前記複数の発光素子の底面は、長方形の形状を有し、前記底面長さは、長方形の対角線の長さであることができる。

【0023】

１つ以上の実施例によれば、前記複数の発光素子上に配置され、前記発光素子から発散された光の波長を変更するように構成される光制御部と、前記第１サブ画素領域及び前記第２サブ画素領域と前記第１方向に沿って互いに離隔されて前記第２方向に延びる第３サブ画素領域と、をさらに含み、前記光制御部は、前記第１サブ画素領域と重畳する第１波長変換パターンと、前記第２サブ画素領域と重畳する第２波長変換パターンと、前記第３サブ画素領域と重畳する光透過パターンと、を含むことができる。

【0024】

１つ以上の実施例によれば、前記複数の発光素子の少なくとも第１一部は、前記第１サブ画素領域と重畳し、前記複数の発光素子の第２一部は、前記第２サブ画素領域と重畳し、前記複数の発光素子の第３一部は、前記第３サブ画素領域と重畳し、前記複数の発光素子は、互いに同じ色の光を発散することができる。

【0025】

１つ以上の実施例によれば、前記基板上で前記複数の発光素子の単位面積当たりの個数は均一であることができる。

【0026】

本開示の１つ以上の実施例によれば、積層基板を提供するステップと、前記積層基板上に第１半導体層、活性層、及び第２半導体層を形成するステップと、前記第１半導体層、前記活性層、及び前記第２半導体層をエッチングして複数の発光素子を提供するステップと、前記積層基板を前記複数の発光素子から分離し、前記複数の発光素子をドナーフィルム上に結合するステップと、前記ドナーフィルム上に配置された前記複数の発光素子を基板上に配置するステップと、前記複数の発光素子上に第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域を定義する遮光層を配置するステップと、を含み、前記複数の発光素子を提供するステップは、前記複数の発光素子が第１配列方向及び前記第１配列方向と交差する第２配列方向に沿う行列形態にパターニングされるステップを含み、前記遮光層を配置するステップは、前記第１サブ画素領域及び前記第２サブ画素領域が第１方向に沿って互いに離隔され、前記第１方向と交差する第２方向にそれぞれ延びるように前記遮光層を形成するステップを含み、前記第２方向と前記第２配置方向は互いに非平行であることができる。

【0027】

１つ以上の実施例によれば、前記複数の発光素子間の離隔距離が増加するように前記ドナーフィルムを変形するステップをさらに含んでもよい。

【0028】

１つ以上の実施例によれば、前記ドナーフィルムを変形するステップが行われる前に、前記複数の発光素子は互いに未変形間隔に離隔され、前記ドナーフィルムを変形するステップにおいて、前記複数の発光素子間の離隔距離が増加して、前記第１配列方向に隣接する前記複数の発光素子は、第１配列距離だけ離隔され、前記第２配列方向に隣接する前記複数の発光素子は、第２配列距離だけ離隔されることができる。

【0029】

１つ以上の実施例によると、拡張可能範囲は、前記ドナーフィルムが一方向に拡張されるときに非破壊される限度内の長さの倍数であり得る。

【0030】

前記ドナーフィルムの前記拡張可能範囲は下記式を満たすことができる。

【0031】

【0032】

（ここで、Ａは前記ドナーフィルムの前記拡張可能範囲であり、ｙは前記第１配列距離であり、ｖは前記未変形間隔である）

【0033】

１つ以上の実施例によれば、前記第２方向と前記第１配列方向は、鋭角を有する夾角を形成することができる。

【0034】

１つ以上の実施例によれば、前記遮光層と同じ層に配置される第１波長変換パターン、第２波長変換パターン、及び光透過パターンを形成するステップをさらに含み、前記遮光層を配置するステップは、前記第１サブ画素領域及び前記第２サブ画素領域と前記第１方向に沿って離隔され、前記第２方向に延びる第３サブ画素領域が定義されるように前記遮光層を形成するステップを含み、前記複数の発光素子は、第３色の光を発散し、前記第１波長変換パターンは、前記第３色の光を第１色の光に変更させ、前記第２波長変換パターンは、前記第３色の光を前記第２色の光に変更させ、前記光透過パターンは、前記第３色の光を透過させ、前記複数の発光素子は、前記第１サブ画素領域及び前記第１波長変換パターンと重畳する第１発光素子、前記第２サブ画素領域及び前記第２波長変換パターンと重畳する第２発光素子、及び前記第３サブ画素領域及び前記光透過パターンと重畳する第３発光素子を含むことができる。

【0035】

本開示の１つ以上の態様および方法は、前述の解決手段に限定されず、記載されていない態様および方法は、本明細書及び添付の図面から、本開示の属する技術分野において通常の知識を有する者に明確に理解できるであろう。

【発明の効果】

【0036】

本開示の１つ以上の実施例による態様は、正常に動作可能な発光素子の割合が増加して、発光素子の配置効率の向上した表示装置およびその製造方法に関する。

【0037】

本開示の１つ以上の実施例による態様は、工程の予測可能性が向上した表示装置およびその製造方法に関する。

【0038】

本開示の効果および態様は、前述の効果に限定されず、記載されていない効果および態様は、本明細書および添付の図面から、本開示の属する技術分野において通常の知識を有する者に明確に理解されるべきである。

【図面の簡単な説明】

【0039】

【図1】１つ以上の実施例による表示装置を概略的に示す斜視図である。

【図2】１つ以上の実施例による表示装置を概略的に示す平面図である。

【図3】１つ以上の実施例による表示装置を示す断面図である。

【図4】１つ以上の実施例による画素に含まれた画素回路を示す図である。

【図5】１つ以上の実施例による画素を概略的に示す断面図である。

【図6】図２のＥＡ１の拡大図(1)である。

【図7】図２のＥＡ１の拡大図(2)である。

【図8】図２のＥＡ１の拡大図(3)である。

【図9】１つ以上の実施例による表示装置に含まれる発光素子の位置関係を概略的に示す平面図(1)である。

【図10】１つ以上の実施例による表示装置に含まれる発光素子の位置関係を概略的に示す平面図(2)である。

【図11】１つ以上の実施例による表示装置の製造方法の工程ステップ（あるいは動作）毎の断面図(1)である。

【図12】１つ以上の実施例による表示装置の製造方法の工程ステップ（あるいは動作）毎の断面図(2)である。

【図13】１つ以上の実施例による表示装置の製造方法の工程ステップ（あるいは動作）毎の断面図(3)である。

【図14】１つ以上の実施例による表示装置の製造方法の工程ステップ（あるいは動作）毎の断面図(4)である。

【図15】１つ以上の実施例による表示装置の製造方法の工程ステップ（あるいは動作）毎の断面図(5)である。

【図16】１つ以上の実施例による表示装置の製造方法の工程ステップ（あるいは動作）毎の平面図(1)である。

【図17】１つ以上の実施例による表示装置の製造方法の工程ステップ（あるいは動作）毎の断面図(6)である。

【図18】１つ以上の実施例による表示装置の製造方法の工程ステップ（あるいは動作）毎の平面図(2)である。

【図19】１つ以上の実施例による表示装置が適用される例を示す図(1)である。

【図20】１つ以上の実施例による表示装置が適用される例を示す図(2)である。

【図21】１つ以上の実施例による表示装置が適用される例を示す図(3)である。

【図22】１つ以上の実施例による表示装置が適用される例を示す図(4)である。

【発明を実施するための形態】

【0040】

本明細書に記載された実施例は、本開示の属する技術の分野における通常の知識を有する者に本開示の思想を明確に説明するためのものであるので、本開示は、本明細書に記載された実施例により限定されるものではなく、本開示の範囲は、本開示の思想から逸脱しない修正例又は変形例を含むものと解釈されるべきである。

【0041】

本明細書で使用されるように、「～のうちの少なくとも１つ」、「～のうちの１つ」、及び「～から選択された」といった表現は、構成要素のリストに先行する場合、前記リストの個々の構成要素の全体対象または個別対象を修正しない。

【0042】

本明細書で使用されるように、「および／または」は、関連して挙げられた項目のうちの１つ以上の任意のすべての組み合わせを含む。

【0043】

また、本開示の実施例を説明するときに「～し得る」の使用は、「本開示の一つ以上の実施例」を意味する。

【0044】

構成要素が他の構成要素に対して「～上に位置」、「～に連結」などと記載されるとき、構成要素が他の構成要素に対して直接に位置又は連結されるだけでなく、その間に他の構成要素が存在するものを含むと理解できる。

【0045】

図面では、構成要素、側、及び領域の相対的な大きさは、明確にするために誇張及び／又は単純化して示す場合がある。「～下」、「～下部」、「～上」、「～上部」、及び「～うえ」などのような空間的に相対的な用語は、一つの構成要素を説明するための説明の便宜のために使用することができる。空間的に相対的な用語は、図面に示される方向に加えて、使用または作動中の装置の他の方向を含むように意図されていることが理解されるであろう。例えば、図中で装置が反転されている場合、他の構成要素又は特徴部の下部に配置されたものとして表現された構成要素は、他の構成要素又は特徴部の上部に配置されたものとすることができる。したがって、「～下部」という用語は、上と下の方向を全て含むことができる。装置は、他の方向に指定することができ（９０度回転又は別の方向に）、本明細書で使用される空間的に相対的な記述子は適切に解釈されるべきである。

【0046】

本明細書で使用されるように、「実質的に」、「約」、及びこれと同様の用語は、程度（ｄｅｇｒｅｅ）の用語ではなく近似値（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎ）の用語として使用し、同じ技術分野の通常の技術者が認識できる測定又は計算された値の固有偏差を説明することが意図される。

【0047】

第１、第２などの用語は、様々な構成要素を説明するために使用することができるが、これらの用語によって構成要素を限定的に解釈してはならない。これらの用語は、ある構成要素を他の構成要素と区別するのみに使用される。例えば、本開示の範囲を逸脱することなく、第１構成要素は第２構成要素と指すことができ、同様に第２構成要素も第１構成要素と指すことができる。

【0048】

他に定義しない限り、本明細書で使用するすべての用語（技術的及び科学的用語を含む）は、本開示の属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同じ意味を有する。一般的に用いられる辞書に定義されている用語は、関連記述の文脈でその意味と一致する意味を有すると解釈されるべきであり、ここで明示的に定義しない限り、理想化されたり形式的な意味に解釈されてはならない。

【0049】

本開示は、表示装置に関する。以下では、図１～図２２を参照して、１つ以上の実施例による表示装置について説明する。

【0050】

図１は、１つ以上の実施例による表示装置を概略的に示す斜視図である。図２は、１つ以上の実施例による表示装置を概略的に示す平面図である。

【0051】

図１及び図２を参照すると、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤは、光を発散するように構成されることができる。

【0052】

１つ以上の実施例によれば、表示装置ＤＤは、基板ＳＵＢ及び基板ＳＵＢ上に配置された画素ＰＸＬを含むことができる。１つ以上の実施例によれば、表示装置ＤＤは、画素ＰＸＬを駆動するための駆動回路部（例えば、走査駆動部およびデータ駆動部）、配線、及びパッドをさらに含んでもよい。

【0053】

一例によれば、画素ＰＸＬは、第１サブ画素ＳＰＸＬ１、第２サブ画素ＳＰＸＬ２、および第３サブ画素ＳＰＸＬ３を含むことができる。

【0054】

表示装置ＤＤは、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを含むことができる。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡ以外の領域を指すことができる。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの少なくとも一部の周辺に位置することができる（あるいは囲むことができる。）。

【0055】

基板ＳＵＢは、表示装置ＤＤのベース部材を構成することができる。基板ＳＵＢは、硬性の基板又は軟性の基板或いはフィルムであり得るが、特定の例に限定されない。

【0056】

表示領域ＤＡは、画素ＰＸＬの配置された領域を指すことができる。非表示領域ＮＤＡは、画素ＰＸＬの配置されていない領域を指すことができる。非表示領域ＮＤＡには、表示領域ＤＡの画素ＰＸＬに連結される駆動回路部、配線、及びパッドを配置することができる。

【0057】

一例によれば、画素ＰＸＬは、ストライプ（ｓｔｒｉｐｅ）又はペンタイル（ＰＥＮＴＩＬＥ^TM）（ＰＥＮＴＩＬＥ^TMは（株）サムスンディスプレイの大韓民国登録特許である）配列構造（例えば、ＲＧＢＧ配列構造）などによって配列されることができるが、本開示はこれに限定されず、ある適切に変更された実施形態を適用することができる。

【0058】

１つ以上の実施例によれば、表示領域ＤＡには、複数のサブ画素（図４の「ＳＰＸＬ」参照）を含む画素ＰＸＬが配置されることができる。例えば、表示領域ＤＡには、第１色の光を放出する第１サブ画素ＳＰＸＬ１、第２色の光を放出する第２サブ画素ＳＰＸＬ２、及び第３色の光を放出する第３サブ画素ＳＰＸＬ３が配置されることができ、少なくとも１つの第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３は、様々な適切な色の光を放出し得る１つの画素ユニット又は画素ＰＸＬを構成（又は、形成）することができる。

【0059】

例えば、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３は、それぞれは一色（例えば所定色）の光を放出するサブ画素であることができる。例えば、第１サブ画素ＳＰＸＬ１は、赤色（一例として、第１色）の光を放出する赤色画素であり、第２サブ画素ＳＰＸＬ２は、緑色（一例として、第２色）の光を放出する緑色画素であり、第３サブ画素ＳＰＸＬ３は、青色（一例として、第３色）の光を放出する青色画素であることができる。ただし、それぞれの前記画素ユニットを構成（又は形成）するサブ画素ＳＰＸＬの色、種類及び／又は個数などは特定の例に限定されない。

【0060】

以下では、説明の便宜上、画素ＰＸＬが第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３を含む１つ以上の実施例を基準として説明する。本明細書で定義するサブ画素ＳＰＸＬは、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３のうちいずれか１つであることができる。

【0061】

図３は、１つ以上の実施例による表示装置を示す断面図である。

【0062】

表示装置ＤＤは、基板ＳＵＢ、画素回路部PCL、表示素子部ＤＰＬ、及び光制御部ＬＣＰを含むことができる。一例によれば、基板ＳＵＢ、画素回路部ＰＣＬ、表示素子部ＤＰＬ、及び光制御部ＬＣＰは、表示装置ＤＤの表示方向（一例として、第３方向ＤＲ３）に沿って積層（例えば順次積層）されることができる。ここで、前記表示方向は、基板ＳＵＢの厚さ方向を指すことができる。

【0063】

基板ＳＵＢは、表示装置ＤＤの基底面を構成することができる。基板ＳＵＢ上には、表示装置ＤＤの個別構成が配置されることができる。

【0064】

画素回路部ＰＣＬは、基板ＳＵＢ上に配置されることができる。画素回路部ＰＣＬは、画素ＰＸＬを駆動させるように構成された画素回路（図４の「ＰＸＣ」参照）を含むことができる。

【0065】

表示素子部ＤＰＬは、画素回路部ＰＣＬ上に配置されることができる。表示素子部ＤＰＬは、画素回路部ＰＣＬから提供される電気的信号に基づいて光を発散することができる。表示素子部ＤＰＬは、光を発散できる発光素子（図４の「ＬＤ」参照）を含むことができる。表示素子部ＤＰＬから発散された光は、光制御部ＬＣＰを通過して外部（例えば、表示装置ＤＤの外部領域）に提供されることができる。

【0066】

光制御部ＬＣＰは、表示素子部ＤＰＬ上に配置されることができる。光制御部ＬＣＰは、発光素子ＬＤ上に配置されることができる。光制御部ＬＣＰは、表示素子部ＤＰＬ（或いは発光素子ＬＤ）から提供される光の波長を変更させることができる。一例によれば、光制御部ＬＣＰは、図５に示すように、光の波長を変更させるように構成された色変換部ＣＣＬ及び特定波長を有する光を透過させる色フィルタ部ＣＦＬを含むことができる。

【0067】

図４は、１つ以上の実施例による画素に含まれる画素回路を示す図である。

【0068】

図４は、１つ以上の実施例のうちの１つによる表示装置ＤＤ（例えば、アクティブ型表示装置）に適用されるサブ画素ＳＰＸＬに含まれる構成要素の電気的連結関係を示す。たとえ、図４はサブ画素ＳＰＸＬに含まれる構成要素の種類を示すが、サブ画素ＳＰＸＬに含まれる構成要素の種類はこれに限定されない。

【0069】

図４を参照すると、サブ画素ＳＰＸＬは、発光素子ＬＤ及び画素回路ＰＸＣを含むことができる。

【0070】

発光素子ＬＤは、第１電源ラインＶＤＤと第２電源ラインＶＳＳとの間に連結されることができる。発光素子ＬＤの一端部（一例として、Ｐ型半導体）は、第１電極ＥＬＴ１及び画素回路ＰＸＣを経由して第１電源ラインＶＤＤに連結され、発光素子ＬＤの他端部（一例として、Ｎ型半導体）は、第２電極ＥＬＴ２を経由して第２電源ラインＶＳＳに連結されることができる。

【0071】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤは、画素回路ＰＸＣを介して駆動電流が供給されると、前記駆動電流に対応する輝度の光を発散することができる。

【0072】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤは、第１電源ラインＶＤＤと第２電源ラインＶＳＳとの間で、様々な適切な連結構造を介して互いに連結されることができる。一例として、発光素子ＬＤは、互いに並列にのみ連結されるか、互いに直列にのみ連結されることができる。または、発光素子ＬＤは、直／並列混合構造で連結されることができる。例えば、第１複数の発光素子は、直列に互いに電気的に連結されることができ、第２複数の発光素子は、並列に互いに電気的に連結されることができる。

【0073】

第１電源ラインＶＤＤと第２電源ラインＶＳＳは、発光素子ＬＤが光を発散できるように互いに異なる電位を有することができる。第１電源ラインＶＤＤと第２電源ラインＶＳＳは、サブ画素ＳＰＸＬの発光期間中、光が発散され得る程度の電位差を有することができる。例えば、第１電源ラインＶＤＤは、第２電源ラインＶＳＳよりも高い電位に設定されることができる。

【0074】

画素回路ＰＸＣは、第１電源ラインＶＤＤと発光素子ＬＤとの間を連結することができる。画素回路ＰＸＣは、第１トランジスタＴ１、第２トランジスタＴ２、第３トランジスタＴ３、及びストレージキャパシタＣｓｔを含むことができる。

【0075】

１つ以上の実施例によれば、第１トランジスタＴ１の一電極は、第１電源ラインＶＤＤに連結され、他の電極は、発光素子ＬＤの一電極（一例として、アノード電極）に連結されることができる。第１トランジスタＴ１のゲート電極は、第１ノードＮ１に連結されることができる。第１トランジスタＴ１は、第１ノードＮ１を介して印加された電圧に対応して発光素子ＬＤに流れる電流を制御することができる。

【0076】

１つ以上の実施例によれば、第２トランジスタＴ２の一電極は、データラインＤＬに連結され、他の電極は、第１ノードＮ１に連結されることができる。第２トランジスタＴ２のゲート電極は、スキャンラインＳＬに連結されることができる。第２トランジスタＴ２は、スキャンラインＳＬからスキャン信号が供給されるとターン－オンされ、この際、データラインＤＬから提供されたデータ信号を第１ノードＮ１に伝達することができる。

【0077】

１つ以上の実施例によれば、第３トランジスタＴ３の一電極は、センシングラインＳＥＮＬに連結され、他の電極は、第２ノードＮ２に連結されることができる。第３トランジスタＴ３のゲート電極は、センシング信号ラインＳＥＬに連結されることができる。第３トランジスタＴ３がセンシング信号ラインＳＥＬから提供されたセンシング信号に応答してターン－オンされる場合、センシングラインＳＥＮＬを介して基準電圧が第２ノードＮ２に提供されることができる。

【0078】

１つ以上の実施例によれば、前記基準電圧は、発光素子ＬＤと連結される第１トランジスタＴ１の電極（一例として、第１トランジスタＴ１のソース電極）の電圧を一定の値に設定あるいは初期化する役割を果たすことができる。一例によれば、前記基準電圧は、第２電源ラインＶＳＳの電圧以下に設定されることができる。

【0079】

１つ以上の実施例によれば、第３トランジスタＴ３は、センシング信号ラインＳＥＬから提供されたセンシング信号に応答してターン－オンされる場合、センシング電流をセンシングラインＳＥＮＬに伝達することができる。

【0080】

実施例によれば、前記センシング電流は、第１トランジスタＴ１の移動度およびスレッショルド電圧の変化量を算出するために利用されることができる。

【0081】

ストレージキャパシタＣｓｔは、第１ノードＮ１（または、第１トランジスタＴ１のゲート電極）と第２ノードＮ２（または、第１トランジスタＴ１の他の電極）との間に連結されることができる。ストレージキャパシタＣｓｔは、第１ノードＮ１の電圧と第２ノードＮ２の電圧との間の差に関する情報を保存することができる。

【0082】

一方、画素回路ＰＸＣの構造は、図４に示す構造に限定されず、様々な適切な形態の構造が具現されることができる。なお、図４では、第１～第３トランジスタＴ１～Ｔ３はＮ型トランジスタを基準として示したが、これに限定されず、実施例によっては第１～第３トランジスタＴ１～Ｔ３をＰ型トランジスタで構成してもよい。

【0083】

以下では、図５を参照して、画素ＰＸＬを構成するサブ画素ＳＰＸＬの構造をさらに詳細に説明する。前述した内容に対して重複する可能性のある内容は、説明を簡単にしたり、繰り返さないようにする。

【0084】

図５は、１つ以上の実施例による画素を概略的に示す断面図である。

【0085】

図５には、第１サブ画素ＳＰＸＬ１、第２サブ画素ＳＰＸＬ２、及び第３サブ画素ＳＰＸＬ３が示されている。

【0086】

図５では、図４を参照して述べた画素回路ＰＸＣに含まれる構成のうち、第１トランジスタＴ１を基準として説明する。一例として、第１サブ画素ＳＰＸＬ１、第２サブ画素ＳＰＸＬ２、及び第３サブ画素ＳＰＸＬ３のそれぞれに第１トランジスタＴ１が具備される１つ以上の実施例が図５に示されている。

【0087】

画素回路部ＰＣＬは、基板ＳＵＢ上に配置されることができる。画素回路部ＰＣＬは、バッファ膜ＢＦＬ、第１トランジスタＴ１、ゲート絶縁膜ＧＩ、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１、第２層間絶縁膜ＩＬＤ２、ブリッジパターンＢＲＰ、コンタクト部ＣＮＴ、及び保護膜ＰＳＶを含むことができる。

【0088】

一例によれば、画素回路部ＰＣＬの個別構成は、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３のそれぞれに定義されることができる。

【0089】

バッファ膜ＢＦＬは、基板ＳＵＢ上に配置されることができる。バッファ膜ＢＦＬは、不純物の外部からの拡散を防止または実質的に防止することができる。バッファ膜ＢＦＬは、シリコン窒化物（ＳｉＮ_Ｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ_Ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙ）、及びアルミニウム酸化物（ＡｌＯ_Ｘ）などのような金属酸化物のうちの少なくとも１つを含むことができる。

【0090】

１つ以上の実施例によれば、第１トランジスタＴ１は、薄膜トランジスタであり得る。１つ以上の実施例によれば、第１トランジスタＴ１は、駆動トランジスタであり得る。

【0091】

第１トランジスタＴ１は、発光素子ＬＤと連結（例えば、電気的に連結）されることができる。一例として、第１サブ画素ＳＰＸＬ１の第１トランジスタＴ１は、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１内に配置される発光素子ＬＤと連結（例えば、電気的に連結）されることができる。第２サブ画素ＳＰＸＬ２の第１トランジスタＴ１は、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２内に配置される発光素子ＬＤと連結（例えば、電気的に連結）されることができる。第３サブ画素ＳＰＸＬ３の第１トランジスタＴ１は、第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３内に配置される発光素子ＬＤと連結（例えば、電気的に連結）されることができる。

【0092】

１つ以上の実施例によれば、第１トランジスタＴ１は、アクティブ層ＡＣＴ、第１トランジスタ電極ＴＥ１、第２トランジスタ電極ＴＥ２、及びゲート電極ＧＥを含むことができる。

【0093】

アクティブ層ＡＣＴは、半導体層を指すことができる。アクティブ層ＡＣＴは、バッファ膜ＢＦＬ上に配置されることができる。アクティブ層ＡＣＴは、ポリシリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）、アモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）、及び酸化物半導体のうちの少なくとも１つを含むことができる。

【0094】

１つ以上の実施例によれば、アクティブ層ＡＣＴは、第１トランジスタ電極ＴＥ１と接触する第１接触領域及び第２トランジスタ電極ＴＥ２と接触する第２接触領域を含むことができる。前記第１接触領域と前記第２接触領域は、不純物のドープされた半導体パターンであり得る。前記第１接触領域と前記第２接触領域との間の領域は、チャンネル領域であり得る。前記チャンネル領域は、不純物のドープされていない真性半導体パターンであり得る。

【0095】

ゲート電極ＧＥは、ゲート絶縁膜ＧＩ上に配置されることができる。ゲート電極ＧＥの位置は、アクティブ層ＡＣＴのチャンネル領域の位置に対応することができる。例えば、ゲート電極ＧＥは、ゲート絶縁膜ＧＩを挟んでアクティブ層ＡＣＴのチャンネル領域上に配置されることができる。

【0096】

ゲート絶縁膜ＧＩは、アクティブ層ＡＣＴ上に配置されることができる。ゲート絶縁膜ＧＩは、無機材料を含むことができる。一例によれば、ゲート絶縁膜ＧＩは、シリコン窒化物（ＳｉＮ_Ｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ_Ｘ）、シリコン酸窒化物 （ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙ）、及びアルミニウム酸化物（ＡｌＯ_Ｘ）のうちの少なくとも１つを含むことができる。１つ以上の実施例によって、ゲート絶縁膜ＧＩは有機材料を含んでもよい。

【0097】

第１層間絶縁膜ＩＬＤ１は、ゲート電極ＧＥ上に位置することができる。第１層間絶縁膜ＩＬＤ１は、ゲート絶縁膜ＧＩと同様に、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ_ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）、及びアルミニウム酸化物（ＡｌＯ_ｘ）のうちの少なくとも１つを含むことができる。

【0098】

第１トランジスタ電極ＴＥ１及び第２トランジスタ電極ＴＥ２は、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１上に位置することができる。第１トランジスタ電極ＴＥ１は、ゲート絶縁膜ＧＩと第１層間絶縁膜ＩＬＤ１とを貫通してアクティブ層ＡＣＴの第１接触領域と接触し、第２トランジスタ電極ＴＥ２は、ゲート絶縁膜ＧＩと第１層間絶縁膜ＩＬＤ１とを貫通してアクティブ層ＡＣＴの第２接触領域と接触することができる。一例によれば、第１トランジスタ電極ＴＥ１はソース電極であり、第２トランジスタ電極ＴＥ２はドレイン電極であり得るが、これに限定されない。

【0099】

第２層間絶縁膜ＩＬＤ２は、第１トランジスタ電極ＴＥ１および第２トランジスタ電極ＴＥ２上に位置することができる。第２層間絶縁膜ＩＬＤ２は、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１及びゲート絶縁膜ＧＩと同様に、無機材料を含むことができる。第２層間絶縁膜ＩＬＤ２の無機材料の例は、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１及びゲート絶縁膜ＧＩの物質のうちの少なくとも１つを含むことができ、一例として、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ_ｘ）、 シリコン酸窒化物（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）、及びアルミニウム酸化物（ＡｌＯ_ｘ）のうちの少なくとも１つを含むことができる。しかしながら、本開示は前述の例に限定されない。１つ以上の実施例によって、第２層間絶縁膜ＩＬＤ２は有機材料を含んでもよい。

【0100】

ブリッジパターンＢＲＰは、第２層間絶縁膜ＩＬＤ２上に配置されることができる。ブリッジパターンＢＲＰは、第２層間絶縁膜ＩＬＤ２を貫通するコンタクトホールを介して第１トランジスタ電極ＴＥ１と連結されることができる。

【0101】

保護膜ＰＳＶは、第２層間絶縁膜ＩＬＤ２上に位置することができる。保護膜ＰＳＶは、ブリッジパターンＢＲＰをカバーすることができる。保護膜ＰＳＶは、有機絶縁膜、無機絶縁膜、又は前記無機絶縁膜上に配置される前記有機絶縁膜を含む形態で提供されることができるが、これに限定されない。１つ以上の実施例によれば、保護膜ＰＳＶには、ブリッジパターンＢＲＰの一領域と連結されるコンタクト部ＣＮＴが形成されることができる。

【0102】

表示素子部ＤＰＬは、画素回路部ＰＣＬ上に配置されることができる。表示素子部ＤＰＬは、第１電極ＥＬＴ１、連結電極ＣＯＬ、絶縁層ＩＮＳ、発光素子ＬＤ、及び第２電極ＥＬＴ２を含むことができる。一例によれば、表示素子部ＤＰＬの個別構成は、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３のそれぞれに定義されることができる。

【0103】

第１電極ＥＬＴ１は、保護膜ＰＳＶ上に配置されることができる。第１電極ＥＬＴ１は、発光素子ＬＤの下部に配置されることができる。第１電極ＥＬＴ１は、ブリッジパターンＢＲＰとコンタクト部ＣＮＴを介して連結されることができる。

【0104】

１つ以上の実施例によれば、第１電極ＥＬＴ１は、発光素子ＬＤと連結（または電気的に連結）されることができる。一例によれば、第１電極ＥＬＴ１は、第１トランジスタＴ１から提供された電気的信号を発光素子ＬＤに提供することができる。第１電極ＥＬＴ１は、発光素子ＬＤにアノード信号を印加することができる。

【0105】

１つ以上の実施例によれば、第１電極ＥＬＴ１は、導電性物質を含むことができる。一例として、第１電極ＥＬＴ１は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、これらの合金のような金属を含むことができる。ただし、前述の例に限定されない。

【0106】

連結電極ＣＯＬは、第１電極ＥＬＴ１上に配置されることができる。一例として、連結電極ＣＯＬの一面は発光素子ＬＤと連結され、連結電極ＣＯＬの他面は第１電極ＥＬＴ１と連結されることができる。

【0107】

連結電極ＣＯＬは、導電性物質を含んで、第１電極ＥＬＴ１と発光素子ＬＤとを連結（または電気的に連結）することができる。一例として、連結電極ＣＯＬは、発光素子ＬＤの第２半導体層１３と連結（または電気的に連結）されることができる。１つ以上の実施例によって、連結電極ＣＯＬは、発光素子ＬＤから発散された光を反射するために、反射性質を有する導電性物質を含むことができ、これにより画素ＰＸＬの発光効率を改善することができる。

【0108】

１つ以上の実施例によれば、連結電極ＣＯＬは、発光素子ＬＤとボンディング結合する（または結合される）ボンディングメタルであり得る。連結電極ＣＯＬは、発光素子ＬＤとボンディング結合または結合されることができる。

【0109】

発光素子ＬＤは、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３のそれぞれに含まれることができる。発光素子ＬＤは、光を発散するように構成される。発光素子ＬＤは、第１半導体層１１、第２半導体層１３、及び第１半導体層１１と第２半導体層１３との間に介在される活性層１２を含むことができる。一例として、発光素子ＬＤの延長方向を長さ方向とすると、発光素子ＬＤは長さ方向に沿って積層される（例えば、順次積層される）第１半導体層１１、活性層１２、及び第２半導体層１３を含むことができる。

【0110】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤは、一方向に沿って延びる柱状で提供されることができる。発光素子ＬＤは、第１端部ＥＰ１と第２端部ＥＰ２を有することができる。発光素子ＬＤの第１端部ＥＰ１には、第１半導体層１１及び第２半導体層１３のうちの１つが隣接することができる。発光素子ＬＤの第２端部ＥＰ２には、第１半導体層１１及び第２半導体層１３のうちの残りの１つが隣接することができる。

【0111】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤは、エッチング方式などを介して柱形状に製造された発光素子であり得る。本明細書における柱形状とは、円柱または多角柱などのように長さ方向に長い（すなわち、縦横比が１よりも大きい）ロッド形状（ｒｏｄ－ｌｉｋｅ ｓｈａｐｅ）、またはバー形状（ｂａｒ－ｌｉｋｅ ｓｈａｐｅ）を包括し、その断面の形状は特に限定されない。例えば、発光素子ＬＤの長さは、その直径または、横断面の幅）よりも大きくてもよい。

【0112】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤは、ナノスケール乃至マイクロスケール（ｎａｎｏｍｅｔｅｒ ｓｃａｌｅ ｔｏ ｍｉｃｒｏｍｅｔｅｒ ｓｃａｌｅ）程度に小さい大きさを有することができる。一例として、発光素子ＬＤは、それぞれナノスケール乃至マイクロスケール範囲の直径（又は、幅）および／または長さを有することができる。ただし、発光素子ＬＤの大きさはこれに限定されない。

【0113】

第１半導体層１１は、第１導電型の半導体層であり得る。例えば、第１半導体層１１は、Ｎ型半導体層を含むことができる。一例として、第１半導体層１１は、ＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮのうちのいずれか１つの半導体材料を含み、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎなどのような第１導電型ドーパントのドープされたＮ型半導体層を含むことができる。ただし、第１半導体層１１を構成する物質はこれに限定されない。

【0114】

活性層１２は、第１半導体層１１上に配置され、単一量子井戸（ｓｉｎｇｌｅ－ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）構造または多重量子井戸（ｍｕｌｔｉ－ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）構造に形成されることができる。一例として、活性層１２を多重量子井戸構造に形成する場合、活性層１２は、障壁層（ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙｅｒ）、ストレイン強化層（ｓｔｒａｉｎ ｒｅｉｎｆｏｒｃｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、及びウェル層（ｗｅｌｌ ｌａｙｅｒ）が１つのユニットとして周期的に繰り返し積層されることができる。ストレイン強化層は、障壁層よりもさらに小さい格子定数を有して、ウェル層に印加されるストレイン、一例として、圧縮ストレインに対する構造をさらに強化することができる。ただし、活性層１２の構造は前述の実施例に限定されない。

【0115】

１つ以上の実施例によれば、活性層１２は、４００ｎｍ～９００ｎｍの波長を有する光を放出することができる。一例によれば、活性層１２は、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮなどの物質を含むことができるが、前述の例に限定されない。

【0116】

第２半導体層１３は、活性層１２上に配置され、第１半導体層１１と異なるタイプの半導体層を含むことができる。例えば、第２半導体層１３は、Ｐ型半導体層を含むことができる。一例として、第２半導体層１３は、ＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮのうちの少なくとも１つの半導体材料を含み、Ｍｇなどのような第２導電型ドーパントのドープされたＰ型半導体層を含むことができる。ただし、第２半導体層１３を構成する物質はこれに限定されず、この他にも様々な適切な物質が第２半導体層１３を構成することができる。

【0117】

発光素子ＬＤの両端にスレッショルド電圧以上の電圧を印加すると、活性層１２で電子－正孔対が結合しながら発光素子ＬＤが発光することになる。このような原理を利用して発光素子ＬＤの発光を制御することによって、発光素子ＬＤを表示装置の画素をはじめとする様々な発光装置の光源として利用できる。

【0118】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤは、表面に提供される絶縁膜ＩＮＦをさらに含んでもよい。絶縁膜ＩＮＦは、単一膜あるいは二重膜に形成されることができるが、これに限定されず、複数の膜に構成してもよい。一例として、絶縁膜ＩＮＦは、第１材料を含んだ第１絶縁膜及び前記第１材料とは異なる第２材料を含んだ第２絶縁膜を含むことができる。

【0119】

１つ以上の実施例によれば、絶縁膜ＩＮＦは、互いに異なる極性を有する発光素子ＬＤの両端部を露出することができる。例えば、絶縁膜ＩＮＦは、発光素子ＬＤの第１及び第２端部ＥＰ１、ＥＰ２に位置する第１及び第２半導体層１１、１３のそれぞれの一端を露出することができる。

【0120】

１つ以上の実施例によれば、絶縁膜ＩＮＦは、無機材料を含むことができる。一例として、絶縁膜ＩＮＦは、シリコン酸化物（ＳｉＯ_ｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）、アルミニウム酸化物（ＡｌＯ_ｘ）及びチタン酸化物（ＴｉＯ_ｘ）のうちの少なくとも１つの絶縁物質を含んで単一層または多重層で構成（または形成）されることができるが、これに限定されない。

【0121】

１つ以上の実施例によれば、絶縁膜ＩＮＦは、発光素子ＬＤの電気的安定性を確保することができる。なお、複数の発光素子ＬＤが互いに密接（または隣接）して配置されている場合でも、発光素子ＬＤの間で（例えば、隣接する発光素子ＬＤの間で）望ましくない短絡が発生することを防止できる。

【0122】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤは、前述の構成の他に追加の構成をさらに含むことができる。例えば、発光素子ＬＤは、第１半導体層１１、活性層１２および／または第２半導体層１３の一端側に配置される１つ以上の蛍光体層、活性層、半導体層および／または電極層を追加に含むことができる。一例として、発光素子ＬＤの第１及び第２端部ＥＰ１、ＥＰ２には、それぞれコンタクト電極層がさらに配置されることができる。

【0123】

絶縁層ＩＮＳは、保護膜ＰＳＶ上に配置されることができる。絶縁層ＩＮＳは、第１電極ＥＬＴ１および／または連結電極ＣＯＬの少なくとも一部をカバーすることができる。絶縁層ＩＮＳは、連結電極ＣＯＬとボンディング－結合（または結合）する発光素子ＬＤの間に提供されることができる。絶縁層ＩＮＳは、発光素子ＬＤの間に配置され、発光素子ＬＤの外面をカバーすることができる。一例によれば、絶縁層ＩＮＳは、絶縁膜ＩＮＦを参照して例示的に列挙された物質のうちのいずれか１つを含むことができるが、これに限定されない。

【0124】

第２電極ＥＬＴ２は、絶縁層ＩＮＳ上に配置されることができる。第２電極ＥＬＴ２は、発光素子ＬＤの上部に配置されることができる。

【0125】

１つ以上の実施例によれば、第２電極ＥＬＴ２は、発光素子ＬＤと連結（例えば、電気的に連結）されることができる。第２電極ＥＬＴ２は、第１半導体層１１と連結（例えば、電気的に連結）されることができる。一例によれば、第２電極ＥＬＴ２は、発光素子ＬＤにカソード信号を印加することができる。第２電極ＥＬＴ２は、第２電源ラインＶＳＳから供給された電気的信号を発光素子ＬＤに提供することができる。

【0126】

１つ以上の実施例によれば、第２電極ＥＬＴ２は、導電性物質を含むことができる。一例として、第２電極ＥＬＴ２は、透明導電性物質を含むことができる。第２電極ＥＬＴ２は、インジウムスズ酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ、ＺｎＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ、ＩＧＺＯ）、インジウムスズ亜鉛酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ、ＩＴＺＯ）のような導電性酸化物、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ（３，４－ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））のような導電性ポリマーのうちのいずれか１つを含むことができる。ただし、前述の例に限定されない。

【0127】

光制御部ＬＣＰは、表示素子部ＤＰＬ上に配置されることができる。光制御部ＬＣＰは、表示素子部ＤＰＬから提供された光の波長を変更させることができる。光制御部ＬＣＰは、色変換部ＣＣＬ及び色フィルタ部ＣＦＬを含むことができる。

【0128】

実施例によれば、第１サブ画素ＳＰＸＬ１、第２サブ画素ＳＰＸＬ２、及び第３サブ画素ＳＰＸＬ３のそれぞれに配置される発光素子ＬＤは、互いに同じ色の光を発散することができる。例えば、第１サブ画素ＳＰＸＬ１、第２サブ画素ＳＰＸＬ２、及び第３サブ画素ＳＰＸＬ３は、第３色（一例として青色光）の光を放出する発光素子ＬＤを含むことができる。このような第１サブ画素ＳＰＸＬ１、第２サブ画素ＳＰＸＬ２、及び第３サブ画素ＳＰＸＬ３上に光制御部ＬＣＰが配置されることで、フル－カラの映像を表示することができる。ただし、必ずしもこれに限定されるわけではなく、第１サブ画素ＳＰＸＬ１、第２サブ画素ＳＰＸＬ２、及び第３サブ画素ＳＰＸＬ３は、互いに異なる色の光を放出する発光素子ＬＤを備えることができる。

【0129】

色変換部ＣＣＬは、第１パッシベーション層ＰＳＳ１、波長変換パターンＷＣＰ、光透過パターンＬＴＰ、遮光層ＬＢＬ、及び第２パッシベーション層ＰＳＳ２を含むことができる。波長変換パターンＷＣＰは、第１波長変換パターンＷＣＰ１及び第２波長変換パターンＷＣＰ２を含むことができる。

【0130】

第１パッシベーション層ＰＳＳ１は、表示素子部ＤＰＬと遮光層ＬＢＬまたは波長変換パターンＷＣＰとの間に、および／または表示素子部ＤＰＬと波長変換パターンＷＣＰとの間に配置されることができる。第１パッシベーション層ＰＳＳ１は、波長変換パターンＷＣＰを密封（あるいはカバー）することができる。第１パッシベーション層ＰＳＳ１は、絶縁膜ＩＮＦを参照して例示的に列挙した物質のうちのいずれか１つを含むことができるが、特定の例に限定されない。

【0131】

１つ以上の実施例によれば、第１パッシベーション層ＰＳＳ１と第２電極ＥＬＴ２との間には接着層が介在されることができる。前記接着層は、第１パッシベーション層ＰＳＳ１と第２電極ＥＬＴ２とを結合させることができる。前記接着層は、ある適切な接着性物質を含むことができ、特定の例に限定されない。

【0132】

第１波長変換パターンＷＣＰ１は、第１サブ画素ＳＰＸＬ１の発光領域ＥＭＡ（一例として、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１）と重畳するように配置されることができる。例えば、第１波長変換パターンＷＣＰ１は、遮光層ＬＢＬによって定義される空間内に配置され、平面上で見て、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１と重畳することができる。

【0133】

１つ以上の実施例によれば、遮光層ＬＢＬは、複数の壁を含み、第１波長変換パターンＷＣＰ１は、第１サブ画素ＳＰＸＬ１に対応する領域に配置される前記複数の壁の間の空間内に提供されることができる。

【0134】

第２波長変換パターンＷＣＰ２は、第２サブ画素ＳＰＸＬ２の発光領域ＥＭＡ（一例として、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２）と重畳するように配置されることができる。例えば、第２波長変換パターンＷＣＰ２は、遮光層ＬＢＬによって定義される空間内に配置され、平面上で見て、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２と重畳することができる。

【0135】

１つ以上の実施例によれば、遮光層ＬＢＬは、複数の壁を含み、第２波長変換パターンＷＣＰ２は、第２サブ画素ＳＰＸＬ２に対応する領域に配置された前記複数の壁の間の空間内に提供されることができる。

【0136】

光透過パターンＬＴＰは、第３サブ画素ＳＰＸＬ３の発光領域ＥＭＡ（一例として、第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３）と重畳するように配置されることができる。例えば、光透過パターンＬＴＰは、遮光層ＬＢＬによって定義される空間内に配置され、平面上で見て、第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３と重畳することができる。

【0137】

１つ以上の実施例によれば、遮光層ＬＢＬは、複数の壁を含み、光透過パターンＬＴＰは、第３サブ画素ＳＰＸＬ３に対応する領域に配置された前記複数の壁の間の空間内に提供されることができる。

【0138】

１つ以上の実施例によれば、第１波長変換パターンＷＣＰ１は、発光素子ＬＤから放出される第３色の光を第１色の光に変換する第１色変換粒子を含むことができる。一例として、発光素子ＬＤが青色の光を放出する青色発光素子であり、第１サブ画素ＳＰＸＬ１が赤色画素である場合、第１波長変換パターンＷＣＰ１は、前記青色発光素子から放出される青色の光を赤色の光に変換する第１量子ドットを含むことができる。

【0139】

例えば、第１波長変換パターンＷＣＰ１は、ベース樹脂などのような一マトリックス材料（例えば、所定のマトリックス材料）内に分散された複数の第１量子ドットを含むことができる。第１量子ドットは、青色光を吸収し、エネルギー遷移に従って波長をシフトさせて、赤色光を放出することができる。一方、第１サブ画素ＳＰＸＬ１が異なる色の画素である場合、第１波長変換パターンＷＣＰ１は、第１サブ画素ＳＰＸＬ１の色に対応する第１量子ドットを含むことができる。

【0140】

１つ以上の実施例によれば、第２波長変換パターンＷＣＰ２は、発光素子ＬＤから放出される第３色の光を第２色の光に変換する第２色変換粒子を含むことができる。一例として、発光素子ＬＤが青色の光を放出する青色発光素子であり、第２サブ画素ＳＰＸＬ２が緑色画素である場合、第２波長変換パターンＷＣＰ２は、前記青色発光素子から放出される青色の光を緑色の光に変換する第２量子ドットを含むことができる。

【0141】

例えば、第２波長変換パターンＷＣＰ２は、ベース樹脂などのような一マトリックス材料（例えば、所定のマトリックス材料）内に分散された複数の第２量子ドットを含むことができる。第２量子ドットは、青色の光を吸収し、エネルギー遷移に従って波長をシフトさせて、緑色光を放出することができる。一方、第２サブ画素ＳＰＸＬ２が異なる色の画素である場合、第２波長変換パターンＷＣＰ２は、第２サブ画素ＳＰＸＬ２の色に対応する第２量子ドットを含むことができる。

【0142】

一方、第１量子ドット及び第２量子ドットは、球型、ピラミッド型、マルチアーム型（ｍｕｌｔｉ－ａｒｍ）、または立方体（ｃｕｂｉｃ）のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノ繊維、ナノ板状粒子などの形態を有することができるが、必ずしもこれに限定されるわけではなく、第１量子ドット及び第２量子ドットの形態は、適切な方式に様々に変更されることができる。

【0143】

一つ以上の実施例において、可視光線領域のうち比較的短い波長を有する青色の光をそれぞれ第１量子ドット及び第２量子ドットに入射させることによって、第１量子ドット及び第２量子ドットの吸収係数を増加させることができる。これにより、第１サブ画素ＳＰＸＬ１及び第２サブ画素ＳＰＸＬ２から放出される光の効率を増加させるとともに、優れた色再現性を確保することができる。また、同じ色の発光素子ＬＤ（一例として、青色発光素子）を利用して第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３の画素ユニットを構成することによって、表示装置の製造効率を高めることができる。

【0144】

１つ以上の実施例によれば、光透過パターンＬＴＰは、発光素子ＬＤから放出される第３色の光を効率的に利用するために備えられることができる。一例として、発光素子ＬＤが青色の光を放出する青色発光素子であり、第３サブ画素ＳＰＸＬ３が青色画素である場合、光透過パターンＬＴＰは、発光素子ＬＤから放出される光を効率的に利用するために、少なくとも１つの種類の光散乱粒子を含むことができる。

【0145】

例えば、光透過パターンＬＴＰは、ベース樹脂などのような一マトリックス材料（例えば、所定のマトリックス材料）内に分散された複数の光散乱粒子を含むことができる。一例として、光透過パターンＬＴＰは、シリカ（Ｓｉｌｉｃａ）などの光散乱粒子を含むことができるが、光散乱粒子の構成物質はこれに限定されない。

【0146】

一方、光散乱粒子が、第３サブ画素ＳＰＸＬ３の形成される第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３にのみ配置されるべきではない。一例として、光散乱粒子は、第１および／または第２波長変換パターンＷＣＰ１、ＷＣＰ２の内部にも選択的に含まれてもよい。

【0147】

遮光層ＬＢＬは、表示素子部ＤＰＬ上に配置されることができる。遮光層ＬＢＬは、基板ＳＵＢ上に配置されることができる。遮光層ＬＢＬは、第１パッシベーション層ＰＳＳ１と第２パッシベーション層ＰＳＳ２との間に配置されることができる。遮光層ＬＢＬは、サブ画素ＳＰＸＬの境界において、第１波長変換パターンＷＣＰ１、第２波長変換パターンＷＣＰ２、及び光透過パターンＬＴＰを囲むように配置されることができる。

【0148】

１つ以上の実施例によれば、遮光層ＬＢＬは、サブ画素ＳＰＸＬの発光領域ＥＭＡと非発光領域ＮＥＡを定義することができる。遮光層ＬＢＬは、第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３を定義することができる。

【0149】

一例として、遮光層ＬＢＬは、平面上で見て、発光領域ＥＭＡと重畳しなくてもよい。遮光層ＬＢＬは、平面上で見て、非発光領域ＮＥＡと重畳してもよい。遮光層ＬＢＬが配置されていない領域は、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３の発光領域ＥＭＡで定義されることができる。第１サブ画素ＳＰＸＬ１の発光領域ＥＭＡは第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１であり、第２サブ画素ＳＰＸＬ２の発光領域ＥＭＡは第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２であり、第３サブ画素ＳＰＸＬ３の発光領域ＥＭＡは第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３であり得る。

【0150】

１つ以上の実施例によれば、遮光層ＬＢＬは、グラファイト（ｇｒａｐｈｉｔｅ）、カーボンブラック（ｃａｒｂｏｎ ｂｌａｃｋ）、黒色顔料（ｂｌａｃｋ ｐｉｇｍｅｎｔ）、又は黒色染料（ｂｌａｃｋ ｄｙｅ）のうちの少なくともいずれか１つを含んだ有機物で形成されるか、クロム（Ｃｒ）を含んだ金属物質で形成されることができるが、光透過を遮断し、吸収可能な物質であれば、前述したものに限定されない。

【0151】

第２パッシベーション層ＰＳＳ２は、色フィルタ部ＣＦＬと遮光層ＬＢＬとの間および／または色フィルタ部ＣＦＬと波長変換パターンＷＣＰとの間に配置されることができる。第２パッシベーション層ＰＳＳ２は、第１波長変換パターンＷＣＰ１、第２波長変換パターンＷＣＰ２、及び光透過パターンＬＴＰを密封（あるいはカバー）することができる。第２パッシベーション層ＰＳＳ２は、絶縁膜ＩＮＦを参照して例示的に列挙した物質のうちのいずれか１つを含むことができるが、特定の例に限定されない。

【0152】

１つ以上の実施例によれば、色フィルタ部ＣＦＬは、色変換部ＣＣＬ上に配置されることができる。色フィルタ部ＣＦＬは、色フィルタＣＦ及び平坦化層ＰＬＡを含むことができる。ここで、色フィルタＣＦは、第１色フィルタＣＦ１、第２色フィルタＣＦ２、及び第３色フィルタＣＦ３を含むことができる。

【0153】

１つ以上の実施例によれば、色フィルタＣＦは、第２パッシベーション層ＰＳＳ２上に配置されることができる。色フィルタＣＦは、平面上で見て、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３の発光領域ＥＭＡと重畳することができる。

【0154】

例えば、第１色フィルタＣＦ１は、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１内に配置され、第２色フィルタＣＦ２は、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２内に配置され、第３色フィルタＣＦ３は、第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３内に配置されることができる。

【0155】

１つ以上の実施例によれば、第１色フィルタＣＦ１は、第１色の光を透過することができ、第２色の光および／または第３色の光を非透過させることができる。一例として、第１色フィルタＣＦ１は、第１色に関する色剤（ｃｏｌｏｒａｎｔ）を含むことができる。

【0156】

１つ以上の実施例によれば、第２色フィルタＣＦ２は、第２色の光は透過するが、第１色の光及び第３色の光を非透過させることができる。一例として、第２色フィルタＣＦ２は、第２色に関する色剤を含むことができる。

【0157】

１つ以上の実施例によれば、第３色フィルタＣＦ３は、第３色の光は透過するが、第１色の光及び第２色の光を非透過させることができる。一例として、第３色フィルタＣＦ３は、第３色に関する色剤を含むことができる。

【0158】

１つ以上の実施例によれば、平坦化層ＰＬＡは、色フィルタＣＦ上に配置されることができる。平坦化層ＰＬＡは、色フィルタＣＦをカバーすることができる。平坦化層ＰＬＡは、色フィルタＣＦによって発生する段差を相殺することができる。すなわち、平坦化層ＰＬＡは、色フィルタＣＦの段差をカバーすることができ、平坦化された上部表面あるいは実質的に平坦化された上部表面を有することができる。

【0159】

一例によれば、平坦化層ＰＬＡは、有機絶縁物質を含むことができる。ただし、本開示はこれに限定されず、平坦化層ＰＬＡは、絶縁膜ＩＮＦを参照して例示的に列挙した無機材料を含むことができる。

【0160】

第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３の構造は、図５を参照して前述した内容に限定されず、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤを提供するために様々な好適な構造が適切にまたは好適に選択されることができる。一例として、１つ以上の実施例によれば、表示装置ＤＤは、光効率を向上させるための低屈折層をさらに含んでもよい。

【0161】

以下では、図６～図１０を参照して、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤの発光素子ＬＤ及びサブ画素ＳＰＸＬ間の位置関係について説明する。前述した内容と重複する可能性のある内容は、説明を簡略にしたり、繰り返さないようにする。

【0162】

図６～図８は、図２のＥＡ１の拡大図である。ここで、図６は、ＥＡ１のうちサブ画素ＳＰＸＬの領域を定義する色変換部ＣＣＬを中心に示す。図７及び図８は、ＥＡ１のうちサブ画素ＳＰＸＬに含まれる発光素子ＬＤの配列形態を中心に示す。

【0163】

図６を参照すると、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３（および／または第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３）の位置が遮光層ＬＢＬによって定義されることができる。

【0164】

例えば、遮光層ＬＢＬの配置されていない領域は、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３から発散された光が、外部に提供される発光領域ＥＭＡであり得る。遮光層ＬＢＬが配置される領域は、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３から発散された光が、実質的に外部に提供されない非発光領域ＮＥＡであり得る。

【0165】

１つ以上の実施例によれば、遮光層ＬＢＬは、第１開口ＯＰ１、第２開口ＯＰ２、及び第３開口ＯＰ３を含むことができる。第１開口ＯＰ１、第２開口ＯＰ２、及び第３開口ＯＰ３は、遮光層ＬＢＬの配置されない領域であり得る。一例によれば、第１開口ＯＰ１の位置は、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１に対応し、第２開口ＯＰ２の位置は、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２に対応し、第３開口ＯＰ３の位置は、第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３に対応することができる。

【0166】

遮光層ＬＢＬの少なくとも一部は、第１サブ画素ＳＰＸＬ１として提供しようとする領域（一例として、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１）の周辺に配置される（あるいは囲む）形態で提供されて、第１開口ＯＰ１を形成することができる。この際、第１開口ＯＰ１で第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１が定義されることができる。第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１は、第１サブ画素ＳＰＸＬ１が配置される領域であって、第１サブ画素ＳＰＸＬ１の発光領域ＥＭＡを指すことができる。

【0167】

１つ以上の実施例によれば、第１開口ＯＰ１に対応する位置に第１波長変換物質を含んだ波長変換パターンＷＣＰが配置されることができる。これにより、第１サブ画素ＳＰＸＬ１に含まれた発光素子ＬＤから発散された光は、第１色を有する光として提供され、外部に出力されることができる。

【0168】

遮光層ＬＢＬの少なくとも一部は、第２サブ画素ＳＰＸＬ２として提供しようとする領域（一例として、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２）の周辺に配置される（例えば、囲む）形態で提供されて、第２開口ＯＰ２を形成することができる。この際、第２開口ＯＰ２で第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２が定義されることができる。第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２は、第２サブ画素ＳＰＸＬ２が配置される領域であって、第２サブ画素ＳＰＸＬ２の発光領域ＥＭＡを指すことができる。

【0169】

１つ以上の実施例によれば、第２開口ＯＰ２に対応する位置に第２波長変換物質を含んだ波長変換パターンＷＣＰが配置されることができる。これにより、第２サブ画素ＳＰＸＬ２に含まれた発光素子ＬＤから発散された光は、第２色を有する光として提供され、外部に出力されることができる。

【0170】

遮光層ＬＢＬの少なくとも一部は、第３サブ画素ＳＰＸＬ３として提供しようとする領域（一例として、第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３）の周辺に配置される（例えば、囲む）形態で提供されて、第３開口ＯＰ３を形成することができる。この際、第３開口ＯＰ３で第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３が定義されることができる。第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３は、第３サブ画素ＳＰＸＬ３が配置される領域であって、第３サブ画素ＳＰＸＬ３の発光領域ＥＭＡを指すことができる。

【0171】

１つ以上の実施例によれば、第３開口ＯＰ３に対応する位置には、別途の波長変換物質が配置されなくてもよい。これにより、第３サブ画素ＳＰＸＬ３に含まれた発光素子ＬＤから発散された光は、第３色を有する光として提供され、外部に出力されることができる。

【0172】

１つ以上の実施例によれば、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３は、第１方向ＤＲ１に互いに離隔されることができる。第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３は、第１方向ＤＲ１に互いに離隔されることができる。

【0173】

一例によれば、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１は、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２の一側に配置され、第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３は、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２の他側に配置されることができる。

【0174】

１つ以上の実施例によれば、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３は、第２方向ＤＲ２に延びることができる。第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３は、第２方向ＤＲ２に互いに離隔されることができる。

【0175】

ここで、第１方向ＤＲ１と第２方向ＤＲ２は、互いに交差することができる。第１方向ＤＲ１と第２方向ＤＲ２は、互いに非平行であることができる。一例によれば、第１方向ＤＲ１と第２方向ＤＲ２は、互いに直交することができる。

【0176】

図７及び図８は、発光素子ＬＤの配列構造を示す。図７は、第１実施例による発光素子ＬＤの配列構造を示す図である。図８は、第２実施例による発光素子ＬＤの配列構造を示す図である。

【0177】

図７及び図８を参照すると、発光素子ＬＤは、行列形態に配列されることができる。

【0178】

発光素子ＬＤは、第１配列方向ＡＤＲ１に延びる行方向及び第２配列方向ＡＤＲ２に延びる列方向に（あるいは、に沿って）定義される行列形態によって配置されることができる。ただし、１つ以上の実施例によって、第１配列方向ＡＤＲ１に延びる列方向及び第２配列方向ＡＤＲ２に延びる行方向に（あるいは、に沿って）定義される行列形態で定義されることができる。

【0179】

ここで、第１配列方向ＡＤＲ１と第２配列方向ＡＤＲ２は、互いに交差することができる。第１配列方向ＡＤＲ１と第２配列方向ＡＤＲ２は、互いに非平行であることができる。１つ以上の実施例によれば、第１配列方向ＡＤＲ１と第２配列方向ＡＤＲ２は、互いに直交することができる。

【0180】

１つ以上の実施例によれば、前記行列形態において、それぞれの行及び列に対応する位置に発光素子ＬＤが配列されることができる。第ｉｊ発光素子ＬＤｉｊは、前記行列形態において、ｉ行及びｊ列に配列される発光素子ＬＤを指すことができる。一例として、第１行の第１列に一発光素子ＬＤが配置されることができ、第１０行の第１０列にさらにもう１つの発光素子ＬＤが配置されることができる。

【0181】

図７を参照すると、発光素子ＬＤは、平面上で見て、四角形状（あるいは、正方形状）を有することができる。一例として、発光素子ＬＤが直方体形状を有する場合、平面上で見て、四角形状（あるいは正方形状）で提供される。

【0182】

或いは、図８を参照すると、発光素子ＬＤは、平面上で見て、円形状を有することができる。一例として、発光素子ＬＤが、底面が円形状の柱形態で提供される場合、平面上で見て、円形状に提供される。

【0183】

ただし、発光素子ＬＤの形状は前述の例に限定されず、１つ以上の実施例によれば、公知の適切な底面形状を有する発光素子ＬＤが提供されることができる。

【0184】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤの基板ＳＵＢ上の単位面積当たりの個数は均一であることができる。第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３に配置される発光素子ＬＤの単位面積当りの個数は概ね均一であることができる。

【0185】

例えば、発光素子ＬＤは、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１に配置される第１複数の発光素子、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２に配置される第２複数の発光素子、及び第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３に配置される第３複数の発光素子を含むことができる。ここで、前記第１複数の発光素子、前記第２複数の発光素子、及び前記第３複数の発光素子のそれぞれの個数は互いに実質的に同じであるか、一差（例えば、あらかじめ定められた差）以下であることができる。

【0186】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤは、第１配列方向ＡＤＲ１に沿って全般的に並んで配列されることができる。発光素子ＬＤは、第２配列方向ＡＤＲ２に沿って全般的に並んで配列されることができる。すなわち、発光素子ＬＤの形状と関係なく、発光素子ＬＤの配列位置によって行列配列形態が明確に定義されることができる。

【0187】

１つ以上の実施例によれば、行列形態に配列される発光素子ＬＤの少なくとも一部は、第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３に配置されることができる。一例として、発光素子ＬＤは、第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３内に配置されるか、間欠的に第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３内に配置されなくてもよい。

【0188】

ただし、本開示の１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤが第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３内に配置されない個数を、最小化または低減することができる。これに関して、以下、図９及び図１０を参照して後述する。

【0189】

図９及び図１０は、１つ以上の実施例による表示装置に含まれる発光素子の位置関係を概略的に示す平面図である。図１０は、図９のＥＡ２の拡大図である。

【0190】

図９及び図１０には、説明の便宜上、第１サブ画素ＳＰＸＬ１及び第２サブ画素ＳＰＸＬ２を中心に示す。図９及び図１０に示される第１サブ画素ＳＰＸＬ１及び第２サブ画素ＳＰＸＬ２の技術的特徴は、サブ画素ＳＰＸＬに定義され、適用されることができる。

【0191】

また、図９には、説明の便宜上、複数の発光素子ＬＤのうち互いに隣接する第１発光素子ＬＤ１、第２発光素子ＬＤ２、及び第３発光素子ＬＤ３を基準として説明する。発光素子ＬＤは、第１発光素子ＬＤ１、第２発光素子ＬＤ２、第３発光素子ＬＤ３を含むことができる。

【0192】

１つ以上の実施例によれば、第１発光素子ＬＤ１及び第２発光素子ＬＤ２は、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１内に配置されることができる。これにより、第１発光素子ＬＤ１及び第２発光素子ＬＤ２から発散された光は、第１サブ画素ＳＰＸＬ１から発散される光に含まれることができる。

【0193】

１つ以上の実施例によれば、第３発光素子ＬＤ３は、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２内に配置されることができる。これにより、第３発光素子ＬＤ３から発散された光は、第２サブ画素ＳＰＸＬ２から発散される光に含まれることができる。

【0194】

１つ以上の実施例によれば、第１発光素子ＬＤ１は、第２発光素子ＬＤ２と第１配列方向ＡＤＲ１に沿って隣接することができる。第１発光素子ＬＤ１と第２発光素子ＬＤ２は、互いに第１配列距離１２０だけ離隔されることができる。ここで、第１配列距離１２０は、第１発光素子ＬＤ１と第２発光素子ＬＤ２との間の最短距離を指すことができる。

【0195】

１つ以上の実施例によれば、第１発光素子ＬＤ１は、第３発光素子ＬＤ３と第２配列方向ＡＤＲ２に沿って隣接することができる。第１発光素子ＬＤ１と第３発光素子ＬＤ３は、互いに第２配列距離１４０だけ離隔されることができる。ここで、第２配列距離１４０は、第１発光素子ＬＤ１と第３発光素子ＬＤ３との間の最短距離を指すことができる。

【0196】

一例によれば、第１配列距離１２０と第２配列距離１４０は、互いに同じであってもよい。これにより、図７及び図８を参照して前述した発光素子ＬＤは、互いに隣接する発光素子ＬＤと離隔された距離が互いに同じであるように提供されることができる。ただし、１つ以上の実施例によって、第１配列距離１２０と第２配列距離１４０は互いに異なるように提供されてもよい。

【0197】

第１サブ画素ＳＰＸＬ１及び第２サブ画素ＳＰＸＬ２の延びる方向と第１配列方向ＡＤＲ１は、互いに交差することができる。第１サブ画素ＳＰＸＬ１及び第２サブ画素ＳＰＸＬ２の延びる方向と第１配列方向ＡＤＲ１は、互いに非平行であることができる。

【0198】

一例として、前述のように、サブ画素ＳＰＸＬは第１方向ＤＲ１に互いに離隔され、第２方向ＤＲ２に延びることができ、これにより、第１配列方向ＡＤＲ１と第２方向ＤＲ２は交差することができる。第１配列方向ＡＤＲ１と第２方向ＤＲ２は互いに非平行であることができる。

【0199】

具体的には、図９を参照すると、第１サブ画素ＳＰＸＬ１の延びる方向と平行な延長線２１０と第１配列方向ＡＤＲ１は、互いに夾角（θ）を形成することができる。ここで、延長線２１０は第２方向ＤＲ２と平行であることができる。

【0200】

一例として、第２方向ＤＲ２は、第１配列方向ＡＤＲ１と鋭角を有する夾角（θ）を形成することができる。

【0201】

１つ以上の実施例によれば、夾角（θ）は０度、４５度、及び９０度ではなくてもよい。一例によれば、夾角（θ）は５度～４０度であることができる。或いは、夾角（θ）は１０度～３５度であることができる。

【0202】

本開示によれば、夾角（θ）が０度、４５度及び９０度の数値を回避するように形成されて、第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３内に配列されない発光素子ＬＤの個数が減少することができ、これにより発光素子ＬＤの配置効率が向上することができる。

【0203】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤ間の離隔距離（一例として、第１配列距離１２０及び第２配列距離１４０）は、第１長さ２２０と一数値関係（例えば、所定の数値関係）を満たすことができる。ここで、第１長さ２２０は、第１方向ＤＲ１と平行なサブ画素ＳＰＸＬの一辺の長さを指すことができる。一例として、図９を参照すると、第１長さ２２０は、第１方向ＤＲ１と平行な第１サブ画素ＳＰＸＬ１の一辺の長さを指すことができる。

【0204】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤ間の離隔距離と第１長さ２２０は、下記の数式１を満たすことができる。

【0205】

【数1】

【0206】

ここで、ｘ_１は第１長さ２２０を指し、ｙは発光素子ＬＤ間の離隔距離を指す。これにより、ｙは第１配列距離１２０および／または第２配列距離１４０を指すことができる。

【0207】

ただし、１つ以上の実施例によって、発光素子ＬＤ間の離隔距離ｙと画素ＰＸＬの第１方向ＤＲ１に沿う一辺の長さｘ_２は下記の数式２を満たすことができる。

【0208】

【数2】

【0209】

ここで、ｘ_２は画素ＰＸＬの第２長さ２３０を指すことができる。第２長さ２３０は、画素ＰＸＬの第１方向ＤＲ１への長さを指すことができる。一例として、画素ＰＸＬが第１方向ＤＲ１に順次配列される第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３で構成される場合、第２長さ２３０は、第１方向ＤＲ１を基準とするとき、第１サブ画素ＳＰＸＬ１（あるいは第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１）の一端部２３２と第３サブ画素ＳＰＸＬ３（あるいは第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３）の他端部２３４間の離隔距離を指すことができる。１つ以上の実施例において、第１サブ画素ＳＰＸＬ１(または第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１)の一端部２３２と第３サブ画素ＳＰＸＬ３(または第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３)の他端部２３４は、画素ＰＸＬの外郭端部で互いに対向することができる。

【0210】

ｎは、第１方向ＤＲ１に沿って配列されるサブ画素ＳＰＸＬの個数であって、一例として、画素ＰＸＬが第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３で構成される場合、ｎは３であり得る。

【0211】

本例によれば、サブ画素ＳＰＸＬで構成される画素ＰＸＬの一辺の長さ及びサブ画素ＳＰＸＬの個数を基準として１つのサブ画素ＳＰＸＬの一辺の長さを定義して、発光素子ＬＤ間の距離と画素ＰＸＬの長さとの間の関係を導出することができる。この場合、工程進行の際に、発光素子ＬＤの配列設計の便宜性を増大させることができる。

【0212】

一方、図１０を参照すると、第１サブ画素ＳＰＸＬ１と第２サブ画素ＳＰＸＬ２との間の離隔距離２４０と発光素子ＬＤの長さ特性は、互いに一数値関係（例えば、所定の数値関係）を満たすことができる。

【0213】

一例として、第１サブ画素ＳＰＸＬ１と第２サブ画素ＳＰＸＬ２との間の第１方向ＤＲ１に沿う離隔距離２４０は、単一発光素子ＬＤの長さ特性によって決定されることができる。

【0214】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤは、平面上で見て、一底面長さ（例えば、所定の底面長さ）１００を有することができる。ここで、発光素子ＬＤの底面長さ１００は、発光素子ＬＤの底面の形状によって決定される長さであり得る。

【0215】

例えば、発光素子ＬＤの底面が正方形状（あるいは長方形状）を有する場合、底面長さ１００は正方形（あるいは長方形）の対角線の長さを指すことができる。或いは、発光素子ＬＤの底面が円形状を有する場合、底面長さ１００は円の径を指すことができる。或いは、発光素子ＬＤの底面が楕円形状を有する場合、底面長さ１００は楕円の長半径を指すことができる。

【0216】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤの底面長さ１００とサブ画素ＳＰＸＬとの間の離隔距離は、下記の数式３を満たすことができる。

【0217】

【数3】

【0218】

ここで、zはサブ画素ＳＰＸＬ間の間隔であり得る。一例として、第１サブ画素ＳＰＸＬ１（或いは、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１）と第２サブ画素ＳＰＸＬ２（或いは、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２）との間の第１方向ＤＲ１に沿う離隔距離２４０であり得る。また、wは発光素子ＬＤの底面長さ１００であり得る。

【0219】

本例によれば、発光素子ＬＤの特徴的な長さによってサブ画素ＳＰＸＬ間の間隔が定義されて、ショート欠陥が防止または実質的に防止されることができる。

【0220】

本実施例によれば、発光素子ＬＤ間の間隔とサブ画素ＳＰＸＬの長さとの関係が一数式（例えば、所定の数式）によって定義されて、工程設計の利便性が増大し、ショート欠陥が防止または実質的に防止されて、電気的信頼度が改善された表示装置ＤＤを提供することができる。

【0221】

以下では、図１１～図１８を参照して、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤの製造方法について説明する。前述の内容と重複する可能性のある内容は、説明を簡略にしたり、繰り返さないようにする。

【0222】

図１１～図１５、及び図１７は、表示装置ＤＤの製造方法の工程ステップ（または動作（ａｃｔ））毎の断面図である。図１６及び図１８は、表示装置ＤＤの製造方法の工程ステップ（または動作）毎の平面図である。

【0223】

図１１を参照すると、積層基板１を準備（または提供）し、積層基板１上に第１半導体層１１、活性層１２、及び第２半導体層１３を形成することができる。

【0224】

１つ以上の実施例によれば、積層基板１は、対象物質を積層するためのベース板であり得る。積層基板１は、一物質（例えば、所定の物質）に対するエピタキシャル成長（ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｇｒｏｗｔｈ）のためのウェハ（ｗａｆｅｒ）であり得る。一例によれば、積層基板１は、サファイア（ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板、ＧａＡｓ基板、Ｇａ基板、ＩｎＰ基板のうちのいずれか１つであり得るが、これに限定されない。例えば、特定の材料が発光素子ＬＤを製造するための選択比を満足し、所定の物質に対するエピタキシャル成長が円滑に発生されることができる場合、前記材料は積層基板１の材料として選択されることができる。

【0225】

本ステップ（又は動作）において、第１半導体層１１、活性層１２、及び第２半導体層１３は、有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ； Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃｌａ Ｖａｐｏｒ－ｐｈａｓｅ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ； Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）、気相エピタキシー法（ＶＰＥ； Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）及び液状エピタキシー 法（ＬＰＥ； Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）のうちのいずれか１つの方法によって形成されることができる。

【0226】

図１２を参照すると、第１半導体層１１、活性層１２、及び第２半導体層１３のそれぞれの少なくとも一部を除去して、互いに個別に分離された発光素子ＬＤを提供することができる。

【0227】

本ステップ（または動作）において、第１半導体層１１、活性層１２、及び第２半導体層１３に対するエッチング工程を行うことができる。個別に分離された発光素子ＬＤを形成するために、第１半導体層１１、活性層１２、及び第２半導体層１３が積層された（例えば、順次積層された）構造にマスクを配置し、エッチング工程を進行してナノスケール或いはマイクロスケール間隔のパターニングを行うことができる。前記エッチング工程は、第２半導体層１３から第１半導体層１１に向かう方向に行うことができる。

【0228】

一例によれば、前記エッチング工程は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ； Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）、反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ； Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）、誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング（ＩＣＰ－ＲＩＥ； Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）のうちのいずれか１つであり得るが、特定の例に限定されない。

【0229】

本ステップ（または動作）において、提供される発光素子ＬＤは、第１配列方向ＡＤＲ１及び第２配列方向ＡＤＲ２によって定義される行列形態にパターニングされることができる。

【0230】

図１３を参照すると、積層基板１を発光素子ＬＤから分離し、発光素子ＬＤをドナーフィルム１６（ｄｏｎｏｒ ｆｉｌｍ）上に結合（或いは、配置、連結）することができる。

【0231】

本ステップ（または動作）において、積層基板１は、第１半導体層１１から物理的に分離されることができる。一例によれば、積層基板１と第１半導体層１１は、レーザーリフトオフ（ＬＬＯ； Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ－Ｏｆｆ）方式によって分離されることができる。ただし、本開示はこれに限定されず、１つ以上の実施例によって、積層基板１と第１半導体層１１は化学的リフトオフ（ＣＬＯ； Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｌｉｆｔ－Ｏｆｆ）方式によって分離されてもよい。

【0232】

本ステップ（または動作）において、第１半導体層１１と同一工程内で形成されるが、別途のエッチングが行われなく、個別発光素子ＬＤを構成しない層もまた除去されることができる。したがって、本ステップ（または動作）が行われて、ドナーフィルム１６上に一間隔（例えば、所定の間隔）にパターニングされた複数の発光素子ＬＤアレイが提供されることができる。

【0233】

１つ以上の実施例によれば、ドナーフィルム１６は、後続工程（一例として、発光素子ＬＤを基板ＳＵＢ及び画素回路部ＰＣＬ上に配置する工程）を行う前に、発光素子ＬＤを一位置（例えば所定の位置）に設けるための構成であり得る。ドナーフィルム１６は、ドナーウェハ又はドナー基板と呼ぶことができる。ドナーフィルム１６は、等方延伸可能なフィルムであり得る。一例によれば、ドナーフィルム１６は、高分子組成物（例えば、ＰＶＣ（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）系物質）を含むことができるが、特定の例に限定されない。

【0234】

１つ以上の実施例によれば、本ステップ（または動作）でパターニングされた発光素子ＬＤは、第１配列方向ＡＤＲ１に延びる行方向及び第２配列方向ＡＤＲ２に沿って延びる列方向に構成される行列形態に配列されることができる。

【0235】

図１４を参照すると、ドナーフィルム１６を変形することができる。ドナーフィルム１６の平面上（又は平面上で見て）の面積は増加されることができる。ドナーフィルム１６は、一方向に拡張されることができる。ドナーフィルム１６は、面積方向に拡張されることができる。

【0236】

本ステップ（または動作）が行われる前に、ドナーフィルム１６上で互いに隣接する発光素子ＬＤは、未変形間隔１１２に離隔されることができる。

【0237】

一例として、ドナーフィルム１６上において、発光素子ＬＤは行列形態に配列され、互いに隣接する発光素子ＬＤは互いに未変形間隔（または未修正間隔）１１２に離隔されることができる。ここで、未変形間隔１１２は、平面上で（または平面上で見て）、互いに隣接する発光素子ＬＤの最短距離を指すことができる。一例として、第１配列方向ＡＤＲ１又は第２配列方向ＡＤＲ２に隣接する発光素子ＬＤは、互いに未変形間隔１１２で離隔されることができる。

【0238】

１つ以上の実施例によれば、本ステップ（または動作）において、ドナーフィルム１６は放射状に均一に拡張されることができる。本ステップ（又は動作）において、ドナーフィルム１６の長さ（或いは、面積）は確定されて、発光素子ＬＤ間の離隔距離は増加することができる。一例によれば、ドナーフィルム１６は、物理的に延長（又は拡張）されることができるが、任意の適切な方式を適用することができ、特定の例に限定されない。

【0239】

一例によれば、本ステップ（又は動作）が行われて、第１配列方向ＡＤＲ１に互いに隣接する発光素子ＬＤは、第１配列距離１２０だけ離隔されることができ、第２配列方向ＡＤＲ２に互いに隣接する発光素子ＬＤは、第２配列距離１４０だけ離隔されることができる。

【0240】

１つ以上の実施例によれば、ドナーフィルム１６に求められる物理的特性が、未変形間隔１１２、第１配列距離１２０、および／または第２配列距離１４０間の数値関係によって決定されることができる。

【0241】

一例として、ドナーフィルム１６の長さ方向への拡張可能範囲は、未変形間隔１１２、第１配列距離１２０、および／または第２配列距離１４０間の数値関係によって決定されることができる。

【0242】

ここで、ドナーフィルム１６の前記拡張可能範囲は、ドナーフィルム１６が平面上で（または平面上で見て）拡張される場合にも破壊されない限度内の倍数を指すことができる。すなわち、ドナーフィルム１６を前記拡張可能範囲まで拡張することは非破損的（ｎｏｎ－ｄｅｓｔｒｕｃｔｉｖｅ）であり得る。

【0243】

例えば、ドナーフィルム１６の拡張可能範囲が２である場合、ドナーフィルム１６の長さは一方向（一例として、第１配列方向ＡＤＲ１）に２倍まで拡張されることができ、ドナーフィルム１６の長さが２倍以下に拡張される場合、別途の破壊が発生しないことができる。

【0244】

１つ以上の実施例によって、未変形間隔（または未修正間隔）１１２、第１配列距離１２０、および／または第２配列距離１４０、そしてドナーフィルム１６の拡張可能範囲は、下記の数式４を満たすことができる。

【0245】

【数4】

【0246】

ここで、yは前述のように、発光素子ＬＤ間の離隔距離であって、第１配列距離１２０および／または第２配列距離１４０を指すことができる。そして、Ａは、ドナーフィルム１６の拡張可能範囲を表すことができる。ｖは、ドナーフィルム１６の変形が別途に行われる前の発光素子ＬＤ間の間隔であって、未変形間隔１１２であり得る。

【0247】

本ステップ（または動作）が行われて、発光素子ＬＤの離隔距離は、前述の数式１(および／または数式２）を満たすように提供されることができる。すなわち、発光素子ＬＤ間の離隔距離が数式１（および／または数式２）によって決定されることができ、数式１(および／または数式２）に適合するように（または適切に）、本ステップで発光素子ＬＤの離隔距離を適切に調節することができる。この際、発光素子ＬＤ間の離隔距離を調整するために、ドナーフィルム１６に好適な物理的特性を、数式４に基づいて算出することができる。これにより、１つ以上の実施例によれば、工程の予測可能性が向上することができる。

【0248】

図１５及び図１６を参照すると、配置部材１７を利用して発光素子ＬＤを基板ＳＵＢ及び画素回路部ＰＣＬ上に配置することができる。発光素子ＬＤは、連結電極ＣＯＬと結合されることができる。

【0249】

本ステップ（または動作）において、配置部材１７は、ドナーフィルム１６上に設けられた発光素子ＬＤのアレイを一面に結合して、発光素子ＬＤを基板ＳＵＢ及び画素回路部ＰＣＬ上に形成または転写するように構成されることができる。配置部材１７は、個別発光素子ＬＤを同時にピック－アップ（ｐｉｃｋ－ｕｐ）して基板ＳＵＢ及び画素回路部ＰＣＬ上に位置させることができる。一例によれば、配置部材１７のピック－アッププロセスは、弾性重合体スタンプ方式、電磁気的方式、或いは接着部材を利用した方式が適用されることができるが、特定の例に限定されない。

【0250】

本ステップ（または動作）において、第１半導体層１１が配置部材１７に向かうように、発光素子ＬＤと配置部材１７とが結合され、第２半導体層１３が連結電極ＣＯＬに向かうように、発光素子ＬＤが配列されることができる。

【0251】

一方、本ステップ（又は動作）において、図１６を参照すると、第１配列方向ＡＤＲ１及び第２配列方向ＡＤＲ２が、後続的に第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３を形成しようとする位置とずれるように、発光素子ＬＤが配置されることができる。具体的には、ドナーフィルム１６の傾いた角度を調整して、後続的に形成しようとする第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３の位置と第１配列方向ＡＤＲ１及び第２配列方向ＡＤＲ２の位置との間の関係を調節することができる。

【0252】

例えば、第１方向ＤＲ１は、第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３が互いに離隔される方向であり、第２方向ＤＲ２は、第１方向ＤＲ１と交差する方向であって、第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３が延びる方向と定義することができる。

【0253】

ここで、ドナーフィルム１６の発光素子ＬＤ配置工程（図１５参照）が進行される際に、基板ＳＵＢ及び画素回路部ＰＣＬに対するドナーフィルム１６のポーズ（ｐｏｓｅ）を調整することができる。この際、ドナーフィルム１６のポーズを調整して、第１配列方向ＡＤＲ１が第２方向ＤＲ２と互いに交差（あるいは非平行）するように提供されることができる。

【0254】

図１７及び図１８を参照すると、発光素子ＬＤの間が満たされるように連結電極ＣＯＬ上に絶縁層ＩＮＳを配置することができる。そして、発光素子ＬＤと連結（例えば、電気的に連結）された第２電極ＥＬＴをパターニングすることができ、その後、光制御部ＬＣＰを表示素子部ＤＰＬ上に配置することができる。図１７には、説明の便宜上、図５を参照して前述したサブ画素ＳＰＸＬのうち第１サブ画素ＳＰＸＬ１を基準として示す。

【0255】

本ステップ（または動作）において、表示素子部ＤＰＬ上に色変換部ＣＣＬを配置することができる。この際、表示素子部ＤＰＬ上に遮光層ＬＢＬを形成して、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１，ＳＰＸＬ２，ＳＰＸＬ３の発光領域ＥＭＡ、一例として、第１サブ画素領域～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１，ＳＰＸＡ２，ＳＰＸＡ３を定義することができる。

【0256】

具体的には、図１８を参照すると、第１～第３開口ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３が形成されるように遮光層ＬＢＬを配置することができる。一例によれば、遮光層ＬＢＬを形成するためのベース遮光層を形成した後、第１～第３開口ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３に対応する位置に対するエッチング工程を行うことができる。

【0257】

本ステップにおいて、遮光層ＬＢＬの第１～第３開口ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３間の離隔距離を調整して、後続的に提供される第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３間の第１方向ＤＲ１への離隔距離２４０を制御することができる。例えば、前述のように、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３間の離隔距離２４０は、数式３を満たすように提供されることができる。

【0258】

本ステップにおいて、遮光層ＬＢＬの第１～第３開口ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３が形成される位置を調整して、第１配列方向ＡＤＲ１が第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３の延長方向（一例として、第２方向ＤＲ２が一範囲（例えば、所定の範囲）を有する夾角（θ）を有するように提供されることができる。

【0259】

以下では、図１９～図２１を参照して、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤの適用分野について説明する。図１９～図２２は、１つ以上の実施例による表示装置が適用される例を示す図である。一例によれば、表示装置ＤＤは、スマートフォン、ノートパソコン、タブレットＰＣ、および／またはテレビなどに適用でき、その他に様々な実施形態に適用できる。

【0260】

図１９を参照すると、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤは、フレーム１１０４及びレンズ部１１０２を含むスマートグラス１１００に適用できる。スマートグラス１１００は、ユーザの顔に着用可能なウェアラブル電子装置であって、フレーム１１０４の一部がフォールディングされたり、アンフォールディングされたりする構造であり得る。例えば、スマートグラス１１００は、拡張現実（ＡＲ； Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）用ウェアラブル装置であり得る。

【0261】

フレーム１１０４は、レンズ部１１０２を支持するハウジング１１０４ｂ及びユーザの着用のための脚部１１０４ａを含むことができる。脚部１１０４ａは、ヒンジによってハウジング１１０４ｂに連結されてフォールディングされたり、アンフォールディングされたりすることができる。

【0262】

フレーム１１０４には、バッテリ、タッチパッド、マイク、および／またはカメラなどが内蔵されることができる。また、フレーム１１０４には、光を出力するプロジェクタ、光信号などを制御するプロセッサなどが内蔵されることができる。

【0263】

レンズ部１１０２は、光を透過させたり、光を反射させたりする光学部材であることができる。レンズ部１１０２は、ガラス、透明な合成樹脂などを含むことができる。

【0264】

また、レンズ部１１０２は、フレーム１１０４のプロジェクタから送出された光信号による映像を、レンズ部１１０２の後面（例えば、ユーザの目に向かう面）によって反射させて、ユーザの目で画像を認識可能にできる。例えば、ユーザは、図に示すように、レンズ部１１０２に表示された時刻、日付などの情報を認識することができる。すなわち、レンズ部１１０２は、一種の表示装置であって、前述の一実施例による表示装置ＤＤは、レンズ部１１０２に適用することができる。

【0265】

図２０を参照すると、実施例による表示装置ＤＤは、ディスプレイ部１２２０及びストラップ部１２４０を含むスマートウォッチ１２００に適用できる。

【0266】

スマートウォッチ１２００は、ウェアラブル電子装置であって、ストラップ部１２４０がユーザの手首に装着される構造を有することができる。ここで、ディスプレイ部１２２０には、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤが適用されて、時刻情報を含んだ画像データがユーザに提供されることができる。

【0267】

図２１を参照すると、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤは、オートモーティブディスプレイ１３００（ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ ｄｉｓｐｌａｙ）に適用できる。ここで、オートモーティブディスプレイ１３００は、車両内外部に備えられて、画像データを提供する電子装置を指すことができる。

【0268】

一例によれば、表示装置ＤＤは、車両に備えられた、インフォテインメントパネル１３１０（ｉｎｆｏｒｔａｉｎｍｅｎｔ ｐａｎｅｌ）、クラスタ１３２０（ｃｌｕｓｔｅｒ）、コ－ドライバディスプレイ１３３０（ｃｏ－ｄｒｉｖｅｒ ｄｉｓｐｌａｙ）、ヘッド－アップディスプレイ１３４０（ｈｅａｄ－ｕｐ ｄｉｓｐｌａｙ）、サイドミラーディスプレイ１３５０（ｓｉｄｅ ｍｉｒｒｏｒ ｄｉｓｐｌａｙ）、および／またはリア－シートディスプレイ（ｒｅａｒ ｓｅａｔ ｄｉｓｐｌａｙ）のうちの少なくともいずれか１つに適用できる。

【0269】

図２２を参照すると、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤは、ヘッド装着バンド１４０２及びディスプレイ収納ケース１４０４を含むヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ； Ｈｅａｄ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｉｓｐｌａｙ）に適用できる。ヘッドマウントディスプレイは、ユーザの頭に着用可能なウェアラブル電子装置である。

【0270】

ヘッド装着バンド１４０２は、ディスプレイ収納ケース１４０４に連結されて、ディスプレイ収納ケース１４０４を所望の位置に固定させることができる。図面において、ヘッド装着バンド１４０２は、ユーザの頭の上面と両側面を囲むことができるものとして示されたが、本開示はこれに限定されない。ヘッド装着バンド１４０２は、ユーザの頭にヘッドマウントディスプレイを固定するためのものであって、メガネフレーム形態またはヘルメット形態で形成されてもよい。

【0271】

ディスプレイ収納ケース１４０４は、表示装置ＤＤを収納し、少なくとも１つのレンズを含むことができる。少なくとも１つのレンズは、ユーザに映像を提供する部分である。例えば、ディスプレイ収納ケース１４０４に具現される左眼レンズ及び右眼レンズには、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤを適用できる。

【0272】

１つ以上の実施例による表示装置ＤＤの適用分野は、前述の例に限定されず、１つ以上の実施例によって様々な分野に適用できる。

【0273】

以上の説明は、本開示の技術思想を例示的に説明したものに過ぎず、本開示の属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本開示の思想及び範囲から逸脱しない範囲で様々な修正及び変形が可能であろう。したがって、以上で説明した本開示の実施例は、互いに別個にまたは組み合わせて具現することも可能である。

【0274】

したがって、本開示は、その実施例を参照して具体的に図示および説明されたが、形態及び詳細事項は、特許請求の範囲およびその均等物による本開示の思想及び範囲から逸脱しない範囲で様々に変更可能であるという点が、本発明の技術分野の通常の知識を有する者にとって理解されるであろう。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【手続補正書】

【提出日】2023-11-02

【手続補正1】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、全般的に、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

最近、情報ディスプレイに対する関心が高まるに伴い、表示装置に関する研究開発が持続的に行われている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本開示の１つ以上の態様は、正常に動作可能な発光素子の割合が増加して、発光素子の配置効率が向上した表示装置及びその製造方法に関する。

【0004】

本開示の１つ以上の態様は、工程の予測可能性が向上した表示装置及びその製造方法に関する。

【0005】

本開示の１つ以上の態様は、上記の態様に限定されないのであり、記載されていないさらに他の技術の態様は、以下の説明から、通常の技術者に明確に理解されるであろう。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の１つ以上の実施例によれば、基板上に配置され、第１配列方向、及び前記第１配列方向と交差する第２配列方向に沿った行列の形態に配列される複数の発光素子と、前記複数の発光素子の少なくとも一部にそれぞれ重畳し(重なり合い)、第１方向に沿って互いに離隔され、前記第１方向と交差する第２方向へとそれぞれ延びる第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域と、を含み、前記第２方向と前記第２配列方向とは互いに非平行でありうる。

【0007】

１つ以上の実施例によれば、前記基板上に配置され、前記第１サブ画素領域及び前記第２サブ画素領域を画定(区画形成)する遮光層をさらに含んでもよい。

【0008】

１つ以上の実施例によれば、前記第１サブ画素領域からは、第１色の光が発散され、前記第２サブ画素領域からは、第２色の光が発散されるのでありうる。

【0009】

１つ以上の実施例によれば、前記第２方向と前記第２配列方向とは、鋭角を有する夾角を形成することができる。

【0010】

１つ以上の実施例によれば、前記夾角は、５度～４０度でありうる。

【0011】

１つ以上の実施例によれば、前記第１サブ画素領域は、前記第１方向と平行であって第１長さを有する一辺を含み、前記複数の発光素子は、前記第２配列方向に互いに隣り合い、第１配列距離だけ離隔されるのである第１発光素子及び第２発光素子を含み、前記第１長さと前記第１配列距離は、下記式を満たしうる。

【0012】

【0013】

（ｘ_１は前記第１長さであり、ｙは前記第１配列距離である。）

【0014】

１つ以上の実施例によれば、前記第１配列距離は、前記第１発光素子と前記第２発光素子との間の最短距離でありうる。

【0015】

１つ以上の実施例によれば、前記第１サブ画素領域、及び前記第２サブ画素領域、並びに前記第１方向に沿って離隔される第３サブ画素領域をさらに含み、前記第１サブ画素領域は、前記第２サブ画素領域の一側に配置され、前記第３サブ画素領域は、前記第２サブ画素領域の他側に配置され、前記第１サブ画素領域の一端部と前記第３サブ画素領域の他端部とは、互いに第２長さだけ離隔され、前記複数の発光素子は、前記第２配列方向に互いに隣り合い、互いに第１配列距離だけ離隔されるのである第１発光素子及び第２発光素子を含むのであり、前記第２長さと前記第１配列距離は、下記式を満たしうる。

【0016】

【0017】

（ｘ_２は前記第２長さであり、ｙは前記第１配列距離である。）

【0018】

１つ以上の実施例によれば、前記第１サブ画素領域と前記第２サブ画素領域とは、互いに一の離隔距離（例えば、所定の離隔距離）で離隔され、前記複数の発光素子のそれぞれは、一の底面長さ（例えば、所定の底面距離）を有し、１つ以上の前記離隔距離と前記底面長さは、下記式を満たすことができる。

【0019】

【0020】

(ｚは前記離隔距離であり、ｗは前記底面距離である。)

【0021】

１つ以上の実施例によれば、前記複数の発光素子の底面は、円形状を有し、前記底面長さは、円の径であり得る。

【0022】

１つ以上の実施例によれば、前記複数の発光素子の底面は、長方形の形状を有し、前記底面長さは、長方形の対角線の長さであることができる。

【0023】

１つ以上の実施例によれば、前記複数の発光素子上に配置され、前記発光素子から発散された光の波長を変更するように構成される光制御部と、前記第１サブ画素領域、及び前記第２サブ画素領域、並びに、前記第１方向に沿って互いに離隔されて前記第２方向に延びる第３サブ画素領域と、をさらに含み、前記光制御部は、前記第１サブ画素領域に重畳する第１波長変換パターンと、前記第２サブ画素領域に重畳する第２波長変換パターンと、前記第３サブ画素領域と重畳する光透過パターンと、を含むことができる。

【0024】

１つ以上の実施例によれば、前記複数の発光素子の少なくとも第１の一部は前記第１サブ画素領域と重畳し、前記複数の発光素子の第２の一部は前記第２サブ画素領域と重畳し、前記複数の発光素子の第３一部は前記第３サブ画素領域と重畳し、前記複数の発光素子は、互いに同じ色の光を発散することができる。

【0025】

１つ以上の実施例によれば、前記基板上にて、前記複数の発光素子の単位面積当たりの個数は均一でありうる。

【0026】

本開示の１つ以上の実施例によれば、積層基板を提供するステップと、前記積層基板上に第１半導体層、活性層、及び第２半導体層を形成するステップと、前記第１半導体層、前記活性層、及び前記第２半導体層をエッチングして複数の発光素子を提供するステップと、前記積層基板を前記複数の発光素子から分離し、前記複数の発光素子をドナーフィルム上に結合するステップと、前記ドナーフィルム上に配置された前記複数の発光素子を基板上に配置するステップと、前記複数の発光素子上に、第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域を画定する遮光層を配置するステップと、を含み、前記複数の発光素子を提供するステップは、前記複数の発光素子が、第１配列方向、及び、前記第１配列方向と交差する第２配列方向に沿った行列の形態にパターニングされるステップを含み、前記遮光層を配置するステップは、前記第１サブ画素領域及び前記第２サブ画素領域が第１方向に沿って互いに離隔されるとともに、前記第１方向と交差する第２方向にそれぞれ延びるように前記遮光層を形成するステップを含むのであり、前記第２方向と前記第２配置方向とは、互いに非平行でありうる。

【0027】

１つ以上の実施例によれば、前記複数の発光素子同士の間の離隔距離が増加するように前記ドナーフィルムを変形するステップをさらに含んでもよい。

【0028】

１つ以上の実施例によれば、前記ドナーフィルムを変形するステップが行われる前に、前記複数の発光素子は、互いに未変形間隔で離隔されていて、前記ドナーフィルムを変形するステップにて、前記複数の発光素子同士の間の離隔距離が増加することで、前記第１配列方向に隣り合う前記複数の発光素子は、第１配列距離だけ離隔され、前記第２配列方向に隣り合う前記複数の発光素子は、第２配列距離だけ離隔されるのでありうる。

【0029】

１つ以上の実施例によると、拡張可能範囲は、前記ドナーフィルムが一方向に拡張されるときに非破壊となる限度内における、長さの倍数であり得る。

【0030】

前記ドナーフィルムの前記拡張可能範囲は下記式を満たすことができる。

【0031】

【0032】

（ここで、Ａは前記ドナーフィルムの前記拡張可能範囲であり、ｙは前記第１配列距離であり、ｖは前記未変形間隔である。）

【0033】

１つ以上の実施例によれば、前記第２方向と、前記第１配列方向とは、鋭角を有する夾角を形成することができる。

【0034】

１つ以上の実施例によれば、前記遮光層と同じ層に配置される第１波長変換パターン、第２波長変換パターン、及び光透過パターンを形成するステップをさらに含み、前記遮光層を配置するステップは、前記第１サブ画素領域、及び前記第２サブ画素領域、並びに、前記第１方向に沿って離隔され、前記第２方向に延びる第３サブ画素領域が画定(区画形成)されるように、前記遮光層を形成するステップを含み、前記複数の発光素子は第３色の光を発散し、前記第１波長変換パターンは、前記第３色の光を第１色の光に変更させ、前記第２波長変換パターンは、前記第３色の光を前記第２色の光に変更させ、前記光透過パターンは前記第３色の光を透過させるのであって、前記複数の発光素子は、前記第１サブ画素領域及び前記第１波長変換パターンと重畳する第１発光素子、前記第２サブ画素領域及び前記第２波長変換パターンと重畳する第２発光素子、及び、前記第３サブ画素領域及び前記光透過パターンと重畳する第３発光素子を含むことができる。

【0035】

本開示の１つ以上の態様および方法は、前述の解決手段に限定されず、記載されていない態様および方法は、本明細書及び添付の図面から、本開示の属する技術分野において通常の知識を有する者にとり、明確に理解できるであろう。

【発明の効果】

【0036】

本開示の１つ以上の実施例による態様は、正常に動作可能な発光素子の割合が増加することで、発光素子の配置効率が向上した表示装置およびその製造方法に関する。

【0037】

本開示の１つ以上の実施例による態様は、工程の予測可能性が向上した表示装置およびその製造方法に関する。

【0038】

本開示の効果および態様は、前述の効果に限定されず、記載されていない効果および態様は、本明細書および添付の図面から、本開示の属する技術分野において通常の知識を有する者に明確に理解されるべきである。

【図面の簡単な説明】

【0039】

【図1】１つ以上の実施例による表示装置を概略的に示す斜視図である。

【図2】１つ以上の実施例による表示装置を概略的に示す平面図である。

【図3】１つ以上の実施例による表示装置を示す断面図である。

【図4】１つ以上の実施例による画素に含まれた画素回路を示す図である。

【図5】１つ以上の実施例による画素を概略的に示す断面図である。

【図6】図２のＥＡ１の拡大図(1)である。

【図7】図２のＥＡ１の拡大図(2)である。

【図8】図２のＥＡ１の拡大図(3)である。

【図9】１つ以上の実施例による表示装置に含まれる発光素子の位置関係を概略的に示す平面図(1)である。

【図10】１つ以上の実施例による表示装置に含まれる発光素子の位置関係を概略的に示す平面図(2)である。

【図11】１つ以上の実施例による表示装置の製造方法の工程ステップ（あるいは動作）毎の断面図(1)である。

【図12】１つ以上の実施例による表示装置の製造方法の工程ステップ（あるいは動作）毎の断面図(2)である。

【図13】１つ以上の実施例による表示装置の製造方法の工程ステップ（あるいは動作）毎の断面図(3)である。

【図14】１つ以上の実施例による表示装置の製造方法の工程ステップ（あるいは動作）毎の断面図(4)である。

【図15】１つ以上の実施例による表示装置の製造方法の工程ステップ（あるいは動作）毎の断面図(5)である。

【図16】１つ以上の実施例による表示装置の製造方法の工程ステップ（あるいは動作）毎の平面図(1)である。

【図17】１つ以上の実施例による表示装置の製造方法の工程ステップ（あるいは動作）毎の断面図(6)である。

【図18】１つ以上の実施例による表示装置の製造方法の工程ステップ（あるいは動作）毎の平面図(2)である。

【図19】１つ以上の実施例による表示装置が適用される例を示す図(1)である。

【図20】１つ以上の実施例による表示装置が適用される例を示す図(2)である。

【図21】１つ以上の実施例による表示装置が適用される例を示す図(3)である。

【図22】１つ以上の実施例による表示装置が適用される例を示す図(4)である。

【発明を実施するための形態】

【0040】

本明細書に記載された実施例は、本開示の属する技術の分野における通常の知識を有する者に、本開示の思想を明確に説明するためのものであるので、本開示は、本明細書に記載された実施例により限定されるものではなく、本開示の範囲は、本開示の思想から逸脱しない修正例又は変形例を含むものと解釈されるべきである。

【0041】

本明細書で使用されるように、「～のうちの少なくとも１つ」、「～のうちの１つ」、及び「～から選択された」といった表現は、構成要素のリストに先行する場合、前記リストの個々の構成要素についての全体の対象または個別の対象を修正するのでない。

【0042】

本明細書で使用されるように、「および／または」は、関連して挙げられた項目のうちの１つ以上の任意のすべての組み合わせを含む。

【0043】

また、本開示の実施例を説明するとき、「～し得る」の使用は「本開示の一つ以上の実施例」を指す。

【0044】

構成要素が他の構成要素に対して「～上に位置」、「～に連結」などと記載されるとき、構成要素が他の構成要素に対して直接に位置又は連結されるだけでなく、その間に、他の構成要素が存在するものを含むと理解されうる。

【0045】

図面では、構成要素、側、及び領域の相対的な大きさは、明確にするために誇張及び／又は単純化して示す場合がある。「～の下」、「～の下部・下方」、「～上」、「～の上部・上方」、及び「～の上」などのような空間的に相対的な用語は、一つの構成要素を説明するための説明の便宜のために使用することができる。空間的に相対的である用語は、図面に示される方向に加えて、使用または作動中の装置の他の方向を含むように意図されていることが理解されるであろう。例えば、図中で装置が反転されている場合、他の構成要素又は特徴部の下部・下方に配置されたものとして表現された構成要素は、他の構成要素又は特徴部の上部・上方に配置されたものとすることができる。したがって、「～の下部・下方」という用語は、上と下の方向を全て含むことができる。装置は、他の方向に指定することができ（９０度回転又は別の方向に）、本明細書で使用される空間的に相対的な記述子は適切に解釈されるべきである。

【0046】

本明細書で使用されるように、「実質的に」、「約」、及びこれと同様の用語は、程度（ｄｅｇｒｅｅ）の用語ではなく、近似値（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎ）の用語として使用するのであり、同じ技術分野の通常の技術者が認識できる、測定又は計算された値の固有偏差を説明することが意図される。

【0047】

第１、第２などの用語は、様々な構成要素を説明するために使用することができるが、これらの用語によって構成要素を限定的に解釈してはならない。これらの用語は、ある構成要素を他の構成要素と区別するのみに使用される。例えば、本開示の範囲を逸脱することなく、第１構成要素は第２構成要素と指称されうるのであって、同様に第２構成要素も第１構成要素と指称されうる。

【0048】

他に定義しない限り、本明細書で使用するすべての用語（技術的及び科学的用語を含む）は、本開示の属する技術分野における通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同じ意味を有する。一般的に用いられる辞書に定義されているような用語は、関連記述の文脈にて、その意味と一致する意味を有すると解釈されるべきであり、ここで明示的に定義しない限り、理想化されたり、形式的な意味に解釈されたりしてはならない。

【0049】

本開示は、表示装置に関する。以下では、図１～図２２を参照して、１つ以上の実施例による表示装置について説明する。

【0050】

図１は、１つ以上の実施例による表示装置を概略的に示す斜視図である。図２は、１つ以上の実施例による表示装置を概略的に示す平面図である。

【0051】

図１及び図２を参照すると、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤは、光を発散するように構成されうる。

【0052】

１つ以上の実施例によれば、表示装置ＤＤは、基板ＳＵＢ及び基板ＳＵＢ上に配置された画素ＰＸＬを含むことができる。１つ以上の実施例によれば、表示装置ＤＤは、画素ＰＸＬを駆動するための駆動回路部（例えば、走査駆動部およびデータ駆動部）、配線、及びパッドをさらに含んでもよい。

【0053】

一例によれば、画素ＰＸＬは、第１サブ画素ＳＰＸＬ１、第２サブ画素ＳＰＸＬ２、および第３サブ画素ＳＰＸＬ３を含むことができる。

【0054】

表示装置ＤＤは、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを含むことができる。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡ以外の領域を指すのでありうる。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの少なくとも一部の周辺に位置しうる（あるいは囲むことができる。）。

【0055】

基板ＳＵＢは、表示装置ＤＤのベース部材を構成することができる。基板ＳＵＢは、硬性の基板又は軟性の基板或いはフィルムであり得るが、特定の例に限定されない。

【0056】

表示領域ＤＡは、画素ＰＸＬの配置された領域を指すのでありうる。非表示領域ＮＤＡは、画素ＰＸＬの配置されていない領域を指すのでありうる。非表示領域ＮＤＡには、表示領域ＤＡの画素ＰＸＬに連結される駆動回路部、配線、及びパッドを配置することができる。

【0057】

一例によれば、画素ＰＸＬは、ストライプ（ｓｔｒｉｐｅ）又はペンタイル（ＰＥＮＴＩＬＥ^TM）（ＰＥＮＴＩＬＥ^TMは（株）サムスンディスプレイの大韓民国登録特許である）の配列構造（例えば、ＲＧＢＧ配列構造）などにしたがって配列されうるが、本開示はこれに限定されず、いずれかの適切に変更された実施形態を適用することができる。

【0058】

１つ以上の実施例によれば、表示領域ＤＡには、複数のサブ画素（図４の「ＳＰＸＬ」参照）を含む画素ＰＸＬが配置されうる。例えば、表示領域ＤＡには、第１色の光を放出する第１サブ画素ＳＰＸＬ１、第２色の光を放出する第２サブ画素ＳＰＸＬ２、及び第３色の光を放出する第３サブ画素ＳＰＸＬ３が配列されうるのであり、少なくとも１つの第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３は、様々な適切な色の光を放出し得る１つの画素ユニット又は画素ＰＸＬを構成（又は、形成）することができる。

【0059】

例えば、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３は、それぞれは一色（例えば所定色）の光を放出するサブ画素でありうる。例えば、第１サブ画素ＳＰＸＬ１は、赤色（一例として、第１色）の光を放出する赤色画素であり、第２サブ画素ＳＰＸＬ２は、緑色（一例として、第２色）の光を放出する緑色画素であり、第３サブ画素ＳＰＸＬ３は、青色（一例として、第３色）の光を放出する青色画素でありうる。ただし、それぞれの前記画素ユニットを構成（又は形成）するサブ画素ＳＰＸＬについての色、種類及び／又は個数などは特定の例に限定されない。

【0060】

以下では、説明の便宜上、画素ＰＸＬが第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３を含む１つ以上の実施例を基準として説明する。本明細書で規定するサブ画素ＳＰＸＬは、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３のうちの、いずれか１つでありうる。

【0061】

図３は、１つ以上の実施例による表示装置を示す断面図である。

【0062】

表示装置ＤＤは、基板ＳＵＢ、画素回路部PCL、表示素子部ＤＰＬ、及び光制御部ＬＣＰを含むことができる。一例によれば、基板ＳＵＢ、画素回路部ＰＣＬ、表示素子部ＤＰＬ、及び光制御部ＬＣＰは、表示装置ＤＤの表示方向（一例として、第３方向ＤＲ３）に沿って積層（例えば順次積層）されうる。ここで、前記表示方向は、基板ＳＵＢの厚さ方向を指すのでありうる。

【0063】

基板ＳＵＢは、表示装置ＤＤの基底面を構成することができる。基板ＳＵＢ上には、表示装置ＤＤの個別の構成が配置されうる。

【0064】

画素回路部ＰＣＬは、基板ＳＵＢ上に配置されうる。画素回路部ＰＣＬは、画素ＰＸＬを駆動させるように構成された画素回路（図４の「ＰＸＣ」参照）を含むことができる。

【0065】

表示素子部ＤＰＬは、画素回路部ＰＣＬ上に配置されうる。表示素子部ＤＰＬは、画素回路部ＰＣＬから提供される電気的信号に基づいて光を発散することができる。表示素子部ＤＰＬは、光を発散できる発光素子（図４の「ＬＤ」参照）を含むことができる。表示素子部ＤＰＬから発散された光は、光制御部ＬＣＰを通過して外部（例えば、表示装置ＤＤの外部領域）に提供されうる。

【0066】

光制御部ＬＣＰは、表示素子部ＤＰＬ上に配置されうる。光制御部ＬＣＰは、発光素子ＬＤ上に配置されうる。光制御部ＬＣＰは、表示素子部ＤＰＬ（或いは発光素子ＬＤ）から提供される光の波長を変更させることができる。一例によれば、光制御部ＬＣＰは、図５に示すように、光の波長を変更させるように構成された色変換部ＣＣＬ及び特定波長を有する光を透過させる色フィルタ部ＣＦＬを含むことができる。

【0067】

図４は、１つ以上の実施例による画素に含まれる画素回路を示す図である。

【0068】

図４は、１つ以上の実施例のうちの１つによる、表示装置ＤＤ（例えば、アクティブ型表示装置）に適用されるサブ画素ＳＰＸＬに含まれる構成要素についての電気的連結関係を示す。たとえ、図４はサブ画素ＳＰＸＬに含まれる構成要素の種類を示すが、サブ画素ＳＰＸＬに含まれる構成要素の種類はこれに限定されない。

【0069】

図４を参照すると、サブ画素ＳＰＸＬは、発光素子ＬＤ及び画素回路ＰＸＣを含むことができる。

【0070】

発光素子ＬＤは、第１電源ラインＶＤＤと第２電源ラインＶＳＳとの間に連結されうる。発光素子ＬＤの一端部（一例として、Ｐ型半導体）は、第１電極ＥＬＴ１及び画素回路ＰＸＣを経由して第１電源ラインＶＤＤに連結され、発光素子ＬＤの他端部（一例として、Ｎ型半導体）は、第２電極ＥＬＴ２を経由して第２電源ラインＶＳＳに連結されうる。

【0071】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤは、画素回路ＰＸＣを介して駆動電流が供給されると、前記駆動電流に対応する輝度の光を発散することができる。

【0072】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤは、第１電源ラインＶＤＤと第２電源ラインＶＳＳとの間で、様々な適切な連結構造を介して互いに連結されうる。一例として、発光素子ＬＤは、互いに並列にのみ連結されるか、互いに直列にのみ連結されるのでありうる。または、発光素子ＬＤは、直列／並列混合構造で連結されうる。例えば、第１複数の発光素子は、直列に互いに電気的に連結されうるのであり、第２複数の発光素子は、並列に互いに電気的に連結されうる。

【0073】

第１電源ラインＶＤＤと第２電源ラインＶＳＳとは、発光素子ＬＤが光を発散できるように、互いに異なる電位を有することができる。第１電源ラインＶＤＤと第２電源ラインＶＳＳは、サブ画素ＳＰＸＬの発光期間中、光が発散され得る程度の電位差を有することができる。例えば、第１電源ラインＶＤＤは、第２電源ラインＶＳＳよりも高い電位に設定されうる。

【0074】

画素回路ＰＸＣは、第１電源ラインＶＤＤと発光素子ＬＤとの間を連結することができる。画素回路ＰＸＣは、第１トランジスタＴ１、第２トランジスタＴ２、第３トランジスタＴ３、及びストレージキャパシタＣｓｔを含むことができる。

【0075】

１つ以上の実施例によれば、第１トランジスタＴ１の一電極は、第１電源ラインＶＤＤに連結され、他の電極は、発光素子ＬＤの一電極（一例として、アノード電極）に連結されるのでありうる。第１トランジスタＴ１のゲート電極は、第１ノードＮ１に連結されることができる。第１トランジスタＴ１は、第１ノードＮ１を介して印加された電圧に対応して発光素子ＬＤに流れる電流を制御することができる。

【0076】

１つ以上の実施例によれば、第２トランジスタＴ２の一電極は、データラインＤＬに連結され、他の電極は、第１ノードＮ１に連結されるのでありうる。第２トランジスタＴ２のゲート電極は、スキャンラインＳＬに連結されうる。第２トランジスタＴ２は、スキャンラインＳＬからスキャン信号が供給されるとターン－オンされ、この際、データラインＤＬから提供されたデータ信号を第１ノードＮ１に伝達することができる。

【0077】

１つ以上の実施例によれば、第３トランジスタＴ３の一電極は、センシングラインＳＥＮＬに連結され、他の電極は、第２ノードＮ２に連結されるのでありうる。第３トランジスタＴ３のゲート電極は、センシング信号ラインＳＥＬに連結されうる。第３トランジスタＴ３がセンシング信号ラインＳＥＬから提供されたセンシング信号に応答してターン－オンされる場合、センシングラインＳＥＮＬを介して基準電圧が第２ノードＮ２に提供されうる。

【0078】

１つ以上の実施例によれば、前記基準電圧は、発光素子ＬＤと連結される第１トランジスタＴ１の電極（一例として、第１トランジスタＴ１のソース電極）の電圧を一定の値に設定あるいは初期化する役割を果たすことができる。一例によれば、前記基準電圧は、第２電源ラインＶＳＳの電圧以下に設定されうる。

【0079】

１つ以上の実施例によれば、第３トランジスタＴ３は、センシング信号ラインＳＥＬから提供されたセンシング信号に応答してターン－オンされる場合、センシング電流をセンシングラインＳＥＮＬに伝達することができる。

【0080】

実施例によれば、前記センシング電流は、第１トランジスタＴ１の移動度およびスレッショルド電圧の変化量を算出するために利用されうる。

【0081】

ストレージキャパシタＣｓｔは、第１ノードＮ１（または、第１トランジスタＴ１のゲート電極）と、第２ノードＮ２（または、第１トランジスタＴ１の他の電極）との間に連結されうる。ストレージキャパシタＣｓｔは、第１ノードＮ１の電圧と第２ノードＮ２の電圧との間の差に関する情報を保存することができる。

【0082】

一方、画素回路ＰＸＣの構造は、図４に示す構造に限定されず、様々な適切な形態の構造が具現されうる。なお、図４では、第１～第３トランジスタＴ１～Ｔ３はＮ型トランジスタを基準として示したが、これに限定されず、実施例によっては第１～第３トランジスタＴ１～Ｔ３をＰ型トランジスタで構成してもよい。

【0083】

以下では、図５を参照して、画素ＰＸＬを構成するサブ画素ＳＰＸＬの構造をさらに詳細に説明する。前述した内容に対する、重複する可能性のある内容は、説明を簡単にするか、繰り返さないようにする。

【0084】

図５は、１つ以上の実施例による画素を概略的に示す断面図である。

【0085】

図５には、第１サブ画素ＳＰＸＬ１、第２サブ画素ＳＰＸＬ２、及び第３サブ画素ＳＰＸＬ３が示されている。

【0086】

図５では、図４を参照して述べた画素回路ＰＸＣに含まれる構成のうち、第１トランジスタＴ１を基準として説明する。一例として、第１サブ画素ＳＰＸＬ１、第２サブ画素ＳＰＸＬ２、及び第３サブ画素ＳＰＸＬ３のそれぞれに、第１トランジスタＴ１が具備される、１つ以上の実施例が図５に示されている。

【0087】

画素回路部ＰＣＬは、基板ＳＵＢ上に配置されうる。画素回路部ＰＣＬは、バッファ膜ＢＦＬ、第１トランジスタＴ１、ゲート絶縁膜ＧＩ、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１、第２層間絶縁膜ＩＬＤ２、ブリッジパターンＢＲＰ、コンタクト部ＣＮＴ、及び保護膜ＰＳＶを含むことができる。

【0088】

一例によれば、画素回路部ＰＣＬの個別構成は、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３のそれぞれに、区画形成されうる。

【0089】

バッファ膜ＢＦＬは、基板ＳＵＢ上に配置されうる。バッファ膜ＢＦＬは、不純物の外部からの拡散を防止または実質的に防止することができる。バッファ膜ＢＦＬは、シリコン窒化物（ＳｉＮ_Ｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ_Ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙ）、及びアルミニウム酸化物（ＡｌＯ_Ｘ）などのような金属酸化物のうちの少なくとも１つを含むことができる。

【0090】

１つ以上の実施例によれば、第１トランジスタＴ１は、薄膜トランジスタであり得る。１つ以上の実施例によれば、第１トランジスタＴ１は、駆動トランジスタであり得る。

【0091】

第１トランジスタＴ１は、発光素子ＬＤと連結（例えば、電気的に連結）されうる。一例として、第１サブ画素ＳＰＸＬ１の第１トランジスタＴ１は、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１内に配置される発光素子ＬＤと連結（例えば、電気的に連結）されうる。第２サブ画素ＳＰＸＬ２の第１トランジスタＴ１は、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２内に配置される発光素子ＬＤと連結（例えば、電気的に連結）されうる。第３サブ画素ＳＰＸＬ３の第１トランジスタＴ１は、第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３内に配置される発光素子ＬＤと連結（例えば、電気的に連結）されうる。

【0092】

１つ以上の実施例によれば、第１トランジスタＴ１は、アクティブ層ＡＣＴ、第１トランジスタ電極ＴＥ１、第２トランジスタ電極ＴＥ２、及びゲート電極ＧＥを含むことができる。

【0093】

アクティブ層ＡＣＴは、半導体層を指すのでありうる。アクティブ層ＡＣＴは、バッファ膜ＢＦＬ上に配置されうる。アクティブ層ＡＣＴは、ポリシリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）、アモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）、及び酸化物半導体のうちの少なくとも１つを含むことができる。

【0094】

１つ以上の実施例によれば、アクティブ層ＡＣＴは、第１トランジスタ電極ＴＥ１と接触する第１接触領域、及び、第２トランジスタ電極ＴＥ２と接触する第２接触領域を含むことができる。前記第１接触領域と前記第２接触領域は、不純物のドープされた半導体パターンであり得る。前記第１接触領域と前記第２接触領域との間の領域は、チャンネル領域であり得る。前記チャンネル領域は、不純物がドープされていない真性半導体パターンであり得る。

【0095】

ゲート電極ＧＥは、ゲート絶縁膜ＧＩ上に配置されうる。ゲート電極ＧＥの位置は、アクティブ層ＡＣＴのチャンネル領域の位置に対応しうる。例えば、ゲート電極ＧＥは、ゲート絶縁膜ＧＩを挟んで、アクティブ層ＡＣＴのチャンネル領域上に配置されうる。

【0096】

ゲート絶縁膜ＧＩは、アクティブ層ＡＣＴ上に配置されうる。ゲート絶縁膜ＧＩは、無機材料を含むことができる。一例によれば、ゲート絶縁膜ＧＩは、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ_ｘ）、シリコン酸窒化物 （ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）、及びアルミニウム酸化物（ＡｌＯ_ｘ）のうちの少なくとも１つを含むことができる。１つ以上の実施例によって、ゲート絶縁膜ＧＩは有機材料を含んでもよい。

【0097】

第１層間絶縁膜ＩＬＤ１は、ゲート電極ＧＥ上に位置することができる。第１層間絶縁膜ＩＬＤ１は、ゲート絶縁膜ＧＩと同様に、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ_ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）、及びアルミニウム酸化物（ＡｌＯ_ｘ）のうちの少なくとも１つを含むことができる。

【0098】

第１トランジスタ電極ＴＥ１及び第２トランジスタ電極ＴＥ２は、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１上に位置することができる。第１トランジスタ電極ＴＥ１は、ゲート絶縁膜ＧＩと第１層間絶縁膜ＩＬＤ１とを貫通してアクティブ層ＡＣＴの第１接触領域と接触し、第２トランジスタ電極ＴＥ２は、ゲート絶縁膜ＧＩと第１層間絶縁膜ＩＬＤ１とを貫通してアクティブ層ＡＣＴの第２接触領域と接触することができる。一例によれば、第１トランジスタ電極ＴＥ１はソース電極であり、第２トランジスタ電極ＴＥ２はドレイン電極であり得るが、これに限定されない。

【0099】

第２層間絶縁膜ＩＬＤ２は、第１トランジスタ電極ＴＥ１および第２トランジスタ電極ＴＥ２上に位置することができる。第２層間絶縁膜ＩＬＤ２は、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１及びゲート絶縁膜ＧＩと同様に、無機材料を含むことができる。第２層間絶縁膜ＩＬＤ２の無機材料の例は、第１層間絶縁膜ＩＬＤ１及びゲート絶縁膜ＧＩの物質のうちの少なくとも１つを含むことができ、一例として、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ_ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）、及びアルミニウム酸化物（ＡｌＯ_ｘ）のうちの少なくとも１つを含むことができる。しかしながら、本開示は前述の例に限定されない。１つ以上の実施例によって、第２層間絶縁膜ＩＬＤ２は有機材料を含んでもよい。

【0100】

ブリッジパターンＢＲＰは、第２層間絶縁膜ＩＬＤ２上に配置されうる。ブリッジパターンＢＲＰは、第２層間絶縁膜ＩＬＤ２を貫通するコンタクトホールを介して、第１トランジスタ電極ＴＥ１と連結されうる。

【0101】

保護膜ＰＳＶは、第２層間絶縁膜ＩＬＤ２上に位置することができる。保護膜ＰＳＶは、ブリッジパターンＢＲＰをカバーすることができる。保護膜ＰＳＶは、有機絶縁膜、無機絶縁膜、又は前記無機絶縁膜上に配置される前記有機絶縁膜を含む形態で提供されうるが、これに限定されない。１つ以上の実施例によれば、保護膜ＰＳＶには、ブリッジパターンＢＲＰの一領域と連結されるコンタクト部ＣＮＴが形成されうる。

【0102】

表示素子部ＤＰＬは、画素回路部ＰＣＬ上に配置されうる。表示素子部ＤＰＬは、第１電極ＥＬＴ１、連結電極ＣＯＬ、絶縁層ＩＮＳ、発光素子ＬＤ、及び第２電極ＥＬＴ２を含むことができる。一例によれば、表示素子部ＤＰＬの個別構成は、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３のそれぞれに区画形成されうる。

【0103】

第１電極ＥＬＴ１は、保護膜ＰＳＶ上に配置されうる。第１電極ＥＬＴ１は、発光素子ＬＤの下部に配置されうる。第１電極ＥＬＴ１は、ブリッジパターンＢＲＰとコンタクト部ＣＮＴを介して連結されうる。

【0104】

１つ以上の実施例によれば、第１電極ＥＬＴ１は、発光素子ＬＤと連結（または電気的に連結）されうる。一例によれば、第１電極ＥＬＴ１は、第１トランジスタＴ１から提供された電気的信号を発光素子ＬＤに提供することができる。第１電極ＥＬＴ１は、発光素子ＬＤにアノード信号を印加することができる。

【0105】

１つ以上の実施例によれば、第１電極ＥＬＴ１は、導電性物質を含むことができる。一例として、第１電極ＥＬＴ１は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、これらの合金といった金属を含むことができる。ただし、前述の例に限定されない。

【0106】

連結電極ＣＯＬは、第１電極ＥＬＴ１上に配置されうる。一例として、連結電極ＣＯＬの一面は発光素子ＬＤと連結され、連結電極ＣＯＬの他面は第１電極ＥＬＴ１と連結されるのでありうる。

【0107】

連結電極ＣＯＬは、導電性物質を含んで、第１電極ＥＬＴ１と発光素子ＬＤとを連結（または電気的に連結）することができる。一例として、連結電極ＣＯＬは、発光素子ＬＤの第２半導体層１３と連結（または電気的に連結）されうる。１つ以上の実施例によると、連結電極ＣＯＬは、発光素子ＬＤから発散された光を反射するために、反射の性質を有する導電性物質を含むことができ、これにより画素ＰＸＬの発光効率を改善することができる。

【0108】

１つ以上の実施例によれば、連結電極ＣＯＬは、発光素子ＬＤとボンディング結合する（または結合される）ボンディングメタルであり得る。連結電極ＣＯＬは、発光素子ＬＤとボンディング結合されるか、または結合されうる。

【0109】

発光素子ＬＤは、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３のそれぞれに含まれうる。発光素子ＬＤは、光を発散するように構成される。発光素子ＬＤは、第１半導体層１１、第２半導体層１３、及び第１半導体層１１と第２半導体層１３との間に介在される活性層１２を含むことができる。一例として、発光素子ＬＤの延長方向を長さ方向とすると、発光素子ＬＤは長さ方向に沿って積層される（例えば、順次に積層される）第１半導体層１１、活性層１２、及び第２半導体層１３を含むことができる。

【0110】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤは、一方向に沿って延びる柱状に提供されうる。発光素子ＬＤは、第１端部ＥＰ１と第２端部ＥＰ２を有することができる。発光素子ＬＤの第１端部ＥＰ１には、第１半導体層１１及び第２半導体層１３のうちの１つが隣接することができる。発光素子ＬＤの第２端部ＥＰ２には、第１半導体層１１及び第２半導体層１３のうちの残りの１つが隣接することができる。

【0111】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤは、エッチング方式などを介して柱形状に製造された発光素子であり得る。本明細書における柱形状とは、円柱または多角柱などのように長さ方向に長い（すなわち、縦横比が１よりも大きい）ロッド形状（ｒｏｄ－ｌｉｋｅ ｓｈａｐｅ）、またはバー形状（ｂａｒ－ｌｉｋｅ ｓｈａｐｅ）を包括し、その断面の形状は特に限定されない。例えば、発光素子ＬＤの長さは、その直径または、横断面の幅）よりも大きいのでありうる。

【0112】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤは、ナノスケール乃至マイクロスケール（ｎａｎｏｍｅｔｅｒ ｓｃａｌｅ ｔｏ ｍｉｃｒｏｍｅｔｅｒ ｓｃａｌｅ）の程度に小さい大きさを有することができる。一例として、発光素子ＬＤは、それぞれナノスケール乃至マイクロスケールの範囲の直径（又は、幅）および／または長さを有することができる。ただし、発光素子ＬＤの大きさはこれに限定されない。

【0113】

第１半導体層１１は、第１導電型の半導体層であり得る。例えば、第１半導体層１１は、Ｎ型半導体層を含むことができる。一例として、第１半導体層１１は、ＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮのうちのいずれか１つの半導体材料を含み、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎなどのような第１導電型ドーパントのドープされたＮ型半導体層を含むことができる。ただし、第１半導体層１１を構成する物質はこれに限定されない。

【0114】

活性層１２は、第１半導体層１１上に配置され、単一量子井戸（ｓｉｎｇｌｅ－ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）構造または多重量子井戸（ｍｕｌｔｉ－ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）構造に形成されうる。一例として、活性層１２を多重量子井戸構造に形成する場合、活性層１２は、障壁層（ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙｅｒ）、ストレイン強化層（ｓｔｒａｉｎ ｒｅｉｎｆｏｒｃｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、及びウェル層（ｗｅｌｌ ｌａｙｅｒ）が１つのユニットとして周期的に繰り返し積層されうる。ストレイン強化層は、障壁層よりもさらに小さい格子定数を有することから、ウェル層に印加されるストレイン、一例として、圧縮ストレインに対する構造をさらに強化することができる。ただし、活性層１２の構造は前述の実施例に限定されない。

【0115】

１つ以上の実施例によれば、活性層１２は、４００ｎｍ～９００ｎｍの波長を有する光を放出することができる。一例によれば、活性層１２は、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮなどの物質を含むことができるが、前述の例に限定されない。

【0116】

第２半導体層１３は、活性層１２上に配置され、第１半導体層１１と異なるタイプの半導体層を含むことができる。例えば、第２半導体層１３は、Ｐ型半導体層を含むことができる。一例として、第２半導体層１３は、ＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮのうちの少なくとも１つの半導体材料を含み、Ｍｇなどといった第２導電型ドーパントがドープされたＰ型半導体層を含むことができる。ただし、第２半導体層１３を構成する物質はこれに限定されず、この他にも、様々な適切な物質が第２半導体層１３を構成することができる。

【0117】

発光素子ＬＤの両端にスレッショルド電圧以上の電圧を印加すると、活性層１２にて電子－正孔対が結合することで発光素子ＬＤが発光することになる。このような原理を利用して発光素子ＬＤの発光を制御することによって、発光素子ＬＤを、表示装置の画素をはじめとする様々な発光装置の光源として利用できる。

【0118】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤは、表面に提供される絶縁膜ＩＮＦをさらに含んでもよい。絶縁膜ＩＮＦは、単一膜あるいは二重膜に形成されうるが、これに限定されず、複数の膜に構成してもよい。一例として、絶縁膜ＩＮＦは、第１材料を含んだ第１絶縁膜、及び、前記第１材料とは異なる第２材料を含んだ第２絶縁膜を含むことができる。

【0119】

１つ以上の実施例によれば、絶縁膜ＩＮＦは、互いに異なる極性を有する発光素子ＬＤの両端部を露出することができる。例えば、絶縁膜ＩＮＦは、発光素子ＬＤの第１及び第２端部ＥＰ１、ＥＰ２に位置する第１及び第２半導体層１１、１３のそれぞれの一端を露出することができる。

【0120】

１つ以上の実施例によれば、絶縁膜ＩＮＦは、無機材料を含むことができる。一例として、絶縁膜ＩＮＦは、シリコン酸化物（ＳｉＯ_ｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）、アルミニウム酸化物（ＡｌＯ_ｘ）及びチタン酸化物（ＴｉＯ_ｘ）のうちの少なくとも１つの絶縁物質を含んで、単一層または多重層で構成（または形成）されうるが、これに限定されない。

【0121】

１つ以上の実施例によれば、絶縁膜ＩＮＦは、発光素子ＬＤの電気的安定性を確保することができる。なお、複数の発光素子ＬＤが互いに密接（または隣接）して配置されている場合でも、発光素子ＬＤ同士の間で（例えば、隣接する発光素子ＬＤ同士の間で）望ましくない短絡が発生することを防止できる。

【0122】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤは、前述の構成の他に追加の構成をさらに含むことができる。例えば、発光素子ＬＤは、第１半導体層１１、活性層１２および／または第２半導体層１３の一端側に配置される１つ以上の蛍光体層、活性層、半導体層および／または電極層を追加に含むことができる。一例として、発光素子ＬＤの第１及び第２端部ＥＰ１、ＥＰ２には、それぞれコンタクト電極層がさらに配置されうる。

【0123】

絶縁層ＩＮＳは、保護膜ＰＳＶ上に配置されうる。絶縁層ＩＮＳは、第１電極ＥＬＴ１および／または連結電極ＣＯＬの少なくとも一部をカバーすることができる。絶縁層ＩＮＳは、連結電極ＣＯＬとボンディング－結合（または結合）する発光素子ＬＤの間に提供されうる。絶縁層ＩＮＳは、発光素子ＬＤ同士の間に配置され、発光素子ＬＤの外面をカバーすることができる。一例によれば、絶縁層ＩＮＳは、絶縁膜ＩＮＦを参照して例示的に列挙された物質のうちのいずれか１つを含むことができるが、これに限定されない。

【0124】

第２電極ＥＬＴ２は、絶縁層ＩＮＳ上に配置されうる。第２電極ＥＬＴ２は、発光素子ＬＤの上部に配置されうる。

【0125】

１つ以上の実施例によれば、第２電極ＥＬＴ２は、発光素子ＬＤと連結（例えば、電気的に連結）されうる。第２電極ＥＬＴ２は、第１半導体層１１と連結（例えば、電気的に連結）されうる。一例によれば、第２電極ＥＬＴ２は、発光素子ＬＤにカソード信号を印加することができる。第２電極ＥＬＴ２は、第２電源ラインＶＳＳから供給された電気的信号を発光素子ＬＤに提供することができる。

【0126】

１つ以上の実施例によれば、第２電極ＥＬＴ２は、導電性物質を含むことができる。一例として、第２電極ＥＬＴ２は、透明導電性物質を含むことができる。第２電極ＥＬＴ２は、インジウムスズ酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ、ＺｎＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ、ＩＧＺＯ）、インジウムスズ亜鉛酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ、ＩＴＺＯ）のような導電性酸化物、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ（３，４－ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））のような導電性ポリマーのうちのいずれか１つを含むことができる。ただし、前述の例に限定されない。

【0127】

光制御部ＬＣＰは、表示素子部ＤＰＬ上に配置されうる。光制御部ＬＣＰは、表示素子部ＤＰＬから提供された光の波長を変更させることができる。光制御部ＬＣＰは、色変換部ＣＣＬ及び色フィルタ部ＣＦＬを含むことができる。

【0128】

実施例によれば、第１サブ画素ＳＰＸＬ１、第２サブ画素ＳＰＸＬ２、及び第３サブ画素ＳＰＸＬ３のそれぞれに配置される発光素子ＬＤは、互いに同じ色の光を発散することができる。例えば、第１サブ画素ＳＰＸＬ１、第２サブ画素ＳＰＸＬ２、及び第３サブ画素ＳＰＸＬ３は、第３色（一例として青色光）の光を放出する発光素子ＬＤを含むことができる。このような第１サブ画素ＳＰＸＬ１、第２サブ画素ＳＰＸＬ２、及び第３サブ画素ＳＰＸＬ３上に光制御部ＬＣＰが配置されることで、フル－カラの映像を表示することができる。ただし、必ずしもこれに限定されるわけではなく、第１サブ画素ＳＰＸＬ１、第２サブ画素ＳＰＸＬ２、及び第３サブ画素ＳＰＸＬ３は、互いに異なる色の光を放出する発光素子ＬＤを備えることができる。

【0129】

色変換部ＣＣＬは、第１パッシベーション層ＰＳＳ１、波長変換パターンＷＣＰ、光透過パターンＬＴＰ、遮光層ＬＢＬ、及び第２パッシベーション層ＰＳＳ２を含むことができる。波長変換パターンＷＣＰは、第１波長変換パターンＷＣＰ１及び第２波長変換パターンＷＣＰ２を含むことができる。

【0130】

第１パッシベーション層ＰＳＳ１は、表示素子部ＤＰＬと遮光層ＬＢＬまたは波長変換パターンＷＣＰとの間に、および／または表示素子部ＤＰＬと波長変換パターンＷＣＰとの間に配置されうる。第１パッシベーション層ＰＳＳ１は、波長変換パターンＷＣＰを密封（あるいはカバー）することができる。第１パッシベーション層ＰＳＳ１は、絶縁膜ＩＮＦを参照して例示的に列挙した物質のうちのいずれか１つを含むことができるが、特定の例に限定されない。

【0131】

１つ以上の実施例によれば、第１パッシベーション層ＰＳＳ１と第２電極ＥＬＴ２との間には接着層が介在されうる。前記接着層は、第１パッシベーション層ＰＳＳ１と第２電極ＥＬＴ２とを結合させることができる。前記接着層は、ある適切な接着性物質を含むことができ、特定の例に限定されない。

【0132】

第１波長変換パターンＷＣＰ１は、第１サブ画素ＳＰＸＬ１の発光領域ＥＭＡ（一例として、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１）と重畳するように配置されうる。例えば、第１波長変換パターンＷＣＰ１は、遮光層ＬＢＬによって規定される空間内に配置され、平面上で見て、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１と重畳することができる。

【0133】

１つ以上の実施例によれば、遮光層ＬＢＬは、複数の壁を含み、第１波長変換パターンＷＣＰ１は、第１サブ画素ＳＰＸＬ１に対応する領域に配置される前記複数の壁の間の空間内に提供されうる。

【0134】

第２波長変換パターンＷＣＰ２は、第２サブ画素ＳＰＸＬ２の発光領域ＥＭＡ（一例として、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２）と重畳するように配置されうる。例えば、第２波長変換パターンＷＣＰ２は、遮光層ＬＢＬによって規定される空間内に配置され、平面上で見て、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２と重畳することができる。

【0135】

１つ以上の実施例によれば、遮光層ＬＢＬは、複数の壁を含み、第２波長変換パターンＷＣＰ２は、第２サブ画素ＳＰＸＬ２に対応する領域に配置された前記複数の壁の間の空間内に提供されうる。

【0136】

光透過パターンＬＴＰは、第３サブ画素ＳＰＸＬ３の発光領域ＥＭＡ（一例として、第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３）と重畳するように配置されうる。例えば、光透過パターンＬＴＰは、遮光層ＬＢＬによって規定される空間内に配置され、平面上で見て、第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３と重畳することができる。

【0137】

１つ以上の実施例によれば、遮光層ＬＢＬは、複数の壁を含み、光透過パターンＬＴＰは、第３サブ画素ＳＰＸＬ３に対応する領域に配置された前記複数の壁の間の空間内に提供されうる。

【0138】

１つ以上の実施例によれば、第１波長変換パターンＷＣＰ１は、発光素子ＬＤから放出される第３色の光を第１色の光に変換する第１色変換粒子を含むことができる。一例として、発光素子ＬＤが青色の光を放出する青色発光素子であり、第１サブ画素ＳＰＸＬ１が赤色画素である場合、第１波長変換パターンＷＣＰ１は、前記青色発光素子から放出される青色の光を赤色の光に変換する第１量子ドットを含むことができる。

【0139】

例えば、第１波長変換パターンＷＣＰ１は、ベース樹脂などといった一のマトリックス材料（例えば、所定のマトリックス材料）内に分散された複数の第１量子ドットを含むことができる。第１量子ドットは、青色光を吸収し、エネルギー遷移に従って波長をシフトさせて、赤色光を放出することができる。一方、第１サブ画素ＳＰＸＬ１が異なる色の画素である場合、第１波長変換パターンＷＣＰ１は、第１サブ画素ＳＰＸＬ１の色に対応する第１量子ドットを含むことができる。

【0140】

１つ以上の実施例によれば、第２波長変換パターンＷＣＰ２は、発光素子ＬＤから放出される第３色の光を第２色の光に変換する第２色変換粒子を含むことができる。一例として、発光素子ＬＤが青色の光を放出する青色発光素子であり、第２サブ画素ＳＰＸＬ２が緑色画素である場合、第２波長変換パターンＷＣＰ２は、前記青色発光素子から放出される青色の光を緑色の光に変換する第２量子ドットを含むことができる。

【0141】

例えば、第２波長変換パターンＷＣＰ２は、ベース樹脂などといった一のマトリックス材料（例えば、所定のマトリックス材料）内に分散された複数の第２量子ドットを含むことができる。第２量子ドットは、青色の光を吸収し、エネルギー遷移に従って波長をシフトさせて、緑色光を放出することができる。一方、第２サブ画素ＳＰＸＬ２が異なる色の画素である場合、第２波長変換パターンＷＣＰ２は、第２サブ画素ＳＰＸＬ２の色に対応する第２量子ドットを含むことができる。

【0142】

一方、第１量子ドット及び第２量子ドットは、球型、ピラミッド型、マルチアーム型（ｍｕｌｔｉ－ａｒｍ）、または立方体（ｃｕｂｉｃ）の、ナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノ繊維、ナノ板状粒子などの形態を有することができるが、必ずしもこれに限定されるわけではなく、第１量子ドット及び第２量子ドットの形態は、適切な方式で様々に変更されうる。

【0143】

一つ以上の実施例において、可視光線領域のうちの比較的短い波長を有する青色の光をそれぞれ第１量子ドット及び第２量子ドットに入射させることによって、第１量子ドット及び第２量子ドットの吸収係数を増加させることができる。これにより、第１サブ画素ＳＰＸＬ１及び第２サブ画素ＳＰＸＬ２から放出される光の効率を増加させるとともに、優れた色再現性を確保することができる。また、同じ色の発光素子ＬＤ（一例として、青色発光素子）を利用して第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３の画素ユニットを構成することによって、表示装置の製造効率を高めることができる。

【0144】

１つ以上の実施例によれば、光透過パターンＬＴＰは、発光素子ＬＤから放出される第３色の光を効率的に利用するために備えられうる。一例として、発光素子ＬＤが青色の光を放出する青色発光素子であり、第３サブ画素ＳＰＸＬ３が青色画素である場合、光透過パターンＬＴＰは、発光素子ＬＤから放出される光を効率的に利用するために、少なくとも１つの種類の光散乱粒子を含むことができる。

【0145】

例えば、光透過パターンＬＴＰは、ベース樹脂などのような一マトリックス材料（例えば、所定のマトリックス材料）内に分散された複数の光散乱粒子を含むことができる。一例として、光透過パターンＬＴＰは、シリカ（Ｓｉｌｉｃａ）などの光散乱粒子を含むことができるが、光散乱粒子の構成物質はこれに限定されない。

【0146】

一方、光散乱粒子が、第３サブ画素ＳＰＸＬ３の形成される第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３にのみ配置されるべきではない。一例として、光散乱粒子は、第１および／または第２波長変換パターンＷＣＰ１、ＷＣＰ２の内部にも選択的に含まれてもよい。

【0147】

遮光層ＬＢＬは、表示素子部ＤＰＬ上に配置されることができる。遮光層ＬＢＬは、基板ＳＵＢ上に配置されうる。遮光層ＬＢＬは、第１パッシベーション層ＰＳＳ１と第２パッシベーション層ＰＳＳ２との間に配置されうる。遮光層ＬＢＬは、サブ画素ＳＰＸＬの境界において、第１波長変換パターンＷＣＰ１、第２波長変換パターンＷＣＰ２、及び光透過パターンＬＴＰを囲むように配置されうる。

【0148】

１つ以上の実施例によれば、遮光層ＬＢＬは、サブ画素ＳＰＸＬの発光領域ＥＭＡと非発光領域ＮＥＡを定義することができる。遮光層ＬＢＬは、第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３を定義することができる。

【0149】

一例として、遮光層ＬＢＬは、平面上で見て、発光領域ＥＭＡと重畳しなくてもよい。遮光層ＬＢＬは、平面上で見て、非発光領域ＮＥＡと重畳してもよい。遮光層ＬＢＬが配置されていない領域は、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３の発光領域ＥＭＡとして規定(定義)されうる。第１サブ画素ＳＰＸＬ１の発光領域ＥＭＡは第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１であり、第２サブ画素ＳＰＸＬ２の発光領域ＥＭＡは第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２であり、第３サブ画素ＳＰＸＬ３の発光領域ＥＭＡは第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３であり得る。

【0150】

１つ以上の実施例によれば、遮光層ＬＢＬは、グラファイト（ｇｒａｐｈｉｔｅ）、カーボンブラック（ｃａｒｂｏｎ ｂｌａｃｋ）、黒色顔料（ｂｌａｃｋ ｐｉｇｍｅｎｔ）、又は黒色染料（ｂｌａｃｋ ｄｙｅ）のうちの少なくともいずれか１つを含んだ有機物で形成されるか、クロム（Ｃｒ）を含んだ金属物質で形成されうるが、光透過を遮断し、吸収可能な物質であれば、前述したものに限定されない。

【0151】

第２パッシベーション層ＰＳＳ２は、色フィルタ部ＣＦＬと遮光層ＬＢＬとの間、および／または、色フィルタ部ＣＦＬと波長変換パターンＷＣＰとの間に配置されうる。第２パッシベーション層ＰＳＳ２は、第１波長変換パターンＷＣＰ１、第２波長変換パターンＷＣＰ２、及び光透過パターンＬＴＰを密封（あるいはカバー）することができる。第２パッシベーション層ＰＳＳ２は、絶縁膜ＩＮＦを参照して例示的に列挙した物質のうちのいずれか１つを含むことができるが、特定の例に限定されない。

【0152】

１つ以上の実施例によれば、色フィルタ部ＣＦＬは、色変換部ＣＣＬ上に配置されうる。色フィルタ部ＣＦＬは、色フィルタＣＦ及び平坦化層ＰＬＡを含むことができる。ここで、色フィルタＣＦは、第１色フィルタＣＦ１、第２色フィルタＣＦ２、及び第３色フィルタＣＦ３を含むことができる。

【0153】

１つ以上の実施例によれば、色フィルタＣＦは、第２パッシベーション層ＰＳＳ２上に配置されうる。色フィルタＣＦは、平面上で見て、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３の発光領域ＥＭＡと重畳しうる。

【0154】

例えば、第１色フィルタＣＦ１は、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１内に配置され、第２色フィルタＣＦ２は、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２内に配置され、第３色フィルタＣＦ３は、第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３内に配置されうる。

【0155】

１つ以上の実施例によれば、第１色フィルタＣＦ１は、第１色の光を透過することができ、第２色の光および／または第３色の光を非透過とさせることができる。一例として、第１色フィルタＣＦ１は、第１色に関する色剤（ｃｏｌｏｒａｎｔ）を含むことができる。

【0156】

１つ以上の実施例によれば、第２色フィルタＣＦ２は、第２色の光は透過するが、第１色の光及び第３色の光を非透過させることができる。一例として、第２色フィルタＣＦ２は、第２色に関する色剤を含むことができる。

【0157】

１つ以上の実施例によれば、第３色フィルタＣＦ３は、第３色の光は透過するが、第１色の光及び第２色の光を非透過とさせることができる。一例として、第３色フィルタＣＦ３は、第３色に関する色剤を含むことができる。

【0158】

１つ以上の実施例によれば、平坦化層ＰＬＡは、色フィルタＣＦ上に配置されることができる。平坦化層ＰＬＡは、色フィルタＣＦをカバーすることができる。平坦化層ＰＬＡは、色フィルタＣＦによって発生する段差を相殺することができる。すなわち、平坦化層ＰＬＡは、色フィルタＣＦの段差をカバーすることができ、平坦化された上部・上方表面あるいは実質的に平坦化された上部・上方表面を有することができる。

【0159】

一例によれば、平坦化層ＰＬＡは、有機絶縁物質を含むことができる。ただし、本開示はこれに限定されず、平坦化層ＰＬＡは、絶縁膜ＩＮＦを参照して例示的に列挙した無機材料を含むことができる。

【0160】

第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３の構造は、図５を参照して前述した内容に限定されず、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤを提供するために様々な好適な構造が適切にまたは好適に選択されうる。一例として、１つ以上の実施例によれば、表示装置ＤＤは、光効率を向上させるための低屈折層をさらに含んでもよい。

【0161】

以下では、図６～図１０を参照して、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤにおける発光素子ＬＤとサブ画素ＳＰＸＬとの間の位置関係について説明する。前述した内容と重複する可能性のある内容は、説明を簡略にするか、繰り返さないこととする。

【0162】

図６～図８は、図２のＥＡ１の拡大図である。ここで、図６は、ＥＡ１のうちの、サブ画素ＳＰＸＬの領域を規定する色変換部ＣＣＬを中心に示す。図７及び図８は、ＥＡ１のうちの、サブ画素ＳＰＸＬに含まれる発光素子ＬＤの配列形態を中心に示す。

【0163】

図６を参照すると、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３（および／または第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３）の位置が、遮光層ＬＢＬによって画定(「定義」)されうる。

【0164】

例えば、遮光層ＬＢＬの配置されていない領域は、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３から発散された光が、外部へと提供される発光領域ＥＭＡであり得る。遮光層ＬＢＬが配置される領域は、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３から発散された光が、実質的に外部に提供されない非発光領域ＮＥＡであり得る。

【0165】

１つ以上の実施例によれば、遮光層ＬＢＬは、第１開口ＯＰ１、第２開口ＯＰ２、及び第３開口ＯＰ３を含むことができる。第１開口ＯＰ１、第２開口ＯＰ２、及び第３開口ＯＰ３は、遮光層ＬＢＬの配置されない領域であり得る。一例によれば、第１開口ＯＰ１の位置は、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１に対応し、第２開口ＯＰ２の位置は、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２に対応し、第３開口ＯＰ３の位置は、第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３に対応するのでありうる。

【0166】

遮光層ＬＢＬの少なくとも一部は、第１サブ画素ＳＰＸＬ１として提供しようとする領域（一例として、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１）の周辺に配置される（あるいは囲む）形態で提供されて、第１開口ＯＰ１を形成することができる。ここで、第１開口ＯＰ１にて、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１が画定（区画形成；「定義」）されうる。第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１は、第１サブ画素ＳＰＸＬ１が配置される領域であって、第１サブ画素ＳＰＸＬ１の発光領域ＥＭＡを指すのでありうる。

【0167】

１つ以上の実施例によれば、第１開口ＯＰ１に対応する位置に、第１波長変換物質を含んだ波長変換パターンＷＣＰが配置されうる。これにより、第１サブ画素ＳＰＸＬ１に含まれた発光素子ＬＤから発散された光は、第１色を有する光として提供され、外部へと出力されるのでありうる。

【0168】

遮光層ＬＢＬの少なくとも一部は、第２サブ画素ＳＰＸＬ２として提供しようとする領域（一例として、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２）の周辺に配置される（例えば、囲む）形態で提供されて、第２開口ＯＰ２を形成することができる。ここで、第２開口ＯＰ２にて、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２が画定されうる。第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２は、第２サブ画素ＳＰＸＬ２が配置される領域であって、第２サブ画素ＳＰＸＬ２の発光領域ＥＭＡを指すのでありうる。

【0169】

１つ以上の実施例によれば、第２開口ＯＰ２に対応する位置に第２波長変換物質を含んだ波長変換パターンＷＣＰが配置されうる。これにより、第２サブ画素ＳＰＸＬ２に含まれた発光素子ＬＤから発散された光は、第２色を有する光として提供され、外部へと出力されるのでありうる。

【0170】

遮光層ＬＢＬの少なくとも一部は、第３サブ画素ＳＰＸＬ３として提供しようとする領域（一例として、第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３）の周辺に配置される（例えば、囲む）形態で提供されて、第３開口ＯＰ３を形成することができる。ここで、第３開口ＯＰ３にて、第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３が画定されうる。第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３は、第３サブ画素ＳＰＸＬ３が配置される領域であって、第３サブ画素ＳＰＸＬ３の発光領域ＥＭＡを指すのでありうる。

【0171】

１つ以上の実施例によれば、第３開口ＯＰ３に対応する位置には、別途の波長変換物質が配置されなくてもよい。これにより、第３サブ画素ＳＰＸＬ３に含まれた発光素子ＬＤから発散された光は、第３色を有する光として提供され、外部へと出力されるのでありうる。

【0172】

１つ以上の実施例によれば、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３は、第１方向ＤＲ１に、互いに離隔されうる。第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３は、第１方向ＤＲ１に、互いに離隔されうる。

【0173】

一例によれば、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１は、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２の一側に配置され、第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３は、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２の他側に配置されるのでありうる。

【0174】

１つ以上の実施例によれば、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３は、第２方向ＤＲ２に延びるのでありうる。第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３は、第２方向ＤＲ２に、互いに離隔されるのでありうる。

【0175】

ここで、第１方向ＤＲ１と第２方向ＤＲ２とは、互いに交差することができる。第１方向ＤＲ１と第２方向ＤＲ２とは、互いに非平行でありうる。一例によれば、第１方向ＤＲ１と第２方向ＤＲ２とは、互いに直交するのでありうる。

【0176】

図７及び図８は、発光素子ＬＤの配列構造を示す。図７は、第１実施例による発光素子ＬＤの配列構造を示す図である。図８は、第２実施例による発光素子ＬＤの配列構造を示す図である。

【0177】

図７及び図８を参照すると、発光素子ＬＤは、行列の形態に配列されうる。

【0178】

発光素子ＬＤは、第１配列方向ＡＤＲ１に延びる行方向、及び第２配列方向ＡＤＲ２に延びる列方向に、あるいは、この行方向及び列方向に沿うように、規定(「定義」)される行列の形態にしたがって配置されうる。ただし、１つ以上の実施例によって、第１配列方向ＡＤＲ１に延びる列方向、及び第２配列方向ＡＤＲ２に延びる行方向に、あるいは、この列方向及び行方向に沿うように規定される行列の形態として規定(「定義」)されうる。

【0179】

ここで、第１配列方向ＡＤＲ１と第２配列方向ＡＤＲ２とは、互いに交差しうる。第１配列方向ＡＤＲ１と第２配列方向ＡＤＲ２は、互いに非平行でありうる。１つ以上の実施例によれば、第１配列方向ＡＤＲ１と第２配列方向ＡＤＲ２とは、互いに直交するのでありうる。

【0180】

１つ以上の実施例によれば、前記行列形態にて、それぞれの行及び列に対応する位置に発光素子ＬＤが配列されうる。第ｉｊ発光素子ＬＤｉｊは、前記行列形態において、ｉ行及びｊ列に配列される発光素子ＬＤを指すのでありうる。一例として、第１行の第１列に一つの発光素子ＬＤが配置されうるのであり、第１０行の第１０列に、さらにもう１つの発光素子ＬＤが配置されうる。

【0181】

図７を参照すると、発光素子ＬＤは、平面上で見て、四角形状（あるいは、正方形状）を有することができる。一例として、発光素子ＬＤが直方体形状を有する場合、平面上で見て、四角形状（あるいは正方形状）で提供されるであろう。

【0182】

或いは、図８を参照すると、発光素子ＬＤは、平面上で見て、円形状を有することができる。一例として、発光素子ＬＤが、底面が円形状の柱形態で提供される場合、平面上で見て、円形状に提供されるであろう。

【0183】

ただし、発光素子ＬＤの形状は前述の例に限定されず、１つ以上の実施例によれば、公知の適切な底面形状を有する発光素子ＬＤが提供されうる。

【0184】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤの基板ＳＵＢ上の単位面積当たりの個数は均一でありうる。第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３に配置される発光素子ＬＤの単位面積当りの個数は概ね均一でありうる。

【0185】

例えば、発光素子ＬＤは、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１に配置される第１複数の発光素子、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２に配置される第２複数の発光素子、及び第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３に配置される第３複数の発光素子を含むことができる。ここで、前記第１複数の発光素子、前記第２複数の発光素子、及び前記第３複数の発光素子のそれぞれの個数は、互いに実質的に同じであるか、一の差（例えば、あらかじめ定められた差）以下でありうる。

【0186】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤは、第１配列方向ＡＤＲ１に沿って全般的に並ぶように配列されうる。発光素子ＬＤは、第２配列方向ＡＤＲ２に沿って全般的に並ぶように配列されうる。すなわち、発光素子ＬＤの形状と関係なく、発光素子ＬＤの配列位置に応じて行列の配列形態が明確に規定されうる。

【0187】

１つ以上の実施例によれば、行列形態に配列される発光素子ＬＤの少なくとも一部は、第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３に配置されうる。一例として、発光素子ＬＤは、第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３内に配置されるのであるか、間欠的に、第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３内に配置されないのでありうる。

【0188】

ただし、本開示の１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤが第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３内に配置されない個数を、最小化または低減することができる。これに関して、以下、図９及び図１０を参照して後述する。

【0189】

図９及び図１０は、１つ以上の実施例による表示装置に含まれる発光素子の位置関係を概略的に示す平面図である。図１０は、図９のＥＡ２の拡大図である。

【0190】

図９及び図１０には、説明の便宜上、第１サブ画素ＳＰＸＬ１及び第２サブ画素ＳＰＸＬ２を中心に示す。図９及び図１０に示される第１サブ画素ＳＰＸＬ１及び第２サブ画素ＳＰＸＬ２の技術的特徴は、複数のサブ画素ＳＰＸＬに、規定(「定義」)されて適用されうる。

【0191】

また、図９には、説明の便宜上、複数の発光素子ＬＤのうちの、互いに隣接する第１発光素子ＬＤ１、第２発光素子ＬＤ２、及び第３発光素子ＬＤ３を基準として説明する。発光素子ＬＤは、第１発光素子ＬＤ１、第２発光素子ＬＤ２、第３発光素子ＬＤ３を含むことができる。

【0192】

１つ以上の実施例によれば、第１発光素子ＬＤ１及び第２発光素子ＬＤ２は、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１内に配置されうる。これにより、第１発光素子ＬＤ１及び第２発光素子ＬＤ２から発散された光は、第１サブ画素ＳＰＸＬ１から発散される光に含まれうる。

【0193】

１つ以上の実施例によれば、第３発光素子ＬＤ３は、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２内に配置されうる。これにより、第３発光素子ＬＤ３から発散された光は、第２サブ画素ＳＰＸＬ２から発散される光に含まれうる。

【0194】

１つ以上の実施例によれば、第１発光素子ＬＤ１は、第２発光素子ＬＤ２と第１配列方向ＡＤＲ１に沿って隣接することができる。第１発光素子ＬＤ１と第２発光素子ＬＤ２は、互いに第１配列距離１２０だけ離隔されうる。ここで、第１配列距離１２０は、第１発光素子ＬＤ１と第２発光素子ＬＤ２との間の最短距離を指すのでありうる。

【0195】

１つ以上の実施例によれば、第１発光素子ＬＤ１は、第３発光素子ＬＤ３と第２配列方向ＡＤＲ２とに沿って隣り合うのでありうる。第１発光素子ＬＤ１と第３発光素子ＬＤ３とは、互いに第２配列距離１４０だけ離隔されうる。ここで、第２配列距離１４０は、第１発光素子ＬＤ１と第３発光素子ＬＤ３との間の最短距離を指すのでありうる。

【0196】

一例によれば、第１配列距離１２０と第２配列距離１４０とは、互いに同じであってもよい。これにより、図７及び図８を参照して前述した発光素子ＬＤは、隣り合う発光素子ＬＤから離隔された距離が、互いに同じであるように提供されうる。ただし、１つ以上の実施例によって、第１配列距離１２０と第２配列距離１４０とは、互いに異なるように提供されてもよい。

【0197】

第１サブ画素ＳＰＸＬ１及び第２サブ画素ＳＰＸＬ２の延びる方向と、第１配列方向ＡＤＲ１とは、互いに交差するのでありうる。第１サブ画素ＳＰＸＬ１及び第２サブ画素ＳＰＸＬ２の延びる方向と、第１配列方向ＡＤＲ１とは、互いに非平行でありうる。

【0198】

一例として、前述のように、サブ画素ＳＰＸＬは第１方向ＤＲ１に互いに離隔され、第２方向ＤＲ２に延びることができ、これにより、第１配列方向ＡＤＲ１と第２方向ＤＲ２は交差することができる。第１配列方向ＡＤＲ１と第２方向ＤＲ２とは互いに非平行でありうる。

【0199】

具体的には、図９を参照すると、第１サブ画素ＳＰＸＬ１の延びる方向と平行な延長線２１０と、第１配列方向ＡＤＲ１とは、相互間に夾角（θ）を形成することができる。ここで、延長線２１０は第２方向ＤＲ２と平行でありうる。

【0200】

一例として、第２方向ＤＲ２は、第１配列方向ＡＤＲ１と鋭角を有する夾角（θ）を形成することができる。

【0201】

１つ以上の実施例によれば、夾角（θ）は、０度、４５度、及び９０度でないのでありうる。一例によれば、夾角（θ）は５度～４０度でありうる。或いは、夾角（θ）は１０度～３５度でありうる。

【0202】

本開示によれば、夾角（θ）が０度、４５度及び９０度の数値を回避するように形成されて、第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３内に配列されない発光素子ＬＤの個数が減少しうるのであり、これにより発光素子ＬＤの配置効率が向上しうる。

【0203】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤ間の離隔距離（一例として、第１配列距離１２０及び第２配列距離１４０）は、第１長さ２２０との一の数値関係（例えば、所定の数値関係）を満たすことができる。ここで、第１長さ２２０は、第１方向ＤＲ１と平行なサブ画素ＳＰＸＬの一辺の長さを指すのでありうる。一例として、図９を参照すると、第１長さ２２０は、第１方向ＤＲ１と平行な第１サブ画素ＳＰＸＬ１の一辺の長さを指すのでありうる。

【0204】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤ間の離隔距離と第１長さ２２０は、下記の数式１を満たすことができる。

【0205】

＜数式１＞

【0206】

ここで、ｘ_１は第１長さ２２０を指し、ｙは発光素子ＬＤ同士の間の離隔距離を指す。これにより、ｙは第１配列距離１２０および／または第２配列距離１４０を指すことができる。

【0207】

ただし、１つ以上の実施例によって、発光素子ＬＤ同士の間の離隔距離ｙと、画素ＰＸＬの第１方向ＤＲ１に沿う一辺の長さｘ_２は、下記の数式２を満たすことができる。

【0208】

＜数式２＞

【0209】

ここで、ｘ_２は、画素ＰＸＬの第２長さ２３０を指すのでありうる。第２長さ２３０は、画素ＰＸＬの第１方向ＤＲ１への長さを指すのでありうる。一例として、画素ＰＸＬが、第１方向ＤＲ１に順次配列される第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３で構成される場合、第２長さ２３０は、第１方向ＤＲ１を基準とするとき、第１サブ画素ＳＰＸＬ１（あるいは第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１）の一端部２３２と、第３サブ画素ＳＰＸＬ３（あるいは第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３）の他端部２３４との間の離隔距離を指すのでありうる。１つ以上の実施例において、第１サブ画素ＳＰＸＬ１(または第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１)の一端部２３２と、第３サブ画素ＳＰＸＬ３(または第３サブ画素領域ＳＰＸＡ３)の他端部２３４とは、画素ＰＸＬの外郭端部にて互いに対向しうる。

【0210】

ｎは、第１方向ＤＲ１に沿って配列されるサブ画素ＳＰＸＬの個数であって、一例として、画素ＰＸＬが第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３で構成される場合、ｎは３であり得る。

【0211】

本例によれば、サブ画素ＳＰＸＬで構成される画素ＰＸＬの一辺の長さ、及びサブ画素ＳＰＸＬの個数を基準として、１つのサブ画素ＳＰＸＬの一辺の長さを定義して、発光素子ＬＤ間の距離と、画素ＰＸＬの長さとの間の関係を導出することができる。この場合、工程進行の際に、発光素子ＬＤの配列設計の便宜性を増大させることができる。

【0212】

一方、図１０を参照すると、第１サブ画素ＳＰＸＬ１と第２サブ画素ＳＰＸＬ２との間の離隔距離２４０と、発光素子ＬＤの長さ特性は、互いに一の数値関係（例えば、所定の数値関係）を満たすことができる。

【0213】

一例として、第１サブ画素ＳＰＸＬ１と第２サブ画素ＳＰＸＬ２との間の第１方向ＤＲ１に沿う離隔距離２４０は、単一発光素子ＬＤの長さ特性によって決定されうる。

【0214】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤは、平面上で見て、一の底面長さ（例えば、所定の底面長さ）１００を有することができる。ここで、発光素子ＬＤの底面長さ１００は、発光素子ＬＤの底面の形状に応じて決定される長さであり得る。

【0215】

例えば、発光素子ＬＤの底面が正方形状（あるいは長方形状）を有する場合、底面長さ１００は、正方形（あるいは長方形）の対角線の長さを指すのでありうる。或いは、発光素子ＬＤの底面が円形状を有する場合、底面長さ１００は円の径を指すのでありうる。或いは、発光素子ＬＤの底面が楕円形状を有する場合、底面長さ１００は楕円の長半径を指すのでありうる。

【0216】

１つ以上の実施例によれば、発光素子ＬＤの底面長さ１００とサブ画素ＳＰＸＬとの間の離隔距離は、下記の数式３を満たすことができる。

【0217】

＜数式３＞

【0218】

ここで、zはサブ画素ＳＰＸＬ間の間隔であり得る。一例として、第１サブ画素ＳＰＸＬ１（或いは、第１サブ画素領域ＳＰＸＡ１）と、第２サブ画素ＳＰＸＬ２（或いは、第２サブ画素領域ＳＰＸＡ２）との間の、第１方向ＤＲ１に沿う離隔距離２４０であり得る。また、wは、発光素子ＬＤの底面長さ１００であり得る。

【0219】

本例によれば、発光素子ＬＤの特徴的な長さに応じてサブ画素ＳＰＸＬ同士の間の間隔が規定されて、ショート欠陥が防止または実質的に防止されうる。

【0220】

本実施例によれば、発光素子ＬＤ同士の間の間隔と、サブ画素ＳＰＸＬの長さとの関係が、一の数式（例えば、所定の数式）によって規定(「定義」)されて、工程設計の利便性が増大し、ショート欠陥が防止または実質的に防止されて、電気的信頼度が改善された表示装置ＤＤを提供することができる。

【0221】

以下では、図１１～図１８を参照して、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤの製造方法について説明する。前述の内容と重複する可能性のある内容は、説明を簡略にするか、繰り返さないようにする。

【0222】

図１１～図１５、及び図１７は、表示装置ＤＤの製造方法についての工程ステップ（または動作（ａｃｔ））毎の断面図である。図１６及び図１８は、表示装置ＤＤの製造方法の工程ステップ（または動作）毎の平面図である。

【0223】

図１１を参照すると、積層基板１を準備（または提供）し、積層基板１上に、第１半導体層１１、活性層１２、及び第２半導体層１３を形成することができる。

【0224】

１つ以上の実施例によれば、積層基板１は、対象物質を積層するためのベース板であり得る。積層基板１は、一物質（例えば、所定の物質）に対するエピタキシャル成長（ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｇｒｏｗｔｈ）のためのウェハ（ｗａｆｅｒ）であり得る。一例によれば、積層基板１は、サファイア（ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板、ＧａＡｓ基板、Ｇａ基板、ＩｎＰ基板のうちのいずれか１つであり得るが、これに限定されない。例えば、特定の材料が発光素子ＬＤを製造するための選択比を満足し、所定の物質に対するエピタキシャル成長が円滑に発生されうる場合、前記材料は積層基板１の材料として選択されうる。

【0225】

本ステップ（または動作）において、第１半導体層１１、活性層１２、及び第２半導体層１３は、有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ； Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃｌａ Ｖａｐｏｒ－ｐｈａｓｅ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ； Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）、気相エピタキシー法（ＶＰＥ； Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）及び液状エピタキシー 法（ＬＰＥ； Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）のうちのいずれか１つの方法によって形成されうる。

【0226】

図１２を参照すると、第１半導体層１１、活性層１２、及び第２半導体層１３のそれぞれの少なくとも一部を除去して、互いに個別に分離された発光素子ＬＤを提供することができる。

【0227】

本ステップ（または動作）において、第１半導体層１１、活性層１２、及び第２半導体層１３に対するエッチング工程を行うことができる。個別に分離された発光素子ＬＤを形成するために、第１半導体層１１、活性層１２、及び第２半導体層１３が積層された（例えば、順次積層された）構造にマスクを配置し、エッチング工程を進行させて、ナノスケール或いはマイクロスケールの間隔のパターニングを行うことができる。前記エッチング工程は、第２半導体層１３から第１半導体層１１へと向かう方向に行うことができる。

【0228】

一例によれば、前記エッチング工程は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ； Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）、反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ； Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）、誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング（ＩＣＰ－ＲＩＥ； Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）のうちのいずれか１つであり得るが、特定の例に限定されない。

【0229】

本ステップ（または動作）において、提供される発光素子ＬＤは、第１配列方向ＡＤＲ１及び第２配列方向ＡＤＲ２によって規定(「定義」)される行列の形態にパターニングされうる。

【0230】

図１３を参照すると、積層基板１を発光素子ＬＤから分離し、発光素子ＬＤをドナーフィルム１６（ｄｏｎｏｒ ｆｉｌｍ）上に結合（或いは、配置、連結）することができる。

【0231】

本ステップ（または動作）において、積層基板１は、第１半導体層１１から物理的に分離されうる。一例によれば、積層基板１と第１半導体層１１は、レーザーリフトオフ（ＬＬＯ； Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ－Ｏｆｆ）方式によって分離されうる。ただし、本開示はこれに限定されず、１つ以上の実施例によって、積層基板１と第１半導体層１１とは、化学的リフトオフ（ＣＬＯ； Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｌｉｆｔ－Ｏｆｆ）方式によって分離されてもよい。

【0232】

本ステップ（または動作）において、第１半導体層１１と同一の工程内で形成されるとともに、別途のエッチングが行われず、個別発光素子ＬＤを構成しない層もまた、除去されるのでありうる。したがって、本ステップ（または動作）が行われて、ドナーフィルム１６上に、一の間隔（例えば、所定の間隔）にパターニングされた複数の発光素子ＬＤアレイが提供されるのでありうる。

【0233】

１つ以上の実施例によれば、ドナーフィルム１６は、後続工程（一例として、発光素子ＬＤを基板ＳＵＢ及び画素回路部ＰＣＬ上に配置する工程）を行う前に、発光素子ＬＤを一の位置（例えば所定の位置）に備え付けるための構成であり得る。ドナーフィルム１６は、ドナーウェハ又はドナー基板と呼ぶことができる。ドナーフィルム１６は、等方延伸可能なフィルムであり得る。一例によれば、ドナーフィルム１６は、高分子組成物（例えば、ＰＶＣ（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）系物質）を含むのでありうるが、特定の例に限定されない。

【0234】

１つ以上の実施例によれば、本ステップ（または動作）でパターニングされた発光素子ＬＤは、第１配列方向ＡＤＲ１に延びる行方向、及び第２配列方向ＡＤＲ２に沿って延びる列方向へと構成される行列の形態に配列されうる。

【0235】

図１４を参照すると、ドナーフィルム１６を変形することができる。ドナーフィルム１６の平面上（または平面上で見て）の面積は増加されうる。ドナーフィルム１６は、一方向に拡張されうる。ドナーフィルム１６は、面積方向に拡張されうる。

【0236】

本ステップ（または動作）が行われる前に、ドナーフィルム１６上にて互いに隣り合う発光素子ＬＤは、未変形間隔１１２で離隔されるのでありうる。

【0237】

一例として、ドナーフィルム１６上において、発光素子ＬＤは行列形態に配列され、互いに隣り合う発光素子ＬＤは、互いに、未変形間隔（または未修正間隔）１１２に離隔されるのでありうる。ここで、未変形間隔１１２は、平面上にて（または平面上で見て）、互いに隣接する発光素子ＬＤの最短距離を指すのでありうる。一例として、第１配列方向ＡＤＲ１または第２配列方向ＡＤＲ２にて隣り合う発光素子ＬＤは、互いに未変形間隔１１２で離隔されうる。

【0238】

１つ以上の実施例によれば、本ステップ（または動作）において、ドナーフィルム１６は放射状に均一に拡張されうる。本ステップ（または動作）において、ドナーフィルム１６の長さ（或いは、面積）は確定されて、発光素子ＬＤ同士の間の離隔距離は増加しうる。一例によれば、ドナーフィルム１６は、物理的に延長（または拡張）されうるが、任意の適切な方式を適用することができ、特定の例に限定されない。

【0239】

一例によれば、本ステップ（または動作）が行われて、第１配列方向ＡＤＲ１に互いに隣り合う発光素子ＬＤは、第１配列距離１２０だけ離隔されうるのであり、第２配列方向ＡＤＲ２に互いに隣り合う発光素子ＬＤは、第２配列距離１４０だけ離隔されうる。

【0240】

１つ以上の実施例によれば、ドナーフィルム１６に求められる物理的特性が、未変形間隔１１２、第１配列距離１２０、および／または第２配列距離１４０の間の数値関係によって決定されうる。

【0241】

一例として、ドナーフィルム１６の長さ方向への拡張可能範囲は、未変形間隔１１２、第１配列距離１２０、および／または第２配列距離１４０の間の数値関係によって決定されうる。

【0242】

ここで、ドナーフィルム１６の前記拡張可能範囲は、ドナーフィルム１６が平面上で（または平面上で見て）拡張される場合にも、破壊されない限度内における倍数を指すのでありうる。すなわち、ドナーフィルム１６を前記拡張可能範囲まで拡張することは、非破損的（ｎｏｎ－ｄｅｓｔｒｕｃｔｉｖｅ）であり得る。

【0243】

例えば、ドナーフィルム１６の拡張可能範囲が２である場合、ドナーフィルム１６の長さは、一方向（一例として、第１配列方向ＡＤＲ１）に２倍まで拡張されうるのであり、ドナーフィルム１６の長さが２倍以下に拡張される場合、別途の破壊が発生しないのでありうる。

【0244】

１つ以上の実施例によって、未変形間隔（または未修正間隔）１１２、第１配列距離１２０、および／または第２配列距離１４０、そしてドナーフィルム１６の拡張可能範囲は、下記の数式４を満たすことができる。

【0245】

＜数式４＞

【0246】

ここで、yは、前述のように、発光素子ＬＤ同士の間の離隔距離であって、第１配列距離１２０および／または第２配列距離１４０を指すのでありうる。そして、Ａは、ドナーフィルム１６の拡張可能範囲を表しうる。ｖは、ドナーフィルム１６の変形が別途に行われる前の、発光素子ＬＤ同士の間の間隔であって、未変形間隔１１２であり得る。

【0247】

本ステップ（または動作）が行われて、発光素子ＬＤの離隔距離は、前述の数式１(および／または数式２）を満たすように提供されうる。すなわち、発光素子ＬＤ間の離隔距離が数式１（および／または数式２）によって決定されうるのであり、数式１(および／または数式２）に適合するように（または適切に）、本ステップにて発光素子ＬＤの離隔距離を適切に調節することができる。この際、発光素子ＬＤ同士の間の離隔距離を調整するために、ドナーフィルム１６に好適な物理的特性を、数式４に基づいて算出することができる。これにより、１つ以上の実施例によれば、工程の予測可能性が向上しうる。

【0248】

図１５及び図１６を参照すると、配置部材１７を利用して発光素子ＬＤを基板ＳＵＢ及び画素回路部ＰＣＬ上に配置することができる。発光素子ＬＤは、連結電極ＣＯＬと結合されうる。

【0249】

本ステップ（または動作）において、配置部材１７は、ドナーフィルム１６上に備え付けられた発光素子ＬＤのアレイを一面に結合して、発光素子ＬＤを、基板ＳＵＢ及び画素回路部ＰＣＬ上に形成または転写するように構成されうる。配置部材１７は、個別の発光素子ＬＤを同時にピック－アップ（ｐｉｃｋ－ｕｐ）して、基板ＳＵＢ及び画素回路部ＰＣＬ上に位置させることができる。一例によれば、配置部材１７のピック－アッププロセスは、弾性重合体スタンプ方式、電磁気的方式、或いは接着部材を利用した方式が適用されうるが、特定の例に限定されない。

【0250】

本ステップ（または動作）において、第１半導体層１１が配置部材１７に向かうように、発光素子ＬＤと配置部材１７とが結合され、第２半導体層１３が連結電極ＣＯＬに向かうように、発光素子ＬＤが配列されうる。

【0251】

一方、本ステップ（または動作）において、図１６を参照すると、第１配列方向ＡＤＲ１及び第２配列方向ＡＤＲ２が、後続的に第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３を形成しようとする位置からずれるように、発光素子ＬＤが配置されうる。具体的には、ドナーフィルム１６の傾いた角度を調整することで、後続的に形成しようとする第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３の位置と、第１配列方向ＡＤＲ１及び第２配列方向ＡＤＲ２の位置との間の関係を調節することができる。

【0252】

例えば、第１方向ＤＲ１は、第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３が互いに離隔される方向であり、第２方向ＤＲ２は、第１方向ＤＲ１と交差する方向であって、第１～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１、ＳＰＸＡ２、ＳＰＸＡ３が延びる方向と規定(「定義」)することができる。

【0253】

ここで、ドナーフィルム１６の発光素子ＬＤの配置工程（図１５参照）が進行される際に、基板ＳＵＢ及び画素回路部ＰＣＬに対するドナーフィルム１６のポーズ（ｐｏｓｅ）を調整することができる。この際、ドナーフィルム１６のポーズを調整して、第１配列方向ＡＤＲ１が第２方向ＤＲ２と互いに交差（あるいは非平行）するように提供されうる。

【0254】

図１７及び図１８を参照すると、発光素子ＬＤ同士の間が満たされるように、連結電極ＣＯＬ上に絶縁層ＩＮＳを配置することができる。そして、発光素子ＬＤに連結（例えば、電気的に連結）された第２電極ＥＬＴをパターニングすることができるのであり、その後、光制御部ＬＣＰを表示素子部ＤＰＬ上に配置することができる。図１７には、説明の便宜上、図５を参照して、前述したサブ画素ＳＰＸＬのうちの第１サブ画素ＳＰＸＬ１を基準として示す。

【0255】

本ステップ（または動作）において、表示素子部ＤＰＬ上に色変換部ＣＣＬを配置することができる。この際、表示素子部ＤＰＬ上に、遮光層ＬＢＬを形成して、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１，ＳＰＸＬ２，ＳＰＸＬ３の発光領域ＥＭＡを、一例として、第１サブ画素領域～第３サブ画素領域ＳＰＸＡ１，ＳＰＸＡ２，ＳＰＸＡ３を画定（区画形成）することができる。

【0256】

具体的には、図１８を参照すると、第１～第３開口ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３が形成されるように遮光層ＬＢＬを配置することができる。一例によれば、遮光層ＬＢＬを形成するためのベース遮光層を形成した後、第１～第３開口ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３に対応する位置に対して、エッチング工程を行うことができる。

【0257】

本ステップにおいて、遮光層ＬＢＬの第１～第３開口ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３間の離隔距離を調整して、後続的に提供される第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３間の第１方向ＤＲ１への離隔距離２４０を制御することができる。例えば、前述のように、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３の間の離隔距離２４０は、数式３を満たすように提供されうる。

【0258】

本ステップにおいて、遮光層ＬＢＬの第１～第３開口ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３が形成される位置を調整して、第１配列方向ＡＤＲ１が、第１～第３サブ画素ＳＰＸＬ１、ＳＰＸＬ２、ＳＰＸＬ３の延長方向（一例として、第２方向ＤＲ２）が、一の範囲（例えば、所定の範囲）を有する夾角（θ）を有するように提供されうる。

【0259】

以下では、図１９～図２１を参照して、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤの適用分野について説明する。図１９～図２２は、１つ以上の実施例による表示装置が適用される例を示す図である。一例によれば、表示装置ＤＤは、スマートフォン、ノートパソコン、タブレットＰＣ、および／またはテレビなどに適用できるのであり、その他に、様々な実施形態に適用されうる。

【0260】

図１９を参照すると、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤは、フレーム１１０４及びレンズ部１１０２を含むスマートグラス１１００に適用できる。スマートグラス１１００は、ユーザの顔に着用可能なウェアラブル電子装置であって、フレーム１１０４の一部がフォールディングされたり、アンフォールディングされたりする構造であり得る。例えば、スマートグラス１１００は、拡張現実（ＡＲ； Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）用ウェアラブル装置であり得る。

【0261】

フレーム１１０４は、レンズ部１１０２を支持するハウジング１１０４ｂ及びユーザの着用のための脚部１１０４ａを含むことができる。脚部１１０４ａは、ヒンジによってハウジング１１０４ｂに連結されてフォールディングされたり、アンフォールディングされたりしうる。

【0262】

フレーム１１０４には、バッテリ、タッチパッド、マイク、および／またはカメラなどが内蔵されることができる。また、フレーム１１０４には、光を出力するプロジェクタ、光信号などを制御するプロセッサなどが内蔵されうる。

【0263】

レンズ部１１０２は、光を透過させたり、光を反射させたりする光学部材でありうる。レンズ部１１０２は、ガラス、透明な合成樹脂などを含むことができる。

【0264】

また、レンズ部１１０２は、フレーム１１０４のプロジェクタから送出された光信号による映像を、レンズ部１１０２の後面（例えば、ユーザの目を向いた面）によって反射させて、ユーザの目にて画像を認識可能にすることができる。例えば、ユーザは、図に示すように、レンズ部１１０２に表示された時刻、日付などの情報を認識することができる。すなわち、レンズ部１１０２は、一種の表示装置であって、前述の一実施例による表示装置ＤＤは、レンズ部１１０２に適用することができる。

【0265】

図２０を参照すると、実施例による表示装置ＤＤは、ディスプレイ部１２２０及びストラップ部１２４０を含むスマートウォッチ１２００に適用されうる。

【0266】

スマートウォッチ１２００は、ウェアラブル電子装置であって、ストラップ部１２４０がユーザの手首に装着される構造を有することができる。ここで、ディスプレイ部１２２０には、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤが適用されて、時刻情報を含んだ画像データが、ユーザに提供されうる。

【0267】

図２１を参照すると、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤは、オートモーティブディスプレイ１３００（ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ ｄｉｓｐｌａｙ）に適用されうる。ここで、オートモーティブディスプレイ１３００は、車両の内外部に備えられて、画像データを提供する電子装置を指すのでありうる。

【0268】

一例によれば、表示装置ＤＤは、車両に備えられた、インフォテインメントパネル１３１０（ｉｎｆｏｒｔａｉｎｍｅｎｔ ｐａｎｅｌ）、クラスタ１３２０（ｃｌｕｓｔｅｒ）、コ・ドライバーディスプレイ１３３０（ｃｏ－ｄｒｉｖｅｒ ｄｉｓｐｌａｙ）、ヘッド・アップディスプレイ１３４０（ｈｅａｄ－ｕｐ ｄｉｓｐｌａｙ）、サイドミラーディスプレイ１３５０（ｓｉｄｅ ｍｉｒｒｏｒ ｄｉｓｐｌａｙ）、および／またはリア・シートディスプレイ（ｒｅａｒ ｓｅａｔ ｄｉｓｐｌａｙ）のうちの少なくともいずれか１つに適用されうる。

【0269】

図２２を参照すると、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤは、ヘッド装着バンド１４０２及びディスプレイ収納ケース１４０４を含むヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ； Ｈｅａｄ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｉｓｐｌａｙ）に適用されうる。ヘッドマウントディスプレイは、ユーザの頭に着用可能なウェアラブル電子装置である。

【0270】

ヘッド装着バンド１４０２は、ディスプレイ収納ケース１４０４に連結されて、ディスプレイ収納ケース１４０４を所望の位置に固定させうる。図面において、ヘッド装着バンド１４０２は、ユーザの頭の上面と両側面を囲むことができるものとして示されたが、本開示はこれに限定されない。ヘッド装着バンド１４０２は、ユーザの頭にヘッドマウントディスプレイを固定するためのものであって、メガネフレームの形態またはヘルメットの形態で形成されてもよい。

【0271】

ディスプレイ収納ケース１４０４は、表示装置ＤＤを収納し、少なくとも１つのレンズを含むことができる。少なくとも１つのレンズは、ユーザに映像を提供する部分である。例えば、ディスプレイ収納ケース１４０４に具現される左眼レンズ及び右眼レンズには、１つ以上の実施例による表示装置ＤＤを適用できる。

【0272】

１つ以上の実施例による表示装置ＤＤの適用分野は、前述の例に限定されず、１つ以上の実施例によって様々な分野に適用されうる。

【0273】

以上の説明は、本開示の技術思想を例示的に説明したものに過ぎず、本開示の属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本開示の思想及び範囲から逸脱しない範囲で、様々な修正及び変形が可能であろう。したがって、以上で説明した本開示の実施例は、互いに別個にまたは組み合わせて具現することも可能である。

【0274】

したがって、本開示は、その実施例を参照して具体的に図示および説明されたが、形態及び詳細事項は、特許請求の範囲およびその均等物による本開示の思想及び範囲から逸脱しない範囲で様々に変更可能であるという点が、本発明の技術分野の通常の知識を有する者にとって理解されるであろう。

【手続補正2】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上に配置され、第１配列方向、及び、前記第１配列方向と交差する第２配列方向によって規定される行列の形態に配列される、複数の発光素子と、
前記複数の発光素子の少なくとも一部にそれぞれ重畳し、第１方向に沿って互いに離隔され、前記第１方向と交差する第２方向へとそれぞれ延びる第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域と、を含み、
前記第２方向と前記第１配列方向は、互いに非平行であることを特徴とする表示装置。

【請求項2】

前記基板上に配置され、前記第１サブ画素領域及び前記第２サブ画素領域を画定する遮光層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第１サブ画素領域からは、第１色の光が発散され、
前記第２サブ画素領域からは、第２色の光が発散されることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記第２方向と前記第１配列方向とは、鋭角を有する夾角を形成することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

前記夾角は、５度～４０度であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。

【請求項6】

前記第１サブ画素領域は、前記第１方向と平行であり、第１長さを有する一辺を含み、
前記複数の発光素子は、第１発光素子及び第２発光素子を含み、前記第１発光素子と前記第２発光素子とは、前記第１配列方向に互いに隣り合い、第１配列距離だけ離隔され、
前記第１長さと前記第１配列距離は、下記式を満たすことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

（ここで、ｘ_１は前記第１長さであり、ｙは前記第１配列距離である。）

【請求項7】

前記第１配列距離は、前記第１発光素子と前記第２発光素子との間の最短距離であることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。

【請求項8】

前記第１サブ画素領域及び前記第２サブ画素領域と、前記第１方向に沿って離隔される第３サブ画素領域とをさらに含み、
前記第１サブ画素領域は、前記第２サブ画素領域の一側に配置され、前記第３サブ画素領域は、前記第２サブ画素領域の他側に配置され、
前記第１サブ画素領域の一端部と、前記第３サブ画素領域の他端部とは、第２長さだけ離隔され、
前記複数の発光素子は、第１配列方向に互いに隣り合い、第１配列距離だけ離隔される、第１発光素子及び第２発光素子を含み、前記第１発光素子と前記第２発光素子は、前記第１配列方向に互いに隣り合い、第１配列距離だけ離隔され、
前記第２長さと前記第１配列距離は下記式を満たすことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

（ここで、ｘ_２は前記第２長さであり、ｙは前記第１配列距離である。）

【請求項9】

前記第１サブ画素領域と前記第２サブ画素領域とは、離隔距離で離隔され、
前記複数の発光素子のそれぞれは、底面長さを有し、
前記離隔距離と前記底面長さは、下記式を満たすことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

（ここで、ｚは前記離隔距離であり、ｗは前記底面距離である。）

【請求項10】

前記複数の発光素子の底面は、円形状を有し、
前記底面長さは、円の径であることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。

【請求項11】

前記複数の発光素子の底面は、長方形状を有し、
前記底面長さは、長方形の対角線の長さであることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。

【請求項12】

前記複数の発光素子上に配置され、前記発光素子から発散された光の波長を変更させるように構成される光制御部と、
前記第１サブ画素領域、及び前記第２サブ画素領域、並びに前記第１方向に沿って互いに離隔され、前記第２方向に延びる第３サブ画素領域と、をさらに含み、
前記光制御部は、前記第１サブ画素領域に重畳する第１波長変換パターンと、前記第２サブ画素領域に重畳する第２波長変換パターンと、前記第３サブ画素領域と重畳する光透過パターンと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

【請求項13】

前記複数の発光素子の少なくとも一部は、前記第１サブ画素領域と重畳し、前記複数の発光素子のさらに他の一部は、前記第２サブ画素領域と重畳し、前記複数の発光素子のさらに他の一部は、前記第３サブ画素領域と重畳し、
前記複数の発光素子は、互いに同じ色の光を発散することを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。

【請求項14】

前記基板上にて前記複数の発光素子の単位面積当たりの個数は均一であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

【請求項15】

積層基板を提供するステップと、
前記積層基板上に第１半導体層、活性層、及び第２半導体層を形成するステップと、
前記第１半導体層、前記活性層、及び前記第２半導体層をエッチングして複数の発光素子を提供するステップと、
前記積層基板を前記複数の発光素子から分離し、前記複数の発光素子をドナーフィルム上に結合するステップと、
前記ドナーフィルム上に配置された前記複数の発光素子を基板上に配置するステップと、
前記複数の発光素子上に第１サブ画素領域及び第２サブ画素領域を画定する遮光層を配置するステップと、を含み、
前記複数の発光素子を提供するステップは、前記複数の発光素子が第１配列方向及び前記第１配列方向と交差する第２配列方向によって規定される行列の形態にパターニングされるステップを含み、
前記遮光層を配置するステップは、前記第１サブ画素領域と前記第２サブ画素領域とが第１方向に沿って互いに離隔されるようにするとともに、前記第１方向と交差する第２方向にそれぞれ延びるように前記遮光層を形成するステップを含み、
前記第２方向と前記第１配列方向は、互いに非平行であることを特徴とする表示装置の製造方法。

【請求項16】

前記複数の発光素子同士の間の離隔距離が増加されるように前記ドナーフィルムを変形するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の表示装置の製造方法。

【請求項17】

前記ドナーフィルムを変形するステップが行われる前に、前記複数の発光素子は互いに未変形間隔に離隔され、
前記ドナーフィルムを変形するステップにおいて、前記複数の発光素子同士の間の離隔距離が増加して、前記第１配列方向に隣り合う前記複数の発光素子は、第１配列距離だけ離隔され、前記第２配列方向に隣り合う前記複数の発光素子は、第２配列距離だけ離隔されることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置の製造方法。

【請求項18】

拡張可能範囲は、前記ドナーフィルムが一方向に拡張されるときに非破壊となる限度内における、長さの倍数であり、
前記ドナーフィルムの前記拡張可能範囲は下記式を満たすことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置の製造方法。

（ここで、Ａは前記ドナーフィルムの前記拡張可能範囲であり、ｙは前記第１配列距離であり、ｖは前記未変形間隔である。）

【請求項19】

前記第２方向と前記第１配列方向とは、鋭角を有する夾角を形成することを特徴とする請求項１５に記載の表示装置の製造方法。

【請求項20】

前記遮光層と同じ層に配置される第１波長変換パターン、第２波長変換パターン、及び光透過パターンを形成するステップをさらに含み、
前記遮光層を配置するステップは、前記第１サブ画素領域、及び前記第２サブ画素領域、並びに前記第１方向に沿って離隔され、前記第２方向に延びる第３サブ画素領域が画定されるように前記遮光層を形成するステップを含み、
前記複数の発光素子は、第３色の光を発散し、
前記第１波長変換パターンは、前記第３色の光を第１色の光に変更させ、前記第２波長変換パターンは、前記第３色の光を前記第２色の光に変更させ、前記光透過パターンは、前記第３色の光を透過させ、
前記複数の発光素子は、前記第１サブ画素領域及び前記第１波長変換パターンと重畳する第１発光素子、前記第２サブ画素領域及び前記第２波長変換パターンと重畳する第２発光素子、及び、前記第３サブ画素領域及び前記光透過パターンと重畳する第３発光素子を含むことを特徴とする請求項１５に記載の表示装置の製造方法。

【国際調査報告】