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特表2024-517994リチウムビス（フルオロスルホニル）イミド及びその製造方法並びに用途
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-04-23
(54)【発明の名称】リチウムビス（フルオロスルホニル）イミド及びその製造方法並びに用途
(51)【国際特許分類】
C01B 21/086 20060101AFI20240416BHJP
H01M 10/0567 20100101ALI20240416BHJP
【ＦＩ】
C01B21/086
H01M10/0567
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023571640
(86)(22)【出願日】2021-11-05
(85)【翻訳文提出日】2023-11-17
(86)【国際出願番号】 CN2021129083
(87)【国際公開番号】W WO2022262175
(87)【国際公開日】2022-12-22
(31)【優先権主張番号】202110670267.1
(32)【優先日】2021-06-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】523024990
【氏名又は名称】深▲セン▼市研一新材料有限責任公司
(74)【代理人】
【識別番号】100095407
【弁理士】
【氏名又は名称】木村 満
(74)【代理人】
【識別番号】100132883
【弁理士】
【氏名又は名称】森川 泰司
(74)【代理人】
【識別番号】100148633
【弁理士】
【氏名又は名称】桜田 圭
(74)【代理人】
【識別番号】100147924
【弁理士】
【氏名又は名称】美恵 英樹
(72)【発明者】
【氏名】岳 敏
(72)【発明者】
【氏名】余 意
(72)【発明者】
【氏名】胡 向兵
【テーマコード（参考）】
5H029
【Ｆターム（参考）】
5H029AJ14
5H029HJ00
5H029HJ02
5H029HJ14
5H029HJ15
(57)【要約】
リチウムビス（フルオロスルホニル）イミド及びその製造方法並びに用途であって、ここで、三酸化硫黄及びアンモニアを原料としてイミノジスルホン酸を合成し、イミノジスルホン酸をジクロロスルホキシドで塩素化してビスクロロスルホニルイミドを得、次いでフッ素化及びリチウム化を順次行ってリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを得る。この方法は、優れた収率及び純度を有し、従来のプロセスに比べて、原料が簡単で、生じる廃液・廃ガス・固形廃棄物が少なく、環境に優しく、副反応が少なく、コストが低いなどの利点を有し、産業化が容易である。
【選択図】なし
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
リチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法であって、三酸化硫黄とアンモニアとを高圧反応釜で反応させ、イミノジスルホン酸を得るステップ（１）であって、反応圧力が０．８～１．５Ｍｐａであるステップ（１）と、
ジクロロスルホキシドとステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸とを反応させ、減圧蒸留してビスクロロスルホニルイミドを得るステップ（２）と、
ステップ（２）で得られたビスクロロスルホニルイミドとフッ化水素とを反応させ、減圧蒸留してビスフルオロスルホニルイミドを得るステップ（３）と、
ステップ（３）で得られたビスフルオロスルホニルイミドとフッ化リチウムとを反応させ、固液分離、精製及び乾燥してリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを得るステップ（４）と、を含む、
ことを特徴とするリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項2】
ステップ（１）において、前記アンモニアと三酸化硫黄とのモル比は、１：２～３である、ことを特徴とする請求項１に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項3】
ステップ（１）において、前記反応圧力は、０．８～１．０ＭＰａである、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項4】
ステップ（１）において、前記反応温度は、２０～３０℃である、ことを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項5】
ステップ（１）において、前記反応時間は、４～６ｈである、ことを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項6】
ステップ（２）において、反応温度は、８０～１００℃である、ことを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項7】
ステップ（２）において、反応時間は、１２～１６時間である、ことを特徴とする請求項１～６のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項8】
ステップ（２）において、前記イミノジスルホン酸とジクロロスルホキシドとのモル比は、１：２．０～２．５であり、好ましくは１：２．２～２．５である、ことを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項9】
ステップ（３）において、ビスクロロスルホニルイミドとフッ化水素とのモル比は、１：２．０～３．０である、ことを特徴とする請求項１～８のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項10】
ステップ（３）において、反応温度は、８０～１５０℃であり、好ましくは９０～１２０℃であり、好ましくは、反応時間は、１４～２０ｈである、ことを特徴とする請求項１～９のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項11】
ステップ（４）において、ビスフルオロスルホニルイミドとフッ化リチウムとのモル比は、１：０．８５～１．００である、ことを特徴とする請求項１～１０のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項12】
ステップ（４）において、反応温度は、１２０℃～１６０℃であり、好ましくは、反応時間は、３０～６０分間である、ことを特徴とする請求項１～１１のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項13】
請求項１～１２のいずれか一項に記載の製造方法により製造されたリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドであって、当該リチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの純度は、≧９９．６％である、ことを特徴とするリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド。
【請求項14】
請求項１～１２のいずれか一項に記載の製造方法により製造されたリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド又は請求項１３に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドのリチウムイオン電池における用途。
【請求項15】
ビスクロロスルホニルイミドの製造方法であって、三酸化硫黄とアンモニアとを高圧反応釜で反応させ、イミノジスルホン酸を得るステップ（１）であって、反応圧力が０．８～１．５Ｍｐａであるステップ（１）と、
ジクロロスルホキシドとステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸とを反応させ、減圧蒸留してビスクロロスルホニルイミドを得るステップ（２）と、を含む、
ことを特徴とするビスクロロスルホニルイミドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、化学合成技術分野に属し、具体的にはリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド及びその製造方法並びに用途に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、スマートフォン、モバイル電源、タブレットＰＣなどの製品による牽引を受け、国内のリチウム電池産業の生産額が持続的に増加していると同時に、リチウムイオン電池の用途は、電子系消費製品にとどまらず、動力とエネルギー貯蔵という２つの新たな用途方向はリチウム電池に無限の市場空間をもたらした。また、その適用分野の拡大に伴い、電池特性の更なる改善に対する要求も高まっている。現在最も広く用いられている電解質リチウム塩は六フッ化リン酸リチウムであり、その優れた総合性能にもかかわらず、不安定で、吸水しやすく、寿命が短く、低温性能が悪いなどの自身の欠点により、リチウムイオン電池のますます拡大する用途要求を満たすには不十分である。
【0003】
六フッ化リン酸リチウムに比べ、リチウムビス（フルオロスルホニル）イミド（ＬｉＦＳＩ）は、より良い熱安定性、化学的安定性、より高い導電性及びより低い腐食速度を有し、六フッ化リン酸リチウムに取って代わる可能性があり、新世代のリチウム塩となると考えられ、リチウム電池及びスーパーキャパシタに広く応用できる。リチウムイオン二次電池電解質として、高純度、無水などの厳しい要求を満たす必要がある。水分導入後、昇温による水の同伴、乾燥による水の除去で分解するまでは完全に除去することは困難であった。従来、第１ステップの中間体であるビスクロロスルホニルイミドを生成する際に、強腐食性原料であるクロロスルホン酸、スルファミン酸及びジクロロスルホキシドを採用してビスクロロスルホニルイミドを合成することが多く、収率が低い上に不純物が多く、環境への影響が大きい。
【0004】
特許文献１には、スルホンアミドをジクロロスルホキシド、クロロスルホン酸と反応させてビスクロロスルホニルイミドを得、次いで三フッ化アンチモン及び炭酸カリウム（セシウム又はルビジウム）と反応させてビスフルオロスルホニルイミドカリウム（セシウム又はルビジウム）を得、最後にビスフルオロスルホニルイミドカリウム（セシウム又はルビジウム）及び過塩素酸リチウム又は四フッ化ホウ酸リチウムを複分解反応させてリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを得ることが開示されており、プロセスが複雑であり、収率が低い。
【0005】
特許文献２には、スルファミン酸及びハロスルホン酸をトリエチルアミンと反応させ、ビス（スルホニル）イミドを生成し、次いで水酸化カリウムを加え、カリウムビス（スルホニル）イミド三塩を生成し、次いで、塩化オキサリルを加え、カリウムビス（クロロスルホニル）イミドを生成し、最後にフッ化水素を加え、黄金色のビス（フルオロスルホニル）イミドを得る、リチウムビス（フルオロスルホニル）イミド又はナトリウムビス（フルオロスルホニル）イミドの生産方法が開示されており、プロセスが比較的複雑であり、収率及び純度に関するデータは何も与えられていない。
【0006】
特許文献３には、クロロスルホン酸をアンモニアと反応させてイミノジスルホン酸を生成し、これをニトロシルフルオリドでフッ素化し、ビスフルオロスルホニルイミドを生成し、次いで水酸化リチウムを加え、リチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを生成する、フルオロスルホニルイミドカリウム塩の製造方法が開示されており、ニトロシルフルオリドが不安定であり、トルエン溶媒などを用いる必要があり、リチウム化の過程で水酸化リチウムを採用すると水分が生成し、反応生成物の純度が低いことになる。
【0007】
特許文献４には、フルオロスルホン酸を用いて尿素と反応させてビスフルオロスルホニルイミドを製造し、次いでリチウム化してリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを得ることが開示されており、全ての操作も耐フッ化水素酸の装置で行う必要があり、設備投資が大きく、操作リスクが高い。
【0008】
特許文献５には、塩化シアン及び三酸化硫黄を用いてクロロスルホン酸イソシアネートを生成し、次いでクロロスルホン酸と反応させてビスクロロスルホニルイミドを製造することが開示されており、塩化シアンが猛毒ガスであり、安全環境に大きな影響を与える。
【0009】
特許文献６には、ＳＯ２Ｆ２及びＮＨ３を原料とし、テトラメチルプロピレンジアミン（ＴＭＰＤＡ）を塩基とし、アセトニトリルを溶媒とし、１０～１５℃で反応させ、反応終了後に低沸点液体を減圧分離し、メタノールを用いて粘稠な生成物を３０℃で溶解し、さらにメタノール溶液にテトラブチルアンモニウムブロミド水溶液を１当量滴下したところ、白色固体が析出し、濾過後に収率８４．４％のテトラブチルアンモニウムビスフルオロスルホニルイミド金属塩を得ることが開示されている。ＳＯ２Ｆ２は毒性が大きく、完全に無色、無臭であり、著しい予防措置を取らなければならない。
【0010】
特許文献７には、ＳＯ２Ｆ２、アンモニア及び６倍当量のフルオロ塩を６０℃に加熱して反応させてビスフルオロスルホニルイミド金属塩を直接生成することが開示されている。同様にＳＯ２Ｆ２は毒性が大きく、完全に無色、無臭であり、著しい予防措置を取らなければならない。
【0011】
特許文献８には、ＳＯ２Ｆ２、ＮＨ３及びＥｔ３Ｎの物質量比が２：１：３であり、アセトニトリルを溶媒とし、氷水浴下で９０％を超える収率でトリエチルアミンビスフルオロスルホニルイミド金属塩及び少量の副生成物を得て、トリエチルアミンビスフルオロスルホニルイミド金属塩溶液に様々な金属水酸化物をゆっくりと加え、トリエチルアミンを除去して生成物であるビスフルオロスルホニルイミド金属塩を得ることが開示されている。ＳＯ２Ｆ２、ＮＨ３及びＥｔ３Ｎという安価な原料を用いてビスフルオロスルホニルイミドトリエチルアミン塩を効果的に合成し、且つこの塩は優れたイオン交換能を有し、効率よく交換してビスフルオロスルホニルイミド金属塩を得ることができる。しかしこの反応では、過剰のトリエチルアミンはＳＯ２Ｆ２が加水分解生成物であるフルオロスルホン酸トリエチルアミン塩及び他の副生成物を生成することを促進する。この方法をリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造に直接用いる場合、後続の精製処理コストが高い。また、スルフリルフルオリドは、コストが高く、製造が難しく、毒性が大きく、腐食性が強く、安全環境に大きな影響を与える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0012】
【特許文献1】中国特許第１０１７４７２４２号明細書
【特許文献2】中国特許出願公開第１０７２６５４１９号明細書
【特許文献3】韓国特許第１０－２２２３１１２号公報
【特許文献4】米国特許第５９１６４７５号明細書
【特許文献5】国際公開第２００９／１２３３２８号
【特許文献6】米国特許出願公開第２０１２／０２４５３８６号明細書
【特許文献7】国際公開第２０１０／１４０５８０号
【特許文献8】国際公開第２０１０／１１３８３５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0013】
本発明が解決しようとする技術的問題は、以下のとおりである。従来技術でリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造に用いられる原料は、毒性が大きく、腐食性が強く、生産コストが高く、収率及び純度が低く、環境に対する影響が大きい。
【0014】
従来技術の不足に対して、本発明の第１目的は、リチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法を提供し、用いられる原料が簡単で、製造コストが低く、排ガスの発生が少なく、環境に対する影響が小さく、反応収率が高く、製品の純度が高く、産業化が容易であることであり、本発明の第２目的は、上記製造方法により製造されたリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを提供することであり、本発明の第３目的は、上記製造方法により製造されたリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド又は上記リチウムビス（フルオロスルホニル）イミドのリチウムイオン電池における用途を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0015】
本発明の技術的解決手段は、以下のとおりである。
【0016】
本発明は、ビスフルオロスルホンアミドの製造方法を提供し、
三酸化硫黄とアンモニアとを高圧反応釜で反応させ、イミノジスルホン酸を得るステップ（１）であって、反応圧力が０．８～１．５Ｍｐａであるステップ（１）と、
ジクロロスルホキシドとステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸とを反応させ、減圧蒸留してビスクロロスルホニルイミドを得るステップ（２）と、
ステップ（２）で得られたビスクロロスルホニルイミドとフッ化水素とを反応させ、減圧蒸留してビスフルオロスルホニルイミドを得るステップ（３）と、
ステップ（３）で得られたビスフルオロスルホニルイミドとフッ化リチウムとを反応させ、固液分離、精製及び乾燥してリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを得るステップ（４）と、を含む。
三酸化硫黄とアンモニアとを高圧反応釜で反応させ、イミノジスルホン酸を得るステップ（１）であって、反応圧力が０．８～１．５Ｍｐａであるステップ（１）と、
ジクロロスルホキシドとステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸とを反応させ、減圧蒸留してビスクロロスルホニルイミドを得るステップ（２）と、
ステップ（２）で得られたビスクロロスルホニルイミドとフッ化水素とを反応させ、減圧蒸留してビスフルオロスルホニルイミドを得るステップ（３）と、
ステップ（３）で得られたビスフルオロスルホニルイミドとフッ化リチウムとを反応させ、固液分離、精製及び乾燥してリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを得るステップ（４）と、を含む。
【0017】
好ましくは、上記製造方法において、ステップ（１）において、前記アンモニアと三酸化硫黄とのモル比は、１：２～３である。
【0018】
好ましくは、上記製造方法において、ステップ（１）において、前記反応圧力は、０．８～１．０ＭＰａであり、好ましくは、反応温度は、２０～３０℃であり、さらに好ましくは、反応時間は、４～６ｈである。
【0019】
好ましくは、上記製造方法において、ステップ（２）において、反応温度は、８０～１００℃であり、好ましくは、反応時間は、１２～１６時間である。
【0020】
好ましくは、上記製造方法において、ステップ（２）において、前記イミノジスルホン酸とジクロロスルホキシドとのモル比は、１：２．０～２．５であり、好ましくは１：２．２～２．５である。
【0021】
好ましくは、上記製造方法において、ステップ（３）において、ビスクロロスルホニルイミドとフッ化水素とのモル比は、１：２．０～３．０である。
【0022】
好ましくは、上記製造方法において、ステップ（３）において、反応温度は、８０～１５０℃であり、好ましくは９０～１２０℃であり、好ましくは、反応時間は、１４～２０ｈである。
【0023】
好ましくは、上記製造方法において、ステップ（４）において、ビスフルオロスルホニルイミドとフッ化リチウムとのモル比は、１：０．８５～１．００である。
【0024】
好ましくは、上記製造方法において、ステップ（４）において、反応温度は、１２０℃～１６０℃であり、好ましくは、反応時間は、３０～６０分間である。
【0025】
本発明は、上記製造方法により製造されたリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドをさらに提供し、当該リチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの純度は、≧９９．６％である。
【0026】
本発明は、上記製造方法により製造されたリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド又は上記リチウムビス（フルオロスルホニル）イミドのリチウムイオン電池における用途をさらに提供する。
【0027】
本発明は、ビスクロロスルホニルイミドの製造方法をさらに提供し、
三酸化硫黄とアンモニアとを高圧反応釜で反応させ、イミノジスルホン酸を得るステップ（１）であって、反応圧力が０．８～１．５Ｍｐａであるステップ（１）と、
ジクロロスルホキシドとステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸とを反応させ、減圧蒸留してビスクロロスルホニルイミドを得るステップ（２）と、を含む。
三酸化硫黄とアンモニアとを高圧反応釜で反応させ、イミノジスルホン酸を得るステップ（１）であって、反応圧力が０．８～１．５Ｍｐａであるステップ（１）と、
ジクロロスルホキシドとステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸とを反応させ、減圧蒸留してビスクロロスルホニルイミドを得るステップ（２）と、を含む。
【発明の効果】
【0028】
本発明の有益な効果は、以下のとおりである。
本発明は、三酸化硫黄及びアンモニアを原料としてイミノジスルホン酸を製造し、ジクロロスルホキシドを塩素化してビスクロロスルホニルイミドを得、次いでフッ素化及びリチウム化を順次行ってリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを製造し、用いられる原料が簡単で、製造コストが低く、生じる廃液・廃ガス・固形廃棄物が少なく、腐食性が少なく、過程が環境に優しく、副反応が少なく、優れた収率を有し、製品の純度が高く、大規模工業生産の生産量と品質に対する要求を満たすことができる。
本発明は、三酸化硫黄及びアンモニアを原料としてイミノジスルホン酸を製造し、ジクロロスルホキシドを塩素化してビスクロロスルホニルイミドを得、次いでフッ素化及びリチウム化を順次行ってリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを製造し、用いられる原料が簡単で、製造コストが低く、生じる廃液・廃ガス・固形廃棄物が少なく、腐食性が少なく、過程が環境に優しく、副反応が少なく、優れた収率を有し、製品の純度が高く、大規模工業生産の生産量と品質に対する要求を満たすことができる。
【発明を実施するための形態】
【0029】
上記技術的解決手段をよりよく理解するために、本願の技術的解決手段を具体的な実施例により詳細に説明すると、本願の実施例及び実施例における具体的な特徴は、本願の技術的解決手段の詳細な説明であり、本願の技術的解決手段を限定するものではなく、衝突することなく、本願の実施例及び実施例における技術的特徴は、互いに組み合わせることができることを理解されたい。
【0030】
本発明にて提供されるリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法は、４段階反応法であり、その対応する化学反応式は、以下のとおりである。
２ＳＯ３＋ＮＨ３→ＨＮ（ＳＯ３Ｈ）２
ＨＮ（ＳＯ３Ｈ）２＋２ＳＯＣｌ２＝ＨＮ（ＳＯ２Ｃｌ）２＋２ＨＣｌ↑＋２ＳＯ２↑
ＨＮ（ＳＯ２Ｃｌ）２＋２ＨＦ→ＨＮ（ＳＯ２Ｆ）２＋２ＨＣｌ↑
ＨＮ（ＳＯ２Ｆ）２＋ＬｉＦ→ＬｉＮ（ＳＯ２Ｆ）２＋ＨＦ↑
２ＳＯ３＋ＮＨ３→ＨＮ（ＳＯ３Ｈ）２
ＨＮ（ＳＯ３Ｈ）２＋２ＳＯＣｌ２＝ＨＮ（ＳＯ２Ｃｌ）２＋２ＨＣｌ↑＋２ＳＯ２↑
ＨＮ（ＳＯ２Ｃｌ）２＋２ＨＦ→ＨＮ（ＳＯ２Ｆ）２＋２ＨＣｌ↑
ＨＮ（ＳＯ２Ｆ）２＋ＬｉＦ→ＬｉＮ（ＳＯ２Ｆ）２＋ＨＦ↑
【0031】
本発明は、リチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法を提供する。
【0032】
本発明の好ましい実施形態において、具体的には、当該製造方法は、
三酸化硫黄とアンモニアとを高圧反応釜で反応させ、イミノジスルホン酸を得るステップ（１）であって、反応圧力が０．８～１．５Ｍｐａであるステップ（１）と、
ジクロロスルホキシドとステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸とを反応させ、減圧蒸留してビスクロロスルホニルイミドを得るステップ（２）と、
ステップ（２）で得られたビスクロロスルホニルイミドとフッ化水素とを反応させ、減圧蒸留してビスフルオロスルホニルイミドを得るステップ（３）と、
ステップ（３）で得られたビスフルオロスルホニルイミドとフッ化リチウムとを反応させ、固液分離、精製及び乾燥してリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを得るステップ（４）と、を含む。
三酸化硫黄とアンモニアとを高圧反応釜で反応させ、イミノジスルホン酸を得るステップ（１）であって、反応圧力が０．８～１．５Ｍｐａであるステップ（１）と、
ジクロロスルホキシドとステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸とを反応させ、減圧蒸留してビスクロロスルホニルイミドを得るステップ（２）と、
ステップ（２）で得られたビスクロロスルホニルイミドとフッ化水素とを反応させ、減圧蒸留してビスフルオロスルホニルイミドを得るステップ（３）と、
ステップ（３）で得られたビスフルオロスルホニルイミドとフッ化リチウムとを反応させ、固液分離、精製及び乾燥してリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを得るステップ（４）と、を含む。
【0033】
ステップ（１）において、前記アンモニアと三酸化硫黄とのモル比は、１：２～３である。三酸化硫黄を過剰採用し、アンモニアを完全に反応させ、アンモニアが過剰してさらにイミノジスルホン酸と反応し、不要な副生成物を生成することを回避する。反応圧力は、０．８～１．５Ｍｐａであり、圧力が０．８ＭＰａよりも低い場合、アンモニアが液化できず、反応の進行困難さが大きく、１．５ＭＰａよりも高い場合、反応の収率及び反応速度に有意差がなく、且つ大きな安全上の懸念をもたらすため、好ましくは、反応圧力は、０．８～１．０ＭＰａであり、さらに好ましくは、反応温度は、２０～３０℃であり、反応温度が２０℃よりも低い場合、反応速度が遅くなり、反応収率が低下し、３０℃よりも高い場合により高い圧力でアンモニアを液化する必要があり、よりさらに好ましくは、反応時間は、４～６ｈである。
【0034】
ステップ（１）は、高圧反応釜で行われ、具体的には、まず三酸化硫黄を反応釜に加え、次いでこれにアンモニアを流し、窒素ガスで加圧し、反応終了後、窒素ガスを放出して放圧し、８０℃に昇温して未反応の三酸化硫黄を除去し、イミノジスルホン酸を得る。
【0035】
ステップ（２）において、反応温度は、８０～１００℃であり、好ましくは、反応時間は、１２～１６時間である。イミノジスルホン酸とジクロロスルホキシドとのモル比は、１：２．０～２．５であり、好ましくは１：２．２～２．５である。この反応では、１当量のイミノジスルホン酸と２当量のジクロロスルホキシドとを反応させ、反応温度が高く、還流過程で一部のジクロロスルホキシドが損失するため、一般的にジクロロスルホキシドの最低使用量は、２．２当量であり、ジクロロスルホキシドが２．５当量を超えると、反応収率及び反応速度に有意な影響を与えない。反応終了後、反応生成物を１２０～１３０℃で３～５ｈ減圧蒸留し、減圧蒸留真空度が－０．０５ＭＰａ～－０．０９ＭＰａであり、ビスクロロスルホニルイミドを得る。
【0036】
ステップ（３）において、ビスクロロスルホニルイミドとフッ化水素とのモル比は、１：２．０～３．０である。反応温度は、８０～１５０℃であり、好ましくは９０～１２０℃であり、好ましくは、反応時間は、１４～２０ｈである。反応終了後、窒素ガスを系内に４ｈ吹き込み、発生した塩化水素ガス及び未反応のフッ化水素ガスを除去する。
【0037】
ステップ（３）において、減圧蒸留は９０～１１０℃で行われ、減圧蒸留の真空度は、－０．０５ＭＰａ～－０．０９ＭＰａであり、減圧蒸留時間は、２～３ｈであり、減圧蒸留して得られた留分は、ビスフルオロスルホニルイミドであり、蒸留残留物は次のビスフルオロスルホニルイミドの製造反応に関与する。
【0038】
ステップ（４）において、ビスフルオロスルホニルイミドとフッ化リチウムとのモル比は、１：０．８５～１．００である。この反応では、フッ化リチウムの後処理が困難であり、残留したフッ化リチウムの除去が困難であるため、フッ化リチウムを完全に反応させることが好ましい。反応温度は、１２０℃～１６０℃であり、好ましくは、反応時間は、３０～６０分間であり、反応終了後、窒素ガスを系内に１ｈ吹き込み、発生したフッ化水素ガスを除去し、次いで得られたリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを精製、乾燥し、リチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを得、前記精製操作は、反応生成物をジクロロメタンで洗浄し、残留したビスフルオロスルホニルイミドを除去し、次いでジエチルエーテルで溶解し、濾過により不純物を除去し、次いで蒸発濃縮し、有機溶媒を加えて濃縮液を再結晶し、最後に乾燥してリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを得ることを含む。
【0039】
本発明の製造方法により製造されたリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドは、純度が≧９９．６％である。
【0040】
本発明は、上記製造方法により製造されたリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド又は上記リチウムビス（フルオロスルホニル）イミドのリチウムイオン電池における用途をさらに提供する。
【0041】
本発明は、ビスクロロスルホニルイミドの製造方法をさらに提供し、
三酸化硫黄とアンモニアとを高圧反応釜で反応させ、イミノジスルホン酸を得るステップ（１）であって、反応圧力が０．８～１．５Ｍｐａであるステップ（１）と、
ジクロロスルホキシドとステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸とを反応させ、減圧蒸留してビスクロロスルホニルイミドを得るステップ（２）と、を含む。
三酸化硫黄とアンモニアとを高圧反応釜で反応させ、イミノジスルホン酸を得るステップ（１）であって、反応圧力が０．８～１．５Ｍｐａであるステップ（１）と、
ジクロロスルホキシドとステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸とを反応させ、減圧蒸留してビスクロロスルホニルイミドを得るステップ（２）と、を含む。
【0042】
（実施例）
本発明で用いられた原料又は試薬は、いずれも市場の主流メーカーから購入されたものであり、生産メーカー又は濃度を明記していない場合、いずれも日常的に入手可能な二級規格の原料又は試薬であり、所望の作用を果たすことができれば、特に制限されない。本実施例で用いられた計器設備は、いずれも市場の主要なメーカーから購入されたものであり、所望の役割を果たすことができれば、特に限定されない。本実施例では、具体的な技術又は条件を明記していない場合、当業者内の文献に記述された技術又は条件に従って、又は製品の明細書に従って行った。
計器について、
高圧反応釜は、威海環宇化学工業機械有限公司の２Ｌ高圧釜を採用し、
イオンクロマトグラフィーは、メトローム８３３型高圧イオンクロマトグラフィーを採用し、
核磁気共鳴分析装置は、ドイツＢｒｕｋｅｒ社のＡＶＡＮＣＥ－４００を採用した。
本発明で用いられた原料又は試薬は、いずれも市場の主流メーカーから購入されたものであり、生産メーカー又は濃度を明記していない場合、いずれも日常的に入手可能な二級規格の原料又は試薬であり、所望の作用を果たすことができれば、特に制限されない。本実施例で用いられた計器設備は、いずれも市場の主要なメーカーから購入されたものであり、所望の役割を果たすことができれば、特に限定されない。本実施例では、具体的な技術又は条件を明記していない場合、当業者内の文献に記述された技術又は条件に従って、又は製品の明細書に従って行った。
計器について、
高圧反応釜は、威海環宇化学工業機械有限公司の２Ｌ高圧釜を採用し、
イオンクロマトグラフィーは、メトローム８３３型高圧イオンクロマトグラフィーを採用し、
核磁気共鳴分析装置は、ドイツＢｒｕｋｅｒ社のＡＶＡＮＣＥ－４００を採用した。
【0043】
（実施例１）
（１）高圧反応釜に三酸化硫黄１６０．０ｇ（分子量８０．０６ｇ／ｍｏｌ）を加え、温度を２５℃に制御し、反応釜にアンモニア１７．０ｇ（分子量１７．０３ｇ／ｍｏｌ）を流し、次いで窒素ガスを釜内圧力が０．８Ｍｐａになるまで流し、２０℃で６時間反応させ、反応が完了し、釜内の窒素ガスを放出し、８０℃に加熱して残りの三酸化硫黄を除去し、生成物１６５．３ｇを得、生成物は１Ｈ－ＮＭＲスペクトルによりイミノジスルホン酸（分子量１７７．１５ｇ／ｍｏｌ）と同定され、当該イミノジスルホン酸の１Ｈ－ＮＭＲスペクトルは、１Ｈ－ＮＭＲ（４００Ｍ， ＤＭＳＯ－ｄ６）：δ：４．３１（ｓ， ２Ｈ）， δ：６．９１（ｓ， １Ｈ）である。
（２）ステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸１６５．３ｇを反応器に加え、８０℃に加熱し、これにジクロロスルホキシド２４５．１ｇ（分子量１１８．９７ｇ／ｍｏｌ）をゆっくりと滴下し、反応中に発生したオフガスを水酸化カリウムアルカリ液で吸収し、１２時間撹拌反応させた後に室温まで下げ、真空度－０．０５ＭＰａ、１２０℃の条件で５ｈ減圧蒸留を行い、生成物１８０．５ｇを得、生成物は１Ｈ－ＮＭＲスペクトルによりビスクロロスルホニルイミド（分子量２１４．０３ｇ／ｍｏｌ）と同定された。
（３）ステップ（２）で得られたビスクロロスルホニルイミド１８０．５ｇを反応器に加え、８０℃に加熱し、ＨＦ（分子量２０．０１ｇ／ｍｏｌ）ガス３３．８ｇをゆっくりと流し、１４時間反応させた後に室温まで下げ、反応器内に窒素ガスを４時間吹き込み、次いで－０．０５ＭＰａ、９０℃で３ｈ減圧蒸留を行い、ビスフルオロスルホニルイミド１２６．８ｇ（分子量１８１．１３ｇ／ｍｏｌ）を得た。
（４）フッ化リチウム（分子量２５．９４ｇ／ｍｏｌ）１８．１５ｇを反応器に加え、１２０℃に加熱し、ステップ（３）で得られたビスフルオロスルホニルイミド１２６．８ｇをゆっくりと滴下し、３０分間反応させた後、反応器内に窒素ガスを１時間吹き込み、室温まで下げ、濾過により得られた濾過ケーキをジクロロメタンで洗浄し、次いでエチルエーテルで濾過ケーキを溶解し、濾過して不純物を除去して濾液を得、ロータリーエバポレーターで３０重量％まで濃縮し、次いで炭酸ジメチルで濃縮液を再結晶し、最後に真空乾燥してリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド１１７．８ｇ（分子量１８７．０７ｇ／ｍｏｌ）を得た。メトローム８３３型高圧イオンクロマトグラフィーによりリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの純度を測定した。
関連パラメータのテスト結果を表１に示した。
（１）高圧反応釜に三酸化硫黄１６０．０ｇ（分子量８０．０６ｇ／ｍｏｌ）を加え、温度を２５℃に制御し、反応釜にアンモニア１７．０ｇ（分子量１７．０３ｇ／ｍｏｌ）を流し、次いで窒素ガスを釜内圧力が０．８Ｍｐａになるまで流し、２０℃で６時間反応させ、反応が完了し、釜内の窒素ガスを放出し、８０℃に加熱して残りの三酸化硫黄を除去し、生成物１６５．３ｇを得、生成物は１Ｈ－ＮＭＲスペクトルによりイミノジスルホン酸（分子量１７７．１５ｇ／ｍｏｌ）と同定され、当該イミノジスルホン酸の１Ｈ－ＮＭＲスペクトルは、１Ｈ－ＮＭＲ（４００Ｍ， ＤＭＳＯ－ｄ６）：δ：４．３１（ｓ， ２Ｈ）， δ：６．９１（ｓ， １Ｈ）である。
（２）ステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸１６５．３ｇを反応器に加え、８０℃に加熱し、これにジクロロスルホキシド２４５．１ｇ（分子量１１８．９７ｇ／ｍｏｌ）をゆっくりと滴下し、反応中に発生したオフガスを水酸化カリウムアルカリ液で吸収し、１２時間撹拌反応させた後に室温まで下げ、真空度－０．０５ＭＰａ、１２０℃の条件で５ｈ減圧蒸留を行い、生成物１８０．５ｇを得、生成物は１Ｈ－ＮＭＲスペクトルによりビスクロロスルホニルイミド（分子量２１４．０３ｇ／ｍｏｌ）と同定された。
（３）ステップ（２）で得られたビスクロロスルホニルイミド１８０．５ｇを反応器に加え、８０℃に加熱し、ＨＦ（分子量２０．０１ｇ／ｍｏｌ）ガス３３．８ｇをゆっくりと流し、１４時間反応させた後に室温まで下げ、反応器内に窒素ガスを４時間吹き込み、次いで－０．０５ＭＰａ、９０℃で３ｈ減圧蒸留を行い、ビスフルオロスルホニルイミド１２６．８ｇ（分子量１８１．１３ｇ／ｍｏｌ）を得た。
（４）フッ化リチウム（分子量２５．９４ｇ／ｍｏｌ）１８．１５ｇを反応器に加え、１２０℃に加熱し、ステップ（３）で得られたビスフルオロスルホニルイミド１２６．８ｇをゆっくりと滴下し、３０分間反応させた後、反応器内に窒素ガスを１時間吹き込み、室温まで下げ、濾過により得られた濾過ケーキをジクロロメタンで洗浄し、次いでエチルエーテルで濾過ケーキを溶解し、濾過して不純物を除去して濾液を得、ロータリーエバポレーターで３０重量％まで濃縮し、次いで炭酸ジメチルで濃縮液を再結晶し、最後に真空乾燥してリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド１１７．８ｇ（分子量１８７．０７ｇ／ｍｏｌ）を得た。メトローム８３３型高圧イオンクロマトグラフィーによりリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの純度を測定した。
関連パラメータのテスト結果を表１に示した。
【0044】
（実施例２）
（１）高圧反応釜に三酸化硫黄２３９ｇを加え、温度を２５℃に制御し、反応釜にアンモニア１７．０ｇを流し、次いで窒素ガスを釜内圧力が１．０Ｍｐａになるまで流し、３０℃で５時間反応させ、反応が完了し、釜内の窒素ガスを放出し、８０℃に加熱して残りの三酸化硫黄を除去し、生成物１６８．３ｇを得、生成物は１Ｈ－ＮＭＲスペクトルによりイミノジスルホン酸と同定され、当該イミノジスルホン酸の１Ｈ－ＮＭＲスペクトルは、１Ｈ－ＮＭＲ（４００Ｍ， ＤＭＳＯ－ｄ６）：δ：４．３１（ｓ， ２Ｈ）， δ：６．９１（ｓ， １Ｈ）である。
（２）ステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸１６８．３ｇを反応器に加え、１００℃に加熱し、これにジクロロスルホキシド２８２ｇをゆっくりと滴下し、反応中に発生したオフガスを水酸化カリウムアルカリ液で吸収し、１６時間撹拌反応させた後に室温まで下げ、真空度－０．０９ＭＰａ、１３０℃の条件で３ｈ減圧蒸留を行い、生成物１８９．８ｇを得、当該生成物は１Ｈ－ＮＭＲスペクトルによりビスクロロスルホニルイミドと同定された。
（３）ステップ（２）で得られたビスクロロスルホニルイミド１８９．８ｇを反応器に加え、９０℃に加熱し、ＨＦガス５３ｇをゆっくりと流し、２０時間反応させた後に室温まで下げ、反応器内に窒素ガスを４時間吹き込み、次いで－０．０９ＭＰａ、１１０℃で２ｈ減圧蒸留を行い、ビスフルオロスルホニルイミド１４１．８ｇを得た。
（４）フッ化リチウム１７．２８ｇを反応器に加え、１６０℃に加熱し、ステップ（３）で得られたビスフルオロスルホニルイミド１４１．８ｇをゆっくりと滴下し、６０分間反応させた後、反応器内に窒素ガスを１時間吹き込み、室温まで下げ、次いでジクロロメタンで反応生成物を洗浄し、濾過により得られた濾過ケーキをジクロロメタンで洗浄し、次いでエチルエーテルで濾過ケーキを溶解し、濾過して不純物を除去して濾液を得、ロータリーエバポレーターで３０重量％まで濃縮し、次いで炭酸ジメチルで濃縮液を再結晶し、最後に真空乾燥してリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド１１５．０５ｇを得た。メトローム８３３型高圧イオンクロマトグラフィーによりリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの純度を測定した。
関連パラメータのテスト結果を表１に示した。
（１）高圧反応釜に三酸化硫黄２３９ｇを加え、温度を２５℃に制御し、反応釜にアンモニア１７．０ｇを流し、次いで窒素ガスを釜内圧力が１．０Ｍｐａになるまで流し、３０℃で５時間反応させ、反応が完了し、釜内の窒素ガスを放出し、８０℃に加熱して残りの三酸化硫黄を除去し、生成物１６８．３ｇを得、生成物は１Ｈ－ＮＭＲスペクトルによりイミノジスルホン酸と同定され、当該イミノジスルホン酸の１Ｈ－ＮＭＲスペクトルは、１Ｈ－ＮＭＲ（４００Ｍ， ＤＭＳＯ－ｄ６）：δ：４．３１（ｓ， ２Ｈ）， δ：６．９１（ｓ， １Ｈ）である。
（２）ステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸１６８．３ｇを反応器に加え、１００℃に加熱し、これにジクロロスルホキシド２８２ｇをゆっくりと滴下し、反応中に発生したオフガスを水酸化カリウムアルカリ液で吸収し、１６時間撹拌反応させた後に室温まで下げ、真空度－０．０９ＭＰａ、１３０℃の条件で３ｈ減圧蒸留を行い、生成物１８９．８ｇを得、当該生成物は１Ｈ－ＮＭＲスペクトルによりビスクロロスルホニルイミドと同定された。
（３）ステップ（２）で得られたビスクロロスルホニルイミド１８９．８ｇを反応器に加え、９０℃に加熱し、ＨＦガス５３ｇをゆっくりと流し、２０時間反応させた後に室温まで下げ、反応器内に窒素ガスを４時間吹き込み、次いで－０．０９ＭＰａ、１１０℃で２ｈ減圧蒸留を行い、ビスフルオロスルホニルイミド１４１．８ｇを得た。
（４）フッ化リチウム１７．２８ｇを反応器に加え、１６０℃に加熱し、ステップ（３）で得られたビスフルオロスルホニルイミド１４１．８ｇをゆっくりと滴下し、６０分間反応させた後、反応器内に窒素ガスを１時間吹き込み、室温まで下げ、次いでジクロロメタンで反応生成物を洗浄し、濾過により得られた濾過ケーキをジクロロメタンで洗浄し、次いでエチルエーテルで濾過ケーキを溶解し、濾過して不純物を除去して濾液を得、ロータリーエバポレーターで３０重量％まで濃縮し、次いで炭酸ジメチルで濃縮液を再結晶し、最後に真空乾燥してリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド１１５．０５ｇを得た。メトローム８３３型高圧イオンクロマトグラフィーによりリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの純度を測定した。
関連パラメータのテスト結果を表１に示した。
【0045】
（実施例３）
（１）高圧反応釜に三酸化硫黄２００．２ｇを加え、温度を２５℃に制御し、反応釜にアンモニア１７．０ｇを流し、次いで窒素ガスを釜内圧力が０．９Ｍｐａになるまで流し、２５℃で６時間反応させ、反応が完了し、釜内の窒素ガスを放出し、８０℃に加熱して残りの三酸化硫黄を除去し、生成物１６６．７ｇを得、生成物は１Ｈ－ＮＭＲスペクトルによりイミノジスルホン酸と同定され、当該イミノジスルホン酸の１Ｈ－ＮＭＲスペクトルは、１Ｈ－ＮＭＲ（４００Ｍ， ＤＭＳＯ－ｄ６）：δ：４．３１（ｓ， ２Ｈ）， δ：６．９１（ｓ， １Ｈ）である。
（２）ステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸１６６．７ｇを反応器に加え、９０℃に加熱し、これにジクロロスルホキシド２６８．９ｇをゆっくりと滴下し、反応中に発生したオフガスを水酸化カリウムアルカリ液で吸収し、１４時間撹拌反応させた後に室温まで下げ、真空度－０．０５ＭＰａ、１２５℃の条件で４ｈ減圧蒸留を行い、生成物１８６．２ｇを得、当該生成物は１Ｈ－ＮＭＲスペクトルによりビスクロロスルホニルイミドと同定された。
（３）ステップ（２）で得られたビスクロロスルホニルイミド１８６．２ｇを反応器に加え、１００℃に加熱し、ＨＦガス４３．５２ｇをゆっくりと流し、１６時間反応させた後に室温まで下げ、反応器内に窒素ガスを４時間吹き込み、次いで－０．０５ＭＰａ、１００℃で３ｈ減圧蒸留を行い、ビスフルオロスルホニルイミド１３４．４ｇを得た。
（４）フッ化リチウム１７．３ｇを反応器に加え、１４０℃に加熱し、ステップ（３）で得られたビスフルオロスルホニルイミド１３４．４ｇをゆっくりと滴下し、４５分間反応させた後、反応器内に窒素ガスを１時間吹き込み、室温まで下げ、次いでジクロロメタンで反応生成物を洗浄し、濾過により得られた濾過ケーキをエチルエーテルで溶解し、濾過して不純物を除去して濾液を得、ロータリーエバポレーターで３０重量％まで濃縮し、次いで炭酸ジメチル濃縮液を再結晶し、最後に真空乾燥して１１４．１ｇリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを得た。メトローム８３３型高圧イオンクロマトグラフィーによりリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの純度を測定した。
関連パラメータのテスト結果を表１に示した。
（１）高圧反応釜に三酸化硫黄２００．２ｇを加え、温度を２５℃に制御し、反応釜にアンモニア１７．０ｇを流し、次いで窒素ガスを釜内圧力が０．９Ｍｐａになるまで流し、２５℃で６時間反応させ、反応が完了し、釜内の窒素ガスを放出し、８０℃に加熱して残りの三酸化硫黄を除去し、生成物１６６．７ｇを得、生成物は１Ｈ－ＮＭＲスペクトルによりイミノジスルホン酸と同定され、当該イミノジスルホン酸の１Ｈ－ＮＭＲスペクトルは、１Ｈ－ＮＭＲ（４００Ｍ， ＤＭＳＯ－ｄ６）：δ：４．３１（ｓ， ２Ｈ）， δ：６．９１（ｓ， １Ｈ）である。
（２）ステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸１６６．７ｇを反応器に加え、９０℃に加熱し、これにジクロロスルホキシド２６８．９ｇをゆっくりと滴下し、反応中に発生したオフガスを水酸化カリウムアルカリ液で吸収し、１４時間撹拌反応させた後に室温まで下げ、真空度－０．０５ＭＰａ、１２５℃の条件で４ｈ減圧蒸留を行い、生成物１８６．２ｇを得、当該生成物は１Ｈ－ＮＭＲスペクトルによりビスクロロスルホニルイミドと同定された。
（３）ステップ（２）で得られたビスクロロスルホニルイミド１８６．２ｇを反応器に加え、１００℃に加熱し、ＨＦガス４３．５２ｇをゆっくりと流し、１６時間反応させた後に室温まで下げ、反応器内に窒素ガスを４時間吹き込み、次いで－０．０５ＭＰａ、１００℃で３ｈ減圧蒸留を行い、ビスフルオロスルホニルイミド１３４．４ｇを得た。
（４）フッ化リチウム１７．３ｇを反応器に加え、１４０℃に加熱し、ステップ（３）で得られたビスフルオロスルホニルイミド１３４．４ｇをゆっくりと滴下し、４５分間反応させた後、反応器内に窒素ガスを１時間吹き込み、室温まで下げ、次いでジクロロメタンで反応生成物を洗浄し、濾過により得られた濾過ケーキをエチルエーテルで溶解し、濾過して不純物を除去して濾液を得、ロータリーエバポレーターで３０重量％まで濃縮し、次いで炭酸ジメチル濃縮液を再結晶し、最後に真空乾燥して１１４．１ｇリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを得た。メトローム８３３型高圧イオンクロマトグラフィーによりリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの純度を測定した。
関連パラメータのテスト結果を表１に示した。
【0046】
（実施例４）
（１）高圧反応釜に三酸化硫黄１８３．８ｇを加え、温度を２５℃に制御し、反応釜にアンモニア１７．０ｇを流し、次いで窒素ガスを釜内圧力が１．５Ｍｐａになるまで流し、３０℃で４時間反応させ、反応が完了し、釜内の窒素ガスを放出し、８０℃に加熱して残りの三酸化硫黄を除去し、生成物１６４．９ｇを得、当該生成物は１Ｈ－ＮＭＲスペクトルによりイミノジスルホン酸と同定され、当該イミノジスルホン酸の１Ｈ－ＮＭＲスペクトルは、１Ｈ－ＮＭＲ（４００Ｍ， ＤＭＳＯ－ｄ６）：δ：４．３１（ｓ， ２Ｈ）， δ：６．９１（ｓ， １Ｈ）である。
（２）ステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸１６４．９ｇを反応器に加え、９０℃に加熱し、これにジクロロスルホキシド２２２．６３ｇをゆっくりと滴下し、反応中に発生したオフガスを水酸化カリウムアルカリ液で吸収し、１３時間撹拌反応させた後に室温まで下げ、真空度－０．０５ＭＰａ、１２５℃の条件で４ｈ減圧蒸留を行い、生成物１８１．７３ｇを得、当該生成物は１Ｈ－ＮＭＲスペクトルによりビスクロロスルホニルイミドと同定された。
（３）ステップ（２）で得られたビスクロロスルホニルイミド１８１．７３ｇを反応器に加え、１５０℃に加熱し、ＨＦガス４７．５７ｇをゆっくりと流し、１８時間反応させた後に室温まで下げ、反応器内に窒素ガスを４時間吹き込み、次いで－０．０５ＭＰａ、１００℃で３ｈ減圧蒸留を行い、ビスフルオロスルホニルイミド１２７．９６ｇを得た。
（４）フッ化リチウム１７．４１ｇを反応器に加え、１５０℃に加熱し、ステップ（３）で得られたビスフルオロスルホニルイミド１２７．９６ｇをゆっくりと滴下し、４０分間反応させた後、反応器内に窒素ガスを１時間吹き込み、室温まで下げ、濾過により得られた濾過ケーキをジクロロメタンで洗浄し、次いでエチルエーテルで濾過ケーキを溶解し、濾過して不純物を除去して濾液を得、ロータリーエバポレーターで３０重量％まで濃縮し、次いで炭酸ジメチル濃縮液を再結晶し、最後に真空乾燥して１１５．０ｇリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを得た。メトローム８３３型高圧イオンクロマトグラフィーによりリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの純度を測定した。
関連パラメータのテスト結果を表１に示した。
（１）高圧反応釜に三酸化硫黄１８３．８ｇを加え、温度を２５℃に制御し、反応釜にアンモニア１７．０ｇを流し、次いで窒素ガスを釜内圧力が１．５Ｍｐａになるまで流し、３０℃で４時間反応させ、反応が完了し、釜内の窒素ガスを放出し、８０℃に加熱して残りの三酸化硫黄を除去し、生成物１６４．９ｇを得、当該生成物は１Ｈ－ＮＭＲスペクトルによりイミノジスルホン酸と同定され、当該イミノジスルホン酸の１Ｈ－ＮＭＲスペクトルは、１Ｈ－ＮＭＲ（４００Ｍ， ＤＭＳＯ－ｄ６）：δ：４．３１（ｓ， ２Ｈ）， δ：６．９１（ｓ， １Ｈ）である。
（２）ステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸１６４．９ｇを反応器に加え、９０℃に加熱し、これにジクロロスルホキシド２２２．６３ｇをゆっくりと滴下し、反応中に発生したオフガスを水酸化カリウムアルカリ液で吸収し、１３時間撹拌反応させた後に室温まで下げ、真空度－０．０５ＭＰａ、１２５℃の条件で４ｈ減圧蒸留を行い、生成物１８１．７３ｇを得、当該生成物は１Ｈ－ＮＭＲスペクトルによりビスクロロスルホニルイミドと同定された。
（３）ステップ（２）で得られたビスクロロスルホニルイミド１８１．７３ｇを反応器に加え、１５０℃に加熱し、ＨＦガス４７．５７ｇをゆっくりと流し、１８時間反応させた後に室温まで下げ、反応器内に窒素ガスを４時間吹き込み、次いで－０．０５ＭＰａ、１００℃で３ｈ減圧蒸留を行い、ビスフルオロスルホニルイミド１２７．９６ｇを得た。
（４）フッ化リチウム１７．４１ｇを反応器に加え、１５０℃に加熱し、ステップ（３）で得られたビスフルオロスルホニルイミド１２７．９６ｇをゆっくりと滴下し、４０分間反応させた後、反応器内に窒素ガスを１時間吹き込み、室温まで下げ、濾過により得られた濾過ケーキをジクロロメタンで洗浄し、次いでエチルエーテルで濾過ケーキを溶解し、濾過して不純物を除去して濾液を得、ロータリーエバポレーターで３０重量％まで濃縮し、次いで炭酸ジメチル濃縮液を再結晶し、最後に真空乾燥して１１５．０ｇリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを得た。メトローム８３３型高圧イオンクロマトグラフィーによりリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの純度を測定した。
関連パラメータのテスト結果を表１に示した。
【0047】
（比較例１）
（１）窒素ガス雰囲気下で、スルファミン酸９７．０９ｇ（９７．０９ｇ／ｍｏｌ）、クロロスルホン酸１１６．５３ｇ（分子量１１６．５３ｇ／ｍｏｌ）及びジクロロスルホキシド２６１．７ｇを反応器に順次加え、１３０℃に加熱して２４時間反応させ、反応終了後に常圧蒸留により低沸点化合物を除去し、次いで減圧蒸留を行い、１１２～１１４℃／２ｍｍＨｇの留分を収集し、室温まで下げてビスクロロスルホニルイミド１７５．１ｇを得た。反応式は以下のとおりである。
ＮＨ２ＳＯ３Ｈ＋ＣｌＳＯ３Ｈ＋２ＳＯＣｌ２→Ｃｌ２ＨＮＯ４Ｓ２＋３ＨＣｌ↑＋ＳＯ２↑
（２）ステップ（１）で得られたビスクロロスルホニルイミド１７５．１ｇを反応器に加え、８０℃に加熱し、ＨＦガス３２．７８ｇをゆっくりと流し、１４時間反応させた後に室温まで下げ、反応器内に窒素ガスを４時間吹き込み、次いで－０．０５ＭＰａ、９０℃で３ｈ減圧蒸留を行い、ビスフルオロスルホニルイミド１２０．２０ｇを得た。
（３）フッ化リチウム５．０ｇを反応器に加え、１２０℃に加熱し、ステップ（２）で得られたビスフルオロスルホニルイミド３４．９１ｇをゆっくりと滴下し、３０分間反応させた後、反応器内に窒素ガスを１時間吹き込み、室温まで下げ、次いでジクロロメタンで反応生成物を洗浄し、濾過により得られた濾過ケーキをエチルエーテルで溶解し、濾過して不純物を除去して濾液を得、ロータリーエバポレーターで３０重量％まで濃縮し、次いで炭酸ジメチル濃縮液を再結晶し、最後に真空乾燥してリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド３１．９２ｇを得た。メトローム８３３型高圧イオンクロマトグラフィーによりリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの純度を測定した。
関連パラメータのテスト結果を表１に示した。
（１）窒素ガス雰囲気下で、スルファミン酸９７．０９ｇ（９７．０９ｇ／ｍｏｌ）、クロロスルホン酸１１６．５３ｇ（分子量１１６．５３ｇ／ｍｏｌ）及びジクロロスルホキシド２６１．７ｇを反応器に順次加え、１３０℃に加熱して２４時間反応させ、反応終了後に常圧蒸留により低沸点化合物を除去し、次いで減圧蒸留を行い、１１２～１１４℃／２ｍｍＨｇの留分を収集し、室温まで下げてビスクロロスルホニルイミド１７５．１ｇを得た。反応式は以下のとおりである。
ＮＨ２ＳＯ３Ｈ＋ＣｌＳＯ３Ｈ＋２ＳＯＣｌ２→Ｃｌ２ＨＮＯ４Ｓ２＋３ＨＣｌ↑＋ＳＯ２↑
（２）ステップ（１）で得られたビスクロロスルホニルイミド１７５．１ｇを反応器に加え、８０℃に加熱し、ＨＦガス３２．７８ｇをゆっくりと流し、１４時間反応させた後に室温まで下げ、反応器内に窒素ガスを４時間吹き込み、次いで－０．０５ＭＰａ、９０℃で３ｈ減圧蒸留を行い、ビスフルオロスルホニルイミド１２０．２０ｇを得た。
（３）フッ化リチウム５．０ｇを反応器に加え、１２０℃に加熱し、ステップ（２）で得られたビスフルオロスルホニルイミド３４．９１ｇをゆっくりと滴下し、３０分間反応させた後、反応器内に窒素ガスを１時間吹き込み、室温まで下げ、次いでジクロロメタンで反応生成物を洗浄し、濾過により得られた濾過ケーキをエチルエーテルで溶解し、濾過して不純物を除去して濾液を得、ロータリーエバポレーターで３０重量％まで濃縮し、次いで炭酸ジメチル濃縮液を再結晶し、最後に真空乾燥してリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド３１．９２ｇを得た。メトローム８３３型高圧イオンクロマトグラフィーによりリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの純度を測定した。
関連パラメータのテスト結果を表１に示した。
【0048】
（比較例２）
ステップ（１）及び（２）は、比較例１と同じである。
（３）フッ化リチウム５．０ｇを反応器に加え、７０℃に加熱し、ステップ（２）で得られたビスフルオロスルホニルイミド３４．９１ｇをゆっくりと滴下し、１２時間反応させた後、反応器内に窒素ガスを１時間吹き込み、室温まで下げ、次いでジクロロメタンで反応生成物を洗浄し、濾過により得られた濾過ケーキをエチルエーテルで溶解し、濾過して不純物を除去して濾液を得、ロータリーエバポレーターで３０重量％まで濃縮し、次いで炭酸ジメチル濃縮液を再結晶し、最後に真空乾燥してリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド３０．０４ｇを得た。メトローム８３３型高圧イオンクロマトグラフィーによりリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの純度を測定した。
関連パラメータのテスト結果を表１に示した。
ステップ（１）及び（２）は、比較例１と同じである。
（３）フッ化リチウム５．０ｇを反応器に加え、７０℃に加熱し、ステップ（２）で得られたビスフルオロスルホニルイミド３４．９１ｇをゆっくりと滴下し、１２時間反応させた後、反応器内に窒素ガスを１時間吹き込み、室温まで下げ、次いでジクロロメタンで反応生成物を洗浄し、濾過により得られた濾過ケーキをエチルエーテルで溶解し、濾過して不純物を除去して濾液を得、ロータリーエバポレーターで３０重量％まで濃縮し、次いで炭酸ジメチル濃縮液を再結晶し、最後に真空乾燥してリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド３０．０４ｇを得た。メトローム８３３型高圧イオンクロマトグラフィーによりリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの純度を測定した。
関連パラメータのテスト結果を表１に示した。
【0049】
【表1】
【0050】
表１から明らかなように、本発明の実施例の純度はいずれも比較例１～２よりも優れ、実施例１～４の総収率は６３．１１％～７２．４％であり、いずれも比較例よりも優れる。
【0051】
実施例１に比べ、比較例１は、スルファミン酸、クロロスルホン酸及びジクロロスルホキシドを採用してビスクロロスルホニルイミドを製造し、ビスクロロスルホニルイミドの収率は８１．８％であり、実施例１のビスクロロスルホニルイミドの総収率８４．４８％よりも低く、そのためリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの総収率も実施例１よりも低かった。合成ルートから分かるように、比較例１の方法で１モルのビスクロロスルホニルイミドを生産し、２モルの二酸化硫黄ガス及び３モルの塩化水素ガスを発生させるが、本発明を採用すると２モルの塩化水素ガス及び２モルの二酸化硫黄ガスのみを発生させ、排ガスの発生量が減少し、且つ本発明の原料が簡単で、製造コストが低く、腐食性が小さく、環境に対する影響が小さい。比較例１ではフルオロスルホン酸リチウムなどの不純物が残留し、純度が低下した。
【0052】
比較例２は、スルファミン酸、クロロスルホン酸及びジクロロスルホキシドを採用してビスクロロスルホニルイミドを製造し、且つリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの合成は低反応温度及び長反応時間のプロセスを採用し、収率及び純度がより低かった。
【0053】
以上説明したように、本発明は、三酸化硫黄及びアンモニアを原料としてイミノジスルホン酸を製造し、ジクロロスルホキシドを塩素化してビスクロロスルホニルイミドを得、次いでフッ素化及びリチウム化を順次行ってリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを製造し、用いられる原料が簡単で、生産コストが低く、生じる廃液・廃ガス・固形廃棄物が少なく、過程が環境に優しく、副反応が少なく、優れた収率を有し、製品の純度が高く、大規模工業生産の生産量と品質に対する要求を満たすことができる。
【0054】
以上は本発明の好適な実施例に過ぎず、本発明を何ら限定するものではなく、本発明の精神と原則内で行われた修正、均等な置換、改良などは、いずれも本発明の保護範囲に含まれることが必要である。
【0055】
（付記）
（付記１）
リチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法であって、
三酸化硫黄とアンモニアとを高圧反応釜で反応させ、イミノジスルホン酸を得るステップ（１）であって、反応圧力が０．８～１．５Ｍｐａであるステップ（１）と、
ジクロロスルホキシドとステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸とを反応させ、減圧蒸留してビスクロロスルホニルイミドを得るステップ（２）と、
ステップ（２）で得られたビスクロロスルホニルイミドとフッ化水素とを反応させ、減圧蒸留してビスフルオロスルホニルイミドを得るステップ（３）と、
ステップ（３）で得られたビスフルオロスルホニルイミドとフッ化リチウムとを反応させ、固液分離、精製及び乾燥してリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを得るステップ（４）と、を含む、
ことを特徴とするリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
（付記１）
リチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法であって、
三酸化硫黄とアンモニアとを高圧反応釜で反応させ、イミノジスルホン酸を得るステップ（１）であって、反応圧力が０．８～１．５Ｍｐａであるステップ（１）と、
ジクロロスルホキシドとステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸とを反応させ、減圧蒸留してビスクロロスルホニルイミドを得るステップ（２）と、
ステップ（２）で得られたビスクロロスルホニルイミドとフッ化水素とを反応させ、減圧蒸留してビスフルオロスルホニルイミドを得るステップ（３）と、
ステップ（３）で得られたビスフルオロスルホニルイミドとフッ化リチウムとを反応させ、固液分離、精製及び乾燥してリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを得るステップ（４）と、を含む、
ことを特徴とするリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【0056】
（付記２）
ステップ（１）において、前記アンモニアと三酸化硫黄とのモル比は、１：２～３である、
ことを特徴とする付記１に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
ステップ（１）において、前記アンモニアと三酸化硫黄とのモル比は、１：２～３である、
ことを特徴とする付記１に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【0057】
（付記３）
ステップ（１）において、前記反応圧力は、０．８～１．０ＭＰａである、
ことを特徴とする付記１又は２に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
ステップ（１）において、前記反応圧力は、０．８～１．０ＭＰａである、
ことを特徴とする付記１又は２に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【0058】
（付記４）
ステップ（１）において、前記反応温度は、２０～３０℃である、
ことを特徴とする付記１～３のいずれか一つに記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
ステップ（１）において、前記反応温度は、２０～３０℃である、
ことを特徴とする付記１～３のいずれか一つに記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【0059】
（付記５）
ステップ（１）において、前記反応時間は、４～６ｈである、
ことを特徴とする付記１～４のいずれか一つに記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
ステップ（１）において、前記反応時間は、４～６ｈである、
ことを特徴とする付記１～４のいずれか一つに記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【0060】
（付記６）
ステップ（２）において、反応温度は、８０～１００℃である、
ことを特徴とする付記１～５のいずれか一つに記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
ステップ（２）において、反応温度は、８０～１００℃である、
ことを特徴とする付記１～５のいずれか一つに記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【0061】
（付記７）
ステップ（２）において、反応時間は、１２～１６時間である、
ことを特徴とする付記１～６のいずれか一つに記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
ステップ（２）において、反応時間は、１２～１６時間である、
ことを特徴とする付記１～６のいずれか一つに記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【0062】
（付記８）
ステップ（２）において、前記イミノジスルホン酸とジクロロスルホキシドとのモル比は、１：２．０～２．５であり、好ましくは１：２．２～２．５である、
ことを特徴とする付記１～７のいずれか一つに記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
ステップ（２）において、前記イミノジスルホン酸とジクロロスルホキシドとのモル比は、１：２．０～２．５であり、好ましくは１：２．２～２．５である、
ことを特徴とする付記１～７のいずれか一つに記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【0063】
（付記９）
ステップ（３）において、ビスクロロスルホニルイミドとフッ化水素とのモル比は、１：２．０～３．０である、
ことを特徴とする付記１～８のいずれか一つに記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
ステップ（３）において、ビスクロロスルホニルイミドとフッ化水素とのモル比は、１：２．０～３．０である、
ことを特徴とする付記１～８のいずれか一つに記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【0064】
（付記１０）
ステップ（３）において、反応温度は、８０～１５０℃であり、好ましくは９０～１２０℃であり、好ましくは、反応時間は、１４～２０ｈである、
ことを特徴とする付記１～９のいずれか一つに記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
ステップ（３）において、反応温度は、８０～１５０℃であり、好ましくは９０～１２０℃であり、好ましくは、反応時間は、１４～２０ｈである、
ことを特徴とする付記１～９のいずれか一つに記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【0065】
（付記１１）
ステップ（４）において、ビスフルオロスルホニルイミドとフッ化リチウムとのモル比は、１：０．８５～１．００である、
ことを特徴とする付記１～１０のいずれか一つに記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
ステップ（４）において、ビスフルオロスルホニルイミドとフッ化リチウムとのモル比は、１：０．８５～１．００である、
ことを特徴とする付記１～１０のいずれか一つに記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【0066】
（付記１２）
ステップ（４）において、反応温度は、１２０℃～１６０℃であり、好ましくは、反応時間は、３０～６０分間である、
ことを特徴とする付記１～１１のいずれか一つに記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
ステップ（４）において、反応温度は、１２０℃～１６０℃であり、好ましくは、反応時間は、３０～６０分間である、
ことを特徴とする付記１～１１のいずれか一つに記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【0067】
（付記１３）
付記１～１２のいずれか一つに記載の製造方法により製造されたリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドであって、当該リチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの純度は、≧９９．６％である、
ことを特徴とするリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド。
付記１～１２のいずれか一つに記載の製造方法により製造されたリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドであって、当該リチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの純度は、≧９９．６％である、
ことを特徴とするリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド。
【0068】
（付記１４）
付記１～１２のいずれか一つに記載の製造方法により製造されたリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド又は付記１３に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドのリチウムイオン電池における用途。
付記１～１２のいずれか一つに記載の製造方法により製造されたリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド又は付記１３に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドのリチウムイオン電池における用途。
【0069】
（付記１５）
ビスクロロスルホニルイミドの製造方法であって、
三酸化硫黄とアンモニアとを高圧反応釜で反応させ、イミノジスルホン酸を得るステップ（１）であって、反応圧力が０．８～１．５Ｍｐａであるステップ（１）と、
ジクロロスルホキシドとステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸とを反応させ、減圧蒸留してビスクロロスルホニルイミドを得るステップ（２）と、を含む、
ことを特徴とするビスクロロスルホニルイミドの製造方法。
ビスクロロスルホニルイミドの製造方法であって、
三酸化硫黄とアンモニアとを高圧反応釜で反応させ、イミノジスルホン酸を得るステップ（１）であって、反応圧力が０．８～１．５Ｍｐａであるステップ（１）と、
ジクロロスルホキシドとステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸とを反応させ、減圧蒸留してビスクロロスルホニルイミドを得るステップ（２）と、を含む、
ことを特徴とするビスクロロスルホニルイミドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】2023-11-17
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
リチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法であって、三酸化硫黄とアンモニアとを高圧反応釜で反応させ、イミノジスルホン酸を得るステップ（１）であって、反応圧力が０．８～１．５Ｍｐａであるステップ（１）と、
ジクロロスルホキシドとステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸とを反応させ、減圧蒸留してビスクロロスルホニルイミドを得るステップ（２）と、
ステップ（２）で得られたビスクロロスルホニルイミドとフッ化水素とを反応させ、減圧蒸留してビスフルオロスルホニルイミドを得るステップ（３）と、
ステップ（３）で得られたビスフルオロスルホニルイミドとフッ化リチウムとを反応させ、固液分離、精製及び乾燥してリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドを得るステップ（４）と、を含む、
ことを特徴とするリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項2】
ステップ（１）において、前記アンモニアと三酸化硫黄とのモル比は、１：２～３である、ことを特徴とする請求項１に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項3】
ステップ（１）において、前記反応圧力は、０．８～１．０ＭＰａである、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項4】
ステップ（１）において、前記反応温度は、２０～３０℃である、ことを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項5】
ステップ（１）において、前記反応時間は、４～６ｈである、ことを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項6】
ステップ（２）において、反応温度は、８０～１００℃である、ことを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項7】
ステップ（２）において、反応時間は、１２～１６時間である、ことを特徴とする請求項１～６のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項8】
ステップ（２）において、前記イミノジスルホン酸とジクロロスルホキシドとのモル比は、１：２．０～２．５である、ことを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項9】
ステップ（２）において、前記イミノジスルホン酸とジクロロスルホキシドとのモル比は、１：２．２～２．５である、
ことを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項10】
ステップ（３）において、ビスクロロスルホニルイミドとフッ化水素とのモル比は、１：２．０～３．０である、ことを特徴とする請求項１～９のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項11】
ステップ（３）において、反応温度は、８０～１５０℃である、ことを特徴とする請求項１～１０のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項12】
ステップ（３）において、反応温度は、９０～１２０℃である、
ことを特徴とする請求項１～１０のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項13】
ステップ（４）において、ビスフルオロスルホニルイミドとフッ化リチウムとのモル比は、１：０．８５～１．００である、ことを特徴とする請求項１～１２のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項14】
ステップ（４）において、反応温度は、１２０℃～１６０℃である、ことを特徴とする請求項１～１３のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項15】
ステップ（３）において、反応時間は、１４～２０ｈであり、及び／又は、ステップ（４）において、反応時間は、３０～６０分間である、
ことを特徴とする請求項１～１４のいずれか一項に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの製造方法。
【請求項16】
請求項１～１５のいずれか一項に記載の製造方法により製造されたリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドであって、当該リチウムビス（フルオロスルホニル）イミドの純度は、≧９９．６％である、ことを特徴とするリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド。
【請求項17】
請求項１～１５のいずれか一項に記載の製造方法により製造されたリチウムビス（フルオロスルホニル）イミド又は請求項１６に記載のリチウムビス（フルオロスルホニル）イミドのリチウムイオン電池における用途。
【請求項18】
ビスクロロスルホニルイミドの製造方法であって、三酸化硫黄とアンモニアとを高圧反応釜で反応させ、イミノジスルホン酸を得るステップ（１）であって、反応圧力が０．８～１．５Ｍｐａであるステップ（１）と、
ジクロロスルホキシドとステップ（１）で得られたイミノジスルホン酸とを反応させ、減圧蒸留してビスクロロスルホニルイミドを得るステップ（２）と、を含む、
ことを特徴とするビスクロロスルホニルイミドの製造方法。
【国際調査報告】