特表 2024-518514 ブレーズド格子を製造する方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-05-01

(54)【発明の名称】ブレーズド格子を製造する方法

(51)【国際特許分類】

   G02B 5/18 20060101AFI20240423BHJP

【ＦＩ】

G02B5/18

【審査請求】未請求

【予備審査請求】有

(21)【出願番号】P 2023569921

(86)(22)【出願日】2022-05-11

(85)【翻訳文提出日】2023-12-25

(86)【国際出願番号】 FI2022050316

(87)【国際公開番号】W WO2022243598

(87)【国際公開日】2022-11-24

(31)【優先権主張番号】20215575

(32)【優先日】2021-05-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】FI

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】520184365

【氏名又は名称】ディスペリックス オサケ ユキチュア

(74)【代理人】

【識別番号】110000855

【氏名又は名称】弁理士法人浅村特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】バルティアイネン、イスモ

【テーマコード（参考）】

2H249

【Ｆターム（参考）】

2H249AA03

2H249AA13

2H249AA37

2H249AA40

2H249AA62

2H249AA63

(57)【要約】

この開示は、ブレーズド格子を製造する方法１００に関する。方法１００は、基板、及び基板上に、パターン形成されたマスク層を準備するステップ１１０と、１次イオンが１次エッチング方向に加速され、基板に衝突するように、基板の１次乾式エッチングを実行するステップ１２０と、２次イオンが２次エッチング方向に加速され、基板に衝突するように、基板の２次乾式エッチングを実行するステップ１５０とを含む。格子断面上への、１次エッチング方向の１次投射と２次エッチング方向の２次投射とがそれぞれ、ブレーズ・ファセット方向と反ブレーズ・ファセット方向との一方と他方とに対して垂直に延出し、格子断面上へ、ブレーズ・ファセット方向に対して垂直な投射方向に加速されたイオンは、基板をエッチングするために、平行化されて、平行化されたイオン・ビームを形成する。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ブレーズ・ファセット方向に面するブレーズ・ファセットと、反ブレーズ・ファセット方向に面する反ブレーズ・ファセットとを有する突条を備える、ブレーズド格子を製造する方法（１００）であって、前記ブレーズ・ファセット方向及び前記反ブレーズ・ファセット方向が、格子断面に沿って延出し、前記方法が、
－ 基板、及び前記基板上に、パターン形成されたマスク層を準備する工程（１１０）と、
－ １次イオンが、１次エッチング方向に加速されて、前記基板に衝突するように、前記基板の１次乾式エッチングを実行する工程（１２０）と、
－ ２次イオンが、２次エッチング方向に加速されて、前記基板に衝突するように、前記基板の２次乾式エッチングを実行する工程（１５０）と
を含み、前記格子断面上への、前記１次エッチング方向の１次投射と、前記格子断面上への、前記２次エッチング方向の２次投射とがそれぞれ、前記ブレーズ・ファセット方向と反ブレーズ・ファセット方向との一方と他方とに対して垂直に延出し、前記格子断面上へ、前記ブレーズ・ファセット方向に対して垂直な投射方向に加速されたイオンが、前記基板をエッチングするために、平行化されて、平行化されたイオン・ビームを形成する、方法（１００）。

【請求項2】

１次乾式エッチングを実行する前記工程（１２０）が、前記１次エッチング方向に沿って前記基板に延在する溝を形成するステップ（１２４）を含み、前記方法（１００）が、格子間の形体を形成するために、第１の材料を前記溝内に堆積させる工程（１３０）を含み、２次乾式エッチングを実行する前記工程（１５０）が、前記格子間の形体をエッチング止めとして利用するステップ（１５４）を含む、請求項１に記載の方法（１００）。

【請求項3】

前記方法（１００）が、２次乾式エッチングを実行する前記工程（１５０）の前に、前記基板の突条部分を露出させる工程（１４０）を含む、請求項２に記載の方法（１００）。

【請求項4】

第１の材料を前記溝内に堆積させる前記工程（１３０）が、原子層堆積（１３１）ステップを含む、請求項２又は３に記載の方法（１００）。

【請求項5】

前記基板と前記マスク層との間の界面が、基部平面に沿って延在し、前記１次投射又は前記２次投射が、前記基部平面に対して垂直に延出する、請求項１から４までのいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項6】

前記１次エッチング方向又は前記２次エッチング方向が、前記基部平面に対して垂直に延出する、請求項５に記載の方法（１００）。

【請求項7】

前記基板と前記マスク層との間の界面が、基部平面に沿って延在し、前記１次投射及び前記２次投射が、前記基部平面に対して斜めに延出する、請求項１から４までのいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項8】

基板及びパターン形成されたマスク層を準備する前記工程（１１０）が、前記基板上に配置されたコーティングに複数の細長い貫通孔を設けて、マスク層を形成するステップ（１１１）を含み、前記複数の細長い貫通孔が、前記格子断面に対して垂直に延在する、請求項１から７までのいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項9】

前記１次イオンが、１次エッチング状態の下で、前記マスク層との第１の１次化学反応性、及び前記基板との、前記第１の１次化学反応性よりも高い第２の１次化学反応性を示し、且つ／又は前記２次イオンが、２次エッチング状態の下で、前記マスク層との第１の２次化学反応性、及び前記基板との、前記第１の２次化学反応性よりも高い第２の２次化学反応性を示す、請求項１から８までのいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項10】

前記ブレーズド格子が、光を導波路内に結合するため、且つ／又は前記導波路の外へ結合するために、前記導波路の面上に形成される、請求項１から９までのいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項11】

前記ブレーズド格子が、ナノインプリント用スタンプの接触面上に形成される、請求項１から９までのいずれか一項に記載の方法（１００）。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この開示は、回折格子に関する。この開示は、詳細には、ブレーズド格子に関する。

【背景技術】

【0002】

通常の表面レリーフ回折格子、いわゆるバイナリ格子は、複数の突条及び溝を備え、突条の頂部と溝の底部とが、互いに平行に延在する。かかるバイナリ格子を製造するための、よく知られた製造工程が存在する。かかるバイナリ格子の場合、垂直入射光は回折され、その結果、負の回折次数と正の回折次数との両方で、等しい回折効率が生じる。この効果は、バイナリ格子の断面形状の鏡面対称性によって生じる。

【0003】

多くの用途、例えば、多くの導波路ベースのディスプレイ構造体では、１次又は複数の特定の回折次数への優先的な回折が望ましい場合があり、他の回折次数への回折は、光損失とみなされる場合がある。光を特定の回折次数に優先的に向けるためには、非鏡面対称の断面形状を有する格子を使用しなければならない。かかる非対称格子の一実例は、三角形又は鋸歯状の断面形状を有する、いわゆるブレーズド格子である。

【0004】

ブレーズド格子は、典型的には、グレースケール・リソグラフィに基づく工程を使用して製造される。かかる工程は、許容できる特性を有する格子を生成するよう改良されてきたが、グレースケール・リソグラフィを使用して生産されるブレーズド格子の形体、特に頂点は、典型的なグレースケール・リソグラフィ用レジストのコントラストが低いため、一般に比較的丸みを帯びている。理想的なブレーズド形状とのかかる差異は、グレースケール・リソグラフィを使用して生産されるブレーズド格子の回折効率を低下させ、且つ／又はかかる格子によって生じる、光散乱を増大させる可能性がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

上記を考慮すると、ブレーズド格子に関する新しい解決策を開発することが望ましい場合がある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

この概要は、下記の詳細な説明でさらに説明される簡略化された形態での、概念の選択肢を紹介するために提示される。この概要は、特許請求の範囲に記載された主題の主要機能又は本質的な機能を、特定することを意図するものではなく、また特許請求の範囲に記載された主題の範囲を、限定するために使用することを意図するものでもない。

【0007】

この明細書では、ブレーズ・ファセット方向に面するブレーズ・ファセットと、反ブレーズ・ファセット方向に面する反ブレーズ・ファセット（ａｎｔｉ－ｂｌａｚｅ ｆａｃｅｔ）とを有する突条を備える、ブレーズド格子を製造する方法が提供され、ブレーズ・ファセット方向及び反ブレーズ・ファセット方向は、格子断面に沿って延出する。この方法は、基板及び基板上に、パターン形成されたマスク層を準備するステップと、１次イオンが１次エッチング方向に加速され、基板に衝突するように、基板の１次乾式エッチングを実行するステップと、２次イオンが２次エッチング方向に加速され、基板に衝突するように、基板の２次乾式エッチングを実行するステップとを含む。

【0008】

格子断面上への１次エッチング方向の１次投射（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ）と、格子断面上への２次エッチング方向の２次投射とはそれぞれ、ブレーズ・ファセット方向と反ブレーズ・ファセット方向との一方と他方とに対して垂直に延出し、格子断面上へ、ブレーズ・ファセット方向に対して垂直な投射方向に加速された（１次イオン及び２次イオンの）イオンは、基板をエッチングするために、平行化されて、平行化されたイオン・ビームを形成する。

【0009】

本開示は、添付図面を考慮して以下の詳細な説明を読むことにより、より適切に理解されよう。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】ブレーズド格子を製造する方法を示す図である。

【図2A】ブレーズド格子を製造する方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【図2B】ブレーズド格子を製造する方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【図2C】ブレーズド格子を製造する方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【図2D】ブレーズド格子を製造する方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【図2E】ブレーズド格子を製造する方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【図3A】ブレーズド格子を製造する別の方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【図3B】ブレーズド格子を製造する別の方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【図3C】ブレーズド格子を製造する別の方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【図3D】ブレーズド格子を製造する別の方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【図3E】ブレーズド格子を製造する別の方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【図3F】ブレーズド格子を製造する別の方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【図3G】ブレーズド格子を製造する別の方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【図3H】ブレーズド格子を製造する別の方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【図4A】ブレーズド格子を製造するさらに別の方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【図4B】ブレーズド格子を製造するさらに別の方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【図4C】ブレーズド格子を製造するさらに別の方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【図4D】ブレーズド格子を製造するさらに別の方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【図4E】ブレーズド格子を製造するさらに別の方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【図4F】ブレーズド格子を製造するさらに別の方法の、一連の後続する段階を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

そうでないことが特に記載されていない限り、前述の図面のうちのいずれの図面も、この図面の実施例の特定の構造的側面を強調するために、一定の縮尺で描かれていない可能性があり、したがって、この図面の任意の要素が、この図面の他の要素に対して不正確な比率で描かれている可能性がある。

【0012】

図面に提示した実施例の対応する要素、例えば同一又は類似の要素は、同じ参照番号を使用して参照されている。前述の図面の対応する要素は、この図面の実施例の特定の構造的側面を強調するために、この図面内で互いに不均衡な場合がある。

【0013】

図１は、ブレーズ・ファセット方向に面するブレーズ・ファセットと、反ブレーズ・ファセット方向に面する反ブレーズ・ファセットとを有する突条を備える、ブレーズド格子を製造する方法１００を示し、ブレーズ・ファセット方向及び反ブレーズ・ファセット方向は、格子断面に沿って延出する。ブレーズド格子を製造する方法は、他の実施例では、図１の実施例の方法１００と同一、類似、又は相異なっていてもよい。

【0014】

方法１００は、図１の実施例では、基板及び基板上に、パターン形成されたマスク層を準備するステップ１１０と、１次イオンが１次エッチング方向に加速され、基板に衝突するように、基板の１次乾式エッチングを実行するステップ１２０と、２次イオンが２次エッチング方向に加速され、基板に衝突するように、基板の２次乾式エッチングを実行するステップ１５０とを含む。

【0015】

この明細書全体を通じて、「乾式エッチング」とは、イオンの衝撃にさらすことによる材料の除去を指すことができる。典型的な乾式エッチング技法には、反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）、深掘り反応性イオン・エッチング（ＤＲＩＥ：Ｄｅｅｐ Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）、誘導結合プラズマ反応性イオン・エッチング（ＩＣＰ－ＲＩＥ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）、イオン・ミリング、イオン・ビーム・エッチング（ＩＢＥ：Ｉｏｎ ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）、反応性イオン・ビーム・エッチング（ＲＩＢＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）、及びその変形が含まれる。

【0016】

この明細書において、特定のイオンが、特定の方向に「加速され」、基板に衝突するように、基板の乾式エッチングを実行することとは、イオンが、特定の方向に平均速度、例えばドリフト速度を加えられていることを指すことができる。かかるイオンは、典型的には、電場によって特定の方向に加速され得る。

【0017】

図１の実施例では、格子断面上への１次エッチング方向の１次投射と、格子断面上への２次エッチング方向の２次投射とはそれぞれ、ブレーズ・ファセット方向と反ブレーズ・ファセット方向との一方と他方とに対して垂直に延出し、格子断面上へ、ブレーズ・ファセット方向に対して垂直な投射方向に加速された（１次イオン及び２次イオンの）イオンは、基板をエッチングするために、平行化されて、平行化されたイオン・ビームを形成する。概ね、かかる１次エッチング方向及び２次エッチング方向により、そして基板をエッチングするために、ブレーズ・ファセット方向に対して垂直な、平行化されたイオン・ビームを利用することにより、より鋭利な、又はより丸みが少ない形体、例えば頂点及び／又はファセットを有する、ブレーズド格子を容易に製造することができる。

【0018】

本明細書において、「平行化されたイオン・ビーム」とは、コリメータから特定のエッチング方向、例えば１次エッチング方向又は２次エッチング方向へ伝播する、イオンのビームを指すことができる。追加的又は代替的に、コリメータから特定のエッチング方向へ伝播するイオン・ビームが、例えば、イオン・ビームが１次エッチング方向から４°、３°、又は２°の最大角度誤差を有する場合に、平行化されたイオン・ビームと呼ばれることがある。平行化されたイオン・ビームが、基板をエッチングするために形成される場合、かかる最大角度誤差は、基板の位置で決定され得る。

【0019】

１次乾式エッチングを実行する工程１２０は、破線を使用して図１に示しているように、任意選択で、１次エッチング方向に沿って基板に延在する溝を形成するステップ１２４を含んでもよく、方法１００は、任意選択で、溝内に第１の材料を堆積させて格子間の形体（ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ ｆｅａｔｕｒｅ）を形成するステップ１３０を含んでもよく、２次乾式エッチングを実行する工程１５０は、任意選択で、格子間の形体をエッチング止めとして利用するステップ１５４を含んでもよい。概して、２次乾式エッチングを実行する際に、格子間の形体をエッチング止めとして利用すると、より鋭利でより丸みが少ない形体、並びに／又はより滑らか且つ／若しくはより均一なファセットを有する、ブレーズド回折格子を容易に製造することができる。ブレーズド格子を製造する方法は、他の実施例では、かかる形体のうちの１つ又は複数を有しても、有していなくてもよい。

【0020】

この明細書において、「工程」とは、最終結果に至る一連の、１つ又は複数の工程を指すことができる。工程は、したがって、単一ステップの工程であっても、複数ステップの工程であってもよい。工程はさらに、複数の部分的工程に分割可能であってもよく、かかる複数の部分的工程のうちの個々の部分的工程は、共通のステップを共有していても、しないなくてもよい。

【0021】

本明細書において、「ステップ」は、予め定義された結果を達成するために取られる措置を、指すことができる。例えば、「原子層堆積ステップ」は、原子層堆積によって層が形成される工程のステップを指すことができる。

【0022】

方法１００は、やはり破線を使用して図１に示しているように、任意選択で、２次乾式エッチングを実行する工程１５０の前に、基板の突条部分を露出させるステップ１４０を含んでもよい。概して、２次乾式エッチングを実行する工程の前に、基板の突条部分を露出させるステップにより、後処理ステップなしにブレーズド格子を容易に形成でき、これにより、２次乾式エッチングを実行する工程の際に、基板の解放された部分が除去される。ブレーズド格子を製造する方法は、他の実施例では、２次乾式エッチングを実行する工程の前に、基板の突条部分を露出させるステップを含んでも、含まなくてもよい。

【0023】

さらに、溝内に第１の材料を堆積する工程１３０は、任意選択で、原子層堆積ステップ１３１を含んでもよい。概して、溝内に第１の材料を堆積する工程が、原子層堆積ステップを含むことにより、より狭い溝内に、且つ／又は均一性を高めて、格子間の形体を容易に形成することができる。第１の材料を溝内に堆積させる工程は、他の実施例では、原子層堆積ステップを含んでも、含まなくてもよい。

【0024】

やはり破線を使用して図１に示しているように、基板及びパターン形成されたマスク層を準備する工程１１０は、任意選択で、基板上に配置されたコーティングに複数の細長い貫通孔を設けて、マスク層を形成するステップ１１１を含んでもよく、複数の細長い貫通孔は、格子断面に対して垂直に延在する。基板及びパターン形成されたマスク層を準備する工程は、他の実施例では、基板上に配置されたコーティングに複数の細長い貫通孔を設けて、マスク層を形成するステップを含んでも、含まなくてもよい。

【0025】

ブレーズド格子を製造する方法は、一実施例では、図１の実施例の方法１００の工程に相当する工程を、実施するステップを含む。ブレーズド格子を製造する方法は、他の実施例では、図１の実施例の方法１００の、任意選択でない工程に相当する工程を、実施するステップを含んでもよい。ブレーズド格子を製造する方法は、概して、図１の実施例の方法１００に関連して本明細書では開示されていない、任意の数の追加工程又はステップを含んでもよい。

【0026】

図１の実施例の方法１００の工程のうちのいずれかに相当する工程を実施する、ブレーズド格子を製造する方法のステップは、固定された順序で実行する必要はない。しかし、方法１００の、基板及びパターン形成されたマスク層を準備する工程１１０に相当する、工程を実施する任意のステップは、概して、１次乾式エッチングを実行する工程１２０及び２次乾式エッチングを実行する工程１５０のうちのいずれかに相当する、任意の工程を実施するステップより前に実行され得、方法１００の、基板に延在する溝を形成する工程１２４に相当する工程を実施する、どんなステップも、概して、溝内に第１の材料を堆積させる工程１３０に相当する、どんな工程を実施するステップより前に実行され得、方法１００の、溝内に第１の材料を堆積させる工程１３０に相当する工程を実施するどんなステップも、概して、格子間の形体をエッチング止めとして利用する工程１５４に相当する、どんな工程を実施するステップより前に実行され得る。

【0027】

図２Ａから図２Ｅは、この明細書全体を通じ、総称して図２と呼ばれ、ブレーズ・ファセット方向２１２に面するブレーズ・ファセット２１１と、反ブレーズ・ファセット方向２１４に面する反ブレーズ・ファセット２１３とを有する突条２１０を備える、ブレーズド格子２００を製造する方法の一連の後続する段階を概略的に示しており、一実施例によれば、ブレーズ・ファセット方向２１２及び反ブレーズ・ファセット２１３は、格子断面２１５に沿って延出している。図２では、格子断面２１５は、図２Ａから図２Ｅの図面の平面に対して、垂直に延在する。ブレーズド格子を製造する方法は、他の実施例では、図２の実施例の方法の段階と同様の、又は相異なる、一連の段階を含んでもよい。

【0028】

図２の実施例は、図１を参照して、且つ／又は図１と併せて開示された、実施例のいずれかに準拠することができる。図２の実施例は、追加的又は代替的に、以下で明示的には記載されていないが、概して、図１を参照して、且つ／又は図１と併せて開示された実施例のうちのいずれかの、任意の機能を有することができる。

【0029】

ブレーズド格子２００は、図２Ｅを参照すると、複数の突条２１０を備え、複数の突条２１０の各突条は、ブレーズ・ファセット方向２１２に面するブレーズ・ファセット２１１と、反ブレーズ・ファセット方向２１４に面する反ブレーズ・ファセット２１３とを有する。ブレーズド格子は、他の実施例では、少なくとも１つのかかる突条、又は複数の、すなわち少なくとも２つのかかる突条を備えることができる。

【0030】

この方法は、図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、基板２２０と、基板２２０上に、パターン形成されたマスク層２３０とを準備するステップを含む。基板２２０及びパターン形成されたマスク層２３０を準備する工程は、基板２２０上にコーティング２３２を施すステップと、コーティング２３２に複数の細長い貫通孔２３１を設けてマスク層２３０を形成するステップとを含む。複数の細長い貫通孔２３１は、格子断面２１５に対して垂直に延在する。

【0031】

図２の実施例の基板２２０は、任意の好適な塗布方法、例えば回転コーティング、吹付けコーティング、及び／又はインクジェット印刷を使用して、高屈折率ポリマー材料で形成され得る。基板は、他の実施例では、任意の好適な材料を含んでもよく、任意の好適な工程を使用して形成されてもよい。

【0032】

図２の実施例のマスク層２３０は、電子ビーム蒸着によって堆積された酸化アルミニウム（ＡｌＯ_２）で形成され得る。マスク層は、他の実施例では、任意の好適な材料、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_２／ＡｌＯ_ｘ）、酸化チタン（ＴｉＯ_２／ＴｉＯ_２）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２／ＳｉＯ_ｘ）、及び／又は窒化ケイ素（Ｓｉ_２Ｎ_３／ＳｉＮ_ｘ）などの酸化物材料及び／又は窒化物材料を含む、無機材料を含んでもよく、任意の好適な工程、例えば、スパッタリング、蒸着、化学気相蒸着（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、誘導結合プラズマ化学気相蒸着（ＩＣＰ－ＣＶＤ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、及び／又はその変形を使用して形成され得る。

【0033】

図２の実施例の方法は、ブレーズド格子を製造する方法の一実例を構成することができ、これによりブレーズド格子は、光を導波路内に結合するために、且つ／又は導波路の外へ結合するために、導波路の面上に形成される。基板２２０は、したがって、導波路２７０の面２７１上に配置され得る。ブレーズド格子は、他の実施例では、任意の好適な用途における任意の好適な使用のために、例えば、光を導波路内に結合するため、且つ／又は導波路の外へ結合するために、導波路の面上に形成され得る。

【0034】

基板２２０が導波路２７０の面２７１上に配置される場合、図２の実施例のブレーズド格子２００は、導波路２７０上に配置された追加の材料層に形成される。ブレーズド格子は、他の実施例では、光を導波路内に結合するため、且つ／又は導波路の外へ結合するために、導波路の面上に形成され、このブレーズド格子は、かかる追加の材料層上に配置されても、配置されなくてもよい。ブレーズド格子は、いくつかのかかる実施例では、導波路内に直接形成されてもよい。

【0035】

「導波路」は、この開示では、光導波路を指すことができる。導波路は、追加的又は代替的に、２次元導波路を指すことができ、光は、この導波路の厚さ方向に沿って閉じ込められ得る。

【0036】

さらに、導波路の「面」は、特定の視線方向から見える、又は特定の視線方向に面する、この導波路の表面の一部を指すことができる。導波路の面は、追加的又は代替的に、内部全反射によってこの導波路内に光を閉じ込めるのに好適な、又は光を閉じ込めるよう構成された、表面を指すことができる。

【0037】

この方法は、図２Ｃを参照すると、白い点で概略的に示している１次イオン１２１が、１次エッチング方向１２２に加速され、基板２２０に衝突するように、基板２２０の１次乾式エッチングを実行するステップを含む。

【0038】

図２の実施例では、格子断面２１５上への１次エッチング方向１２２の１次投射１２３は、反ブレーズ・ファセット方向２１４に対して垂直に延出する。格子断面上への、１次エッチング方向の１次投射は、他の実施例では、ブレーズ・ファセット方向又は反ブレーズ・ファセット方向に対して、垂直に延出することができる。

【0039】

図２の実施例の１次乾式エッチングを実行する工程は、１次エッチング方向１２２に沿って基板２２０内に延在する、溝２４０を形成するステップを含む。１次乾式エッチングを実行する工程は、他の実施例では、かかる溝を形成するステップを含んでも、含まなくてもよい。

【0040】

図２Ｂ及び図２Ｃに示しているように、基板とマスク層との間の界面２２２は、基部平面２６０に沿って延在し、１次投射１２３は、基部平面２６０に対して垂直に延出する。基部平面２６０は、格子断面２１５に対して垂直に延在する。概して、基部平面に対して垂直に延出する１次投射又は２次投射により、直立した反ブレーズ・ファセットを有するブレーズ格子の形成が可能となり得、これにより回折効率が向上する可能性がある。１次投射又は２次投射は、他の実施例では、基部平面に対して垂直に延出しても、垂直に延出しなくてもよい。

【0041】

本明細書において、「基部平面」とは、基板とマスク層との間の界面がそれに沿って延在する、仮想的な表面を指すことができる。基部平面は、例えば平坦な界面の場合には平面であってもよく、例えば湾曲した界面の場合には湾曲していてもよい。

【0042】

図２の実施例では、１次エッチング方向１２２は、格子断面２１５と平行に延出することができる。したがって、１次エッチング方向１２２は、基部平面２６０に対して垂直に延出することができる。概して、基部平面に対して垂直に延出する、１次エッチング方向又は２次エッチング方向により、反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）及びイオン・ミリングを含む、より広範囲の乾式エッチング技法の利用が可能となり得る。１次エッチング方向又は２次エッチング方向は、他の実施例では、基部平面に対して垂直に延出しても、垂直に延出しなくてもよい。例えば、いくつかの実施例では、第１の投射及び第２の投射のそれぞれが、基部平面に対して斜めに延出してもよい。概して、基部平面に対して斜めに延出する１次投射及び２次投射により、傾斜した反ブレーズ・ファセットを有するブレーズ格子の形成が可能となり得、これにより、例えば、ブレーズ格子の回折効率を、容易に空間的に調節することができる。

【0043】

１次エッチング方向１２２は、基部平面２６０に対して垂直に延出できるので、図２の実施例の１次乾式エッチングを実行する工程は、ＲＩＥステップを含むことができる。ＲＩＥステップの際に、例えば酸素プラズマを使用して、基板２２０をエッチングすることができる。１次エッチング方向又は２次エッチング方向が、基部平面に対して垂直に延出する他の実施例では、１次乾式エッチングを実行する工程は、任意の好適なステップ、例えば、ＲＩＥステップ及び／又はイオン・ミリングのステップを含むことができる。

【0044】

この方法は、図２Ｄを参照すると、黒い点で概略的に示している２次イオン１５１が、２次エッチング方向１５２に加速され、基板２２０に衝突するように、基板２２０の２次乾式エッチングを実行するステップを含む。

【0045】

図２の実施例では、格子断面２１５上への、２次エッチング方向１５２の２次投射１５３は、ブレーズ・ファセット方向２１２に対して垂直に延出する。格子断面上への、２次エッチング方向の２次投射は、他の実施例では、ブレーズ・ファセット方向又は反ブレーズ・ファセット方向に対して、垂直に延出することができる。

【0046】

図２の実施例では、２次イオン１５１は、基板２２０をエッチングするために、平行化されて、平行化された２次イオン・ビームを形成する。他の実施例では、１次イオン及び／又は２次イオンは、基板をエッチングするために、平行化されて、平行化された１次イオン・ビーム及び／又は平行化された２次イオン・ビームを形成することができる。

【0047】

図２の実施例の、２次乾式エッチングを実行する工程は、ＲＩＢＥステップを含むことができる。かかるＲＩＢＥステップの際に、例えば酸素イオンを使用して、基板２２０をエッチングすることができる。他の実施例では、イオンが、格子断面上へ、ブレーズ・ファセット方向に対して垂直な投射方向に加速され、このイオンが、基板をエッチングするために、平行化されて、平行化されたイオン・ビームを形成する、乾式エッチングを実行する工程は、任意の好適なステップ、例えばＩＢＥステップ及び／又はＲＩＢＥステップを含むことができる。

【0048】

図２Ｅを参照すると、この方法は、後処理ステップをさらに含み、これにより、２次乾式エッチングを実行する工程の際に、基板２２０の解放された部分が除去され、複数の突条２１０を形成する。ブレーズド格子を製造する方法は、他の実施例では、かかる後処理ステップを含んでも、含まなくてもよい。

【0049】

図２の実施例の後処理ステップは、水浸漬ステップなどの湿式洗浄ステップとして実施することができる。ブレーズド格子を製造する方法は、他の実施例では、後処理ステップを含み、これにより２次乾式エッチングを実行する工程の際に、基板の解放された部分が除去されて、１つ又は複数の突条を形成し、後処理ステップは、任意の好適なやり方で、例えば、水浸漬ステップなどの湿式洗浄ステップとして、実施することができる。

【0050】

図２の実施例では、１次エッチング状態の下で（すなわち、１次乾式エッチングを実行する工程において）、１次イオン１２１は、マスク層２３０との第１の１次化学反応性、及び基板２２０との、第１の１次化学反応性よりも高い第２の１次化学反応性を示すことができる。さらに、２次エッチング状態の下で（すなわち、２次乾式エッチングを実行する工程において）、２次イオン１５１は、マスク層２３０との第１の２次化学反応性、及び基板２２０との、第１の２次化学反応性よりも高い第２の２次化学反応性を示すことができる。概して、基板のエッチングに、かかる反応性イオンを利用することにより、乾式エッチング工程の選択性が高まる可能性があり、さらに、より鋭利でより丸みの少ない形体を有するブレーズド格子を、容易に製造することができる。かかる反応性イオンが利用される乾式エッチング技法の実例には、ＲＩＥ、ＤＲＩＥ、ＩＣＰ－ＲＩＥ、ＲＩＢＥ、及びこれらの変形が含まれる。他の実施例では、１次イオンが、１次エッチング状態の下で、マスク層との第１の１次化学反応性、及び基板との、第１の１次化学反応性よりも高い第２の１次化学反応性を、示しても示さなくてもよく、且つ／又は２次イオンが、２次エッチング状態の下で、マスク層との第１の２次化学反応性、及び基板との、第１の２次化学反応性よりも高い第２の２次化学反応性を、示しても示さなくてもよい。

【0051】

図３Ａから図３Ｈは、この明細書全体を通じ、総称して図３と呼ばれ、ブレーズ・ファセット方向２１２に面するブレーズ・ファセット２１１と、反ブレーズ・ファセット方向２１４に面する反ブレーズ・ファセット２１３とを有する突条２１０を備える、ブレーズド格子２００を製造する方法の一連の後続する段階を概略的に示しており、一実施例によれば、ブレーズ・ファセット方向２１２及び反ブレーズ・ファセット２１３は、格子断面２１５に沿って延出している。図３では、格子断面２１５は、図３Ａから図３Ｈの図面の平面に対して、垂直に延在する。ブレーズド格子を製造する方法は、他の実施例では、図３の実施例の方法の段階と同様の、又は相異なる、一連の段階を含んでもよい。

【0052】

図３の実施例は、図１及び図２のいずれかを参照して、且つ／又は図１及び図２のいずれかと併せて開示された、実施例のいずれかに準拠することができる。図３の実施例は、追加的又は代替的に、以下で明示的には記載されていないが、概して、図１及び図２のいずれかを参照して、且つ／又は図１及び図２のいずれかと併せて開示された実施例のうちのいずれかの、任意の好適な機能を有することができる。

【0053】

この方法は、図３Ａから図３Ｃを参照すると、基板２２０及び基板２２０上に、パターン形成されたマスク層２３０を準備するステップを含み、準備するステップは、基板２２０上にコーティング２３２を施すステップと、コーティング２３２に複数の細長い貫通孔２３１を設けて、マスク層２３０を形成するステップとを含み、この方法はまた、白い点で概略的に示されている１次イオン１２１が、１次エッチング方向１２２に加速され、基板２２０に衝突するように、基板２２０の１次乾式エッチングを実行するステップを含む。

【0054】

図３の実施例では、格子断面２１５上への、１次エッチング方向１２２の１次投射１２３は、反ブレーズ・ファセット方向２１４に対して垂直に延出する。さらに、図３の実施例の１次乾式エッチングを実行する工程は、１次エッチング方向１２２に沿って基板２２０内に延在する、溝２４０を形成するステップを含む。

【0055】

基板及びパターン形成されたマスク層を準備し、図３の実施例の１次乾式エッチングを実行する工程は、図２を参照しながら上記で開示されたものに従って実施できるので、これらの工程のさらなる詳細は、簡潔及び簡略にするために、ここでは省略される。

【0056】

この方法は、図３Ｄ及び図３Ｅを参照すると、第１の材料２５０を溝２４０内に堆積させて格子間の形体２５１を形成するステップと、第１の材料２５０を溝２４０内に堆積させる工程の前に、パターン形成されたマスク層２３０を除去するステップとを含む。ブレーズド格子を製造する方法は、他の実施例では、溝内に第１の材料を堆積させて、格子間の形体を形成するステップを含んでも、含まなくてもよい。実施例では、ブレーズド格子を製造する方法が、溝内に第１の材料を堆積させ、格子間の形体を形成するステップを含む場合、この方法は、第１の材料を溝内に堆積する工程の前に、パターン形成されたマスク層を除去するステップを含んでも、含まなくてもよい。

【0057】

図３の実施例の第１の材料２５０は、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）で堆積される、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_２又はＡｌＯ_ｘ）であってもよい。マスク層は、他の実施例では、任意の好適な工程を使用して形成され得る、任意の好適な材料、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_２／ＡｌＯ_ｘ）、酸化チタン（ＴｉＯ_２／ＴｉＯ_２）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２／ＳｉＯ_ｘ）若しくは窒化ケイ素（Ｓｉ_２Ｎ_３／ＳｉＮ_ｘ）、又はこれらの混合物などの、酸化物材料又は窒化物材料を含むことができる。第１の材料は、概して、任意の好適な堆積方法、例えば、スパッタリング、蒸着、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、ＰＥＣＶＤ、誘導結合プラズマ化学気相蒸着（ＩＣＰ－ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、及び／又はその変形を使用して堆積され得る。

【0058】

この方法は、図３Ｆを参照すると、２次乾式エッチングを実行する工程の前に、基板２２０の突条部分２２１を露出させるステップを含む。ブレーズド格子を製造する方法は、他の実施例では、２次乾式エッチングを実行する工程の前に、基板の突条部分を露出させるステップを含んでも、含まなくてもよい。

【0059】

図３の実施例では、基板２２０の突条部分２２１を露出させる工程は、追加の乾式エッチングのステップを含むことができる。言い換えると、突条部分２２１を覆う第１の材料２５０の少なくとも一部を、乾式エッチング法を使用してエッチングすることができる。ブレーズド格子を製造する方法は、他の実施例では、基板の突条部分を露出させるステップを含み、突条部分を露出させるこの工程は、任意の好適なやり方で実施することができる。

【0060】

この方法は、図３Ｇを参照すると、黒い点で概略的に示している２次イオン１５１が、２次エッチング方向１５２に加速され、基板２２０に衝突するように、基板２２０の２次乾式エッチングを実行するステップを含む。２次イオン１５１は、基板２２０をエッチングするために、平行化されて、平行化された２次イオン・ビームを形成する。

【0061】

２次乾式エッチングを実行する工程は、図３の実施例では、格子間の形体２５１をエッチング止めとして利用するステップを含む。２次乾式エッチングを実行する工程は、他の実施例では、格子間の形体をエッチング止めとして利用するステップを含んでも、含まなくてもよい。

【0062】

図３の実施例では、格子間の形体２５１は、突条部分２２１から反ブレーズ・ファセット方向２１４に配置される。格子間の形体は、他の実施例では、突条部分から、ブレーズ・ファセット方向に配置されてもよく、又は反ブレーズ・ファセット方向に配置されてもよい。他の実施例では、格子断面上への、２次エッチング方向の２次投射が、ブレーズ・ファセット方向及び反ブレーズ・ファセット方向のうちの一方に対して垂直に延出し、格子間の形体は、突条部分から、ブレーズ・ファセット方向及び反ブレーズ・ファセット方向のうちの他方へ配置され得る。

【0063】

この方法は、図３Ｈを参照すると、後処理ステップをさらに含み、これにより、格子間の形体２５１が除去される。かかるステップは、例えば湿式エッチング・ステップとして実施することができる。ブレーズド格子を製造する方法は、他の実施例では、かかる後処理ステップを含んでも、含まなくてもよい。

【0064】

図４Ａから図４Ｆは、この明細書全体を通じ、総称して図４と呼ばれ、ブレーズ・ファセット方向２１２に面するブレーズ・ファセット２１１と、反ブレーズ・ファセット方向２１４に面する反ブレーズ・ファセット２１３とを有する突条２１０を備える、ブレーズド格子２００を製造する方法の一連の後続する段階を概略的に示しており、一実施例によれば、ブレーズ・ファセット方向２１２及び反ブレーズ・ファセット２１３は、格子断面２１５に沿って延出している。図４では、格子断面２１５は、図４Ａから図４Ｆの図面の平面に対して、垂直に延在する。ブレーズド格子を製造する方法は、他の実施例では、図４の実施例の方法の段階と同様の、又は相異なる、一連の段階を含んでもよい。

【0065】

図４の実施例は、図１から図３のいずれかを参照して、且つ／又は図１及び図２のいずれかと併せて開示された、実施例のいずれかに準拠することができる。図４の実施例は、追加的又は代替的に、以下で明示的には記載されていないが、概して、図１から図３のいずれかを参照して、且つ／又は図１から図３のいずれかと併せて開示された実施例のうちのいずれかの、任意の機能を有することができる。

【0066】

この方法は、図４Ａを参照すると、基板２２０と、基板２２０上に、パターン形成されたマスク層２３０とを準備するステップを含む。図２の実施例の方法は、ブレーズド格子を製造する方法の一実例を構成することができ、これによりブレーズド格子は、ナノインプリント用スタンプの接触面上に形成される。したがって、図２の実施例の基板２２０は、接触面２８１を有するナノインプリント用スタンプ２８０であってもよい。

【0067】

ナノインプリント用スタンプ２８０は、図４の実施例では、単結晶シリコンで形成され得る。ナノインプリント用スタンプは、他の実施例では、任意の好適切な材料で形成されるか、又は任意の好適な材料を含んでもよい。ナノインプリント用スタンプは、例えば、いくつかの実施例では、相異なる材料で形成された複数の積層体を備えてもよい。

【0068】

図４Ａに示しているように、基板２２０とマスク層２３０との間の界面２２２は、格子断面２１５に対して垂直に延在する、基部平面２６０に沿って延在する。

【0069】

この方法は、図４Ｂを参照すると、白い点で概略的に示している１次イオン１２１が、１次エッチング方向１２２に加速され、基板２２０に衝突するように、基板２２０の１次乾式エッチングを実行する。１次イオン１２１は、図４の実施例では、基板２２０をエッチングするために、平行化されて、平行化された１次イオン・ビームを形成する。１次イオンは、他の実施例では、基板をエッチングするために、平行化されて、平行化された１次イオン・ビームを形成しても、形成しなくてもよい。

【0070】

図４の実施例では、格子断面２１５上への、１次エッチング方向１２２の１次投射１２３は、ブレーズ・ファセット方向２１２に対して垂直に延出する。さらに、図４の実施例の１次乾式エッチングを実行する工程は、１次エッチング方向１２２に沿って基板２２０内に延在する、溝２４０を形成するステップを含む。

【0071】

この方法は、図４Ｃを参照すると、溝２４０内に第１の材料２５０を堆積させて、格子間の形体２５１を形成するステップを含む。ブレーズド格子を製造する方法は、他の実施例では、溝内に第１の材料を堆積させて、格子間の形体を形成するステップを含んでも、含まなくてもよい。

【0072】

図４の実施例では、第１の材料２５０を溝２４０内に堆積させる工程は、原子層堆積ステップを含む。言い換えると、溝２４０内に堆積される第１の材料２５０の少なくとも一部は、原子層堆積を使用して堆積される。図３の実施例の第１の材料２５０は、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_２又はＡｌＯ_ｘ）であってもよい。溝内に第１の材料を堆積させる工程は、他の実施例では、原子層堆積ステップを含み、任意の好適な種類の第１の材料を使用することができる。

【0073】

この方法は、図４Ｄを参照すると、２次乾式エッチングを実行する工程の前に、基板２２０の突条部分２２１を露出させるステップを含む。基板２２０の突条部分２２１を露出させる工程は、図４の実施例では、例えば、突条部分２２１を覆うマスク層２３０及び第１の材料２５０を除去する、リフトオフ・ステップを含むことができる。

【0074】

この方法は、図４Ｅを参照すると、黒い点で概略的に示している２次イオン１５１が、２次エッチング方向１５２に加速され、基板２２０に衝突するように、基板２２０の２次乾式エッチングを実行するステップを含む。２次乾式エッチングを実行する工程は、格子間の形体２５１をエッチング止めとして利用するステップを含む。格子間の形体２５１は、突条部分２２１からブレーズ・ファセット方向２１２に配置されている。

【0075】

図４の実施例では、２次エッチング方向１５２は、格子断面２１５と平行に延出することができる。２次エッチング方向１５２は、したがって、基部平面２６０に対して垂直に延出することができる。２次エッチング方向１５２は、基部平面２６０に対して垂直に延出できるので、図４の実施例の１次乾式エッチングを実行する工程は、ＲＩＥステップを含むことができる。

【0076】

この方法は、最後に、図３Ｆを参照すると、後処理ステップをさらに含み、これにより、格子間の形体２５１が、例えば湿式エッチングによって除去される。

【0077】

上記で説明した実施例は、互いに組み合わせて使用できることを理解されたい。実施例のうちのいくつかを組み合わせて、さらなる実施例を形成することができる。

【0078】

当業者には、技術の進歩に伴い、本発明の基本的な考え方が、様々な手法で実現され得ることが明らかである。したがって、本発明及び本発明の実施例は、上記で説明した実例に限定されるものではなく、特許請求の範囲内で変更することができる。

【0079】

上記で説明した便益及び利点はいずれも、１つの実施例に関係する場合もあれば、いくつかの実施例に関係する場合もあることが理解されよう。実施例は、記載された問題の一部若しくはすべてを解決するもの、又は記載された便益及び利点の一部又はすべてを有するものに、限定されるものではない。

【0080】

「ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ」という用語は、この明細書では、１つ又は複数の追加の機能又は作用の存在を排除することなく、その後に続く機能又は作用を含むことを、意味するために使用される。「１つの」アイテムへの言及は、そうしたアイテムのうちの１つ又は複数を指すことが、さらに理解されよう。

【符号の説明】

【0081】

１００ 方法
１１０ 基板及びパターン形成されたマスク層を準備するステップ
１１１ コーティングに複数の細長い貫通孔を設けるステップ
１２０ １次乾式エッチングを実行するステップ
１２１ １次イオン
１２２ １次エッチング方向
１２３ １次投射
１２４ 基板に延在する溝を形成するステップ
１３０ 溝内に第１の材料を堆積させるステップ
１３１ 原子層堆積
１４０ 突条部分を露出させるステップ
１５０ ２次乾式エッチングを実行するステップ
１５１ ２次イオン
１５２ ２次エッチング方向
１５３ ２次投射
１５４ 格子間の形体をエッチング止めとして利用するステップ
２００ ブレーズド格子
２１０ 突条
２１１ ブレーズ・ファセット
２１２ ブレーズ・ファセット方向
２１３ 反ブレーズ・ファセット
２１４ 反ブレーズ・ファセット方向
２１５ 格子断面
２２０ 基板
２２１ 突条部分
２２２ 界面
２３０ マスク層
２３１ 貫通孔
２３２ コーティング
２４０ 溝
２５０ 第１の材料
２５１ 格子間の形体
２６０ 基部平面
２７０ 導波路
２７１ 面
２８０ ナノインプリント用スタンプ
２８１ 接触面

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図2E】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図3G】

【図3H】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【手続補正書】

【提出日】2024-01-11

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ブレーズ・ファセット方向に面するブレーズ・ファセットと、反ブレーズ・ファセット方向に面する反ブレーズ・ファセットとを有する突条を備える、ブレーズド格子を製造する方法（１００）であって、前記ブレーズ・ファセット方向及び前記反ブレーズ・ファセット方向が、格子断面に沿って延出し、前記方法が、
－ 基板、及び前記基板上に、パターン形成されたマスク層を準備する工程（１１０）と、
－ １次イオンが、１次エッチング方向に加速されて、前記基板に衝突するように、前記基板の１次乾式エッチングを実行する工程（１２０）と、
－ ２次イオンが、２次エッチング方向に加速されて、前記基板に衝突するように、前記基板の２次乾式エッチングを実行する工程（１５０）と
を含み、前記格子断面上への、前記１次エッチング方向の１次投射が、反ブレーズ・ファセット方向に対して垂直に延出し、前記格子断面上への、前記２次エッチング方向の２次投射が、前記ブレーズ・ファセット方向に対して垂直に延出し、前記格子断面上へ、前記ブレーズ・ファセット方向に対して垂直な投射方向に加速されたイオンが、前記基板をエッチングするために、平行化されて、平行化されたイオン・ビームを形成し、
前記方法（１００）が、２次乾式エッチングを実行する前記工程（１５０）の前に、前記基板の突条部分を露出させる工程を含まず、前記マスク層が、無機材料を含む、方法（１００）。

【請求項2】

１次乾式エッチングを実行する前記工程（１２０）が、前記１次エッチング方向に沿って前記基板に延在する溝を形成するステップ（１２４）を含み、前記方法（１００）が、格子間の形体を形成するために、第１の材料を前記溝内に堆積させる工程（１３０）を含み、２次乾式エッチングを実行する前記工程（１５０）が、前記格子間の形体をエッチング止めとして利用するステップ（１５４）を含む、請求項１に記載の方法（１００）。

【請求項3】

第１の材料を前記溝内に堆積させる前記工程（１３０）が、原子層堆積（１３１）ステップを含む、請求項２に記載の方法（１００）。

【請求項4】

前記基板と前記マスク層との間の界面が、基部平面に沿って延在し、前記１次投射又は前記２次投射が、前記基部平面に対して垂直に延出する、請求項１から３までのいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項5】

前記１次エッチング方向又は前記２次エッチング方向が、前記基部平面に対して垂直に延出する、請求項４に記載の方法（１００）。

【請求項6】

前記基板と前記マスク層との間の界面が、基部平面に沿って延在し、前記１次投射及び前記２次投射が、前記基部平面に対して斜めに延出する、請求項１から３までのいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項7】

基板及びパターン形成されたマスク層を準備する前記工程（１１０）が、前記基板上に配置されたコーティングに複数の細長い貫通孔を設けて、マスク層を形成するステップ（１１１）を含み、前記複数の細長い貫通孔が、前記格子断面に対して垂直に延在する、請求項１から６までのいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項8】

前記１次イオンが、１次エッチング状態の下で、前記マスク層との第１の１次化学反応性、及び前記基板との、前記第１の１次化学反応性よりも高い第２の１次化学反応性を示し、且つ／又は前記２次イオンが、２次エッチング状態の下で、前記マスク層との第１の２次化学反応性、及び前記基板との、前記第１の２次化学反応性よりも高い第２の２次化学反応性を示す、請求項１から７までのいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項9】

前記ブレーズド格子が、光を導波路内に結合するため、且つ／又は前記導波路の外へ結合するために、前記導波路の面上に形成される、請求項１から８までのいずれか一項に記載の方法（１００）。

【請求項10】

前記ブレーズド格子が、ナノインプリント用スタンプの接触面上に形成される、請求項１から８までのいずれか一項に記載の方法（１００）。

【国際調査報告】