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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-05-10
(54)【発明の名称】表示基板及び表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20240501BHJP
H10K 50/00 20230101ALI20240501BHJP
H10K 77/10 20230101ALI20240501BHJP
H10K 50/86 20230101ALI20240501BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240501BHJP
H10K 59/35 20230101ALI20240501BHJP
H10K 59/38 20230101ALI20240501BHJP
H10K 50/81 20230101ALI20240501BHJP
H10K 50/82 20230101ALI20240501BHJP
H10K 59/121 20230101ALI20240501BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 349C
G09F9/30 349B
G09F9/30 338
G09F9/30 365
H10K50/00
H10K77/10
H10K50/86 865
H10K59/122
H10K59/35
H10K59/35 553
H10K59/38
H10K50/81
H10K50/82
H10K59/121
H10K59/35 452
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022558517
(86)(22)【出願日】2021-11-04
(85)【翻訳文提出日】2022-09-27
(86)【国際出願番号】 CN2021128698
(87)【国際公開番号】W WO2022242048
(87)【国際公開日】2022-11-24
(31)【優先権主張番号】PCT/CN2021/094676
(32)【優先日】2021-05-19
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(31)【優先権主張番号】202110726472.5
(32)【優先日】2021-06-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】510280589
【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ
(71)【出願人】
【識別番号】511121702
【氏名又は名称】成都京東方光電科技有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＣＨＥＮＧＤＵ ＢＯＥ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１１８８，Ｈｅｚｕｏ Ｒｄ．，（Ｗｅｓｔ Ｚｏｎｅ），Ｈｉ－ｔｅｃｈ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ，Ｃｈｅｎｇｄｕ，Ｓｉｃｈｕａｎ，６１１７３１，Ｐ．Ｒ．ＣＨＩＮＡ
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】▲陳▼ 友春
(72)【発明者】
【氏名】郭 丹
(72)【発明者】
【氏名】李 ▲碩▼
(72)【発明者】
【氏名】高 洪成
(72)【発明者】
【氏名】▲鮑▼ 建▲東▼
(72)【発明者】
【氏名】王 ▲計▼▲偉▼
(72)【発明者】
【氏名】郭 ▲勝▼
(72)【発明者】
【氏名】侯 ▲鵬▼
(72)【発明者】
【氏名】▲劉▼ 月
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC07
3K107CC32
3K107DD11
3K107DD21
3K107DD26
3K107DD89
3K107EE06
3K107EE07
3K107EE22
3K107EE27
3K107EE66
3K107FF15
3K107HH05
5C094AA01
5C094AA22
5C094AA44
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094ED03
5C094ED15
5C094FA10
5C094JA08
(57)【要約】
表示基板及び表示装置を提供する。表示基板であって、アレイ状に配置される複数のサブ画素を有し、ベース基板（１０１）と、ベース基板（１０１）上に設けられる駆動回路層（１０２）と、駆動回路層（１０２）のベース基板（１０１）から離れる側に設けられる画素定義層（１０８）と、発光デバイス層と、発光デバイス層のベース基板（１０１）から離れる側に設けられるブラックマトリックス層（１１３）とを含み、複数のサブ画素のそれぞれは、駆動回路層（１０２）内に設けられる画素駆動回路と、発光デバイス層に設けられる発光デバイス（ＥＭ）とを含み、画素駆動回路は発光デバイス（ＥＭ）を駆動するように構成され、ブラックマトリックス層（１１３）はベース基板（１０１）の板面に垂直な方向においてそれぞれ複数のサブ画素の発光デバイス（ＥＭ）を露出させる複数の第１透光開口部（１０３１）を有し、画素定義層（１０８）は複数のサブ画素開口部（１０８１）を含み、少なくとも一部のサブ画素開口部（１０８１）は複数の第１透光開口部（１０３１）に１対１で対応し且つ少なくとも部分的に重なり、複数の第１透光開口部（１０３１）のうちの少なくとも１つは弧状エッジを有する。該表示基板はより良い表示効果を有する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示基板であって、アレイ状に配置される複数のサブ画素を有し、ベース基板と、前記ベース基板上に設けられる駆動回路層と、前記駆動回路層の前記ベース基板から離れる側に設けられる画素定義層と、発光デバイス層と、前記発光デバイス層の前記ベース基板から離れる側に設けられるブラックマトリックス層と、を含み、前記複数のサブ画素のそれぞれは前記駆動回路層内に設けられる画素駆動回路と、前記発光デバイス層に設けられる発光デバイスとを含み、前記画素駆動回路は前記発光デバイスを駆動するように構成され、
前記画素定義層は複数のサブ画素開口部を含み、前記発光デバイスは前記ベース基板から離れる方向において順に積層して設けられる第１電極層、発光材料層及び第２電極層を含み、前記画素定義層は前記第１電極層の前記ベース基板から離れる側に設けられ、且つ前記複数のサブ画素開口部はそれぞれ前記複数のサブ画素の発光デバイスの第１電極層を露出させ、
前記ブラックマトリックス層は前記ベース基板の板面に垂直な方向においてそれぞれ前記複数のサブ画素の発光デバイスを露出させる複数の第１透光開口部を有し、前記複数の第１透光開口部のうちの少なくとも１つは弧状エッジを有し、
前記ベース基板の板面に垂直な方向において、少なくとも一部の前記複数のサブ画素開口部は複数の第１透光開口部に１対１で対応し且つ少なくとも部分的に重なる、表示基板。
【請求項2】
前記ベース基板の板面に平行な方向において、前記複数の第１透光開口部のうちの少なくとも１つの平面形状は楕円形、半楕円形、円形、半円形、トラック形又は半トラック形である、請求項１に記載の表示基板。
【請求項3】
前記ベース基板の板面に平行な方向において、前記複数のサブ画素開口部のうちの少なくとも１つの平面形状は楕円形、半楕円形、円形、半円形、トラック形又は半トラック形である、請求項１に記載の表示基板。
【請求項4】
対応する１つのサブ画素開口部及び１つの第１透光開口部では、前記ベース基板の板面に平行な方向において、前記サブ画素開口部の平面形状と前記第１透光開口部の平面形状は同じである、請求項１から３のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項5】
前記サブ画素開口部の前記ベース基板上での正投影は前記第１透光開口部の前記ベース基板上での正投影内に位置する、請求項４に記載の表示基板。
【請求項6】
前記サブ画素開口部の前記ベース基板上での正投影のエッジと前記第１透光開口部の前記ベース基板上での正投影のエッジとの最小距離は１μｍ－３μｍである、請求項５に記載の表示基板。
【請求項7】
前記第１電極層は本体部及び接続部を含み、前記接続部は前記画素駆動回路に電気的に接続されるように構成され、前記本体部の少なくとも一部は前記サブ画素開口部により露出しており、前記ベース基板の板面に平行な方向において、前記本体部の平面形状と前記サブ画素開口部の平面形状は少なくとも部分的に同じである、請求項１から３のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項8】
前記サブ画素開口部の前記ベース基板上での正投影は前記本体部の前記ベース基板上での正投影内に位置する、請求項７に記載の表示基板。
【請求項9】
前記サブ画素開口部の前記ベース基板上での正投影のエッジと前記本体部の前記ベース基板上での正投影のエッジとの最小距離は１μｍ－５μｍである、請求項８に記載の表示基板。
【請求項10】
前記サブ画素開口部に対応して設けられる第１透光開口部の前記ベース基板上での正投影は前記本体部の前記ベース基板上での正投影内に位置する、請求項９に記載の表示基板。
【請求項11】
前記本体部の前記ベース基板上での正投影は前記サブ画素開口部に対応して設けられる第１透光開口部の前記ベース基板上での正投影内に位置する、請求項９に記載の表示基板。
【請求項12】
カラーフィルム層をさらに含み、前記カラーフィルム層は複数のカラーフィルムパターンを含み、前記複数のカラーフィルムパターンはそれぞれ前記複数の第１透光開口部に設けられる、請求項１から３のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項13】
前記ブラックマトリックス層は複数の第２透光開口部をさらに有し、前記複数の第２透光開口部はそれぞれ前記複数の第１透光開口部の間に設けられ、前記駆動回路層は複数の透光部を含み、少なくとも一部の前記複数の第２透光開口部は少なくとも一部の前記複数の透光部に１対１で対応して設けられ、前記ベース基板の板面と所定の角度範囲をなす光を透過できるように構成される、請求項１から３のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項14】
対応して設けられる第２透光開口部及び透光部では、前記ベース基板の板面に平行な方向において、前記第２透光開口部の平面サイズは前記透光部の平面サイズ未満である、請求項１３に記載の表示基板。
【請求項15】
対応して設けられる第２透光開口部及び透光部では、前記第２透光開口部の前記ベース基板上での正投影と前記透光部の前記ベース基板上での正投影は少なくとも部分的に重なる、請求項１４に記載の表示基板。
【請求項16】
前記複数のサブ画素は赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含み、前記赤色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は略第１楕円形であり、
前記緑色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は略第２楕円形であり、前記第２楕円形の長軸の長さは前記第１楕円形の長軸の長さ未満であり、前記第２楕円形の短軸の長さは前記第１楕円形の短軸の長さ未満であり、又は、前記緑色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は略半楕円形であり、
前記青色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は略第３楕円形であり、前記第３楕円形の長軸の長さは前記第１楕円形の長軸の長さ未満であり、前記第３楕円形の短軸の長さは前記第１楕円形の短軸の長さよりも大きい、請求項１から３のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項17】
前記赤色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は、対向する第１弧状エッジと第２弧状エッジ、及び前記第１弧状エッジと前記第２弧状エッジとの交差位置にある第１先端と第２先端を含み、前記第１先端と前記第２先端は対向し、前記青色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は、対向する第３弧状エッジと第４弧状エッジ、及び前記第３弧状エッジと前記第４弧状エッジとの交差位置にある第３先端と第４先端を含み、前記第３先端と前記第４先端は対向し、
前記緑色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は、第５弧状エッジ、及び前記第５弧状エッジの一端に位置する第５先端を含む、請求項１６に記載の表示基板。
【請求項18】
前記緑色サブ画素に対応するサブ画素開口部は第６弧状エッジ、及び前記第６弧状エッジの一端に位置する第６先端を含み、前記緑色サブ画素の発光デバイスの第１電極層の本体部は第７弧状エッジを含み、前記第７弧状エッジは先端を含まない、請求項１７に記載の表示基板。
【請求項19】
前記複数のサブ画素は赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含み、前記赤色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は略第１トラック形であり、
前記緑色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は略第２トラック形であり、前記第２トラック形の長軸の長さは前記第１トラック形の長軸の長さ未満であり、前記第２トラック形の短軸の長さは前記第１トラック形の短軸の長さ未満であり、又は、前記緑色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は略半トラック形であり、
前記青色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は略第３トラック形であり、前記第３トラック形の長軸の長さは前記第１トラック形の長軸の長さ未満であり、前記第３トラック形の短軸の長さは前記第１トラック形の短軸の長さよりも大きい、請求項１から３のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項20】
１つの赤色サブ画素、２つの緑色サブ画素及び１つの青色サブ画素は１つの画素単位を構成し、前記複数のサブ画素から構成される複数の画素単位は前記ベース基板上にアレイ状に配置される、請求項１６に記載の表示基板。
【請求項21】
請求項１から２０のいずれか一項に記載の表示基板を含む、表示装置。
【請求項22】
紋様タッチ表面及び画像センサアレイをさらに含み、前記画像センサアレイは前記駆動回路層の前記発光デバイス層から離れる側に設けられ、複数の画像センサを含み、前記複数の画像センサは、紋様収集を行うために、前記発光デバイス層の複数の発光デバイスから発し且つ前記紋様タッチ表面の紋様に反射されて前記複数の画像センサに到達する光を受光できるように構成される、請求項２１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、２０２１年５月１９日に提出された国際出願第ＰＣＴ／ＣＮ２０２１／０９４６７６号の優先権及び２０２１年６月２９日に提出された中国特許出願第２０２１１０７２６４７２．５号の優先権を主張し、ここで上記中国特許出願に開示されている全内容が引用により本願の一部として組み込まれている。
【0002】
本開示の実施例は表示基板及び表示装置に関する。
【背景技術】
【0003】
ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、有機発光ダイオード）表示装置は自発光、高コントラスト、高解像度、広視野角、低消費電力、高応答速度、及び低製造コストなどの一連の利点を有し、次世代の表示装置の主要な発展方向の１つとなり、従って、ますます注目を集めている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0004】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板を提供し、該表示基板はアレイ状に配置される複数のサブ画素を有し、ベース基板と、前記ベース基板上に設けられる駆動回路層と、前記駆動回路層の前記ベース基板から離れる側に設けられる画素定義層と、発光デバイス層と、前記発光デバイス層の前記ベース基板から離れる側に設けられるブラックマトリックス層と、を含み、前記複数のサブ画素のそれぞれは前記駆動回路層内に設けられる画素駆動回路と、前記発光デバイス層に設けられる発光デバイスとを含み、前記画素駆動回路は前記発光デバイスを駆動するように構成され、前記画素定義層は複数のサブ画素開口部を含み、前記発光デバイスは前記ベース基板から離れる方向において順に積層して設けられる第１電極層、発光材料層及び第２電極層を含み、前記画素定義層は前記第１電極層の前記ベース基板から離れる側に設けられ、且つ前記複数のサブ画素開口部はそれぞれ前記複数のサブ画素の発光デバイスの第１電極層を露出させ、前記ブラックマトリックス層は前記ベース基板の板面に垂直な方向においてそれぞれ前記複数のサブ画素の発光デバイスを露出させる複数の第１透光開口部を有し、前記複数の第１透光開口部のうちの少なくとも１つは弧状エッジを有し、前記ベース基板の板面に垂直な方向において、少なくとも一部の前記複数のサブ画素開口部は複数の第１透光開口部に１対１で対応し且つ少なくとも部分的に重なる。
【0005】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記ベース基板の板面に平行な方向において、前記複数の第１透光開口部のうちの少なくとも１つの平面形状は楕円形、半楕円形、円形、半円形、トラック形又は半トラック形である。
【0006】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記ベース基板の板面に平行な方向において、前記複数のサブ画素開口部のうちの少なくとも１つの平面形状は楕円形、半楕円形、円形、半円形、トラック形又は半トラック形である。
【0007】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、対応する１つのサブ画素開口部及び１つの第１透光開口部では、前記ベース基板の板面に平行な方向において、前記サブ画素開口部の平面形状と前記第１透光開口部の平面形状は同じである。
【0008】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記サブ画素開口部の前記ベース基板上での正投影は前記第１透光開口部の前記ベース基板上での正投影内に位置する。
【0009】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記サブ画素開口部の前記ベース基板上での正投影のエッジと前記第１透光開口部の前記ベース基板上での正投影のエッジとの最小距離は１μｍ－３μｍである。
【0010】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記第１電極層は本体部及び接続部を含み、前記接続部は前記画素駆動回路に電気的に接続されるように構成され、前記本体部の少なくとも一部は前記サブ画素開口部により露出しており、前記ベース基板の板面に平行な方向において、前記本体部の平面形状と前記サブ画素開口部の平面形状は少なくとも部分的に同じである。
【0011】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記サブ画素開口部の前記ベース基板上での正投影は前記本体部の前記ベース基板上での正投影内に位置する。
【0012】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記サブ画素開口部の前記ベース基板上での正投影のエッジと前記本体部の前記ベース基板上での正投影のエッジとの最小距離は１μｍ－５μｍである。
【0013】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記サブ画素開口部に対応して設けられる第１透光開口部の前記ベース基板上での正投影は前記本体部の前記ベース基板上での正投影内に位置する。
【0014】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記本体部の前記ベース基板上での正投影は前記サブ画素開口部に対応して設けられる第１透光開口部の前記ベース基板上での正投影内に位置する。
【0015】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板は、カラーフィルム層をさらに含み、前記カラーフィルム層は複数のカラーフィルムパターンを含み、前記複数のカラーフィルムパターンはそれぞれ前記複数の第１透光開口部に設けられる。
【0016】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記ブラックマトリックス層は複数の第２透光開口部をさらに有し、前記複数の第２透光開口部はそれぞれ前記複数の第１透光開口部の間に設けられ、前記駆動回路層は複数の透光部を含み、少なくとも一部の前記複数の第２透光開口部は少なくとも一部の前記複数の透光部に１対１で対応して設けられ、前記ベース基板の板面と所定の角度範囲をなす光を透過できるように構成される。
【0017】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、対応して設けられる第２透光開口部及び透光部では、前記ベース基板の板面に平行な方向において、前記第２透光開口部の平面サイズは前記透光部の平面サイズ未満である。
【0018】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、対応して設けられる第２透光開口部及び透光部では、前記第２透光開口部の前記ベース基板上での正投影と前記透光部の前記ベース基板上での正投影は少なくとも部分的に重なる。
【0019】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記複数のサブ画素は赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含み、前記赤色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は略第１楕円形であり、前記緑色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は略第２楕円形であり、前記第２楕円形の長軸の長さは前記第１楕円形の長軸の長さ未満であり、前記第２楕円形の短軸の長さは前記第１楕円形の短軸の長さ未満であり、又は、前記緑色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は略半楕円形であり、前記青色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は略第３楕円形であり、前記第３楕円形の長軸の長さは前記第１楕円形の長軸の長さ未満であり、前記第３楕円形の短軸の長さは前記第１楕円形の短軸の長さよりも大きい。
【0020】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記赤色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は、対向する第１弧状エッジと第２弧状エッジ、及び前記第１弧状エッジと前記第２弧状エッジとの交差位置にある第１先端と第２先端を含み、前記第１先端と前記第２先端は対向し、前記青色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は、対向する第３弧状エッジと第４弧状エッジ、及び前記第３弧状エッジと前記第４弧状エッジとの交差位置にある第３先端と第４先端を含み、前記第３先端と前記第４先端は対向し、前記緑色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は、第５弧状エッジ、及び前記第５弧状エッジの一端に位置する第５先端を含む。
【0021】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記緑色サブ画素に対応するサブ画素開口部は第６弧状エッジ、及び前記第６弧状エッジの一端に位置する第６先端を含み、前記緑色サブ画素の発光デバイスの第１電極層の本体部は第７弧状エッジを含み、前記第７弧状エッジは先端を含まない。
【0022】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記複数のサブ画素は赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含み、前記赤色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は略第１トラック形であり、前記緑色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は略第２トラック形であり、前記第２トラック形の長軸の長さは前記第１トラック形の長軸の長さ未満であり、前記第２トラック形の短軸の長さは前記第１トラック形の短軸の長さ未満であり、又は、前記緑色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は略半トラック形であり、前記青色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は略第３トラック形であり、前記第３トラック形の長軸の長さは前記第１トラック形の長軸の長さ未満であり、前記第３トラック形の短軸の長さは前記第１トラック形の短軸の長さよりも大きい。
【0023】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、１つの赤色サブ画素、２つの緑色サブ画素及び１つの青色サブ画素は１つの画素単位を構成し、前記複数のサブ画素から構成される複数の画素単位は前記ベース基板上にアレイ状に配置される。
【0024】
本開示の少なくとも１つの実施例は、本開示の実施例に係る表示基板を含む表示装置を提供する。
【0025】
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示装置は、紋様タッチ表面及び画像センサアレイをさらに含み、前記画像センサアレイは前記駆動回路層の前記発光デバイス層から離れる側に設けられ、複数の画像センサを含み、前記複数の画像センサは紋様収集を行うために、前記発光デバイス層の複数の発光デバイスから発し且つ前記紋様タッチ表面の紋様に反射されて前記複数の画像センサに到達する光を受光できるように構成される。
【0026】
本開示の実施例の技術案をより明確に説明するために、以下、実施例の図面を簡単に説明し、明らかなように、以下説明される図面は単に本開示のいくつかの実施例に関するものであり、本開示を制限しない。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【図1】表示基板の一部の断面模式図である。
【図2】表示基板の画素定義層のサブ画素開口部及びブラックマトリックス層のサブ画素出光開口部の平面模式図である。
【図3】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の部分断面模式図である。
【図4A】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の画素定義層のサブ画素開口部、ブラックマトリックス層の第１透光開口部及び発光デバイスの第１電極層の平面模式図である。
【図4B】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の画素定義層のサブ画素開口部、ブラックマトリックス層の第１透光開口部及び発光デバイスの第１電極層の別の平面模式図である。
【図5】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の別の部分の断面模式図である。
【図6】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の複数のサブ画素の平面配置図である。
【図8A】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の複数のサブ画素の別の平面配置図である。
【図9】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の複数のサブ画素のさらに別の平面配置図である。
【図11A】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の複数のサブ画素のさらに別の平面配置図である。
【図12】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の平面模式図である。
【図13】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板のブラックマトリックス層及びカラーフィルム層の平面模式図である。
【図14A】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の画素駆動回路の模式図である。
【図14B】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の別の画素駆動回路の模式図である。
【図15】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の各機能層の部分平面模式図及び各機能層を順に積層した後の部分平面模式図である。
【図16A】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の各機能層の部分平面模式図及び各機能層を順に積層した後の部分平面模式図である。
【図16B】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の各機能層の部分平面模式図及び各機能層を順に積層した後の部分平面模式図である。
【図17A】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の各機能層の部分平面模式図及び各機能層を順に積層した後の部分平面模式図である。
【図17B】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の各機能層の部分平面模式図及び各機能層を順に積層した後の部分平面模式図である。
【図18A】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の各機能層の部分平面模式図及び各機能層を順に積層した後の部分平面模式図である。
【図18B】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の各機能層の部分平面模式図及び各機能層を順に積層した後の部分平面模式図である。
【図19A】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の各機能層の部分平面模式図及び各機能層を順に積層した後の部分平面模式図である。
【図19B】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の各機能層の部分平面模式図及び各機能層を順に積層した後の部分平面模式図である。
【図20】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の各機能層の部分平面模式図及び各機能層を順に積層した後の部分平面模式図である。
【図21A】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の各機能層の部分平面模式図及び各機能層を順に積層した後の部分平面模式図である。
【図21B】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の各機能層の部分平面模式図及び各機能層を順に積層した後の部分平面模式図である。
【図22】本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示装置の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0028】
本開示の実施例の目的、技術案及び利点をより明確にするために、以下、本開示の実施例の図面を参照しながら本開示の実施例の技術案を明確かつ完全に説明する。明らかなように、説明される実施例は本開示の一部の実施例であり、すべての実施例ではない。説明される本開示の実施例に基づいて、当業者が創造的な労働をせずに取得するほかの実施例はすべて本開示の保護範囲に属する。
【0029】
別途定義しない限り、本開示に使用される技術用語又は科学用語は当業者が理解する通常の意味を有するべきである。本開示に使用される「第１」、「第２」及び類似する単語はいかなる順序、数又は重要性を示すものでもなく、単に異なる構成部分を区別することに用いられる。「含む」又は「包含」などの類似する単語は該単語の後に出現する素子又は物品が該単語の前にリストされる素子又は物品及びその同等物をカバーするが、ほかの素子又は部品を除外しない。「接続」又は「連結」などの類似する単語は物理的又は機械的接続に限定されず、直接か間接的かを問わず電気的接続を含む。「上」、「下」、「左」、「右」などは単に相対的な位置関係を示すことに用いられ、説明される対象の絶対位置が変化すると、該相対的な位置関係も対応して変化する可能性がある。
【0030】
スクリーンによる光反射を防止するために、従来のＯＬＥＤ表示基板は通常、表示基板上に１層の偏光板を貼り付けることで、表示基板の周囲光での使用快適性を向上させる。しかしながら、本開示の発明者は、偏光板の透過率が通常４０％程度だけであり、その結果、表示基板の光取り出し率が低く、さらに表示基板の消費電力が高いことを見出した。
【0031】
いくつかの実施例では、ＣＯＥ（Ｃｏｖｅｒ ｆｉｌｍ Ｏｎ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）技術、すなわち、カラーフィルム（ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｍ、ＣＦ）で偏光板を置き換える技術を使用して、表示基板の光取り出し率を向上させ、また、該技術は表示基板の高集積化、軽量薄型化の発展に有利である。
【0032】
例えば、図１は例示的にＣＯＥ技術を使用した表示基板の一部の断面模式図を示し、図１に示すように、表示基板は画素定義層Ｅ、発光デバイス、ブラックマトリックス層Ｃ及び封入層Ｆなどの構造を有する。画素定義層Ｅはサブ画素開口部Ｅ１を有し、サブ画素開口部Ｅ１は発光デバイスの陽極Ｄを露出させ、サブ画素開口部Ｅ１内及び陽極Ｄ上に発光デバイスの発光層Ｂ１及び陰極Ｂ２が形成され、サブ画素開口部Ｅ１により画定される範囲内に発光層Ｂ１は陽極Ｄに接触し、発光層Ｂ１は陽極Ｄと陰極Ｂ２により共同で駆動されて発光でき、それによって、サブ画素開口部Ｅ１により画定される領域はサブ画素の有効発光領域である。封入層Ｆは発光デバイス上に設けられ、ブラックマトリックス層Ｃは封入層Ｆ上に設けられ、ブラックマトリックス層Ｃは、サブ画素の発光デバイスが発する光を出射させるようにサブ画素の有効発光領域を露出させることに用いられるサブ画素出光開口部Ｃ１を有する。例えば、サブ画素出光開口部Ｃ１内にカラーフィルムＡが形成され、カラーフィルムＡの色は発光デバイスの発光層が発する光の色と同じであり、さらに表示基板の出光の純度を向上させるとともに、表示基板の光取り出し率を向上させることができ、又は、発光デバイスの発光層は白色光を発し、カラーフィルムＡを追加すると、単色光を形成できる。
【0033】
しかしながら、本開示の発明者は、図１に示すように、外光（図１の矢印を参照）はサブ画素出光開口部Ｃ１のエッジを通過して回折し、且つ外光が発光デバイスの陽極及び陰極により反射された光もサブ画素出光開口部Ｃ１のエッジを通過して回折し、それによって、表示基板の色分離現象が発生し、すなわち、外光及び外光が発光デバイスの陽極及び陰極により反射された光はサブ画素出光開口部Ｃ１のエッジで色が発生する現象であることを見出した。研究をしたところ、上記回折現象による回折光の範囲（回折光の形状）はサブ画素出光開口部Ｃ１の形状及び大きさに関係していることをわかった。
【0034】
例えば、図２は例示的な表示基板の１つのサブ画素に対応する画素定義層のサブ画素開口部及びブラックマトリックス層のサブ画素出光開口部の平面模式図であり、図２に示すように、画素定義層Ｅのサブ画素開口部Ｅ１により画定される領域の平面形状は六角形であり、これに対応して、ブラックマトリックス層Ｃのサブ画素出光開口部Ｃ１により画定される領域の平面形状も六角形である。ＣＯＥ技術を使用した表示基板におけるブラックマトリックス層Ｃのサブ画素出光開口部Ｃ１が小さく、例えば、λ＊１０２オーダーであるため、従来のサブ画素配列では、例えば、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を有するサブ画素配列では、六角形のサブ画素出光開口部Ｃ１で、表示基板は外光の下（例えば、点光源の下）で単色光（赤色、緑色や青色など）の回折効果が不可避的に発生し、且つ異なる色のサブ画素の発光デバイスの発光効率は異なり、異なる色のサブ画素に対応する画素定義層Ｅのサブ画素開口部Ｅ１の形状及びサイズも通常異なり、開口部サイズが狭いサブ画素と開口部サイズが短いサブ画素に発生する回折現象はさらに深刻であり、これらの回折現象はさらに色分離現象の程度を悪化させる。
【0035】
ただし、本開示の実施例では、色分離現象とは、表示基板の消灯状態では、外光の下（例えば、点光源、線光源の下）で、反射光に色（例えば、赤色、緑色及び青色）の分離が発生する現象である。
【0036】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板及び表示装置を提供し、該表示基板はアレイ状に配置される複数のサブ画素を有し、ベース基板と、ベース基板上に設けられる駆動回路層と、駆動回路層のベース基板から離れる側に設けられる画素定義層と、発光デバイス層と、発光デバイス層のベース基板から離れる側に設けられるブラックマトリックス層と、を含み、複数のサブ画素のそれぞれは駆動回路層内に設けられる画素駆動回路と、発光デバイス層に設けられる発光デバイスとを含み、画素駆動回路は発光デバイスを駆動するように構成され、画素定義層は複数のサブ画素開口部を含み、発光デバイスはベース基板から離れる方向において順に積層して設けられる第１電極層、発光材料層及び第２電極層を含み、画素定義層は第１電極層のベース基板から離れる側に設けられ、複数のサブ画素開口部はそれぞれ複数のサブ画素の発光デバイスの第１電極層を露出させ、ブラックマトリックス層はベース基板の板面に垂直な方向において複数のサブ画素の発光デバイスをそれぞれ露出させる複数の第１透光開口部を有し、複数の第１透光開口部のうちの少なくとも１つは弧状エッジを有し、ベース基板の板面に垂直な方向において、少なくとも一部の複数のサブ画素開口部と複数の第１透光開口部は１対１で対応し且つ少なくとも部分的に重なる。
【0037】
本開示の少なくとも１つの実施例に係る上記表示基板では、複数の第１透光開口部のうちの少なくとも１つは弧状エッジを有し、該弧状エッジは外光がブラックマトリックス層の第１透光開口部のエッジで回折して表示基板の色分離を引き起こすという現象を低減さらに解消し、さらに表示基板の表示効果を向上させることができる。
【0038】
以下、いくつかの具体的な実施例を参照しながら本開示の実施例に係る表示基板及び表示装置を詳細に説明する。
【0039】
図３は本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の断面模式図を示し、図３に示すように、該表示基板はアレイ状に配置される複数のサブ画素を有し、図３には１つのサブ画素が例として示され、該表示基板は、ベース基板１０１と、ベース基板１０１上に設けられる駆動回路層１０２と、駆動回路層１０２のベース基板１０１から離れる側に設けられる発光デバイス層と、発光デバイス層のベース基板１０１から離れる側に設けられるブラックマトリックス層１１３と、を含む。
【0040】
図３に示すように、各サブ画素は、駆動回路層１０２内に設けられる画素駆動回路と、発光デバイス層に設けられる発光デバイスＥＭとを含み、画素駆動回路は発光デバイスＥＭを駆動するように構成される。ブラックマトリックス層１１３は、ベース基板１０１の板面に垂直な方向において（すなわち、図中の垂直方向）複数のサブ画素の発光デバイスＥＭをそれぞれ露出させる複数の第１透光開口部１１３１を有し、複数のサブ画素の発光デバイスＥＭが発する光をそれぞれ透過する。例えば、図４Ａは該第１透光開口部１１３１の平面模式図を示し、すなわち、ベース基板１０１の板面に平行な方向における平面模式図であり、図４Ａに示すように、少なくとも１つの第１透光開口部１１３１は弧状エッジを有し、例えば、各第１透光開口部１１３１はいずれも弧状エッジを有する。
【0041】
例えば、いくつかの実施例では、図４Ａに示すように、ベース基板１０１の板面に平行な方向において、少なくとも１つの第１透光開口部１１３１（例えば、各第１透光開口部１１３１）の平面形状は略楕円形（又は、マンゴー形ともいう）、半楕円形、円形、半円形、トラック形（図示される場合）又は半トラック形などの形状又はその変形形状である。
【0042】
ただし、本開示の実施例では、トラック形とは、１つの長方形と該長方形の対向する両側の２つの円弧とによって形成されるトラックと類似する形状であり、該トラック形は、対向して平行に設けられる２つの直辺及び対向して設けられる２つの円弧を有する。マンゴー形は楕円形の変形形状としてみなされてもよく、対向して設けられる２つの弧状エッジを有し、具体的には、後で説明される図６及び図７を参照できる。
【0043】
例えば、図３に示すように、各サブ画素の画素駆動回路は少なくとも１つの薄膜トランジスタＴＦＴ及び記憶コンデンサＣｓｔなどの構造を含む。薄膜トランジスタＴＦＴは活性層１０２１、ゲート１０２２、ソース１０２３及びドレイン１０２４などを含む。薄膜トランジスタＴＦＴのソース１０２３は発光デバイスＥＭの第１電極層１０４に電気的に接続される。例えば、記憶コンデンサＣｓｔは第１コンデンサ電極Ｃ１及び第２コンデンサ電極Ｃ２を含む。例えば、記憶コンデンサＣｓｔの第１コンデンサ電極Ｃ１は薄膜トランジスタＴＦＴのゲート１０２２と同じ層に設けられる。
【0044】
例えば、画素駆動回路は２Ｔ１Ｃ（２つの薄膜トランジスタと１つの記憶コンデンサ）、６Ｔ１Ｃ（６つの薄膜トランジスタと１つの記憶コンデンサ）などの構造として形成されてもよく、それにより複数の薄膜トランジスタを含み、該複数の薄膜トランジスタは図３に示す積層構造と類似する又は同じ構造を有し、図３には発光デバイスに直接接続される薄膜トランジスタのみが示され、該薄膜トランジスタは駆動薄膜トランジスタであってもよく、発光制御薄膜トランジスタなどであってもよい。
【0045】
また、ただし、本開示の実施例では、「同じ層に設けられる」とは、２つの機能層又は構造層が表示基板の階層構造において同じ層にあり且つ同じ材料で形成されることを指し、すなわち、製造プロセスでは、該２つの機能層又は構造層は同一の材料層で形成されてもよく、且つ同一のパターニングプロセスによって所要のパターン及び構造を形成してもよい。
【0046】
また、図３に示すように、ディスプレイパネルは、ベース基板１０１上に設けられる緩衝層１０３、活性層１０２１上に設けられる第１ゲート絶縁層１０２４、ゲート１０２２及び第１コンデンサ電極Ｃ１上に設けられる第２ゲート絶縁層１０２５、第２コンデンサ電極ＣＥ２上に設けられる層間絶縁層１０２６、ソース１０２３及びドレイン１０２４上に設けられるパッシベーション層１０２７、及びパッシベーション層１０２７上に設けられる平坦化層１０９などの構造をさらに含んでもよい。
【0047】
例えば、いくつかの実施例では、図３に示すように、表示基板は駆動回路層１０２のベース基板１０１から離れる側に設けられる画素定義層１０８をさらに含んでもよく、例えば、画素定義層１０８は平坦化層１０９上に設けられ、画素定義層１０８は複数のサブ画素開口部１０８１を含み、発光デバイスＥＭはベース基板１０１から離れる方向において順に積層して設けられる第１電極層１０４、発光材料層１０５及び第２電極層１０６を含み、画素定義層１０８は第１電極層１０４のベース基板１０１から離れる側に設けられ、複数のサブ画素開口部１０８１は複数のサブ画素の発光デバイスＥＭの第１電極層１０４をそれぞれ露出させる。ベース基板１０１の板面に垂直な方向において、すなわち、図中の垂直方向において、複数のサブ画素開口部１０８１と複数の第１透光開口部１１３１は１対１で対応し且つ少なくとも部分的に重なる。それによって、発光デバイスＥＭが発する光は第１透光開口部１１３１から出射でき、それによって表示効果を実現する。
【0048】
例えば、いくつかの実施例では、図４Ａに示すように、ベース基板１０１の板面に平行な方向において、少なくとも１つのサブ画素開口部１０８１の平面形状は略楕円形（又は、マンゴー形ともいう）、半楕円形、円形、半円形、トラック形（図示される場合）又は半トラック形などの形状又はその変形形状である。
【0049】
例えば、いくつかの実施例では、図４Ａに示すように、対応する１つのサブ画素開口部１０８１及び１つの第１透光開口部１１３１では、ベース基板１０１の板面に平行な方向において、サブ画素開口部１０８１の平面形状と第１透光開口部１１３１の平面形状は同じであり、図示されるように、いずれもトラック形である。
【0050】
例えば、いくつかの実施例では、図４Ａに示すように、サブ画素開口部１０８１のベース基板１０１上での正投影は第１透光開口部１１３１のベース基板１０１上での正投影内に位置し、すなわち、サブ画素開口部１０８１の平面サイズは第１透光開口部１１３１の平面サイズ未満である。
【0051】
サブ画素開口部１０８１により画定される範囲内において、発光材料層１０５が第１電極層１０４に接触し、発光材料層１０５が第１電極層１０４と第２電極層１０６に共同で駆動されて発光可能であり、それによって、サブ画素開口部１０８１により画定される領域は該サブ画素の有効発光領域である。サブ画素開口部１０８１の平面形状が第１透光開口部１１３１の平面形状と略同じであるように設計され、且つサブ画素開口部１０８１の平面サイズが第１透光開口部１１３１の平面サイズ未満であることにより、該サブ画素の有効発光領域は第１透光開口部１１３１により十分に露出し、該サブ画素の発光デバイスが発する光は第１透光開口部１１３１から十分に出射でき、それによって表示基板はサブ画素の発光デバイスが発する光を十分に使用して表示を行うことができ、表示基板の出光率を向上させ、エネルギー消費量を節約する。
【0052】
例えば、いくつかの実施例では、図４Ａに示すように、サブ画素開口部１０８１のベース基板１０１上での正投影のエッジと第１透光開口部１１３１のベース基板１０１上での正投影のエッジとの最小距離Ｄ１は１μｍ－３μｍであり、例えば、１．５μｍ、２μｍ又は２．５μｍなどであり、すなわち、サブ画素開口部１０８１は第１透光開口部１１３１に対して１μｍ－３μｍ食い込んでいることによって、サブ画素開口部１０８１により画定される有効発光領域が第１透光開口部１１３１により十分に露出している。
【0053】
例えば、いくつかの実施例では、図３及び図４Ａに示すように、第１電極層１０４は本体部１０４１及び接続部１０４２を含み、接続部１０４２は画素駆動回路に電気的に接続されるように構成され、本体部１０４１の少なくとも一部はサブ画素開口部１０８１により露出している。例えば、ベース基板１０１の板面に平行な方向において、本体部１０４１の平面形状とサブ画素開口部１０８１の平面形状は同じである。
【0054】
例えば、いくつかの実施例では、図４Ａに示すように、サブ画素開口部１０８１のベース基板１０１上での正投影は本体部１０４１のベース基板１０１上での正投影内に位置する。それによって、被サブ画素開口部１０８１により露出する本体部１０４１の形状及びサイズはサブ画素開口部１０８１の形状及びサイズに等しく、従って、製造過程では、サブ画素開口部１０８１のサイズを設計することによって各サブ画素の有効発光面積を取得でき、また、サイズが大きい本体部１０４１はさらに製造過程でサブ画素開口部１０８１に生じ得る位置ずれに対応する余裕を提供する。
【0055】
例えば、いくつかの実施例では、図４Ａに示すように、サブ画素開口部１０８１のベース基板１０１上での正投影のエッジと本体部１０４１のベース基板１０１上での正投影のエッジとの最小距離Ｄ２は１μｍ－５μｍであり、例えば、２．５μｍ、３μｍ又は３．５μｍなどであり、すなわち、サブ画素開口部１０８１は本体部１０４１に対して１μｍ－５μｍ食い込んでいる。
【0056】
例えば、いくつかの実施例では、図４Ａに示すように、サブ画素開口部１０８１に対応して設けられる第１透光開口部１１３１のベース基板１０１上での正投影は本体部１０４１のベース基板１０１上での正投影内に位置し、すなわち、ベース基板１０１の板面に平行な方向において、本体部１０４１、第１透光開口部１１３１及びサブ画素開口部１０８１の平面サイズは徐々に小さくなる。該設計は、表示基板の製造の歩留まりを向上させ、表示基板の出光率を向上させ、表示基板の色分離現象を低減さらに解消することに有利である。
【0057】
例えば、別のいくつかの実施例では、図４Ｂに示すように、本体部１０４１のベース基板１０１上での正投影はサブ画素開口部１０８１に対応して設けられる第１透光開口部１１３１のベース基板１０１上での正投影内に位置する。このとき、第１透光開口部１１３１は本体部１０４１の形状と略同じであり、第１透光開口部１１３１は本体部１０４１に対して食み出しており、該手段も表示基板の出光率を向上させ、表示基板の色分離現象を低減さらに解消することができる。
【0058】
例えば、いくつかの実施例では、図３に示すように、表示基板は、画素定義層１０８上に設けられるスペーサ１０７、及びサブ画素の発光デバイスＥＭ上に設けられる封入層ＥＮなどの構造をさらに含んでもよく、例えば、封入層ＥＮは、その封入効果を向上させるために、複数のサブ封入層を含んでもよい。例えば、封入層ＥＮは複合封入層であってもよく、第１無機封入層１１０、第２有機封入層１１１及び第３無機封入層１１２を含む。例えば、第１無機封入層１１０及び第２無機封入層１１２は窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素などの無機材料から形成されてもよく、第１有機封入層１１１はポリイミド（ＰＩ）、エポキシ樹脂などの有機材料から形成されてもよい。該複合封入層はディスプレイパネルにおける機能構造に対して多重保護を形成でき、より良い封入効果を有する。
【0059】
例えば、別のいくつかの実施例では、図５に示すように、表示基板は接続電極１０４３をさらに含んでもよく、サブ画素の発光デバイスＥＭの第１電極層１０４は該接続電極１０４３によって薄膜トランジスタＴＦＴのソース１０２３に電気的に接続される。例えば、接続電極１０４３上にもう１つの平坦化層１０９１がさらに形成され、このとき、画素定義層１０８は該平坦化層１０９１上に設けられる。図５に示す表示基板について、ほかの構造は図３及び図４Ａに示す表示基板の説明を参照でき、ここでは詳細に説明しない。
【0060】
例えば、本開示の実施例では、ベース基板１０１はポリイミド（ＰＩ）などのフレキシブル絶縁材料又はガラス基板などの剛性絶縁材料を含んでもよい。例えば、いくつかの例では、ベース基板１０１は複数のフレキシブル層と複数のバリア層が交互に設けられた積層構造であってもよい。このとき、フレキシブル層はポリイミドを含んでもよく、バリア層は酸化ケイ素、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素などの無機絶縁材料を含んでもよい。例えば、緩衝層１０３は窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素などの無機材料を含んでもよい。活性層１０２１はポリシリコン及び金属酸化物などの材料を使用でき、第１ゲート絶縁層１０２４及び第２ゲート絶縁層１０２５は酸化ケイ素、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素などの無機絶縁材料を使用でき、ゲート１０２２及び第１コンデンサ電極Ｃ１は銅、アルミニウム、チタン、コバルトなどの金属材料を使用でき、例えば、単層構造又は多層構造として形成でき、例えば、チタン／アルミニウム／チタン、モリブデン／アルミニウム／モリブデンなどの多層構造が挙げられ、第２コンデンサ電極Ｃ２は銅、アルミニウム、チタン、コバルトなどの金属又は合金材料を使用でき、層間絶縁層１０２６は酸化ケイ素、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素などの無機絶縁材料を使用でき、パッシベーション層１０２７は酸化ケイ素、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素などの無機絶縁材料を使用でき、例えば、いくつかの実施例では、表示基板は図３及び図５に示すパッシベーション層がなくてもよい。ソースドレイン１０２３及び１０２４は銅、アルミニウム、チタン、コバルトなどの金属材料を使用でき、例えば、単層構造又は多層構造として形成でき、例えば、チタン／アルミニウム／チタン、モリブデン／アルミニウム／モリブデンなどの多層構造が挙げられ、第１電極層１０４は例えば陽極層であり、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの金属酸化物又はＡｇ、Ａｌ、Ｍｏなどの金属又はその合金を含む。発光材料層１０５の材料は有機発光材料であってもよく、例えば、発光材料層１０５の材料はニーズに応じて特定の色の光（例えば、赤色光、青色光又は緑色光など）を発することができる発光材料を選択できる。第２電極層１０６は例えば、陰極層であり、Ｍｇ、Ｃａ、Ｌｉ又はＡｌなどの金属又はその合金、又はＩＺＯ、ＺＴＯなどの金属酸化物、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ３，４－エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸塩）などの導電性有機材料を含む。平坦化層１０９（及び平坦化層１０９１）、画素定義層１０８及びスペーサ１０７はポリイミドなどの有機絶縁材料を使用できる。本開示の実施例は各機能層の材料を特に限定しない。
【0061】
例えば、いくつかの実施例では、図３に示すように、表示基板はカラーフィルム層１１４をさらに含んでもよく、カラーフィルム層１１４は複数のカラーフィルムパターン１１４１を含み、複数のカラーフィルムパターン１１４１はそれぞれ複数の第１透光開口部１１３１に設けられる。それによって、サブ画素の発光デバイスＥＭが発する光はカラーフィルムパターン１１４１を透過して出射でき、それによって出射光の純度を向上させる。
【0062】
例えば、図３に示すように、表示基板は、ブラックマトリックス層１１３及びカラーフィルム層１１４上に設けられる保護カバープレート１１５をさらに含んでもよく、それによって表示基板の構造を保護する。例えば、保護カバープレート１１５はガラスカバープレートであってもよく、光学透明接着剤（図示せず）によって表示基板上に結合されてもよい。
【0063】
例えば、いくつかの実施例では、図３に示すように、ブラックマトリックス層１１３は複数の第２透光開口部１１３２をさらに有してもよく、複数の第２透光開口部１１３２はそれぞれ複数の第１透光開口部１１３１の間に設けられ、駆動回路層は複数の透光部１０２０を含み、少なくとも一部の第２透光開口部１１３２は少なくとも一部の複数の透光部１０２０に１対１で対応して設けられ、ベース基板１０１の板面と所定の角度範囲をなす光を透過でき、例えば図示される光線Ｌを透過できるように構成される。それによって、光線Ｌは表示基板の表示側（図中の上側）から表示基板を透過して表示基板の非表示側（図中の下側）に到達でき、それによって表示基板の非表示側に設けられ得る感光装置（例えば、画像センサなど）が感光操作を行う。
【0064】
例えば、複数の透光部１０２０は透光絶縁材料を含み、該透光絶縁材料は上記第１ゲート絶縁層１０２４、第２ゲート絶縁層１０２５、層間絶縁層１０２６、及びパッシベーション層１０２７などの絶縁層の透光絶縁材料を含む。
【0065】
例えば、いくつかの実施例では、対応して設けられる第２透光開口部１１３２及び透光部１０２０では、ベース基板１０１の板面に平行な方向において、第２透光開口部１１３２の平面サイズは透光部１０２０の平面サイズ未満であり、後で詳細に説明する。
【0066】
例えば、いくつかの実施例では、対応して設けられる第２透光開口部１１３２及び透光部１０２０では、第２透光開口部１１３２のベース基板１０１上での正投影と透光部１０２０のベース基板１０１上での正投影は少なくとも部分的に重なり、後で詳細に説明する。
【0067】
例えば、いくつかの実施例では、図６に示すように、表示基板の複数のサブ画素は赤色サブ画素Ｒ、緑色サブ画素Ｇ及び青色サブ画素Ｂを含み、画素定義層は赤色サブ画素開口部１１、緑色サブ画素開口部１２及び青色サブ画素開口部１３を含み、赤色サブ画素Ｒ、緑色サブ画素Ｇ及び青色サブ画素Ｂの発光デバイスＥＭはそれぞれ画素定義層の赤色サブ画素開口部１１、緑色サブ画素開口部１２及び青色サブ画素開口部１３に形成される。
【0068】
例えば、図７は図６における複数のサブ画素に対応するブラックマトリックス層１１３の複数の第１透光開口部１１３１を示し、図７に示すように、赤色サブ画素Ｒの発光デバイスＥＭを露出させる第１透光開口部１１３１は略第１楕円形１１－１（又は、マンゴー形ともいい、対称な２つの円弧から形成される）であり、緑色サブ画素Ｇの発光デバイスを露出させる第１透光開口部１１３１は略第２楕円形１２－１（又は、マンゴー形ともいう）であり、第２楕円形１２－１の長軸の長さＬ２は第１楕円形１１－１の長軸の長さＬ１未満であり、第２楕円形１２－１の短軸の長さＷ２は第１楕円形１１－１の短軸の長さＬ１未満であり、青色サブ画素Ｂの発光デバイスを露出させる第１透光開口部１１３１は略第３楕円形１３－１であり、第３楕円形１３－１の長軸の長さＬ３は第１楕円形１１－１の長軸の長さＬ１未満であり、第３楕円形１３－１の短軸の長さＷ３は第１楕円形の短軸の長さＬ１よりも大きい。
【0069】
例えば、図６及び図７に示すように、赤色サブ画素Ｒの発光デバイスＥＭを露出させる第１透光開口部１１３１は赤色サブ画素Ｒに対応する画素定義層の赤色サブ画素開口部１１の形状と同じであり、且つ赤色サブ画素開口部１１の平面サイズは赤色サブ画素Ｒの発光デバイスＥＭを露出させる第１透光開口部１１３１の平面サイズ未満であり、緑色サブ画素Ｇの発光デバイスＥＭを露出させる第１透光開口部１１３１は緑色サブ画素Ｇに対応する画素定義層の緑色サブ画素開口部１２の形状と同じであり、且つ緑色サブ画素開口部１２の平面サイズは緑色サブ画素Ｇの発光デバイスＥＭを露出させる第１透光開口部１１３１の平面サイズ未満であり、青色サブ画素Ｂの発光デバイスＥＭを露出させる第１透光開口部１１３１は青色サブ画素Ｂに対応する画素定義層の青色サブ画素開口部１３の形状と同じであり、且つ青色サブ画素開口部１３の平面サイズは青色サブ画素Ｂの発光デバイスＥＭを露出させる第１透光開口部１１３１の平面サイズ未満である。
【0070】
上記楕円形（又は、マンゴー形）のサブ画素を有する表示基板に対してＬａｂ色空間検出を行い、例えば、カラーアナライザーを使用して暗状態の表示基板を検出した結果、Ｌａｂ値は７．６８である一方、六角形（図２参照）のサブ画素を有する表示基板の場合、Ｌａｂ値は２８．３であり、Ｌａｂ値が低いほど、表示基板に色分離が発生する現象が少なくなり、以上からわかるように、本開示の実施例に係る表示基板は表示基板に色分離が発生する程度を大幅に低減させる。
【0071】
例えば、別のいくつかの例では、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、緑色サブ画素Ｇに対応する画素定義層の緑色サブ画素開口部１２は略半楕円形であり、緑色サブ画素Ｇの発光デバイスを露出させる第１透光開口部１３１１も略半楕円形１２－２であり、すなわち、楕円形の半分である。例えば、半楕円形１２－２の長さＬ２１は第１楕円形１１－１の長軸の長さＬ１未満であり、半楕円形１２－２の幅Ｗ２１は第１楕円形１１－１の短軸の長さＷ１以下である。例えば、この例のほかのサブ画素の第１透光開口部１３１１及びサブ画素開口部は図６及び図７と同じであり、ここでは詳細に説明しない。
【0072】
例えば、いくつかの例では、図６－図８Ｂに示すように、１つの赤色サブ画素Ｒ、２つの緑色サブ画素Ｇ及び１つの青色サブ画素Ｂは１つの画素単位を構成し、複数のサブ画素から構成される複数の画素単位はベース基板１０１上にアレイ状に配置される。例えば、別のいくつかの実施例では、１つの赤色サブ画素Ｒ、１つの緑色サブ画素Ｇ及び１つの青色サブ画素Ｂは１つの画素単位を構成し、複数のサブ画素から構成される複数の画素単位はベース基板１０１上にアレイ状に配置されるようにしてもよく、本開示の実施例は画素単位の具体的な形態を限定しない。
【0073】
例えば、別のいくつかの実施例では、図９及び図１０に示すように、複数のサブ画素は赤色サブ画素Ｒ、緑色サブ画素Ｇ及び青色サブ画素Ｂを含み、赤色サブ画素Ｒの発光デバイスを露出させる第１透光開口部１１３１は略第１トラック形２１－１であり、緑色サブ画素Ｇの発光デバイスを露出させる第１透光開口部１１３１は略半トラック形２２－１であり、例えば、半トラック形２２－１の長さＬ５は第１トラック形の長軸の長さＬ４未満であり、半トラック形２２－１の幅Ｗ５は第１トラック形の短軸の長さＷ４以上であり、青色サブ画素Ｂの発光デバイスを露出させる第１透光開口部１１３１は略第３トラック形２３－１であり、第３トラック形２３－１の長軸の長さＬ６は第１トラック形２１－１の長軸の長さＬ４未満であり、第３トラック形２３－１の短軸の長さＷ６は第１トラック形２１－１の短軸の長さＷ４よりも大きい。
【0074】
上記トラック形（又は半トラック形）のサブ画素を有する表示基板に対してＬａｂ色空間検出を行った結果、Ｌａｂ値は５．１８であり、六角形（図２参照）のサブ画素を有する表示基板のＬａｂ値である２８．３よりも遥かに小さい。
【0075】
例えば、別のいくつかの実施例では、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、緑色サブ画素Ｇの発光デバイスを露出させる第１透光開口部１１３１は略第２トラック形２２－２であり、第２トラック形２２－２の長軸の長さＬ７は第１トラック形２１－１の長軸の長さＬ４未満であり、第２トラック形２２－２の短軸の長さＷ７は第１トラック形２１－１の短軸の長さＷ４未満である。これに対応して、緑色サブ画素Ｇに対応する画素定義層の緑色サブ画素開口部２２も第２トラック形である。この例のほかのサブ画素の第１透光開口部１３１１及びサブ画素開口部は図９及び図１０と同じであり、ここでは詳細に説明しない。
【0076】
例えば、いくつかの例では、図９－図１１Ｂに示すように、１つの赤色サブ画素Ｒ、２つの緑色サブ画素Ｇ及び１つの青色サブ画素Ｂは１つの画素単位を構成し、複数のサブ画素から構成される複数の画素単位はベース基板１０１上にアレイ状に配置される。例えば、別のいくつかの実施例では、１つの赤色サブ画素Ｒ、１つの緑色サブ画素Ｇ及び１つの青色サブ画素Ｂは１つの画素単位を構成し、複数のサブ画素から構成される複数の画素単位はベース基板１０１上にアレイ状に配置されるようにしてもよく、本開示の実施例は画素単位の具体的な形態を限定しない。
【0077】
例えば、図１２は本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板の平面模式図を示し、図１２に示すように、この例では、１つの赤色サブ画素Ｒ、２つの緑色サブ画素Ｇ及び１つの青色サブ画素Ｂは１つの画素単位を構成し、且つ各サブ画素に対応するブラックマトリックス層の第１透光開口部１１３１、画素定義層のサブ画素開口部１０８１及び第１電極層１０４の本体部１０４１の形状はいずれも楕円形（又は、マンゴー形ともいう）である。
【0078】
例えば、図７に示すように、赤色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部１１３１は対向する第１弧状エッジＲＬ１と第２弧状エッジＲＬ２、及び第１弧状エッジＲＬ１と第２弧状エッジＲＬ２との交差位置にある第１先端ＲＯ１と第２先端ＲＯ２を含み、第１先端ＲＯ１と第２先端ＲＯ２は対向し、それによってマンゴー形を構成する。
【0079】
例えば、青色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部１１３１は対向する第３弧状エッジＢＬ１と第４弧状エッジＢＬ２、及び第３弧状エッジＢＬ１と第４弧状エッジＢＬ２との交差位置にある第３先端ＢＯ１と第４先端ＢＯ２を含み、第３先端ＢＯ１と第４先端ＢＯ２は対向する。
【0080】
例えば、緑色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部１１３１は第５弧状エッジＧＬ１、及び第５弧状エッジＧＬ１の一端に位置する第５先端ＧＯ１を含む。
【0081】
このとき、赤色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部及び青色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部はいずれも対向して設けられる２つの先端を有し、緑色サブ画素の発光デバイスを露出させる第１透光開口部は１つの先端のみを有し、このように設けられることで、表示基板に色分離が発生する程度を低減させることができる。
【0082】
ただし、本開示の実施例では、実際のプロセス精度及びプロセス誤差などの理由によって、形成された先端は尖った形状ではない可能性があるが、先端の曲率は弧状エッジの曲率に対して変化し、例えば、曲率は先端で急激に変化する。
【0083】
例えば、図６に示すように、緑色サブ画素Ｇに対応する画素定義層の緑色サブ画素開口部１２は第６弧状エッジＧＬ３及び第６弧状エッジＧＬ３の一端に位置する第６先端ＧＯ３を含み、図１２に示すように、緑色サブ画素の発光デバイスの第１電極層の本体部は第７弧状エッジＧＬ４を含み、第７弧状エッジＧＬ４は先端を含まない。このように設けられることで、表示基板の緑色サブ画素に色分離が発生する程度を低減させることができる。
【0084】
例えば、図１２に示すように、ブラックマトリックス層は複数の第２透光開口部１１３２を含み、駆動回路層は複数の透光部１０２０を含み、１つの第２透光開口部１１３２は１つの透光部１０２０に対応し、対応して設けられる第２透光開口部１１３２及び透光部１０２０では、ベース基板１０１の板面に平行な方向において、第２透光開口部１１３２の平面サイズは透光部１０２０の平面サイズ未満である。例えば、いくつかの例では、対応して設けられる第２透光開口部１１３２及び透光部１０２０では、第２透光開口部１１３２のベース基板１０１上での正投影と透光部１０２０のベース基板１０１上での正投影は少なくとも部分的に重なり、例えば、第２透光開口部１１３２のベース基板１０１上での正投影は透光部１０２０のベース基板１０１上での正投影の内部に位置する。それによって、図３及び図５に示すように、光線Ｌは表示基板の表示側（図中の上側）から第２透光開口部１１３２及び透光部１０２０を順に通過して表示基板の非表示側（図中の下側）に到達でき、それによって表示基板の非表示側に設けられ得る感光装置（例えば、画像センサなど）が感光操作を行う。
【0085】
例えば、いくつかの実施例では、図１２に示すように、駆動回路層１０２は相互に平行に設けられ且つ周期的に配置される第１信号線Ｓ１及び第２信号線Ｓ２を含み、第１信号線Ｓ１及び第２信号線Ｓ２は複数のサブ画素ＳＰに異なる電気信号を提供するように構成される。例えば、複数の第２透光開口部１１３２のベース基板１０１上での正投影はそれぞれ、１つの第１信号線Ｓ１のベース基板１０１上での正投影と、該１つの第１信号線Ｓ１との距離が最も近い１つの第２信号線Ｓ２のベース基板１０１上での正投影との間に位置する。
【0086】
例えば、いくつかの実施例では、第１信号線Ｓ１は発光制御信号線ＥＭＴ、第２信号線はリセット電圧線ＶＮＴであり、後で詳細に説明する。
【0087】
なお、実際の生産におけるプロセス誤差及び構造誤差などを考慮すると、形成される信号線は直線ではない可能性があり、例えば、凹凸のある部分などがあり、本開示の実施例では、第１信号線Ｓ１と第２信号線Ｓ２が「相互に平行である」とは、第１信号線Ｓ１と第２信号線Ｓ２の延伸方向に形成される角度が１５度の範囲内にあることであり、必ずしも厳密に平行でなくてもよい。
【0088】
例えば、図１２に示すように、駆動回路層は相互に平行に設けられ且つ周期的に配置される第３信号線Ｓ３及び第４信号線Ｓ４をさらに含んでもよく、第３信号線Ｓ３及び第４信号線Ｓ４はそれぞれ第１信号線Ｓ１及び第２信号線Ｓ２と交差し、例えば垂直であり、第３信号線Ｓ３及び第４信号線Ｓ４は複数のサブ画素に異なる電気信号を提供するように構成され、複数の第２透光開口部１０３２のベース基板１０１上での正投影はそれぞれ１つの第３信号線Ｓ３のベース基板１０１上での正投影と該第３信号線に隣接する１つの第４信号線Ｓ４のベース基板１０１上での正投影との間に位置する。
【0089】
例えば、いくつかの実施例では、第３信号線Ｓ３は第１電源線ＶＤＤ１、第４信号線Ｓ４はデータ線ＤＴであり、後で詳細に説明する。
【0090】
例えば、図１２に示すように、第１信号線Ｓ１、第２信号線Ｓ２、第３信号線Ｓ３及び第４信号線Ｓ４は複数の第１領域ＲＧ、すなわち図中の破線枠に囲まれた領域を画定し、複数の第２透光開口部１０３２のベース基板１０１上での正投影はそれぞれ複数の第１領域ＲＧのベース基板１０１上での正投影内に位置する。
【0091】
例えば、図１３は表示基板のブラックマトリックス層及びカラーフィルム層の部分平面模式図を示し、且つ複数の第１透光開口部１１３１、複数の第２透光開口部１１３２及び複数のカラーフィルムパターン１１４１の平面模式図を示す。図１３に示すように、ベース基板１０１の板面に垂直な方向において、複数のカラーフィルムパターン１１４１は、第１サブ画素（例えば、赤色サブ画素）の発光デバイスと少なくとも部分的に重なる第１カラーフィルムパターン１１４１Ａ、及び第２サブ画素（例えば、緑色サブ画素）の発光デバイスと少なくとも部分的に重なる第２カラーフィルムパターン１１４１Ｂを含む。ベース基板１０１の板面に平行な方向において、第１カラーフィルムパターン１１４１Ａの平面形状は第２カラーフィルムパターン１１４１Ｂの平面形状とは異なり、且つ第１カラーフィルムパターン１１４１Ａの面積は第２カラーフィルムパターン１１４１Ｂの面積よりも大きい。
【0092】
例えば、図１３に示すように、第１カラーフィルムパターン１１４１Ａの平面形状は略矩形であり、例えば、切欠きがある長方形であり、第２カラーフィルムパターン１１４１Ｂの平面形状は略半楕円形である。例えば、第１カラーフィルムパターン１１４１Ａ及び第２カラーフィルムパターン１１４１Ｂの面積はそれぞれそれに被覆される第１透光開口部１１３１の面積よりも大きく、それによってフィルタリング作用を十分に実現する。
【0093】
例えば、いくつかの例では、第１カラーフィルムパターン１１４１Ａの面積と第２カラーフィルムパターン１１４１Ｂの面積との比の範囲は（１～１．５）：１であり、例えば、１．２：１又は１．４：１などである。
【0094】
例えば、図１３に示すように、ベース基板１０１の板面に垂直な方向において、複数のカラーフィルムパターン１１４１は第３サブ画素（例えば、青色サブ画素）の発光デバイスと少なくとも部分的に重なる第３カラーフィルムパターン１１４１Ｃをさらに含む。ベース基板１０１の板面に平行な方向において、第３カラーフィルムパターン１１４１Ｃの平面形状は第１カラーフィルムパターン１１４１Ａ及び第２カラーフィルムパターン１１４１Ｂの平面形状とは異なり、第３カラーフィルムパターン１１４１Ｃの面積は第１カラーフィルムパターン１１４１Ａの面積及び第２カラーフィルムパターン１１４１Ｂの面積よりも大きい。例えば、第３カラーフィルムパターン１１４１Ｃの平面形状は異形であり、それによってフィルタリング作用を十分に実現する。
【0095】
例えば、いくつかの実施例では、第１カラーフィルムパターン１１４１Ａの面積、第２カラーフィルムパターン１１４１Ｂの面積及び第３カラーフィルムパターン１１４１Ｃの面積の比の範囲は（１～１．５）：１：（１～１．６）であり、例えば１．２：１：１．１又は１．４：１：１．３などである。
【0096】
例えば、図１３に示すように、ベース基板１０１の板面に垂直な方向において、複数のカラーフィルムパターン１１４１は第４サブ画素（例えば、緑色サブ画素）の発光デバイスと少なくとも部分的に重なる第４カラーフィルムパターン１１４１Ｄをさらに含む。ベース基板１０１の板面に平行な方向において、第４カラーフィルムパターン１１４１Ｄの平面形状は第２カラーフィルムパターン１１４１Ｂの平面形状と略同じであり、第４カラーフィルムパターン１１４１Ｄの面積は第２カラーフィルムパターン１１４１Ｄの面積に略等しい。
【0097】
例えば、第４カラーフィルムパターン１１４１Ｄの平面形状は略半楕円形であり、且つその面積は第２カラーフィルムパターン１１４１Ｄの面積に略等しく、例えば第４カラーフィルムパターン１１４１Ｄの面積と第２カラーフィルムパターン１１４１Ｄの面積との差は第２カラーフィルムパターン１１４１Ｄの面積の１０％以下である。
【0098】
本開示の実施例では、ブラックマトリックス層１１３は表示基板に入射する光線を吸収し、表示基板による外光の反射率を低減させ、表示基板の表示効果を向上させることができ、ブラックマトリックス層１１３上にカラーフィルム層１１４を被覆することで、カラーフィルム層１１４は表示基板に入射する光線に対して二次吸収を行うことができ、それによって表示基板による外光の反射率をさらに低減させ、表示基板の表示効果を向上させることができる。図１３に示す複数のカラーフィルムパターン１１４１に対してテストを行ったところ、該複数のカラーフィルムパターン１１４１が図１３に示す形状及び大きさの分布を有する場合、複数のカラーフィルムパターン１１４１はフィルタリング作用及び光反射作用を十分に実現でき、表示基板の表示効果が向上することをわかった。
【0099】
例えば、いくつかの実施例では、図１３に示すように、ベース基板１０１の板面に垂直な方向において、第４カラーフィルムパターン１１４１Ｄと第４透光子開口部１１３２Ｄは部分的に重なる。
【0100】
例えば、いくつかの例では、図１３に示すように、第１サブ画素Ｐ１に対応する第１カラーフィルムパターン１１４１Ａの横方向サイズ１１４１Ａ～１は２７μｍ～３３μｍであり、例えば２８μｍ、２９μｍ又は３０μｍなどであり、縦方向サイズ１１４１Ａ～２は３０μｍ～３５μｍであり、例えば３２μｍ、３３μｍ又は３４μｍなどであり、第２サブ画素Ｐ２に対応する第２カラーフィルムパターン１１４１Ｂの横方向サイズ１１４１Ｂ～１は２０μｍ～２５μｍであり、例えば２１μｍ、２２μｍ又は２３μｍなどであり、縦方向サイズ１１４１Ｂ～２は２３μｍ～２８μｍであり、例えば２５μｍ、２６μｍ又は２７μｍなどであり、第３サブ画素Ｐ３に対応する第３カラーフィルムパターン１１４１Ｃの横方向サイズ１１４１Ｃ～１は３２μｍ～３８μｍであり、例えば３４μｍ、３５μｍ又は３６μｍなどであり、縦方向サイズ１１４１Ｃ～２は３５μｍ～４５μｍであり、例えば３８μｍ、４０μｍ又は４２μｍなどであり、第４サブ画素Ｐ４に対応する第４カラーフィルムパターン１１４１Ｄの横方向サイズ１１４１Ｄ～１は２０μｍ～２５μｍであり、例えば２１μｍ、２２μｍ又は２３μｍなどであり、縦方向サイズ１１４１Ｄ～２は２３μｍ～２８μｍであり、例えば２５μｍ、２６μｍ又は２７μｍなどである。
【0101】
例えば、いくつかの実施例では、複数のカラーフィルムパターン１１４１のエッジと複数の第２透光開口部１１３２のエッジとの最小距離は１μｍ－５μｍである。例えば、図１３に示すように、少なくとも一部の隣接するカラーフィルムパターン１１４１と第２透光開口部１１３２について、カラーフィルムパターン１１４１と第２透光開口部１１３２との間に間隔があり、且つカラーフィルムパターン１１４１のエッジと第２透光開口部１１３２のエッジとの最小距離が１μｍ－５μｍであることで、カラーフィルムパターン１１４１が第２透光開口部１１３２を通過した光をフィルタリングすることを回避する。
【0102】
例えば、図１３及び図８Ａなどに示すように、同一のサブ画素に対応する１つのカラーフィルムパターン１１４１及び１つのサブ画素開口部１０８１について、カラーフィルムパターン１１４１の平面形状はサブ画素開口部１０８１の平面形状とは異なる。例えば、複数の第２透光開口部１１３２の少なくとも一部のエッジはそれに隣接するカラーフィルムパターン１１４１のエッジの少なくとも一部に平行である。例えば、図１３の破線枠に示す部分について、第２透光開口部１１３２の一部のエッジはそれに隣接するカラーフィルムパターン１１４１の一部のエッジに平行である。
【0103】
以下、１つの具体的な例によって本開示の実施例に係る表示基板の各機能層の構造及び回路配置を詳細に説明する。この例では、サブ画素は７Ｔ１Ｃ画素駆動回路を使用して発光デバイスＥＭを駆動する。
【0104】
例えば、図１４Ａは７Ｔ１Ｃ画素回路の回路図を示す。図１４Ａに示すように、該画素回路は駆動回路１２２、データ書込み回路１２６、補償回路１２８、記憶回路１２７、第１発光制御回路１２３、第２発光制御回路１２４及びリセット回路１２９を含む。
【0105】
例えば、駆動回路１２２は制御端子１３１、第１端子１３２及び第２端子１３３を含み、発光デバイスＥＭを流れる駆動電流を制御するように構成され、駆動回路１２２の制御端子１３１は第１ノードＮ１に接続され、駆動回路１２２の第１端子１３２は第２ノードＮ２に接続され、駆動回路１２２の第２端子１３３は第３ノードＮ３に接続される。
【0106】
例えば、データ書込み回路１２６は制御端子、第１端子及び第２端子を含み、制御端子は第１走査信号を受信するように構成され、第１端子はデータ信号を受信するように構成され、第２端子は駆動回路１２２の第１端子１３２（第２ノードＮ２）に接続され、該第１走査信号Ｇａ１に応答して該データ信号を駆動回路１２２の第１端子１３２に書き込むように構成される。例えば、データ書込み回路１２６の第１端子はデータ線１２に接続されて該データ信号を受信し、制御端子は走査線１１に接続されて該第１走査信号Ｇａ１を受信する。
【0107】
例えば、データ書込み段階では、データ書込み回路１２６は第１走査信号Ｇａ１に応答してオンになり得、それによりデータ信号を駆動回路１２２の第１端子１３２（第２ノードＮ２）に書き込み、データ信号を記憶回路１２７に記憶することができ、それにより、例えば発光段階では、該データ信号に応じて、発光デバイスＥＭの発光を駆動する駆動電流を生成することができる。
【0108】
例えば、補償回路１２８は制御端子、第１端子及び第２端子を含み、制御端子は第２走査信号Ｇａ２を受信するように構成され、第１端子及び第２端子はそれぞれ駆動回路１２２の制御端子１３１及び第２端子１３３に電気的に接続され、該補償回路は該第２走査信号に応答して該駆動回路１２０に対して閾値補償を行うように構成される。
【0109】
例えば、記憶回路１２７は駆動回路１２２の制御端子１３１及び第１電圧端子ＶＤＤに電気的に接続され、データ書込み回路１２６により書き込まれるデータ信号を記憶するように構成される。例えば、データ書込み及び補償段階では、補償回路１２８は該第２走査信号Ｇａ２に応答してオンになり得、それにより、データ書込み回路１２６により書き込まれるデータ信号を該記憶回路１２７に記憶することができる。例えば、同時にデータ書込み及び補償段階では、補償回路１２８は駆動回路１２２の制御端子１３１と第２端子１３３を電気的に接続でき、それにより、駆動回路１２２の閾値電圧の関連情報も該記憶回路に対応付けて記憶でき、それにより、例えば、発光段階では記憶されたデータ信号及び閾値電圧を用いて駆動回路１２２を制御でき、それによって駆動回路１２２の出力を補償する。
【0110】
例えば、第１発光制御回路１２３は駆動回路１２２の第１端子１３２（第２ノードＮ２）及び第１電圧端子ＶＤＤに接続され、第１発光制御信号に応答して第１電圧端子ＶＤＤの第１電源電圧を駆動回路１２２の第１端子１３２に印加するように構成される。例えば、図１４Ａに示すように、第１発光制御回路１２３は第１発光制御端子ＥＭ１、第１電圧端子ＶＤＤ及び第２ノードＮ２に接続される。
【0111】
例えば、第２発光制御回路１２４は第２発光制御端子ＥＭ２、発光デバイスＥＭの第１端子５１０及び駆動回路１２２の第２端子１３２に接続され、第２発光制御信号に応答して駆動電流を発光デバイスＥＭに印加できるように構成される。
【0112】
例えば、発光段階では、第２発光制御回路１２３は第２発光制御端子ＥＭ２が提供する第２発光制御信号に応答してオンになり、それにより駆動回路１２２は第２発光制御回路１２３によって駆動電流を発光デバイスＥＭに印加して発光させることができ、非発光段階では、第２発光制御回路１２３は第２発光制御信号に応答してオフになり、それにより電流が発光デバイスＥＭを流れて発光させることを回避し、対応する表示装置のコントラストを向上させることができる。
【0113】
また例えば、初期化段階では、第２発光制御回路１２４は第２発光制御信号に応答してオンになり得、それによりリセット回路と組み合わせて駆動回路１２２及び発光デバイスＥＭに対してリセット操作を行うことができる。
【0114】
例えば、第２発光制御信号ＥＭ２は第１発光制御信号ＥＭ１と同じであるか又は異なるようにしてもよく、例えば、それらは同じ又は異なる信号出力端子に接続されてもよい。
【0115】
例えば、リセット回路１２９はリセット電圧端子Ｖｉｎｉｔ及び発光デバイスＥＭの第１端子１３４（第４ノードＮ４）に接続され、リセット信号に応答してリセット電圧を発光デバイスＥＭの第１端子１３４に印加するように構成される。別のいくつかの例では、図１４Ａに示すように、該リセット信号はさらに駆動回路の制御端子１３１、すなわち、第１ノードＮ１に印加されてもよい。例えば、リセット信号は該第２走査信号であり、リセット信号は第２走査信号と同期するほかの信号であってもよく、本開示の実施例はこれを限定しない。例えば、図１４Ａに示すように、該リセット回路１２９はそれぞれ発光デバイスＥＭの第１端子１３４、リセット電圧端子Ｖｉｎｉｔ及びリセット制御端子Ｒｓｔ（リセット制御線）に接続される。例えば、初期化段階では、リセット回路１２９はリセット信号に応答してオンになり得、それによりリセット電圧を発光デバイスＥＭの第１端子１３４及び第１ノードＮ１に印加でき、それにより駆動回路１２２、補償回路１２８及び発光デバイスＥＭに対してリセット操作を行い、この前の発光段階の影響を除去することができる。
【0116】
例えば、発光デバイスＥＭは第１端子１３４及び第２端子１３５を含み、発光デバイスＥＭの第１端子１３４は駆動回路１２２の第２端子１３３から駆動電流を受信するように構成され、発光デバイスＥＭの第２端子１３５は第２電圧端子ＶＳＳに接続されるように構成される。例えば、一例では、図１４Ａに示すように、発光デバイスＥＭの第１端子１３４は第２発光回路１２４によって第３ノードＮ３に接続されてもよい。本開示の実施例はこの状況を含むが、これに限定されない。例えば、発光デバイスＥＭは、例えばトップエミッション、ボトムエミッション、及びデュアルエミッションなどの様々なタイプのＯＬＥＤであってもよく、赤色光、緑色光、青色光又は白色光などを発することができ、該ＯＬＥＤの第１電極層及び第２電極層はそれぞれ該発光デバイスの第１端子１３４及び第２端子１３５として機能する。本開示の実施例は発光デバイスの具体的な構造を限定しない。
【0117】
ただし、本開示の実施例の説明では、第１ノードＮ１、第２ノードＮ２、第３ノードＮ３及び第４ノードＮ４は必ずしも実際に存在する部材を示すものではなく、回路図における関連回路が接続する合流点を示す。
【0118】
なお、本開示の実施例の説明では、符号Ｖｄはデータ信号端子を示すことができるだけでなく、データ信号のレベルを示すこともでき、同様に、符号Ｇａ１、Ｇａ２は第１走査信号、及び第２走査信号を示すことができるだけでなく、第１走査信号端子及び第２走査信号端子を示すこともでき、Ｒｓｔはリセット制御端子を示すことができるだけでなく、リセット信号を示すこともでき、符号Ｖｉｎｉｔはリセット電圧端子を示すことができるだけでなく、リセット電圧を示すこともでき、符号ＶＤＤは第１電圧端子を示すことができるだけでなく、第１電源電圧を示すこともでき、符号ＶＳＳは第２電圧端子を示すことができるだけでなく、第２電源電圧を示すこともできる。以下の各実施例はこれと同じであり、詳細に説明しない。
【0119】
図１４Ｂは図１４Ａに示す画素回路の具体的な実現例の回路図である。図１４Ｂに示すように、該画素回路は、第１～第７トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７、及び記憶コンデンサＣｓｔを含む。例えば、第１トランジスタＴ１は駆動トランジスタとして使用され、残りの第２～第７トランジスタはスイッチングトランジスタとして使用される。
【0120】
例えば、図１４Ｂに示すように、駆動回路１２２は第１トランジスタＴ１として実現されてもよい。第１トランジスタＴ１のゲートは駆動回路１２２の制御端子１３１として、第１ノードＮ１に接続され、第１トランジスタＴ１の第１極は駆動回路１２２の第１端子１３２として、第２ノードＮ２に接続され、第１トランジスタＴ１の第２極は駆動回路１２２の第２端子１３３として、第３ノードＮ３に接続される。
【0121】
例えば、図１４Ｂに示すように、データ書込み回路１２６は第２トランジスタＴ２として実現されてもよい。第２トランジスタＴ２のゲートは第１走査線（第１走査信号端子Ｇａ１）に接続されて第１走査信号を受信し、第２トランジスタＴ２の第１極はデータ線（データ信号端子Ｖｄ）に接続されてデータ信号を受信し、第２トランジスタＴ２の第２極は駆動回路１２２の第１端子１３２（第２ノードＮ２）に接続される。例えば、該第２トランジスタＴ２はＰ型トランジスタであり、例えば、活性層は低温でポリシリコンをドーピングした薄膜トランジスタである。
【0122】
例えば、図１４Ｂに示すように、補償回路１２８は第３トランジスタＴ３として実現されてもよい。第３トランジスタＴ３のゲートは第２走査線（第２走査信号端子Ｇａ２）に接続されて第２走査信号を受信するように構成され、第３トランジスタＴ３の第１極は駆動回路１２２の制御端子１３１（第１ノードＮ１）に接続され、第３トランジスタＴ３の第２極は駆動回路１２２の第２端子１３３（第３ノードＮ３）に接続される。
【0123】
例えば、図１４Ｂに示すように、記憶回路１２７は記憶コンデンサＣｓｔとして実現されてもよく、該記憶コンデンサＣｓｔは第１コンデンサ電極Ｃ１及び第２コンデンサ電極Ｃ２を含み、該第１コンデンサ電極Ｃ１は第１電圧端子ＶＤＤに接続され、該第２コンデンサ電極Ｃ２は駆動回路１２２の制御端子１３１に接続される。
【0124】
例えば、図１４Ｂに示すように、第１発光制御回路１２３は第４トランジスタＴ４として実現されてもよい。第４トランジスタＴ４のゲートは第１発光制御線（第１発光制御端子ＥＭ１）に接続されて第１発光制御信号を受信し、第４トランジスタＴ４の第１極は第１電圧端子ＶＤＤに接続されて第１電源電圧を受信し、第４トランジスタＴ４の第２極は駆動回路１２２の第１端子１３２（第２ノードＮ２）に接続される。
【0125】
例えば、発光デバイスＥＭは具体的には発光ダイオード（ＯＬＥＤ）として実現されてもよく、その第１電極層（ここでは、陽極）は第４ノードＮ４に接続され、第２発光制御回路１２４によって駆動回路１２２の第２端子１３３から駆動電流を受信するように構成され、発光デバイスＥＭの第２電極層（ここでは、陰極）は第２電圧端子ＶＳＳに接続されて第２電源電圧を受信するように構成される。例えば、第２電圧端子は接地されてもよく、すなわち、ＶＳＳは０Ｖであってもよい。
【0126】
例えば、第２発光制御回路１２４は第５トランジスタＴ５として実現されてもよい。第５トランジスタＴ５のゲートは第２発光制御線（第２発光制御端子ＥＭ２）に接続されて第２発光制御信号を受信し、第５トランジスタＴ５の第１極は駆動回路１２２の第２端子１３３（第３ノードＮ３）に接続され、第５トランジスタＴ５の第２極は発光デバイスＥＭの第１端子１３４（第４ノードＮ４）に接続される。
【0127】
例えば、リセット回路１２９は第１リセット回路及び第２リセット回路を含んでもよく、該第１リセット回路は第１リセット信号Ｒｓｔ１に応答して第１リセット電圧Ｖｉｎｉ１を第１ノードＮ１に印加するように構成され、該第２リセット回路は第２リセット信号Ｒｓｔ２に応答して第２リセット電圧Ｖｉｎｉ２を第４ノードＮ４に印加するように構成される。例えば、図１４Ｂに示すように、該第１リセット回路は第６トランジスタＴ６として実現され、該第２リセット回路は第７トランジスタＴ７として実現される。第６トランジスタＴ６のゲートは第１リセット制御端子Ｒｓｔ１に接続されて第１リセット信号Ｒｓｔ１を受信するように構成され、第６トランジスタＴ６の第１極は第１リセット電圧端子Ｖｉｎｉｔ１に接続されて第１リセット電圧Ｖｉｎｉｔ１を受信し、第６トランジスタＴ６の第２極は第１ノードＮ１に接続されるように構成される。第７トランジスタＴ７のゲートは第２リセット制御端子Ｒｓｔ２に接続されて第２リセット信号Ｒｓｔ２を受信するように構成され、第７トランジスタＴ７の第１極は第２リセット電圧端子Ｖｉｎｉｔ２に接続されて第２リセット電圧Ｖｉｎｉｔ２を受信し、第７トランジスタＴ７の第２極は第４ノードＮ４に接続されるように構成される。
【0128】
なお、本開示の実施例で使用されるトランジスタはいずれも薄膜トランジスタ又は電界効果トランジスタ又はほかの特性が同じスイッチングデバイスであってもよく、本開示の実施例では、いずれも薄膜トランジスタを例に説明を行う。ここで使用されるトランジスタのソース、ドレインは構造が対称であってもよく、従って、そのソース、ドレインは構造が同じであってもよい。本開示の実施例では、トランジスタのゲートを除く２つの極を区別するために、一方を第１極、他方を第２極と直接説明した。
【0129】
例えば、図１２に示すように、第１信号線Ｓ１は発光制御線ＥＭＴであり、上記第１発光制御信号ＥＭ１及び第２発光制御信号ＥＭ２を伝送することに用いられ、第２信号線Ｓ２はリセット電圧線ＶＮＴであり、上記第１リセット電圧Ｖｉｎｉｔ１及び第２リセット電圧Ｖｉｎｉ２を伝送することに用いられる。例えば、リセット電圧線ＶＮＴの発光制御線ＥＭＴから離れる側には、上記第１リセット信号Ｒｓｔ１及び第２リセット信号Ｒｓｔ２を伝送することに用いられるリセット制御線ＲＳＴをさらに有する。
【0130】
以下、上記画素駆動回路のレイアウト設計を詳細に説明する。
【0131】
例えば、図１５は該表示基板の半導体層の模式図を示し、該半導体層は複数のサブ画素の画素駆動回路の薄膜トランジスタＴ１～Ｔ７の活性層を形成することに用いられ、図１２に２行のサブ画素の画素駆動回路が示され、以下、直接隣接する４つのサブ画素（すなわち、第１サブ画素１００ａ、第２サブ画素１００ｂ、第３サブ画素１００ｃ及び第４サブ画素１００ｄ）の画素駆動回路を例に説明を行い、図中の破線枠は各サブ画素の画素駆動回路が位置する領域を示し、本開示の実施例はこのレイアウトに限らない。
【0132】
【0133】
【0134】
例えば、図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、第１ゲート金属層は複数の発光制御線ＥＭＴ、複数のリセット制御線ＲＳＴ、複数の走査線ＧＡＴＥ及び複数の記憶コンデンサＣｓｔの第１コンデンサ電極Ｃ１を含み、例えば、発光制御線ＥＭＴ、リセット制御線ＲＳＴ、走査線ＧＡＴＥ及び記憶コンデンサＣｓｔの第１コンデンサ電極Ｃ１の、薄膜トランジスタＴ１～Ｔ７の活性層と重なる部分は薄膜トランジスタＴ１～Ｔ７のゲートを構成する。複数の発光制御線ＥＭＴ、複数のリセット制御線ＲＳＴ、複数の走査線ＧＡＴＥはそれぞれ複数行のサブ画素に１対１で対応して電気的に接続されて対応する電気信号を提供する。
【0135】
【0136】
【0137】
例えば、図１７Ａ及び図１７Ｂに示すように、該第２ゲート金属層は記憶コンデンサＣｓｔの第２コンデンサ電極Ｃ２及び複数のリセット電圧線ＶＮＴを含む。記憶コンデンサＣｓｔの第２コンデンサ電極Ｃ２は第１コンデンサ電極Ｃ１と少なくとも部分的に重なることで、コンデンサを形成する。複数のリセット電圧線ＶＮＴは複数行のサブ画素に１対１で対応して電気的に接続されて対応する電気信号を提供する。
【0138】
【0139】
図１８Ａは表示基板の第１ソースドレイン金属層の模式図を示し、第１ソースドレイン金属層は層間絶縁層上に設けられ、図１８Ｂは表示基板の第１ソースドレイン金属層と第２ゲート金属層、第１ゲート金属層及び半導体層とを積層した模式図を示す。
【0140】
図１８Ａ及び図１８Ｂに示すように、第１ソースドレイン金属層は複数の第１電源線ＶＤＤ１を含む。例えば、該複数の第１電源線ＶＤＤ１はそれぞれ複数列のサブ画素に１対１で対応して電気的に接続されて第１電源電圧を提供する。例えば、第１ソースドレイン金属層は該複数のデータ線ＤＴをさらに含む。該複数のデータ線ＤＴは複数列のサブ画素に１対１で対応して電気的に接続されてデータ信号を提供する。例えば、第１ソースドレイン金属層は複数の接続電極ＣＬをさらに含み、第２コンデンサ電極Ｃ２と第３トランジスタＴ３の第１極とを接続するか、又は第６トランジスタＴ６の第１極とリセット電圧線ＶＮＴとを接続するか、又は第５トランジスタＴ５の第２極と発光デバイスの第１電極層などとを接続することに用いられる。
【0141】
【0142】
図１９Ａは表示基板の第２ソースドレイン金属層の模式図を示し、第２ソースドレイン金属層は平坦化層１０９１上に設けられ、図１９Ｂは表示基板の第２ソースドレイン金属層及び第１ソースドレイン金属層、第２ゲート金属層、第１ゲート金属層及び半導体層を積層した模式図を示す。
【0143】
図１９Ａ及び図１９Ｂに示すように、第２ソースドレイン金属層は第２電源線ＶＤＤ２を含み、第２電源線ＶＤＤ２は格子状であり、例えば、第２電源線ＶＤＤ２は第１電源線ＶＤＤ１に電気的に接続されることで、電源線における抵抗の低減に寄与し、それにより電源線の電圧降下を低減させ、第１電源電圧を表示基板の各サブ画素に均一に伝送することに寄与する。例えば、第２ソースドレイン金属層は、発光デバイスの第１電極層と第１トランジスタＴ１の第１極とを接続することに用いられる接続電極１０４３をさらに含んでもよい。例えば、ベース基板の板面に垂直な方向において、第２電源線ＶＤＤ２は第１電極層１０４の本体部１０４２と少なくとも部分的に重なる。
【0144】
例えば、第２ソースドレイン金属層上に、もう１つの平坦化層、すなわち平坦化層１０９がさらに設けられ、図２０は該平坦化層の平面模式図を示し、図３及び図５と併せて示すように、平坦化層１０９内に複数のビアＶＡがある。このとき、第１電極層１０４は平坦化層１０９内のビアＶＡによって接続電極１０４３に接続される。
【0145】
例えば、同一の行に位置する複数のサブ画素に対応する平坦化層１０９の複数のビアＶＡは１つの直線上にない。例えば、図２０に示すように、同一の行に位置する隣接する１つの第１サブ画素（例えば、赤色サブ画素）、１つの第２サブ画素（例えば、緑色サブ画素）、１つの第３サブ画素（例えば、青色サブ画素）及び１つの第４サブ画素（例えば、緑色サブ画素）はそれぞれビアＶＡ１～ＶＡ４に対応し、ビアＶＡ１～ＶＡ４は同一の直線上にない。
【0146】
平坦化層１０９の複数のビアＶＡは１つの直線上にないように設計されることで、画素駆動回路の配線を避けて１つの大きな透光領域を形成し、十分な面積の透光部を形成することができる。
【0147】
図２１Ａは表示基板の第１電極材料層の模式図を示し、第１電極材料層はパッシベーション層１０９上に設けられ、図２１Ｂは表示基板の第１電極材料層と第２ソースドレイン金属層、第１ソースドレイン金属層、第２ゲート金属層、第１ゲート金属層及び半導体層とを積層した模式図を示す。
【0148】
図２１Ａ及び図２１Ｂに示すように、第１電極材料層は複数のサブ画素の発光デバイスＥＭの第１電極層を含み、複数のサブ画素の発光デバイスＥＭの第１電極層はそれぞれ平坦化層１０９内の複数のビアＶＡによって接続電極１０４３に接続される。例えば、該第１電極層上に発光デバイスＥＭの発光材料層が設けられ、発光材料層上に第２電極層が設けられる。
【0149】
例えば、発光デバイスＥＭの上方には、封入層、ブラックマトリックス層、保護カバープレート１１５などのほかの機能層がさらに形成され、ここでは詳細に説明しない。
【0150】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示装置をさらに提供し、図２２は該表示装置の断面模式図を示し、図２２に示すように、該表示装置は本開示の実施例に係る表示基板を含み、図２２には図３に示す表示基板が例として示される。
【0151】
例えば、図２２に示すように、該表示装置は紋様タッチ表面Ｓ及び画像センサアレイ３０をさらに含み、例えば、保護カバープレート１１５の表面は紋様タッチ表面Ｓとして実現される。画像センサアレイは駆動回路層１０２の発光デバイス層から離れる側に設けられ、複数の画像センサ３１（１つが例として図示される）を含み、複数の画像センサ３１は、紋様収集を行うために、発光デバイス層の複数の発光デバイスＥＭから発し且つ紋様タッチ表面Ｓの紋様（例えば、指紋、掌紋など）により複数の画像センサ３１に反射される光を受光できるように構成される。
【0152】
例えば、図１２に示すように、ブラックマトリックス層は複数の第２透光開口部１１３２を含み、駆動回路層は複数の透光部１０２０を含み、１つの第２透光開口部１１３２は１つの透光部１０２０に対応し、このとき、複数の画像センサ３１は、紋様収集を行うために、発光デバイス層の複数の発光デバイスＥＭから発し且つ紋様タッチ表面Ｓの紋様により反射され、ブラックマトリックス層１１３の複数の第２透光開口部１１３２及び駆動回路層の複数の透光部１０２０を通過して複数の画像センサ３１に到達する光を受光できるように構成される。それによって、複数の第２透光開口部１１３２及び複数の透光部１０２０によって、複数の画像センサ３１は紋様により反射される光を十分に受光でき、それにより紋様認識速度及び紋様認識精度を向上させることができる。
【0153】
本開示の実施例に係る表示装置はほかの構造をさらに有してもよく、具体的には関連技術を参照でき、ここでは詳細に説明しない。
【0154】
さらに以下のいくつかの点を説明する必要がある。
【0155】
（１）本開示の実施例の図面は本開示の実施例に関連する構造のみに関し、ほかの構造は通常設計を参照すればよい。
【0156】
（２）明瞭にするために、本開示の実施例を説明するための図面では、層又は領域の厚さは拡大又は縮小されており、すなわち、これらの図面は実際の縮尺に応じて描かれるものではない。理解できるように、例えば層、膜、領域又は基板のような素子がもう１つの素子の「上」又は「下」に位置すると記載される場合、該素子はもう１つ素子の「上」又は「下」に「直接」位置してもよいし、中間素子が存在してもよい。
【0157】
（３）矛盾しない限り、本開示の実施例及び実施例における特徴を相互に組み合わせて新しい実施例を得ることができる。
【0158】
以上、本開示の特定の実施形態を説明したが、本開示の保護範囲はこれに限定されるものではなく、本開示の保護範囲は特許請求の範囲の保護範囲に準じるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図9】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図12】
【図13】
【図14A】
【図14B】
【図15】
【図16A】
【図16B】
【図17A】
【図17B】
【図18A】
【図18B】
【図19A】
【図19B】
【図20】
【図21A】
【図21B】
【図22】
【国際調査報告】