特表 2024-520323 熱界面構造を有する電子アセンブリ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-05-24

(54)【発明の名称】熱界面構造を有する電子アセンブリ

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/36 20060101AFI20240517BHJP

   H05K 7/20 20060101ALI20240517BHJP

【ＦＩ】

H01L23/36 D

H05K7/20 F

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023571287

(86)(22)【出願日】2022-05-16

(85)【翻訳文提出日】2024-01-15

(86)【国際出願番号】 US2022029463

(87)【国際公開番号】W WO2022245740

(87)【国際公開日】2022-11-24

(31)【優先権主張番号】63/190,122

(32)【優先日】2021-05-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】510192916

【氏名又は名称】テスラ，インコーポレイテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110000659

【氏名又は名称】弁理士法人広江アソシエイツ特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】ナボヴァティ，アイディン

(72)【発明者】

【氏名】パン，メンジー

(72)【発明者】

【氏名】ナスル，モハメド

【テーマコード（参考）】

5E322

5F136

【Ｆターム（参考）】

5E322AB06

5E322FA04

5E322FA06

5E322FA09

5F136BC01

5F136BC07

5F136DA25

5F136FA01

5F136FA02

5F136FA03

5F136FA23

5F136FA25

(57)【要約】

ウエハ上のシステムのアセンブリなどの電子アセンブリが開示される。アセンブリは、第１の側面を有する電子部品と、電子部品の第１の側面に結合された熱除去構造と、熱界面層および接着層を含む熱界面構造とを含むことができる。電子部品は、ウエハ上のシステム（ＳｏＷ）とすることができる。熱界面層は、電子部品の第１の側面と放熱構造との間に配置される。接着層は、熱除去構造と熱界面層との間に位置している。熱界面構造により、比較的低い圧力で電子部品と熱除去構造とをともに取り付けることができる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の側面を有する電子部品と、
前記電子部品の前記第１の側面に結合された熱除去構造と、
熱界面層および接着層を有する熱界面構造であって、前記熱界面層が、前記電子部品の前記第１の側面と前記熱除去構造との間に位置し、前記接着層が前記熱除去構造と前記熱界面層との間に位置する、熱界面構造と、
を備える、電子アセンブリ。

【請求項2】

前記電子部品がウエハ上のシステム（ＳｏＷ）である、請求項１に記載のアセンブリ。

【請求項3】

前記熱界面層が、前記電子部品の前記第１の側面にほぼ垂直に整列した垂直に整列したグラファイト層を含む、請求項１に記載のアセンブリ。

【請求項4】

前記熱界面層がカーボンナノチューブ層を含む、請求項１に記載のアセンブリ。

【請求項5】

前記熱界面層の厚さが、前記接着層の厚さよりも大きい、請求項１に記載のアセンブリ。

【請求項6】

前記接着層が、前記電子部品の前記第１の側面にほぼ平行に整列した水平に整列したグラファイト層を含む、請求項１に記載のアセンブリ。

【請求項7】

前記熱界面層が、前記電子部品の前記第１の側面にほぼ垂直に整列した垂直に整列したグラファイト層を含み、前記接着層が、前記電子部品の前記第１の側面にほぼ平行に整列した水平に整列したグラファイト層を含む、請求項１に記載のアセンブリ。

【請求項8】

前記接着層が、金属接着層または熱グリース層を含む、請求項１に記載のアセンブリ。

【請求項9】

前記接着層が前記金属接着層を含み、前記金属接着層が金またはインジウムを含む、請求項８に記載のアセンブリ。

【請求項10】

前記熱除去構造が金属板を備える、請求項１に記載のアセンブリ。

【請求項11】

前記電子部品と前記熱界面層との間に第２の接着層をさらに含む、請求項１に記載のアセンブリ。

【請求項12】

前記第１の側面の反対側の前記電子部品の第２の側面に結合された制御基板と、前記電子部品の前記第２の側面と前記制御基板との間の第２の熱除去構造とをさらに備える、請求項１に記載のアセンブリ。

【請求項13】

電子アセンブリを製造する方法であって、
（ａ）電子部品の第１の側面と熱除去構造との間の熱界面層と、（ｂ）前記熱界面層と前記熱除去構造との間の接着層と、を設けるステップと、
前記熱界面層を介して前記電子部品と前記熱除去構造とを接合するために圧力を加えるステップと、を含む、方法。

【請求項14】

前記電子アセンブリがウエハ上のシステムのアセンブリであり、前記電子部品がウエハ上のシステム（ＳｏＷ）である、請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

前記熱界面層の厚さが、前記接着層の厚さよりも大きい、請求項１３に記載の方法。

【請求項16】

前記接着層が、
前記電子部品の第１の側面とほぼ平行に整列した水平に整列したグラファイト層、
金属接着層、または
熱グリース層、の１つを含む、請求項１３に記載の方法。

【請求項17】

前記電子部品と前記熱界面層との間に第２の接着層をさらに含み、前記接着層と前記第２の接着層とが同じ材料を含む、請求項１３に記載の方法。

【請求項18】

前記第１の側面とは反対側の前記電子部品の第２の側面に制御基板を設けるステップと、前記電子部品の前記第２の側面と前記制御基板との間に第２の熱除去構造を設けるステップとをさらに含む、請求項１３に記載の方法。

【請求項19】

第１の側面を有するウエハと、
前記ウエハに結合された熱除去構造と、
前記ウエハの前記第１の側面と前記熱除去構造との間に配置され、前記第１の側面と前記熱除去構造とを接合する熱界面構造であって、前記熱界面構造が熱界面材料を含む、熱界面構造と、
前記ウエハと前記熱除去構造との間の溝であって、前記熱界面材料の少なくとも一部が前記溝内に配置される、溝と、を備えた、ウエハアセンブリ。

【請求項20】

前記溝が、前記ウエハの表面内にある、請求項１９に記載のアセンブリ。

【請求項21】

前記溝が、前記熱除去構造の表面内にある、請求項１９に記載のアセンブリ。

【請求項22】

前記熱界面材料が熱グリースを含む、請求項１９に記載のアセンブリ。

【請求項23】

前記熱界面構造が、前記ウエハの前記第１の側面にほぼ垂直に整列した垂直に整列したグラファイト層を含む熱界面層、またはカーボンナノチューブ層を含む熱界面層を含む、請求項１９に記載のアセンブリ。

【請求項24】

前記第１の側面とは反対側の前記ウエハの第２の側面に結合された制御基板と、前記ウエハの前記第２の側面と前記制御基板との間の第２の熱除去構造と、をさらに備えている、請求項１９に記載のアセンブリ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

［関連出願の相互参照］
本出願は、２０２１年５月１８日に出願された「ＳＹＳＴＥＭ ＯＮ Ａ ＷＡＦＥＲ ＡＳＳＥＭＢＬＩＥＳ ＷＩＴＨ ＴＨＥＲＭＡＬ ＩＮＴＥＲＦＡＣＥ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ」と題する米国仮特許出願第６３／１９０，１２２号の利益を主張し、その開示は、その全体があらゆる目的のために参照により本明細書に組み込まれる。

【0002】

本開示は、一般に、ウエハ上のシステムのアセンブリなどの電子アセンブリに関し、より具体的には、熱界面構造を有するそのようなアセンブリに関する。

【背景技術】

【0003】

ウエハ上のシステムのアセンブリは、集積デバイスダイのアレイを含むウエハ上のシステム（ＳｏＷ）を含む。ＳｏＷは動作中に発熱する。熱除去構造（例えば、冷却溶液）がＳｏＷに取り付けられ、ＳｏＷによって発生した熱を除去する。ＳｏＷと熱除去構造とを接合する場合、ＳｏＷから熱除去構造への熱の移動を容易にするために、ＳｏＷと熱除去構造との間に対応する高導電層が配置される。そのような層は、一般に熱界面材料（ＴＩＭ）と呼ばれ、前述の２つの構成要素間に熱ブリッジを形成するのに役立つ。ほとんどのＴＩＭは、望ましい熱性能を得るためにそれらにかなりの圧力を必要とする。そのような圧力は、ＳｏＷおよび／またはその構成要素を損傷し、またはそれらの長期の信頼性に悪影響を及ぼす可能性がある。

【発明の概要】

【0004】

一態様では、電子アセンブリが開示される。電子アセンブリは、第１の側面を有する電子部品と、電子部品の第１の側面に結合された熱除去構造と、熱界面層および接着層を含む熱界面構造とを含む。熱界面層は、電子部品の第１の側面と熱除去構造との間に配置される。接着層は、熱除去構造と熱界面層との間に位置している。

【0005】

一実施形態では、電子部品は、ウエハ上のシステム（ＳｏＷ）である。

【0006】

一実施形態では、熱界面層は、電子部品の第１の側面にほぼ垂直に整列した垂直に整列したグラファイト層を含む。

【0007】

一実施形態では、熱界面層はカーボンナノチューブ層を含む。

【0008】

一実施形態では、熱界面層の厚さは、接着層の厚さよりも大きい。

【0009】

一実施形態では、接着層は、電子部品の第１の側面とほぼ平行に整列した水平に整列したグラファイト層を含む。

【0010】

一実施形態では、熱界面層は、電子部品の第１の側面にほぼ垂直に整列した垂直に整列したグラファイト層を含む。接着層は、電子部品の第１の側面とほぼ平行に整列した水平に整列したグラファイト層を含むことができる。

【0011】

一実施形態では、接着層は金属接着層を含む。金属接着層は、金またはインジウムを含むことができる。

【0012】

一実施形態では、接着層は熱グリース層を含む。熱除去構造は、溝を含むことができる。熱グリース層の少なくとも一部は、溝内に配置することができる。

【0013】

一実施形態において、熱除去構造は、金属板を含む。

【0014】

一実施形態では、アセンブリは、電子部品と熱界面層との間に第２の接着層をさらに含む。接着層と第２の接着層とは、同じ材料を含むことができる。

【0015】

一実施形態では、アセンブリは、第１の側面の反対側の電子部品の第２の側面に結合された制御基板をさらに含む。アセンブリは、電子部品の第２の側面と制御基板との間に第２の熱除去構造をさらに含むことができる。

【0016】

一態様では、電子アセンブリを製造する方法が開示される。本方法は、（ａ）電子部品の第１の側面と熱除去構造との間の熱界面層と、（ｂ）熱界面層と熱除去構造との間の接着層と、を設けることを含む。本方法は、熱界面層を介して電子部品と熱除去構造とを接合するために圧力を加えることを含む。

【0017】

一実施形態では、電子アセンブリはウエハ上のシステムのアセンブリであり、電子部品はウエハ上のシステム（ＳｏＷ）である。

【0018】

一実施形態では、熱界面層は、電子部品の第１の側面にほぼ垂直に整列した垂直に整列したグラファイト層を含む。

【0019】

一実施形態では、熱界面層はカーボンナノチューブ層を含む。

【0020】

一実施形態では、熱界面層の厚さは、接着層の厚さよりも大きい。

【0021】

一実施形態では、接着層は、電子部品の第１の側面とほぼ平行に整列した水平に整列したグラファイト層を含む。

【0022】

一実施形態では、接着層は金属接着層を含む。金属接着層は、金またはインジウムの少なくとも１つを含む。

【0023】

一実施形態では、接着層は熱グリース層を含む。熱除去構造は、溝を含むことができる。熱グリース層の少なくとも一部は、溝内に配置することができる。

【0024】

一実施形態では、本方法は、電子部品と熱界面層との間に第２の接着層をさらに含む。接着層と第２の接着層とは、同じ材料を含むことができる。

【0025】

一実施形態では、本方法は、第１の側面の反対側の電子部品の第２の側面に制御基板を設けることをさらに含む。本方法は、電子部品の第２の側面と制御基板との間に第２の熱除去構造を設けることをさらに含むことができる。

【0026】

一態様では、ウエハアセンブリが開示される。ウエハアセンブリは、第１の側面を有するウエハと、ウエハに結合された熱除去構造と、ウエハの第１の側面と熱除去構造との間に配置され、それらを接合する熱界面構造と、ウエハと熱除去構造との間の溝とを含む。熱界面構造は、熱界面材料を含む。熱界面材料の少なくとも一部は、溝内に配置される。

【0027】

一実施形態では、溝はウエハの表面内にある。

【0028】

一実施形態では、溝は、熱除去構造の表面内にある。

【0029】

一実施形態では、熱界面材料は熱グリースを含む。

【0030】

一実施形態では、熱界面構造は、ウエハの第１の側面にほぼ垂直に整列した垂直に整列したグラファイト層を含む熱界面層を含む。

【0031】

一実施形態では、熱界面構造は、カーボンナノチューブ層を含む熱界面層を含む。

【0032】

一実施形態では、アセンブリは、第１の側面の反対側のウエハの第２の側面に結合された制御基板をさらに含む。アセンブリは、ウエハの第２の側面と制御基板との間に第２の熱除去構造をさらに含むことができる。

【図面の簡単な説明】

【0033】

ここで、限定ではなく例として提供される以下の図面を参照して、特定の実施態様を説明する。

【0034】

【図1】ウエハ上のシステム（ＳｏＷ）のアセンブリの概略側断面図である。

【0035】

【図2】一実施形態によるウエハ上のシステムのアセンブリの概略側断面図である。

【0036】

【図3A】別の実施形態によるウエハ上のシステムのアセンブリの概略側断面図である。

【0037】

【図3B】別の実施形態によるウエハ上のシステムのアセンブリの概略側断面図である。

【0038】

【図3C】別の実施形態によるウエハ上のシステムのアセンブリの概略側断面図である。

【0039】

【図4A】別の実施形態による熱界面構造の概略側断面図である。

【0040】

【図4B】別の実施形態による熱界面構造の概略側断面図である。

【0041】

【図4C】別の実施形態による熱界面構造の概略側断面図である。

【0042】

【図5A】一実施形態による図３Ｂのアセンブリを製造するプロセスのステップを示す図である。

【0043】

【図5B】一実施形態による図３Ｂのアセンブリを製造するプロセスにおける別のステップを示す図である。

【0044】

【図5C】一実施形態による図３Ｂのアセンブリを製造するプロセスにおける別のステップを示す図である。

【0045】

【図6】一実施形態によるウエハ上のシステムのアセンブリを製造するプロセスのフローチャートである。

【0046】

【図7A】別の実施形態によるウエハ上のシステムのアセンブリの概略側断面図である。

【0047】

【図7B】別の実施形態によるウエハ上のシステムのアセンブリの概略側断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0048】

特定の実施形態の以下の詳細な説明は、特定の実施形態の様々な説明を提示する。しかし、本明細書に記載された技術革新は、例えば、特許請求の範囲によって定義および包含されるように、多数の異なる方法で実施することができる。この説明では、同様の参照符号および／または用語が同一または機能的に同様の要素を示すことができる図面を参照する。図面に示されている要素は、必ずしも縮尺通りに描かれていないことが理解されよう。さらに、特定の実施形態は、図面に示されているよりも多くの要素および／または図面に示されている要素のサブセットを含むことができることが理解されよう。さらに、いくつかの実施形態は、２つ以上の図面からの特徴の任意の適切な組み合わせを組み込むことができる。

【0049】

ウエハ上のシステムのアセンブリは、ウエハ上のシステム（ＳｏＷ）と、ＳｏＷに結合された熱除去構造とを含むことができる。ＳｏＷおよび／または熱除去構造の接合面は、表面が接触したときに接合面の間に隙間または空隙が形成されるように粗面とすることができる。ＳｏＷと放熱構造との接合面間に熱界面材料を設けることができる。熱界面材料は、接合面間の隙間の形成を緩和および／または防止することができる。熱界面材料は、空気よりも良好な熱の移動のための熱伝導率を提供することができる。

【0050】

しかし、特定の熱界面材料では、ＳｏＷと熱除去構造との接合は、比較的高い圧力を伴う可能性がある。例えば、少なくとも４０ポンド／平方インチ（ｐｓｉ）が、結合のために特定の熱界面材料を活性化させるために適用される。これは、ＳｏＷに合計で約３０００ｐｓｉの力を伴い得る。不均一なＳｏＷスタックアップ耐性のために、そのような力は重大な懸念となり得る。接合のための比較的高い圧力は、場合によっては、ウエハ割れおよび／またはＳｏＷもしくは他のシステム構成要素への他の損傷をもたらす可能性がある。接合のための比較的高い圧力は、ＳｏＷおよび／またはＳｏＷアセンブリの関連する電子機器の信頼性を低下させる可能性がある。さらに、液体形態の材料などの低圧接合熱界面材料を熱界面材料として使用することには、いくつかの課題がある可能性がある。例えば、液体形態の材料は、経時的に乾燥し、ＳｏＷと熱除去構造との間に空隙を作り出す場合がある。

【0051】

本明細書に開示される様々な実施形態は、ＳｏＷと、熱輸送、移動、除去、または放散のための比較的高い熱伝導率を有する熱界面層との低圧接合を達成することができる接着層を含む熱界面構造を有するＳｏＷアセンブリに関する。そのようなＳｏＷアセンブリは、製造中の高圧接合に関連する欠点なしに良好な熱性能を達成することができる。本明細書で開示される様々な実施形態は、熱グリースなどの低圧接合熱界面材料に適したＳｏＷアセンブリのためのＳｏＷおよび／または熱除去構造で形成された構造（例えば、リザーバまたは溝）に関する。

【0052】

本明細書に開示される様々な実施形態は、ＳｏＷを含むＳｏＷアセンブリに関連して説明され得る。しかし、本明細書に開示される任意の適切な原理および利点は、電子部品を含む任意の適切な電子アセンブリで実施することができる。

【0053】

図１は、ウエハ上のシステム（ＳｏＷ）のアセンブリ１０の概略側断面図を示している。ＳｏＷアセンブリは、電子アセンブリの一例である。図１に示すように、ＳｏＷアセンブリ１０は、熱除去構造２６（例えば、放熱構造）と、電子部品（例えば、ＳｏＷ２４）と、電圧調整モジュール（ＶＲＭ）１６と、冷却システム３２と、熱界面材料（ＴＩＭ）を含むＴＩＭ構造２１と、ＴＩＭを含むＴＩＭ構造２３とを含む。ＴＩＭ構造２１および／または２３は、本明細書に開示される任意の適切な熱界面構造を含むことができる。いくつかの用途では、本明細書に開示される熱界面構造の特定の利点は、熱界面構造がＴＩＭ構造２３として使用される場合に顕著になり得る。ＶＲＭ１６は、ＴＩＭを間に配置してウエハ上に配置することができる電子モジュールまたは電子部品の例である。本開示の特徴は、ＳｏＷアセンブリ１０および／または任意の他の適切な処理システムを含むシステムにおいて実施することができる。ＳｏＷアセンブリ１０は、高い計算密度を有することができ、ＳｏＷアセンブリ１０によって生成された熱を放散することができる。

【0054】

ＳｏＷアセンブリ１０内の構成要素のスタックは、処理システムに含めることができるアセンブリの一例である。本明細書に開示される様々な原理および利点は、構成要素間にＴＩＭを有する任意の他の適切なアセンブリまたはシステムで実施することができる。

【0055】

ＳｏＷ２４と熱除去構造２６とは結合されている。熱除去構造２６とＳｏＷ２４との間にＴＩＭ構造２３を設けることができる。熱除去構造２６は、ＳｏＷ２４から熱を放散させることができる。熱除去構造２６は、銅および／またはアルミニウムなどの金属を含むことができる。熱除去構造２６は、代替的または追加的に、望ましい放熱特性を有する任意の他の適切な材料を含むことができる。熱除去構造２６とＳｏＷ１４との間に含まれる熱界面材料は、熱除去構造２６とＳｏＷ１４との間の熱移動抵抗を低減および／または最小化することができる。

【0056】

ＳｏＷ２４と熱除去構造２６とは結合されている。熱除去構造２６とＳｏＷ２４との間にＴＩＭ構造２３を設けることができる。熱除去構造２６は、ＳｏＷ２４から熱を放散させることができる。熱除去構造２６は、銅および／またはアルミニウムなどの金属を含むことができる。

【0057】

ＳｏＷ２４は、集積回路（ＩＣ）ダイのアレイを含むことができる。ＩＣダイは、成形材料に埋め込むことができる。ＳｏＷ２４は、高い計算密度を有することができる。ＩＣダイのアレイは、任意の適切な数のＩＣダイを含むことができる。ＳｏＷ２４は、例えば、統合ファンアウト（ＩｎＦＯ）ウエハとすることができる。ＩｎＦＯウエハは、ＩＣダイのアレイ上に複数のルーティング層を含むことができる。ＩｎＦＯウエハのルーティング層は、ＩＣダイ間および／または外部構成要素への信号接続を提供することができる。ＳｏＷ２４は、比較的大きな直径を有することができる。

【0058】

ＶＲＭ１６は、各ＶＲＭがＳｏＷ２４のＩＣダイと積層されるように配置することができる。ＳｏＷアセンブリ１０では、ＶＲＭ１６の高密度充填が存在する。したがって、ＶＲＭ１６はかなりの電力を消費する可能性がある。ＶＲＭ１６は、直流（ＤＣ）供給電圧を受け取り、より低い出力電圧をＳｏＷ２４の対応するＩＣダイに供給するように構成される。ＳｏＷアセンブリ１０は、冷却システム３２とＶＲＭ１６との間にＴＩＭ構造２１を含む。ＴＩＭ構造２１は、冷却システム３２とＶＲＭ１６との間の熱伝導率を改善することができる。ＴＩＭ構造２１は、冷却システム３２とＶＲＭ１６との間の接着を提供することができる。ＴＩＭ構造２１には、冷却システム３２を設けることができる。

【0059】

冷却システム３２は、任意の適切な冷却構造を備えることができる。冷却システム３２は、ＶＲＭ１６に能動冷却を提供することができる。能動冷却は、冷却システム３２を通って流れる液体冷却剤などの冷却剤を含むことができる。

【0060】

図２は、一実施形態によるＳｏＷアセンブリ２０の概略側断面図である。アセンブリ２０は、第１の側面２４ａ、および第１の側面２４ａの反対側の第２の側面２４ｂを有するＳｏＷ２４と、熱除去構造２６とを含むことができる。アセンブリ２０はまた、ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａと熱除去構造２６との間に配置された熱界面構造２８を含むことができる。アセンブリ２０はまた、ＳｏＷ２４の第２の側面２４ｂに、ギャップパッド３０、第１の冷却構造（冷却システム３２）、第１の介在層３４、制御基板３６、第２の介在層３８、および第２の冷却構造４０を含むことができる。いくつかの実施形態では、ＳｏＷ２４は制御基板３６に電気的に接続することができる。

【0061】

ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａおよび／またはＳｏＷ２４に結合された熱除去構造２６の表面は、特定の表面プロファイルまたは微視的粗さを有することができる。そのような表面が接触しているとき、空隙または隙間（例えば、エアギャップ）が２つの表面の間に形成され得る。空隙または隙間は、ＳｏＷ２４と熱除去構造２６との間の熱の移動を低減および／または中断する場合がある。ＳｏＷ２４と熱除去構造２６との間の熱界面構造２８は、空隙または隙間の形成を緩和および／または防止するために、ＳｏＷ２４の第１の側面および熱除去構造２６の表面に適合することができる。したがって、熱界面構造２８を備える方が、熱界面構造２８を備えない場合よりも、ＳｏＷ２４によって発生した熱を効率的に熱除去構造２６に伝えることができる。熱界面構造２８は、任意の適切な構造または材料を備えることができる。熱界面構造２８は、本明細書に記載の多層構造を備えることができる。

【0062】

熱界面構造２８が２つの接続構造間の隙間を効果的に充填するためには、特定の用途では熱除去構造２６とＳｏＷ２４との間で効果的に圧縮される必要がある。多くの場合、圧力が高いほど、２つの構造間の熱接触は良好になる。しかし、特定の実施形態では、ＳｏＷ２４は、外圧によって影響を受け得る回路素子を含む。したがって、ＳｏＷ２４と熱除去構造２６との間の十分な接合強度を得るためには、できるだけ圧力をかけないことが望ましい場合がある。

【0063】

高圧を印加することの別の悪影響は、熱除去構造２６とＳｏＷ２４との間の強力な機械的結合を含むことができる。そのような機械的結合は、熱膨張および収縮の下で熱除去構造２６とＳｏＷ２４との間に大きなせん断力を引き起こす可能性があり、その結果、アセンブリの信頼性に悪影響を及ぼす可能性がある。

【0064】

図３Ａから図３Ｃは、様々な熱界面構造を有するＳＯＷアセンブリの概略断面側面図である。異なるタイプの熱界面材料または同じ材料の異なる配向を組み合わせることにより、ＳｏＷ２４と熱除去構造２６との間の低い熱抵抗を維持しながら、所望の圧縮圧力を低減し、および／またはＳｏＷ２４と熱除去構造２６との間のせん断結合を低減することが可能である。図３Ａから図３Ｃでは、異なる熱界面材料の３つの異なる組み合わせが熱界面構造に示されている。

【0065】

図３Ａから図３Ｃの実施形態は、例えば、接合面が比較的高い粗さを有する場合に有利であり得る。熱界面構造は、高い熱性能のための低い接触抵抗、ウエハ割れのリスクを低減し、および／または信頼性を高めることができる製造中に取り付けるための低い機械的クランプ力、またはＳｏＷと放熱構造との間の機械的な緩み結合を改善するための低い界面せん断応力のうちの１つまたは複数を達成することができる。したがって、熱界面構造は、比較的低い圧力接合および／または低いせん断応力結合を可能にしながら、良好な熱性能を達成することができる。

【0066】

図３Ａは、一実施形態によるＳｏＷアセンブリ５０の概略側断面図である。特に別様に明記しない限り、図３ＡのＳｏＷアセンブリ５０の構成要素は、本明細書に開示される任意のＳｏＷアセンブリの同様の構成要素と同じまたはほぼ同様とすることができる。図３Ａは、厚さｔ２を有する接着層５４が熱除去構造側に配置され、厚さｔ１を有する熱界面層５２がＳｏＷアセンブリ側に配置されることを示す。熱界面層５２および接着層５４の各々は、ＳｏＷ２４または熱除去構造２６のいずれかからのそれらの対応する側の特定の仕様を満たすように選択することができる。

【0067】

アセンブリ５０は、第１の側面２４ａ、および第１の側面２４ａの反対側の第２の側面２４ｂを有するＳｏＷ２４と、熱除去構造２６とを含むことができる。アセンブリ５０はまた、ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａと熱除去構造２６との間に配置された熱界面構造５８を含むことができる。熱界面構造５８は、ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａと熱除去構造２６との間に配置された熱界面層５２と、ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａと熱界面層５２との間に配置された接着層５４とを備えることができる。熱界面層５２および接着層５４により、熱界面構造５８は、比較的高い熱伝導率を達成することができ、また、ＳｏＷ２４と熱除去構造２６とを比較的低い圧力で接合するのを助けることもできる。

【0068】

いくつかの実施形態では、熱界面層５２は、グラファイト、炭素、インジウムなど、またはそれらの任意の合金などの熱伝導性材料を含むことができる。いくつかの実施形態では、熱界面層５２は、熱グリース、パテ、または二液型エポキシなどの分注可能な材料を含むことができる。いくつかの実施形態では、熱界面層５２は、硬化ギャップパッド、グラファイトパッド、相変化材料パッド、または金属パッドなどのパッドを含むことができる。いくつかの実施形態では、熱界面層５２は、ＳｏＷ２４の第１の側面にほぼ垂直に整列した垂直に整列したグラファイト、またはカーボンナノチューブを含むことができる。

【0069】

接着層５４は、接着層５４なしでＳｏＷ２４と熱界面層５２とを接合する場合と比較して、ＳｏＷ２４と熱界面層５２との間の接着強度を改善する材料を含むことができる。いくつかの実施形態では、接着層５４は、ＳｏＷ２４と熱除去構造２６とを接合するための圧力を有利に低減することができる。

【0070】

いくつかの実施形態では、提案されるアセンブリをどのように構成することができるかの例として、接着層５４は、（例えば、図４Ａに示すような）ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａとほぼ平行に整列した水平に整列したグラファイト層、（例えば、図４Ｂに示すような）メタライゼーション層、または（例えば、図４Ｃに示すような）熱グリースを含むことができる。例えば、メタライゼーション層は、金および／またはインジウムを含むことができる。熱界面層５２の熱伝導率は、通常は、接着層５４の熱伝導率よりも大きい。いくつかの実施形態では、接着層５４の表面は、熱界面層５２の表面よりも滑らかとすることができる。

【0071】

熱界面層５２は、厚さｔ１を有する。熱界面層５２の厚さｔ１は、各特定の用途の熱的、機械的、および／または製造上の要件を満たすように調整することができる。

【0072】

接着層５４は、厚さｔ２を有する。接着層５４の厚さｔ２は、熱抵抗またはアセンブリ厚さを最小限に抑えながら、熱界面層５２と熱除去構造２６またはＳｏＷ２４との間の適切な接触を提供するように最適化することができる。

【0073】

図３Ｂは、別の実施形態によるＳｏＷアセンブリ６０の概略側断面図である。特に別様に明記しない限り、図３ＢのＳｏＷアセンブリ６０の構成要素は、本明細書に開示される任意のＳｏＷアセンブリの同様の構成要素と同じまたはほぼ同様とすることができる。

【0074】

アセンブリ６０は、第１の側面２４ａ、および第１の側面２４ａの反対側の第２の側面２４ｂを有するＳｏＷ２４と、熱除去構造２６とを含むことができる。アセンブリ６０はまた、ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａと熱除去構造２６との間に配置された熱界面構造６８を含むことができる。熱界面構造６８は、ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａと熱除去構造２６との間に配置された熱界面層５２と、熱界面層５２と熱除去構造２６との間に配置された接着層６４とを備えることができる。

【0075】

接着層６４は、接着層６４なしで熱除去構造２６と熱界面層５２とを接合するのと比較して、熱除去構造２６と熱界面層５２との間の接着強度を改善する材料を含むことができる。いくつかの実施形態では、接着層６４は、ＳｏＷ２４と熱除去構造２６とを接合するための圧力を有利に低減することができる。

【0076】

いくつかの実施形態では、接着層６４は、（例えば、図４Ａに示すような）ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａと平行に整列した水平に整列したグラファイト層、（例えば、図４Ｂに示すような）メタライゼーション層、または（例えば、図４Ｃに示すような）熱グリースを含むことができる。例えば、メタライゼーション層は、金またはインジウムを含むことができる。いくつかの実施形態では、熱界面層５２の熱伝導率は、接着層６４の熱伝導率よりも大きくすることができる。いくつかの実施形態では、接着層６４の表面は、熱界面層５２の表面よりも滑らかとすることができる。

【0077】

図３Ｃは、別の実施形態によるＳｏＷアセンブリ７０の概略側断面図である。特に別様に明記しない限り、図３ＣのＳｏＷアセンブリ７０の構成要素は、本明細書に開示される任意のＳｏＷアセンブリの同様の構成要素と同じまたはほぼ同様とすることができる。図３Ｃは、熱界面層５４、５２、および６４の３つの層を含むＴＩＭ構造を有する実施形態を示す。層５４および６４の厚さおよび材料は、それらの対応する合わせ面に対して調整および最適化することができる。

【0078】

アセンブリ７０は、第１の側面２４ａ、および第１の側面２４ａの反対側の第２の側面２４ｂを有するＳｏＷ２４と、熱除去構造２６とを含むことができる。アセンブリ７０はまた、ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａと熱除去構造２６との間に配置された熱界面構造７８を含むことができる。熱界面構造７８は、ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａと熱除去構造２６との間に配置された熱界面層５２と、ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａと熱界面層５２との間に配置された接着層５４と、熱界面層５２と熱除去構造２６との間に配置された別の接着層６４とを備えることができる。いくつかの実施形態では、接着層５４と接着層６４とは同じ材料を含むことができる。他の実施形態では、接着層５４と接着層６４とは、異なる材料を含むことができる。

【0079】

図４Ａから図４Ｃは、熱界面構造の様々な実施形態を示している。熱界面構造は２つの接着層を含むが、これらの構造の任意の適切な原理および利点は、熱界面構造が単一の接着層を含む用途で実施することができる。さらに、図４Ａから図４Ｃの実施形態の特徴の任意の適切な組み合わせを互いに一緒に実施することができる。

【0080】

図４Ａは、一実施形態による熱界面構造７８ａの概略側断面図である。熱界面構造７８ａは、垂直に整列したグラファイトまたはカーボンナノチューブを含む熱界面層５２ａと、水平に整列したグラファイトを含む接着層５４ａと、水平に整列したグラファイトを含む接着層６４ａとを含む。垂直に整列したグラファイトおよびカーボンナノチューブは、良好な熱性能を有する熱界面層の例である。垂直に整列したグラファイトは、熱界面層５２ａと、接着層５４ａ、６４ａとの接合面に対してほぼ垂直に整列することができる。水平に整列したグラファイトは、結合のための望ましい圧縮および接着の特性を有する接着層の一例である。他の適切な接着層には、ポリマー層が含まれる。図４Ａに示す実施形態では、水平に整列したグラファイトは、熱界面層５２ａおよび接着層５４ａ、６４ａの接合面とほぼ平行に整列することができる。垂直に整列したグラファイトおよび水平に整列したグラファイトは、熱界面構造７８ａにおいて互いにほぼ垂直に整列している。

【0081】

接着層５４ａ、６４ａの水平に整列したグラファイトは、熱界面層５２ａの接合面に対してより平坦または滑らかな接合面を有することができる。水平に整列したグラファイトの接合面のそのような平坦性または平滑性は、接着層５４ａ、６４ａが比較的低い圧力で、図２から図３Ｃに示すＳｏＷ２４および熱除去構造２６などの他の要素と接合することを可能にすることができる。

【0082】

図４Ｂは、別の実施形態による熱界面構造７８ｂの概略側断面図である。熱界面構造７８ｂは、垂直に整列したグラファイトを含む熱界面層５２ｂと、メタライゼーション層を含む接着層５４ｂと、メタライゼーション層を含む接着層６４ｂとを含む。垂直に整列したグラファイトは、熱界面層５２ａと、接着層５４ｂ、６４ｂとの接合面に対してほぼ垂直に整列することができる。いくつかの実施形態では、接着層５４ｂ、６４ｂのメタライゼーション層は、金またはインジウムなどの軟質金属を含むことができる。

【0083】

接着層５４ｂ、６４ｂのメタライゼーション層は、熱界面層５２ｂの接合面に対してより平坦または滑らかな接合面を有することができる。メタライゼーション層の接合面のそのような平坦性および／または平滑性は、接着層５４ｂ、６４ｂが比較的低い圧力で、図２から図３Ｃに示すＳｏＷ２４および熱除去構造２６などの他の要素と接合することを可能にすることができる。

【0084】

図４Ｃは、別の実施形態による熱界面構造７８ｃの概略側断面図である。熱界面構造７８ｃは、垂直に整列したグラファイトを含む熱界面層５２ｂと、熱グリースを含む接着層５４ｃと、熱グリースを含む接着層６４ｃとを含む。垂直に整列したグラファイトは、熱界面層５２ｂと、接着層５４ｂ、６４ｂとの接合面に対してほぼ垂直に整列することができる。

【0085】

接着層５４ｂ、６４ｂの熱グリースは、図２から図３Ｃに示すＳｏＷ２４および熱除去構造２６などの要素に接合する前に熱界面層５２ｂ上に塗布される場合、液体形態とすることができる。熱グリースは、熱界面層５２ｂと素子との間の低圧接合を可能にする。

【0086】

図５Ａから図５Ｃは、一実施形態による図３Ｂのアセンブリ６０の製造における異なるステップにおける構造を示す。図５Ａにおいて、熱除去構造２６を設けることができる。熱除去構造２６は、ほぼ平坦な接合面を有することができる。

【0087】

図５Ｂでは、熱界面層５２および接着層６４を含む熱界面構造６８を、熱除去構造２６の接合面上に設けることができる。いくつかの実施形態では、熱界面構造６８は、熱除去構造２６上に配置される前に予め形成することができる。すなわち、熱界面層５２と接着層６４とを別々に形成し、熱除去構造２６の接合面に設けることができる。例えば、接着層６４を熱界面層５２の表面上に形成することができ、予め形成された熱界面構造６８を設けることができる。いくつかの他の実施形態では、熱除去構造２６の接合面上に接着層６４を形成することができ、次いで、接着層６４の上に熱界面層５２を形成することができる。

【0088】

図５Ｃでは、第１の側面２４ａを有するＳｏＷ２４を設けることができる。ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａは、熱界面層５２に面する。ＳｏＷ２４が提供された後に、図５Ｃの矢印によって示される垂直方向に圧力を加えて、結果として生じる要素のスタックを互いに接合することができる。

【0089】

図６は、一実施形態によるＳｏＷアセンブリを製造するプロセスを示すフローチャートである。このプロセスは、本明細書に開示されるＳｏＷアセンブリのいずれかを製造するために使用することができる。アセンブリを製造するプロセスは、ステップ８０、８２、８４、および８６を含むことができる。ステップ８０において、ＳｏＷまたは熱除去構造を設けることができる。

【0090】

ステップ８２では、ステップ８０で設けられたＳｏＷまたは熱除去構造の一方の上に熱界面構造を設けることができる。熱界面構造は、本明細書に開示される任意の適切な原理および利点に従って、熱界面層および接着層を含むことができる。いくつかの実施形態では、熱界面構造はまた、熱界面層が２つの接着層の間に配置されるように別の接着層を含むことができる。いくつかの実施形態では、熱界面構造は、ＳｏＷまたは放熱構造のうちの一方の上に設けられる前に予め形成することができる。いくつかの他の実施形態では、熱界面層および接着層は、ＳｏＷまたは放熱構造のうちの一方の上に熱界面構造を形成するために別々に設けることができる。

【0091】

ステップ８４において、熱界面構造がＳｏＷと熱除去構造との間に配置されて、ＳｏＷ、熱界面構造、および放熱構造の垂直スタックを形成するように、ＳｏＷまたは熱除去構造の他方を熱界面構造の上に設けることができる。

【0092】

ステップ８６において、垂直方向に圧力を加えて、結果として生じるＳｏＷ、熱界面構造、および放熱構造のスタックを接合することができる。

【0093】

上述したように、放熱構造をＳｏＷに取り付けることができる。放熱構造とＳｏＷとの間の熱界面層の層は、接触抵抗を低減し、ＳｏＷから放熱構造への熱輸送を容易にすることができる。この構成では、熱界面層は、通常のウエハサイズに関して直径１２インチの拡張表面積をカバーすることができる。１０００分の数インチの通常の厚さを有する熱界面層（例えば、熱グリース層）では、熱界面層は極端なアスペクト比を有することができる。これは、製造およびプロセス制御において技術的課題を提示する可能性があり、また熱界面層の信頼性にリスクをもたらす可能性がある。信頼性の問題には、ポンプアウト、空隙、不均一な厚さなどが含まれるが、これらに限定されない。高性能システムにおける熱界面材料の１つの一般的な種類は、熱グリースである。しかし、熱グリースは、この種の熱界面材料の既知の故障モードであるポンプアウトする傾向があり得る。上述のように極端なアスペクト比を有するＳｏＷにグリースを塗布することに関しては、ポンプアウトのリスクが高まる場合がある。

【0094】

そのようなリスクを軽減するために、熱界面層のための技術的解決策が提供されて、熱界面層の塗布プロセスを改善し、ウエハにわたってより均一なＴＩＭ厚さを作り出し、過剰な材料を利用可能にすることによってＴＩＭがポンプアウトするリスクを低減する。

【0095】

溝は、ＳｏＷと放熱構造との間に含めることができる。熱グリース層などの熱界面層は、溝内に薄層として含めることができる。これらの溝内の余分な容積は、熱界面材料が分配される際に、組み立て中により均一な層を容易にするために過剰な熱界面材料層を収集するためのリザーバとして作用することができる。次いで、溝内の保存された熱界面材料は、システムの異なる構成要素の熱膨張および／またはそれらを一緒に保つ機械的力の変化の場合に、放熱構造とＳｏＷとの間の増加した隙間を補償することができる。

【0096】

図７Ａおよび図７Ｂは、溝および溝内の熱界面材料を有するＳｏＷアセンブリを示している。図７Ａでは、溝は熱除去構造に存在する。図７Ｂでは、溝はＳｏＷに存在する。特定の用途では、溝はＳｏＷと放熱構造との両方に存在し得る。

【0097】

図７Ａは、一実施形態によるＳｏＷアセンブリ９０の概略側断面図である。特に別様に明記しない限り、図７ＡのＳｏＷアセンブリ９０の構成要素は、本明細書に開示される任意のＳｏＷアセンブリの同様の構成要素と同じまたはほぼ同様とすることができる。

【0098】

アセンブリ９０は、第１の側面２４ａ、および第１の側面２４ａの反対側の第２の側面２４ｂを有するＳｏＷ２４と、熱除去構造９６とを含むことができる。ＳｏＷ２４は、第２の側面２４ｂに形成された再配線層（ＲＤＬ）９２を備えることができる。アセンブリ９０はまた、ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａと熱除去構造９６との間に配置された熱界面構造９８を含むことができる。熱除去構造９６は、接合面９６ａ上または接合面９６ａに形成された複数の溝１００を備えることができる。熱界面構造９８は、ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａと熱除去構造９６の接合面９６ａとの間の接合界面に沿って延在する第１の部分９８ａと、複数の溝１００内に配置された第２の部分９８ｂとを備えることができる。

【0099】

熱界面構造９８は、熱グリースを含むことができる。熱グリースは、経時的に乾燥またはポンプアウトし、その結果、ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａと熱除去構造９６の接合面９６ａとの間の接合界面に隙間または空隙が形成される可能性がある。熱除去構造９６の溝１００は、熱界面構造９８の第２の部分９８ｂのためのリザーバとして機能することができる。溝１００内の熱界面構造９８の第２の部分９８ｂは、ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａと熱除去構造９６の接合面９６ａとの間の接合界面付近の隙間または空隙の形成を防止または緩和することができる。したがって、ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａと放熱構造９６の接合面９６ａとの十分な接触を維持することができる。

【0100】

いくつかの実施形態では、熱界面構造９８は、（例えば、図３Ａから図３Ｃおよび図４Ｃのいずれかによるように）熱界面層および接着層を有する多層構造を含むことができる。

【0101】

図７Ｂは、一実施形態によるＳｏＷアセンブリ１１０の概略側断面図である。特に別様に明記しない限り、図７ＢのＳｏＷアセンブリ１１０の構成要素は、本明細書に開示される任意のＳｏＷアセンブリの同様の構成要素と同じまたはほぼ同様とすることができる。

【0102】

ＳｏＷアセンブリ１１０は、第１の側面１０４ａ、および第１の側面１０４ａの反対側の第２の側面１０４ｂを有するＳｏＷ１０４と、熱除去構造２６とを含むことができる。ＳｏＷ１０４は、第２の側面１０４ｂに形成された再配線層（ＲＤＬ）９２を備えることができる。ＳｏＷアセンブリ１１０はまた、ＳｏＷ１０４の第１の側面１０４ａと熱除去構造２６との間に配置された熱界面構造１０８を含むことができる。ＳｏＷ１０４は、第１の側面１０４ａ上またはそこに形成された複数の溝１２０を備えることができる。熱界面構造１０８は、ＳｏＷ２４の第１の側面２４ａと熱除去構造２６の接合面２６ａとの間の接合界面に沿って延在する第１の部分１０８ａと、複数の溝１２０内に配置された第２の部分１０８ｂとを備えることができる。

【0103】

熱界面構造１０８は、熱グリースを含むことができる。熱グリースは、経時的に乾燥してその体積を失う可能性があり、その結果、ＳｏＷ１０４の第１の側面１０４ａと熱除去構造９６の接合面９６ａとの間の接合界面に隙間または空隙が形成される。ＳｏＷ１０４の溝１２０は、熱界面構造１０８の第２の部分１０８ｂのためのリザーバとして機能することができる。そのような溝は、ダイ間の成形層からエッチング除去または彫り込むことができる。溝１２０内の熱界面構造１０８の第２の部分１０８ｂは、ＳｏＷ１０４の第１の側面１０４ａと熱除去構造２６の接合面２６ａとの間の接合界面付近の隙間または空隙の形成を防止または緩和することができる。したがって、ＳｏＷ１０４の第１の側面１０４ａと熱除去構造２６の接合面２６ａとの十分な接触を維持することができる。

【0104】

いくつかの実施形態では、熱界面構造９８は、（例えば、図３Ａから図３Ｃおよび図４Ｃのいずれかによる）熱界面層および接着層を有する多層構造を含むことができる。いくつかの実施形態では、図７Ｂに示すＳｏＷ１０４および図７Ａに示す熱除去構造９６は、ＳｏＷアセンブリで実施することができる。そのような実施形態では、熱界面構造の一部は、ＳｏＷ１０４で形成された溝１２０と熱除去構造９６で形成された溝１００との両方に配置することができる。

【0105】

本明細書に開示される実施形態は、ＳｏＷと放熱構造との間の熱界面構造に関連し得るが、本明細書に開示される任意の適切な原理および利点は、熱除去構造と基板またはウエハとの間など、処理システム内の任意の場所の熱界面構造に適用することができる。例えば、本明細書に開示される熱界面構造は、チップ上のシステム（ＳｏＣ）と放熱構造との間に配置することができる。特定の用途では、本明細書に開示される熱界面構造は、１つまたは複数の敏感な回路素子を有する電子部品と放熱構造との間に配置することができる。別の例として、本明細書に開示される熱界面構造は、能動冷却システムと基板またはウエハとの間に配置することができる。

【0106】

文脈上明らかに他の意味に解釈すべき場合を除き、明細書および特許請求の範囲を通して、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」などの単語は、排他的または網羅的な意味とは対照的に、包括的な意味で解釈されるべきである。すなわち、「含むが、それに限定されない」という意味である。本明細書で一般的に使用される「結合された」という用語は、直接接続されるか、または１つもしくは複数の中間要素によって接続され得る２つ以上の要素を指す。同様に、本明細書で一般的に使用される「接続された」という用語は、直接接続されるか、または１つもしくは複数の中間要素によって接続され得る２つ以上の要素を指す。さらに、「本明細書」、「上記」、「以下」という単語、および同様の意味の単語は、本出願で使用される場合、本出願全体を指すものとし、本出願の特定の部分を指すものではない。文脈が許す場合、単数または複数の数字を使用する上記の詳細な説明の単語はまた、それぞれ複数または単数を含むことができる。２つ以上の項目のリストに関連する「または」という単語は、その単語の以下の解釈のすべて、すなわち、リスト内の項目のいずれか、リスト内の項目のすべて、およびリスト内の項目の任意の組み合わせを網羅する。

【0107】

さらに、本明細書で使用される条件付き言語、とりわけ、「できる（ｃａｎ）」、「あり得る（ｃｏｕｌｄ）」、「してもよい（ｍｉｇｈｔ）」、「する可能性がある（ｍａｙ）」、「例えば（ｅ．ｇ．）」、「例えば（ｆｏｒ ｅｘａｍｐｌｅ）」、「など（ｓｕｃｈ ａｓ）」などは、特に別様に明記しない限り、または使用される文脈内で他の意味で理解されない限り、一般に、特定の実施形態が特定の特徴、要素、および／または状態を含むが、他の実施形態は含まないことを伝えることを意図している。したがって、そのような条件付き言語は、一般に、特徴、要素、および／または状態が１つまたは複数の実施形態に何らかの形で必要とされることを暗示することを意図するものではない。

【0108】

上記の説明は、特定の実施形態を参照して説明されている。しかし、上記の例示的な説明は、網羅的であること、または本発明を記載された正確な形態に限定することを意図するものではない。上記の教示を考慮して、多くの修正および変形が可能である。それにより、当業者は、様々な用途に適した様々な変更を伴う技術および様々な実施形態を最良に利用することが可能になる。

【0109】

本開示および実施例を添付の図面を参照して説明したが、様々な変更および修正が当業者には明らかになるであろう。そのような変更および修正は、本開示の範囲内に含まれると理解されるべきである。

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図5A-5C】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【国際調査報告】