特表 2024-520343 低損失磁気誘電材料

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-05-24

(54)【発明の名称】低損失磁気誘電材料

(51)【国際特許分類】

   C04B 35/26 20060101AFI20240517BHJP

   C01G 49/00 20060101ALI20240517BHJP

   H01F 1/34 20060101ALI20240517BHJP

【ＦＩ】

C04B35/26

C01G49/00 C

C01G49/00 E

H01F1/34

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023571677

(86)(22)【出願日】2022-05-16

(85)【翻訳文提出日】2023-11-17

(86)【国際出願番号】 US2022029361

(87)【国際公開番号】W WO2022245686

(87)【国際公開日】2022-11-24

(31)【優先権主張番号】63/189,431

(32)【優先日】2021-05-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】521138305

【氏名又は名称】ロジャーズ・コーポレイション

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(74)【代理人】

【識別番号】100133400

【弁理士】

【氏名又は名称】阿部 達彦

(72)【発明者】

【氏名】ヤジエ・チェン

(72)【発明者】

【氏名】ランス・ヤング

(72)【発明者】

【氏名】キファン・リ

(72)【発明者】

【氏名】メーガン・ホット

【テーマコード（参考）】

4G002

5E041

【Ｆターム（参考）】

4G002AA08

4G002AA10

4G002AB01

4G002AD04

4G002AE05

5E041AB11

5E041AB19

5E041BB03

5E041BD12

5E041CA08

5E041NN02

5E041NN06

5E041NN18

(57)【要約】

一態様では、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、少なくともＭｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｌｉ、及びＦｅの酸化物を含み、Ｍｅは、Ｂａ又はＳｒのうちの少なくとも１つである。別の態様では、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、ある量のモリブデン酸リチウムを含むＺ型ヘキサフェライトを含む。別の態様では、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、式Ｌｉ_２ＭｏＯ_４Ｂａ_ｘＳｒ_３－ｘＣｏ_{２＋ｙ－ｚ}Ｍｅ’_ｙＭｅ”_ｚＦｅ_{２４－２ｙ－ｍ}Ｏ_４１を有し、Ｍｅ’は、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｚｒ、又はＳｎのうちの少なくとも１つであり、Ｍｅ”は、Ｚｎ、Ｍｎ、又はＭｇのうちの少なくとも１つであり、ｘは、０～３であり、ｙは、０～１．８であり、ｚは、０～１．８であり、ｍは、－４～４である。更なる別の態様では、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトを製造する方法は、初期Ｃｏ_２Ｚ型フェライト及びＬｉ_２ＭｏＯ_４を粉砕して混合フェライトを形成する工程、並びに混合フェライトを焼成してＣｏ_２Ｚ型フェライトを形成する工程を含む。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

少なくともＭｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｌｉ、及びＦｅの酸化物
を含み、
Ｍｅが、Ｂａ又はＳｒのうちの少なくとも１つである、
Ｃｏ_２Ｚ型フェライト。

【請求項2】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトが、式Ｌｉ_２ＭｏＯ_４・Ｂａ_ｘＳｒ_３－ｘＣｏ_{２＋ｙ－ｚ}Ｍｅ’_ｙＭｅ”_ｚＦｅ_{２４－２ｙ－ｍ}Ｏ_４１を有し、Ｍｅ’が、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｚｒ、又はＳｎのうちの少なくとも１つであり、Ｍｅ”が、Ｚｎ、Ｍｎ、又はＭｇのうちの少なくとも１つであり、ｘが、０～３であり、ｙが、０～１．８であり、ｚが、０～１．８であり、ｍが、－４～４である、請求項１に記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【請求項3】

ｘのうちの少なくとも１つが、０．１～３、若しくは０．８～２、若しくは１～２、若しくは３であるか、
ｙが、０、若しくは０．１～１．５、若しくは０．５～１であるか、
ｚが、０、若しくは０．１～１．５、若しくは０．５～１であるか、又は
ｍが、－３～３、若しくは０～４、若しくは２～３である、
請求項２に記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【請求項4】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトが、Ｌｉ_２ＭｏＯ_４・Ｂａ_ｘＳｒ_３－ｘＣｏ_２Ｆｅ_２４－ｍＯ_４１の式を有し、ｘが、０～３、又は０．１～３、又は０．８～２、又は１～２、又は３であり、ｍが、－４～４、又は０～４、又は２～３である、請求項２又は３に記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【請求項5】

Ｌｉ_２ＭｏＯ_４が、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの総質量に基づいて、０．１～１質量パーセントの量で存在する、請求項２から４のいずれか一項に記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【請求項6】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトが、
式Ｂａ_ｘＳｒ_３－ｘＣｏ_{２＋ｙ－ｚ}Ｍｅ_ｙＭｅ’_ｚＦｅ_{２４－２ｙ－ｍ}Ｏ_４１を有する磁性相を含み、Ｍｅ’が、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｚｒ、又はＳｎのうちの少なくとも１つであり、Ｍｅ’が、Ｚｎ、Ｍｎ、又はＭｇのうちの少なくとも１つであり、ｘが、０～３であり、ｙが、０～１．８であり、ｚが、０～１．８であり、ｍが、－４～４であり、
誘電相が、式Ｌｉ_２ＭｏＯ_４を有する、
請求項１から５のいずれか一項に記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【請求項7】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトが、２～１０マイクロメートルのＤ_５０粒径、又はＣｏ_２Ｚ型フェライトの総体積に基づいて０～５０体積パーセント若しくは２０～４５体積パーセントの多孔度のうちの少なくとも１つを有する、請求項１から６のいずれか一項に記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【請求項8】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトが、０．５～２ギガヘルツの周波数で、２以上、又は３以上、又は２～１０、又は２～３の透磁率を有する、請求項１から７のいずれか一項に記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【請求項9】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトが、０．５～２ギガヘルツの周波数で、０．３以下、又は０．１以下、又は０．００１～０．２の磁気損失正接ｔａｎδ_μを有する、請求項１から８のいずれか一項に記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【請求項10】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトが、０．５～２ギガヘルツの周波数で、８以下、又は７以下、又は５～７の誘電率を有する、請求項１から９のいずれか一項に記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【請求項11】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトが、０．５～２ギガヘルツの周波数で、０．０１以下、又は０．００７以下、又は０．００１～０．００７の誘電損失正接ｔａｎδ_εを有する、請求項１から１０のいずれか一項に記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【請求項12】

ポリマー及び請求項１から１１のいずれか一項に記載のＣｏ_２Ｚ型フェライトを含む、複合材料。

【請求項13】

ポリマーが、フルオロポリマー、ポリウレタン、シリコーンポリマー、液晶ポリマー、ポリケトン、ポリスルホン、又はポリオレフィンのうちの少なくとも１つを含む、請求項１２に記載の複合材料。

【請求項14】

請求項１から１２のいずれか一項に記載のフェライト組成物又は請求項１２若しくは１３に記載の複合材料を含む、物品。

【請求項15】

物品が、アンテナ、フィルター、インダクター、サーキュレーター、又はＥＭＩサプレッサーである、請求項１４に記載の物品。

【請求項16】

初期Ｃｏ_２Ｚ型フェライト及びＬｉＭｏＯ_４を粉砕して混合フェライトを形成する工程、並びに
混合フェライトを焼成してＣｏ_２Ｚ型フェライトを形成する工程
を含む、（任意選択的に請求項１から１１のいずれか一項に記載の）Ｃｏ_２Ｚ型フェライトを製造する方法。

【請求項17】

粉砕が、１．５時間以上にわたって、又は３００毎分回転数以上の混合速度で行われる、請求項１６に記載の方法。

【請求項18】

Ｍｅ、Ｃｏ、Ｍｅ’、Ｍｅ”、及びＦｅの酸化物を含むフェライト前駆体化合物を粉砕して磁性酸化物混合物を形成する工程であって、Ｍｅが、Ｂａ又はＳｒのうちの少なくとも１つを含み、Ｍｅ’が、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｚｒ、又はＳｎのうちの少なくとも１つであり、Ｍｅ”が、Ｚｎ、Ｍｎ、又はＭｇのうちの少なくとも１つである、工程；
磁性酸化物混合物を酸素又は空気雰囲気中で焼成して、式Ｂａ_ｘＳｒ_３－ｘＣｏ_{２＋ｙ－ｚ}Ｍｅ’_ｙＭｅ”_ｚＦｅ_{２４－２ｙ－ｍ}Ｏ_４１を有する初期Ｃｏ_２Ｚ型フェライトを形成する工程であって、Ｍｅ’が、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｚｒ、又はＳｎのうちの少なくとも１つであり、Ｍｅ”が、Ｚｎ、Ｍｎ、又はＭｇのうちの少なくとも１つであり、ｘが、０～３であり、ｙが、０～１．８であり、ｚが、０～１．８であり、ｍが、－４～４である、工程
を更に含む、請求項１６又は１７に記載の方法。

【請求項19】

Ｌｉ_２ＣＯ_３及びＭｏＯ_２を粉砕して誘電酸化物混合物を形成する工程、並びに誘電酸化物混合物を酸素又は空気雰囲気中で焼成してＬｉ_２ＭｏＯ_４を形成する工程を更に含む、請求項１６から１８のいずれか一項に記載の方法。

【請求項20】

混合フェライトの焼成が、８００～１，３００℃若しくは９００～１，２００℃の焼成温度で、又は０．５～２０時間若しくは１～１０時間の焼成時間にわたって行われる、請求項１６から１９のいずれか一項に記載の方法。

【請求項21】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライト及びポリマーを含む複合材料を形成する工程を更に含む、請求項１６から２０のいずれか一項に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
本出願は、２０２１年５月１７日に出願された米国仮特許出願第６３／１８９，４３１号の利益を主張するものである。関連出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

【0002】

本開示は、リチウムを含むＺ型ヘキサフェライトに関する。

【背景技術】

【0003】

様々な商業的及び防衛関連産業において特に関心の高い、超高周波用途で使用されるデバイスの高まり続ける需要を満たすためには、改善された性能及び小型化が必要である。レーダー及び最新の無線通信システムの重要な構成要素として、コンパクトなサイズを有するアンテナ素子が常に開発されている。しかしながら、大部分のフェライト材料は、高周波数で比較的高い磁気損失を呈するため、そのような高周波用途における使用のためのフェライト材料を開発することは困難であった。

【0004】

一般に、六方晶フェライト又はヘキサフェライトは、六方晶の結晶構造を有し、かつ磁気特性を呈する、酸化鉄セラミック化合物の一種である。Ｚ型フェライトＢａ_３Ｍｅ_２Ｆｅ_２４Ｏ_４１及びＹ型フェライトＢａ_２Ｍｅ_２Ｆｅ_１２Ｏ_２２を含むいくつかの種類のヘキサフェライト族が知られており、Ｍｅは、Ｃｏ、Ｎｉ、又はＺｎ等の小さな２＋カチオンであってよく、ＳｒでＢａを置換してよい。他のヘキサフェライトの種類は、Ｍ型フェライト（（Ｂａ，Ｓｒ）Ｆｅ_１２Ｏ_１９）、Ｗ型フェライト（（Ｂａ，Ｓｒ）Ｍｅ_２Ｆｅ_１６Ｏ_２７）、Ｘ型フェライト（（Ｂａ，Ｓｒ）_２Ｍｅ_２Ｆｅ_２８Ｏ_４６）、及びＵ型フェライト（（Ｂａ，Ｓｒ）_４Ｍｅ_２Ｆｅ_３６Ｏ_６０）を含む。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

高い磁気結晶異方性場を有するヘキサフェライトは、これらが、高い磁気結晶異方性場を有し、それによって、高い強磁性共鳴周波数を有するため、ギガヘルツアンテナ基板についての良好な候補である。Ｃｏ_２Ｚヘキサフェライト（Ｂａ_３Ｃｏ_２Ｆｅ_２４Ｏ_４１）材料が一部のアンテナ用途のために開発されているが、その一方で、低周波用途における使用のための改善されたＺ型フェライトが望まれている。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本明細書では、Ｃｏ_２Ｚ型ヘキサフェライトが開示されている。

【0007】

一態様では、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、少なくともＭｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｌｉ、及びＦｅの酸化物を含み、Ｍｅは、Ｂａ又はＳｒのうちの少なくとも１つである。

【0008】

別の態様では、複合材料は、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトを含む。

【0009】

更なる別の態様では、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトを製造する方法は、初期Ｃｏ_２Ｚ型フェライト及びＬｉＭｏＯ_４を粉砕して混合フェライトを形成する工程、並びに混合フェライトを焼成してＣｏ_２Ｚ型フェライトを形成する工程を含む。

【0010】

上記及び他の特徴は、以下の図面、詳細な説明、及び特許請求の範囲によって例示されている。

【0011】

以下の図は、本開示を説明するために提供される例示的な実施形態である。これらの図は、実施例を説明するものであり、本開示に従って製造されるデバイスを本明細書に記載されている材料、条件、又は方法パラメータに限定することを意図してはいない。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】実施例１～７についての、異なる周波数でのリチウム濃度に対する透磁率のグラフ説明である。

【図2】実施例１～７についての、異なるリチウム濃度での周波数に対する透磁率のグラフ説明である。

【図3】実施例１～７についての、異なる周波数でのリチウム濃度に対する磁気損失のグラフ説明である。

【図4】実施例１～７についての、異なるリチウム濃度での周波数に対する磁気損失のグラフ説明である。

【図5】実施例１～７についての、異なる周波数でのリチウム濃度に対する誘電率のグラフ説明である。

【図6】実施例１～７についての、異なるリチウム濃度での周波数に対する誘電率のグラフ説明である。

【図7】実施例１～７についての、異なる周波数でのリチウム濃度に対する誘電損失のグラフ説明である。

【図8】実施例１～７についての、異なるリチウム濃度での周波数に対する誘電損失のグラフ説明である。

【図9】実施例８～１１についての、異なる周波数でのリチウム濃度に対する透磁率のグラフ説明である。

【図10】実施例８～１１についての、異なる周波数でのリチウム濃度に対する磁気損失のグラフ説明である。

【図11】実施例８～１１についての、異なる周波数でのリチウム濃度に対する誘電率のグラフ説明である。

【図12】実施例８～１１についての、異なる周波数でのリチウム濃度に対する誘電損失のグラフ説明である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

モリブデン酸リチウム等の低誘電損失材料をＣｏ_２Ｚ相ヘキサフェライトに組み込むことによって、磁気特性を維持しながら、容易に調整可能な誘電特性を有する組成物を得ることができることが発見された。理論に縛られることを望むものではないが、多くの実験から、モリブデン酸リチウム（本明細書では誘電相とも称される）の添加によって、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの主相の誘電場を変更することができると考えられる。

【0014】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの正確な結晶学的構造は、完全には理解されていないが、その一方で、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの磁性相、及びモリブデン酸リチウムを含む別個の誘電相を含んでいてよいと考えられている。逆に、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの単一の結晶学的構造が存在する可能性があり、このことは、それぞれの相の完全な混合を示している。言い換えるなら、それぞれの相の磁気構造又は結晶構造を必ずしも分離することは可能ではないであろう。したがって、最終的な構造は、成分の固溶体、２つ以上の相が何らかの形で互いに絡み合っているか若しくは互いに絡み合っていない識別可能な多相構造、又はそれらの組み合わせのいずれかであってよい。したがって、本明細書で使用されるＣｏ_２Ｚ型フェライトの用語は、識別可能な多相形態を有するフェライト、フェライトの固溶体、又はそれらの組み合わせを含むことに留意されたい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの正確な構造は知られていないため、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトについて本明細書で提示されている式は、一般に、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの調製中に形成される混合フェライトに従って記述されており、モリブデン酸リチウムＬｉ_２ＭｏＯ_４は、分かりやすくするために分けられている。しかしながら、これらの式は、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの結晶学的構造を限定するものではなく、得られるＣｏ_２Ｚ型フェライトは、２つの別個の相、単相、又はその間のものを含んでいてよいと理解される。

【0015】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、少なくともＭｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｌｉ、及びＦｅの酸化物を含み、Ｍｅは、Ｂａ又はＳｒのうちの少なくとも１つである。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、式（１）を有していてよい。
Ｌｉ_２ＭｏＯ_４・Ｂａ_ｘＳｒ_３－ｘＣｏ_{２＋ｙ－ｚ}Ｍｅ’_ｙＭｅ”_ｚＦｅ_{２４ －２ｙ－ｍ}Ｏ_４１ （１）
Ｍｅ’は、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｚｒ、又はＳｎのうちの少なくとも１つであってよい。Ｍｅ”は、Ｚｎ、Ｍｎ、又はＭｇのうちの少なくとも１つであってよい。変数ｘは、０～３、０．１～３、又は０．８～２、又は１～２、又は３であってよい。変数ｙは、０～１．８、０、又は０～１．５、又は０．１～１．５、又は０．５～１であってよい。変数ｚは、０～１．８、０、又は０～１．５、又は０．１～１．５、又は０．５～１であってよい。変数ｍは、－４～４、－３～３、又は０～４、又は－３～４、又は２～３であってよい。

【0016】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、式（２）を有していてよい。
Ｌｉ_２ＭｏＯ_４・Ｂａ_ｘＳｒ_３－ｘＣｏ_２Ｆｅ_２４－ｍＯ_４１ （２）
変数ｘは、０～３、又は０．１～３、又は０．８～２、又は１～２、又は３であってよい。変数ｍは、－４～４、又は０～４、又は２～３であってよい。

【0017】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、式（３）を有していてよい。
（ｎ）Ｌｉ_２ＭｏＯ_４・（１－ｎ）Ｂａ_ｘＳｒ_３－ｘＣｏ_{２＋ｙ－ｚ}Ｍｅ’_ｙＭｅ”_ｚＦｅ_{２４－２ｙ－ｍ}Ｏ_４１ （３）
ｎは、Ｃｏ_２Ｚ型フェライト中のＬｉ_２ＭｏＯ_４の相対量を示す。変数ｎは、０超～０．０５でありえ、残りの変数は、先に定義されている。

【0018】

Ｌｉ_２ＭｏＯ_４は、Ｃｏ_２Ｚ型フェライト中に、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの総質量に基づいて、０．００５～１質量パーセント（ｗｔ％）、又は０．０１～１ｗｔ％、又は０．０１～０．５ｗｔ％の量で存在していてよい。Ｌｉ_２ＭｏＯ_４は、Ｃｏ_２Ｚ型フェライト中に別個の相として存在していてよいか、又はＣｏ_２Ｚ型フェライト中に分散されていてよい。

【0019】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、Ｚ型フェライトの磁性相を含んでいてよい。磁性相は、式Ｂａ_ｘＳｒ_３－ｘＣｏ_{２＋ｙ－ｚ}Ｍｅ_ｙＭｅ’_ｚＦｅ_{２４－２ｙ－ｍ}Ｏ_４１を有していてよく、変数は、先に定義されている。

【0020】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、微粒子の形態（例えば、球形の又は不規則な形状を有する）又は小板、ウィスカー、フレーク等の形態であってよい。微粒子状のＣｏ_２Ｚ型フェライトの体積によるＤ_５０粒径は、０．５～５０マイクロメートル又は１～１０マイクロメートルであってよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの小板は、０．１～１００マイクロメートルの平均最大長さ及び０．０５～１マイクロメートルの平均厚さを有していてよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの総体積に基づいて、０～５０体積パーセント（ｖｏｌ％）又は２０～４５体積パーセントの多孔度を有していてよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、走査型電子顕微鏡を使用して測定して、１～２０マイクロメートル又は５～１５マイクロメートルの平均粒径を有していてよい。

【0021】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、ギガヘルツ範囲の透磁率（μ’）値及び低磁気損失正接（ｔａｎδ_μ、μ”／μ’）のうちの少なくとも１つを有していてよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの透磁率は、０．５～３ギガヘルツ又は０．５～１．２ギガヘルツの周波数で、２～１０であってよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの透磁率は、０．５～２ギガヘルツ又は０．５～１．２ギガヘルツの周波数で、２以上、又は３以上、又は２～１０、又は２～３であってよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの磁気損失正接は、０．５～２ギガヘルツ又は０．５～１．２ギガヘルツの周波数で、０．３以下、又は０．１以下、又は０．００１～０．２であってよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの磁気損失正接は、１～６ギガヘルツ又は０．５～１．２ギガヘルツの周波数で、０．０２～０．１又は０．０５～０．１であってよい。

【0022】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、ギガヘルツ範囲での良好な誘電率（ε’）値及び低磁気損失正接（ｔａｎδ_ε、ε”／ε’）のうちの少なくとも１つを有していてよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの誘電率は、１～１０ギガヘルツ又は０．５～１．２ギガヘルツの周波数で、８以下、又は６以下、又は２～８、又は６～１０であってよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの誘電率は、１～１０ギガヘルツ又は０．５～０．２ギガヘルツの周波数で、８以下、又は７以下、又は５～７であってよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、１～１０ギガヘルツ又は０．５～２ギガヘルツの周波数で、０．０１以下、又は０．００７以下、又は０．００１～０．００７の誘電損失正接ｔａｎδ_εを有していてよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、１～１０ギガヘルツ又は０．５～１．２ギガヘルツの周波数で、０．００５以下の誘電損失正接ｔａｎδ_εを有していてよい。

【0023】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、２以下の透磁率、６以下の誘電定数、及び１．０～１．６ＧＨｚで０．００８以下の誘電損失正接を維持しながら、０．０３以下の低磁気損失正接を有していてよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、２．７以下の透磁率、６．８以下の誘電定数、及び１．０～１．６ＧＨｚで０．００５以下の誘電損失正接を維持しながら、０．１３以下の低磁気損失正接を有していてよい。

【0024】

本明細書で使用される場合、「の周波数で」という語句は、その範囲内の単一の周波数値にあること、又は周波数範囲全体にわたることを意味しうる。例えば、「透磁率は、０．５～３ギガヘルツの周波数で、２～１０であってよい」という語句は、透磁率が、０．５～３の範囲の単一の周波数、例えば１ギガヘルツで、２～１０の範囲の単一の値、例えば３であること、又は透磁率が、０．５～３ギガヘルツにわたる周波数範囲全体にわたって２～１０の範囲で定義される値（例えば、周波数によってこの範囲で変化する）であってよいことを意味しうる。

【0025】

フェライトの磁気特性及び誘電特性は、０．１～１８ギガヘルツの周波数にわたって、Ｎｉｃｈｏｌｓｏｎ－Ｒｏｓｓ－Ｗｅｉｒ（ＮＲＷ）法で、ベクトルネットワークアナライザー（ＶＮＡ）によって同軸エアラインを使用して測定することができる。

【0026】

Ｃｏ２Ｚ型フェライトの動作周波数は、６ギガヘルツ、又は０．５～２ギガヘルツもの高さであってよい。

【0027】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、少なくともＭｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｌｉ、及びＦｅの酸化物を含んでいてよく、Ｍｅは、Ｂａ又はＳｒのうちの少なくとも１つである。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、式Ｌｉ_２ＭｏＯ_４・Ｂａ_ｘＳｒ_３－ｘＣｏ_{２＋ｙ－ｚ}Ｍｅ’_ｙＭｅ”_ｚＦｅ_{２４－２ｙ－ｍ}Ｏ_４１を有していてよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、Ｌｉ_２ＭｏＯ_４・Ｂａ_ｘＳｒ_３－ｘＣｏ_２Ｆｅ_２４－ｍＯ_４１の式を有していてよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、式Ｂａ_ｘＳｒ_３－ｘＣｏ_{２＋ｙ－ｚ}Ｍｅ_ｙＭｅ’_ｚＦｅ_{２４－２ｙ－ｍ}Ｏ_４１を有する磁性相及び式Ｌｉ_２ＭｏＯ_４を有する誘電相を含んでいてよい。Ｌｉ_２ＭｏＯ_４は、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの総質量に基づいて、０．１～１質量パーセントの量で存在していてよい。Ｍｅ’は、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｚｒ、又はＳｎのうちの少なくとも１つであってよい。Ｍｅ”は、Ｚｎ、Ｍｎ、又はＭｇのうちの少なくとも１つであってよい。変数ｘは、０～３であってよい。変数ｘは、０．１～３、又は０．８～２、又は１～２、又は３であってよい。変数ｙは、０～１．８であってよい。変数ｙは、０、又は０．１～１．５、又は０．５～１であってよい。変数ｚは、０～１．８であってよい。変数ｚは、０、又は０．１～１．５、又は０．５～１であってよい。変数ｍは、－４～４であってよい。変数ｍは、－３～３、又は０～４、又は２～３であってよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、２～１０マイクロメートルのＤ_５０粒径を有していてよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの総体積に基づいて、０～５０体積パーセント又は２０～４５体積パーセントの多孔度を有していてよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、０．５～２ギガヘルツの周波数で、２以上、又は３以上、又は２～１０、又は２～３の透磁率を有していてよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、０．５～２ギガヘルツの周波数で、０．３以下、又は０．１以下、又は０．００１～０．２の磁気損失正接ｔａｎδ_μを有していてよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、０．５～２ギガヘルツの周波数で、８以下、又は７以下、又は５～７の誘電率を有していてよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、０．５～２ギガヘルツの周波数で、０．０１以下、又は０．００７以下、又は０．００１～０．００７の誘電損失正接ｔａｎδ_εを有していてよい。

【0028】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、任意の適切な方法を使用して調製してよい。一般に、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、初期Ｃｏ_２Ｚ型フェライト及びモリブデン酸リチウムＬｉＭｏＯ_４を粉砕して混合フェライトを形成する工程、並びに混合フェライトを焼成してＣｏ_２Ｚ型フェライトを形成する工程によって形成してよい。粉砕は、１．５時間以上にわたって行ってよい。粉砕は、３００毎分回転数（ｒｐｍ）以上又は３００～１，０００ｒｐｍの混合速度で行ってよい。混合フェライトの焼成は、８００～１，３００℃又は９００～１，２００℃の焼成温度で行ってよい。混合フェライトの焼成は、０．５～２０時間又は１～１０時間の焼成時間にわたって行ってよい。

【0029】

初期Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、例えば少なくともＭｅ、Ｃｏ、Ｍｅ’、Ｍｅ”、及びＦｅの様々な酸化物（Ｍｅは、Ｂａ及びＳｒのうちの少なくとも１つである）を含む前駆体化合物を含む混合物を形成して磁性酸化物混合物を形成する工程、並びに磁性酸化物混合物を酸素又は空気雰囲気中で焼成してＣｏ_２Ｚ型フェライトを形成する工程によって形成してよい。得られる初期Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、式Ｂａ_ｘＳｒ_３－ｘＣｏ_{２＋ｙ－ｚ}Ｍｅ’_ｙＭｅ”_ｚＦｅ_{２４－２ｙ－ｍ}Ｏ_４１を有していてよく、Ｍｅ’は、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｚｒ、又はＳｎのうちの少なくとも１つを含んでいてよく、Ｍｅ”は、Ｚｎ、Ｍｎ、又はＭｇのうちの少なくとも１つを含んでいてよく、ｘは、０～３であってよく、ｙは、０～１．８であってよく、ｚは、０～１．８であってよく、ｍは、－４～４であってよい。粉砕は、１．５時間以上にわたって行ってよい。粉砕は、３００ｒｐｍ以上又は３００～１，０００ｒｐｍの混合速度で行ってよい。混合フェライトの焼成は、８００～１，３００℃又は９００～１，２５０℃の焼成温度で行ってよい。混合フェライトの焼成は、０．５～２０時間又は１～１０時間の焼成時間にわたって行ってよい。焼成されたフェライトは、１～１０マイクロメートルの体積によるＤ_５０粒径を有していてよい。

【0030】

モリブデン酸リチウムは、Ｌｉ_２ＣＯ_３及びＭｏＯ_２を粉砕して誘電酸化物混合物を形成する工程、並びに誘電酸化物混合物を酸素又は空気雰囲気中で焼成してＬｉ_２ＭｏＯ_４を形成する工程によって調製してよい。焼成は、４００～６００℃又は５００～６００℃の温度で行ってよい。焼成は、１～６時間にわたって行ってよい。焼成は、空気又は酸素中で行ってよい。焼成されたＬｉ_２ＭｏＯ_４を粉砕するか又は別の方法にかけて、得られたＬｉ_２ＭｏＯ_４の粒径を、例えば０．５～５マイクロメートル又は１マイクロメートル以下の体積によるＤ_５０粒径を有するように縮小してよい。

【0031】

それぞれの焼成工程の昇温速度は、特に制限されることはなく、毎分１～５セルシウス度（℃／分）又は２～４℃／分の昇温速度及び冷却速度で行ってよい。それぞれの焼成工程は、空気又は酸素環境中で、例えば毎分０．１～１０リットルの流量の酸素流下で行ってよい。

【0032】

それぞれの焼成工程後に、焼成されたフェライトを粉砕及びスクリーニングして粗粒子を形成してよい。粗粒子は、０．１～２０マイクロメートル、又は１～２０マイクロメートル、又は０．１～１マイクロメートルの体積によるＤ_５０粒径に粉砕してよい。粒子は、例えば、湿式プラネタリーボールミル内で、６００ｒｐｍ以下又は４００～５００ｒｐｍの粉砕速度で２～１０時間又は４～８時間にわたって混合することによって粉砕することができる。例えば混合Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの粉砕された混合物は、例えば１０～３００＃ふるいを使用して任意選択的にスクリーニングしてよい。粉砕された混合物をポリ（ビニルアルコール）等のポリマーと混合して顆粒を形成することができる。顆粒は、５０～３００マイクロメートルの体積による平均Ｄ_５０粒径を有していてよい。粉砕された混合物は、例えば１平方センチメートル当たり０．２～２メガトンの圧力で圧縮することによって、造形又は形成することができる。微粒子状であるか又は形成されている粉砕された混合物は、５０～５００℃、２００～１２８０℃、又は１００～２５０℃の温度で加熱してよい。微粒子状であるか又は形成されている粉砕された混合物は、９００～１，２７５℃又は１，２００～１，２５０℃のアニーリング温度でポストアニールしてよい。加熱又はアニーリングは、１～２０時間、又は４～６時間、又は５～１２時間にわたって行ってよい。アニーリングは、空気又は酸素中で行ってよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライトは、固溶体又は二相の形態であってよく、得られる構造は、磁性相及び誘電相の比率又は形成条件、例えば、粉砕の程度又はアニーリング条件によって部分的に決定することができる。

【0033】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライト粒子は、Ｃｏ_２Ｚ型フェライト及びポリマー等を含む複合材料を製造するために使用してよい。ポリマーは、熱可塑性又は熱硬化性のものを含んでいてよい。本明細書で使用される場合、「熱可塑性」という用語は、可塑性又は変形可能であり、加熱されると溶融して液体になり、十分に冷却されると凍結して脆いガラス状態になる、材料を指す。使用することができる熱可塑性ポリマーの例は、環状オレフィンポリマー（ポリノルボルネン類、及びノルボルネニル単位含有コポリマー、例えば、ノルボルネン等の環状ポリマーとエチレン又はプロピレン等の非環状オレフィンとのコポリマーを含む）、フルオロポリマー（例えば、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、フッ素化エチレン－プロピレン（ＦＥＰ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリ（エチレン－テトラフルオロエチレン（ＰＥＴＦＥ）、又はペルフルオロアルコキシ（ＰＦＡ））、ポリアセタール類（例えば、ポリオキシエチレン又はポリオキシメチレン）、ポリ（Ｃ_１～６アルキル）アクリレート類、ポリアクリルアミド類（非置換及びモノ－Ｎ－又はジ－Ｎ－（Ｃ_１～８アルキル）アクリルアミド類を含む）、ポリアクリロニトリル類、ポリアミド類（例えば、脂肪族ポリアミド類、ポリフタルアミド類、又はポリアラミド類）、ポリアミドイミド類、ポリ無水物類、ポリアリーレンエーテル類（例えば、ポリフェニレンエーテル類）、ポリアリーレンエーテルケトン類（例えば、ポリエーテルエーテルケトン類（ＰＥＥＫ）又はポリエーテルケトンケトン類（ＰＥＫＫ））、ポリアリーレンケトン類、ポリアリーレンスルフィド類（例えば、ポリフェニレンスルフィド類（ＰＰＳ））、ポリアリーレンスルホン類（例えば、ポリエーテルスルホン類（ＰＥＳ）又はポリフェニレンスルホン類（ＰＰＳ））、ポリベンゾチアゾール類、ポリベンゾオキサゾール類、ポリベンゾイミダゾール類、ポリカーボネート類（ホモポリカーボネート類、又はポリカーボネート－シロキサン類、ポリカーボネート－エステル類若しくはポリカーボネート－エステル－シロキサン類等のポリカーボネートコポリマーを含む）、ポリエステル類（例えば、ポリエチレンテレフタレート類、ポリブチレンテレフタレート類、ポリアリレート類、又はポリエステルエーテル類等のポリエステルコポリマー）、ポリエーテルイミド類（例えば、ポリエーテルイミド－シロキサンコポリマー等のコポリマー）、ポリイミド類（例えば、ポリイミド－シロキサンコポリマー等のコポリマー）、ポリ（Ｃ_１～６アルキル）メタクリレート類、ポリアルキルアクリルアミド類（例えば、非置換及びモノ－Ｎ－又はジ－Ｎ－（Ｃ_１～８アルキル）アクリルアミド類）、ポリオレフィン類（例えば、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）又は直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）等のポリエチレン類、ポリプロピレン類、又はそれらのハロゲン化誘導体（ポリテトラフルオロエチレン類等）、又はそれらのコポリマー、例えば、エチレン－アルファ－オレフィンコポリマー）、ポリオキサジアゾール類、ポリオキシメチレン類、ポリフタリド類、ポリシラザン類、ポリシロキサン類（シリコーン類）、ポリスチレン類（例えば、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン（ＡＢＳ）又はメチルメタクリレート－ブタジエン－スチレン（ＭＢＳ）等のコポリマー）、ポリスルフィド類、ポリスルホンアミド類、ポリスルホネート類、ポリスルホン類、ポリチオエステル類、ポリトリアジン類、ポリ尿素類、ポリウレタン類、ビニルポリマー（例えば、ポリビニルアルコール類、ポリビニルエステル類、ポリビニルエーテル類、ポリビニルハロゲン化物類（例えば、ポリ塩化ビニル）、ポリビニルケトン類、ポリビニルニトリル類、又はポリビニルチオエーテル類）、パラフィンワックス等を含む。前述の熱可塑性ポリマーのうちの少なくとも１つを含む組み合わせを使用してよい。

【0034】

熱硬化性ポリマーは、熱によって又は照射（例えば、紫外光、可視光、赤外光、又は電子ビーム（ｅ－ビーム）照射）への曝露によって引き起こすことができる重合又は硬化で不可逆的に硬化して不溶性になる熱硬化性モノマー又はプレポリマー（樹脂）から誘導される。熱硬化性ポリマーは、アルキド類、ビスマレイミドポリマー、ビスマレイミドトリアジンポリマー、シアネートエステルポリマー、ベンゾシクロブテンポリマー、ベンゾオキサジンポリマー、フタル酸ジアリルポリマー、エポキシ類、ヒドロキシメチルフランポリマー、メラミンホルムアルデヒドポリマー、フェノール樹脂（ノボラック及びレゾール等のフェノールホルムアルデヒドポリマーを含む）、ベンゾオキサジン類、ポリブタジエン類等のポリジエン類（そのホモポリマー又はコポリマー、例えば、ポリ（ブタジエンイソプレン）を含む）、ポリイソシアネート類、ポリ尿素類、ポリウレタン類、トリアリルシアヌレートポリマー、トリアリルイソシアヌレートポリマー、特定のシリコーン、及び重合性プレポリマー（例えば、不飽和ポリエステル類、ポリイミド類等のエチレン性不飽和を有するプレポリマー）等を含む。プレポリマーは、例えば、スチレン、アルファ－メチルスチレン、ビニルトルエン、クロロスチレン、アクリル酸、（メタ）アクリル酸、（Ｃ_１～６アルキル）アクリレート、（Ｃ_１～６アルキル）メタクリレート、アクリロニトリル、酢酸ビニル、酢酸アリル、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、又はアクリルアミド等の反応性モノマーと、重合、共重合、又は架橋させることができる。

【0035】

ポリマーは、フルオロポリマー（例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ））、ポリオレフィン（例えば、ポリエチレン又はポリプロピレン）、ポリウレタン、シリコーンポリマー、液晶ポリマー、ポリケトン（例えば、ポリ（エーテルエーテルケトン））、又はポリスルホンのうちの少なくとも１つを含んでいてよい。ポリエチレンは、高密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、又は直鎖状低密度ポリエチレンのうちの少なくとも１つを含んでいてよい。

【0036】

Ｃｏ_２Ｚ型フェライト複合材料は、Ｃｏ_２Ｚ型フェライト複合材料の総体積に基づいて、５～９５体積パーセント又は５０～８０体積パーセントのＣｏ_２Ｚ型フェライトを含んでいてよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライト複合材料は、Ｃｏ_２Ｚ型フェライト複合材料の総体積に基づいて、５～９５体積パーセント又は２０～５０体積パーセントのポリマーを含んでいてよい。Ｃｏ_２Ｚ型フェライト複合材料は、圧縮成形、射出成形、反応射出成形、積層、押出、カレンダー加工、鋳造、圧延等によって形成することができる。複合材料は、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの多孔性が存在する場合には、これ以外の空隙を含んでいなくてよい。

【0037】

物品は、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトを含んでいてよい。物品は、アンテナ又はインダクターコアであってよい。物品は、ギガヘルツ範囲での、例えば、０．５～６ギガヘルツの範囲、０．５～５ギガヘルツの範囲、又は０．５～２ギガヘルツの範囲にわたる使用のためのものであってよい。この物品は、高周波若しくはマイクロ波アンテナ、フィルター、インダクター、サーキュレーター、又は位相シフター等の超高周波数範囲内で動作可能な様々なデバイスに使用することができる。この物品は、アンテナ、フィルター、インダクター、サーキュレーター、又はＥＭＩ（電磁妨害）サプレッサーであってよい。そのような物品は、商業及び軍事用途、気象レーダー、科学通信、無線通信、自律車両、航空機通信、宇宙通信、衛星通信、又は監視に使用することができる。

【0038】

以下の実施例は、本開示を説明するために提供される。これらの例は、単に説明のためのものであり、本開示に従って製造されるデバイスを、ここに記載されている材料、条件、又は方法パラメータに限定することを意図してはいない。

【0039】

（実施例）
フェライトの導磁率及び磁気損失は、０．１～１８ギガヘルツ（ＧＨｚ）の周波数にわたって、Ｎｉｃｈｏｌｓｏｎ－Ｒｏｓｓ－Ｗｅｉｒ（ＮＲＷ）法で、ベクトルネットワークアナライザー（ＶＮＡ）によって同軸エアラインにおいて測定した。

【0040】

（実施例１～７）：Ｃｏ_２Ｚ型フェライトでの磁気特性に対するモリブデン酸リチウムの影響
初期Ｃｏ_２Ｚ相を、Ｚ型ヘキサフェライト組成物を形成する量のＢａＣＯ_３、ＣＯ_３Ｏ_４、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＭｏＯ_２、及びＳｒＣＯ_３を混合することによって調製した。酸化物混合物を、湿式プレナリーボールミル内で３５０毎分回転数（ｒｐｍ）で２時間にわたって混合し、１００℃の炉内で乾燥させ、４０＃ふるいに通してスクリーニングして、粗粒子を形成した。次いで、粗粒子を、空気中で４時間の浸漬時間にわたって１，２４０℃の温度で焼成して、式Ｓｒ_１．５Ｂａ_１．５Ｃｏ_２．１２Ｍｏ_０．１２Ｆｅ_{２２．１６}Ｏ_４１を有する初期Ｃｏ_２Ｚ相を形成した。次いで、初期Ｃｏ_２Ｚ相を２００＃スクリーンに通してジョークラッシャーで処理して粉末にした。

【0041】

Ｌｉ_２ＭｏＯ_４（ＬＭＯ）相を、Ｌｉ_２ＣＯ_３及びＭｏＯ_２を混合することによって調製した。この混合物を、空気中で２～４℃／分の昇温速度及び冷却速度で２時間にわたって５４０℃で焼成した。焼成されたＬＭＯ相を、４００ｒｐｍのプラネタリーボールミル内で０．５～４時間にわたって粉砕した。得られたＬＭＯ相は、０．５～５マイクロメートルのＤ_５０粒径を有していた。

【0042】

初期Ｃｏ_２Ｚ相及びＬＭＯ相を混合して、表１に示されているような様々な量のＬＭＯ相を有する混合物を形成し、ｘは、初期Ｃｏ_２Ｚ相及びのＬＭＯ相の総質量に基づいてｗｔ％のＬＭＯ相の量である。混合物を、４００ｒｐｍのプラネタリーボールミル内で２．５時間にわたって混合し、２００℃で乾燥させた。乾燥した混合物を、１０ｗｔ％のポリ（ビニルアルコール）溶液と混合し、４０＃スクリーンに通してふるいにかけて、顆粒を形成した。この顆粒を１，８００ポンド（８キロニュートン（ｋＮ））の力でプレスすることによってプレスして、７ミリメートル（ｍｍ）の外径、３ｍｍの内径、及び３～４ｍｍの高さを有する環状体にした。環状体を２００℃で４～６時間にわたってベーキングして、いずれの残留液体も除去した。４０体積パーセントの多孔度を有する多孔質セラミックが形成された。

【0043】

実施例１～７の磁気特性は、表１、様々な周波数での増加するＬＭＯ濃度に対する透磁率を示す図１、様々なＬＭＯ濃度での周波数に対する透磁率を示す図２、様々な周波数での増加するＬＭＯ濃度に対する磁気損失を示す図３、及び様々なＬＭＯ濃度での周波数に対する磁気損失正接ｔａｎδ_μを示す図４に示されている。

【0044】

実施例１～７の誘電特性は、表２、様々な周波数での増加するＬＭＯ濃度に対する誘電率を示す図５、様々なＬＭＯ濃度での周波数に対する誘電率を示す図６、様々な周波数での増加するＬＭＯ濃度に対する誘電損失を示す図７、及び様々なＬＭＯ濃度での周波数に対する誘電損失正接ｔａｎδ_εを示す図８に示されている。

【0045】

【表1】

【0046】

【表2】

【0047】

データは、実施例２～７におけるＬＭＯ相の存在によって、磁気特性を維持しながら得ることができる容易に調整可能な誘電特性が生じることを示す。

【0048】

（実施例８～１１）：ＬＭＯ－Ｃｏ_２Ｚ型フェライトを含むポリマー複合材料
４つのポリマー複合材料を、それぞれ実施例１、３、４、及び５のＣｏ_２Ｚ型フェライトを使用して調製した。複合材料は、先の実施例に従ったＣｏ_２Ｚ相及びＬＭＯ相を、４００ｒｐｍのプラネタリーボールミル内で２．５時間にわたって粉砕し、続いて、２００℃で乾燥させることによって形成した。得られた粉末を、管状炉内で毎分０．７リットル（Ｌ／ｍ）の流量の酸素中で２時間にわたって９２０℃でアニールした。アニールされたフェライトは、３～４マイクロメートルのＤ_５０粒径を有していた。アニールされたフェライトをパラフィンワックスと混合して、５３体積％のＬｉＺフェライト及び４７体積％のパラフィンワックスを含む複合材料を形成した。

【0049】

【表3】

【0050】

【表4】

【0051】

データは、実施例９～１１におけるＬＭＯの存在によって、磁気特性を維持しながら得ることができる容易に調整可能な誘電特性を有する複合材料が生じることを示す。

【0052】

（実施例１２）：ＬＭＯ－Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの元素分析
３つの粉末サンプルについてのＸ線光電子分光分析を実施し、結果を表５に示す。表５は、ＬＭＯ相の量が増加するにつれて鉄、コバルト、及びモリブデンの様々な形態の比率が変化することを示しており、Ｃｏ_２Ｚ型フェライト中に存在する別個のＬＭＯ相があることを示している。

【0053】

【表5】

【0054】

本開示の非限定的な態様が以下に記載されている。

【0055】

態様１：少なくともＭｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｌｉ、及びＦｅの酸化物を含み、Ｍｅが、Ｂａ又はＳｒのうちの少なくとも１つである、Ｃｏ_２Ｚ型フェライト。

【0056】

態様２：Ｃｏ_２Ｚ型フェライトが、式Ｌｉ_２ＭｏＯ_４・Ｂａ_ｘＳｒ_３－ｘＣｏ_{２＋ｙ－ｚ}Ｍｅ’_ｙＭｅ”_ｚＦｅ_{２４－２ｙ－ｍ}Ｏ_４１を有し、Ｍｅ’が、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｚｒ、又はＳｎのうちの少なくとも１つであり、Ｍｅ”が、Ｚｎ、Ｍｎ、又はＭｇのうちの少なくとも１つであり、ｘが、０～３であり、ｙが、０～１．８であり、ｚが、０～１．８であり、ｍが、－４～４である、態様１に記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【0057】

態様３：ｘのうちの少なくとも１つが、０．１～３、若しくは０．８～２、若しくは１～２、若しくは３であるか、ｙが、０、若しくは０．１～１．５、若しくは０．５～１であるか、ｚが、０、若しくは０．１～１．５、若しくは０．５～１であるか、又はｍが、－３～３、若しくは０～４、若しくは２～３である、態様２に記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【0058】

態様４：Ｃｏ_２Ｚ型フェライトが、Ｌｉ_２ＭｏＯ_４・Ｂａ_ｘＳｒ_３－ｘＣｏ_２Ｆｅ_２４－ｍＯ_４１の式を有し、ｘが、０～３、又は０．１～３、又は０．８～２、又は１～２、又は３であり、ｍが、－４～４、又は０～４、又は２～３である、態様２又は３に記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【0059】

態様５：Ｌｉ_２ＭｏＯ_４が、Ｃｏ_２Ｚ型フェライトの総質量に基づいて、０．１～１質量パーセントの量で存在する、態様２から４のいずれか一つに記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【0060】

態様６：Ｃｏ_２Ｚ型フェライトが、式Ｂａ_ｘＳｒ_３－ｘＣｏ_{２＋ｙ－ｚ}Ｍｅ_ｙＭｅ’_ｚＦｅ_{２４－２ｙ－ｍ}Ｏ_４１を有する磁性相を含み、Ｍｅ’が、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｚｒ、又はＳｎのうちの少なくとも１つであり、Ｍｅ’が、Ｚｎ、Ｍｎ、又はＭｇのうちの少なくとも１つであり、ｘが、０～３であり、ｙが、０～１．８であり、ｚが、０～１．８であり、ｍが、－４～４であり、誘電相が、式Ｌｉ_２ＭｏＯ_４を有する、態様１から５のいずれか一つに記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【0061】

態様７：Ｃｏ_２Ｚ型フェライトが、２～１０マイクロメートルのＤ_５０粒径、又はＣｏ_２Ｚ型フェライトの総体積に基づいて０～５０体積パーセント若しくは２０～４５体積パーセントの多孔度のうちの少なくとも１つを有する、態様１から６のいずれか一つに記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【0062】

態様８：Ｃｏ_２Ｚ型フェライトが、０．５～２ギガヘルツの周波数で、２以上、又は３以上、又は２～１０、又は２～３の透磁率を有する、態様１から７のいずれか一つに記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【0063】

態様９：Ｃｏ_２Ｚ型フェライトが、０．５～２ギガヘルツの周波数で、０．３以下、又は０．１以下、又は０．００１～０．２の磁気損失正接ｔａｎδ_μを有する、態様１から８のいずれか一つに記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【0064】

態様１０：Ｃｏ_２Ｚ型フェライトが、０．５～２ギガヘルツの周波数で、８以下、又は７以下、又は５～７の誘電率を有する、態様１から９のいずれか一つに記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【0065】

態様１１：Ｃｏ_２Ｚ型フェライトが、０．５～２ギガヘルツの周波数で、０．０１以下、又は０．００７以下、又は０．００１～０．００７の誘電損失正接ｔａｎδ_εを有する、態様１から１０のいずれか一つに記載のＣｏ_２Ｚ型フェライト。

【0066】

態様１２：ポリマー及び態様１から１１のいずれか一つに記載のＣｏ_２Ｚ型フェライトを含む、複合材料。

【0067】

態様１３：ポリマーが、フルオロポリマー、ポリウレタン、シリコーンポリマー、液晶ポリマー、ポリケトン、ポリスルホン、又はポリオレフィンのうちの少なくとも１つを含む、態様１２に記載の複合材料。

【0068】

態様１４：態様１から１２のいずれか一つに記載のフェライト組成物又は態様１２若しくは１３に記載の複合材料を含む、物品。

【0069】

態様１５：物品が、アンテナ、フィルター、インダクター、サーキュレーター、又はＥＭＩサプレッサーである、態様１４に記載の物品。

【0070】

態様１６：初期Ｚ型フェライト及びＬｉＭｏＯ_４を粉砕して混合フェライトを形成する工程、並びに混合フェライトを焼成してＣｏ_２Ｚ型フェライトを形成する工程を含む、（任意選択的に態様１から１１のいずれか一つに記載の）Ｃｏ_２Ｚ型フェライトを製造する方法。

【0071】

態様１７：粉砕が、１．５時間以上にわたって、又は３００毎分回転数以上の混合速度で行われる、態様１６に記載の方法。

【0072】

態様１８：Ｍｅ、Ｃｏ、Ｍｅ’、Ｍｅ”、及びＦｅの酸化物を含むフェライト前駆体化合物を粉砕して磁性酸化物混合物を形成する工程であって、Ｍｅが、Ｂａ又はＳｒのうちの少なくとも１つを含み、Ｍｅ’が、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｚｒ、又はＳｎのうちの少なくとも１つであり、Ｍｅ”が、Ｚｎ、Ｍｎ、又はＭｇのうちの少なくとも１つである、工程、磁性酸化物混合物を酸素又は空気雰囲気中で焼成して、式Ｂａ_ｘＳｒ_３－ｘＣｏ_{２＋ｙ－ｚ}Ｍｅ’_ｙＭｅ”_ｚＦｅ_{２４－２ｙ－ｍ}Ｏ_４１を有する初期Ｃｏ_２Ｚ型フェライトを形成する工程であって、Ｍｅ’が、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｚｒ、又はＳｎのうちの少なくとも１つであり、Ｍｅ”が、Ｚｎ、Ｍｎ、又はＭｇのうちの少なくとも１つであり、ｘが、０～３であり、ｙが、０～１．８であり、ｚが、０～１．８であり、ｍが、－４～４である、工程を更に含む、態様１６又は１７に記載の方法。

【0073】

態様１９：ＬｉＣＯ_２及びＭｏＯ_２を粉砕して誘電酸化物混合物を形成する工程、並びに誘電酸化物混合物を酸素又は空気雰囲気中で焼成してＬｉ_２ＭｏＯ_４を形成する工程を更に含む、態様１６から１８のいずれか一つに記載の方法。

【0074】

態様２０：混合フェライトの焼成が、８００～１，３００℃若しくは９００～１，２００℃の焼成温度で、又は０．５～２０時間若しくは１～１０時間の焼成時間にわたって行われる、態様１６から１９のいずれか一つに記載の方法。

【0075】

態様２１：Ｃｏ_２Ｚ型フェライト及びポリマーを含む複合材料を形成する工程を更に含む、態様１６から２０のいずれか一つに記載の方法。

【0076】

代替的に、組成物、方法、及び物品は、本明細書に開示されている任意の適切な材料、工程、又は成分を含んでいてよいか、これらからなっていてよいか、又はこれらから本質的になっていてよい。追加的又は代替的に、組成物、方法、及び物品は、組成物、方法、及び物品の機能又は目的を達成するのに他の場合では必要ない、いずれの材料（又は種）、工程、又は成分もないように、又は実質的に含まないように配合することができる。

【0077】

本明細書で使用される場合、「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」、「その（ｔｈｅ）」、及び「少なくとも１つの」は、量の制限を示すものではなく、特に文脈から明確に示されない限り、単数形及び複数形の両方を包含することを意図している。例えば、特に文脈から明確に示されない限り、「要素」は、「少なくとも１つの要素」と同じ意味を有する。「組み合わせ」という用語は、ブレンド、混合物、合金、反応生成物等を含む。また、「のうちの少なくとも１つ」は、一覧が各要素を個別に含むこと、並びに一覧の２つ以上の要素の組み合わせ、及び一覧の少なくとも１つの要素と挙げられていない類似要素との組み合わせを意味する。

【0078】

「又は」という用語は、文脈によって明確に示されない限り、「及び／又は」を意味する。本明細書全体での「１つの態様」、「別の態様」、「いくつかの態様」等への言及は、この態様に関連して説明されている特定の要素（例えば、特徴、構造、工程、又は特色）が、本明細書に記載されている少なくとも１つの態様に含まれており、他の態様に存在していてもそうでなくてもよいことを意味する。更に、説明されている要素は、様々な態様において任意の適切な手法で組み合わせることができると理解されたい。

【0079】

本明細書で特段の指定がない限り、すべての試験規格は、本出願の出願日の時点で、又は優先権が主張されている場合には、この試験規格が見られる最も早い優先出願の出願日の時点で施行されている最新の規格である。

【0080】

同じ成分又は特性に向けられたすべての範囲の端点は、端点を含み、独立的に組み合わせ可能であり、すべての中間点及び範囲を含む。例えば、「最大２５ｗｔ％又は５～２０ｗｔ％」の範囲は、端点及び「５～２５ｗｔ％」の範囲のすべての中間値、例えば１０～２３ｗｔ％等を含む。

【0081】

特に定義されない限り、本明細書で使用される技術用語及び科学用語は、本開示が属する技術分野における当業者によって一般に理解されるものと同一の意味を有する。

【0082】

すべての引用されている特許、特許出願、及び他の参考文献は、それらの全体が参照により本明細書に組み込まれる。しかしながら、本出願の用語が、組み込まれている参考文献の用語と相反又は矛盾する場合、本出願の用語が、組み込まれている参考文献の矛盾する用語よりも優先される。

【0083】

特定の実施形態について説明してきたが、出願人又は当業者であれば、現在予見されていない又は予見できない代替、修正、変形、改善、及び実質的均等物を思い付くであろう。したがって、出願されている添付の特許請求の範囲及び補正される可能性のある添付の特許請求の範囲は、そのようなすべての代替、修正、変形、改善、及び実質的均等物を包含することを意図している。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【国際調査報告】