特表 2024-520663 回路基板およびこれを含むアンテナ装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-05-24

(54)【発明の名称】回路基板およびこれを含むアンテナ装置

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/09 20060101AFI20240517BHJP

   H01Q 1/38 20060101ALI20240517BHJP

【ＦＩ】

H05K1/09 C

H01Q1/38

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023574447

(86)(22)【出願日】2022-05-31

(85)【翻訳文提出日】2023-12-01

(86)【国際出願番号】 KR2022007707

(87)【国際公開番号】W WO2022255763

(87)【国際公開日】2022-12-08

(31)【優先権主張番号】10-2021-0071128

(32)【優先日】2021-06-01

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(31)【優先権主張番号】10-2022-0059371

(32)【優先日】2022-05-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】517099982

【氏名又は名称】エルジー イノテック カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100114188

【弁理士】

【氏名又は名称】小野 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100119253

【弁理士】

【氏名又は名称】金山 賢教

(74)【代理人】

【識別番号】100129713

【弁理士】

【氏名又は名称】重森 一輝

(74)【代理人】

【識別番号】100137213

【弁理士】

【氏名又は名称】安藤 健司

(74)【代理人】

【識別番号】100183519

【弁理士】

【氏名又は名称】櫻田 芳恵

(74)【代理人】

【識別番号】100196483

【弁理士】

【氏名又は名称】川嵜 洋祐

(74)【代理人】

【識別番号】100160749

【弁理士】

【氏名又は名称】飯野 陽一

(74)【代理人】

【識別番号】100160255

【弁理士】

【氏名又は名称】市川 祐輔

(74)【代理人】

【識別番号】100219265

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 崇大

(74)【代理人】

【識別番号】100203208

【弁理士】

【氏名又は名称】小笠原 洋平

(74)【代理人】

【識別番号】100146318

【弁理士】

【氏名又は名称】岩瀬 吉和

(72)【発明者】

【氏名】イ，インジェ

(72)【発明者】

【氏名】ロ，ミョンラ

(72)【発明者】

【氏名】イ，ギュリン

【テーマコード（参考）】

4E351

5J046

【Ｆターム（参考）】

4E351AA02

4E351AA04

4E351AA16

4E351BB01

4E351BB35

4E351BB50

4E351CC03

4E351CC06

4E351DD04

4E351DD17

4E351DD19

4E351GG07

5J046AA03

5J046AA07

5J046AB03

5J046PA07

5J046PA09

(57)【要約】

実施例に係る回路基板は、絶縁層と、前記絶縁層上に配置された回路パターン層と、を含み、前記回路パターン層は、アンテナ信号を送受信するアンテナパターンを含み、前記アンテナパターンの表面の１０点平均表面粗さＲｚは、０．２μｍ～０．５μｍの範囲を有する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁層と、
前記絶縁層上に配置された回路パターン層と、を含み、
前記回路パターン層は、アンテナ信号を送受信するアンテナパターンを含み、
前記アンテナパターンの表面の１０点平均表面粗さＲｚは、０．２μｍ～０．５μｍの範囲を有する、回路基板。

【請求項2】

前記アンテナパターンは、上面および前記上面とは反対の下面を含み、
前記アンテナパターンの上面の幅は、前記アンテナパターンの下面の幅よりも小さい、請求項１に記載の回路基板。

【請求項3】

前記アンテナパターンの上面の幅は、前記アンテナパターンの下面の幅の９５％以上である、請求項１に記載の回路基板。

【請求項4】

前記アンテナパターンの上面の幅と下面の幅との差は、０．５μｍ～１．２μｍの範囲を満足する、請求項２に記載の回路基板。

【請求項5】

前記アンテナパターンは、上面、前記上面とは反対の下面、および前記上面と前記下面とを連結する側面を含み、
前記アンテナパターンの側面と連結される前記アンテナパターンの上面の一端と前記アンテナパターンの下面の一端との間の水平距離は、０．２５μｍ～０．６μｍの範囲を満足する、請求項１に記載の回路基板。

【請求項6】

前記アンテナパターンの側面は、曲面を含む、請求項５に記載の回路基板。

【請求項7】

前記アンテナパターンのエッチングファクタは、４０以上であり、
前記エッチングファクタは、次の式によって決定される、請求項１に記載の回路基板。
エッチングファクタ＝アンテナパターンの厚さ／（アンテナパターンの下面の幅 － アンテナパターンの上面の幅）

【請求項8】

前記アンテナパターンは、
前記絶縁層上に配置される第１金属層と、
前記第１金属層上に配置され、前記第１金属層とは異なる金属を含む第２金属層と、を含む、請求項１に記載の回路基板。

【請求項9】

前記第１金属層は、ニッケルおよびクロムを含み、
前記第２金属層は、銅を含む、請求項８に記載の回路基板。

【請求項10】

前記絶縁層は、水平方向に第１領域と第２領域とに区分され、
前記アンテナパターンは、
前記絶縁層の前記第１領域に配置された第１アンテナパターンと、
前記絶縁層の前記第２領域に配置された第２アンテナパターンと、を含み、
前記絶縁層の前記第１領域の層数は、前記絶縁層の第２領域の層数よりも多く、
前記絶縁層の前記第２領域は、前記絶縁層の前記第１領域を基準に折り曲げられる、請求項１に記載の回路基板。

【請求項11】

前記絶縁層の第１領域は、前記絶縁層の第２領域と同じ絶縁物質を含み、
前記絶縁物質は、液晶高分子（ＬＣＰ）を含む、請求項１０に記載の回路基板。

【請求項12】

第１領域および前記第１領域から折り曲げ可能な第２領域を含む絶縁層と、
前記絶縁層の前記第１領域に配置された第１アンテナパターンと、
前記絶縁層の前記第２領域に配置された第２アンテナパターンと、
前記絶縁層の前記第１領域に配置された第１パッドと、
前記絶縁層の前記第１領域に配置された第２パッドと、
前記第１パッド上に配置された第１接続部と、
前記第２パッド上に配置された第２接続部と、
前記第１接続部上に実装され、前記第１および第２アンテナパターンと連結された通信素子と、
前記第２接続部上に実装され、前記第１および第２アンテナパターンと連結された電源素子と、を含み、
前記第１および第２アンテナパターンのそれぞれの表面の１０点平均表面粗さＲｚは、０．２μｍ～０．５μｍの範囲を有する、アンテナ装置。

【請求項13】

前記第１および第２アンテナパターンのそれぞれは、上面および前記上面とは反対の下面を含み、
前記上面の幅は、下面の幅よりも小さく、
前記上面の幅は、前記下面の幅の９５％以上である, 請求項１２に記載のアンテナ装置。

【請求項14】

前記上面の幅と前記下面の幅との差は、０．５μｍ～１．２μｍの範囲を満足する、請求項１３に記載のアンテナ装置。

【請求項15】

前記第１および第２アンテナパターンは、上面、前記上面とは反対の下面、および前記上面と前記下面とを連結する側面を含み、
前記側面の一端および他端とそれぞれ連結される前記上面の一端と前記下面の一端との間の水平距離は、０．２５μｍ～０．６μｍの範囲を満足する、請求項１２に記載のアンテナ装置。

【請求項16】

前記アンテナパターンは、
前記絶縁層上に配置され、ニッケルおよびクロムを含む第１金属層と、
前記第１金属層上に配置され、銅を含む第２金属層と、を含む、請求項１２に記載のアンテナ装置。

【請求項17】

前記絶縁層の第１領域は、前記絶縁層の第２領域と同じ絶縁物質を含み、
前記絶縁物質は、液晶高分子（ＬＣＰ）を含む、請求項１２に記載のアンテナ装置。

【請求項18】

前面、前面とは反対の背面、および前記前面と前記背面との間の複数の側面を含む本体と、
前記本体の前面に配置されるディスプレイ部と、
前記本体の前記背面および前記複数の側面のうち少なくとも二つの面に配置される請求項１２に記載のアンテナ装置と、を含み、
前記アンテナ装置の前記絶縁層の前記第１領域は、前記本体の背面に配置され、
前記アンテナ装置の前記絶縁層の前記第２領域は、前記本体の複数の複数の側面のうち前記本体の背面と連結される第１側面に配置され、
前記第１アンテナパターンは、前記本体の背面に向かってアンテナ信号を放出し、
前記第２アンテナパターンは、前記構造物の前記第２側面に向かってアンテナ信号を放出する、端末機。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

実施例は、回路基板およびこれを含むアンテナ装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、無線データトラフィックの需要を満たすために、改善された５Ｇ（５世代）通信システムまたはｐｒｅ－５Ｇ通信システムを開発するための努力がなされている。

【0003】

高いデータ伝送率を達成するために、５Ｇ通信システムは、超高周波（ｍｍＷａｖｅ）帯域（ｓｕｂ６ギガ（６ＧＨｚ）、２８ギガ（２８ＧＨｚ）、３８ギガ（３８ＧＨｚ）またはそれ以上の周波数）を使用する。このような高い周波数帯域は、波長の長さによってｍｍＷａｖｅと呼ばれる。

【0004】

超高周波帯域における電波の経路損失の緩和および電波の伝送距離を増加させるために、５Ｇ通信システムでは、ビームフォーミング（ｂｅａｍｆｏｒｍｉｎｇ）、巨大配列多重入出力（ｍａｓｓｉｖｅ ＭＩＭＯ）、アレイアンテナ（ａｒｒａｙ ａｎｔｅｎｎａ）などの集積化技術が開発されている。

【0005】

図１は、アンテナ装置を示す図である。

【0006】

図１を参照すると、比較例に係るアンテナ装置は、複数の基板を含む。即ち、比較例のアンテナ装置は、アンテナ部に対応する第１基板１０と、駆動部に対応する第２基板２０とを含む。

【0007】

このとき、第２基板２０は、前記第１基板１０とは別の工程を通じて製造される。例えば、比較例では、第１基板１０と第２基板２０とを別の工程を通じてそれぞれ製造し、これを通じてそれらを結合する工程を行う。第２基板２０は、駆動素子を含む。

【0008】

このとき、比較例の第１基板１０と第２基板２０とは、ソルダーボール３０によって結合される。前記ソルダーボール３０は、モールディング層４０を覆う構造を有する。

【0009】

このとき、比較例のアンテナ装置は、第１基板１０と第２基板２０とが垂直方向に整列した状態で結合される。そして、比較例のアンテナパッケージ基板は、前記第１基板１０と第２基板２０との間に配置されたソルダーボール３０を介して連結される構造を有する。

【0010】

これにより、比較例では、前記第１基板１０と前記第２基板２０とが前記ソルダーボール３０を介して相互連結されるので、前記ソルダーボール３０が有する高さだけ前記アンテナパッケージ基板の厚さが増加するという問題がある。

【0011】

さらに、比較例では、上記のように、ソルダーボール３０を介して第１基板１０と第２基板２０とが垂直積層構造を有して相互結合する構造を有し、これにより信号の伝送長さが増加し、前記伝送長さ（例えば、信号伝送距離）が長くなるにつれて信号損失が増加するという問題がある。

【0012】

また、比較例では、前記ソルダーボール３０に代えて、別の軟性回路基板（図示せず）を用いて前記第１基板１０と第２基板２０とをコネクタ構造に連結した。しかし、前記軟性回路基板を用いて第１基板１０と第２基板２０とを電気的に連結する場合、前記第１基板と第２基板とが水平配置構造を有するが、前記軟性回路基板の長さだけ信号伝送距離が増加し、これによる信号損失が増加するという問題がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0013】

実施例は、アンテナ特性が改善された回路基板およびこれを含むアンテナ装置を提供する。

【0014】

また、実施例は、アンテナパターンの表面粗さを低くすることができる回路基板およびこれを含むアンテナ装置を提供する。

【0015】

また、実施例は、アンテナパターンの上面幅と下面幅との差を最小限に抑えることができる回路基板およびこれを含むアンテナ装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0016】

実施例に係る回路基板は、絶縁層と、前記絶縁層上に配置された回路パターン層と、を含み、前記回路パターン層は、アンテナ信号を送受信するアンテナパターンを含み、前記アンテナパターンの表面の１０点平均表面粗さＲｚは、０．２μｍ～０．５μｍの範囲を有する。

【0017】

また、前記アンテナパターンは、上面および前記上面とは反対の下面を含み、前記アンテナパターンの上面の幅は、前記アンテナパターンの下面の幅よりも小さい。

【0018】

また、前記アンテナパターンの上面の幅は、前記アンテナパターンの下面の幅の９５％以上である。

【0019】

また、前記アンテナパターンの上面の幅と下面の幅との差は、０．５μｍ～１．２μｍの範囲を満足する。

【0020】

また、前記アンテナパターンは、上面、前記上面とは反対の下面、および前記上面と下面とを連結する側面を含み、前記アンテナパターンの側面と連結される前記アンテナパターンの上面の一端と前記アンテナパターンの下面の一端との間の水平距離は、０．２５μｍ～０．６μｍの範囲を満足する。

【0021】

また、前記アンテナパターンの側面は、曲面を含む。

【0022】

また、前記アンテナパターンのエッチングファクタは、４０以上であり、前記エッチングファクタは、次の式によって決定される。エッチングファクタ＝アンテナパターンの厚さ／（アンテナパターンの下面の幅 － アンテナパターンの上面の幅）

【0023】

また、前記アンテナパターンは、前記絶縁層上に配置される第１金属層と、前記第１金属層上に配置され、前記第１金属層とは異なる金属を含む第２金属層とを含む。

【0024】

また、前記第１金属層は、ニッケルおよびクロムを含み、前記第２金属層は、銅を含む。

【0025】

また、前記絶縁層は、水平方向に第１領域と第２領域とに区分され、前記アンテナパターンは、前記絶縁層の前記第１領域に配置された第１アンテナパターンと、前記絶縁層の前記第２領域に配置された第２アンテナパターンとを含み、前記絶縁層の前記第１領域の層数は、前記絶縁層の第２領域の層数よりも多く、前記絶縁層の前記第２領域は、前記絶縁層の前記第１領域を基準に折り曲げられる。

【0026】

また、前記絶縁層の第１領域は、前記絶縁層の第２領域と同じ絶縁物質を含み、前記絶縁物質は、液晶高分子（ＬＣＰ）を含む。

【0027】

一方、実施例に係るアンテナ装置は、第１領域および前記第１領域から折り曲げ可能な第２領域を含む絶縁層と、前記絶縁層の前記第１領域に配置された第１アンテナパターンと、前記絶縁層の前記第２領域に配置された第２アンテナパターンと、前記絶縁層の前記第１領域に配置された第１パッドと、前記絶縁層の前記第１領域に配置された第２パッドと、前記第１パッド上に配置された第１接続部と、前記第２パッド上に配置された第２接続部と、前記第１接続部上に実装され、前記第１および第２アンテナパターンと連結された通信素子と、前記第２接続部上に実装され、前記第１および第２アンテナパターンと連結された電源素子を含み、前記第１および第２アンテナパターンのそれぞれの表面の１０点平均表面粗さＲｚは、０．２μｍ～０．５μｍの範囲を有する。

【0028】

また、前記第１および第２アンテナパターンのそれぞれは、上面および前記上面とは反対の下面を含み、前記上面の幅は、下面の幅よりも小さく、前記上面の幅は、前記下面の幅の９５％以上である。

【0029】

また、前記上面の幅と下面の幅との差は、０．５μｍ～１．２μｍの範囲を満足する。

【0030】

また、前記第１および第２アンテナパターンは、上面、前記上面とは反対の下面、および前記上面と下面とを連結する側面を含み、前記側面の一端および他端とそれぞれ連結される前記上面の一端と前記下面の一端との間の水平距離は、０．２５μｍ～０．６μｍの範囲を満足する。

【0031】

また、前記アンテナパターンは、前記絶縁層上に配置され、ニッケルおよびクロムを含む第１金属層と、前記第１金属層上に配置され、銅を含む第２金属層とを含む。

【0032】

また、前記絶縁層の第１領域は、前記絶縁層の第２領域と同じ絶縁物質を含み、前記絶縁物質は、液晶高分子（ＬＣＰ）を含む。

【発明の効果】

【0033】

実施例は、アンテナ特性が向上した回路基板およびこれを含むアンテナ装置を提供することができる。

【0034】

具体的には、実施例の回路基板は、アンテナパターンに対応する回路パターン層を含む。前記回路パターン層は、第１金属を含む薄膜層である第１金属層と、前記第１金属層上に配置された第２金属を含む第２金属層とを含む。このとき、実施例は、前記第１金属層を用いて前記第２金属層を形成する。これにより、実施例は、前記第１金属層のエッチング工程で発生する前記第２金属層の損傷を最小限に抑えることができる。

【0035】

これにより、実施例の回路パターン層の表面の１０点平均表面粗さＲｚは、０．２μｍ～０．５μｍの範囲を有する。そして、実施例の回路パターン層の上面幅と下面幅との差値は、０．５μｍ～１．２μｍの範囲を満足する。また、実施例の回路パターン層の上面幅は、回路パターン層の下面幅の９５％以上である。さらに、実施例の回路パターン層の側面と連結される上面の一端と下面の一端との間の水平距離Ｗ１は、０．２５μｍ～０．６μｍの範囲を満足する。さらに、実施例の回路パターン層のエッチングファクタは、４０以上である。

【0036】

このとき、前記回路パターン層の上面幅と下面幅との差値が０．５μｍよりも小さいと、前記回路パターン層１２０を形成する工程におけるめっき性が低下することがある。例えば、前記回路パターン層の上面幅と下面幅との差値が０．５μｍよりも小さいと、めっき工程でドライフィルムの下部領域までめっきが完全になされないという問題が発生し得る。これにより、前記回路パターン層の下面にアンダーカットが形成されて、回路基板の通信特性が低下するという問題が発生し得る。

【0037】

また、前記回路パターン層の上面幅と下面幅との差値が１．２μｍよりも大きいと、前記回路パターン層によって伝送される信号の周波数帯域幅が減少することがある。具体的には、前記信号の周波数帯域幅は、前記上面幅と下面幅との差値が小さいほど増加する。また、前記回路パターン層の上面幅と下面幅の差値が１．２μｍよりも大きい場合、図１１の比較例のように周波数帯域幅が減少し、これによる回路基板の通信特性が低下するという問題が発生し得る。

【0038】

また、前記回路パターン層の上面幅が回路パターン層の下面幅の９５％未満であると、上述したように、回路パターン層を形成する工程でめっき性が低下することがあり、これにより前記回路パターン層の下面にアンダーカットが形成され得る。

【0039】

また、実施例の回路パターン層の前記水平距離Ｗ１が０．２５μｍ未満であると、上述したように、回路パターン層を形成する工程でめっき性が低下することがあり、これにより前記回路パターン層の下面にアンダーカットが形成され得る。また、実施例の回路パターン層の前記水平距離Ｗ１が０．６μｍを超えると、上述したように周波数帯域幅が減少することがあり、これによる回路基板の通信特性が低下することがある。

【0040】

また、前記回路パターン層のエッチング ファクタが４０未満であると、前記回路パターン層の上面幅と下面幅の差値および／または前記水平距離Ｗ１が目標とする前記範囲を外れることがあり、これによりめっき性低下問題または周波数帯域幅の減少問題が発生し得る。

【0041】

これにより、実施例の回路基板およびこれを含むアンテナ装置は、高周波帯域の信号を伝送する過程で発生する信号伝送損失を低減することができる。さらに、実施例の回路基板およびこれを含むアンテナ装置は、周波数帯域幅を向上させることができる。

【0042】

また、実施例の回路基板は、水平方向に互いに離隔し、第１および第２アンテナパターン層をそれぞれ含む第１領域および第２領域を含む。そして、第２領域は、第１領域に対して折り曲げ可能なフレキシブル領域である。そして、前記第１領域には、第１および第２アンテナパターン層と連結された通信素子が配置される。前記第１および第２アンテナパターン層は、互いに異なる方向にアンテナ信号を放出する。そして、前記通信素子は、前記第１および第２アンテナパターン層を制御する。これにより、実施例は、一つの通信素子を用いて互いに異なる方向にアンテナ信号を放出する複数のアンテナパターン層を制御することができる。これにより、実施例は、アンテナ装置の小型化が可能である。

【図面の簡単な説明】

【0043】

【図1】比較例のアンテナ装置を示す図である。

【0044】

【図2】実施例に係るアンテナ基板を示す図である。

【0045】

【図3】実施例の回路パターン層および貫通電極の層構造を示す断面図である。

【0046】

【図4】比較例の回路パターン層の粗さを示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。

【0047】

【図5】実施例の回路パターン層の粗さを示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。

【0048】

【図6】比較例の回路パターン層の側面形状およびエッチングファクタを説明するための走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。

【0049】

【図7】実施例の回路パターン層の側面形状およびエッチングファクタを説明するための走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。

【0050】

【図8】比較例の回路パターン層の表面を示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。

【0051】

【図9】実施例の回路パターン層の表面を示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。

【0052】

【図10】回路パターン層の粗さによる信号特性を示す図である。

【0053】

【図11】比較例の回路基板の周波数帯域幅を示す図である。

【0054】

【図12】実施例に係る回路基板の周波数帯域幅を示す図である。

【0055】

【図13】実施例に係るアンテナ装置を示す図である。

【0056】

【図14】図１３のアンテナ装置が適用された端末機の一部を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0057】

以下、添付された図面を参照して実施例を詳細に説明する。

【0058】

但し、本発明の技術思想は、説明される一部の実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現され得、本発明の技術思想の範囲内であれば、実施例間にその構成要素のうち一つ以上を選択的に結合、置換して使うことができる。

【0059】

また、本発明の実施例で使われる用語（技術及び科学的用語を含む）は、明らかに特に定義されて記述されない限り、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者にとって一般的に理解され得る意味と解釈され得、辞書に定義された用語のように一般的に使われる用語は、関連技術の文脈上の意味を考慮して、その意味を解釈することができるであろう。

【0060】

また、本発明の実施例で使われる用語は、実施例を説明するためのものであり、本発明を制限しようとするものではない。本明細書において、単数形は、文句で特に言及しない限り、複数形も含むことができ、「Ａ及び（と）Ｂ、Ｃのうち少なくとも一つ（または一つ以上）」と記載される場合、Ａ、Ｂ、Ｃで組み合わせできるすべての組み合わせのうち一つ以上を含むことができる。

【0061】

また、本発明の実施例の構成要素を説明するにあたって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）等の用語を使うことができる。このような用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのものに過ぎず、その用語によって該当構成要素の本質や順番または順序などが限定されない。そして、或る構成要素が他の構成要素に「連結」、「結合」または「接続」されると記載された場合、その構成要素はその他の構成要素に直接的に連結、結合または連結される場合のみならず、その構成要素とその他の構成要素との間にあるまた他の構成要素によって「連結」、「結合」または「接続」される場合も含むことができる。

【0062】

また、各構成要素の「上（うえ）または、下（した）」に形成または配置されるものと記載される場合、上（うえ）または下（した）は、２つの構成要素が互いに直接接触する場合のみならず、一つ以上のまた他の構成要素が前記２つの構成要素の間に形成または配置される場合も含む。また、「上（うえ）または下（した）」で表現される場合、一つの構成要素を基準として上側方向のみならず、下側方向の意味も含むことができる。

【0063】

図２は、実施例に係るアンテナ基板を示す図である。

【0064】

図２を参照すると、アンテナ基板は、絶縁層１１０、回路パターン層１２０、貫通電極１３０、および保護層１４０を含む。

【0065】

絶縁層１１０は、複数の層で構成される。

【0066】

例えば、絶縁層１１０は、第１絶縁層１１１、第２絶縁層１１２、および第３絶縁層１１３を含むことができる。図２では、絶縁層１１０が３層で構成されると示したが、実施例はこれに限定されない。絶縁層１１０は、２層以下の層数を有してもよく、４層以上の層数を有してもよい。

【0067】

絶縁層１１０は、フレキシブルな特性を有する。前記絶縁層１１０は、ポリイミドＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）で構成され得る。これとは異なり、絶縁層１１０は、液晶高分子ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）で構成され得る。但し、実施例はこれに限定されない。例えば、絶縁層１１０は、ポリエチレンテレフタレートＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンナフタレートＰＥＮ（ Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリカーボネートＰＣ（ Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリエーテルスルホンＰＥＳ（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリアクリレートＰＡＲ（Ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）などのガラス繊維を含まない絶縁物質で構成され得る。

【0068】

好ましくは、実施例の絶縁層１１０は、液晶高分子（ＬＣＰ）で形成される。そして、前記絶縁層１１０が液晶高分子（ＬＣＰ）で形成される場合、前記絶縁層１１０の誘電率の調節が容易であり、これにより前記絶縁層１１０が高周波帯域における信号伝送損失を最小限に抑えることができる誘電率を有するようにすることができる。さらに、前記絶縁層１１０が液晶高分子（ＬＣＰ）で形成される場合、回路基板の製造工程性を向上させることができ、回路基板の全体的な厚さを減少させることができる。

【0069】

これにより、絶縁層１１０は、部分的に曲面を有して曲がる。即ち、絶縁層１１０は、部分的には平面を有し、部分的には曲面を有して曲がることがある。詳細には、前記絶縁層１１０は、端部が曲面を有して曲がるか、ランダムな曲率を含む表面を有して曲がるか折曲がることがある。

【0070】

回路基板は、回路パターン層１２０を含む。

【0071】

前記回路パターン層１２０は、第１回路パターン層１２１、第２回路パターン層１２２、第３回路パターン層１２３、および第４回路パターン層１２４を含む。

【0072】

前記回路パターン層１２０は、アンテナ機能を果たすアンテナパターンを含む。例えば、回路パターン層１２０は、アンテナ信号パターンを含む。前記アンテナ信号パターンは、アンテナ信号およびデータ信号を伝達する機能を果たす。

【0073】

これにより、前記回路パターン層１２０は、パッチアンテナで実現できるが、これに限定されない。例えば、回路パターン層１２０は、ダイポールアンテナで実現され得る。また、回路パターン層１２０は、パッチアンテナとダイポールアンテナの組み合わせで実現され得る。

【0074】

また、前記回路パターン層１２０は、グランドパターンやパワーパターンをさらに含む。

【0075】

回路パターン層１２０は、導電性の高い金属物質を含む。例えば、回路パターン層１２０は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはそれらの合金などが使用され得る。

【0076】

回路基板は、貫通電極１３０を含む。

【0077】

前記貫通電極１３０は、第１貫通電極１３１、第２貫通電極１３２、および第３貫通電極１３３を含む。前記第１貫通電極１３１は、第１絶縁層１１１を貫通する。第２貫通電極１３２は、第２絶縁層１１２を貫通する。第３貫通電極１３３は、第３絶縁層１１３を貫通する。前記貫通電極１３０は、互いに異なる層に配置された回路パターン層間を電気的に連結する。前記貫通電極１３０は、前記回路パターン層１２０と同じ物質を含むことができる。前記貫通電極１３０は、テーパ形状を有することができる。

【0078】

回路基板は、保護層１４０を含む。

【0079】

前記保護層１４０は、第１絶縁層１１１の下面に配置された第１保護層１４１を含む。また、前記保護層１４０は、第３絶縁層１１３の上面に配置された第２保護層１４２を含む。前記保護層１４０は、ソルダーレジストであり得るが。これに限定されるものではない。

【0080】

本願の回路基板は、比較例の回路基板が有するアンテナ特性よりも優れたアンテナ特性を有する。

【0081】

これは、本願の実施例に含まれる回路パターン層１２０の特性によって達成される。

【0082】

即ち、実施例の回路パターン層１２０の表面粗さは、比較例の回路パターン層の表面粗さよりも低い。これにより、実施例の回路基板は、高周波帯域の信号を伝送する過程で発生する信号伝送損失を低減することができる。

【0083】

また、本願の実施例に含まれる回路パターン層１２０の垂直断面形状は、四角形状に近い。例えば、実施例の回路パターン層１２０の側面は、回路パターン層１２０の下面に対して直角に近い。例えば、実施例の回路パターン層１２０の側面は、直線に近い。これに対して、比較例の回路パターン層の側面は、曲線に近い。これは、回路パターン層１２０の上面幅と下面幅との差としても表すことができる。即ち、実施例の回路パターン層１２０の上面幅と下面幅との差値は、比較例の回路パターン層の上面幅と下面幅との差値よりも小さい。これは、回路パターン層のエッチングファクタとしても表すことができる。前記エッチング ファクタは、回路パターン層の厚さを回路パターン層の上面幅と下面幅の差値で割った値である。そして、実施例の回路パターン層１２０は、上面幅と下面幅との差値が０に近い。これにより、実施例の回路パターン層１２０のエッチング ファクタは、比較例の回路パターン層のエッチングファクタよりも高い。

【0084】

これにより、実施例の回路基板は、周波数帯域幅を増加させることができる。即ち、図１１に示すように、回路パターン層１２０は、上面幅と下面幅との差値が大きくなるか、回路パターン層１２０のエッチング ファクタが減少する場合、信号伝送に使用できる周波数帯域幅が減少することが確認できた。そして、実施例は、以下で説明される特徴により、比較例に比べて回路パターン層１２０の上面幅と下面幅との差値を小さくしながら回路パターン層１２０のエッチングを大きくして、回路基板が適用される製品で使用可能な周波数帯域幅を増加させることができる。これについては、以下でより詳細に説明する。

【0085】

実施例の回路パターン層のエッチング ファクタは、比較例の回路パターン層のエッチングファクタよりも高い。

【0086】

例えば、実施例の回路基板は、広帯域幅のアンテナパターンを提供することができる。

【0087】

以下では、上記のような特性を有する回路パターン層１２０について具体的に説明する。

【0088】

図３は、実施例の回路パターン層および貫通電極の層構造を示す断面図である。

【0089】

図３を参照すると、回路パターン層１２０は、複数の金属層を含む。回路パターン層１２０は、絶縁層１１０上に配置された第１金属層１２０ａと、前記第１金属層１２０ａ上に配置された第２金属層１２０ｂとを含む。前記第１金属層１２０ａおよび前記第２金属層１２０ｂは、互いに異なる金属物質を含む。

【0090】

前記第１金属層１２０ａは、ニッケルおよびクロムを含む。前記第１金属層１２０ａは、ニッケルおよびクロムの合金層であり得る。これとは異なり、前記第１金属層１２０ａは、ニッケル層およびクロム層を含むことができる。

【0091】

前記第１金属層１２０ａは、スパッタリング方式で絶縁層１１０上に蒸着される。これにより、前記第１金属層１２０ａは、前記絶縁層１１０上に薄膜で形成され得る。

【0092】

前記第２金属層１２０ｂは、前記第１金属層１２０ａをシード層として電解めっきされた電解めっき層である。前記第２金属層１２０ｂは、前記第１金属層１２０ａとは異なる金属物質を含む。例えば、前記第２金属層１２０ｂは、銅を含むことができる。

【0093】

また、貫通電極１３０は、前記回路パターン層１２０の層構造に対応する層構造を有する。即ち、貫通電極１３０は、第１金属層１３０ａおよび第２金属層１３０ｂを含む。前記貫通電極１３０の第１金属層１３０ａは、ニッケルおよびクロムを含む。また、前記貫通電極１３０の第２金属層１３０ｂは、前記第１金属層１３０ａとは異なる金属、例えば銅を含むことができる。

【0094】

この場合、実施例は、前記回路パターン層１２０が互いに異なる金属物質である第１金属層１２０ａと第２金属層１２０ｂとを含む。また、前記第１金属層１２０ａは、スパッタリングによって形成された薄膜層である。これにより、実施例は、回路パターン層１２０の形成工程中にシード層である前記第１金属層１２０ａをエッチングする過程で発生する前記第２金属層１２０ｂのダメージを最小限に抑えることができる。

【0095】

即ち、実施例は、前記第１金属層１２０ａが前記第２金属層１２０ｂとは異なる金属物質を含むことにより、前記第１金属層１２０ａのエッチング工程時に前記第２金属層１２０ｂがエッチングされないようにする。さらに、実施例は、前記第１金属層１２０ａが薄膜層であるため、前記第１金属層１２０ａのエッチング時に前記第２金属層１２０ｂがエッチングされないようにする。

【0096】

これにより、前記回路パターン層１２０の表面粗さ、前記回路パターン層１２０の上面幅と下面幅との差、前記回路パターン層１２０のエッチングファクタは、比較例よりも優れる。

【0097】

以下では、実施例と比較例の回路パターン層の特性の差異について説明する。

【0098】

図４は、比較例の回路パターン層の粗さを示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真であり、図５は、実施例の回路パターン層の粗さを示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。

【0099】

図４を参照すると、比較例の回路基板は、絶縁層１１と、前記絶縁層１１上に配置された回路パターン層１４とを含む。比較例の回路パターン層１４は、銅を含む銅箔層や化学銅めっき層をシード層として電解めっきを行って形成される。これにより、比較例の回路パターン層１４は、シード層をエッチングする過程で電解めっきされた金属層も一緒にエッチングされる。これにより、比較例の回路パターン層１４の表面粗さは、相対的に高い値を有する。また、比較例の回路パターン層１４は、前記電解めっきされた金属層のエッチングを考慮して複数の回路パターンの線幅や間隔が決定される。

【0100】

比較例の回路パターン層１４の表面の１０点平均表面粗さＲｚは、１μｍ～１．５μｍを有する。そして、比較例の回路基板は、高周波帯域を使用する製品では適用が困難である。即ち、回路基板が適用されるアプリケーションで使用される周波数が高くなるほど、信号の流れはスキンエフェクト（Ｓｋｉｎ ｅｆｆｅｃｔ）によって導体（回路パターン層）の表面に移動するようになる。そして、比較例のように回路パターン層１４の最大高さ粗さＲｙが１μｍを超える場合、高周波帯域（ ｍｍＷａｖｅ）で信号伝送損失が増加する。したがって、比較例の回路基板は、回路パターン層１４を通じて伝送される信号の特性が低下するという問題を有する。

【0101】

また、比較例の回路パターン層１２０の複数の回路パターンの線幅は、６０μｍのレベルを有し、回路パターンの間隔は、７０μｍのレベルを有する。これにより、比較例の回路基板は、回路集積度が低いという問題がある。

【0102】

図５を参照すると、実施例の回路基板は、絶縁層１１０および回路パターン層１２０を含む。そして、回路パターン層１２０は、上述したようにニッケルおよびクロムを含む第１金属層１２０ａと、銅を含む第２金属層１２０ｂとを含む。前記第１金属層１２０ａは、薄膜層である。これにより、実施例は、前記第１金属層１２０ａをエッチングする工程で前記第２金属層１２０ｂがエッチングされることを防止することができる。したがって、実施例は、比較例に比べて前記回路パターン層１２０の１０点平均表面粗さＲｚ、線幅、および間隔を減少させることができる。

【0103】

具体的には、実施例の回路パターン層１２０の表面の最大高さ粗さＲｙは、０．８μｍ以下を有する。好ましくは、実施例の回路パターン層１２０の表面の１０点平均表面粗さＲｚは、０．７μｍ以下を有する。より好ましくは、回路パターン層１２０の表面の１０点平均表面粗さＲｚは、０．５μｍ以下を有する。

【0104】

即ち、実施例の回路パターン層１２０の表面の１０点平均表面粗さＲｚは、０．２μｍ～０．５μｍの範囲を有する。好ましくは、実施例の回路パターン層１２０の表面の１０点平均表面粗さＲｚは、０．２μｍ～０．４５μｍ以下を有する。より好ましくは、実施例の回路パターン層１２０の１０点平均表面粗さＲｚは、０．２μｍ～０．４μｍを有する。

【0105】

前記回路パターン層１２０の表面の１０点平均表面粗さＲｚが０．２μｍ未満であると、前記回路パターン層１２０と前記絶縁層１１０との密着力が低下し、これにより前記回路パターン層１２０が絶縁層１１０から剥離されるという問題が発生し得る。

【0106】

また、前記回路パターン層１２０の表面の１０点平均表面粗さＲｚが０．５μｍを超えると、スキン効果により信号の伝送損失が増加することがある。即ち、前記回路パターン層１２０の表面の１０点平均表面粗さＲｚが０．５μｍを超えると、高周波帯域を使用する製品に適用することが困難であり得る。

【0107】

上記のように、実施例は、前記回路パターン層１２０の表面の１０点平均表面粗さＲｚを比較例に比べて低くすることができ、これにより回路基板を通じて伝送される信号の特性を向上させることができる。

【0108】

さらに、実施例の回路パターン層１２０の複数の回路パターンの線幅は、 ４μｍ～１０μｍの範囲を有する。また、実施例の回路パターン層１２０の複数の回路パターン間の間隔は、６μｍ～１４μｍの範囲を有する。即ち、実施例の回路パターン層１２０の線幅および間隔は、比較例の回路パターン層１４の線幅および間隔の２０％以下のレベルを有する。これにより、実施例は、回路基板の回路集積度を向上させることができる。さらに、実施例は、同じ空間内で前記回路パターン層１２０の配置面積を増加させることができ、これによるアンテナパターンを通じて伝送される信号の特性を向上させることができる。

【0109】

図６は、比較例の回路パターン層の側面形状およびエッチング ファクタを説明するための走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真であり、図７は、実施例の回路パターン層の側面形状およびエッチングファクタを説明するための走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。

【0110】

図６を参照すると、比較例の回路パターン層１４は、上面１４Ｔおよび側面１４Ｓを含む。そして、比較例の回路パターン層１４の側面１４Ｓは、垂直断面で曲面または曲線を有する。言い換えれば、比較例の回路パターン層１４は、上面幅と下面幅との差が大きい。また、比較例の回路パターン層１４は、ライン直進性が低い。また、比較例の回路パターン層１４は、エッチングファクタが低い。

【0111】

比較例の回路パターン層１４の上面幅と下面幅との差値は、１３μｍを超える。例えば、比較例の回路パターン層１４の上面幅は、回路パターン層１４の下面幅の８０％以下である。そして、比較例の回路パターン層１４のライン直進性は、０．６８μｍを超える。このとき、前記ライン直進性は、前記回路パターン層１４の側面１４Ｓの直進度を意味する。そして、前記ライン直進性は、前記上面幅と下面幅との差値の１／２でも表すことができる。即ち、前記ライン直進性は、前記回路パターン層１４の側面１４Ｓと連結される上面１４Ｔの一端と下面の一端との間の水平距離ｗ１を意味する。そして、比較例の回路パターン層１４の水平距離ｗ１は、０．６８μｍを超える。

【0112】

さらに、比較例の回路パターン層１４のエッチングファクタは、１２程度を有する。ここで、前記エッチング ファクタは、回路パターン層１４の厚さを前記回路パターン層１４の上面幅と下面幅との差値で割った値である。そして、前記エッチング ファクタが低いほど、前記回路パターン層１４の上面幅と下面幅との差値が大きいことを意味する。

【0113】

図７を参照すると、実施例の回路パターン層１２０は、上面１２０Ｔおよび側面１２０Ｓを含む。そして、実施例の回路パターン層１２０の側面１２０Ｓは、垂直断面で実質的に垂直に近い直線形状を有する。言い換えれば、実施例の回路パターン層１２０の上面幅と下面幅との差値は、比較例よりも低い。また、実施例の回路パターン層１２０のライン直進性は、比較例よりも優れる。また、実施例の回路パターン層１４のエッチングファクタは、比較例に比べて高い。

【0114】

実施例の回路パターン層１２０の上面幅と下面幅との差値は、１．２μｍ以下、１．０μｍ以下、または０．７μｍ以下である。具体的には、実施例の回路パターン層１２０の上面幅と下面幅との差値は、０．５μｍ～１．２μｍの範囲を満足する。

【0115】

前記回路パターン層１２０の上面幅と下面幅との差値が０．５μｍよりも小さいと、前記回路パターン層１２０を形成する工程におけるめっき性が低下することがある。例えば、前記回路パターン層１２０は、めっき工程を行って形成される。このとき、めっき工程は、ドライフィルム（図示せず）の開口部内に金属物質で充填する工程を意味する。そして、前記回路パターン層１２０の上面幅と下面幅との差値は、前記開口部の上部幅と下部幅との差値に対応する。このとき、前記開口部の内壁がテーパした状態でめっき工程を行ってこそ、開口部の最下部領域までめっきが完全に行われ得る。そして、前記回路パターン層１２０の上面幅と下面幅との差値が０．５μｍよりも小さいことは、前記めっき工程で前記開口部の下部領域で完全にめっきが行われなかったことを意味することができる。例えば、前記回路パターン層１２０の上面幅と下面幅との差値が０．５μｍよりも小さい場合、前記回路パターン層１２０の下面にアンダーカットが発生し得、これにより信号特性が低下するという問題が発生し得る。

【0116】

また、前記回路パターン層１２０の上面幅と下面幅との差値が１．２μｍよりも大きいと、前記回路パターン層１２０によって伝送される信号の周波数帯域幅が減少することがある。具体的には、前記信号の周波数帯域幅は、前記上面幅と下面幅との差値が小さいほど増加することがある。これは、図１１および図１２を参照して説明する。そして、また、前記回路パターン層１２０の上面幅と下面幅との差値が１．２μｍよりも大きい場合、図１１の比較例のように周波数帯域幅が減少することがあり、これによる回路基板の通信特性が低下することがある。

【0117】

即ち、実施例の回路パターン層１２０の上面幅は、回路パターン層１２０の下面幅の９５％以上、さらに９６％以上、さらに９８％以上を有する。前記回路パターン層１２０の上面幅が回路パターン層１２０の下面幅の９５％未満であると、上述したように、回路パターン層１２０を形成する工程でめっき性が低下することがある。これにより、前記回路パターン層１２０の下面にアンダーカットが形成され得る。

【0118】

また、実施例の回路パターン層１２０の側面１２０と連結される上面１２０の一端と下面の一端との間の水平距離Ｗ１は、０．６μｍ以下、０．５μｍ以下、または０．３５μｍ以下である。具体的には、実施例の回路パターン層１２０の前記水平距離Ｗ１は、０．２５μｍ～０．６μｍの範囲を満足する。実施例の回路パターン層１２０の前記水平距離Ｗ１が０．２５μｍ未満であると、上述したように、回路パターン層１２０を形成する工程でめっき性が低下することがあり、これにより前記回路パターン層１２０の下面にアンダーカットが形成され得る。また、実施例の回路パターン層１２０の前記水平距離Ｗ１が０．６μｍを超えると、上述したように周波数帯域幅が減少することがあり、これによる回路基板の通信特性が低下することがある。

【0119】

さらに、実施例の回路パターン層１２０のエッチングファクタは、４０以上である。

【0120】

前記回路パターン層１２０のエッチング ファクタが４０未満であると、前記回路パターン層１２０の上面幅と下面幅との差値および／または前記水平距離Ｗ１が目標とする前記範囲を外れることがあり、これによりめっき性低下の問題または周波数帯域幅の減少の問題が発生し得る。

【0121】

図８は、比較例の回路パターン層の表面を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真であり、図９は、実施例の回路パターン層の表面を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。

【0122】

図８を参照すると、比較例の回路パターン層１４は、上面１４Ｔ、側面１４Ｓ、および下面１４Ｂを含む。そして、比較例の回路パターン層１４は、シード層の特性により、上面１４Ｔ、側面１４Ｓ、および下面１４Ｂがかなり粗いことが確認できる。

【0123】

図９を参照すると、実施例の回路パターン層１２０は、上面１２０Ｔ、側面１２０Ｓ、および下面１２０Ｂを含む。そして、比較例の回路パターン層１２０は、シード層の特性により、比較例に比べて上面１２０Ｔ、側面１２０Ｓ、および下面１２０Ｂがかなり滑らかであることが確認できる。

【0124】

図１０は、回路パターン層の粗さによる信号特性を示す図である。

【0125】

図１０を参照すると、実施例の回路パターン層１２０の１０点平均表面粗さＲｚは、比較例の回路パターン層１４の１０点平均表面粗さＲｚよりも低い。これにより、比較例に比べて同一周波数領域で低い信号損失Ｓ２１（ｄＢ／ｍｍ）を有することを確認することができる。

【0126】

具体的には、図１０の第１信号損失特性Ｃを見ると、２８ＧＨｚの周波数帯域で－０．１４８ｄＢ／ｍｍ程度の信号損失が発生することが確認できる。

【0127】

これに対して、図１０の第２信号損失特性Ｅ１および第３信号損失特性Ｅ２は、第１信号損失特性Ｃよりも低い信号損失が発生することが確認できる。第２信号損失特性Ｅ１は、回路パターン層１２０の１０点平均表面粗さＲｚが０．３μｍの場合の信号損失を示し、第３信号損失特性Ｅ２は、１０点平均表面粗さＲｚが０．２μｍの場合の信号損失を示す。

【0128】

第２信号損失特性Ｅ１を見ると、同一周波数帯域（２８ＧＨｚ）で比較例の第１信号損失特性Ｃに比べて０．０２３７ｄＢほど低い信号損失が発生することが確認できた。

【0129】

第３信号損失特性Ｅ２を見ると、同一周波数帯域（２８ＧＨｚ）で比較例の第１信号損失特性Ｃに比べて０．０４４５ｄＢほど低い信号損失が発生することが確認できた。

【0130】

図１１は、比較例の回路基板の周波数帯域幅を示す図であり、図１２は、実施例に係る回路基板の周波数帯域幅を示す図である。

【0131】

図１１を参照すると、信号損失が－６ｄＢ以下の周波数帯域を基準に、比較例では２７．３ＧＨｚ～３０．７ＧＨｚの周波数帯域を使用できることが確認できた。

【0132】

そして、図１２を参照すると、信号損失が－６ｄＢ以下の周波数帯域を基準に、実施例では２６．８ＧＨｚ～３０．８ＧＨｚの周波数帯域を使用できることが確認できた。即ち、実施例の回路基板で使用可能な周波数帯域は、比較例の回路基板で使用可能な周波数帯域よりも広いことが確認できた。

【0133】

これにより、実施例は、比較例に比べて広帯域幅のアンテナ特性を有する回路基板を提供することができる。

【0134】

図１３は、実施例に係るアンテナ装置を示す図であり、図１４は、図１３のアンテナ装置が適用された端末機の一部を示す図である。

【0135】

図１３を参照すると、アンテナ装置は、回路基板を含む。回路基板は、絶縁層２１０、回路パターン層２２０、貫通電極２３０、および保護層２４０を含む。実施例の回路基板は、図２で既に説明したので、これについての詳細な説明は省略する。

【0136】

実施例の回路基板は、水平方向に複数の領域に区分される。

【0137】

回路基板は、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２を含む。そして、回路基板の第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２のそれぞれは、前記絶縁層２１０、回路パターン層２２０、貫通電極２３０、および保護層２４０を含む。

【0138】

このとき、前記第１領域Ｒ１は、前記回路基板でリジッド特性を有するリジッド領域を意味する。また、前記第２領域Ｒ２は、前記回路基板でフレキシブル特性を有するフレキシブル領域を意味する。

【0139】

このとき、前記第１領域Ｒ１に含まれる絶縁層は、前記第２領域Ｒ２に含まれる絶縁層と同一である。そして、実施例は、前記第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２における前記絶縁層の層数を異ならせる。これにより、相対的に多い層を有する第１領域Ｒ１は、リジッド特性を有し、相対的に少ない層を有する第２領域Ｒ２は、フレキシブル特性を有する。

【0140】

したがって、前記回路基板の第２領域Ｒ２は、前記第１領域Ｒ１を基準にベンディングが可能である。これにより、実施例は、アンテナ装置から互いに異なる方向にそれぞれアンテナ信号を送信することができる。

【0141】

具体的には、前記回路パターン層２２０は、前記回路基板の第１領域Ｒ１に含まれた第１アンテナパターン層２２０ａを含む。そして、前記第１アンテナパターン層２２０ａは、前記アンテナ装置が装着される構造物３００（例えば、端末機のケース）から第１方向にアンテナ信号を放出することができる。

【0142】

また、前記回路パターン層２２０は、回路基板の第２領域Ｒ２に含まれた第２アンテナパターン層２２０ｂを含む。そして、前記第２アンテナパターン層２２０ｂは、前記アンテナ装置が装着される構造物３００から前記第１方向とは異なる第２方向にアンテナ信号を放出することができる。このとき、前記第１方向は、前記第２方向に対して垂直な方向であり得るが、これに限定されない。

【0143】

前記構造物３００は、端末機の外観を形成する本体３００を意味する。

【0144】

例えば、実施例のアンテナ装置は、端末機に配置される。ここで、端末機は、携帯電話、携帯電話、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、携帯用スマート機器、デジタルカメラ、ラップトップコンピュータ（ｌａｐｔｏｐ ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、デジタル放送用端末機、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、ＰＭＰ（Ｐｏｒｔａｂｌｅ Ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ Ｐｌａｙｅｒ）、およびナビゲーションのうちいずれか一つであり得る。

【0145】

前記端末機は、本体３００、ディスプレイ部（図示せず）、および前記本体３００内に配置された実施例のアンテナ装置を含む。

【0146】

前記本体３００は、端末機の外観を形成する。一例として、本体３００は、直方体形状を含むことができる。他の例として、本体３００は、少なくとも一部でラウンドして形成され得る。本体３００には、実施例のアンテナ装置が配置される。そして、本体の一面には、ディスプレイ部が配置される。

【0147】

即ち、前記本体３００は、複数の外面を含む。例えば、前記本体３００は、前記ディスプレイ部が配置される前面、前記前面とは反対の背面、および前面と背面との間の複数の側面を含む。

【0148】

そして、実施例のアンテナ装置は、前記第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２とをベンディングして、前記本体３００の複数の外面のうち少なくとも二つの外面に配置されるようにする。

【0149】

例えば、本体３００は、４つの側面を含む。そして、前記アンテナ装置の第１領域Ｒ１は、前記４つの側面のうちいずれか一つの第１側面に配置され、第２領域Ｒ２は、前記４つの側面のうち前記第１側面と連結される第２側面に配置され得る。

【0150】

これとは異なり、前記アンテナ装置の第１領域Ｒ１は、前記背面に配置され、第２領域Ｒ２は、前記背面と連結される前記４つの側面のうちいずれか一つの側面に配置され得る。

【0151】

但し、実施例のアンテナ装置の第１領域Ｒ１は、少なくとも一つの素子が実装されたリジッド領域であり、これにより、配置空間確保および素子信頼性向上のために前記本体３００の背面に配置されるようにする。

【0152】

また、実施例では、前記アンテナ装置は、前記第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２とをベンディングせずに使用することができる。この場合、前記第１アンテナパターン層２２０ａおよび第２アンテナパターン層２２０ｂは、互いに離間した位置で同じ第１方向または第２方向にアンテナ信号をそれぞれ放射する。

【0153】

一方、前記回路パターン層２２０は、複数のパッドを含む。前記回路パターン層２２０は、第１パッド２２０ｃおよび第２パッド２２０ｄを含む。

【0154】

前記第１パッド２２０ｃおよび第２パッド２２０ｄは、前記回路基板の最外層に配置された回路パターン層を意味する。前記第１パッド２２０ｃおよび第２パッド２２０ｄは、前記回路基板の第１領域Ｒ１に配置される。このとき、図面上には、前記第１パッド２２０ｃおよび第２パッド２２０ｄが前記回路基板の最上側にそれぞれ配置されると示したが、これに限定されない。例えば、第１パッド２２０ｃおよび第２パッド２２０ｄのいずれか一つは、回路基板の最上側に配置され得、他の一つは、回路基板の最下側に配置され得る。

【0155】

前記第１パッド２２０ｃ上には、第１接続部２５０が配置される。また、前記第２パッド２２０ｄ上には、第２接続部２６０が配置される。前記第１接続部２５０および第２接続部２６０は、ソルダーボールであり得るが、これに限定されない。

【0156】

前記第１接続部２５０上には、第１素子２７０が配置される。そして、前記第２接続部２６０上には、第２素子２８０が配置される。

【0157】

前記第１素子２７０は、通信素子ＲＦＩＣである。前記第１素子２７０は、前記第１アンテナパターン層２２０ａおよび第２アンテナパターン層２２０ｂとそれぞれ連結される。これにより、実施例は、一つの第１素子２７０を用いて互いに異なる領域にアンテナ信号を放出する第１アンテナパターン層２２０ａおよび第２アンテナパターン層２２０ｂをそれぞれ制御することができる。

【0158】

前記第２素子２８０は、電源素子ＰＭＩＣである。前記第２素子２８０は、前記第１素子２７０と電気的に連結される。前記第２素子２８０は、前記第１素子２７０から送信される制御信号を受信する。前記第２素子２８０は、前記受信した制御信号に基づいて前記第１アンテナパターン層２２０ａおよび第２アンテナパターン層２２０ｂに供給される電源を制御する。

【0159】

実施例は、アンテナ特性が向上した回路基板およびこれを含むアンテナ装置を提供することができる。

【0160】

具体的には、実施例の回路基板は、アンテナパターンに対応する回路パターン層を含む。前記回路パターン層は、第１金属を含む薄膜層である第１金属層と、前記第１金属層上に配置された第２金属を含む第２金属層とを含む。このとき、実施例は、前記第１金属層を用いて前記第２金属層を形成する。これにより、実施例は、前記第１金属層のエッチング工程で発生する前記第２金属層の損傷を最小限に抑えることができる。

【0161】

これにより、実施例の回路パターン層の表面の１０点平均表面粗さＲｚは、０．２μｍ～０．５μｍの範囲を有する。そして、実施例の回路パターン層の上面幅と下面幅との差値は、０．５μｍ～１．２μｍの範囲を満足する。また、実施例の回路パターン層の上面幅は、回路パターン層の下面幅の９５％以上である。さらに、実施例の回路パターン層の側面と連結される上面の一端と下面の一端との間の水平距離Ｗ１は、０．２５μｍ～０．６μｍの範囲を満足する。さらに、実施例の回路パターン層のエッチングファクタは、４０以上である。

【0162】

これにより、実施例の回路基板およびこれを含むアンテナ装置は、高周波帯域の信号を伝送する過程で発生する信号伝送損失を低減することができる。さらに、実施例の回路基板およびこれを含むアンテナ装置は、周波数帯域幅を向上させることができる。

【0163】

また、実施例の回路基板は、水平方向に互いに離隔し、第１および第２アンテナパターン層をそれぞれ含む第１領域および第２領域を含む。そして、第２領域は、第１領域に対して折り曲げ可能なフレキシブル領域である。そして、前記第１領域には、第１および第２アンテナパターン層と連結された通信素子が配置される。前記第１および第２アンテナパターン層は、互いに異なる方向にアンテナ信号を放出する。そして、前記通信素子は、前記第１および第２アンテナパターン層を制御する。これにより、実施例は、一つの通信素子を用いて互いに異なる方向にアンテナ信号を放出する複数のアンテナパターン層を制御することができる。これにより、実施例は、アンテナ装置の小型化が可能である。

【0164】

上術の実施例で説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施例に含まれ、必ず一つの実施例にのみ限定されるものではない。さらに、各実施例に例示された特徴、構造、効果などは、実施例が属する分野で通常の知識を有する者によって、他の実施例に対しても組合せまたは変形して実施可能である。従って、このような組合せと変形に関連した内容は、実施例の範囲に含まれると解釈されるべきである。

【0165】

また、以上では実施例を中心に説明したが、これは単なる例示に過ぎず、本発明を限定するものではなく、本発明が属する分野で通常の知識を有した者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上で例示されていない多様な変形と応用が可能であることが理解できるであろう。例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は、変形して実施することができるものである。そして、このような変形と応用に関連した差異点は、添付された請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれると解釈されるべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【手続補正書】

【提出日】2023-12-04

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁層と、
前記絶縁層上に配置された回路パターン層と、を含み、
前記回路パターン層は、アンテナ信号を送受信するアンテナパターンを含み、
前記アンテナパターンは、上面および前記上面とは反対の下面を含み、
前記上面の幅は、前記下面の幅とは異なり、
前記上面および前記下面のうちいずれか一つの幅は、他の一つの幅の９５％以上である、回路基板。

【請求項2】

前記アンテナパターンの上面の幅は、前記アンテナパターンの下面の幅よりも小さい、請求項１に記載の回路基板。

【請求項3】

前記アンテナパターンの１０点平均表面粗さＲｚは、０．２μｍ～０．５μｍの範囲を有する、請求項２に記載の回路基板。

【請求項4】

前記アンテナパターンの上面の幅と下面の幅との差は、０．５μｍ～１．２μｍの範囲を満足する、請求項２に記載の回路基板。

【請求項5】

前記アンテナパターンは、前記上面と前記下面とを連結する側面を含み、
前記アンテナパターンの側面と連結される前記アンテナパターンの上面の一端と前記アンテナパターンの下面の一端との間の水平距離は、０．２５μｍ～０．６μｍの範囲を満足する、請求項１に記載の回路基板。

【請求項6】

前記アンテナパターンの側面は、曲面を含む、請求項５に記載の回路基板。

【請求項7】

前記側面は、第１側面および前記第１側面とは反対の第２側面を含み、
前記第１側面は、前記第２側面に向かって凹み、
前記第２側面は、前記第１側面に向かって凹んだ、請求項６に記載の回路基板。

【請求項8】

前記アンテナパターンのエッチングファクタは、４０以上であり、
前記エッチングファクタは、次の式によって決定される、請求項１に記載の回路基板。
エッチングファクタ＝アンテナパターンの厚さ／（アンテナパターンの下面の幅 － アンテナパターンの上面の幅）

【請求項9】

前記アンテナパターンは、
前記絶縁層上に配置される第１金属層と、
前記第１金属層上に配置され、前記第１金属層とは異なる金属を含む第２金属層と、を含む、請求項１に記載の回路基板。

【請求項10】

前記第１金属層は、ニッケルおよびクロムを含み、
前記第２金属層は、銅を含む、請求項９に記載の回路基板。

【請求項11】

前記絶縁層は、水平方向に第１領域と第２領域とに区分され、
前記アンテナパターンは、
前記絶縁層の前記第１領域に配置された第１アンテナパターンと、
前記絶縁層の前記第２領域に配置された第２アンテナパターンと、を含み、
前記絶縁層の前記第１領域の層数は、前記絶縁層の第２領域の層数よりも多く、
前記絶縁層の前記第２領域は、前記絶縁層の前記第１領域を基準に折り曲げられる、請求項１に記載の回路基板。

【請求項12】

前記絶縁層の第１領域は、前記絶縁層の第２領域と同じ絶縁物質を含み、
前記絶縁物質は、液晶高分子（ＬＣＰ）を含む、請求項１１に記載の回路基板。

【請求項13】

第１領域および前記第１領域から折り曲げ可能な第２領域を含む絶縁層と、
前記絶縁層の前記第１領域に配置された第１アンテナパターンと、
前記絶縁層の前記第２領域に配置された第２アンテナパターンと、
前記絶縁層の前記第１領域に配置された第１パッドと、
前記絶縁層の前記第１領域に配置された第２パッドと、
前記第１パッド上に配置された第１接続部と、
前記第２パッド上に配置された第２接続部と、
前記第１接続部上に実装され、前記第１および第２アンテナパターンと連結された通信素子と、
前記第２接続部上に実装され、前記第１および第２アンテナパターンと連結された電源素子と、を含み、
前記第１および第２アンテナパターンのうち少なくとも一つは、上面および前記上面とは反対の下面を含み、
前記上面の幅は、前記下面の幅とは異なり、
前記上面および前記下面のうちいずれか一つの幅は、他の一つの幅の９５％以上である、アンテナ装置

【請求項14】

前記上面の幅は、前記下面の幅よりも小さい、
請求項１３に記載のアンテナ装置。

【請求項15】

前記上面の幅と前記下面の幅との差は、０．５μｍ～１．２μｍの範囲を満足する、請求項１４に記載のアンテナ装置。

【請求項16】

前記第１および第２アンテナパターンのうち少なくとも一つは、前記上面と前記下面とを連結する側面を含み、
前記側面の一端および他端とそれぞれ連結される前記上面の一端と前記下面の一端との間の水平距離は、０．２５μｍ～０．６μｍの範囲を満足する、請求項１２に記載のアンテナ装置。

【請求項17】

前記アンテナパターンは、
前記絶縁層上に配置され、ニッケルおよびクロムを含む第１金属層と、
前記第１金属層上に配置され、銅を含む第２金属層と、を含む、請求項１３に記載のアンテナ装置。

【請求項18】

前記絶縁層の第１領域は、前記絶縁層の第２領域と同じ絶縁物質を含み、
前記絶縁物質は、液晶高分子（ＬＣＰ）を含む、請求項１３に記載のアンテナ装置。

【請求項19】

前記第１および第２アンテナパターンのそれぞれの１０点平均表面粗さＲｚは、０．２μｍ～０．５μｍの範囲を有する、請求項１３に記載のアンテナ装置。

【請求項20】

前面、前記前面とは反対の背面、および前記前面と前記背面との間の複数の側面を含む本体と、
前記本体の前面に配置されるディスプレイ部と、
前記本体の前記背面および前記複数の側面のうち少なくとも二つの面に配置される請求項１３に記載のアンテナ装置と、を含み、
前記アンテナ装置の前記絶縁層の前記第１領域は、前記本体の背面に配置され、
前記アンテナ装置の前記絶縁層の前記第２領域は、前記本体の複数の側面のうち前記本体の背面と連結される第１側面に配置され、
前記第１アンテナパターンは、前記本体の背面に向かってアンテナ信号を放出し、
前記第２アンテナパターンは、前記本体の前記第１側面に向かってアンテナ信号を放出する、端末機。

【国際調査報告】