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▶ ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-05-24
(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法
(51)【国際特許分類】
C23C 16/44 20060101AFI20240517BHJP
H01L 21/31 20060101ALI20240517BHJP
【ＦＩ】
C23C16/44 J
H01L21/31 C
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023575989
(86)(22)【出願日】2022-06-10
(85)【翻訳文提出日】2023-12-08
(86)【国際出願番号】 KR2022008223
(87)【国際公開番号】W WO2022260474
(87)【国際公開日】2022-12-15
(31)【優先権主張番号】10-2021-0076039
(32)【優先日】2021-06-11
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】504210651
【氏名又は名称】ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110000154
【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】チョ ウォン タイ
(72)【発明者】
【氏名】バン ヨ ハン
(72)【発明者】
【氏名】ジャン タイ ヤン
【テーマコード（参考）】
4K030
5F045
【Ｆターム（参考）】
4K030DA06
4K030DA08
4K030EA03
4K030EA08
4K030EA11
4K030GA01
4K030GA02
4K030KA05
4K030KA45
5F045AA08
5F045BB08
5F045BB14
5F045DP03
5F045EB06
5F045EF05
5F045EH02
5F045EH18
5F045EK07
5F045EM10
(57)【要約】
本発明の実施形態に係る基板処理装置は、チャンバーと、チャンバーの内部に位置し、基板を支持する基板支持台と、基板支持台の上側に配置され、基板支持台の周縁から外側に延設されたエッジフレームと、基板支持台の周りに沿ってチャンバーの側壁と基板支持台の側面との間に位置するように側壁に配設されたガス流動調節部と、を備え、ガス流動調節部は、エッジフレームと重なり合う領域に設けられた流路を備える。
したがって、本発明の実施形態によれば、ガスがチャンバー内のコーナー又はコーナー以外の領域に偏って流れることを防ぐことができる。すなわち、チャンバーの周の方向にガスを一様に振り分けることができる。これにより、チャンバーのコーナー及びコーナー以外の領域において洗浄不良が生じることを防ぐことができる。
したがって、本発明の実施形態によれば、ガスがチャンバー内のコーナー又はコーナー以外の領域に偏って流れることを防ぐことができる。すなわち、チャンバーの周の方向にガスを一様に振り分けることができる。これにより、チャンバーのコーナー及びコーナー以外の領域において洗浄不良が生じることを防ぐことができる。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
チャンバーと、前記チャンバーの内部に位置し、基板を支持する基板支持台と、
前記基板支持台の上側に配置され、前記基板支持台の周縁から外側へと延設されたエッジフレームと、
前記基板支持台の周りに沿って前記チャンバーの側壁と前記基板支持台の側面との間に位置するように、前記側壁に配設されたガス流動調節部と、
を備え、
前記ガス流動調節部は、前記エッジフレームと重なり合う領域に設けられた流路を備える、基板処理装置。
【請求項2】
前記ガス流動調節部は、前記側壁に接続されたボディと、
前記エッジフレームと向かい合うように前記ボディから上側へと突設された突出部材と、
を備え、
前記流路は、前記エッジフレームと向かい合うように前記ボディに設けられている、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記突出部材は、前記側壁とは反対側に位置するように前記ボディの周縁に設けられている、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記突出部材は、複数本で設けられ、複数本の前記突出部材は、前記側壁の幅方向に互いに離れるように並置され、
前記流路は、複数本の前記突出部材同士の間の離隔空間である、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記突出部材は、前記側壁の幅方向に延設され、前記流路は、エッジフレームと向かい合うように前記突出部材の後方に設けられ、前記ボディを上下方向に貫通して設けられている、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記流路は、前記側壁の幅方向に延びた形状である、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記流路は、複数で設けられ、複数の前記流路は、前記突出部材の延在方向に互いに離れるように並置されている、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記ガス流動調節部は、前記側壁の幅方向の周縁を除いた中央領域に配設されている、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項9】
チャンバーと、前記チャンバーの内部に位置し、基板を支持する基板支持台と、前記基板支持台の上側に配置され、前記基板支持台の周縁から外側へと延設されたエッジフレームと、下側から前記エッジフレームを支持できるように、前記チャンバーの側壁に配設されたガス流動調節部と、を備える基板処理装置の洗浄方法であって、前記基板支持台を下降させて前記ガス流動調節部の上に前記エッジフレームを載置するステップと、
前記チャンバーの内部に洗浄ガスを噴射するステップと、
前記エッジフレームと重なり合う領域に位置するように前記ガス流動調節部に設けられた流路に前記洗浄ガスを通過させるステップと、
を含む、基板処理装置の洗浄方法。
【請求項10】
チャンバーと、前記チャンバーに配設されたガス噴射部と、前記ガス噴射部と向かい合う位置において基板を支持するように前記チャンバーの内部に配設された基板支持台と、前記基板支持台の周縁から外側へと延設されたエッジフレーム、及び前記基板支持台の周りに沿って前記チャンバーの側壁と前記基板支持台の側面との間に位置するように、前記側壁に配設されたガス流動調節部を備える基板処理装置の洗浄方法であって、前記基板支持台の上に支持された基板を前記チャンバーの外に搬出するステップと、
前記ガス噴射部を用いて前記チャンバーの内部に洗浄ガスを噴射するステップと、
前記エッジフレームと重なり合う領域に位置するように前記ガス流動調節部に設けられた流路に前記洗浄ガスを排気するステップと、
を含む、基板処理装置の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法に関し、より詳細には、チャンバーの内部においてガスが一様に分布して流れるようにする基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法に関する。
【背景技術】
【0002】
チャンバーの内部において基板の上に薄膜を蒸着する工程を行うと、チャンバーの内壁などに薄膜又は副産物などが固着され、これは、次回の蒸着工程の際に基板を汚す不純物として働く。
【0003】
したがって、複数回又は一定の回数の蒸着工程が行われた後に、洗浄ガスを噴射してチャンバーの内部を洗浄する。ところが、洗浄ガスがチャンバーの内部において拡散又は移動するに際して、コーナー（角部）の方に移動する量が相対的に少ないか、あるいは、コーナー以外の領域に移動する量が相対的に少ないという問題が生じる。これにより、チャンバー内のコーナー又はコーナー以外の領域に不純物が残留するという洗浄不良が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】大韓民国登録特許第０７９４６６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、ガスが一様に振り分けられて流れるようにする基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法を提供する。
【0006】
本発明は、洗浄不良を防ぐことのできる基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の実施形態に係る基板処理装置は、チャンバーと、前記チャンバーの内部に位置し、基板を支持する基板支持台と、前記基板支持台の上側に配置され、前記基板支持台の周縁から外側へと延設されたエッジフレームと、前記基板支持台の周りに沿って前記チャンバーの側壁と前記基板支持台の側面との間に位置するように、前記側壁に配設されたガス流動調節部と、を備え、前記ガス流動調節部は、前記エッジフレームと重なり合う領域に設けられた流路を備えていてもよい。
【0008】
前記ガス流動調節部は、前記側壁に接続されたボディと、前記エッジフレームと向かい合うように前記ボディから上側へと突設された突出部材と、を備え、前記流路は、前記エッジフレームと向かい合うように前記ボディに設けられてもよい。
【0009】
前記突出部材は、前記側壁とは反対側に位置するように前記ボディの周縁に設けられてもよい。
【0010】
前記突出部材は、複数本で設けられ、複数本の前記突出部材は、前記側壁の幅方向に互いに離れるように並置され、前記流路は、複数本の前記突出部材同士の間の離隔空間であってもよい。
【0011】
前記突出部材は、前記側壁の幅方向に延設され、前記流路は、エッジフレームと向かい合うように前記突出部材の後方に設けられ、前記ボディを上下方向に貫通して設けられてもよい。
【0012】
前記流路は、前記側壁の幅方向に延びた形状であってもよい。
【0013】
前記流路は、複数で設けられ、複数の前記流路は、前記突出部材の延在方向に互いに離れるように並置されてもよい。
【0014】
前記ガス流動調節部は、前記側壁の幅方向の周縁を除いた中央領域に配設されてもよい。
【0015】
本発明の実施形態に係る基板処理装置の洗浄方法は、チャンバーと、前記チャンバーの内部に位置し、基板を支持する基板支持台と、前記基板支持台の上側に配置され、前記基板支持台の周縁から外側へと延設されたエッジフレームと、下側から前記エッジフレームを支持できるように、前記チャンバーの側壁に配設されたガス流動調節部と、を備える基板処理装置の洗浄方法であって、前記基板支持台を下降させて前記ガス流動調節部の上に前記エッジフレームを載置するステップと、前記チャンバーの内部に洗浄ガスを噴射するステップと、前記エッジフレームと重なり合う領域に位置するように前記ガス流動調節部に設けられた流路に前記洗浄ガスを通過させるステップと、を含んでいてもよい。
【0016】
本発明の実施形態に係る基板処理装置の洗浄方法は、チャンバーと、前記チャンバーに配設されたガス噴射部と、前記ガス噴射部と向かい合う位置において基板を支持するように前記チャンバーの内部に配設された基板支持台と、前記基板支持台の周縁から外側へと延設されたエッジフレーム、及び前記基板支持台の周りに沿って前記チャンバーの側壁と前記基板支持台の側面との間に位置するように、前記側壁に配設されたガス流動調節部を備える基板処理装置の洗浄方法であって、前記基板支持台の上に支持された基板を前記チャンバーの外に搬出するステップと、前記ガス噴射部を用いて前記チャンバーの内部に洗浄ガスを噴射するステップと、前記エッジフレームと重なり合う領域に位置するように前記ガス流動調節部に設けられた流路に前記洗浄ガスを排気するステップと、を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【0017】
本発明の実施形態によれば、ガスがチャンバー内のコーナー又はコーナー以外の領域に偏って流れることを防ぐことができる。すなわち、チャンバーの周の方向にガスを一様に振り分けることができる。これにより、チャンバーのコーナー及びコーナー以外の領域において洗浄不良が生じることを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。
【図2】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。
【図3】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置をエッジフレームの上側から見下ろした平面図である。
【図6】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置のガス流動調節部、基板支持台及びエッジフレームを示す斜視図である。
【図7】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置のガス流動調節部、基板支持台及びエッジフレームを示す斜視図である。
【図8】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置をエッジフレームの上側から見下ろした平面図である。
【図9】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置のガス流動調節部、基板支持台及びエッジフレームを示す斜視図である。
【図10】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置のガス流動調節部、基板支持台及びエッジフレームを示す斜視図である。
【図11】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置において、ガス流動調節部の上にエッジフレームが載置された状態の一部を拡大して示す正面図である。
【図12】第１の実施形態の変形例に係る基板処理装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、添付図面に基づいて、本発明の実施形態をより詳しく説明する。しかしながら、本発明は以下に開示される実施形態に何ら限定されるものではなく、異なる様々な形態に具体化され、単にこれらの実施形態は本発明の開示を完全たるものにし、通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものである。図面は、本発明の実施形態を説明する大きさが誇張されてもよく、図中、同じ符号は、同じ構成要素を指す。
【0020】
図１及び図２は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置をエッジフレームの上側から見下ろした平面図である。図４は、図１の「Ａ」部分を拡大して示す図であり、図５は、図２の「Ｂ」部分を拡大して示す図である。
【0021】
【0022】
また、図１及び図４は、チャンバーの内部において基板処理工程、例えば、蒸着工程を行うために基板支持台及びエッジフレームを上昇させた状態の例示であってもよく、図２及び図５は、チャンバーの内部を洗浄するために基板支持台及びエッジフレームを下降させた状態の例示であってもよい。
【0023】
また、図３は、説明のしやすさのために、基板支持台の上部に基板及びマスクが支持されていない状態を示すものである。
【0024】
図１から図３を参照すると、実施形態に係る基板処理装置は、基板Ｓを処理可能な内部空間を有するチャンバー１０００と、チャンバー１０００内に装入された基板Ｓを支持する基板支持台２１００を備える支持部２０００と、基板支持台２１００と向かい合うようにチャンバー１０００内に配設されてガスを噴射する噴射部３０００と、基板支持台２１００の周縁から外側へと延びるように前記基板支持台２１００の上部に配設されたエッジフレーム４０００と、エッジフレーム４０００の下側に位置するようにチャンバー１０００の側壁部１１１０のうち、コーナーＣを除いた領域に配設され、ガスが通過可能な流路５１４０：５１４０ａ、５１４０ｂ、５１４０ｃ、５１４０ｄが設けられたガス流動調節部５０００：５０００ａ、５０００ｂ、５０００ｃ、５０００ｄ、及びチャンバー１０００の内部のガス及び副産物を排気するようにチャンバー１０００に接続された排気部６０００を備えていてもよい。
【0025】
また、基板処理装置は、チャンバー１０００の外部に位置してプラズマを生じさせるプラズマ発生器８０００、及びプラズマ発生器８０００と噴射部３０００とをつなぐように配設された供給管９０００を備えていてもよい。
【0026】
そして、基板処理装置は、エッジフレーム４０００の下部に装着されるマスクＭをさらに備えていてもよい。
【0027】
チャンバー１０００は、基板Ｓを処理可能な内部空間を有し、前記内部空間を気密に保持する。このようなチャンバー１０００は、例えば、内部空間を有する胴体１１００及び胴体１１００の上側の開口を覆う蓋体１２００を備えるように設けられてもよい。
【0028】
以下、チャンバー１０００についてより具体的に説明する。このとき、横断面の形状が四角い形状である内部空間を有するチャンバー１０００を例にとって説明する。
【0029】
蓋体１２００は、４つの角や辺をもつ四角い形状に設けられてもよい。このような蓋体１２００は、上述したように、胴体１１００の上側の開口を覆う構成要素であるため、チャンバー１０００の上壁部と称され得る。
【0030】
胴体１１００は、蓋体１２００の下側に向かい合うように配置され、４つの角や辺をもつ四角い形状に設けられた下壁部１１２０、及び下壁部１１２０の４つの角や辺を取り囲むように前記下壁部１１２０から上側へと延設された側壁部１１１０を備えていてもよい。
【0031】
側壁部１１１０は、上下に隔設された蓋体１２００と下壁部１１２０との間に位置し、前記蓋体１２００及び下壁部１１２０の周の方向に延設される。すなわち、側壁部１１１０は、内部空間を有し、上側及び下側が開口された空洞状又はチューブ（筒又は管（ｔｕｂｅ））状のものであってもよく、側壁部１１１０の下側の開口を覆うように下壁部１１２０が配設され、側壁部１１１０の上側の開口を覆うように蓋体１２００が配設される。
【0032】
側壁部１１１０は、四角い形状である蓋体１２００及び下壁部１１２０の周の方向に延設される。このために、側壁部１１１０は、図３に示すように、４つの側壁（以下、第１乃至第４の側壁１１１１ａ、１１１１ｂ、１１１１ｃ、１１１１ｄと称する。）を備えるように設けられてもよい。また、時計回り方向に第１の側壁１１１１ａ、第２の側壁１１１１ｂ、第３の側壁１１１１ｃ及び第４の側壁１１１１ｄの順に並べられて、これらが互いに接続された形状が四角い空洞状であってもよい。より具体的に説明すれば、第１及び第３の側壁１１１１ａ、１１１１ｃは、第１の方向（Ｘ軸方向）に延設されて第２の方向（Ｙ軸方向）に隔設され、第２及び第４の側壁１１１１ｂ、１１１１ｄは、第２の方向（Ｙ軸方向）に延設されて第１の方向（Ｘ軸方向）に隔設される。このとき、第１の側壁１１１１ａと第３の側壁１１１１ｃの第１の方向の長さが同じであり、第２の側壁１１１１ｂと第４の側壁１１１１ｄの第２の方向の長さが同じであり、第１及び第３の側壁１１１１ａ、１１１１ｃの第１の方向の長さが第２及び第４の側壁１１１１ｂ、１１１１ｄの第２の方向の長さに比べて長くてもよい。そして、第１及び第３の側壁１１１１ａ、１１１１ｃのそれぞれの一方の終端同士をつなぐように第２の側壁１１１１ｂが接続され、前記第１及び第３の側壁１１１１ａ、１１１１ｃのそれぞれの他方の終端同士をつなぐように第４の側壁１１１１ｄが接続される。
【0033】
このため、第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄを備える側壁部１１１０は、図３に示されているように、長方形の内部空間を有する空洞状のものであってもよい。そして、第１及び第３の側壁１１１１ａ、１１１１ｃは、第２及び第４の側壁１１１１ｂ、１１１１ｄに比べて延伸長が長いため、第１及び第３の側壁１１１１ａ、１１１１ｃが長辺壁、第２及び第４の側壁１１１１ｂ、１１１１ｄが短辺壁と称され得る。また、第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄは、チャンバー１０００を構成する壁であるため、第１乃至第４の壁とも称され得る。
【0034】
このように、第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄ同士が接続されて側壁部１１１０が設けられることにより、前記側壁部１１１０は、隣設された２つの側壁によるコーナー（Ｃｏｒｎｅｒ）Ｃ：Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４を有する。すなわち、側壁部１１１０は、隣設された２つの側壁が接続された接続部位及び前記接続部位から両方向に所定の距離だけ離れた個所までの領域であるコーナーＣ：Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４を有するように設けられる。別の言い方をすれば、側壁部１１１０は、隣設された２つの側壁の周縁に相当するコーナーＣ：Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４を有する。ここで、各側壁１１１１ａ～１１１１ｄの周縁とは、図３を参照すると、側壁１１１１ａ～１１１１ｄの両方の終端から第１の距離だけ離れている第１の個所Ｐ１までの領域を意味し得る。そして、側壁１１１１ａ～１１１１ｄの中央周縁でありＡＥ：ＡＥ１、ＡＥ２、ＡＥ３、ＡＥ４を除いた領域、すなわち周縁両端ＡＥ：ＡＥ１、ＡＥ２、ＡＥ３、ＡＥ４の間の領域は、中央領域ＡＣ：ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４と称され得る。このとき、中央領域ＡＣの延伸長は、各側壁１１１１ａ～１１１１ｄの全体の長さの８０％以上、かつ、９５％以下であり、残りが周縁両端ＡＥ：ＡＥ１、ＡＥ２、ＡＥ３、ＡＥ４領域の長さであってもよい。
【0035】
より具体例を挙げて説明すれば、上述したように、側壁部１１１０が第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄを備え、時計回り方向に第１の側壁１１１１ａ、第２の側壁１１１１ｂ、第３の側壁１１１１ｃ、第４の側壁１１１１ｄがこの順に並べられて互いに接続される場合、側壁部１１１０は、４つのコーナーＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４を備える。すなわち、側壁部１１１０は、第１の側壁１１１１ａと第２の側壁１１１１ｂとによる第１のコーナーＣ１、第２の側壁１１１１ｂと第３の側壁１１１１ｃとによる第２のコーナーＣ２、第３の側壁１１１１ｃと第４の側壁１１１１ｄとによる第３のコーナーＣ３、第４の側壁１１１１ｄと第１の側壁１１１１ａとによる第４のコーナーＣ４を備えていてもよい。
【0036】
より具体的には、側壁部１１１０は、第１の側壁１１１１ａと第２の側壁１１１１ｂとの第１の接続部位及び前記第１の接続部位を挟んだ第１の側壁１１１１ａの周縁ＡＥ１と第２の側壁１１１１ｂの周縁ＡＥ２を含む第１のコーナーＣ１、第２の側壁１１１１ｂと第３の側壁１１１１ｃとの第２の接続部位及び前記第２の接続部位を挟んだ第２の側壁１１１１ｂの周縁ＡＥ２と第３の側壁１１１１ｃの周縁ＡＥ３を含む第２のコーナーＣ２、第３の側壁１１１１ｃと第４の側壁１１１１ｄとの第３の接続部位及び前記第３の接続部位を挟んだ第３の側壁１１１１ｃの周縁ＡＥ３と第４の側壁１１１１ｄの周縁ＡＥ４を含む第３のコーナーＣ３、第４の側壁１１１１ｄと第１の側壁１１１１ａとの第４の接続部位及び前記第４の接続部位を挟んだ第４の側壁１１１１ｄの周縁ＡＥ４と第１の側壁１１１１ａの周縁ＡＥ１を含む第４のコーナーＣ４を備えていてもよい。
【0037】
以上においては、チャンバー１０００がその横断面の形状が四角い形状であり、側壁部１１１０が第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄを備えて４つのコーナーＣ１、～Ｃ４を有するものであると説明した。しかしながら、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、チャンバー１０００は、その横断面の形状が様々な多角形の形状となるように設けられてもよい。また、側壁部１１１０が４つ未満又は４つを超える側壁を備えるように設けられて４つ未満又は４つを超えるコーナーＣを有するように設けられてもよい。
【0038】
排気部６０００は、チャンバー１０００の内部を排気する手段であって、基板支持台２１００の下側に位置するようにチャンバー１０００に接続されてもよい。より具体的には、排気部６０００は、チャンバー１０００の内部空間と連通し、基板支持台２１００の下側に位置するようにチャンバー１０００の下壁部１１２０に接続されてもよい。そして、排気部６０００は、チャンバー１０００に接続された排気管６１００、及びチャンバー１０００の外部において排気管６１００に接続されたポンプ６２００を備えていてもよい。このような排気部６０００は、ポンプ６２００の動作によりチャンバー１０００の内部のガス及び副産物を外部に排気することができ、これにより、チャンバー１０００の内部の圧力を調節することができる。
【0039】
また、排気部６０００による吸込み力又はポンピング力によりチャンバー１０００内のガス及び副産物が排気部６０００に向かって移動して排気されるものであるため、排気部６０００の動作によりガス及び副産物が移動する流れが形成されると説明可能である。
【0040】
支持部２０００は、基板Ｓが載置される基板支持台２１００、及び基板支持台２１００の下部に配置されて前記基板支持台２１００を昇降動させる駆動器２２００を備えていてもよい。
【0041】
基板支持台２１００は、噴射部３０００の下側において前記噴射部３０００と向かい合うように配設されてもよい。このような基板支持台２１００は、基板Ｓに比べて大きく作製されてもよく、基板Ｓと対応する形状、例えば、四角い形状に設けられてもよい。また、基板支持台２１００の内部には、ヒーターが配設されてもよく、ヒーターは、所定の温度で発熱して基板支持台２１００及び基板Ｓを加熱することができる。
【0042】
駆動器２２００は、基板支持台２１００の少なくとも一領域、例えば、中心部を支持するように配設されてもよい。そして、駆動器２２００の動作により、図１に示すように、基板支持台２１００が噴射部３０００に近づくように上昇したり、図２に示すように、前記噴射部３０００から遠ざかるように下降したりすることができる。
【0043】
駆動器２２００の動作により基板支持台２１００が噴射部３０００から遠ざかるように下降するに際して、図２に示すように、基板支持台２１００の上に配設されたエッジフレーム４０００がガス流動調節部５０００の上に載置されるように下降してもよい。また、エッジフレーム４０００がガス流動調節部５０００の上に載置された状態で、駆動器２２００を動作させて基板支持台２１００をさらに下降させれば、基板支持台２１００とエッジフレーム４０００とを引き離すことができる。すなわち、マスクＭが装着されたエッジフレーム４０００と基板支持台２１００とを引き離すことができる。
【0044】
噴射部３０００は、基板支持台２１００と向かい合うようにチャンバー１０００の内部に配設されて、前記基板支持台２１００に向かってガスを噴射する。このような噴射部３０００は、チャンバー１０００の内部において蓋体１２００、すなわち、上壁部の下側に隔設されてもよい。このため、チャンバー１０００の蓋体１２００と噴射部３０００との間に所定の空間が設けられるが、前記空間は、供給管９０００から流れ込んだガスがチャンバー１０００において拡散するようにする機能をすることができる。このとき、噴射部３０００の上側に離れて位置している蓋体１２００は、バッキングプレート（ｂａｃｋｉｎｇ ｐｌａｔｅ）の役割を果たすことができる。
【0045】
噴射部３０００は、例えば、ガスが吐出又は噴射される複数の流路が設けられたシャワーヘッドの形状のものであってもよい。そして、噴射部３０００は、基板Ｓの形状に対応する形状、例えば、概ね四角い形状のものであってもよい。
【0046】
プラズマ発生器８０００は、ガスの供給を受けて活性化させ、供給管９０００を介して活性化したガスをチャンバー１０００の内部に供給する。このようなプラズマ発生器８０００は、チャンバー１０００の外部において供給管９０００に接続されるように配設された容器８１００と、容器８１００の外側を取り囲むように配設されたアンテナ８２００、及びＲＦ電源を供給するようにアンテナ８２００の一方の端に接続された電源部８３００を備えていてもよい。このようなプラズマ発生器８０００は、アンテナ８２００により包み込まれた容器８１００内のガスを活性化させてプラズマを生じさせる。
【0047】
容器８１００内に供給されるガスは、基板Ｓを処理するためのガス、すなわち、基板Ｓの上に薄膜を蒸着したり、基板Ｓ又は薄膜をエッチングしたりするためのガスであってもよい。また、容器８１００内に供給されるガスは、チャンバー１０００の内部を洗浄（Ｃｌｅａｎｉｎｇ）するためのガスであってもよい。このとき、チャンバー１０００を洗浄するためのガスは、例えば、ＮＦ３を含んでいてもよい。
【0048】
このようなプラズマ発生器８０００は、上述したように、チャンバー１０００の外部においてガスを活性化させ、プラズマを生じさせた後、チャンバー１０００の内部に供給する遠隔プラズマ（ｒｅｍｏｔｅ ｐｌａｓｍａ）発生器である。
【0049】
エッジフレーム４０００は、処理しようとする基板の領域が晒されるように、基板支持台２１００の幅方向の周縁から前記基板支持台２１００の外側へと延びる形状に設けられ、基板支持台２１００の上側に配置される。すなわち、エッジフレーム４０００は、図３に示すように、基板Ｓが載置される基板支持台２１００の上部面のうちの周縁を覆い、残りの領域を晒す枠状のものであってもよい。ここで、基板支持台２１００の幅方向は、第１の方向（Ｘ軸方向）及び第２の方向（Ｙ軸方向）を両方とも意味し得る。
【0050】
エッジフレーム４０００は、基板支持台２１００の周縁からチャンバー１０００の側壁部１１１０に向かって延設される。このため、エッジフレーム４０００の下部面のうちの一部は、基板支持台２１００と向かい合い、残りは、基板支持台２１００の外に位置する。すなわち、エッジフレーム４０００の一部は、基板支持台２１００と幅方向の位置が重なり合い、残りは、基板支持台２１００の幅方向の外側に位置する。
【0051】
エッジフレーム４０００が基板支持台２１００の周縁からチャンバー１０００の側壁部１１１０に向かって延設されるに際して、側壁部１１１０と向かい合う終端が基板支持台２１００の側面の外側に位置するように延設される。すなわち、エッジフレーム４０００は、その終端が基板支持台２１００の側面の外に外れるように設けられる。このため、幅方向を基準として基板支持台２１００の側面に比べて、エッジフレーム４０００の終端が側壁部１１１０の方にさらに突出する。これにより、チャンバー１０００の側壁部１１１０とエッジフレーム４０００の終端との離隔距離がチャンバー１０００の側壁部１１１０と基板支持台２１００の側面との離隔距離に比べて短い。別の言い方をすれば、チャンバー１０００の側壁１１１１ａ、１１１１ｂ、１１１１ｃ、１１１１ｄとエッジフレーム４０００の側面との間隔が、チャンバー１０００の側壁１１１１ａ、１１１１ｂ、１１１１ｃ、１１１１ｄと基板支持台２１００側面との間隔に比べて小さい。
【0052】
エッジフレーム４０００には、後述するガス流動調節部５０００：５０００ａ～５０００ｄの嵌入部材５２００が嵌入可能な窪み４１００が設けられる。窪み４１００は、エッジフレーム４０００の下部面からその反対側へと陥凹した形状のものであってもよい。そして、窪み４１００の上下方向の長さは、嵌入部材５２００に比べて短いか、あるいはそれに等しくてもよい。このような窪み４１００は、基板支持台２１００が下降してエッジフレーム４０００がガス流動調節部５０００の上に据え置かれるとき、前記エッジフレーム４０００の整列がずれることなく安定的に載置できるようにする。
【0053】
マスクＭは、基板Ｓを選択的に処理するための手段であって、例えば、基板Ｓを選択的に蒸着可能な手段であってもよい。このようなマスクＭは、複数の開口を有する形状のものであってもよい。そして、マスクＭは、エッジフレーム４０００の下側に位置づけられるが、エッジフレーム４０００の下部に装着されてもよい。すなわち、マスクＭは、エッジフレーム４０００につれて移動可能なように、前記エッジフレーム４０００の下部に装着されてもよい。
【0054】
一方、チャンバー１０００の内部において複数回又は一定の回数の基板処理工程が行われれば、チャンバー１０００の内部を洗浄する。すなわち、チャンバー１０００の内壁、基板支持台２１００などに蒸着又は固着されている薄膜又は副産物などを取り除く洗浄を行う。以下、説明のしやすさのために、チャンバー１０００の内壁、基板支持台２１００などに蒸着又は固着されており、取り除く必要がある薄膜又は副産物などをまとめて「不純物」と称する。
【0055】
チャンバー１０００の内部を洗浄するために、まず、プラズマ発生器８０００の容器８１００に洗浄ガス、例えば、ＮＦ３を含むガスを供給し、アンテナ８２００にＲＦ電源を供給する。このため、容器８１００内において洗浄ガスが活性化してプラズマが生じ、活性化した洗浄ガスは、供給管９０００を介してチャンバー１０００の蓋体１２００と噴射部３０００との間の空間に供給される。そして、洗浄ガスは、噴射部３０００を介してその下側に噴射される。このように、チャンバー１０００の内部に洗浄ガスが噴射されれば、薄膜又は副産物などの不純物が前記洗浄ガスと反応してチャンバー１０００の内壁、基板支持台２１００などから分離された後、排気部６０００を介して排出される。このような過程によりチャンバー１０００の内部が洗浄される。
【0056】
ところが、このように、噴射部３０００を介してチャンバー１０００の内部に洗浄ガスを噴射して洗浄を行うとき、コーナーＣ又はコーナーＣの間の領域の洗浄が不良になるという問題が生じる虞がある。より具体的に説明すれば、隣設された２つの側壁が接続されるコーナーＣにおいて不純物が一部取り除かれない洗浄不良が生じる虞がある。これをさらに具体的に説明すれば、第１の側壁１１１１ａと第２の側壁１１１１ｂとによる第１のコーナーＣ１、第２の側壁１１１１ｂと第３の側壁１１１１ｃとによる第２のコーナーＣ２、第３の側壁１１１１ｃと第４の側壁１１１１ｄとによる第３のコーナーＣ３、第４の側壁１１１１ｄと第１の側壁１１１１ａとによる第４のコーナーＣ４において不純物が一部取り除かれない洗浄不良が生じる可能性がある。別の言い方をすれば、第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄのそれぞれにおいて、中央領域ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４に比べて周縁両端ＡＥ１、ＡＥ２、ＡＥ３、ＡＥ４の洗浄が足りない洗浄不良が生じる虞がある。
【0057】
これは、噴射部３０００から噴射されたガスが側壁部１１１０に向かって移動又は拡散するに際して、コーナーＣ１～Ｃ４の側へと向かう洗浄ガスの量が少ないか、あるいは、足りない場合に生じる可能性がある。すなわち、各側壁１１１１ａ～１１１１ｄの周縁ＡＥ１、ＡＥ２、ＡＥ３、ＡＥ４に向かって移動するガスの量が中央領域ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４に移動するガスの量に比べて相対的に少なく、その絶対的な量が少ない場合に生じる可能性がある。したがって、側壁部１１１０のコーナーＣ１～Ｃ４又は各側壁１１１１ａ～１１１１ｄの周縁ＡＥ１、ＡＥ２、ＡＥ３、ＡＥ４に付着した不純物が取り除かれ切れずに残っている、洗浄不良が生じる虞がある。
【0058】
また、別の例を挙げると、コーナーＣ以外の領域、すなわち、各側壁１１１１ａ～１１１１ｄにおいて、周縁両端ＡＥ：ＡＥ１、ＡＥ２、ＡＥ３、ＡＥ４の間の領域である中央領域ＡＣ：ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４において不純物が一部取り除かれない洗浄不良が生じる可能性がある。すなわち、第１のコーナーＣ１と第４のコーナーＣ４との間の領域である第１の側壁１１１１ａの第１の中央領域Ａｃ１、第１のコーナーＣ１と第２のコーナーＣ２との間の領域である第２の側壁１１１１ｂの第２の中央領域Ａｃ２、第２のコーナーＣ２と第３のコーナーＣ３との間の領域である第３の側壁１１１１ｃの第１の中央領域Ａｃ３、及び第３のコーナーＣ３と第４のコーナーＣ４との間の領域である第４の側壁１１１１ｄの第４の中央領域Ａｃ４において不純物が一部取り除かれない洗浄不良が生じる可能性がある。別の言い方をすれば、第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄのそれぞれにおいて、周縁両端ＡＥ１、ＡＥ２、ＡＥ３、ＡＥ４に比べて中央領域ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４の洗浄が足りない洗浄不良が生じる虞がある。
【0059】
このような洗浄不良は、噴射部３０００から噴射されたガスが側壁部１１１０に向かって移動又は拡散するに際して、側壁部１１１０のコーナーＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４以外の領域へと向かう洗浄ガスの量が少ないか、あるいは足りない場合に生じる可能性がある。すなわち、各側壁１１１１ａ～１１１１ｄの中央領域ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４に向かって移動するガスの量が周縁ＡＥ１、ＡＥ２、ＡＥ３、ＡＥ４を移動するガスの量に比べて相対的に少なく、その絶対的な量が少ない場合に生じる可能性がある。したがって、側壁部１１１０の中央領域ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４に付着した不純物が取り除かれ切れずに残っている洗浄不良が生じる虞がある。
【0060】
したがって、噴射部３０００を介してチャンバー１０００の内部に噴射されたガスが側壁部１１１０のコーナーＣ１～Ｃ４及びコーナーＣ１～Ｃ４以外の領域に振り分けられて移動できるようにその流れを誘導するガス流動調節部５０００：５０００ａ～５０００ｄを設ける。すなわち、側壁部１１１０のコーナーＣ１～Ｃ４に移動するガスの量とコーナーＣ１～Ｃ４以外の領域に移動するガスの量との差を縮めて、側壁部１１１０の周の方向にガスを一様に又は均一に振り分け可能なガス流動調節部５０００を設ける。別の言い方をすれば、チャンバー１０００の内部に噴射されたガス、例えば、洗浄ガスが側壁部１１１０のコーナーＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４及び各側壁１１１１ａ～１１１１ｄの中央領域ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４の方に一様に振り分けられて移動できるようにするガス流動調節部５０００を設ける。
【0061】
【0062】
図６及び図７は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置のガス流動調節部、基板支持台及びエッジフレームを示す斜視図である。ここで、図６は、エッジフレームがガス流動調節部から引き離されている状態を示すものであり、図７は、エッジフレームがガス流動調節部の上に載置されている状態を示すものである。また、図６及び図７においては、説明のしやすさのために、基板支持台とエッジフレームとの間に位置するマスクを省略して示している。
【0063】
図１から図３を参照すると、ガス流動調節部５０００は、チャンバー１０００の側壁１１１１ａ～１１１１ｄと基板支持台２１００の側面との間に位置するように、前記側壁１１１１ａ～１１１１ｄに配設されてもよい。このようなガス流動調節部５０００は、図３に示すように、側壁部１１１０を構成する複数の側壁１１１１ａ～１１１１ｄのそれぞれに配設されるように複数設けられる。すなわち、側壁部１１１０の第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄのそれぞれに配設できるように４つのガス流動調節部（以下、第１乃至第４のガス流動調節部５０００ａ～５０００ｄと称する。）が設けられてもよい。より具体的に説明すれば、図３に示すように、第１の側壁１１１１ａに第１のガス流動調節部５０００ａが、第２の側壁１１１１ｂに第２のガス流動調節部５０００ｂが、第３の側壁１１１１ｃに第３のガス流動調節部５０００ｃが、そして、第４の側壁１１１１ｄに第４のガス流動調節部５０００ｄが配設される。
【0064】
第１乃至第４のガス流動調節部５０００ａ～５０００ｄのそれぞれは、基板支持台２１００の外側に延びたエッジフレーム４０００と幅方向の位置が重なり合うように延びた形状のものであってもよい。ここで、第１の方向（Ｘ軸方向）に延設された第１及び第３のガス流動調節部５０００ａ、５０００ｃの場合、幅方向は第２の方向（Ｙ軸方向）を意味し得る。また、第２の方向（Ｙ軸方向）に延設された第２及び第４のガス流動調節部５０００ｂ、５０００ｄの場合、幅方向は第１の方向（Ｘ軸方向）を意味し得る。このため、第１及び第３のガス流動調節部５０００ａ、５０００ｃは、エッジフレーム４０００と第２の方向（Ｙ軸方向）の位置が一部重なり合うように設けられ、第２及び第４のガス流動調節部５０００ｂ、５０００ｄは、エッジフレーム４０００と第１の方向（Ｘ軸方向）の位置が一部重なり合うように設けられるものであると説明可能である。
【0065】
このような第１乃至第４のガス流動調節部５０００ａ～５０００ｄのそれぞれは、ガスが通過可能な流路５１４０：５１４０ａ、５１４０ｂ、５１４０ｃ、５１４０ｄを備え、下降するエッジフレーム４０００を据置又は支持できるようにチャンバー１０００の側壁１１１１ａ～１１１１ｄから基板支持台２１００の方へと延設されたガス流動調節部材５１００：５１００ａ～５１００ｄを備える。
【0066】
また、第１乃至第４のガス流動調節部５０００ａ～５０００ｄのそれぞれは、エッジフレーム４０００に設けられた窪み４１００に嵌入可能なようにガス流動調節部材５１００：５１００ａ～５１００ｄから上側へと突設された嵌入部材５２００：５２００ａ～５２００ｄをさらに備えていてもよい。
【0067】
第１乃至第４のガス流動調節部材５１００ａ～５１００ｄのそれぞれは、チャンバー１０００の側壁１１１１ａ～１１１１ｄに沿って延設されて各側壁１１１１ａ～１１１１ｄに配設されたボディ５１２０：５１２０ａ～５１２０ｄ、及びそれぞれがエッジフレーム４０００と向かい合うようにボディ５１２０：５１２０ａ～５１２０ｄの上部面から上側へと突設され、ボディ５１２０：５１２０ａ～５１２０ｄの延在方向に互いに離れるように並置された複数本の突出部材５１３０：５１３０ａ～５１３０ｄを備える。
【0068】
また、第１乃至第４のガス流動調節部材５１００ａ～５１００ｄのそれぞれは、互いに離れるように並んで配置された突出部材５１３０：５１３０ａ～５１３０ｄの間の空間であり、ガスが通過可能な流路５１４０：５１４０ａ～５１４０ｄを備える。
【0069】
第１乃至第４のボディ５１２０ａ～５１２０ｄのそれぞれは、図３に示されているように、第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄの延在方向に延びる。また、第１乃至第４のボディ５１２０ａ～５１２０ｄのそれぞれは、側壁１１１１ａ～１１１１ｄから基板支持台２１００又はエッジフレーム４０００の方へと延設される。このような第１乃至第４のボディ５１２０ａ～５１２０ｄは、所定の厚さを有する板（ｐｌａｔｅ）状のものであってもよい。
【0070】
以下では、説明のしやすさのために、第１乃至第４のボディが側壁の延在方向に延びた方向を第１の幅方向と定義し、基板支持台又はエッジフレームの方に延びた方向を第２の幅方向と定義する。
【0071】
上述したように、、第１乃至第４のボディ５１２０ａ～５１２０ｄのそれぞれは、側壁１１１１ａ～１１１１ｄの延在方向に延設される。すなわち、第１のボディ５１２０ａは、第１の側壁１１１１ａの延在方向（Ｘ軸方向）に延びて前記第１の側壁１１１１ａに接続され、第２のボディ５１２０ｂは、第２の側壁１１１１ｂの延在方向（Ｙ軸方向）に延びて前記第２の側壁１１１１ｂに接続され、第３のボディ５１２０ｃは、第３の側壁１１１１ｃの延在方向（Ｘ軸方向）に延びて前記第３の側壁１１１１ｃに接続され、第４のボディ５１２０ｄは、第４の側壁１１１１ｄの延在方向（Ｙ軸方向）に延びて前記第４の側壁１１１１ｄに接続される。
【0072】
第１乃至第４のボディ５１２０ａ～５１２０ｄのそれぞれが第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄの延在方向に延びるに際して、その延伸長は、前記第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄのそれぞれの延伸長に比べて短くなるように形成されてもよい。そして、第１乃至第４のボディ５１２０ａ～５１２０ｄは、その延在方向の中心が各側壁１１１１ａ～１１１１ｄの中心と一致するように配置されてもよい。また、第１乃至第４のボディ５１２０ａ～５１２０ｄのそれぞれは、第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄのそれぞれの中央領域ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４に位置していてもよい。すなわち、第１の側壁１１１１ａの中央領域ＡＣ１に第１のボディ５１２０ａが、第２の側壁１１１１ｂの中央領域ＡＣ２に第２のボディ５１２０ｂが、第３の側壁１１１１ｃの中央領域ＡＣ３に第３のボディ５１２０ｃが、そして、第４の側壁１１１１ｄの中央領域ＡＣ４に第４のボディ５１２０ｄが配設される。別の言い方をすれば、第１乃至第４のボディ５１２０ａ～５１２０ｄのそれぞれは、第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄのそれぞれの周縁ＡＥ１、ＡＥ２、ＡＥ３、ＡＥ４を除いた領域に配設されてもよい。さらに別の言い方をすれば、第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄにより画定された側壁部１１１０のコーナーＣ１～Ｃ４を除いた領域にボディ５１２０ａ～５１２０ｄが配設されてもよい。
【0073】
第１乃至第４のボディ５１２０ａ～５１２０ｄのそれぞれは、第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄのそれぞれに接続されるように固設される。第１のボディ５１２０ａを例にとって説明すれば、第１のボディ５１２０ａは、第２の幅方向の両方の終端のうち、基板支持台２１００又はエッジフレーム４０００に面する先端（以下、一方の端と称する。）とは反対側の終端がチャンバー１０００の第１の側壁１１１１ａと接続されるように配設される。別の言い方をすれば、第１のボディ５１２０ａは、その一方の端が基板支持台２１００又はエッジフレーム４０００の側面を向き、他方の端が第１の側壁１１１１ａに接続されるように設けられる。
【0074】
第２乃至第４のボディ５１２０ｂ～５１２０ｄは、第１のボディ５１２０ａと類似又は同様の方法により設けられる。すなわち、第２乃至第４のボディ５１２０ｂ～５１２０ｄは、それぞれの一方の端が基板支持台２１００又はエッジフレーム４０００を向き、他方の端が側壁１１１１ｂ～１１１１ｄに接続されるように設けられる。
【0075】
第１乃至第４のボディ５１２０ｄのそれぞれは、第２の幅方向にその一部の領域がエッジフレーム４０００と重なり合うように設けられる。例えば、第１のボディ５１２０ａは、第２の方向（Ｙ軸方向）にエッジフレーム４０００と重なり合うように設けられる。このとき、第１のボディ５１２０ａは、その一方の端が支持できるように前記エッジフレーム４０００と重なり合うように設けられる。すなわち、第１のボディ５１２０ａは、第２の幅方向（Ｙ軸方向）の両方の終端のうちの一方の端から他方の端の方へと所定の距離だけ離れている個所までの領域が基板支持台２１００の外側に外れているエッジフレーム４０００の少なくとも一部とその位置が同じくなるように設けられる。このため、第１のボディ５１２０ａは、一方の端を含む一部の領域がエッジフレーム４０００と重なり合うように配置される。別の言い方をすれば、第１のボディ５１２０ａは、一方の端を含む一部の領域が第１の側壁１１１１ａに向かって基板支持台２１００の外側に突出したエッジフレーム４０００の少なくとも一部と重なり合う。このため、第１のボディ５１２０ａの上部面のうち、一方の端を含む一部の領域がエッジフレーム４０００の下部面と重なり合って向かい合うことになり、残りの領域は、エッジフレーム４０００の下部面と向かい合うことなく、前記エッジフレーム４０００の外側に外れることになる。
【0076】
第２乃至第４のボディ５１２０ｂ～５１２０ｄは、上述した第１のボディ５１２０ａと類似又は同様の方法により設けられる。すなわち、第２乃至第４のボディ５１２０ｂ～５１２０ｄは、基板支持台２１００から第２乃至第４の側壁１１１１ｂ～１１１１ｄに向かって突出したエッジフレーム４０００の下部面と向かい合い可能なように、前記エッジフレーム４０００と重なり合うように設けられる。
【0077】
以下では、説明のしやすさのために、第１乃至第４のボディ５１２０ｄのそれぞれにおいてエッジフレーム４０００と重なり合う、あるいは重畳する領域を第１の領域５１２１と称し、残りの領域を第２の領域５１２２と称する。
【0078】
これを反映して再び説明すれば、第１乃至第４のボディ５１２０ｄのそれぞれは、その上部面のうち、第１の領域５１２１がエッジフレーム４０００と重なり合い、前記第１の領域５１２１以外の残りの領域である第２の領域５１２２がエッジフレーム４０００の外側に位置するように延設される。このため、第１乃至第４のボディ５１２０ｄのそれぞれにおいて、第１の領域５１２１は、エッジフレーム４０００の下部面とその位置が重なり合い、あるいは重畳し、第２の領域５１２２は、チャンバー１０００の側壁１１１１ａ～１１１１ｄとエッジフレーム４０００との間の空間に晒される。
【0079】
第１乃至第４の突出部材５１３０ａ～５１３０ｄは、エッジフレーム４０００がガス流動調節部の上に載置又は据置されたとき、ガスが通過可能な通路又は隙間を作るための手段であってもよい。このような第１乃至第４の突出部材５１３０ａ～５１３０ｄのそれぞれは、エッジフレーム４０００を向くように各ボディ５１２０ａ～５１２０ｄから上側へと突設される。より具体的には、第１乃至第４の突出部材５１３０ａ～５１３０ｄは、第１乃至第４のボディ５１２０ｄの上部面から上側へと突設されてもよい。
【0080】
また、第１乃至第４の突出部材５１３０ａ～５１３０ｄは、エッジフレーム４０００の下部面と向かい合い可能な位置に配置されるように設けられる。第１の突出部材５１３０ａを例にとって説明すれば、第１のボディ５１２０ａの上部面から突出するように第１の突出部材５１３０ａが設けられるに際して、前記第１のボディ５１２０ａの第１の領域５１２１に配置されるように設ける。ここで、第１のボディ５１２０ａの第１の領域５１２１は、基板支持台２１００の外側に突出したエッジフレーム４０００と幅方向の位置とが重なり合う領域であるため、前記第１の領域５１２１に第１の突出部材５１３０ａを設けることにより、前記第１の突出部材５１３０ａがエッジフレーム４０００と向かい合うように設けられることが可能になる。より具体的には、第１の突出部材５１３０ａは、第１のボディ５１２０ａの両方の終端のうち、相対的に一方の端と隣設されてもよい。
【0081】
第１の突出部材５１３０ａは、複数本で設けられ、複数本の第１の突出部材５１３０ａは、図３、図６及び図７に示すように、第１のボディ５１２０ａの第１の幅方向（Ｘ軸方向）又は第１の側壁１１１１ａの延在方向（Ｘ軸方向）に互いに離れるように並置される。このように、複数本の第１の突出部材５１３０ａが互いに離れるように並置されることにより、隣設された第１の突出部材５１３０ａ同士の間に空いた空間が設けられるが、この空いた空間又は離隔空間が、ガスの通過する流路（第１の流路５１４０ａ）である。このため、第１のガス流動調節部材５１００ａは、第１の側壁１１１１ａの延在方向に並置された複数の第１の流路５１４０ａを備え、前記複数の第１の流路５１４０ａは、第１の側壁１１１１ａの延在方向に互いに離れるように並置された複数本の第１の突出部材５１３０ａにより設けられたものであると説明可能である。そして、上述したように、隔設された２つの第１の突出部材５１３０ａの間に設けられる第１の流路５１４０ａは、スリット（ｓｌｉｔ）状のものであってもよい。
【0082】
第２乃至第４の突出部材５１３０ｂ～５１３０ｄは、第１の突出部材５１３０ａと同様の方法により設けられる。すなわち、第２乃至第４の突出部材５１３０ｂ～５１３０ｄは、第２乃至第４のボディ５１２０ｂ～５１２０ｄのそれぞれの第１の領域５１２１に配設される。また、第２乃至第４の突出部材５１３０ｂ～５１３０ｄは、第２乃至第４のボディ５１２０ｂ～５１２０ｄのそれぞれの両方の終端のうち、相対的に一方の端と隣設されてもよい。
【0083】
以上においては、第１乃至第４の突出部材５１３０ａ～５１３０ｄが第１乃至第４のボディ５１２０ｄのそれぞれの一方の端と隣設されることを例にとって説明した。しかしながら、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、第１乃至第４の突出部材５１３０ａ～５１３０ｄのそれぞれは、ボディ５１２０ａ～５１２０ｄの第１の領域５１２１のいかなる位置に設けられても構わない。
【0084】
第２乃至第４の突出部材５１３０ｂ～５１３０ｄは、上述した第１の突出部材５１３０ａと同様に複数本で設けられ、互いに離れるように並んで配置される。すなわち、複数本の第２の突出部材５１３０ｂ、複数本の第３の突出部材５１３０ｃ、複数本の第４の突出部材５１３０ｄは、図３、図６及び図７に示すように、第２乃至第４のボディ５１２０ｂ～５１２０ｄのそれぞれの第２の幅方向又は第２乃至第４の側壁１１１１ｂ～１１１１ｄの延在方向に互いに離れるように並置される。このため、第２の突出部材５１３０ｂ同士の間、第３の突出部材５１３０ｃ同士の間、第４の突出部材５１３０ｄ同士の間のそれぞれにガスの通過可能な流路５１４０ｂ～５１４０ｄが設けられる。したがって、第２乃至第３の流路５１４０ｂ～５１４０ｄは、上述した第１の流路５１４０ａと同一又は類似の形状に設けられることができ、スリット（ｓｌｉｔ）状のものであってもよい。
【0085】
上述したような第１乃至第４の突出部材５１３０ａ～５１３０ｄのそれぞれは、図６及び図７に示すように、エッジフレーム４０００を向く上部面が凸状の曲面状に設けられることが好ましい。このとき、第１乃至第４の突出部材５１３０ａ～５１３０ｄの上部面が曲面状に設けられるに際して、ボディ５１２０ａ～５１２０ｄの第２の幅方向に撓む曲げ率を有するように設けられてもよい。
【0086】
また、第１乃至第４の突出部材５１３０ａ～５１３０ｄのそれぞれは、ボディ５１２０ａ～５１２０ｄの第２の幅方向に延びたバー（ｂａｒ）状に設けられてもよい。このため、第１乃至第４の突出部材５１３０ａ～５１３０ｄのそれぞれは、図６及び図７に示されているように、横断面の形状が半円状であるバー（ｂａｒ）状のものであってもよい。いうまでもなく、第１乃至第４の突出部材５１３０ａ～５１３０ｄの形状は、上述した例に何ら限定されるものではなく、エッジフレーム４０００の下部面が載置可能な限り、多種多様な形状に変形可能である。
【0087】
上記においては、別設された複数本の突出部材がボディ又は側壁の延在方向に互いに離れるように並置されることにより、隣設された突出部材同士の間に流路が設けられると説明した。
【0088】
しかしながら、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、突出部材がボディの延在方向に延びるように単一本で設けられてもよい。そして、前記突出部材にガスの通過可能な複数本の孔が設けられてもよく、複数本の孔は、突出部材又はボディの延在方向に互いに離れるように並んで配置されてもよい。また、孔は、突出部材又はボディの延在方向と交差又は直交する方向に前記突出部材を貫通して設けられたものであってもよい。別の言い方をすれば、孔は、チャンバーの側壁側から支持台の方へと突出部材を貫通するように設けられたものであってもよい。このように、突出部材に設けられた孔がガス流動調節部の流路である。
【0089】
図示はしないが、第１の突出部材５１３０ａを例にとって説明すれば、第１の突出部材５１３０ａは、第１のボディ５１２０ａの第１の幅方向（Ｘ軸方向）又は第１の側壁１１１１ａの延在方向（Ｘ軸方向）に延びるように単一で設けられてもよい。そして、第１の突出部材５１３０ａに複数本の孔が設けられるが、孔のそれぞれは、第１の突出部材５１３０ａを第１の側壁１１１１ａから基板支持台２１００の方へと貫通するように設けられてもよい。そして、複数本の孔は、第１の突出部材５１３０ａの延在方向に互いに離れるように並置されてもよい。このように、第１の突出部材５１３０ａに設けられた孔が第１の流路５１４０ａである。
【0090】
また、第２乃至第４の突出部材５１３０ｂ～５１３０ｄにも同様の方法により孔が設けられ、この孔が第２乃至第４の流路５１４０ｂ～５１４０ｄとなる。
【0091】
複数本の嵌入部材５２００：５２００ａ～５２００ｄのそれぞれは、第１乃至第４のガス流動調節部材５１００ａ～５１００ｄのボディ５１２０ａ～５１２０ｄの上に配設される。第１の嵌入部材５２００ａを例にとって説明すれば、第１の嵌入部材５２００ａは、第１のボディ５１２０ａの上部面からエッジフレーム４０００が位置している上側へと突設されてもよい。このとき、第１の嵌入部材５２００ａは、基板支持台２１００から第１の側壁１１１１ａに向かって突出したエッジフレーム４０００に設けられた窪み４１００と向かい合うように設けられる。すなわち、第１の嵌入部材５２００ａは、第１のボディ５１２０ａの第１の領域５１２１において第１の突出部材５１３０ａの後方に位置するように設けられる。ここで、第１の突出部材５１３０ａの後方は、前記第１の突出部材５１３０ａを基準として基板支持台２１００の反対側を意味し、前方は、基板支持台２１００側を意味する。
【0092】
第２乃至第４の嵌入部材５２００ｂ～５２００ｄは、叙上の第１の嵌入部材５２００ａと同様の方法により設けられてもよい。すなわち、第２乃至第４の嵌入部材５２００ｂ～５２００ｄは、第２乃至第４のボディ５１２０ｂ～５１２０ｄのそれぞれの上部面からエッジフレーム４０００が位置している上側へと突設されてもよい。また、第２乃至第４の嵌入部材５２００ｂ～５２００ｄは、第２乃至第４のボディ５１２０ｂ～５１２０ｄのそれぞれの第１の領域５１２１において第２乃至第４の突出部材５１３０ｂ～５１３０ｄの後方に位置するように設けられる。
【0093】
このように、第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄのそれぞれにガス流動調節部５０００ａ～５０００ｄを配設することにより、コーナーＣ１～Ｃ４の方へのガスの移動を誘導することができる。別の言い方をすれば、側壁部１１１０のうち、コーナーＣ１～Ｃ４を除いた領域にガス流動調節部５０００ａ～５０００ｄが配設されることにより、前記ガス流動調節部５０００ａ～５０００ｄが配設されないときに比べて、コーナーＣ１～Ｃ４の方へと移動するガスの量を増やすことができる。
【0094】
これは、各側壁１１１１ａ～１１１１ｄに配設されたガス流動調節部材５１００ａ～５１００ｄのボディ５１２０ａ～５１２０ｄがガスの移動を阻止又は遮断する役割を果たすからである。すなわち、第１乃至第４のガス流動調節部材５１００ａ～５１００ｄのボディ５１２０ａ～５１２０ｄは、側壁１１１１ａ～１１１１ｄからその反対側へと延設される。そして、ボディ５１２０ａ～５１２０ｄは、第１の領域５１２１の幅方向の位置がエッジフレーム４０００と重なり合うように設けられる。このため、側壁１１１１ａ～１１１１ｄとエッジフレーム４０００との間にボディ５１２０ａ～５１２０ｄの第２の領域が配置される。これにより、エッジフレーム４０００から側壁１１１１ａ～１１１１ｄの中央領域に向かって流れるガスは、その下側に位置するボディ５１２０ａ～５１２０ｄにより下側への移動が阻止可能である。そして、第１乃至第４のボディ５１２０ａ～５１２０ｄは、側壁部１１１０のうち、コーナーＣ１～Ｃ４を除いた領域に配設される。このため、側壁部１１１０のコーナーＣ１～Ｃ４とエッジフレーム４０００との間には、ガスの移動を阻止する構成要素がない。したがって、第１乃至第４のボディ５１２０ａ～５１２０ｄによりその移動が阻止されたガスが、前記第１乃至第４のボディ５１２０ａ～５１２０ｄが設けられていないコーナーＣ１～Ｃ４の方へと向かうことになる。これにより、側壁部１１１０のコーナーＣ１～Ｃ４とエッジフレーム４０００との間を通過するガスの量が増える。これにより、チャンバー１０００の内部に洗浄ガスが噴射される場合、チャンバー１０００のコーナーＣ１～Ｃ４の方へと向かう洗浄ガスの量が増えることができ、コーナーＣ１～Ｃ４に付着した不純物を容易に洗浄することができ、このため、コーナーＣ１～Ｃ４の洗浄不良の発生を防ぐことができる。
【0095】
また、第１乃至第４のガス流動調節部材５１００ａ～５１００ｄのそれぞれは、ガスを通過させることが可能な流路５１４０ａ～５１４０ｄを備える。このため、エッジフレーム４０００が下降してその下部面がガス流動調節部材５１００ａ～５１００ｄの突出部材５１３０ａ～５１３０ｄの上に載置されても、ガスが流路５１４０ａ～５１４０ｄを介してガス流動調節部材５１００ａ～５１００ｄの下側に移動することができる。
【0096】
より具体的に説明すれば、基板支持台２１００によりエッジフレーム４０００が下降すれば、前記エッジフレーム４０００の下部面がガス流動調節部材５１００ａ～５１００ｄのそれぞれの突出部材５１３０ａ～５１３０ｄの上に載置される。このとき、突出部材５１３０ａ～５１３０ｄによりエッジフレーム４０００の下部面とボディ５１２０ａ～５１２０ｄの上部面との間に隙間が生じる。すなわち、ボディ５１２０ａ～５１２０ｄの上部面のうち、第１の領域５１２１とエッジフレーム４０００下部面との間に隙間が生じる。このため、エッジフレーム４０００から側壁１１１１ａ～１１１１ｄの中央領域ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４に向かって流れるガスは、エッジフレーム４０００と側壁１１１１ａ～１１１１ｄとの間の空間を通過した後、前記エッジフレーム４０００とボディ５１２０ａ～５１２０ｄとの間の隙間に流れ込むことができる。
【0097】
ところが、エッジフレーム４０００とボディ５１２０ａ～５１２０ｄとの間にガスが流れ込む流入口の反対側に突出部材５１３０ａ～５１３０ｄが設けられ、突出部材５１３０ａ～５１３０ｄの上部面にエッジフレーム４０００が接触している。このため、エッジフレーム４０００とボディ５１２０ａ～５１２０ｄとの間に流れ込んだガスは、突出部材５１３０ａ～５１３０ｄにより移動が遮断される。このため、エッジフレーム４０００とボディ５１２０ａ～５１２０ｄとの間の隙間にガスが流れ込んでも、ガスが基板支持台２１００の方に移動することができず、このため、下側に移動することができない。したがって、エッジフレーム４０００から側壁１１１１ａ～１１１１ｄの中央領域ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４に向かって流れるガスは、その下側に位置するボディ５１２０ａ～５１２０ｄ及び突出部材５１３０ａ～５１３０ｄにより下側への移動が阻止されることが可能になる。このため、ボディ５１２０ａ～５１２０ｄ及び突出部材５１３０ａ～５１３０ｄによりその移動が阻止されたガスがコーナーＣ１～Ｃ４の方へと向かうことになる。これにより、側壁１１１１ａ～１１１１ｄの中央領域ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４に向かって流れるガスが減り、その絶対的な量も少なくなる可能性がある。このような場合、側壁１１１１ａ～１１１１ｄの中央領域ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４に対する洗浄の不良が生じる虞がある。
【0098】
しかしながら、実施形態に係るガス流動調節部材５１００ａ～５１００ｄは、ガスを通過させることが可能な流路５１４０ａ～５１４０ｄを備える。すなわち、複数本の突出部材５１３０ａ～５１３０ｄが互いに離れるように並置されて、隣設された突出部材同士の間にガスが通過可能な流路５１４０ａ～５１４０ｄが設けられる。
【0099】
したがって、エッジフレーム４０００とボディ５１２０ａ～５１２０ｄとの間に流れ込んだガスは、突出部材５１３０ａ～５１３０ｄ同士の間に設けられた流路５１４０ａ～５１４０ｄを通過して前記ボディ５１２０ａ～５１２０ｄの外側に移動することができる。すなわち、エッジフレーム４０００とボディ５１２０ａ～５１２０ｄとの間に流れ込んだガスが流路５１４０ａ～５１４０ｄを通過してボディ５１２０ａ～５１２０ｄと基板支持台２１００との間の空間に移動することができ、この後、ボディ５１２０ａ～５１２０ｄ及び基板支持台２１００の下側に移動することができる。
【0100】
このように、ガス流動調節部材５１００ａ～５１００ｄに流路が確保されることにより、側壁１１１１ａ～１１１１ｄの中央領域ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４の方にガスが移動できるようにその流れを誘導することができる。このため、ガス流動調節部材５１００ａ～５１００ｄが流路５１４０ａ～５１４０ｄを備える場合、そうではない場合に比べて、側壁１１１１ａ～１１１１ｄの中央領域ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４の方へと向かうガスの量が増える。このように、チャンバー１０００のコーナーＣ１～Ｃ４以外の領域、すなわち、側壁１１１１ａ～１１１１ｄの中央領域ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４の方へと向かう洗浄ガスの量が増えることにより、コーナーＣ１～Ｃ４以外の領域に付着した不純物を容易に洗浄することができる。したがって、コーナーＣ１～Ｃ４以外の領域、すなわち、側壁１１１１ａ～１１１１ｄの中央領域ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４における洗浄不良の発生を防ぐことができる。
【0101】
図８は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置をエッジフレームの上側から見下ろした平面図である。図９及び図１０は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置のガス流動調節部、基板支持台及びエッジフレームを示す斜視図である。図１１は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置において、ガス流動調節部の上にエッジフレームが載置された状態の一部を拡大して示す正面図である。
【0102】
ここで、図９は、エッジフレームがガス流動調節部と引き離されている状態を示すものであり、図１０は、エッジフレームがガス流動調節部の上に載置されている状態を示すものである。また、図９及び図１０においては、説明のしやすさのために、基板支持台とエッジフレームとの間に位置するマスクを省略して示している。
【0103】
上述した第１の実施形態においては、複数本の突出部材５１３０ａ～５１３０ｄを互いに離れるように並置して、ガスが通過可能な流路５１４０ａ～５１４０ｄを設けている。しかしながら、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、他の方法により流路を設けてもよい。
【0104】
すなわち、図８から図１１に示されている第２の実施形態のように、第１乃至第４のガス流動調節部材５１００ａ～５１００ｄのそれぞれは、ボディ５１２０ａ～５１２０ｄと、ボディ５１２０ａ～５１２０ｄの第２の幅方向に延設された一つの突出部材５１３０ａ～５１３０ｄ、及び突出部材５１３０ａ～５１３０ｄの後方においてボディ５１２０ａ～５１２０ｄを上下方向に貫通するように設けられた流路５１４０ａ～５１４０ｄを備えていてもよい。
【0105】
このとき、第１乃至第４のガス流動調節部材５１００ａ～５１００ｄのそれぞれの流路、すなわち、第１乃至第４の流路５１４０ａ～５１４０ｄは、複数で設けられてもよい。そして、複数の第１乃至第４の流路５１４０ａ～５１４０ｄのそれぞれは、ボディ５１２０ａ～５１２０ｄの第１の幅方向に並置されてもよい。すなわち、複数の第１の流路５１４０ａは、第１のボディ５１２０ａの第１の幅方向（Ｘ軸方向）に並置され、複数の第２の流路５１４０ｂは、第２のボディ５１２０ｂの第１の幅方向（Ｙ軸方向）に並置され、複数の第３の流路５１４０ｃは、第３のボディ５１２０ｃの第１の幅方向（Ｘ軸方向）に並置され、複数の第４の流路５１４０ｄは、第４のボディ５１２０ｄの第１の幅方向（Ｙ軸方向）に並置される。また、第１乃至第４の流路５１４０ａ～５１４０ｄのそれぞれは、図８から図１０に示すように、スリット（ｓｌｉｔ）状に設けられてもよい。
【0106】
このようなガス流動調節部材５１００ａ～５１００ｄによれば、エッジフレーム４０００とボディ５１２０ａ～５１２０ｄとの間に流れ込んだガスが、突出部材５１３０ａ～５１３０ｄの後方に設けられた流路５１４０ａ～５１４０ｄを通過して前記ボディ５１２０ａ～５１２０ｄの下側に移動することができる。
【0107】
上述した第２の実施形態においては、第１乃至第４の流路５１４０ａ～５１４０ｄのそれぞれがボディ５１２０ａ～５１２０ｄの延在方向に延設されたスリット状であることについて説明した。
【0108】
しかしながら、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、第１乃至第４の流路５１４０ａ～５１４０ｄは、孔状のものであってもよい（図示せず）。第１乃至第４の流路５１４０ａ～５１４０ｄのそれぞれは、ボディ５１２０ａ～５１２０ｄを上下方向に貫通するように設けられながら、それぞれの孔がボディ５１２０ａ～５１２０ｄの延在方向に延びていない形状、あるいは、延伸長が短い形状、例えば、円形であってもよい。
【0109】
第１の流路５１４０ａを例にとって説明すれば、第１の突出部材５１３０ａの後方において第１のボディ５１２０ａを上下方向に貫通するように孔が設けられてもよい。このとき、孔は、第１のボディ５１２０ａの延在方向には延びないか、あるいは、延伸長が非常に短い場合があり、例えば、円形状のものであってもよい。そして、孔は複数本で設けられてもよく、複数本の孔は、第１のボディ５１２０ａの延在方向に互いに離れるように並置されてもよい。このように、第１のボディ５１２０ａに設けられた複数本の孔がそれぞれ第１の流路５１４０ａとなる。
【0110】
そして、第２乃至第４の流路５１４０ｂ～５１４０ｄもまた、上述した方法と同様の方法により第２乃至第４のボディ５１２０ｂ～５１２０ｄに孔状に設けられてもよい。
【0111】
また、図示はしないが、第１乃至第４のガス流動調節部５０００ａ～５０００ｄは、叙上の第１の実施形態に係る第１乃至第４の流路５１４０ａ、５１４０ｂ、５１４０ｃ、５１４０ｄと、第２の実施形態に係る第１乃至第４の流路５１４０ａ、５１４０ｂ、５１４０ｃ、５１４０ｄと、をいずれも備えるように設けられてもよい。
【0112】
上述した実施形態においては、チャンバー１０００に遠隔プラズマ発生器が接続されることについて説明した。しかしながら、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、基板処理装置は、チャンバー１０００の内部においてガスを活性化させてプラズマを生じさせる直接プラズマ装置に変更可能である。すなわち、噴射部３０００と基板支持台２１００を電極としてＲＦ電源を供給することにより、前記噴射部３０００と基板支持台２１００との間にプラズマが形成されるようにすることもできる。
【0113】
図１２は、第１の実施形態の変形例に係る基板処理装置を示す図である。
【0114】
上述した第１の実施形態においては、基板支持台２１００とエッジフレーム４０００とが別途の構成要素として設けられる。このため、エッジフレーム４０００をガス流動調節部５０００の上に据置又は載置した後、基板支持台をさらに下降させれば、前記基板支持台２１００とエッジフレーム４０００とが引き離される。
【0115】
しかしながら、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、図１２の変形例のように、基板支持台２１００それ自体が実施形態において説明したエッジフレームを備えるように設けられてもよい。すなわち、図１２に示されているように、基板支持台２１００は、チャンバー１０００の内部において噴射部３０００と向かい合うように配置され、上面に基板Ｓが載置される支持部材２１１０及び支持部材２１１０の幅方向の周縁から外側へと延びるように前記支持部材２１１０の上部に位置するエッジフレーム２１２０を備えていてもよい。このとき、説明のしやすさのために、基板支持台２１００が支持部材２１１０とエッジフレーム２１２０とから構成されると説明したが、支持部材２１１０とエッジフレーム２１２０とは、一体形に設けられてもよい。
【0116】
ここで、変形例に係る基板支持台２１００のエッジフレーム２１２０は、上述した実施形態に係るエッジフレームと略同じ形状に設けられる。すなわち、変形例に係る基板支持台２１００のエッジフレーム２１２０は、支持部材２１１０に載置された基板Ｓが晒されるように、支持部材２１１０の幅方向の周縁から前記支持部材２１１０の外側へと延びる形状に設けられ、支持部材２１１０の上側に配置される。すなわち、エッジフレーム２１２０は、図１２に示すように、基板Ｓが載置される支持部材２１１０の上部面のうちの周縁を覆い、残りの領域を晒す枠状のものであってもよい。
【0117】
エッジフレーム２１２０は、支持部材２１１０の周縁からチャンバー１０００の側壁部１１１０に向かって延設される。このため、エッジフレーム２１２０の一部は、支持部材２１１０と向かい合い、残りは支持部材２１１０の外に位置する。すなわち、エッジフレーム２１２０の一部は、支持部材２１１０と幅方向の位置が重なり合い、残りは支持部材２１１０の幅方向の外側に位置する。
【0118】
【0119】
複数回又は一定の回数の蒸着工程が行われれば、チャンバー１０００の内部を洗浄する。エッジフレーム４０００がガス流動調節部５０００上側に離れており、基板支持台２１００の上に基板Ｓが支持されていない状態である場合、まず、駆動器２２００を動作させて基板支持台２１００及びエッジフレーム４０００を下降させる。このとき、図２及び図５に示すように、エッジフレーム４０００がガス流動調節部５０００の上に載置されるように基板支持台２１００を下降させる。すなわち、基板支持台２１００を下降させて、前記基板支持台２１００の外側に突出したエッジフレーム４０００の下部面が、図２及び図５に示すように、第１乃至第４のガス流動調節部材５１００ａ～５１００ｄの突出部材５１３０ａ～５１３０ｄの上部と接触するようにする。
【0120】
エッジフレーム４０００をガス流動調節部材５１００ａ～５１００ｄの上に載置するに際して、エッジフレーム４０００に設けられた窪み４１００に嵌入部材５２００ａ～５２００ｄが嵌入されるようにする。このため、エッジフレーム４０００とガス流動調節部材５１００ａ～５１００ｄとが位置合わせ可能になる。
【0121】
他の例を挙げると、蒸着工程が終了して基板支持台２１００の上に基板Ｓが載置されている状態であれば、まず、基板支持台２１００から基板Ｓを引き離す。このために、駆動器２２００を介して基板支持台２１００を下降させて、図２及び図５に示すように、エッジフレーム４０００をガス流動調節部５０００の上に載置する。そして、駆動器２２００を介して基板支持台２１００をさらに下降させれば、エッジフレーム４０００及びマスクＭと基板支持台２１００が引き離される。この後、基板支持台２１００の上に載置されている基板Ｓをチャンバー１０００の外に搬出する。次いで、駆動器２２００を介して基板支持台２１００をエッジフレーム４０００と隣り合う位置まで上昇させる。すなわち、図２に示すように、基板支持台２１００の上部面がエッジフレーム４０００の下部に装着されたマスクＭと接触できるように基板支持台２１００を上昇させる。このとき、例えば、エッジフレーム４０００の下部にマスクＭが装着されていない場合、基板支持台２１００の上部面がエッジフレーム４０００の下部面と接触するように上昇させる。
【0122】
エッジフレーム４０００が第１乃至第４のガス流動調節部５０００ａ～５０００ｄの上に載置されれば、チャンバー１０００の内部に洗浄ガスを噴射する。このために、チャンバー１０００の外部に位置している容器８１００に洗浄ガスを供給し、アンテナ８２００にＲＦ電源を供給する。このため、容器８１００の内部において洗浄ガスが活性化してプラズマが生じ、活性化した洗浄ガスは、供給管９０００を介してチャンバー１０００の蓋体１２００と噴射部３０００との間に供給される。この洗浄ガスは、噴射部３０００に設けられた複数の流路を介して下側に噴射される。
【0123】
噴射部３０００を介してその下側、すなわち、基板支持台２１００及びエッジフレーム４０００に向かって噴射された洗浄ガスは、図３に示すように、チャンバー１０００の側壁部１１１０に向かって移動する。すなわち、基板支持台２１００及びエッジフレーム４０００の上部に噴射されたガスは、側壁部１１１０のコーナーＣ１～Ｃ４及びコーナーＣ１～Ｃ４以外の領域の方に移動する。より具体的に説明すれば、側壁部１１１０の第１乃至第４のコーナーＣ１～Ｃ４と、第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄのそれぞれの中央領域ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣの方に移動する。
【0124】
このとき、側壁部１１１０の第１乃至第４のコーナーＣ１～Ｃ４に移動したガスは、エッジフレーム４０００と前記第１乃至第４のコーナーＣ１～Ｃ４との間の空間を介してエッジフレーム４０００及び基板支持台２１００の下側に移動する。
【0125】
また、第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄの中央領域ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣの方に移動したガスは、エッジフレーム４０００と前記第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄとの間の空間に移動した後、上下に配置されたエッジフレーム４０００と第１乃至第４のボディ５１２０ａ～５１２０ｄとの間の隙間に流れ込む。そして、この流れ込んだガスは、図５及び図７の拡大図のように、第１乃至第４のボディ５１２０ａ～５１２０ｄのそれぞれに設けられた流路５１４０ａ～５１４０ｄを介して抜け出る。すなわち、第１乃至第４のボディ５１２０ａ～５１２０ｄのそれぞれの上部に設けられた複数本の突出部材５１３０ａ～５１３０ｄ同士の間の離隔空間である流路５１４０ａ～５１４０ｄを通過する。この後、流路５１４０ａ～５１４０ｄを通過したガスは、第１乃至第４のボディ５１２０ａ～５１２０ｄと基板支持台２１００との間の空間を経て下側に移動した後、排気部６０００を介して排気される。
【0126】
このように、噴射部３０００から噴射されたガスは、複数のガス流動調節部５０００ａ～５０００ｄにより側壁部１１１０のコーナーＣ１～Ｃ４及び前記コーナーＣ１～Ｃ４以外の領域の方に一様に振り分けられて流れる。別の言い方をすれば、洗浄ガスが側壁部１１１０のコーナーＣ１～Ｃ４及び前記コーナーＣ１～Ｃ４以外の領域の方に移動するに際して、前記コーナーＣ１～Ｃ４の方に流れるガスの量とコーナーＣ１～Ｃ４以外の領域の方に流れるガスの量の割合が同一又は類似であるか、あるいは、その差が小さくなるようにガスが振り分けられる。
【0127】
そして、噴射部３０００を介して洗浄ガスが噴射されれば、チャンバー１０００の内壁、基板支持台２１００の上に蒸着又は固着されている不純物と反応し、この反応により前記チャンバー１０００の内壁、基板支持台２１００などから分離された後、排気部を介して排出される。
【0128】
このとき、上述したように、複数のガス流動調節部５０００ａ～５０００ｄにより洗浄ガスが側壁部１１１０のコーナーＣ１～Ｃ４及び前記コーナーＣ１～Ｃ４以外の領域の方に一様に振り分けられるように流れる。このため、洗浄ガスの不足に伴う洗浄不良の発生を防ぐことができる。すなわち、チャンバー１０００の側壁部１１１０におけるコーナーＣ１～Ｃ４の洗浄が足りないか、あるいは、コーナーＣ１～Ｃ４以外の領域、すなわち、第１乃至第４の側壁１１１１ａ～１１１１ｄにおける中央領域ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４の洗浄が足りないといった洗浄不良の発生を防ぐことができる。別の言い方をすれば、チャンバー１０００の側壁部１１１０におけるコーナーＣ１～Ｃ４及びコーナーＣ１～Ｃ４以外の領域に洗浄ガスを一様に行き届かせることができる。このため、コーナーＣ１～Ｃ４及びコーナーＣ１～Ｃ４以外の領域に付着した不純物を容易に洗浄することができる。
【産業上の利用可能性】
【0129】
本発明の実施形態によれば、ガスがチャンバー内コーナー又はコーナー以外の領域に偏って流れることを防ぐことができる。すなわち、チャンバーの周の方向にガスを一様に振り分けることができる。これにより、チャンバーのコーナー及びコーナー以外の領域において洗浄不良が生じることを防ぐことができる。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【国際調査報告】