特表 2024-521546 ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-06-03

(54)【発明の名称】ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージ

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20240527BHJP

   H01L 25/04 20230101ALI20240527BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 N

H01L25/04 Z

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023565402

(86)(22)【出願日】2022-04-25

(85)【翻訳文提出日】2023-10-24

(86)【国際出願番号】 US2022026200

(87)【国際公開番号】W WO2022250821

(87)【国際公開日】2022-12-01

(31)【優先権主張番号】17/328,666

(32)【優先日】2021-05-24

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】507364838

【氏名又は名称】クアルコム，インコーポレイテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100163522

【弁理士】

【氏名又は名称】黒田 晋平

(72)【発明者】

【氏名】ホン・ボク・ウィ

(72)【発明者】

【氏名】アニケット・パティル

(72)【発明者】

【氏名】ジジエ・ワン

(72)【発明者】

【氏名】マーカス・ス

(57)【要約】

第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える第１の集積デバイスと、第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える第２の集積デバイスと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合されたブリッジと、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、およびブリッジを少なくとも部分的にカプセル化するカプセル化層と、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、ブリッジ、およびカプセル化層の上に位置しているメタライゼーション部分であって、少なくとも１つの誘電体層および複数のメタライゼーション相互接続部を含む、メタライゼーション部分と、第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部に結合された第１の複数のピラー相互接続部であって、カプセル化層に位置している、第１の複数のピラー相互接続部と、第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部に結合された第２の複数のピラー相互接続部であって、カプセル化層に位置している、第２の複数のピラー相互接続部とを含む、パッケージ。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

パッケージであって、
第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える第１の集積デバイスと、
第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える第２の集積デバイスと、
前記第１の集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスに結合されたブリッジと、
前記第１の集積デバイス、前記第２の集積デバイス、および前記ブリッジを少なくとも部分的にカプセル化するカプセル化層と、
前記第１の集積デバイス、前記第２の集積デバイス、前記ブリッジ、および前記カプセル化層の上に位置しているメタライゼーション部分であって、少なくとも１つの誘電体層および複数のメタライゼーション相互接続部を含む、メタライゼーション部分と、
前記第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部および前記メタライゼーション部分に結合された第１の複数のピラー相互接続部であって、前記カプセル化層に位置している、第１の複数のピラー相互接続部と、
前記第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部および前記メタライゼーション部分に結合された第２の複数のピラー相互接続部であって、前記カプセル化層に位置している、第２の複数のピラー相互接続部と
を備える、パッケージ。

【請求項2】

前記ブリッジが、前記第１の集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスに結合された複数のブリッジ相互接続部を備える、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項3】

前記複数のブリッジ相互接続部が、前記第１の集積デバイスからの少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション相互接続部、および前記第２の集積デバイスからの少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション相互接続部に結合される、請求項２に記載のパッケージ。

【請求項4】

前記複数のブリッジ相互接続部が、複数のブリッジアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える、請求項２に記載のパッケージ。

【請求項5】

前記複数のブリッジアンダーバンプメタライゼーション相互接続部が、前記第１の集積デバイスからの少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション相互接続部、および前記第２の集積デバイスからの少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション相互接続部に結合される、請求項４に記載のパッケージ。

【請求項6】

前記複数のブリッジ相互接続部が、ハイブリッド接合によって、前記第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部、および前記第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部に結合される、請求項２に記載のパッケージ。

【請求項7】

前記複数のブリッジ相互接続部が、少なくとも１つのはんだ相互接続部を通して、前記第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部、および前記第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部に結合される、請求項２に記載のパッケージ。

【請求項8】

前記複数のブリッジ相互接続部が、０．５マイクロメートルの最小幅を備える、請求項２に記載のパッケージ。

【請求項9】

前記複数のブリッジ相互接続部が、約０．５～１マイクロメートルの範囲内の幅を備える、請求項２に記載のパッケージ。

【請求項10】

前記第１の集積デバイスの裏の面および前記第２の集積デバイスの裏の面の上に位置している第２のメタライゼーション部分をさらに備え、前記第２のメタライゼーション部分が、少なくとも１つの第２の誘電体層と、第２の複数のメタライゼーション相互接続部とを含む、請求項１に記載のパッケージ。

【請求項11】

前記メタライゼーション部分および前記第２のメタライゼーション部分に結合された第３の複数のピラー相互接続部をさらに備え、前記第３の複数のピラー相互接続部が、カプセル化層に位置している、請求項１０に記載のパッケージ。

【請求項12】

装置であって、
第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える第１の集積デバイスと、
第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える第２の集積デバイスと、
前記第１の集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスに結合されたブリッジ相互接続のための手段と、
前記第１の集積デバイス、前記第２の集積デバイス、およびブリッジ相互接続のための前記手段を少なくとも部分的にカプセル化するカプセル化のための手段と、
前記第１の集積デバイス、前記第２の集積デバイス、ブリッジ相互接続のための前記手段、およびカプセル化のための前記手段の上に位置しているメタライゼーション部分であって、少なくとも１つの誘電体層およびメタライゼーション相互接続のための手段を含む、メタライゼーション部分と、
前記第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部および前記メタライゼーション部分に結合された第１の複数のピラー相互接続部であって、カプセル化のための前記手段に位置している、第１の複数のピラー相互接続部と、
前記第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部および前記メタライゼーション部分に結合された第２の複数のピラー相互接続部であって、カプセル化のための前記手段に位置している、第２の複数のピラー相互接続部と
を備える、装置。

【請求項13】

ブリッジ相互接続のための前記手段が、前記第１の集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスに結合された複数のブリッジ相互接続部を備える、請求項１２に記載の装置。

【請求項14】

前記複数のブリッジ相互接続部が、前記第１の集積デバイスからの少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション相互接続部、および前記第２の集積デバイスからの少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション相互接続部に結合される、請求項１３に記載の装置。

【請求項15】

前記複数のブリッジ相互接続部が、複数のブリッジアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える、請求項１３に記載の装置。

【請求項16】

前記複数のブリッジアンダーバンプメタライゼーション相互接続部が、前記第１の集積デバイスからの少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション相互接続部、および前記第２の集積デバイスからの少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション相互接続部に結合される、請求項１５に記載の装置。

【請求項17】

前記複数のブリッジ相互接続部が、ハイブリッド接合によって、前記第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部、および前記第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部に結合される、請求項１３に記載の装置。

【請求項18】

前記複数のブリッジ相互接続部が、少なくとも１つのはんだ相互接続部を通して、前記第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部、および前記第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部に結合される、請求項１３に記載の装置。

【請求項19】

前記複数のブリッジ相互接続部が、０．５マイクロメートルの最小幅を備える、請求項１３に記載の装置。

【請求項20】

前記複数のブリッジ相互接続部が、約０．５～１マイクロメートルの範囲内の幅を備える、請求項１３に記載の装置。

【請求項21】

前記第１の集積デバイスの裏の面および前記第２の集積デバイスの裏の面の上に位置している第２のメタライゼーション部分をさらに備え、前記第２のメタライゼーション部分が、少なくとも１つの第２の誘電体層と、第２のメタライゼーション相互接続のための手段とを含む、請求項１２に記載の装置。

【請求項22】

前記メタライゼーション部分および前記第２のメタライゼーション部分に結合された第３の複数のピラー相互接続部をさらに備え、前記第３の複数のピラー相互接続部が、カプセル化のための前記手段に位置している、請求項２１に記載の装置。

【請求項23】

前記装置が、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、および自動車両内のデバイスからなるグループから選択されたデバイスを含む、請求項１２に記載の装置。

【請求項24】

パッケージを製造するための方法であって、
第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスにブリッジを結合するステップであって、
前記第１の集積デバイスが、第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備え、
前記第２の集積デバイスが、第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える、結合するステップと、
前記第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部の上に第１の複数の相互接続部を形成するステップと、
前記第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部の上に第２の複数の相互接続部を形成するステップと、
前記第１の集積デバイス、前記第２の集積デバイス、前記ブリッジ、前記第１の複数の相互接続部、および前記第２の複数の相互接続部を少なくとも部分的にカプセル化するカプセル化層を形成するステップと、
前記第１の集積デバイス、前記第２の集積デバイス、前記ブリッジ、および前記カプセル化層の上にメタライゼーション部分を形成するステップであって、少なくとも１つの誘電体層を形成するステップと、複数のメタライゼーション相互接続部を形成するステップとを含む、メタライゼーション部分を形成するステップと
を含む、方法。

【請求項25】

第２のメタライゼーション部分を形成するステップをさらに含み、少なくとも１つの第２の誘電体層を形成するステップと、第２の複数のメタライゼーション相互接続部を形成するステップとを含む、請求項２４に記載の方法。

【請求項26】

前記第１の集積デバイスの裏の面および前記第２の集積デバイスの裏の面を前記第２のメタライゼーション部分に結合するステップをさらに含む、請求項２５に記載の方法。

【請求項27】

前記第１の集積デバイスの前記裏の面および前記第２の集積デバイスの前記裏の面が、接着剤によって前記第２のメタライゼーション部分に結合される、請求項２６に記載の方法。

【請求項28】

前記ブリッジが、前記第１の集積デバイスおよび前記第２の集積デバイスに結合された複数のブリッジ相互接続部を備える、請求項２４に記載の方法。

【請求項29】

前記複数のブリッジ相互接続部が、０．５マイクロメートルの最小幅を備える、請求項２８に記載の方法。

【請求項30】

前記複数のブリッジ相互接続部が、約０．５～１マイクロメートルの範囲内の幅を備える、請求項２８に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
本出願は、２０２１年５月２４日に米国特許庁に出願された非仮出願第１７／３２８，６６６号の優先権および利益を主張し、その内容全体が、以下に全文が完全に本明細書に記載されるかのように、すべての適用可能な目的のために参照により本明細書に組み込まれている。

【0002】

様々な特徴は、集積デバイスを含むパッケージに関する。

【背景技術】

【0003】

パッケージは、基板と、基板上に取り付けられたいくつかの集積デバイスとを含み得る。集積デバイスは、基板を通して互いに通信するように構成されてもよい。集積デバイスを有するパッケージに、集積デバイス間の改善された通信性能を与える継続的な必要がある。これらのパッケージは、より小さい占有面積およびより薄型の形状（ｌｏｗｅｒ ｐｒｏｆｉｌｅ）を有し得る。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0004】

様々な特徴は、集積デバイスを含むパッケージに関する。

【0005】

一例は、第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える第１の集積デバイスと、第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える第２の集積デバイスと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合されたブリッジと、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、およびブリッジを少なくとも部分的にカプセル化するカプセル化層と、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、ブリッジ、およびカプセル化層の上に位置しているメタライゼーション部分であって、少なくとも１つの誘電体層および複数のメタライゼーション相互接続部を含む、メタライゼーション部分と、第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部およびメタライゼーション部分に結合された第１の複数のピラー相互接続部であって、カプセル化層に位置している、第１の複数のピラー相互接続部と、第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部およびメタライゼーション部分に結合された第２の複数のピラー相互接続部であって、カプセル化層に位置している、第２の複数のピラー相互接続部とを含むパッケージを提供する。

【0006】

別の例は、第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える第１の集積デバイスと、第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える第２の集積デバイスと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合されたブリッジ相互接続のための手段と、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、およびブリッジ相互接続のための手段を少なくとも部分的にカプセル化するカプセル化のための手段と、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、ブリッジ相互接続のための手段、およびカプセル化のための手段の上に位置しているメタライゼーション部分であって、少なくとも１つの誘電体層および複数のメタライゼーション相互接続部を含む、メタライゼーション部分と、第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部およびメタライゼーション部分に結合された第１の複数のピラー相互接続部であって、カプセル化のための手段に位置している、第１の複数のピラー相互接続部と、第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部およびメタライゼーション部分に結合された第２の複数のピラー相互接続部であって、カプセル化のための手段に位置している、第２の複数のピラー相互接続部とを含む装置を提供する。

【0007】

別の例は、パッケージを製造するための方法を提供する。この方法は、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスにブリッジを結合する。第１の集積デバイスは、第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える。第２の集積デバイスは、第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える。この方法は、第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部の上に第１の複数のピラー相互接続部を形成する。この方法は、第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部の上に第２の複数のピラー相互接続部を形成する。この方法は、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、ブリッジ、第１の複数のピラー相互接続部、および第２の複数のピラー相互接続部を少なくとも部分的にカプセル化するカプセル化層を形成する。この方法は、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、ブリッジ、およびカプセル化層の上にメタライゼーション部分を形成し、メタライゼーション部分を形成することは、少なくとも１つの誘電体層を形成することと、複数のメタライゼーション相互接続部を形成することとを含む。

【0008】

様々な特徴、性質、および利点は、同様の参照符号が全体にわたって対応して同じものを指す図面と併せて読まれると、以下に記載する詳細な説明から明らかになり得る。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージを示す図である。

【図2】ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージを示す図である。

【図3】ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージがあるパッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）を示す図である。

【図4】複数のブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージを示す図である。

【図5A】ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージを製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図5B】ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージを製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図5C】ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージを製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図5D】ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージを製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図6】ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージを製造するための方法の例示的な流れ図である。

【図7A】ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージを製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図7B】ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージを製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図7C】ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージを製造するための例示的なシーケンスを示す図である。

【図8】ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージを製造するための方法の例示的な流れ図である。

【図9】ダイ、集積デバイス、集積受動デバイス（ＩＰＤ）、デバイスパッケージ、パッケージ、集積回路、および／または本明細書で説明するＰＣＢを集積化し得る様々な電子デバイスを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下の説明では、本開示の様々な態様を完全に理解することが可能なように具体的な詳細を示す。しかしながら、態様がこれらの具体的な詳細なしに実践される場合があることが、当業者によって理解されよう。たとえば、回路は、不必要な詳細で態様を曖昧にすることを避けるために、ブロック図で示されることがある。他の事例では、よく知られている回路、構造、および技法は、本開示の態様を曖昧にしないために、詳細に示されないことがある。

【0011】

本開示は、第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える第１の集積デバイスと、第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える第２の集積デバイスと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合されたブリッジと、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、およびブリッジを少なくとも部分的にカプセル化するカプセル化層と、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、ブリッジ、およびカプセル化層の上に位置しているメタライゼーション部分であって、少なくとも１つの誘電体層および複数のメタライゼーション相互接続部を含む、メタライゼーション部分と、第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部およびメタライゼーション部分に結合された第１の複数のピラー相互接続部であって、カプセル化層に位置している、第１の複数のピラー相互接続部と、第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部およびメタライゼーション部分に結合された第２の複数のピラー相互接続部であって、カプセル化層に位置している、第２の複数のピラー相互接続部とを含むパッケージを説明する。ブリッジの使用は、集積デバイス間により短い電気経路を設けるのに役立つ可能性があり、集積デバイスおよびパッケージの性能を改善するのに役立ち得る。

【0012】

ブリッジを通して結合された集積デバイスを含む例示的パッケージ
図１は、ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージ１００の一例を示す。パッケージ１００は、複数のはんだ相互接続部１７０を通してボード１９０（たとえば、プリント回路板）に結合される。パッケージ１００は、集積デバイス１０２と、集積デバイス１０４と、メタライゼーション部分１０６と、ブリッジ１０８と、カプセル化層１１０とを含む。

【0013】

メタライゼーション部分１０６は、少なくとも１つの誘電体層１６０と、複数のメタライゼーション相互接続部１６２とを含む。ブリッジ１０８の裏の面（ｂａｃｋ ｓｉｄｅ）が、メタライゼーション部分１０６に面している。ブリッジ１０８の裏の面は、メタライゼーション部分１０６に結合され得る。メタライゼーション部分１０６は、カプセル化層１１０に結合される。カプセル化層１１０は、ブリッジ１０８を少なくとも部分的にカプセル化し得る。カプセル化層１１０は、カプセル化のための手段であり得る。集積デバイス１０２および集積デバイス１０４は、ブリッジ１０８に結合され得る。集積デバイス１０２の表の面（ｆｒｏｎｔ ｓｉｄｅ）は、ブリッジ１０８の表の面に面し得る。集積デバイス１０２の表の面は、メタライゼーション部分１０６にも面し得る。メタライゼーション部分１０６は、第１のメタライゼーション部分であってよい。集積デバイス１０２は、複数のピラー相互接続部１１２を通してメタライゼーション部分１０６に結合される（たとえば、機械的に結合される、電気的に結合される）場合がある。複数のピラー相互接続部１１２は、複数のモールド貫通ビア（ｔｈｒｏｕｇｈ ｍｏｌｄ ｖｉａ）（たとえば、ＴＭＶ）および／または複数のモールド貫通相互接続部であってもよい。

【0014】

同様に、集積デバイス１０４の表の面は、ブリッジ１０８の表の面に面し得る。集積デバイス１０４の表の面は、メタライゼーション部分１０６にも面し得る。集積デバイス１０４は、複数のピラー相互接続部１１４を通してメタライゼーション部分１０６に結合される（たとえば、機械的に結合される、電気的に結合される）場合がある。複数のピラー相互接続部１１４は、複数のモールド貫通ビア（たとえば、ＴＭＶ）および／または複数のモールド貫通相互接続部であってもよい。集積デバイス１０２および集積デバイス１０４は、パッケージ１００の裏の面の一部であり得る。

【0015】

メタライゼーション部分１０６は、ブリッジ１０８、複数のピラー相互接続部１１２、複数のピラー相互接続部１１４、集積デバイス１０２、および／または集積デバイス１０４を少なくとも部分的にカプセル化し得る。メタライゼーション部分１０６は、パッケージ１００の表の面の一部であってもよく、かつ／またはその表の面に位置していてもよい。

【0016】

集積デバイス１０２は、ブリッジ１０８を通して集積デバイス１０４に電気的に結合されるように構成され得る。ブリッジ１０８の１つの利点は、ブリッジ１０８が、集積デバイス１０２と集積デバイス１０４との間の電流（たとえば、電気信号、入力／出力信号）により短い電気経路を設け、パッケージ１００の全体的性能および集積デバイス１０２および集積デバイス１０４の性能を向上させるのに役立つことである。ブリッジ１０８を通って進む集積デバイス１０２と集積デバイス１０４との間の電流は、複数のピラー相互接続部１１２、複数のピラー相互接続部１１４、およびメタライゼーション部分１０６を通って進む必要がない。さらに、以下でさらに説明するように、ブリッジ１０８は、１マイクロメートル以下（たとえば、０．５～１マイクロメートル）の幅を含む複数のブリッジ相互接続部を含むように構成され得る。ブリッジ１０８のブリッジ相互接続部は、メタライゼーション部分１０６の複数のメタライゼーション相互接続部１６２の幅よりも小さい幅を有し得る。ブリッジ相互接続部のより小さい幅は、集積デバイス１０２と集積デバイス１０４との間の所与の領域により多くの電気経路を設けるのに役立つ可能性があり、集積デバイス１０２と集積デバイス１０４との間でより高速の通信およびより多くの通信経路を可能にするのに役立ち得る。

【0017】

集積デバイス１０２（たとえば、第１の集積デバイス）は、ダイ（たとえば、ベア半導体ダイ）を含み得る。集積デバイス１０２は、ダイ基板１２０と、パッシベーション層１２２と、複数のパッド１２４とを含む。集積デバイス１０２は、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部１２６を含み得る。ダイ基板１２０は、シリコンを含み得る。ダイ基板１２０は、複数の能動デバイス（たとえば、トランジスタ）を含み得る。ダイ基板１２０を製造するために、フロントエンドオブライン（ｆｒｏｎｔ ｅｎｄ ｏｆ ｌｉｎｅ：ＦＥＯＬ）プロセスが使用され得る。複数のパッド１２４は、ダイ基板１２０の上に位置していてもよい。複数のパッド１２４は、集積デバイス１０２の最上層であってもよい。複数のパッド１２４は、能動デバイス（たとえば、トランジスタ）に電気的に結合されるように構成されてもよい。パッシベーション層１２２は、複数のパッド１２４およびダイ基板１２０の上に位置していてもよい。集積デバイス１０２は、表面（ｆｒｏｎｔｓｉｄｅ）および裏面（ｂａｃｋｓｉｄｅ）を含み得る。集積デバイス１０２の表面は、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部１２６、複数のパッド１２４、および／またはパッシベーション層１２２を含む集積デバイス１０２の面を含み得る。集積デバイス１０２の裏面は、複数のパッド１２４に背を向ける面を含み得る。集積デバイス１０２の裏面は、ダイ基板１２０を含む面を含み得る。複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部１２６は、複数のパッド１２４に結合される。

【0018】

集積デバイス１０４（たとえば、第２の集積デバイス）は、ダイ（たとえば、ベア半導体ダイ）を含み得る。集積デバイス１０４は、ダイ基板１４０と、パッシベーション層１４２と、複数のパッド１４４とを含む。集積デバイス１０４は、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部１４６を含み得る。ダイ基板１４０は、シリコンを含み得る。ダイ基板１４０は、複数の能動デバイス（たとえば、トランジスタ）を含み得る。ダイ基板１４０を製造するために、フロントエンドオブライン（ＦＥＯＬ）プロセスが使用され得る。複数のパッド１４４は、ダイ基板１４０の上に位置していてもよい。複数のパッド１４４は、集積デバイス１０４の最上層であってもよい。複数のパッド１４４は、能動デバイス（たとえば、トランジスタ）に電気的に結合されるように構成されてもよい。パッシベーション層１４２は、複数のパッド１４４およびダイ基板１４０の上に位置していてもよい。集積デバイス１０４は、表面および裏面を含み得る。集積デバイス１０４の表面は、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部１４６、複数のパッド１４４、および／またはパッシベーション層１４２を含む集積デバイス１０４の面を含み得る。集積デバイス１０４の裏面は、複数のパッド１４４に背を向ける面を含み得る。集積デバイス１０４の裏面は、ダイ基板１４０を含む面を含み得る。複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部１４６は、複数のパッド１４４に結合される。

【0019】

いくつかの実装形態では、集積デバイス１０２および／または集積デバイス１０４は、ダイ基板（たとえば、１２０、１４０）の上に位置している１つまたは複数の相互接続部および１つまたは複数の誘電体層を含み得る。１つまたは複数の相互接続部および１つまたは複数の誘電体層は、ダイ基板（たとえば、１２０、１４０）とパッシベーション層（たとえば、１２２、１４２）との間に位置していてもよい。そのような事例では、複数のパッド（たとえば、１２４、１４４）は、１つまたは複数の相互接続部に結合されてもよい。１つまたは複数の相互接続部は、１つまたは複数の能動デバイス（たとえば、トランジスタ）に結合されてもよい。１つまたは複数の相互接続部および１つまたは複数の誘電体層を製造するために、バックエンドオブライン（ｂａｃｋ ｅｎｄ ｏｆ ｌｉｎｅ：ＢＥＯＬ）プロセスが使用され得る。

【0020】

ブリッジ１０８は、基板１８０（たとえば、ダイ基板）と、パッシベーション層１８２と、複数のブリッジ相互接続部１８５と、複数のブリッジ相互接続部１８４と、複数のブリッジ相互接続部１８６とを含む。ブリッジ１０８は、ブリッジ相互接続のための手段であってもよい。ブリッジ１０８は、ブリッジダイであってもよい。ブリッジ１０８は、受動ダイであってもよい。基板１８０は、シリコンを含み得る。複数のブリッジ相互接続部１８５は、基板１８０の上に形成され、位置している。パッシベーション層１８２は、複数のブリッジ相互接続部１８５の上に位置していてもよい。複数のブリッジ相互接続部１８４は、複数のブリッジ相互接続部１８５に結合される。複数のブリッジ相互接続部１８６は、複数のブリッジ相互接続部１８５に結合される。複数のブリッジ相互接続部１８４および／または複数のブリッジ相互接続部１８６は、複数のブリッジアンダーバンプメタライゼーション相互接続部および／または複数のブリッジポスト相互接続部を含んでもよい。複数のブリッジ相互接続部１８５は、ブリッジ相互接続部の列に配置されてもよい。いくつかの実装形態では、複数のブリッジ相互接続部１８５からの１つまたは複数のブリッジ相互接続部は、１マイクロメートル以下（たとえば、０．５～１マイクロメートル）の幅を有してもよい。いくつかの実装形態では、複数のブリッジ相互接続部１８５からの１つまたは複数のブリッジ相互接続部は、０．５マイクロメートルの最小幅を有してもよい。いくつかの実装形態では、複数のブリッジ相互接続部１８５からの２つの隣接するブリッジ相互接続部は、１マイクロメートル以下（たとえば、０．５～１マイクロメートル）であってもよい。いくつかの実装形態では、複数のブリッジ相互接続部１８５からの２つの隣接するブリッジ相互接続部間の最小間隔は、０．５マイクロメートルであってもよい。

【0021】

ブリッジ１０８は、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部１２６が複数のブリッジ相互接続部１８４に結合されるように、集積デバイス１０２に結合される。複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部１２６と複数のブリッジ相互接続部１８４との間にインターフェースがあっても、なくてもよい。ブリッジ１０８は、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部１４６が複数のブリッジ相互接続部１８６に結合されるように、集積デバイス１０４に結合される。複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部１４６と複数のブリッジ相互接続部１８６との間にインターフェースがあっても、なくてもよい。

【0022】

集積デバイス１０２と集積デバイス１０４との間の電気経路が、パッド１２４ａと、アンダーバンプメタライゼーション相互接続部１２６ａと、複数のブリッジ相互接続部１８４からのブリッジ相互接続部と、複数のブリッジ相互接続部１８５からのブリッジ相互接続部と、複数のブリッジ相互接続部１８６からのブリッジ相互接続部と、アンダーバンプメタライゼーション相互接続部１４６ａと、パッド１４４ａとを含み得る。ブリッジ１０８は、ブリッジ相互接続部の列に配置され得るいくつかの電気経路を含んでもよい。電気経路は、集積デバイス１０２と集積デバイス１０４との間の電流（たとえば、入力／出力信号）を可能にするように構成されてもよい。

【0023】

図１は、アンダーバンプメタライゼーション相互接続部１２６ａと複数のブリッジ相互接続部１８４からのブリッジ相互接続部との間のインターフェースを示している。しかしながら、いくつかの実装形態では、アンダーバンプメタライゼーション相互接続部１２６ａと複数のブリッジ相互接続部１８４からのブリッジ相互接続部との間のインターフェースがない場合がある。いくつかの実装形態では、アンダーバンプメタライゼーション相互接続部１２６ａの表の面が、複数のブリッジ相互接続部１８４からのブリッジ相互接続部に結合される。アンダーバンプメタライゼーション相互接続部の表の面は、アンダーバンプメタライゼーション相互接続部の最も広い部分である面であってもよい。金属間酸化物接合（ｍｅｔａｌ－ｔｏ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｂｏｎｄｉｎｇ）プロセスおよび／またはハイブリッド接合（ｈｙｂｒｉｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）プロセスが、アンダーバンプメタライゼーション相互接続部１２６ａの表の面を複数のブリッジ相互接続部１８４からのブリッジ相互接続部に結合するために使用されてもよい。

【0024】

図１はまた、アンダーバンプメタライゼーション相互接続部１４６ａと複数のブリッジ相互接続部１８６からのブリッジ相互接続部との間のインターフェースを示している。しかしながら、いくつかの実装形態では、アンダーバンプメタライゼーション相互接続部１４６ａと複数のブリッジ相互接続部１８６からのブリッジ相互接続部との間のインターフェースがない場合がある。いくつかの実装形態では、アンダーバンプメタライゼーション相互接続部１４６ａの表の面が、複数のブリッジ相互接続部１８６からのブリッジ相互接続部に結合される。金属間酸化物接合プロセスおよび／またはハイブリッド接合プロセスが、アンダーバンプメタライゼーション相互接続部１４６ａの表の面を複数のブリッジ相互接続部１８６からのブリッジ相互接続部に結合するために使用されてもよい。

【0025】

パッケージ１００の異なる構成要素は、異なるサイズおよび／または形状を有してもよい。たとえば、集積デバイス（たとえば、１０２、１０４）は、約１４０マイクロメートルの厚さを有してもよい。パッシベーション層（たとえば、１２２、１４２）は、約５マイクロメートルの厚さを有してもよい。複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部（たとえば、１２６、１４６）は、約５０マイクロメートルの幅を有してもよい。ブリッジ１０８は、約２５マイクロメートルの厚さを有してもよい。複数のブリッジ相互接続部（たとえば、１８４、１８６）は、約３０マイクロメートルの幅を有してもよい。複数のメタライゼーション相互接続部１６２の金属層の各々が、約４～５マイクロメートルの厚さを有してもよい。異なる実装形態が、ブリッジ１０８を集積デバイス１０２および集積デバイス１０４に結合し得る。

【0026】

図２は、ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージ２００の一例を示す。パッケージ２００は、複数のはんだ相互接続部１７０を通してボード１９０（たとえば、プリント回路板）に結合される。パッケージ２００は、パッケージ１００と同様であり、したがって、パッケージ１００と同様の構成要素を含む。パッケージ２００は、集積デバイス１０２と、集積デバイス１０４と、メタライゼーション部分１０６と、ブリッジ１０８と、カプセル化層１１０とを含む。

【0027】

図２は、ブリッジ１０８が、複数のはんだ相互接続部２８４を通して集積デバイス１０２に結合されることを示す。図２はまた、ブリッジ１０８が、複数のはんだ相互接続部２８６を通して集積デバイス１０４に結合されることを示す。複数のはんだ相互接続部２８４は、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部１２６からの少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション相互接続部（たとえば、１２６ａ）、および複数のブリッジ相互接続部１８４に結合される。複数のはんだ相互接続部２８６は、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部１４６からの少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション相互接続部（たとえば、１４６ａ）、および複数のブリッジ相互接続部１８６に結合される。

【0028】

集積デバイス１０２と集積デバイス１０４との間の電気経路が、パッド１２４ａと、アンダーバンプメタライゼーション相互接続部１２６ａと、複数のはんだ相互接続部２８４からのはんだ相互接続部と、複数のブリッジ相互接続部１８４からのブリッジ相互接続部と、複数のブリッジ相互接続部１８５からのブリッジ相互接続部と、複数のブリッジ相互接続部１８６からのブリッジ相互接続部と、複数のはんだ相互接続部２８６からのはんだ相互接続部と、アンダーバンプメタライゼーション相互接続部１４６ａと、パッド１４４ａとを含み得る。ブリッジ１０８は、ブリッジ相互接続部の列に配置され得るいくつかの電気経路を含んでもよい。電気経路は、集積デバイス１０２と集積デバイス１０４との間の電流（たとえば、入力／出力信号）を可能にするように構成されてもよい。

【0029】

いくつかの実装形態では、図１および図２のパッケージは、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）の一部として実装されてもよい。図３は、ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージ３００を示す。パッケージ３００は、複数のはんだ相互接続部１７０を通してボード１９０（たとえば、プリント回路板）に結合される。パッケージ３００は、パッケージ１００と同様であり、したがってパッケージ１００と同様の構成要素を含み得る。パッケージ３００はまた、追加の構成要素を含み得る。パッケージ３００は、集積デバイス１０２と、集積デバイス１０４と、メタライゼーション部分１０６と、ブリッジ１０８と、カプセル化層１１０と、メタライゼーション部分３０６とを含む。集積デバイス３０２および集積デバイス３０４は、パッケージ３００に結合される。パッケージ３００、集積デバイス３０２、および集積デバイス３０４は、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）として実装されてもよい。いくつかの実装形態では、メタライゼーション部分１０６は、第１のメタライゼーション部分１０６であってもよく、メタライゼーション部分３０６は、第２のメタライゼーション部分であってもよい。

【0030】

集積デバイス１０２、集積デバイス１０４、メタライゼーション部分１０６、ブリッジ１０８、およびカプセル化層１１０は、パッケージ１００について説明した同様の方法で互いに結合されてもよい。集積デバイス１０２は、図１のパッケージ１００および／または図２のパッケージ２００について説明した同様の方法で、ブリッジ１０８を通して集積デバイス１０４に結合されるように構成されてもよい。メタライゼーション部分３０６は、カプセル化層１１０、集積デバイス１０２の裏の面、および集積デバイス１０４の裏の面に結合され得る。いくつかの実装形態では、集積デバイス１０２の裏の面および／または集積デバイス１０４の裏の面をメタライゼーション部分３０６に結合するために、１つまたは複数の接着剤（図示せず）が使用され得る。接着剤の使用については、少なくとも図７Ａ～図７Ｃにおいて以下で説明する。メタライゼーション部分３０６は、パッケージ３００の裏の面の一部と見なされてもよい。メタライゼーション部分３０６は、少なくとも１つの誘電体層３６０（たとえば、少なくとも１つの第２の誘電体層）と、複数の相互接続部３６２とを含む。複数の相互接続部３６２は、複数のメタライゼーション相互接続部（たとえば、第２の複数のメタライゼーション相互接続部）を含み得る。メタライゼーション部分３０６は、複数のピラー相互接続部３１２を通してメタライゼーション部分１０６に電気的に結合されるように構成され得る。複数のピラー相互接続部３１２は、複数のメタライゼーション相互接続部１６２および複数の相互接続部３６２に結合され得る。複数のピラー相互接続部３１２は、カプセル化層１１０に位置していてもよい。複数のピラー相互接続部３１２は、複数のモールド貫通ビア（たとえば、ＴＭＶ）および／または複数のモールド貫通相互接続部であってもよい。カプセル化層１１０は、モールド、レジン、エポキシおよび／またはポリマーを含み得る。カプセル化層１１０は、カプセル化のための手段であり得る。

【0031】

集積デバイス３０２は、複数のピラー相互接続部３２２および／または複数のはんだ相互接続部３２０を通してメタライゼーション部分３０６に結合される。たとえば、集積デバイス３０２は、複数のピラー相互接続部３２２および／または複数のはんだ相互接続部３２０を通して複数の相互接続部３６２に結合される。集積デバイス３０４は、複数のピラー相互接続部３４２および／または複数のはんだ相互接続部３４０を通してメタライゼーション部分３０６に結合される。たとえば、集積デバイス３０４は、複数のピラー相互接続部３４２および／または複数のはんだ相互接続部３４０を通して複数の相互接続部３６２に結合される。集積デバイス３０２および／または集積デバイス３０４は、集積デバイス１０２および／または集積デバイス１０４と同様であってもよい。

【0032】

いくつかの実装形態では、集積デバイス３０２は、複数のピラー相互接続部３２２、複数のはんだ相互接続部３２０、メタライゼーション部分３０６の複数の相互接続部３６２、複数のピラー相互接続部３１２、メタライゼーション部分１０６の複数のメタライゼーション相互接続部１６２、および複数のピラー相互接続部１１２を通して、集積デバイス１０２に電気的に結合されるように構成されてもよい。

【0033】

いくつかの実装形態では、集積デバイス３０４は、複数のピラー相互接続部３４２、複数のはんだ相互接続部３４０、メタライゼーション部分３０６の複数の相互接続部３６２、複数のピラー相互接続部３１２、メタライゼーション部分１０６の複数のメタライゼーション相互接続部１６２、および複数のピラー相互接続部１１４を通して、集積デバイス１０４に電気的に結合されるように構成されてもよい。

【0034】

複数のメタライゼーション相互接続部１６２は、メタライゼーション相互接続のための手段であってもよい。複数のメタライゼーション相互接続部３６２は、メタライゼーション相互接続のための手段であってもよい。複数のメタライゼーション相互接続部１６２および／または３６２は、少なくとも１つの再分配層（ＲＤＬ）相互接続部（たとえば、再分配相互接続部）を含んでもよい。再分配層相互接続部は、Ｕ字形またはＶ字形を含み得る。「Ｕ字形」および「Ｖ字形」という用語は、交換可能である。「Ｕ字形」および「Ｖ字形」という用語は、相互接続部および／または再分配層相互接続部の側面形状を指す場合がある。Ｕ字形の相互接続部（たとえば、Ｕ字形の側面形状相互接続部）およびＶ字形の相互接続部（たとえば、Ｖ字形の側面形状相互接続部）は、上部部分と底部部分とを有し得る。Ｕ字形の相互接続部（またはＶ字形の相互接続部）の底部部分は、別のＵ字形の相互接続部（またはＶ字形の相互接続部）の上部部分に結合され得る。

【0035】

パッケージが、３つ以上の集積デバイスと、２つ以上のブリッジとを含み得ることに留意されたい。図４は、ブリッジを通して結合されたいくつかの集積デバイスを含むパッケージ４００の平面図を示す。パッケージ４００は、集積デバイス１０２と、集積デバイス１０４と、集積デバイス４０２と、集積デバイス４０４と、ブリッジ１０８と、ブリッジ４０８と、ブリッジ４２０と、ブリッジ４４０とを含む。いくつかの実装形態では、パッケージ１００、２００、および／または３００は、パッケージ４００によって表され得る。

【0036】

図４に示すように、集積デバイス１０２は、ブリッジ１０８を通して集積デバイス１０４に結合される。集積デバイス１０２は、ブリッジ１０８を通して集積デバイス１０４と通信し得る。集積デバイス１０２は、ブリッジ４２０を通して集積デバイス４０２に結合される。集積デバイス１０２は、ブリッジ４２０を通して集積デバイス４０２と通信し得る。集積デバイス４０２は、ブリッジ４０８を通して集積デバイス４０４に結合される。集積デバイス４０２は、ブリッジ４０８を通して集積デバイス４０４と通信し得る。集積デバイス４０４は、ブリッジ４４０を通して集積デバイス１０４に結合される。集積デバイス４０４は、ブリッジ４４０を通して集積デバイス１０４と通信し得る。ブリッジ４０８は、複数のブリッジ相互接続部４８５を含む。ブリッジ４２０は、複数のブリッジ相互接続部４２２を含む。ブリッジ４４０は、複数のブリッジ相互接続部４４２を含む。ブリッジ４０８、ブリッジ４２０、および／またはブリッジ４４０は、ブリッジ１０８と同様であってもよい。しかしながら、ブリッジ４０８、ブリッジ４２０、および／またはブリッジ４４０は、異なるサイズ、形状、および／または異なる数のブリッジ相互接続部を有してもよい。

【0037】

集積デバイス（たとえば、１０２、１０４、３０２、３０４、４０２、４０４）は、ダイ（たとえば、ベアダイ）を含み得る。本開示で説明する集積デバイスのいずれも、集積デバイス１０２および／または１０４について説明するものと同様の構造を有し得る。集積デバイスは、無線周波数（ＲＦ）デバイス、アナログデバイス、受動デバイス、フィルタ、キャパシタ、インダクタ、アンテナ、送信機、受信機、表面音響波（ＳＡＷ）フィルタ、バルク音響波（ＢＡＷ）フィルタ、発光ダイオード（ＬＥＤ）集積デバイス、シリコン（Ｓｉ）ベース集積デバイス、炭化ケイ素（ＳｉＣ）ベース集積デバイス、ＧａＡｓベース集積デバイス、ＧａＮベース集積デバイス、メモリ、電力管理プロセッサ、および／またはそれらの組合せを含み得る。

【0038】

様々なパッケージについて説明したが、パッケージを製造するためのシーケンスおよびプロセスについて、以下で説明する。

【0039】

ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージを製造するための例示的なシーケンス
いくつかの実装形態では、パッケージを製造することは、いくつかのプロセスを含む。図５Ａ～図５Ｄは、パッケージを提供または製造するための例示的なシーケンスを示す。いくつかの実装形態では、図５Ａ～図５Ｄのシーケンスは、図１のパッケージ１００、および／または本開示で説明する他のパッケージを提供または製造するために使用され得る。

【0040】

図５Ａ～図５Ｄのシーケンスは、パッケージを提供または製造するためのシーケンスを簡略化および／または明確化するために、１つまたは複数のステージを組み合わせ得ることに留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順序は変更または修正されてもよい。いくつかの実装形態では、プロセスのうちの１つまたは複数は、本開示の主旨を逸脱することなく交換または置換されてもよい。

【0041】

図５Ａに示すステージ１は、集積デバイス１０２（たとえば、第１の集積デバイス）および集積デバイス１０４（たとえば、第２の集積デバイス）がキャリア５００に結合された後の状態を示す。集積デバイス（たとえば、１０２、１０４）は、ダイ基板（たとえば、１２０、１４０）と、複数のパッド（たとえば、１２４、１４４）と、パッシベーション層（たとえば、１２２、１４２）とを含み得る。集積デバイス（たとえば、１０２、１０４）はまた、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部（たとえば、１２６、１４６）を含み得る。集積デバイス（たとえば、１０２、１０４）は、ダイ（たとえば、ベアダイ、第１のダイ）を含み得る。いくつかの実装形態では、フロントエンドオブライン（ＦＥＯＬ）プロセスが、集積デバイスまたは集積デバイスの一部を製造するために使用されてもよい。

【0042】

ステージ２は、ブリッジ１０８が、集積デバイス１０２および集積デバイス１０４に結合された後の状態を示す。ブリッジ１０８は、ブリッジ１０８の表の面が集積デバイス１０２の表の面および集積デバイス１０４の表の面に面するように、集積デバイス１０２および集積デバイス１０４に結合されてもよい。いくつかの実装形態では、金属間酸化物接合プロセスおよび／またはハイブリッド接合プロセスが、ブリッジ１０８を集積デバイス１０２および１０４に結合するために使用されてもよい。その結果、図１のパッケージ１００について説明した同様の方法で集積デバイス１０２および１０４に結合されたブリッジ１０８となり得る。いくつかの実装形態では、ブリッジ１０８は、はんだリフロープロセスによって複数のはんだ相互接続部を通して集積デバイス１０２および集積デバイス１０４に結合されてもよい。その結果、図２のパッケージ２００について説明した同様の方法で集積デバイス１０２および１０４に結合されたブリッジ１０８となり得る。

【0043】

ステージ３は、複数のピラー相互接続部１１２が集積デバイス１０２の上に形成された後の状態を示す。複数のピラー相互接続部１１２（たとえば、第１の複数のピラー相互接続部）は、集積デバイス１０２の一部と見なされてもよい。複数のピラー相互接続部１１２は、複数のパッド１２４の上に形成され得る。複数のピラー相互接続部１１２を形成するために、めっきプロセスが使用され得る。ステージ２はまた、複数のピラー相互接続部１１４が集積デバイス１０４の上に形成された後の状態を示す。複数のピラー相互接続部１１４（たとえば、第２の複数のピラー相互接続部）は、集積デバイス１０４の一部と見なされてもよい。複数のピラー相互接続部１１４は、複数のパッド１４４の上に形成され得る。複数のピラー相互接続部１１４を形成するために、めっきプロセスが使用され得る。

【0044】

ステージ４は、カプセル化層１１０が、キャリア５００、集積デバイス１０２、集積デバイス１０４、ブリッジ１０８、複数のピラー相互接続部１１２、および複数のピラー相互接続部１１４の上に形成された後の状態を示す。カプセル化層１１０は、モールド、レジン、エポキシおよび／またはポリマーを含み得る。カプセル化層１１０は、カプセル化のための手段であり得る。カプセル化層１１０を形成および／または配設するプロセスは、圧縮およびトランスファー成形プロセス、シート成形プロセス、または液体成形プロセスを使用することを含み得る。

【0045】

図５Ｂに示すステージ５は、カプセル化層１１０の一部、ブリッジ１０８の一部、複数のピラー相互接続部１１２の一部、および／または複数のピラー相互接続部１１４の一部が取り除かれた後の状態を示す。カプセル化層１１０の一部、ブリッジ１０８の一部、複数のピラー相互接続部１１２の一部、および／または複数のピラー相互接続部１１４の一部を取り除くために、研削プロセスおよび／または研磨プロセスが使用されてもよい。研削プロセスおよび／または研磨プロセスの後、カプセル化層１１０の表面（たとえば、上面）が、複数のピラー相互接続部１１２の表面（たとえば、上面）、複数のピラー相互接続部１１４の表面、および／またはブリッジ１０８の裏の面の表面と平面であってもよい。研削および／または研磨プロセスは、パッケージの全体的な厚さを減らすのに役立ち得る。

【0046】

ステージ６は、複数のメタライゼーション相互接続部５０３が複数のピラー相互接続部１１２、複数のピラー相互接続部１１４、およびカプセル化層１１０の上に形成された後の状態を示す。メタライゼーション相互接続部５０３は、複数の再分配層相互接続部を含んでもよい。複数のメタライゼーション相互接続部５０３は、Ｕ字形の相互接続部またはＶ字形の相互接続部を含む再分配相互接続部を含んでもよい。複数のメタライゼーション相互接続部５０３を形成するために、堆積プロセス（たとえば、めっきプロセス）が使用されてもよい。メタライゼーション相互接続部５０３を形成することは、シード層を形成すること、リソグラフィプロセス、めっきプロセス、剥離プロセス、および／またはエッチングプロセスを実行することを含み得る。

【0047】

ステージ７は、誘電体層５１０がメタライゼーション相互接続部５０３の上に形成された後の状態を示す。誘電体層５１０を形成するために、堆積プロセスが使用されてもよい。

【0048】

ステージ８は、開口５１１が誘電体層５１０に形成された後の状態を示す。開口５１１を形成するために、エッチングプロセスが使用されてもよい。

【0049】

図５Ｃに示すステージ９は、複数のメタライゼーション相互接続部５１３が誘電体層５１０の中および上に形成された後の状態を示す。複数のメタライゼーション相互接続部５１３のいくつかは、誘電体層５１０の空洞（たとえば、５１１）に形成され得る。複数のメタライゼーション相互接続部５１３は、複数のメタライゼーション相互接続部５０３に結合され得る。複数のメタライゼーション相互接続部５１３を形成することは、シード層を形成すること、リソグラフィプロセス、めっきプロセス、剥離プロセス、および／またはエッチングプロセスを実行することを含み得る。

【0050】

ステージ１０は、誘電体層５２０および複数のメタライゼーション相互接続部５２３が、誘電体層５１０および複数のメタライゼーション相互接続部５１３の上に形成された後の状態を示す。複数のメタライゼーション相互接続部５２３は、複数のメタライゼーション相互接続部５１３に結合され得る。誘電体層５２０を形成するために、堆積プロセスが使用されてもよい。複数のメタライゼーション相互接続部５２３を形成することは、シード層を形成すること、リソグラフィプロセス、めっきプロセス、剥離プロセス、および／またはエッチングプロセスを実行することを含み得る。

【0051】

ステージ１１は、誘電体層５３０、複数のメタライゼーション相互接続部５３３、および誘電体層５４０が、誘電体層５２０および複数のメタライゼーション相互接続部５２３の上に形成された後の状態を示す。複数のメタライゼーション相互接続部５３３は、複数のメタライゼーション相互接続部５２３に結合され得る。誘電体層５３０を形成するために、堆積プロセスが使用されてもよい。複数のメタライゼーション相互接続部５３３を形成することは、シード層を形成すること、リソグラフィプロセス、めっきプロセス、剥離プロセス、および／またはエッチングプロセスを実行することを含み得る。誘電体層５４０を形成するために、堆積プロセスおよびエッチングプロセスが使用されてもよい。ステージ１１は、少なくとも１つの誘電体層１６０と、複数のメタライゼーション相互接続部１６２とを含むメタライゼーション部分１０６を示し得る。少なくとも１つの誘電体層１６０は、誘電体層５１０、誘電体層５２０、誘電体層５３０、および／または誘電体層５４０を表し得る。複数のメタライゼーション相互接続部１６２は、複数のメタライゼーション相互接続部５０３、５１３、５２３、および／または５３３を表し得る。

【0052】

図５Ｄに示すステージ１２は、キャリア５００が取り除かれた後の状態を示す。キャリア５００を取り除くことは、集積デバイス１０２の裏の面、および集積デバイス１０４の裏の面からキャリア５００を分離することを含み得る。キャリア５００は、集積デバイス１０２、集積デバイス１０４、およびカプセル化層１１０から取り除かれる、研削される、かつ／または剥ぎ取られる場合がある。

【0053】

ステージ１３は、複数のはんだ相互接続部１７０が複数のメタライゼーション相互接続部１６２に結合された後の状態を示す。ステージ１３は、集積デバイス１０２と、集積デバイス１０４と、ブリッジ１０８と、カプセル化層１１０と、メタライゼーション部分１０６とを含むパッケージ１００を示し得る。

【0054】

ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージを製造するための方法の例示的な流れ図
いくつかの実装形態では、パッケージを製造することは、いくつかのプロセスを含む。図６は、パッケージを提供または製造するための方法６００の例示的な流れ図を示す。いくつかの実装形態では、図６の方法６００は、図１～図２のパッケージ、および／または本開示で説明する他のパッケージを提供または製造するために使用され得る。

【0055】

図６の方法６００は、パッケージを提供または製造するための方法を簡略化および／または明確化するために、１つまたは複数のプロセスを組み合わせ得ることに留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順序は変更または修正されてもよい。

【0056】

この方法は、（６０５において）集積デバイス１０２（たとえば、第１の集積デバイス）および集積デバイス１０４（たとえば、第２の集積デバイス）をキャリア（たとえば、５００）に結合する。集積デバイス（たとえば、１０２、１０４）は、ダイ基板（たとえば、１２０、１４０）と、複数のパッド（たとえば、１２４、１４４）と、パッシベーション層（たとえば、１２２、１４２）とを含み得る。集積デバイス（たとえば、１０２、１０４）はまた、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部（たとえば、１２６、１４６）を含み得る。集積デバイス（たとえば、１０２、１０４）は、ダイ（たとえば、ベアダイ、第１のダイ）を含み得る。いくつかの実装形態では、フロントエンドオブライン（ＦＥＯＬ）プロセスが、集積デバイスまたは集積デバイスの一部を製造するために使用されてもよい。図５Ａのステージ１は、集積デバイスをキャリアに結合する一例を示して説明する。

【0057】

この方法は、（６１０において）ブリッジ（たとえば、１０８）を集積デバイス（たとえば、１０２、１０４）に結合する。ブリッジ１０８は、ブリッジ１０８の表の面が集積デバイス１０２の表の面および集積デバイス１０４の表の面に面するように、集積デバイス１０２および集積デバイス１０４に結合されてもよい。いくつかの実装形態では、金属間酸化物接合プロセスおよび／またはハイブリッド接合プロセスが、ブリッジ１０８を集積デバイス１０２および１０４に結合するために使用されてもよい。その結果、図１のパッケージ１００について説明した同様の方法で集積デバイス１０２および１０４に結合されたブリッジ１０８となり得る。いくつかの実装形態では、ブリッジ１０８は、はんだリフロープロセスによって複数のはんだ相互接続部を通して集積デバイス１０２および集積デバイス１０４に結合されてもよい。その結果、図２のパッケージ２００について説明した同様の方法で集積デバイス１０２および１０４に結合されたブリッジ１０８となり得る。図５Ａのステージ２は、集積デバイスに結合されたブリッジの一例を示して説明する。

【0058】

この方法は、（６１５において）複数のピラー相互接続部（たとえば、１１２、１１４）を集積デバイス（たとえば、１０２、１０４）に結合する。たとえば、方法は、集積デバイス１０２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部１２６の上の複数のピラー相互接続部１１２と、集積デバイス１０４の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部１４６の上の複数のピラー相互接続部１１４とを形成し得る。複数のピラー相互接続部１１２および１１４を形成するために、めっきプロセスが使用され得る。図５Ａのステージ３は、集積デバイスの上にピラー相互接続部を形成する一例を示して説明する。

【0059】

この方法は、（６２０において）キャリア５００、集積デバイス１０２、集積デバイス１０４、ブリッジ１０８、複数のピラー相互接続部１１２、および複数のピラー相互接続部１１４の上にカプセル化層１１０を形成する。カプセル化層１１０は、モールド、レジン、エポキシおよび／またはポリマーを含み得る。カプセル化層１１０は、カプセル化のための手段であり得る。カプセル化層１１０を形成および／または配設するプロセスは、圧縮およびトランスファー成形プロセス、シート成形プロセス、または液体成形プロセスを使用することを含み得る。図５Ａのステージ４は、カプセル化層を形成する一例を示して説明する。

【0060】

この方法は、（６２５において）カプセル化層１１０の一部、ブリッジ１０８の一部、複数のピラー相互接続部１１２の一部、および／または複数のピラー相互接続部１１４の一部を取り除く。カプセル化層１１０の一部、ブリッジ１０８の一部、複数のピラー相互接続部１１２の一部、および／または複数のピラー相互接続部１１４の一部を取り除くために、研削プロセスおよび／または研磨プロセスが使用されてもよい。研削プロセスおよび／または研磨プロセスの後、カプセル化層１１０の表面（たとえば、上面）が、複数のピラー相互接続部１１２の表面（たとえば、上面）、複数のピラー相互接続部１１４の表面、および／またはブリッジ１０８の裏の面の表面と平面であってもよい。図５Ｂのステージ５は、カプセル化層の一部、ブリッジの一部、および複数のピラー相互接続部の一部を取り除く一例を示して説明する。

【0061】

この方法は、（６３０において）メタライゼーション部分（たとえば、１０６）を形成する。メタライゼーション部分１０６は、第１のメタライゼーション部分であってよい。メタライゼーション部分１０６を形成することは、少なくとも１つの誘電体層（たとえば、１６０）を形成することと、複数のメタライゼーション相互接続部（たとえば、１６２）を形成することとを含み得る。少なくとも１つの誘電体層を形成することは、堆積プロセスを含み得る。複数のメタライゼーション相互接続部を形成することは、シード層を形成すること、リソグラフィプロセス、めっきプロセス、剥離プロセス、および／またはエッチングプロセスを実行することを含み得る。いくつかの実装形態では、メタライゼーション部分を形成するステップが、複数のメタライゼーション相互接続部を反復して形成するステップと、誘電体層を形成するステップとを含み得る。図５Ｂのステージ６から図５Ｃのステージ１１は、メタライゼーション部分を形成する一例を示して説明する。

【0062】

この方法は、（６３５において）集積デバイスの裏の面からキャリア（たとえば、５００）を分離する。キャリア５００を分離することは、集積デバイス１０２の裏の面、および集積デバイス１０４の裏の面からキャリア５００を分離することを含み得る。キャリア５００は、集積デバイス１０２、集積デバイス１０４、およびカプセル化層１１０から取り除かれる、研削される、かつ／または剥ぎ取られる場合がある。図５Ｄのステージ１２は、分離されたキャリアの一例を示して説明する。

【0063】

この方法は、（６４０において）複数のはんだ相互接続部（たとえば、１７０）をメタライゼーション部分（たとえば、１０６）に結合する。はんだリフロープロセスが、複数のはんだ相互接続部１７０を複数のメタライゼーション相互接続１６２に結合するために使用され得る。図５Ｄのステージ１３は、複数のはんだ相互接続部をパッケージのメタライゼーション部分の複数のメタライゼーション相互接続部に結合する一例を示して説明する。

【0064】

ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージを製造するための例示的なシーケンス
いくつかの実装形態では、パッケージを製造することは、いくつかのプロセスを含む。図７Ａ～図７Ｃは、パッケージを提供または製造するための例示的なシーケンスを示す。いくつかの実装形態では、図７Ａ～図７Ｃのシーケンスは、図３のパッケージ３００、および／または本開示で説明する他のパッケージを提供または製造するために使用され得る。

【0065】

パッケージを提供または製造するためのシーケンスを簡略化および／または明確化するために、図７Ａ～図７Ｃのシーケンスが１つまたは複数のステージを組み合わせてもよいことに留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順序は変更または修正されてもよい。いくつかの実装形態では、プロセスのうちの１つまたは複数は、本開示の主旨を逸脱することなく交換または置換されてもよい。

【0066】

図７Ａに示すステージ１は、キャリア７００の上に形成されたメタライゼーション部分３０６を示す。メタライゼーション部分３０６は、少なくとも１つの誘電体層３６０と、複数のメタライゼーション相互接続部３６２とを含む。メタライゼーション部分３０６は、第２のメタライゼーション部分であってよい。少なくとも１つの誘電体層３６０を形成するために、堆積プロセスが使用されてもよい。複数のメタライゼーション相互接続部３６２を形成することは、シード層を形成すること、リソグラフィプロセス、めっきプロセス、剥離プロセス、および／またはエッチングプロセスを実行することを含み得る。図５Ｂのステージ６から図５Ｃのステージ１１のプロセスと同様のプロセスが、メタライゼーション部分３０６を形成するために使用されてもよい。

【0067】

ステージ２は、集積デバイス１０２（たとえば、第１の集積デバイス）および集積デバイス１０４（たとえば、第２の集積デバイス）がメタライゼーション部分３０６に結合された後の状態を示す。いくつかの実装形態では、集積デバイスをメタライゼーション部分３０６に結合するために、接着剤（たとえば、７０２、７０４）が使用されてもよい。たとえば、（ｉ）集積デバイス１０２の裏の面およびメタライゼーション部分３０６に接着剤７０２が結合されてもよく、集積デバイス１０４の裏の面およびメタライゼーション部分３０６に接着剤７０４が結合されてもよい。集積デバイス（たとえば、１０２、１０４）は、ダイ基板（たとえば、１２０、１４０）と、複数のパッド（たとえば、１２４、１４４）と、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部（たとえば、１２６、１４６）と、パッシベーション層（たとえば、１２２、１４２）とを含み得る。集積デバイス（たとえば、１０２、１０４）は、ダイ（たとえば、ベアダイ、第１のダイ）を含み得る。いくつかの実装形態では、フロントエンドオブライン（ＦＥＯＬ）プロセスが、集積デバイスまたは集積デバイスの一部を製造するために使用されてもよい。

【0068】

ステージ３は、複数のピラー相互接続部１１２が集積デバイス１０２の上に形成された後の状態を示す。複数のピラー相互接続部１１２（たとえば、第１の複数のピラー相互接続部）は、集積デバイス１０２の一部と見なされてもよい。複数のピラー相互接続部１１２は、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部１２６の上に形成され得る。複数のピラー相互接続部１１２を形成するために、めっきプロセスが使用され得る。ステージ３はまた、複数のピラー相互接続部１１４が集積デバイス１０４の上に形成された後の状態を示す。複数のピラー相互接続部１１４（たとえば、第２の複数のピラー相互接続部）は、集積デバイス１０４の一部と見なされてもよい。複数のピラー相互接続部１１４は、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部１４６の上に形成され得る。複数のピラー相互接続部１１４を形成するために、めっきプロセスが使用され得る。

【0069】

ステージ４は、ブリッジ１０８が、集積デバイス１０２および集積デバイス１０４に結合された後の状態を示す。ブリッジ１０８は、ブリッジ１０８の表の面が集積デバイス１０２の表の面および集積デバイス１０４の表の面に面するように、集積デバイス１０２および集積デバイス１０４に結合されてもよい。いくつかの実装形態では、金属間酸化物接合プロセスおよび／またはハイブリッド接合プロセスが、ブリッジ１０８を集積デバイス１０２および１０４に結合するために使用されてもよい。その結果、図１のパッケージ１００について説明した同様の方法で集積デバイス１０２および１０４に結合されたブリッジ１０８となり得る。いくつかの実装形態では、ブリッジ１０８は、はんだリフロープロセスによって複数のはんだ相互接続部を通して集積デバイス１０２および集積デバイス１０４に結合されてもよい。その結果、図２のパッケージ２００について説明した同様の方法で集積デバイス１０２および１０４に結合されたブリッジ１０８となり得る。

【0070】

図７Ｂに示すステージ５は、カプセル化層１１０が、メタライゼーション部分３０６、集積デバイス１０２、集積デバイス１０４、ブリッジ１０８、複数のピラー相互接続部１１２、および複数のピラー相互接続部１１４の上に形成された後の状態を示す。カプセル化層１１０は、モールド、レジン、エポキシおよび／またはポリマーを含み得る。カプセル化層１１０は、カプセル化のための手段であり得る。カプセル化層１１０を形成および／または配設するプロセスは、圧縮およびトランスファー成形プロセス、シート成形プロセス、または液体成形プロセスを使用することを含み得る。

【0071】

ステージ６は、カプセル化層１１０の一部、ブリッジ１０８の一部、複数のピラー相互接続部１１２の一部、および／または複数のピラー相互接続部１１４の一部が取り除かれた後の状態を示す。カプセル化層１１０の一部、ブリッジ１０８の一部、複数のピラー相互接続部１１２の一部、および／または複数のピラー相互接続部１１４の一部を取り除くために、研削プロセスおよび／または研磨プロセスが使用されてもよい。研削プロセスおよび／または研磨プロセスの後、カプセル化層１１０の表面（たとえば、上面）が、複数のピラー相互接続部１１２の表面（たとえば、上面）、複数のピラー相互接続部１１４の表面、および／またはブリッジ１０８の裏の面の表面と平面であってもよい。

【0072】

ステージ７は、複数の空洞７１０がカプセル化層１１０に形成された後の状態を示す。カプセル化層１１０に空洞７１０を形成するために、レーザープロセス（たとえば、レーザーアブレーション）が使用されてもよい。複数の空洞７１０は、複数の相互接続部３６２の一部を露出し得る。

【0073】

ステージ８は、複数のピラー相互接続部３１２がカプセル化層１１０の空洞７１０に形成された後の状態を示す。複数のピラー相互接続部３１２を形成するために、めっきプロセスが使用され得る。複数のピラー相互接続部３１２は、複数のメタライゼーション相互接続部３６２に結合され得る。

【0074】

図７Ｃに示すステージ９は、カプセル化層１１０、複数のピラー相互接続部３１２、複数のピラー相互接続部１１２、複数のピラー相互接続部１１４、およびブリッジ１０８の裏の面の上に形成されたメタライゼーション部分１０６を示す。メタライゼーション部分１０６は、少なくとも１つの誘電体層１６０と、複数のメタライゼーション相互接続部１６２とを含む。少なくとも１つの誘電体層１６０を形成するために、堆積プロセスが使用されてもよい。複数のメタライゼーション相互接続部１６２を形成することは、シード層を形成すること、リソグラフィプロセス、めっきプロセス、剥離プロセス、および／またはエッチングプロセスを実行することを含み得る。図５Ｂのステージ６から図５Ｃのステージ１１のプロセスと同様のプロセスが、メタライゼーション部分１０６を形成するために使用されてもよい。

【0075】

ステージ１０は、キャリア７００が取り除かれた後の状態を示す。キャリア７００を取り除くことは、キャリア７００をメタライゼーション相互接続部３０６から分離することを含んでもよい。キャリア７００は、メタライゼーション相互接続部３０６から取り除かれる、研削される、かつ／または剥ぎ取られる場合がある。

【0076】

ステージ１１は、複数のはんだ相互接続部１７０がメタライゼーション部分１０６の複数のメタライゼーション相互接続部１６２に結合された後の状態を示す。ステージ１３は、集積デバイス１０２と、集積デバイス１０４と、ブリッジ１０８と、カプセル化層１１０と、メタライゼーション部分１０６（たとえば、第１のメタライゼーション部分）と、メタライゼーション部分３０６（たとえば、第２のメタライゼーション部分）とを含むパッケージ３００を示し得る。ステージ１１は、パッケージ３００を示してもよい。いくつかの実装形態では、集積デバイス３０２および／または集積デバイス３０４は、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）を形成するためにパッケージ３００のメタライゼーション部分３０６に結合されてもよい。

【0077】

ブリッジを通して結合された集積デバイスを含むパッケージを製造するための方法の例示的な流れ図
いくつかの実装形態では、パッケージを製造することは、いくつかのプロセスを含む。図８は、パッケージを提供または製造するための方法８００の例示的な流れ図を示す。いくつかの実装形態では、図８の方法８００は、図３のパッケージ３００、および／または本開示で説明する他のパッケージを提供または製造するために使用され得る。

【0078】

図８の方法８００は、パッケージを提供または製造するための方法を簡略化および／または明確化するために、１つまたは複数のプロセスを組み合わせ得ることに留意されたい。いくつかの実装形態では、プロセスの順序は変更または修正されてもよい。

【0079】

この方法は、（８０５において）キャリア（たとえば、７００）の上にメタライゼーション部分（たとえば、３０６）を形成する。メタライゼーション部分３０６は、第２のメタライゼーション部分であってよい。メタライゼーション部分３０６を形成することは、少なくとも１つの誘電体層（たとえば、３６０）を形成することと、複数のメタライゼーション相互接続部（たとえば、３６２）を形成することとを含み得る。少なくとも１つの誘電体層を形成することは、堆積プロセスを含み得る。複数のメタライゼーション相互接続部を形成することは、シード層を形成すること、リソグラフィプロセス、めっきプロセス、剥離プロセス、および／またはエッチングプロセスを実行することを含み得る。いくつかの実装形態では、メタライゼーション部分を形成するステップが、複数のメタライゼーション相互接続部を反復して形成するステップと、誘電体層を形成するステップとを含み得る。図７Ａのステージ１は、メタライゼーション部分を形成する一例を示して説明する。

【0080】

この方法は、（８１０において）集積デバイス１０２（たとえば、第１の集積デバイス）および集積デバイス１０４（たとえば、第２の集積デバイス）をメタライゼーション部分（たとえば、３０６）に結合する。集積デバイス１０２の裏の面および集積デバイス１０４の裏の面をメタライゼーション部分３０６に結合するために、接着剤（たとえば、７０２、７０４）が使用され得る。集積デバイス（たとえば、１０２、１０４）は、ダイ基板（たとえば、１２０、１４０）と、複数のパッド（たとえば、１２４、１４４）と、複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部（たとえば、１２６、１４６）と、パッシベーション層（たとえば、１２２、１４２）とを含み得る。集積デバイス（たとえば、１０２、１０４）は、ダイ（たとえば、ベアダイ、第１のダイ）を含み得る。いくつかの実装形態では、フロントエンドオブライン（ＦＥＯＬ）プロセスが、集積デバイスまたは集積デバイスの一部を製造するために使用されてもよい。図７Ａのステージ２は、集積デバイスをメタライゼーション部分に結合する一例を示して説明する。

【0081】

この方法は、（８１５において）ピラー相互接続部（たとえば、１１２、１１４）を集積デバイス（たとえば、１０２、１０４）に結合する。たとえば、方法は、集積デバイス１０２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部１２６の上の複数のピラー相互接続部１１２と、集積デバイス１０４の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部１４６の上の複数のピラー相互接続部１１４とを形成し得る。複数のピラー相互接続部１１２および１１４を形成するために、めっきプロセスが使用され得る。図７Ａのステージ３は、集積デバイスの上にピラー相互接続部を形成する一例を示して説明する。

【0082】

この方法は、（８２０において）ブリッジ（たとえば、１０８）を集積デバイス（たとえば、１０２、１０４）に結合する。ブリッジ１０８は、ブリッジ１０８の表の面が集積デバイス１０２の表の面および集積デバイス１０４の表の面に面するように、集積デバイス１０２および集積デバイス１０４に結合されてもよい。いくつかの実装形態では、金属間酸化物接合プロセスおよび／またはハイブリッド接合プロセスが、ブリッジ１０８を集積デバイス１０２および１０４に結合するために使用されてもよい。その結果、図１のパッケージ１００について説明した同様の方法で集積デバイス１０２および１０４に結合されたブリッジ１０８となり得る。いくつかの実装形態では、ブリッジ１０８は、はんだリフロープロセスによって複数のはんだ相互接続部を通して集積デバイス１０２および集積デバイス１０４に結合されてもよい。その結果、図２のパッケージ２００について説明した同様の方法で集積デバイス１０２および１０４に結合されたブリッジ１０８となり得る。図７Ａのステージ４は、集積デバイスに結合されたブリッジの一例を示して説明する。

【0083】

この方法は、（８２５において）メタライゼーション部分３０６、集積デバイス１０２、集積デバイス１０４、ブリッジ１０８、複数のピラー相互接続部１１２、および複数のピラー相互接続部１１４の上にカプセル化層１１０を形成する。カプセル化層１１０は、モールド、レジン、エポキシおよび／またはポリマーを含み得る。カプセル化層１１０は、カプセル化のための手段であり得る。カプセル化層１１０を形成および／または配設するプロセスは、圧縮およびトランスファー成形プロセス、シート成形プロセス、または液体成形プロセスを使用することを含み得る。図７Ｂのステージ５は、カプセル化層を形成する一例を示して説明する。

【0084】

この方法は、（８３０において）カプセル化層１１０の一部、ブリッジ１０８の一部、複数のピラー相互接続部１１２の一部、および／または複数のピラー相互接続部１１４の一部を取り除く。カプセル化層１１０の一部、ブリッジ１０８の一部、複数のピラー相互接続部１１２の一部、および／または複数のピラー相互接続部１１４の一部を取り除くために、研削プロセスおよび／または研磨プロセスが使用されてもよい。研削プロセスおよび／または研磨プロセスの後、カプセル化層１１０の表面（たとえば、上面）が、複数のピラー相互接続部１１２の表面（たとえば、上面）、複数のピラー相互接続部１１４の表面、および／またはブリッジ１０８の裏の面の表面と平面であってもよい。図７Ｂのステージ６は、カプセル化層の一部、ブリッジの一部、および複数のピラー相互接続部の一部を取り除く一例を示して説明する。

【0085】

この方法は、（８３５において）カプセル化層１１０に複数のピラー相互接続部（たとえば、３１２）を形成する。（８３５において）複数のピラー相互接続部３１２を形成することは、カプセル化層１１０に空洞（たとえば、７１０）を形成することと、カプセル化層１１０の空洞７１０に複数のピラー相互接続部３１２を形成することとを含み得る。空洞７１０を形成するために、レーザープロセス（たとえば、レーザーアブレーション）が使用されてもよい。カプセル化層１１０の空洞７１０に複数のピラー相互接続部３１２を形成するために、めっきプロセスが使用されてもよい。図７Ｂのステージ７～８は、カプセル化層に空洞および相互接続部を形成する一例を示して説明する。

【0086】

この方法は、（８４０において）メタライゼーション部分（たとえば、１０６）を形成する。メタライゼーション部分１０６は、第１のメタライゼーション部分であってよい。メタライゼーション部分１０６を形成することは、少なくとも１つの誘電体層（たとえば、１６０）を形成することと、複数のメタライゼーション相互接続部（たとえば、１６２）を形成することとを含み得る。少なくとも１つの誘電体層を形成することは、堆積プロセスを含み得る。複数のメタライゼーション相互接続部を形成することは、シード層を形成すること、リソグラフィプロセス、めっきプロセス、剥離プロセス、および／またはエッチングプロセスを実行することを含み得る。いくつかの実装形態では、メタライゼーション部分を形成するステップが、複数のメタライゼーション相互接続部を反復して形成するステップと、誘電体層を形成するステップとを含み得る。図７Ｃのステージ９は、メタライゼーション部分を形成する一例を示して説明する。

【0087】

この方法は、（８４５において）キャリア（たとえば、７００）をメタライゼーション部分３０６から分離する。キャリア７００を分離することは、キャリア７００をメタライゼーション部分３０６から取り除くことを含み得る。キャリア７００は、メタライゼーション部分３０６から取り除かれる、研削される、かつ／または剥ぎ取られる場合がある。図７Ｃのステージ１０は、キャリアが分離された後のパッケージの一例を示して説明する。

【0088】

この方法は、（８５０において）複数のはんだ相互接続部（たとえば、１７０）をメタライゼーション部分（たとえば、１０６）に結合する。はんだリフロープロセスが、複数のはんだ相互接続部１７０を複数のメタライゼーション相互接続１６２に結合するために使用され得る。図７Ｃのステージ１１は、メタライゼーション部分の複数のメタライゼーション相互接続部に結合された複数のはんだ相互接続部の一例を示して説明する。

【0089】

例示的な電子デバイス
図９は、前述のデバイス、集積デバイス、集積回路（ＩＣ）パッケージ、集積回路（ＩＣ）デバイス、半導体デバイス、集積回路、ダイ、インターポーザ、パッケージ、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）、システムインパッケージ（ＳｉＰ）、またはシステムオンチップ（ＳｏＣ）のいずれかと一体化されてもよい様々な電子デバイスを示す。たとえば、モバイルフォンデバイス９０２、ラップトップコンピュータデバイス９０４、固定位置端末デバイス９０６、ウェアラブルデバイス９０８、または自動車９１０が、本明細書で説明するようなデバイス９００を含んでよい。デバイス９００は、たとえば、本明細書で説明するデバイスおよび／または集積回路（ＩＣ）パッケージのいずれかであってよい。図９に示すデバイス９０２、９０４、９０６および９０８ならびに車両９１０は、例にすぎない。他の電子デバイスもデバイス９００を特徴としてもよく、デバイス９００は、限定はしないが、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、全地球測位システム（ＧＰＳ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、メーター読取り機器などの固定位置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス（たとえば、時計、眼鏡）、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、サーバ、ルータ、自動車車両（たとえば、自律車両）に実装された電子デバイス、またはデータもしくはコンピュータ命令を記憶しもしくは取り出す任意の他のデバイス、あるいはそれらの任意の組合せを含むデバイス（たとえば、電子デバイス）のグループを含む。

【0090】

図１～図４、図５Ａ～図５Ｄ、図６、図７Ａ～図７Ｃ、および図８～図９に示す構成要素、プロセス、特徴、および／または機能のうちの１つまたは複数は、単一の構成要素、プロセス、特徴、または機能に再構成および／または結合されてもよく、あるいはいくつかの構成要素、プロセス、または機能に組み込まれてもよい。本開示から逸脱することなく、追加の要素、構成要素、プロセス、および／または機能が追加されてもよい。図１～図４、図５Ａ～図５Ｄ、図６、図７Ａ～図７Ｃ、および図８～図９ならびに本開示におけるその対応する説明が、ダイおよび／またはＩＣに限定されないことにも留意されたい。いくつかの実装形態では、図１～図４、図５Ａ～図５Ｄ、図６、図７Ａ～図７Ｃ、および図８～図９ならびにその対応する説明が、デバイスおよび／または集積デバイスを製造し、作製し、提供し、および／または生産するために使用されてもよい。いくつかの実装形態では、デバイスは、ダイ（たとえば、論理ダイ）、集積デバイス、集積受動デバイス（ＩＰＤ）（たとえば、受動ダイ）、ダイパッケージ、集積回路（ＩＣ）デバイス、デバイスパッケージ、集積回路（ＩＣ）パッケージ、ウェハ、半導体デバイス、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）デバイス、および／またはインターポーザを含んでもよい。

【0091】

本開示における図は、様々な部品、構成要素、物体、デバイス、パッケージ、集積デバイス、集積回路、および／またはトランジスタの実際の表現および／または概念的表現を表し得ることに留意されたい。いくつかの例では、図は、縮尺通りではない場合がある。いくつかの例では、簡明にするために、すべての構成要素および／または部品が示されているとは限らない。いくつかの例では、図中の様々な部品および／または構成要素の位置、ロケーション、サイズおよび／または形状は、例示的なものであり得る。いくつかの実装形態では、図中の様々な構成要素および／または部品は、随意であり得る。

【0092】

「例示的」という語は、本明細書では「例、事例、または例示の働きをすること」を意味するために使用される。本明細書で「例示的」として説明する任意の実装形態または態様は、必ずしも本開示の他の態様よりも好ましいまたは有利であると解釈されるべきではない。同様に、「態様」という用語は、本開示のすべての態様が、説明した特徴、利点、または動作モードを含むことを必要としない。「結合される」という用語は、２つの物体間の直接的または間接的な結合（たとえば、機械的結合）を指すために本明細書で使用される。たとえば、物体Ａが物体Ｂに物理的に接触し、物体Ｂが物体Ｃに接触する場合、物体Ａおよび物体Ｃは、直接物理的に互いに接触しない場合であっても、やはり互いに結合されると見なされてもよい。「電気的に結合される」という用語は、２つの物体が、電流（たとえば、信号、電力、接地）が２つの物体の間を進み得るように、一緒に直接的または間接的に結合されることを意味し得る。電気的に結合された２つの物体は、２つの物体の間を進む電流を有しても有しなくてもよい。「第１の」、「第２の」、「第３の」および「第４の」（および／または第４より上のいずれかの）という用語の使用は任意である。説明した構成要素のいずれかが、第１の構成要素、第２の構成要素、第３の構成要素、または第４の構成要素であり得る。たとえば、第２の構成要素と呼ばれる構成要素が、第１の構成要素、第２の構成要素、第３の構成要素、または第４の構成要素であり得る。「カプセル化する」という用語は、物体が、別の物体を部分的にカプセル化してもよく、または完全にカプセル化してもよいことを意味する。「上部」および「底部」という用語は任意である。上部に位置している構成要素は、底部に位置している構成要素の上に位置している可能性がある。上部の構成要素が底部の構成要素と見なされてもよく、その逆もあり得る。本開示で説明するように、第２の構成要素の「上」に位置している第１の構成要素は、底部または上部が任意にどのように定義されるかに応じて、第１の構成要素が、第２の構成要素の上または下に位置していることを意味し得る。別の例では、第１の構成要素は、第２の構成要素の第１の面の上に（たとえば、上方に）位置していてもよく、第３の構成要素は、第２の構成要素の第２の面の上に（たとえば、下方に）位置していてもよく、第２の面は、第１の面とは反対側である。ある構成要素が別の構成要素の上に位置している文脈において本出願で使用される「の上に（ｏｖｅｒ）」という用語は、別の構成要素上ならびに／あるいは別の構成要素内にある（たとえば、構成要素の表面上のあるいは構成要素に埋め込まれた）構成要素を意味するために使用される場合があることにさらに留意されたい。したがって、たとえば、第２の構成要素の上にある第１の構成要素は、（１）第１の構成要素が第２の構成要素の上にあるが、第２の構成要素に直接接触していないこと、（２）第１の構成要素が第２の構成要素上（たとえば、その表面上）にあること、および／または（３）第１の構成要素が第２の構成要素内にある（たとえば、それに埋め込まれている）ことを意味する場合がある。第２の構成要素「の中に（ｉｎ）」位置している第１の構成要素は、部分的に第２の構成要素の中に位置しているか、または完全に第２の構成要素の中に位置している場合がある。本開示で使用される「約（ａｂｏｕｔ）“Ｘの値”」または「およそ（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）Ｘの値」という用語は、“Ｘの値”の１０パーセント以内を意味する。たとえば、約１またはおよそ１の値は、０．９～１．１の範囲内の値を意味する。

【0093】

いくつかの実装形態では、相互接続部とは、２つの点、要素、および／または構成要素の間の電気接続を可能または容易にする、デバイスまたはパッケージの要素または構成要素である。いくつかの実装形態では、相互接続部は、トレース、ビア、パッド、ピラー、メタライゼーション層、再分配層、および／またはアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層／相互接続部を含んでよい。いくつかの実装形態では、相互接続部は、信号（たとえば、データ信号）、接地および／または電力のための電気経路を設けるように構成されてもよい導電性の材料を含み得る。相互接続部は、２つ以上の要素または構成要素を含んでよい。相互接続部は、１つまたは複数の相互接続部によって画定されてもよい。相互接続部は、１つまたは複数の金属層を含んでもよい。相互接続部は、回路の一部であってよい。様々な実装形態は、相互接続部を形成するためにそれぞれに異なるプロセスおよび／またはシーケンスを使用してもよい。いくつかの実装形態では、化学気相成長（ＣＶＤ）プロセス、物理気相成長（ＰＶＤ）プロセス、スパッタリングプロセス、吹付塗装プロセス、および／またはめっきプロセスが、相互接続部を形成するために使用されてもよい。

【0094】

また、本明細書に含まれる様々な開示が、フローチャート、流れ図、構造図、またはブロック図として示されるプロセスとして説明される場合があることに留意されたい。フローチャートは動作を逐次プロセスとして説明することがあるが、動作の多くは並行してまたは同時に実施することができる。加えて、動作の順序は並べ替えられてよい。プロセスは、その動作が完了したとき、終了する。

【0095】

以下は、本開示の態様の概要を提供する。

【0096】

態様１： 第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える第１の集積デバイスと、第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える第２の集積デバイスと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合されたブリッジと、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、およびブリッジを少なくとも部分的にカプセル化するカプセル化層と、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、ブリッジ、およびカプセル化層の上に位置しているメタライゼーション部分であって、少なくとも１つの誘電体層および複数のメタライゼーション相互接続部を含む、メタライゼーション部分と、第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部およびメタライゼーション部分に結合された第１の複数のピラー相互接続部であって、カプセル化層に位置している、第１の複数のピラー相互接続部と、第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部およびメタライゼーション部分に結合された第２の複数のピラー相互接続部であって、カプセル化層に位置している、第２の複数のピラー相互接続部とを含む、パッケージ。

【0097】

態様２： ブリッジが、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合された複数のブリッジ相互接続部を備える、態様１のパッケージ。

【0098】

態様３： 複数のブリッジ相互接続部が、第１の集積デバイスからの少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション相互接続部、および第２の集積デバイスからの少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション相互接続部に結合される、態様２のパッケージ。

【0099】

態様４： 複数のブリッジ相互接続部が、複数のブリッジアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える、態様２から３のパッケージ。

【0100】

態様５： 複数のブリッジアンダーバンプメタライゼーション相互接続部が、第１の集積デバイスからの少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション相互接続部、および第２の集積デバイスからの少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション相互接続部に結合される、態様４のパッケージ。

【0101】

態様６： 複数のブリッジ相互接続部が、ハイブリッド接合によって第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部、および第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部に結合される、態様２から５のパッケージ。

【0102】

態様７： 複数のブリッジ相互接続部が、少なくとも１つのはんだ相互接続部を通して第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部、および第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部に結合される、態様２から５のパッケージ。

【0103】

態様８： 複数のブリッジ相互接続部が、０．５マイクロメートルの最小幅を備える、態様２から７のパッケージ。

【0104】

態様９： 複数のブリッジ相互接続部が、約０．５～１マイクロメートルの範囲内の幅を備える、態様２から８のパッケージ。

【0105】

態様１０： 第１の集積デバイスの裏の面および第２の集積デバイスの裏の面の上に位置している第２のメタライゼーション部分をさらに備え、第２のメタライゼーション部分が、少なくとも１つの第２の誘電体層と、第２の複数のメタライゼーション相互接続部とを含む、態様１から９のパッケージ。

【0106】

態様１１： メタライゼーション部分および第２のメタライゼーション部分に結合された第３の複数のピラー相互接続部をさらに備え、第３の複数のピラー相互接続部が、カプセル化層に位置している、態様１０のパッケージ。

【0107】

態様１２： 第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える第１の集積デバイスと、第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える第２の集積デバイスと、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合されたブリッジ相互接続のための手段と、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、およびブリッジ相互接続のための手段を少なくとも部分的にカプセル化するカプセル化のための手段と、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、ブリッジ相互接続のための手段、およびカプセル化のための手段の上に位置しているメタライゼーション部分であって、少なくとも１つの誘電体層および複数のメタライゼーション相互接続のための手段を含む、メタライゼーション部分と、第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部およびメタライゼーション部分に結合された第１の複数のピラー相互接続部であって、カプセル化のための手段に位置している、第１の複数のピラー相互接続部と、第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部およびメタライゼーション部分に結合された第２の複数のピラー相互接続部であって、カプセル化のための手段に位置している、第２の複数のピラー相互接続部とを備える、装置。

【0108】

態様１３： ブリッジ相互接続のための手段が、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合された複数のブリッジ相互接続部を備える、態様１２の装置。

【0109】

態様１４： 複数のブリッジ相互接続部が、第１の集積デバイスからの少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション相互接続部、および第２の集積デバイスからの少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション相互接続部に結合される、態様１３の装置。

【0110】

態様１５： 複数のブリッジ相互接続部が、複数のブリッジアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える、態様１３から１４の装置。

【0111】

態様１６： 複数のブリッジアンダーバンプメタライゼーション相互接続部が、第１の集積デバイスからの少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション相互接続部、および第２の集積デバイスからの少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション相互接続部に結合される、態様１５の装置。

【0112】

態様１７： 複数のブリッジ相互接続部が、ハイブリッド接合によって第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部、および第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部に結合される、態様１３から１６の装置。

【0113】

態様１８： 複数のブリッジ相互接続部が、少なくとも１つのはんだ相互接続部を通して第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部、および第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部に結合される、態様１３から１６の装置。

【0114】

態様１９： 複数のブリッジ相互接続部が、０．５マイクロメートルの最小幅を備える、態様１３から１８の装置。

【0115】

態様２０： 複数のブリッジ相互接続部が、約０．５～１マイクロメートルの範囲内の幅を備える、態様１３から１９の装置。

【0116】

態様２１： 第１の集積デバイスの裏の面および第２の集積デバイスの裏の面の上に位置している第２のメタライゼーション部分をさらに備え、第２のメタライゼーション部分が、少なくとも１つの第２の誘電体層と、第２のメタライゼーション相互接続のための手段とを含む、態様１２から２０の装置。

【0117】

態様２２： メタライゼーション部分および第２のメタライゼーション部分に結合された第３の複数のピラー相互接続部をさらに備え、第３の複数のピラー相互接続部が、カプセル化のための手段に位置している、態様２１の装置。

【0118】

態様２３： 装置が、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、および自動車両内のデバイスからなるグループから選択されたデバイスを含む、態様１２から２２の装置。

【0119】

態様２４： パッケージを製造するための方法。この方法は、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスにブリッジを結合する。第１の集積デバイスは、第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える。第２の集積デバイスは、第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部を備える。この方法は、第１の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部の上に第１の複数の相互接続部を形成する。この方法は、第２の複数のアンダーバンプメタライゼーション相互接続部の上に第２の複数の相互接続部を形成する。この方法は、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、ブリッジ、第１の複数の相互接続部、および第２の複数の相互接続部を少なくとも部分的にカプセル化するカプセル化層を形成する。この方法は、第１の集積デバイス、第２の集積デバイス、ブリッジ、およびカプセル化層の上にメタライゼーション部分を形成する。メタライゼーション部分を形成することは、少なくとも１つの誘電体層を形成することと、複数のメタライゼーション相互接続部を形成することとを含む。

【0120】

態様２５： 第２のメタライゼーション部分を形成することをさらに含み、少なくとも１つの第２の誘電体層を形成することと、第２の複数のメタライゼーション相互接続部を形成することとを含む、態様２４の方法。

【0121】

態様２６： 第１の集積デバイスの裏の面および第２の集積デバイスの裏の面を第２のメタライゼーション部分に結合することをさらに含む、態様２５の方法。

【0122】

態様２７： 第１の集積デバイスの裏の面および第２の集積デバイスの裏の面が、接着剤によって第２のメタライゼーション部分に結合される、態様２６の方法。

【0123】

態様２８： ブリッジが、第１の集積デバイスおよび第２の集積デバイスに結合された複数のブリッジ相互接続部を備える、態様２４から２７の方法。

【0124】

態様２９： 複数のブリッジ相互接続部が、０．５マイクロメートルの最小幅を備える、態様２８の方法。

【0125】

態様３０： 複数のブリッジ相互接続部が、約０．５～１マイクロメートルの範囲内の幅を備える、態様２８から２９の方法。

【0126】

本明細書で説明する本開示の様々な特徴は、本開示から逸脱することなく異なるシステムにおいて実装され得る。本開示の上記の態様は例にすぎず、本開示を限定するものとして解釈されるべきではないことに留意されたい。本開示の態様の説明は、例示的であることが意図されており、特許請求の範囲を限定することは意図されていない。したがって、本教示は、他のタイプの装置に容易に適用することができ、多くの代替、修正、および変形が当業者には明らかであろう。

【符号の説明】

【0127】

１００ パッケージ
１０２ 集積デバイス
１０４ 集積デバイス
１０６ メタライゼーション部分
１０８ ブリッジ
１１０ カプセル化層
１１２ ピラー相互接続部
１１４ ピラー相互接続部
１２０ ダイ基板
１２２ パッシベーション層
１２４ パッド
１２６ アンダーバンプメタライゼーション相互接続部
１４０ ダイ基板
１４２ パッシベーション層
１４４ パッド
１４６ アンダーバンプメタライゼーション相互接続部
１６０ 誘電体層
１６２ メタライゼーション相互接続部
１７０ はんだ相互接続部
１８０ 基板
１８４ ブリッジ相互接続部
１８５ ブリッジ相互接続部
１８６ ブリッジ相互接続部
１９０ ボード
２００ パッケージ
２８４ はんだ相互接続部
２８６ はんだ相互接続部
３００ パッケージ
３０２ 集積デバイス
３０４ 集積デバイス
３０６ メタライゼーション部分
３１２ ピラー相互接続部
３２０ はんだ相互接続部
３２２ ピラー相互接続部
３４０ はんだ相互接続部
３４２ ピラー相互接続部
３６０ 誘電体層
３６２ メタライゼーション相互接続部
４００ パッケージ
４０２ 集積デバイス
４０４ 集積デバイス
４０８ ブリッジ
４２０ ブリッジ
４２２ ブリッジ相互接続部
４４０ ブリッジ
４４２ ブリッジ相互接続部
４８５ ブリッジ相互接続部
５００ キャリア
５０３ メタライゼーション相互接続部
５１０ 誘電体層
５１１ 開口
５１３ メタライゼーション相互接続部
５２０ 誘電体層
５２３ メタライゼーション相互接続部
５３０ 誘電体層
５３３ メタライゼーション相互接続部
５４０ 誘電体層
７００ キャリア
９００ デバイス
９０２ モバイルフォンデバイス
９０４ ラップトップコンピュータデバイス
９０６ 固定位置端末デバイス
９０８ ウェアラブルデバイス
９１０ 自動車
１００６ 固定位置端末デバイス

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図8】

【図9】

【国際調査報告】