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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-06-04
(54)【発明の名称】微細構造パターンの複製方法
(51)【国際特許分類】
B29C 59/02 20060101AFI20240528BHJP
H01L 21/027 20060101ALI20240528BHJP
G03F 7/20 20060101ALI20240528BHJP
G02B 5/02 20060101ALN20240528BHJP
【ＦＩ】
B29C59/02 B
H01L21/30 502D
G03F7/20 501
G02B5/02 B
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023571393
(86)(22)【出願日】2022-06-02
(85)【翻訳文提出日】2023-12-13
(86)【国際出願番号】 US2022032021
(87)【国際公開番号】W WO2022256571
(87)【国際公開日】2022-12-08
(31)【優先権主張番号】17/338,144
(32)【優先日】2021-06-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】502151820
【氏名又は名称】ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】Ｖｉａｖｉ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｉｎｃ．
(74)【代理人】
【識別番号】100147485
【弁理士】
【氏名又は名称】杉村 憲司
(74)【代理人】
【識別番号】230118913
【弁護士】
【氏名又は名称】杉村 光嗣
(74)【代理人】
【識別番号】100202326
【弁理士】
【氏名又は名称】橋本 大佑
(72)【発明者】
【氏名】リベレト アルメイダ
【テーマコード（参考）】
2H042
2H197
4F209
5F146
【Ｆターム（参考）】
2H042BA03
2H042BA15
2H042BA16
2H197AB20
2H197CA05
2H197JA12
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4F209PW31
5F146AA31
5F146AA34
(57)【要約】
本方法は、基板、薄膜、および第１のフォトレジスト層を含む第１の多層構造を準備するステップと、微細構造パターンを有するモールド、および第２のフォトレジスト層を含む第２の多層構造を準備するステップと、第１のフォトレジスト層が第２のフォトレジスト層と接触するように第１の多層構造および第２の多層構造を組み合わせるステップと、並びに圧力および温度を加えるステップと、を含む。微細構造パターンを含む物品も開示されている。
【選択図】図１A
【選択図】図１A
【特許請求の範囲】
【請求項1】
方法であって、以下のステップ、すなわち、基板、薄膜、および第１のフォトレジスト層を含む第１の多層構造を準備するステップと、
微細構造パターンおよび第２のフォトレジスト層を有するモールドを含む第２の多層構造を準備するステップと、
該第１のフォトレジスト層が該第２のフォトレジスト層と接触するように、該第１の多層構造および該第２の多層構造を組み合わせるステップと、
圧力および温度を加えるステップと、
を備える、方法。
【請求項2】
請求項１に記載の方法において、前記第２のフォトレジスト層は、複製された微細構造パターンと、および、複製された微細構造パターンを持たないベース部分と、を有する、方法。
【請求項3】
請求項１に記載の方法において、前記薄膜は高屈折率材料の薄膜である、方法。
【請求項4】
請求項１に記載の方法において、前記微細構造パターンを有する前記モールドは、剥離剤でコーティングされている、方法。
【請求項5】
請求項１に記載の方法であって、さらに、前記モールドを除去するステップを備える、方法。
【請求項6】
請求項１に記載の方法において、前記第１のフォトレジスト層と前記第２のフォトレジスト層が結合して、エアポケットを含まないフォトレジストスタックを形成する、方法。
【請求項7】
請求項６に記載の方法において、前記フォトレジストスタックは、前記複製された微細構造パターンと、および、前記複製された微細構造パターンを持たない前記ベース部分と、を有する、方法。
【請求項8】
請求項６に記載の方法であって、さらに、コリメート光源を使用して前記フォトレジストスタックにフラッド露光を照射するステップと、前記フォトレジストスタックを現像するステップと、を備え、コリメート光は、前記複製された微細構造パターンおよび前記複製された微細構造パターンを含まない前記フォトレジストスタックの前記ベース部分を照射するものである、方法。
【請求項9】
請求項８に記載の方法であって、さらに、前記フォトレジストスタックおよび前記薄膜をエッチングして、該フォトレジストスタックから該薄膜にエッチングされた前記微細構造パターンを形成するステップを備える、方法。
【請求項10】
請求項９に記載の方法において、前記薄膜のエッチングされた前記微細構造パターンは逆パターンを有するが、前記モールドの前記微細構造パターンと同一アスペクト比を有する、又は有していない場合がある、前記フォトレジストスタックの前記複製された微細構造パターンは、逆パターンを有していながら、前記モールドの前記微細構造パターンと実質的に同一である、また
前記薄膜中のエッチングされた前記微細構造パターンは同一パターンを有するが、前記フォトレジストスタック中の前記複製された微細構造パターンと同一アスペクト比を有する、又は有していない場合もある、方法。
【請求項11】
請求項１に記載の方法において、前記第２の多層構造は、剥離コーティングを前記モールドに塗布し、また前記塗布された剥離コーティングに離型コーティングの表面を親水性にする処理を課すことによって形成される、方法。
【請求項12】
請求項１１に記載の方法であって、さらに、第３のフォトレジスト層を前記剥離コーティング上に塗布するステップを備える、方法。
【請求項13】
請求項１２に記載の方法であって、さらに、前記第３のフォトレジスト層を塗布した後、約５０℃～約９０℃の範囲の温度で、約１秒～約３０分の範囲の時間加熱するステップを備える、方法。
【請求項14】
請求項１３に記載の方法であって、さらに、前記第３のフォトレジスト層を加熱した後、第４のフォトレジスト層を前記第３のフォトレジスト層上に塗布するステップを備える、方法。
【請求項15】
請求項１４に記載の方法であって、さらに、前記第４のフォトレジスト層を塗布した後、約５０℃～約９０℃の範囲の温度で、約１秒～約３０分の範囲の時間加熱するステップを備える、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
［関連出願］
本出願は、２０２１年６月３日出願の米国特許出願第１７／３３８１４４号に対する優先権を主張し、その開示全体は参照により本明細書に組み込まれる。
本出願は、２０２１年６月３日出願の米国特許出願第１７／３３８１４４号に対する優先権を主張し、その開示全体は参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
本開示は、一般に、基板、薄膜、および第１のフォトレジスト層を含む第１の多層構造を準備するステップと、微細構造パターンを有するモールド、および第２のフォトレジスト層を含む第２の多層構造を準備するステップと、第１のフォトレジスト層が第２のフォトレジスト層と接触するように、第１の多層構造および第２の多層構造を組み合わせるステップと、並びに圧力および温度を加えるステップと、を含む方法に関する。微細構造パターンを含む物品も開示されている。
【背景技術】
【0003】
ポリマー・オン・ガラス複製プロセスまたはスタンピング（打刻）プロセスは、ディフューザー構造を創出するのに使用することができる。エッチングプロセスが後続するとき、ポリマー層のゼロベース部分または無視できる厚さ（例えば、数百ナノメートルのオーダー）のベース部分を有することが望ましい。微細構造の複製に続くエッチングプロセスでは、エッチングプロセスウィンドウは、ポリマー層内の微細構造のくぼみ／突起を中心とする必要がある。複製後にポリマー層のベース部分を制御することは難しく、その後の、高屈折率材料のような薄膜のエッチングプロセスの制御が難しくなる。
【図面の簡単な説明】
【0004】
本開示の特徴は、以下の図に例示的に示され、限定されないが、これらの図において、同じ数字は同じ要素を示しており、すなわち、
【図1A】本発明の一態様による、第１の多層構造および第２の多層構造である。
【図1B】本発明の一態様による、第１の多層構造および第２の多層構造を組み合わせるステップを示す図である。
【図1C】組み合わされた第１の多層構造および第２の多層構造からモールドを除去するステップを示す図である。
【図1D】組み合わせたフォトレジストスタックにコリメート光源からフラッド露光を照射し、フォトレジストスタックを現像して薄膜の表面部分を露光するステップを示す図である。
【図1E】エッチングステップを示す図である。
【図2A】モールドを示す図である。
【図2C】第４のフォトレジスト層を塗布するステップを示す図である。
【図3A】基板上に薄膜を配置するステップを示す図である。
【発明の概要】
【0005】
一態様では微細構造パターンを複製する方法を開示し、この方法は、基板、薄膜、およびポジ型（positive tone）フォトレジストを含む多層構造を準備するステップと、微細構造パターンを有する熱伝導性モールドを準備するステップと、圧力および温度下で熱伝導性モールドを多層構造に被着するステップとを備え、ここで、熱伝導性モールドの微細構造パターンは、多層構造のポジ型フォトレジスト上に複製される。
【0006】
別の態様では、基板と、微細構造パターンを有する薄膜とを含む物品が開示される。
【0007】
様々な実施形態の追加的な特徴および利点は、部分的には、以下の説明に記載され、部分的には、説明から明らかになる、または様々な実施形態の実施によって知ることができる。様々な実施形態の目的および他の利点は、本明細書の説明で特に指摘した要素および組み合わせによって実現および達成される。
【発明を実施するための形態】
【0008】
簡略化および例示の目的で、本開示は、主にその実施例を参照して説明される。以下の説明では、本開示の完全な理解を提供するために、多数の具体的な詳細が記載される。しかしながら、本開示は、これらの特定の詳細に限定されることなく実施され得ることは容易に明らかであろう。他の例では、本開示を不必要に不明瞭にしないように、いくつかの方法および構造は詳細に説明されていない。
【0009】
さらに、添付の図に描かれている要素は、追加の構成要素を含む場合があり、これらの図に記載されているいくつかの構成要素は、本開示の範囲から逸脱することなく、除去および／または修正されてもよい。さらに、図に描かれている要素は、縮尺通りに描かれていない場合があり、したがって、要素は、図に示されているものとは異なる大きさおよび／または構成を有している場合がある。
【0010】
前述の一般的な説明と以下の詳細な説明の両方は、例示的かつ説明的なものに過ぎず、本教示の様々な実施形態の説明を提示することを意図していることを理解されたい。その広範かつ多様な実施形態において、本明細書に開示されるのは、物品、ならびに、物品の製造方法および使用方法である。
【0011】
本開示は、基板１４、薄膜１２、および第１のフォトレジスト層１０ａを含む第１の多層構造１６を準備するステップと、微細構造パターン２０ａを有するモールド（成形型）１８、および第２のフォトレジスト層１０ｂを含む第２の多層構造１７を準備するステップと、第１のフォトレジスト層１０ａが第２のフォトレジスト層１０ｂと接触するように、第１の多層構造１６および第２の多層構造１７を組み合わせるステップと、圧力および温度を加えるステップと、を含む方法を説明する。
【0012】
第２の微細構造層１７は、微細構造パターン２０ａおよび第２のフォトレジスト層１０ｂを有するモールド１８を含んでもよい。モールド１８は、微細構造パターン２０ａを受け止めおよび保持することができる材料で作成することができる。材料の非限定的な例としては、金属、半導体、ニッケル、シリコン、溶融シリカなどの誘電体、ガラス、石英、およびそれらの組み合わせが挙げられる。ある態様では、モールド１８は導電性材料で作成することができる。別の態様では、モールド１８は熱伝導性材料で作成することができる。
【0013】
微細構造パターン２０ａは、ランダムまたは周期的なパターンとすることができる。一態様では、微細構造パターン２０ａはバイナリ（２値）パターンとすることができる。 別の態様では、微細構造パターン２０ａは、グレースケールの非バイナリパターンとすることができる。微細構造パターン２０ａは、様々な大きさの様々な形状、形態、画像、くぼみ、突起、およびそれらの組み合わせを含むことができる。微細構造パターン２０ａは、均一な部分と不規則な部分とを含むことができる。例えば、図１Ａに示すように、微細構造パターン２０ａは、平面部によって互いに均一に分離された三角形状のくぼみの３つの別個の部分を含む。
【0014】
一態様では、モールド１８は、微細構造パターン２０ａ上にコーティングとして塗布された剥離剤（図示せず）を含むことができる。剥離剤は、低表面エネルギーのフルオロポリマーまたは疎水性シランなどの疎水性自己組織化単分子膜とすることができる。剥離剤は、微細構造パターン２０ａのくぼみ／突起などに剥離剤を堆積させることができる任意の堆積プロセスでモールドに塗布することができる。適切な堆積プロセスの非限定的な例としては、スピンコーティング、ディップコーティング、化学蒸着、スパッタまたは熱蒸発などの物理蒸着、および、剥離剤で微細構造パターン２０ａの表面をバフ研磨するなどの物理的塗布が挙げられる。
【0015】
第２の多層構造１７の第２のフォトレジスト層１０ｂは、複製された微細構造パターン２０ｂを有することができ、第２のフォトレジスト層１０ｂのベース部２２は、複製された微細構造パターン２０ｂを有さない。複製された微細構造パターン２０ｂは、モールド１８の微細構造パターン２０ａの逆パターンとすることができる。例えば、微細構造パターン２０ａが三角形状のくぼみの３つの別個の部分を含むのに対し、微細構造パターン２０ｂは三角形状の突起の３つの別個の部分を含む。一態様において、第２のフォトレジスト層１０ｂは、モールド１８に隣接し（共通の境界を共有し）、モールド上にある、および／またはモールド１８と入れ子になることができる。
【0016】
第１のフォトレジスト層１０ａおよび第２のフォトレジスト層１０ｂは、同じ材料で作ることもできるし、異なる材料で作ることもできる。 一態様では、第１のフォトレジスト層１０ａおよび第２のフォトレジスト層１０ｂは同じ材料で作成することができるが、層として塗布する前に異なる粘度を有することができる。
【0017】
第１の多層構造１６は、基板１４、薄膜１２、および第１のフォトレジスト層１０ａを含むことができる。薄膜１２は、材料の単層、および／または多層スタックを含む任意の薄膜であり得る。一態様では、薄膜１２は、高屈折率材料薄膜、すなわち、約２～約４の屈折率を有する材料から作られる薄膜とすることができる。一態様において、薄膜１２は、屈折率の勾配または連続的な変化、または材料中の周期的な屈折率プロファイルを有することができる。薄膜１２は、約１ミクロン～約２０ミクロン、例えば、約１ミクロン～約１５ミクロン、更なる例として、約３ミクロン～約１０ミクロンの範囲の厚さで存在することができる。薄膜は、基板１４の表面上および／または第１のフォトレジスト層１０ａの表面上に存在することができる。
【0018】
別の態様では、薄膜１２は多層スタックとすることができる。多層スタックは、反射体材料、磁性材料、誘電体材料、および吸収材料の１つ以上の層を含むことができる。
【0019】
基板１４は、複数の層を受け止めることができる任意の材料とすることができる。 一態様では、基板１４は透明材料とすることができる。適切な基板材料の非限定的な例としては、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、アモルファスコポリエステル、ポリ塩化ビニルのようなガラスおよびポリマー、液状シリコンゴム、環状オレフィンコポリマー、アイオノマー樹脂、透明ポリプロピレン、フッ素化エチレンプロピレン、スチレンメチルメタクリレート、スチレンアクリロニトリル樹脂、ポリスチレン、ならびに、メチルメタクリレート・アクリロニトリル・ブタジエン・スチレンが挙げられる。基板１４は、約５０ミクロン～約２０００ミクロン、例えば、約１００ミクロン～約１５００ミクロン、さらなる例として、約１５０ミクロン～約１０００ミクロンの範囲の厚さで存在することができる。
【0020】
図１Ａおよび図１Ｂに示すように、第１の多層構造１６および第２の多層構造１７は、第１の多層構造１６が第２の多層構造１７と接触するように組み合わせることができる。一態様において、第２の多層構造１７の第２のフォトレジスト層１０ｂの外面は、第１の多層構造１６の第１のフォトレジスト層１０ａの外面に隣接する、および／または、第１の多層構造１６の第１のフォトレジスト層１０ａの外面上に存在することができる。
【0021】
本方法は、第２の多層構造１７と接触している間に第１の多層構造１６に圧力および温度を加えるステップを含むことができる。圧力は、約１ＰＳＩ～約２０ＰＳＩ、例えば約１ＰＳＩ～約１５ＰＳＩの範囲、さらなる例として、約３ＰＳＩ～約１０ＰＳＩの範囲にわたるものとすることができる。温度は、約６０℃～約９０℃、例えば約６５℃～約８５℃の範囲にわたるものとすることができる。接触時間は、約１分～約６０分、例えば約２分～約５５分、さらなる例として約５分～約５０分の範囲にわたるものとすることができる。
【0022】
図１Ｃに示すように、本方法は、モールド１８を除去するステップを含むことができる。第１のフォトレジスト層１０ａおよび第２のフォトレジスト層１０ｂは結合して、例えば、第１の多層構造１６と第２の多層構造１７との間にエアポケットまたは気泡を含まないフォトレジストスタック１０ｃを形成することができる。フォトレジストスタック１０ｃは、複製された微細構造パターン２０ｂと、複製された微細構造パターン２０ｂを有しない（旧）第２のフォトレジスト層１０ｂのベース部分２２とを含むことができる。
【0023】
図１Ｄに示すように、本方法は、組み合わされたフォトレジストスタック１０ｃにコリメート光源２４の使用によりフラッド露光を施すステップを含むことができ、コリメート光２４は、複製された微細構造パターン２０ｂおよび複製された微細構造パターン２０ｂを有しないフォトレジストスタック１０ｃのベース部分２２を露光する。コリメート光源２４は、フォトマスクアライナーランプ、専用のｉ線ＵＶ露光ツール、またはＵＶ－ＬＥＤ／レーザーセットアップなどのコリメート光を放出する光源とすることができる。別の態様では、コリメート光源は、拡散光を受光してコリメート光を放出するレンズまたはミラーなどの、コリメート光を放出する光源とすることができる。フラッド露光の適用は、薄膜１２の表面部分２６が複製された微細構造パターン２０ｂの直下に数百ナノメートルから数ミクロンまで完全に露光されるか、または存在することができるように、フォトレジストスタック１０ｃのベース部分２２を完成または完成近くまで現像するための後続の現像ステップに続くことができる。一態様では、コリメート光の照射後、後続の現像ステップを経て、構造体は、基板１４、薄膜１２、および薄膜１２の表面に隣接または表面上に複製された微細構造パターン２０ｂを含む。一態様では、フォトレジストスタック１０ｃのベース部分２２は存在しない。図１Ｅに示すように、本方法はまた、フォトレジストスタック１０ｃと薄膜１２とをエッチングして、フォトレジストスタック１０ｃから薄膜１２にエッチング微細構造パターン２０ｂを形成するステップを含む。エッチング後、薄膜１２は、複製された微細構造パターン２０ｃを有する部分、および／または薄膜１２の元の厚さを有する部分を含む。薄膜１２を含まない部分、すなわち薄膜１２が存在しない部分が存在し得る。エッチングのステップは、フォトレジスト材料とその下の薄膜１２とを同時にエッチングする任意の技術を使用して実施することができる。適切なエッチング技術の非限定的な例として、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、誘導結合プラズマ-反応性イオンエッチング（ＩＣＰ－ＲＩＥ）、およびイオンミリングが挙げられる。
【0024】
薄膜１２内のエッチングされた微細構造パターン２０ｃは、モールド１８の微細構造パターン２０ａと逆パターンを有してもよく、そして、同じアスペクト比を有してもよいし、有さなくてもよい。フォトレジストスタック１０ｃ中の複製された微細構造パターン２０ｂは、モールド１８の微細構造パターン２０ａと逆パターンを有してもよく、実質的に同一であってもよい。薄膜１２内のエッチングされた微細構造パターン２０ｃは、フォトレジストスタック１０ｃの複製された微細構造パターン２０ｂと同一特性を有してもよく、そして、同じアスペクト比を有してもよいし、有さなくてもよい。
【0025】
本方法はまた、第２の多層構造１７を作成するステップを含む。本明細書で論じるように、モールド１８は、モールドの表面、例えば図２Ａに示すように、微細構造パターン２０ａを含むモールド１８の表面に、剥離コーティング（図示せず）として塗布される、剥離剤を含むことができる。剥離剤は本明細書に開示されている。塗布された離型コーティングは、離型コーティングの表面を親水性にするために、紫外線オゾン処理またはマイルド酸素プラズマなどの処理を施すことができる。これは、モールド上へのフォトレジスト層１０ｄの塗布を容易にするために行うことができる。
【0026】
図２Ｂに示すように、本方法は、剥離コーティング上に第３のフォトレジスト層１０ｄを塗布するステップを含むことができる。第３のフォトレジスト層１０ｄは、モールド１８および／または剥離コーティングの表面を、約５０％～約１００％の被覆率となるようにして、被覆するのに十分な厚さで塗布することができる。第３のフォトレジスト層１０ｄは、約１ミクロン～約２０ミクロン、例えば、約１ミクロン～約１５ミクロン、さらなる例として、約２ミクロン～約１０ミクロンの範囲の厚さで塗布することができる。第３のフォトレジスト層１０ｄは、蒸着プロセスによって塗布することができる。成膜プロセスの非限定的な例としては、スピンコートプロセス、スプレーコートプロセス、およびディップコートプロセスが挙げられる。
【0027】
特に、第３のフォトレジスト層１０ｄは、微細構造パターン２０ａのすべてのくぼみ／突起が第３のフォトレジスト層１０ｄに模倣されるように塗布することができる。第３のフォトレジスト層１０ｄは、モールドの微細構造パターン２０ａに適合する表面を含むことができ、また第４のフォトレジスト層１０ｅを受け止めることができる、適合するまたは平面状である側の表面を含むことができる。
【0028】
塗布後、第３のフォトレジスト層１０ｄは、約５０℃～約９０℃の範囲の温度で、約１秒～約３０分の範囲の時間、加熱／ベークすることができる。加熱／べ―クは、ホットプレートまたはオーブンで行うことができる。一態様では、第３のフォトレジスト層１０ｄをスピンコートし、ホットプレート上で７５℃、約２分間ベークすることができる。
【0029】
第３のフォトレジスト層１０ｄを加熱／ベークした後、図２Ｃに示すように、第４のフォトレジスト層１０ｅを第３のフォトレジスト層１０ｄの表面上に塗布することができる。第３のフォトレジスト層１０ｄおよび第４のフォトレジスト層１０ｅは、同一材料または異なる材料を含むことができる。第４のフォトレジスト層１０ｅは、平坦な外面をもたらすように塗布することができる。第４のフォトレジスト層１０ｅは、約１ミクロン～約２０ミクロン、例えば約１ミクロン～約１５ミクロン、さらなる例として約２ミクロン～約１０ミクロンの範囲の厚さで塗布することができる。第４のフォトレジスト層１０ｅは、蒸着プロセスによって塗布することができる。蒸着プロセスの非限定的な例としては、スピンコートプロセス、スプレーコートプロセス、およびディップコートプロセスが挙げられる。第４のフォトレジスト層１０ｅを連続してスピンコートし、ホットプレート上で７５℃、約２分間ベークして、フォトレジストスタック１０ｂを形成することができる。フォトレジスト中間層（１０ｄおよび１０ｅ）のベークには、それぞれ３０秒～５分および６０℃～９５℃の範囲の加熱／ベーク時間および温度の任意の組み合わせを使用することができる。
【0030】
第４のフォトレジスト層１０ｅの塗布後、構造体（随意的な剥離コーティングを有するモールド１８、第３のフォトレジスト層１０ｄ、および第４のフォトレジスト層１０ｅを含む）は、約５０℃～約９０℃の範囲の温度で、約１秒～約３０分の範囲の時間、加熱／ベークすることができる。加熱／ベークは、ホットプレートまたはオーブンで行うことができる。このようにして、第２の多層構造１７を形成することができる。
【0031】
本方法は、第１の多層構造１６を形成する方法も含み得る。図３Ａに示すように、薄膜１２を基板１４の表面に配置することができる。薄膜１２および基板１４は、本明細書で説明する通りである。図３Ｂに示すように、薄膜１２の表面に第１のフォトレジスト層１０ａを塗布して、第１の多層構造１６を形成することができる。第１のフォトレジスト層１０ａは、本明細書で説明する通りである。一態様では、第１の多層構造１６の各層は平面および／または平滑である。
【0032】
物品は、基板と、複製された微細構造パターンを含む薄膜とを含むことができる。
【0033】
以上の説明から、当業者は、本教示を様々な形態で実施できることを理解することができる。 したがって、これらの教示は、その特定の実施形態および例に関連して記載されてきたが、本教示の真の範囲は、そのように限定されるべきではない。 本明細書の教示の範囲から逸脱することなく、様々な変更および修正を行うことができる。
【0034】
本開示は広義に解釈される。本開示は、本明細書に開示されたコーティング、デバイス、活動、および機械的作用を達成するための等価物、手段、システム、および方法を開示することを意図している。開示された各コーティング、デバイス、層、物品、方法、手段、機械的要素又またはメカニズムについて、本開示は、本明細書に開示された多くの態様、機構及びデバイスを実施するための等価物、手段、システムおよび方法をも開示に包含し、教示することを意図する。さらに、本開示は、方法と、その方法によって形成された物品と、その多くの態様、特徴及び要素に関する。本開示は、本明細書に開示された操作及び機能の説明及び精神に一貫する、光学デバイスのような物品及びその多くの側面の使用の等価物、手段、システム及び方法を包含することを意図している。本出願の特許請求の範囲も同様に広く解釈される。本明細書における多くの実施形態における発明の説明は、本質的に単なる例示であり、したがって、本発明の要旨を逸脱しない変形は、本発明の範囲内であることが意図される。そのような変形は、本発明の精神および範囲から逸脱するものとはみなされない。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図3A】
【図3B】
【国際調査報告】