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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-06-04
(54)【発明の名称】太陽電池およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H10K 39/15 20230101AFI20240528BHJP
H10K 30/88 20230101ALI20240528BHJP
H10K 30/40 20230101ALI20240528BHJP
H10K 39/12 20230101ALI20240528BHJP
H01L 31/0747 20120101ALN20240528BHJP
【ＦＩ】
H10K39/15
H10K30/88
H10K30/40
H10K39/12
H01L31/06 455
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023572086
(86)(22)【出願日】2022-06-02
(85)【翻訳文提出日】2023-11-21
(86)【国際出願番号】 KR2022007804
(87)【国際公開番号】W WO2022255804
(87)【国際公開日】2022-12-08
(31)【優先権主張番号】10-2021-0071211
(32)【優先日】2021-06-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】510149600
【氏名又は名称】ジュソン エンジニアリング カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110001427
【氏名又は名称】弁理士法人前田特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】キム ジェホ
【テーマコード（参考）】
5F251
【Ｆターム（参考）】
5F251AA02
5F251AA05
5F251AA11
5F251DA07
5F251JA04
5F251XA01
5F251XA61
(57)【要約】
本発明は、基板上に具備された太陽電池層、および前記太陽電池層上に具備された封止層を含んでなり、前記封止層は、ドーパント物質がドープされた金属酸化物またはドーパント物質がドープされた金属酸化窒化物を含んでなり、前記金属酸化物又は金属酸化窒化物は、Ｗ、Ｎｂ及びＳｎからなる群から選択された少なくとも１つの金属を含んでなる太陽電池及びその製造方法を提供する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に具備された太陽電池層、および前記太陽電池層上に具備された封止層を含んでなり、
前記封止層が、ドーパント物質がドープされた金属酸化物またはドーパント物質がドープされた金属酸化窒化物を含んでなり、
前記金属酸化物または前記金属酸化窒化物は、Ｗ、Ｎｂ、およびＳｎからなる群から選択された少なくとも１つの金属を含んでなる、太陽電池。
【請求項2】
前記封止層が、前記太陽電池層と接する第１封止層、および前記第１封止層上に形成され、前記太陽電池層と接しない第２封止層とを含んでなり、前記ドーパント物質がドープされた金属酸化物または前記ドーパント物質がドープされた金属酸化窒化物は、前記第２封止層内に含まれ、前記第１封止層は絶縁物質からなる、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項3】
前記第２封止層が、互いに異なる物質の複数の層からなる、請求項２に記載の太陽電池。
【請求項4】
前記ドーパント物質が、前記金属酸化物または前記金属酸化窒化物内で酸化物を形成することができる物質を含んでなり、前記ドーパント物質の酸化物の屈折率は、前記金属酸化物の屈折率又は前記金属窒化物の屈折率より低い、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項5】
前記太陽電池層が、基板型太陽電池およびペロブスカイト太陽電池を含む、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項6】
基板上に具備された太陽電池層、および前記太陽電池層上に具備された封止層を含んでなり、
前記太陽電池層が、直列に連結した複数の単位セルを含んでなり、
前記封止層は、前記太陽電池層と接する第１封止層、および前記太陽電池層と接することなく前記第１封止層上に具備された第２封止層を含んでなり、
前記第１封止層と前記第２封止層は、互いに隣接する２つの単位セル間の領域を充たすように具備した太陽電池。
【請求項7】
前記太陽電池層が、第１分離部を挟んで離隔した複数の第１電極、前記複数の第１電極上に具備され、コンタクト部及び第２分離部を挟んで離隔した複数のペロブスカイト太陽電池、および前記複数のペロブスカイト太陽電池上に具備され、前記コンタクト部を介して前記第１電極と連結する複数の第２電極を含んでなり、前記第１封止層と前記第２封止層は、前記第２分離部の内部を充たすように具備された、請求項６に記載の太陽電池。
【請求項8】
前記太陽電池層が、基板型太陽電池、前記基板型太陽電池上に具備されたペロブスカイト太陽電池、前記基板型太陽電池の下面に具備された第１電極、及び前記ペロブスカイト太陽電池の上面に具備された第２電極、および１つの単位セル内の前記第１電極と異なる１つの単位セル内の前記第２電極の間を連結する連結ラインを含んでなり、前記第１封止層と前記第２封止層は、前記連結ラインと接する、請求項６に記載の太陽電池。
【請求項9】
前記太陽電池層が、コンタクト部を具備したペロブスカイト太陽電池、前記ペロブスカイト太陽電池上に具備され、複数のホールを具備したフィルム、及び前記複数のホール内に充たされた導電層を含んでなるバッファ層、前記バッファ層上に具備された基板型太陽電池、前記基板型太陽電池上に具備された電極、及び前記コンタクト部を介して１つの単位セルと異なる１つの単位セルを直列に連結する連結ラインを含んでなり、前記第１封止層と前記第２封止層は、前記コンタクト部を充たすように具備された、請求項６に記載の太陽電池。
【請求項10】
前記基板と前記太陽電池層の間に具備されたバリア層をさらに含み、前記封止層が、前記太陽電池層によって覆われずに露出した前記バリア層の端領域を覆うように具備された、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項11】
前記基板と前記太陽電池層の間に具備されたバリア層をさらに含み、前記封止層が、前記太陽電池層によって覆われずに露出した前記バリア層の端領域を覆うように具備された、請求項６に記載の太陽電池。
【請求項12】
前記封止層上に保護層をさらに具備した、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項13】
前記封止層上に保護層をさらに具備した、請求項６に記載の太陽電池。
【請求項14】
基板上に太陽電池層を形成する工程、前記太陽電池層上に封止層を形成する工程、および
前記封止層上に保護層を形成する工程を含み、
前記封止層は、ドーパント物質がドープされた金属酸化物またはドーパント物質がドープされた金属酸化窒化物を含んでなり、
前記金属酸化物または金属酸化窒化物は、Ｗ、Ｎｂ、およびＳｎからなる群から選択された少なくとも１つの金属を含んでなる、太陽電池の製造方法。
【請求項15】
基板上に太陽電池層を形成する工程、保護層の一面上に封止層を形成する工程、および
前記封止層を前記太陽電池層に接するようにしながら、前記封止層と前記保護層を前記太陽電池層の一面に加圧積層する工程とを含んでなり、
前記封止層は、ドーパント物質がドープされた金属酸化物またはドーパント物質がドープされた金属酸化窒化物を含んでなり、
前記金属酸化物または金属酸化窒化物は、Ｗ、Ｎｂ、およびＳｎからなる群から選択された少なくとも１つの金属を含んでなる、太陽電池の製造方法。
【請求項16】
前記封止層が、前記太陽電池層と接する第１封止層、および前記第１封止層上に形成され、前記太陽電池層と接しない第２封止層を含んでなり、前記ドーパント物質がドープされた金属酸化物または前記ドーパント物質がドープされた金属酸化窒化物は、前記第２封止層内に含まれ、前記第１封止層は絶縁物質からなる、請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項17】
前記封止層が、前記太陽電池層と接する第１封止層、および前記第１封止層上に形成され、前記太陽電池層と接しない第２封止層を含んでなり、前記ドーパント物質がドープされた金属酸化物または前記ドーパント物質がドープされた金属酸化窒化物は、前記第２封止層内に含まれ、前記第１封止層は絶縁物質からなる、請求項１５に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項18】
前記ドーパント物質が、前記金属酸化物または前記金属酸化窒化物内で酸化物を形成することができる物質を含んでなり、前記ドーパント物質の酸化物の屈折率が、前記金属酸化物の屈折率又は前記金属窒化物の屈折率より低い、請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項19】
前記ドーパント物質が、前記金属酸化物または前記金属酸化窒化物内で酸化物を形成することができる物質を含んでなり、前記ドーパント物質の酸化物の屈折率が、前記金属酸化物の屈折率又は前記金属窒化物の屈折率より低い、請求項１５に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、太陽電池に関し、より具体的には太陽電池の封止層に関するものである。
【背景技術】
【0002】
ペロブスカイト化合物は、水分によって容易に酸化する問題がある。そのため、ペロブスカイト化合物を太陽電池の吸収層に適用したペロブスカイト太陽電池の場合、外部の酸素や水分によって前記吸収層が酸化して太陽電池の効率が低下するという問題がある。
【0003】
したがって、前記太陽電池の吸収層を外部の酸素や水分の浸透から保護するための封止層が必要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は、前述した従来の問題点を解決するために考案されたものであり、本発明は、太陽電池の吸収層を外部の酸素や水分の浸透から効率的に保護できる封止層を具備した太陽電池及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
前記目的を達成するために、本発明は、基板上に具備された太陽電池層、および前記太陽電池層上に具備された封止層を含んでなり、前記封止層は、ドーパント物質がドープされた金属酸化物またはドーパント物質がドープされた金属酸化窒化物を含んでなり、前記金属酸化物または金属酸化窒化物は、Ｗ、Ｎｂ及びＳｎからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含んでなる太陽電池を提供する。
【0006】
前記封止層は、前記太陽電池層と接する第１封止層、および前記第１封止層上に形成され、前記太陽電池層と接しない第２封止層とを含んでなり、前記ドーパント物質がドープされた金属酸化物、または、前記ドーパント物質がドープされた金属酸化窒化物は、前記第２封止層内に含まれ、前記第１封止層は、絶縁物質からなることができる。
【0007】
前記第２封止層は、互いに異なる物質の複数の層からなることができる。
【0008】
前記ドーパント物質は、前記金属酸化物または前記金属酸化窒化物内で酸化物を形成させることができる物質を含んでなり、前記ドーパント物質の酸化物の屈折率が、前記金属酸化物の屈折率または前記金属窒化物の屈折率より低いことがあり得る。
【0009】
前記太陽電池層は、基板型太陽電池およびペロブスカイト太陽電池を含むことができる。
【0010】
本発明はまた、基板上に具備された太陽電池層、および前記太陽電池層上に具備された封止層を含んでなり、前記太陽電池層は、直列に連結した複数の単位セルを含んでなり、前記封止層は、前記太陽電池層と接する第１封止層および前記太陽電池層と接することなく前記第１封止層上に具備された第２封止層を含んでなり、前記第１封止層と前記第２封止層は、互いに隣接する２つの単位セル間の領域を埋めるように構成された太陽電池を提供する。
【0011】
前記太陽電池層は、前記第１分離部を挟んで離隔した複数の第１電極、前記複数の第１電極上に具備され、コンタクト部及び第２分離部を挟んで離隔した複数のペロブスカイト太陽電池、および前記複数のペロブスカイト太陽電池上に具備され、前記コンタクト部を介して前記第１電極と接続する複数の第２電極を含んでなり、前記第１封止層と前記第２封止層は、前記第２分離部の内部を充たすように具備することができる。
【0012】
前記太陽電池層は、基板型太陽電池、前記基板型太陽電池上に具備されたペロブスカイト太陽電池、前記基板型太陽電池の下面に具備された第１電極、及び前記ペロブスカイト太陽電池の上面に具備された第２電極、および１つの単位セル内の前記第１電極と他の１つの単位セル内の第２電極の間を連結する連結ラインを含んでなり、前記第１封止層と前記第２封止層は、前記連結ラインと接することができる。
【0013】
前記太陽電池層は、コンタクト部を具備したペロブスカイト太陽電池、前記ペロブスカイト太陽電池上に具備され、複数のホールを具備したフィルム、及び前記複数のホール内に充たされた導電層を含んでなるバッファ層、前記バッファ層上に具備された基板型太陽電池、前記基板型太陽電池上に具備された電極、および前記コンタクト部を介して１つの単位セルと他の１つの単位セルとを直列に連結する連結ラインとを含んでなり、前記第１封止層と前記第２封止層は、前記コンタクト部を充たすように具備することができる。
【0014】
前記基板と前記太陽電池層の間に具備されたバリア層をさらに含み、前記封止層は、前記太陽電池層によって覆われずに露出した前記バリア層の端領域を覆うように具備することができる。
【0015】
前記封止層上に保護層をさらに具備することができる。
【0016】
本発明はまた、基板上に太陽電池層を形成する工程、前記太陽電池層上に封止層を形成する工程、および前記封止層上に保護層を形成する工程を含んでなり、前記封止層は、ドーパント物質がドープされた金属酸化物またはドーパント物質がドープされた金属酸化窒化物を含んでなり、前記金属酸化物または金属酸化窒化物は、Ｗ、Ｎｂ、及びＳｎからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含んでなる太陽電池の製造方法を提供する。
【0017】
本発明はまた、基板上に太陽電池層を形成する工程、保護層の一面上に封止層を形成する工程、および前記封止層を前記太陽電池層に接するようにしながら、前記封止層と前記保護層を前記太陽電池層の一面に加圧積層する工程を含んでなり、前記封止層は、ドーパント物質がドープされた金属酸化窒化物またはドーパント物質がドープされた金属酸化窒化物を含んでなり、前記金属酸化物または金属酸化窒化物が、Ｗ、Ｎｂ、およびＳｎからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含んでなる太陽電池の製造方法を提供する。
【0018】
前記封止層は、前記太陽電池層と接する第１封止層、および前記第１封止層上に形成され、前記太陽電池層と接しない第２封止層を含んでなり、前記ドーパント物質がドープされた金属酸化物、または前記ドーパント物質がドープされた金属酸化窒化物は、前記第２封止層内に含まれ、前記第１封止層は、絶縁物質からなることができる。
【0019】
前記ドーパント物質は、前記金属酸化物または前記金属酸化窒化物内で酸化物を形成させることができる物質を含んでなり、前記ドーパント物質の酸化物の屈折率が、前記金属酸化物の屈折率または前記金属窒化物の屈折率より低いことがあり得る。
【発明の効果】
【0020】
以上のような本発明によれば、次のような効果がある。
【0021】
本発明の一実施例によれば、封止層がドーパント物質がドープされた金属酸化物またはドーパント物質がドープされた金属酸化窒化物を含んでなり、前記金属酸化物または金属酸化窒化物は、Ｗ、Ｎｂ、およびＳｎからなる群から選択された少なくとも１つの金属を含んでなることにより、封止層による光透過率の低下を防止しながらも、太陽電池内部に外部の酸素や水分が浸透することを効率的に防止することができる。
【0022】
本発明の一実施例によれば、封止層が太陽電池層と接する第１封止層、および前記太陽電池層と接することなく前記第１封止層上に具備された第２封止層を含んでなり、前記第１封止層と前記第２封止層は、互いに隣接する２つの単位セル間の領域を埋めるように具備されることにより、単位セル間の領域を通じて外部の酸素や水分が浸透することを効率的に防止することができる。
【0023】
本発明の他の実施例によれば、封止層を太陽電池層の上面に直接に蒸着せずに保護層の上面に蒸着した後、前記太陽電池層の上面に積層するので、前記封止層の蒸着工程中に前記太陽電池層の損傷の懸念がなく、前記封止層の蒸着工程を高温範囲で行うことができる利点があり、それにより、より緻密な膜質の封止層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【発明を実施するための形態】
【0025】
本発明の利点および特徴、ならびにそれらを達成する方法は、添付の図と共に詳細に後述される実施例を参照することによって明らかになるであろう。しかしながら、本発明は、以下に開示される実施例に限定されるものではなく、互いに異なる様々な形態で具現されるものであり、単に本実施例は本発明の開示が完全になるようにし、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に、発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は特許請求の範囲によって定義されるだけである。
【0026】
本発明の実施例を説明するための図に開示された形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものであり、本発明が図に示された事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって、同じ参照番号は同じ構成要素を指す。また、本発明の説明において、関連する公知技術に対する具体的な説明が、本発明の要旨を不必要に曖昧にし得ると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本発明上で言及する「含む」、「有する」、「からなる」などが使用される場合、「～のみ」が使用されない限り、他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現した場合に、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。
【0027】
構成要素を解釈するにおいて、別途の明示的な記載がなくても、誤差範囲を含むものと解釈する。
【0028】
位置関係に対する説明である場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～横に」などで２つの部分の位置関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されていない限り、２つの部分の間に１つ以上の他の部分が位置することもできる。
【0029】
時間関係に対する説明の場合、例えば、「～後に」、「～に続き」、「～の次に」、「～前に」などで時間的先後関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されていない限り、連続的でない場合も含むことができる。
【0030】
第１、第２などは、様々な構成要素を説明するために使用されるが、これらの構成要素は、これらの用語によって限定されない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素でもあり得る。
【0031】
本発明のいくつかの実施例の各々の特徴は、部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に様々な連動および駆動が可能であり、各実施例は互いに対して独立して実施することもでき、連関関係で一緒に実施することもできる。
【0032】
以下、図を参照して本発明の好ましい実施例について詳細に説明する。
【0033】
図１は、本発明の一実施例による太陽電池の概略断面図である。
【0034】
図１から分かるように、本発明の一実施例による太陽電池は、基板１００、バリア層２００、太陽電池層３００、封止層４００、及び保護層５００を含んでなる。
【0035】
基板１００は、硬い物質から構成することもでき、柔軟な物質から構成することもできる。例えば、前記基板１００は、ガラスまたはプラスチックからなることができる。
【0036】
前記バリア層２００は、前記基板１００の一面、例えば上面上に形成される。前記バリア層２００は、前記基板１００に含まれた物質が前記太陽電池層３００に拡散するのを防止する役割を果たすとともに、外部の水分や酸素が前記基板１００を介して前記太陽電池層３００への浸透を防止する役割をする。前記バリア層２００は、前記基板１００の上面全体に形成することができる。
【0037】
このようなバリア層２００は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、アルミニウムなどの金属酸化物、およびアルミニウムなどの金属窒化物などの無機絶縁物からなることができ、化学気相成長法（Chemical Vapor Deposition；ＣＶＤ）または原子層堆積法（Atomic Layer Deposition;ＡＬＤ)などの薄膜蒸着工程によって形成することができる。前記バリア層２００は、省略することもできる。
【0038】
前記太陽電池層３００は、前記バリア層２００の一面、例えば上面上に形成される。
【0039】
前記太陽電池層３００は、第１電極３０１、第１導電性電荷伝達層３０２、光吸収層３０３、第２導電性電荷伝達層３０４、第２電極３０５、第１端子３０６、および第２端子３０７を含んでなる。前記第１導電性電荷伝達層３０２、光吸収層３０３、及び第２導電性電荷伝達層３０４の組み合わせにより、ペロブスカイト太陽電池が構成される。
【0040】
前記第１電極３０１は、前記バリア層２００の一面、例えば上面上に形成されている。前記第１電極３０１は、金属酸化物などの透明導電物質からなることができる。複数の第１電極３０１は、第１分離部（Ｐ１）を挟んで互いに離隔している。また、前記バリア層２００の両端には、前記第１電極３０１を具備しないことがあり得る。すなわち、最外郭に位置する第１電極３０１の端部は、前記バリア層２００の端部より内側に位置し、それにより太陽電池の構成要素と外部の他の構成との間の電気的接続が遮断され得る。前記第１分離部（Ｐ１）では、前記第１電極３０１が構成されないので、前記バリア層２００の上面が露出することができる。
【0041】
前記第１導電性電荷伝達層３０２は、前記第１電極３０１の一面、例えば上面上に形成されている。前記第１導電性電荷伝達層３０２は、前記第１分離部（Ｐ１）を充たすように形成され、前記第１導電性電荷伝達層３０２の下面は、前記バリア層２００の上面と接することができる。また、複数の第１導電性電荷伝達層３０２は、コンタクト部（Ｐ２）および第２分離部（Ｐ３）を挟んで離隔することができる。最外郭に位置する第１導電性電荷伝達層３０２の端部は、最外郭に位置する第１電極３０１の端部より内側に位置することができ、それによって最外郭に位置する前記第１電極３０１の端部は、外部に露出することができる。
【0042】
前記光吸収層３０３は、前記第１導電性電荷伝達層３０２の一面、例えば上面上に形成されている。複数の光吸収層３０３は、前記コンタクト部（Ｐ２）および前記第２分離部（Ｐ３）を挟んで離隔することができる。最外郭に位置する光吸収層３０３の端部は、最外郭に位置する第１導電性電荷伝達層３０２の端部と一致するようにパターン形成することができる。したがって、最外郭に位置する光吸収層３０３の端部は、最外郭に位置する前記第１電極３０１の端部より内側に位置することができ、それによって最外郭に位置する前記第１電極３０１の端部は、外部に露出することができる。前記光吸収層３０３は、当技術分野で公知のペロブスカイト化合物からなる。
【0043】
前記第２導電性電荷伝達層３０４は、前記光吸収層３０３の一面、例えば上面上に形成されている。複数の第２導電性電荷伝達層３０４は、前記コンタクト部（Ｐ２）および前記第２分離部（Ｐ３）を挟んで離隔することができる。最外郭に位置する第２導電性電荷伝達層３０４の端部は、最外郭に位置する光吸収層３０３の端部と一致するようにパターン形成することができる。したがって、最外郭に位置する第２導電性電荷伝達層３０４の端部は、最外郭に位置する第１電極３０１の端部より内側に位置することができ、それによって最外郭に位置する第１電極３０１の端部は、外部に露出することができる。
【0044】
前記第１導電性電荷伝達層３０２が電子輸送層からなる場合、前記第２導電性電荷伝達層３０４は、正孔輸送層からなり、前記第１導電性電荷伝達層３０２は、正孔輸送層からなる場合、前記第２導電性電荷伝達層３０４は電子輸送層からなる。
【0045】
前記電子輸送層は、ＢＣＰ（Bathocuproine）、Ｃ６０、またはＰＣＢＭ（Phenyl-C61-butyric acid methyl ester）などの当業界で公知の様々なＮ型有機物、ＺｎＯ、ｃ－ＴｉＯ２／ｍｐ－ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、またはＩＺＯなどの当技術分野で公知の様々なＮ型金属酸化物、およびその他の当技術分野で公知の様々なＮ型有機または無機物を含んでなることができる。
【0046】
前記正孔輸送層は、Spiro-MeO-TAD、Spiro-TTB、ポリアニリン、ポリピノール、ポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェン-ポリスチレンスルホネート(PEDOT-PSS)、またはポリ-[ビス(4-フェニル)(2,4,6-トリメチルフェニル)アミン](PTAA)、ポリ(3-ヘキシルチオフェン-2,5-ジイル)(P3HT)等のような当技術分野で公知の様々なＰ型有機物、Ｎｉ酸化物、Ｍｏ酸化物または、Ｖ酸化物、Ｗ酸化物、Ｃｕ酸化物などの当技術分野で公知の様々なＰ型金属酸化物、およびその他の当技術分野で公知の様々なＰ型有機または無機物を含んでなることができる。
【0047】
前記第２電極３０５は、前記第２導電性電荷伝達層３０４の一面、例えば上面上に形成されている。複数の第２電極３０５は、前記第２分離部（Ｐ３）を挟んで離隔することができる。前記前記第１電極３０１、第１導電性電荷伝達層３０２、光吸収層３０３、第２導電性電荷伝達層３０４、及び第２電極３０５の積層構造によって、単位セルが構成されるが、ここで、１つの単位セル内の前記第２電極３０５は、前記コンタクト部（Ｐ２）を介してそれに隣接する他の単位セル内の前記第１電極３０１と連結し、それによって複数の単位セルが直列に連結することができる。前記第２電極３０５は、金属物質で形成することができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【0048】
最外郭に位置する第２電極３０５の端部は、最外郭に位置する第２導電性電荷伝達層３０４の端部と一致するようにパターン形成することができる。したがって、最外郭に位置する第２電極３０５の端部は、最外郭に位置する第１電極３０１の端部より内側に位置することができ、それによって最外郭に位置する第１電極３０１の端部は、外部に露出することができる。
【0049】
前記第１端子３０６は一側、例えば左側の最外郭に位置する単位セル内の第１電極３０１の上面上に形成することができ、前記第２端子３０７は他側、例えば右側の最外郭に位置する単位セル内の第２電極３０５の上面上に形成することができる。
【0050】
例えば、前記第１端子３０６は、直列に連結した複数の単位セルの（－）端子として機能することができ、前記第２端子３０７は、直列に連結した複数の単位セルの（＋）端子として機能することができる。
【0051】
前記封止層４００は、前記太陽電池層３００の一面、例えば上面上に形成される。前記封止層４００によって外部の水分や酸素が、前記太陽電池層３００に浸透することを防止することができる。したがって、前記封止層４００は、前記太陽電池層３００の上面全体を覆うように形成されるとともに、外部に露出した前記バリア層２００の両端の上面も覆うように形成される。
【0052】
前記封止層４００は、単位セルの側面を覆うように形成されるので、単位セルの側面を通って外部の水分や酸素が、単位セルの内部に浸透することを防止することができる。具体的には、前記封止層４００は、最外郭の単位セルの側面を覆い、隣接する２つの単位セルの間の領域に具備された第２分離部（Ｐ３）の内部を充たすように形成されることにより、全ての単位セルの側面を覆うように形成することができる。また、前記封止層４００は、最外郭の単位セルの露出した第１電極３０１の上面と側面を覆い、また、前記第１端子３０６と前記第２端子３０７の上面と側面を覆う。
【0053】
前記封止層４００は、第１封止層４１０および第２封止層４２０を含んでなることができる。前記第１封止層４１０は、前記太陽電池層３００上で前記太陽電池層３００と接するように形成され、前記第２封止層４２０は、前記第１封止層４１０上に形成され、前記太陽電池層３００とは接しないことがあり得る。
【0054】
前記第１封止層４１０と前記第２封止層４２０は、最外郭単位セルの側面を覆い、隣接する２つの単位セル間の領域に具備された第２分離部（Ｐ３）の内部を充たすように形成され、最外郭の単位セルの露出した第１電極３０１の上面と側面を覆い、前記第１端子３０６と前記第２端子３０７の上面と側面を覆い、また、露出した前記バリア層２００の上面を覆う。
【0055】
ここで、前記第１封止層４１０は、複数の単位セルのそれぞれにおいて、第１電極３０１の側面と上面、第１導電性電荷伝達層３０２の側面、光吸収層３０３の側面、第２導電性電荷伝達層３０４の側面、及び第２電極３０５の側面と上面と接し、また、第１端子３０６の側面と上面、及び第２端子３０７の側面と上面と接し、また、バリア層２００の上面と接することができる。前記第１封止層４１０は、窒化シリコンまたは酸化シリコンなどの絶縁物質からなることによって、各単位セルの側面を絶縁することができる。前記第１封止層４１０は、化学気相成長法（ＣＶＤ）または原子層堆積法（ＡＴＯＭ）などの薄膜蒸着工程によって形成することができる。
【0056】
前記第２封止層４２０は、前記前記太陽電池層３００と接しないため、たとえ伝導性のある物質を用いても、各単位セルの側面でショートが発生する問題はなく、したがって、前記第２封止層４２０の物質としては、水分や酸素の浸透を防止できる最適な物質を用いることができる。
【0057】
前記第２封止層４２０は、金属酸化物または金属酸化窒化物を含んでなることができる。前記金属酸化物は、Ｗ、Ｎｂ、及びＳｎからなる群から選択された少なくとも１つの金属の酸化物からなることができ、前記金属酸化窒化物は、Ｗ、Ｎｂ、及びＳｎからなる群から選択された少なくとも１つの金属の酸化窒化物からなることができる。例えば、前記金属酸化物は、ＷＯ３、ＮｂＯ、およびＳｎＯ２からなる群から選択することができる。また、前記金属酸化窒化物は、ＷＯｘＮｙ、ＮｂＯｘＮｙ、およびＳｎＯｘＮｙからなる群から選択することができる。前記ｘ及びｙは、それぞれ０より大きい。
【0058】
前記第２封止層４２０は、ドーパント物質がドープされた金属酸化物またはドーパント物質がドープされた金属酸化窒化物を含んでなることができる。このように、前記第２封止層４２０がドーパント物質をさらに含む場合、光透過率が向上し、太陽電池の効率を向上させることができる。前記ドーパント物質は、前記金属酸化物または金属酸化窒化物中に酸化物を形成させることができる物質を含むことができる。ここで、前記ドーパント物質の酸化物の屈折率が、前記金属酸化物の屈折率または前記金属窒化物の屈折率より低いことが、前記第２封止層４２０の光透過率を向上させることができ好ましい。ある物質の屈折率が低い場合、反射が減少し、光透過率が向上し得る。前記ドーパント物質の例としては、ＳｉまたはＡｌを挙げることができる。
【0059】
前記第２封止層４２０は、互いに異なる物質からなる第１層４２１および第２層４２２を含む複数の層からなることができる。このような第２封止層４２０は、化学気相成長法（ＣＶＤ）または原子層堆積法（ＡＬＤ）などの薄膜蒸着工程によって形成することができ、ここで、各々のソース物質をチャンバ内部に供給しながら、酸素またはオゾンプラズマ処理を行うことができる。
【0060】
前記保護層５００は、前記封止層４００の一面、例えば上面上に形成される。前記保護層５００は、前記封止層４００の上面全体を覆うように形成することができる。前記保護層５００は、ガラスまたはプラスチックからなることができる。
【0061】
【0062】
まず、図２Ａから分かるように、基板１００の一面、例えば上面上に前記バリア層２００を形成し、前記前記バリア層２００の一面、例えば上面上に前記太陽電池層３００を形成する。
【0063】
前記太陽電池層３００は、まず、前記バリア層２００の一面上に第１電極３０１用の薄膜層を形成した後、レーザースクライビング工程を通じて前記薄膜層の所定領域を除去して、第１分離部（Ｐ１）を形成することにより、複数の前記第１電極３０１を形成し、その後、前記第１電極３０１上に第１導電性電荷伝達層３０２、光吸収層３０３及び第２導電性電荷伝達層３０４を順に形成し、その後、レーザースクライビング工程を通じて前記第１導電性電荷伝達層３０２、光吸収層３０３及び第２導電性電荷伝達層３０４の所定領域を除去してコンタクト部（Ｐ２）を形成し、その後、前記第２導電性電荷伝達層３０４上に第２電極３０５用の薄膜層を形成した後、レーザースクライビング工程を通じて前記薄膜層の所定領域を除去して、第２分離部（Ｐ３）を形成することにより、前記コンタクト部（Ｐ２）を介して前記第１電極３０１と連結する第２電極３０５を形成し、その後、一側の最外郭の第１電極３０１上に第１端子３０６を形成し、他側の最外郭の第２電極３０５上に第１端子３０７を形成する工程によって得ることができる。
【0064】
ここで、前記第１導電性電荷伝達層３０２、光吸収層３０３及び第２導電性電荷伝達層３０４は、蒸着工程で形成することもでき、コーティング工程で形成することもできる。
【0065】
次に、図２Ｂから分かるように、前記太陽電池層３００の一面上に、例えば上面上に第１封止層４１０と第２封止層４２０を含む封止層４００を形成する。
【0066】
前記第１封止層４１０と第２封止層４２０の具体的な構成は、図１と同様であるので、反復する説明は省略することにする。
【0067】
次に、図２Ｃから分かるように、前記封止層４００の一面上に、例えば上面上に保護層５００を形成する。
【0068】
【0069】
まず、図３Ａから分かるように、基板１００の一面、例えば上面上にバリア層２００を形成し、前記バリア層２００の一面、例えば上面上に太陽電池層３００を形成する。
【0070】
【0071】
次に、図３Ｂから分かるように、保護層５００の一面に第２封止層４２０を形成し、前記第２封止層４２０の一面上に第１封止層４１０を形成することにより、前記保護層５００の一面上に封止層４００を形成する。
【0072】
次に、図３Ｃから分かるように、前記第１封止層４１０を前記太陽電池層３００と接するようにしながら、前記封止層４００と前記保護層５００を前記太陽電池層３００の上面上に加圧積層して、図１のような太陽電池を完成する。
【0073】
前述の図２Ａ～図２Ｃによる方法は、封止層４００を太陽電池層３００の上面上に直接蒸着形成するので、前記封止層４００の蒸着工程中に前記太陽電池層３００の損傷を防止するために、前記封止層４００の蒸着工程を８０～１５０℃の低温範囲で行うことが好ましい。
【0074】
これに対して、図３Ａ～図３Ｃによる方法は、封止層４００を太陽電池層３００の上面上に直接に蒸着せずに前記保護層５００の上面上に蒸着するので、前記封止層４００の蒸着工程中に前記太陽電池層３００損傷の恐れがなく、前記封止層４００の蒸着工程をより高温範囲、例えば１５０～２５０℃の範囲で行うことができる利点があり、それにより、さらに緻密な膜質の封止層４００を形成することができる。
【0075】
図４は、本発明の他の実施例による太陽電池の概略的な断面図である。
【0076】
図４から分かるように、本発明の他の実施例による太陽電池は、基板１００、バリア層２００、太陽電池層３００、封止層４００、及び保護層５００を含んでなる。
【0077】
前記基板１００と前記バリア層２００は、前述と同じであるので、反復する説明は省略することにする。
【0078】
前記太陽電池層３００は、基板型太陽電池３１０、ペロブスカイト太陽電池３２０、第１電極３０１、第２電極３０５、及び連結ライン３４０を含んでなる。
【0079】
前記基板型太陽電池３１０は、半導体基板３１１、第１半導体層３１２、第２半導体層３１３、第３半導体層３１４、第４半導体層３１５、第１透明電極層３１６および第２透明電極層３１７を含んでなる。
【0080】
前記半導体基板３１１は、Ｎ型半導体ウエハからなることができる。前記半導体基板３１１の一面と他面、具体的には上面と下面は凹凸構造で形成することができる。それによって、前記半導体基板３１１の一面上に積層される複数の層、および前記半導体基板３１１の他面上に積層される複数の層は、前記半導体基板３１１の凹凸構造に対応する凹凸構造で積層することができる。ただし、前記半導体基板３１１の一面と他面のうちのいずれか１つの面にのみ凹凸構造を形成することも可能であり、前記半導体基板３１１の一面と他面の両方に凹凸構造を形成しないこともあり得る。
【0081】
前記第１半導体層３１２は、前記半導体基板３１１の一面、例えば上面に形成される。前記第１半導体層３１２は、化学気相成長法（ＣＶＤ）や原子層堆積法（ＡＴＯＭ）などの薄膜蒸着工程により形成され、真性半導体層、例えば真性非晶質シリコン層からなることができる。ただし、場合によっては、前記第１半導体層３１２が微量のドーパント、例えば微量のｎ型ドーパントがドープされた半導体層、例えば微量のｎ型ドーパントがドープされた非晶質シリコン層からなることもできる。
【0082】
前記第２半導体層３１３は、前記第１半導体層３１２の一面、例えば上面上に形成される。前記第２半導体層３１３は、薄膜蒸着工程を通じて形成され、前記半導体基板３１１または前記第１半導体層３１２と同じ極性である、例えば、ｎ型半導体層からなることができる。前記第２半導体層３１３は、ｎ型非晶質シリコン層からなることができる。
【0083】
前記第３半導体層３１４は、前記半導体基板３１１の他面、例えば下面に形成される。前記第３半導体層３１４は、薄膜蒸着工程を通じて形成され、真性半導体層、例えば真性非晶質シリコン層からなることができる。ただし、場合によっては、前記第３半導体層３１４が微量のドーパント、例えば微量のｐ型ドーパントがドープされた非晶質シリコン層からなることもできる。ここで、前記第３半導体層３１４にドープされたドーパントの極性は、前記第１半導体層３１２にドープされたドーパントの極性とは反対である。
【0084】
前記第４半導体層３１５は、前記第３半導体層３１４の他面、例えば下面に形成される。前記第４半導体層３１５は、薄膜蒸着工程を通じて形成され、所定のドーパントがドープされた半導体層からなることができる。ここで、前記第４半導体層３１５にドープされたドーパントの極性は、前記第２半導体層３１３にドープされたドーパントの極性と反対である。前記第４半導体層３１５は、ｐ型非晶質シリコン層からなることができる。
【0085】
前記第１透明電極層３１６は、前記第２半導体層３１３の一面、例えば上面に形成される。前記第１透明電極層３１６は、化学気相成長法（ＣＶＤ）、原子層堆積法（ＡＬＤ）、または物理気相成長法（ＰＶＤ）などの薄膜蒸着工程を通じて形成される。ここで、前記第１透明電極層３１６は、前記基板型太陽電池３１０と前記ペロブスカイト太陽電池３２０の間のバッファ層として機能することができ、前記基板型太陽電池３１０と前記ペロブスカイト太陽電池３２０間に別途のバッファ層は必要としない。ただし、図に示していないが、前記基板型太陽電池３１０と前記ペロブスカイト太陽電池３２０の間に別途のバッファ層を追加することも可能である。
【0086】
前記第２透明電極層３１７は、前記第４半導体層３１５の他面、例えば下面に形成される。前記第２透明電極層３１７は、化学気相成長法（ＣＶＤ）、原子層堆積法（ＡＬＤ）、または物理気相成長法（ＰＶＤ）などの薄膜蒸着工程を介して形成することもできる。
【0087】
前記ペロブスカイト太陽電池３２０は、第１導電性電荷伝達層３０２、光吸収層３０３、および第２導電性電荷伝達層３０４を含んでなる。
【0088】
前記第１導電性電荷伝達層３０２、光吸収層３０３、及び第２導電性電荷伝達層３０４の具体的な構成は、前述と同様であるため、反復する説明は省略することにする。
【0089】
前記第１電極３０１は、前記基板型太陽電池３１０の第２透明電極層３１７の他面、例えば下面に形成され、前記第２電極３０５は、ペロブスカイト太陽電池３２０の第２導電性電荷伝達層３０４の一面、例えば上面に形成される。前記第１電極３０１と前記第２電極３０５は、太陽電池内部に太陽光が入射できるように所定のパターンで形成することができる。
【0090】
前記基板型太陽電池３１０、ペロブスカイト太陽電池３２０、第１電極３０１、及び第２電極３０５の組み合わせによって、図４に係る太陽電池の単位セルが構成される。
【0091】
前記連結ライン３４０は、前記基板型太陽電池３１０、ペロブスカイト太陽電池３２０、第１電極３０１、及び第２電極３０５の組み合わせからなる複数の単位セルを直列に連結する役割をする。
【0092】
前記連結ライン３４０は、１つの単位セルの第１電極３０１およびそれと隣接する他の単位セルの第２電極３０５との間を電気的に接続し、それによって、前記連結ライン３４０は、互いに隣接する単位セル間の領域に具備される。
【0093】
前記封止層４００は、前記太陽電池層３００の一面、例えば上面に形成される。前述の実施例と同様に、前記封止層４００は、前記太陽電池層３００の上面全体を覆うように形成されるとともに、外部に露出した前記バリア層２００の上面も覆うように形成される。
【0094】
前記封止層４００は、単位セルの側面を覆うように形成されるので、単位セルの側面を通じて外部の水分や酸素が単位セルの内部に浸透することを防止することができる。具体的には、前記封止層４００は、最外郭の単位セルの側面を覆い、それとともに隣接する２つの単位セル間の領域を埋めるように形成されるので、全ての単位セルの側面を覆うように形成することができる。
【0095】
したがって、前記封止層４００は、前記基板型太陽電池３１０の側面を覆うように形成され、具体的には、前記半導体基板３１１、第１半導体層３１２、第２半導体層３１３、第３半導体層３１４、第４半導体層３１５、第１透明電極層３１６および第２透明電極層３１７のそれぞれの側面を覆うように形成される。また、前記封止層４００は、前記ペロブスカイト太陽電池３２０の側面を覆うように形成され、具体的には、前記第１導電性電荷伝達層３０２、光吸収層３０３、及び第２導電性電荷伝達層３０４のそれぞれの側面を覆うように形成される。また、前記封止層４００は、隣接する２つの単位セル間の領域に具備された前記連結ライン３４０と接するように形成される。
【0096】
前記封止層４００は、具体的には図に示していないが、前述した実施例と同様に、第１封止層４１０および第２封止層４２０を含んでなることができ、ここで、前記第１封止層４１０は、前記太陽電池層３００上で前記太陽電池層３００と接するように形成され、前記第２封止層４２０は、前記第１封止層４１０上に形成され、前記太陽電池層３００とは接しないことがあり得る。前記第１封止層４１０および第２封止層４２０のそれぞれは、２つの単位セル間の領域を埋めるように形成され、それぞれの具体的な構成は前述した実施例と同様であるため、反復する説明は省略することにする。
【0097】
前記保護層５００は、前記封止層４００の一面、例えば上面上に形成される。前記保護層５００は、前記封止層４００の上面全体を覆うように形成することができる。
【0098】
【0099】
まず、図５Ａから分かるように、基板１００の一面、例えば上面上にバリア層２００を形成し、前記バリア層２００の一面、例えば上面上に太陽電池層３００を形成する。
【0100】
前記太陽電池層３００は、基板型太陽電池３１０を形成し、前記基板型太陽電池３１０上にペロブスカイト太陽電池３２０を形成し、前記基板型太陽電池３１０の下面に第１電極３０１を形成し、前記ペロブスカイト太陽電池３２０の上面に第２電極３０５を形成し、１つの単位セルの第１電極３０１と他の１つの単位セルの第２電極３０５を連結ライン３４０に連結する工程を通じて形成することができる。このように形成された太陽電池層３００は、前記バリア層２００の上面上に積層することができる。
【0101】
前記基板型太陽電池３１０は、半導体基板３１１の上面上に第１半導体層３１２を形成し、前記第１半導体層３１２の上面上に第２半導体層３１３を形成し、前記半導体基板３１１の下面上に第３半導体層３１４を形成し、前記第３半導体層３１４の下面上に第４半導体層３１５を形成し、前記第２半導体層３１３の上面上に第１透明電極層３１６を形成し、そして前記第４半導体層３１５の下面上に第２透明電極層３１７を形成する工程により形成することができるが、必ずしもそれに限定されるわけではない。
【0102】
前記ペロブスカイト太陽電池３２０は、前記第１透明電極層３１６上に第１導電性電荷伝達層３０２、光吸収層３０３及び第２導電性電荷伝達層３０４を順に形成する工程を通して形成することができる。
【0103】
次に、図５Ｂから分かるように、前記太陽電池層３００の一面上に、例えば上面上に封止層４００を形成する。
【0104】
次に、図５Ｃから分かるように、前記封止層４００の一面上に、例えば上面上に保護層５００を形成する。
【0105】
【0106】
まず、図６Ａから分かるように、基板１００の一面、例えば上面上にバリア層２００を形成し、前記バリア層２００の一面、例えば上面上に太陽電池層３００を形成する。
【0107】
【0108】
次に、図６Ｂから分かるように、保護層５００の一面上に封止層４００を形成する。具体的には図に示していないが、前述した図３Ｂと同様に保護層５００の一面上に第２封止層４２０を形成し、前記第２封止層４２０の一面上に第１封止層４１０を形成することにより、前記保護層５００の一面上に封止層４００を形成することができる。
【0109】
次に、図６Ｃから分かるように、前記封止層４００を前記太陽電池層３００と接するようにしながら、前記封止層４００と前記保護層５００を前記太陽電池層３００の上面に加圧積層して図４のような太陽電池を完成する。
【0110】
図７は、本発明のまた他の実施例による太陽電池の概略的な断面図である。
【0111】
図７から分かるように、本発明のまた他の実施例による太陽電池は、基板１００、バリア層２００、太陽電池層３００、封止層４００、及び保護層５００を含んでなる。
【0112】
前記基板１００と前記バリア層２００は、前述したのと同じであるので、反復する説明は省略することにする。
【0113】
前記太陽電池層３００は、ペロブスカイト太陽電池３２０、バッファ層３３０、基板型太陽電池３１０、電極３０９、および連結ライン３４０を含んでなる。
【0114】
前記ペロブスカイト太陽電池３２０は、前記バリア層２００の上面上に順に形成された第１導電性電荷伝達層３０２、光吸収層３０３、及び第２導電性電荷伝達層３０４を含んでなる。
【0115】
ここで、前記ペロブスカイト太陽電池３２０には分離部（Ｐ）が形成され、前記分離部（Ｐ）によって複数の単位セルを区分することができる。本実施例における単位セルは、前記ペロブスカイト太陽電池３２０、バッファ層３３０、基板型太陽電池３１０、及び電極３０９の組み合わせによってなることができる。
【0116】
前記分離部（Ｐ）は、前記ペロブスカイト太陽電池３２０を構成する第１導電性電荷伝達層３０２、光吸収層３０３、及び第２導電性電荷伝達層３０４の所定の領域を除去して形成する。前記分離部（Ｐ）は、一次スクライビング工程、特にレーザースクライビング工程を介して形成することができる。前記分離部（Ｐ）が形成された領域では、前記バリア層２００の上面が露出する。
【0117】
また、前記ペロブスカイト太陽電池３２０には、コンタクト部（Ｃ）が形成されている。
【0118】
前記コンタクト部（Ｃ）は、前記分離部（Ｐ）と離隔する。前記コンタクト部（Ｃ）は、前記光吸収層３０３および第２導電性電荷伝達層３０４の所定領域を除去して形成する。前記コンタクト部（Ｃ）は、互いに隣接する２つの単位セル間を直列に連結するためのものである。前記コンタクト部（Ｃ）は、二次スクライビング工程、特にレーザースクライビング工程を介して形成することができる。前記コンタクト部（Ｃ）が形成された領域では、前記第１導電性電荷伝達層３０２の上面が露出する。
【0119】
前記バッファ層３３０は、前記ペロブスカイト太陽電池３２０と前記基板型太陽電池３１０の間に形成されている。すなわち、前記バッファ層３３０は、前記ペロブスカイト太陽電池３２０の上面および前記基板型太陽電池３１０の下面に形成されている。前記バッファ層３３０は、単位セル毎に個別に形成されている。前記バッファ層３３０は、前記コンタクト部（Ｃ）と重畳しないように形成することにより、前記バッファ層３３０によって前記コンタクト部（Ｃ）を覆うことなく露出するようにする。
【0120】
前記バッファ層３３０は、フィルム３３１および導電層３３２を含んでなる。
【0121】
前記フィルム３３１は、複数のホールを具備していて、前記導電層３３２は、前記複数のホールの内部を充たしている。前記フィルム３３１は、有機高分子化合物からなることができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。前記複数のホールは、前記フィルム３３１を貫通するように形成され、前記導電層３３２も前記フィルム３３１を貫通するように形成することができる。したがって、前記導電層３３２は、前記ペロブスカイト太陽電池３２０の最上面、例えば第２導電性電荷伝達層３０４と接し、さらに、前記基板型太陽電池３１０の最下面、例えば、第４半導体層３１５と接することができる。前記複数のホールおよび前記導電層３３２は、平面図上で横方向および縦方向に延びた格子構造からなることができる。
【0122】
前記基板型太陽電池３１０は、前記バッファ層３２０の一面、例えば上面上に形成されている。
【0123】
前記基板型太陽電池３１０は、半導体基板３１１、第１半導体層３１２、第２半導体層３１３、第３半導体層３１４、及び第４半導体層３１５を含んでなる。前記第１半導体層３１２、第２半導体層３１３、第３半導体層３１４、及び第４半導体層３１５の具体的な構成は、前述した図４と同様であるので、反復する説明は省略することにする。一方、図に示していないが、前述した図４と同様に、前記第２半導体層３１３の上面に第１透明電極層３１６を追加で形成し、前記第４半導体層３１５の下面に第２透明電極層３１７を追加で形成することもできる。
【0124】
前記電極３０９は、前記基板型太陽電池３１０の一面、例えば上面上に形成されている。前記電極３０９は、太陽光が太陽電池内部に進入できるように所定のパターンで形成することができる。本実施例では、前記ペロブスカイト太陽電池３２０の第１導電性電荷伝達層３０２が単位セルの下部電極として機能し、前記電極３０９が単位セルの上部電極として機能することができる。
【0125】
前記連結ライン３４０は、前記ペロブスカイト太陽電池３２０、バッファ層３３０、基板型太陽電池３１０、及び電極３０９の組み合わせからなる複数の単位セル間を直列に連結する役割をする。
【0126】
前記連結ライン３４０は、１つの単位セルの第１導電性電荷伝達層３０２およびそれに隣接する他の単位セルの電極３０９との間を電気的に連結し、それによって、前記連結ライン３４０は、互いに隣接する単位セル間の領域に具備される。
【0127】
前記封止層４００は、前記太陽電池層３００の一面、例えば上面上に形成される。前述した実施例と同様に、前記封止層４００は、前記太陽電池層３００の上面全体を覆うように形成され、同時に外部に露出した前記バリア層２００の上面も覆うように形成される。
【0128】
前記封止層４００は、単位セルの側面を覆うように形成されているので、単位セルの側面を通って外部の水分や酸素が単位セルの内部に浸透することを防止することができる。具体的には、前記封止層４００は、最外郭の単位セルの側面を覆い、それとともに隣接する２つの単位セル間の領域を埋めるように形成されるので、全ての単位セルの側面を覆うように形成することができる。
【0129】
したがって、前記封止層４００は、前記基板型太陽電池３１０の側面を覆うように形成され、具体的には、前記半導体基板３１１、第１半導体層３１２、第２半導体層３１３、第３半導体層３１４および第４半導体層３１５のそれぞれの側面を覆うように形成される。また、前記封止層４００は、前記ペロブスカイト太陽電池３２０の側面を覆うように形成され、具体的には、前記第１導電性電荷伝達層３０２、光吸収層３０３、及び第２導電性電荷伝達層３０４のそれぞれの側面を覆うように形成される。また、前記封止層４００は、バッファ層３２０の側面を覆うように形成される。また、前記封止層４００は、隣接する２つの単位セル間の領域に具備された前記連結ライン３４０と接するように形成される。特に、前記封止層４００は、前記コンタクト部（Ｃ）を充たすように形成される。また、前記封止層４００は、前記分離部（Ｐ）を充たすように形成することができる。
【0130】
前記封止層４００は、具体的には示していないが、前述した実施例と同様に、第１封止層４１０と第２封止層４２０を含んでなることができ、ここで前記第１封止層４１０は、前記太陽電池層３００上で前記太陽電池層３００と接するように形成され、前記第２封止層４２０は、前記第１封止層４１０上に形成され、前記太陽電池層３００とは接しないことがあり得る。前記第１封止層４１０および第２封止層４２０のそれぞれは、２つの単位セル間の領域を埋めるように形成され、それぞれの具体的な構成は前述の実施例と同様であるため、反復する説明は省略することにする。
【0131】
前記保護層５００は、前記封止層４００の一面、例えば上面上に形成される。前記保護層５００は、前記封止層４００の上面全体を覆うように形成することができる。
【0132】
【0133】
まず、図８Ａから分かるように、基板１００の一面、例えば上面上にバリア層２００を形成し、前記バリア層２００の一面、例えば上面上に太陽電池層３００を形成する。
【0134】
前記太陽電池層３００は、ペロブスカイト太陽電池３２０を形成し、前記ペロブスカイト太陽電池３２０上にバッファ層３３０を形成し、前記バッファ層３３０上に基板型太陽電池３１０を形成し、前記基板型太陽電池３１０上に電極３０９を形成し、１つの単位セルの第１導電性電荷伝達層３０２とは異なる１つの単位セルの電極３０９を連結ライン３４０に連結する工程を通じて形成することができる。
【0135】
前記ペロブスカイト太陽電池３２０は、前記バリア層２００上に第１導電性電荷伝達層３０２、光吸収層３０３及び第２導電性電荷伝達層３０４を順に形成し、一次スクライビング工程を通じて分離部（Ｐ）を形成し、二次スクライビング工程を通じてコンタクト部（Ｃ）を形成する工程を通じて形成することができる。
【0136】
前記バッファ層３３０は、前記ペロブスカイト太陽電池３２０上に複数のホールを具備したフィルム３３１を形成し、前記複数のホール内部に導電層３３２を充たす工程を通じて形成することができる。
【0137】
前記基板型太陽電池３１０は、半導体基板３１１の上面上に第１半導体層３１２を形成し、前記第１半導体層３１２の上面上に第２半導体層３１３を形成し、前記半導体基板３１１の下面上に第３半導体層３１４を形成し、前記第３半導体層３１４の下面上に第４半導体層３１５を形成する工程を通じて形成することができ、形成された前記基板型太陽電池３１０は、前記バッファ層３３０上に積層することができる。
【0138】
次に、図８Ｂから分かるように、前記太陽電池層３００の一面上に、例えば上面上に封止層４００を形成する。
【0139】
次に、図８Ｃから分かるように、前記封止層４００の一面上に、例えば上面上に保護層５００を形成する。
【0140】
【0141】
まず、図９Ａから分かるように、基板１００の一面、例えば上面上にバリア層２００を形成し、前記バリア層２００の一面、例えば上面上に太陽電池層３００を形成する。
【0142】
【0143】
次に、図９Ｂから分かるように、保護層５００の一面上に封止層４００を形成する。具体的には図に示していないが、前述した図３Ｂと同様に保護層５００の一面上に第２封止層４２０を形成し、前記第２封止層４２０の一面上に第１封止層４１０を形成することにより、前記保護層５００の一面上に封止層４００を形成することができる。
【0144】
次に、図９Ｃから分かるように、前記封止層４００を前記太陽電池層３００と接するようにしながら、前記封止層４００と前記保護層５００を前記太陽電池層３００の上面に加圧積層して、図４のような太陽電池を完成する。
【0145】
以上、添付の図を参照して本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想から逸脱しない範囲内で多様に変形して実施することができる。したがって、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。したがって、以上で記述した実施例はすべての点で例示的なものであり、限定的なものではないと理解されなければならない。本発明の保護範囲は、請求の範囲によって解釈されなければならず、それと同等の範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
【国際調査報告】