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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-06-21
(54)【発明の名称】シート抵抗部品
(51)【国際特許分類】
H10K 50/17 20230101AFI20240614BHJP
H10K 50/15 20230101ALI20240614BHJP
H10K 50/18 20230101ALI20240614BHJP
H10K 50/12 20230101ALI20240614BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240614BHJP
H10K 50/16 20230101ALI20240614BHJP
H10K 71/16 20230101ALI20240614BHJP
H10K 71/12 20230101ALI20240614BHJP
H10K 50/816 20230101ALI20240614BHJP
H10K 85/60 20230101ALI20240614BHJP
H10K 101/40 20230101ALN20240614BHJP
H10K 101/30 20230101ALN20240614BHJP
【ＦＩ】
H10K50/17
H10K50/15
H10K50/18
H10K50/12
H10K59/122
H10K50/16
H10K50/17 171
H10K71/16 164
H10K71/12
H10K50/816
H10K85/60
H10K101:40
H10K101:30
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023572582
(86)(22)【出願日】2022-06-15
(85)【翻訳文提出日】2023-11-22
(86)【国際出願番号】 EP2022066336
(87)【国際公開番号】W WO2022263524
(87)【国際公開日】2022-12-22
(31)【優先権主張番号】21180327.5
(32)【優先日】2021-06-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】503180100
【氏名又は名称】ノヴァレッド ゲーエムベーハー
(74)【代理人】
【識別番号】110000338
【氏名又は名称】弁理士法人 ＨＡＲＡＫＥＮＺＯ ＷＯＲＬＤ ＰＡＴＥＮＴ ＆ ＴＲＡＤＥＭＡＲＫ
(72)【発明者】
【氏名】ランググート，オリヴァー
(72)【発明者】
【氏名】ロゼノー，トーマス
(72)【発明者】
【氏名】ルンゲ，シュテフェン
(72)【発明者】
【氏名】シュルツェ，ベンヤミーン
(72)【発明者】
【氏名】ニュレン，マクス，ペーター
(72)【発明者】
【氏名】ヴダルチック，ヤーコプ，ヤチェク
(72)【発明者】
【氏名】ウヴァロフ，ウラジーミル
(72)【発明者】
【氏名】エッゲマン，ウルリヒ
(72)【発明者】
【氏名】ヴィルマン，シュテフェン
【テーマコード（参考）】
3K107
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC33
3K107DD24
3K107DD26
3K107DD44X
3K107DD46X
3K107DD53
3K107DD68
3K107DD69
3K107DD71
3K107DD74
3K107DD89
3K107EE03
3K107FF04
3K107FF14
3K107FF15
3K107FF19
3K107GG04
3K107GG06
3K107HH05
(57)【要約】
本発明は複数のＯＬＥＤ画素を含むアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイに関し、各々の画素自体は有機層のスタックを含み、有機層のスタックの各々の層は共通の半導体層を形成することができ、ここで、－少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および第２のＯＬＥＤ画素は、－陽極層、－共通の陰極層、－複数の半導体層を含む少なくとも有機層のスタック、を含む。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイであって、複数のＯＬＥＤ画素を含み、各々の画素自体が有機層のスタックを含み、前記有機層のスタックの各々の層は共通の半導体層を形成することができ、ここで－少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および第２のＯＬＥＤ画素は、以下を含む
－陽極層、
－共通の陰極層、
－以下を含む、少なくとも有機層のスタック
－複数の半導体層、前記複数の半導体層は少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、前記複数の半導体層は以下を含む
－共通の正孔注入層である少なくとも共通の第１の半導体層、ここで、前記共通の正孔注入層は正孔注入材料を含み、前記共通の正孔注入層は、前記ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在するか、または前記複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する、
－少なくとも共通の第２の半導体層、
－任意に共通の発光層である、少なくとも１つの発光層、ここで、前記共通の正孔注入層および前記共通の第２の半導体層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有する、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項2】
前記共通の第２の半導体層は、共通の正孔輸送層または共通の電子阻止層であり、より好ましくは、前記共通の正孔注入層は、共通の正孔輸送層または共通の電子阻止層である前記共通の第２の半導体層と直接接触しており、さらにより好ましくは、前記共通の第２の半導体層は、共通の正孔輸送層である、請求項１に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項3】
前記複数の共通の半導体層は、共通の第３の半導体層をさらに含み、前記共通の第１の半導体層、前記共通の第２の半導体層、および前記共通の第３の半導体層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有する、請求項１または２に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項4】
前記共通の第３の半導体層は共通の電子阻止層であり、前記共通の第１の半導体層は共通の正孔注入層であり、前記共通の第２の半導体層は共通の正孔輸送層であり；かつ、共通の正孔注入層である前記共通の第１の半導体層と、共通の正孔輸送層である前記共通の第２の半導体層と、共通の電子阻止層である前記共通の第３の半導体層とは、共に≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項5】
共通の正孔輸送層である前記共通の第２の半導体層と前記発光層との間に、共通の電子阻止層である前記共通の第３の半導体層が配置されている、請求項１～４のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項6】
各々の画素の前記発光層は色定義発光体ドーパントでドープされ、前記色定義発光体ドーパントの前記色は各々の画素に対して独立して選択されるか、または同じものが選択される、請求項１～５のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項7】
前記シート抵抗は伝送線路方法によって決定される、請求項１～６のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項8】
前記第１のＯＬＥＤ画素の前記陽極層および前記第２のＯＬＥＤ画素の前記陽極層は、画素精細層によって分離されており、その結果、前記第１のＯＬＥＤ画素の前記陽極層および前記第２のＯＬＥＤ画素の前記陽極層は、共通の層として形成されず、互いに接触しない、請求項１～７のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項9】
前記共通の正孔注入層は、少なくとも一部が前記陽極層に直接接触して配置され、前記共通の正孔輸送層は、前記共通の発光層と前記共通の正孔注入層との間に配置される、請求項１～８のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項10】
全ての個々の画素は、他の個々の画素の陽極に接触し得ないそれ自体の陽極を有し得る、請求項１～９のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項11】
前記共通の正孔注入層、前記共通の第２の半導体層、前記共通の第３の半導体層、および前記共通の発光層は、共に≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有する、請求項１～１０のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項12】
複数のＯＬＥＤ画素を含み、各々の画素自体は有機層のスタックを含み、前記有機層のスタックの各々の層が共通の半導体層を形成することができるか、または複数の有機層が複数の半導体層を形成することができ、少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および少なくとも第２のＯＬＥＤ画素が各々の陽極層を含み、－前記第１のＯＬＥＤ画素および前記第２のＯＬＥＤ画素の前記陽極層は、画素精細層によって任意に分離され、前記少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および前記少なくとも第２のＯＬＥＤ画素は、共通の陰極層と、複数の半導体層を含む少なくとも有機層のスタックとを含み、前記複数の半導体層は少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、
－前記有機層のスタックの少なくとも２つの共通の半導体層または前記複数の半導体層は、前記共通の陰極層と前記陽極層との間に配置され、前記陽極層は共通の層ではなく、
－前記少なくとも２つの共通の半導体層または前記複数の共通の半導体層は、共通の正孔注入層である少なくとも第１の共通の半導体層と、共通の正孔輸送層または電子阻止層である少なくとも共通の第２の半導体層と、任意に共通の発光層である少なくとも発光層と、を含み、好ましくは、前記少なくとも共通の第２の半導体層は共通の正孔輸送層であり、
－前記共通の正孔注入層は、少なくとも部分的に前記陽極層に直接接触して配置され、好ましくは、共通の正孔輸送層である前記少なくとも共通の第２の半導体層は、前記発光層と前記共通の正孔注入層との間に配置され、前記発光層は任意に共通の発光層であり；
前記共通の正孔注入層および前記少なくとも共通の第２の半導体層は、好ましくは共通の正孔輸送層であり、共に≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有する、請求項１～１１のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項13】
前記共通の正孔注入層および前記共通の正孔輸送層は共に、≧１００ギガオーム／スクエア、≧１５０ギガオーム／スクエア、≧２００ギガオーム／スクエア、≧３００ギガオーム／スクエア、≧４００ギガオーム／スクエア、≧５００ギガオーム／スクエア、≧１０００ギガオーム／スクエア、≧２５００ギガオーム／スクエア、≧５０００ギガオーム／スクエア、≧１００００ギガオーム／スクエア、≧２００００ギガオーム／スクエア、≧３００００ギガオーム／スクエア、≧４００００ギガオーム／スクエア、または≧５００００ギガオーム／スクエアから選択されるシート抵抗を有する、請求項１～１２のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項14】
前記共通の正孔注入層は正孔注入材料を含み、前記共通の正孔注入層はｉ－正孔注入層および／または正孔注入材料ドープ層を含む群から選択され、好ましくは正孔注入材料の濃度は、前記正孔注入材料でドープされた正孔注入層の重量に基づいて、≧０．１重量％および≦４０重量％、好ましくは≧０．５重量％および≦２５重量％、さらに好ましくは≧１重量％および≦１０重量％、より好ましくは≧１重量％および≦５重量％である、請求項１～１３のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項15】
有機層の共通のスタックは共通の電子輸送層をさらに含み、好ましくは、前記共通の電子輸送層は、前記発光層と前記共通の陰極層との間に配置される、請求項１～１４のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項16】
前記有機層の共通のスタックは、共通の電子注入層、共通の正孔阻止層、および／または電子輸送層を含む群から選択される共通の有機層をさらに含み、好ましくは、前記共通の電子注入層は前記共通の陰極層と直接接触している、請求項１～１５のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項17】
前記共通の第１の半導体層、好ましくは、前記共通の正孔注入層は、≧１ｎｍおよび≦１００ｎｍ、好ましくは≧２ｎｍおよび≦５０ｎｍ、より好ましくは≧３ｎｍおよび≦４０ｎｍ、より好ましくは≧４ｎｍおよび≦３０ｎｍ、より好ましくは≧５ｎｍおよび≦２０ｎｍ、より好ましくは≧６ｎｍおよび≦１５ｎｍ、より好ましくは≧８ｎｍおよび≦１０ｎｍの層の厚さを有する、請求項１～１６のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項18】
前記共通の第２の半導体層、好ましくは、前記共通の正孔輸送層は、≧５ｎｍおよび≦２５０ｎｍ、好ましくは≧１０ｎｍおよび≦２４０ｎｍ、より好ましくは≧１５ｎｍおよび≦２３０ｎｍ、より好ましくは≧２０ｎｍおよび≦２２０ｎｍ、より好ましくは≧２５ｎｍおよび≦２１０ｎｍ、より好ましくは≧３０ｎｍおよび≦２００ｎｍ、より好ましくは≧３５ｎｍおよび≦１９０ｎｍ、より好ましくは≧４０ｎｍおよび≦１８０ｎｍ、ならびに、好ましくは≧５０ｎｍおよび≦１５０ｎｍの層の厚さを有する、請求項１～１７のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項19】
前記共通の第２の半導体層、好ましくは、前記共通の正孔輸送層は、＜－４．２７ｅＶから≧－６．０ｅＶまで、＜－４．３ｅＶから≧－５．５ｅＶまで、好ましくは＜－４．５ｅＶから≧－５．４ｅＶまで、より好ましくは－＜－４．６ｅＶから≧－５．３ｅＶまでの範囲で、プログラムパッケージＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５に実装されるＧａｕｓｓｉａｎ６－３１Ｇ＊基底関数系と共に混成汎関数Ｂ３ＬＹＰを使用して計算された、真空エネルギー準位がゼロであることを参照して絶対スケールで表される、それらの最高占有分子軌道のエネルギーを有する化合物を含む、請求項１～１８のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項20】
前記電子阻止層は、＜－４．７ｅＶから≧－６．０ｅＶまで、＜－４．８ｅＶから≧－５．５ｅＶまで、好ましくは＜－４．９ｅＶから≧－５．４ｅＶまで、より好ましくは－＜－５．０ｅＶから≧－５．３ｅＶまでの範囲で、プログラムパッケージＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５に実装されるＧａｕｓｓｉａｎ６－３１Ｇ＊基底関数系と共に混成汎関数Ｂ３ＬＹＰを使用して計算された、真空エネルギー準位がゼロであることを参照して絶対スケールで表される、それらの最高占有分子軌道のエネルギーを有する化合物を含む、請求項１～１９のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項21】
前記電子阻止層は、≧１ｎｍおよび≦２０ｎｍ、好ましくは≧２ｎｍおよび≦１８ｎｍ、より好ましくは≧３ｎｍおよび≦１６ｎｍ、より好ましくは≧４ｎｍおよび≦１４ｎｍ、より好ましくは≧５ｎｍおよび≦１２ｎｍ、より好ましくは≧６ｎｍおよび≦１１ｎｍ、より好ましくは≧７ｎｍおよび≦１０ｎｍの層の厚さを有する、請求項１～２０のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項22】
少なくとも１つの陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含み、前記第１の陽極副層は、≧４ｅＶおよび≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有する第１の金属を含み、前記第２の陽極副層は、透明導電性酸化物を含み；ならびに、前記第２の陽極副層は、前記共通の正孔注入層のより近くに配置される、請求項１～２１のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項23】
前記アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイは、複数の有機発光ダイオード画素のうちの前記画素を別々に駆動するように構成された駆動回路を含む、請求項１～２２のいずれか１項に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項24】
少なくとも１つの共通の層の製造方法は、各々の共通の層が１つの処理工程において、１つの大きなマスク開口部を通って完全なディスプレイ領域上に堆積されることを含む、請求項１～２３に記載の少なくとも１つの共通の層の製造方法。【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【0001】
［技術分野］
本発明は、複数のＯＬＥＤ画素を有するアクティブＯＬＥＤディスプレイ、および少なくとも１つの共通の層の製造方法に関する。
本発明は、複数のＯＬＥＤ画素を有するアクティブＯＬＥＤディスプレイ、および少なくとも１つの共通の層の製造方法に関する。
【0002】
［背景技術］
Ｔａｎｇら（C. W. Tang et al. Appl. Phys. Lett. 51 (12) 913 (1987)）によって低い動作電圧が実証された１９８７年以来、有機発光ダイオードは、大面積ディスプレイの実現のための有望な候補である。それらは、例えば、熱真空蒸着または溶液処理によって堆積させることができ、続いて金属層を介して電気コンタクトが形成される一連の薄い（通常１ｎｍから１μｍ）有機材料層からなる。有機電気デバイスは、特性に関して、無機材料に基づいて確立された成分と競合する、ダイオード、発光ダイオード、フォトダイオード、および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの、多種多様な電子または光電子部品を提供する。
Ｔａｎｇら（C. W. Tang et al. Appl. Phys. Lett. 51 (12) 913 (1987)）によって低い動作電圧が実証された１９８７年以来、有機発光ダイオードは、大面積ディスプレイの実現のための有望な候補である。それらは、例えば、熱真空蒸着または溶液処理によって堆積させることができ、続いて金属層を介して電気コンタクトが形成される一連の薄い（通常１ｎｍから１μｍ）有機材料層からなる。有機電気デバイスは、特性に関して、無機材料に基づいて確立された成分と競合する、ダイオード、発光ダイオード、フォトダイオード、および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの、多種多様な電子または光電子部品を提供する。
【0003】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の場合、外部から印加される電圧、続いて活性領域における励起子（電子－正孔対）の形成、およびこれらの励起子の放射再結合の結果として、電荷キャリア（一方の側からの電子、他方の側からの正孔）をコンタクトから隣接する有機層に注入することを通して、発光ダイオードによって光が生成および放出される。
【0004】
従来の無機成分（ケイ素またはガリウムヒ素のような無機半導体に基づく）を超える有機成分の利点は、例えば大型ディスプレイ部品（視覚ディスプレイ、スクリーン）またはランプ（照明用途）などの大面積の部品を製造するための選択肢である。有機材料は、無機材料と比較して比較的安価である（材料とエネルギーの消費が少ない）。さらに、これらの材料は、無機材料と比較して処理温度が低いため、フレキシブル基板上に堆積させることができ、ディスプレイおよび照明工学における一連の新しい用途が開かれる。このような成分の基本的な構成は、以下の層の１つ以上の配置を含む：キャリア基板；通常は透明である正孔注入（正のコンタクト）ベース電極；正孔注入層（ＨＩＬ）；正孔輸送層（ＨＴＬ）；発光層（ＥＬ）；電子輸送層（ＥＴＬ）；電子注入層（ＥＩＬ）；通常は仕事関数の低い金属である電子注入（負のコンタクト）カバー電極；周囲の影響を排除するための封入。
【0005】
上記は最も典型的な場合を示しているが、（ＨＴＬおよびＥＴＬを除いて）いくつかの層を省略してもよく、または１つの層がいくつかの特性を組み合わせてもよい。
【0006】
ドープされた電荷キャリア輸送層（アクセプター性分子の混合によるＨＴＬのｐドーピング、ドナー性分子の混合によるＥＴＬのｎドーピング）の使用は、文献ＵＳ５，０９３，６９８に記載されている。この意味でのドーピングは、ドーピング物質の層への混合が、関連する２つの物質のうちの１つの純粋な層と比較して、この層の平衡電荷キャリア濃度を増加させ、結果として導電性が改善され、隣接するコンタクト層からこの混合層へより良い電荷キャリアが注入されることを意味する。電荷キャリアの輸送は、依然としてマトリックス分子上で起こる。ＵＳ５，０９３，６９８によれば、ドープされた層は、コンタクト材料との界面で注入層として使用され、発光層はその間（または、他のコンタクトの次に、１つのドープされた層のみが使用されるときに）存在する。ドーピングによって増加した平衡電荷キャリア密度および関連するバンドの屈曲は、電荷キャリアの注入を容易にする。ＵＳ５，０９３，６９８によれば、ＨＴＬ内の正孔と同様にＥＴＬ内の電子が、ＨＴＬ材料の非常に高いイオン化エネルギーおよびＥＴＬ材料の非常に低い電子親和力を必要とする、さらなる障壁なしに、ＥＬ（発光層）に注入されることが可能となるように、有機層のエネルギー準位（ＨＯＭＯ＝最高占有分子軌道または最高エネルギー性価電子帯エネルギー；ＬＵＭＯ＝最低非占有分子軌道または最低エネルギー性伝導帯エネルギー）が、取得されるべきである。
【0007】
アクティブＯＬＥＤディスプレイに関しては、ディスプレイの画素間のいわゆるクロストークが大きな問題となっている。画素または色のクロストークは、近接画素から散乱された別の色の光子と誤って混合する画素によって生成された１つの色の光子を示す。例えば、文献ＧＢ２ ４９２ ４００ＡおよびＷＯ２００２／０１５２９２Ａ２は、ＯＬＥＤデバイスにおける色のクロストークを低減するための方法を提供する。加えて、または別の態様として、電気的なクロストークが生じることがあり得る。この場合、例えば、一方の画素に印加される駆動電流によって、駆動電流が供給される画素に近い他の画素から発光が生じることがあり得る。両方とも、表示デバイスの性能に負の影響を与える（Yamazaki et al.、A. (2013)、33.2: Spatial Resolution Characteristics of Organic Light-emitting Diode Displays: A comparative Analysis of MTF for Handheld and Workstation Formats. SID Symposium Digest of Technical Papers、44: 419-422. doi: 10.1002/j.2168-0159.2013.tb06236.xを参照されたい）。
【0008】
典型的な市販のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイでは、電気的な画素のクロストークは、より多くのＯＬＥＤ画素によって共有される正孔輸送層（ＨＴＬ）における（共有されているＨＴＬがディスプレイ内に存在する複数の画素の陽極に電気的に接続されるという意味における）レドックスｐドーピングの適用によって引き起こされ得る。ドープされたマトリックスの分子からドーパント分子へ電子を移動させることによる新しい電荷キャリア（正孔）の生成により電荷キャリア密度を増加させる、レドックスｐ型ドーパントの使用は、低動作電圧、高い動作安定性および高い生産収益に有益である。一方、レドックスｐドーピングは、正孔輸送層の電気的導電性を、ｐ型ドーパントなしの１０－８Ｓ／ｃｍ未満、（通常、１ｗｔ．％と５ｗｔ．％との間の範囲におけるｐ型ドーパントの濃度において）通常は、１０－１０Ｓ／ｃｍ未満から１０－６Ｓ／ｃｍ超に増加させる。したがって、ドープされたレドックスＨＴＬは、通常、複数の画素に共有されたＨＴＬを含むアクティブマトリックスディスプレイにおける、いくらかの電気的な画素のクロストークの原因である。もし、ＥＴＬがレドックスｎドーパントと共にｎドープされれば、ドープされたレドックスＨＴＬと同様の高い導電性を示すかもしれないが、共通のカソードでレイアウトを表示するため、ＥＴＬは電気的な画素のクロストークを引き起こさない。
【0009】
［開示］
本発明の目的は、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイのための改良された技術、特に、アクティブＯＬＥＤディスプレイの隣接する画素間のクロストークを低減させる技術を提供する。
本発明の目的は、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイのための改良された技術、特に、アクティブＯＬＥＤディスプレイの隣接する画素間のクロストークを低減させる技術を提供する。
【0010】
一態様では、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイであって、複数のＯＬＥＤ画素を含み、各々の画素自体が有機層のスタックを含み、前記有機層のスタックの各々の層は共通の半導体層を形成することができ、ここで
－少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および第２のＯＬＥＤ画素は、以下を含む
－陽極層、
－共通の陰極層、
－以下を含む、少なくとも有機層のスタック
－複数の半導体層、前記複数の半導体層は少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、前記複数の半導体層は以下を含む
－共通の正孔注入層である少なくとも共通の第１の半導体層、ここで、前記共通の正孔注入層は正孔注入材料を含む、
－少なくとも共通の第２の半導体層、
－任意に共通の発光層である、少なくとも１つの発光層、ここで、前記共通の正孔注入層および前記共通の第２の半導体層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有する、
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイが提供される。
－少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および第２のＯＬＥＤ画素は、以下を含む
－陽極層、
－共通の陰極層、
－以下を含む、少なくとも有機層のスタック
－複数の半導体層、前記複数の半導体層は少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、前記複数の半導体層は以下を含む
－共通の正孔注入層である少なくとも共通の第１の半導体層、ここで、前記共通の正孔注入層は正孔注入材料を含む、
－少なくとも共通の第２の半導体層、
－任意に共通の発光層である、少なくとも１つの発光層、ここで、前記共通の正孔注入層および前記共通の第２の半導体層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有する、
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイが提供される。
【0011】
一実施形態によれば、共通の第１の半導体層および共通の第２の半導体層のシート抵抗は、それらのみが単独で測定される。
【0012】
一態様では、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイであって、複数のＯＬＥＤ画素を含み、各々の画素自体が有機層のスタックを含み、前記有機層のスタックの各々の層は共通の半導体層を形成することができ、ここで
－少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および第２のＯＬＥＤ画素は、以下を含む
－陽極層、
－共通の陰極層、
－以下を含む、少なくとも有機層のスタック
－複数の半導体層、前記複数の半導体層は少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、前記複数の半導体層は以下を含む
－共通の正孔注入層である少なくとも共通の第１の半導体層、ここで、前記共通の正孔注入層は正孔注入材料を含む、
－少なくとも共通の第２の半導体層、
－任意に共通の発光層である、少なくとも１つの発光層、ここで、前記共通の正孔注入層および前記共通の第２の半導体層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有し、前記共通の第１の半導体層および前記共通の第２の半導体層のシート抵抗は、それのみが単独で測定される
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイが提供される。
－少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および第２のＯＬＥＤ画素は、以下を含む
－陽極層、
－共通の陰極層、
－以下を含む、少なくとも有機層のスタック
－複数の半導体層、前記複数の半導体層は少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、前記複数の半導体層は以下を含む
－共通の正孔注入層である少なくとも共通の第１の半導体層、ここで、前記共通の正孔注入層は正孔注入材料を含む、
－少なくとも共通の第２の半導体層、
－任意に共通の発光層である、少なくとも１つの発光層、ここで、前記共通の正孔注入層および前記共通の第２の半導体層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有し、前記共通の第１の半導体層および前記共通の第２の半導体層のシート抵抗は、それのみが単独で測定される
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイが提供される。
【0013】
一実施形態によれば、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイであって、複数のＯＬＥＤ画素を含み、各々の画素自体が有機層のスタックを含み、前記有機層のスタックの各々の層は共通の半導体層を形成することができ、ここで
－少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および第２のＯＬＥＤ画素は、以下を含む
－陽極層、
－共通の陰極層、
－以下を含む、少なくとも有機層のスタック
－複数の半導体層、ここで、共通の第１の半導体層は、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在するか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在し、前記複数の半導体層は、少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、前記複数の半導体層は以下を含む
－共通の正孔注入層である少なくとも共通の第１の半導体層、ここで、前記共通の正孔注入層は正孔注入材料を含む、
－少なくとも共通の第２の半導体層、
－任意に共通の発光層である、少なくとも１つの発光層、ここで、前記共通の正孔注入層および前記共通の第２の半導体層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有し、任意に、前記共通の第１の半導体層および前記共通の第２の半導体層のシート抵抗は、それのみが単独で測定される
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイが提供される。
－少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および第２のＯＬＥＤ画素は、以下を含む
－陽極層、
－共通の陰極層、
－以下を含む、少なくとも有機層のスタック
－複数の半導体層、ここで、共通の第１の半導体層は、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在するか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在し、前記複数の半導体層は、少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、前記複数の半導体層は以下を含む
－共通の正孔注入層である少なくとも共通の第１の半導体層、ここで、前記共通の正孔注入層は正孔注入材料を含む、
－少なくとも共通の第２の半導体層、
－任意に共通の発光層である、少なくとも１つの発光層、ここで、前記共通の正孔注入層および前記共通の第２の半導体層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有し、任意に、前記共通の第１の半導体層および前記共通の第２の半導体層のシート抵抗は、それのみが単独で測定される
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイが提供される。
【0014】
一実施形態によれば、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイであって、複数のＯＬＥＤ画素を含み、各々の画素自体が有機層のスタックを含み、前記有機層のスタックの各々の層は共通の半導体層を形成することができ、ここで
－少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および第２のＯＬＥＤ画素は、以下を含む
－陽極層、
－共通の陰極層、
－以下を含む、少なくとも有機層のスタック
－複数の半導体層、ここで、共通の第１の半導体層は、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在するか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在し、前記複数の半導体層は、少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、前記複数の半導体層は以下を含む
－共通の正孔注入層である少なくとも共通の第１の半導体層、ここで、前記共通の正孔注入層は正孔注入材料を含む、
－少なくとも共通の第２の半導体層、
－任意に共通の発光層である、少なくとも１つの発光層、ここで、前記共通の正孔注入層および前記共通の第２の半導体層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有し、前記共通の正孔注入層および共通の正孔輸送層は、それのみが単独で測定される
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイが提供される。
－少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および第２のＯＬＥＤ画素は、以下を含む
－陽極層、
－共通の陰極層、
－以下を含む、少なくとも有機層のスタック
－複数の半導体層、ここで、共通の第１の半導体層は、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在するか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在し、前記複数の半導体層は、少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、前記複数の半導体層は以下を含む
－共通の正孔注入層である少なくとも共通の第１の半導体層、ここで、前記共通の正孔注入層は正孔注入材料を含む、
－少なくとも共通の第２の半導体層、
－任意に共通の発光層である、少なくとも１つの発光層、ここで、前記共通の正孔注入層および前記共通の第２の半導体層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有し、前記共通の正孔注入層および共通の正孔輸送層は、それのみが単独で測定される
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイが提供される。
【0015】
有機半導体デバイスの特性は、その導電性である。正孔注入材料を使用することによって、有機半導体デバイスの層の電気導電率を著しく増加させることができる。シート抵抗は例えば、いわゆる「伝送線路方法」によって決定される。このとき、薄層に電圧が印加され、層を流れる電流が測定される。シート抵抗、電気導電率はそれぞれ、コンタクトの幾何学的形状および試料の層の厚さを考慮することによって得られる。
【0016】
シート抵抗は、伝送線路法によって決定される。
【0017】
実施形態によれば、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイであって、複数のＯＬＥＤ画素を含み、各々の画素自体が有機層のスタックを含み、前記有機層のスタックの各々の層は共通の半導体層を形成することができ、ここで
－少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および第２のＯＬＥＤ画素は、以下を含む
－陽極層、
－共通の陰極層、
－以下を含む、少なくとも有機層のスタック
－複数の半導体層、前記複数の半導体層は少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、前記複数の半導体層は以下を含む
－共通の正孔注入層である少なくとも共通の第１の半導体層、ここで、前記共通の正孔注入層は正孔注入材料を含む、
－少なくとも共通の第２の半導体層、
－任意に共通の発光層である、少なくとも１つの発光層、ここで、前記共通の正孔注入層および前記共通の第２の半導体層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有し、当該シート抵抗は伝送線路方法によって決定され、任意に前記共通の第１の半導体層および前記共通の第２の半導体層のシート抵抗は、それのみが単独で測定される
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイが提供される。
－少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および第２のＯＬＥＤ画素は、以下を含む
－陽極層、
－共通の陰極層、
－以下を含む、少なくとも有機層のスタック
－複数の半導体層、前記複数の半導体層は少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、前記複数の半導体層は以下を含む
－共通の正孔注入層である少なくとも共通の第１の半導体層、ここで、前記共通の正孔注入層は正孔注入材料を含む、
－少なくとも共通の第２の半導体層、
－任意に共通の発光層である、少なくとも１つの発光層、ここで、前記共通の正孔注入層および前記共通の第２の半導体層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有し、当該シート抵抗は伝送線路方法によって決定され、任意に前記共通の第１の半導体層および前記共通の第２の半導体層のシート抵抗は、それのみが単独で測定される
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイが提供される。
【0018】
実施形態によれば、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイであって、複数のＯＬＥＤ画素を含み、各々の画素自体が有機層のスタックを含み、前記有機層のスタックの各々の層は共通の半導体層を形成することができ、ここで
－少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および第２のＯＬＥＤ画素は、以下を含む
－陽極層、
－共通の陰極層、
－以下を含む、少なくとも有機層のスタック
－複数の半導体層、前記複数の半導体層は少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、前記複数の半導体層は以下を含む
－共通の正孔注入層である少なくとも共通の第１の半導体層、ここで、前記共通の正孔注入層は正孔注入材料を含む、
－少なくとも共通の第２の半導体層、
－任意に共通の発光層である、少なくとも１つの発光層、ここで、前記共通の正孔注入層および前記共通の第２の半導体層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有し、当該シート抵抗は伝送線路方法によって決定され、前記共通の正孔注入層および前記共通の第２の半導体層のシート抵抗は、それのみが単独で測定される
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイが提供される。
－少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および第２のＯＬＥＤ画素は、以下を含む
－陽極層、
－共通の陰極層、
－以下を含む、少なくとも有機層のスタック
－複数の半導体層、前記複数の半導体層は少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、前記複数の半導体層は以下を含む
－共通の正孔注入層である少なくとも共通の第１の半導体層、ここで、前記共通の正孔注入層は正孔注入材料を含む、
－少なくとも共通の第２の半導体層、
－任意に共通の発光層である、少なくとも１つの発光層、ここで、前記共通の正孔注入層および前記共通の第２の半導体層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有し、当該シート抵抗は伝送線路方法によって決定され、前記共通の正孔注入層および前記共通の第２の半導体層のシート抵抗は、それのみが単独で測定される
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイが提供される。
【0019】
本明細書において、他に定義がない場合、「正孔注入材料」は正孔注入を容易にすることができる材料、すなわち、陽極から好ましくは有機層、特に正孔輸送層に注入される正電荷を指し、前記材料は、存在する場合、ある電流密度で動作電圧を低下させることができる。
【0020】
正孔注入材料は、金属化合物または有機化合物であり得る。
【0021】
正孔注入材料は、自由電荷キャリアの濃度をニート（neat）マトリックス中に観察される伝導率に対応するレベルよりも実質的に増加させることなく、陽極から正孔輸送マトリックスへの正孔注入を提供し得、または半導体に添加されると、正孔輸送材料または正孔輸送層中の正電荷キャリアの密度を増加させることができる。正孔注入材料は、層内で単独で使用することができ、または正孔輸送材料もしくは正孔輸送層と併せて使用することもできる。
【0022】
好ましくは、正孔注入材料は、レドックスドーパントであり、すなわち、半導体に添加されると、正孔輸送材料中の正電荷キャリアまたは正孔輸送層中の正電荷キャリアの密度を増加させることができる。
【0023】
一実施形態によれば、正孔注入層の真性層は、正孔注入材料のみからなってもよく、または本質的に正孔注入材料からなってもよい。正孔注入材料は、正孔輸送材料または正孔輸送マトリックス化合物のいずれとも同じではない。
【0024】
用語「それのみが単独で測定される」は、ＯＬＥＤディスプレイの他の層または共通の層を有さない、それぞれの層のシート抵抗の測定を指す。
【0025】
〔伝送線路方法〕
シート抵抗Ｒｓは、チャネルと呼ばれる試験素子からなる試験素子群（図２を参照されたい）上の所与の堆積された層スタックについて測定され、前記チャネルは２つの高導電性電極を提供し、当該２つの高導電性電極は互いの電極の間にギャップ「ｌ」を有し、かつ、それぞれの幅「ｗ」を有する（図１を参照されたい）。ノイズレベルを改善するために、大きな「ｗ」が使用され得、電極は、低減された面積要件のために交互嵌合されたフィンガー構造内に形成される（図３を参照されたい）。異なるチャネル長「ｌ」を有するそのようなチャネルのうち少なくとも３つが、信頼できるＲｓ計算のために必要とされる。
シート抵抗Ｒｓは、チャネルと呼ばれる試験素子からなる試験素子群（図２を参照されたい）上の所与の堆積された層スタックについて測定され、前記チャネルは２つの高導電性電極を提供し、当該２つの高導電性電極は互いの電極の間にギャップ「ｌ」を有し、かつ、それぞれの幅「ｗ」を有する（図１を参照されたい）。ノイズレベルを改善するために、大きな「ｗ」が使用され得、電極は、低減された面積要件のために交互嵌合されたフィンガー構造内に形成される（図３を参照されたい）。異なるチャネル長「ｌ」を有するそのようなチャネルのうち少なくとも３つが、信頼できるＲｓ計算のために必要とされる。
【0026】
測定は、以下の方法で行われる：
第１電圧を、１Ｖより小さいステップサイズで－５Ｖから＋５Ｖの間で掃引し、電流を測定する。この測定中の基板温度は、好ましくは２３±２℃である。ｘ軸上に電流値を有する線形適合であり、かつ当該適合のｙ軸勾配上に電圧値を有する線形適合を使用することにより、チャネル抵抗「Ｒ」が得られる。この手順は、各チャネル「ｎ」について繰り返され、ギャップ「ｌｎ」および幅「ｗ」を有するチャネル「ｎ」の「Ｒｎ」をもたらす。Ｒｓの計算の場合、幅「ｗ」はすべてのチャネルで一定でなければならない。信頼性の高い抵抗値を得るには、適合の質の指標Ｒ２が０．９より大きくなるべきである。
第１電圧を、１Ｖより小さいステップサイズで－５Ｖから＋５Ｖの間で掃引し、電流を測定する。この測定中の基板温度は、好ましくは２３±２℃である。ｘ軸上に電流値を有する線形適合であり、かつ当該適合のｙ軸勾配上に電圧値を有する線形適合を使用することにより、チャネル抵抗「Ｒ」が得られる。この手順は、各チャネル「ｎ」について繰り返され、ギャップ「ｌｎ」および幅「ｗ」を有するチャネル「ｎ」の「Ｒｎ」をもたらす。Ｒｓの計算の場合、幅「ｗ」はすべてのチャネルで一定でなければならない。信頼性の高い抵抗値を得るには、適合の質の指標Ｒ２が０．９より大きくなるべきである。
【0027】
第２の工程では、抵抗「Ｒｎ」がギャップ「ｌｎ」を有するチャネル上にプロットされ、線形に適合される。チャネル幅「ｗ」を乗算させたこの適合の勾配は、堆積された層スタックのシート抵抗Ｒｓを与える。この計算により、接触抵抗および直列抵抗（series resistance）の影響が測定設定から除去される。電極ギャップは、例えば、２０μｍ、４０μｍ、６０μｍなど、標的適用ギャップに近いものであるべきである。低導電性層のチャネル幅は、１０００００μｍであってもよい。
【0028】
測定は、ＩＴＯ電極を用いたガラス基板（Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｅａｇｌｅ ＸＧ）上で行われる。水をベースとする界面活性剤溶液で湿式洗浄し、窒素を吹き込んで乾燥させた後、窒素雰囲気下で２００℃で１２０分間ベーキングし、窒素プラズマでコンディショニングする。有機層堆積後、電気測定前に、乾燥剤を含む封入ガラス蓋を用いて試料を封入する。
【0029】
伝送線路法は、シート抵抗を測定するための一般的な方法であり、とりわけ以下に記載されている：
－ Williams、Ralph (1990). Modern GaAs Processing Methods. Artech House. ISBN 0890063435.
－ Schroder、Dieter K. (2006). Semiconductor Material and Device Characterization. John Wiley & Sons. ISBN 0471739065.
－ Reeves、G.K.、IEEE Electron Device Letters ( Volume: 3、Issue: 5、May 1982)、pages 113-133 (https://ieeexplore.ieee.org/document/1482607)
〔好ましいシート抵抗測定〕
電極間のチャネル領域の抵抗よりもはるかに低い接触抵抗の場合、シート抵抗測定について簡略化された方法が使用され得る。例えば、１０３５００μｍのチャネル幅ｗおよび８０μｍのチャネル長ｌを有する電極対上に、５Ｖの電圧Ｖが印加され、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ＳＭ２６３５ ｓｏｕｒｃｅ ｍｅａｓｕｒｅ ｕｎｉｔを使用して電流Ｉが測定される。チャネル抵抗Ｒは、式Ｒ＝Ｖ／Ｉによって計算される。次の工程において、シート抵抗Ｒｓは、Ｒｓ＝Ｒ＊ｗ／ｌによって計算される。シート抵抗は、２３±２℃で測定した。５Ｖで８０μｍのチャネル電流とすると、図６の例示的なデータが形成され、Ｒ＝５Ｖ／１．３３ｅ．７Ａ＝３．７６ｅ７オーム、およびＲｓ＝Ｒ＊ｗ／ｌ＝３．７６ｅ７オーム＊１０３５００μｍ／８０μｍ＝４８．６Ｇオーム／スクエアとなる。
－ Williams、Ralph (1990). Modern GaAs Processing Methods. Artech House. ISBN 0890063435.
－ Schroder、Dieter K. (2006). Semiconductor Material and Device Characterization. John Wiley & Sons. ISBN 0471739065.
－ Reeves、G.K.、IEEE Electron Device Letters ( Volume: 3、Issue: 5、May 1982)、pages 113-133 (https://ieeexplore.ieee.org/document/1482607)
〔好ましいシート抵抗測定〕
電極間のチャネル領域の抵抗よりもはるかに低い接触抵抗の場合、シート抵抗測定について簡略化された方法が使用され得る。例えば、１０３５００μｍのチャネル幅ｗおよび８０μｍのチャネル長ｌを有する電極対上に、５Ｖの電圧Ｖが印加され、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ＳＭ２６３５ ｓｏｕｒｃｅ ｍｅａｓｕｒｅ ｕｎｉｔを使用して電流Ｉが測定される。チャネル抵抗Ｒは、式Ｒ＝Ｖ／Ｉによって計算される。次の工程において、シート抵抗Ｒｓは、Ｒｓ＝Ｒ＊ｗ／ｌによって計算される。シート抵抗は、２３±２℃で測定した。５Ｖで８０μｍのチャネル電流とすると、図６の例示的なデータが形成され、Ｒ＝５Ｖ／１．３３ｅ．７Ａ＝３．７６ｅ７オーム、およびＲｓ＝Ｒ＊ｗ／ｌ＝３．７６ｅ７オーム＊１０３５００μｍ／８０μｍ＝４８．６Ｇオーム／スクエアとなる。
【0030】
〔代替のシート抵抗測定〕
代替として、シート抵抗は、以下のように測定することができる：
１０オーム／スクエアのシート抵抗を有する、９０ｎｍＩＴＯを用いたＩＴＯでコーティングされた基板を、図４の交互嵌合されたフィンガー構造でパターン化した。両電極上の１２個のＩＴＯフィンガーは、合計２３個の導電性領域を形成する：ｎ＝２３。嵌合長ｗｅは、４．５ｍｍであった。したがって、全チャネル幅は１０３．５ｍｍであった。チャネル長は、２０μｍステップで、２０～８０μｍの間で変化させた。４つの異なるチャネル長を有する電極対を、図５に示されるように２５×２５ｍｍ２の寸法で１つの基板上に組み合わせた。有機層を、完全な相互嵌合されたフィンガーパターンを覆う基板上に堆積させた。第１の共通の半導体層は、基板上に１０ｎｍの厚さを有する少なくとも１つの正孔注入材料を含み、例えば、前記第１の共通の半導体層は、ドープされた共有結合性のマトリックス化合物（適切な共有結合性のマトリックス化合物が、本明細書に記載されている）からなり、共蒸着によって堆積された、正孔注入層である。温度範囲は材料に依存し、気化が始まる気化温度および分解温度によって制限される。これらの値は、材料パラメータであり、各々の材料ごとに異なる。値は通常、５０℃～５００℃、ほとんどが１５０℃～３５０℃である。例えば、共有結合性のマトリックス化合物の堆積は、２７２℃の蒸発源温度で、１Ａ／ｓ（オングストローム／秒）の一定速度で行われた。正孔注入材料源は、例えば、１７４℃で、０．０６８Ａ／ｓで動作させた。この層上に、例えば共通の正孔輸送層または共通の電子阻止層であり、好ましくは正孔輸送層であり、１２８ｎｍの厚さを有する第２の共通の半導体層を、２Ａ／ｓの堆積速度および２８０℃の温度で堆積させた。全堆積プロセスの間、チャンバ圧力は３ｅ－７ｍｂａｒであった。しかし、前述のように、使用される蒸発温度は、蒸発が始まる蒸発温度および分解温度に依存する。有機材料の蒸発温度は材料に依存し、通常８０℃～５００℃である。有機層堆積後の試料の劣化を防ぐために、得られた基板層デバイスを、一体化された乾燥剤を有するガラス蓋を用いて窒素充填グローブボックス内に封入した。
代替として、シート抵抗は、以下のように測定することができる：
１０オーム／スクエアのシート抵抗を有する、９０ｎｍＩＴＯを用いたＩＴＯでコーティングされた基板を、図４の交互嵌合されたフィンガー構造でパターン化した。両電極上の１２個のＩＴＯフィンガーは、合計２３個の導電性領域を形成する：ｎ＝２３。嵌合長ｗｅは、４．５ｍｍであった。したがって、全チャネル幅は１０３．５ｍｍであった。チャネル長は、２０μｍステップで、２０～８０μｍの間で変化させた。４つの異なるチャネル長を有する電極対を、図５に示されるように２５×２５ｍｍ２の寸法で１つの基板上に組み合わせた。有機層を、完全な相互嵌合されたフィンガーパターンを覆う基板上に堆積させた。第１の共通の半導体層は、基板上に１０ｎｍの厚さを有する少なくとも１つの正孔注入材料を含み、例えば、前記第１の共通の半導体層は、ドープされた共有結合性のマトリックス化合物（適切な共有結合性のマトリックス化合物が、本明細書に記載されている）からなり、共蒸着によって堆積された、正孔注入層である。温度範囲は材料に依存し、気化が始まる気化温度および分解温度によって制限される。これらの値は、材料パラメータであり、各々の材料ごとに異なる。値は通常、５０℃～５００℃、ほとんどが１５０℃～３５０℃である。例えば、共有結合性のマトリックス化合物の堆積は、２７２℃の蒸発源温度で、１Ａ／ｓ（オングストローム／秒）の一定速度で行われた。正孔注入材料源は、例えば、１７４℃で、０．０６８Ａ／ｓで動作させた。この層上に、例えば共通の正孔輸送層または共通の電子阻止層であり、好ましくは正孔輸送層であり、１２８ｎｍの厚さを有する第２の共通の半導体層を、２Ａ／ｓの堆積速度および２８０℃の温度で堆積させた。全堆積プロセスの間、チャンバ圧力は３ｅ－７ｍｂａｒであった。しかし、前述のように、使用される蒸発温度は、蒸発が始まる蒸発温度および分解温度に依存する。有機材料の蒸発温度は材料に依存し、通常８０℃～５００℃である。有機層堆積後の試料の劣化を防ぐために、得られた基板層デバイスを、一体化された乾燥剤を有するガラス蓋を用いて窒素充填グローブボックス内に封入した。
【0031】
所与のチャネル長に対応する各電極対上に、０．５Ｖのステップにおいて－５Ｖと＋５Ｖとの間の電圧を印加し、電流を測定した。これは、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ＳＭ２６３５ ｓｏｕｒｃｅ ｍｅａｓｕｒｅ ｕｎｉｔを使用して行った。図６は、そのような測定の例示的な図を示す。所与のチャネル長さに対応する、各測定についての勾配の計算は、当該チャネル長に対する抵抗Ｒｎを与える。チャネル長に対応するＲｎをプロットし、この勾配を計算し、それに１０３５００μｍのチャネル幅を乗算させることにより、測定された層スタックのシート抵抗Ｒｓが得られる。所与の例では、４７０１９９オーム／μｍの勾配に１０３５００μｍのチャネル幅が乗算される。その結果、シート抵抗は４８．７Ｇオーム／スクエアとなる。シート抵抗は、２３℃および１０１３ｍｂａｒで測定した。
【0032】
〔共通の層〕
共通の層は、１つの処理工程において１つの大きなマスク開口部を通って、完全なディスプレイ領域上または少なくとも２つの画素の領域上に堆積される層、および／または重なり合う層が異なる材料からなる場合であっても、いくつかの連続する工程において堆積されるいくつかの重なり合う領域からなる層を指す。
共通の層は、１つの処理工程において１つの大きなマスク開口部を通って、完全なディスプレイ領域上または少なくとも２つの画素の領域上に堆積される層、および／または重なり合う層が異なる材料からなる場合であっても、いくつかの連続する工程において堆積されるいくつかの重なり合う領域からなる層を指す。
【0033】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの一実施形態によれば、共通の第２の半導体層は、共通の正孔輸送層または共通の電子阻止層であり得、より好ましくは、前記共通の正孔注入層は、共通の正孔輸送層または共通の電子阻止層である第２の共通の半導体層と直接接触しており、さらにより好ましくは、前記共通の第２の半導体層は、共通の正孔輸送層である。
【0034】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、複数の共通の半導体層は、共通の第３の半導体層をさらに含んでもよく、共通の第１の半導体層、共通の第２の半導体層、および共通の第３の半導体層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有する。
【0035】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、複数の共通の半導体層は、共通の第３の半導体層をさらに含んでもよく、共通の第１の半導体層、共通の第２の半導体層、および共通の第３の半導体層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有し、共通の第１の半導体層、共通の第２の半導体層、および共通の第３の半導体層のシート抵抗はそれのみが単独で測定される。
【0036】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の第３の半導体層は共通の電子阻止層であり得、共通の第１の半導体層は共通の正孔注入層であり、共通の第２の半導体層は共通の正孔輸送層であり；かつ、共通の正孔注入層である共通の第１の半導体層と、共通の正孔輸送層である共通の第２の半導体層と、共通の電子阻止層である共通の第３の半導体層とは、共に≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有する。
【0037】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の第３の半導体層は共通の電子阻止層であり得、共通の第１の半導体層は共通の正孔注入層であり、共通の第２の半導体層は共通の正孔輸送層であり；かつ、共通の正孔注入層である共通の第１の半導体層と、共通の正孔輸送層である共通の第２の半導体層と、共通の電子阻止層である共通の第３の半導体層とは、共に≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有し、共通の第１の半導体層、共通の第２の半導体層、および共通の第３の半導体層のシート抵抗は、それのみが単独で測定される。
【0038】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の第３の半導体層は共通の電子阻止層であり得、共通の第１の半導体層は共通の正孔注入層であり、共通の第２の半導体層は共通の正孔輸送層であり；かつ、共通の正孔注入層である共通の第１の半導体層と、共通の正孔輸送層である共通の第２の半導体層と、共通の電子阻止層である共通の第３の半導体層とは、共に≧１００ギガオーム／スクエア、≧１５０ギガオーム／スクエア、≧２００ギガオーム／スクエア、≧３００ギガオーム／スクエア、≧４００ギガオーム／スクエア、≧５００ギガオーム／スクエア、≧１０００ギガオーム／スクエア、≧２５００ギガオーム／スクエア、≧５０００ギガオーム／スクエア、≧１００００ギガオーム／スクエア、≧２００００ギガオーム／スクエア、≧３００００ギガオーム／スクエア、≧４００００ギガオーム／スクエア、または≧５００００ギガオーム／スクエアから選択されるシート抵抗を有する。
【0039】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の第３の半導体層は共通の電子阻止層であり得、共通の第１の半導体層は共通の正孔注入層であり、共通の第２の半導体層は共通の正孔輸送層であり；かつ、共通の正孔注入層である共通の第１の半導体層と、共通の正孔輸送層である共通の第２の半導体層と、共通の電子阻止層である共通の第３の半導体層とは、共に≧１００ギガオーム／スクエア、≧１５０ギガオーム／スクエア、≧２００ギガオーム／スクエア、≧３００ギガオーム／スクエア、≧４００ギガオーム／スクエア、≧５００ギガオーム／スクエア、≧１０００ギガオーム／スクエア、≧２５００ギガオーム／スクエア、≧５０００ギガオーム／スクエア、≧１００００ギガオーム／スクエア、≧２００００ギガオーム／スクエア、≧３００００ギガオーム／スクエア、≧４００００ギガオーム／スクエア、または≧５００００ギガオーム／スクエアから選択されるシート抵抗を有し、共通の第１の半導体層、共通の第２の半導体層、および共通の第３の半導体層のシート抵抗は、それのみが単独で測定される。
【0040】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の正孔輸送層である共通の第２の半導体層と発光層との間に、共通の電子阻止層である共通の第３の半導体層が配置される。
【0041】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、各々の画素の前記発光層は色定義発光体ドーパントでドープされ、色定義発光体ドーパントの前記色は各々の画素に対して独立して選択されるか、または同じものが選択される。
【0042】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、第１のＯＬＥＤ画素の陽極層および第２のＯＬＥＤ画素の陽極層は、画素精細層によって分離され得、その結果、第１のＯＬＥＤ画素の陽極層および第２のＯＬＥＤ画素の陽極層は共通の層として形成されず、互いに接触しない。
【0043】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の正孔注入層は、少なくとも一部が陽極層に直接接触して配置され得、共通の正孔輸送層は、共通の発光層と共通の正孔注入層との間に配置される。
【0044】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、全ての個々の画素が、他の個々の画素の陽極に接触し得ないそれ自体の陽極を有し得る。
【0045】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、全ての個々の画素は、１つまたは複数の半導体層が共通の半導体層でない場合、他の個々の画素の半導体層に接触することができない、それ自体の半導体層を含み得る。
【0046】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の正孔注入層、共通の第２の半導体層、共通の第３の半導体層、および共通の発光層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有し得る。
【0047】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の正孔注入層、共通の第２の半導体層、共通の第３の半導体層、および共通の発光層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有してもよく、前記共通の正孔注入層、前記共通の第２の半導体層、前記共通の第３の半導体層、および前記発光層のシート抵抗はそれのみが単独で測定される。
【0048】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の正孔注入層、共通の第２の半導体層、共通の第３の半導体層、および共通の発光層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有してもよく、前記共通の正孔注入層、前記共通の第２の半導体層、前記共通の第３の半導体層、および前記共通の発光層のシート抵抗はそれのみが単独で測定される。
【0049】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の正孔注入層、共通の第２の半導体層、共通の第３の半導体層、および共通の発光層は共に、≧１００ギガオーム／スクエア、≧１５０ギガオーム／スクエア、≧２００ギガオーム／スクエア、≧３００ギガオーム／スクエア、≧４００ギガオーム／スクエア、≧５００ギガオーム／スクエア、≧１０００ギガオーム／スクエア、≧２５００ギガオーム／スクエア、≧５０００ギガオーム／スクエア、≧１００００ギガオーム／スクエア、≧２００００ギガオーム／スクエア、≧３００００ギガオーム／スクエア、≧４００００ギガオーム／スクエア、または≧５００００ギガオーム／スクエアから選択されるシート抵抗を有することができる。
【0050】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の正孔注入層、共通の第２の半導体層、共通の第３の半導体層、および共通の発光層は共に、≧１００ギガオーム／スクエア、≧１５０ギガオーム／スクエア、≧２００ギガオーム／スクエア、≧３００ギガオーム／スクエア、≧４００ギガオーム／スクエア、≧５００ギガオーム／スクエア、≧１０００ギガオーム／スクエア、≧２５００ギガオーム／スクエア、≧５０００ギガオーム／スクエア、≧１００００ギガオーム／スクエア、≧２００００ギガオーム／スクエア、≧３００００ギガオーム／スクエア、≧４００００ギガオーム／スクエア、または≧５００００ギガオーム／スクエアから選択されるシート抵抗を有することができ、ここで、前記共通の正孔注入層、前記共通の第２の半導体層、前記共通の第３の半導体層、および前記発光層のシート抵抗はそれのみが単独で測定される。
【0051】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の正孔注入層、共通の第２の半導体層、共通の第３の半導体層、および共通の発光層は共に、≧１００ギガオーム／スクエア、≧１５０ギガオーム／スクエア、≧２００ギガオーム／スクエア、≧３００ギガオーム／スクエア、≧４００ギガオーム／スクエア、≧５００ギガオーム／スクエア、≧１０００ギガオーム／スクエア、≧２５００ギガオーム／スクエア、≧５０００ギガオーム／スクエア、≧１００００ギガオーム／スクエア、≧２００００ギガオーム／スクエア、≧３００００ギガオーム／スクエア、≧４００００ギガオーム／スクエア、または≧５００００ギガオーム／スクエアから選択されるシート抵抗を有することができ、前記共通の正孔注入層、前記共通の第２の半導体層、前記共通の第３の半導体層、および前記共通の発光層のシート抵抗はそれのみが単独で測定される。
【0052】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイは、複数のＯＬＥＤ画素を含み、各々の画素自体が有機層のスタックを含み、前記有機層のスタックの各々の層が共通の半導体層を形成することができるか、または複数の有機層が複数の半導体層を形成することができ、少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および第２のＯＬＥＤ画素が各々の陽極層を含み、
－前記第１のＯＬＥＤ画素および前記第２のＯＬＥＤ画素の陽極層は、画素精細層によって任意に分離され、前記少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および前記少なくとも第２のＯＬＥＤ画素は、共通の陰極層と、複数の半導体層を含む少なくとも有機層のスタックとを含み、前記複数の半導体層は少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、
－前記有機層のスタックの前記少なくとも２つの共通の半導体層または前記複数の半導体層は、前記共通の陰極層と前記陽極層との間に配置され、前記陽極層は共通の層ではなく、
－前記少なくとも２つの共通の半導体層または前記複数の共通の半導体層は、共通の正孔注入層である少なくとも第１の共通の半導体層と、共通の正孔輸送層または電子阻止層である少なくとも共通の第２の半導体層と、任意に共通の発光層である少なくとも発光層と、を含み、好ましくは、前記少なくとも共通の第２の半導体層は共通の正孔輸送層であり、
－前記共通の正孔注入層は、少なくとも部分的に前記陽極層に直接接触して配置され、好ましくは、共通の正孔輸送層である前記少なくとも共通の第２の半導体層は、前記発光層と前記共通の正孔注入層との間に配置され、前記発光層は任意に共通の発光層であり；
前記共通の正孔注入層および前記共通の正孔輸送層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有する。
－前記第１のＯＬＥＤ画素および前記第２のＯＬＥＤ画素の陽極層は、画素精細層によって任意に分離され、前記少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および前記少なくとも第２のＯＬＥＤ画素は、共通の陰極層と、複数の半導体層を含む少なくとも有機層のスタックとを含み、前記複数の半導体層は少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、
－前記有機層のスタックの前記少なくとも２つの共通の半導体層または前記複数の半導体層は、前記共通の陰極層と前記陽極層との間に配置され、前記陽極層は共通の層ではなく、
－前記少なくとも２つの共通の半導体層または前記複数の共通の半導体層は、共通の正孔注入層である少なくとも第１の共通の半導体層と、共通の正孔輸送層または電子阻止層である少なくとも共通の第２の半導体層と、任意に共通の発光層である少なくとも発光層と、を含み、好ましくは、前記少なくとも共通の第２の半導体層は共通の正孔輸送層であり、
－前記共通の正孔注入層は、少なくとも部分的に前記陽極層に直接接触して配置され、好ましくは、共通の正孔輸送層である前記少なくとも共通の第２の半導体層は、前記発光層と前記共通の正孔注入層との間に配置され、前記発光層は任意に共通の発光層であり；
前記共通の正孔注入層および前記共通の正孔輸送層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有する。
【0053】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイは、複数のＯＬＥＤ画素を含み、各々の画素自体が有機層のスタックを含み、前記有機層のスタックの各々の層が共通の半導体層を形成することができるか、または複数の有機層が複数の半導体層を形成することができ、少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および第２のＯＬＥＤ画素が各々の陽極層を含み、
－前記第１のＯＬＥＤ画素および前記第２のＯＬＥＤ画素の陽極層は、画素精細層によって任意に分離され、少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および少なくとも第２のＯＬＥＤ画素は、共通の陰極層と、複数の半導体層を含む少なくとも有機層のスタックとを含み、前記複数の半導体層は少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、
－前記有機層のスタックの前記少なくとも２つの共通の半導体層または前記複数の半導体層は、前記共通の陰極層と前記陽極層との間に配置され、前記陽極層は共通の層ではなく、
－前記少なくとも２つの共通の半導体層または前記複数の共通の半導体層は、共通の正孔注入層である少なくとも第１の共通の半導体層と、共通の正孔輸送層または電子阻止層である少なくとも共通の第２の半導体層と、任意に共通の発光層である少なくとも発光層と、を含み、好ましくは、前記少なくとも共通の第２の半導体層は共通の正孔輸送層であり、
－前記共通の正孔注入層は、少なくとも部分的に前記陽極層に直接接触して配置され、好ましくは、共通の正孔輸送層である前記少なくとも共通の第２の半導体層は、前記発光層と前記共通の正孔注入層との間に配置され、前記発光層は任意に共通の発光層であり；
前記共通の正孔注入層および前記共通の正孔輸送層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有し、前記共通の正孔注入層および前記共通の正孔輸送層のシート抵抗は、それのみが単独で測定される。
－前記第１のＯＬＥＤ画素および前記第２のＯＬＥＤ画素の陽極層は、画素精細層によって任意に分離され、少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および少なくとも第２のＯＬＥＤ画素は、共通の陰極層と、複数の半導体層を含む少なくとも有機層のスタックとを含み、前記複数の半導体層は少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、
－前記有機層のスタックの前記少なくとも２つの共通の半導体層または前記複数の半導体層は、前記共通の陰極層と前記陽極層との間に配置され、前記陽極層は共通の層ではなく、
－前記少なくとも２つの共通の半導体層または前記複数の共通の半導体層は、共通の正孔注入層である少なくとも第１の共通の半導体層と、共通の正孔輸送層または電子阻止層である少なくとも共通の第２の半導体層と、任意に共通の発光層である少なくとも発光層と、を含み、好ましくは、前記少なくとも共通の第２の半導体層は共通の正孔輸送層であり、
－前記共通の正孔注入層は、少なくとも部分的に前記陽極層に直接接触して配置され、好ましくは、共通の正孔輸送層である前記少なくとも共通の第２の半導体層は、前記発光層と前記共通の正孔注入層との間に配置され、前記発光層は任意に共通の発光層であり；
前記共通の正孔注入層および前記共通の正孔輸送層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有し、前記共通の正孔注入層および前記共通の正孔輸送層のシート抵抗は、それのみが単独で測定される。
【0054】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の正孔注入層および共通の正孔輸送層は共に、≧１００ギガオーム／スクエア、≧１５０ギガオーム／スクエア、≧２００ギガオーム／スクエア、≧３００ギガオーム／スクエア、≧４００ギガオーム／スクエア、≧５００ギガオーム／スクエア、≧１０００ギガオーム／スクエア、≧２５００ギガオーム／スクエア、≧５０００ギガオーム／スクエア、≧１００００ギガオーム／スクエア、≧２００００ギガオーム／スクエア、≧３００００ギガオーム／スクエア、≧４００００ギガオーム／スクエア、または≧５００００ギガオーム／スクエアから選択されるシート抵抗を有する。
【0055】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の正孔注入層および共通の正孔輸送層は共に、≧１００ギガオーム／スクエア、≧１５０ギガオーム／スクエア、≧２００ギガオーム／スクエア、≧３００ギガオーム／スクエア、≧４００ギガオーム／スクエア、≧５００ギガオーム／スクエア、≧１０００ギガオーム／スクエア、≧２５００ギガオーム／スクエア、≧５０００ギガオーム／スクエア、≧１００００ギガオーム／スクエア、≧２００００ギガオーム／スクエア、≧３００００ギガオーム／スクエア、≧４００００ギガオーム／スクエア、または≧５００００ギガオーム／スクエアから選択されるシート抵抗を有し、前記共通の正孔注入層および前記共通の正孔輸送層のシート抵抗は、それのみが単独で測定される。
【0056】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の正孔注入層は正孔注入材料を含み得、前記共通の正孔注入層はｉ－正孔注入層および／または正孔注入ドープ層を含む群から選択され、好ましくは正孔注入材料の濃度は、前記正孔注入材料でドープされた正孔注入層の重量に基づいて、≧０．１重量％および≦４０重量％、好ましくは≧０．５重量％および≦２５重量％、さらに好ましくは≧１重量％および≦１０重量％、より好ましくは≧１重量％および≦５重量％である。
【0057】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、有機層の共通のスタックは共通の電子輸送層をさらに含んでもよく、好ましくは、前記共通の電子輸送層は、発光層と共通の陰極層との間に配置される。
【0058】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、有機層の共通のスタックは、共通の電子注入層、共通の正孔阻止層、および／または電子輸送層を含む群から選択される共通の有機層をさらに含み、好ましくは、前記共通の電子注入層は、共通の陰極層と直接接触している。
【0059】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、画素精細層は正に帯電しておらず、および／もしくは陽極ではないか、または陽極材料を含み、好ましくは、画素精細層は、Ｓｉ系化合物、ＳｉＮ、正に帯電していないオリゴマーおよび／またはポリマー材料を含む。
【0060】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の第１の半導体層、好ましくは、共通の正孔注入層は、≧１ｎｍおよび≦１００ｎｍ、好ましくは≧２ｎｍおよび≦５０ｎｍ、より好ましくは≧３ｎｍおよび≦４０ｎｍ、より好ましくは≧４ｎｍおよび≦３０ｎｍ、より好ましくは≧５ｎｍおよび≦２０ｎｍ、より好ましくは≧６ｎｍおよび≦１５ｎｍ、ならびに、より好ましくは≧８ｎｍおよび≦１０ｎｍの層の厚さを有し得る。
【0061】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の第２の半導体層、好ましくは、共通の正孔輸送層は、≧５ｎｍおよび≦２５０ｎｍ、好ましくは≧１０ｎｍおよび≦２４０ｎｍ、より好ましくは≧１５ｎｍおよび≦２３０ｎｍ、より好ましくは≧２０ｎｍおよび≦２２０ｎｍ、より好ましくは≧２５ｎｍおよび≦２１０ｎｍ、より好ましくは≧３０ｎｍおよび≦２００ｎｍ、より好ましくは≧３５ｎｍおよび≦１９０ｎｍ、より好ましくは≧４０ｎｍおよび≦１８０ｎｍ、ならびに、好ましくは≧５０ｎｍおよび≦１５０ｎｍの層の厚さを有し得る。
【0062】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の第２の半導体層、好ましくは、共通の正孔輸送層は、＜４．２７ｅＶから≧６．０ｅＶまで、＜４．３ｅＶから≧５．５ｅＶまで、好ましくは＜－４．５ｅＶから≧－５．４ｅＶまで、より好ましくは＜－４．６ｅＶから≧５．３ｅＶまでの範囲で、プログラムパッケージＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５に実装されるＧａｕｓｓｉａｎ６－３１Ｇ＊基底関数系と共に混成汎関数Ｂ３ＬＹＰを使用して計算された、真空エネルギー準位がゼロであることを参照して絶対スケールで表される、それらの最高占有分子軌道のエネルギーを有する化合物を含み得る。
【0063】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、電子阻止層は、＜４．７ｅＶから≧６．０ｅＶまで、＜４．８ｅＶから≧５．５ｅＶまで、好ましくは＜－４．９ｅＶから≧－５．４ｅＶまで、より好ましくは＜－５．０ｅＶから≧５．３ｅＶまでの範囲で、プログラムパッケージＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５に実装されるＧａｕｓｓｉａｎ６－３１Ｇ＊基底関数系と共に混成汎関数Ｂ３ＬＹＰを使用して計算された、真空エネルギー準位がゼロであることを参照して絶対スケールで表される、それらの最高占有分子軌道のエネルギーを有する化合物を含み得る。
【0064】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、電子阻止層（ＥＢＬ）は、≧１ｎｍおよび≦２０ｎｍ、好ましくは≧２ｎｍおよび≦１８ｎｍ、より好ましくは≧３ｎｍおよび≦１６ｎｍ、より好ましくは≧４ｎｍおよび≦１４ｎｍ、より好ましくは≧５ｎｍおよび≦１２ｎｍ、より好ましくは≧６ｎｍおよび≦１１ｎｍ、より好ましくは≧７ｎｍおよび≦１０ｎｍの層の厚さを有し得る。
【0065】
電子阻止層（ＥＢＬ）は通常、５ｎｍ～１０ｎｍの厚さであり、低い移動度を有する。＞２０ｎｍの高い厚さは、著しい電圧ペナルティをもたらし得る。５ｎｍより薄い層は、十分に阻止することができず、あまり好ましくない。
【0066】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、少なくとも１つの陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含み得、前記第１の陽極副層は、≧４ｅＶおよび≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有する第１の金属を含み、前記第２の陽極副層は、透明導電性酸化物を含み；ならびに、前記第２の陽極副層は、共通の正孔注入層のより近くに配置される。
【0067】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイは、有機発光ダイオード画素のうちの複数の画素を別々に駆動するように構成された駆動回路を含む。
【0068】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの一実施形態によれば、共通の正孔注入層である共通の第１の半導体層は、最高被占占有準位Ｅｆｉｒｓｔ（ＨＯＭＯ）を有する化合物を含み得、好ましくは共通の正孔輸送層である共通の第２の半導体層は、最高占有準位Ｅｓｅｃｏｎｄ（ＨＯＭＯ）を有する化合物を含み得、Ｅｆｉｒｓｔ（ＨＯＭＯ）≧Ｅｓｅｃｏｎｄ（ＨＯＭＯ）である。一実施形態によれば、好ましくは共通の正孔輸送層である共通の第２の半導体層の化合物は、正孔注入材料ではない。
【0069】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの一実施形態によれば、共通の電子阻止層であり得る共通の第３の半導体層は、最低空エネルギー準位Ｅｔｈｉｒｄ（ＬＵＭＯ）を有する化合物を含み得、発光層は、最低空エネルギー準位ＥＥＭＬ（ＬＵＭＯ）を有する化合物を含み得、Ｅｔｈｉｒｄ（ＬＵＭＯ）≧ＥＥＭＬ（ＬＵＭＯ）であり、好ましくは、共通の第３の半導体層中の化合物、および発光層中の化合物は、レドックスドーパントなどの正孔注入材料ではない。
【0070】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの一実施形態によれば、共通の正孔注入層である共通の第１の半導体層は、最高占有準位Ｅｆｉｒｓｔ（ＨＯＭＯ）を有する正孔注入材料を含み得、共通の正孔輸送層であり得る共通の第２の半導体層は、最高占有準位Ｅｓｅｃｏｎｄ（ＨＯＭＯ）を有する正孔輸送化合物を含み得、共通の電子阻止層であり得る共通の第３の半導体層は、最高占有準位Ｅｔｈｉｒｄ（ＨＯＭＯ）を有する電子阻止化合物を含み得、Ｅｆｉｒｓｔ（ＨＯＭＯ）≧Ｅｓｅｃｏｎｄ（ＨＯＭＯ）≧Ｅｔｈｉｒｄ（ＨＯＭＯ）であり、好ましくは、共通の第２の半導体層中の化合物、および共通の第３の半導体層中の化合物は、正孔注入材料ではない。
【0071】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの一実施形態によれば、共通の正孔注入層である共通の第１の半導体層は、最高占有準位Ｅｆｉｒｓｔ（ＨＯＭＯ）を有する正孔注入材料を含み得、共通の正孔輸送層であり得る共通の第２の半導体層は、最高占有準位Ｅｓｅｃｏｎｄ（ＨＯＭＯ）を有する正孔輸送化合物を含み得、共通の電子阻止層であり得る共通の第３の半導体層は、最高占有準位Ｅｔｈｉｒｄ（ＨＯＭＯ）を有する電子阻止化合物を含み得、Ｅｆｉｒｓｔ（ＨＯＭＯ）＝Ｅｓｅｃｏｎｄ（ＨＯＭＯ）＞Ｅｔｈｉｒｄ（ＨＯＭＯ）であり、好ましくは、共通の第２の半導体層中の化合物、および共通の第３の半導体層中の化合物は、正孔注入材料ではない。
【0072】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの一実施形態によれば、共通の正孔輸送層であり得る共通の第２の半導体層は、最高占有準位Ｅｓｅｃｏｎｄ（ＨＯＭＯ）および最低空エネルギー準位Ｅｓｅｃｏｎｄ（ＬＵＭＯ）を有する正孔輸送化合物を含み得、共通の電子阻止層であり得る共通の第３の半導体層は、最高占有準位Ｅｔｈｉｒｄ（ＨＯＭＯ）および最低空エネルギー準位Ｅｔｈｉｒｄ（ＬＵＭＯ）を有する電子阻止化合物を含み得、発光層は、最高占有準位ＥＥＭＬ（ＨＯＭＯ）および最低空エネルギー準位ＥＥＭＬ（ＬＵＭＯ）を有する化合物を含み得、
Ｅｔｈｉｒｄ（ＨＯＭＯ）－ＥＥＭＬ（ＨＯＭＯ）＜０．３ｅＶ
Ｅｔｈｉｒｄ（ＬＵＭＯ）＞ＥＥＭＬ（ＬＵＭＯ）
Ｅｓｅｃｏｎｄ（ＨＯＭＯ）＞ＥＥＭＬ（ＨＯＭＯ）である場合、Ｅｓｅｃｏｎｄ（ＨＯＭＯ）＞Ｅｔｈｉｒｄ（ＨＯＭＯ）
および
Ｅｓｅｃｏｎｄ（ＬＵＭＯ）＞ＥＥＭＬ（ＬＵＭＯ）であり；
好ましくは、共通の第２の半導体層中の化合物、共通の第３の半導体層中の化合物、および発光層中の化合物は、正孔注入物質ではない。
Ｅｔｈｉｒｄ（ＨＯＭＯ）－ＥＥＭＬ（ＨＯＭＯ）＜０．３ｅＶ
Ｅｔｈｉｒｄ（ＬＵＭＯ）＞ＥＥＭＬ（ＬＵＭＯ）
Ｅｓｅｃｏｎｄ（ＨＯＭＯ）＞ＥＥＭＬ（ＨＯＭＯ）である場合、Ｅｓｅｃｏｎｄ（ＨＯＭＯ）＞Ｅｔｈｉｒｄ（ＨＯＭＯ）
および
Ｅｓｅｃｏｎｄ（ＬＵＭＯ）＞ＥＥＭＬ（ＬＵＭＯ）であり；
好ましくは、共通の第２の半導体層中の化合物、共通の第３の半導体層中の化合物、および発光層中の化合物は、正孔注入物質ではない。
【0073】
〔正孔注入材料〕
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の正孔注入層は金属化合物である正孔注入材料を含み、前記正孔注入材料は、金属錯体、共有結合性金属化合物、またはイオン性化合物であり得る。一実施形態によれば、金属Ｍの原子価は、０、１、２、３または４、好ましくは１、２、３または４であり得る。一実施形態によれば、金属Ｍは、≧２２Ｄａ、あるいは≧２４Ｄａの原子質量を有する。
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイの別の実施形態によれば、共通の正孔注入層は金属化合物である正孔注入材料を含み、前記正孔注入材料は、金属錯体、共有結合性金属化合物、またはイオン性化合物であり得る。一実施形態によれば、金属Ｍの原子価は、０、１、２、３または４、好ましくは１、２、３または４であり得る。一実施形態によれば、金属Ｍは、≧２２Ｄａ、あるいは≧２４Ｄａの原子質量を有する。
【0074】
一実施形態によれば、正孔注入材料は少なくとも１つの金属を含み、金属Ｍは、対応する金属が２．４未満、好ましくは２未満、より好ましくは１．９未満のＡｌｌｅｎによる電気陰性度値を有する金属イオンから選択され得る。それによって、有機電子デバイスにおける特に良好な性能を達成することができる。
【0075】
用語「Ａｌｌｅｎによる電気陰性度」については、特に、Allen、Leland C. (1989). "Electronegativity is the average one-electron energy of the valence-shell electrons in ground-state free atoms". Journal of the American Chemical Society. 111 (25): 9003-9014.を参照されたい。
【0076】
一実施形態によれば、Ｍの原子価ｎは、１または２である。
【0077】
一実施形態によれば、金属Ｍは、対応する金属が２．４未満、好ましくは２未満、より好ましくは１．９未満のＡｌｌｅｎによる電気陰性度値を有する、金属イオンから選択され、当該金属Ｍの原子価は、１または２である。
【0078】
一実施形態によれば、金属Ｍは、アルカリ、アルカリ土類、希土類または遷移金属から選択され、あるいはＭは、アルカリ、アルカリ土類または周期４もしくは５の遷移金属から選択される。
【0079】
一実施形態によれば、金属Ｍは、対応する金属が２．４未満、好ましくは２未満、より好ましくは１．９未満のＡｌｌｅｎによる電気陰性度値を有する、金属イオンから選択され、Ｍは、アルカリ、アルカリ土類、希土類、または周期４もしくは５の遷移金属から選択され、当該金属Ｍは、≧２２Ｄａ、あるいは≧２４Ｄａの原子質量を有する。
【0080】
一実施形態によれば、正孔注入材料は金属化合物であり、当該金属化合物は、少なくとも１つの金属カチオンおよび少なくとも１つの配位子を含むか、または少なくとも１つの金属カチオン、少なくとも１つの配位子およびさらに少なくとも１つの炭素原子、２つの炭素原子、３つの炭素原子もしくは４つの炭素原子を含む、化合物から選択される。
【0081】
一実施形態によれば、金属Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｕ、またはＹｂを含む群から選択され、好ましくは、金属は、Ａｌ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｒｅ、Ａｕ、またはＣｅを含む群から選択され、より好ましくは金属がＡｌ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ａｇ、ＡｕまたはＣｅを含む群から選択される。
【0082】
一実施形態によれば、金属Ｍは、アルカリ土類金属、遷移金属または希土類金属から選択され、好ましくはＣｕ（ＩＩ）、Ａｇ（Ｉ）、Ｚｎ（ＩＩ）、Ｆｅ（ＩＩ）、Ｆｅ（ＩＩＩ）、Ｃｅ（ＩＶ）から選択され、およびより好ましくはＦｅ（ＩＩ）である。
【0083】
一実施形態によれば、金属Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＡｇおよびＭｏから選択され；好ましくは、Ｍは、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｕ、ＺｎおよびＡｇから選択され；また、好ましくは、Ｍは、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｕ、ＺｎおよびＡｇから選択され、ここで、金属ＭがＣｕである場合、ｎは２である。
【0084】
正孔注入材料は、非発光性である。本明細書の文脈において、用語「実質的に非発光性」または「非発光性」は、有機電子デバイス、好ましくはＯＬＥＤまたは表示デバイスからの可視発光スペクトルに対する正孔注入材料の寄与が、可視発光スペクトルに対して１０％未満、好ましくは５％未満であることを意味する。可視発光スペクトルは、約≧３８０ｎｍから約≦７８０ｎｍの波長を有する発光スペクトルである。
【0085】
〔半導体層〕
少なくとも第１の共通の半導体層（好ましくは共通のＨＩＬ）、および少なくとも第２の共通の半導体層（好ましくは共通のＨＴＬ）は、非発光性である。
少なくとも第１の共通の半導体層（好ましくは共通のＨＩＬ）、および少なくとも第２の共通の半導体層（好ましくは共通のＨＴＬ）は、非発光性である。
【0086】
本発明の一実施形態によれば、少なくとも１つの共通の半導体層、好ましくは第１の共通の層（好ましくは共通ＨＩＬ）が、陽極に隣接して配置および／または提供されてもよく、ここで、陽極は共通の層として形成されない。
【0087】
本発明の一実施形態によれば、少なくとも１つの共通の半導体層は、陽極と直接接触しており、ここで、陽極は共通の層として形成されない。全ての個々の画素は、他の個々の画素の陽極に接触し得ない、それ自体の陽極を有し得る。
【0088】
本発明の一実施形態によれば、少なくとも１つの共通の半導体層は、共通の正孔注入層である。
【0089】
本発明の一実施形態によれば、少なくとも１つの共通の半導体層は、少なくとも１つの正孔注入材料からなるか、または少なくとも１つの正孔注入材料を含む共通の正孔注入層である。
【0090】
少なくとも１つの共通の半導体層が、共通の正孔注入層であり、および／または陽極に隣接して配置および／または提供される（陽極は共通の層として形成されない）場合、好ましくは、この層は少なくとも１つの正孔注入材料から本質的になり得る。
【0091】
１つの好ましい実施形態によれば、正孔注入材料は、存在する場合、特定の電流密度で電圧を低下させることができる、金属化合物などの化合物のみを対象とする。このことは、金属化合物を含む正孔注入材料が、正孔の注入を容易にすることができることを意味する。
【0092】
〔マトリックス化合物〕
一実施形態によれば、半導体層は、少なくとも１つのマトリックス化合物を含むことができ、少なくとも１つのマトリックス化合物は、非ポリマー化合物であり、好ましくは、マトリックス化合物は、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物である。
一実施形態によれば、半導体層は、少なくとも１つのマトリックス化合物を含むことができ、少なくとも１つのマトリックス化合物は、非ポリマー化合物であり、好ましくは、マトリックス化合物は、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物である。
【0093】
好ましくは、少なくとも１つの共通の半導体層は、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物を含む。
【0094】
正孔注入層は、正孔注入材料に加えて、少なくとも１つのマトリックス共有結合性のマトリックス化合物および／または少なくとも１つの実質的に共有結合性のマトリックス化合物を含んでもよい。
【0095】
共有結合性のマトリックス化合物の好ましい例示は、共有結合したＣ、Ｈ、Ｏ、Ｎ、Ｓから主になる有機化合物であり、これは共有結合したＢ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｅも任意に含み得る。共有結合した炭素－金属を含む有機金属化合物、有機配位子を含む金属錯体、および有機酸の金属塩は、有機共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物として機能し得る有機化合物のさらなる例示である。
【0096】
一実施形態では、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物は、金属原子を欠き、その骨格原子の大部分は、Ｃ、Ｏ、Ｓ、Ｎから選択される。あるいは、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物が金属原子を欠き、その骨格原子の大部分は、ＣおよびＮから選択される。
【0097】
一実施形態によれば、実質的に共有結合性のマトリックス化合物は、≧４００および≦２０００ｇ／ｍｏｌの分子量Ｍｗ、好ましくは≧４５０および≦１５００ｇ／ｍｏｌの分子量Ｍｗ、より好ましくは≧５００および≦１０００ｇ／ｍｏｌの分子量Ｍｗ、さらに好ましくは≧５５０および≦９００ｇ／ｍｏｌの分子量Ｍｗ、よりさらに好ましくは≧６００および≦８００ｇ／ｍｏｌの分子量Ｍｗを有し得る。
【0098】
一実施形態では、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物のＨＯＭＯレベルは、同じ条件下で測定した場合、Ｎ２，Ｎ２，Ｎ２’，Ｎ２’，Ｎ２’，Ｎ７，Ｎ７，Ｎ７’，Ｎ７’－オクタキス（４－メトキシフェニル）－９，９’－スピロビ[フルオレン]－２，２’，７，７’－テトラアミン（ＣＡＳ ２０７７３９－７２－８）のＨＯＭＯレベルよりも負であり得る。
【0099】
一実施形態では、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物の計算されたＨＯＭＯレベルは、－４．２７ｅＶよりも負であり、好ましくは－４．３ｅＶよりも負であり、あるいは－４．５ｅＶよりも負であり、あるいは－４．６ｅＶよりも負であり、あるいは－４．６５ｅＶよりも負であり得る。
【0100】
別の態様によれば、半導体層は、Ｆｃ／Ｆｃ＋に対してジクロロメタン中でサイクリックボルタンメトリーによって測定される場合、－０．２Ｖよりも正であり、１．２２Ｖよりも負であり、好ましくは－０．１８Ｖよりも正であり、１．２２Ｖよりも負である、酸化電位を有する、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物をさらに含む。これらの条件下で、スピロ－ＭｅＯ－ＴＡＤ（ＣＡＳ ２０７７３９－７２－８）の酸化電位は、－０．０７Ｖである。
【0101】
一実施形態では、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物のＨＯＭＯレベルは、同じ条件下で決定した場合、Ｎ２，Ｎ２，Ｎ２’，Ｎ２’，Ｎ７，Ｎ７，Ｎ７’，Ｎ７’－オクタキス（４－メトキシフェニル）－９，９’－スピロビ[フルオレン]－２，２’，７，７’－テトラアミン（ＣＡＳ ２０７７３９－７２－８）のＨＯＭＯレベルよりも負であり得、Ｎ４，Ｎ４’’’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ４，Ｎ４’’’－ジフェニル－[１，１’：４’，１’’：４’’，１’’’－クアテルフェニル］－４，４’’’－ジアミンのＨＯＭＯレベルよりも正であり得る。
【0102】
一実施形態では、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物は、アルコキシ基を含まなくてもよい。
【0103】
一実施形態では、気相において６－３１Ｇ＊基底関数系と共に混成汎関数Ｂ３ＬＹＰを適用し、ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５（ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ ＧｍｂＨ，Ｌｉｔｚｅｎｈａｒｄｔｓｔｒａｓｓｅ １９，７６１３５ Ｋａｒｌｓｒｕｈｅ，ドイツ）を使用して計算する場合、真空エネルギー準位がゼロであることを参照して絶対スケールで表される、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物のＨＯＭＯレベルは、＜－４．２７ｅＶおよび≧－５．３ｅＶの範囲、あるいは＜－４．３ｅＶおよび≧－５．３ｅＶの範囲、あるいは＜－４．５ｅＶおよび≧－５．３ｅＶの範囲、あるいは＜－４．６ｅＶおよび≧－５．３ｅＶの範囲から選択され得る。
【0104】
一実施形態では、気相において６－３１Ｇ＊基底関数系と共に混成汎関数Ｂ３ＬＹＰを適用し、ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５（ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ ＧｍｂＨ，Ｌｉｔｚｅｎｈａｒｄｔｓｔｒａｓｓｅ １９，７６１３５ Ｋａｒｌｓｒｕｈｅ，ドイツ）を使用して計算する場合、真空エネルギー準位がゼロであることを参照して絶対スケールで表される、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物の計算されたＨＯＭＯレベルは、＜－４．２７ｅＶおよび＞－４．８４ｅＶの範囲、あるいは＜－４．３ｅＶおよび＞－４．８４ｅＶの範囲、あるいは＜－４．５ｅＶおよび＞－４．８４ｅＶの範囲、あるいは＜－４．５ｅＶおよび＞－４．８４ｅＶの範囲、あるいは＜－４．６ｅＶおよび＞－４．８４ｅＶの範囲から選択され得る。
【0105】
一実施形態では、気相において６－３１Ｇ＊基底関数系と共に混成汎関数Ｂ３ＬＹＰを適用し、ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５（ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ ＧｍｂＨ，Ｌｉｔｚｅｎｈａｒｄｔｓｔｒａｓｓｅ １９，７６１３５ Ｋａｒｌｓｒｕｈｅ，ドイツ）を使用して計算する場合、真空エネルギー準位がゼロであることを参照して絶対スケールで表される、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物の計算されたＨＯＭＯレベルは、＜－４．２７ｅＶおよび＞－４．８ｅＶの範囲、あるいは＜－４．３ｅＶおよび＞－４．８ｅＶの範囲、あるいは＜－４．５ｅＶおよび＞－４．８ｅＶの範囲、あるいは＜－４．５ｅＶおよび＞－４．８ｅＶの範囲、あるいは＜－４．６ｅＶおよび＞－４．８ｅＶの範囲、あるいは＜－４．６５ｅＶおよび＞－４．８ｅＶの範囲から選択され得る。
【0106】
好ましくは、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物は、少なくとも１つのアリールアミン化合物、あるいはジアリールアミン化合物、あるいはトリアリールアミン化合物を含む。有機電子デバイスの一実施形態によれば、共通の正孔注入層および／または共通の正孔輸送層は、ジアリールアミン化合物、あるいはトリアリールアミン化合物を含み得る。
【0107】
有機電子デバイスの一実施形態によれば、共通の正孔注入層および／または共通の正孔輸送層は、式（２）または式（３）の化合物を含むことができ：
【0108】
【化1】
【0109】
式中、
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５は独立して、単結合、フェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され、好ましくは単結合またはフェニレンから選択され；
Ｔ６は、置換もしくは非置換のフェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され、ここで、フェニレン上の置換基は、Ｃ６～Ｃ１８アリール、Ｃ３～Ｃ１８ヘテロアリール、フェニル、ビフェニル、カルバゾール、フェニルカルバゾールから選択され、好ましくはビフェニルまたは９－フェニルカルバゾールから選択され；
Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２０アリール、または置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２０ヘテロアリーレン、置換もしくは非置換のビフェニレン、置換もしくは非置換のフルオレン、置換の９－フルオレン、置換の９，９－フルオレン、置換もしくは非置換のナフタレン、置換もしくは非置換のアントラセン、置換もしくは非置換のフェナントレン、置換もしくは非置換のピレン、置換もしくは非置換のペリレン、置換もしくは非置換のトリフェニレン、置換もしくは非置換のテトラセン、置換もしくは非置換のテトラフェン、置換もしくは非置換のジベンゾフラン、置換もしくは非置換のジベンゾチオフェン、置換もしくは非置換のキサンテン、置換もしくは非置換のカルバゾール、置換の９－フェニルカルバゾール、置換もしくは非置換のアゼピン、置換もしくは非置換のジベンゾ［ｂ，ｆ］アゼピン、置換もしくは非置換の９，９’－スピロビ［フルオレン］、少なくとも１つの縮合芳香族環を有する置換もしくは非置換の９，９’－スピロビ［フルオレン］、置換もしくは非置換のスピロ［フルオレン－９，９’－キサンテン］、２つの芳香族６員環および２つの芳香族５員環を含む置換もしくは非置換の芳香族縮合環系（少なくとも１つの５員環はヘテロ原子を含む）、２つの芳香族６員環および２つの芳香族５員環を含む置換もしくは非置換の芳香族縮合環系（少なくとも１つの５員環はＯ原子を含む）、または置換もしくは非置換の非ヘテロ、置換もしくは非置換のヘテロ５員環、置換もしくは非置換の６員環、および／または置換もしくは非置換の７員環を含む群から選択される少なくとも３つの置換もしくは非置換の芳香族環を含む、置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、置換もしくは非置換のフルオレン、２～６個の置換もしくは非置換の５、６、もしくは７員環を有する縮合された置換もしくは非置換のヘテロまたは非ヘテロ環系を有する、置換もしくは非置換のフルオレン、または２～６個の置換もしくは非置換の５～７員環を有する縮合環系から選択され、当該環は、（ｉ）不飽和５～７員環の複素環、（ｉｉ）５～６員の芳香族複素環、（ｉｉｉ）不飽和５～７員環の非複素環、（ｉｖ）６員環の芳香族非複素環を含む群から選択され；
ここで、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５の置換基は、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ２、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２）２、ＯＲ２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ２、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ２、１～２０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の直鎖アルキル、１～２０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の分岐アルキル、３～２０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の環状アルキル、２～２０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアルケニルまたはアルキニル基、１～２０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアルコキシ基、６～４０個の芳香族環原子を有する置換もしくは非置換の芳香族環系、および５～４０個の芳香族環原子を有する置換もしくは非置換のヘテロ芳香族環系、非置換のＣ６～Ｃ１８アリール、非置換のＣ３～Ｃ１８ヘテロアリール、２～６個の非置換の５～７員環を含む縮合環系を含む群から選択され、同一であるかまたは異なり、当該環は、不飽和５～７員環の複素環、５～６員の芳香族複素環、不飽和５～７員環の非複素環、および６員環の芳香族非複素環を含む群から選択され、
ここで、Ｒ２は、Ｈ、Ｄ、１～６個の炭素原子を有する直鎖アルキル、１～６個の炭素原子を有する分岐アルキル、３～６個の炭素原子を有する環状アルキル、２～６個の炭素原子を有するアルケニル基もしくはアルキニル基、Ｃ６～Ｃ１８アリールまたはＣ３～Ｃ１８ヘテロアリールから選択される。
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５は独立して、単結合、フェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され、好ましくは単結合またはフェニレンから選択され；
Ｔ６は、置換もしくは非置換のフェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され、ここで、フェニレン上の置換基は、Ｃ６～Ｃ１８アリール、Ｃ３～Ｃ１８ヘテロアリール、フェニル、ビフェニル、カルバゾール、フェニルカルバゾールから選択され、好ましくはビフェニルまたは９－フェニルカルバゾールから選択され；
Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は独立して、置換もしくは非置換のＣ６～Ｃ２０アリール、または置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２０ヘテロアリーレン、置換もしくは非置換のビフェニレン、置換もしくは非置換のフルオレン、置換の９－フルオレン、置換の９，９－フルオレン、置換もしくは非置換のナフタレン、置換もしくは非置換のアントラセン、置換もしくは非置換のフェナントレン、置換もしくは非置換のピレン、置換もしくは非置換のペリレン、置換もしくは非置換のトリフェニレン、置換もしくは非置換のテトラセン、置換もしくは非置換のテトラフェン、置換もしくは非置換のジベンゾフラン、置換もしくは非置換のジベンゾチオフェン、置換もしくは非置換のキサンテン、置換もしくは非置換のカルバゾール、置換の９－フェニルカルバゾール、置換もしくは非置換のアゼピン、置換もしくは非置換のジベンゾ［ｂ，ｆ］アゼピン、置換もしくは非置換の９，９’－スピロビ［フルオレン］、少なくとも１つの縮合芳香族環を有する置換もしくは非置換の９，９’－スピロビ［フルオレン］、置換もしくは非置換のスピロ［フルオレン－９，９’－キサンテン］、２つの芳香族６員環および２つの芳香族５員環を含む置換もしくは非置換の芳香族縮合環系（少なくとも１つの５員環はヘテロ原子を含む）、２つの芳香族６員環および２つの芳香族５員環を含む置換もしくは非置換の芳香族縮合環系（少なくとも１つの５員環はＯ原子を含む）、または置換もしくは非置換の非ヘテロ、置換もしくは非置換のヘテロ５員環、置換もしくは非置換の６員環、および／または置換もしくは非置換の７員環を含む群から選択される少なくとも３つの置換もしくは非置換の芳香族環を含む、置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、置換もしくは非置換のフルオレン、２～６個の置換もしくは非置換の５、６、もしくは７員環を有する縮合された置換もしくは非置換のヘテロまたは非ヘテロ環系を有する、置換もしくは非置換のフルオレン、または２～６個の置換もしくは非置換の５～７員環を有する縮合環系から選択され、当該環は、（ｉ）不飽和５～７員環の複素環、（ｉｉ）５～６員の芳香族複素環、（ｉｉｉ）不飽和５～７員環の非複素環、（ｉｖ）６員環の芳香族非複素環を含む群から選択され；
ここで、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５の置換基は、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ２、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２）２、ＯＲ２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ２、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ２、１～２０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の直鎖アルキル、１～２０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の分岐アルキル、３～２０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の環状アルキル、２～２０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアルケニルまたはアルキニル基、１～２０個の炭素原子を有する置換もしくは非置換のアルコキシ基、６～４０個の芳香族環原子を有する置換もしくは非置換の芳香族環系、および５～４０個の芳香族環原子を有する置換もしくは非置換のヘテロ芳香族環系、非置換のＣ６～Ｃ１８アリール、非置換のＣ３～Ｃ１８ヘテロアリール、２～６個の非置換の５～７員環を含む縮合環系を含む群から選択され、同一であるかまたは異なり、当該環は、不飽和５～７員環の複素環、５～６員の芳香族複素環、不飽和５～７員環の非複素環、および６員環の芳香族非複素環を含む群から選択され、
ここで、Ｒ２は、Ｈ、Ｄ、１～６個の炭素原子を有する直鎖アルキル、１～６個の炭素原子を有する分岐アルキル、３～６個の炭素原子を有する環状アルキル、２～６個の炭素原子を有するアルケニル基もしくはアルキニル基、Ｃ６～Ｃ１８アリールまたはＣ３～Ｃ１８ヘテロアリールから選択される。
【0110】
好ましくは、別途定義されない限り、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５の置換基は、Ｈ、１～６個の炭素原子を有する直鎖アルキル、１～６個の炭素原子を有する分岐アルキル、３～６個の炭素原子を有する環状アルキル、２～６個の炭素原子を有するアルケニル基もしくはアルキニル基、１～６個の炭素原子を有するアルコキシ基、Ｃ６～Ｃ１８アリール、Ｃ３～Ｃ１８ヘテロアリール、２～４個の非置換５～７員環を含む縮合環系を含む群から選択され、同一であるかまたは異なり、当該環は、不飽和５～７員環の複素環、５～６員環の芳香族複素環、不飽和５～７員環の非複素環、および６員環の芳香族非複素環を含む群から選択され；より好ましくは、前記置換基は、Ｈ、１～４個の炭素原子を有する直鎖アルキル、１～４個の炭素原子を有する分岐アルキル、３～４個の炭素原子を有する環状アルキルおよび／またはフェニルからなる群から選択され、同一であるかまたは異なる。
【0111】
それによって、式（２）または（３）の化合物は、大量生産に適した速度開始温度を有し得る。
【0112】
有機電子デバイスの一実施形態によれば、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物、好ましくは、共通の正孔注入層または共通の正孔輸送層のマトリックス化合物は、式（２）または式（３）の化合物を含み得：
【0113】
【化2】
【0114】
式中、
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５は独立して、単結合、フェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され得、好ましくは、単結合またはフェニレンから選択され得；
Ｔ６は、フェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンであり；
Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は独立して、非置換のＣ６～Ｃ２０アリール、または非置換のＣ３～Ｃ２０ヘテロアリーレン、非置換のビフェニレン、非置換のフルオレン、置換の９－フルオレン、置換の９，９－フルオレン、非置換のナフタレン、非置換のアントラセン、非置換のフェナントレン、非置換のピレン、非置換のペリレン、非置換のトリフェニレン、非置換のテトラセン、非置換のテトラフェン、非置換のジベンゾフラン、非置換のジベンゾチオフェン、非置換のキサンテン、非置換のカルバゾール、置換の９－フェニルカルバゾール、非置換のアゼピン、非置換のジベンゾ［ｂ，ｆ］アゼピン、非置換の９，９’－スピロビ［フルオレン］、非置換のスピロ［フルオレン－９，９’－キサンテン］、または非置換の非ヘテロ、非置換のヘテロ５員環、非置換の６員環、および／もしくは非置換の７員環を含む群から選択される少なくとも３つの非置換の芳香族環を含む、非置換の芳香族縮合環系、非置換のフルオレン、または２～６個の非置換の５～７員環を有する縮合環系から選択され得、当該環は、（ｉ）不飽和５～７員環の複素環、（２）５～６員の芳香族複素環、（３）不飽和５～７員環の非複素環、および（ｉｖ）６員環の芳香族非複素環を含む群から選択される。
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５は独立して、単結合、フェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され得、好ましくは、単結合またはフェニレンから選択され得；
Ｔ６は、フェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンであり；
Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は独立して、非置換のＣ６～Ｃ２０アリール、または非置換のＣ３～Ｃ２０ヘテロアリーレン、非置換のビフェニレン、非置換のフルオレン、置換の９－フルオレン、置換の９，９－フルオレン、非置換のナフタレン、非置換のアントラセン、非置換のフェナントレン、非置換のピレン、非置換のペリレン、非置換のトリフェニレン、非置換のテトラセン、非置換のテトラフェン、非置換のジベンゾフラン、非置換のジベンゾチオフェン、非置換のキサンテン、非置換のカルバゾール、置換の９－フェニルカルバゾール、非置換のアゼピン、非置換のジベンゾ［ｂ，ｆ］アゼピン、非置換の９，９’－スピロビ［フルオレン］、非置換のスピロ［フルオレン－９，９’－キサンテン］、または非置換の非ヘテロ、非置換のヘテロ５員環、非置換の６員環、および／もしくは非置換の７員環を含む群から選択される少なくとも３つの非置換の芳香族環を含む、非置換の芳香族縮合環系、非置換のフルオレン、または２～６個の非置換の５～７員環を有する縮合環系から選択され得、当該環は、（ｉ）不飽和５～７員環の複素環、（２）５～６員の芳香族複素環、（３）不飽和５～７員環の非複素環、および（ｉｖ）６員環の芳香族非複素環を含む群から選択される。
【0115】
有機電子デバイスの一実施形態によれば、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物、好ましくは、共通の正孔注入層または共通の正孔輸送層の共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物は、式（２）または式（３）の化合物を含み得：
【0116】
【化3】
【0117】
式中、
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５は独立して、単結合、フェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され得、好ましくは、単結合またはフェニレンから選択され得；
Ｔ６は、フェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンであり；
Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は独立して、非置換のＣ６～Ｃ２０アリール、もしくは非置換のＣ３～Ｃ２０ヘテロアリーレン、非置換のビフェニレン、非置換のフルオレン、置換の９－フルオレン、置換の９，９－フルオレン、非置換のナフタレン、非置換のアントラセン、非置換のフェナントレン、非置換のピレン、非置換のペリレン、非置換のトリフェニレン、非置換のテトラセン、非置換のテトラフェン、非置換のジベンゾフラン、非置換のジベンゾチオフェン、非置換のキサンテン、非置換のカルバゾール、置換の９－フェニルカルバゾール、非置換のアゼピン、非置換のジベンゾ［ｂ，ｆ］アゼピン、非置換の９，９’－スピロビ［フルオレン］、非置換のスピロ［フルオレン－９，９’－キサンテン］から選択され得る。
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５は独立して、単結合、フェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンから選択され得、好ましくは、単結合またはフェニレンから選択され得；
Ｔ６は、フェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンまたはナフテニレンであり；
Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は独立して、非置換のＣ６～Ｃ２０アリール、もしくは非置換のＣ３～Ｃ２０ヘテロアリーレン、非置換のビフェニレン、非置換のフルオレン、置換の９－フルオレン、置換の９，９－フルオレン、非置換のナフタレン、非置換のアントラセン、非置換のフェナントレン、非置換のピレン、非置換のペリレン、非置換のトリフェニレン、非置換のテトラセン、非置換のテトラフェン、非置換のジベンゾフラン、非置換のジベンゾチオフェン、非置換のキサンテン、非置換のカルバゾール、置換の９－フェニルカルバゾール、非置換のアゼピン、非置換のジベンゾ［ｂ，ｆ］アゼピン、非置換の９，９’－スピロビ［フルオレン］、非置換のスピロ［フルオレン－９，９’－キサンテン］から選択され得る。
【0118】
それによって、式（２）または（３）の化合物は、大量生産に適した速度開始温度を有し得る。
【0119】
一実施形態によれば、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５は独立して、単結合、フェニレン、ビフェニレンまたはテルフェニレンから選択され得る。一実施形態によれば、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５は独立して、フェニレン、ビフェニレンまたはテルフェニレンから選択され得、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５のうちの１つは、単結合である。一実施形態によれば、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５は独立して、フェニレンまたはビフェニレンから選択され得、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５のうちの１つは、単結合である。一実施形態によれば、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５は独立して、フェニレンまたはビフェニレンから選択され得、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５のうちの２つは、単結合である。
【0120】
一実施形態によれば、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５、またはＴ１、Ｔ２およびＴ３は独立して、フェニレンから選択され得、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５のうちの１つ、またはＴ１、Ｔ２およびＴ３のうちの１つは、単結合である。一実施形態によれば、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５、またはＴ１、Ｔ２およびＴ３は独立して、フェニレンから選択され得、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４およびＴ５のうちの２つ、またはＴ１、Ｔ２およびＴ３のうちの２つは、単結合である。
【0121】
一実施形態によれば、Ｔ６は、フェニレン、ビフェニレン、テルフェニレンであり得る。一実施形態によれば、Ｔ６は、フェニレンであり得る。一実施形態によれば、Ｔ６は、ビフェニレンであり得る。一実施形態によれば、Ｔ６は、テルフェニレンであり得る。
【0122】
一実施形態によれば、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は独立して、Ｄ１～Ｄ１６から選択され得：
【0123】
【化4】
【0124】
アスタリスク「＊」は、結合位置を示す。
【0125】
一実施形態によれば、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は独立して、Ｄ１～Ｄ１５から選択され得；あるいは、Ｄ１～Ｄ１０およびＤ１３～Ｄ１５から選択され得る。
【0126】
一実施形態によれば、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は独立して、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ５、Ｄ７、Ｄ９、Ｄ１０、Ｄ１３～Ｄ１６からなる群から選択され得る。
【0127】
Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５がこの範囲で選択される場合、速度開始温度は、大量生産に特に適した範囲にあり得る。
【0128】
「式（２）または式（３）の共有結合性のマトリックス化合物」は、共通の正孔注入層のために使用されてもよく、および／または共通の正孔輸送化合物のためのマトリックス化合物として使用されてもよい。
【0129】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性のマトリックス化合物は、ヘテロ芳香族環を含む少なくとも≧１～≦６個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得る。
【0130】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性のマトリックス化合物は、ヘテロ芳香族環を含む少なくとも≧１～≦６個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、および少なくとも≧１～≦３個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環、好ましくは、ヘテロ芳香族環を含む≧２～≦５個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得る。
【0131】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性のマトリックス化合物は、ヘテロ芳香族環を含む少なくとも≧１～≦６個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、および少なくとも≧１～≦３個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環、好ましくは、ヘテロ芳香族環を含む≧２～≦５個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、および少なくとも≧１～≦３個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環、さらに好ましくは、ヘテロ芳香族環を含む３または４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、および任意に少なくとも≧１～≦３個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含み得、そして、さらに好ましくは、ヘテロ芳香族環を含む芳香族縮合環系は、非置換であり、任意に少なくとも≧１～≦３個の非置換の不飽和５～７員環の複素環である。
【0132】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦６個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、好ましくは≧２～≦５個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、さらに好ましくは３または４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得る。
【0133】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦６個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、好ましくは≧２～≦５個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、さらに好ましくは３または４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得、当該芳香族縮合環系は、置換もしくは非置換のヘテロ芳香族環を含む。
【0134】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含み得る。
【0135】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和７員環の複素環を含み得る。
【0136】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性もしくは実質的に共有結合性のマトリックス化合物の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含み得る。
【0137】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性もしくは実質的に共有結合性のマトリックス化合物の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和７員環の複素環を含み得る。
【0138】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦６個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、好ましくは≧２～≦５個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、さらに好ましくは３または４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得、当該芳香族縮合環系は、置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む。
【0139】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦６個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、好ましくは≧２～≦５個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、およびさらに好ましくは３または４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得、当該芳香族縮合環系は、置換もしくは非置換のヘテロ芳香族環を含み、当該芳香族縮合環系は、置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む。
【0140】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦６個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、好ましくは≧２～≦５個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、さらに好ましくは３または４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得、当該芳香族縮合環系は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む。
【0141】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦６個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、好ましくは≧２～≦５個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系、およびさらに好ましくは３または４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得、当該芳香族縮合環系は、置換もしくは非置換のヘテロ芳香族環を含み、前記芳香族縮合環系は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む。
【0142】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性のマトリックス化合物は、下記を含み得る：
－ 置換もしくは非置換の非ヘテロ芳香族環、置換もしくは非置換のヘテロ５員環、置換もしくは非置換の６員環および／または置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む群から選択される、少なくとも≧２～≦６個、好ましくは≧３～≦５個、または４個の縮合芳香族環を有する置換もしくは非置換の芳香族縮合環系；または
－ 非置換の非ヘテロ芳香族環、非置換のヘテロ５員環、非置換の６員環および／または非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む群から選択される、少なくとも≧２～≦６個、好ましくは≧３～≦５個、または４個の縮合芳香族環を有する非置換の芳香族縮合環系。
－ 置換もしくは非置換の非ヘテロ芳香族環、置換もしくは非置換のヘテロ５員環、置換もしくは非置換の６員環および／または置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む群から選択される、少なくとも≧２～≦６個、好ましくは≧３～≦５個、または４個の縮合芳香族環を有する置換もしくは非置換の芳香族縮合環系；または
－ 非置換の非ヘテロ芳香族環、非置換のヘテロ５員環、非置換の６員環および／または非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む群から選択される、少なくとも≧２～≦６個、好ましくは≧３～≦５個、または４個の縮合芳香族環を有する非置換の芳香族縮合環系。
【0143】
用語「芳香族縮合環系」は、少なくとも１つの芳香族環および少なくとも１つの置換もしくは非置換の不飽和５～７員環を含み得ることに留意されたい。ここで、置換もしくは非置換の不飽和５～７員環は、芳香族環でなくてもよいことに留意されたい。
【0144】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦６個、好ましくは≧２～≦５個、またはさらに好ましくは３または４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得、当該芳香族縮合環系は下記を有する：
－ 少なくとも１つの不飽和５員環、および／または
－ 少なくとも１つの不飽和６員環、および／または
－ 少なくとも１つの不飽和７員環；
ここで、好ましくは、少なくとも１つの不飽和５員環および／または少なくとも１つの不飽和７員環は、少なくとも１～３個、好ましくは１個のヘテロ原子を含む。
－ 少なくとも１つの不飽和５員環、および／または
－ 少なくとも１つの不飽和６員環、および／または
－ 少なくとも１つの不飽和７員環；
ここで、好ましくは、少なくとも１つの不飽和５員環および／または少なくとも１つの不飽和７員環は、少なくとも１～３個、好ましくは１個のヘテロ原子を含む。
【0145】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦６個、好ましくは≧２～≦５個、またはさらに好ましくは３もしくは４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得、当該芳香族縮合環系は下記を有し得る：
－ 少なくとも１つの芳香族５員環、および／または
－ 少なくとも１つの芳香族６員環、および／または
－ 少なくとも１つの芳香族７員環；
ここで、好ましくは、少なくとも１つの芳香族５員環および／または少なくとも１つの芳香族７員環は、少なくとも１～３個、好ましくは１個のヘテロ原子を含み；
ここで、置換もしくは非置換の芳香族縮合環系は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む。
－ 少なくとも１つの芳香族５員環、および／または
－ 少なくとも１つの芳香族６員環、および／または
－ 少なくとも１つの芳香族７員環；
ここで、好ましくは、少なくとも１つの芳香族５員環および／または少なくとも１つの芳香族７員環は、少なくとも１～３個、好ましくは１個のヘテロ原子を含み；
ここで、置換もしくは非置換の芳香族縮合環系は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を含む。
【0146】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性のマトリックス化合物は、下記を含み得る：
－ 少なくとも≧６～≦１２個、好ましくは≧７～≦１１個、さらに好ましくは≧８～≦１０個または９個の芳香族環；および／または
－ 少なくとも≧４～≦１１個、好ましくは≧５～≦１０個、さらに好ましくは≧６～≦９個、またはさらに好ましくは７または８個の非ヘテロ芳香族環（好ましくは、非ヘテロ芳香族環は芳香族Ｃ６環）；および／または
－ 少なくとも≧１～≦４個、好ましくは２または３個の芳香族５員環、好ましくはヘテロ芳香族５員環；および／または
－ 少なくとも１または２個の不飽和５～７員環の複素環、好ましくは少なくとも１または２個の不飽和７員環の複素環；
－ 少なくとも≧６～≦１２個、好ましくは≧７～≦１１個、さらに好ましくは≧８～≦１０個または９個の芳香族環であり、ここで、
少なくとも≧４～≦１１個、好ましくは≧５～≦１０個、さらに好ましくは≧６～≦９個、またはさらに好ましくは７もしくは８個は、非ヘテロ芳香族環であり、かつ
少なくとも≧１～≦４個、好ましくは２または３個の芳香族環は、ヘテロ芳香族環であり、
当該非ヘテロ芳香族環および当該ヘテロ芳香族環の総数は、１２個を超えない、
芳香族環；および／または
－ 少なくとも≧６～≦１２個、好ましくは≧７～≦１１個、さらに好ましくは≧８～≦１０個または９個の芳香族環であり、ここで、
少なくとも≧４～≦１１個、好ましくは≧５～≦１０個、さらに好ましくは≧６～≦９個、またはさらに好ましくは７もしくは８個が非ヘテロ芳香族環であり、かつ
少なくとも≧１～≦４個、好ましくは２または３個の芳香族環は、ヘテロ芳香族環であり、
当該非ヘテロ芳香族環および当該ヘテロ芳香族環の総数は、１２個を超えない、
芳香族環；かつ
式Ｉによる共通の正孔注入層または共通の正孔輸送層は、少なくとも≧１～≦４、好ましくは２または３個の芳香族５員環、好ましくはヘテロ芳香族５員環を含み、および／または
式（Ｉ）による化合物は、少なくとも１または２個の不飽和５～７員環の複素環、好ましくは少なくとも１または２個の不飽和７員環の複素環を含む。
－ 少なくとも≧６～≦１２個、好ましくは≧７～≦１１個、さらに好ましくは≧８～≦１０個または９個の芳香族環；および／または
－ 少なくとも≧４～≦１１個、好ましくは≧５～≦１０個、さらに好ましくは≧６～≦９個、またはさらに好ましくは７または８個の非ヘテロ芳香族環（好ましくは、非ヘテロ芳香族環は芳香族Ｃ６環）；および／または
－ 少なくとも≧１～≦４個、好ましくは２または３個の芳香族５員環、好ましくはヘテロ芳香族５員環；および／または
－ 少なくとも１または２個の不飽和５～７員環の複素環、好ましくは少なくとも１または２個の不飽和７員環の複素環；
－ 少なくとも≧６～≦１２個、好ましくは≧７～≦１１個、さらに好ましくは≧８～≦１０個または９個の芳香族環であり、ここで、
少なくとも≧４～≦１１個、好ましくは≧５～≦１０個、さらに好ましくは≧６～≦９個、またはさらに好ましくは７もしくは８個は、非ヘテロ芳香族環であり、かつ
少なくとも≧１～≦４個、好ましくは２または３個の芳香族環は、ヘテロ芳香族環であり、
当該非ヘテロ芳香族環および当該ヘテロ芳香族環の総数は、１２個を超えない、
芳香族環；および／または
－ 少なくとも≧６～≦１２個、好ましくは≧７～≦１１個、さらに好ましくは≧８～≦１０個または９個の芳香族環であり、ここで、
少なくとも≧４～≦１１個、好ましくは≧５～≦１０個、さらに好ましくは≧６～≦９個、またはさらに好ましくは７もしくは８個が非ヘテロ芳香族環であり、かつ
少なくとも≧１～≦４個、好ましくは２または３個の芳香族環は、ヘテロ芳香族環であり、
当該非ヘテロ芳香族環および当該ヘテロ芳香族環の総数は、１２個を超えない、
芳香族環；かつ
式Ｉによる共通の正孔注入層または共通の正孔輸送層は、少なくとも≧１～≦４、好ましくは２または３個の芳香族５員環、好ましくはヘテロ芳香族５員環を含み、および／または
式（Ｉ）による化合物は、少なくとも１または２個の不飽和５～７員環の複素環、好ましくは少なくとも１または２個の不飽和７員環の複素環を含む。
【0147】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性のマトリックス化合物は、ヘテロ原子を含み得、前記ヘテロ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、ＢまたはＰを含む群から選択され得、好ましくは、前記ヘテロ原子は、Ｏ、ＳまたはＮを含む群から選択され得る。
【0148】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）の共有結合性のマトリックス化合物は、少なくとも≧１～≦６個、好ましくは≧２～≦５個、またはさらに好ましくは３もしくは４個の置換もしくは非置換の芳香族縮合環系を含み得、当該芳香族縮合環系は下記を有する：
－ 少なくとも１つの芳香族５員環、および／または
－ 少なくとも１つの芳香族６員環、および／または
－ 少なくとも１つの芳香族７員環；
ここで、好ましくは、少なくとも１つの芳香族５員環および／または少なくとも１つの芳香族７員環は、少なくとも１～３個、好ましくは１個のヘテロ原子を含み；
ここで、置換もしくは非置換の芳香族縮合環系は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を任意に含み；かつ、置換もしくは非置換の芳香族縮合環系は、ヘテロ原子を含み、前記ヘテロ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｂ、Ｐ、またはＳｉを含む群から選択され得、好ましくは、前記ヘテロ原子は、Ｏ、ＳまたはＮを含む群から選択され得る。
－ 少なくとも１つの芳香族５員環、および／または
－ 少なくとも１つの芳香族６員環、および／または
－ 少なくとも１つの芳香族７員環；
ここで、好ましくは、少なくとも１つの芳香族５員環および／または少なくとも１つの芳香族７員環は、少なくとも１～３個、好ましくは１個のヘテロ原子を含み；
ここで、置換もしくは非置換の芳香族縮合環系は、少なくとも≧１～≦３個または２個の置換もしくは非置換の不飽和５～７員環の複素環を任意に含み；かつ、置換もしくは非置換の芳香族縮合環系は、ヘテロ原子を含み、前記ヘテロ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｂ、Ｐ、またはＳｉを含む群から選択され得、好ましくは、前記ヘテロ原子は、Ｏ、ＳまたはＮを含む群から選択され得る。
【0149】
一実施形態によれば、式（２）または式（３）のマトリックス共有結合性化合物は、芳香環の一部ではないヘテロ原子および／または不飽和７員環の一部ではないヘテロ原子を含まなくてもよく、好ましくは、式（Ｉ）による化合物は、芳香環の一部であるか、または不飽和７員環の一部であるＮ原子を除くＮ原子を含まなくてもよい。
【0150】
一実施形態によれば、式（Ｉ）による共有結合性のマトリックス化合物は、少なくとも１つのナフチル基、カルバゾール基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基および／または置換フルオレニル基を含み、ここで、置換基は独立して、メチル、フェニルまたはフルオレニルから選択される。
【0151】
電子デバイスの実施形態によれば、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物は、Ｆ１～Ｆ２１から選択される。
【0152】
【化5】
【0153】
マトリックス化合物は、電子阻止層に好適に使用され得、Ｆ２２～Ｆ２５から選択される。
【0154】
【化6】
【0155】
正孔注入層の共有結合性のマトリックス化合物は、ＨＴＭ０１４、ＨＴＭ０８１、ＨＴＭ１６３、ＨＴＭ２２２、ＥＬ－３０１、ＨＴＭ２２６、ＨＴＭ３５５、ＨＴＭ１３３、ＨＴＭ３３４、ＨＴＭ６０４およびＥＬ－２２Ｔを含まなくてもよい。略語は、製造社名（例えば、ＭｅｒｃｋまたはＬｕｍｔｅｃ）を示す。
【0156】
さらに好ましい実施形態によれば、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物は、表１に示される式（Ｔ－１）～（Ｔ－６）を有する。
【0157】
【表1】
【0158】
別の態様によれば、少なくとも第１の共通の半導体層、好ましくは共通のＨＩＬ、および／または共通の第２の半導体層、好ましくはＨＴＬは、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物を含み得、少なくとも約≧０．１重量％～約≦５０重量％、好ましくは約≧１重量％～約≦２５重量％、より好ましくは約≧２重量％～約≦１５重量％の共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物、好ましくは式（２）もしくは式（３）のものを含み得る。
【0159】
一実施形態によれば、共通の半導体層は、陽極層と発光層との間に配置され、好ましくは共通の半導体層は、共通の正孔注入層であるか、または共通の半導体層は、共通の正孔注入層および共通の正孔輸送層である。
【0160】
〔さらなる層〕
本発明によれば、有機発光ダイオードは、上述の層に加えて、さらなる層または共通の層を含んでもよい。それぞれの層または共通の層の例示的な実施形態は、以下に記載される：
〔基板〕
基板は、電子デバイス、好ましくは有機発光ダイオードの製造において、一般的に使用される任意の基板であり得る。光が基板を通して放射される場合、基板は透明または半透明の材料、例えば、ガラス基板または透明プラスチック基板であるべきである。光が上面を通って放射される場合、基板は透明材料および非透明材料の両方、例えば、ガラス基板、プラスチック基板、金属基板、またはシリコン基板であり得る。
本発明によれば、有機発光ダイオードは、上述の層に加えて、さらなる層または共通の層を含んでもよい。それぞれの層または共通の層の例示的な実施形態は、以下に記載される：
〔基板〕
基板は、電子デバイス、好ましくは有機発光ダイオードの製造において、一般的に使用される任意の基板であり得る。光が基板を通して放射される場合、基板は透明または半透明の材料、例えば、ガラス基板または透明プラスチック基板であるべきである。光が上面を通って放射される場合、基板は透明材料および非透明材料の両方、例えば、ガラス基板、プラスチック基板、金属基板、またはシリコン基板であり得る。
【0161】
〔陽極電極〕
全ての個々の画素は、他の個々の画素の陽極に接触し得ない、それ自体の陽極を有し得る。
全ての個々の画素は、他の個々の画素の陽極に接触し得ない、それ自体の陽極を有し得る。
【0162】
陽極層とも呼ばれる陽極電極は、陽極電極を形成するために使用される材料を堆積またはスパッタリングすることによって形成され得る。陽極または陽極層は、共通の陽極層として形成されない。陽極電極を形成するために使用される材料は、正孔注入を容易にするために、高仕事関数材料であり得る。陽極材料はまた、低仕事関数材料（すなわち、アルミニウム）から選択され得る。陽極電極は、透明または反射電極であり得る。透明導電性酸化物、好ましくは酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、二酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡｌＺＯ）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）は、陽極電極を形成するために使用され得る。陽極電極はまた、金属、典型的には銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、または金属合金を使用して形成され得る。
【0163】
一実施形態によれば、陽極層は、ＡｇもしくはＡｕを含むか、またはそれらからなる第１の陽極副層と、ＩＴＯもしくはＩＺＯを含むか、またはそれらからなる第２の陽極副層と、任意にＩＴＯもしくはＩＺＯを含むか、またはそれらからなる第３の陽極副層とを含み得る。好ましくは、第１の陽極副層は、Ａｇを含むか、またはＡｇからなり得、第２の陽極副層は、ＩＴＯを含むか、またはＩＴＯからなり得、第３の陽極副層は、ＩＴＯを含むか、またはＩＴＯからなり得る。好ましくは、第２の陽極副層および第３の陽極副層における透明導電性酸化物は、同じものが選択され得る。
【0164】
一実施形態によれば、陽極層は、１００～１５０ｎｍの厚さを有するＡｇまたはＡｕを含む第１の陽極副層と、３～２０ｎｍの厚さを有するＩＴＯまたはＩＺＯを含む第２の陽極副層と、３～２０ｎｍの厚さを有するＩＴＯまたはＩＺＯを含む第３の陽極副層と、を含み得る。
【0165】
〔陽極副層〕
陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含み得、ここで、第１の陽極副層は、≧４ｅＶおよび≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有する第１の金属を含み、第２の陽極副層は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含む。
陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含み得、ここで、第１の陽極副層は、≧４ｅＶおよび≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有する第１の金属を含み、第２の陽極副層は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含む。
【0166】
全ての個々の画素は、他の個々の画素の陽極に接触し得ない、それ自体の陽極を有し得る。陽極副層は、共通の層として形成されない。
【0167】
一実施形態によれば、陽極層は、第１の陽極副層、第２の陽極副層、および任意に第３の陽極副層を含み、ここで、第１の陽極副層は、≧４ｅＶおよび≦６ｅＶの範囲で仕事関数を有する第１の金属を含み、第２の陽極副層は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を含み；ここで、正孔注入層は、第１の発光層と陽極層との間に配置され、第１の陽極副層は、基板のより近くに配置され、第２の陽極副層は、正孔注入層のより近くに配置される。
【0168】
〔第１の陽極副層〕
一実施形態によれば、第１の陽極副層の第１の金属は、≧４．２ｅＶおよび≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有し得る。第１の金属は、金属または金属合金から選択され得る。
一実施形態によれば、第１の陽極副層の第１の金属は、≧４．２ｅＶおよび≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有し得る。第１の金属は、金属または金属合金から選択され得る。
【0169】
一実施形態によれば、第１の陽極副層の第１の金属は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、好ましくはＡｇ、ＡｕまたはＡｌ、より好ましくはＡｇを含む群から選択され得る。
【0170】
第１の陽極副層は、５～２００ｎｍ、あるいは８～１８０ｎｍ、あるいは８～１５０ｎｍ、あるいは１００～１５０ｎｍの範囲の厚さを有し得る。
【0171】
第１の陽極副層は、真空熱蒸発を介して第１の金属を堆積させることによって形成され得る。
【0172】
第１の陽極層は、基板の一部ではないことを理解されたい。
【0173】
〔第２の陽極副層〕
一実施形態によれば、透明導電性酸化物は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、より好ましくはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を含む群から選択され得、好ましくは、ＩＴＯまたはＩＺＯであり得る。
一実施形態によれば、透明導電性酸化物は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、より好ましくはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を含む群から選択され得、好ましくは、ＩＴＯまたはＩＺＯであり得る。
【0174】
第１の陽極副層は、３～２００ｎｍ、あるいは３～１８０ｎｍ、あるいは３～１５０ｎｍ、あるいは３～２０ｎｍの範囲の厚さを有し得る。
【0175】
第２の陽極副層は、透明導電性酸化物をスパッタリングすることによって形成され得る。
【0176】
〔第３の陽極副層〕
一実施形態によれば、有機発光ダイオードの陽極層は、第１の陽極副層、第２の陽極副層および第３の陽極副層の少なくとも３つの陽極副層を含み得る。一実施形態によれば、有機発光ダイオードの陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層に加えて、第３の陽極副層を含み得、第３の陽極副層は、透明導電性酸化物を含み、第３の陽極副層は、基板と第１の陽極副層との間に配置され得る。
一実施形態によれば、有機発光ダイオードの陽極層は、第１の陽極副層、第２の陽極副層および第３の陽極副層の少なくとも３つの陽極副層を含み得る。一実施形態によれば、有機発光ダイオードの陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層に加えて、第３の陽極副層を含み得、第３の陽極副層は、透明導電性酸化物を含み、第３の陽極副層は、基板と第１の陽極副層との間に配置され得る。
【0177】
第３の陽極副層は、３～２００ｎｍ、あるいは３～１８０ｎｍ、あるいは３～１５０ｎｍ、あるいは３～２０ｎｍの範囲の厚さを有することができる。
【0178】
第３の陽極副層は、透明導電性酸化物をスパッタリングすることによって形成され得る。
【0179】
第３の陽極層は、基板の一部ではないことを理解されたい。
【0180】
〔正孔注入層〕
共通の正孔注入層（ＨＩＬ）は、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数のＯＬＥＤ画素のために形成され得る。一実施形態では、共通のＨＩＬが複数の画素のうちのすべての画素にわたって延在し得、またはＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
共通の正孔注入層（ＨＩＬ）は、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数のＯＬＥＤ画素のために形成され得る。一実施形態では、共通のＨＩＬが複数の画素のうちのすべての画素にわたって延在し得、またはＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
【0181】
全ての個々の画素は、他の個々の画素の陽極に接触し得ない、それ自体の陽極を有し得る。
【0182】
さらに、アクティブＯＬＥＤディスプレイは、ＯＬＥＤディスプレイ内に設けられた複数の画素のそれぞれの画素を別々に駆動するように構成された駆動回路を有する。一実施形態では、別々に駆動する工程が、個々の画素に印加される駆動電流の別々の制御を含み得る。
【0183】
共通のＨＩＬは、正孔注入材料を含み得、または正孔注入材料から作製され得、ここで、正孔注入材料は金属化合物を含み得る。一実施形態によれば、正孔注入層は、正孔注入材料および任意にマトリックス化合物を含む。
【0184】
別の実施形態によれば、正孔注入層はさらに、有機化合物であり得るマトリックス化合物を含む。
【0185】
正孔注入材料は、好ましくは、有機化合物および／または金属化合物である。
【0186】
ＨＩＬ材料は、１つ以上の正孔注入化合物からなり、一方、正孔注入材料という用語は、本出願全体を通して、少なくとも１つの正孔注入材料化合物を含む全ての半導体材料について使用されるより広い用語であり、前記正孔注入材料化合物は、自由電荷キャリアの濃度を、ニート（neat）マトリックス中に観察される伝導率に対応するレベルよりも実質的に増加させることなく、陽極から正孔輸送マトリックスへの正孔注入を提供するか、または半導体に添加されると、正孔輸送材料または正孔輸送層における正電荷キャリアの密度を増加させ得る。
【0187】
正孔注入材料としての金属化合物のＬＵＭＯエネルギー準位は、真空エネルギー準位がゼロであることを参照して絶対スケールで表され、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物の最高ＨＯＭＯエネルギー準位よりも、少なくとも１５０ｍｅＶ、少なくとも２００ｍｅＶ、少なくとも２５０ｍｅＶ、少なくとも３００ｍｅＶ、または少なくとも３５０ｍｅＶ高くてもよい。
【0188】
正孔注入材料としての金属化合物のＬＵＭＯエネルギー準位は、真空エネルギー準位がゼロであることを参照して絶対スケールで表され、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物の最高ＨＯＭＯエネルギー準位よりも１０００ｍｅＶ未満、７５０ｍｅＶ未満、６００ｍｅＶ未満、５５０ｍｅＶ未満、５００ｍｅＶ未満、４５０ｍｅＶ未満、または４００ｍｅＶ未満高くてもよい。
【0189】
正孔注入材料としての有機化合物のＬＵＭＯエネルギー準位は、ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５（ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ ＧｍｂＨ、Ｌｉｔｚｅｎｈａｒｄｔｓｔｒａｓｓｅ １９、７６１３５ Ｋａｒｌｓｒｕｈｅ、ドイツ）を用いて、気相中の６－３１Ｇ＊基底関数系と共に混成汎関数Ｂ３ＬＹＰを適用することによって計算される場合に、真空エネルギー準位がゼロであることを参照して絶対スケールで表され、≦－３．５ｅＶ、≦－３．６ｅＶ、≦－３．７ｅＶ、≦－３．８ｅＶ、≦－３．９ｅＶ ≦－４．０ｅＶ ≦－４．５ｅＶ、≦－４．６ｅＶ、≦－４．７ｅＶ、≦－４．８ｅＶ、≦－４．８５ｅＶ、≦－４．９ｅＶから選択され得る。
【0190】
共通の正孔注入層は、≧１ｎｍおよび≦１００ｎｍ、好ましくは≧２ｎｍおよび≦５０ｎｍ、より好ましくは≧３ｎｍおよび≦４０ｎｍ、より好ましくは≧４ｎｍおよび≦３０ｎｍ、より好ましくは≧５ｎｍおよび≦２０ｎｍ、より好ましくは≧６ｎｍおよび≦１５ｎｍ、より好ましくは≧８ｎｍおよび≦１０ｎｍの厚さを有し得る。
【0191】
ＨＩＬは、複数の画素または少なくとも２つの画素のための共通のＨＩＬとして形成され得る。共通のＨＩＬは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
【0192】
正孔注入層（ＨＩＬ）は、陽極電極上に共通の正孔注入層（ＨＩＬ）として形成され得、陽極電極は、例えば、真空蒸着、スピンコーティング、印刷、キャスティング、スロット－ダイコーティング、Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）蒸着などによって、共通の陽極電極層として形成されない。ＨＩＬが真空蒸着を使用して形成される場合には、蒸着条件は、ＨＩＬを形成するために使用される化合物、ならびに共通のＨＩＬの所望の構造および熱特性に従って変化し得る。しかし、通常、真空蒸着のための条件は、１００℃～５００℃の蒸着温度、１０－８～１０－３トール（１トールは１３３．３２２Ｐａに等しい）の圧力、および０．１～１０ｎｍ／秒の蒸着速度を含み得る。
【0193】
共通のＨＩＬがスピンコーティングまたは印刷を用いて形成される場合には、コーティング条件は、共通のＨＩＬを形成するために使用される化合物、ならびにＨＩＬの所望の構造および熱特性に従って変化し得る。例えば、コーティング条件は、約２０００ｒｐｍ～約５０００ｒｐｍのコーティング速度、および約８０℃～約２００℃の熱処理温度を含み得る。コーティング後は、熱処理によって溶剤が除去される。
【0194】
共通のＨＩＬを形成するために使用され得る化合物の例には、フタロシアニン化合物、好ましくは銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、４，４’，４’’－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）、ＴＤＡＴＡ、２Ｔ－ＮＡＴＡ、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）、およびポリアニリン／ポリ（４－スチレンスルホネート）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）が含まれる。
【0195】
共通のＨＩＬは、テトラフルオロ－テトラシアノキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）、２，２’－（ペルフルオロナフタレン－２，６－ジイリデン）ジマロノニトリル、または２，２’，２’’－（シクロプロパン－１，２，３－トリイリデン）トリス（２－（ｐ－シアノテトラフルオロフェニル）アセトニトリル）から選択され得る正孔注入材料を含み得るか、またはそれからなり得るが、これらに限定されない。共通のＨＩＬは、正孔注入材料でドープされた正孔輸送共有結合性のマトリックス化合物から選択され得る。
【0196】
公知のドープされた正孔輸送材料の典型的な例は、ＬＵＭＯ準位が約－５．２ｅＶであるテトラフルオロ－テトラシアノキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）でドープされた、ＨＯＭＯ準位が約－５．２ｅＶである銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）；Ｆ４ＴＣＮＱでドープされた亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰｃ）（ＨＯＭＯ＝－５．２ｅＶ）；Ｆ４ＴＣＮＱでドープされたα－ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ビス（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン）である。２，２’－（ペルフルオロナフタレン－２，６－ジイリデン）ジマロノニトリルでドープされたα－ＮＰＤ。正孔注入材料の濃度は、１重量％から２０重量％まで、より好ましくは３重量％から１０重量％まで、から選択することができる。
【0197】
有機電子デバイスの一実施形態によれば、共通の正孔注入層は、本発明による金属化合物を含む第１の共通の正孔注入副層と、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物を含む第２の共通の正孔注入副層と、を含み得る。
【0198】
有機電子デバイスの別の実施形態によれば、共通の正孔注入層は、本発明による正孔注入材料を含む共通の第１の正孔注入副層と、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物であるマトリックス化合物を含む共通の第２の正孔注入副層と、を含み得、共通の第１の正孔注入副層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含む陽極層のより近くに配置され、第２の共通の正孔注入副層は、少なくとも１つの発光層のより近くに配置される。
【0199】
一実施形態によれば、陽極層のより近くに配置された共通の第１の正孔注入副層がドープされ、第２の正孔注入副層はドープされない。
【0200】
有機電子デバイスの一実施形態によれば、共通の正孔注入層は、本発明による正孔注入材料を含む第１の共通の正孔注入副層と、少なくとも１つのアリールアミン化合物、ジアリールアミン化合物、トリアリールアミン化合物を含むマトリックス化合物を含む第２の共通の正孔注入副層と、を含み得、第１の共通の正孔注入副層は、陽極層のより近くに配置され、第２の共通の正孔注入副層は、少なくとも１つの発光層のより近くに配置される。
【0201】
有機電子デバイスの一実施形態によれば、共通の正孔注入層は、本発明による正孔注入材料を含む第１の正孔注入副層と、少なくとも１つのアリールアミン化合物、ジアリールアミン化合物、トリアリールアミン化合物を含むマトリックス化合物を含む第２の共通の正孔注入副層と、を含み得、第１の正孔注入副層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含む陽極層のより近くに配置され、第２の正孔注入副層は、少なくとも１つの発光層のより近くに配置される。
【0202】
一実施形態によれば、正孔注入層材料は、式Ｈ１～Ｈ２０の化合物から選択することができる：
【0203】
【化7】
【0204】
〔正孔輸送層（ＨＴＬ）〕
ＨＴＬは、複数の画素または少なくとも２つの画素のための共通のＨＴＬとして形成され得る。共通のＨＴＬは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
ＨＴＬは、複数の画素または少なくとも２つの画素のための共通のＨＴＬとして形成され得る。共通のＨＴＬは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
【0205】
正孔輸送層（ＨＴＬ）は、真空蒸着、スピンコーティング、スロット－ダイコーティング、印刷、キャスティング、Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）蒸着などによって、共通のＨＩＬ上に形成され得る。
【0206】
正孔輸送層は、共通の正孔輸送層として形成され得る。
【0207】
正孔輸送層（ＨＴＬ）または共通の正孔輸送層（ＨＴＬ）が真空蒸着またはスピンコーティングによって形成される場合には、蒸着およびコーティングのための条件は、ＨＩＬの形成のための条件と同様であり得る。しかし、真空または溶液堆積のための条件は、正孔輸送層（ＨＴＬ）または共通の正孔輸送層（ＨＴＬ）を形成するために使用される化合物に応じて変化し得る。
【0208】
一実施形態では、有機発光ダイオードは、正孔輸送層（ＨＴＬ）または共通の正孔輸送層（ＨＴＬ）をさらに含み、正孔輸送層（ＨＴＬ）または共通の正孔輸送層（ＨＴＬ）は、共通の正孔注入層と少なくとも１つの発光層との間に配置される。
【0209】
一実施形態では、正孔輸送層（ＨＴＬ）または共通の正孔輸送層（ＨＴＬ）は、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物を含む。
【0210】
一実施形態では、少なくとも１つの共通の正孔注入層および正孔輸送層（ＨＴＬ）または共通の正孔輸送層（ＨＴＬ）は、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物を含み、共有結合性のマトリックス化合物または実質的に共有結合性のマトリックス化合物は、両方の層において同じものが選択される。
【0211】
ＨＴＬの厚さは、約５ｎｍ～約２５０ｎｍ、好ましくは約１０ｎｍ～約２００ｎｍ、さらに約２０ｎｍ～約１９０ｎｍ、さらに約４０ｎｍ～約１８０ｎｍ、さらに約６０ｎｍ～約１７０ｎｍ、さらに約８０ｎｍ～約１６０ｎｍ、さらに約１００ｎｍ～約１６０ｎｍ、さらに約１２０ｎｍ～約１４０ｎｍの範囲であり得る。
【0212】
ＨＴＬの厚さがこの範囲内である場合には、ＨＴＬは駆動電圧を大きく損なうことなく、優れた正孔輸送特性を有することができる。
【0213】
共通の正孔輸送層（ＨＴＬ）は、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数のＯＬＥＤ画素のために形成され得る。一実施形態では、共通のＨＴＬは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。同様に、陰極は、複数の画素または少なくとも２つの画素のための共通の陰極として形成され得る。共通の陰極は、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。全ての個々の画素は、他の個々の画素の陽極に接触し得ないそれ自体の陽極を有し得る。さらに、アクティブＯＬＥＤディスプレイは、ＯＬＥＤディスプレイに設けられた複数の画素の個々の画素を別々に駆動するように構成された駆動回路を有する。一実施形態では、別々に駆動する工程が個々の画素に印加される駆動電流の別々の制御を含み得る。
【0214】
共通のＨＴＬは、正孔注入材料でドープされた正孔輸送マトリックス（ＨＴＭ）材料から作製することができる。正孔輸送マトリックス材料は、２つ以上の正孔注入材料でドープされ得る。ＨＴＭ材料は１つ以上のＨＴＭ化合物からなり、一方、正孔輸送材料という用語は、少なくとも１つのＨＴＭ化合物を含む全ての半導体材料について本出願全体を通して使用されるより広い用語であることを理解されたい。正孔輸送マトリックス材料は、１つ以上の有機化合物からなり得る。
【0215】
正孔注入材料としての金属化合物のＬＵＭＯエネルギー準位は、真空エネルギー準位がゼロであることを参照して絶対スケールで表され、共通の第２の半導体層（好ましくは正孔輸送層である）を形成する化合物の最高ＨＯＭＯエネルギー準位よりも、１０００ｍｅＶ未満、７５０ｍｅＶ未満、６００ｍｅＶ未満、５５０ｍｅＶ未満、５００ｍｅＶ未満、４５０ｍｅＶ未満、または４００ｍｅＶ未満高くてもよい。
【0216】
ＨＴＭは、＜－４．２７ｅＶから≧－６．０ｅＶまで、＜－４．３ｅＶから≧－５．５ｅＶまで、好ましくは＜－４．５ｅＶから≧－５．４ｅＶまで、より好ましくは－＜－４．６ｅＶから≧－５．３ｅＶまでの範囲で、プログラムパッケージＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５に実装されるＧａｕｓｓｉａｎ６－３１Ｇ＊基底関数系と共に混成汎関数Ｂ３ＬＹＰを使用して計算された範囲において、真空エネルギー準位がゼロであることを参照して絶対スケールで表される、それらの最高占有分子軌道のエネルギーを有する化合物を含み得るか、またはそれからなり得る。
【0217】
共通の正孔輸送層は、５０ｎｍ未満、４０ｎｍ未満、３０ｎｍ未満、２０ｎｍ未満、または１５ｎｍ未満の厚さを有し得る。共通の正孔輸送層は、３ｎｍ超、５ｎｍ超、８ｎｍ超、または１０ｎｍ超の厚さを有し得る。陽極は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）のような透明導電性酸化物（ＴＣＯ）から作製され得る。あるいは、陽極は、半透明の陽極をもたらす１つ以上の薄い金属層から作製され得る。別の実施形態では、陽極は、可視光に対して透明ではない厚い金属層から作製され得る。
【0218】
一実施形態では、真空エネルギー準位がゼロであることを参照して絶対スケールで表される陽極の仕事関数は、共通の正孔注入層中の正孔注入材料を形成する化合物の最高ＬＵＭＯエネルギー準位よりも、５００ｍｅＶ未満、４５０ｍｅＶ未満、４００ｍｅＶ未満、３５０ｍｅＶ未満、または３００ｍｅＶ未満高くてもよい。
【0219】
公知のドープされた正孔輸送材料の典型的な例は、ＬＵＭＯ準位が約－５．２ｅＶであるテトラフルオロ－テトラシアノキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）でドープされた、ＨＯＭＯ準位が約－５．２ｅＶである銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）；Ｆ４ＴＣＮＱでドープされた亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰｃ）（ＨＯＭＯ＝－５．２ｅＶ）；Ｆ４ＴＣＮＱでドープされたα－ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ビス（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン）である。２，２’－（ペルフルオロナフタレン－２，６－ジイリデン）ジマロノニトリルでドープされたα－ＮＰＤ。正孔注入材料の濃度は、１重量％から２０重量％まで、より好ましくは３重量％から１０重量％まで、から選択することができる。
【0220】
〔電子阻止層〕
電子阻止層（ＥＢＬ）は、共通の電子阻止層（ＥＢＬ）として、または共通の電子阻止層（ＥＢＬ）ではない別々の層として、形成され得る。ＥＢＬは、複数の画素または少なくとも２つの画素のための共通のＥＢＬとして形成され得る。共通のＥＢＬは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。好ましくは、全ての個々の画素は、他の個々の画素のＥＢＬに接触し得ないそれ自体のＥＢＬを有し得る。
電子阻止層（ＥＢＬ）は、共通の電子阻止層（ＥＢＬ）として、または共通の電子阻止層（ＥＢＬ）ではない別々の層として、形成され得る。ＥＢＬは、複数の画素または少なくとも２つの画素のための共通のＥＢＬとして形成され得る。共通のＥＢＬは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。好ましくは、全ての個々の画素は、他の個々の画素のＥＢＬに接触し得ないそれ自体のＥＢＬを有し得る。
【0221】
電子阻止層（ＥＢＬ）の機能は、電子が発光層から正孔輸送層に移動するのを防ぎ、それによって電子を発光層に閉じ込めることである。ＥＢＬは、共通のＨＴＬおよびＥＭＬと直接接触していてもよい。電子阻止層は、有機正孔輸送マトリックス材料からなるドープされていない層（すなわち、正孔注入材料を含まなくてもよい）であってもよい。共通の正孔輸送層の有機正孔輸送マトリックス材料の組成物は、電子阻止層の有機正孔輸送マトリックス材料の組成物と同じであってもよい。本発明の別の実施形態では、両方の正孔輸送マトリックス材料の組成は異なっていてもよい。
【0222】
これにより、効率、動作電圧および／または寿命が改善され得る。典型的には、電子阻止層はトリアリールアミン化合物を含む。トリアリールアミン化合物は、正孔輸送層のＬＵＭＯ準位よりも真空準位により近いＬＵＭＯ準位を有し得る。電子阻止層を形成する各々の化合物は、真空エネルギー準位がゼロであることを参照して絶対スケールで表され、共通の正孔輸送層の正孔輸送マトリックス材料を形成する任意の化合物のＨＯＭＯ準位よりも高いＨＯＭＯ準位を有してもよい。電子阻止層は、正孔輸送層のＨＯＭＯ準位と比較して、真空準位からさらに離れたＨＯＭＯ準位を有し得る。
【0223】
電子阻止層の有機マトリックス材料は、正孔輸送層のマトリックス材料の正孔移動度以上である正孔移動度を有し得る。共通のＨＴＬおよび／またはＥＢＬの正孔輸送マトリックス（ＨＴＭ）材料は、非局在化電子の共役系を含む化合物から選択され得、共役系は、少なくとも２つの第三級アミン窒素原子の孤立電子対を含む。
【0224】
電子阻止層が高い三重項準位を有する場合には、それはまた三重項制御層として記載され得る。三重項制御層の機能は、リン光緑色発光層またはリン光青色発光層が使用される場合に、三重項の消光を低減することである。これにより、リン光発光層からの発光効率を高めることができる。三重項制御層は、隣接する発光層におけるリン光発光体の三重項準位より高い三重項準位を有するトリアリールアミン化合物から選択される。三重項制御層に適した化合物、特にトリアリールアミン化合物は、ＥＰ２７２２９０８Ａ１に記載されている。
【0225】
電子阻止層の厚さは、２～２０ｎｍであり得る。ＥＢＬは、３０ｎｍ超、５０ｎｍ超、７０ｎｍ超、１００ｎｍ超、または１１０ｎｍ超の層の厚さを有し得る。ＥＢＬの厚さは、２００ｎｍ未満、１７０ｎｍ未満、１４０ｎｍ未満、または１３０ｎｍ未満であり得る。ＥＢＬと比較して、共通のＨＴＬは、約１桁薄くなり得る。
【0226】
電子阻止層は化合物を含み得、前記化合物は、＜－４．７ｅＶから≧－６．０ｅＶまで、－４．８ｅＶから≧－５．５ｅＶまで、好ましくは＜－４．９ｅＶから≧－５．４ｅＶまで、より好ましくは－＜－５．０ｅＶから≧－５．３ｅＶまでの範囲で、プログラムパッケージＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５に実装されるＧａｕｓｓｉａｎ６－３１Ｇ＊基底関数系と共に混成汎関数Ｂ３ＬＹＰを使用して計算された、真空エネルギー準位がゼロであることを参照して絶対スケールで表される、それらの最高占有分子軌道のエネルギーを有する。
【0227】
〔光活性層（ＰＡＬ）〕
光活性層は、電流を光子に、または光子を電流に変換する。光活性層は、共通の光活性層として、または共通の光活性層ではない別々の層として、形成され得る。ＰＡＬは、複数の画素または少なくとも２つの画素のための共通のＰＡＬとして形成され得る。共通のＰＡＬは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
光活性層は、電流を光子に、または光子を電流に変換する。光活性層は、共通の光活性層として、または共通の光活性層ではない別々の層として、形成され得る。ＰＡＬは、複数の画素または少なくとも２つの画素のための共通のＰＡＬとして形成され得る。共通のＰＡＬは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
【0228】
ＰＡＬは、真空蒸着、スピンコーティング、スロット－ダイコーティング、印刷、キャスティング、ＬＢ蒸着などによってＨＴＬ上に形成され得る。ＰＡＬが真空蒸着またはスピンコーティングを用いて形成される場合には、蒸着およびコーティングのための条件は、ＨＩＬの形成のための条件と同様であり得る。しかし、蒸着およびコーティングのための条件は、ＰＡＬを形成するために使用される化合物に応じて変化し得る。
【0229】
光活性層が、本発明の金属化合物を含まないことが提供され得る。
【0230】
〔発光層（ＥＭＬ）〕
ＥＭＬ層は、共通のＥＭＬ層として、または共通のＥＭＬ層ではない別々のＥＭＬ層として、形成され得る。ＲＧＢディスプレイについて、ＥＭＬ層は、共通のＥＭＬ層ではない別々の層として形成されることが好ましい。ＥＭＬは、複数の画素または少なくとも２つの画素のための共通のＥＭＬとして形成され得る。共通のＥＭＬは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
ＥＭＬ層は、共通のＥＭＬ層として、または共通のＥＭＬ層ではない別々のＥＭＬ層として、形成され得る。ＲＧＢディスプレイについて、ＥＭＬ層は、共通のＥＭＬ層ではない別々の層として形成されることが好ましい。ＥＭＬは、複数の画素または少なくとも２つの画素のための共通のＥＭＬとして形成され得る。共通のＥＭＬは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
【0231】
ＥＭＬは、真空蒸着、スピンコーティング、スロット－ダイコーティング、印刷、キャスティング、ＬＢ蒸着などによってＨＴＬ上に形成され得る。ＥＭＬが真空蒸着またはスピンコーティングを用いて形成される場合には、蒸着およびコーティングのための条件は、ＨＩＬの形成のための条件と同様であり得る。しかし、蒸着およびコーティングのための条件は、ＥＭＬを形成するために使用される化合物に応じて変化し得る。
【0232】
共通の電子輸送層は、有機電子輸送マトリックス（ＥＴＭ）材料を含み得る。さらに、共通の電子輸送層は、例えば、文書ＥＰ１９７０３７１ＡｌまたはＷＯ２０１３／０７９２１７Ａ１に開示されているように、芳香族構造部分またはヘテロ芳香族構造部分を含むＥＴＭに適した１つ以上のｎ型ドーパント化合物を含み得る。
【0233】
発光層は、ＨＩＬおよび／またはＨＴＬに使用するための本発明に記載の金属化合物を含まないことが提供され得る。
【0234】
発光層（ＥＭＬ）は、ホストドーパントと発光体ドーパントとの組み合わせで形成されてもよい。ホストの例は、Ａｌｑ３，４，４’－Ｎ，Ｎ’－ジカルバゾール－ビフェニル（ＣＢＰ）、ポリ（ｎ－ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン（ＡＤＮ）、４，４’，４’’－トリス（カルバゾール－９－イル）－トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）、３－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ－２－ナフチルアントラセン（ＴＢＡＤＮ）、ジスチリルアリーレン（ＤＳＡ）およびビス（２－（２－ヒドロキシフェニル）ベンゾ－チアゾレート）亜鉛（Ｚｎ（ＢＴＺ）２）である。
【0235】
発光体ドーパントは、リン光発光体または蛍光発光体であり得る。リン光発光体および熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）機構を介して光を放出する発光体は、それらのより高い効率のために好ましい場合がある。発光体は、小分子またはポリマーであり得る。
【0236】
赤色発光体ドーパントの例は、ＰｔＯＥＰ、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、およびＢｔｐ２ｌｒ（ａｃａｃ）であるが、これらに限定されない。これらの化合物はリン光発光体であるが、蛍光赤色発光体ドーパントを使用することもできる。
【0237】
リン光緑色発光体ドーパントの例は、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｐｐｙ＝フェニルピリジン）、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｍｐｙｐ）３である。
【0238】
リン光青色発光体ドーパントの例は、Ｆ２Ｉｒｐｉｃ、（Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒ（ｔｍｄ）およびＩｒ（ｄｆｐｐｚ）３ならびにｔｅｒ－フルオレンである。４．４’－ビス（４－ジフェニルアミオスチリル）ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）、２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（ＴＢＰｅ）は、蛍光青色発光体ドーパントの例である。
【0239】
発光体ドーパントの量は、ホスト１００重量部に対して、約０．０１重量部から約５０重量部までの範囲であり得る。あるいは、発光層は、発光ポリマーからなり得る。ＥＭＬは、約１０ｎｍ～約１００ｎｍ、例えば、約２０ｎｍから約６０ｎｍまでの厚さを有し得る。ＥＭＬの厚さがこの範囲内である場合には、ＥＭＬは駆動電圧の実質的なペナルティなしに、優れた発光を有し得る。
【0240】
〔正孔阻止層（ＨＢＬ）〕
正孔阻止層（ＨＢＬ）は、共通の正孔阻止層（ＨＢＬ）として、または共通の正孔阻止層（ＨＢＬ）ではない別々の正孔阻止層（ＨＢＬ）として、形成され得る。ＨＢＬは、複数の画素または少なくとも２つの画素のための共通のＨＢＬとして形成され得る。共通のＨＢＬは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
正孔阻止層（ＨＢＬ）は、共通の正孔阻止層（ＨＢＬ）として、または共通の正孔阻止層（ＨＢＬ）ではない別々の正孔阻止層（ＨＢＬ）として、形成され得る。ＨＢＬは、複数の画素または少なくとも２つの画素のための共通のＨＢＬとして形成され得る。共通のＨＢＬは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
【0241】
ＥＴＬへの正孔の拡散を防止するために、正孔阻止層（ＨＢＬ）は、真空蒸着、スピンコーティング、スロット－ダイコーティング、印刷、キャスティング、ＬＢ蒸着などを用いることによって、ＥＭＬ上に形成され得る。ＥＭＬがリン光ドーパントを含む場合には、ＨＢＬはまた、三重項励起子阻止機能を有することができる。
【0242】
ＨＢＬはまた、補助ＥＴＬまたはａ－ＥＴＬとも呼ばれ得る。
【0243】
ＨＢＬが真空蒸着またはスピンコーティングを用いて形成される場合には、蒸着およびコーティングのための条件は、ＨＩＬの形成のための条件と同様であり得る。しかし、蒸着およびコーティングのための条件は、ＨＢＬを形成するために使用される化合物に応じて変化し得る。ＨＢＬを形成するために一般的に使用される任意の化合物を使用することができる。ＨＢＬを形成するための化合物の例としては、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体およびトリアジン誘導体が含まれる。
【0244】
ＨＢＬは、約５ｎｍから約１００ｎｍまで、例えば、約１０ｎｍから約３０ｎｍまでの範囲の厚さを有し得る。ＨＢＬの厚さがこの範囲内である場合には、ＨＢＬは、駆動電圧が実質的に低下することなく、優れた正孔阻止特性を有することができる。
【0245】
〔電子輸送層（ＥＴＬ）〕
電子輸送層（ＥＴＬ）は、共通の電子輸送層（ＥＴＬ）として、または共通の電子輸送層（ＥＴＬ）ではない別々の電子輸送層（ＥＴＬ）として、形成され得る。
電子輸送層（ＥＴＬ）は、共通の電子輸送層（ＥＴＬ）として、または共通の電子輸送層（ＥＴＬ）ではない別々の電子輸送層（ＥＴＬ）として、形成され得る。
【0246】
ＥＴＬは、複数の画素または少なくとも２つの画素のための共通のＥＴＬとして形成され得る。共通のＥＴＬは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
【0247】
全ての個々の画素は、他の個々の画素のＥＴＬに接触し得ないそれ自体のＥＴＬを有し得る。
【0248】
本発明による有機発光ダイオードは、電子輸送層（ＥＴＬ）をさらに含み得る。
【0249】
別の実施形態によれば、電子輸送層は、アジン化合物、好ましくはトリアジン化合物をさらに含み得る。
【0250】
一実施形態では、電子輸送層は、アルカリ有機錯体から選択されるドーパント、好ましくはＬｉＱをさらに含み得る。
【0251】
ＥＴＬの厚さは、約１５ｎｍから約５０ｎｍまでの範囲、例えば、約２０ｎｍから約４０ｎｍまでの範囲であり得る。ＥＩＬの厚さがこの範囲内である場合には、ＥＴＬは駆動電圧の実質的なペナルティなしに、満足のいく電子注入特性を有することができる。
【0252】
別の実施形態によれば、有機発光ダイオードは正孔阻止層および電子輸送層をさらに含み得、正孔阻止層および電子輸送層はアジン化合物を含む。好ましくは、アジン化合物はトリアジン化合物である。
【0253】
〔電子注入層（ＥＩＬ）〕
ＥＩＬは、共通のＥＩＬ層として、または共通のＥＩＬ層ではない別々のＥＩＬ層として、形成され得る。
ＥＩＬは、共通のＥＩＬ層として、または共通のＥＩＬ層ではない別々のＥＩＬ層として、形成され得る。
【0254】
ＥＩＬは、複数の画素または少なくとも２つの画素のための共通のＥＩＬとして形成され得る。共通のＥＩＬは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
【0255】
陰極からの電子の注入を容易にし得る任意のＥＩＬは、ＥＴＬ上に、好ましくは直接電子輸送層上に、形成され得る。ＥＩＬを形成するための材料の例としては、当技術分野で公知のリチウム８－ヒドロキシキノリノレート（ＬｉＱ）、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、Ｃａ、Ｂａ、Ｙｂ、Ｍｇが含まれる。ＥＩＬを形成するための蒸着およびコーティング条件は、ＨＩＬの形成のためのものと同様であるが、蒸着およびコーティング条件はＥＩＬを形成するために使用される材料に応じて変動し得る。
【0256】
ＥＩＬの厚さは、約０．１ｎｍから約１０ｎｍまでの範囲、例えば、約０．５ｎｍから約９ｎｍまでの範囲であり得る。ＥＩＬの厚さがこの範囲内である場合には、ＥＩＬは駆動電圧の実質的なペナルティなしに、満足のいく電子注入特性を有することができる。
【0257】
〔陰極電極〕
陰極電極は、共通の陰極電極層として、または共通の陰極電極層ではない別々の陰極電極層として、形成され得る。
陰極電極は、共通の陰極電極層として、または共通の陰極電極層ではない別々の陰極電極層として、形成され得る。
【0258】
陰極は、複数の画素または少なくとも２つの画素のための共通の陰極として形成され得る。共通の陰極は、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
【0259】
陰極層とも呼ばれる陰極電極は、ＥＴＬまたは任意のＥＩＬ上に形成される。
【0260】
陰極は、低仕事関数を有する金属または金属合金から作製することができる。ＴＣＯから作製された透明陰極もまた、当技術分野において公知である。好ましくは、陰極電極は、金属、合金、導電性化合物、またはそれらの混合物から形成され得る。陰極電極は、低仕事関数を有し得る。例えば、前記陰極電極は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）－リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、マグネシウム（Ｍｇ）－インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）－銀（Ａｇ）などから形成され得る。あるいは、陰極電極は、透明導電性酸化物、好ましくはＩＴＯまたはＩＺＯから形成され得る。
【0261】
陰極電極の厚さは、約５ｎｍから約１０００ｎｍの範囲、例えば、約１０ｎｍから約１００ｎｍまでの範囲であり得る。陰極電極の厚さが約５ｎｍから約５０ｎｍまでの範囲である場合には、陰極電極は、金属または金属合金から形成されていても、透明または半透明であり得る。
【0262】
陰極電極は、電子注入層または電子輸送層の一部ではないことを理解されたい。
【0263】
〔有機層のスタック〕
有機層のスタックは、２０００ｇ／ｍｏｌ未満の分子量を有する有機化合物から作製され得る。代替の実施形態では、有機化合物は、１０００ｇ／ｍｏｌ未満の分子量を有し得る。
有機層のスタックは、２０００ｇ／ｍｏｌ未満の分子量を有する有機化合物から作製され得る。代替の実施形態では、有機化合物は、１０００ｇ／ｍｏｌ未満の分子量を有し得る。
【0264】
ＨＩＬである有機層のスタックまたはその少なくとも１つの有機層は、有機層の共通のスタックとして、または複数の画素または少なくとも２つの画素のための共通のＨＩＬとして、形成され得る。有機層の共通のスタックは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素の少なくとも２つの画素にわたって延在する。
【0265】
一実施形態によれば、有機層のスタックのＨＩＬおよびＨＴＬは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在するか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
【0266】
一実施形態によれば、有機層のスタックのＨＩＬ、ＨＴＬおよびＨＢＬは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在するか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
【0267】
一実施形態によれば、有機層のスタックのＨＩＬ、ＨＴＬおよびＥＢＬは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在するか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
【0268】
一実施形態によれば、有機層のスタックのＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＢＬおよびＥＴＬは、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
【0269】
一実施形態によれば、有機層のスタックのＨＴＬおよびｎ側は、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在するか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
【0270】
一実施形態によれば、有機層のスタックのＨＩＬ、ＨＴＬ、ＨＢＬおよびｎ側は、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在するか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
【0271】
一実施形態によれば、有機層のスタックのＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＢＬおよびｎ側は、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在するか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
【0272】
一実施形態によれば、有機層のスタックのＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＢＬ、ＥＴＬおよびｎ側は、ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在し得るか、または複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する。
【0273】
好ましくは、全ての個々の画素は、他の個々の画素のＥＴＬに接触し得ないそれ自体のＥＴＬを有し得る。
【0274】
好ましくは、全ての個々の画素は、他の個々の画素のＥＴＬに接触し得ないそれ自体のＥＴＬを有し得る。
【0275】
好ましくは、全ての個々の画素は、他の個々の画素のＥＢＬに接触し得ないそれ自体のＥＢＬを有し得る。
【0276】
好ましくは、全ての個々の画素は、他の個々の画素のｎ側に接触し得ないそれ自体のｎ側を有し得る。
【0277】
〔製造方法〕
別の態様は、少なくとも１つの共通の層を製造するための方法に関する。
別の態様は、少なくとも１つの共通の層を製造するための方法に関する。
【0278】
少なくとも１つの共通の層を製造するための方法は、少なくとも１つの共通の層を製造するための方法が、各々の共通の層が１つの処理工程において１つの大きなマスク開口部を通って完全なディスプレイ領域上に堆積されることを含む、ことを含む。
【0279】
以下、実施例を参照して、実施形態をより詳細に説明する。ただし、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。ここで、例示的な態様を詳細に参照する。
【0280】
［図面の説明］
前述の構成要素、ならびに請求された構成要素および記載された実施形態において本発明に従って使用される構成要素は、それらのサイズ、形状、材料選択、および技術的概念に関していかなる特別な例外も受けず、その結果、関連分野において知られている選択基準を限定なしに適用することができる。
前述の構成要素、ならびに請求された構成要素および記載された実施形態において本発明に従って使用される構成要素は、それらのサイズ、形状、材料選択、および技術的概念に関していかなる特別な例外も受けず、その結果、関連分野において知られている選択基準を限定なしに適用することができる。
【0281】
本発明の目的のさらなる詳細、特性、および利点は、従属請求項、および例示的な様式で本発明による好ましい実施形態を示すそれぞれの図面の以下の説明において開示される。しかし、いかなる実施形態も必ずしも本発明の全範囲を表すものではなく、したがって、本発明の範囲を解釈するために、特許請求の範囲および本明細書を参照する。前述の一般的な説明および以下の詳細な説明の両方は、例示的かつ説明的なものにすぎず、特許請求の範囲に記載のさらなる説明を提供することを意図していることを理解されたい。
【0282】
〔図１～図９〕
図１は、２つの画素と、共通のＨＩＬ、共通のＨＴＬおよび共通の陰極層と、を有するディスプレイの概略断面図である；
図２は、試験素子の概略断面図である；
図３は、堆積された層のスタックの概略断面図である。
図１は、２つの画素と、共通のＨＩＬ、共通のＨＴＬおよび共通の陰極層と、を有するディスプレイの概略断面図である；
図２は、試験素子の概略断面図である；
図３は、堆積された層のスタックの概略断面図である。
【0283】
図４は、試験素子の概略断面図である；
図５は、ＩＴＯ被覆基板を示す；
図６は、電流－電圧測定の図である；
図７は、抵抗の例示的な図である；
図８は、有機発光ダイオードの概略断面図である；
図９は、有機発光ダイオードの概略断面図である。
図５は、ＩＴＯ被覆基板を示す；
図６は、電流－電圧測定の図である；
図７は、抵抗の例示的な図である；
図８は、有機発光ダイオードの概略断面図である；
図９は、有機発光ダイオードの概略断面図である。
【0284】
以下、図１～４について、実施例を参照してさらに詳細に説明する。ただし、本開示は以下の図面に限定されるものではない。
【0285】
本明細書では第１の要素が第２の要素の「上（on）」または「上（onto）」に形成されるか、または配置されると言及される場合には、第１の要素は第２の要素の上に直接配置され得るか、または１つ以上の他の要素がそれらの間に配置され得る。第１の要素が第２の要素の「上に直接（directly on）」または「上に直接（directly onto）」形成されるか、または配置されると言及される場合には、他の要素はそれらの間に配置されない。
【0286】
図１は、例示的な実施形態による、２つの画素（１００；２００）を有するディスプレイの概略断面図である。第１の画素（１００）は陽極層（１２０）を含み、第２の画素は陽極層（１２０）を含む。第１の画素（１００）はそれ自体の陽極層（１２０）を有し、第２の画素（２００）はそれ自体の陽極（１２０）を有し、第１の画素（１００）の陽極（１２０）は、他の第２の画素（２００）の陽極層（１２０）に接触しない。第１の画素（１００）の陽極（１２０）と第２の画素（２００）の陽極（１２０）との間に、画素精細層（１２５）が配置され得る。共通の正孔注入層（ＨＩＬ）（１３０）が、第１の画素（１００）から第２の画素（２００）まで延在する陽極層（１２０）上に配置される。共通のＨＩＬ（１３０）上には、共通の正孔輸送層（ＨＴＬ）（１４０）が、第１の画素（１００）から第２の画素（２００）まで延在して配置される。正孔輸送層（ＨＴＬ）（１４０）上に、第１の画素（１００）がそれ自体の電子阻止層（ＥＢＬ）（１４５）を有し、第２の画素（２００）がそれ自体の電子阻止層（ＥＢＬ）（１４５）を有するように電子阻止層（ＥＢＬ）（１４５）が配置され、第１の画素（１００）の電子阻止層（ＥＢＬ）（１４５）は、他の第２の画素（２００）の電子阻止層（ＥＢＬ）（１４５）に接触することができる。電子阻止層（ＥＢＬ）（１４５）上には、第１の画素（１００）がそれ自体の発光層（ＥＭＬ）（１５０）を有し、第２の画素（２００）がそれ自体の発光層（ＥＭＬ）（１５０）を有するように発光層（ＥＭＬ）（１５０）が配置され、第１の画素（１００）の発光層（ＥＭＬ）（１５０）は、他の第２の画素（２００）の発光層（ＥＭＬ）（１５０）に接触することができる。発光層（ＥＭＬ）（１５０）上には、第１の画素（１００）がそれ自体の電子輸送層（ＥＴＬ）（１６０）を有し、第２の画素（２００）がそれ自体の電子輸送層（ＥＴＬ）（１６０）を有するように電子輸送層（ＥＴＬ）（１６０）が配置される。電子輸送層（ＥＴＬ）（１６０）上には、共通の陰極層（１９０）が、第１の画素（１００）から第２の画素（２００）まで延在して配置される。第１の画素（１００）と第２の画素（２００）との間に、陽極層（１２０）を有さないが、陽極（１２０）ではないシート抵抗層として機能する画素精細層（１２５）を有する、分離部（３００）が配置される。
【0287】
図１から分かるように、分離部（３００）は共通の正孔注入層（ＨＩＬ）（１３０）であり、画素（１００）から分離部（３００）を通って画素（２００）まで共通の層として延在する少なくとも１つの層を含む。分離部（３００）は、電子阻止層（ＥＢＬ）（１４５）および発光層（ＥＭＬ）（１５０）である少なくとも２つの層を含み、各々が画素（１００）および画素（２００）から分離部（３００）に延在する。分離部（３００）の電子輸送層（ＥＴＬ）（１６０）および正孔輸送層（ＨＴＬ）（１４０）は、画素（１００）および画素（２００）内に延在しない。
【0288】
図１は単に一例であり、本発明はこの実施形態に制限されるものではない。例えば、１つの画素から分離部（３００）内に層が延在していてもいなくても、複数の層構成が可能である。さらに、画素（１００）、画素（２００）および分離部（３００）などの複数の画素および分離部の各々の非共通の層の材料組成は、それぞれ異なるものを選択してもよいし、同じものを選択してもよい。
【0289】
図２は、２つの高導電性電極間にギャップ「Ｉ」を有し、それぞれの高導電性電極に対して幅「ｗ」を有する、２つの高導電性電極を含む試験素子を示す。
【0290】
図３は、シート抵抗を決定するための試験素子群上の堆積された層のスタックの模式図を示す。試験素子は、チャネル（試験素子）からなる。堆積層（３００）は、電極の上にある。
【0291】
図４は、電極フィンガー間にギャップ「ｌ」を有し、交互嵌合幅「ｗｅ」と交互嵌合面積の数との積として総幅「ｗ」を有する交互嵌合されたフィンガーパターンを有する２つの高導電性電極を含む試験素子を示す。
【0292】
以下、実施例を参照して、実施形態をより詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【0293】
図５は、２５×２５ｍｍ２の寸法を有する１つの基板上に組み合わされた４つの異なるチャネル長を有する電極対でパターン化された１０オーム／スクエアのシート抵抗を有する９０ｎｍＩＴＯを用いた、ＩＴＯでコーティングされた基板を示す。
【0294】
【0295】
【0296】
図８は、本発明の例示的な実施形態による、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、基板（１１０）、第１の陽極副層（ＨＴＬ）（１２１）および第２の陽極副層（ＨＴＬ）（１２２）を含む陽極層（１２０）、式（Ｉ）の化合物を含む半導体層（１３０）、正孔輸送層（ＨＴＬ）（１４０）、電子阻止層（ＥＢＬ）（１４５）、発光層（ＥＭＬ）（１５０）、正孔阻止層（ＥＢＬ）（１５５）、電子輸送層（ＥＴＬ）（１６０）、および陰極層（１９０）を含む。これらの層は、前述のような順序で正確に配置される。
【0297】
図９は、本発明の例示的な一実施形態による有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）１００の概略断面図である。ＯＬＥＤ１００は、基板（１１０）、第１の陽極副層（１２１）、第２の陽極副層（１２２）および第３の陽極副層（１２３）を含む陽極層（１２０）、式（Ｉ）の化合物を含む半導体層（１３０）、正孔輸送層（ＨＴＬ）（１４０）、電子阻止層（ＥＢＬ）（１４５）、発光層（ＥＭＬ）（１５０）、正孔阻止層（ＥＢＬ）（１５５）、電子輸送層（ＥＴＬ）（１６０）および陰極層（１９０）を含む。これらの層は、前述のような順序で正確に配置される。
【0298】
以下、実施例を参照して、実施形態をより詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【0299】
［詳細な説明］
本発明はさらに、以下の実施例によって説明されるが、これらの実施例は例示的なものに過ぎず、これに限定されない。
本発明はさらに、以下の実施例によって説明されるが、これらの実施例は例示的なものに過ぎず、これに限定されない。
【0300】
化合物は、文献に記載されているように調製することができ、または代替化合物は、文献に記載されているように類似の化合物に応じて調製することができる。
【0301】
〔ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの計算値〕
ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯは、プログラムパッケージＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５（ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ ＧｍｂＨ、Ｌｉｔｚｅｎｈａｒｄｔｓｔｒａｓｓｅ １９、７６１３５ Ｋａｒｌｓｒｕｈｅ、ドイツ）を用いて計算される。分子構造の最適化された形状ならびにＨＯＭＯエネルギー準位およびＬＵＭＯエネルギー準位は、気相中に６－３１Ｇ＊基底関数系と共に混成汎関数Ｂ３ＬＹＰを適用することによって決定される。２つ以上のコンホメーションが実行可能である場合には、最も低い総エネルギーを有するコンホメーションが選択される。ＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位は、電子ボルト（ｅＶ）で記録される。
ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯは、プログラムパッケージＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５（ＴＵＲＢＯＭＯＬＥ ＧｍｂＨ、Ｌｉｔｚｅｎｈａｒｄｔｓｔｒａｓｓｅ １９、７６１３５ Ｋａｒｌｓｒｕｈｅ、ドイツ）を用いて計算される。分子構造の最適化された形状ならびにＨＯＭＯエネルギー準位およびＬＵＭＯエネルギー準位は、気相中に６－３１Ｇ＊基底関数系と共に混成汎関数Ｂ３ＬＹＰを適用することによって決定される。２つ以上のコンホメーションが実行可能である場合には、最も低い総エネルギーを有するコンホメーションが選択される。ＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位は、電子ボルト（ｅＶ）で記録される。
【0302】
〔より詳細に説明される伝送線路方法〕
本発明によれば、第１の共通の半導体上に、有機ｐ型ドーパントと、第２の共通の半導体層と、を有する第１の共通の半導体層のシート抵抗を測定する伝送線路方法を、以下のように行うことができる。
本発明によれば、第１の共通の半導体上に、有機ｐ型ドーパントと、第２の共通の半導体層と、を有する第１の共通の半導体層のシート抵抗を測定する伝送線路方法を、以下のように行うことができる。
【0303】
〔基質および試料調製〕
図４に従って、１０オーム／スクエアのシート抵抗を有する、９０ｎｍのＩＴＯを用いたＩＴＯでコーティングされた基板を、交互嵌合されたフィンガー構造でパターン化した。両電極上の１２個のＩＴＯフィンガーは、合計２３個の導電性領域を形成する：ｎ＝２３。嵌合長ｗｅは、４．５ｍｍであった。したがって、全チャネル幅は１０３．５ｍｍであった。チャネル長ｗは、２０μｍ工程で、２０～８０μｍの間で変化させた。４つの異なるチャネル長を有する電極対を、図５に示されるように２５×２５ｍｍ２の寸法で１つの基板上に組み合わせた。有機層を、完全な相互嵌合されたフィンガーパターンを覆う基板上に堆積させた。第１の共通の半導体層は、基板上に１０ｎｍの厚さを有する少なくとも１つの正孔注入材料を含む。例えば、第１の共通の半導体層は、ドープされた共有結合性のマトリックス化合物（適切な共有結合性のマトリックス化合物は、本明細書に記載されている）からなり、共蒸着によって堆積された正孔注入層である。温度範囲は材料に依存し、気化が始まる気化温度および分解温度によって制限される。これらの値は材料パラメータであり、各々の材料ごとに異なる。値は通常、５０℃～５００℃、ほとんどが１５０℃～３５０℃である。例えば、共有結合性のマトリックス化合物の堆積は、２７２℃の蒸発源温度で、１Ａ／ｓ（オングストローム／秒）の一定速度で行われた。正孔注入材料源は、例えば、１７４℃で、０．０６８Ａ／ｓで動作させた。この層上に、例えば共通の正孔輸送層または共通の電子阻止層であり、好ましくは正孔輸送層であり、１２８ｎｍの厚さを有する第２の共通の半導体層を、２Ａ／ｓの堆積速度および２８０℃の温度で堆積させた。全蒸着処理の間、チャンバ圧力は３ｅ～７ｍｂａｒであった。しかし、前述のように、使用される蒸発温度は、蒸発が始まる蒸発温度および分解温度に依存する。有機材料の蒸発温度は材料に依存し、通常５０℃～５００℃である。得られた基板層デバイスを、有機層堆積後の試料の劣化を防ぐために、一体化された乾燥剤を有するガラス蓋を用いて窒素充填グローブボックス内に封入した。
図４に従って、１０オーム／スクエアのシート抵抗を有する、９０ｎｍのＩＴＯを用いたＩＴＯでコーティングされた基板を、交互嵌合されたフィンガー構造でパターン化した。両電極上の１２個のＩＴＯフィンガーは、合計２３個の導電性領域を形成する：ｎ＝２３。嵌合長ｗｅは、４．５ｍｍであった。したがって、全チャネル幅は１０３．５ｍｍであった。チャネル長ｗは、２０μｍ工程で、２０～８０μｍの間で変化させた。４つの異なるチャネル長を有する電極対を、図５に示されるように２５×２５ｍｍ２の寸法で１つの基板上に組み合わせた。有機層を、完全な相互嵌合されたフィンガーパターンを覆う基板上に堆積させた。第１の共通の半導体層は、基板上に１０ｎｍの厚さを有する少なくとも１つの正孔注入材料を含む。例えば、第１の共通の半導体層は、ドープされた共有結合性のマトリックス化合物（適切な共有結合性のマトリックス化合物は、本明細書に記載されている）からなり、共蒸着によって堆積された正孔注入層である。温度範囲は材料に依存し、気化が始まる気化温度および分解温度によって制限される。これらの値は材料パラメータであり、各々の材料ごとに異なる。値は通常、５０℃～５００℃、ほとんどが１５０℃～３５０℃である。例えば、共有結合性のマトリックス化合物の堆積は、２７２℃の蒸発源温度で、１Ａ／ｓ（オングストローム／秒）の一定速度で行われた。正孔注入材料源は、例えば、１７４℃で、０．０６８Ａ／ｓで動作させた。この層上に、例えば共通の正孔輸送層または共通の電子阻止層であり、好ましくは正孔輸送層であり、１２８ｎｍの厚さを有する第２の共通の半導体層を、２Ａ／ｓの堆積速度および２８０℃の温度で堆積させた。全蒸着処理の間、チャンバ圧力は３ｅ～７ｍｂａｒであった。しかし、前述のように、使用される蒸発温度は、蒸発が始まる蒸発温度および分解温度に依存する。有機材料の蒸発温度は材料に依存し、通常５０℃～５００℃である。得られた基板層デバイスを、有機層堆積後の試料の劣化を防ぐために、一体化された乾燥剤を有するガラス蓋を用いて窒素充填グローブボックス内に封入した。
【0304】
本発明によれば、有機ｐ型ドーパント、共通の第１の半導体上の共通の第２の半導体層、および共通の第３の半導体層上の共通の第３の半導体層を含む共通の第１の半導体層のシート抵抗を測定する伝送線路方法を、以下のように行うことができる。
【0305】
図４に従って、１０オーム／スクエアのシート抵抗を有する９０ｎｍのＩＴＯを用いたＩＴＯでコーティングされた基板を、交互嵌合されたフィンガー構造でパターン化した。両電極上の１２個のＩＴＯフィンガーは、合計２３個の導電性領域を形成する：ｎ＝２３。嵌合長ｗｅは４．５ｍｍであった。したがって、全チャネル幅は１０３．５ｍｍであった。チャネル長ｗは、２０μｍ工程で、２０～８０μｍの間で変化させた。４つの異なるチャネル長を有する電極対を、図５に示されるように２５×２５ｍｍ２の寸法で１つの基板上に組み合わせた。有機層を、完全な相互嵌合されたフィンガーパターンを覆う基板上に堆積させた。第１の共通の半導体層は、基板上に１０ｎｍの厚さを有する少なくとも１つの正孔注入材料を含む。例えば、第１の共通の半導体層は、ドープされた共有結合性のマトリックス化合物（適切な共有結合性のマトリックス化合物は、本明細書に記載されている）からなり、共蒸着によって堆積された正孔注入層である。温度範囲は材料に依存し、気化が始まる気化温度および分解温度によって制限される。これらの値は材料パラメータであり、材料ごとに異なる。値は通常、５０℃～５００℃、ほとんどが１５０℃～３５０℃である。例えば、共有結合性のマトリックス化合物の堆積は、２７２℃の蒸発源温度で、１Ａ／ｓ（オングストローム／秒）の一定速度で行われた。正孔注入材料源は、例えば、１７４℃で、０．０６８Ａ／ｓで動作させた。この層上に、例えば共通の正孔輸送層または共通の電子阻止層であり、好ましくは正孔輸送層であり、１２８ｎｍの厚さを有する第２の共通の半導体層を、２Ａ／ｓの堆積速度および２８０℃の温度で堆積させた。この層上に、例えば共通の電子阻止層である、５ｎｍの厚さを有する第３の共通の半導体層を、１Ａ／ｓの堆積速度および２４４℃の温度で堆積させた。全蒸着処理の間、チャンバ圧力は３ｅ～７ｍｂａｒであった。しかし、前述のように、使用される蒸発温度は、蒸発が始まる蒸発温度および分解温度に依存する。有機材料の蒸発温度は材料に依存し、通常５０℃～５００℃である。得られた基板層デバイスを、有機層堆積後の試料の劣化を防ぐために、一体化された乾燥剤を有するガラス蓋を用いて窒素充填グローブボックス内に封入した。
【0306】
本発明によれば、有機ｐ型ドーパントを含む共通の第１の半導体層、共通の第１の半導体上の共通の第２の半導体層、共通の第２の半導体層上の共通の第３の半導体層、および共通の第３の半導体層上の共通の発光層（ＥＭＬ）のシート抵抗を測定する伝送線路方法を、以下のように行うことができる。
【0307】
図４に従って、１０オーム／スクエアのシート抵抗を有する９０ｎｍのＩＴＯを用いたＩＴＯでコーティングされた基板を、交互嵌合されたフィンガー構造でパターン化した。両電極上の１２個のＩＴＯフィンガーは、合計２３個の導電性領域を形成する：ｎ＝２３。嵌合長ｗｅは、４．５ｍｍであった。したがって、全チャネル幅は１０３．５ｍｍであった。チャネル長ｗは、２０μｍ工程で、２０～８０μｍで変化させた。４つの異なるチャネル長を有する電極対を、図５に示されるように２５×２５ｍｍ２の寸法で１つの基板上に組み合わせた。有機層を、完全な相互嵌合されたフィンガーパターンを覆う基板上に堆積させた。第１の共通の半導体層は、基板上に１０ｎｍの厚さを有する少なくとも１つの正孔注入材料を含む。例えば、第１の共通の半導体層は、ドープされた共有結合性のマトリックス化合物（適切な共有結合性のマトリックス化合物は、本明細書に記載されている）からなり、共蒸着によって堆積された正孔注入層である。温度範囲は材料に依存し、気化が始まる気化温度および分解温度によって制限される。これらの値は材料パラメータであり、各々の材料ごとに異なる。値は通常、５０℃～５００℃、ほとんどが１５０℃～３５０℃である。例えば、共有結合性のマトリックス化合物の堆積は、２７２℃の蒸発源温度で、１Ａ／ｓ（オングストローム／秒）の一定速度で行われた。正孔注入材料源は、例えば、１７４℃で、０．０６８Ａ／ｓで動作させた。この層上に、例えば共通の正孔輸送層または共通の電子阻止層であり、好ましくは正孔輸送層であり、１２８ｎｍの厚さを有する第２の共通の半導体層を、２Ａ／ｓの堆積速度および２８０℃の温度で堆積させた。この層上に、例えば共通の電子阻止層である、５ｎｍの厚さを有する第３の共通の半導体層を、１Ａ／ｓの堆積速度および２４４℃の温度で堆積させた。この層上に、例えば青色発光層であり、２０ｎｍの厚さを有する発光層を、ホスト化合物については１Ａ／ｓの堆積速度および１８３℃の温度で、発光体ドーパントについては０．０３Ａ／ｓの堆積速度および１９７℃の温度で、堆積させた。全蒸着処理の間、チャンバ圧力は３ｅ～７ｍｂａｒであった。しかし、前述のように、使用される蒸発温度は、蒸発が始まる蒸発温度および分解温度に依存する。有機材料の蒸発温度は材料に依存し、通常５０℃～５００℃である。得られた基板層デバイスを、有機層堆積後の試料の劣化を防ぐために、一体化された乾燥剤を有するガラス蓋を用いて窒素充填グローブボックス内に封入した。
【0308】
〔ＯＬＥＤの製造のための一般的手順〕
実施例１および実施例２および比較例１については、１２０ｎｍＡｇの第１の陽極副層、８ｎｍのＩＴＯの第２の陽極副層および１０ｎｍのＩＴＯの第３の陽極副層を含む陽極層を有するガラス基板を、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍのサイズに切断し、水で６０分間超音波洗浄し、次いでイソプロパノールで２０分間洗浄した。
実施例１および実施例２および比較例１については、１２０ｎｍＡｇの第１の陽極副層、８ｎｍのＩＴＯの第２の陽極副層および１０ｎｍのＩＴＯの第３の陽極副層を含む陽極層を有するガラス基板を、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍのサイズに切断し、水で６０分間超音波洗浄し、次いでイソプロパノールで２０分間洗浄した。
【0309】
次に、陽極層上に、実質的に共有結合性のマトリックス化合物および正孔注入材料を真空中で共蒸着して、正孔注入層（ＨＩＬ）を形成した。次いで、実質的に共有結合性のマトリックス化合物をＨＩＬ上に真空蒸着して、１２８ｎｍの厚さを有するＨＴＬを形成した。ＨＴＬ中の実質的に共有結合性のマトリックス化合物の式は、ＨＩＬ中で使用される実質的に共有結合性のマトリックス化合物と同一であった。
【0310】
次いで、ＨＴＬ上に真空蒸着し、厚さ５ｎｍの電子阻止層（ＥＢＬ）を形成した。
【0311】
次いで、ＥＭＬホストとしての９７体積％Ｈ０９（Ｓｕｎ Ｆｉｎｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ、韓国）および蛍光青色発光体ドーパントとしての３体積％ＢＤ２００（Ｓｕｎ Ｆｉｎｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ、韓国）をＥＢＬ上に堆積させて、２０ｎｍの厚さを有する青色発光第１発光層（ＥＭＬ）を形成した。
【0312】
次に、発光層ＥＭＬ上に２－（３’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－［１，１’－ビフェニル］－３－イル）－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジンを蒸着することによって、正孔阻止層を５ｎｍの厚さで形成した。
【0313】
次いで、５０重量％の４’－（４－（４－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル）ナフタレン－１－イル）－［１，１’－ビフェニル］－４－カルボニトリルおよび５０重量％のＬｉＱを堆積させることによって、３１ｎｍの厚さを有する電子輸送層を正孔阻止層上に形成した。
【0314】
次いで、１０－７ｍｂａｒで、０．０１～１Ａ／ｓの速度で、イッテルビウムを堆積させることによって、２ｎｍの厚さを有する電子注入層を電子輸送層上に形成した。
【0315】
次いで、Ａｇ：Ｍｇ（９０：１０体積％）を、１０－７ｍｂａｒで、０．０１～１Ａ／ｓの速度で蒸発させて、１００ｎｍの厚さを有する陰極層を形成した。
【0316】
ＯＬＥＤスタックは、ガラススライドでデバイスを封入することによって周囲条件から保護される。それによって、さらなる保護のためのゲッター材料を含むキャビティが形成される。
【0317】
従来技術と比較して本発明の実施例の性能を評価するために、電流効率を２０℃で測定する。電流－電圧特性は、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ２６３５ ｓｏｕｒｃｅ ｍｅａｓｕｒｅ ｕｎｉｔを使用して、動作電圧ＵをＶで供給し、被試験デバイスを流れるｍＡの電流を測定することによって決定される。デバイスに印加される電圧は、０Ｖ～１０Ｖの範囲で０．１Ｖの工程で変化する。同様に、輝度－電圧特性およびＣＩＥ座標は、それぞれの電圧値について、Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ Ｓｙｓｔｅｍｓ ＣＡＳ－１４０ＣＴアレイ分析計（Ｄｅｕｔｓｃｈｅ Ａｋｋｒｅｄｉｔｉｅｒｕｎｇｓｓｔｅｌｌｅ（ＤＡｋｋＳ）によって較正された）を使用して、ｃｄ／ｍ２で輝度を測定することによって決定される。
【0318】
デバイスの寿命ＬＴは、周囲条件（２０℃）および３０ｍＡ／ｃｍ２で、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ２４００ ｓｏｕｒｃｅ ｍｅｔｅｒを使用して測定し、時間単位で記録する。デバイスの輝度は、較正されたフォトダイオードを用いて測定する。寿命ＬＴは、デバイスの輝度がその初期値の９７％に低下するまでの時間として定義される。
【0319】
時間Ｕ（１００ｈ）－（１ｈ）にわたる電圧安定性を決定するために、３０ｍＡ／ｃｍ２の電流をデバイスに印加した。１時間後および５０時間後に動作電圧を測定し、その後、１時間～５０時間の期間の電圧安定性を計算した。
【0320】
表２は、表４において、より好ましいＨＴＬマトリックス材料およびいくつかが使用されるＨＴＬマトリックス材料を示す。
【0321】
【表2】
【0322】
表３は、より好ましいＥＢＬマトリックス材料、および表４においていくつかが使用されるＥＢＬマトリックス材料を示す。
【0323】
【表3】
【0324】
【表4】
【0325】
〔発明の技術的効果〕
表４から分かるように、デバイスは動作電圧が低く、同時に、シート抵抗が５０ギガオーム／スクエア以上であるので、有益な動作電圧を有する。さらに、動作電圧に加えて、ＥＱＥおよび／または寿命が改善される。
表４から分かるように、デバイスは動作電圧が低く、同時に、シート抵抗が５０ギガオーム／スクエア以上であるので、有益な動作電圧を有する。さらに、動作電圧に加えて、ＥＱＥおよび／または寿命が改善される。
【0326】
前述の詳細な実施形態における要素および特徴の特定の組み合わせは例示的なものに過ぎず、これらの教示を、この教示と、参照によって組み込まれる特許／出願とにおける他の教示と交換し、置き換えることも、明示的に企図される。当業者が認識するように、本明細書に記載される変形、修正、および他の実装形態は、特許請求される本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、一般的な当業者に想起され得る。したがって、前述の説明は単なる例であり、限定することを意図するものではない。特許請求の範囲において、用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は他の要素または工程を除外せず、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」は複数を除外しない。特定の手段が相互に異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、これらの手段の組み合わせが有利に使用され得ないことを示すものではない。本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲およびその均等物において定義される。さらに、説明および特許請求の範囲で使用される参照符号は、特許請求される本発明の範囲を限定しない。
【図面の簡単な説明】
【0327】
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【手続補正書】
【提出日】2023-12-19
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイであって、複数のＯＬＥＤ画素を含み、各々の画素自体が有機層のスタックを含み、前記有機層のスタックの各々の層は共通の半導体層を形成することができ、ここで－少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および第２のＯＬＥＤ画素は、以下を含む
－陽極層、
－共通の陰極層、
－以下を含む、少なくとも有機層のスタック
－複数の半導体層、前記複数の半導体層は少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、前記複数の半導体層は以下を含む
－共通の正孔注入層である少なくとも共通の第１の半導体層、ここで、前記共通の正孔注入層は正孔注入材料を含み、前記共通の正孔注入層は、前記ＯＬＥＤディスプレイ内の複数の画素のうちの全ての画素にわたって延在するか、または前記複数の画素のうちの少なくとも２つの画素にわたって延在する、
－少なくとも共通の第２の半導体層、
－任意に共通の発光層である、少なくとも１つの発光層、ここで、前記共通の正孔注入層および前記共通の第２の半導体層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有する、アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項2】
前記共通の第２の半導体層は、共通の正孔輸送層または共通の電子阻止層の群から選択される、請求項１に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項3】
前記共通の正孔注入層は、共通の正孔輸送層または共通の電子阻止層である前記共通の第２の半導体層と直接接触している、請求項１に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項4】
前記共通の第２の半導体層は、共通の正孔輸送層である、請求項１に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項5】
前記複数の共通の半導体層は、共通の第３の半導体層をさらに含み、前記共通の第１の半導体層、前記共通の第２の半導体層、および前記共通の第３の半導体層は共に、≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有する、請求項１に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項6】
前記共通の第３の半導体層は共通の電子阻止層であり、前記共通の第１の半導体層は共通の正孔注入層であり、前記共通の第２の半導体層は共通の正孔輸送層であり；かつ、共通の正孔注入層である前記共通の第１の半導体層と、共通の正孔輸送層である前記共通の第２の半導体層と、共通の電子阻止層である前記共通の第３の半導体層とは、共に≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有する、請求項５に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項7】
共通の正孔輸送層である前記共通の第２の半導体層と前記発光層との間に、共通の電子阻止層である前記共通の第３の半導体層が配置されている、請求項５に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項8】
各々の画素の前記発光層は色定義発光体ドーパントでドープされ、前記色定義発光体ドーパントの前記色は各々の画素に対して独立して選択されるか、または同じものが選択される、請求項１に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項9】
前記シート抵抗は伝送線路方法によって決定される、請求項１に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項10】
前記第１のＯＬＥＤ画素の前記陽極層および前記第２のＯＬＥＤ画素の前記陽極層は、画素精細層によって分離されており、その結果、前記第１のＯＬＥＤ画素の前記陽極層および前記第２のＯＬＥＤ画素の前記陽極層は、共通の層として形成されず、互いに接触しない、請求項１に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項11】
前記共通の正孔注入層は、少なくとも一部が前記陽極層に直接接触して配置され、前記共通の正孔輸送層は、前記共通の発光層と前記共通の正孔注入層との間に配置される、請求項２に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項12】
全ての個々の画素は、他の個々の画素の陽極に接触し得ないそれ自体の陽極を有し得る、請求項１に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項13】
前記共通の正孔注入層、前記共通の第２の半導体層、前記共通の第３の半導体層、および前記共通の発光層は、共に≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有する、請求項５に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項14】
複数のＯＬＥＤ画素を含み、各々の画素自体は有機層のスタックを含み、前記有機層のスタックの各々の層が共通の半導体層を形成することができるか、または複数の有機層が複数の半導体層を形成することができ、少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および少なくとも第２のＯＬＥＤ画素が各々の陽極層を含み、－前記第１のＯＬＥＤ画素および前記第２のＯＬＥＤ画素の前記陽極層は、画素精細層によって任意に分離され、前記少なくとも第１のＯＬＥＤ画素および前記少なくとも第２のＯＬＥＤ画素は、共通の陰極層と、複数の半導体層を含む少なくとも有機層のスタックとを含み、前記複数の半導体層は少なくとも２つ以上の共通の半導体層を含み、
－前記有機層のスタックの少なくとも２つの共通の半導体層または前記複数の半導体層は、前記共通の陰極層と前記陽極層との間に配置され、前記陽極層は共通の層ではなく、
－少なくとも２つの共通の半導体層または複数の共通の半導体層の群から選択される前記層は、共通の正孔注入層である少なくとも第１の共通の半導体層と、共通の正孔輸送層または電子阻止層から選択される少なくとも共通の第２の半導体層と、少なくとも発光層と、を含み、
－前記共通の正孔注入層は、少なくとも部分的に前記陽極層および前記少なくとも共通の第２の半導体層に直接接触して配置され、前記発光層と前記共通の正孔注入層との間に配置され；
前記共通の正孔注入層および前記少なくとも共通の第２の半導体層は、共に≧５０ギガオーム／スクエアのシート抵抗を有する、請求項１に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項15】
前記発光層は共通の発光層である、請求項１４に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項16】
前記少なくとも共通の第２の半導体層は共通の正孔輸送層である、請求項１４に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項17】
前記発光層は任意に共通の発光層である、請求項１４に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項18】
前記共通の正孔注入層および前記共通の正孔輸送層は共に、≧１００ギガオーム／スクエアから選択されるシート抵抗を有する、請求項２に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項19】
前記共通の正孔注入層は正孔注入材料を含み、前記共通の正孔注入層はｉ－正孔注入層および／または正孔注入材料ドープ層を含む群から選択される、請求項１に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項20】
正孔注入材料の濃度は、前記正孔注入材料でドープされた正孔注入層の重量に基づいて、≧０．１重量％および≦４０重量％である、請求項１９に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項21】
有機層の共通のスタックは共通の電子輸送層をさらに含む、請求項１に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項22】
前記共通の電子輸送層は、前記発光層と前記共通の陰極層との間に配置される、請求項２１に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項23】
前記有機層の共通のスタックは、共通の電子注入層、共通の正孔阻止層、および／または電子輸送層を含む群から選択される共通の有機層をさらに含む、請求項１に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項24】
前記共通の電子注入層は前記共通の陰極層と直接接触している、請求項２３に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項25】
共通の第１の半導体層または前記共通の正孔注入層の群から選択される前記層は、≧１ｎｍおよび≦１００ｎｍから選択される層の厚さを有する、請求項１に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項26】
共通の第２の半導体層または前記共通の正孔輸送層の群から選択される前記層は、≧５ｎｍおよび≦２５０ｎｍから選択される層の厚さを有する、請求項２に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項27】
共通の第２の半導体層または共通の正孔輸送層の群から選択される前記層は、＜－４．２７ｅＶ～≧－６．０ｅＶの範囲で、プログラムパッケージＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５に実装されるＧａｕｓｓｉａｎ６－３１Ｇ＊基底関数系と共に混成汎関数Ｂ３ＬＹＰを使用して計算された、真空エネルギー準位がゼロであることを参照して絶対スケールで表される、それらの最高占有分子軌道のエネルギーを有する化合物を含む、請求項２に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項28】
前記電子阻止層は、＜－４．７ｅＶから≧－６．０ｅＶまでの範囲で、プログラムパッケージＴＵＲＢＯＭＯＬＥ Ｖ６．５に実装されるＧａｕｓｓｉａｎ６－３１Ｇ＊基底関数系と共に混成汎関数Ｂ３ＬＹＰを使用して計算された、真空エネルギー準位がゼロであることを参照して絶対スケールで表される、それらの最高占有分子軌道のエネルギーを有する化合物を含む、請求項６に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項29】
前記電子阻止層は、≧１ｎｍおよび≦２０ｎｍの層の厚さを有する、請求項６に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項30】
少なくとも１つの陽極層は、第１の陽極副層および第２の陽極副層を含み、前記第１の陽極副層は、≧４ｅＶおよび≦６ｅＶの範囲の仕事関数を有する第１の金属を含み、前記第２の陽極副層は、透明導電性酸化物を含み；ならびに、前記第２の陽極副層は、前記共通の正孔注入層のより近くに配置される、請求項１に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項31】
前記アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイは、複数の有機発光ダイオード画素のうちの前記画素を別々に駆動するように構成された駆動回路を含む、請求項１に記載のアクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイ。
【請求項32】
少なくとも１つの共通の層の製造方法は、各々の共通の層が１つの処理工程において、１つの大きなマスク開口部を通って完全なディスプレイ領域上に堆積されることを含む、請求項１に記載の少なくとも１つの共通の層の製造方法。
【国際調査報告】