特表 2024-523915 突入電流制限回路

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-07-02

(54)【発明の名称】突入電流制限回路

(51)【国際特許分類】

   H02M 7/06 20060101AFI20240625BHJP

【ＦＩ】

H02M7/06 N

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023579001

(86)(22)【出願日】2021-06-22

(85)【翻訳文提出日】2024-01-19

(86)【国際出願番号】 EP2021066943

(87)【国際公開番号】W WO2022268294

(87)【国際公開日】2022-12-29

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】505056845

【氏名又は名称】アーベーベー・シュバイツ・アーゲー

【氏名又は名称原語表記】ＡＢＢ Ｓｃｈｗｅｉｚ ＡＧ

【住所又は居所原語表記】Ｂｒｕｇｇｅｒｓｔｒａｓｓｅ ６６， ５４００ Ｂａｄｅｎ， Ｓｗｉｔｚｅｒｌａｎｄ

(74)【代理人】

【識別番号】110003708

【氏名又は名称】弁理士法人鈴榮特許綜合事務所

(72)【発明者】

【氏名】バンク、フロリアン

(72)【発明者】

【氏名】フュグリスター、マルクス

【テーマコード（参考）】

5H006

【Ｆターム（参考）】

5H006CA07

5H006CB01

5H006CC08

5H006DC05

(57)【要約】

本発明は、整流器（１００）のための突入電流リミッタ回路（１０２、１０４、１０５）に関し、ここで、突入電流リミッタ回路は、整流器（１００）の整流部（１０１）とフィルタ容量（１０９）との間に電流の流れを提供し、電力段（１０５）を備え、ここで、電力段（１０５）は、電力段抵抗器（１０８）と、電力段抵抗器（１０８）に並列な電力段トランジスタ（１０７）とを備え、ここで、電力段抵抗器（１０８）は、電力段トランジスタ（１０７）の状態に応じて電流の量を伝導するように構成され、ここで、電力段トランジスタ（１０７）は、電力段トランジスタ（１０７）のゲート容量の充電に応じて電流の量を伝導するように構成される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

整流器（１００）のための突入電流リミッタ回路（１０２、１０４、１０５）であって、
ここで、前記突入電流リミッタ回路は、前記整流器（１００）の整流部（１０１）とフィルタ容量（１０９）との間に電流の流れを提供し、
電力段（１０５）を備え、ここで、
前記電力段（１０５）は、電力段抵抗器（１０８）と、前記電力段抵抗器（１０８）に並列な電力段トランジスタ（１０７）とを備え、
ここで、前記電力段抵抗器（１０８）は、前記電力段トランジスタ（１０７）の状態に応じて、前記電流の量を伝導するように構成され、
ここで、前記電力段トランジスタ（１０７）は、前記電力段トランジスタ（１０７）のゲート容量の充電に応じて前記電流の量を伝導するように構成される、突入電流リミッタ回路（１０２、１０４、１０５）。

【請求項2】

定電流源（１０２）をさらに備え、ここで、前記定電流源（１０２）は、前記電力段トランジスタ（１０７）の前記ゲート容量を充電するように構成される、請求項１に記載の突入電流リミッタ回路（１０２、１０４、１０５）。

【請求項3】

定電流源（１０２）は、設定された時定数に従って前記ゲート容量電力段トランジスタ（１０７）を充電するように構成される、請求項１に記載の突入電流リミッタ回路（１０２、１０４、１０５）。

【請求項4】

再トリガ回路（１０４）をさらに備え、ここで、前記再トリガ回路（１０４）は、ＤＣバス電圧ジャンプを検出し、ＤＣバス電圧ジャンプがあったことを検出した場合に前記トランジスタをオフにするように構成される、請求項１または２に記載の突入電流リミッタ回路（１０２、１０４、１０５）。

【請求項5】

前記再トリガ回路（１０４）は、比較器（１１０）を備え、前記比較器（１１０）は、ＤＣバス電圧に基づく遅延電圧を前記ＤＣバス電圧に基づく非遅延電圧と比較し、前記比較の結果、差電圧が閾値よりも高い場合に、ＤＣバス電圧ジャンプが発生したと決定するように構成される、請求項４に記載の突入電流リミッタ回路（１０２、１０４、１０５）。

【請求項6】

前記再トリガ回路（１０４）は、前記トランジスタ（１０７）をオフにする制御信号を生成する論理デバイスを備える、請求項４または５に記載の突入電流リミッタ回路（１０２、１０４、１０５）。

【請求項7】

前記再トリガ回路（１０４）は、ＤＣバス電圧ジャンプの検出のために構成されたシュミットトリガを備える、請求項１から６のいずれか一項に記載の突入電流リミッタ回路（１０２、１０４、１０５）。

【請求項8】

前記抵抗器（１０８）は、ＮＴＣ、ＰＴＣ、または温度非依存性電力抵抗器である、請求項１から７のいずれか一項に記載の突入電流リミッタ回路（１０２、１０４、１０５）。

【請求項9】

前記電力段（１０５）の前記トランジスタ（１０７）は、ＭＯＳＦＥＴトランジスタである、請求項１から８のいずれか一項に記載の突入電流リミッタ回路（１０２、１０４、１０５）。

【請求項10】

請求項１から９のいずれか一項に記載の電力段（１０５）を有する突入電流リミッタ回路（１０２、１０４、１０５）を備える、整流器（１００）。

【請求項11】

前記突入電流リミッタ回路（１０２、１０４、１０５）の前記電力段（１０５）は、前記整流器（１００）の負または正のＤＣ経路に配置される、請求項１０に記載の整流器（１００）。

【請求項12】

前記整流器は、前記整流器（１００）の正のＤＣバス電圧を介して定電流源（１０２）を供給するように構成される、請求項１０または１１に記載の整流器（１００）。

【請求項13】

前記整流器（１００）は、コンデンサフィルタ付きブリッジ整流器である、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の整流器（１００）。

【請求項14】

整流器の整流部（１０１）とフィルタ容量（１０９）との間を流れる前記整流器の突入電流を制限するための方法（３００）であって、突入電流リミッタ回路は、電力段抵抗器（１０８）と、前記抵抗器（１０８）に並列な電力段トランジスタ（１０７）とを有する電力段（１０５）を備え、ここで、前記方法は、
前記電力段トランジスタ（１０７）の状態に応じて、前記電力段抵抗器（１０８）によって、前記電流の量を伝導すること（３０２）と、
前記電力段トランジスタ（１０７）のゲート容量の充電に応じて、前記電力段トランジスタによって、前記電流の量を伝導すること（３０４）とを備える、方法（３００）。

【請求項15】

貯蔵されるエネルギーの量は、貯蔵装置にかかる電圧の関数である、整流器（１００）またはエネルギー貯蔵装置における請求項１から９のいずれか一項に記載の突入電流リミッタ回路（１０２、１０４、１０５）の使用。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、整流器の整流部とフィルタ容量との間に流れる整流器の突入電流を制限するための整流器用突入電流リミッタ回路、整流器、方法、および突入電流制限回路の使用に関する。

【背景技術】

【0002】

整流器は、例えば、整流器がオンに切り替えられたとき、または短い停止時に発生するかもしれない電圧ステップにさらされるかもしれない。容量性フィルタ回路の入力における電圧ステップの場合、電解コンデンサのＥＳＲ（等価直列抵抗）は、コンデンサ値および供給元とともに、数オームから数十ミリオームの範囲で大きく変動するため、放電されたＤＣバスコンデンサは、入力にわたって低インピーダンスを呈する。ＤＣバッテリのような低インピーダンス電圧源からの大きな入力電圧ステップは、高い電流スパイクを引き起こし、コンデンサの不必要なエージングから始まって、入力ヒューズのトリップまたは構成要素の永久的な損傷までの一連の問題を招く。

【発明の概要】

【0003】

本発明の目的は、効果的な突入電流制限回路を有する改善された整流器を提供することであってもよい。

【0004】

問題は、独立請求項の主題によって解決される。実施形態は、従属請求項、以下の説明、および添付の図面によって提供される。

【0005】

記載された実施形態は、同様に、整流器のための突入電流リミッタ回路、整流器、整流器の整流部とフィルタ容量との間を流れる整流器の突入電流を制限するための方法、および突入電流リミッタ回路の使用に関する。相乗効果は、詳細について記載しないが、実施形態の異なる組み合わせから生じてもよい。

【0006】

さらに、方法に関する本発明の全ての実施形態は、説明したステップの順序で実施されてもよいが、これは、方法のステップの唯一の必須の順序である必要はないことに留意されたい。本明細書で提示した方法は、以下で反対のことが明示的に述べられない限り、それぞれの方法の実施形態から逸脱することなく、開示したステップの別の順序で実行することができる。

【0007】

技術用語は、それらの常識によって使用される。特定の意味が特定の用語に伝えられる場合、用語の定義は、その用語が使用される文脈において以下に与えられる。

【0008】

第１の態様によれば、整流器のための突入電流リミッタ回路が提供され、突入電流リミッタ回路は、整流器の整流部とフィルタ容量との間に電流の流れを提供する。突入電流リミッタ回路は、電力段を備え、電力段は、電力段抵抗器（１０８）と、電力段抵抗器に並列な電力段トランジスタとを備える。電力段抵抗器は、電力段トランジスタの状態に応じて、電流の量を伝導するように構成される。電力段トランジスタは、電力段トランジスタのゲート容量の充電に応じて、電流の量を伝導するように構成される。

【0009】

「突入電流」という用語は、整流器がオンに切り替えられたときに発生し、無負荷のＤＣフィルタコンデンサ（または一般に容量性負荷）を充電する電流を示す。同じ効果が、ＤＣラインの電圧ジャンプで生じる。電圧ジャンプは、例えば、１５Ｖであってもよい。

【0010】

電力段は、整流段とフィルタコンデンサとの間の電流の流れに最終的に関与する構成要素を備えるので、突入電流リミッタ回路の主要ブロックである。構成要素は、抵抗器と、ＭＯＳＦＥＴまたは他のパワートランジスタなどのトランジスタである。抵抗器は、電流を２つ以上の単一抵抗器に分配するために並列に接続された複数のトランジスタの配列であってもよい。抵抗器は直列に接続されているので、トランジスタがオフに切り換えられた場合には、抵抗器の特性に従って制限された全突入電流を伝導する。トランジスタがスイッチオフ状態とスイッチオン状態との間の状態にある場合、抵抗器は突入電流の一部を伝導し、トランジスタがスイッチオンされる場合、抵抗器は電流を伝導しないか、またはほとんど伝導しない。すなわち、抵抗器とトランジスタを流れる電流量は、トランジスタのゲート容量の充電に依存する。もちろん、抵抗器およびトランジスタの電圧および特性などのさらなる依存性が存在してもよい。

【0011】

この回路は、電流が抵抗器またはトランジスタのいずれかを通って流れ、短い遷移時間で両方を通って流れるように、トランジスタを切り替えることを可能にする。このようにして、突入電流は抵抗器によって制限され、電流制限は除去され、それによって抵抗器は解放される。

【0012】

一実施形態によれば、突入電流リミッタ回路は、定電流源を更に備える。定電流源は、電力段トランジスタのゲート容量を充電するように構成される。

【0013】

電力段トランジスタのゲート容量の充電は、定電流源によって行われる。充電は、第１のフェーズでは、トランジスタがオフに切り替えられて突入電流を制限し、第２のフェーズでは、トランジスタが短い過渡状態にあり、完全には伝導せず、第３の状態では、トランジスタがオンに切り替えられて電流制限を除去することができ、それによって抵抗器が解放されるように、ある程度の時間を要することがある。短い遷移フェーズのために、抵抗器からトランジスタへの突入電流の比較的滑らかな再分配が達成される。従って、抵抗器はその電流制限範囲を満たし、公称動作中にトランジスタによって解放される。

【0014】

一実施形態によれば、定電流源は、設定された時定数に従ってゲート容量電力段トランジスタを充電するように構成される。

【0015】

定電流源は、電力段トランジスタのゲートに供給される電流の量に影響を及ぼす抵抗器および／または他のデバイスに配線されたＭＯＳＦＥＴなどのトランジスタを備えてもよい。時定数は、これらのデバイスの値を調整することによって変更されてもよい。

【0016】

一実施形態によれば、突入電流リミッタ回路は、再トリガ回路を更に備える。再トリガ回路は、ＤＣバス電圧ジャンプを検出し、ＤＣバス電圧ジャンプがあったことを検出した場合にトランジスタをオフにするように構成される。

【0017】

これは、電力段トランジスタのゲート電圧をその閾値電圧より下にプルダウンすることによって達成されてもよい。このとき、ゲートコンデンサは放電されるので、ゲートコンデンサは定電流源によって再び充電されなければならない。整流器をオンに切り替えるときの上述の場合と同様に、抵抗器は突入電流を伝導し、それによってトランジスタが伝導性になるまで電流を制限する。

【0018】

一実施形態によれば、再トリガ回路は、ＤＣバス電圧に基づく遅延電圧をＤＣバス電圧に基づく非遅延電圧と比較し、比較の結果、差電圧が閾値よりも高い場合にＤＣバス電圧ジャンプが発生したと決定するように構成された比較器を備える。

【0019】

一実施形態によれば、再トリガ回路は、ＤＣバス電圧ジャンプを検出するように構成されたシュミットトリガを備える。

【0020】

比較器は、例えば、シュミットトリガであってもよい。遅延は、コンデンサによってもたらされてもよい。例えば、比較器の第１および第２の入力電圧は、ジャンプが発生しないときには同じである。しかしながら、ジャンプの場合、第１の入力電圧は、直ちに新しい値に変化し、第２の入力は、最初に、ジャンプ前とほぼ同じレベルに留まり、次いで、入力値が再び等しくなるように、新しい値に収束する。ジャンプ直後の時点から始まる電圧差が比較器の閾値よりも高い限り、トランジスタのゲートを引き下げる信号が生成される。

【0021】

一実施形態によれば、再トリガ回路は、トランジスタをオフにする制御信号を生成する論理デバイスを備える。

【0022】

上述のようなコンデンサを使用するなどのアナログソリューションの代わりに、またはそれによってサポートされるデジタルソリューションが、例えば、ＤＳＰ、ＣＰＬＤ、ＦＰＧＡ、または他の論理構成要素などの論理デバイスを使用して適用されてもよい。一般に、任意の論理デバイスまたは論理デバイスの配置が使用されてもよい。

【0023】

一実施形態によれば、抵抗器、すなわちトランジスタに並列な突入電流制限抵抗器は、ＮＴＣ、ＰＴＣ、または温度非依存性電力抵抗器である。

【0024】

例えばＮＴＣを使用するときの効果は、整流器をオンに切り替えるときにＮＴＣが冷たいために抵抗が高く、公称動作に移行するときまたは公称動作中にＮＴＣが熱くなるにつれて抵抗が低くなることである。したがって、突入電流は、最初は厳しく制限され、制限は時間とともに減少する。したがって、制限は効果的な方法で実行される。しかし、例えば、ＰＴＣまたは温度に依存しない電力抵抗器を使用することもできる。

【0025】

一実施形態によれば、トランジスタはＭＯＳＦＥＴトランジスタである。

【0026】

理想的には、４...７Ｖの閾値電圧Ｕ＿ＧＳ（ゲート－ソース）および例えば１０ＶのＵ＿ＧＳの飽和を有する構成要素が使用されてもよい。ＭＯＳＦＥＴは、ＳｉＣまたはＳｉＭＯＳＦＥＴであってもよい。

【0027】

さらなる態様によれば、電力段を有する、本明細書に記載される突入電流リミッタ回路を備える整流器が提供される。

【0028】

一実施形態によれば、突入電流リミッタ回路の電力段は、整流器の負のＤＣ経路または正のＤＣ経路に配置される。

【0029】

正の経路と負の経路との間の選択は、市場での適切なＭＯＳＦＥＴタイプの利用可能性、または他の設計態様に基づいてもよい。好ましくは、電力段は、負の経路に配置される。

【0030】

電力段が負の経路に配置されるとき、電圧ジャンプの検出および上述の回路の供給は、正のＤＣバス電圧によって得られてもよく、またはそこから導出される電圧によって得られてもよい。

【0031】

一実施形態によれば、整流器は、整流器の正のＤＣバス電圧を介して定電流源を供給するように構成される。

【0032】

このため、定電流源回路のＭＯＳＦＥＴのドレインは、ソースが抵抗器を介して正の直流電圧に接続され、ドレインが電力段ＭＯＳＦＥＴのゲートに接続されたＰチャネルＭＯＳＦＥＴであってもよい。

【0033】

さらなる態様によれば、整流器は、コンデンサフィルタ付きブリッジ整流器である。

【0034】

さらなる態様によれば、整流器の整流部とフィルタ容量との間を流れる整流器の突入電流を制限するための方法が提供され、突入電流リミッタ回路は、電力段抵抗器と、抵抗器に並列な電力段トランジスタとを有する電力段を備える。方法は、電力段トランジスタの状態に応じて、電力段抵抗器によって、電流の量を伝導させるステップと、電力段トランジスタのゲート容量の充電に応じて、電力段トランジスタによって、電流の量を伝導させるステップとを含む。

【0035】

方法は、整流器をオンに切り替えた後、トランジスタがオフになり、電力段の抵抗器が突入電流を伝導することをさらに備えてもよい。ゲート容量を充電した後、電力段のトランジスタは電流を伝導するためにスイッチオンされる。

【0036】

方法は、電圧ジャンプの場合にゲート容量を放電することをさらに備え、本開示に記載されるようなさらなるステップを備えてもよい。

【0037】

さらなる態様によれば、整流器における、本明細書に記載される突入電流リミッタ回路の使用が提供される。突入電流リミッタ回路は、貯蔵されたエネルギーの量が貯蔵装置にかかる電圧の関数である任意のエネルギー貯蔵装置においてさらに使用されてもよい。突入電流マネージャは、両方の入力電圧のいずれかの急速な増加を監視する。

【0038】

本発明の上記の特徴および他の特徴、態様および利点は、添付の図面および以下の説明を参照することによってよりよく理解されるであろう。同一または同等の要素には原則として同じ参照符号が付されている。

【図面の簡単な説明】

【0039】

【図1】図１は、一実施形態による突入電流リミッタ回路を備える整流器の図を示す。

【図2】図２は、突入電流リミッタ回路のシミュレーションのプロットを示す。

【図3】図３は、一実施形態によるフロー図を示す。

【発明を実施するための形態】

【0040】

図１は、一実施形態による突入電流リミッタ回路１０２、１０４、１０５を備える整流器１００の簡略化された概略図を示す。整流器は、ダイオードブリッジ１１１を有する整流段１０１と、トランジスタ１０６を有する電流リミッタ回路ブロック１０２、１０４、１０５のうちの１つとしての定電流源１０２と、フィルタリングコンデンサ１０９を有するＤＣ出力段１０３と、電力段と呼ばれる突入電流ブロック１０５と、本開示では再トリガ回路１０４と呼ばれるさらなる突入電流ブロック１０４とを備える。図１の整流段１０１は、２つのブリッジ配列１１２、１１３を示す。第１のブリッジ配列１１２はＡＣメインに接続され、第２のブリッジ構成１１３はＡＣメイン（ＵＭａｉｎ）またはＡＣ補助（ＵＡｕｘ）に接続されてもよい。出力段１０３のコンデンサ１０９は、整流段１０１の出力電圧をフィルタリングする。ＵＤＣは正のＤＣバスを示し、ＧＮＤＺは電気的接地を示す。

【0041】

整流器をオンに切り替えるとき、コンデンサ１０９は負荷をかけられ、高い突入電流をもたらす。同じことが、任意の正の電圧ジャンプにも当てはまる。突入電流を制限するために、突入電流ブロック１０５が挿入され、これは、図１の例では、並列ＮＴＣ抵抗器１０８のバンクとトランジスタ１０７とを備える。整流器をオンに切り替えるとき、トランジスタ１０７はまだ伝導しておらず、ＮＴＣ抵抗器１０８は高い抵抗を有し、したがって突入電流を制限する。一方、トランジスタ１０７のゲート電圧は、トランジスタ１０６を用いて制御される定電流源１０２によって供給される電流によってゆっくりと増加し、その結果、トランジスタ１０７が完全にオンに切り換えられるまでトランジスタ１０７を通る電流が増加する。したがって、抵抗器１０８は、トランジスタ１０７がオフにされるときに完全な電流を伝導し、トランジスタが部分的に伝導しているときに電流の一部を伝導し、トランジスタ１０７がオンにされる場合に電流をほとんど伝導せず、したがって、突入期間後のほぼ完全な公称電流がトランジスタ１０７によって伝導される。適切な時定数の設定は、パワーＭＯＳＦＥＴと並列の抵抗器との間の突入電流の平衡を可能にする。

【0042】

すなわち、整流器１００がオンに切り替えられるシナリオでは、高い突入電流は、最初に、コールドＮＴＣ抵抗器の高い抵抗によって制限される。同時に、定電流源１０２は、トランジスタ１０７のゲートにゆっくりと負荷をかけ、その結果、定電流源１０２は、電流を伝導しないことと完全に伝導することとの間のトランジスタの遷移フェーズを可能にする。このようにして、ＮＴＣ抵抗器１０８は、温度が上昇して抵抗が減少し、したがって熱くなりすぎるとき、高電流を伝導することから解放される。他方では、トランジスタ１０７が電圧ジャンプ後の第１のフェーズにおいて高い突入電流を伝導することが回避される。

【0043】

動作中、例えば、グリッド側での短い停止のために、さらなる電圧ジャンプが発生することがある。この場合、再トリガ回路１０４は、トランジスタ１０７をリセットするために使用される。トリガ回路１０４は、図１に示されるＵＧＳラインにおいて電力段１０５に接続される。再トリガ回路１０４は、分圧器の電圧と、図１の例では、正の電圧ジャンプが検出されるように抵抗器およびコンデンサによって決定される電圧とを比較する比較器１１０を備える。電圧ジャンプを検出するとき、再トリガ回路１０２は、トランジスタ１０７がオフに切り替えられるように、ゲート電圧をトランジスタ閾値電圧未満に低下させる。その後、定電流源１０２によってトランジスタ１０７のゲートをゆっくりと充電することによって、手順が再び開始される。

【0044】

図２は、図１に示す回路に適用されるいくつかのシナリオを有するシミュレーションの特性波形を示す。

【0045】

プロット２０２は、いくつかの電圧ステップを有する入力電圧を描く：
１）ｔ＝０．１秒、２１１：０Ｖから１００Ｖｄｃへジャンプ、
２）ｔ＝１．０秒、２１２：１００Ｖｄｃから２３０Ｖａｃへのジャンプ、
３）ｔ＝２．０秒、２１３：入力電圧の１秒中断、
４）ｔ＝３．０秒、２１４：０Ｖから２３０Ｖａｃへのジャンプ、
５）ｔ＝３．８５秒、２１５：入力電圧の１００ｍｓ中断。

【0046】

プロット２０４は、対応するＤＣ出力電圧を示し、プロット２０６は、入力電流、すなわち、電圧ジャンプにおける突入電流を含み、プロット２０８は、図１に示される電流制限電力ＭＯＳＦＥＴ１０７のゲート電圧を示す。

【0047】

スタートアップ２１１において、トランジスタ１０７のゲート電圧２０８は、定電流源１０２のＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０６によって調整される、一定の、電圧に依存しない電流によってゆっくりと増加される。後続の電圧ジャンプは、現在の最新技術のトポロジによって制限されない。プロット２０２に示されるように、入力電圧は２１２で増加し、トランジスタ１０７のゲート電圧２０８の低下を引き起こす。この電圧の降下は、ゲート電圧をトランジスタしきい値電圧よりも低くする比較器１１０によってもたらされる。これは、入力ラインのいずれか（ＵＭＡＩＮまたはＵＡＵＸ）が１５Ｖよりも大きい正のデルタを有する（すべてフィルタリングされた）場合、突入電流リミッタがオンになり（またはゲート－ソース電圧Ｕ＿ＧＳがゲート－ソース閾値電圧Ｕ＿ＧＳ＿thresholdと同じくらい低く放電されることになり）、電流が次の瞬間にＮＴＣを通って流れるだけであることを意味する。これにより、電流制限処理が再開される。２１３において、ＤＣ電圧はゼロであり、ゲート電圧はほぼゼロまで降下し、２１４におけるＡＣ電圧は、スタートアップフェーズ２１１に対して示されたものと同様のゲート電圧の上昇をもたらす。

【0048】

図３は、整流器の整流部１０１とフィルタ容量１０９との間を流れる整流器の突入電流を制限するための方法３００のフロー図を示し、突入電流リミッタ回路は、電力段抵抗器１０８と、抵抗器１０８に並列な電力段トランジスタ１０７とを有する電力段１０５を備える。方法は、以下のステップを備える：
電力段トランジスタ１０７の状態に応じて、電力段抵抗器１０８によって、電流の量を伝導すること３０２。

【0049】

電力段トランジスタ１０７のゲート容量の充電に応じて、電力段トランジスタによって、電流の量を伝導すること３０４。

【0050】

開示した実施形態に対する他の変形形態は、図面、開示、および添付の特許請求の範囲の検討から、特許請求の範囲に記載された発明を実施する際に当業者が理解および達成することができる。特許請求の範囲では、「備える（comprising）」という単語は、他の要素またはステップを除外せず、不定冠詞「a」または「an」は、複数を除外しない。単一のプロセッサまたは他のユニットが、特許請求の範囲に記載されたいくつかの項目またはステップの機能を果たすことができる。ある特定の手段が相互に異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、これらの手段の組合せが有利に使用されることができないことを示すものではない。特許請求の範囲におけるいかなる参照符号も、特許請求の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。

【0051】

参照符号のリスト
１００ 整流器
１０１ 整流器の整流部
１０２ 定電流源
１０３ ＤＣ出力段
１０４ 再トリガ回路
１０５ 電力段
１０６ 再トリガ回路のトランジスタ
１０７ 電力段トランジスタ
１０８ 電力段抵抗器
１０９ フィルタ容量
１１０ 比較器／シュミットトリガ
１１１ ダイオードブリッジ
１１２ 整流部の第１のブリッジ配列
１１３ 整流部の第２のブリッジ配列
２０２ 入力電圧のプロット
２０４ ＤＣ出力電圧のプロット
２０６ 入力電流のプロット
２０８ トランジスタ１０７のゲート電圧
２１１ シミュレートされた第１のフェーズ；初期フェーズ／整流器のオンへの切り替え
２１２ シミュレートされた第２のフェーズ；１００Ｖｄｃから２３０Ｖａｃへの電圧ジャンプ
２１３ シミュレートされた第３のフェーズ；入力電圧の遮断
２１４ シミュレートされた第４のフェーズ；０Ｖから２３０Ｖａｃへのジャンプ
２１５ シミュレートされた第５のフェーズ；入力電圧の遮断
３００ 方法
３０２ 方法の第１のステップ
３０４ 方法の第２のステップ

【図1】

【図2】

【図3】

【国際調査報告】