特表 2024-523983 半導体デバイスのための３次元印刷相互接続及び共振器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-07-05

(54)【発明の名称】半導体デバイスのための３次元印刷相互接続及び共振器

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20240628BHJP

   H01L 21/3205 20060101ALI20240628BHJP

   H05K 1/03 20060101ALN20240628BHJP

【ＦＩ】

H01L21/60 311S

H01L21/88 T

H01L21/88 B

H05K1/03 610B

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023571561

(86)(22)【出願日】2022-06-28

(85)【翻訳文提出日】2024-01-12

(86)【国際出願番号】 US2022035195

(87)【国際公開番号】W WO2023278362

(87)【国際公開日】2023-01-05

(31)【優先権主張番号】17/364,930

(32)【優先日】2021-07-01

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】516132747

【氏名又は名称】メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100145403

【弁理士】

【氏名又は名称】山尾 憲人

(74)【代理人】

【識別番号】100184343

【弁理士】

【氏名又は名称】川崎 茂雄

(74)【代理人】

【識別番号】100197561

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 三喜男

(72)【発明者】

【氏名】ロング，ラスナイト

(72)【発明者】

【氏名】ストラブル，ウェイン

(72)【発明者】

【氏名】カールソン，ダグラス

【テーマコード（参考）】

5F033

5F044

【Ｆターム（参考）】

5F033GG02

5F033GG03

5F033HH07

5F033HH08

5F033HH11

5F033HH13

5F033HH14

5F033HH15

5F033HH18

5F033HH21

5F033PP26

5F033RR03

5F033RR04

5F033RR05

5F033RR21

5F033TT04

5F033UU03

5F033VV07

5F044LL13

5F044QQ01

5F044QQ03

5F044QQ04

(57)【要約】

フリップチップ相互接続を形成することに関する技術が提供される。例えば、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態は、３次元印刷技術に適合する導電性インク材料を含む３次元印刷フリップチップ相互接続を有することができる。３次元印刷フリップチップ相互接続は、半導体チップの金属表面上に位置することができる。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

３次元印刷技術に適合する導電性インク材料を含む３次元印刷フリップチップ相互接続であって、半導体チップの金属表面上に位置する３次元印刷フリップチップ相互接続を有する、
半導体デバイス。

【請求項2】

前記３次元印刷技術は、直接書き込み印刷技術、インクジェット印刷技術、又はエアロゾルジェット印刷技術である、
請求項１に記載の半導体デバイス。

【請求項3】

前記導電性インク材料は、金、アルミニウム、銅、タンタル、コバルト、ルテニウム、チタン、スズ、銀、はんだ、又はそれらの合金からなる群から選択される少なくとも１つの要素を有する、
請求項１に記載の半導体デバイス。

【請求項4】

前記３次元印刷フリップチップ相互接続は、円筒形状を有する、
請求項３に記載の半導体デバイス。

【請求項5】

前記金属表面は、金、アルミニウム、銅、タングステン、タンタル、銀、及びパラジウムからなる群から選択される少なくとも１つの金属を有するチップパッドである、
請求項１に記載の半導体デバイス。

【請求項6】

前記３次元印刷フリップチップ相互接続は、前記３次元印刷技術にも適合する第２導電性インク材料をさらに含む、
請求項１に記載の半導体デバイス。

【請求項7】

前記３次元印刷フリップチップ相互接続の遠位端は、多角形状表面を有する、
請求項１に記載の半導体デバイス。

【請求項8】

半導体を製造する方法であって、
半導体デバイスのチップパッド上に導電性インク材料を堆積することによってフリップチップ相互接続を形成することを有し、
前記堆積することは、３次元印刷技術によって実行される、
方法。

【請求項9】

半導体基板上に金属を堆積することによって前記チップパッドを形成することをさらに有し、
前記金属は、金、アルミニウム、銅、タングステン、タンタル、銀、及びパラジウムからなる群からの少なくとも１つの要素を有する、
請求項８に記載の方法。

【請求項10】

半導体チップ上の前記チップパッドの位置を規定する印刷マップを生成することをさらに有し、
前記導電性インク材料は、前記印刷マップに基づいて前記３次元印刷技術によって堆積される、
請求項９に記載の方法。

【請求項11】

前記導電性インク材料は、金、アルミニウム、銅、タンタル、コバルト、ルテニウム、チタン、スズ、銀、又はそれらの合金からなる群から選択される少なくとも１つの要素を有する、
請求項８に記載の方法。

【請求項12】

前記３次元印刷技術は、直接書き込み印刷技術、インクジェット印刷技術、又はエアロゾルジェット印刷技術である、
請求項８に記載の方法。

【請求項13】

半導体を処理する方法であって、
半導体デバイスの共振器の表面にインク材料を堆積することによって半導体デバイスの共振器を調整することを有し、
前記堆積することは、３次元印刷技術によって実行される、
方法。

【請求項14】

圧電層に隣接する電極を有する共振器を提供することをさらに有し、
前記インク材料は、前記電極及び前記圧電層の少なくとも１つの上に堆積される、
請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

半導体チップ上の共振器の位置を規定する印刷マップを生成することをさらに有し、
前記インク材料は、前記印刷マップに基づいて前記３次元印刷技術によって堆積される、
請求項１３に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【背景技術】

【0001】

（背景）
本開示は、半導体デバイスの３次元（「３Ｄ」）印刷された特徴に関し、より具体的には、半導体デバイスのフリップチップアセンブリのための相互接続及び／又は調整共振器（tune resonator）を形成することができる３次元印刷（3D printing）技術に関する。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0002】

（概要）
以下に、本発明の１つ又は複数の実施形態の基本的な理解を提供するための概要を提示する。本概要は、主要あるいは重要な要素を特定すること、又は特定の実施形態の範囲あるいは特許請求の範囲を規定することを意図していない。唯一の目的は、後に提示されるより詳細な説明の前置きとして簡略化した形で概念を提示することである。本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態において、半導体デバイスの１つ又は複数の特徴を達成及び／又は変更するために３次元印刷を用いることができるシステム、方法、装置及び／又はデバイスが記載される。

【0003】

一実施形態によれば、１つのデバイスが提供される。前記デバイスは、３次元印刷技術に適合する（compatible）導電性インク材料を含むことができる３次元印刷フリップチップ相互接続（flip chip interconnect）を有することができる。３次元印刷フリップチップ相互接続は、半導体チップの金属表面上に位置することができる。

【0004】

一実施形態によれば、１つの方法が提供される。前記方法は、半導体デバイスのチップパッド上に導電性インク材料を堆積することによってフリップチップ相互接続を形成することを有することができる。前記堆積することは、３次元印刷技術によって実行することができる。

【0005】

一実施形態によれば、１つの方法が提供される。前記方法は、半導体デバイスの共振器の表面にインク材料を堆積することによって半導体デバイスの共振器を調整することを有することができる。前記堆積することは、３次元印刷技術によって実行することができる。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1A】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従ったフリップチップアセンブリに用いることができる３次元印刷相互接続の例示的且つ非限定的な断面図を示す。

【図1B】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った１つ又は複数の３次元印刷相互接続を含むことができるフリップチップアセンブリの例示的且つ非限定的な断面図を示す。

【図2】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従ったフリップチップアセンブリに用いることができる、１つ又は複数の３次元印刷相互接続によって具体化することができる例示的な幾何学の例示的且つ非限定的な上から見た図を示す。

【図3】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った製造の第１段階中の３次元印刷相互接続の例示的且つ非限定的な断面図を示す。

【図4A】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った製造の第２段階中の例示的且つ非限定的な３次元印刷相互接続の図を示す。

【図4B】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った製造の第２段階中の例示的且つ非限定的な３次元印刷相互接続の図を示す。

【図4C】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った製造の第２段階中の例示的且つ非限定的な３次元印刷相互接続の図を示す。

【図4D】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った製造の第２段階中の例示的且つ非限定的な３次元印刷相互接続の図を示す。

【図5A】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った製造の第３段階中の例示的且つ非限定的な３次元印刷相互接続の図を示す。

【図5B】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った製造の第３段階中の例示的且つ非限定的な３次元印刷相互接続の図を示す。

【図5C】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った製造の第３段階中の例示的且つ非限定的な３次元印刷相互接続の図を示す。

【図6A】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従ったフリップチップアセンブリに用いることができる１つ又は複数の３次元印刷相互接続の例示的且つ非限定的な上から見た図を示す。

【図6B】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従ったフリップチップアセンブリに用いることができる１つ又は複数の３次元印刷相互接続の例示的且つ非限定的な上から見た図を示す。

【図7】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った１つ又は複数の構造の３次元印刷を容易にするために生成することができる例示的且つ非限定的な印刷マップの図を示す。

【図8】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った１つ又は複数の３次元印刷技術によって調整された半導体デバイスの共振器の例示的且つ非限定的な断面図を示す。

【図9】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った調整の第１段階中の半導体デバイスの共振器の例示的且つ非限定的な断面図を示す。

【図10A】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った調整の第２段階中の半導体デバイスの共振器の例示的且つ非限定的な断面図を示す。

【図10B】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った調整の第２段階中の半導体デバイスの共振器の例示的且つ非限定的な断面図を示す。

【図10C】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った調整の第２段階中の半導体デバイスの共振器の例示的且つ非限定的な断面図を示す。

【図10D】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った調整の第２段階中の半導体デバイスの共振器の例示的且つ非限定的な断面図を示す。

【図11A】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った調整の第３段階中の例示的且つ非限定的な３次元印刷相互接続の図を示す。

【図11B】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った調整の第３段階中の例示的且つ非限定的な３次元印刷相互接続の図を示す。

【図11C】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った調整の第３段階中の例示的且つ非限定的な３次元印刷相互接続の図を示す。

【図12】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従ったフリップチップアセンブリに用いることができる１つ又は複数の３次元印刷相互接続を製造することを容易にすることができる例示的且つ非限定的な方法のフロー図を示す。

【図13】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った１つ又は複数の３次元印刷技術によって半導体デバイスの１つ又は複数の共振器を調整することを容易にすることができる例示的且つ非限定的な方法のフロー図を示す。

【発明を実施するための形態】

【0007】

（詳細な説明）
以下の詳細な説明は、単なる例示であり、実施形態及び／又は実施形態の適用あるいは使用を限定することを意図していない。さらに、前述の「背景」又は「概要」部分、あるいは「詳細な説明」部分において提示された明示的又は黙示的な情報に拘束される意図はない。

【0008】

次に、１つ又は複数の実施形態は、図面を参照して説明されるが、参照される同様の数字は、全体を通じて同様の要素を言及するために使用される。以下の説明では、説明のために、１つ又は複数の実施形態のより詳細な理解を提供するために多数の具体的な詳細が記載される。しかしながら、様々な場合において、１つ又は複数の実施形態は、これらの特定の詳細がなくても実施可能であることは明らかである。さらに、同様の陰影、クロスハッチング、及び／又は着色を用いて図面に描かれた特徴は、共有された組成及び／又は材料を有することができる。

【0009】

フリップチップアセンブリは、１つ又は複数の半導体デバイス（例えば、集積回路チップ、集積受動デバイス、微小電気化学システム、及び／又は同様のもの）を外部回路（例えば、パッケージアセンブリ）と接続するために用いることができる。１つ又は複数の半導体デバイスは、１つ又は複数の第１チップ上に配置することができ、外部回路は、１つ又は複数の第２チップ上に配置することができる。第１チップは、１つ又は複数のチップパッドをさらに有することができ、それは、第２チップ上の１つ又は複数のチップパッドと位置調整することができる。導電性材料は、チップパッド上に堆積することができる。第１チップが第２チップ上に配置されるとき、導電性材料は、相互接続を確立するために第１及び第２チップの位置調整されたチップパッドに接触することができる。

【0010】

通常、導電性材料は、多層ピラー又はスタッドバンプとしてチップパッド上に堆積される。しかしながら、多層ピラーの形成は、フリップチップアセンブリの１つ又は複数の特徴を害する、損なう、及び／又は阻害する可能性のある完全なウエハ処理と多数の処理ステップを必要とする。さらに、スタッドバンプの寸法及び／又は幾何学の制御は、実質的に制限される可能性がある。例えば、スタッドバンプの上面は、堆積される材料の流れを乱すことから形成されたネック部を含み、ネック部の寸法及び／又は幾何学は、それぞれの実施によって変えることができる。

【0011】

本明細書に記載される様々な実施形態は、半導体デバイスの１つ又は複数のフリップチップ相互接続を形成する及び／又は１つ又は複数の共振器を調整するための３次元印刷技術の使用とみなすことができる。１つ又は複数の実施形態において、３次元印刷相互接続は、１つ又は複数のチップパッドに直接印刷することができる。さらに、相互接続を形成するために用いられる３次元印刷技術は、正確に規定されたサイズ及び／又は幾何学の形成を可能することができる。１つ又は複数の実施形態において、半導体デバイスの１つ又は複数の共振器は、１つ又は複数の３次元印刷技術によって調整することができる。例えば、材料は、１つ又は複数の共振器によって示される動作周波数を変更するために、１つ又は複数の共振器の表面に追加することができる。

【0012】

本明細書に記載されるように、用語「１つの堆積プロセス」及び／又は「複数の堆積プロセス」は、１つ又は複数の第１材料を１つ又は複数の第２材料上に成長する、被覆する、堆積する、及び／又は他の方法で移す任意のプロセスに言及することができる。例示的な堆積プロセスは、物理気相成長（「ＰＶＤ」）、化学気相成長（「ＣＶＤ」）、電気化学堆積（「ＥＣＤ」）、原子層堆積（「ＡＬＤ」）、低圧化学気相成長（「ＬＰＣＶＤ」）、プラズマ励起化学気相成長（「ＰＥＣＶＤ」）、高密度プラズマ化学気相成長（「ＨＤＰＣＶＤ」）、準大気圧化学気相成長（「ＳＡＣＶＤ」）、急速熱化学気相成長（「ＲＴＣＶＤ」）、ｉｎ－ｓｉｔｕラジカルアシスト堆積、高温酸化膜堆積（「ＨＴＯ」）、低温酸化膜堆積（「ＬＴＯ」）、限定反応処理化学気相成長（「ＬＲＰＣＶＤ」）、超高真空化学気相成長（「ＵＨＶＣＶＤ」）、有機金属化学気相成長（「ＭＯＣＶＤ」）、物理気相成長（「ＰＶＤ」）、化学酸化、スパッタリング、メッキ、蒸着、スピンオンコート、イオンビーム堆積、電子ビーム堆積、レーザーアシスト堆積、化学溶液堆積、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものを含むことができるが、それらに限定されない。

【0013】

本明細書に記載されるように、用語「１つのリソグラフィプロセス」及び／又は「複数のリソグラフィプロセス」は、半導体基板にパターンをその後に転写するための半導体基板上の３次元レリーフ画像又はパターンの形成に言及することができる。半導体リソグラフィでは、パターンは、フォトレジストと呼ばれる感光性ポリマーによって形成することができる。半導体デバイスを作り上げる複雑な構造、及び回路の様々な特徴を接続する多数の配線を構築するために、リソグラフィプロセス及び／又はエッチングパターン転写ステップは、複数回繰り返され得る。ウエハ上に印刷される各パターンは、以前に形成されたパターンに位置合わせされ、ゆっくりと主題の特徴（例えば、導体、絶縁体、及び／又は選択ドープ領域）は、最終デバイスを形成するために構築され得る。

【0014】

図１Ａは、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った１つ又は複数のフリップチップアセンブリ内に３次元印刷され得る及び／又は用いられ得る１つ又は複数の相互接続１０２を有するチップ構造１００の例示的且つ非限定的な断面図を示す。本明細書に記載される他の実施形態に用いられる同様の要素の繰り返しの説明は、簡潔にするために省略される。図１Ａに示すように、１つ又は複数の相互接続１０２は、チップ構造１００の１つ又は複数のチップパッド１０４上に位置付けることができる。さらに、１つ又は複数のチップパッド１０４は、１つ又は複数の半導体基板１０６上に位置付けることができる。さらに、１つ又は複数の相互接続１０２は、１つ又は複数の中間層１０８及び／又は保護層１１０などの１つ又は複数の層によって少なくとも部分的に囲まれ得る。

【0015】

半導体基板１０６は、結晶質、半結晶質、微結晶質、又は非晶質であってもよい。半導体基板１０６は、本質的に（例えば汚染物質を除く）単一元素（例えばシリコン又はゲルマニウム）及び／又は化合物（例えば酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、ガリウムヒ素、炭化ケイ素、シリコンゲルマニウム、それらの組み合わせ、及び／又は同様のもの）から構成することができる。半導体基板１０６は、絶縁体上半導体基板（「ＳｅＯＩ」）、絶縁体上シリコン基板（「ＳＯＩ」）、絶縁体上ゲルマニウム基板（「ＧｅＯＩ」）、絶縁体上シリコンゲルマニウム基板（「ＳＧＯＩ」）、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものなど、複数の材料層を有することもできるが、それらに限定されない。さらに、半導体基板１０６は、高誘電率を有する酸化物（「Ｈｉｇｈ－Ｋ酸化物」）及び／又は窒化物など、他の層を有することもできる。１つ又は複数の実施形態において、半導体基板１０６は、シリコンウエハであり得る。様々な実施形態において、半導体基板１０６は、単結晶シリコン（Ｓｉ）、シリコンゲルマニウム（例えば、化学式ＳｉＧｅによって特徴付けられる）、ＩＩＩ－Ｖ族半導体ウエハ又は表面／活性層、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものを有することができる。

【0016】

１つ又は複数のチップパッド１０４は、１つ又は複数の金属表面とすることができる。１つ又は複数のチップパッド１０４を構成し得る例示的な金属は、金、アルミニウム、銅、タングステン、タンタル、銀、パラジウム、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものを含むことができるが、これらに限定されない。１つ又は複数の実施形態において、１つ又は複数のチップパッド１０４は、円形又は多角形形状を有することができる。例えば、１つ又は複数のチップパッド１０４は、（例えば、図１Ａに示すように）矩形形状を有することができる。１つ又は複数のチップパッド１０４は、例えば、０.１マイクロメートル（μｍ）以上６μｍ以下の範囲の合計厚さ（例えば、図１Ａに示すＹ軸に沿って）を有することができる。１つ又は複数のチップパッド１０４は、例えば、３０μｍ以上３００μｍ以下の範囲の幅（例えば、図１に示すＸ軸に沿って）を有することができる。図１Ａに示すように、１つ又は複数のチップパッド１０４は、半導体基板１０６上に位置付けることができる。

【0017】

図１Ａに示すように、１つ又は複数の中間層１０８及び／又は保護層１１０は、半導体基板１０６上に位置付けることもできる。さらに、１つ又は複数の中間層１０８及び／又は保護層１１０は、１つ又は複数のチップパッド１０４の少なくとも一部上に位置付けることができる。様々な実施形態において、１つ又は複数の中間層１０８は、金属又は誘電体とすることができる。１つ又は複数の中間層１０８を構成し得る例示的な材料は、窒化ケイ素（Ｓ_３Ｎ_４）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものを含むことができるが、それらに限定されない。さらに、１つ又は複数の中間層１０８は、例えば、０.０５μｍ以上８μｍ以下の範囲の厚さ（例えば、図１Ａに示すＹ軸に沿って）を有することができる。様々な実施形態において、１つ又は複数の保護層１１０は、チップ構造１００の１つ又は複数の表面を周囲の環境から保護することができる。１つ又は複数の保護層１１０を構成し得る例示的な材料は、窒化ケイ素（Ｓ_３Ｎ_４）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものを含むことができるが、それらに限定されない。さらに、１つ又は複数の保護層１１０は、例えば、０.０５μｍ以上８μｍ以下の範囲の厚さ（例えば、図１Ａに示すＹ軸に沿って）を有することができる。様々な実施形態において、１つ又は複数の中間層１０８及び／又は保護層１１０は、例えば、０.０５μｍ以上８μｍ以下の範囲の距離「Ｄ」だけ、１つ又は複数の相互接続１０２から離間され得る。

【0018】

１つ又は複数の実施形態において、１つ又は複数の相互接続１０２は、１つ又は複数の３次元印刷技術によって１つ又は複数のチップパッド１０４上に印刷され得る。例えば、１つ又は複数の相互接続１０２は、１つ又は複数の３次元印刷技術に適合する１つ又は複数の導電性インク材料を有することができる。例えば、導電性インク材料は、金、アルミニウム、銅、タンタル、コバルト、ルテニウム、チタン、錫銀、はんだ、それらの合金、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものを含むが、それらに限定されない１つ又は複数の金属を有することができる。１つ又は複数の実施形態において、１つ又は複数の相互接続１０２は、（例えば、図１Ａに示すように）実質的に均質な組成を有することができる。１つ又は複数の実施形態において、１つ又は複数の相互接続１０２は、複数のタイプの導電性インク材料を有することができる（例えば、多層相互接続を形成するために積層方向に配置される）。

【0019】

１つ又は複数の相互接続１０２は、例えば、２０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲の厚さ（例えば、図１Ａに示すＹ軸に沿って）を有することができる。さらに、１つ又は複数の相互接続１０２は、例えば、２０μｍ以上２００μｍ以下の範囲の幅（例えば、図１Ａに示すＸ軸に沿って）を有することができる。様々な実施形態において、１つ又は複数の相互接続１０２の幾何学は、１つ又は複数の相互接続１０２の用途及び／又は所望の物理的特性に応じて変化することができる。図１Ａは、実質的に円筒形状を有する１つ又は複数の相互接続１０２を図示しているが、１つ又は複数の相互接続１０２の構造は、そのように限定されない。例えば、１つ又は複数の相互接続１０２は、球形状、立方体形状、ピラミッド形状、プリズム形状、多面体形状、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものを有することができる。１つ又は複数の実施形態において、１つ又は複数の相互接続１０２の上面は、凸形状（例えば、図１Ａに示すように）、凹形状、平坦形状、及び／又はそれらの組み合わせを有することができる。

【0020】

図１Ｂは、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った例示的なフリップチップアセンブリ１１２に用いられる例示的且つ非限定的なチップ構造１００の図を示す。本明細書に記載される他の実施形態に用いられる同様の要素の繰り返しの説明は、簡潔にするために省略される。図１Ｂに示すように、１つ又は複数の相互接続１０２は、例示的なフリップチップアセンブリ１１２の隣接するチップ上にそれぞれ配置された、位置調整されたチップパッド１０４間に配置することができる。

【0021】

図１Ａに示すチップ構造１００は、例示的なフリップチップアセンブリ１１２の１つ又は複数の第１半導体チップ及び／又は第２半導体チップに含むことができる。例えば、チップ構造１００は、例示的なフリップチップアセンブリ１１２の１つ又は複数の半導体デバイスをさらに含むチップ内に構成することができる。例示的な半導体デバイスは、バルク音響波デバイス、モノリシックマイクロ波集積回路、集積回路、受動集積回路、微小電気化学システム、磁性材料ベース回路、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものを含むことができるが、それらに限定されない。例えば、チップ構造１００は、共振器、抵抗器、キャパシタ、インダクタ、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものを含むが、それらに限定されない１つ又は複数の半導体特徴をさらに含むチップ内に構成することができる。別の例では、チップ構造１００は、例示的なフリップチップアセンブリ１１２の１つ又は複数の外部回路をさらに含むチップ内に構成することができる。

【0022】

例えば、図１Ｂは、チップ構造１００が例示的なフリップチップアセンブリ１１２の第１チップ（例えば、１つ又は複数の半導体デバイスをさらに有する）内に構成することができる例示的な実施形態を図示する。さらに、例示的なフリップチップアセンブリの第２チップは、印刷回路板１１４及び／又は１つ又は複数の追加のチップパッド１０４を有することができる。図１Ｂに示すように、１つ又は複数の相互接続１０２は、例示的なフリップチップアセンブリ１１２を形成するためにチップが接合されるとき、第１及び第２チップのそれぞれのチップパッド１０４の間に配置することができる。

【0023】

図２は、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った１つ又は複数の相互接続１０２によって具体化することができる様々な幾何学の例示的且つ非限定的な上から見た図を示す。本明細書に記載される他の実施形態に用いられる同様の要素の繰り返しの説明は、簡潔にするために省略される。図２は、図１Ａに例示される１つ又は複数の相互接続１０２の上面２０２を示す。例えば、図１Ａに示される１つ又は複数の相互接続１０２の遠位端の例示的な幾何学が図２に示される。

【0024】

図２に示すように、１つ又は複数の相互接続１０２の上面２０２は、１つ又は複数の相互接続１０２の所望の用途及び／又は特性に応じて様々な幾何学を有することができる。例えば、上面２０２は、円形状、三角形状、五角形状、六角形状、十字形状、星型形状、多角形形状、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものを有することができるが、それらに限定されない。様々な実施形態において、上面２０２の形状は、１つ又は複数の他のチップパッド１０４と接触することができる１つ又は複数の相互接続１０２の表面領域の量に影響を及ぼすことができる。それによって、上面２０２の形状は、１つ又は複数の相互接続１０２によって連結されたチップ間の電気的接続に影響を及ぼすことができる（例えば、図１Ｂに示す例示的なフリップチップアセンブリ１１２のチップ間の電気的接続に影響を及ぼすことができる）。例えば、より大きい表面領域を有する上面２０２を有する相互接続１０２は、接地に対する電気抵抗及び／又はインダクタンスを最小化することができる。しかしながら、チップアセンブリ１１２の１つ又は複数のチップに対する特別な制約は、相互接続の可能なサイズに影響を及ぼす可能性がある。本明細書に記載される様々な実施形態は、増加される表面領域と１つ又は複数のチップに対する特別な制約との関係を管理するために、様々な相互接続１０２の形状及び／又は幾何学を可能にすることができる。

【0025】

図３は、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った製造の第１段階中の例示的且つ非限定的なチップ構造１００の図を示す。本明細書に記載される他の実施形態に用いられる同様の要素の繰り返しの説明は、簡潔にするために省略される。製造の第１段階中、１つ又は複数のチップパッド１０４は、１つ又は複数の相互接続１０２の後続の印刷のために提供及び／又は準備することができる。

【0026】

様々な実施形態において、１つ又は複数のチップパッド１０４は、１つ又は複数の堆積プロセスによって半導体基板１０６の１つ又は複数の目標位置上に形成することができる。さらに、１つ又は複数の中間層１０８及び／又は保護層１１０は、半導体基板１０６及び／又はチップパッド１０４の一部上に形成することができる。さらに、１つ又は複数の中間層１０８及び／又は保護層１１０は、１つ又は複数の相互接続１０２の後続の位置決めのために１つ又は複数のチップパッド１０４の一部において露出させるために１つ又は複数のリソグラフィプロセスによってパターニングされ得る。それによって、１つ又は複数のチップパッド１０４は、１つ又は複数の相互接続１０２の形成のために提供され得る。

【0027】

図４Ａ－図４Ｄは、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った製造の第２段階中の例示的且つ非限定的なチップ構造１００の図を示す。本明細書に記載される他の実施形態に用いられる同様の要素の繰り返しの説明は、簡潔にするために省略される。製造の第２段階中、１つ又は複数の相互接続１０２は、１つ又は複数の３次元印刷技術によって１つ又は複数のチップパッド１０４上に印刷することができる。製造の第２段階の結果として、１つ又は複数の相互接続１０２の少なくとも第１部分１０２ａは、１つ又は複数のチップパッド１０４上に形成することができる。

【0028】

様々な実施形態において、３次元印刷技術は、１つ又は複数の相互接続１０２のインク材料（例えば、導電性インク材料）を１つ又は複数のチップパッド１０４上に堆積することができる。例えば、１つ又は複数の３次元印刷技術は、追加のプロセスによって１つ又は複数の相互接続１０２を印刷することができ、インク材料（例えば、導電性インク材料）は、所望の３次元形状が達成されるまで繰り返し互いの上部に配置される連続層によって堆積することができる。１つ又は複数の相互接続１０２を印刷するために用いることができる例示的な３次元印刷技術は、直接書き込み印刷技術、インクジェット印刷技術、エアロゾルジェット印刷技術、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものを含むことができるが、それらに限定されない。

【0029】

例えば、図４Ａ及び図４Ｃは、３次元印刷技術の例示的なノズル４０２を図示する。１つ又は複数の相互接続１０２を構成する導電性インク材料は、３次元印刷技術を実行するときにノズル４０２から排出することができる。例えば、図４Ａ及び図４Ｃは、インク材料（例えば、導電性インク材料）が例示的なノズル４０２から１つ又は複数のチップパッド１０４上に排出されることを図示する。図４Ａ－図４Ｂに示すように、例示的なノズル４０２は、印刷方向（例えば、図４Ａ－図４Ｂに矢印「Ｐ」によって表される）に沿って移動することができる。例示的なノズル４０２が印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）に沿って移動するにつれて、ノズル４０２は、インク材料（例えば、導電性インク材料）を１つ又は複数のチップパッド１０４上に堆積することもできる。

【0030】

図４Ａは、３次元印刷技術の実行中のチップパッド１０４の上方の第１位置にあるノズル４０２を図示する。第１位置から、ノズル４０２は、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）に沿って、図４Ｃに図示される第２位置に移動することができる。図４Ｂに示すように、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）は、Ｘ軸、Ｚ軸、及び／又はそれらの組み合わせに沿って、１つ又は複数のチップパッド１０４を横断することができる。さらに、印刷方向は、直線、曲線、波線、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものに従うことができる。それによって、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）は、１つ又は複数の相互接続１０２によって占有される１つ又は複数のチップパッド１０４上の領域を横断することができる。さらに、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）の経路は、１つ又は複数の相互接続１０２の幾何学によって規定することができる。従って、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）の位置及び／又は経路は、１つ又は複数の相互接続１０２の所望の幾何学に基づくことができる。例えば、図４Ｂに示す印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）の経路は、１つ又は複数の相互接続１０２の矩形プリズム及び／又は立方体幾何学を印刷するために用いることができる。

【0031】

ノズル４０２が印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）を横断するにつれて、インク材料（例えば、導電性インク材料）は、１つ又は複数のチップパッド１０４上に堆積することができる。例えば、図４Ｃ－図４Ｄは、図４Ｂに示す例示的な印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）を横断する例示的なノズル４０２から形成される１つ又は複数の相互接続１０２の第１部分１０２ａを図示する。さらに、図４Ｃ－図４Ｄは、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）に沿ってチップパッド１０４上へのインク材料（例えば、導電性インク材料）の連続的な、又はほぼ連続的な堆積を図示するが、３次元印刷の構造は、そのように限定されない。例えば、インク材料（例えば、導電性インク材料）が周期的に（例えば、１つ又は複数の予定された間隔に従って）堆積される実施形態も想定される。

【0032】

様々な実施形態において、１つ又は複数の印刷技術の１つ又は複数の例示的なノズル４０２は、１つ又は複数の通信接続４０６（例えば、直接的な電気接続及び／又は無線接続）を介して、１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４によって制御することができる。１つ又は複数の通信接続４０６は、セルラーネットワーク、ワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ）（例えば、インターネット）又はローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）を含むが、それらに限定されない、有線及び無線ネットワークを有することができる。例えば、１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４は、例えば、セルラー、ＷＡＮ、ワイヤレスフィデリティ（Ｗｉ－Ｆｉ）、Ｗｉ－Ｍａｘ、ＷＬＡＮ、ブルートゥース（登録商標）技術、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものを含むが、それらに限定されない、実質的に任意の所望の有線又は無線技術を使用して、３次元印刷技術の装置と通信することができる。

【0033】

例示的なコンピュータデバイス４０４は、パーソナルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、携帯電話（例えば、スマートフォン）、コンピュータタブレット（例えば、プロセッサを有する）、スマートウォッチ、キーボード、タッチスクリーン、マウス、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものを含むことができるが、それらに限定されない。１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４は、１つ又は複数の印刷技術の実行を容易にするために用いることができる。例えば、１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４は、使用されるインク材料のタイプ及び／又はノズル４０２によって横断される１つ又は複数の印刷方向を規定するために、データを送信する及び／又は他の方法で１つ又は複数の３次元印刷技術の装置を制御することができる。

【0034】

様々な実施形態において、１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４及び／又は通信接続４０６は、１つ又は複数の３次元印刷技術によって印刷される１つ又は複数の３次元構造の位置、サイズ、形状、及び／又は幾何学を規定する（例えば、１つ又は複数の相互接続１０２の位置、サイズ、形状、及び／又は幾何学を規定する）ために用いることができる。例えば、１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４は、１つ又は複数のノズル４０２の動作を指示し、それによってインク材料（例えば、導電性インク材料）の堆積を指示するために、製造の第２段階及び／又は第３段階（例えば、少なくとも図５Ａ－図５Ｃに関して以下に記載される）中に用いられ得る１つ又は複数の印刷方向を規定するために、３次元印刷ソフトウェアを実行することができる。

【0035】

図５Ａ－図５Ｃは、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った製造の第３段階中の例示的且つ非限定的なチップ構造１００の図を示す。本明細書に記載される他の実施形態に用いられる同様の要素の繰り返しの説明は、簡潔にするために省略される。製造の第３段階中、１つ又は複数の相互接続１０２は、１つ又は複数の３次元印刷技術によって１つ又は複数のチップパッド１０４上にさらに印刷することができる。製造の第３段階の結果として、１つ又は複数の相互接続１０２の１つ又は複数の第２部分１０２ｂは、１つ又は複数のチップパッド１０４上に形成することができる。

【0036】

図５Ａ－図５Ｃに示すように、製造の第２段階の１つ又は複数の特徴は、１つ又は複数の相互接続１０２をさらに印刷するために繰り返すことができる。例えば、１つ又は複数の３次元印刷技術は、１つ又は複数の相互接続１０２の１つ又は複数の以前に形成された部分上に（例えば、１つ又は複数の相互接続１０２の少なくとも第１部分１０２ａ上に）インク材料（例えば、導電性インク材料）を堆積するためにさらに実行することができる。相互接続１０２の１つ又は複数の以前に形成された部分上に（例えば、第１部分１０２ａ上に）追加のインク材料を堆積することによって、製造の第３段階は、１つ又は複数の相互接続１０２を所望の高さにさらに印刷することができる（例えば、図５Ａ及び／又は図５Ｃに示すＹ軸に沿って、１つ又は複数の相互接続１０２をさらに印刷することができる）。

【0037】

様々な実施形態において、製造の第３段階は、１つ又は複数の相互接続１０２を所望の幾何学及び／又は高さ（例えば、図５Ａ及び／又は図５ＣのＹ軸に沿って）に印刷するために複数回繰り返すことができる。例えば、製造の第３段階の各実施によって、追加のインク材料（例えば、導電性インク材料）は、１つ又は複数の相互接続１０２をさらに印刷するために、以前に堆積されたインク材料上に堆積することができる。さらに、製造の第３段階の各実施は、インク材料堆積の１つ又は複数の以前の領域より同じサイズの領域、より小さい領域、及び／又はより大きい領域にインク材料を堆積することができる。例えば、製造の第３段階の各実施は、同じ１つ又は複数の印刷方向、又は１つ又は複数の異なる印刷方向に従うことができる。

【0038】

１つ又は複数の実施形態において、１つ又は複数の３次元印刷技術は、製造の第２段階から製造の第３段階に移行する間に、インク材料（例えば、導電性インク材料）を連続的に堆積することができる。同様に、１つ又は複数の実施形態において、１つ又は複数の３次元印刷技術は、製造の第３段階の１つの実施から製造の第３段階の別の実施に移行する間に、インク材料（例えば、導電性インク材料）を連続的に堆積することができる。

【0039】

様々な実施形態において、３次元印刷技術は、製造の第３段階の１つ又は複数の実施中に、製造の第２段階中に用いられた１つ又は複数の印刷方向（例えば、「Ｐ」矢印によって表される）に従うことができる。１つ又は複数の実施形態において、３次元印刷技術は、製造の第３段階の１つ又は複数の実施中に、製造の第２段階中に用いられた１つ又は複数の印刷方向とは異なる１つ又は複数の印刷方向（例えば、「Ｐ」矢印によって表される）に従うことができる。例えば、図５Ｂは、製造の第３段階中に用いられる例示的な印刷方向（例えば、「Ｐ」矢印によって表される）を図示し、それは、製造の第２段階中に用いられた印刷方向（例えば、「Ｐ」矢印によって表される）の逆である。別の例では、製造の第３段階中に用いられる１つ又は複数の印刷方向は、製造の第２段階中に用いられる１つ又は複数の印刷方向に平行又は直交とすることができる。

【0040】

図５Ｂに示すように、製造の第３段階の１つ又は複数の実施中に用いられる印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）は、Ｘ軸、Ｚ軸、及び／又はそれらの組み合わせに沿って、以前に堆積されたインク材料を横断することができる。さらに、印刷方向は、直線、曲線、波線、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものに従うことができる。それによって、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）は、１つ又は複数の相互接続１０２の追加部分によって占有される領域を横断することができる（例えば、１つ又は複数の第２部分１０２ｂによって占有される領域を横断することができる）。さらに、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）の経路は、１つ又は複数の相互接続１０２の幾何学によって規定することができる。従って、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）の位置及び／又は経路は、製造の第３段階の所定の実施中に印刷される所定の高さにある１つ又は複数の相互接続１０２の所望の幾何学に基づくことができる。例えば、図５Ｂに示す印刷方向の経路（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）は、図５Ａ－図５Ｃに示す製造の第２段階中に規定される矩形プリズム及び／又は立方体幾何学を高くするために用いることができる。

【0041】

製造の第３段階の１つ又は複数の実施中にノズル４０２が印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）を横断するにつれて、インク材料（例えば、導電性インク材料）は、以前に堆積されたインク材料上に堆積することができる。例えば、図５Ｃは、図５Ｂに示す例示的な印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）を横断する例示的なノズル４０２から形成される１つ又は複数の相互接続１０２の第２部分１０２ｂを図示する。さらに、図５Ａ－図５Ｃは、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）に沿って、以前に堆積されたインク材料（例えば、導電性インク材料）上にインク材料（例えば、導電性インク材料）の連続的な又はほぼ連続的な堆積を示しているが、３次元印刷の構造は、そのように限定されない。例えば、インク材料（例えば、導電性インク材料）が周期的に（例えば、１つ又は複数の予定された間隔に従って）堆積される実施形態も想定される。

【0042】

図６Ａ－図６Ｂは、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った３次元印刷を受けるチップの例示的且つ非限定的な上から見た図を示す。本明細書に記載される他の実施形態に用いられる同様の要素の繰り返しの説明は、簡潔にするために省略される。図６Ａ－図６Ｂに示すように、１つ又は複数の３次元印刷技術は、チップ及び／又は半導体デバイスの複数の位置に用いることができる。例えば、図６Ａ－図６Ｂは、複数の相互接続１０２が複数のチップパッド１０４（例えば、所定のチップの周囲に位置する）上に３次元印刷される例示的なチップ構造１００とみなすことができる。

【0043】

図６Ａは、製造の第１段階中のチップ構造１００の上面図を図示する。また、図６Ａに示すように、製造の第１段階は、１つ又は複数の３次元技術を用いることができる位置を特定することを含むことができる。例えば、図６Ａは、１つ又は複数の相互接続１０２のための印刷位置６０２を図示する。１つ又は複数の実施形態において、１つ又は複数の３次元技術を用いる実体は、１つ又は複数の３次元印刷技術によって形成される３次元構造の中心点を規定することによってインク材料を堆積するために印刷位置６０２を特定することができる。例えば、１つ又は複数の相互接続１０２の製造者は、３次元印刷プロセス（例えば、製造の第２及び／又は第３段階）の結果として１つ又は複数の相互接続１０２の中心が位置付けられ得る１つ又は複数の印刷位置６０２を特定することができる。１つ又は複数の実施形態において、１つ又は複数の３次元技術を用いる実体は、３次元印刷される構造によって占有される表面領域を規定することによってインク材料を堆積するために印刷位置６０２を特定することができる。例えば、１つ又は複数の相互接続１０２の製造者は、１つ又は複数の相互接続１０２が（例えば、製造の第２及び／又は第３段階によって）印刷される１つ又は複数のチップパッド１０４上の１つ又は複数の表面領域の境界を特定することができる。

【0044】

様々な実施形態において、印刷位置６０２は、１つ又は複数の３次元印刷技術を制御するために用いることができる１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４に送信することができる。例えば、１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４における３次元印刷ソフトウェアは、１つ又は複数の３次元印刷技術によって（例えば、本明細書に記載される製造の第２段階及び／又は製造の第３段階によって）印刷される１つ又は複数の３次元構造（例えば、１つ又は複数の相互接続１０２）のサイズ、形状、及び／又は幾何学を規定することができる１つ又は複数の印刷ファイルを生成するために用いることができる。例えば、１つ又は複数の印刷ファイルは、３次元印刷プロセス中に用いられる１つ又は複数の印刷方向を規定することができる。別の例では、１つ又は複数の印刷ファイルは、堆積されるインク材料のタイプ、及び／又は１つ又は複数の３次元印刷技術に関連する１つ又は複数の設定（例えば、圧力設定、流量設定、速度設定、それらの組み合わせ、及び／又は同様のもの）をさらに規定することができる。さらに、１つ又は複数の印刷ファイルは、１つ又は複数の３次元印刷された構造のための印刷位置６０２を規定する位置データを用いて補足することができる。例えば、所定のチップ上の印刷位置６０２は、１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４によって生成される及び／又は用いられる１つ又は複数の印刷ファイルによって規定される１つ又は複数の特徴に関連する位置データ（例えば、仮想グリッドに関連する座標データ）に変換することができる。

【0045】

１つ又は複数の実施形態において、製造の第２段階及び／又は第３段階中に用いられる１つ又は複数の３次元印刷技術は、相互接続１０２を同時に、並行して、及び／又は連続して印刷することができる。例えば、第１相互接続１０２（例えば、第１チップパッド１０４上に位置する）は、第２相互接続１０２（例えば、第２チップパッド１０４上に位置する）と同時に、並行して、及び／又は連続して印刷することができる。例えば、それぞれのノズル４０２は、チップ構造１００の製造を促進させるためにそれぞれの相互接続１０２の印刷に関して用いることができる。さらに、図６Ｂに示すように、所定のチップの１つ又は複数の第１相互接続１０２は、所定のチップの１つ又は複数の第２相互接続１０２とは異なるサイズ及び／又は幾何学を有することができる。例えば、図６Ｂは、円形上面２０２を有する１つ又は複数の相互接続１０２、矩形上面２０２を有する１つ又は複数の相互接続１０２、及び／又は星形上面２０２を有する１つ又は複数の相互接続１０２を含む例示的なチップ構造１００を図示する。

【0046】

図７は、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った１つ又は複数の３次元印刷の実行を容易にするために生成することができる例示的且つ非限定的な印刷マップ７００の図を示す。本明細書に記載される他の実施形態に用いられる同様の要素の繰り返しの説明は、簡潔にするために省略される。様々な実施形態において、１つ又は複数の印刷マップ７００は、本明細書に記載される３次元印刷技術を容易にするために１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４によって実行可能な１つ又は複数の印刷ファイルに含むことができる。

【0047】

図７に示すように、１つ又は複数の印刷マップ７００は、Ｚ軸及び／又はＸ軸に沿った座標に関して印刷位置６０２を描くことができる。例えば、Ｚ軸及び／又はＸ軸は、１つ又は複数の印刷技術によって印刷するために利用可能な領域の境界を規定することができ、Ｚ軸及び／又はＸ軸に沿った座標は、利用可能な印刷領域内に印刷位置６０２を描くことができる。例えば、図７に示す例示的な印刷マップ７００に図示される印刷位置６０２は、図６Ａ－図６Ｂに示す例示的なチップ構造に対応することができる。さらに、図７に示すように、１つ又は複数の印刷マップ７００は、１つ又は複数の印刷位置６０２と関連する１つ又は複数の印刷方向を含むことができる。例えば、１つ又は複数の印刷マップ７００は、各印刷位置６０２に用いられる印刷方向を含むことができる。例えば、図７に示す例示的な印刷マップ７００に図示される印刷方向（例えば、Ｐ矢印によって表される）は、図４Ｂに示す例示的な印刷方向に対応することができる。様々な実施形態において、それぞれの印刷位置６０２は、印刷位置６０２において印刷される３次元構造（例えば、相互接続１０２）の幾何学に応じてそれぞれの印刷方向と関連付けることができる。

【0048】

１つ又は複数の実施形態において、複数の印刷マップ７００は、３次元構造（例えば、相互接続１０２）を印刷するために１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４によって用いることができる。例えば、第１印刷マップ７００は、本明細書に記載される製造の第２段階中の印刷位置６０２及び／又は印刷方向を描くために用いることができ、第２印刷マップ７００は、本明細書に記載される製造の第３段階中の印刷位置６０２及び／又は印刷方向を描くために用いることができ、１つ又は複数の追加の印刷マップ７００は、製造の第３段階の追加の繰り返し中の印刷位置６０２及び／又は印刷方向を描くために用いることができる。

【0049】

図８は、本明細書に記載される１つ又は複数の印刷技術によって印刷された１つ又は複数の調整層８０８を含むことができる例示的且つ非限定的な共振器構造８００の図を示す。本明細書に記載される他の実施形態に用いられる同様の要素の繰り返しの説明は、簡潔にするために省略される。様々な実施形態において、共振器構造８００は、フリップチップアセンブリ（例えば、例示的なフリップチップアセンブリ１１２）の１つ又は複数のチップ上に含むことができる。例えば、共振器構造８００は、バルク音響波デバイス内に構成することができる。

【0050】

図８に示すように、共振器構造８００は、半導体基板１０６上に配置された１つ又は複数の圧電層８０２を有することができる。１つ又は複数の圧電層８０２内に備えられ得る材料の例示的なタイプは、酸化亜鉛、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムスカンジウム（例えば、アルミニウム対スカンジウム比を変化させたもの）、ニオブ酸リチウム、チタン酸鉛、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものを含むことができるが、それらに限定されない。様々な実施形態において、１つ又は複数の圧電層８０２は、例えば、０.０３μｍ以上１０μｍ以下の範囲の厚さ（例えば、図８に示す「Ｙ」軸に沿って）を有することができる。さらに、共振器構造８００は、１つ又は複数の圧電層８０２に隣接して配置される第１電極８０４及び／又は第２電極８０６を有することができる。例えば、第１電極８０４は、図８に示す「Ｙ」軸に沿って１つ又は複数の圧電層８０２の上に配置することができ、第２電極８０６は、「Ｙ」軸に沿って（例えば、図８に示すように）１つ又は複数の圧電層８０２の下に配置することができる。様々な実施形態において、第１電極８０４は、１つ又は複数の圧電層８０２の第１表面と接触することができ、第２電極８０６は、１つ又は複数の圧電層８０２の第２表面（例えば、第１表面の反対側）と接触することができる（例えば、図８に示すように）。さらに、第１電極８０４及び第２電極８０６は、実質的に同じ組成又は異なる組成を有することができる。第１電極８０４及び／又は第２電極８０６内に備えられ得る例示的な材料は、モリブデン、アルミニウム、タングステン、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものを含むことができるが、それらに限定されない。

【0051】

１つ又は複数の実施形態において、半導体基板１０６は、互いに間隔をあけて配置され得る第１半導体基板部分１０６ａ及び第２半導体基板部分１０６ｂを有することができる。さらに、第２電極８０６は、第１半導体基板部分１０６ａ及び第２半導体基板部分１０６ｂの間に配置することができる（例えば、図８に示すように）。１つ又は複数の実施形態において、１つ又は複数の圧電層８０２は、適用された機械的応力から内部電荷を生成し、電荷を第１電極８０４及び／又は第２電極８０６に供給することができる。例えば、共振器構造８００は、共振機械振動に応答して、規定された周波数の発振信号を生成することができる。

【0052】

様々な実施形態において、共振器構造８００の動作周波数は、本明細書に記載される１つ又は複数の相互接続１０２を形成するために用いられる印刷技術に従った１つ又は複数の３次元印刷技術によって第１電極８０４及び／又は１つ又は複数の圧電層８０２上に印刷することができる、１つ又は複数の調整層８０８によって調整することができる。例えば、１つ又は複数の調整層８０８は、本明細書に記載される１つ又は複数の３次元印刷技術に適合するインク材料から構成することができる。１つ又は複数の調整層８０８内に備えられ得る例示的なインク材料は、金、アルミニウム、銅、タンタル、コバルト、ルテニウム、チタン、スズ、銀、はんだ材料、それらの合金、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものを含むことができるが、それらに限定されない。様々な実施形態において、１つ又は複数の調整層８０８は、第１電極８０４のみ、１つ又は複数の圧電層８０２のみ、又は第１電極８０４の少なくとも一部と１つ又は複数の圧電層８０２の少なくとも一部との組み合わせ（例えば、図８に示すように）に印刷することができる。

【0053】

１つ又は複数の調整層８０８は、例えば、０.０１μｍ以上２０μｍ以下の範囲の厚さ（例えば、図８に示す「Ｙ」軸に沿って）を有することができる。様々な実施形態において、１つ又は複数の調整層８０８は、実質的に均一な厚さを有することができる（例えば、図８に示すように）。あるいは、１つ又は複数の調整層８０８は、それぞれの厚さ（例えば、より厚い部分、又はより薄い部分）を有する複数の部分を有することができる。さらに、１つ又は複数の調整層８０８の上面８１０は、共振器構造８００の所望の動作周波数に応じて様々な幾何学を有することができる。例えば、１つ又は複数の調整層８０８の上面８１０は、円形及び／又は多角形の幾何学（例えば、図２に示す１つ又は複数の相互接続１０２の上面２０２の幾何学など）を有することができる。様々な実施形態において、上面８１０の形状は、１つ又は複数の調整層８０８内に備えられるインク材料の量に影響を及ぼすことができる。

【0054】

１つ又は複数の調整層８０８を形成するためにインク材料が第１電極８０４及び／又は１つ又は複数の圧電層８０２上に印刷されるにつれて、インク材料の存在は、共振器構造８００の動作周波数を変化させることができる。それによって、１つ又は複数の調整層８０８の組成、位置、寸法、及び／又は幾何学は、共振器構造８００の動作周波数に影響を及ぼすことができる。さらに、共振器構造８００の目標動作周波数を達成するために、組成、位置、寸法、及び／又は幾何学を選択することができる。例えば、１つ又は複数の調整層８０８を形成するためにより多くのインク材料が１つ又は複数の圧電層８０２及び／又は第１電極８０４上に堆積されるにつれて、共振器構造８００の動作周波数は増加させることができる。本明細書に記載される様々な実施形態は、半導体デバイスのそれぞれの共振器構造８００をそれぞれに調整するために用いることができ、それによって、共振器構造８００の組み合わせは、所望の中心周波数及び／又は帯域幅を達成するように調整されたフィルタを形成することができる。

【0055】

図８は、フィルムバルク音響波共振器（「ＦＢＡＲ」）として具体化された例示的な共振器構造８００を図示し、１つ又は複数の圧電層８０２は、第１半導体基板部分１０６ａ及び第２半導体基板部分１０６ｂの間のエアブリッジによって懸架され得るが、共振器構造８００の構造は、そのように限定されない。例えば、共振器構造８００は、固体実装共振器（「ＳＭＲ」）として具体化することもでき、１つ又は複数の圧電層８０２は、半導体基板１０６上に配置することができる低インピーダンス材料及び高インピーダンス材料の交互層の１つ又は複数のスタック上に配置することができる。さらに、１つ又は複数のスタックは、ブラッグ反射器に基づいて構築することができ、音響ミラー作用を示すことができる。例えば、交互層の１つ又は複数のスタックは、１つ又は複数の圧電層８０２の近傍に音響波を閉じ込めるために反射器として機能する１／４波長層を有することできる。１つ又は複数のスタック内の交互層の数は、層の数対共振器Ｑ及び結合係数の関数としての共振応答の解析と同様に、層間の機械的インピーダンス及び／又は半導体基板１０６に依存することができる。共振器構造８００がＳＭＲ構造を具体化する場合、１つ又は複数の調整層８０８は、本明細書に記載される様々な実施形態に従った１つ又は複数の圧電層８０２及び／又は第１電極８０４上に依然として配置することができる。

【0056】

図９は、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った調整の第１段階中の例示的且つ非限定的な共振器構造８００の図を示す。本明細書に記載される他の実施形態に用いられる同様の要素の繰り返しの説明は、簡潔にするために省略される。調整の第１段階中、調整されていない共振器構造８００は、１つ又は複数の調整層８０８の後続の印刷のために提供及び／又は準備され得る。例えば、調整される前に、共振器構造８００は、１つ又は複数の調整層８０８のない、半導体基板１０６、１つ又は複数の圧電層８０２、第１電極８０４、及び／又は第２電極８０６を有することができる。様々な実施形態において、共振器構造８００は、初期動作周波数を決定するために、調整の第１段階中に動作させることができる。初期動作周波数に基づいて、（例えば、本明細書に記載される調整の１つ又は複数の第２及び／又は第３段階によって）加えられるインク材料の量は、目標動作周波数を達成するために決定することができる。

【0057】

図１０Ａ－図１０Ｄは、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った調整の第２段階中の例示的且つ非限定的な共振器構造８００の図を示す。本明細書に記載される他の実施形態に用いられる同様の要素の繰り返しの説明は、簡潔にするために省略される。調整の第２段階中、１つ又は複数の調整層８０８は、１つ又は複数の３次元印刷技術によって１つ又は複数の圧電層８０２及び／又は第１電極８０４上に印刷することができる。調整の第２段階の結果として、１つ又は複数の調整層８０８の少なくとも第１部分８０８ａは、１つ又は複数の圧電層８０２及び／又は第１電極８０４上に形成することができる。

【0058】

様々な実施形態において、３次元印刷技術は、１つ又は複数の調整層８０８のインク材料（例えば、金属材料）を、１つ又は複数の圧電層８０２及び／又は第１電極８０４上に堆積することができる。例えば、１つ又は複数の３次元印刷技術は、追加プロセスによって１つ又は複数の調整層８０８を印刷することができ、インク材料（例えば、導電性インク材料）は、所望の３次元形状が達成されるまで繰り返し互いの上部に配置された連続層によって堆積することができる。１つ又は複数の相互接続１０２を印刷するために用いることができる例示的な３次元印刷技術は、直接書き込み印刷技術、インクジェット印刷技術、エアロゾルジェット印刷技術、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものを含むことができるが、それらに限定されない。

【0059】

例えば、図１０Ａ及び図１０Ｃは、３次元印刷技術の例示的なノズル４０２を図示する。１つ又は複数の調整層８０８を構成するインク材料（例えば、金属材料）は、３次元印刷技術を実行するときにノズル４０２から排出することができる。例えば、図１０Ａ及び図１０Ｃは、インク材料（例えば、金属材料）が例示的なノズル４０２から１つ又は複数の圧電層８０２及び／又は第１電極８０４上に排出されることを図示する。図１０Ａ－図１０Ｂに示すように、例示的なノズル４０２は、本明細書に記載される様々な実施形態に従った印刷方向（例えば、図１０Ａ－図１０Ｂの矢印「Ｐ」によって表される）に沿って移動することができる。例示的なノズル４０２が印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）に沿って移動するにつれて、ノズル４０２は、インク材料（例えば、金属インク材料）を１つ又は複数の圧電層８０２及び／又は第１電極８０４上に堆積することもできる。

【0060】

図１０Ａは、３次元印刷技術の実行中の１つ又は複数の圧電層８０２の上方の第１位置にあるノズル４０２を図示する。第１位置から、ノズル４０２は、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）に沿って、図１０Ｃに図示される第２位置に移動することができる。図１０Ｂに示すように、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）は、Ｘ軸、Ｚ軸、及び／又はそれらの組み合わせに沿って１つ又は複数の圧電層８０２及び／又は第１電極８０４を横断することができる。さらに、印刷方向は、直線、曲線、波線、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものに従うことができる。それによって、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）は、１つ又は複数の調整層８０８によって占有される領域を横断することができる。さらに、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）の経路は、１つ又は複数の調整層８０８の幾何学によって規定することができる。従って、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）の位置及び／又は経路は、１つ又は複数の調整層８０８の所望の幾何学に基づくことができる。例えば、図１０Ｂに示す印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）の経路は、１つ又は複数の調整層８０８の矩形プリズム及び／又は立方体幾何学を印刷するために用いることができる。

【0061】

ノズル４０２が印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）を横断するにつれて、インク材料（例えば、金属インク材料）は、１つ又は複数の圧電層８０２及び／又は第１電極８０４上に堆積することができる。例えば、図１０Ｃ－図１０Ｄは、図１０Ｂに示す例示的な印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）を横断する例示的なノズル４０２から形成される１つ又は複数の調整層８０８の第１部分８０８ａを図示する。さらに、図１０Ｃ－図１０Ｄは、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）に沿って、チップパッド１０４上にインク材料（例えば、導電性インク材料）の連続的な又はほぼ連続的な堆積を示しているが、３次元印刷の構造は、そのように限定されない。例えば、インク材料（例えば、金属インク材料）が周期的に（例えば、１つ又は複数の予定された間隔に従って）堆積される実施形態も想定される。

【0062】

様々な実施形態において、１つ又は複数の印刷技術の１つ又は複数の例示的なノズル４０２は、本明細書に記載される様々な実施形態に従った１つ又は複数の通信接続４０６（例えば、直接的な電気接続及び／又は無線接続）によって、１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４によって制御することができる。例えば、１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４は、使用されるインク材料のタイプ及び／又はノズル４０２によって横断される１つ又は複数の印刷方向を規定するために、データを送信する及び／又は他の方法で１つ又は複数の３次元印刷技術の装置を制御することができる。様々な実施形態において、１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４は、１つ又は複数のノズル４０２の動作を指示し、それによってインク材料（例えば、金属インク材料）の堆積を指示するために、共振器構造８００の調整（例えば、少なくとも図１０Ａ－図１０Ｃに関して以下に記載される）中に用いられ得る１つ又は複数の印刷方向を規定するために、３次元印刷ソフトウェアを実行することができる。

【0063】

図１１Ａ－図１１Ｃは、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った調整の第３段階中の例示的且つ非限定的な共振器構造８００の図を示す。本明細書に記載される他の実施形態に用いられる同様の要素の繰り返しの説明は、簡潔にするために省略される。調整の第３段階中、１つ又は複数の調整層８０８は、１つ又は複数の３次元印刷技術によって、１つ又は複数の圧電層８０２及び／又は第１電極８０４上にさらに印刷することができる。調整の第３段階の結果として、１つ又は複数の調整層８０８の１つ又は複数の第２部分８０８ｂを形成することができる。

【0064】

図１１Ａ－図１１Ｃに示すように、調整の第２段階の１つ又は複数の特徴は、１つ又は複数の調整層８０８をさらに印刷するために繰り返すことができる。例えば、１つ又は複数の３次元印刷技術は、インク材料（例えば、金属インク材料）を１つ又は複数の調整層８０８の１つ又は複数の以前に形成された部分上に（例えば、１つ又は複数の調整層８０８の少なくとも第１部分８０８ａ上に）堆積するためにさらに実行することができる。調整層８０８の１つ又は複数の以前に形成された部分上に（例えば、調整層８０８の第１部分８０８ａ上に）追加のインク材料を堆積することによって、調整の第３段階は、１つ又は複数の調整層８０８を所望の高さにさらに印刷することができる（例えば、図１１Ａ及び／又は図１１Ｃに示すＹ軸に沿って１つ又は複数の調整層８０８をさらに印刷することができる）。

【0065】

様々な実施形態において、調整の第３段階は、１つ又は複数の調整層８０８を所望の幾何学及び／又は高さ（例えば、図１１Ａ及び／又は図１１ＣのＹ軸に沿って）に印刷するために複数回繰り返すことができる。例えば、調整の第３段階の各実施によって、追加のインク材料（例えば、金属インク材料）は、１つ又は複数の調整層８０８をさらに印刷するために、以前に堆積されたインク材料上に堆積することができる。さらに、調整の第３段階の各実施は、インク材料堆積の１つ又は複数の以前の領域より同じサイズの領域、より小さい領域、及び／又はより大きい領域にインク材料を堆積することができる。例えば、調整の第３段階の各実施は、同じ１つ又は複数の印刷方向、又は１つ又は複数の異なる印刷方向に従うことができる。

【0066】

１つ又は複数の実施形態において、１つ又は複数の３次元印刷技術は、調整の第２段階から調整の第３段階に移行する間に、インク材料（例えば、金属インク材料）を連続的に堆積することができる。同様に、１つ又は複数の実施形態において、１つ又は複数の３次元印刷技術は、調整の第３段階の１つの実施から調整の第３段階の別の実施に移行する間に、インク材料（例えば、金属インク材料）を連続的に堆積することができる。

【0067】

様々な実施形態において、３次元印刷技術は、調整の第３段階の１つ又は複数の実施中に、調整の第２段階中に用いられた１つ又は複数の印刷方向（例えば、「Ｐ」矢印によって表される）に従うことができる。１つ又は複数の実施形態において、３次元印刷技術は、調整の第３段階の１つ又は複数の実施中に、調整の第２段階中に用いられた１つ又は複数の印刷方向とは異なる１つ又は複数の印刷方向（例えば、「Ｐ」矢印によって表される）に従うことができる。例えば、図１１Ｂは、調整の第２段階中に用いられた印刷方向（例えば、「Ｐ」矢印によって表される）の逆である、調整の第３段階中に用いられる例示的な印刷方向（例えば、「Ｐ」矢印によって表される）を図示する。別の例では、製造の第３段階中に用いられる１つ又は複数の印刷方向は、調整の第２段階中に用いられる１つ又は複数の印刷方向に平行又は直交とすることができる。

【0068】

図１１Ｂに示すように、調整の第３段階の１つ又は複数の実施中に用いられる印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）は、Ｘ軸、Ｚ軸、及び／又はそれらの組み合わせに沿って、以前に堆積されたインク材料を横断することができる。さらに、印刷方向は、直線、曲線、波線、それらの組み合わせ、及び／又は同様のものに従うことができる。それによって、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）は、１つ又は複数の調整層８０８の追加部分によって占有される領域を横断することができる（例えば、１つ又は複数の第２部分１０２ｂによって占有される領域を横断することができる）。さらに、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）の経路は、１つ又は複数の調整層８０８の幾何学によって規定することができる。従って、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）の位置及び／又は経路は、製造の第３段階の所定の実施中に印刷される所定の高さにある１つ又は複数の調整層８０８の所望の幾何学に基づくことができる。例えば、図１１Ｂに示す印刷方向の経路（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）は、図１１Ａ－図１１Ｃに示す調整の第２段階中に規定される矩形プリズム及び／又は立方体幾何学を高くするために用いることができる。

【0069】

調整の第３段階の１つ又は複数の実施中にノズル４０２が印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）を横断するにつれて、インク材料（例えば、金属インク材料）は、以前に堆積されたインク材料上に堆積することができる。例えば、図１１Ｃは、図１１Ｂに示す例示的な印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）を横断する例示的なノズル４０２から形成される１つ又は複数の調整層８０８の第２部分８０８ｂを図示する。さらに、図１１Ａ－図１１Ｃは、印刷方向（例えば、矢印「Ｐ」によって表される）に沿って、以前に堆積されたインク材料上にインク材料（例えば、金属インク材料）の連続的な又はほぼ連続的な堆積を示しているが、３次元印刷の構造は、そのように限定されない。例えば、インク材料（例えば、金属インク材料）が周期的に（例えば、１つ又は複数の予定された間隔に従って）堆積される実施形態も想定される。

【0070】

様々な実施形態において、１つ又は複数の印刷マップ７００は、共振器構造８００の調整を容易にするために、１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４によって用いることができる。例えば、半導体デバイス（例えば、バルク音響波デバイスなどのモノリシックマイクロ波集積回路（「ＭＭＩＳ」））は、１つ又は複数の共振器構造８００を有し、１つ又は複数の印刷マップ７００は、半導体デバイスにおいて調整される共振器構造８００の１つ又は複数に対応する印刷位置６０２を描くことができる。さらに、１つ又は複数の印刷マップ７００は、調整中に（例えば、本明細書に記載される調整の第２及び／又は第３段階の１つ又は複数の繰り返しに従って）１つ又は複数の調整層８０８を形成するために用いられる１つ又は複数の印刷方向を描くことができる。本明細書に記載される様々な実施形態に従って、複数の印刷マップ７００は、調整の第２及び／又は第３段階を容易にするために１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４によって生成する及び／又は用いることができる。

【0071】

図１２は、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った１つ又は複数の３次元印刷フリップチップ相互接続１０２の製造を容易にすることができる例示的且つ非限定的な方法１２００のフロー図を示す。本明細書に記載される他の実施形態に用いられる同様の要素の繰り返しの説明は、簡潔にするために省略される。

【0072】

１２０２において、方法１２００は、半導体基板１０６上に金属を堆積することによって、１つ又は複数のチップパッド１０４を形成することを有することができる。例えば、１２０２における１つ又は複数のチップパッド１０４の形成は、本明細書に記載される製造の第１段階に従って実行することができる。１２０４において、方法１２００は、半導体チップ上の１つ又は複数のチップパッド１０４の１つ又は複数の位置（例えば、印刷位置）を規定することができる１つ又は複数の印刷マップ７００を生成することを有することができる。さらに、１つ又は複数の印刷マップ７００は、１つ又は複数の３次元印刷技術の実行中に利用される１つ又は複数の印刷方向を規定することができる。様々な実施形態において、１つ又は複数の実体は、１２０４において生成された１つ又は複数の印刷マップ７００の生成及び／又は使用を容易にするために１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４を用いることができる。例えば、１２０４において１つ又は複数の印刷マップ７００を生成することは、本明細書に記載される製造の第２及び／又は第３段階の準備のために、本明細書に記載される製造の第１段階中に実行することができる。さらに、１２０４における１つ又は複数の印刷マップ７００の生成は、少なくとも図６Ａ－図７に関して本明細書に記載される１つ又は複数の特徴を含むことができる。

【0073】

１２０６において、方法１２００は、１つ又は複数の印刷マップ７００に基づいて１つ又は複数の３次元印刷技術によって１つ又は複数のフリップチップパッド１０４上に導電性インク材料を堆積することによって１つ又は複数のフリップチップ相互接続１０２を形成することを有することができる。本明細書に記載される様々な実施形態に従って、１つ又は複数の３次元印刷技術は、１つ又は複数の相互接続１０２を、規定された形状、幾何学、及び／又は寸法を有する３次元構造に構築するために、導電性インク材料を１つ又は複数のチップパッド１０４上に印刷するために（例えば、１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４によって）用いることができる。例えば、１２０６において１つ又は複数の相互接続部１０２を形成することは、本明細書に記載される製造の第２及び／又は第３段階の１つ又は複数の繰り返しに従って実行することができる。

【0074】

図１３は、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態に従った１つ又は複数の３次元印刷技術によって１つ又は複数の共振器構造８００の調整を容易にすることができる例示的且つ非限定的な方法１３００のフロー図を示す。本明細書に記載される他の実施形態に用いられる同様の要素の繰り返しの説明は、簡潔にするために省略される。

【0075】

１３０２において、方法１３００は、半導体デバイス（例えば、共振器構造８００）の１つ又は複数の共振器を提供することを有することができ、１つ又は複数の共振器は、１つ又は複数の圧電層８０２に隣接する１つ又は複数の電極を有することができる。例えば、１３０２において提供される１つ又は複数の共振器は、本明細書に記載される共振器構造８００を具体化することができる。１３０４において、方法１３００は、１つ又は複数の共振器（例えば、共振器構造８００）の初期動作周波数を決定することを有することができる。例えば、１つ又は複数の共振器は、共振器の初期動作周波数を測定するために、本明細書に記載される調整の第１段階中に動作することができる。

【0076】

１３０６において、方法１３００は、半導体チップ上の１つ又は複数の共振器（例えば、共振器構造８００）の１つ又は複数の位置を規定することができる１つ又は複数の印刷マップ７００を生成することを有することができる。さらに、１つ又は複数の印刷マップ７００は、１つ又は複数の３次元印刷技術の実行中に利用される１つ又は複数の印刷方向を規定することができる。様々な実施形態において、１つ又は複数の実体は、１３０６において生成された１つ又は複数の印刷マップ７００の生成及び／又は使用を容易にするために、１つ又は複数のコンピュータデバイス４０４を用いることができる。例えば、１３０６において１つ又は複数の印刷マップ７００を生成することは、本明細書に記載される調整の第２及び／又は第３段階に備えて、本明細書に記載される調整の第１段階中に実行することができる。

【0077】

１３０８において、方法１３００は、１つ又は複数の印刷マップ７００に基づいて１つ又は複数の共振器の表面にインク材料（例えば、３次元印刷技術に適合する）を堆積することによって、１つ又は複数の共振器（例えば、共振器構造８００）を調整することを有することができ、前記堆積は、１つ又は複数の３次元印刷技術によって実行することができる。例えば、インク材料は、１つ又は複数の３次元印刷技術によって、１つ又は複数の共振器（例えば、共振器構造８００）の１つ又は複数の圧電層８０２及び／又は電極（例えば、第１電極８０４）上に印刷することができる。例えば、１３０８において堆積することは、本明細書に記載される調整の第２及び／又は第３段階の１つ又は複数の繰り返しに従って実行することができる。様々な実施形態において、１つ又は複数の共振器上にインク材料を堆積することは、共振器の動作周波数を初期動作周波数から目標動作周波数に変化させることができる。例えば、インク材料が１つ又は複数の共振器に加えられるにつれて、１つ又は複数の共振器の動作周波数は、増加させることができる。

【0078】

加えて、用語「又は」は、排他的な「又は」ではなく包括的な「又は」を意味することが意図される。 つまり、別段の指定がない限り又は文脈から明らかでない限り、「ＸがＡ又はＢを用いる」とは、あらゆる自然な包括的な置換を意味することを意図している。つまり、ＸがＡを用いる場合、ＸがＢを用いる場合、又はＸがＡとＢの両方を用いる場合、「ＸがＡ又はＢを用いる」は、前述のいずれの場合でも満たされる。さらに、本明細書及び付属図面に使用される冠詞「１つの（a）」及び「１つの（an）」は一般に、別段の指定がない限り又は文脈から単数形に向けられることが明らかでない限り、「１つ又は複数」を意味すると解釈されるべきである。本明細書に使用される場合、用語「例（example）」及び／又は「例示的（exemplary）」は、例（example）、例示（instance）、又は実例（illustration）として機能することを意味するために使用される。誤解を避けるために、本明細書に開示された主題は、そのような例によって限定されない。加えて、本明細書に「例（example）」及び／又は「例示的（exemplary）」として記載されるあらゆる態様又は設計は、必ずしも他の態様又は設計より好ましい又は有利であると解釈されるものではなく、当業者に公知の同等の例示的構造及び技術を排除することを意味するものでもない。

【0079】

当然、本開示を説明するために、考えられる限りのすべての構成要素、製品及び／又は方法の組み合わせを記載することは不可能であるが、当業者は、本開示の多くのさらなる組み合わせ及び変更が可能であることを認識することができる。さらに、「含む（includes）」、「有する（has）」、「所有する（possesses）」などの用語が詳細な説明、特許請求の範囲、付録及び図面において使用される範囲において、そのような用語は、特許請求の範囲において移行語として用いられる場合に「有する（comprising）」が解釈されるような「有する（comprising）」という用語と同様の方法で、包括的であることを意図している。様々な実施形態の記載は、説明のために提示されているが、開示された実施形態を網羅する又は限定することを意図していない。記載された実施形態の範囲及び精神から逸脱することなく、当業者には多くの修正及び変形が明らかであろう。本明細書に使用される用語は、実施形態の原理、実際の適用、又は市場で見られる技術を超える技術的改良を最もよく説明するために、又は他の当業者が本明細書に開示された実施形態を理解することを可能にするために選択された。

【図1A】

【図1B】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図6A】

【図6B】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10A】

【図10B】

【図10C】

【図10D】

【図11A】

【図11B】

【図11C】

【図12】

【図13】

【国際調査報告】