特表 2024-524391 接合層内にルーティング構造体を有する素子

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-07-05

(54)【発明の名称】接合層内にルーティング構造体を有する素子

(51)【国際特許分類】

   H01L 25/07 20060101AFI20240628BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20240628BHJP

【ＦＩ】

H01L25/08 Y

H01L23/12 501P

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023580542

(86)(22)【出願日】2022-06-29

(85)【翻訳文提出日】2023-12-27

(86)【国際出願番号】 US2022035559

(87)【国際公開番号】W WO2023278605

(87)【国際公開日】2023-01-05

(31)【優先権主張番号】63/217,046

(32)【優先日】2021-06-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】518065991

【氏名又は名称】アデイア セミコンダクター ボンディング テクノロジーズ インコーポレイテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100094569

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 伸一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100103610

【弁理士】

【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦

(74)【代理人】

【識別番号】100109070

【弁理士】

【氏名又は名称】須田 洋之

(74)【代理人】

【識別番号】100098475

【弁理士】

【氏名又は名称】倉澤 伊知郎

(74)【代理人】

【識別番号】100130937

【弁理士】

【氏名又は名称】山本 泰史

(74)【代理人】

【識別番号】100144451

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 博子

(72)【発明者】

【氏名】ファウンテン ガイウス ギルマン ジュニア

(57)【要約】

接合構造が開示される。接合構造は、第１の接合層を備えた第１の素子を有するのがよく、第１の接合層は、第１の接触パッド及びルーティングトレースを有する。ルーティングトレースは、第１の接触パッドと同一レベルのところに形成される。接合構造は、第２の接触パッドを有する第２の接合層を備えた第２の素子を有するのがよい。第１の素子の第１の接合層と第２の素子の第２の接合層は、第１の接触パッドと第２の接触パッドが介在する接着剤なしで直接ボンディングされるよう直接ボンディングされている。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

接合構造であって、
第１の接合層を備えた第１の素子を有し、前記第１の接合層は、第１の接触パッド及びルーティングトレースを有し、前記ルーティングトレースは、前記第１の接触パッドと同一レベルのところに形成され、
第２の接触パッドを有する第２の接合層を備えた第２の素子を有し、
前記第１の素子の前記第１の接合層と前記第２の素子の前記第２の接合層は、前記第１の接触パッドと前記第２の接触パッドが介在接着剤なしで直接ボンディングされるよう直接ボンディングされている、接合構造。

【請求項2】

第１の接合層は、第３の接触パッドをさらに有する、請求項１記載の接合構造。

【請求項3】

前記第２の接合層は、第４の接触パッドをさらに有し、前記第３の接触パッドと前記第４の接触パッドは、介在接着剤なしで互いに直接ボンディングされている、請求項２記載の接合構造。

【請求項4】

前記ルーティングトレースは、前記第１の接触パッドの最大幅よりも狭い最大トレース幅を有する、請求項１記載の接合構造。

【請求項5】

前記ルーティングトレースは、前記第１の接触パッドに接触して該第１の接触パッドから側方に延びる、請求項１記載の接合構造。

【請求項6】

前記ルーティングトレース及び前記第１の接触パッドは、同種の導電材料で作られている、請求項１記載の接合構造。

【請求項7】

前記第１の素子は、前記第２の素子と反対の前記接合層の側に被着された第１のビア層をさらに有し、前記第１のビア層は、前記第１のビア層の厚さを貫通して延びるビアを有する、請求項１記載の接合構造。

【請求項8】

前記第１の素子は、電子回路をさらに有し、前記第１のビアは、前記第１の接触パッドと前記電子回路を電気的に接続している、請求項７記載の接合構造。

【請求項9】

第１の素子は、ルーティング構造体をさらに有し、前記第１のビアは、前記第１の接触パッドと前記ルーティング構造体を電気的に接続している、請求項７記載の接合構造。

【請求項10】

前記ルーティング構造体は、再配線（ＲＤＬ）層を含む、請求項９記載の接合構造。

【請求項11】

前記第２の素子の前記第２の接合層は、第２のルーティングトレースをさらに有する、請求項１記載の接合構造。

【請求項12】

前記第１の接触パッドの厚さは、前記第１の接合層の厚さを定める、請求項１記載の接合構造。

【請求項13】

前記第１の素子は、第１の接触パッドを含む複数の接触パッドを有し、前記複数の第１の接触パッドのうちの少なくとも１つの直径は、５ミクロン未満である、請求項１記載の接合構造。

【請求項14】

接合構造であって、
第１の接合層を備えた第１の素子を有し、前記第１の接合層は、第１の接触パッド及び前記第１の接触パッドに接続されたルーティングトレースを有し、前記ルーティングトレースは、前記第１の接合層内の前記第１の接触パッドから側方に延び、前記ルーティングトレース及び第１の接触パッドは、同種の導電材料で作られ、
第２の接触パッドを有する第２の接合層を備えた第２の素子を有し、
前記第１の素子と前記第２の素子は、前記第１の接触パッドと前記第２の接触パッドが介在接着剤なしで直接ボンディングされるよう直接ボンディングされている、接合構造。

【請求項15】

接合構造であって、
第１の接合層を備えた第１の素子を有し、前記第１の接合層は、第１の接触パッド及びルーティングトレースを有し、
第２の接触パッドを有する第２の接合層を備えた第２の素子を有し、
前記第１の素子と前記第２の素子は、前記第１の接触パッドと前記第２の接触パッドが介在接着剤なしで直接ボンディングされるようボンドインターフェースに沿って直接ボンディングされ、前記ルーティングトレース及び前記第１の接触パッドは、前記ボンドインターフェースに沿って設けられている、接合構造。

【請求項16】

前記ルーティングトレースは、前記第２の接合層の非導電材料に接触する、請求項１５記載の接合構造。

【請求項17】

接合構造であって、
接合側と前記接合側と反対側の裏側を有する第１の接合層及び前記第１の接合層の前記裏側に被着されているビア層を備えた第１の素子を有し、前記第１の接合層は、前記ビア層の２つのビアと電気的接触状態にある細長い導電特徴部を有し、
導電特徴部を有する第２の接合層を備えた第２の素子を有し、
前記第１の素子と前記第２の素子は、前記細長い導電特徴部が前記第２の接合層と接触状態にあるよう直接ボンディングされている、接合構造。

【請求項18】

前記第１の素子の前記細長い導電特徴部は、前記第２の素子の前記導電特徴部とじかに接触状態にある、請求項１７記載の接合構造。

【請求項19】

前記第１の素子は、前記細長い導電特徴部に接続された接触パッドを有し、前記接触パッドは、前記第２の素子の前記導電特徴部に直接ボンディングされている、請求項１７記載の接合構造。

【請求項20】

接合層を有する素子であって、前記素子は、
前記接合層の非導電材料内に埋め込まれた第１の接触パッドを有し、前記第１の接触パッドの上面は、前記接合層の前記非導電材料によって覆われてはおらず、
前記接合層の前記非導電材料内に埋め込まれたルーティングトレースを有し、前記ルーティングトレースの上面は、前記接合層の前記非導電材料によって覆われてはおらず、
前記接合層は、介在接着剤なしで別の素子に直接ボンディングされるよう構成されている、素子。

【請求項21】

前記ルーティングトレースは、前記第１の接触パッドと第２の接触パッドを側方に接続している、請求項２０記載の素子。

【請求項22】

前記ルーティングトレースは、前記第１の接触パッドと同一金属レベルのところに形成されている、請求項２０記載の素子。

【請求項23】

前記ルーティングトレースは、前記第１の接触パッドと同種の金属層で作られている、請求項２０記載の素子。

【請求項24】

前記接合層の前記非導電材料は、約２０Åｒｍｓ以下の表面粗さを有する、請求項２０記載の素子。

【請求項25】

前記接触パッド及び前記ルーティングトレースは、前記接合層の前記非導電材料の上面よりも約２０ｎｍ以下だけ下へ引っ込められている、請求項２４記載の素子。

【請求項26】

前記接合層の前記非導電材料は、第２の素子の類似の非導電材料に直接ボンディングするのに適した量で窒素及び／又はフッ素ドーピング物質を含む、請求項２４記載の素子。

【請求項27】

接合層を有する素子であって、前記素子は、
前記接合層内に設けられた第１の接触パッドと、
前記接合層内に設けられたルーティングトレースと、を有し、
前記第１の接触パッド及び前記ルーティングトレースは、前記接合層の接合面のところで露出され、
前記接合層の前記接合面は、介在接着剤なしで別の素子に直接ボンディングされるよう構成されている、素子。

【請求項28】

前記ルーティングトレースは、前記接合層の下に設けられたビア層内のビアに電気的に接続されている、請求項２７記載の素子。

【請求項29】

前記ルーティングトレースは、前記第１の接触パッドから延びている、請求項２７記載の素子。

【請求項30】

前記ルーティングトレースは、前記接合層内の前記第１の接触パッドと第２の接触パッドとの間に延びている、請求項２７記載の素子。

【請求項31】

前記ルーティングトレースは、前記第１の接触パッドから延びている、請求項２７記載の素子。

【請求項32】

前記ルーティングトレースは、前記第１の接触パッドの最大幅よりも狭い幅を有する、請求項２７記載の素子。

【請求項33】

素子を別の素子に直接ボンディングされるよう構成された状態で形成する方法であって、
前記素子の接合層を前記接合層の接合面から部分的に除去するステップを含み、
導電材料を前記接合層の前記除去部分に設けて接触パッド及びルーティングトレースを形成するステップを含み、前記ルーティングトレースは、前記接合層内の前記接触パッドから側方に延び、
前記接合面を直接ボンディング可能に前処理するステップを含む、方法。

【請求項34】

素子を別の素子に直接ボンディングされるよう構成された状態で形成する方法であって、
導電層をパターン化して接触パッド及びルーティングトレースを形成するステップと、
前記接触パッド及び前記ルーティングトレースを非導電材料内に少なくとも部分的に埋め込むステップと、
前記接触パッド、前記ルーティングトレース、及び前記非導電材料の表面を研磨して直接ボンディング可能に前処理するステップと、を含む、方法。

【請求項35】

前記パターン化ステップ及び前記埋め込みステップは、単一のマスクを用いて前記接触パッド及び前記ルーティングトレースの空洞パターンを形成し、そして前記導電層を前記空洞パターン中に堆積させるダマシンプロセスを含む、請求項３４記載の方法。

【請求項36】

追加のマスクを用いてビアホールを前記接合層の下に設けられたビア層内にパターン化するステップをさらに含み、前記導電層を前記空洞パターン中に堆積させる前記ステップは、デュアルダマシンプロセスにおいて前記ビアホールを同時に充填するステップを含む、請求項３５記載の方法。

【請求項37】

前記導電層を堆積させる前記ステップは、バリヤ層、シード層及び電気めっき銅層を堆積させるステップを含む、請求項３６記載の方法。

【請求項38】

接合構造を形成する方法であって、前記方法は、
第１の接合層を備えた第１の素子を用意するステップを含み、前記第１の接合層は、非導電材料、第１の接触パッド及びルーティングトレースを有し、前記ルーティングトレースは、前記第１の接触パッドと同一金属レベルのところに形成され、
前記第１の接触パッド、前記ルーティングトレース、及び前記非導電材料の表面を研磨して直接ボンディング可能に前処理するステップを含む、方法。

【請求項39】

第２の接触パッドを有する第２の接合層を備えた第２の素子を用意するステップをさらに含む、請求項３８記載の方法。

【請求項40】

前記第１の素子と前記第２の素子を前記第１の接触パッドと前記第２の接触パッドが介在接着剤なしで直接ボンディングされるよう直接ボンディングするステップをさらに含む、請求項３９記載の方法。

【請求項41】

接合構造であって、
第１の接合面を備えた第１の素子を有し、前記第１の接合面は、第１の接触パッド及びルーティングトレースを有し、
第２の接触パッドを有する第２の接合面を備えた第２の素子を有し、
前記第１の素子と前記第２の素子は、前記第１の接触パッドと前記第２の接触パッドが介在接着剤なしで直接ボンディングされるよう直接ボンディングされ、前記ルーティングトレースは、前記第２の接合面と接触状態にある、接合構造。

【請求項42】

前記第１の接合面は、第３の接触パッドをさらに有する、請求項４１記載の接合構造。

【請求項43】

前記第２の接合面は、第４の接触パッドをさらに有し、前記第３の接触パッドと前記第４の接触パッドは、介在接着剤なしで互いに直接ボンディングされている、請求項４２記載の接合構造。

【請求項44】

前記ルーティングトレースは、前記第１の接触パッドの最大幅よりも狭い最大トレース幅を有する、請求項４１記載の接合構造。

【請求項45】

前記ルーティングトレースは、前記第１の接触パッドに接触して該第１の接触パッドから側方に延びる、請求項４１記載の接合構造。

【請求項46】

前記ルーティングトレース及び前記第１の接触パッドは、同種の導電材料で作られている、請求項４１記載の接合構造。

【請求項47】

前記第１の素子は、第１のビア層をさらに有し、前記第１のビア層は、前記第１のビア層の厚さを貫通して延びるビアを有する、請求項４１記載の接合構造。

【請求項48】

前記第１の素子は、電子回路をさらに有し、前記第１のビアは、前記第１の接触パッドと前記電子回路を電気的に接続している、請求項４７記載の接合構造。

【請求項49】

第１の素子は、ルーティング構造体をさらに有し、前記第１のビアは、前記第１の接触パッドと前記ルーティング構造体を電気的に接続している、請求項４７記載の接合構造。

【請求項50】

前記ルーティング構造体は、再配線（ＲＤＬ）層を含む、請求項４８記載の接合構造。

【請求項51】

前記第２の素子の前記第２の接合面は、第２のルーティングトレースをさらに有する、請求項４１記載の接合構造。

【請求項52】

前記第１の接触パッドの厚さは、前記ルーティングトレースの厚さよりも大きい、請求項４１記載の接合構造。

【請求項53】

前記第１の素子は、前記第１の接触パッドを含む複数の接触パッドを有し、前記複数の第１の接触パッドのうちの少なくとも１つの直径は、５ミクロン未満である、請求項４１記載の接合構造。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本技術分野は、一般に、接合層、特に半導体素子用のルーティング構造体を備えた直接接合層に関する。

【0002】

〔関連出願の引照〕
本願は、２０２１年６月３０日に出願された米国特許仮出願第６３／２１７，０４６号（発明の名称：ELEMENT WITH ROUTING STRUCTURE IN BONDING LAYER）の優先権主張出願であり、この米国特許仮出願を参照により引用し、その記載内容全体を本明細書の一部とする。

【背景技術】

【0003】

集積デバイスパッケージは、電気接続（例えば、信号、アース又は電力）をパッケージ内の１つ以上の集積デバイスダイを他のデバイスに再配線し又はルーティングするために再配線層（redistribution layer：ＲＤＬ）（表面配線と呼ばれることがある）を使用している場合がある。例えば、ファンアウト再配線は、信号を集積デバイスダイの微細ピッチボンドパッドから間隔が広くなるよう外方に伝えることができる。ファンイン再配線は、周辺ダイパッドからより中央に配置されたＲＤＬパッドに再ルーティングすることができる。線（ライン）及びパッドは、導電材料（例えば、金属）で作られて非導電材料（絶縁体）で覆われる場合があり、パッド上絶縁体に設けられた開口部を他の素子に接続可能に例えばはんだ、金属バンプ又はピラーを充填する場合がある。

【0004】

別々の電子素子、例えばダイを接続するもう１つの技術は、直接ハイブリッドボンディングであり、これにより、電子素子の導電特徴部と非導電特徴部の両方をもう１つの電子素子の導電特徴部及び非導電特徴部にそれぞれ直接ボンディングする。接合層は、導電特徴部と非導電特徴部の両方を備えるのがよい。幾つかの場合、ＲＤＬは、直接ハイブリッドボンディングのための接合層としての役目を果たすことができる。例えば、ダイパッドから離れるルーティング線として役立つよう金属層をダイ上に蒸着又は成膜させてパターン化することができる。絶縁体が線上に成膜して開口部でパターン化され、パッドは、これら開口部内において、例えばダマシン技術により別の金属層から形成される。ルーティング線を絶縁体の下に埋めている間にパッドの頂部を露出させる。直接ボンディングに望ましい平坦度を達成するため、絶縁体とパッドを微細に研磨して異なる素子に直接ボンディングできるよう前処理する。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

電子部品を搭載した素子を別の素子に接続する改良型構造体及び方法が要望され続けている。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一観点によれば、接合構造であって、
第１の接合層を備えた第１の素子を有し、第１の接合層は、第１の接触パッド及びルーティングトレースを有し、ルーティングトレースは、第１の接触パッドと同一レベルのところに形成され、
第２の接触パッドを有する第２の接合層を備えた第２の素子を有し、
第１の素子の第１の接合層と第２の素子の第２の接合層は、第１の接触パッドと第２の接触パッドが介在接着剤なしで直接ボンディングされるよう直接ボンディングされていることを特徴とする接合構造が提供される。

【0007】

本発明のもう１つの観点によれば、接合構造であって、
第１の接合層を備えた第１の素子を有し、第１の接合層は、第１の接触パッド及び第１の接触パッドに接続されたルーティングトレースを有し、ルーティングトレースは、第１の接合層内の第１の接触パッドから側方に延び、ルーティングトレース及び第１の接触パッドは、同種の導電材料で作られ、
第２の接触パッドを有する第２の接合層を備えた第２の素子を有し、
第１の素子と第２の素子は、第１の接触パッドと第２の接触パッドが介在接着剤なしで直接ボンディングされるよう直接ボンディングされていることを特徴とする接合構造が提供される。

【0008】

本発明のさらにもう１つの観点によれば、接合構造であって、
第１の接合層を備えた第１の素子を有し、第１の接合層は、第１の接触パッド及びルーティングトレースを有し、
第２の接触パッドを有する第２の接合層を備えた第２の素子を有し、
第１の素子と第２の素子は、第１の接触パッドと第２の接触パッドが介在接着剤なしで直接ボンディングされるようボンドインターフェースに沿って直接ボンディングされ、ルーティングトレース及び第１の接触パッドは、ボンドインターフェースに沿って設けられていることを特徴とする接合構造が提供される。

【0009】

本発明のさらにもう１つの観点によれば、接合構造であって、
接合側と接合側と反対側の裏側を有する第１の接合層及び第１の接合層の裏側に被着されているビア層を備えた第１の素子を有し、第１の接合層は、ビア層の２つのビアと電気的接触状態にある細長い導電特徴部を有し、
導電特徴部を有する第２の接合層を備えた第２の素子を有し、
第１の素子と第２の素子は、細長い導電特徴部が第２の接合層と接触状態にあるよう直接ボンディングされていることを特徴とする接合構造が提供される。

【0010】

本発明のさらにもう１つの観点によれば、接合層を有する素子であって、素子は、
接合層の非導電材料内に埋め込まれた第１の接触パッドを有し、第１の接触パッドの上面は、接合層の非導電材料によって覆われてはおらず、
接合層の非導電材料内に埋め込まれたルーティングトレースを有し、ルーティングトレースの上面は、接合層の非導電材料によって覆われてはおらず、
接合層は、介在接着剤なしで別の素子に直接ボンディングされるよう構成されていることを特徴とする素子が提供される。

【0011】

本発明のさらにもう１つの観点によれば、接合層を有する素子であって、素子は、
接合層内に設けられた第１の接触パッドと、
接合層内に設けられたルーティングトレースとを有し、
第１の接触パッド及びルーティングトレースは、接合層の接合面のところで露出され、
接合層の接合面は、介在接着剤なしで別の素子に直接ボンディングされるよう構成されていることを特徴とする素子が提供される。

【0012】

本発明のさらにもう１つの観点によれば、素子を別の素子に直接ボンディングされるよう構成された状態で形成する方法であって、
素子の接合層を接合層の接合面から部分的に除去するステップを含み、
導電材料を接合層の除去部分に設けて接触パッド及びルーティングトレースを形成するステップを含み、ルーティングトレースは、接合層内の接触パッドから側方に延び、
接合面を直接ボンディング可能に前処理するステップを含むことを特徴とする方法が提供される。

【0013】

本発明のさらにもう１つの観点によれば、素子を別の素子に直接ボンディングされるよう構成された状態で形成する方法であって、
導電層をパターン化して接触パッド及びルーティングトレースを形成するステップと、
接触パッド及びルーティングトレースを非導電材料内に少なくとも部分的に埋め込むステップと、
接触パッド、ルーティングトレース、及び非導電材料の表面を研磨して直接ボンディング可能に前処理するステップとを含むことを特徴とする方法が提供される。

【0014】

本発明のさらにもう１つの観点によれば、接合構造を形成する方法であって、
第１の接合層を備えた第１の素子を用意するステップを含み、第１の接合層は、非導電材料、第１の接触パッド及びルーティングトレースを有し、ルーティングトレースは、第１の接触パッドと同一金属レベルのところに形成され、
第１の接触パッド、ルーティングトレース、及び非導電材料の表面を研磨して直接ボンディング可能に前処理するステップを含むことを特徴とする方法が提供される。

【0015】

本発明のさらにもう１つの観点によれば、接合構造であって、
第１の接合面を備えた第１の素子を有し、第１の接合面は、第１の接触パッド及びルーティングトレースを有し、
第２の接触パッドを有する第２の接合面を備えた第２の素子を有し、
第１の素子と第２の素子は、第１の接触パッドと第２の接触パッドが介在接着剤なしで直接ボンディングされるよう直接ボンディングされ、ルーティングトレースは、第２の接合面と接触状態にあることを特徴とする接合構造が提供される。

【0016】

詳細な説明は、添付の図面に関して提供されている。図中、参照符号の最も左側の数字は、参照符号が最初に表れる図面を表している。互いに異なる図で用いる同一の参照符号は、類似又は同一のアイテムを指している。

【0017】

本説明のため、図に記載されたデバイス及びシステムは、多数の部品を有するものとして示されている。本明細書において説明するデバイス及び／又はシステムの種々の具体化例は、これよりも数の少ない部品を含むのが良く、これらは、本開示の範囲内に属したままである。変形例として、デバイス及び／又はシステムの他の具体化例は、追加の部品、又は説明した部品の種々の組み合わせを含むことができ、これは、本発明の範囲内に依然として含まれている。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1A】第１の素子及び第２の素子のボンディング前の概略断面側面図である。

【図1B】第１の素子及び第２の素子を有する接合構造の概略断面側面図である。

【図2A】接合層６０内にルーティング構造体を有する素子４の概略底面図である。

【図2B】図２Ａに示す素子の概略断面矢視断面図である。

【図3A】図２Ａに示す素子の一部分の拡大平面図である。

【図3B】図３Ａに示す素子の一部分の概略斜視図である。

【図3C】図２Ａに示す素子のもう１つの部分の拡大平面図である。

【図3D】図３Ｃに示す素子の一部分の概略斜視図である。

【図3E】図２Ａに示す素子の別の部分の拡大平面図である。

【図3F】図３Ｅに示す素子の一部分の概略斜視図である。

【図4A】一実施形態に従って素子を形成する製造プロセスを示す図である。

【図4B】一実施形態に従って素子を形成する製造プロセスを示す図である。

【図4C】一実施形態に従って素子を形成する製造プロセスを示す図である。

【図4D】一実施形態に従って素子を形成する製造プロセスを示す図である。

【図4E】一実施形態に従って素子を形成する製造プロセスを示す図である。

【図4F】図４Ａ～図４Ｅの製造プロセスで用いられるマスク層の概略平面図である。

【図4G】図４Ａ～図４Ｅの製造プロセスで用いられるマスク層の概略平面図である。

【図5A】素子のビア層内にビアを形成するためのマスク層の概略平面図である。

【図5B】素子の接合層内に接触パッド及びルーティング構造体を形成するためのマスク層の概略平面図である。

【図6A】ボンディング前における図２Ａ、図３Ｃ及び図３Ｄに示す素子の細長い導電構造体、及び別の素子の細長い導電構造体を示す図である。

【図6B】ボンディング後における図６Ａの細長い導電構造体を示す図である。

【図6C】図６Ａの細長い構造体を含む接合構造の概略断面側面図である。

【図7A】接合層内の部品の例示の寸法を示す表から成る図である。

【図7B】図７Ａに示す寸法の配置関係を概略的に示す図である。

【図8A-8B】図８Ａは、一実施形態に従って接合層内のルーティング構造体を有する素子の底面図であり、図８Ｂは、図８Ａに示す素子の一部分の拡大図である。

【図9】接合構造体の接合インターフェースのところ又はその近くの赤外線（ＩＲ）像を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

２つ以上の半導体素子（例えば、集積デバイスダイ、ウエハなど）を互いにボンディングすると接合構造を形成することができる。１つの素子の導電特徴部（例えば、接触パッド）、ビア（例えば、ＴＳＶ）の露出端部、又は貫通型基板電極）をもう１つの素子の対応の導電特徴部に電気的に接続するのがよい。任意適当な数の素子を接合構造内に積み重ねることができる。

【0020】

図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、幾つかの実施形態では、素子（例えば、第１の素子１及び第２の素子２）は、介在する接着剤なしで互いに直接ボンディングされる。これとは異なり、１つの素子の再配線層（ＲＤＬ）は、もう１つの素子の再配線層に直接ハイブリッドボンディングされる。種々の実施形態では、第１の素子１（例えば、アクティブ回路を備えた第１の半導体デバイスダイ又は第１の集積デバイスダイ）の非導電材料１１は、接着剤なしで、第２の素子２（例えば、アクティブ回路を備えた第２の半導体デバイスダイ又はインターコネクト構造体）の対応の非導電材料３１に直接ボンディングされるのがよい。非導電材料１１を第１の素子の非導電接合領域と言う場合がある。第１の素子の非導電材料１１を誘電体間ボンディング技術を用いて第２の素子２の対応の非導電材料３１に直接ボンディングされるのがよい。例えば、誘電体間共有結合を直接ボンディング技術を用いて接着剤なしで形成することができる。適当な非導電接合材料としては、半導体加工で用いられる従来型絶縁材料が挙げられ、かかる従来型絶縁材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン、オキシ窒化シリコン、炭化シリコン、炭窒化シリコンなどが挙げられるが、これらには限定されない。

【0021】

種々の実施形態では、直接ボンド（接合部）を介在接着剤なしで形成することができる。例えば、導電接合面を高い平滑度に研磨することができる。接合面を清浄化して、プラズマ及び／又はエッチング剤に当てると、表面を活性化することができる（表面のクティベーションを行うことができる）。幾つかの実施形態では、これら表面は、活性化後又は活性化中（例えば、プラズマ及び／又はエッチングプロセス中）、化学種で末端基化するができる。理論に束縛されるものではないが、幾つかの実施形態では、活性化プロセスは、接合面のところでの化学結合を壊すために実施されるのがよく、末端基化プロセスは、直接接合中における接合エネルギーを向上させる１種類以上の追加の化学種を接合面のところに提供することができる。幾つかの実施形態では、活性化及び末端基化は、同一のステップ、例えば、プラズマ又はウェットエッチング剤は、表面の活性化及び末端基化を行うことができる。他の実施形態では、接合面を別個の処理で末端基化を行って直接接合のための追加の化学種を提供することができる。種々の実施形態では、末端基化化学種は、窒素を含むのがよい。さらに、幾つかの実施形態では、接合面をフッ素にさらすのがよい。例えば、層及び／又は接合インターフェースのところ又はその近くに１つ又は複数のフッ素ピークが生じるのがよい。かくして、直接接合構造体では、２つの誘電体相互間の接合インターフェースは、接合面のところに高い窒素含有量及び／又はフッ素ピークを有する極めて滑らかなインターフェースを構成することができる。活性化及び／又は末端基化処理の追加の実施例が米国特許第９，５６４，４１４号明細書、同第９，３９１，１４３号明細書、及び同第１０，４３４，７４９号明細書を通して見受けられ、これら米国特許の各々を参照により引用し、その記載内容全体を全ての目的に関して本明細書の一部とする。

【0022】

種々の実施形態では、第１の素子１の導電特徴部（例えば、図１Ａ及び図１Ｂに示す第１及び第２の接触パッド１６，１８）は、第２の素子２の対応の導電特徴部（例えば、図１Ａ及び図１Ｂに示す第３及び第４の接触パッド３６，３８）に直接ボンディングされるのがよい。例えば、ハイブリッドボンディング技術を用いると、上述したように前処理された共有直接結合誘電体間表面を含むボンドインターフェースに沿って導体間直接ボンドを提供することができる。種々の実施形態では、導体間（例えば、接触パッド間）直接ボンド及び誘電体間ハイブリッドボンドは、少なくとも米国特許第９，７１６，０３３号明細書及び同第９，８５２，９８８号明細書に開示された直接ボンディング技術を用いて形成でき、これら米国特許の各々を参照により引用し、全ての目的についてその記載内容全体を本明細書の一部とする。

【0023】

例えば、誘電体接合面を前処理して、上述のように介在接着剤なしで互いに直接ボンディングすることができる。導電接触パッド（これは、非導電フィールド領域によって少なくとも部分的に包囲されるのがよい）もまた、介在接着剤なしで互いに直接ボンディングすることができる。幾つかの実施形態では、それぞれの導電特徴部を誘電フィールド領域又は非導電接合領域の外面（例えば、上面）の下に、例えば、２０ｎｍ未満、１５ｎｍ未満、又は１０ｎｍ未満だけ凹ませるのがよく、また、２ｎｍ～２０ｎｍの範囲又は４ｎｍ～１０ｎｍの範囲で凹ませるのがよい。非導電接合領域を、幾つかの実施形態では、室温で接着剤なしで互いに直接ボンディングするのがよく、その後、接合構造体をアニールするのがよい。アニール時、導電特徴部は、熱膨張して互いに接触し、それにより金属間直接接合部を形成することができる。有益には、ハイブリッド直接接合（カリフォルニア州サンノゼ所在のインベンサス・ボンディング・テクノロジーズ・インコーポレイテッド（Invensas Bonding Technologies）から商業的に入手できるダイレクト・ボンド・インターコネクト（Direct Bond Interconnect：ＤＢＩ（登録商標））技術の使用により、高密度の導電特徴部を、直接ボンドインターフェースを横切って接続することができる（例えば、規則的なアレイについては小さな又は細かいピッチで）。幾つかの実施形態では、導電特徴部のピッチは、４０ミクロン未満、１０ミクロン未満、或いは１ミクロン未満であるのがよい。幾つかの用途に関し、接合パッドのピッチと導電特徴部の寸法のうちの１つの比は、５未満、３未満、又は場合によっては望ましくは２未満である。種々の実施形態では、導電特徴部は、銅から成るのがよく、ただし、他の金属が適している場合がある。

【0024】

かくして、直接ボンディングプロセスでは、第１の素子を介在接着剤なしで第２の素子に直接ボンディングすることができる。幾つかの構成例では、第１の素子は、単一化された素子、例えば単一化された集積化デバイスダイから成るのがよい。他の構成例では、第１の素子は、単一化されたときに複数の集積化デバイスダイを形成する複数の（例えば、数十個、数百個、又はそれ以上）のデバイス領域を含むキャリヤ又は基板（例えば、ウエハ）から成るのがよい。同様に、第２の素子は、単一化された素子、例えば単一化された集積化デバイスダイから成るのがよい。他の構成例では、第２の素子は、キャリヤ又は基板（例えば、ウエハ）から成るのがよい。

【0025】

本明細書で説明するように、第１の素子と第２の素子を接着剤なしで互いに直接ボンディングすることができ、これは、被着プロセスとは異なっている。したがって、第１及び第２の素子は、非被着素子から成ってもよい。当業者であれば、直接結合層と素子上に被着された層を目で見て確認した上でこれらを識別することができる。直接接合構造は、ボンドインターフェースに沿って、ナノボイドが存在する欠陥領域を含む場合がある。ナノボイドは、接合面の活性化（例えば、プラズマへの曝露）に起因して形成される場合がある。上述したように、ボンドインターフェースは、活性化及び／又は最後の化学処理プロセスから生じる物質の濃縮を含む場合がある。例えば、活性化のために窒素プラズマを利用する実施形態では、窒素ピークがボンドインターフェースのところに形成される場合がある。活性化のために酸素プラズマを利用する実施形態では、酸素ピークがボンドインターフェースのところに形成される場合がある。窒素ピークは、二次イオン質量分析計を用いて検出可能である。種々の実施形態では、例えば、窒素末端基化処理（例えば、結合層を窒素含有プラズマに当てる）により、加水分解（ＯＨ末端化）表面に代えてＮＨ₂分子を用いることができ、それにより窒素末端基化表面が生じる。活性化のために酸素プラズマを利用する実施形態では、酸素ピークがボンドインターフェースのところに形成される場合がある。幾つかの実施形態では、ボンドインターフェースは、オキシ窒化ケイ素、オキシ炭窒化ケイ素、又は炭窒化ケイ素から成るのがよい。本明細書において説明したように、直接ボンドは、共有結合を含み、この共有結合は、ファンデルワールス結合よりも強固である。接合層は、高い平滑度まで平坦化された研磨表面をさらに有するのがよい。

【0026】

種々の実施形態では、導電特徴部相互間の金属間ボンドは、銅結晶粒がボンドインターフェースを横切って互いの中に成長するようボンディングするのがよい。幾つかの実施形態では、銅は、ボンドインターフェースを横切る銅の拡散を向上させるために、１１１結晶面に沿って配向した結晶粒を有するのがよい。ボンドインターフェースは、接合導電特徴部の少なくとも一部分まで実質的に完全に延びるのがよく、その結果、接合導電特徴部のところ又はその近くに非導電接合領域相互間に実質的にギャップが生じないようになっている。幾つかの実施形態では、バリヤ層を導電特徴部（例えば、銅を含むのがよい）の下に設けるのがよい。しかしながら、他の実施形態では、例えば、米国特許第１１，１９５，７４８号明細書に記載されているように、導電特徴部の下にバリヤ層がなくてもよく、この米国特許を参照により引用し、その記載内容全体を全ての目的に関して本明細書の一部とする。

【0027】

図１Ａは、第１の素子１と第２の素子２を接続する前における第１の素子１及び第２の素子２の概略断面側面図である。図１Ｂは、第１の素子１及び第２の素子２を含む接合構造３の概略断面側面図である。第１の素子１は、第１の接合層１０、第１のビア層１２、及びルーティング構造体１３を有するのがよい。幾つかの実施形態では、ルーティング構造体１３は、複数の層を有するのがよい。例えば、ルーティング構造体１３は、アクティブ層１４と、ルーティング層１５と、複数のルーティング層相互間に位置する１つ以上のビア層を有するのがよい。幾つかの実施形態では、ルーティング構造体１３は、第１の素子１の半導体回路を検査するために使用できるプローブパッド（図示せず）を有するのがよい。第１の接合層１０は、非導電材料１１、及び導電特徴部（第１の接触パッド１６、第２の接触パッド１８、及び第１のルーティングトレース２０）を有するのがよい。ルーティングトレース２０は、接合層１０内の第１の接触パッド１６及び第２の接触パッド１８と同一レベルに形成されるのがよい。第１のビア層１２は、第１のビア２２及び第２のビア２４を有するのがよい。第１の接触パッド１６、第２の接触パッド１８、及び第１のルーティングトレース２０は、同種の材料から成るのがよい。幾つかの実施形態では、第１の接触パッド１６、第２の接触パッド１８、及び第１のルーティングトレース２０は、単一の製造シークエンスで同時に形成されるのがよく、かかる単一の製造シークエンスとしては、単一のパターン化プロセスが挙げられる。例えば、第１の接触パッド１６、第２の接触パッド１８、及び第１のルーティングトレース２０は、単一のマスクを用いて接触パッド１６，１８及び第１のルーティングトレース２０のための導電材料で満たされるべきボイドを非導電材料１１内にパターン化してエッチングする単一のダマシンプロセスで形成されるのがよい。他の実施例では、単一のマスクを用いて最初に導電層をパターン化して接触パッド１６，１８及び第１のルーティングトレース２０を形成するのがよく、その後、非導電材料１１をこれらの上に被着形成して導電特徴部を埋め込むのがよい。マスクプロセスは、ブランケット導電層をパターン化してエッチングすることができ、マスクプロセスを用いると、リフトオフマスクパターンを形成することができ、その後導電材料蒸着を行い、或いは、シャドーマスクを用いると、導電材料を蒸着させて接触パッド１６，１８及び第１のルーティングトレース２０を形成することができる。もう１つの実施形態では、第１の接触パッド１６，第２の接触パッド１８，及び第１のルーティングトレース２０を単一のダマシンプロセスで形成することができる。

【0028】

第１の素子１の接合面１０ａは、直接ボンディングに備えて高度にポリッシングされる。幾つかの実施形態では、非導電材料１１の粗さは、１５Åｒｍｓ未満である。幾つかの実施形態では、非導電材料１１の粗さは、１０Åｒｍｓ未満である。幾つかの実施形態では、非導電材料１１の粗さは、５Åｒｍｓ未満である。非導電材料１１は、上述したように直接ボンディングのための活性化及び／又は末端基化のシグネチャ、例えばフッ素及び窒素プロフィールをさらに含むのがよい。

【0029】

幾つかの実施形態では、第１の接触パッド１６、第２の接触パッド１８、及び第１のルーティングトレース２０を、第１の接合層１０の接合面１０ａのところに露出させるのがよい。幾つかの実施形態では、非導電材料１１、第１の接触パッド１６、第２の接触パッド１８、及び第１のルーティングトレース２０は、平坦化（例えば、ＣＭＰ）の結果として接合面１０ａのところに互いにほぼ同一平面上に位置するのがよい。例えば、非導電材料１１の上面、第１の接触パッド１６の上面、第２の接触パッド１８の上面、及び第１のルーティングトレース２０の上面は、第１の接触パッド１６、第２の接触パッド１８、及び第１のルーティングトレース２０の各上面が非導電材料１１の上面から５０ｎｍ、３０ｎｍ、又は２０ｎｍ以下の長さだけ引っ込められるよう互いに同一平面上に位置するのがよい。幾つかの実施形態では、第１の接触パッド１６、第２の接触パッド１８、及び／又は第１のルーティングトレース２０は、接合層１０の厚さにほぼ等しく又はほぼ似ている厚さを有するのがよい。第１の接触パッド１６及び／又は第２の接触パッド１８の厚さは、接合層１０の厚さを定めることができる。例えば、第１の接触パッド１６、第２の接触パッド１８、及び／又は第１のルーティングトレース２０は、第１の接合層１０の非導電材料１１の厚さを貫通しているのがよく、そして図示の第１のビア層１２に隣接して位置する底面のところで互いに同一平面上に位置するのがよい。幾つかの実施形態では、非導電材料１１の一部分は、第１のビア層１２と第１の接触パッド１６、第２の接触パッド１８、又はルーティングトレース２０との間に位置するのがよい。もう１つの実施形態では、第１の接触パッド１６、第２の接触パッド１８、及び／又は第１のルーティングトレース２０は、互いに異なる厚さを有することができる。例えば、第１の接触パッド１６、第２の接触パッド１８は、接合層１０の厚さにほぼ等しく又はほぼ似ている厚さを有するのがよいが、第１のルーティングトレース２０は、接合層１０の厚さよりも小さい厚さを有することができる。

【0030】

接合面１０ａのところの導電特徴部（例えば、第１の接触パッド１６、第２の接触パッド１８、及び第１のルーティングトレース２０）の表面は、幾つかの理由で非導電材料１１と面一をなした状態からわずかにばらつきがあってもよい。まず第１に、導電特徴部を平坦化プロセスで非導電表面に対して代表的には約１ｎｍ～２０ｎｍだけ意図的に引っ込めるのがよく、その目的は、ハイブリッド直接ボンディングの準備をするためである。さらに、第１のルーティングトレース２０が、接触パッド３８よりも幅が狭い場合があるので、第１のルーティングトレース２０に幅の広い導電特徴部に対してディファレンシャルディッシング（differential dishing）（なお、「ディッシング」は、皿状凹みを生じさせるの意である）を施すのがよい。

【0031】

幾つかの実施形態では、第１のルーティングトレース２０は、第１の接触パッド１６の最大幅を及び／又は第２の接触パッド１８の最大幅よりも狭いトレース幅を備えた細長い導電特徴部を有するのがよい（図３Ａ参照）。幾つかの他の実施形態では、細長い導電特徴部は、第１の接触パッド１６及び第２の接触パッド１８と同一の成膜又は同一の導電層から形成された状態でこれらと連続しているのがよい。第１のルーティングトレース２０は、第１の接合層１０内の第１の接触パッド１６から側方に延びるのがよい。幾つかの実施形態では、第１のルーティングトレース２０は、第１の接触パッド１６と第２の接触パッド１８を互いに連結するのがよい。第１のルーティングトレース２０は、再配線層（ＲＤＬ）機能を第１の接合層１０に提供することができる。

【0032】

幾つかの実施形態では、第１のビア２２は、第１の接触パッド１６に電気的に接続されるのがよく、第２のビア２４は、第１のルーティングトレース２０に電気的に接続されるのがよい。例えば、第１のビア２２は、第１のアクティブ層１４内に設けられた電子回路に接続されるのがよく、第２のビア２４は、第１のアクティブ層１４内に設けられた異なる電子回路に接続されるのがよい。幾つかの実施形態では、第１のビア２２及び／又は第２のビア２４は、第１のビア層１２の厚さを貫通して延びるのがよい。例えば、第１のビア２２及び第２のビア２４並びに第１のアクティブ層１４の幾つかの部分は、ルーティング層１５を介して電気的に接続されるのがよい。第１のアクティブ層１４は、半導体材料内に又はこの上に実装された電子回路（図示せず）を有するのがよく、かかる電子回路としては、トランジスタ及び他の電子デバイスが挙げられ、かかる第１のアクティブ層１４は、デバイスを相互に接続するＢＥＯＬ（back end of line）金属化層を有するのがよい。幾つかの実施形態では、第１のビア２２及び／又は第２のビア２４は、第１の接触パッド１６を第１のアクティブ層１４の電子回路に電気的に接続することができる。幾つかの実施形態では、ビア層１２は、ＲＤＬが典型的に形成された段階で（例えば、ダイシングに先立つウエハレベル又は再構成ウエハレベルのところで）第１のアクティブ層１４のＢＥＯＬ（例えば、インターコネクト、ダイパッド）上に形成されると共にこれと通信するのがよい。他の実施形態では、ビア層を省いてもよく、そして接合層接触パッドをアクティブ層の下に位置するＢＥＯＬに直接接続してもよい。幾つかの実施形態では、第１の接触パッド１６をルーティングトレース２０を介して第２の接触パッド１８に電気的に接続するのがよく、第１のビア２２を第１の接触パッド１６に電気的に接続することができるが、ルーティングトレース２０に直接接続する第２のビア２４が設けられていなくてもよい。

【0033】

第１の素子は、もう１つの素子（第２の素子２）にボンディングされるよう構成されているのがよい。幾つかの実施形態では、第２の素子２は、第１の素子１と同一又はほぼ似た構造を有するのがよい。第２の素子２は、第２の接合層３０、第２のビア層３２、及び第２のアクティブ層３４を有するのがよい。第２の接合層３０は、非導電材料３１、第３の接触パッド３６、第４の接触パッド３８、及び第３の接触パッド３６から延びているが、第４の接触パッド３８とは接触していない第２のルーティングトレース４０を有するのがよい。第２のビア層３２は、第３のビア４２及び第４のビア４４を有するのがよい。幾つかの実施形態では、第３の接触パッド３６、第４の接触パッド３８、及び第２のルーティングトレース４０を第２の接合層３０の接合面３０ａ上で露出させるのがよい。幾つかの実施形態では、非導電材料３１、第３の接触パッド３６、第４の接触パッド３８及び第２のルーティングトレース４０は、接合面３０ａ上で互いに同一平面上に位置するのがよい。別段の指定がなければ、非導電特徴部に対して導電特徴部の低い粗さ、表面活性化及び凹部を含む第２の素子２のコンポーネントは、第１の素子１の同一コンポーネントと同一であるのがよく、又は全体として類似しているのがよい。

【0034】

図１Ｂに示すように、第１の素子１と第２の素子２は、接合構造３を形成するよう接合インターフェース４５に沿ってボンディングされるのがよい。幾つかの実施形態では、第１の素子１は、第１の接触パッド１６が介在接触剤なしで第４の接触パッド３６に直接ボンディングされると共に／或いは第２の接触パッド１８が介在接触剤なしで第３の接触パッド３８に直接ボンディングされるよう第２の素子２に直接ボンディングされるのがよい。幾つかの実施形態では、第１の接合層１０の非導電材料１１と第２の接合層３０の非導電材料３１は、介在する接着剤なしで直接ボンディングされるのがよい。幾つかの実施形態では、第１の素子１のルーティングトレース２０は、第２の素子２の非導電材料３１と直接接触状態にあるのがよく、同様に、第２の素子２のルーティングトレース４０は、第１の素子の非導電材料１１と直接接触状態にあるのがよい。幾つかの実施形態では、第１の素子１と第２の素子２の位置合わせ不良に起因して、ルーティングトレース２０の一部分は、第３の接触パッド３６又は第４の接触パッド３８に直接ボンディングされるのがよく、ルーティングトレース４０は、第１の接触パッド１６又は第５の接触パッド５０に直接ボンディングされるのがよい。幾つかの他の実施形態では、ルーティングトレース２０の一部分は、第２の素子２の第２の接合層３０の表面のところで露出したもう１つのルーティングトレース（図示せず）の一部分に直接ボンディングされるのがよい。

【0035】

第１の接合層１０は、第５の接触パッド５０を有するのがよく、第２の接合層３０は、第６の接触パッド５２を有するのがよい。第５の接触パッド５０と第６の接触パッド５２は、介在接触剤なしで互いに直接ボンディングされるのがよい。幾つかの実施形態では、第２のルーティングトレース４０は、第２の接合層３０内の第３の接触パッド３６から側方に延びるのがよい。幾つかの実施形態では、第２のルーティングトレース４０は、第３の接触パッド３６と第６の接触パッド５２を接続するのがよい。

【0036】

幾つかの実施形態では、第３のビア４２は、第６の接触パッド５２に電気的に接続されるのがよく、第４のビア４４は、第２のルーティングトレース４０に電気的に接続されるのがよい。幾つかの実施形態では、第３のビア４２及び／又は第４のビア４４は、第２のビア層３２の厚さを貫通して延びるのがよい。幾つかの実施形態では、第３のビア４２及び／又は第４のビア４４は、第６の接触パッド５２を第２のアクティブ層３４の電気回路に電気的に接続することができる。

【0037】

幾つかの実施形態では、第１の素子１及び第２の素子２は、追加の接触パッド及び追加のルーティングトレースを有することができる。接合パッドとルーティングトレース（第１のルーティングトレース２０及び第２のルーティングトレース４０）の両方を含むルーティング内蔵接合層、例えば第１の接合層１０及び第２の接合層３０により、素子（第１の素子１及び第２の素子２）が電気接続部をルーティングするために追加の層、例えば下に位置する別個の再配線（ＲＤＬ）層を設けないで、ルーティング内蔵接合層内に電気接続を側方にルーティングし又は再配線させることができる。ルーティング内蔵接合層は、製造費を減少させ、製造方法を単純化し、そして素子の厚さを減少させることができる。幾つかの用途では、ルーティング内蔵接合層は、製造歩留りを向上させることができる。当然のことながら、他の実施形態では、同一の金属層内で同一のパターン化ステップによってルーティングと接合パッドを組合せた場合の利点を図示の第１の接合層１０と第１のビア層１２との間のルーティング層、例えばルーティング構造体１３及び／又は追加のルーティング層（図示せず）と組み合わせることができる。

【0038】

図２Ａは、接合層６０内にルーティング構造体を有する素子４の概略底面図である。図２Ｂは、図２Ａに示す素子４の概略断面矢視断面図である。図３Ａは、図２Ａに示す素子４の一部分の拡大平面図である。図３Ｂは、図３Ａに示す素子４の一部分の概略斜視図である。図３Ｃは、図２Ａに示す素子４のもう１つの部分の拡大平面図である。図３Ｄは、図３Ｃに示す素子４の一部分の概略斜視図である。図３Ｅは、図２Ａに示す素子４の別の部分の拡大平面図である。図３Ｆは、図３Ｅに示す素子４の一部分の概略斜視図である。素子４の接合層６０は、複数の接触パッド５６及び複数のルーティングトレース５８を有するのがよい。別段の指定がなければ、図２Ａ～図３Ｆのコンポーネントは、図１Ａ及び図１Ｂのコンポーネントと同一又は全体として類似しているのがよい。種々の図では、複数の接触パッド５６は、円形のパッドとして示されている。しかしながら、接触パッド５６は、任意適当な形状のものであってよく、例えば矩形（例えば、正方形）と八角形などのものである。

【0039】

図２Ｂ、図３Ａ、及び図３Ｂを参照すると、素子４は、非導電材料６１、第１の接触パッド６６、第２の接触パッド６８、及びルーティングトレース７０を含む接合層６０、第１のビア７２、及び第２のビア７４を含むビア層６２、及び第１の回路部品６４ａ及び第２の回路部品６４ｂを含むアクティブ層６４を有するのがよい。接合層６０は、別の素子にボンディングされるよう構成された接合面６０ａを有するのがよい。幾つかの実施形態では、接合層６０の接合面６０ａは、第１の接触パッド６６及び第２の接続パッド６８が介在接触剤なしで対応の導電特徴部（例えば、接触パッド）に直接ボンディングされるよう別の素子にボンディングされるよう構成されているのがよい。非導電材料６１は、他の素子の対応の非導電材料に直接ボンディングされるよう構成されているのがよい。

【0040】

幾つかの実施形態では、第１のビア７２は、第１の接触パッド６６を第１の回路部品６４ａに電気的に接続することができ、第２のビア７４は、第２の接触パッド６８を第２の回路部品６４ｂに電気的に接続することができる。ビア層は任意適当な数のビアを有することができる。

【0041】

図３Ａを参照すると、第１の接触パッド６６は、最大幅ｗ１を有し、第２の接触パッド６８は、最大幅ｗ２を有する。幾つかの実施形態では、第１の接触パッド６６及び第２の接触パッド６８の幅ｗ１，ｗ２は、互いに同一であってもよく又はほぼ同じであってもよい。幾つかの実施形態では、ルーティングトレース７０は、第１の接触パッド１６の幅ｗ１及び／又は第２の接触パッド６８の幅ｗ２よりも狭いトレース幅ｗ３を備えた細長い導電特徴部を有するのがよい。幾つかの実施形態では、第１の接触パッド６６の幅ｗ１及び／又は第２の接触パッド６８の幅ｗ２は、ルーティングトレース７０のトレース幅ｗ３の少なくとも例えば２倍、３倍、５倍、又は１０倍であるのがよい。

【0042】

図３Ｃ及び３Ｄを参照すると、素子４の接合層６０は、ルーティングトレース８０としての役目を果たす細長い導電構造を有するのがよい。ルーティングトレース８０は、ルーティングトレース８０の互いに異なる部分に接続されたビア８２，８４を介して素子を電気的に互いに接続するよう構成されているのがよい。図６Ａ～図６Ｃを参照して以下に説明するように、かかる細長い導電構造は、代替的に又は追加的に、反対側の直接ボンディングされた素子上の細長い導電構造と関連して接触特徴部としての役目を果たすことができる。幾つかの実施形態では、ルーティングトレース８０は、接触パッドとして機能することができる接触部分及びビア８２，８４相互間にルーティング機能を発揮するルーティング部分を有するのがよい。

【0043】

図３Ｅ及び図３Ｆを参照すると、素子４の接合層６０は、接触パッド８６、もう１つの接触パッド８８及び導電層６０内の接触パッド８６から側方に延びるルーティングトレース９０を有するのがよい。素子４は、ルーティングトレース９０の一部分に接続されたビア９２を有するのがよい。ルーティングトレース９０は、下に位置するビア９２及びこれが接続するダイパッド又は相互接続部に対して接触パッド８６の位置をずらすＲＤＬ機能を果たすことができる。図３Ｂ及び図３Ｆは、下面が同一の接合層の接触パッド６６，６８，８６，８８の下面に対して高い位置にあるトレース７０，９０を示しているが、当業者であれば以下に説明する加工技術の説明から理解されるように、トレース及び接触パッドは、接合面６０ａのところで互いに反対側に位置するこれらの底面が同一平面上に位置するのがよい。追加的に、接触パッド８６，８８の頂面は、当業者であれば理解されるように、研摩（例えば、ＣＭＰ）中、寸法が互いに異なる金属特徴部のディファレンシャルディッシングに起因して対応のトレース７０，９０よりもわずかに多く引っ込められるのがよい。

【0044】

本明細書にて開示する種々の実施形態では、ルーティング構造体は、ルーティング構造体の一例として示されているといえる。しかしながら、幾つかの実施形態では、ルーティング構造体は、接合層内の電気的接続部、例えば、信号、アース、又は電力接続部を側方にルーティングすることができる他の構造から成っていてもよい。幾つかの実施形態では、ルーティングトレースは、多数のルーティング線又は真っ直ぐではない線から成っていてもよく、かかるルーティングトレースは、単一の真っ直ぐな導電線又はトレースには限定されない。

【0045】

図４Ａ～図４Ｅは、一実施形態にしたがって素子を形成する製造プロセスを示している。図４Ｆ及び４Ｇは、製造プロセスで用いられる第１及び第２のマスク層９６，９８の概略平面図である。別段の指定がなければ、図３Ａ～図４Ｇのコンポーネントは、本明細書において開示したコンポーネントと同一又はほぼ類似しているのがよい。

【0046】

図４Ａは、製造プロセスの一ステップにおいて接合層６０及びビア層６２を有する構造の概略断面側面図である。ビアをビア層６２に、そしてトレース／パッドを接合層６０内に同時に成膜するものとしてデュアルダマシンプロセスを説明するが、当業者であれば理解されるように、本明細書において教示した原理及び利点は、ビア層６２のビアが接合層６０の形成に先立って形成されている場合であっても、当てはまる。

【0047】

図４Ａでは、第１のマスク層９６、例えばパターン化レジストを接合層６０上に設けるのがよい。図４Ｂは、製造プロセスのもう１つのステップにおいてビアホール７２ａ，７４ａを有する構造の概略断面側面図である。図４Ｂでは、ビアホール７２ａ，７４ａは、接合層６０とビア層６２の両方を貫通して形成されるのがよい。幾つかの実施形態では、ビアホール７２ａ，７４ａは、エッチングにより形成されるのがよい。

【0048】

図４Ｃは、第１のマスク層９６を除去又は修正し、接合層６０上に第２のマスク層９８を形成した後の構造の概略断面側面図である。図４Ｄは、製造プロセスのもう１つのステップにおける空洞６６ａ，６８ａ，７０ａを有する構造の概略断面側面図である。幾つかの実施形態では、空洞６６ａ，６８ａ，７０ａをエッチングにより形成するのがよい。

【0049】

図４Ｅでは、接触パッド６６，６８、ルーティングトレース７０、及びビア７２，７４をそれぞれ、空洞６６ａ，６８ａ，７０ａ内に形成するのがよい。幾つかの実施形態では、ルーティングトレース７０は、接触パッド６６，６８と同一の深さ又は厚さを備えた比較的細い線を有する。幾つかの実施形態では、接触パッド６６，６８、ルーティングトレース７０、及びビア７２，７４を提供するには、導電材料、例えば銅をこれらの中に設けるのがよい。例えば、導電材料をバリヤ及びシード蒸着（例えば、ＰＶＤによって）、及び銅メッキにより、その後、ダマシング加工によって知られているように、銅盛り上がりを研摩して戻すことによって提供できる。幾つかの実施形態では、接触パッド６６，６８、及びルーティングトレース７０をあらかじめ存在するビア上での単一のダマシンプロセスによって形成することができ、又はビア層６２を省くことができる。図示の実施形態では、デュアルダマシンプロセスは、第１のマスク層９６によって定められたビアホール７２ａ，７４ａを同時に充填するために用いられる（図４Ｂ参照）。デュアルダマシンプロセスにより形成されたビア７２，７４をデュアルダマシンビアと称する場合がある。

【0050】

理解されるように、この場合、デュアルダマシン加工の有無を問わず、しかも下に位置するビア層の有無を問わず、トレース７０及び接触パッド６６，６８を同一の蒸着（例えば、バリヤ・シード蒸着ＰＶＤ及び銅メッキ）及び同一の金属層から作られる。さらに、トレース７０及び接触パッド６６，６８のパターンは、同一のマスク９８によって形成される。

【0051】

図５Ａは、ビアを素子のビア層内に形成するためのマスク層１００の概略平面図である。図５Ｂは、接触パッド及びルーティング構造体、例えばルーティングトレースを素子の接合層内に形成するためのマスク層１０２の概略平面図である。幾つかの実施形態では、マスク層１００及び／又はマスク層１０２は、図２Ａ～図３Ｆに示す素子４を形成するために使用できる。マスク層１００，１０２は、図４Ａ～図４Ｅを参照して説明した製造プロセスと同一の又はこれに類似したプロセスで用いることができる。

【0052】

図６Ａは、ボンディングに先立って図２Ａ、図３Ｃ及び図３Ｄに示す素子４の細長い導電構造８０、及びもう１つの素子の細長い導電構造８０′を示している。図６Ｂは、ボンディング後における細長い導電構造８０及び細長い導電構造８０′を示している。図６Ｃは、細長い構造８０及び細長い導電構造８０′を含む接合構造の概略断面側面図である。

【0053】

細長い導電構造８０の接触場所８０ａと細長い導電構造８０′の接触場所８０′ａを互いにボンディングするのがよい。幾つかの実施形態では、細長い導電構造８０の接触場所８０ａと細長い導電構造８０′の接触場所８０′ａを介在接触剤なしで互いに直接ボンディングするのがよい。交差線を接合層内に接触パッドとして用いることにより、広い位置合わせマージンが得られる。細長い導電構造８０及び／又は細長い導電構造８０′を本明細書において開示したように複数のビアに接続するのがよく、それにより電気ルーティングをビア相互間に提供することができる。

【0054】

図７Ａは、接触パッド直径、接触パッドピッチ、接触パッドと接触パッドの間隔、最大ルーティングトレース幅、接触パッドとルーティングトレースの間隔、接触パッドと接触パッドとの間隔と接触パッドとルーティングトレースとの間隔の比、及びビア直径の例示の寸法を示す表である。図７Ｂは、図７Ａに示す寸法の存在場所を概略的に示している。幾つかの実施形態では、接触パッド直径、接触パッドピッチ、接触パッドと接触パッドの間隔、最大ルーティングトレース幅、接触パッドとルーティングトレースの間隔、接触パッドと接触パッドとの間隔と接触パッドとルーティングトレースとの間隔の比、及びビア直径は、図７Ａに示す値よりも小さい場合があり又は大きい場合がある。例えば、接触パッド直径、接触パッドピッチ、接触パッドと接触パッドの間隔、最大ルーティングトレース幅、接触パッドとルーティングトレースの間隔、接触パッドと接触パッドとの間隔と接触パッドとルーティングトレースとの間隔の比、及びビア直径の各々は、図７Ａに示す値から１％、３％、５％、１０％、又は２０％の範囲内にあるのがよい（例えば、一覧表示した値は、この値±１％、±３％、±５％、±１０％、又は±２０％の値を含むのがよい）。幾つかの実施形態では、接触パッド直径は、１ミクロン未満の尺度であるのがよい。幾つかの実施形態では、ビア直径は、例えば０．２μｍから５０μｍまでの範囲、０．２μｍから２５μｍまでの範囲、０．２μｍから１０μｍまでの範囲、０．２μｍから５μｍまでの範囲、０．２μｍから２μｍまでの範囲、２μｍから５０μｍまでの範囲、４０μｍから５０μｍまでの範囲、又は１０μｍから２５μｍまでの範囲にあるのがよい。接触パッドピッチは、例えば、０．４μｍから５μｍまでの範囲、０．４μｍから２μｍまでの範囲、０．４μｍから０．９μｍまでの範囲、０．６μｍから５μｍまでの範囲、又は０．８μｍから２μｍまでの範囲であるのがよい。

【0055】

図８Ａは、接合層６０内にルーティング構造体を有する素子６の底面図である。図８Ｂは、図８Ａに示す素子６の一部分の拡大図である。素子６の接合層６０は、複数の接触パッド５６及び複数のルーティングトレース５８を有するのがよい。別段の指定がなければ、図８Ａ及び図８Ｂのコンポーネントは、本明細書において開示したコンポーネントと同一であってもよく、又はほぼ類似していてもよい。図８Ａ及び図８Ｂは、複数の接触パッド５６が幾つかの実施形態では、多角形（例えば、矩形又は正方形）パッドを有することができることを示している。

【0056】

図９は、接合構造の接合インターフェースのところ又はその近くの赤外線（ＩＲ）像を示す図である。図９に示すように、２つ以上の接触パッド５６をルーティングトレース５８を通って接合層内にルーティングするのがよい。図９に示すルーティングトレース５８は、隣り合うパッド５６を互いに接続しているが、ルーティングトレース５８は、幾つかの実施形態では、遠隔のパッドを互いに接続することができる。

【0057】

１つの観点では、接合構造が開示される。接合構造は、第１の接合層を備えた第１の素子を有するのがよい。第１の接合層は、第１の接触パッド及びルーティングトレースを有する。ルーティングトレースは、第１の接触パッドと同一レベルのところに形成される。接合構造は、第２の接触パッドを有する第２の接合層を備えた第２の素子を有するのがよい。第１の素子の第１の接合層と第２の素子の第２の接合層は、第１の接触パッドと第２の接触パッドが介在する接着剤なしで直接ボンディングされるよう直接ボンディングされている。

【0058】

１つの実施形態では、第１の接合層は、第３の接触パッドをさらに有する。第２の接合層は、第４の接触パッドをさらに有するのがよい。第３の接触パッドと第４の接触パッドは、介在接着剤なしで互いに直接ボンディングされるのがよい。

【0059】

１つの実施形態では、ルーティングトレースは、第１の接触パッドの最大幅よりも狭い最大トレース幅を有する。

【0060】

１つの実施形態では、ルーティングトレースは、第１の接触パッドに接触して第１の接触パッドから側方に延びる。

【0061】

１つの実施形態では、ルーティングトレース及び第１の接触パッドは、同種の導電材料で作られている。

【0062】

１つの実施形態では、第１の素子は、第２の素子と反対の接合層の側に被着された第１のビア層をさらに有する。第１のビア層は、第１のビア層の厚さを貫通して延びるビアを有する。第１の素子は、電子回路をさらに有するのがよい。第１のビアは、第１の接触パッドと電子回路を電気的に接続するのがよい。第１の素子は、ルーティング構造体をさらに有するのがよい。第１のビアは、第１の接触パッドとルーティング構造体を電気的に接続するのがよい。ルーティング構造体は、再配線層を含むのがよい。

【0063】

１つの実施形態では、第２の素子の第２の接合層は、第２のルーティングトレースをさらに有する。

【0064】

１つの実施形態では、第１の接触パッドの厚さは、第１の接合層の厚さを定める。

【0065】

１つの実施形態では、第１の素子は、第１の接触パッドを含む複数の接触パッドを有する。複数の第１の接触パッドのうちの少なくとも１つの直径は、５ミクロン未満である。

【0066】

１つの観点では、接合構造が開示される。接合構造は、第１の接合層を備えた第１の素子を有するのがよい。第１の接合層は、第１の接触パッド及び第１の接触パッドに接続されたルーティングトレースを有する。ルーティングトレースは、第１の接合層内の第１の接触パッドから側方に延びている。ルーティングトレース及び第１の接触パッドは、同種の導電材料で作られる。接合構造は、第２の接触パッドを有する第２の接合層を備えた第２の素子を有するのがよい。第１の素子と第２の素子は、第１の接触パッドと第２の接触パッドが介在接着剤なしで直接ボンディングされるよう直接ボンディングされている。

【0067】

１つの観点では、接合構造が開示される。接合構造は、第１の接合層を備えた第１の素子を有するのがよい。第１の接合層は、第１の接触パッド及びルーティングトレースを有する。接合構造は、第２の接触パッドを有する第２の接合層を備えた第２の素子を有するのがよい。第１の素子と第２の素子は、第１の接触パッドと第２の接触パッドが介在接着剤なしで直接ボンディングされるようボンドインターフェースに沿って直接ボンディングされている。ルーティングトレース及び第１の接触パッドは、ボンドインターフェースに沿って設けられている。

【0068】

１つの実施形態では、 ルーティングトレースは、第２の接合層の非導電材料に接触する。

【0069】

１つの観点では、接合構造が開示される。接合構造は、接合側と接合側と反対側の裏側を有する第１の接合層及び第１の接合層の裏側に被着されているビア層を備えた第１の素子を有するのがよい。第１の接合層は、ビア層の２つのビアと電気的接触状態にある細長い導電特徴部を有する。接合構造は、導電特徴部を有する第２の接合層を備えた第２の素子を有するのがよい。第１の素子と第２の素子は、細長い導電特徴部が第２の接合層と接触状態にあるよう直接ボンディングされている。

【0070】

１つの実施形態では、第１の素子の細長い導電特徴部は、第２の素子の導電特徴部とじかに接触状態にある。

【0071】

１つの実施形態では、第１の素子は、細長い導電特徴部に接続された接触パッドを有する。接触パッドは、第２の素子の導電特徴部に直接ボンディングされるのがよい。

【0072】

１つの観点では、接合層を有する素子が開示される。素子は、接合層の非導電材料内に埋め込まれた第１の接触パッドを有するのがよい。第１の接触パッドの上面は、接合層の非導電材料によって覆われてはいない。素子は、接合層の非導電材料内に埋め込まれたルーティングトレースを有するのがよい。ルーティングトレースの上面は、接合層の非導電材料によって覆われてはきない。接合層は、介在接着剤なしで別の素子に直接ボンディングされるよう構成されている。

【0073】

１つの実施形態では、ルーティングトレースは、第１の接触パッドと第２の接触パッドを側方に接続している。

【0074】

１つの実施形態では、ルーティングトレースは、第１の接触パッドと同一金属レベルのところに形成されている。

【0075】

１つの実施形態では、ルーティングトレースは、第１の接触パッドと同種の金属層で作られる。

【0076】

１つの実施形態では、接合層の非導電材料は、約２０Åｒｍｓ以下の表面粗さを有する。接触パッド及びルーティングトレースは、接合層の非導電材料の上面よりも約２０ｎｍ以下だけ下へ引っ込められている。接合層の非導電材料は、第２の素子の類似の非導電材料に直接ボンディングするのに適した量で窒素及び／又はフッ素ドーピング物質を含む。

【0077】

１つの実施形態では、接合層を有する素子が開示される。素子は、接合層内に設けられた第１の接触パッドと、接合層内に設けられたルーティングトレースとを有するのがよい。第１の接触パッド及びルーティングトレースは、接合層の接合面のところで露出されている。接合層の接合面は、介在接着剤なしで別の素子に直接ボンディングされるよう構成されている。

【0078】

１つの実施形態では、ルーティングトレースは、接合層の下に設けられたビア層内のビアに電気的に接続されている。

【0079】

１つの実施形態では、ルーティングトレースは、第１の接触パッドから延びる。

【0080】

１つの実施形態では、ルーティングトレースは、接合層内の第１の接触パッドと第２の接触パッドとの間に延びる。

【0081】

１つの実施形態では、ルーティングトレースは、第１の接触パッドから延びる。

【0082】

１つの実施形態では、ルーティングトレースは、第１の接触パッドの最大幅よりも狭い幅を有する。

【0083】

１つの観点では、素子を別の素子に直接ボンディングされるよう構成された状態で形成する方法が開示される。本方法は、素子の接合層を接合層の接合面から部分的に除去するステップと、導電材料を接合層の除去部分に提供して接触パッド及びルーティングトレースを形成するステップと、接合面を直接ボンディング可能に前処理するステップとを含むのがよい。ルーティングトレースは、接合層内の接触パッドから側方に延びる。

【0084】

１つの観点では、素子を別の素子にボンディングされるよう構成された状態で形成する方法が開示される。本方法は、導電材料をパターン化して接触パッド及びルーティングトレースを形成するステップと、接触パッド及びルーティングトレースを非導電材料内に少なくとも部分的に埋め込むステップと、接触パッド、ルーティングトレース、及び非導電材料の表面を研磨して直接ボンディング可能に前処理するステップとを含む。

【0085】

１つの実施形態では、パターン化ステップ及び埋め込みステップは、単一のマスクを用いて接触パッド及びルーティングトレースの空洞パターンを形成し、そして導電層を空洞パターン中に堆積させるダマシンプロセスを含む。

【0086】

１つの実施形態では、本方法は、追加のマスクを用いてビアホールを接合層の下に設けられたビア層内にパターン化するステップをさらに含む。導電層を空洞パターン中に堆積させるステップは、デュアルダマシンプロセスにおいてビアホールを同時に充填するステップを含むのがよい。導電層を堆積させるステップは、バリヤ層、シード層及び電気めっき銅層を堆積させるステップを含むのがよい。

【0087】

１つの観点では、接合構造を形成する方法が開示される。本方法は、第１の接合層を備えた第１の素子を用意するステップを含むのがよい。第１の接合層は、非導電材料、第１の接触パッド及びルーティングトレースを有する。ルーティングトレースは、第１の接触パッドと同一金属レベルのところに形成される。本方法は、第１の接触パッド、ルーティングトレース、及び非導電材料の表面を研磨して直接ボンディング可能に前処理するステップを含むのがよい。

【0088】

１つの実施形態では、本方法は、第２の接触パッドを有する第２の接合層を備えた第２の素子を用意するステップをさらに含む。本方法は、第１の素子と第２の素子を第１の接触パッドと第２の接触パッドが介在接着剤なしで直接ボンディングされるよう直接ボンディングするステップをさらに含むのがよい。

【0089】

１つの観点では、接合構造が開示される。接合構造は、第１の接合面を備えた第１の素子を有するのがよい。第１の接合面は、第１の接触パッド及びルーティングトレースを有する。接合構造は、第２の接触パッドを有する第２の接合面を備えた第２の素子を有するのがよい。第１の素子と第２の素子は、第１の接触パッドと第２の接触パッドが介在接着剤なしで直接ボンディングされるよう直接ボンディングされる。ルーティングトレースは、第２の接合面と接触状態にある。

【0090】

１つの実施形態では、第１の接合面は、第３の接触パッドをさらに有する。第２の接合面は、第４の接触パッドをさらに有する。第３の接触パッドと第４の接触パッドは、介在接着剤なしで互いに直接ボンディングされる。

【0091】

１つの実施形態では、ルーティングトレースは、第１の接触パッドの最大幅よりも狭い最大トレース幅を有する。

【0092】

１つの実施形態では、ルーティングトレースは、第１の接触パッドに接触して第１の接触パッドから側方に延びる。

【0093】

１つの実施形態では、ルーティングトレース及び第１の接触パッドは、同種の導電材料で作られている。

【0094】

１つの実施形態では、第１の素子は、第１のビア層をさらに有する。第１のビア層は、第１のビア層の厚さを貫通して延びるビアを有するのがよい。第１の素子は、電子回路をさらに有するのがよい。第１のビアは、第１の接触パッドと電子回路を電気的に接続するのがよい。第１の素子は、ルーティング構造体をさらに有するのがよい。第１のビアは、第１の接触パッドとルーティング構造体を電気的に接続するのがよい。ルーティング構造体は、再配線層を含むのがよい。

【0095】

１つの実施形態では、第２の素子の第２の接合面は、第２のルーティングトレースをさらに有するのがよい。

【0096】

１つの実施形態では、第１の接触パッドの厚さは、ルーティングトレースの厚さよりも大きい。第１の素子は、第１の接触パッドを含む複数の接触パッドを有し、複数の第１の接触パッドのうちの少なくとも１つの直径は、５ミクロン未満である。

【0097】

文脈上別段の明示の必要がなければ、原文明細書及び原文特許請求の範囲全体を通じて、“comprise”（訳文では「～を有する」としている場合が多い）、“comprising”、“include”（「～を含む」）、“including”などの用語は、排他的又は網羅的な意味とは異なり、包括的な意味に、すなわち“including, but not limited to”（「～を含むが、これには限定されない」）の意味に解されるべきである。本明細書に一般的に用いられている「結合され」という用語は、互いに直接的に連結されるか、１つ以上の中間要素により互いに連結される２つ以上の要素を意味している。同様に、本明細書において一般的に用いられている「連結され」という用語は、互いに直接的に連結されるか、１つ以上の中間要素により互いに連結される２つ以上の要素を意味している。加うるに、本願において用いられている“herein”（訳文では「本明細書において」としている場合が多い）、“above”（「上述の」の意）、“below”（「後述の」の意）、及び同様な趣旨の用語は、本願を全体として意味しており、本願の何らかの特定の部分を意味しているわけではない。文脈上許容される場合には、単数形又は複数形を用いた上記の詳細な説明中の用語は、それぞれ複数又は単数を含む場合がある。２つ以上のアイテムのリストに関して「又は」という用語は、この用語についての以下の解釈、すなわち、リスト中のアイテムのうちの任意のもの、リスト中のアイテムの全て、及びリスト中のアイテムの任意の組み合わせの全てを含む。

【0098】

さらに、原文明細書で用いられている条件語、とりわけ“can”（「～のがよい」又は「～でもよい」）、“could”、“might”、“may”、“e.g.”、“for example”、“such as”などは、別段の明示の指定がなければ、又は用いられている文脈内で違ったやり方で理解されない場合、一般に、ある特定の実施形態がある特定の特徴、要素、及び／又は状態を含み、他の実施形態がある特定の特徴、要素、及び／又は状態を含まないということを意味するようになっている。かくして、かかる条件語は、一般的には、特徴、要素、及び／又は状態が、１つ以上の実施形態について必要な何らかの仕方で存在することを意味するようにはなってはいない。

【0099】

ある特定の実施形態を説明したが、これら実施形態は、例示としてのみ提供されており、本発明の範囲を限定するものではない。確かに、本明細書において説明した新規な装置、方法、及びシステムは、種々の他の形態で具体化でき、さらに、本明細書において説明した方法及びシステムの形態における種々の省略、置換、及び変更は、本発明の範囲から逸脱することなく実施できる。例えば、ブロックが所与の配置で示されているが、変形実施形態は、異なるコンポーネント及び／又は回路トポロジでほぼ同じ機能を実行することができ、幾つかのブロックを削除し、動かし、追加し、分割し、組み合わせ、かつ／或いは改造することができる。これらブロックの各々は、多種多様な仕方で具体化できる。上述の種々の実施形態の要素及び作用の任意適当な組み合わせは、別の実施形態を提供するよう組み合わせ可能である。添付の特許請求の範囲に記載された本発明の範囲及びその均等範囲は、本発明の範囲及び精神に含まれるかかる形態又は改造を含むものである。

【図1A】

【図1B】

【図2A】

【図2B】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図5A】

【図5B】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図7A】

【図7B】

【図8A-8B】

【図9】

【国際調査報告】