特表 2024-524779 表示パネル及び表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-07-09

(54)【発明の名称】表示パネル及び表示装置

(51)【国際特許分類】

   H10K 59/80 20230101AFI20240702BHJP

   H10K 59/123 20230101ALI20240702BHJP

   H10K 59/131 20230101ALI20240702BHJP

   H10K 59/122 20230101ALI20240702BHJP

   H10K 50/824 20230101ALI20240702BHJP

   H10K 50/88 20230101ALI20240702BHJP

   H10K 59/124 20230101ALI20240702BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240702BHJP

【ＦＩ】

H10K59/80

H10K59/123

H10K59/131

H10K59/122

H10K50/824

H10K50/88

H10K59/124

G09F9/30 338

G09F9/30 365

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2022551790

(86)(22)【出願日】2022-07-01

(85)【翻訳文提出日】2022-08-26

(86)【国際出願番号】 CN2022103405

(87)【国際公開番号】W WO2023236296

(87)【国際公開日】2023-12-14

(31)【優先権主張番号】202210642017.1

(32)【優先日】2022-06-07

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】519182202

【氏名又は名称】深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】100204386

【弁理士】

【氏名又は名称】松村 啓

(72)【発明者】

【氏名】▲張▼ 良芬

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC11

3K107DD37

3K107DD38

3K107DD89

3K107DD90

3K107EE03

3K107FF15

5C094AA31

5C094BA03

5C094BA27

5C094CA19

5C094DA13

5C094EA10

5C094FA03

5C094HA03

5C094HA06

5C094HA08

5C094JA08

5C094JA09

(57)【要約】

本発明は表示パネル及び表示装置を提供し、発光デバイス層と、補助構造とを含み、前記発光デバイス層は、第１導電層と、有機層と、第２導電層とを含み、第１導電層は画素駆動回路に電気的に接続された第１電極を含み、第２導電層は有機層の第１部分上に位置する第２電極を含み、前記補助構造は、順番に設置されたベース、補助電極、及び補助部を含み、ベースの断面は台形であり、第２電極は、第１部分を超え、且つ補助電極と接続される。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示パネルであって、
アレイ基板と、発光デバイス層と、補助構造とを含み、
前記アレイ基板は、基板と、前記基板上に位置する画素駆動回路層とを含み、前記画素駆動回路層は画素駆動回路を含み、
前記発光デバイス層は、前記画素駆動回路層の上に位置し、第１導電層と、前記第１導電層上に位置する有機層と、前記有機層上に位置する第２導電層とを含み、前記第１導電層は前記画素駆動回路に電気的に接続された第１電極を含み、前記有機層は第１部分を含み、前記第２導電層は前記第１部分上に位置する第２電極を含み、前記第１部分の一部は前記第１電極と前記第２電極との間に位置し、
前記補助構造は、前記画素駆動回路層上に位置し、ベースと、前記ベースの外側面上に位置する補助電極と、前記ベース上に位置する補助部とを含み、
前記ベースの断面は台形であり、前記第２電極の前記補助部に近いエッジは、前記第１部分の前記補助部に近いエッジを超え、且つ前記補助電極と接続され、
前記第２電極の前記補助構造に近いエッジは、前記第１部分の前記補助構造に近いエッジを超え、且つ前記補助電極と接続され、
前記ベースは上面をさらに含み、前記上面は、前記外側面に接続され且つ底面と対向して設置され、前記補助電極は前記上面及び前記外側面を被覆する、表示パネル。

【請求項2】

前記有機層は前記補助部上に位置する第２部分をさらに含み、前記第１部分と前記第２部分とは前記補助部のエッジ箇所で切断され、前記第２導電層は前記第２部分上に位置する切断部分をさらに含み、前記第２電極と前記切断部分とは前記補助部の前記エッジ箇所で切断される、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項3】

前記第２電極と前記補助電極との重なり面積は、前記第１部分と前記補助電極との重なり面積よりも大きい、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項4】

前記補助電極と複数の前記第１電極とは同じ層に設置され且つ材料が同じである、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項5】

前記アレイ基板は平坦層をさらに含み、前記平坦層は前記画素駆動回路層と前記第１導電層との間に位置し、前記発光デバイス層は画素定義層をさらに含み、前記画素定義層は前記平坦層と前記有機層との間に位置し、前記ベースと前記平坦層又は前記画素定義層とは同じ層に設置され且つ材料が同じである、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項6】

前記補助部のエッジの前記基板上での正投影は、前記ベースの前記基板上での正投影の境界を超える、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項7】

前記補助部の前記エッジの前記基板上での前記正投影は、前記ベースの前記基板上での前記正投影の境界を０．５μｍ以上超え、前記第２電極の前記補助構造に近い前記エッジの前記基板上での正投影は、前記補助部の前記基板上での正投影の境界範囲内に位置する、請求項６に記載の表示パネル。

【請求項8】

前記ベースの前記外側面と前記基板の底面との夾角は、３０°以上６０°以下である、請求項１に記載の表示パネル。

【請求項9】

表示パネルであって、
アレイ基板と、発光デバイス層と、補助構造とを含み、
前記アレイ基板は、基板と、前記基板上に位置する画素駆動回路層とを含み、前記画素駆動回路層は画素駆動回路を含み、
前記発光デバイス層は、前記画素駆動回路層の上に位置し、第１導電層と、前記第１導電層上に位置する有機層と、前記有機層上に位置する第２導電層とを含み、前記第１導電層は前記画素駆動回路に電気的に接続された第１電極を含み、前記有機層は第１部分を含み、前記第２導電層は前記第１部分上に位置する第２電極を含み、前記第１部分の一部は前記第１電極と前記第２電極との間に位置し、
前記補助構造は、前記画素駆動回路層上に位置し、ベースと、前記ベースの外側面上に位置する補助電極と、前記ベース上に位置する補助部とを含み、
前記ベースの断面は台形であり、前記第２電極の前記補助部に近いエッジは、前記第１部分の前記補助部に近いエッジを超え、且つ前記補助電極と接続される、表示パネル。

【請求項10】

前記第２電極の前記補助構造に近いエッジは、前記第１部分の前記補助構造に近いエッジを超え、且つ前記補助電極と接続される、請求項９に記載の表示パネル。

【請求項11】

前記有機層は前記補助部上に位置する第２部分をさらに含み、前記第１部分と前記第２部分とは前記補助部のエッジ箇所で切断され、前記第２導電層は前記第２部分上に位置する切断部分をさらに含み、前記第２電極と前記切断部分とは前記補助部の前記エッジ箇所で切断される、請求項１０に記載の表示パネル。

【請求項12】

前記第２電極と前記補助電極との重なり面積は、前記第１部分と前記補助電極との重なり面積よりも大きい、請求項１０に記載の表示パネル。

【請求項13】

前記補助電極と複数の前記第１電極とは同じ層に設置され且つ材料が同じである、請求項９に記載の表示パネル。

【請求項14】

前記ベースは上面をさらに含み、前記上面は、前記外側面に接続され且つ底面と対向して設置され、前記補助電極は前記上面及び前記外側面を被覆する、請求項９に記載の表示パネル。

【請求項15】

前記アレイ基板は平坦層をさらに含み、前記平坦層は前記画素駆動回路層と前記第１導電層との間に位置し、前記発光デバイス層は画素定義層をさらに含み、前記画素定義層は前記平坦層と前記有機層との間に位置し、前記ベースと前記平坦層又は前記画素定義層とは同じ層に設置され且つ材料が同じである、請求項９に記載の表示パネル。

【請求項16】

前記補助部のエッジの前記基板上での正投影は、前記ベースの前記基板上での正投影の境界を超える、請求項１０に記載の表示パネル。

【請求項17】

前記補助部の前記エッジの前記基板上での前記正投影は、前記ベースの前記基板上での前記正投影の境界を０．５μｍ以上超え、前記第２電極の前記補助構造に近い前記エッジの前記基板上での正投影は、前記補助部の前記基板上での正投影の境界範囲内に位置する、請求項１６に記載の表示パネル。

【請求項18】

前記補助部の横断面の形状は逆台形又は矩形である、請求項１６に記載の表示パネル。

【請求項19】

前記ベースの前記外側面と前記基板の底面との夾角は、３０°以上６０°以下である、請求項９に記載の表示パネル。

【請求項20】

表示装置であって、請求項１に記載の表示パネルを含む、表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は表示の技術分野に関し、具体的に表示パネル及び表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

大型ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、有機発光ダイオード）表示パネルは、動作するときに、陰極の抵抗が大きいため、パネル面内の各々の領域の陰極上の電圧が一致せず、それにより表示画面の輝度むらを引き起こすようになる。従来の解決方式は、バックプレート上に補助電極を付加的に作製し、陰極を各種の方式により補助電極と当接させる方式であり、補助電極と並列接続されることにより陰極の抵抗を低減させ、パネル全体の画面表示を均一にすることができる。

【0003】

従来技術において、陰極は、一般的にアンダーカット（Ｕｎｄｅｒｃｕｔ）方式により、補助電極上に当接させるが、このような当接には、当接が不安定であり、ひいては当接しにくいという問題が存在している。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の実施例は表示パネル及び表示装置を提供し、陰極と補助電極との当接が不安定であるという問題を改善することができる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の実施例は表示パネルを提供し、アレイ基板と、発光デバイス層と、補助構造とを含み、前記アレイ基板は、基板と、前記基板上に位置する画素駆動回路層とを含み、前記画素駆動回路層は画素駆動回路を含み、前記発光デバイス層は、前記画素駆動回路層の上に位置し、第１導電層と、前記第１導電層上に位置する有機層と、前記有機層上に位置する第２導電層とを含み、前記第１導電層は前記画素駆動回路に電気的に接続された第１電極を含み、前記有機層は第１部分を含み、前記第２導電層は前記第１部分上に位置する第２電極を含み、前記第１部分の一部は前記第１電極と前記第２電極との間に電気的に接続され、前記補助構造は、前記画素駆動回路層上に位置し、ベースと、前記ベースの外側面上に位置する補助電極と、前記ベース上に位置する補助部とを含み、前記ベースの断面は台形であり、前記第２電極の前記補助部に近いエッジは、前記第１部分の前記補助部に近いエッジを超え、且つ前記補助電極と接続され、
前記第２電極の前記補助構造に近いエッジは、前記第１部分の前記補助構造に近いエッジを超え、且つ前記補助電極と接続され、
前記ベースは上面をさらに含み、前記上面は、前記外側面に接続され且つ前記底面と対向して設置され、前記補助電極は前記上面及び前記外側面を被覆する。

【0006】

いくつかの実施例において、前記有機層は前記補助部上に位置する第２部分をさらに含み、前記第１部分と前記第２部分とは前記補助部のエッジ箇所で切断され、前記第２導電層は前記第２部分上に位置する切断部分をさらに含み、前記第２電極と前記切断部分とは前記補助部の前記エッジ箇所で切断される。

【0007】

いくつかの実施例において、前記第２電極と前記補助電極との重なり面積は、前記第１部分と前記補助電極との重なり面積よりも大きい。

【0008】

いくつかの実施例において、前記補助電極と複数の前記第１電極とは同じ層に設置され且つ材料が同じである。

【0009】

いくつかの実施例において、前記アレイ基板は平坦層をさらに含み、前記平坦層は前記画素駆動回路層と前記第１導電層との間に位置し、前記発光デバイス層は画素定義層をさらに含み、前記画素定義層は前記平坦層と前記有機層との間に位置し、前記ベースと前記平坦層又は前記画素定義層とは同じ層に設置され且つ材料が同じである。

【0010】

いくつかの実施例において、前記補助部のエッジの前記基板上での正投影は、前記ベースの前記基板上での正投影の境界を超える。

【0011】

いくつかの実施例において、前記補助部の前記エッジの前記基板上での前記正投影は、前記ベースの前記基板上での前記正投影の境界を０．５μｍ以上超え、前記第２電極の前記補助構造に近い前記エッジの前記基板上での正投影は、前記補助部の前記基板上での正投影の境界範囲内に位置する。

【0012】

いくつかの実施例において、前記ベースの前記外側面と前記基板の底面との夾角は、３０°以上６０°以下である。

【0013】

本発明の実施例は表示パネルをさらに提供し、アレイ基板と、発光デバイス層と、補助構造とを含み、前記アレイ基板は、基板と、前記基板上に位置する画素駆動回路層とを含み、前記画素駆動回路層は画素駆動回路を含み、前記発光デバイス層は、前記画素駆動回路層の上に位置し、第１導電層と、前記第１導電層上に位置する有機層と、前記有機層上に位置する第２導電層とを含み、前記第１導電層は前記画素駆動回路に電気的に接続された第１電極を含み、前記有機層は第１部分を含み、前記第２導電層は前記第１部分上に位置する第２電極を含み、前記第１部分の一部は前記第１電極と前記第２電極との間に電気的に接続され、前記補助構造は、前記画素駆動回路層上に位置し、ベースと、前記ベースの外側面上に位置する補助電極と、前記ベース上に位置する補助部とを含み、前記ベースの断面は台形であり、前記第２電極の前記補助部に近いエッジは、前記第１部分の前記補助部に近いエッジを超え、且つ前記補助電極と接続される。

【0014】

いくつかの実施例において、前記第２電極の前記補助構造に近いエッジは、前記第１部分の前記補助構造に近いエッジを超え、且つ前記補助電極と接続される。

【0015】

いくつかの実施例において、前記有機層は前記補助部上に位置する第２部分をさらに含み、前記第１部分と前記第２部分とは前記補助部のエッジ箇所で切断され、前記第２導電層は前記第２部分上に位置する切断部分をさらに含み、前記第２電極と前記切断部分とは前記補助部の前記エッジ箇所で切断される。

【0016】

いくつかの実施例において、前記第２電極と前記補助電極との重なり面積は、前記第１部分と前記補助電極との重なり面積よりも大きい。

【0017】

いくつかの実施例において、前記補助電極と複数の前記第１電極とは同じ層に設置され且つ材料が同じである。

【0018】

いくつかの実施例において、前記ベースは上面をさらに含み、前記上面は、前記外側面に接続され且つ前記基板と対向して設置され、前記補助電極は前記上面及び前記外側面を被覆する。

【0019】

いくつかの実施例において、前記アレイ基板は平坦層をさらに含み、前記平坦層は前記画素駆動回路層と前記第１導電層との間に位置し、前記発光デバイス層は画素定義層をさらに含み、前記画素定義層は前記平坦層と前記有機層との間に位置し、前記ベースと前記平坦層又は前記画素定義層とは同じ層に設置され且つ材料が同じである。

【0020】

いくつかの実施例において、前記補助部のエッジの前記基板上での正投影は、前記ベースの前記基板上での正投影の境界を超える。

【0021】

いくつかの実施例において、前記補助部の前記エッジの前記基板上での前記正投影は、前記ベースの前記基板上での前記正投影の境界を０．５μｍ以上超え、前記第２電極の前記補助構造に近い前記エッジの前記基板上での正投影は、前記補助部の前記基板上での正投影の境界範囲内に位置する。

【0022】

いくつかの実施例において、前記補助部の横断面の形状は逆台形又は矩形である。

【0023】

いくつかの実施例において、前記ベースの前記外側面と前記基板の底面との夾角は、３０°以上６０°以下である。

【0024】

本発明の実施例は表示装置をさらに提供し、前記いずれか１項に記載の表示パネルを含む。

【発明の効果】

【0025】

［有益な効果］
本発明の実施例が提供する表示パネル及び表示装置において、前記ベースの断面は台形であり、前記第２電極と前記補助電極との当接確率を向上させることができる。前記第２電極は、前記第１部分の前記補助部に近いエッジを超え、且つ前記補助電極と接続され、前記第２電極の抵抗を減少させ、陰極インピーダンスによる電圧降下に起因して引き起こした大型パネルの画面表示むらの現象を改善することができる。

【0026】

本発明の実施例における技術的手段をより明確に説明するために、以下、実施例の記述に使用される必要がある図面を簡単に紹介する。明らかなように、以下の記述における図面は単に本発明のいくつかの実施例であり、当業者にとって、創造的な労働を必要としない前提下で、さらにこれらの図面に基づいて他の図面を取得することができる。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】本発明の実施例が提供する表示パネルの上面模式図である。

【図2】図１における表示パネルの断面模式図である。

【図3】図１におけるＡ部分の拡大模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

以下、本発明の実施例における図面と併せて、本発明の実施例における技術的手段を明確で、完全に記述する。明らかなように、記述される実施例は単に本発明の一部の実施例であり、全部の実施例ではない。本発明における実施例に基づき、当業者が創造的な労働を必要としない前提下で取得する全ての他の実施例は、いずれも本発明の保護範囲に属する。また、理解すべきであるように、ここで記述される具体的な実施形態は本発明を説明して解釈することのみに用いられ、本発明を制限することに用いられない。本発明において、これとは逆の説明をしない場合には、使用される方位詞、例えば「上」及び「下」は、通常、装置の実際の使用又は動作状態下での上及び下を指し、具体的には図面における図面方向であり、「内」及び「外」は装置の輪郭に対するものである。

【0029】

図１～図３に示すように、本発明の実施例は表示パネル１０００を提供する。例示的には、上記表示パネル１０００は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）表示パネルである。

【0030】

図１に参照されるように、上記表示パネル１０００は、表示領域ＤＡと、非表示領域ＮＤＡとを含む。上記表示領域ＤＡは、画像を表示するサブ画素を設置することに用いられる領域であってもよい。上記非表示領域ＮＤＡは、サブ画素の画素駆動回路に駆動信号を提供する駆動ユニット、例えばゲート駆動回路を設置することに用いられ、及び上記駆動ユニットに信号を提供するいくつかの配線を設置することに用いられる領域であってもよい。上記非表示領域ＮＤＡ内に、一般的には表示に用いられるサブ画素が設置されていない。上記非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの少なくとも一側に設置されて、少なくとも部分的に表示領域ＤＡの周囲を取り囲むことができる。

【0031】

図３に参照されるように、上記表示パネル１０００は、アレイ基板１と、発光デバイス層３と、補助構造５とを含む。

【0032】

上記アレイ基板１は、基板１０と、遮光層１１と、バッファ層１２と、画素駆動回路層１３と、平坦層１８とを含む。

【0033】

上記基板１０はその上に設置された膜層を載置することに用いられる。上記基板１０は、例えばガラス、石英及びポリマー樹脂などの単層絶縁材料、又は例えば二層ポリマー樹脂などの多層絶縁材料を含んでもよい。上記基板１０は剛性基板、又はフレキシブル基板であってもよい。

【0034】

上記遮光層１１は、上記基板１０上に位置し、薄膜トランジスタの半導体パターンを遮光することに用いられる。上記遮光層１１は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、及び銅（Ｃｕ）のうちから選択される一種以上の金属を含んでもよい。上記遮光層１１は単層膜又は多層膜であってもよい。

【0035】

上記バッファ層１２は上記遮光層１１上に配置されてもよい。上記バッファ層１２は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）及び酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）のような絶縁膜の単層膜、又は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）とを積層した多層膜を含んでもよい。上記バッファ層１２は、不純物又は水分のような不要な成分の浸透を防止する。

【0036】

上記画素駆動回路層１３は、上記基板１０上に位置し、上記表示領域ＤＡに位置する複数の画素駆動回路を含む。例示的には、上記画素駆動回路層１３は、活性層１３１と、活性層１３１上に位置する第１絶縁層１３２と、上記第１絶縁層１３２上に位置する第１金属層１３３と、上記第１金属層１３３上に位置する層間絶縁層１３４と、上記層間絶縁層１３４上に位置する第２金属層１３５と、上記第２金属層１３５上に位置するパッシベーション層１３６とを含む。ここで、上記活性層１３１は複数の半導体パターンを含み、上記第１金属層１３３は複数のゲートを含み、上記第２金属層１３５は複数のソースと複数のドレインとを含む。複数の上記半導体パターン、複数の上記ゲート、複数の上記ソース及び複数の上記ドレインは、複数の薄膜トランジスタ１３９を共同で形成することができる。ここで、複数の画素駆動回路は複数の上記薄膜トランジスタ１３９を含んでもよい。

【0037】

上記平坦層１８は上記パッシベーション層１３６上に位置する。上記平坦層１８は、厚さが通常大きく、陽極の堆積に平坦な表面を提供することに用いられる。上記平坦層１８は、無機絶縁物質又はポリアクリレート系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンエーテル系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）又はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ：ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）などの有機絶縁物質を含んでもよい。上記平坦層１８は感光性物質をさらに含んでもよいが、これに限定されない。

【0038】

上記発光デバイス層３は、上記画素駆動回路層１３の上に位置し、第１導電層３１と、画素定義層３２と、有機層３３と、第２導電層３４とを含む。少なくとも一部の上記発光デバイス層３は上記表示領域ＤＡ内に位置する。

【0039】

上記第１導電層３１は、複数の上記画素駆動回路に電気的に接続された複数の第１電極３１１（すなわち陽極）を含む。上記陽極は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ－Ｔｉｎ－Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ－Ｚｉｎｃ－Ｏｘｉｄｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３：Ｉｎｄｕｉｍ Ｏｘｉｄｅ）の仕事関数が比較的高い物質層と、例えば銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）又はそれらの混合物などの反射性物質層とを積層した積層膜構造を有してもよいが、これに限定されない。

【0040】

上記画素定義層３２は、上記第１導電層３１上に位置し、複数の上記第１電極３１１を露出させることに用いられる複数の開口部３２０が設けられる。上記画素定義層３２は、ポリアクリレート系（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ）又はポリイミド系（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）などの樹脂及びシリカ系の無機物などを含んでもよく、且つ黒色顔料、及び染料のうちの少なくとも一方を含む材料により外部光を吸収し、それにより外部光の反射率を減少させて表示装置のコントラストを高めることができる。

【0041】

上記有機層３３は、上記第１導電層３１上に位置し、第１部分３３１と、複数の第２部分３３２とを含む。ここで、上記第１部分３３１の一部は、上記画素定義層３２の対応する上記開口部３２０内に位置する。例示的には、上記第１部分３３１は一体構造であり（視野角の問題のため、図２における２つの符号３３１で表される部分は実際に互いに接続される）、上記第１部分３３２に複数の開口部が設けられ、複数の第２部分３３２は複数の開口部の箇所で上記第１部分３３１と切断される。上記有機層３３は有機発光層と共通層とを含んでもよく、例示的には、ＩＪＰ（Ｉｎｋ－Ｊｅｔ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ、インクジェット印刷）方式により作製されてもよい。上記有機発光層は有機物質層を含んでもよく、上記共通層は、第１共通層、及び第２共通層のうちの少なくとも一方を含んでもよく、第１共通層は正孔注入層と正孔輸送層とを含み、第２共通層は電子注入層と電子輸送層とを含む。

【0042】

上記第２導電層３４は、上記有機層３３上に位置し、第２電極３４１（すなわち陰極）と、複数の切断部分３４２とを含む。例示的には、上記第２電極３４１は一体構造であり（視野角の問題のため、図２における２つの符号３４１で表される部分は実際に互いに接続される）、上記第２電極３４１に複数の開口部が設けられ、複数の切断部分３４２は複数の上記開口部の箇所で上記第２電極３４１と切断される。ここで、各上記切断部分３４２は上記有機層３３の対応する上記第２部分３３２上に位置し、上記第２電極３４１は上記有機層３３の上記第１部分３３１上に位置し、上記第１部分３３１の一部は上記第１電極３１１と上記第２電極３４１との間に設置される。例示的には、上記第２電極３４１は、蒸着又はスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）の方式により形成されてもよく、例えばＬｉ、Ｃａ、ＬｉＦとＣａとの合金、ＬｉＦとＡｌとの合金、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、ＢａＦ２、Ｂａ又はそれらの化合物又は混合物（例えば、ＡｇとＭｇとの混合物など）などの仕事関数が比較的小さい物質層を含む。上記第２電極３４１は、仕事関数が比較的小さい上記物質層上に配置された透明金属酸化物層をさらに含んでもよい。

【0043】

複数の上記補助構造５は、上記画素駆動回路層１３上に位置し、且つ上記第２電極３４１の側辺に位置する。少なくとも１つの上記補助構造５は、ベース５０と、補助電極５１と、補助部５２とを含み、且つ上記表示領域ＤＡ内に位置する。

【0044】

上記ベース５０は、上記画素駆動回路層１３上に位置し、その横断面が略台形を呈する。上記ベース５０は外側面、底面及び上面を含み、上記底面は上記画素駆動回路層１３に近く、上記上面は上記外側面に接続され且つ上記底面と対向して設置され、上記上面の長さは上記底面の長さよりも小さい。上記外側面と上記底面がある水平面との夾角α（すなわち傾斜角、ｔａｐｅｒ ａｎｇｌｅ）は鋭角である。例示的には、上記夾角αは、３０°以上６０°以下であり、これにより、第２電極３４１を上記ベース５０の外側面上により容易に付着することができる。上記ベース５０は、上記平坦層１８又は上記画素定義層３２と同じ層に製造されてもよく、上記ベース５０が上記平坦層１８又は上記画素定義層３２と同じ層に設置され且つ材料が同じであるようにすることによって、作製コストを節約することができる。

【0045】

上記補助電極５１は、上記ベース５０の外側面上に位置し、上記第２電極３４１の上記補助構造５に近いエッジと接続される。理解できるように、上記補助電極５１は上記第２電極３４１と接続され、上記補助電極５１と上記第２電極３４１とが比較的大きな接触面積を有するため、上記補助電極５１は上記第２電極３４１と並列接続されるとみなすことができ、それにより上記第２電極３４１の抵抗を減少させることができる。例示的には、上記補助電極５１は上記ベース５０の上記上面及び上記外側面を被覆し、上記補助電極５１と上記第２電極３４１との接触面積を確保することができる。上記補助電極５１は上記第１電極３１１と同時に作製されてもよく、補助電極５１が上記第１電極３１１と同じ層に設置され且つ材料が同じであるようにすることができ、このようにして、作製コストを節約することができる。

【0046】

上記補助部５２は、上記補助電極５１上に位置し、その横断面が略逆台形又は矩形を呈してもよい。上記補助部５２のエッジは上記ベース５０のエッジに対して第１距離Ｄ１を超え、上記有機層３３を上記補助部５２のエッジ箇所でより容易に切断させ、上記有機層３３の上記第２部分３３２を上記補助部５２上に位置させることができる。例示的には、上記補助部５２の材料は有機材料又は無機材料を含んでもよく、上記第１距離Ｄ１は０．５μｍよりも大きい。ここで、上記第２電極３４１の上記補助構造５に近いエッジの上記基板１０上での正投影は、上記補助部５２の上記基板１０上での正投影の境界範囲内に位置する。

【0047】

本実施例において、上記有機層３３の上記第１部分３３１と、対応する上記第２部分３３２とは、対応する上記補助部５２のエッジ箇所で切断され、上記第２導電層３４の上記第２電極３４１と、対応する上記切断部分３４２とは、対応する上記補助部５２のエッジ箇所で切断される。これにより、上記有機層３３及び上記第２導電層３４は複数の上記補助構造５により遮断され得る。上記第２電極３４１（すなわち陰極）と補助電極との当接が必要となる場所に、上記ベース５０を作製し、且つ上記ベース５０の上方に金属コーティングにより形成された上記補助電極５１を被覆する。また同時に上記ベース５０の上記傾斜角は鋭角であり、上記第２電極３４１と上記補助電極５１との当接確率を向上させることができる。上記第２電極３４１の上記補助部５２に近いエッジは、上記第１部分３３１の上記補助部５２に近いエッジを超えて、上記補助電極５１と並列接続される。上記補助電極５１と上記第２電極３４１とを並列接続することにより、上記第２電極３４１の抵抗を減少させ、陰極インピーダンスによる電圧降下に起因して引き起こした大型パネルの画面表示むらの現象を改善することができる。

【0048】

他の実施例において、図２に参照されるように、実際に作製するときには、上記有機層３３の上記第１部分３３１の一部は上記補助電極５１と当接する可能性があり、上記第２電極３４１と上記補助電極５１との接続を確保するために、蒸着角を制御することにより上記第２電極３４１を下方の上記第１部分３３１よりも多い面積の上記補助電極５１と当接させることができる。すなわち、上記第２電極３４１と上記ベース５０上の上記補助電極５１との重なり面積は、上記第１部分３３１と上記ベース５０上の上記補助電極５１との重なり面積よりも大きく、さらに上記第２電極３４１と上記補助電極５１とが安定した電気的接続を有するようになり、さらに第２電極３４１の抵抗を減少させ、画面表示の均一性を向上させることを確保する。

【0049】

他の実施例において、複数の上記補助構造５の高さは一致し、且つ表示領域ＤＡ内に均一に分布する。これにより、上記第２電極３４１と複数の上記補助電極５１との当接をより均一にし、パネル面内陰極の抵抗の一致性を確保することができる。

【0050】

可能な実施例において、上記第２電極３４１の蒸着プロセスを制御することにより、上記第２電極３４１は複数の上記切断部分３４２と切断されなくてもよく、上記第２電極３４１を完全な電極にし、パネル面内陰極の抵抗の均一性をさらに向上させることができる。

【0051】

可能な実施例において、上記表示パネルは、上記発光デバイス層３及び上記補助構造５上に位置する封止層をさらに含み、上記封止層は、積層された第１無機封止層、第１有機封止層及び第２無機封止層を含む。上記補助構造５上に位置する上記封止層の一部は、上記補助構造５の輪郭に沿って延伸する。例示的には、上記第１無機層の一部及び上記第２無機層の一部は上記補助構造５の輪郭に沿って延伸し、上記有機層３３は、連続的に設置されてもよく、上記補助構造５の上記補助部５２のエッジ箇所で切断されてもよい。これにより、表示領域ＤＡ内のサブ画素に対する封止効果を強化することができる。

【0052】

さらには、必要に応じて、上記非表示領域ＮＤＡ内にも少なくとも１つの上記補助構造５が設置されてもよく、上記補助構造５は障壁構造として多重化されてもよい。ここで、上記第１無機層及び上記第２無機層は、障壁構造として多重化された上記補助構造５の上に位置し、上記有機層３３は、障壁構造として多重化された上記補助構造５の上記表示パネルの中心に近い一側に位置する。

【0053】

さらには、上記表示パネルは、上記画素駆動回路層１３上に位置する第１障壁をさらに含み、上記第１障壁は、障壁構造として多重化された上記補助構造５の上記表示パネルの中心から離れる一側に位置する。上記第１無機層及び上記第２無機層はさらに上記第１障壁の上に位置し、上記有機層３３は上記第１障壁の上記表示パネルの中心に近い一側に位置する。上記第１障壁の頂部は上記補助構造５の頂部よりも高い。本実施例において、上記第１障壁は、比較的大きい高さを有する主障壁とされてもよく、上記表示パネルの非表示領域ＮＤＡ内に位置する上記補助構造５は比較的小さい高さを有する補助障壁として多重化され、封止性能をさらに確保することができる。

【0054】

本発明の実施例は表示装置をさらに提供し、上記に記載の表示パネル１０００を含む。上記表示装置は表示機能を有する装置であり、例示的には、上記表示装置は、ビデオ又は静止画像を表示する装置であってもよく、例えばテレビ、デスクトップコンピュータ、モニタ、又は看板などの固定端末を含み、例えば携帯電話、タブレットコンピュータ、モバイル通信端末、電子手帳、電子書籍、マルチメディアプレーヤー、ナビゲータ、又はノートパソコンなどのモバイル端末を含んでもよく、例えばスマートウォッチ、スマートグラス、仮想現実機器、又は拡張現実機器などのウェアラブル電子機器をさらに含んでもよい。

【0055】

以上、本発明の実施例を詳細に紹介し、本明細書において具体的な例を適用して本発明の原理及び実施形態を詳述した。以上の実施例の説明は本発明の方法及びその中心的な思想の理解を助けることのみに用いられる。同時に、当業者にとっては、本発明の思想に従って、具体的な実施形態及び応用範囲において、いずれも変更を加えることができる。以上のように、本明細書の内容は本発明に対する制限ではないと理解されるべきである。

【符号の説明】

【0056】

１ アレイ基板
３ 発光デバイス層
５ 補助構造
１０ 基板
１１ 遮光層
１２ バッファ層
１３ 画素駆動回路層
１８ 平坦層
３１ 第１導電層
３２ 画素定義層
３３ 有機層
３４ 第２導電層
５０ ベース
５１ 補助電極
５２ 補助部
１３１ 活性層
１３２ 第１絶縁層
１３３ 第１金属層
１３４ 層間絶縁層
１３５ 第２金属層
１３６ パッシベーション層
１３９ 薄膜トランジスタ
３１１ 第１電極
３２０ 開口部
３３１ 第１部分
３３１ 符号
３３２ 第２部分
３３２ 第１部分
３４１ 第２電極
３４１ 符号
３４２ 切断部分
１０００ 表示パネル

【図1】

【図2】

【図3】

【国際調査報告】