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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-07-09
(54)【発明の名称】表示装置及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20240702BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240702BHJP
H10K 50/824 20230101ALI20240702BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240702BHJP
H10K 71/20 20230101ALI20240702BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20240702BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 348A
G09F9/30 338
G09F9/30 365
G09F9/00 338
H10K50/824
H10K59/122
H10K71/20
H10K59/124
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023577717
(86)(22)【出願日】2022-04-11
(85)【翻訳文提出日】2023-12-15
(86)【国際出願番号】 KR2022005214
(87)【国際公開番号】W WO2022265208
(87)【国際公開日】2022-12-22
(31)【優先権主張番号】10-2021-0078068
(32)【優先日】2021-06-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】100121382
【弁理士】
【氏名又は名称】山下 託嗣
(72)【発明者】
【氏名】イ，セ ホ
(72)【発明者】
【氏名】キム，テ ヒョン
(72)【発明者】
【氏名】ユン，ジ ファン
(72)【発明者】
【氏名】イ，ホ ジュン
(72)【発明者】
【氏名】ピョ，サン ウ
(72)【発明者】
【氏名】ファン，ジェ フン
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC33
3K107CC45
3K107DD37
3K107DD89
3K107DD90
3K107DD95
3K107FF15
3K107GG14
5C094AA32
5C094AA43
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094DA15
5C094DB01
5C094FA01
5C094FA02
5C094FA03
5C094FB01
5C094FB02
5C094FB15
5C094HA01
5C094HA08
5C094JA08
5G435AA14
5G435AA17
5G435BB05
5G435CC09
5G435KK10
5G435LL04
5G435LL08
5G435LL19
(57)【要約】
本発明の一実施形態は、基板と、基板上に配置されて開口を有する有機絶縁層と、有機絶縁層上の第１電極と、有機絶縁層上に配置され、第１部分が有機絶縁層の開口に重畳する補助電極と、第１電極と重畳する第１バンク開口、及び、補助電極の第１部分と重畳する第２バンク開口が画定(定義)されたバンク層と、第１電極及び補助電極上に位置して補助電極の一部を露出させるホールを含む中間層と、第１電極及び補助電極と重畳するように中間層上に配置され、中間層のホールを介して補助電極と接触する第２電極と、を含み、平面視において、中間層のホールは、有機絶縁層の開口と部分的にしか重畳せずに第２バンク開口内に位置する表示装置を開示する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、前記基板上に配置され、開口を有する有機絶縁層と、
前記有機絶縁層上の第１電極と、
前記有機絶縁層上に配置され、前記有機絶縁層の前記開口に重畳する第１部分を含む補助電極と、
前記第１電極と重畳する第１バンク開口、及び、前記補助電極の前記第１部分と重畳する第２バンク開口を有するバンク層と、
前記第１電極及び前記補助電極上に位置し、前記補助電極の一部を露出させるホールを含む中間層と、
前記第１電極及び前記補助電極と重畳するように前記中間層上に配置され、前記中間層の前記ホールを通じて前記補助電極と接触する第２電極と、を含み、
平面視において、前記中間層の前記ホールは、前記有機絶縁層の前記開口と部分的にしか重畳せず、前記第２バンク開口内に位置する表示装置。
【請求項2】
平面視において、前記中間層の前記ホールの一部は、前記有機絶縁層の前記開口に位置し、前記中間層の前記ホールの残りの部分は、前記有機絶縁層の前記開口の輪郭線と、前記第２バンク開口の輪郭線との間に位置する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記有機絶縁層は、前記開口に隣接した傾斜面を含み、前記第２電極と前記補助電極との接触領域の一部は、前記有機絶縁層の前記傾斜面上に位置する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
前記中間層の前記ホールの中心は、平面視において、前記有機絶縁層の前記開口内に位置する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項5】
前記中間層の前記ホールの中心は、前記有機絶縁層の前記開口を画定(定義)する前記有機絶縁層の内側エッジから約１μｍ以上離隔された、請求項４に記載の表示装置。
【請求項6】
前記基板上に配置され、一方向に延びた共通電圧ラインと、前記共通電圧ラインと重畳するのであって、前記共通電圧ラインとの間に介在された少なくとも１つの絶縁層に画定(定義)されたコンタクトホールを通じて、前記共通電圧ラインと電気的に連結された補助共通電圧ラインと、をさらに含み、
前記補助共通電圧ライン及び前記共通電圧ラインは、前記有機絶縁層の前記開口と重畳する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項7】
前記補助共通電圧ラインの上面と直接に接触する無機絶縁層をさらに含む、請求項６に記載の表示装置。
【請求項8】
前記補助電極の前記第１部分は、前記有機絶縁層の開口に重畳し、前記有機絶縁層の前記開口より広い幅を有し、
前記補助電極は、
前記第１部分と一体に形成され、前記第１部分より狭い幅の第２部分を含み、
前記補助電極の前記第２部分は、前記有機絶縁層及び前記無機絶縁層を貫通するコンタクトホールを通じて、前記補助共通電圧ラインに電気的に連結された、請求項７に記載の表示装置。
【請求項9】
前記中間層は、発光層を含み、前記中間層のホールは、前記発光層を貫通するホールを含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項10】
基板上に開口を有する有機絶縁層を形成する工程と、前記有機絶縁層上の第１電極を形成する工程と、
第１部分が前記有機絶縁層の前記開口に重畳する補助電極を前記有機絶縁層上に形成する工程と、
前記第１電極と重畳する第１バンク開口、及び前記補助電極の前記第１部分と重畳する第２バンク開口を有するバンク層を形成する工程と、
前記第１電極及び前記補助電極上に位置するように中間層を形成する工程と、
前記中間層に前記補助電極の一部を露出させるホールを形成する工程と、
前記中間層の前記ホールを通じて前記補助電極と接触するように、前記中間層上に第２電極を形成する工程と、を含み、
平面視において、前記中間層の前記ホールは、前記有機絶縁層の前記開口と部分的にしか重畳せずに前記第２バンク開口内に位置する、表示装置の製造方法。
【請求項11】
前記ホールを形成する工程は、前記中間層上にレーザビームを照射する工程を含み、前記レーザビームの一部は、平面視において、前記有機絶縁層の前記開口の輪郭線と、前記第２バンク開口の輪郭線ととの間に位置する、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項12】
前記レーザビームの中心は、前記第２バンク開口内に位置する、請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項13】
前記中間層の前記ホールの中心は、前記有機絶縁層の前記開口を画定(定義)する前記有機絶縁層の内側エッジから約１μｍ以上離隔された、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項14】
前記有機絶縁層は、前記開口に隣接した傾斜面を含み、前記第２電極を形成する工程において、前記第２電極と前記補助電極との接触領域の一部は、前記有機絶縁層の前記傾斜面上に位置する、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項15】
前記補助電極の前記第１部分は、前記有機絶縁層の開口に重畳し、前記有機絶縁層の前記開口より広い幅を有し、
前記補助電極は、
前記第１部分と一体に形成され、前記第１部分より狭い幅の第２部分を含む、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項16】
前記基板上に配置され、一方向に延びた共通電圧ラインを形成する工程と、前記共通電圧ラインと重畳し、前記共通電圧ラインとの間に介在された少なくとも１つの絶縁層に画定(定義)された、コンタクトホールを通じて、前記共通電圧ラインと電気的に連結された補助共通電圧ラインを形成する工程と、をさらに含み、
前記補助共通電圧ライン及び前記共通電圧ラインは、前記有機絶縁層の前記開口と重畳する、請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項17】
前記補助共通電圧ライン上の無機絶縁層を形成する工程をさらに含む、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項18】
前記補助電極の前記第２部分が前記補助共通電圧ラインに電気的に連結されるように、前記有機絶縁層及び前記無機絶縁層を貫通するコンタクトホールを形成する工程をさらに含む、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項19】
平面視において、前記有機絶縁層の前記開口のアウトラインの一部は、前記中間層の前記ホールに重畳する、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項20】
前記中間層を形成する工程は、前記第１電極及び前記補助電極と重畳するように発光層を形成する工程を含み、前記ホールを形成する工程は、前記発光層を貫通するホールを形成する工程を含む、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
各種電気的信号情報を視覚的に表現する表示分野が急速に発展することにより、薄型化、軽量化、省エネ化などの優秀な特性を有する多様な表示装置が紹介されている。
【0003】
表示装置は、自発光せず、バックライトの光を用いる液晶表示装置、または自発光可能な表示要素を含む自発光表示装置を含みうる。自発光表示装置は、発光層を含む表示要素を含みうる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明が解決しようとする課題は、表示装置及びその製造方法に係り、さらに具体的に、発光表示装置に係わる構造と方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一実施形態は、基板；前記基板上に配置され、開口を有する有機絶縁層；前記有機絶縁層上の第１電極；前記有機絶縁層上に配置されるが、第１部分が前記有機絶縁層の前記開口に重畳する補助電極；前記第１電極と重畳する第１バンク開口、及び前記補助電極の前記第１部分と重畳する第２バンク開口が画定(定義)されたバンク層；前記第１電極及び前記補助電極上に位置し、前記補助電極の一部を露出させるホールを含む中間層；及び前記第１電極及び前記補助電極と重畳するように前記中間層上に配置され、前記中間層の前記ホールを通じて前記補助電極と接触する第２電極；を含み、平面視において、前記中間層の前記ホールは、前記有機絶縁層の前記開口と部分的にしか重畳せず、前記第２バンク開口内に位置する表示装置を開示する。
【0006】
平面視において、前記中間層の前記ホールの一部は、前記有機絶縁層の前記開口に位置し、前記中間層の前記ホールの残りの部分は、前記有機絶縁層の前記開口の輪郭線と前記第２バンク開口の輪郭線との間に位置しうる。
【0007】
前記有機絶縁層は、前記開口に隣接した傾斜面を含み、前記第２電極と前記補助電極との接触領域の一部は、前記有機絶縁層の前記傾斜面上に位置しうる。
【0008】
前記中間層の前記ホールの中心は、平面視において、前記有機絶縁層の前記開口内に位置しうる。
【0009】
前記中間層の前記ホールの中心は、前記有機絶縁層の前記開口を画定(定義)する前記有機絶縁層の内側エッジから約１μｍ以上離隔されうる。
【0010】
前記基板上に配置され、一方向に延びた共通電圧ライン、及び、前記共通電圧ラインと重畳するのであり、前記共通電圧ラインとの間に介在された少なくとも１つの絶縁層に画定(定義)されたコンタクトホールを通じて、前記共通電圧ラインと電気的に連結された補助共通電圧ラインを含み、前記補助共通電圧ライン及び前記共通電圧ラインは、前記有機絶縁層の前記開口と重畳しうる。
【0011】
前記補助共通電圧ラインの上面と直接接触する無機絶縁層をさらに含みうる。
【0012】
前記補助電極は、前記有機絶縁層の開口に重畳するのであり、前記開口より広い幅を有する前記第１部分、及び、前記第１部分と一体に形成され、前記第１部分より狭い幅の第２部分を含み、前記補助電極の前記第２部分は、前記有機絶縁層及び前記無機絶縁層を貫通するコンタクトホールを通じて前記補助共通電圧ラインに電気的に連結されうる。
【0013】
前記中間層は、発光層を含み、前記中間層のホールは、前記発光層を貫通するホールを含みうる。
【0014】
本発明の他の実施形態は、基板上に開口を有する有機絶縁層を形成する工程；前記有機絶縁層上の第１電極を形成する工程；第１部分が前記有機絶縁層の前記開口に重畳する補助電極を前記有機絶縁層上に形成する工程；前記第１電極と重畳する第１バンク開口、及び前記補助電極の前記第１部分と重畳する第２バンク開口が画定(定義)されたバンク層を形成する工程；前記第１電極及び前記補助電極の上に位置するように中間層を形成する工程；前記中間層に前記補助電極の一部を露出させるホールを形成する工程；及び、前記中間層の前記ホールを通じて前記補助電極と接触するように、前記中間層上に第２電極を形成する工程；を含み、平面視において、前記中間層の前記ホールは、前記有機絶縁層の前記開口と部分的にしか重畳せずに前記第２バンク開口内に位置する表示装置の製造方法を開始する。
【0015】
前記ホールを形成する工程は、前記中間層上にレーザビームを照射する工程を含み、前記レーザビームの一部は、平面視において、前記有機絶縁層の前記開口のアウトラインと前記第２バンク開口のアウトラインとの間に位置しうる。
【0016】
前記レーザビームの中心は、前記第２バンク開口内に位置しうる。
【0017】
前記中間層の前記ホールの中心は、前記有機絶縁層の前記開口を画定(定義)する前記有機絶縁層の内側エッジから約１μｍ以上離隔されうる。
【0018】
前記有機絶縁層は、前記開口に隣接した傾斜面を含み、前記第２電極を形成する工程において、前記第２電極と前記補助電極との接触領域の一部は、前記有機絶縁層の前記傾斜面上に位置しうる。
【0019】
前記補助電極は、前記有機絶縁層の開口に重畳し、前記開口より広い幅を有する前記第１部分、及び前記第１部分と一体に形成されるが、前記第１部分より狭い幅の第２部分を含みうる。
【0020】
前記基板上に配置され、一方向に延びた共通電圧ラインを形成する工程、及び、前記共通電圧ラインと重畳するのであって、前記共通電圧ラインとの間に介在された少なくとも１つの絶縁層に画定(定義)されたコンタクトホールを通じて前記共通電圧ラインと電気的に連結された補助共通電圧ラインを形成する工程をさらに含み、前記補助共通電圧ライン及び前記共通電圧ラインは、前記有機絶縁層の前記開口と重畳しうる。
【0021】
前記補助共通電圧ライン上の無機絶縁層を形成する工程をさらに含みうる。
【0022】
前記補助電極の前記第２部分が前記補助共通電圧ラインに電気的に連結されるように、前記有機絶縁層及び前記無機絶縁層を貫通するコンタクトホールを形成する工程をさらに含みうる。
【0023】
平面視において、前記有機絶縁層の前記開口のアウトラインの一部は、前記中間層の前記ホールに重畳しうる。
【0024】
前記中間層を形成する工程は、前記第１電極及び前記補助電極と重畳するように発光層を形成する工程を含み、前記ホールを形成する工程は、前記発光層を貫通するホールを形成する工程を含みうる。
【0025】
前述した内容以外の他の側面、特徴、利点が、以下の図面、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明から明確になるであろう。
【発明の効果】
【0026】
本発明の実施形態によれば、中間層のホールを形成するに際して、絶縁層の開口サイズによる工程的制約を減らし、補助電極と補助電極上の第２電極の接触領域の品質を確保することができる。前述した効果は、例示的なものであって、そのような効果によって本発明の範囲が限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【図1】本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示す斜視図である。
【図2】本発明の一実施形態による表示装置の各画素を概略的に示す断面図である。
【図4】本発明の一実施形態による表示装置に含まれた発光ダイオード及び発光ダイオードに電気的に連結された画素回路を示す等価回路図である。
【図5】本発明の一実施形態による表示装置の発光ダイオード及び周辺に配置された配線を示す平面図である。
【図7】本発明の一実施形態による表示装置の共通電圧ラインと補助電極の構造を示す平面図である。
【図10】本発明の一実施形態による表示装置の製造工程による表示装置の断面図である。
【図11】本発明の一実施形態による表示装置の製造工程による表示装置の断面図である。
【図12】本発明の一実施形態による表示装置の製造工程による表示装置の断面図である。
【図13】本発明の一実施形態による表示装置の製造工程による表示装置の断面図である。
【図14】本発明の一実施形態による表示装置の製造工程による表示装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0028】
本発明は、多様な変換を加えることができ、様々な実施形態を有することができるところ、特定の実施形態を図面に例示し、詳細な説明において詳細に説明する。本発明の効果及び特徴、そして、それらの達成方法は、図面と共に詳細に後述される実施形態を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、後述する実施形態に限定されるものではなく、多様な形態に具現されうる。
【0029】
以下、添付された図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一であるか、対応する構成要素は、同じ図面符号を付し、それについての重複説明は省略する。
【0030】
以下の実施形態において、第１、第２などの用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的で使用された。
【0031】
以下の実施形態において、単数表現は、文脈上、明白に異なって意味しない限り、複数表現を含む。
【0032】
以下の実施形態において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載の特徴、または構成要素が存在することを意味するものであり、１つ以上の他の特徴または構成要素の付加可能性を予め排除するものではない。
【0033】
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などの部分が、他の部分上に、または上部にあるとするとき、他の部分の直上にある場合だけではなく、その中間に他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
【0034】
図面では、説明の便宜上、構成要素がその大きさが誇張または縮小されうる。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上、任意に示したものなので、本発明が必ずしも図示されたところに限定されない。
【0035】
ある実施形態が異なって具現可能な場合、特定の工程順序は、説明される順序と異なって遂行されうる。例えば、連続して説明される２つの工程が実質的に同時に遂行されてもよく、説明される順序と逆順にも行われる。
【0036】
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などが連結されたとするとき、膜、領域、構成要素が直接連結された場合だけではなく、膜、領域、構成要素の中間に他の膜、領域、構成要素が介在されて間接的に連結された場合も含む。例えば、本明細書において、膜、領域、構成要素などが電気的に連結されたとするとき、膜、領域、構成要素などが直接電気的に連結された場合だけではなく、その中間に他の膜、領域、構成要素などが介在されて間接的に電気的連結された場合も含む。
【0037】
図１は、本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示す斜視図である。
【0038】
図１を参照すれば、表示装置ＤＶは、表示領域ＤＡ及び表示領域ＤＡ外側の非表示領域ＮＤＡを含みうる。表示装置ＤＶは、表示領域ＤＡにｘ－ｙ平面上で２次元的に配列された複数の画素アレイを介してイメージを提供することができる。複数の画素は、第１画素、第２画素、及び第３画素を含み、以下では、説明の便宜上、第１画素が赤色画素Ｐｒ、第２画素が緑色画素Ｐｇ、及び第３画素が青色画素Ｐｂである場合を想定して説明する。
【0039】
赤色画素Ｐｒ、緑色画素Ｐｇ、及び青色画素Ｐｂは、それぞれ赤色、緑色、及び青色の光を放出する領域であって、表示装置ＤＶは、画素から放出される光を用いてイメージを提供することができる。
【0040】
非表示領域ＮＤＡは、イメージを提供しない領域であって、表示領域ＤＡを全体として取り囲みうる。非表示領域ＮＤＡには、画素回路に電気的信号や電源を提供するためのドライバまたはメイン電圧ラインが配置されうる。非表示領域ＮＤＡには、電子素子や印刷回路基板が電気的に連結される領域であるパッドが含まれうる。
【0041】
表示領域ＤＡは、図１に図示されたように、方形を含む多角形を有しうる。例えば、表示領域ＤＡは、横の長さが縦の長さより長い長方形であるか、横の長さが縦の長さより短い長方形であるか、正方形でありうる。または、表示領域ＤＡは、楕円または円形といった多様な形状を有しうる。
【0042】
図２は、本発明の一実施形態による表示装置の各画素を概略的に示す断面図である。
【0043】
図２を参照すれば、表示装置ＤＶは、基板１００上の回路層２００を含みうる。回路層２００は、第１ないし第３画素回路ＰＣ１、ＰＣ２、ＰＣ３を含み、第１ないし第３画素回路ＰＣ１、ＰＣ２、ＰＣ３それぞれは、発光ダイオード層３０３の第１ないし第３発光ダイオードＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３に電気的に連結されうる。
【0044】
第１ないし第３発光ダイオードＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３は、有機物を含む有機発光ダイオードを含みうる。他の実施形態において、第１ないし第３発光ダイオードＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３は、無機物を含む無機発光ダイオードでもある。無機発光ダイオードは、無機物半導体基盤の材料を含むＰＮ接合ダイオードを含みうる。ＰＮ接合ダイオードに順方向に電圧を印加すれば、正孔と電子が注入され、その正孔と電子の再結合によって生じるエネルギーを光エネルギーに変換させて所定色相の光を放出することができる。前述した無機発光ダイオードは、数～数百μmまたは数～数百nmの幅を有することができる。一部実施形態において、発光ダイオードＬＥＤは、量子点を含む発光ダイオード（例えば、第１ないし第３発光ダイオードＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３でもある。前述したように、発光ダイオードＬＥＤ（例えば、第１ないし第３発光ダイオードＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３）の発光層は、有機物を含むか、無機物を含むか、量子点を含むか、有機物と量子点を含むか、無機物と量子点を含みうる。
【0045】
第１ないし第３発光ダイオードＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３は、同色の光を放出しうる。例えば、第１ないし第３発光ダイオードＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３から放出された光（例えば、青色光Ｌｂ）は、発光ダイオード層３０３上の封止層４００を経て色変換－透過層５００を通過することができる。
【0046】
色変換－透過層５００は、発光ダイオード層３０３から放出された光（例えば、青色光Ｌｂ）の色を変換するか変換せず、透過させる光学部を含みうる。例えば、色変換－透過層５００は、発光ダイオード層３０３から放出された光（例えば、青色光Ｌｂ）を異色の光に変換する色変換部、及び発光ダイオード層３０３に放出された光（例えば、青色光Ｌｂ）を色変換せず、透過させる透過部を含みうる。色変換－透過層５００は、赤色の画素Ｐｒと対応する第１色変換部５１０、緑色の画素Ｐｇと対応する第２色変換部５２０、及び青色の画素Ｐｂに対応する透過部５３０を含みうる。第１色変換部５１０は、青色光Ｌｂを赤色光Ｌｒに変換し、第２色変換部５２０は、青色光Ｌｂを緑色光Ｌｇに変換することができる。透過部５３０は、青色光Ｌｂを変換せず、通過させうる。
【0047】
カラー層６００は、色変換－透過層５００上に配置されうる。カラー層６００は、互いに異なる色の第１ないし第３カラーフィルタ６１０、６２０、６３０を含みうる。例えば、第１カラーフィルタ６１０は、赤色のカラーフィルタであり、第２カラーフィルタ６２０は、緑色のカラーフィルタであり、及び第３カラーフィルタ６３０は、青色のカラーフィルタでもある。
【0048】
色変換－透過層５００で色変換された光及び透過された光は、それぞれ第１ないし第３カラーフィルタ６１０、６２０、６３０を通過しつつ、色純度が向上しうる。また、カラー層６００は、外光（例えば、表示装置ＤＶの外部から表示装置ＤＶに向かって入射する光）が反射されてユーザに視認されることを防止するか、最小化しうる。
【0049】
表示装置ＤＶは、カラー層６００上の透光性基材層７００を含みうる。透光性基材層７００は、ガラスまたは透光性有機物を含みうる。例えば、透光性基材層７００は、アクリル系の樹脂のような透光性有機物を含みうる。
【0050】
一実施形態において、透光性基材層７００は、一種の基板であって、透光性基材層７００上にカラー層６００及び色変換－透過層５００が形成された後、色変換－透過層５００が封止層４００と対面すべく配置されうる。
【0051】
他の実施形態において、封止層４００上に色変換－透過層５００及びカラー層６００が順次に形成された後、透光性基材層７００がカラー層６００上に直接塗布及び硬化されて形成されうる。一部実施形態として、透光性基材層７００上には、他の光学的フィルム、例えば、AR(anti-reflection)フィルムなどが配置されうる。
【0052】
前述した構造を有する表示装置ＤＶは、テレビ、広告看板、映画館用スクリーン、モニタ、タブレットＰＣ、ノート型パソコンなどを含みうる。
【0053】
【0054】
図３を参照すれば、第１色変換部５１０は、入射される青色光Ｌｂを赤色光Ｌｒに変換しうる。第１色変換部５１０は、図３に図示されたように、第１感光性ポリマー１１５１、第１感光性ポリマー１１５１に分散された第１量子点１１５２と第１散乱粒子１１５３を含みうる。
【0055】
第１量子点１１５２は、青色光Ｌｂによって励起されて青色光Ｌｂの波長より長い波長を有する赤色光Ｌｒを等方性に放出しうる。第１感光性ポリマー１１５１は、光透過性を有する有機物質でありうる。第１散乱粒子１１５３は、第１量子点１１５２に吸収されていない青色光Ｌｂを散乱させ、さらに多くの第１量子点１１５２を励起させることで、色変換効率を増加させうる。第１散乱粒子１１５３は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）や金属粒子などでありうる。第１量子点１１５２は、ＩＩ－ＶＩ族化合物、ＩＩＩ－Ｖ族化合物、ＩＶ－ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素、ＩＶ族化合物、及びそれらの組合わせから選択されうる。
【0056】
第２色変換部５２０は、入射される青色光Ｌｂを緑色光Ｌｇに変換しうる。第２色変換部５２０は、図３に図示されたように、第２感光性ポリマー１１６１と、第２感光性ポリマー１１６１に分散された第２量子点１１６２及び第２散乱粒子１１６３とを含みうる。
【0057】
第２量子点１１６２は、青色光Ｌｂによって励起されて青色光の波長より長い波長を有する緑色光Ｌｇを等方性に放出しうる。第２感光性ポリマー１１６１は、光透過性を有する有機物質でありうる。
【0058】
第２散乱粒子１１６３は、第２量子点１１６２に吸収されていない青色光Ｌｂを散乱させ、さらに多くの第２量子点１１６２を励起させることで、色変換効率を増加させうる。第２散乱粒子１１６３は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）や金属粒子などでもある。第２量子点１１６２は、ＩＩ－ＶＩ族化合物、ＩＩＩ－Ｖ族化合物、ＩＶ－ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素、ＩＶ族化合物、及びそれらの組合わせから選択されうる。
【0059】
一部の実施形態として、第１量子点１１５２及び第２量子点１１６２と同じ物質でありうる。その場合、第１量子点１１５２の大きさは、第２量子点１１６２の大きさよりも大きいのでありうる。
【0060】
透過部５３０は、透過部５３０に入射する青色光Ｌｂを変換せず、青色光Ｌｂを透過することができる。透過部５３０は、図３に図示されたように、第３散乱粒子１１７３が分散された第３感光性ポリマー１１７１を含みうる。第３感光性ポリマー１１７１は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの光透過性を有する有機物質でもあり、第１及び第２感光性ポリマー１１５１、１１６１と同じ物質でありうる。第３散乱粒子１１７３は、青色光Ｌｂを散乱させて放出し、第１及び第２散乱粒子１１５３、１１６３と同じ物質でありうる。
【0061】
図４は、本発明の一実施形態による表示装置に含まれた発光ダイオード及び発光ダイオードに電気的に連結された画素回路を示す等価回路図である。
【0062】
図４を参照すれば、発光ダイオード、例えば、発光ダイオードＬＥＤの第１電極（例えば、アノード）は、画素回路ＰＣに連結され、発光ダイオードＬＥＤの第２電極（例えば、カソード）は、共通電源電圧ＥＬＶＳＳを提供する共通電圧ラインＶＳＬに連結されうる。発光ダイオードＬＥＤは、画素回路ＰＣから供給される電流量に相応する輝度で発光しうる。
【0063】
図４の発光ダイオードＬＥＤ、前述した図２に図示された第１ないし第３発光ダイオードＬＥＤ１、ＬＥＤ２、ＬＥＤ３それぞれに該当し、図４の画素回路ＰＣ、前述した図２に図示された第１ないし第３画素回路ＰＣ１、ＰＣ２、ＰＣ３それぞれに該当しうる。
【0064】
画素回路ＰＣは、データ信号に対応して駆動電源電圧ＥＬＶＤＤから発光ダイオードＬＥＤを経由して共通電源電圧ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御しうる。画素回路ＰＣは、駆動トランジスタＭ１、スイッチングトランジスタＭ２、センシングトランジスタＭ３及びストレージキャパシタＣｓｔを含みうる。
【0065】
駆動トランジスタＭ１、スイッチングトランジスタＭ２、センシングトランジスタＭ３のそれぞれは、酸化物半導体で構成された半導体層を含む酸化物半導体薄膜トランジスタであるか、ポリシリコンで構成された半導体層を含むシリコン半導体薄膜トランジスタでありうる。トランジスタのタイプに応じて第１電極は、ソース電極及びドレイン電極のうち１つでありうるのであって、第２電極は、ソース電極及びドレイン電極のうちの他の１つでありうる。
【0066】
駆動トランジスタＭ１の第１電極は、駆動電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する駆動電圧ラインＶＤＬに連結され、第２電極は、発光ダイオードＬＥＤの第１電極に連結されうる。駆動トランジスタＭ１のゲート電極は、第１ノードＮ１に連結されうる。駆動トランジスタＭ１は、第１ノードＮ１の電圧に対応して駆動電源電圧ＥＬＶＤＤから発光ダイオードＬＥＤを流れる電流量を制御することができる。
【0067】
スイッチングトランジスタＭ２は、スイッチングトランジスタでありうる。スイッチングトランジスタＭ２の第１電極は、データラインＤＬに連結され、第２電極は、第１ノードＮ１に連結されうる。スイッチングトランジスタＭ２のゲート電極は、スキャンラインＳＬに連結されうる。スイッチングトランジスタＭ２は、スキャンラインＳＬに走査信号が供給されるとき、ターンオンされてデータラインＤＬと第１ノードＮ１とを電気的に連結しうる。
【0068】
センシングトランジスタＭ３は、初期化トランジスタ及び／またはセンシングトランジスタでもある。センシングトランジスタＭ３の第１電極は、第２ノードＮ２に連結され、第２電極は、センシングラインＳＥＬに連結されうる。センシングトランジスタＭ３のゲート電極は、制御ラインＣＬに連結されうる。
【0069】
ストレージキャパシタＣｓｔは、第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に連結されうる。例えば、ストレージキャパシタＣｓｔの第１キャパシタ電極は、駆動トランジスタＭ１のゲート電極に連結され、ストレージキャパシタＣｓｔの第２キャパシタ電極は、発光ダイオードＬＥＤの第１電極に連結されうる。
【0070】
図４には、駆動トランジスタＭ１、スイッチングトランジスタＭ２、及びセンシングトランジスタＭ３がＮＭＯＳであると図示されているが、本発明がそれに限定されない。例えば、駆動トランジスタＭ１、スイッチングトランジスタＭ２、及びセンシングトランジスタＭ３のうちから選択された少なくとも１つはＰＭＯＳからなりうる。
【0071】
図４には、３個のトランジスタが図示されているが、本発明は、それに限定されない。画素回路ＰＣは、４個またはそれ以上のトランジスタを含みうる。
【0072】
図５は、本発明の一実施形態による表示装置の発光ダイオード及び周辺に配置された配線を示す平面図である。
【0073】
図５を参照すれば、表示領域ＤＡには、共通電圧ラインＶＳＬが配置されるが、共通電圧ラインＶＳＬのそれぞれは、ｙ方向に沿って延びる。共通電圧ラインＶＳＬは、相互に離隔されて配置されるが、隣接した２本の共通電圧ラインＶＳＬの間に、発光ダイオード、例えば、有機発光ダイオードが配置されうる。一実施形態において、図５は、隣接する２本の共通電圧ラインＶＳＬの間に、第１ないし第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３が配置されることを図示する。
【0074】
表示領域ＤＡには、共通電圧ラインＶＳＬと交差する方向（例えば、ｘ方向）に沿って延びている補助ラインが配置されうる。一実施形態において、図５は、第１及び第２補助ラインＡＬ１、ＡＬ２がｘ方向に沿って延びていることを図示し、第１及び第２補助ラインＡＬ１、ＡＬ２は、第１ないし第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３を挟んで相互に離隔されうる。各共通電圧ラインＶＳＬは、第１及び第２補助ラインＡＬ１、ＡＬ２のうちから選択された、少なくともいずれか１つと電気的に連結されうる。
【0075】
図５に図示された構造は、表示領域ＤＡの一部を示すものであって、表示領域ＤＡは、図５の構造が反復配列されているように見ることができる。例えば、複数の共通電圧ラインＶＳＬ及び複数の補助ラインが表示領域ＤＡで互いに交差しながら電気的に連結され、平面図上で、共通電圧ラインＶＳＬ及び補助ラインは、メッシュ構造を形成しうる。表示領域ＤＡが比較的大きい面積を有する場合、共通電圧ラインＶＳＬを介して提供される共通電圧の電圧降下がもたされるが、共通電圧ラインＶＳＬ及び補助ラインが平面上でメッシュ構造を形成することで、前述した電圧降下を防止するか、最小化しうる。
【0076】
補助電極１８０は、共通電圧ラインＶＳＬの一部と重畳する(重なり合う)ように配置されうる。補助電極１８０は、第１コンタクトホールＣＴ１及び第２コンタクトホールＣＴ２を用いて共通電圧ラインＶＳＬに電気的に連結され、共通電圧ラインＶＳＬから電源を供給されうる。発光ダイオード、例えば、第１ないし第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３の第２電極（例えば、カソード）は、補助電極１８０を介して共通電圧ラインＶＳＬに電気的に連結されうる。
【0077】
共通電圧ラインＶＳＬは、共通電圧ラインＶＳＬに重畳するように配置された補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａと電気的に連結されうる。例えば、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａは、第２コンタクトホールＣＴ２を介して共通電圧ラインＶＳＬに接続されうる。
【0078】
発光ダイオードの、例えば、第１ないし第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３の、それぞれの第１電極１５０（例えば、アノード）は、第６コンタクトホールＣＴ６を介してその下に配置された画素回路に電気的を連結されうる。第１ないし第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３のそれぞれに連結された画素回路は、前述した図４の説明と同様に、複数のトランジスタ及びストレージキャパシタを含みうる。
【0079】
【0080】
図６を参照すれば、基板１００上に発光ダイオード、例えば、第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１が配置されるが、基板１００と第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１との間には、画素回路ＰＣが配置されうる。これについて、図６は、画素回路ＰＣに含まれた駆動トランジスタＭ１及びストレージキャパシタＣｓｔを図示する。図６に図示されていないが、第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２とそれに連結された画素回路、及び、第３有機発光ダイオードＯＬＥＤ３とそれに連結された画素回路も、図６に図示された画素回路ＰＣと同じ構造を含みうる。
【0081】
基板１００は、ガラス材、金属材、有機物といった物質からなりうる。例えば、基板１００は、ＳｉＯ２を主成分とするガラス材を含むか、フレキシブルまたはベンダブル特性を有する多様な物質、例えば、ポリマー樹脂を含みうる。
【0082】
駆動トランジスタＭ１は、半導体層Ａ１及びゲート電極Ｇ１を含みうる。半導体層Ａ１は、酸化物系物質またはシリコン系物質（例えば、アモルファスシリコン、ポリシリコン）を含みうる。例えば、半導体層Ａ１は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、バナジウム（Ｖ）、ハフニウム（Ｈｆ）、カドミウム（Ｃｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む群から選択された少なくとも１つ以上の物質の酸化物を含みうる。
【0083】
半導体層Ａ１は、チャネル領域Ｃ１、チャネル領域Ｃ１を挟んで両側に配置された第１及び第２低抵抗領域Ｂ１、Ｄ１を含みうる。第１及び第２低抵抗領域Ｂ１、Ｄ１は、チャネル領域Ｃ１より低抵抗の領域であり、第１及び第２低抵抗領域Ｂ１、Ｄ１のうちいずれか１つは、ソース領域であり、他の１つは、ドレイン領域である。
【0084】
半導体層Ａ１は、基板１００上の第１絶縁層１０１上に位置する。第１絶縁層１０１は、不純物が半導体層Ａ１に浸透することを防止しうる。第１絶縁層１０１は、シリコンナイトライド、シリコンオキシド、及び／またはシリコンオキシナイトライドといった無機絶縁物を含みうる。
【0085】
半導体層Ａ１とゲート電極Ｇ１との間には、第２絶縁層１０３が介在されうる。第２絶縁層１０３は、一種のゲート絶縁層でもあり、シリコンナイトライド、シリコンオキシド、及び／またはシリコンオキシナイトライドといった無機絶縁物を含みうる。
【0086】
ゲート電極Ｇ１は、半導体層Ａ１のチャネル領域Ｃ１と重畳しうる。ゲート電極Ｇ１は、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含み、前述した物質を含む単層または多層の構造を含みうる。
【0087】
半導体層Ａ１の第１及び第２低抵抗領域Ｂ１、Ｄ１のうちのいずれか１つは、駆動電圧ラインＶＤＬに電気的に連結されうる。駆動電圧ラインＶＤＬは、第１絶縁層１０１の下に配置されうる。図４は、駆動電圧ラインＶＤＬが、第３絶縁層１０５上の連結電極ＣＥを介して第２低抵抗領域Ｄ１に接続されていることを図示する。
【0088】
駆動電圧ラインＶＤＬは、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）のような金属物質を含みうる。例えば、駆動電圧ラインＶＤＬは、チタン層（下層）及びチタン層よりも厚い銅層（上層）の積層構造を含みうる。他の実施形態において、駆動電圧ラインＶＤＬは、前述した金属物質を含む１層または複数の金属層、及び前述した１層または金属層上に配置されたＩＴＯといった透明導電性酸化物層の多層構造を含みうる。第３絶縁層１０５は、シリコンナイトライド、シリコンオキシド、及び／またはシリコンオキシナイトライドのような無機絶縁物を含みうる。
【0089】
第２低抵抗領域Ｄ１がソース領域（またはドレイン領域）である場合、連結電極ＣＥは、駆動トランジスタＭ１のソース電極（またはドレイン電極）であり、第２低抵抗領域Ｄ１がドレイン領域（または、ソース領域）である場合、連結電極ＣＥは、駆動トランジスタＭ１のドレイン電極（または、ソース電極）でありうる。連結電極ＣＥは、第１ないし第３絶縁層１０１、１０３、１０５を貫通する第３コンタクトホールＣＴ３を介して駆動電圧ラインＶＤＬに接続され、第２及び第３絶縁層１０３、１０５を貫通する第４コンタクトホールＣＴ４を介して駆動トランジスタＭ１の半導体層Ａ１の一部（例えば、第２低抵抗領域）Ｄ１に接続されうる。連結電極ＣＥは、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）といった金属物質を含みうる。例えば、連結電極ＣＥは、チタン層及び銅層を含む多層構造を含みうる。他の実施形態において、連結電極ＣＥは、前述した金属物質を含む１層または複数の金属層、及び前述した１層または金属層の上に配置されたＩＴＯといった透明導電性酸化物層の多層構造を含みうる。
【0090】
ストレージキャパシタＣｓｔは、第１キャパシタ電極ＣＥ１及び少なくとも１層の絶縁層を介在した状態で第１キャパシタ電極ＣＥ１と重畳する第２キャパシタ電極ＣＥ２を含む。第１キャパシタ電極ＣＥ１は、ゲート電極Ｇ１と同層上に形成され、同じ物質を含みうる。第１キャパシタ電極ＣＥ１は、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含み、前述した物質を含む単層または多層の構造を含みうる。
【0091】
一部の実施形態において、第２キャパシタ電極ＣＥ２は、第１キャパシタ電極ＣＥ１を挟むように、その下方と上方とに配置された２つのサブキャパシタ電極ＣＥ２ａ、ＣＥ２ｂを含みうる。これらサブキャパシタ電極ＣＥ２ａ、ＣＥ２ｂのうちのいずれか１つのサブキャパシタ電極（以下、第１サブキャパシタ電極と称する；ＣＥ２ａ）は、基板１００と第１絶縁層１０１との間に配置され、他の１つのサブキャパシタ電極（以下、第２サブキャパシタ電極極と称する）ＣＥ２ｂは、第３絶縁層１０５の上に配置されうる。
【0092】
第１サブキャパシタ電極ＣＥ２ａ及び第２サブキャパシタ電極ＣＥ２ｂは、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含み、前述した物質を含む単層または多層の構造を含みうる。一実施形態において、第１サブキャパシタ電極ＣＥ２ａは、駆動電圧ラインＶＤＬと同じ層に配置され、同じ物質を含みうる。
【0093】
第２サブキャパシタ電極ＣＥ２ｂは、第１ないし第３絶縁層１０１、１０３、１０５を貫通する第５コンタクトホールＣＴ５を介して第１サブキャパシタ電極ＣＥ２ａに接続しうる。第１及び第２絶縁層１０１、１０３を挟んで互いに重畳する、第１サブキャパシタ電極ＣＥ２ａと第１キャパシタ電極ＣＥ１との間にキャパシタンスが形成されるのであって、第３絶縁層１０５を挟んで互いに重畳する、第１キャパシタ電極ＣＥ１と第２サブキャパシタ電極ＣＥ２ｂとの間にキャパシタンスが形成されうる。このように、第２キャパシタ電極ＣＥ２が複数のサブキャパシタ電極を含むことで、ストレージキャパシタＣｓｔのキャパシタンスを向上させうる。
【0094】
第４絶縁層１０７は、駆動トランジスタＭ１及びストレージキャパシタＣｓｔを含む画素回路ＰＣ上に配置される。第４絶縁層１０７は、シリコンナイトライド、シリコンオキシド、及び／またはシリコンオキシナイトライドといった無機絶縁物を含みうる。第４絶縁層１０７は、表示装置の製造工程にて、エッチング液によって損傷されうる金属（例えば、銅など）を含む配線が、エッチング環境に露出されることを防止しうる。
【0095】
第５絶縁層１０９は、第４絶縁層１０７上に配置され、有機絶縁物を含みうる。第５絶縁層１０９は、アクリル、BCB(ベンゾシクロブテン；Benzocyclobutene)、ポリイミド(polyimide)またはHMDSO(ヘキサメチルジシロキサン；hexamethyldisiloxane)といった有機絶縁物を含みうる。
【0096】
第５絶縁層１０９上には、発光ダイオードの第１電極１５０が形成されるのであり、これと関連して、図６は、第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１の第１電極１５０を図示する。
【0097】
第１電極１５０は、第４絶縁層１０７及び第５絶縁層１０９を貫通する第６コンタクトホールＣＴ６を通じて、画素回路ＰＣに、例えば、ストレージキャパシタＣｓｔの第２サブキャパシタ電極ＣＥ２ｂに、接続されうる。
【0098】
第１電極１５０は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム酸化物（Ｉｎ２Ｏ３）、インジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）またはアルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）といった透明導電性酸化物を含みうる。他の実施形態において、第１電極１５０は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）またはそれらの化合物を含む、反射膜を含みうる。他の実施形態において、第１電極１５０は、前述した反射膜の上／下にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたは、Ｉｎ２Ｏ３からなる膜をさらに含みうる。例えば、第１電極１５０は、ＩＴＯ層、銀（Ａｇ）層、及びＩＴＯ層が積層された３層構造でありうる。
【0099】
バンク層ＢＮＬは、第１電極１５０のエッジをカバーするのであり、第１電極１５０の中心部分と重畳する第１バンク開口Ｂ－ＯＰ１を含みうる。バンク層ＢＮＬは、ポリイミドといった有機絶縁物を含みうる。
【0100】
中間層１６０は、バンク層ＢＮＬの第１バンク開口Ｂ－ＯＰ１を介して第１電極１５０と接触しうる。第１バンク開口Ｂ－ＯＰ１に位置する第１電極１５０、中間層１６０、及び第２電極１７０の積層構造は、所定色の光を放出しうる。バンク層ＢＮＬの第１バンク開口Ｂ－ＯＰ１は、光が放出する発光領域ＥＡに該当しうる。例えば、バンク層ＢＮＬの第１バンク開口Ｂ－ＯＰ１の大きさ（または幅）は、発光領域ＥＡの大きさ（または幅）に該当しうる。
【0101】
中間層１６０は、発光層１６２を含みうる。発光層１６２は、所定色相の光を放出する高分子または低分子有機物を含みうる。図２を参照して前述したように、発光ダイオード層３００（図２）が青色光を放出する場合、発光層１６２は、青色光が放出する高分子または低分子有機物を含みうる。
【0102】
中間層１６０は、少なくとも１層の機能層をさらに含みうる。一実施形態において、図４に図示されたように、中間層１６０は、発光層１６２の下の第１機能層１６１及び／または発光層１６２の上の第２機能層１６３をさらに含みうる。第１機能層１６１は、第１電極１５０と発光層１６２との間に介在され、第２機能層１６３は、発光層１６２と後述する第２電極１７０との間に介在されうる。
【0103】
第１機能層１６１は、ホール輸送層(HTL: Hole Transport Layer)及び／またはホール注入層(HIL: Hole Injection Layer)を含みうる。第２機能層１６３は、電子輸送層(ETL: Electron Transport Layer)及び／または電子注入層(EIL: Electron Injection Layer)を含みうる。
【0104】
第２電極１７０は、仕事関数の低い導電性物質からなりうる。例えば、第２電極１７０は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（ＣＡ）またはそれらの合金などを含む（半）透明層を含みうる。または、第２電極１７０は、前述した物質を含む（半）透明層上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたは、Ｉｎ２Ｏ３といった層をさらに含みうる。
【0105】
封止層４００は、第２電極１７０上に配置されうる。封止層４００は、少なくとも１層の無機封止層と、少なくとも１層の有機封止層とを含みうる。一実施形態において、図６は、封止層４００が第１無機封止層４１０、第２無機封止層４３０、及び、第１無機封止層４１０と第２無機封止層４３０との間の有機封止層４２０を含むことを図示する。
【0106】
第１及び第２無機封止層４１０、４３０は、それぞれ１つ以上の無機絶縁物を含みうる。無機絶縁物は、アルミニウムオキシド、チタンオキシド、タンタルオキシド、ハフニウムオキシド、ジンクオキシド、シリコンオキシド、シリコンナイトライド、及び／またはシリコンオキシナイトライドを含みうる。
【0107】
有機封止層４２０は、ポリマー(polymer)系の物質を含みうる。ポリマー系の素材としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド及びポリエチレンなどを含みうる。例えば、有機封止層４２０は、アクリル系樹脂、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリル酸などを含みうる。有機封止層４２０は、モノマーを硬化するか、ポリマーを塗布して形成しうる。
【0108】
封止層４００上には、中間物質層５０１が配置されうる。中間物質層５０１は、無機絶縁物及び／または有機絶縁物を含みうる。中間物質層５０１上には、色変換－透過層５００が位置する。これと関連して、図６は、色変換－透過層５００の遮光部５４０、及び、遮光部５４０によって画定(定義)された開口領域に位置する第１色変換部５１０を図示する。
【0109】
色変換－透過層５００上には、バリア層５５０が形成されうる。バリア層５５０は、シリコンオキシド、シリコンナイトライド、及び／またはシリコンオキシナイトライドといった無機絶縁物を含みうる。
【0110】
カラー層６００は、色変換－透過層５００上に配置されうる。これと関連して、図６は、カラー層６００の遮光部６４０、及び、遮光部６４０によって画定(定義)された開口領域に位置する第１カラーフィルタ６１０を図示する。色変換－透過層５００の遮光部５４０（以下、第１遮光部と称する）と、カラー層６００の遮光部６４０（以下、第２遮光部と称する）とは、互いに重畳するように配置される。
【0111】
第１遮光部５４０及び第２遮光部６４０は、それぞれ遮光性物質を含みうる。例えば、第１遮光部５４０及び第２遮光部６４０は、それぞれ黒色のように所定の色を有する有機物を含みうる。例えば、第１遮光部５４０及び第２遮光部６４０は、それぞれポリイミド（ＰＩ）系バインダ、及び赤色、緑色及び青色が混合されたピグメントを含みうる。または、第１遮光部５４０及び第２遮光部６４０は、それぞれ、カルド(ｃａｒｄｏ)系バインダ樹脂と、ラクタム系ブラックピグメント(lactam black pigment)と、ブルーピグメントの混合物を含みうる。または、第１遮光部５４０及び第２遮光部６４０は、それぞれカーボンブラックを含みうる。
【0112】
一実施形態において、第１遮光部５４０と第２遮光部６４０とは、同じ物質を含みうる。他の実施形態において、第２遮光部６４０は、カラー層６００を形成するカラーフィルタが少なくとも２個以上重畳された構造を含みうる。例えば、第２遮光部６４０は、前述した遮光性物質を含まず、第１ないし第３カラーフィルタ６１０、６２０、６３０（図２）のうちから選択された２個または３個のカラーフィルタ物質が積層された構造を有しうる。
【0113】
透光性基材層７００は、ガラスまたは透光性有機物を含みうる。例えば、透光性基材層７００は、アクリル系の樹脂といった透光性有機物を含みうる。
【0114】
【0115】
図５及び図７を参照すれば、ｙ方向に沿って延びた共通電圧ラインＶＳＬは、補助電極１８０及び補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａと重畳しうる。補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａの長さ（ｙ方向への長さ）は、共通電圧ラインＶＳＬの長さ（ｙ方向への長さ）よりも短いのでありうる。補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａの幅（ｘ方向への幅、Ｗ２）は、共通電圧ラインＶＳＬの幅Ｗ１と異なりうる。一実施形態において、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａの幅Ｗ２は、共通電圧ラインＶＳＬの幅Ｗ１よりも狭いのでありうる。
【0116】
互いに異なる層上に配置された共通電圧ラインＶＳＬ及び補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａは、それらの間に配置された絶縁層を貫通する第１コンタクトホールＣＴ１を通じて接続され、よって、共通電圧ラインＶＳＬの抵抗を減らしうる。
【0117】
補助電極１８０は、共通電圧ラインＶＳＬ及び補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａ上に配置される。補助電極１８０は、共通電圧ラインＶＳＬ及び／または、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａと重畳しうる。補助電極１８０は、共通電圧ラインＶＳＬ及び補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａと異なる平面状を有しうる。例えば、補助電極１８０は、図７に図示されたように、平面視において、相対的に広幅の第１部分（以下、広幅部と称する）１８０Ａ及び相対的に狭幅の第２部分（以下、狭幅部と称する）１８０Ｂを含みうる。広幅部１８０Ａと狭幅部１８０Ｂとは、一体に連結される。
【0118】
広幅部１８０Ａの幅（ｘ方向への幅）Ｗ３は、狭幅部１８０Ｂの幅（ｘ方向への幅）Ｗ４よりも広い。広幅部１８０Ａの幅Ｗ３は、共通電圧ラインＶＳＬ及び／または、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａの幅より広くなりうる。一実施形態において、図７は、広幅部１８０Ａの幅Ｗ３が補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａの幅Ｗ２よりも広く、共通電圧ラインＶＳＬの幅Ｗ１の幅よりも狭いことを示す。他の実施形態として、広幅部１８０Ａの幅Ｗ３は、それぞれ補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａの幅Ｗ２及び共通電圧ラインＶＳＬの幅Ｗ１より広くなりうる。
【0119】
補助電極１８０の一部は、同じ電圧レベルを有する共通電圧ラインＶＳＬ及び補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａのうちいずれか１つに接続されうる。例えば、補助電極１８０の狭幅部１８０Ｂは、第２コンタクトホールＣＴ２を介して補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａに接続されうる。
【0120】
補助電極１８０の他の部分は、発光ダイオードの第２電極１７０（図６）に接続されうる。例えば、発光ダイオードの第２電極１７０（図６）は、第２電極の下に配置された中間層１６０（図６）に形成されているホール１６０Ｈを通じて補助電極１８０の広幅部１８０Ａに接続されうる。
【0121】
平面視において、中間層のホール１６０Ｈは、補助電極１８０の広幅部１８０Ａと重畳するが、バンク層ＢＮＫ（図６）の第２バンク開口Ｂ－ＯＰ２内に位置しうる。平面視において、中間層のホール１６０Ｈは、全体として第２バンク開口Ｂ－ＯＰ２と重畳しうる。一方、中間層のホール１６０Ｈは、部分的にしか第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰと重畳しないのでありうる。具体的に、中間層のホール１６０Ｈの一部は、第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰと重畳し、ホール１６０Ｈの残りの部分は、第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰと重畳しないのでありうる。中間層のホール１６０Ｈは、第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰの大きさ（または幅）に無関係に配置されうる。補助電極１８０及びその周辺構成要素の具体的な構造は、図８及び図９を参照して説明する。
【0122】
【0123】
図７、図８及び図９を参照すれば、基板１００上に共通電圧ラインＶＳＬが配置される。共通電圧ラインＶＳＬは、基板１００の上面と直接接触しうる。共通電圧ラインＶＳＬは、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などといった金属物質を含みうる。共通電圧ラインＶＳＬ、前述した図６を参照して説明した駆動電圧ラインＶＤＬと同じ物質を含みうる。共通電圧ラインＶＳＬは、チタン層（下層）と、チタン層よりも厚い銅層（上層）との積層構造を含みうる。他の実施形態において、共通電圧ラインＶＳＬは、前述した金属物質を含む１つまたは複数の金属層と、前述した１つまたは金属層上に配置されたＩＴＯといった透明導電性酸化物層との多層構造を含みうる。
【0124】
共通電圧ラインＶＳＬ上には、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａが配置され、共通電圧ラインＶＳＬと補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａとの間には、少なくとも１つの絶縁層が配置されうる。これと関連して、図８及び図９は、共通電圧ラインＶＳＬ及び補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａの間に第１ないし第３絶縁層１０１、１０３、１０５が配置されたことを図示する。
【0125】
補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａは、図８に図示されたように、第１ないし第３絶縁層１０１、１０３、１０５を貫通する第１コンタクトホールＣＴ１を介して共通電圧ラインＶＳＬに接続されうる。補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａは、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）のような金属物質を含みうる。補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａは、共通電圧ラインＶＳＬと同じ物質を含みうる。例えば、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａは、チタン層（下層）と、チタン層より厚さが厚い銅層（上層）との積層構造を含みうる。他の実施形態において、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａは、共通電圧ラインＶＳＬと異なる物質を含みうる。例えば、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａは、前述した金属物質を含む１層または複数の金属層と、前述した１層または金属層上に配置されたＩＴＯといった透明導電性酸化物層との多層構造を含んでいるのに対して、共通電圧ラインＶＳＬは、透明導電性酸化物を含まない状態で、金属を含む層のみを含むのでありうる。
【0126】
補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａは、第４絶縁層１０７でもって保護されうる。例えば、第４絶縁層１０７は、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａの上面と直接接触した状態で、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａをカバーすることができる。特に、第４絶縁層１０７は、第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰの直ぐ下にある補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａの一部をカバーすることができる。第４絶縁層１０７は、前述したように無機絶縁物を含みうる。
【0127】
第５絶縁層１０９は、第４絶縁層１０７上に配置される。第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰは、脱ガス通路を提供しうる。例えば、表示装置の製造工程において、有機絶縁物からなる第５絶縁層１０９に含まれたガスが第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰを通じて放出されうる。
【0128】
第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰは、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａに重畳しうる。開口１０９ＯＰを形成する工程及び／または、開口１０９ＯＰを形成した後の工程において、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａの損傷を防止するために、開口１０９ＯＰの直ぐ下に位置する補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａの部分は、第４絶縁層１０７でもってカバー（例えば、全体としてカバー）されうる。一実施形態において、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａは、比較的低抵抗である銅を含みうる。例えば、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａは、チタン層（下層）と銅層（上層）の積層構造を含み、相対的に損傷されやすい銅層が第４絶縁層１０７によってカバーされるので、損傷を防止しうる。
【0129】
補助電極１８０は、第５絶縁層１０９上に配置されうる。補助電極１８０は、第５絶縁層１０９及び第４絶縁層１０７を貫通する第２コンタクトホールＣＴ２を通じて補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａに接続されうる。補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａは、第１コンタクトホールＣＴ１を介して共通電圧ラインＶＳＬに接続されているので、補助電極１８０は、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａを媒介として共通電圧ラインＶＳＬと電気的に連結されうる。
【0130】
補助電極１８０は、発光ダイオードの第１電極（図６）１５０と同じ物質を含みうる。例えば、補助電極１８０は、ＩＴＯ層、Ａｇ層、ＩＴＯ層の積層構造を含みうる。補助電極１８０の一部、例えば広幅部１８０Ａは、第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰに重畳しうる。補助電極１８０の広幅部１８０Ａは、開口１０９ＯＰを通じて第４絶縁層１０７の上面と直接に接触しうる。例えば、第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰと対応する領域において、第４絶縁層１０７の上面は、補助電極１８０と直接接触し、第４絶縁層１０７の下面は、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａと直接に接触しうる。
【0131】
バンク層ＢＮＬは、補助電極１８０上に配置されうる。バンク層ＢＮＬは、補助電極１８０の広幅部１８０Ａと重畳する第２バンク開口Ｂ－ＯＰ２及び補助電極１８０の狭幅部１８０Ｂと重畳する第３バンク開口Ｂ－ＯＰ３を含みうる。
【0132】
第２バンク開口Ｂ－ＯＰ２は、第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰの全体と重畳し、第２バンク開口Ｂ－ＯＰ２の大きさ（または幅）ｏｗ２は、第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰの大きさ（または幅）ｏｗ１よりも大きい。よって、図７の平面図上において、第２バンク開口Ｂ－ＯＰ２内に第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰが存在する。これと関連して、図７は、平面視において、第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰのアウトライン１０９Ｂが、第２バンク開口Ｂ－ＯＰ２のアウトラインＢＮＬＢ内に位置することを図示する。
【0133】
バンク層ＢＮＬ上には、第１機能層１６１、発光層１６２及び第２機能層１６３を含む中間層１６０が配置される。中間層１６０の一部分は、第２バンク開口Ｂ－ＯＰ２内に位置するが、第５絶縁層１０９の開口１Ｏ９ＯＰの一部と重畳するホール１６０Ｈを含む。中間層１６０のホール１６０Ｈは、第１機能層１６１、発光層１６２及び第２機能層１６３を貫通しうる。中間層１６０のホール１６０Ｈを通じて発光ダイオードの第２電極１７０は、補助電極１８０に接続されうる。
【0134】
図８及び図９に図示されたように、中間層１６０のホール１６０Ｈの一部分は、第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰに重畳し、ホール１６０Ｈの残りの部分は、第５絶縁層１０９の物質部分に重畳しうる。中間層１６０のホール１６０Ｈが、第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰと一部重畳して形成されるので、開口１０９ＯＰの大きさ（または幅）にかかわらず、所望の位置に所望の大きさ（または幅）を有するホール１６０Ｈを形成することができる。
【0135】
中間層１６０のホール１６０Ｈの中心ＨＣは、図９に図示されたように第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰ内に位置しうる。すなわち、中間層１６０のホール１６０Ｈの中心ＨＣは、開口１０９ＯＰを画定(定義)して第５絶縁層１０９のアウトライン１０９Ｂ（図７）に該当する第５絶縁層１０９の内側エッジ１０９ｏｅの内側に位置しうる。すなわち、中間層１６０のホール１６０Ｈの中心ＨＣは、第５絶縁層１０９の内側エッジ１０９ｏｅを越えて第５絶縁層１０９の物質部分の上に位置することがない。第５絶縁層１０９の物質部分は、内側エッジ１０９ｏｅを取り囲む外側の物質部分を示す。
【0136】
中間層１６０のホール１６０Ｈは、レーザビームを照射することで形成されうる。本発明の比較例として、中間層１６０のホール１６０Ｈの中心ＨＣが開口１０９ＯＰを外れて、第５絶縁層１０９の物質部分に重畳する場合、第５絶縁層１０９に残存するガスの放出によって第５絶縁層１０９及び／またはその上に配置された補助電極１８０の浮き上がり現象が引き起こされ、補助電極１８０と発光ダイオードの第２電極１７０との接続不良が引き起こされうる。ホール１６０Ｈの中心ＨＣは、図７及び図９に図示されたように、開口１０９ＯＰのアウトライン１０９Ｂに該当する第５絶縁層１０９の内側エッジ１０９ｏｅから、第１距離ｄだけ離隔されうる。第１距離ｄは、約１μｍであるか、それよりも大きくなりうる。
【0137】
第１無機封止層４１０、有機封止層４２０、及び第２無機封止層４３０を含む封止層４００は、補助電極１８０と発光ダイオードの第２電極１７０との接触領域（または、接続領域）をカバーする。補助電極１８０と発光ダイオードの第２電極１７０との接触領域は、封止層４００上の中間物質層５０１、色変換－透過層５００の第１遮光部５４０、バリア層５５０、カラー層６００の第２遮光部６４０、及び、透光性基材層７００に重畳されうる。
【0138】
図１０ないし図１４は、本発明の一実施形態による、表示装置の製造工程に則った断面図である。説明の便宜上、図１０ないし図１４は、表示装置の製造工程による断面図であって、図５のＡ－Ａ’線に沿った断面図、及び図７のＣ－Ｃ’線に沿った表示装置の断面図を示す。
【0139】
図１０を参照すれば、絶縁層上に、例えば、第５絶縁層１０９上に、発光ダイオードの第１電極１５０及び補助電極１８０が形成される。第１電極１５０と補助電極１８０とは、同一工程で一緒に形成されうるのであり、同じ物質を含みうる。
【0140】
基板１００上に第１電極１５０及び補助電極１８０が形成される前、基板１００上には、駆動トランジスタＭ１及びストレージキャパシタＣｓｔを含む画素回路ＰＣが形成されうる。そして、基板１００上に、第１ないし第５絶縁層１０１、１０３、１０５、１０７、１０９が形成され、それらの具体的物質及び位置、前述した図６、図８及び図９を参照して説明した通りである。
【0141】
駆動トランジスタＭ１及び／またはストレージキャパシタＣｓｔの電極と一緒に、駆動電圧ラインＶＤＬ、共通電圧ラインＶＳＬ及び補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａが形成されうる。図１０には、図示されていないが、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａを形成する工程前に、第１ないし第３絶縁層１０１、１０３、１０５を貫通する第１コンタクトホールＣＴ１（図８）が形成され、第１コンタクトホールＣＴ１（図８）を通じて共通電圧ラインＶＳＬが、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａに接続されうる。補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａが形成された後、無機絶縁物を含む第４絶縁層１０７が形成されうる。
【0142】
第５絶縁層１０９は、第４絶縁層１０７上に形成される。第５絶縁層１０９を形成する工程は、画素回路ＰＣと第１電極１５０との接続のための第６コンタクトホールＣＴ６を形成する工程、及び第５絶縁層１０９の開口１Ｏ９ＯＰを形成する工程を含みうる。開口１０９ＯＰは、第５絶縁層１０９のうち、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａに重畳する部分をエッチングして形成し、よって、開口１０９ＯＰは、補助共通電圧ラインＶＳＬ－Ａと重畳しうる。第５絶縁層１０９の開口１Ｏ９ＯＰと共に、図８において前述した第２コンタクトホールＣＴ２（図８）が形成されうる。
【0143】
バンク層ＢＮＬは、第１電極１５０及び補助電極１８０の上に形成されるのであって、第１電極１５０に重畳する第１バンク開口Ｂ－ＯＰ１、及び、補助電極１８０に重畳する第２バンク開口Ｂ－ＯＰ２を含みうる。第２バンク開口Ｂ－ＯＰ２の大きさ（または幅）は、第１バンク開口Ｂ－ＯＰ１の大きさ（または幅）より小さく形成されうる。
【0144】
図１１を参照すれば、バンク層ＢＮＬ上に中間層１６０を形成する。中間層１６０は、第１バンク開口Ｂ－ＯＰ１を通じて露出された第１電極１５０、及び、第２バンク開口Ｂ－ＯＰ２を通じて露出された補助電極１８０と重畳しうる。
【0145】
中間層１６０は、発光層１６２を含み、よって、中間層１６０を形成する工程は、発光層１６２を形成する工程を含みうる。中間層１６０を形成する工程は、発光層１６２の下に配置された第１機能層１６１、及び／または発光層１６２の上に配置された第２機能層１６３を形成する工程をさらに含みうる。図１１及び後述する図１２ないし図１４では、中間層１６０が、第１機能層１６１、発光層１６２、及び第２機能層１６３を含むと説明している。
【0146】
次いで、中間層１６０上にレーザビーム(Laser beam)を照射し、図１２に図示されたようにホール１６０Ｈを形成する。一実施形態において、レーザビーム(Laser beam)は、約３００～４００ｎｍの波長を有するＵＶレーザを使用し、単位面積当たりの出力は、約２００ｍＪ／ｃｍ２以下でありうる。
【0147】
レーザビーム(Laser beam)の照射時、レーザビーム(Laser beam)は、第２バンク開口Ｂ－ＯＰ２内に位置するのであって、レーザビーム(Laser beam)の中心が第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰ内に位置しうる。すなわち、第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰの輪郭線に該当する、第５絶縁層１０９の内側エッジ１０９ｏｅの内側にレーザビーム(Laser beam)の中心が位置しうる。レーザビーム(Laser beam)の中心が、内側エッジ１０９ｏｅを超えて第５絶縁層１０９の物質部分と重畳する場合、脱ガスによって、第５絶縁層１０９及び／または補助電極１８０の浮き上がり現象が発生するので、レーザビーム(Laser beam)の中心が、第５絶縁層１０９の開口１０９ＯＰ内に位置することが適切である。
【0148】
レーザビーム(Laser beam)によって第１機能層１６１のホール１６１Ｈ、発光層１６２のホール１６２Ｈ、及び第２機能層１６３のホール１６３Ｈが形成されうる。発光層１６２のホール１６２Ｈの中心は、機能層のホールの中心、例えば、第１機能層１６１のホール１６１Ｈの中心発光層１６２のホール１６２Ｈの中心と一致しうる。
【0149】
第１機能層１６１のホール１６１Ｈ、発光層１６２のホール１６２Ｈ、及び第２機能層１６３のホール１６３Ｈが重畳されながら、中間層１６０のホール１６０Ｈが形成され、第１機能層１６１のホール１６１Ｈの中心、発光層１６２のホール１６２Ｈの中心、及び第２機能層１６３のホール１６３Ｈの中心、前述した図９を参照して説明したホール１６０Ｈの中心ＨＣに該当しうる。ホール１６０Ｈの中心ＨＣは、第５絶縁層１０９の内側エッジ１０９ｏｅから第１距離ｄほど離隔されうる。例えば、第１距離ｄは、約１μｍであるか、それよりも大きいのでありうる。
【0150】
次いで、図１３に図示されたように、発光ダイオードの第２電極１７０を形成する。第２電極１７０は、ホール１６０Ｈを通じて、補助電極１８０と直接接触及び電気的に連結されうる。第２電極１７０と補助電極１８０の接触領域は、第２バンク開口Ｂ－ＯＰ２内に位置するが、一部は、第５絶縁層１０９の傾斜面ＢＳＳ上に位置しうる。
【0151】
図１４を参照すれば、第２電極１７０上に封止層４００を形成する。封止層４００は、化学気相蒸着法によって形成される第１及び第２無機封止層４１０、４３０、及び、モノマーを塗布した後に硬化する方式などによって形成される有機封止層４２０を含みうる。封止層４００上には、色変換－透過層５００、カラー層６００、及び透光性基材層７００が形成されうる。
【0152】
一実施形態において、基板１００から封止層４００までの下部構造体ＬＳを形成し、色変換－透過層５００、カラー層６００、及び透光性基材層７００を含む上部構造体ＵＳを形成した後、中間物質層５０１を挟むようにして封止層４００と色変換－透過層５００とが対面するように配置されるべく、下部構造体ＬＳと上部構造体ＵＳとを配置及び接合しうる。
【0153】
他の実施形態において、下部構造体ＬＳと上部構造体ＵＳとを別途に形成せず、封止層４００上に中間物質層５０１を形成し、中間物質層５０１上に色変換－透過層５００、カラー層６００、及び透光性基材層７００を順次に形成することができる。
【0154】
このように本発明は、図面に図示された一実施形態に基づいて説明したが、これは、一例示に過ぎず、当該分野で通常の知識を有する者であれば、それにより、多様な変形及び実施形態の変形が可能であるという点を理解するであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【国際調査報告】