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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-07-12
(54)【発明の名称】表示装置及びそれを含む電子装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/00 20060101AFI20240705BHJP
G06F 3/041 20060101ALI20240705BHJP
G06F 3/044 20060101ALI20240705BHJP
G06F 3/046 20060101ALI20240705BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240705BHJP
G09F 9/302 20060101ALI20240705BHJP
H10K 59/12 20230101ALI20240705BHJP
H10K 50/87 20230101ALI20240705BHJP
H10K 59/40 20230101ALI20240705BHJP
H10K 50/844 20230101ALI20240705BHJP
H10K 59/38 20230101ALI20240705BHJP
H10K 59/90 20230101ALI20240705BHJP
【ＦＩ】
G09F9/00 350Z
G06F3/041 490
G06F3/044 120
G06F3/046 A
G09F9/30 308Z
G09F9/00 366A
G09F9/00 304B
G09F9/00 313
G09F9/30 349B
G09F9/302 Z
G09F9/30 309
G09F9/00 366Z
G09F9/00 302
H10K59/12
H10K50/87
H10K59/40
H10K50/844 445
H10K59/38
H10K59/90
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023577280
(86)(22)【出願日】2022-06-13
(85)【翻訳文提出日】2023-12-13
(86)【国際出願番号】 KR2022008327
(87)【国際公開番号】W WO2022265329
(87)【国際公開日】2022-12-22
(31)【優先権主張番号】10-2021-0077030
(32)【優先日】2021-06-14
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110002619
【氏名又は名称】弁理士法人ＰＯＲＴ
(72)【発明者】
【氏名】ユ，ブギュン
(72)【発明者】
【氏名】キム，ユンジェ
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC23
3K107CC25
3K107CC43
3K107EE22
3K107EE48
3K107EE49
3K107EE50
3K107EE61
3K107EE66
3K107FF06
3K107FF15
5C094AA36
5C094AA38
5C094BA03
5C094BA29
5C094CA20
5C094DA06
5C094DA07
5C094DA12
5C094ED03
5C094ED12
5C094FA01
5C094FA02
5C094FB01
5C094JA08
5G435AA06
5G435AA13
5G435BB05
5G435CC09
5G435DD11
5G435EE04
5G435EE13
5G435EE49
5G435GG43
5G435GG44
5G435HH05
5G435HH20
5G435LL07
(57)【要約】
本発明の一実施形態による表示装置は、第１非折りたたみ領域と、第２非折りたたみ領域と、前記第１非折りたたみ領域と前記第２非折りたたみ領域との間に配置される折りたたみ領域と、を含む表示パネルと、前記表示パネルの下に配置される下側部材と、を含み、前記下側部材は、前記表示パネルの下に配置され、前記第１非折りたたみ領域に重畳する第１支持部分と、前記第２非折りたたみ領域に重畳する第２支持部分と、前記折りたたみ領域に重畳し、複数の開口部が定義される折りたたみ部分とを含む支持層と、前記支持層の下に配置され、前記第１支持部分及び前記第２支持部分に対応するデジタイザと、前記支持層と前記デジタイザとの間に配置され、前記折りたたみ部分の下に取り付けられるカバー層と、前記支持層と前記デジタイザとの間に配置され、前記第１支持部分及び前記第２支持部分の下に配置される下部接着層と、を含む。
【選択図】図８
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１非折りたたみ領域と、第２非折りたたみ領域と、前記第１非折りたたみ領域と前記第２非折りたたみ領域との間に配置される折りたたみ領域と、を含む表示パネルと、前記表示パネルの下に配置される下側部材と、を含み、
前記下側部材は、
前記表示パネルの下に配置され、前記第１非折りたたみ領域に重畳する第１支持部分と、前記第２非折りたたみ領域に重畳する第２支持部分と、前記折りたたみ領域に重畳し、複数の開口部が定義される折りたたみ部分とを含む支持層と、
前記支持層の下に配置され、前記第１支持部分及び前記第２支持部分に対応するデジタイザと、
前記支持層と前記デジタイザとの間に配置され、前記折りたたみ部分の下に取り付けられるカバー層と、
前記支持層と前記デジタイザとの間に配置され、前記第１支持部分及び前記第２支持部分の下に配置される下部接着層と、を含む表示装置。
【請求項2】
前記下部接着層の厚さは前記カバー層の厚さより大きい請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記下部接着層の厚さは１５μｍ以上２５μｍ以下であり、前記カバー層の厚さは１０μｍ以上２０μｍ以下である請求項２に記載の表示装置。
【請求項4】
前記カバー層は、熱可塑性ポリウレタン（Ｔｈｅｒｍｏｐｌａｓｔｉｃ ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ、ＴＰＵ）、ゴム、及びシリコンのうち少なくともいずれか一つを含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項5】
前記第１支持部分、前記折りたたみ部分、及び前記第２支持部分は第１方向に沿って順次に配列され、前記折りたたみ部分の前記第１方向への第１幅は、
前記カバー層の前記第１方向への第２幅に比べ０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下小さい請求項１に記載の表示装置。
【請求項6】
前記デジタイザは、前記第１支持部分に対応する第１感知領域を備える第１デジタイザと、前記第２支持部分に対応する第２感知領域を備え、前記第１デジタイザと離隔される第２デジタイザと、を含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項7】
前記下部接着層は、前記第１支持部分の下面及び前記第１デジタイザの上面に接触する第１下部接着層と、
前記第２支持部分の下面及び前記第２デジタイザの上面に接触する第２下部接着層と、を含む請求項６に記載の表示装置。
【請求項8】
前記デジタイザは、ベース層と、
前記ベース層の一面上に配置される複数のコイルと、を含み、
前記下部接着層は前記複数のコイルによって前記デジタイザの上面に形成される屈曲をカバーする請求項１に記載の表示装置。
【請求項9】
前記支持層は非金属材料を含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項10】
前記カバー層は前記折りたたみ部分の下面に接触し、前記デジタイザと離隔される請求項１に記載の表示装置。
【請求項11】
前記下側部材は、前記デジタイザの下に配置される電磁気遮蔽層と、
前記電磁気遮蔽の下に配置される下部金属プレートと、
前記下部金属プレートの下に配置される放熱層と、を更に含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項12】
前記表示パネルの上に直接配置される入力センサと、前記入力センサの上に直接配置される反射防止層と、を更に含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項13】
前記反射防止層は、複数のカラーフィルタと、
前記複数のカラーフィルタの間に配置される分割層と、を含む請求項１２に記載の表示装置。
【請求項14】
前記表示パネルは、第１表示領域と前記第１表示領域と隣接する第２表示領域とを含む表示領域と、前記表示領域に隣接する周辺領域とを含み、
前記第１表示領域は前記第２表示領域より相対的に高い光透過率を有する請求項１に記載の表示装置。
【請求項15】
前記下側部材は、前記表示パネルの下に配置されるバリア層と、
前記バリア層と前記第１支持部分を取り付ける第１接着部分と、
前記パネル保護層と前記第２支持部分を取り付け、前記第１接着部分と離隔される第２接着部分と、を更に含み、
前記第１接着部分と前記第２接着部分の離隔距離は第１支持部分と前記第２支持部分の離隔距離より大きい請求項１に記載の表示装置。
【請求項16】
第１非折りたたみ領域と、第２非折りたたみ領域と、前記第１非折りたたみ領域と前記第２非折りたたみ領域との間に配置される折りたたみ領域と、を含む表示パネルと、前記表示パネルの下に配置される下側部材と、を含み、
前記下側部材は、
前記表示パネルの下に配置される支持層と、
前記支持層の下に配置されるデジタイザと、
前記支持層の下面及び前記デジタイザの上面に接触する下部接着層と、
前記支持層の下面に配置され、前記下部接着層と平面上で重畳しないカバー層と、を含む表示装置。
【請求項17】
前記デジタイザは、ベース層と、
前記ベース層の一面上に配置される複数のコイルと、を含み、
前記接着層は前記複数のコイルによって前記デジタイザの前記上面に形成される屈曲をカバーする請求項１６に記載の表示装置。
【請求項18】
光信号が通過する信号透過領域と、前記信号透過領域に隣接する表示領域と、前記表示領域に隣接する非表示領域と、を含み、前記信号透過領域は、発光素子が重畳する素子領域と、発光素子が重畳しない透過領域とを含む表示装置と、前記表示装置の下側に配置され、前記信号透過領域に重畳する電子モジュールと、を含み、
前記表示装置は、
第１非折りたたみ領域と、第２非折りたたみ領域と、前記第１非折りたたみ領域と前記第２非折りたたみ領域との間に配置される折りたたみ領域と、を含む表示パネルと、
前記表示パネルの下に配置される下側部材と、を含み、
前記下側部材は、
前記表示パネルの下に配置され、前記第１非折りたたみ領域に重畳する第１支持部分と、前記第２非折りたたみ領域に重畳する第２支持部分と、前記折りたたみ領域に重畳し、複数の開口部が定義される折りたたみ部分とを含む支持層と、
前記支持層の下に配置され、前記第１支持部分及び前記第２支持部分に対応するデジタイザと、
前記支持層と前記デジタイザとの間に配置され、前記折りたたみ部分の下に取り付けられるカバー層と、
前記支持層と前記デジタイザとの間に配置され、前記第１支持部分及び前記第２支持部分の下に配置される下部接着層と、を含む電子装置。
【請求項19】
前記表示装置はウィンドウを更に含み、前記ウィンドウは、ベースフィルムと、前記非表示領域に重畳するベゼルパターンとを含む請求項１８に記載の電子装置。
【請求項20】
前記電子モジュールはカメラモジュールを含む請求項１８に記載の電子装置。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は表示装置及びそれを含む電子装置に関し、より詳しくは、耐久性及び防水特性が改善可能な表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
表示装置は電気的信号によって活性化されるアクティブ領域を含む。表示装置はアクティブ領域を介して外部から印加される入力を感知し、それと共に多様な画像を表示してユーザに情報を提供する。最近多様な形状の表示装置が開発されることで、多様な形状を有するアクティブ領域が具現されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
本発明は、耐久性及び防水特性が改善可能な表示装置及びそれを含む電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0004】
本発明の一実施形態による表示装置は、第１非折りたたみ領域と、第２非折りたたみ領域と、前記第１非折りたたみ領域と前記第２非折りたたみ領域との間に配置される折りたたみ領域と、を含む表示パネルと、前記表示パネルの下に配置される下側部材と、を含み、前記下側部材は、前記表示パネルの下に配置され、前記第１非折りたたみ領域に重畳する第１支持部分と、前記第２非折りたたみ領域に重畳する第２支持部分と、前記折りたたみ領域に重畳し、複数の開口部が定義される折りたたみ部分とを含む支持層と、前記支持層の下に配置され、前記第１支持部分及び前記第２支持部分に対応するデジタイザと、前記支持層と前記デジタイザとの間に配置され、前記折りたたみ部分の下に取り付けられるカバー層と、前記支持層と前記デジタイザとの間に配置され、前記第１支持部分及び前記第２支持部分の下に配置される下部接着層と、を含む。
【0005】
前記下部接着層の厚さは前記カバー層の厚さより大きい。
【0006】
前記下部接着層の厚さは１５μｍ以上２５μｍ以下であり、前記カバー層の厚さは１０μｍ以上２０μｍ以下である。
【0007】
前記カバー層は、熱可塑性ポリウレタン（Ｔｈｅｒｍｏｐｌａｓｔｉｃ ｐｏｌｙｕｒｅｔｈａｎｅ、ＴＰＵ）、ゴム、及びシリコンのうち少なくともいずれか一つを含む。
【0008】
前記第１支持部分、前記折りたたみ部分、及び前記第２支持部分は第１方向に沿って順次に配列され、前記折りたたみ部分の前記第１方向への第１幅は前記カバー層の前記第１方向への第２幅に比べ０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下小さい。
【0009】
前記デジタイザは、前記第１支持部分に対応する第１感知領域を備える第１デジタイザと、前記第２支持部分に対応する第２感知領域を備え、前記第１デジタイザと離隔される第２デジタイザと、を含む。
【0010】
前記下部接着層は、前記第１支持部分の下面及び前記第１デジタイザの上面に接触する第１下部接着層と、前記第２支持部分の下面及び前記第２デジタイザの上面に接触する第２下部接着層と、を含む。
【0011】
前記デジタイザは、ベース層と、前記ベース層の一面上に配置される複数のコイルとを含み、前記下部接着層は前記複数のコイルによって前記デジタイザの上面に形成される屈曲をカバーする。
【0012】
前記支持層は非金属材料を含む。
【0013】
前記カバー層は前記折りたたみ部分の下面に接触し、前記デジタイザと離隔される。
【0014】
前記下側部材は、前記デジタイザの下に配置される電磁気遮蔽層と、前記電磁気遮蔽の下に配置される下部金属プレートと、前記下部金属プレートの下に配置される放熱層と、を更に含む。
【0015】
前記下部金属プレートは、前記第１支持部分に対応する第１下部金属プレートと、前記第２支持部分に対応する第２下部金属プレートとを含み、前記第１下部金属プレートと前記第２下部金属プレートは互いに離隔される。
【0016】
本発明の一実施形態による表示装置は、前記表示パネルの上に直接配置されるセンサ層と、前記センサ層の上に直接配置される反射防止層と、を更に含む。
【0017】
前記反射防止層は、複数のカラーフィルタと、前記複数のカラーフィルタの間に配置される分割層と、を含む。
【0018】
前記表示パネルは、第１領域と前記第１領域と隣接する第２領域とを含む表示領域と、前記表示領域に隣接する周辺領域とを含み、前記第１領域は前記第２領域より相対的に高い光透過率を有する。
【0019】
前記下側部材は、前記表示パネルの下に配置されるバリア層と、前記バリア層と前記第１支持部分を取り付ける第１接着部分と、前記パネル保護層と前記第２支持部分を取り付け、前記第１接着部分と離隔される第２接着部分と、を更に含み、前記第１接着部分と前記第２接着部分の離隔距離は第１支持部分と前記第２支持部分の離隔距離より大きい。
【0020】
本発明の一実施形態による表示装置は、第１非折りたたみ領域と、第２非折りたたみ領域と、前記第１非折りたたみ領域と前記第２非折りたたみ領域との間に配置される折りたたみ領域と、を含む表示パネルと、前記表示パネルの下に配置される下側部材と、を含み、前記下側部材は、前記表示パネルの下に配置される支持層と、前記支持層の下に配置され、前記第１支持部分及び前記第２支持部分に対応するデジタイザと、前記支持層の下面及び前記デジタイザの上面に接触する下部接着層と、前記支持層の下面に配置され、前記下部接着層と平面上で重畳しないカバー層と、を含む。
【0021】
本発明の一実施形態による電子装置は、光信号が通過する信号透過領域と、前記信号透過領域に隣接する表示領域と、前記表示領域に隣接する非表示領域と、を含み、前記信号透過領域は、発光素子が重畳する素子領域と、発光素子が重畳しない透過領域とを含む表示装置と、前記表示装置の下側に配置され、前記信号透過領域に重畳する電子モジュールと、を含む。前記表示装置は、第１非折りたたみ領域と、第２非折りたたみ領域と、前記第１非折りたたみ領域と前記第２非折りたたみ領域との間に配置される折りたたみ領域と、を含む表示パネルと、前記表示パネルの下に配置される下側部材と、を含み、前記下側部材は、前記表示パネルの下に配置され、前記第１非折りたたみ領域に重畳する第１支持部分と、前記第２非折りたたみ領域に重畳する第２支持部分と、前記折りたたみ領域に重畳し、複数の開口部が定義される折りたたみ部分とを含む支持層と、前記支持層の下に配置され、前記第１支持部分及び前記第２支持部分に対応するデジタイザと、前記支持層と前記デジタイザとの間に配置され、前記折りたたみ部分の下に取り付けられるカバー層と、前記支持層と前記デジタイザとの間に配置され、前記第１支持部分及び前記第２支持部分の下に配置される下部接着層と、を含む。
【0022】
前記表示装置はウィンドウを更に含み、前記ウィンドウは、ベースフィルムと、前記周辺領域に重畳するベゼルパターンとを含む。
【0023】
前記電子モジュールはカメラモジュールを含む。
【発明の効果】
【0024】
本発明の一実施形態によると、異物を防止するためのカバー層が折りたたみ部分にのみ取り付けられ、支持プレートとデジタイザを取り付ける下部接着層が他の構成が介入されない状態で支持プレートとデジタイザを直接取り付けて、下部接着層の厚さを厚く設計する。それによって、下部接着層の接着力が改善される一方、デジタイザのコイルによって形成される屈曲をカバーすることができ、表示装置の耐久性及び防水特性が改善される。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【図1a】本発明の一実施形態による電子装置の斜視図である。
【図1b】本発明の一実施形態による電子装置の斜視図である。
【図1c】本発明の一実施形態による電子装置の斜視図である。
【図2】本発明の一実施形態による電子装置の分解斜視図である。
【図3】本発明の一実施形態による電子装置のブロック図である。
【図4】本発明の一実施形態による表示モジュールの断面図である。
【図5】本発明の一実施形態による表示モジュールの一部構成を示す断面図である。
【図6a】本発明の一実施形態による表示パネルの平面図である。
【図6b】本発明の一実施形態による表示パネルのうち一部領域を拡大して示す平面図である。
【図6c】本発明の一実施形態による表示パネルのうち一部領域を拡大して示す平面図である。
【図7a】本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。
【図7b】本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。
【図7c】本発明の一実施形態による表示装置の一部分の断面図である。
【図7d】本発明の一実施形態による表示装置の一部分の断面図である。
【図8】本発明の一実施形態による下側部材の断面図である。
【図9a】本発明の一実施形態によるデジタイザの平面図である。
【図9b】本発明の一実施形態によるデジタイザの感知領域の平面図である。
【図9c】本発明の一実施形態によるデジタイザの感知領域の断面図である。
【図9d】本発明の一実施形態によるデジタイザの一部と下部接着層の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0026】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
【0027】
本明細書において、ある構成要素（または領域、層、部分など）が他の構成要素の「上にある」、「結合される」、または「結合される」と言及されれば、それは他の構成要素の上に直接連結・結合され得るか、またはそれらの間に第３の構成要素が配置され得ることを意味する。
【0028】
同じ図面符号は同じ構成要素を指す。また、図面において、構成要素の厚さ、割合、及び寸法は技術的内容の効果的な説明のために誇張されている。「及び／または」は、関連する構成が定義する一つ以上の組み合わせを全て含む。
【0029】
第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するのに使用されるが、前記構成要素は前記用語に限らない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しないながらも第１構成要素は第２構成要素と命名されてもよく、類似して第２構成要素も第１構成要素と命名されてもよい。単数の表現は、文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
【0030】
また、「下に」、「下側に」、「上に」、「上側に」などの用語は、図面に示した構成の連関関係を説明するために使用される。前記用語は相対的な概念であって、図面に示した方向を基準に説明される。
【0031】
「含む」または「有する」などの用語は明細書の上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部分品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないと理解すべきである。
【0032】
本明細書において、「直接配置」されるとは、層、膜、領域、板などの部分と他の部分の間に追加される層、膜、領域、板などがないことを意味する可能性がある。例えば、「直接配置」されるとは、２つの層または２つの部材の間に接着部材などの追加の部材を使用せずに配置することを意味する可能性がある。
【0033】
異なるように定義されない限り、本明細書で使用された全ての用語（技術的及び科学的用語を含む）は、本発明の属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるようなものと同じ意味を有する。また、一般的に使用される辞書で定義された用語のような用語は、関連技術の脈絡で有する意味と一致する意味を有すると解釈すべきであって、ここで明示的に定義されない限り、過度に理想的であるか形式的な意味で解釈してはならない。
【0034】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
【0035】
【0036】
図１ａ及び図１ｃを参照すると、本発明の実施形態による電子装置ＥＤは、第１方向ＤＲ１及び第１方向ＤＲ１と交差する第２方向ＤＲ２が定義する表示面ＤＳを含む。電子装置ＥＤは、表示面ＤＳを介して画像ＩＭをユーザに提供する。
【0037】
表示面ＤＳは、表示領域ＤＡと、周辺の非表示領域ＮＤＡとを含む。表示領域ＤＡは画像ＩＭを表示し、非表示領域ＮＤＡは画像ＩＭを表示しない。非表示領域ＮＤＡは表示領域ＤＡを囲む。但し、これに限らず、表示領域ＤＡの形状と非表示領域ＮＤＡの形状は変形されてもよい。
【0038】
表示面ＤＳは信号透過領域ＴＡを更に含む。信号透過領域ＴＡは表示領域ＤＡの一部領域であるか、非表示領域ＮＤＡの一部領域である。図１ａに示したように、信号透過領域ＴＡは表示領域ＤＡの一部である。信号透過領域ＴＡは表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡより高い透過率を有する。信号透過領域ＴＡに自然光、可視光線、または赤外線が移動する。表示装置ＥＤは、信号透過領域ＴＡを通過する可視光線を介して外部イメージを撮影するカメラモジュールや、赤外線を介して外部物体の接近性を判断するセンサモジュールを更に含む。
【0039】
図１ａの図示とは異なって、本発明の一実施形態において、信号透過領域ＴＡは非表示領域ＮＤＡと離隔されずに非表示領域ＮＤＡから延長されてもよい。信号透過領域ＴＡは複数個備えられる。一実施形態において、信号透過領域ＴＡは互いに異なる種類の光が透過される複数の透過領域ＴＡ１、ＴＡ２を含む。
【0040】
以下、第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２によって定義される平面と実質的に垂直に交差する方向は第３方向ＤＲ３と定義される。また、本明細書において、「平面上において」とは、第３方向ＤＲ３から眺めた状態と定義される。
【0041】
電子装置ＥＤは、折りたたみ領域ＦＡと複数個の非折りたたみ領域ＮＦＡ１、ＮＦＡ２とを含む。非折りたたみ領域ＮＦＡ１、ＮＦＡ２は第１非折りたたみ領域ＮＦＡ１と第２非折りたたみ領域ＮＦＡ２とを含む。第３方向ＤＲ３から眺める際、第１非折りたたみ領域ＮＦＡ１及び第２非折りたたみ領域ＮＦＡ２は第２方向ＤＲ２で互いに離隔され、折りたたみ領域ＦＡは第１非折りたたみ領域ＮＦＡ１と第２非折りたたみ領域ＮＦＡ２と間に配置される。
【0042】
図１ｂに示したように、折りたたみ領域ＦＡは第１方向ＤＲ１に平行する折りたたみ軸ＦＸを基準に折りたたまれる。折りたたみ領域ＦＡは所定の曲率及び曲率半径Ｒ１を有する。第１非折りたたみ領域ＮＦＡ１及び第２非折りたたみ領域ＮＦＡ２は互いに向かい合い、電子装置ＥＤは表示面ＤＳが外部に露出されないように内側に折りたたまれる（ｉｎｎｅｒ－ｆｏｌｄｉｎｇ)。
【0043】
本発明の一実施形態において、電子装置ＥＤは、表示面ＤＳが外部に露出されるように外側に折りたたまれる（ｏｕｔｅｒ－ｆｏｌｄｉｎｇ)。本発明の一実施形態において、電子装置ＥＤは広げられる動作から内側折りたたみまたは外側折りたたみが互いに繰り返されるように構成されるが、これに限らない。本発明の一実施形態において、電子装置ＥＤは広げる動作、内側折りたたみ、及び外側折りたたみのうちいずれか一つを選択するように構成される。
【0044】
図１ｂに示したように、第１非折りたたみ領域ＮＦＡ１と第２非折りたたみ領域ＮＦＡ２との間の距離は曲率半径Ｒ１と実質的に同じであるが、図１ｃに示したように、第１非折りたたみ領域ＮＦＡ１と第２非折りたたみ領域ＮＦＡ２との間の距離は曲率半径Ｒ１より小さくてもよい。図１ｂと図１ｃでは電子装置ＥＤの外観をなす筐体ＥＤＣ（図２を参照）が省略されて示されている。該当実施形態において、筐体ＥＤＣは折りたたまれた状態で、第１非折りたたみ領域ＮＦＡ１と第２非折りたたみ領域ＮＦＡ２の先端領域で接触してもよい。
【0045】
一方、図１ａ乃至図１ｃでは電子装置ＥＤが２つの非折りたたみ領域ＮＦＡ１、ＮＦＡ２とその間に配列される一つの折りたたみ領域ＦＡを含むことを例示的に示したが、これに限らず、電子装置ＥＤは複数の折りたたみ領域を含み、複数回折りたたまれてもよい。
【0046】
図２は、本発明の一実施形態による電子装置ＥＤの分解斜視図である。図３は、本発明の一実施形態による電子装置ＥＤのブロック図である。図４は、本発明の一実施形態による表示モジュールＤＭの断面図である。図４では図２のＩ－Ｉ’切断線に対応する断面を示している。
【0047】
図２に示したように、電子装置ＥＤは、表示装置ＤＤと、制御モジュールＥＭと、電源モジュールＰＳＭと、電子モジュールＥＬＭと、筐体ＥＤＣとを含む。別途に示していないが、電源モジュールＰＳＭは表示装置ＤＤの折りたたみ動作を制御するための機構構造物を更に含んでもよい。
【0048】
表示装置ＤＤは画像を生成し、外部入力を感知する。表示装置ＤＤはウィンドウモジュールＷＭと表示モジュールＤＭとを含む。ウィンドウモジュールＷＭは電子装置ＥＤの前面を提供する。
【0049】
表示モジュールＤＭは少なくとも表示パネルＤＰを含む。図２では表示モジュールＤＭの積層構造物のうち表示パネルＤＰのみを示しているが、実質的に表示モジュールＤＭは表示パネルＤＰの上側と下側に配置される複数個の構成を更に含んでもよい。表示モジュールＤＭの積層構造に関する詳細な説明は後述する。
【0050】
表示パネルＤＰは、電子装置ＥＤの表示領域ＤＡ（図１ａを参照）及び非表示領域ＮＤＡ（図１ａを参照）に対応する表示領域ＤＰ－ＤＡ及び非表示領域ＤＰ－ＮＤＡを含む。本明細書において、「領域／部分と領域／部分が対応する」とは重畳するということを意味し、同じ面積に限らない。表示モジュールＤＭは、非表示領域ＤＰ－ＮＤＡの上に配置される駆動チップＤＩＣを含む。表示モジュールＤＭは、非表示領域ＤＰ－ＮＤＡに結合されるプリント回路基板ＰＣＢを更に含む。
【0051】
表示パネルＤＰは信号透過領域ＤＰ－ＴＡを更に含む。信号透過領域ＤＰ－ＴＡは開口部であるか、表示領域ＤＰ－ＤＡより解像度が低い領域である。結果的に、信号透過領域ＤＰ－ＴＡは表示領域DP-ＤＡ及び非表示領域DP-ＮＤＡより高い透過率を有する。表示パネルＤＰの信号透過領域ＤＰ－ＴＡは上述した電子装置ＥＤの信号透過領域ＴＡ（図１ａを参照）に対応する領域である。信号透過領域ＤＰ－ＴＡは、後述するカメラモジュールＣＭに対応する第１信号透過領域ＤＰ－ＴＡ１と、後述するセンサジュールＳＭに対応する第２信号透過領域ＤＰ－ＴＡ２と、を含む。
【0052】
駆動チップＤＩＣは、表示パネルＤＰの画素を駆動するための駆動素子、例えば、データ駆動回路を含む。図２では駆動チップＤＩＣが表示パネルＤＰの上に実装されている構造を示しているが、本発明はこれに限らない。例えば、駆動チップＤＩＣはプリント回路基板ＰＣＢの上に実装されてもよい。
【0053】
制御モジュールＥＭは少なくともメインコントローラ１０を含む。制御モジュールＥＭは、メインコントローラ１０、無線通信モジュール２０、映像入力モジュール３０、音響入力モジュール４０、音響出力モジュール５０、メモリ６０、及び外部インターフェースモジュール７０などを含む。前記モジュールはプリント回路基板ＰＣＢに実装されるか、フレキシブル回路基板を介してプリント回路基板ＰＣＢに電気的に連結される。制御モジュールＥＭは電源モジュールＰＳＭと電気的に連結される。
【0054】
メインコントローラ１０は電子装置ＥＤの全般的な動作を制御する。例えば、メインコントローラ１０はユーザの入力に符合するように表示装置ＤＤを活性化するか非活性化する。メインコントローラ１０はユーザの入力に基づいて映像入力モジュール３０、音響入力モジュール４０、音響出力モジュール５０などを制御する。メインコントローラ１０は少なくとも一つのマイクロプロセッサを含む。
【0055】
無線通信モジュール２０はブルートゥース（登録商標）またはＷｉ－Ｆｉ回線を利用して他の端末機と無線信号を送／受信する。無線通信モジュール２０は一般通信回線を利用して音声信号を送／受信する。無線通信モジュール２０は、送信する信号を変調して送信する送信回路２２と、受信される信号を復調する受信回路２４とを含む。
【0056】
映像入力モジュール３０は、映像信号を処理して表示装置ＤＤに表示可能な映像データに変換する。音響入力モジュール４０は、録音モード、音声認識モードなどでマイクロフォン（Ｍｉｃｒｏｐｈｏｎｅ）によって外部の音響信号を入力されて電気的な音声データに変換する。音響出力モジュール５０は、無線通信モジュール２０から受信された音響データまたはメモリ６０に保存されている音響データを変換して外部に出力する。
【0057】
外部インターフェースモジュール７０は、外部充電器、有／無線データポート、カードソケット（例えば、メモリカード（Ｍｅｍｏｒｙ ｃａｒｄ）、ＳＩＭ／ＵＩＭ ｃａｒｄ）などに連結されるインタフェースの役割をする。
【0058】
電源モジュールＰＳＭは電子装置ＥＤの全般的な動作に必要な電源を供給する。電源モジュールＰＳＭは通常のバッテリ装置を含む。
【0059】
筐体ＥＤＣは、表示モジュールＤＭ、制御モジュールＥＭ、電源モジュールＰＳＭ、及び電子モジュールＥＬＭを収容する。筐体ＥＤＣは互いに分離された２つの筐体ＥＤＣ１、ＥＤＣ２を含むと示したが、これに限らない。図示していないが、電子装置ＥＤは２つの筐体ＥＤＣ１、ＥＤＣ２を連結するためのヒンジ構造物を更に含む。筐体ＥＤＣはウィドウモジュールＷＭと結合される。筐体ＥＤＣは、表示モジュールＤＭ、制御モジュールＥＭ、電源モジュールＰＳＭ、及び電子モジュールＥＬＭなど筐体ＥＤＣに収容される構成を保護する。
【0060】
電子モジュールＥＬＭは光信号を出力するか受信する電子部品である。電子モジュールＥＬＭは、信号透過領域ＴＡ（図１ａを参照）に対応する電子装置ＥＤの一部領域を介して光信号を送信または受信する。本実施形態において、電子モジュールＥＬＭはカメラモジュールＣＭを含む。カメラモジュールＣＭは、第１信号透過領域ＤＰ－ＴＡ１によって自然光信号を受信して外部のイメージを撮影する。電子モジュールＥＬＭは近接センサまたは紫外線発光センサなどのセンサモジュールＳＭを含む。センサモジュールＳＭは、第２信号透過領域ＤＰ－ＴＡ２によってユーザの身体の一部（例えば、指紋、虹彩、または顔）を認識するか、物と携帯電話との間の距離を測定する。
【0061】
電子モジュールＥＬＭは表示装置ＤＤの下側に配置される。電子モジュールＥＬＭは電子装置ＥＤの信号透過領域ＴＡ（図１ａを参照）に対応するように配置される。つまり、電子モジュールＥＬＭは表示パネルＤＰの信号透過領域ＤＰ－ＴＡに重畳する。表示パネルＤＰの信号透過領域ＤＰ－ＴＡは、表示パネルＤＰの他の領域に比べ光透過率が高い領域である。
【0062】
図４を参照すると、表示モジュールＤＭは、表示パネルＤＰと、表示パネルＤＰの上に配置される入力センサＩＳと、入力センサＩＳの上に配置される反射防止層ＬＦと、表示パネルＤＰの下に配置される下側部材ＬＭとを含む。前記部材の間には必要に応じて接着層が配置される。
【0063】
表示パネルＤＰは、ベース層と、ベース層の上に配置される回路素子層と、回路素子層の上に配置される表示素子層と、表示素子層の上に配置される薄膜封止層とを含む。ベース層はプラスチックフィルムを含む。例えば、ベース層はポリイミドを含んでもよい。ベース層の平面上の形状は後述する図６ａに示す表示パネルＤＰの平面上の形状と実質的に同じである。
【0064】
回路素子層は、有機層、無機層、半導体パターン、導電パターン、及び信号ラインなどを含む。コーティング及び蒸着などの方式で有機層、無機層、半導体層、及び導電層がベース層の上に形成される。次に、複数回のフォトリソグラフィ工程を介して有機層、無機層、半導体層、及び導電層が選択的にパターニングされて半導体パターン、導電パターン、及び信号ラインが形成される。
【0065】
半導体パターン、導電パターン、及び信号ラインは、後述する図６ａに示した画素ＰＸの画素駆動回路及び信号ラインＳＬ１～ＳＬｍ、ＤＬ１～ＤＬｎ、ＣＳＬ１、ＣＳＬ２、ＰＬを形成する。画素駆動回路は少なくとも一つのトランジスタを含む。
【0066】
表示素子層は後述する図６ａに示す画素ＰＸの発光素子を含む。発光素子は、前記少なくとも一つのトランジスタに電気的に連結される。薄膜封止層は、表示素子層を密封するように回路素子層の上に配置される。薄膜封止層は、順次に積層される無機層、有機層、及び無機層を含む。薄膜封止層の積層構造は特に限らない。
【0067】
入力センサＩＳは、外部の入力を感知するための複数個の感知電極（図示せず）、前記複数個の感知電極に連結されるトレースライン（図示せず）、及び複数個の感知電極またはトレースラインを絶縁／保護するための無機層及び／または有機層を含む。入力センサＩＳは静電容量式センサであってもよいが、特に限らない。
【0068】
入力センサＩＳは、表示パネルＤＰを製造する際に連続工程を介して薄膜封止層の上に直接形成される。しかし、これに限らず、入力センサＩＳは表示パネルＤＰとは別途のパネルで製造されて、接着層によって表示パネルＤＰに取り付けられてもよい。
【0069】
反射防止層ＬＦは外部光の反射率を下げる。反射防止層ＬＦは位相遅延子（ｒｅｔａｒｄｅｒ）及び／または偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）を含む。反射防止層ＬＦは少なくとも偏光フィルムを含む。または、反射防止層ＬＦはカラーフィルタを含む。カラーフィルタは所定の配列を有する。カラーフィルタは表示パネルＤＰに含まれる画素の発光カラーを考慮して配列が決定される。反射防止層ＬＦは、カラーフィルタに隣接する分割層を更に含む。
【0070】
下側部材ＬＭは多様な機能性部材を含む。例えば、下側部材ＬＭは、表示パネルＤＰに入射する光を遮断する遮光層、外部衝撃を吸収する衝撃吸収層、表示パネルＤＰを支持する支持層、表示パネルＤＰから発生した熱を放出する放熱層などを含む。下側部材ＬＭの積層構造は特に制限されない。
【0071】
図５は、本発明の一実施形態による表示モジュールＤＭの一部構成を示す断面図である。図５では図４に示した表示モジュールＤＭのうち表示パネルＤＰ、入力センサＩＳ、及び反射防止層ＬＦについて一つの画素に対応する構成をより詳細に示している。
【0072】
図５には一つの発光素子ＬＤ及び画素回路ＰＣのシリコントランジスタＳ－ＴＦＴ及び酸化物トランジスタＯ－ＴＦＴが示されている。画素回路ＰＣに含まれる複数のトランジスタのうち少なくとも一つは酸化物トランジスタＯ－ＴＦＴであり、残りのトランジスタはシリコントランジスタＳ－ＴＦＴである。
【0073】
バッファ層ＢＦＬはベース層ＢＬの上に配置される。バッファ層ＢＦＬは、ベース層ＢＬから金属原子や不純物が上側の第１半導体パターンＳＰ１に拡散する現象を防止する。第１半導体パターンＳＰ１はシリコントランジスタＳ－ＴＦＴのアクティブ領域ＡＣ１を含む。バッファ層ＢＦＬは第１半導体パターンＳＰ１を形成するための結晶化工程の間に熱の提供速度を調節し、第１半導体パターンＳＰ１が均一に形成されるようにする。
【0074】
シリコントランジスタＳ－ＴＦＴの下部には第１背面金属層ＢＭＬａが配置され、酸化物トランジスタＯ－ＴＦＴの下部には第２背面金属層ＢＭＬｂが配置される。第１及び第２背面金属層ＢＭＬａ、ＢＭＬｂは画素回路ＰＣと重畳して配置される。第１及び第２背面金属層ＢＭＬａ、ＢＭＬｂは外部の光が画素回路ＰＣに到達することを遮断する。
【0075】
第１背面金属層ＢＭＬａは画素回路ＰＣの少なくとも一部領域に対応して配置される。第１背面金属層ＢＭＬａはシリコントランジスタＳ－ＴＦＴで具現される駆動トランジスタと重畳するように配置される。
【0076】
第１背面金属層ＢＭＬａはベース層ＢＬとバッファ層ＢＦＬとの間に配置される。本発明の一実施形態において、第１背面金属層ＢＭＬａとバッファ層ＢＦＬとの間には無機バリア層が更に配置されてもよい。第１背面金属層ＢＭＬａは電極または配線と連結されるが、それらから静電圧または信号を受信する。本発明の一実施形態によると、第１背面金属層ＢＭＬａは他の電極または配線とは孤立した（ｉｓｏｌａｔｅｄ）形態のフローティング電極であってもよい。
【0077】
第２背面金属層ＢＭＬｂは酸化物トランジスタＯ－ＴＦＴの下部に対応して配置される。第２背面金属層ＢＭＬｂは第２絶縁層ＩＬ２と第２絶縁層ＩＬ３との間に配置される。第２背面金属層ＢＭＬｂはストレージキャパシタＣｓｔの第２電極ＣＥ２０と同じ層に配置される。第２背面金属層ＢＭＬｂはコンタクト電極ＢＭＬ２－Ｃと連結されて静電圧または信号を印加される。コンタクト電極ＢＭＬ２－Ｃは酸化物トランジスタＯ－ＴＦＴのゲートＧＴ２と同じ層に配置される。
【0078】
第１背面金属層ＢＭＬａ及び第２背面金属層ＢＭＬｂそれぞれは反射型金属を含む。例えば、第１背面金属層ＢＭＬａ及び第２背面金属層ＢＭＬｂそれぞれは、銀（Ａｇ）、銀（Ａｇ）を含有する合金、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンを含む合金、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムを含有する合金、アルミニウム窒化物（ＡｌＮ）、タングステン（Ｗ）、タングステン窒化物（ＷＮ）、銅（Ｃｕ）、及びｐ＋ドーピングされた非晶質シリコンなどを含む。第１背面金属層ＢＭＬａ及び第２背面金属層ＢＭＬｂは同じ物質を含んでもよく、他の物質を含んでもよい。
【0079】
別途に図示していないが、本発明の一実施形態によると、第２背面金属層ＢＭＬｂは省略されてもよい。第１背面金属層ＢＭＬａが酸化物トランジスタＯ－ＴＦＴの下部まで延長されて第１背面金属層ＢＭＬａが酸化物トランジスタＯ－ＴＦＴの下部に入射する光を遮断する。
【0080】
第１半導体パターンＳＰ１はバッファ層ＢＦＬの上に配置される。第１半導体パターンＳＰ１はシリコン半導体を含む。例えば、シリコン半導体は非晶質シリコン、多結晶シリコンなどを含む。例えば、第１半導体パターンＳＰ１は低温ポリシリコンを含む。
【0081】
図５ではバッファ層ＢＦＬの上に配置される第１半導体パターンＳＰ１の一部分を示しているだけであり、他の領域に第１半導体パターンＳＰ１が更に配置されてもよい。第１半導体パターンＳＰ１は画素にわたって特定の規則で配列される。第１半導体パターンＳＰ１はドーピングの有無によって電気的性質が異なり得る。第１半導体パターンＳＰ１は伝導率が高い第１領域と伝導率が低い第２領域を含む。第１領域はＮ型ドーパントまたはＰ型ドーパントでドーピングされる。Ｐ型トランジスタはＰ型ドーパントでドーピングされるドーピング領域を含み、Ｎ型トランジスタはＮ型ドーパントでドーピングされるドーピング領域を含む。第２領域はドーピングされていない領域であるか、第１領域に比べ低い濃度でドーピングされている領域である。
【0082】
第１領域の伝導性は第２領域の伝導性より大きく、第１領域は実質的に電極または信号ラインの役割をする。第２領域は実質的にトランジスタのアクティブ領域（またはチャネル）に当たる。言い換えれば、第１半導体パターンのＳＰ１一部分はトランジスタのアクティブ領域であり、他の一部分はトランジスタのソースまたはドレインであり、また他の一部分は連結電極または連結信号ラインである。
【0083】
シリコントランジスタＳ－ＴＦＴのソース領域ＳＥ１（またはソース）、アクティブ領域ＡＣ１（またはチャネル）、及びドレイン領域ＤＥ１（またはドレイン）は第１半導体パターンＳＰ１からなる。ソース領域ＳＥ１及びドレイン領域ＤＥ１は断面上でアクティブ領域ＡＣ１から互いに反対方向に延長される。
【0084】
第１絶縁層ＩＬ１はバッファ層ＢＦＬの上に配置される。第１絶縁層ＩＬ１は複数個の画素に共通に重畳し、第1半導体パターンＳＰ１をカバーする。第１絶縁層ＩＬ１は無機層及び／または有機層であり、単層または多層構造を有する。第１絶縁層ＩＬ１は、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、及び酸化ハフニウムのうち少なくとも一つを含む。本実施形態において、第１絶縁層ＩＬ１は単層の酸化ケイ素層である。第１絶縁層ＩＬ１だけでなく、後述する回路層ＤＰ－ＣＬの絶縁層は無機層及び／または有機層であり、単層または多層構造を有する。無機層は上述した物質のうち少なくとも一つを含むが、これに限らない。
【0085】
シリコントランジスタＳ－ＴＦＴのゲートＧＴ１は第１絶縁層ＩＬ１の上に配置される。ゲートＧＴ１は金属パターンの一部分である。ゲートＧＴ１はアクティブ領域ＡＣ１に重畳する。第１半導体パターンＳＰ１をドーピングする工程において、ゲートＧＴ１はマスクとして機能する。ゲートＧＴ１は、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、銀（Ａｇ）を含有する合金、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンを含む合金、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムを含有する合金、アルミニウム窒化物（ＡｌＮ）、タングステン（Ｗ）、タングステン窒化物（ＷＮ）、銅（Ｃｕ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などを含むが、特にこれに限らない。
【0086】
第２絶縁層ＩＬ２は第１絶縁層ＩＬ１の上に配置され、ゲートＧＴ１をカバーする。第３絶縁層ＩＬ３は第２絶縁層ＩＬ２の上に配置される。第２絶縁層ＩＬ２と第３絶縁層ＩＬ３との間にはストレージキャパシタＣｓｔの第２電極ＣＥ２０が配置される。また、ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極ＣＥ１０は第１絶縁層ＩＬ１と第２絶縁層ＩＬ２との間に配置される。
【0087】
第２半導体パターンＳＰ２は第３絶縁層ＩＬ３の上に配置される。第２半導体パターンＳＰ２は後述する酸化物トランジスタＯ－ＴＦＴのアクティブ領域ＡＣ２を含む。第２半導体パターンＳＰ２は酸化物半導体を含む。第２半導体パターンＳＰ２は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、またはインジウム酸化物（Ｉｎ２Ｏ３）などの透明導電性酸化物（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｏｘｉｄｅ、ＴＣＯ）を含む。
【0088】
酸化物半導体は、透明導電性酸化物の還元の有無によって区分される複数個の領域を含む。透明導電性酸化物が還元された領域（以下、還元領域）はそうではない領域（以下、非還元領域）に比べ大きい伝導性を有する。還元領域は実質的にトランジスタのソース／ドレインまたは信号ラインの役割を有する。非還元領域が実質的にトランジスタの半導体領域（またはアクティブ領域またはチャネル）に当たる。言い換えれば、第２半導体パターンＳＰ２の一部領域はトランジスタの半導体領域であり、他の一部領域はトランジスタのソース領域／ドレイン領域であり、また他の一部分は信号伝達領域である。
【0089】
酸化物トランジスタＯ－ＴＦＴのソース領域ＳＥ２（またはソース）、アクティブ領域ＡＣ２（またはチャネル）、及びドレイン領域ＤＥ２（またはドレイン）は第２半導体パターンＳＰ２からなる。ソース領域ＳＥ２及びドレイン領域ＤＥ２は断面上でアクティブ領域ＡＣ２から互いに反対方向に延長される。
【0090】
第４絶縁層ＩＬ４は第３絶縁層ＩＬ３の上に配置される。図６ａに示したように、第４絶縁層ＩＬ４は酸化物トランジスタＯ－ＴＦＴのゲートＧＴ２に重畳し、酸化物トランジスタＯ－ＴＦＴのソース領域ＳＥ２及びドレイン領域ＤＥ２が露出させる絶縁パターンである。図５に示したように、第４絶縁層ＩＬ４は第２半導体パターンＳＰ２をカバーする。
【0091】
図５に示したように、酸化物トランジスタＯ－ＴＦＴのゲートＧＴ２は第４絶縁層ＩＬ４の上に配置される。酸化物トランジスタＯ－ＴＦＴのゲートＧＴ２は金属パターンの一部分である。酸化物トランジスタＯ－ＴＦＴのゲートＧＴ２はアクティブ領域ＡＣ２に重畳する。
【0092】
第５絶縁層ＩＬ５は第４絶縁層ＩＬ４の上に配置され、ゲートＧＴ２をカバーする。第１連結電極ＣＮＥ１は第５絶縁層ＩＬ５の上に配置される。第１連結電極ＣＮＥ１は、第１乃至第５絶縁層ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３、ＩＬ４、ＩＬ５を貫通するコンタクト孔を介してシリコントランジスタＳ－ＴＦＴのドレイン領域ＤＥ１に接続される。
【0093】
第６絶縁層ＩＬ６は第５絶縁層ＩＬ５の上に配置される。第２連結電極ＣＮＥ２は第６絶縁層ＩＬ６の上に配置される。第２連結電極ＣＮＥ２は、第６絶縁層ＩＬ６を貫通するコンタクト孔を介して第１連結電極ＣＮＥ１に接続される。第７絶縁層ＩＬ７は第６絶縁層ＩＬ６の上に配置され、第２連結電極ＣＮＥ２をカバーする。第８絶縁層ＩＬ８は第７絶縁層ＩＬ７の上に配置される。
【0094】
第６絶縁層ＩＬ６、第７絶縁層ＩＬ７、及び第８絶縁層ＩＬ８それぞれは有機層である。例えば、第６絶縁層ＩＬ６、第７絶縁層ＩＬ７、及び第８絶縁層ＩＬ８それぞれは、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、ポリイミド、ＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）や、ポリスチレン（ＰＳ）のような一般の汎用高分子、フェノール系グループを有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ－キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びこれらのブレンドなどを含む。
【0095】
発光素子ＬＤは、第１電極ＡＥと、発光層ＥＬと、第２電極層ＣＥとを含む。第２電極ＣＥは発光素子の上に共通に提供される。
【0096】
発光素子ＬＤの第１電極ＡＥは第８絶縁層ＩＬ８の上に配置される。発光素子ＬＤの第１電極ＡＥは（半）透過性電極または反射電極である。本発明の一実施形態によると、発光素子ＬＤの第１電極ＡＥは、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒまたはこれらの化合物などからなる反射層と、反射層の上に形成される透明または半透明電極層を含む。透明または半透明電極層は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）またはインジウム酸化物（Ｉｎ２Ｏ３）、及びアルミニウムドーピングされた亜鉛酸化物（ＡＺＯ）を含む群から選択される少なくとも一つ以上を備える。例えば、発光素子ＬＤの第１電極ＡＥはＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造物を含む。
【0097】
画素定義膜ＰＤＬは第８絶縁層ＩＬ８の上に配置される。画素定義膜ＰＤＬは光を吸収する性質を有するが、例えば、画素定義膜ＰＤＬはブロックの色相を有する。画素定義膜ＰＤＬはブラック成分（ｂｌａｃｋ ｃｏｌｏｒｉｎｇ ａｇｅｎｔ）を含む。ブラック成分はブラック染料、ブラック顔料を含む。ブラック成分はカーボンブラック、クロムのような金属またはこれらの酸化物を含む。画素定義膜ＰＤＬが遮光特性を有する遮蔽パターンに該当する。
【0098】
画素定義膜ＰＤＬは発光素子ＬＤの第１電極ＡＥの一部分をカバーする。例えば、画素定義膜ＰＤＬには発光素子ＬＤの第１電極ＡＥの一部分を露出させる開口ＰＤＬ－ＯＰが定義される。画素定義膜ＰＤＬは発光素子ＬＤの第１電極ＡＥの縁と第２電極ＣＥとの距離を増加させる。よって、画素定義膜ＰＤＬによって第１電極ＡＥの縁でアークなどが発生することを防止する役割をする。
【0099】
図示していないが、第１電極ＡＥと発光層ＥＬとの間には正孔制御層が配置される。正孔制御層は正孔輸送層を含み、正孔注入層を更に含む。発光層ＥＬと第２電極ＣＥとの間には電子輸送層が配置される。電子制御層は電子輸送層を含み、電子注入層を更に含む。正孔制御層と電子制御層はオープンマスクを利用して複数個の画素ＰＸ（図６ａを参照）に共通に形成される。
【0100】
封止層ＴＦＥは発光素子層ＤＰ－ＥＬの上に配置される。封止層ＴＦＥは、順次に積層される無機層ＴＦＥ１と、有機層ＴＦＥ２と、無機層ＴＦＥ３とを含むが、封止層ＴＦＥを構成する層はこれに限らない。
【0101】
無機層ＴＦＥ１、ＴＦＥ３は水分及び酸素から発光素子層ＤＰ－ＥＬを保護し、有機層ＴＦＥ２はほこり粒子のような異物から発光素子層ＤＰ－ＥＬを保護する。無機層ＴＦＥ１、ＴＦＥ３は、窒化シリコン層、酸窒化シリコン層、酸化シリコン層、酸化チタン層、または酸化アルミニウム層などを含む。有機層ＴＦＥ２はアクリル系有機層を含むが、これに限らない。
【0102】
入力センサＩＳは表示パネルＤＰの上に配置される。入力センサＩＳはセンサ、入力感知層、または入力感知パネルと称される。入力センサＩＳは、センサベース層２１０と、第１導電層２２０と、感知絶縁層２３０と、第２導電層２４０とを含む。
【0103】
センサベース層２１０は表示パネルＤＰの上に直接配置される。センサベース層２１０は、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化シリコンのうち少なくともいずれか一つを含む無機層である。または、センサベース層２１０は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、またはイミド系樹脂を含む有機層であってもよい。センサベース層２１０は単層構造を有するか、第３方向ＤＲ３に沿って積層される多層構造を有してもよい。
【0104】
第１導電層２２０及び第２導電層２４０それぞれは単層構造を有するか、第３方向ＤＲ３に沿って積層される多層構造を有する。第１導電層２２０及び第２導電層２４０は、網目状の感知電極を定義する導電ラインを含む。導電ラインは開口ＰＤＬ－ＯＰに重畳せず、画素定義膜ＰＤＬに重畳する。
【0105】
単層構造の導電層は金属層または透明導電層を含む。金属層は、モリブデン、銀、チタン、銅、アルミニウム、またはこれらの合金を含む。透明導電層は、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ、ＺｎＯ）、またはインジウム錫亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）などのような透明な伝導性酸化物を含む。その他、透明導電層はＰＥＤＯＴのような導電性高分子、金属ナノワイヤ、グラフェンなどを含む。
【0106】
多層構造の導電層は順次に積層されるは多層の金属層を含む。金属層は、例えば、チタン／アルミニウム／チタンの３層構造を有する。多層構造の導電層は、少なくとも一つの金属層と少なくとも一つの透明導電層とを含む。
【0107】
感知絶縁層２３０は第１導電層２２０と第２導電層２４０との間に配置される。感知絶縁層２３０は無機膜を含む。無機膜は、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、及び酸化ハフニウムのうち少なくとも一つを含む。
【0108】
または感知絶縁層２３０は有機膜を含む。有機膜は、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリイソプレン、ビニール系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、セルロース系樹脂、シロキサン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、及びフェリレン系樹脂のうち少なくともいずれか一つを含む。
【0109】
反射防止層ＬＦ入力センサＩＳの上に配置される。反射防止層ＬＦは、分割層３１０と、複数のカラーフィルタ３２０と、平坦化層３３０とを含む。
【0110】
分割層３１０を構成する物質は、光を吸収する物質であれば特に限らない。分割層３１０はブラックカラーを有する層であって、一実施形態において分割層３１０はブラック成分を含む。ブラック成分はブラック染料、ブラック顔料を含む。ブラック成分はカーボンブラック、クロムのような金属またはこれらの酸化物を含む。
【0111】
分割層３１０は入力センサＩＳの第２導電層２４０をカバーする。分割層３１０は第２導電層２４０による外部光の反射を防止する。表示モジュールＤＭの一部領域において、分割層３１０は省略されてもよい。分割層３１０が省略されて配置されていない領域の透過率は他の領域に比べ高い。
【0112】
分割層３１０には開口３１０－ＯＰが定義される。開口３１０－ＯＰは発光素子ＬＤの第１電極ＡＥと重畳する。複数のカラーフィルタ３２０のうちいずれか一つは発光素子ＬＤの第１電極ＡＥと重畳する。複数のカラーフィルタ３２０のうちいずれか一つは開口３１０－ＯＰをカバーする。複数のカラーフィルタ３２０それぞれは分割層３１０と接触する。
【0113】
平坦化層３３０は分割層３１０及び複数のカラーフィルタ３２０をカバーする。平坦化層３３０は有機物を含み、平坦化された上面を含む。本発明の一実施形態において、平坦化層３３０は省略されてもよい。
【0114】
図６ａは、本発明の一実施形態による表示パネルＤＰの平面図である。図６ｂは、本発明の一実施形態による表示パネルＤＰのうち一部領域を拡大して示す平面図である。図６ｃは、本発明の一実施形態による表示パネルＤＰのうち一部領域を拡大して示す平面図である。
【0115】
図６ａを参照すると、表示パネルＤＰは、表示領域ＤＰ－ＤＡと、表示領域ＤＰ－ＤＡ周辺の非表示領域ＤＰ－ＮＤＡとを含む。表示領域ＤＰ－ＤＡと非表示領域ＤＰ－ＮＤＡは画素ＰＸの配置有無によって区分される。表示領域ＤＰ－ＤＡに画素ＰＸが配置される。非表示領域ＤＰ－ＮＤＡに走査駆動部ＳＤＶ、データ駆動部、及び発光駆動部ＥＤＶが配置される。データ駆動部は駆動チップＤＩＣに構成される一部の回路である。
【0116】
本実施形態において、信号透過領域ＤＰ－ＴＡは表示領域ＤＰ－ＤＡより解像度が低い領域である。例えば、信号透過領域ＤＰ－ＴＡは表示領域ＤＰ－ＤＡに比べ単位面積当たりに配置される画素の個数が少ない領域である。信号透過領域ＤＰ－ＴＡのうち画素が配置されていない領域を介して光信号が移動される。
【0117】
表示パネルＤＰは、第２方向ＤＰ２内で区分される第１領域ＡＡ１と、第２領域ＡＡ２と、曲げ領域ＢＡとを含む。第２領域ＡＡ２及び曲げ領域ＢＡは非表示領域ＤＰ－ＮＤＡの一部領域である。曲げ領域ＢＡは第１領域ＡＡ１と第２領域ＡＡ２との間に配置される。
【0118】
第１領域ＡＡ１は図１ａに示された電子装置ＥＤの表示面ＤＳに対応する領域である。第１領域ＡＡ１は、第１非折りたたみ領域ＮＦＡ１０と、第２非折りたたみ領域ＮＦＡ２０と、折りたたみ領域ＦＡ０とを含む。第１非折りたたみ領域ＮＦＡ１０、第２非折りたたみ領域ＮＦＡ２０、及び折りたたみ領域ＦＡ０は、図１ａ乃至図１ｃの第１非折りたたみ領域ＮＦＡ１、第２非折りたたみ領域ＮＦＡ２、及び折りたたみ領域ＦＡにそれぞれ対応する。
【0119】
第１方向ＤＲ１に沿って、曲げ領域ＢＡ及び第２領域ＡＡ２の長さは第１領域ＡＡ１の長さより小さい。曲げ領域ＢＡの第１方向ＤＲ１への長さが短いことで、曲げ領域ＢＡがより容易に曲げられる。
【0120】
表示パネルＤＰは、複数個の画素ＰＸと、複数個の走査ラインＳＬ１～ＳＬｍと、複数個のデータラインＤＬ１～ＤＬｎと、複数個の発光ラインＥＬ１～ＥＬｍと、第１及び第２制御ラインＣＳＬ１、ＣＳＬ２と、電源ラインＰＬと、複数個のパッドＰＤとを含む。ここで、ｍ及びｎは自然数である。画素ＰＸは、走査ラインＳＬ１～ＳＬｍ、データラインＤＬ１～ＤＬｎ、及び発光ラインＥＬ１～ＥＬｍに連結される。
【0121】
走査ラインＳＬ１～ＳＬｍは、第１方向ＤＲ１に延長されて走査駆動部ＳＤＶに連結される。データラインＤＬ１～ＤＬｎは第２方向ＤＲ２に延長され、曲げ領域ＢＡを経由して駆動チップＤＩＣに連結される。発光ラインＥＬ１～ＥＬｍは、第１方向ＤＲに延長されて発光駆動部ＥＤＶに連結される。
【0122】
電源ラインＰＬは、第２方向ＤＲ２に延長される部分と第１方向ＤＲ１に延長される部分を含む。第１方向ＤＲ１に延長される部分と第２方向に延長される部分は互いに異なる層の上に配置される。電源ラインＰＬのうち第２方向ＤＲ２に延長される部分は、曲げ領域ＢＡを経由して第２領域ＡＡ２に延長される。電源ラインＰＬは第１電源を画素ＰＸに提供する。
【0123】
第１制御ラインＣＳＬ１は走査駆動部ＳＤＶに連結され、曲げ領域ＢＡを経由して第２領域ＡＡ２の下端に向かって延長される。第２制御ラインＣＳＬ２は発光駆動部ＥＤＶに連結され、曲げ領域ＢＡを経由して第２領域ＡＡ２の下端に向かって延長される。
【0124】
平面上から眺める際、パッドＰＤは第２領域ＡＡ２の下端に隣接して配置される。駆動チップＤＩＣ、電源ラインＰＬ、第１制御ラインＣＳＬ１、及び制御ラインＣＳＬ２はパッドＰＤに連結される。プリント回路基板ＰＣＢは異方性導電接着層を介してパッドＰＤに電気的に連結される。
【0125】
【0126】
図６ａ及び図６ｂを参照すると、画素ＰＸは複数個の第１画素ＰＸ１と複数個の第２画素ＰＸ２とを含む。第１画素ＰＸ１は第１表示領域ＤＡ１に配置される。第２画素ＰＸ２は第２表示領域ＤＡ２に配置される。第１表示領域ＤＡ１は信号透過領域ＤＰ－ＴＡに対応する領域である。第２表示領域ＤＡ２は表示領域ＤＰ－ＤＡのうち信号透過領域ＤＰ－ＴＡを除いた残りの領域である。
【0127】
第１画素ＰＸ１は第１表示領域ＤＡ１内でマトリックス状に配列される。例えば、第１画素ＰＸ１は第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲに配列される。しかし、第１画素ＰＸ１の配列形態はこれに限らない。
【0128】
第２画素ＰＸ２は第２表示領域ＤＡ２内でマトリックス状に配列される。例えば、第２画素ＰＸ２は第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲに配列される。しかし、第２画素ＰＸ２の配列形態はこれに限らない。第２画素ＰＸ２は、例えば、第１対角方向ＤＤＲ１及び第２対角方向ＤＤＲ２に配置される。第１対角方向ＤＤＲ１は、第１及び第２方向ＤＲ１、ＤＲ２によって定義される平面上で第１及び第２方向ＤＲ１、ＤＲ２と交差する方向と定義される。第２対角方向ＤＤＲ２は、第１及び第２方向ＤＲ１、ＤＲ２によって定義される平面上で第１対角方向ＤＤＲ１と交差する方向と定義される。例示的に、第１及び第２方向ＤＲ１、ＤＲ２は互いに垂直に交差し、第１及び第２対角方向ＤＤＲ１、ＤＤＲ２は互いに垂直に交差する。
【0129】
第１表示領域ＤＡ１は第１画素ＰＸ１によって映像を表示する。第２表示領域ＤＡ２は第２画素ＰＸ２によって映像を表示する。実質的に、第１画素ＰＸ１及び第２画素ＰＸ２で生成された光によって表示領域ＤＰ－ＤＡで所定の映像が表示される。第２画素ＰＸ２は第１画素ＰＸ１と平面上で異なる形状を有する。
【0130】
表示パネルＤＰは複数個の透過領域ＨＡを含む。透過領域ＨＡは第１画素ＰＸ１の間に配置される。例示的に、透過領域ＨＡは十字形状を有してもよいが、透過領域ＨＡの形状はこれに限らない。透過領域ＨＡは第１画素ＰＸ１それぞれの周辺に配置される。透過領域ＨＡは第１画素ＰＸ１それぞれに対して第１対角方向ＤＤＲ１及び第２対角方向ＤＤＲ２に配置される。
【0131】
例示的に、第１画素ＰＸ１は第１方向ＤＲ１に平行な辺及び第２方向ＤＲ２に平行な辺を有する四角形状を有する。透過領域ＨＡは第１画素ＰＸ１それぞれの頂点に隣接して配置されることで、第１画素ＰＸ１それぞれに対して第１及び第２対角方向ＤＤＲ１、ＤＤＲ２に配置される。しかし、これは例示的な説明であって、透過領域ＨＡの配置位置はこれに限らない。
【0132】
透過領域ＨＡは第１及び第２画素ＰＸ１、ＰＸ２より高い光透過率を有する。透過領域ＨＡを透過した光は第１表示領域ＤＡ１の下に配置される電子モジュールＥＬＭ（図２を参照）に提供される。
【0133】
第１表示領域ＤＡ１で第１画素ＰＸ１によって映像が表示され、透過領域ＨＡを介して電子モジュールＥＬＭに光信号が提供される。よって、第１表示領域ＤＡ１が映像を表示する間に、光信号を提供された電子モジュールＥＬＭが特定機能で動作する。
【0134】
図６ｃを参照すると、第１画素ＰＸ１は複数個の色を表示する複数個の発光領域ＰＡ１＿１、ＰＡ２＿１、ＰＡ３＿１を含む。発光領域ＰＡ１＿１、ＰＡ２＿１、ＰＡ３＿１は、複数個の第１発光領域ＰＡ１＿１と、複数個の第２発光領域ＰＡ２＿１と、複数個の第３発光領域ＰＡ３＿１とを含む。
【0135】
例示的に、第１画素ＰＸ１は、２つの第１発光領域ＰＡ１＿１、４つの第２発光領域ＰＡ２＿１と、２つの第３発光領域ＰＡ３＿１とを含む。しかし、第１画素ＰＸ１に配置される第１、第２、及び第３発光領域ＰＡ１＿１、ＰＡ２＿１、ＰＡ３＿１の個数はこれに限らない。
【0136】
例示的に、第１発光領域ＰＡ１＿１は赤色を表示し、第２発光領域ＰＡ２＿１は緑色を表示し、第３発光領域ＰＡ３＿１は青色を表示する。しかし、第１、第２、第３発光領域ＰＡ１＿１、ＰＡ２＿１、ＰＡ３＿１によって表示される色はこれに限らない。
【0137】
例示的に、第１、第２、第３発光領域ＰＡ１＿１、ＰＡ２＿１、ＰＡ３＿１は矩形状を有してもよいが、第１、第２、第３発光領域ＰＡ１＿１、ＰＡ２＿１、ＰＡ３＿１の形状はこれに限らない。
【0138】
第１、第２、第３発光領域ＰＡ１＿１、ＰＡ２＿１、ＰＡ３＿１は画素定義膜ＰＤＬによって区画される。また、画素定義膜ＰＤＬは透過領域ＨＡに配置されない。
【0139】
第１発光領域ＰＡ１＿１及び第３発光領域ＰＡ３＿１は第１方向ＤＲ１に延長される。一対の第１及び第３発光領域ＰＡ１＿１、ＰＡ３＿１は、第３発光領域ＰＡ３＿１及び第１発光領域ＰＡ１＿１の順に配列される。他の一対の第１及び第３発光領域ＰＡ１＿１、ＰＡ３＿１は、第１発光領域ＰＡ１＿１及び第３発光領域ＰＡ３＿１の順に配列される。一対の第１及び第３発光領域ＰＡ１＿１、ＰＡ３＿１及び他の一対の第１及び第３発光領域ＰＡ１＿１、ＰＡ３＿１は第２方向ＤＲ２に互いに離隔される。
【0140】
第２発光領域ＰＡ２＿１は第２方向ＤＲ２に延長され、第１方向ＤＲ１に配列される。第２発光領域ＰＡ２＿１は一対の第１及び第３発光領域ＰＡ１＿１、ＰＡ３＿１と他の一対の第１及び第３発光領域ＰＡ１＿１、ＰＡ３＿１との間に配置される。
【0141】
図７ａは、本発明の一実施形態による表示装置ＤＤの断面図である。図７ｂは、本発明の一実施形態による表示装置ＤＤの断面図である。図７ｃ及び図７ｄは、本発明の一実施形態による表示装置ＤＤの一部分の断面図である。図７ａは図６ａのＩＩ－ＩＩ’切断線に対応する断面を示している。図７ｂは図７ａの曲げ領域ＢＡが曲げられた状態の断面一部示している。図７ａは表示パネルＤＰが曲げられる前の広げられた状態の図であって、表示パネルＤＰが電子装置ＥＤに設置されている状態を改定すると、図１ａのように電子装置ＥＤが広げられた状態で、表示パネルＤＰの第１領域ＡＡ１と第２領域ＡＡ２は互いに異なる平面上に配置される。これは図７ｂに示されている。曲げ領域ＢＡが曲げられた形状については図７ｂを参照して後述する。図７ｃは図６ａのＩＩＩ－ＩＩＩ’切断線に対応する断面を示している。図７ｄは図６ａのＩＶ－ＩＶ’切断線に対応する断面を示している。
【0142】
【0143】
ウィンドウモジュールＷＭは、薄膜ガラス基板ＵＴＧと、薄膜ガラス基板ＵＴＧの上に配置されるウィンドウ保護層ＰＦと、ウィンドウ保護層ＰＦの下面に配置されるベゼルパターンＢＰとを含む。本実施形態において、ウィンドウ保護層ＰＦは合成プラスチックフィルムを含む。ウィンドウモジュールＷＭは、ウィンドウ保護層ＰＦと薄膜ガラス基板ＵＴＧを結合する接着層ＡＬ１（以下、第１接着層）を更に含む。
【0144】
ベゼルパターンＢＰは図２に示した非表示領域ＤＰ－ＮＤＡに重畳する。ベゼルパターンＢＰは、薄膜ガラス基板ＵＴＧの一面またはウィンドウ保護層ＰＦの一面の上に配置される。図７ａではウィンドウ保護層ＰＦの下面に配置されるベゼルパターンＢＰを例示的に示している。これに限らず、ベゼルパターンＢＰはウィンドウ保護層ＰＦの上面に配置されてもよい。ベゼルパターンＢＰは有色の遮光膜であって、例えば、コーティング方式で形成される。ベゼルパターンＢＰは、ベース物質と、ベース物質に混合された染料または顔料を含む。ベゼルパターンＢＰは平面上で閉線状を有する。
【0145】
平面上において、薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅ（図７ｃを参照）はベゼルパターンＢＰに重畳しない。上述した条件を満足することで、薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－ＥがベゼルパターンＢＰから露出され、検査装置を介して薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅに発生した微細なクラックを検査する。検査装置は顕微鏡を含む。検査装置でウィンドウ保護ＰＦの上面の上から薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅを撮影し、薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅから始まったクラックを確認することができる。但し、これに限らず、ベゼルパターンＢＰは薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅに重畳してもよい。
【0146】
薄膜ガラス基板ＵＴＧの厚さは１５μｍ乃至４５μｍである。薄膜ガラス基板ＵＴＧは化学強化ガラスである。薄膜ガラス基板ＵＴＧは折りたたまれることと広げられることが繰り返されてもシワの発生が最小化される。
【0147】
ウィンドウ保護層ＰＦの厚さは５０μｍ乃至８０μｍである。ウィンドウ保護層ＰＦは、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、トリアセチルセルロース、ポリメチルメタクリレート、またはポリエチレンテレフタレートを含む。別途に示していないが、ウィンドウ保護層ＰＦの上面の上にはハードコーディング層、指紋防止層、及び反射防止層のうち少なくとも一つが配置される。
【0148】
第１接着層ＡＬ１は、感圧接着フィルム（ＰＳＡ、Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ａｄｈｅｓｉｖｅ ｆｉｌｍ）または光学透明接着部材（ＯＣＡ、Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）である。以下で説明する接着層も第１接着層ＡＬ１と同じであり、通常の接着剤を含む。
【0149】
第１接着層ＡＬ１は薄膜ガラス基板ＵＴＧから分離される。薄膜ガラス基板ＵＴＧに比べウィンドウ保護層ＰＦの強度が低いため、ウィンドウ保護層ＰＦにスクラッチが相対的に容易に発生する。第１接着層ＡＬ１とウィンドウ保護層ＰＦを分離した後、新しいウィンドウ保護層ＰＦを薄膜ガラス基板ＵＴＧに取り付ける。
【0150】
別途に図示していないが、ウィンドウ保護層ＰＦは薄膜ガラス基板ＵＴＧの上面に直接配置されるプラスチック樹脂層を含む。インサートモルディング方式を利用して薄膜ガラス基板ＵＴＧの上面に接触するプラスチック樹脂層を形成する。プラスチック樹脂層を形成する前に、薄膜ガラス基板ＵＴＧの上面にベゼルパターンＢＰを形成する。よって、プラスチック樹脂層がベゼルパターンＢＰをカバーする。
【0151】
別途に図示していないが、ウィンドウ保護層ＰＦの上にはハードコーディング層が配置される。ハードコーディング層は表示装置ＤＤの最外面に配置され、表示装置ＤＤの使用特性を向上させるための機能である。例えば、ハードコーディング層によって指紋防止特性、汚染防止特性、スクラッチ防止特性などが向上される。
【0152】
表示モジュールＤＭは、耐衝撃層ＤＭＰと、表示パネルＤＰと、パネル保護層ＰＰＬと、バリア層ＢＲＬと、下側部材ＬＭとを含む。下側部材ＬＭは、支持層ＰＬＴと、カバー層ＳＣＶと、デジタイザＤＴＭと、電磁気遮蔽層ＥＭＳと、下部金属プレートＭＰと、放熱層ＨＲＰと、磁場遮蔽シートＭＳＭとを含む。表示モジュールＤＭは第２乃至第８接着層ＡＬ２～ＡＬ８を含む。第２乃至第８接着層ＡＬ２～ＡＬ８は感圧接着剤または光学透明接着剤のような接着剤を含む。本発明の一実施形態において、上述した構成のうち一部は省略されてもよい。例えば、下部金属プレートＭＰとそれに連関する第８接着層ＡＬ８は省略されてもよい。例えば、放熱層ＨＲＰ及び磁場遮蔽シートＭＳＭは省略されてもよい。一方、図７ａでは表示パネルＤＰのみ示したが、図４に示したように、表示パネルＤＰの上には入力センサＩＳ及び反射防止層ＬＦが更に配置されてもよい。
【0153】
耐衝撃層ＤＭＰは表示パネルＤＰの上に配置され、外部の衝撃から表示パネルＤＰを保護する機能を行う。耐衝撃層ＤＭＰを介して表示パネルＤＰの耐衝撃性が向上され、表示パネルＤＰの信号透過領域ＤＰ－ＴＡ（図６ａを参照）に対応して形成される下側部材ＬＭの孔などによって表示パネルＤＰが打撃される問題を防止する。第２接着層ＡＬ２が耐衝撃層ＤＭＰとウィドウモジュールＷＭを結合し、第３接着層ＡＬ３が耐衝撃層ＤＭＰと表示パネルＤＰを結合する。
【0154】
図７ｃ及び図７ｄを参照すると、平面上において、薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅはウィンドウ保護層ＰＦの端ＰＦ－Ｅに比べ内側に配置される。つまり、薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅは、ウィンドウ保護層ＰＦの端ＰＦ－Ｅに比べ表示領域ＤＰ－ＤＡ（図６ａを参照）に隣接して配置される。表示装置ＤＤの折りたたみ動作によって表示装置ＤＤに含まれる各層の間の位置関係が変形されるが、本発明の実施形態によると、薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅはウィンドウ保護層ＰＦの端ＰＦ－Ｅに比べ内側に配置されるため、表示装置ＤＤに含まれる各層の間の位置関係が変形されても、薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅはウィンドウ保護層ＰＦの端ＰＦ－Ｅより突出する確率が減少される。よって、薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅを介して外部の衝撃が伝達される可能性が減少される。その結果、薄膜ガラス基板ＵＴＧにクラックが発生する確率が減少される。薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅとウィンドウ保護層ＰＦの端ＰＦ－Ｅとの間の第１距離ｄ１は、１８０μｍ乃至２５０μｍ、例えば、２１０μｍである。
【0155】
図６ａ及び図７ｃを共に参照すると、非折りたたみ領域ＮＦＡ２０に対応する断面において、第２接着層ＡＬ２の端ＡＬ２－Ｅは薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅに比べ内側に配置される。つまり、第２接着層ＡＬ２の端ＡＬ２－Ｅは、薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅに比べ表示領域ＤＰ－ＤＡに隣接して配置される。本発明の実施形態によると、第２接着層ＡＬ２の端ＡＬ２－Ｅが薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅに比べ内側に配置されることで、表示装置ＤＤを折りたたみ動作の際に薄膜ガラス基板ＵＴＧにバックリング現象などの不良が発生することを防止する。第２接着層ＡＬ２の端ＡＬ２－Ｅと薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅとの間の第２距離ｄ２は、１７０μｍ乃至２３０μｍ、例えば、１９０μｍである。
【0156】
図６ａ及び図７ｄを共に参照すると、折りたたみ領域ＦＡ０に対応する断面において、第２接着層ＡＬ２の端ＡＬ２－Ｅは薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅと実質的に整列される。つまり、非折りたたみ領域ＮＦＡ２０でとは異なって、第２接着層ＡＬ２の端ＡＬ２－Ｅが薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅに比べ内側に配置されずに実質的に同じ位置に配置される。一方、本明細書において、厚さや幅、間隔などが「実質的に同じである」ということは、厚さや幅、間隔などが物理的に完全に同じ場合だけでなく、設計上同じであるが工程上発生し得る誤差のため多少差がある場合を含む。本発明の実施形態によると、折りたたみ領域ＦＡ０を除いた非折りたたみ領域ＮＦＡ１０、ＮＦＡ２０では第２接着層ＡＬ２の端ＡＬ２－Ｅが薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅに比べ内側に配置されてバックリング不良などを防止するが、折りたたみ領域ＦＡ０では第２接着層ＡＬ２の端ＡＬ２－Ｅが薄膜ガラス基板ＵＴＧの端ＵＴＧ－Ｅと整列されるように設計して、折りたたみ領域ＦＡ０で薄膜ガラス基板ＵＴＧと耐衝撃層ＤＭＰとの間の接着力を向上させ、繰り返しの折りたたみによって薄膜ガラス基板ＵＴＧと耐衝撃層ＤＭＰを取り付ける第２接着層ＡＬ２の接着力が減少して剥離が発生するなどの問題を防止する。
【0157】
更に図７ａ及び図７ｂを参照すると、パネル保護層ＰＰＬは表示パネルＤＰの下側に配置される。パネル保護層ＰＰＬは表示モジュールＤＰの下部を保護する。パネル保護層ＰＰＬは可撓性プラスチック物質を含む。例えば、パネル保護層ＰＰＬはポリエチレンテレフタレートを含む。本発明の一実施形態において、パネル保護層ＰＰＬは曲げ領域ＢＡに配置されない。パネル保護層ＰＰＬは、表示パネルＤＰの第１領域ＡＡ１を保護する第１パネル保護層ＰＰＬ－１と、第２領域ＡＡ２を保護する第２パネル保護層ＰＰＬ－２とを含む。
【0158】
第４接着層ＡＬ４はパネル保護層ＰＰＬと表示パネルＤＰを接着する。第４接着層ＡＬ４は、第１パネル保護層ＰＰＬ－１に対応する第１部分ＡＬ４－１と、第２パネル保護層ＰＰＬ－２に対応する第２部分ＡＬ４－２とを含む。
【0159】
図７ｂに示したように、曲げ領域ＢＡが曲げられる際、第２パネル保護層ＰＰＬ－２は第２領域ＡＡ２と共に第１領域ＡＡ１及び第１パネル保護層ＰＰＬ－１の下側に配置される。パネル保護層ＰＰＬが曲げ領域ＢＡに配置されないため、曲げ領域ＢＡがより容易に曲げられる。
【0160】
曲げ領域ＢＡは所定の曲率及び曲率半径を有する。曲率半径は約０．１ｍｍ乃至０．５ｍｍである。曲げ保護層ＢＰＬは少なくとも曲げ領域ＢＡに配置される。曲げ保護層ＢＰＬは曲げ領域ＢＡ、第１領域ＡＡ１、及び第２領域ＡＡ２に重畳する。曲げ保護層ＢＰＬは第１領域ＡＡ１の一部分、及び第２領域ＡＡ２の一部分の上に配置される。
【0161】
曲げ保護層ＢＰＬは曲げ領域ＢＡと共に曲げられる。曲げ保護層ＢＰＬは外部の衝撃から曲げ領域ＢＡを保護し、曲げ領域ＢＡの中立面を制御する。曲げ領域ＢＡに配置される信号ラインに中立面が近づくように、曲げ保護層ＢＰＬは曲げ領域ＢＡのストレスを制御する。
【0162】
図７ａ及び図７ｂに示したように、第５接着層ＡＬ５がパネル保護層ＰＰＬとバリア層ＢＲＬを結合する。バリア層ＢＲＬはパネル保護層ＰＰＬの下側に配置される。バリア層ＢＲＬは外部の押圧による圧縮力に対する抵抗力を上げる。よって、バリア層ＢＲＬは表示パネルＤＰの歪みを防ぐ役割をする。バリア層ＢＲＬはポリイミドまたはポリエチレンテレフタレートのような可撓性プラスチック物質を含む。また、バリア層ＢＲＬは光透過率が低い有色のフィルムである。バリア層ＢＲＬは外部から入射される光を吸収する。例えば、バリア層ＢＲＬは黒色のプラスチックフィルムである。ウィンドウ保護層ＷＰの上側から表示装置ＤＤを眺める際、バリア層ＢＲＬの下側に配置される構成要素はユーザに視認されない。
【0163】
第６接着層ＡＬ６がバリア層ＢＲＬと支持層ＰＬＴを結合する。第６接着層ＡＬ６は互いに離隔される第１接着部分ＡＬ６－１と第２接着部分ＡＬ６－２とを含む。第１接着部分ＡＬ６－１と第２接着部分ＡＬ６－２の離隔された距離Ｗ３、つまり、第１接着部分ＡＬ６－１と第２接着部分ＡＬ６－２との間の間隔は折りたたみ領域ＦＡ０の幅に対応し、後述するデジタイザＤＴＭの第１及び第２デジタイザＤＴＭ－１、ＤＴＭ－２の間のギャップより大きい。第１接着部分ＡＬ６－１と第２接着部分ＡＬ６－２の離隔された距離Ｗ３は７ｍｍｍ乃至１５ｍｍであるが、好ましくは９ｍｍ乃至１２ｍｍである。例えば、第１接着部分ＡＬ６－１と第２接着部分ＡＬ６－２の離隔された距離Ｗ３は９．６５ｍｍである。
【0164】
本実施形態において、第１接着部分ＡＬ６－１と第２接着部分ＡＬ６－２は一つの接着層の互いに異なる部分と定義されているが、これに限らない。第１接着部分ＡＬ６－１が一つの接着層（例えば、第１接着層）と定義されれば、第２接着部分ＡＬ６－２は他の一つの接着層（例えば、第２接着層）と定義されてもよい。
【0165】
支持層ＰＬＴはバリア層ＢＲＬの下側に配置される。支持層ＰＬＴは支持層の上側に配置される構成を支持し、表示装置ＤＤの広げられた状態と折りたたまれた状態を維持する。支持層ＰＬＴは、少なくとも第１非折りたたみ領域ＮＡＦ１０に対応する第１支持部分ＰＬＴ－１と、第２非折りたたみ領域ＮＡＦ２０に対応する第２支持部分ＰＬＴ－２とを含む。第１支持部分ＰＬＴ－１と第２支持部分ＰＬＴ－２は第２方向ＤＲ２内で互いに離隔される。
【0166】
本実施形態のように、支持層ＰＬＴは、折りたたみ領域ＦＡ０に対応し、第１支持部分ＰＬＴ－１と第２支持部分ＰＬＴ－２との間に配置され、複数の開口部ＯＰが定義された折りたたみ部分ＰＬＴ－Ｆを含む。折りたたみ部分ＰＬＴ－Ｆには複数の開口部ＯＰが定義され、図１ｂ及び図１ｃに示した折りたたみ動作の際に支持層ＰＬＴに加えられるストレスが減少される。一方、折りたたみ部分ＰＬＴ－Ｆに定義された複数の開口部ＯＰは互いにずれるように配列される複数の行で提供される。
【0167】
支持層ＰＬＴは、後述するデジタイザＤＴＭから発生した磁場を無損失または最小限の損失で透過する材料から選択される。支持層ＰＬＴは非金属材料を含む。支持層ＰＬＴは、プラスチック、ガラス繊維強化プラスチック、またはガラスを含む。支持層ＰＬＴは、例えば、炭素繊維強化プラスチック（Ｃａｒｂｏｎ Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃ、ＣＦＲＰ）を含む。支持層ＰＬＴに含まれる第１支持部分ＰＬＴ－１、第２支持部分ＰＬＴ－２、及び折りたたみ部分ＰＬＴ－Ｆは互いに同じ物質を含む。第１支持部分ＰＬＴ－１、第２支持部分ＰＬＴ－２、及び折りたたみ部分ＰＬＴ－Ｆは一体の形状を有する。
【0168】
折りたたみ領域ＦＡ０に対応する支持層ＰＬＴの一部領域には複数の開口部ＯＰが定義される。支持層ＰＬＴの折りたたみ部分ＰＬＴ－Ｆに複数の開口部ＯＰが定義される。開口部ＯＰによって支持層ＰＬＴの可撓性が向上される。折りたたみ領域ＦＡ０に対応する領域に第６接着層ＡＬ６が配置されないことで、支持層ＰＬＴの可撓性を向上させることができる。
【0169】
支持層ＰＬＴの下には第７接着層ＡＬ７及びカバー層ＳＣＶが配置される。以下、本明細書において、第７接着層ＡＬ７は下部接着層と称される。
【0170】
カバー層ＳＣＶはシート状に製造されて支持層ＰＬＴに取り付けられる。カバー層ＳＣＶは支持層ＰＬＴより低い弾性係数を有する。例えば、カバー層ＳＣＶは熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）、ゴム、及びシリコンのうち少なくともいずれか一つを含む。図示していないが、カバー層ＳＣＶは別途の追加接着層によって支持層ＰＬＴの下に取り付けられる。
【0171】
下部接着層ＡＬ７は支持層ＰＬＴの下に配置され、支持層ＰＬＴとデジタイザＤＴＭを取り付ける。下部接着層ＡＬ７は、第１支持部分ＰＬＴ－１の下に配置される第１下部接着層ＡＬ７－１と、第２支持部分ＰＬＴ－２の下に配置される第２下部接着層ＡＬ７－２を含む。
【0172】
デジタイザＤＴＭはＥＭＲ感知パネルとも呼ばれるが、電子ペンとの予め設定された共振周波数の磁場を発生する多数のループコイル（ｌｏｏｐ ｃｏｉｌ）とを含む。ループコイルで形成された磁場は、電子ペンのインダクタ（コイル）とキャパシタからなるＬＣ共振回路（ＬＣ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｃｉｒｃｕｉｔ）に印加される。コイルは受信された磁場によって電流を発生し、発生した電流をキャパシタに伝達する。それによって、キャパシタはコイルから入力される電流を充電し、充電された電流をコイルに放電する。結局、コイルには共振周波数の磁場が放出される。電子ペンによって放出された磁場はデジタイザＤＴＭのループコイルによって更に吸収されるが、それによって電子ペンがタッチスクリーンのどの位置に近接しているのかを判断する。
【0173】
デジタイザＤＴＭは、第１下部接着層ＡＬ７－１の下に取り付けられる第１デジタイザＤＴＭ－１と、第２下部接着層ＡＬ７－２の下に取り付けられる第２デジタイザＤＴＭ－２とを含む。第１デジタイザＤＴＭ－１は第２デジタイザＤＴＭ－２と所定のギャップを置いて離隔されて配置される。ギャップは０．３ｍｍ以上３ｍｍ以下である。より詳しくは、ギャップは０．４ｍｍ以上２ｍｍ以下である。ギャップは折りたたみ領域ＦＡ０に対応するように定義される。デジタイザＤＴＭに関する詳細な説明は後述する。
【0174】
デジタイザＤＴＭの下側に電磁気遮蔽層ＥＭＳが配置される。図２に示した電子モジュールＥＬＭ及び制御モジュールＥＭなどから発生した電磁波がノイズとしてデジタイザＤＴＭに影響を及ぼすことを遮断するために電磁気遮蔽層ＥＭＳが追加される。電磁気遮蔽層ＥＭＳは、第１デジタイザＤＴＭ－１と第２デジタイザＤＴＭ－２にそれぞれ対応する第１電磁気遮蔽層ＥＭＳ－１と第２電磁気遮蔽層ＥＭＳ－２とを含む。本実施形態において、電磁気遮蔽層ＥＭＳは銅シートである。電磁気遮蔽層ＥＭＳは磁性金属粉末層（ＭＭＰ、ｍａｇｎｅｔｉｃ ｍｅｔａｌ ｐｏｗｄｅｒ）を含む。磁性金属粉末層はコーティング及び硬化工程によってデジタイザＤＴＭの下面に直接形成される。本発明の一実施形態において、電磁気遮蔽層ＥＭＳは省略されてもよい。
【0175】
第８接着剤ＡＬ８は電磁気遮蔽層ＥＭＳと下部金属プレートＭＰを結合する。第８接着剤ＡＬ８は互いに離隔される第１部分ＡＬ８－１と第２部分ＡＬ８－２とを含む。下部金属プレートＭＰは、第１部分ＡＬ８－１と第２部分ＡＬ８－２にそれぞれ取り付けられる第１下部金属プレートＭＰ－１と第２下部金属プレートＭＰ－２とを含む。下部金属プレートＭＰは放熱層を向上させ、図７ｂに示したように、第２パネル保護層ＰＰＬ－２を曲げてから固定する際、取り付け工程で発生する外部の圧力から下部金属プレートＭＯの上側の構成を保護する。
【0176】
下部金属プレートＭＰの下に放熱層ＨＲＰが配置される。放熱層ＨＲＰは高い熱伝導性を有するシートである。放熱層ＨＲＰは金属または金属合金を含むが、例えば、放熱層ＨＲＰは銅、銅合金、またはグラファイトを含む。
【0177】
放熱層ＨＲＰは第１放熱層ＨＲＰ－１と第２放熱層ＨＲＰ－２とを含む。第１放熱層ＨＲＰ－１及び第２放熱層ＨＲＰ－２は所定の間隔だけ離隔される。第１放熱層ＨＲＰ－１と第２放熱層ＨＲＰ－２との間の間隔は０．４ｍｍ乃至２ｍｍであるが、特にこれに限らない。第１放熱層ＨＲＰ－１と第２放熱層ＨＲＰ－２との間の間隔は折りたたみ領域ＦＡ０に対応するように配置される。
【0178】
磁場遮蔽シートＭＳＭはデジタイザＤＴＭの下に配置される。磁場遮蔽シートＭＳＭは複数個の部分を有する。複数個の部分のうち少なくとも一部は異なる厚さを有する。磁場遮蔽シートＭＳＭの複数個の部分は表示装置ＤＤの下側に配置されるブラケット（図示せず）が有する段差に符合して配置される。磁場遮蔽シートＭＳＭは、例えば、デジタイザＤＴＭの下のうち電磁気遮蔽層ＥＭＳが配置されていない部分の下に配置される。また、磁場遮蔽シートＭＳＭは、例えば、下部金属プレートＭＰの下のうち放熱層ＨＲＰが配置されていない部分の下に配置される。磁場遮蔽シートＭＳＭは磁場遮蔽層と接着層が交互に積層される構造を有する。磁場遮蔽シートＭＳＭは下側に配置される磁性体（図示せず）から発生した磁場を遮蔽する。磁場遮蔽シートＭＳＭは磁性体から発生した磁場がデジタイザＤＴＭに干渉することを防止する。図示していないが、プリント回路基板ＰＣＢは磁場遮蔽シートＭＳＭの上に配置される。
【0179】
図示していないが、下側部材ＬＭの一部の部材に貫通孔が形成される。貫通孔は、図２の信号透過領域ＤＰ－ＴＡに重畳して配置される。例えば、貫通孔は第５接着層ＡＬ５から下部金属プレートＭＰまで貫通する。貫通孔が形成されることで、光信号の経路に光信号を遮断する構造物が除去される。貫通孔は電子モジュールＥＭ（図２）の光信号の受信効率を向上させる。
【0180】
図８は、本発明の一実施形態による下側部材ＬＭの断面図である。図８では図７ａに示した下側部材ＬＭのうち支持層ＰＬＴ、カバー層ＳＣＶ、下部接着層ＡＬ７、及びデジタイザＤＴＭを示しており、電磁気遮蔽層ＥＭＳ、下部金属プレートＭＰ、放熱層ＨＲＰ、及び磁場遮蔽シートＭＳＭは省略している。
【0181】
図８を参照すると、支持層ＰＬＴは順次に配列される第１支持部分ＰＬＴ－１と、折りたたみ部分ＰＬＴ－Ｆと、第２支持部分ＰＬＴ－２とを含む。折りたたみ部分ＰＬＴ－Ｆには複数の開口部ＯＰが定義される。
【0182】
カバー層ＳＣＶはシート状に製造されて支持層ＰＬＴに取り付けられる。カバー層ＳＣＶは支持層ＰＬＴの折りたたみ部分ＰＬＴ－Ｆに対応する部分の下に取り付けられる。カバー層ＳＣＶは折りたたみ部分ＰＬＴ－Ｆの下に配置され、折りたたみ部分ＰＬＴ－Ｆに定義された複数の開口部ＯＰに水分及び異物が進入することを遮断する。カバー層ＳＣＶは弾性係数が低い物質、例えば、熱可塑性ポリウレタンを含む。カバー層ＳＣＶは支持層ＰＬＴの折りたたみ部分ＰＬＴ－Ｆの下に取り付けられ、第１支持部分ＰＬＴ－１及び第２支持部分ＰＬＴ－２のうち大部分の下には配置されない。
【0183】
下部接着層ＡＬ７層は支持層ＰＬＴの下に配置され、支持層ＰＬＴとデジタイザＤＴＭを取り付ける。下部接着層ＡＬ７は支持層ＰＬＴの下面に接触し、デジタイザＤＴＭの上面に接触する。つまり、下部接着層ＡＬ７によって支持層ＰＬＴとデジタイザＤＴＭが取り付けられる部分において、支持層ＰＬＴとデジタイザＤＴＭとの間には下部接着層ＡＬ７以外に他の構成が配置されない。
【0184】
下部接着層ＡＬ７は平面上においてカバー層ＳＣＶと重畳しない。つまり、下側部材ＬＭの厚さ方向さから眺める際、下部接着層ＡＬ７とカバー層ＳＣＶは重畳しない。下部接着層ＡＬ７は、第１支持部分ＰＬＴ－１の下に配置される第１下部接着層ＡＬ７－１と、第２支持部分ＰＬＴ－２の下に配置される第２下部接着層ＡＬ７－２を含む。第１下部接着層ＡＬ７－１及び第２下部接着層ＡＬ７－２は互いに離隔されて配置され、カバー層ＳＣＶは第１下部接着層ＡＬ７－１及び第２下部接着層ＡＬ７－２が互いに離隔された間に配置される。
【0185】
下部接着層ＡＬ７がカバー層ＳＣＶと重畳せずに支持層ＰＬＴとデジタイザＤＴＭを直接取り付けることで、下部接着層ＡＬ７の厚さを厚くする。一実施形態において、下部接着層ＡＬ７の厚さｈ２はカバー層ＳＣＶの厚さｈ１より大きい。下部接着層ＡＬ７の厚さｈ２は１５μｍ以上２５μｍ以下である。例えば、下部接着層ＡＬ７の厚さｈ２は２０μｍである。カバー層ＳＣＶの厚さｈ１は１０μｍ以上２０μｍ以下である。例えば、カバー層ＳＣＶの厚さｈ１は１６μｍである。下部接着層ＡＬ７の厚さｈ２がカバー層ＳＣＶの厚さｈ１より厚いことで、カバー層ＳＣＶはデジタイザＤＴＭの上面から多少離隔されるように配置される。カバー層ＳＣＶは支持層ＰＬＴの下面に接触し、デジタイザＤＴＭの上面に接触しない。
【0186】
カバー層ＳＣＶの一方向への幅は折りたたみ部分ＰＬＴ－Ｆの一方向への幅より大きい。一実施形態において、第１支持部分ＰＬＴ－１、折りたたみ部分ＰＬＴ－Ｆ、及び第２支持部分ＰＬＴ－２が配列される第２方向ＤＲ２を基準に、折りたたみ部分ＰＬＴ－Ｆは第１幅Ｗ１を有し、カバー層ＳＣＶは第２幅Ｗ２を有する。第１幅Ｗ１は第２幅Ｗ２より小さい値を有する。第１幅Ｗ１は第２幅Ｗ２に比べ０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下小さい値を有する。一実施形態において、第１幅Ｗ１は約６ｍｍ以上約１０ｍｍ以下である。例えば、第１幅Ｗ１は約８．６５ｍｍである。一実施形態において、第２幅Ｗ２は約９ｍｍ以上約１５ｍｍ以下の値を有する。例えば、第２幅Ｗ２は約１０．６５ｍｍである。
【0187】
一方、図７ａに示したように、支持層ＰＬＴの上部に配置される第６接着層ＡＬ６に対して第１接着部分ＡＬ６－１と第２接着部分ＡＬ６－２の離隔された距離Ｗ３は第１幅Ｗ１より大きく、第２幅Ｗ２より小さい。第１接着部分ＡＬ６－１と第２接着部分ＡＬ６－２の離隔された距離Ｗ３は約９．６５ｍｍである。
【0188】
一実施形態の表示装置ＤＤに含まれる下側部材ＬＭにおいて、支持層ＰＬＴの下に配置されるカバー層ＳＣＶは折りたたみ部分ＰＬＴ－Ｆに対応する部分に配置され、折りたたみ部分ＰＬＴ－Ｆではない第１支持部分ＰＬＴ－１と第２支持部分ＰＬＴ－２の下の大部分の領域には配置されない。それによって、第１支持部分ＰＬＴ－１と第２支持部分ＰＬＴ－２の下に配置される下部接着層ＡＬ７は、他の構成が介入されていない状態で支持層ＰＬＴとデジタイザＤＴＭを直接取り付ける。それによって、一実施形態の表示装置ＤＤでは、カバー層ＳＣＶが支持層ＰＬＴの第１支持部分ＰＬＴ－１、折りたたみ部分ＰＬＴ－Ｆ、及び第２支持部分ＰＬＴ－２のいずれにも重畳するように配置される場合に比べ、下部接着層ＡＬ７の厚さを厚く設計することができる。よって、下部接着層ＡＬ７と支持層ＰＬＴ、デジタイザＤＴＭの間の界面での接着力を改善することができ、それによって表示装置ＤＤの耐久性及び防水特性などが改善される。
【0189】
図９ａは、本発明の一実施形態によるデジタイザＤＴＭの平面図である。図９ｂは、本発明の一実施形態によるデジタイザＤＴＭの感知領域ＳＡ１の平面図である。図９ｃは、本発明の一実施形態によるデジタイザＤＴＭの感知領域ＳＡ１の断面図である。図９ｄは、本発明の一実施形態によるデジタイザＤＴＭの一部と下部接着層ＡＬ７の断面図である。
【0190】
図９ａに示したように、デジタイザＤＴＭは互いに離隔された第１デジタイザＤＴＭ－１と第２デジタイザＤＴＭ－２とを含む。第１デジタイザＤＴＭ－１と第２デジタイザＤＴＭ－２は所定のギャップＧＰを置いて離隔されて配置される。ギャップＧＰは０．３ｍｍ以上３ｍｍ以下である。より詳しくは、ギャップＧＰは０．４ｍｍ以上２ｍｍ以下である。ギャップＧＰは上述した折りたたみ領域ＦＡ０（図７ａ）に対応するように定義される。
【0191】
第１デジタイザＤＴＭ－１と第２デジタイザＤＴＭ－２に第１フレキシブル回路フィルムＦＣＢ１と第２フレキシブル回路フィルムＦＣＢ２がそれぞれ電気的に連結される。第１フレキシブル回路フィルムＦＣＢ１と第２フレキシブル回路フィルムＦＣＢ２は同じ回路基板に連結される。例えば、図２で説明したプリント回路基板ＰＣＢや、プリント回路基板ＰＣＢに連結されるメイン回路基板などに第１フレキシブル回路フィルムＦＣＢ１と第２フレキシブル回路フィルムＦＣＢ２がそれぞれ連結される。第１フレキシブル回路フィルムＦＣＢ１と第２フレキシブル回路フィルムＦＣＢ２は一つの回路フィルムに代替されてもよい。
【0192】
第１デジタイザＤＴＭ－１と第２デジタイザＤＴＭ－２それぞれは第１感知領域ＳＡ１と第２感知領域ＳＡ２をそれぞれ含み、第１非感知領域ＮＳＡ１と第２非感知領域ＮＳＡ２をそれぞれ含む。第１非感知領域ＮＳＡ１と第２非感知領域ＮＳＡ２は第１感知領域ＳＡ１と第２感知領域ＳＡ２にそれぞれ隣接して配置される。第１デジタイザＤＴＭ－１と第２デジタイザＤＴＭ－２の構成は実質的に同じであるため、以下、第１デジタイザＤＴＭ－１を中心に説明する。
【0193】
図９ｂに示したように、感知領域ＳＡ１は、複数個の第１ループコイル５１０（以下、第１コイル）と、複数の第２ループコイル５２０（以下、第２コイル）とを含む。第１コイル５１０は駆動コイルと称され、第２コイル５２０は感知コイルと称されるが、これに限らず、その逆であってもよい。
【0194】
第１コイル５１０それぞれは第１方向ＤＲ１に沿って配列され、それぞれは第２方向ＤＲ２に沿って延長される。第２コイル５２０それぞれは第１方向ＤＲ１に沿って延長され、第２コイル５２０は第２方向ＤＲ２に互いに離隔されて配列される。図９ｂの図示とは異なって、第１コイル５１０は隣接したコイルが互いに重畳するように配列されてもよい。第１コイル５１０の交差領域にはブリッジパターンが配置される。第２コイル５２０は隣接したコイルが互いに重畳するように配列される。第２コイル５２０の交差領域にはブリッジパターンが配置される。
【0195】
第１コイル５１０の第１端子５１０ｔに交流信号が順次に提供される。第１コイル５１０の第１端子５１０ｔと他の一つの端子は接地される。第１コイル５１０の第１端子５１０ｔには信号ラインがそれぞれ連結されるが、図５ｂには示されていない。このような信号ラインは図５ａに示した非感知領域ＮＳＡ１に配置される。
【0196】
第１コイル５１０に電流が流れたら、第１コイル５１０と第２コイル５２０との間に磁力線が誘導される。第２コイル５２０は電子ペンから放出された誘導電磁力を感知し、感知信号として第２コイル５２０の第２端子５２０ｔに出力する。第２コイル５２０の第２端子５２０ｔと他の一つの端子は接地される。第２コイル５２０の第２端子５２０ｔには信号ラインがそれぞれ連結されるが、図５ｂには示されていない。このような信号ラインは、図５ａに示した非感知領域ＮＳＡ１に配置される。
【0197】
図９乃至図９ｃを共に参照すると、第１デジタイザＤＴＭ－１は、ベース層ＤＴＭ－ＢＬと、ベース層ＤＴＭ－ＢＬの一面の上に配置される第１コイル５１０と、ベース層ＢＬの他面の上に配置される第２コイル５２０とを含む。ベース層ＤＴＭ－ＢＬはプラスチックフィルムを含むが、例えばポリイミドフィルムを含む。第１コイル５１０と第２コイル５２０は金属を含むが、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、またはアルミニウム（Ａｌ）などを含む。
【0198】
ベース層ＤＴＭ－ＢＬの一面と他面の上に第１コイル５１０と第２コイル５２０を保護する保護層が配置される。本実施形態において、保護層は、第１コイル５１０の上に配置され、第１接着層ＡＬ－Ｄ１を介して接着される第１保護層ＰＬ－Ｄ１と、第２コイル５２０の上に配置され、第２接着層ＡＬ－Ｄ２を介して接着される第２保護層ＰＬ－Ｄ２とを含む。第１保護層ＰＬ－Ｄ１と第２保護層ＰＬ－Ｄ２それぞれはプラスチックを含み、ポリイミドフィルムを含む。
【0199】
図９ｃに示したように、第１デジタイザＤＴＭ－１の上面と下面に第１コイル５１０と第２コイル５２０によって屈曲が発生する。デジタイザＤＴＭ（図８）の上部に配置される支持層ＰＬＴ（図８）によって、第１コイル５１０と第２コイル５２０によって発生した屈曲がユーザによって視認されることが防止される。つまり、支持層ＰＬＴはその下側に配置される第１コイル５１０と第２コイル５２０が表示装置ＤＤの上側で視認される不良を防止する。
【0200】
上述したように、支持層ＰＬＴは絶縁性を有する非金属材料を有するため、磁場が支持層ＰＬＴを通過する。支持層ＰＬＴの下側に配置されるデジタイザＤＴＭは外部入力を感知する。支持層ＰＬＴが金属材料を含めば、支持層ＰＬＴに含まれる金属材料によってデジタイザＤＴＭで発生した磁場が干渉を受けてデジタイザＤＴＭの感度が落ちるという問題が発生するが、本発明によるとそのような問題が発生しない。
【0201】
図８、図９ａ乃至図９ｄを共に参照すると、デジタイザＤＴＭの上部に配置される下部接着層ＡＬ７によってデジタイザＤＴＭの上面に発生した屈曲がカバーされる。下部接着層ＡＬ７は、第１デジタイザＤＴＭ－１及び第２デジタイザＤＴＭ－２それぞれの上面に発生した屈曲をカバーする。第１下部接着層ＡＬ７－１は第１デジタイザＤＴＭ－１の上面に発生した屈曲をカバーし、第２下部接着ＡＬ７－２は第２デジタイザＤＴＭ－２の上面に発生した屈曲をカバーする。下部接着層ＡＬ７は、第１コイル５１０によって第１デジタイザＤＴＭ－１の上面に発生した屈曲をカバーする。
【0202】
一実施形態の表示装置ＤＤでは下部接着層ＡＬ７が他の構成が介入されていない状態で支持層ＰＬＴとデジタイザＤＴＭを直接取り付けて、下部接着層ＡＬ７の厚さを厚く設計する。それによって、下部接着層ＡＬ７を介してデジタイザＤＴＭの上部に発生した屈曲をカバーし、デジタイザＤＴＭの配線の屈曲によって表示装置ＤＤの防水特性が低下することを防止する。
【0203】
これまで本発明の好ましい実施形態を参照して説明したが、該当技術分野における熟練した当業者または該当技術分野における通常の知識を有する者であれば、後述する請求の範囲に記載の本発明の思想及び技術領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更し得ることを理解できるはずである。よって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載の内容に限らず、特許請求の範囲によって決められるべきである。
【産業上の利用可能性】
【0204】
最近、多様な形状の電子装置が開発されるにつれ、折りたたみ可能な電子装置が開発されている。折りたたみ可能な電子装置の繰り返しの折りたたみによる耐久性を確保すべきである一方、異物防止層及びデジタイザなどの機能層が取り入れられても折りたたみ特性及び装置の耐久性に異常が発生してはならない。よって、折りたたみ部分の下に取り付けられるカバー層を取り入れて、異物の進入を防止しながらも、厚い接着層を確保することができるため、耐久性が低下しない電子装置を提供する本発明は産業上の利用可能性が高い。
【図1a】
【図1b】
【図1c】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6a】
【図6b】
【図6c】
【図7a】
【図7b】
【図7c】
【図7d】
【図8】
【図9a】
【図9b】
【図9c】
【図9d】
【国際調査報告】