(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-07-12
(54)【発明の名称】低損失インダクタ
(51)【国際特許分類】
H01F 17/04 20060101AFI20240705BHJP
H01F 41/04 20060101ALI20240705BHJP
H02M 3/00 20060101ALI20240705BHJP
B33Y 80/00 20150101ALI20240705BHJP
【ＦＩ】
H01F17/04
H01F41/04 C
H02M3/00 Y
B33Y80/00
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023577511
(86)(22)【出願日】2022-06-24
(85)【翻訳文提出日】2023-12-15
(86)【国際出願番号】 EP2022067405
(87)【国際公開番号】W WO2022269063
(87)【国際公開日】2022-12-29
(31)【優先権主張番号】102021116533.4
(32)【優先日】2021-06-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】518379278
【氏名又は名称】テーデーカー エレクトロニクス アーゲー
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(74)【代理人】
【識別番号】100135079
【弁理士】
【氏名又は名称】宮崎 修
(72)【発明者】
【氏名】イェレツ ガルデアノ，フェリペ
(72)【発明者】
【氏名】ギンペル，トマス
(72)【発明者】
【氏名】レンツェン，トマス
(72)【発明者】
【氏名】ドレスプリング，アンネリーゼ
(72)【発明者】
【氏名】ノイライター，ラインハルト
【テーマコード（参考）】
5E062
5E070
5H730
【Ｆターム（参考）】
5E062FF01
5E062FF03
5E070AA01
5E070AB02
5H730AA14
5H730AS01
5H730ZZ17
(57)【要約】
【要約】
損失を低減したインダクタを提供する。インダクタは、第１の端子と、第２の端子と、第１の端子と第２の端子との間の導体とを備える。第１の端子、導体、および第２の端子は、モノリシック構造を確立する。
損失を低減したインダクタを提供する。インダクタは、第１の端子と、第２の端子と、第１の端子と第２の端子との間の導体とを備える。第１の端子、導体、および第２の端子は、モノリシック構造を確立する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の端子および第２の端子と、前記第１の端子と前記第２の端子との間の導体と、を備えるインダクタであって、
前記第１の端子、前記導体、および前記第２の端子は、モノリシック構造を確立する、インダクタ。
【請求項2】
前記インダクタは、電気化学付加製造（ＥＣＡＭ）プロセスを介して導出される、請求項１に記載のインダクタ。
【請求項3】
前記インダクタには、溶接点またははんだ付け点がない、請求項１または２に記載のインダクタ。
【請求項4】
前記インダクタは、外周と、前記外周内の体積とを有し、前記第１の端子、前記第２の端子、および前記導体は、体積を有する構造を確立し、 そして、
前記導体と前記第１及び第２の端子との構造体の体積は、前記インダクタの前記外周の体積の６０％～８０％またはそれより大きい、請求項１～３のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項5】
前記外周は、直方体または立方体の形状を有する、請求項４に記載のインダクタ。
【請求項6】
前記インダクタは、ＳＭＴ型インダクタである、請求項１～５のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項7】
前記導体は、銅、アルミニウム、銀、または金から選択される主要構成材料を含み、前記主要構成材料は、９０％以上、９５％以上、９８％以上、または９９％以上に等しい純度を有する、請求項１～６のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項8】
前記導体は、ディスクとは異なる断面を含む、請求項１～７のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項9】
前記導体は、正方形、長方形、多角形、円形、楕円形、およびこれらの形状のすべての組み合わせから選択される断面を含む、請求項１～８のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項10】
請求項１～９のいずれか１項に記載のインダクタを含む、ＤＣ－ＤＣコンバータ。
【請求項11】
請求項１～９のいずれか１項に記載のインダクタを製造する方法であって、前記方法は、ＥＣＡＭプロセスを含む、方法。
【請求項12】
複数のインダクタが同時に作成される、請求項１１に記載の方法。
【請求項13】
１つまたは複数のインダクタを製造するための、ＥＣＡＭプロセスの使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、インダクタの分野に関し、特に、ＤＣ－ＤＣコンバータに利用することができる低損失インダクタに関する。さらに、本発明は、そのようなインダクタを作成するための製造プロセスに関する。
【背景技術】
【0002】
インダクタは、インダクタンス素子の物理的な実施形態を確立する。したがって、インダクタは、そのインダクタンスによって特徴付けられるだけでなく、一般に望ましくない抵抗損失によっても特徴付けられる。これに対応して、インダクタを含む回路部品の効率は、インダクタなどの受動部品によって引き起こされる損失に依存する。従って、望まれるのは、抵抗損失が低減されたインダクタである。
【0003】
インダクタは、異なる方法を利用して製造することができる。銅線などの銅構造を使用し、巻線を得るためにワイヤを曲げることによってインダクタを作成することが可能である。さらに、薄膜技術を利用してインダクタを作成することが可能である。
【0004】
しかしながら、対応する電気回路の効率を向上させることができ、抵抗損失が低減されたインダクタが必要とされている。さらに、対応するインダクタは、信頼性が高く機械的に安定したコイル構造を有するべきである。さらに、インダクタは、例えばコイル構造の好ましい形状からの小さな偏差に厳密に従うことによって得られる、正確に規定されたインダクタンスを有することが好ましい。さらに、インダクタは、ＳＭＴ型インダクタ（ＳＭＴ＝表面実装技術）として使用できることが好ましい。
【0005】
米国特許第９４９００６２号明細書および米国特許第１００１４１０２号明細書から、薄膜技術を利用するプロセスから得られるコイル構造が知られている。インダクタを確立するためにも使用され得る３Ｄ印刷は、ＷＯ ０２／０７９１８ Ａ１、ＵＳ ６１１７６１２ ＡおよびＷＯ ２０１９／０９２１９３ Ａ１から知られている。ＷＯ ９８／２４５７４ Ａ１またはＷＯ ０１／８１０３１ Ａ１から、金属粒子を含有する熱可塑性化合物を加工するためのレーザーまたは電子ビームを含む融合プロセスが知られている。
【0006】
しかしながら、既知のインダクタ又は既知のプロセスで製造され得るインダクタと比較して、改善されたパラメータを有するインダクタを有することが望まれる。
【発明の概要】
【0007】
この目的のために、独立請求項１に記載のインダクタが提供される。従属請求項は、好ましい実施形態、製造方法、またはインダクタを製造するための特定のプロセスの使用を提供する。
【0008】
インダクタは、第１の端子と第２の端子とを備える。さらに、インダクタは、第１の端子と第２の端子との間に導体を備える。第１の端子、導体、および第２の端子は、モノリシック構造を確立する。
【0009】
このインダクタでは、第１端子および第２端子は、インダクタを外部回路環境に電気的に接続することを可能にする端子を確立することができる。第１の端子と第２の端子との間の導体は、インダクタのコイル構造を確立する。第１の端子、導体、および第２の端子がモノリシック構造を確立するという事実は、コイル構造のセグメントが互いにはんだ付けされるかまたは溶接される既知のインダクタとはインダクタを区別する。モノリシック構造を設けることにより、本質的に、抵抗損失が低減され、信頼性が向上し、多孔性が低減され、エネルギー効率が向上した対応する電気回路が可能になる。
【0010】
インダクタは、電気化学付加製造プロセス（ＥＣＡＭ）を介して導出され得る。
【0011】
ＥＣＡＭ法は、製造プロセス中に材料の堆積を調整するために、その場制御ループの使用を可能にする。ＥＣＡＭは、ＵＳ ２０２１／００５４５１６ Ａ１またはＵＳ ２０１７／０１４５５８４ Ａ１から知られている。インダクタを確立するためにＥＣＡＭを使用することによって、インダクタに使用される材料が、ガルバニック浴内でどの領域および方向に成長され得るかを制御することが可能である。このために、共通に使用される底部カソードと、底部カソードの上方に配置された独立して使用可能なアノードセグメントとを使用することが可能である。アノードセグメントは、列と行を有するマトリックス状のパターンに配置され、互いに独立して作動される。
【0012】
このようなＥＣＡＭプロセスは、端子と、端子間にコイル構造を確立する導体とを有するモノリシックインダクタの作成を可能にする。さらに、ＥＣＡＭプロセスを使用することにより、対応する導体形状の高い精度が可能になり、インダクタの作成後の熱処理が不要であるため、変形がなくなる。また、複数のインダクタを同時に形成することもできる。したがって、印刷に焼成および焼結を加えて得られるインダクタと比較して、インダクタごとに、より短いプロセス時間が得られる。したがって、印刷後に中間乾燥プロセスも必要ないので、より費用効率の高い解決策が提供される。
【0013】
ＥＣＡＭプロセスを使用する特別な利点は、コイル構造の形状を規定する高い柔軟性である。具体的には、体積当たりの導電体の割合を最大化することができる。また、個々に作動可能なアノードセグメントのプログラミングのみが必要であるため、コイル構造の１つの形状からコイル構造の別の形状への切り替えが短時間で可能である。
【0014】
これに対応して、インダクタに溶接点またははんだ付け点がないことがあり得る。
【0015】
また、インダクタは、外周と、外周内の体積とを有し得る。第１の端子、第２の端子、および導体は、体積を有する構造を確立する。そして、導体と第１及び第２の端子との構造体の体積は、インダクタの外周の体積に対して６０％以上、又は８０％以上である。好ましい体積範囲は６０％～８０％である。これにより、充填度を高めることができる。したがって、所与のインダクタンスに対して、対応するインダクタは、より小さい空間寸法および／または低減された重量で製造され得る。
【0016】
さらに、重量が低減され、空間寸法がより小さくなることにより、インダクタを確立するのに必要な化学物質の量も低減される。これにより、コストをさらに低減することができる。
【0017】
外周は、直方体または立方体の形状を有することが可能である。したがって、インダクタの設計者は、インダクタの個々の形状を設計する際に複数の新しい自由度を得るので、外部回路環境内で異なるインダクタを充填する大きな程度も可能である。実際、インダクタを設計する際の自由度は、個々に作動可能なアノードセグメントを含むマトリックスの解像度によってのみ制限される。
【0018】
インダクタは、ＳＭＴ型インダクタであり得る。したがって、インダクタは、外部回路環境、例えば、第１の端子および第２の端子にそれぞれ接続されるように専用化された回路基板の表面上の接触構造を有する回路基板上に容易に集積され得る。
【0019】
さらに、導体は、銅、アルミニウム、銀、金、または高い導電性を有する別の好ましい材料から選択される主要構成材料を含み得る。主要構成材料は、９０％以上、９５％以上、９８％以上、または９９％以上に等しい純度を有し得る。
【0020】
ガルバニック浴中での主成分の材料の適用は、そのような高純度を簡単に得ることを可能にし、実質的に多孔性および抵抗損失を減少させる。
【0021】
特に、インダクタを設計する際の自由度がより高いことに起因して、導体は、巻回されたワイヤが通常はディスクの断面を有する巻回されたワイヤの断面とは異なる断面を含み得る。
【0022】
具体的には、導体は、正方形、長方形、多角形、円形、楕円形、およびこれらの形状のすべての組み合わせ、または異なるコイル巻線を短絡させることなくインダクタの周囲体積を高度に充填することを可能にする別の形状から選択される断面を備え得る。
【0023】
さらに、対応するＤＣ－ＤＣコンバータが、上述のようなインダクタを備え得る。
【0024】
ＤＣ－ＤＣコンバータは、インダクタが、電圧変換機能を確立するために、他のインダクタまたは半導体スイッチングデバイスとともに使用され得る、高周波ＤＣ－ＤＣコンバータであり得る。
【0025】
上述のインダクタを製造する方法は、ＥＣＡＭプロセスを含むことができる。
【0026】
すなわち、複数のインダクタを同時に作成し得る。
【0027】
したがって、ＥＣＡＭプロセスを使用して、１つまたは複数のインダクタを製造することができる。
【0028】
インダクタの導体は、銅を主構成材料とする矩形コイルを有することができる。コイルの各ターンは、アノードセグメントのマトリックス構成の解像度によってのみ本質的に制限される銅の厚さによって特徴付けることができる。特徴的な最小の可能な設計特徴の典型的な値は、マトリックス構成の解像度によって決定される１０μｍ～３００μｍである。コイルは、長さ、幅、および高さが１００μｍ～１０ｍｍの特徴的な寸法を有することができる。短絡を防止するために、巻線間に空間または間隙を設けなければならない。間隙のサイズは、１０μｍ～１００μｍの範囲内であり得、また、マトリックス構成の解像度によって決定される。コイル構造体は、所望のインダクタンス値のパラメータ範囲をさらに向上させ、機械的安定性をさらに改善し、端子とＰＣＢとの間の接続を改善するために、磁性材料で成形されることが可能である。端子には、ＰＣＢへの機械的および電気的接続を強化するために、銀、ニッケル、またはスズなどのさらなる材料を設けることができる。
【図面の簡単な説明】
【0029】
好ましい実施形態の詳細の動作原理および中心的な態様が、添付の概略図に示されている。
【0030】
【図1】インダクタと、本質的に直方体形状の周囲領域を有する対応するハウジングとの斜視図である。
【図2】インダクタと、本質的に直方体形状の周囲領域を有する対応するハウジングとの斜視図である。
【図3】円形インダクタ及び対応する直方体形状のハウジングの斜視図である。
【図4】単体化前に一緒に作成された複数のインダクタの上面図である。
【図5】端子において導体の厚さが増加した特定のインダクタ形状の上面図である。
【図6】ＥＣＡＭプロセスを利用してインダクタを製造する異なる段階を示す図である。
【図7】ＥＣＡＭプロセスを利用してインダクタを製造する異なる段階を示す図である。
【図8】アクティブ化されたマトリックスセグメントとアクティブ化されていないマトリックスセグメントとの間の関係を示す図である。
【図9】複数の代替的な形状の導体の斜視図（上部および下部）および断面図である。
【図10】導体巻線が多角形形状を有する、さらなる可能な形状の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0031】
【0032】
コイルを確立する導体の巻線は、異なる巻き１と接続領域を確立する端子２とに適合するフレームに対応する。コイル４の各ターンは、銅の厚さによって特徴付けられ、これらの特徴の典型的な値は、１０μｍ～３００μｍである。銅プロファイル、すなわち導体は、１００μｍ～１０ｍｍの特徴的なサイズのパラメータ（幅、長さ、高さ）を有することができる。巻線３間の空間または間隙は、巻線間の短絡を防止するべきであり、部品のサイズに応じて、間隙の現在の値は、１０～１００μｍであり得る。銅フレーム１は、形成されたインダクタの所望のインダクタンスを達成するために、磁性材料５と共に成形され得る。成形材料は、インダクタのハウジングを直接確立することもできる。
【0033】
コイルと、例えばＰＣＢなどの取り付け位置との間の接続を改善するために、例えば銀（および／またはニッケルおよび／またはスズ）を有する構造化された接続領域６を、端子２の位置でハウジングに印刷または堆積することができる。
【0034】
図３及び図４は、同時に印刷されるコイル１０の３×３構成で作成されるが、これに限定されないコイルアレイ１７の概念を示す代替形状を提供し、コイルのアレイは、ユニットの数に限定されず、製造機器の機械的限界に依存し得る。良好な機械的安定性を与えるために、コイル１０は４つの点１４で接合され、コイル１３の各ターンは銅の厚さ（例えば１０μｍ～３００μｍ）によって特徴付けられ、銅のプロファイルは１００μｍ～１０ｍｍのサイズを有することができる。
【0035】
【0036】
図６は、図５の平面図のターン２８を、要素／銅堆積物２５として側面図で示す。後に図５のターン２８を確立する要素２５は、活性アノード２５によって作成される。不活性なアノード要素による銅の堆積がないため、ターン間にギャップが形成される。
【0037】
図６（上部）では、選択的銅堆積プロセスを伴うガルバニック浴を使用してコイルを作成するプロセスの予備段階を見ることができる。陰極２０は、ガルバニ浴２６内の活性陽極と陰極との間の化学反応４７（析出につながる）を可能にする速度でＺ軸４８に沿って移動している。
【0038】
プロセスの開始時に、カソード２０とアノード２１は、対応するアノードセグメント２５が活性である領域においてのみ銅構造が成長することを可能にするために、非常に接近している。銅２４は、アノードが活性でない領域では成長しない。
【0039】
図６の下部には、カソードが既にＺ軸に移動して、活性アノード領域においてより多くの銅が成長することを可能にする段階が示されている。
【0040】
図７では、活性アノードセグメントのいくつかは、所望の領域のみに銅を成長させていくつかの銅突起２３を形成することができるように切り離されている。したがって、異なるセグメントの活動の時間依存選択性は、垂直Ｚ方向における並進対称性からの偏差を得ることが可能である。
【0041】
さらに、図８において、通電され得るかまたは通電され得ないピッチ４１は、本質的に、得られる銅の像の解像度を規定する。ピッチ（したがって、解像度）は、異なる横方向に対して同じであっても異なっていてもよい。
【0042】
横方向寸法４５、４６の数に応じて、より大きいまたはより小さい銅構造を製造することができる。
【0043】
図９は、４つのコイル３６のモジュールの代替的な形状を示す。各単一コイルは、４つの独立した接点３４と１つの共通接続点３５とを有し、完全なモジュールは、磁性材料３３で成形される。接続領域３４および３５は、例えば銀（またはニッケルまたはスズ）の印刷された堆積物で実装された終端パッド３１および３２によって覆われる。モジュールは、図４に示すように、共通端子３８を有するアレイとして製造することもできる。
【0044】
図１０は、製造されたコイル６０の代替的な形状を示す。銅構造６１は、コイルのアレイで作成されてもよく、コイルの３×３配列に限定されずに作成されてもよい。この特定の実施形態では、コイルは、半径方向構造ではなく軸方向構造で形成され、ＰＣＢとの接続領域は、銅ブロック６１で形成される。低いＤＣ抵抗を達成するために、この銅ブロック６２の厚さは、所望の値を得るために増加される。異なる巻き６３の間のギャップは、絶縁材料によって覆われ得る。コイルは、異なる数の巻き６４で実装され得る。銅ブロックは、所望のインダクタンス値を達成するために、磁性材料６９とともに成形され得る。
【0045】
コイルの製造性を改善するために、製品は、ブロックとして成形され得るマトリックス６７内に作成され、切断またはダイシングプロセスを介して単一のインダクタを得る。
【0046】
参照符号のリスト
１ プリント銅／導体構造
２ 外部接続用の領域
３ 巻線間のギャップ
４ スパイラル構造
５ 構造体１の金属材料成形
６ 外部銅コンタクト２のための領域上へのコンタクト領域堆積
１０ 丸型コイル
１１ 印刷された銅構造の接触点
１２ 巻線間のギャップ
１３ スパイラル構造
１４ マトリックスコンセプトで製造するためのコイル間の接触
１５ 銀ペースト、ニッケルバリアおよびスズ合金で形成された接触領域
１６ 成形体
１７ 予めモールドされて直列に製造されたインダクタのアレイ
２０ カソード（－）
２１ アノードマトリックス
２２ 銅の堆積、活性アノード２８で形成された巻線部分領域
２３ 銅の堆積（接点領域は、より高い銅構造を必要とする）
２４ 通電されていないアノード（ｏ）
２５ 通電されたアノード（＋）
２６ 電解液
２７ 図３ｂおよび図３ｃに示されるコイルの断面
２８ 通電されたアノードを有する銅構造体クレート
４０ ガルバニック浴のアノードを表す４９×３８ピクセルのマトリックス
４１ アクティブアノードであり得る構造の最も細かいピッチを表すピクセル
４２ 外部接続のための接触点を形成するための活性アノード領域
４３ ターン間にギャップを形成するための非活性アノード
４４ 図３ａの巻回構造を形成するための活性アノード領域
４５、４６ （ピッチとともに）横方向解像度を定義する横方向寸法
４７ カソードとの反応を生じる活性化アノード
４８ 構造を生成するためのＺ方向におけるカソードの移動
３０ ３Ｄプリント技術で製造された軸方向コイルを有するコイル
３１ 銀ペースト、ニッケルバリアおよびスズ合金で形成された接触領域
３２ コイルの共通点、ＰＣＢへの接触
３３ 金属材料を有する成形体
３４ コイルの接触点
３５ マルチインダクタの共通点
３６ 銅ブロックバス
３７ コイルのターン
３８ 隣接するコイルのコイル間の接触点
３９ 異なる巻きのギャップ（領域は絶縁材料によって覆われる）
６０ ＥＣＡＭ印刷技術で製造された軸方向コイルを有するインダクタ
６１ ＰＣＢとの接続領域を形成するための銅ブロック
６２ ＲＤＣを低減するためのインダクタの銅厚
６３ 異なるターン間のギャップ
６４ コイルのターン
６５ 銀ペースト、ニッケルバリアおよびスズ合金で形成された接触領域
６６ 巻線の始端及び終端
６７ 予め成形された直列に製造されたインダクタのマトリックス
６８ コイル間の接触点
６９ 金属材料を有する成形体
１ プリント銅／導体構造
２ 外部接続用の領域
３ 巻線間のギャップ
４ スパイラル構造
５ 構造体１の金属材料成形
６ 外部銅コンタクト２のための領域上へのコンタクト領域堆積
１０ 丸型コイル
１１ 印刷された銅構造の接触点
１２ 巻線間のギャップ
１３ スパイラル構造
１４ マトリックスコンセプトで製造するためのコイル間の接触
１５ 銀ペースト、ニッケルバリアおよびスズ合金で形成された接触領域
１６ 成形体
１７ 予めモールドされて直列に製造されたインダクタのアレイ
２０ カソード（－）
２１ アノードマトリックス
２２ 銅の堆積、活性アノード２８で形成された巻線部分領域
２３ 銅の堆積（接点領域は、より高い銅構造を必要とする）
２４ 通電されていないアノード（ｏ）
２５ 通電されたアノード（＋）
２６ 電解液
２７ 図３ｂおよび図３ｃに示されるコイルの断面
２８ 通電されたアノードを有する銅構造体クレート
４０ ガルバニック浴のアノードを表す４９×３８ピクセルのマトリックス
４１ アクティブアノードであり得る構造の最も細かいピッチを表すピクセル
４２ 外部接続のための接触点を形成するための活性アノード領域
４３ ターン間にギャップを形成するための非活性アノード
４４ 図３ａの巻回構造を形成するための活性アノード領域
４５、４６ （ピッチとともに）横方向解像度を定義する横方向寸法
４７ カソードとの反応を生じる活性化アノード
４８ 構造を生成するためのＺ方向におけるカソードの移動
３０ ３Ｄプリント技術で製造された軸方向コイルを有するコイル
３１ 銀ペースト、ニッケルバリアおよびスズ合金で形成された接触領域
３２ コイルの共通点、ＰＣＢへの接触
３３ 金属材料を有する成形体
３４ コイルの接触点
３５ マルチインダクタの共通点
３６ 銅ブロックバス
３７ コイルのターン
３８ 隣接するコイルのコイル間の接触点
３９ 異なる巻きのギャップ（領域は絶縁材料によって覆われる）
６０ ＥＣＡＭ印刷技術で製造された軸方向コイルを有するインダクタ
６１ ＰＣＢとの接続領域を形成するための銅ブロック
６２ ＲＤＣを低減するためのインダクタの銅厚
６３ 異なるターン間のギャップ
６４ コイルのターン
６５ 銀ペースト、ニッケルバリアおよびスズ合金で形成された接触領域
６６ 巻線の始端及び終端
６７ 予め成形された直列に製造されたインダクタのマトリックス
６８ コイル間の接触点
６９ 金属材料を有する成形体
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【手続補正書】
【提出日】2023-12-15
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の端子および第２の端子と、前記第１の端子と前記第２の端子との間の導体と、を備えるインダクタであって、
前記第１の端子、前記導体、および前記第２の端子は、モノリシック構造を確立する、インダクタ。
【請求項2】
電気化学付加製造（ＥＣＡＭ）プロセスを介して導出される、請求項１に記載のインダクタ。
【請求項3】
前記ＥＣＡＭプロセスは、底部カソードと、独立して使用可能なアノードセグメントと、の使用を含み、
前記アノードセグメントは、列と行を有するマトリックス状のパターンに配置され、互いに独立して作動される、請求項２に記載のインダクタ。
【請求項4】
前記インダクタには、溶接点またははんだ付け点がない、請求項１～３のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項5】
前記インダクタは、外周と、前記外周内の体積とを有し、前記第１の端子、前記第２の端子、および前記導体は、体積を有する構造を確立し、 そして、
前記導体と前記第１及び第２の端子との構造体の体積は、前記インダクタの前記外周の体積の６０％～８０％またはそれより大きい、請求項１～３のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項6】
前記外周は、直方体または立方体の形状を有する、請求項５に記載のインダクタ。
【請求項7】
前記インダクタは、ＳＭＴ型インダクタである、請求項１～３のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項8】
前記導体は、銅、アルミニウム、銀、または金から選択される主要構成材料を含み、前記主要構成材料は、９０％以上、９５％以上、９８％以上、または９９％以上に等しい純度を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項9】
前記導体は、ディスクとは異なる断面を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項10】
前記導体は、正方形、長方形、多角形、円形、楕円形、およびこれらの形状のすべての組み合わせから選択される断面を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載のインダクタ。
【請求項11】
請求項１～３のいずれか１項に記載のインダクタを含む、ＤＣ－ＤＣコンバータ。
【請求項12】
請求項１～３のいずれか１項に記載のインダクタを製造する方法であって、前記方法は、ＥＣＡＭプロセスを含む、方法。
【請求項13】
複数のインダクタが同時に作成される、請求項１２に記載の方法。
【請求項14】
１つまたは複数のインダクタを製造するための、ＥＣＡＭプロセスの使用。【国際調査報告】