ホーム > 特許ランキング > ティコナ・エルエルシー
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-07-17
(54)【発明の名称】磁気ポリマー組成物
(51)【国際特許分類】
H01F 1/08 20060101AFI20240709BHJP
H01F 1/057 20060101ALI20240709BHJP
C22C 38/00 20060101ALI20240709BHJP
B22F 1/05 20220101ALI20240709BHJP
B22F 1/00 20220101ALI20240709BHJP
B22F 3/00 20210101ALI20240709BHJP
H10N 52/00 20230101ALI20240709BHJP
H01L 29/82 20060101ALI20240709BHJP
【ＦＩ】
H01F1/08 130
H01F1/057 110
C22C38/00 303A
B22F1/05
B22F1/00 Y
B22F3/00 F
H10N52/00 Z
H01L29/82 Z
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023574461
(86)(22)【出願日】2022-05-27
(85)【翻訳文提出日】2024-02-01
(86)【国際出願番号】 US2022031316
(87)【国際公開番号】W WO2022256252
(87)【国際公開日】2022-12-08
(31)【優先権主張番号】63/195,285
(32)【優先日】2021-06-01
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】63/247,851
(32)【優先日】2021-09-24
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】500100822
【氏名又は名称】ティコナ・エルエルシー
(74)【代理人】
【識別番号】100118902
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 修
(74)【代理人】
【識別番号】100106208
【弁理士】
【氏名又は名称】宮前 徹
(74)【代理人】
【識別番号】100196508
【弁理士】
【氏名又は名称】松尾 淳一
(74)【代理人】
【識別番号】100129458
【弁理士】
【氏名又は名称】梶田 剛
(72)【発明者】
【氏名】キム，ヤン・シン
【テーマコード（参考）】
4K018
5E040
5F092
【Ｆターム（参考）】
4K018BA18
4K018BB04
4K018BD01
4K018BD04
4K018CA29
4K018CA31
4K018KA45
5E040AA04
5E040AA11
5E040AA19
5E040BB03
5E040BD01
5E040CA20
5E040NN01
5E040NN06
5E040NN13
5E040NN14
5F092AB01
5F092AC02
5F092BA02
5F092BA23
5F092BA37
5F092BA40
5F092DA08
5F092DA10
(57)【要約】
液晶ポリマーを含む約２０ｖｏｌ．％～約６０ｖｏｌ．％のポリマーマトリックスと約２０ｖｏｌ．％～約６０ｖｏｌ．％の磁気粒子とを含むポリマー組成物が提供される。ポリマーマトリックスの体積の磁気粒子の体積に対する比は、約０．６～約１．５である。
【選択図】図１
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
液晶ポリマーを含む約２０ｖｏｌ．％～約６０ｖｏｌ．％のポリマーマトリックスと約２０ｖｏｌ．％～約６０ｖｏｌ．％の磁気粒子とを含むポリマー組成物であって、前記ポリマーマトリックスの体積の前記磁気粒子の体積に対する比が約０．６～約１．５である、ポリマー組成物。
【請求項2】
前記ポリマーマトリックスが、前記ポリマー組成物の約８ｗｔ．％～約５０ｗｔ．％を構成しており、前記磁気粒子が、前記ポリマー組成物の約５０ｗｔ．％～約９９ｗｔ．％を構成している、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項3】
前記ポリマー組成物が、ＩＳＯ試験番号１１４４３：２０１４に従って１，０００秒－１のせん断速度および前記組成物の溶融温度よりも１５℃高い温度で決定して、２００Ｐａ・ｓ以下の溶融粘度を呈する、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項4】
前記ポリマー組成物が、ＩＳＯ試験番号７５－２：２０１３に従って１．８ＭＰａの指定荷重で決定して、約２８０℃以上の溶融温度および／または約２００℃以上の荷重たわみ温度を有する、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項5】
前記液晶ポリマーが、ナフテン系ヒドロキシカルボン酸および／またはジカルボン酸から誘導された繰り返し単位を前記ポリマーの約１５ｍｏｌ％以下の量で含有する、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項6】
前記液晶ポリマーが、４－ヒドロキシ安息香酸から誘導された繰り返し単位を前記ポリマーの約４０ｍｏｌ％～約８０ｍｏｌ％の量で含有し、６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸から誘導された繰り返し単位を前記ポリマーの約０．５ｍｏｌ％～約１５ｍｏｌ％の量で含有する、請求項５に記載のポリマー組成物。
【請求項7】
前記液晶ポリマーが、ナフテン系ヒドロキシカルボン酸および／またはジカルボン酸から誘導された繰り返し単位を前記ポリマーの約１５ｍｏｌ％超の量で含有する、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項8】
前記液晶ポリマーが、４－ヒドロキシ安息香酸から誘導された繰り返し単位を前記ポリマーの約２０ｍｏｌ％～約６０ｍｏｌ％の量で含有し、２，６－ナフタレンジカルボン酸から誘導された繰り返し単位を前記ポリマーの約１６ｍｏｌ％～約５０ｍｏｌ％の量で含有する、請求項７に記載のポリマー組成物。
【請求項9】
前記磁気粒子が、ＪＩＳ Ｃ２５０１：２０１９に従って２３℃の温度で決定して、約３００～約２，０００ｍＴの残留磁気値を呈する、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項10】
前記磁気粒子が、ＪＩＳ Ｃ２５０１：２０１９に従って２３℃の温度で決定して、約１５～約２００ｋＪ／ｍ３の最大エネルギー積を呈する、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項11】
前記磁気粒子が、ＪＩＳ Ｃ２５０１：２０１９に従って２３℃の温度で決定して、約４００～約３，０００ｋＡ／ｍの固有保磁力を呈する、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項12】
前記磁気粒子が、ＡＳＴＭ Ｅ１５８２－１７に従って熱重量分析によって決定して、約２００℃～約４００℃のキュリー温度を呈する、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項13】
前記磁気粒子が、約１～約２００マイクロメートルのメジアン粒径を有する、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項14】
前記磁気粒子が希土類元素を含有する、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項15】
前記希土類元素がネオジムを含む、請求項１４に記載のポリマー組成物。
【請求項16】
前記磁気粒子が、以下の一般式：（Ｒ１－ａＲ’ａ）ｕＦｅ１００－ｕ－ｖ－ｗ－ｘ－ｙＺｖＭｗＴｘＢｙ
［式中、
Ｒは、Ｎｄ、Ｐｒ、ジジミウム、ＭＭ、またはそれらの組み合わせであり、
ＭＭは、ミッシュメタルまたはその合成同等物であり、
Ｒ’は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｙ、またはそれらの組み合わせであり、
Ｚは、Ｆｅ以外の遷移金属、例えば、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｍｔ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｄｓ、またはそれらの組み合わせであり、
Ｍは、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｆ、Ｔａ、Ｄｂ、Ｓｇ、Ｈｆ、またはそれらの組み合わせであり、
Ｔは、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｉ、またはそれらの組み合わせであり、
ａは、０～１であり、
ｕは、７～１３であり、
ｖは、０～２０であり、
ｗは、０～５であり、
ｘは、０～５であり、
ｙは、４～１２である］
を有する希土類材料を含有する、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項17】
ａが０．１～０．８である、請求項１６に記載のポリマー組成物。
【請求項18】
ＲがＮｄであり、ＹがＣｏである、請求項１６に記載のポリマー組成物。
【請求項19】
Ｍが、Ｚｒ、Ｎｂ、またはそれらの組み合わせであり、Ｔが、Ａｌ、Ｍｎ、またはそれらの組み合わせである、請求項１８に記載のポリマー組成物。
【請求項20】
炭素粒子をさらに含む、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項21】
前記炭素粒子がカーボンブラックを含む、請求項２０に記載のポリマー組成物。
【請求項22】
前記組成物が、約０．５ミリメートルの厚さおよび４００～１，５００ナノメートルの波長で決定して、約４以上の光学濃度を呈する、請求項１に記載のポリマー組成物。
【請求項23】
磁気感知材料を含む磁気コンポーネントであって、前記磁気感知材料が、請求項１に記載のポリマー組成物を含む、磁気コンポーネント。
【請求項24】
前記磁気コンポーネントが磁気センサを含む、請求項２３に記載の磁気コンポーネント。
【請求項25】
請求項２４に記載の磁気コンポーネントを含む、電子デバイス。
【請求項26】
前記デバイスがポータブル電子デバイスである、請求項２５に記載の電子デバイス。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願
[0001]本願は、２０２１年６月１日を出願日とする米国仮特許出願第６３／１９５，２８５号および２０２１年９月２４日を出願日とする米国仮特許出願第６３／２４７，８５１号の優先権に基づき、この優先権を主張するものであり、これらは、参照により本明細書に組み込まれる。
[0001]本願は、２０２１年６月１日を出願日とする米国仮特許出願第６３／１９５，２８５号および２０２１年９月２４日を出願日とする米国仮特許出願第６３／２４７，８５１号の優先権に基づき、この優先権を主張するものであり、これらは、参照により本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【0002】
[0002]磁気コンポーネント（例えば、センサ）は、多くの場合、電子デバイスに用いられる。磁気センサは、例えば、（磁場センサの）特定の軸または表面に沿った磁場を検出することができるが、他の軸または表面に沿った磁場は検出しない（または実質的に無視する）。残念なことに、ほとんどの磁気コンポーネントを形成するために使用される金属は、多くの場合、コストが高く、それらの大きなサイズを理由により小さなポータブル電子デバイスに組み込むことが困難である。同様に、より小さくかつより精密なコンポーネントの製造を可能にする磁気特性を有するポリマー組成物を使用する試みは、従来のポリマー組成物が磁気特性および高度な耐熱性の両方を呈することができないことに基づいて、困難であると考えられてきた。したがって、磁気コンポーネントにおける使用のための改善された磁気ポリマー組成物が必要とされている。
【発明の概要】
【0003】
[0003]本発明の一実施形態によると、液晶ポリマーを含む約２０ｖｏｌ．％～約６０ｖｏｌ．％のポリマーマトリックスと約２０ｖｏｌ．％～約６０ｖｏｌ．％の磁気粒子とを含むポリマー組成物が開示されている。ポリマーマトリックスの体積の磁気粒子の体積に対する比は、約０．６～約１．５である。
【0004】
[0004]本発明の他の特徴および態様は、以下でより詳細に示されている。
[0005]本発明の完全かつ実現可能な開示は、当業者に対するその最良の形態を含むものであり、添付図面の参照を含む明細書の残りの部分においてより具体的に示されている。
[0005]本発明の完全かつ実現可能な開示は、当業者に対するその最良の形態を含むものであり、添付図面の参照を含む明細書の残りの部分においてより具体的に示されている。
【図面の簡単な説明】
【0005】
【発明を実施するための形態】
【0006】
[0018]当業者であれば、本議論が例示的な実施形態のみを説明するものであり、本発明のより広範な態様を限定するものとして意図されることはないと理解されたい。
[0019]一般に言うなら、本発明は、電子デバイスにおける使用のための磁気ポリマー組成物を対象とする。より具体的には、磁気ポリマー組成物は、液晶ポリマーを含むポリマーマトリックスとポリマーマトリックス内に分散された磁気粒子とを含有する。磁気粒子は、ポリマー組成物の約５０ｗｔ．％～約９９ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約５０ｗｔ．％～約９５ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約６０ｗｔ．％～約９０ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約７０ｗｔ．％～約８８ｗｔ．％、またポリマー組成物の約２０ｖｏｌ．％～約６０ｖｏｌ．％、いくつかの実施形態では約３０ｖｏｌ．％～約５５ｖｏｌ．％、いくつかの実施形態では約３５ｖｏｌ．％～約５５ｖｏｌ．％を構成し得る。ポリマーマトリックスも同様に、ポリマー組成物の約８ｗｔ．％～約５０ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約１０ｗｔ．％～約４０ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約１２ｗｔ．％～約３０ｗｔ．％、またポリマー組成物の約２０ｖｏｌ．％～約６０ｖｏｌ．％、いくつかの実施形態では約３０ｖｏｌ．％～約５５ｖｏｌ．％、いくつかの実施形態では約３５ｖｏｌ．％～約５５ｖｏｌ．％を構成し得る。典型的には、ポリマーマトリックスおよび磁気粒子の体積は、比較的類似しており、そのため、ポリマーマトリックスの体積の磁気粒子の体積に対する比は、約０．６～約１．５、いくつかの実施形態では約０．８～約１．４、いくつかの実施形態では約０．９～約１．３である。
[0019]一般に言うなら、本発明は、電子デバイスにおける使用のための磁気ポリマー組成物を対象とする。より具体的には、磁気ポリマー組成物は、液晶ポリマーを含むポリマーマトリックスとポリマーマトリックス内に分散された磁気粒子とを含有する。磁気粒子は、ポリマー組成物の約５０ｗｔ．％～約９９ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約５０ｗｔ．％～約９５ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約６０ｗｔ．％～約９０ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約７０ｗｔ．％～約８８ｗｔ．％、またポリマー組成物の約２０ｖｏｌ．％～約６０ｖｏｌ．％、いくつかの実施形態では約３０ｖｏｌ．％～約５５ｖｏｌ．％、いくつかの実施形態では約３５ｖｏｌ．％～約５５ｖｏｌ．％を構成し得る。ポリマーマトリックスも同様に、ポリマー組成物の約８ｗｔ．％～約５０ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約１０ｗｔ．％～約４０ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約１２ｗｔ．％～約３０ｗｔ．％、またポリマー組成物の約２０ｖｏｌ．％～約６０ｖｏｌ．％、いくつかの実施形態では約３０ｖｏｌ．％～約５５ｖｏｌ．％、いくつかの実施形態では約３５ｖｏｌ．％～約５５ｖｏｌ．％を構成し得る。典型的には、ポリマーマトリックスおよび磁気粒子の体積は、比較的類似しており、そのため、ポリマーマトリックスの体積の磁気粒子の体積に対する比は、約０．６～約１．５、いくつかの実施形態では約０．８～約１．４、いくつかの実施形態では約０．９～約１．３である。
【0007】
[0020]組成物に用いられる成分の特定の性質および濃度を注意深く制御することによって、本発明者らは、得られる組成物が磁気特性と耐熱性との独自の組み合わせを呈し得ることを発見した。例えば、ポリマー組成物は、粒子によって生成される磁場の全体的な強度を特徴とする比較的高い残留磁気値（remanence value、Ｂｒ）を呈し得る。例えば、残留磁気値は、ＪＩＳ Ｃ２５０１：２０１９（ＡＳＴＭ Ａ９７７／Ａ９７７Ｍ－０７（２０２０）とほぼ同等）に従って２３℃の温度で決定して、３００～約２，０００ｍＴ、いくつかの実施形態では約３５０～約１，５００ｍＴ、いくつかの実施形態では約４００～約１，０００ｍＴの範囲であり得る。磁束密度（Ｂ）の最大値と磁場強度（Ｈ）との積によって特徴付けられる磁気エネルギーの密度である最大エネルギー積（maximum energy product、ＢＨｍａｘ）はまた、ＪＩＳ Ｃ２５０１：２０１９（ＡＳＴＭ Ａ９７７／Ａ９７７Ｍ－０７（２０２０）とほぼ同等）に従って２３℃の温度で決定して、約１５～約２００ｋＪ／ｍ３、いくつかの実施形態では約２０～約１５０ｋＪ／ｍ３、いくつかの実施形態では約２５～約１００ｋＪ／ｍ３、いくつかの実施形態では約３０～約６０ｋＪ／ｍ３など、高くなり得る。強い程度の磁気特性を呈することに加えて、粒子はまた、様々な条件下でもそのような特性を維持することができる。例えば、粒子は、減磁することに抵抗する粒子の能力を特徴とする特性である高度の固有保磁力（Ｈｃｉ）を呈し得る。例えば、固有保磁力は、ＪＩＳ Ｃ２５０１：２０１９（ＡＳＴＭ Ａ９７７／Ａ９７７Ｍ－０７（２０２０）とほぼ同等）に従って２３℃の温度で決定して、約４００～約３，０００ｋＡ／ｍ、いくつかの実施形態では約７００～約２，５００ｋＡ／ｍ、いくつかの実施形態では約９００～約１，５００ｋＡ／ｍの範囲であり得る。
【0008】
[0021]材料がその磁気を失う温度であるキュリー温度（ＴＣ）もまた、ＡＳＴＭ Ｅ１５８２－１７に従って熱重量分析によって決定して、約２００℃～約４００℃、いくつかの実施形態では約２５０℃～約３５０℃、いくつかの実施形態では約２８０℃～約３２０℃など、高くなり得る。さらに、ポリマー組成物はまた、ＩＳＯ試験番号１１３５７－２：２０２０に従って示差走査熱量測定（「ＤＳＣ」）によって決定して、約２８０℃以上、いくつかの実施形態では約２９０℃以上、いくつかの実施形態では約３００℃～約４００℃、いくつかの実施形態では約３２０℃～約３６０℃などの高い溶融温度（「Ｔｍ」）を呈し得る。高い溶融温度を呈することに加えて、組成物はまた、耐熱性であり得る。例えば、組成物は、ＩＳＯ試験番号７５－２：２０１３に従って１．８ＭＰａの指定荷重で測定して、約２００℃以上、いくつかの実施形態では約２１０℃以上、いくつかの実施形態では約２２０℃～約３００℃の荷重たわみ温度（ＤＴＵＬ）を呈し得る。
【0009】
[0022]そのような良好な磁気特性および耐熱性を呈するにもかかわらず、ポリマー組成物は、それでも優れた機械特性を呈し得る。例えば、組成物は、ＡＳＴＭ Ｄ２５６－１０（２０１８）に従って２３℃で測定して、約４ｋＪ／ｍ２以上、いくつかの実施形態では約５～約６０ｋＪ／ｍ２、いくつかの実施形態では約８～約５０ｋＪ／ｍ２のアイゾットノッチなし衝撃強度を呈し得る。組成物はまた、約２０～約５００ＭＰａ、いくつかの実施形態では約３０～約３００ＭＰａ、いくつかの実施形態では約４０～約１５０ＭＰａの引張強度、約０．５％以上、いくつかの実施形態では約０．８％～約１５％、いくつかの実施形態では約１％～約１０％の引張破断歪み、および／または約５，０００ＭＰａ～約３０，０００ＭＰａ、いくつかの実施形態では約７，０００ＭＰａ～約２５，０００ＭＰａ、いくつかの実施形態では約９，０００ＭＰａ～約２０，０００ＭＰａの引張弾性率を呈し得る。引張特性は、ＩＳＯ試験番号５２７－２：２０１９に従って２３℃で決定され得る。組成物はまた、約４０～約５００ＭＰａ、いくつかの実施形態では約５０～約３００ＭＰａ、いくつかの実施形態では約７０～約２００ＭＰａの曲げ強度、約０．５％以上、いくつかの実施形態では約０．８％～約１５％、いくつかの実施形態では約１％～約１０％の曲げ破断歪み、および／または約７，０００ＭＰａ以上、いくつかの実施形態では約８，０００ＭＰａ以上、いくつかの実施形態では約９，０００ＭＰａ～約３０，０００ＭＰａ、いくつかの実施形態では約１０，０００ＭＰａ～約２５，０００ＭＰａの曲げ弾性率を呈し得る。曲げ特性は、ＩＳＯ試験番号１７８：２０１９に従って２３℃で決定され得る。
【0010】
[0023]これより、本発明の様々な実施形態をより詳細に説明する。
Ｉ．ポリマー組成物
Ａ．ポリマーマトリックス
[0024]ポリマーマトリックスは、典型的には、１種以上の液晶ポリマーを含有し、これらの液晶ポリマーは、一般に、これらが棒状構造を有し得、かつそれらの溶融状態（例えば、サーモトロピックネマチック状態）で結晶挙動を呈し得る限りにおいて「サーモトロピック」として分類される。ポリマーは、ＩＳＯ試験番号１１３５７－２：２０２０に従って示差走査熱量測定によって決定して、約２８０℃以上、いくつかの実施形態では約２９０℃以上、いくつかの実施形態では約３００℃～約４００℃、いくつかの実施形態では約３２０℃～約３６０℃などの比較的高い溶融温度を有する。そのようなポリマーは、当技術分野で知られているように、１つ以上のタイプの繰り返し単位から形成され得る。液晶ポリマーは、例えば、一般に、以下の式（Ｉ）：
Ｉ．ポリマー組成物
Ａ．ポリマーマトリックス
[0024]ポリマーマトリックスは、典型的には、１種以上の液晶ポリマーを含有し、これらの液晶ポリマーは、一般に、これらが棒状構造を有し得、かつそれらの溶融状態（例えば、サーモトロピックネマチック状態）で結晶挙動を呈し得る限りにおいて「サーモトロピック」として分類される。ポリマーは、ＩＳＯ試験番号１１３５７－２：２０２０に従って示差走査熱量測定によって決定して、約２８０℃以上、いくつかの実施形態では約２９０℃以上、いくつかの実施形態では約３００℃～約４００℃、いくつかの実施形態では約３２０℃～約３６０℃などの比較的高い溶融温度を有する。そのようなポリマーは、当技術分野で知られているように、１つ以上のタイプの繰り返し単位から形成され得る。液晶ポリマーは、例えば、一般に、以下の式（Ｉ）：
【0011】
【化1】
【0012】
［式中、
環Ｂは、置換もしくは非置換の６員アリール基（例えば、１，４－フェニレンもしくは１，３－フェニレン）、置換もしくは非置換の５員もしくは６員アリール基に縮合した置換もしくは非置換の６員アリール基（例えば、２，６－ナフタレン）、または置換もしくは非置換の５員もしくは６員アリール基に結合した置換もしくは非置換の６員アリール基（例えば、４，４－ビフェニレン）であり、
Ｙ１およびＹ２は、独立的に、Ｏ、Ｃ（Ｏ）、ＮＨ、Ｃ（Ｏ）ＨＮ、またはＮＨＣ（Ｏ）である］
によって表される１個以上の芳香族エステル繰り返し単位を含有し得る。
環Ｂは、置換もしくは非置換の６員アリール基（例えば、１，４－フェニレンもしくは１，３－フェニレン）、置換もしくは非置換の５員もしくは６員アリール基に縮合した置換もしくは非置換の６員アリール基（例えば、２，６－ナフタレン）、または置換もしくは非置換の５員もしくは６員アリール基に結合した置換もしくは非置換の６員アリール基（例えば、４，４－ビフェニレン）であり、
Ｙ１およびＹ２は、独立的に、Ｏ、Ｃ（Ｏ）、ＮＨ、Ｃ（Ｏ）ＨＮ、またはＮＨＣ（Ｏ）である］
によって表される１個以上の芳香族エステル繰り返し単位を含有し得る。
【0013】
[0025]典型的には、Ｙ１およびＹ２の少なくとも１つはＣ（Ｏ）である。そのような芳香族エステル繰り返し単位の例としては、例えば、芳香族ジカルボン酸繰り返し単位（式ＩのＹ１およびＹ２はＣ（Ｏ）である）、芳香族ヒドロキシカルボン酸繰り返し単位（式Ｉにおいて、Ｙ１はＯであり、Ｙ２はＣ（Ｏ）である）、およびそれらの様々な組み合わせが挙げられ得る。
【0014】
[0026]例えば、４－ヒドロキシ安息香酸、４－ヒドロキシ－４’－ビフェニルカルボン酸、２－ヒドロキシ－６－ナフトエ酸、２－ヒドロキシ－５－ナフトエ酸、３－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸、２－ヒドロキシ－３－ナフトエ酸、４’－ヒドロキシフェニル－４－安息香酸、３’－ヒドロキシフェニル－４－安息香酸、４’－ヒドロキシフェニル－３－安息香酸など、ならびにそれらのアルキル、アルコキシ、アリールおよびハロゲン置換体、ならびにそれらの組み合わせなどの芳香族ヒドロキシカルボン酸から誘導された芳香族ヒドロキシカルボン酸繰り返し単位が用いられ得る。特に適した芳香族ヒドロキシカルボン酸は、４－ヒドロキシ安息香酸（「ＨＢＡ」）および６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸（「ＨＮＡ」）である。望ましい特性の達成を助けるために、ヒドロキシカルボン酸（例えば、ＨＢＡおよび／またはＨＮＡ）から誘導された繰り返し単位は、典型的には、ポリマーの約２０ｍｏｌ％以上、いくつかの実施形態では約２５ｍｏｌ％以上、いくつかの実施形態では約３０ｍｏｌ％以上、いくつかの実施形態では約３２ｍｏｌ％以上、いくつかの実施形態では約３５ｍｏｌ％～９０ｍｏｌ％、いくつかの実施形態では約４０ｍｏｌ％～約８０ｍｏｌ％を構成している。
【0015】
[0027]テレフタル酸、イソフタル酸、２，６－ナフタレンジカルボン酸、ジフェニルエーテル－４，４’－ジカルボン酸、１，６－ナフタレンジカルボン酸、２，７－ナフタレンジカルボン酸、４，４’－ジカルボキシビフェニル、ビス（４－カルボキシフェニル）エーテル、ビス（４－カルボキシフェニル）ブタン、ビス（４－カルボキシフェニル）エタン、ビス（３－カルボキシフェニル）エーテル、ビス（３－カルボキシフェニル）エタンなど、ならびにそれらのアルキル、アルコキシ、アリールおよびハロゲン置換体、ならびにそれらの組み合わせなどの芳香族ジカルボン酸から誘導された芳香族ジカルボン酸繰り返し単位も用いられ得る。特に適した芳香族ジカルボン酸としては、例えば、テレフタル酸（「ＴＡ」）、イソフタル酸（「ＩＡ」）、および２，６－ナフタレンジカルボン酸（「ＮＤＡ」）が挙げられ得る。用いられる場合、芳香族ジカルボン酸（例えば、ＩＡ、ＴＡ、および／またはＮＤＡ）から誘導された繰り返し単位はそれぞれ、任意選択的に、ポリマーの約１ｍｏｌ％～約４５ｍｏｌ％、いくつかの実施形態では約５ｍｏｌ％～約４０ｍｏｌ％、いくつかの実施形態では約１０ｍｏｌ％～約３５％を構成し得る。
【0016】
[0028]他の繰り返し単位もポリマーに用いられ得る。ある特定の実施形態では、例えば、ヒドロキノン、レゾルシノール、２，６－ジヒドロキシナフタレン、２，７－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、４，４’－ジヒドロキシビフェニル（または４，４’－ビフェノール）、３，３’－ジヒドロキシビフェニル、３，４’－ジヒドロキシビフェニル、４，４’－ジヒドロキシビフェニルエーテル、ビス（４－ヒドロキシフェニル）エタンなど、ならびにそれらのアルキル、アルコキシ、アリールおよびハロゲン置換体、ならびにそれらの組み合わせなどの芳香族ジオールから誘導された繰り返し単位が用いられ得る。特に適した芳香族ジオールとしては、例えば、ヒドロキノン（「ＨＱ」）および４，４’－ビフェノール（「ＢＰ」）が挙げられ得る。用いられる場合、芳香族ジオール（例えば、ＨＱおよび／またはＢＰ）から誘導された繰り返し単位はそれぞれ、任意選択的に、ポリマーの約１ｍｏｌ％～約４５ｍｏｌ％、いくつかの実施形態では約２ｍｏｌ％～約４０ｍｏｌ％、いくつかの実施形態では約５ｍｏｌ％～約３５ｍｏｌ％を構成し得る。
【0017】
[0029]芳香族アミド（例えば、アセトアミノフェン（「ＡＰＡＰ」））および／または芳香族アミン（例えば、４－アミノフェノール（「ＡＰ」）、３－アミノフェノール、１，４－フェニレンジアミン、１，３－フェニレンジアミンなど）から誘導されたものなどの繰り返し単位も用いられ得る。用いられる場合、芳香族アミド（例えば、ＡＰＡＰ）および／または芳香族アミン（例えば、ＡＰ）から誘導された繰り返し単位は、任意選択的に、ポリマーの約０．１ｍｏｌ％～約１５ｍｏｌ％、いくつかの実施形態では約０．５ｍｏｌ％～約１０ｍｏｌ％、いくつかの実施形態では約１ｍｏｌ％～約６ｍｏｌ％を構成し得る。様々な他のモノマー繰り返し単位がポリマーに組み込まれ得ることも理解されたい。例えば、ある特定の実施形態では、ポリマーは、脂肪族または脂環式ヒドロキシカルボン酸、ジカルボン酸、ジオール、アミド、アミンなどの非芳香族モノマーから誘導された１個以上の繰り返し単位を含有し得る。当然のことながら、他の実施形態では、ポリマーは、非芳香族（例えば、脂肪族または脂環式）モノマーから誘導された繰り返し単位を欠くという点で「全芳香族」であり得る。
【0018】
[0030]ある特定の実施形態では、液晶ポリマーは、ＮＤＡ、ＨＮＡ、またはそれらの組み合わせなどのナフテン系ヒドロキシカルボン酸およびナフテン系ジカルボン酸から誘導された比較的低含有量の繰り返し単位を含有する限りにおいて「低ナフテン系」ポリマーであり得る。すなわち、ナフテン系ヒドロキシカルボン酸および／またはジカルボン酸（例えば、ＮＤＡ、ＨＮＡ、またはＨＮＡとＮＤＡとの組み合わせ）から誘導された繰り返し単位の総量は、典型的には、ポリマーの約１５ｍｏｌ％以下、いくつかの実施形態では約１２ｍｏｌ％以下、いくつかの実施形態では約１０ｍｏｌ％以下、いくつかの実施形態では約１ｍｏｌ％～約６ｍｏｌ％である。一実施形態では、例えば、ＨＮＡから誘導された繰り返し単位は、ポリマーの約０．５ｍｏｌ％～約１５ｍｏｌ％、いくつかの実施形態では約１ｍｏｌ％～約１０ｍｏｌ％、いくつかの実施形態では約２ｍｏｌ％～約８ｍｏｌ％を構成し得る。液晶ポリマーはまた、様々な他のモノマーを含有し得る。例えば、ポリマーは、ＨＢＡから誘導された繰り返し単位を、約４０ｍｏｌ％～約８０ｍｏｌ％、いくつかの実施形態では約４５ｍｏｌ％～約７５ｍｏｌ％、いくつかの実施形態では約５０ｍｏｌ％～約７０ｍｏｌ％の量で含有し得る。用いられる場合、ＨＢＡのＨＮＡに対するモル比は、望ましい特性の達成を助けるための特定の範囲内、例えば、約０．５～約２０、いくつかの実施形態では約５～約２０、いくつかの実施形態では約８～約１８、いくつかの実施形態では約１０～約１５で選択的に制御され得る。すべての場合に必要というわけではないが、多くの場合、ポリマーマトリックスのかなりの部分が、そのような低ナフテン系ポリマーから形成されることが望ましい。例えば、本明細書に記載されているような低ナフテン系ポリマーは、典型的には、ポリマーマトリックスの５０ｗｔ．％以上、いくつかの実施形態では約６５ｗｔ．％以上、いくつかの実施形態では約７０ｗｔ．％～１００ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約８０ｗｔ．％～１００％（例えば、１００ｗｔ．％）を構成している。
【0019】
[0031]必要に応じて、液晶ポリマーはまた、ＮＤＡ、ＨＮＡ、またはそれらの組み合わせなどのナフテン系ヒドロキシカルボン酸およびナフテン系ジカルボン酸から誘導された比較的高含有量の繰り返し単位を含有する限りにおいて「高ナフテン系」ポリマーであり得る。すなわち、ナフテン系ヒドロキシカルボン酸および／またはジカルボン酸（例えば、ＮＤＡ、ＨＮＡ、またはＨＮＡとＮＤＡとの組み合わせ）から誘導された繰り返し単位の総量は、ポリマーの約１５ｍｏｌ％超、いくつかの実施形態では約１８ｍｏｌ％以上、いくつかの実施形態では約３０ｍｏｌ％以上、いくつかの実施形態では約４０ｍｏｌ％以上、いくつかの実施形態では約４５ｍｏｌ％以上、いくつかの実施形態では５０ｍｏｌ％以上、いくつかの実施形態では約５５ｍｏｌ％以上、いくつかの実施形態では約５５ｍｏｌ％～約９５ｍｏｌ％である。理論によって制限されることを意図するものではないが、そのような「高ナフテン系」ポリマーは、ポリマー組成物が水を吸収する傾向を軽減することができ、それによって、加工性および物理特性向上を補助することができると考えられる。すなわち、そのような高ナフテン系ポリマーは、典型的には、ＩＳＯ６２－１：２００８に従って２４時間にわたって水中に浸漬した後に、約０．０１５％以下、いくつかの実施形態では約０．０１％以下、いくつかの実施形態では約０．０００１％～約０．００８％の水吸着性を有する。高ナフテン系ポリマーはまた、ＩＳＯ６２－４：２００８に従って２３℃の温度で湿った雰囲気（５０％の相対湿度）に曝された後に、約０．０１％以下、いくつかの実施形態では約０．００８％以下、いくつかの実施形態では約０．０００１％～約０．００６％の水分吸着性を有し得る。一実施形態では、例えば、ＮＤＡから誘導された繰り返し単位は、ポリマーの約１６ｍｏｌ％～約５０ｍｏｌ％、いくつかの実施形態では約１６ｍｏｌ％～約４０ｍｏｌ％、いくつかの実施形態では約１７ｍｏｌ％～約３５ｍｏｌ％、いくつかの実施形態では、約１８ｍｏｌ％～約３０ｍｏｌ％を構成し得る。そのような実施形態では、液晶ポリマーはまた、芳香族ヒドロキシカルボン酸（例えば、ＨＢＡ）などの様々な他のモノマーを、約２０ｍｏｌ％～約６０ｍｏｌ％、いくつかの実施形態では約３０ｍｏｌ％～約５０ｍｏｌ％の量で、芳香族ジカルボン酸（例えば、ＩＡおよび／またはＴＡ）を、約２ｍｏｌ％～約３０ｍｏｌ％、いくつかの実施形態では約５ｍｏｌ％～約２５ｍｏｌ％の量で、および／または芳香族ジオール（例えば、ＢＰおよび／またはＨＱ）を、約２ｍｏｌ％～約４０ｍｏｌ％、いくつかの実施形態では約５ｍｏｌ％～約３５ｍｏｌ％の量で含有し得る。
【0020】
Ｂ．磁気粒子
[0032]先に示されているように、ポリマー組成物は、ポリマーマトリックス内に分散された磁気粒子も含有する。望ましい特性の達成を助けるために、粒子は、一般に、強い程度の電磁気を呈する。例えば、粒子は、粒子によって生成される磁場の全体的な強度を特徴とする比較的高い残留磁気値（Ｂｒ）を呈し得る。例えば、残留磁気値は、ＪＩＳ Ｃ２５０１：２０１９（ＡＳＴＭ Ａ９７７／Ａ９７７Ｍ－０７（２０２０）とほぼ同等）に従って２３℃の温度で決定して、約５００～約２，０００ｍＴ、いくつかの実施形態では約６５０～約１，５００ｍＴ、いくつかの実施形態では約７５０～１，０００ｍＴの範囲であり得る。磁束密度（Ｂ）の最大値と磁場強度（Ｈ）との積によって特徴付けられる磁気エネルギーの密度である最大エネルギー積（ＢＨｍａｘ）はまた、ＪＩＳ Ｃ２５０１：２０１９（ＡＳＴＭ Ａ９７７／Ａ９７７Ｍ－０７（２０２０）とほぼ同等）に従って２３℃の温度で決定して、約５０～約２５０ｋＪ／ｍ３、いくつかの実施形態では約７０～約２００ｋＪ／ｍ３、いくつかの実施形態では約８０～約１４０ｋＪ／ｍ３など、高くなり得る。強い程度の磁気特性を呈することに加えて、粒子はまた、様々な条件下でもそのような特性を維持することができる。例えば、粒子は、減磁することに抵抗する粒子の能力を特徴とする特性である高度の固有保磁力（Ｈｃｉ）を呈し得る。例えば、固有保磁力は、ＪＩＳ Ｃ２５０１：２０１９（ＡＳＴＭ Ａ９７７／Ａ９７７Ｍ－０７（２０２０）とほぼ同等）に従って２３℃の温度で決定して、約４００～約３，０００ｋＡ／ｍ、いくつかの実施形態では約７００～約２，５００ｋＡ／ｍの範囲であり得る。材料がその磁気を失う温度であるキュリー温度（ＴＣ）もまた、ＡＳＴＭ Ｅ１５８２－１７に従って熱重量分析によって決定して、約２００℃～約４００℃、いくつかの実施形態では約２５０℃～約３５０℃、いくつかの実施形態では約２８０℃～約３２０℃など、高くなり得る。
[0032]先に示されているように、ポリマー組成物は、ポリマーマトリックス内に分散された磁気粒子も含有する。望ましい特性の達成を助けるために、粒子は、一般に、強い程度の電磁気を呈する。例えば、粒子は、粒子によって生成される磁場の全体的な強度を特徴とする比較的高い残留磁気値（Ｂｒ）を呈し得る。例えば、残留磁気値は、ＪＩＳ Ｃ２５０１：２０１９（ＡＳＴＭ Ａ９７７／Ａ９７７Ｍ－０７（２０２０）とほぼ同等）に従って２３℃の温度で決定して、約５００～約２，０００ｍＴ、いくつかの実施形態では約６５０～約１，５００ｍＴ、いくつかの実施形態では約７５０～１，０００ｍＴの範囲であり得る。磁束密度（Ｂ）の最大値と磁場強度（Ｈ）との積によって特徴付けられる磁気エネルギーの密度である最大エネルギー積（ＢＨｍａｘ）はまた、ＪＩＳ Ｃ２５０１：２０１９（ＡＳＴＭ Ａ９７７／Ａ９７７Ｍ－０７（２０２０）とほぼ同等）に従って２３℃の温度で決定して、約５０～約２５０ｋＪ／ｍ３、いくつかの実施形態では約７０～約２００ｋＪ／ｍ３、いくつかの実施形態では約８０～約１４０ｋＪ／ｍ３など、高くなり得る。強い程度の磁気特性を呈することに加えて、粒子はまた、様々な条件下でもそのような特性を維持することができる。例えば、粒子は、減磁することに抵抗する粒子の能力を特徴とする特性である高度の固有保磁力（Ｈｃｉ）を呈し得る。例えば、固有保磁力は、ＪＩＳ Ｃ２５０１：２０１９（ＡＳＴＭ Ａ９７７／Ａ９７７Ｍ－０７（２０２０）とほぼ同等）に従って２３℃の温度で決定して、約４００～約３，０００ｋＡ／ｍ、いくつかの実施形態では約７００～約２，５００ｋＡ／ｍの範囲であり得る。材料がその磁気を失う温度であるキュリー温度（ＴＣ）もまた、ＡＳＴＭ Ｅ１５８２－１７に従って熱重量分析によって決定して、約２００℃～約４００℃、いくつかの実施形態では約２５０℃～約３５０℃、いくつかの実施形態では約２８０℃～約３２０℃など、高くなり得る。
【0021】
[0033]得られるポリマー組成物の磁気強度および機械特性および流動特性の間のバランスの達成を助けるために、粒子のメジアン（Ｄ５０）粒径は、粒子をメッシュスクリーン分析（例えば、１０７×１０７μｍの開口部を有する１４０メッシュスクリーン、８９×８９μｍの開口部を有する１７０メッシュスクリーン、および４５×４５μｍの開口部を有する３２５メッシュスクリーン）に通過させることによって決定して、一般に、１～約２００マイクロメートル、いくつかの実施形態では約５～約１５０マイクロメートル、いくつかの実施形態では約１０～約１２０マイクロメートル、いくつかの実施形態では約２５～約１００マイクロメートル、いくつかの実施形態では約５０～約９０マイクロメートルなどの制御された範囲内で選択される。粒子はまた、粒子の少なくとも９５ｖｏｌ．％（Ｄ９５）または９７ｖｏｌ．％（Ｄ９７）が上述の範囲内のサイズを有するように、比較的狭いサイズ分布を有し得る。
【0022】
[0034]磁気粒子を形成するために使用される材料は、望ましい特性に基づいて変更され得る。それにもかかわらず、磁気粒子は、典型的には、ネオジム、プラセオジム、ランタン、セリウム、サマリウム、イットリウム、鉄、コバルト、ジルコニウム、ニオブ、チタン、クロム、バナジウム、モリブデン、タングステン、ハフニウム、アルミニウム、マンガン、銅、ケイ素、ホウ素、またはそれらの組み合わせなどの１種以上の希土類元素を含有する。そのような希土類粒子は、希土類磁石のための合金を粉砕して合金粉末を形成し、この合金粉末を圧縮し、合金粉末を焼結およびエージングに供することによって形成され得る。磁気粒子の形成における使用に特に適した希土類材料は、希土類－鉄－ホウ素材料（以下、「ＲＦｅＢ型磁石」と称し、Ｒは、ネオジム（Ｎｄ）などの任意の希土類元素である）である。一般に言うなら、そのような材料は、様々な磁石のなかで最も高い磁気エネルギー積を呈する。１つの特定の実施形態では、例えば、粒子は、以下の一般式：
（Ｒ１－ａＲ’ａ）ｕＦｅ１００－ｕ－ｖ－ｗ－ｘ－ｙＺｖＭｗＴｘＢｙ
［式中、
Ｒは、Ｎｄ、Ｐｒ、ジジミウム（Ｎｄ０．７５Ｐｒ０．２５の組成のＮｄとＰｒとの天然混合物）、ＭＭ、またはそれらの組み合わせであり、
ＭＭは、ミッシュメタルまたはその合成同等物であり、
Ｒ’は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｙ、またはそれらの組み合わせであり、
Ｚは、Ｆｅ以外の遷移金属、例えば、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｍｔ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｄｓ、またはそれらの組み合わせであり、
Ｍは、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｆ、Ｔａ、Ｄｂ、Ｓｇ、Ｈｆ、またはそれらの組み合わせであり、
Ｔは、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｉ、またはそれらの組み合わせであり、
ａは、０～１、いくつかの実施形態では０．１～０．８、いくつかの実施形態では０．２～０．６であり、
ｕは、７～１３、いくつかの実施形態では１０～１３、いくつかの実施形態では１１～１２であり、
ｖは、０～２０、いくつかの実施形態では０～１０、いくつかの実施形態では０～５であり、
ｗは、０～５、いくつかの実施形態では０．１～１、いくつかの実施形態では０．２～０．８であり、
ｘは、０～５、いくつかの実施形態では０．１～５、いくつかの実施形態では１～４．５であり、
ｙは４～１２、いくつかの実施形態では４～１０、いくつかの実施形態では５～６．５である］
を有する希土類材料から形成され得る。
（Ｒ１－ａＲ’ａ）ｕＦｅ１００－ｕ－ｖ－ｗ－ｘ－ｙＺｖＭｗＴｘＢｙ
［式中、
Ｒは、Ｎｄ、Ｐｒ、ジジミウム（Ｎｄ０．７５Ｐｒ０．２５の組成のＮｄとＰｒとの天然混合物）、ＭＭ、またはそれらの組み合わせであり、
ＭＭは、ミッシュメタルまたはその合成同等物であり、
Ｒ’は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｙ、またはそれらの組み合わせであり、
Ｚは、Ｆｅ以外の遷移金属、例えば、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｍｔ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｄｓ、またはそれらの組み合わせであり、
Ｍは、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｆ、Ｔａ、Ｄｂ、Ｓｇ、Ｈｆ、またはそれらの組み合わせであり、
Ｔは、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｉ、またはそれらの組み合わせであり、
ａは、０～１、いくつかの実施形態では０．１～０．８、いくつかの実施形態では０．２～０．６であり、
ｕは、７～１３、いくつかの実施形態では１０～１３、いくつかの実施形態では１１～１２であり、
ｖは、０～２０、いくつかの実施形態では０～１０、いくつかの実施形態では０～５であり、
ｗは、０～５、いくつかの実施形態では０．１～１、いくつかの実施形態では０．２～０．８であり、
ｘは、０～５、いくつかの実施形態では０．１～５、いくつかの実施形態では１～４．５であり、
ｙは４～１２、いくつかの実施形態では４～１０、いくつかの実施形態では５～６．５である］
を有する希土類材料から形成され得る。
【0023】
[0035]特定の実施形態では、ＲはＮｄであり、および／またはＹはＣｏである。Ｍも同様に、Ｚｒ、Ｎｂ、またはそれらの組み合わせであり得、および／またはＴは、Ａｌ、Ｍｎ、またはそれらの組み合わせであり得る。ミッシュメタルまたはその合成同等物（ＭＭ）は、２０％～３０％のＬａ、２％～８％のＰｒ、１０％～２０％のＮｄ、４０％～５５％のＣｅ、および任意の付随的な不純物を含有する材料などのセリウムベースのミッシュメタルであり得る。
【0024】
[0036]必要に応じて、磁気材料粒子は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる米国特許公開第２０１２／０１１９８６０号に記載されているようなリン酸前駆体（例えば、リン酸イオン供与体）などの酸化防止剤も含有し得る。より具体的には、酸化防止剤のリン酸イオンは、希土類元素との錯体を形成し得る。リン酸イオン源は、金属リン酸錯体などのリン酸含有化合物であり得る。金属リン酸錯体は、リン酸リチウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸マグネシウム、リン酸カルシウム、およびリン酸アルミニウムからなる群から選択され得る。
【0025】
Ｃ．顔料
[0037]必須ではないが、ポリマー組成物は、組成物が磁気センサに用いられる場合などの特定の種類の用途のための組成物の光学濃度を増加させることを助ける顔料を任意選択的に含有し得る。光学濃度は、材料の吸光度であり、一般に、式Ａ（光学濃度）＝ｌｏｇ１０ １００／％Ｔに従って透過率（％Ｔ）を対数測定することによって決定され得る。ある特定の実施形態では、ポリマー組成物の光学濃度は、４００～１，５００ナノメートルの範囲の波長の場合、例えば、約２以上、いくつかの実施形態では約３以上、いくつかの実施形態では約４以上、いくつかの実施形態では約５～約２０であり得る。ポリマー組成物は、様々な異なる部品厚さ、例えば、約２ミリメートル以下、いくつかの実施形態では約０．１～約１．５ミリメートル、いくつかの実施形態では約０．２～約１ミリメートル（例えば、約０．５ミリメートル）の厚さでそのような光学濃度値を呈し得る。
[0037]必須ではないが、ポリマー組成物は、組成物が磁気センサに用いられる場合などの特定の種類の用途のための組成物の光学濃度を増加させることを助ける顔料を任意選択的に含有し得る。光学濃度は、材料の吸光度であり、一般に、式Ａ（光学濃度）＝ｌｏｇ１０ １００／％Ｔに従って透過率（％Ｔ）を対数測定することによって決定され得る。ある特定の実施形態では、ポリマー組成物の光学濃度は、４００～１，５００ナノメートルの範囲の波長の場合、例えば、約２以上、いくつかの実施形態では約３以上、いくつかの実施形態では約４以上、いくつかの実施形態では約５～約２０であり得る。ポリマー組成物は、様々な異なる部品厚さ、例えば、約２ミリメートル以下、いくつかの実施形態では約０．１～約１．５ミリメートル、いくつかの実施形態では約０．２～約１ミリメートル（例えば、約０．５ミリメートル）の厚さでそのような光学濃度値を呈し得る。
【0026】
[0038]一般に、そのような光学濃度値の達成を助けるために、様々な顔料が用いられ得る。例えば、いくつかの実施形態では、顔料は、粒子、染料、着色剤などの黒色顔料であり得る。用いられる場合、黒色粒子は、カーボンブラック（例えば、ファーネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、またはランプブラック）などの炭素材料から形成され得る。炭素粒子は、粒状、フレーク状（鱗状）などの任意の望ましい形状を有し得る。炭素粒子の平均サイズ（例えば、直径）は、比較的小さくてもよく、例えば、約１～約２００ナノメートル、いくつかの実施形態では約５～約１５０ナノメートル、いくつかの実施形態では約１０～約１００ナノメートルであり得る。また、典型的には、炭素粒子が、比較的純粋であること、例えば、多核芳香族炭化水素（例えば、ベンゾ［ａ］ピレン、ナフタレンなど）を、約１パーツ・パー・ミリオン（「ｐｐｍ」）以下、いくつかの実施形態では約０．５ｐｐｍ以下の量で含有することが望ましい。例えば、炭素粒子は、ベンゾ［ａ］ピレンを、約１０パーツ・パー・ビリオン（「ｐｐｂ」）以下、いくつかの実施形態では約５ｐｐｂ以下の量で含有し得る。必要に応じて、粒子はまた、約２０平方メートル毎グラム（ｍ２／ｇ）～約１，０００ｍ２／ｇ、いくつかの実施形態では約２５ｍ２／ｇ～約５００ｍ２／ｇ、いくつかの実施形態では約３０ｍ２／ｇ～約３００ｍ２／ｇなどの高い比表面積を有し得る。表面積は、ＡＳＴＭ Ｄ６５５６－１９ａに従って物理ガス吸着（ＢＥＴ）法（吸着ガスとしての窒素）によって決定され得る。理論によって制限されることを意図するものではないが、そのような小さなサイズ、高い純度、および／または高い表面積を有する粒子は、多くのフリーラジカルに対する吸着能力を改善することができ、それによって、液晶ポリマーの酸化を最小限に抑えることができると考えられる。
【0027】
[0039]必要に応じて、炭素材料は、炭素粒子をカプセル化することができる担体樹脂を含んでいてもよく、それによって、様々な利益をもたらす。例えば、担体樹脂は、粒子を取り扱う能力および粒子をポリマーマトリックスに組み込む能力を向上させることができる。任意の公知の担体樹脂をこの目的に用いることができるが、特定の実施形態では、担体樹脂は、ポリマーマトリックスに用いられる液晶ポリマーと同じであっても異なっていてもよい上記のような液晶ポリマーであり得る。必要に応じて、担体樹脂を炭素粒子と事前にブレンドしてマスターバッチを形成し、これを後にポリマーマトリックスと組み合わせることができる。用いられる場合、担体樹脂は、典型的には、マスターバッチの約４０ｗｔ．％～約９０ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約５０ｗｔ．％～約８０ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約６０ｗｔ．％～約７０ｗｔ．％を構成しており、炭素粒子は、典型的には、マスターバッチの約１０ｗｔ．％～約６０ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約２０ｗｔ．％～約５０ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約３０ｗｔ．％～約４０ｗｔ．％を構成している。本発明では、炭素粒子および担体樹脂の相対濃度は、ポリマー組成物の磁気特性、機械特性、および流動特性に悪影響を与えることなく、望ましい光学特性を達成するように選択的に制御され得る。例えば、炭素粒子は、典型的には、ポリマー組成物全体の約０．０１～約８ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約０．０５～約４ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約０．１～約２ｗｔ．％の量で用いられる。担体樹脂を含有し得る炭素材料も同様に、ポリマー組成物の約０．１ｗｔ．％～約１５ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約０．２ｗｔ．％～約１０ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約０．４ｗｔ．％～約５ｗｔ．％、またポリマー組成物の約０．５ｖｏｌ．％～約３０ｖｏｌ．％、いくつかの実施形態では約１ｖｏｌ．％～約１５ｖｏｌ．％、いくつかの実施形態では約２ｖｏｌ．％～約１０ｖｏｌ．％を構成し得る。
【0028】
Ｄ．他の添加剤
[0040]必要に応じて、滑剤、熱伝導性フィラー、酸化防止剤、安定剤、界面活性剤、ワックス、難燃剤、滴下防止添加剤、核形成剤（例えば、窒化ホウ素）、ならびに特性および加工性を向上させるために添加される他の材料などの幅広い種類の追加的な添加剤もポリマー組成物に含まれ得る。例えば、実質的な分解なしで液晶ポリマーの加工条件に耐えることができる滑剤がポリマー組成物に用いられ得る。そのような滑剤の例としては、脂肪酸エステル、それらの塩、エステル、脂肪酸アミド、有機リン酸エステル、およびエンジニアリングプラスチック材料の加工において滑剤として一般に使用されるタイプの炭化水素ワックスが、それらの混合物を含め、挙げられる。適した脂肪酸は、典型的には、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アラキン酸、モンタン酸、オクタデシニックアシッド（octadecinic acid）、パリンリックアシッド（parinric acid）などの、約１２～約６０個の炭素原子の骨格炭素鎖を有する。適したエステルとしては、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールエステル、ワックスエステル、グリセロールエステル、グリコールエステル、および複合エステルが挙げられる。脂肪酸アミドは、脂肪第１級アミド、脂肪第２級アミド、メチレンおよびエチレンビスアミド、ならびにアルカノールアミド、例えば、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド、オレイン酸アミド、Ｎ，Ｎ’－エチレンビスステアラミドなどを含む。ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなどの脂肪酸の金属塩；パラフィンワックス、ポリオレフィンワックスおよび酸化ポリオレフィンワックス、ならびにマイクロクリスタリンワックスを含む炭化水素ワックスも適している。特に適した滑剤は、ステアリン酸の酸、塩、またはアミド、例えば、ペンタエリトリトールテトラステアレート、ステアリン酸カルシウム、またはＮ，Ｎ’－エチレンビスステアラミドである。用いられる場合、滑剤は、典型的には、ポリマー組成物の約０．０５ｗｔ．％～約１．５ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約０．１ｗｔ．％～約０．５ｗｔ．％（重量）を構成している。
[0040]必要に応じて、滑剤、熱伝導性フィラー、酸化防止剤、安定剤、界面活性剤、ワックス、難燃剤、滴下防止添加剤、核形成剤（例えば、窒化ホウ素）、ならびに特性および加工性を向上させるために添加される他の材料などの幅広い種類の追加的な添加剤もポリマー組成物に含まれ得る。例えば、実質的な分解なしで液晶ポリマーの加工条件に耐えることができる滑剤がポリマー組成物に用いられ得る。そのような滑剤の例としては、脂肪酸エステル、それらの塩、エステル、脂肪酸アミド、有機リン酸エステル、およびエンジニアリングプラスチック材料の加工において滑剤として一般に使用されるタイプの炭化水素ワックスが、それらの混合物を含め、挙げられる。適した脂肪酸は、典型的には、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アラキン酸、モンタン酸、オクタデシニックアシッド（octadecinic acid）、パリンリックアシッド（parinric acid）などの、約１２～約６０個の炭素原子の骨格炭素鎖を有する。適したエステルとしては、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールエステル、ワックスエステル、グリセロールエステル、グリコールエステル、および複合エステルが挙げられる。脂肪酸アミドは、脂肪第１級アミド、脂肪第２級アミド、メチレンおよびエチレンビスアミド、ならびにアルカノールアミド、例えば、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド、オレイン酸アミド、Ｎ，Ｎ’－エチレンビスステアラミドなどを含む。ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなどの脂肪酸の金属塩；パラフィンワックス、ポリオレフィンワックスおよび酸化ポリオレフィンワックス、ならびにマイクロクリスタリンワックスを含む炭化水素ワックスも適している。特に適した滑剤は、ステアリン酸の酸、塩、またはアミド、例えば、ペンタエリトリトールテトラステアレート、ステアリン酸カルシウム、またはＮ，Ｎ’－エチレンビスステアラミドである。用いられる場合、滑剤は、典型的には、ポリマー組成物の約０．０５ｗｔ．％～約１．５ｗｔ．％、いくつかの実施形態では約０．１ｗｔ．％～約０．５ｗｔ．％（重量）を構成している。
【0029】
ＩＩ．形成
[0041]ポリマー組成物の成分は、溶融加工され得るか、または一緒にブレンドされ得る。これらの成分は、バレル（例えば、円筒形のバレル）内に回転可能に取り付けおよび収容された少なくとも１つのスクリューを含む押出機に個別にまたは組み合わせて供給することができ、供給セクションと、スクリューの長さに沿って供給セクションの下流に置かれている溶融セクションとを画定し得る。押出機は、単軸スクリュー押出機または二軸スクリュー押出機であり得る。スクリューの速度は、望ましい滞留時間、せん断速度、溶融加工温度などを達成するように選択され得る。例えば、スクリュー速度は、約５０～約８００回転毎分（「ｒｐｍ」）、いくつかの実施形態では約７０～約１５０ｒｐｍ、いくつかの実施形態では約８０～約１２０ｒｐｍの範囲であり得る。溶融ブレンディングの最中の見かけのせん断速度はまた、約１００秒－１～約１０，０００秒－１、いくつかの実施形態では約５００秒－１～約５０００秒－１、いくつかの実施形態では約８００秒－１～約１２００秒－１の範囲であり得る。見かけのせん断速度は、４Ｑ／πＲ３に等しく、式中、Ｑは、ポリマー溶融物の体積流量（「ｍ３／ｓ」）であり、Ｒは、溶融ポリマーが流れる毛細管（例えば、押出機ダイ）の半径（「ｍ」）である。得られるポリマー組成物の溶融粘度は、比較的低くてもよく、それによって、加工の最中の流動性を向上させることができるのみならず、組成物の他の特性も相乗的に改善することができる。例えば、ポリマー組成物は、１，０００秒－１のせん断速度で決定して、約２００Ｐａ・ｓ以下、いくつかの実施形態では約１～約１００Ｐａ・ｓ、いくつかの実施形態では約２～約８０Ｐａ・ｓ、いくつかの実施形態では約５～約６０Ｐａ・ｓ、いくつかの実施形態では約１０～約４０Ｐａ・ｓの溶融粘度を有し得る。溶融粘度は、ＩＳＯ試験番号１１４４３：２０１４に従って組成物の溶融温度よりも１５℃高い温度（例えば、約３８０℃の溶融温度では約３９５℃または３３５℃の溶融温度では３５０℃）で決定され得る。
[0041]ポリマー組成物の成分は、溶融加工され得るか、または一緒にブレンドされ得る。これらの成分は、バレル（例えば、円筒形のバレル）内に回転可能に取り付けおよび収容された少なくとも１つのスクリューを含む押出機に個別にまたは組み合わせて供給することができ、供給セクションと、スクリューの長さに沿って供給セクションの下流に置かれている溶融セクションとを画定し得る。押出機は、単軸スクリュー押出機または二軸スクリュー押出機であり得る。スクリューの速度は、望ましい滞留時間、せん断速度、溶融加工温度などを達成するように選択され得る。例えば、スクリュー速度は、約５０～約８００回転毎分（「ｒｐｍ」）、いくつかの実施形態では約７０～約１５０ｒｐｍ、いくつかの実施形態では約８０～約１２０ｒｐｍの範囲であり得る。溶融ブレンディングの最中の見かけのせん断速度はまた、約１００秒－１～約１０，０００秒－１、いくつかの実施形態では約５００秒－１～約５０００秒－１、いくつかの実施形態では約８００秒－１～約１２００秒－１の範囲であり得る。見かけのせん断速度は、４Ｑ／πＲ３に等しく、式中、Ｑは、ポリマー溶融物の体積流量（「ｍ３／ｓ」）であり、Ｒは、溶融ポリマーが流れる毛細管（例えば、押出機ダイ）の半径（「ｍ」）である。得られるポリマー組成物の溶融粘度は、比較的低くてもよく、それによって、加工の最中の流動性を向上させることができるのみならず、組成物の他の特性も相乗的に改善することができる。例えば、ポリマー組成物は、１，０００秒－１のせん断速度で決定して、約２００Ｐａ・ｓ以下、いくつかの実施形態では約１～約１００Ｐａ・ｓ、いくつかの実施形態では約２～約８０Ｐａ・ｓ、いくつかの実施形態では約５～約６０Ｐａ・ｓ、いくつかの実施形態では約１０～約４０Ｐａ・ｓの溶融粘度を有し得る。溶融粘度は、ＩＳＯ試験番号１１４４３：２０１４に従って組成物の溶融温度よりも１５℃高い温度（例えば、約３８０℃の溶融温度では約３９５℃または３３５℃の溶融温度では３５０℃）で決定され得る。
【0030】
ＩＩＩ．磁気コンポーネント
[0042]先に示されているように、本発明のポリマー組成物は、磁気センサ、磁気スイッチ（例えば、磁気センサと組み合わされたスイッチ）、電気コンポーネントのためのクラスプ（例えば、ウォールチャージャ）、電気コンポーネント（例えば、スピーカ、カメラモジュール、受信機、ボイスコイルモータ、振動モータ、イヤーバッド、イヤホン、ヘッドセットなど）における使用のための個別の磁石、ハウジングなどの磁気コンポーネントにおける使用に特に良好に適している。適した磁気センサとしては、例えば、ホール効果センサ、磁気抵抗センサ（例えば、異方性）、光磁気センサ（ＭＯセンサ）などが挙げられ得る。ホール効果センサは、磁場がセンサ要素にわたって印加されるとホール電圧の変化を呈する磁気感知材料を含有し、その一方で、磁気抵抗センサは、磁場がセンサ要素にわたって印加されると抵抗の変化を呈する磁気感知材料を含有する。対照的に、ＭＯセンサは、磁場を分析するために、電気効果の代わりにファラデー効果に基づく。そのようなセンサの様々な例は、例えば、米国特許第９，６６４，７４７号、同第１０，９１４，５６７号および同第１０，９５５，４９４号、ならびに米国特許公開第２０２０／０３１９２６５号に記載されており、これらはすべて、参照により本明細書に組み込まれる。種類に関係なく、そのようなコンポーネントは、一般に、本発明のポリマー組成物から形成され得る磁気感知材料の１つ以上の層を含む。
[0042]先に示されているように、本発明のポリマー組成物は、磁気センサ、磁気スイッチ（例えば、磁気センサと組み合わされたスイッチ）、電気コンポーネントのためのクラスプ（例えば、ウォールチャージャ）、電気コンポーネント（例えば、スピーカ、カメラモジュール、受信機、ボイスコイルモータ、振動モータ、イヤーバッド、イヤホン、ヘッドセットなど）における使用のための個別の磁石、ハウジングなどの磁気コンポーネントにおける使用に特に良好に適している。適した磁気センサとしては、例えば、ホール効果センサ、磁気抵抗センサ（例えば、異方性）、光磁気センサ（ＭＯセンサ）などが挙げられ得る。ホール効果センサは、磁場がセンサ要素にわたって印加されるとホール電圧の変化を呈する磁気感知材料を含有し、その一方で、磁気抵抗センサは、磁場がセンサ要素にわたって印加されると抵抗の変化を呈する磁気感知材料を含有する。対照的に、ＭＯセンサは、磁場を分析するために、電気効果の代わりにファラデー効果に基づく。そのようなセンサの様々な例は、例えば、米国特許第９，６６４，７４７号、同第１０，９１４，５６７号および同第１０，９５５，４９４号、ならびに米国特許公開第２０２０／０３１９２６５号に記載されており、これらはすべて、参照により本明細書に組み込まれる。種類に関係なく、そのようなコンポーネントは、一般に、本発明のポリマー組成物から形成され得る磁気感知材料の１つ以上の層を含む。
【0031】
[0043]磁気コンポーネントは、当技術分野で知られているように、幅広い種類の電子デバイス、例えば、ポータブル電子デバイス（例えば、携帯電話、ポータブルコンピュータ、タブレット、時計など）、コンピュータ、メディアプレーヤ、テレビ、自動車部品、全地球測位システム、カメラ、ゲーミングデバイスなどにおいて用いられ得る。図１を参照すると、例えば、１つ以上の磁気センサ２０を含む電子デバイス１０の一実施形態が示されている。示されているように、デバイス１０は、ハウジング１２、ディスプレイ１４、ユーザの入力を収集するために使用され得る１つ以上のボタン１６、１つ以上のデータポート２６、および追加的な入力出力コンポーネント（例えば、スピーカ１８）を有し得る。デバイス１０には、電子デバイスの磁気的に静かな領域に配置され、かつコンパスインターフェース回路（compass interface circuitry）に結合された、磁気センサ２０などの１つ以上の内部磁気感応デバイスも設けられ得る。コンパスインターフェース回路は、複数のセンサ２０からの磁場データを組み合わせ、方向コンパスデータを生成し、コンパスデータを他の回路に提供するように構成され得る。デバイス１０内のコンパスインターフェース回路または他の制御回路は、コンパス較正データを保存するように構成することができ、コンパス３０をオンおよびオフにするように構成することができ、他の電子コンポーネントの動作ステータスについての情報にアクセスするように構成することができ、他の電子コンポーネントに関連する動作ステータス情報（ステータスデータ、動作ステータスデータなどとも呼ばれる）に基づくコンパスデータの修正を適用するように構成することができ、これらの機能を組み合わせるようにまたはデバイス１０に対してその他のコンパス関連機能を実施するように構成することができる。
【0032】
[0044]図２を参照すると、例えば、磁気センサ２０は、コンパスインターフェース回路３２などの回路と組み合わされて、コンパス３０を形成し得る。コンパスインターフェース回路３２は、部分的に磁気センサ２０上に、部分的に磁気センサ２０とは個別に形成され得るか、またはセンサ２０とは完全に個別に形成され得る。それにもかかわらず、コンパスインターフェース回路３２は、センサ２０から生の磁場データを収集し、関連するコンパスデータをデバイス１０の記憶および処理回路４０などの他の制御回路に提供するように構成され得る。記憶および処理回路４０は、コンパスデータをコンパス３０から回路４０で実行される他のソフトウェアアプリケーションに送るように構成され得る。図２に示されているように、デバイス１０は、１つ以上のカメラ（例えば、前面カメラ、背面カメラなど）、１つ以上の光源（例えば、カメラのフラッシュ、ＬＥＤカメラライト、懐中電灯など）、または地球磁場の検出を妨げ得る磁場を生成する他のコンポーネントなどの他の電子コンポーネント２２も含み得る。磁気センサ２０は、デバイス１０内で、デバイスの比較的磁気的に静かな領域に（例えば、コンポーネント２２から離れて、またはデバイスのバッテリの近くに）位置決めされ得る。
【0033】
[0045]ある特定の実施形態では、デバイス１０は、慣性測定ユニット（ＩＭＵ）４４などの位置決めセンサも含み得る。慣性測定ユニット４４は、デバイス１０の場所および位置を決定するための１つ以上の加速度計、１つ以上のジャイロスコープ、ＧＰＳ回路などを含み得る。記憶および処理回路４０は、コンパス３０との組み合わせにおいてＩＭＵ４４を動作させて、デバイス１０で実行されるアプリケーションに位置および場所の情報を提供するように構成され得る。記憶および処理回路４０は、動力管理ユニット（ＰＭＵ）３８を動作させて、電力をカメラ３４および光源３６などのコンポーネント２２に供給するために使用され得る。記憶および処理回路４０は、入力／出力コンポーネント４２などの入力／出力コンポーネントを動作させるために、かつ入力／出力コンポーネント４２を使用してデバイス１０に入力されたデータを処理および記憶するために使用され得る。入力／出力コンポーネント４２は、図１のボタン１６およびスピーカ１８などのボタンまたはスピーカを含み得る。入力／出力コンポーネント４２は、ディスプレイ１４のタッチ感応部分を含んでいてもよく、キーボード、無線ローカルエリアネットワークトランシーバ回路および携帯電話ネットワークトランシーバ回路などの無線回路、ならびに入力を受信して出力を供給するための他のコンポーネントを含み得る。コンポーネント２２は、デバイス１０の内部にあっても、またはデバイス１０の外面の一部において見える部分を有していてもよい。上述のコンポーネント（例えば、スピーカ１８、入力／出力コンポーネント４２、磁気センサ２０など）のいずれも、本発明のポリマー組成物を含有し得る。
【0034】
[0046]磁気センサ２０は、様々な手法でデバイス１０内に組み込まれ得る。図３に示されているように、例えば、磁気センサ２０は、ハウジング１２の一部に接続され得る。より具体的には、この例では、デバイス１０は、ハウジング側壁１２Ｓおよび後部ハウジング部分１２Ｒに接続された３つの一方向性磁気センサ２０を含む。各一方向性磁気センサ２０は、他の２つのセンサ２０に対して直交する方向に沿って整列され得る。例えば、１つのセンサは、図３のｘ方向に沿って整列した細長い寸法を有し得、１つのセンサは、ｙ方向に沿って整列した細長い寸法を有し得、１つのセンサは、ｚ方向に沿って整列した細長い寸法を有し得る。このようにして、組み合わせた磁気センサを、これらが地球磁場のすべての直交成分をサンプリングするように位置決めすることができる。しかしながら、これは単なる例である。必要に応じて、デバイス１０は、多方向性磁気センサ（例えば、２つまたは３つの直交方向の磁場成分を検出するように構成されたセンサ要素を有するセンサ２０）を含み得る。３つのセンサ２０を使用するか、または１つもしくは２つのセンサ２０上の複数のセンサ要素を使用して収集された磁場データを、（例えば、コンパスインターフェース回路３２を使用して）組み合わせて、デバイス１０が地球磁場に対して向けられている方向に関連する情報を含む方向コンパスデータを形成することができる。図４は、センサ２０が、比較的小さな磁場（例えば、地球磁場の検出を最小限に妨げる磁場）を生成するデバイス１０内のバッテリまたは他のコンポーネントなどの、デバイス１０内のコンポーネント５０に取り付けられる、別の実施形態を示す。センサ２０は、カバー（カウリング）構造などの他の構造に取り付けることもできる。図５では、例えば、カウリング５２を、コンポーネント５０（例えば、バッテリ）を少なくとも部分的に囲むために使用することができ、センサ２０をその上に取り付けることができる。カウリング構造５２は、コンポーネント５０の延長上面を覆う頂部５２Ｔと頂部５２Ｔに直交する側部５２Ｓとを含み得る。側部５２Ｓおよび頂部５２Ｔが、折り畳まれたまたは曲げられた共通の構造から形成され得るか、または側部５２Ｓが、頂部５２Ｔに接続されたまたは隣接して取り付けられた個別の構造であり得る。図示されている実施形態では、２つのセンサ２０が、上面５２Ｔに直交方向（例えば、図５のｘ方向およびｙ方向に平行）に取り付けられており、第３のセンサ２０が、構造５２の直交する折り畳まれた側部５２Ｓに接続されている。図６に示されているように、カウリング構造５２は、側壁部分５２および頂部５２Ｔの両方に直交した追加的な側部５２Ｓ’も含み得る。このようにして、構造体５２に、３つの一方向性磁気センサ２０が取り付けられ得る３つの直交面を設けることができる。
【0035】
[0047]磁気センサ２０を形成する手法は、当業者に知られているように変更されてもよい。図７を参照すると、例えば、センサ２０などの１つの特定の実施形態がより詳細に示されている。より具体的には、センサ２０は、幅「ｗ」を有し、本発明のポリマー組成物を含有する磁気感知要素５８を含む。感知要素５８は、矢印６１によって示される方向に沿って整列した磁場が、基板５６内の回路またはデバイス１０内の他の回路によって検出され得る応答を磁気感知要素５８内に生成するように、センサ回路基板５６（例えば、ケイ素）上に配置され得る。このようにして、センサ２０は、一方向性磁気センサとして構成され得る。回路基板５６は、伝導性トレース６４と電気接点６６とを含む保護基板５４（例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂など）によって封入され得る。電気接点６６は、プリント回路基板、別のフレキシブルプリント回路、またはデバイス１０内の他の回路に接続され得る。トレース６４は、磁場データを基板５６からコンパスインターフェース回路３２（図２）などの他のデバイス回路に送るために使用され得る。環境変化によるノイズ信号の検出および除去を助けるために、センサ２０に、本発明のポリマー組成物を含有し得る基準磁気感知要素６０を設けることもできる。
【0036】
[0048]図８を参照すると、磁気感知要素５８は、保護基板５４の上に形成され得る（または保護基板５４内に部分的もしくは完全に埋め込まれ得る）。回路基板５６は、基板５４Ｌの最下層に取り付けられていてもよく、追加的な基板材料５４Ｔによって覆われていてもよい。伝導性トレース６４は、保護基板５４の最上層および最下層である５４Ｔおよび５４Ｂの間に形成され得る。各伝導性トレース６４は、伝導性接点６６としての役割を果たす露出部分を含み得る。トレース６４の反対側の端部は、回路基板５６内のトレース５５などの伝導性トレースに結合されていてもよく、それによって、磁気感知要素５８を接点６６に結合する。伝導性トレース６４は、これらがセンサ２０の近傍の磁場を妨げないように、磁気的に透明な材料（例えば、銅）から形成され得る。回路基板５６は、磁気感知要素５８から受信した磁場信号を処理するための回路５７を含み得る。例えば、回路基板５６に１つ以上の磁気感知要素５８および１つ以上の基準感知要素６０が設けられている構成では、回路５７は、（例えば、要素５８によって収集された磁場信号からの基板５６の温度の変化に基づく影響を除去することによって）要素６０からの磁場信号を使用して要素５８からの磁場信号を変化させるために使用され得る。
【0037】
[0049]描かれているように、センサ２０は、センサ２０の表面に垂直でありかつ基板５６および磁気感知要素５８を通過する寸法に沿った特徴的な最大高さ「Ｈ」を有する比較的薄いセンサであり得る。高さは、例えば、約２００マイクロメートル以下、いくつかの実施形態では約４０～約１５０マイクロメートルであり得る。必要に応じて、センサ２０の高さは、図９に示されているように、回路基板５６にプリント回路５４を収容するための凹部を設けることによってさらに低減され得る。図９では、例えば、基板５６の延長部分７４が保護基板５４の延長部分７５と接合することができるように、基板５６の一部が除去されている。このようにして、プリント回路材料の最上層なしで回路基板５６が提供され得る。図９に示されているタイプの構成では、回路基板５６に、磁気感応磁気感知要素５８から延長部分７４上に延びて電気接点７８に接続する伝導性トレース７６が設けられ得る。電気接点７８は、保護基板５４内のトレース６４に結合され得る。基板５４および基板５６に接合延長部分を設けることによって、センサ２０の高さは、約１５０マイクロメートル以下、いくつかの実施形態では約３０～約１００マイクロメートルの高さＨ’に低減され得る。
【0038】
[0050]図１０は、磁気感知要素５８および基準感知要素６０が回路基板５６の共通の表面上に形成されている磁気センサの側断面図を示す。この実施形態では、回路基板５６は、要素５８および６０ならびに回路５７に結合された電気接点８４（例えば、基板５６の伝導性金属層の露出部分）を含み得る。伝導性ライン５５は、磁場データを要素５８および６０から回路５７におよび／またはプリント回路５４の伝導性トレース６４に提供するために使用され得る。示されているように、磁気感知要素５８および基準感知要素６０のどちらも、本発明のポリマー組成物を含有し得る磁気センサ層８０を含み得る。磁気センサ層８０は、本発明のポリマー組成物などの磁気感応性材料、ならびにパッシベーション層、遮蔽層、伝導性層などの１つ以上の他の任意選択的な層を含み得る。基準要素６０は、磁気センサ層８０を覆い、かつ外部磁場が基準センサ内のセンサ層８０に到達することを防止する１つ以上の追加的な遮蔽層８２を含み得る。そのような磁気遮蔽材料としては、ミューメタル、ニッケルもしくは他の適した磁場遮蔽材料、または材料の組み合わせが挙げられ得る。
【0039】
[0051]図１０の例では、センサ２０は、１つの磁気感知要素５８および１つの基準要素６０を含む。しかしながら、これは単なる例である。必要に応じて、センサ２０が基準センサなしで設けられ得るか、またはセンサ２０に１つより多くの磁気センサ要素および／もしくは１つより多くの基準センサ要素が設けられ得る。図１１を参照すると、例えば、センサ２０に２つの磁気センサ要素が設けられ得る。センサ２０は、矢印６１に平行な方向に沿って磁場成分を検出するように構成された第１のセンサ磁気感知要素５８、および矢印６１’に平行な直交方向に沿って磁場成分を検出するように構成された第２のセンサ磁気感知要素５８を含み得る。このようにして、センサ２０は、双方向性磁気センサ（すなわち、２つの直交方向の磁場成分を検出することができるセンサ）として構成され得る。図１２に示されているように、双方向性磁気センサ２０は、共有基準要素６０も含み得る。これに関して、第１のセンサ磁気感知要素５８および基準要素６０からの信号は、組み合わされ（例えば、減算され）、デジタル化され得る（例えば、基板５６内の回路５７またはデバイス１０内の他の回路を使用する）。第２のセンサ磁気感知要素５８および基準要素６０からの信号は、組み合わされ（例えば、減算され）、デジタル化され得る（例えば、基板５６内の回路５７またはデバイス１０内の他の回路を使用する）。必要に応じて、各センサ５８および共有基準要素６０からの組み合わされた信号は、共通の共有アナログ－デジタル変換器回路を使用してデジタル化され得る。
【0040】
[0052]望ましい磁気コンポーネントは、これが使用される手法に関係なく、様々な異なる技術を使用して形成され得る。適した技術としては、例えば、フィルム押出、熱成形、ブロー成形、射出成形、低圧射出成形、押出圧縮成形、ガス射出成形、発泡射出成形、低圧ガス射出成形、低圧発泡射出成形、ガス押出圧縮成形、発泡押出圧縮成形、押出成形、発泡押出成形、圧縮成形、発泡圧縮成形、ガス圧縮成形などが挙げられ得る。例えば、ポリマー組成物が射出され得る鋳型を含む射出成形システムが用いられ得る。ポリマーマトリックスが事前に凝固しないように、射出機内の時間が制御および最適化され得る。サイクル時間に達し、バレルが排出に向けて満ちたら、組成物を鋳型キャビティに射出するためにピストンが使用され得る。圧縮成形システムも用いられ得る。射出成形と同様に、望ましい物品へのポリマー組成物の成形も鋳型内で生じる。組成物は、自動ロボットアームによって拾い上げられることなどによる任意の公知の技術を使用して圧縮鋳型内に設置され得る。鋳型の温度は、凝固を可能にするのに望ましい期間にわたって、ポリマーマトリックスの凝固温度以上に維持され得る。次いで、成形される生成物は、これを溶融温度未満の温度にすることによって凝固され得る。得られた生成物は、離型され得る。各成形プロセスのサイクル時間は、十分な結合を達成し、全体的なプロセス生産性を向上させるように、ポリマーマトリックスに合わせて調整され得る。
【0041】
試験方法
[0053]溶融粘度：溶融粘度（Ｐａ・ｓ）は、ＩＳＯ試験番号１１４４３：２０１４に従って、１，０００ｓ－１のせん断速度および溶融温度よりも１５℃高い温度で、Ｄｙｎｉｓｃｏ ＬＣＲ７００１キャピラリーレオメーターを使用して決定され得る。レオメーターオリフィス（ダイ）は、直径１ｍｍ、長さ２０ｍｍ、Ｌ／Ｄ比２０．１、および入口角１８０°を有していた。バレルの直径は９．５５ｍｍ＋０．００５ｍｍであり、ロッドの長さは２３３．４ｍｍであった。
[0053]溶融粘度：溶融粘度（Ｐａ・ｓ）は、ＩＳＯ試験番号１１４４３：２０１４に従って、１，０００ｓ－１のせん断速度および溶融温度よりも１５℃高い温度で、Ｄｙｎｉｓｃｏ ＬＣＲ７００１キャピラリーレオメーターを使用して決定され得る。レオメーターオリフィス（ダイ）は、直径１ｍｍ、長さ２０ｍｍ、Ｌ／Ｄ比２０．１、および入口角１８０°を有していた。バレルの直径は９．５５ｍｍ＋０．００５ｍｍであり、ロッドの長さは２３３．４ｍｍであった。
【0042】
[0054]溶融温度：溶融温度（「Ｔｍ」）は、当技術分野で知られているように、示差走査熱量測定（「ＤＳＣ」）によって決定され得る。溶融温度は、ＩＳＯ試験番号１１３５７－２：２０２０によって決定されるような示差走査熱量測定（ＤＳＣ）のピーク溶融温度である。ＤＳＣ手順では、ＴＡ Ｑ２０００装置において行われるＤＳＣ測定を使用して、ＩＳＯ規格１０３５０に述べられているように、サンプルを毎分２０℃で加熱および冷却した。
【0043】
[0055]荷重たわみ温度（「ＤＴＵＬ」）：荷重温度下でのたわみは、ＩＳＯ試験番号７５－２：２０１３（技術的にはＡＳＴＭ Ｄ６４８－１８と同等）に従って決定され得る。より具体的には、長さ８０ｍｍ、厚さ１０ｍｍ、および幅４ｍｍの試験片サンプルを、指定荷重（最大外部繊維応力）が１．８メガパスカルであるエッジワイズ三点曲げ試験に供することができる。試料をシリコーン油浴中に下げることができ、そこで、試料が０．２５ｍｍ（ＩＳＯ試験番号７５－２：２０１３では０．３２ｍｍ）たわむまで、毎分２℃で温度を上げる。
【0044】
[0056]引張弾性率、引張応力、および引張伸び：引張特性は、ＩＳＯ試験番号５２７：２０１９（技術的にはＡＳＴＭ Ｄ６３８－１４と同等）に従って試験され得る。弾性率および強度の測定は、長さ８０ｍｍ、厚さ１０ｍｍ、および幅４ｍｍの同じ試験片サンプルについて行われ得る。試験温度は２３℃であり得、試験速度は１または５ｍｍ／分であり得る。
【0045】
[0057]曲げ弾性率、曲げ応力、および曲げ伸び：曲げ特性は、ＩＳＯ試験番号１７８：２０１９（技術的にはＡＳＴＭ Ｄ７９０－１０と同等）に従って試験され得る。この試験は、６４ｍｍのサポートスパン（support span）で実施され得る。試験は、切断されていないＩＳＯ３１６７多目的バーの中心部分において実行され得る。試験温度は２３℃であり得、試験速度は２ｍｍ／分であり得る。
【0046】
実施例１
[0058]以下の成分を含有するサンプルが形成され得る：
[0058]以下の成分を含有するサンプルが形成され得る：
【0047】
【表1】
【0048】
[0059]ＬＣＰ１は、約３４０℃の溶融温度を有し、６０％のＨＢＡ、１８％のＴＡ、１２％のＢＰ、５％のＨＮＡ、および５％のＡＰＡＰを含有する。磁気粉末１は、Ｍａｇｎｅｑｕｅｎｃｈから「ＭＱＰ－ＡＡ４－１５－７」という名称で得られるＮｄＦｅＢ磁気粉末である。
【0049】
実施例２
[0060]以下の成分を含有するサンプルが形成され得る：
[0060]以下の成分を含有するサンプルが形成され得る：
【0050】
【表2】
【0051】
[0061]磁気粉末２は、Ｍａｇｎｅｑｕｅｎｃｈから「ＭＱＰ－Ｂ＋」という名称で得られるＮｄ－Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ磁気粉末であり、これは、約９００ｍＴの残留磁気（Ｂｒ）、約１３０ｋＪ／ｍ３のエネルギー積（ＢＨｍａｘ）、７１６～８３６ｋＡ／ｍの固有保磁力（Ｈｃｉ）、および３６０℃のキュリー温度（ＴＣ）を有する。
【0052】
実施例３
[0062]以下の成分を含有するサンプルが形成され得る：
[0062]以下の成分を含有するサンプルが形成され得る：
【0053】
【表3】
【0054】
[0063]ＬＣＰ２は、約３２５℃の溶融温度を有し、約４３％のＨＢＡ、８％のＴＡ、２９％のＨＱ、および２０％のＮＤＡを含有する。
実施例４
[0064]以下の成分を含有するサンプルが形成され得る：
実施例４
[0064]以下の成分を含有するサンプルが形成され得る：
【0055】
【表4】
【0056】
実施例５
[0065]以下の成分を含有するサンプルが形成され得る：
[0065]以下の成分を含有するサンプルが形成され得る：
【0057】
【表5】
【0058】
[0066] 磁気粉末３は、約８５０ｍＴの残留磁気（Ｂｒ）、約１１９ｋＪ／ｍ３のエネルギー積（ＢＨｍａｘ）、および約９８７ｋＡ／ｍの固有保磁力（Ｈｃｉ）を有するＮｄ－Ｆｅ－Ｂ磁気粉末である。メジアン粒径（Ｄ５０）は約４５マイクロメートルであり、Ｄ９７粒径は約１９２マイクロメートルである。
【0059】
[0067]サンプルを、上記のように、様々な磁気特性および機械特性について試験した。結果を以下の表に示す。
【0060】
【表6】
【0061】
[0068]本発明のこれらおよび他の修正形態および変形形態は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、当業者によって実践され得る。さらに、様々な実施形態の態様が全体的または部分的のどちらで交換されてもよいと理解されたい。さらに、当業者であれば、前述の説明は単なる例であり、そのような添付の特許請求の範囲にさらに記載されている本発明を限定することを意図していないと理解するであろう。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【国際調査報告】