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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-07-17
(54)【発明の名称】表示パネル及びそれを含む電子機器
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20240709BHJP
G09F 9/33 20060101ALI20240709BHJP
H01L 33/48 20100101ALI20240709BHJP
H10K 59/126 20230101ALI20240709BHJP
H10K 77/10 20230101ALI20240709BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20240709BHJP
H10K 59/65 20230101ALI20240709BHJP
H01L 21/336 20060101ALI20240709BHJP
H01L 29/786 20060101ALI20240709BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 349Z
G09F9/33
G09F9/30 349C
H01L33/48
H10K59/126
H10K77/10
H10K59/124
H10K59/65
H01L29/78 619A
H01L29/78 626C
H01L29/78 618B
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023575500
(86)(22)【出願日】2022-06-03
(85)【翻訳文提出日】2023-12-07
(86)【国際出願番号】 KR2022007945
(87)【国際公開番号】W WO2022260372
(87)【国際公開日】2022-12-15
(31)【優先権主張番号】10-2021-0074974
(32)【優先日】2021-06-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】100121382
【弁理士】
【氏名又は名称】山下 託嗣
(72)【発明者】
【氏名】チャ，ミョン グン
(72)【発明者】
【氏名】チェ，サン ゴン
(72)【発明者】
【氏名】シン，ジ ヨン
(72)【発明者】
【氏名】チェ，キ ソク
【テーマコード（参考）】
3K107
5C094
5F110
5F142
【Ｆターム（参考）】
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3K107BB01
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3K107DD19
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5F142GA02
5F142GA40
(57)【要約】
本発明の一実施形態は、高分子樹脂を含む基板と、基板上に配置され、薄膜トランジスタをそれぞれ含む第１画素回路及び第２画素回路と、第１画素回路に連結され、第１表示領域に位置する第１発光ダイオードと、第２画素回路に連結され、第２表示領域のサブ表示領域に位置する第２発光ダイオードと、第２表示領域に位置するとともに、基板と第２画素回路間にある下部金属層と、基板と下部金属層との間に位置するが、第１表示領域及び第２表示領域に対応する保護層と、を含み、下部金属層は、第２表示領域のサブ表示領域と隣接した透過領域に位置する第１開口を含み、保護層は、透過領域に位置して第１開口に重畳する第２開口を含む、表示パネル及びそれを含む電子機器について開示する。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
高分子樹脂を含む基板と、前記基板上に配置され、薄膜トランジスタをそれぞれ含む第１画素回路及び第２画素回路と、
前記第１画素回路に電気的に連結され、第１表示領域に位置する第１発光ダイオードと、
前記第２画素回路に電気的に連結され、第２表示領域のサブ表示領域に位置する第２発光ダイオードと、
前記第２表示領域に位置し、前記基板と前記第２画素回路との間に配置された下部金属層と、
前記第１表示領域及び前記第２表示領域に位置するとともに、前記第２表示領域に対応する一部が前記基板と前記下部金属層との間に位置する保護層と、を含み、
前記下部金属層は、前記第２表示領域の前記サブ表示領域と隣接した透過領域に位置する第１開口を含み、前記保護層は、前記透過領域に位置し、前記第１開口に重畳する第２開口を含む、表示パネル。
【請求項2】
前記第２開口の幅は、前記第１開口の幅よりも小さい、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項3】
前記保護層は、非晶質シリコン、Ｓｉリッチ(Si-rich)シリコン酸窒化物、または、シリコン酸化物とシリコン窒化物との多層構造を含む、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項4】
前記第１画素回路及び前記第２画素回路のそれぞれの前記薄膜トランジスタは、ポリシリコンを含む半導体層を備える、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項5】
前記第２画素回路は、複数の薄膜トランジスタを含み、前記下部金属層は、前記複数の薄膜トランジスタと重畳する、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項6】
前記基板と前記第１画素回路との間に追加金属層をさらに含むが、前記追加金属層は、前記第１画素回路の複数の薄膜トランジスタのうちのいずれか１つまたは、一部の薄膜トランジスタと重畳する、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項7】
前記追加金属層の厚さは、前記下部金属層の厚さよりも小さい、請求項６に記載の表示パネル。
【請求項8】
前記追加金属層と前記下部金属層との間の層間絶縁層をさらに含む、請求項６に記載の表示パネル。
【請求項9】
前記基板上に配置されるとともに、前記第１発光ダイオード及び前記第２発光ダイオードの下方に配置される無機絶縁層の積層体をさらに含み、前記積層体は、
前記透過領域に位置し、前記下部金属層の前記第１開口及び前記保護層の前記第２開口と重畳する第３開口を含む、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項10】
前記積層体上に配置されるとともに、前記第１発光ダイオードと前記第２発光ダイオードの下方に配置される有機絶縁層をさらに含み、前記有機絶縁層の一部は、前記積層体の第３開口に存在する、請求項９に記載の表示パネル。
【請求項11】
前記有機絶縁層の一部は、前記保護層の前記第２開口に存在する、請求項１０に記載の表示パネル。
【請求項12】
前記有機絶縁層の一部は、前記保護層の前記第２開口及び前記積層体の前記第３開口を介して前記基板と接触する、請求項１０に記載の表示パネル。
【請求項13】
前記基板は、高分子樹脂を含む第１ベース層と、
第１ベース層上に配置され、無機絶縁物を含む第１バリア層と、
前記第１ベース層上に配置され、高分子樹脂を含む第２ベース層と、
前記第２ベース層上に配置され、無機絶縁物を含む第２バリア層と、を含み、
前記有機絶縁層の前記一部は、前記第２バリア層と接触する、請求項１２に記載の表示パネル。
【請求項14】
第１表示領域と、前記第１表示領域によって少なくとも部分的に取り囲まれ、サブ表示領域と透過領域を含む第２表示領域と、を含む、表示パネルと、前記第２表示領域に位置するように前記表示パネルの下方に配置されるコンポーネントと、を含み、
前記表示パネルは、
基板と、
前記第１表示領域に配置され、前記基板上に配置され、薄膜トランジスタを含む第１画素回路に電気的に連結された第１発光ダイオードと、
前記第２表示領域の前記サブ表示領域に配置され、前記基板上に配置され、薄膜トランジスタを含む第２画素回路に電気的に連結された第２発光ダイオードと、
前記第２表示領域において前記基板と前記第２画素回路との間に介在され、前記透過領域に位置する第１開口を備えた下部金属層と、
前記基板と前記下部金属層との間に介在され、前記第１開口に重畳する第２開口を備えた保護層と、を含む、電子機器。
【請求項15】
前記表示パネルは、前記下部金属層上に配置される無機絶縁層の積層体をさらに含み、前記積層体は、前記下部金属層の前記第１開口及び前記保護層の前記第２開口と重畳する第３開口を含む、請求項１４に記載の電子機器。
【請求項16】
前記表示パネルは、前記積層体上に配置され、前記第１発光ダイオード及び前記第２発光ダイオードの下方に配置される有機絶縁層をさらに含み、
前記有機絶縁層の一部は、前記積層体の第３開口及び前記第２開口内に存在する、請求項１５に記載の電子機器。
【請求項17】
前記有機絶縁層の前記一部は、前記積層体の前記第３開口及び前記保護層の前記第２開口を介して前記基板に直接に接触する、請求項１６に記載の電子機器。
【請求項18】
前記基板は、高分子樹脂を含む第１ベース層と、
第１ベース層上に配置され、無機絶縁物を含む第１バリア層と、
前記第１ベース層上に配置され、高分子樹脂を含む第２ベース層と、
前記第２ベース層上に配置され、無機絶縁物を含む第２バリア層と、を含み、
前記有機絶縁層の前記一部は、前記第２バリア層と接触する、請求項１７に記載の電子機器。
【請求項19】
前記第２開口の幅は、前記第１開口の幅よりも小さい、請求項１４に記載の電子機器。
【請求項20】
前記保護層は、約２５０ｎｍ～約３５０ｎｍの範囲の波長帯域の透過率が約１０％以下である物質を含む、請求項１４に記載の電子機器。
【請求項21】
前記保護層は、非晶質シリコン、Ｓｉリッチ(Si-rich)シリコン酸窒化物、または、シリコン酸化物とシリコン窒化物との多層構造を含む、請求項１４に記載の電子機器。
【請求項22】
前記第１画素回路及び前記第２画素回路のそれぞれの前記薄膜トランジスタは、ポリシリコンを含む半導体層を備える、請求項１４に記載の電子機器。
【請求項23】
前記第２画素回路は、複数の薄膜トランジスタを含み、前記下部金属層は、前記複数の薄膜トランジスタと重畳する、請求項１４に記載の電子機器。
【請求項24】
前記表示パネルは、前記基板と前記第１画素回路との間に追加金属層をさらに含む、請求項１４に記載の電子機器。
【請求項25】
前記追加金属層の厚さは、前記下部金属層の厚さよりも小さい、請求項２４に記載の電子機器。
【請求項26】
前記追加金属層は、前記第１画素回路の複数の薄膜トランジスタのうちのいずれか１つ、または、一部の薄膜トランジスタと重畳する、請求項２４に記載の電子機器。
【請求項27】
前記表示パネルは、前記追加金属層と前記下部金属層との間の層間絶縁層をさらに含む、請求項２４に記載の電子機器。
【請求項28】
前記コンポーネントは、センサまたはカメラを含む、請求項１４に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示パネル及びそれを含む電子機器に係り、具体的に、表示パネル及び表示パネルの下方に提供されるコンポーネント（例えば、カメラ、センサなど）を配置するためのコンポーネント領域が表示パネルに提供される電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
最近、表示パネルは、その用途が多様になっている。また、表示パネルは、厚みが小さくなり重さが軽いことから、その使用範囲が広くなる傾向にある。
【0003】
表示パネル中における表示領域が占める面積を拡大しつつ、表示パネルに組み合わされたり連携されたりする多様な機能が追加されている。面積を拡大しつつ多様な機能を追加するための方策として、表示領域の内側に、イメージディスプレイではない多様な機能を付け加えるための領域を有する表示パネルの研究が続けられている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
多様な機能を提供するために、カメラやセンサといったコンポーネントを、表示パネルの下方に配置することができる。さらに広い面積の表示領域を確保しながら、コンポーネントを配置するために、コンポーネントを表示領域と重畳して(重ね合わされるように)配置することができる。コンポーネントを配置する１つの方法として、表示パネルに、光や音響といった波長が透過する透過領域を含みうる。本発明は、前述した構造を有する表示パネル及びそれを含む電子機器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一実施形態は、高分子樹脂を含む基板；前記基板上に配置され、薄膜トランジスタをそれぞれ含む第１画素回路及び第２画素回路；前記第１画素回路に連結され、第１表示領域に位置する第１発光ダイオード；前記第２画素回路に連結され、第２表示領域のサブ表示領域に位置する第２発光ダイオード；前記第２表示領域に位置するとともに、前記基板と前記第２画素回路との間にある下部金属層；及び、前記基板と前記下部金属層との間に位置するとともに、前記第１表示領域及び前記第２表示領域に対応する保護層；を含み、前記下部金属層は、前記第２表示領域の前記サブ表示領域と隣接した透過領域に位置する第１開口を含み、前記保護層は、前記透過領域に位置し、前記第１開口に重畳する第２開口を含む、表示パネルを開示する。
【0006】
前記第２開口の幅は、前記第１開口の幅よりも小さい。
【0007】
前記保護層は、非晶質シリコン、Ｓｉリッチ(Si-rich)シリコン酸窒化物、または、シリコン酸化物とシリコン窒化物との多層構造を含みうる。
【0008】
前記第１画素回路及び前記第２画素回路のそれぞれの前記薄膜トランジスタは、ポリシリコンを含む半導体層を備えることができる。
【0009】
前記第２画素回路は、複数の薄膜トランジスタを含み、前記下部金属層は、前記複数の薄膜トランジスタと重畳しうる。
【0010】
前記基板と前記第１画素回路との間に追加金属層をさらに含み、前記追加金属層は、前記第１画素回路の複数の薄膜トランジスタのうち、一部薄膜トランジスタと重畳しうる。
【0011】
前記追加金属層の厚さは、前記下部金属層の厚さよりも薄い。
【0012】
前記追加金属層と前記下部金属層との間の層間絶縁層をさらに含みうる。
【0013】
前記基板上に配置されるが、前記第１発光ダイオード及び前記第２発光ダイオードの下方に配置される無機絶縁層の積層体をさらに含み、前記積層体は、前記透過領域に位置し、前記下部金属層の前記第１開口及び前記保護層の前記第２開口と重畳する第３開口を含みうる。
【0014】
前記積層体の上に配置されるが、前記第１発光ダイオードと前記第２発光ダイオードの下方に配置される有機絶縁層をさらに含み、前記有機絶縁層の一部は、前記積層体の第３開口に存在しうる。
【0015】
前記有機絶縁層の一部は、前記保護層の前記第２開口に存在しうる。
【0016】
前記有機絶縁層の一部は、前記第２開口及び前記第３開口を介して前記基板と接触しうる。
【0017】
前記基板は、高分子樹脂を含む第１ベース層；第１ベース層上に配置され、無機絶縁物を含む第１バリア層；前記第１バリア層上に配置され、高分子樹脂を含む第２ベース層；及び、前記第２ベース層上に配置され、無機絶縁物を含む第２バリア層を含み、前記有機絶縁層の前記一部は、前記第２バリア層と接触しうる。
【0018】
本発明の他の実施形態は、第１表示領域と、前記第１表示領域によって少なくとも部分的に取り囲まれ、サブ表示領域と透過領域を含む第２表示領域とを含む表示パネル；及び前記第２表示領域に位置するように前記表示パネルの下方に配置されるコンポーネント；を含み、前記表示パネルは、基板；前記第１表示領域に配置され、前記基板上に配置され、薄膜トランジスタを含む第１画素回路に電気的に連結された第１発光ダイオード；前記第２表示領域の前記サブ表示領域に配置され、前記基板上に配置され、薄膜トランジスタを含む第２画素回路に電気的に連結された第２発光ダイオード；前記第２表示領域において前記基板と前記第２画素回路との間に介在され、前記透過領域に位置する第１開口を備えた下部金属層；及び、前記基板と前記下部金属層との間に介在され、前記第１開口に重畳する第２開口を備えた保護層；を含む電子機器を提供する。
【0019】
前記表示パネルは、前記下部金属層上に配置される無機絶縁層の積層体をさらに含み、前記積層体は、前記下部金属層の前記第１開口及び前記保護層の前記第２開口と重畳する第３開口を含みうる。
【0020】
前記表示パネルは、前記積層体上に配置され、前記第１発光ダイオード及び前記第２発光ダイオードの下方に配置される有機絶縁層をさらに含み、前記有機絶縁層の一部は、前記積層体の第３開口及び前記第２開口内に存在しうる。
【0021】
前記有機絶縁層の前記一部は、前記第３開口及び前記第２開口を介して前記基板に直接接触しうる。
【0022】
前記基板は、高分子樹脂を含む第１ベース層；第１ベース層上に配置され、無機絶縁物を含む第１バリア層；前記第１バリア層上に配置され、高分子樹脂を含む第２ベース層；及び、前記第２ベース層上に配置され、無機絶縁物を含む第２バリア層；を含み、前記有機絶縁層の前記一部は、前記第２バリア層と接触しうる。
【0023】
前記第２開口の幅は、前記第１開口の幅よりも狭い。
【0024】
前記保護層は、約２５０ｎｍ～約３５０ｎｍの範囲の波長帯域の透過率約１０％以下である物質を含みうる。
【0025】
前記保護層は、非晶質シリコン、Ｓｉリッチ(Si-rich)シリコン酸窒化物、またはシリコン酸化物とシリコン窒化物との多層構造を含みうる。
【0026】
前記第１画素回路及び前記第２画素回路のそれぞれの前記薄膜トランジスタは、ポリシリコンを含む半導体層を備える。
【0027】
前記第２画素回路は、複数の薄膜トランジスタを含み、前記下部金属層は、前記複数の薄膜トランジスタと重畳しうる。
【0028】
前記表示パネルは、前記基板と前記第１画素回路との間に追加金属層をさらに含みうる。
【0029】
前記追加金属層の厚さは、前記下部金属層の厚さよりも薄い。
【0030】
前記追加金属層は、前記第１画素回路の複数の薄膜トランジスタのうち、一部薄膜トランジスタと重畳しうる。
【0031】
前記表示パネルは、前記追加金属層と前記下部金属層との間の層間絶縁層をさらに含みうる。
【0032】
前記コンポーネントは、センサまたはカメラを含みうる。
【0033】
前述したところ以外の他の側面、特徴、利点が、以下の図面、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明から明確になるであろう。
【発明の効果】
【0034】
本発明の実施形態は、表示パネルの製造工程時に使用されるレーザビームから基板のような構成要素の損傷を防止しながら、コンポーネントが配置される透過領域の透過率を十分に確保しうる。そのような効果は、一例示に過ぎず、それにより、本発明の範囲が限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【0035】
【図1】本発明の一実施形態による電子機器を示す斜視図である。
【図2A】一実施形態によるフォールダブル電子機器の斜視図であって、フォールダブル(foldable; 折り畳み可能)電子機器の折り畳まれた状態を示す。
【図2B】一実施形態によるフォールダブル電子機器の斜視図であって、フォールダブル電子機器の展開(unfolded)状態を示す。
【図3】本発明の一実施形態による電子機器を概略的に示す平面図である。
【図4】本発明の一実施形態による電子機器の一部を示す断面図である。
【図5】本発明の一実施形態による表示パネルの発光ダイオードに電気的に連結された画素回路を概略的に示す等価回路図である。
【図6】本発明の一実施形態による表示パネルの第１表示領域の一部を示す平面図である。
【図7A】本発明の一実施形態による表示パネルの第２表示領域の一部を示す平面図である。
【図7B】本発明の一実施形態による表示パネルの第２表示領域の一部を示す平面図である。
【図8】本発明の一実施形態による表示パネルの第２表示領域及びその周辺の第１表示領域を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0036】
本発明の一実施形態による表示パネルは、高分子樹脂を含む基板；前記基板上に配置され、薄膜トランジスタをそれぞれ含む第１画素回路及び第２画素回路；前記第１画素回路に連結され、第１表示領域に位置する第１発光ダイオード；前記第２画素回路に連結され、第２表示領域のサブ表示領域に位置する第２発光ダイオード；前記第２表示領域に位置するが、前記基板と前記第２画素回路との間に配置された下部金属層；及び前記基板と前記下部金属層との間に位置するが、前記第１表示領域及び前記第２表示領域に対応する保護層；を含み、前記下部金属層は、前記第２表示領域の前記サブ表示領域と隣接した透過領域に位置する第１開口を含み、前記保護層は、前記透過領域に位置し、前記第１開口に重畳する第２開口を含みうる。
【0037】
本発明の他の実施形態による電子機器は、前述した表示パネル及び表示パネルの下方に配置されたコンポーネントを含みうる。
【0038】
本発明は、多様な変換を加えることができ、様々な実施形態を有することができるところ、特定実施形態を図面に例示し、詳細な説明において詳細に説明する。本発明の効果及び特徴、そして、それらの達成方法は、図面と共に詳細に後述される実施形態を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、後述する実施形態に限定されるものではなく、多様な形態に具現されうる。
【0039】
以下、添付された図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明し、図面を参照して説明するとき、同一であるか、対応する構成要素は、同じ図面符号を付し、それについての重複説明は省略する。
【0040】
以下の実施形態において、第１、第２などの用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的で使用された。
【0041】
以下の実施形態において、単数表現は、文脈上、明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
【0042】
以下の実施形態において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載の特徴、または構成要素が存在することを意味するものであり、１つ以上の他の特徴または構成要素の付加の可能性を予め排除するものではない。
【0043】
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などの部分が、他の部分の「上に」または「上部に」あるとするとき、他の部分の直上にある場合だけではなく、その中間に他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
【0044】
以下の実施形態において、「Ａ及びＢのうち、少なくともいずれか１つ」は、Ａを含むか、Ｂを含むか、または、ＡとＢとを含むという場合を示す。
【0045】
図面では、説明の便宜上、構成要素の大きさが誇張または縮小されうる。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上、任意に示したものであって、本発明が必ずしも図示されたところに限定されない。
【0046】
ある実施形態が異なって具現可能な場合、特定の工程順序は、説明される順序と異なって遂行されうる。例えば、連続して説明される２工程が、実質的に同時に遂行されても、説明される順序と逆順に遂行されてもよい。
【0047】
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などが連結されたとするとき、膜、領域、構成要素が直接連結された場合だけではなく、膜、領域、構成要素の中間に他の膜、領域、構成要素が介在されて間接的に連結された場合も含む。例えば、本明細書において、膜、領域、構成要素などが電気的に連結されたとするとき、膜、領域、構成要素などが直接電気的に連結された場合だけではなく、その中間に他の膜、領域、構成要素などが介在されて間接的に電気的に連結された場合も含む。
【0048】
図１は、本発明の一実施形態による電子機器１を示す斜視図である。
【0049】
一実施形態による電子機器１は、動画や静止画を表示する装置であって、モバイルフォン(mobile phone)、スマートフォン(smart phone)、タブレットPC(tablet personal computer)、移動通信端末機、電子手帳、電子ブック、PMP(portable multimedia player)、ナビゲーション、UMPC(Ultra Mobile PC)のような携帯用電子機器だけではなく、テレビ、ノート型パソコン、モニタ、広告看板、事物インターネット(internet of things, IOT)などの多様な製品の表示画面として使用されうる。また、一実施形態による電子機器１は、スマートウォッチ(smart watch)、ウォッチフォン(watch phone)、めがね型ディスプレイ、及びヘッド装着型ディスプレイ(head mounted display, HMD)といったウェアラブル装置(wearable device)に使用されうる。また、一実施形態による電子機器１は、自動車の計器盤、及び自動車のセンターフェイシア(center fascia)またはダッシュボードに配置された CID(Center Information Display)、自動車のサイドミラーを代替するルームミラーディスプレイ(room mirror display)、自動車の後部座席用エンターテイメントとして、前部座席の背面に配置されるディスプレイとして使用されうる。図１は、説明の便宜上、電子機器１がスマートフォンとして使用されることを図示する。
【0050】
図１を参照すれば、電子機器１は、表示領域ＤＡ及び表示領域ＤＡ外側の非表示領域ＮＤＡを含みうる。電子機器１は、表示領域ＤＡに２次元的に配列された複数画素のアレイを介してイメージを提供することができる。
【0051】
非表示領域ＮＤＡは、イメージを提供しない領域であって、表示領域ＤＡを全体として取り囲みうる。非表示領域ＮＤＡには、表示領域ＤＡに配置された表示要素に、電気的信号や電源を提供するためのドライバなどが配置されうる。非表示領域ＮＤＡには、電子素子や印刷回路基板などが電気的に連結される領域である、パッドが配置されうる。
【0052】
表示領域ＤＡは、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２を含みうる。第２表示領域ＤＡ２は、電子機器１に多様な機能を提供するためのコンポーネントが配置される領域であって、第２表示領域ＤＡ２は、コンポーネントの領域に該当しうる。
【0053】
図２Ａ及び図２Ｂは、一実施形態によるフォールダブル電子機器の斜視図であって、図２Ａは、フォールダブル電子機器の折り畳み状態を示し、図２Ｂは、フォールダブル電子機器の展開(unfolded)状態を示す。
【0054】
一実施形態による電子機器１は、フォールダブル電子機器でありうる。電子機器１は、フォールディング軸ＦＡＸを中心に折り畳まれる。表示領域ＤＡは、電子機器１の外側及び／または内側に位置しうる。一実施形態において、図２Ａ及び図２Ｂは、電子機器１の外側及び内側に、それぞれ表示領域ＤＡが位置することを図示する。
【0055】
図２Ａを参照すれば、表示領域ＤＡは、電子機器１の外側に配置されうる。フォールディングされた電子機器１の外側面は、表示領域ＤＡを含み、表示領域ＤＡは、表示領域ＤＡの大部分を占める第１表示領域ＤＡ１、及び、第１表示領域ＤＡ１に比べて相対的に小さな面積を有する第２表示領域ＤＡ２を含みうる。
【0056】
図２Ｂを参照すれば、表示領域ＤＡは、電子機器１の内側に配置されうる。展開された電子機器１の内側面は、表示領域ＤＡを含み、表示領域ＤＡは、表示領域ＤＡの大部分を占める第１表示領域ＤＡ１、及び、第１表示領域ＤＡ１に比べて相対的に小さな面積を有する第２表示領域ＤＡ２を含みうる。
【0057】
図２Ｂは、第１表示領域ＤＡ１がフォールディング軸ＦＡＸを基準に、それぞれ両側に配置された左側の表示領域ＤＡ１Ｌ及び右側の表示領域ＤＡ１Ｒを含み、右側の表示領域ＤＡ１Ｒの内側に第２表示領域ＤＡ２が位置するところを示すが、本発明は、それに限定されない。他の実施形態において、第２表示領域ＤＡ２は、左側の表示領域ＤＡ１Ｌの内側に配置されうる。他の実施形態において、第２表示領域ＤＡ２は、左側及び右側の表示領域ＤＡ１Ｌ、ＤＡ１Ｒの内側に配置されうる。
【0058】
図３は、本発明の一実施形態による電子機器１を概略的に示す平面図である。
【0059】
図１、図２Ａ、及び図２Ｂを参照して前述した電子機器１の第２表示領域ＤＡ２は、第１表示領域ＤＡ１によって、全体として取り囲まれているように図示しているが、本発明は、それに限定されない。図３に図示されたように、第２表示領域ＤＡ２は、第１表示領域ＤＡ１によって部分的に取り囲まれうる。
【0060】
図１、図２Ａ、図２ｂ、及び図３は、第２表示領域ＤＡ２が表示領域ＤＡの上側に配置されているように図示しているが、本発明は、それに限定されない。他の実施形態として、第２表示領域ＤＡ２は、第１表示領域ＤＡ１によって少なくとも部分的に取り囲まれた状態で表示領域ＤＡの多様な位置に配置されうる。
【0061】
図４は、本発明の一実施形態による電子機器の一部を示す断面図である。
【0062】
図４を参照すれば、電子機器１は、表示パネル１０、及び、表示パネル１０と重畳して配置された表示パネル１０の下面上に配置されたコンポーネント２０を含みうる。コンポーネント２０は、表示パネル１０の下部に配置されるが、第２表示領域ＤＡ２に位置しうる。
【0063】
表示パネル１０は、基板１００と、基板１００上に配置された、薄膜トランジスタＴＦＴ、及び、薄膜トランジスタＴＦＴに電気的に連結された表示要素（例えば、発光ダイオードＬＥＤ）と、表示要素をカバーする封止層３０３と、入力感知層４００と、反射防止層６００と、ウィンドウ７００とを含みうる。
【0064】
基板１００は、ガラスまたは高分子樹脂を含みうる。高分子樹脂を含む基板１００は、フレキシブル、フォールダブル(折り畳み可能)、ローラブル(巻き取り可能)またはベンダブル(曲げ可能)特性を有する。基板１００は、前述した高分子樹脂を含む層及び無機層（図示せず）を含む多層構造でありうる。
【0065】
基板１００の下面上には、下部保護フィルムＰｂが配置されうる。下部保護フィルムＰｂは、基板１００の下面に貼り付けられうる。下部保護フィルムＰｂと基板１００との間には、粘着層が介在されうる。または、下部保護フィルムＰｂは、基板１００の下面上に直接形成されうるのであり、その場合、下部保護フィルムＰｂと基板１００との間には、粘着層が介在されない。
【0066】
下部保護フィルムＰｂは、基板１００を支持し、保護する役割を遂行しうる。下部保護フィルムＰｂは、第２表示領域ＤＡ２に対応する開口ＰＢ－ＯＰを備える。下部保護フィルムＰｂは、ポリエチレンテレフタレート(PET, polyethyeleneterephthalate)またはポリイミド(PI, polyimide)といった有機絶縁物を含みうる。
【0067】
基板１００の上面上には、薄膜トランジスタＴＦＴ及び薄膜トランジスタＴＦＴに電気的に連結された表示要素として発光ダイオードＬＥＤが配置されうる。発光ダイオードＬＥＤは、有機物を含む有機発光ダイオードでありうる。有機発光ダイオードは、赤色、緑色、青色光を放出することができる。
【0068】
発光ダイオードＬＥＤは、無機物を含む無機発光ダイオードでありうる。無機発光ダイオードは、無機物半導体基盤の材料を含むＰＮ接合ダイオードを含みうる。ＰＮ接合ダイオードに順方向に電圧を印加すれば、正孔と電子とが注入され、その正孔と電子との再結合によって生じるエネルギーを光エネルギーに変換させて、所定色相の光を放出することができる。前述した無機発光ダイオードは、数～数百μmまたは数～数百nmの幅を有する。一部実施形態において、発光ダイオードＬＥＤは、量子点発光ダイオードを含みうる。発光ダイオードＬＥＤの発光層は、有機物を含むか、無機物を含むか、量子点を含むか、有機物と量子点を含むか、無機物と量子点とを含みうる。
【0069】
発光ダイオードＬＥＤは、その下方に配置された薄膜トランジスタＴＦＴに電気的に連結されうる。薄膜トランジスタＴＦＴ及び薄膜トランジスタＴＦＴに電気的に連結された発光ダイオードＬＥＤは、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２にそれぞれ配置されうる。
【0070】
透過領域ＴＡは、第２表示領域ＤＡ２に位置しうる。透過領域ＴＡは、コンポーネント２０から放出される光及び／またはコンポーネント２０へと向かう光が透過する領域でありうる。表示パネル１０において、透過領域ＴＡの透過率は、約３０％以上、約４０％以上、約５０％以上、約６０％以上、約７０％以上、約７５％以上、約８０％以上、約８５％以上、または約９０％以上でありうる。
【0071】
コンポーネント２０は、近接センサ、照度センサ、虹彩センサ、顔面認識センサといったセンサ、及びカメラ（または、イメージセンサ）を含みうる。コンポーネント２０は、光を用いることができる。例えば、コンポーネント２０は、赤外線、紫外線、可視光線帯域の光を放出するか、及び／または受光しうる。赤外線を用いる近接センサは、電子機器１の上面に近接して配置された物体を検出し、照度センサは、電子機器１の上面に入射される光の明るさを感知しうる。また、虹彩センサは、電子機器１の上面上に配置された人の虹彩を撮影し、カメラは、電子機器１の上面上に配置された物体に関する光を受光しうる。
【0072】
透過領域ＴＡを通過する光によって第２表示領域ＤＡ２に配置された薄膜トランジスタＴＦＴの機能が低下することを防止するために、第２表示領域ＤＡ２の薄膜トランジスタＴＦＴ下には、金属層（bottom metal layer, BML、以下、「下部金属層極」と称する）が配置されうる。例えば、下部金属層ＢＭＬは、基板１００と薄膜トランジスタＴＦＴとの間に介在されうる。下部金属層ＢＭＬは、第２表示領域ＤＡ２に配置されるとともに、透過領域ＴＡに重畳する開口ＢＭＬ－ＯＰ（以下、第１開口と称する）を含みうる。
【0073】
保護層１１０は、基板１００と薄膜トランジスタＴＦＴとの間に配置されうる。保護層１１０は、薄膜トランジスタＴＦＴの形成工程で使用される、レーザによる基板１００の損傷を防止しうる。保護層１１０は、非晶質シリコン(amorphous silicon, a-Si)、Ｓｉリッチ(Si-rich)シリコン酸窒化物、または、シリコン酸化物とシリコン窒化物との交互的な積層構造を含みうる。
【0074】
保護層１１０は、基板１００を保護するために基板１００の上面全体をカバーすることができる。保護層１１０は、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２に存在するように一体に形成されるが、透過領域ＴＡに重畳する開口１１０ＯＰ（以下、第２開口と称する）を含みうる。
【0075】
封止層３０３は、発光ダイオードＬＥＤをカバーすることができる。封止層３０３は、少なくとも１層の無機封止層、及び、少なくとも１層の有機封止層を含みうる。封止層３０３は、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２を、全体としてカバーすることができる。
【0076】
入力感知層４００は、封止層３０３上に形成されうる。入力感知層４００は、外部の入力、例えば、指またはスタイラスペンのような物体のタッチイベントによる座標情報を獲得することができる。入力感知層４００は、タッチ電極及びタッチ電極と連結されたトレースラインを含みうる。入力感知層４００は、ミューチュアルキャップ(mutual-capacitance or mutual-cap)方式またはセルフキャップ(self-capacitance or self-cap)方式で、外部入力を感知することができる。
【0077】
反射防止層６００は、外部から表示パネル１０に向かって入射する光（外光）の反射率を減少させうる。反射防止層６００は、偏光板(polarizer)を含みうる。反射防止層６００が偏光板を含む場合、偏光板は、透過領域ＴＡに対応する開口を含みうる。
【0078】
他の実施形態として、反射防止層６００は、遮光層、カラーフィルタ及びオーバーコート層を含みうる。カラーフィルタは、発光ダイオードＬＥＤのそれぞれに重畳して配置され、発光ダイオードＬＥＤから放出された光を透過させ、遮光層は、カラーフィルタのそれぞれを取り囲む網状でありうる。カラーフィルタ及び遮光層は、透過領域ＴＡには配置されず、透過領域ＴＡにはオーバーコート層が配置されうる。
【0079】
ウィンドウ７００は、反射防止層６００上に配置される。ウィンドウ７００は、光学透明粘着剤といった粘着層ＡＬを介して反射防止層６００と結合されうる。ウィンドウ７００は、ガラス材またはプラスチック材を含みうる。ガラス材は、超薄型ガラス(ultra-thinglass)を含みうる。プラスチック材は、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリエーテルイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート、またはセルロースアセテートプロピオネートなどを含みうる。
【0080】
図５は、本発明の一実施形態による表示パネルの、発光ダイオードＬＥＤに電気的に連結された画素回路ＰＣを概略的に示す等価回路図である。
【0081】
図５を参照すれば、画素回路ＰＣは、第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、第３薄膜トランジスタＴ３、第４薄膜トランジスタＴ４、第５薄膜トランジスタＴ５、第６薄膜トランジスタＴ６、第７薄膜トランジスタＴ７、及びストレージキャパシタＣｓｔを含みうる。
【0082】
第１薄膜トランジスタＴ１は、第２薄膜トランジスタＴ２のスイッチング動作によってデータ信号Ｄｍを伝達されて発光ダイオードＬＥＤに駆動電流を供給し、第２薄膜トランジスタＴ２は、スキャン線ＳＬを介して伝達されたスキャン信号Ｓｎによってターンオン(turn on)され、データ線ＤＬに伝達されたデータ信号Ｄｍを第１薄膜トランジスタＴ１に伝達するスイッチング動作を遂行する。
【0083】
第３薄膜トランジスタＴ３は、補償薄膜トランジスタであって、第３薄膜トランジスタＴ３のゲート電極は、スキャン線ＳＬに連結されうる。第３薄膜トランジスタＴ３のソース電極（またはドレイン電極）は、第１薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極（または、ソース電極）と連結されているが、第６薄膜トランジスタＴ６を経由して発光ダイオードＬＥＤの第１電極（例えば、アノード）と連結されうる。第３薄膜トランジスタＴ３のドレイン電極（または、ソース電極）は、ストレージキャパシタＣｓｔのいずれか１つの電極、第４薄膜トランジスタＴ４のソース電極（またはドレイン電極）、及び、第１薄膜トランジスタＴ１のゲート電極と連結されうる。第３薄膜トランジスタＴ３は、スキャン線ＳＬを介して伝達されたスキャン信号Ｓｎによってターンオンされ、第１薄膜トランジスタＴ１のゲート電極とドレイン電極とを互いに連結することで、第１薄膜トランジスタＴ１をダイオード連結(diode-connection)させる。
【0084】
第４薄膜トランジスタＴ４は、初期化薄膜トランジスタであって、ゲート電極は、以前スキャン線ＳＬ－１と連結されうる。第４薄膜トランジスタＴ４のドレイン電極（または、ソース電極）は、初期化電圧線ＶＬと連結されうる。第４薄膜トランジスタＴ４のソース電極（またはドレイン電極）は、ストレージキャパシタＣｓｔのいずれか１つの電極、第３薄膜トランジスタＴ３のドレイン電極（または、ソース電極）及び第１薄膜トランジスタＴ１のゲート電極と連結されうる。第４薄膜トランジスタＴ４は、前段スキャン線ＳＬ－１を介して伝達された前段スキャン信号Ｓｎ－１によってターンオンされ、初期化電圧Ｖｉｎｔを第１薄膜トランジスタＴ１のゲート電極に伝達して第１薄膜トランジスタＴ１のゲート電極の電圧を初期化させる初期化動作を遂行することができる。
【0085】
第５薄膜トランジスタＴ５は、動作制御薄膜トランジスタであって、ゲート電極は、発光制御線ＥＬと連結されうる。第５薄膜トランジスタＴ５のソース電極（またはドレイン電極）は、駆動電圧線ＰＬと連結されうる。第５薄膜トランジスタＴ５のドレイン電極（または、ソース電極）は、第１薄膜トランジスタＴ１のソース電極（またはドレイン電極）及び第２薄膜トランジスタＴ２のドレイン電極（または、ソース電極）と連結されている。
【0086】
第６薄膜トランジスタＴ６は、発光制御薄膜トランジスタであって、ゲート電極は、発光制御線ＥＬと連結されうる。第６薄膜トランジスタＴ６のソース電極（またはドレイン電極）は、第１薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極（または、ソース電極）及び第３薄膜トランジスタＴ３のソース電極（またはドレイン電極）と連結されうる。第６薄膜トランジスタＴ６のドレイン電極（または、ソース電極）は、発光ダイオードＬＥＤの第１電極（例えば、アノード）と電気的に連結されうる。第５薄膜トランジスタＴ５と第６薄膜トランジスタＴ６とは、発光制御線ＥＬを介して伝達された発光制御信号Ｅｎによって同時にターンオンされ、駆動電圧ＥＬＶＤＤが発光ダイオードＬＥＤに伝達され、発光ダイオードＬＥＤに駆動電流が流れることになる。
【0087】
第７薄膜トランジスタＴ７は、発光ダイオードＬＥＤの第１電極（例えば、アノード）を初期化する初期化薄膜トランジスタでありうる。第７薄膜トランジスタＴ７のゲート電極は、次のスキャン線ＳＬ＋１に連結されうる。第７薄膜トランジスタＴ７のソース電極（またはドレイン電極）は、発光ダイオードＬＥＤの第１電極（例えば、アノード）と連結されうる。第７薄膜トランジスタＴ７のドレイン電極（または、ソース電極）は、初期化電圧線ＶＬと連結されうる。第７薄膜トランジスタＴ７は、次のスキャン線ＳＬ＋１を介して伝達された次のスキャン信号Ｓｎ＋１によってターンオンされ、発光ダイオードＬＥＤの第１電極（例えば、アノード）を初期化させうる。
【0088】
図５は、第４薄膜トランジスタＴ４と第７薄膜トランジスタＴ７とがそれぞれ前段スキャン線ＳＬ－１及び次のスキャン線ＳＬ＋１に連結された場合を図示したが、他の実施形態として、第４薄膜トランジスタＴ４と第７薄膜トランジスタＴ７とは、いずれも前段スキャン線ＳＬ－１に連結されて前段スキャン信号Ｓｎ－１によって駆動することができる。
【0089】
ストレージキャパシタＣｓｔのいずれか１つの電極は、第１薄膜トランジスタＴ１のゲート電極、第３薄膜トランジスタＴ３のドレイン電極（または、ソース電極）及び、第４薄膜トランジスタＴ４のソース電極（またはドレイン電極）に共に連結されうる。ストレージキャパシタＣｓｔの他の１つの電極は、駆動電圧線ＰＬと連結されうる。
【0090】
発光ダイオードＬＥＤの対向電極（例えば、カソード）は、共通電圧ＥＬＶＳＳを提供される。発光ダイオードＬＥＤは、第１薄膜トランジスタＴ１から駆動電流が伝達されて発光する。
【0091】
図５は、画素回路ＰＣが７個の薄膜トランジスタと１個のストレージキャパシタを含むということを説明しているが、本発明は、それに限定されない。薄膜トランジスタの個数及びストレージキャパシタの個数は、画素回路ＰＣの設計によって多様に変更されうる。例えば、画素回路ＰＣは、３個、４個、５個またはそれ以上の薄膜トランジスタを含みうる。
【0092】
図６は、本発明の一実施形態による表示パネルの第１表示領域ＤＡ１の一部を示す平面図である。
【0093】
図６を参照すれば、第１表示領域ＤＡ１には、画素が配置され、画素は、互いに異なる色の光を放出する第１ないし第３画素を含みうる。以下では、説明の便宜上、第１画素が赤色画素Ｐｒ、第２画素が緑色画素Ｐｇ、第３画素が青色画素Ｐｂであると説明する。
【0094】
赤色画素Ｐｒ、緑色画素Ｐｇ、及び青色画素Ｐｂは、第１表示領域ＤＡ１で所定の規則によって配列される。一部の実施形態において、赤色画素Ｐｒ、緑色画素Ｐｇ、及び青色画素Ｐｂは、図６に図示されたようにダイヤモンドペンタイル(PenTileTM)タイプで配置されうる。
【0095】
例えば、第１行１Ｎには、複数の赤色画素Ｐｒと複数の青色画素Ｐｂが交互に配置されており、隣接した第２行２Ｎには、複数の緑色画素Ｐｇが所定間隔で離隔されて配置されており、隣接した第３行３Ｎには、青色画素Ｐｂと赤色画素Ｐｒとが交互に配置されており、隣接した第４行４Ｎには、複数の緑色画素Ｐｇが所定間隔で離隔されて配置されており、そのような画素の配置が、第Ｎ行まで繰り返されている。この際、青色画素Ｐｂ及び赤色画素Ｐｒの大きさ（または面積、幅）は、緑色画素Ｐｇの大きさ（または幅）よりも大きく備えられうる。青色画素Ｐｂの大きさ（または面積、幅）及び赤色画素Ｐｒの大きさ（または面積、幅）は、互いに同一であるか、異なってもいる。一実施形態において、青色画素Ｐｂの大きさ（または面積、幅）は、赤色画素Ｐｒの大きさ（または面積、幅）より小さいか、大きくなる。幅は、一方向（例えば、ｘ方向またはｙ方向）に沿う長さと定義されうる。
【0096】
第１行１Ｎに配置された複数の赤色画素Ｐｒ及び青色画素Ｐｂと、第２行２Ｎに配置された複数の緑色画素Ｐｇとは、千鳥状(互い違い)に配置されている。したがって、第１列１Ｍには、赤色画素Ｐｒ及び青色画素Ｐｂが交互に配置されており、隣接した第２列２Ｍには、複数の緑色画素Ｐｇが所定間隔で離隔されて配置されており、隣接した第３列３Ｍには、青色画素Ｐｂ及び赤色画素Ｐｒが交互に配置されており、隣接した第４列４Ｍには、複数の緑色画素Ｐｇが所定間隔で離隔されて配置されており、そのような画素の配置が第Ｍ列まで繰り返されている。
【0097】
そのような画素配列構造を異なるように表現すれば、緑色画素Ｐｇの中心点を、仮想の方形(四角形)ＶＳの中心点とする仮想の方形ＶＳについての頂点のうち、互いに対向する第１頂点と第３頂点には、赤色画素Ｐｒが配置され、残りの頂点である第２頂点と第４頂点に青色画素Ｐｂが配置されていると表現しうる。この際、仮想の方形ＶＳは、長方形、菱形、正方形など多様に変形されうる。
【0098】
そのような画素配列構造をダイヤモンドタイプのペンタイル(PenTileTM)と称し、隣接した画素を共有して色相を表現するレンダリング(Rendering)駆動を適用することで、少数の画素でもって高解像度を具現することができる。
【0099】
図６に図示された赤色画素Ｐｒ、緑色画素Ｐｇ、及び青色画素Ｐｂは、それぞれ該当する画素に配置された発光ダイオードを用いて赤色、緑色、青色光を放出することができる。したがって、画素の配置は、表示要素である発光ダイオードの配置に該当する。例えば、図６に図示された赤色画素Ｐｒの位置は、赤色光を放出する発光ダイオードの位置を示す。同様に、緑色画素Ｐｇの位置は、緑色光を放出する発光ダイオードの位置を示し、青色画素Ｐｂの位置は、青色光を放出する発光ダイオードの位置を示す。
【0100】
【0101】
図７Ａ及び図７Ｂを参照すれば、第２表示領域ＤＡ２には、画素グループＰｇが互いに離隔されて配置されうる。各画素グループＰｇは、透過領域ＴＡで取り囲まれ、互いに異なる色相の光を放出する画素、例えば、赤色画素Ｐｒ、緑色画素Ｐｇ、及び青色画素Ｐｂを含みうる。一実施形態として、各画素グループＰｇは、２つの赤色画素Ｐｒ、４つの緑色画素Ｐｇ、及び２つの青色画素Ｐｂを含みうる。
【0102】
第２表示領域ＤＡ２内で画素グループＰｇが位置する部分をサブ表示領域と称する。すなわち、第２表示領域ＤＡ２は、サブ表示領域と、サブ表示領域に隣接した透過領域ＴＡを有し、画素グループＰｇは、サブ表示領域に位置しうる。
【0103】
赤色画素Ｐｒ、緑色画素Ｐｇ、及び青色画素Ｐｂは、それぞれ該当する画素に配置された発光ダイオードを用いて赤色、緑色、青色光を放出し、よって、画素の配置は、表示要素である発光ダイオードの配置に該当しうる。したがって、図７Ａ及び図７Ｂを参照して説明した画素グループＰｇは、赤色光を放出する発光ダイオード、緑色光を放出する発光ダイオード、及び青色光を放出する発光ダイオードを含む表示要素グループに該当する。例えば、それぞれ赤色画素Ｐｒ、緑色画素Ｐｇ、及び青色画素Ｐｂを含む画素グループＰｇが互いに離隔されるということは、それぞれ赤色、緑色、青色光を放出する発光ダイオードを含む表示要素グループが互いに離隔されて配置されることを示す。
【0104】
画素グループＰｇは、画素グループＰｇの中心ＰＧＣを基準に対称的に配置されうる。例えば、第１列１Ｍ’には、赤色画素Ｐｒ及び青色画素Ｐｂが配置され、第２列２Ｍ’には、４個の緑色画素Ｐｇが所定間隔で離隔されて配置されうる。また、第３列３Ｍ’には、青色画素Ｐｂ及び赤色画素Ｐｒが配置されうる。この際、第１列１Ｍ’に配置された赤色画素Ｐｒは、第３列３Ｍ’に配置された赤色画素Ｐｒと画素グループＰｇの中心ＰＧＣを基準に対称的に配置されうる。第１列１Ｍ’に配置された青色画素Ｐｂ及び第３列３Ｍ’に配置された青色画素Ｐｂは、画素グループＰｇの中心ＰＧＣを基準に対称的に配置されうる。第２列２Ｍ’に配置された緑色画素Ｐｇは、画素グループＰｇの中心ＰＧＣを基準に対称的に配置されうる。
【0105】
一実施形態において、青色画素Ｐｂのｙ方向の長さは、赤色画素Ｐｒのｙ方向の長さよりも長い。青色画素Ｐｂのｙ方向の長さは、２個の緑色画素Ｐｇについてのｙ方向の長さを合わせた値と同一であるか、それより大きい。
【0106】
図７Ａを参照すれば、赤色画素Ｐｒ、緑色画素Ｐｇ、及び青色画素Ｐｂは、それぞれ平面視でほぼ方形でありうる。例えば、赤色画素Ｐｒ及び青色画素Ｐｂは、それぞれｘ方向に短辺を有し、ｙ方向に長辺を有する方形でありうる。緑色画素Ｐｇは、ｘ方向に長辺を有し、ｙ方向に短辺を有する方形でありうる。
【0107】
他の実施形態として、赤色画素Ｐｒ、緑色画素Ｐｇ、及び青色画素Ｐｂのうちの少なくともいずれか１つは、Ｎ角形（ｎは、５以上の自然数）でありうる。例えば、図７Ｂに図示されたように緑色画素Ｐｇは、方形であるうるが、赤色画素Ｐｒ及び青色画素Ｐｂは、それぞれ透過領域ＴＡに隣接したエッジが少なくとも一回折り曲げられうるのであり、よって、平面視でｎ角形（ｎは、５以上の自然数）を有しうる。
【0108】
【0109】
図８及び図９を参照すれば、赤色、緑色、青色画素Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂは、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２に配列される。第１表示領域ＤＡ１に配置された赤色、緑色、青色画素Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂの配置は、第２表示領域ＤＡ２に配置された赤色、緑色、青色画素Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂの配置と同一であるか、互いに異なりうる。一実施形態において、図８及び図９は、第１表示領域ＤＡ１の画素の配列と第２表示領域ＤＡ２の画素の配列とが互いに異なっているということを図示するのであり、その具体的な構造は、前述の、図６、図７Ａ及び図７Ｂを参照して説明したところと同様である。他の実施形態として、第２表示領域ＤＡ２の各画素グループＰｇに配列された赤色、緑色、青色画素Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂは、前述の、図６を参照して説明したところと同様のダイヤモンドペンタイル構造を有しうる。
【0110】
第１表示領域ＤＡ１と第２表示領域ＤＡ２との境界線（例えば、仮想の境界線、 borderline, BL）は、平面視において、図８に図示されたように多角形を有しうる。一実施形態として、図８は、境界線ＢＬが１２個の辺を有する多角形（例えば、ほぼ十字状）であるように図示しており、前述した多角形のコーナー部は、階段状(step configuration)を有しうる。他の実施形態として、境界線ＢＬがなす辺の数は、１２個より少ないか、多いのでありうる。例えば、第１表示領域ＤＡ１と第２表示領域ＤＡ２との境界線ＢＬは、方形のように４辺を有するか、境界線ＢＬが１２個より多い辺を有する多角形でありうる。
【0111】
第１表示領域ＤＡ１の画素は、互いに離隔されてあり、第２表示領域ＤＡ２の画素も互いに離隔されうる。第１表示領域ＤＡ１のうちの第２表示領域ＤＡ２に最も近く配置された画素と、第２表示領域ＤＡ２のうちの第１表示領域ＤＡ１に最も近く配置された画素との距離は、第１表示領域ＤＡ１に配置された隣接した画素同士の間の距離よりも大きく、第２表示領域ＤＡ２にて１つの画素グループＰｇに配置された隣接した画素同士の間の距離よりも大きくなる。
【0112】
透過領域ＴＡは、第２表示領域ＤＡ２内に位置しうる。透過領域ＴＡは、隣接する２つの画素グループＰｇの間に配置されうる。透過領域ＴＡを中心に４個の画素グループＰｇが隣接して配置されうる。画素には、発光ダイオードが位置するので、透過領域ＴＡは、いずれか１つの画素グループＰｇの発光ダイオードと、他の１つの画素グループＰｇの発光ダイオードとの間に位置する。
【0113】
下部金属層ＢＭＬは、第１表示領域ＤＡ１には位置せず、第２表示領域ＤＡ２に位置しうる。下部金属層ＢＭＬは、透過領域ＴＡに位置する第１開口ＢＭＬ－ＯＰを含みうる。各第１開口ＢＭＬ－ＯＰを画定(定義)する下部金属層ＢＭＬのエッジは、第１開口ＢＭＬ－ＯＰの外郭線に該当しうる。基板１００に、垂直方向視において、下部金属層ＢＭＬの第１開口ＢＭＬ－ＯＰは、透過領域ＴＡと重畳しうる。
【0114】
図８及び図９に図示されたように平面視において、下部金属層ＢＭＬは、画素グループＰｇと重畳する第１部分と、第１部分同士を互いに連結する第２部分とが一体に形成されたメッシュ構造を有しうる。下部金属層ＢＭＬの第１開口ＢＭＬ－ＯＰは、互いに離隔され、行と列をなすように配列されうる。下部金属層ＢＭＬの外側エッジは、第１表示領域ＤＡ１と第２表示領域ＤＡ２との間、例えば、境界線ＢＬに隣接して位置しうる。
【0115】
保護層１１０は、前述した図４を参照して説明したように、基板１００と下部金属層ＢＭＬとの間に配置されうる。保護層１１０は、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２に存在するように一体に形成され、透過領域ＴＡに位置する第２開口１１０ＯＰを含みうる。基板１００に対する垂直方向視において、保護層１１０の第２開口１１０ＯＰは、透過領域ＴＡと重畳し、互いに離隔されるとともに、行と列とをなすように配列されうる。
【0116】
保護層１１０の第２開口１１０ＯＰ及び下部金属層ＢＭＬの第１開口ＢＭＬ－ＯＰは、互いに重畳し、透過領域ＴＡを画定(定義)しうる。各透過領域ＴＡの外郭線は、保護層１１０の第２開口１１０ＯＰ及び／または下部金属層ＢＭＬの第１開口ＢＭＬ－ＯＰによって画定(定義)されうる。一実施形態において、図８及び図９に図示されたように、保護層１１０の第２開口１１０ＯＰは、下部金属層ＢＭＬの第１開口ＢＭＬ－ＯＰよりも小さな大きさ（または面積、幅）を有し、その場合、透過領域ＴＡの大きさ（または面積、幅）は、保護層１１０の第２開口１１０ＯＰによって規定(定義)されうる。すなわち、下部金属層ＢＭＬの第１開口ＢＭＬ－ＯＰの外郭線は、平面図上で、保護層１１０の第２開口１１０ＯＰの外郭線を取り囲みうる。
【0117】
透過領域ＴＡ、前述した図４を参照して前述したように光及び／または音響などが透過する領域であって、コンポーネント２０（図４参照）は、透過領域ＴＡに重畳して配置されうる。コンポーネント２０の全部分が透過領域ＴＡに対応するのではなく、図４に図示されたように、コンポーネント２０の一部は、透過領域ＴＡに対応し、他の部分は、第２表示領域ＤＡ２内の画素に対応するのでありうる。
【0118】
第２表示領域ＤＡ２の最外郭に位置した画素グループＰｇと、第１表示領域ＤＡ１ｔｐの間の空間は、透過領域ではない。例えば、第２表示領域ＤＡ２内の最外郭に位置した画素グループＰｇと、第１表示領域ＤＡ１との間の空間には、下部金属層ＢＭＬが存在しない部分があり得るが、当該部分は、透過領域ではない。
【0119】
図１０は、本発明の一実施形態による表示パネル１０の断面図であって、図９のＡ－Ａ’線及びＢ－Ｂ’線に沿って見た断面図に該当する。図１０の表示パネル１０、前述した図４を参照して説明したように、封止層３０３上の入力感知層４００（図３）、反射防止層６００（図３）及びウィンドウ７００（図３）を含みうるが、図１０は、便宜上、入力感知層４００（図３）、反射防止層６００（図３）及びウィンドウ７００（図３）を省略して示す。第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２のそれぞれには、有機発光ダイオードが配置されうる。
【0120】
図１０は、表示パネル１０の発光ダイオードが有機発光ダイオードである場合を図示している。説明の便宜上、第１表示領域ＤＡ１に配置された有機発光ダイオードを第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１と称し、第２表示領域ＤＡ２に配置された有機発光ダイオードを第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２と称する。
【0121】
図１０を参照すれば、第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２は、基板１００上に形成される。
【0122】
基板１００は、第１ベース層１０１、第１バリア層１０２、第２ベース層１０３及び第２バリア層１０４を含みうる。第１ベース層１０１と第２ベース層１０３のそれぞれは、高分子樹脂を含み、第１バリア層１０２と第２バリア層１０４のそれぞれは、無機絶縁物を含みうる。高分子樹脂は、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリエーテルイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート及び／またはセルロースアセテートプロピオネートなどを含みうる。高分子樹脂は、透明な素材を含みうる。一実施形態において、高分子樹脂は、４００ｎｍ～５５０ｎｍといった比較的波長帯域が短い光の透過率が約７０％より大きくなる。より具体的に、高分子樹脂は、４００ｎｍ～５５０ｎｍの波長帯域での透過率が約７５％であるか、それよりも大きくなりうる。
【0123】
第１バリア層１０２と第２バリア層１０４のそれぞれは、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、及び／またはシリコン酸化物を含みうる。第１バリア層１０２と第２バリア層１０４のうちの少なくともいずれか１つは、多層構造を含みうる。例えば、第２バリア層１０４は、シリコン酸窒化物とシリコン酸化物との２層構造でありうる。
【0124】
保護層１１０は、基板１００上に配置される。保護層１１０は、表示パネル１０を形成する工程から基板１００を保護しうる。本発明の一実施形態において、第１及び第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２のそれぞれに電気的に連結された第１及び第２画素回路ＰＣ１、ＰＣ２は、ポリシリコンを含む半導体層を含みうる。ポリシリコンを含む半導体層は、非晶質シリコンを形成した後、レーザビーム（例えば、約３０８ｎｍのレーザビーム）を照射して結晶化して形成しうる。この際、レーザビームが基板１００に到逹する場合、第１バリア層１０２及び／または第２バリア層１０４が、レーザビームによって局所的に膨れ出すといった、基板１００に対する不良が引き起こされうる。しかし、本発明の実施形態によれば、保護層１１０が基板１００と前述した半導体層との間に介在されるので、前述したレーザビームが基板１００へと進むことを防止しうる。
【0125】
保護層１１０は、レーザビームを吸収する素材を含みうる。例えば、保護層１１０は、約２５０ｎｍ～約３５０ｎｍの範囲の波長帯域の透過率が約１０％以下である物質を含みうる。一部の実施形態において、保護層１１０は、保護層１１０の約２８０ｎｍ～約３１０ｎｍ範囲の波長帯域の透過率が約１０％以下である物質を含みうる。保護層１１０は、非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）層を含むか、Ｓｉリッチ(Si-rich)ＳｉＯＮ層を含むか、シリコン酸窒化物層とシリコン窒化物層との交互的積層構造（例えば、シリコン酸窒化物層とシリコン窒化物層とが約１０回以上積層された構造）を含みうる。
【0126】
保護層１１０は、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２において一体に形成されるとともに、第２表示領域ＤＡ２内の透過領域ＴＡに位置する第２開口１１０ＯＰを含む。
【0127】
保護層１１０上には、第１画素回路ＰＣ１及び第２画素回路ＰＣ２のそれぞれの半導体層、例えば、シリコン系半導体層が形成されうる。これと関連して、図１０は、第１及び第２画素回路ＰＣ１、ＰＣ２の第１薄膜トランジスタＴ１の第１半導体層Ａ１が、保護層１１０上に配置されたことを図示する。
【0128】
第１薄膜トランジスタＴ１の第１半導体層Ａ１は、基板１００の上面を全体としてカバーするポリシリコン層を形成した後、それをパターニングして形成しうる。ここで、基板１００の上面を全体としてカバーするポリシリコン層は、前述したように、基板１００の上面を全体としてカバーするアモルファスシリコン層を形成した後、レーザビームを照射して形成しうる。
【0129】
ポリシリコンを含む半導体層（例えば、第１薄膜トランジスタＴ１の第１半導体層Ａ１）を形成する前、第２表示領域ＤＡ２には、下部金属層ＢＭＬが形成されうる。一実施形態において、ポリシリコンを含む半導体層を形成する前、第１表示領域ＤＡ１には、追加金属層ＡＢＭＬが形成され、図１０は、第２表示領域ＤＡ２の下部金属層ＢＭＬと、第１表示領域ＤＡ１の追加金属層ＡＢＭＬとが形成された場合を、例として挙げて説明する。
【0130】
追加金属層ＡＢＭＬは、第１表示領域ＤＡ１に位置するが、第１画素回路ＰＣ１の一部と重畳しうる。例えば、追加金属層ＡＢＭＬは、それぞれの第１画素回路ＰＣ１に含まれた複数の薄膜トランジスタのうち、一部のトランジスタに重畳しうる。これと関連して、図１０は、追加金属層ＡＢＭＬが第１画素回路ＰＣ１の駆動薄膜トランジスタである第１薄膜トランジスタＴ１に重畳することを図示する。
【0131】
追加金属層ＡＢＭＬは、連結電極ＣＭＥを介して第１画素回路ＰＣ１の駆動電圧線ＰＬと電気的に連結され、同じ電圧レベル（例えば、定電圧レベル）を有することができる。追加金属層ＡＢＭＬは、第１画素回路ＰＣ１の動作時、第１薄膜トランジスタＴ１の第１半導体層Ａ１に不要な電荷が溜まることを防止する。その結果、第１薄膜トランジスタＴ１の特性が安定して保持されうる。
【0132】
下部金属層ＢＭＬは、第２表示領域ＤＡ２に位置するが、第２画素回路ＰＣ２と重畳しうる。下部金属層ＢＭＬは、第２画素回路ＰＣ２に含まれたトランジスタのいずれとも重畳するのでありうる。例えば、第２画素回路ＰＣ２が７個の薄膜トランジスタ及び１個のストレージキャパシタを含み、下部金属層ＢＭＬは、第２画素回路ＰＣ２の７個の薄膜トランジスタ及び１個のストレージキャパシタに重畳しうる。
【0133】
下部金属層ＢＭＬは、連結ラインＣＬを介して所定の電圧を有する。例えば、下部金属層ＢＭＬは、第２画素回路ＰＣ２のストレージキャパシタＣｓｔの上部電極及び／または駆動電圧線と電気的に連結され、ストレージキャパシタＣｓｔの上部電極及び／または駆動電圧線のような定電圧の電圧レベルを有する。一部実施形態として、下部金属層ＢＭＬは、初期化電圧線と電気的に連結され、初期化電圧線のような定電圧の電圧レベルを有する。
【0134】
第２表示領域ＤＡ２には、第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２の数ほどの第２画素回路ＰＣ２が配置されるが、下部金属層ＢＭＬは、第２画素回路ＰＣ２のトランジスタといずれも重畳しうる。
【0135】
第１表示領域ＤＡ１には、第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１の数ほど第１画素回路ＰＣ１が配置されうる。追加金属層ＡＢＭＬの厚さＴ２が厚くなるほど、追加金属層ＡＢＭＬのエッジの周辺で段差が大きくなる。下部金属層ＢＭＬと異なって、追加金属層ＡＢＭＬは、各第１画素回路ＰＣ１の一部薄の膜トランジスタに重畳するので、追加金属層ＡＢＭＬのエッジの周辺で段差が大きくなる場合、追加金属層ＡＢＭＬの直上の薄膜トランジスタと、追加金属層ＡＢＭＬの直上に位置していない他の薄膜トランジスタとの連結が切れる。
【0136】
例えば、追加金属層ＡＢＭＬ上に配置された第１薄膜トランジスタＴ１の第１半導体層Ａ１は、第１画素回路ＰＣ１の第２薄膜トランジスタの半導体層と一体に形成されうる。この際、追加金属層ＡＢＭＬの厚さＴ２が非常に大きい場合、第１薄膜トランジスタＴ１の第１半導体層Ａ１と第２薄膜トランジスタの半導体層は、追加金属層ＡＢＭＬのエッジ周辺の段差によって物理的かつ電気的に切れる。
【0137】
一方、下部金属層ＢＭＬは、透過領域ＴＡを通過する光によって第２表示領域ＤＡ２に配置された薄膜トランジスタの機能が低下することを防止するのに十分な厚さｔ１を有する。したがって、下部金属層ＢＭＬの厚さｔ１は、追加金属層ＡＢＭＬの厚さｔ２よりも大きくなる。下部金属層ＢＭＬは、追加金属層ＡＢＭＬと異なって、第２表示領域ＤＡ２における全ての薄膜トランジスタと重畳するので、追加金属層ＡＢＭＬのエッジの周辺での段差による薄膜トランジスタの電気的断絶の問題が発生しない。
【0138】
下部金属層ＢＭＬと追加金属層ＡＢＭＬのそれぞれは、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、カルシウム（Ｃa）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）及び／または銅（Ｃｕ）のように導電性を有する金属を含みうる。下部金属層ＢＭＬと追加金属層ＡＢＭＬとは、互いに同じ物質を含みうる。または、下部金属層ＢＭＬと追加金属層ＡＢＭＬとは、互いに異なる物質を含みうる。
【0139】
第１層間絶縁層１２０は、第１表示領域ＤＡ１において追加金属層ＡＢＭＬの上に配置され、第２表示領域ＤＡ２において下部金属層ＢＭＬの下に配置されうる。すなわち、下部金属層ＢＭＬと追加金属層ＡＢＭＬとの間に第１層間絶縁層１２０が配置されうる。第１層間絶縁層１２０は、基板１００の上面を全体としてカバーするように第１及び第２表示領域ＤＡ１、ＤＡ２に位置しうる。第１層間絶縁層１２０は、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物のような無機絶縁物を含み、前述した物質を含む単層または多層の構造からなる。
【0140】
下部金属層ＢＭＬの下方には、下部金属層ＢＭＬによる反射を防止するために、第２下部層ＵＬ２が配置されうる。第２下部層ＵＬ２は、保護層１１０と同じ物質を含みうる。例えば、第２下部層ＵＬ２は、非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）層を含むか、Ｓｉリッチ(Si-rich)ＳｉＯＮ層を含むか、シリコン酸窒化物層とシリコン窒化物層との交互の積層構造（例えば、シリコン酸窒化物層とシリコン窒化物層とが交番的に、第１下部層ＵＬ１と第２下部層ＵＬ２とは、約１０回以上積層された構造）を含みうる。他の実施形態において、第２下部層ＵＬ２は、前述した物質を含むとともに、保護層１１０とは異なる物質を含みうる。
【0141】
第１下部層ＵＬ１は、第２下部層ＵＬ２と下部金属層ＢＭＬとの粘着力を向上させるために、第２下部層ＵＬ２と下部金属層ＢＭＬとの間に介在されうる。第１下部層ＵＬ１は、例えば、シリコン酸化物といった無機絶縁物を含みうる。第１下部層ＵＬ１と第２下部層ＵＬ２のそれぞれは、下部金属層ＢＭＬと同じ平面状を有する。すなわち、第１下部層ＵＬ１と第２下部層ＵＬ２は、下部金属層ＢＭＬの下方にのみ位置し、下部金属層ＢＭＬが位置していない領域には存在しない。
【0142】
第３バリア層１３１とバッファ層１３２は、下部金属層ＢＭＬと追加金属層ＡＢＭＬの上に形成されうる。第３バリア層１３１及びバッファ層１３２のそれぞれは、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物といった無機絶縁物を含み、前述した物質を含む単層または多層の構造からなる。
【0143】
バッファ層１３２上には、第１及び第２画素回路ＰＣ１、ＰＣ２が形成される。これと関連して、図１０は、第１表示領域ＤＡ１と第２表示領域ＤＡ２のそれぞれに形成された第１薄膜トランジスタＴ１、ストレージキャパシタＣｓｔ、及び第３薄膜トランジスタＴ３を図示する。
【0144】
第１薄膜トランジスタＴ１は、第１半導体層Ａ１、第１ゲート電極ＧＥ１、第１ソース電極ＳＥ１及び第１ドレイン電極ＤＥ１を含みうる。第１半導体層Ａ１は、ポリシリコンを含み、第１ゲート電極ＧＥ１に重畳する第１チャネル領域、第１チャネル領域の両側に位置する第１ソース領域及び第１ドレイン領域を含む。
【0145】
第１ゲート電極ＧＥ１は、第１ゲート絶縁層１４０を挟んで第１半導体層Ａ１上に位置する。第１ゲート電極ＧＥ１は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及び／またはチタン（Ｔｉ）のような低抵抗の導電物質を含み、前述した物質からなる単層または多層の構造でありうる。
【0146】
第１ソース電極ＳＥ１と第１ドレイン電極ＤＥ１は、第２層間絶縁層１５１及び第３層間絶縁層１５２の上に配置されうる。第２層間絶縁層１５１及び第３層間絶縁層１５２は、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物といった無機絶縁物を含み、前述した物質を含む単層または多層の構造からなりうる。
【0147】
第１ソース電極ＳＥ１と第１ドレイン電極ＤＥ１は、それぞれ第２層間絶縁層１５１及び第３層間絶縁層１５２を貫通するコンタクトホールを介して第１半導体層Ａ１の第１ソース領域及び第１ドレイン領域に接続しうる。第１ソース電極ＳＥ１と第１ドレイン電極ＤＥ１のそれぞれは、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、カルシウム（Ｃa）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、及び／または銅（Ｃｕ）を含み、前述した物質を含む単層または多層の構造でありうる。例えば、第１ソース電極ＳＥ１と第１ドレイン電極ＤＥ１は、チタン層／アルミニウム層／チタン層の３層構造でありうる。
【0148】
ストレージキャパシタＣｓｔは、第１電極ＣＥ１及び第２電極ＣＥ２を含みうる。ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動薄膜トランジスタである第１薄膜トランジスタＴ１と重畳しうる。
【0149】
一実施形態において、第１電極ＣＥ１は、駆動薄膜トランジスタである第１薄膜トランジスタＴ１の第１ゲート電極ＧＥ１と一体に形成されうる。すなわち、第１薄膜トランジスタＴ１の第１ゲート電極ＧＥ１は、第１電極ＣＥ１を含みうる。第２電極ＣＥ２は、第２層間絶縁層１５１を挟んで第１電極ＣＥ１と重畳しうる。第２電極ＣＥ２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及び／またはチタン（Ｔｉ）のような低抵抗の導電物質を含み、前述した物質からなる単層または多層の構造でありうる。
【0150】
第４層間絶縁層１６０は、シリコン系半導体層を含む薄膜トランジスタ、例えば、第１薄膜トランジスタＴ１上に配置されうる。第４層間絶縁層１６０は、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物のような無機絶縁物を含み、前述した物質を含む単層または多層構造からなる。
【0151】
第４層間絶縁層１６０上には、酸化物系半導体層を含む薄膜トランジスタ、例えば、第３薄膜トランジスタＴ３が配置されうる。第３薄膜トランジスタＴ３は、第３半導体層Ａ３、第３ゲート電極ＧＥ３、第３ソース電極ＳＥ３及び第３ドレイン電極ＤＥ３を含みうる。第３半導体層Ａ３は、酸化物系半導体を含みうる。例えば、第３半導体層Ａ３は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、バナジウム（Ｖ）、ハフニウム（Ｈｆ）、カドミウム（Ｃｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む群から選択された少なくとも１つ以上の物質の酸化物半導体を含みうる。第３半導体層Ａ３は、第３ゲート電極ＧＥ３に重畳する第３チャネル領域、第３チャネル領域の両側に位置する第３ソース領域及び第３ドレイン領域を含む。
【0152】
第３ゲート電極ＧＥ３は、第２ゲート絶縁層１７１をはさんで第３半導体層Ａ３上に位置する。第３ゲート電極ＧＥ３は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及び／またはチタン（Ｔｉ）といった低抵抗の導電物質を含み、前述した物質からなる単層または多層の構造でありうる。第２ゲート絶縁層１７１は、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物のような無機絶縁物を含み、前述した物質を含む単層または多層の構造からなりうる。
【0153】
第３ソース電極ＳＥ３と第３ドレイン電極ＤＥ３のそれぞれは、第５層間絶縁層１７２上に配置されうる。第５層間絶縁層１７２は、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物といった無機絶縁物を含み、前述した物質を含む単層または多層の構造からなりうる。
【0154】
第３ソース電極ＳＥ３と第３ドレイン電極ＤＥ３は、それぞれ第２ゲート絶縁層１７１及び第５層間絶縁層１７２を貫通するコンタクトホールを介して第３半導体層Ａ３の第３ソース領域及び第３ドレイン領域に接続する。第３ソース電極ＳＥ３と第３ドレイン電極ＤＥ３のそれぞれは、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、カルシウム（Ｃa）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、及び／または銅（Ｃｕ）を含み、前述した物質を含む単層または多層の構造でありうる。例えば、第３ソース電極ＳＥ３と第３ドレイン電極ＤＥ３は、チタン層／アルミニウム層／チタン層の３層構造でありうる。
【0155】
第１画素回路ＰＣ１及び第２画素回路ＰＣ２の薄膜トランジスタ上には、第１有機絶縁層１８０が配置されうる。第１有機絶縁層１８０は、シロキサン系の有機物を含むか、あるいはイミド系有機物を含みうる。第１有機絶縁層１８０は、HMDSO(hexamethyldisiloxane)アクリル、BCB(Benzocyclobutene)、ポリイミド(polyimide)といった有機絶縁物を含みうる。
【0156】
基板１００と第１有機絶縁層１８０との間に配置される無機絶縁層の積層体（ＩＬ、以下積層体と称する）、例えば、第１層間絶縁層１２０、第３バリア層１３１、バッファ層１３２、第１ゲート絶縁層１４０、第２層間絶縁層１５１、第３層間絶縁層１５２、第４層間絶縁層１６０、第２ゲート絶縁層１７１、及び第５層間絶縁層１７２は、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２に存在するように一体に形成されうる。透過領域ＴＡでの透過率の向上のために、積層体ＩＬは、透過領域ＴＡに位置する開口（ＩＬ－ＯＰ、以下、第３開口と称する）を含みうる。積層体ＩＬ上に配置された第１有機絶縁層１８０の一部は、第３開口ＩＬ－ＯＰ内に存在しうる。すなわち、第１有機絶縁層１８０の一部は、第３開口ＩＬ－ＯＰを少なくとも部分的に満たしうる。
【0157】
積層体ＩＬの第３開口ＩＬ－ＯＰは、保護層１１０の第２開口１１０ＯＰと重畳しうる。積層体ＩＬの第３開口ＩＬ－ＯＰは、保護層１１０の第２開口１１０ＯＰと同じ工程にて一緒に形成されうる。
【0158】
第１有機絶縁層１８０の一部は、保護層１１０の第２開口１１０ＯＰ内に存在しうる。例えば、第１有機絶縁層１８０の一部は、積層体ＩＬの第３開口ＩＬ－ＯＰを経て保護層１１０の第２開口１１０ＯＰ内に存在しうる。積層体ＩＬの第３開口ＩＬ－ＯＰと保護層１１０の第２開口１１０ＯＰを介して第１有機絶縁層１８０の一部は、基板１００と接触しうる。第１有機絶縁層１８０の一部は、基板１００の最上層である第２バリア層１０４と直接接触しうる。例えば、図１０に図示されたように第１有機絶縁層１８０の一部は、第２バリア層１０４の上面と直接接触しうる。
【0159】
基板１００の上面に垂直方向視において（平面視において）、保護層１１０の第２開口１１０ＯＰは、下部金属層ＢＭＬの第１開口ＢＭＬ－ＯＰと重畳するが、保護層１１０の第２開口１１０ＯＰの大きさ（または、直径、幅）は、下部金属層ＢＭＬの第１開口ＢＭＬ－ＯＰの大きさ（または、直径、幅）より小さく、透過領域ＴＡは、保護層１１０の第２開口１１０ＯＰによって画定(定義)されうる。
【0160】
一部実施形態として、積層体ＩＬの第３開口ＩＬ－ＯＰ及び保護層１１０の第２開口１１０ＯＰを形成する工程において、基板１００の第２バリア層１０４の一部が共に除去されうる。例えば、第２バリア層１０４の一部（例えば、積層体ＩＬの第３開口ＩＬ－ＯＰ及び／または保護層１１０の第２開口１１０ＯＰと重畳する部分）の厚さは、他の部分の厚さよりも小さいのでありうる。そのような場合にも、第１有機絶縁層１８０の一部は、基板１００の最上層である第２バリア層１０４と直接に接触しうる。
【0161】
データ線ＤＬ及び駆動電圧線ＰＬは、第１有機絶縁層１８０上に配置され、第２有機絶縁層１９０でカバーされうる。第２有機絶縁層１９０は、シロキサン系の有機物を含みうる。第２有機絶縁層１９０は、HMDSO(hexamethyldisiloxane)アクリル、BCB(Benzocyclobutene)、ポリイミド(polyimide)のような有機絶縁物を含みうる。
【0162】
図１０は、第２有機絶縁層１９０が第１有機絶縁層１８０上に配置されているところを図示しているが、他の実施形態として、第２有機絶縁層１９０は省略されうる。その場合、データ線ＤＬ及び駆動電圧線ＰＬは、第１有機絶縁層１８０の下方に配置されうる。
【0163】
第１有機発光ダイオードＯＬＥＤ１と第２有機発光ダイオードＯＬＥＤ２の第１電極２１０は、有機絶縁層、例えば、第２有機絶縁層１９０上に配置されうる。第１電極２１０は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）またはそれらの化合物を含む反射膜を含みうる。第１電極２１０は、前述した物質を含む反射膜、及び反射膜の上または／及び下に配置された透明導電膜を含みうる。透明導電膜は、酸化インジウムスズ(ITO; indium tin oxide)、酸化インジウム亜鉛(IZO; indium zinc oxide)、酸化亜鉛(ZnO; zinc oxide)、酸化インジウム(In2O3indium oxide)、酸化インジウムガリウム(IGO; indium gallium oxide)、またはアルミニウム酸化亜鉛(AZO; aluminum zinc oxide)などを含みうる。例えば、第１電極２１０は、ＩＴＯ層／Ａｇ層／ＩＴＯ層の３層構造を有しうる。
【0164】
バンク層１９５は、第１電極２１０の縁部をカバーし、第１電極２１０に重畳する開口１９５ＯＰ１を含む、バンク層１９５は、透光性有機絶縁物を含みうる。例えば、バンク層１９５は、HMDSO(hexamethyldisiloxane)、アクリル、BCB(Benzocyclobutene)、ポリイミド(polyimide)などを含みうる。
【0165】
他の実施形態として、バンク層１９５は、遮光性物質を含みうる。バンク層１９５は、ブラック染料または顔料を含みうる。例えば、バンク層１９５は、カルド系バインダー樹脂(cardo-based binder resin)と顔料を含みうる。この際、顔料としてラクタム系ブラック顔料(lactam black pigment)とブルー顔料との混合物を用いる。または、バンク層１９５は、カーボンブラックを含みうる。
【0166】
透過領域ＴＡの透過率確保のために、バンク層１９５は、透過領域ＴＡに位置する開口１９５ＯＰ２を含みうる。
【0167】
発光層２２１は、第１電極２１０と重畳して配置されうる。発光層２２１は、少なくとも一部が、第１電極２１０上に位置するバンク層１９５の開口１９５ＯＰ１に存在するように配置され、所定色相の光を放出する高分子有機物または低分子有機物を含みうる。発光層２２１の下及び／または上には、機能層が配置されうる。機能層は、ホール輸送層、ホール注入層、電子輸送層、電子注入層などから選択された少なくともいずれか１つを含みうる。
【0168】
第２電極２３０は、仕事関数の低い導電性物質を含みうる。第２電極２３０は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃa）またはそれらの合金などを含む（半）透明層を含みうる。または、第２電極２３０は、前述した物質を含む（半）透明層上に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３のような層をさらに含みうる。第２電極２３０は、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２に位置するように一体に形成されるとともに、透過領域ＴＡに位置する開口２３０ＯＰを含みうる。
【0169】
封止層３０３は、少なくとも１層の無機封止層及び少なくとも１層の有機封止層を含みうる。一実施形態において、封止層３０３は、第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０と、それらの間の有機封止層３２０とを含みうる。
【0170】
第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０のそれぞれは、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物のような１つ以上の無機絶縁物を含みうる。有機封止層３２０は、ポリマー(polymer)系の素材を含みうる。ポリマー系の素材としては、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド及びポリエチレンなどを含みうる。第１無機封止層３１０、有機封止層３２０及び第２無機封止層３３０は、表示領域を全体としてカバーすることができる。
【0171】
図１０は、シリコン系半導体層を含む薄膜トランジスタとして第１薄膜トランジスタＴ１を示し、酸化物系半導体層を含む薄膜トランジスタとして第３薄膜トランジスタＴ３を示しているが、本発明は、それに限定されない。例えば、前述した図５を参照して説明したように、第１画素回路ＰＣ１と第２画素回路ＰＣ２のそれぞれが７個の薄膜トランジスタを含む場合、酸化物系半導体層を含む薄膜トランジスタは、第３薄膜トランジスタＴ３及び第４薄膜トランジスタＴ４でありうるのであり、残りの薄膜トランジスタは、シリコン系半導体層を含みうる。
【0172】
図１０は、第１画素回路ＰＣ１と第２画素回路ＰＣ２それぞれがシリコン系半導体層を含む薄膜トランジスタ及び酸化物系半導体層を含む薄膜トランジスタを含むものとして図示しているが、本発明は、それに限定されない。他の実施形態において、第１画素回路ＰＣ１と第２画素回路ＰＣ２のそれぞれに含まれた全ての薄膜トランジスタは、シリコン系半導体層を含みうる。
【0173】
図１０は、第１画素回路ＰＣ１と第２画素回路ＰＣ２が同数の薄膜トランジスタ及び同数のストレージキャパシタを含むように図示しているが、本発明は、それに限定されない。例えば、第２画素回路ＰＣ２のストレージキャパシタの数は、第１画素回路ＰＣ１のストレージキャパシタの数よりも大きいのでありうる。したがって、第２画素回路ＰＣ２のストレージキャパシタについての電極同士の間の重畳面積は、第１画素回路ＰＣ１のストレージキャパシタについての電極同士の間の重畳面積よりも大きいのでありうる。第２画素回路ＰＣ２のストレージキャパシタのキャパシタンスは、第１画素回路ＰＣ１のストレージキャパシタのキャパシタンスよりも大きいのでありうる。
【0174】
図１０は、下部金属層ＢＭＬと追加金属層ＡＢＭＬとが、第１層間絶縁層１２０を挟んで互いに異なる層上に配置されるとともに、下部金属層ＢＭＬが第１層間絶縁層１２０の上に、追加金属層ＡＢＭＬが第１層間絶縁層１２０の下に配置されているように図示しているが、本発明は、それに限定されない。例えば、本発明の他の実施形態による表示パネルの断面図であって、図９のＡ－Ａ’線及びＢ－Ｂ’線に沿って見た断面図に該当する図１１を参照すれば、下部金属層ＢＭＬが第１層間絶縁層１２０の下に、追加金属層ＡＢＭＬが第１層間絶縁層１２０の上に配置されうる。
【0175】
前述した図１０を参照して説明した下部金属層ＢＭＬの下方の第２下部層ＵＬ２（図１０）は、保護層１１０（図１０）と同じ物質を含むことができるところ、工程数の低減、簡素化のために、図１１に図示されたように、保護層１１０が、図１０の第２下部層ＵＬ２の機能を有しうる。
【0176】
図１１を参照すれば、第２表示領域ＤＡ２に配置された下部金属層ＢＭＬは、第１下部層ＵＬ１を挟んで保護層１１０上に配置されうる。例えば、第１下部層ＵＬ１の上面は、下部金属層ＢＭＬと接触し、下面は保護層１１０と接触しうる。
【0177】
保護層１１０は、非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）層を含むか、Ｓｉリッチ(Si-rich)ＳｉＯＮ層を含むか、シリコン酸窒化物層とシリコン窒化物層との交互的積層構造（例えば、シリコン酸窒化物層とシリコン窒化物層とが交互に約１０回以上積層された構造）を含みうる。第２表示領域ＤＡ２に位置するコンポーネント２０（図４参照）に進入する光及び／またはコンポーネント２０（図４参照）から放出された光が、下部金属層ＢＭＬで反射してコンポーネントに再進入すれば、これは、ノイズを引き起こさせうる。保護層１１０の物質は、（波長によって差があるが）コンポーネント２０（図４参照）から放出された光が下部金属層ＢＭＬに進入することを防止ないしは最小化し、たとえ、下部金属層ＢＭＬを透過した光が下部金属層ＢＭＬによって反射されるにしても、当該光がコンポーネント２０（図４参照）に向かって透過することを防止ないしは最小化しうる。
【0178】
図１１に図示された、下部金属層ＢＭＬ及び第１下部層ＵＬ１、並びに、追加金属層ＡＢＭＬの位置に係わる特徴とは別の他の特徴は、前述した図１０を参照して説明したところと同様なので、同じ特徴は、前述した図１０を参照して説明した内容で代えることとする。
【0179】
以上、本発明は、図面に図示された一実施形態に基づいて説明したが、これは、一例示に過ぎず、当該分野で通常の知識を有する者であれば、それから多様な変形及び実施形態の変形が可能であるという点を理解するであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
【図1】
【図2a】
【図2b】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7a】
【図7b】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【国際調査報告】