特表 2024-526454 表示パネルの調製方法、表示パネル及び電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-07-19

(54)【発明の名称】表示パネルの調製方法、表示パネル及び電子機器

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/33 20060101AFI20240711BHJP

   H01L 29/786 20060101ALI20240711BHJP

   H01L 21/336 20060101ALI20240711BHJP

   H01L 21/60 20060101ALI20240711BHJP

   H01L 21/677 20060101ALI20240711BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240711BHJP

   H01L 33/00 20100101ALI20240711BHJP

【ＦＩ】

G09F9/33

H01L29/78 616V

H01L29/78 626C

H01L21/60 311S

H01L21/68 A

G09F9/00 338

H01L33/00 L

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2021574293

(86)(22)【出願日】2021-12-08

(85)【翻訳文提出日】2022-01-24

(86)【国際出願番号】 CN2021136594

(87)【国際公開番号】W WO2023092661

(87)【国際公開日】2023-06-01

(31)【優先権主張番号】202111405349.X

(32)【優先日】2021-11-24

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】515203228

【氏名又は名称】ティーシーエル チャイナスター オプトエレクトロニクス テクノロジー カンパニー リミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＴＣＬ Ｃｈｉｎａ Ｓｔａｒ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．９－２，Ｔａｎｇｍｉｎｇ Ｒｄ，Ｇｕａｎｇｍｉｎｇ Ｎｅｗ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｓｈｅｎｚｈｅｎ，Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ，Ｃｈｉｎａ ５１８１３２

(74)【代理人】

【識別番号】110002181

【氏名又は名称】弁理士法人ＩＰ－ＦＯＣＵＳ

(72)【発明者】

【氏名】劉 林峰

【テーマコード（参考）】

5C094

5F044

5F110

5F131

5F142

5G435

【Ｆターム（参考）】

5C094AA21

5C094AA44

5C094BA03

5C094BA25

5C094CA19

5C094DA11

5C094DB01

5C094FA02

5C094FA04

5C094FB01

5C094FB02

5C094FB12

5C094FB15

5C094GB01

5C094JA08

5F044KK07

5F044LL15

5F044QQ06

5F044RR04

5F110BB01

5F110CC07

5F110DD02

5F110DD13

5F110DD14

5F110DD17

5F110EE02

5F110EE03

5F110EE04

5F110FF02

5F110FF03

5F110GG01

5F110GG02

5F110GG13

5F110GG15

5F110HK02

5F131AA04

5F131BA51

5F131CA67

5F131DA03

5F131DA22

5F131DB24

5F131EC62

5F131EC72

5F142BA32

5F142CA13

5F142CD02

5F142DB24

5F142FA32

5F142GA01

5G435AA16

5G435AA17

5G435BB04

5G435CC09

5G435KK05

(57)【要約】

表示パネルの調製方法、表示パネル及び電子機器が開示される。本願の実施例に係る表示パネルの調製方法によれば、ＴＦＴ基板にＴＦＴ素子を調製し、その後、二重転写によりＴＦＴ基板から回路板にＴＦＴ素子を転写し、回路板に発光素子を転写することにより、ＴＦＴ素子によって駆動される表示パネルが得られ、製造コストが低く、表示パネルは、良好な電気的性能を実現することができる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１基板と、前記第１基板に設けられる複数のＴＦＴ素子とを含むＴＦＴ基板であって、前記ＴＦＴ素子は、順次積層して設けられるアンカー層及び素子層を含み、前記第１基板との間に犠牲層が設けられ、前記アンカー層は、互いに接続される第１本体及び接続部を含み、前記第１本体は、前記第１基板から離間する前記犠牲層の一方側に設けられ、前記接続部は、一方側が前記第１本体に接続され、他方側が前記第１基板に接続されるＴＦＴ基板を取得するステップと、
前記アンカー層の前記接続部を介して前記ＴＦＴ素子が前記第１基板に接続されるように前記ＴＦＴ基板における前記犠牲層を除去するステップと、
前記ＴＦＴ素子が前記第１基板から分離されるように、第１転写基板を取得し、前記第１転写基板を用いて前記ＴＦＴ基板における前記ＴＦＴ素子を選択的にピックアップすることにより、ピックアップされた前記ＴＦＴ素子における前記アンカー層の接続部を破断させるステップと、
第２転写基板を取得し、前記第１転写基板でピックアップされた前記ＴＦＴ素子を前記第２転写基板に転写するステップと、
第２基板と、前記第２基板に設けられるＴＦＴ接続回路及び発光素子接続回路とを含む回路板を取得し、前記第２転写基板における前記ＴＦＴ素子を前記回路板に転写して前記ＴＦＴ接続回路に接続するステップと、
表示パネルが調製されるように、発光素子を取得し、前記発光素子を前記回路板に転写して前記発光素子接続回路に接続するステップと、を含む、
表示パネルの調製方法。

【請求項2】

前記第１転写基板と前記第２転写基板とは、いずれも粘着性を有し、かつ、前記第２転写基板と前記ＴＦＴ素子との接着力は、前記第１転写基板と前記ＴＦＴ素子との接着力よりも大きい、
請求項１に記載の表示パネルの調製方法。

【請求項3】

前記第１転写基板の材料は、分子量が１０００～５０００であるポリジメチルシロキサンを含み、前記第２転写基板の材料は、分子量が１００００以上であるポリジメチルシロキサンを含む、
請求項２に記載の表示パネルの調製方法。

【請求項4】

前記第１転写基板は、第２本体と、前記第２本体に設けられる凸部とを含み、前記第１転写基板を用いて前記ＴＦＴ基板における前記ＴＦＴ素子を選択的にピックアップすることは、前記第１転写基板の前記凸部を用いて前記ＴＦＴ素子を選択的にピックアップすることを含む、
請求項１に記載の表示パネルの調製方法。

【請求項5】

前記凸部は、前記第２本体から離間する一方側の面が平面、凸円弧面又は凹円弧面である、
請求項４に記載の表示パネルの調製方法。

【請求項6】

前記アンカー層の材料は、酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの少なくとも一つを含む、
請求項１に記載の表示パネルの調製方法。

【請求項7】

前記アンカー層の厚さは、０．５μｍ～２μｍである、
請求項１に記載の表示パネルの調製方法。

【請求項8】

前記犠牲層の材料は、アモルファスシリコンを含み、前記ＴＦＴ基板における前記犠牲層を除去することは、前記ＴＦＴ基板における前記犠牲層を選択的エッチングにより除去することを含む、
請求項１に記載の表示パネルの調製方法。

【請求項9】

前記素子層は、アンカー層に順次積層して設けられるゲート、ゲート絶縁層、活性層、ソースドレイン層を含み、前記ソースドレイン層の材料は金属であり、前記ＴＦＴ接続回路の材料は金属であり、
前記第２転写基板における前記ＴＦＴ素子を前記回路板に転写して前記ＴＦＴ接続回路に接続することは、共晶接合により前記ＴＦＴ素子の前記ソースドレイン層を前記ＴＦＴ接続回路に接続することを含む、
請求項１に記載の表示パネルの調製方法。

【請求項10】

前記ソースドレイン層の材料及び前記ＴＦＴ接続回路の材料は、錫と銀の組み合わせ、錫と銅の組み合わせ又は錫と金の組み合わせである、
請求項９に記載の表示パネルの調製方法。

【請求項11】

前記発光素子は、ＭｉｎｉＬＥＤ又はＭｉｃｒｏＬＥＤである、
請求項１に記載の表示パネルの調製方法。

【請求項12】

第２基板と、前記第２基板に設けられるＴＦＴ接続回路及び発光素子接続回路とを含む回路板と、
前記ＴＦＴ接続回路に接続されるように前記回路板に設けられ、前記回路板に順次積層して設けられるソースドレイン層、活性層、ゲート絶縁層、ゲート及びアンカー層を含み、前記ソースドレイン層は、前記ＴＦＴ接続回路に接続されるＴＦＴ素子と、
前記発光素子接続回路に接続されるように前記回路板に設けられる発光素子と、を含む、
表示パネル。

【請求項13】

前記ソースドレイン層の材料は金属であり、前記ＴＦＴ接続回路の材料は金属であり、前記ソースドレイン層と前記ＴＦＴ接続回路との間は、共晶接合構造である、
請求項１２に記載の表示パネル。

【請求項14】

前記ソースドレイン層の材料及び前記ＴＦＴ接続回路の材料は、錫と銀の組み合わせ、錫と銅の組み合わせ又は錫と金の組み合わせである、
請求項１３に記載の表示パネル。

【請求項15】

前記アンカー層の材料は、酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの少なくとも一つを含む、
請求項１２に記載の表示パネル。

【請求項16】

前記アンカー層の厚さは、０．５μｍ～２μｍである、
請求項１２に記載の表示パネル。

【請求項17】

前記ＴＦＴ接続回路の厚さ及び前記発光素子接続回路の厚さは、いずれも１０μｍ以上である、
請求項１２に記載の表示パネル。

【請求項18】

前記発光素子は、半田付けにより前記発光素子接続回路に接続される、
請求項１２に記載の表示パネル。

【請求項19】

前記ＴＦＴ接続回路の材料及び前記発光素子接続回路の材料は、いずれも金属である、
請求項１２に記載の表示パネル。

【請求項20】

請求項１２に記載の表示パネルを含む、
電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、表示技術分野に関し、特に表示パネルの調製方法、表示パネル及び電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

ＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ，発光ダイオード）表示は、液晶表示及びＯＬＥＤ表示に次ぐ次世代表示技術である。ＬＥＤ表示パネルは、画素単位としてＬＥＤ発光チップ（例えば、ＭｉｃｒｏＬＥＤ発光チップ又はＭｉｎｉＬＥＤ発光チップ）を使用し、一つずつアレイ状に配列され、各チップは、いずれも点灯し、光を発するように独立して駆動することができる。ＬＥＤ表示パネルは、自己発光、高効率、長寿命、超高解像度などの多くの利点を有する。

【発明の概要】

【0003】

従来太陽光パネルの作業環境は、屋外に限られる。太陽光パネルの動作に影響を与える最大
の問題は、風雨雷ではなく、長年蓄積してきた粉塵である。太陽光パネルに付着した粉塵又はその他の付着物は、パネルの透過率に影響し、光電効率を妨げるため、パネルが太陽光を直接に取得する効率に深刻な影響を与え、パネルのエネルギー吸収及び変換効率を低下させ、発電効率を低下させる。のＬＥＤ表示パネルの調製方法の一つは、回路がレイアウトされた基板にＩＣチップ及びＬＥＤ発光チップを順次転写することであり、ここで、ＬＥＤ発光チップは、ＭｉｃｒｏＬＥＤ発光チップ又はＭｉｎｉＬＥＤ発光チップであってもよいが、ＩＣチップのコストが高いため、ＬＥＤ表示パネルの製造コストが高くなる。

【0004】

本願の実施例によれば、表示パネルの調製方法、表示パネル及び電子機器が提供され、表示パネルの調製方法は、製造コストが低く、かつ、調製された表示パネルは、良好な電気的性能を有する。

【0005】

第１態様において、本願の実施例によれば、第１基板と、前記第１基板に設けられる複数のＴＦＴ素子とを含むＴＦＴ基板であって、前記ＴＦＴ素子は、順次積層して設けられるアンカー層及び素子層を含み、前記第１基板との間に犠牲層が設けられ、前記アンカー層は、互いに接続される第１本体及び接続部を含み、前記第１本体は、前記第１基板から離間する前記犠牲層の一方側に設けられ、前記接続部は、一方側が前記第１本体に接続され、他方側が前記第１基板に接続されるＴＦＴ基板を取得するステップと、
前記アンカー層の前記接続部を介して前記ＴＦＴ素子が前記第１基板に接続されるように前記ＴＦＴ基板における前記犠牲層を除去するステップと、
前記ＴＦＴ素子が前記第１基板から分離されるように、第１転写基板を取得し、前記第１転写基板を用いて前記ＴＦＴ基板における前記ＴＦＴ素子を選択的にピックアップすることにより、ピックアップされた前記ＴＦＴ素子における前記アンカー層の接続部を破断させるステップと、
第２転写基板を取得し、前記第１転写基板でピックアップされた前記ＴＦＴ素子を前記第２転写基板に転写するステップと、
第２基板と、前記第２基板に設けられるＴＦＴ接続回路及び発光素子接続回路とを含む回路板を取得し、前記第２転写基板における前記ＴＦＴ素子を前記回路板に転写して前記ＴＦＴ接続回路に接続するステップと、
表示パネルが調製されるように、発光素子を取得し、前記発光素子を前記回路板に転写して前記発光素子接続回路に接続するステップと、を含む表示パネルの調製方法が提供される。

【0006】

いくつかの実施例において、前記第１転写基板と前記第２転写基板とは、いずれも粘着性を有し、かつ、前記第２転写基板と前記ＴＦＴ素子との接着力は、前記第１転写基板と前記ＴＦＴ素子との接着力よりも大きい。

【0007】

いくつかの実施例において、前記第１転写基板の材料は、分子量が１０００～５０００であるポリジメチルシロキサンを含み、前記第２転写基板の材料は、分子量が１００００以上であるポリジメチルシロキサンを含む。

【0008】

いくつかの実施例において、前記第１転写基板は、第２本体と、前記第２本体に設けられる凸部とを含み、前記第１転写基板を用いて前記ＴＦＴ基板における前記ＴＦＴ素子を選択的にピックアップすることは、前記第１転写基板の前記凸部を用いて前記ＴＦＴ素子を選択的にピックアップすることを含む。

【0009】

いくつかの実施例において、前記アンカー層の材料は、酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの少なくとも一つを含み、前記アンカー層の厚さは、０．５μｍ～２μｍである。

【0010】

いくつかの実施例において、前記犠牲層の材料は、アモルファスシリコンを含み、前記ＴＦＴ基板における前記犠牲層を除去することは、前記ＴＦＴ基板における前記犠牲層を選択的エッチングにより除去することを含む。

【0011】

いくつかの実施例において、前記素子層は、アンカー層に順次積層して設けられるゲート、ゲート絶縁層、活性層、ソースドレイン層を含み、前記ソースドレイン層の材料は金属であり、前記ＴＦＴ接続回路の材料は金属であり、
前記第２転写基板における前記ＴＦＴ素子を前記回路板に転写して前記ＴＦＴ接続回路に接続することは、共晶接合により前記ＴＦＴ素子の前記ソースドレイン層を前記ＴＦＴ接続回路に接続することを含む。

【0012】

いくつかの実施例において、前記ソースドレイン層の材料及び前記ＴＦＴ接続回路の材料は、錫と銀の組み合わせ、錫と銅の組み合わせ又は錫と金の組み合わせである。

【0013】

いくつかの実施例において、前記発光素子は、ＭｉｎｉＬＥＤ又はＭｉｃｒｏＬＥＤである。

【0014】

第２態様において、本願の実施例によれば、第２基板と、前記第２基板に設けられるＴＦＴ接続回路及び発光素子接続回路とを含む回路板と、
前記ＴＦＴ接続回路に接続されるように前記回路板に設けられ、前記回路板に順次積層して設けられるソースドレイン層、活性層、ゲート絶縁層、ゲート及びアンカー層を含み、前記ソースドレイン層は、前記ＴＦＴ接続回路に接続されるＴＦＴ素子と、
前記発光素子接続回路に接続されるように前記回路板に設けられる発光素子と、を含む表示パネルが提供される。

【0015】

いくつかの実施例において、前記ソースドレイン層の材料は金属であり、前記ＴＦＴ接続回路の材料は金属であり、前記ソースドレイン層と前記ＴＦＴ接続回路との間は共晶接合構造である。

【0016】

いくつかの実施例において、前記ソースドレイン層の材料及び前記ＴＦＴ接続回路の材料は、錫と銀の組み合わせ、錫と銅の組み合わせ又は錫と金の組み合わせである。

【0017】

いくつかの実施例において、前記アンカー層の材料は、酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの少なくとも一つを含み、前記アンカー層の厚さは、０．５μｍ～２μｍである。

【0018】

第３態様において、本願の実施例によれば、上記表示パネルを含む電子機器が提供される。

【発明の効果】

【0019】

本願の実施例に係る表示パネルの調製方法によれば、ＴＦＴ基板にＴＦＴ素子を調製し、その後、二重転写によりＴＦＴ基板から回路板にＴＦＴ素子を転写し、回路板に発光素子を転写することにより、ＴＦＴ素子によって駆動される表示パネルが得られ、ＩＣチップを転写する従来の調製方法と比較して、本願の実施例に係る表示パネルの調製方法は、製造コストがより低く、かつ、本願の実施例で調製された表示パネルにおけるＴＦＴ接続回路及び発光素子接続回路の厚さを大きく設定することができるため、表示パネルは、良好な電気的性能を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0020】

本願の実施例における技術的手段をより明確に説明するために、以下では、実施例の説明において使用する必要がある図面について簡単に説明する。明らかに、以下の説明における図面は、本願のいくつかの実施例にすぎず、当業者にとって、創造的な努力を払わずにこれらの図面に基づいて他の図面を得ることもできる。

【0021】

本願及びその有益な効果をより完全に理解するために、以下では、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において同一の図面符号は、同一の部分を示す。

【0022】

【図1】本願の実施例に係る表示パネルの調製方法のフローチャートである。

【図2】本願の実施例に係るＴＦＴ基板の構造を示す概略図である。

【図3】本願の実施例においてＴＦＴ基板における犠牲層を除去することを示す概略図である。

【図4】本願の実施例において第１転写基板を用いてＴＦＴ基板におけるＴＦＴ素子を選択的にピックアップすることを示す概略図である。

【図5】本願の実施例において第１転写基板を用いてＴＦＴ基板におけるＴＦＴ素子を選択的にピックアップすることを示す概略図である。

【図6】本願の実施例において第１転写基板でピックアップされたＴＦＴ素子を第２転写基板に転写することを示す概略図である。

【図7】本願の実施例において第２転写基板におけるＴＦＴ素子を回路板に転写することを示す概略図である。

【図8】本願の実施例で調製された表示パネルの構造を示す概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

以下、本願の実施例における図面を参照しながら、本願の実施例における技術的手段について明確かつ完全に説明する。明らかに、説明した実施例は、本願の一部の実施例のみであり、すべての実施例ではない。本願の実施例に基づいて、当業者が創造的な努力を行わないことを前提に得られる他のすべての実施例は、いずれも本願の保護範囲に属する。

【0024】

図１を参照して、図１は、本願の実施例に係る表示パネルの調製方法のフローチャートである。本願の実施例によれば、以下を含む表示パネルの調製方法が提供される。

【0025】

１００において、第１基板１１と、第１基板１１に設けられる複数のＴＦＴ素子１２とを含むＴＦＴ基板１０であって、ＴＦＴ素子１２は、順次積層して設けられるアンカー層１２１及び素子層を含み、第１基板１１との間に犠牲層１３５が設けられ、アンカー層１２１は、互いに接続される第１本体１０１及び接続部１０２を含み、第１本体１０１は、第１基板１１から離間する犠牲層１３５の一方側に設けられ、接続部１０２は、一方側が第１本体１０１に接続され、他方側が第１基板１１に接続されるＴＦＴ基板１０を取得する。

【0026】

図２を参照して、図２は、本願の実施例に係るＴＦＴ基板の構造を示す概略図である。素子層は、アンカー層１２１に順次積層して設けられるゲート１３１、ゲート絶縁層１３２、活性層１３３及びソースドレイン層１３４を含んでもよい。ソースドレイン層１３４は、離間して設けられ、いずれも活性層１３３に接続されるソース１０３及びドレイン１０４を含んでもよい。

【0027】

例示的に、アンカー層１２１は、大きな脆性及び薄い厚さを有してもよいので、ＴＦＴ基板１０における犠牲層１３５が除去されるとき、ＴＦＴ素子１２は、アンカー層１２１の接続部１０２を介してのみ第１基板１１に接続され、接続部１０２は、脆性が大きく、かつ、厚さが薄いので、破断しやすくなるため、ＴＦＴ基板１０からＴＦＴ素子１２を離脱させることができる。

【0028】

例示的に、アンカー層１２１の材料は、酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの少なくとも一つを含んでもよく、アンカー層１２１の厚さは、０．５μｍ～２μｍ（例えば、０．５μｍ、０．７μｍ、１μｍ、１．３μｍ、１．５μｍ、１．７μｍ、２μｍなど）であってもよい。

【0029】

例示的に、犠牲層１３５の材料は、アモルファスシリコンを含んでもよい。

【0030】

例示的に、活性層１３３の材料は、例えばアモルファスシリコン、ポリシリコン、金属酸化物半導体材料などの半導体材料であってもよい。

【0031】

例示的に、ゲート１３１の材料は、モリブデン、アルミニウム、銅、チタンのうちの少なくとも一つを含んでもよく、ゲート絶縁層１３２の材料は、酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの少なくとも一つを含んでもよい。

【0032】

例示的に、第１基板１１は、例えばガラス基板などの硬質基板であってもよい。

【0033】

２００において、アンカー層１２１の接続部１０２を介してＴＦＴ素子１２が第１基板１１に接続されるようＴＦＴ基板１０における犠牲層１３５を除去する。

【0034】

図３を参照して、図３は、本願の実施例においてＴＦＴ基板における犠牲層を除去することを示す概略図である。犠牲層１３５の材料がアモルファスシリコンである場合、「ＴＦＴ基板１０における犠牲層１３５を除去すること」は、具体的には、ＴＦＴ基板１０における犠牲層１３５を選択的エッチングにより除去することを含んでもよい。すなわち、アモルファスシリコンのみをエッチングできるがＴＦＴ素子１２における他の膜層をエッチングできないエッチング液を用いてＴＦＴ基板１０をエッチングすることにより、犠牲層１３５を除去することができる。

【0035】

３００において、ＴＦＴ素子１２が第１基板１１から分離されるように、第１転写基板２０を取得し、第１転写基板２０を用いてＴＦＴ基板１０におけるＴＦＴ素子１２を選択的にピックアップすることにより、ピックアップされたＴＦＴ素子１２におけるアンカー層１２１の接続部１０２を破断させる。

【0036】

図４及び図５を参照して、図４及び図５は、本願の実施例において第１転写基板を用いてＴＦＴ基板におけるＴＦＴ素子を選択的にピックアップすることを示す概略図である。第１転写基板２０は、第１転写基板２０の粘着性を利用してＴＦＴ基板１０からＴＦＴ素子１２をピックアップできるように粘着性を有してもよい。

【0037】

例示的に、第１転写基板２０は、第２本体２１と、第２本体２１に設けられる凸部２２とを含み、「第１転写基板２０を用いてＴＦＴ基板１０におけるＴＦＴ素子１２を選択的にピックアップすること」は、具体的には、第１転写基板２０の凸部２２を用いてＴＦＴ素子１２を選択的にピックアップすることを含んでもよい。すなわち、第２本体２１にピックアップする必要があるＴＦＴ素子１２の位置に対応して凸部２２を設けることができるため、凸部２２を用いてＴＦＴ素子１２を圧接させた後、凸部２２に接続されるＴＦＴ基板１０におけるＴＦＴ素子１２はピックアップされ、凸部２２に接続されていないＴＦＴ素子１２はピックアップされないようにしてもよい。

【0038】

例示的に、凸部２２は、ＴＦＴ素子１２に凸部２２を圧接する際に、ＴＦＴ素子１２の形状に合わせて変形が生じることができるように弾性を有してもよい。

【0039】

例示的に、第２本体２１から離間する凸部２２の一方側の面は、平面、凸円弧面、凹円弧面などであってもよい。

【0040】

例示的に、第１転写基板２０の材料は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）であってもよい。

【0041】

４００において、第２転写基板３０を取得し、第１転写基板２０でピックアップされたＴＦＴ素子１２を第２転写基板３０に転写する。

【0042】

図６を参照して、図６は、本願の実施例において第１転写基板でピックアップされたＴＦＴ素子を第２転写基板に転写することを示す概略図である。また、第２転写基板３０は、第１転写基板２０の粘着性よりも第２転写基板３０の粘着性が大きくなるように粘着性を有してもよい。なお、第２転写基板３０とＴＦＴ素子１２との接着力が第１転写基板２０とＴＦＴ素子１２との接着力よりも大きい場合に、第２転写基板３０の粘着性がより大きいという利点を利用して第１転写基板２０におけるＴＦＴ素子１２を第２転写基板３０に転写することができる。

【0043】

例示的には、第１転写基板２０の材料は、分子量が１０００～５０００であるポリジメチルシロキサンであってもよく、第２転写基板３０の材料は、分子量が１００００以上であるポリジメチルシロキサンであってもよい。

【0044】

５００において、第２基板４１と、第２基板４１に設けられるＴＦＴ接続回路４２及び発光素子接続回路４３とを含む回路板４０を取得し、第２転写基板３０におけるＴＦＴ素子１２を回路板４０に転写してＴＦＴ接続回路４２に接続する。

【0045】

図７を参照して、図７は、本願の実施例において第２転写基板におけるＴＦＴ素子を回路板に転写することを示す概略図である。ソースドレイン層１３４の材料は金属であってもよく、ＴＦＴ接続回路４２の材料は金属であってもよく、「第２転写基板３０におけるＴＦＴ素子１２を回路板４０に転写してＴＦＴ接続回路４２に接続すること」は、具体的には、共晶接合によりＴＦＴ素子１２のソースドレイン層１３４をＴＦＴ接続回路４２に接続することを含んでもよい。ソースドレイン層１３４とＴＦＴ接続回路４２との共晶接合構造の引張強度が大きいため、すなわち、当該共晶接合構造の結合力がＴＦＴ素子１２と第２転写基板３０との接着力よりも大幅に大きいため、ＴＦＴ素子１２が回路板４０上に残存するように第２転写基板３０をＴＦＴ素子１２から剥離することができる。

【0046】

なお、共晶接合とは、共晶温度で共晶を形成できる二種類の金属が互いに接触し、相互に拡散した後、その間に共晶成分を有する液相合金を形成し、経時的に延長し、液相層が絶えず厚くなり、冷却後に液相層が絶えず交互に二種類の金属を析出させ、各金属が独自の元の固相に基づいて成長し、結晶析出するため、二種類の金属間の共晶が二種類の金属を密に結合することができることを指す。

【0047】

例示的に、ソースドレイン層１３４の材料及びＴＦＴ接続回路４２の材料は、錫と銀の組み合わせ、錫と銅の組み合わせ、又は錫と金の組み合わせである。なお、錫と銀の組み合わせとは、ソースドレイン層１３４及びＴＦＴ接続回路４２のうちの一方の材料が錫であり、他方の材料が銀であることを指し、錫と銅の組み合わせ及び錫と金の組み合わせは、同じである。

【0048】

なお、ＴＦＴ素子１２におけるゲート１３１もＴＦＴ接続回路４２に接続する必要がある。例えば、ゲート１３１の下方のゲート絶縁層１３２にビアホールを設け、ビアホール内にゲート１３１に接続される導線を設け、その後、ゲート１３１から離間するビアホールの一端から露出される当該導線の部分をＴＦＴ接続回路４２に接続するように設けてもよく、すなわち、ＴＦＴ接続回路４２は、ソース１０３、ドレイン１０４に接続される回路だけではなく、ゲート１３１に接続される回路をさらに含む。例示的に、ゲート１３１に接続される導線とＴＦＴ接続回路４２との接続は、共晶接合であってもよい。

【0049】

例示的に、回路板４０の第２基板４１は、硬質基板又はフレキシブル基板であってもよく、硬質基板は、ガラス基板などであってもよく、フレキシブル基板の材料は、ポリイミドやポリエステルなどの高分子材料であってもよい。

【0050】

例示的に、ＴＦＴ接続回路４２の材料及び発光素子接続回路４３の材料は、いずれも銅などの金属であってもよい。

【0051】

例示的に、ＴＦＴ接続回路４２の厚さ及び発光素子接続回路４３の厚さは、いずれも１０μｍ以上（例えば、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ、２５μｍ、３５μｍ、４０μｍなど）であってもよい。

【0052】

６００において、表示パネル１００が調製されるように、発光素子５０を取得し、発光素子５０を回路板４０に転写して発光素子接続回路４３に接続する。

【0053】

図８を参照して、図８は、本願の実施例で調製された表示パネルの構造を示す概略図である。発光素子５０は、ＭｉｃｒｏＬＥＤであってもよく、このとき本願の実施例で調製された表示パネル１００は、ＭｉｃｒｏＬＥＤ表示パネルである。

【0054】

例示的に、発光素子５０は、ＭｉｎｉＬＥＤであってもよく、このとき本願の実施例で調製された表示パネル１００は、ＭｉｎｉＬＥＤ表示パネルである。

【0055】

例示的に、ＭｉｎｉＬＥＤの寸法は、１００μｍ～２００μｍであってもよく、ＭｉｃｒｏＬＥＤの寸法は、３０μｍ以下であってもよい。

【0056】

例示的に、発光素子５０は、発光素子接続回路４３に半田付けにより接続されてもよい。

【0057】

以上で分かるように、本願の技術的手段によれば、まずＴＦＴ基板１０にＴＦＴ素子１２を調製し、その後、ＴＦＴ素子１２を回路板４０に転写し、ＭｉｃｒｏＩＣを最初に調製した後にＭｉｃｒｏＩＣを回路板に転写する従来の技術的手段と比較して、ＴＦＴ素子１２の製造コストは、ＭｉｃｒｏＩＣの製造コストよりも大幅に低くなるため、表示パネルの製造コストを大幅に低減させることができる。

【0058】

従来のＭｉｃｒｏＬＥＤ表示パネルの別の調製方法は、まずＴＦＴ素子及びＴＦＴ接続回路、発光素子接続回路などが形成されるＴＦＴ基板を調製し、その後、ＭｉｃｒｏＬＥＤ表示パネルが得られるようにＴＦＴ基板にＭｉｃｒｏＬＥＤを転写するが、当該方法に存在する問題は、ＴＦＴ接続回路、発光素子接続回路及びＴＦＴ素子が同一の製造工程で調製され、ＴＦＴ素子における膜層の厚さが薄いため、ＴＦＴ接続回路及び発光素子接続回路の厚さも薄くなり、ひいてはＴＦＴ接続回路及び発光素子接続回路の信号伝導性能が悪くなるため、ＭｉｃｒｏＬＥＤ表示パネルの電気的性能が悪くなることである。本願の実施例によれば、ＴＦＴ素子１２をＴＦＴ基板１０に調製するとともに、ＴＦＴ接続回路４２及び発光素子接続回路４３を回路板４０に調製するように、ＴＦＴ素子１２と、ＴＦＴ接続回路４２、発光素子接続回路４３とを別個に調製し、すなわち、ＴＦＴ接続回路４２及び発光素子接続回路４３の製造工程とＴＦＴ素子１２の製造工程とを別個にすることにより、ＴＦＴ接続回路４２及び発光素子接続回路４３の厚さがＴＦＴ素子１２の厚さに制限されなくなり、ＴＦＴ接続回路４２及び発光素子接続回路４３を大きな厚さ（１０μｍ以上）に調製することができるため、ＴＦＴ接続回路４２及び発光素子接続回路４３が良好な信号伝導性能を有するようになり、ひいては表示パネル１００が良好な電気的性能を有するようになる。

【0059】

以上説明したように、本願の実施例に係る表示パネルの調製方法によれば、ＴＦＴ基板１０にＴＦＴ素子１２を調製し、その後、二重転写によりＴＦＴ基板１０から回路板４０にＴＦＴ素子１２を転写し、回路板４０に発光素子５０を転写することにより、ＴＦＴ素子によって駆動される表示パネル１００が得られ、ＩＣチップを転写する従来の調製方法と比較して、本願の実施例に係る表示パネル１００の調製方法は、製造コストがより低く、かつ、本願の実施例で調製された表示パネル１００におけるＴＦＴ接続回路４２及び発光素子接続回路４３は、大きな厚さに設定することができるため、表示パネル１００は、良好な電気的性能を実現することができる。

【0060】

図８と併せて、本願の実施例によれば、上記いずれかの実施例における調製方法によって調製することができる表示パネル１００がさらに提供され、表示パネル１００は、回路板４０と、回路板４０に設けられるＴＦＴ素子１２及び発光素子５０とを含んでもよく、回路板４０は、第２基板４１と、第２基板４１に設けられるＴＦＴ接続回路４２及び発光素子接続回路４３とを含み、発光素子５０は、発光素子接続回路４３に接続される。

【0061】

ＴＦＴ素子１２は、ＴＦＴ接続回路４２に接続され、回路板４０に順次積層して設けられるソースドレイン層１３４、活性層１３３、ゲート絶縁層１３２、ゲート１３１及びアンカー層１２１を含み、ここで、ソースドレイン層１３４は、ＴＦＴ接続回路４２に接続される。

【0062】

例示的に、ソースドレイン層１３４の材料は金属であり、ＴＦＴ接続回路４２の材料は金属であり、ソースドレイン層１３４とＴＦＴ接続回路４２との間は、共晶接合構造である。

【0063】

ゲート絶縁層１３２には、ビアホールが設けられてもよく、ビアホールには、ゲート１３１に接続される導線が設けられてもよく、ゲート１３１から離間する当該導線の一端は、ＴＦＴ接続回路４２に接続されるように設けられてもよく、例示的に、ゲート１３１に接続される導線とＴＦＴ接続回路４２との間の接続は、共晶接合であってもよい。

【0064】

例示的に、ソースドレイン層１３４の材料及びＴＦＴ接続回路４２の材料は、錫と銀の組み合わせ、錫と銅の組み合わせ、又は錫と金の組み合わせである。

【0065】

例示的に、アンカー層１２１の材料は、酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの少なくとも一つを含み、アンカー層１２１の厚さは、０．５μｍ～２μｍ（例えば、０．５μｍ、０．７μｍ、１μｍ、１．３μｍ、１．５μｍ、１．７μｍ、２μｍなど）であってもよい。

【0066】

例示的に、ＴＦＴ接続回路４２の材料及び発光素子接続回路４３の材料は、いずれも例えば、銅などの金属であってもよい。

【0067】

例示的に、ＴＦＴ接続回路４２の厚さ及び発光素子接続回路４３の厚さは、１０μｍ以上（例えば、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ、２５μｍ、３５μｍ、４０μｍなど）であってもよい。

【0068】

本願の実施例によれば、上記いずれかの実施例における表示パネル１００を含む電子機器がさらに提供される。

【0069】

例示的に、電子機器は、テレビ、携帯電話、タブレット、液晶ディスプレイ、ゲーム機器、ウェアラブルデバイスなどのディスプレイを有するデバイスなどであり、ここで、ウェアラブルデバイスは、スマートブレスレット、スマートグラス、スマートウォッチ、スマートデコレーションなどであってもよい。

【0070】

以上、本願の実施例に係る表示パネルの調製方法、表示パネル及び電子機器について詳細に説明した。本明細書では、具体的な例を適用して本願の原理及び実施形態について詳述したが、上記の実施例の説明は、本願の理解を助けるためにのみ用いられるものである。同時に、当業者にとっては、本願の思想に基づき、具体的な実施形態及び適用範囲にいずれも変更箇所があることから、本明細書の内容は、本願の制限として理解すべきではない。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【国際調査報告】