特表 2024-526683 カテーテル・バルーンからの音響信号及び電磁信号の送信

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-07-19

(54)【発明の名称】カテーテル・バルーンからの音響信号及び電磁信号の送信

(51)【国際特許分類】

   A61B 18/14 20060101AFI20240711BHJP

   A61N 7/02 20060101ALI20240711BHJP

【ＦＩ】

A61B18/14

A61N7/02

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2024501126

(86)(22)【出願日】2022-07-19

(85)【翻訳文提出日】2024-02-15

(86)【国際出願番号】 IB2022056611

(87)【国際公開番号】W WO2023002352

(87)【国際公開日】2023-01-26

(31)【優先権主張番号】63/223,517

(32)【優先日】2021-07-19

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】63/223,519

(32)【優先日】2021-07-19

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】63/306,496

(32)【優先日】2022-02-03

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】63/367,119

(32)【優先日】2022-06-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】17/813,311

(32)【優先日】2022-07-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】512046383

【氏名又は名称】大塚メディカルデバイス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000855

【氏名又は名称】弁理士法人浅村特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】ザイ、リアン

(72)【発明者】

【氏名】デイリー、エリック

(72)【発明者】

【氏名】マッツォーネ、ジェイムス ディー．

(72)【発明者】

【氏名】チェン、デズモンド

(72)【発明者】

【氏名】ティルマライ、シュルティ

【テーマコード（参考）】

4C160

【Ｆターム（参考）】

4C160JJ32

4C160JJ50

4C160KK12

4C160KK16

4C160KK35

4C160MM33

(57)【要約】

カテーテル１０は、少なくとも第１のバルーン１４の内部に位置し、動作周波数で動作するように構成される少なくとも第１のトランスデューサ３４を有する。第１のトランスデューサ３４は、第１のトランスデューサ３４の長手軸線に沿って複数のローブを第１の音響場に与える音響信号を送信し、ローブのそれぞれは、空間強度最大値を第１の音響場の空間強度分布に有し、空間強度分布は、第１のバルーン１４の表面にあり、第１のトランスデューサ３４の表面に平行であり、第１の音響場の空間強度分布は、第１のトランスデューサ３４の音響場の空間強度が第１のトランスデューサ３４の空間強度最大値のうちの１つの値の５０％以下である１つ又は複数の低減した空間音響強度位置を有し、低減した空間音響強度位置のそれぞれは、第１のトランスデューサ３４の長手軸線に沿って互いに隣接しているローブに対して空間強度最大値間にあり、低減した空間音響強度位置のそれぞれは、第１のトランスデューサ３４の長手軸線に沿って互いに隣接している空間強度最大値間の第１のバルーン１４の表面上にある。カテーテル１０は、電磁信号を送信するように構成された少なくとも第１の電極７６をさらに備え、第１の電極７６は、第１のトランスデューサ３４の低減した空間音響強度位置のうちの１つで第１のバルーン１４上に位置づけられる。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

少なくとも第１のトランスデューサ（３４）と、
少なくとも第１のバルーン（１４）と、を備えるカテーテル（１０）であって、
前記第１のトランスデューサ（３４）は前記第１のバルーン（１４）の内部に位置し、前記第１のトランスデューサ（３４）は動作周波数で動作するように構成され、
前記第１のトランスデューサ（３４）は、前記第１のトランスデューサ（３４）の長手軸線に沿って複数のローブを第１の音響場に与える音響信号を送信し、
前記ローブのそれぞれは、空間強度の最大値を前記第１の音響場の空間強度分布に有し、
前記空間強度分布は、前記第１のバルーン（１４）の表面にあり、前記第１のトランスデューサ（３４）の表面に平行であり、
前記第１の音響場の前記空間強度分布は、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記音響場の前記空間強度が前記第１のトランスデューサ（３４）の前記空間強度最大値のうちの１つの値の５０％以下である、１つ又は複数の低減した空間音響強度位置を有し、
前記低減した空間音響強度位置のそれぞれは、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って互いに隣接しているローブに対して前記空間強度最大値間にあり、
前記低減した空間音響強度位置のそれぞれは、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って互いに隣接している前記空間強度最大値間で前記第１のバルーン（１４）の前記表面上にあり、
前記カテーテル（１０）がさらに、
電磁信号を送信するように構成された少なくとも第１の電極（７６）を備え、前記第１の電極（７６）は、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記低減した空間音響強度位置の１つで前記第１のバルーン（１４）上に位置づけられる、カテーテル（１０）。

【請求項2】

裏部材（４２）と、
前記第１のバルーン（１４）の前記内部に位置する少なくとも第２のトランスデューサ（３４）と、をさらに備え、前記第２のトランスデューサ（３４）は、第２の音響信号を送信するように構成され、前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）は、裏部材（４２）を囲み、前記裏部材（４２）は、前記第１のトランスデューサと前記第２のトランスデューサと（３４）の間に位置する強化した可撓性領域（１１４）を有する、請求項１に記載のカテーテル（１０）。

【請求項3】

前記強化した可撓性領域（１１４）は、前記裏部材（４２）の周りに螺旋状に形成される、請求項２に記載のカテーテル（１０）。

【請求項4】

前記強化した可撓性領域（１１４）は、前記裏部材（４２）の壁を通って延びる開口部である、請求項２に記載のカテーテル（１０）。

【請求項5】

前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）は、前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）から治療部位への前記音響信号の送信により互いから離隔された病変を前記治療部位に形成するのに十分な距離だけ分離される、請求項２から４までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項6】

裏部材（４２）と、
少なくとも第２のトランスデューサ（３４）と、
少なくとも第２のバルーン（１４）と、をさらに備え、
前記第２のトランスデューサ（３４）は、前記第２のバルーン（１４）の内部に位置し、
前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）は、前記裏部材（４２）を囲み、
前記裏部材（４２）は、前記第１のトランスデューサと前記第２のトランスデューサと（３４）の間に位置する第１の強化した可撓性領域（１１４）を有する、請求項１に記載のカテーテル（１０）。

【請求項7】

前記第２のトランスデューサ（３４）は、前記第２のトランスデューサ（３４）が前記第２のトランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って複数のローブを第２の音響場に与える音響信号を送信する動作周波数で動作するように構成され、
前記ローブのそれぞれは、空間強度の最大値を前記第２の音響場の空間強度分布に有し、
前記空間強度分布は、前記第２のバルーン（１４）の表面にあり、前記第２のトランスデューサ（３４）の表面に平行であり、
前記第２の音響場の前記空間強度分布は、前記第２のトランスデューサ（３４）の前記音響場の前記空間強度が、前記第２のトランスデューサ（３４）の前記空間強度最大値のうちの１つの値の５０％以下である、１つ又は複数の低減した空間音響強度位置を有し、
前記低減した空間音響強度位置のそれぞれは、前記第２のトランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って互いに隣接しているローブに対して前記空間強度最大値間にあり、
前記カテーテル（１０）は、電磁信号を送信するように構成された少なくとも第２の電極（７６）をさらに備え、前記第２の電極（７６）は、前記第２のトランスデューサ（３４）の前記低減した空間音響強度位置の１つで前記第２のバルーン（１４）上に位置づけられ、前記第１又は第２の電極（７６）の少なくとも１つは、３６０°の円周方向電気接触を行うように構成されたワイヤの円筒形の拡張可能なメッシュを備える、請求項６に記載のカテーテル（１０）。

【請求項8】

少なくとも第３のバルーン（１４）をさらに備え、
前記裏部材（４２）は、前記第２のバルーンと前記第３のバルーンと（１４）の間に位置する第２の強化した可撓性領域（１１４）を有する、請求項７に記載のカテーテル（１０）。

【請求項9】

電磁信号を送信するように構成された、前記第３のバルーン（１４）上の少なくとも第３の電極（７６）をさらに備え、
前記第１のバルーン（１４）は、前記カテーテル（１０）の近位端に位置し、前記第３のバルーン（１４）は、前記カテーテル（１０）の遠位端に位置し、前記第２のバルーン（１４）は、前記第１のバルーンと前記第３のバルーンとの間に位置し、
前記第１の電極（７６）は、３６０°の円周方向電気的接触を行うように構成されたワイヤの円筒形の拡張可能なメッシュを含み、
前記第３の電極（７６）は、八角形の星状部を備える、請求項８に記載のカテーテル（１０）。

【請求項10】

前記第３のバルーン内に位置する第３のトランスデューサ（３４）をさらに備え、
前記第３のトランスデューサ（３４）は、前記第３のトランスデューサ（３４）が前記第３のトランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って複数のローブを第３の音響場に与える音響信号を送信する動作周波数で動作するように構成され、
前記ローブのそれぞれは、空間強度の最大値を前記第３の音響場の空間強度分布に有し、
前記空間強度分布は、前記第３のバルーンの表面にあり、前記第３のトランスデューサ（３４）の表面に平行であり、
前記第３の音響場の前記空間強度分布は、前記第３のトランスデューサ（３４）の前記音響場の前記空間強度が前記第３のトランスデューサ（３４）の前記空間強度最大値のうちの１つの値の５０％以下である、１つ又は複数の低減した空間音響強度位置を有し、
前記低減した空間音響強度位置のそれぞれは、前記第３のトランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って互いに隣接しているローブに対して前記空間強度最大値間にあり、
前記第３の電極（７６）は、前記第３のトランスデューサ（３４）の低減した空間音響強度位置で前記第３のバルーン上に位置づけられる、請求項８又は９に記載のカテーテル（１０）。

【請求項11】

前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）は、異なる動作周波数で動作するように構成される、請求項２から１０までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項12】

前記第１のトランスデューサ（３４）は、６ＭＨｚ以上２０ＭＨｚ以下の動作周波数で動作するように構成され、前記第２のトランスデューサ（３４）は、２０ＭＨｚ以上６０ＭＨｚ以下の動作周波数で動作するように構成される、請求項１１に記載のカテーテル（１０）。

【請求項13】

前記第１のバルーン（１４）上の少なくとも第２及び第３の電極（７６）をさらに備え、前記第２及び第３の電極（７６）は、前記第１のトランスデューサ（３４）が前記第１のトランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って前記第２の電極と前記第３の電極と（７６）の間にあるように位置づけられる外部電極（７６）を含む、請求項１、２、３、４、５、６、１１及び１２のいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項14】

前記第１のバルーン（１４）上の少なくとも第２の電極（７６）をさらに備え、前記第２の電極（７６）は、前記第１のトランスデューサ（３４）の長手軸線に垂直である線が、前記第１のトランスデューサ（３４）を通って延びることなく前記第２の電極（７６）を通って延びることができるように位置づけられる外部電極（７６）を含む、請求項１、２、３、４、５、６、１１及び１２のいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項15】

前記バルーン（１４）上にフレックス回路をさらに備え、少なくとも前記第１の電極（７６）は、前記フレックス回路上に位置づけられる、請求項１から１４までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項16】

少なくとも前記第１の電極（７６）は、少なくとも前記第１のバルーン（１４）の円周を囲む、分離された、リング状の、又はメッシュ状の電極である、請求項１から１５までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項17】

少なくとも前記第１の電極（７６）は、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記音響場の前記空間強度の最小値のうちの１つの上にある位置に置かれる、請求項１から１５までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項18】

前記第１のバルーン（１４）の前記内部に位置し、第２の音響信号を送信するように構成される少なくとも第２のトランスデューサ（３４）と、
少なくとも第２の電極（７６）と、をさらに備え、前記第２の電極（７６）は、前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）の前記音響場の外側の位置で前記第１のトランスデューサと前記第２のトランスデューサと（３４）の間で前記第１のバルーン（１４）上に位置づけられる、請求項１、及び１１から１７までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項19】

前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）は、それぞれ、前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）のそれぞれが、音響エネルギーの単一のローブを与える音響信号を送信する動作周波数で動作するように構成され、
前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）の前記動作周波数は、１ＭＨｚ以上６０ＭＨｚ以下である、請求項２から１１まで及び１２から１８までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項20】

前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）は、それぞれ、前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）のそれぞれが、音響エネルギーの単一のローブを与える音響信号を送信する動作周波数で動作するように構成され、
前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）の前記動作周波数は、１ＭＨｚ以上６０ＭＨｚ以下である、請求項２から１１まで及び１２から１８までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項22】

前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）は、異なる動作周波数で動作するように構成される、請求項２から２１までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項23】

前記第１のトランスデューサ（３４）は、６ＭＨｚ以上２０ＭＨｚ以下の動作周波数で動作するように構成され、前記第２のトランスデューサ（３４）は、２０ＭＨｚ以上６０ＭＨｚ以下の動作周波数で動作するように構成される、請求項２２に記載のカテーテル（１０）。

【請求項24】

エネルギーを治療部位に送達する方法であって、
カテーテル（１０）の遠位端を患者内の前記治療部位へ進めることであって、
前記カテーテル（１０）は、第１のバルーン（１４）の内部に位置する少なくとも第１のトランスデューサ（３４）を有する、ことと、
前記第１のトランスデューサ（３４）を、前記第１のトランスデューサ（３４）が前記第１のトランスデューサ（３４）の長手軸線に沿って複数のローブを備える音響場を有する音響信号を送信する動作周波数で動作させることとを含み、
前記ローブのそれぞれは、空間強度の最大値を前記音響場の空間強度分布に有し、
前記空間強度分布は、前記バルーン（１４）の表面にあり、前記第１のトランスデューサ（３４）の表面に平行であり、
第１の音響場の空間強度分布は、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記音響場の前記空間強度が前記第１のトランスデューサ（３４）の前記空間強度最大値のうちの１つの値の５０％以下である、１つ又は複数の低減した空間音響強度位置を有し、
前記低減した空間音響強度位置のそれぞれは、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って互いに隣接しているローブに対して前記空間強度最大値間にあり、
前記低減した空間音響強度位置のそれぞれは、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って互いに隣接している空間強度最大値間の前記第１のバルーンの前記表面上にあり、前記カテーテル（１０）は、電磁信号を送信するように構成された少なくとも第１の電極（７６）をさらに備え、前記第１の電極（７６）は、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記低減した空間音響強度位置の１つで前記第１のバルーン上に位置づけられる、方法。

【請求項25】

前記カテーテル（１０）は、前記第１のバルーンの近位にある少なくとも第２のバルーン（１４）と、神経活動を感知するように構成された、前記第２のバルーン上の第２の電極（７６）とをさらに備え、前記方法は、
前記第１の電極（７６）を使用して、血管の神経を刺激する電磁信号を送信し、
前記第２の電極（７６）を使用して、前記血管の神経活動を感知することをさらに含む、請求項２４に記載の方法。

【請求項26】

前記治療部位は腎動脈である、請求項２４又は２５のいずれか一項に記載の方法。

【請求項27】

バルーン（１４）の内部に位置するトランスデューサ（３４）を備えるカテーテル（１０）であって、
前記トランスデューサ（３４）は、前記トランスデューサ（３４）が前記トランスデューサ（３４）の長手軸線に沿って複数のローブを音響場に与える音響信号を送信する動作周波数で動作するように構成され、
前記ローブのそれぞれは、空間強度の最大値を前記音響場の空間強度分布に有し、
前記空間強度分布は、前記バルーン（１４）の表面にあり、前記トランスデューサ（３４）の表面に平行であり、
前記音響場の前記空間強度分布は、１つ又は複数の空間強度最小値を有し、
前記空間強度最小値のそれぞれは、前記トランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って互いに隣接しているローブに対して前記空間強度最大値間にあり、
前記カテーテル（１０）はさらに、
電磁信号を送信するように構成された１つ又は複数の電極（７６）を備え、前記１つ又は複数の電極（７６）のそれぞれが、前記バルーン（１４）上、且つ前記１つ又は複数の空間強度最小値のうちの１つの上にある位置で前記トランスデューサ（３４）の上に位置づけられた、カテーテル（１０）。

【請求項28】

前記トランスデューサ（３４）が前記トランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って前記外部電極（７６）間にあるように位置づけられた外部電極（７６）をさらに備える、請求項２６に記載のカテーテル（１０）。

【請求項29】

前記トランスデューサ（３４）の長手軸線に垂直である線が、前記トランスデューサ（３４）を通って延びることなく、前記外部電極（７６）のそれぞれを通って延びることができるように位置づけられた１つ又は複数の外部電極（７６）をさらに備える、請求項２６に記載のカテーテル（１０）。

【請求項30】

前記１つ又は複数の電極（７６）は、前記バルーン（１４）の円周を囲むメッシュ状電極を含む、請求項２６から２９までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項31】

前記１つ又は複数の電極（７６）は、前記トランスデューサ（３４）の長手軸線に垂直である線が、前記電極（７６）の重心、及び前記１つ又は複数の空間強度最小値のうちの１つを通過することができるように位置づけられる、請求項２６から３０までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項32】

バルーンの内部に位置し、音響信号を送信するように構成されたトランスデューサ（３４）と、
前記バルーン上に位置づけられ、且つ電磁信号を送信するように構成された１つ又は複数の電極（７６）と、を備え、
前記１つ又は複数の電極（７６）のそれぞれは、前記電極（７６）の少なくとも一部が前記トランスデューサ（３４）の前記音響信号を越えて位置づけられるように前記バルーン上に位置づけられる、カテーテル（１０）。

【請求項33】

前記１つ又は複数の電極（７６）のそれぞれは、電極（７６）全体が前記トランスデューサ（３４）の前記音響信号を越えて位置づけられるように、前記バルーン上に位置づけられる、請求項３２に記載のカテーテル（１０）。

【請求項34】

前記１つ又は複数の電極（７６）はフレックス回路上に位置づけられる、請求項２７から３３までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項35】

前記１つ又は複数の電極（７６）は前記バルーンの円周を囲む、請求項２７から３３までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項36】

バルーンの内部に位置する複数のトランスデューサ（３４）であって、音響信号を送信するようにそれぞれが構成された複数のトランスデューサ（３４）と、
電磁信号を送信するように構成された１つ又は複数の電極（７６）と、を備え、前記１つ又は複数の電極（７６）の少なくとも一部は、前記バルーン上且つ前記バルーン内の前記トランスデューサ（３４）間に位置づけられる、カテーテル（１０）。

【請求項37】

前記トランスデューサ（３４）はそれぞれ、前記トランスデューサ（３４）が、単一ローブの音響エネルギーを与える音響信号を送信する動作周波数で動作するように構成され、
前記動作周波数は１ＭＨｚ以上２０ＭＨｚ以下である、請求項３６に記載のカテーテル（１０）。

【請求項38】

バルーンの内部に位置する複数のトランスデューサ（３４）を備えるカテーテル（１０）であって、前記複数のトランスデューサ（３４）のそれぞれは音響信号を送信するように構成され、前記複数のトランスデューサ（３４）のそれぞれは、各トランスデューサ（３４）の長手軸線に沿って少なくとも１つのローブを音響場に与える音響信号を送信するように構成され、前記少なくとも１つのローブは空間強度の最大値を前記音響場の空間強度分布に有し、前記空間強度分布は、前記バルーン（１４）の表面にあり、前記トランスデューサ（３４）のそれぞれの表面に平行であり、
前記カテーテル（１０）はさらに、
電磁信号を送信するように構成される１つ又は複数の電極（７６）を備え、前記１つ又は複数の電極（７６）のそれぞれが、各トランスデューサ（３４）の少なくとも１つのローブの前記空間強度最大値の位置以外の前記バルーン上に位置づけられる、カテーテル（１０）。

【請求項39】

カテーテル（１０）であって、
前記カテーテル（１０）の長手軸線を囲むようにバルーン（１４）の内部に位置し、且つそれぞれが音響信号を送信するように構成された複数のトランスデューサ（３４）を備え、
一対の前記トランスデューサ（３４）は、前記カテーテル（１０）の前記長手軸線に沿って互いに隣接し、それぞれが端を有する前記一対のトランスデューサ（３４）は、前記端が前記カテーテル（１０）の前記長手軸線に沿って互いに隣接するように配置され、
前記一対のトランスデューサ（３４）における前記トランスデューサ（３４）の一方又は両方は、前記トランスデューサ（３４）の前記隣接する端に向かって先細りになる厚さを有する、カテーテル（１０）。

【請求項40】

前記一対のトランスデューサ（３４）における前記トランスデューサ（３４）のそれぞれは、前記トランスデューサの前記隣接する端に向かって先細りになる厚さを有する、請求項３９に記載のカテーテル（１０）。

【請求項41】

先細が前記一対のトランスデューサ（３４）における前記トランスデューサ（３４）のそれぞれで始まる位置間の分離距離が５ｍｍ未満である、請求項３９又は４０に記載のカテーテル（１０）。

【請求項42】

先細が前記一対のトランスデューサ（３４）における前記トランスデューサ（３４）のそれぞれで始まる位置間の分離距離が３ｍｍ未満である、請求項３９又は４０に記載のカテーテル（１０）。

【請求項43】

先細は、前記カテーテル（１０）の曲げに応じて、前記隣接する端が、各トランスデューサ（３４）の内面から各トランスデューサ（３４）の外面まで連続的に接触可能であるように構成される、請求項３９から４２までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項44】

前記一対のトランスデューサ（３４）における前記トランスデューサ（３４）のうちの少なくとも１つの厚さは、厚さ対長さの比が０より大きく２未満で先細りになる、請求項３９から４３までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項45】

前記トランスデューサ（３４）の前記隣接する端に向かって先細りになる厚さは、前記トランスデューサ（３４）の内面に向かって先細りになる、請求項３９から４４までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項46】

前記一対のトランスデューサ（３４）における前記トランスデューサ（３４）は、前記トランスデューサ（３４）のそれぞれから治療部位への音響信号の送信により、前記治療部位内の熱エネルギーの伝導に応じて融合する病変を前記治療部位に形成するのに十分に近く位置づけられる、請求項３９から４５までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項47】

前記一対のトランスデューサ（３４）における前記トランスデューサ（３４）のそれぞれは、音響エネルギーのローブを出力するように構成された活性領域を有し、前記一対のトランスデューサ（３４）における前記トランスデューサ（３４）上の前記活性領域間の分離距離が５ｍｍ未満である、請求項３９から４６までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項48】

裏部材（４２）と、
前記裏部材（４２）を囲む複数のトランスデューサ（３４）と、を備え、
前記トランスデューサ（３４）のそれぞれは、音響信号を送信するように構成され、
前記裏部材（４２）は、前記トランスデューサ（３４）間に位置する強化した可撓性領域（１１４）を有する、カテーテル（１０）。

【請求項49】

前記強化した可撓性領域（１１４）は前記裏部材（４２）の周りに螺旋状に形成される、請求項４８に記載のカテーテル（１０）。

【請求項50】

前記強化した可撓性領域（１１４）は、前記裏部材（４２）の壁を通って延びる開口部である、請求項４８に記載のカテーテル（１０）。

【請求項51】

前記トランスデューサ（３４）は、前記トランスデューサ（３４）から治療部位への音響信号の送信により、互いから離隔された病変を前記治療部位に形成するのに十分な距離だけ分離される、請求項４０から４０までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項52】

裏部材（４２）と、
少なくとも第１及び第２のバルーン（１４）と、
前記裏部材（４２）を囲む少なくとも第１のトランスデューサ及び第２のトランスデューサ（３４）と、を備え、
前記第１のトランスデューサ（３４）は、前記第１のバルーン（１４）の内部に位置し、
前記第２のトランスデューサ（３４）は、前記第２のバルーン（１４）の内部に位置し、
前記トランスデューサ（３４）のそれぞれは、音響信号を送信するように構成され、
前記裏部材（４２）は、前記トランスデューサ（３４）間に位置する強化した可撓性領域（１１４）を有する、カテーテル（１０）。

【請求項53】

前記カテーテル（１０）は、前記第１及び第２のバルーン（１４）を独立して膨張及び／又は収縮するように構成される、請求項５２に記載のカテーテル（１０）。

【請求項54】

前記カテーテル（１０）は、前記第１及び第２のバルーン（１４）を実質的に同時に膨張及び／又は収縮するように構成される、請求項５２又は５３に記載のカテーテル（１０）。

【請求項55】

前記第１及び第２のバルーン（１４）は、同じ又はほぼ同じレベルの剛性を有する、請求項５２から５４までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項56】

前記第１及び第２のバルーン（１４）は、実質的に異なるレベルの剛性を有する、請求項５２から５４までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項57】

カテーテル（１０）軸であって、前記裏部材（４２）は前記カテーテル（１０）軸の遠位端から延びる、カテーテル（１０）軸と、
前記第１及び第２のバルーン（１４）の内部に開口する前記軸上の流体管腔と、をさらに備える請求項５２から５６までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項58】

バルーンの内部に位置するトランスデューサ（３４）を備えるカテーテル（１０）であって、前記トランスデューサ（３４）は、前記トランスデューサ（３４）の長手軸線に沿って複数のローブを音響場に与える音響信号を送信するように構成され、
前記ローブのそれぞれは、空間強度の最大値を前記音響場の空間強度分布に有し、
前記空間強度分布は、前記バルーン（１４）の表面にあり、前記トランスデューサ（３４）の表面に平行であり、
前記カテーテル（１０）はさらに、
電磁信号を送信するように構成された１つ又は複数の電極（７６）を備え、前記１つ又は複数の電極（７６）のそれぞれが、前記空間強度最大値の位置以外のバルーン（１４）上に位置づけられる、カテーテル（１０）。

【請求項59】

前記音響場の前記空間強度分布は、１つ又は複数の空間強度の最小値を有し、
前記空間強度最小値のそれぞれは、前記トランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って互いに隣接しているローブに対して前記空間強度最大値間にあり、
前記１つ又は複数の電極（７６）のそれぞれは、前記空間強度最小値の位置で前記バルーン上に位置づけられる、請求項５８に記載のカテーテル（１０）。

【請求項60】

バルーン（１４）の内部に位置し、複数のローブを音響場に与える音響信号を送信するように構成されたトランスデューサ（３４）と、
電磁信号を送信するように構成された１つ又は複数の電極（７６）と、を備え、
前記１つ又は複数の電極（７６）のそれぞれは、前記音響場に大幅には干渉しない位置で前記バルーン（１４）上に位置づけられる、カテーテル（１０）。

【請求項61】

前記複数のローブは、第１のトランスデューサ（３４）の長手軸線に沿って延び、
前記ローブのそれぞれは、空間強度の最大値を第１の音響場の空間強度分布に有し、
前記空間強度分布は、前記第１のバルーン（１４）の表面にあり、前記第１のトランスデューサ（３４）の表面に平行であり、
前記第１の音響場の前記空間強度分布は、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記音響場の前記空間強度が前記第１のトランスデューサ（３４）の前記空間強度最大値のうちの１つの値の５０％以下である１つ又は複数の低減した空間音響強度位置を有し、
前記低減した空間音響強度位置のそれぞれは、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って互いに隣接しているローブに対して前記空間強度最大値の間にあり、
前記低減した空間音響強度位置のそれぞれは、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って互いに隣接している前記空間強度最大値間で前記第１のバルーン（１４）の前記表面上にあり、
少なくとも第１の電極（７６）が電磁信号を送信するように構成され、前記第１の電極（７６）は、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記低減した空間音響強度位置のうちの１つで前記第１のバルーン（１４）上に位置づけられる、請求項６０に記載のカテーテル（１０）。

【請求項62】

前記第１の音響場の前記空間強度分布は、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記音響場の前記空間強度が、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記空間強度最大値のうちの１つの値の２５％以下である１つ又は複数の低減した空間音響強度位置を有する、請求項６１に記載のカテーテル（１０）。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、カテーテルに関する。特に、本開示は、電磁エネルギーを治療部位に印加するように構成されたカテーテルを含む。本開示はまた、カテーテルの長手軸線を囲む複数のトランスデューサを備えるカテーテルを含み、トランスデューサのそれぞれは、音響信号を送信するように構成される。

【背景技術】

【0002】

米国疾病管理予防センター（ＣＤＣ：ｔｈｅ Ｃｅｎｔｅｒｓ ｆｏｒ Ｄｉｓｅａｓｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ ａｎｄ Ｐｒｅｖｅｎｔｉｏｎ）によると、成人の約３人に１人が、高血圧症としても知られる高血圧を患っている。治療せずに放置すると、高血圧症は、腎疾患、不整脈、心不全を引き起こす可能性がある。近年、高血圧症の治療は、腎動脈を囲む腎神経に、これらの神経を不活性化するために、異なる形態のエネルギーを印加する低侵襲介入アプローチに焦点が当てられている。残念ながら、全ての患者がこの治療法に好反応を示すわけではない。腎神経切除術は、潜在的にはプローブと組織との界面が不十分なために効果がないことが多い。したがって、腎動脈に沿って通る神経線維に十分な量の破壊手段が送達されるわけではない。１つの理由は、動脈壁への破壊手段の送達には、神経活動の破壊を評価するフィードバック機構がないことである。結果として、十分な量の破壊手段が送達されず、神経活動は壊れない。したがって、臨床医は、プローブ／組織界面を改良する手段又は神経をより適切に標的にする手段、及び治療を終了する前に神経活動の破壊を確認するために、動脈壁を通過する神経線維の完全性を監視する技術を必要とする。神経活動の破壊に対する現在の技術は、所望の神経活動の破壊がいつ達成されたかを検出するフィードバック機構を開業医に提供していない。神経破壊手段は、所望の効果が達成されたという知識なしに経験的に適用される。除神経手順が成功したかどうかに関する実時間のフィードバックを提供できるシステムが必要とされている。

【0003】

また、現在市販されているデバイスより細い血管を切除でき、又はより蛇行した解剖学的構造を通過するカテーテルも必要とされている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】米国仮特許出願第６３／２６３，０００号

【特許文献2】米国特許公開第２０２２００９５９７９号

【特許文献3】米国特許公開第２０１８／０２２１０８７号

【特許文献4】米国特許公開第２０１７／００３５３１０号

【特許文献5】米国仮特許出願第６３／２２３，５１９号

【特許文献6】米国特許公開第１５／２９９６９４号

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明は、独立した特許請求の範囲によって定義される。本発明のさらなる実施例は、従属特許請求の範囲によって定義される。

【0006】

カテーテルは、少なくとも第１のバルーンの内部に位置する少なくとも第１のトランスデューサを有し、第１のトランスデューサは動作周波数で動作するように構成される。第１のトランスデューサは、第１の音響場に第１のトランスデューサの長手軸線に沿って複数のローブを与える音響信号を送信し、ローブのそれぞれは、第１の音響場の空間強度分布において空間強度最大値を有し、空間強度分布は、第１のバルーンの表面にあり、且つ、第１のトランスデューサの表面に平行であり、第１の音響場の空間強度分布は、第１のトランスデューサの音響場の空間強度が、第１のトランスデューサの空間強度最大値のうちの１つの値の５０％以下である、１つ又は複数の低減した空間音響強度位置を有し、低減した空間音響強度位置のそれぞれは、第１のトランスデューサの長手軸線に沿って互いに隣接しているローブに対する空間強度最大値間にあり、低減した空間音響強度位置のそれぞれは、第１のトランスデューサの長手軸線に沿って互いに隣接している空間強度最大値間の第１のバルーンの表面にある。カテーテルは、電磁信号を送信するように構成された少なくとも第１の電極をさらに備え、第１の電極は、第１のトランスデューサの低減した空間音響強度位置のうちの１つでの第１のバルーン上に位置づけられる。

【0007】

エネルギーを治療部位に送達する方法は、カテーテルの遠位端を患者内の治療部位へ進めることを含む。カテーテルは、第１のバルーンの内部に位置する少なくとも第１のトランスデューサを有する。本方法は、さらに、第１のトランスデューサを、第１のトランスデューサが第１のトランスデューサの長手軸線に沿って複数のローブを備える音響場を有する音響信号を送信する動作周波数で、操作し、ローブのそれぞれは、空間強度最大値を音響場の空間強度分布に有し、空間強度分布は、バルーンの表面にあり、且つ第１のトランスデューサの表面に平行であり、第１の音響場の空間強度分布は、第１のトランスデューサの音響場の空間強度が第１のトランスデューサの空間強度最大値のうちの１つの値の５０％以下である１つ又は複数の低減した空間音響強度位置を有し、低減した空間音響強度位置のそれぞれは第１のトランスデューサの長手軸線に沿って互いに隣接しているローブに対する空間強度最大値間にあり、低減した空間音響強度位置のそれぞれは、第１のトランスデューサの長手軸線に沿って互いに隣接している空間強度最大値間で第１のバルーンの表面上にあり、カテーテルは、電磁信号を送信するように構成された少なくとも第１の電極をさらに備え、第１の電極は、第１のトランスデューサの低減した空間音響強度位置の１つで第１のバルーン上に位置づけられる。

【0008】

カテーテルの別の実施例は、バルーンの内部に位置するトランスデューサを有する。トランスデューサは、トランスデューサが、音響場にトランスデューサの長手軸線に沿って複数のローブを与える音響信号を送信する動作周波数で動作するように構成される。ローブのそれぞれは、空間強度最大値を音響場の空間強度分布に有する。空間強度分布は、バルーンの表面にあり、トランスデューサの表面に平行である。音響場の空間強度分布は、１つ又は複数の空間強度最小値を有する。空間強度最小値のそれぞれは、トランスデューサの長手軸線に沿って互いに隣接しているローブに対する空間強度最大値間にある。１つ又は複数の電極は、電磁信号を送信するように構成され、１つ又は複数の電極のそれぞれは、バルーン上、且つ１つ又は複数の空間強度最小値のうちの１つの最小値の上である位置でトランスデューサの上に位置づけられる。

【0009】

カテーテルの別の実施例は、バルーンの内部に位置するトランスデューサを有する。トランスデューサは、音響信号を送信するように構成される。１つ又は複数の電極は、バルーン上に位置づけられ、電磁信号を送信するように構成される。１つ又は複数の電極のそれぞれは、電極の少なくとも一部がトランスデューサの音響信号を越えて位置づけられるように、バルーン上に置かれる。

【0010】

カテーテルの別の実施例は、バルーンの内部に位置する複数のトランスデューサを有する。トランスデューサのそれぞれは、音響信号を送信するように構成される。カテーテルはまた、電磁信号を送信するように構成された１つ又は複数の電極を含む。１つ又は複数の電極の少なくとも一部は、バルーン上、且つバルーン内のトランスデューサ間に位置づけられる。

【0011】

カテーテルの別の実施例は、バルーンの内部に位置する複数のトランスデューサを有する。トランスデューサのそれぞれは、音響信号を送信するように構成される。１つ又は複数の電極は、電磁信号を送信するように構成される。１つ又は複数の電極の少なくとも一部は、バルーン上、且つバルーン内のトランスデューサ間に位置づけられる。

【0012】

カテーテルの別の実施例は、バルーンの内部に位置する複数のトランスデューサを有し、トランスデューサのそれぞれは、音響信号を送信するように構成される。複数のトランスデューサのそれぞれは、音響場に各トランスデューサの長手軸線に沿って少なくとも１つのローブを与える音響信号を送信するように構成される。少なくとも１つのローブは、空間強度最大値を音響場の空間強度分布に有する。空間強度分布は、バルーンの表面にあり、トランスデューサのそれぞれの表面に平行である。１つ又は複数の電極は、電磁信号を送信するように構成される。１つ又は複数の電極のそれぞれは、各トランスデューサの少なくとも１つのローブの空間強度最大値の位置以外のバルーン上に位置づけられる。

【0013】

カテーテルの別の実施例は、トランスデューサがカテーテルの長手軸線を囲むようにバルーンの内部に位置する複数のトランスデューサを有する。トランスデューサのそれぞれは、音響信号を送信するように構成される。一対のトランスデューサが、カテーテルの長手軸線に沿って互いに隣接し、対のトランスデューサにおけるそれぞれは、両端がカテーテルの長手軸線に沿って互いに隣接するように配置された端を有する。対のトランスデューサにおけるトランスデューサの一方又は両方は、トランスデューサの隣接する端に向かって先細りになる厚さを有する。

【0014】

カテーテルの別の実施例は、裏部材を有する。また、カテーテルは、それぞれが裏部材を囲む複数のトランスデューサを有する。トランスデューサのそれぞれは、音響信号を送信するように構成される。裏部材は、トランスデューサ間に位置する強化した可撓性領域を有する。いくつかの例では、強化した可撓性領域は、裏部材の周りに螺旋を描く。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】カテーテル・システムの側面図である。

【図2A】図２Ｏまで図１のカテーテル・システムとの使用に好適なカテーテルを例示する。カテーテルの長手軸線に沿って取られたカテーテルの遠位端の断面である。カテーテルは、分散型電極として動作するように構成される単一の電極選択肢に接続された複数の円周方向電極を含む。

【図2B】図２ＡにＢと表示された線に沿って取られた図２Ａに示すカテーテルの断面である。

【図2C】図２ＡにＣと表示された線に沿って取られた図２Ａに示すカテーテルの断面である。

【図2D】図２Ａに示すカテーテルの遠位端の側面図である。

【図2E】電極が、それぞれ、単一の円周方向電極を含む複数の電極選択肢に接続されるように修正された、図２Ａから図２Ｄのカテーテルを例示する。

【図2F】電極選択肢のそれぞれが複数の個別電極を含むように修正された図２Ｅのカテーテルである。

【図2G】電極が、トランスデューサとおおよそ同軸となり、トランスデューサの長手軸線に沿ってトランスデューサの近位及び遠位に配置され、トランスデューサ又はトランスデューサの音響信号と重ならないように位置づけられた外部電極として電極が機能するように修正された図２Ｆのカテーテルを例示する。

【図2H】図２Ｇに示すような音響場のローブ間に電極を含むように修正された図２Ｆのカテーテルを例示する。

【図2I】異なる電極選択肢からの電極がバルーン上で長手方向に位置合わせされないように修正された図２Ｇのカテーテルを例示する。

【図2J】各電極選択肢が単一の個別電極を含む複数の電極選択肢に接続された図２Ｉの電極を例示する。

【図2K】電極がバルーン上に位置づけられるが、トランスデューサ組立体がバルーン内に存在しないように修正された図２Ｇのカテーテルを例示する。

【図2L】トランスデューサ組立体がバルーン内に存在するが、電極はバルーン上に位置づけられないように修正された図２Ａのカテーテルを例示する。

【図2M】複数の電極選択肢に接続された電極において、１つの電極選択肢が単一の円周方向電極を含み、１つの電極選択肢は複数の個別電極を含むように修正された図２Ｅのカテーテルを例示する。

【図2N】中間バルーンを近位バルーンと遠位バルーンとの間に含むカテーテルの一部を例示する。

【図2O】カテーテルの一部が中間バルーンを近位バルーンと遠位バルーンとの間に含む代替実施例を例示する。

【図3A】同じカテーテル上の異なるバルーンの独立した膨張及び／又は収縮を許容できるカテーテル構築の実例を例示する。カテーテル軸の遠位端の一部を例示する。カテーテル軸の部分の斜視図である。

【図3B】同じカテーテル上の異なるバルーンの独立した膨張及び／又は収縮を許容できるカテーテル構築の実例を例示する。カテーテル軸の遠位端の一部を例示する。図３ＡにＢと表示された線に沿って取られた図３Ａに示すカテーテル軸の断面である。

【図3C】同じカテーテル上の異なるバルーンの独立した膨張及び／又は収縮を許容できるカテーテル構築の実例を例示する。カテーテル軸の遠位端の一部を例示する。図３ＡにＣと表示された線に沿って取られた図３Ａに示すカテーテル軸の断面である。

【図3D】同じカテーテル上の異なるバルーンの独立した膨張及び／又は収縮を許容できるカテーテル構築の実例を例示する。カテーテルの遠位端の斜視図である。

【図3E】同じカテーテル上の異なるバルーンの独立した膨張及び／又は収縮を許容できるカテーテル構築の実例を例示する。カテーテルの長手軸線に沿って、且つバルーンのうちの１つを通る図３Ｄに示すカテーテルの断面である。

【図3F】同じカテーテル上の異なるバルーンの独立した膨張及び／又は収縮を許容できるカテーテル構築の実例を例示する。図３ＦにＥと表示された線に沿って取られた図３Ｅに示すカテーテルの断面である。

【図3G】同じカテーテル上の異なるバルーンの独立した膨張及び／又は収縮を許容できるカテーテル構築の実例を例示する。図３ＦにＧと表示された線に沿って取られた図３Ｅに示すカテーテルの断面である。

【図4A】フレックス回路の上面図である。

【図4B】図４Ａのフレックス回路を含むカテーテルの一部の側面図である。

【図4C】図４ＣにＢと表示された線に沿って取られた図４Ｂに示すカテーテルの部分の断面である。

【図5A】カテーテルとの使用に好適である両面フレックス回路の実例を例示する。伝導経路を基板に含む両面フレックス回路の内側の上面図である。

【図5B】カテーテルとの使用に好適である両面フレックス回路の実例を例示する。図５Ａに示す両面フレックス回路の外側の上面図である。

【図5C】カテーテルとの使用に好適である両面フレックス回路の実例を例示する。図５Ａ及び図５Ｂのフレックス回路を含むカテーテルの一部の側面図である。

【図6A】複数のトランスデューサ組立体をバルーンに含むカテーテルの実例を例示する。バルーン及び並列に接続されたトランスデューサ組立体を含むカテーテルの一部の斜視図である。

【図6B】複数のトランスデューサ組立体をバルーンに含むカテーテルの実例を例示する。Ｂと表示された線に沿って取られた図６Ａに示すカテーテルの断面である。

【図6C】直列に接続されたトランスデューサ組立体を含むカテーテルの一部の斜視図である。

【図6D】トランスデューサ組立体及びバルーンを含むカテーテルの一部の斜視図である。

【図6E】Ｅと表示された線に沿って取られた図６Ｄに示すカテーテルの断面である。

【図6F】互いに隣接し、それぞれがトランスデューサの端で先細りになる厚さを有するトランスデューサの断面である。

【図6G】互いに隣接し、それぞれがトランスデューサの端で先細りになる厚さを有するトランスデューサの断面である。

【図6H】トランスデューサの端で先細りになる厚さを有するトランスデューサの断面である。

【図6I】トランスデューサの端で先細りになる厚さを有するトランスデューサの断面である。

【図6J】トランスデューサの端に向かって先細りになる厚さを有するトランスデューサの断面である。

【図6K】図６Ａから図６Ｅによる可能なカテーテル構築の概略断面である。

【図7A】内部カテーテルの実例を例示する。内部カテーテルの実施例の斜視図である。

【図7B】内部カテーテルの実例を例示する。内部カテーテルの別の実施例の斜視図である。

【図7C】内部カテーテルの実例を例示する。図５Ｃとの関連で開示されたカテーテルのガイドワイヤ管腔に位置づけられた図７Ａの内部カテーテルを例示する。

【図8】カテーテルの遠位端を受容する腎動脈等の血管の切断面図である。

【図9】凹部を持つトランスデューサを有するカテーテルの断面である。

【図10A】カテーテルの長手軸線に沿って取られたカテーテルの遠位端の断面である。

【図10B】図１０ＡにＢと表示された線に沿って取られた図１０Ａに示すカテーテルの断面である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

カテーテルは、バルーンの内部に位置するトランスデューサを有する。トランスデューサは、音響エネルギーを複数のローブに有する音響信号を送信するように構成される。ローブは、音響場の空間音響エネルギー又は空間強度分布を表す。結果として、音響場のローブは、音響エネルギーを腎神経、肝神経、肺動脈神経、又は心臓組織等の治療部位に送達できる。カテーテルはまた、電磁信号を送信するように構成された１つ又は複数の電極を含む。１つ又は複数の電極のそれぞれは、バルーン上、且つ音響場のローブ間に位置づけられる。結果として、電磁信号は、電磁エネルギーを治療部位に送達できる。電極は音響場から又は音響場のローブ間に位置づけられるため、電磁エネルギーは、ローブが音響エネルギーを治療部位に送達する位置間で治療部位に送達できる。電磁エネルギーは、音響エネルギーが、例えば、最小限に低減される位置へ送達されるため、治療部位全体に送達されるエネルギーの均一性を高めることができ、治療の効果を最大化できる。

【0017】

図１は、カテーテル・システムの側面図である。カテーテル・システムは、近位端及び遠位端を有するカテーテル１０を含む。カテーテル１０は、カテーテル軸１２、バルーン１４、及び先端部材１５を含む。バルーン１４は、カテーテル軸１２と先端部材１５との間に位置づけできる。バルーン１４は、適合、準適合又は不適合の医療用バルーン１４であり得る、又はこのようなバルーンを含むことができる。バルーン１４に好適な材料は、ナイロン、ポリイミドフィルム、商標ＰＥＢＡＸ（商標）の印がつけられたもの等の熱可塑性エラストマー、商標ＰＥＬＥＴＨＡＮＥ（商標）で販売されているもの等の医療グレードの熱可塑性ポリウレタンエラストマー、ペル・エタン、イソエーテル、及び他の好適なポリマー又はそれらの任意の組合せを含むが、これらに限定されない。

【0018】

カテーテル１０は、ハンドル１６をカテーテル軸１２の近位端に有することができる。ハンドル１６は、カテーテル・システムを、それぞれが電子機器２２と電気的に連通している１つ又は複数の外部導電体２０に接続するために１つ又は複数の電気結合器１８を含むことができる。好適な外部導電体２０は、ワイヤ、ケーブル、及びフレキシブル・プリント回路（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）を含むが、これらに限定されない。

【0019】

カテーテル軸１２は、１つ又は複数の電気管腔（図示せず）を含むことができる。電気管腔のそれぞれは、電気結合器１８のうちの１つ又は複数からカテーテル軸１２の長手方向の長さに沿ってカテーテル軸１２の遠位端に向かって延びる。電気管腔は、それぞれが１つ又は複数の導電体を担持する１つ又は複数の導電体キャリア（図示せず）を保持できる。導電体は、電気結合器１８及び外部導電体２０のうちの１つ又は複数を通して、電子機器２２と電気的に連通できる。好適な導電体は、ワイヤ、絶縁ワイヤ、ケーブル、及びフレキシブル・プリント回路（ＦＰＣ）を含むが、これらに限定されない。導電体キャリアが複数の導電体を担持するとき、好適な導電体キャリアは、電気的に絶縁性のジャケットであってよい。導電体キャリアが単一の導電体を担持するとき、導電体上の電気絶縁体が導電体キャリアとして機能できる。

【0020】

ハンドル１６は、カテーテルを導管２６に接続するために、１つ又は複数の流体ポート２４を含むことができる。好適な導管２６は、チューブ及びホースを含むが、これらに限定されない。導管２６は、流体ポート２４と流体源２８との間を流体で連通できる。好適な流体源２８は、ポンプ、タンク、貯留器、及び容器を含むが、これらに限定されない。カテーテル軸１２は１つ又は複数の流体管腔（図示せず）を含むことができる。流体管腔のそれぞれは、流体ポート２４のうちの１つと流体連通でき、カテーテル軸１２の長手方向の長さに沿ってカテーテル軸１２の遠位端に向かって延びることができる。

【0021】

ハンドル１６は、ガイドワイヤ３１を受容するために、１つ又は複数のガイドワイヤ・ポート３０を含むことができる。カテーテル軸１２は、ガイドワイヤ管腔（図示せず）を含むことができる。ガイドワイヤ管腔は、カテーテル軸１２の長手方向の長さに沿ってカテーテル軸１２の遠位端に向かって延びることができる。ガイドワイヤ管腔は、ガイドワイヤ・ポート３０内へ挿入されたガイドワイヤ３１がガイドワイヤ管腔に受容されるように、ガイドワイヤ・ポート３０と流体連通できる。

【0022】

図２Ａは、カテーテルの長手軸線に沿って取られたカテーテルの遠位端の断面である。図２Ｂは、図２ＡにＢと表示された線に沿って取られた図２Ａに示すカテーテルの断面である。図２Ｃは、図２ＡにＣと表示された線に沿って取られた図２Ａに示すカテーテルの断面である。図２Ｄは、図２Ａに示すカテーテルの遠位端の側面図である。バルーン１４は、カテーテル軸１２と先端部材１５との間に位置づけできる。バルーン１４は、カテーテル軸１２の外部及び／又は先端部材１５の外部に沿って固着できる。バルーン１４をカテーテル軸１２の外部及び／又は先端部材１５の外部に固着する好適な機構は、摩擦嵌合と、糊、接着剤、エポキシ等の接着機構と、保持器、ロック・リング、リング・クランプ若しくはホース・クランプ等のクランプ等の機械的取付機構と、レーザ溶接、熱溶接等の溶接と、それらの組合せとを含むが、これらに限定されない。

【0023】

トランスデューサ組立体３２は、バルーン１４の内部に位置づけられる。トランスデューサ組立体３２は、トランスデューサ３４を含むことができる。ある実施例では、トランスデューサは、集束超音波用に構成される。トランスデューサは、内面及び外面を有する中空円筒の構成を有することができる。内部電極３６は、内面に接触し、トランスデューサ３４の長さに沿って延びることができる。外部電極３８は、外面に接触し、トランスデューサ３４の長さに沿って延びることができる。トランスデューサ３４に好適な材料は、圧電セラミクス、結晶及びポリマーを含む圧電材料と、圧電微小機械加工超音波トランスデューサ（ＰＭＵＴ：ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）及び静電容量式微小機械加工超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ：ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）等の音響微小電気機械システム（ＭＥＭＳ：ｍｉｃｒｏ－ｅｌｅｃｔｒｏ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍｓ）トランスデューサと、を含むが、これらに限定されない。好適な圧電体の例は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、ＣＭＵＴ、及びＰＭＵＴを含むが、これらに限定されない。腎除神経における使用に好適な実施例では、トランスデューサ３４の材料は、ネイビーＩＩＩピエゾ材料としても知られているチタン酸ジルコン酸鉛８（ＰＺＴ８）を含む、又はそれからなる。未加工のＰＺＴトランスデューサは、銅、ニッケル及び／又は金の層でめっきされて内部電極３６及び外部電極３８を作成してよい。ある実施例では、トランスデューサ３４は、集束超音波用に構成される。

【0024】

図２Ａは、流体管腔４０をカテーテル軸１２に示す。管腔４０は、流体管腔４０及びバルーン１４の内部が流体を交換できる流体ポート４１を含む。結果として、流体管腔４０とバルーン１４の内部とは流体で連通している。したがって、流体管腔４０は、バルーン１４の内部と、図１との関連で開示された導管２６のうちの１つとの間を流体で連通する。カテーテル・システムは、流体を、流体管腔４０を通してバルーン１４の内部へ押し流す、且つ／又は、流体をバルーン１４の内部から流体管腔４０を通して引き出すように構成できる。結果として、流体を使用してバルーン１４を膨張又は収縮できる。代わりに、カテーテル軸１２は、それぞれがバルーン１４の内部へ開口している複数の流体管腔４０を含むことができる。カテーテル・システムは、流体を流体管腔４０の第１の選択肢を通してバルーン１４の内部へ押し流し、流体をバルーン１４の内部から流体管腔４０の第２の選択肢を通して引き出すように構成できる。バルーン１４内へ且つバルーン１４からの流体の相対的な流れは、バルーン１４を膨張させる、バルーン１４を収縮させる、又はバルーン１４の膨張レベルを定常状態に保つように変動できる。

【0025】

いくつかの例では、流体は液体である。バルーン１４の内部の流体は、トランスデューサ組立体３２と接触できる。例えば、流体は、トランスデューサ３４、内部電極３６及び／又は外部電極３８に接触できる。結果として、流体は、体腔とトランスデューサ組立体３２との両方の冷却を行うことができる。いくつかの例では、図１との関連で開示された流体源２８は、流体を予冷する、且つ／又は予冷流体を貯蔵するように構成される。結果として、流体は、流体管腔４０及び／又はバルーン１４の内部に入る前に冷却される。予冷流体の好適な温度は、流体の凍結温度から室温までの温度、及び／又は０℃、１５℃、若しくは２５℃以上の温度、及び／又は２０℃、２５℃、若しくは３７℃未満の温度を含むが、これらに限定されない。好適な流体の例は、滅菌水、ブドウ糖、生理食塩水、又は他の好適な冷却流体を含むが、これらに限定されない。

【0026】

裏部材４２は、音響トランスデューサ３４の内部に位置づけできる。いくつかの例では、裏部材４２も、内部電極３６の内部に位置づけられる。内部電極３６及び／又はトランスデューサ３４は裏部材４２を囲むことができる。図２Ａから明らかであるように、裏部材４２は、トランスデューサ３４の両端を越えて延びることができる。裏部材４２は、カテーテル軸１２の遠位端から先端部材１５まで延びる。裏部材４２の端は、カテーテル軸１２の遠位端にある凹部４４に受容され、裏部材４２の他端は、先端部材１５の凹部４４に受容される。

【0027】

裏部材管腔４６が、長手方向に裏部材４２を通って延びる。電気絶縁体４８が、裏部材管腔４６の内部に位置づけできる。第２のガイドワイヤ管腔５０が、長手方向に裏部材４２を通って延び、電気絶縁体４８によって画定できる。第２のガイドワイヤ管腔５０は、長手方向にカテーテル軸１２を通って延びるガイドワイヤ管腔５１と位置合わせされる。ガイドワイヤ管腔５１及び第２のガイドワイヤ管腔５０は、ガイドワイヤ（図示せず）を受容する大きさである。電気絶縁体４８は、第２のガイドワイヤ管腔５０に受容されたガイドワイヤから裏部材４２を電気的に絶縁するように位置づけられる。電気絶縁体４８に好適な材料は、ポリイミド、他のポリマー若しくはエラストマー材料、及び他の天然若しくは合成材料を含むが、これらに限定されない。裏部材４２は、導電性に構築できる。裏部材４２に好適な材料は、タングステン、鋼、及びアルミニウムを含むが、これらに限定されない。

【0028】

第２のガイドワイヤ管腔５０は、先端部材１５の管腔と位置合わせされる。先端部材１５の管腔は、ガイドワイヤ（図示せず）を受容する大きさである。結果として、カテーテルは、ガイドワイヤ管腔、第２のガイドワイヤ管腔５０及び先端部材１５管腔に位置づけられたガイドワイヤに沿って移動できる。

【0029】

１つ又は複数の間隔構成要素５４は、裏部材４２とトランスデューサ組立体３２との間に位置づけできる。間隔構成要素５４は、裏部材４２とトランスデューサ組立体３２との間の空間を維持するように構成できる。間隔構成要素５４は、スペーサ本体５８から離れて延びる複数のスペーサ５６を含むことができる。開口部が、スペーサ本体５８を通って延びることができる。開口部は、裏部材４２を受容する大きさにすることができる。したがって、スペーサ本体５８は裏部材４２を囲むことができる。

【0030】

スペーサ５６は、１つ又は複数の接触位置でトランスデューサ組立体の内部に接触できる。例えば、スペーサ５６は、１つ又は複数の接触位置で内部電極３６に接触できる。接触位置は、トランスデューサ３４及び裏部材４２の互いに対するポジションを保ちながら、バルーン１４内の流体が流れてトランスデューサ組立体３２の内部及び裏部材４２の外部と接触することができるように選択できる。いくつかの例では、接触位置は、裏部材４２をトランスデューサ組立体３２内で同心にしておくように選択され、また、バルーン１４内の流体が裏部材４２を通過してトランスデューサ組立体３２の内部と接触するように流れ、且つ／又はトランスデューサ組立体３２の内部と接触してから裏部材４２を通過して流れるように構成される。

【0031】

図２Ｂは、長手軸線（Ｌと表示）の長さに沿った同じ位置にある接触位置の第１の群を示す。図２Ｂにおける接触位置は、互いから離隔され、裏部材４２の長手軸線の周りに置かれる。接触位置間の間隔は、流体がトランスデューサ組立体３２の内部へ流れることができるスペーサ５６間の開口部の結果である。図２Ｂは、１２０°の角度で互いから概ね等しく離隔され、角度は裏部材４２の長手軸線から測定される、３つのスペーサ５６を例示する。しかしながら、スペーサ５６の量、形状、大きさ、配向、間隔及び／又は他の詳細は、特定の設計又は用途によって所望又は要求に応じて変動できる。

【0032】

間隔構成要素５４のうちの１つ又は複数は、導電性であり得る。導電性間隔構成要素５４に好適な材料は、鋼、銅、及びアルミニウムを含むが、これらに限定されない。

【0033】

図示のカテーテル・システムは、裏部材４２の長手軸線に沿って図２Ｂの間隔構成要素５４から離隔された第２の間隔構成要素５４を含む。間隔構成要素５４は、トランスデューサ組立体３２の両端に又は両端の近くに位置づけできる。

【0034】

カテーテル軸１２は電気管腔６４を含む。図示の電気管腔６４は、第１の導体キャリア６６及び第２の導体キャリア６８を含む。第１の導体キャリア６６は、カテーテル軸１２の壁を通ってバルーン１４の内部へ延びる。第１の導体キャリア６６は、裏部材４２に接続できる第１の導電体７０を含む。導電性裏部材４２及び導電性間隔構成要素５４は、内部電極３６と第１の導電体７０との間を電気的に連通する。加えて、第１の導電体７０は、電気結合器１８、及び外部導電体２０のうちの１つを通して電子機器２２と電気的に連通している。

【0035】

第１の導体キャリア６６は、トランスデューサ組立体３２の外部電極３８に接続できる第２の導電体７２を含む。加えて、第２の導電体７２は、電気結合器１８、及び外部導電体２０のうちの１つを通して電子機器２２と電気的に連通している。結果として、トランスデューサ組立体３２の外部電極３８は、第２の導電体７２、電気結合器１８、及び外部導電体２０のうちの１つを通して電子機器２２と電気的に連通している。

【0036】

電子機器２２は内部電極３６及び外部電極３８と電気的に連通しているので、内部電極３６と外部電極３８との間に電圧及び交流電流を印加すると、トランスデューサ３４はトランスデューサ３４の長手軸線に対して横方向に振動して、音響信号を放射状に発する。いくつかの例では、トランスデューサ３４は、音響信号が所望の周波数レベルを有するように動作する。

【0037】

音響信号は、図２Ｄに破線で示すように、トランスデューサの長手軸線に沿って互いに隣接して位置づけられたローブに音響エネルギーを運ぶ。ローブを例示する破線は、音響信号の空間強度が同じレベルにあるトランスデューサの周りの位置を表す。いくつかの例では、ローブが３次元で描画されると、３つのローブのそれぞれがおおよそ円対称で円盤形状である。

【0038】

図２Ｄは、Ｐと表示された線に沿った音響場の空間強度分布を示すグラフも含む。Ｐと表示された線は、トランスデューサ組立体３２の表面及び／又は長手軸線に平行である。グラフは、トランスデューサ表面から所与の距離での音響場の空間音響エネルギー又は空間強度（電力／面積）分布を表す。図２Ｄに示す空間強度分布は、複数のローブの分布に対する空間強度分布の一例である。空間強度分布は、それぞれ異なるローブの１つに関連する空間強度ピーク（ＳＩｐと表示）を含む。空間強度ピークのそれぞれは、空間強度最大値を有する。異なるローブに関連する空間強度最大値の全て又は一部は、同じ又は異なる空間強度値を有することができる。空間強度分布は、それぞれが隣接するローブ間に位置する空間強度最小値を有する空間強度谷（ＳＩｖと表示）を含む。したがって、空間強度最小値のそれぞれは、トランスデューサの長手軸線に沿って互いに隣接して位置する異なる対のローブと関連している。加えて、空間強度最小値のそれぞれは、空間強度最小値に関連する対のローブに対する対の空間強度最大値に関連している。異なる対のローブに関連する空間強度最小値の全て又は一部は、同じ又は異なる空間強度値を有することができる。

【0039】

Ｐと表示された線は、トランスデューサの長手軸線及び／又は表面に平行である空間強度のパターンを例示するために選択された長手軸線からの距離で音響場を通過する。例えば、Ｐと表示された線は、バルーンが膨張状態にないとき、又はバルーンが膨張状態にあるときのバルーンの表面で音響場の空間強度分布の一例を表すことができる。加えて、図示の空間強度は、電極がバルーンの表面に存在しないときの分布を表すことができる。したがって、グラフは、トランスデューサ３４の長手軸線に沿った空間強度の分布を例示する。

【0040】

理論に縛られることなく、ローブは、トランスデューサ表面のより複雑な振動を作る追加のモードで振動するトランスデューサ３４の結果であってよい。具体的には、円筒形トランスデューサ３４の壁が、異なる領域が厚さモードと同位相又は位相ずれのいずれかで発振しているトランスデューサ３４の長さに沿って定常波を生成する導波（板）モードで振動している場合、これらの発振と予想される厚さモードとの間の空間音響強度は、音を発しない又は音をほとんど発しないトランスデューサ３４の領域を生成できる。

【0041】

電気管腔６４における第２の導体キャリア６８は、カテーテル軸１２の壁内の導体ポート６７を通って延びる。第２の導体キャリア６８は、伝導構成要素８４を含む。伝導構成要素８４は、電気結合器１８、及び外部導電体２０のうちの１つを通して電子機器と電気的に連通している。好適な導電体は、絶縁ワイヤ、及びフレキシブル・プリント回路（ＦＰＣ）を含むが、これらに限定されない。

【0042】

複数の電気通路がバルーン１４内又は上に位置している。例えば、図２Ｄは、バルーン１４上に位置づけられた複数の電極７６を例示する。電極７６は、バルーン１４を囲むことができる。電極７６のうちの１つ又は複数は、バルーン１４とともに円筒状に拡張する拡張可能なリング円筒状電極及び／又はセグメント化された円筒状電極及び／又は拡張可能なワイヤのメッシュを備えてよい。電極７６のうちの１つ又は複数により、バルーン１４の周りに導電性の外周を形成して、バルーン１４の拡張可能な電極（１つ又は複数）の外周全体が、血管の周りの血管３６０°の内壁と円周方向に電気的に接触できるようにしてよい。バルーン１４は、呼吸等により引き起こされる運動にも拘らず、電極７６が血管壁との密着を達成且つ維持するように、血管壁と並置となるように拡張されてよい。各電極接触に対する刺激パラメータを調整することによって制御される電極に対する寸法及び位置を選択的に刺激できるセグメント化電極７６の使用により、対象構造のより選択的な活性化を可能にし得る。ある実施例では、少なくとも１つの電極７６は、各ワイヤが２．５４ｃｍ（１インチ）の８０００～１００００分の１の直径を有する、ワイヤの拡張可能なメッシュを備え、他の例では、ワイヤの直径は、神経信号検出を向上するために、２．５４ｃｍ（１インチ）の５０００～１００００分の１、５０００～１５０００分の１、又は１５０００、１００００、８０００、又は５０００分の１未満の任意の大きさである。

【0043】

電気通路は、電極７６間を電気的に連通する電極相互接続部７８を含む。ある実施例では、電極７６は、ワイヤの拡張可能なメッシュを備え、ワイヤの全ては、同じ電極相互接続部７８に接続してよく、これは、神経活動を感知しながら、信号対雑音比を改良できる。電気通路は、バルーン１４上の接触パッド８２と電極７６との間、又は接触パッド８２と電極相互接続部７８との間を電気的に連通するパッド相互接続部８０も含む。伝導構成要素８４は、取付機構によって接触パッド８２に接続される。好適な伝導構成要素８４は、金属ワイヤ、及びフレキシブル・プリント回路（ＦＰＣｓ）を含むが、これらに限定されない。好適な取付機構は、溶接、はんだ付け、及びエポキシを含むが、これらに限定されない。電極７６は、電気通路、電気結合器１８、及び外部導電体２０のうちの１つを通して電子機器２２と電気的に連通している。結果として、電子機器２２は、電気エネルギーを電極７６に印加できる。電気エネルギーは、電磁信号として電極７６から放射できる。一例として、電子機器２２は、電気エネルギーを電極７６に印加でき、印加された電気エネルギーは、ＲＦ信号等の電波周波数を有する電磁信号として電極７６から放射できる。

【0044】

図２Ｄのカテーテル上の電極７６は、音響場のローブ間に位置づけられる。加えて又は代わりに、電極７６の全て又は一部は、一対のローブに関連する空間強度最小値のうちの１つに位置づけられる、又は位置合わせされる。いくつかの例では、電極７６の各電極上の位置は、図２Ｄのグラフに例示されるように、空間強度最小値のうちの１つと一致する。空間強度最小値のうちの１つの最小値上に位置づけられる電極７６の一例は、トランスデューサ３４の長手軸線及び／又はトランスデューサ３４の外面に垂直である線が、電極７６を通って、且つ、空間強度最小値のうちの１つを通って延びることができるように位置づけられた電極７６であり得る。いくつかの例では、線は、電極７６の重心、及び空間強度最小値を通過できる。電極７６、及び／又は電極の幅は、空間強度の最小値の上に中央に配置できる、又は、空間強度最小値に対して中心からずれることがある。

【0045】

いくつかの例では、電極７６の全て又は一部は、それぞれ、低減した空間音響強度位置の対の間のバルーンの表面上に位置づけられる。各対の低減した空間音響強度位置は、それぞれが同じ空間強度最小値に関連する一対の空間強度最大値間にあるバルーンの表面上にある。したがって、一対の低減した空間音響強度位置における低減した空間音響強度位置のそれぞれは、空間強度最小値、及びその空間強度最小値に関連する対の空間強度最大値に関連している。一例として、図２Ｄの空間強度分布は、ＲＬと表示された２つの低減した空間音響強度位置を含む。ＲＬと表示された低減した空間音響強度位置のそれぞれは、ｙと表示され、且つ、それぞれがｘと表示された同じ空間強度最小値に関連している対の空間強度最大値間のバルーンの表面上にある。したがって、図示の低減した空間音響強度位置は、ｙと表示された空間強度最大値及びｘと表示された空間強度最小値と関連している。

【0046】

低減した空間音響強度位置のそれぞれは、音響場の空間強度が、低減した空間音響強度位置に関連した空間強度最大値に対して特定の強度閾値にあるバルーンの表面上の位置にあり得る。例えば、低減した空間音響強度位置に対する強度閾値は、低減した空間音響強度位置に関連する空間強度最大値の５０％又は２５％以下であり、０％より大きく、又は０．５％より大きくすることができる。これを例示するために、図２Ｄは、図示の低減した空間音響強度位置に関連した空間強度最大値の５０％に等しい強度閾値を使用する。例えば、図２ＤのＬ１及びＬ２と表示された線は、音響場の空間強度がｙと表示された２つの空間強度最大値に対する空間強度最大値のうちの値の５０％であるバルーンの表面上の位置を示す。言い換えれば、図２ＤのＬ１及びＬ２と表示された線は、音響場の空間強度がＲＬと表示された低減した空間音響強度位置に関連した空間強度最大値に対する空間強度最大値のうちの値の５０％であるバルーンの表面上の位置を示す。Ｅｌと表示された電極は、ＲＬと表示された低減した空間音響強度位置間に位置している。

【0047】

実施例では、トランスデューサ３４から発した音響信号は、電極７６によって反射されないため、音響信号により、組織のより均一な及び／又は効果的な治療を行う。実施例では、トランスデューサ３４から発した音響信号は、電極７６によって大幅には反射されないため、音響信号により、組織のより均一な及び／又は効果的な治療を行う。実施例では、システムにより、組織のより効果的な治療を行うために、発電器によって発生される電力を決定する際に、電極７６による音響信号の反射を考慮に入れる。

【0048】

低減した空間音響強度位置間に位置づけられた電極７６は、低減した空間音響強度位置間の中央に配置できる、又は低減した空間音響強度位置に対して中心からずれることができる。低減した空間音響強度位置間に位置づけられた電極７６は、空間音響強度位置に関連した空間強度最小値の上に位置づけできるが、空間音響強度位置に関連した空間強度最小値の上に位置づけられる必要はない。いくつかの例では、低減した空間音響強度位置間に位置づけられたｎの電極７６のうちの１つ又は複数は、空間音響強度位置に関連した空間強度最小値の上に位置づけられない。いくつかの例では、電極７６のいずれも、複数対の低減した空間音響強度位置の外側に位置づけられない。いくつかの例では、電極７６のいずれも、低減した空間音響強度位置の隣接する対間に完全に又は部分的に位置づけられない。したがって、カテーテルは、電極のいずれかの部分が、カテーテルの長手軸線に沿って互いに隣接している低減した空間音響強度位置の対間に位置するバルーン上に位置づけられた電極を除外できる。

【0049】

ローブの特徴は、トランスデューサ３４の構築及び／又は動作に応じて変化できる。例えば、ローブの数及び／又は寸法は、トランスデューサの駆動周波数又は動作周波数の変化に応じて変化できる。加えて又は代わりに、ローブの特徴は、トランスデューサの物理的特性に応じて変化できる。例えば、ローブの数及び／又は寸法は、トランスデューサの長さ、トランスデューサの半径、トランスデューサ３４と裏部材４２との間の距離、及び／又はトランスデューサ構成要素の幾何学的形状及び大きさに応じて変化できる。しかしながら、カテーテルのトランスデューサは、製造者によって認定された動作周波数で販売される。特定のトランスデューサに対するローブの特徴は、動作周波数でのトランスデューサの動作によって決定される。

【0050】

図２Ａから図２Ｄは、２対の隣接するローブ間に位置する２つの電極７６を例示するが、トランスデューサ３４は、３つを超えるローブ、及び１つ又は２つのローブを生成できる。結果として、トランスデューサ３４は、１つのローブ、２つのローブ、又は２つを超えるローブを生成できる。トランスデューサ３４が複数のローブを有する音響場を生成するとき、カテーテルは、それぞれが、隣接するローブ間、空間強度最小値、及び低減した空間音響強度位置間からなる群から選択される１つ又は複数の位置にある１つ又は複数の電極７６を有することができる。

【0051】

ローブの特徴は、種々の変数に応じて変化できるので、電極７６は、トランスデューサが動作周波数で動作するときに、電極７６のそれぞれが、隣接するローブ間、空間強度最小値、及び低減した空間音響強度位置間からなる群から選択される１つ又は複数の位置に置かれるように、位置づけられる。いくつかの例では、動作周波数は、１ＭＨｚ以上及び／又は２０ＭＨｚ以下の周波数の範囲、或いは、任意の他の周波数にある。好適な動作周波数の例は、６ＭＨｚ、７ＭＨｚ、９ＭＨｚ、１０ＭＨｚ及び１２ＭＨｚを含むが、これらに限定されない。

【0052】

ローブ間の距離及び／又は空間強度最小値間の距離は、図２Ｄではｄと表示される。ローブ間の距離及び／又は空間強度最小値間の距離（ｄと表示）は、ローブの中心間距離、隣接する電極７６の中心間距離を表すことができる、又は電極７６がトランスデューサ３４の長手軸線に沿って分離される距離を表すことができる。いくつかの例では、隣接するローブ間、空間強度の最小値間、及び／又は隣接する電極間の中心間距離は、１．０ｍｍ、１．５ｍｍ、若しくは２．０ｍｍ以上、及び／又は３．０ｍｍ、４．０ｍｍ、若しくは６．０ｍｍ未満又は以下である。一例では、中心間距離は１．０ｍｍより大きく、６．０ｍｍ未満である。

【0053】

バルーンの外面での隣接するローブ間の分離距離（ｓと表示）は、隣接する音響ローブの空間強度が２つのローブに対する空間強度最大値の５０％以下である位置間の距離を表すことができる。いくつかの例では、隣接するローブ間の分離距離は、０ｍｍより大きく１．２ｍｍ未満である。いくつかの例では、バルーンの外面での隣接するローブ間の距離（ｓと表示）は０．３ｍｍ以上０．９ｍｍ未満である。隣接するローブ間、空間強度最小値、及び低減した空間音響強度位置間からなる群から選択される１つ又は複数の位置にある電極７６は、より低いレベルの空間音響強度に音響場を設ける。したがって、いくつかの例では、これらの位置の電極７６は、幅が０ｍｍより大きく１．２ｍｍ未満である。いくつかの例では、これらの位置の電極７６は、幅が０．３ｍｍ以上０．９ｍｍ未満である。電極の幅を増加すると、接触インピーダンスが低くなり、電極の感度が向上し、神経信号の検出が改良できる。いくつかの実施例では、電極７６は、１つの電極７６の刺激は異なる電極７６の感知及び／又は刺激を干渉しないように、互いから十分に離隔される。

【0054】

カテーテルは、バルーン１４上に位置づけられた１つ又は複数の絶縁層を含むことができる。１つ又は複数の絶縁層は、露出された電気通路、接触パッド８２、取付機構、及び伝導構成要素８４の上に、これらの構成要素のうちの１つ又は複数からのエネルギーの放射を低減又は排除するように位置づけできる。例えば、図２Ｄは、電極相互接続部７８、パッド相互接続部８０、接触パッド８２、取付機構、及び伝導構成要素８４の上に位置づけられた絶縁層８８を例示する。図２Ｄに示される絶縁層８８は、下にある特徴を例示するために透明として扱われる。絶縁層８８に好適な材料は、エポキシ及びゴムを含むが、これらに限定されない。

【0055】

電極７６は、１つ又は複数の電極７６選択肢に接続できる。電極７６選択肢は、分散型電極７６として接続された複数の電極７６を含むことができ、又は単一の電極７６を含むことができる。分散型電極７６における電極７６は、ノードを流れる電気エネルギーが分散型電極７６内の電極７６全体に分散されるように、単一のノードに接続できる。例えば、図２Ｄの電極７６は、それぞれパッド相互接続部８０と電気的に連通している。パッド相互接続部８０は、共通のノードとして機能でき、パッド相互接続部８０を通過する電気エネルギーは、電極７６全体に分散される。結果として、図２Ｄの電極７６は、単一の電極７６選択肢において分散型電極７６として配置される。

【0056】

電極７６は、複数の電極７６選択肢に配置できる。例えば、電極７６は、複数の電極７６選択肢に接続でき、各電極７６選択肢は単一の電極７６を含む。一例として、図２Ｅは、複数の電極７６選択肢に接続された電極７６を例示し、各電極７６選択肢は単一の電極７６を含む。音響エネルギー・ローブは、１つ又は複数の絶縁層８８の位置をよりよく例示するために図２Ｅに示されない。図２Ｅに示す絶縁層８８は、下にある特徴を例示するために透明として扱われる。

【0057】

第２の導体キャリア６８は、それぞれが伝導構成要素８４を担持する複数の導電体７４を含む。複数の接触パッド８２は、バルーン１４上に位置づけられる。伝導構成要素８４は、それぞれ、取付機構によって接触パッド８２のうちの異なる１つに接続される。複数のパッド相互接続部８０は、バルーン１４上に位置づけられる。パッド相互接続部８０のそれぞれは、接触パッド８２のうちの１つと電極７６のうちの異なる１つとの間を電気的に連通する。結果として、電極７６は、それぞれ、パッド相互接続部８０のうちの１つ、接触パッド８２のうちの１つ、導電体７４のうちの１つ、電気結合器１８、及び外部導電体２０のうちの１つを通して、電子機器２２と電気的に連通している。

【0058】

絶縁層８８は、パッド相互接続部８０、接触パッド８２、取付機構、及び伝導構成要素８４の上のバルーン１４上に位置づけられる。電極７６のうちの１つは、パッド相互接続部８０のうちの１つの上を横切る。絶縁層８８は、電極７６を互いから電気的に隔離するように、電極７６と下層パッド相互接続部８０との間に位置づけられる。電極７６は互いから電気的に隔離されているので、電子機器２２は電極７６を独立して動作させることができる。したがって、電極７６は、異なる電気エネルギーを異なる電極７６に印加できる。

【0059】

図２Ｄ及び図２Ｋに開示された電極７６は、電極接触ごとに刺激パラメータを調整することによって制御される電極に対する寸法及びポジションの選択的な刺激を可能にする個別電極７６に分割できて、対象構造をより選択的に活性化することができる。ある実施例では、個別電極７６は、切除のために最適化される。個別電極７６は、正方形、矩形、円形、及び／又は星形状であってよい。個別電極７６は、体腔の神経が、複数の電極７６を同時に活性化するか、又は、バルーン１４を移動することなく、バルーン１４の複数の電極７６を選択的に活性化することによって、全周方向に４象限パターンに切除できるように、バルーン１４上に位置してよい。個別電極７６の少なくとも一部は、体腔の４象限、例えば、腎動脈を治療しながら、体腔の狭窄のリスクを軽減するように、互いから長手方向及び円周方向にオフセットされた少なくとも２つの双極電極対を備えてよい。電極７６は、インピーダンスを検出することによって壁との並置を検出するために使用されてもよい。１つ又は複数の電極７６が体腔の壁と並置していない場合、バルーン１４はさらに膨張されてよく、且つ／又は１つ若しくは複数の電極７６は非選択状態にされてよい。

【0060】

バルーン１４内にトランスデューサ３２を含むある実施例では、電極７６は、また、電極がそれぞれ、隣接するローブ間、空間強度最小値、及び低減した空間音響強度位置間からなる群から選択される１つ又は複数の位置に置かれるように、位置する。

【0061】

例えば、図２Ｆは、平面電極７６を含むように修正された図２Ｅのカテーテルである。図２Ｆは矩形電極を描いているが、正方形の電極、円形の電極、角が尖った八角形の星等の不規則な（蛇状の）電極が、代替で又は加えて使用されてよい。例えば、制限なく、八角形の星は、より少ない電力でより深い神経刺激を可能にすることができる。加えて、４つの電極が描かれているが、カテーテルは、多かれ少なかれ切除及び／又は神経刺激及び／又は神経感知及び／又はインピーダンス測定電極を備えてよい。例えば、ある実施例では、１から１６、例えば、３つ、８つ、又は１６の電極の配列。音響場ローブは、１つ又は複数の絶縁層８８の位置をよりよく例示するために図２Ｆには示されない。図２Ｆに示す絶縁層８８は、下にある特徴を例示するために透明として扱われる。

【0062】

図２Ｆでは、電極７６は、２つの電極７６選択肢に配置され、電極７６選択肢のそれぞれは、分散型電極７６として接続された複数の電極７６を含む。電気通路は、同じ電極７６選択肢においてセグメント化電極７６間を電気的に連通する電極相互接続部７８を含む。図２Ｆに示されていないが、絶縁層は、電極相互接続部７８の全て又は一部の上に任意選択で位置づけして電極相互接続部７８からの電気エネルギーの放射を防止又は低減できる。

【0063】

同じ電極選択肢におけるセグメント化電極７６は、トランスデューサの長手軸線（Ｌと表示）に沿って同じ位置の周りに位置づけられる。異なる電極選択肢におけるセグメント化電極７６は、トランスデューサの長手軸線に沿って離隔される。結果として、電極７６選択肢のそれぞれは、それぞれが、隣接するローブ間、空間強度最小値、及び低減した空間音響強度位置間からなる群から選択される１つ又は複数の位置に位置づけられた複数のセグメント化電極７６を含む。

【0064】

隣接するローブ間に位置づけられることの代替として、又は加えて、バルーン１４は、同じトランスデューサ３４を起点とする隣接するローブ間に位置していない１つ又は複数の電極７６を含むことができる。例えば、電極７６のうちの１つ又は複数は、電極７６の少なくとも一部がトランスデューサ３４の上に位置づけられずトランスデューサ３４の音響信号の経路にないという点で、外部電極であり得る。一例として、外部電極７６は、トランスデューサ３４の長手軸線に沿ってトランスデューサ３４の前及び／又は後に位置づけられ、トランスデューサ３４の音響信号を越えている。例えば、図２Ｇは、電極７６が、トランスデューサ３４の位置がトランスデューサ３４の長手軸線に沿った電極７６の位置間にあるように位置づけられた外部電極として機能するように修正された図２Ｆのカテーテルを例示する。図２Ｇでは、バルーン１４内のトランスデューサ組立体３２の位置が破線で例示される。加えて、図を単純化するために、１つ又は複数の絶縁層の位置は示されない。

【0065】

図２Ｇのカテーテルは、それぞれが複数のセグメント化電極７６を含む２つの電極７６選択肢を含む。セグメント化電極は図２Ｇに描かれているが、ある実施例では、リング電極及び／又はメッシュ電極７６が追加的又は代替的に使用されてよい。電極７６のそれぞれは、トランスデューサ３４と同軸であるトランスデューサ３４の前又は後に位置づけられる外部電極である。１つ又は複数の外部電極７６は、トランスデューサ３４の長手軸線に垂直である線が、トランスデューサ３４を通過することなく、外部電極７６のそれぞれを通って延びることができるように位置づけられる。このようにして、電極７６は、トランスデューサ７６の音響出力に干渉しない。

【0066】

図２Ｇの電極７６は、隣接するローブの間には位置づけられていない。結果として、電極７６の幅（図２ＧにＷと表示）は、ローブの近接性によって制限されない。したがって、外部電極のうちの１つ又は複数は、隣接するローブ間、空間強度最小値、及び低減した空間音響強度位置間からなる群から選択される１つ又は複数の位置に置かれる電極７６より広く、且つ／又はより大きい送信表面積を有することができる。

【0067】

図２Ｇは、トランスデューサ３４の前又は後に位置づけられた各電極７６の全幅を例示するが、外部電極のうちの１つ又は複数は、音響場の隣接するローブの空間強度最大値にない限り、例えば、音響場の隣接するローブの空間強度最小値、若しくは低減した空間音響強度位置であり得る限り、トランスデューサ３４は、トランスデューサ３４の音響信号と重なることができる。

【0068】

カテーテルは、１つ又は複数の外部電極（例えば、セグメント化、リング、メッシュ）を含むことができ、また、隣接するローブ間、空間強度最小値、及び低減した空間音響強度位置間からなる群から選択される１つ又は複数の位置に置かれた１つ又は複数の電極７６を含むこともできる。一例として、図２Ｈは、図２Ｇからの外部電極を含むように修正された図２Ｆのカテーテルを例示する。図２Ｇでは、バルーン１４内のトランスデューサ組立体３２の位置が破線で例示されている。加えて、例示を単純化するために、１つ又は複数の絶縁層の位置は示されない。電極７６は、４つの電極７６選択肢に接続され、電極７６選択肢のそれぞれは、複数のセグメント化電極７６を含む。トランスデューサ３４の長手軸線に沿って同じ位置の周りに配置された同じ電極７６選択肢におけるセグメント化電極７６、及び異なる電極７６選択肢における電極７６は、トランスデューサ３４の長手軸線に沿った異なる位置の周りに配置される。

【0069】

図２Ｈは、同じ電極７６選択肢に接続されたバルーン１４の遠位端での外部電極を例示するが、バルーン１４の遠位端での外部電極は、２つの電極７６選択肢に接続できる。結果として、バルーン１４の遠位端での外部電極は双極電極７６として動作できる。加えて又は代わりに、バルーン１４の近位端での外部電極は、２つの電極７６選択肢に接続してよい。結果として、バルーン１４の近位端での外部電極は双極電極７６として動作できる。

【0070】

図２Ｆから図２Ｈは、バルーン１４上に長手方向に位置合わせされた異なる電極７６選択肢からの電極７６を例示する。しかしながら、異なる電極７６選択肢からの電極７６は、バルーン１４上で長手方向に位置合わせする必要がない。一例として、図２Ｉは、異なる電極７６選択肢からの電極７６がバルーン１４上で長手方向に位置合わせされないように修正された図２Ｇのカテーテルを例示する。

【0071】

図２Ｅから図２Ｉは、複数の電極７６選択肢に接続された電極７６を例示するが、図２Ｅから図２Ｉのカテーテル上の電極７６は、単一の電極７６選択肢に接続できる。一例として、図２Ｄは、単一の電極７６選択肢に接続された図２Ｅの電極７６を例示する。加えて、図２Ｆから図２Ｉに例示された電極７６選択肢のそれぞれは、複数の電極７６を含むが、電極７６は、電極７６選択肢のそれぞれが電極７６は１つまでを含むように接続できる。一例として、図２Ｊは、複数の電極７６選択肢に接続された図２Ｉの電極７６を例示し、各電極７６選択肢は、単一の電極７６を含む。いくつかの例では、カテーテルは、複数の電極７６選択肢を含み、電極７６選択肢の一部は、単一の電極７６を含み、電極７６選択肢の別の部分は、それぞれ、複数の電極７６を含む。

【0072】

図２Ａから図２Ｊでは、電極７６選択肢における電極７６を組み合わせる電気的接続部は、バルーン１４上の電気通路によって設けられる。例えば、電極相互接続部７８は、同じ電極７６選択肢における電極７６間を電気的に連通する。しかしながら、電子機器２２は、共通ノードを通る電流が電極７６選択肢の両方において電極７６に分散されるように、異なる電極７６選択肢を共通ノードに接続できる。結果として、電子機器２２は、別のより大きい電極７６選択肢を形成するように、上記で開示された電極７６選択肢のいくつかを一緒に組み合わせることができる。したがって、電極７６選択肢は、バルーン１４上の電気通路、並びにカテーテル・システム内の他の位置の電気的接続部の結果であり得る。電子機器２２が、異なる電極７６選択肢を共通ノードに接続するとき、接続部は、永続的又は一時的であり得る。例えば、電子機器２２は、異なる電極７６選択肢を共通ノードに接続するか、又は電極７６選択肢を共通ノードから切断するように電子機器２２が動作できるスイッチを含むことができる。結果として、電子機器２２は、電極７６選択肢に含まれる電極７６を調整及び／又は調節できる。

【0073】

いくつかの例では、トランスデューサ組立体３２は、バルーン１４内に存在しない。一例として、図２Ｋは、電極７６がバルーン１４上に位置づけられるが、トランスデューサ組立体３２はバルーン１４内に存在しないように修正された図２Ｇのカテーテルを例示する。いくつかの例では、電極７６はバルーン１４上に存在しない。一例として、図２Ｌは、バルーン１４の表面上の電極７６を除外するように修正された、図２Ａから図２Ｊとの関連で開示されるように構築されたトランスデューサ組立体３２を有するカテーテルを例示する。

【0074】

図２Ｍは、複数の電極選択肢に接続された電極では、１つの電極選択肢は単一の円周方向電極７６を含み、１つの電極選択肢は、複数の個別電極７６を含むように修正された図２Ｅのカテーテルを例示する。ある実施例では、円周方向電極７６は、神経感知及び／又は神経刺激のために最適化でき、複数の個別電極７６を含む電極選択肢は、組織切除及び／又は神経刺激のために最適化できる。例えば、円周方向電極７６は、血管の周り３６０°の神経を感知且つ／又は刺激するように構成されたメッシュ電極とすることができ、複数の個別電極７６を含む電極選択肢は、体腔の４象限を切除しながら、体腔の狭窄のリスクを軽減するように、互いから長手方向且つ円周方向にオフセットされる少なくとも２つの双極電極対を含むことができる。別の実例では、円周方向電極７６は、血管の周り３６０°の神経を感知且つ／又は刺激するように構成されたリング電極又はセグメント化電極であることができ、複数の個別電極７６を含む電極選択肢は、組織を刺激且つ／又は切除するために、角が尖った八角形の星等の複数の不規則な（蛇状）電極を含むことができる。

【0075】

カテーテルは、図２Ａから図２Ｍとの関連で開示されたバルーン１４及び／又はトランスデューサのうちの２つ以上を含むことができる。一例として、図２Ｎは、近位バルーン１０２と遠位バルーン１０４との間に中間バルーン１００を含むカテーテルの一部を例示する。中間バルーン１００は、電極７６を除外する。近位バルーン１０２及び遠位バルーン１０４は、トランスデューサ組立体３２を除外するが、電極７６を含んでよい。

【0076】

図２Ｎはさらに、二次カテーテル軸１０６が、隣接するバルーン１０２と１００との間及び隣接するバルーン１００と１０４との間に位置づけできることを例示する。二次カテーテル軸１０６は、カテーテル軸１２と同じ断面を有することができる。結果として、カテーテル軸１２の流体管腔内の流体は、異なるバルーン１０２と１００と１０４との内部の間を通って、二次カテーテル軸１０６内の流体管腔を通って流れることができる。加えて、複数の導電体のうちの１つ若しくは複数、及び／又はカテーテル軸１２内の電気管腔内の１つ若しくは複数の導電体キャリアは、バルーン１０２、１００、及び１０４の内部を通過して二次カテーテル軸１０６内の電気管腔内へ入ることができる。

【0077】

二次カテーテル軸１０６がカテーテル軸１２と同じ断面を有することができるとき、バルーン１０２、１００及び１０４の内部は、互いに液体で連通している。バルーンが、それぞれが同じ又はおおよそ同じレベルの剛性を有するように構築されると、バルーンは、おおよそ同じ圧力レベルで膨張する。結果として、バルーンは同時に、又は実質的に同時に膨張する。しかしながら、バルーンは、異なるレベルの剛性を有するように構築できる。例えば、バルーンの全て又は一部は異なる材料で作ることができ、且つ／又は異なる材料の厚さを有することができる。剛性を高めたバルーンは、より高い圧力で膨張し、より高い圧力で収縮する。結果として、剛性が低下したバルーン（１つ又は複数）は、より剛性の高いバルーンより早く膨張し、遅く収縮する。したがって、バルーン剛性のレベルは、バルーンが所望の順序で膨張且つ／又は収縮するように選択できる。

【0078】

図２Ｎに描かれた電極は個別であるが、図２Ｏに描かれるように、実施例では、電極７６のうちの１つ又は複数は、バルーン１４とともに拡張する拡張可能なリング若しくは分離電極及び／又はワイヤの拡張可能なメッシュを備えて、バルーン１４の周りに１つ又は複数の連続した伝導性外周を形成する連続的に導電性の電極リング及び／又はメッシュを提供して、バルーン１４の拡張可能な電極（１つ又は複数）の外周全体は血管の周り３６０°の血管の内壁と円周方向に電気的に接触することができる。

【0079】

いくつかの例では、図２Ａから図２Ｏによって構築されたカテーテルは、直径が３フレンチ以上及び／又は７フレンチ以下、並びに／或いはカテーテルの長さが７５ｃｍ以上及び／又は１７５ｃｍ以下であるカテーテル軸１２を有する。腎神経除去に好適な一例では、カテーテルは、直径が３フレンチ以上６フレンチ以下、且つ／又はカテーテルの長さが８５ｃｍ以上１５５ｃｍ以下であるカテーテル軸を有する。加えて又は代わりに、いくつかの例では、トランスデューサ組立体３２及び／又はトランスデューサ３４は、長さ（図２ＡではＬｔと表示）が０．５ｍｍ以上及び／又は１２ｍｍ以下、並びに／或いは直径が３フレンチ以上及び／又は１０フレンチ以下である。腎神経除去に好適な一例では、トランスデューサ組立体３２及び／又はトランスデューサ３４は、長さが０．５ｍｍ以上及び／又は８ｍｍ以下、直径が３フレンチ以上５フレンチ以下である。

【0080】

いくつかの例では、カテーテルは、バルーンが独立して膨張且つ／又は収縮できるように構築される。図３Ａから図３Ｇは、バルーンの独立した膨張及び／又は収縮を可能にできるカテーテル構築の実例を例示する。各バルーンは、バルーン１０４、１００、１０２の表面に電極７６を含んでいてもいなくてもよく、且つ／又はバルーン内のトランスデューサ組立体３２を除外してもよい。図３Ａから図３Ｃは、カテーテル軸の遠位端の一部を例示する。図３Ａは、カテーテル軸の部分の斜視図である。図３Ｂは、図３ＡにＢと表示された線に沿って取られた図３Ａに示すカテーテル軸の断面である。図３Ｃは、図３ＡにＣと表示された線に沿って取られた図３Ａに示すカテーテル軸の断面である。カテーテル軸は、３つの流体管腔４０を含む。管腔４０のそれぞれは、流体ポート４１、及びカテーテル軸１２の壁内の導体ポート６７を含む。図３Ａでは、カテーテル軸の裏側に位置している流体ポート４１及び導体ポート６７の位置が、破線を使用して例示されている。

【0081】

図３Ｄは、カテーテルの遠位端の斜視図である。カテーテル軸の遠位端は、３つのバルーン１０４、１００及び１０２を含む。図３Ｄでは、バルーンのそれぞれは、カテーテル軸を囲む。流体ポート４１のそれぞれは、異なるバルーンの内部に位置している。流体ポート４１はバルーン又はカテーテル軸１２の後ろに位置しているため、流体ポート４１は破線で例示される。導体ポート６７は、バルーンのそれぞれが導体ポート６７のうちの少なくとも１つに隣接するようにバルーンの外側に位置づけされる。第１の導体キャリアは、導体ポート６７のそれぞれを通って延びることができるが、例示を簡略化するために示されていない。

【0082】

図３Ｅは、カテーテルの長手軸線に沿って取り、且つバルーンのうちの１つを通る図３Ｄに示すカテーテルの断面である。例示の目的で、断面は近位バルーン１０２を通して取られる。しかしながら、図３Ｅの断面は、他のバルーン（中間バルーン１００及び遠位バルーン１０４）を通る断面を表すことができる。図３Ｆは、図３ＦにＥと表示された線に沿って取られた図３Ｅに示すカテーテルの断面である。図３Ｇは、図３ＦにＧと表示された線に沿って取られた図３Ｅに示すカテーテルの断面である。

【0083】

図３Ｆから図３Ｇのカテーテルは、トランスデューサ組立体３２の裏部材４２によって画定される裏部材管腔４６に受容されたカテーテル軸を示す。電気絶縁体４８は、裏部材管腔４６を画定し、カテーテル軸１２に接触するものとして例示される。しかしながら、電気絶縁体４８は任意選択とすることができる。結果として、裏部材４２は、裏部材管腔４６を画定でき、カテーテル軸１２と接触できる。

【0084】

図示のバルーンに関連する流体管腔４０は、バルーンの内側に位置する流体ポート４１を有する流体管腔である。第１の導体キャリア６６は、図示のバルーンに関連する流体管腔４０に位置づけられる。第１の導体キャリア６６は、流体ポート４１を通って延びることができる。一実施例では、第１の導体キャリア６６は、流体ポート４１の流体力状態を大幅には干渉しないように、流体ポート４１の壁に据えつけることができる。第１の導体キャリア６６は、トランスデューサ組立体３２に接続される第１の導電体７０及び第２の導電体７２を担持できる。したがって、第１の導電体７０及び第２の導電体７２は、電子機器２２とトランスデューサ組立体３２の電極（内部電極３６及び外部電極３８）との間を電気的に連通できる。

【0085】

第２の導体キャリア６８も、図示のバルーンに関連する流体管腔４０に位置づけられる。第２の導体キャリア６８は、カテーテル軸１２の壁内の導体ポート６７を通ってカテーテル軸の外部まで延びる。第２の導体キャリア６８は、上記で開示されたように１つ又は複数の伝導構成要素８４を含む。加えて、図２Ａから図２Ｎとの関連で開示された電極はバルーン上に示されていないが、カテーテル上のバルーンの全て又は一部は、それぞれ、電極７６を含まなくてもよく、又は１つ若しくは複数のそのような電極を含むことができ、且つ／或いは上述したように配置された電極７６を含まなくてもよく、又は１つ若しくは複数のそのような電極を含むことができる。バルーンに関連する第２の導体キャリア６８は、バルーン上の任意の電極７６と電子機器との間を電気的に連通できる。

【0086】

いくつかの例では、バルーンは、トランスデューサ組立体３２を含まなくてもよく、１つ又は複数の電極７６を含むだけでよい。いくつかの例では、バルーンは、トランスデューサ組立体３２を含み、１つ又は複数の電極７６を含まなくてよい。例えば、中間バルーン１００は、中間バルーン１００上の電極７６を除外できるが、近位バルーン１０２及び遠位バルーン１０４は、それぞれ、トランスデューサ組立体３２を除外する。代替えで、例えば、中間バルーン１００は、中間バルーン１００上に電極７６を含むことができ、中間バルーン１００内にトランスデューサ組立体３２を含まないが、近位バルーン１０２及び遠位バルーン１０４のいずれか又は両方は、トランスデューサ組立体３２を含んでよく、且つ／又は電極７６を除外してよい。中間バルーン１００上の電極７６を除外するバルーンは、第２の導体キャリア６８を除外する流体管腔に関連できる。トランスデューサ組立体３２を除外するバルーンは、第１の導体キャリア６６を除外する流体管腔に関連できる。結果として、いくつかの例では、第１の導体キャリア６８及び／又は第２の導体キャリア６８は、バルーンに関連する流体管腔４０に存在しない。

【0087】

図３Ｇは、Ｂと表示された流体管腔４０内及びＣと表示された流体管腔４０内に存在する第１の導体キャリア６８及び第２の導体キャリア６８を例示する。図３ＧにＡと表示された流体管腔４０は、図３Ｅに例示する近位バルーン１０２と関連している。結果として、第１の導体キャリア６８及び第２の導体キャリア６８は、図３Ｅに示すようにＡと表示された流体管腔４０から出たので、図３ＧにＡと表示された流体管腔４０には示されていない。図３Ｅのバルーンはバルーンの最も近位にあるため、より多くのバルーン（図示例における中間バルーン１００及び遠位バルーン１０４）が、図３Ｅのバルーンの遠位に位置する。結果として、これらのバルーンのそれぞれに関連する第１の導体キャリア６８及び第２の導体キャリア６８は、図３Ｅのバルーンを迂回する。したがって、Ｂ及びＣと表示された流体管腔４０は、それぞれ、図３Ｅバルーンに示す近位バルーン１０２の遠位にあるバルーンに関連している。結果として、Ｂと表示された流体管腔４０に示す第１の導体キャリア６８及び第２の導体キャリア６８は、図３Ｅのバルーンを迂回し、図３Ｅバルーンの遠位に位置するバルーンのうちの第１のバルーンに関連し、Ｃと表示された流体管腔４０に示す第１の導体キャリア６８及び第２の導体キャリア６８は、図３Ｅのバルーンを迂回し、図３Ｅのバルーンの遠位に位置するバルーンのうちの第２のバルーンに関連する。

【0088】

図３Ａから図３Ｇは、バルーンのうちの１つに関連する流体管腔４０が、関連するバルーンの近位に位置づけられる任意の他のバルーンを迂回できることを例示する。１つ又は複数の近位バルーンを迂回する流体管腔４０の能力により、バルーンの全て又は一部は独立して膨張及び／又は収縮できる。例えば、図３Ｄのカテーテル上の中央のバルーンは、流体を他のバルーン内へ輸送することなく、流体を中央のバルーンに関連する流体管腔に通してバルーン内に輸送することによって、他のバルーンを膨張させることなく膨張できる。同様に、図３Ｄのカテーテル上の中央のバルーンは、流体を他のバルーンから輸送することなく、流体を中央のバルーンに関連する流体管腔を通してバルーンから外へ輸送することによって、他のバルーンを収縮させることなく収縮できる。

【0089】

図３Ａから図３Ｇは、関連するバルーンを過ぎて延びる流体管腔４０を例示する。例えば、図３Ｅは、関連するバルーンを過ぎて延びる近位バルーン１０２に関連する第１の導体キャリア６８及び第２の導体キャリア６８を担持する流体管腔４０を示す。しかしながら、流体管腔４０が関連するバルーンを過ぎて機能を果たしていない例では、流体管腔は、関連するバルーン内で、又は関連するバルーンの近位で終端できる。カテーテルの遠位端の前で１つ又は複数の流体管腔を終端させることにより、カテーテルの直径を低減でき、カテーテルの遠位端に近づくにつれて増加するレベルの可撓性をカテーテルに与えることができる。

【0090】

図３Ａから図３Ｇは、バルーンのそれぞれに関連する単一の流体管腔４０を例示するが、カテーテルは、複数の流体管腔４０がバルーンのうちの１つ又は複数と関連するように構築できる。例えば、図３Ａから図３Ｇのカテーテルは、６つの流体管腔４０で構築でき、バルーンのそれぞれは、流体管腔４０のうちの２つと関連できる。例えば、２つの流体管腔に対する流体ポートは各バルーンに位置できる。複数の流体管腔４０がバルーンに関連しているとき、流体は、バルーンを膨張するように流体管腔４０の第１の選択肢を通して輸送でき、バルーンを収縮するように流体管腔の第２の選択肢を通して輸送できる。流体管腔の第１の選択肢は、流体管腔のうちの１つ又は複数を含み、流体管腔の第２の選択肢は、流体管腔のうちの１つ又は複数を含み、流体管腔の第１の選択肢とは異なる。

【0091】

図３Ａから図３Ｇとの関連で開示されるカテーテル構築は、複数のバルーンを含むカテーテルを例示するが、図３Ａから図３Ｇによるカテーテル構築は、単一のバルーンを有することができる。一例として、カテーテルは、図２Ｄから図２Ｍとの関連で開示されるような側面図構築を有するが、図３Ｅから図３Ｇによって構築されるトランスデューサ組立体３２の断面を有するように構築できる。

【0092】

いくつかの例では、図３Ａから図３Ｇとの関連で開示されるように構築されたカテーテルは、直径が３フレンチ以上及び／又は９フレンチ以下、並びに／或いはカテーテルの長さが７５ｃｍ以上及び／又は１７５ｃｍ以下であるカテーテル軸１２を有する。腎神経除去に好適である一例では、カテーテルは、直径が３フレンチ以上６フレンチ以下、且つ／又はカテーテルの長さが８５ｃｍ以上１５５ｃｍ以下のカテーテル軸を有する。いくつかの例では、トランスデューサ組立体３２のうちの１つ若しくは複数、及び／又はトランスデューサ３４のうちの１つ若しくは複数は、それぞれ、長さ（図３ＤにＬｔと表示）が０．５ｍｍ以上及び／又は１２ｍｍ以下、並びに／或いは直径が３フレンチ以上及び／又は１０フレンチ以下である。腎神経除去に好適である一例では、バルーン内のトランスデューサ組立体３２及び／又はバルーン内のトランスデューサは、それぞれ、長さが０．５ｍｍ以上及び／又は８ｍｍ以下、直径が３フレンチ以上５フレンチ以下である。

【0093】

図２Ａから図３Ｇとの関連で開示された電気通路、接触パッド８２、及び電極７６は、バルーン１４の表面、バルーン１４の表面に取り付けられた金属箔、バルーン１４の表面上のパターンを形成された金属層上の伝導跡であり得る。好適な伝導跡は、金属、伝導性ポリマー、フレキシブル・プリント回路（ＦＰＣ）及びエポキシ等の材料の跡を含むが、これらに限定されない。バルーン１４の表面に伝導跡を形成する好適な方法は、印刷、及びフォトリソグラフィを含むが、これらに限定されない。バルーン１４の表面に金属箔を取り付ける好適な方法は、糊、接着剤及びエポキシ等の接着機構と、レーザ溶接及び熱溶接等の溶接とを含むが、これらに限定されない。バルーン１４の表面に金属層のパターンを形成する好適な方法は、エッチング及びフォトリソグラフィを含むが、これらに限定されない。電気通路、接触パッド８２及び電極７６の特定の材料の例は、ステンレス鋼、銅、白金、金、ニッケル、ニッケルめっき鋼、マグネシウム、及び他の好適な伝導性材料を含むが、これらに限定されない。

【0094】

いくつかの例では、図２Ａから図３Ｇとの関連で開示される電気通路、接触パッド８２及び電極７６の全て又は一部が、フレキシブル・プリント回路（ＦＰＣ）等のフレックス回路上に含まれる。一例として、図４Ａはフレックス回路の上面図である。フレックス回路は、基板１１２上の伝導経路１１０を含む。図４Ａでは、基板１１２は平面構成で示されているが、曲げて円筒形構成等の他の構成にすることができる。伝導経路１１０は、図２Ａから図３Ｇとの関連で開示された電気通路、接触パッド８２及び電極７６として機能するようにパターンを形成できる。図４Ａでは、伝導経路１１０は、図２Ｆとの関連で開示された電気通路、接触パッド８２及び電極７６として機能するのに好適である。

【0095】

図４Ｂは、図４Ａのフレックス回路を含むカテーテルの一部の側面図である。図４Ｃは、図４ＣにＢと表示された線に沿って取られた図４Ｂに示すカテーテルの部分の断面である。フレックス回路の基板１１２は、バルーン１４上に位置づけられてバルーンと接触できる。基板１１２は、バルーンに対して移動可能であるが、いくつかの例では、フレックス回路の基板は、糊、接着剤及びエポキシ等の接着機構と、熱溶接及びレーザ溶接等の溶接とを使用してバルーン上に固定化できる。

【0096】

伝導構成要素８４は、それぞれ、取付機構によって接触パッド８２のうちの１つに接続される。基板１１２は、電極７６が隣接するローブ間、空間強度最小値、及び低減した空間音響強度位置間からなる群から選択される１つ又は複数の位置にあるようにバルーン１４上に位置づけられる。基板１１２をバルーン１４に取り付ける好適な機構は、糊、接着剤及びエポキシ等の接着機構と、熱溶接及びレーザ溶接等の溶接とを含むが、これらに限定されない。

【0097】

図４Ｃは、基板１１２の対向する縁辺が互いに接触する、又は互いにほぼ接触するように、バルーン１４の周囲の周りに巻かれているフレックス回路の基板１１２を例示する。基板１１２がトランスデューサから出力される音響信号と相互作用できる例では、トランスデューサの長手軸線周りの音響信号の電力の均一性を高めるために、そのような配置が望ましいことがある。いくつかの例では、フレックス回路は、基板１１２の対向する縁辺間に間隙があるようにバルーン１４上に位置づけられる。

【0098】

図４Ａから図４Ｃのフレックス回路は、図２Ａから図３Ｇとの関連で開示される１つ又は複数の絶縁層を含まない。上述したように、１つ又は複数の絶縁層は、任意の伝導構成要素８４及び／又は伝導構成要素８４を接触パッド８２に接続する取付機構の上に位置づけできる。任意の伝導構成要素８４と接触パッド８２との間の接続部は、基板１１２がバルーン１４に取り付けられる前又は後に作ることができる。伝導構成要素８４及び／又は取付機構の上に位置づけられた任意の絶縁層（１つ又は複数）は、伝導構成要素８４及び接触パッド８２を接続した後に形成できる。パッド相互接続部８０及び電極相互接続部７８等の電気通路の上に位置づけられる任意の絶縁層（１つ又は複数）は、伝導構成要素８４及び接触パッド８２を接続する前又は後に形成できる。

【0099】

図４Ａに例示されるフレックス回路は、片面フレックス回路である。しかしながら、フレックス回路は、種々の他の構築を有することができる。例えば、フレックス回路は、二重アクセス若しくは背面フレックス回路、彫刻フレックス回路、両面フレックス回路、多層フレックス回路、剛性フレックス回路、又はポリマー厚膜フレックス回路であり得る。これらの両面フレックス回路等のフレックス回路構造の多くは、貫通孔を使用して、伝導経路１１０は基板１１２の両側に位置させることができる。伝導経路１１０の一部を基板１１２の裏面に置くことができることにより、伝導経路１１０の一部はバルーン１４と基板１１２との間に位置づけられる。結果として、基板１１２は、上記に開示された１つ又は複数の絶縁層として作用できる。

【0100】

図５Ａから図５Ｃは、カテーテルとの使用に好適である両面フレックス回路の実例を例示する。図５Ａは、基板１１２上に伝導経路１１０を含む両面フレックス回路の内側の上面図である。図５Ｂは、図５Ａに示す両面フレックス回路の外側の上面図である。伝導経路１１０は、図２Ｆとの関連で開示された電気通路、接触パッド８２及び電極７６として機能するように基板１１２上にパターンが形成される。図５Ｃは、図５Ａ及び図５Ｂのフレックス回路を含むカテーテルの一部の側面図である。

【0101】

フレックス回路は、基板１１２の外側を含む又は外側に設けられる。加えて、フレックス回路は、パッド相互接続部８０、電極相互接続部７８、及び接触パッド８２を基板１１２の内側に含む。電極相互接続部７８は、それぞれ、基板１１２の他方の側で電極７６のうちの１つと電気的に連通している２つの貫通孔１２１に接続される。パッド相互接続部８０は、それぞれ、接触パッド８２及び電極相互接続部７８に接続される。代わりに、パッド相互接続部８０は、それぞれ、接触パッド８２、及び図５Ａに示すように基板１１２の他方の側にある電極７６のうちの１つと電気的に連通している貫通孔１２１に接続される。

【0102】

基板１１２は、バルーン１４に取り付けられ、伝導構成要素８４は、それぞれ、接触パッド８２のうちの１つに取付機構によって接続される。基板１１２は、電極７６が、隣接するローブの間、空間強度最小値、及び低減した空間音響強度位置間からなる群から選択される１つ又は複数の位置にあるように、バルーン１４上に位置づけられる。パッド相互接続部８０、電極相互接続部７８、及び接触パッド８２は、基板１１２の内側にあるので、パッド相互接続部８０、電極相互接続部７８、及び接触パッド８２は、バルーン１４と基板１１２との間に位置づけられる。したがって、基板１１２は、上記で開示された１つ又は複数の絶縁層の機能を果たすことができる。

【0103】

基板１１２は、電気的に絶縁性の材料及び／又は誘電体である材料を含むか、又はその材料からなる。基板１１２は、トランスデューサから出力される音響信号を透過するか、又は実質的に透過するかを選択できる。加えて又は代わりに、基板１１２は、基板１１２の音響場との干渉を低減するために、体腔に関連する組織に整合するインピーダンスを有してよい。いくつかの例では、基板１１２は、１．５ＭＲａｙｌより大きいインピーダンス及び／又は３０ＭＲａｙｌ未満のインピーダンスを有する。一例では、基板１１２は、１．５ＭＲａｙｌより大きく、３０ＭＲａｙｌ未満のインピーダンスを有する。

【0104】

基板１１２は、材料の単一層として示されるが、基板１１２は、材料の１つ又は複数の層を含むことができる。層の全て又は一部は、連続材料又は多孔質材料、例えば、マット、メッシュ、布、又はスクリーン、及びそれらの組合せとすることができる。多孔質材料の層は、複数の材料部材の集合体を含むか、又はその集合体からなる。例えば、多孔質材料の層は、繊維、糸、ストランド、又はナノチューブ及びそれらの組合せの集合体からなる群から選択される１つ又は複数の材料部材から構築できる、且つ／又は材料部材からなる。多孔質材料に含まれる材料部材の全て又は一部は、音響場の波長未満の幅及び／又は直径を有することができる。いくつかの例では、複数の材料部材の全て又は一部は、音響波長の１／５未満等の、音響場の音響波長の数分の一である幅及び／又は直径を有する。加えて又は代わりに、いくつかの例では、複数の材料部材の全て又は一部は、０μｍ、５μｍ、３０μｍ、若しくは５０μｍより大きく、且つ／又は３０μｍ、８０μｍ、若しくは１２０μｍ以下である幅及び／又は直径を有する。一例では、複数の材料部材の全て又は一部は、５μｍより大きく８０μｍ未満である幅及び／又は直径を有する。多孔質材料における複数の材料部材、及び／又は基板の層のうちの１つ若しくは複数に好適な材料は、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリウレタン、ポリエーテルブロックアミド、ポリアミド、ポリスチレン、ポリイミド、開放型ポリウレタンエーテル若しくは発泡エステル、任意の他の音響透過性ポリマー若しくは材料、及びそれらの組合せを含むが、これらに限定されない。

【0105】

基板上の伝導経路１１０は、基板の表面、基板の表面に取り付けられた金属箔、及び／又は基板の表面上のパターン形成された金属層上の伝導跡となることができる。好適な伝導跡は、金属、伝導性ポリマー、及び伝導性エポキシ等の材料の跡を含むが、これらに限定されない。伝導跡を基板の表面に形成する好適な方法は、印刷及びフォトリソグラフィを含むが、これらに限定されない。金属箔を基板の表面に取り付ける好適な方法は、糊、接着剤、エポキシ等の接着機構と、レーザ溶接及び熱溶接等の溶接とを含むが、これらに限定されない。金属層のパターンを基板の表面に形成する好適な方法は、エッチング及びフォトリソグラフィを含むが、これらに限定されない。電気通路、接触パッド８２、貫通孔１２０、及び電極７６のための特定の材料の例は、ステンレス鋼、銅、白金、金、ニッケル、ニッケルめっき鋼、マグネシウム、炭素ナノチューブ等の伝導性ナノチューブ、導電性炭素材料、及び任意の他の好適な伝導性材料を含むが、これらに限定されない。

【0106】

伝導経路１１０の全て又は一部は、連続材料又は多孔質材料、例えば、メッシュ材料、マット、布、スクリーン、及びそれらの組合せであり得る。伝導経路１１０は、複数の材料部材の集合体を含む、又はその集合体からなることができる。例えば、多孔質材料の層は、繊維、糸、ストランド、ナノチューブ及びそれらの組合せの集合体からなる群から選択される１つ又は複数の材料部材から構築できる、且つ／又はそのような材料部材からなることができる。伝導経路として機能する多孔質材料に含まれる材料部材の全て又は一部は、音響場の波長未満である幅及び／又は直径を有することができる。いくつかの例では、伝導経路として機能する材料部材の全て又は一部は、音響波長の１／５未満等の、音響場の音響波長の数分の一である幅及び／又は直径を有する。加えて又は代わりに、いくつかの例では、伝導経路として機能する材料部材の全て又は一部は、０μｍ、１０μｍ、５０μｍ、８０μｍより大きく、且つ／又は１６０μｍ以下である幅及び／又は直径を有する。一例では、材料部材の全て又は一部は、１０μｍより大きく１４０μｍ以下である幅及び／又は直径を有する。多孔質伝導経路を基板上に形成する好適な方法は、銀伝導性インク等の塗装若しくは印刷インキ、伝導性エポキシの硬化、フレキシブル・プリント回路適用技術、バルーンを膨らます工程中の糊付け、エポキシ化若しくは積層等の機構を使用した可撓性平型ケーブル（ＦＦＣｓ：ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｆｌａｔ ｃａｂｌｅｓ）の取付けを含むが、これらに限定されない。いくつかの例では、インクの塗装又は印刷は、インクを熱硬化することを含む。接触パッド、貫通孔、及び／又は電極等の電気通路に含まれる材料部材のための特定の材料の例は、炭素ナノチューブを含むが、これらに限定されない。

【0107】

電極７６は、送信表面積を有する。電極７６の送信表面積は、体腔の内部及び体腔を画定する組織によって受信される電磁信号を送信する電極７６の面積である。例えば、電極７６の送信表面積は、血管周囲の空間によって受信される電磁信号を送信する電極７６の面積である。一例として、図４Ｃに示す電極７６の送信面は、ｔ_ｓと表示されている。いくつかの例では、電極７６の送信面は、それぞれ、電極７６とトランスデューサとの間にない電極７６の表面のそれぞれである。

【0108】

電極７６及び／又は電極７６選択肢における電極７６は、所望のレベルの電磁エネルギーを電極（１つ又は複数）７６から血管周囲の空間へ効率的に送達するのに十分な大きさの送信面を有するように構築される。しかしながら、上述したように、バルーン１４の内部の流体は、トランスデューサ組立体３２に冷却を行うことができる。バルーン１４の内部の流体も、バルーン１４上の１つ又は複数の電極７６に冷却を行うことができる。電極７６及び／又は電極７６選択肢における電極７６は、血栓形成及び／又は内皮壁の損傷を引き起こさない温度まで冷却できる送信面を有するように構築できる。例えば、電極７６及び／又は電極７６選択肢における電極７６は、電極７６及び／又は電極７６選択肢における電極７６が所望の温度まで冷却されることを可能にする送信面寸法を有するように構築される。一例として、電極７６及び／又は電極７６選択肢における電極７６は、電極７６及び／又は電極７６選択肢における電極７６が、トランスデューサ組立体３２からの音響場の送信中、且つ／又は、電極７６及び／又は電極７６選択肢における電極７６からの電磁信号の送信中に、０℃より高く且つ／又は４２℃未満の温度に維持されることを可能にする送信面寸法を有するように構築できる。一例では、電極７６及び／又は電極７６選択肢における電極７６は、電極７６及び／又は電極７６選択肢における電極７６が、トランスデューサ組立体３２からの音響場の送信中、且つ／又は、電極７６及び／又は電極７６選択肢における電極７６からの電磁信号の送信中に、５°Ｃより高く４０°Ｃ未満の温度に維持されることを可能にする送信面寸法を有するように構築される。

【0109】

いくつかの例では、１つ又は複数の電極７６は、それぞれ、０ｍｍ^２、０．１ｍｍ^２、１ｍｍ^２、２．５ｍｍ^２若しくは４ｍｍ^２以上、及び／又は１ｍｍ^２、２．５ｍｍ^２、若しくは４ｍｍ^２以下の送信表面積を有する。腎動脈を治療する際、使用に好適な例では、１つ又は複数の電極７６は、それぞれ、１ｍｍ^２以上２．５ｍｍ^２以下の送信表面積を有する。

【0110】

図２Ｇとの関連で説明されるように、カテーテルが、外部電極の少なくとも一部がトランスデューサの長手軸線に沿って、且つトランスデューサの音響信号を越えてトランスデューサの近位又は遠位にあるように構成された１つ又は複数の外部電極を含むとき、外部電極は、隣接するローブ間、空間強度最小値、及び低減した空間音響強度位置間からなる群から選択される１つ又は複数の位置に置かれる電極７６より広く、且つ／又はより大きい送信表面積を有することができる。いくつかの例では、外部電極の送信表面積と、隣接するローブ間、空間強度最小値、及び低減した空間音響強度位置間からなる群から選択される１つ又は複数の位置に位置づけられる電極７６の送信表面積との比率は、２：１、１００：１、若しくは２００：１以上、及び／又は１０：１、２００：１、若しくは５００：１以下である。加えて又は代わりに、いくつかの例では、外部電極の幅と、隣接するローブ間、空間強度最小値、及び低減した空間音響強度位置間からなる群から選択される１つ又は複数の位置に置かれる電極の送信表面積との比率は、２：１、１００：１、若しくは２００：１以上、及び／又は１０：１、２００：１、若しくは５００：１以下である。したがって、外部電極は、隣接するローブ間、空間強度最小値、及び低減した空間音響強度位置間からなる群から選択される１つ又は複数の位置に置かれる電極より実質的に大きくすることができる。外部電極の大きさが増加すると、電気インピーダンスが低くなり、外部電極は、神経の刺激等の用途での使用により好適となることができる。一例では、比率は、５０：１以上２００：１以下である。

【0111】

いくつかの例では、１つ又は複数の電極７６選択肢における電極７６に対して組み合わせた送信表面積は、１０ｍｍ^２、５０ｍｍ^２、１００ｍｍ^２、若しくは２００ｍｍ^２以上、且つ／又は２００ｍｍ^２、４００ｍｍ^２、若しくは２０００ｍｍ^２以下である。一例では、１つ又は複数の電極７６選択肢における電極７６に対する組み合わせた送信表面積は、５０ｍｍ^２以上、４００ｍｍ^２未満である。

【0112】

カテーテルが、外部電極を含む、又は外部電極からなる１つ若しくは複数の電極７６選択肢を含み、また、隣接するローブ間、空間強度最小値、及び低減した空間音響強度位置間からなる群から選択される１つ又は複数の位置に置かれる１つ若しくは複数の電極７６を含む、又はそれからなる１つ又は複数の電極７６選択肢を含むとき、いくつかの例では、外部電極を含む、又は外部電極からなる電極７６選択肢における電極７６の送信表面積の比率と、隣接するローブ間、空間強度最小値、及び低減した空間音響強度位置間からなる群から選択される１つ又は複数の位置に置かれる１つ又は複数の電極７６を含む、又はそれからなる電極７６選択肢における電極７６の送信表面積の比率とは、２：１、５０：１、若しくは１００：１以上、且つ／又は１００：１、２００：１、若しくは５００：１以下である。一例では、比率は、５０：１以上２００：１以下である。

【0113】

電極７６の厚さは、図２ＣにＴと表示される。電極７６及び／又は電気通路の厚さは、電極７６と音響場との間の空間音響強度を低減するように選択される。例えば、電極７６及び／又は電気通路は、トランスデューサから出力される音響場の波長未満である厚さを有することができる。いくつかの例では、電極７６及び／又は電気通路の全て又は一部は、音響波長の１／５未満等の音響場の音響波長の数分の一である厚さを有する。加えて又は代わりに、ある例では、電極７６及び／又は電気通路の全て又は一部は、０μｍ、５μｍ、若しくは２０μｍより大きく、且つ／又は５０μｍ、８０μｍ、１２０μｍ、若しくは１６０μｍ以下である厚さを有する。電極７６の厚さは、１音響波長を超えることができ、その場合、システムは、音響場に導入された電極の中断を補償できる。一例では、電極７６及び／又は電気通路の全て又は一部は、５μｍより大きく１２０μｍ未満の厚さを有する。

【0114】

ある実施例では、複数のトランスデューサ組立体は、カテーテル上の１つ又は複数のバルーンに置くことができる。一例として、図６Ａ及び図６Ｂは、複数のトランスデューサ組立体をバルーンに含むカテーテルの実例を示す。図６Ａは、複数のトランスデューサ組立体３２ａ及び３２ｂをバルーン１４に含むカテーテルの一部の斜視図である。２つのトランスデューサ組立体が図６Ａ、図６Ｃ、及び図６Ｄに描かれているが、カテーテルは、より多くのトランスデューサ組立体、例えば、限定されることなく、３つ、４つ、５つ、又はそれ以上、例えば、２０の組立体を含んでもよい。図６Ａのバルーン１４は、下にある構成要素が見えるように透明であるとして例示される。図６Ｂは、Ｂと表示された線に沿って取られた図６Ａに示すカテーテルの断面である。加えて、図６Ｂは、Ｂ’と表示された線に沿って取られた図６Ａに示すカテーテルの断面を表すことができる。

【0115】

裏部材４２のブリッジ部分１１３は、隣接するトランスデューサ組立体３２ａと３２ｂとの間に延び、同じバルーン１４内の複数のトランスデューサ組立体３２ａ及び３２ｂの裏部材４２として機能できる。第１の導電体７４ａは、裏部材４２に接続する。第２の導電体７４ｂは、最も近位のトランスデューサ組立体３２ａの外部電極３８ａに接続し、カテーテルの軸を通って延びる配線システムを通して外部電極３８ａを発電器に接続する。第３の導電体７４ｃは、遠位トランスデューサ組立体３２ｂの外部電極３８ｂから裏部材４２の内部管腔内への開口部を通ってカテーテルの軸内へ延びる。導電体７４ｃは、カテーテルの軸を通って延びる配線システムを通して、トランスデューサ組立体３２ｂの外部電極３８ｂを発電器に接続する。

【0116】

トランスデューサ組立体３２ａ及び３２ｂの動作中、裏部材４２は、トランスデューサ組立体３２ａ及び３２ｂに印加される電気エネルギーの共通帰線として機能できる。結果として、電子機器は、所望のトランスデューサ組立体３２ａ及び／又は３２ｂの外部電極３８ａ及び／又は３８ｂと裏部材４２との間に電圧を印加することによって、トランスデューサ組立体３２ａ及び３２ｂを独立して動作させることができる。導電体７４の代わりの配置は、トランスデューサ組立体の全ての又は異なる選択肢の独立した動作を可能にするために使用できる。

【0117】

導電体７４ａ、ｂ、ｃは、図６Ａ及び図６Ｃにワイヤとして示すが、他の導電体が採用できる。例えば、導電性接着剤は、導電体７４ａ、ｂ、ｃのうちの１つ又は複数として機能できる。導電性接着剤は、基材とともに使用できる。例えば、導電性接着剤は、基材の片面上、基材の両面上、基材による支持、又は吸収若しくは含浸等の他の機構による基材との位置づけからなる群から選択される１つ又は複数の特徴を有することができる。一例では、導電性接着剤は、図６Ａに示す第３の導電体７４ｃに取って代わるテープ上の層に含まれる。好適な導電性接着剤は、導性エポキシ、接着性金属フィルム、及び銀で被覆されたガラス・ビーズを含浸したエポキシとアクリレートとを含む混合物を含むが、これらに限定されない。好適な基材は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のプラスチックを含むが、これらに限定されない。

【0118】

隣接するトランスデューサ組立体間に延びる裏部材のブリッジ部分の少なくとも一部は、１つ又は複数の強化した可撓性領域１１４を含むことができる。１つ又は複数の強化した可撓性領域は、裏部材４２及びそれに応じてカテーテルの可撓性を強化するために選択できる。例えば、強化した可撓性領域を有する裏部材の部分は、強化した可撓性領域を有していない裏部材の１つ又は複数の部分より、及び／又はそれ以上に、可撓性を有することができる。

【0119】

好適な強化した可撓性領域は、パターンに配置された裏部材４２の壁を通る開口部、及び格子パターンに切断された裏部材４２を含むが、これらに限定されない。

【0120】

図６Ａに例示される強化した可撓性領域１１４は、裏部材４２の壁を通る開口部１１６である。開口部１１６は、隣接するトランスデューサ組立体間に位置する裏部材４２の部分に対して、裏部材４２の長手軸線の周りに螺旋を描く。結果として、裏部材４２の少なくとも１つの可撓性強化部分は、裏部材４２の長手方向の長さの一部に対して渦巻状又は実質的に渦巻状の構成を有する。いくつかの例では、強化した可撓性領域１１４は、バルーン内のトランスデューサ組立体３２のいずれにも延びていない。

【0121】

螺旋率は、渦巻が、長手軸線の長さごとの、裏部材の長手軸線の周りを回転する程度数として測定できる。螺旋率は、裏部材４２の可撓性強化部分の可撓性の程度を決定できる。例えば、螺旋率を増加すると、より可撓性の高い裏部材を形成するが、螺旋率を減少すると、より剛性の高い裏部材を形成できる。好適な螺旋率（ピッチ数）は、０°／ｍｍ以上の率を含むが、これらに限定されず、３６０°以上又は７２０°以上にわたって延びることができる。

【0122】

単一のバルーン内の複数のトランスデューサ組立体を使用して、カテーテルの可撓性を増加できる。可撓性の増加は、副腎動脈及び腎動脈枝（例えば、直径が３ｍｍ未満の血管）等の小径の体腔へのアクセスを達成し、蛇行した解剖学的構造を通してカテーテルを操縦するのを助けることができ、且つ／又は、体腔内の曲線にトランスデューサ組立体を留置することによるトランスデューサ組立体の偏芯を低減できる。より小さい且つ／又はより蛇行した空間を扱うことがより望ましくなると、上記に開示されたトランスデューサ組立体３２は、複数のより小さいトランスデューサ組立体に分割できる。

【0123】

図６Ａは、トランスデューサ組立体３２を独立して動作させる能力を電子機器に与える電気的接続を例示するが、電気的接続部は、トランスデューサ組立体３２の同時動作のために構成できる。例えば、トランスデューサ組立体３２は、並列又は直列に接続できる。一例として、図６Ｃは、トランスデューサ組立体３２が、複数の異なるトランスデューサ組立体３２ａ及び３２ｂの外部電極３８ａ及び３８ｂに接続される導電体７４ｃによって直列に接続されるように修正された図６Ａ及び図６Ｂのカテーテルを例示する。

【0124】

２つのトランスデューサ組立体３２が図６Ｃに描かれているが、カテーテルは、より多くのトランスデューサ組立体、例えば、限定されることなく、３つ、４つ、５つ、６つ、又はそれ以上を含んでよく、全てが導電体７４によって直列に接続され、導電体７４は、各対のトランスデューサ組立体３２の外部電極３８を互いに接続し、次いで、最終的に、カテーテル軸を発電器まで通って延びる配線システムを介して、最も近位のトランスデューサ組立体３２の、近位で最も外部の電極３８を発電機に接続する。

【0125】

異なるトランスデューサ組立体３２の外部電極３８に接続する導電体７４は、他の導電体に取って代わられることができる。例えば、図６Ｄ及び図６Ｅは、導電性めっき９２が異なるトランスデューサ組立体３２の外部電極３８間を電気的に連通するように修正された図６Ｃのカテーテルを例示する。図６Ｄは、トランスデューサ組立体及びバルーンを含むカテーテルの一部の斜視図である。図６Ｄのバルーンは透明で例示されているため下にある構成要素が見える。図６Ｅは、図６ＤにＥと表示された線に沿って取られた図６Ｄに例示されたカテーテルの断面である。導性めっき９２は、異なるトランスデューサ組立体３２の外部電極３８と電気的に連通している。電気絶縁体９４は、導性めっき９２と裏部材４２との間に、各外部電極３８を裏部材４２及び内部電極３６から電気的に絶縁するように任意選択で位置づけられる。好適なめっき９２は、金属導体を含むが、これに限定されない。図６Ｄ及び図６Ｅに例示されるブリッジ部分１１３は、１つ又は複数の強化した可撓性領域を除外するが、ブリッジ部分１１３は、１つ又は複数の強化した可撓性領域を含むことができる。

【0126】

トランスデューサ組立体３２の全て又は一部は、それぞれ、面取りされた、且つ／又は面取り部を含む１つ又は複数の端を有することができる。例えば、トランスデューサ組立体３２の全て又は一部は、それぞれ、先細部を有する１つ又は複数の端を有することができる。いくつかの例では、互いに隣接するトランスデューサ３４の端のうちの１つ又は両方は、先細状端を有することができる。一例として、図６Ｆは、図６Ａから図６Ｅとの関連で開示されるように構築されたカテーテルの一部の断面である。図６Ｆは、カテーテルの長手軸線に沿って互いに隣接して位置づけられる２つのトランスデューサ組立体３２の端を示す。トランスデューサ組立体３２の両方は、先細状端を有する。例えば、トランスデューサ組立体３２の厚さは、トランスデューサ組立体３２の端に近づくにつれて減少する。図示の先細部は、カテーテルの長手軸線を囲むことができる。

【0127】

図６Ｆの実例では、隣接するトランスデューサ組立体３２上の先細部は、両方のトランスデューサ組立体３２の厚さがトランスデューサ組立体３２の内面に向かって先細りになる方向と同じ方向に先細りになっている。

【0128】

１つ又は複数の先細部が存在することにより、カテーテルの曲げ範囲は増加できる。例えば、裏部材４２が、カテーテルを治療部位に進め且つ／又はカテーテルを治療部位から後退させながら、曲げられると、１つ又は複数の先細部により、図６Ｇに示すように、隣接するトランスデューサ３４及び／又はトランスデューサ組立体３２は互いに接近且つ接触することを可能にできる。これにより、隣接するトランスデューサ組立体３２間の分離距離（Ｌｓ）は、裏部材４２の曲げを依然として可能にしながら、低減できる。結果として、隣接するトランスデューサ３４間の１つ又は複数の強化した可撓性領域の利点は、隣接するトランスデューサ３４間の分離が減少するにつれて保持できる。このように隣接するトランスデューサ組立体３２間の分離距離を低減できることにより、トランスデューサ組立体３２の集合体が単一のトランスデューサ組立体３２に近づくことを可能にし、音響場の均一性を高めることができる。

【0129】

図６Ｆ及び図６Ｇは、先細部を有するものとしてトランスデューサ組立体３２の端全体を例示するが、トランスデューサ３４は、図６Ｈに示すように内部電極及び／又は外部電極の端が先細部を除外する一方で、先細部を有することができる。

【0130】

図６Ｆから図６Ｈは線状先細部を例示しているが、先細部は他の構成を有してよい。例えば、先細部は、図６Ｉ及び図６Ｊに示すように湾曲させることができる。湾曲は、トランスデューサ３４が、図６Ｊに示すように端が凸状になるように、又は図６Ｉに示すように端が凹状になるように構成できる。１つのトランスデューサ３４の端が凸状であるとき、隣接するトランスデューサの端は端が凸状であり得る。

【0131】

隣接するトランスデューサ３４が隣接する端を有するとき、先細部は、カテーテルの曲げに応じて、異なるトランスデューサ組立体３２からのトランスデューサ３４の隣接する端が、一方又は両方のトランスデューサの内面から外面へ連続的又は実質的に連続的に接触できるように、任意選択で構成できる。連続接触は平面内で行うことができる。一例として、図６Ｇが示されているページは平面を表し、トランスデューサ３４の端は、Ｐと表示された界面によって示されるように、平面内の両方のトランスデューサ３４の内面から外面へ連続的に接触している。

【0132】

図６Ｆは、ＡＲと表示された２つの破線を含む。破線は、音響場の出力が所望の特性を失い、所望の治療に対して効果がなくなるか、又は実質的に効果がなくなる場所を例示する。例えば、ＡＲと表示された破線のそれぞれにより、トランスデューサから出力される音響場のローブの縁辺に印をつけることができる。音響場のローブの縁辺は、概して先細部の始点に位置している。結果として、先細部は、トランスデューサ組立体３２の活性領域とトランスデューサ組立体３２の非活性領域との間の界面の位置を効果的に画定できる。多くの場合、トランスデューサは、治療部位による熱エネルギーの伝導により、複数の異なるトランスデューサによって形成された病変が接合且つ／又は融合して治療部位に連続した病変を形成するように、互いに十分に近接していることが望ましい。熱エネルギーは、治療部位内の組織による音響エネルギーの吸収から生じることがある。したがって、音響エネルギーの異なるローブにより、治療部位内の熱エネルギーの伝導によって接合且つ／又は融合される異なる病変を形成できる。病変のこの接合及び／又は融合により、分離されたトランスデューサ組立体は、複数のトランスデューサ組立体の存在によって達成される強化した可撓性を保持しながら、単一の連続トランスデューサ組立体の性能に近づくことができる。

【0133】

図６Ｆは、Ｌ_ａｒと表示された隣接するトランスデューサ組立体３４の活性領域間の分離距離を有する。加えて又は代わりに、Ｌ_ａｒと表示された距離は、隣接するトランスデューサ上の先細部の始点間の距離を表してよい。カテーテルが熱エネルギーの伝導によって接合且つ／又は融合された病変を形成することが望ましいとき、隣接するトランスデューサ組立体の活性領域間の好適な分離距離（Ｌ_ａｒ）及び／又は隣接するトランスデューサ上の先細部の始点間の距離は、０．０ｍｍ以上且つ０．５ｍｍ未満の分離距離を含むが、これらに限定されない。いくつかの例では、隣接するトランスデューサ組立体の活性領域間の距離（Ｌ_ａｒ）及び／又は隣接するトランスデューサ上の先細部の始点間の距離が、異なるトランスデューサからの音響場ローブ間の干渉を低減又は排除するのに十分な大きさであることが望ましい。

【0134】

いくつかの例では、音響エネルギーを異なるトランスデューサに印加する間に、トランスデューサが治療部位で移動されないときに、異なるトランスデューサから印加される音響エネルギーにより、異なり且つ空間的に分離された病変を治療部位に形成するように、トランスデューサが十分に離れていることが望ましい。神経が優先的に位置することがある複数の個別のエリアに病変を作成するために、治療部位に複数の切除リングを作成することが有利な場合がある。動脈等の治療部位の複数の異なる領域を同時に切除することにより、全体的な手術時間を減少できる。

【0135】

カテーテルが熱エネルギーの伝導によって接合且つ／又は融合しない病変を形成することが望ましいとき、隣接するトランスデューサ組立体の活性領域間の好適な分離距離（Ｌ_ａｒ）及び／又は隣接するトランスデューサ上の先細部の始点間の距離（Ｌ_ａｒ）は、０．５ｍｍより大きい分離距離を含むが、これらに限定されない。

【0136】

トランスデューサ３４の厚さは図６ＪではＴと表示される。厚さは動作周波数の関数であり得る。トランスデューサの先細部の厚さは図６ＪではｄＴと表示される。先細部の長さは、図６ＪにｄＬと表示される。先細部の比率はｄＴ／ｄＬで表すことができる。先細部は、トランスデューサの厚さ（Ｔ）の全て又は一部にわたることができる。いくつかの例では、先細部の厚さ（ｄＴ）は、トランスデューサの厚さ（Ｔ）の０％、３０％を超え、１００％以下に及ぶ。加えて又は代わりに、先細部は先細率（ｄＴ／ｄＬ）が０．０、０．３、若しくは１より大きく、且つ／又は０．２、０．５、若しくは２未満であってよい。一例では、先細率（ｄＴ／ｄＬ）は、０．０より大きく、２未満である。いくつかの例では、異なるトランスデューサの隣接端の厚さ及び先細率は同じである。いくつかの例では、異なるトランスデューサの隣接端の厚さ及び先細率が同じであるが、方向が反対である。いくつかの例では、異なるトランスデューサの隣接端の厚さ及び先細率が反対方向に同じであり、両方が直線状であるか、或いは両方が同じ形状の曲線及び／又は曲率を有するという点で、同じ先細の形状を有する。

【0137】

図６Ａから図６Ｇは、トランスデューサ組立体の下に延びない強化した可撓性領域を有するブリッジ部分１１３を例示するが、カテーテル内のブリッジ部分１１３の部分の全ては、それぞれ、１つ又は複数のトランスデューサ組立体の下のトランスデューサ組立体間から延びる、強化した可撓性領域をより多く含むことができる。図６Ａ、図６Ｃ、及び図６Ｄは、それぞれ、トランスデューサ組立体３２ａからカテーテル軸１２まで延びる裏部材４２の接続部分９６を例示する。図示の接続部分９６は、１つ又は複数の強化した可撓性領域を除外して示されているが、接続部分９６は、任意選択で、１つ又は複数の強化した可撓性領域を含むことができる。

【0138】

図６Ａから図６Ｊは、２つのトランスデューサ組立体３２を単一のバルーンに含むカテーテルを例示するが、バルーンは、２つより多いトランスデューサ組立体３２を含むことができる。カテーテルが３つ以上のトランスデューサ組立体３２を含むときは、裏部材は、複数のブリッジ部分１１３を含むことができる。ブリッジ部分１１３の全て又は一部は、それぞれ、１つ又は複数の強化した可撓性領域１１４を含むことができる。いくつかの例では、バルーン内のトランスデューサ組立体の数が２以上及び／又は２０未満である。腎動脈を治療する際、使用に好適な実例では、バルーン内のトランスデューサ組立体の数は、２以上５以下である。

【0139】

図６Ａから図６Ｊのカテーテル内のトランスデューサ組立体３２は、図２Ａから図２Ｃによって構築されていることが示されているが、トランスデューサ組立体３２は、図３Ｅから図３Ｇとの関連で開示されるように構築できる。トランスデューサ組立体３２が図３Ｅから図３Ｇとの関連で開示されるように構築されるとき、カテーテル軸は、図３Ａから図３Ｇとの関連で開示されているように、トランスデューサ組立体３２の裏部材４２によって画定される裏部材管腔４６に受容できる。結果として、隣接するトランスデューサ組立体３２間の裏部材４２の部分は、カテーテル軸１２の上に位置づけできる。

【0140】

いくつかの例では、図６Ａから図６Ｊとの関連で開示されるように構築されたカテーテルは、直径が３フレンチ以上且つ／若しくは７フレンチ以下、及び／又はカテーテルの長さが７５ｃｍ以上且つ／若しくは１７５ｃｍ以下であるカテーテル軸１２を有する。腎神経除去に好適な実例では、カテーテルは、直径が３フレンチ以上６フレンチ以下、及び／又はカテーテルの長さが８５ｃｍ以上１５５ｃｍ以下であるカテーテル軸を有する。いくつかの例では、バルーン内のトランスデューサ組立体３２のうちの１つ若しくは複数及び／又はバルーン内のトランスデューサ３４のうちの１つ若しくは複数は、それぞれ、０．５ｍｍ以上及び／又は１０ｍｍ以下の長さ（図６ＡにＬｔと表示）を有する。腎神経除去に好適な一例では、バルーン内のトランスデューサ組立体３２及び／又はバルーン内のトランスデューサは、それぞれ、０．８ｍｍ以上６ｍｍ以下の長さ、及び／又は３フレンチ以上６フレンチ以下の直径を有する。

【0141】

図２Ａから図２Ｎとの関連で開示された電極７６は、図６Ａから図６Ｊのバルーン１４上に示されていないが、バルーン１４は、上述したように配置された１つ又は複数の電極７６を含まなくてもよく、含んでもよい。バルーン１４が１つ又は複数の電極７６を含むとき、第２の導体キャリア６８は、バルーン１４上の１つ又は複数の電極７６間、及び１つ又は複数の電極７６と電子機器との間を電気的に連通できる。バルーン１４が１つ又は複数の電極７６を含むとき、トランスデューサ組立体３２の全て又は一部は、それぞれ、１つ又は複数の電極７６の異なる選択肢に関連できる。例えば、異なるトランスデューサ組立体に関連する１つ又は複数の電極７６は、関連するトランスデューサ組立体３２の上又は隣接して位置づけできる。加えて、電子機器は、１つ又は複数の電極７６の選択肢を互いに独立して動作させることができる。結果として、電子機器は、トランスデューサ組立体３２の選択肢から超音波エネルギーを送達することができ、トランスデューサ組立体３２の選択肢に関連する１つ若しくは複数の電極７６から、及び／又はトランスデューサ組立体３２の選択肢に関連していない１つ又は複数の電極７６から電磁エネルギーを送達できる。

【0142】

トランスデューサ３４の長さが小さくなるにつれて、トランスデューサ３４から出力されるローブの数も減少できる。例えば、９ＭＨｚで動作する長さ２．５ｍｍから３ｍｍのトランスデューサは、単一のローブを生成することがある。このような例では、バルーン１４上の１つ又は複数の電極７６は、異なるトランスデューサ３４からのローブ間に位置づけできる。例えば、バルーン１４上の１つ又は複数の電極７６は、隣接するトランスデューサ３４間に位置するカテーテルの構成要素の上に位置づけできる。一例として、図６Ｋは、図６Ａから図６Ｊによる可能なカテーテル構築の概略断面である。Ａと表示された電極７６は、隣接するトランスデューサ３４間に位置するカテーテルの構成要素の上にあり、それに応じて異なるトランスデューサ３４からのローブ間に位置づけられる。結果として、バルーン１４上の１つ又は複数の電極７６は、それぞれ、異なるトランスデューサ組立体から出力できる空間強度最小値の上に位置づけできる。加えて又は代わりに、バルーン１４上の電極７６の全て又は一部は、トランスデューサ組立体３２によって生成された空間強度最大値が外部電極間に生じるという点で外部電極であってよい。結果として、外部電極のそれぞれの全て又は一部が、１つのバルーン内の組み合わせたトランスデューサ組立体３２の全長（Ｌｃ）の外側に位置するカテーテルの一部の上に位置できる。例えば、図６ＫにＢと表示された電極７６は、トランスデューサ組立体３２によって生成される空間強度最大値が外部電極間で生じるように位置づけられた外部電極である。図６Ｋには示されていないが、電極組立体のうちの１つ又は複数が複数のローブを生成するように構成されるとき、１つ又は複数の電極は、隣接するローブ間、空間強度最小値、及び低減した空間音響強度位置間からなる群から選択される１つ又は複数の位置に置くことができる。一例では、バルーン１４は、電極７６の全て又は一部が、隣接するローブ間、空間強度最小値、及び低減した空間音響強度位置間からなる群から選択される１つ又は複数の位置に置かれるように配置された１つ又は複数の電極７６を含む、且つ／又はバルーンは、電極の全て又は一部が外部電極となるように配置された、すなわち、トランスデューサの音響信号に干渉しないようにトランスデューサ間に位置づけられた１つ又は複数の電極７６を含む。

【0143】

隣接するトランスデューサ組立体３２間の分離距離は、図６ＡにＬｓと表示され、ブリッジ部分１１３の長さを表すことができる。隣接するトランスデューサ組立体３２間の分離距離も、図６ＤにＬｓと表示され、ブリッジ部分１１３の長さを表すことができる。分離距離を増加すると、カテーテルの可撓性を高めることができる。いくつかの例では、分離距離（Ｌｓ）は、０ｍｍ若しくは２ｍｍ以上且つ／又は６ｍｍ未満であり、隣接するトランスデューサ組立体３２の動作間の空間音響強度を低減する。１つのバルーン内の組み合わせたトランスデューサ組立体３２の全長は、図６ＡにＬｃと表示される。

【0144】

カテーテルは、内部カテーテルとともに使用できる。内部カテーテルの遠位端は、それぞれが電子機器と電気的に連通している１つ又は複数の電極を含むことができる。内部カテーテルは、１つ又は複数の電極がカテーテルの外側に残存するカテーテルの管腔の１つに受容されるように構成される。例えば、内部カテーテルは、１つ又は複数の電極がカテーテルの外側にあり且つ体腔の治療部位に曝される上記カテーテルのガイドワイヤの管腔に受容されるように構成できる。電子機器は、神経を刺激し、且つ／又は体腔の治療部位で神経を感知するように、１つ又は複数の電極を動作させることができる。

【0145】

図７Ａから図７Ｃは、内部カテーテルの実例を例示する。図７Ａは、内部カテーテルの実施例の斜視図である。内部カテーテルは、内部カテーテル軸１１８を含む。移送部材１２０及び電極支持体１２２が、内部カテーテル軸１１８の遠位端に位置づけられる。移送部材１２０は、電極支持体１２２を内部カテーテル軸１１８に接続できる。いくつかの例では、移送部材１２０及び電極支持体１２２は、内部カテーテル軸１１８と一体であり、且つ／又は内部カテーテル軸１１８と同じ材料で構築される。移送部材１２０は任意選択である。例えば、内部カテーテル軸１１８は、電極支持体１２２に直接接続できる。

【0146】

電極支持体１２２は、電極支持体１２２の長さに沿って離隔された複数の電極１２４を含む。電極支持体１２２は円弧形状を有し、電極は円弧に沿って位置づけられる。円弧は滑らかな円弧として示されているが、円弧形状は、円弧構成に近づくように接続された１つ又は複数のセグメントを含むことができる。セグメントの全て又は一部は直線であり得る。円弧は２次元又は３次元であり得る。例えば、円弧は半円に近づくことができ、又は渦巻に近づくことができる。

【0147】

電極支持体１２２の長手軸線は、図７ＡにＬＡと表示された破線で示されている。電極支持体１２２の長手軸線に沿った各電極の長さはＬＥと表示される。電極支持体１２２の長手軸線に沿った電極１２４間の間隔は、ＬＳと表示される。ある例では、電極支持体１２２の長手軸線に沿った各電極の長さは０．１ｍｍより大きく、且つ／又は電極支持体１２２の長手軸線に沿った電極１０２間の間隔は０．１ｍｍより大きく３ｍｍ未満である。腎動脈を治療する際の使用に好適である電極支持体の一例では、電極支持体１２２は、少なくとも４つ又は少なくとも８つの電極を含み、電極支持体１２２の長手軸線に沿った各電極の長さは０．１ｍｍより大きく、電極支持体１２２の長手軸線に沿った電極１２４間の間隔は、０．５ｍｍより大きく、１．５ｍｍ未満である。

【0148】

被覆角度は、電極が円弧上に位置づけられる角度範囲として測定し、図７ＡにΘと表示される。円弧が２次元であるとき、被覆角度は重心から測定できる。図７Ａでは、円弧の重心はＣと表示される。円弧が３次元であるとき、被覆角度は円弧の軸線から測定できる。例えば、円弧が渦巻状のとき、被覆角度は渦巻状軸線又はねじれ軸線から測定できる。円弧が３次元であるとき、被覆角度は３６０°を超えることができる。いくつかの例では、被覆角度は７２０°より大きい。

【0149】

電極支持体１２２が円弧の幾何形状を有するとき、円弧の曲率半径は、一定にすることができ、又は電極支持体の長さに沿って変化できる。曲率半径が電極支持体の長さに沿って変化する例では、曲率半径は、電極支持体の長さに沿って最大値及び最小値を有する。いくつかの例では、一定の曲率半径は１ｍｍより大きく４ｍｍ未満である。いくつかの例では、曲率半径の最大値は１ｍｍより大きく５ｍｍ未満であり、曲率半径の最小値は１ｍｍより大きく５ｍｍ未満である。一定の曲率半径の値、又は曲率の最大半径及び最小半径の値は、体腔に一致するように選択できる。例えば、一定の曲率半径の値、又は曲率の最大半径及び最小半径の値を選択して、電極１２４と体腔の壁（１つ又は複数）との間の所望の数の接触点を達成できる。腎動脈での使用に好適である実例では、一定の曲率半径が１ｍｍより大きく５ｍｍ未満であり、或いは曲率半径の最大値が１ｍｍより大きく５ｍｍ未満であり、曲率半径の最小値が１ｍｍより大きく５ｍｍ未満である。

【0150】

電極支持体１２２は、他の幾何形状を有することができる。例えば、電極支持体１２２は、内部カテーテル軸１１８からそれぞれ延びるアームを有するバスケットとして構成できる。アーム１２５が、それぞれ遠位端を有することができ、異なるアームの遠位端は接続できる。一例として、図７Ｂは、遠位端が接続された４つのアーム１２５を有する電極支持体１２２を例示する。アームは、内部カテーテル軸１１８の周りに規則的又は周期的に位置づけできる。

【0151】

いくつかの例では、各アーム１２５の長手軸線に沿った各電極の長さは、０．１ｍｍより大きい。

【0152】

図７Ｂの電極支持体１２２は、各アーム１２５上に２つの電極１２４を有するが、各アームは、１つ又は複数の電極１２４を有することができる。さらに、異なるアームは、同じ数の電極１２４又は異なる数の電極１２４を有することができる。いくつかの例では、各アームに沿った電極１２４の数は、所望の治療エリアの長さに応じて選択される。例えば、より長い治療エリアで使用する電極支持体１２２は、より長いアームを有することができ、それに応じて、より多くの電極をアームの全て又は一部に有することができる。いくつかの例では、アームが複数の電極１２４を含む場合、アーム１２５の長手軸線に沿った電極１２４間の間隔は０．１ｍｍより大きく、アーム１２５の長手軸線に沿った電極１２４間の間隔は０．５ｍｍより大きく１．５ｍｍ未満である。腎動脈を治療する際の使用に好適である電極支持体の一例では、複数の電極を各アーム１２５に有し、アームの長手軸線に沿った各電極の長さは０．１ｍｍより大きく、各アームの長手軸線に沿った電極１２４間の間隔は０．５ｍｍより大きく１．５ｍｍ未満である。

【0153】

図７Ｂの電極支持体１２２は４つのアーム１２５を有するが、電極支持体１２２は２つ以上のアームを有することができる。腎動脈を治療する際の使用に好適である電極支持体の一例では、電極支持体１２２は、アーム１２５の数が３以上２０以下、アーム当たりの電極数は２以上１０以下、アーム１０５の長手軸線に沿った各電極の長さは０．５ｍｍより大きく、各アームの長手軸線に沿った電極１２４間の間隔は０．５ｍｍより大きく３ｍｍ未満である。

【0154】

電極は電極支持体１２２と同じ高さとして示されているが、１つ又は複数の電極１２４は電極支持体１２２より高くてよい。図７Ａ及び図７Ｂは、矩形の断面を有するものとして電極支持体１２２を例示しているが、電極支持体１２２は、円形又は楕円形等の他の幾何学的形状を有することができる。

【0155】

図７Ａにおいて明らかであるように、電気ケーブル１２６は、内部カテーテル軸１１８の近位端から延びることができる。内部カテーテル軸１１８は、電極１２４のうちの１つ又は複数とそれぞれ電気的に連通している導電体（図示せず）を含むことができる。いくつかの例では、電極は電子機器に個々に接続される。例えば、電極支持体がＮの電極１２４を有するとき、内部カテーテル軸１１８は、Ｎの電極のうちの異なる１つとそれぞれ電気的に連通しているＮの導電体を担持できる。結果として、電子機器は、電子機器によって選択されたＮの電極のうちのいずれか１つに電気エネルギーを印加できる。いくつかの例では、電極は、電極１２４が電子機器に個々に接続される１つ又は複数の電極選択肢を含む。例えば、電極支持体がＮの電極１２４を有するとき、内部カテーテル軸１１８は、Ｎの電極のうちの異なる１つとそれぞれ電気的に連通しているＮの導電体を担持できる。結果として、電子機器は、Ｎの電極から選択された電極のうちの任意の１つに、及び／又は、Ｎの電極から選択された電極の任意の群に電気エネルギーを印加できる。加えて又は代わりに、電子機器は、Ｎの電極から選択された電極のうちの任意の１つから、及び／又は、Ｎの電極から選択された電極の任意の群から電気エネルギーを受けてよい。

【0156】

電極１２４は、１つ又は複数の電極選択肢に接続できる。電極選択肢は、分散型電極として接続された複数の電極１２４を含むことができ、又は単一の電極を含むことができる。分散型電極内の電極１２４は、ノードを流れる電気エネルギーが分散型電極内の電極１２４全体に分散されるように、単一のノードに接続できる。結果として、電極支持体が、Ｍの電極選択肢に配置されたＮの電極１２４を有するとき、ここでＭ＜Ｎであるが、内部カテーテル軸１１８は、Ｎの電極のうちの異なる１つとそれぞれ電気的に連通しているＭの導電体を担持できる。結果として、電子機器は、Ｍの電極選択肢から選択された電極選択肢のうちのいずれか１つに、及び／又はＭの電極選択肢から選択された電極選択肢のいずれかの群に電気エネルギーを印加できる。加えて又は代わりに、電子機器は、Ｍの電極から選択された電極選択肢のうちのいずれか１つから、及び／又はＭの電極選択肢から選択された電極選択肢のいずれかの群から電気エネルギーを受けてよい。ケーブル１２６における使用に好適である導電体は、ワイヤを含むが、これらに限定されない。

【0157】

内部カテーテルは、内部カテーテル管腔として機能するカテーテルの管腔のうちの１つに受容されるように構成される。例えば、図７Ｃは、図５Ｃとの関連で開示されたカテーテルのガイドワイヤの管腔に位置づけられる図７Ａの内部カテーテルを例示する。したがって、ガイドワイヤ管腔は、内部カテーテル管腔として機能できる。図７Ｃから明らかであるように、内部カテーテル軸１１８は、カテーテル軸１２より長くすることができるので、内部カテーテル軸は、電極支持体がカテーテル軸１２を通して体腔に導入された後、アクセス可能なままである。いくつかの例では、内部カテーテルは、直径が１フレンチ以上及び／又は６フレンチ以下、且つ／又は内部カテーテルの長さが７５ｃｍ以上及び／又は２００ｃｍ以下であるカテーテル軸１１８を有する。腎神経除去に好適である一例では、内部カテーテルは、直径が２フレンチ以上５フレンチ以下、且つ／又は内部カテーテルの長さが８５ｃｍ以上１６０ｃｍ以下である内部カテーテル軸１１８を有する。カテーテル軸及び内部カテーテル軸は、同じ材料又は異なる材料で構築できる。

【0158】

カテーテルの遠位端は、被検者の体腔に挿入されるように構成される。好適な体腔の例は、静脈及び／又は腎動脈等の動脈を含むが、これらに限定されない。一例として、図８は、複数の神経を外層に有する体腔１２８の切断面図である。例えば、図８の体腔１２８は、血管全体に神経１３２を有する腎動脈等の血管を表すことができる。図６に例示されるように、バルーン１４、カテーテル軸１２の遠位部分、先端部材１５は体腔１２８に受容される。ガイドワイヤ３１は、図８に示すように、体腔１２８にカテーテルを留置することを補助するために使用できる。

【0159】

バルーン１４は、適合バルーン１４又は非適合バルーン１４であり得る。

【0160】

電子機器２２は、トランスデューサがバルーン１４の第２の膨張直径及び／又は第２の膨張圧力への膨張前、膨張中、及び／又は膨張後に音響信号を出力するように、トランスデューサ組立体３２を動作させることができる。いくつかの例では、電子機器２２は、トランスデューサ組立体３２を１から２０ＭＨｚの動作周波数で動作させることができる。例えば、トランスデューサは、約９ＭＨｚ、１０ＭＨｚ、又は１２ＭＨｚの動作周波数で構成できる。他の例では、トランスデューサは１ＭＨｚ未満の周波数で音響信号を出力する。例えば、トランスデューサは、０．１ＭＨｚ以上２０ＭＨｚ以下の動作周波数を有することができる。音響信号の動作周波数は、カテーテルの特定の用途、機能、又は使用の関数であり得る。

【0161】

１つのバルーン、又はそれぞれが１つ若しくは複数のトランスデューサ組立体を有する複数のバルーンに複数のトランスデューサ組立体を含む、ある実施例では、各トランスデューサは、同じ動作周波数又は異なる動作周波数を有してよい。ある実施例では、カテーテルは、同じ若しくは異なる用途及び／又は対象構造に対して最適化されたトランスデューサ組立体を備えてよい。例えば、ある実施例では、カテーテルは、撮像に対して最適化された動作周波数を有する、例えば、約２ＭＨｚ～６０ＭＨｚ、例えば、２０～６０ＭＨｚの周波数を有するトランスデューサを含む１つ又は複数のトランスデューサ組立体、及び切除に対して最適化された動作周波数、例えば、１ＭＨｚから２０ＭＨｚ、例えば、６ＭＨｚから１５ＭＨｚ、又は６ＭＨｚから１０ＭＨｚ、又は９ＭＨｚを有するトランスデューサを含む１つ又は複数のトランスデューサ組立体を備えてよい。例えば、除神経に最適である実施例では、トランスデューサ組立体の動作周波数のうちの１つ又は複数は、９ＭＨｚ、１０ＭＨｚ、及び／又は１２ＭＨｚであってよい。

【0162】

トランスデューサに供給されて音響信号を発生する電力は、所望又は必要に応じて異なることができる。いくつかの例では、トランスデューサに供給されて音響信号を発生する電力は、５から８０ワットである。音響信号が体腔に印加される持続時間は、治療手順、トランスデューサでの電力レベル、発した音響信号の周波数、体腔の大きさ又は治療される組織の種類、患者の年齢、患者の体重、及び患者の性別を含む種々の要因によって異なることができる。しかしながら、いくつかの例では、音響信号は、０．１秒以上２０分以下の持続時間、体腔に印加される。

【0163】

電子機器２２は、バルーン１４上の１つ又は複数の電極７６を、１つ又は複数の異なる用途に使用できる。例えば、電極７６選択肢のうちの１つ又は複数は、切除を行う電磁信号を生成するように動作してよい。例えば、電磁信号は、ＲＦ信号等の電波周波数を有することができる。したがって、電磁信号は、体腔の内面を画定する組織及び／又は体腔に隣接若しくは体腔の周りにある組織等の、体腔に関連する組織を切除するＲＦ信号であり得る。いくつかの例では、電子機器２２は、体腔内の神経、体腔を画定する組織内の神経、及び／又は体腔に隣接する且つ／若しくは体腔の周りにある神経等の、体腔に関連する神経を除去するＲＦ信号を発生するように、電極７６選択肢のうちの１つ又は複数を動作させる。一例では、１つ又は複数の電極７６は、高血圧を低減するように、腎動脈に関連する神経を除去するＲＦエネルギーを発生するために使用される。一例では、１つ又は複数の電極７６は、糖尿病を治療することに対して重要である血糖値に関与する肝動脈内の肝神経叢の交感神経を除去するＲＦエネルギーを発生するために使用される。別の例では、１つ又は複数の電極７６は、心房細動を治療するために異常な心拍リズムを誘発する心臓組織を切除するＲＦエネルギーを発生するために使用できる。

【0164】

バルーン１４上の電極７６を使用して切除のためのＲＦエネルギーを送達することにより、超音波バルーン１４カテーテル又はより剛性の高い構造上の電極７６を使用するＲＦカテーテルによる他の方法ではアクセスできないエリアに、切除エネルギーを有利に送達することができる。

【0165】

いくつかの例では、バルーン１４の電極７６のうちの１つ若しくは複数、及びトランスデューサ３４は全て同時に切除エネルギーを発生して、より効率的且つ迅速な除神経手順及び／又は切除手順を補助する。

【0166】

上述したように、電子機器２２は、１対若しくは複数対の電極７６選択肢を双極電極７６として動作させ、且つ／又は電極７６選択肢のうちの１つ若しくは複数を単極電極７６として動作させることができる。いくつかの例では、双極電極７６で切除エネルギーを印加することにより、単極電極７６の実施例より、より制御された切除及び／又はより浅い切除を可能にすることができる。いくつかの例では、電子機器２２は、双極電極７６として動作する１対又は複数対の電極７６選択肢、及び／又は単極電極７６として動作する１つ若しくは複数の電極７６選択肢を識別する。いくつかの例では、電子機器２２は、双極電極７６として動作する１対若しくは複数対の電極７６選択肢及び／又は単極電極７６として動作する１つ若しくは複数の電極７６選択肢の同一性を電子機器２２にプログラムするためにオペレータが使用するユーザ・インタフェースを含む。いくつかの例では、双極電極７６として動作する１対若しくは複数対の電極７６選択肢及び／又は単極電極７６として動作する１つ若しくは複数の電極７６選択肢は電子機器２２に格納される。例えば、カテーテルが図２Ｈに示すように配置された電極７６を有するとき、バルーン１４上で遠位に位置づけられる外部電極は、それぞれ異なる電極７６選択肢に接続され、双極電極７６として動作することができる。加えて又は代わりに、バルーン１４上で近位に位置づけられる外部電極は、それぞれ、異なる電極７６選択肢に接続され、双極電極７６として動作できる。隣接するローブ間に位置する１つ又は複数の電極７６を含む、又はそれからなる電極７６選択肢は、分散電極７６がカテーテルから離れた患者の身体上に位置づけられる場合、単極電極７６として動作できる。

【0167】

電極７６選択肢が、切除及び／又は除神経を行う電磁信号を出力する単極電極７６として動作する例では、電極７６選択肢に含まれる１つ又は複数の電極７６から出力される電磁信号は、０Ｈｚ、２Ｈｚ、９Ｈｚ、若しくは１００Ｈｚ以上、及び／又は５００Ｈｚ未満の周波数を有することができる。パルス持続時間は０．５ｍｓから１０ｍｓであり得る。加えて又は代わりに、電磁信号の電力レベルは、０．５ｍＡｍｐ以上、及び／又は１０ｍＡｍｐ以下であってよい。いくつかの例では、電磁信号は方形又は矩形の波形を有する。

【0168】

一対の電極７６選択肢が、切除及び／又は除神経を行う電磁信号を出力する双極電極７６として動作する例では、活性電極７６として機能する電極７６選択肢に含まれる１つ又は複数の電極７６から出力される電磁信号は、０Ｈｚ、２Ｈｚ、９Ｈｚ、若しくは１００Ｈｚ以上、及び／又は５００Ｈｚ未満の周波数を有することができる。パルス持続時間は０．５ｍｓから１０ｍｓである。加えて又は代わりに、電磁信号の電力レベルは、０．５ｍＡｍｐ以上、及び／又は１０ｍＡｍｐ以下であってよい。いくつかの例では、電磁信号は方形又は矩形の波形を有する。

【0169】

１つ又は複数の電極７６選択肢は、切除及び／又は除神経に加えて、或いは切除の代替又は切除への追加として、１つ又は複数の用途を行うために使用できる。１つ若しくは複数の電極７６選択肢、１つ若しくは複数の電極１２４、及び１つ若しくは複数の電極１２４選択肢に対する用途は、体腔内、体腔を画定する組織内、体腔周りの組織内、及び／又は体腔に関連する神経のマップ及び／又は感知である。電極７６選択肢、１つ若しくは複数の電極１２４、及び／又は１つ若しくは複数の電極１２４選択肢を使用して、体腔内、体腔を画定する組織内、体腔の周りの組織内、及び／又は体腔に関連する神経をマップする好適な方法の実例は、２０２１年１０月２５日に出願され、「ＣＡＴＨＥＴＥＲＳ ＦＯＲ ＮＥＵＲＡＬ ＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴＳ ＡＮＤ ＴＲＥＡＴＭＥＮＴ ＡＮＤ ＲＥＬＡＴＥＤ ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ」と題する米国仮特許出願第６３／２６３，０００号、及び２０２１年４月１１日に出願された「ＩＮＴＲＡＬＵＭＩＮＡＬ ＭＩＣＲＯＮＥＵＲＯＧＲＡＰＨＹ ＰＲＯＢＥＳ ＡＮＤ ＲＥＬＡＴＥＤ ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ」と題する米国特許公開第２０２２００９５９７９号に見出されることができ、いずれも、参照としてその全体が本明細書に組み込まれる。電極７６選択肢、１つ若しくは複数の電極１２４、及び１つ若しくは複数の電極１２４選択肢を使用して、体腔内、体腔を画定する組織内、体腔の周りの組織内、及び／又は体腔に関連する神経の感知を行う好適な方法の実例は、「ＩＮＴＲＡＬＵＭＩＮＡＬ ＭＩＣＲＯＮＥＵＲＯＧＲＡＰＨＹ ＰＲＯＢＥＳ ＡＮＤ ＲＥＬＡＴＥＤ ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ」と題する、その全体が本明細書に組み込まれる米国特許公開第２０２２／００９５９７９号に見出されることができる。

【0170】

１つ若しくは複数の電極７６選択肢、１つ若しくは複数の電極１２４、及び１つ若しくは複数の電極１２４選択肢に対する別の用途は、体腔の治療部位で神経を刺激することである。例えば、１つ若しくは複数の電極７６選択肢、１つ若しくは複数の電極１２４、及び／又は１つ若しくは複数の電極１２４選択肢に対する別の適用は、腎動脈における神経を刺激することである。１つ又は複数の電極７６を使用して神経を刺激する好適な方法の一例は、米国特許公開第２０１８／０２２１０８７号に見出され、その全体が本明細書に組み込まれ、且つ、米国特許公開第２０１７／００３５３１０号にも見出され、その全体が本明細書に組み込まれる。

【0171】

１つ若しくは複数の電極７６選択肢、１つ若しくは複数の電極１２４、及び／又は１つ若しくは複数の電極１２４選択肢に対する別の用途は、体腔の幅及び／又は断面積等の体腔の１つ若しくは複数の寸法及び／又は特徴を測定することである。例えば、電極７６選択肢間、電極１２４間、及び／又は電極１２４選択肢間のインピーダンスは、体腔の幅を測定する際に補助するために測定されてよい。１つ又は複数の電極７６選択肢は、加えて又は代替で、血管壁と電極７６及び／又はバルーン１４との間の並置を決定してよく、これは、体腔の大きさ、バルーン１４の膨張が十分であるかどうか、及び／又は適切な大きさのバルーン１４が手順で実装されたかどうかを決定する際に使用されてよい。１つ若しくは複数の電極７６選択肢、１つ若しくは複数の電極１２４、及び／又は１つ若しくは複数の電極１２４選択肢を使用して体腔の１つ若しくは複数の寸法、特徴を測定し、且つ／又はバルーン選択肢を検証する好適な方法の実例は、２０２１年７月１９日に出願され、「ＭＥＴＨＯＤＳ ＡＮＤ ＳＹＳＴＥＭＳ ＦＯＲ ＤＥＴＥＲＭＩＮＩＮＧ ＢＯＤＹ ＬＵＭＥＮ ＳＩＺＥ」と題する、その全体が本明細書に組み込まれている米国仮特許出願第６３／２２３，５１９号に見出されることができる。

【0172】

電子機器２２は、１つ又は複数の電極７６選択肢を使用して、トランスデューサからの音響信号の送信前、送信中、及び送信後からなる群から選択される１つ又は複数の瞬間に、用途のうちの１つ又は複数を行うことができる。結果として、電子機器２２は、バルーン１４の膨張前、膨張中、及び膨張後からなる群から選択される１つ又は複数の瞬間に、バルーン１４上の１つ又は複数の電極７６選択肢を使用することができる。一例として、電子機器２２は、腎動脈等の体腔に関連する神経をマップ、刺激、及び／又は感知するように、１つ又は複数の電極７６選択肢の全て又は一部を動作させることができる。体腔に関連する神経をマップ、刺激、且つ／又は感知した後、電子機器２２は、マップ且つ／又は感知された神経を切除且つ／又は除神経するように、１つ若しくは複数の電極７６選択肢の全て若しくは一部、及び／又はトランスデューサを動作させることができる。マップされた且つ／又は感知された神経に切除エネルギーを印加した後、電子機器２２は、切除エネルギーが印加された体腔のエリアを撮像するように、１つ又は複数の電極７６選択肢の全て又は一部を動作させることができる。電子機器２２及び／又はオペレータは、撮像から治療の成功を評価でき、その評価から追加の切除エネルギーを印加するかどうかを決めることができる。

【0173】

上記から明らかであるように、カテーテルの実施例は、１つ又は複数のトランスデューサ組立体を包囲し、且つ１つ又は複数の電極７６選択肢をバルーンの表面に有するバルーンを含む。カテーテルを操作する一例では、カテーテルは、１つ又は複数の電極７６選択肢が、体腔内の対象位置での神経活動を測定するように位置づけられるように体腔を通って進める。次いで、電子機器は、遠位バルーン１０４上の１つ又は複数の電極を、対象位置での神経活動を測定するように、動作させることができる。神経活動は、治療が対象位置で所望されるかどうかを決定するように、測定できる。１つ又は複数の電極を操作して神経活動を測定する好適な方法は、２０２１年４月１１日に出願され、「ＩＮＴＲＡＬＵＭＩＮＡＬ ＭＩＣＲＯＮＥＵＲＯＧＲＡＰＨＹ ＰＲＯＢＥＳ ＡＮＤ ＲＥＬＡＴＥＤ ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ」と題する米国仮特許出願第６３／２６３，０００号及び米国特許公開第２０２２００９５９７９号に見出されることができる。治療が対象位置で所望されると決定されると、電子機器は、対象位置での神経（１つ又は複数）を切除及び／又は除神経するように、トランスデューサ組立体及び／又は１つ若しくは複数の電極７６を動作させることができる。電子機器は、事前の切除及び／又は除神経の有効性を決定するように、１つ又は複数の電極７６を動作させることができる。事前の切除及び／又は除神経の有効性は、１つ又は複数の電極を使用して対象位置での神経活動のレベルを測定することによって決定できる。電子機器が、事前の切除及び／又は除神経が有効でなかった、又は不十分であったかを決定すると、電子機器は、神経のさらなる切除及び／又は除神経を行うように、トランスデューサ組立体及び／又は１つ若しくは複数の電極７６を動作させることができ、工程は、電子機器が、事前の切除が有効又は十分であったと決定するまで、繰り返すことができる。電子機器が、事前の切除が有効であったか、又は十分であったと決定すると、カテーテルは、バルーンが体腔内の第２の位置に置かれるように進められることができる。本方法は、次いで、第２の位置を対象位置として、繰り返すことができる。

【0174】

図２Ａから図６Ｅとの関連で開示されるように構築されたカテーテルのある実施例は、中間バルーン１００を近位バルーン１０２と遠位バルーン１０４との間に含む。いくつかの例では、カテーテルは、３つのバルーン全てが、体腔を閉塞するように膨張させるように操作する。他の例では、中間バルーン１００は、体腔を閉塞せず、近位バルーン１０２及び遠位バルーン１０４は、トランスデューサ組立体を体腔内の中心に合わせるために使用される。ある実施例では、１つ又は複数の電極及びトランスデューサは、全て、より効率的且つ迅速な除神経手順を補助するように、切除エネルギーを、例えば、同時に発生する。

【0175】

図２Ａから図２Ｍとの関連で開示されるように構築されたカテーテルの実例は、中間バルーン１００を近位バルーン１０２と遠位バルーン１０４との間に含む。図２Ｎは、中間バルーン１００がトランスデューサ組立体を含み、電極７６を除外する実施例を描く。近位バルーン１０２及び遠位バルーン１０４は、トランスデューサ組立体３２、及び１つ若しくは複数の電極７６も含んでよい。図２Ｎは、それぞれが個別電極７６を含む近位バルーン１０２及び遠位バルーン１０４を描くが、円周方向リング、セグメント化電極及び／又はメッシュ電極は、体腔、例えば、腎動脈の周りで３６０°神経感知及び／又は神経刺激を高めるために、追加で又は代替で設けることができる。そして、中間バルーン１００は、トランスデューサ３４のみを含むものとして描かれているが、中間バルーン１００は、電極７６を含み、又はトランスデューサ３４を除外し、電極７６のみを含んでもよい。

【0176】

カテーテルを操作する一例では、カテーテルは、１つ又は複数の電極が対象位置で神経活動を測定するために位置づけられるように、体腔を通って進められる。次いで、電子機器は、対象位置での神経活動を測定するように、遠位バルーン１０４上の１つ又は複数の電極を動作させることができる。神経活動は、近接中間バルーン１００、近位バルーン１０２及び／又は遠位バルーン１０４であってよい対象位置で治療が所望されるかどうかを決定するように測定できる。１つ又は複数の電極を操作して神経活動を測定する好適な方法が、２０２１年４月１１日に出願され、「ＩＮＴＲＡＬＵＭＩＮＡＬ ＭＩＣＲＯＮＥＵＲＯＧＲＡＰＨＹ ＰＲＯＢＥＳ ＡＮＤ ＲＥＬＡＴＥＤ ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ」と題する米国仮特許出願第６３／２６３，０００号及び米国特許公開第２０２２００９５９７９号に見出されることができる。対象位置で治療が所望されると決定すると、第１の動きは、例えば、中間バルーン１００が対象位置で神経を治療するのに好適に位置づけられるように、カテーテルを移動するように行うことができる。電子機器は、神経を除去するように、トランスデューサ組立体及び／又は中間バルーン１００上の１つ若しくは複数の電極を動作させることができる。第２の動きは、近位バルーン１０２が対象位置で神経活動を測定するのに好適に位置づけられるようにカテーテルを移動するために行うことができる。電子機器は、事前の切除及び／又は除神経の有効性を決定するように、近位バルーン１０２上の１つ又は複数の電極を動作させることができる。事前の切除の有効性は、近位バルーン１０２上の１つ又は複数の電極及び／又は遠位バルーン１０４上の１つ又は複数の電極を使用して、対象位置で神経活動のレベルを測定することによって決定できる。電子機器が、事前の切除が有効ではなかった、又は不十分であったと決定すると、第３の動きは、中間バルーン１００が対象位置で神経を治療するのに好適に位置づけられるようにカテーテルを移動するように、行うことができる。電子機器は、トランスデューサ組立体、及び／又は中間バルーン１００上の１つ若しくは複数の電極を、神経の追加の切除及び／又は除神経を行うように動作させることができる。次いで、第２の動きは繰り返され、電子機器が事前の切除が効果的又は十分であったと決定するまで工程を繰り返すことができる。電子機器が、事前の切除が有効であった、又は十分であったと決定すると、カテーテルは、遠位バルーン１０４が第２の位置に置かれるように構築できる。本方法は、次に、第２の位置を対象位置として、繰り返すことができる。

【0177】

カテーテルが内部カテーテルとともに使用されるとき、カテーテル及び／又は内部カテーテルは、ガイドワイヤ等のガイド機構、又はガイド・カテーテルを使用して体腔に送達できる。いくつかの例では、ガイドワイヤは、身体を通って体腔へ進められ、カテーテルは、ガイドワイヤの上を体腔まで進められ、ガイドワイヤは、カテーテルを通って体腔から引き出され、内部カテーテルの上を体腔まで進められる。いくつかの例では、カテーテルは、内部カテーテルが体腔へ進められた後に、体腔へ進められる。結果として、カテーテルは、内部カテーテルの前に体腔に導入できる。カテーテルは、内部カテーテルが体腔に導入された後、体腔へ進められると、内部カテーテルはガイドワイヤとして機能できる。したがって、カテーテルは、内部カテーテルに沿って体腔へ進めることができる。次に、電子機器は、対象位置で神経活動を測定するように、バルーン上の１つ又は複数の電極を動作させることができる。神経活動は、治療が対象位置で所望されるかどうかを決定するように測定できる。１つ又は複数の電極を操作して神経活動を測定する好適な方法が、２０２１年４月１１日に出願され、「ＩＮＴＲＡＬＵＭＩＮＡＬ ＭＩＣＲＯＮＥＵＲＯＧＲＡＰＨＹ ＰＲＯＢＥＳ ＡＮＤ ＲＥＬＡＴＥＤ ＳＹＳＴＥＭＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ」と題する米国仮特許出願第６３／２６３，０００号及び米国特許公開第２０２２００９５９７９号に見出されることができる。治療が対象位置で所望されると決定すると、第１の動きが、カテーテル上のバルーンが対象位置で神経を治療するのに好適に位置づけられる体腔内の位置にカテーテルを移動するように、行うことができる。電子機器は、トランスデューサ組立体及び／又はバルーン上の１つ又は複数の電極を、対象位置で神経の切除及び／又は除神経を行うように、動作させることができる。カテーテルが、治療が対象位置で所望されると決定する前に、体腔に位置していないとき、内部カテーテルは体腔内に進めることができ、次いで、カテーテルは、バルーンを所望の位置に置くように、内部カテーテルに沿って進められることができる。代わりに、カテーテルは、治療が対象位置で所望されるという決定の前に、内部カテーテル上に位置づけしてよい。例えば、神経活動が対象位置で測定される前に、内部カテーテルの電極支持体は、内部カテーテルをカテーテルの管腔に通すことによって、体腔へ導入でき、又はカテーテルは内部カテーテルの上を進めることができる。カテーテルは、治療が対象位置で所望されることが決定する前に、内部カテーテル上に位置づけられるとき、カテーテル及び内部カテーテルの組合せは、カテーテル上のバルーンが対象位置で神経を治療するのに好適に位置づけられるまで、体腔を通して同時に進めることができる。

【0178】

対象位置での神経の治療の後、切除及び／又は除神経を行うために使用されたバルーンが電極７６のうちの１つ又は複数を含むとき、電子機器は、事前の切除及び／又は除神経の有効性を決定するように、バルーン上の１つ又は複数の電極を動作させることができる。事前の切除及び／又は除神経の有効性は、バルーン上の１つ又は複数の電極７６を使用して、対象位置で神経活動のレベルを測定することによって決定できる。電子機器が、事前の切除が効果的でなかった、又は不十分であったと決定するとき、電子機器は、トランスデューサ組立体及び／又はバルーン上の１つ若しくは複数の電極を、神経の追加切除及び／又は除神経を行うように、動作させることができる。電子機器は、１つ又は複数の電極７６を使用して、事前の切除及び／又は除神経の有効性を再び決定でき、工程は、次いで、電子機器が事前の切除が有効又は十分であったと決定するまで、繰り返すことができる。電子機器が、事前の切除が有効であった、又は十分であったと決定すると、カテーテルは、電極支持体上の１つ又は複数の電極１２４が第２の位置に置かれるように構築できる。本方法は、次に、第２の位置を対象位置として、繰り返すことができる。

【0179】

対象位置での神経の治療後、切除及び／又は除神経を行うために使用されたバルーンが、電極７６のうちの１つ又は複数を含まないとき、或いは、内部カテーテル上の電極１２４のうちの１つ又は複数で神経活動を感知することが好ましいとき、第２の動きは、電極１２４のうちの１つ又は複数が対象位置で神経活動を測定するのに好適に位置づけられるようにカテーテル及び内部カテーテルを移動するように、行うことができる。電子機器は、１つ又は複数の電極１２４を、事前の切除及び／又は除神経の有効性を決定するように動作させることができる。事前の切除の有効性は、１つ又は複数の電極１２４を使用して対象位置で神経活動のレベルを測定することによって決定できる。電子機器が、事前の切除及び／又は除神経が効果的ではなかった、又は不十分であったと決定すると、第３の動きは、カテーテル及び内部カテーテルを、カテーテル上のバルーンが対象位置で神経を治療するのに好適に位置づけられる体腔内の位置に移動するように行うことができる。電子機器は、トランスデューサ組立体及び／又はバルーン上の１つ若しくは複数の電極を、神経の追加切除及び／又は除神経を行うように、動作させることができる。第２の動きは次に繰り返し、工程は、電子機器が事前の切除及び／又は除神経が有効又は十分であったと決定するまで繰り返すことができる。電子機器が、事前の切除及び／又は除神経が有効であった、又は十分であったと決定すると、第４の動きは、電極１２４のうちの１つ又は複数が、体腔内の第２の位置で神経活動を測定するのに好適に位置づけられるように、内部カテーテルを移動するように、行うことができる。本方法は、次に、第２の位置を対象位置として、繰り返すことができる。

【0180】

方法が神経活動を測定するときの上記の例のどれにも当てはまらない場合、又は上記の例の全て、若しくは一部では、カソードは使用されて、測定される神経を刺激できる。例えば、神経活動を測定するために使用される電極７６及び／又は電極１０２の全て又は一部は、神経活動の測定前に神経を刺激するために使用できる。カテーテルは、神経の刺激とその後の活動測定との間で体腔に移動させる必要がない。１つ又は複数の電極７６及び／又は電極１０２を使用して神経を刺激するのに好適な方法は、それぞれ参照としてその全体が本明細書に組み込まれる２０１８年４月２日に出願された「Ｎｅｒｖｅ Ｐｒｏｂｅ」と題する米国特許公開第２０１８／０２２１０８７号及び第１５／２９９６９４号に記載されている。結果として、神経活動は、以前に刺激された神経の神経に対して測定でき、神経の位置を特定しやすくなる。体腔内の位置で神経を刺激するために使用される１つ又は複数の電極は、神経活動を測定するために使用される１つ又は複数の電極と同じ又は異なってもよい。

【0181】

神経が刺激されるいくつかの例では、電極７６の一部は神経活動を感知するために使用され、電極７６の別の部分は神経活動を刺激するために使用され、電極１２４の一部は神経活動を感知するために使用され、電極１２４の別の部分は神経活動を刺激するために使用される。結果として、電極の一部が神経活動を感知するために使用され、電極の別の部分は同時に、神経活動を刺激するために使用される。これらの例では、神経活動を感知するために使用される各電極は、空間音響強度を低減するために、神経活動を刺激するように使用される電極によって２ｍｍを超えて分離できる。分離は、電子機器による電極の選択、又は電極支持体上若しくはバルーン上の電子機器の物理的分離の産物であり得る。

【0182】

いくつかの例では、治療が対象位置で所望されるかどうかを決定することは、神経活動の測定されたレベルを第１の活動閾値と比較することを含む、比較することからなる、又は比較することから本質的になる。神経活動の測定されたレベルが第１の活動閾値未満であるとき、治療は必要とされない、又は所望されないことがある。測定された神経活動レベルが第１の活動閾値以上であるとき、治療は必要とされ又は所望されてよい。いくつかの例では、対象位置での事前の切除が効果的でなかった、又は不十分であったと決定することは、神経活動の測定されたレベルを第２の活動閾値と比較することを含む、比較することからなる、又は比較することから本質的になる。神経活動の測定されたレベルが第２の活動閾値未満であるとき、事前の切除は有効又は十分であると決定できる。神経活動の測定されたレベルが第２の活動閾値以上であるとき、事前の切除は効果がない、又は不十分であると決定できる。

【0183】

カテーテル及び／又は内部カテーテルの動作の上記説明は、体腔内のカテーテルの１つ又は複数の動きを説明する。これらの動きは、体腔内のある位置から別の位置への移動、及び／又は体腔内のカテーテルのポジションの調整を含む。体腔内のカテーテルの動きは、体腔内の第１の位置での任意のバルーンの収縮、続いてカテーテルの物理的回転及び／又は平行移動、続いて第２の位置でのカテーテル上の１つ又は複数のバルーンの再膨張を含んでよい。

【0184】

カテーテル及び／又は内部カテーテルを操作する方法の上記の説明は、体腔内の治療部位が切除且つ／又は除神経される１つ又は複数の操作を含む。除神経及び／又は切除が１つ又は複数の電極７６の使用を含むとき、電子機器２２は、１つ又は複数の対の電極７６選択肢を双極電極７６として動作させることができる。代わりに、電子機器２２は、電極７６選択肢のうちの１つ又は複数を単極選択肢として動作させることができる。加えて、電磁信号及び音響信号は、電磁信号及び音響信号の送達を重ねることなく、順番に交互にすることができる。代わりに、電磁信号及び音響信号は同時に印加してよい。電磁信号に対する音響信号の周波数が高いと、電磁信号及び音響信号の同時印加中に、電磁信号と音響信号との間の空間音響強度を低減又は排除できる。したがって、バルーン及びバルーン内のトランスデューサ組立体に関連する１つ又は複数の電極７６は、同時に動作できる。

【0185】

除神経及び／又は切除のいくつかの例では、電磁信号は、０Ｈｚより大きい及び／又は５００Ｈｚ未満の周波数で治療部位に送達され、並びに／或いは音響信号は、１ＭＨｚ以上２０ＭＨｚ以下の周波数で治療部位に送達される。腎動脈の治療における使用に好適な実例では、電磁信号は、１００Ｈｚより大きい及び／又は５００Ｈｚ未満の周波数で治療部位に送達され、並びに／或いは音響信号は、１ＭＨｚ以上９ＭＨｚ以下の周波数で治療部位に送達される。

【0186】

上記に開示されたトランスデューサ組立体は、代わりの構築を有してよい。例えば、上記のカテーテルのうちの１つに含まれるトランスデューサ組立体のうちの１つ又は複数は、ステップ・ダウン構築を有することができる。一例として、図９は、トランスデューサ３４内へ延びる凹部１５０を含むように修正された図２Ａに示すカテーテルの断面である。凹部１５０は、図９に示すように、外部電極３８を通って延びることができる。したがって、凹部１５０の１つ又は複数の側面（１つ又は複数）は、トランスデューサ３４及び／又は外部電極３８によって画定できる。加えて又は代わりに、凹部１５０の１つ又は複数の側面は、トランスデューサ３４の終端で開口できる。第２の導電体７２等の導電体は、床及び／又は凹部１５０のうちの１つ又は複数の側面に取り付けることができる。凹部１５０は、十分に深いので導電体はトランスデューサ３４及び／又は外部電極３８から離れない。したがって、導電体は、トランスデューサ３４の外面及び／又は外部電極３８のレベルに又はレベルより下に位置づけできる。凹部１５０は、トランスデューサの軸線の周りに延びていることは示されないが、凹部１５０は、トランスデューサの軸線を囲むことができる。

【0187】

上記のトランスデューサ組立体は、任意選択で絶縁を含むこともできる。例えば、図２Ａ及び図２Ｂの上記のトランスデューサ組立体３２等のトランスデューサ組立体が、導電冷却流体、生理食塩水、又は血液等の導電体液等の導電液体に曝されるとき、導電液体は、内部電極３６と外部電極３８との間に短絡性を与えることができる。図１０Ａ及び図１０Ｂは、電気絶縁体１５２を含むように修正された図２Ａ及び図２Ｂの電極組立体３２を例示する。図１０Ａは、カテーテルの長手軸線に沿って取られたカテーテルの遠位端の断面である。図１０Ｂは、図１０ＡにＢと表示された線に沿って取られた図１０Ａに示すカテーテルの断面である。電気絶縁体１５２は、外部電極３８の外面及び内部電極３６の内面の上に位置づけられる。加えて、電気絶縁体１５２は、外部電極３８及び内部電極３６の縁辺の上に位置づけられる。結果として、電気絶縁体１５２は、流体が外部電極３８と内部電極３６との間に電気通路を形成することを防止できる。電気絶縁体１５２は、外部電極３８及び／又は内部電極３６と直接物理的に接触できる。加えて、電気絶縁体１５２は、外部電極３８及び内部電極３６の露出した縁辺の上に位置づけられる。電気絶縁体１５２は、外部電極３８及び内部電極３６の上に位置づけられて示されるが、電気絶縁体１５２は、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、外部電極３８の上に位置づけられることによって、又は、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、内部電極３６の上に位置づけられることにより、流体が外部電極３８と内部電極３６との間に電気通路を形成することを防止する。

【0188】

上記カテーテルは、開示されたバルーンを除外してバルーンのないカテーテルを提供することもできる。結果として、上記に開示されたトランスデューサ組立体３２は、バルーンに包囲される必要はない。例えば、バルーン１４は、図６Ａから図６Ｅに描かれたカテーテルから省略されてもよく、カテーテルは、血液からの冷却及び／又はトランスデューサの電極の周りに直接流体を注入することに依存してよい。ある実施例では、バルーン以外の固定機構、例えば、バスケットが、カテーテル／トランスデューサ組立体３２の中心を合わせるために使用されてよい。トランスデューサは、１ＭＨｚから２０ＭＨｚの間、例えば、約６ＭＨｚから１０ＭＨｚの間の動作周波数を有する高周波非集束トランスデューサであってよい。発電器は、組織、例えば、腎神経、肝神経、肺動脈神経等の神経を、例えば、腎動脈、肝動脈、肺動脈等の体腔内又は体腔に近接して切除している間、体腔を通過する血液を凝固させないように、配線を通して、十分に低い電力を送達してよい。

【0189】

好適な電子機器２２は、アナログ電気回路、デジタル電気回路、プロセッサ、マイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰｓ：ｄｉｇｉｔａｌ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒｓ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣｓ：Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）、コンピュータ、マイクロコンピュータ、又は上述した動作、監視及び制御機能を行うのに好適な組合せからなる群から選択される１つ又は複数の構成要素を含むことができる。いくつかの例では、電子機器２２は、１つ又は複数の電極７６選択肢の全て又は一部から出力される電磁信号にエネルギーを発生するために、電気手術ユニット（ＥＳＵ：ｅｌｅｃｔｒｏｓｕｒｇｉｃａｌ ｕｎｉｔ）等のＲＦ電気手術発電器を含む。いくつかの例では、電子機器２２は、オペレータが電子機器２２に入力を行い、並びに／或いは電子機器２２から情報及び／又はデータを抽出することを可能にするユーザ・インタフェースを含む。いくつかの例では、電子機器２２は、動作、制御及び監視機能の実行中に電子機器２２によって実行される指令を運ぶメモリを含む。電子機器２２は、単一の位置における単一の構成要素として例示されているが、電子機器２２は、互いに独立している、且つ／又は異なる位置に置かれている複数の異なる構成要素を含んでよい。

【0190】

本開示の他の実施例、組合せ及び修正は、これらの教示に鑑みれば当業者には容易に生じる。したがって、本開示は、上記の明細書及び添付図面とともに見た場合に、そのような実施例及び変形例の全てを含む以下の特許請求の範囲によってのみ制限されるべきである。

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図2E】

【図2F】

【図2G】

【図2H】

【図2I】

【図2J】

【図2K】

【図2L】

【図2M】

【図2N】

【図2O】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図3G】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図6E】

【図6F】

【図6G】

【図6H】

【図6I】

【図6J】

【図6K】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図8】

【図9】

【図10A】

【図10B】

【手続補正書】

【提出日】2024-02-15

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

少なくとも第１のトランスデューサ（３４）と、
少なくとも第１のバルーン（１４）と、を備えるカテーテル（１０）であって、
前記第１のトランスデューサ（３４）は前記第１のバルーン（１４）の内部に位置し、前記第１のトランスデューサ（３４）は動作周波数で動作するように構成され、
前記第１のトランスデューサ（３４）は、前記第１のトランスデューサ（３４）の長手軸線に沿って複数のローブを第１の音響場に与える音響信号を送信し、
前記ローブのそれぞれは、空間強度の最大値を前記第１の音響場の空間強度分布に有し、
前記空間強度分布は、前記第１のバルーン（１４）の表面にあり、前記第１のトランスデューサ（３４）の表面に平行であり、
前記第１の音響場の前記空間強度分布は、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記音響場の前記空間強度が前記第１のトランスデューサ（３４）の前記空間強度最大値のうちの１つの値の５０％以下である、１つ又は複数の低減した空間音響強度位置を有し、
前記低減した空間音響強度位置のそれぞれは、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って互いに隣接しているローブに対して前記空間強度最大値間にあり、
前記低減した空間音響強度位置のそれぞれは、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って互いに隣接している前記空間強度最大値間で前記第１のバルーン（１４）の前記表面上にあり、
前記カテーテル（１０）がさらに、
電磁信号を送信するように構成された少なくとも第１の電極（７６）を備え、前記第１の電極（７６）は、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記低減した空間音響強度位置の１つで前記第１のバルーン（１４）上に位置づけられる、カテーテル（１０）。

【請求項2】

裏部材（４２）と、
前記第１のバルーン（１４）の前記内部に位置する少なくとも第２のトランスデューサ（３４）と、をさらに備え、前記第２のトランスデューサ（３４）は、第２の音響信号を送信するように構成され、前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）は、裏部材（４２）を囲み、前記裏部材（４２）は、前記第１のトランスデューサと前記第２のトランスデューサと（３４）の間に位置する強化した可撓性領域（１１４）を有する、請求項１に記載のカテーテル（１０）。

【請求項3】

前記強化した可撓性領域（１１４）は、前記裏部材（４２）の周りに螺旋状に形成される、請求項２に記載のカテーテル（１０）。

【請求項4】

前記強化した可撓性領域（１１４）は、前記裏部材（４２）の壁を通って延びる開口部である、請求項２に記載のカテーテル（１０）。

【請求項5】

前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）は、前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）から治療部位への前記音響信号の送信により互いから離隔された病変を前記治療部位に形成するのに十分な距離だけ分離される、請求項２から４までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項6】

裏部材（４２）と、
少なくとも第２のトランスデューサ（３４）と、
少なくとも第２のバルーン（１４）と、をさらに備え、
前記第２のトランスデューサ（３４）は、前記第２のバルーン（１４）の内部に位置し、
前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）は、前記裏部材（４２）を囲み、
前記裏部材（４２）は、前記第１のトランスデューサと前記第２のトランスデューサと（３４）の間に位置する第１の強化した可撓性領域（１１４）を有する、請求項１に記載のカテーテル（１０）。

【請求項7】

前記第２のトランスデューサ（３４）は、前記第２のトランスデューサ（３４）が前記第２のトランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って複数のローブを第２の音響場に与える音響信号を送信する動作周波数で動作するように構成され、
前記ローブのそれぞれは、空間強度の最大値を前記第２の音響場の空間強度分布に有し、
前記空間強度分布は、前記第２のバルーン（１４）の表面にあり、前記第２のトランスデューサ（３４）の表面に平行であり、
前記第２の音響場の前記空間強度分布は、前記第２のトランスデューサ（３４）の前記音響場の前記空間強度が、前記第２のトランスデューサ（３４）の前記空間強度最大値のうちの１つの値の５０％以下である、１つ又は複数の低減した空間音響強度位置を有し、
前記低減した空間音響強度位置のそれぞれは、前記第２のトランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って互いに隣接しているローブに対して前記空間強度最大値間にあり、
前記カテーテル（１０）は、電磁信号を送信するように構成された少なくとも第２の電極（７６）をさらに備え、前記第２の電極（７６）は、前記第２のトランスデューサ（３４）の前記低減した空間音響強度位置の１つで前記第２のバルーン（１４）上に位置づけられ、前記第１又は第２の電極（７６）の少なくとも１つは、３６０°の円周方向電気接触を行うように構成されたワイヤの円筒形の拡張可能なメッシュを備える、請求項６に記載のカテーテル（１０）。

【請求項8】

少なくとも第３のバルーン（１４）をさらに備え、
前記裏部材（４２）は、前記第２のバルーンと前記第３のバルーンと（１４）の間に位置する第２の強化した可撓性領域（１１４）を有する、請求項７に記載のカテーテル（１０）。

【請求項9】

電磁信号を送信するように構成された、前記第３のバルーン（１４）上の少なくとも第３の電極（７６）をさらに備え、
前記第１のバルーン（１４）は、前記カテーテル（１０）の近位端に位置し、前記第３のバルーン（１４）は、前記カテーテル（１０）の遠位端に位置し、前記第２のバルーン（１４）は、前記第１のバルーンと前記第３のバルーンとの間に位置し、
前記第１の電極（７６）は、３６０°の円周方向電気的接触を行うように構成されたワイヤの円筒形の拡張可能なメッシュを含み、
前記第３の電極（７６）は、八角形の星状部を備える、請求項８に記載のカテーテル（１０）。

【請求項10】

前記第３のバルーン内に位置する第３のトランスデューサ（３４）をさらに備え、
前記第３のトランスデューサ（３４）は、前記第３のトランスデューサ（３４）が前記第３のトランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って複数のローブを第３の音響場に与える音響信号を送信する動作周波数で動作するように構成され、
前記ローブのそれぞれは、空間強度の最大値を前記第３の音響場の空間強度分布に有し、
前記空間強度分布は、前記第３のバルーンの表面にあり、前記第３のトランスデューサ（３４）の表面に平行であり、
前記第３の音響場の前記空間強度分布は、前記第３のトランスデューサ（３４）の前記音響場の前記空間強度が前記第３のトランスデューサ（３４）の前記空間強度最大値のうちの１つの値の５０％以下である、１つ又は複数の低減した空間音響強度位置を有し、
前記低減した空間音響強度位置のそれぞれは、前記第３のトランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って互いに隣接しているローブに対して前記空間強度最大値間にあり、
前記第３の電極（７６）は、前記第３のトランスデューサ（３４）の低減した空間音響強度位置で前記第３のバルーン上に位置づけられる、請求項８又は９に記載のカテーテル（１０）。

【請求項11】

前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）は、異なる動作周波数で動作するように構成される、請求項２から１０までのいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項12】

前記第１のトランスデューサ（３４）は、６ＭＨｚ以上２０ＭＨｚ以下の動作周波数で動作するように構成され、前記第２のトランスデューサ（３４）は、２０ＭＨｚ以上６０ＭＨｚ以下の動作周波数で動作するように構成される、請求項１１に記載のカテーテル（１０）。

【請求項13】

前記第１のバルーン（１４）上の少なくとも第２及び第３の電極（７６）をさらに備え、前記第２及び第３の電極（７６）は、前記第１のトランスデューサ（３４）が前記第１のトランスデューサ（３４）の前記長手軸線に沿って前記第２の電極と前記第３の電極と（７６）の間にあるように位置づけられる外部電極（７６）を含む、請求項１～４及び６のいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項14】

前記第１のバルーン（１４）上の少なくとも第２の電極（７６）をさらに備え、前記第２の電極（７６）は、前記第１のトランスデューサ（３４）の長手軸線に垂直である線が、前記第１のトランスデューサ（３４）を通って延びることなく前記第２の電極（７６）を通って延びることができるように位置づけられる外部電極（７６）を含む、請求項１～４及び６のいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項15】

前記バルーン（１４）上にフレックス回路をさらに備え、少なくとも前記第１の電極（７６）は、前記フレックス回路上に位置づけられる、請求項１及び６～９のいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項16】

少なくとも前記第１の電極（７６）は、少なくとも前記第１のバルーン（１４）の円周を囲む、分離された、リング状の、又はメッシュ状の電極である、請求項１～４及び６～９のいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項17】

少なくとも前記第１の電極（７６）は、前記第１のトランスデューサ（３４）の前記音響場の前記空間強度の最小値のうちの１つの上にある位置に置かれる、請求項１～４及び６～９のいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項18】

前記第１のバルーン（１４）の前記内部に位置し、第２の音響信号を送信するように構成される少なくとも第２のトランスデューサ（３４）と、
少なくとも第２の電極（７６）と、をさらに備え、前記第２の電極（７６）は、前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）の前記音響場の外側の位置で前記第１のトランスデューサと前記第２のトランスデューサと（３４）の間で前記第１のバルーン（１４）上に位置づけられる、請求項１に記載のカテーテル（１０）。

【請求項19】

前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）は、それぞれ、前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）のそれぞれが、音響エネルギーの単一のローブを与える音響信号を送信する動作周波数で動作するように構成され、
前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）の前記動作周波数は、１ＭＨｚ以上６０ＭＨｚ以下である、請求項２～４、６～９及び１８のいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項20】

前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）は、それぞれ、前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）のそれぞれが、音響エネルギーの単一のローブを与える音響信号を送信する動作周波数で動作するように構成され、
前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）の前記動作周波数は、１ＭＨｚ以上６０ＭＨｚ以下である、請求項２～４、６～９、１２及び１８のいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項21】

前記第１及び第２のトランスデューサ（３４）は、異なる動作周波数で動作するように構成される、請求項２、４、６～９及び１８のいずれか一項に記載のカテーテル（１０）。

【請求項22】

前記第１のトランスデューサ（３４）は、６ＭＨｚ以上２０ＭＨｚ以下の動作周波数で動作するように構成され、前記第２のトランスデューサ（３４）は、２０ＭＨｚ以上６０ＭＨｚ以下の動作周波数で動作するように構成される、請求項２１に記載のカテーテル（１０）。

【国際調査報告】