特表 2024-527482 回路基板及びこれを含む半導体パッケージ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-07-25

(54)【発明の名称】回路基板及びこれを含む半導体パッケージ

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/11 20060101AFI20240718BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20240718BHJP

【ＦＩ】

H05K1/11 N

H01L23/12 Q

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023576142

(86)(22)【出願日】2022-06-10

(85)【翻訳文提出日】2023-12-11

(86)【国際出願番号】 KR2022008175

(87)【国際公開番号】W WO2022260462

(87)【国際公開日】2022-12-15

(31)【優先権主張番号】10-2021-0075601

(32)【優先日】2021-06-10

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(31)【優先権主張番号】10-2021-0097002

(32)【優先日】2021-07-23

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】517099982

【氏名又は名称】エルジー イノテック カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100114188

【弁理士】

【氏名又は名称】小野 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100119253

【弁理士】

【氏名又は名称】金山 賢教

(74)【代理人】

【識別番号】100129713

【弁理士】

【氏名又は名称】重森 一輝

(74)【代理人】

【識別番号】100137213

【弁理士】

【氏名又は名称】安藤 健司

(74)【代理人】

【識別番号】100183519

【弁理士】

【氏名又は名称】櫻田 芳恵

(74)【代理人】

【識別番号】100196483

【弁理士】

【氏名又は名称】川嵜 洋祐

(74)【代理人】

【識別番号】100160749

【弁理士】

【氏名又は名称】飯野 陽一

(74)【代理人】

【識別番号】100160255

【弁理士】

【氏名又は名称】市川 祐輔

(74)【代理人】

【識別番号】100219265

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 崇大

(74)【代理人】

【識別番号】100203208

【弁理士】

【氏名又は名称】小笠原 洋平

(74)【代理人】

【識別番号】100146318

【弁理士】

【氏名又は名称】岩瀬 吉和

(72)【発明者】

【氏名】ベ，ジェマン

【テーマコード（参考）】

5E317

【Ｆターム（参考）】

5E317AA24

5E317BB02

5E317BB12

5E317CC25

5E317CC31

5E317CD25

5E317GG17

(57)【要約】

実施例に係る回路基板は、上面及び下面を含む絶縁層と、前記絶縁層の上面と下面を貫通する貫通電極と、を含み、前記貫通電極は、前記絶縁層の下面に隣接するように配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が減少するように第１傾斜を有する第１電極パートと、前記第１電極パート上に配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が増加するように第２傾斜を有する第２電極パートと、前記第１電極パートと前記第２電極パートの間に配置され、前記第１及び第２傾斜と異なる第３傾斜を有する第３電極パートと、を含み、前記第１電極パートのうち前記第３電極パートと一番隣接した部分の幅は、前記第３電極パートの幅より小さいか同一であり、前記第２電極パートのうち前記第３電極パートと一番隣接した部分の幅は、前記第３電極パートの幅より小さいか同一である。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

上面及び下面を含む絶縁層と、
前記絶縁層の上面と下面を貫通する貫通電極と、を含み、
前記貫通電極は、
前記絶縁層の下面に隣接するように配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が減少するように第１傾斜を有する第１電極パートと、
前記第１電極パート上に配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が増加するように第２傾斜を有する第２電極パートと、
前記第１電極パートと前記第２電極パートの間に配置され、前記第１及び第２傾斜と異なる第３傾斜を有する第３電極パートと、を含み、
前記第１電極パートのうち前記第３電極パートと一番隣接した部分の幅は、前記第３電極パートの幅より小さいか同一であり、
前記第２電極パートのうち前記第３電極パートと一番隣接した部分の幅は、前記第３電極パートの幅より小さいか同一である、回路基板。

【請求項2】

上面と下面、及び前記上面と前記下面を貫通する貫通ホールを含む絶縁層を含み、
前記貫通ホールは、
前記絶縁層の下面に隣接するように配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が減少するように第１傾斜を有する第１ホールパートと、
前記第１ホールパート上に配置され、前記上面を向かうほど幅が増加するように第２傾斜を有する第２ホールパートと、
前記第１ホールパートと前記第２ホールパートの間に配置され、前記第１及び第２傾斜と異なる第３傾斜を有する第３ホールパートと、を含み、
前記第１ホールパートのうち前記第３ホールパートと一番隣接した部分の幅は、前記第３ホールパートの幅より小さいか同一であり、
前記第２ホールパートのうち前記第３ホールパートと一番隣接した部分の幅は、前記第３ホールパートの幅より小さいか同一である、回路基板。

【請求項3】

前記回路基板は、前記絶縁層を貫通し、前記貫通ホールに対応する貫通電極を含み、
前記貫通電極は、
前記第１ホールパートに対応する第１電極パートと、
前記第２ホールパートに対応する第２電極パートと、
前記第３ホールパートに対応する第３電極パートと、を含む、請求項２に記載の回路基板。

【請求項4】

前記絶縁層の下面に配置され、前記第１電極パートと連結される第１パッドと、
前記絶縁層の上面に配置され、前記第２電極パートと連結される第２パッドを含む、請求項１または３に記載の回路基板。

【請求項5】

前記第１電極パートのうち前記第１パッドと一番隣接した部分の幅は、前記第１パッドの幅より小さく、
前記第２電極パートのうち前記第２パッドと一番隣接した部分の幅は、前記第２パッドの幅より小さい、請求項４に記載の回路基板。

【請求項6】

前記第３電極パートの上面の幅は、前記第３電極パートの下面の幅の９５%～１０５%の間の範囲を満足する、請求項１または３に記載の回路基板。

【請求項7】

前記第３傾斜は、前記絶縁層の前記上面または前記下面に対して垂直である、請求項１または３に記載の回路基板。

【請求項8】

前記第１電極パートと前記第２電極パートは、前記第３電極パートを中心に相互対称形状を有する、請求項１または３に記載の回路基板。

【請求項9】

前記第１傾斜及び前記第２傾斜は、互いに異なる方向に傾いた、請求項１または３に記載の回路基板。

【請求項10】

前記絶縁層の厚さは、３００μm以上である、請求項１または３に記載の回路基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

実施例は、回路基板及びこれを含む半導体パッケージに関するものである。

【背景技術】

【0002】

電子部品の小型化、軽量化、集積化の加速に伴い回路の線幅が微細化している。特に、半導体チップのデザインのルールがナノメートルスケールに集積化することに伴い、半導体チップを実装するパッケージ基板または回路基板の回路線幅が数マイクロメートル以下に微細化している。

【0003】

回路基板の回路集積度を高めるために、即ち回路線幅を微細化するために多様な工法が提案されている。銅メッキの後パターンを形成するためにエッチングする段階における回路線幅の損失を防止するための目的で、SAP(semi-additive process)法とMSAP(modified semi-additive process)等が提案された。

【0004】

以後、より微細な回路パターンを具現するために、銅箔を絶縁層内に埋め込むETS(Embedded Trace Substrate(以下「ETS」という)法が当業界で用いられている。ETS法は、銅箔回路を絶縁層の表面に形成する代わりに、絶縁層内に埋め込む形式で製造するので、エッチングによる回路損失がなく、回路ピーチを微細化することに有利である。

【0005】

一方、最近、無線データトラフィック需要を充足するために、改善された5G(5^th generation)通信システムまたはpre‐5G通信システムを開発するための努力がなされている。ここで、5G通信システムは、高いデータ伝送率を達成するために、超高周波(mmWave)帯域(sub 6GHz、28GHz、38GHzまたはそれ以上の周波数)を使う。

【0006】

そして、超高周波帯域における電波の経路損失緩和及び電波の伝達距離を増加させるために、5G通信システムでは、ビームフォーミング(beam forming)、massive MIMO(マッシブマイモ)、アレイアンテナ(array antenna)等の集積化技術が開発されている。このような周波数帯域で波長が数百個の活性アンテナで構成される点を考慮すると、アンテナシステムが相対的に大きくなる。

【0007】

このようなアンテナ及びAPモジュールは、回路基板にパターニングされるか実装されるので、回路基板の低損失が非常に重要である。これは、活性アンテナシステムを構成する多数の基板、即ち、アンテナ基板、アンテナ給電基板、送受信機(transceiver)基板、そして基底帯域(base band)基板が１つの小型装置(one compact unit)として集積されなければならないことを意味する。

【0008】

一方、このような回路基板には貫通電極を含んでいる。前記貫通電極は多様な機能をし、一例として信号伝達、放熱及び遮蔽機能等がすることができる。しかし、従来の回路基板は、３００μm以上の厚さを有した絶縁層に貫通電極を形成する場合、ボイド(void)のような多様な問題を持っている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

実施例は、新しい構造の貫通電極を含む回路基板及びこれを含む半導体パッケージを提供しようとする。

【0010】

また、実施例は、少なくとも３つの側面変曲部を含む貫通電極を含む回路基板及びこれを含む半導体パッケージを提供しようとする。

【0011】

また、実施例は貫通ホール及び貫通電極の中心領域における面積を増加させることができる回路基板及びこれを含む半導体パッケージを提供しようとする。

【0012】

提案される実施例で達成しようとする技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されるものでは、なく、言及されていないさらに他の技術的課題は、以下の記載から実施例が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されるだろう。

【課題を解決するための手段】

【0013】

実施例に係る回路基板は、上面及び下面を含む絶縁層と、前記絶縁層の上面と下面を貫通する貫通電極と、を含み、前記貫通電極は、前記絶縁層の下面に隣接するように配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が減少するように第１傾斜を有する第１電極パートと、前記第１電極パート上に配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が増加するように第２傾斜を有する第２電極パートと、前記第１電極パートと前記第２電極パートの間に配置され、前記第１及び第２傾斜と異なる第３傾斜を有する第３電極パートと、を含み、前記第１電極パートのうち前記第３電極パートと一番隣接した部分の幅は、前記第３電極パートの幅より小さく、前記第２電極パートのうち前記第３電極パートと一番隣接した部分の幅は、前記第３電極パートの幅より小さい。

【0014】

また、実施例に係る回路基板は、上面と下面、及び前記上面と前記下面を貫通する貫通ホールを含む絶縁層を含み、前記貫通ホールは、前記絶縁層の下面に隣接するように配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が減少するように第１傾斜を有する第１ホールパートと、前記第１ホールパート上に配置され、前記上面を向かうほど幅が増加するように第２傾斜を有する第２ホールパートと、前記第１ホールパートと前記第２ホールパートの間に配置され、前記第１及び第２傾斜と異なる第３傾斜を有する第３ホールパートと、を含み、前記第１ホールパートのうち前記第３ホールパートと一番隣接した部分の幅は、前記第３ホールパートの幅より小さく、前記第２ホールパートのうち前記第３ホールパートと一番隣接した部分の幅は、前記第３ホールパートの幅より小さい。

【0015】

また、前記回路基板は、前記絶縁層を貫通し、前記貫通ホールに対応する貫通電極を含み、前記貫通電極は、前記第１ホールパートに対応する第１電極パートと、前記第２ホールパートに対応する第２電極パートと、前記第３ホールパートに対応する第３電極パートと、を含む。

【0016】

また、前記回路基板は、前記絶縁層の下面に配置され、前記第１電極パートと連結される第１パッドと、前記絶縁層の上面に配置され、前記第２電極パートと連結される第２パッドを含む。

【0017】

また、前記第１電極パートのうち前記第１パッドと一番隣接した部分の幅は、前記第１パッドの幅より小さく、前記第２電極パートのうち前記第２パッドと一番隣接した部分の幅は、前記第２パッドの幅より小さい。

【0018】

また、前記第３電極パートの上面の幅は、前記第３電極パートの下面の幅の９５%～１０５%の間の範囲を満足する。

【0019】

また、前記第３傾斜は、前記絶縁層の前記上面または前記下面に対して垂直である。

【0020】

また、前記第１電極パートと前記第２電極パートは、前記第３電極パートを中心に相互対称形状を有する。

【0021】

また、前記第１傾斜及び前記第２傾斜は、互いに異なる方向に傾く。

【0022】

また、前記絶縁層の厚さは、３００μm以上である。

【0023】

また、前記絶縁層は、前記第１電極パートが配置される第１絶縁パートと、前記第２電極パートが配置される第２絶縁パートと、前記第３電極パートが配置される第３絶縁パートを含む。

【0024】

また、前記第１～第３絶縁パートは、互いに同一絶縁物質を含む。

【0025】

また、前記絶縁物質はプリプレグを含む。

【0026】

また、前記第１絶縁パート及び前記第２絶縁パートのそれぞれの厚さは、前記第３絶縁パートの厚さの３５%～６５%の間の範囲を有する。

【0027】

また、前記第１電極パートは、下面の幅が上面の幅より大きい台形形状を有し、前記第２電極パートは、下面の幅が上面の幅より小さい台形形状を有し、前記第３電極パートは、下面の幅と上面の幅が同一な長方形形状を有する。

【0028】

一方、実施例に係る半導体パッケージは、実装パッドを含む回路基板と、前記回路基板の前記実装パッド上に配置される接続部と、前記接続部上に配置されるチップと、前記チップをモールディングするモールディング層を含み、前記回路基板は、上面及び下面を含む絶縁層と、前記絶縁層の上面と下面を貫通する貫通電極と、を含み、前記貫通電極は、前記絶縁層の下面に隣接するように配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が減少するように第１傾斜を有する第１電極パートと、前記第１電極パート上に配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が増加するように第２傾斜を有する第２電極パートと、前記第１電極パートと前記第２電極パートの間に配置され、前記第１及び第２傾斜と異なる第３傾斜を有する第３電極パートと、を含み、前記第１電極パートのうち前記第３電極パートと一番隣接した部分の幅は、前記第３電極パートの幅より小さく、前記第２電極パートのうち前記第３電極パートと一番隣接した部分の幅は、前記第３電極パートの幅より小さく、前記チップは幅方向に相互離隔して配置される第１チップ及び第２チップを含み、前記第１チップはセントラルプロセッサ(CPU)に対応し、前記第２チップはグラフィックプロセッサ(GPU)に対応する。

【0029】

実施例に係る回路基板は、上面及び下面を含む絶縁層と、前記絶縁層の上面と下面を貫通する貫通電極と、を含み、前記貫通電極は、前記絶縁層の下面に隣接するように配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が減少するように第１傾斜を有する第１電極パートと、前記第１電極パート上に配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が増加するように第２傾斜を有する第２電極パートと、前記第１電極パートと前記第２電極パートの間に配置され、前記第１及び第２傾斜と異なる第３傾斜を有する第３電極パートと、を含み、前記第３電極パートの幅は、前記第１及び第２電極パートのうち幅が一番小さい領域の幅と同一である。

【0030】

一方、別の実施例に係る回路基板は、上面と下面、及び前記上面と前記下面を貫通する貫通ホールを含む絶縁層を含み、前記貫通ホールは、前記絶縁層の下面に隣接するように配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が減少するように第１傾斜を有する第１ホールパートと、前記第１ホールパート上に配置され、前記上面を向かうほど幅が増加するように第２傾斜を有する第２ホールパートと、前記第１ホールパートと前記第２ホールパートの間に配置され、前記第１及び第２傾斜と異なる第３傾斜を有する第３ホールパートと、を含み、前記第３ホールパートの幅は、前記第１及び第２ホールパートのうち幅が一番小さい領域の幅と同一である。

【0031】

また、前記回路基板は、前記絶縁層を貫通し、前記貫通ホールに対応する貫通電極を含み、前記貫通電極は、前記第１ホールパートに対応する第１電極パートと、前記第２ホールパートに対応する第２電極パートと、前記第３ホールパートに対応する第３電極パートと、を含む。

【0032】

また、前記第３電極パートは、上面及び下面の幅が同一であり、前記第３電極パートの下面の幅は、前記第１電極パートで幅が一番小さい領域の幅と同一であり、前記第３電極パートの上面の幅は、前記第２電極パートで幅が小さい領域の幅と同一である。

【0033】

また、前記絶縁層は、前記第１電極パートが配置される第１領域と、前記第２電極パートが配置される第２領域と、前記第３電極パートが配置される第３領域を含み、前記第３領域におけるガラス繊維の密度は、前記第１及び第２領域におけるガラス繊維の密度より大きい。

【0034】

また、前記絶縁層は、第１絶縁パート及び前記第１絶縁パート上の第２絶縁パートを含み、前記第１絶縁パートは、前記絶縁層の下面に隣接した第１-１領域と、前記絶縁層の下面に隣接した第１-２領域を含み、前記第２絶縁パートは、前記絶縁層の下面に隣接した第２-１領域と、前記絶縁層の上面に隣接した第２-２領域を含み、前記絶縁層の前記第１領域は、前記第１絶縁パートの第１-１領域に対応し、前記絶縁層の前記第２領域は、前記第２絶縁パートの第２-１領域に対応し、前記絶縁層の前記第３領域は、前記第１絶縁パートの第１-２領域及び前記第２絶縁パートの第２-１領域に対応する。

【0035】

また、前記絶縁層の下面に配置され、前記第１電極パートと連結される第１パッドと、前記絶縁層の上面に配置され、前記第２電極パートと連結される第２パッドを含む。

【0036】

また、前記第１電極パートのうち前記第１パッドと一番隣接した部分の幅は、前記第１パッドの幅より小さく、前記第２電極パートのうち前記第２パッドと一番隣接した部分の幅は、前記第２パッドの幅より小さい。

【0037】

また、前記第３電極パートの上面の幅は、前記第３電極パートの下面の幅の９５%～１０５%の間の範囲を満足する。

【0038】

また、前記第３傾斜は、前記絶縁層の前記上面または前記下面に対して垂直である。

【0039】

また、前記第１電極パートと前記第２電極パートは、前記第３電極パートを中心に相互対称形状を有する。

【0040】

また、前記第１傾斜及び前記第２傾斜は、互いに異なる方向に傾く。

【0041】

また、前記絶縁層は、樹脂及びガラス繊維を含むプリプレグを含む。

【0042】

また、前記第１電極パートは、下面の幅が上面の幅より大きい台形形状を有し、前記第２電極パートは、下面の幅が上面の幅より小さい台形形状を有し、前記第３電極パートは、下面の幅と上面の幅が同一な長方形形状を有する。

【0043】

一方、実施例に係る半導体パッケージは、実装パッドを含む回路基板と、前記回路基板の前記実装パッド上に配置される接続部と、前記接続部上に配置されるチップと、前記チップをモールディングするモールディング層を含み、前記回路基板は、上面及び下面を含む絶縁層と、前記絶縁層の上面と下面を貫通する貫通電極と、を含み、前記貫通電極は、前記絶縁層の下面に隣接するように配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が減少するように第１傾斜を有する第１電極パートと、前記第１電極パート上に配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が増加するように第２傾斜を有する第２電極パートと、前記第１電極パートと前記第２電極パートの間に配置され、前記第１及び第２傾斜と異なる第３傾斜を有する第３電極パートと、を含み、前記第１電極パートのうち前記第３電極パートと一番隣接した部分の幅は、前記第３電極パートの幅と同一であり、前記第２電極パートのうち前記第３電極パートと一番隣接した部分の幅は、前記第３電極パートの幅と同一であり、前記第３傾斜は、前記絶縁層の上面または下面に対して直角であり、前記チップは幅方向に相互離隔して配置される第１チップ及び第２チップを含み、前記第１チップはセントラルプロセッサ(CPU)に対応し、前記第２チップはグラフィックプロセッサ(GPU)に対応する。

【発明の効果】

【0044】

実施例では、一定厚さ以上(例えば、３００μm以上)のコア層である絶縁層に貫通電極を形成する場合、前記絶縁層を複数の絶縁パート(例えば、第１～第３絶縁パート)に区分し、それにより前記それぞれの絶縁パートを貫通する電極パート(例えば、第１～第３電極パート)を形成する。以後、実施例では、貫通電極を構成する第３電極パートをポストメッキ工程により先に形成した後、前記第３電極パートの下部及び上部にそれぞれ第１電極パート及び第２電極パートを形成して最終的な貫通電極を形成する。即ち、実施例では、貫通電極の中心部に対応する第３電極パートをポストメッキ方式を適用して先に生成した後に前記第３電極パートの下及び上にそれぞれ第１電極パート及び第２電極パートを形成する。これにより、実施例では、一定厚さ以上を有するコア層に貫通電極を形成する時、貫通電極の電極部に満たされない空いた空間が発生することを防止することができる。これにより、実施例では、前記貫通電極にボイドやディンプルのような問題が発生することを防止し、貫通電極の物理的信頼性及び電気的信頼性を向上させることができるようにする。

【0045】

また、実施例では、貫通電極を構成する複数の電極パートのうち中央に配置された第３電極パートはポストメッキ工程により形成され、これにより上面及び下面の幅が実質的に同一な形状を有する。これにより、実施例では、比較例における砂時計形状を有する貫通電極に比べて、貫通電極の面積を増加させることができ、これによる前記貫通電極の機能による効果を極大化することができる。例えば、前記貫通電極が信号遮蔽機能をする場合、前記信号遮蔽効果をさらに向上させることができる。例えば、前記貫通電極が放熱機能をする場合、放熱特性をさらに向上させることができる。

【0046】

また、実施例では、前記絶縁層の中央領域にガラス繊維の密集領域を含むことにより、前記貫通ホールの中央領域で前記ガラス繊維が一部露出することができる。そして、実施例における貫通電極は、前記貫通ホールを介して露出したガラス繊維を覆いながら形成される。この時、前記露出したガラス繊維は、前記貫通ホールの内壁の粗さを高める機能をし、これにより前記貫通電極の形成時に前記絶縁層と前記貫通電極の間の接合力を向上させることができる。これにより、実施例では、回路基板の多様な使用環境で発生する反り(warpage)によって前記貫通電極が前記絶縁層から分離される問題を解決することができ、これによる回路基板の物理的信頼性及び電気的信頼性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0047】

【図1a】第１比較例に係る回路基板の問題点を説明するための図面である。

【図1b】第２比較例に係る回路基板の問題点を説明するための図面である。

【図2】第１実施例に係る回路基板を示した図面である。

【図3】第１実施例に係る回路基板を示した図面である。

【図4a】実施例の第１電極パート及び第２電極パートの側面の傾斜を説明するための図面である。

【図4b】実施例の第３電極パートの側面の傾斜を説明するための図面である。

【図5】第２実施例に係る回路基板を示した図面である。

【図6】第３実施例に係る回路基板を示した図面である。

【図7】第４実施例に係る回路基板を示した図面である。

【図8】図６の絶縁層を説明するための図面である。

【図9】図６または図７に形成された貫通電極を説明するための図面である。

【図10】実施例に係る半導体パッケージを示した図面である。

【図11】図２に図示された回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図12】図２に図示された回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図13】図２に図示された回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図14】図２に図示された回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図15】図２に図示された回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図16】図２に図示された回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図17】図２に図示された回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図18】図２に図示された回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図19】図２に図示された回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図20】図２に図示された回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図21】図２に図示された回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図22】図２に図示された回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図23】図２に図示された回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【図24】図２に図示された回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【発明を実施するための形態】

【0048】

以下、添付された図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳しく説明する。

【0049】

ただし、添付された図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。なお、本発明の技術思想は、説明される一部実施例に限定されるものではなく、多様な形態に具現することができ、本発明の技術思想の範囲内であれば、実施例間の構成要素を選択的に結合または置き換えて用いることができる。

【0050】

また、本発明の実施例で用いられる用語(技術及び科学的用語を含む)は、明白に特定して記述されない限り、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に一般的に理解できる意味と解釈され、辞書に定義された用語のように一般的に使用される用語は、かかわる技術の文脈上の意味を考慮してその意味を解釈できるだろう。また、本発明の実施例で用いられる用語は、実施例を説明するためのものであり、本発明を制限しようとするものではない。

【0051】

本明細書において、単数形は、記載上特に限定しない限り複数形も含むことができ、「A及びB、Cのうち少なくとも１つ(または１つ以上)」と記載される場合、A、B、Cで組合せることのできる全ての組合せのうち１つ以上を含むことができる。また、本発明の実施例の構成要素の説明において、第１、第２、A、B、(a)、(b)等の用語を用いることができる。

【0052】

このような用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのものであり、その用語によって当該構成要素の本質または順序等が限定されるものではない。ある構成要素が他の構成要素に「連結」、「結合」または「接続」されると記載された場合、その構成要素は他の構成要素に直接的に連結または接続される場合と、各構成要素の間にさらに他の構成要素が「連結」、「結合」または「接続」される場合を全て含む。

【0053】

また、各構成要素の「上または下」に形成または配置されると記載される場合、「上または下」は、２つの構成要素が直接接触する場合だけではなく、１つ以上のさらに他の構成要素が２つの構成要素の間に形成または配置される場合も含む。また「上または下」と表現される場合、１つの構成要素を基準として、上側方向だけではなく下側方向の意味も含むことができる。

【0054】

＜比較例(従来技術の構造及びその問題点)＞
図１aは、第１比較例に係る回路基板の問題点を説明するための図面であり、図１bは、第２比較例に係る回路基板の問題点を説明するための図面である。

【0055】

以下では、図１a～図１bを参照して、比較例に係る回路基板の問題点に対して説明することにする。

【0056】

比較例の説明の前に、回路基板は、電子機器の高機能化及び半導体デバイスの高集積化に伴って高密度化が要求されている。これにより、回路基板は多層構造を有する。

【0057】

このような多層構造の回路基板が適用される製品群には、FCBGA(Flip Chip Ball Grid Array)やFCCSP(Flip Chip Chip Scale Package)が含まれる。そして、FCBGAやFCCSPに適用される回路基板にはコア層が含まれる。そして、前記コア層は、多層ビルドアップを具現するために３００μm以上の厚さを有している。また、前記コア層には、各層の回路パターンの導通のための貫通電極が形成される。前記貫通電極は、前記コア層の上面及び下面を貫通する貫通ホールを導電性物質で充填して形成することができる。しかし、上記のようなコア層は３００μm以上の厚さを有し、これにより比較例の貫通ホールを形成する工程及び/または貫通電極を形成する工程では次のような問題点がある。

【0058】

図１aの(a)のように、第１比較例ではコア層として使用される絶縁層１０を用意する。この時、前記絶縁層１０の厚さtは、３００μm以上を有することができる。

【0059】

そして、第１比較例では、前記絶縁層１０をレーザーで加工して貫通ホールを形成することができる。この時、前記絶縁層１０が３００μm以上の厚さtを有することにより、前記絶縁層１０の一側のみで貫通ホールの加工工程を行うことが困難である。これにより、一般的にレーザーを利用してコア層のような絶縁層１０に貫通ホールを形成する場合、前記絶縁層１０の上面及び下面でそれぞれ貫通ホールを形成する工程を行うことになる。

【0060】

例えば、レーザー加工により絶縁層１０に貫通ホールを形成する場合、前記貫通ホールが持つべき目標サイズに対応するように、絶縁層１０の上面で貫通ホールの第１ホールパートを形成し、前記絶縁層１０の下面で前記貫通ホールの前記第１ホールパートと連結される第２ホールパートを形成する工程を行う。

【0061】

しかし、図１aの(b)のように、上記のように前記目標サイズに対応するように第１ホールパート１１と第２ホールパート１２を形成する場合、前記第１ホールパート１１と第２ホールパート１２が互いに連結されない未貫通問題が発生する。

【0062】

これにより、第１比較例では、図１aの(c)のように、前記未貫通問題を解決するために、前記貫通ホールが持つべき目標サイズより大きいサイズを有するように前記第１ホールパートと第２ホールパートを形成している。しかし、このような場合、前記貫通ホールは、前記目標サイズより大きい幅w１を有することになる。これにより、第１比較例における貫通ホール及びこれを充填して形成される貫通電極のサイズが目的とする目標サイズに合わせにくい問題がある。さらに、第１比較例では、前記貫通ホールのサイズが大きくなることにより、前記貫通ホール内部を導電性物質で充填する過程で、ボイド(void、貫通ホール内の一部が充填されない現象)やディンプル(dimple、貫通電極の上面または下面が窪む現象)のようなメッキ問題を含んでいる。

【0063】

また、図１bの(a)及び(b)のように、第２比較例ではレーザーではなくCNC(computer numerical control)ドリルを利用して前記絶縁層１０に貫通ホール２０を形成する。そして、CNCドリルを利用する場合、前記貫通ホール２０は、上面及び下面の幅が同一幅を有することになる。そして、第２比較例では、前記貫通ホール２０を導電性物質で充填して貫通電極を形成する。この時、第２比較例における、前記貫通ホール２０は、上面及び下面の幅が同一の柱形状を有する。しかし、このような貫通ホール２０は、砂時計形状を有する図１aの貫通ホールとは違ってメッキブリッジ(bridge)を含まないので、前記貫通ホール２０内に均一に導電性物質を充填し難い問題がある。例えば、図１bの(c)のように、前記貫通ホール２０内に形成された第１貫通電極３０は、貫通ホール２０の中心部よりも貫通ホールの外側で先にメッキが完了することにより、中心部にメッキが行われない空いた空間３１が存在する問題がある。例えば、前記貫通ホール２０内に形成された第２貫通電極４０は、上面及び下面が平面ではない曲面(例えば、中心部方向にへこむ曲面)を有するディンプル部４１を含む問題がある。これを解決するために、第２比較例では、前記貫通ホール２０内部をホールプラギング方式で充填している。しかし、ホールプラギング方式は、複数回のメッキ工程とホールプラギング工程を含んでおり、これによるメッキ工程が長くなる問題がある。また、ホールプラギング工程は、製版を利用してホールプラギングを行うことで、貫通ホール内部の一部が充填されない問題がある。この時、ホールプラギング工程は、貫通ホールの一部を銅を利用して充填し、残りの一部を充填材を利用して充填する方式である。しかし、前記充填材は、前記絶縁層１０を構成するプリプレグ及び前記銅とは異なる物質からなる。これにより、ホールプラギング方式を利用した回路基板は、前記プリプレグ、前記銅及び前記充填材の間の熱膨張係数の差により反りに弱い構造を有し、これにより容易にクラックが発生する問題がある。

【0064】

これにより、実施例では、３００μm以上の厚さを有するコア層に形成された貫通ホール内部に電気的信頼性及び物理的信頼性が向上した貫通電極を形成できるようにする。例えば、実施例では、新しい構造を有する貫通電極を含んだ回路基板及びこれを含む半導体パッケージを提供しようとする。

【0065】

＜電子デバイス＞
実施例の説明の前に、実施例の回路基板にチップが実装された構造を有する半導体パッケージは、電子デバイスに含ませることができる。

【0066】

この時、電子デバイスは、メインボード(不図示)を含む。前記メインボードは、多様な部品と物理的及び/または電気的に連結される。例えば、メインボードは、実施例の半導体パッケージと連結される。前記半導体パッケージには多様なチップが実装される。大体、前記半導体パッケージには、揮発性メモリ(例えば、DRAM)、不揮発性メモリ(例えば、ROM)、フラッシュメモリ等のメモリチップと、セントラルプロセッサ(例えば、CPU)、グラフィックプロセッサ(例えば、GPU)、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ等のアプリケーションプロセッサチップと、アナログ-デジタルコンバータ、ASIC(application-specific IC)等のロジックチップ等が実装される。

【0067】

そして、実施例では、前記電子デバイスのメインボードと連結される半導体パッケージの厚さを減らしながら、１つの基板に互いに異なる種類の少なくとも２つのチップを実装することができる半導体パッケージを提供する。

【0068】

この時、前記電子デバイスは、スマートフォン(smart phone)、個人用情報端末機(personal digital assistant)、デジタルビデオカメラ(digital video camera)、デジタルスチルカメラ(digital still camera)、ネットワークシステム(network system)、コンピュータ(computer)、モニター(monitor)、タブレット(tablet)、ラップトップ(laptop)、ネットブック(netbook)、テレビ(television)、テレビゲーム(video game)、スマートウォッチ(smart watch)、オートモーティブ(Automotive)等であってもよい。ただし、これに限定されるものではなく、これら以外にもデータを処理する任意の他の電子機器であってもよいことはもちろんである。

【0069】

＜第１実施例の回路基板＞
図２及び図３は、第１実施例に係る回路基板を示した図面である。具体的に、図２は、実施例に係る回路基板で、コア層の全体的な構造を説明するための図面であり、図３は、第１実施例のコア層に含まれた貫通電極の構造を具体的に説明するための図面である。

【0070】

図２及び図３を参照すると、回路基板は、絶縁層１１０、貫通電極１２０、第１パターン層１３０、第２パターン層１４０を含む。

【0071】

実施例の回路基板は多層構造を有することができる。例えば、実施例の回路基板は、複数の絶縁層を含むことができる。ただし、図２及び図３では、多層構造を有する回路基板におけるコア層を示したものである。そして、実施例の貫通電極１２０は、コア層である絶縁層１１０を貫通しながら形成される。

【0072】

絶縁層１１０は、コア層であってもよい。例えば、絶縁層１１０は、プリプレグを含むことができる。絶縁層１１０は、回路基板の物理的強度を増加させて反り特性を向上させることができる。

【0073】

実施例の絶縁層１１０を構成するプリプレグは、ガラス繊維糸(glass yarn)で織造されたガラス布(glass fabric)のような織物シート(fabric sheet)形態の繊維層にエポキシ樹脂等を含浸された構造を有することができる。ただし、実施例の絶縁層１１０を構成するプリプレグは炭素繊維糸で織造された織物シート形態の繊維層を含むことができる。

【0074】

具体的に、前記絶縁層１１０は、樹脂及び前記樹脂内に配置される強化繊維を含むことができる。前記樹脂は、エポキシ樹脂であってもよいが、これに限定されるものではない。前記樹脂は、エポキシ樹脂に特別に制限されず、例えば分子内にエポキシ基が１つ以上含まれてもよく、これと違うようにエポキシ基が２つ以上含まれてもよく、これと違うようにエポキシ基が４つ以上含まれてもよい。また、前記絶縁層１１０を構成する樹脂は、ナフタレン(naphthalene)基が含まれてもよく、例えば芳香族アミン型であってもよいが、これに限定されるものではない。例えば、前記樹脂はビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性ヒドロキシル基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ樹脂、ビフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、キサンテン型エポキシ樹脂、TGIC(triglycidyl isocyanurate)、ゴム変性型エポキシ樹脂及びリン(phosphorous)系エポキシ樹脂等を挙げることができ、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、及びリン(phosphorous)系エポキシ樹脂を含むことができる。また、前記強化繊維は、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維(例えば、アラミド系の有機材料)、ナイロン(nylon)、シリカ(silica)系の無機材料またはチタニア(titania)系の無機材料を用いることができる。前記強化繊維は、前記樹脂内で、平面方向に互いに交差する形態で配列される。

【0075】

一方、前記ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維(例えば、アラミド系の有機材料)、ナイロン(nylon)、シリカ(silica)系の無機材料またはチタニア(titania)系の無機材料を用いることができる。

【0076】

実施例の絶縁層１１０は、複数のパートに区分することができる。例えば、絶縁層１１０は、厚さ方向に第１絶縁パート１１１、第２絶縁パート１１２及び第３絶縁パート１１３を含むことができる。ここで、前記絶縁層１１０は、第１絶縁パート１１１、第２絶縁パート１１２及び第３絶縁パート１１３を含んでいるものの、これは実質的に１つの絶縁層を構成することができる。

【0077】

例えば、絶縁層１１０は、上面TS(Top Surface)及び下面BS(Bottom Surface)を含む。そして、前記絶縁層１１０の下面BS及び上面TSにはそれぞれ第１パターン層１３０及び第２パターン層１４０が配置される。ここで、前記絶縁層１１０の下面BSは、前記第１絶縁パート１１１の下面、第２絶縁パート１１２の下面及び前記第３絶縁パート１１３の下面のうちいずれか１つを意味することができる。また、前記絶縁層１１０の上面TSは、前記第１絶縁パート１１１の上面、前記第２絶縁パート１１２の上面及び前記第３絶縁パート１１３の上面のうちいずれか１つを意味することができる。具体的に、前記絶縁層１１０の下面BSは、前記第１絶縁パート１１１の下面を意味することができる。そして、前記絶縁層１１０の上面TSは、前記第２絶縁パート１１２の上面を意味することができる。

【0078】

また、前記第１絶縁パート１１１、第２絶縁パート１１２及び第３絶縁パート１１３が実質的に１つの絶縁層１１０を構成するということは、前記第１絶縁パート１１１の下面及び前記第２絶縁パート１１２の上面を除いた他の表面にはパターン層が形成されていないことを意味することができる。例えば、前記第１絶縁パート１１１の上面、第２絶縁パート１１２の下面及び前記第３絶縁パート１１３の上面と下面にはパターン層が形成されなくてもよい。

【0079】

前記絶縁層１１０の厚さtは、３００μm以上を有することができる。前記絶縁層１１０の厚さtは、３５０μm以上を有することができる。前記絶縁層１１０の厚さtは、４００μm以上を有することができる。即ち、前記絶縁層１１０は、コア層であり、これにより回路基板の物理的剛性を増加させると共に、パッケージ工程で回路基板の反り特性を向上させるために、最小３００μm以上の厚さを有することができる。そして、実施例では、上記のように絶縁層１１０の厚さtが３００μm以上である場合に、これを３つの絶縁パートに分けて構成する。具体的に、実施例では、前記絶縁層１１０の厚さtが３００μm以上である場合、これを貫通する貫通電極１２０の物理的信頼性及び電気的信頼性を向上させるために、前記絶縁層１１０を３つのパートに区分する。ただし、実施例はこれに限定されず、前記絶縁層１１０の厚さtが３００μm未満である場合にも、これを３つのパートに区分し、それにより前記３つの絶縁パートをそれぞれ貫通する第１～第３電極パート(後述)を含む貫通電極１２０が形成されるようにすることができる。ただし、実施例で、絶縁層１１０が複数個の絶縁パートに区分され、前記複数の絶縁パートに貫通電極１２０を形成することにより表れる効果は、前記絶縁層１１０が３００μm以上の厚さを有する場合に極大化する。これにより以下では、前記絶縁層１１０が３００μm以上の厚さtを有すると仮定して説明することにする。

【0080】

前記絶縁層１１０を構成する第１絶縁パート１１１、第２絶縁パート１１２、及び第３絶縁パート１１３は、互いに異なる厚さを有することができる。例えば、第１絶縁パート１１１は、第３絶縁パート１１３より小さい厚さを有することができる。例えば、前記第２絶縁パート１１２は、前記第３絶縁パート１１３より小さい厚さを有することができる。そして、前記第１絶縁パート１１１及び第２絶縁パート１１２の厚さは、互いに対応することができる。

【0081】

前記第１絶縁パート１１１は、７５μm～１５０μmの範囲の第１厚さT１を有することができる。例えば、前記第１絶縁パート１１１は、８０μm～１３０μmの範囲の第１厚さT１を有することができる。例えば、前記第１絶縁パート１１１は、９０μm～１２０μmの範囲の第１厚さT１を有することができる。前記第１絶縁パート１１１が７５μm未満である場合、前記絶縁層１１０を３つの絶縁パートに分ける意味がなくなる。即ち、前記第１絶縁パート１１１が７５μm未満である場合、以下で説明される貫通電極１２０を複数個の電極パートに分けなくても、貫通電極の物理的及び電気的信頼性に問題が発生しない。例えば、前記第１絶縁パート１１１が７５μm未満であると、これに対応するように第２絶縁パート１１２または第３絶縁パート１１３の厚さが増加し、これにより前記第２絶縁パート１１２または第３絶縁パート１１３に形成される電極パートの電気的または物理的信頼性に問題が発生し得る。前記第１絶縁パート１１１の厚さが１５０μmを超過すると、前記第１絶縁パート１１１を貫通する貫通電極１２０の第１電極パート１２１の電気的または物理的信頼性に問題(例えば、ボイドまたはディンプル現象発生)が発生し得る。例えば、前記第１絶縁パート１１１の厚さが１５０μmを超過すると、前記第１絶縁パート１１１を貫通する第１電極パート１２１がボイド(void)またはディンプル(dimple)を含む問題が発生し得る。

【0082】

前記第２絶縁パート１１２は、前記第１絶縁パート１１１に対応する第２厚さT２を有することができる。例えば、前記第２絶縁パート１１２は、７５μm～１５０μmの範囲の第２厚さT２を有することができる。例えば、前記第２絶縁パート１１２は、８０μm～１３０μmの範囲の第２厚さT２を有することができる。例えば、前記第２絶縁パート１１２は、９０μm～１２０μmの範囲の第２厚さT２を有することができる。例えば、前記第２絶縁パート１１２が７５μm未満であると、これに対応するように第１絶縁パート１１１または第３絶縁パート１１３の厚さが増加し、これにより前記第１絶縁パート１１１または第３絶縁パート１１１に形成される電極パートの電気的または物理的信頼性に問題(例えば、ボイドまたはディンプル現象発生)が発生し得る。前記第２絶縁パート１１２の厚さが１５０μmを超過すると、前記第２絶縁パート１１２を貫通する貫通電極１２０の第２電極パート１２２の電気的または物理的信頼性に問題が発生し得る。例えば、前記第２絶縁パート１１２の厚さが１５０μmを超過すると、前記第２絶縁パート１１２を貫通する第２電極パート１２２がボイド(void)またはディンプル(dimple)を含む問題が発生し得る。

【0083】

前記第３絶縁パート１１３は、前記第１絶縁パート１１１の第１厚さT１または第２絶縁パート１１２の第２厚さT２より大きい第３厚さT３を有することができる。例えば、前記第３絶縁パート１１３は、１５０μm～３００μmの範囲の第３厚さT３を有することができる。例えば、第３絶縁パート１１３は、１６５μm～２８０μmの範囲の第３厚さT３を有することができる。例えば、第３絶縁パート１１３は、１８０μm～２５０μmの範囲の第３厚さT３を有することができる。前記第３絶縁パート１１３の厚さが１５０μm未満であると、これに対応するように第１絶縁パート１１１または第２絶縁パート１１２の厚さが増加し、これにより前記第１絶縁パート１１１または第２絶縁パート１１２を貫通する第１電極パート１２１または第２電極パート１２２にボイドまたはディンプルが含まれる問題が発生し得る。また、前記第３絶縁パート１１３が３００μmを超過する場合、前記第３絶縁パート１１３を貫通する第３電極パート１２３を形成する工程における工程数が増加する。例えば、前記第３絶縁パート１１３が３００μmを超過する場合、これに対応するように第３電極パート１２３の厚さも３００μmを超過し、これにより３００μmを超過する第３電極パート１２３を形成するためには、複数のメッキ工程を行わなければならない問題がある。具体的に、前記第３電極パート１２３は、ポスト(post)メッキ工程により形成される。この時、１回のメッキ工程で形成することができる前記第３電極パート１２３に対応するポストの厚さは、３００μm程度である。これにより、前記第３電極パート１２３が３００μmを超過する場合、複数回のポストメッキ工程を行わなければならず、これによる製造工程が複雑になる問題がある。

【0084】

一方、前記第１絶縁パート１１１、第２絶縁パート１１２及び第３絶縁パート１１３は、絶縁層１１０の厚さtによって決定される。これにより、前記第１絶縁パート１１１及び第２絶縁パート１１２のそれぞれの厚さは、前記第３絶縁パート１１３の厚さの３５%～６５%の間の範囲を有するようにする。例えば、前記第１絶縁パート１１１及び第２絶縁パート１１２のそれぞれの厚さは、第３絶縁パート１１３の３８%～６２%の範囲を有するようにする。例えば、前記第１絶縁パート１１１及び第２絶縁パート１１２のそれぞれの厚さは、第３絶縁パート１１３の４０%～５８%の範囲を有するようにする。そして、前記第１絶縁パート１１１及び第２絶縁パート１１２のそれぞれの厚さが前記第３絶縁パート１１３の３５%～６５%の間の範囲を外れる場合、上述したような物理的または電気的信頼性問題が発生し得る。

【0085】

実施例の回路基板は、前記絶縁層１１０を貫通する貫通電極１２０を含む。例えば、前記貫通電極１２０は、前記第１絶縁パート１１１を貫通する第１電極パート１２１、前記第２絶縁パート１１２を貫通する第２電極パート１２２及び前記第３絶縁パート１１３を貫通する第３電極パート１２３を含む。

【0086】

具体的に、前記第１電極パート１２１は、前記絶縁層１１０の下面BSに隣接するように配置され、前記絶縁層１１０の上面TSを向かうほど幅が漸減するように第１傾斜を有することができる。前記第１傾斜は、前記絶縁層１１０の下面BSに対する前記第１電極パート１２１の側面の傾斜を意味することができる。これと違うように、前記第１傾斜は、前記絶縁層１１０の上面TSに対する前記第１電極パート１２１の側面の傾斜を意味することができる。

【0087】

また、前記第２電極パート１２２は、前記第１電極パート１２１上に配置される。例えば、前記第２電極パート１２２は、前記絶縁層１１０の上面TSに隣接するように配置される。前記第２電極パート１２２は、前記絶縁層１１０の上面TSを向かうほど幅が漸増するように第２傾斜を有することができる。即ち、前記第２電極パート１２２は、前記第１電極パート１２１が有する第１傾斜とは異なる第２傾斜を有することができる。前記第２傾斜は、前記絶縁層１１０の下面に対する前記第２電極パート１２２の側面の傾斜を意味することができる。これと違うように、前記第２傾斜は、前記絶縁層１１０の上面に対する前記第２電極パート１２２の側面の傾斜を意味することができる。

【0088】

即ち、前記絶縁層１１０の下面BSに対する前記第１電極パート１２１の側面の第１傾斜は、前記絶縁層１１０の下面BSに対する前記第２電極パート１２２の側面の第２傾斜と異なってもよい。また、前記絶縁層１１０の上面TSに対する前記第１電極パート１２１の側面の第１傾斜は、前記絶縁層１１０の上面TSに対する前記第２電極パート１２２の側面の第２傾斜と異なってもよい。

【0089】

前記第３電極パート１２３は、前記第１電極パート１２１と前記第２電極パート１２２の間に配置することができる。前記第３電極パート１２３は、前記第１電極パート１２１が有する第１傾斜及び前記第２電極パート１２２が有する第２傾斜と異なる第３傾斜を有することができる。前記第３傾斜は、前記絶縁層１１０の下面BSに対する前記第３電極パート１２３の側面の傾斜を意味することができる。これと違うように、前記第３傾斜は、絶縁層１１０の上面TSに対する前記第３電極パート１２３の側面の傾斜を意味することができる。

【0090】

結論的に、前記絶縁層１１０の下面BSに対する前記第３電極パート１２３の側面の第３傾斜は、前記絶縁層１１０の下面BSに対する前記第１電極パート１２１の側面の第１傾斜及び前記絶縁層１１０の下面BSに対する前記第２電極パート１２２の側面に対する第２傾斜と異なってもよい。また、前記絶縁層１１０の上面TSに対する第３電極パート１２３の側面の第３傾斜は、前記絶縁層１１０の上面TSに対する前記第１電極パート１２１の側面の第１傾斜及び前記絶縁層１１０の上面TSに対する前記第２電極パート１２２の側面の第２傾斜と異なってもよい。

【0091】

これにより、実施例の貫通電極１２０の側面は、複数の変曲部を含むことができる。例えば、貫通電極１２０の側面は、前記第１電極パート１２１と前記第３電極パート１２３の境界部分に形成された第１変曲部と、前記第２電極パート１２２と前記第３電極パート１２３の境界部分に形成された第２変曲部を含むことができる。

【0092】

一方、上記のような貫通電極１２０の第１電極パート１２１、第２電極パート１２２及び第３絶縁パート１１３は、前記絶縁層１１０のそれぞれの絶縁パートを貫通しながら形成される。

【0093】

例えば、前記絶縁層１１０は、前記貫通電極１２０が配置される貫通ホールTHを含むことができる。

【0094】

具体的に、絶縁層１１０の第１絶縁パート１１１は、前記第１電極パート１２１が配置される前記貫通ホールTHの第１ホールパートTH１を含むことができる。そして、前記第１ホールパートTH１は、前記第１電極パート１２１に対応する形状を有することができる。例えば、前記第１ホールパートTH１は、前記絶縁層１１０の下面に隣接するように配置され、前記絶縁層１１０の上面TSを向かうほど幅が漸減することができる。例えば、前記第１ホールパートTH１の内壁は、前記第１電極パート１２１が有する第１傾斜に対応する傾斜を有することができる。

【0095】

また、絶縁層１１０の第２絶縁パート１１２は、前記第２電極パート１２２が配置される前記貫通ホールTHの第２ホールパートTH２を含むことができる。そして、前記第２ホールパートTH２は、前記第２電極パート１２２に対応する形状を有することができる。例えば、前記第２ホールパートTH２は、前記絶縁層１１０の上面に隣接するように配置され、前記絶縁層１１０の上面TSを向かうほど幅が漸増することができる。例えば、前記第２ホールパートTH２の内壁は、前記第２電極パート１２２が有する第２傾斜に対応する傾斜を有することができる。

【0096】

また、前記絶縁層１１０の第３絶縁パート１１３は、前記第３電極パート１２３が配置される前記貫通ホールTHの第３ホールパートTH３を含むことができる。そして、前記第３ホールパートTH３は、前記第３電極パート１２３に対応する形状を有することができる。例えば、前記第３ホールパートTH３は、前記第１ホールパートTH１及び前記第２ホールパートTH２の間に配置され、前記第１ホールパートTH１及び前記第２ホールパートTH２と異なる傾斜を有することができる。例えば、前記第３ホールパートTH３の内壁は、前記第３電極パート１２３が有する第３傾斜に対応する傾斜を有することができる。

【0097】

一方、前記第１ホールパートTH１及び前記第２ホールパートTH２は、前記第１電極パート１２１及び前記第２電極パート１２２が配置されるために、前記第１絶縁パート１１１及び前記第２絶縁パート１１２にそれぞれ形成された機械加工ホール、レーザー加工ホール及び化学加工ホールのうちいずれか１つであってもよい。そして、前記第１電極パート１２１及び第２電極パート１２２は、前記第１ホールパートTH１及び前記第２ホールパートTH２の内部を導電性物質で充填して形成される。一例として、前記第１ホールパートTH１及び前記第２ホールパートTH２の内部は、メッキ工程により充填されてもよい。即ち、前記第１ホールパートTH１及び前記第２ホールパートTH２は、機械、レーザー及び化学加工のうちいずれか１つの加工方式によって形成される。前記ビアホールが機械加工によって形成される場合には、ミーリング(Milling)、ドリル(Drill)及びルーティング(Routing)等の方式を用いることができ、レーザー加工によって形成される場合には、UVやCO_２レーザー方式を用いることができ、化学加工によって形成される場合には、アミノシラン、ケトン類等を含む薬品を利用して前記第１絶縁パート１１１及び第２絶縁パート１１２を開放することができる。

【0098】

一方、前記レーザーによる加工は、光学エネルギーを表面に集中させて材料の一部を溶かして蒸発させ、所望の形態を取る切断方法として、コンピュータープログラムによる複雑な形状も容易に加工することができ、他の方法では切断しにくい複合材料も加工することができる。また、前記レーザーによる加工は、切断直径が最小０.００５mmまで可能であり、加工可能な厚さ範囲が広い長所がある。前記レーザー加工ドリルとして、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)レーザーやCO_２レーザーや紫外線(UV)レーザーを利用することが好ましい。YAGレーザーは、銅箔層及び絶縁層の全てを加工することができるレーザーであり、CO_２レーザーは、絶縁層のみを加工できるレーザーである。

【0099】

これにより、前記第１ホールパートTH１に充填された第１電極パート１２１は、上面の幅W１が下面の幅W２より小さい台形形状を有することができ、第２ホールパートTH２に充填された第２電極パート１２２は、上面の幅W３が下面の幅W４より大きい台形形状を有することができる。一例として、前記第１電極パート１２１及び前記第２電極パート１２２は、前記第３電極パート１２３を中心に相互対称形状を有することができるが、これに限定されるものではない。

【0100】

一方、前記第３ホールパートTH３は、前記第１ホールパートTH１及び前記第２ホールパートTH２とは違って、前記第３電極パート１２３によって形成されてもよい。例えば、実施例の回路基板は、前記第３電極パート１２３が形成された状態で、これを取り囲んで前記第３絶縁パート１１３が配置される。これにより、前記第３絶縁パート１１３は、前記第３電極パート１２３に対応する第３ホールパートTH３を有することができる。

【0101】

結論的に、前記第１ホールパートTH１及び前記第２ホールパートTH２は、前記第１電極パート１２１及び第２電極パート１２２を形成するために、前記第１絶縁パート１１１及び前記第２絶縁パート１１２を開放した部分である。そして、前記第３ホールパートTH３は、既に完成された第３電極パート１２３を前記第３絶縁パート１１３が取り囲んで配置されることによって形成される部分である。この時、前記第３電極パート１２３は、ポストメッキ工程によって形成され、これにより下面の幅W５と上面の幅W６が実質的に同一である。例えば、前記第３電極パート１２３の上面の幅W６は、前記第３電極パート１２３の下面の幅W５の９５%～１０５%の間の範囲を満足することができる。

【0102】

一方、前記第１電極パート１２１のうち前記第３電極パート１２３と一番隣接した部分の幅は、前記第３電極パート１２３の幅より小さくてもよい。例えば、前記第１電極パート１２１の上面の幅W１は、前記第３電極パート１２３の下面の幅W５または上面の幅W６より小さくてもよい。

【0103】

また、前記第２電極パート１２２のうち前記第３電極パート１２３と一番隣接した部分の幅は、前記第３電極パート１２３の幅より小さくてもよい。例えば、前記第２電極パート１２２の下面の幅W４は、前記第３電極パート１２３の上面の幅W６または下面の幅W５より小さくてもよい。

【0104】

これに対応するように、前記第１ホールパートTH１のうち前記第３ホールパートTH３と一番隣接した部分の幅は、前記第３ホールパートTH３の幅より小さくてもよい。そして、前記第２ホールパートTH２のうち前記第３ホールパートTH３と一番隣接した部分の幅は、前記第３ホールパートTH３の幅より小さくてもよい。

【0105】

一方、実施例の絶縁層１１０の下面BSには、第１パターン層１３０が配置され、前記絶縁層１１０の上面TSには、第２パターン層１４０が配置される。前記第１パターン層１３０及び第２パターン層１４０は、貫通電極１２０と連結される少なくとも１つのパッドと、前記パッドと連結されるトレースを含むことができる。例えば、第１パターン層１３０は、前記貫通電極１２０の下面(例えば、第１電極パート１２１の下面)と連結される第１パッドを含むことができる。例えば、第２パターン層１４０は、前記貫通電極１２０の上面(例えば、第２電極パート１２２の上面)と連結される第２パッドを含むことができる。

【0106】

前記第１パターン層１３０の前記第１パッドは、前記第１電極パート１２１より大きい幅を有することができる。例えば、前記第１パターン層１３０の第１パッドは、前記第１電極パート１２１の下面の幅W２より大きい幅を有することができる。これにより、実施例では、第１パターン層１３０の前記第１パッドが第１電極パート１２１の下面を全体的に覆いながら配置されるようにして、前記第１パッドが有する機能(例えば、信号伝達、放熱または遮蔽)の信頼性(例えば、信号伝達特性、放熱特性、遮蔽特性)を向上させることができるようにする。

【0107】

前記第２パターン層１４０の前記第２パッドは、前記第２電極パート１２２より大きい幅を有することができる。例えば、前記第２パターン層１４０の第２パッドは、前記第２電極パート１２２の上面の幅W３より大きい幅を有することができる。これにより、実施例では、第２パターン層１４０の前記第２パッドが第２電極パート１２２の上面を全体的に覆いながら配置されるようにして、前記第２パッドが有する機能(例えば、信号伝達、放熱または遮蔽)の信頼性(例えば、信号伝達特性、放熱特性、遮蔽特性)を向上させることができるようにする。

【0108】

前記第１パターン層１３０及び前記第２パターン層１４０は、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、銅(Cu)及び亜鉛(Zn)から選択される少なくとも１つの金属物質からなることができる。

【0109】

また、第１パターン層１３０及び前記第２パターン層１４０は、ボンディング力が直ぐに金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)から選択される少なくとも１つの金属物質を含むペーストまたはソルダーペーストからなることができる。好ましくは、前記第１パターン層１３０及び第２パターン層１４０は、電気伝導性が 高く、かつ比較的安価な銅(Cu)からなることができる。

【0110】

前記第１パターン層１３０及び第２パターン層１４０は、通常の回路基板の製造工程であるアディティブ法(Additive process)、サブトラクティブ法(Subtractive Process)、MSAP(Modified Semi Additive Process)及びSAP(Semi Additive Process)法等を用いて形成することができ、ここでは詳細な説明を省略する。

【0111】

上記のように、実施例では、一定厚さ以上(例えば、３００μm以上)のコア層である絶縁層１１０に貫通電極１２０を形成する場合、前記絶縁層１１０を複数の絶縁パート(例えば、第１～第３絶縁パート)に区分し、それにより前記それぞれの絶縁パートを貫通する電極パート(例えば、第１～第３電極パート)を形成する。これにより、実施例では、前記貫通電極１２０にボイドやディンプルのような問題が発生することを防止し、貫通電極１２０の物理的信頼性及び電気的信頼性を向上させることができるようにする。また、実施例では、貫通電極１２０を構成する複数の電極パートのうち中央に配置された第３電極パート１２３は、ポストメッキ工程により形成され、これにより上面及び下面の幅が実質的に同一な形状を有する。これにより、実施例では、比較例における砂時計形状を有する貫通電極に比べて、貫通電極の面積を増加させることができ、これによる前記貫通電極の機能による効果を極大化することができる。例えば、前記貫通電極が信号遮蔽機能をする場合、前記信号遮蔽効果をさらに向上させることができる。例えば、前記貫通電極が放熱機能をする場合、放熱特性をさらに向上させることができる。

【0112】

また、実施例で、第３電極パート１２３ではなく、第１電極パート１２１及び第２電極パート１２３の幅を増加させることもできるが、前記第１電極パート１２１及び第２電極パート１２３の幅が増加する場合、第１パターン層１３０または第２パターン層１４０の配置空間が減少して、これによる回路パターンの密集度が減少し、これによる回路基板の幅方向または長さ方向への体積が増加する。反面、実施例における前記第３電極パート１２３の幅が増加しても、前記第１パターン層１３０や第２パターン層１４０に全く影響を与えない。これは、第３電極パート１２３は、絶縁層１１０の中央に配置されることで、前記第３電極パート１２３と長さ方向または幅方向(図面上で水平方向)に離隔するパターン層が存在しないからである。

【0113】

以下では、実施例に係る第１電極パート１２１、第２電極パート１２２及び第３電極パート１２３が有する第１～第３傾斜に対して説明することにする。この時、前記第１電極パート１２１、前記第２電極パート１２２及び第３電極パート１２３が配置される第１ホールパートTH１、第２ホールパートTH２及び第３ホールパートTH３のそれぞれの内壁の傾斜は、前記第１電極パート１２１、第２電極パート１２２及び第３電極パート１２３が有する第１～第３傾斜にそれぞれ対応することができる。

【0114】

図４aは、実施例の第１電極パート及び第２電極パートの側面の傾斜を説明するための図面であり、図４bは、実施例の第３電極パートの側面の傾斜を説明するための図面である。

【0115】

以下では、図４a及び図４bを参照して、第１電極パート１２１、第２電極パート１２２及び第３電極パート１２３のそれぞれの側面の傾斜に対して説明する。

【0116】

前記第１電極パート１２１、前記第２電極パート１２２及び前記第３電極パート１２３の側面の第１～第３傾斜は、前記絶縁層１１０の上面TSに対する傾斜であり、これと違うように下面BSに対する傾斜であってもよい。

【0117】

図４aの(a)のように、第１電極パート１２１の側面は、前記絶縁層１１０の上面TSに対して第１傾斜を有することができる。例えば、前記絶縁層１１０の上面TSと前記第１傾斜を有する第１電極パート１２１の側面の間の内角θ１は鋭角であってもよい。

【0118】

これと違うように、図４aの(b)のように、前記第２電極パート１２２の側面は、前記絶縁層１１０の上面TSに対して前記第１傾斜と異なる第２傾斜を有することができる。例えば、前記絶縁層１１０の上面TSと前記第２傾斜を有する第２電極パート１２２の側面の間の内角θ２は鈍角であってもよい。

【0119】

一方、図４aの(c)のように、第１電極パート１２１の側面は、前記絶縁層１１０の下面BSに対して第１傾斜を有することができる。例えば、前記絶縁層１１０の下面BSと前記第１傾斜を有する第１電極パート１２１の側面の間の内角θ３は鈍角であってもよい。

【0120】

これと違うように、図４aの(d)のように、前記第２電極パート１２２の側面は、前記絶縁層１１０の下面BSに対して前記第１傾斜と異なる第２傾斜を有することができる。例えば、前記絶縁層１１０の下面BSと前記第２傾斜を有する第２電極パート１２２の側面の間の内角θ４は鈍角であってもよい。

【0121】

一方、図４bに図示されたように、前記第３電極パート１２３は、前記第１電極パート１２１の第１傾斜及び前記第２電極パート１２２の第２傾斜とは異なる第３傾斜を有することができる。

【0122】

前記第３傾斜は、前記絶縁層１１０の上面TSに対する前記第３電極パート１２３の側面の傾斜を意味することができ、これと違うように前記絶縁層１１０の下面BSに対する前記第３電極パート１２３の側面の傾斜を意味することができる。

【0123】

具体的に、前記第３電極パート１２３の側面は、前記絶縁層１１０の上面TSに対して前記第１及び第２傾斜と異なる第３傾斜を有することができる。例えば、前記絶縁層１１０の上面TSと前記第３傾斜を有した第３電極パート１２３の側面の間の内角θ５は直角であってもよい。例えば、前記絶縁層１１０の下面BSと前記第３傾斜を有した第３電極パート１２３の側面の間の内角θ６は直角であってもよい。

【0124】

＜第２実施例の回路基板＞
図５は、第２実施例に係る回路基板を示した図面である。

【0125】

図５の回路基板は、図２及び図３の回路基板がコア層で含まれた回路基板を意味することができる。

【0126】

例えば、回路基板は、図２及び図３の回路基板をコア層として含むことができる。

【0127】

即ち、回路基板は、絶縁層の層数を基準として３層構造を有することができる。ただし、実施例はこれに限定されず、回路基板は２層構造を有することができ、これと違うように４層以上の層数を有することもできる。

【0128】

そして、多層構造を有する回路基板は、図２の絶縁層１１０をコア層である第１絶縁層１１０として含むことができる。そして、前記第１絶縁層１１０は、上記説明したように第１～第３絶縁パート１１１、１１２、１１３を含むことができる。

【0129】

また、回路基板は、前記第１絶縁層１１０を貫通する貫通電極１２０を含むことができる。そして、前記貫通電極１２０は、それぞれの絶縁パートを貫通する第１電極パート１２１、第２電極パート１２２及び第３電極パート１２３を含むことができる。

【0130】

また、前記第１絶縁層１１０の下面には、第１パターン層１３０が配置され、前記第１絶縁層１１０の上面には、第２パターン層１４０が配置される。

【0131】

また、回路基板は、前記第１絶縁層１１０下に配置される第２絶縁層１５０を含むことができる。この時、前記第２絶縁層１５０は多層構造の回路基板で、最下側に配置された最下側絶縁層を意味することができる。例えば、前記回路基板が４層以上の層数を有する場合、前記第１絶縁層１１０と第２絶縁層１５０の間には少なくとも１つの絶縁層(不図示)及びパターン層(不図示)がさらに配置されてもよい。

【0132】

また、回路基板は、前記第２絶縁層１５０を貫通する第２貫通電極１５５及び前記第２絶縁層１５０の下面に配置される第３パターン層１６０を含むことができる。

【0133】

また、前記回路基板は、前記第１絶縁層１１０上に配置される第３絶縁層１７０を含むことができる。前記第３絶縁層１７０は多層構造の回路基板で、最上側に配置された最上側絶縁層を意味することができる。例えば、前記回路基板が４層以上の層数を有する場合、前記第１絶縁層１１０と前記第３絶縁層１７０の間には少なくとも１つの絶縁層(不図示)及びパターン層１６０がさらに配置されてもよい。

【0134】

また、前記回路基板は、前記第３絶縁層１７０を貫通する第３貫通電極１７５及び前記第３絶縁層１７０の上面に配置される第４パターン層１８０を含むことができる。

【0135】

また、前記回路基板は、第１保護層１９０及び第２保護層１９５を含むことができる。前記第１保護層１９０及び第２保護層１９５は実質的に絶縁層というもできるが、前記絶縁層１１０との区分のために保護層と指称した。

【0136】

前記第１保護層１９０は、前記第２絶縁層１５０の上面に配置され、前記第３パターン層１６０の下面の一部を露出する開口部(不図示)を含むことができる。また、前記第２保護層１９５は、前記第３絶縁層１７０の上面に配置され、前記第４パターン層１８０の上面の一部を露出する開口部(不図示)を含むことができる。前記第１保護層１９０及び第２保護層１９５は、前記第２絶縁層１５０の下面及び前記第３絶縁層１６０の上面を保護するソルダーレジストであってもよいが、これに限定されるものではない。

【0137】

＜第３及び第４実施例の回路基板＞
図６は、第３実施例に係る回路基板を示した図面であり、図７は、第４実施例に係る回路基板を示した図面であり、図８は、図６の絶縁層を説明するための図面である。図９は、図６または図７に形成された貫通電極を説明するための図面である。

【0138】

図６～図９を参照すると、回路基板は、絶縁層１１１０、貫通電極１１２０、第１パターン層１１３０及び第２パターン層１１４０を含むことができる。

【0139】

絶縁層１１１０はコア層であってもよい。本実施例では、コア層１１１０が絶縁層１１１０と同じ構成であってもよいと示しているが、これに限定せずに、絶縁層１１１０はコア層１１１０以外に他の構成をさらに含むことができる。

【0140】

例えば、絶縁層１１１０はプリプレグを含むことができる。

【0141】

実施例の絶縁層１１１０は、複数の領域に区分される。例えば、絶縁層１１１０は、厚さ方向に第１領域１１１１、第２領域１１１２及び第３領域１１１３に区分される。これのために、絶縁層１１１０は、厚さ方向に複数のパートに区分することができる。ただし、実施例で、前記絶縁層１１１０が複数のパートに区分される場合、これは、前記絶縁層１１１０を厚さ方向に複数の領域に区分するためのものに過ぎず、実質的には１層の絶縁層を構成することができる。

【0142】

例えば、絶縁層１１１０は、厚さ方向に最小３つの領域に区分される。そして、前記絶縁層１１１０の前記３つの領域に含まれるガラス繊維の密度は、互いに異なってもよい。

【0143】

例えば、絶縁層１１１０は、上面TS(Top Surface)及び下面BS(Bottom Surface)を含む。そして、前記絶縁層１１１０の下面BS及び上面TSにはそれぞれ第１パターン層１１３０及び第２パターン層１１４０が配置される。そして、前記絶縁層１１１０は、前記絶縁層１１１０の下面BSに隣接した第１領域１１１１と、前記絶縁層１１１０の上面TSに隣接した第２領域１１１２と、前記第１領域１１１１及び第２領域１１１２の間の第３領域１１１３に区分される。

【0144】

そして、前記第１領域１１１１におけるガラス繊維の密度は、前記第３領域１１１３におけるガラス繊維の密度と異なってもよい。また、前記第２領域１１１２におけるガラス繊維の密度は、第３領域１１１３におけるガラス繊維の密度と異なってもよい。例えば、前記絶縁層１１１０の第３領域１１１３におけるガラス繊維の密度は、前記第１領域１１１１及び前記第２領域１１１２のそれぞれにおけるガラス繊維の密度より大きくてもよい。

【0145】

この時、前記第１領域１１１１、第２領域１１１２及び第３領域１１１３のそれぞれの厚さは、互いに異なってもよい。これにより、前記絶縁層１１１０の第１領域１１１１におけるガラス繊維の重量%と、前記第２領域１１１２におけるガラス繊維の重量%のそれぞれは、前記絶縁層１１１０の第３領域１１１３におけるガラス繊維の重量%より小さくてもよい。

【0146】

例えば、実施例では、図６に図示されたように、絶縁層１１１０の第１領域１１１１には、第１ガラス繊維１１１１-１が含まれ、前記第２領域１１１２には、第２ガラス繊維１１１２-１が含まれ、前記第３領域１１１３には、第３ガラス繊維１１１３-１が含まれてもよい。そして、このような場合、前記第３ガラス繊維１１１３-１の重量%は、前記第１ガラス繊維１１１１-１の重量%及び前記第２ガラス繊維１１１２-１の重量%のそれぞれより大きくてもよい。

【0147】

これと違うように、実施例では、図７に図示されたように、前記絶縁層１１１０の第１領域１１１１及び第２領域１１１２にはガラス繊維が含まれなくてもよく、前記絶縁層１１１０の第３領域１１１３にガラス繊維が集中または密集して含まれてもよい。

【0148】

結論的に、実施例における絶縁層１１１０は、厚さ方向に第１領域１１１１、第２領域１１１２及び第３領域１１１３にそれぞれ区分され、この時中央に位置した第３領域１１１３にガラス繊維が集中した密集領域を含むことができる。

【0149】

これにより、実施例では、前記絶縁層１１１０に貫通ホールを形成する場合、前記ガラス繊維の密度の差により、前記絶縁層１１１０における貫通ホールの内壁の傾斜が互いに違うように表れる。例えば、実施例では、前記第３領域１１１３でガラス繊維の密度が高いようにして、前記第３領域１１１３に形成される貫通ホールの内壁の傾斜が実質的に垂直に近いようにすることができる。ただし、実施例はこれに限定されず、前記ガラス繊維の密度以外の他の方法をにより、前記第３領域１１１３に形成される貫通ホールの垂直断面が四角形を有するようにすることができる。

【0150】

ただし、実施例では絶縁層１１１０の第１領域１１１１、第２領域１１１２及び第３領域１１１３にそれぞれガラス繊維が含まれる場合、回路基板の反り特性をさらに改善できることにより、図６に図示されたように、絶縁層１１１０の第１領域１１１１及び第２領域１１１２にもガラス繊維が一部含まれるようにする。

【0151】

一方、上記のような絶縁層１１１０は、図８に図示されたように製造される。

【0152】

例えば、実施例は、複数の絶縁層を積層して図６または図７のような絶縁層１１１０を形成することができる。これのために、実施例では絶縁層１１１０の第１絶縁パート１１１０a及び第２絶縁パート１１１０bを用意することができる。

【0153】

この時、前記第１絶縁パート１１１０aは、前記第１絶縁パート１１１０aの下面に隣接するようにガラス繊維が配置された第１-１領域１１１０a１と、前記第１絶縁パート１１１０aの上面に隣接するようにガラス繊維が配置された第１-２領域１１１０a２を含むことができる。

【0154】

また、前記第２絶縁パート１１１０bは、前記第２絶縁パート１１１０bの下面に隣接するようにガラス繊維が配置された第２-１領域１１１０b１と、前記第２絶縁パート１１１０bの上面に隣接するようにガラス繊維が配置された第２-２領域１１１０b２を含むことができる。

【0155】

そして、実施例では、前記第１絶縁パート１１１０a上に前記第２絶縁パート１１１０bを配置した状態で熱圧着を行い、図６の絶縁層１１１０を形成することができる。例えば、絶縁層１１１０は、前記第１絶縁パート１１１０aの第１-１領域１１１０a１に対応する第１領域１１１１を含むことができる。そして、前記絶縁層１１１０は、第２絶縁パート１１１０bの第２-２領域１１１０b２に対応する第２領域１１１２を含むことができる。そして、絶縁層１１１０は、前記第１絶縁パート１１１０aの第１-２領域１１１０a２と第２絶縁パート１１１０bの第２-１領域１１１０b１に対応する第３領域１１１３を含むことができる。

【0156】

これにより、絶縁層１１１０の第３領域１１１３は、前記第１絶縁パート１１１０aでガラス繊維が含まれた第１-２領域１１１０a２と、第２絶縁パート１１１０bでガラス繊維が含まれた第２-１領域１１１０b１に構成される。よって、実施例における絶縁層１１１０の第３領域１１１３にはガラス繊維が密集して形成される。例えば、実施例における絶縁層１１１０はガラス繊維が密集した領域である第３領域１１１３を含むことができる。そして、前記第３領域１１１３は、絶縁層１１１０の下面BSに隣接した第１領域１１１１と、前記絶縁層１１１０の上面TSに隣接した第２領域１１１２の間の領域または中央領域であってもよい。

【0157】

一方、前記絶縁層１１１０の第１領域１１１１及び第２領域１１１２にもガラス繊維が含まれる場合、前記第３領域１１１３におけるガラス繊維の密度は、前記第１領域１１１１におけるガラス繊維の密度及び/または前記第２領域１１１２におけるガラス繊維の密度の少なくとも２倍以上であってもよい。例えば、前記第３領域１１１３におけるガラス繊維の密度は、前記第１領域１１１１におけるガラス繊維の密度及び/または前記第２領域１１１２におけるガラス繊維の密度の少なくとも３倍以上であってもよい。例えば、前記第３領域１１１３におけるガラス繊維の密度は、前記第１領域１１１１におけるガラス繊維の密度及び/または前記第２領域１１１２におけるガラス繊維の密度の少なくとも５倍以上であってもよい。

【0158】

実施例では、上記のように絶縁層１１１０の厚さが３００μm以上である場合に、これを貫通する貫通電極１１２０の物理的信頼性及び電気的信頼性を向上させるために、前記絶縁層１１１０を厚さ方向に第１～第３領域に区分する。そして、実施例では、前記絶縁層１１１０の中央領域である第３領域１１１３にガラス繊維が密集するようにする。

【0159】

ただし、実施例はこれに限定されず、前記絶縁層１１１０の厚さが３００μm未満である場合にも、前記絶縁層１１１０を３つの領域に区分し、それにより中央にガラス繊維の密集領域を形成することもできる。ただし、実施例で、ガラス繊維が密集した第３領域１１１３を含む絶縁層１１１０に貫通電極１１２０を形成することにより表れる効果は、前記絶縁層１１１０が３００μm以上の厚さを有する場合に極大化する。これにより以下では、前記絶縁層１１１０が３００μm以上の厚さを有すると仮定して説明することにする。

【0160】

前記絶縁層１１１０を構成する第１領域１１１１、第２領域１１１２及び第３領域１１１３は、互いに異なる厚さを有することができる。例えば、前記第１領域１１１１は、第３領域１１１３より大きい厚さを有することができる。前記第１領域１１１１と前記第２領域１１１２は、互いに対応する厚さを有することができる。ただし、実施例はこれに限定されない。例えば、前記絶縁層１１１０の第１領域１１１１と第２領域１１１２のそれぞれは、前記第３領域１１１３より小さい厚さを有することができる。

【0161】

前記絶縁層１１１０の第１領域１１１１は、７５μm～１５０μmの範囲の第１厚さを有することができる。例えば、前記第１領域１１１１は、８０μm～１３０μmの範囲の第１厚さを有することができる。例えば、前記第１領域１１１１は、９０μm～１２０μmの範囲の第１厚さを有することができる。前記第１領域１１１１の厚さが７５μm未満である場合、前記第３領域１１１３における貫通ホールの加工性が低下し、これにより貫通ホールの加工時間が増加する。前記第１領域１１１１の厚さが１５０μmを超過すると、これによる第３領域１１１３の厚さが減少し、これにより前記第３領域１１１３によるビアホールの面積増加または貫通電極の面積増加効果が微小となる。

【0162】

前記絶縁層１１１０の第２領域１１１２は、前記第１領域１１１１に対応する第２厚さを有することができる。例えば、前記第２領域１１１２は、７５μm～１５０μmの範囲の第２厚さを有することができる。例えば、前記第２領域１１１２は、８０μm～１３０μmの範囲の第２厚さを有することができる。例えば、前記第２領域１１１２は、９０μm～１２０μmの範囲の第２厚さを有することができる。

【0163】

一方、実施例で、前記第３領域１１１３の厚さは、前記第１領域１１１１の厚さ及び第２領域１１１２の厚さより大きくてもよく、小さくてもよい。ただし、前記第３領域１１１３の厚さが前記第１領域１１１１の厚さ及び第２領域１１１２の厚さより大きい場合、これによる貫通ホールの面積及び貫通電極の面積を極大化することができ、これにより以下では、前記第３領域１１１３の厚さが前記第１領域１１１１の厚さ及び第２領域１１１２の厚さより大きいとして説明することにする。

【0164】

前記第３領域１１１３は、前記第１領域１１１１の第１厚さまたは第２領域１１１２の第２厚さより大きい第３厚さT３を有することができる。例えば、前記第３領域１１１３は、１５０μm～３００μmの範囲の第３厚さを有することができる。例えば、第３領域１１１３は、１６５μm～２８０μmの範囲の第３厚さを有することができる。例えば、第３領域１１１３は、１８０μm～２５０μmの範囲の第３厚さを有することができる。前記第３領域１１１３の厚さが１５０μm未満であると、前記第３領域１１１３による貫通ホールまたは貫通電極の面積の増加効果が微小となる。例えば、前記第３領域１１１３におけるビアホールの面積または貫通電極の面積が増加することにより、前記貫通電極による放熱特性の向上や、前記貫通電極におけるボイドやディンプルのような不良を解決することができる。ただし、前記第３領域１１１３の厚さが減少する場合、上記のような放熱特性向上や、不良解決に対する効果が比較例と大した差がなくなる。

【0165】

また、前記第３領域１１１３の厚さが３００μmを超過する場合、前記第３領域１１１３で貫通ホールの形成のためのレーザー加工性が低下し、これにより工程性が複雑になる。

【0166】

一方、前記絶縁層１１１０の第１領域１１１１、第２領域１１１２及び第３領域１１１３のそれぞれの厚さは、コア層が持つべき全体厚さによって決定される。

【0167】

そして、前記第１領域１１１１及び第２領域１１１２のそれぞれの厚さは、前記第３領域１１１３の厚さの３５%～６５%の間の範囲を有するようにする。例えば、前記第１領域１１１１及び第２領域１１１２のそれぞれの厚さは、第３領域１１１３の厚さの３８%～６２%の範囲を有するようにする。例えば、前記第１領域１１１１及び第２領域１１１２のそれぞれの厚さは、第３領域１１１３の厚さの４０%～５８%の範囲を有するようにする。そして、前記第１領域１１１１及び第２領域１１１２のそれぞれの厚さが前記第３領域１１１３の３５%～６５%の間の範囲を外れる場合、以上で説明したような問題が発生し得る。

【0168】

実施例の回路基板は、前記絶縁層１１１０を貫通する貫通電極１１２０を含む。例えば、前記貫通電極１１２０は、前記絶縁層１１１０の第１領域１１１１を貫通する第１電極パート１１２１、前記絶縁層１１１０の第２領域１１１２を貫通する第２電極パート１１２２及び前記絶縁層１１１０の第３領域１１１３を貫通する第３電極パート１１２３を含む。

【0169】

具体的に、前記第１電極パート１１２１は、前記絶縁層１１１０の下面BSに隣接するように配置され、前記絶縁層１１１０の上面TSを向かうほど幅が漸減するように第１傾斜を有することができる。前記第１傾斜は、前記絶縁層１１１０の下面BSに対する前記第１電極パート１１２１の側面の傾斜を意味することができる。これと違うように、前記第１傾斜は、前記絶縁層１１１０の上面TSに対する前記第１電極パート１１２１の側面の傾斜を意味することができる。

【0170】

また、前記第２電極パート１１２２は、前記第１電極パート１１２１上に配置される。例えば、前記第２電極パート１１２２は、前記絶縁層１１１０の上面TSに隣接するように配置される。前記第２電極パート１１２２は、前記絶縁層１１１０の上面TSを向かうほど幅が漸増するように第２傾斜を有することができる。即ち、前記第２電極パート１１２２は、前記第１電極パート１１２１が有する第１傾斜とは異なる第２傾斜を有することができる。前記第２傾斜は、前記絶縁層１１１０の下面に対する前記第２電極パート１１２２の側面の傾斜を意味することができる。これと違うように、前記第２傾斜は、前記絶縁層１１１０の上面に対する前記第２電極パート１１２２の側面の傾斜を意味することができる。

【0171】

即ち、前記絶縁層１１１０の下面BSに対する前記第１電極パート１１２１の側面の第１傾斜は、前記絶縁層１１１０の下面BSに対する前記第２電極パート１１２２の側面の第２傾斜と異なってもよい。また、前記絶縁層１１１０の上面TSに対する前記第１電極パート１１２１の側面の第１傾斜は、前記絶縁層１１１０の上面TSに対する前記第２電極パート１１２２の側面の第２傾斜と異なってもよい。例えば、前記第１傾斜に対応する前記第１電極パート１１２１の傾いた方向は、前記第２傾斜に対応する前記第２電極パート１１２２の傾いた方向と異なってもよい。

【0172】

前記第３電極パート１１２３は、前記第１電極パート１１２１と前記第２電極パート１１２２の間に配置することができる。前記第３電極パート１１２３は、前記第１電極パート１１２１が有する第１傾斜及び前記第２電極パート１１２２が有する第２傾斜と異なる第３傾斜を有することができる。前記第３傾斜は、前記絶縁層１１１０の下面BSに対する前記第３電極パート１１２３の側面の傾斜を意味することができる。これと違うように、前記第３傾斜は、絶縁層１１１０の上面TSに対する前記第３電極パート１１２３の側面の傾斜を意味することができる。

【0173】

結論的に、前記絶縁層１１１０の下面BSに対する前記第３電極パート１１２３の側面の第３傾斜は、前記絶縁層１１１０の下面BSに対する前記第１電極パート１１２１の側面の第１傾斜及び前記絶縁層１１１０の下面BSに対する前記第２電極パート１１２２の側面に対する第２傾斜と異なってもよい。また、前記絶縁層１１１０の上面TSに対する第３電極パート１１２３の側面の第３傾斜は、前記絶縁層１１１０の上面TSに対する前記第１電極パート１１２１の側面の第１傾斜及び前記絶縁層１１１０の上面TSに対する前記第２電極パート１１２２の側面の第２傾斜と異なってもよい。この時、一実施例で、前記第３傾斜は、絶縁層１１１０の下面BSまたは上面TSに対して直角であってもよい。また、別の一実施例で、前記第３傾斜は、絶縁層１１１０の下面BSまたは上面に対して一定傾斜を有することができる。そして、前記第３傾斜が前記絶縁層１１１０の下面または上面に対して一定傾斜を有する場合、前記一定傾斜は、前記第１傾斜及び第２傾斜と異なり、かつ前記第１傾斜と第２傾斜のの間の角度のうちいずれか１つであってもよい。

【0174】

これにより、実施例の貫通電極１１２０の側面は、複数の変曲部を含むことができる。例えば、貫通電極１１２０の側面は、前記第１電極パート１１２１と前記第３電極パート１１２３の境界部分に形成された第１変曲部と、前記第２電極パート１１２２と前記第３電極パート１１２３の境界部分に形成された第２変曲部を含むことができる。

【0175】

一方、上記のような貫通電極１１２０の第１電極パート１１２１、第２電極パート１１２２及び第３領域１１１３は、前記絶縁層１１１０のそれぞれの領域を貫通しながら形成される。

【0176】

例えば、前記絶縁層１１１０は、前記貫通電極１１２０が配置される貫通ホールTHを含むことができる。

【0177】

具体的に、絶縁層１１１０の第１領域１１１１には、前記第１電極パート１１２１が配置される前記貫通ホールTHの第１ホールパートTH１を含むことができる。そして、前記第１ホールパートTH１は、前記第１電極パート１１２１に対応する形状を有することができる。例えば、前記第１ホールパートTH１は、前記絶縁層１１１０の下面に隣接するように配置され、前記絶縁層１１１０の上面TSを向かうほど幅が漸減することができる。例えば、前記第１ホールパートTH１の内壁は、前記第１電極パート１１２１が有する第１傾斜に対応する傾斜を有することができる。

【0178】

また、絶縁層１１１０の第２領域１１１２は、前記第２電極パート１１２２が配置される前記貫通ホールTHの第２ホールパートTH２を含むことができる。そして、前記第２ホールパートTH２は、前記第２電極パート１１２２に対応する形状を有することができる。例えば、前記第２ホールパートTH２は、前記絶縁層１１１０の上面に隣接するように配置され、前記絶縁層１１１０の上面TSを向かうほど幅が漸増することができる。例えば、前記第２ホールパートTH２の内壁は、前記第２電極パート１１２２が有する第２傾斜に対応する傾斜を有することができる。

【0179】

また、前記絶縁層１１１０の第３領域１１１３は、前記第３電極パート１１２３が配置される前記貫通ホールTHの第３ホールパートTH３を含むことができる。そして、前記第３ホールパートTH３は、前記第３電極パート１１２３に対応する形状を有することができる。例えば、前記第３ホールパートTH３は、前記第１ホールパートTH１及び前記第２ホールパートTH２の間に配置され、前記第１ホールパートTH１及び前記第２ホールパートTH２と異なる傾斜を有することができる。例えば、前記第３ホールパートTH３の内壁は、前記第３電極パート１１２３が有する第３傾斜に対応する傾斜を有することができる。

【0180】

前記第１ホールパートTH１に充填された第１電極パート１１２１は、上面の幅W１が下面の幅W２より小さい台形形状を有することができ、第２ホールパートTH２に充填された第２電極パート１１２２は、上面の幅W３が下面の幅W４より大きい台形形状を有することができる。一例として、前記第１電極パート１１２１及び前記第２電極パート１１２２は、前記第３電極パート１１２３を中心に相互対称形状を有することができるが、これに限定されるものではない。

【0181】

一方、前記第３ホールパートTH３は、前記絶縁層１１１０のガラス繊維密集領域に対応する、第３領域１１１３に形成される。

【0182】

この時、一般的なコア層に貫通ホールを形成する場合、コア層の上側及び下側でそれぞれ溝を形成する工程を経て、前記溝が連結されることにより貫通ホールが形成されるようにする。ここで、従来のコア層は、全体領域でガラス繊維の密度が均一であり、これにより前記コア層に形成される貫通ホールは砂時計形状を有する。これと違うように、実施例では、前記絶縁層１１１０の第３領域１１１３にガラス繊維が密集した密集領域を含むようにする。これにより、実施例では、前記絶縁層１１１０の第３領域１１１３で四角形状の貫通ホールが形成され、これにより貫通ホールまたは貫通電極の全体的な形状が少なくとも３つの傾斜(砂時計は２つの傾斜を含む)を含むことになる。

【0183】

一方、図６に図示されたように、前記第３領域１１１３にガラス繊維の密集領域を含み、前記第３ホールパートTH３を形成する過程で、前記第３領域１１１３に含まれたガラス繊維の少なくとも一部は、前記第３ホールパートTH３内で露出することができる。そして、前記第３ホールパートTH３を満たす第３電極パート１１２３は、前記第３ホールパートTH３内で露出したガラス繊維を覆いながら形成される。この時、前記露出したガラス繊維は、前記貫通ホールの内壁の粗さを高める機能をすることができる。これにより、実施例では、前記絶縁層１１１０と前記貫通電極１１２０の間の接合力を向上させることができる。

【0184】

一方、前記第３ホールパートTH３は、一側が前記第１ホールパートTH１と連結され、他側が前記第２ホールパートTH２と連結される。前記第３ホールパートTH３は、ガラス繊維が密集した前記絶縁層１１１０の第３領域１１１３に形成され、これによりこの上面の幅は、下面の幅と同一となることができる。

【0185】

また、実施例における前記第３ホールパートTH３の下面の幅は、前記第１ホールパートTH１の上面の幅W１と同一となることができる。また、実施例における前記第３ホールパートTH３の上面の幅は、前記第２ホールパートTH２の下面の幅W４と同一となることができる。

【0186】

例えば、前記第３ホールパートTH３の上面の幅は、前記第３ホールパートTH３の下面の幅の９５%～１０５%の間の範囲を有することができる。

【0187】

これにより、実施例では、前記第３ホールパートTH３の下面の幅は、前記第１ホールパートTH１の上面の幅の９５%～１０５%の間の範囲を有することができる。

【0188】

また、実施例における前記第３ホールパートTH３の上面の幅は、前記第２ホールパートTH２の下面の幅の９５%～１０５%の間の範囲を有することができる。

【0189】

例えば、前記第３ホールパートTH３の幅は、前記第１ホールパートTH１で一番大きい幅を有する部分の幅より小さくてもよい。また、前記第３ホールパートTH３の幅は、前記第１ホールパートTH１で一番小さい幅を有する部分の幅と同一となることができる。

【0190】

例えば、前記第３ホールパートTH３の幅は、前記第２ホールパートTH２で一番大きい幅を有する部分の幅より小さくてもよい。また、前記第３ホールパートTH３の幅は、前記第２ホールパートTH２で一番小さい幅を有する部分の幅と同一となることができる。

【0191】

一方、前記第１ホールパートTH１の下面の幅は、第１電極パート１１２１の下面の幅に対応することができる。また、前記第１ホールパートTH１の上面の幅は、前記第１電極パート１１２１の上面の幅に対応することができる。

【0192】

また、前記第２ホールパートTH２の上面の幅は、第２電極パート１１２２の上面の幅に対応することができる。また、前記第２ホールパートTH２の下面の幅は、第２電極パート１１２２の下面の幅に対応することができる。

【0193】

また、前記第３ホールパートTH３の上面の幅は、前記第３電極パート１１２３の上面の幅に対応することができる。また、前記第３ホールパートTH３の下面の幅は、前記第３電極パート１１２３の下面の幅に対応することができる。

【0194】

一方、実施例の絶縁層１１１０の下面BSには、第１パターン層１１３０が配置され、前記絶縁層１１１０の上面TSには、第２パターン層１１４０が配置される。前記第１パターン層１１３０及び第２パターン層１１４０は、貫通電極１１２０と連結される少なくとも１つのパッドと、前記パッドと連結されるトレースを含むことができる。例えば、第１パターン層１１３０は、前記貫通電極１１２０の下面(例えば、第１電極パート１１２１の下面)と連結される第１パッドを含むことができる。例えば、第２パターン層１１４０は、前記貫通電極１１２０の上面(例えば、第２電極パート１１２２の上面)と連結される第２パッドを含むことができる。

【0195】

前記第１パターン層１１３０の前記第１パッドは、前記第１電極パート１１２１より大きい幅を有することができる。例えば、前記第１パターン層１１３０の第１パッドは、前記第１電極パート１１２１の下面の幅W２より大きい幅を有することができる。これにより、実施例では、第１パターン層１１３０の前記第１パッドが第１電極パート１１２１の下面を全体的に覆いながら配置されるようにして、前記第１パッドが有する機能(例えば、信号伝達、放熱または遮蔽)の信頼性(例えば、信号伝達特性、放熱特性、遮蔽特性)を向上させることができるようにする。

【0196】

前記第２パターン層１１４０の前記第２パッドは、前記第２電極パート１１２２より大きい幅を有することができる。例えば、前記第２パターン層１１４０の第２パッドは、前記第２電極パート１１２２の上面の幅W３より大きい幅を有することができる。これにより、実施例では、第２パターン層１１４０の前記第２パッドが第２電極パート１１２２の上面を全体的に覆いながら配置されるようにして、前記第２パッドが有する機能(例えば、信号伝達、放熱または遮蔽)の信頼性(例えば、信号伝達特性、放熱特性、遮蔽特性)を向上させることができるようにする。

【0197】

一方、実施例で、第３電極パート１１２３ではなく、第１電極パート１１２１及び第２電極パート１１２３の幅を増加させることもできるが、前記第１電極パート１１２１及び第２電極パート１１２３の幅が増加する場合、第１パターン層１１３０または第２パターン層１１４０の配置空間が減少して、これによる回路パターンの密集度が減少し、これによる回路基板の幅方向または長さ方向への体積が増加する。反面、実施例における前記第３電極パート１１２３の幅が増加しても、前記第１パターン層１１３０や第２パターン層１１４０に全く影響を与えない。これは、第３電極パート１１２３は、絶縁層１１１０の中央に配置されることで、前記第３電極パート１１２３と長さ方向または幅方向(図面上で水平方向)に離隔するパターン層が存在しないからである。

【0198】

一方、前記第３実施例及び第４実施例の回路基板は、図５に図示された第２実施例の回路基板のように複数の層構造を有することもできる。

【0199】

即ち、図５の回路基板の中央に配置された絶縁層、パターン層及び貫通電極は、図６または図７の絶縁層、パターン層及び貫通電極で具現することもできる。

【0200】

＜半導体パッケージ＞
実施例の半導体パッケージは、上記説明された第１～第４実施例の回路基板のうちいずれか１つの回路基板を含むことができる。以下では、図５に図示された第２実施例の回路基板を含む半導体パッケージに対して説明する。ただし、実施例はこれに限定されず、第２実施例以外にも第１実施例、第３実施例及び第４実施例の回路基板を含んでもよい。

【0201】

図１０は、実施例に係る半導体パッケージを示した図面である。

【0202】

図１０を参照すると、実施例の半導体パッケージは、図５の回路基板と、前記回路基板上に実装される少なくとも１つのチップと、前記チップをモールディングするモールディング層と前記チップや外部基板との連結のための接続部を含む。

【0203】

例えば、実施例の半導体パッケージは、最外側パターン層である第４パターン層１８０上に配置される第１接続部２１０を含むことができる。前記第１接続部２１０の断面は、円形形状または半円形状を含むことができる。例えば、前記第１接続部２１０の断面は、部分的にまたは全体的にラウンド状を含むことができる。前記第１接続部２１０の断面形状は、一側面で平面であり、他の一側面で曲面であってもよい。第１接続部２１０は、ソルダーボールであってもよいが、これに限定されるものではない。

【0204】

一方、実施例では、前記第１接続部２１０上に配置されるチップ２２０を含むことができる。前記チップ２２０はプロセッサチップであってもよい。例えば、前記チップ２２０は、セントラルプロセッサ(例えば、CPU)、グラフィックプロセッサ(例えば、GPU)、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラのうちのアプリケーションプロセッサ(AP)チップであってもよい。前記チップ２２０の端子２２５は、前記第１接続部２１０を介して前記第４パターン層１８０と連結される。例えば、前記第４パターン層１８０は、チップ２２０が実装される実装パッドを含むことができる。

【0205】

また、図面上には図示されていないが、実施例の半導体パッケージは追加チップをさらに含むことができる。例えば、実施例では、セントラルプロセッサ(例えば、CPU)、グラフィックプロセッサ(例えば、GPU)、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラのうち少なくとも２つのチップが前記回路基板上に一定間隔を置いてそれぞれ配置される。例えば、実施例におけるチップ２２０は、セントラルプロセッサチップ及びグラフィックプロセッサチップを含むことができるが、これに限定されるものではない。

【0206】

一方、前記複数のチップは、前記回路基板上で相互一定間隔離隔することができる。例えば、前記複数のチップの間の離隔間隔は、１５０μm以下であってもよい。例えば、前記複数のチップの間の離隔間隔は、１２０μm以下であってもよい。例えば、前記複数のチップの間の離隔間隔は、１００μm以下であってもよい。

【0207】

好ましくは、前記複数のチップの間の離隔間隔は、６０μm～１５０μmの間の範囲を有することができる。好ましくは、前記複数のチップの間の離隔間隔は、７０μm～１２０μmの間の範囲を有することができる。好ましくは、前記複数のチップの間の離隔間隔は、８０μm～１１０μmの間の範囲を有することができる。前記複数のチップの間の離隔間隔が６０μmより小さいと、前記複数のチップの相互間の干渉により、動作信頼性に問題が発生し得る。前記複数のチップの間の離隔間隔が１５０μmより大きいと、前記複数のチップの間の距離が離れることにより、信号伝送損失が増加する。前記複数のチップの間の離隔間隔が１５０μmより大きいと、半導体パッケージの体積が大きくなる。

【0208】

前記半導体パッケージは、モールディング層２３０を含むことができる。前記モールディング層２３０は、前記チップ２２０を覆いながら配置される。例えば、前記モールディング層２３０は、前記実装されたチップ２２０を保護するために形成されるEMC(Epoxy Mold Compound)であってもよいが、これに限定されるものではない。

【0209】

この時、前記モールディング層２３０は、放熱特性を高めるために、低誘電率を有することができる。例えば、前記モールディング層２３０の誘電率Dkは、０.２～１０を有することができる。例えば、前記モールディング層２３０の誘電率Dkは、０.５～８を有することができる。例えば、前記モールディング層２３０の誘電率Dkは、０.８～５を有することができる。これにより、実施例では、前記モールディング層２３０が低誘電率を有するようにして、前記チップ２２０で発生する熱に対する放熱特性を高めることができるようにする。

【0210】

一方、半導体パッケージは、前記回路基板の最下側に配置された第２接続部２４０を含むことができる。前記第２接続部２４０は、前記第１保護層１９０を介して露出した前記第３パターン層１６０の下面に配置される。

【0211】

＜製造方法＞
以下では、実施例に係る図２に図示された回路基板の製造方法を工程順に説明することにする。ただし、以下の説明に基づいて、第２実施例、第３実施例及び第４実施例の回路基板を製造することもできる。

【0212】

図１１～図２４は、図２に図示された回路基板の製造方法を工程順に示した図面である。

【0213】

図１１を参照すると、実施例では、回路基板の貫通電極１２０の一部を先に形成する工程を行うことができる。例えば、実施例では、貫通電極１２０の第３電極パート１２３を先に形成する工程を行うことができる。

【0214】

これのために、実施例では、キャリア絶縁層CB１及び前記キャリア絶縁層CB１の少なくとも一面に金属層CB２が形成されたキャリアボードCBを用意することができる。

【0215】

この時、前記金属層CB２は、前記キャリア絶縁層CB１の第１面及び第２面のうちいずれか１つの面のみに配置されてもよく、これと違うように両面全てに配置されてもよい。例えば、前記金属層CB２は、キャリア絶縁層CB１の一面のみに配置され、それにより前記一面のみで回路基板の貫通電極１２０の第３電極パート１２３を形成する工程を行うことができる。これと違うように、前記金属層CB２は、前記キャリア絶縁層CB１の両面全てに配置され、それにより前記キャリアボードCBの両面で複数の回路基板に含まれる複数の第３電極パート１２３を形成する工程を行うことができる。このような場合、一度に２つの回路基板に含まれる２つの第３電極パート１２３を同時に製造することができる。

【0216】

前記金属層CB２は、前記キャリア絶縁層CB１に無電解メッキをして形成されてもよい。これと違うように、前記キャリア絶縁層CB１及び金属層CB２はCCL(Copper Clad Laminate)であってもよい。

【0217】

次に、図１２を参照すると、実施例では、前記金属層CB２上に第１マスクM１を形成する。そして、実施例では、前記形成された第１マスクM１を露光及び現像して、第３電極パート１２３が形成される領域を露出する開口部ORを形成する。この時、１つの第１マスクM１に１つの開口部ORしか含まれないものと図示したが、これに限定されない。例えば、実施例の絶縁層１１０には、長さ方向または幅方向に離隔する複数の貫通電極を含むことができ、これにより１つの第１マスクM１にはこれに対応するように複数の開口部が形成される。

【0218】

次に、図１３を参照すると、実施例では、前記金属層CB２をシード層として電解メッキを行い、前記第１マスクM１の開口部ORを満たす第３電極パート１２３を形成する。

【0219】

次に、図１４を参照すると、実施例では、前記金属層CB２上に形成された第１マスクM１を除去する工程を行うことができる。

【0220】

次に、図１５を参照すると、実施例では、前記金属層CB２上に前記第３電極パート１２３を覆う絶縁層１１０の第３絶縁パート１１３を形成する工程を行うことができる。この時、前記第３絶縁パート１１３は、前記第３電極パート１２３と同一厚さを有することができる。例えば、前記第３絶縁パート１１３の上面は、前記第３電極パート１２３の上面と同一平面上に位置することができる。これのために、実施例では、前記金属層CB２上に前記第３電極パート１２３の上面を覆う絶縁層を積層した後、研磨工程を行い、前記第３絶縁パート１１３と前記第３電極パート１２３の上面が同一平面上に位置するようにする工程を行うことができる。これにより、実施例では、前記第３絶縁パート１１３と前記第３電極パート１２３の厚さを同じ厚さに合わせることができる。

【0221】

次に、図１６を参照すると、実施例では、前記第３絶縁パート１１３上に第２絶縁パート１１２を積層する工程を行うことができる。この時、前記第２絶縁パート１１２の積層平坦度を合わせるために、前記第２絶縁パート１１２の表面に銅箔層(不図示)が形成される。

【0222】

次に、図１７を参照すると、実施例では、前記第３電極パート１２３の形成に使用したキャリア絶縁層CB１を分離する工程を行うことができる。この時、前記キャリアボードCBは、前記キャリア絶縁層CB１と前記金属層CB２の容易な分離のために、前記キャリア絶縁層CB１と前記金属層CB２の間に離型フィルム(不図示)をさらに含むことができる。

【0223】

次に、図１８を参照すると、実施例では、前記第３絶縁パート１１３の下面に残っている前記キャリアボードCBの金属層CB２をエッチングして除去する工程を行うことができる。これにより、前記第３絶縁パート１１３の下面及び前記第３電極パート１２３の下面は露出することができる。

【0224】

次に、図１９を参照すると、実施例では、前記第３絶縁パート１１３の下面に第１絶縁パート１１１を積層する工程を行うことができる。

【0225】

次に、図２０を参照すると、実施例では、前記第１絶縁パート１１１を加工して、前記第１絶縁パート１１１を貫通する貫通ホールTHの第１ホールパートTH１を形成する工程を行うことができる。また、実施例では、前記第２絶縁パート１１２を加工して前記第２絶縁パート１１２を貫通する貫通ホールTHの第２ホールパートTH２を形成する工程を行うことができる。

【0226】

次に、図２１を参照すると、前記第１絶縁パート１１１の下面及び前記第１ホールパートTH１の内壁に第１シード層１２１-１を形成し、前記第２絶縁パート１１２の上面及び前記第２ホールパートTH２の内壁に第２シード層１２２-１を形成する工程を行うことができる。

【0227】

次に、図２２を参照すると、実施例では、前記第１シード層１２１-１の下面に第２マスクM２を形成し、前記第２シード層１２２-１の上面に第３マスクM３を形成する工程を行うことができる。この時、前記第２マスクM２は、前記第１シード層１２１-１の下面のうち第１パターン層１３０が配置される領域と、第１電極パート１２１が配置される領域を露出する開口部を含むことができる。また、前記第３マスクM３は、前記第２シード層１２２-１の上面のうち第２パターン層１４０が配置される領域と、第２電極パート１２２が配置される領域を露出する開口部を含むことができる。

【0228】

次に、図２３を参照すると、実施例では、前記第１シード層１２１-１を利用して電解メッキを行い、前記第１電極パート１２１及び第１パターン層１３０を形成する工程を行うことができる。また、実施例では、第２シード層１２２-１を利用して電解メッキを行い、第２電極パート１２２及び第２パターン層１４０を形成する工程を行うことができる。

【0229】

次に、図２４を参照すると、実施例では、第２マスクM２及び第３マスクM３を除去する工程を行うことができる。また、実施例では、前記第１シード層１２１-１及び第２シード層１２２-１を除去する工程を行うことができる。これにより、実施例における前記第１電極パート１２１及び第２電極パート１２２は、前記第３電極パート１２３と異なる層構造を有することができる。例えば、前記第３電極パート１２３は、メッキ工程が行われた後シード層が完全に除去されることにより、電解メッキ層のみを含むことができる。これと違うように、第１電極パート１２１及び第２電極パート１２２は、シード層の一部が残っている構造を有し、これによりシード層及び電解メッキ層を含む２層構造を有することができる。

【0230】

実施例では、一定厚さ以上(例えば、３００μm以上)のコア層である絶縁層に貫通電極を形成する場合、前記絶縁層を複数の絶縁パート(例えば、第１～第３絶縁パート)に区分し、それにより前記それぞれの絶縁パートを貫通する電極パート(例えば、第１～第３電極パート)を形成する。以後、実施例では、貫通電極を構成する第３電極パートをポストメッキ工程により先に形成した後、前記第３電極パートの下部及び上部にそれぞれ第１電極パート及び第２電極パートを形成して最終的な貫通電極を形成する。これにより、実施例では、前記貫通電極にボイドやディンプルのような問題が発生することを防止し、貫通電極の物理的信頼性及び電気的信頼性を向上させることができるようにする。

【0231】

また、実施例では、貫通電極を構成する複数の電極パートのうち中央に配置された第３電極パートはポストメッキ工程により形成され、これにより上面及び下面の幅が実質的に同一な形状を有する。これにより、実施例では、比較例における砂時計形状を有する貫通電極に比べて、貫通電極の面積を増加させることができ、これによる前記貫通電極の機能による効果を極大化することができる。例えば、前記貫通電極が信号遮蔽機能をする場合、前記信号遮蔽効果をさらに向上させることができる。例えば、前記貫通電極が放熱機能をする場合、放熱特性をさらに向上させることができる。

【0232】

また、実施例では、前記絶縁層の中央領域にガラス繊維の密集領域を含むことにより、前記貫通ホールの中央領域で前記ガラス繊維が一部露出することができる。そして、実施例における貫通電極は、前記貫通ホールを介して露出したガラス繊維を覆いながら形成される。この時、前記露出したガラス繊維は、前記貫通ホールの内壁の粗さを高める機能をし、これにより前記貫通電極の形成時に前記絶縁層と前記貫通電極の間の接合力を向上させることができる。これにより、実施例では、回路基板の多様な使用環境で発生する反り(warpage)によって前記貫通電極が前記絶縁層から分離される問題を解決することができ、これによる回路基板の物理的信頼性及び電気的信頼性を向上させることができる。

【0233】

以上の実施例で説明された特徴、構造、効果等は、本発明の少なくとも１つの実施例に含まれ、必ず１つの実施例に限定されるものでは、ない。また、各実施例に例示された特徴、構造、効果等は、実施例が属する分野で通常の知識を有する者によって、別の実施例に対して組合せまたは変形して実施可能である。よって、そのような組合せと変形に係る内容は、本発明の範囲に含まれると解釈されるべきである。

【0234】

また、以上では、実施例を中心に説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものでは、なく、本発明が属する分野で通常の知識を有した者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上で例示されていない多様な変形と応用が可能である。例えば、実施例に具体的に提示された各構成要素は、変形して実施することができる。そして、そのような変形と応用に係る差異点は、添付される請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれると解釈されるべきである。

【図1a】

【図1b】

【図2】

【図3】

【図4a】

【図4b】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【手続補正書】

【提出日】2023-12-12

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

上面及び下面を含む絶縁層と、
前記絶縁層の上面と下面を貫通する貫通電極と、を含み、
前記貫通電極は、
前記絶縁層の下面に隣接するように配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が減少するように第１傾斜を有する第１電極パートと、
前記第１電極パート上に配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が増加するように第２傾斜を有する第２電極パートと、
前記第１電極パートと前記第２電極パートの間に配置され、前記第１及び第２傾斜と異なる第３傾斜を有する第３電極パートと、を含み、
前記第１電極パートのうち前記第３電極パートと一番隣接した部分の幅は、前記第３電極パートの幅より小さいか同一であり、
前記第２電極パートのうち前記第３電極パートと一番隣接した部分の幅は、前記第３電極パートの幅より小さいか同一である、回路基板。

【請求項2】

前記絶縁層の下面に配置され、前記第１電極パートと連結される第１パッドと、
前記絶縁層の上面に配置され、前記第２電極パートと連結される第２パッドを含む、請求項１に記載の回路基板。

【請求項3】

前記第１電極パートのうち前記第１パッドと一番隣接した部分の幅は、前記第１パッドの幅より小さく、
前記第２電極パートのうち前記第２パッドと一番隣接した部分の幅は、前記第２パッドの幅より小さい、請求項２に記載の回路基板。

【請求項4】

前記第３電極パートの上面の幅は、前記第３電極パートの下面の幅の９５%～１０５%の間の範囲を満足する、請求項１に記載の回路基板。

【請求項5】

前記第３傾斜は、前記絶縁層の前記上面または前記下面に対して垂直である、請求項１に記載の回路基板。

【請求項6】

前記第１電極パートと前記第２電極パートは、前記第３電極パートを中心に相互対称形状を有する、請求項１に記載の回路基板。

【請求項7】

前記第１傾斜及び前記第２傾斜は、互いに異なる方向に傾いた、請求項１に記載の回路基板。

【請求項8】

前記絶縁層の厚さは、３００μm以上である、請求項１に記載の回路基板。

【請求項9】

前記絶縁層は、
前記第１電極パートが配置される第１絶縁パートと、
前記第２電極パートが配置される第２絶縁パートと、
前記第３電極パートが配置される第３絶縁パートと、を含む、請求項１に記載の回路基板。

【請求項10】

前記第１～第３絶縁パートは、互いに同一絶縁物質を含む、請求項９に記載の回路基板。

【請求項11】

前記絶縁物質は、プリプレグを含む、請求項１０に記載の回路基板。

【請求項12】

前記第１絶縁パート及び前記第２絶縁パートのそれぞれの厚さは、前記第３絶縁パートの厚さの３５%～６５%の間の範囲を有する、請求項９に記載の回路基板。

【請求項13】

前記第１電極パートは、下面の幅が上面の幅より大きい台形形状を有し、
前記第２電極パートは、下面の幅が上面の幅より小さい台形形状を有し、
前記第３電極パートは、下面の幅と上面の幅が同一な長方形形状を有する、請求項１に記載の回路基板。

【請求項14】

上面及び下面を含む絶縁層と、
前記絶縁層の上面と下面を貫通する貫通電極と、を含み、
前記貫通電極は、
前記絶縁層の下面に隣接するように配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が漸減するように第１傾斜を有する第１電極パートと、
前記第１電極パート上に配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が漸増するように第２傾斜を有する第２電極パートと、
前記第１電極パートと前記第２電極パートの間に配置され、前記第１及び第２傾斜と異なる第３傾斜を有する第３電極パートと、を含み、
前記第３電極パートの幅は、前記第１及び第２電極パートのうち幅が一番小さい領域の幅と同一である、回路基板。

【請求項15】

前記第３電極パートは、上面及び下面の幅が同一であり、
前記第３電極パートの下面の幅は、前記第１電極パートで幅が一番小さい領域の幅と同一であり、
前記第３電極パートの上面の幅は、前記第２電極パートで幅が小さい領域の幅と同一である、請求項１４に記載の回路基板。

【請求項16】

前記絶縁層は、
前記第１電極パートが配置される第１領域と、
前記第２電極パートが配置される第２領域と、
前記第３電極パートが配置される第３領域を含み、
前記第３領域におけるガラス繊維の密度は、前記第１及び第２領域におけるガラス繊維の密度より大きい、請求項１４に記載の回路基板。

【請求項17】

前記絶縁層は、第１絶縁パート及び前記第１絶縁パート上の第２絶縁パートを含み、
前記第１絶縁パートは、前記絶縁層の下面に隣接した第１-１領域と、前記絶縁層の下面に隣接した第１-２領域を含み、
前記第２絶縁パートは、前記絶縁層の下面に隣接した第２-１領域と、前記絶縁層の上面に隣接した第２-２領域を含み、
前記絶縁層の前記第１領域は、前記第１絶縁パートの第１-１領域に対応し、
前記絶縁層の前記第２領域は、前記第２絶縁パートの第２-１領域に対応し、
前記絶縁層の前記第３領域は、前記第１絶縁パートの第１-２領域及び前記第２絶縁パートの第２-１領域に対応する、請求項１６に記載の回路基板。

【請求項18】

前記絶縁層の下面に配置され、前記第１電極パートと連結される第１パッドと、
前記絶縁層の上面に配置され、前記第２電極パートと連結される第２パッドを含み、
前記第１電極パートのうち前記第１パッドと一番隣接した部分の幅は、前記第１パッドの幅より小さく、
前記第２電極パートのうち前記第２パッドと一番隣接した部分の幅は、前記第２パッドの幅より小さい、請求項１４に記載の回路基板。

【請求項19】

前記第３電極パートの上面の幅は、前記第３電極パートの下面の幅の９５%～１０５%の間の範囲を満足し、
前記第３傾斜は、前記絶縁層の前記上面または前記下面に対して垂直であり、
前記第１電極パートと前記第２電極パートは、前記第３電極パートを中心に相互対称形状を有し、
前記第１傾斜及び前記第２傾斜は、互いに異なる方向に傾いた、請求項１４に記載の回路基板。

【請求項20】

実装パッドを含む回路基板と、
前記回路基板の前記実装パッド上に配置される接続部と、
前記接続部上に配置されるチップと、
前記チップをモールディングするモールディング層と、を含み、
前記回路基板は、
上面及び下面を含む絶縁層と、
前記絶縁層の上面と下面を貫通する貫通電極と、を含み、
前記貫通電極は、
前記絶縁層の下面に隣接するように配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が漸減するように第１傾斜を有する第１電極パートと、
前記第１電極パート上に配置され、前記絶縁層の上面を向かうほど幅が漸増するように第２傾斜を有する第２電極パートと、
前記第１電極パートと前記第２電極パートの間に配置され、前記第１及び第２傾斜と異なる第３傾斜を有する第３電極パートと、を含み、
前記第１電極パートのうち前記第３電極パートと一番隣接した部分の幅は、前記第３電極パートの幅と同一であり、
前記第２電極パートのうち前記第３電極パートと一番隣接した部分の幅は、前記第３電極パートの幅と同一であり、
前記第３傾斜は、前記絶縁層の上面または下面に対して直角であり、
前記チップは、幅方向に相互離隔して配置される第１チップ及び第２チップを含み、
前記第１チップは、セントラルプロセッサ(CPU)に対応し、
前記第２チップは、グラフィックプロセッサ(GPU)に対応する、半導体パッケージ。

【国際調査報告】