特表 2024-528319 不均一な厚さを有する電極素子を有する腫瘍治療電場を送達するための装置およびかかる装置を製造するための方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-07-26

(54)【発明の名称】不均一な厚さを有する電極素子を有する腫瘍治療電場を送達するための装置およびかかる装置を製造するための方法

(51)【国際特許分類】

   A61N 1/40 20060101AFI20240719BHJP

   A61N 1/04 20060101ALI20240719BHJP

【ＦＩ】

A61N1/40

A61N1/04

【審査請求】未請求

【予備審査請求】有

(21)【出願番号】P 2024508520

(86)(22)【出願日】2022-08-12

(85)【翻訳文提出日】2024-04-08

(86)【国際出願番号】 IB2022057573

(87)【国際公開番号】W WO2023017491

(87)【国際公開日】2023-02-16

(31)【優先権主張番号】63/232,241

(32)【優先日】2021-08-12

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】17/886,345

(32)【優先日】2022-08-11

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】519275847

【氏名又は名称】ノボキュア ゲーエムベーハー

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(74)【代理人】

【識別番号】100133400

【弁理士】

【氏名又は名称】阿部 達彦

(72)【発明者】

【氏名】ヨラム・ワッサーマン

(72)【発明者】

【氏名】スタス・オブチョフスキー

(72)【発明者】

【氏名】ナタリヤ・クプレニク

【テーマコード（参考）】

4C053

【Ｆターム（参考）】

4C053BB04

4C053BB22

4C053BB34

4C053LL05

4C053LL12

(57)【要約】

被験者の身体に腫瘍治療電場を送達するための装置。この装置は、被験者の身体上に配置されることとなり被験者の身体に腫瘍治療電場を送達することが可能な複数の電気結合電極素子を備え、複数の電気結合電極素子のうちの少なくとも１つの電極素子が、誘電体層を備え、誘電体層は、被験者の身体に対面する第１の表面と、第１の表面の対向側に位置する第２の表面とを有し、誘電体層の第１の表面および第２の表面の少なくとも一方が、非平坦表面である。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

被験者の身体に腫瘍治療電場を送達するための装置であって、
被験者の身体上に配置されることとなり、前記被験者の身体に腫瘍治療電場を送達することが可能な、複数の電気結合電極素子
を備え、
前記複数の電気結合電極素子のうちの少なくとも１つの電極素子が、誘電体層を備え、前記誘電体層は、前記被験者の身体に対面する第１の表面と、前記第１の表面に対向する第２の表面とを有し、前記誘電体層の前記第１の表面および前記第２の表面の少なくとも一方が、非平坦表面である、装置。

【請求項2】

前記誘電体層の前記第１の表面は、非平坦であり、前記誘電体層の前記第２の表面は、実質的に平坦である、請求項１に記載の装置。

【請求項3】

前記非平坦な第１の表面は、少なくとも１つの突出部またはくぼみ部を有する表面である、請求項２に記載の装置。

【請求項4】

前記第１の表面に対して垂直な方向から見た場合に、前記非平坦な第１の表面の前記突出部または前記くぼみ部は、パターンとして構成される、請求項３に記載の装置。

【請求項5】

前記第１の表面に対して垂直な方向から見た場合に、前記非平坦な第１の表面の前記突出部または前記くぼみ部は、少なくとも２つの実質的に平行なライン、少なくとも２つの実質的に垂直なライン、少なくとも２つの実質的に同心状の円、少なくとも２つの実質的に同一サイズの円、または少なくとも２つの実質的に正方形もしくは矩形、あるいはそれらの組合せとして構成される、請求項３に記載の装置。

【請求項6】

前記第１の表面に対して垂直な方向から見た場合に、前記非平坦な第１の表面の前記突出部または前記くぼみ部は、ランダムに構成される、請求項３に記載の装置。

【請求項7】

前記非平坦な第１の表面は、複数の側壁部を有する表面であり、前記複数の側壁部は、少なくとも２つの鉛直方向側壁部、少なくとも２つの湾曲状側壁部、少なくとも２つの傾斜側壁部、少なくとも２つのステップ状側壁部、またはそれらの組合せを備える、請求項１から６のいずれか一項に記載の装置。

【請求項8】

前記少なくとも１つの電極素子は、円形セラミックディスクを備える、請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。

【請求項9】

前記少なくとも１つの電極素子は、ポリマーフィルムまたはポリマー層を備える、請求項１から８のいずれか一項に記載の装置。

【請求項10】

前記少なくとも１つの電極素子は、
前記誘電体層の前記第１の表面と直接接触状態にある基板と、
前記誘電体層の前記第２の表面と直接接触状態にある導電性層と
をさらに備える、請求項１から９のいずれか一項に記載の装置。

【請求項11】

前記誘電体層の前記第１の表面は、非平坦であり、前記誘電体層の前記第２の表面は、実質的に平坦であり、
前記非平坦な第１の表面と前記実質的に平坦な第２の表面との間の距離が、不均一であり、３０％以下で変化する、請求項１から１０のいずれか一項に記載の装置。

【請求項12】

被験者の身体に腫瘍治療電場を送達するための装置であって、
被験者の身体上に配置されることとなり、前記被験者の身体に腫瘍治療電場を送達することが可能な、接続された電極素子のアレイ
を備え、
前記アレイのうちの少なくとも１つの電極素子が、セラミックディスクを備え、
前記セラミックディスクは、前記被験者の身体に対面する第１の表面と、前記第１の表面に対向する第２の表面とを有し、
前記セラミックディスクは、不均一な厚さを有する、装置。

【請求項13】

断面で見た場合に、前記セラミックディスクの前記第１の表面は、不均一表面を有する、請求項１２に記載の装置。

【請求項14】

被験者の身体に腫瘍治療電場を送達するための装置であって、
被験者の身体上に配置されることとなり、前記被験者の身体に腫瘍治療電場を送達することが可能な、トランスデューサ
を備え、
前記トランスデューサは、前記被験者の身体に対面する第１の表面と前記第１の表面に対向する第２の表面とを有する１つまたは複数の電極素子を備え、
前記電極素子のうちの少なくとも１つが、前記被験者の身体に対面する第１の表面と前記第１の表面に対向する第２の表面とを有するポリマーフィルムを備え、前記ポリマーフィルムは、不均一な厚さを有する、装置。

【請求項15】

断面で見た場合に、前記ポリマーフィルムの前記第１の表面は、不均一表面を有する、請求項１４に記載の装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
本願は、２０２２年８月１２日に出願された台湾特許出願第１１１１３０４７９号、２０２２年８月１１日に出願された米国特許出願第１７／８８６，３４５号、および２０２１年８月１２日に出願された米国特許出願第６３／２３２，２４１号に基づく優先権を主張するものであり、これらの出願はいずれも、参照により本明細書に組み込まれる。

【背景技術】

【0002】

腫瘍治療電場（ＴＴフィールド）は、中間周波数範囲（例えば５０ｋＨｚ～１ＭＨｚ、例えば５０～５００ｋＨｚなど）内の低強度（例えば１～４Ｖ／ｃｍ）交流電場であり、米国特許第７，５６５，２０５号に記載されるように腫瘍を治療するために使用され得る。ＴＴフィールド療法は、再発性グリア芽細胞腫（ＧＢＭ）のための承認済みの単独療法、および新規診断されたＧＢＭ患者のための化学療法との承認済みの併用療法である。また、ＴＴフィールドは、被験者の身体の他の部分（例えば肺、卵巣、膵臓）における腫瘍を治療するためにも使用され得る。例えば、ＴＴフィールド療法は、悪性胸膜中皮腫（ＭＰＭ）のための化学療法との承認済みの併用療法である。ＴＴフィールドは、患者の身体上に直接配置され（例えばＮｏｖｏｃｕｒｅ Ｏｐｔｕｎｅ（商標）システムを使用して）トランスデューサ間にＡＣ電圧を印加するトランスデューサ（例えば容量結合電極素子アレイ）によって、関心領域中に非侵襲的に誘発される。

【0003】

ＧＢＭの文脈においては、これらのトランスデューサを位置決めするための従来のアプローチは、前頭部および後頭部の上に第１の対のトランスデューサを位置決めし、右側頭部および左側頭部の上に第２の対のトランスデューサを位置決めするというものである。中皮腫治療の文脈においては、これらのトランスデューサを位置決めするための従来のアプローチは、胴体の前部および後部の上に第１の対のトランスデューサを位置決めし、胴体の右側部および左側部の上に第２の対のトランスデューサを位置決めするというものである。ＡＣ電圧発生器が、第１の時間間隔（例えば１秒）の間にわたり第１の対のトランスデューサ間にＡＣ電圧（例えばＧＢＭの文脈では２００ｋＨｚまたは中皮腫の文脈では１５０ｋＨｚ）を印加し、これにより、概して前後方向に延びる力線を有する電場が発生する。次いで、このＡＣ電圧発生器は、第２の時間間隔（例えば１秒）の間にわたり第２の対のトランスデューサ間にＡＣ電圧を同一周波数にて印加し、これにより、概して左右方向に延びる力線を有する電場が発生する。次いで、このシステムは、治療期間にわたりこの２ステップシーケンスを反復する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】米国特許第７，５６５，２０５号明細書

【図面の簡単な説明】

【0005】

【図1A】被験者の身体に腫瘍治療電場を送達するための複数の結合電極素子を有するトランスデューサの例示の一実施形態の断面図である。

【図1B】図１Ａの電極素子のうちの１つの拡大断面図である。

【図2A】非平坦表面を有する誘電体層の構造の例示の実施形態の断面図である。

【図2B】非平坦表面を有する誘電体層の構造の例示の実施形態の断面図である。

【図2C】非平坦表面を有する誘電体層の構造の例示の実施形態の断面図である。

【図2D】非平坦表面を有する誘電体層の構造の例示の実施形態の断面図である。

【図2E】非平坦表面を有する誘電体層の構造の例示の実施形態の断面図である。

【図2F】非平坦表面を有する誘電体層の構造の例示の実施形態の断面図である。

【図3A】非平坦表面に対して垂直な方向から見た場合の、非平坦表面を有する誘電体層の外観の例示の実施形態の平面図である。

【図3B】非平坦表面に対して垂直な方向から見た場合の、非平坦表面を有する誘電体層の外観の例示の実施形態の平面図である。

【図3C】非平坦表面に対して垂直な方向から見た場合の、非平坦表面を有する誘電体層の外観の例示の実施形態の平面図である。

【図3D】非平坦表面に対して垂直な方向から見た場合の、非平坦表面を有する誘電体層の外観の例示の実施形態の平面図である。

【図3E】非平坦表面に対して垂直な方向から見た場合の、非平坦表面を有する誘電体層の外観の例示の実施形態の平面図である。

【図4A】複数の結合電極素子を有するトランスデューサの構造の例示の実施形態の平面図である。

【図4B】複数の結合電極素子を有するトランスデューサの構造の例示の実施形態の平面図である。

【図5A】腫瘍治療電場を送達するために被験者の身体に対してトランスデューサを装着するための例示の実施形態を示す図である。

【図5B】腫瘍治療電場を送達するために被験者の身体に対してトランスデューサを装着するための例示の実施形態を示す図である。

【図6】被験者の身体に腫瘍治療電場を送達するための装置を製造するためのプロセスの例示の一実施形態を示すプロセス流れ図である。

【発明を実施するための形態】

【0006】

以下、添付の図面を参照として様々な実施形態を詳細に説明し、これらの図面において、同様の参照数字は同様の要素を示す。

【0007】

本発明は、以下の詳細な説明、例、図面、および特許請求の範囲、ならびにそれらの前述および後述の説明を参照することによってさらに容易に理解することができる。しかし、本発明は、別様のことが明示されない限り、本開示の具体的な装置、デバイス、システム、および／または方法に限定されるものではなく、したがって当然ながら変更可能なものである点を理解されたい。

【0008】

見出しは、便宜上の目的のみで設けられており、本発明をいかなる点においても限定するように解釈されるべきではない。任意の見出しの下においてまたは本開示の任意の部分において説明される実施形態は、同一のもしくは任意の他の見出し、あるいは本開示の他の部分の下において説明される実施形態と組み合わされてもよい。

【0009】

本明細書において別様のことが示されるかまたは文脈により別様のことが明示されない限り、本明細書に記載される要素のそのあらゆる可能な変形形態でのあらゆる組合せが、本発明に包含される。

【0010】

別様のことが明示されない限り、本明細書において示される方法または態様はいずれも、そのステップがある特定の順序で実施されることを必要とするように見なされることを意図するものではない。したがって、特許請求の範囲または本記載において、ある方法クレームのステップがある特定の順序に限定されるべきであると明言されていない場合には、いかなる点においてもある順序が推断されることを意図しない。これは、ステップ構成もしくは動作フローに関する論理的事項、文法構成もしくは句読点から導き出される平易な意味、または本明細書において説明される実施形態の個数もしくはタイプを含む、あらゆる可能な明示されていない解釈基準について当てはまる。前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は共に、例示および説明を目的とするものにすぎず、限定的なものではない点を理解されたい。

【0011】

本明細書ではおよび添付の特許請求の範囲では、本明細書において定義される複数の用語を参照とする。

【0012】

本明細書および添付の特許請求の範囲において、「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」、および「その（ｔｈｅ）」という単数形は、文脈により別様のことが明示されない限り、複数の言及対象を含む。

【0013】

本明細書において、「任意の」または「任意に」という用語は、それに続けて説明される事象、条件、構成要素、または状況が発生しても、発生しなくてもよいことを意味し、前記事象、条件、構成要素、または状況が発生する場合と、発生しない場合とを含むことを意味する。

【0014】

本明細書において、「突出部」という用語は、バンプ、リッジ、またはリンクルを含むがこれらに限定されない、表面の周辺部分から外方に延びまたは突出する表面の部分を示す。本明細書において、「くぼみ部」という用語は、デント、ディボット、溝、またはリンクルを含むがそれらに限定されない、表面の周辺部分に対して内方に延びるまたは凹状を成す表面の部分を示す。本明細書において、「突出部またはくぼみ部」という表現は、「突出部および／またはくぼみ部」を含む。

【0015】

身体に対してＡＣ電圧を印加する際に、電圧の一部は、トランスデューサ中の電極素子の誘電体層にわたる電圧降下によって減損する。したがって、身体の所望位置の上にトランスデューサアレイを装着するために使用可能な面積には限度があるためトランスデューサの設置面積を変更することなく、身体に対して最大電圧を送達することを可能にするシステム（装置）または方法が必要である。本発明は、この問題に対する解決策と、他の重要な課題に対する対処策とを提供する。

【0016】

被験者の身体に対して腫瘍治療電場（ＴＴフィールド）を送達する場合に、低強度（例えば１～４Ｖ／ｃｍ）および中間周波数（例えば５０～５００ｋＨｚ）のＡＣ電圧が、トランスデューサ同士の間、例えばコンデンサに印加される。本明細書における説明において、トランスデューサは、電極素子を備え、さらにこれらの電極素子は、典型的には導電性層同士の間に挟まれた誘電体層を備える。この電極素子の構成が、コンデンサとしての機能を果たす。静電容量（Ｃ）は、導体同士の間に蓄積される単位電圧（Ｖ）あたりの電荷量を表す。静電容量は、インピーダンスに反比例し、したがって高静電容量は、換言すれば低インピーダンスということになり、また対応してトランスデューサアレイにおける低い電圧降下となる。

【0017】

非平坦表面を有する誘電体層を有する電極素子を備えるトランスデューサを使用することにより、トランスデューサの静電容量を上昇させるアプローチを本発明者らは発見した。非平坦表面の場合には、誘電体層の２つの表面間の距離は不均一になり、したがってトランスデューサの静電容量は一定ではなくなる。本明細書において説明されるように、これは、腫瘍を治療するために被験者の身体に対して送達される電場力を改善することができ、したがってＴＴフィールド治療の効率を改善することができる。

【0018】

図１Ａは、被験者の身体に腫瘍治療電場を送達するための複数の結合電極素子を有するトランスデューサの例示の一実施形態の断面図を示す。この例では、複数の電極素子１０１Ａが、トランスデューサ１００Ａに組み込まれる。

【0019】

図１Ａを参照すると、電極素子１０１Ａは、基板１０２Ａを備え得る。基板１０２Ａは、ＴＴフィールドを送達するために被験者の身体に接触するようにまたは被験者の身体に対してトランスデューサ１００Ａを装着するように構成される。基板１０２Ａに適する材料は、導電性材料であるまたは導電性材料を含むべきであり、導電性材料としては、例えばクロス、フォーム、および可撓性プラスチックが含まれ得る。一例では、基板１０２Ａは、典型的には約０．５ｍｍ以上の厚さを有し得るまたは基板材料（クロス、フォーム、可撓性プラスチック等）中に注入／吸収され得る導電性医療用ゲルであるか、またはこのような導電性医療用ゲルを含む。さらなる具体的な一例では、基板１０２Ａは、０．５ｍｍの最小厚さを有する導電性ヒドロゲル層である。別の例では、基板１０２Ａは、典型的には約２０μｍ以上の厚さを有し得るまたは基板材料（クロス、フォーム、可撓性プラスチック等）中に注入／吸収され得る導電性接着剤であるか、またはこのような導電性接着剤を含む。

【0020】

複数の電極素子１０１Ａは、導電性ワイヤ１０５Ａを介して相互に接続され得る。この例では、複数の電極素子１０１Ａは、導電性ワイヤ１０５Ａを介して相互に機械的かつ電気的に接続される。他の例では、複数の電極素子１０１Ａは、基板１０２Ａを用いずに導電性ワイヤを介して相互に接続される。

【0021】

一実施形態では、複数の電極素子１０１Ａのうちの少なくとも１つが、誘電体層１０３Ａを備える。一実施形態では、誘電体層１０３Ａは、被験者の身体に対面する第１の表面と、第１の表面の対向側に位置する第２の表面とを有する。図１Ａに示す例では、誘電体層１０３Ａの第１の表面は、基板１０２Ａと直接接触状態にある表面である。一例では、第１の表面は非平坦表面であり、第２の表面は実質的に平坦な表面である。

【0022】

一実施形態では、誘電体層１０３Ａはセラミック層である。一例では、誘電体層１０３Ａは円形セラミックディスクである。別の例では、誘電体層１０３Ａは、非円形または非ディスク形状のセラミック素子である。別の例では、誘電体層１０３Ａは、非セラミック誘電体材料である。非セラミック誘電体材料の例としては、ポリマーフィルムまたはポリマー層が含まれる。

【0023】

代替的な実施形態では、トランスデューサ１００Ａは、１つのみの単体電極素子を備え得る。一例では、この単体電極素子は、基板上に位置決めされた可撓性有機材料または可撓性有機複合材料であってもよい。別の例では、この電極素子は、基板を有さない可撓性有機材料または可撓性有機複合材料を含んでもよい。

【0024】

電極素子１０１Ａは、導電性層１０４Ａをさらに備え得る。図１Ａに示す例では、導電性層１０４Ａは、誘電体層１０３Ａの第２の表面と直接接触状態にある。一例では、導電性層１０４Ａは金属層である。

【0025】

さらに、（ａ）被験者の身体にＴＴフィールドを送達し（ｂ）被験者の身体のある箇所に位置決めされることが可能である限りにおいて、本発明の実施形態と共に使用するためのトランスデューサを実装するための他の代替的な構造が使用されてもよい。他の実施形態では、被験者の身体にＴＴフィールドを送達することが可能である限りにおいて、任意の電場発生デバイスが本発明の実施形態と共に使用されてもよい。

【0026】

図１Ｂは、図１Ａの電極素子１０１Ａの拡大断面図の一例を示す。一実施形態では、電極素子１０１Ａは、基板１０２Ａ、誘電体層１０３Ａ、および導電性層１０４Ａを備える。一実施形態では、誘電体層１０３Ａは、被験者の身体に対面する第１の表面１０１Ｂと、第１の表面の対向側に位置する第２の表面１０２Ｂとを有する。この例では、第１の表面１０１Ｂは、基板１０２Ａと直接接触状態にあり、第２の表面１０２Ｂは、導電性層１０４Ａと直接接触状態にある。

【0027】

一実施形態では、第１の表面１０１Ｂは非平坦表面であり、第２の表面１０２Ｂは実質的に平坦な表面である。一例では、第１の表面１０１Ｂは、不均一表面または非一様表面である。結果として、誘電体層１０３Ａの厚さは不均一または非一様となる。第１の表面１０１Ｂもまた、不均一または非一様であってもよい。一例として、非平坦な第１の表面１０１Ｂは、例えばバンプ、デント、ディボット、リッジ、溝、もしくはリンクル等の、またはそれらの組合せなどの、少なくとも１つの突出部またはくぼみ部を有する表面である。一例では、非平坦な第１の表面１０１Ｂは、突出部およびくぼみ部を有する表面である。一例では、非平坦な第１の表面１０１Ｂは、少なくとも１つの突出部またはくぼみ部を有する化学エッチングされた表面である。別の例では、非平坦な第１の表面１０１Ｂは、切断ツール、レーザ、またはウォータジェットを使用して切断される。別の例では、非平坦な第１の表面１０１Ｂは、インプリントまたは成形される。

【0028】

別の実施形態では、非平坦な第１の表面１０１Ｂは、複数の側壁部１０３Ｂを有する表面である。一例では、複数の側壁部１０３Ｂは、非平坦な第１の表面１０１Ｂの少なくとも１つの突出部またはくぼみ部の側部である。一例では、複数の側壁部１０３Ｂは、断面方向から見た場合に、少なくとも２つの実質的に鉛直方向の側壁部、少なくとも２つの湾曲状もしくは丸みをつけられた側壁部、少なくとも２つの傾斜側壁部、少なくとも２つのステップ状側壁部、またはそれらの組合せからなる。これらの実施形態の例は、図２Ａ～図２Ｆにおいてさらに図示され、以降でさらに論じられる。

【0029】

別の実施形態では、第１の表面に対して垂直な方向から見た場合に、非平坦表面１０１Ｂの突出部またはくぼみ部は、パターンとして構成される。一例としては、第１の表面に対して垂直な方向から見た場合に、非平坦な第１の表面１０１Ｂの突出部またはくぼみ部は、少なくとも２つの実質的に平行なラインとして、少なくとも２つの実質的に垂直なラインとして、少なくとも２つの実質的に同心状の円として、少なくとも２つの実質的に同一サイズの円として、または少なくとも２つの実質的に同様の正方形もしくは矩形として、あるいはそれらの組合せとして構成される。別の実施形態では、第１の表面に対して垂直な方向から見た場合に、非平坦表面１０１Ｂの突出部またはくぼみ部は、ランダムに構成される。これらの実施形態の例は、図３Ａ～図３Ｅにおいてさらに図示され、以降でさらに論じられる。

【0030】

別の実施形態では、誘電体層１０３Ａの第１の表面１０１Ｂと第２の表面１０２Ｂとの間の距離は、不均一である。図１Ｂに示す例では、第１の表面１０１Ｂと第２の表面１０２Ｂとの間の距離としては、突出部の頂部と第２の表面１０２Ｂとの間の第１の距離ｄ_１、および第１の表面１０１Ｂの突出部の底部と第２の表面１０２Ｂとの間の第２の距離ｄ_２が含まれる。この例では、ｄ_２はｄ_１よりも小さい。一例では、ｄ_１とｄ_２との間の相違は、ｄ_１の３０％以下である。別の例では、ｄ_１とｄ_２との間の相違は、ｄ_１の２０％以下またはｄ_１の１０％以下である。

【0031】

身体に送達される電圧を最大化することは、トランスデューサ中の電極素子の誘電体層にわたる電圧降下により減損される電圧を最小限に抑制することによって実現され得る。コンデンサにおいて電圧と静電容量とが反比例する性質により、後者（電圧降下を最小限に抑制すること）は、トランスデューサの電極素子の静電容量を最大化することによって実現され得る。

【0032】

一般的には、誘電体層の静電容量は、以下の等式により算出することができる。
Ｃ＝εＡ／ｄ 等式１
ここで、εは、誘電体材料の絶対誘電率であり、Ａは、誘電体層の２つの平行な表面の表面積であり、ｄは、誘電体層の２つの表面間の距離である。

【0033】

誘電体層の表面積および絶対誘電率が一定に留まることを前提とした場合に、導電性層同士の間の距離ｄが縮小する（すなわち誘電体層の厚さが縮小する）ことにより、静電容量は上昇する。図１Ｂでは、層の全厚がｄ_１からｄ_２まで縮小することにより、静電容量が上昇する。厚さの下限ｄ_２において、誘電体層は、脆性が過剰となり意図する用途に対して耐久性を欠く場合があるが、より大きな厚さｄ_１では、耐久性が向上し得、使用に十分なものとなり得る。図１Ｂは、誘電体層１０３Ａ中に突出部を使用することにより、突出部の領域中の層厚をより大きな厚さｄ_１へと増大させることによって、より厚い誘電体層の耐久性に関するいくつかの点を取り戻したものを示す。２つの距離（誘電体層厚さ）ｄ_１およびｄ_２のみを有する図１Ｂの単純なステップ状突出部／くぼみ部の場合には、距離ｄ_１を有する（Ｘ－Ｙ平面に対して垂直方向に見た場合の）全面積の合計は、Ａ_１となり、距離ｄ_２を有する（Ｘ－Ｙ平面に対して垂直方向に見た場合の）全面積の合計は、Ａ_２となる。静電容量の合計は、Ｃ_{ｔｏｔａｌ}＝Ｃ_１＋Ｃ_２である。この場合に、
Ｃ_１＝εＡ_１／ｄ_１
および
Ｃ_２＝εＡ_２／ｄ_２
である。

【0034】

したがって、より小さな厚さ（距離ｄ_２）を有する誘電体層の代表的な領域部分の静電容量は、距離ｄ_１を有する誘電体層の代表的な領域部分よりも大きい（なぜならば静電容量は距離（誘電体の厚さ）に対して反比例の関係にあるからである）。そのため、非平坦な第１の表面を有することにより、誘電体層の総静電容量は、厚さｄ_１を有する誘電体層の総静電容量に比較して高くなる。さらに、静電容量のこの改善は、静電容量が誘電体層の表面積と比例関係にあることによりさらに強化される。これは、誘電体層の表面中に突出部／くぼみ部が含まれることによって大幅に向上する（表面積が、例えばくぼみ部の追加的な側壁部および隆起突出部の隆起表面などによって増大する）。

【0035】

図２Ａ～図２Ｆは、非平坦表面を有する誘電体層の構造の例示の実施形態の断面図を示す。

【0036】

図２Ａは、誘電体層の構造の一例を示す。この例では、誘電体層は、第１の非平坦表面２０１Ａおよび第２の実質的に平坦な表面２０２Ａを有する。一実施形態では、第１の非平坦表面２０１Ａは、１つまたは複数の突出部（バンプ）２０３Ａを有する。一例では、１つまたは複数の突出部２０３Ａは、少なくとも２つの鉛直方向側壁部２０４Ａを有する。「鉛直方向の」という用語は、第１の表面に対して垂直であるまたは実質的に垂直である（例えば垂直の±１０度の範囲内の）方向を指す。

【0037】

図２Ｂは、誘電体層の構造の別の例を示す。この例では、誘電体層は、第１の非平坦表面２０１Ｂおよび第２の実質的に平坦な表面２０２Ｂを有する。一実施形態では、第１の非平坦表面２０１Ｂは、１つまたは複数の実質的に丸いくぼみ部２０３Ｂを有する。一例では、１つまたは複数の実質的に丸いくぼみ部２０３Ｂは、少なくとも２つの湾曲状側壁部２０４Ｂを有する。

【0038】

図２Ｃは、誘電体層の構造の別の例を示す。この例では、誘電体層は、第１の非平坦表面２０１Ｃおよび第２の実質的に平坦な表面２０２Ｃを有する。一実施形態では、第１の非平坦表面２０１Ｃは、１つまたは複数の実質的に三角形のくぼみ部（溝）２０３Ｃを有する。一例では、１つまたは複数の実質的に三角形のくぼみ部２０３Ｃは、２つの傾斜側壁部２０４Ｃを有する。

【0039】

図２Ｄは、誘電体層の構造の別の例を示す。この例では、誘電体層は、第１の非平坦表面２０１Ｄおよび第２の実質的に平坦な表面２０２Ｄを有する。一実施形態では、第１の非平坦表面２０１Ｄは、１つまたは複数のくぼみ部２０３Ｄを有する。一例では、１つまたは複数のくぼみ部２０３Ｄは、少なくとも２つのステップ状側壁部２０４Ｄを有する。

【0040】

図２Ｅは、誘電体層の構造の別の例を示す。この例では、誘電体層は、第１の非平坦表面２０１Ｅおよび第２の実質的に平坦な表面２０２Ｅを有する。一実施形態では、第１の非平坦表面２０１Ｅは、１つまたは複数の交互する突出部－くぼみ部（リンクル）２０３Ｅを有する。

【0041】

図２Ｆは、誘電体層の構造の別の例を示す。この例では、誘電体層は、第１の非平坦表面２０１Ｆおよび第２の実質的に平坦な表面２０２Ｆを有する。一実施形態では、第１の非平坦表面２０１Ｆは、例えば谷部、頂部、傾斜部、湾曲部、壁部、等の、突出部およびくぼみ部からなるランダム表面構造を有する。

【0042】

本明細書において説明される実施形態は、限定的なものとして解釈されるべきではなく、明らかに他の突出部／くぼみ部が可能である点を理解されたい。さらに、第２の表面が、第１の非平坦表面に加えてまたはその代わりにいずれかにおいて非平坦である実施形態が存在し、かかる突出部／くぼみ部が、これらの実施形態の第２の表面上に存在してもよい。

【0043】

図３Ａ～図３Ｅは、非平坦表面に対して垂直な方向から見た場合における、誘電体層の非平坦な第１の表面の外観の例を示す。図３Ａ～図３Ｅでは、第１の表面に対して垂直な方向から見た場合に、非平坦な第１の表面の突出部およびくぼみ部は、パターンとして構成される。しかし、いくつかの他の実施形態では、第１の表面に対して垂直な方向から見た場合に、非平坦な第１の表面の突出部およびくぼみ部は、ランダムに構成されてもよい点に留意されたい。

【0044】

図３Ａは、非平坦な第１の表面の外観の一例を示す。この例では、第１の非平坦表面３０１Ａは、少なくとも２つの実質的に平行なライン３０２Ａとしての非平坦な第１の表面の突出部および／またはくぼみ部を例証するものである。

【0045】

図３Ｂは、非平坦な第１の表面の外観の別の例を示す。この例では、第１の非平坦表面３０１Ｂは、少なくとも２つの実質的に垂直なライン３０２Ｂおよび３０３Ｂとしての非平坦な第１の表面の突出部および／またはくぼみ部を例証するものである。

【0046】

図３Ｃは、非平坦な第１の表面の外観の別の例を示す。この例では、第１の非平坦表面３０１Ｃは、少なくとも２つの実質的に同心状の円３０２Ｃとしての非平坦な第１の表面の突出部および／またはくぼみ部を例証するものである。

【0047】

図３Ｄは、非平坦な第１の表面の外観の別の例を示す。この例では、第１の非平坦表面３０１Ｄは、少なくとも２つの実質的に同一サイズの円３０２Ｄとしての非平坦な第１の表面の突出部および／またはくぼみ部を例証するものである。

【0048】

図３Ｅは、非平坦な第１の表面の外観の別の例を示す。この例では、第１の非平坦表面３０１Ｅは、少なくとも２つの実質的に同一サイズのロッド形状矩形部３０２Ｅとしての非平坦な第１の表面の突出部および／またはくぼみ部を例証するものである。他の実施形態では、非平坦な第１の表面の突出部および／またはくぼみ部は、少なくとも２つの実質的に同一サイズの正方形または他の多角形形状であってもよい。

【0049】

図４Ａおよび図４Ｂは、複数の結合電極素子を有するトランスデューサの構造の例示の実施形態の平面図を示す。例えば、図４Ａに示すように、トランスデューサ４００Ａは、基板４０２Ａおよび複数の電極素子４０１Ａを有する。基板４０２Ａは、被験者の身体に対してトランスデューサを装着するように構成される。基板４０２Ａに適した材料としては、例えばクロス、フォーム、および可撓性プラスチックが含まれる。いくつかの実施形態では、基板４０２Ａは、約０．５ｍｍ以上の厚さを有する導電性医療用ゲル、または２０μｍ以上の厚さを有する導電性接着剤を含む。さらなる具体的な例では、基板４０２Ａは、約０．５ｍｍの最小厚さを有するヒドロゲル層である。この状況では、トランスデューサ４００Ａは、基板４０２Ａを介して被験者の身体に対して装着される。

【0050】

複数の容量結合された電極素子４０１Ａが、基板４０２Ａ上に位置決めされ、各容量結合された電極素子が、導電性プレートを有し、この導電性プレートは、基板に対面する状態で配設された誘電体層を上に有する。一実施形態では、誘電体層は、被験者の身体に対面する第１の表面と、第１の表面の対向側に位置する第２の表面とを有する。一例では、誘電体層は、基板と接触状態にある第１の表面と、導電性プレートと接触状態にある第２の表面とを有する。いくつかの例では、複数の電極素子のうちの少なくとも１つが、非平坦表面を有する誘電体層を有する。例えば、非平坦表面は、誘電体層の第１の表面であってもよい。任意には、１つまたは複数のセンサが、Ｎｏｖｏｃｕｒｅ Ｏｐｔｕｎｅ（登録商標）システムにおいて用いられる従来の構成と同様の様式で、各電極素子の下方に位置決めされてもよい。一例では、１つまたは複数のセンサが、温度センサ（例えばサーミスタ）である。

【0051】

いくつかの実施形態では、複数の電極素子４０１Ａは、実質的に平坦な電極素子である。一例では、電極素子の誘電体層は、円形の誘電体層である。さらなる具体的な例では、誘電体層は、セラミックディスクであり、各セラミックディスクは、約２ｃｍの直径と、最大厚さにおいて約１ｍｍの厚さとを有する。他の実施形態では、誘電体層は、非円形の誘電体層である。他の実施形態では、誘電体層は、ディスク形状ではないセラミック素子である。

【0052】

図４Ｂは、非セラミック結合電極素子４０１Ｂを有するトランスデューサ４００Ｂの一例を示す。この例では、トランスデューサ４００Ｂは、基板４０２Ｂと、それぞれが非セラミック誘電体層からなる複数の電極素子４０１Ｂとを有する。一実施形態では、非セラミック誘電体層は、可撓性誘電体材料を含む。可撓性誘電体材料の例としては、誘電性ポリマーまたは誘電性コポリマーが含まれる。いくつかの実施形態では、非セラミック誘電体層４０１Ｂは、非円形形状である。図４Ｂでは、電極素子４０１Ｂ（およびポリマー誘電体層）は、実質的に三角形の形状またはウェッジ形状であるが、他の実施形態では、非セラミック誘電体層（例えばポリマー層）は、任意の形状であってもよい。いくつかの例では、非セラミック誘電体層は、最大厚さにおいて約１ｍｍまたはそれ未満の厚さである。別の実施形態では、トランスデューサ４００Ｂは、基板を備えない。かかる一実施形態では、非セラミック誘電体層は、任意にはヒドロゲル層または導電性接着剤を介して被験者の身体に対して直接的に装着され得る。

【0053】

誘電体層は、被験者の身体に対面する第１の表面と、第１の表面の対向側に位置する第２の表面とを有し得る。一例では、誘電体層は、基板と接触状態にある第１の表面と、導電性材料と接触状態にある第２の表面とを有する。いくつかの実施形態では、複数の電極素子のうちの少なくとも１つが、少なくとも１つの非平坦表面を有する誘電体層を有する。いくつかの実施形態では、複数の電極素子のうちの少なくとも１つが、非平坦な第１の表面を有する誘電体層を有する。

【0054】

さらに、容量結合されない電極素子のアレイを使用したトランスデューサが使用されてもよい。この状況では、トランスデューサ４００Ａおよび４００Ｂは、導電性要素と身体との間に配設された誘電体層を絶縁することなく、被験者の身体に対して配置するように構成された導電性材料の領域を使用して実装され得る。

【0055】

図５Ａおよび図５Ｂは、腫瘍治療電場を送達するために被験者の身体に対してトランスデューサを装着する例示の実施形態を示す。

【0056】

図５Ａに示す例では、トランスデューサ５０１Ａ、５０２Ａ、５０３Ａ、および５０４Ａは、被験者の頭部に対してＴＴフィールドを印加するために被験者の頭部に対して装着される。一実施形態では、２つの電場が、２つの対のトランスデューサ間において交互に印加される。各対のトランスデューサは、被験者の身体にＴＴフィールドを発生させるためのチャネルに対応する。トランスデューサ対に関して、トランスデューサ５０１Ａおよび５０３Ａは、第１の対のトランスデューサを形成してもよく、トランスデューサ５０２Ａおよび５０４Ａは、第２の対のトランスデューサを形成してもよい。

【0057】

この例では、第１の対のトランスデューサ間の第１の腫瘍治療電場（ＴＴフィールド）と、第２の対のトランスデューサ間の第２の腫瘍治療電場（ＴＴフィールド）とは、交互に発生される。第１のＴＴフィールドは、第１の時間間隔の間にわたり第１の対のトランスデューサ間において第１のＡＣ発生器により発生された第１のＡＣ電圧を印加することによって生成され、例えば低強度（例えば１～４Ｖ／ｃｍ）および中間周波数範囲（例えば５０～５７６ｋＨｚまたはいくつかの例では１２５～２５０ｋＨｚ）を有する。一例では、第１のＴＴフィールドの周波数は、１５０ｋＨｚである。第１のＡＣ電圧は、第１の時間間隔（例えば１秒）の間にわたり第１の対のトランスデューサに対して印加される。第１の時間間隔の後、第１のＴＴフィールドの発生が終了する。次に、第２のＴＴフィールドが、第２の時間間隔の間にわたり第２の対のトランスデューサ間において第２のＡＣ発生器により発生された第２のＡＣ電圧を印加することによって生成され、例えば低強度（例えば１～４Ｖ／ｃｍ）および中間周波数範囲（例えば５０～５７６ｋＨｚまたはいくつかの例では１２５～２５０ｋＨｚ）を有する。一例では、第２のＴＴフィールドの周波数は、１５０ｋＨｚである。第２のＡＣ電圧は、第２の時間間隔（例えば１秒）の間にわたり第２の対のトランスデューサに対して印加される。第２の時間間隔および第１の時間間隔は、同じであっても異なっていてもよい。第２の時間間隔の後、第２のＴＴフィールドの発生が終了する。次に、この方法は、第１の時間間隔の間にわたり第１の対のトランスデューサ間において第１のＴＴフィールドを発生させることと、第２の時間間隔の間にわたり第２の対のトランスデューサ間において第２のＴＴフィールドを発生させることを交互に行うプロセスを反復する。

【0058】

図５Ｂに示す例では、トランスデューサ５０１Ｂ、５０２Ｂ、５０３Ｂ、および５０４Ｂは、被験者の胴体に対してＴＴフィールドを印加するために被験者の身体に対して装着される。一実施形態では、２つの電場が、２つの対のトランスデューサ間において交互に印加される。各対のトランスデューサが、被験者の身体にＴＴフィールドを発生させるためのチャネルに対応する。図５Ｂに示す例では、トランスデューサ５０１Ｂは、被験者の右胸部前方に対して装着され、トランスデューサ５０２Ｂは、被験者の右大腿前方に対して装着され、トランスデューサ５０３Ｂは、被験者の左胸部後方に対して装着され、トランスデューサ５０４Ｂは、被験者の左大腿後方に対して装着される。トランスデューサ対に関して、トランスデューサ５０１Ｂおよび５０４Ｂは、第１の対のトランスデューサを形成してもよく、トランスデューサ５０２Ｂおよび５０３Ｂは、第２の対のトランスデューサを形成してもよい。

【0059】

図６は、被験者の身体に腫瘍治療電場を送達するための装置を製造するためのプロセスの例示の一実施形態を示すプロセス流れ図である。

【0060】

図６を参照すると、ステップＳ６０２において、本方法は、セラミックディスクを作製することを含む。いくつかの実施形態では、セラミックディスクは、誘電体材料を備える。セラミックディスクは、第１の表面および第２の表面を有し、第１の表面は非平坦表面である。一実施形態では、本方法は、セラミックディスクの第１の表面を化学エッチングまたは切断することにより非平坦表面を作製することをさらに含む。いくつかの例では、セラミックディスクの第１の表面は、切断ツール、レーザ、またはウォータジェットを使用して切断される。他の実施形態では、本方法は、セラミックディスクの第１の表面をインプリントまたは成形することにより非平坦表面を作製することを含む。

【0061】

ステップＳ６０４において、本方法は、セラミックディスクの第２の表面に対して導電性材料を装着することを含む。いくつかの実施形態では、セラミックディスクの第２の表面は、実質的に平坦である。一例では、導電性材料は金属である。さらなる具体的な例では、導電性材料は金属層である。

【0062】

ステップＳ６０６において、本方法は、被験者の身体にＴＴフィールドを送達することが可能なセラミックディスクアレイを形成するためにセラミックディスクと他のセラミックディスクとを結合することを含む。いくつかの実施形態では、他のセラミックディスクのうちの１つまたは複数が、非平坦な第１の表面を有する。他の実施形態では、他のセラミックディスクのうちの１つまたは複数が、２つの実質的に平坦な表面を有する。

【0063】

図６は、本発明の一実施形態によるセラミックディスクアレイを製造する方法を論じる。本発明の他の実施形態では、同様の製造方法が、ポリマーフィルムを備える電極アレイを作製するために利用され得る。ポリマーフィルム上に１つまたは複数の非平坦表面を得るために、ポリマーフィルムの表面がインプリントまたは成形されてもよい。例えば、ポリマーフィルムの第１の表面がインプリントまたは成形されてもよい。

【0064】

例示の実施形態
本発明は、例えば以下のものなどの他の例示の実施形態を含む。

【0065】

例示の実施形態１。被験者の身体に腫瘍治療電場を送達するための装置であって、被験者の身体上に配置されることとなり被験者の身体に腫瘍治療電場を送達することが可能な複数の電気結合電極素子を備え、複数の電気結合電極素子のうちの少なくとも１つの電極素子が、誘電体層を備え、誘電体層は、被験者の身体に対面する第１の表面と、第１の表面の対向側に位置する第２の表面とを有し、誘電体層の第１の表面および第２の表面の少なくとも一方が、非平坦表面である、装置。

【0066】

例示の実施形態２。誘電体層の第１の表面が、非平坦であり、誘電体層の第２の表面が、実質的に平坦である、例示の実施形態１の装置。

【0067】

例示の実施形態３。非平坦な第１の表面が、少なくとも１つの突出部またはくぼみ部を有する表面である、例示の実施形態２の装置。

【0068】

例示の実施形態４。非平坦な第１の表面が、少なくとも１つの突出部またはくぼみ部を有する化学エッチングされた表面である、例示の実施形態３の装置。

【0069】

例示の実施形態５。第１の表面に対して垂直な方向から見た場合に、非平坦な第１の表面の突出部またはくぼみ部が、パターンとして構成される、例示の実施形態３の装置。

【0070】

例示の実施形態６。第１の表面に対して垂直な方向から見た場合に、非平坦な第１の表面の突出部またはくぼみ部が、少なくとも２つの実質的に平行なライン、少なくとも２つの実質的に垂直なライン、少なくとも２つの実質的に同心状の円、少なくとも２つの実質的に同一サイズの円、または少なくとも２つの実質的に正方形もしくは矩形、あるいはそれらの組合せとして構成される、例示の実施形態３の装置。

【0071】

例示の実施形態７。第１の表面に対して垂直な方向から見た場合に、非平坦な第１の表面の突出部またはくぼみ部が、ランダムに構成される、例示の実施形態３の装置。

【0072】

例示の実施形態８。非平坦な第１の表面が、複数の側壁部を有する表面であり、複数の側壁部が、少なくとも２つの鉛直方向側壁部、少なくとも２つの湾曲状側壁部、少なくとも２つの傾斜側壁部、少なくとも２つのステップ状側壁部、またはそれらの組合せを備える、例示の実施形態２の装置。

【0073】

例示の実施形態９。少なくとも１つの電極素子が、円形セラミックディスクを備える、例示の実施形態２の装置。

【0074】

例示の実施形態１０。少なくとも１つの電極素子が、ポリマーフィルムまたはポリマー層を備える、例示の実施形態２の装置。

【0075】

例示の実施形態１１。少なくとも１つの電極素子が、非円形形状である、例示の実施形態２の装置。

【0076】

例示の実施形態１２。少なくとも１つの電極素子が、誘電体層の第１の表面と直接接触状態にある基板と、誘電体層の第２の表面と直接接触状態にある導電性層とをさらに備える、例示の実施形態２の装置。

【0077】

例示の実施形態１３。基板が、腫瘍治療電場を送達するときに被験者の身体と接触状態になるか、または被験者の身体に対して装着される、例示の実施形態１２の装置。

【0078】

例示の実施形態１４。少なくとも１つの電極素子が、誘電体層の第１の表面の上にヒドロゲルまたは導電性接着剤をさらに備える、例示の実施形態２の装置。

【0079】

例示の実施形態１５。少なくとも１つの電極素子が、誘電体層の第２の表面の上に金属層をさらに備える、例示の実施形態２の装置。

【0080】

例示の実施形態１６。誘電体層の第１の表面が、非平坦であり、誘電体層の第２の表面が、実質的に平坦であり、非平坦な第１の表面と実質的に平坦な第２の表面との間の距離が、不均一であり、３０％以下だけ変化する、例示の実施形態１の装置。

【0081】

例示の実施形態１７。電極素子同士が容量結合される、例示の実施形態１の装置。

【0082】

例示の実施形態１８。電極素子同士が容量結合されない、例示の実施形態１の装置。

【0083】

例示の実施形態１９。被験者の身体に腫瘍治療電場を送達するための装置であって、被験者の身体上に配置されることとなり被験者の身体に腫瘍治療電場を送達することが可能な接続された電極素子のアレイを備え、アレイのうちの少なくとも１つの電極素子が、セラミックディスクを備え、セラミックディスクは、被験者の身体に対面する第１の表面と、第１の表面の対向側に位置する第２の表面とを有し、セラミックディスクは、不均一な厚さを有する、装置。

【0084】

例示の実施形態２０。断面において見た場合に、セラミックディスクの第１の表面が、不均一表面を有する、例示の実施形態１９の装置。

【0085】

例示の実施形態２１。断面において見た場合に、セラミックディスクの第１の表面が、非一様表面を有する、例示の実施形態１９の装置。

【0086】

例示の実施形態２２。被験者の身体に腫瘍治療電場を送達するための装置であって、被験者の身体上に配置されることとなり被験者の身体に腫瘍治療電場を送達することが可能なトランスデューサを備え、トランスデューサは、被験者の身体に対面する第１の表面と第１の表面の対向側に位置する第２の表面とを有する１つまたは複数の電極素子を備え、電極素子のうちの少なくとも１つが、被験者の身体に対面する第１の表面と第１の表面の対向側に位置する第２の表面とを有するポリマーフィルムを備え、ポリマーフィルムは、不均一な厚さを有する、装置。

【0087】

例示の実施形態２３。断面において見た場合に、ポリマーフィルムの第１の表面が、不均一表面を有する、例示の実施形態２２の装置。

【0088】

例示の実施形態２４。断面において見た場合に、ポリマーフィルムの第１の表面が、非一様表面を有する、例示の実施形態２２の装置。

【0089】

例示の実施形態２５。被験者の身体に腫瘍治療電場を送達するための装置を製造する方法であってこの方法は、被験者の身体に腫瘍治療電場を送達することが可能な誘電体材料を備えるセラミックディスクを作製することであって、セラミックディスクが、被験者の身体に対面する第１の表面と第１の表面の対向側に位置する第２の表面とを有し、セラミックディスクの第１の表面が、非平坦表面である、作製することと、セラミックディスクの第２の表面に対して
導電性材料を装着することと、被験者の身体に腫瘍治療電場を送達することが可能なセラミックディスクアレイを形成するためにセラミックディスクと他のセラミックディスクとを結合することとを含む。

【0090】

例示の実施形態２６。セラミックディスクの第１の表面を化学エッチングまたは切断することにより非平坦表面を作製することをさらに含む、例示の実施形態２５の方法。

【0091】

例示の実施形態２７。セラミックディスクの第１の表面が、切断ツール、レーザ、またはウォータジェットを使用して切断される、例示の実施形態２５の方法。

【0092】

特定の実施形態を参照として本発明を開示したが、添付の特許請求の範囲に定義されるような本発明の範囲から逸脱することなく、説明した実施形態に対する多数の修正、変形、および変更が可能である。したがって、本発明は、説明される実施形態に限定されず、本発明は、以下の特許請求の範囲の文言およびその均等物により定義された全範囲を有することが意図される。

【符号の説明】

【0093】

１００Ａ トランスデューサ
１０１Ａ 電極素子
１０１Ｂ 第１の表面
１０２Ａ 基板
１０２Ｂ 第２の表面
１０３Ａ 誘電体層
１０３Ｂ 側壁部
１０４Ａ 導電性層
１０５Ａ 導電性ワイヤ
２０１Ａ 第１の非平坦表面
２０１Ｂ 第１の非平坦表面
２０１Ｃ 第１の非平坦表面
２０１Ｄ 第１の非平坦表面
２０１Ｅ 第１の非平坦表面
２０１Ｆ 第１の非平坦表面
２０２Ａ 第２の実質的に平坦な表面
２０２Ｂ 第２の実質的に平坦な表面
２０２Ｃ 第２の実質的に平坦な表面
２０２Ｄ 第２の実質的に平坦な表面
２０２Ｅ 第２の実質的に平坦な表面
２０２Ｆ 第２の実質的に平坦な表面
２０３Ａ 突出部、バンプ
２０３Ｂ 実質的に丸いくぼみ部
２０３Ｃ 実質的に三角形のくぼみ部、溝
２０３Ｄ くぼみ部
２０３Ｅ 交互する突出部－くぼみ部、リンクル
２０４Ａ 鉛直方向側壁部
２０４Ｂ 湾曲状側壁部
２０４Ｃ 傾斜側壁部
２０４Ｄ ステップ状側壁部
３０１Ａ 第１の非平坦表面
３０１Ｂ 第１の非平坦表面
３０１Ｃ 第１の非平坦表面
３０１Ｄ 第１の非平坦表面
３０１Ｅ 第１の非平坦表面
３０２Ａ 実質的に平行なライン
３０２Ｂ 実質的に垂直なライン
３０２Ｃ 実質的に同心状の円
３０２Ｄ 実質的に同一サイズの円
３０２Ｅ 実質的に同一サイズのロッド形状矩形部
３０３Ｂ 実質的に垂直なライン
４００Ａ トランスデューサ
４００Ｂ トランスデューサ
４０１Ａ 電極素子
４０１Ｂ 非セラミック結合電極素子、非セラミック誘電体層、電極素子
４０２Ａ 基板
４０２Ｂ 基板
５０１Ａ トランスデューサ
５０１Ｂ トランスデューサ
５０２Ａ トランスデューサ
５０２Ｂ トランスデューサ
５０３Ａ トランスデューサ
５０３Ｂ トランスデューサ
５０４Ａ トランスデューサ
５０４Ｂ トランスデューサ

【図1A-1B】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図2E】

【図2F】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図4A】

【図4B】

【図5A】

【図5B】

【図6】

【手続補正書】

【提出日】2024-04-10

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

被験者の身体に腫瘍治療電場を送達するための装置であって、
被験者の身体上に配置されることとなり、前記被験者の身体に腫瘍治療電場を送達することが可能な、複数の電気結合電極素子
を備え、
前記複数の電気結合電極素子のうちの少なくとも１つの電極素子が、誘電体層を備え、前記誘電体層は、前記被験者の身体に対面する第１の表面と、前記第１の表面に対向する第２の表面とを有し、前記誘電体層の前記第１の表面および前記第２の表面の少なくとも一方が、非平坦表面である、装置。

【請求項2】

前記誘電体層の前記第１の表面は、非平坦であり、前記誘電体層の前記第２の表面は、平坦である、請求項１に記載の装置。

【請求項3】

前記非平坦な第１の表面は、少なくとも１つの突出部またはくぼみ部を有する表面である、請求項２に記載の装置。

【請求項4】

前記第１の表面に対して垂直な方向から見た場合に、前記非平坦な第１の表面の前記突出部または前記くぼみ部は、パターンとして構成される、請求項３に記載の装置。

【請求項5】

前記第１の表面に対して垂直な方向から見た場合に、前記非平坦な第１の表面の前記突出部または前記くぼみ部は、少なくとも２つの平行なライン、少なくとも２つの垂直なライン、少なくとも２つの同心状の円、少なくとも２つの同一サイズの円、または少なくとも２つの正方形もしくは矩形、あるいはそれらの組合せとして構成される、請求項３に記載の装置。

【請求項6】

前記第１の表面に対して垂直な方向から見た場合に、前記非平坦な第１の表面の前記突出部または前記くぼみ部は、ランダムに構成される、請求項３に記載の装置。

【請求項7】

前記非平坦な第１の表面は、複数の側壁部を有する表面であり、前記複数の側壁部は、少なくとも２つの鉛直方向側壁部、少なくとも２つの湾曲状側壁部、少なくとも２つの傾斜側壁部、少なくとも２つのステップ状側壁部、またはそれらの組合せを備える、請求項２に記載の装置。

【請求項8】

前記少なくとも１つの電極素子は、円形セラミックディスクを備える、請求項２に記載の装置。

【請求項9】

前記少なくとも１つの電極素子は、ポリマーフィルムまたはポリマー層を備える、請求項２に記載の装置。

【請求項10】

前記少なくとも１つの電極素子は、
前記誘電体層の前記第１の表面と直接接触状態にある基板と、
前記誘電体層の前記第２の表面と直接接触状態にある導電性層と
をさらに備える、請求項２に記載の装置。

【請求項11】

前記誘電体層の前記第１の表面は、非平坦であり、前記誘電体層の前記第２の表面は、平坦であり、
前記非平坦な第１の表面と前記平坦な第２の表面との間の距離が、不均一であり、３０％以下で変化する、請求項１に記載の装置。

【請求項12】

被験者の身体に腫瘍治療電場を送達するための装置であって、
被験者の身体上に配置されることとなり、前記被験者の身体に腫瘍治療電場を送達することが可能な、接続された電極素子のアレイ
を備え、
前記アレイのうちの少なくとも１つの電極素子が、セラミックディスクを備え、
前記セラミックディスクは、前記被験者の身体に対面する第１の表面と、前記第１の表面に対向する第２の表面とを有し、
前記セラミックディスクは、不均一な厚さを有する、装置。

【請求項13】

断面で見た場合に、前記セラミックディスクの前記第１の表面は、不均一表面を有する、請求項１２に記載の装置。

【請求項14】

被験者の身体に腫瘍治療電場を送達するための装置であって、
被験者の身体上に配置されることとなり、前記被験者の身体に腫瘍治療電場を送達することが可能な、トランスデューサ
を備え、
前記トランスデューサは、前記被験者の身体に対面する第１の表面と前記第１の表面に対向する第２の表面とを有する１つまたは複数の電極素子を備え、
前記電極素子のうちの少なくとも１つが、前記被験者の身体に対面する第１の表面と前記第１の表面に対向する第２の表面とを有するポリマーフィルムを備え、前記ポリマーフィルムは、不均一な厚さを有する、装置。

【請求項15】

断面で見た場合に、前記ポリマーフィルムの前記第１の表面は、不均一表面を有する、請求項１４に記載の装置。

【国際調査報告】